JP6504804B2 - Multi-screen display device - Google Patents
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Description
本発明は、マルチ画面表示装置に関し、特に、複数の画像表示装置の画面によりマルチ画面が構成されるように配置される当該複数の画像表示装置を含むマルチ画面表示装置に関する。 The present invention relates to a multi-screen display device, and more particularly to a multi-screen display device including a plurality of image display devices arranged such that the multi-screen is composed of the screens of the plurality of image display devices.
大画面に画像（映像）を表示する装置として、複数の投射型画像表示装置の画面により構成されるマルチ画面に画像を表示するマルチ画面表示装置が存在する。当該マルチ画面表示装置は、当該複数の投射型画像表示装置から構成される。従来、当該マルチ画面表示装置を構成する各投射型画像表示装置では、高圧放電ランプが、光源として使用されていた。 As a device for displaying an image (video) on a large screen, there is a multi-screen display device for displaying an image on a multi-screen constituted by screens of a plurality of projection type image display devices. The multi-screen display device includes the plurality of projection type image display devices. Conventionally, in each of the projection type image display devices constituting the multi-screen display device, a high pressure discharge lamp has been used as a light source.
近年では、上記の各投射型画像表示装置において、半導体発光素子であるＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）、レーザー等の光デバイスが、光源として使用されるケースが増えている。なお、当該光デバイスの製造時のばらつきにより、当該光デバイスの経年劣化の度合いは、ばらつく。 In recent years, in each of the above-described projection type image display devices, cases where optical devices such as LEDs (Light Emitting Diodes) which are semiconductor light emitting elements, lasers and the like are used as light sources are increasing. In addition, the degree of the aged deterioration of the optical device varies due to the dispersion at the time of manufacturing the optical device.
複数の投射型画像表示装置において、上記のような経年劣化のばらつきが存在する場合、マルチ画面を構成する各画面間において、輝度差、色度差等が目立つ。そのため、マルチ画面全体に表示される画像において境界線等が見えやすくなり、当該画像の品質が低下するという問題点がある。 In the plurality of projection type image display devices, when the above-mentioned variation with age deterioration exists, a difference in luminance, a difference in chromaticity, etc. stand out among the screens constituting the multi-screen. Therefore, there is a problem that boundary lines and the like can be easily seen in an image displayed on the entire multi-screen, and the quality of the image is degraded.
特許文献１では、光源の経時変化（経年劣化）を考慮して、マルチ画面を構成する各画面間の輝度差の発生を抑制する技術（以下、「関連技術Ａ」ともいう）が開示されている。具体的には、関連技術Ａでは、マルチ画面表示装置を構成する各表示装置には輝度センサーが設けられる。当該各輝度センサーにより、常時、各画面に対応する光源が出射する光の輝度が検出される。また、当該各輝度センサーにより検出された輝度に基づいて、各画面の輝度が等しくなるように、各表示装置の映像信号の輝度が補正される。なお、当該輝度の補正においては、当該各映像信号のうち、最も低い輝度を示す映像信号の当該輝度が使用される。 Patent Document 1 discloses a technology (hereinafter, also referred to as “related technology A”) for suppressing the occurrence of a difference in luminance between the screens constituting a multi-screen in consideration of temporal change (aging deterioration) of a light source. There is. Specifically, in the related art A, a luminance sensor is provided in each display device configuring the multi-screen display device. The brightness of the light emitted from the light source corresponding to each screen is always detected by the respective brightness sensors. Further, based on the luminance detected by each of the luminance sensors, the luminance of the video signal of each display device is corrected so that the luminance of each screen becomes equal. In the correction of the luminance, the luminance of the video signal showing the lowest luminance among the video signals is used.
以下においては、経年劣化の進行がはやい光源を、「劣化光源」ともいう。 In the following, a light source in which the progress of aged deterioration is quick is also referred to as a "deteriorated light source".
しかしながら、関連技術Ａでは、以下の問題点がある。具体的には、関連技術Ａでは、マルチ画面表示装置を構成する複数の表示装置が、それぞれ有する複数の光源において劣化光源が存在する場合でも、当該劣化光源がそのまま使用される。そのため、関連技術Ａでは、劣化光源を用いた状態において、マルチ画面を構成する各画面間の輝度差の発生を抑制可能な期間は非常に短い。 However, the related art A has the following problems. Specifically, in the related art A, even when degraded light sources exist in a plurality of light sources respectively included in a plurality of display devices constituting the multi-screen display device, the degraded light sources are used as they are. Therefore, in the related art A, in a state in which the deteriorated light source is used, a period in which the generation of the luminance difference between the respective screens constituting the multi-screen can be suppressed is very short.
一般に、光源は、当該光源が駆動しているときの発熱が大きい程、光源の寿命が短縮される。当該光源の寿命とは、当該光源が出射する光の輝度が、初期の輝度の約１／２になるまでの時間である。そのため、光源の寿命の短縮化を抑制するためには、光源の温度を考慮して、当該光源の冷却の度合いを制御することが求められる。 In general, the longer the light source generates heat when the light source is driven, the shorter the life of the light source. The lifetime of the light source is the time until the luminance of the light emitted by the light source becomes about half of the initial luminance. Therefore, in order to suppress shortening of the life of the light source, it is required to control the degree of cooling of the light source in consideration of the temperature of the light source.
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、光源の寿命の短縮化を抑制することが可能な、マルチ画面を構成する複数の画像表示装置を含むマルチ画面表示装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve such a problem, and a multi-screen display device including a plurality of image display devices constituting a multi-screen capable of suppressing shortening of the life of the light source. Intended to be provided.
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るマルチ画面表示装置は、画面を有する、構成が同じである複数の画像表示装置の当該画面によりマルチ画面が構成されるように配置される当該複数の画像表示装置を含む。前記複数の画像表示装置の各々は、光を出射する半導体素子である光源と、前記光源を冷却する冷却機構と、予め定められた時間が経過する毎に、前記半導体素子の温度である素子温度を算出する素子温度算出部と、前記素子温度算出部により算出される最新の前記素子温度が、前記光源の経年劣化に基づいて設定された温度範囲内を維持するように、前記冷却機構による前記光源の冷却の度合いを制御する冷却制御部と、を備え、前記温度範囲は、前記光源の経年劣化の進行の速度が所望の速度となるような範囲である。 In order to achieve the above object, a multi-screen display device according to an aspect of the present invention is arranged such that the multi-screen is configured by the screens of a plurality of image display devices having a screen and having the same configuration. The plurality of image display devices are included . Each of the plurality of image display devices is a light source that is a semiconductor element that emits light, a cooling mechanism that cools the light source, and an element temperature that is a temperature of the semiconductor element each time a predetermined time passes. An element temperature calculating unit for calculating the temperature of the light source, and the latest element temperature calculated by the element temperature calculating unit, the temperature by the cooling mechanism being maintained within a temperature range set based on the aged deterioration of the light source And a cooling control unit for controlling the degree of cooling of the light source , wherein the temperature range is such that the speed of progress of the aging of the light source is a desired speed .
本発明によれば、素子温度算出部は、予め定められた時間が経過する毎に、前記半導体素子の温度である素子温度を算出する。冷却制御部は、前記素子温度算出部により算出される最新の前記素子温度が、前記光源の経年劣化に基づいて設定された温度範囲内を維持するように、前記冷却機構による前記光源の冷却の度合いを制御する。 According to the present invention, the element temperature calculation unit calculates the element temperature which is the temperature of the semiconductor element each time a predetermined time elapses. The cooling control unit is for cooling the light source by the cooling mechanism such that the latest element temperature calculated by the element temperature calculation unit is maintained within a temperature range set based on the aged deterioration of the light source. Control the degree.
これにより、光源の寿命の短縮化を抑制することができる。 Thereby, shortening of the life of the light source can be suppressed.
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の構成要素には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明を省略する場合がある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the same components are denoted by the same reference numerals. Their names and functions are also the same. Therefore, detailed description about them may be omitted.
＜実施の形態１＞
（構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係るマルチ画面表示装置１０００の構成を模式的に示す図である。図１において、Ｘ，Ｙ方向の各々は、互いに直交する。以下においては、Ｘ方向と、当該Ｘ方向の反対の方向（−Ｘ方向）とを含む方向を「Ｘ軸方向」ともいう。また、以下においては、Ｙ方向と、当該Ｙ方向の反対の方向（−Ｙ方向）とを含む方向を「Ｙ軸方向」ともいう。また、以下においては、Ｘ軸方向およびＹ軸方向を含む平面を、「ＸＹ面」ともいう。
Embodiment 1
(Constitution)
FIG. 1 is a view schematically showing a configuration of a
マルチ画面表示装置１０００は、画像表示装置１００−１，１００−２，１００−３，１００−４，１００−５，１００−６，１００−７，１００−８，１００−９を含む。
The
画像表示装置１００−１，１００−２，１００−３，１００−４，１００−５，１００−６，１００−７，１００−８，１００−９各々は、詳細は後述するが、同じ構成を有する。以下においては、画像表示装置１００−１，１００−２，１００−３，１００−４，１００−５，１００−６，１００−７，１００−８，１００−９の各々を、「画像表示装置１００」ともいう。 Each of the image display devices 100-1, 100-2, 100-3, 100-4, 100-5, 100-6, 100-7, 100-8, and 100-9 has the same configuration, although the details will be described later. Have. In the following, each of the image display devices 100-1, 100-2, 100-3, 100-4, 100-5, 100-6, 100-7, 100-8 and 100-9 is referred to as “image display device It is also called "100".
マルチ画面表示装置１０００は、９台の画像表示装置１００から構成される。マルチ画面表示装置１０００は、９台の画像表示装置１００が、一例として、図１のように、３行３列の行列状に配置されることにより構成される。なお、マルチ画面表示装置１０００を構成する画像表示装置１００の数は、９に限定されず、２〜８または１０以上であってもよい。
The
画像表示装置１００は、背面投射型表示装置である。背面投射型表示装置は、画面（スクリーン）の背面から当該画面に映像を投射する表示である。なお、画像表示装置１００は、背面投射型表示装置に限定されず、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ（Liquid Crystal Display））であってもよい。
The
画像表示装置１００−１，１００−２，１００−３，１００−４，１００−５，１００−６，１００−７，１００−８，１００−９は、それぞれ、画面１０−１，１０−２，１０−３，１０−４，１０−５，１０−６，１０−７，１０−８，１０−９を有する。 The image display devices 100-1, 100-2, 100-3, 100-4, 100-5, 100-6, 100-7, 100-8, and 100-9 have screens 10-1, 10-2, respectively. , 10-3, 10-4, 10-5, 10-6, 10-7, 10-8, 10-9.
マルチ画面表示装置１０００は、マルチ画面１０Ａを含む。マルチ画面１０Ａは、画面１０−１，１０−２，１０−３，１０−４，１０−５，１０−６，１０−７，１０−８，１０−９が行列状に配置されて構成される１つの画面である。
以下においては、画面１０−１，１０−２，１０−３，１０−４，１０−５，１０−６，１０−７，１０−８，１０−９の各々を、「画面１０」ともいう。画面１０は、例えば、光が投射されるスクリーンである。なお、マルチ画面１０Ａを構成する画面１０の数は、９に限定されず、２〜８または１０以上であってもよい。
In the following, each of the screens 10-1, 10-2, 10-3, 10-4, 10-5, 10-6, 10-7, 10-8, and 10-9 is also referred to as "
なお、各画像表示装置１００の画面１０は、一例として、当該画像表示装置１００の前面全体に配置される。そのため、マルチ画面１０Ａの形状は、マルチ画面表示装置１０００のＸＹ面の形状と同じである。
The
９台の画像表示装置１００は、前述したように、行列状に配置される。具体的には、構成が同じである９台の画像表示装置１００は、当該９台の画像表示装置１００の当該画面１０によりマルチ画面１０Ａが構成されるように配置される。マルチ画面表示装置１０００は、各画像表示装置１００が画面１０に画像を表示することにより、マルチ画面１０Ａに画像を表示する。
The nine
次に、画像表示装置１００の構成について説明する。図２は、本発明の実施の形態１に係る画像表示装置１００の構成を示す機能ブロック図である。図３は、本発明の実施の形態１に係る画像表示装置１００の構成の一部を詳細に示す図である。なお、図３では、画像表示装置１００の構成を分かり易くするために、実際には後述の照明光学系３０に含まれない、後述の冷却機構８１Ｒ，８１Ｇ，８１Ｂの一部が、当該照明光学系３０に含まれているように示される。
Next, the configuration of the
図２および図３を参照して、画像表示装置１００は、画面１０と、投射光学系２０と、照明光学系３０と、記憶部４０と、光源駆動部５０と、冷却制御部６０と、ファン部７０と、素子温度算出部８０と、冷却機構８１Ｒ，８１Ｇ，８１Ｂとを備える。
With reference to FIGS. 2 and 3, the
光源駆動部５０、冷却制御部６０および素子温度算出部８０の全て又は一部は、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のハードウエアで構成される。なお、光源駆動部５０、冷却制御部６０および素子温度算出部８０の全て又は一部は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサにより実行される、プログラムのモジュールであってもよい。光源駆動部５０、冷却制御部６０および素子温度算出部８０の詳細については後述する。
All or part of the light
照明光学系３０は、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂと、温度センサー３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂとを含む。光源１１Ｒは、赤色光を出射する光源である。光源１１Ｇは、緑色光を出射する光源である。光源１１Ｂは、青色光を出射する光源である。以下においては、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの各々を、単に、「光源１１」ともいう。
The illumination
光源１１は、光を出射する半導体素子である。光源１１は、例えば、ＬＥＤである。光源１１は、詳細は後述するが、当該光源１１に駆動電流が供給されることにより光を出射する。なお、光源１１は、ＬＥＤに限定されず、例えば、レーザーであってもよい。 The light source 11 is a semiconductor element that emits light. The light source 11 is, for example, an LED. The light source 11 emits light when a driving current is supplied to the light source 11, which will be described in detail later. The light source 11 is not limited to the LED, and may be, for example, a laser.
冷却機構８１Ｒ，８１Ｇ，８１Ｂの各々は、光源１１を冷却する。具体的には、冷却機構８１Ｒ，８１Ｇ，８１Ｂは、それぞれ、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを冷却する。
Each of the
冷却機構８１Ｒは、冷却部２１Ｒと、ファン７１Ｒとを含む。冷却機構８１Ｇは、冷却部２１Ｇと、ファン７１Ｇとを含む。冷却機構８１Ｂは、冷却部２１Ｂと、ファン７１Ｂとを含む。以下においては、冷却機構８１Ｒ，８１Ｇ，８１Ｂの各々を、単に、「冷却機構８１」ともいう。また、以下においては、冷却部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの各々を、単に、「冷却部２１」ともいう。冷却部２１は、光源１１が発する熱を放散するための部材である。冷却部２１は、例えば、ヒートシンクである。
冷却部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、それぞれ、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂに接するように設けられる。
The cooling
以下においては、ファン７１Ｒ，７１Ｇ，７１Ｂの各々を、単に、「ファン７１」ともいう。ファン７１は、風を発生させる装置である。なお、ファン７１Ｒ，７１Ｇ，７１Ｂからファン部７０が構成される。
Hereinafter, each of the
ファン部７０は、照明光学系３０へ風を送るように設けられる。具体的には、ファン７１Ｒは、冷却部２１Ｒへ風を送るように設けられる。ファン７１Ｇは、冷却部２１Ｇへ風を送るように設けられる。ファン７１Ｂは、冷却部２１Ｂへ風を送るように設けられる。
The
温度センサー３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂの各々は、光源１１の温度を検出するセンサーである。以下においては、温度センサー３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂの各々を、単に、「温度センサー３１」ともいう。温度センサー３１は、例えば、サーミスタである。以下においては、光源１１である半導体素子の外側の温度を、「外側温度」ともいう。外側温度は、例えば、光源１１（半導体素子）の表面の温度である。温度センサー３１は、光源１１の外側温度が検出可能なように設けられる。
Each of the
具体的には、温度センサー３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂは、それぞれ、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの外側温度を検出する。例えば、温度センサー３１Ｒは、光源１１Ｒが実装された基板上に設けられる。温度センサー３１Ｒは光源１１Ｒの外側に接するように設けられる。なお、温度センサー３１Ｒは光源１１Ｒの外側に接しなくてもよい。なお、温度センサー３１Ｇ，３１Ｂも、温度センサー３１Ｒと同様に設けられる。
Specifically, the
なお、温度センサー３１が設けられる位置は基板に限定されない。温度センサー３１は、例えば、光源１１が発する熱が伝達される経路に設けられてもよい。例えば、温度センサー３１は、冷却部２１上に設けられてもよい。 The position where the temperature sensor 31 is provided is not limited to the substrate. The temperature sensor 31 may be provided, for example, in a path to which the heat generated by the light source 11 is transmitted. For example, the temperature sensor 31 may be provided on the cooling unit 21.
以下においては、温度センサー３１Ｒが検出する外側温度を、「温度ＴｔｈＲ」ともいう。また、以下においては、温度センサー３１Ｇが検出する外側温度を、「温度ＴｔｈＧ」ともいう。また、以下においては、温度センサー３１Ｂが検出する外側温度を、「温度ＴｔｈＢ」ともいう。また、以下においては、温度ＴｔｈＲ，ＴｔｈＧ，ＴｔｈＢの各々を、単に、「温度Ｔｔｈ」ともいう。
In the following, the outside temperature detected by the
温度センサー３１は、温度検出処理を行う。温度検出処理では、温度センサー３１が、所定時間の経過毎に、温度Ｔｔｈを検出するとともに、検出した当該温度Ｔｔｈを素子温度算出部８０へ送信する。当該所定時間は、例えば、０．１秒〜１秒の範囲のいずれかである。
The temperature sensor 31 performs a temperature detection process. In the temperature detection process, the temperature sensor 31 detects the temperature Tth every time a predetermined time elapses, and transmits the detected temperature Tth to the element
具体的には、温度検出処理では、温度センサー３１Ｒは、所定時間の経過毎に、温度ＴｔｈＲを検出するとともに、当該温度ＴｔｈＲを素子温度算出部８０へ送信する。温度センサー３１Ｇ，３１Ｂも、温度センサー３１Ｒが行う温度検出処理と同様な処理を行う。これにより、素子温度算出部８０は、所定時間の経過毎に、温度ＴｔｈＲ，ＴｔｈＧ，ＴｔｈＢを受信する。
Specifically, in the temperature detection process, the
光源駆動部５０は、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの各々を制御する。具体的には、光源駆動部５０は、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの各々へ駆動電流を供給する。また、光源駆動部５０は、駆動電流の電流値を制御する。光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの各々は、光源駆動部５０の制御に従い、光を出射する。各光源１１が出射する光は、投射光学系２０に照射される。
The light
投射光学系２０は、各光源１１から照射された光により映像光を生成し、当該映像光を画面１０へ投射する。投射光学系２０は、例えば、複数のレンズから構成される。
The projection
光源１１が発する熱は、冷却部２１に伝達する。そして、ファン７１が、冷却部２１へ風を送ることにより、冷却部２１に伝達した熱は放散される。例えば、光源１１Ｒが発する熱は冷却部２１Ｒに伝達する。そして、ファン７１Ｒが冷却部２１Ｒへ風を送ることにより、冷却部２１Ｒに伝達した熱は放散される。
The heat generated by the light source 11 is transmitted to the cooling unit 21. Then, when the fan 71 blows air to the cooling unit 21, the heat transmitted to the cooling unit 21 is dissipated. For example, the heat generated by the
冷却制御部６０は、各冷却機構８１を制御することにより、当該冷却機構８１による光源１１の冷却の度合いを制御する。具体的には、冷却制御部６０は、冷却機構８１のファン７１の回転数を制御することにより、光源１１の冷却の度合いを制御する。例えば、冷却制御部６０は、冷却機構８１Ｒのファン７１Ｒの回転数を制御することにより、光源１１Ｒの冷却の度合いを制御する。
The cooling
以下においては、光源１１である半導体素子の温度を、「素子温度」ともいう。当該素子温度は、半導体素子のジャンクション温度である。 In the following, the temperature of the semiconductor element which is the light source 11 is also referred to as “element temperature”. The element temperature is a junction temperature of the semiconductor element.
素子温度算出部８０は、詳細は後述するが、予め定められた時間が経過する毎に、素子温度を算出する。以下においては、素子温度算出部８０が算出した素子温度を、「素子温度Ｔｊ」ともいう。また、以下においては、光源１１Ｒである半導体素子の素子温度Ｔｊを、「素子温度ＴｊＲ」ともいう。また、以下においては、光源１１Ｇである半導体素子の素子温度Ｔｊを、「素子温度ＴｊＧ」ともいう。また、以下においては、光源１１Ｂである半導体素子の素子温度Ｔｊを、「素子温度ＴｊＢ」ともいう。
The element
なお、画像表示装置１００が設置される環境の明るさの強さに応じて、画面１０において必要とされる輝度は異なる。これに対応するため、画像表示装置１００は、複数の輝度モードを有する。当該各輝度モードは、例えば、画像表示装置１００が設置される環境の明るさに対応するモードである。
The luminance required on the
記憶部４０は、各種の情報を記憶するメモリである。記憶部４０には、デューティ比ＤｔｙＲ，ＤｔｙＧ，ＤｔｙＢが記憶されている。デューティ比ＤｔｙＲ，ＤｔｙＧ，ＤｔｙＢは、それぞれ、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを駆動させるためのデューティ比である。デューティ比とは、例えば、所定の期間に対する、光源１１が点灯している期間の割合である。デューティ比ＤｔｙＲ，ＤｔｙＧ，ＤｔｙＢは、各輝度モード毎に異なる値が設定される。なお、同一の輝度モードにおけるデューティ比ＤｔｙＲ，ＤｔｙＧ，ＤｔｙＢの各々の値は、異なる値および同じ値のいずれでもよい。
The
図４は、デューティ比を説明するための図である。図４を参照して、期間Ｔｍ１は、画像の１フレームを表示するための期間である。 FIG. 4 is a diagram for explaining the duty ratio. Referring to FIG. 4, period Tm1 is a period for displaying one frame of an image.
図４において、「１１Ｒ」に対応づけて示されるタイミングチャートは、デューティ比ＤｔｙＲに従って動作する光源１１Ｒの発光タイミングを示す。期間Ｔｍ１のうちの期間Ｔｍ１Ｒが、光源１１Ｒが発光している期間である。なお、デューティ比ＤｔｙＲは、期間Ｔｍ１に対する期間Ｔｍ１Ｒの割合である。
In FIG. 4, the timing chart shown in association with "11R" shows the light emission timing of the
また、図４において、「１１Ｇ」に対応づけて示されるタイミングチャートは、デューティ比ＤｔｙＧに従って動作する光源１１Ｇの発光タイミングを示す。期間Ｔｍ１のうちの期間Ｔｍ１Ｇが、光源１１Ｇが発光している期間である。「１１Ｂ」に対応づけて示されるタイミングチャートは、デューティ比ＤｔｙＢに従って動作する光源１１Ｂの発光タイミングを示す。期間Ｔｍ１のうちの期間Ｔｍ１Ｂが、光源１１Ｂが発光している期間である。
Further, in FIG. 4, a timing chart shown in association with “11G” indicates the light emission timing of the light source 11G operating according to the duty ratio DtyG. The period Tm1G in the period Tm1 is a period during which the light source 11G emits light. The timing chart shown in association with "11B" shows the light emission timing of the
以下においては、デューティ比ＤｔｙＲ，ＤｔｙＧ，ＤｔｙＢの各々を、単に、「デューティ比Ｄｔｙ」ともいう。また、以下においては、光源１１Ｒの駆動電流を、「駆動電流ＩｆＲ」ともいう。また、以下においては、光源１１Ｇの駆動電流を、「駆動電流ＩｆＧ」ともいう。また、以下においては、光源１１Ｂの駆動電流を、「駆動電流ＩｆＢ」ともいう。また、以下においては、駆動電流ＩｆＲ，ＩｆＧ，ＩｆＢの各々を、単に、「駆動電流Ｉｆ」ともいう。駆動電流Ｉｆは、光源１１の駆動電流である。
Hereinafter, each of duty ratios DtyR, DtyG, and DtyB is also simply referred to as "duty ratio Dty". Further, in the following, the drive current of the
また、以下においては、予め設定された、駆動電流ＩｆＲの電流値を、「電流値ＩｆｓＲ」ともいう。また、以下においては、予め設定された、駆動電流ＩｆＧの電流値を、「電流値ＩｆｓＧ」ともいう。また、以下においては、予め設定された、駆動電流ＩｆＢの電流値を、「電流値ＩｆｓＢ」ともいう。 Further, in the following, the current value of the drive current IfR set in advance is also referred to as “current value IfsR”. Further, in the following, the current value of the drive current IfG set in advance is also referred to as “current value IfsG”. Also, in the following, the current value of the drive current IfB set in advance is also referred to as “current value IfsB”.
以下においては、光源１１に印加されている電圧（順方向電圧）を、「電圧Ｖｆ」ともいう。例えば、０より大きい値を示す電圧Ｖｆは、光を出射している光源１１に印加されている電圧（順方向電圧）である。また、電圧Ｖｆは、駆動電流Ｉｆが光源１１（半導体素子）に流れているときにおいて当該光源１１に印加されている電圧（順方向電圧）である。 In the following, the voltage (forward voltage) applied to the light source 11 is also referred to as “voltage Vf”. For example, a voltage Vf indicating a value larger than 0 is a voltage (forward voltage) applied to the light source 11 emitting light. The voltage Vf is a voltage (forward voltage) applied to the light source 11 when the drive current If is flowing to the light source 11 (semiconductor element).
また、以下においては、光源１１Ｒに印加されている電圧Ｖｆを、「電圧ＶｆＲ」ともいう。また、以下においては、光源１１Ｇに印加されている電圧Ｖｆを、「電圧ＶｆＧ」ともいう。また、以下においては、光源１１Ｂに印加されている電圧Ｖｆを、「電圧ＶｆＢ」ともいう。
Also, in the following, the voltage Vf applied to the
また、以下においては、予め設定された値を示す電圧ＶｆＲを、「電圧ＶｆｓＲ」ともいう。また、以下においては、予め設定された値を示す電圧ＶｆＧを、「電圧ＶｆｓＧ」ともいう。また、以下においては、予め設定された値を示す電圧ＶｆＢを、「電圧ＶｆｓＢ」ともいう。 Also, in the following, the voltage VfR indicating a preset value is also referred to as “voltage VfsR”. Also, in the following, the voltage VfG indicating a preset value is also referred to as “voltage VfsG”. Also, in the following, the voltage VfB indicating a preset value is also referred to as “voltage VfsB”.
再び、図２を参照して、記憶部４０には、さらに、電流値ＩｆｓＲ，ＩｆｓＧ，ＩｆｓＢと、初期回転数ＲｔＲ，ＲｔＢ，ＲｔＧと、電圧ＶｆｓＲ，ＶｆｓＧ，ＶｆｓＢと、温度範囲ＴｒｇＲ，ＴｒｇＧ，ＴｒｇＢと、熱抵抗Ｒｊ＿ｔｈＲ，Ｒｊ＿ｔｈＧ，Ｒｊ＿ｔｈＢとが記憶される。
Referring again to FIG. 2,
電流値ＩｆｓＲ，ＩｆｓＧ，ＩｆｓＢの各々は、異なる値および同じ値のいずれでもよい。以下においては、電流値ＩｆｓＲ，ＩｆｓＧ，ＩｆｓＢの各々を、単に、「電流値Ｉｆｓ」ともいう。 Each of current values IfsR, IfsG, IfsB may be any of a different value and the same value. In the following, each of the current values IfsR, IfsG, IfsB is also simply referred to as "current value Ifs".
初期回転数ＲｔＲ，ＲｔＢ，ＲｔＧの各々は、単位時間におけるファン７１の回転数の初期値である。具体的には、初期回転数ＲｔＲ，ＲｔＢ，ＲｔＧは、それぞれ、ファン７１Ｒ，７１Ｇ，７１Ｂを駆動させるための回転数である。初期回転数ＲｔＲ，ＲｔＢ，ＲｔＧの各々は、異なる値および同じ値のいずれでもよい。以下においては、初期回転数ＲｔＲ，ＲｔＢ，ＲｔＧの各々を、単に、「初期回転数Ｒｔ」ともいう。
Each of the initial rotation numbers RtR, RtB, and RtG is an initial value of the rotation number of the fan 71 in unit time. Specifically, the initial rotational speeds RtR, RtB and RtG are the rotational speeds for driving the
電圧ＶｆｓＲ，ＶｆｓＧ，ＶｆｓＢは、それぞれ、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの順方向電圧である。電圧ＶｆｓＲ，ＶｆｓＧ，ＶｆｓＢの値は、それぞれ、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの特性に基づいて、予め設定された値である。なお、順方向電圧は、光源１１ごとに、一定のばらつきの範囲内に存在する物性値である。順方向電圧は、各光源１１（半導体素子）における固有の値である。順方向電圧は、例えば、光源１１の製造メーカが提供する出荷データが示す電圧、または、光源１１が照明光学系３０に組み込まれる前に、光源１１単体に対し測定された電圧である。
The voltages VfsR, VfsG, and VfsB are forward voltages of the
以下においては、電圧ＶｆｓＲ，ＶｆｓＧ，ＶｆｓＢの各々を、単に、「電圧Ｖｆｓ」ともいう。各電圧Ｖｆｓは、記憶部４０に記憶されている電圧である。すなわち、各電圧Ｖｆｓは、光を出射している光源１１の印加電圧に関する電圧（順方向電圧）である。
Hereinafter, each of the voltages VfsR, VfsG, and VfsB is also simply referred to as “voltage Vfs”. Each voltage Vfs is a voltage stored in the
温度範囲ＴｒｇＲ，ＴｒｇＧ，ＴｒｇＢの各々は、光源１１の経年劣化に基づいて設定された温度範囲である。具体的には、温度範囲ＴｒｇＲ，ＴｒｇＧ，ＴｒｇＢは、それぞれ、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの経年劣化に基づいて設定された温度範囲である。以下においては、温度範囲ＴｒｇＲ，ＴｒｇＧ，ＴｒｇＢの各々を、単に、「温度範囲Ｔｒｇ」ともいう。
Each of the temperature ranges TrgR, TrgG, and TrgB is a temperature range set based on the aged deterioration of the light source 11. Specifically, the temperature ranges TrgR, TrgG, and TrgB are temperature ranges set based on the aged deterioration of the
一般に、半導体素子である光源１１は、当該光源１１が駆動（発光）しているときの素子温度が大きい程、当該光源１１の経年劣化の進行がはやくなる。すなわち、光源１１は、当該光源１１が駆動しているときの素子温度が大きい程、当該光源１１の寿命が短縮される。光源１１の寿命とは、例えば、当該光源１１が出射する光の輝度が、初期の輝度の約１／２になるまでの時間である。以下においては、光源１１が出射する光の輝度を、「出射輝度」ともいう。 Generally, as the temperature of the light source 11 which is a semiconductor element is higher when the light source 11 is driven (emitted light), the progress of aging of the light source 11 becomes faster. That is, the life of the light source 11 is shortened as the element temperature when the light source 11 is driven increases. The lifetime of the light source 11 is, for example, a time until the luminance of the light emitted from the light source 11 becomes about half of the initial luminance. Hereinafter, the brightness of the light emitted from the light source 11 is also referred to as “emission brightness”.
なお、光源１１は、当該光源１１の経年劣化の進行に伴い、出射輝度が低下する。以下においては、光源１１の経年劣化の進行の速度が所望の速度となるような、当該光源１１の駆動時の素子温度を、「目標素子温度」ともいう。すなわち、目標素子温度は、光源１１の寿命が所望の時間となるような、当該光源１１の駆動時の素子温度である。また、目標素子温度は、例えば、光源１１に対しての定格の駆動電流により、当該光源１１が駆動しているときの素子温度である。 The light emission luminance of the light source 11 is lowered with the progress of the aged deterioration of the light source 11. In the following, the element temperature at the time of driving the light source 11 such that the rate of progress of the aged deterioration of the light source 11 becomes a desired speed is also referred to as “target element temperature”. That is, the target element temperature is an element temperature when the light source 11 is driven such that the life of the light source 11 becomes a desired time. Further, the target element temperature is, for example, the element temperature when the light source 11 is driven by the rated drive current for the light source 11.
温度範囲Ｔｒｇは、例えば、目標素子温度に対し、例えば、許容誤差を考慮した範囲である。ここで、一例として、目標素子温度が２５度であり、許容誤差が１度であるとする。この場合、温度範囲Ｔｒｇは、２４度から２６度までの範囲である。また、他の例として、目標素子温度が２５度であり、許容誤差が０．５度であるとする。この場合、温度範囲Ｔｒｇは、２４．５度から２５．５度までの範囲である。目標素子温度は、例えば、実験等により予め決定された温度である。温度範囲Ｔｒｇは、予め決定された温度範囲である。 The temperature range Trg is, for example, a range in which the tolerance is taken into consideration with respect to the target element temperature. Here, as an example, it is assumed that the target element temperature is 25 degrees and the tolerance is 1 degree. In this case, the temperature range Trg is in the range of 24 degrees to 26 degrees. As another example, it is assumed that the target element temperature is 25 degrees and the tolerance is 0.5 degrees. In this case, the temperature range Trg is in the range of 24.5 degrees to 25.5 degrees. The target element temperature is, for example, a temperature previously determined by an experiment or the like. The temperature range Trg is a predetermined temperature range.
なお、一般に、光源１１が発する光の色が異なれば、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの寿命を同じとするための温度は異なる。そのため、温度範囲ＴｒｇＲ，ＴｒｇＧ，ＴｒｇＢの各々は、異なる範囲に設定される。なお、温度範囲ＴｒｇＲ，ＴｒｇＧ，ＴｒｇＢの各々は、同じ範囲に設定されてもよい。
Generally, if the color of the light emitted by the light source 11 is different, the temperature for making the lifetimes of the
熱抵抗Ｒｊ＿ｔｈＲ，Ｒｊ＿ｔｈＧ，Ｒｊ＿ｔｈＢの各々は、光源１１である半導体素子のジャンクション部分と温度センサー３１との間の熱抵抗である。具体的には、熱抵抗Ｒｊ＿ｔｈＲは、光源１１Ｒである半導体素子のジャンクション部分と温度センサー３１Ｒとの間の熱抵抗である。当該ジャンクション部分は、半導体素子のうちｐ型半導体とｎ型半導体との接合部分である。
Each of the thermal resistances Rj_thR, Rj_thG, and Rj_thB is a thermal resistance between a junction part of the semiconductor element which is the light source 11 and the temperature sensor 31. Specifically, the thermal resistance Rj_thR is a thermal resistance between the junction of the semiconductor element which is the
また、熱抵抗Ｒｊ＿ｔｈＧは、光源１１Ｇである半導体素子のジャンクション部分と温度センサー３１Ｇとの間の熱抵抗である。熱抵抗Ｒｊ＿ｔｈＢは、光源１１Ｂである半導体素子のジャンクション部分と温度センサー３１Ｂとの間の熱抵抗である。以下においては、熱抵抗Ｒｊ＿ｔｈＲ，Ｒｊ＿ｔｈＧ，Ｒｊ＿ｔｈＢの各々を、「熱抵抗Ｒｊ＿ｔｈ」ともいう。
The thermal resistance Rj_thG is a thermal resistance between the junction of the semiconductor element which is the light source 11G and the
なお、一般に、熱抵抗Ｒｊ＿ｔｈは、温度センサー３１の取り付け位置によって変化する。そのため、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの各々において、温度センサー３１が取り付けられる位置が異なる場合、熱抵抗Ｒｊ＿ｔｈＲ，Ｒｊ＿ｔｈＧ，Ｒｊ＿ｔｈＢの各々は、異なる値である。なお、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの各々において、温度センサー３１が取り付けられる位置が同じである場合、熱抵抗Ｒｊ＿ｔｈＲ，Ｒｊ＿ｔｈＧ，Ｒｊ＿ｔｈＢの各々は、同じ値である。
Generally, the thermal resistance Rj_th changes depending on the mounting position of the temperature sensor 31. Therefore, in each of the
なお、前述したように、画像表示装置１００は、複数の輝度モードを有する。デューティ比Ｄｔｙおよび電流値Ｉｆｓは、輝度モード毎に異なる値が設定される。
As described above, the
（特徴的な処理）
次に、マルチ画面表示装置１０００を構成する各画像表示装置１００が行う特徴的な処理（以下、「温度制御処理Ｎ」ともいう）について説明する。
(Characteristic processing)
Next, characteristic processing (hereinafter, also referred to as “temperature control processing N”) performed by each of the
図５は、温度制御処理Ｎのフローチャートである。まず、温度制御処理Ｎにおいて、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂについて共通する処理を説明する。なお、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂのいずれかについての、より詳細な処理については後述する。温度制御処理Ｎでは、まず、ステップＳ１１０の処理が行われる。
FIG. 5 is a flowchart of the temperature control process N. First, in the temperature control processing N, processing common to the
ステップＳ１１０では、起動時処理が行われる。起動時処理では、まず、光源駆動部５０が、記憶部４０に記憶されている電流値Ｉｆｓおよびデューティ比Ｄｔｙに基づいて、光源１１を点灯させる。具体的には、光源駆動部５０が、電流値Ｉｆｓの駆動電流を、光源１１へ供給する。駆動電流の供給タイミングは、デューティ比Ｄｔｙに従ったタイミングである。すなわち、光源駆動部５０は、光源１１の駆動電流の電流値を制御する。
In step S110, start-up processing is performed. In the startup process, first, the light
次に、冷却制御部６０は、記憶部４０に記憶されている初期回転数Ｒｔに従って、ファン７１を回転させる。具体的には、冷却制御部６０は、ファン７１の回転数が、単位時間において初期回転数Ｒｔとなるように、ファン７１を駆動させる。
Next, the cooling
ステップＳ１２０では、待機処理が行われる。待機処理は、予め定められた待機時間が経過するまで待機する処理である。当該待機時間は、例えば、１０分である。なお、待機時間は、１０分に限定されず、他の時間であってもよい。 In step S120, a standby process is performed. The waiting process is a process of waiting until a predetermined waiting time has elapsed. The waiting time is, for example, 10 minutes. The waiting time is not limited to 10 minutes, and may be another time.
ステップＳ１３０では、温度算出処理が行われる。温度算出処理では、素子温度算出部８０が、素子温度Ｔｊを算出する。少し具体的には、素子温度算出部８０が、最新の温度Ｔｔｈと、記憶部４０に記憶されている電圧Ｖｆｓと、光源１１の駆動電流の電流値Ｉｆｓとに基づいて、ジャンクション温度である素子温度Ｔｊを算出する。具体的には、素子温度算出部８０が、以下の式１に、温度センサー３１から受信した最新の温度Ｔｔｈと、記憶部４０に記憶されている熱抵抗Ｒｊ＿ｔｈ、電流値Ｉｆｓ、電圧Ｖｆｓおよびデューティ比Ｄｔｙとを代入することにより、素子温度Ｔｊを算出する。
In step S130, a temperature calculation process is performed. In the temperature calculation process, the element
そして、素子温度算出部８０は、算出した素子温度Ｔｊを、冷却制御部６０へ送信する。
Then, the element
次に、算出された素子温度Ｔｊが、記憶部４０に記憶されている温度範囲Ｔｒｇ内であるか否か判定される。具体的には、以下のステップＳ１４１，Ｓ１４２が行われる。
Next, it is determined whether the calculated element temperature Tj is within the temperature range Trg stored in the
ステップＳ１４１では、冷却制御部６０が、素子温度Ｔｊが、記憶部４０に記憶されている温度範囲Ｔｒｇを構成する各値の最大値より大きいか否かを判定する。ステップＳ１４１においてＹＥＳならば、処理はステップＳ１５１へ移行する。一方、ステップＳ１４１においてＮＯならば、処理はステップＳ１４２へ移行する。
In step S141, the cooling
ステップＳ１５１では、光源１１の冷却量を増加させるための冷却量増加処理が行われる。冷却量増加処理では、冷却制御部６０は、ファン７１の回転数が増加するように、ファン７１を制御する。冷却制御部６０は、例えば、ファン７１の回転数が、１．１倍となるように、ファン７１を制御する。そして、再度、ステップＳ１２０の処理が行われる。
In step S151, a cooling amount increasing process for increasing the cooling amount of the light source 11 is performed. In the cooling amount increase process, the cooling
ステップＳ１４２では、冷却制御部６０が、素子温度Ｔｊが、記憶部４０に記憶されている温度範囲Ｔｒｇを構成する各値の最小値より小さいか否かを判定する。ステップＳ１４２においてＹＥＳならば処理はステップＳ１５２へ移行する。一方、ステップＳ１４２においてＮＯならば、再度、ステップＳ１２０の処理が行われる。
In step S142, the cooling
ステップＳ１５２では、光源１１の冷却量を低下させるための冷却量低下処理が行われる。冷却量低下処理では、冷却制御部６０は、ファン７１の回転数が低下するように、ファン７１を制御する。冷却制御部６０は、例えば、ファン７１の回転数が、０．９倍となるように、ファン７１を制御する。そして、再度、ステップＳ１２０の処理が行われる。
In step S152, a cooling amount reduction process for reducing the cooling amount of the light source 11 is performed. In the cooling amount reduction process, the cooling
なお、素子温度Ｔｊが温度範囲Ｔｒｇ内である場合、すなわち、ステップＳ１４１，Ｓ１４２においてＮＯの場合、ファン７１の回転数は変更されない。 When the element temperature Tj is within the temperature range Trg, that is, in the case of NO in steps S141 and S142, the number of rotations of the fan 71 is not changed.
以上の温度制御処理Ｎにより、ステップＳ１２０，Ｓ１３０，ステップＳ１４１，Ｓ１４２の処理が繰り返し行われる。これにより、素子温度算出部８０は、予め定められた時間が経過する毎に、素子温度Ｔｊを算出する。
By the temperature control process N described above, the processes of steps S120 and S130, and steps S141 and S142 are repeatedly performed. Thus, the element
また、ステップＳ１４１，Ｓ１４２の判定結果に応じて、ステップＳ１５１，Ｓ１５２のいずれかが行われる。これにより、冷却制御部６０は、各冷却機構８１を制御することにより、素子温度算出部８０により算出される最新の素子温度Ｔｊが、温度範囲Ｔｒｇ内を維持するように、当該冷却機構８１による光源１１の冷却の度合いを制御する。
Further, one of steps S151 and S152 is performed according to the determination results of steps S141 and S142. Thereby, the cooling
次に、温度制御処理Ｎについて、より詳細な処理について説明する。ここで、以下の前提Ｎ１を考慮する。前提Ｎ１では、光源１１は、光源１１Ｒである。すなわち、前提Ｎ１における温度制御処理Ｎについて説明する。
Next, more detailed processing of the temperature control processing N will be described. Here, the following premise N1 is considered. In the premise N1, the light source 11 is the
ステップＳ１１０の起動時処理では、光源駆動部５０が、記憶部４０に記憶されている電流値ＩｆｓＲおよびデューティ比ＤｔｙＲに基づいて、光源１１Ｒを点灯させる。具体的には、光源駆動部５０が、電流値ＩｆｓＲの駆動電流を、光源１１Ｒへ供給する。駆動電流の供給タイミングは、デューティ比ＤｔｙＲに従ったタイミングである。すなわち、光源駆動部５０は、光源１１Ｒの駆動電流の電流値を制御する。
In the startup process of step S110, the light
次に、冷却制御部６０は、ファン７１Ｒの回転数が、単位時間において初期回転数ＲｔＲとなるように、ファン７１Ｒを駆動させる。
Next, the cooling
そして、ステップＳ１２０の処理の後、ステップＳ１３０の温度算出処理が行われる。温度算出処理では、素子温度算出部８０が、最新の温度ＴｔｈＲと、記憶部４０に記憶されている電圧ＶｆｓＲと、光源１１Ｒの駆動電流の電流値とに基づいて、ジャンクション温度である素子温度ＴｊＲを算出する。具体的には、素子温度算出部８０が、前述の式１に、温度センサー３１Ｒから受信した最新の温度ＴｔｈＲと、記憶部４０に記憶されている熱抵抗Ｒｊ＿ｔｈＲ、電流値ＩｆｓＲ、電圧ＶｆｓＲおよびデューティ比ＤｔｙＲとを代入することにより、素子温度ＴｊＲを算出する。
Then, after the process of step S120, the temperature calculation process of step S130 is performed. In the temperature calculation process, the element temperature TjR, which is the junction temperature, is based on the latest temperature TthR, the voltage VfsR stored in the
なお、素子温度算出部８０は、算出した素子温度ＴｊＲを、冷却制御部６０へ送信する。
The element
ステップＳ１４１では、冷却制御部６０が、素子温度ＴｊＲが、温度範囲ＴｒｇＲを構成する各値の最大値より大きいか否かが判定される。
In step S141, the cooling
ステップＳ１４１でＹＥＳの場合に行われるステップＳ１５１の冷却量増加処理では、冷却制御部６０は、ファン７１Ｒの回転数が、１．１倍となるように、ファン７１Ｒを制御する。
In the cooling amount increase process of step S151 performed in the case of YES in step S141, the cooling
ステップＳ１４２では、冷却制御部６０が、素子温度ＴｊＲが、温度範囲ＴｒｇＲを構成する各値の最小値より小さいか否かが判定される。
In step S142, the cooling
ステップＳ１４２でＹＥＳの場合に行われるステップＳ１５２の冷却量低下処理では、冷却制御部６０は、例えば、ファン７１Ｒの回転数が、０．９倍となるように、ファン７１Ｒを制御する。そして、再度、ステップＳ１２０の処理が行われる。
In the cooling amount reduction process of step S152 performed in the case of YES in step S142, the cooling
以上のようにして、光源１１が光源１１Ｒである場合の温度制御処理Ｎは行われる。なお、光源１１が光源１１Ｇ，１１Ｂのいずれかである場合の温度制御処理Ｎは、前提Ｎ１における前述の温度制御処理Ｎと同様である。
As described above, the temperature control process N is performed when the light source 11 is the
以上のような温度制御処理Ｎが、マルチ画面表示装置１０００を構成する各画像表示装置１００により行われる。
The temperature control process N as described above is performed by each of the
（効果）
以上説明したように、本実施の形態によれば、素子温度算出部８０は、予め定められた時間が経過する毎に、半導体素子の温度である素子温度Ｔｊ（ジャンクション温度）を算出する。冷却制御部６０は、素子温度算出部８０により算出される最新の素子温度Ｔｊが、光源１１の経年劣化に基づいて設定された温度範囲Ｔｒｇ内を維持するように、冷却機構８１による光源１１の冷却の度合いを制御する。これにより、光源１１の寿命の短縮化を抑制することができる。
(effect)
As described above, according to the present embodiment, the element
また、本実施の形態によれば、温度制御処理Ｎが行われる。温度制御処理Ｎでは、算出される最新の素子温度Ｔｊが、温度範囲Ｔｒｇ内を維持するように、光源１１の冷却の度合いが制御される。具体的には、算出された素子温度Ｔｊが、温度範囲Ｔｒｇを構成する各値の最大値より大きい場合、光源１１の冷却量を増加させるための冷却量増加処理が行われる。一方、算出された素子温度Ｔｊが、温度範囲Ｔｒｇを構成する各値の最小値より小さい場合、光源１１の冷却量を低下させるための冷却量低下処理が行われる。また、温度制御処理Ｎは、マルチ画面表示装置１０００を構成する各画像表示装置１００により行われる。
Further, according to the present embodiment, the temperature control process N is performed. In the temperature control process N, the degree of cooling of the light source 11 is controlled such that the calculated latest element temperature Tj maintains the temperature range Trg. Specifically, when the calculated element temperature Tj is larger than the maximum value of the values constituting the temperature range Trg, a cooling amount increase process for increasing the amount of cooling of the light source 11 is performed. On the other hand, when the calculated element temperature Tj is smaller than the minimum value of the values forming the temperature range Trg, the cooling amount reduction processing for reducing the cooling amount of the light source 11 is performed. Further, the temperature control process N is performed by each of the
これにより、マルチ画面表示装置１０００を構成する各画像表示装置１００の光源１１の寿命が均一化される。すなわち、当該各画像表示装置１００の光源１１の経年劣化の進行の速度が均一化される。つまり、各光源１１の経年劣化の進行の速度のばらつきを抑制することができる。したがって、マルチ画面１０Ａを構成する各画面１０の輝度を均一化することができる。また、マルチ画面１０Ａに表示される画像の輝度および色度を、長期間にわたり、均一化することが可能である。
Thereby, the lifetime of the light source 11 of each
また、マルチ画面１０Ａを構成する各画面１０の輝度が均一化されることにより、マルチ画面１０Ａ全体に表示される画像の一体感を向上させることができる。また、マルチ画面１０Ａ全体に表示される画像の品質を、長期間にわたり、高く保つことが可能である。
Further, by making the luminance of each
また、マルチ画面表示装置１０００を構成する各画像表示装置１００の光源１１の寿命が均一化されることにより、各画像表示装置１００の光源１１の寿命が、ほぼ同時期につきる。これにより、マルチ画面表示装置１０００を構成する各画像表示装置１００の光源１１が、同時に、新たな光源１１に交換される。そのため、光源１１の交換後には、各画像表示装置１００の光源１１が出射する光の輝度を抑えることなく、マルチ画面表示装置１０００を動作させることが可能である。
In addition, since the lifetimes of the light sources 11 of the respective
なお、素子温度Ｔｊ（ジャンクション温度）を算出せずに、温度センサーにより検出された温度に基づいて、ファンの回転数を制御する手法も考えられる。しかしながら、光源１１である半導体素子の順方向電圧は、製造時のばらつきがある。そのため、本実施の形態の構成では、温度センサーにより検出された温度のみに基づいてファンの回転数を制御する手法よりも、各画像表示装置１００の光源１１の寿命を、高精度に均一化することが可能である。
A method of controlling the number of rotations of the fan based on the temperature detected by the temperature sensor without calculating the element temperature Tj (junction temperature) is also conceivable. However, the forward voltage of the semiconductor element which is the light source 11 has a variation at the time of manufacture. Therefore, in the configuration of the present embodiment, the life of the light source 11 of each
また、温度センサー３１は、光源１１のジャンクション温度を検出することができない。一方、本実施の形態の構成は、光源１１に供給される電流、デューティ比Ｄｔｙ等を変更した場合においても、ジャンクション温度（素子温度Ｔｊ）を敏速に算出することができる。 Also, the temperature sensor 31 can not detect the junction temperature of the light source 11. On the other hand, in the configuration of the present embodiment, even when the current supplied to the light source 11, the duty ratio Dty, and the like are changed, the junction temperature (element temperature Tj) can be calculated quickly.
また、本実施の形態では、ジャンクション温度（素子温度Ｔｊ）を高い精度で算出することができる。そのため、ファン７１の回転数が必要以上に高くされることがない。したがって、マルチ画面表示装置１０００の消費電力及び騒音を低くすることが可能となる。
Further, in the present embodiment, the junction temperature (element temperature Tj) can be calculated with high accuracy. Therefore, the rotational speed of the fan 71 is not increased more than necessary. Therefore, power consumption and noise of the
なお、関連技術Ａでは、光源の経年劣化の進行の速度のばらつきに関しては考慮されていない。そのため、関連技術Ａでは、各画面の輝度は同一であっても、各表示装置の光源の寿命については、ばらつきがある。なお、ＬＥＤ、レーザー等である光源の寿命は、半導体素子（光源）のジャンクション温度によって大きく影響を受ける。 In the related art A, no consideration is given to the variation in the speed of the aging of the light source. Therefore, in the related art A, even if the luminances of the respective screens are the same, the lifetimes of the light sources of the respective display devices vary. The lifetime of a light source such as an LED or a laser is greatly affected by the junction temperature of the semiconductor element (light source).
また、関連技術Ａにおけるマルチ画面表示装置は、複数の表示装置が隣接して配置されることにより、構成される。そのため、表示装置に隣接する他の表示装置の排熱によって、各表示装置の周囲温度が相互に影響する。その結果、関連技術Ａにおけるマルチ画面表示装置では、周囲温度の高い表示装置と周囲温度の低い表示装置とが混在する。 Further, the multi-screen display device in the related art A is configured by arranging a plurality of display devices adjacent to each other. Therefore, the ambient temperature of each display mutually affects by the exhaust heat of the other display adjacent to a display. As a result, in the multi-screen display device in the related art A, a display device with high ambient temperature and a display device with low ambient temperature are mixed.
このような、各表示装置の周囲温度のばらつきの影響と、光源の特性のばらつきとにより、半導体素子（光源）のジャンクション温度は、各表示装置ごとに異なる。そのため、光源の経年劣化の進行の速度のばらつきが発生する。 The junction temperature of the semiconductor element (light source) is different for each display device due to the influence of the variation in the ambient temperature of each display device and the variation in the characteristics of the light source. As a result, variations in the speed of progress of aging of the light source occur.
また、関連技術Ａでは、マルチ画面を構成する各画面間の輝度のばらつきは抑制できるが、各表示装置の光源の寿命についてのばらつきは存在したままである。そのため、例えば、各表示装置の一部のみ、早期に交換が必要となるといったケースが生じる。例えば、各表示装置において、１台のみ新しい表示装置に交換したとする。この場合、関連技術Ａでは、マルチ画面の輝度は、各表示装置の光源が出射する光のうち、最も輝度の低い光を基準として、各画面の輝度を等しくするための処理が行われる。そのため、新しい表示装置の光源の性能を出し切れないという問題点がある。 Further, in the related art A, although it is possible to suppress the variation in luminance among the screens constituting the multi-screen, the variation regarding the life of the light source of each display device still exists. Therefore, for example, there is a case where only a part of each display device needs to be replaced early. For example, in each display device, it is assumed that only one new display device is replaced. In this case, in the related art A, the multi-screen luminance is processed to equalize the luminance of each screen on the basis of the light with the lowest luminance among the light emitted from the light source of each display device. Therefore, there is a problem that the performance of the light source of the new display device can not be achieved.
そこで、本実施の形態は上記のように構成されるため、上記の問題点を解決することができる。 Therefore, since the present embodiment is configured as described above, the above problems can be solved.
＜実施の形態２＞
実施の形態１では、各画像表示装置の光源１１のジャンクション温度がばらつくことにより、各画像表示装置の光源１１の寿命がばらつくという課題を改善する構成を述べた。ジャンクション温度のばらつきの原因は、例えば、光源１１である半導体素子の順方向電圧の製造ばらつき、隣接する各画像表示装置の排熱による当該画像表示装置の周囲温度のばらつき等である。
Second Embodiment
The first embodiment has described a configuration for solving the problem that the lifetime of the light source 11 of each image display device is dispersed due to the junction temperature of the light source 11 of each image display device being dispersed. The cause of the variation of the junction temperature is, for example, the production variation of the forward voltage of the semiconductor element as the light source 11, the variation of the ambient temperature of the image display device due to the exhaust heat of each adjacent image display device, etc.
しかしながら、光源１１に供給される駆動電流の電流値の変化により、光源１１のジャンクション温度が変化した場合、光源１１の順方向電圧が変化する場合がある。そのため、正確なジャンクション温度を把握するためには、光源１１が実際に駆動している状態における順方向電圧を用いてジャンクション温度を算出する必要がある。 However, when the junction temperature of the light source 11 changes due to the change of the current value of the drive current supplied to the light source 11, the forward voltage of the light source 11 may change. Therefore, in order to obtain an accurate junction temperature, it is necessary to calculate the junction temperature using a forward voltage in a state where the light source 11 is actually driven.
本実施の形態では、上記状態において、各画像表示装置の光源の寿命を均一にするための処理について述べる。 In the present embodiment, a process for making the life of the light source of each image display device uniform in the above state will be described.
（構成）
本実施の形態に係る画像表示装置は、以下の画像表示装置１００Ａである。画像表示装置１００Ａの外観は、図１の画像表示装置１００と同じである。以下においては、本実施の形態に係るマルチ画面表示装置を、「マルチ画面表示装置１０００Ａ」という。マルチ画面表示装置１０００Ａは、マルチ画面表示装置１０００と同様に、行列状に配置された複数の画像表示装置１００Ａから構成される。
(Constitution)
The image display apparatus according to the present embodiment is the following image display apparatus 100A. The appearance of the image display device 100A is the same as that of the
図６は、本発明の実施の形態２に係る画像表示装置１００Ａの構成を示す機能ブロック図である。図６を参照して、画像表示装置１００Ａは、図２の画像表示装置１００と比較して、電圧算出部９０をさらに備える点が異なる。画像表示装置１００Ａのそれ以外の構成は、画像表示装置１００と同様なので詳細な説明は繰り返さない。
FIG. 6 is a functional block diagram showing a configuration of an image display apparatus 100A according to
電圧算出部９０は、詳細は後述するが、光源１１の順方向電圧を算出する。 The voltage calculation unit 90 calculates the forward voltage of the light source 11, although the details will be described later.
なお、画像表示装置１００Ａの記憶部４０は、画像表示装置１００の記憶部４０と比較して、さらに、特性関数である特性線ＣＬ１，ＣＬ２と、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの各々に対応する後述の基準順方向電圧Ｖｆｔｎとを記憶している点と、電圧Ｖｆｓ（電圧ＶｆｓＲ，ＶｆｓＧ，ＶｆｓＢ）を記憶していない点とが異なる。画像表示装置１００Ａの記憶部４０が記憶しているそれ以外の情報およびデータ等は、画像表示装置１００の記憶部４０と同様なので詳細な説明は繰り返さない。以下においては、素子温度Ｔｊを、「ジャンクション温度Ｔｊ」ともいう。
The
特性線ＣＬ１は、ジャンクション温度Ｔｊが一定である状況における光源１１（半導体素子）の特性を示す特性線である。図７は、光源１１の特性を示す特性線ＣＬ１の一例を示す図である。 The characteristic line CL1 is a characteristic line indicating the characteristics of the light source 11 (semiconductor element) in the situation where the junction temperature Tj is constant. FIG. 7 is a diagram showing an example of a characteristic line CL1 indicating the characteristics of the light source 11. As shown in FIG.
以下においては、光を出射している（駆動している）光源１１のジャンクション温度Ｔｊが予め定められた基準温度Ｔｎである状態において当該光源１１に印加されている電圧Ｖｆ（順方向電圧）を、「電圧Ｖｆｔ」ともいう。電圧Ｖｆｔは、実際に光源１１に印加されている電圧である。すなわち、電圧Ｖｆｔは、光源１１の印加電圧に関する電圧である。 In the following, the voltage Vf (forward voltage) applied to the light source 11 in a state where the junction temperature Tj of the light source 11 emitting (driving) light is a predetermined reference temperature Tn , Also referred to as "voltage Vft". The voltage Vft is a voltage actually applied to the light source 11. That is, the voltage Vft is a voltage related to the applied voltage of the light source 11.
当該基準温度Ｔｎは、例えば、２５度である。基準温度Ｔｎは、例えば、定格の駆動電流により駆動している光源１１のジャンクション温度である。特性線ＣＬ１は、例えば、実験等により得られた曲線である。 The reference temperature Tn is, for example, 25 degrees. The reference temperature Tn is, for example, the junction temperature of the light source 11 driven by the rated drive current. The characteristic line CL1 is, for example, a curve obtained by experiment or the like.
図７の縦軸は電圧Ｖｆｔ（Ｖ）を示す。図７の横軸は駆動電流Ｉｆ（Ａ）を示す。具体的には、特性線ＣＬ１は、光を出射している（駆動している）光源１１のジャンクション温度Ｔｊが予め定められた基準温度Ｔｎである状態において当該光源１１の駆動電流Ｉｆと当該光源１１に印加されている電圧Ｖｆｔ（順方向電圧）との関係を示す特性関数である。当該電圧Ｖｆｔは、前述したように、光源１１の印加電圧に関する電圧である。 The vertical axis in FIG. 7 indicates the voltage Vft (V). The horizontal axis of FIG. 7 indicates the drive current If (A). Specifically, the characteristic line CL1 indicates the drive current If of the light source 11 and the light source in a state where the junction temperature Tj of the light source 11 emitting (driving) light is a predetermined reference temperature Tn. 11 is a characteristic function showing a relationship with a voltage Vft (forward voltage) applied to the circuit 11. The said voltage Vft is a voltage regarding the applied voltage of the light source 11, as mentioned above.
図７を参照して、ジャンクション温度Ｔｊが一定（基準温度Ｔｎ）である光源１１において、電圧Ｖｆｔは、駆動電流Ｉｆの変化に伴い特性線ＣＬ１のように変化する。特性線ＣＬ１は、例えば、駆動電流Ｉｆの電流値がＩｆ０である状態において、電圧Ｖｆｔの値がＶｆｔ０であることを示す。 Referring to FIG. 7, in the light source 11 in which the junction temperature Tj is constant (reference temperature Tn), the voltage Vft changes as the characteristic line CL1 with the change in the drive current If. The characteristic line CL1 indicates that the value of the voltage Vft is Vft0, for example, in a state where the current value of the drive current If is If0.
また、特性線ＣＬ１は、例えば、駆動電流Ｉｆの電流値が基準電流値Ｉｆｎである状態において、電圧Ｖｆｔの値が、基準順方向電圧Ｖｆｔｎであることを示す。当該基準電流値Ｉｆｎは、一例として、２０（Ａ）である。当該基準順方向電圧Ｖｆｔｎは、光源１１（半導体素子）のジャンクション温度Ｔｊが基準温度Ｔｎ（２５度）であり、かつ、基準電流値Ｉｆｎ（２０（Ａ））の駆動電流が光源１１に流れている状態において当該光源１１に印加されている順方向電圧である。 Further, the characteristic line CL1 indicates that the value of the voltage Vft is the reference forward voltage Vftn, for example, in a state where the current value of the drive current If is the reference current value Ifn. The reference current value Ifn is, for example, 20 (A). In the reference forward voltage Vftn, the junction temperature Tj of the light source 11 (semiconductor element) is the reference temperature Tn (25 degrees), and the driving current of the reference current value Ifn (20 (A)) flows to the light source 11. It is a forward voltage applied to the light source 11 in the presence state.
また、特性線ＣＬ１は、例えば、駆動電流Ｉｆの電流値がＩｆ１である状態において、電圧Ｖｆｔの値がＶｆｔ１であることを示す。 The characteristic line CL1 indicates that, for example, the value of the voltage Vft is Vft1 in a state where the current value of the drive current If is If1.
以下においては、光源１１が光源１１Ｒであるときの基準順方向電圧Ｖｆｔｎを、「基準順方向電圧ＶｆｔｎＲ」ともいう。また、以下においては、光源１１が光源１１Ｇであるときの基準順方向電圧Ｖｆｔｎを、「基準順方向電圧ＶｆｔｎＧ」ともいう。また、以下においては、光源１１が光源１１Ｂであるときの基準順方向電圧Ｖｆｔｎを、「基準順方向電圧ＶｆｔｎＢ」ともいう。すなわち、記憶部４０には、基準順方向電圧ＶｆｔｎＲ，ＶｆｔｎＧ，ＶｆｔｎＢが記憶されている。
Hereinafter, the reference forward voltage Vftn when the light source 11 is the
なお、本実施の形態では、説明を簡単にするために、一例として、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの各々の特性を示す特性線ＣＬ１が同じであるとする。なお、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの各々の特性を示す特性線ＣＬ１が異なる場合、記憶部４０には、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの各々の特性線ＣＬ１が記憶される。
In the present embodiment, in order to simplify the description, as an example, it is assumed that characteristic lines CL1 indicating the respective characteristics of the
次に、特性線ＣＬ２について説明する。一般に、光源１１のジャンクション温度Ｔｊが変化した場合、光源１１に印加されている順方向電圧（電圧Ｖｆ）も変化する。以下においては、光源１１のジャンクション温度Ｔｊの変化に伴う、順方向電圧（電圧Ｖｆ）の変化量を、「変化量ΔＶｆ」ともいう。 Next, the characteristic line CL2 will be described. Generally, when the junction temperature Tj of the light source 11 changes, the forward voltage (voltage Vf) applied to the light source 11 also changes. Hereinafter, the amount of change of the forward voltage (voltage Vf) accompanying the change of the junction temperature Tj of the light source 11 is also referred to as a “amount of change ΔVf”.
図８は、光源１１の特性を示す特性線ＣＬ２の一例を示す図である。特性線ＣＬ２は、ジャンクション温度と順方向電圧の変化量ΔＶｆとの関係を示す特性関数である。図８の縦軸は変化量ΔＶｆ（Ｖ）を示す。図８の横軸はジャンクション温度Ｔｊ（℃）を示す。 FIG. 8 is a view showing an example of a characteristic line CL2 showing the characteristics of the light source 11. As shown in FIG. Characteristic line CL2 is a characteristic function showing the relationship between the junction temperature and the amount of change ΔVf of the forward voltage. The vertical axis in FIG. 8 represents the amount of change ΔVf (V). The horizontal axis of FIG. 8 indicates the junction temperature Tj (° C.).
図８を参照して、特性線ＣＬ２は、ジャンクション温度Ｔｊが、基準となる基準温度Ｔｎ（２５度）から変化した場合の変化量ΔＶｆを示す。特性線ＣＬ２は、例えば、ジャンクション温度ＴｊがＴｊ０である場合、変化量ΔＶｆの値がΔＶｆ０であることを示す。また、特性線ＣＬ２は、ジャンクション温度Ｔｊが基準温度Ｔｎである場合、変化量ΔＶｆの値が０であることを示す。また、特性線ＣＬ２は、例えば、ジャンクション温度ＴｊがＴｊ１である場合、変化量ΔＶｆの値がΔＶｆ１であることを示す。 Referring to FIG. 8, characteristic line CL2 represents a variation ΔVf when junction temperature Tj is changed from reference temperature Tn (25 degrees) as a reference. For example, when the junction temperature Tj is Tj0, the characteristic line CL2 indicates that the value of the change amount ΔVf is ΔVf0. The characteristic line CL2 indicates that the value of the change amount ΔVf is 0 when the junction temperature Tj is the reference temperature Tn. The characteristic line CL2 indicates that, for example, when the junction temperature Tj is Tj1, the value of the change amount ΔVf is ΔVf1.
以下においては、ジャンクション温度Ｔｊの値に対応する、特性線ＣＬ２が示す変化量ΔＶｆを、「変化量ΔＶｆ（Ｔｊ）」ともいう。 Hereinafter, the amount of change ΔVf indicated by the characteristic line CL2 corresponding to the value of the junction temperature Tj is also referred to as “the amount of change ΔVf (Tj)”.
なお、本実施の形態では、説明を簡単にするために、一例として、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの各々の特性を示す特性線ＣＬ２が同じであるとする。なお、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの各々の特性を示す特性線ＣＬ２が異なる場合、記憶部４０には、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの各々の特性線ＣＬ２が記憶される。
In the present embodiment, in order to simplify the description, as an example, it is assumed that characteristic lines CL2 indicating the respective characteristics of the
（特徴的な処理）
次に、マルチ画面表示装置１０００Ａを構成する各画像表示装置１００Ａが行う特徴的な処理（以下、「温度制御処理Ａ」ともいう）について説明する。詳細は後述するが、温度制御処理Ａでは、各画像表示装置１００Ａは、特性関数である前述の特性線ＣＬ１，ＣＬ２を使用した処理を行う。
(Characteristic processing)
Next, characteristic processing (hereinafter, also referred to as “temperature control processing A”) performed by each of the image display devices 100A configuring the
図９は、本発明の実施の形態２に係る温度制御処理Ａのフローチャートである。図９において、図５のステップ番号と同じステップ番号の処理は、実施の形態１で説明した処理と同様な処理が行われるので詳細な説明は繰り返さない。 FIG. 9 is a flowchart of temperature control processing A according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 9, the process of the same step number as the step number of FIG. 5 is the same as the process described in the first embodiment, and therefore the detailed description will not be repeated.
温度制御処理Ａは、図５の温度制御処理Ｎと比較して、ステップＳ１３０の代わりにステップＳ１３０Ａが行われる点が異なる。温度制御処理Ａのそれ以外の処理は、温度制御処理Ｎと同様なので詳細な説明は繰り返さない。 Temperature control processing A differs from temperature control processing N of FIG. 5 in that step S130A is performed instead of step S130. The other processes of the temperature control process A are the same as the temperature control process N, and therefore the detailed description will not be repeated.
ステップＳ１３０Ａでは、温度算出処理Ａが行われる。図１０は、温度算出処理Ａのフローチャートである。まず、温度算出処理Ａにおいて、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂについて共通する処理を説明する。なお、光源１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂのいずれかについての、より詳細な処理については後述する。温度算出処理Ａでは、まず、ステップＳ１３１の処理が行われる。
In step S130A, a temperature calculation process A is performed. FIG. 10 is a flowchart of the temperature calculation process A. First, in the temperature calculation processing A, processing common to the
ステップＳ１３１では、温度取得処理が行われる。温度取得処理では、素子温度算出部８０が、温度センサー３１から最新の温度Ｔｔｈを取得する。
In step S131, a temperature acquisition process is performed. In the temperature acquisition process, the element
ステップＳ１３２では、ジャンクション温度算出処理Ａ１が行われる。ジャンクション温度算出処理Ａ１では、素子温度算出部８０が、最新の温度Ｔｔｈと、記憶部４０に記憶されている基準順方向電圧Ｖｆｔｎと、光源１１の駆動電流の電流値Ｉｆｓとに基づいて、ジャンクション温度Ｔｊである素子温度Ｔｊを算出する。
In step S132, a junction temperature calculation process A1 is performed. In the junction temperature calculation process A1, the element
具体的には、素子温度算出部８０が、以下の式２に、最新の温度Ｔｔｈと、記憶部４０に記憶されている熱抵抗Ｒｊ＿ｔｈ、電流値Ｉｆｓ、基準順方向電圧Ｖｆｔｎおよびデューティ比Ｄｔｙとを代入することにより、ジャンクション温度Ｔｊ（素子温度Ｔｊ）を算出する。
Specifically, element
以下においては、ジャンクション温度算出処理Ａ１において算出されたジャンクション温度Ｔｊを、「ジャンクション温度Ｔｊｎ」ともいう。ジャンクション温度Ｔｊｎは、詳細は後述するが、温度算出処理Ａを終了するための基準となる温度（以下、「基準ジャンクション温度」ともいう）である。 Hereinafter, the junction temperature Tj calculated in the junction temperature calculation process A1 is also referred to as “junction temperature Tjn”. The junction temperature Tjn, which will be described in detail later, is a temperature serving as a reference for ending the temperature calculation process A (hereinafter also referred to as “reference junction temperature”).
ステップＳ１３３では、順方向電圧算出処理Ａ１が行われる。順方向電圧算出処理Ａ１では、電圧算出部９０が、記憶部４０に記憶されている電流値Ｉｆｓおよび図７の特性線ＣＬ１を使用して、順方向電圧である電圧Ｖｆｔを算出する。具体的には、電圧算出部９０が、電流値Ｉｆｓに対応する、特性線ＣＬ１が示す電圧Ｖｆｔの値（以下、「電圧Ｖｆｔｓ」ともいう）を特定することにより、順方向電圧である電圧Ｖｆｔｓを算出する。電圧Ｖｆｔｓは、光源１１の駆動電流の電流値Ｉｆｓおよび特性関数（特性線ＣＬ１）から得られる順方向電圧である。
In step S133, forward voltage calculation processing A1 is performed. In the forward voltage calculation process A1, the voltage calculation unit 90 calculates a voltage Vft, which is a forward voltage, using the current value Ifs stored in the
ステップＳ１３４では、電圧変化量算出処理が行われる。電圧変化量算出処理では、電圧算出部９０が、最新のジャンクション温度Ｔｊｎと、記憶部４０に記憶されている図８の特性線ＣＬ２を使用して、変化量ΔＶｆ（Ｔｊ）を算出する。具体的には、電圧算出部９０が、最新のジャンクション温度Ｔｊｎの値に対応する、特性線ＣＬ２が示す変化量ΔＶｆを、変化量ΔＶｆ（Ｔｊ）として算出する。例えば、ジャンクション温度Ｔｊの値がＴｊ０である場合、変化量ΔＶｆ（Ｔｊ）は、ΔＶｆ０である。
In step S134, a voltage change amount calculation process is performed. In the voltage change amount calculation process, the voltage calculation unit 90 uses the latest junction temperature Tjn and the characteristic line CL2 of FIG. 8 stored in the
以下においては、ジャンクション温度Ｔｊｎおよび電流値Ｉｆｓに対応する電圧Ｖｆを、「電圧Ｖｆｒ」ともいう。電圧Ｖｆｒは、光源１１のジャンクション温度がジャンクション温度Ｔｊｎであり、かつ、電流値Ｉｆｓの駆動電流が光源１１に流れている状態において、当該光源１１に印加されている順方向電圧である。 Hereinafter, the voltage Vf corresponding to the junction temperature Tjn and the current value Ifs is also referred to as a “voltage Vfr”. The voltage Vfr is a forward voltage applied to the light source 11 in a state where the junction temperature of the light source 11 is the junction temperature Tjn and the drive current of the current value Ifs flows in the light source 11.
ステップＳ１３５では、電圧Ｖｆｒを算出するための順方向電圧算出処理Ａ２が行われる。電圧算出部９０が、以下の式３に、算出した電圧Ｖｆｔｓおよび変化量ΔＶｆ（Ｔｊ）を代入することにより、電圧Ｖｆｒを算出する。電圧Ｖｆｒは、光源１１が実際に駆動している状態における、当該光源１１の順方向電圧である。 In step S135, forward voltage calculation processing A2 for calculating the voltage Vfr is performed. The voltage calculation unit 90 calculates the voltage Vfr by substituting the calculated voltage Vfts and the variation amount ΔVf (Tj) into the following Expression 3. The voltage Vfr is a forward voltage of the light source 11 in a state where the light source 11 is actually driven.
ステップＳ１３６では、ジャンクション温度算出処理Ａ２が行われる。ジャンクション温度算出処理Ａ２では、素子温度算出部８０が、以下の式４および電圧Ｖｆｒを用いて、再度、ジャンクション温度Ｔｊを算出する。具体的には、素子温度算出部８０が、以下の式４に、最新の温度Ｔｔｈと、電圧Ｖｆｒと、記憶部４０に記憶されている熱抵抗Ｒｊ＿ｔｈ、電流値Ｉｆｓおよびデューティ比Ｄｔｙとを代入することにより、ジャンクション温度Ｔｊ（素子温度Ｔｊ）を算出する。
In step S136, a junction temperature calculation process A2 is performed. In the junction temperature calculation process A2, the element
ジャンクション温度算出処理Ａ２で算出されるジャンクション温度Ｔｊは、光源１１が実際に駆動している状態における順方向電圧（電圧Ｖｆｒ）を使用して算出される温度である。 The junction temperature Tj calculated in the junction temperature calculation process A2 is a temperature calculated using a forward voltage (voltage Vfr) in a state where the light source 11 is actually driven.
以下においては、ジャンクション温度算出処理Ａ２において算出されたジャンクション温度Ｔｊを、「ジャンクション温度Ｔｊｒ」ともいう。 In the following, the junction temperature Tj calculated in the junction temperature calculation process A2 is also referred to as “junction temperature Tjr”.
なお、式４の電圧Ｖｆｒは、前述の電圧Ｖｆｔｓと、特性線ＣＬ２から得られる変化量ΔＶｆ（Ｔｊ）とにより算出される電圧である。すなわち、電圧Ｖｆｒは、電圧Ｖｆｔｓに基づく電圧である。したがって、ジャンクション温度算出処理Ａ２では、素子温度算出部８０が、式４を用いて、最新の温度Ｔｔｈと、光源１１の駆動電流の電流値Ｉｆｓと、電圧Ｖｆｔｓ（順方向電圧）とに基づいて、ジャンクション温度Ｔｊｒ（Ｔｊ）を算出する。
The voltage Vfr in Expression 4 is a voltage calculated by the above-described voltage Vfts and the amount of change ΔVf (Tj) obtained from the characteristic line CL2. That is, the voltage Vfr is a voltage based on the voltage Vfts. Therefore, in the junction temperature calculation process A2, the element
以下においては、基準ジャンクション温度であるジャンクション温度Ｔｊｎと、ジャンクション温度Ｔｊｒとの差の絶対値を、「温度差ｊ」ともいう。 Hereinafter, the absolute value of the difference between the junction temperature Tjn, which is the reference junction temperature, and the junction temperature Tjr is also referred to as a "temperature difference j".
ステップＳ１３７では、素子温度算出部８０が、基準ジャンクション温度であるジャンクション温度Ｔｊｎと、ジャンクション温度Ｔｊｒとの差の絶対値を、温度差ｊとして算出する。
In step S137, the element
そして、素子温度算出部８０は、温度差ｊが許容値ｋ未満であるか否かを判定する。許容値ｋは、例えば、０．００１である。なお、許容値ｋは、０．００１に限定されず、他の値であってもよい。
Then, the element
ステップＳ１３７においてＹＥＳならば、この温度算出処理Ａは終了し、図９の温度制御処理Ａに戻り、処理はステップＳ１４１へ移行する。なお、図９のステップＳ１４１以降の処理では、最新のジャンクション温度Ｔｊｒは、ジャンクション温度Ｔｊ（素子温度Ｔｊ）として使用される。 If YES in step S137, the temperature calculation process A ends, and the process returns to the temperature control process A of FIG. 9 and the process proceeds to step S141. In the process of step S141 and subsequent steps in FIG. 9, the latest junction temperature Tjr is used as the junction temperature Tj (element temperature Tj).
これにより、図９のステップＳ１４１以降の処理では、光源１１が実際に駆動している状態における順方向電圧（電圧Ｖｆｒ）を使用して算出された正確なジャンクション温度Ｔｊｒが、ジャンクション温度Ｔｊ（素子温度Ｔｊ）として使用される。そのため、図９のステップＳ１４１，Ｓ１４２，Ｓ１５１，Ｓ１５２が行われることにより以下の効果が得られる。当該効果は、冷却制御部６０が、実施の形態１よりも高い精度で、ジャンクション温度Ｔｊ（素子温度Ｔｊ）が温度範囲Ｔｒｇ内を維持するように、光源１１の冷却の度合いを制御することができるという効果である。
Thus, in the process after step S141 in FIG. 9, the accurate junction temperature Tjr calculated using the forward voltage (voltage Vfr) in the state where the light source 11 is actually driven is the junction temperature Tj (element Used as the temperature Tj). Therefore, the following effects can be obtained by performing steps S141, S142, S151, and S152 of FIG. The effect is that the
一方、ステップＳ１３７においてＮＯならば、再度、ステップＳ１３４の処理が行われる。そして、ステップＳ１３５，Ｓ１３６，Ｓ１３７が順に行われる。すなわち、ステップＳ１３７でＹＥＳと判定されるまで、ステップＳ１３４，Ｓ１３５，Ｓ１３６の処理が繰り返し行われる。 If NO in step S137, the process of step S134 is performed again. Then, steps S135, S136, and S137 are sequentially performed. That is, the processes of steps S134, S135, and S136 are repeatedly performed until it is determined as YES in step S137.
なお、２回目以降のステップＳ１３４，Ｓ１３５，Ｓ１３６では、最新のジャンクション温度Ｔｊｒが、基準ジャンクション温度であるジャンクション温度Ｔｊｎ（Ｔｊ）として使用される。また、ｎ（２以上の整数）回目以降のステップＳ１３７では、（ｎ−１）回目のステップＳ１３６により算出されたジャンクション温度Ｔｊｒが、基準ジャンクション温度であるジャンクション温度Ｔｊｎとして使用される。 In the second and subsequent steps S134, S135, and S136, the latest junction temperature Tjr is used as a junction temperature Tjn (Tj) which is a reference junction temperature. In step S137 after the nth (integer of 2 or more) step, the junction temperature Tjr calculated in the (n-1) th step S136 is used as the junction temperature Tjn, which is the reference junction temperature.
次に、温度算出処理Ａについて、より詳細な処理について説明する。ここで、以下の前提Ａ１を考慮する。前提Ａ１では、光源１１は、光源１１Ｒである。すなわち、前提Ａ１における温度算出処理Ａについて説明する。
Next, more detailed processing of the temperature calculation processing A will be described. Here, the following premise A1 is considered. In premise A1, the light source 11 is a
ステップＳ１３１の温度取得処理では、素子温度算出部８０が、温度センサー３１Ｒから最新の温度ＴｔｈＲを取得する。
In the temperature acquisition process of step S131, the element
ステップＳ１３２のジャンクション温度算出処理Ａ１では、素子温度算出部８０が、最新の温度ＴｔｈＲと、記憶部４０に記憶されている基準順方向電圧ＶｆｔｎＲと、光源１１Ｒの駆動電流の電流値とに基づいて、ジャンクション温度Ｔｊである素子温度ＴｊＲ（Ｔｊｎ）を算出する。
In junction temperature calculation processing A1 in step S132, element
具体的には、素子温度算出部８０が、前述の式２に、最新の温度ＴｔｈＲと、記憶部４０に記憶されている熱抵抗Ｒｊ＿ｔｈＲ、電流値ＩｆｓＲ、基準順方向電圧ＶｆｔｎＲおよびデューティ比ＤｔｙＲとを代入することにより、ジャンクション温度Ｔｊ（素子温度ＴｊＲ）を算出する。
Specifically, element
ステップＳ１３３の順方向電圧算出処理Ａ１では、電圧算出部９０が、記憶部４０に記憶されている電流値ＩｆｓＲおよび図７の特性線ＣＬ１を使用して、順方向電圧である電圧Ｖｆｔを算出する。具体的には、電圧算出部９０が、電流値ＩｆｓＲに対応する、特性線ＣＬ１が示す電圧Ｖｆｔの値（電圧Ｖｆｔｓ）を特定することにより、順方向電圧である電圧Ｖｆｔｓを算出する。
In the forward voltage calculation process A1 of step S133, the voltage calculation unit 90 calculates the voltage Vft, which is a forward voltage, using the current value IfsR stored in the
ステップＳ１３４の電圧変化量算出処理では、電圧算出部９０が、最新のジャンクション温度Ｔｊｎと、記憶部４０に記憶されている図８の特性線ＣＬ２を使用して、変化量ΔＶｆ（Ｔｊ）を算出する。具体的には、電圧算出部９０が、最新のジャンクション温度Ｔｊｎの値に対応する、特性線ＣＬ２が示す変化量ΔＶｆを、変化量ΔＶｆ（Ｔｊ）として算出する。
In the voltage change amount calculation process of step S134, the voltage calculation unit 90 calculates the change amount ΔVf (Tj) using the latest junction temperature Tjn and the characteristic line CL2 of FIG. 8 stored in the
ステップＳ１３５の順方向電圧算出処理Ａ２では、電圧算出部９０が、前述の式３に、算出した電圧Ｖｆｔｓおよび変化量ΔＶｆ（Ｔｊ）を代入することにより、電圧Ｖｆｒを算出する。 In the forward voltage calculation process A2 of step S135, the voltage calculation unit 90 calculates the voltage Vfr by substituting the calculated voltage Vfts and the change amount ΔVf (Tj) into the above-described equation 3.
ステップＳ１３６のジャンクション温度算出処理Ａ２では、素子温度算出部８０が、前述の式４に、最新の温度ＴｔｈＲと、電圧Ｖｆｒと、記憶部４０に記憶されている熱抵抗Ｒｊ＿ｔｈＲ、電流値ＩｆｓＲおよびデューティ比ＤｔｙＲとを代入することにより、素子温度ＴｊＲであるジャンクション温度Ｔｊ（Ｔｊｒ）を算出する。
In the junction temperature calculation process A2 of step S136, the element
ステップＳ１３７では、素子温度算出部８０が、基準ジャンクション温度であるジャンクション温度Ｔｊｎと、ジャンクション温度Ｔｊｒとの差の絶対値を、温度差ｊとして算出する。そして、素子温度算出部８０は、温度差ｊが許容値ｋ未満であるか否かを判定する。
In step S137, the element
以上のようにして、光源１１が光源１１Ｒである場合の温度算出処理Ａは行われる。なお、光源１１が光源１１Ｇ，１１Ｂのいずれかである場合の温度算出処理Ａは、前提Ａ１における前述の温度算出処理Ａと同様である。
As described above, the temperature calculation process A is performed when the light source 11 is the
（効果）
以上説明したように、本実施の形態によれば、ステップＳ１３３の順方向電圧算出処理Ａ１において、電圧算出部９０が、電流値Ｉｆｓに対応する、特性線ＣＬ１が示す電圧Ｖｆｔの値（電圧Ｖｆｔｓ）を特定することにより、順方向電圧である電圧Ｖｆｔｓを算出する。なお、特性線ＣＬ１は、光を出射している光源１１のジャンクション温度Ｔｊが予め定められた基準温度Ｔｎである状態において当該光源１１の駆動電流Ｉｆと当該光源１１に印加されている電圧Ｖｆｔ（順方向電圧）との関係を示す特性関数である。
(effect)
As described above, according to the present embodiment, in the forward voltage calculation process A1 in step S133, the voltage calculation unit 90 determines the value of the voltage Vft indicated by the characteristic line CL1 (voltage Vfts) corresponding to the current value Ifs. Voltage Vfts, which is a forward voltage, is calculated. The characteristic line CL1 represents the drive current If of the light source 11 and the voltage Vft applied to the light source 11 in a state where the junction temperature Tj of the light source 11 emitting light is a predetermined reference temperature Tn. It is a characteristic function which shows a relation with forward voltage.
したがって、特性線ＣＬ１を使用することにより、光源１１に供給される駆動電流の電流値Ｉｆｓが任意の値であっても、電圧Ｖｆｔｓ（順方向電圧）を算出することができる。 Therefore, by using the characteristic line CL1, the voltage Vfts (forward voltage) can be calculated even if the current value Ifs of the drive current supplied to the light source 11 is an arbitrary value.
また、基準ジャンクション温度であるジャンクション温度Ｔｊｎと、電圧Ｖｆｔｓおよび特性線ＣＬ２を使用して算出されたジャンクション温度Ｔｊｒとの差の絶対値（温度差ｊ）が許容値ｋ未満になるまで、ジャンクション温度が算出される。これにより、正確なジャンクション温度を算出することができる。 Also, until the absolute value (temperature difference j) of the difference between the junction temperature Tjn, which is the reference junction temperature, and the junction temperature Tjr calculated using the voltage Vfts and the characteristic line CL2 becomes less than the allowable value k, the junction temperature Is calculated. Thereby, accurate junction temperature can be calculated.
また、図９のステップＳ１４１以降の処理において、光源１１が実際に駆動している状態における順方向電圧（電圧Ｖｆｒ）を使用して算出された正確なジャンクション温度Ｔｊｒが、ジャンクション温度Ｔｊ（素子温度Ｔｊ）として使用される。 Further, in the processing after step S141 in FIG. 9, the correct junction temperature Tjr calculated using the forward voltage (voltage Vfr) in the state where the light source 11 is actually driven is the junction temperature Tj (element temperature Used as Tj).
そのため、図９のステップＳ１４１，Ｓ１４２，Ｓ１５１，Ｓ１５２が行われることにより以下の効果が得られる。当該効果は、冷却制御部６０が、実施の形態１よりも高い精度で、ジャンクション温度Ｔｊ（素子温度Ｔｊ）が温度範囲Ｔｒｇ内を維持するように、光源１１の冷却の度合いを制御することができるということである。
Therefore, the following effects can be obtained by performing steps S141, S142, S151, and S152 of FIG. The effect is that the
以上により、本実施の形態では、光源１１の順方向電圧が、固定値ではなく、ジャンクション温度、任意の電流値等により、任意の値である場合においても、実施の形態１と同様に、以下の効果を得ることができる。 As described above, in the present embodiment, the forward voltage of the light source 11 is not a fixed value but is an arbitrary value depending on the junction temperature, an arbitrary current value, etc., as in the first embodiment. You can get the effect of
すなわち、マルチ画面表示装置１０００Ａを構成する各画像表示装置１００Ａの光源１１の寿命を均一化することができる。すなわち、当該各画像表示装置１００Ａの光源１１の経年劣化の進行の速度を均一化することができる。また、マルチ画面１０Ａに表示される画像の輝度および色度を、長期間にわたり、均一化することが可能である。
That is, the lifetimes of the light sources 11 of the respective image display devices 100A constituting the
また、マルチ画面１０Ａを構成する各画面１０の輝度が均一化されることにより、マルチ画面１０Ａ全体に表示される画像の一体感を向上させることができる。また、マルチ画面１０Ａ全体に表示される画像の品質を、長期間にわたり、高く保つことが可能である。
Further, by making the luminance of each
また、マルチ画面表示装置１０００Ａを構成する各画像表示装置１００Ａの光源１１の寿命が均一化されることにより、各画像表示装置１００Ａの光源１１の寿命が、ほぼ同時期につきる。これにより、マルチ画面表示装置１０００Ａを構成する各画像表示装置１００Ａの光源１１が、同時に、新たな光源１１に交換される。そのため、光源１１の交換後には、各画像表示装置１００Ａの光源１１が出射する光の輝度を抑えることなく、マルチ画面表示装置１０００Ａを動作させることが可能である。
In addition, the lifetimes of the light sources 11 of the respective image display devices 100A reach substantially the same period by making the lifetimes of the light sources 11 of the respective image display devices 100A constituting the
（その他の変形例）
以上、本発明に係る画像表示装置およびマルチ画面表示装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、これら実施の形態に限定されるものではない。本発明の主旨を逸脱しない範囲内で、当業者が思いつく変形を本実施の形態に施したものも、本発明に含まれる。つまり、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
(Other modifications)
Although the image display apparatus and the multi-screen display apparatus according to the present invention have been described above based on the embodiments, the present invention is not limited to these embodiments. In the scope of the present invention, modifications of the present embodiment that are conceivable to those skilled in the art are included in the present invention without departing from the scope of the present invention. That is, in the present invention, within the scope of the invention, each embodiment can be freely combined, or each embodiment can be appropriately modified or omitted.
また、画像表示装置１００または画像表示装置１００Ａは、図２または図６に示される全ての構成要素を含まなくてもよい。すなわち、画像表示装置１００または画像表示装置１００Ａは、本発明の効果を実現できる最小限の構成要素のみを含めばよい。
Further, the
なお、画像表示装置１００または画像表示装置１００Ａの各構成要素の全てまたは一部を、ハードウエアで示した構成は、例えば、以下のようになる。以下においては、画像表示装置１００または画像表示装置１００Ａの各構成要素の全てまたは一部を、ハードウエアで示した画像表示装置を、「画像表示装置ｈｄ１０」ともいう。
In addition, the structure which showed all or one part of each component of the
図１１は、画像表示装置ｈｄ１０のハードウエア構成図である。図１１を参照して、画像表示装置ｈｄ１０は、プロセッサｈｄ１と、メモリｈｄ２と、光源ｈｄ３と、冷却装置ｈｄ４とを備える。 FIG. 11 is a hardware block diagram of the image display device hd10. Referring to FIG. 11, the image display device hd10 includes a processor hd1, a memory hd2, a light source hd3, and a cooling device hd4.
図３の光源１１は、光源ｈｄ３である。また、図３の冷却機構８１は、冷却装置ｈｄ４である。また、図２または図６の素子温度算出部８０および冷却制御部６０の各々は、プロセッサｈｄ１が、メモリｈｄ２に記憶されたプログラムを実行することにより実現される。なお、複数のプロセッサおよび複数のメモリが連携して上記機能を実行してもよい。
The light source 11 of FIG. 3 is a light source hd3. The cooling mechanism 81 of FIG. 3 is a cooling device hd4. Further, each of the element
また、本発明は、画像表示装置１００または画像表示装置１００Ａが備える特徴的な構成部の動作をステップとする温度制御方法として実現してもよい。また、本発明は、そのような温度制御方法に含まれる各ステップをコンピュータに実行させるプログラムとして実現してもよい。また、本発明は、そのようなプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記録媒体として実現されてもよい。また、当該プログラムは、インターネット等の伝送媒体を介して配信されてもよい。
In addition, the present invention may be realized as a temperature control method in which the operation of a characteristic component included in the
また、本発明に係る温度制御方法は、図５および図９のいずれかの処理の一部または全てに相当する。本発明に係る温度制御方法は、図５および図９のいずれかにおける、対応する全てのステップを必ずしも含む必要はない。すなわち、本発明に係る温度制御方法は、本発明の効果を実現できる最小限のステップのみを含めばよい。 In addition, the temperature control method according to the present invention corresponds to part or all of the processing in any of FIGS. 5 and 9. The temperature control method according to the present invention does not have to include all the corresponding steps in any of FIGS. 5 and 9. That is, the temperature control method according to the present invention may include only the minimum steps that can realize the effects of the present invention.
また、温度制御方法における各ステップの実行される順序は、本発明を具体的に説明するための一例であり、上記以外の順序であってもよい。また、温度制御方法におけるステップの一部と、他のステップとは、互いに独立して並列に実行されてもよい。 Further, the order in which the steps in the temperature control method are performed is an example for specifically explaining the present invention, and may be an order other than the above. Also, some of the steps in the temperature control method and other steps may be performed in parallel independently of each other.
上記実施の形態で用いた全ての数値は、本発明を具体的に説明するための一例の数値である。すなわち、本発明は、上記実施の形態で用いた各数値に制限されない。 All the numerical values used in the above embodiment are an example of numerical values for specifically explaining the present invention. That is, the present invention is not limited to each numerical value used in the above embodiment.
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。 In the present invention, within the scope of the invention, each embodiment can be freely combined, or each embodiment can be appropriately modified or omitted.
例えば、実施の形態２では、特性線ＣＬ１，ＣＬ２のうち、特性線ＣＬ１のみを使用して、ジャンクション温度を算出する構成（以下、「変形構成Ａ」ともいう）としてもよい。変形構成Ａでは、例えば、ステップＳ１３６の式４において、「Ｖｆｒ」の代わりに「Ｖｆｔｓ」が使用される。すなわち、変形構成Ａでは、ステップＳ１３３の後、ステップＳ１３４，Ｓ１３５が行われず、ステップＳ１３６が行われる。 For example, in the second embodiment, only the characteristic line CL1 of the characteristic lines CL1 and CL2 may be used to calculate the junction temperature (hereinafter, also referred to as "deformed configuration A"). In the modified configuration A, for example, “Vfts” is used instead of “Vfr” in Formula 4 of step S136. That is, in the modified configuration A, steps S134 and S135 are not performed after step S133, and step S136 is performed.
これにより、変形構成Ａでは、ステップＳ１３６において、素子温度算出部８０が、温度Ｔｔｈと、光源１１の駆動電流の電流値Ｉｆｓと、当該電流値Ｉｆｓおよび特性関数（特性線ＣＬ１）から得られる電圧Ｖｆｔｓ（順方向電圧）とに基づいて、ジャンクション温度Ｔｊｒ（Ｔｊ）を算出する。
Thereby, in the modified configuration A, in step S136, the element
また、例えば、冷却機構８１では、冷却手段として、ファン７１が使用されたがこれに限定されない。冷却機構８１では、冷却手段として、例えば、ペルチェ素子が使用されてもよい。この場合、ペルチェ素子は、冷却部２１に熱的に接続される。 Also, for example, in the cooling mechanism 81, the fan 71 is used as the cooling means, but the invention is not limited to this. In the cooling mechanism 81, for example, a Peltier element may be used as a cooling means. In this case, the Peltier element is thermally connected to the cooling unit 21.
また、例えば、前述の式１，２，４では、デューティ比Ｄｔｙを利用したがこれに限定されない。前述の式１，２，４では、デューティ比Ｄｔｙの代わりに、単位時間当たりに駆動電流が供給されている割合を示す他の値を使用してもよい。
Further, for example, although the duty ratio Dty is used in the above-mentioned
１０，１０−１，１０−２，１０−３，１０−４，１０−５，１０−６，１０−７，１０−８，１０−９ 画面、１０Ａ マルチ画面、１１，１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ，ｈｄ３ 光源、３１，３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ 温度センサー、４０ 記憶部、５０ 光源駆動部、６０ 冷却制御部、８０ 素子温度算出部、８１，８１Ｒ，８１Ｇ，８１Ｂ 冷却機構、９０ 電圧算出部、１００，１００Ａ，１００−１，１００−２，１００−３，１００−４，１００−５，１００−６，１００−７，１００−８，１００−９，ｈｄ１０ 画像表示装置、１０００，１０００Ａ マルチ画面表示装置、ｈｄ４ 冷却装置。 10, 10-1, 10-2, 10-3, 10-4, 10-5, 10-6, 10-7, 10-8, 10-9 screen, 10A multi-screen, 11, 11R, 11G, 11B , Hd 3 light source, 31, 31R, 31G, 31B temperature sensor, 40 storage unit, 50 light source drive unit, 60 cooling control unit, 80 element temperature calculation unit, 81, 81R, 81G, 81B cooling mechanism, 90 voltage calculation unit, 100 , 100A, 100-1, 100-2, 100-3, 100-4, 100-5, 100-6, 100-7, 100-8, 100-9, hd10 image display device, 1000, 1000A multi-screen display Device, hd4 cooling device.
Claims (4)
前記複数の画像表示装置の各々は、
光を出射する半導体素子である光源と、
前記光源を冷却する冷却機構と、
予め定められた時間が経過する毎に、前記半導体素子の温度である素子温度を算出する素子温度算出部と、
前記素子温度算出部により算出される最新の前記素子温度が、前記光源の経年劣化に基づいて設定された温度範囲内を維持するように、前記冷却機構による前記光源の冷却の度合いを制御する冷却制御部と、を備え、
前記温度範囲は、前記光源の経年劣化の進行の速度が所望の速度となるような範囲である
マルチ画面表示装置。 A multi-screen display device including a plurality of image display devices arranged such that the multi-screen is configured by the screens of a plurality of image display devices having a screen and having the same configuration.
Each of the plurality of image display devices is
A light source which is a semiconductor element that emits light;
A cooling mechanism for cooling the light source;
An element temperature calculation unit that calculates an element temperature that is a temperature of the semiconductor element each time a predetermined time elapses;
Cooling that controls the degree of cooling of the light source by the cooling mechanism so that the latest element temperature calculated by the element temperature calculation unit maintains the temperature range set based on the aged deterioration of the light source And a control unit ,
The temperature range is a range such that the speed of progress of aging of the light source becomes a desired speed.
Multi-screen display device.
前記光源は、当該光源に駆動電流が供給されることにより前記光を出射し、
各前記画像表示装置は、さらに、
前記駆動電流の電流値を制御する光源駆動部と、
前記光源である前記半導体素子の外側の温度である外側温度を検出する温度センサーと、を備え、
前記素子温度算出部は、前記外側温度と、前記光を出射している前記光源の印加電圧に関する電圧と、前記駆動電流の電流値とに基づいて、前記ジャンクション温度である前記素子温度を算出する
請求項１に記載のマルチ画面表示装置。 The element temperature is a junction temperature of the semiconductor element,
The light source emits the light by supplying a drive current to the light source,
Each of the image display devices further includes:
A light source drive unit that controls the current value of the drive current;
A temperature sensor that detects an outside temperature that is an outside temperature of the semiconductor element that is the light source;
The element temperature calculation unit calculates the element temperature, which is the junction temperature, based on the outside temperature, a voltage related to a voltage applied to the light source emitting the light, and a current value of the drive current. The multi-screen display device according to claim 1.
請求項２に記載のマルチ画面表示装置。 The multi-screen display device according to claim 2, wherein each of the image display devices further includes a storage unit that stores a voltage related to an applied voltage of the light source.
前記素子温度算出部は、前記外側温度と、前記駆動電流の電流値と、当該電流値および前記特性関数から得られる前記順方向電圧とに基づいて、前記ジャンクション温度を算出する
請求項２に記載のマルチ画面表示装置。 In each image display device, the relationship between the drive current and a forward voltage which is a voltage related to the voltage applied to the light source in a state where the junction temperature of the light source emitting the light is a predetermined reference temperature. Perform processing using a characteristic function that
The element temperature calculation unit calculates the junction temperature based on the outside temperature, a current value of the drive current, and the current value and the forward voltage obtained from the characteristic function. Multi-screen display device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014251448A JP6504804B2 (en) | 2014-12-12 | 2014-12-12 | Multi-screen display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014251448A JP6504804B2 (en) | 2014-12-12 | 2014-12-12 | Multi-screen display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016116009A JP2016116009A (en) | 2016-06-23 |
| JP6504804B2 true JP6504804B2 (en) | 2019-04-24 |
Family
ID=56142376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014251448A Expired - Fee Related JP6504804B2 (en) | 2014-12-12 | 2014-12-12 | Multi-screen display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6504804B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019012702A1 (en) * | 2017-07-14 | 2019-01-17 | 三菱電機株式会社 | Lighting system |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005127729A (en) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Sharp Corp | Reliability test apparatus and reliability test method |
| CN102918578B (en) * | 2010-05-28 | 2015-10-14 | Nec显示器解决方案株式会社 | Projection display apparatus |
| JP5598846B2 (en) * | 2010-06-14 | 2014-10-01 | 四国電力株式会社 | LED lamps and LED lighting fixtures for nuclear power generation facilities |
| JP2012163667A (en) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | Light source device, video display device, and multi-screen video display device |
| JP2013258357A (en) * | 2012-06-14 | 2013-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor light source device |
-
2014
- 2014-12-12 JP JP2014251448A patent/JP6504804B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016116009A (en) | 2016-06-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170928 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180615 |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |