JP6497301B2 - 樹脂成形体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、熱硬化性樹脂部材の表面である封止面を熱可塑性樹脂部材で封止してなる樹脂成形体の製造方法に関する。

従来より、この種の樹脂成形体として、部品が実装された基板等よりなる被封止部品と、被封止部品を封止する熱硬化性樹脂よりなる熱硬化性樹脂部材と、熱硬化性樹脂部材の表面を封止する熱可塑性樹脂よりなる熱可塑性樹脂部材と、を備える樹脂成形体が提案されている（特許文献１参照）。ここで、特許文献１の場合、熱可塑性樹脂部材は、熱硬化性樹脂部材の表面の一部である封止面を封止し、当該表面の残部である露出面を露出させている。

このような樹脂成形体は、熱硬化性樹脂については、被封止部品に対する高密着性や低応力性の点で好ましく、熱可塑性樹脂については、成形物の寸法精度や靭性がよい、という各利点を生かしたものである。たとえば、熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂等が挙げられ、熱可塑性樹脂としては、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等が挙げられる。

このような樹脂成形体の一般的な製造方法は、次の通りである。まず、被封止部品を、熱硬化性樹脂部材の原料である熱硬化性樹脂素材で被覆し、これを加熱して硬化完了させて熱硬化性樹脂部材を形成する硬化モールド工程、つまり一次成形を行う。

次に、熱可塑性樹脂部材の原料である熱可塑性樹脂素材にて熱硬化性樹脂部材の表面のうちの封止面を被覆するように射出成形を行うことで、加熱することにより熱可塑性樹脂部材を形成する可塑モールド工程、つまり二次成形を行う。こうして、樹脂成形体ができあがる。

特許第３６２０１８４号公報

しかしながら、このような樹脂成形体においては、熱硬化性樹脂に対する熱可塑性樹脂の密着性が悪いため、熱硬化性樹脂部材と熱可塑性樹脂部材との界面で剥離が生じやすい。

そのため、上記特許文献１の場合、上記界面で剥離が発生すると、たとえば、上記界面のうち外部に露出する部分、すなわち、上記界面のうち熱硬化性樹脂部材における封止面と露出面との境界に位置する端部から、外部の水分や汚染物質等が、上記界面に沿って樹脂成形体の内部に侵入することになる。

このような上記界面での剥離の問題に対して、上記従来公報では、熱可塑モールド工程後に、上記界面のうち上記封止面と露出面との境界に位置する端部に、別の充填材料を配置することで、上記界面の端部を被覆し、上記界面の剥離を防止するようにしている。しかし、この場合、充填材料を別途用いる必要が生じることから、樹脂成形体の形状の制約やコストアップ等の点で問題がある。

そこで、本発明者は、熱硬化性樹脂部材の封止面にレーザ照射を行うことで、当該封止面と熱可塑性樹脂部材との接着性を高める方法を検討した。この検討による手法では、まず、熱硬化性樹脂部材における封止面にレーザ照射を行い、封止面において最表面に位置する表面層を除去することで封止面を官能基が存在する新生面とする。

その後、この手法では、新生面が形成された熱硬化性樹脂部材に対して、熱可塑性樹脂部材の原料である熱可塑性樹脂材料として新生面に存在する官能基と化学結合する官能基を含有する添加剤を添加した材料を射出成形する。これにより、新生面に存在する官能基と熱可塑性樹脂材料に添加した添加剤に存在する官能基とを化学結合させつつ、熱硬化性樹脂部材における封止面を熱可塑性樹脂部材で封止する。

これによれば、熱硬化性樹脂部材における封止面と当該封止面を封止する熱可塑性樹脂部材との界面では、封止面上の汚染物が除去された新生面が形成される。そして、この新生面において官能基を介した熱硬化性樹脂部材と熱可塑性樹脂部材との化学結合が実現される。この化学結合によって、熱硬化性樹脂部材と熱可塑性樹脂部材との間において高密着性を得ることができる。そのため、熱硬化性樹脂部材と熱可塑性樹脂部材との密着性の向上が実現できる。

しかし、この検討による方法では、照射したレーザは熱硬化性樹脂の表面だけでなく、内部にも到達するため、封止面において除去したい表面層だけでなく、その下地部分、すなわち非除去部も加熱されてしまい、この非除去部に熱応力が発生する。特に、熱硬化性樹脂部材が、有機物である樹脂成分とフィラーである無機成分とで構成されている場合には、加熱時に樹脂成分と無機成分との熱膨張率の差に起因して、大きな熱応力が発生する。

そのため、上述のようにレーザにより表面加工を行った場合、内部の非除去部に微細なクラックが生じることがわかった。以降、この非除去部のクラックのことを加工ダメージと呼ぶ。そして、この加工ダメージは、熱可塑性樹脂部材の成形時や信頼性試験により拡大し、接着部の信頼性の低下につながってしまう。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、熱可塑性樹脂部材で封止される熱硬化性樹脂部材の封止面に、レーザを照射して、当該封止面と熱可塑性樹脂部材との接着性向上を図るにあたって、レーザ照射による熱硬化性樹脂部材の加工ダメージの影響を極力抑制できるようにすることを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、熱硬化性樹脂よりなる熱硬化性樹脂部材（１０）と、熱硬化性樹脂部材の表面の少なくとも一部である封止面（１１）を封止する熱可塑性樹脂よりなる熱可塑性樹脂部材（２０）と、を備える樹脂成形体の製造方法であって、以下の工程を備えるものである。

すなわち、本製造方法においては、熱硬化性樹脂部材の原料である熱硬化性樹脂材料を用い、熱硬化性樹脂材料を加熱して硬化完了させることにより、熱硬化性樹脂部材を形成することを行い、熱硬化性樹脂部材における封止面にレーザ照射を行うことで、封止面の最表面に位置する表面層（１３）を除去することにより、封止面の少なくとも一部を官能基が存在する新生面（１４）とすることを行い、新生面が形成された熱硬化性樹脂部材に対して、熱可塑性樹脂部材の原料である熱可塑性樹脂材料として新生面に存在する官能基と化学結合する官能基を含有する添加剤（２０ａ）を添加した材料を射出成形することにより、新生面に存在する官能基と熱可塑性樹脂材料に添加した添加剤に存在する官能基とを化学結合させつつ、熱硬化性樹脂部材における封止面を熱可塑性樹脂部材で封止することを行い、熱硬化性樹脂部材として、レーザ照射に用いられるレーザ光の吸収率が、１μｍ当たり１０％以上であるものを用いるようにした。

熱硬化性樹脂部材の封止面における非除去部のクラックは、非除去部の奥深くまで発生しないようにすることが好ましい。そこで、非除去部のクラックを、極力浅い深さに留めることが望ましい。ここで、熱硬化性樹脂部材のレーザ光の吸収率が低いほど、レーザ光の吸収深さ、すなわちクラックが発生するような熱応力の発生する深さが、深いものとなってしまう。

これに対して、本発明の製造方法のように、熱硬化性樹脂部材として、レーザ照射に用いられるレーザ光の吸収率が、１μｍ当たり１０％以上であるものを用いれば、非除去部において熱応力が発生する深さを有限のものにできる。そのため、本発明によれば、レーザ照射による熱硬化性樹脂部材の加工ダメージの影響を極力抑制することができる。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

本発明の実施形態にかかる樹脂成形体としての半導体装置を示す概略断面図である。 図１に示される半導体装置の製造工程中の断面のうち図１中の領域Ｒを拡大した図である。 図２に続く製造工程中の断面のうち図１中の領域Ｒを拡大した図である。 図３に続く製造工程中の断面のうち図１中の領域Ｒを拡大した図である。 図４に続く製造工程中の断面のうち図１中の領域Ｒを拡大した図である。 ランベルトベールの法則に基づいて本発明者が行ったシミュレーションであって、熱硬化性樹脂におけるレーザ光吸収率を変えたときのレーザ強度とレーザ吸収深さとの関係を示す図である。 典型的な熱硬化性樹脂におけるレーザ波長と透過率との関係を示す図である。 顔料としてのカーボンブラックにおけるレーザ波長と透過率との関係を示す図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

本発明の実施形態にかかる樹脂成形体について、図１を参照して述べる。なお、図１では、後述する熱硬化性樹脂部材１０の表面に形成された粗化面１１ａの凹凸形状、段差１１ｂの高さについては、わかりやすくするために、大きくデフォルメして示してある。

この樹脂成形体は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための半導体装置として適用されるものである。本実施形態の樹脂成形体としての半導体装置は、熱硬化性樹脂部材１０と熱硬化性樹脂部材１０の表面の一部を封止する熱可塑性樹脂部材２０とを備えて構成されている。

熱硬化性樹脂部材１０は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂よりなるもので、典型的には、通常のモールド樹脂と同様、カーボンブラックなどの顔料が含有された熱硬化性樹脂よりなる。さらに、この熱硬化性樹脂には、典型的には、シリカやアルミナ等の絶縁性無機材料よりなるフィラーが含有されたものとなっている。

このような熱硬化性樹脂部材１０は、トランスファー成形、コンプレッション成形、あるいは、ポッティング法等による成形および熱硬化処理を行うことで、形成されたものである。

また、熱可塑性樹脂部材２０は、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）やＰＢＴ（ポリフェニレンテレフタレート）等の熱可塑性樹脂よりなるもので、熱硬化性樹脂部材１０の一部を封止するように射出成形を行うことにより、形成されたものである。

この熱可塑性樹脂部材２０内には、添加剤２０ａが添加されている。添加剤２０ａは、水酸基、エポキシ基、アミノ基、カルボニル基などのいずれか１つもしくは複数を有するポリマーよりなるものである。この添加剤２０ａが熱硬化性樹脂部材１０の粗化面１１ａに存在する官能基と化学反応して、高密着性な熱硬化性樹脂−熱可塑性樹脂接合を可能としている。

このような添加剤２０ａが添加された熱可塑性樹脂部材２０が熱硬化性樹脂部材１０の表面の一部を封止することにより、熱硬化性樹脂部材１０の表面の一部は、熱可塑性樹脂部材２０により封止された封止面１１とされている。そして、熱硬化性樹脂部材１０の表面のうち封止面１１以外の部分である残部は、熱可塑性樹脂部材２０より露出する露出面１２とされている。

ここでは、図１に示されるように、熱硬化性樹脂部材１０の長手方向の一端１０ａ側における熱硬化性樹脂部材１０の表面の一部が、封止面１１とされ、当該長手方向の他端１０ｂ側における熱硬化性樹脂部材の表面の残部が、露出面１２とされている。

熱硬化性樹脂部材１０は、その内部に、熱硬化性樹脂部材１０により封止された第１の被封止部品としての半導体素子３０、第２の被封止部品としての電気接続部材４０を有している。

第１の被封止部品である半導体素子３０は、磁気センサや光センサ、あるいは、圧力センサ等に用いられるシリコン半導体等よりなるセンサチップである。このような半導体素子３０は、通常の半導体プロセスにより形成されるものである。

たとえば、磁気センサ用の半導体素子３０の場合、半導体素子３０の全体が熱硬化性樹脂部材１０により封止されており、半導体素子３０は、熱硬化性樹脂部材１０を介して外部の磁気を検出するようにしている。

また、光センサや圧力センサ用の半導体素子３０の場合、半導体素子３０の一部を開口させる図示しない開口部が、熱硬化性樹脂部材１０に形成され、半導体素子３０は、当該開口部を介して光や圧力を検出するようになっている。

一方、第２の被封止部品である電気接続部材４０は、半導体素子３０と半導体装置の外部の図示しない配線部材とを電気的に接続するためのものである。ここでは、電気接続部材４０の一部４１は熱硬化性樹脂部材１０に被覆されて、残部４２は熱硬化性樹脂部材１０における封止面１１より突出する。また、電気接続部材４０の残部４２は、熱硬化性樹脂部材１０の外部にて熱可塑性樹脂部材２０により封止され、かつ、その先端部が熱可塑性樹脂部材２０から露出させられている。

ここで、電気接続部材４０の一部４１は、熱硬化性樹脂部材１０内にて、半導体素子３０と電気接続されている。この半導体素子３０との接続手法は特に限定するものではないが、ここでは、ＡｌやＡｕ等のボンディングワイヤ５０により接続されている。

一方、熱可塑性樹脂部材２０は、電気接続部材４０の残部４２を封止しているが、熱可塑性樹脂部材２０には開口部２１が形成されている。そして、この開口部２１において、電気接続部材４０の残部４２のうちのさらに一部が、熱可塑性樹脂部材２０の外部に露出している。

この熱可塑性樹脂部材２０の開口部２１は、図示しない外部の配線部材、たとえばコネクタ部材等が挿入されて接続される部位であり、それにより、この外部の配線部材と電気接続部材４０とが、電気的に接続されるようになっている。

つまり、電気接続部材４０は、半導体素子３０の検出や出力等の用をなすものとして機能し、半導体素子３０は、電気接続部材４０を介して、装置の外部との電気的なやり取りを可能としている。このような電気接続部材４０として、本実施形態では、ＣｕやＡｌ等の棒状部材よりなるターミナル端子を用いているが、その他、回路基板などを電気接続部材４０として用いてもよい。

そして、本実施形態の半導体装置においては、熱硬化性樹脂部材１０における封止面１１の一部は、粗化された粗化面１１ａとされている。粗化面１１ａは、後述する製造方法のうちの表面層除去工程により形成されるものであり、この粗化面１１ａの粗化度合は、粗化面１１ａ以外の封止面１１および露出面１２よりも大きくされている。

また、上述したように、第２の被封止部品である電気接続部材４０の残部４２は、熱硬化性樹脂部材１０における封止面１１より突出し、熱可塑性樹脂部材２０により封止されている。

また、本実施形態では、図１に示されるように、粗化面１１ａは、熱硬化性樹脂部材１０における封止面１１内にのみ、つまり熱可塑性樹脂部材２０の内側にのみ形成されている。このため、粗化面１１ａの端部は、熱可塑性樹脂部材２０の内側に位置している。

ここで、上述したように、粗化面１１ａは封止面１１の表面層１３（図３参照）を全面除去した面であり、熱硬化性樹脂部材１０の表面のうち粗化面１１ａ以外の部分に対して粗化面１１ａが凹むように、これらの間には段差１１ｂが形成されている。この段差１１ｂの高さは、数μｍ以上（たとえば５μｍ以上）である。

次に、本実施形態の半導体装置の製造方法について、図２〜図５も参照して述べる。まず、図２に示される硬化モールド工程では、熱硬化性樹脂部材１０の原料である熱硬化性樹脂材料を用い、この熱硬化性樹脂材料を加熱して硬化完了させることにより、熱硬化性樹脂部材１０を形成する。

具体的に、この硬化モールド工程では、半導体素子３０と電気接続部材４０とをボンディングワイヤ５０で接続したものを、トランスファー成形、コンプレッション成形あるいはポッティング等により封止し、さらに、このものを加熱、硬化する。こうして、熱硬化性樹脂部材１０ができあがる。

この硬化モールド工程で形成された熱硬化性樹脂部材１０の最表面には、汚染物よりなる表面層１３が存在する。汚染物は、熱硬化性樹脂部材１０の構成材料中に存在するが、加熱成形時に最表面に浮き出てきて、それよりも内側にはあまり存在しない状態となる。ここで、汚染物とは、たとえば離型剤や工程中に熱硬化性樹脂部材１０の表面に付着した異物等である。離型剤とは、上記成形において型離れ性を確保するために、金型表面に設けられたり、熱硬化性樹脂材料自身に混合されたりするもので、たとえばシロキサンや脂肪酸等よりなる。

次に、図３に示されるように、熱硬化性樹脂部材１０に対して表面層除去工程を行う。この工程では、熱硬化性樹脂部材１０における封止面１１の一部、すなわち封止面１１のうちの粗化面１１ａを形成する部位において、最表面に位置する表面層１３を除去することで当該部位を新生面１４とする。

具体的には、封止面１１のうちの粗化面１１ａの形成予定位置に対して、レーザ照射を用い、表面層１３を除去する。このレーザ照射により、処理表面を削って凹凸を形成する。粗化面１１ａを形成する際の封止面１１の除去深さは、表面層１３を除去できる程度で良く、数μｍ以上（たとえば５μｍ以上）とされていれば良い。

このレーザ照射により、汚染物としての表面層１３が除去されるとともに、表面層１３の下地としての新生面１４が粗化される。それによって、新生面１４は、アンカー効果が付与されて熱可塑性樹脂部材２０との密着性に優れた粗化面１１ａとされる。また、この粗化面１１ａとしての新生面１４には、実際には図４に示すように、熱硬化性樹脂部材１０を構成する熱硬化性樹脂における水酸基やエポキシ基等のいずれか１つもしくは複数が官能基として存在している。

こうして、表面層除去工程を行った後、図５に示される可塑モールド工程を行う。この工程では、官能基が存在する熱硬化性樹脂部材１０の新生面１４に対して、熱可塑性樹脂部材２０の原料である添加剤２０ａを添加した熱可塑性樹脂材料を射出成形する。

例えば、添加剤２０ａとなる官能基を有するポリマーを母材となる熱可塑性樹脂材料に混練することにより、添加剤２０ａを添加した熱可塑性樹脂材料を得ることができる。これにより、新生面１４に存在する官能基と熱可塑性樹脂材料に含まれる添加剤２０ａに存在する官能基とが化学結合しつつ、熱硬化性樹脂部材１０における封止面１１が熱可塑性樹脂部材２０で封止される。

この可塑モールド工程における化学結合としては、たとえば熱硬化性樹脂部材１０がエポキシ樹脂である場合、エポキシ樹脂中の水酸基やエポキシ基が添加剤２０ａに存在する水酸基、エポキシ基、アミノ基、カルボニル基と化学結合することになる。そして、水酸基同士の結合やエポキシ基同士の結合などとされる場合、共有結合となるため、より強度の高い化学結合となる。つまり、添加剤２０ａの構成材料として、熱硬化性樹脂部材１０の構成材料に含まれる官能基と同じ官能基を少なくとも１つ含む材料を用いることで共有結合を実現できる。

そして、この化学結合により、熱硬化性樹脂部材１０における新生面１４（つまり粗化面１１ａ）と熱可塑性樹脂部材２０との間の高密着性を得ることができるのである。こうして、本実施形態の樹脂成形体としての半導体装置ができあがる。

なお、上記の表面層形成工程以降の各工程は、熱硬化性樹脂部材１０の表面の一部に対して選択的に処理を行うものであるため、処理を行わない表面には適宜マスキング等を施したうえで、当該各工程を行うようにする。

ところで、上記製造方法によれば、熱硬化性樹脂部材１０における封止面１１と当該封止面１１を封止する熱可塑性樹脂部材２０との界面では、封止面１１上の汚染物が除去された新生面１４が形成される。この新生面１４において上記官能基を介した熱硬化性樹脂部材１０と熱可塑性樹脂部材２０との化学結合が実現される。

そして、この化学結合によって、熱硬化性樹脂部材１０と熱可塑性樹脂部材２０との間において高密着性を得ることができる。そのため、本実施形態によれば、熱硬化性樹脂部材１０と熱可塑性樹脂部材２０との密着性の向上が実現できる。

ここで、本実施形態の製造方法においては、熱硬化性樹脂部材１０として、上記表面層除去工程におけるレーザ照射に用いられるレーザ光の吸収率が、１μｍ当たり１０％以上であるものを用いるようにする。これは、レーザ照射による熱硬化性樹脂部材１０の加工ダメージの影響を極力抑制するためである。この根拠について述べる。

一般に、物質への光が入射した際の、物質の種類および厚みと光の強度との関係は、ランベルトベールの法則により記述される。この法則によると、光の吸収深さが材料の吸収率によって決まり、吸収率が高くなるにつれ、吸収深さは指数関数的に小さくなる。つまり、物質に対し吸収率が低くなるような条件でレーザによる表面加工を行うと、表面からの光の強度の減衰が緩やかになるため、非加工部に吸収されるエネルギーも大きくなってしまう。

図６では、縦軸にレーザ強度を任意単位で表し、横軸に深さをμｍ単位で表している。この深さは、熱硬化性樹脂の表面からレーザが浸透していく深さ、つまりレーザ吸収深さである。また、熱硬化性樹脂のレーザ光吸収率として１μｍ当たり、より詳しくはレーザ吸収深さ１μｍ当たり５％、１０％、２０％の各場合を示した。図６に示されるように、熱硬化性樹脂のレーザ光吸収率が高くなるにつれて、レーザ吸収深さが、指数関数的に小さくなっている。

ここで、このシミュレーションによれば、レーザ強度：０．２が、熱硬化性樹脂が削られて除去される大きさの下限である。つまり、たとえば図６において、レーザ光吸収率が２０％の場合、レーザ吸収深さが深さｄ１の範囲では削られて除去されるが、深さｄ２の範囲では削られずに熱応力が発生し、ひいては加工ダメージが生じることになる。以下、ｄ１を除去深さｄ１といい、ｄ２を加工ダメージ深さｄ２ということにする。

そして、図６に示されるように、加工ダメージ深さｄ２は、レーザ光吸収率が１μｍ当たり２０％および１０％の場合には有限の範囲を示す。しかし、レーザ光吸収率が５％の場合には加工ダメージ深さｄ２は、除去深さｄ１に比べて大幅に大きく実質的に無限に近い範囲、つまり熱硬化性樹脂部材１０の内部全体に加工ダメージが行き渡るような範囲となってしまう。

このように、本製造方法によれば、熱硬化性樹脂部材１０として、レーザ照射に用いられるレーザ光の吸収率が、１μｍ当たり１０％以上であるものを用いれば、非除去部において熱応力が発生する深さを有限のものにできる。そのため、加工ダメージの発生を極力浅い部分に留め、レーザ照射による熱硬化性樹脂部材１０の加工ダメージの影響を極力抑制することができる。

ここで、この種の典型的な熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂においては、図７に示されるように、レーザ光吸収率が１μｍ当たり１０％以上となるレーザ波長、すなわちレーザ透過率が９０％以下となるレーザ波長は、４００ｎｍ以下である。このことから、表面層除去工程に用いられるレーザ光としては、波長４００ｎｍ以下のものが望ましい。

具体的には、一般に使用されるようなＮｄ：ＹＡＧやＹＶＯ４のような長波長（１０６４ｎｍ）のレーザよりも、それらの高調波レーザやエキシマレーザ（３５１〜１９３ｎｍ）のような短波長のレーザを使用することでレーザを効率よく吸収させることができる。このようなレーザは、熱硬化性樹脂部材１０を構成する熱硬化性樹脂が上記のカーボンブラック等の顔料を含有している場合でも有効である。

この顔料は、樹脂内部の封止部品の保護のために用いられるが、たとえばカーボンブラックの場合、図８に示されるように、短波長領域の吸収率が若干高いものの、熱硬化性樹脂に比べ、全領域にて一様に吸収が行われる。この種の典型的な顔料も同じような吸収特性を持つことから、波長４００ｎｍ以下のレーザが望ましい。

（他の実施形態）
なお、上記実施形態では、上記図１に示したように、レーザ照射による粗化面１１ａすなわち新生面は、熱硬化性樹脂部材１０における封止面１１の一部に設けられていたが、封止面１１の全体に設けられていてもよい。

また、顔料としては、カーボンブラックに限定されるものではなく、この種の熱硬化性樹脂部材１０に含有されて使用されるものであればよい。また、熱硬化性樹脂部材１０としては、顔料を含まないものでもよく、さらには、無機物のフィラーが含有されていないものであってもよい。

また、第１の被封止部品および第２の被封止部品としては、熱硬化性樹脂部材１０で封止されることが可能なものであればよく、上記した半導体素子３０や電気接続部材４０あるいは回路基板に限定されるものではない。

また、上記実施形態では、樹脂成形体は半導体装置であり、熱硬化性樹脂部材１０の内部には、熱硬化性樹脂部材１０で封止された被封止部品となる半導体素子３０などが設けられたものであった。しかし、樹脂成形体としては、このような半導体装置に限定されるものではなく、たとえば熱硬化性樹脂部材１０として被封止部品を持たない構成のものであってもよい。

また、上記実施形態では、樹脂成形体は、熱硬化性樹脂部材１０の封止面１１は、熱硬化性樹脂部材１０の表面の一部であり、熱硬化性樹脂部材１０の表面の残部は露出面１２とされたものであった。しかし、樹脂成形体としては、熱硬化性樹脂部材１０の表面全体が封止面１１とされ、熱硬化性樹脂部材１０の全体が熱可塑性樹脂部材２０により封止されたものであってもよく、この場合でも、上記した製造方法を適用できることはもちろんである。

また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。

１０ 熱硬化性樹脂部材
１１ 熱硬化性樹脂部材における封止面
１３ 表面層
１４ 新生面
２０ 熱可塑性樹脂部材
２０ａ 添加剤

Claims (5)

1. 熱硬化性樹脂よりなる熱硬化性樹脂部材（１０）と、熱硬化性樹脂部材の表面の少なくとも一部である封止面（１１）を封止する熱可塑性樹脂よりなる熱可塑性樹脂部材（２０）と、を備える樹脂成形体の製造方法であって、
   前記熱硬化性樹脂部材の原料である熱硬化性樹脂材料を用い、前記熱硬化性樹脂材料を加熱して硬化完了させることにより、前記熱硬化性樹脂部材を形成することを行い、
   前記熱硬化性樹脂部材における前記封止面にレーザ照射を行うことで、前記封止面の最表面に位置する表面層（１３）を除去することにより、前記封止面の少なくとも一部を官能基が存在する新生面（１４）とすることを行い、
   前記新生面が形成された前記熱硬化性樹脂部材に対して、前記熱可塑性樹脂部材の原料である熱可塑性樹脂材料として前記新生面に存在する官能基と化学結合する官能基を含有する添加剤（２０ａ）を添加した材料を射出成形することにより、前記新生面に存在する官能基と前記熱可塑性樹脂材料に添加した添加剤に存在する官能基とを化学結合させつつ、前記熱硬化性樹脂部材における前記封止面を前記熱可塑性樹脂部材で封止することを行い、
   前記熱硬化性樹脂部材として、前記レーザ照射に用いられるレーザ光の吸収率が、１μｍ当たり１０％以上であるものを用いるようにした樹脂成形体の製造方法。
2. 前記レーザ光の波長を４００ｎｍ以下とする請求項１に記載の樹脂成形体の製造方法。
3. 前記熱硬化性樹脂部材は、エポキシ樹脂に顔料が含有されたものである請求項１または２に記載の樹脂成形体の製造方法。
4. 前記顔料はカーボンブラックである請求項３に記載の樹脂成形体の製造方法。
5. 前記熱硬化性樹脂部材は、無機物よりなるフィラーを含有した前記熱硬化性樹脂よりなる請求項１ないし４のいずれか１つに記載の樹脂成形体の製造方法。

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