JP6514564B2 - 樹脂組成物、裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物、ダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、樹脂組成物、裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物、ダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置に関する。

従来、半導体チップが基板上にフリップチップボンディングにより実装された（フリップチップ接続された）フリップチップ型の半導体装置に用いられるシート状樹脂組成物であって、半導体チップと基板との間隙の封止用に用いるシート状樹脂組成物が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許第４４３８９７３号

特許文献１のようなシート状樹脂組成物においては、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂が用いられるとともに硬化剤が使用される。

しかしながら、エポキシ樹脂の硬化反応においては、硬化開始温度から硬化終了温度までの温度幅は、比較的広い。そのため、低温であっても硬化反応が徐々に進行してしまい、保存性が乏しくなるといった問題があることを本発明者らは突き止めた。
これを解消する方法としては、保存時に硬化反応が進行しない程度に高温で反応が開始されるような硬化剤を採用する方法が考えられた。しかしながら、このような硬化剤を用いると、半導体装置の製造プロセスにおける硬化反応においてより高温、より長時間の加熱が必要となり、製造効率が低下することとなる。

本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、保存性がよく、且つ、半導体装置の製造プロセスにおいて速硬化性を有する樹脂組成物を提供することにある。また、当該樹脂組成物を有する裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物を提供することにある。また、当該樹脂組成物を有するダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物を提供することにある。また、当該シート状樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。また、当該樹脂組成物を用いて製造された半導体装置を提供することにある。

本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明は、被着体と前記被着体上にフリップチップ接続された半導体素子との界面封止に用いられる樹脂組成物であって、
ラジカル反応性化合物と熱可塑性樹脂と無機充填剤とを含有し、
前記樹脂組成物全体から前記無機充填剤を除いた成分に対する前記ラジカル反応性化合物の割合が１８．５重量％以上であることを特徴とする。

ラジカル反応性化合物では、一旦、ラジカルが発生し、反応（例えば、付加反応）が始まると、このラジカル反応は連鎖的に進行する。一方、ラジカルが発生しない限り反応は進行しない。従って、室温ではラジカルを発生させない一方、室温よりは高温であるが比較的低温の条件でラジカルを発生させれば、室温保存性と速硬化性とを両立させることができる。この際、前記ラジカル反応性化合物の含有割合を、前記数値範囲内とすることにより前記界面封止を好適に行うことが可能となる。

前記構成においては、エポキシ樹脂を含有してもよい。

エポキシ樹脂をさらに含有すると、接続信頼性向上の点で好ましい。

前記構成においては、１２０℃で１０分加熱した後の熱硬化率が４０％以下であり、２００℃で５秒加熱した後の熱硬化率が２０％以上であることが好ましい。

１２０℃で１０分加熱した後の熱硬化率が４０％以下であると、低温における硬化反応の進行が抑制されている。従って、保存性により優れる。
また、２００℃で５秒加熱した後の熱硬化率が２０％以上であると、半導体装置の製造プロセスにおける硬化反応においてそれほど高温ではない条件、且つ、短時間で硬化反応を進行させることができる。その結果、製造効率をより向上させることができる。

前記熱硬化率は、加熱前の状態を０％、完全に熱硬化した状態を１００％とし、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により得られる反応熱から求めた値である。より詳しくは後に説明する。

前記樹脂組成物は、シート状であることが好ましい。

前記樹脂組成物がシート状であると、取り扱い性に優れる。

また、本発明に係る裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物は、前記シート状樹脂組成物が、裏面研削用テープ上に積層されていることを特徴とする。

本発明に係る裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物によれば、前記シート状樹脂組成物が、予め裏面研削用テープ上に積層されているため、半導体装置の製造プロセスにおいて、裏面研削用テープをシート状樹脂組成物に貼り合わせる工程等を省略することができる。また、前記樹脂組成物は、ラジカル反応性化合物と熱可塑性樹脂と無機充填剤とを含有し、前記樹脂組成物全体から前記無機充填剤を除いた成分に対する前記ラジカル反応性化合物の割合が１８．５重量％以上であるため、室温保存性と速硬化性とを両立させることができる。この際、前記ラジカル反応性化合物の含有割合を、前記数値範囲内とすることにより前記界面封止を好適に行うことが可能となる。

また、本発明に係るダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物は、前記シート状樹脂組成物が、ダイシングテープ上に積層されていることを特徴とする。

本発明に係るダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物によれば、前記シート状樹脂組成物が、予めダイシングテープ上に積層されているため、半導体装置の製造プロセスにおいて、ダイシングテープをシート状樹脂組成物に貼り合わせる工程等を省略することができる。また、前記樹脂組成物は、ラジカル反応性化合物と熱可塑性樹脂と無機充填剤とを含有し、前記樹脂組成物全体から前記無機充填剤を除いた成分に対する前記ラジカル反応性化合物の割合が１８．５重量％以上であるため、室温保存性と速硬化性とを両立させることができる。この際、前記ラジカル反応性化合物の含有割合を、前記数値範囲内とすることにより前記界面封止を好適に行うことが可能となる。

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、
半導体チップのバンプ形成面に、前記シート状樹脂組成物が貼り付けられたシート状樹脂組成物付きチップを準備する工程Ａと、
電極が形成された実装用基板を準備する工程Ｂと、
前記実装用基板に、前記シート状樹脂組成物付きチップを、前記シート状樹脂組成物を貼り合わせ面にして貼り付けて、前記半導体チップに形成された前記バンプと前記実装用基板に形成された電極とを対向させる工程Ｃと、
前記工程Ｃの後に、前記シート状樹脂組成物を加熱して半硬化させる工程Ｄと、
前記工程Ｄの後に、前記工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、前記バンプと前記電極とを接合するとともに、前記シート状組成物を硬化させる工程Ｅとを含むことを特徴とする。

本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、１２０℃で１０分加熱した後の熱硬化率が４０％以下であり、２００℃で５秒加熱した後の熱硬化率が２０％以上であるシート状樹脂組成物を用いているため、工程Ｃの後、工程Ｄの半硬化工程までに大きく温度を上げなくても、硬化反応が始まり早期に終了する。工程Ｄを速やかに終了させることができるため、半導体装置の製造プロセスの効率化が図れる。

本発明によれば、保存性がよく、且つ、半導体装置の製造プロセスにおいて速硬化性を有す樹脂組成物を提供することができる。また、当該シート状樹脂組成物を有する裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物を提供することができる。また、当該シート状樹脂組成物を有するダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物を提供することができる。また、当該シート状樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物を示す断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。

［裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物］
図１は、本発明の一実施形態に係る裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物を示す断面模式図である。図１に示すように、本実施形態に係る裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物１００は、裏面研削用テープ１２と、裏面研削用テープ１２上に積層されたシート状樹脂組成物１０とを備える。裏面研削用テープ１２は、基材１２ａ及び粘着剤層１２ｂを備え、粘着剤層１２ｂは基材１２ａ上に設けられている。シート状樹脂組成物１０は粘着剤層１２ｂ上に設けられている。なお、シート状樹脂組成物１０は、図１に示したように裏面研削用テープ１２の全面に積層されていなくてもよく、半導体ウェハ１６（図２参照）との貼り合わせに十分なサイズで設けられていればよい。

（シート状樹脂組成物）
シート状樹脂組成物１０は、半導体チップ２２を実装用基板５０（図９参照）に実装する際に、半導体チップ２２（本発明の半導体素子に相当）と実装用基板５０との間隙（海面）を封止する機能を有する。実装用基板５０は、本発明の被着体に相当する。なお、本実施形態では、本発明の被着体が実装用基板５０である場合について説明するが、本発明の被着体はこの例に限定されず、例えば、他の半導体素子であってもよい。すなわち、本発明の樹脂組成物は、被着体としての他の半導体素子と該他の半導体素子上にフリップチップ接続された半導体素子との界面封止を行うものであってよい。

シート状樹脂組成物１０は、ラジカル反応性化合物と熱可塑性樹脂と無機充填剤とを含有する。

前記ラジカル反応性化合物は、ラジカル反応により付加反応が連鎖的に進行する化合物である。前記ラジカル反応性化合物は、１分子中に１つ以上のラジカル反応性二重結合を有する化合物であり、重量平均分子量が１００００以下のものをいう。

１分子中に１つ以上のラジカル反応性二重結合を有する化合物としては、エポキシ（メタ）アクリレート樹脂、ビスマレイミド樹脂を挙げることができる。また、アクリロイル基、アリル基、ビニル基を有する化合物を挙げることができる。なお、エポキシ（メタ）アクリレートとは、エポキシアクリレート又はエポキシメタクリレートを意味する。

前記エポキシ（メタ）アクリレート樹脂の分子量（重量平均分子量）は、特に限定されないが、好ましくは１００〜１００００であり、より好ましくは２００〜１０００である。重量平均分子量が１００〜１００００であると、硬化物の凝集力が強くなる点で好ましい。重量平均分子量の測定は、ＧＰＣ法によりポリスチレン換算して求めることができる。

前記エポキシ（メタ）アクリレート樹脂の具体例としては、エトキシ化（３）ビスフェノールＡジアクリレートなどのビスフェノールＡ型エポキシ（メタ）アクリレートを挙げることができる。

前記ラジカル反応性化合物の含有量は、シート樹脂組成物全体から前記無機充填剤を除いた成分に対する前記ラジカル反応性化合物の割合が１８．５重量％以上である。前記ラジカル反応性化合物の割合は、２５重量％以上であることが好ましい。前記ラジカル反応性化合物の割合が１８．５重量％以上であるため、界面封止を好適に行うことが可能となる。また、前記ラジカル反応性化合物の割合は、接続信頼性の観点から、８０重量％以下が好ましく、６０重量％以下がより好ましい。

シート状樹脂組成物１０は、ラジカル発生剤を含有することが好ましい。前記ラジカル発生剤は、少なくとも加熱によりラジカルを発生させるものである。

加熱によりラジカルを発生させるラジカル発生剤としては、例えば、過酸化ベンゾイル（ＢＰＯ）、過硫酸カリウム、ジクミルパーオキサイドのような有機過酸化物及び無機過酸化物、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）のようなアゾ化合物等が挙げられる。

シート状樹脂組成物１０全体に対する前記ラジカル発生剤の含有量としては、反応速度の観点から、０．０１〜５重量％の範囲内であることが好ましく、０．１〜１重量％の範囲内であることがより好ましい。

前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体チップの信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。なお、本明細書において、熱可塑性樹脂は、重量平均分子量が１００００より大きいものをいい、ラジカル反応性の炭素−炭素二重結合を分子内に含んでも良い。

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。

前記アクリル樹脂は、ヒドロキシル基、又は、エポキシ基を有していることが好ましい。前記アクリル樹脂が、ヒドロキシル基、又は、エポキシ基を有していると、エポキシ樹脂と反応し、熱硬化後の接着強度を高く維持することができる。また、前記アクリル樹脂が、ヒドロキシル基、又は、エポキシ基を有している場合、ヒドロキシル基やエポキシ基は、他の官能基（例えば、カルボキシル基等）と比較して比較的反応性が低いため、保存性（特に、室温での保存性）に優れる。つまり、前記アクリル樹脂が、ヒドロキシル基、又は、エポキシ基を有していると、保存性に優れるとともに、熱硬化後は接着強度を高く維持することができる。
なお、前記アクリル樹脂は、本発明の趣旨に反しない範囲において、ヒドロキシル基、エポキシ基以外の他の官能基（例えば、カルボキシル基、アミノ基、イソシアネート基等）を含有することを否定しないが、好ましくは含有しない。

前記エポキシ基を含有するアクリル樹脂は、エポキシ基を含有するモノマー（エポキシ基含有モノマー）と、エポキシ基を含有しないモノマーとの共重合体とすることが好ましく、その混合比率は、保存性、及び、半導体装置の製造プロセスにおける速硬化性等を考慮して選択することができる。具体的には、例えば、原料モノマー合計を１００重量部としたとき、エポキシ基含有モノマーとエポキシ基を含有しないモノマーとの配合割合は、エポキシ基含有モノマーを０．１〜３０重量部、エポキシ基を含有しないモノマーを７０〜９９．９重量部とするのが好ましい。なお、上記配合割合は、エポキシ基含有モノマーが１モノマー中にエポキシ基を１つ有する場合の配合割合である。従って、１つのエポキシ基含有モノマーの有するエポキシ基の数が１以外である場合は、１である場合に準じた配合割合とすることができる。

また、前記ヒドロキシル基を含有するアクリル樹脂は、ヒドロキシル基を含有するモノマー（ヒドロキシル基含有モノマー）と、ヒドロキシル基を含有しないモノマーとの共重合体とすることが好ましく、その混合比率は、保存性、及び、半導体装置の製造プロセスにおける速硬化性等を考慮して選択することができる。具体的には、例えば、原料モノマー合計を１００重量部としたとき、ヒドロキシル基含有モノマーとヒドロキシル基を含有しないモノマーとの配合割合は、ヒドロキシル基含有モノマーを０．１〜３０重量部、ヒドロキシル基を含有しないモノマーを７０〜９９．９重量部とするのが好ましい。なお、上記配合割合は、ヒドロキシル基含有モノマーが１モノマー中にヒドロキシル基を１つ有する場合の配合割合である。従って、１つのヒドロキシル基含有モノマーの有するヒドロキシル基の数が１以外である場合は、１である場合に準じた配合割合とすることができる。

前記エポキシ基を含有するアクリル樹脂は、エポキシ価が０．００１〜１０ｅｑ／ｋｇであるものが好ましく、０．０１〜２ｅｑ／ｋｇであるものがより好ましい。エポキシ価を０．０１ｅｑ／ｋｇ以上とすることにより、熱硬化後の耐熱信頼性（接着力等）を確保することができる。また、２ｅｑ／ｋｇ以下とすることにより、室温保存性を向上させることができる。なおエポキシ価は、以下のように測定される。
（エポキシ価の測定方法）
試料約３〜４ｇを１００ｍｌのコニカルフラスコに精秤し、クロロホルム１０ｍｌを加えて溶解する。さらに、酢酸３０ｍｌ、テトラエチルアンモニウムブロマイド溶液５ｍｌ及びクリスタルバイオレット指示薬４〜６滴を加え、マグネチックスターラーで攪拌しながら、０．１ｍｏｌ／Ｌ過塩素酸酢酸規定液で滴定する。また、同様の方法でブランクテストを行う。そして、次式によりエポキシ価が得られる。
（エポキシ価）＝（（Ｖ−Ｂ）×０．１×Ｆ）／（Ｗ×Ｎ）
Ｗ：精秤した試料のｇ数
Ｂ：ブランクテストに要した０．１ｍｏｌ／Ｌ過塩素酸酢酸規定液のｍｌ数
Ｖ：試料の滴定に要した０．１ｍｏｌ／Ｌ過塩素酸酢酸規定液のｍｌ数
Ｆ：０．１ｍｏｌ／Ｌ過塩素酸酢酸規定液のファクター
Ｎ：固形分（％）

前記アクリル樹脂は、製膜性の観点から、重量平均分子量が３×１０^５以上であることが好ましく、４×１０^５以上であることがより好ましい。前記熱可塑性樹脂として重量平均分子量が３×１０^５以上のアクリル樹脂を含有すると、樹脂組成物をシート状とし易い。重量平均分子量の測定は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により行い、ポリスチレン換算により算出した値である。

シート状樹脂組成物１０全体に対する熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは１重量％以上であり、より好ましくは３重量％以上である。１重量％以上であると、良好な可とう性が得られる。一方、樹脂成分中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは４０重量％以下であり、より好ましくは３０重量％以下であり、さらに好ましくは２５重量％以下である。３０重量％以下であると、良好な熱的信頼性が得られる。

前記無機充填剤は、例えば、熱伝導性の向上、貯蔵弾性率の調節等を可能にするものである。

前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、カーボン等の無機粉末が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適に用いられる。

無機充填剤の平均粒径は、１０〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、２０〜５００ｎｍの範囲内であることがより好ましく、５０〜３００ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。なお、本発明においては、平均粒径が相互に異なる無機充填剤同士を組み合わせ、全体として平均粒径が上記数値範囲内となるようにしてもよい。前記無機充填剤の平均粒径が１０ｎｍ以上であると、容易に製膜することができる。一方、前記無機充填剤の平均粒径が５００ｎｍ以下であると、フィルムに透明性を付与することができる。前記平均粒径は、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。

前記無機充填剤の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対し５０〜１４００重量部に設定することが好ましい。特に好ましくは１００〜９００重量部である。無機充填剤の配合量を５０重量部以上にすると、耐熱性や強度が向上する。また、１４００重量部以下とすることにより、流動性が確保できる。これにより、接着性や埋め込み性が低下することを防止できる。

シート状樹脂組成物１０は、エポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂を含有すると、接続信頼性の点で好ましい。特に、シート状樹脂組成物１０が熱可塑性樹脂を含み、かつ、当該熱可塑性樹脂がエポキシ基と架橋反応する官能基を有する場合エポキシ樹脂を含むことが好ましい。

前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。硬化剤としてチオール系硬化剤を用いる場合、チオール系硬化剤との反応性や汎用性の観点から、前記エポキシ樹脂のなかでも、ビスフェノールＡ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型が特に好ましい。

シート状樹脂組成物１０全体に対するエポキシ樹脂の含有量は、接続信頼性の観点から、０．１〜５０重量％の範囲内であることが好ましく、０．４〜２０重量％の範囲内であることがより好ましい。

なお、本実施形態では、エポキシ樹脂を含んでいてもよい。また、硬化剤を含んでもよい。

シート状樹脂組成物１０は、熱硬化促進剤を含有していてもよい。前記熱硬化促進剤としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進剤の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進剤は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進剤としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。なかでも、反応性、溶解性の観点から、窒素原子を分子内に含む有機化合物（例えば、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤）が好ましい。

前記熱硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、０．００１〜１重量部であることが好ましく、０・０１〜０．５重量部であることがより好ましい。０．００１重量部以上であると、十分に硬化することができ、１重量部以下であると良好な保存性を維持することができる。

なお、シート状樹脂組成物１０には、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、カーボンブラック等の顔料等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。また、実装時に半田の酸化膜を除去することを目的として、有機酸等のフラックスを添加することもできる。

シート状樹脂組成物１０の厚さ（複層の場合は、総厚）は特に限定されないものの、硬化後の樹脂の強度や充填性を考慮すると５μｍ以上５００μｍ以下が好ましい。なお、シート状樹脂組成物１０の厚さは、チップ２２と実装用基板５０との間隙の幅を考慮して適宜設定することができる。

シート状樹脂組成物１０は、１２０℃で１０分加熱した後の熱硬化率が４０％以下であることが好ましく、３５％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。シート状樹脂組成物１０は、１２０℃で１０分加熱した後の熱硬化率が４０％以下であると、低温における硬化反応の進行がより抑制されている。従って、シート状樹脂組成物の状態での保存性により優れる。
また、シート状樹脂組成物１０は、２００℃で５秒加熱した後の熱硬化率が好ましくは２０％以上であり、２５％以上であることがより好ましく、３０％以上であることがさらに好ましい。シート状樹脂組成物１０は、２００℃で５秒加熱した後の熱硬化率が２０％以上であると、半導体装置の製造プロセスにおける硬化反応においてそれほど高温ではない条件、且つ、短時間で硬化反応をより進行させることができる。その結果、製造効率をより向上させることができる。
シート状樹脂組成物１０の１２０℃で１０分加熱した後の熱硬化率、及び、２００℃で５秒加熱した後の熱硬化率は、シート状樹脂組成物１０に含有する硬化剤の種類や、硬化促進剤の種類、硬化促進剤の含有量、各種の添加剤等によりコントロールすることができる。

前記熱硬化率は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を用い、発熱量を測定して求める。具体的には、まず、熱硬化させていないシート状樹脂組成物を作成し、−１０℃から昇温速度１０℃／分の条件で、３５０℃（熱硬化反応が完全に完了したと想定される温度）まで昇温した際の発熱量（未硬化サンプルの反応熱量）を測定する。また、熱硬化前のシート状樹脂組成物を、所定条件（１２０℃で１０分加熱、又は、２００℃で５秒加熱）で加熱したサンプルを作成する。
次に、所定条件で加熱したサンプルについて、−１０℃から昇温速度１０℃／分の条件で、３５０℃（熱硬化反応が完全に完了したと想定される温度）まで昇温した際の発熱量（所定条件で熱硬化させたサンプルの反応熱量）を測定する。その後、以下の式（１）により熱硬化率を得る。なお、発熱量は、示差走査熱量計にて測定される発熱ピークの立ち上がり温度と反応終了温度の２点を結んだ直線とピークで囲まれる面積を用いて求める。

式（１）：
熱硬化率＝［｛（未硬化サンプルの反応熱量）−（所定条件で熱硬化させたサンプルの反応熱量）｝／（未硬化サンプルの反応熱量）］×１００（％）

シート状樹脂組成物１０は、示差走査熱量測定において１０℃/ｍｉｎの昇温条件で測定した際に、熱硬化のピーク温度が１３０℃〜１９０℃の範囲内となるように調製されたものが好ましい。前記熱硬化のピーク温度を１３０℃〜１９０℃の範囲内となるように調整する方法としては、例えば、硬化促進剤の種類、硬化促進剤の含有量により調整する方法を挙げることができる。

シート状樹脂組成物１０は、１２０℃における粘度が０．１ｋＰａ・ｓ以上２０ｋＰａ・ｓ以下であることが好ましく、０．５ｋＰａ・ｓ以上１５ｋＰａ・ｓ以下であることがより好ましく、１ｋＰａ・ｓ以上１０ｋＰａ・ｓ以下であることがさらに好ましい。シート状樹脂組成物１０の１２０℃における粘度が０．１ｋＰａ・ｓ以上であると、工程Ｃの温度から半硬化工程Ｄの温度に昇温する際のボイド膨張を抑制することができる。一方、２０ｋＰａ・ｓ以下であると、実装用基板の凹凸へシート状樹脂組成物を埋め込むことができる。

シート状樹脂組成物１０は、温度：２５℃の条件で、１ヶ月保存した後の１２０℃での粘度と、保存前における１２０℃での粘度との粘度変化率Ｘ１が、０〜７０％の範囲内であることが好ましく、０〜４０％の範囲内であることがより好ましい。なお、粘度変化率Ｘ１は、下記式により得られる値の絶対値である。
［粘度変化率Ｘ１（％）］＝[１００×{（１ヶ月保存後の１２０℃での粘度）−（保存前の１２０℃での粘度）}／（保存前の１２０℃での粘度）］

シート状樹脂組成物１０は２００℃未満における最低溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ〜５０００Ｐａ・ｓの範囲内にあることが好ましく、５０Ｐａ・ｓ〜３０００Ｐａ・ｓの範囲内にあることがより好ましく、１００Ｐａ・ｓ〜２０００Ｐａ・ｓの範囲内にあることがさらに好ましい。シート状樹脂組成物１０の２００℃未満における最低溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ〜５０００Ｐａ・ｓの範囲内にあると、後述する工程Ｃにおいて、半導体チップ２２に形成されたバンプ１８と実装用基板５０に形成された電極５２とを容易にシート状樹脂組成物１０に埋め込みながら、対向させることができる。

シート状樹脂組成物１０の２００℃未満における最低溶融粘度とは、熱硬化前の２００℃未満における最低溶融粘度をいう。

シート状樹脂組成物１０の２００℃未満における最低溶融粘度は、シート状樹脂組成物１０の構成材料の選択によりコントロールすることができる。特に、熱可塑性樹脂の選択によりコントロールすることができる。具体的に、熱可塑性樹脂として、例えば、低分子量のものを使用すると、２００℃未満における最低溶融粘度を小さくすることができ、例えば、高分子量のものを使用すると、２００℃未満における最低溶融粘度を大きくすることができる。

シート状樹脂組成物１０は、例えば、次の通りにして作製される。まず、シート状樹脂組成物１０の形成材料である樹脂組成物溶液を作製する。当該樹脂組成物溶液には、前述の通り、前記樹脂組成物やフィラー、その他各種の添加剤等が配合されている。

次に、樹脂組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、シート状樹脂組成物１０を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。

（裏面研削用テープ）
裏面研削用テープ１２は、基材１２ａと、基材１２ａ上に積層された粘着剤層１２ｂとを備えている。

上記基材１２ａは裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物１００の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテンなどのポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙などが挙げられる。粘着剤層１２ｂが紫外線硬化型である場合、基材１２ａは紫外線に対し透過性を有するものが好ましい。

上記基材１２ａは、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。基材１２ａの表面には、慣用の表面処理を施すことができる。基材１２ａには、帯電防止能を付与するため、上記の基材１２ａ上に金属、合金、これらの酸化物などからなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１２ａは単層又は２種以上の複層でもよい。

基材１２ａの厚さは適宜に決定でき、一般的には５μｍ以上２００μｍ以下程度であり、好ましくは３５μｍ以上１２０μｍ以下である。

なお、基材１２ａには、各種添加剤（例えば、着色剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤など）が含まれていてもよい。

粘着剤層１２ｂの形成に用いる粘着剤は、半導体ウェハの裏面研削時に半導体ウェハを保持でき、裏面研削後に半導体ウェハから剥離できるものであれば特に制限されない。例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤などの一般的な感圧性接着剤を用いることができる。上記感圧性接着剤としては、半導体ウェハやガラスなどの汚染をきらう電子部品の超純水やアルコールなどの有機溶剤による清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。

上記アクリル系ポリマーとしては、アクリル酸エステルを主モノマー成分として用いたものが挙げられる。上記アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどのアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなどが挙げられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

上記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、上記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。

さらに、上記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。このような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性などの点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。

上記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合などの何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止などの点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、さらに好ましくは４０万〜３００万程度である。

また、上記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマーなどの数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法があげられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、さらには０．１〜５重量部配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により、上記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。

粘着剤層１２ｂは放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線などの放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、ピックアップを容易に行うことができる。放射線としては、Ｘ線、紫外線、電子線、α線、β線、中性子線などが挙げられる。

放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合などの放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、上記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤などの一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化性粘着剤を例示できる。

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどがあげられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その重量平均分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、上記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。

また、放射線硬化型粘着剤としては、上記説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射線硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分などを含有する必要がなく、または多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分などが粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。

上記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、上記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。

上記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合または付加反応させる方法があげられる。

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などがあげられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと上記化合物のいずれの側にあってもよいが、上記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、上記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。また、アクリル系ポリマーとしては、上記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。

上記内在型の放射線硬化性粘着剤は、上記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に上記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分などは、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。

上記放射線硬化型粘着剤には、紫外線などにより硬化させる場合には光重合開始剤を含有させることが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどがあげられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。

なお、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層１２ｂの表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、上記粘着剤層１２ｂの表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線などの放射線の照射を行う方法などが挙げられる。

なお、粘着剤層１２ｂには、各種添加剤（例えば、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、粘着付与剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）が含まれていてもよい。

粘着剤層１２ｂの厚さは特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止、シート状樹脂組成物１０の固定保持の両立性などの観点から１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、さらには好ましくは５〜２５μｍである。

（裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物の製造方法）
裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物１００は、例えば裏面研削用テープ１２及びシート状樹脂組成物１０を別々に作製しておき、最後にこれらを貼り合わせることにより作成することができる。

（半導体装置の製造方法）
次に、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図２〜図１１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、
半導体チップのバンプ形成面にシート状樹脂組成物が貼り付けられたシート状樹脂組成物付きチップを準備する工程Ａと、
電極が形成された実装用基板を準備する工程Ｂと、
前記実装用基板に、前記シート状樹脂組成物付きチップを、前記シート状樹脂組成物を貼り合わせ面にして貼り付けて、前記半導体チップに形成された前記バンプと前記実装用基板に形成された電極とを対向させる工程Ｃと、
前記工程Ｃの後に、前記シート状樹脂組成物を加熱して半硬化させる工程Ｄと、
前記工程Ｄの後に、前記工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、前記バンプと前記電極とを接合するとともに、前記シート状組成物を硬化させる工程Ｅとを少なくとも含む。

［シート状樹脂組成物付きチップを準備する工程］
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、まず、図８に示すように、シート状樹脂組成物付きチップ４０を準備する（工程Ａ）。以下、図２〜図７を参照しながら、シート状樹脂組成物付チップ４０の具体的な準備方法について説明する。

（シート状樹脂組成物付チップの準備方法）
本実施形態に係るシート状樹脂組成物付チップの準備方法は、半導体ウェハ１６のバンプ１８が形成されたバンプ形成面２２ａと裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物１００のシート状樹脂組成物１０とを貼り合わせる貼合せ工程、半導体ウェハ１６の裏面１６ｂを研削する研削工程、半導体ウェハ１６の裏面１６ｂにダイシングテープ１１を貼りつけるウェハ固定工程、裏面研削用テープ１２を剥離する剥離工程、半導体ウェハ１６をダイシングしてシート状樹脂組成物付き半導体チップ４０を形成するダイシング工程、及びシート状樹脂組成物付き半導体チップ４０をダイシングテープ１１から剥離するピックアップ工程を含む。

＜貼合せ工程＞
貼合せ工程では、半導体ウェハ１６のバンプ１８が形成されたバンプ形成面２２ａと裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物１００のシート状樹脂組成物１０とを貼り合わせる（図２参照）。

半導体ウェハ１６のバンプ形成面２２ａには、複数のバンプ１８が形成されている（図２参照）。バンプ１８の高さは用途に応じて定められ、一般的には５〜１００μｍ程度である。もちろん、半導体ウェハ１６における個々のバンプ１８の高さは同一でも異なっていてもよい。

半導体ウェハ１６表面に形成されたバンプ１８の高さＸ（μｍ）とシート状樹脂組成物１０の厚さＹ（μｍ）とが、０．５≦Ｙ／Ｘ≦２の関係を満たすことが好ましい。より好ましくは、０．５≦Ｙ／Ｘ≦１．５であり、さらに好ましくは、０．８≦Ｙ／Ｘ≦１．３である。

バンプ１８の高さＸ（μｍ）とシート状樹脂組成物１０の厚さＹ（μｍ）とが上記関係を満たすことにより、半導体チップ２２と実装用基板５０との間の空間を十分に充填することができると共に、当該空間からのシート状樹脂組成物１０の過剰のはみ出しを防止することができ、シート状樹脂組成物１０による半導体チップ２２の汚染などを防止することができる。なお、各バンプ１８の高さが異なる場合は、最も高いバンプ１８の高さを基準とする。

まず、裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物１００のシート状樹脂組成物１０上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離し、図２に示すように、半導体ウェハ１６のバンプ１８が形成されたバンプ形成面２２ａとシート状樹脂組成物１０とを対向させ、シート状樹脂組成物１０と半導体ウェハ１６とを貼り合わせる（マウント）。

貼り合わせの方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着の圧力は、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．２ＭＰａ以上である。０．１ＭＰａ以上であると、半導体ウェハ１６のバンプ形成面２２ａの凹凸を良好に埋め込むことができる。また、圧着の圧力の上限は特に限定されないが、好ましくは１ＭＰａ以下、より好ましくは０．５ＭＰａ以下である。

貼り合わせの温度は、好ましくは４０℃以上であり、より好ましくは６０℃以上である。４０℃以上であると、シート状樹脂組成物１０の粘度が低下し、半導体ウェハ１６の凹凸を空隙なく充填できる。また、貼り合わせの温度は、好ましくは１００℃以下であり、より好ましくは８０℃以下である。１００℃以下であると、シート状樹脂組成物１０の硬化反応を抑制したまま貼り合わせが可能となる。

貼り合わせは、減圧下で行うことが好ましく、例えば、１０００Ｐａ以下、好ましくは５００Ｐａ以下である。下限は特に限定されず、例えば、１Ｐａ以上である。

＜研削工程＞
研削工程では、半導体ウェハ１６のバンプ形成面２２ａとは反対側の面（すなわち、裏面）１６ｂを研削する（図３参照）。半導体ウェハ１６の裏面研削に用いる薄型加工機としては特に限定されず、例えば研削機（バックグラインダー）、研磨パッドなどを例示できる。また、エッチングなどの化学的方法にて裏面研削を行ってもよい。裏面研削は、半導体ウェハ１６が所望の厚さ（例えば、２０〜７００μｍ）になるまで行われる。

＜ウェハ固定工程＞
研削工程後、半導体ウェハ１６の裏面１６ｂにダイシングテープ１１を貼りつける（図４参照）。なお、ダイシングテープ１１は、基材１１ａ上に粘着剤層１１ｂが積層された構造を有する。基材１１ａ及び粘着剤層１１ｂとしては、裏面研削用テープ１２の基材１２ａ及び粘着剤層１２ｂの項で示した成分及び製法を用いて好適に作製することができる。

＜剥離工程＞
次いで、裏面研削用テープ１２を剥離する（図５参照）。これにより、シート状樹脂組成物１０が露出した状態となる。

裏面研削用テープ１２を剥離する際、粘着剤層１２ｂが放射線硬化性を有する場合には、粘着剤層１２ｂに放射線を照射して粘着剤層１２ｂを硬化させることで、剥離を容易に行うことができる。放射線の照射量は、用いる放射線の種類や粘着剤層の硬化度などを考慮して適宜設定すればよい。

＜ダイシング工程＞
ダイシング工程では、図６に示すように半導体ウェハ１６及びシート状樹脂組成物１０をダイシングしてダイシングされたシート状樹脂組成物付き半導体チップ４０を形成する。ダイシングは、半導体ウェハ１６のシート状樹脂組成物１０を貼り合わせたバンプ形成面２２ａから常法に従い行われる。例えば、ダイシングテープ１１まで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式などを採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。

なお、ダイシング工程に続いてダイシングテープ１１のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。

＜ピックアップ工程＞
図７に示すように、シート状樹脂組成物付き半導体チップ４０をダイシングテープ１１から剥離する（シート状樹脂組成物付き半導体チップ４０をピックアップする）。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。

ここでピックアップは、ダイシングテープ１１の粘着剤層１１ｂが紫外線硬化型の場合、粘着剤層１１ｂに紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層１１ｂの半導体チップ２２に対する粘着力が低下し、半導体チップ２２の剥離が容易になる。

以上により、シート状樹脂組成物付き半導体チップ４０の準備が完了する。

上記のようにして得られたシート状樹脂組成物付きチップ４０は、バンプ１８が形成された半導体チップ２２と、半導体チップ２２のバンプ形成面２２ａに貼り付けられたシート状樹脂組成物１０とを有する（図８参照）。シート状樹脂組成物付きチップ４０では、バンプ１８がシート状樹脂組成物１０に埋め込まれるとともに、半導体チップ２２のバンプ形成面２２ａがシート状樹脂組成物１０に貼り付けられている。

半導体チップ２２の厚さとしては、特に限定されないが、例えば、１０〜１０００μｍの範囲内で適宜設定することができる。

半導体チップ２２に形成されているバンプ１８の高さとしては、特に限定されないが、例えば、２〜３００μｍの範囲内で適宜設定できる。

バンプ１８の構成材料としては、特に限定されないが、ハンダが好ましく、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｂｉ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のハンダを挙げることができる。なかでも、融点が２１０〜２３０℃の範囲内にあるものを好ましく用いることができ、前記のハンダのなかでも、例えば、Ｓｎ−Ａｇ系が好ましい。

［実装用基板を準備する工程］
また、図９に示すように、表面５０ａに電極５２が形成された実装用基板５０を準備する（工程Ｂ）。

実装用基板５０としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）等の各種基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板等が挙げられる。
また、実装用基板５０として半導体ウエハを用いることもできる。

［半導体チップに形成されたバンプと実装用基板に形成された電極とを対向させる工程］
前記工程Ａ及び前記工程Ｂの後、図１０に示すように、実装用基板５０に、シート状樹脂組成物付きチップ４０を、シート状樹脂組成物１０を貼り合わせ面にして貼り付けて、半導体チップ２２に形成されたバンプ１８と実装用基板５０に形成された電極５２とを対向させる（工程Ｃ）。具体的には、まず、シート状樹脂組成物付きチップ４０のシート状樹脂組成物１０を実装用基板５０に対向させて配置し、次に、フリップチップボンダーを用い、シート状樹脂組成物付きチップ４０側から圧力を加える。これにより、バンプ１８と電極５２とは、シート状樹脂組成物１０に埋め込まれながら、対向される。貼り合わせ時の温度は、１００〜２００℃が好ましく、より好ましくは１５０〜１９０℃である。ただし、ハンダの融点よりも低い温度であることが好ましい。また、貼り合わせ時の圧力は０．０１〜１０ＭＰａが好ましく、より好ましくは０．１〜１ＭＰａである。
貼り合わせの温度が１５０℃以上であると、シート状樹脂組成物１０の粘度が低下し、凹凸を空隙なく充填できる。また、貼り合わせの温度が、２００℃以下であると、シート状樹脂組成物１０の硬化反応を抑制したまま貼り合わせが可能となる。
この際、シート状樹脂組成物１０の２００℃未満における最低溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ〜５０００Ｐａ・ｓの範囲内にあると、半導体チップ２２に形成されたバンプ１８と実装用基板５０に形成された電極５２とを容易にシート状樹脂組成物１０に埋め込みながら、対向させることができる。

［シート状樹脂組成物を半硬化させる工程］
前記工程Ｃの後、シート状樹脂組成物１０を加熱して半硬化させる（工程Ｄ）。前記工程Ｄにおける加熱温度は、１００〜２３０℃であることが好ましく、１５０〜２１０℃であることがより好ましい。前記工程Ｄにおける加熱温度は、ハンダの融点よりも低い温度であることが好ましい。また、加熱時間は、１〜３００秒の範囲内であることが好ましく、３〜１２０秒の範囲内であることがより好ましい。
この際、シート状樹脂組成物１０の２００℃で５秒加熱した後の熱硬化率が２０％以上であると、工程Ｃの後、工程Ｄの半硬化工程までに大きく温度を上げなくても、硬化反応が始まりより早期に終了する。工程Ｄを速やかに終了させることができるため、半導体装置の製造プロセスの効率化が図れる。

［バンプと電極とを接合するとともに、シート状組成物を硬化させる工程］
前記工程Ｄの後、前記工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、図１１に示すように、バンプ１８と電極５２とを接合するとともに、シート状組成物１０を硬化させる（工程Ｅ）。図１１では、バンプ１８がハンダで構成され、バンプ１８が溶融することによりバンプ１８と電極５２とが接合（電気的に接続）されている様子を示している。
この際の加熱温度は、１８０〜４００℃であることが好ましく、２００〜３００℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、１〜３００秒の範囲内であることが好ましく、３〜１２０秒の範囲内であることがより好ましい。

上述の通り、本実施形態では、バンプ１８が融点１８０〜２６０℃の範囲内にあるハンダであり、前記工程Ｄは、１００〜２３０℃の範囲内で加熱する工程であり、前記工程Ｄにおける加熱温度は、前記ハンダの前記融点よりも低い温度であることが好ましい。融点が１８０〜２６０℃の範囲内にあるハンダを用いると、前記工程Ｄにおける加熱では、ハンダは溶融しない。その一方で、シート状樹脂組成物１０は半硬化する。すなわち、工程Ｄでは、ハンダを溶融させない態様でシート状樹脂組成物１０を半硬化させる。工程Ｄでは、ハンダを溶融させないので、工程Ｄにおいてハンダが流れることは基本的にない。
その後、この工程Ｅにおいて、前記工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、バンプ１８と電極５２とをハンダを溶融させて接合するとともに、シート状組成物１０を硬化させる。工程Ｅの段階では、すでにシート状樹脂組成物１０は半硬化しているため、シート状樹脂組成物１０を構成する樹脂が流れ難くなっている。従って、バンプ１８と電極５２との接合のためにハンダを溶融させてもシート状樹脂組成物１０の流れに伴ってハンダが流れることは、抑制されている。その結果、ハンダ流れによる短絡や接触不良が発生することをさらに抑制することができる。

以上により、半導体装置６０が得られる。

上述した実施形態では、シート状樹脂組成物付きチップを準備する工程Ａとして、裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物を用いた場合について説明した。しかしながら、本発明における工程Ａは、この例に限定されない。例えば、ダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物を用いて準備してもよい。ダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物は、ダイシングテープと、シート状樹脂組成物とを備える。ダイシングテープは、基材及び粘着剤層を備え、粘着剤層は基材上に設けられている。シート状樹脂組成物は粘着剤層上に設けられている。ダイシングテープは、上述した裏面研削用テープと同様の構成を採用することができる。
具体的に、当該シート状樹脂組成物付チップの準備方法は、半導体ウェハのバンプが形成されたバンプ形成面とダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物のシート状樹脂組成物とを貼り合わせる貼合せ工程、半導体ウェハをダイシングしてシート状樹脂組成物付き半導体チップを形成するダイシング工程、及びシート状樹脂組成物付き半導体チップをダイシングテープから剥離するピックアップ工程を含む。

また、シート状樹脂組成物付き半導体チップを準備する工程Ａとして、単体のシート状樹脂組成物を用いて準備してもよい。
具体的に、単体のシート状樹脂組成物を用いたシート状樹脂組成物付チップの準備方法は、例えば、半導体ウェハのバンプが形成されたバンプ形成面とシート状樹脂組成物とを貼り合わせる貼合せ工程、シート状樹脂組成物の半導体ウエハ貼り合わせ面とは反対側の面に裏面研削用テープを貼り合わせる工程、半導体ウェハの裏面を研削する研削工程、半導体ウェハの裏面にダイシングテープを貼りつけるウェハ固定工程、裏面研削用テープを剥離する剥離工程、半導体ウェハをダイシングしてシート状樹脂組成物付き半導体チップを形成するダイシング工程、及びシート状樹脂組成物付き半導体チップをダイシングテープから剥離するピックアップ工程を含む。
また、単体のシート状樹脂組成物を用いたシート状樹脂組成物付き半導体チップを準備する工程Ａの他の例としては、半導体ウェハのバンプが形成されたバンプ形成面とシート状樹脂組成物とを貼り合わせる貼合せ工程、シート状樹脂組成物の半導体ウエハ貼り合わせ面とは反対側の面にダイシングテープを貼り合わせる工程、半導体ウェハをダイシングしてシート状樹脂組成物付き半導体チップを形成するダイシング工程、及びシート状樹脂組成物付き半導体チップをダイシングテープから剥離するピックアップ工程を含む。

また、上述した実施形態では、本発明のシート状樹脂組成物が、半導体チップと実装用基板との間隙を封止するもの（いわゆる、アンダーフィル用シート）である場合について説明した。しかしながら、本発明のシート状樹脂組成物は、半導体装置の製造に用いられるもの、すなわち、半導体装置製造用であれば、特に限定されない。例えば、被着体に半導体素子をダイボンドするためのダイボンドフィルムであってもよく、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであってもよく、半導体素子を封止するための封止フィルムであってもよい。

上述した実施形態では、本発明の樹脂組成物がシート状である場合について説明した。しかしながら、本発明において樹脂組成物は、シート状に限定されず、液状であってもよく、室温で半固形状であってもよい。液状である場合、被着体と前記被着体上にフリップチップ接続された半導体素子との界面に毛細管現象等により充填させる等して使用することができる。また、室温で半固形状の場合、加熱した際に溶融し、毛細管現象によって充填させる等して使用できる。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

＜シート状樹脂組成物の作製＞
以下の成分を表１に示す割合でメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２５．４〜６０．６重量％となる接着剤組成物の溶液を調製した。
ヒドロキシル基含有アクリルポリマー：アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするヒドロキシル基を含有するアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ−１９７Ｃ」、根上工業株式会社製、重量平均分子量：４×１０^５）
エポキシ基含有ポリマー１：アクリル酸エチル−アクリル酸ブチル−アクリロニトリルを主成分とする、エポキシ基を含有するアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「テイサンレジンＳＧ−Ｐ３」、ナガセケムテックス株式会社製、エポキシ価：０．２１ｅｑ／ｋｇ、重量平均分子量：８．５×１０^５）
エポキシ基含有ポリマー２：エポキシ基を含有するアクリル酸エステル系ポリマー（エポキシ価：０．７ｅｑ／ｋｇ、重量平均分子量： ９．３ ×１０^５）
エポキシ基含有ポリマー３：エポキシ基を含有するアクリル酸エステル系ポリマー（エポキシ価：０．８８ｅｑ／ｋｇ、重量平均分子量：９．３×１０^５）
エポキシ樹脂１：商品名「エピコート１００４」、ＪＥＲ株式会社製
エポキシ樹脂２：商品名「エピコート８２８」、ＪＥＲ株式会社製
エポキシ樹脂３：：商品名「ＤＡ−ＭＧＩＣ」、四国化成株式会社製
フェノール系硬化剤：商品名「ＭＥＨ−７８５１Ｈ」、明和化成株式会社製
ラジカル反応性化合物１（エポキシアクリレート樹脂：商品名「CN-104NS」、Sartomer社製、エポキシ基を有していない。重量平均分子量１００００以下。）
ラジカル反応性化合物２（エポキシアクリレート樹脂：商品名「ユニディック Ｖ−５５００」、ＤＩＣ株式会社製、エポキシ基を有していない。重量平均分子量１００００以下。）
ラジカル反応性化合物３（マレイミド樹脂：商品名「ＢＭＩ―２３００」、大和化成工業社製、重量平均分子量１００００以下。）
フラックス：２−フェノキシ安息香酸
無機充填剤：球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」、株式会社アドマテックス製、平均粒径：５００ｎｍ）
熱硬化促進剤：イミダゾール系硬化促進剤（商品名「２ＰＨＺ−ＰＷ」、四国化成株式会社製）
ラジカル発生剤：有機過酸化物（商品名「パークミルD」、日油社製）

実施例１〜実施例１０、比較例３に関しては、この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１２０℃で３分間乾燥させることにより、実施例１〜実施例１０、比較例３に係るシート状樹脂組成物を作製した。実施例１〜実施例１０、比較例３においては、厚さは、すべて、３５μｍとした。

また、比較例１、比較例２に関しては、この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、比較例１、比較例２に係るシート状樹脂組成物を作製した。比較例１、比較例２においては、厚さは、すべて、３５μｍとした。

（１２０℃で１０分加熱した後の熱硬化率の測定）
実施例、比較例のシート状樹脂組成物について、以下のようにして、１２０℃で１０分加熱した後の熱硬化率を測定した。測定には、ティー・エイ・インスツルメント社製の示差走査熱量計、製品名「Ｑ２０００」を用いた。
まず、熱硬化処理をしていないシート状樹脂組成物を−１０℃から昇温速度１０℃／分の条件で、３５０℃（熱硬化反応が完全に完了したと想定される温度）まで昇温した際の発熱量（未硬化サンプルの反応熱量）を測定した。なお、この際、発熱ピーク温度についても読み取った。この値を表１に示した。
また、シート状樹脂組成物を１２０℃で１０分加熱したサンプルを準備し、−１０℃から昇温速度１０℃／分の条件で、３５０℃（熱硬化反応が完全に完了したと想定される温度）まで昇温した際の発熱量（２００℃で１０秒間加熱したサンプルの反応熱量）を測定した。その後、以下の式（１ａ）により熱硬化率を得た。
式（１ａ）：
熱硬化率＝［｛（未硬化サンプルの反応熱量）−（１２０℃で１０分加熱したサンプルの反応熱量）｝／（未硬化サンプルの反応熱量）］×１００（％）
なお、発熱量は、示差走査熱量計にて測定される発熱ピークの立ち上がり温度と反応終了温度の２点を結んだ直線とピークで囲まれる面積を用いて求める。
結果を表１に示す。

（２００℃で５秒加熱した後の熱硬化率の測定）
実施例、比較例のシート状樹脂組成物について、以下のようにして、２００℃で５秒加熱した後の熱硬化率を測定した。測定には、ティー・エイ・インスツルメント社製の示差走査熱量計、製品名「Ｑ２０００」を用いた。
まず、熱硬化処理をしていないシート状樹脂組成物を−１０℃から昇温速度１０℃／分の条件で、３５０℃（熱硬化反応が完全に完了したと想定される温度）まで昇温した際の発熱量（未硬化サンプルの反応熱量）を測定した。
また、シート状樹脂組成物を２００℃で５秒加熱したサンプルを準備し、−１０℃から昇温速度１０℃／分の条件で、３５０℃（熱硬化反応が完全に完了したと想定される温度）まで昇温した際の発熱量（２００℃で１０秒間加熱したサンプルの反応熱量）を測定した。その後、以下の式（１ｂ）により熱硬化率を得た。
式（１ｂ）：
熱硬化率＝［｛（未硬化サンプルの反応熱量）−（２００℃で５秒加熱したサンプルの反応熱量）｝／（未硬化サンプルの反応熱量）］×１００（％）
なお、発熱量は、示差走査熱量計にて測定される発熱ピークの立ち上がり温度と反応終了温度の２点を結んだ直線とピークで囲まれる面積を用いて求める。
結果を表１に示す。

［保存性評価］
まず、熱硬化処理をしていないシート状樹脂組成物の静的粘度を、回転式粘度計（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製、製品名「ＨＡＡＫＥ ＭＡＲＳIII」）にて測定した。測定条件は、ギャップ１００μｍ、回転プレート直径２０ｍｍ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、せん断速度５（１／ｓ）とし、８０℃〜２３０℃における粘度を測定した。
また、温度：２５℃の条件で、１ヶ月の期間放置（保存）したシート状樹脂組成物について、上記と同様に粘度を測定した。
保存前と保存後の１２０℃における測定粘度を比較し、保存前の粘度を基準とし、保存後の粘度が２００％以下の場合を〇、２００％より大きい場合を×として評価した。評価基準を上記のように設定した理由は、前記の粘度変化が２００％以下であると、実装時の接合が良好となるためである。結果を表１に示す。なお、表１には、保存前と保存後の１２０℃における測定粘度も合わせて示した。
また、温度：２５℃の条件で、１ヶ月保存した後の１２０℃での粘度と、保存前における１２０℃での粘度との粘度変化率Ｘ１も表１に示した。粘度変化率Ｘ１は、下記式により得られる値の絶対値である。
［粘度変化率Ｘ１（％）］＝[１００×｛（１ヶ月保存後の１２０℃での粘度）−（保存前の１２０℃での粘度）｝／（保存前の１２０℃での粘度）］

［ボイド評価］
（株）ウォルツ社のテストビークル（厚さ７２５μｍのウエハに、高さ４０μｍのバンプが形成されたもの）に、厚さ４０μｍのシート状樹脂組成物を貼り付けた。貼付条件は、真空度：１００Ｐａの条件下において、温度：６０℃、貼り付け圧力：０．５Ｍｐａとした。これにより図８に示すような形態のサンプルＡを得た。

次に、このサンプルＡに電極を有する実装用基板（電極の高さ：１５μｍ）を貼り付けた。貼り付けには、東レエンジニアリング社のフリップチップボンダー（ＦＣ３０００Ｗ）を用い、貼付条件は、荷重：０．５Ｍｐａの条件で、２００℃で１０秒間保持した後、２６０℃で１０秒保持した。

得られた実装後のサンプルをチップ（ウエハ）と平行に研磨し、シート状樹脂組成物を露出させた。露出した樹脂部分のボイド状態を光学顕微鏡（２００倍）にて確認し、ボイド（最大径：３μｍ超）の発生が確認されなかった場合を「○」、１箇所でもボイドの発生が確認された場合を「×」として評価した。結果を表１に示す。実施例では、２００℃で１０秒間保持した際にシート状樹脂組成物の半硬化が充分に行なわれたため、ボイドの膨張が抑制されたと考えられる。一方、比較例２では、２００℃で１０秒間保持した際にシート状樹脂組成物の半硬化が充分に行なわれていないため、ボイドの膨張が抑制されなかったと考えられる。

１０ シート状樹脂組成物
１８ バンプ
２２ 半導体チップ
２２ａ バンプ形成面
４０ シート状樹脂組成物付きチップ
５０ 実装用基板
５２ 電極
６０ 半導体装置

Claims (8)

1. 被着体と前記被着体上にフリップチップ接続された半導体素子との界面封止に用いられる樹脂組成物であって、
   ラジカル反応性化合物と熱可塑性樹脂と無機充填剤とを含有し、
   前記樹脂組成物全体から前記無機充填剤を除いた成分に対する前記ラジカル反応性化合物の割合が１８．５重量％以上であり、
   １２０℃で１０分加熱した後の熱硬化率が４０％以下であり、
   ２００℃で５秒加熱した後の熱硬化率が２０％以上であることを特徴とする樹脂組成物。
2. エポキシ樹脂を含有することを特徴とする請求項１に記載の樹脂組成物。
3. 前記熱可塑性樹脂は、ヒドロキシル基、又は、エポキシ基を有するアクリル樹脂であることを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
4. シート状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
5. 請求項４に記載のシート状の樹脂組成物が、裏面研削用テープ上に積層されていることを特徴とする裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物。
6. 請求項４に記載のシート状の樹脂組成物が、ダイシングテープ上に積層されていることを特徴とするダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物。
7. 半導体チップのバンプ形成面に、請求項４に記載のシート状の樹脂組成物が貼り付けられたシート状樹脂組成物付きチップを準備する工程Ａと、
   電極が形成された実装用基板を準備する工程Ｂと、
   前記実装用基板に、前記シート状樹脂組成物付きチップを、前記シート状樹脂組成物を貼り合わせ面にして貼り付けて、前記半導体チップに形成された前記バンプと前記実装用基板に形成された電極とを対向させる工程Ｃと、
   前記工程Ｃの後に、前記シート状樹脂組成物を加熱して半硬化させる工程Ｄと、
   前記工程Ｄの後に、前記工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、前記バンプと前記電極とを接合するとともに、前記シート状組成物を硬化させる工程Ｅとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項４に記載のシート状の樹脂組成物を用いて製造された半導体装置。

Images