JP6507973B2 - Wafer manufacturing method and system - Google Patents
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Description
本発明は、半導体よりなる加工用ウェハを用意し、この加工用ウェハにおける外表面に対して加工処理を行うようにしたウェハの製造方法、および、そのようなウェハの製造方法を制御する生産システムに関し、特に、加工用ウェハの外表面にマーキングされた認証マークが、加工工程により消えてしまった場合でも加工用ウェハの履歴管理が行えるような製造方法および生産システムに関する。
に関する。
The present invention prepares a processing wafer made of a semiconductor, and a method of manufacturing a wafer in which processing is performed on the outer surface of the processing wafer, and a production system for controlling such a method of manufacturing a wafer In particular, the present invention relates to a manufacturing method and a manufacturing system capable of performing history management of a processing wafer even when an authentication mark marked on the outer surface of the processing wafer disappears due to a processing step.
About.
従来、この種のウェハの製造方法としては、特許文献1に記載のものが提案されている。このものは、加工用ウェハの一方の外表面において認証マークが消えてしまうおそれがあるときには、その認証マークを読み取って当該一方の外表面における他の位置に新たな認証マークを印字するようにしたものである。
Heretofore, as a method of manufacturing a wafer of this type, the one described in
しかしながら、加工用ウェハの外表面に施される研磨や他のウェハ貼り付け等の加工工程によって、元々の加工用ウェハの外表面にマーキングされていた認証マークが消えてしまったときは、当該加工工程後の加工用ウェハの履歴が不明となってしまう。 However, if the authentication mark originally marked on the outer surface of the processing wafer has disappeared due to processing steps such as polishing or other wafer attachment applied to the outer surface of the processing wafer, the processing The history of the processing wafer after the process becomes unknown.
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、加工用ウェハの一方の外表面において認証マークが加工工程により消えてしまっても、加工用ウェハの初期にさかのぼって認証マークを確認し、履歴が確認できるようなウェハの製造方法およびそれを制御する生産システムを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and even if the authentication mark disappears on the outer surface of one of the processing wafers due to the processing step, the authentication marks are checked back to the initial stage of the processing wafer, An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a wafer whose history can be confirmed and a production system for controlling the same.
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、第1ウェハ(2a)の外表面(11)に識別用の第1の認証マーク(M1)をマーキングする工程と、
第1ウェハの第1の認証マークおよび第1の認証マークがマーキングされた外表面(11)の情報を記憶手段(200)に記憶する工程と、
第2ウェハ(2b)の外表面(12)に識別用の第2の認証マーク(M2)をマーキングする工程と、
第2ウェハの第2の認証マークおよび第2の認証マークがマーキングされた外表面(12)の情報を記憶手段に記憶する工程と、
第1ウェハと第2ウェハとをマーキングがされた外表面の反対面同士で貼り合わせる第1の貼り合わせ工程と、
第1の貼り合わせ工程により得られる多層ウェハ(2)の第1の認証マーク、第2の認証マーク、およびこれらのマーキングがされた外表面(11、12)の情報を記憶手段に記憶する工程と、
多層ウェハの表裏の外表面(11、12)のうち一方の外表面に対して加工処理を行い、第1の認証マークまたは第2の認証マークを消失させる第1の加工工程と、
第3ウェハ(2c)の外表面に識別用の第3の認証マーク(M3)をマーキングする工程と、
第3ウェハの第3の認証マークおよび第3の認証マークがマーキングされた外表面の情報を記憶手段に記憶する工程と、
第1の加工処理後に、多層ウェハのうち第1の認証マークまたは第2の認証マークが消えた一方の外表面と、第3ウェハのうち第3の認証マークがマーキングされた外表面の反対面とを貼り合わせる第2の貼り合わせ工程と、
第2の貼り合わせ工程により得られる加工用ウェハ(10)の外表面(11、12)にマーキングされた第1の認証マークまたは第2の認証マーク、および第3の認証マーク並びに認証マークのある外表面の情報を記憶手段に記憶する工程と、
加工用ウェハについての記憶工程の後、加工用ウェハにおける外表面に対して加工処理を行う第2の加工工程と、
第2の加工工程により、加工用ウェハにおける表裏の外表面のうち、いずれか一方の外表面(11)にマーキングされた第1ないし第3の認証マークのいずれか1つが消えたときに、記憶手段によって、他方の外表面(12)に残っている第1ないし第3の認証マークのいずれか1つに基づいて、消えた認証マークを導き出すマーク導出工程と、を備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, in the invention according to
Storing information of the first authentication mark of the first wafer and information of the outer surface (11) on which the first authentication mark is marked in the storage means (200);
Marking a second authentication mark (M2) for identification on the outer surface (12) of the second wafer (2b);
Storing in the storage means the information of the outer surface (12) on which the second authentication mark of the second wafer and the second authentication mark are marked;
A first bonding step of bonding the first wafer and the second wafer together at opposite surfaces of the outer surface on which the marking is performed;
Storing information of the first authentication mark, the second authentication mark of the multilayer wafer (2) obtained by the first bonding step, and the outer surface (11, 12) on which the marking is performed in the storage means When,
A first processing step of processing one of the front and back outer surfaces (11, 12) of the multilayer wafer to make the first certification mark or the second certification mark disappear;
Marking a third identification mark (M3) for identification on the outer surface of the third wafer (2c);
Storing information of the outer surface of the third wafer on which the third authentication mark and the third authentication mark are marked, in the storage means;
After the first processing, one of the outer surfaces of the multilayer wafer where the first authentication mark or the second authentication mark has disappeared and the opposite surface of the outer surface of the third wafer where the third authentication mark is marked And a second bonding step of bonding
A first certification mark or a second certification mark marked on the outer surface (11, 12) of the processing wafer (10) obtained by the second bonding step, and a third certification mark and a certification mark Storing information of the outer surface in the storage means;
A second processing step of processing the outer surface of the processing wafer after the storing step of the processing wafer ;
When any one of the first to third certification marks marked on any one of the outer surfaces (11) of the front and back of the processing wafer disappears in the second processing step , And a mark deriving step of deriving a extinguished authentication mark on the basis of any one of the first to third authentication marks remaining on the other outer surface (12) by the storage means. .
それによれば、用意された加工用ウェハの両外表面にそれぞれ認証マークをマーキングし、この両外表面の認証マークを組として、記憶手段で記憶しているので、加工工程により、どちらか一方の外表面における認証マークが消えてしまったとしても、他方の外表面に残っている認証マークにより、当該消えた認証マークを導き出すことで、加工用ウェハの初期状態まで履歴を遡ることができ、加工用ウェハについて初期から加工終了までの管理を行うことができる。 According to it, the certification marks are respectively marked on both outer surfaces of the prepared processing wafer, and the certification marks on both outer surfaces are stored as a pair in the storage means, so either one of them is selected by the processing step. Even if the certification mark on the outer surface has disappeared, the history can be traced back to the initial state of the processing wafer by deriving the certification mark which has disappeared on the other outer surface, by the certification mark remaining on the other outer surface. The management from the initial stage to the end of processing can be performed on the wafer for processing.
よって、本発明によれば、加工用ウェハの一方の外表面において認証マークが加工工程により消えてしまっても、加工用ウェハの初期にさかのぼって認証マークを確認し、履歴が確認できるようなウェハの製造方法を提供することができる。 Therefore, according to the present invention, even if the authentication mark disappears on one outer surface of the processing wafer due to the processing step, the wafer can check the authentication mark retroactively to the initial stage of the processing wafer and confirm the history. Can provide a manufacturing method of
また、請求項2に記載の発明では、請求項1に記載の製造方法において、第2の加工工程後の加工用ウェハにおける認証マークが消えた一方の外表面に、マーク導出工程によって導き出された当該消えた認証マークを、再マーキングする再マーキング工程を備えることを特徴とする。
In the invention according to
それによれば、再マーキングすることで、消えた認証マークを加工用ウェハの外表面に表示することができ、再び加工用ウェハにおける表裏の外表面の両方に、認証マークがマーキングされた状態が復活する。 According to this, it is possible to display the erased certification mark on the outer surface of the processing wafer by re-marking, and the state in which the certification mark is marked on both the front and back outer surfaces of the processing wafer is restored again. Do.
そして、その後は、再び、上記請求項1の製造方法と同様に、加工工程、マーク導出工程を繰り返すことにより、加工用ウェハのどちらか一方の外表面において認証マークが加工工程により消えてしまっても、加工用ウェハの初期にさかのぼって履歴を確認することができる。
Then, after that, as in the manufacturing method of
請求項3に記載の発明では、外表面(11)に識別用の第1の認証マーク(M1)がマーキングされた第1ウェハ(2a)と、外表面(12)に識別用の第2の認証マーク(M2)がマーキングされた第2ウェハ(2b)と、がマーキングされた外表面の反対面同士で貼り合わせられた多層ウェハ(2)を用意し、
多層ウェハの表裏の外表面のうち一方の外表面に対して第1の加工処理を行った後、多層ウェハのうち第1の加工処理により第1の認証マークまたは第2の認証マークが消えた面と、外表面に識別用の第3の認証マーク(M3)がマーキングされた第3ウェハ(2c)と、をマーキングされた外表面の反対面同士で貼り合わせて加工用ウェハ(10)とし、
加工用ウェハにおける外表面に対して加工処理を行う第2の加工工程を行うようにしたウェハの製造方法を制御する生産システムであって、
第1ウェハ、第2ウェハ、多層ウェハ、第3ウェハおよび加工用ウェハにおける外表面の情報を記憶する記憶手段(200)と、加工用ウェハにおける外表面にマーキングを行うマーキング手段(102)と、を備え、
記憶手段によって、加工用ウェハにおける表裏の外表面の両認証マークを記憶しておき、 第2の加工工程後の加工用ウェハにおける表裏の外表面のうち、いずれか一方の外表面にマーキングされた第1ないし第3の認証マークのいずれか1つが消えたときに、記憶手段によって、他方の外表面に残っている第1ないし第3の認証マークのいずれか1つに基づいて、前記消えた認証マークを導き出すようにしたことを特徴とする。
In the invention according to claim 3 , the first wafer (2a) having the first authentication mark (M1) for identification marked on the outer surface (11) and the second for identification on the outer surface (12) Preparing a second wafer (2b) marked with a certification mark (M2) and a multilayer wafer (2) bonded on the opposite surface of the outer surface marked,
After performing the first processing on one of the outer surfaces of the front and back of the multilayer wafer, the first authentication mark or the second authentication mark has disappeared due to the first processing of the multilayer wafer The surface and the third wafer (2c) whose outer surface is marked with the third authentication mark (M3) for identification are bonded together on the opposite surface of the marked outer surface to form a processing wafer (10) ,
A production system for controlling a method of manufacturing a wafer, wherein a second processing step of processing the outer surface of a processing wafer is performed, the method comprising:
A storage means (200) for storing information on the outer surface of the first wafer, the second wafer, the multilayer wafer, the third wafer and the processing wafer, and a marking means (102) for marking the outer surface of the processing wafer; Equipped with
The memory means stores both authentication marks on the front and back outer surfaces of the processing wafer, and marks one of the front and back outer surfaces of the processing wafer after the second processing step . when any one of the first to third authentication mark disappeared, the storage means, based on one of the first to third authentication mark remaining on the other external surface plane, wherein disappear It is characterized in that the certification mark is derived.
それによれば、用意された加工用ウェハの両外表面にそれぞれ認証マークをマーキングし、この両外表面の認証マークを組として、記憶手段で記憶しているので、加工工程により、どちらか一方の外表面における認証マークが消えてしまったとしても、他方の外表面に残っている認証マークにより、当該消えた認証マークを導き出すことで、加工用ウェハの初期状態まで履歴を遡ることができ、加工用ウェハについて初期から加工終了までの管理を行うことができる。 According to it, the certification marks are respectively marked on both outer surfaces of the prepared processing wafer, and the certification marks on both outer surfaces are stored as a pair in the storage means, so either one of them is selected by the processing step. Even if the certification mark on the outer surface has disappeared, the history can be traced back to the initial state of the processing wafer by deriving the certification mark which has disappeared on the other outer surface, by the certification mark remaining on the other outer surface. The management from the initial stage to the end of processing can be performed on the wafer for processing.
よって、本発明によれば、加工用ウェハの一方の外表面において認証マークが加工工程により消えてしまっても、加工用ウェハの初期にさかのぼって認証マークを確認し、履歴が確認できるようなウェハの製造方法を制御する生産システムを提供することができる。 Therefore, according to the present invention, even if the authentication mark disappears on one outer surface of the processing wafer due to the processing step, the wafer can check the authentication mark retroactively to the initial stage of the processing wafer and confirm the history. It is possible to provide a production system that controls the manufacturing method of
ここで、請求項3に記載の生産システムにおいても、請求項4に記載の発明のように、第2の加工工程後の加工用ウェハにおける認証マークが消えた一方の外表面に、記憶手段によって導き出された消えた認証マークを、マーキング手段によって再マーキングするようにしてもよい。それによれば、上記請求項2に記載の製造方法と同様の効果を奏する生産システムが提供できる。 Here, also in the production system according to claim 3 , as in the invention according to claim 4 , the memory means is provided on one outer surface of the processing wafer after the second processing step where the authentication mark has disappeared. The derived authentication mark may be re-marked by the marking means. According to this, it is possible to provide a production system having the same effect as the production method according to the second aspect.
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。 In addition, the code | symbol in the parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。また、図3〜図6において、各認証マークM1〜M3は、白丸にて模式的に示してある。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described based on the drawings. In the following embodiments, parts identical or equivalent to each other are denoted by the same reference numerals in the drawings in order to simplify the description. Further, in FIGS. 3 to 6, the respective authentication marks M1 to M3 are schematically shown by white circles.
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態にかかる生産システムについて、図1を参照して述べる。図1において、加工用ウェハ10は、表裏の外表面11、12の一方を一方の外表面11、他方を他方の外表面12とするシリコン等の半導体よりなるものである。
First Embodiment
A production system according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 1, the
ここでは、後述の図3に示されるように、加工用ウェハ10は、単層ウェハ1よりなるもので、単層ウェハ1における一方の外表面が加工用ウェハの一方の外表面11に相当し、単層ウェハ1における他方の外表面が加工用ウェハの他方の外表面12に相当するものである。
Here, as shown in FIG. 3 described later, the
制御手段100は、加工用ウェハ10の外表面11、12の情報を読み取る読み取り手段101と、加工用ウェハ10における外表面11、12にマーキングを行うマーキング手段102と、これら各手段101、102を制御する図示しないコンピュータ等よりなる制御部と、を備える。ここで、読み取り手段101は、CCD等を有するものであり、マーキング手段102は、レーザ等により刻印を行うものである。
The control means 100 includes a reading means 101 for reading information on the
記憶手段200は、加工の初期から加工後までの加工用ウェハ10における外表面11、12の情報(具体的には、後述する認証マークやそのマーキング面等)を記憶するもので、コンピュータサーバ等よりなる。これら情報は、主として読み取り手段101から記憶手段200へ送られる。
The
また、記憶手段200は、その他、後述するロット投入時の情報を記憶したり、記憶された情報等に基づいて読み取り手段101およびマーキング手段102への指示を行ったりする。さらには、記憶手段200は、制御手段100で行われた各種動作やそれに伴う各種情報の履歴を記憶するようにもなっている。
In addition, the
次に、図2、図3を参照して、上記生産システムによる本実施形態のウェハの製造方法について述べる。 Next, with reference to FIG. 2 and FIG. 3, the manufacturing method of the wafer of this embodiment by the said production system is described.
[図3(a)の工程:ロット投入工程]
原石ロットは生産する製品に応じて、生産システムにてロット投入処理を行う。このロット投入により、システム上、ロットIDが生成され、このロットIDは記憶手段200に記憶される。1個のロットは複数個の単層ウェハ1の集合体よりなるが、ロットIDとは、この集合体を識別する固有の記号または番号である。
[Step of FIG. 3 (a): lot input step]
Raw stone lot is subjected to lot input processing in the production system according to the product to be produced. By this lot insertion, a lot ID is generated on the system, and this lot ID is stored in the
[図3(b)、図2の工程:第1認証マークのマーキング工程]
そして、加工用ウェハ10の一方の外表面11に第1認証マークM1をマーキングする。具体的には、記憶手段200から制御手段100へ、第1認証マークM1およびそのマーキング面が指示される。すると、マーキング手段102によって、加工用ウェハ10の一方の外表面11に第1認証マークM1がマーキングされる。
[Step of FIG. 3 (b), FIG. 2: Marking step of first authentication mark]
Then, the first authentication mark M1 is marked on one
このとき、加工用ウェハ10において一方の外表面11に第1認証マークM1がマーキングされたことが、読み取り手段101を介して、記憶手段200に記憶される。ここで、第1認証マークM1は、図2に示されるように、加工用ウェハ10の一方の外表面11における周縁部にてオリエンテーションフラットOLと反対側の部位に、マーキングされる。
At this time, the fact that the first authentication mark M1 is marked on one
限定するものではないが、図2では、第1認証マークM1は、「1111」とされている。この場合、たとえば、前2桁の「11」がロットIDを意味し、後2桁の「11」がロット内におけるウェハ毎の識別番号を意味している。 Although not limiting, in FIG. 2, the first authentication mark M1 is “1111”. In this case, for example, the first two digits "11" represent the lot ID, and the second two digits "11" represent the identification number of each wafer in the lot.
[図3(c)の工程:第2認証マークのマーキング工程]
次に、加工用ウェハ10の他方の外表面12に、第1認証マークM1と同一マーク、たとえば上記第1認証マークM1の例と同様の「1111」を、第2認証マークM2としてマーキングする。
[Step of FIG. 3 (c): Marking step of second certification mark]
Next, on the other
具体的には、記憶手段200から制御手段100へ、第2認証マークM2およびそのマーキング面が指示される。すると、マーキング手段102によって、加工用ウェハ10の他方の外表面12に第2認証マークM2がマーキングされる。このとき、加工用ウェハ10における第2認証マークM2、および、そのマーキング面である他方の外表面12が、記憶手段200に記憶される。
Specifically, the second authentication mark M2 and the marking surface thereof are indicated from the storage means 200 to the control means 100. Then, the second authentication mark M2 is marked on the other
これら図3(a)〜(c)に示される各工程が、本製造方法における用意工程に相当するものである。つまり、この用意工程によれば、表裏の外表面11、12にそれぞれ、識別用の認証マークM1、M2がマーキングされた加工用ウェハ10が用意される。それとともに、当該用意された加工用ウェハ10における表裏の外表面11、12の両認証マークM1、M2が、記憶手段200に記憶されることになる。
The steps shown in FIGS. 3A to 3C correspond to the preparation steps in the present manufacturing method. That is, according to this preparation process, the
[図3(d)の工程:加工工程およびマーク導出工程]
次に、加工工程として、加工用ウェハ10における外表面11、12に対して加工処理を行う。具体的には、加工工程は、加工用ウェハ10における表裏の外表面11、12のいずれか一方に加工処理を行うことで、当該加工処理された外表面の認証マークが消えるものである。
[Step of FIG. 3 (d): processing step and mark derivation step]
Next, in the processing step, processing is performed on the
たとえば、加工工程としては、加工用ウェハの外表面11、12を研磨する研磨工程などが挙げられる。そして、図3(d)においては、単層ウェハ1よりなる加工用ウェハ10の一方の外表面11に対して加工処理を行うことで第1認証マークM1が消去され、他方の外表面12では第2認証マークM2が残るようになっている。
For example, as the processing step, there may be mentioned a polishing step of polishing the
このように、加工工程後の加工用ウェハ10における表裏の外表面11、12のうち、一方の外表面11の第1認証マークM1が消えたときに、本製造方法では、マーク導出工程を行う。
As described above, when the first authentication mark M1 on the
マーク導出工程では、記憶手段200によって、加工用ウェハ10の他方の外表面12に残っている第2認証マークM2に基づいて、消えた第1認証マークM1を導き出す。具体的には、他方の外表面12に残っている第2認証マークM2を記憶手段200に照合して、一方の外表面11にて消えた第1認証マークM1を導き出す。
In the mark derivation step, the storage means 200 derives the eliminated first authentication mark M1 based on the second authentication mark M2 remaining on the other
[図3(e)の工程:再マーキング工程]
次に、本製造方法では、加工工程後の加工用ウェハ10における第1認証マークM1が消えた一方の外表面11に、上記マーク導出工程によって導き出された第1認証マークM1を、再マーキングする。
[Step of FIG. 3 (e): re-marking step]
Next, in the present manufacturing method, the first authentication mark M1 derived in the mark deriving step is re-marked on one
具体的には、記憶手段200から制御手段100へ、導き出された第1認証マークM1とそのマーキング面とが指示される。すると、マーキング手段102により加工用ウェハ10へ再マーキングが行われる。
Specifically, the derived first authentication mark M1 and its marking surface are instructed from the
なお、この再マーキングにおいては、再マーキング対象である加工用ウェハ10において残っている第2認証マークM2およびその第2認証マークM2が残っている面の情報を、記憶手段200で照合し、この情報をマーキング手段102へ送信することが望ましい。そして、マーキング手段102は、その情報に基づき、これから再マーキングする加工用ウェハ10が正しいものかどうかを判断し、正しければ再マーキングする。
In this re-marking, the storage means 200 collates the information of the second authentication mark M2 remaining on the
ところで、本実施形態の製造方法および生産システムによれば、用意された加工用ウェハ10の両外表面11、12にそれぞれ認証マークM1、M2をマーキングし、この両外表面11、12の認証マークM1、M2を組として、記憶手段200で記憶するようにしている。
By the way, according to the manufacturing method and the production system of the present embodiment, the authentication marks M1 and M2 are marked on both
そのため、加工工程により、両外表面11、12のうち、どちらか一方の外表面における認証マークが消えてしまったとしても、他方の外表面に残っている認証マークにより、消えた認証マークを導き出すことが可能となる。そうすることで、加工用ウェハ10の初期状態まで履歴を遡ることができ、加工用ウェハ10について初期から加工終了までの管理を行うことができる。
Therefore, even if the authentication mark on one of the
よって、本実施形態によれば、加工用ウェハ10のどちらか一方の外表面において認証マークが加工工程により消えてしまっても、加工用ウェハ10の初期にさかのぼって認証マークを確認し、履歴が確認できるようなウェハの製造方法および生産システムを提供することができる。
Therefore, according to the present embodiment, even if the authentication mark disappears on the outer surface of one of the
また、本実施形態によれば、マーク導出工程によって導き出された認証マークを、再マーキングすることで、消えた認証マークを加工用ウェハ10の外表面に表示でき、再び加工用ウェハ10における表裏の外表面11、12の両方に、認証マークM1、M2がマーキングされた状態が復活する。
Further, according to the present embodiment, the authentication mark derived in the mark deriving step can be re-marked, so that the erased authentication mark can be displayed on the outer surface of the
この場合、その後は、再び、上記製造方法と同様に、加工工程、マーク導出工程を繰り返すことにより、加工用ウェハ10のどちらか一方の外表面において認証マークが加工工程により消えてしまっても、加工用ウェハ10の初期にさかのぼって、履歴を確認することができる。
In this case, after that, as in the above-described manufacturing method, by repeating the processing step and the mark lead-out step, even if the authentication mark disappears in the processing step on either one of the outer surfaces of the
なお、本実施形態において、加工工程では、上記図3(d)とは逆に、加工用ウェハ10の他方の外表面12にて第2認証マークM2が消え、一方の外表面11にて第1認証マークM1が残るものであってもよい。この場合、残った第1認証マークM1に基づいてマーク導出工程を行い、他方の外表面12に、第2認証マークM2を再マークするようにしてよい。
In the present embodiment, in the processing step, the second authentication mark M2 disappears on the other
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態にかかるウェハの製造方法について、図4を参照して、上記第1実施形態との相違点を中心に述べる。本実施形態の製造方法については、上記図1と同様の生産システムにより制御される。
Second Embodiment
The wafer manufacturing method according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4, focusing on the differences from the first embodiment. About the manufacturing method of this embodiment, it controls by the same production system as the said FIG.
ここで、本実施形態では、加工用ウェハ10として、第1ウェハ2aと第2ウェハ2bとが貼り合わされてなる多層ウェハ2よりなるものを用いることが、第1実施形態と相違する。
Here, the present embodiment is different from the first embodiment in that, as the
[図4(a)、図4(b)の工程]
この工程では、第1ウェハ2aについて、上記第1実施形態と同様、ロット投入工程および第1認証マークM1のマーキング工程を行う。これにより、第1認証マークM1がマーキングされた第1ウェハ2aが用意される。
[Steps in FIG. 4A and FIG. 4B]
In this step, for the
[図4(c)の工程:接合工程]
一方で、第2ウェハ2bについても、上記同様、ロット投入工程を行い、第2認証マークM2のマーキング工程を行う。この第2ウェハ2bに対する第2認証マークM2のマーキングは、上記第1認証マークM1のマーキングと同じ要領で行う。これにより、第2認証マークM2がマーキングされた第2ウェハ2bが用意される。
[Step of FIG. 4 (c): Bonding step]
On the other hand, with respect to the
ここで、第2認証マークM2は、第1認証マークM1とは異なるマークであり、第1認証マークM1が上記の例「1111」である場合、第2認証マークM2は、たとえば「2222」とする。 Here, when the second authentication mark M2 is a mark different from the first authentication mark M1 and the first authentication mark M1 is the above example “1111”, the second authentication mark M2 is, for example, “2222”. Do.
なお、第1ウェハ2aと第2ウェハ2bとが同一工場で生産されたものであっても、異なる工場で生産されたものであってもよい。いずれにせよ、各ウェハ2a、2bの各認証マークM1、M2およびそのマーキング面の情報は、記憶手段200に記憶される。
The
そして、図4(c)に示されるように、第1認証マークM1がマーキングされた第1ウェハ2aと、第2認証マークM2がマーキングされた第2ウェハ2bと、互いにマーキング面とは反対の面にて、直接接合等で貼り合わせ、多層ウェハ2を形成する。
Then, as shown in FIG. 4C, the
この多層ウェハ2が形成された段階で、本実施形態の加工用ウェハ10が用意され、また、加工用ウェハ10の外表面11、12の情報は記憶手段200に記憶される。このように、図4(a)〜(c)の工程までが本実施形態の用意工程となる。
At the stage when the
ここで、多層ウェハ2における第1のウェハ2a側の外表面が加工用ウェハ10の一方の外表面11に相当し、第2のウェハ2b側の外表面が加工用ウェハ10の他方の外表面12に相当する。
Here, the outer surface on the
このように、本実施形態においては、加工用ウェハ10は多層ウェハ2であるが、上記第1実施形態と同様、用意工程では、表裏の外表面11、12にそれぞれ、認証マークM1、M2がマーキングされた加工用ウェハ10が用意される。それとともに、用意工程では、この用意された加工用ウェハ10における表裏の外表面11、12の両認証マークM1、M2が、記憶手段200に記憶される。
As described above, in the present embodiment, the
[図4(d)の工程:加工工程およびマーク導出工程]
次に、加工工程として、加工用ウェハ10における外表面11、12に対して研磨等の加工処理を行う。ここで、図4(d)の加工工程では、当該加工工程後の加工用ウェハ10における第1ウェハ2a側の外表面すなわち一方の外表面11では、第1認証マークM1が消え、第2ウェハ2b側の外表面すなわち他方の外表面12では、第2認証マークM2が残るものである。
[Step of FIG. 4 (d): processing step and mark derivation step]
Next, as the processing step, processing such as polishing is performed on the
そして、マーク導出工程では、加工工程後の加工用ウェハ10における他方の外表面12に残っている第2認証マークM2に基づいて、消えた第1認証マークM1を導き出す。具体的には、他方の外表面12に残っている第2認証マークM2を記憶手段200に照合して、一方の外表面11にて消えた第1認証マークM1を導き出す。
Then, in the mark deriving step, the eliminated first authentication mark M1 is derived based on the second authentication mark M2 remaining on the other
[図4(e)の工程:再マーキング工程]
次に、本製造方法においても、上記第1実施形態と同様、加工工程後の加工用ウェハ10における第1認証マークM1が消えた一方の外表面11に、上記マーク導出工程によって導き出された第1認証マークM1を、マーキング手段102によって、再マーキングする。
[Step of FIG. 4 (e): remarking step]
Next, also in the present manufacturing method, as in the first embodiment, on the one
このように、本実施形態の製造方法および生産システムによっても、加工前の加工用ウェハ10における両外表面11、12の認証マークM1、M2を、記憶手段200で記憶することで、加工工程後に、どちらか一方の外表面における認証マークが消えてしまったとしても、他方の外表面に残っている認証マークにより、消えた認証マークを導き出すことが可能となる。
As described above, also by the manufacturing method and the production system of the present embodiment, after the authentication marks M1 and M2 of both
そのため、本実施形態によっても、加工用ウェハ10のどちらか一方の外表面において認証マークが加工工程により消えてしまっても、加工用ウェハ10の初期にさかのぼって認証マークを確認し、履歴が確認できるようなウェハの製造方法および生産システムを提供することができる。また、本実施形態によっても、再マーキングによる効果は、上記第1実施形態と同様である。
Therefore, even in the present embodiment, even if the authentication mark disappears on the outer surface of one of the
なお、本実施形態においても、加工工程では、上記図4(d)とは逆に、多層ウェハ2よりなる加工用ウェハ10の他方の外表面12にて第2認証マークM2が消え、一方の外表面11にて第1認証マークM1が残るものであってもよい。この場合も、残った第1認証マークM1に基づいてマーク導出工程を行い、他方の外表面12に、第2認証マークM2を再マークするようにしてよい。
Also in the present embodiment, in the processing step, the second authentication mark M2 disappears on the other
(第3実施形態)
本発明の第3実施形態にかかるウェハの製造方法は、上記第2実施形態の変形例であり、本製造方法について、図5を参照して、上記第2実施形態との相違点を中心に述べる。なお、本実施形態の製造方法についても、上記図1と同様の生産システムにより制御される。
Third Embodiment
The method of manufacturing a wafer according to the third embodiment of the present invention is a modification of the second embodiment, and the present manufacturing method will be described with reference to FIG. 5, focusing on differences from the second embodiment. Describe. The manufacturing method of the present embodiment is also controlled by the same production system as that of FIG.
本実施形態でも、加工用ウェハ10として、第1ウェハ2aと第2ウェハ2bとが貼り合わされてなる多層ウェハ2よりなるものを用いる。ここで、上記第2実施形態では、図4(a)、(b)に示されるように、第1ウェハ2aの下面に第2ウェハ2bを貼り付けるものであり、第1認証マークM1は、第1ウェハ2aの上面にマーキングされるものであった。
Also in this embodiment, as the
それに対して、本実施形態では、図5(a)、(b)に示されるように、第1ウェハ2aの上面に第2ウェハ2bを貼り付けるものであり、第1認証マークM1は、第1ウェハ2aの下面にマーキングされる。
On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIGS. 5A and 5B, the
[図5(a)、図5(b)の工程]
この工程では、第1ウェハ2aについて、上記同様、ロット投入工程および第1認証マークM1のマーキング工程を行う。これにより、第1認証マークM1がマーキングされた第1ウェハ2aが用意される。
[Steps of FIG. 5 (a) and FIG. 5 (b)]
In this step, the lot insertion step and the marking step of the first authentication mark M1 are performed on the
[図5(c)の工程:接合工程]
一方で、上記第2実施形態と同様に、第2ウェハ2bについても、上記同様、ロット投入工程を行い、第2認証マークM2のマーキング工程を行う。
[Step of FIG. 5 (c): Bonding step]
On the other hand, in the same manner as described above, the lot insertion process is performed on the
これにより、第1認証マークM1とは異なるマークとしての第2認証マークM2が、マーキングされた第2ウェハ2bが用意される。そして、上記第2実施形態と同様、各ウェハ2a、2bの各認証マークM1、M2およびそのマーキング面の情報は、記憶手段200に記憶される。
As a result, the
そして、本実施形態においても、図5(c)に示されるように、第1認証マークM1がマーキングされた第1ウェハ2aと、第2認証マークM2がマーキングされた第2ウェハ2bと、互いにマーキング面とは反対の面にて、直接接合等で貼り合わせ、多層ウェハ2を形成する。
And also in this embodiment, as shown in FIG. 5C, the
この多層ウェハ2が形成された段階で、本実施形態の加工用ウェハ10が用意され、また、加工用ウェハ10の外表面11、12の情報は記憶手段200に記憶される。このように、図5(a)〜(c)の工程までが本実施形態の用意工程となる。
At the stage when the
こうして、本実施形態においても、上記第2実施形態と同様、加工用ウェハ10は多層ウェハ2であるが、用意工程では、表裏の外表面11、12にそれぞれ、認証マークM1、M2がマーキングされた加工用ウェハ10が用意される。それとともに、この用意された加工用ウェハ10における表裏の外表面11、12の両認証マークM1、M2が、記憶手段200に記憶される。
Thus, also in the present embodiment, the
[図5(d)の工程:加工工程およびマーク導出工程]
次に、上記第2実施形態同様、加工工程を行うと、図5(d)に示されるように、当該加工工程後の加工用ウェハ10における第1ウェハ2a側の一方の外表面11では、第1認証マークM1が消え、第2ウェハ2b側の他方の外表面12では、第2認証マークM2が残る。
[Step of FIG. 5 (d): processing step and mark derivation step]
Next, as in the second embodiment, when the processing step is performed, as shown in FIG. 5D, on the one
そして、上記第2実施形態と同様、マーク導出工程では、加工工程後の加工用ウェハ10における他方の外表面12に残っている第2認証マークM2に基づいて、消えた第1認証マークM1を導き出す。
Then, as in the second embodiment, in the mark deriving step, the eliminated first authentication mark M1 is based on the second authentication mark M2 remaining on the other
[図5(e)の工程:再マーキング工程]
次に、上記第2実施形態と同様、加工工程後の加工用ウェハ10における第1認証マークM1が消えた一方の外表面11に、上記マーク導出工程によって導き出された第1認証マークM1を、マーキング手段102によって、再マーキングする。
[Step of FIG. 5 (e): re-marking step]
Next, as in the second embodiment, on one
本実施形態の製造方法は、以上である。このように、本実施形態の製造方法およびそれを制御する生産システムによっても、上記第2実施形態に述べたのと同様の効果が発揮されるものである。 The manufacturing method of this embodiment is above. As described above, the same effects as those described in the second embodiment can be exhibited by the manufacturing method of the present embodiment and the production system that controls the same.
(第4実施形態)
本発明の第4実施形態にかかるウェハの製造方法は、上記第2実施形態の変形例であり、本製造方法について、図6を参照して、上記第2実施形態との相違点を中心に述べる。なお、本実施形態の製造方法についても、上記図1と同様の生産システムにより制御される。
Fourth Embodiment
The method of manufacturing a wafer according to the fourth embodiment of the present invention is a modification of the second embodiment, and the present manufacturing method will be described with reference to FIG. 6, focusing on the differences with the second embodiment. Describe. The manufacturing method of the present embodiment is also controlled by the same production system as that of FIG.
本実施形態でも、上記第2実施形態と同様、加工用ウェハ10として、第1ウェハ2aと第2ウェハ2bとが貼り合わされてなる多層ウェハ2よりなるものを用いる。
Also in the present embodiment, as in the second embodiment, as the
[図6(a)、図6(b)の工程]
この工程では、第1ウェハ2aについて、上記第2実施形態と同様、ロット投入工程および第1認証マークM1のマーキング工程を行う。これにより、第1認証マークM1がマーキングされた第1ウェハ2aが用意される。
[Steps of FIG. 6 (a) and FIG. 6 (b)]
In this step, a lot insertion step and a marking step of the first authentication mark M1 are performed on the
[図6(c)の工程:接合工程]
一方で、上記第2実施形態と同様に、第2ウェハ2bについても、上記同様、ロット投入工程を行い、第2認証マークM2のマーキング工程を行う。
[Step of FIG. 6 (c): Bonding step]
On the other hand, in the same manner as described above, the lot insertion process is performed on the
そして、本実施形態においても、図6(c)に示されるように、第1認証マークM1がマーキングされた第1ウェハ2aと、第2認証マークM2がマーキングされた第2ウェハ2bと、互いにマーキング面とは反対の面にて、直接接合等で貼り合わせ、多層ウェハ2を形成する。
Also in the present embodiment, as shown in FIG. 6C, the
この多層ウェハ2が形成された段階で、本実施形態の加工用ウェハ10が用意され、また、加工用ウェハ10の外表面11、12の情報は記憶手段200に記憶される。このように、図6(a)〜(c)の工程までが本実施形態の用意工程となる。
At the stage when the
こうして、本実施形態の用意工程においても、上記第2実施形態と同様、表裏の外表面11、12にそれぞれ、認証マークM1、M2がマーキングされた多層ウェハ2よりなる加工用ウェハ10が用意されるとともに、この用意された加工用ウェハ10における表裏の外表面11、12の両認証マークM1、M2が、記憶手段200に記憶される。
Thus, also in the preparation step of this embodiment, as in the second embodiment, the
[図6(d)、図6(e)、図6(f)の工程:加工工程およびマーク導出工程]
次に、上記第2実施形態同様、加工工程を行うと、図6(d)に示されるように、当該加工工程後の加工用ウェハ10における第1ウェハ2a側の一方の外表面11では、第1認証マークM1が消え、第2ウェハ2b側の他方の外表面12では、第2認証マークM2が残る。
[Steps in FIG. 6 (d), FIG. 6 (e), and FIG. 6 (f): processing step and mark derivation step]
Next, as in the second embodiment, when the processing step is performed, as shown in FIG. 6D, on the one
この後、本実施形態の加工工程では、図6(e)に示されるように、さらに、加工用ウェハ10における一方の外表面11に、第3ウェハ2cを接合して貼り付ける。この第3ウェハ2cは、接合面とは反対側の面に第3認証マークM3がマーキングされたものである。
Thereafter, in the processing step of the present embodiment, as shown in FIG. 6E, the
この第3ウェハ2cについては、上記同様、ロット投入工程を行い、第3認証マークM3のマーキング工程を行う。この第3ウェハ2cに対する第3認証マークM3のマーキングは、上記第1認証マークM1のマーキングと同じ要領で行う。これにより、第3認証マークM3がマーキングされた第3ウェハ2cが用意される。
For the
ここで、第3認証マークM3は、第1認証マークM1および第2認証マークM2とは異なるマークであり、第1認証マークM1が上記の例「1111」であり、第2認証マークM2が上記の例「2222」である場合、たとえば第3認証マークM3は「3333」とする。 Here, the third authentication mark M3 is a mark different from the first authentication mark M1 and the second authentication mark M2, the first authentication mark M1 is the above example “1111”, and the second authentication mark M2 is the above. In the example “2222”, for example, the third authentication mark M3 is set to “3333”.
なお、本実施形態においても、第1ウェハ2aと第2ウェハ2bと第3ウェハ2cとが同一工場で生産されたものであっても、異なる工場で生産されたものであってもよく、いずれにせよ、各ウェハ2a、2b、2cの各認証マークM1、M2、M3およびそのマーキング面の情報は、記憶手段200に記憶される。
Also in the present embodiment, the
こうして、本実施形態の加工工程では、図6(e)に示されるように、第1ウェハ2aの両面側に第2ウェハ2b、第3ウェハ2cが貼り付けられ、これら3層が積層されてなる加工用ウェハ10が形成される。この加工用ウェハ10では、第3ウェハ2c側の外表面が一方の外表面11に相当し、第2ウェハ2b側の外表面が他方の外表面12に相当するものとなる。
Thus, in the processing step of the present embodiment, as shown in FIG. 6E, the
そして、さらに本実施形態の加工工程では、図6(f)に示されるように、この3層ウェハよりなる加工用ウェハ10における一方の外表面11、つまり第3ウェハ2cの外表面を研磨等により加工処理する。
Further, in the processing step of the present embodiment, as shown in FIG. 6F, one
これにより、図6(f)に示されるように、当該加工工程後の加工用ウェハ10における第3ウェハ2c側の一方の外表面11では、第3認証マークM3が消え、第2ウェハ2b側の他方の外表面12では、第2認証マークM2が残るものである。
Thereby, as shown in FIG. 6F, the third authentication mark M3 disappears on the
このような状態になっても、本実施形態では、上記第2実施形態と同様、マーク導出工程により、加工工程後の加工用ウェハ10における他方の外表面12に残っている第2認証マークM2に基づいて、消えた第1認証マークM1を導き出すことができる。
Even in such a state, in the present embodiment, as in the second embodiment, the second authentication mark M2 remaining on the other
[図6(g)の工程:再マーキング工程]
次に、上記第2実施形態と同様、加工工程後の加工用ウェハ10における第1認証マークM1が消えた一方の外表面11に、上記マーク導出工程によって導き出された第1認証マークM1を、マーキング手段102によって、再マーキングする。ここでは、加工用ウェハ10における第3ウェハ2cの外表面に、第1認証マークM1が再マーキングされるものである。
[Step of FIG. 6 (g): re-marking step]
Next, as in the second embodiment, on one
本実施形態の製造方法は、以上であるが、このように、本実施形態の製造方法およびそれを制御する生産システムによっても、上記第2実施形態に述べたのと同様の効果が発揮されるものである。 Although the manufacturing method of the present embodiment is as described above, the same effects as those described in the second embodiment can be exhibited also by the manufacturing method of the present embodiment and the production system for controlling the same. It is a thing.
以上、第1〜第4実施形態を参照して、本発明の製造方法および生産システムについて述べてきたが、上記した各種の認証マークM1〜M3やそのマーキング面、および、ウェハ同士の接合およびその接合面等の情報については、記憶手段200に、履歴として記憶されるものである。
As mentioned above, although the manufacturing method and the production system of the present invention have been described with reference to the first to fourth embodiments, the above various authentication marks M1 to M3 and their marking surfaces, bonding of wafers, and their bonding Information such as the bonding surface is stored in the
この履歴として記憶手段200に記憶される情報の主たる例について、限定するものではないが、以下にあげておく。上記の各ウェハ1、2a〜2cのロットIDの情報。上記の各ウェハ1、2a〜2cにおける認証マークM1〜M3およびそのマーキング面の情報。再マーキングにおける認証マークおよびそのマーキング面の情報。ウェハの接合工程(貼り合わせ)におけるウェハや貼り合わせ面および認証マークM1〜M3の情報、等々。
The main example of the information stored in the
(他の実施形態)
なお、上記各実施形態に示した製造方法において、マーク導出工程までは行うが、再マーキング工程は行わないものであってもよい。たとえば、加工工程にて認証マークが消えてしまっても、マーク導出工程により、加工用ウェハ10の履歴が判明すればよいものであり、当該認証マークが消えた後の工程において、再マーキングが不要ならば、再マーキングが行わなくてもよい。
(Other embodiments)
In addition, in the manufacturing method shown to said each embodiment, although a process to a mark derivation | leading-out process is performed, a re-marking process may not be performed. For example, even if the certification mark disappears in the processing step, it is sufficient if the history of the
また、上記各実施形態に示した製造方法において、再マーキング工程後、あるいは、再マーキングを行わない場合にはマーク導出工程後には、適宜、加工用ウェハ10に対して、配線形成やダイシング等の工程を行い、最終的にはチップ単位の製品を完成させるものとすることはもちろんである。
Further, in the manufacturing method described in each of the above embodiments, after the re-marking step, or after the mark derivation step if no re-marking is performed, wiring formation, dicing, and the like are appropriately performed on the
また、上記各実施形態では、各ウェハについてロット投入工程、および、各認証マークのマーキング工程をおこなったが、当該ロット工程で、既に予め上記の各認証マークがマーキングされた原石ロットのウエハを受け入れてもよい。 In each of the above embodiments, the lot loading step and the marking step of each certification mark are performed for each wafer, but in the lot step, the wafers of the raw stone lot on which the respective certification marks are already marked are received. May be
また、上記図2に示した例では、加工用ウェハ10の一方の外表面11における周縁部にてオリエンテーションフラットOLと反対側の部位に、マーキングされた。しかし、上記各実施形態に用いられる加工用ウェハ10およびその他の上記ウェハとしては、オリエンテーションフラットの有無は問わない。たとえば、ノッチなどが有るものでもよい。そして、上記の各認証マークの位置も、上記図2の例に限定するものではない。
Further, in the example shown in FIG. 2 above, the outer peripheral portion of one
また、上記図2では、第1認証マークM1を、「1111」のような文字マークとしていたが、上記各実施形態に用いる認証マークとしては、二次元コードであってもよい。つまり、ある特定の認証マークを意味するものであれば、文字マークでも二次元コードでもよく、たとえば、はじめは文字マークをマーキングしておき、再マーキングでは、当該文字マークを意味する二次元コードをマーキングするようにしてもよい。 In addition, although the first authentication mark M1 is a character mark such as "1111" in FIG. 2 described above, a two-dimensional code may be used as the authentication mark used in each of the above embodiments. That is, as long as it means a specific authentication mark, it may be a character mark or a two-dimensional code. For example, at the beginning, the character mark is marked, and in the remarking, a two-dimensional code meaning the character mark You may make it mark.
具体的にいうならば、ウェハ上の認証マークが消えた後に、再マーキングするが、このとき、文字マークから文字マークという方法、および、二次元コードから二次元コードという方法がある。しかし、これら以外に文字マークが消えた後に、二次元コードを再マーキングしたり、二次元コードが消えた後に、文字マークを再マーキングしたりする方法でもよい。 Specifically, after the certification mark on the wafer disappears, re-marking is performed. At this time, there is a method of character mark to character mark and a method of two-dimensional code to two-dimensional code. However, other than these methods, the two-dimensional code may be re-marked after the character mark disappears, or the character mark may be re-marked after the two-dimensional code disappears.
さらには、はじめの認証マークとして、文字マークと二次元コードの両方がマーキングされている場合に、再マーキングのときには、当該両方もしくはどちらか一方をマーキングする方法でもよい。 Furthermore, in the case where both the character mark and the two-dimensional code are marked as the first authentication mark, at the time of re-marking, both or either one may be marked.
また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。 Moreover, this invention is not limited to above-described embodiment, In the range described in the claim, it can change suitably. Moreover, said each embodiment is not mutually unrelated and can be combined suitably unless the combination is obviously impossible, and said each embodiment is limited to said example of illustration. Absent. Further, in each of the above-described embodiments, it is needless to say that the elements constituting the embodiment are not necessarily essential except when clearly indicated as being essential and when it is considered to be obviously essential in principle. Yes. Further, in the above embodiments, when numerical values such as the number, numerical value, amount, range, etc. of constituent elements of the embodiment are mentioned, it is clearly indicated that they are particularly essential and clearly limited to a specific number in principle. It is not limited to the specific number except when it is done. Further, in the above embodiments, when referring to the shape, positional relationship, etc. of the component etc., unless otherwise specified or in principle when limited to a specific shape, positional relationship, etc. It is not limited to the positional relationship and the like.
10 加工用ウェハ
11 加工用ウェハにおける一方の外表面
12 加工用ウェハにおける他方の外表面
102 マーキング手段
200 記憶手段
M1 第1認証マーク
M2 第2認証マーク
10
Claims (4)
前記第1ウェハの前記第1の認証マークおよび前記第1の認証マークがマーキングされた前記外表面(11)の情報を記憶手段(200)に記憶する工程と、
第2ウェハ(2b)の外表面(12)に識別用の第2の認証マーク(M2)をマーキングする工程と、
前記第2ウェハの前記第2の認証マークおよび前記第2の認証マークがマーキングされた前記外表面(12)の情報を前記記憶手段に記憶する工程と、
前記第1ウェハと前記第2ウェハとを前記マーキングがされた前記外表面の反対面同士で貼り合わせる第1の貼り合わせ工程と、
前記第1の貼り合わせ工程により得られる多層ウェハ(2)の前記第1の認証マーク、前記第2の認証マーク、およびこれらのマーキングがされた前記外表面(11、12)の情報を前記記憶手段に記憶する工程と、
前記多層ウェハの表裏の前記外表面(11、12)のうち一方の前記外表面に対して加工処理を行い、前記第1の認証マークまたは前記第2の認証マークを消失させる第1の加工工程と、
第3ウェハ(2c)の外表面に識別用の第3の認証マーク(M3)をマーキングする工程と、
前記第3ウェハの前記第3の認証マークおよび前記第3の認証マークがマーキングされた前記外表面の情報を前記記憶手段に記憶する工程と、
前記第1の加工処理後に、前記多層ウェハのうち前記第1の認証マークまたは前記第2の認証マークが消えた一方の前記外表面と、前記第3ウェハのうち前記第3の認証マークがマーキングされた前記外表面の反対面とを貼り合わせる第2の貼り合わせ工程と、
前記第2の貼り合わせ工程により得られる加工用ウェハ(10)の外表面(11、12)にマーキングされた前記第1の認証マークまたは前記第2の認証マーク、および前記第3の認証マーク並びに前記認証マークのある外表面の情報を前記記憶手段に記憶する工程と、
前記加工用ウェハについての記憶工程の後、前記加工用ウェハにおける前記外表面に対して加工処理を行う第2の加工工程と、
前記第2の加工工程により、前記加工用ウェハにおける表裏の前記外表面のうち、いずれか一方の外表面(11)にマーキングされた前記第1ないし第3の認証マークのいずれか1つが消えたときに、前記記憶手段によって、他方の外表面(12)に残っている前記第1ないし第3の認証マークのいずれか1つに基づいて、前記消えた認証マークを導き出すマーク導出工程と、を備えることを特徴とするウェハの製造方法。 Marking a first authentication mark (M1) for identification on the outer surface (11) of the first wafer (2a);
Storing in the storage means (200) information of the first authentication mark of the first wafer and information of the outer surface (11) on which the first authentication mark is marked;
Marking a second authentication mark (M2) for identification on the outer surface (12) of the second wafer (2b);
Storing in the storage means information of the second authentication mark of the second wafer and information of the outer surface (12) on which the second authentication mark is marked;
A first bonding step of bonding the first wafer and the second wafer on opposite surfaces of the outer surface on which the marking is performed;
The information of the first authentication mark, the second authentication mark, and the outer surface (11, 12) having these marks on the multilayer wafer (2) obtained by the first bonding step is stored Storing in the means,
A first processing step of processing one of the outer surfaces (11, 12) of the outer surface (11, 12) of the front and back of the multilayer wafer to cause the first authentication mark or the second authentication mark to disappear When,
Marking a third identification mark (M3) for identification on the outer surface of the third wafer (2c);
Storing information of the outer surface of the third wafer on which the third authentication mark and the third authentication mark have been marked in the storage means;
After the first processing, one of the outer surface of the multilayer wafer from which the first authentication mark or the second authentication mark has disappeared and the third authentication mark from the third wafer are marked A second bonding step of bonding the opposite surface of the outer surface,
The first authentication mark or the second authentication mark marked on the outer surface (11, 12) of the processing wafer (10) obtained by the second bonding step, the third authentication mark, and Storing information of the outer surface having the authentication mark in the storage means;
A second processing step of processing the outer surface of the processing wafer after the storing step of the processing wafer ;
In the second processing step , any one of the first to third authentication marks marked on any one outer surface (11) of the front and back outer surfaces of the processing wafer disappears A mark deriving step of deriving the extinguished authentication mark based on any one of the first to third authentication marks left on the other outer surface (12) by the storage means ; A method of manufacturing a wafer comprising:
前記多層ウェハの表裏の外表面のうち一方の前記外表面に対して第1の加工処理を行った後、前記多層ウェハのうち前記第1の加工処理により前記第1の認証マークまたは前記第2の認証マークが消えた面と、外表面に識別用の第3の認証マーク(M3)がマーキングされた第3ウェハ(2c)と、を前記マーキングされた前記外表面の反対面同士で貼り合わせて加工用ウェハ(10)とし、
前記加工用ウェハにおける外表面に対して加工処理を行う第2の加工工程を行うようにしたウェハの製造方法を制御する生産システムであって、
前記第1ウェハ、前記第2ウェハ、前記多層ウェハ、前記第3ウェハおよび前記加工用ウェハにおける外表面の情報を記憶する記憶手段(200)と、
前記加工用ウェハにおける外表面にマーキングを行うマーキング手段(102)と、を備え、
前記記憶手段によって、前記加工用ウェハにおける表裏の外表面の両認証マークを記憶しておき、
前記第2の加工工程後の前記加工用ウェハにおける表裏の外表面のうち、いずれか一方の外表面にマーキングされた前記第1ないし第3の認証マークのいずれか1つが消えたときに、前記記憶手段によって、他方の外表面に残っている前記第1ないし第3の認証マークのいずれか1つに基づいて、前記消えた認証マークを導き出すようにしたことを特徴とする生産システム。 A first wafer (2a) having a first authentication mark (M1) for identification marking on an outer surface (11), and a second authentication mark (M2) for identification on an outer surface (12) Preparing a multilayer wafer (2) in which a second wafer (2b) is bonded to the opposite surface of the outer surface marked as described above;
After performing the first processing on one of the outer surfaces of the front and back outer surfaces of the multilayer wafer, the first authentication mark or the second authentication mark is formed by the first processing on the multilayer wafer. And the third wafer (2c) with the third authentication mark (M3) for identification being marked on the outer surface, and bonding the opposite surfaces of the outer surface marked with each other Processing wafer (10),
A production system for controlling a method of manufacturing a wafer, wherein a second processing step of processing the outer surface of the processing wafer is performed,
Storage means (200) for storing information on the outer surface of the first wafer, the second wafer, the multilayer wafer, the third wafer and the processing wafer;
Marking means (102) for marking the outer surface of the processing wafer,
Storing both authentication marks on the front and back outer surfaces of the processing wafer by the storage means;
When any one of the first to third authentication marks marked on any one of the front and back outer surfaces of the processing wafer after the second processing step disappears, production system, characterized by said storage means, based on one of the first to third authentication mark remaining on the other external surface plane, that it has to derive the authentication mark disappears.
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