JP6509998B2 - 有機発光表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、タッチパネルを内蔵した有機発光表示装置に関するもので、より詳しくは、金属メッシュパターンを含みながらも視野角が改善した有機発光表示装置に関するものである。

多様な情報を画面で具現する映像表示装置は、情報通信時代の核心技術であり、より薄く、より軽く、携帯が可能で、かつ高性能の方向に発展している。したがって、陰極線管（ＣＲＴ）の欠点である重さ及び体積を減らすことができる平板表示装置であり、有機発光層の発光量を制御して映像を表示する有機発光表示装置などが脚光を浴びている。

このような有機発光表示装置は、自発光の有機発光素子を用いるので、別の光源を必要とせず、超薄型ディスプレイの具現が可能であり、近来では、有機発光素子を用い、発光セルの内部にタッチ電極アレイを含むタッチ構造のタッチパネル一体型表示装置に関する研究が活発に行われている。

タッチ構造のタッチパネルは、第１方向に配置された第１タッチ電極と、第１タッチ電極と交差する第２方向に配置された第２電極とを含む。第１及び第２タッチ電極は、電気的に分離されている。この際、タッチパネルは、静電気を帯びる物体がタッチパネルに接触したときに、第１及び第２タッチ電極間の相互キャパシタンス（ｍｕｔｕａｌ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）の変化を感知することによって、タッチ入力を感知する。

フレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）なタッチ構造を有する有機発光表示装置を製造するに際して、優れたフレキシビリティを有しながらも、低抵抗の金属メッシュ電極をタッチ電極に適用しようとする研究が活発に行われている。ところが、このような金属メッシュ電極は、透明伝導性物質に比べて反射性が高いので、外部から視認される可能性が高くなり、全体として、有機発光表示装置の輝度を低下させる問題を有する。これを解決するため、金属メッシュ電極を非発光領域であるバンクなどにアラインさせる方法などが提案されたが、メッシュ電極を表示パネルと正確にアラインさせる工程過程で、ミスアライン（ｍｉｓａｌｉｇｎ）が発生する可能性が高い。このように、ミスアラインが発生した場合には、視野角が増加すると、メッシュ電極が画素開口部の一部領域を遮ることとなり、結果的に、上下又は左右への視野角の非対称が発生する。

本発明は、前記問題点を解決するために案出されたもので、メッシュパターンを含みながらも優れた色視野角の特性を有する有機発光表示装置を提供することを目的とする。

前記課題を解決するために、本発明による有機発光表示装置は、複数の画素開口部を含む有機発光アレイと、前記有機発光アレイと合着されたタッチ電極アレイとを含み、前記タッチ電極アレイは、第１方向に配置され、格子構造を含む複数の第１メッシュ電極と、第２方向に配置され、格子構造を含む複数の第２メッシュ電極とを含む。

前記第１及び第２メッシュ電極のそれぞれは、前記画素開口部上に重畳する複数の重畳部と、画素開口部の間に対応するように位置する未重畳部とを含む。

ここで、前記重畳部の少なくとも一部は、前記未重畳部と違う物質で形成された輝度改善部を含む。前記格子構造は、画素開口部上に重畳するように位置することが好ましく、輝度改善部は、前記格子構造を成す二つのライン電極の少なくとも一つを含む。輝度改善部は、透明導電性物質で形成されてもよい。

本発明による有機発光表示装置は、画素開口部に第１及び第２メッシュ電極が重畳するように位置するので、第１及び第２メッシュ電極の工程誤差による視野角の非対称現象を緩和する特徴を有する。

また、前記第１及び第２メッシュ電極が画素開口部上に位置する場合の輝度減少を最小化するために、第１及び第２メッシュ電極の重畳部には、輝度改善部が備えられる。輝度改善部は、透明導電性物質で形成されるので、第１及び第２メッシュ電極が画素開口部に重畳することによる輝度減少を最小化する効果を有する。

本発明による有機発光表示装置を説明するための平面図である。 図１のＩ−Ｉ’線についての概略断面図である。 本発明の実施例による第１メッシュ電極と第２メッシュ電極の特徴及び連結関係を詳細に説明するための模式図である。 本発明の実施例による第１メッシュ電極と第２メッシュ電極の特徴及び連結関係を詳細に説明するための模式図である。 図３のＩＩ−ＩＩ’線についての断面図である。 図３に示したブリッジの断面構造を説明するための断面図である。 図４に示したブリッジの断面構造を説明するための断面図である。

以下、添付図面に基づき、本発明の好適な実施例を説明する。明細書全般にわたって同じ参照番号は、実質的に同じ構成要素を意味する。以下の説明で、本発明に係わる技術あるいは構成についての具体的な説明が本発明の要旨を不必要にあいまいにすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。また、以下の説明で使われる構成要素の名称は、容易な明細書作成を考慮して選択されたもので、実際製品の部品の名称と違うこともあり得る。

位置関係についての説明の場合、例えば、「〜上に」、「〜上部に」、「〜下部に」、「〜のそばに」などのように二つの部分の位置関係が説明される場合、「直ぐ」又は「直接」が使われない限り、二つの部分の間に一つ以上の他の部分が位置することもできる。

たとえば、第１、第２などという表現が、多様な構成要素を記述するために使われるが、これらの構成要素は、これらの用語に制限されない。これら用語は、ただ一構成要素を、他の構成要素と区別するために使用するものである。よって、以下で言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。

図面に示した各構成のサイズ及び厚さは、説明の便宜のために示したものであり、本発明が図示の構成のサイズ及び厚さに必ずしも限定されるものではない。

以下、添付図面に基づいて本発明の多様な実施例を詳細に説明する。

図１は、本発明による有機発光表示装置を説明するための平面図である。

本発明による有機発光表示装置は、基板１０００上に第１方向に配列された複数の第１メッシュ電極１０１と、第１方向と交差する第２方向に配列された第２メッシュ電極１０２とを含む。本実施例においては、第１方向が水平方向、第２方向が垂直方向として例示されたが、必ずしもこれに限定されるものではない。

第１メッシュ電極１０１と第２メッシュ電極１０２は、それぞれ複数の格子構造を含む。この際、第１メッシュ電極１０１は、第３方向に長く形成された複数の第１ライン電極１０１１と、第４方向に長く形成されて第１ライン電極１０１１と交差することによって格子構造を形成する複数の第２ライン電極１０１２とを含む。

第２メッシュ電極１０２は、第３方向に長く形成された複数の第３ライン電極１０２１と、第４方向に長く形成され、第３ライン電極１０２１と交差することによって格子構造を形成する第４ライン電極１０２２とを含む。

第１方向に隣り合う第１メッシュ電極１０１は、ブリッジ９１２によって互いに連結されている。また、第２方向に隣り合う第２メッシュ電極１０２は、連結部メッシュパターン１０２７によって互いに連結される。ここで、ブリッジ９１２によって連結された第１メッシュ電極１０１は、タッチ信号をセンシングするための駆動信号を印加する駆動電極として機能することができ、連結部メッシュパターン１０２７によって連結された第２メッシュ電極１０２は、タッチ信号を感知する感知電極として機能することができ、その反対に機能することもできるが、必ずしもこれに限定されるものではない。

第１及び第２メッシュ電極１０１、１０２、及びその連結関係の詳細な構造については、後述する。

表示領域Ａ／Ａの最も外側に位置する第１メッシュ電極１０１は、第１ルーティングライン９１３ａを介してタッチパッド部２３５０のパッド電極１１０と接続され、表示領域Ａ／Ａの最も外側に位置する第２メッシュ電極１０２は、第２ルーティングライン９１３ｂを介してタッチパッド部２３５０のパッド電極１１０と接続される。

図２は、図１のＩ−Ｉ’線についての概略断面図である。

本発明の実施例による表示装置は、基板１０００上に第１基材１２０、第１バッファー層１３０、薄膜トランジスタアレイ１４０及び有機発光アレイ１５０が順次位置し、有機発光アレイ１５０を覆うように保護層１６０が位置する。カバーガラス３０００の内側には、第２基材２１０、第２バッファー層２２０及びタッチ電極アレイ２３０が配置される。この際、タッチ電極アレイ２３０は、有機発光アレイ１５０と向き合うように、接着層４００によって有機発光アレイ１５０上の保護層１６０と合着された構造を有する。

第１バッファー層１３０及び第２バッファー層２２０は、それぞれアクティブ領域とデッド領域が定義されており、タッチ電極アレイ２３０、有機発光アレイ１５０及びパッド部を除いた薄膜トランジスタアレイ１４０内の薄膜トランジスタは、アクティブ領域に形成される。そして、デッド領域の一部にタッチパッド部及び薄膜トランジスタアレイのパッド部が定義される。

ここで、第１及び第２基材１２０、２１０は、レーザーの照射又はエッチング工程において、内部アレイの損傷を防止する役目をし、場合によっては基板１０００及びカバーガラス３０００が除去され、第１及び第２基材１２０、２１０が表示装置を外部から保護する役目をする。第１及び第２基材１２０、２１０は、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）及びフォトアクリル（Ｐｈｏｔｏａｃｒｙｌ）などの高分子物質で形成することができる。

第１バッファー層１３０及び第２バッファー層２２０は、それぞれ酸化膜（ＳｉＯ_２）又は窒化膜（ＳｉＮｘ）のような無機膜を、同種で連続的に積層するかあるいは異種の無機膜を交互に積層してなる。第１及び第２バッファー層１３０、２２０は、下部基板上に上部基板を合着する後続の工程で、有機発光アレイ１５０に水分又は外気が透湿することを防止するバリアーとして機能するようにする。

タッチ電極アレイ２３０とタッチパッド部２３５０は、第２バッファー層２２０の同一面に形成される。タッチパッド部２３５０は、接着層４００による上下合着過程で、導電性ボール４５５を含むシール４５０によって薄膜トランジスタアレイ１４０のパッド部（図示せず）に接続される。この時、接着層４００は、透湿防止機能を有し、有機発光アレイ１５０を覆う保護層１６０と直接接触し、保護層１６０が有する機能に加え、有機発光アレイ１５０に外気が入ることを防止し、水分の透湿をより確実に防止する役目をする。

ここで、パッド部を含む薄膜トランジスタアレイ１４０は、タッチ電極アレイ２３０より一側が突出するように形成できる。これは、突出した部分で、タッチ電極アレイ２３０及び薄膜トランジスタアレイ１４０と有機発光アレイ１５０を一緒に駆動するための信号を伝達する駆動ＩＣ（図示せず）を備えるためである。図示しなかったが、駆動ＩＣと薄膜トランジスタアレイ１４０の駆動パッド及びダミーパッドは、複数のダミー電極を含み、駆動ＩＣと配線によって連結される。そして、駆動ＩＣは、ガラスの除去後、ＦＰＣＢ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）（図示せず）とボンディングされて連結され、ＦＰＣＢに備えられたＭＣＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ、図示せず）及びタイミングコントローラー（図示せず）によって制御される。ダミーパッドは、アクティブ領域の外側のデッド領域のうち、タッチパッド部と対応する領域に、ゲートライン又はデータラインを成す金属と同一層に形成される。

駆動ＩＣは、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式で、フレキシブルプリント回路フィルムに実装できる。

図示しなかったが、薄膜トランジスタアレイ駆動パッド及びダミーパッドは、ＦＰＣＢと下部基板１０００に形成された配線（図示せず）を介して連結される。また、ＦＰＣＢには、駆動回路を制御するためのコントローラー（図示せず）をさらに設けることができる。

ダミーパッドは、アクティブ領域外側のデッド領域のうち、タッチパッド部と対応する領域に、ゲートライン又はデータラインを成す金属と同一層に形成される。

図３は、本発明の実施例による第１メッシュ電極１０１と第２メッシュ電極１０２の特徴及び連結関係を詳細に説明するための模式図である。

第１メッシュ電極１０１は、前述したように、第３及び第４方向に交差するように配列された第１及び第２ライン電極１０１１、１０１２を含む。第２メッシュ電極１０２は、第３及び第４方向に交差するように配列された第３及び第４ライン電極１０２１、１０２２を含む。

このような第１及び第２メッシュ電極１０１、１０２は、画素開口部１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂと重畳する部分を含むように位置する。画素開口部１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂは、赤色、緑色、青色の発光素子の発光領域をそれぞれ定義する。第１及び第２メッシュ電極１０１、１０２は、画素開口部１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂと重畳するように位置する重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）と、画素開口部１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂと重畳しないように位置する未重畳部（ｎｏｎ−ｏｖｅｒｌａｐ）に区分できる。図３を参照すると、重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）は、図３で十字形の点線で示した部分を意味し、未重畳部（ｎｏｎ−ｏｖｅｒｌａｐ）は、その外の領域を意味する。

図３の画素開口部１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂは、それぞれダイヤモンド形に形成された実施例を示しているが、必ずしもこれに限定されない。画素開口部１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂは、長方形など、設計によって多様な形態への変更が可能である。

図３のように、重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）には、第１及び第２ライン電極１０１１、１０１２が交差して形成されるか、第３及び第４ライン電極１０２１、１０２２が交差して形成される格子部が位置するように形成できるが、必ずしもこれに限定されるものではない。重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）の格子部は、未重畳部（ｎｏｎ−ｏｖｅｒｌａｐ）に位置し、第１〜第４ライン電極のうちいずれか一つが重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）を通るように位置することもできる。

この際、格子部が画素開口部１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂの中央に位置する場合、視野角が大きくなっても格子部が視認される可能性が低くなるので、視野角の向上のためには格子部が画素開口部１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂの中央に位置することが好ましい。

重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）の全部又は少なくとも一部は、未重畳部（ｎｏｎ−ｏｖｅｒｌａｐ）と違う物質で形成された輝度改善部１００５を含む。輝度改善部１００５は、未重畳部（ｎｏｎ−ｏｖｅｒｌａｐ）などの輝度改善部１００５を除いた他の領域の第１〜第４ライン電極１０１１、１０１２、１０２１、１０２２とは違う物質で形成される。

例えば、輝度改善部１００５を除いた第１〜第４ライン電極１０１１、１０１２、１０１２、１０２２は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｏ、Ａｕなどの多様な金属物質又はこれらの合金で形成でき、輝度改善部１００５は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、ＺｎＯなどの透明導電性物質で形成できるが、必ずしもこれに限定されるものではない。

図１では、便宜上省略されたが、重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）に対応する領域にセグメント電極１００７をさらに形成することができる。セグメント電極１００７は、画素開口部１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ及び重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）に対応する位置に備えられる。この際、セグメント電極１００７は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、ＺｎＯなどの透明導電性物質で形成できるが、必ずしもこれに限定されるものではない。セグメント電極１００７は、設計によって省略できる。セグメント電極１００７は、透明導電性物質で形成されることにより、画素開口部１１１を遮らないとともに、第１及び第２メッシュ電極１０１、１０２の抵抗成分を補償する。

重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）上にセグメント電極１００７が位置する場合、セグメント電極１００７は、輝度改善部１００５と同じ物質で一体に形成できる。

輝度改善部１００５は、透明導電性物質で形成されるので、金属で形成される未重畳部（ｎｏｎ−ｏｖｅｒｌａｐ）に比べて高い抵抗を有し、それによって輝度改善部１００５が過剰に形成される場合には、タッチセンシング性能が低下することがあり得る。よって、輝度改善部１００５の位置及び形態は、設計によって多様に変更可能である。

輝度改善部１００５は、第１メッシュ電極１０１の第１ライン電極１０１１の重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）に形成するか、あるいは第２ライン電極１０１２の重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）に形成することもできる。また、第１及び第２ライン電極１０１１、１０１２の重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）の両方に形成することもできる。しかし、抵抗−キャパシタンス特性の低下を最小化するために、輝度改善部１００５は、第１ライン電極１０１１の重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）又は第２ライン電極１０１２の重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）に位置することが好ましい。

この際、最も隣接した二つの輝度改善部１００５のいずれか一つは、第１〜第４ライン電極のうち第３方向に配列されたライン電極の重畳部に位置し、他の一つは、第４方向に配列されたライン電極の重畳部に位置することが好ましい。すなわち、最も隣接した二つの輝度改善部１００５は、配列方向が互いに異なるように調節することができ、これによって画素開口部１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂの輝度低下を最小化することができ、視野角特性も向上させることができる。

例えば、第１メッシュ電極１０１において、一つの画素開口部上に位置する輝度改善部１００５が第３方向に配列された第１ライン電極１０１１の重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）に形成されれば、隣接した他の画素開口部上に位置した輝度改善部１００５は、第４方向に配列された第２ライン電極１０１２の重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）に形成できる。

また、第２メッシュ電極１０２において、一つの画素開口部上に位置する輝度改善部１００５が第３方向に配列された第３ライン電極１０２１の重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）に形成されれば、隣接した他の画素開口部上に位置した輝度改善部１００５は、第４方向に配列された第４ライン電極１０２２の重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）に形成できる。

図４は、本発明の実施例による第１メッシュ電極と第２メッシュ電極の特徴及び連結関係を詳細に説明するための模式図である。第１及び第２メッシュ電極１０１、１０２は、画素開口部１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂと重畳する全ての領域に形成することもできるが、設計によっては、重畳部１００５の一部にだけ形成することができ、特に図４のように、ｋ（ｋは自然数）個の重畳部を挟むように離隔することができる。言い換えれば、重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）のうち、輝度改善部１００５を含む重畳部は、互いにｋ個の重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）を挟んで離隔することができる。

図５は、本発明によるインセルタッチ有機発光表示装置の断面構造を説明するための図３のＩＩ−ＩＩ’線についての断面図である。便宜上、第１バッファー層１３０の下部構造及び第２バッファー層２２０の上部構造は、図面には省略されたが、図２のように、第１バッファー層１３０の下部には、第１基材１２０及び基板１０００などをさらに形成することができ、第２バッファー層２２０の上部には、第２基材２１０及びカバーウィンドウ３０００などをさらに形成することができる。

第１バッファー層１３０上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含む薄膜トランジスタアレイ１４０が形成される。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、ソース領域１４２及びドレイン領域１４３を含む活性層１４１と、活性層１４１上に位置するゲート絶縁膜１４４及びゲート電極１４５と、活性層１４１及びゲート電極１４５を覆い、ソース／ドレイン領域１４２、１４３を露出するコンタクトホールを備えた層間絶縁膜１４８ａと、コンタクトホールを介してソース／ドレイン領域１４２、１４３に接するように形成されたソース電極１４６及びドレイン電極１４７とを含む。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）上には、第１パッシベーション層１４８ｂが形成され、第１パッシベーション層１４８ｂは、ドレイン電極１４７を露出するコンタクトホール１４９を備える。

第１パッシベーション層１４８ｂ上には、コンタクトホール１４９と接続した第１電極１５１が位置し、第１電極１５１の一部を露出して画素開口部１５６を定義するバンク絶縁膜１５３が位置する。また、バンク絶縁膜１５３上には、スペーサー１５４をさらに配置することができる。

第１電極１５１上には、発光層を含む有機層１５２が形成される。この際、有機層１５２は、電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＥＩＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）、発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＥＭＬ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ；ＨＴＬ）及び正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）に区分される。発光層は、陰極からの電子と陽極からの正孔が再結合して生成された励起子が基底状態に戻りながら特定波長の光を発光することになる。

有機層１５２は、第１電極１５１のみならず、バンク絶縁膜１５３を含むバッファー層１３０の全面に形成することもできるが、必ずしもこれに限定されるものではない。

有機層１５２上には、第２電極１５５が形成される。第２電極１５５は、有機層１５２を含むバッファー層１３０の全面に形成できる。

このような有機発光アレイ１５０は、保護層１６０によって外部湿気などから遮断される。保護層１６０は、無機膜と有機膜が交互に積層された構造として形成できるが、必ずしもこれに限定されるものではない。

第２バッファー層２２０上には、タッチ電極アレイ２３０が位置する。タッチ電極アレイ２３０は、接着層４００によって有機発光アレイ１５０と向き合って合着された構造を有する。

これをより詳細に説明すると、第２バッファー層１２０の有機発光アレイ１５０と向き合う面には、第１〜第４ライン電極１０１１、１０１２、１０２１、１０２２が位置する。この際、第１〜第４ライン電極１０１１、１０１２、１０２１、１０２２は、画素開口部１５６と重畳する重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）を含む。図５には、第１ライン電極１０１１が開口部１５６と重畳する重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）が示されている。一方、第１〜第４ライン電極１０１１、１０１２、１０２１、１０２２の重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）の一部には、輝度改善部１００５が備えられている。図５を参照すると、輝度改善部１００５も画素開口部１１１と重畳する重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）に位置することを確認することができる。

図５を参照すると、第１〜第４ライン電極１０１１、１０１２、１０２１、１０２２上には、セグメント電極１００７をさらに配置することができる。セグメント電極１００７は、透明導電性物質で形成され、図５のように輝度改善部１００５と同じ物質で一体に形成できるが、必ずしもこれに限定されるものではない。このように、セグメント電極１００７と輝度改善部１００５が一体に形成されれば、セグメント電極１００７及び輝度改善部１００５の間に段差が発生しない。このように、セグメント電極１００７と輝度改善部１００５を同時に形成することにより、輝度改善部１００５を形成するための工程を減少させることができる。

セグメント電極１００７は、画素開口部１５６に対応する位置に形成され、重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）を覆うように第１〜第４ライン電極１０１１、１０１２、１０２１、１０２２の下側に位置し、輝度改善部１００５が形成された場合、輝度改善部１００５と同一層に同じ物質で形成される。

図６及び図７は、図３及び図４に示したブリッジ９１２の断面構造を説明するための断面図である。前述したように、連結部メッシュパターン１０２７は、第１及び第２メッシュ電極１０１、１０２と同一面に位置し、隣接した第２メッシュ電極１０２を互いに連結する。この際、連結部メッシュパターン１０２７は、第２メッシュ電極１０２と第３方向及び第４方向に配置されたライン電極１０２４、１０２５を介して隣接した第２メッシュ電極１０２を互いに連結する。連結部メッシュパターン１０２７も、画素開口部１５６と重畳する重畳部を含み、重畳部に対応する位置には、セグメント電極１００７が形成される。場合によっては、連結部メッシュパターン１０２７が画素開口部と重畳する領域で、ライン電極１０２４、１０２５の少なくとも一つに輝度改善部がさらに形成されることによって、更なる輝度改善を図ることができる。

第１及び第２メッシュ電極１０１、１０２及び連結部メッシュパターン１０２７を覆うように第２パッシベーション層２３１が形成され、第２パッシベーション層２３１上にはブリッジ９１２が形成される。隣接した第１メッシュパターン１０１は、ブリッジ９１２によって連結される。図６を参照すると、第２パッシベーション層２３１には、第１メッシュ電極１０１のライン電極１０１１を露出するコンタクトホール２３１１が形成され、ブリッジは、隣接した二つの第１メッシュ電極１０１にコンタクトホール２３１１を介して接続することにより、隣接した二つの第１メッシュ電極１０１のライン電極１０１１を電気的に連結する。一方、第２パッシベーション層２３１は、図７のように輝度改善部１００５を露出するように形成できる。特に、ブリッジ９１２と接続する一側は、輝度改善部１００５を露出し、他側は、ライン電極１０１１を露出するように形成することもできる。この際、ブリッジ９１２は、輝度改善部１００５に両側が接続するか、あるいは一側は輝度改善部１００５と他側はライン電極１０１１と接続することによって、第１メッシュ電極１０１を電気的に連結させることができる。

ブリッジ９１２は、第１パッシベーション層２３２によって覆われる構造を有する。

図６及び図７に示したタッチ電極アレイ２３０は、接着層４００を介して有機発光アレイ１５０と向き合って合着されるので、実際には、図６及び図７のタッチ電極アレイ２３０が上下に反転された状態で配置される。

以上説明した本発明による有機発光表示装置は、画素開口部１１１に第１及び第２メッシュ電極１０１、１０２が重畳するように配置される。

従来のメッシュ電極は、画素開口部の間に配置されたが、この場合、工程上アラインに誤差が発生すれば、メッシュ電極が、画素開口部の側面に重畳するように配置される。この場合、メッシュ電極が画素開口部の側面を遮ることによって、視野角非対称現象が発生する原因となる。一方、本発明によれば、第１及び第２メッシュ電極１０１、１０２を、画素開口部１１１の中央に重畳するように配置させることができる。すると、第１及び第２メッシュ電極１０１、１０２は、画素開口部１１１の中央に配置されることによって、視野角非対称現象を発生させない。また、第１及び第２メッシュ電極１０１、１０２が画素開口部１１１の中央よりちょっと側方に配置されたとしても、画素開口部１１１の側面を遮ることに比べて、視野角非対称現状の発生可能性が大きく減少する。したがって、本発明による有機発光表示装置は、従来のメッシュ電極が画素開口部１１１の間に配置されることに比べて、高い工程マージンを有することになる。したがって、本発明による有機発光表示装置は、第１及び第２メッシュ電極１０１、１０２のアライン工程において、工程誤差による視野角非対称現象を緩和する効果を有する。

また、第１及び第２メッシュ電極１０１、１０２が画素開口部１１１上に配置される場合の輝度減少を最小化するために、第１及び第２メッシュ電極１０１、１０２の重畳部（ｏｖｅｒｌａｐ）には、輝度改善部１００５が形成される。輝度改善部１００５は、透明導電性物質で形成されることにより、第１及び第２メッシュ電極１０１、１０２が画素開口部１１１と重畳することによる輝度減少を最小化する効果を有する。

特に、輝度改善部１００５は、画素開口部１１１上に位置する二つのライン電極のうち、一つにだけ配置されることによって、抵抗及び輝度の減少を最小化することができる。

メッシュ電極が画素開口部と重畳しないようにした有機発光表示装置と、本発明による有機発光表示装置の上下色視野角及び左右色視野角を比較した結果は、下記の表１の通りである。工程差によってそれぞれ異なる結果が導出できるが、実験中の最大偏差を比較することによって、工程上、視野角偏差が発生する可能性及び視野角偏差程度を比較して見た。

有機発光表示装置において、通常、５°以上の視野角偏差を有する場合、色視野角非対称現象がひどく発生したと判断する。

従来技術による有機発光表示装置は、左右色視野角偏差が最大６°まで発生し、上下色視野角偏差は、最大７°まで発生した。すなわち、従来技術による場合、少ない工程誤差であっても、色視野角非対称現象が強く発生して、画質不良を引き起こしてしまう。

一方、本発明による有機発光表示装置は、左右色視野角偏差が最大３°にとどまり、上下色視野角偏差も最大４．５°にとどまり、工程誤差が発生しても、視野角偏差に及ぶ影響が小さいことを確認することができた。

以上の説明は、本発明を例示的に説明したものに過ぎなく、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、多様な変形が可能である。したがって、本発明の明細書に開示された実施例は、本発明を限定するものではない。本発明の範囲は、以降の特許請求の範囲によって解釈されなければならず、それと均等な範囲内にある全ての技術も、本発明の範囲に含まれるものとして解釈されなければならない。

１０００ 下部基板、１２０ 第１基材、１３０ 第１バッファー層、１４０ 薄膜トランジスタアレイ、１５０ 有機発光アレイ、１６０ 保護層、４００ 接着層、２３５０ タッチパッド部、３０００ カバーウィンドウ、２１０ 第２基材、２２０ 第２バッファー層、２３０ タッチ電極アレイ、９１３ ルーティングライン、１１０ パッド電極、１０１ 第１メッシュ電極、１０２ 第２メッシュ電極、１０１１ 第１ライン電極、１０１２ 第２ライン電極、１０２１ 第３ライン電極、１０２２ 第４ライン電極、９１２ ブリッジ、１０２７ 連結部メッシュパターン、１００５ 輝度改善部、１００７ セグメント電極、１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ 画素開口部。

Claims (11)

1. マトリックス状に配置された複数の画素開口部を含む有機発光アレイ、及び
   前記有機発光アレイと合着されたタッチ電極アレイを含み、
   前記タッチ電極アレイは、
   第１方向に配置され、複数の格子構造を含む複数の第１メッシュ電極と、前記第１メッシュ電極から絶縁され、前記第１方向と交差する第２方向に配置され、複数の格子構造を含む複数の第２メッシュ電極とを含み、
   前記第１及び第２メッシュ電極のそれぞれは、
   前記画素開口部上に重畳するように配置された複数の重畳部と、前記画素開口部の間に対応するように配置された未重畳部とを含み、
   前記複数の重畳部の少なくとも一部は、前記未重畳部と違う物質で形成された輝度改善部を含む、有機発光表示装置。
2. 前記第１及び第２メッシュ電極の前記格子構造は、前記画素開口部上に重畳するように配置される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
3. 前記第１メッシュ電極は、互いに異なる第３及び第４方向に交差するように配置され、格子構造を形成する複数の第１ライン電極及び第２ライン電極を含み、
   前記第２メッシュ電極は、互いに異なる第３及び第４方向に交差するように配置され格子構造を形成する複数の第３及び第４ライン電極を含み、
   前記輝度改善部は、前記第１及び第２ライン電極の少なくとも一つの前記重畳部に位置する領域を含む、請求項２に記載の有機発光表示装置。
4. 前記輝度改善部は、透明導電性物質で形成される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
5. 前記第１及び第２メッシュ電極と違う層に配置され、コンタクトホールを介して第１方向に隣り合う前記第１メッシュ電極を互いに電気的に連結するブリッジ、及び
   前記第１及び第２メッシュ電極と同一層に配置され、前記第２方向に隣り合う前記第２メッシュ電極を連結する連結部メッシュパターンをさらに含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
6. 前記連結部メッシュパターンの前記画素開口部と重畳する領域に、輝度改善部をさらに含む、請求項５に記載の有機発光表示装置。
7. 前記画素開口部に対応するように配置されたセグメント電極をさらに含む、請求項３に記載の有機発光表示装置。
8. 前記セグメント電極は、透明導電性物質で形成される、請求項７に記載の有機発光表示装置。
9. 前記輝度改善部及び前記セグメント電極は、同じ透明導電性物質で同時に形成される、請求項７に記載の有機発光表示装置。
10. 前記重畳部のうち輝度改善部を含む重畳部は、互いにｋ（ｋは自然数）個の重畳部を挟むように離隔している、請求項１に記載の有機発光表示装置。
11. 前記輝度改善部のうち最も隣接した二つの輝度改善部のいずれか一つは、前記第１〜第４ライン電極のうち、前記第３方向に配列されたライン電極の重畳部に位置する領域を含み、他の一つは、前記第４方向に配列されたライン電極の前記重畳部に位置する領域を含む、請求項３に記載の有機発光表示装置。

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