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JP6528617B2 - Circuit element built-in substrate and DC-DC converter module - Google Patents
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JP6528617B2 - Circuit element built-in substrate and DC-DC converter module - Google Patents

Circuit element built-in substrate and DC-DC converter module Download PDF

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Description

本発明は、回路素子内蔵基板及びDC−DCコンバータモジュールに関し、特には、個片化後の基板のハンドリングを改善する技術に関する。   The present invention relates to a circuit element built-in substrate and a DC-DC converter module, and more particularly to a technique for improving handling of a substrate after singulation.

従来、基板にコイルやコンデンサ等の回路素子を内蔵してなる回路素子内蔵基板が電子機器に用いられている。セラミック多層基板を構成する複数の基材層にループ状の面内導体を配置し、前記面内導体を前記基材層を貫通する層間導体で接続してコイルを形成したコイル内蔵基板は、そのような回路素子内蔵基板の一例である(例えば、特許文献1)。特許文献1には、複数のコイル内蔵基板を連ねた未焼成の集合基板を作製し、当該集合基板を一括焼成した後、個々のコイル内蔵基板に個片化する製造方法が開示されている。   Conventionally, a circuit element built-in substrate in which circuit elements such as a coil and a capacitor are built in a substrate is used for electronic devices. A coil embedded substrate in which a loop-like in-plane conductor is disposed in a plurality of base layers constituting a ceramic multilayer substrate, and the in-plane conductor is connected by an interlayer conductor penetrating the base layer to form a coil It is an example of such a circuit element built-in board (for example, patent document 1). Patent Document 1 discloses a manufacturing method in which a non-fired collective substrate in which a plurality of coil-embedded substrates are connected is manufactured, and the collective substrate is fired at once, and then singulated into individual coil-embedded substrates.

特開2012−129364号公報JP, 2012-129364, A

しかしながら、一括焼成した後に個片化を行う製造方法では、個々のコイル内蔵基板の寸法誤差が大きくなり易い。そのため、基板の小型化が進むほど基板寸法に対する寸法誤差の割合が大きくなり、基板の小型化による製品メリットを損なう懸念が大きくなる。   However, in the manufacturing method in which individualization is performed after batch firing, the dimensional error of each coil-embedded substrate tends to be large. Therefore, as the miniaturization of the substrate progresses, the ratio of the dimensional error to the substrate dimension increases, and the concern of losing the merit of the product due to the miniaturization of the substrate increases.

これに対し、未焼成の集合基板を個片化した後に焼成する、個片焼成による製造方法も知られている。個片焼成で製造されたコイル内蔵基板は、寸法誤差が小さい反面、基板をばらばらの状態で取り扱う必要があるため実装におけるハンドリングが煩雑である。   On the other hand, there is also known a manufacturing method based on individual piece firing, in which unbaked collective substrates are separated into pieces and then fired. Although the coil built-in substrate manufactured by piece-by-piece firing has small dimensional error, handling in mounting is complicated because it is necessary to handle the substrate in a separated state.

そこで、本発明は、個片化後のハンドリングを改善した回路素子内蔵基板、及び当該回路素子内蔵基板を用いたDC−DCコンバータモジュールを提供することを目的とする。   Then, this invention aims at providing the circuit element built-in board | substrate which improved the handling after singulation, and the DC-DC converter module using the said circuit element built-in board | substrate.

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る回路素子内蔵基板は、基板の第1主面上の線対称位置に設けられた3以上の第1電極と、前記基板の第2主面上の前記第1電極の各々の対向位置に設けられた第2電極と、前記第1電極の各々と当該第1電極の対向位置にある第2電極とを接続する第1導体と、前記基板内に形成され、第1端及び第2端が前記第1電極のうち線対称位置にある一方第1電極及び他方第1電極にそれぞれ接続されている無極性の2端子素子と、前記第1電極のうち線対称位置にありかつ前記2端子素子が接続されていない複数の第1電極同士を接続する第2導体と、を備える。 In order to achieve the above object, a circuit element built-in substrate according to one aspect of the present invention comprises three or more first electrodes provided at line symmetrical positions on a first main surface of the substrate, and a second main of the substrate A second electrode provided at an opposing position of each of the first electrodes on the surface, a first conductor for connecting each of the first electrodes to a second electrode at an opposing position of the first electrode, and formed in the substrate, 2 and the terminal device nonpolar first and second ends are respectively connected to the first electrode and the other first electrode while at the out line symmetrical position of the first electrode, the first And a second conductor for connecting a plurality of first electrodes which are in line symmetry among the one electrode and to which the two-terminal element is not connected .

この構成によれば、前記第1電極と前記第2電極とを区別しない場合、前記電極及び前記2端子素子の配置及び接続は、前記回路素子内蔵基板を前記第1主面(表)から見た場合と前記第2主面(裏)から見た場合とで完全に同一である。そのため、前記回路素子内蔵基板は、表裏の区別なく使用することができる。また、前記回路素子内蔵基板を表裏何れの向きで使う場合にも同じ配置位置となる電極を接続する配線については、前記第2導体により、前記回路素子内蔵基板内に設けることができる。その結果、例えば、個片化後の回路素子内蔵基板を用いた実装作業において、個片化されている個々の回路素子内蔵基板の面をソートする(つまり、表裏を認識して必要に応じて裏返す)必要がなくなり、実装におけるハンドリングが簡素化される。 According to this configuration, when the first electrode and the second electrode are not distinguished from each other, the arrangement and connection of the electrode and the two-terminal element are performed when the circuit element built-in substrate is viewed from the first main surface (front) And the second main surface (back side) are completely identical. Therefore, the circuit element built-in substrate can be used without distinction between front and back. Further, in the case of using the circuit element built-in substrate in either of the front and back directions, the wiring connecting the electrodes arranged at the same arrangement position can be provided in the circuit element built-in substrate by the second conductor. As a result, for example, in the mounting operation using the circuit element-embedded substrate after singulation, the surfaces of the individual circuit element-embedded substrates that are singulated are sorted (that is, the front and back are recognized to make it necessary. This eliminates the need to turn over and simplifies handling in implementation.

また、前記2端子素子は、インダクタンス素子、キャパシタンス素子、及び抵抗素子の何れかであってもよい。   The two-terminal element may be any of an inductance element, a capacitance element, and a resistance element.

この構成によれば、前記2端子素子として、一般的な電子機器での使用頻度が比較的高い部品を前記回路素子内蔵基板に内蔵することができる。   According to this configuration, it is possible to incorporate, as the two-terminal element, components relatively frequently used in general electronic devices in the circuit element built-in substrate.

また、本発明の一態様に係る回路素子内蔵基板は、基板の第1主面上の線対称位置に設けられた一方第1電極及び他方第1電極と、前記基板の第2主面上の前記一方第1電極の対向位置及び前記他方第1電極の対向位置にそれぞれ設けられた一方第2電極及び他方第2電極と、前記基板内に形成されたインダクタンス素子と、を備え、前記インダクタンス素子の第1端は、前記一方第1電極と前記一方第2電極とに接続され、前記インダクタンス素子の第2端は、前記他方第1電極に接続され、前記インダクタンス素子の前記第1端と第2端との間の中間点は、前記他方第2電極に接続されている。   In the circuit element built-in substrate according to one aspect of the present invention, the one first electrode and the other first electrode provided at line symmetrical positions on the first main surface of the substrate, and the second main surface of the substrate The inductance element includes: a second electrode and a second electrode provided at the facing position of the one first electrode and the facing position of the other first electrode, and an inductance element formed in the substrate; The first end of the inductance element is connected to the one first electrode and the one second electrode, the second end of the inductance element is connected to the other first electrode, and the first end of the inductance element and the first end An intermediate point between the two ends is connected to the other second electrode.

この構成によれば、前記一方第1電極と前記他方第1電極との間では、前記インダクタンス素子の前記第1端と前記第2端との間のインダクタンス値が得られる。また、前記一方第1電極と前記他方第1電極との間では、前記インダクタンス素子の前記第1端と前記中間点との間のインダクタンス値が得られる。従って、前記回路素子内蔵基板は、表裏のいずれでも使用でき、使用する面に応じてインダクタンス値を選択できる。これにより、個片化後の回路素子内蔵基板を用いた実装作業において、個片化されている個々の回路素子内蔵基板の面をソートする作業は、単に煩雑なだけの作業から、前記インダクタンス素子のインダクタンス値を選択する機能を持った作業に改善される。   According to this configuration, an inductance value between the first end and the second end of the inductance element can be obtained between the one first electrode and the other first electrode. Further, an inductance value between the first end of the inductance element and the intermediate point is obtained between the one first electrode and the other first electrode. Therefore, either the front or back surface of the circuit element built-in substrate can be used, and the inductance value can be selected according to the surface to be used. Thus, in the mounting operation using the circuit element built-in substrate after singulation, the work of sorting the faces of the individual circuit element built-in substrates being singulated is a complicated operation, and the inductance element It is improved to work with the function of selecting the inductance value of.

また、前記基板の前記第1主面上及び前記第2主面上の少なくとも一方に、線対称位置にない電極が、さらに設けられていてもよい。   Moreover, the electrode which is not in the line-symmetrical position may be further provided on at least one of the first main surface and the second main surface of the substrate.

この構成によれば、前記回路素子内蔵基板の表裏に応じて前記線対称位置にない電極を使い分けることができるので、例えば、前記回路素子内蔵基板を表裏のそれぞれで使用して異なる応用装置を構成することで、部品の共通化によるコストメリットが得られる。   According to this configuration, it is possible to selectively use the electrodes that are not in the line symmetrical position according to the front and back of the circuit element built-in substrate. For example, different circuit devices are configured using the circuit element built-in substrate for each front and back By doing this, cost advantages can be obtained by the common use of parts.

また、前記基板の前記第1主面上及び前記第2主面上に設けられた全ての電極が、線対称位置に配置されていてもよい。   Further, all the electrodes provided on the first main surface and the second main surface of the substrate may be disposed at line symmetrical positions.

この構成によれば、前記回路素子内蔵基板に、前記回路素子内蔵基板を表裏の何れでも使用可能にするための電極のみを設けることができる。そのため、前記回路素子内蔵基板の小型化を阻害することなく、個片化後の前記回路素子内蔵基板のハンドリングを改善する効果を得ることができる。   According to this configuration, it is possible to provide the circuit element built-in substrate with only the electrodes for enabling the circuit element built-in substrate to be used either on the front or the back. Therefore, the effect of improving the handling of the circuit element built-in substrate after singulation can be obtained without inhibiting the miniaturization of the circuit element built-in substrate.

また、本発明の一態様に係るDC−DCコンバータモジュールは、基板の第1主面上の線対称位置に設けられた3以上の第1電極と、前記基板の第2主面上の前記第1電極の各々の対向位置に設けられた第2電極と、前記第1電極の各々と当該第1電極の対向位置にある第2電極とを接続する導体と、前記基板内に形成され、第1端及び第2端が前記第1電極のうち線対称位置にある一方第1電極及び他方第1電極にそれぞれ接続されているインダクタンス素子とを有する回路素子内蔵基板と、前記インダクタンス素子に接続される第1コイル端子及び第2コイル端子を有し、前記回路素子内蔵基板の前記第1主面及び前記第2主面のうち何れか一方に実装されているICチップと、を備え、前記回路素子内蔵基板の前記一方第1電極及び前記他方第1電極を第1コイル電極及び第2コイル電極とし、前記第1コイル電極及び前記第2コイル電極にそれぞれ対向する前記第2電極を第3コイル電極及び第4コイル電極とするとき、前記ICチップが前記第1主面に実装され、前記ICチップの前記第1コイル端子及び前記第2コイル端子が、前記第1コイル電極及び前記第2コイル電極にそれぞれ接続されているか、又は、前記ICチップが前記第2主面に実装され、前記ICチップの前記第1コイル端子及び前記第2コイル端子が、前記第4コイル電極及び前記第3コイル電極にそれぞれ接続されている。   Further, in the DC-DC converter module according to one aspect of the present invention, three or more first electrodes provided in line symmetry positions on a first main surface of a substrate, and the second above-mentioned second main surface of the substrate A second electrode provided at the opposite position of each of the first electrodes, a conductor connecting each of the first electrodes to the second electrode at the opposite position of the first electrode, and formed in the substrate, A circuit element built-in substrate having one end and a second end having inductance elements respectively connected to the first electrode and the other first electrode located at line symmetrical positions of the first electrodes, and connected to the inductance element And an IC chip mounted on any one of the first main surface and the second main surface of the circuit element built-in substrate. The first electrode and the front of the element-embedded substrate On the other hand, when the first electrode is a first coil electrode and a second coil electrode, and the second electrode facing the first coil electrode and the second coil electrode is a third coil electrode and a fourth coil electrode, respectively. An IC chip is mounted on the first main surface, and the first coil terminal and the second coil terminal of the IC chip are respectively connected to the first coil electrode and the second coil electrode, or An IC chip is mounted on the second main surface, and the first coil terminal and the second coil terminal of the IC chip are respectively connected to the fourth coil electrode and the third coil electrode.

この構成によれば、前記回路素子内蔵基板の前記第1主面及び前記第2主面のうちの任意の面に、前記ICチップを実装することにより、前記DC−DCコンバータを構成できる。つまり、前記ICチップを前記回路素子内蔵基板に実装するに際して、前記回路素子内蔵基板の面をソートする必要がないので、実装におけるハンドリングが簡素化される。   According to this configuration, the DC-DC converter can be configured by mounting the IC chip on any one of the first main surface and the second main surface of the circuit element built-in substrate. That is, when the IC chip is mounted on the circuit element built-in substrate, it is not necessary to sort the surfaces of the circuit element built-in substrate, so the handling in mounting is simplified.

また、前記DC−DCコンバータモジュールは、さらに、前記第1主面及び前記第2主面のうち前記一方に実装されている第1チップコンデンサ及び第2チップコンデンサを備え、前記第1電極のうち線対称位置にある2つの第1電極のそれぞれを第1コンデンサ電極及び第2コンデンサ電極とし、線対称位置にある他の2つの第1電極のそれぞれを第3コンデンサ電極及び第4コンデンサ電極とし、前記第1コンデンサ電極、第2コンデンサ電極、第3コンデンサ電極、第4コンデンサ電極にそれぞれ対向する第2電極を、第5コンデンサ電極、第6コンデンサ電極、第7コンデンサ電極、第8コンデンサ電極とするとき、前記第1チップコンデンサ及び第2チップコンデンサが前記第1主面に実装され、前記第1チップコンデンサの第1端及び第2端が前記第1コンデンサ電極及び第3コンデンサ電極にそれぞれ接続され、第2チップコンデンサの第1端及び第2端が前記第2コンデンサ電極及び第4コンデンサ電極にそれぞれ接続されているか、又は、前記第1チップコンデンサ及び第2チップコンデンサが前記第2主面に実装され、前記第1チップコンデンサの前記第1端及び前記第2端が前記第6コンデンサ電極及び第8コンデンサ電極にそれぞれ接続され、第2チップコンデンサの前記第1端及び前記第2端が前記第5コンデンサ電極及び第7コンデンサ電極にそれぞれ接続されていてもよい。   In addition, the DC-DC converter module further includes a first chip capacitor and a second chip capacitor mounted on the one of the first main surface and the second main surface, and Each of two first electrodes in line symmetry positions is a first capacitor electrode and a second capacitor electrode, and each of other two first electrodes in line symmetry positions is a third capacitor electrode and a fourth capacitor electrode, The second capacitor electrode, the sixth capacitor electrode, the seventh capacitor electrode, and the eighth capacitor electrode respectively correspond to the first capacitor electrode, the second capacitor electrode, the third capacitor electrode, and the fourth capacitor electrode. When the first chip capacitor and the second chip capacitor are mounted on the first main surface, the first chip capacitor may be And the second end is respectively connected to the first capacitor electrode and the third capacitor electrode, and the first end and the second end of the second chip capacitor are respectively connected to the second capacitor electrode and the fourth capacitor electrode; Alternatively, the first chip capacitor and the second chip capacitor may be mounted on the second main surface, and the first end and the second end of the first chip capacitor may be connected to the sixth capacitor electrode and the eighth capacitor electrode, respectively. The first and second ends of the second chip capacitor may be connected to the fifth capacitor electrode and the seventh capacitor electrode, respectively.

この構成によれば、前記回路素子内蔵基板の前記第1主面及び前記第2主面のうちの任意の面に、前記ICチップ、前記第1チップコンデンサ及び前記第2チップコンデンサを実装することにより、前記DC−DCコンバータを構成できる。つまり、前記ICチップ、前記第1チップコンデンサ及び前記第2チップコンデンサを前記回路素子内蔵基板に実装するに際して、前記回路素子内蔵基板の面をソートする必要がないので、実装におけるハンドリングが簡素化される。   According to this configuration, the IC chip, the first chip capacitor, and the second chip capacitor are mounted on any one of the first main surface and the second main surface of the circuit element built-in substrate. Thus, the DC-DC converter can be configured. That is, when the IC chip, the first chip capacitor, and the second chip capacitor are mounted on the circuit element built-in substrate, there is no need to sort the surface of the circuit element built-in substrate, so handling in mounting is simplified. Ru.

また、本発明の一態様に係るDC−DCコンバータモジュールは、基板の第1主面上の線対称位置に設けられた3以上の第1電極と、前記基板の第2主面上の前記第1電極の各々の対向位置に設けられた第2電極と、前記基板内に形成され、第1端及び第2端が前記第1電極のうち線対称位置にある一方第1電極及び他方第1電極にそれぞれ接続されているインダクタンス素子とを有し、前記一方第1電極と前記一方第1電極の対向位置にある第2電極とが接続され、かつ前記インダクタンス素子の中間点と前記他方第1電極の対向位置にある第2電極とが接続されている回路素子内蔵基板と、前記インダクタンス素子に接続される第1コイル端子及び第2コイル端子を有し、前記回路素子内蔵基板の前記第1主面及び前記第2主面のうち何れか一方に実装されているICチップと、を備え、前記回路素子内蔵基板の前記一方第1電極及び前記他方第1電極を第1コイル電極及び第2コイル電極とし、前記第1コイル電極及び前記第2コイル電極にそれぞれ対向する前記第2電極を第3コイル電極及び第4コイル電極とするとき、前記ICチップが前記第1主面に実装され、前記ICチップの前記第1コイル端子及び前記第2コイル端子が、前記第1コイル電極及び前記第2コイル電極にそれぞれ接続されているか、又は、前記ICチップが前記第2主面に実装され、前記ICチップの前記第1コイル端子及び前記第2コイル端子が、前記第4コイル電極及び前記第3コイル電極にそれぞれ接続されている。   Further, in the DC-DC converter module according to one aspect of the present invention, three or more first electrodes provided in line symmetry positions on a first main surface of a substrate, and the second above-mentioned second main surface of the substrate A second electrode provided at an opposing position of each of the first electrodes, and the first electrode and the other first electrode which are formed in the substrate and whose first end and second end are in line symmetry among the first electrodes. And an inductance element connected to each of the electrodes, wherein the one first electrode and the second electrode at a position opposite to the one first electrode are connected, and the intermediate point of the inductance element and the other first A circuit element built-in substrate to which a second electrode at a position opposite to the electrode is connected, and a first coil terminal and a second coil terminal connected to the inductance element, the first of the circuit element built-in substrate What of the main surface and the second main surface And an IC chip mounted on one side, wherein the first and second electrodes of the circuit element built-in substrate are used as a first coil electrode and a second coil electrode, and the first coil electrode and the second coil electrode When the second electrode opposed to the second coil electrode is a third coil electrode and a fourth coil electrode, the IC chip is mounted on the first main surface, and the first coil terminal of the IC chip and the fourth coil electrode A second coil terminal is connected to the first coil electrode and the second coil electrode, or the IC chip is mounted on the second main surface, and the first coil terminal of the IC chip and A second coil terminal is connected to the fourth coil electrode and the third coil electrode, respectively.

この構成によれば、前記回路素子内蔵基板の表裏を使い分けることで、複数種類のDC−DCコンバータモジュールを、1種類の前記回路素子内蔵基板を用いて製造することができるので、部品の共通化によるコストメリットが得られる。   According to this configuration, it is possible to manufacture a plurality of types of DC-DC converter modules using one type of the circuit element built-in substrate by selectively using the front and back of the circuit element built-in substrate. Cost benefits from

本発明の回路素子内蔵基板及びDC−DCコンバータモジュールによれば、個片化後のハンドリングを改善した回路素子内蔵基板、及び当該回路素子内蔵基板を用いたDC−DCコンバータモジュールが得られる。   According to the circuit element built-in substrate and the DC-DC converter module of the present invention, a circuit element built-in substrate with improved handling after singulation and a DC-DC converter module using the circuit element built-in substrate can be obtained.

実施の形態1に係る回路素子内蔵基板の断面構造の一例を概念的に示す図である。FIG. 2 is a diagram conceptually showing an example of a cross-sectional structure of a circuit element built-in substrate according to the first embodiment. 実施の形態1に係る回路素子内蔵基板を構成する各層に設けられる導体の配置の一例を示す上面図である。FIG. 7 is a top view showing an example of the arrangement of conductors provided in each layer constituting the circuit element built-in substrate according to the first embodiment. 実施の形態1に係るDC−DCコンバータモジュールの構成の一例を示す分解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view showing an example of the configuration of a DC-DC converter module according to Embodiment 1; 実施の形態1に係るDC−DCコンバータモジュールの構成の一例を示す分解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view showing an example of the configuration of a DC-DC converter module according to Embodiment 1; 実施の形態1に係るDC−DCコンバータの一例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a DC-DC converter according to a first embodiment. 実施の形態2に係る回路素子内蔵基板を構成する各層に設けられる導体の配置の一例を示す上面図である。FIG. 13 is a top view showing an example of the arrangement of conductors provided in each layer constituting the circuit element built-in substrate according to the second embodiment. 実施の形態2に係るDC−DCコンバータモジュールの構成の一例を示す分解斜視図である。FIG. 7 is an exploded perspective view showing an example of the configuration of a DC-DC converter module according to a second embodiment. 実施の形態2に係るDC−DCコンバータモジュールの構成の一例を示す分解斜視図である。FIG. 7 is an exploded perspective view showing an example of the configuration of a DC-DC converter module according to a second embodiment. 実施の形態2に係るDC−DCコンバータの一例を示す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram showing an example of a DC-DC converter according to a second embodiment. 実施の形態3に係る回路素子内蔵基板を構成する各層に設けられる導体の配置の一例を示す上面図である。FIG. 18 is a top view showing an example of the arrangement of conductors provided in each layer of the circuit element built-in substrate according to the third embodiment. 実施の形態3に係る回路素子内蔵基板に内蔵されるコイルを等価的に表す模式図である。FIG. 16 is a schematic view equivalently representing a coil incorporated in the circuit element built-in substrate according to the third embodiment. 実施の形態3に係るDC−DCコンバータモジュールの構成の一例を示す分解斜視図である。FIG. 18 is an exploded perspective view showing an example of the configuration of a DC-DC converter module according to a third embodiment. 実施の形態3に係るDC−DCコンバータモジュールの構成の一例を示す分解斜視図である。FIG. 18 is an exploded perspective view showing an example of the configuration of a DC-DC converter module according to a third embodiment. 実施の形態3に係るDC−DCコンバータの一例を示す回路図である。FIG. 13 is a circuit diagram showing an example of a DC-DC converter according to a third embodiment. 変形例に係るDC−DCコンバータモジュールの構成の一例を示す分解斜視図である。It is an exploded perspective view showing an example of composition of a DC-DC converter module concerning a modification. 変形例に係る回路素子内蔵基板の電極配置の一例を示す斜視図である。It is a perspective view showing an example of electrode arrangement of a circuit element built-in board concerning a modification. 変形例に係る回路素子内蔵基板の電極配置の一例を示す斜視図である。It is a perspective view showing an example of electrode arrangement of a circuit element built-in board concerning a modification.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態、製造工程、及び製造工程の順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさ又は大きさの比は、必ずしも厳密ではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that all the embodiments described below show general or specific examples. The numerical values, shapes, materials, components, arrangement and connection of the components, the manufacturing process, the order of manufacturing processes, and the like shown in the following embodiments are merely examples, and are not intended to limit the present invention. Among the components in the following embodiments, components not described in the independent claims are described as optional components. Also, the size or ratio of sizes of components shown in the drawings is not necessarily exact.

(実施の形態1)
実施の形態1に係る回路素子内蔵基板は、内部にコイルが形成されたセラミック多層基板であり、例えば、DC−DCコンバータに用いられるものである。
Embodiment 1
The circuit element built-in substrate according to the first embodiment is a ceramic multilayer substrate in which a coil is formed, and is used, for example, in a DC-DC converter.

図1は、多層基板10の断面構造の一例を概念的に示す図である。以下では、簡明のため、同種の構成要素を同じ模様で示して符号を適宜省略し、また、厳密には別断面にある構成要素を同一図面内に示して説明することがある。   FIG. 1 is a view conceptually showing an example of the cross-sectional structure of the multilayer substrate 10. In the following, for the sake of simplicity, the same components are indicated by the same pattern, the reference numerals are appropriately omitted, and the components in different cross sections may be shown and described in the same drawing.

多層基板10は、非磁性体層11、磁性体層12、及び非磁性体層15をこの順に積層して構成される。非磁性体層11、15は、多層基板10の一方主面の表層及び他方主面の表層としてそれぞれ形成され、多層基板10において露出している。図1の例では、磁性体層12は、磁性体層121〜124を積層してなる。非磁性体層11、15は単層として図示されているが、それぞれ、複数の非磁性体層を積層して構成されてもよい。   The multilayer substrate 10 is configured by laminating the nonmagnetic layer 11, the magnetic layer 12, and the nonmagnetic layer 15 in this order. The nonmagnetic layers 11 and 15 are respectively formed as the surface layer of the one main surface and the surface layer of the other main surface of the multilayer substrate 10, and are exposed in the multilayer substrate 10. In the example of FIG. 1, the magnetic layer 12 is formed by laminating magnetic layers 121 to 124. Although the nonmagnetic layers 11 and 15 are illustrated as a single layer, they may be configured by laminating a plurality of nonmagnetic layers, respectively.

多層基板10には、コイル31を含む各種の導体が設けられる。前記導体には、非磁性体層15の露出面に形成された第1電極18、非磁性体層11の露出面に形成された第2電極17、各磁性体層や各非磁性体層の主面に沿って形成された面内導体19、及び、各磁性体層や各非磁性体層を厚み方向に貫通して形成された層間導体20が含まれる。   The multilayer substrate 10 is provided with various conductors including the coil 31. The conductor includes a first electrode 18 formed on the exposed surface of the nonmagnetic layer 15, a second electrode 17 formed on the exposed surface of the nonmagnetic layer 11, and each magnetic layer and each nonmagnetic layer. In-plane conductor 19 formed along the main surface, and interlayer conductor 20 formed by penetrating each magnetic layer and each nonmagnetic layer in the thickness direction are included.

非磁性体層11、15は、例えば、低透磁率又は非磁性のセラミックス基材で構成される。磁性体層12は、例えば、非磁性体層11、15と比べて透磁率が大きい磁性セラミックス基材で構成される。非磁性体層11、15を構成する各非磁性体層、及び磁性体層12、14を構成する各磁性体層を、基材層と総称する。   The nonmagnetic layers 11 and 15 are made of, for example, a low magnetic permeability or nonmagnetic ceramic substrate. The magnetic layer 12 is made of, for example, a magnetic ceramic base having a larger permeability than the nonmagnetic layers 11 and 15. The nonmagnetic layers constituting the nonmagnetic layers 11 and 15 and the magnetic layers constituting the magnetic layers 12 and 14 are collectively referred to as a base layer.

磁性セラミックスには、例えば、磁性フェライトセラミックスが用いられる。具体的には、酸化鉄を主成分とし、亜鉛、ニッケル及び銅のうち少なくとも1つ以上を含むフェライトが用いられ得る。また、非磁性のセラミックスには、例えば、非磁性フェライトセラミックスやアルミナを主成分とするアルミナセラミックスが用いられ得る。   For example, magnetic ferrite ceramics are used as the magnetic ceramics. Specifically, ferrite containing iron oxide as a main component and containing at least one or more of zinc, nickel and copper may be used. For nonmagnetic ceramics, for example, nonmagnetic ferrite ceramics or alumina ceramics containing alumina as a main component may be used.

第1電極18、第2電極17、面内導体19及び層間導体20には、例えば、銀を主成分とする金属又は合金が用いられ得る。第1電極18、第2電極17には、例えば、ニッケル、パラジウム、又は金によるめっきが施されていてもよい。   For the first electrode 18, the second electrode 17, the in-plane conductor 19 and the interlayer conductor 20, for example, a metal or alloy containing silver as a main component can be used. The first electrode 18 and the second electrode 17 may be plated with, for example, nickel, palladium, or gold.

多層基板10の各層を構成する磁性フェライトセラミックスと非磁性フェライトセラミックスはいわゆるLTCCセラミックス(Low Temperature Co-fired Ceramics)であり、多層基板10の焼成温度が銀の融点以下であって、前記導体に銀を用いることが可能になる。抵抗率の低い銀を用いて面内導体19及び層間導体20を構成することで、損失が少なく電力効率などの回路特性に優れたDC−DCコンバータ回路が形成される。特に、前記導体に銀を用いることで、例えば大気などの酸化性雰囲気下で多層基板10を焼成できる。   The magnetic ferrite ceramic and the nonmagnetic ferrite ceramic that constitute each layer of the multilayer substrate 10 are so-called LTCC ceramics (Low Temperature Co-fired Ceramics), the sintering temperature of the multilayer substrate 10 is below the melting point of silver, and silver is used as the conductor It is possible to use By forming the in-plane conductor 19 and the interlayer conductor 20 by using silver having a low resistivity, a DC-DC converter circuit which has small loss and is excellent in circuit characteristics such as power efficiency is formed. In particular, by using silver as the conductor, the multilayer substrate 10 can be fired, for example, in an oxidizing atmosphere such as the air.

図2は、多層基板10を構成する各層に設けられる導体の配置の一例を示す上面図である。図2では、積層の順に、非磁性体層11、磁性体層121〜124、及び非磁性体層15での導体の配置、並びに、転写シート16から非磁性体層15に転写される導体の配置が示されている。   FIG. 2 is a top view showing an example of the arrangement of the conductors provided in each layer constituting the multilayer substrate 10. As shown in FIG. In FIG. 2, the arrangement of the conductors in the nonmagnetic layer 11, the magnetic layers 121 to 124, and the nonmagnetic layer 15 in the order of lamination, and the conductor transferred from the transfer sheet 16 to the nonmagnetic layer 15. The arrangement is shown.

図1の多層基板10は、例えば、図2の配置に従って導体ペーストを配置した非磁性又は磁性の複数のセラミックグリーンシートを積層して、未焼成積層体ブロックに一体化し、当該未焼成積層体ブロックを焼成することにより形成される。多層基板10及び多層基板10を用いたDC−DCコンバータの詳細な製造方法については、後ほど詳述する。   The multilayer substrate 10 of FIG. 1 is formed, for example, by laminating a plurality of nonmagnetic or magnetic ceramic green sheets on which a conductor paste is disposed according to the arrangement of FIG. Formed by firing. The detailed manufacturing method of the DC-DC converter using the multilayer substrate 10 and the multilayer substrate 10 will be described in detail later.

以下では説明の便宜のため、各基材層の一方主面及び他方主面のうち、積層の順で下側を裏側、上側を表側と表記する。また、非磁性体層15の露出面を第1主面又は表と称し、非磁性体層11の露出面を第2主面又は裏と表記する。   Below, among the one main surface and the other main surface of each base material layer, for convenience of explanation, the lower side is described as the back side in order of lamination, and the upper side is described as the front side. Further, the exposed surface of the nonmagnetic layer 15 is referred to as a first main surface or surface, and the exposed surface of the nonmagnetic layer 11 is referred to as a second main surface or back.

図2に示す導体の配置について、詳しく説明する。   The arrangement of the conductors shown in FIG. 2 will be described in detail.

非磁性体層15の表側、つまり多層基板10の第1主面には、転写シート16からの転写により、第1電極18として、電極P1、P2、P3、P4、及びP5が設けられている。電極P1、P2、P3、P4、及びP5は、対称軸Xによる線対称の位置に設けられている。   Electrodes P1, P2, P3, P4, and P5 are provided as the first electrode 18 on the front side of the nonmagnetic layer 15, that is, the first main surface of the multilayer substrate 10 by transfer from the transfer sheet 16. . The electrodes P1, P2, P3, P4, and P5 are provided at positions of line symmetry with respect to the symmetry axis X.

非磁性体層11の裏側、つまり多層基板10の第2主面には、第2電極17として、電極Q1、Q2、Q3、Q4、及びQ5が設けられている。電極Q1、Q2、Q3、Q4、及びQ5は、それぞれ電極P1、P2、P3、P4、及びP5の対向位置に設けられている。つまり、電極Q1、Q2、Q3、Q4、及びQ5は、電極P1、P2、P3、P4、及びP5の鏡像となる配置で、対称軸Yによる線対称の位置に設けられている。   Electrodes Q1, Q2, Q3, Q4, and Q5 are provided as the second electrode 17 on the back side of the nonmagnetic layer 11, that is, on the second main surface of the multilayer substrate 10. The electrodes Q1, Q2, Q3, Q4, and Q5 are provided at opposing positions of the electrodes P1, P2, P3, P4, and P5, respectively. In other words, the electrodes Q1, Q2, Q3, Q4, and Q5 are arranged at mirror positions of the electrodes P1, P2, P3, P4, and P5, and are provided at positions symmetrical with respect to the symmetry axis Y.

第1電極18の各々は、層間導体で、対向する第2電極17と接続されている。   Each of the first electrodes 18 is connected to the opposing second electrode 17 by an interlayer conductor.

磁性体層121の裏側には、引回し用の面内導体Aが形成されている。面内導体Aは、積層後の多層基板10において磁性体層121と非磁性体層11との界面に位置する。同様に、非磁性体層15の裏側には、引回し用の面内導体Bが形成されている。面内導体Bは、積層後の多層基板10において非磁性体層15と磁性体層124との界面に位置する。   On the back side of the magnetic layer 121, an in-plane conductor A for routing is formed. The in-plane conductor A is located at the interface between the magnetic layer 121 and the nonmagnetic layer 11 in the multilayer substrate 10 after lamination. Similarly, an in-plane conductor B for drawing is formed on the back side of the nonmagnetic layer 15. The in-plane conductor B is located at the interface between the nonmagnetic layer 15 and the magnetic layer 124 in the multilayer substrate 10 after lamination.

磁性体層122、123、124には、それぞれコイル31を構成するループ状の面内導体W1、W2、W3が形成されている。面内導体W1、W2は、層間導体を介してそれぞれ隣接する面内導体W2、W3と接続されている。面内導体W1、W3のそれぞれの端部が、コイル31の第1端Wa及び第2端Wbを構成する。   In the magnetic layers 122, 123, 124, loop-shaped in-plane conductors W1, W2, W3 constituting the coil 31 are formed. The in-plane conductors W1 and W2 are connected to the adjacent in-plane conductors W2 and W3 via the interlayer conductors. The respective ends of the in-plane conductors W1 and W3 constitute a first end Wa and a second end Wb of the coil 31.

コイル31の第1端Waは、層間導体及び面内導体Aを介して、電極P4、Q4に接続され、第2端Wbは、層間導体及び面内導体Bを介して、電極P5、Q5に接続されている。ここで、コイル31は、無極性の2端子素子の一例であり、電極P4、P5は、第1電極18のうち線対称位置にある一方第1電極及び他方第1電極の一例である。   The first end Wa of the coil 31 is connected to the electrodes P4 and Q4 through the interlayer conductor and the in-plane conductor A, and the second end Wb is connected to the electrodes P5 and Q5 through the interlayer conductor and the in-plane conductor B It is connected. Here, the coil 31 is an example of the nonpolar two-terminal element, and the electrodes P4 and P5 are examples of the one side first electrode and the other side first electrode which are in line symmetry among the first electrodes 18.

なお、多層基板10を構成する各層における導体の配置は、図2の例には限られない。例えば、面内導体19を隣接する層の対向する主面に配置するなど、適宜の変更が可能である。   The arrangement of the conductors in each layer constituting the multilayer substrate 10 is not limited to the example shown in FIG. For example, appropriate modifications can be made, such as arranging the in-plane conductor 19 on the opposing main surfaces of adjacent layers.

以上のように構成される多層基板10によれば、次のような効果が得られる。すなわち、多層基板10において、第1電極18と第2電極17とを区別しない場合、第1電極18と第2電極17とを含む導体及びコイル31の配置及び接続は、多層基板10を第1主面から見た上面視と第2主面から見た下面視とで完全に同一である。また、コイル31の巻回方向についても、上面視と下面視とで同一であり、区別されない。   According to the multilayer substrate 10 configured as described above, the following effects can be obtained. That is, in the multilayer substrate 10, in the case where the first electrode 18 and the second electrode 17 are not distinguished, the arrangement and connection of the conductor and the coil 31 including the first electrode 18 and the second electrode 17 The top view as viewed from the main surface and the bottom view as viewed from the second main surface are completely identical. Further, the winding direction of the coil 31 is the same in the top view and the bottom view and is not distinguished.

そのため、多層基板10は、表裏の区別なく使用することができる。例えば、個片化後の多層基板10を用いた実装作業において、個片化されている個々の多層基板10の面をソートする必要がなくなり、実装におけるハンドリングが簡素化される。   Therefore, the multilayer substrate 10 can be used regardless of front and back. For example, in the mounting operation using the multilayer substrate 10 after singulation, it is not necessary to sort the faces of the individual multilayer substrate 10 being singulated, and handling in mounting is simplified.

次に、多層基板10を用いたDC−DCコンバータについて説明する。   Next, a DC-DC converter using the multilayer substrate 10 will be described.

図3は、DC−DCコンバータの構成の一例を示す分解斜視図である。図3に示すDC−DCコンバータは、多層基板10に制御用のICチップ32を実装してなるDC−DCコンバータモジュール1をマザー基板MBに実装して構成される。   FIG. 3 is an exploded perspective view showing an example of the configuration of the DC-DC converter. The DC-DC converter shown in FIG. 3 is configured by mounting a DC-DC converter module 1 formed by mounting an IC chip 32 for control on a multilayer substrate 10 on a mother substrate MB.

ICチップ32は、一例として、スイッチング制御により降圧動作を行うICチップであり、イネーブル端子EN、入力端子Vin、グランド端子GND、フィードバック端子FB、及び出力端子Voutを有している。ICチップ32のこれらの端子は、多層基板10の第1電極18と実質的に同一の配置位置に設けられている。   The IC chip 32 is, for example, an IC chip that performs a step-down operation by switching control, and includes an enable terminal EN, an input terminal Vin, a ground terminal GND, a feedback terminal FB, and an output terminal Vout. These terminals of the IC chip 32 are provided at substantially the same arrangement positions as the first electrode 18 of the multilayer substrate 10.

マザー基板MBは、イネーブル端子PEN、電源端子PIN、グランド端子PGND、負荷端子POUT、及びダミー端子NCを有している。マザー基板MBのこれらの端子は、多層基板10の第1電極18と実質的に同一の配置位置に設けられている。 The mother board MB has an enable terminal P EN , a power supply terminal P IN , a ground terminal P GND , a load terminal P OUT , and a dummy terminal NC. These terminals of the mother substrate MB are provided at substantially the same arrangement positions as the first electrode 18 of the multilayer substrate 10.

図3では、ICチップ32が多層基板10の第1主面に実装される場合を示している。この場合、ICチップ32のフィードバック端子FB及び出力端子Voutが、電極P4、P5にそれぞれ接続される。ここで、フィードバック端子FB及び出力端子Voutがそれぞれ第1コイル端子及び第2コイル端子の一例であり、電極P4、P5がそれぞれ第1コイル電極及び第2コイル電極の一例である。   FIG. 3 shows the case where the IC chip 32 is mounted on the first main surface of the multilayer substrate 10. In this case, the feedback terminal FB and the output terminal Vout of the IC chip 32 are connected to the electrodes P4 and P5, respectively. Here, the feedback terminal FB and the output terminal Vout are an example of the first coil terminal and the second coil terminal, respectively, and the electrodes P4 and P5 are an example of the first coil electrode and the second coil electrode, respectively.

ICチップ32のイネーブル端子ENは、多層基板10の電極P1、層間導体、電極Q1を介して、マザー基板MBのイネーブル端子PENに接続される。 Enable terminal EN of the IC chip 32, electrode P1, an interlayer conductor of the multilayer substrate 10, via the electrode Q1, is connected to the enable terminal P EN of the mother board MB.

ICチップ32の入力端子Vinは、多層基板10の電極P2、層間導体、電極Q2を介して、マザー基板MBの電源端子PINに接続される。 An input terminal Vin of the IC chip 32, electrodes P2, an interlayer conductor of the multilayer substrate 10, via the electrode Q2, is connected to the power supply terminal P IN of the mother board MB.

ICチップ32のグランド端子GNDは、多層基板10の電極P3、層間導体、電極Q3を介して、マザー基板MBのグランド端子PGNDに接続される。 Ground terminal GND of the IC chip 32, electrode P3 of the multilayer substrate 10, an interlayer conductor, via the electrode Q3, is connected to the ground terminal P GND of the mother board MB.

ICチップ32のフィードバック端子FBは、多層基板10の電極P4、層間導体、電極Q4を介して、マザー基板MBの負荷端子POUTに接続される。 Feedback terminal FB of the IC chip 32, electrodes P4, interlayer conductors of the multilayer substrate 10, via the electrode Q4, are connected to the load terminal P OUT of the mother board MB.

ICチップ32の出力端子Voutは、多層基板10の電極P5、層間導体、電極Q5を介して、マザー基板MBのダミー端子NCに接続される。   The output terminal Vout of the IC chip 32 is connected to the dummy terminal NC of the mother substrate MB via the electrode P5 of the multilayer substrate 10, the interlayer conductor, and the electrode Q5.

このような接続により、DC−DCコンバータが構成される。なお、同様のDC−DCコンバータは、多層基板10を裏返しに使って構成することができる。   Such a connection constitutes a DC-DC converter. A similar DC-DC converter can be configured using the multilayer substrate 10 in reverse.

図4は、多層基板10を裏返しに使った場合のDC−DCコンバータの構成の一例を示す分解斜視図である。   FIG. 4 is an exploded perspective view showing an example of the configuration of the DC-DC converter when the multilayer substrate 10 is used for turning over.

図4では、ICチップ32が多層基板10の第2主面に実装される場合を示している。この場合、ICチップ32のフィードバック端子FB及び出力端子Voutが、電極Q5、Q4にそれぞれ接続される。ここで、フィードバック端子FB及び出力端子Voutがそれぞれ第1コイル端子及び第2コイル端子の一例であり、電極Q5、Q4がそれぞれ第4コイル電極及び第3コイル電極の一例である。   FIG. 4 shows the case where the IC chip 32 is mounted on the second main surface of the multilayer substrate 10. In this case, the feedback terminal FB and the output terminal Vout of the IC chip 32 are connected to the electrodes Q5 and Q4, respectively. Here, the feedback terminal FB and the output terminal Vout are an example of the first coil terminal and the second coil terminal, respectively, and the electrodes Q5 and Q4 are an example of the fourth coil electrode and the third coil electrode, respectively.

ICチップ32のイネーブル端子ENは、多層基板10の電極Q2、層間導体、電極P2を介して、マザー基板MBのイネーブル端子PENに接続される。 Enable terminal EN of the IC chip 32, the electrode Q2 of the multilayer substrate 10, an interlayer conductor, via the electrode P2, is connected to the enable terminal P EN of the mother board MB.

ICチップ32の入力端子Vinは、多層基板10の電極Q1、層間導体、電極P1を介して、マザー基板MBの電源端子PINに接続される。 An input terminal Vin of the IC chip 32, electrodes Q1 of the multilayer substrate 10, an interlayer conductor, via the electrodes P1, is connected to the power supply terminal P IN of the mother board MB.

ICチップ32のグランド端子GNDは、多層基板10の電極Q3、層間導体、電極P3を介して、マザー基板MBのグランド端子PGNDに接続される。 Ground terminal GND of the IC chip 32, the electrode Q3 of the multilayer substrate 10, an interlayer conductor, via the electrode P3, is connected to the ground terminal P GND of the mother board MB.

ICチップ32のフィードバック端子FBは、多層基板10の電極Q5、層間導体、電極P5を介して、マザー基板MBの負荷端子POUTに接続される。 Feedback terminal FB of the IC chip 32, the electrode Q5, interlayer conductors of the multilayer substrate 10, via the electrode P5, is connected to the load terminal P OUT of the mother board MB.

ICチップ32の出力端子Voutは、多層基板10の電極Q4、層間導体、電極P4を介して、マザー基板MBのダミー端子NCに接続される。   The output terminal Vout of the IC chip 32 is connected to the dummy terminal NC of the mother substrate MB via the electrode Q4 of the multilayer substrate 10, the interlayer conductor, and the electrode P4.

このような接続により、図3と同様のDC−DCコンバータが構成される。   Such a connection constitutes a DC-DC converter similar to that shown in FIG.

図5は、図3及び図4に示すDC−DCコンバータに対応する回路図である。   FIG. 5 is a circuit diagram corresponding to the DC-DC converter shown in FIGS. 3 and 4.

図5のDC−DCコンバータは、図3、4に示すDC−DCコンバータモジュール1、及び図3、4に示していない平滑コンデンサC1、C2を用いて構成されている。図5のDC−DCコンバータモジュール1以外の回路要素がマザー基板に配置されてもよい。つまり、平滑コンデンサC1、C2は、マザー基板MB上に実装されていてもよい。   The DC-DC converter of FIG. 5 is configured using the DC-DC converter module 1 shown in FIGS. 3 and 4 and the smoothing capacitors C1 and C2 not shown in FIGS. Circuit elements other than the DC-DC converter module 1 of FIG. 5 may be disposed on the mother board. That is, the smoothing capacitors C1 and C2 may be mounted on the mother board MB.

ICチップ32は、一例として、スイッチング制御により降圧動作を行うICチップであり、内部には、例えばMOS型FET等のスイッチング素子を有している。   The IC chip 32 is, for example, an IC chip that performs a step-down operation by switching control, and internally has a switching element such as a MOS FET.

図5のDC−DCコンバータでは、電源端子PINから入力端子Vinに供給された入力電圧をICチップ32でスイッチングして出力端子Voutに断続的に出力し、コイル31を介して負荷端子POUTに出力する。ICチップ32は、フィードバック端子FBで取得された負荷端子POUTの電圧に基づいて、スイッチングの周波数やパルス幅を可変制御することによって、負荷端子POUTの電圧を設定電圧に安定させる。 In the DC-DC converter of FIG. 5, the input voltage supplied from the power supply terminal PIN to the input terminal Vin is switched by the IC chip 32 and intermittently output to the output terminal Vout, and the load terminal P OUT is output via the coil 31. Output to IC chip 32, based on the voltage of the load terminal P OUT obtained by the feedback terminal FB, the frequency and pulse width of the switching by variable control, to stabilize the voltage of the load terminal P OUT to set voltage.

図5では、多層基板10の電極を白丸で表記している。回路を構成する電極は多層基板10を表裏何れで用いるかで異なる。そのため、図5では、図3示す第1主面での実装で用いられる端子の符号に続いて、図4に示す第2主面での実装で用いられる端子の符号をかっこ書きで示している。多層基板10が表裏の区別なく使用できることは、図5に示す電極の符号からも明らかである。   In FIG. 5, the electrodes of the multilayer substrate 10 are indicated by white circles. The electrodes that make up the circuit differ depending on whether the multilayer substrate 10 is used on the front or back. Therefore, in FIG. 5, following the reference numerals of the terminals used in the mounting on the first main surface shown in FIG. 3, the reference numerals of the terminals used in the mounting on the second main surface shown in FIG. . It is also apparent from the reference numerals of the electrodes shown in FIG. 5 that the multilayer substrate 10 can be used without distinction between the front and back.

その結果、DC−DCコンバータモジュールの小型化への要求に応じて、例えば個片焼成によって高い寸法精度を確保しながら、多層基板10を表裏の区別なく使用可能な構成とすることにより、実装におけるハンドリングの簡素化も達成できる。   As a result, in response to a demand for downsizing of the DC-DC converter module, mounting of the multilayer substrate 10 can be performed without distinction between front and back while securing high dimensional accuracy by, for example, individual firing. Simplification of handling can also be achieved.

次に、DC−DCコンバータの製造方法について説明する。   Next, a method of manufacturing a DC-DC converter will be described.

まず、多層基板10の各基材層となるセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、磁性体セラミック粉末を含んだスラリーをシート成形することによって磁性体層用セラミックグリーンシートを準備し、非磁性体セラミック粉末を含んだスラリーをシート成形することによって非磁性体層用セラミックグリーンシートを準備する。   First, ceramic green sheets to be the respective base material layers of the multilayer substrate 10 are prepared. Specifically, a ceramic green sheet for a magnetic layer is prepared by forming a slurry containing magnetic ceramic powder into a sheet, and a slurry containing a nonmagnetic ceramic powder is formed into a sheet. Prepare a ceramic green sheet.

次いで、所定のセラミックグリーンシートにおいて、例えば、図2に示す配置に従って、特定の位置に貫通孔を形成する。貫通孔には、層間導体用のビアホールが含まれる。ビアホールとしての前記貫通孔内に導体ペーストを充填して層間導体(ビアホール導体)を形成するとともに、主面上の特定の位置に導体ペーストを印刷して面内導体パターンや表面電極パターンを形成する。前記貫通孔は、例えばレーザー加工により形成され、前記面内導体パターンや表面電極パターンは、例えばAg粉末を含んだ導体ペーストのスクリーン印刷によりパターニングされ得る。   Then, through holes are formed at specific positions in a predetermined ceramic green sheet, for example, according to the arrangement shown in FIG. The through holes include via holes for interlayer conductors. The conductive paste is filled in the through hole as a via hole to form an interlayer conductor (via hole conductor), and the conductive paste is printed at a specific position on the main surface to form an in-plane conductor pattern and a surface electrode pattern. . The through holes may be formed, for example, by laser processing, and the in-plane conductor patterns and the surface electrode patterns may be patterned by screen printing of a conductor paste containing, for example, Ag powder.

次いで、導体ペーストが配置された前記複数のセラミックグリーンシートを、位置合わせをして積層、圧着し、未焼成の積層体に一体化する。   Next, the plurality of ceramic green sheets on which the conductor paste is disposed are aligned, laminated, pressure-bonded, and integrated into an unfired laminate.

ここまでの工程は、複数の多層基板10を連ねた集合基板に対して行われる。   The steps so far are performed on a collective substrate in which a plurality of multilayer substrates 10 are connected.

次いで、未焼成の積層体を個々の多層基板10に個片化し、個片化後の多層基板10を焼成する。この焼成により、各セラミックグリーンシート中の磁性体セラミック粉末、非磁性体セラミック粉末が焼結するとともに、導体ペースト中のAg粉末が焼結する。このように、多層基板10が個片焼成される。多層基板10を個片化後に個片焼成するので、集合基板を一括焼成後に個片化する場合と比べて、高い寸法精度が得られる。   Then, the unfired laminate is singulated into individual multilayer substrates 10, and the singulated multilayer substrates 10 are fired. By this firing, the magnetic ceramic powder and the nonmagnetic ceramic powder in each ceramic green sheet are sintered, and the Ag powder in the conductor paste is sintered. Thus, the multilayer substrate 10 is fired individually. Since the multilayer substrate 10 is singulated after singulation, high dimensional accuracy can be obtained as compared to the case where the collective substrate is singulated after batch firing.

次に、焼成された多層基板10の非磁性体層15に露出している第1電極18及び非磁性体層11に露出している第2電極17にめっきが施される。具体的には、無電解めっきにより、ニッケル/金のめっき膜を形成する。   Next, the first electrode 18 exposed to the nonmagnetic layer 15 of the fired multilayer substrate 10 and the second electrode 17 exposed to the nonmagnetic layer 11 are plated. Specifically, a nickel / gold plating film is formed by electroless plating.

その後、第1電極18及び第2電極17の任意一方に、ICチップ32をリフローはんだ付け等により実装する。前述のとおり、多層基板10は、表裏の区別なく使用することができる。そのため、ICチップ32を多層基板10に実装するに際して、個片化されている個々の多層基板10の面をソートする必要がなくなり、実装のハンドリングが簡素化される。   Thereafter, the IC chip 32 is mounted on any one of the first electrode 18 and the second electrode 17 by reflow soldering or the like. As described above, the multilayer substrate 10 can be used regardless of front and back. Therefore, when the IC chip 32 is mounted on the multilayer substrate 10, it is not necessary to sort the surfaces of the individual multilayer substrates 10 which are singulated, and the handling of mounting is simplified.

以上のようにして、ICチップ32が実装されたDC−DCコンバータモジュール1が完成する。完成したDC−DCコンバータモジュール1は、ICチップ32が実装された主面とは反対側の主面を介して、プリント配線板等のマザー基板に実装される。   As described above, the DC-DC converter module 1 on which the IC chip 32 is mounted is completed. The completed DC-DC converter module 1 is mounted on a mother substrate such as a printed wiring board via the main surface opposite to the main surface on which the IC chip 32 is mounted.

このような製造方法によって、DC−DCコンバータモジュールの寸法精度の向上と実装作業でのハンドリングの簡素化とが達成される。   Such a manufacturing method achieves improvement in dimensional accuracy of the DC-DC converter module and simplification of handling in mounting operation.

(実施の形態2)
実施の形態2に係る回路素子内蔵基板は、内部にコイルが形成されたセラミック多層基板であり、実施の形態1に係る回路素子内蔵基板に、チップコンデンサを実装するためのコンデンサ電極を追加して構成される。また、実施の形態2に係るDC−DCコンバータモジュールは、そのような回路素子内蔵基板に、ICチップとチップコンデンサとを実装して構成される。以下では、実施の形態2の回路素子内蔵基板及びDC−DCコンバータモジュールについて、実施の形態1と同等の事項については適宜説明を省略し、実施の形態1と異なる点について主として説明する。
Second Embodiment
The circuit element built-in substrate according to the second embodiment is a ceramic multilayer substrate in which a coil is formed, and a capacitor electrode for mounting a chip capacitor is added to the circuit element built-in substrate according to the first embodiment. Configured Further, the DC-DC converter module according to the second embodiment is configured by mounting an IC chip and a chip capacitor on such a circuit element built-in substrate. In the following, with regard to the circuit element built-in substrate and the DC-DC converter module of the second embodiment, the description of the same matters as the first embodiment will be omitted as appropriate, and the differences from the first embodiment will be mainly described.

実施の形態2の多層基板10aは、図1に示す多層基板10と同等の断面構造を有し、多層基板10の第1主面及び第2主面に、チップコンデンサを実装するための電極が追加される。   Multilayer substrate 10a according to the second embodiment has a cross-sectional structure equivalent to that of multilayer substrate 10 shown in FIG. 1, and an electrode for mounting a chip capacitor on the first main surface and the second main surface of multilayer substrate 10 Is added.

図6は、多層基板10aを構成する各層に設けられる導体の配置の一例を示す上面図である。図6は、図2と同様の表記法で表されている。   FIG. 6 is a top view showing an example of the arrangement of the conductors provided in each layer constituting the multilayer substrate 10a. FIG. 6 is represented in the same notation as in FIG.

非磁性体層15の表側、つまり多層基板10aの第1主面には、第1電極18として、電極P6、P7、P8、P9が追加されている。電極P1〜P9は、対称軸Xによる線対称の位置に設けられている。ここで、電極P6、P9が線対称の位置にある2つの第1電極の一例であり、電極P7、P8が線対称の位置にある他の2つの第1電極の一例である。また、電極P6、P9、P7、P8が、それぞれ第1〜第4コンデンサ電極の一例である。   Electrodes P6, P7, P8, and P9 are added as the first electrode 18 on the front side of the nonmagnetic layer 15, that is, the first main surface of the multilayer substrate 10a. The electrodes P1 to P9 are provided at positions in line symmetry with the symmetry axis X. Here, the electrodes P6 and P9 are an example of the two first electrodes in axisymmetrical positions, and the electrodes P7 and P8 are an example of the other two first electrodes in axisymmetrical positions. The electrodes P6, P9, P7, and P8 are examples of the first to fourth capacitor electrodes, respectively.

非磁性体層11の裏側、つまり多層基板10aの第2主面には、第2電極17として、電極Q6、Q7、Q8、Q9が追加されている。電極Q1〜Q9は、それぞれ電極P1〜P9の対向位置に設けられている。つまり、電極Q1〜Q9は、電極P1〜P9の鏡像となる配置で、対称軸Yによる線対称の位置に設けられている。ここで、電極Q6、Q9、Q7、Q8が、それぞれ第5〜第8コンデンサ電極の一例である。   As the second electrode 17, electrodes Q6, Q7, Q8 and Q9 are added to the back side of the nonmagnetic layer 11, that is, the second main surface of the multilayer substrate 10a. The electrodes Q1 to Q9 are provided at opposing positions of the electrodes P1 to P9, respectively. That is, the electrodes Q1 to Q9 are disposed in line symmetry with respect to the symmetry axis Y in an arrangement that is a mirror image of the electrodes P1 to P9. Here, the electrodes Q6, Q9, Q7, and Q8 are examples of the fifth to eighth capacitor electrodes, respectively.

第1電極18の各々は、層間導体で、対向する第2電極17と接続されている。   Each of the first electrodes 18 is connected to the opposing second electrode 17 by an interlayer conductor.

非磁性体層15の裏側には、引回し用の面内導体Gが追加されている。   On the back side of the nonmagnetic layer 15, an in-plane conductor G for routing is added.

電極P3、P7及びP8が、層間導体及び面内導体Gにより互いに接続されている。電極P3、P7及びP8は、線対称の位置にありかつコイル31が接続されていない複数の第1電極18の一例である。面内導体Gは、一例として、2つのチップコンデンサをそれぞれ接地する配線である。   The electrodes P3, P7 and P8 are connected to each other by the interlayer conductor and the in-plane conductor G. The electrodes P3, P7 and P8 are an example of a plurality of first electrodes 18 which are in line symmetry and to which the coil 31 is not connected. The in-plane conductor G is a wiring which grounds two chip capacitors, as an example.

なお、多層基板10aを構成する各層における導体の配置は、図6の例には限られない。例えば、面内導体19を隣接する層の対向する主面に配置するなど、適宜の変更が可能である。   The arrangement of the conductors in each layer constituting the multilayer substrate 10a is not limited to the example shown in FIG. For example, appropriate modifications can be made, such as arranging the in-plane conductor 19 on the opposing main surfaces of adjacent layers.

以上のように構成される多層基板10aによれば、次のような効果が得られる。すなわち、多層基板10aにおいて、第1電極18と第2電極17とを区別しない場合、第1電極18と第2電極17とを含む導体及びコイル31の配置及び接続は、多層基板10aを第1主面から見た上面視と第2主面から見た下面視とで完全に同一である。また、コイル31の巻回方向についても、上面視と下面視とで同一であり、区別されない。   According to the multilayer substrate 10a configured as described above, the following effects can be obtained. That is, in the multilayer substrate 10a, when the first electrode 18 and the second electrode 17 are not distinguished from each other, the arrangement and connection of the conductor and the coil 31 including the first electrode 18 and the second electrode 17 are the first multilayer substrate 10a. The top view as viewed from the main surface and the bottom view as viewed from the second main surface are completely identical. Further, the winding direction of the coil 31 is the same in the top view and the bottom view and is not distinguished.

また、多層基板10を表裏何れの向きで使う場合にも同じ配置位置となる電極を接続する配線については、導体により、多層基板10内に設けることができる。   Further, in the case where the multilayer substrate 10 is used in either of the front and back directions, the wiring connecting the electrodes in the same arrangement position can be provided in the multilayer substrate 10 by a conductor.

そのため、多層基板10aは、表裏の区別なく使用することができる。例えば、個片化後の多層基板10aを用いた実装作業において、個片化されている個々の多層基板10aの面をソートする必要がなくなり、実装におけるハンドリングが簡素化される。   Therefore, the multilayer substrate 10a can be used regardless of front and back. For example, in the mounting operation using the multilayer substrate 10a after singulation, it is not necessary to sort the faces of the individual multilayer substrate 10a being singulated, and handling in mounting is simplified.

次に、多層基板10aを用いたDC−DCコンバータについて説明する。   Next, a DC-DC converter using the multilayer substrate 10a will be described.

図7は、DC−DCコンバータの構成の一例を示す分解斜視図である。図7に示すDC−DCコンバータは、多層基板10aに制御用のICチップ32、チップコンデンサ33、34を実装してなるDC−DCコンバータモジュール2をマザー基板MBに実装して構成される。   FIG. 7 is an exploded perspective view showing an example of the configuration of the DC-DC converter. The DC-DC converter shown in FIG. 7 is configured by mounting a DC-DC converter module 2 in which an IC chip 32 for control and chip capacitors 33 and 34 are mounted on a multilayer substrate 10 a on a mother substrate MB.

ICチップ32は、実施の形態1で参照したICチップ32と同一である。   The IC chip 32 is the same as the IC chip 32 referred to in the first embodiment.

マザー基板MBは、イネーブル端子PEN、電源端子PIN、グランド端子PGND、負荷端子POUT、及びダミー端子NCに加えて、コンデンサ端子PC1、PC2、及び、さらに2つのダミー端子NCを有している。マザー基板MBのこれらの端子は、多層基板10aの第1電極18と実質的に同一の配置位置に設けられている。 In addition to the enable terminal P EN , the power supply terminal P IN , the ground terminal P GND , the load terminal P OUT , and the dummy terminal NC, the mother board MB includes capacitor terminals P C1 and P C2 and two more dummy terminals NC. Have. These terminals of the mother substrate MB are provided at substantially the same arrangement positions as the first electrode 18 of the multilayer substrate 10a.

図7では、ICチップ32及びチップコンデンサ33、34が多層基板10aの第1主面に実装される場合を示している。この場合、チップコンデンサ33の第1端及び第2端が、電極P6、P7にそれぞれ接続され、チップコンデンサ34の第1端及び第2端が、電極P9、P8にそれぞれ接続される。   FIG. 7 shows the case where the IC chip 32 and the chip capacitors 33, 34 are mounted on the first main surface of the multilayer substrate 10a. In this case, the first end and the second end of the chip capacitor 33 are respectively connected to the electrodes P6, P7, and the first end and the second end of the chip capacitor 34 are respectively connected to the electrodes P9, P8.

チップコンデンサ33の第1端は、多層基板10の電極P6、層間導体、電極Q6を介して、マザー基板MBのコンデンサ端子PC1に接続される。 The first end of the chip capacitor 33, the electrode P6, interlayer conductors of the multilayer substrate 10, via the electrode Q6, are connected to the capacitor terminal P C1 of the mother board MB.

チップコンデンサ33の第2端は、多層基板10の電極P7、層間導体、電極Q7を介して、マザー基板MBのダミー端子NCに接続される。   The second end of the chip capacitor 33 is connected to the dummy terminal NC of the mother substrate MB via the electrode P7 of the multilayer substrate 10, the interlayer conductor, and the electrode Q7.

チップコンデンサ34の第1端は、多層基板10の電極P9、層間導体、電極Q9を介して、マザー基板MBのコンデンサ端子PC2に接続される。 The first end of the chip capacitor 34, the electrode P9, interlayer conductors of the multilayer substrate 10, via the electrode Q9, connected to the capacitor terminal P C2 of the mother board MB.

チップコンデンサ34の第2端は、多層基板10の電極P8、層間導体、電極Q8を介して、マザー基板MBのダミー端子NCに接続される。   The second end of the chip capacitor 34 is connected to the dummy terminal NC of the mother substrate MB via the electrode P8 of the multilayer substrate 10, the interlayer conductor, and the electrode Q8.

マザー基板MBには、コンデンサ端子PC1と電源端子PINとを接続するジャンパー配線J及びコンデンサ端子PC2と負荷端子POUTとを接続するジャンパー配線J2が設けられている。ジャンパー配線J1、J2は、配置に対称性がないために、多層基板10a内に設けることができないので、マザー基板MBに設けられる。 The mother board MB, jumper wiring J2 connecting the jumper wires J 1 and capacitor terminals P C2 for connecting the capacitor terminals P C1 and the power supply terminal P IN and load terminal P OUT is provided. The jumper wires J1 and J2 can not be provided in the multilayer substrate 10a because they are not symmetrical in arrangement, and thus are provided on the mother substrate MB.

このような接続により、2つのチップコンデンサを有するDC−DCコンバータが構成される。なお、同様のDC−DCコンバータは、多層基板10aを裏返しに使って構成することができる。   Such a connection constitutes a DC-DC converter having two chip capacitors. A similar DC-DC converter can be configured using the multilayer substrate 10a in reverse.

図8は、多層基板10aを裏返しに使った場合のDC−DCコンバータの構成の一例を示す分解斜視図である。   FIG. 8 is an exploded perspective view showing an example of the configuration of the DC-DC converter when the multilayer substrate 10a is used for turning over.

図8では、ICチップ32及びチップコンデンサ33、34が多層基板10aの第2主面に実装される場合を示している。この場合、チップコンデンサ33の前記第1端及び前記第2端が電極Q9、Q8にそれぞれ接続され、チップコンデンサ34の前記第1端及び前記第2端が電極Q6、Q7にそれぞれ接続される。   FIG. 8 shows the case where the IC chip 32 and the chip capacitors 33, 34 are mounted on the second main surface of the multilayer substrate 10a. In this case, the first end and the second end of the chip capacitor 33 are respectively connected to the electrodes Q9 and Q8, and the first end and the second end of the chip capacitor 34 are respectively connected to the electrodes Q6 and Q7.

チップコンデンサ33の第1端は、多層基板10の電極Q9、層間導体、電極P9を介して、マザー基板MBのコンデンサ端子PC1に接続される。 The first end of the chip capacitor 33, the electrode Q9 of the multilayer substrate 10, an interlayer conductor, via the electrode P9, is connected to the capacitor terminal P C1 of the mother board MB.

チップコンデンサ33の第2端は、多層基板10の電極Q8、層間導体、電極P8を介して、マザー基板MBのダミー端子NCに接続される。   The second end of the chip capacitor 33 is connected to the dummy terminal NC of the mother substrate MB via the electrode Q8 of the multilayer substrate 10, the interlayer conductor, and the electrode P8.

チップコンデンサ34の第1端は、多層基板10の電極Q6、層間導体、電極P6を介して、マザー基板MBのコンデンサ端子PC2に接続される。 The first end of the chip capacitor 34, the electrode Q6 of the multilayer substrate 10, an interlayer conductor, via the electrode P6, is connected to the capacitor terminal P C2 of the mother board MB.

チップコンデンサ34の第2端は、多層基板10の電極Q7、層間導体、電極P7を介して、マザー基板MBのダミー端子NCに接続される。   The second end of the chip capacitor 34 is connected to the dummy terminal NC of the mother substrate MB via the electrode Q7 of the multilayer substrate 10, the interlayer conductor, and the electrode P7.

このような接続により、図7と同様のDC−DCコンバータが構成される。   Such a connection constitutes a DC-DC converter similar to that shown in FIG.

図9は、図7及び図8に示すDC−DCコンバータに対応する回路図である。   FIG. 9 is a circuit diagram corresponding to the DC-DC converter shown in FIGS. 7 and 8.

図9のDC−DCコンバータは、図7、8に示すDC−DCコンバータモジュール2を用いて構成されている。図9のDC−DCコンバータは、図5のDC−DCコンバータと実質的に同一である。   The DC-DC converter of FIG. 9 is configured using the DC-DC converter module 2 shown in FIGS. The DC-DC converter of FIG. 9 is substantially the same as the DC-DC converter of FIG.

図9では、多層基板10aの電極を白丸で表記している。回路を構成する電極は多層基板10aを表裏何れで用いるかで異なる。そのため、図9では、図7に示す第1主面での実装で用いられる端子の符号に続いて、図8に示す第2主面での実装で用いられる端子の符号をかっこ書きで示している。多層基板10aが表裏の区別なく使用できることは、図9に示す電極の符号からも明らかである。   In FIG. 9, the electrodes of the multilayer substrate 10a are indicated by white circles. The electrodes constituting the circuit differ depending on which of the front and back the multilayer substrate 10a is used. Therefore, in FIG. 9, the reference numerals of the terminals used in the mounting on the second main surface shown in FIG. 8 are shown in parentheses following the reference numerals of the terminals used in the mounting on the first main surface shown in FIG. There is. It is also apparent from the reference numerals of the electrodes shown in FIG. 9 that the multilayer substrate 10a can be used without distinction between the front and back.

その結果、DC−DCコンバータモジュールの小型化への要求に応じて、例えば個片焼成によって高い寸法精度を確保しながら、多層基板10aを表裏の区別なく使用可能な構成とすることにより、実装におけるハンドリングの簡素化も達成できる。   As a result, in response to a demand for downsizing of the DC-DC converter module, the mounting in the mounting can be performed by using the multilayer substrate 10a without distinction between the front and back while securing high dimensional accuracy by, for example, individual firing. Simplification of handling can also be achieved.

(実施の形態3)
実施の形態3に係る回路素子内蔵基板は、内部にインダクタ素子としてのコイルが形成されたセラミック多層基板である。実施の形態3に係る回路素子内蔵基板は、第1主面及び第2主面のそれぞれの同等位置に配置された電極で当該コイルに接続し、第1主面及び第2主面のそれぞれの電極での前記コイルのインダクタンス値が異なる。すなわち、実施の形態3に係る回路素子内蔵基板は、実施の形態1に係る回路素子内蔵基板と同様に第1主面及び第2主面の何れでも使用することができ、さらに、使用する面に応じてインダクタンス値を選択できるという追加の機能を有している。
Third Embodiment
The circuit element built-in substrate according to the third embodiment is a ceramic multilayer substrate in which a coil as an inductor element is formed. The circuit element built-in substrate according to the third embodiment is connected to the coil by electrodes arranged at equivalent positions of each of the first main surface and the second main surface, and each of the first main surface and the second main surface The inductance values of the coils at the electrodes are different. That is, as in the circuit element built-in substrate according to Embodiment 1, the circuit element built-in substrate according to Embodiment 3 can be used with any of the first main surface and the second main surface, and further, a surface to be used Have the additional function of being able to select the inductance value accordingly.

実施の形態3に係るDC−DCコンバータモジュールは、そのような回路素子内蔵基板に、ICチップを実装して構成される。   The DC-DC converter module according to the third embodiment is configured by mounting an IC chip on such a circuit element built-in substrate.

以下では、実施の形態3の回路素子内蔵基板及びDC−DCコンバータモジュールについて、実施の形態1と同等の事項については適宜説明を省略し、実施の形態1と異なる点について主として説明する。   In the following, with regard to the circuit element built-in substrate and the DC-DC converter module of the third embodiment, the description of the same matters as the first embodiment will be omitted as appropriate, and the differences from the first embodiment will be mainly described.

実施の形態3の多層基板10bは、図1の多層基板10に、磁性体層12を構成する磁性体層125、126を追加し、コイル31を中間点(タップ)を引き出したコイルに置き換えて構成される。   In the multilayer substrate 10b of the third embodiment, the magnetic layers 125 and 126 constituting the magnetic layer 12 are added to the multilayer substrate 10 of FIG. 1, and the coil 31 is replaced with a coil from which a midpoint (tap) is drawn. Configured

図10は、多層基板10bを構成する各層に設けられる導体の配置の一例を示す上面図である。図10は、図2と同様の表記法で表されている。   FIG. 10 is a top view showing an example of the arrangement of the conductors provided in each layer constituting the multilayer substrate 10b. FIG. 10 is expressed in the same notation as in FIG.

非磁性体層15の表側、つまり多層基板10bの第1主面には、第1電極18として、電極P10が追加されている。電極P1〜P5、P10は、対称軸Xによる線対称の位置に設けられている。   An electrode P10 is added as a first electrode 18 on the front side of the nonmagnetic layer 15, that is, on the first main surface of the multilayer substrate 10b. The electrodes P <b> 1 to P <b> 5 and P <b> 10 are provided at positions in line symmetry with the symmetry axis X.

非磁性体層11の裏側、つまり多層基板10bの第2主面には、第2電極17として、電極Q10が追加されている。電極Q1〜Q5、Q10は、それぞれ電極P1〜P5、P10の対向位置に設けられている。つまり、電極Q1〜Q5、Q10は、電極P1〜P5、P10の鏡像となる配置で、対称軸Yによる線対称の位置に設けられている。   An electrode Q10 is added as a second electrode 17 to the back side of the nonmagnetic layer 11, that is, the second main surface of the multilayer substrate 10b. The electrodes Q1 to Q5 and Q10 are provided at opposing positions of the electrodes P1 to P5 and P10, respectively. In other words, the electrodes Q1 to Q5 and Q10 are arranged at mirror positions of the electrodes P1 to P5 and P10, and are provided at positions in line symmetry with the symmetry axis Y.

互いに対向する第1電極18と第2電極17との間の接続のうち、電極P10と電極Q10との接続が追加され、電極P4と電極Q4との間の接続は削除される。   Of the connections between the first electrode 18 and the second electrode 17 facing each other, the connection between the electrode P10 and the electrode Q10 is added, and the connection between the electrode P4 and the electrode Q4 is deleted.

磁性体層122〜126には、コイルを構成するループ状の面内導体W1〜W5が形成されている。面内導体W1〜W4は、層間導体を介してそれぞれ隣接する面内導体W2〜W5と接続されている。面内導体W1、W5の端部が、それぞれコイルの第1端Wa、第2端Wbを構成し、面内導体W2の一部が、コイルのタップWcを構成している。   In the magnetic layers 122 to 126, loop-shaped in-plane conductors W1 to W5 constituting a coil are formed. The in-plane conductors W1 to W4 are connected to the adjacent in-plane conductors W2 to W5 through the interlayer conductors. The ends of the in-plane conductors W1 and W5 respectively constitute the first end Wa and the second end Wb of the coil, and a part of the in-plane conductor W2 constitutes the tap Wc of the coil.

コイルの第1端Waは、層間導体及び面内導体Aを介して、電極P5、Q5に接続され、第2端Wbは、層間導体及び面内導体Bを介して、電極P4に接続されている。また、コイルのタップWcは、層間導体を介して、電極Q4に接続されている。   The first end Wa of the coil is connected to the electrodes P5 and Q5 via the interlayer conductor and the in-plane conductor A, and the second end Wb is connected to the electrode P4 via the interlayer conductor and the in-plane conductor B There is. Further, the tap Wc of the coil is connected to the electrode Q4 through the interlayer conductor.

なお、多層基板10bを構成する各層における導体の配置は、図10の例には限られない。例えば、面内導体を隣接する層の対向する主面に配置するなど、適宜の変更が可能である。   The arrangement of the conductors in each layer constituting the multilayer substrate 10b is not limited to the example shown in FIG. For example, an appropriate change can be made, such as arranging the in-plane conductor on the opposite main surface of the adjacent layer.

多層基板10b内に構成されるコイルについて、説明を続ける。   The description will continue on the coils formed in the multilayer substrate 10b.

図11は、図10の導体配置に従って多層基板10b内に構成されるコイル35を等価的に表す模式図である。図11において、(a)では電極P4、P5を上に表し、(b)では電極Q4、Q5を上に表している。なお、面内導体W1、W2と、面内導体W3、W4、W5とを、異なる線種で表しているのは、図示の明瞭のためであり、面内導体W1〜W5の電磁気特性は、同じであってもよく、異なっていてもよい。   FIG. 11 is a schematic view equivalently showing a coil 35 formed in the multilayer substrate 10b according to the conductor arrangement of FIG. In FIG. 11, (a) represents the electrodes P4 and P5 at the top, and (b) represents the electrodes Q4 and Q5 at the top. The in-plane conductors W1 and W2 and the in-plane conductors W3, W4 and W5 are represented by different line types for the sake of clarity of illustration, and the electromagnetic characteristics of the in-plane conductors W1 to W5 are It may be the same or different.

図11から分かるように、電極P4、P5では、コイル35の全体に対応するインダクタンス値が得られ、電極Q4、Q5では、コイル35の一部分に対応するインダクタンス値が得られる。従って、電極P4、P5で得られるインダクタンス値と、電極Q4、Q5で得られるインダクタンス値は、互いに異なる。   As can be seen from FIG. 11, in the electrodes P4 and P5, an inductance value corresponding to the entire coil 35 is obtained, and in the electrodes Q4 and Q5, an inductance value corresponding to a part of the coil 35 is obtained. Therefore, the inductance value obtained by the electrodes P4 and P5 and the inductance value obtained by the electrodes Q4 and Q5 are different from each other.

図11の(a)は、例えば、多層基板10bの第1主面を上に配置して電極P4、P5でコイル35を使用する場合に対応し、図11の(b)は、例えば、多層基板10bの第2主面を上に配置して電極Q4、Q5でコイル35を使用する場合に対応してもよい。   (A) of FIG. 11 corresponds to, for example, the case where the first main surface of the multilayer substrate 10b is disposed on top and the coil 35 is used in the electrodes P4 and P5, and (b) of FIG. It may correspond to the case where the second main surface of the substrate 10b is disposed on top and the coil 35 is used in the electrodes Q4 and Q5.

このように、多層基板10bは、表裏のいずれでも使用でき、使用する面に応じてコイル35のインダクタンス値を選択できる。これにより、個片化後の多層基板10bの面をソートする作業は、単に煩雑なだけの作業から、コイル35のインダクタンス値を選択する機能を持った作業に改善される。   Thus, the multilayer substrate 10b can be used either on the front or back, and the inductance value of the coil 35 can be selected according to the surface to be used. As a result, the work of sorting the surface of the multilayer substrate 10b after singulation is improved from a simple work to a work having a function of selecting the inductance value of the coil 35.

また、多層基板10bの構成によれば、2種類のインダクタンス値を持つ部品を別々に用意する必要がなくなるので、部品在庫の適正化に役立つ。また、1枚の集合基板から任意の割合で2種類のインダクタンス値を持つ部品が取れるので、部品の多品種少量生産にも適している。   Further, according to the configuration of the multilayer substrate 10b, it is not necessary to separately prepare parts having two types of inductance values, which contributes to optimization of parts inventory. In addition, since parts having two types of inductance values can be taken at an arbitrary ratio from one collective substrate, it is also suitable for high-mix low-volume production of parts.

次に、多層基板10bを用いたDC−DCコンバータについて説明する。   Next, a DC-DC converter using the multilayer substrate 10b will be described.

図12は、DC−DCコンバータの構成の一例を示す分解斜視図である。図12に示すDC−DCコンバータは、多層基板10bに制御用のICチップ36を実装してなるDC−DCコンバータモジュール3をマザー基板MBに実装して構成される。   FIG. 12 is an exploded perspective view showing an example of the configuration of the DC-DC converter. The DC-DC converter shown in FIG. 12 is configured by mounting a DC-DC converter module 3 formed by mounting a control IC chip 36 on a multilayer substrate 10 b on a mother substrate MB.

ICチップ36は、実施の形態1で参照したICチップ32と実質的に同一の機能を持つICチップであり、ICチップ32と比べて、フィードバック端子FBの位置が変更され、コイル接続端子Lxが追加される。フィードバック端子FBとコイル接続端子Lxとは、ICチップ36の内部で接続されている。   The IC chip 36 is an IC chip having substantially the same function as the IC chip 32 referred to in the first embodiment. Compared with the IC chip 32, the position of the feedback terminal FB is changed, and the coil connection terminal Lx is Is added. The feedback terminal FB and the coil connection terminal Lx are connected inside the IC chip 36.

マザー基板MBでは、負荷端子POUTの位置が変更され、新たなダミー端子NCが追加される。 In the mother board MB, the position of the load terminal P OUT is changed, and a new dummy terminal NC is added.

図12では、ICチップ36が多層基板10bの第1主面に実装される場合を示している。この場合、ICチップ36のコイル接続端子Lx、出力端子Voutが、電極P4、P5にそれぞれ接続される。ここで、コイル接続端子LxFB及び出力端子Voutがそれぞれ第1コイル端子及び第2コイル端子の一例であり、電極P4、P5がそれぞれ第1コイル電極及び第2コイル電極の一例である。   FIG. 12 shows the case where the IC chip 36 is mounted on the first main surface of the multilayer substrate 10b. In this case, the coil connection terminal Lx of the IC chip 36 and the output terminal Vout are connected to the electrodes P4 and P5, respectively. Here, the coil connection terminal LxFB and the output terminal Vout are an example of a first coil terminal and a second coil terminal, respectively, and the electrodes P4 and P5 are an example of a first coil electrode and a second coil electrode, respectively.

ICチップ36のフィードバック端子FBは、ICチップ36の内部でコイル接続端子Lxと接続され、さらに、多層基板10bの電極P10、内部導体、電極Q10を介して、マザー基板MBの負荷端子POUTに接続される。 The feedback terminal FB of the IC chip 36 is connected to the coil connection terminal Lx inside the IC chip 36, and further to the load terminal P OUT of the mother board MB through the electrode P10 of the multilayer board 10b, the internal conductor and the electrode Q10. Connected

このような接続により、電極P4、P5で見えるインダクタンス値のコイル35を用いて、図3と同等のDC−DCコンバータが構成される。なお、同様のDC−DCコンバータは、多層基板10bを裏返しに使うことで、異なるインダクタンス値のコイル35を用いて構成することができる。   With such a connection, a DC-DC converter equivalent to that shown in FIG. 3 is configured using the coil 35 of the inductance value that can be seen by the electrodes P4 and P5. In addition, the same DC-DC converter can be comprised using the coil 35 of a different inductance value by using the multilayer board | substrate 10b for inversion.

図13は、多層基板10bを裏返しに使った場合のDC−DCコンバータの構成の一例を示す分解斜視図である。   FIG. 13 is an exploded perspective view showing an example of the configuration of the DC-DC converter when the multilayer substrate 10b is used for turning over.

図13では、ICチップ36が多層基板10aの第2主面に実装される場合を示している。この場合、ICチップ36のコイル接続端子Lx、出力端子Voutが、電極Q5、Q4にそれぞれ接続される。ここで、コイル接続端子LxFB及び出力端子Voutがそれぞれ第1コイル端子及び第2コイル端子の一例であり、電極Q5、Q4がそれぞれ第4コイル電極及び第3コイル電極の一例である。   FIG. 13 shows the case where the IC chip 36 is mounted on the second main surface of the multilayer substrate 10a. In this case, the coil connection terminal Lx of the IC chip 36 and the output terminal Vout are connected to the electrodes Q5 and Q4, respectively. Here, the coil connection terminal LxFB and the output terminal Vout are an example of a first coil terminal and a second coil terminal, respectively, and the electrodes Q5 and Q4 are an example of a fourth coil electrode and a third coil electrode, respectively.

ICチップ36のフィードバック端子FBは、ICチップ36の内部でコイル接続端子Lxと接続され、さらに、多層基板10bの電極Q10、内部導体、電極P10を介して、マザー基板MBの負荷端子POUTに接続される。 The feedback terminal FB of the IC chip 36 is connected to the coil connection terminal Lx inside the IC chip 36, and further to the load terminal P OUT of the mother board MB through the electrode Q10 of the multilayer board 10b, the internal conductor and the electrode P10. Connected

このような接続により、電極Q4、Q5で見えるインダクタンス値のコイル35を用いて、図4と同等のDC−DCコンバータが構成される。   With such a connection, a DC-DC converter equivalent to that shown in FIG. 4 is configured using the coil 35 of the inductance value visible by the electrodes Q4 and Q5.

図14は、図12及び図13に示すDC−DCコンバータに対応する回路図である。図14のDC−DCコンバータは、図5のDC−DCコンバータと比べて、大まかな構成において同一であり、多層基板10aを表裏の何れで使用するかに応じて太破線枠内の細部が変更される点が異なる。拡大して示した太破線枠内の細部(a)、(b)は、それぞれ図12、図13のDC−DCコンバータモジュールに対応する。   FIG. 14 is a circuit diagram corresponding to the DC-DC converter shown in FIG. 12 and FIG. The DC-DC converter of FIG. 14 is the same as the DC-DC converter of FIG. 5 in the rough configuration, and the details in the thick broken line frame change depending on whether the multilayer substrate 10a is used on the front or the back. The point to be The details (a) and (b) in the thick broken line frame shown enlarged correspond to the DC-DC converter module of FIG. 12 and FIG. 13 respectively.

このように、多層基板10bを表裏の何れで使用するかに応じて、インダクタンス値が異なるコイルを用いてDC−DCコンバータを構成できる。例えば、定格が異なるDC−DCコンバータでは、ノイズやリプルを最適化するためにインダクタンス値が異なるコイルを用いることがある。そのような場合に、多層基板10bの表裏を使い分けることで、複数種類の定格のDC−DCコンバータを、1種類の部品(つまり、多層基板10b)を用いて製造することができ、部品の共通化によるコストメリットが得られる。   Thus, the DC-DC converter can be configured using coils with different inductance values depending on which of the front and back the multilayer substrate 10b is used. For example, in DC-DC converters with different ratings, coils with different inductance values may be used to optimize noise and ripple. In such a case, it is possible to manufacture a plurality of types of rated DC-DC converters using one type of component (that is, the multilayer substrate 10b) by selectively using the front and back of the multilayer substrate 10b. Cost benefits can be obtained.

(変形例)
以上、本発明の実施の形態に係る回路素子内蔵基板及びDC−DCコンバータモジュールについて説明したが、本発明は、個々の実施の形態には限定されない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の一つ又は複数の態様の範囲内に含まれてもよい。
(Modification)
As mentioned above, although the circuit element built-in board | substrate and DC-DC converter module which concern on embodiment of this invention were demonstrated, this invention is not limited to each embodiment. Without departing from the spirit of the present invention, various modifications that can be conceived by a person skilled in the art may be applied to the present embodiment, or a form constructed by combining components in different embodiments may be one or more of the present invention. It may be included within the scope of the embodiments.

例えば、電極の配置位置の対称軸が回路素子内蔵基板の辺と平行である必要は必ずしもなく、回路素子内蔵基板の辺から傾いていてもよい。   For example, the symmetry axis of the arrangement position of the electrodes does not necessarily have to be parallel to the side of the circuit element built-in substrate, and may be tilted from the side of the circuit element built-in substrate.

図15は、DC−DCコンバータの構成の一例を示す分解斜視図である。図15に示すDC−DCコンバータは、辺から傾いた対称軸Zに対称な位置に電極が配置されている多層基板10cを用いたDC−DCコンバータモジュール3を、マザー基板MBに実装して構成される。   FIG. 15 is an exploded perspective view showing an example of the configuration of the DC-DC converter. The DC-DC converter shown in FIG. 15 is configured by mounting on a mother substrate MB a DC-DC converter module 3 using a multilayer substrate 10c whose electrodes are arranged at symmetrical positions with respect to a symmetry axis Z inclined from the side. Be done.

図15では、図5での表記法を用いて、多層基板10cの第1主面での実装で用いられる端子の符号に続けて、第2主面での実装で用いられる端子の符号をかっこ書きで示している。図15に示す電極の符号から、多層基板10cもまた、前述の多層基板10、10aと同様に表裏の区別なく使用できることが分かる。なお、図15のDC−DCコンバータは、電極の種類の一致から、実施の形態1で説明したDC−DCコンバータと同じものである。   In FIG. 15, following the reference numerals of the terminals used in the mounting on the first main surface of the multilayer substrate 10c, the reference numerals of the terminals used in the mounting on the second main surface are parenthesized using the notation in FIG. It shows in writing. It can be understood from the reference numerals of the electrodes shown in FIG. 15 that the multilayer substrate 10c can also be used without distinction between the front and back as in the case of the multilayer substrates 10 and 10a described above. The DC-DC converter shown in FIG. 15 is the same as the DC-DC converter described in the first embodiment because of the agreement of the types of electrodes.

また、例えば、回路素子内蔵基板の外形(上面視、下面視での輪郭)を電極と同様の線対称形状とすることは必ずしも必要ではない。回路素子内蔵基板の外形が線対称形状でなくとも、電極の配置位置について実施の形態での説明が満たされていれば、回路素子内蔵基板を表裏の区別なく使用することはできる。ただし、回路素子内蔵基板の外形が線対称形状であれば、回路素子内蔵基板の外形が占める領域のマージンを最小限にできるため、より好ましい。   Moreover, for example, it is not always necessary to make the external shape (contour in top view and bottom view) of the circuit element built-in substrate into the same line symmetrical shape as the electrode. Even if the outer shape of the circuit element built-in substrate is not axisymmetric, the circuit element built-in substrate can be used without distinction between the front and back, as long as the description of the embodiment regarding the arrangement position of the electrodes is satisfied. However, if the outer shape of the circuit element built-in substrate is axisymmetrical, the margin of the area occupied by the outer shape of the circuit element built-in substrate can be minimized, which is more preferable.

また、例えば、回路素子内蔵基板の第1主面及び第2主面のそれぞれに、面内での回転方向を特定できる方向マークを設けてもよい。例えば、電極の配置位置に2以上の対称軸がある場合、このような方向マークがあれば回路素子内蔵基板の面内での方向を特定するために役立つ。   Further, for example, direction marks capable of specifying the rotation direction in the plane may be provided on each of the first main surface and the second main surface of the circuit element built-in substrate. For example, when there are two or more symmetry axes in the arrangement position of the electrodes, such direction marks serve to specify the direction in the plane of the circuit element built-in substrate.

また、例えば、回路素子内蔵基板の第1主面及び第2主面には、線対称位置にない電極をさらに設けてもよい。   Further, for example, electrodes not located in line symmetry may be further provided on the first main surface and the second main surface of the circuit element built-in substrate.

図16は、線対称位置にない電極を有する多層基板10dの電極配置の一例を示す斜視図である。図16の多層基板10dは、変形例に係る回路素子内蔵基板の一例であり、図3の多層基板10を対称軸Xの直交方向に延長してなる。回路素子内蔵基板10dの第1主面(図16での上面)の延長部分には、配置が線対称ではない電極P11〜P14と、方向マークPmとが設けられている。また、回路素子内蔵基板10dの第2主面(図16での下面)には、電極P11〜P14、及び方向マークPmの対向位置に、電極Q11〜Q14と、方向マークQmとが設けられている。電極P11〜P14の各々は、電極Q11〜Q14のうちの対向する1つの電極と接続されている。   FIG. 16 is a perspective view showing an example of the electrode arrangement of the multilayer substrate 10d having electrodes which are not in line symmetry positions. A multilayer substrate 10d of FIG. 16 is an example of a circuit element built-in substrate according to a modification, and is formed by extending the multilayer substrate 10 of FIG. 3 in the direction orthogonal to the symmetry axis X. Electrodes P11 to P14 whose arrangement is not line symmetrical and a direction mark Pm are provided in an extended portion of the first main surface (upper surface in FIG. 16) of the circuit element built-in substrate 10d. Further, electrodes Q11 to Q14 and a direction mark Qm are provided on the second main surface (the lower surface in FIG. 16) of the circuit element built-in substrate 10d at the opposing position of the electrodes P11 to P14 and the direction mark Pm. There is. Each of the electrodes P11 to P14 is connected to an opposing one of the electrodes Q11 to Q14.

図17は、回路素子内蔵基板10dの電極配置の一例を示す斜視図である。図17は、図16の回路素子内蔵基板10dを裏返して示している。   FIG. 17 is a perspective view showing an example of the electrode arrangement of the circuit element built-in substrate 10d. FIG. 17 shows the circuit element built-in substrate 10d of FIG. 16 upside down.

回路素子内蔵基板10dは、例えば、複数種類のICチップやマザー基板のうち、表裏に応じたマザー基板やICチップと接続されることで、複数種類の応用装置(例えばDC−DCコンバータ)を構成してもよい。その場合、電極P1〜P5、Q1〜Q5はマザー基板やICチップの種類に依存せずに使用され、電極P11〜P14、Q11〜Q14はマザー基板やICチップの種類に依存して選択的に使用されてもよい。   The circuit element built-in substrate 10d is connected to a mother substrate or an IC chip corresponding to the front and back among a plurality of types of IC chips or mother substrates, for example, to configure a plurality of types of application devices (for example, DC-DC converter) You may In that case, the electrodes P1 to P5 and Q1 to Q5 are used independently of the type of the mother substrate or IC chip, and the electrodes P11 to P14 and Q11 to Q14 are selectively selected depending on the type of the mother substrate or IC chip It may be used.

多層基板10dの表裏を使い分けることで、複数種類の応用装置を1種類の部品(つまり、多層基板10d)を用いて製造することができ、部品の共通化によるコストメリットが得られる。   By selectively using the front and back of the multilayer substrate 10d, a plurality of types of application devices can be manufactured using one type of component (that is, the multilayer substrate 10d), and the cost merit due to the common use of components can be obtained.

また、例えば、上記の実施の形態では、回路素子内蔵基板に内蔵される無極性の2端子素子としてコイルを例示したが、前記2端子素子は、インダクタンス素子、キャパシタンス素子、抵抗素子の何れかであってもよい。インダクタンス素子としては、上記のようなコイルであってもよいが、ミアンダ線であってもよい。また、抵抗素子としては、バリスタ(電圧非直線性抵抗)やスパークギャップ方式のESD保護素子等であってもよい。また、集中定数型回路素子に限定されるものでもなく、ストリップ線路やマイクロストリップ線路のような分布定数型回路素子であってもよい。また、面内導体や層間導体で構成されたパターン素子の他、チップ部品であってもよい。この構成によれば、前記2端子素子として、一般的な電子機器での使用頻度が比較的高い部品を前記回路素子内蔵基板に内蔵することができる。   Also, for example, in the above embodiment, the coil is illustrated as the nonpolar two-terminal element built in the circuit element built-in substrate, but the two-terminal element is any of an inductance element, a capacitance element, and a resistance element. It may be. The inductance element may be a coil as described above or may be a meander line. In addition, as the resistance element, a varistor (voltage non-linear resistance), a spark gap type ESD protection element, or the like may be used. Further, the present invention is not limited to the lumped constant circuit element, and may be a distributed constant type circuit element such as a strip line or a microstrip line. In addition to the pattern element formed of the in-plane conductor and the interlayer conductor, a chip part may be used. According to this configuration, it is possible to incorporate, as the two-terminal element, components relatively frequently used in general electronic devices in the circuit element built-in substrate.

また、例えば、上記の実施の形態では、基板として複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板を例示したが、複数の樹脂層を積層してなる樹脂多層基板であってもよいし、セラミックや樹脂の単層基板であってもよい。   Further, for example, in the above embodiment, the ceramic multilayer substrate formed by laminating a plurality of ceramic layers is exemplified as a substrate, but a resin multilayer substrate formed by laminating a plurality of resin layers may be used, or ceramic Or a single layer substrate of resin.

また、例えば、上記の実施の形態では、降圧動作を行うICチップを例示したが、ICチップは、降圧動作を行うものには限られず、第1コイル端子と第2コイル端子とを有していれば、昇圧動作を行うものであっても、昇降圧動作を行うものであってもよい。   Further, for example, in the above embodiment, although the IC chip performing the step-down operation is illustrated, the IC chip is not limited to one performing the step-down operation, and has a first coil terminal and a second coil terminal. In this case, either the step-up operation or the step-up / step-down operation may be performed.

本発明は、例えば、コイルを内蔵したセラミック多層基板、及び当該セラミック多層基板を用いた超小型のDC−DCコンバータとして、携帯情報端末やデジタルカメラなどの電子機器に広く利用できる。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be widely used for electronic devices such as portable information terminals and digital cameras as ceramic multilayer substrates incorporating coils and ultra-small DC-DC converters using the ceramic multilayer substrates.

1、2、3、4 DC−DCコンバータ
10、10a、10b、10c、10d 多層基板
11 非磁性体層
12、121〜126 磁性体層
15 非磁性体層
16 転写シート
17 第2電極
18 第1電極
19 面内導体
20 層間導体
31、35 コイル
32、32b、36 ICチップ
33、34 チップコンデンサ
1, 2, 3, 4 DC-DC converter 10, 10a, 10b, 10c, 10d Multilayer substrate 11 nonmagnetic layer 12, 121 to 126 magnetic layer 15 nonmagnetic layer 16 transfer sheet 17 second electrode 18 first Electrode 19 In-plane conductor 20 Layer conductor 31, 35 coil 32, 32b, 36 IC chip 33, 34 chip capacitor

Claims (8)

基板の第1主面上の線対称位置に設けられた3以上の第1電極と、前記基板の第2主面上の前記第1電極の各々の対向位置に設けられた第2電極と、
前記第1電極の各々と当該第1電極の対向位置にある第2電極とを接続する第1導体と、
前記基板内に形成され、第1端及び第2端が前記第1電極のうち線対称位置にある一方第1電極及び他方第1電極にそれぞれ接続されている無極性の2端子素子と、
前記第1電極のうち線対称位置にありかつ前記2端子素子が接続されていない複数の第1電極同士を接続する第2導体と、
を備える回路素子内蔵基板。
Three or more first electrodes provided at line symmetrical positions on the first main surface of the substrate; and second electrodes provided at opposing positions of the first electrodes on the second main surface of the substrate;
A first conductor connecting each of the first electrodes to a second electrode at a position opposite to the first electrodes;
A non-polar two-terminal element which is formed in the substrate and whose first end and second end are respectively connected to the first electrode and the other first electrode which are in line symmetry positions of the first electrodes;
A second conductor for connecting a plurality of first electrodes which are in line symmetry among the first electrodes and to which the two-terminal element is not connected;
A circuit element built-in substrate comprising:
前記2端子素子は、インダクタンス素子、キャパシタンス素子、及び抵抗素子の何れかである、
請求項に記載の回路素子内蔵基板。
The two-terminal element is any one of an inductance element, a capacitance element, and a resistance element.
The circuit element built-in substrate according to claim 1 .
基板の第1主面上の線対称位置に設けられた一方第1電極及び他方第1電極と、
前記基板の第2主面上の前記一方第1電極の対向位置及び前記他方第1電極の対向位置にそれぞれ設けられた一方第2電極及び他方第2電極と、
前記基板内に形成されたインダクタンス素子と、を備え、
前記インダクタンス素子の第1端は、前記一方第1電極と前記一方第2電極とに接続され、前記インダクタンス素子の第2端は、前記他方第1電極に接続され、前記インダクタンス素子の前記第1端と第2端との間の中間点は、前記他方第2電極に接続されている、
回路素子内蔵基板。
A first electrode and a second electrode provided at line symmetrical positions on the first main surface of the substrate;
A second electrode and a second electrode provided on the second main surface of the substrate at the facing position of the first electrode and the facing position of the second electrode, respectively;
And an inductance element formed in the substrate.
The first end of the inductance element is connected to the one first electrode and the one second electrode, and the second end of the inductance element is connected to the other first electrode, and the first end of the inductance element is connected to the other end. An intermediate point between the end and the second end is connected to the other second electrode,
Circuit element built-in board.
前記基板の前記第1主面上及び前記第2主面上の少なくとも一方に、線対称位置にない電極が、さらに設けられている、
請求項1からの何れか1項に記載の回路素子内蔵基板。
An electrode not in line symmetry position is further provided on at least one of the first main surface and the second main surface of the substrate.
The circuit element built-in substrate according to any one of claims 1 to 3 .
前記基板の前記第1主面上及び前記第2主面上に設けられた全ての電極が、線対称位置に配置されている、
請求項1からの何れか1項に記載の回路素子内蔵基板。
All the electrodes provided on the first main surface and the second main surface of the substrate are disposed at line symmetrical positions.
The circuit element built-in substrate according to any one of claims 1 to 3 .
基板の第1主面上の線対称位置に設けられた3以上の第1電極と、前記基板の第2主面上の前記第1電極の各々の対向位置に設けられた第2電極と、前記第1電極の各々と当該第1電極の対向位置にある第2電極とを接続する導体と、前記基板内に形成され、第1端及び第2端が前記第1電極のうち線対称位置にある一方第1電極及び他方第1電極にそれぞれ接続されているインダクタンス素子とを有する回路素子内蔵基板と、
前記インダクタンス素子に接続される第1コイル端子及び第2コイル端子を有し、前記回路素子内蔵基板の前記第1主面及び前記第2主面のうち何れか一方に実装されているICチップと、を備え、
前記回路素子内蔵基板の前記一方第1電極及び前記他方第1電極を第1コイル電極及び第2コイル電極とし、前記第1コイル電極及び前記第2コイル電極にそれぞれ対向する前記第2電極を第3コイル電極及び第4コイル電極とするとき、
前記ICチップが前記第1主面に実装され、前記ICチップの前記第1コイル端子及び前記第2コイル端子が、前記第1コイル電極及び前記第2コイル電極にそれぞれ接続されているか、又は、
前記ICチップが前記第2主面に実装され、前記ICチップの前記第1コイル端子及び前記第2コイル端子が、前記第4コイル電極及び前記第3コイル電極にそれぞれ接続されている、
DC−DCコンバータモジュール。
Three or more first electrodes provided at line symmetrical positions on the first main surface of the substrate; and second electrodes provided at opposing positions of the first electrodes on the second main surface of the substrate; A conductor for connecting each of the first electrodes to a second electrode at a position opposite to the first electrodes, and a conductor formed in the substrate, the first end and the second end being in line symmetry positions of the first electrodes A circuit element built-in substrate having an inductance element respectively connected to the first electrode and the other first electrode.
An IC chip having a first coil terminal and a second coil terminal connected to the inductance element and mounted on any one of the first main surface and the second main surface of the circuit element built-in substrate; , And
The one first electrode and the other first electrode of the circuit element built-in substrate are used as a first coil electrode and a second coil electrode, and the second electrode opposed to the first coil electrode and the second coil electrode is When using 3 coil electrode and 4th coil electrode,
The IC chip is mounted on the first main surface, and the first coil terminal and the second coil terminal of the IC chip are respectively connected to the first coil electrode and the second coil electrode, or
The IC chip is mounted on the second main surface, and the first coil terminal and the second coil terminal of the IC chip are connected to the fourth coil electrode and the third coil electrode, respectively.
DC-DC converter module.
さらに、前記第1主面及び前記第2主面のうち前記一方に実装されている第1チップコンデンサ及び第2チップコンデンサを備え、
前記第1電極のうち、線対称位置にある2つの第1電極のそれぞれを第1コンデンサ電極及び第2コンデンサ電極とし、線対称位置にある他の2つの第1電極のそれぞれを第3コンデンサ電極及び第4コンデンサ電極とし、前記第1コンデンサ電極、第2コンデンサ電極、第3コンデンサ電極、第4コンデンサ電極にそれぞれ対向する第2電極を、第5コンデンサ電極、第6コンデンサ電極、第7コンデンサ電極、第8コンデンサ電極とするとき、
前記第1チップコンデンサ及び第2チップコンデンサが前記第1主面に実装され、前記第1チップコンデンサの第1端及び第2端が前記第1コンデンサ電極及び第3コンデンサ電極にそれぞれ接続され、第2チップコンデンサの第1端及び第2端が前記第2コンデンサ電極及び第4コンデンサ電極にそれぞれ接続されているか、又は、
前記第1チップコンデンサ及び第2チップコンデンサが前記第2主面に実装され、前記第1チップコンデンサの前記第1端及び前記第2端が前記第6コンデンサ電極及び第8コンデンサ電極にそれぞれ接続され、第2チップコンデンサの前記第1端及び前記第2端が前記第5コンデンサ電極及び第7コンデンサ電極にそれぞれ接続されている、
請求項に記載のDC−DCコンバータモジュール。
And a first chip capacitor and a second chip capacitor mounted on the one of the first main surface and the second main surface,
Of the first electrodes, each of two first electrodes in line symmetry positions is a first capacitor electrode and a second capacitor electrode, and each of other two first electrodes in line symmetry positions is a third capacitor electrode And a fourth capacitor electrode, and a second electrode facing the first capacitor electrode, the second capacitor electrode, the third capacitor electrode, and the fourth capacitor electrode respectively, the fifth capacitor electrode, the sixth capacitor electrode, and the seventh capacitor electrode , And the eighth capacitor electrode,
The first chip capacitor and the second chip capacitor are mounted on the first main surface, and the first end and the second end of the first chip capacitor are respectively connected to the first capacitor electrode and the third capacitor electrode, The first end and the second end of the two-chip capacitor are respectively connected to the second capacitor electrode and the fourth capacitor electrode, or
The first chip capacitor and the second chip capacitor are mounted on the second main surface, and the first end and the second end of the first chip capacitor are respectively connected to the sixth capacitor electrode and the eighth capacitor electrode. The first end and the second end of the second chip capacitor are respectively connected to the fifth capacitor electrode and the seventh capacitor electrode;
The DC-DC converter module according to claim 6 .
基板の第1主面上の線対称位置に設けられた3以上の第1電極と、前記基板の第2主面上の前記第1電極の各々の対向位置に設けられた第2電極と、前記基板内に形成され、第1端及び第2端が前記第1電極のうち線対称位置にある一方第1電極及び他方第1電極にそれぞれ接続されているインダクタンス素子とを有し、前記一方第1電極と前記一方第1電極の対向位置にある第2電極とが接続され、かつ前記インダクタンス素子の中間点と前記他方第1電極の対向位置にある第2電極とが接続されている回路素子内蔵基板と、
前記インダクタンス素子に接続される第1コイル端子及び第2コイル端子を有し、前記回路素子内蔵基板の前記第1主面及び前記第2主面のうち何れか一方に実装されているICチップと、を備え、
前記回路素子内蔵基板の前記一方第1電極及び前記他方第1電極を第1コイル電極及び第2コイル電極とし、前記第1コイル電極及び前記第2コイル電極にそれぞれ対向する前記第2電極を第3コイル電極及び第4コイル電極とするとき、
前記ICチップが前記第1主面に実装され、前記ICチップの前記第1コイル端子及び前記第2コイル端子が、前記第1コイル電極及び前記第2コイル電極にそれぞれ接続されているか、又は、
前記ICチップが前記第2主面に実装され、前記ICチップの前記第1コイル端子及び前記第2コイル端子が、前記第4コイル電極及び前記第3コイル電極にそれぞれ接続されている、
DC−DCコンバータモジュール。
Three or more first electrodes provided at line symmetrical positions on the first main surface of the substrate; and second electrodes provided at opposing positions of the first electrodes on the second main surface of the substrate; And an inductance element formed in the substrate, the first end and the second end being connected to the one first electrode and the other one first electrode of the first electrodes in line symmetry positions, A circuit in which a first electrode and a second electrode at a position opposite to the one first electrode are connected, and a middle point of the inductance element and a second electrode at a position opposite to the other first electrode are connected Element built-in substrate,
An IC chip having a first coil terminal and a second coil terminal connected to the inductance element and mounted on any one of the first main surface and the second main surface of the circuit element built-in substrate; , And
The one first electrode and the other first electrode of the circuit element built-in substrate are used as a first coil electrode and a second coil electrode, and the second electrode opposed to the first coil electrode and the second coil electrode is When using 3 coil electrode and 4th coil electrode,
The IC chip is mounted on the first main surface, and the first coil terminal and the second coil terminal of the IC chip are respectively connected to the first coil electrode and the second coil electrode, or
The IC chip is mounted on the second main surface, and the first coil terminal and the second coil terminal of the IC chip are connected to the fourth coil electrode and the third coil electrode, respectively.
DC-DC converter module.
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