JP6509681B2 - Power converter and vehicle - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、電力変換装置および車両に関する。 Embodiments of the present invention relate to a power converter and a vehicle.
インバータ回路は、例えば、直流電源と接続した直流ラインと、直流ラインの高電位側と低電位側との間で直列に接続した一対のスイッチング素子と、を備える。一対のスイッチング素子間は交流負荷と電気的に接続している。 The inverter circuit includes, for example, a DC line connected to a DC power supply, and a pair of switching elements connected in series between the high potential side and the low potential side of the DC line. The pair of switching elements are electrically connected to an AC load.
インバータ回路におけるエネルギー損失は、主に導通損失とスイッチング損失との2つに分けられる。導通損失は、インバータ回路の各相上下アームに設けられたスイッチング素子を電流が流れる際に発生する。インバータ回路におけるスイッチング損失は、例えば発熱損失であって、スイッチング素子のスイッチング時に電流・電圧が変化率を持って変化することにより、電圧および電流が変化している期間の電圧と電流の積として発生する損失である。したがって、インバータ回路ではスイッチング速度が速いほど、スイッチング素子で発生する発熱損失は低下する。 The energy loss in the inverter circuit is mainly divided into two: conduction loss and switching loss. The conduction loss occurs when current flows through switching elements provided on upper and lower arms of each phase of the inverter circuit. The switching loss in the inverter circuit is, for example, a heat generation loss, and is generated as a product of voltage and current in a period in which the voltage and current are changing, when the current and voltage change at the time of switching of the switching element. Loss. Therefore, in the inverter circuit, as the switching speed is higher, the heat generation loss generated in the switching element is reduced.
また、インバータ回路のスイッチング素子を切り替えるタイミングに同期して、直流ラインに瞬間的に大きな電圧(サージ電圧)が発生することがある。スイッチング素子のスイッチング速度が早いほど、切替わる時にスイッチング素子に流れる電流変化量が大きくなり、サージ電圧は大きくなる。 In addition, a large voltage (surge voltage) may be generated instantaneously in the DC line in synchronization with the timing of switching the switching elements of the inverter circuit. The faster the switching speed of the switching element, the larger the amount of change in current flowing through the switching element when switching, and the larger the surge voltage.
従来、例えば、ゲート充電電荷量によって電流を制御するパワー半導体スイッチング素子(IGBT、MOSFET等)を採用したインバータ回路において、小電流域のみにおいてゲート充電電流の大きさを切り替える事によりスイッチング速度を変化させる方法や、負荷の大きさに応じてスイッチング素子のゲート抵抗を切替えてスイッチング素子の寿命を延ばす方法が提案されている。 Conventionally, for example, in an inverter circuit employing a power semiconductor switching element (IGBT, MOSFET, etc.) that controls current by gate charge amount, switching speed is changed by switching the magnitude of gate charge current only in a small current region. There has been proposed a method of switching the gate resistance of the switching element according to the method and the size of the load to extend the life of the switching element.
また、上記のように、スイッチング素子のスイッチング速度が早いほど、サージ電圧が大きくなることから、直流電源の電圧に応じてゲート充電電流の大きさを切替えることによりスイッチング速度を変化させる方法も提案されている。 Further, as described above, since the surge voltage increases as the switching speed of the switching element increases, a method of changing the switching speed by switching the magnitude of the gate charging current according to the voltage of the DC power supply is also proposed. ing.
先述のようなゲート充電電流を切替える手段を有するインバータの構成で、スイッチング素子にゲート駆動信号を伝達する経路に設けられたトランジスタや抵抗等に異常が発生した場合、正常動作を行うことができなくなり、インバータ回路の動作を停止させる必要があった。しかしながら、異常が発生した際に、正常動作に比べてパフォーマンスが低下してもインバータ回路およびその搭載機器の運転を継続可能とすることが望まれていた。 In the configuration of the inverter having the means for switching the gate charging current as described above, normal operation can not be performed if an abnormality occurs in a transistor or a resistor provided in a path for transmitting a gate drive signal to the switching element. , Had to stop the operation of the inverter circuit. However, when an abnormality occurs, it has been desired to be able to continue the operation of the inverter circuit and its mounted device even if the performance is lower than that of the normal operation.
本発明の実施形態は、上記事情を鑑みて成されたものであって、制御回路に異常が発生した際に、運転継続することが可能な電力変換装置および車両を提供することを目的とする。 An embodiment of the present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a power conversion device and a vehicle capable of continuing operation when an abnormality occurs in a control circuit. .
実施形態による電力変換装置は、複数のスイッチング素子を含むインバータ回路と、第1抵抗を介して前記スイッチング素子へゲート駆動信号を供給する第1ゲート駆動回路と、前記第1抵抗よりも低い第2抵抗を介して前記スイッチング素子へゲート駆動信号を供給する第2ゲート駆動回路と、外部からの出力指令と、直流負荷と前記インバータ回路との間に接続する直流ライン間の電圧と、前記インバータ回路と交流負荷との間に接続する交流ラインの電流との値を受信し、前記出力指令の値を実現するように前記スイッチング素子を切替えるPWM信号を生成して出力し、かつ、前記直流ライン間の電圧と前記交流ラインの電流との値に基づいて、前記第1ゲート駆動回路と前記第2ゲート駆動回路とのいずれか一方を選択する速度切替信号を生成して出力する制御部と、前記スイッチング素子の両端の電圧或いは前記スイッチング素子のゲート電圧に基づいて、前記速度切替信号に基づいて選択された前記第1ゲート駆動回路又は前記第2ゲート駆動回路の異常の有無を検出し、異常があると検出したときに、前記速度切替信号に基づいて選択されたゲート駆動回路から他方のゲート駆動回路へ前記PWM信号の出力先を切替えるゲート信号処理回路と、を備える。 A power conversion device according to an embodiment includes: an inverter circuit including a plurality of switching elements; a first gate driving circuit that supplies a gate driving signal to the switching elements via a first resistance; and a second lower than the first resistance. A second gate drive circuit for supplying a gate drive signal to the switching element through a resistor, an output command from the outside, a voltage between DC lines connected between a DC load and the inverter circuit, and the inverter circuit Receives the value of the current of the AC line connected between the switch and the AC load, generates and outputs a PWM signal for switching the switching element so as to realize the value of the output command, and between the DC lines Speed switching for selecting any one of the first gate drive circuit and the second gate drive circuit based on the value of the voltage of the AC line and the current of the AC line. A control unit for generating and outputting a signal based on said voltage or the gate voltage of the switching elements at both ends of the switching element, the said selected based on the speed switching signal first gate driving circuit or the second gate Gate signal processing for switching the output destination of the PWM signal from the gate drive circuit selected based on the speed switching signal to the other gate drive circuit when detecting the presence or absence of abnormality of the drive circuit and detecting that there is abnormality And a circuit.
以下、実施形態の電力変換装置および車両について、図面を参照して説明する。
図1は、第1実施形態の電力変換装置および車両の一構成例を説明するための図である。
Hereinafter, a power conversion device and a vehicle according to an embodiment will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a view for explaining one configuration example of the power conversion device and the vehicle of the first embodiment.
第1実施形態の車両は、電力変換装置と、直流電源BTと、交流負荷である電動機Mと、車軸を介して電動機Mの回転動力が伝達される車輪WL、WL、を備えている。
第1実施形態の電力変換装置は、インバータ回路INVと、制御回路CTRLと、電流検出部20と、平滑コンデンサCと、放電抵抗器Rと、を備えている。
The vehicle of the first embodiment includes a power conversion device, a DC power supply BT, an electric motor M which is an AC load, and wheels WL and WL to which rotational power of the electric motor M is transmitted via an axle.
The power conversion device according to the first embodiment includes an inverter circuit INV, a control circuit CTRL, a current detection unit 20, a smoothing capacitor C, and a discharge resistor R.
直流電源(直流負荷)BTは、例えばリチウムイオン電池、ニッケル水素電池等の蓄電池を含む。直流電源BTから出力した直流電力は、インバータ回路INVへ供給される。また、直流電源BTはインバータ回路INVを介して接続された交流負荷、例えば電動機Mが発電する電気エネルギーを充電する。 The DC power supply (DC load) BT includes, for example, a storage battery such as a lithium ion battery or a nickel hydrogen battery. The DC power output from the DC power supply BT is supplied to the inverter circuit INV. Further, the DC power supply BT charges an AC load connected via the inverter circuit INV, for example, electric energy generated by the motor M.
インバータ回路INVは、直流電源BTから供給された直流電力を3相交流電力に変換する3相インバータである。インバータ回路INVは、複数のスイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szを備えている。インバータ回路INVは、後述する制御回路CTRLからのゲート駆動信号に従って、複数のスイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szが開閉することにより、電動機Mへ3相交流電流を供給する。 The inverter circuit INV is a three-phase inverter that converts DC power supplied from the DC power supply BT into three-phase AC power. The inverter circuit INV includes a plurality of switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, and Sz. The inverter circuit INV supplies a three-phase alternating current to the motor M by opening and closing a plurality of switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz in accordance with a gate drive signal from a control circuit CTRL described later.
インバータ回路INVは、直流電源BTと電動機Mとの間に接続し、直流電源BTからの電流を供給する直流ラインLINK(H)、LINK(L)間に直列に接続した一対のスイッチング素子を備えた複数のスイッチ回路を備えている。U相のスイッチ回路はスイッチング素子Su、Sxを含み、V相のスイッチ回路はスイッチング素子Sv、Syを含み、W相のスイッチ回路はスイッチング素子Sw、Szを含む。各相のスイッチ回路は互いに並列に接続している。各相において、一対のスイッチング素子が直列に接続し、一対のスイッチング素子間において電動機Mに接続している。例えば、U相において、一対のスイッチング素子Su、Sxは直列に接続し、一対のスイッチング素子Su、Sxの直列接続点は電動機Mに接続している。スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szは、例えば、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ:Insulated Gate Bipolar Transistor)、FET(Field-Effect Transistor)、GTO(gate turn-off thyristor)、トランジスタなどの電気的に開閉制御することができる半導体スイッチである。 Inverter circuit INV is connected between DC power supply BT and motor M, and has a pair of switching elements connected in series between DC lines LINK (H) and LINK (L) supplying current from DC power supply BT. And a plurality of switch circuits. The U-phase switch circuit includes switching elements Su and Sx, the V-phase switch circuit includes switching elements Sv and Sy, and the W-phase switch circuit includes switching elements Sw and Sz. The switch circuits of each phase are connected in parallel with each other. In each phase, a pair of switching elements are connected in series and connected to the motor M between the pair of switching elements. For example, in the U-phase, the pair of switching elements Su and Sx are connected in series, and the series connection point of the pair of switching elements Su and Sx is connected to the motor M. The switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, and Sz are, for example, IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors), FETs (Field-Effect Transistors), GTOs (gate turn-off thyristors), transistors, etc. It is a semiconductor switch that can be electrically controlled to open and close.
平滑コンデンサCと放電抵抗器Rとは、高電位側の直流ラインLINK(H)と低電位側の直流ラインLINK(L)との間に接続し、直流電源BTとインバータ回路INVとの間において、複数のスイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Sz、および、直流電源BTと並列に接続している。平滑コンデンサCは、インバータ回路INVが運転することにより、直流ラインLINK(H)、LINK(L)の電圧が変動することを抑制する。平滑コンデンサCに蓄積された容量は、放電抵抗器Rに流れる電流により放電される。 The smoothing capacitor C and the discharge resistor R are connected between the high potential side DC line LINK (H) and the low potential side DC line LINK (L), and between the DC power supply BT and the inverter circuit INV. The plurality of switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, and a DC power supply BT are connected in parallel. The smoothing capacitor C suppresses the fluctuation of the voltage of the DC lines LINK (H) and LINK (L) by the operation of the inverter circuit INV. The capacitance stored in the smoothing capacitor C is discharged by the current flowing to the discharge resistor R.
インバータ回路INVと直流電源BTとは遮断手段(図示せず)により接続あるいは開放される。遮断手段は、直流ラインLINK(H)、LINK(L)それぞれに設けられている。遮断手段は、例えば上位制御装置からの制御信号に従って直流ラインLINK(H)、LINK(L)の開閉動作を行う手段であって、例えば電磁接触器である。インバータ回路INVと交流負荷との間には交流ラインが接続し、インバータ回路INVと交流負荷とは交流ラインを介して交流電流を互いに供給可能である。 The inverter circuit INV and the DC power supply BT are connected or disconnected by a blocking means (not shown). The blocking means is provided for each of the DC lines LINK (H) and LINK (L). The blocking means is, for example, a means for opening and closing the DC lines LINK (H) and LINK (L) according to a control signal from the host controller, and is, for example, an electromagnetic contactor. An alternating current line is connected between the inverter circuit INV and the alternating current load, and the inverter circuit INV and the alternating current load can mutually supply alternating current via the alternating current line.
電動機(交流負荷)Mは、インバータ回路INVから供給された電流によりトルクを発生する。電動機Mの出力軸には、負荷装置が接続されて発生したトルクが伝達される。また、電動機Mは、負荷装置の運動エネルギーを電力に変換して回生運転する。電動機Mの回生運転による電力はインバータ回路INVで直流電力へ変換されて、直流電源BTに充電される。本実施形態では、電動機Mの出力軸には、車軸が接続されて発生したトルクが車軸を介して車輪WLへ伝達される。また、電動機Mは、車軸を介して伝達された車輪WLの運動エネルギーを電力に変換して回生運転する。 The electric motor (AC load) M generates torque by the current supplied from the inverter circuit INV. A load device is connected to the output shaft of the motor M, and the generated torque is transmitted. In addition, the motor M converts kinetic energy of the load device into electric power and performs regenerative operation. The electric power generated by the regenerative operation of the motor M is converted into DC power by the inverter circuit INV, and the DC power supply BT is charged. In the present embodiment, an axle is connected to an output shaft of the motor M, and a torque generated is transmitted to the wheel WL via the axle. Further, the electric motor M converts the kinetic energy of the wheel WL transmitted via the axle into electric power and performs regenerative operation.
電流検出部20は、電流検出器22、24、26を備えている。電流検出器22は、U相の交流ラインに流れる電流を検出する。電流検出器24は、V相の交流ラインに流れる電流を検出する。電流検出器26は、W相の交流ラインに流れる電流を検出する。 The current detection unit 20 includes current detectors 22, 24, 26. The current detector 22 detects the current flowing in the U-phase AC line. The current detector 24 detects the current flowing in the V-phase AC line. The current detector 26 detects the current flowing in the W-phase AC line.
制御回路CTRLは、電圧検出部10と、制御部12と、ゲート信号処理回路14と、第1ゲート駆動回路16と、第2ゲート駆動回路18と、を備えている。
電圧検出部10は、直流ラインLINK(H)、LINK(L)間の電圧を検出して、制御部12へ供給する。
The control circuit CTRL includes a voltage detection unit 10, a control unit 12, a gate signal processing circuit 14, a first gate drive circuit 16, and a second gate drive circuit 18.
The voltage detection unit 10 detects a voltage between the DC lines LINK (H) and LINK (L) and supplies the voltage to the control unit 12.
制御部12は、例えばCPU(central processing unit)等の演算装置とメモリとを備えている。制御部12は、外部から入力される出力指令(図示せず)と、直流電源BTの電源電圧(直流ラインLINK(H)、LINK(L)間の電圧)と、交流ラインによりモータMに供給される各相の電流(相電流)と、予めメモリ(図示せず)に格納されたキャリア波とに基づいて、外部からの出力指令値を実現するようにスイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、SzのPWM信号を演算して出力する。PWM信号は、例えば、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szそれぞれに対して生成される。 The control unit 12 includes, for example, an arithmetic unit such as a CPU (central processing unit) and a memory. Control unit 12 supplies motor M with an output command (not shown) input from the outside, a power supply voltage of DC power supply BT (voltage between DC lines LINK (H), LINK (L)), and an AC line. Switching elements Su, Sx, Sv, and Sy so as to realize an output command value from the outside based on the current (phase current) of each phase to be output and the carrier wave stored in advance in the memory (not shown). , Sw, and Sz are calculated and output. The PWM signal is generated, for example, for each of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, and Sz.
制御部12は、各相のスイッチ回路の速度切替信号を出力する。なお、速度切替信号は、U相、V相、W相のスイッチ回路に共通の信号であってもよく、各相それぞれについて生成される信号であってもよい。速度切替信号は、後述する第1ゲート駆動回路16と第2ゲート駆動回路18との一方をゲート駆動回路として選択するための信号である。制御部12は、例えば、直流ラインLINK(H)、LINK(L)間の電圧値と、電動機Mへ出力する電流値(相電流)とに応じて、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szのゲート充電電流の大きさを切替えてスイッチング速度を変化させる速度切替信号を生成する。 The controller 12 outputs the speed switching signal of the switch circuit of each phase. The speed switching signal may be a signal common to the U-phase, V-phase, and W-phase switch circuits, or may be a signal generated for each phase. The speed switching signal is a signal for selecting one of a first gate drive circuit 16 and a second gate drive circuit 18 described later as a gate drive circuit. The control unit 12 selects the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, for example, according to the voltage value between the DC lines LINK (H) and LINK (L) and the current value (phase current) to be output to the motor M. A speed switching signal is generated which changes the switching speed by switching the magnitude of the gate charging current of Sw and Sz.
ゲート信号処理回路14は、制御部12からスイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szの動作を制御するためのPWM信号と、速度切替信号とを受信する。また、ゲート信号処理回路14は、速度切替信号に従って、第1ゲート駆動回路16と第2ゲート駆動回路18とのいずれか一方を選択し、PWM信号を出力する。 The gate signal processing circuit 14 receives, from the control unit 12, a PWM signal for controlling the operation of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, and Sz, and a speed switching signal. Further, the gate signal processing circuit 14 selects one of the first gate drive circuit 16 and the second gate drive circuit 18 according to the speed switching signal, and outputs a PWM signal.
ゲート信号処理回路14は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szの両端の電圧に基づいて第1ゲート駆動回路16又は第2ゲート駆動回路18の異常を検出したときに、速度切替信号に基づいて選択されたゲート駆動回路から他方のゲート駆動回路へPWM信号の出力先を切替える。例えば、ゲート信号処理回路14は、第1ゲート駆動回路16又は第2ゲート駆動回路18に異常を検出したときに、速度切替信号を異なる値とする。すなわち、速度切替信号に基づいて第1ゲート駆動回路16が選択されているときに、第1ゲート駆動回路16に異常を検出したときには、ゲート信号処理回路14は、第2ゲート駆動回路18へPWM信号が出力されるように切替える(例えば、速度切替信号を第2ゲート駆動回路18を選択する値とする)。速度切替信号に基づいて第2ゲート駆動回路18が選択されているときに、第2ゲート駆動回路18に異常を検出したときには、ゲート信号処理回路14は、第1ゲート駆動回路16へPWM信号が出力されるように切替える(例えば、速度切替信号を第1ゲート駆動回路16を選択する値とする)。 When the gate signal processing circuit 14 detects an abnormality in the first gate drive circuit 16 or the second gate drive circuit 18 based on the voltages at both ends of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, the speed switching is performed. The output destination of the PWM signal is switched from the gate drive circuit selected based on the signal to the other gate drive circuit. For example, when an abnormality is detected in the first gate drive circuit 16 or the second gate drive circuit 18, the gate signal processing circuit 14 sets the speed switching signal to a different value. That is, when an abnormality is detected in the first gate drive circuit 16 while the first gate drive circuit 16 is selected based on the speed switching signal, the gate signal processing circuit 14 performs PWM to the second gate drive circuit 18. It switches so that a signal is output (for example, let a speed switching signal be a value which selects the 2nd gate drive circuit 18). When an abnormality is detected in the second gate drive circuit 18 when the second gate drive circuit 18 is selected based on the speed switching signal, the gate signal processing circuit 14 outputs a PWM signal to the first gate drive circuit 16. The output is switched (for example, the speed switching signal is set to a value for selecting the first gate drive circuit 16).
また、ゲート信号処理回路14は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szにゲート信号を伝達する経路に設けられたトランジスタや抵抗等の異常を検出した際に、速度切替信号に基づいて選択されたゲート駆動回路から他方のゲート駆動回路へ切替える(例えば、速度切替信号を異なる値とする)。 In addition, the gate signal processing circuit 14 detects a fault such as a transistor or a resistor provided in a path for transmitting a gate signal to the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz based on the speed switching signal. The selected gate drive circuit is switched to the other gate drive circuit (for example, the speed switch signal has a different value).
第1ゲート駆動回路16および第2ゲート駆動回路18は、ゲート信号処理回路14から受信したPWM信号に応じて、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szへゲート駆動信号を印加する。 The first gate drive circuit 16 and the second gate drive circuit 18 apply gate drive signals to the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, and Sz in accordance with the PWM signal received from the gate signal processing circuit 14.
図2は、図1に示す第1ゲート駆動回路および第2ゲート駆動回路の一構成例を概略的に示す図である。なお、ここでは、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szの1つを駆動する回路を示し、他の回路を省略している。図2に示す第1ゲート駆動回路16および第2ゲート駆動回路18は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szの夫々のゲートの前段に設けられている。 FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration example of the first gate drive circuit and the second gate drive circuit shown in FIG. Here, a circuit for driving one of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, and Sz is shown, and the other circuits are omitted. The first gate drive circuit 16 and the second gate drive circuit 18 shown in FIG. 2 are provided in front of respective gates of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw and Sz.
ゲート信号処理回路14には、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szの両端の電圧Vceが入力される。ゲート信号処理回路14は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szの両端の電圧Vceを監視し、ゲート駆動信号の状態と一致しなければ回路に異常を検出する。すなわち、正常な状態であれば、ゲート駆動信号がハイレベル(オン)であるときには電圧Vceは低くなり、ゲート駆動信号がローレベル(オフ)であるときには電圧Vceは高くなる。 The voltage Vce across the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, and Sz is input to the gate signal processing circuit 14. The gate signal processing circuit 14 monitors the voltage Vce across the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, and Sz, and detects an abnormality in the circuit if it does not match the state of the gate drive signal. That is, in the normal state, the voltage Vce is low when the gate drive signal is high (on), and the voltage Vce is high when the gate drive is low (off).
例えば、ゲート信号処理回路14は、ゲート駆動信号がローレベルのときに電圧Vceが所定の値(第1閾値)より低いときと、ゲート駆動信号がハイレベルのときに電圧Vceが所定の値(第2閾値)より高いときと、の少なくとも一方であるときに、回路の異常を検出する。また、ゲート信号処理回路14は、例えば、ゲート駆動信号がハイレベルの時に電圧Vceが所定の範囲に含まれていないときと、ゲート駆動信号がローレベルの時に電圧Vceが所定の範囲に含まれていないときと、の少なくとも一方であるときに、回路に異常を検出してもよい。 For example, in the gate signal processing circuit 14, when the gate drive signal is at low level and the voltage Vce is lower than a predetermined value (first threshold), when the gate drive signal is at high level, the voltage Vce is at a predetermined value ( A circuit abnormality is detected when at least one of the second threshold value and the second threshold value). Also, for example, when the gate drive signal is high, the gate signal processing circuit 14 includes the voltage Vce within a predetermined range when the voltage Vce is not included in the predetermined range and when the gate drive signal is low. An abnormality may be detected in the circuit when at least one of the above and the other.
第1ゲート駆動回路16は、トランジスタS1、S2と、抵抗器R1、R2、R3とを有している。
トランジスタS1のエミッタとトランジスタS2のエミッタとは、抵抗器R1、R3を介して接続している。トランジスタS1およびトランジスタS2のゲートは、ゲート信号処理回路14のPWM信号の出力端子の一方と電気的に接続している。トランジスタS1のコレクタはハイレベル電圧に接続され、トランジスタS2のコレクタはローレベル電圧に接続されている。抵抗器R2は、抵抗器R1、R3間とスイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szのゲートとの間に直列に接続している。
The first gate drive circuit 16 includes transistors S1 and S2 and resistors R1, R2 and R3.
The emitter of the transistor S1 and the emitter of the transistor S2 are connected via resistors R1 and R3. The gates of the transistor S1 and the transistor S2 are electrically connected to one of the output terminals of the PWM signal of the gate signal processing circuit 14. The collector of the transistor S1 is connected to the high level voltage, and the collector of the transistor S2 is connected to the low level voltage. The resistor R2 is connected in series between the resistors R1 and R3 and between the gates of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw and Sz.
トランジスタS1とトランジスタS2とは互いに極性が逆となっている。トランジスタS1とトランジスタS2とのゲートには共通のPWM信号が印加される。したがって、トランジスタS1が導通するタイミングでトランジスタS2は非導通状態となり、トランジスタS2が導通するタイミングでトランジスタS1は非導通状態となる。 The transistor S1 and the transistor S2 have opposite polarities. A common PWM signal is applied to the gates of the transistors S1 and S2. Therefore, the transistor S2 becomes nonconductive at the timing when the transistor S1 becomes conductive, and the transistor S1 becomes nonconductive at the timing when the transistor S2 becomes conductive.
例えば低速のスイッチング速度とする速度切替信号がゲート信号処理回路14へ入力されているとき、第1ゲート駆動回路16が動作し、第1ゲート駆動回路16からスイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szを低速で切替えるゲート駆動信号が出力される。PWM信号に従ってトランジスタS1が導通しているときに、第1ゲート駆動回路16によりスイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szのゲートにハイレベルのゲート駆動信号が印加され、トランジスタS2が導通しているときに、第1ゲート駆動回路16によりスイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szのゲートにローレベルのゲート駆動信号が印加される。 For example, when a speed switching signal to make a low switching speed is input to the gate signal processing circuit 14, the first gate drive circuit 16 operates, and the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, etc. from the first gate drive circuit 16 operate. A gate drive signal that switches Sw and Sz at low speed is output. When the transistor S1 conducts according to the PWM signal, a high level gate drive signal is applied to the gates of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw and Sz by the first gate drive circuit 16, and the transistor S2 conducts. During this time, a low level gate drive signal is applied to the gates of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw and Sz by the first gate drive circuit 16.
第2ゲート駆動回路18は、トランジスタS3、S4と、抵抗器R4、R5、R6とを有している。第1ゲート駆動回路16の抵抗器R1、R2、R3と、第2ゲート駆動回路18の抵抗器R4、R5、R6とは抵抗値が異なっており、他の構成は第1ゲート駆動回路16と同様である。トランジスタS3およびトランジスタS4のゲートは、ゲート信号処理回路14のPWM信号出力端子の他方と電気的に接続している。トランジスタS3のコレクタはハイレベル電圧に接続され、トランジスタS4のコレクタはローレベル電圧に接続されている。 The second gate drive circuit 18 includes transistors S3 and S4 and resistors R4, R5 and R6. The resistors R1, R2, R3 of the first gate drive circuit 16 and the resistors R4, R5, R6 of the second gate drive circuit 18 have different resistance values, and the other configurations are the first gate drive circuit 16 and It is similar. The gates of the transistor S3 and the transistor S4 are electrically connected to the other of the PWM signal output terminals of the gate signal processing circuit 14. The collector of the transistor S3 is connected to the high level voltage, and the collector of the transistor S4 is connected to the low level voltage.
例えば高速のスイッチング速度とする速度切替信号がゲート信号処理回路14へ入力されているとき、第2ゲート駆動回路18が動作し、第2ゲート駆動回路18からスイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szを高速で切替えるゲート駆動信号が出力される。PWM信号に従ってトランジスタS3が導通しているときに、第2ゲート駆動回路18は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szのゲートにハイレベルのゲート駆動信号が印加し、トランジスタS4が導通しているときに、第2ゲート駆動回路18は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szのゲートにローレベルのゲート駆動信号が印加する。 For example, when a speed switching signal for high-speed switching is input to the gate signal processing circuit 14, the second gate drive circuit 18 operates, and from the second gate drive circuit 18, the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, A gate drive signal that switches Sw and Sz at high speed is output. When the transistor S3 conducts according to the PWM signal, the second gate drive circuit 18 applies a high level gate drive signal to the gates of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, and the transistor S4 When conducting, the second gate drive circuit 18 applies a low level gate drive signal to the gates of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw and Sz.
第1ゲート駆動回路16の抵抗器R1、R2、R3は、第2ゲート駆動回路18の抵抗器R4、R5、R6よりも、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szのゲート抵抗が高くなるように設定されている。したがって、第1ゲート駆動回路16によりスイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szのゲートへ駆動信号が印加されるときには、ゲート充電電流が小さくなりスイッチング速度が遅くなる。また、第2ゲート駆動回路18によりスイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szのゲートへ駆動信号が印加されるときには、ゲート充電電流が大きくなりスイッチング速度が速くなる。 The resistors R1, R2 and R3 of the first gate drive circuit 16 have gate resistances of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw and Sz more than the resistors R4, R5 and R6 of the second gate drive circuit 18. It is set to be high. Therefore, when a drive signal is applied to the gates of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw and Sz by the first gate drive circuit 16, the gate charging current is reduced and the switching speed is reduced. When a drive signal is applied to the gates of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, and Sz by the second gate drive circuit 18, the gate charging current is increased and the switching speed is increased.
図3は、図1に示す第1ゲート駆動回路および第2ゲート駆動回路の他の構成例を概略的に示す図である。なお、図2に示す回路と同様に、図3に示す第1ゲート駆動回路16および第2ゲート駆動回路18は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szの夫々のゲートの前段に設けられている。 FIG. 3 is a diagram schematically showing another configuration example of the first gate drive circuit and the second gate drive circuit shown in FIG. Similar to the circuit shown in FIG. 2, the first gate drive circuit 16 and the second gate drive circuit 18 shown in FIG. 3 are provided in front of the respective gates of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw and Sz. It is provided.
この回路では、ゲート信号処理回路14が回路の異常を検出する構成が図2と異なっている。
ゲート信号処理回路14には、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szのゲート電圧が入力されている。ゲート信号処理回路14は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szのゲート電圧を監視し、ゲート駆動信号の状態と一致しなければ回路の異常を検出する。すなわち、正常な状態であれば、ゲート駆動信号がハイレベル(オン)であるときにはゲート電圧はハイレベル(オン)であり、ゲート駆動信号がローレベル(オフ)であるときにはゲート電圧はローレベル(オフ)である。
In this circuit, the configuration in which the gate signal processing circuit 14 detects an abnormality in the circuit is different from that in FIG.
The gate voltage of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, and Sz is input to the gate signal processing circuit 14. The gate signal processing circuit 14 monitors the gate voltage of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, and Sz, and detects an abnormality of the circuit if it does not match the state of the gate drive signal. That is, in a normal state, when the gate drive signal is high (on), the gate voltage is high (on), and when the gate drive is low (off), the gate voltage is low ( It is off.
例えば、ゲート信号処理回路14は、ゲート駆動信号がハイレベルのときにゲート電圧が所定の値(第3閾値)より低いときと、ゲート駆動信号がローレベルのときにゲート電圧が所定の値(第4閾値)より高いときと、の少なくとも一方であるときに回路の異常を検出する。また、ゲート信号処理回路14は、例えば、ゲート駆動信号がハイレベルの時にゲート電圧が所定の範囲に含まれていないときと、ゲート駆動信号がローレベルの時にゲート電圧が所定の範囲に含まれていないときと、の少なくとも一方であるときに、回路の異常を検出してもよい。
なお、ゲート信号処理回路14は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szの両端の電圧Vceとゲート電圧との両方を監視して、両方の電圧に基づいて異常を検出しても構わない。
For example, in the gate signal processing circuit 14, when the gate drive signal is high level and the gate voltage is lower than a predetermined value (third threshold), and when the gate drive signal is low level, the gate voltage is The circuit abnormality is detected when at least one of the fourth threshold value and the threshold value). Also, for example, when the gate drive signal is high, the gate signal processing circuit 14 includes the gate voltage within a predetermined range when the gate voltage is not included in the predetermined range, and when the gate drive signal is low. The circuit abnormality may be detected when at least one of the above and the other.
The gate signal processing circuit 14 monitors both the voltage Vce at both ends of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, and Sz and the gate voltage, and detects an abnormality based on both voltages. I do not care.
図4は、図1乃至図3に示す制御部およびゲート信号処理回路の動作の一例を説明するためのフローチャートである。
ゲート信号処理回路14は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szの両端の電圧Vce或いはゲート電圧を監視し、回路に異常を検出する。(ステップSA1)
FIG. 4 is a flowchart for explaining an example of the operation of the control unit and the gate signal processing circuit shown in FIGS. 1 to 3.
The gate signal processing circuit 14 monitors the voltage Vce or gate voltage at both ends of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, and detects an abnormality in the circuit. (Step SA1)
ゲート信号処理回路14は、ステップSA1で異常を検出したときに、制御部12から受信した速度切替信号に基づいて、現在、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szのゲート抵抗が高い状態か、低い状態かを検出する。(ステップSA2) When the gate signal processing circuit 14 detects an abnormality in step SA1, the gate resistance of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz is currently high based on the speed switching signal received from the control unit 12 Detects the status or low status. (Step SA2)
ゲート抵抗が低い状態であるとき、ゲート信号処理回路14は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szへゲート駆動信号を供給する回路を第2ゲート駆動回路18から第1ゲート駆動回路16に切替え、ゲート抵抗を高くする。(ステップSA3) When the gate resistance is low, the gate signal processing circuit 14 supplies a gate drive signal to the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw and Sz from the second gate drive circuit 18 to the first gate drive circuit. Switch to 16 to increase the gate resistance. (Step SA3)
ゲート抵抗が高い状態であるとき、ゲート信号処理回路14は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szへゲート駆動信号を供給する回路を第1ゲート駆動回路16から第2ゲート駆動回路18に切替え、ゲート抵抗を低くする。 When the gate resistance is high, the gate signal processing circuit 14 supplies a gate drive signal to the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, and Sz from the first gate drive circuit 16 to the second gate drive circuit. Switch to 18 to lower the gate resistance.
このとき、ゲート信号処理回路14は、電動機Mの回生動作を制限又は回生動作を禁止する指令を制御部12へ通知する。通常、車両が減速(モータ減速)するとエネルギーがインバータINV側に戻り、直流ラインLINK(H)、LINK(L)間の電圧が上昇する(回生動作)。ゲート抵抗が低い状態に固定された状態で回生動作を行い、直流電圧が上昇すると、ゲート抵抗が高い状態への切替が出来ないため、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szが破壊する恐れがある。したがって、制御部12は、ゲート信号処理回路14から回生動作を制限する指令を受けると、電動機Mの出力トルクが負とならないようにPWM信号を生成する。このように回生動作を制限又は回生動作を禁止することにより、直流電圧の上昇を抑制し、スイッチング素子の破壊を回避することができる。(ステップSA4) At this time, the gate signal processing circuit 14 notifies the control unit 12 of a command for limiting the regeneration operation of the motor M or inhibiting the regeneration operation. Normally, when the vehicle decelerates (motor deceleration), energy returns to the inverter INV side, and the voltage between the DC lines LINK (H) and LINK (L) rises (regeneration operation). The regenerative operation is performed in a state where the gate resistance is fixed low, and if the DC voltage rises, switching to a state where the gate resistance is high can not be performed, so the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz are broken. There is a risk of Therefore, when the control unit 12 receives a command to limit the regenerative operation from the gate signal processing circuit 14, the control unit 12 generates a PWM signal so that the output torque of the motor M does not become negative. As described above, by limiting the regeneration operation or prohibiting the regeneration operation, it is possible to suppress the rise of the DC voltage and to avoid the destruction of the switching element. (Step SA4)
なお、本実施形態において、例えば、制御部12は、通常使用での上限となるバッテリ残量における開放電圧値Vmax以上であるときに低速のスイッチング速度(ゲート抵抗高)となるように速度切替信号を生成する。このときにゲート抵抗が高い第1ゲート駆動回路16が故障した場合、前述のように回生動作を制限してもよく、上述の開放電圧値Vmaxを上限として回生動作を禁止するよう回生量を調整しても良い。 In the present embodiment, for example, the control unit 12 sets a speed switching signal so as to attain a low switching speed (high gate resistance) when the open battery voltage Vmax or more in the remaining battery amount at the upper limit in normal use. Generate At this time, if the first gate drive circuit 16 having a high gate resistance breaks down, the regeneration operation may be limited as described above, and the regeneration amount is adjusted to prohibit the regeneration operation with the open voltage value Vmax as the upper limit. You may.
続いて、ゲート信号処理回路14は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szの両端の電圧Vce或いはゲート電圧を監視し、回路に異常を検出する。(ステップSA5) Subsequently, the gate signal processing circuit 14 monitors the voltage Vce or the gate voltage at both ends of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, and detects an abnormality in the circuit. (Step SA5)
ゲート信号処理回路14は、ステップSA5で異常が検出されないとき、ステップSA3又はステップSA4で切替えた速度切替信号にてインバータ回路INVの運転を継続する。ここで、ゲート信号処理回路14は、制御部12から送信される速度切替信号に関わらず、切替えた後のゲート駆動回路へPWM信号を出力するように運転を継続する。ゲート信号処理回路14は、切替えた後のゲート駆動回路が選択されるように、速度切替信号の値を固定して運転を継続してもよい。このとき、ゲート信号処理回路14は、回路に異常がある旨のアラームを制御部12へ通知する。アラームを受けた制御部12は、例えば、上位制御装置(図示せず)へ回路に異常があることを通知する。(ステップSA6) When the abnormality is not detected in step SA5, the gate signal processing circuit 14 continues the operation of the inverter circuit INV by the speed switching signal switched in step SA3 or step SA4. Here, the gate signal processing circuit 14 continues the operation so as to output the PWM signal to the gate drive circuit after switching regardless of the speed switching signal transmitted from the control unit 12. The gate signal processing circuit 14 may continue the operation by fixing the value of the speed switching signal so that the gate driving circuit after switching is selected. At this time, the gate signal processing circuit 14 notifies the control unit 12 of an alarm that there is an abnormality in the circuit. The control unit 12 having received the alarm notifies, for example, the host control device (not shown) that there is an abnormality in the circuit. (Step SA6)
ゲート信号処理回路14は、ステップSA5で異常が検出されたときに、インバータ回路INVの運転を停止する指令を制御部12へ通知する。制御部12は、インバータ回路INVの運転を停止する指令を受信すると、全てのスイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szを開いてインバータ回路INVの動作を停止させる。(ステップSA7) When an abnormality is detected in step SA5, the gate signal processing circuit 14 notifies the control unit 12 of an instruction to stop the operation of the inverter circuit INV. When the control unit 12 receives a command to stop the operation of the inverter circuit INV, the control unit 12 opens all the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, and Sz to stop the operation of the inverter circuit INV. (Step SA7)
上記のように、本実施形態の電力変換装置および車両では、ゲート駆動信号を伝達するライン上のトランジスタや抵抗等に異常が発生したときに、ゲート駆動信号を出力するゲート駆動回路をもう一方へ切り替えることで、インバータ回路INVの運転を停止させることなく、運転を継続することが可能となる。
すなわち、本実施形態によれば、制御回路に異常が発生した際に、運転継続することが可能な電力変換装置および車両を提供することができる。
As described above, in the power conversion device and the vehicle according to the present embodiment, when an abnormality occurs in a transistor, a resistor, or the like on a line that transmits a gate drive signal, the gate drive circuit that outputs the gate drive signal to the other By switching, it is possible to continue the operation without stopping the operation of the inverter circuit INV.
That is, according to the present embodiment, it is possible to provide the power conversion device and the vehicle capable of continuing the operation when an abnormality occurs in the control circuit.
次に、第2実施形態の電力変換装置および車両について図面を参照して説明する。
図5は、第2実施形態の電力変換装置および車両の一構成例を説明するための図である。本実施形態の電力変換装置は、昇圧回路BSTを更に備えている点が上述の第1実施形態と異なっている。
Next, a power converter and a vehicle according to a second embodiment will be described with reference to the drawings.
FIG. 5 is a view for explaining one configuration example of the power conversion device and the vehicle of the second embodiment. The power conversion device of the present embodiment is different from the above-described first embodiment in that the power conversion device further includes a booster circuit BST.
昇圧器BSTは、直流電源BTとインバータINVとの間に接続され、電源電圧BTより大きい電圧値を直流リンクLINK(H)、LINK(L)に出力する。昇圧器BSTは双方向にエネルギーを伝達することができるため、インバータ回路INVが回生したエネルギーを直流電源BTに充電することができる。 The booster BST is connected between the DC power supply BT and the inverter INV, and outputs a voltage value larger than the power supply voltage BT to the DC links LINK (H) and LINK (L). Since the booster BST can transmit energy bidirectionally, the energy regenerated by the inverter circuit INV can be charged to the DC power supply BT.
昇圧回路BSTは、入力コンデンサCINと、昇圧リアクトルLと、スイッチング素子SA、SBと、を備えている。
スイッチング素子SA、SBは、例えば、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ:Insulated Gate Bipolar Transistor)、FET(Field-Effect Transistor)、GTO(gate turn-off thyristor)、トランジスタなどの電気的に開閉制御することができる半導体スイッチである。
The booster circuit BST includes an input capacitor CIN, a booster reactor L, and switching elements SA and SB.
The switching elements SA and SB may be controlled to open and close electrically, for example, IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors), FETs (Field-Effect Transistors), GTOs (gate turn-off thyristors), transistors, etc. Semiconductor switch.
スイッチング素子SAとスイッチング素子SBとは互いに直列に接続している。また、スイッチング素子SAとスイッチング素子SBとは、インバータINVの複数のスイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Szと並列に接続している。スイッチング素子SAとスイッチング素子SBとの接続ラインは、昇圧リアクトルLを介して直流電源BTの正極と電気的に接続している。入力コンデンサCINは、直流電源BTと並列に接続している。 The switching element SA and the switching element SB are connected in series with each other. The switching element SA and the switching element SB are connected in parallel with the plurality of switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz of the inverter INV. The connection line between the switching element SA and the switching element SB is electrically connected to the positive electrode of the DC power supply BT via the boost reactor L. The input capacitor CIN is connected in parallel to the DC power supply BT.
制御回路CTRLは、入力コンデンサCINの両端の電圧を検出する電圧検出部11と、スイッチング素子SA、SBへゲート駆動信号を出力する第1ゲート駆動回路16、第2ゲート駆動回路18と、を更に備えている。 The control circuit CTRL further includes a voltage detection unit 11 that detects a voltage across the input capacitor CIN, and a first gate drive circuit 16 and a second gate drive circuit 18 that output gate drive signals to the switching elements SA and SB. Have.
制御部12は、外部から入力される出力指令(図示せず)と、入力コンデンサCINの両端の電圧と、インバータ回路INVの直流ラインLINK(H)、LINK(L)間の電圧と、交流ラインによりモータMに供給される各相の電流(相電流)と、予めメモリ(図示せず)に格納されたキャリア波とに基づいて、所望の出力値を実現するようにPWM信号を演算して出力する。PWM信号は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Sz、SA、SBそれぞれに対して生成される。 Control unit 12 receives an externally input output command (not shown), a voltage between both ends of input capacitor CIN, a voltage between DC lines LINK (H) and LINK (L) of inverter circuit INV, and an AC line The PWM signal is calculated so as to achieve a desired output value based on the current (phase current) of each phase supplied to the motor M by this and the carrier wave stored in advance in the memory (not shown). Output. The PWM signal is generated for each of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, SA, and SB.
制御部12は、各相のスイッチ回路について、速度切替信号を出力する。なお、速度切替信号は、U相、V相、W相のスイッチ回路に共通の信号であってもよく、各相それぞれについて生成される信号であってもよい。制御部12は、例えば、直流ラインLINK(H)、LINK(L)間の電圧値と、モータMへ出力する電流値(相電流)とに応じてスイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Sz、SA、SBのゲート充電電流の大きさを切替えてスイッチング速度を変化させる速度切替信号を生成する。 The control unit 12 outputs a speed switching signal for the switch circuit of each phase. The speed switching signal may be a signal common to the U-phase, V-phase, and W-phase switch circuits, or may be a signal generated for each phase. For example, control unit 12 selects switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw according to the voltage value between DC lines LINK (H), LINK (L) and the current value (phase current) output to motor M. , Sz, SA, SB by switching the magnitude of the gate charging current to generate a speed switching signal for changing the switching speed.
本実施形態の電力変換装置および車両において、ゲート信号処理回路14、第1ゲート駆動回路16、および、第2ゲート駆動回路18は、図2および図3を用いて説明した構成と同様である。 In the power conversion device and the vehicle of the present embodiment, the gate signal processing circuit 14, the first gate drive circuit 16, and the second gate drive circuit 18 have the same configurations as those described with reference to FIGS.
図6は、第2実施形態の電力変換装置および車両における制御部およびゲート信号処理回路の動作の一例を説明するためのフローチャートである。
ゲート信号処理回路14は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Sz、SA、SBの両端の電圧Vce或いはゲート電圧を監視し、回路の異常を検出する。(ステップSB1)
FIG. 6 is a flowchart for explaining an example of the operation of the control unit and the gate signal processing circuit in the power conversion device and the vehicle of the second embodiment.
The gate signal processing circuit 14 monitors the voltage Vce or gate voltage at both ends of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, SA, and SB, and detects an abnormality of the circuit. (Step SB1)
ゲート信号処理回路14は、ステップSB1で異常を検出したときに、制御部12から受信した速度切替信号に基づいて、現在、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Sz、SA、SBのゲート抵抗が高い状態か、低い状態かを検出する。(ステップSB2)
ゲート抵抗が低い状態であるとき、ゲート信号処理回路14は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Sz、SA、SBへゲート駆動信号を供給する回路を第2ゲート駆動回路18から第1ゲート駆動回路16に切替え、ゲート抵抗を高くする。(ステップSB3)
When the gate signal processing circuit 14 detects an abnormality in step SB1, the gate signal processing circuit 14 detects the abnormality of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, SA, and SB based on the speed switching signal received from the control unit 12. It detects whether the gate resistance is high or low. (Step SB2)
When the gate resistance is in a low state, the gate signal processing circuit 14 supplies a gate drive signal to the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, SA, and SB from the second gate drive circuit 18. It switches to the 1 gate drive circuit 16 and makes gate resistance high. (Step SB3)
ゲート抵抗が高い状態であるとき、ゲート信号処理回路14は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Sz、SA、SBへゲート駆動信号を供給する回路を第1ゲート駆動回路16から第2ゲート駆動回路18に切替え、ゲート抵抗を低くする。 When the gate resistance is high, the gate signal processing circuit 14 is a circuit for supplying a gate drive signal to the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, SA, and SB from the first gate drive circuit 16. It switches to the 2 gate drive circuit 18, and makes gate resistance low.
ここで、ゲート抵抗が高い状態からゲート抵抗が低い状態へ切り替えると、ゲートの充電電流の変化が大きくなるため直流ラインLINK(H)、LINK(L)に生じるサージ電圧が大きくなる。このときに主電源電圧を高くすると、直流ラインLINK(H)、LINK(L)間の電圧がスイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Sz、SA、SBの耐電圧を超過して、故障の原因となる。そこで、本実施形態では、ゲート抵抗が高い状態からゲート抵抗が低い状態へ切り替えるときに、ゲート信号処理回路14は昇圧回路BSTの昇圧動作を停止若しくは昇圧後の電圧を制限して、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Sz、SA、SBの故障を回避する。(ステップSB4) Here, when the gate resistance is switched from a high gate resistance state to a low gate resistance state, the change in charging current of the gate becomes large, and the surge voltage generated in the DC lines LINK (H) and LINK (L) becomes large. At this time, if the main power supply voltage is increased, the voltage between the DC lines LINK (H) and LINK (L) exceeds the withstand voltage of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, SA, and SB, It causes trouble. Therefore, in the present embodiment, when switching from a state where the gate resistance is high to a state where the gate resistance is low, the gate signal processing circuit 14 stops the boosting operation of the boosting circuit BST or limits the voltage after boosting to switch the switching element Su. , Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, SA, SB are avoided. (Step SB4)
続いて、ゲート信号処理回路14は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Sz、SA、SBの両端の電圧Vce或いはゲート電圧を監視し、回路の異常を検出する。(ステップSB5)
ゲート信号処理回路14は、ステップSB5で異常がないとき、ステップSB3又はステップSB4で切替えた速度切替信号にてインバータ回路INVの運転を継続する。ここで、ゲート信号処理回路14は、制御部12から送信される速度切替信号に関わらず、切替えた後のゲート駆動回路へPWM信号を出力するように運転を継続する。ゲート信号処理回路14は、切替えた後のゲート駆動回路が選択されるように、速度切替信号の値を固定して運転を継続してもよい。このとき、ゲート信号処理回路14は、回路に異常がある旨のアラームを制御部12へ通知する。アラームを受けた制御部12は、例えば、上位制御装置(図示せず)へ回路に異常があることを通知する。(ステップSB6)
Subsequently, the gate signal processing circuit 14 monitors the voltage Vce or the gate voltage at both ends of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, SA, and SB, and detects an abnormality of the circuit. (Step SB5)
When there is no abnormality at step SB5, the gate signal processing circuit 14 continues the operation of the inverter circuit INV by the speed switching signal switched at step SB3 or step SB4. Here, the gate signal processing circuit 14 continues the operation so as to output the PWM signal to the gate drive circuit after switching regardless of the speed switching signal transmitted from the control unit 12. The gate signal processing circuit 14 may continue the operation by fixing the value of the speed switching signal so that the gate driving circuit after switching is selected. At this time, the gate signal processing circuit 14 notifies the control unit 12 of an alarm that there is an abnormality in the circuit. The control unit 12 having received the alarm notifies, for example, the host control device (not shown) that there is an abnormality in the circuit. (Step SB6)
ゲート信号処理回路14は、ステップSB5で異常があるときに、インバータ回路INVの運転を停止する指令を制御部12へ通知する。制御部12は、インバータ回路INVの運転を停止する指令を受信すると、全てのスイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Sz、SA、SBを開いてインバータ回路INVの動作を停止させる。(ステップSB7) The gate signal processing circuit 14 notifies the control unit 12 of an instruction to stop the operation of the inverter circuit INV when there is an abnormality in step SB5. When receiving the command to stop the operation of the inverter circuit INV, the control unit 12 opens all the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, SA, and SB to stop the operation of the inverter circuit INV. (Step SB7)
上記のように、本実施形態の電力変換装置および車両では、ゲート駆動信号を伝達するライン上のトランジスタや抵抗等に異常が発生したときに、ゲート駆動信号を出力するゲート駆動回路をもう一方へ切り替えることで、インバータ回路INVの運転を停止させることなく、運転を継続することが可能となる。
すなわち、本実施形態によれば、制御回路に異常が発生した際に、運転継続することが可能な電力変換装置および車両を提供することができる。
As described above, in the power conversion device and the vehicle according to the present embodiment, when an abnormality occurs in a transistor, a resistor, or the like on a line that transmits a gate drive signal, the gate drive circuit that outputs the gate drive signal to the other By switching, it is possible to continue the operation without stopping the operation of the inverter circuit INV.
That is, according to the present embodiment, it is possible to provide the power conversion device and the vehicle capable of continuing the operation when an abnormality occurs in the control circuit.
次に、第3実施形態の電力変換装置および車両について図面を参照して説明する。
本実施形態の電力変換装置および車両は、昇圧器を含む構成と含まない構成とのいずれにも適用可能であり、上述の第1実施形態および第2実施形態の電力変換装置および車両と同様の構成については同一の符号を付して説明する。本実施形態では、制御部12が、電流検出部20で検出したインバータ回路INVの出力電流を1周期間積分し、その値がゼロか否かにより、異常の有無を検出する異常検出手段(図示せず)を備えている。
Next, a power conversion device and a vehicle according to a third embodiment will be described with reference to the drawings.
The power conversion device and the vehicle according to the present embodiment are applicable to both the configuration including the booster and the configuration not including the booster, and are similar to the power conversion device and the vehicle according to the first and second embodiments described above. The configuration will be described with the same reference numerals. In the present embodiment, the control unit 12 integrates the output current of the inverter circuit INV detected by the current detection unit 20 for one cycle, and detects whether there is an abnormality or not by whether the value is zero or not. Not shown).
制御回路CTRLからインバータ回路INVへ出力されるゲート駆動信号が、外部からの出力指令を実現するものであれば、インバータ回路INVの出力電流を1周期間積分した値はゼロとなる。この積分値がゼロとならないときには、制御回路CTRLの出力指令値を受信してゲート駆動信号を出力するまでの経路、もしくは、インバータ回路INVに異常がある可能性がある。 If the gate drive signal output from the control circuit CTRL to the inverter circuit INV realizes an output command from the outside, a value obtained by integrating the output current of the inverter circuit INV for one cycle is zero. When the integrated value does not become zero, there is a possibility that there is an abnormality in the path until the output command value of the control circuit CTRL is received and the gate drive signal is output, or in the inverter circuit INV.
制御部12の異常検出手段は、異常があると検出したときに、現在、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Sz、SA、SBのゲート抵抗が高い状態か、低い状態かを検出する。
ゲート抵抗が低い状態であるとき、制御部12の異常検出手段は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Sz、SA、SBへゲート駆動信号を供給する回路を第2ゲート駆動回路18から第1ゲート駆動回路16に切替え、ゲート抵抗を高くする。
The abnormality detection means of the control unit 12 detects whether the gate resistance of the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, SA, SB is high or low when it detects that there is an abnormality. Do.
When the gate resistance is in a low state, the abnormality detection unit of the control unit 12 generates a second gate drive circuit 18 for supplying a gate drive signal to the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, SA, and SB. To the first gate drive circuit 16 to increase the gate resistance.
ゲート抵抗が高い状態であるとき、制御部12の異常検出手段は、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Sz、SA、SBへゲート駆動信号を供給する回路を第1ゲート駆動回路16から第2ゲート駆動回路18に切替え、ゲート抵抗を低くする。 When the gate resistance is high, the abnormality detection unit of the control unit 12 is a first gate drive circuit 16 for supplying a gate drive signal to the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, SA, and SB. To the second gate drive circuit 18 to lower the gate resistance.
ここで、ゲート抵抗が高い状態からゲート抵抗が低い状態へ切り替えるときに、制御部12の異常検出手段は昇圧回路BSTの昇圧動作を停止若しくは昇圧後の電圧を制限して、スイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Sz、SA、SBの故障を回避する。また、ゲート抵抗が高い状態からゲート抵抗が低い状態へ切り替えるときに、制御部12は、電動機Mの出力トルクが負とならないようにPWM信号を生成する。このように回生動作を制限又は回生動作を禁止して、直流電圧の上昇を抑制し、スイッチング素子の破壊を回避する。 Here, when switching from a state where the gate resistance is high to a state where the gate resistance is low, the abnormality detection means of the control unit 12 stops the boosting operation of the boosting circuit BST or limits the voltage after boosting to switch the switching elements Su and Sx. , Sv, Sy, Sw, Sz, SA, SB are avoided. Further, when switching from a state where the gate resistance is high to a state where the gate resistance is low, the control unit 12 generates a PWM signal so that the output torque of the motor M does not become negative. As described above, the regeneration operation is restricted or the regeneration operation is inhibited, the rise of the DC voltage is suppressed, and the destruction of the switching element is avoided.
続いて、制御部12の異常検出手段は、電流検出部20で検出したインバータ回路INVの出力電流を1周期間積分し、積分結果がゼロであるか否かにより異常があるか否か検出する。
制御部12の異常検出手段は、積分結果がゼロであり異常がないとき、現在の速度切替信号にてインバータ回路INVの運転を継続する。ここで、制御部12の異常検出手段は、速度切替信号の値を固定して運転を継続し、回路に異常がある旨のアラームを、例えば、上位制御装置(図示せず)へ回路に異常があることを通知する。
Subsequently, the abnormality detection unit of the control unit 12 integrates the output current of the inverter circuit INV detected by the current detection unit 20 for one cycle, and detects whether there is an abnormality based on whether the integration result is zero. .
The abnormality detection means of the control unit 12 continues the operation of the inverter circuit INV with the current speed switching signal when the integration result is zero and there is no abnormality. Here, the abnormality detection unit of the control unit 12 fixes the value of the speed switching signal and continues the operation, and generates an alarm indicating that there is an abnormality in the circuit, for example, to the upper control device (not shown). Inform that there is.
制御部12の異常検出手段は、ゲート駆動回路を切替えた後に未だ積分結果がゼロではなく異常があると検出したときに、全てのスイッチング素子Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Sz、SA、SBを開いてインバータ回路INVの動作を停止させる。 When the abnormality detection means of the control unit 12 detects that the integration result is not zero but there is an abnormality after switching the gate drive circuit, all the switching elements Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, SA, The SB is opened to stop the operation of the inverter circuit INV.
上記のように、本実施形態の電力変換装置および車両では、ゲート駆動信号を伝達するライン上のトランジスタや抵抗等に異常が発生したときに、ゲート駆動信号を出力するゲート駆動回路をもう一方へ切り替えることで、インバータ回路INVの運転を停止させることなく、運転を継続することが可能となる。
すなわち、本実施形態によれば、制御回路に異常が発生した際に、運転継続することが可能な電力変換装置および車両を提供することができる。
なお、上記第1乃至第3実施形態の電力変換装置および車両の構成を組み合わせても構わない。その場合であっても上述の第1乃至第3実施形態と同様の効果を得ることができる。
As described above, in the power conversion device and the vehicle according to the present embodiment, when an abnormality occurs in a transistor, a resistor, or the like on a line that transmits a gate drive signal, the gate drive circuit that outputs the gate drive signal to the other By switching, it is possible to continue the operation without stopping the operation of the inverter circuit INV.
That is, according to the present embodiment, it is possible to provide the power conversion device and the vehicle capable of continuing the operation when an abnormality occurs in the control circuit.
The configurations of the power conversion device of the first to third embodiments and the vehicle may be combined. Even in this case, the same effects as those of the first to third embodiments described above can be obtained.
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。上述の実施形態において、例えば、ゲート信号処理回路14は、ゲート駆動回路を他方へ切替える際に、速度切替信号を異なる値としても良く、制御部12から受信する速度切替信号の値は変えずに、例えば、異常が検出される際に立ち上がる異常フラグ等に応じて他方のゲート駆動回路を選択してもよい。 While certain embodiments of the present invention have been described, these embodiments have been presented by way of example only, and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, substitutions, and modifications can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and the gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalent scope thereof. In the above embodiment, for example, when the gate signal processing circuit 14 switches the gate drive circuit to the other, the speed switching signal may have different values, and the value of the speed switching signal received from the control unit 12 is not changed. For example, the other gate drive circuit may be selected according to an abnormality flag or the like that rises when an abnormality is detected.
10…電圧検出部、11…電圧検出部、12…制御部、14…ゲート信号処理回路、16…第1ゲート駆動回路、18…第2ゲート駆動回路、20…電流検出部、22、24、26…電流検出器、R1〜R6…抵抗器、S1〜S4…トランジスタ、INV…インバータ回路、M…電動機、WL…車輪、CTRL…制御回路、Su、Sx、Sv、Sy、Sw、Sz、SA、SB…スイッチング素子、LINK(H)、LINK(L)…直流ライン。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Voltage detection part, 11 ... Voltage detection part, 12 ... Control part, 14 ... Gate signal processing circuit, 16 ... 1st gate drive circuit, 18 ... 2nd gate drive circuit, 20 ... Current detection part, 22, 24, 26 Current detector, R1 to R6 Resistor, S1 to S4 Transistor, INV: inverter circuit, M: motor, WL: wheel, CTRL: control circuit, Su, Sx, Sv, Sy, Sw, Sz, SA , SB: switching element, LINK (H), LINK (L): direct current line.
Claims (7)
第1抵抗を介して前記スイッチング素子へゲート駆動信号を供給する第1ゲート駆動回路と、
前記第1抵抗よりも低い第2抵抗を介して前記スイッチング素子へゲート駆動信号を供給する第2ゲート駆動回路と、
外部からの出力指令と、直流負荷と前記インバータ回路との間に接続する直流ライン間の電圧と、前記インバータ回路と交流負荷との間に接続する交流ラインの電流との値を受信し、前記出力指令の値を実現するように前記スイッチング素子を切替えるPWM信号を生成して出力し、かつ、前記直流ライン間の電圧と前記交流ラインの電流との値に基づいて、前記第1ゲート駆動回路と前記第2ゲート駆動回路とのいずれか一方を選択する速度切替信号を生成して出力する制御部と、
前記スイッチング素子の両端の電圧或いは前記スイッチング素子のゲート電圧に基づいて、前記速度切替信号に基づいて選択された前記第1ゲート駆動回路又は前記第2ゲート駆動回路の異常の有無を検出し、異常があると検出したときに、前記速度切替信号に基づいて選択されたゲート駆動回路から他方のゲート駆動回路へ前記PWM信号の出力先を切替えるゲート信号処理回路と、
を備えたことを特徴とする電力変換装置。 An inverter circuit including a plurality of switching elements;
A first gate drive circuit for supplying a gate drive signal to the switching element via a first resistor;
A second gate drive circuit for supplying a gate drive signal to the switching element via a second resistor lower than the first resistor;
Receiving values of an output command from an external device, a voltage between DC lines connected between the DC load and the inverter circuit, and a current of an AC line connected between the inverter circuit and the AC load; The first gate drive circuit generates and outputs a PWM signal for switching the switching element so as to realize the value of the output command, and based on the value of the voltage between the DC lines and the current of the AC line. A control unit which generates and outputs a speed switching signal for selecting one of the second gate drive circuit and the second gate drive circuit;
The presence or absence of abnormality of the first gate drive circuit or the second gate drive circuit selected based on the speed switching signal is detected based on the voltage at both ends of the switching element or the gate voltage of the switching element. A gate signal processing circuit that switches the output destination of the PWM signal from the gate drive circuit selected based on the speed switching signal to the other gate drive circuit when it is detected that
The power converter characterized by being provided.
前記ゲート信号処理回路は、前記第1ゲート駆動回路又は前記第2ゲート駆動回路に異常があると判断し、かつ、第1ゲート駆動回路により前記スイッチング素子へゲート駆動信号が供給されているときに、前記昇圧器により昇圧する電圧を制限することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の電力変換装置。 It further comprises a booster comprising a pair of switching elements connected between the DC lines,
The gate signal processing circuit determines that there is an abnormality in the first gate drive circuit or the second gate drive circuit, and a gate drive signal is supplied to the switching element by the first gate drive circuit. The power converter according to any one of claims 1 to 4, wherein the voltage boosted by the booster is limited.
第1抵抗を介して前記スイッチング素子へゲート駆動信号を供給する第1ゲート駆動回路と、
前記第1抵抗よりも低い第2抵抗を介して前記スイッチング素子へゲート駆動信号を供給する第2ゲート駆動回路と、
外部からの出力指令と、直流負荷と前記インバータ回路との間に接続する直流ライン間の電圧と、前記インバータ回路と交流負荷との間に接続する交流ラインの電流との値を受信し、前記出力指令の値を実現するように前記スイッチング素子を切替えるPWM信号を生成して出力し、かつ、前記直流ライン間の電圧と前記交流ラインの電流との値に基づいて、前記第1ゲート駆動回路と前記第2ゲート駆動回路とのいずれか一方を選択する速度切替信号を生成して出力する制御部であって、前記交流ラインの電流の1周期間の積分値がゼロでないときに前記速度切替信号を、前記選択されたゲート駆動回路とは異なるゲート駆動回路を選択する値とする前記制御部と、
前記速度切替信号に基づいて、前記第1ゲート駆動回路と前記第2ゲート駆動回路のいずれか一方へ前記PWM信号を出力するゲート信号処理回路と、
を備えたことを特徴とする電力変換装置。 An inverter circuit including a plurality of switching elements;
A first gate drive circuit for supplying a gate drive signal to the switching element via a first resistor;
A second gate drive circuit for supplying a gate drive signal to the switching element via a second resistor lower than the first resistor;
Receiving values of an output command from an external device, a voltage between DC lines connected between the DC load and the inverter circuit, and a current of an AC line connected between the inverter circuit and the AC load; The first gate drive circuit generates and outputs a PWM signal for switching the switching element so as to realize the value of the output command, and based on the value of the voltage between the DC lines and the current of the AC line. A control unit for generating and outputting a speed switching signal for selecting any one of the second gate driving circuit and the second gate driving circuit, wherein the speed switching is performed when an integral value during one period of the current of the AC line is not zero. said control unit signals, a value for selecting different gate driving circuit and the selected gate drive circuit,
A gate signal processing circuit that outputs the PWM signal to any one of the first gate drive circuit and the second gate drive circuit based on the speed switching signal;
The power converter characterized by being provided.
交流負荷としてのモータと、
請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の電力変換装置と、
前記モータの動力を車輪に伝達する車軸と、
を備えたことを特徴とする車両。 DC power supply as a DC load,
Motor as AC load,
A power converter according to any one of claims 1 to 6.
An axle for transmitting the power of the motor to the wheels;
A vehicle characterized by comprising.
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