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JP6506046B2 - Solder bump reflow method - Google Patents
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Description

本発明は、ワーク上に形成されたはんだバンプのリフロー方法に関する。   The present invention relates to a method of reflowing solder bumps formed on a workpiece.

従来より、電子機器や半導体の製造には、複数の被接合部、例えば電子部品と基板やシリコンウエハといったワークとを接合した接合構造体が用いられている。このような接合構造体は複数の被接合部間にはんだ層が形成されており、このはんだ層を介して各被接合部が接合されている。そしてこのような接合構造体を製造する際にワーク上にはんだバンプを形成し、このはんだバンプを介して複数の被接合部を接合する方法が用いられている。   BACKGROUND ART Conventionally, in the manufacture of electronic devices and semiconductors, a bonded structure in which a plurality of bonded portions, for example, electronic components and a work such as a substrate or a silicon wafer are bonded is used. In such a joint structure, a solder layer is formed between a plurality of joints, and the joints are joined via the solder layer. And when manufacturing such a bonded structure, the method of forming a solder bump on a workpiece | work and bonding a several to-be-joined part via this solder bump is used.

このようなはんだバンプの形成に際して、ソルダペースト等のはんだ材料の濡れ性が不十分な場合、形成されるはんだバンプの中にボイド(気泡)が発生することがある。このようなボイドは被接合部間の接合性の低下や放熱性の低下を生じさせ、電子機器や半導体の信頼性の低下に繋がる。   In the formation of such a solder bump, if the wettability of a solder material such as solder paste is insufficient, voids (air bubbles) may be generated in the formed solder bump. Such a void causes a reduction in the bonding property between the parts to be bonded and a reduction in the heat dissipation property, leading to a reduction in the reliability of the electronic device or semiconductor.

そのため、このようなボイドの発生を抑制する方法として、例えば水素ガス等の還元性の高い雰囲気下で加熱してはんだ材料の濡れ性を向上させる方法や、はんだ材料を介した被接合部を加熱してはんだ合金を溶融させ、その後これを収納した容器内を真空雰囲気下とすることで、はんだ合金内のボイドを脱泡する方法が用いられてきた。   Therefore, as a method of suppressing the generation of such a void, for example, a method of heating in a highly reducing atmosphere such as hydrogen gas to improve the wettability of the solder material, or heating a portion to be joined via the solder material Then, the method of defoaming the void in the solder alloy has been used by melting the solder alloy and then setting the inside of the container containing the solder under a vacuum atmosphere.

また製造された接続構造体やはんだバンプ内のボイドの残存状態をX線検査装置を用いて検査し、予め定められた基準値を超えるものを不良品として排除する方法も広く用いられている。   In addition, a method is also widely used in which residual states of voids in the manufactured connection structure and solder bumps are inspected using an X-ray inspection apparatus, and those exceeding predetermined reference values are excluded as defective products.

前記はんだ合金内のボイドを脱泡する方法として、例えばはんだを溶融させた状態で減圧と加圧を複数回繰り返すことによりボイドの大きさを狭小化する方法(特許文献1)、一旦大気圧より低い第1圧力に減圧した後にハンダを溶融させ、昇温したまま第1圧力より高く大気圧を超えない第2圧力まで昇圧し、昇温したまま第1圧力より高く第2圧力より低い第3圧力まで減圧し、その後大気圧を超えない圧力に戻した後にハンダの融点以下に降温させる方法(特許文献2)、ほぼ大気圧下において半田を溶融させた後にこれを減圧し、その後にほぼ大気圧に戻す圧力変化過程を複数回繰り返す方法(特許文献3)等が開示されている。   As a method of defoaming a void in the solder alloy, for example, a method of narrowing the size of the void by repeating depressurization and pressurization a plurality of times in a molten state of solder (Patent Document 1), once from atmospheric pressure After reducing the pressure to a low first pressure, the solder is melted, and while raising the temperature, raise the pressure higher than the first pressure to a second pressure that does not exceed the atmospheric pressure, and while raising the temperature, increase the third pressure and lower than the second pressure A method of reducing pressure to pressure and then returning to a pressure that does not exceed atmospheric pressure and then lowering the temperature to below the melting point of the solder (Patent Document 2). The method (patent document 3) etc. which repeat the pressure change process returned to atmospheric pressure in multiple times are disclosed.

特開平6−69387号公報JP-A-6-69387 特許第4404000号公報Patent No. 4404000 特開2007−915号公報JP 2007-915 A

特許文献1および特許文献3に開示される方法の場合、減圧と加圧を複数回行う過程で脱泡の際にボイドが破裂したり、はんだ(半田)の濡れ性が悪化して十分にボイドを脱泡できなくなる虞がある。
次に特許文献2に開示される方法の場合、減圧状態下ではんだ合金の溶融温度以上に昇温するため、ソルダペーストを用いた場合にはこれに含まれるフラックスが揮発し易くなり、はんだ合金の溶融性が低下する虞がある。
また、従来のはんだ合金内のボイドを脱泡する方法や特許文献1から特許文献3に開示される技術は、被接合部のはんだ接合時におけるボイド抑制に係るものであり、既に形成されたはんだバンプ内にボイドが発生している場合の対応方法については開示も示唆もされていない。
In the case of the methods disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 3, voids are ruptured at the time of degassing in the process of depressurizing and pressurizing a plurality of times, and the wettability of the solder (solder) is deteriorated to cause sufficient voids. May not be able to degas.
Next, in the case of the method disclosed in Patent Document 2, since the temperature is raised above the melting temperature of the solder alloy under reduced pressure, when the solder paste is used, the flux contained therein is likely to be volatilized and the solder alloy There is a possibility that the meltability of
Moreover, the method of defoaming the void in the conventional solder alloy and the technique disclosed by patent document 1 to patent document 3 are related to the void suppression at the time of the solder joint of a to-be-joined part, and the solder formed already There is no disclosure or suggestion on how to cope with the occurrence of a void in the bump.

本発明は、ワーク上に形成されたはんだバンプにつき、特に当該はんだバンプに一定基準以上のボイドが含まれている場合であっても、効率よくそのボイドを低減することのできるはんだバンプのリフロー方法を提供することをその目的とする。   The present invention relates to a solder bump reflow method capable of efficiently reducing the solder bumps formed on a work, particularly even when the solder bumps contain voids of a certain standard or more. Its purpose is to provide.

(1)本発明のはんだバンプのリフロー方法は、ワーク上に形成されたはんだバンプの表面にフラックスを塗布する工程と、前記ワークを大気圧の近傍である第1の圧力下にて加熱する工程と、前記ワークを加熱する加熱温度が前記はんだバンプを構成するはんだ合金の液相温度近傍以上になった以降に前記ワーク周囲の圧力を前記第1の圧力よりも低い第2の圧力まで減圧する工程と、前記加熱温度が前記はんだ合金の液相温度以上の状態で前記ワーク周囲の圧力を前記第2の圧力よりも高い第3の圧力まで加圧する工程と、前記加熱温度が前記はんだ合金の液相温度以上の状態で前記ワーク周囲の圧力を前記第1の圧力まで加圧する工程と、前記ワーク周囲の圧力が前記第1の圧力に到達した以降に前記加熱温度を前記はんだ合金の液相温度以下にして溶融した前記はんだバンプを固化させる工程とを含み、前記第2の圧力まで減圧する工程と前記第3の圧力まで加圧する工程とを複数回行うことをその特徴とする。 (1) The method for reflowing a solder bump according to the present invention includes the steps of applying a flux to the surface of a solder bump formed on a work, and heating the work under a first pressure near atmospheric pressure. And reducing the pressure around the work to a second pressure lower than the first pressure after the heating temperature for heating the work reaches or exceeds the liquidus temperature of the solder alloy constituting the solder bump. A step of pressurizing the pressure around the work to a third pressure higher than the second pressure while the heating temperature is higher than the liquidus temperature of the solder alloy; and the heating temperature is higher than that of the solder alloy Pressurizing the pressure around the work to the first pressure in a state above the liquidus temperature, and heating the heating temperature to the liquidus phase of the solder alloy after the pressure around the work reaches the first pressure Degrees below to include a step of solidifying the solder bumps melted, and its characterized in that said second plurality of times and a step of pressurizing to said third pressure and a step of pressure reduction to a pressure.

(2)上記(1)に記載の構成にあって、前記第2の圧力は、50Paから100Paであることをその特徴とする。 (2) In the configuration described in (1), the second pressure is 50 Pa to 100 Pa.

(3)上記(1)または(2)に記載の構成にあって、前記第3の圧力まで加圧する工程において、前記ワーク周囲の圧力が前記第3の圧力に到達した時点の前記加熱温度は前記はんだ合金の液相温度より10℃以上であることをその特徴とする。 (3) In the configuration described in (1) or (2) above, in the step of pressurizing up to the third pressure, the heating temperature at the time when the pressure around the work reaches the third pressure is It is characterized in that the temperature is 10 ° C. or higher than the liquidus temperature of the solder alloy.

(4)上記(1)から(3)のいずれか1つに記載の構成にあって、前記第3の圧力は、10,000Paから50,000Paであることをその特徴とする。 (4) In the configuration described in any one of (1) to (3) above, the third pressure is characterized by being 10,000 Pa to 50,000 Pa.

(5)上記(1)から(3)のいずれか1つに記載の構成にあって、前記第2の圧力まで減圧する工程と前記第3の圧力まで加圧する工程とを2回から4回行うことをその特徴とする。 (5) In the configuration described in any one of (1) to (3) above, the step of reducing the pressure to the second pressure and the step of pressurizing the pressure to the third pressure are performed twice to four times. It is characterized by what it does.

(6)上記(4)に記載の構成にあって、前記第2の圧力まで減圧する工程と前記第3の圧力まで加圧する工程とを2回から6回行うことをその特徴とする。 (6) In the configuration described in the above (4), the step of reducing the pressure to the second pressure and the step of pressurizing the pressure to the third pressure are performed twice to six times.

(7)上記(1)から(6)のいずれか1つに記載の構成にあって、前記第1の圧力から第2の圧力まで減圧してからこれを前記第3の圧力まで加圧するまでにかかる1回のサイクルタイムは、10秒間から40秒間であることをその特徴とする。 (7) In the configuration described in any one of (1) to (6) above, the pressure is reduced from the first pressure to the second pressure and then is increased to the third pressure. It is characterized in that one cycle time taken is 10 seconds to 40 seconds.

上記構成により、本発明に係るはんだバンプのリフロー方法は、ワーク上に形成されたはんだバンプにつき、特に当該はんだバンプに一定基準以上のボイドが含まれている場合であっても、効率よくそのボイドを低減することができる。   According to the above configuration, the method of reflowing solder bumps according to the present invention efficiently removes the solder bumps formed on the work, particularly when the solder bumps contain voids of a certain standard or more. Can be reduced.

本発明の一実施形態に係るはんだバンプのリフロー方法につき、はんだバンプ形成からフラックス残渣除去までの基板上の変化を表す概略図である。It is a schematic diagram showing change on a substrate from solder bump formation to flux residue removal about a reflow method of a solder bump concerning one embodiment of the present invention. 同実施形態および実施例、比較例および参考例に係り、はんだバンプの形成時における温度プロファイルを示す図である。It is a figure which shows the temperature profile at the time of formation of a solder bump in the embodiment, an example, a comparative example, and a reference example. 同実施形態に係り、はんだバンプのリフロー時の真空チャンバ内における温度プロファイルと圧力の変化を示す図である。It is a figure which shows the change of the temperature profile and pressure in a vacuum chamber at the time of reflow of a solder bump concerning the same embodiment.

以下、本発明のはんだバンプのリフロー方法の一実施形態について詳細に説明する。なお、本発明が当該実施形態に限定されないのはもとよりである。   Hereinafter, one embodiment of the method for reflowing solder bumps of the present invention will be described in detail. The present invention is of course not limited to the embodiment.

図1を用いて、本実施形態のリフロー方法を説明する。
本実施形態のリフロー方法においては、先ずはんだバンプ20が形成された基板10を用意する。このような基板10の形成方法としては、例えばはんだ合金粉末およびフラックスを含むソルダペーストを基板10上に塗布してこれをリフローすることによりはんだバンプ20を形成する方法が挙げられる。なお、はんだバンプ20の形成方法としてはこれに限られず、基板上にはんだボールを搭載してリフローすることにより形成する方法等、基板10上にはんだバンプを形成することができればどのような方法であっても用いることができる。
なお、本実施形態においてはワークとして基板10を使用しているが、プリント基板、シリコンウエハ等、電子部品の搭載、実装に用いられる基材であればこれらに限らずワークとして使用することができる。
The reflow method of the present embodiment will be described with reference to FIG.
In the reflow method of the present embodiment, first, the substrate 10 on which the solder bumps 20 are formed is prepared. As a method of forming such a substrate 10, there may be mentioned, for example, a method of forming a solder bump 20 by applying a solder paste containing a solder alloy powder and a flux onto the substrate 10 and reflowing it. Note that the method for forming the solder bumps 20 is not limited to this, and any method may be used as long as the solder bumps can be formed on the substrate 10, such as a method of mounting by reflowing solder balls on the substrate. Even if it can be used.
Although the substrate 10 is used as a work in the present embodiment, any substrate such as a printed circuit board, a silicon wafer, etc. can be used as a work as long as it is used for mounting and mounting of electronic components. .

なお、前記ソルダペーストに使用されるフラックスとしては、例えばベース樹脂と溶剤と活性剤とを含むものが挙げられる。
また前記ベース樹脂としては例えばロジン系樹脂、アクリル系樹脂等が、前記活性剤としては例えば有機酸、アミン類又はこれらのハロゲン化物等が挙げられる。またこれらに酸化防止剤、チキソ剤を添加したフラックスも好ましく用いられる。
In addition, as a flux used for the said solder paste, the thing containing base resin, a solvent, and an activator is mentioned, for example.
Further, examples of the base resin include rosin resins and acrylic resins, and examples of the activator include organic acids, amines, and halides of these. Moreover, the flux which added antioxidant and a thixo agent to these is also used preferably.

また前記はんだ合金の組成も特に限定されないが、環境の観点から鉛フリーはんだであることが好ましい。なお、本実施形態においてはSn−3Ag−0.5Cu組成の鉛フリーはんだ合金を使用する。   The composition of the solder alloy is also not particularly limited, but is preferably lead-free solder from the environmental point of view. In the present embodiment, a lead-free solder alloy having a composition of Sn-3Ag-0.5Cu is used.

更に本実施形態においては、前記ソルダペーストが塗布された基板10をリフロー装置に入れ、大気圧で窒素雰囲気下(酸素濃度100ppm)および図2に示す温度プロファイルにてリフローを行う。なお、このリフロー時の条件はこれに限定されるものではなく、基板10、前記ソルダペーストの種類等によって適宜を変更することができる。   Furthermore, in the present embodiment, the substrate 10 coated with the solder paste is placed in a reflow apparatus, and reflow is performed under a nitrogen atmosphere (oxygen concentration 100 ppm) at atmospheric pressure and a temperature profile shown in FIG. The conditions at the time of reflow are not limited to this, and can be appropriately changed depending on the substrate 10, the type of the solder paste, and the like.

リフロー後の基板10にはソルダペーストのフラックスが残渣と付着しているため、これを洗浄液等を用いて洗浄することにより、はんだバンプ20が形成された基板10が作製される(図1(a)参照)。   Since the flux of the solder paste is attached to the residue on the substrate 10 after the reflow, the substrate 10 on which the solder bumps 20 are formed is manufactured by cleaning this using a cleaning solution or the like (FIG. 1 (a )reference).

次いで形成されたはんだバンプ20の表面にフラックス30を塗布する(図1(b)参照)。このフラックス30の成分としては、はんだバンプ20の作成時に使用したフラックスと同じ成分でも異なる成分でも良いが、例えばTG−DTA測定において、250℃の温度下での重量減少が40%以下となるものが好ましく用いられる。なお、このTG−DTA測定の条件は、以下の通りである。
サンプル量:約10mg、昇温速度:10℃/min、雰囲気:窒素
またはんだバンプ20へのフラックス30の塗布方法としては、はんだバンプ20の表面にフラックス30を塗布できれば特に限定されないが、例えば刷毛を使用した塗布方法、またはメタルマスク等を使用した塗布方法が好ましく用いられる。
Next, a flux 30 is applied to the surface of the formed solder bump 20 (see FIG. 1B). The component of the flux 30 may be the same as or different from the flux used at the time of formation of the solder bump 20. For example, in TG-DTA measurement, the weight loss at a temperature of 250 ° C. is 40% or less Is preferably used. The conditions for this TG-DTA measurement are as follows.
Sample amount: about 10 mg, temperature rising rate: 10 ° C./min, atmosphere: nitrogen The method of applying the flux 30 to the solder bump 20 is not particularly limited as long as the flux 30 can be applied to the surface of the solder bump 20 A coating method using a metal or a coating method using a metal mask or the like is preferably used.

次いで、はんだバンプ20の表面にフラックス30を塗布した基板10を例えば真空リフローはんだ付け装置に備え付けられた真空チャンバに収容する。
基板10を収容した前記真空チャンバ内は第1の圧力(P1)となるよう調整される。なおこの調整にあたっては、例えば、一旦室温にて大気圧状態から真空引きを行い前記真空チャンバ内を真空状態とした後、窒素等の不活性ガス、水素等の還元性ガスを供給して第1の圧力(P1)とすることが好ましい。また第1の圧力(P1)は、大気圧近傍であることが好ましい。
Next, the substrate 10 coated with the flux 30 on the surface of the solder bump 20 is accommodated, for example, in a vacuum chamber provided in a vacuum reflow soldering apparatus.
The inside of the vacuum chamber containing the substrate 10 is adjusted to a first pressure (P1). In this adjustment, for example, once the inside of the vacuum chamber is evacuated by drawing a vacuum from atmospheric pressure at room temperature, then an inert gas such as nitrogen or a reducing gas such as hydrogen is supplied to It is preferable to set the pressure (P1) of The first pressure (P1) is preferably near atmospheric pressure.

そして前記真空チャンバ内を第1の圧力(P1)下としたまま前記真空チャンバ内を加熱することで基板10を加熱する。本実施形態における温度プロファイルおよび前記真空チャンバ内(=基板10周囲)の圧力の変化を図3に示す。なお図3に示すように一定時間の予熱温度(図3では150℃)を保っても良い。
また、本実施形態においては第1の圧力(P1)下での加熱を前記真空チャンバ内で行ったが、例えば第1の圧力(P1)下での加熱はリフロー装置の加熱ゾーンにて行い、その後に基板10を前記真空チャンバ内に収容するようにしても良い。
Then, the substrate 10 is heated by heating the inside of the vacuum chamber while keeping the inside of the vacuum chamber under the first pressure (P1). Changes in the temperature profile and the pressure in the vacuum chamber (= around the substrate 10) in the present embodiment are shown in FIG. As shown in FIG. 3, the preheating temperature (150 ° C. in FIG. 3) may be maintained for a predetermined time.
In the present embodiment, heating under the first pressure (P1) is performed in the vacuum chamber, but for example, heating under the first pressure (P1) is performed in the heating zone of the reflow apparatus, Thereafter, the substrate 10 may be accommodated in the vacuum chamber.

基板10への加熱温度がはんだバンプ20を構成する前記はんだ合金の液相温度近傍以上となった以降、前記真空チャンバ内の圧力を第1の圧力(P1)よりも低い第2の圧力(P2)まで減圧する。
本実施形態では、図3に示す温度プロファイルがはんだ合金の液相温度近傍以上となった以降、即ち前記真空チャンバ内の温度(D)が前記はんだ合金の液相温度である220℃(D1)になった際に、前記真空チャンバ内の圧力を第1の圧力(P1)よりも低い第2の圧力(P2)まで減圧する。減圧の方法としては、例えば前記真空チャンバに備え付けたポンプ(図示せず)を用いて、前記真空チャンバから気体を排気する方法が挙げられる。なお、特に前記真空チャンバ内が液相温度以上となった以降に前記真空チャンバ内の圧力を第2の圧力(P2)まで減圧することが好ましい。
After the heating temperature to the substrate 10 becomes equal to or higher than the liquidus temperature of the solder alloy constituting the solder bump 20, the pressure in the vacuum chamber is a second pressure (P2) lower than the first pressure (P1). Depressurize to).
In the present embodiment, after the temperature profile shown in FIG. 3 has become equal to or higher than the liquidus temperature of the solder alloy, that is, the temperature (D) in the vacuum chamber is 220 ° C. (D1) which is the liquidus temperature of the solder alloy. When this occurs, the pressure in the vacuum chamber is reduced to a second pressure (P2) lower than the first pressure (P1). As a method of reducing pressure, for example, there is a method of evacuating gas from the vacuum chamber using a pump (not shown) provided in the vacuum chamber. In particular, it is preferable to reduce the pressure in the vacuum chamber to a second pressure (P2) after the temperature in the vacuum chamber reaches the liquidus temperature or more.

このように、第2の圧力(P2)への減圧のタイミングを前記真空チャンバ内の温度がその液相温度近傍(本実施形態の場合は液相温度である220℃(D1))になった際に行うことにより、前記ソルダペーストに用いられるフラックス量の減少による前記はんだ合金の溶融性の低下を防ぐことができる。即ち、前記はんだ合金が溶融する前から長時間、前記真空チャンバ内を減圧状態としておくと前記フラックス量が減少し易くなり、前記はんだ合金の溶融性に影響を及ぼす虞がある。
なお本実施形態において液相温度近傍とは、前記はんだ合金の5割以上が溶融する温度を言う。
Thus, the timing of the pressure reduction to the second pressure (P2) was such that the temperature in the vacuum chamber became close to the liquidus temperature (220.degree. C. (D1) which is the liquidus temperature in this embodiment) By doing this, it is possible to prevent the decrease in the melting property of the solder alloy due to the decrease in the amount of flux used for the solder paste. That is, if the pressure in the vacuum chamber is reduced for a long time before the solder alloy melts, the amount of flux tends to decrease, which may affect the meltability of the solder alloy.
In the present embodiment, the vicinity of the liquidus temperature means a temperature at which 50% or more of the solder alloy melts.

また本実施形態において、第2の圧力(P2)は、50Paから100Paであることが好ましい。この範囲は、基板10の用途によって適宜選定することができる。   In the present embodiment, the second pressure (P2) is preferably 50 Pa to 100 Pa. This range can be appropriately selected depending on the application of the substrate 10.

第2の圧力(P2)の真空度が高ければ高いほど前記はんだ合金内に含まれているボイドの膨張サイズが大きくなり、またその後の加圧時の圧力の差が大きくなるため、前記はんだ合金からのボイド排出効果は高まる。しかし本実施形態の場合、第2の圧力(P2)の真空度が50Pa以上であっても効率よくボイドの低減効果を発揮することができる。   The higher the degree of vacuum at the second pressure (P2), the larger the expansion size of the voids contained in the solder alloy, and the larger the difference in pressure at the time of subsequent pressurization, the solder alloy The void discharge effect from water is enhanced. However, in the case of the present embodiment, even if the degree of vacuum of the second pressure (P2) is 50 Pa or more, the void reduction effect can be efficiently exhibited.

次に前記真空チャンバ内の圧力を第2の圧力(P2)よりも高い第3の圧力(P3)まで加圧する。加圧の方法としては、例えば前記真空チャンバ内に窒素等の不活性ガス、水素等の還元性ガスを供給して第3の圧力(P3)まで調整することが好ましい。
ここで第3の圧力(P3)に到達した時点の前記真空チャンバ内の温度(D2)は、前記はんだ合金の液相温度以上であることが好ましい。前記はんだ合金が凝固し始めた状態で第3の圧力(P3)まで加圧すると、ボイドが膨張した状態で前記はんだバンプに閉じ込められる虞がある。
Next, the pressure in the vacuum chamber is increased to a third pressure (P3) higher than the second pressure (P2). As a method of pressurization, for example, it is preferable to adjust a third pressure (P3) by supplying an inert gas such as nitrogen or the like and a reducing gas such as hydrogen into the vacuum chamber.
Here, the temperature (D2) in the vacuum chamber when the third pressure (P3) is reached is preferably equal to or higher than the liquidus temperature of the solder alloy. When the solder alloy starts to solidify and is pressurized to the third pressure (P3), there is a possibility that the void is confined in the solder bump in the expanded state.

なお、前記真空チャンバ内に窒素等のガスを供給する際、これらガスの温度との差異により、一旦前記真空チャンバ内の温度が下がることがある。この場合において、前記真空チャンバ内の温度(D2)と液相温度との差が小さい場合、この内部温度の低下により前記はんだ合金の一部に固相が発生して前記はんだ合金内のボイド排出効果を妨げ、リフロー後のはんだバンプにボイドが膨張した状態で閉じ込められる虞がある。特に固相温度と液相温度の範囲が狭いはんだ合金を使用する場合、このような現象が起きやすくなる。前記真空チャンバ内の温度(D2)を前記はんだ合金の液相温度以上、特に液相温度より10℃以上とすることで、この現象を抑制することができる。   In addition, when supplying gas, such as nitrogen, in the said vacuum chamber, the temperature in the said vacuum chamber may fall once by the difference with the temperature of these gas. In this case, when the difference between the temperature (D2) in the vacuum chamber and the liquidus temperature is small, a drop in the internal temperature generates a solid phase in a part of the solder alloy, and the void is discharged in the solder alloy. There is a possibility that the effect may be hindered and the void may be confined in the expanded state in the solder bump after reflow. Such a phenomenon is likely to occur particularly when a solder alloy having a narrow range of solid phase temperature and liquid phase temperature is used. This phenomenon can be suppressed by setting the temperature (D2) in the vacuum chamber to the liquidus temperature of the solder alloy or more, particularly 10 ° C or more than the liquidus temperature.

また、第3の圧力(P3)は、10,000Paから50,000Paであることが好ましい。この第3の圧力(P3)をこの範囲内とすることにより減圧と加圧のサイクルタイムを短縮することができ、短時間で複数回の減圧と加圧が可能になるため、効率よくはんだバンプのボイド低減を実現できる。またこの場合、前記ソルダペーストに含まれるフラックス量の減少およびこれによる前記はんだ合金表面の再酸化を抑制することができる。
一般的に、前記真空チャンバ内を真空圧に減圧すれば前記はんだ合金内に含まれているボイドの膨張サイズは大きくなり外に排出され易く、またその後に前記真空チャンバ内を大気圧まで加圧すれば前記ボイドが収縮する事ではんだに流動性を与え脱泡効果は向上する。一方、この減圧時と加圧時の圧力の差が大きいと脱泡時にボイドと共に溶融した前記はんだ合金が飛散する現象が起きる可能性がある。しかし第3の圧力(P3)を前記範囲内とした場合、このような飛散現象を抑制することができる。なお、後述のように本実施形態においては減圧と加圧を複数回繰り返すため、前記はんだ合金内のボイドを効率よく低減することができ、且つ、第3の圧力(P3)を前記範囲内とした場合、繰り返しによる前記飛散現象を抑制することもできる。
The third pressure (P3) is preferably 10,000 Pa to 50,000 Pa. By setting the third pressure (P3) in this range, it is possible to shorten the cycle time of depressurization and pressurization, and a plurality of depressurization and pressurization can be performed in a short time. Can be reduced. Further, in this case, it is possible to suppress the reduction of the amount of flux contained in the solder paste and the re-oxidation of the surface of the solder alloy due to this.
Generally, if the inside of the vacuum chamber is depressurized to vacuum pressure, the expansion size of the void contained in the solder alloy becomes large and it is easy to be discharged outside, and then the inside of the vacuum chamber is pressurized to atmospheric pressure If this is done, the void shrinks to make the solder more fluid and improve the defoaming effect. On the other hand, if the difference between the pressure at the time of depressurization and the pressure at the time of pressurization is large, there is a possibility that the solder alloy melted together with the void may be scattered at the time of defoaming. However, when the third pressure (P3) is in the above range, such scattering can be suppressed. As described later, in the embodiment, since the decompression and pressurization are repeated a plurality of times, voids in the solder alloy can be efficiently reduced, and the third pressure (P3) is within the above range. In this case, the scattering phenomenon due to repetition can be suppressed.

この第1の圧力(P1)から第2の圧力(P2)への減圧、および第2の圧力(P2)から第3の圧力(P3)への加圧を1サイクルとした場合の1回のサイクルタイムは10秒間から40秒間であることが好ましい。1回のサイクルタイムをこの時間内とすることで、フラックス量の減少およびこれによる前記はんだ合金表面の再酸化を抑制することができる。一方、1回のサイクルタイムが40秒間より長くなると、前記ソルダペーストに含まれるフラックス量が減少し易くなり、前記はんだ合金からボイドを排除し難くなる虞がある。   Decompression from the first pressure (P1) to the second pressure (P2) and pressurization from the second pressure (P2) to the third pressure (P3) in one cycle. The cycle time is preferably 10 seconds to 40 seconds. By setting one cycle time to this time, it is possible to suppress the reduction of the amount of flux and the re-oxidation of the surface of the solder alloy due to this. On the other hand, when the cycle time per one cycle is longer than 40 seconds, the amount of flux contained in the solder paste is likely to be reduced, which may make it difficult to eliminate voids from the solder alloy.

また第1の圧力(P1)から第2の圧力(P2)までの減圧工程、および第2の圧力(P2)から第3の圧力(P3)までの加圧工程は複数回行われる。このように減圧と加圧を複数回繰り返すことにより溶融した前記はんだ合金内のボイドの脱泡を促し、リフロー後のはんだバンプ内に残存するボイドを低減することが可能となる。   In addition, the depressurizing process from the first pressure (P1) to the second pressure (P2) and the pressurizing process from the second pressure (P2) to the third pressure (P3) are performed a plurality of times. Thus, it is possible to accelerate the degassing of voids in the molten solder alloy by repeating decompression and pressurization a plurality of times, and to reduce the voids remaining in the solder bumps after reflow.

なお、この減圧工程と加圧工程の回数は2回から4回であることが好ましい。この減圧工程と加圧工程の回数は多い方が好ましいものの、回数を増やすために前記真空チャンバ内の加熱時間、特にピークの加熱時間が延びてしまうと、前記ソルダペーストに含まれるフラックス量が減少し、前記はんだ合金の表面が再酸化してしまう虞がある。
なお、前述のように第3の圧力(P3)を10,000Paから50,000Paの範囲内とした場合、短時間で減圧および加圧を行うことができるため、前記減圧工程と前記加圧工程の回数は2回から6回までとすることができる。
The number of times of the pressure reduction step and the pressure step is preferably 2 to 4 times. Although it is preferable that the number of times of the pressure reduction step and the pressure step is large, if the heating time in the vacuum chamber, particularly the peak heating time, is increased to increase the number, the amount of flux contained in the solder paste decreases. As a result, the surface of the solder alloy may be reoxidized.
In addition, since pressure reduction and pressurization can be performed in a short time when the third pressure (P3) is in the range of 10,000 Pa to 50,000 Pa as described above, the pressure reduction process and the pressure application process can be performed. The number of times can be from 2 to 6 times.

最後の減圧が終わった後、前記真空チャンバ内の圧力を第3の圧力(P3)まで加圧し、更にこれを第1の圧力(P1)まで加圧する。なお、図3に示された第1の圧力(P1)は最初の第1の圧力(P1)と同一値で表されているが、大気圧近傍の圧力であれば両者は同一でなくとも良い。また図3に示すように第3の圧力(P3)までの加圧と第1の圧力(P1)までの加圧は連続して行っても良く、また一旦第3の圧力(P3)に加圧した後に第1の圧力(P1)まで加圧しても良い。前述のように前記真空チャンバ内の加熱時間を延ばさないようにするためには、前者の連続しての加圧が好ましい。   After the final decompression, the pressure in the vacuum chamber is increased to a third pressure (P3), which is further increased to a first pressure (P1). Although the first pressure (P1) shown in FIG. 3 is represented by the same value as the first pressure (P1), the pressure may be the same as or near the atmospheric pressure. . Further, as shown in FIG. 3, the pressurization to the third pressure (P3) and the pressurization to the first pressure (P1) may be performed continuously, and may be once added to the third pressure (P3). After the pressure is applied, the pressure may be increased to a first pressure (P1). As mentioned above, in order not to extend the heating time in the vacuum chamber, the former continuous pressurization is preferable.

そして前記真空チャンバ内の圧力が第1の圧力(P1)にまで到達した以降、前記真空チャンバ内の温度を前記はんだ合金の液相温度以下にまで冷却し、その温度が室温近傍にまで戻った後、溶融したはんだバンプ20が固化した基板10を前記真空チャンバ内より取り出す。   Then, after the pressure in the vacuum chamber reaches the first pressure (P1), the temperature in the vacuum chamber is cooled to below the liquidus temperature of the solder alloy, and the temperature returns to around room temperature Thereafter, the substrate 10 with the melted solder bumps 20 solidified is taken out from the vacuum chamber.

前記真空チャンバ内から取り出した基板10にはフラックス残渣40が残存している(図1(c)参照)ため、必要に応じて洗浄液等でフラックス残渣40を除去する。   Since the flux residue 40 remains on the substrate 10 taken out of the vacuum chamber (see FIG. 1 (c)), the flux residue 40 is removed by a cleaning solution or the like as needed.

なお、本実施形態においては、特に図3に示す時間(T)、即ち第1の圧力(P1)から第2の圧力(P2)への減圧と第2の圧力(P2)から第3の圧力(P3)への加圧、および加圧により第1の圧力(P1)への復圧までに要する時間を短くし、またこの間に複数回減圧と加圧を繰り返すことにより、前記はんだ合金の濡れ性等に影響を与えることなく効率よくそのボイドを低減することができる。この時間(T)は、例えば120秒間から210秒間程度であることが好ましい。   In the present embodiment, particularly, the time (T) shown in FIG. 3, that is, the pressure reduction from the first pressure (P1) to the second pressure (P2) and the second pressure (P2) to the third pressure Wetting the solder alloy by pressurizing the (P3) and shortening the time required for repressurization to the first pressure (P1) by pressurization, and repeating decompression and pressurization several times during this time The voids can be efficiently reduced without affecting the properties and the like. This time (T) is preferably, for example, about 120 seconds to 210 seconds.

なお、本実施形態においては被接合部を用いずにリフローを行ったが、例えばその表面にフラックス30を塗布したはんだバンプ20上に被接合部を搭載したものをリフローしても良い。   In the present embodiment, the reflow is performed without using the bonded portion. However, for example, a solder in which the bonded portion is mounted on the solder bump 20 coated with the flux 30 on the surface may be reflowed.

以下、実施例、比較例および参考例を挙げて本発明を詳述する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples, comparative examples and reference examples. The present invention is not limited to these examples.

<ソルダペーストの調製>
ベース樹脂、活性剤および溶剤を適宜混合してフラックスを作製し、これを12重量%とSn−3Ag−0.5Cuはんだ合金粉末88重量%(液相温度220℃)とをそれぞれ混合し、ソルダペーストを得た。
<Preparation of solder paste>
A base resin, an activator and a solvent are appropriately mixed to prepare a flux, which is mixed with 12% by weight and 88% by weight of Sn-3Ag-0.5Cu solder alloy powder (liquid phase temperature 220 ° C.), and then soldered. I got a paste.

<はんだバンプの形成>
実施例4、6及び7、参考例1’から3’及び5’、比較例1から比較例3、および参考例1から参考例3に用いる各FR4基板(Cu−OSP処理、基板レジスト膜20μm、電極ピッチ130μm、電極開口直径75μm)を使用した。前記FR4基板に対応するパターンを有するメタルマスク(マスク厚30μm)を用いて調製したソルダペーストを手刷りで印刷した。
前記各基板をリフロー装置(製品名:SMT Scope SK−5000 山陽精工株式会社製)を用い、大気圧で窒素雰囲気下(酸素濃度100ppm)、および図2に示す温度プロファイル条件にてリフローを行った。
次いで準水系洗浄液(製品名:パインアルファST−100SX、荒川化学(株)製)をビーカーに入れ、これをホットプレートスターラーにて約60℃に加温しながら撹拌状態としたものに前記リフローを行った各基板を入れ、当該基板上に残存するフラックス残渣の洗浄を行った。その後、ビーカーに脱イオン水を入れ、これをホットプレートスターラーにて60℃に加温しながら撹拌状態としたものに前記洗浄した各基板を入れてリンス洗浄し、これをビーカーから取り出して熱風乾燥した。
このはんだバンプが形成された各基板について、X線観察装置(製品名:XD7600 Diamond、Nordson Corporation社製)を用いて形成されたはんだバンプに占めるボイドの面積率を評価したところ、その平均ボイド面積率は20%であった。
<Formation of solder bumps>
Examples 4, 6 and 7, Reference Examples 1 'to 3' and 5 ' , Comparative Examples 1 to 3 and Reference Examples 1 to 3 for each FR 4 substrate (Cu-OSP treatment, substrate resist film 20 μm , Electrode pitch 130 μm, electrode aperture diameter 75 μm). Solder paste prepared using a metal mask (mask thickness 30 μm) having a pattern corresponding to the FR4 substrate was printed by hand.
The respective substrates were reflowed using a reflow apparatus (product name: SMT Scope SK-5000 manufactured by Sanyo Seiko Co., Ltd.) under nitrogen atmosphere (oxygen concentration 100 ppm) at atmospheric pressure and temperature profile conditions shown in FIG. 2 .
Next, the semi-aqueous cleaning solution (product name: Pine Alpha ST-100 SX, manufactured by Arakawa Chemical Co., Ltd.) is placed in a beaker, which is heated to about 60 ° C. with a hot plate stirrer and stirred while being in the state of stirring. Each of the performed substrates was placed, and the residual flux remaining on the substrate was cleaned. Thereafter, deionized water is put into a beaker, which is stirred while being heated to 60 ° C. with a hot plate stirrer, and each washed substrate is put into rinse and washed, it is taken out from a beaker and dried with hot air. did.
When the area ratio of voids to the solder bumps formed was evaluated using an X-ray observation apparatus (product name: XD7600 Diamond, manufactured by Nordson Corporation) for each substrate on which the solder bumps were formed, the average void area was evaluated. The rate was 20%.

前記はんだバンプの形成された各基板について、はんだバンプの表面にソルダペーストの調製に使用したフラックスを刷毛を用いて塗布した上で、リフロー装置(製品名:SMT Scope SK−5000 山陽精工株式会社製)を用い、減圧および加圧時以外は大気圧で窒素雰囲気下(酸素濃度100ppm)、図2に示す温度プロファイル、並びに表1および表2に示す条件にてリフローを行い、各試験基板を作製した。
また前記各試験基板について、X線観察装置(製品名:XD7600 Diamond、Nordson Corporation社製)を用い、形成されたはんだバンプに占めるボイドの面積率を評価した。その結果を表1および表2に表す。
なお、表1および表2において第2の圧力への減圧タイミングは、いずれも昇温時の前記リフロー装置内の温度到達時を表す。
About each substrate in which the said solder bump was formed, after applying the flux used for preparation of solder paste on the surface of a solder bump using a brush, reflow apparatus (product name: SMT Scope SK-5000 made by Sanyo Seiko Co., Ltd. Each test substrate is prepared by reflowing under the nitrogen atmosphere (oxygen concentration 100 ppm), the temperature profile shown in FIG. 2, and the conditions shown in Tables 1 and 2 under atmospheric pressure except at the time of depressurization and pressurization. did.
Moreover, the area ratio of the void occupied to the formed solder bump was evaluated using X-ray observation apparatus (product name: XD7600 Diamond, product made by Nordson Corporation) about each said test board | substrate. The results are shown in Tables 1 and 2.
In Tables 1 and 2, the pressure reduction timing to the second pressure indicates the time at which the temperature in the reflow apparatus is reached at the time of temperature rise.

Figure 0006506046
Figure 0006506046

Figure 0006506046
Figure 0006506046

表1および表2に表されるように、リフロー前のはんだバンプのボイド面積率は20%であったにも関わらず、実施例4、6及び7、参考例1’から3’及び5’のいずれもボイド面積率は10%未満となり、既に発生していたはんだバンプ内のボイドを低減できることが分かる。
また実施例6および実施例7のように、第3の圧力を10,000Paから50,000Paとした場合、短時間に減圧−加圧回数を6回行っても良好なボイド低減効果を発揮することができる。
更に特に実施例4のように第3の圧力を10,000Paとし、減圧−加圧回数を4回とすると、前記基板上に形成されたはんだバンプが第1の圧力よりも低圧力下且つ高温下(はんだ合金の溶融温度以上)に曝される時間を少なくしつつ減圧−加圧を繰り返すことにより、フラックス量の減少を防ぎつつよりよいボイド低減効果を発揮することができることが分かる。
一方、比較例3においては、減圧雰囲気のままはんだパンプを構成するはんだ合金が凝固してしまうため、減圧雰囲気下にて膨張したボイドが収縮することなくはんだバンプ内に閉じ込められてしまい、かえってはんだバンプ内のボイド面積率が増えてしまうことが分かる。
As shown in Tables 1 and 2, although the void area ratio of the solder bumps before reflow was 20%, Examples 4, 6 and 7 and Reference Examples 1 'to 3' and 5 ' In any case, the void area ratio is less than 10%, and it can be seen that the voids in the solder bumps which have already occurred can be reduced.
Also, as in Example 6 and Example 7, when the third pressure is set to 10,000 Pa to 50,000 Pa, good void reduction effect is exhibited even if the number of times of pressure reduction and pressurization is performed in a short time six times. be able to.
Furthermore, particularly when the third pressure is 10,000 Pa and the number of decompression / pressurization is four times as in Example 4, the solder bumps formed on the substrate are lower in pressure than the first pressure and higher in temperature than the first pressure. It can be seen that by repeating the depressurization-pressurization while reducing the time of exposure to the lower side (the melting temperature of the solder alloy), it is possible to exhibit a better void reduction effect while preventing the reduction of the amount of flux.
On the other hand, in Comparative Example 3, since the solder alloy constituting the solder pump solidifies in the reduced pressure atmosphere, the void expanded in the reduced pressure atmosphere is confined within the solder bump without shrinkage, and rather the solder It can be seen that the void area ratio in the bumps is increased.

このように本発明のリフロー方法によれば、既に発生していたはんだバンプ内のボイドを低減できることができる。そのため、例えばはんだバンプ形成工程内でのX線検査などで基準値以上のボイドが発生していると判断された、所謂不良品であっても、本発明のリフロー方法を用いてリフローすることによりはんだバンプ内のボイドを低減して良品として次の工程に送ることができ、製造されたワークを無駄なく利用することができる。   As described above, according to the reflow method of the present invention, it is possible to reduce the voids in the solder bumps that have already occurred. Therefore, for example, even a so-called defective product that is determined to have a void greater than or equal to a reference value in an X-ray inspection or the like in a solder bump formation process can be reflowed by using the reflow method of the present invention. The voids in the solder bumps can be reduced and sent to the next step as a non-defective product, and the manufactured workpiece can be used without waste.

10…基板
20…はんだバンプ
30…フラックス
40…フラックス残渣

10: Substrate 20: Solder bump 30: Flux 40: Flux residue

Claims (5)

ワーク上に形成されたはんだバンプの表面にフラックスを塗布する工程と、
前記ワークを大気圧の近傍である第1の圧力下にて加熱する工程と、
前記ワークを加熱する加熱温度が前記はんだバンプを構成するはんだ合金の液相温度近傍以上になった以降に前記ワーク周囲の圧力を前記第1の圧力よりも低い第2の圧力まで減圧する工程と、
前記加熱温度が前記はんだ合金の液相温度以上の状態で前記ワーク周囲の圧力を前記第2の圧力よりも高い第3の圧力まで加圧する工程と、
前記加熱温度が前記はんだ合金の液相温度以上の状態で前記ワーク周囲の圧力を前記第1の圧力まで加圧する工程と、
前記ワーク周囲の圧力が前記第1の圧力に到達した以降に前記加熱温度を前記はんだ合金の液相温度以下にして溶融した前記はんだバンプを固化させる工程とを含み、
前記第2の圧力への減圧のタイミングは前記加熱温度が前記はんだバンプを構成するはんだ合金の液相温度になった際に行い、
前記第3の圧力は、10,000Paから50,000Paであり、
前記第2の圧力まで減圧する工程と前記第3の圧力まで加圧する工程とを複数回行うことを特徴とするはんだバンプのリフロー方法。
Applying a flux to the surface of a solder bump formed on a workpiece;
Heating the workpiece under a first pressure, which is near atmospheric pressure;
Reducing the pressure around the work to a second pressure lower than the first pressure after the heating temperature for heating the work becomes equal to or higher than the liquidus temperature of the solder alloy forming the solder bump; ,
Pressurizing the pressure around the work to a third pressure higher than the second pressure while the heating temperature is higher than the liquidus temperature of the solder alloy;
Pressurizing the pressure around the work to the first pressure while the heating temperature is equal to or higher than the liquidus temperature of the solder alloy;
After the pressure around the workpiece reaches the first pressure, the heating temperature is set to a liquidus temperature of the solder alloy or less to solidify the melted solder bumps;
The timing of the pressure reduction to the second pressure is performed when the heating temperature reaches the liquidus temperature of the solder alloy constituting the solder bump,
The third pressure is 10,000 Pa to 50,000 Pa,
A method for reflowing solder bumps, comprising the steps of: reducing the pressure to the second pressure; and pressurizing the pressure to the third pressure multiple times.
前記第2の圧力は、50Paから100Paであることを特徴とする請求項1に記載のはんだバンプのリフロー方法。   The solder bump reflow method according to claim 1, wherein the second pressure is 50 Pa to 100 Pa. 前記第3の圧力まで加圧する工程において、前記ワーク周囲の圧力が前記第3の圧力に到達した時点の前記加熱温度は前記はんだ合金の液相温度より10℃以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のはんだバンプのリフロー方法。   In the step of pressurizing to the third pressure, the heating temperature at the time when the pressure around the work reaches the third pressure is 10 ° C. or higher than the liquidus temperature of the solder alloy. The reflow method of the solder bump of Claim 1 or Claim 2. 前記第2の圧力まで減圧する工程と前記第3の圧力まで加圧する工程とを2回から6回行うことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のはんだバンプのリフロー方法。   The solder bump according to any one of claims 1 to 3, wherein the step of reducing the pressure to the second pressure and the step of pressing the pressure to the third pressure are performed twice to six times. Reflow method. 前記第1の圧力から第2の圧力まで減圧してからこれを前記第3の圧力まで加圧するまでにかかる1回のサイクルタイムは、10秒間から40秒間であることを特徴とする請求項1から請求項のいずれか1項に記載のはんだバンプのリフロー方法。 One cycle time taken to reduce the pressure from the first pressure to the second pressure and pressurize the pressure to the third pressure is 10 seconds to 40 seconds. The solder bump reflow method according to any one of claims 1 to 4 .
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