JP6524632B2

JP6524632B2 - Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Info

Publication number: JP6524632B2
Application number: JP2014202608A
Authority: JP
Inventors: 米田　章法; 章法米田
Original assignee: Nichia Corp
Current assignee: Nichia Corp
Priority date: 2014-09-30
Filing date: 2014-09-30
Publication date: 2019-06-05
Anticipated expiration: 2034-09-30
Also published as: JP2016072533A

Description

半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor laser device and a method of manufacturing the same.

半導体レーザ装置の分野においては、実装基板に対して光を垂直に出射する垂直出射型と水平に出射する水平出射型とが区別されており、半導体レーザ装置の設計者やユーザは、両者を区別して設計、製造又は管理等を行っている（特許文献１、２参照）。 In the field of semiconductor laser devices, a vertical emission type in which light is emitted perpendicularly to the mounting substrate and a horizontal emission type in which light is emitted horizontally are distinguished, and the designer or user of the semiconductor laser device separates both. Design, manufacture, management etc. are performed separately (refer to patent documents 1 and 2).

特開２００４−３１９００号公報JP 2004-31900 A 特開平７−３３５９６６号公報JP-A-7-335966

しかしながら、このような区別された取り扱いは、半導体レーザ装置の設計者やユーザにとって負担が大きく、半導体レーザ装置やその応用分野における作業効率を低下させてしまうおそれがある。また従来の半導体レーザ装置には、個々の部品を１つずつ組み立てているため、生産性が低くなることが考えられる。 However, such distinguished handling places a heavy burden on the designer and the user of the semiconductor laser device, and may reduce the working efficiency in the semiconductor laser device and its application field. Further, in the conventional semiconductor laser device, it is conceivable that the productivity is lowered because the individual parts are assembled one by one.

上記課題は、例えば、次の手段により解決することができる。 The above problem can be solved, for example, by the following means.

本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置は、基台と、前記基台に設けられた第１配線及び第２配線と、前記基台の上面側において固定され、第１電極及び第２電極を備える半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を覆うように前記基台の上面側に設けられた窓部を備えるキャップと、前記基台の上面側における前記キャップの外側あるいは前記基台の下面側に設けられ、前記第１配線を介して前記半導体レーザ素子の第１電極に電気的に接続された、表面が金属よりなる第１ブロック部と、前記基台の上面側における前記キャップの外側あるいは前記基台の下面側に設けられ、前記第２配線を介して前記半導体レーザ素子の第２電極に電気的に接続された、表面が金属よりなる第２ブロック部と、を備える。特に、実装基板に対する２つ以上の異なる向きでの実装が可能となるよう前記第１ブロック部及び前記第２ブロック部の各々が少なくとも１つ以上の実装面を有する。 A semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention includes a base, and first and second wires provided on the base, and fixed on an upper surface side of the base, the first electrode and the second electrode A semiconductor laser device comprising: a cap having a window portion provided on the upper surface side of the base so as to cover the semiconductor laser device; an outer side of the cap on the upper surface side of the base; or a lower surface side of the base A first block portion made of metal and electrically connected to the first electrode of the semiconductor laser element through the first wiring, and the outside of the cap on the upper surface side of the base or And a second block portion which is provided on the lower surface side of the base and electrically connected to the second electrode of the semiconductor laser device through the second wiring, and whose surface is made of metal. In particular, each of the first block portion and the second block portion has at least one mounting surface so that mounting in two or more different orientations on the mounting substrate is possible.

本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法は、第１配線及び第２配線が設けられた基台を準備する工程と、第１電極及び第２電極を有する複数の半導体レーザ素子を、前記第１電極及び前記第２電極が前記第１配線及び前記第２配線にそれぞれ電気的に接続されるよう前記基台の上面側に配置する工程と、前記複数の半導体レーザ素子が覆われるよう、窓部を備えた複数のキャップを前記基台の上面側に設ける工程と、１つの個片に前記複数のキャップの１つが含まれるよう前記基台を個片化する工程と、表面が金属よりなる第１ブロック部を前記基台の上面側及び下面側の一方に配置し前記第１ブロック部と前記第１配線とを電気的に接続する工程と、表面が金属よりなる第２ブロック部を前記基台の上面側及び下面側の一方に配置し前記第２ブロック部と前記第２配線とを電気的に接続する工程と、を有する。 A method of manufacturing a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention includes the steps of preparing a base on which a first wiring and a second wiring are provided, and a plurality of semiconductor laser devices having a first electrode and a second electrode. And disposing the first electrode and the second electrode on the upper surface side of the base so as to be electrically connected to the first wiring and the second wiring, and covering the plurality of semiconductor laser elements. A step of providing a plurality of caps having a window on the upper surface side of the base, a step of singulating the base so that one piece includes one of the plurality of caps, and a surface Arranging a first block made of metal on one of the upper surface side and the lower surface of the base and electrically connecting the first block and the first wiring; and a second block whose surface is made of metal One of the upper surface side and the lower surface side of the base Arranged to and a step of electrically connecting the second wiring and the second block unit.

上記した半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ装置を異なる向きで実装することによってレーザ光の出射方向を変えることができるため、レーザ光の出射方向に応じて異なるタイプの半導体レーザ装置を設計したり使用したりする必要がない。したがって、上記した半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ装置の設計者やユーザの負担を軽減して、半導体レーザ装置やその応用分野における作業効率を高めることができる。また、上記した半導体レーザ装置の製造方法によれば、上記した半導体レーザ装置をウエハプロセス内で組み立てることができるため、上記した半導体レーザ装置の生産性を高めることができる。 According to the above-described semiconductor laser device, since the emitting direction of the laser beam can be changed by mounting the semiconductor laser device in different directions, it is possible to design different types of semiconductor laser devices according to the emitting direction of the laser beam. There is no need to use it. Therefore, according to the above-described semiconductor laser device, it is possible to reduce the burden on the designer and user of the semiconductor laser device, and to improve the working efficiency in the semiconductor laser device and its application field. Further, according to the above-described method of manufacturing a semiconductor laser device, since the above-described semiconductor laser device can be assembled in a wafer process, the productivity of the above-described semiconductor laser device can be enhanced.

実施形態１に係る半導体レーザ装置の模式的平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of a semiconductor laser device according to Embodiment 1; 実施形態１に係る半導体レーザ装置の模式的底面図である。FIG. 2 is a schematic bottom view of the semiconductor laser device according to the first embodiment. 実施形態１に係る半導体レーザ装置の模式的背面図である。FIG. 2 is a schematic rear view of the semiconductor laser device according to the first embodiment. 実施形態１に係る半導体レーザ装置の模式的側面図である。FIG. 1 is a schematic side view of a semiconductor laser device according to a first embodiment. 図１Ａ中のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing in FIG. 1A. 図１Ａ中のＢ−Ｂ断面図である。It is a BB sectional view in Drawing 1A. 図１Ｃ中のＣ−Ｃ断面図である。It is CC sectional drawing in FIG. 1C. 実施形態１に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その１）を示す図である。FIG. 7 is a view showing a state (No. 1) in which the semiconductor laser device according to the first embodiment is mounted on a mounting substrate; 実施形態１に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その２）を示す図である。FIG. 7 is a view showing the semiconductor laser device according to the first embodiment mounted on a mounting substrate (part 2); 実施形態２に係る半導体レーザ装置の模式的平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view of a semiconductor laser device according to a second embodiment. 実施形態２に係る半導体レーザ装置の模式的底面図である。FIG. 7 is a schematic bottom view of the semiconductor laser device according to the second embodiment. 実施形態２に係る半導体レーザ装置の模式的背面図である。FIG. 7 is a schematic rear view of the semiconductor laser device according to the second embodiment. 実施形態２に係る半導体レーザ装置の模式的側面図である。FIG. 6 is a schematic side view of a semiconductor laser device according to a second embodiment. 図２Ａ中のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing in FIG. 2A. 図２Ａ中のＢ−Ｂ断面図である。It is a BB sectional view in Drawing 2A. 実施形態２に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その１）を示す図である。FIG. 7 is a view showing a state (No. 1) in which the semiconductor laser device according to the second embodiment is mounted on a mounting substrate; 実施形態２に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その２）を示す図である。FIG. 7 is a view showing a state (No. 2) in which the semiconductor laser device according to the second embodiment is mounted on a mounting substrate; 実施形態３に係る半導体レーザ装置の模式的平面図である。FIG. 7 is a schematic plan view of a semiconductor laser device according to a third embodiment. 実施形態３に係る半導体レーザ装置の模式的底面図である。FIG. 10 is a schematic bottom view of the semiconductor laser device according to the third embodiment. 実施形態３に係る半導体レーザ装置の模式的背面図である。FIG. 7 is a schematic rear view of a semiconductor laser device according to a third embodiment. 実施形態３に係る半導体レーザ装置の模式的側面図である。FIG. 7 is a schematic side view of a semiconductor laser device according to a third embodiment. 図３Ａ中のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing in FIG. 3A. 図３Ａ中のＢ−Ｂ断面図である。It is a BB sectional view in Drawing 3A. 図３Ｃ中のＣ−Ｃ断面図である。It is CC sectional drawing in FIG. 3C. 実施形態３に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その１）を示す図である。FIG. 13 is a view showing a state (No. 1) in which the semiconductor laser device according to the third embodiment is mounted on a mounting substrate; 実施形態３に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その２）を示す図である。FIG. 14 is a view showing a state (No. 2) in which the semiconductor laser device according to the third embodiment is mounted on a mounting substrate; 実施形態４に係る半導体レーザ装置の模式的平面図である。FIG. 16 is a schematic plan view of the semiconductor laser device according to the fourth embodiment. 実施形態４に係る半導体レーザ装置の模式的底面図である。FIG. 16 is a schematic bottom view of the semiconductor laser device according to the fourth embodiment. 実施形態４に係る半導体レーザ装置の模式的背面図である。FIG. 16 is a schematic rear view of the semiconductor laser device according to the fourth embodiment. 実施形態４に係る半導体レーザ装置の模式的側面図である。FIG. 10 is a schematic side view of a semiconductor laser device according to a fourth embodiment. 図４Ａ中のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing in FIG. 4A. 図４Ａ中のＢ−Ｂ断面図である。It is BB sectional drawing in FIG. 4A. 図４Ｃ中のＣ−Ｃ断面図である。It is CC sectional drawing in FIG. 4C. 実施形態４に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その１）を示す図である。FIG. 18 is a view showing a state (No. 1) in which the semiconductor laser device according to the fourth embodiment is mounted on a mounting substrate; 実施形態４に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その２）を示す図である。FIG. 16 is a view showing a state (No. 2) in which the semiconductor laser device according to the fourth embodiment is mounted on a mounting substrate; 半導体レーザ装置の製造方法例（その１）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。It is a typical sectional view of a semiconductor laser device explaining an example (1) of a manufacturing method of a semiconductor laser device. 半導体レーザ装置の製造方法例（その１）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。It is a typical sectional view of a semiconductor laser device explaining an example (1) of a manufacturing method of a semiconductor laser device. 半導体レーザ装置の製造方法例（その１）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。It is a typical sectional view of a semiconductor laser device explaining an example (1) of a manufacturing method of a semiconductor laser device. 半導体レーザ装置の製造方法例（その１）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。It is a typical sectional view of a semiconductor laser device explaining an example (1) of a manufacturing method of a semiconductor laser device. 半導体レーザ装置の製造方法例（その１）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。It is a typical sectional view of a semiconductor laser device explaining an example (1) of a manufacturing method of a semiconductor laser device. 半導体レーザ装置の製造方法例（その２）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。It is a typical sectional view of the semiconductor laser device explaining the example of a manufacturing method of the semiconductor laser device (the 2). 半導体レーザ装置の製造方法例（その２）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。It is a typical sectional view of the semiconductor laser device explaining the example of a manufacturing method of the semiconductor laser device (the 2). 半導体レーザ装置の製造方法例（その２）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。It is a typical sectional view of the semiconductor laser device explaining the example of a manufacturing method of the semiconductor laser device (the 2). 半導体レーザ装置の製造方法例（その２）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。It is a typical sectional view of the semiconductor laser device explaining the example of a manufacturing method of the semiconductor laser device (the 2). 半導体レーザ装置の製造方法例（その２）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。It is a typical sectional view of the semiconductor laser device explaining the example of a manufacturing method of the semiconductor laser device (the 2).

［実施形態１に係る半導体レーザ装置］
図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、及び図１Ｄは、それぞれ、実施形態１に係る半導体レーザ装置の模式的平面図、模式的底面図、模式的背面図及び模式的側面図である。また、図１Ｅ、図１Ｆは、それぞれ、図１Ａ中のＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図であり、図１Ｇは図１Ｃ中のＣ−Ｃ断面図である。図１Ａから図１Ｇに示すように、実施形態１に係る半導体レーザ装置は、基台１０と、基台１０に設けられた第１配線１１及び第２配線１２と、基台１０の上面側において固定され、第１電極２１及び第２電極２２を備える半導体レーザ素子２５と、半導体レーザ素子２５を覆うように基台１０の上面側に設けられた窓部３１を備えるキャップ３０と、基台１０の上面側におけるキャップ３０の外側あるいは基台１０の下面側に設けられ、第１配線１１を介して半導体レーザ素子２５の第１電極２１に電気的に接続された、表面が金属よりなる第１ブロック部４０と、基台１０の上面側におけるキャップ３０の外側あるいは基台１０の下面側に設けられ、第２配線１２を介して半導体レーザ素子２５の第２電極２２に電気的に接続された、表面が金属よりなる第２ブロック部５０と、を備える。第１ブロック部４０及び第２ブロック部５０の各々は、実装基板８０に対する２つ以上の異なる向きでの実装が可能となるよう少なくとも１つ以上の実装面を有する。 [Semiconductor Laser Device According to First Embodiment]
1A, 1B, 1C, and 1D are a schematic plan view, a schematic bottom view, a schematic rear view, and a schematic side view, respectively, of the semiconductor laser device according to the first embodiment. 1E and 1F are respectively a cross-sectional view taken along the line A-A and a cross-sectional view taken along the line B-B in FIG. 1A, and FIG. 1G is a cross-sectional view taken along the line C-C in FIG. As shown in FIGS. 1A to 1G, the semiconductor laser device according to the first embodiment includes the base 10, the first wiring 11 and the second wiring 12 provided on the base 10, and the upper surface side of the base 10. A semiconductor laser device 25 fixed to the first electrode 21 and the second electrode 22; a cap 30 provided with a window 31 provided on the upper surface side of the base 10 to cover the semiconductor laser device 25; First surface of the upper surface side of the cap 30 and the lower surface side of the base 10 electrically connected to the first electrode 21 of the semiconductor laser device 25 through the first wiring 11; The block portion 40 is provided on the outer surface of the cap 30 on the upper surface side of the base 10 or on the lower surface side of the base 10 and electrically connected to the second electrode 22 of the semiconductor laser 25 through the second wiring 12. , table There comprises a second block portion 50 made of a metal, a. Each of the first block portion 40 and the second block portion 50 has at least one mounting surface so as to enable mounting in two or more different orientations on the mounting substrate 80.

図１Ｈ、図１Ｉは、それぞれ、実施形態１に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その１）、（その２）を示す図である。図１Ｈ、図１Ｉに示すように、実施形態１に係る半導体レーザ装置は、図１Ｈに示した向きで実装基板８０に実装することもできるし、図１Ｉに示した向きで実装基板８０に実装することもできる。そして、図１Ｈに示した向きで実装した場合には、半導体レーザ装置から実装基板８０に対して垂直方向にレーザ光が出射され、図１Ｉに示した向きで実装した場合には、半導体レーザ装置から実装基板８０に対して水平方向にレーザ光が出射される。実施形態１に係る半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ装置を異なる向きで実装することによってレーザ光の出射方向を変えることができるため、レーザ光の出射方向に応じて異なるタイプの半導体レーザ装置を設計したり使用したりする必要がない。よって、実施形態１に係る半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ装置の設計者やユーザの負担を軽減して、半導体レーザ装置やその応用分野における作業効率を高めることができる。 FIGS. 1H and 1I are diagrams showing the semiconductor laser device according to the first embodiment mounted on a mounting substrate (part 1) and part 2 (part 2), respectively. As shown in FIGS. 1H and 1I, the semiconductor laser device according to the first embodiment can be mounted on the mounting substrate 80 in the direction shown in FIG. 1H, or mounted on the mounting substrate 80 in the direction shown in FIG. You can also Then, when mounted in the direction shown in FIG. 1H, laser light is emitted from the semiconductor laser device in the vertical direction to the mounting substrate 80, and when mounted in the direction shown in FIG. 1I, the semiconductor laser device The laser beam is emitted in the horizontal direction from the mounting substrate 80. According to the semiconductor laser device of the first embodiment, since the emitting direction of the laser beam can be changed by mounting the semiconductor laser device in different directions, different types of semiconductor laser devices can be obtained according to the emitting direction of the laser beam. There is no need to design or use. Therefore, according to the semiconductor laser device according to the first embodiment, the burden on the designer and the user of the semiconductor laser device can be reduced, and the working efficiency in the semiconductor laser device and its application field can be improved.

以下、各部材について説明する。 Each member will be described below.

（基台１０）
基台１０としてはＡｌＮ、ＳｉＣ、アルミナなどの絶縁性セラミックやダイヤモンドなどを用いることができる。 (Base 10)
The base 10 may be made of insulating ceramic such as AlN, SiC, or alumina, or diamond.

（第１配線１１、第２配線１２）
第１配線１１及び第２配線１２は基台１０に設けられている。第１配線１１や第２配線１２は、例えば、めっき層と金属層を有する部材である。めっき層はスパッタ法や蒸着法によって基台１０の表面の一部に形成されたシード層上に形成されており、金属層はめっき層の上に形成されている。シード層はＮｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ等による金属の単層又はそれらを含む積層体などによって形成することができ、めっき層はＣｕやＡｕなどによって形成することができる。また、金属層は密着性や接合方法等によって適宜選択された材料により形成することができる。なお、シード層の一例としては例えばＴｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、またはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを挙げることができる。また、金属層の一例としては、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕを挙げることができる。 (First wiring 11, second wiring 12)
The first wiring 11 and the second wiring 12 are provided on the base 10. The first wiring 11 and the second wiring 12 are, for example, members having a plating layer and a metal layer. The plating layer is formed on a seed layer formed on a part of the surface of the base 10 by sputtering or evaporation, and the metal layer is formed on the plating layer. The seed layer can be formed of a single layer of metal such as Ni, Ti, W, Pt, Pd, Au or the like or a laminate including them, and the plating layer can be formed of Cu, Au or the like. Further, the metal layer can be formed of a material appropriately selected according to adhesion, a bonding method, and the like. In addition, as an example of a seed layer, Ti / Au, Ni / Au, Ni / Pd / Au, or Ti / Pt / Au can be mentioned, for example. Moreover, as an example of a metal layer, Ti / Pt / Au and Ni / Pt / Au can be mentioned, for example.

（半導体レーザ素子２５）
半導体レーザ素子２５は、レーザ光の出射方向が半導体レーザ装置を実装する向きにより定まるよう、基台１０の上面側において固定される。一例を挙げると、例えば、基台１０上に設けられたサブマウント７０に設けられた配線７１に半田等を用いて、半導体レーザ素子２５を固定することができる。なお、半導体レーザ素子２５をサブマウント７０に固定すれば、半導体レーザ素子２５において発生する熱を、サブマウント７０を介して基台１０に効率的に逃がすことができる。半導体レーザ素子２５は、半導体部２０と第１電極２１（例：ｐ側電極）と第２電極２２（例：ｎ側電極）とを備える。半導体部２０には、例えば３―５族の化合物を用いることができるが、なかでも窒化物半導体を用いるのが好ましい。サブマウント７０は、半導体レーザ素子２５の放熱のために熱伝導性の高い部材によって形成されることが好ましい。具体的には、ＡｌＮ、ＣｕＷ、ダイヤモンド、ＳｉＣ等をサブマウント７０の材料として好ましく用いることができる。なお、理解を容易にするため、図２以下においては、半導体レーザ素子２５中の半導体部２０、第１電極２１、及び第２電極２２を図示せず、半導体レーザ素子を単に符号「２５」で示すが、図２以下で示す半導体レーザ素子２５も半導体部２０、第１電極２１、及び第２電極２２を有する。 (Semiconductor laser device 25)
The semiconductor laser element 25 is fixed on the upper surface side of the base 10 so that the emission direction of the laser light is determined by the mounting direction of the semiconductor laser device. For example, the semiconductor laser 25 can be fixed to the wiring 71 provided on the sub mount 70 provided on the base 10 using solder or the like. If the semiconductor laser 25 is fixed to the submount 70, the heat generated in the semiconductor laser 25 can be efficiently dissipated to the base 10 through the submount 70. The semiconductor laser device 25 includes a semiconductor unit 20, a first electrode 21 (e.g., a p-side electrode), and a second electrode 22 (e.g., an n-side electrode). For example, a compound of Group 3-5 can be used for the semiconductor portion 20, and among them, it is preferable to use a nitride semiconductor. The submount 70 is preferably formed of a member having high thermal conductivity for heat dissipation of the semiconductor laser device 25. Specifically, AlN, CuW, diamond, SiC or the like can be preferably used as the material of the submount 70. In order to facilitate understanding, in FIG. 2 and later, the semiconductor portion 20, the first electrode 21 and the second electrode 22 in the semiconductor laser device 25 are not shown, and the semiconductor laser device is simply denoted by reference numeral 25. Although shown, the semiconductor laser device 25 shown in FIG. 2 and later also has the semiconductor portion 20, the first electrode 21, and the second electrode 22.

半導体レーザ素子２５は、ジャンクションアップ（フェイスアップ）実装、すなわち、半導体レーザ素子２５の成長用基板側がサブマウント７０に向くよう実装されていてもよい。また、半導体レーザ素子２５は、ジャンクションダウン（フェイスダウン）実装、すなわち、半導体レーザ素子２５の成長用基板とは反対側がサブマント７０に向くよう実装されていてもよい。半導体レーザ素子２５をジャンクションダウン実装すれば、第１電極２１と第２電極２２とのうちより発熱しやすい第１電極２１側をサブマウント７０に近づけることができるため、放熱性を向上させることが可能となり、高温時にも光出力を向上させることができる。 The semiconductor laser device 25 may be mounted in a junction-up (face-up) manner, that is, the growth substrate side of the semiconductor laser device 25 faces the submount 70. The semiconductor laser device 25 may be mounted in a junction-down (face-down) manner, that is, the side opposite to the growth substrate of the semiconductor laser device 25 may face the submount 70. Since the first electrode 21 side of the first electrode 21 and the second electrode 22 that is more likely to generate heat can be brought closer to the submount 70 by junction-down mounting the semiconductor laser element 25, the heat dissipation can be improved. It is possible to improve the light output even at high temperatures.

半導体レーザ２５の第１電極２１及び第２電極２２は、ワイヤを介して、それぞれ第１配線１１及び第２配線１２に電気的に接続される。ただし、第２電極２２と第２配線１２とを電気的に接続するワイヤは、第２電極２２に直接接合されるのではなく、サブマウント７０上に設けられた配線７１に接合される。 The first electrode 21 and the second electrode 22 of the semiconductor laser 25 are electrically connected to the first wiring 11 and the second wiring 12 through wires, respectively. However, the wire electrically connecting the second electrode 22 and the second wire 12 is not directly bonded to the second electrode 22 but to a wire 71 provided on the submount 70.

半導体レーザ素子２５は、１つのサブマウント７０の上に１つのみ配置されていてもよいし、１つのサブマウント７０の上に複数配置されていてもよい。 Only one semiconductor laser device 25 may be disposed on one submount 70, or a plurality of semiconductor laser devices 25 may be disposed on one submount 70.

（キャップ３０）
キャップ３０は、半導体レーザ素子２５にゴミ等が付着しないよう（光集塵の防止）、半導体レーザ素子２５を覆うように基台１０の上面側に設けられる。キャップ３０は窓部３１を備えており、半導体レーザ素子２５から出射したレーザ光は窓部３１を通過してキャップ３０の外部に取り出される。キャップ３０としてはＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ合金、コバール、真鍮などを用いることができる。窓部３１は、キャップ３０の内部にゴミ等が混入しないようキャップ３０の開口を塞ぐように取り付けられている。窓部３１としては、例えばホウケイ酸ガラス、石英ガラス、合成石英ガラス等を用いることができる。 (Cap 30)
The cap 30 is provided on the upper surface side of the base 10 so as to cover the semiconductor laser element 25 so as to prevent dust and the like from adhering to the semiconductor laser element 25 (preventing light collection). The cap 30 has a window 31, and laser light emitted from the semiconductor laser element 25 passes through the window 31 and is extracted to the outside of the cap 30. As the cap 30, Ni, Co, Fe, a Ni-Fe alloy, Kovar, brass or the like can be used. The window portion 31 is attached so as to close the opening of the cap 30 so that dust or the like does not enter the inside of the cap 30. For example, borosilicate glass, quartz glass, synthetic quartz glass or the like can be used as the window portion 31.

（第１ブロック部４０、第２ブロック部５０）
第１ブロック部４０、第２ブロック部５０は、それぞれ、基台１０の上面側におけるキャップ３０の外側、あるいは基台１０の下面側に設けられる。第１ブロック部４０や第２ブロック部５０としては、表面が金属よりなる部材を用いることができるが、放熱性の観点からは全体が金属よりなる部材を用いることが好ましい。例えば、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、ＣｕＷ、又はステンレス鋼などの放熱性の良好な放熱部材に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、又はＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ等の金属層を全面的または部分的に設けた部材を第１ブロック部４０や第２ブロック部５０として用いることが好ましく、なかでも、めっきによって表面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕが形成されたＣｕを用いることが好ましい。なお、金属層は、第１ブロック部４０や第２ブロック部５０の実装面に設けられていれば足りるが、第１ブロック部４０や第２ブロック部５０を半田により実装基板８０に実装する場合には、実装面において部分的に設けることが好ましい。このようにすれば、実装面における半田の這い上がりを抑制することができるため、第１ブロック部４０と第２ブロック部５０とが近接して配置される場合において、半田の広がりによる第１ブロック部４０と第２ブロック部５０との意図しない導通を抑制することができる。 (First block unit 40, second block unit 50)
The first block portion 40 and the second block portion 50 are respectively provided outside the cap 30 on the upper surface side of the base 10 or on the lower surface side of the base 10. As the first block portion 40 and the second block portion 50, a member whose surface is made of metal can be used, but it is preferable to use a member whose whole is made of metal from the viewpoint of heat dissipation. For example, to a heat dissipation member having good heat dissipation properties such as SiC, AlN, Cu, Al, Fe, CuW, or stainless steel, a metal layer such as Ti / Pt / Au, Ni / Au, or Ni / Pd / Au is entirely covered. It is preferable to use a member provided intentionally or partially as the first block portion 40 or the second block portion 50, and in particular, it is preferable to use Cu having Ti / Pt / Au formed on the surface by plating. The metal layer may be provided on the mounting surface of the first block portion 40 or the second block portion 50. However, when the first block portion 40 or the second block portion 50 is mounted on the mounting substrate 80 by soldering. Is preferably provided partially in the mounting surface. In this way, it is possible to suppress the creeping up of the solder on the mounting surface, and therefore, when the first block portion 40 and the second block portion 50 are arranged close to each other, the first block due to the spread of the solder Unintended conduction between the portion 40 and the second block portion 50 can be suppressed.

第１ブロック部４０及び第２ブロック部５０は、それぞれ、第１配線１１及び第２配線１２を介して半導体レーザ素子２５の第１電極２１及び第２電極２２に電気的に接続されている。したがって、第１ブロック部４０及び第２ブロック部５０の各実装面を実装基板８０の実装電極８１、８２にそれぞれ接合することにより、第１配線１１及び第２配線１２を介して半導体レーザ素子２５に対する電力を供給することが可能となる。 The first block portion 40 and the second block portion 50 are electrically connected to the first electrode 21 and the second electrode 22 of the semiconductor laser element 25 through the first wiring 11 and the second wiring 12, respectively. Therefore, by bonding the mounting surfaces of the first block portion 40 and the second block portion 50 to the mounting electrodes 81 and 82 of the mounting substrate 80, respectively, the semiconductor laser device 25 through the first wiring 11 and the second wiring 12 can be obtained. It is possible to supply power to the

第１ブロック部４０や第２ブロック部５０の形状は特に限定されないが、例えば、直方体状や半円柱状などとすることができる。第１ブロック部４０や第２ブロック部５０の一辺の長さは、例えば２００μｍ以上５００００μｍ以下とすることができるが、５００μｍ以上１５０００μｍ以下であることが好ましく、１０００μｍ以上８０００μｍ以下であることがさらに好ましい。これらの値を用いれば、第１ブロック部４０や第２ブロック部５０において実装面を大きくとることが可能となるため放熱性を向上させることができる。その一方、第１ブロック部４０や第２ブロック部５０が無駄に大きくなることがないため、コストの削減を図ることができる。なお、第１ブロック部４０と第２ブロック部５０は、同じ大きさや形状を有していてもよいが、異なる大きさや形状を有している方が好ましい。大きさや形状の違いにより第１ブロック部４０と第２ブロック部５０を見分けることが可能となるため、半導体レーザ装置をどのような向きで実装基板８０へ実装しているのかを容易に判断できるようになるためである。 The shapes of the first block portion 40 and the second block portion 50 are not particularly limited, but may be, for example, a rectangular parallelepiped shape or a semi-cylindrical shape. The length of one side of each of the first block portion 40 and the second block portion 50 can be, for example, 200 μm or more and 50000 μm or less, preferably 500 μm or more and 15000 μm or less, and more preferably 1000 μm or more and 8000 μm or less . By using these values, the mounting surface can be made large in the first block portion 40 and the second block portion 50, so that the heat dissipation can be improved. On the other hand, since the first block portion 40 and the second block portion 50 do not increase unnecessarily, the cost can be reduced. Although the first block portion 40 and the second block portion 50 may have the same size and shape, it is preferable to have different sizes and shapes. Since it is possible to distinguish the first block portion 40 and the second block portion 50 by the difference in size and shape, it is possible to easily determine in what direction the semiconductor laser device is mounted on the mounting substrate 80. In order to

（第１ブロック部４０及び第２ブロック部５０の各々が有する実装面）
第１ブロック部４０及び第２ブロック部５０の各々は、実装基板８０に対する２つ以上の異なる向きでの実装が可能となるよう、少なくとも１つ以上の実装面を有する。具体的に説明すると、本実施形態では、第１ブロック部４０が２つの実装面４１、４２を有し、第２ブロック部５０が２つの実装面５１、５２を有しており、半導体レーザ装置は、図１Ｈに示す向き（第１ブロック部４０の実装面４１と第２ブロック部５０の実装面５１とが実装基板８０の電極８１、８２に対向する向き）と図１Ｉに示す向き（第１ブロック部４０の実装面４２と第２ブロック部５０の実装面５２とが実装基板８０の電極８１、８２に対向する向き）の２通りの向きで実装基板８０に実装することができる。なお、半導体レーザ素子２５が基台１０の上面側において固定されているため、半導体レーザ装置の向きを変えればレーザ光の出射方向が変わる。 (A mounting surface of each of the first block portion 40 and the second block portion 50)
Each of the first block portion 40 and the second block portion 50 has at least one mounting surface so as to enable mounting in two or more different orientations on the mounting substrate 80. Specifically, in the present embodiment, the first block portion 40 has two mounting surfaces 41 and 42, and the second block portion 50 has two mounting surfaces 51 and 52. 1H (the mounting surface 41 of the first block 40 and the mounting surface 51 of the second block 50 face the electrodes 81 and 82 of the mounting substrate 80) and the orientation shown in FIG. 1I (the first The mounting surface 80 of the one block portion 40 and the mounting surface 52 of the second block portion 50 can be mounted on the mounting substrate 80 in two directions of facing the electrodes 81 and 82 of the mounting substrate 80). Since the semiconductor laser element 25 is fixed on the upper surface side of the base 10, the direction of emission of the laser beam changes if the direction of the semiconductor laser device is changed.

半導体レーザ装置の実装は、例えば、半田付けやねじ止め等により行うことができる。具体的に説明すると、実施形態１においては、図１Ｈに示した向きで半導体レーザ装置を実装する場合、第１ブロック部４０の実装面４１と第２ブロック部５０の実装面５１とが半田付けにより実装基板８０の電極８１、８２に電気的に接続される、他方、図１Ｉに示した向きで半導体レーザ装置を実装する場合には、第１ブロック部４０の実装面４２と第２ブロック部５０の実装面５２とが半田付けにより実装基板８０の電極８１、８２に電気的に接続される。 The mounting of the semiconductor laser device can be performed by, for example, soldering or screwing. Specifically, in the first embodiment, when the semiconductor laser device is mounted in the direction shown in FIG. 1H, the mounting surface 41 of the first block portion 40 and the mounting surface 51 of the second block portion 50 are soldered. Are electrically connected to the electrodes 81 and 82 of the mounting substrate 80, and when the semiconductor laser device is mounted in the direction shown in FIG. 1I, the mounting surface 42 of the first block portion 40 and the second block portion The 50 mounting surfaces 52 are electrically connected to the electrodes 81 and 82 of the mounting substrate 80 by soldering.

以上のとおり、実施形態１に係る半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ装置を異なる向きで実装することによってレーザ光の出射方向を変えることができるため、レーザ光の出射方向に応じて異なるタイプの半導体レーザ装置を設計したり使用したりする必要がない。よって、実施形態１に係る半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ装置の設計者やユーザの負担を軽減して、半導体レーザ装置やその応用分野における作業効率を高めることができる。 As described above, according to the semiconductor laser device of the first embodiment, since the emitting direction of the laser beam can be changed by mounting the semiconductor laser device in different directions, different types of laser beams can be used depending on the emitting direction of the laser beam. There is no need to design or use a semiconductor laser device. Therefore, according to the semiconductor laser device according to the first embodiment, the burden on the designer and the user of the semiconductor laser device can be reduced, and the working efficiency in the semiconductor laser device and its application field can be improved.

［実施形態２に係る半導体レーザ装置］
図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、及び図２Ｄは、それぞれ、実施形態２に係る半導体レーザ装置の模式的平面図、模式的底面図、模式的背面図及び模式的側面図である。また、図２Ｅ、図２Ｆは、それぞれ、図２Ａ中のＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図である。図２Ａから図２Ｆに示すように、実施形態２に係る半導体レーザ装置は、キャップ３０の窓部３１がキャップ３０の上面側に設けられている点で、キャップ３０の窓部３１がキャップ３０の側面側に設けられている実施形態１に係る半導体レーザ装置と相違する。なお、実施形態２に係る半導体レーザ装置はヒートシンク９０を備えている。ヒートシンク９０としては、熱伝導率の良好なＣｕ、Ａｌ、Ｆｅ等の金属、又はＡｌＮ、ＳｉＣ等の絶縁性部材を含んで構成することができる。 [Semiconductor Laser Device According to Second Embodiment]
2A, 2B, 2C, and 2D are a schematic plan view, a schematic bottom view, a schematic rear view, and a schematic side view, respectively, of the semiconductor laser device according to the second embodiment. Moreover, FIG. 2E and FIG. 2F are respectively AA sectional drawing in FIG. 2A, and BB sectional drawing. As shown in FIGS. 2A to 2F, in the semiconductor laser device according to the second embodiment, the window 31 of the cap 30 is the same as that of the cap 30 in that the window 31 of the cap 30 is provided on the upper surface side of the cap 30. This differs from the semiconductor laser device according to the first embodiment provided on the side surface. The semiconductor laser device according to the second embodiment is provided with a heat sink 90. The heat sink 90 can be configured to include a metal such as Cu, Al, Fe or the like having good thermal conductivity, or an insulating member such as AlN, SiC or the like.

図２Ｇ、図２Ｈは、それぞれ、実施形態２に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その１）、（その２）を示す図である。図２Ｇ、図２Ｈに示すように、実施形態２に半導体レーザ装置は、図２Ｇに示した向きで実装基板８０に実装することもできるし、図２Ｈに示した向きで実装基板８０に実装することもできる。そして、図２Ｇに示した向きで実装した場合には、半導体レーザ装置から実装基板８０に対して垂直方向にレーザ光が出射され、図２Ｈに示した向きで実装した場合には、半導体レーザ装置から実装基板８０に対して水平方向にレーザ光が出射される。したがって、実施形態２に係る半導体レーザ装置によっても、実施形態１に係る半導体レーザ装置と同様に、半導体レーザ装置の設計者やユーザの負担を軽減して、半導体レーザ装置やその応用分野における作業効率を高めることができる。なお、図２Ｇに示した向きで半導体レーザ装置を実装する場合には、第１ブロック部４０の実装面４１と第２ブロック部５０の実装面５１とが半田付けにより実装基板８０の電極８１、８２に電気的に接続される、他方、図２Ｈに示した向きで半導体レーザ装置を実装する場合には、第１ブロック部４０の実装面４２と第２ブロック部５０の実装面５２とが半田付けにより実装基板８０の電極８１、８２に電気的に接続される。 FIGS. 2G and 2H are diagrams showing the semiconductor laser device according to the second embodiment mounted on a mounting substrate (part 1) (part 2), respectively. As shown in FIGS. 2G and 2H, the semiconductor laser device according to the second embodiment can be mounted on the mounting substrate 80 in the direction shown in FIG. 2G or mounted on the mounting substrate 80 in the direction shown in FIG. It can also be done. Then, when mounted in the direction shown in FIG. 2G, laser light is emitted from the semiconductor laser device in the vertical direction to the mounting substrate 80, and when mounted in the direction shown in FIG. 2H, the semiconductor laser device The laser beam is emitted in the horizontal direction from the mounting substrate 80. Therefore, even with the semiconductor laser device according to the second embodiment, as with the semiconductor laser device according to the first embodiment, the burden on the designer and the user of the semiconductor laser device is reduced, and the work efficiency in the semiconductor laser device and its application field Can be enhanced. When the semiconductor laser device is mounted in the direction shown in FIG. 2G, the mounting surface 41 of the first block portion 40 and the mounting surface 51 of the second block portion 50 are soldered to the electrode 81 of the mounting substrate 80 by soldering. On the other hand, when the semiconductor laser device is mounted in the orientation shown in FIG. 2H, the mounting surface 42 of the first block portion 40 and the mounting surface 52 of the second block portion 50 are soldered. By the attachment, the electrodes 81 and 82 of the mounting substrate 80 are electrically connected.

［実施形態３に係る半導体レーザ装置］
図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、及び図３Ｄは、それぞれ、実施形態３に係る半導体レーザ装置の模式的平面図、模式的底面図、模式的背面図及び模式的側面図である。また、図３Ｅ、図３Ｆ、図３Ｇは、それぞれ、図３Ａ中のＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図、図３Ｃ中のＣ−Ｃ断面図である。図３Ａから図３Ｇに示すように、実施形態３に係る半導体レーザ装置は、基台１０の上面側に第１ブロック部４０と第２ブロック部５０の双方が設けられ、基台１０の下面側に第１配線１１及び第２配線１２が設けられる点で、第１ブロック部４０と第２ブロック部５０の双方が基台１０の下面側に設けられる実施形態１に係る半導体レーザ装置と相違する。 [Semiconductor Laser Device According to Third Embodiment]
3A, 3B, 3C, and 3D are a schematic plan view, a schematic bottom view, a schematic rear view, and a schematic side view, respectively, of the semiconductor laser device according to the third embodiment. Moreover, FIG. 3E, FIG. 3F, and FIG. 3G are respectively AA sectional drawing in FIG. 3A, BB sectional drawing, and CC sectional drawing in FIG. 3C. As shown in FIGS. 3A to 3G, in the semiconductor laser device according to the third embodiment, both the first block portion 40 and the second block portion 50 are provided on the upper surface side of the base 10, and the lower surface side of the base 10 The second embodiment differs from the semiconductor laser device according to the first embodiment in which both the first block portion 40 and the second block portion 50 are provided on the lower surface side of the base 10 in that the first wiring 11 and the second wiring 12 are provided. .

図３Ｈ、図３Ｉは、それぞれ、実施形態３に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その１）、（その２）を示す図である。図３Ｈ、図３Ｉに示すように、実施形態３に半導体レーザ装置は、図３Ｈに示した向きで実装基板８０に実装することもできるし、図３Ｉに示した向きで実装基板８０に実装することもできる。そして、図３Ｈに示した向きで実装した場合には、半導体レーザ装置から実装基板８０に対して垂直方向にレーザ光が出射され、図３Ｉに示した向きで実装した場合には、半導体レーザ装置から実装基板８０に対して水平方向にレーザ光が出射される。したがって、実施形態３に係る半導体レーザ装置によっても、実施形態１に係る半導体レーザ装置と同様に、半導体レーザ装置の設計者やユーザの負担を軽減して、半導体レーザ装置やその応用分野における作業効率を高めることができる。なお、図３Ｈに示した向きで半導体レーザ装置を実装する場合には、第１ブロック部４０の実装面４２と第２ブロック部５０の実装面５２とが半田付けにより実装基板８０の電極８１、８２に電気的に接続される。他方、図３Ｉに示した向きで半導体レーザ装置を実装する場合には、第１配線１１及び第２配線１２が半田付けにより実装基板８０の電極８１、８２に電気的に接続される。 FIG. 3H and FIG. 3I are diagrams showing the semiconductor laser device according to the third embodiment mounted on a mounting substrate (part 1) and part 2 (part 2), respectively. As shown in FIGS. 3H and 3I, the semiconductor laser device according to the third embodiment can be mounted on the mounting substrate 80 in the direction shown in FIG. 3H or mounted on the mounting substrate 80 in the direction shown in FIG. 3I. It can also be done. Then, when mounted in the direction shown in FIG. 3H, laser light is emitted from the semiconductor laser device in the vertical direction to the mounting substrate 80, and when mounted in the direction shown in FIG. 3I, the semiconductor laser device The laser beam is emitted in the horizontal direction from the mounting substrate 80. Therefore, even with the semiconductor laser device according to the third embodiment, as with the semiconductor laser device according to the first embodiment, the burden on the designer and the user of the semiconductor laser device is reduced, and the work efficiency in the semiconductor laser device and its application field Can be enhanced. When mounting the semiconductor laser device in the direction shown in FIG. 3H, the mounting surface 42 of the first block portion 40 and the mounting surface 52 of the second block portion 50 are soldered to the electrode 81 of the mounting substrate 80 by soldering. It is electrically connected to 82. On the other hand, when the semiconductor laser device is mounted in the direction shown in FIG. 3I, the first wiring 11 and the second wiring 12 are electrically connected to the electrodes 81 and 82 of the mounting substrate 80 by soldering.

第１配線１１及び第２配線１２は、基台１０の下面ほぼ全面に設けられる。これにより、図３Ｈに示した向きで半導体レーザ装置を実装する場合に、放熱面を大きく確保することができ、放熱性を向上させることができる。 The first wiring 11 and the second wiring 12 are provided on substantially the entire lower surface of the base 10. Thereby, when the semiconductor laser device is mounted in the direction shown in FIG. 3H, the heat dissipation surface can be largely secured, and the heat dissipation can be improved.

［実施形態４に係る半導体レーザ装置］
図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、及び図４Ｄは、それぞれ、実施形態４に係る半導体レーザ装置の模式的平面図、模式的底面図、模式的背面図及び模式的側面図である。また、図４Ｅ、図４Ｆ、図４Ｇは、それぞれ、図４Ａ中のＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図、図４Ｃ中のＣ−Ｃ断面図である。図４Ａから図４Ｇに示すように、実施形態４に係る半導体レーザ装置は、第１ブロック部４０と第２ブロック部５０のいずれか一方（例えば第１ブロック部４０）が基台１０の上面側に設けられ、他方（例えば第２ブロック部５０）が基台１０の下面側に設けられる点で、第１ブロック部４０と第２ブロック部５０の双方が基台１０の下面側に設けられる実施形態１に係る半導体レーザ装置と相違する。 [Semiconductor Laser Device According to Fourth Embodiment]
4A, 4B, 4C, and 4D are a schematic plan view, a schematic bottom view, a schematic rear view, and a schematic side view, respectively, of the semiconductor laser device according to the fourth embodiment. Moreover, FIG. 4E, FIG. 4F, and FIG. 4G are respectively AA sectional drawing in FIG. 4A, BB sectional drawing, and CC sectional drawing in FIG. 4C. As shown in FIGS. 4A to 4G, in the semiconductor laser device according to the fourth embodiment, one of the first block portion 40 and the second block portion 50 (for example, the first block portion 40) is the upper surface side of the base 10. The first block portion 40 and the second block portion 50 are provided on the lower surface side of the base 10 in that the other (for example, the second block portion 50) is provided on the lower surface side of the base 10 This differs from the semiconductor laser device according to the first aspect.

図４Ｈ、図４Ｉは、それぞれ、実施形態４に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その１）、（その２）を示す図である。図４Ｈ、図４Ｉに示すように、実施形態４に半導体レーザ装置は、図４Ｈに示した向きで実装基板８０に実装することもできるし、図４Ｉに示した向きで実装基板８０に実装することもできる。そして、図４Ｈに示した向きで実装した場合には、半導体レーザ装置から実装基板８０に対して垂直方向にレーザ光が出射され、図４Ｉに示した向きで実装した場合には、半導体レーザ装置から実装基板８０に対して水平方向にレーザ光が出射される。したがって、実施形態４に係る半導体レーザ装置によっても、実施形態１に係る半導体レーザ装置と同様に、半導体レーザ装置の設計者やユーザの負担を軽減して、半導体レーザ装置やその応用分野における作業効率を高めることができる。なお、図４Ｈに示した向きで半導体レーザ装置を実装する場合には、第１ブロック部４０の実装面４１と第２ブロック部５０の実装面５１とが半田付けにより実装基板８０の電極８１、８２に電気的に接続される。他方、図４Ｉに示した向きで半導体レーザ装置を実装する場合には、第１ブロック部４０の実装面４２が半田付けにより実装基板８０の電極８１に電気的に接続され、第２ブロック部５０の実装面５２がワイヤを介して実装基板８０の電極８２に電気的に接続される。 FIGS. 4H and 4I are diagrams showing the semiconductor laser device according to the fourth embodiment mounted on a mounting substrate (part 1) (part 2), respectively. As shown in FIGS. 4H and 4I, the semiconductor laser device according to the fourth embodiment can be mounted on the mounting substrate 80 in the direction shown in FIG. 4H or mounted on the mounting substrate 80 in the direction shown in FIG. 4I. It can also be done. Then, when mounted in the direction shown in FIG. 4H, laser light is emitted from the semiconductor laser device in the vertical direction to the mounting substrate 80, and when mounted in the direction shown in FIG. 4I, the semiconductor laser device The laser beam is emitted in the horizontal direction from the mounting substrate 80. Therefore, even with the semiconductor laser device according to the fourth embodiment, as with the semiconductor laser device according to the first embodiment, the burden on the designer and the user of the semiconductor laser device is reduced, and the working efficiency in the semiconductor laser device and its application field Can be enhanced. When mounting the semiconductor laser device in the direction shown in FIG. 4H, the mounting surface 41 of the first block portion 40 and the mounting surface 51 of the second block portion 50 are soldered to the electrode 81 of the mounting substrate 80 by soldering. It is electrically connected to 82. On the other hand, when the semiconductor laser device is mounted in the direction shown in FIG. 4I, the mounting surface 42 of the first block portion 40 is electrically connected to the electrode 81 of the mounting substrate 80 by soldering. The mounting surface 52 is electrically connected to the electrode 82 of the mounting substrate 80 via a wire.

実施形態４においては、第２ブロック部５０が基台１０の上面側に設けられているため、第１ブロック部４０の実装面４２は実施形態１〜実施形態３の実装面４２に比較して大きくすることができる。このとき、一辺の長さは、例えば４００μｍ以上１０００００μｍ以下とすることができるが、１０００μｍ以上３００００μｍ以下であることが好ましく、２０００μｍ以上１６０００μｍ以下であることがさらに好ましい。これらの値を用いれば、第１ブロック部４０において実装面を大きくとることが可能となるため放熱性を向上させることができる。 In the fourth embodiment, since the second block portion 50 is provided on the upper surface side of the base 10, the mounting surface 42 of the first block portion 40 is compared with the mounting surface 42 of the first to third embodiments. It can be enlarged. At this time, the length of one side can be, for example, 400 μm or more and 100000 μm or less, preferably 1000 μm or more and 30000 μm or less, and more preferably 2000 μm or more and 16000 μm or less. By using these values, the mounting surface can be made large in the first block portion 40, so that the heat dissipation can be improved.

［半導体レーザ装置の製造方法例（その１）］
図５Ａから図５Ｅは半導体レーザ装置の製造方法例（その１）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。以下、図５Ａから図５Ｅを参照しつつ、半導体レーザ装置の製造方法例（その１）について説明する。 [Example of Method of Manufacturing Semiconductor Laser Device (Part 1)]
5A to 5E are schematic cross-sectional views of a semiconductor laser device for explaining an example (part 1) of a method of manufacturing the semiconductor laser device. Hereinafter, an example (part 1) of a method of manufacturing a semiconductor laser device will be described with reference to FIGS. 5A to 5E.

（第１工程）
まず、図５Ａに示すように、一対の第１配線１１及び第２配線１２が複数設けられた基台１０を準備する。例えば、上面側、内部（例：貫通孔の内壁）、及び／又は下面側に第１配線１１及び第２配線１２が設けられた基台１０を準備する。 (Step 1)
First, as shown to FIG. 5A, the base 10 in which a pair of 1st wiring 11 and 2nd wiring 12 were provided with two or more is prepared. For example, the base 10 provided with the first wiring 11 and the second wiring 12 on the upper surface side, the inside (for example, the inner wall of the through hole), and / or the lower surface side is prepared.

（第２工程）
次に、図５Ｂに示すように、第１電極２１及び第２電極２２を有する複数の半導体レーザ素子２５を、第１電極２１及び第２電極２２が第１配線１１及び第２配線１２にそれぞれ電気的に接続されるよう基台１０の上面側に配置する。具体的には、基台１０の上面側にサブマウント７０を実装し、サブマウント７０に半導体レーザ素子２５を載置し、第１電極２１と第１配線１１、及び第２電極２２と第２配線１２、をそれぞれワイヤを介して電気的に接続している。なお、前もって半導体レーザ素子２５を載置したサブマウント７０を基台１０の上面側に実装することもできる。 (Step 2)
Next, as shown in FIG. 5B, a plurality of semiconductor laser devices 25 each having a first electrode 21 and a second electrode 22 are used as the first electrode 21 and the second electrode 22 for the first wiring 11 and the second wiring 12, respectively. It arrange | positions on the upper surface side of the base 10 so that it may electrically connect. Specifically, the submount 70 is mounted on the upper surface side of the base 10, the semiconductor laser device 25 is mounted on the submount 70, and the first electrode 21 and the first wiring 11, and the second electrode 22 and the second The wires 12 are electrically connected to each other through the wires. The submount 70 on which the semiconductor laser 25 is mounted can be mounted on the upper surface side of the base 10 in advance.

（第３工程）
次に、図５Ｃに示すように、複数の半導体レーザ素子２５が覆われるよう、窓部３１を備えた複数のキャップ３０を基台１０の上面側に設ける。キャップ３０は、溶接又は共晶材料により基台１０の上面側に実装することができる。 (Third step)
Next, as shown in FIG. 5C, a plurality of caps 30 provided with windows 31 are provided on the upper surface side of the base 10 so as to cover the plurality of semiconductor laser elements 25. The cap 30 can be mounted on the top side of the base 10 by welding or eutectic material.

（第４工程）
次に、図５Ｄに示すように、１つの個片に複数のキャップ３０の１つが含まれるよう基台１０を個片化する。個片化は、例えば、基台１０をダイシングなどで分割することにより行う。 (Step 4)
Next, as shown in FIG. 5D, the base 10 is singulated so that one of the plurality of caps 30 is included in one piece. The singulation is performed, for example, by dividing the base 10 by dicing or the like.

（第５工程）
次に、図５Ｅに示すように、表面が金属よりなる第１ブロック部４０を基台１０の上面側及び下面側の一方に配置し第１ブロック部４０と第１配線１１とを電気的に接続するとともに、表面が金属よりなる第２ブロック部５０を基台１０の上面側及び下面側の一方に配置し第２ブロック部５０と第２配線１２とを電気的に接続する。なお、第１ブロック部４０や第２ブロック部５０は、図５Ｅに示すように基台１０の下面側に形成することができるほか（実施形態１、２、４）、上記したように、基台１０の上面側に形成することもできる（実施形態３、４）。なお、第１ブロック部４０と第１配線１１との接続、及び第２ブロック部５０と第１配線１２との接続には、熱伝導率の良い材料を用いることが好ましい。このような材料の一例としては、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄなどの導電ペーストや、ＡｕＳｎなどの共晶半田、低融点金属等のロウ材を挙げることができるが、なかでも、比較的低温で接着でき、放熱性も良好なＡｕＳｎ等の共晶半田は好ましく用いることができる。 (Step 5)
Next, as shown in FIG. 5E, the first block portion 40 whose surface is made of metal is disposed on one of the upper surface side and the lower surface side of the base 10 to electrically connect the first block portion 40 and the first wiring 11. While connecting, the second block portion 50 whose surface is made of metal is disposed on one of the upper surface side and the lower surface side of the base 10 to electrically connect the second block portion 50 and the second wiring 12. The first block portion 40 and the second block portion 50 can be formed on the lower surface side of the base 10 as shown in FIG. 5E (embodiments 1, 2 and 4), and as described above, the base It can also be formed on the upper surface side of the table 10 (embodiments 3 and 4). In addition, it is preferable to use a material with good heat conductivity for the connection between the first block portion 40 and the first wiring 11 and the connection between the second block portion 50 and the first wiring 12. Examples of such materials include conductive pastes such as Ag, Au and Pd, eutectic solders such as AuSn, and brazing materials such as low melting point metals, among which relatively low temperatures. A eutectic solder such as AuSn that can be bonded and has good heat dissipation can be preferably used.

以上説明した半導体レーザ装置の製造方法例（その１）によれば、上記した半導体レーザ装置をウエハプロセス内で組み立てることができるため、上記した半導体レーザ装置の生産性を高めることができる。 According to the manufacturing method example (part 1) of the semiconductor laser device described above, since the above-described semiconductor laser device can be assembled in a wafer process, the productivity of the above-described semiconductor laser device can be enhanced.

なお、図５Ｅに示すように、第１ブロック部４０及び／又は第２ブロック部５０を配置する工程において、第１ブロック部４０の一部及び／又は第２ブロック部５０の一部は基台１０の端部よりも外側に位置させることが好ましい。このようにすれば、第１ブロック部４０及び第２ブロック部４０の表面積などを大きく形成することができるため、第１ブロック部４０及び第２ブロック部４０を基台１０の下面側に実装する場合において半導体レーザ装置の放熱性を向上させることができる。 In the step of arranging the first block portion 40 and / or the second block portion 50 as shown in FIG. 5E, a portion of the first block portion 40 and / or a portion of the second block portion 50 is a base. It is preferable to locate outside the end of 10. In this way, the first block portion 40 and the second block portion 40 can be mounted on the lower surface side of the base 10 because the surface area and the like of the first block portion 40 and the second block portion 40 can be formed large. In this case, the heat dissipation of the semiconductor laser device can be improved.

［半導体レーザ装置の製造方法例（その２）］
図６Ａから図６Ｅは半導体レーザ装置の製造方法例（その２）を説明する半導体レーザ装置の模式的平面図である。半導体レーザ装置の製造方法例（その２）は、図６Ｄ、図６Ｅに示すように、第１ブロック部４０と第２ブロック部５０とを配置した後、第１ブロック部４０及び第２ブロック部５０の各々が分割されるよう基台１０を個片化する点で、第１ブロック部４０と第２ブロック部５０とを配置する前に、基台１０を個片化する半導体レーザ装置の製造方法例（その１）と相違する。製造方法例（その２）によれば、一の第１ブロック部４０が分割されて隣り合う２つの半導体レーザ装置の各第１ブロック部４０となり、一の第２ブロック部５０が分割されて隣り合う２つの半導体レーザ装置の各第２ブロック部５０となるため、隣り合う２つの半導体レーザ装置が備える各第１ブロック部４０及び各第２ブロック部５０を個々に配置する必要がなくなる（換言すると、隣り合う２つの半導体レーザ装置の各第１ブロック部４０及び各第２ブロック部５０を一の工程にて配置することが可能となる。）。したがって、上記した半導体レーザ装置の製造工程を簡素化することができる。 [Example of Method of Manufacturing Semiconductor Laser Device (Part 2)]
6A to 6E are schematic plan views of a semiconductor laser device illustrating an example (part 2) of a method of manufacturing the semiconductor laser device. In the method of manufacturing a semiconductor laser device (part 2), as shown in FIGS. 6D and 6E, after arranging the first block portion 40 and the second block portion 50, the first block portion 40 and the second block portion are formed. Manufacturing the semiconductor laser device in which the base 10 is singulated before arranging the first block portion 40 and the second block portion 50 in that the base 10 is singulated so that each of the 50 is divided. It differs from the method example (Part 1). According to the manufacturing method example (part 2), one first block portion 40 is divided into first block portions 40 of two adjacent semiconductor laser devices, and one second block portion 50 is divided and adjacent Since the respective second block portions 50 of the two matching semiconductor laser devices are provided, it is not necessary to individually arrange the respective first block portions 40 and the respective second block portions 50 provided in the two adjacent semiconductor laser devices (in other words, It becomes possible to arrange each first block portion 40 and each second block portion 50 of two adjacent semiconductor laser devices in one process. Therefore, the manufacturing process of the above-described semiconductor laser device can be simplified.

第１ブロック部４０や第２ブロック部５０の分割は、第１ブロック部４０や第２ブロック部５０をダイシングなどで切断することにより行う。分割前における第１ブロック部４０や第２ブロック部５０として、全表面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ等の金属層が設けられているものを用いる場合は、基台１０の個片化後に、分割された第１ブロック部４０や第２ブロック部５０の分割面（切断面）に電解めっきなどを行うことでＴｉ／Ｐｔ／Ａｕなどの金属層を設ける。なお、製造方法例（その１）による場合は、第１ブロック部４０や第２ブロック部５０において分割面（切断面）が生じないため、このような基台１０の個片後における電解めっきなどを行う必要はない。 The division of the first block portion 40 and the second block portion 50 is performed by cutting the first block portion 40 and the second block portion 50 by dicing or the like. When a metal layer such as Ti / Pt / Au is provided on the entire surface as the first block portion 40 or the second block portion 50 before division, division is performed after dividing the base 10 into pieces. A metal layer such as Ti / Pt / Au is provided by performing electrolytic plating or the like on the divided surfaces (cut surfaces) of the first block portion 40 and the second block portion 50. In the case of the manufacturing method example (part 1), no division surface (cut surface) is produced in the first block portion 40 or the second block portion 50. There is no need to do.

製造方法例（その２）においては、第１ブロック部４０と第２ブロック部５０がそれぞれ切り欠き部Ｐを有していることが好ましい。このようにすれば、たとえ分割（切断）する位置がずれたとしても（例えば、分割線Ｘ、Ｙで分割する予定であったものが実際にはＸ、Ｚで分割されることになったとしても）、半導体レーザ装置の出射面Ｓが隣接する半導体レーザ装置が有する第１ブロック部４０や第２ブロック部５０の分割片により遮られることがない。 In the manufacturing method example (the 2), it is preferable that the 1st block part 40 and the 2nd block part 50 have the notch part P, respectively. In this way, even if the dividing (cutting) position is shifted (for example, it is assumed that what was to be divided by the dividing lines X and Y is actually divided by X and Z) Also, the light emitting surface S of the semiconductor laser device is not blocked by the divided pieces of the first block portion 40 and the second block portion 50 included in the adjacent semiconductor laser device.

以上、実施形態について説明したが、これらの説明は一例に関するものであり、特許請求の範囲に記載された構成を何ら限定するものではない。 Although the embodiments have been described above, these descriptions relate to an example and do not limit the configuration described in the claims at all.

１０基台
１１第１配線
１２第２配線
２０半導体部
２１第１電極
２２第２電極
２５半導体レーザ素子
３０キャップ
３１窓部
４０第１ブロック部
４１、４２第１ブロック部が有する実装面
５０第２ブロック部
５１、５２第２ブロック部が有する実装面
７０サブマウント
７１配線
８０実装基板
８１、８２実装基板の電極
９０ヒートシンク
Ｐ切り欠き部
Ｘ、Ｙ、Ｚ分割線
Ｓ出射面

DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 base 11 1st wiring 12 2nd wiring 20 semiconductor part 21 1st electrode 22 2nd electrode 25 semiconductor laser element 30 cap 31 window part 40 1st block part 41, 42 The mounting surface which a 1st block part has
50 second block portion 51, 52 mounting surface of second block portion
70 submount 71 wiring 80 mounting substrate 81, 82 electrode 90 of the mounting substrate heat sink P notched portion X, Y, Z split line S emission surface

Claims

A semiconductor laser device,
With the base,
First wiring and second wiring provided on the base;
A semiconductor laser device fixed on the upper surface side of the base and including a first electrode and a second electrode;
A cap provided with a window portion provided on the upper surface side of the base so as to cover the semiconductor laser device;
The surface is made of metal which is provided on the outer surface of the cap on the upper surface side of the base or on the lower surface side of the base and electrically connected to the first electrode of the semiconductor laser device through the first wiring. The first block part,
The surface is made of metal which is provided on the outer surface of the cap on the upper surface side of the base or on the lower surface side of the base and electrically connected to the second electrode of the semiconductor laser device through the second wiring. And a second block portion,
The semiconductor laser device against the mounting substrate for mounting a respective two or more different said first block portion mounted so that it is possible in orientation and the second block portion has at least one or more of the mounting surface Semiconductor laser device.

The semiconductor laser device according to claim 1, wherein both the first block portion and the second block portion are provided on the lower surface side of the base.

The semiconductor according to claim 1, wherein both the first block portion and the second block portion are provided on the upper surface side of the base, and the first wiring and the second wiring are provided on the lower surface side of the base. Laser device.

The semiconductor laser device according to claim 1, wherein one of the first block portion and the second block portion is provided on the upper surface side of the base, and the other is provided on the lower surface side of the base.

A method of manufacturing a semiconductor laser device
Preparing a base provided with the first wiring and the second wiring;
A plurality of semiconductor laser devices having a first electrode and a second electrode, and the upper surface side of the base so that the first electrode and the second electrode are electrically connected to the first wiring and the second wiring, respectively. Placing in
Providing a plurality of caps provided with windows on the upper surface side of the base so as to cover the plurality of semiconductor laser elements;
Singulating the base so that one piece includes one of the plurality of caps;
Surface a first block portion made of a metal, the first block portion disposed on one of the upper and lower surface of the base having at least one mounting surface, the said first block portion Electrically connecting to the first wiring;
Surface and a second block portion made of metal, the second block portion is arranged on one of the upper and lower surface of the base having at least one mounting surface, the said second block portion Electrically connecting to the second wiring;
I have a,
A semiconductor laser that can be mounted in two or more different orientations using the mounting surface of each of the first block portion and the second block portion on a mounting substrate on which the semiconductor laser device is mounted Device manufacturing method.

The semiconductor according to claim 5, wherein after the first block portion and the second block portion are arranged, the base is singulated so that each of the first block portion and the second block portion is divided. Method of manufacturing a laser device.

The first block portion and the second block portion each have a notch portion,
7. The method of manufacturing a semiconductor laser device according to claim 6, wherein the first block portion and the second block portion are divided at the notch portion.

6. The method of manufacturing a semiconductor laser device according to claim 5, wherein the base is singulated before the first block portion and the second block portion are arranged.

In the step of arranging the first block portion and / or the second block portion,
9. The method of manufacturing a semiconductor laser device according to claim 8, wherein a part of the first block part and / or a part of the second block part is positioned outside the end of the base.