〔発明の概要1〕
上述したとおり、物体側に向けた面(物側面)が凹面であり、像面側に向けた面(像側面)が平面である平凹レンズを、撮像素子の近傍に設ける構成によって、効果的に収差を補正することができる。凹面が非球面であれば、より効果的な補正が可能となる。
そして、以下の各実施の形態に係るレンズ素子では、像側面の外形の形状を概略矩形とする。本願明細書において、「概略矩形」とは、矩形、および矩形とみなすことに差支えない矩形以外の形状を含む。このような矩形以外の形状の一例としては、角丸長方形が挙げられる。
各実施の形態によれば、素子収納部の外形がレンズ素子の光軸に対する法線方向に大きくなることを抑制しつつ、レンズ素子と撮像素子との間隔が大きくなることを抑制することができる。従って、小型で優れた解像力の撮像装置を実現することが可能となる。
なお、上記平凹レンズの像側面は平面であるが、各実施の形態に係るレンズ素子の像側面は、平面であってもよいし、光の反射率を低減させる微小な(例えばnmオーダーの)凹凸が形成されていてもよいし、わずかに湾曲していてもよい。これらは、光を透過させる、もしくは、もたらされる光学特性(屈折力、偏芯等)の変化が撮像装置の光学系において無視できる程度に十分小さい、という共通の特徴点を有している。平面に限らず、この特徴点を有している面を、本願明細書では「概略平面」と総称している。また、本願明細書において、「平面状」とは、平面であってもよいし、光の反射率を低減させる微小な(例えばnmオーダーの)凹凸が形成されていてもよい。
〔円筒形状のレンズと撮像装置の大きさおよび解像力との関係〕
図2は、撮像装置に円筒形状のレンズを設ける各種通常例を示す断面図である。具体的に、図2は、(a)、(b)、および(c)の、撮像装置の要部断面図を、相互に関連付けて図示したものである。
図2の(a)は、円筒形状のレンズ101が設けられていない状態を示している。
撮像素子102は、受光部103を有している。積層基板(素子収納部)104は、撮像素子102を収納しており、受光部103に適切に光が導かれるよう、受光部103の上方に開口部105が形成されている。開口部105を覆うように、積層基板104の上面106に赤外線カットガラス107が載せられており、赤外線カットガラス107よりさらに物体側にレンズ108が設けられている。レンズ108は、撮像装置の光学系を構成する、5枚または6枚のレンズのうちの1枚である。撮像素子102は、フリップチップボンド109によって、積層基板104の裏面の側から、積層基板104に接続されている。
図2の(b)は、開口部105に、円筒形状のレンズ101を嵌め込んだ状態を示している。
円筒形状のレンズ101は、物体側に向けられた物側面L101と、像面側に向けられた像側面L102とを備えている。物側面L101は凹面であり、像側面L102は平面である。
図2の(a)と(b)とを比較すると、(b)では、円筒形状のレンズ101を嵌め込むために、開口部105のサイズが(a)より大きい。開口部105のサイズが大きくなった分、(b)では積層基板104の外形が(a)より大きくなっている(図2中、幅110参照)。このことが、撮像装置の大型化の原因となる。開口部105を構成する積層基板104の内側面に、円筒形状のレンズ101の側面を接着する場合も同様の断面図となり、撮像装置の大型化の原因を有する。
図2の(c)は、開口部105を覆うように、上面106に円筒形状のレンズ101を載せた状態を示している。
円筒形状のレンズ101が上面106に載せられている関係上、赤外線カットガラス107は円筒形状のレンズ101に載せられている。
図2の(b)と(c)とを比較すると、(b)では、像側面L102が上面106より像面側に位置している一方、(c)では、像側面L102が上面106より物体側に位置している。この結果、(c)では、像側面L102と撮像素子102との間隔が(b)より大きくなっている(図2中、幅111参照)。このことが、所望の収差補正効果を得ることを妨げ、撮像装置の解像力低下の原因となる。
〔実施の形態1〕
図1において、(a)は本実施の形態に係る撮像装置の主要部の構成を示す断面図であり、(b)は積層基板の上面図であり、(c)は本実施の形態に係るレンズ素子を像面側から見た図である。
図1の(a)に示す撮像装置の主要部(以下、単に「主要部」と称する)100は、レンズ素子1、撮像素子2、積層基板(素子収納部)4、赤外線カットガラス7、レンズ8、フリップチップボンド9、および実装部品10を備えている。撮像装置の撮像対象である物体11の側(以下、「物体側」と称する)からレンズ素子1の像面の側(以下、「像面側」と称する)へと向かって、レンズ8、赤外線カットガラス7、レンズ素子1、撮像素子2の順に配置されている。
レンズ素子1は、開口部5に嵌め込まれている、または開口部5を構成する積層基板4の内側面に、レンズ素子1の側面が接着されている。レンズ素子1は、物体側に向けられた面である物側面L1と、像面側に向けられた面である像側面L2とを備えている。物側面L1は非球面かつ凹面であり、像側面L2は平面状である。すなわち、像側面L2は、平面に限定されず、光を透過させる、もしくは、もたらされる光学特性(屈折力、偏芯等)の変化が撮像装置の光学系において無視できる程度に十分小さい面であればよい。このような面の一例として、光の反射率を低減させる微小な(例えばnmオーダーの)凹凸が形成された面が挙げられる。
撮像素子2は、レンズ素子1を通過した光を受光する受光部3を有している。撮像素子2の一例として、CCD(Charge Coupled Device:電荷結合素子)、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor:相補型金属酸化膜半導体)が挙げられる。
積層基板4は、撮像素子2を収納しており、受光部3に適切に光が導かれるよう、受光部3の上方に開口部5が形成されている。また、積層基板4は、所定の配線パターンを有しており、撮像素子2と、積層基板4に実装された実装部品10とを電気的に接続することが可能なものである。積層基板4は、上面6を有している。
赤外線カットガラス7は、開口部5を覆うように、上面6に載せられている。赤外線カットガラス7は、赤外線から受光部3を保護したり、モアレを抑制したりする機能を有している。
レンズ8は、撮像装置の光学系を構成する、5枚または6枚のレンズのうちの1枚である。レンズの配置例については後述する。
撮像素子2は、フリップチップボンド9によって、積層基板4の裏面の側から、積層基板4に接続されている。フリップチップボンド9は、撮像素子2と積層基板4とを電気的に接続することが可能なものであり、バンプ等が挙げられる。
実装部品10は、上面6に配置されており、積層基板4およびフリップチップボンド9を介して、撮像素子2に電気的に接続されている。実装部品10は、撮像装置においてオートフォーカス機能を実現するための電子部品等を含んでいる。
ここで、図1の(a)から明らかであるとおり、レンズ素子1において、像側面L2の外形のサイズSL2が、物側面L1の外形のサイズSL1より小さい。
また、レンズ素子1はさらに、像側面L2の縁12に隣接して設けられた段差部13を有している。段差部13は、鍔部14から、レンズ素子1の光軸La方向に突出しており、最も像面側の端部15は像側面L2より物体側に位置する。鍔部14は、像側面L2に対して物側面L1が、光軸Laに対する法線方向Lnに突出した部分を含む。
そして、段差部13が上面6に載せられている。これにより、像側面L2が上面6より像面側(素子収納部の内側)に配置されていると共に、物側面L1が上面6より物体側に配置されている。換言すれば、像側面L2が積層基板4の内側に配置されている。またこれにより、鍔部14と上面6とが離間されており、この離間されたスペース16に実装部品10が配置されている。
図1の(b)に示すとおり、積層基板4の上面視において、開口部5および上面6の外形の形状は矩形である。
図1の(c)に示すとおり、レンズ素子1を像面側から見ると、像側面L2の外形の形状は矩形である。但し、像側面L2の外形の形状は矩形に限定されず、矩形とみなすことに差支えない矩形以外の形状であってもよい。このような矩形以外の形状の一例としては、角丸長方形が挙げられる。すなわち、像側面L2の外形の形状は、概略矩形であればよい。受光部3の形状に応じて、像側面L2の外形のサイズが定められている。また、段差部13は、像側面L2を囲むように設けられている。
一方、図1の(c)によれば、物側面L1の外形の形状は円形である。但し、物側面L1の外形の形状は円形に限定されず、設計に応じて適宜選択することが可能である。
主要部100では、開口部5のサイズを、物側面L1の外形のサイズより小さくすることが可能となる。これにより、積層基板4の外形の小型化が可能である。この結果、撮像装置の小型化が可能となる。
また、主要部100では、図1の(a)からも明らかであるとおり、像側面L2を上面6より像面側に配置することが可能となる。これにより、像側面L2と撮像素子2(より具体的には受光部3)との間隔が大きくなることを抑制することができる。この結果、所望の収差補正効果を得ることができ、優れた解像力の撮像装置を実現することが可能となる。
すなわち、主要部100では、像側面L2が受光部3の近傍に配置されている。これにより、レンズ素子1自体の製造誤差、レンズ素子1の実装に関する各種精度に対する光学特性の変動度合を小さくすることができる。一般に、レンズ素子1が像面に近い程、該変動の度合が小さくなる。
また、レンズ素子1では、受光部3の形状に応じて、像側面L2の外形のサイズが定められている。これにより、像側面L2の外形のサイズが無駄に大きくなることを抑制しつつ、受光部3が適切に受光できるように、主要部100を構成することができる。
また、レンズ素子1では、物側面L1の外形の形状が、円形である。これにより、レンズ素子1の製造が容易となる。すなわち、物側面L1に関しては、金型を用いた射出成形または熱硬化成形等が適用でき、加えて金型の加工が容易である。例えば、コアピンを回転させながらバイトにより切削を行う(周知の技術であるため、詳細については省略する)ことによって、たとえ非球面形状を有していても、物側面L1の成形は容易である。また、像側面L2に関しては、レンズ面を設ける必要がないため、成形が容易であることは言うまでもない。
また、像側面L2は平面状であるため、成形時に金型から外れやすい。このことを利用して、像側面L2に、光の反射率を低減させる微小な凹凸を形成すれば、像側面L2をコーティングすることなく、光の反射を抑制することが可能となる。これにより、該コーティングのときに、該コーティング部分にゴミが付着することを防ぐことができるため、異物が撮像画像に写り込むこと(像側面L2が受光部3に近い程、写り込みが顕著となる)を抑制することができる。
また、主要部100では、鍔部14と上面6とが離間されており、スペース16に実装部品10が配置されている。換言すれば、実装部品10を、物側面L1の縁より内側に配置することが可能となっている。実装部品10を、物側面L1の縁より内側に配置することにより、積層基板4の外形をより小型化することが可能となる。
〔実施の形態2〕
図3は、本実施の形態に係る撮像装置の主要部の構成を示す断面図である。図3では、図示を簡潔にするために、図1に示す主要部100と異なる構成およびそれに関連する構成のみを重点的に示している。
図3に示す主要部200は、主要部100と下記の構成が異なっている。
すなわち、主要部200では、赤外線カットガラス7が省略されている。これにより、撮像装置の構成を簡素化することが可能となる。また、撮像装置の光学系の光学全長を短くすることができるため、撮像装置の低背化が可能となる。
赤外線カットガラス7を省略するために必要な構成は、物側面L1および像側面L2の少なくとも一方に、赤外線を遮断するための加工が施されている(すなわち、遮断形状が形成されている)構成である。レンズ素子1の材料として熱硬化性の材料を用いることにより、容易に該加工を施すことが可能となる。熱硬化性の材料は、耐熱性に優れており、高温蒸着によって該加工を施すことができるためである。
さらに、赤外線カットガラス7が省略されていることにより、上面6の上方において、実装部品10を配置するための空間を広くすることができる(図3では、実装部品10の図示は省略している)。
また、図3に示すレンズ素子1は、段差部13を備えていない。これに伴い、主要部200では、鍔部14と上面6とが密着しており、スペース16が存在していない。
〔実施の形態3〕
図4は、本実施の形態に係る撮像装置の主要部の構成を示す断面図である。図4では、図示を簡潔にするために、図1に示す主要部100と異なる構成およびそれに関連する構成のみを重点的に示している。
図4に示す主要部300は、主要部100と下記の構成が異なっている。
すなわち、主要部300は、レンズ素子1に、突出部17を有している。
突出部17は、像側面L2から光軸Laに沿う方向に、換言すれば、物体側から像面側へと向かって延びている。さらに、突出部17は、その端部18が、撮像素子2における受光部3の周りに当接している。
主要部300では、像側面L2から光軸Laに沿う方向に延びる突出部17の端部18が、撮像素子2に当接している。これにより、撮像素子2に対する像側面L2の位置を決めることができ、像側面L2と撮像素子2との間隔を制御することが可能となる。突出部17の丈に応じて、容易に該間隔を変化させることができる。
また、図4に示すレンズ素子1は、段差部13を備えていない。
〔レンズ素子の側面の遮光〕
各実施の形態に係る撮像装置では、レンズ素子1の側面が遮光されている(すなわち、遮光側面を有している)のが好ましい。ここで、レンズ素子1は厳密には、鍔部14に該当する側面と、鍔部14に該当しない側面との、少なくとも2つの側面を有している。また、各側面に関し、遮光は一部であってもよいし、全部であってもよい。従って、複数の側面の少なくとも1つは、少なくとも一部が遮光されているのが好ましいと言える。
これにより、ゴーストフレア等の迷光を防ぐことができる。
〔レンズの配置例〕
図5は、撮像装置におけるレンズの配置例を示す図である。
図5に示すレンズの配置例では、物体側から像面側へと向かって順に、開口絞りM0、第1レンズM1、第2レンズM2、第3レンズM3、第4レンズM4、レンズ8、赤外線カットガラス7、およびレンズ素子1が配置されている。
第1レンズM1は、正の屈折力を有しており、物体側に向けた面が凸形状である。
第2レンズM2は、負の屈折力を有しており、物体側に向けた面が凸形状、像面側に向けた面が凹形状である、いわゆるメニスカスレンズである。
第3レンズM3は、正の屈折力を有しており、像面側に向けた面が凸形状である。
第4レンズM4は、負の屈折力を有しており、物体側に向けた面が凹形状、像面側に向けた面が凸形状である、いわゆるメニスカスレンズである。
レンズ8は、正の屈折力を有しており、物体側に向けた面および像面側に向けた面の両方が変曲点を有している。変曲点とは、ある1つのレンズ面内において凹形状と凸形状とが切り替わる点である。
以下、第1レンズM1、第2レンズM2、第3レンズM3、および第4レンズM4をそれぞれ、レンズM1〜M4と呼ぶ場合もある。
〔レンズ素子の変形例〕
図6は、レンズ素子の変形例を示す上面図である。
図6には、図1の(c)に示すレンズ素子1に対して、射出成形時のゲートカットを行った状態を示している。但し、図示の便宜上、本変形例とは特に関連の無い段差部13の図示は省略している。カットされた箇所は、ゲートカット部19である。
なお、物側面L1の外形の形状が円形でなくとも、像側面L2の全面に適切に光を導くことに支障が無い場合もある。つまり、物側面L1の外形の形状およびサイズは、最低限、像側面L2の外形の形状およびサイズに合わせた概略矩形を含んでいれば十分である。
〔実施の形態4〕
図7は、本実施の形態に係る撮像装置の主要部の構成を示す断面図である。図7では、図示を簡潔にするために、図1に示す主要部100と異なる構成およびそれに関連する構成のみを重点的に示している。
図7に示す主要部400は、主要部100と下記の構成が異なっている。
すなわち、主要部400では、撮像素子2と積層基板4´との電気的接続が、ボンディングワイヤ20を用いたワイヤボンディング方式によって実現されている。
図7に示すレンズ素子1は、段差部13を備えていない。
図7に示す積層基板4´は、平板状であり、撮像素子2を収納するものではない(素子収納部でない)。その他の積層基板4´の構成は、積層基板4の構成と同じである。
一方、主要部400は、センサカバー(素子収納部)21を備えている。
センサカバー21は、撮像素子2を収納しており、受光部3に適切に光が導かれるよう、受光部3の上方に開口部22が形成されている。センサカバー21は、センサカバー21の内側面からレンズ素子1の中心方向に突出した鍔受け部23を有しており、レンズ素子1の鍔部14が鍔受け部23の上面(素子収納部の上面)24に載せられている。この結果、像側面L2が上面24より像面側に配置されていると共に、物側面L1が上面24より物体側に配置されている。
ボンディングワイヤ20は、周知のワイヤボンディング方式によって、撮像素子2と積層基板4´とを電気的に接続するためのワイヤである。
撮像素子2における受光部3と反対側の面は、接着剤25により、積層基板4´に接着固定されている。
上記の構成によれば、実施の形態1に係る技術的思想を、ワイヤボンディング方式に適用することが可能となる。
〔実施の形態5〕
図8において、(a)は本実施の形態に係る撮像装置の主要部の構成を示す断面図であり、(b)は追加積層基板の上面図である。図8では、図示を簡潔にするために、図1に示す主要部100と異なる構成およびそれに関連する構成のみを重点的に示している。
図8に示す主要部500は、主要部100と下記の構成が異なっている。
すなわち、主要部500では、積層基板4に、追加積層基板26が載せられている。
追加積層基板26は、受光部3に適切に光が導かれるよう、受光部3の上方に開口部27が形成されている。また、追加積層基板26は、所定の配線パターンを有している。追加積層基板26は、レンズ素子1における鍔部14に該当する側面28に隣接して設けられている。
上述したとおり、図1の(b)に示すとおり、積層基板4の上面視において、開口部5および上面6の外形の形状は矩形である。
一方、図8の(b)に示すとおり、追加積層基板26の上面視において、追加積層基板26の上面29の外形の形状は、上面6の外形の形状と同じく矩形である。一方、図8の(b)に示すとおり、追加積層基板26の上面視において、開口部27の外形の形状は、円形である。
そして、レンズ素子1は、像側面L2の側において、開口部5に嵌め込まれている、または開口部5を構成する積層基板4の内側面に、レンズ素子1の側面が接着されている。レンズ素子1は、物側面L1の側において、開口部27に嵌め込まれている、または開口部27を構成する追加積層基板26の内側面に、レンズ素子1の側面が接着されている。
主要部500に実装部品10(図1等参照)を設ける場合、実装部品10は例えば上面29に配置される。
また、図8に示すレンズ素子1は、段差部13を備えていない。これに伴い、主要部500では、鍔部14と上面6とが密着しており、スペース16が存在していない。
主要部500は、像側面L2および物側面L1の外形の形状にそれぞれ合わせた、開口部5および27を設けたものであると言える。
〔実施の形態6〕
図9において、(a)は本実施の形態に係る撮像装置の主要部の構成を示す断面図であり、(b)は実装基板の上面図であり、(c)は本実施の形態に係るレンズ素子を物体側から見た図である。
図9の(a)に示す主要部600は、レンズ素子1、撮像素子2、実装基板4´´、赤外線カットガラス7、レンズ(前段レンズ部を構成するレンズ)8、ボンディングワイヤ20、センサカバー(素子収納部)21、レンズバレル30、および周辺構造体31を備えている。物体側から像面側へと向かって、レンズ8、赤外線カットガラス7、レンズ素子1、撮像素子2の順に配置されている。
図9の(a)に示すレンズ素子1は、段差部13を備えていない。
図9の(a)および(b)に示す実装基板4´´は、平板状であり、撮像素子2を収納するものではない(素子収納部でない)。
図9の(a)に示すセンサカバー21は、センサカバー21の内側面からレンズ素子1の中心方向に突出した鍔受け部23を有しており、レンズ素子1の鍔部14が鍔受け部23の上面24に載せられている。この結果、像側面L2が上面24より像面側に配置されている。
レンズ8は、図9の(a)に示すとおり、レンズ素子1より物体側に配置されているが、その両方のレンズ面に、凹形状と凸形状との境界である変曲点32を有している。すなわち、レンズ8の各レンズ面は、変曲点32を境に、凹形状と凸形状とが切り替わっている。レンズ8の一方のレンズ面のみに変曲点32を有していてもよい。
光軸La方向に沿った、撮像素子2の上面と、ボンディングワイヤ20の最高点(最も物体側の位置)との距離は、0.1〜0.2mm、0.3mm等があるが、概ね0.15mm未満である。
レンズバレル30は、レンズ8をはじめとする、レンズ素子1より物体側に配置される各レンズ(前段レンズ部)を収納するものである。具体例を挙げると、撮像装置のレンズ構成が図5に示す構成である場合、レンズM1〜M4およびレンズ8が、レンズバレル30に収納されることとなる。
周辺構造体31は、レンズバレル30の周囲に設けられている。図9の(a)では詳細に図示していないが、周辺構造体31は、撮像装置の筐体、および移動機構を含んでいる。移動機構とは、レンズバレル30を移動させることで、レンズ素子1より物体側に配置される各レンズを移動させる種々の機構である。移動機構としては、光軸La方向にレンズバレル30を移動させるオートフォーカス機構、法線方向Lnにレンズバレル30を移動させる手振れ補正機構等が挙げられる。
主要部600では、センサカバー21の開口部22のサイズを、物側面L1の外形のサイズより小さくすることが可能となる。これにより、センサカバー21の外形の小型化が可能である。この結果、撮像装置の小型化が可能となる。
また、主要部600では、図9の(a)からも明らかであるとおり、像側面L2を上面24より像面側に配置することが可能となる。これにより、像側面L2と撮像素子2(より具体的には受光部3)との間隔が大きくなることを抑制することができる。この結果、所望の収差補正効果を得ることができ、優れた解像力の撮像装置を実現することが可能となる。
また、上述したとおり、光軸La方向に沿った、撮像素子2の上面と、ボンディングワイヤ20の最高点(最も物体側の位置)との距離は、概ね0.15mm未満である。このことを考慮すると、ボンディングワイヤ20が直上のレンズ素子1部分(図9の(a)では鍔部14)に当たることを避けるため、光軸La方向に沿った、鍔部14と像側面L2との離間距離Z1を0.15mm以上とすべきである。これにより、ボンディングワイヤ20の変形、およびワイヤボンディングの不良を抑制することができる。
また、主要部600においては、レンズ素子1がセンサカバー21に載せられている。具体的には、鍔部14が鍔受け部23に載せられている。また、センサカバー21は、像側面L2の周囲に突出部33を有している。突出部33は、光軸La方向に、像面側に延びている。そして、突出部33の端面は、光軸La方向に、撮像素子2の上面に当接している。該当接により、像側面L2と撮像素子2との間隔が規定されている。これにより、簡単な構成で、精度良く、像側面L2の位置決めを行うことができる。
また、像側面L2に、ナノインプリントによって形成された凹凸を有しているのが好ましい。
通常、明るい像を得るため、および迷光の発生を抑制するため、レンズ素子1には、酸化物薄膜を用いた反射防止処理(いわゆる、ARコート)が施される。この反射防止処理において、酸化物薄膜の成膜時に、酸化物薄膜に異物が付着することがしばしば問題となる。特に、像側面L2は受光部3の近くに配置されるため、像側面L2に異物が付着すると、この異物が受光部3を広範囲に亘って遮光し、撮像装置では黒キズ、シミ等の発生が懸念される。
波長に近いオーダーの凹凸を形成することで、反射防止効果が得られることは知られており、この技術は例えば液晶パネルの表面の反射防止処理に適用されている。像側面L2に、ナノインプリントによって形成された凹凸を設けることで、酸化物薄膜を用いた反射防止処理が不要となる。この結果、異物付着の虞を低減しつつ、良好な反射防止効果を得ることができる。
図10は、撮像装置に図9の(a)および(c)に示すレンズ素子1を設ける例と、撮像装置に円筒形状のレンズ101を設ける通常例とを対比する図である。図示の便宜上、図10では、レンズ8およびそこから物体側の構成の図示を省略した。
撮像装置に円筒形状のレンズ101を設けた場合の撮像素子102のサイズは、撮像装置にレンズ素子1を設けた場合の撮像素子2のサイズに比べ、法線方向Lnに距離X1のおよそ2倍だけ大きくなる。これは、ボンディングワイヤ120が円筒形状のレンズ101に当たることを避けるため、ボンディングワイヤ120を円筒形状のレンズ101より十分外側に設ける必要があることによる。この結果、撮像装置に円筒形状のレンズ101を設けた場合、撮像装置にレンズ素子1を設けた場合に比べ、撮像装置の大型化を引き起こすことになる。
なお、レンズ素子1では、受光部3の形状に応じて、像側面L2の外形のサイズが定められている。これにより、像側面L2の外形のサイズが無駄に大きくなることを抑制しつつ、受光部3が適切に受光できるように、主要部600を構成することができる。
図11において、(a)は、赤外線カットガラス7、物側面L1、像側面L2、および受光部3の位置関係を、実装基板4´´の上面に表した図であり、(b)および(c)は、物側面L1の外形の形状の変形例を示す図である。
受光部3において適切に受光を行うために、外形の大きさは、赤外線カットガラス7(一番大きい)、物側面L1、像側面L2、受光部3(一番小さい)の順とするのが好ましい。
物側面L1の外形は、図9の(c)では円形であったが、これに限定されない。すなわち、物側面L1の外形は、図11の(b)に示すように、図9の(c)での円形に内接する1つの線で該円形を切断してなる形状(いわゆる、D形カット)であってもよいし、図11の(c)に示すように、同4つの線で該円形を切断してなる形状(いわゆる、四角形カット)であってもよい。さらに、図示はしていないが、同2つの線で該円形を切断してなる形状(いわゆる、I形カット)であってもよい。このように、物側面L1の外形の形状が、該円形に内接する少なくとも1つの線で該円形を切断してなる形状であってもよい。
これにより、レンズ素子1を比較的容易に製造することができる。すなわち、物側面L1に関しては、金型を用いた射出成形または熱硬化成形等が適用でき、また、該金型の加工が容易となる。一方、像側面L2に関しては、平面状であるため、成形が容易であることは言うまでも無い。
図12において、(a)は、図9の(c)に示すレンズ素子1の成形を行う工程を示す図であり、(b)は、図11の(c)に示すレンズ素子1の成形を行う工程を示す図であり、(c)は、(b)の成形により得られたものを切断する工程を示す図であり、(d)は、図11の(c)に示すレンズ素子1の完成品を示す斜視図である。
図12の(a)に示す工程によれば、図9の(c)に示すレンズ素子1の両面と反対の形状を持つ金型34によって樹脂35(熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等)を挟み込み、該レンズ素子1を製造することができる(射出成形)。
図12の(b)および(c)に示す工程によれば、円筒形状のレンズ101(図10参照)の両面と反対の形状を持つ金型34によって樹脂35を挟み込む(図12の(b))。そして、これによって得られた樹脂被成形物36を、上述したとおり外形(円形)の内接する4つの線で切断する(図12の(c))。これによって、図11の(c)に示すレンズ素子1を製造することができる。
図13の(a)および(b)は、図12の(b)および(c)とは別の、図11の(c)に示すレンズ素子1の成形を行う工程を示す図である。
金型34は、樹脂35に像側面L2を転写するために、底が平面状の窪みが形成されていた。一方、成形型37は、該窪みを持つ金型の替わりに、例えばガラスからなる平板を有している。
成形型37を用いて、図11の(c)に示すレンズ素子1を製造することによって、このレンズ素子1をアレイ状に複数一括して製造することが可能となる。すなわち、上記平板に基材38を設け、基材38の上に樹脂35を供給し、成形型37における該平板と反対側の型に物側面L1と反対の形状をアレイ状に設け、樹脂35に成形型37による転写を行う。
基材38を用いることで、偏肉比の大きなレンズ素子1を製造することが容易となる。また、上記平板をガラスとした場合、樹脂35に対して該平板越しに光を照射することが可能となるため、樹脂35として紫外線硬化性樹脂を用いることが可能となる。レンズ素子1をアレイ状に複数一括して製造することで、生産性の向上を図ることができるが、成形型37のうちレンズ素子1一つ分を用いて、レンズ素子1を一つずつ製造してもよい。
〔実施の形態7〕
図14において、(a)は本実施の形態に係る撮像装置の構成を示す断面図であり、(b)は本実施の形態に係る別の撮像装置の構成を示す断面図である。
図14の(a)に示す撮像装置601は、主要部600(図9の(a)参照)を備えている。なお、撮像装置筐体39、コイル40、マグネット41、および板バネ42が、主要部600の周辺構造体31に対応する。また、撮像装置601は、開口絞りM0、およびレンズM1〜M4を備えている。なお、図14の(a)および(b)と図5とで、レンズM1の像面側に向けた面の形状が互いに異なっている(図5では凸形状、図14の(a)および(b)では凹形状)。しかしながら、レンズM1の像面側に向けた面の形状についてはそもそも特に限定されるものではなく、いずれの形状であってもよい。レンズM3の物体側に向けた面(図5では凸形状、図14の(a)および(b)では凹形状)についても同様である。
レンズM1〜M4は、レンズ8と共に、レンズバレル30に収納されている。
コイル40は、レンズバレル30の外壁に設けられている。マグネット41は、撮像装置筐体39の内壁に設けられている。板バネ42は、レンズバレル30の外壁と撮像装置筐体39とを連結しており、レンズバレル30を支持できるよう、複数箇所に設けられている。
コイル40に電流を供給すると、コイル40に流れる電流がマグネット41から発生する磁界と作用することによって、コイル40を移動させる推力が発生する。この結果、レンズバレル30がコイル40の移動方向に追従して移動する。こうして、オートフォーカス機構(コイル40を光軸La方向に移動させる)や手振れ補正機構(コイル40を法線方向Lnに移動させる)を、移動機構として実現することが可能である。
物側面L1は、受光部3と十分近い。このため、レンズ8と物側面L1との距離を十分大きくすることができ、レンズ8とレンズ素子1との相対的な位置ズレに対する、撮像装置601におけるコントラストの変化を小さくすることができる。これに伴い、レンズ素子1より物体側に配置される各レンズM1〜M4および8間で生じる種々の位置ズレに対する、該コントラストの変化を小さくすることができる。また、開口絞りM0から像面側に向かう程、光学部品のサイズは大きくなる。撮像装置601が備えているレンズの中で最もサイズの大きいレンズ素子1をレンズバレル30に収納しない構成とすることで、移動機構の移動対象である、レンズバレル30に収納された各レンズの総重量を軽くすることができるため、移動機構のパフォーマンスを向上させることが可能である。
図14の(b)に示す撮像装置601は、図14の(a)に示す撮像装置601から、レンズバレル30を省いたものである。すなわち、図14の(b)に示す撮像装置601は、レンズ素子1より物体側に配置される各レンズを収納するレンズバレル30を備えていない。図14の(b)の主要部600´は、主要部600からレンズバレル30を省いたものである。
レンズ素子1より物体側に配置される各レンズM1〜M4および8は、互いに貼り付けられており、前段レンズ群43を構成している。コイル40は、前段レンズ群43の側壁に設けられている。マグネット41は、撮像装置筐体39の内壁に設けられている。板バネ42は、前段レンズ群43の側壁と撮像装置筐体39とを連結しており、前段レンズ群43を支持できるよう、複数箇所に設けられている。
図14の(b)に示す撮像装置601では、レンズバレル30が省略されているため、移動機構の移動対象からレンズバレル30が排除され、移動機構の移動対象のさらなる軽量化が可能である。
移動機構において、前段レンズ群43を移動させると共にレンズ素子1を固定する、すなわち、レンズ素子1を移動機構による移動対象に含めないことによる効果について詳細に説明する。
撮像装置601によってマクロ撮影(接写)を行う場合、無限遠の物体11の撮像時に対して、前段レンズ群43を物体側に移動させる。このとき、前段レンズ群43とレンズ素子1との間隔が大きくなることによって、Fナンバーを小さくすることが可能である。
前段レンズ群43の焦点距離をf1、レンズ素子1の焦点距離をf2、レンズ8とレンズ素子1との間隔(主平面間距離)をdとする。このとき、前段レンズ群43およびレンズ素子1の合成焦点距離fは、下記数式(a)で与えられる。
1/f = 1/f1 + 1/f2 − d/(f1×f2) ・・・(a)
ここで、レンズ素子1は、物側面L1が凹面、像側面L2が平面状であるため、負の屈折力を有する(すなわち、f2<0)。一方、前段レンズ群43およびレンズ素子1が全体で結像レンズを構成するため、前段レンズ群43は、正の屈折力を有する(すなわち、f1>0)。マクロ撮影の際、間隔dは大きくなるので、合成焦点距離fは小さくなる。
一方、FナンバーをFとすると、合成焦点距離fと開口絞りM0の開口径Dとによって、下記数式(b)が与えられる。
F = f/D ・・・(b)
開口径Dが一定である場合、FナンバーFは合成焦点距離fに比例する。
以上のことから、前段レンズ群43を移動させると共にレンズ素子1を固定する撮像装置601では、Fナンバーを小さくし、明るい像を得ることが可能である。
図15において、(a)は、図9の(a)に示すレンズ素子1、および金型を示す断面図であり、(b)は、(a)に示すレンズ素子1に入射する光の経路を示す図であり、(c)は、レンズ素子1の変形例、および金型を示す断面図であり、(d)は、(c)に示すレンズ素子1に入射する光の経路を示す図である。
図9の(a)に示すレンズ素子1は、像側面L2の縁から延びるレンズ素子1の側面部分44が、光軸Laと略平行となっている。この場合、図15の(a)に示すとおり、像側面L2と反対の形状を有する金型(下)45を用いて成形を行うと、成形済のレンズ素子1と金型(下)45との間の抵抗に起因して、成形済のレンズ素子1が金型(下)45から離れにくくなる。この結果、金型(下)45が固定されるか可動であるかにかかわらず、レンズ素子1に反りまたは歪みが発生する虞がある。また、図15の(b)に示すとおり、レンズ素子1に物側面L1から迷光46が入射した場合、光軸Laに対する迷光46の入射角度が小さいと、側面部分44にて迷光46が反射され、受光部3によって迷光46が受光されてしまう虞がある。
これらの虞を低減するために、図15の(c)および(d)に示すとおり、側面部分44を、光軸Laに対して傾斜させるのが好ましい。この場合、図15の(c)に示すとおり、像側面L2と反対の形状を有する金型(下)45を用いて成形を行うと、成形済のレンズ素子1が金型(下)45から離れやすくなる。この結果、レンズ素子1に反りまたは歪みが発生する虞を低減することができる。また、図15の(d)に示すとおり、レンズ素子1に物側面L1から迷光46が入射した場合、光軸Laに対する迷光46の入射角度が小さくても、側面部分44にて迷光46が反射されずレンズ素子1を透過するため、受光部3によって迷光46が受光されてしまう虞を低減することができる。
以上のとおり、レンズ素子1は、像側面L2の縁に隣接する側面部分44(傾斜)を有しているのが好ましい。これにより、レンズ素子1を精度良く製造することができる。
なお、側面部分44の傾斜角度は、光軸Laに対して40°以上であるのが好ましい。
〔実施の形態8〕
図16は、本実施の形態に係る撮像装置の主要部の構成を示す断面図である。
図16に示す主要部700は、主要部600に対して、実装基板4´´およびセンサカバー21の替わりに、所定の配線パターンを有しているフリップチップ基板(素子収納部)47を備えている。また、撮像素子2は、ボンディングワイヤ20によって実装基板4´´に電気的に接続されておらず、バンプ48によってフリップチップ基板47に電気的に接続されている。
上記の構成によっても、主要部600と同様の効果を得ることができる。
なお、主要部600では、鍔部14と像側面L2との離間距離Z1を0.15mm以上とすべきであったが、主要部700ではこの必然性は無い。
〔実施の形態9〕
図17は、本実施の形態に係る撮像装置の主要部の構成を示す断面図である。
図17に示す主要部800は、主要部600に対して、光軸La方向に、像側面L2と撮像素子2とが接している。
図18の(a)および(b)は、像側面L2と撮像素子2とが接する構成の一例を示す断面図である。
図18の(a)に示すとおり、像側面L2と受光部3とが直接接する構成としてもよいし、図18の(b)の左側に示すとおり、受光部3にマイクロレンズ群49を設け、像側面L2とマイクロレンズ群49とが直接接する構成としてもよい。図18の(b)の右側には、受光部3にマイクロレンズ群49を設け、像側面L2とマイクロレンズ群49とを離間する構成を参考に示した。
これにより、物側面L1をさらに像面側に位置させることができるため、撮像装置のさらなる低背化が可能である。
また、像側面L2と撮像素子2とが接している場合、レンズ素子1への主光線の入射角度が小さくても、光を適切に受光部3にて結像させることができるため、周辺光量比に優れた撮像装置を実現することができる。周辺光量比とは、受光部3によって受光される光量に基づいており、像の中心の光量に対する、像の中心以外の光量の比率である。主光線以外の光についても同様である。この結果、撮像装置の焦点深度が広がり、幅広い物体距離に対応可能な撮像装置を実現することができる。
図19において、(a)は、像側面L2と撮像素子2とが接していない場合の、主光線の経路を説明する図であり、(b)は、像側面L2と撮像素子2とが接している場合の、主光線の経路を説明する図である。図20は、図19の(a)の場合と、図19の(b)の場合とのデフォーカスMTFを比較するグラフである。
図19の(a)と(b)とを比較すると、図19の(b)のほうが、図19の(a)より、レンズ素子1を通過する光線50の広がりが小さい。このため、図19の(b)のほうが、より遠い物体11からの光を適切に受光部3に導くことができる。換言すれば、図20に示すとおり、空気51無し(図19の(b)の場合)のほうが、空気51有り(図19の(a)の場合)より、フォーカスシフト量(横軸)の変化に対するMTF(縦軸)の低下量が小さい。
さらに、空気51の存在に起因する迷光の発生を抑制することができるため、撮像装置の画質向上も期待できる。
〔実施の形態10〕
図21の(a)および(b)は、本実施の形態に係る撮像装置の主要部の構成を示す断面図である。
図21の(a)に示す主要部900は、主要部600に対して、像側面L2に突出部52が形成されている。図21の(b)に示す主要部900は、主要部700に対して、像側面L2に突出部52が形成されている。
突出部52は、光軸La方向に像面側に向けて突出している。そして、突出部52の端部が撮像素子2に当接することで、像側面L2と撮像素子2との間隔が規定されている。
これにより、簡単な構成で、精度良く、像側面L2の位置決めを行うことができる。
〔実施の形態11〕
図22は、本実施の形態に係る撮像装置の主要部の構成を示す断面図である。
図22に示す主要部1000は、主要部700に対して、レンズ素子1は段差部13を備えている。段差部13は、フリップチップ基板47の上面53に載せられている。
また、主要部1000では、段差部13によって、鍔部14と上面53とが離間されており、この離間されたスペース54に実装部品10が配置されている。換言すれば、実装部品10を、物側面L1の縁より内側に配置することが可能となっている。実装部品10を、物側面L1の縁より内側に配置することによって、フリップチップ基板47の外形をより小型化することが可能となる。
〔実施の形態12〕
図23は、本実施の形態に係る撮像装置の主要部の構成を示す断面図である。
図23に示す主要部1100は、図21の(a)に示す主要部900に対して、下記の点が異なる。
すなわち、センサカバー21は、像面側からレンズ素子1が接着される素子接着部55を有している。素子接着部55は、法線方向Lnに沿ってレンズ素子1の中心方向に延び、法線方向Lnに沿った素子接着部55の開口部56のサイズが、レンズ素子1の外形のサイズより小さい(図24参照)。
またこのとき、主要部1100のレンズ素子1は、像面側からセンサカバー21に入れられる。このため、主要部1100では、レンズ素子1を像面側からセンサカバー21に入れられるような、センサカバー21の内部構造を有している。ここでは、センサカバー21は、素子接着部55以外、法線方向Lnに沿ったセンサカバー21の開口のサイズが、レンズ素子1の外形のサイズ以上である。
換言すれば、主要部1100において、センサカバー21は、光軸La方向に開口した、物側面L1の外形のサイズより小さい開口部56を有しており、物側面L1は、開口部56より像面側に配置されていることになる。これにより、迷光が、素子接着部55によって遮られる。このため、レンズ素子1への迷光の侵入を抑制することができる。
なお、フリップチップ基板47を備える形態、すなわち、図21の(b)に示す主要部900に対して素子接着部55を設けてもよい。
また、赤外線カットガラス7に遮光マスクを形成してもよい。
〔実施の形態13〕
図25の(a)〜(d)は、本実施の形態に係る撮像装置の主要部の構成を示す断面図である。
図25の(a)に示す主要部1200は、主要部600に対して、赤外線カットガラス7が省かれている。図25の(b)に示す主要部1200は、主要部700に対して、赤外線カットガラス7が省かれている。
なお、赤外線カットガラス7の替わりに、異物混入防止用のフィルムを設けてもよい。図25の(c)および(d)に示す主要部1300は、それぞれ(a)および(b)に示す主要部1200に対して、フィルム57を設けたものである。
赤外線カットガラス7を省くためには、レンズ素子1は、赤外線を吸収する材料を含んでいる必要がある。赤外線を吸収する材料として、インジウム錫酸化物(ITO)、アンチモン錫酸化物(ATO)、または有機ホウ素化合物等が挙げられる。レンズ素子1にこれらの材料を含ませることによって、レンズ素子1が赤外線を遮断することが可能となる。この結果、良好な画質の撮像装置を実現することができる。
また、赤外線カットガラス7を省くことによって、低背化および収差補正が容易となる。一般に、光学系に比屈折率が1以上のものを設けると、光学系の全長が増大するためである。
〔応用例1〕
図26は、レンズ素子1の第1の応用例を示す断面図である。
レンズ素子1は、物側面L1に変曲点58を有していてもよい。レンズ素子1の設計次第では、物側面L1に変曲点58を有することが好適である場合が考えられるが、上記の各実施の形態では、このようなレンズ素子1についても問題無く適用することができる。
〔応用例2〕
図27の(a)は、レンズ素子1の第2の応用例の1つを示す平面図および断面図である。図27の(b)は、レンズ素子1の第2の応用例の別の1つを示す平面図である。
レンズ素子1に突出部52を設ける場合、突出部52は、像側面L2の外周全体に形成されてもよいし、像側面L2の外周の一部のみに形成されても(像側面L2の外周全体に形成されなくても)よい。図27では、突出部52が像側面L2の外周の一部のみに形成されている例の平面図、AA断面図、およびBB断面図を(a)に、突出部52が像側面L2の外周全体に形成されている例の平面図を(b)に、それぞれ示している。
図27の(a)に示すとおり、突出部52が像側面L2の外周の一部のみに形成されていることによって、像側面L2と撮像素子2(特に、受光部3)との間に一定の間隔を設ける必要がある場合に都合がよい。すなわち、ボンディングワイヤ20を設ける場合、該一定の間隔を設けなければ、ボンディングワイヤ20がレンズ素子1に接触してしまう虞があるが、この虞が高い箇所において突出部52を設けないようにすれば、この虞を抑制することができる。
一方、図27の(b)に示すとおり、突出部52が像側面L2の外周全体に形成されていることによって、像側面L2および突出部52により受光部3を囲むことができるため、受光部3に異物が付着する虞を低減することができる。
〔応用例3〕
図28は、射出成形によって製造されたレンズ素子1の一例を示す平面図である。
レンズ素子1を射出成形によって製造すると、物側面L1の端部にゲート59が形成される。
図29は、レンズ素子1の第3の応用例を示す平面図および断面図である。
図29に示すレンズ素子1は、像側面L2の端部が、物側面L1の端部と同じ位置になっている。物側面L1の外形が円形である一方、像側面L2の外形が概略矩形であるため、像側面L2の一部が、物側面L1からはみ出している。
物側面L1からはみ出した像側面L2の一部は、例えばレンズ素子1を射出成形によって製造する際のゲート59として機能する。
このように、レンズ素子1の製造に有利となるように、像側面L2を、光軸Laに対して非対称な形状としてもよい。
〔発明の概要2〕
撮像装置では、物体側に向けた面(物側面)が凹面であり、像面側に向けた面(像側面)が平面である平凹レンズを、撮像素子の近傍に配置した構成により、効果的に収差を補正することができる。
上記構成を、5枚のレンズと組み合わせることにより、Fナンバー1.6程度を確保しつつ、撮像装置の低背化を実現することができる。
〔撮像レンズの基本構成〕
撮像レンズの基本構成について、図30を参照して説明する。
図30は、後述する実施の形態14に係る撮像レンズの構成を示す断面図である。
図30に示す撮像レンズ100Vは、物体側から像面側へと向かって順に、開口絞りL0V、第1レンズL1V、第2レンズL2V、第3レンズL3V、第4レンズL4V、前段レンズL5V、赤外線カットガラスCGV、後段レンズLOCVが配置されている。
第1レンズL1Vは、物体側に向けられた面s1Vと、像面側に向けられた面s2Vとを有している。第2レンズL2Vは、物体側に向けられた面s3Vと、像面側に向けられた面s4Vとを有している。第3レンズL3Vは、物体側に向けられた面s5Vと、像面側に向けられた面s6Vとを有している。第4レンズL4Vは、物体側に向けられた面s7Vと、像面側に向けられた面s8Vとを有している。前段レンズL5Vは、物体側に向けられた面s9Vと、像面側に向けられた面s10Vとを有している。赤外線カットガラスCGVは、物体側に向けられた面s11Vと、像面側に向けられた面s12Vとを有している。後段レンズLOCVは、物体側に向けられた面s13Vと、像面側に向けられた面s14Vとを有している。また、開口絞りL0Vにより規定される面をs0V、像面をs15Vとする。
開口絞りL0Vは、面s1Vに入射する光の量を制限する。
第1レンズL1Vは、正の屈折力を有している。また、面s1Vは凸形状である。
第1レンズL1Vは、低分散の材料により構成されているのが好ましい。
第2レンズL2Vは、負の屈折力を有している。第2レンズL2Vはいわゆるメニスカスレンズ(片面が凸面、反対面が凹面のレンズ)であり、面s3Vが凸面となっている。
第2レンズL2Vは、高分散の材料により構成されているのが好ましい。
第3レンズL3Vは、正の屈折力を有している。また、面s6Vは凸形状である。
第3レンズL3Vは、低分散の材料により構成されているのが好ましい。
第4レンズL4Vは、負の屈折力を有している。第4レンズL4Vはいわゆるメニスカスレンズであり、面s7Vが凹面となっている。
前段レンズL5Vは、正の屈折力を有している。また、面s9Vは、中央部分c9Vが凸形状であり、中央部分c9Vを囲むように位置する周辺部分p9Vが凹形状である。一方、面s10Vは、中央部分c10Vが凹形状であり、中央部分c10Vを囲むように位置する周辺部分p10Vが凸形状である。
面s9Vおよびs10Vはいずれも、変曲点を有する面であると解釈することができる。
変曲点とは、同一レンズ面内において、凸形状と凹形状とが切り替わる境界である。レンズ面に変曲点を有することで、レンズ面の周辺部分の各種収差を好適に補正することが可能となり、また、像側テレセントリック性の確保が容易となる。
赤外線カットガラスCGVは、赤外線から像面を保護したり、モアレを抑制したりする機能を有している。
後段レンズLOCVの面s13Vは、全体を見れば凹形状であるが、レンズ面の中心ct13Vからレンズ面の縁ed13Vへと向かって順に、後段物側中央領域c13V、後段物側中間領域m13V、および後段物側周辺領域p13Vに区別される。
後段物側中央領域c13Vは、中心ct13Vを含む、面s13Vの中央部分である。また、後段物側中央領域c13Vでは、中心ct13Vから離れるほど、レンズ面の物体側への形状変化量が大きくなる。
形状変化量とは、レンズ面の中心から縁へと向かう単位距離(但し、光軸に対する法線方向の長さ)に対する、レンズ面の凹凸の高さ(光軸方向の位置)の変化量を示す量である。
後段物側中間領域m13Vは、後段物側中央領域c13Vと後段物側周辺領域p13Vとの間に位置する、面s13Vの中間部分である。また、後段物側中間領域m13Vでは、中心ct13Vから離れるほど、上記形状変化量が小さくなる。
後段物側周辺領域p13Vは、縁ed13Vを含む、面s13Vの周辺部分である。
さらに、中心ct13Vから後段物側中央領域c13Vと後段物側中間領域m13Vとの境界までの距離が、中心ct13Vから縁ed13Vまでの距離の3割以上である。なお、これらの距離はいずれも、撮像レンズ100Vの光軸LaVに対する法線方向LnVに沿った距離である。
なお、面s13Vは、変曲点を有していてもよい。
面s14Vは、平面状である。すなわち、面s14Vは、平面に限定されず、光を透過させる、もしくは、もたらされる光学特性(屈折力、偏芯等)の変化が撮像装置の光学系において無視できる程度に十分小さい面であればよい。このような面の一例として、光の反射率を低減させる微小な(例えばnmオーダーの)凹凸が形成された面、わずかに湾曲した面が挙げられる。
図31は、撮像レンズ100Vにおける面s13Vの形状変化量を説明するグラフである。
図31に示すグラフにおいて、横軸は、レンズ面内における位置を比率で表したものであり、中心ct13Vの位置を「0.0」、縁ed13Vの位置を「1.0」としている。図31に示すグラフにおいて、縦軸は、形状変化量を示しており、ここでは一例として、法線方向LnVへの変位5.6μmに対する、レンズ面の凹凸の高さ(光軸方向の位置)の変化量を示している。なお、法線方向LnVへの変位5.6μmは、面s13Vの有効径のおよそ1/500に相当し、この値はさらに小さい(例えば、同1/1000、同1/50000)場合であってもほぼ同じグラフが得られると考えられる。
図31によれば、面s13Vでは、位置0.0から、形状変化量が極大値を示す位置(位置0.4弱:形状変化量およそ1.5μm)までの範囲が、後段物側中央領域c13Vに相当する。図31から明らかであるとおり、後段物側中央領域c13Vでは、比率が大きくなるほど、換言すれば中心ct13Vから離れるほど、形状変化量が大きくなっている。
図31によれば、面s13Vでは、上記形状変化量が極大値を示す位置から、形状変化量が極小値を示す位置(位置0.8弱:形状変化量およそ−0.3μm)までの範囲が、後段物側中間領域m13Vに相当する。図31から明らかであるとおり、後段物側中間領域m13Vでは、比率が大きくなるほど形状変化量が小さくなっている。
なお、後段物側中間領域m13Vから、位置1.0までの範囲が、後段物側周辺領域p13Vに相当する。
またここで、上記形状変化量が極大値を示す位置が、後段物側中央領域c13Vと後段物側中間領域m13Vとの境界となるため、中心ct13Vから該境界までの距離は、中心ct13Vから縁ed13Vまでの距離の4割弱である。
ここで、像面s15Vと面s14Vとの間隔(撮像レンズの光軸方向の離間距離)をCAV、撮像レンズ100Vの光学全長をOTLVとすると、撮像レンズ100Vは、数式(1)
CAV/OTLV<0.15 ・・・(1)
を満足する。
なお、光学全長とは、光学系全体の光軸方向の長さである。
一般的に、後段レンズLOCVによる各種収差の補正を効果的に行うためには、面s14Vと像面s15Vとを十分近接させることが好ましい。数式(1)を満足することにより、面s14Vと像面s15Vとを十分近接させることができる。
また、後段レンズLOCVから像面s15Vへの光の入射角度が小さいため、周辺光量比の低下を抑制することができ、Fナンバー1.6程度の、像の明るい光学系を実現することが可能となる。通常、周辺光量比に応じて出力時のシェーディング特性に対してデジタル補正を行う。補正分、感度に対するダイナミックレンジが狭くなる為、周辺光量比の低下を抑制する事で感度の広い特性を得る事が出来る。
さらに、両面が非球面のレンズのかわりに、後段レンズLOCVを用いると、レンズの両面間の偏芯に起因する解像力の低下を防ぐことができると共に、後段レンズLOCVを単独で像面s15Vに近づけることが可能となる。従って、撮像レンズ100Vの製造公差に起因する光学特性のばらつきを抑制することが可能となる。換言すれば、容易に撮像レンズ100Vを製造することができる。
また、撮像レンズ100Vの焦点距離をfV、前段レンズL5Vの焦点距離をf5V、後段レンズLOCVの焦点距離をfcVとすると、数式(2)および(3)
3.4<f5V/fV<5.2 ・・・(2)
−1.7<fcV/fV<−1.1 ・・・(3)
を満足するのが好ましい。
f5V/fVが5.2以上になると、撮像レンズ100Vの低背化にこそ有利であるが、構造的に、後段レンズLOCVの搭載が困難となる恐れが生じる。一方、f5V/fVが3.4以下になると、前段レンズL5Vが像面s15Vから離れることになり、各種収差の補正が不十分になる恐れが生じる。
fcV/fVが−1.1以上になると、歪曲および像面湾曲を良好に補正しつつ、像面s15Vへの光の入射角度を小さくさせることが困難となる恐れが生じる。一方、fcV/fVが−1.7以下になると、撮像レンズ100Vの大型化を招く恐れが生じる。
また、像面s15Vと面s10Vの中心ct10Vとの間隔(撮像レンズの光軸方向の離間距離)が、0.8mm以上であるのが好ましい。
これにより、前段レンズL5Vのレンズ径を小さくすることが可能となり、これによりAF(オートフォーカス)機構等の周辺機器の小型化も可能となる。従って、撮像装置単位では大幅な小型化が可能となる。また、像面s15Vと中心ct10Vとの間隔が大きいほど、光線の径が大きくなる。この結果、前段レンズL5Vの近傍に存在する異物が撮像画像に写り込む恐れを低減することが可能となる。後段レンズLOCVが像面湾曲の補正に大きな影響を及ぼすことから、前段レンズL5Vを多少像面s15Vから離しても、十分良好に像面湾曲を補正することが可能である。
さらに、撮像レンズを備えた撮像装置を構成する場合、像面s15Vに撮像素子が配置されることとなる(後述する撮像レンズ2Vおよび撮像素子3Vを備えた撮像装置1V、図68参照)。
そして、上記撮像素子の対角のセンササイズをSDVとすると、数式(4)
0.7<OTLV/SDV<1.0 ・・・(4)
を満足する。
OTLV/SDVが1.0以上になると、画角が狭くなり、後段レンズLOCVを用いるまでもなく各種収差を良好に補正することができるケースが発生し得る。このため、OTLV/SDVが1.0以上であることは、本発明の技術的思想に鑑みると最良の選択であるとは言えない。OTLV/SDVが0.7以下になると、画角が広くなり過ぎ、各種収差を補正するための条件を再考する必要が生じる恐れがある。
第2レンズL2Vに高分散材料(アッベ数30以下)を適用する事で、色収差補正を良好にし、第4レンズL4Vに高屈折率材料(屈折率1.6以上)を適用する事で光学全長を短くする効果がある。
〔各実施の形態14〜22に係る撮像レンズの各種特性の説明に関する注釈〕
各実施の形態14〜22に係る撮像レンズの各種特性について説明するが、説明に先立って、下記に注釈を述べる。
レンズデータを示す表にて用いられている文言の定義を以下に列挙する。
列「要素」は、光学特性に寄与する部材を示しており、L0V(開口絞りL0V)、L1V(第1レンズL1V)、L2V(第2レンズL2V)、L3V(第3レンズL3V)、L4V(第4レンズL4V)、L5V(前段レンズL5V)、CGV(赤外線カットガラスCGV)、LOCV(後段レンズLOCV)、および像面が挙げられている。
列「νd」は各部材のアッベ数を示しており、列「Nd」は各部材の屈折率を示している。
アッベ数とは、分散に対する屈折度の比を示した光学媒質の定数である。異なった波長の光を異なった方向へ屈折させる度合いであり、高いアッベ数の媒質は異なった波長に対しての光線の屈折の度合いによる分散は少ない。
列「面」は、面s1V〜面s14Vおよび像面s15Vを示している。
列「曲率」は、面s1V〜面s14Vおよび像面s15Vの曲率を示している。曲率とは、曲率半径の逆数である。
列「中心厚」は、面s1V〜面s14Vのいずれかの中心からその次(像面s15V側)の面の中心までの、光軸LaV方向における距離を示している。
列「半径」は、面s1V〜面s14Vおよび像面s15Vにおける、光束の範囲を規制可能な円領域の半径を示している。
列「非球面係数」は、非球面を構成する非球面式(図32参照)における、i次の非球面係数Ai(iは4以上の偶数)を、A4からA16まで示している。該非球面式において、Zは光軸LaV方向の座標であり、xは法線方向LnVの座標であり、Rは曲率半径(曲率の逆数)であり、KはConic(円錐)係数である。
「(定数a)E(+定数B)」の表記は、(定数a)×10(+定数B)乗を示している。同様に、「(定数a)E(−定数B)」の表記は、(定数a)×10(−定数B)乗を示している。
光学特性は、下記の条件(A)〜(C)のもと測定した。
(A)撮像素子の対角のセンササイズ・・・5.867mm
(B)撮像素子の画素ピッチ・・・1.12μm
(C)シミュレーション光源を構成する各波長およびそれらの混合割合・・・450nm:550nm(主波長):650nm=0.16:1:0.56
非点収差を示すグラフにおいて、横軸は法線方向LnVへの光線のズレ(−0.10mm〜+0.10mm)であり、縦軸は像高(下から、像高0割〜像高10割)である。
像高は、像の中心からの高さである。像高を距離で表す場合、像の中心を0mmとしている。像高を割合で表す場合、像の中心を0割、最大像高を10割としている。
非点収差を示すグラフにおいて、Sの添え字はサジタル像面の特性を、Tの添え字はタンジェンシャル像面の特性を示している。
歪曲を示すグラフにおいて、横軸は法線方向LnVへの光線のズレ(−2%〜+2%)であり、縦軸は像高(下から、像高0割〜像高10割)である。
球面収差を示すグラフにおいて、横軸は法線方向LnVへの光線のズレ(−0.1mm〜+0.1mm)であり、縦軸は像高(下から、像高0割〜像高10割)である。
横収差を示すグラフにおいて、横軸Pxはサジタル断面における位置(−20μm〜+20μm)であり、横軸Pyはタンジェンシャル断面における位置(−20μm〜+20μm)であり、縦軸exはサジタル方向における位置(−20μm〜+20μm)であり、縦軸eyはタンジェンシャル方向における位置(−20μm〜+20μm)である。また、光線数を100本としている。さらに、グラフ中、IMAの値と像高の割合との対応関係は、下記のとおりである。
IMA:0.0000mm・・・像の中心(像高0割)
IMA:0.5867mm・・・像高2割
IMA:1.1734mm・・・像高4割
IMA:1.7601mm・・・像高6割
IMA:2.3468mm・・・像高8割
IMA:2.9335mm・・・最大像高(像高10割)
像高に対するMTF(Modulation Transfer Function:変調伝達関数)の特性を示すグラフにおいて、横軸は像高(0mm〜2.934mm)であり、縦軸はMTF(0〜1.0)である。また、該グラフ中、S1、S2、およびS3は、いずれもサジタル像面における特性であって、空間周波数がそれぞれ、ナイキスト周波数/4、ナイキスト周波数/2、およびナイキスト周波数である場合における特性を示している。また、該グラフ中、T1、T2、およびT3は、いずれもタンジェンシャル像面における特性であって、空間周波数がそれぞれ、ナイキスト周波数/4、ナイキスト周波数/2、およびナイキスト周波数である場合における特性を示している。
上記ナイキスト周波数は、撮像素子のナイキスト周波数に対応する値とされており、該撮像素子の画素ピッチから計算される、解像可能な空間周波数の値である。具体的に、該撮像素子のナイキスト周波数Nyq.(単位:cyc/mm)は、
Nyq.=1/(撮像素子の画素ピッチ)/2
により算出される。撮像素子の画素ピッチが1.12μmである場合、ナイキスト周波数はおよそ446.42857cyc/mmとなるため、これの近似値であるナイキスト周波数=446.00cyc/mmとして光学特性を測定した。
〔実施の形態14〕
図30に示す撮像レンズ100Vは、代表的な設計であると言える。撮像レンズ100Vは、明るい像が得られ(Fナンバーが1.60)、かつ低背である。
撮像レンズ100Vの構成は、図30に示すとおりである。
図32は、撮像レンズ100Vのレンズデータを示す表である。
図33は、撮像レンズ100Vの非点収差および歪曲を示すグラフである。
図34は、撮像レンズ100Vの球面収差を示すグラフである。
図35は、撮像レンズ100Vの横収差を示すグラフである。
図33〜図35によれば、撮像レンズ100Vでは、収差が良好に補正されていることが分かる。
図36は、撮像レンズ100Vの像高に対するMTFの特性を示すグラフである。
図36によれば、最大像高(2.934mm)付近における特性T3を除けば、0.2以上のMTFが確保できている。このことから、撮像レンズ100Vの解像力が高いことが分かる。
〔実施の形態15〕
図37は、実施の形態15に係る撮像レンズの構成を示す断面図である。
図37に示す撮像レンズ200Vは、基本構成が撮像レンズ100Vと同じであり、撮像レンズ100Vをさらに低背化した設計であると言える(さらなる低背化の詳細については後述する)。
図38は、撮像レンズ200Vのレンズデータを示す表である。
図39は、撮像レンズ200Vの非点収差および歪曲を示すグラフである。
図40は、撮像レンズ200Vの球面収差を示すグラフである。
図41は、撮像レンズ200Vの横収差を示すグラフである。
図39〜図41によれば、撮像レンズ200Vでは、収差が良好に補正されていることが分かる。
図42は、撮像レンズ200Vの像高に対するMTFの特性を示すグラフである。
図42によれば、最大像高付近における特性T3と、特性S3の一部とを除けば、0.2以上のMTFが確保できている。このことから、撮像レンズ200Vの解像力が高いことが分かる。
〔実施の形態16〕
図43は、実施の形態16に係る撮像レンズの構成を示す断面図である。
図43に示す撮像レンズ300Vは、基本構成が撮像レンズ100Vと同じであり、一般的なプラスチック材料によって後段レンズLOCVを構成した例である。
図44は、撮像レンズ300Vのレンズデータを示す表である。
図44によれば、撮像レンズ300Vの後段レンズLOCVは、アッベ数が1.614、屈折率が25.6であり、撮像レンズ100Vの後段レンズLOCVのそれ(アッベ数が1.544、屈折率が55.9)と異なっている。
図45は、撮像レンズ300Vの非点収差および歪曲を示すグラフである。
図46は、撮像レンズ300Vの球面収差を示すグラフである。
図47は、撮像レンズ300Vの横収差を示すグラフである。
図45〜図47によれば、撮像レンズ300Vでは、収差が良好に補正されていることが分かる。
図48は、撮像レンズ300Vの像高に対するMTFの特性を示すグラフである。
図48によれば、最大像高付近における特性T3を除けば、0.2以上のMTFが確保できている。このことから、撮像レンズ300Vの解像力が高いことが分かる。
〔実施の形態17〕
図49は、実施の形態17に係る撮像レンズの構成を示す断面図である。
図49に示す撮像レンズ400Vは、基本構成が撮像レンズ100Vと同じ撮像レンズから、赤外線カットガラスCGVを省いた例である。面s13Vおよび/または面s14Vに、赤外線を遮断するための加工を施すことによって、赤外線カットガラスCGVを省くことが可能となる。後段レンズLOCVの材料として熱硬化性の材料を用いることにより、容易に該加工を施すことが可能となる。熱硬化性の材料は、耐熱性に優れており、高温蒸着によって該加工を施すことができるためである。
図50は、撮像レンズ400Vのレンズデータを示す表である。
図51は、撮像レンズ400Vの非点収差および歪曲を示すグラフである。
図52は、撮像レンズ400Vの球面収差を示すグラフである。
図53は、撮像レンズ400Vの横収差を示すグラフである。
図51〜図53によれば、撮像レンズ400Vでは、収差が良好に補正されていることが分かる。
図54は、撮像レンズ400Vの像高に対するMTFの特性を示すグラフである。
図54によれば、最大像高付近における特性T3を除けば、0.2以上のMTFが確保できている。このことから、撮像レンズ400Vの解像力が高いことが分かる。
〔実施の形態18〕
図55は、実施の形態18に係る撮像レンズの構成を示す断面図である。
図55に示す撮像レンズ500Vは、基本構成が撮像レンズ100Vと同じであり、Fナンバーを1.60からさらに小さくした例である(Fナンバーが小さいことについての詳細は後述する)。
図56は、撮像レンズ500Vのレンズデータを示す表である。
図57は、撮像レンズ500Vの非点収差および歪曲を示すグラフである。
図58は、撮像レンズ500Vの球面収差を示すグラフである。
図59は、撮像レンズ500Vの横収差を示すグラフである。
図57〜図59によれば、撮像レンズ500Vでは、収差が良好に補正されていることが分かる。
図60は、撮像レンズ500Vの像高に対するMTFの特性を示すグラフである。
図60によれば、最大像高付近における特性T3と、特性S3の一部とを除けば、0.2以上のMTFが確保できている。このことから、撮像レンズ500Vの解像力が高いことが分かる。
〔実施の形態19〕
図61は、実施の形態19に係る撮像レンズの構成を示す断面図である。
図61に示す撮像レンズ600Vは、既存の撮像レンズの一例である。撮像レンズ600Vは、レンズが6枚であり、Fナンバーが1.80程度である。説明を簡潔にするために、撮像レンズ600Vの各部材には、撮像レンズ100Vの各部材と同じ符号を付している。
図62は、撮像レンズ600Vのレンズデータを示す表である。
図63は、撮像レンズ600Vの非点収差および歪曲を示すグラフである。
図64は、撮像レンズ600Vの球面収差を示すグラフである。
図65は、撮像レンズ600Vの横収差を示すグラフである。
図63〜図65によれば、撮像レンズ600Vでは、収差が良好に補正されていることが分かる。
図66は、撮像レンズ600Vの像高に対するMTFの特性を示すグラフである。
図66によれば、最大像高付近における特性T3を除けば、0.2以上のMTFが確保できている。このことから、撮像レンズ600Vの解像力が高いことが分かる。
〔実施の形態20〕
図69は、実施の形態20に係る撮像レンズの構成を示す断面図である。
図69に示す撮像レンズ700Vは、低背かつ低Fナンバーであり、基本構成が撮像レンズ100Vと同じ撮像レンズから、赤外線カットガラスCGVを省いた例である。
図70は、撮像レンズ700Vのレンズデータを示す表である。
図71は、撮像レンズ700Vの非点収差および歪曲を示すグラフである。
図72は、撮像レンズ700Vの球面収差を示すグラフである。
図73は、撮像レンズ700Vの横収差を示すグラフである。
図71〜図73によれば、撮像レンズ700Vでは、収差が良好に補正されていることが分かる。
図74は、撮像レンズ700Vの像高に対するMTFの特性を示すグラフである。
図74によれば、最大像高付近における特性T3と、特性S3およびT2の一部とを除けば、0.2以上のMTFが確保できている。このことから、撮像レンズ700Vの解像力が高いことが分かる。
〔実施の形態21〕
図75は、実施の形態21に係る撮像レンズの構成を示す断面図である。
図75に示す撮像レンズ800Vは、低背かつ低Fナンバーであり、基本構成が撮像レンズ100Vと同じである例である。
図76は、撮像レンズ800Vのレンズデータを示す表である。
図77は、撮像レンズ800Vの非点収差および歪曲を示すグラフである。
図78は、撮像レンズ800Vの球面収差を示すグラフである。
図79は、撮像レンズ800Vの横収差を示すグラフである。
図77〜図79によれば、撮像レンズ800Vでは、収差が良好に補正されていることが分かる。
図80は、撮像レンズ800Vの像高に対するMTFの特性を示すグラフである。
図80によれば、最大像高付近における特性T3と、特性S3およびT2の一部とを除けば、0.2以上のMTFが確保できている。このことから、撮像レンズ800Vの解像力が高いことが分かる。
〔実施の形態22〕
図81は、実施の形態22に係る撮像レンズの構成を示す断面図である。
図81に示す撮像レンズ900Vは、低背かつ低Fナンバーであり、基本構成が撮像レンズ100Vと同じである例である。また、撮像レンズ900Vでは、第2レンズL2Vおよび第4レンズL4Vに高分散材料を用いており、かつ面s14Vと像面s15Vとの間隔を撮像レンズ800Vより大きくしている。
図82は、撮像レンズ900Vのレンズデータを示す表である。
図83は、撮像レンズ900Vの非点収差および歪曲を示すグラフである。
図84は、撮像レンズ900Vの球面収差を示すグラフである。
図85は、撮像レンズ900Vの横収差を示すグラフである。
図83〜図85によれば、撮像レンズ900Vでは、収差が良好に補正されていることが分かる。
図86は、撮像レンズ900Vの像高に対するMTFの特性を示すグラフである。
図86によれば、最大像高付近における特性T3と、特性S3、T2、S2、およびT1の一部とを除けば、0.2以上のMTFが確保できている。このことから、撮像レンズ900Vの解像力が高いことが分かる。
撮像レンズ900Vでは、撮像レンズ700Vおよび800Vに比べて屈折率の高い材料を第4レンズL4Vに適用する事により、面s14Vと像面s15Vとの間隔を大きくしたにも関わらず、低背で良好な特性を得ることができる。
〔撮像レンズ間の比較〕
図67は、各実施の形態14〜22に係る撮像レンズの比較を行う表である。
光学特性は、下記の条件(A)、(B)、および(D)のもと測定した。
(A)撮像素子の対角のセンササイズ・・・5.867mm
(B)撮像素子の画素ピッチ・・・1.12μm
(D)シミュレーション光源を構成する波長・・・550nm
行「Fナンバー」には、撮像レンズのFナンバーを示している。撮像レンズ100V、撮像レンズ200V、撮像レンズ300V、撮像レンズ400V、撮像レンズ700V、撮像レンズ800V、および撮像レンズ900VのFナンバーは、1.60となっている。一方、撮像レンズ500VのFナンバーは、1.54となっており、1.60より小さい。なお、撮像レンズ600VのFナンバーは、1.80となっている。
行「画角(対角)/deg」には、撮像レンズの画角(対角方向)を示している。
行「焦点距離/mm」には、焦点距離を示している。特に、fVは撮像レンズ全体の焦点距離、f5Vは前段レンズL5Vの焦点距離、fcVは後段レンズLOCVの焦点距離である。
行「OTLV/mm」には、撮像レンズの光学全長を示している。撮像レンズ100V、撮像レンズ300V、撮像レンズ400V、撮像レンズ500V、および撮像レンズ600Vの光学全長は、いずれも5mm以上となっている。一方、撮像レンズ200V、撮像レンズ700V、撮像レンズ800V、および撮像レンズ900Vの光学全長は、4mm台となっており、低背化が実現されている。
行「CAV/mm」には、像面s15Vと面s14Vとの間隔を示している。
行「CAV/OTLV」を参照すれば、撮像レンズ100V、撮像レンズ200V、撮像レンズ300V、撮像レンズ400V、撮像レンズ500V、撮像レンズ600V、撮像レンズ700V、撮像レンズ800V、および撮像レンズ900Vはいずれも、数式(1)を満足していることが分かる。
行「FBV/mm」には、像面s15Vと面s10Vの中心ct10Vとの間隔を示している。撮像レンズ100V、撮像レンズ200V、撮像レンズ300V、撮像レンズ400V、撮像レンズ500V、撮像レンズ600V、撮像レンズ700V、撮像レンズ800V、および撮像レンズ900Vの全てが、0.8mm以上となっていることが分かる。
行「CGV厚み/mm」には、赤外線カットガラスCGVの厚みを示している。なお、上述したとおり、撮像レンズ400Vおよび700Vは赤外線カットガラスCGVを備えていないため、図67では“無し”と表示されている。
行「f5V/fV」には、上述した数式(2)に用いられるf5V/fVの値を示している。撮像レンズ100V、撮像レンズ200V、撮像レンズ300V、撮像レンズ400V、撮像レンズ500V、撮像レンズ600V、撮像レンズ700V、撮像レンズ800V、および撮像レンズ900Vの全てが、数式(2)を満足していることが分かる。
行「fcV/fV」には、上述した数式(3)に用いられるfcV/fVの値を示している。撮像レンズ100V、撮像レンズ200V、撮像レンズ300V、撮像レンズ400V、撮像レンズ500V、撮像レンズ600V、撮像レンズ700V、撮像レンズ800V、および撮像レンズ900Vの全てが、数式(3)を満足していることが分かる。
行「OTLV/SDV」には、上述した数式(4)に用いられるOTLV/SDVの値を示している。撮像レンズ100V、撮像レンズ200V、撮像レンズ300V、撮像レンズ400V、撮像レンズ500V、撮像レンズ600V、撮像レンズ700V、撮像レンズ800V、および撮像レンズ900Vの全てが、数式(4)を満足していることが分かる。
〔撮像装置について〕
図68は、各実施の形態14〜22に係る撮像レンズと撮像素子とを備えた撮像装置の概略構成を示す断面図である。
図68に示す撮像装置1Vは、撮像レンズ2Vおよび撮像素子3Vを備えている。
撮像レンズ2Vは、撮像レンズ100V、撮像レンズ200V、撮像レンズ300V、撮像レンズ400V、撮像レンズ500V、撮像レンズ600V、撮像レンズ700V、撮像レンズ800V、および撮像レンズ900Vのいずれであってもよい。
撮像素子3Vは、撮像レンズ2Vの像面s15Vに配置されている。
撮像素子3Vは、撮像レンズ2Vを通過した光を受光するものであり、CCD(Charge Coupled Device:電荷結合素子)、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor:相補型金属酸化膜半導体)等が挙げられる。
〔付記事項〕
以上に説明した撮像レンズはいずれもレンズが6枚の例であるが、レンズが5枚であってもよい。但し、レンズが5枚である場合においても、少なくとも前段レンズL5Vおよび後段レンズLOCVの構成が維持されている必要がある。
〔撮像レンズ1Wの基本構成〕
図87は、本実施形態にかかる撮像レンズ1Wの概略構成を示す説明図である。この図に示すように、撮像レンズ1Wは、第1レンズ11W、第2レンズ12W、第3レンズ13W、および第4レンズ14Wからなる上部レンズ15Wと、IRカットガラス(カバーガラス)16Wと、下部レンズ17Wとを備えており、これら各部材が物体側(被写体側、図87の左側)から像面18W側(図87の右側)に向かってこの順で配置されている。また、第1レンズ11Wにおける物体側の面の近傍には開口絞り10Wが設けられている。
第1レンズ11Wは、物体側が凸面(凸形状)であり、正の屈折率(正のパワー)を有している。
第2レンズ12Wは、メニスカスレンズ(一方の面が凸面、他方の面が凹面のレンズ)からなり、物体側が凸面になるように配置されている。
第3レンズ13Wは、像面18W側が凸面であり、正の屈折率を有している。
第4レンズ14Wは、正の屈折率を有しており、かつ像面18W側の形状が変曲点を有する形状になっている。
開口絞り10Wは、第1レンズ11Wにおける物体側の面の有効口径の周りを取り囲むように設けられており、撮像レンズ1Wに入射した光が各レンズを適切に通過するように、撮像レンズ1Wに入射する光の光線束の直径を制限する。
IRカットガラス(赤外線カットガラス)16Wは、下部レンズ17Wと第4レンズ14Wとの間に配置さられており、物体側から入射する光のうち赤外波長域の光を遮蔽することにより、撮像素子(イメージセンサ、図示せず)の像面(受光面)18Wを赤外線から保護するとともに、モアレを抑制する。なお、IRカットガラス16Wが下部レンズ17Wの表面を物理的ダメージ等から保護する機能を兼ねていてもよい。
下部レンズ17Wは、物体側が凹面であり、像面18W側が平面のレンズである。また、下部レンズ17Wにおける物体側の面は、レンズ中心部が凹形状であり、負の屈折率を有しており、レンズ中心からレンズ有効径端に向かって負の屈折率の度合いが弱くなっている。なお、下部レンズ17Wにおける物体側の面の形状は、変曲点を有する形状になっている。すなわち、下部レンズ17Wにおける物体側の面は、レンズ中心部近傍では凹形状であり、周縁部近傍では凸形状または像面側の面と略平行な平面形状になっている。また、下部レンズ17Wは、IRカットガラス16Wと一体的に形成されたレンズオンチップ(LOC;lens on chip)であってもよい。
なお、下部レンズ17Wとして像面18W側が平面であるレンズを用いることにより、レンズ面間の偏芯誤差の影響を低減することができるので、両面非球面のレンズを用いて収差補正する場合よりも収差補正効果を向上させることができる。また、像面18W側が平面である下部レンズ17Wを用いることにより、下部レンズ17Wを上部レンズ15Wの設計条件とは独立して像面18Wに近づけることができるので、製造誤差に対する影響が小さく、製造が容易な構成を実現できる。
図88は、下部レンズ17Wにおける物体側の面の形状変化の一例を示すグラフであり、横軸はレンズ上の位置をレンズ中心からレンズ有効径端までの距離に対する比で表した値(レンズ中心を0、レンズ有効径端を1とした場合の各位置の値)、縦軸はレンズ中心に対する光軸方向(下部レンズ17Wにおける像面18Wの法線方向)についての形状変化量を示している。
図88に示したように、本実施形態では、下部レンズ17Wにおける物体側の面の形状は、レンズ中心からレンズ有効径端側に向かって、所定距離XW(図88の例ではレンズ中心とレンズ有効径端との距離の約47%の位置)まではレンズ中心に対する物体側への形状変化量が増加していき、所定距離XWを超えるとレンズ中心に対する物体側への形状変化量が減少していく。
下部レンズ17Wにおける物体側の面の形状をこのように設定することにより、物体側が凹面であり、像面18W側が平面であるレンズを用いることで収差補正性能を向上させるとともに、撮像素子(イメージセンサ)の受光面(像面18W)に対する光の入射角度を大きくして周辺光量比の低下を抑制できる。
なお、上記所定距離XWは、レンズ中心とレンズ有効径端との距離の30%以上に設定することが好ましい。すなわち、レンズ中心とレンズ有効径端との距離をLWとすると、上記所定距離XWは、XW/LW≧0.3の関係を満たすことが好ましい。これにより、周辺光量比を実用上問題が生じない範囲に保つことができる。
また、本実施形態にかかる撮像装置は、上記構成からなる撮像レンズ1Wと、撮像レンズ1Wを通過した光を像面18Wで受光して電気信号に変換する撮像素子(図示せず)とによって構成されている。なお、上記撮像素子の構成は特に限定されるものではなく、従来から公知の撮像素子を用いることができる。
また、上記撮像レンズ1W(あるいは上記装置)は、上記の構成に加えて、AF(オートフォーカス)等を実行するための機構を備えていてもよい。
〔撮像レンズ1Wの光学特性〕
次に、撮像レンズ1Wの光学特性を調べるために行ったシミュレーション結果を以下に示す。このシミュレーションでは、図89に示す実施の形態23〜27にかかる撮像レンズ1Wおよび比較例1にかかる撮像レンズについてその光学特性を調べた。
なお、上記各実施の形態23〜27および比較例1に対するシミュレーションでは、数値計算における適用波長を550nmとした。また、上記各実施の形態23〜27にかかる撮像レンズ1Wは、撮像素子(イメージセンサ)における略矩形形状の受光面(センサ面)に光を結像させるものとし、上記撮像素子の受光面のサイズを対角線長DWを5.867mm、画素ピッチを1.12μmとした。
〔実施の形態23〕
図90は実施の形態23にかかる撮像レンズ1Wの設計データである。また、図91は、実施の形態23にかかる撮像レンズ1Wに関する非点収差、歪曲収差、球面収差、横収差、およびMTF(Modulation Transfer Function)のシミュレーション結果である。
図91に示したように、図90に示した設計条件により、Fナンバー1.8の明るさを有し、かつ諸収差(非点収差、歪曲収差、球面収差、横収差、およびMTF)が良好に補正された撮像レンズを実現できる。具体的には、非点収差を±0.1mm以下、歪曲収差を±2%以下、球面収差を±0.11mm以下、横収差を±20μm以下にすることができる。
〔実施の形態24〕
図92は、実施の形態24にかかる撮像レンズ1Wの設計データである。また、図93は、実施の形態24にかかる撮像レンズ1Wに関する非点収差、歪曲収差、球面収差、横収差、およびMTFのシミュレーション結果である。なお、実施の形態24では第4レンズ14Wに低分散材料を適用した。
図93に示したように、図92に示した設計条件により、Fナンバー1.8の明るさを有し、かつ、実施の形態23と同様、諸収差が良好に補正された撮像レンズを実現できる。
〔実施の形態25〕
図94は、実施の形態25にかかる撮像レンズ1Wの設計データである。また、図95は、実施の形態25にかかる撮像レンズ1Wに関する非点収差、歪曲収差、球面収差、横収差、およびMTFのシミュレーション結果である。なお、実施の形態25では、IRカットガラス16Wと下部レンズ17Wとを一体的に形成した。
図95に示したように、図94に示した設計条件により、Fナンバー1.8の明るさを有し、かつ、実施の形態23と同様、諸収差が良好に補正された撮像レンズを実現できる。
〔実施の形態26〕
図96は、実施の形態26にかかる撮像レンズ1Wの設計データである。また、図97は、実施の形態26にかかる撮像レンズ1Wに関する非点収差、歪曲収差、球面収差、横収差、およびMTFのシミュレーション結果である。
図97に示したように、図96に示した設計条件により、Fナンバー1.94の明るさを有し、かつ、実施の形態23と同様、諸収差が良好に補正された撮像レンズを実現できる。
〔実施の形態27〕
図98は、実施の形態27にかかる撮像レンズ1Wの設計データである。また、図99は、実施の形態27にかかる撮像レンズ1Wに関する非点収差、歪曲収差、球面収差、横収差、およびMTFのシミュレーション結果である。
図99に示したように、図98に示した設計条件により、Fナンバー1.8の明るさを有し、かつ、実施の形態23と同様、諸収差が良好に補正された撮像レンズを実現できる。
〔比較例1〕
図100は、比較例1にかかる撮像レンズの設計データである。比較例1では、下部レンズ17Wとして、物体側の面が変曲点を有さない凹形状であり、像面側の面が平面であるレンズを用いた。また、図101は、比較例1にかかる撮像レンズに関する非点収差、歪曲収差、球面収差、横収差、およびMTFのシミュレーション結果である。
図101に示したように、図100に示した設計条件の場合、下部レンズ17Wの焦点距離の絶対値|fcW|が非常に大きくなってしまう。
なお、下部レンズ近接距離dW(下部レンズ17Wと像面18Wとの距離)と光学全長OTLWとの比dW/OTLWを、0.15未満(dW/OTLW<0.15)に設定することが好ましい。上記比dW/OTLWを上記範囲内に設定することにより、下部レンズ17Wによって像面湾曲を効果的に補正することができる。
また、光学全長OTLWと受光素子の受光面の対角線長DWとの比OTLW/DWを、0.7<OTLW/DW<0.9の範囲に設定することが好ましい。上記比OTLW/DWを上記範囲内に設定することにより、撮像レンズ1Wをより低背化(小型化)することができる。
また、第4レンズ14Wの焦点距離f4Wと光学系全体(撮像レンズ1W全体)の焦点距離fWとの比f4W/fWが小さすぎると低背化が困難になり、大きすぎると下部レンズ17Wの寄与が小さくなって十分な収差補正効果が得られなくなる。このため、撮像レンズ1Wの低背化を実現するとともに収差補正性能を向上させるためには、上記比f4W/fWを−5.7<f4W/fW<−2.9に設定することが好ましい。
また、下部レンズ17Wの焦点距離fcWと光学系全体の焦点距離fWとの比fcW/fWが小さすぎるとレンズサイズが大きくなり、大きすぎると像面湾曲補正性能の低下、および撮像素子の受光面に対する光の入射角度の増大を招いてしまう。このため、撮像レンズ1Wの小型化、像面湾曲補正性能の向上、および撮像素子の受光面に対する光の入射角度の低減を図るためには、上記比fcW/fWを−1.8<fcW/fW<−1.2に設定することが好ましい。
また、上部レンズ15Wの焦点距離FBWをFBW>0.8mmに設定することが好ましい。上部レンズ15Wの焦点距離FBWを上記範囲に設定することにより、レンズ径を小さくすることができ、AF(オートフォーカス)等の機構系を含めた撮像レンズ1Wの構成を小型化できる。また、像面18Wから遠いほど光線径を大きくすることができ、上部レンズ15Wにおける異物ゴミ等の映り込みの影響を低減できる。
〔その他構成例〕
図102は、撮像レンズ1Wのその他の構成例の概略を示す断面図である。説明を簡潔にするために、図102には、撮像レンズ1Wの構成のうち、上部レンズ15Wおよび下部レンズ17Wのみを示している。
撮像レンズ1Wは、上部レンズ15Wが正の屈折力を有しており、下部レンズ17Wが負の屈折力を有していることが好ましい。これにより、図102に示すとおり、光学全長OTLWをより短くすることが可能である。
図103の(a)〜(c)は、下部レンズ17Wの構成例の概略を示す断面図である。
下部レンズ17Wは、物体側の面に回折パターンを有していてもよい。図103の(a)には下部レンズ17Wの物体側の面が回折パターンからなる構成を、図103の(b)には下部レンズ17Wの物体側の面が凹形状の非球面レンズ形状と回折パターンとを組み合わせてなる構成を、それぞれ示している。
さらに、下部レンズ17Wを像面18W(または撮像素子)から離して配置する場合、下部レンズ17Wの像面側の面をフレネルレンズ形状としてもよい。これにより、撮像素子に対する主光線入射角度を好適に調整することができる。
〔まとめ〕
本発明の態様1に係るレンズ素子は、物体側に向けられ、非球面かつ凹面である物側面と、像面側に向けられ、平面状である像側面とを備えており、上記像側面の外形の形状が、概略矩形である。
上記の構成によれば、撮像装置の素子収納部の開口部のサイズを、物側面の外形のサイズより小さくすることが可能となる。これにより、素子収納部の外形の小型化が可能である。この結果、撮像装置の小型化が可能となる。
また、上記の構成によれば、像側面を素子収納部の上面より像面側に配置することが可能となる。これにより、像側面と撮像素子(より具体的には受光部)との間隔が大きくなることを抑制することができる。この結果、所望の収差補正効果を得ることができ、優れた解像力の撮像装置を実現することが可能となる。
本発明の態様2に係るレンズ素子は、上記態様1において、上記レンズ素子を通過した光を受光する受光部の形状に応じて、上記像側面の外形のサイズが定められている。
上記の構成によれば、像側面の外形のサイズが無駄に大きくなることを抑制しつつ、受光部が適切に受光できるように、撮像装置を構成することができる。
本発明の態様3に係るレンズ素子は、上記態様1または2において、上記物側面の外形の形状が、円形、または、該円形に内接する少なくとも1つの線で該円形を切断してなる形状である。
上記の構成によれば、レンズ素子を比較的容易に製造することができる。すなわち、物側面に関しては、金型を用いた射出成形または熱硬化成形等が適用でき、また、該金型の加工が容易となる。一方、像側面に関しては、平面状である(レンズ面を設ける必要が無い)ため、成形が容易であることは言うまでも無い。
本発明の態様4に係るレンズ素子は、上記態様1から3のいずれかにおいて、上記像側面の縁に隣接する傾斜(側面部分44)を有している。
本発明の態様5に係るレンズ素子は、上記態様4において、上記傾斜の傾斜角度は、上記レンズ素子の光軸に対して40°以上である。
上記の構成によれば、像側面と反対の形状を有する金型(下)を用いて成形を行うと、成形済のレンズ素子が金型(下)から離れやすくなる。この結果、レンズ素子に反りまたは歪みが発生する虞を低減することができる。また、レンズ素子に物側面から迷光が入射した場合、光軸に対する迷光の入射角度が小さくても、傾斜にて迷光が反射されずレンズ素子を透過するため、受光部によって迷光が受光されてしまう虞を低減することができる。これにより、レンズ素子を精度良く製造することができる。
本発明の態様6に係るレンズ素子は、上記態様1から5のいずれかにおいて、上記像側面に、ナノインプリントによって形成された凹凸を有している。
上記の構成によれば、像側面に、ナノインプリントによって形成された凹凸を設けることで、酸化物薄膜を用いた反射防止処理が不要となる。この結果、異物付着の虞を低減しつつ、良好な反射防止効果を得ることができる。
本発明の態様7に係るレンズ素子は、上記態様1から6のいずれかにおいて、赤外線を吸収する材料を含んでいる。
上記の構成によれば、レンズ素子が赤外線を遮断することが可能となる。この結果、良好な画質の撮像装置を実現することができる。また、撮像装置において赤外線カットガラスを省くことによって、低背化および収差補正が容易となる。
本発明の態様8に係る撮像装置は、上記態様1から7のいずれかのレンズ素子と、上記レンズ素子を通過した光を受光する受光部を有している撮像素子と、上記撮像素子を収納する素子収納部(積層基板4、センサカバー21、フリップチップ基板47)とを備えており、上記素子収納部によって、上記像側面より上記物体側で上記レンズ素子が支持されている。
上記の構成によれば、素子収納部の開口部のサイズを、物側面の外形のサイズより小さくすることが可能となる。これにより、素子収納部の外形の小型化が可能である。この結果、撮像装置の小型化が可能となる。
また、上記の構成によれば、像側面を素子収納部の上面より像面側に配置することが可能となる。これにより、像側面と撮像素子(より具体的には受光部)との間隔が大きくなることを抑制することができる。この結果、所望の収差補正効果を得ることができ、優れた解像力の撮像装置を実現することが可能となる。
本発明の態様9に係る撮像装置は、上記態様8において、上記撮像装置は、上記レンズ素子より上記物体側に配置された、少なくとも1枚のレンズからなる前段レンズ部と、上記レンズ素子を固定した状態で上記前段レンズ部を移動させる移動機構とを備えており、上記前段レンズ部を構成するレンズのうち、最も上記レンズ素子に近いレンズの少なくとも1つのレンズ面は、凹形状と凸形状との境界である変曲点を有している。
上記の構成によれば、移動機構の移動対象の総重量を軽くすることができるため、移動機構のパフォーマンスを向上させることが可能である。また、マクロ撮影時におけるFナンバーを小さくすることができる。
本発明の態様10に係る撮像装置は、上記態様9において、上記前段レンズ部を収納するレンズバレルを備えていない。
上記の構成によれば、レンズバレルが省略されているため、移動機構の移動対象からレンズバレルが排除され、移動機構の移動対象のさらなる軽量化が可能である。
本発明の態様11に係る撮像装置は、上記態様8から10のいずれかにおいて、上記レンズ素子は、上記像側面に対して上記物側面が、上記レンズ素子の光軸に対する法線方向に突出した部分として形成された鍔部を有しており、上記レンズ素子の光軸方向に沿った、上記鍔部と上記像側面との離間距離が0.15mm以上である。
光軸方向に沿った、撮像素子の上面と、ボンディングワイヤの最高点との距離は、およそ0.15mmである。このことを考慮すると、ボンディングワイヤが直上のレンズ素子部分に当たることを避けるため、光軸方向に沿った、鍔部と像側面との離間距離を0.15mm以上とすべきである。これにより、ボンディングワイヤの変形、およびワイヤボンディングの不良を抑制することができる。
本発明の態様12に係る撮像装置は、上記態様8から10のいずれかにおいて、上記素子収納部は、所定の配線パターンを有していてもよい。
本発明の態様13に係る撮像装置は、上記態様12において、上記レンズ素子は、上記像側面に対して上記物側面が、上記レンズ素子の光軸に対する法線方向に突出した部分として形成された鍔部を有しており、上記レンズ素子の光軸方向において、上記鍔部と上記素子収納部とが離間されている。
上記の構成によれば、素子収納部の上面に配置すべき実装部品を、物側面の縁より内側に配置することが可能となっている。実装部品を、物側面の縁より内側に配置することにより、素子収納部の外形をより小型化することが可能となる。
本発明の態様14に係る撮像装置は、上記態様8から13のいずれかにおいて、上記レンズ素子の光軸方向に、上記像側面と上記撮像素子とが接している。
上記の構成によれば、物側面をさらに像面側に位置させることができるため、撮像装置のさらなる低背化が可能である。
また、像側面と撮像素子とが接している場合、レンズ素子への主光線の入射角度が小さくても、光を適切に受光部にて結像させることができるため、周辺光量比に優れた撮像装置を実現することができる。主光線以外の光についても同様である。この結果、撮像装置の焦点深度が広がり、幅広い物体距離に対応可能な撮像装置を実現することができる。
さらに、像側面と撮像素子との間に空気が存在することに起因する迷光の発生を抑制することができるため、撮像装置の画質向上も期待できる。
本発明の態様15に係る撮像装置は、上記態様8から13のいずれかにおいて、上記像側面に突出部が形成されており、上記突出部の端部が上記撮像素子に当接することで、上記像側面と上記撮像素子との間隔が規定されている。
本発明の態様16に係る撮像装置は、上記態様8から13のいずれかにおいて、上記レンズ素子が上記素子収納部に載せられており、上記レンズ素子の光軸方向に、上記素子収納部が上記撮像素子に当接することで、上記像側面と上記撮像素子との間隔が規定されている。
上記の両構成によれば、簡単な構成で、精度良く、像側面の位置決めを行うことができる。
本発明の態様17に係る撮像装置は、上記態様8から16のいずれかにおいて、上記素子収納部は、上記レンズ素子の光軸方向に開口した、上記物側面の外形のサイズより小さい開口部を有しており、上記物側面は、上記開口部より上記像面側に配置されている。
上記の構成によれば、迷光が、素子接着部によって遮られる。このため、レンズ素子への迷光の侵入を抑制することができる。
〔本発明の異なる解釈〕
本発明は、下記のように解釈することも可能である。
本発明の一態様に係るレンズ素子は、物体側に向けられ、凹面である物側面と、像面側に向けられ、平面状である像側面とを備えており、上記像側面の外形の形状が、概略矩形であり、上記像側面の外形のサイズが、上記物側面の外形のサイズより小さい。
上記の構成によれば、撮像装置の素子収納部の開口部のサイズを、物側面の外形のサイズより小さくすることが可能となる。これにより、素子収納部の外形の小型化が可能である。この結果、撮像装置の小型化が可能となる。
また、上記の構成によれば、像側面を素子収納部の上面より像面側に配置することが可能となる。これにより、像側面と撮像素子(より具体的には受光部)との間隔が大きくなることを抑制することができる。この結果、所望の収差補正効果を得ることができ、優れた解像力の撮像装置を実現することが可能となる。
本発明の別の態様に係るレンズ素子は、上記レンズ素子を通過した光を受光する受光部の形状に応じて、上記像側面の外形のサイズが定められている。
上記の構成によれば、像側面の外形のサイズが無駄に大きくなることを抑制しつつ、受光部が適切に受光できる、撮像装置を実現することができる。
本発明の別の態様に係るレンズ素子は、上記物側面の外形の形状が、円形である。
上記の構成によれば、レンズ素子の製造が容易となる。すなわち、物側面に関しては、金型を用いた射出成形または熱硬化成形等が適用でき、加えて金型の加工が容易である。また、像側面に関しては、レンズ面を設ける必要がないため、成形が容易であることは言うまでもない。
本発明の別の態様に係るレンズ素子は、上記物側面および上記像側面の少なくとも一方に、赤外線を遮断する遮断形状が形成されている。
上記の構成によれば、撮像装置において、赤外線カットガラスを省略することができる。これにより、撮像装置の構成を簡素化することが可能となる。また、撮像装置の光学系の光学全長を短くすることができるため、撮像装置の低背化が可能となる。
本発明の別の態様に係るレンズ素子は、上記像側面に、光の反射率を低減させる微小な凹凸が形成されている。
像側面は平面状であるため、成形時に金型から外れやすい。このことを利用して、像側面に、光の反射率を低減させる微小な凹凸を形成すれば、像側面をコーティングすることなく、光の反射を抑制することが可能となる。これにより、該コーティングのときに、該コーティング部分にゴミが付着することを防ぐことができるため、異物が撮像画像に写り込むことを抑制することができる。
本発明の別の態様に係るレンズ素子は、上記レンズ素子は、少なくとも一部が遮光されている遮光側面を少なくとも1つ有している。
上記の構成によれば、ゴーストフレア等の迷光を防ぐことができる。
また、本発明の別の態様に係る撮像装置は、上記いずれかのレンズ素子と、上記レンズ素子を通過した光を受光する受光部を有している撮像素子と、上記撮像素子を収納する素子収納部(積層基板4、センサカバー21)とを備えており、上記像側面が上記素子収納部の内側に配置されている。
上記の構成によれば、素子収納部の開口部のサイズを、物側面の外形のサイズより小さくすることが可能となる。これにより、素子収納部の外形の小型化が可能である。この結果、撮像装置の小型化が可能となる。
また、上記の構成によれば、像側面を素子収納部の上面より像面側に配置することが可能となる。これにより、像側面と撮像素子(より具体的には受光部)との間隔が大きくなることを抑制することができる。この結果、所望の収差補正効果を得ることができ、優れた解像力の撮像装置を実現することが可能となる。
また、本発明の別の態様に係る撮像装置は、上記レンズ素子は、上記像側面の縁に隣接して設けられた段差部と、上記像側面に対して上記物側面が、上記レンズ素子の光軸に対する法線方向に突出した部分に形成された鍔部とを有しており、上記段差部が上記素子収納部に載せられており、上記鍔部と上記素子収納部とが離間されている。
上記の構成によれば、素子収納部の上面に配置すべき実装部品を、物側面の縁より内側に配置することが可能となっている。実装部品を、物側面の縁より内側に配置することにより、素子収納部の外形をより小型化することが可能となる。
また、本発明の別の態様に係る撮像装置は、上記像側面から上記レンズ素子の光軸に沿う方向に延びる突出部を有しており、上記突出部の端部が上記撮像素子に当接している。
上記の構成によれば、撮像素子に対する像側面の位置を決めることができ、像側面と撮像素子との間隔を制御することが可能となる。突出部の丈に応じて、容易に該間隔を変化させることができる。
本発明の異なる態様1に係る撮像レンズは、
物体側から像面側へと向かって、前段レンズ、後段レンズの順にレンズが配置されており、
上記前段レンズは、
正の屈折力を有しており、
物体側に向けた面の中央部分が凸形状であり、
物体側に向けた面の周辺部分が凹形状であり、
像面側に向けた面の中央部分が凹形状であり、
像面側に向けた面の周辺部分が凸形状であり、
上記後段レンズは、
物体側に向けた面が凹形状であり、
物体側に向けた面の中央部分であり、レンズ面の中心から離れるほど、該レンズ面の物体側への形状変化量が大きくなる後段物側中央領域と、
物体側に向けた面の中間部分であり、レンズ面の中心から離れるほど、上記形状変化量が小さくなる後段物側中間領域とを有しており、
像面側に向けた面が平面状であり、
上記後段レンズの物体側に向けた面では、レンズ面の中心から上記後段物側中央領域と上記後段物側中間領域との境界までの距離が、レンズ面の中心からレンズ面の縁までの距離の3割以上であり、
像面と上記後段レンズの像面側に向けた面との間隔をCAV、撮像レンズの光学全長をOTLVとすると、数式(1)
CAV/OTLV<0.15 ・・・(1)
を満足する。
後段レンズによる各種収差の補正を効果的に行うためには、像面と後段レンズの像面側に向けた面とを十分近接させることが好ましい。数式(1)を満足することにより、像面と後段レンズの像面側に向けた面とを十分近接させることができる。
また、後段レンズから像面への光の入射角度が小さいため、周辺光量比の低下を抑制することができ、Fナンバー1.6程度の、像の明るい光学系を実現することが可能となる。
さらに、両面が非球面のレンズのかわりに、後段レンズを用いると、レンズの両面間の偏芯に起因する解像力の低下を防ぐことができると共に、後段レンズを単独で像面に近づけることが可能となる。従って、撮像レンズの製造公差に起因する光学特性のばらつきを抑制することが可能となる。換言すれば、容易に撮像レンズを製造することができる。
本発明の異なる態様2に係る撮像レンズは、上記異なる態様1において、
上記撮像レンズの焦点距離をfV、上記前段レンズの焦点距離をf5V、上記後段レンズの焦点距離をfcVとすると、数式(2)および(3)
3.4<f5V/fV<5.2 ・・・(2)
−1.7<fcV/fV<−1.1 ・・・(3)
を満足する。
f5V/fVが5.2以上になると、撮像レンズの低背化にこそ有利であるが、構造的に、後段レンズの搭載が困難となる恐れが生じる。一方、f5V/fVが3.4以下になると、前段レンズが像面から離れることになり、各種収差の補正が不十分になる恐れが生じる。
fcV/fVが−1.1以上になると、歪曲および像面湾曲を良好に補正しつつ、像面への光の入射角度を小さくさせることが困難となる恐れが生じる。一方、fcV/fVが−1.7以下になると、撮像レンズの大型化を招く恐れが生じる。
本発明の異なる態様3に係る撮像レンズは、上記異なる態様1または2において、
像面と上記前段レンズの像面側に向けた面の中心との間隔が、0.8mm以上である。
上記の構成によれば、前段レンズのレンズ径を小さくすることが可能となり、これによりAF機構等の周辺機器の小型化も可能となる。従って、撮像装置単位では大幅な小型化が可能となる。また、上記間隔が大きいほど、光線の径が大きくなる。この結果、前段レンズの近傍に存在する異物が撮像画像に写り込む恐れを低減することが可能となる。後段レンズが像面湾曲の補正に大きな影響を及ぼすことから、前段レンズを多少像面から離しても、十分良好に像面湾曲を補正することが可能である。
本発明の異なる態様4に係る撮像装置は、
上記異なる態様1から3のいずれかの撮像レンズと、
上記撮像レンズの像面に配置されている撮像素子とを備えている撮像装置であって、
物体側から像面側へと向かって順に、開口絞り、第1レンズ、第2レンズ、第3レンズ、第4レンズ、上記前段レンズ、上記後段レンズが配置されており、
上記第1レンズは、
正の屈折力を有しており、
物体側に向けた面が凸形状であり、
上記第2レンズは、
負の屈折力を有しているメニスカスレンズであり、
物体側に向けた面が凸形状であり、
上記第3レンズは、
正の屈折力を有しており、
像面側に向けた面が凸形状であり、
上記第4レンズは、
負の屈折力を有しているメニスカスレンズであり、
物体側に向けた面が凹形状であり、
上記撮像素子の対角のセンササイズをSDVとすると、数式(4)
0.7<OTLV/SDV<1.0 ・・・(4)
を満足する。
OTLV/SDVが1.0以上になると、画角が狭くなり、後段レンズを用いるまでもなく各種収差を良好に補正することができるケースが発生し得る。このため、OTLV/SDVが1.0以上であることは、本発明の技術的思想に鑑みると最良の選択であるとは言えない。OTLV/SDVが0.7以下になると、画角が広くなり過ぎ、各種収差を補正するための条件を再考する必要が生じる恐れがある。
本発明の異なる態様5に係る撮像装置は、上記異なる態様4において、
上記第2レンズのアッベ数が30以下であり、
上記第4レンズの屈折率が1.6以上である。
第2レンズに高分散材料(アッベ数30以下)を適用する事で、色収差補正を良好に、第4レンズに高屈折率材料(屈折率1.6以上)を適用する事で光学全長を短くする効果がある。
本発明のさらに異なる態様1にかかる撮像レンズ1Wは、物体の像を像面18Wに結像させる撮像レンズ1Wであって、物体側が凸である正の屈折率を有する第1レンズ11Wと、物体側が凸であるメニスカスレンズからなる第2レンズ12Wと、像面18W側が凸である正の屈折率を有する第3レンズ13Wと、正の屈折率を有しかつ像面18W側の形状が変曲点を有する形状である第4レンズ14Wとが物体側から像面18W側に向かってこの順で配置された上部レンズ15Wと、上記上部レンズ15Wに対して像面18W側に配置された、物体側が凹であり像面18W側が平面状である下部レンズ17Wとを備え、上記下部レンズ17Wにおける物体側の面の形状は、中心から有効径端側に向かって、レンズ中心と有効径端との距離の30%以上に設定される所定距離XWまでは物体側への形状変化量が増加し、上記所定距離XWを超えると物体側への形状変化量が減少する形状であり、上記下部レンズ17Wと上記像面18Wとの距離dWが当該撮像レンズ1Wの光学全長OTLWの0.15倍未満であることを特徴としている。
上記の構成によれば、像面18W側が平面状である下部レンズ17Wを用いることにより、各レンズ間の偏芯誤差の影響を低減することができるので、上部レンズ15Wに対して両面非球面のレンズを追加して収差補正する場合よりも収差補正効果を向上させることができる。また、像面18W側が平面状である下部レンズ17Wを用いることにより、下部レンズ17Wを上部レンズ15Wの設計条件とは独立して像面に近づけることができるので、製造誤差に対する影響が小さく、製造が容易で生産性の高い構成を実現できる。
また、上部レンズ15Wが4枚のレンズからなる構成にすることで、撮像レンズ1Wの構成を低背化(小型化)することができる。
また、下部レンズ17Wにおける物体側の面の形状を、中心から有効径端側に向かって、レンズ中心と有効径端との距離の30%以上に設定される所定距離XWまでは物体側への形状変化量が増加し、上記所定距離XWを超えると物体側への形状変化量が減少する形状にすることにより、像面18Wに対する光の入射角度を大きくして周辺光量比の低下を抑制することができる。
また、下部レンズ17Wと像面18Wとの距離を撮像レンズ1Wの光学全長OTLWの0.15倍未満にすることにより、下部レンズ17Wによって像面湾曲を効果的に補正することができる。
すなわち、上記の構成によれば、生産性が高く、小型化が可能であり、収差補正性能および周辺光量比が高い撮像レンズ1Wを提供することができる。
本発明のさらに異なる態様2にかかる撮像レンズ1Wは、上記さらに異なる態様1において、上記像面18Wは撮像素子の受光面であり、かつ上記受光面は対角線長がDW(mm)の略矩形形状を有しており、当該撮像レンズ1Wの光学全長をOTLW(mm)、当該撮像レンズ1W全体の焦点距離をfW(mm)、上記第4レンズ14Wの焦点距離をf4W(mm)、上記下部レンズ17Wの焦点距離をfcW(mm)とすると、0.7<OTLW/DW<0.9、かつ−5.7<f4W/fW<−2.9、かつ−1.8<fcW/fW<−1.2の関係を満たす構成である。
上記の構成によれば、上記比OTLW/DWを0.7<OTLW/DW<0.9の範囲に設定することにより、撮像レンズ1Wの低背化(小型化)を図ることができる。また、上記比f4W/fWを−5.7<f4W/fW<−2.9に設定することにより、撮像レンズ1Wの低背化を実現するとともに収差補正性能を向上させることができる。上記比fcW/fWを−1.8<fcW/fW<−1.2に設定することにより、撮像レンズ1Wの小型化、像面湾曲の補正性能の向上、および像面18Wに対する光の入射角度の低減を図ることができる。
また、本発明のさらに異なる態様3にかかる撮像レンズ1Wは、上記上部レンズ15Wから上記像面18Wまで距離が0.8mm未満である構成である。
上記の構成によれば、レンズ径が低減し、撮像レンズ1Wをより小型化することができる。また、像面18Wから遠いほど光線径は大きくできるので、上部レンズ15Wにおける異物ゴミの映り込みの影響を低減できる。
本発明のさらに異なる態様4にかかる撮像レンズ1Wは、上記さらに異なる態様1から3のいずれか1において、上記第1レンズ11Wにおける物体側の面の有効口径の周りを取り囲む位置に開口絞り10Wが備えられている構成である。
上記の構成によれば、撮像レンズ1Wに入射した光が各レンズを適切に通過するように、開口絞り10Wによって撮像レンズ1Wに入射した光の光線束の直径を制限することができる。
本発明のさらに異なる態様5にかかる撮像装置は、さらに異なる態様1から4のいずれかの撮像レンズ1Wと、上記撮像レンズ1Wを通過した光を受光して電気信号に変換する撮像素子とを備えていることを特徴としている。
上記の構成によれば、生産性が高く、小型化が可能であり、収差補正性能および周辺光量比が高い撮像レンズ1Wを備えた撮像装置を実現できる。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。