JP6489263B2 - 封止用樹脂組成物及び電子部品装置 - Google Patents

Description

本発明は、封止用樹脂組成物及びこれを用いた電子部品装置に関する。

ダイオード、トランジスタ、集積回路等の電子部品は、エポキシ樹脂組成物等の硬化物により封止された電子部品装置として、市場に流通又は電子機器に組み込まれている。このような封止材に用いられるエポキシ樹脂組成物は、一般的に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂系硬化剤、無機充填材、カップリング剤等の組成からなる。また、近年の電子機器の小型化、軽量化、高性能化等の動向に伴って電子部品の高集積化等が進み、封止材（封止用樹脂組成物）に要求される性能も高くなっている。封止材に要求される具体的性能としては、例えば密着性、耐半田性、流動性、耐熱性、高温保管特性等がある。

このような中、メルカプト基を有するシランカップリング剤やメルカプト基を有するトリアゾール化合物等、メルカプト基を有する化合物を含有する封止用樹脂組成物が開発されている（特許文献１、特許文献２参照）。メルカプト基を有する化合物を含有させることで、電子部品等に対する密着性が高まるなどといった効果がある。

一方、近年、電子部品とリードフレームとの接続に用いられるボンディングワイヤ等の材料として、金に代わり安価な銅が使用されつつある。しかしながら、銅ワイヤを備える電子部品装置は高温保管特性が十分でない場合がある。銅ワイヤ等の銅部材が用いられた電子部品装置に対するより一層の優れた高温保管特性が求められており、このような電子部品の封止に好適な封止用樹脂組成物の開発が望まれている。

特開平０９−１６５４９９号公報 特開２００９−１６７２８６号公報

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、十分な密着性を有し、得られる電子部品装置の高温保管特性も高い封止用樹脂組成物、及びこのような封止用樹脂組成物を封止材として用いて得られる電子部品装置を提供することを目的とする。

前記目的に沿う第１の発明に係る封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無機充填材（Ｃ）及び下記式（１）で表される化合物（Ｄ）を含有し、下記式（１）中、Ｒ ^１ は、２級または３級アミノ基であり、当該封止用樹脂組成物は、硬化促進剤（Ｆ）をさらに含有し、前記硬化促進剤（Ｆ）が、有機ホスフィンを含み、前記無機充填剤は、平均粒径０．１μｍ以上１μｍ以下の無機充填剤と平均粒径１０μｍ以上４０μｍ以下の無機充填剤の混合物である。

第１の発明に係る封止用樹脂組成物において、Ｒ^１が、下記式（２）で表されることがさらに好ましい。

第１の発明に係る封止用樹脂組成物において、前記化合物（Ｄ）の含有量が０．０１質量％以上１質量％以下であることが好ましい。なお、各成分の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対する割合である（以下、同様）。
第１の発明に係る封止用樹脂組成物において、前記有機ホスフィンが、エチルホスフィン、フェニルホスフィン、ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、およびトリフェニルホスフィンからなる群より選択される少なくとも１つを含むことが好ましい。
第１の発明に係る封止用樹脂組成物において、前記有機ホスフィンが、トリフェニルホスフィンを含むことが好ましい。

第１の発明に係る封止用樹脂組成物において、カップリング剤（Ｅ）をさらに含有し、該カップリング剤（Ｅ）がメルカプト基を有するシランカップリング剤（Ｅ１）を含むことが好ましい。

第１の発明に係る封止用樹脂組成物において、前記メルカプト基を有するシランカップリング剤（Ｅ１）の含有量が０．０１質量％以上０．１質量％以下であることが好ましい。

第１の発明に係る封止用樹脂組成物において、銅ワイヤが接続されている電子部品の封止に用いられることが好ましい。

前記目的に沿う第２の発明に係る電子部品装置は、電子部品と、該電子部品を封止する封止材とを有する電子部品装置において、前記封止材が第１の発明に係る封止用樹脂組成物の硬化物である。

第２の発明に係る電子部品装置において、前記電子部品に接続されている銅ワイヤを有することが好ましい。

第１の発明に係る封止用樹脂組成物は、ヒドロキシベンゾイル基を有する特定の化合物（Ｄ）を含有するため、十分な密着性と、得られる電子部品装置の高い高温保管特性との両立を達成することができる。
Ｒ^１をヒドロキシ基、アルコキシ基又は１級、２級若しくは３級アミノ基に、より好ましくはヒドロキシ基又は２級若しくは３級アミノ基に、さらに好ましくはヒドロキシ基又は前記式（２）で表される基にすることで、密着性と高温保管特性とをより高めることができる。
化合物（Ｄ）の含有量を前述の所定範囲とすることや、メルカプト基を有するシランカップリング剤（Ｅ１）を好ましくは前述の所定範囲量用いることにより、前記性能をより高めることができる。
さらには、硬化促進剤（Ｆ）として、前述のリン原子含有化合物を含有させることで、高温下における密着性を高めることなどができる。
特に第２の発明に係る封止用樹脂組成物を銅ワイヤが接続されている電子部品の封止に用いた場合、銅ワイヤに対する密着性や高温保管特性を効果的に高めることができる。

第２の発明に係る電子部品装置は、第１の発明に係る封止用樹脂組成物を封止材として用いており、封止材と電子部品等との間の密着性が十分であり、高温保管特性にも優れる。特に、第２の発明に係る電子部品装置が電子部品に接続されている銅ワイヤを有する場合、銅ワイヤに対する密着性及び高温保管特性を十分に発揮することができる。

本発明の第２の実施の形態に係る電子部品装置を示す断面図である。

続いて、適宜、添付した図面を参照しながら本発明を具体化した実施の形態について説明する。

［封止用樹脂組成物］
本発明の第１の実施の形態に係る封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無機充填材（Ｃ）及び化合物（Ｄ）を含有する。

［エポキシ樹脂（Ａ）］
エポキシ樹脂（Ａ）は、１分子内に２個以上のエポキシ基を有する化合物（モノマー、オリゴマー及びポリマー）をいい、分子量及び分子構造を特に限定するものではない。エポキシ樹脂（Ａ）としては、例えば、
ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂；
フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；
トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；
フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；
ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂；
トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂；
ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。

エポキシ樹脂（Ａ）としては、下記式（３）で表されるフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、及び下記式（４）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂が好ましい。

式（３）中、Ａｒ^１は、フェニレン基（フェノール構造からなる基であり、フェノールから結合手の数の水素原子を除いた構造）又はナフチレン基（ナフタレン構造からなる基であり、ナフタレンから結合手の数の水素原子を除いた構造）である。Ａｒ^１がナフチレン基の場合、グリシジルエーテル基はα位、β位のいずれに結合していてもよい。Ａｒ^２はフェニレン基、ビフェニレン基（ビフェニレン構造からなる基であり、ビフェニルから結合手の数の水素原子を除いた構造）及びナフチレン基のうちのいずれか１つの基である。Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立して炭素数１〜１０の炭化水素基である。ｇは０〜５の整数である（但し、Ａｒ^１がフェニレン基の場合０〜３の整数である。）。ｈは０〜８の整数である（但し、Ａｒ^２がフェニレン基の場合０〜４の整数であり、ビフェニレン基の場合０〜６の整数である。）。ｎ^１は重合度を表し、その平均値は１〜３である。

Ａｒ^１としてはフェニレン基が好ましい。Ａｒ^２としてはフェニレン基又はビフェニレン基が好ましい。Ａｒ^２をフェニレン基又はビフェニレン基とすること（フェニレン骨格又はビフェニレン骨格を導入すること）で、難燃性を高めることなどもできる。Ｒ^３及びＲ^４においてｇ、ｈが０でない場合、炭素数１〜１０の炭化水素基としては、メチル基、エチル基等のアルキル基、ビニル基等のアルケニル基、フェニル基等のアリール基等を挙げることができる。ｇ、ｈは０が好ましい。

式（４）中、複数存在するＲ^５は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜４の炭化水素基である。ｎ^２は重合度を表し、その平均値は０〜４である。炭素数１〜４の炭化水素基としては、メチル基、エチル基等のアルキル基、ビニル基等のアルケニル基等を挙げることができる。

エポキシ樹脂（Ａ）の含有量としては特に限定されないが、下限値としては、２質量％が好ましく、４質量％がより好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を前記下限値以上とすることで、十分な密着性等を発揮することができる。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量の上限値としては、２０質量％が好ましく、１０質量％がより好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を前記上限値以下とすることで、十分な低吸水性や低熱膨張性等を発揮することができる。

［硬化剤（Ｂ）］
硬化剤（Ｂ）は、エポキシ樹脂（Ａ）を硬化可能な成分であれば特に限定されず、例えば、重付加型の硬化剤、触媒型の硬化剤、縮合型の硬化剤を挙げることができる。

重付加型の硬化剤としては、例えば、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）等の脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）等の芳香族ポリアミン、その他に、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジド等を含むポリアミン化合物；
ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物を含む酸無水物；ノボラック型フェノール樹脂、フェノールポリマー等のポリフェノール化合物；
ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテル等のポリメルカプタン化合物；
イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネート等のイソシアネート化合物；
カルボン酸含有ポリエステル樹脂等の有機酸類；
以下に詳述するフェノール樹脂系硬化剤；
等が挙げられる。

触媒型の硬化剤としては、例えば、ベンジルジメチルアミン（ＢＤＭＡ）、２，４，６−トリスジメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−３０）等の３級アミン化合物；
２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール（ＥＭＩ２４）等のイミダゾール化合物；
ＢＦ_３錯体等のルイス酸等が挙げられる。

縮合型の硬化剤としては、例えば、レゾール型フェノール樹脂；メチロール基含有尿素樹脂等の尿素樹脂；メチロール基含有メラミン樹脂等樹脂等が挙げられる。

これらの中でも、硬化剤（Ｂ）としては、フェノール樹脂系硬化剤が好ましい。フェノール樹脂系硬化剤を用いることで、耐燃性、耐湿性、電気特性、硬化性、保存安定性等をバランスよく発揮することができる。フェノール樹脂系硬化剤は、一分子内にフェノール性ヒドロキシ基を２個以上有する化合物（モノマー、オリゴマー及びポリマー）をいい、その分子量、分子構造を特に限定するものではない。

フェノール樹脂系硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のノボラック型樹脂；
トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；
テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂；
フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び／又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂；
ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のビスフェノール化合物等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。

硬化剤（Ｂ）としては、下記式（５）で表されるアラルキル型樹脂が好ましい。

式（５）中、Ａｒ^３は、フェニレン基（フェノール構造からなる基であり、フェノールから結合手の数の水素原子を除いた構造）又はナフチレン基（ナフタレン構造からなる基であり、ナフタレンから結合手の数の水素原子を除いた構造）である。Ａｒ^３がナフチレン基の場合、ヒドロキシ基はα位、β位のいずれに結合していてもよい。Ａｒ^４は、フェニレン基、ビフェニレン基（ビフェニレン構造からなる基であり、ビフェニルから結合手の数の水素原子を除いた構造）及びナフチレン基のうちのいずれか１つの基である。Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立して炭素数１〜１０の炭化水素基である。ｉは０〜５の整数である（但し、Ａｒ^３がフェニレン基の場合０〜３の整数である。）。ｊは０〜８の整数である（但し、Ａｒ^４がフェニレン基の場合０〜４の整数であり、ビフェニレン基の場合０〜６の整数である。）。ｎ^３は重合度を表し、その平均値は１〜３である。

Ａｒ^３としては、フェニレン基が好ましい。Ａｒ^４としては、フェニレン基又はビフェニレン基が好ましい。なお、Ａｒ^４をフェニレン基又はビフェニレン基とすること（フェニレン骨格又はビフェニレン骨格を導入すること）で、難燃性等を高めることもできる。Ｒ^６及びＲ^７においてｉ、ｊが０でない場合、炭素数１〜１０の炭化水素基としては、式（３）のＲ^３及びＲ^４で例示したものを挙げることができる。ｉ、ｊは０が好ましい。

硬化剤（Ｂ）の含有量としては特に限定されないが、下限値としては、０．５質量％が好ましく、２質量％がより好ましい。硬化剤（Ｂ）の含有量を前記下限値以上とすることで、十分な硬化性、密着性等を発揮することができる。硬化剤（Ｂ）の含有量の上限値としては、１５質量％が好ましく、１０質量％がより好ましい。硬化剤（Ｂ）の含有量を前記上限値以下とすることで、十分な流動性等を発揮することができる。

［無機充填材（Ｃ）］
無機充填材（Ｃ）は、一般の封止用樹脂組成物に使用されている公知のものを用いることができる。無機充填材（Ｃ）としては、例えば、溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ、結晶シリカ等のシリカ、タルク、アルミナ、チタンホワイト、窒化珪素等が挙げられる。これらの中でも、シリカが好ましく、溶融球状シリカがより好ましい。これらの無機充填材（Ｃ）は、１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。無機充填材（Ｃ）の形状としては、球状であり、粒度分布が広いものが好ましい。このような無機充填材を用いることで、封止用樹脂組成物の溶融粘度の上昇を抑え、また、無機充填材（Ｃ）の含有量を高めることができる。なお、粒度分布の広い無機充填材（Ｃ）を含有させるには、平均粒径の異なる複数種の無機充填材を混合して使用する方法などがある。また、無機充填材（Ｃ）は、カップリング剤により表面処理されていてもよい。さらに、必要に応じて、無機充填材（Ｃ）をエポキシ樹脂等で予め処理したものを用いてもよい。

無機充填材（Ｃ）の平均粒径としては特に限定されないが、下限値としては、０．１μｍが好ましく、０．３μｍがより好ましい。一方、上限値としては、４０μｍが好ましく、３５μｍ以下がより好ましい。また、無機充填材（Ｃ）の比表面積の下限値としては、１ｍ^２／ｇが好ましく、３ｍ^２／ｇがより好ましい。一方、上限値としては、１０ｍ^２／ｇが好ましく、７ｍ^２／ｇがより好ましい。このような範囲の平均粒径や比表面積を有する無機充填材を用いることで、流動性、低吸湿性等をより良好にすることができる。

また必要に応じて、例えば平均粒径０．１μｍ以上１μｍ以下の無機充填材と平均粒径１０μｍ以上４０μｍ以下の無機充填材を併用するなど、前記好ましい範囲の無機充填材を２種以上併用することも好ましい。

無機充填材（Ｃ）の含有量としては特に限定されないが、下限値としては、７０質量％が好ましく、８０質量％がより好ましい。無機充填材（Ｃ）の含有量を前記下限値以上とすることで、十分な低吸湿性、低熱膨張性等を発揮することができる。無機充填材（Ｃ）の含有量の上限値としては、９５質量％が好ましく、９２質量％がより好ましい。無機充填材（Ｃ）の含有量を前記上限値以下とすることで、十分な流動性等を発揮することができる。

［化合物（Ｄ）］
化合物（Ｄ）は、前記式（１）で表される化合物である。化合物（Ｄ）は、１種類を単独で用いても２種以上を併用してもよい。本発明の封止用樹脂組成物は、ヒドロキシベンゾイル基を有する特定の化合物（Ｄ）を含有するため、十分な密着性と得られる電子部品装置の高い高温保管特性との両立を達成することができる。この理由は定かではないが、例えば、ベンゼン環上に電子供与性のヒドロキシ基と、電子吸引性のカルボニル基とが連結することで、適当な分極状態が発現し、このような状態の化合物（Ｄ）は、電子部品が有する金属との親和性が高まることなどが考えられる。なお、Ｒ^１が極性基の場合、親和性がより高まると考えられる。この結果、封止用樹脂組成物の硬化物（封止材）の電子部品等被封止物に対する密着性が高まり、また、ボンディングワイヤ等から硬化物中に拡散する金属原子を化合物（Ｄ）が補足し、高温保管特性の低下を抑制することが考えられる。なお、より良好な分極状態となり、このような効果を発揮するためには、ヒドロキシ基とカルボニル基とはオルト位又はパラ位に配置されていることがより好ましい。

化合物（Ｄ）としては、硫黄原子、特にはメルカプト基を有さない構造であることが好ましい。硫黄原子、特にはメルカプト基を有する化合物は、高温保管特性を低下させる場合がある。そこで、硫黄原子、特にはメルカプト基を有さない化合物（Ｄ）を用いることで、高温保管特性の低下を抑制することができる。

式（１）のＲ^１は、極性基又は炭化水素基である。極性基とは、酸素原子、窒素原子、ハロゲン原子等の電気陰性度の高い原子によって分極が生じている基（原子団）をいう。具体的な極性基としては、例えばヒドロキシ基（−ＯＨ）、アルコキシ基、１級アミノ基（−ＮＨ_２）、２級アミノ基（−ＮＨＲ、Ｒは任意の置換基）、３級アミノ基（−ＮＲ_２、２つのＲは任意の置換基であり、同一でも異なっていても良く、互いに結合して環構造を形成していてもよい）、複素環基、その他、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基、ハロゲン原子等を置換基として有する炭化水素基等を挙げることができる。

Ｒ^１で表されるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、フェノキシ基、ベンジルオキシ等を挙げることができる。２級又は３級アミノ基が有する置換基（Ｒ）としては、炭化水素基、複素環基、その他前記の置換基を有している炭化水素基等を挙げることができる。Ｒ^１又はＲで表される炭化水素基としては、例えば炭素数１〜２０の炭化水素基を挙げることができ、具体的には、メチル基、エチル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基等のアルケニル基、フェニル基、ナフチル基、トリル基等のアリール基等を挙げることができる。Ｒ^１又はＲで表される複素環基としては、フリル基、ピリジル基、チエニル基、トリアゾール基等の芳香族複素環基、その他オキサニル基、ピペジリニル基等を挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子等を挙げることができる。

Ｒ^１は、極性基が好ましく、ヒドロキシ基、アルコキシ基又は１級、２級若しくは３級アミノ基であることが好ましい。Ｒ^１がこのような電子供与性基である場合、より良好な分極状態が発現されると考えられる。アルコキシ基の中では、炭素数１〜３のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基がより好ましい。Ｒ^１としては、さらにヒドロキシ基又は１級、２級若しくは３級アミノ基が好ましく、１級、２級又は３級アミノ基がより好ましく、２級又は３級アミノ基がさらに好ましく、２級アミノ基が特に好ましい。また、２級又は３級アミノ基は置換基として極性基を有していることが好ましい。２級又は３級アミノ基が有する極性基としては、複素環基が好ましい。複素環基としては、窒素原子含有複素環基又は芳香族複素環基がより好ましく、窒素原子含有芳香族複素環基がさらに好ましく、トリアゾール基が特に好ましい。トリアゾール基とは、トリアゾールから１個の水素原子を除いた１価の基をいい、このトリアゾールは、１，２，３−トリアゾールでも、１，２，４−トリアゾールでもいいが、１，２，４−トリアゾールが好ましい。Ｒ^１としては、前記式（２）で表される基（２級アミノ基の一般式−ＮＨＲにおいて、Ｒが２Ｈ−１，２，４−トリアゾール−５−イル基である基）が特に好ましい。
化合物（Ｄ）の中でも、Ｒ^１がヒドロキシ基、又は前記式（２）で表される基（２級アミノ基の一般式−ＮＨＲにおいて、Ｒが２Ｈ−１，２，４−トリアゾール−５−イル基である基）のとき、特に高温保管特性と密着性に優れたものとなる。

なお、例えば化合物（Ｄ）として、Ｒ^１が前記式（２）で表される化合物を用いる場合、反応によりこのような化合物を生成する２種の化合物を混合して用いてもよい。このような２種の化合物としては、ヒドロキシ安息香酸とアミノトリアゾールとの組み合わせなどを挙げることができる。

化合物（Ｄ）の含有量としては特に限定されないが、下限値としては、０．０１質量％が好ましく、０．０２質量％がより好ましく、０．０３質量％がさらに好ましい。化合物（Ｄ）の含有量の上限としては、１質量％が好ましく、０．５質量％がより好ましく、０．３質量％がさらに好ましい。化合物（Ｄ）の含有量を前記範囲とすることで、他の特性への影響を大きく与えることなく、十分な密着性及び高温保管特性を発揮することができる。

［カップリング剤（Ｅ）］
封止用樹脂組成物は、カップリング剤（Ｅ）をさらに含有していてもよい。カップリング剤（Ｅ）は、樹脂成分であるエポキシ樹脂（Ａ）等と無機充填材（Ｃ）とを連結させる成分である。カップリング剤（Ｅ）としては、エポキシシラン、アミノシラン、メルカプトシラン（メルカプト基を有するシランカップリング剤）（Ｅ１）等のシランカップリング剤を挙げることができる。これらのカップリング剤（Ｅ）は、１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。

エポキシシランとしては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等を挙げることができる。

アミノシランとしては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（アニリノシランと呼ぶことがある）等を挙げることができる。

メルカプトシラン（Ｅ１）としては、例えば、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等を挙げることができる。また、メルカプトシランとしては、その他に、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィド等、熱分解することによって同様の機能を発現する化合物も含む。

これらのカップリング剤（Ｅ）の中でもエポキシシラン、アニリノシラン、メルカプトシラン（Ｅ１）、あるいはこれらを組合せて用いることが好ましい。アニリノシランは流動性の向上に有効であり、メルカプトシラン（Ｅ１）は、密着性を高めることができる。一方、前述のようにメルカプト基を有する化合物は高温保管特性が十分でない場合があるところ、本発明の封止用樹脂組成物によれば、化合物（Ｄ）を含有しているため、メルカプトシラン（Ｅ１）と本発明の化合物（Ｄ）を併用すれば、優れた高温保管特性と密着性とを両立することができる。

カップリング剤（Ｅ）の含有量としては特に限定されないが、下限値としては、０．０１質量％が好ましく、０．０５質量％がより好ましい。上限値としては、１質量％が好ましく、０．５質量％がより好ましい。カップリング剤（Ｅ）の含有量を上記範囲とすることにより、カップリング剤（Ｅ）の機能を効果的に発現させることができる。

また化合物（Ｄ）とメルカプトシラン（Ｅ１）とを併用する場合は、該メルカプトシランの含有量の下限値としては、０．０１質量％が好ましく、０．０２質量％がより好ましい。メルカプトシラン（Ｅ１）の含有量を前記下限値以上とすることで、密着性を効果的に高めることなどができる。メルカプトシラン（Ｅ１）の含有量の上限値としては、０．１質量％が好ましく、０．０７質量％がより好ましい。メルカプトシラン（Ｅ１）の含有量を前記上限値以下とすることで、高温保管特性をより優れたものとすることができる。

［硬化促進剤（Ｆ）］
封止用樹脂組成物は、硬化促進剤（Ｆ）をさらに含有していてもよい。硬化促進剤（Ｆ）は、エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）との反応を促進する機能を有する成分であり、一般に使用される硬化促進剤が用いられる。

硬化促進剤（Ｆ）としては、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物；
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、ベンジルジメチルアミン、２−メチルイミダゾール等のアミジンや３級アミン、さらには前記アミジン、アミンの４級塩等の窒素原子含有化合物等を挙げることができ、これらのうちの１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これらのうち、硬化性、密着性等の観点からはリン原子含有化合物が好ましい。さらには、耐半田性、流動性等の観点からは、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物が特に好ましく、連続成形における金型の汚染が軽度である点等からは、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物は特に好ましい。

（有機ホスフィン）
有機ホスフィンとしては、例えばエチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第１ホスフィン；ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第２ホスフィン；トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第３ホスフィン等を挙げることができる。

（テトラ置換ホスホニウム化合物）
テトラ置換ホスホニウム化合物としては、例えば下記式（６）で表される化合物等を挙げることができる。

式（６）中、Ｐはリン原子である。Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０及びＲ^１１は、芳香族基又はアルキル基である。［Ａ］⁻はヒドロキシ基、カルボキシ基及びチオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸のアニオンである。ＡＨはヒドロキシ基、カルボキシ基及びチオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸である。ｘ、ｙは１〜３の数、ｚは０〜３の数であり、かつｘ＝ｙである。

式（６）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られるがこれに限定されるものではない。まず、テトラ置換ホスホニウムハライドと芳香族有機酸と塩基を有機溶媒に混ぜ均一に混合し、その溶液系内に芳香族有機酸アニオンを発生させる。次いで水を加えると、式（６）で表される化合物を沈殿させることができる。

式（６）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０及びＲ^１１がフェニル基であり、ＡＨがヒドロキシ基を芳香環に有する化合物、すなわちフェノール類であり、かつ［Ａ］⁻が該フェノール類のアニオンであることが好ましい。フェノール類としては、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール等の単環式フェノール類、ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、アントラキノール等の縮合多環式フェノール類、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ等のビスフェノール類、フェニルフェノール、ビフェノール等の多環式フェノール類などを挙げることができる。

（ホスホベタイン化合物）
ホスホベタイン化合物としては、例えば、下記式（７）で表される化合物等を挙げることができる。

式（７）中、Ｒ^１２は炭素数１〜３のアルキル基である。Ｒ^１３はヒドロキシ基である。ｋは０〜５の整数である。ｍは０〜３の整数である。

式（７）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られる。第三ホスフィンであるトリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩とを接触させ、トリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩が有するジアゾニウム基とを置換させる工程を経て得られる。しかしこれに限定されるものではない。

（ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物）
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物としては、例えば、下記式（８）で表される化合物等を挙げることができる。

式（８）中、Ｐはリン原子である。Ｒ^１４、Ｒ^１５及びＲ^１６は、それぞれ独立して炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基である。Ｒ^１７、Ｒ^１８及びＲ^１９は、それぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基であり、Ｒ^１８とＲ^１９とが結合して環状構造となっていてもよい。

ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるホスフィン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリス（ベンジル）ホスフィン等の芳香環に無置換又はアルキル基、アルコキシル基等の置換基が存在するものが好ましい。アルキル基、アルコキシル基等の置換基としては、１〜６の炭素数を有するものが挙げられる。入手しやすさの観点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。

ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、例えばベンゾキノン、アントラキノン類等が挙げられ、これらの中でもｐ−ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。

ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、例えば、有機第三ホスフィンとベンゾキノン類との両者が溶解することができる溶媒中でこれらを接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としては、アセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で、付加物への溶解性が低いものがよい。しかし、これに限定されるものではない。

式（８）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ^１４、Ｒ^１５及びＲ^１６がフェニル基であり、かつＲ^１７、Ｒ^１８及びＲ^１９が水素原子である化合物、すなわち１，４−ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンとを付加させた化合物が樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率を低下させる点等で好ましい。

（ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物）
ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物としては、例えば下記式（９）で表される化合物等を挙げることができる。

式（９）中、Ｐはリン原子であり、Ｓｉは珪素原子である。Ｒ^２０、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^２３は、それぞれ独立して、芳香環若しくは複素環を有する有機基、又は脂肪族基である。Ｒ^２４は、基Ｙ^２及びＹ^３と結合する有機基である。Ｒ^２５は、基Ｙ^４及びＹ^５と結合する有機基である。Ｙ^２及びＹ^３は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ^２及びＹ^３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ^４及びＹ^５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ^４及びＹ^５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｒ^２４及びＲ^２５は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４及びＹ^５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ^１は芳香環若しくは複素環を有する有機基、又は脂肪族基である。

Ｒ^２０、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^２３としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基等のアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基等の置換基を有する芳香族基又は無置換の芳香族基が好ましい。

式（９）中の−Ｙ^２−Ｒ^２４−Ｙ^３−、及びＹ^４−Ｒ^２５−Ｙ^５−で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものである。プロトン供与体としては、分子内にカルボキシ基又はヒドロキシ基を少なくとも２個有する有機酸が好ましい。さらには、一つの芳香環を構成する隣接する炭素にそれぞれ接続するカルボキシ基又はヒドロキシ基を少なくとも２個有する芳香族化合物が好ましく、一つの芳香環を構成する隣接する炭素にそれぞれ接続するヒドロキシ基を少なくとも２個有する芳香族化合物がより好ましい。このようなプロトン供与体としては、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２’−ビフェノール、１，１’−ビ−２−ナフトール、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロヘキサンジオール、１，２−プロパンジオール、グリセリン等が挙げられる。これらの中でも、カテコール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。

式（９）中のＺ^１で表される芳香環若しくは複素環を有する有機基、又は脂肪族基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基等の脂肪族炭化水素基、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、ビフェニル基等の芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基等のグリシジルオキシ基、メルカプト基、アミノ基を有するアルキル基、ビニル基等の反応性置換基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基及びビフェニル基が熱安定性等の面から好ましい。

ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物の製造方法としては、例えば以下の方法が挙げられる。まず、メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン等のシラン化合物、２，３−ジヒドロキシナフタレン等のプロトン供与体を加えて溶かし、次に室温攪拌下ナトリウムメトキシド−メタノール溶液を滴下する。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド等のテトラ置換ホスホニウムハライドのメタノール溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出する。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が得られる。しかし、これに限定されるものではない。

硬化促進剤（Ｆ）としては、前記式（６）〜（９）で表される化合物が例示されるが、これらの中でも、高温下における密着性等の観点から、テトラ置換ホスホニウム化合物（例えば式（６）で表される化合物）やホスフィン化合物とキノン化合物との付加物（例えば式（８）で表される化合物）が好ましく、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物がより好ましい。

硬化促進剤（Ｆ）の含有量としては特に限定されないが、下限値としては、０．１質量％が好ましく、０．２質量％がより好ましい。硬化促進剤（Ｆ）の含有量を前記下限値以上とすることで、十分な硬化性等を得ることができる。硬化促進剤（Ｆ）の含有量の上限値としては、１質量％が好ましく、０．５質量％がより好ましい。硬化促進剤（Ｆ）の含有量を前記上限値以下とすることで、十分な流動性等を得ることができる。

［他の成分］
封止用樹脂組成物は、さらに必要に応じて他の成分を含有していてもよい。他の成分としては、着色剤、イオン捕捉剤、離型剤、低応力成分、難燃剤等を挙げることができる。
着色剤としては、カーボンブラック、ベンガラ等を挙げることができる。
イオン捕捉剤としては、ハイドロタルサイト等を挙げることができる。イオン捕捉剤は中和剤として用いられる場合もある。
離型剤としては、カルナバワックス等の天然ワックス、合成ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸及びその金属塩、パラフィンなどを挙げることができる。
低応力成分としては、シリコーンオイル、シリコーンゴムなどを挙げることができる。
難燃剤としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、ホスファゼン等を挙げることができる。

なお、本発明の封止用樹脂組成物においてメルカプトシラン以外の硫黄原子含有化合物を使用する場合、メルカプトシラン以外の硫黄原子含有化合物の含有量は、上限値として、０．３質量％が好ましく、０．１質量％がより好ましい。このように硫黄原子含有化合物の含有量を減らすことで、高温保管特性等を高めることができる。一方、メルカプトシラン以外の硫黄原子含有化合物の含有量の下限値としては、０質量％であってもよいが、ある程度の密着性を確保する点などから、０．０１質量％が好ましい。

本発明の封止用樹脂組成物は、例えば、以下の方法により調製することができる。まず、前述の各成分を、ミキサー等を用いて常温で均一に混合し、その後、必要に応じて、加熱ロール、ニーダー、押出機等の混練機を用いて溶融混練する。続いて、必要に応じて、得られた混練物を冷却、粉砕し、所望の分散度や流動性等に調整して、封止用樹脂組成物を得ることができる。本発明の封止用樹脂組成物は、粉末状として使用する他、有機溶媒を用いたワニスや、液状エポキシ樹脂を使用した液状組成物として使用することもできる。なお、溶媒を含む場合、各成分の含有量は固形分換算とする。

［電子部品装置］
図１に示すように、本発明の第２の実施の形態に係る電子部品装置１０は、電子部品１１と、電子部品１１を封止する封止材１２とを有する。具体的には、電子部品１１は、ダイパッド１３上にダイボンド材硬化体１４を介して固定されている。電子部品装置１０は、電子部品１１の電極パッド（図示しない）からボンディングワイヤ１５を介して接続されるリードフレーム１６を有する。

封止される電子部品（素子）１１は、例えば、電力の入力に対して出力が行われる部品（素子）をいい、具体的には、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子、その他の半導体素子等を挙げることができる。封止材１２は、第１の実施の形態に係る封止用樹脂組成物の硬化物である。ボンディングワイヤ１５は、金ワイヤ、銅ワイヤ等を用いることができる。リードフレーム１６の材料としては、銅、銅合金、４２アロイ等を用いることができる。

電子部品装置１０の形態としては、例えば、デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ（ＰＬＣＣ）、クワッド・フラット・パッケージ（ＱＦＰ）、ロー・プロファイル・クワッド・フラット・パッケージ（ＬＱＦＰ）、スモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯＰ）、スモール・アウトライン・Ｊリード・パッケージ（ＳＯＪ）、薄型スモール・アウトライン・パッケージ（ＴＳＯＰ）、薄型クワッド・フラット・パッケージ（ＴＱＦＰ）、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）等を挙げることができるが、これらに限定されない。

電子部品装置１０は、例えば、ダイボンド材を用いてダイパッド１３上に電子部品１１を固定し、ボンディングワイヤ１５によりリードフレーム１６を接続した後、これらの構造体（被封止物）を封止用樹脂組成物を用いて封止することにより製造される。この封止は、例えば、金型キャビティ内に電子部品１１等からなる被封止物を設置した後、封止用樹脂組成物をトランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で成形、硬化させることにより行うことができる。電子部品１１が封止された電子部品装置１０は、必要に応じて、８０℃から２００℃程度の温度で１０分から１０時間程度の時間をかけて封止用樹脂組成物を硬化させた後、電子機器等に搭載される。

電子部品装置１０は、第１の実施の形態に係る封止用樹脂組成物を封止材１２として用いており、封止材１２と電子部品１１、ボンディングワイヤ１５、リードフレーム１６等との間の密着性が十分であり、高温保管特性にも優れる。特に、ボンディングワイヤ１５等に銅ワイヤを用いた場合であっても、十分な高温保管特性等を発揮することができる。

本発明は前記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲でその構成を変更することもできる。
以下、参考形態の例を付記する。
１．エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無機充填材（Ｃ）及び下記式（１）で表される化合物（Ｄ）を含有する封止用樹脂組成物。
（式（１）中、Ｒ ^１ は極性基又は炭化水素基である。）
２．１．記載の封止用樹脂組成物において、Ｒ ^１ が、ヒドロキシ基、アルコキシ基又は１級、２級若しくは３級アミノ基であることを特徴とする封止用樹脂組成物。
３．２．記載の封止用樹脂組成物において、Ｒ ^１ が２級又は３級アミノ基であることを特徴とする封止用樹脂組成物。
４．３．記載の封止用樹脂組成物において、Ｒ ^１ が、下記式（２）で表されることを特徴とする封止用樹脂組成物。
５．１．〜４．のいずれか１つに記載の封止用樹脂組成物において、前記化合物（Ｄ）の含有量が０．０１質量％以上１質量％以下であることを特徴とする封止用樹脂組成物。
６．１．〜５．のいずれか１つに記載の封止用樹脂組成物において、カップリング剤（Ｅ）をさらに含有し、該カップリング剤（Ｅ）がメルカプト基を有するシランカップリング剤（Ｅ１）を含むことを特徴とする封止用樹脂組成物。
７．６．記載の封止用樹脂組成物において、前記メルカプト基を有するシランカップリング剤（Ｅ１）の含有量が０．０１質量％以上０．１質量％以下であることを特徴とする封止用樹脂組成物。
８．１．〜７．のいずれか１つに記載の封止用樹脂組成物において、硬化促進剤（Ｆ）をさらに含有し、該硬化促進剤（Ｆ）がテトラ置換ホスホニウム化合物、及びホスフィン化合物とキノン化合物との付加物からなる群より選ばれる少なくとも１種のリン原子含有化合物であることを特徴とする封止用樹脂組成物。
９．１．〜８．のいずれか１つに記載の封止用樹脂組成物において、銅ワイヤが接続されている電子部品の封止に用いられる封止用樹脂組成物。
１０．電子部品と、該電子部品を封止する封止材とを有する電子部品装置において、
前記封止材が１．〜８．のいずれか１つに記載の封止用樹脂組成物の硬化物であることを特徴とする電子部品装置。
１１．１０．記載の電子部品装置において、前記電子部品に接続されている銅ワイヤを有することを特徴とする電子部品装置。

以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。

実施例１、参考例１〜３、実施例５、参考例４〜５、実施例８、比較例１〜２で用いた成分について、以下に示す。

硬化剤（Ｂ）
・フェノール樹脂系硬化剤１：ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（日本化薬社製商品名ＧＰＨ−６５）
・フェノール樹脂系硬化剤２：フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製商品名ＰＲ−ＨＦ−３）

無機充填材（Ｃ）
・無機充填材１：平均粒径３０μｍ、比表面積１．７ｍ^２／ｇの球状溶融シリカ
・無機充填材２：平均粒径０．５μｍ、比表面積５．９ｍ^２／ｇの球状溶融シリカ

化合物（Ｄ）
・化合物１：下記式（１０）で表されるＮ−（２Ｈ−１，２，４−トリアゾール−５−イル）サリチルアミド（アデカ社製ＣＤＡ−１）

・化合物２：２−ヒドロキシ安息香酸
・化合物３：４−ヒドロキシ安息香酸メチル

化合物（ｄ）
・化合物４：下記式（１１）で表される３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール

カップリング剤（Ｅ）
・カップリング剤１：Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン
・カップリング剤２：γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン

硬化促進剤（Ｆ）
・硬化促進剤１：以下の方法にて合成した、下記式（１２）で表されるトリフェニルホスフィン−１，４−ベンゾキノン付加物

（硬化促進剤１の合成）
冷却管及び攪拌装置付きのセパラブルフラスコにベンゾキノン６．４９ｇ（０．０６０ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン１７．３ｇ（０．０６６ｍｏｌ）及びアセトン４０ｍｌを仕込み、攪拌下、室温で反応した。析出した結晶をアセトンで洗浄後、ろ過、乾燥し暗緑色結晶の硬化促進剤１を得た。
・硬化促進剤２：以下の方法にて合成した、下記式（１３）で表されるテトラ置換ホスホニウム化合物

（硬化促進剤２の合成）
冷却管及び攪拌装置付きのセパラブルフラスコに２，３−ジヒドロキシナフタレン１２．８１ｇ（０．０８０ｍｏｌ）、テトラフェニルホスホニウムブロミド１６．７７ｇ（０．０４０ｍｏｌ）及びメタノール１００ｍｌを仕込み攪拌し、均一に溶解させた。予め水酸化ナトリウム１．６０ｇ（０．０４ｍｌ）を１０ｍｌのメタノールに溶解した水酸化ナトリウム溶液をフラスコ内に徐々に滴下すると結晶が析出した。析出した結晶をろ過、水洗、真空乾燥し、硬化促進剤２を得た。

その他の成分
・着色剤：カーボンブラック
・イオン捕捉剤：ハイドロタルサイト（協和化学社製ＤＨＴ−４Ｈ）
・離型剤：カルナバワックス（日興ファインプロダクツ社製ニッコウカルナバ）

［実施例１］
エポキシ樹脂１（８．７質量部）、フェノール樹脂系硬化剤１（６．４質量部）、無機充填材１（７３．７２質量部）、無機充填材２（１０質量部）、化合物１（０．０３質量部）、カップリング剤１（０．２質量部）、硬化促進剤１（０．２５質量部）、着色剤（０．４質量部）、イオン捕捉剤（０．１質量部）及び離型剤（０．２質量部）を常温でミキサーを用いて混合し、次に７０〜１００℃でロール混練した。次いで、冷却後、粉砕して実施例１の封止用樹脂組成物を得た。

［参考例１〜３、実施例５、参考例４〜５、実施例８、比較例１〜２］
各成分の使用量（配合量）を表１に示す通りにしたこと以外は実施例１と同様にして、参考例１〜３、実施例５、参考例４〜５、実施例８、比較例１〜２の各封止用樹脂組成物を得た。

半導体装置（電子部品装置）の製造
ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ）チップ（３．５ｍｍ×３．５ｍｍ）を３５２ピンＢＧＡ（基板は、厚さ０．５６ｍｍ、ビスマレイミド・トリアジン樹脂／ガラスクロス基板、パッケージサイズは、３０ｍｍ×３０ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ）上に搭載した。次いで、銅ワイヤ（銅純度９９．９９質量％、径２５μｍ）を用いて電極パッドにワイヤピッチ８０μｍでワイヤボンディングした。
これにより得られた構造体を、低圧トランスファー成形機（ＴＯＷＡ製「Ｙシリーズ」）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間２分の条件で、得られた各実施例、参考例及び比較例の封止用樹脂組成物を用いて封止成形し、３５２ピンＢＧＡパッケージを作製した。その後、得られたＢＧＡパッケージを１７５℃、４時間の条件で後硬化して半導体装置（電子部品装置）を得た。

［評価］
得られた各実施例、参考例及び比較例の封止用樹脂組成物及び半導体装置について、以下の方法にて評価を行った。評価結果は表１に示す。

［密着性］
各金属（Ａｇ、Ｃｕ、ＰＰＦ（プリ・プレーティング・フレーム）、Ｎｉ）に対する密着性を以下の方法で評価した。前記各金属からなる基板上に、得られた封止用樹脂組成物を１７５℃、６．９ＭＰａ、２分間の条件で一体成形し１７５℃４時間ポストキュアーを行った。その後各基板との剪断接着力を２６０℃の条件下で測定した。

［高温保管特性］
得られた半導体装置について、以下の方法によるＨＴＳＬ（高温保管試験）を行った。各半導体装置を、温度２００℃、１０００時間の条件下に保管した。保管後の半導体装置について、ワイヤと電極パッドとの間における電気抵抗値を測定した。各半導体装置の平均値が初期の抵抗値の平均値に対し１１０％未満の電気抵抗値を示すものを◎、１１０％以上１２０％以下の電気抵抗値を示すものを○、１２０％よりも大きい電気抵抗値を示すものを×とした。

表１に示されるように、実施例の各封止用樹脂組成物は十分な密着性を有し、得られた電子部品装置（半導体装置）の高温保管特性も優れていることがわかる。具体的には、化合物（Ｄ）を含有していない比較例１は、密着性及び高温保管特性が相対的に低く、式（１）の構造を有さず、メルカプト基を有する化合物４（３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール）を含有している比較例２は、比較例１に対して密着性は高まっているものの高温保管特性は向上していない。一方、化合物（Ｄ）を含有している実施例１、参考例１〜３、実施例５、参考例４〜５、実施例８は、比較例２と同等以上の密着性を有しつつ、高温保管特性が高まっている。特に化合物（Ｄ）として、アルコキシ基又はアミノ基を有する化合物１、２を用いた場合に密着性及び高温保管特性はより高まり（実施例１、参考例１、参考例３、実施例５、参考例４〜５、実施例８）、アミノ基を有する化合物１を用いた場合、密着性及び高温保管特性はさらに高まることがわかる（実施例１、参考例３、実施例５、参考例５、実施例８）。また、化合物（Ｄ）とカップリング剤（Ｄ）としてのメルカプトシラン（カップリング剤２）とを併用した場合、メルカプト基を有する化合物（カップリング剤２）を含有させているにもかかわらず、密着性をさらに高めつつ、高い高温保管特性を保持していることがわかる（実施例５、参考例４、参考例５）。

１０：電子部品装置、１１：電子部品、１２：封止材、１３：ダイパッド、１４：ダイボンド材硬化体、１５：ボンディングワイヤ、１６：リードフレーム

Claims (10)

1. エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無機充填材（Ｃ）及び下記式（１）で表される化合物（Ｄ）を含有する封止用樹脂組成物であって、
   下記式（１）中、Ｒ ^１ は、２級または３級アミノ基であり、
   当該封止用樹脂組成物は、硬化促進剤（Ｆ）をさらに含有し、前記硬化促進剤（Ｆ）が、有機ホスフィンを含み、
   前記無機充填剤（Ｃ）は、平均粒径０．１μｍ以上１μｍ以下の無機充填剤と平均粒径１０μｍ以上４０μｍ以下の無機充填剤の混合物である、封止用樹脂組成物。
   
2. 請求項１記載の封止用樹脂組成物において、Ｒ^１が、下記式（２）で表されることを特徴とする封止用樹脂組成物。
   
3. 請求項１または２に記載の封止用樹脂組成物において、前記化合物（Ｄ）の含有量が０．０１質量％以上１質量％以下であることを特徴とする封止用樹脂組成物。
4. 前記有機ホスフィンが、エチルホスフィン、フェニルホスフィン、ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、およびトリフェニルホスフィンからなる群より選択される少なくとも１つを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物。
5. 前記有機ホスフィンが、トリフェニルホスフィンを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物において、カップリング剤（Ｅ）をさらに含有し、該カップリング剤（Ｅ）がメルカプト基を有するシランカップリング剤（Ｅ１）を含むことを特徴とする封止用樹脂組成物。
7. 請求項６記載の封止用樹脂組成物において、前記メルカプト基を有するシランカップリング剤（Ｅ１）の含有量が０．０１質量％以上０．１質量％以下であることを特徴とする封止用樹脂組成物。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物において、銅ワイヤが接続されている電子部品の封止に用いられる封止用樹脂組成物。
9. 電子部品と、該電子部品を封止する封止材とを有する電子部品装置において、
   前記封止材が請求項１〜８のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物の硬化物であることを特徴とする電子部品装置。
10. 請求項９記載の電子部品装置において、前記電子部品に接続されている銅ワイヤを有することを特徴とする電子部品装置。