JP6497009B2 - 電磁波シールド用フィルム - Google Patents

Description

本発明は、電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法に関するものである。

従来、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の発熱性電子部品、さらにはコンデンサー、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品を回路基板に実装された電子機器は、電磁波によるノイズの影響を軽減するため、その表面に電磁波シールド用フィルムが貼付されてきた。

このような電磁波シールド用フィルムとしては、例えば、絶縁性材料からなる基材層と、基材層の一方または双方の面に積層した金属層とを有するものが開発されている（例えば、特許文献１参照。）。

しかしながら、特許文献１に記載のように、電磁波シールド用フィルムを、金属層を有する構成とした場合、近年要望が高まりつつある薄型化に対応できないという問題があった。

特開２００６−１５６９４６公報

さらに、従来技術では上記問題に加え、凹凸を備える基板を有する電子部品に対して、電磁波シールド用フィルムで被覆しようとすると、この電磁波シールド用フィルムの凹凸に対する形状追従性が優れないという問題から、凹凸を備える基板を有する電子部品に対しては、アルミやＳＵＳのような金属カンシールドと呼ばれるシールド方法が取られてきた。しかし、この金属カンシールドは基板上の各部品個別に対しては実施できず、種類別に配置された部品集合体に対して施され、その影響で基板上の各部品の配置には制約があり、基板の設計自由度は、機能面からは必ずしも最良というわけではない。

したがって、本発明の目的は、基板の設計自由度を高め、かつ薄型化を図るとともに、凹凸を備える基板を有する電子部品に対して、表面に導電性を有する電子部品と電磁波遮蔽層との間で電流を導通させることなく被覆する方法を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（１１）に記載の本発明により達成される。

（１）基板上の凹凸を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムであって、
絶縁層と該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波遮断層を含んで構成され、
前記絶縁層のＪＩＳ Ｚ １７０７で測定した突き刺し強度が、０．９０Ｎ以上１０．０Ｎ以下であることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。

（２）前記絶縁層とは反対側に電磁波遮断層を介して保護層が積層されていることを特徴とする（１）記載の電磁波シールド用フィルム。

（３）前記絶縁層は、熱可塑性を有する絶縁樹脂で構成されていることを特徴とする（１）または（２）に記載の電磁波シールド用フィルム。

（４）前記絶縁層の厚みは、３μｍ以上、５０μｍ以下であることを特徴とする（１）ないし（３）のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。

（５）前記電磁波遮断層は導電性高分子を含有することを特徴とする（１）ないし（４）のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。

（６）前記導電性高分子が、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート（PEDOT／PSS）およびポリアニリンのうちの少なくとも１種であることを特徴とする （５）に記載の電磁波シールド用フィルム。

（７）前記電磁波遮断層が、金属粉を含有することを特徴とする（１）ないし（６）のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。

（８）前記金属粉は、銀粉もしくは銀コート銅粉であることを特徴とする（７）に記載の電磁波シールド用フィルム。

（９）前記電磁波遮断層の厚さは１μｍ以上、１００μｍ以下であることを特徴とする（１）ないし（８）のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。

（１０）ポリイミドフィルムとの密着力が、１Ｎ／２５ｍｍ以上、１００Ｎ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする（１）ないし（９）のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。

本発明によれば、電磁波シールド用フィルムが備える絶縁層のＪＩＳ Ｚ １７０７で測定した突き刺し強度が０．９Ｎ以上１０．０Ｎ以下とすることにより、電磁波シールド用フィルムで覆われる基板の設計自由度を高め、かつ軽量化、薄型化を図ることが可能であるとともに、表面に導電性を有する電子部品と電磁波遮蔽層との間で電流を導通させることなく被覆することができる。

本発明の電磁波シールド用フィルムの１実施形態を示す縦断面図である。 図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。

以下、本発明の電磁波シールド用フィルムを、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。

本発明の電磁波シールド用フィルムは、絶縁層と電磁波遮断層とを含んで構成され、絶縁層のＪＩＳ Ｚ １７０７で測定した突き刺し強度が０．９Ｎ以上１０．０Ｎ以下であることを特徴とする。

このような電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上の凹凸の被覆に適用すると、電磁波シールド用フィルムの絶縁層が破断することなく、電磁波シールド用フィルムを貼付することができる。その結果、電子部品と導電性を有する電磁波遮蔽層との間での電流の導通を防ぎつつ、基板を、電磁波シールドすることが可能となる。

＜電磁波シールド用フィルム＞
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

なお、本実施形態では、本発明の電磁波シールド用フィルムを、基板５上の凹凸６を被覆するために用いる場合を、一例に説明する。

図１に示すように、本実施形態において、電磁波シールド用フィルム１００は、保護層層１と電磁波遮断層２と絶縁層３とを含んで構成され、電磁波遮断層２および絶縁層３は、基材層１の下面側から、電磁波遮断層２が基材層１に接触してこの順で積層されている。

なお、以下では、基板５上に電子部品４が搭載（載置）され、この電子部品４の搭載により基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成されており、この凹凸６を電磁波シールド用フィルム１００で被覆する場合について説明する。なお、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、フレキシブル回路基板(ＦＰＣ)上に搭載されているＬＣＤドライバーＩＣ、タッチパネル周辺のＩＣ＋コンデンサーまたは電子回路基板（マザーボード）が挙げられる。

＜保護層１＞
まず、保護層１について説明する。

保護層１は、電磁波シールド用フィルムの使用時において、電磁波遮蔽層２を保護するものであり、電磁波遮蔽層２の空気中酸素による劣化及び物理的接触による電磁波遮蔽層２の破損を保護するものである。

また、保護層１は、２５℃における貯蔵弾性率が２．０Ｅ＋０２Ｐａ〜５．０Ｅ＋０９Ｐａであるのが好ましく、２．０Ｅ＋０３Ｐａ〜３．０Ｅ＋０９Ｐａであるのがより好ましい。このように、常温（室温）時、すなわち２５℃における貯蔵弾性率を前記範囲内に設定することにより、保護層１（電磁波シールド用フィルム１００）の基板５への貼付時には、保護層１を基板５に対してシワ等を生じさせることなく貼付することができ、また規定のサイズにカットする際の作業性も向上するとともに、基板５に設けられた凹凸６への押し込み時十分押し込むことができる。

なお、各層の２５℃、１２０℃および１５０℃における貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツルメント社製、「ＤＭＳ６１００」）を用いて、測定すべき各層の貯蔵弾性率を、２５〜２００℃まで、４９ｍＮの一定荷重の引張モードで昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで測定し、２５℃、１２０℃および１５０℃での貯蔵弾性率を、それぞれ読み取ることにより求めることができる。

保護層１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート、スチレン系エラストマー、ポリエチレン、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、ポリエチレンテレフタレートを用いることが好ましい。ポリエチレンテレフタレートを樹脂として選定することで、保護層１を、薄膜で耐久性を優れたものとすることができる。

なお、保護層１は、ポリエチレンテレフタレートのみで構成されていても構わない。また、保護層１は、前記ポリエチレンテレフタレートの他に、さらにポリカーボネート等を含有していてもよい。

保護層１の全体の厚みＴ（Ｆ）は、特に限定されないが、１μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上、１５μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５μｍ以上、１０μｍ以下である。保護層１の全体の厚みが前記下限値未満である場合、保護層１の耐久性が低下する可能性がある。また、保護層１の全体の厚みが前記上限値を超える場合、保護層１の形状追従性が低下し、基板を覆うことができなくなる可能性がある。

保護層１は単層でも多層構成でもよい。

電磁波シールド用フィルム１００において、保護層１の位置は特に限定されないが、絶縁層３とは反対側に電磁波遮蔽層２を介して保護層１が積層されていることが好ましい。

＜電磁波遮断層２＞
次に、電磁波遮断層（遮断層）２について説明する。

電磁波遮断層２は、基板５上に設けられた電子部品４と、この電磁波遮断層２を介して、基板５（電子部品４）と反対側に位置する他の電子部品等とを、これら少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）する機能を有する。

ここで、一般的に、電磁波を遮断する機能を発揮するには、電磁波遮断層に入射した電磁波を反射することにより遮断（遮蔽）する反射層と、電磁波遮断層に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）する吸収層とが知られている。

このような反射層と吸収層とでは、これらが、ほぼ同一の電磁波シールド性を有していると仮定した場合、吸収層では、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで遮断して、この吸収により電磁波を消滅させる。そのため、反射層のように反射した電磁波が電磁波遮断層で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼしてしまうのを確実に防止することができるという観点から、電磁波遮断層を吸収層で構成するのが好ましい。

電磁波遮断層２は、導電性高分子を含有することが好ましい。これによって、可とう性と電磁波遮蔽効果を同時に得ることができる。

次に導電性高分子について説明する。
本発明の導電性高分子は、特に限定されず、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ／ｐｏｌｙ−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ポリアニリンであるのが好ましい。これらによれば、電磁波遮断層２の軽量化・薄型化を図ったとしても、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波までより確実に遮断することができるようになる。

また、導電性高分子として、ポリアニリンを用いる場合、その粒子径の平均値（平均粒径）は、０．５μｍ以上、１０μｍ以下であるのが好ましく、１．０μｍ以上、５．０μｍ以下であるのがより好ましい。

ポリアニリンの粒子径を、それぞれ、前記範囲内に設定することにより、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで確実に遮断することができるとともに、形成される電磁波遮断層２をより均一な膜厚を有するものとすることができる。

また、電磁波遮断層２における導電性高分子の含有量は、５ｗｔ％以上、５０ｗｔ％以下であるのが好ましく、８ｗｔ％以上、４０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。前記範囲内であると電磁波シールド性とフィルム性が保たれるため好ましい。
電磁波遮断層２は、金属粉を含有することが好ましい。これによって、高い電磁波遮蔽効果を得ることができる。

次に金属粉について説明する。
本発明の金属粉は、特に限定されず、例えば、金、銀、銀コート銅、銅、ニッケル等であり、中でも銀、銀コート銅が導電性の点から好ましい。

金属粉の形状は、特に限定されず、例えば、球状、針状、樹枝状、鱗片状、フレーク状などが挙げられる。中でも、鱗片状を用いると、粒子同士が接触しやすくなり、導電性が向上するため好ましい。
鱗片状の形状とは、平板な形状であればよく、特に平面形状は限定されない。種々の形状の粒子を押しつぶしたり、叩き潰したりして形成した鱗片状金属粉が、コストや生産性の面で好適に用いられる。

鱗片状金属粉の大きさは、平均厚さが０．０１μｍ以上１μｍ以下であり、かつ、平均粒径が１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。前記範囲内であると分散性と配向性が良好であり電磁波シールド性が保たれるため好ましい。
なお、金属粉の平均粒径や平均厚さは、レーザー回折散乱法により測定することができる。

電磁波遮断層２における金属粉の含有量は、４０ｗｔ％以上、８０ｗｔ％以下であるのが好ましく、４５ｗｔ％以上、７５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。前記範囲内であると電磁波シールド性が保たれるため好ましい。

電磁波遮断層２は、前述した導電性高分子と金属粉以外の樹脂を用いてもよい。すなわち、導電性高分子を製膜することで、金属粉以外の成分を含有することなく、フィルム化してもよいが、バインダー樹脂を使用して、製膜化してもよい。

バインダー樹脂としては特に限定されないが、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等を使用することができる。電磁波遮断層２の耐熱性と柔軟性を両立できるポリエステル樹脂を使用することが好ましい。

上記ポリエステル樹脂としては、市販のポリエステル樹脂が利用できる。好ましくは、熱可塑性飽和型共重合ポリエステル樹脂を用いるとよい。その中でも、平均分子量が２０００〜４００００の範囲に有るものが好ましく使用できる。

電磁波遮断層２の厚みＴは、特に限定されないが、１μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上、９０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは、３μｍ以上、８０μｍ以下である。電磁波遮断層２の厚みが前記下限値未満である場合、電磁波遮断層２の構成材料等によっては、基板搭載部品の端部で破断するおそれがある。また、電磁波遮断層２の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波遮断層２の構成材料等によっては形状追従性が不足するおそれがある。また、かかる範囲内の厚みＴとしても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、電磁波遮断層２の厚みＴの薄膜化を実現すること、ひいては、基板５上において絶縁層３および電磁波遮断層２で被覆された電子部品４が搭載された電子部品搭載基板の軽量化を実現することができる。

以上のような電磁波遮断層２は、マイクロストリップライン法（ＭＳＬ法）を用いて測定した、周波数０．２〜１ＧＨｚにおける、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性（吸収性）が５ｄＢ以上であるのが好ましく、６ｄＢ以上であるのがより好ましく、７ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。ここで、ＭＳＬ法では、電磁波を遮断する電磁波シールド性は、以下で説明する測定方法の特性から、主として電磁波を吸収することにより遮断する吸収性（吸収能）を表す値として測定される。したがって、前記範囲内の電磁波シールド性（吸収性）を有する電磁波遮断層２であれば、電磁波遮断層２に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）することで優れた電磁波シールド性を発揮する電磁波遮断層（吸収層）３と言うことができ、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで確実に遮断することができる。

なお、ＭＳＬ法を用いた測定は、例えば、ＩＥＣ規格６２３３３−２に準拠して、５０Ωのインピーダンスを有するマイクロストリップラインと、ネットワークアナライザーとを用いて、反射成分Ｓ１１と透過成分Ｓ２１を測定することにより行われ、電磁波シールド性（吸収性）は、下記式（１）および下記式（２）を用いることにより求めることができる。
ロス率（Ｐ（ｌｏｓｓ）／Ｐ（ｉｎ））＝１−（Ｓ１１２＋Ｓ２１２）／１ （１）
電磁波シールド性（伝送減衰率） ＝ −１０・ｌｏｇ［１０＾（Ｓ２１／１０）／｛１−１０＾（Ｓ１１／１０）｝］（２）
さらに、電磁波遮断層２は、関西電子工業振興センターで開発されたＫＥＣ法を用いて測定した周波数０．２〜１ＧＨｚにおける、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性（吸収性＋反射性）が２５ｄＢ以上であるのが好ましく、３５ｄＢ以上であるのがより好ましく、４０ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。ここで、ＫＥＣ法では、電磁波を遮断する電磁波シールド性は、以下で説明する測定方法の特性から、電磁波を吸収することにより遮断する吸収性（吸収能）と電磁波を反射することにより遮断する反射性（反射能）とが加算された値として測定される。したがって、ＭＳＬ法を用いて測定された電磁波シールド性（吸収性）が前記範囲内であり、かつ、ＫＥＣ法を用いて測定された電磁波シールド性（吸収性＋反射性）が前記範囲内であれば、電磁波遮断層２に入射した電磁波を吸収および反射することにより遮断（遮蔽）することで優れた電磁波シールド性を発揮する電磁波遮断層２と言うことができ、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで確実に遮断することができる。

なお、ＫＥＣ法は、近傍界で発生する電磁波のシールド効果を電界と磁界に分けて評価する方法であり、この方法を用いた測定は、送信アンテナ（送信用の治具）から送信された電磁波を、シート状をなす電磁波遮断層２（測定試料）を介して、受信アンテナ（受信用の治具）で受信することで実施することができ、かかるＫＥＣ法では、受信アンテナにおいて、電磁波遮断層２を通過（透過）した電磁波が測定されるすなわち、送信された電磁波（信号）が電磁波遮断層２により受信アンテナ側でどれだけ減衰したかが測定されることから、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性は、電磁波を反射する反射性と電磁波を吸収する吸収性との双方を合算した状態で求められる。

また、電磁波遮断層２は、その１５０℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５〜１．０Ｅ＋０９Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０５〜５．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましい。前記貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１００の加熱の後、基材層１からの押圧力により、基板５上の凹凸６に絶縁層３および電磁波遮断層２を押し込むことで、この凹凸６を被覆する際に、前記基材層１からの押圧力に応じて、電磁波遮断層２を凹凸６の形状に対応して変形させることができる。すなわち、電磁波遮断層２の凹凸６に対する形状追従性を向上させることができる。

＜絶縁層３＞
次に、絶縁層３について説明する。

絶縁層３は、本実施形態では、電磁波遮断層２に接触して設けられ、保護層１側から電磁波遮断層２、絶縁層３の順に積層されている。

このように積層された電磁波シールド用フィルム１００を用いて、基板５上の凹凸６を被覆することで、基板５および電子部品４に絶縁層３が接触し、基板５側から、絶縁層３、電磁波遮断層２の順で被覆することになる。

この絶縁層３としては、例えば、熱硬化性を有する絶縁樹脂または熱可塑性を有する絶縁樹脂（絶縁フィルム）が挙げられる。これらの中でも、熱可塑性を有する絶縁樹脂を用いることが好ましい。熱可塑性を有する絶縁樹脂は、屈曲性に優れたフィルムであることから、貼付工程において、保護層１を押し込み用の基材として用いて基板５上の凹凸６に対して絶縁層３および電磁波遮断層２を押し込む際に、絶縁層３を、凹凸６の形状に対応して確実に追従させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂は、その軟化点温度に加熱すると、接着対象の基板から再剥離することができるので、基板の修理の際には、特に有用である。

熱可塑性を有する絶縁樹脂としては、例えば、熱可塑性ポリエステル、α−オレフィン、酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、エチレン酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル、ポリアミド、セルロースが挙げられる。これらの中でも基板との密着性、屈曲性、耐薬品性に優れるという理由から熱可塑性ポリエステル、α−オレフィンを用いることが好ましい。

さらに、熱可塑性を有する絶縁樹脂には、耐熱性や耐屈曲性等の性能を損なわない範囲で、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ユリア系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等を含有させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂には、後述する導電性接着剤層の場合と同様に、接着性、耐ハンダリフロー性を劣化させない範囲で、シランカップリング剤、酸化防止剤、顔料、染料、粘着付与樹脂、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング調整剤、充填剤、難燃剤等を添加してもよい。

絶縁層３は、ＪＩＳ Ｚ １７０７で測定した突き刺し強度が０．９Ｎ以上１０．０Ｎ以下である。これにより、後述する貼付工程において、基板５上の凹凸６に対して絶縁層３および電磁波遮断層２を押し込んだ状態で、これら絶縁層３および電磁波遮断層２により凹凸６を破断することなく被覆することができる。すなわち、後述する貼付工程において、絶縁層が破断することがないため、電子部品と、導電性を有する電磁波遮断層との間での短絡を防止することができ、好ましい。

絶縁層３のＪＩＳ Ｚ １７０７で測定した突き刺し強度を０．９Ｎ以上１０．０Ｎ以下にするためには、絶縁層の樹脂や添加剤等を適切に選定すればよい。たとえば、樹脂として硬いものを用いれば、よく、絶縁層３としてポリエチレンテレフタレートとアクリル樹脂との積層体を選定すれば、絶縁層３の突き刺し強度を、前記範囲にすることができ、後述のフレキシブル回路基板との接着力を得ることができる。

絶縁層３の厚みＴ（Ｄ）は、特に限定されないが、３μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以上、４０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５μｍ以上、３０μｍ以下である。絶縁層３の厚みが前記下限値未満である場合、耐ハゼ折り性が不足し、凹凸６への熱圧着後に折り曲げ部にてクラックが発生したり、フィルム強度が低下し、導電性接着剤層の絶縁性支持体としての役割を担うことが難しい。前記上限値を超える場合、形状追従性が不足するおそれがある。すなわち、絶縁層３の厚みＴ（Ｄ）を前記範囲内に設定することにより、絶縁層３を屈曲性により優れたものとすることができ、貼付工程において、絶縁層３を、凹凸６の形状に対応してより確実に被覆させることができる。

また、絶縁層３の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、５０〜１０００［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１００〜７００［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。絶縁層３の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時において、絶縁層３は、優れた伸縮性を有するものとなるため、絶縁層３、さらには電磁波遮断層２の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

なお、この絶縁層３は、図１、２で示したように、１層で構成されるものの他、上述した絶縁フィルムのうち異なるものを積層させた２層以上の積層体であってもよい。

さらに、電磁波シールド用フィルム１００は、ポリイミドフィルムとの密着力が１Ｎ／２５ｍｍ以上、１００Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。

これにより、フレキシブル回路基板との十分な接着力を得ることができる。

ポリイミドフィルムとの密着力を前記範囲内にするには、例えば、本実施形態においては、最外層に位置する絶縁層３の、樹脂や添加剤の種類、量を適宜設定すればよい。

＜電子部品の被覆方法＞
次に、電子部品の被覆方法について説明する。

本実施形態の電子部品の被覆方法は、前記基板上の凹凸に、前記電磁波シールド用フィルムを前記電磁波遮断層または前記絶縁層と電子部品が接着するように貼付する貼付工程とである。

図２は、図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。

以下、電子部品の被覆方法の各工程について、順次説明する。

（貼付工程）
前記貼付工程とは、例えば、図２（ａ）に示すように、基板５上に設けられた凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１００を貼付する工程である。
貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、プレスが挙げられる。

例えば、プレス機を用いて、電磁波シールド用フィルム１００で基板５上の凹凸６を被覆する方法であり、まず、基板５の凹凸６が形成されている側の面と、電磁波シールド用フィルム１００の絶縁層３側の面とが対向するように、基板５と電磁波シールド用フィルム１００とを重ね合わせた状態でセットし、その後、これらを室温下において、電磁波シールド用フィルム１００側から均一に電磁波シールド用フィルム１００と基板５とが互いに接近するようにし、その後加圧することにより実施される。

このような貼付工程において、貼付する温度は、特に限定されないが、０℃以上、１５０℃以下であることが好ましく、より好ましくは１０℃以上、５０℃以下である。

また、貼付する圧力は、特に限定されないが、０．０１ＭＰａ以上、１ＭＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは０．０５ＭＰａ以上、０．１５ＭＰａ以下である。

さらに、貼付する時間は、特に限定されないが、５秒以上、６０秒以下であることが好ましく、より好ましくは１０秒以上、３０秒以下である。

貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、基板５上の凹凸６に対して絶縁層３および電磁波遮断層２を押し込んだ状態で、これら絶縁層３および電磁波遮断層２により凹凸６を被覆することができる。

なお、このような電磁波シールド用フィルム１００を用いた絶縁層３および電磁波遮断層２による凹凸６の被覆では、図２に示したように、貼付する電磁波シールド用フィルム１００の形状が対応して、凹凸６を絶縁層３および電磁波遮断層２で被覆することができる。そのため、被覆すべき凹凸６の形状に対応して電磁波シールド用フィルム１００の形状を適宜設定することにより、被覆すべき凹凸６を選択的に絶縁層３および電磁波遮断層２で被覆することができる。すなわち、絶縁層３および電磁波遮断層２による凹凸６の選択的な電磁波シールドが可能となる。

なお、本実施形態では、図１に示したように、電磁波シールド用フィルム１００として、その上面側から、保護層１、電磁波遮断層２、絶縁層３がこの順で積層されたものを用いて、絶縁層３および電磁波遮断層２で、基板５上の凹凸６を被覆する場合について説明したが、電磁波シールド用フィルム１００の層構成は、かかる場合に限定されない。たとえば、保護層１がない構成でも差支えない。

以上、本発明の電磁波シールド用フィルムについて説明した
が、本発明は、これらに限定されるものではない。

また、本発明の電磁波シールド用フィルムおよび本発明の電子部品搭載基板には、同様
の機能を発揮し得る、任意の層が追加されていてもよい。

以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

（実施例１）
＜ワニスの調整＞
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）２０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製 PANT）１０質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF301 平均粒子径５．５μｍ）７０質量部をトルエン２０部に分散させ、超音波をあてることで均一化し、ワニスを調整した。

＜電磁波シールド用フィルムの製造＞
電磁波シールド用フィルムを得るために、保護層を構成する樹脂としてポリエチレンテレフタラート（東洋紡■社製品番Ｔ−４１００）を準備した。絶縁層を構成する樹脂
として、ＰＥＴ両面テープ（日栄化工社製、品番ＮｅｏＦｉｘ２０ 表面アクリル樹脂）を準備した。電磁波遮断層を構成する樹脂として、前記で調整したワニスを準備した。

前記ワニスをポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）にコンマコーター塗工し、前記絶縁層とラミネートした。ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）を剥離し、剥離面側に前記基材層をラミネートして電磁波シールド用フィルムを作製した。

実施例１の電磁波シールド用フィルムの全体の厚みは、４９μｍであり、基材層の厚みは９μｍ、電磁波遮断層の厚みは２０μｍ、絶縁層の厚みは２０μｍであった。

（実施例２）
絶縁層を構成する樹脂としてＰＥＴ両面テープ（日栄化工■社製、品番ＮｅｏＦｉｘ１
０ 表面アクリル樹脂）を用いた以外は実施例１と同様にして、電磁波シールド用フィルムを作製した。

（実施例３）
絶縁層を構成する樹脂としてＰＥＴ両面テープ（日栄化工■社製、品番ＮｅｏＦｉｘ５
Ｓ２ 表面アクリル樹脂）を用いた以外は実施例１と同様にして、電磁波シールド用フィルムを作製した。

（実施例４）
絶縁層を構成する樹脂としてスチレン系エラストマー（東亞合成■社製、品番ＰＰＥＴ
−１５０１ＳＧ３０）を２５ｕｍ厚で塗工して用いた以外は実施例１と同様にして、電磁波シールド用フィルムを作製した。
（比較例１）
絶縁層を構成する樹脂としてアクリル樹脂（日栄化工■社製、品番ＭＨＭ−ＧＡＷ）を
用いた以外は実施例１と同様にして、電磁波シールド用フィルムを作製した。

＜評価試験＞
実施例１〜４、および比較例１で作製した電磁波シールド用フィルム、または電子部品について、ポリイミドとの密着性、破断性、突き刺し強度の評価を行った。以下に、これらの評価方法について説明する。

＜＜ポリイミドフィルムとの密着性＞＞
電磁波シールド用フィルムをポリイミドフィルム（カネカ社製、品番アピカル）に、２５℃、０．１ＭＰａで２０秒貼り合わせたサンプルを、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠し、２５ｍｍ幅、引きはがし角度１８０°で引きはがして、ポリイミドフィルムとの密着性を測定した。

＜＜破断性＞＞
テスターを用いて、前記プリント配線板の金属部分と電磁波遮蔽層との間での電流の有無を確認することで、破断の有無を判断した。すなわち、電流が流れたものを破断有りとし、電流が流れなかったものを、破断無しと判断した。

＜＜突き刺し強度＞＞
（突き刺し強度測定用フィルムの作製）
絶縁層を構成する樹脂フィルムをそのまま用いて、突き刺し強度測定用フィルムとした。

前記、絶縁層に用いたフィルム単体について、ＪＩＳ Ｚ １７０７に準拠して、先端部直径１ｍｍの針を、突き刺し速度５０ｍｍ／分でフィルムに突き刺し、針がフィルムを貫通する際の強度を測定し、突き刺し強度とした。

結果を表１に示す。

絶縁層の、ＪＩＳＺ１７０７で測定した突き刺し強度が０．９０Ｎ以上１０．０Ｎ以下である電磁波シールド用フィルムを用いた実施例１〜４では、破断性が良好であった。しかし、上記範囲を満たさないフィルムを用いた比較例では、破断性が満足できるものではなかった。

１００ 電磁波シールド用フィルム
１ 保護層
２ 絶縁層
３ 電磁波遮断層
４ 電子部品
５ 基板
６ 凹凸
６１ 凸部
６２ 凹部

Claims (10)

1. 基板上の凹凸を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムであって、
   絶縁層と該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波遮断層を含んで構成され、
   前記絶縁層のＪＩＳ Ｚ １７０７で測定した突き刺し強度が、０．９０Ｎ以上１０．０Ｎ以下であって、
   前期絶縁層が、ポリエチレンテレフタレートとアクリル樹脂との積層体であることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。
2. 前記絶縁層とは反対側に電磁波遮断層を介して保護層が積層されている請求項１記載の電磁波シールド用フィルム。
3. 前記絶縁層は、熱可塑性を有する絶縁樹脂で構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電磁波シールド用フィルム。
4. 前記絶縁層の厚みは、３μｍ以上、５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
5. 前記電磁波遮断層は導電性高分子を含有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
6. 前記導電性高分子が、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート（PEDOT／PSS）およびポリアニリンのうちの少なくとも１種であることを特徴とする請求項５に記載の電磁波シールド用フィルム。
7. 前記電磁波遮断層が、金属粉を含有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
8. 前記金属粉は、銀粉もしくは銀コート銅粉であることを特徴とする請求項７に記載の電磁波シールド用フィルム。
9. 前記電磁波遮断層の厚さは１μｍ以上、１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
10. ポリイミドフィルムとの密着力が、１Ｎ／２５ｍｍ以上、１００Ｎ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。