Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP6529035B2 - Etching resist composition for printing, method of forming resist film, and method of manufacturing substrate having metal layer pattern - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP6529035B2 - Etching resist composition for printing, method of forming resist film, and method of manufacturing substrate having metal layer pattern - Google Patents

Etching resist composition for printing, method of forming resist film, and method of manufacturing substrate having metal layer pattern Download PDF

Info

Publication number
JP6529035B2
JP6529035B2 JP2015212769A JP2015212769A JP6529035B2 JP 6529035 B2 JP6529035 B2 JP 6529035B2 JP 2015212769 A JP2015212769 A JP 2015212769A JP 2015212769 A JP2015212769 A JP 2015212769A JP 6529035 B2 JP6529035 B2 JP 6529035B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
printing
resist composition
etching
metal layer
ether
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015212769A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2017084996A (en
Inventor
賢午 大西
賢午 大西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kansai Paint Co Ltd
Original Assignee
Kansai Paint Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kansai Paint Co Ltd filed Critical Kansai Paint Co Ltd
Priority to JP2015212769A priority Critical patent/JP6529035B2/en
Publication of JP2017084996A publication Critical patent/JP2017084996A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6529035B2 publication Critical patent/JP6529035B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Printing Methods (AREA)

Description

本発明は、特にスクリーン印刷用途に有用な印刷用エッチングレジスト組成物、レジスト膜形成方法及び金属層パターンを有する基材の製造方法に関する。   The present invention relates to a printing etching resist composition particularly useful for screen printing applications, a method for forming a resist film, and a method for producing a substrate having a metal layer pattern.

レジスト組成物は、タッチパネル、電子ペーパー及び各種電子部品に用いられる回路、電極等のパターンの形成のために使用される。レジスト組成物の主な要求性能は、被膜形成後の基板をエッチング加工する際にエッチング液耐性が高いこと、微細加工の面においてはパターン解像性が高いことやLER(Line edge roughness)が低いこと等の印刷性が挙げられる。近年、これらのレジスト組成物を適用する電子デバイス用の回路基板は、薄型化、軽量化、フレキシブル化がますます進んでいる。このようなフレキシブル基板はエッチング等の加工過程の衝撃等の影響を受けやすく、この衝撃により組成物が剥離し、繊細なパターンが形成されない場合があり、上記印刷性に加えて、基材への追従性を有するレジスト組成物が所望されている。   The resist composition is used to form patterns of circuits, electrodes and the like used in touch panels, electronic papers and various electronic components. The main required performance of the resist composition is that the etchant resistance is high when etching the substrate after film formation, and that the pattern resolution is high and the LER (Line Edge Roughness) is low in terms of fine processing Printability such as In recent years, circuit boards for electronic devices to which these resist compositions are applied are becoming increasingly thinner, lighter and more flexible. Such a flexible substrate is susceptible to an impact or the like in a processing process such as etching, and the composition may be peeled off due to this impact, and a delicate pattern may not be formed. Resist compositions having conformability are desired.

レジスト組成物を用いたパターン形成方法は、印刷性の点から現在フォトレジスト法が主流である。例えば特許文献1には、基板上に感光性樹脂膜を形成した後、この感光性樹脂膜を部分露光により硬化した後、未露光部を現像工程により除去(エッチング)するものであり、これにより微細パターンを形成することができる。しかしながら、この方法では、レジスト膜を形成するために、組成物に対するマスクの配置、露光及び現像の各工程が必須であり作業が複雑である。   From the point of printability, the photoresist method is the mainstream of the pattern formation method using the resist composition. For example, in Patent Document 1, after a photosensitive resin film is formed on a substrate, the photosensitive resin film is cured by partial exposure, and then the unexposed area is removed (etched) by a development step. A fine pattern can be formed. However, in this method, in order to form a resist film, steps of placement of a mask with respect to the composition, exposure and development are essential and work is complicated.

一方、従来から知られている印刷インキ組成物として、ロジン変性フェノール樹脂、ロジンエステル樹脂、マレイン酸樹脂、石油系樹脂、アルキッド樹脂等を樹脂ワニスとして使用したもの等が挙げられるが、これらをレジスト組成物として使用しても、エッチング工程において印刷膜が全面または一部剥離したりするので、繊細なパターンが形成されない場合があった。   On the other hand, examples of conventionally known printing ink compositions include those using a rosin modified phenolic resin, rosin ester resin, maleic acid resin, petroleum resin, alkyd resin, etc. as a resin varnish, etc. Even when used as a composition, a delicate pattern may not be formed because the printed film peels entirely or partially in the etching step.

そこで、本出願人は、特許文献2において、フェノール樹脂を主成分とし、さらに増粘剤を含有してなる印刷インキ用レジスト組成物を開示した。この組成物では露光、及び現像の各工程が不要なため工程が簡単であり、熱乾燥でエッチング液耐性に優れる被膜が得られ、酸等を用いてエッチングが可能である。しかしながら、フレキシブル基板の回路形成用に使用すると、スプレーエッチング等の外部からの衝撃により形成した被膜にワレや剥離が生じる場合があった。さらに、上記レジスト組成物は印刷性の向上が求められている。   Therefore, the present applicant has disclosed in Patent Document 2 a resist composition for a printing ink which is mainly composed of a phenol resin and further contains a thickener. In this composition, each process of exposure and development is unnecessary, so the process is simple, a film excellent in etchant resistance is obtained by heat drying, and etching is possible using an acid or the like. However, when used for forming a circuit of a flexible substrate, there have been cases in which cracks or peeling may occur in a film formed by external impact such as spray etching. Furthermore, the said resist composition is calculated | required by the improvement of printability.

特開2008−145707号公報JP 2008-145707 A 特開2004−260143号公報JP, 2004-260143, A

本発明の目的は、露光及び現像の各工程なしに、印刷性及び基材への追従性に優れる被膜を形成し得る印刷用エッチングレジスト組成物、レジスト膜形成方法及び金属層パターンを有する基材の製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an etching resist composition for printing, a method for forming a resist film, and a substrate having a metal layer pattern capable of forming a film excellent in printability and followability to a substrate without each step of exposure and development. It is to provide a manufacturing method of

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、フェノール樹脂、特定範囲のガラス転移温度を有するアクリル樹脂及び平均一次粒子径が特定範囲のシリカ微粒子を含有する、比重が1.0以上の印刷用エッチングレジスト組成物を用いることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。   MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining in order to solve the said subject, the present inventors contain the phenol resin, the acrylic resin which has a glass transition temperature of a specific range, and the silica particle of an average primary particle diameter a specific range. The inventors have found that the above-mentioned problems can be solved by using an etching resist composition for printing of 0 or more, and the present invention has been completed.

即ち、本発明は、下記の態様を包含する。   That is, the present invention includes the following aspects.

項1.(A)フェノール樹脂、(B)ガラス転移温度が−30〜50℃の範囲内であるアクリル樹脂及び(C)平均一次粒子径が1〜100nmのシリカ微粒子を含有する、組成物の比重が1.0以上である印刷用エッチングレジスト組成物。   Item 1. (A) Phenolic resin, (B) Acrylic resin whose glass transition temperature is in the range of -30 to 50 ° C, and (C) silica particles having an average primary particle diameter of 1 to 100 nm, the specific gravity of the composition is 1 The etching resist composition for printing which is more than 0.

項2.前記フェノール樹脂(A)及び前記アクリル樹脂(B)の合計固形分を基準として、前記フェノール樹脂(A)の含有量は、30〜95質量%、前記アクリル樹脂(B)の含有量は、5〜70質量%、シリカ微粒子(C)の含有量は、1〜50質量%である項1に記載の印刷用エッチングレジスト組成物。   Item 2. The content of the phenolic resin (A) is 30 to 95% by mass, and the content of the acrylic resin (B) is 5 based on the total solid content of the phenolic resin (A) and the acrylic resin (B). The etching resist composition for printing according to Item 1, wherein the content of the fine particles (C) is 70% by mass and the content of the fine silica particles (C) is 1% by mass.

項3.さらに、(D)水酸基含有有機溶剤を含有し、該成分(D)は沸点が190℃以上の水酸基有機溶剤を含む請求項1に記載の印刷用エッチングレジスト組成物。   Item 3. The printing resist according to claim 1, further comprising (D) a hydroxyl group-containing organic solvent, wherein the component (D) contains a hydroxyl group organic solvent having a boiling point of 190 ° C. or higher.

項4.さらに、比重が2.5以上の無機微粒子(F)を含む項1〜3のいずれか1項に記載の印刷用エッチングレジスト組成物。   Item 4. The etching resist composition for printing according to any one of Items 1 to 3, further comprising inorganic fine particles (F) having a specific gravity of 2.5 or more.

項5.さらに、非シリコーン消泡剤(G)を含有する項1〜4のいずれか1項に記載の印刷用エッチングレジスト組成物。   Item 5. Item 5. The etching resist composition for printing according to any one of Items 1 to 4, further comprising a non-silicone antifoaming agent (G).

項6.表面に金属層を有する基材の表面に、項1〜5のいずれか1項に記載の印刷用エッチングレジスト組成物を用いてスクリーン印刷を行い、所望パターンのレジスト膜を形成する工程を含むレジスト膜形成方法。   Item 6. The resist including the process of screen-printing on the surface of the base material which has a metal layer on the surface using the etching resist composition for printing of any one of claim 1-5, and forming a resist film of a desired pattern Film formation method.

項7.(1)表面に金属層を有する基材の金属層側に、項1〜5のいずれか1項に記載の印刷用エッチングレジスト組成物を用いてスクリーン印刷を行い、所望のレジスト膜を形成する工程、
(2)前記レジスト膜が形成されていない部分の金属層をエッチング液により除去する工程、及び
(3)前記工程(2)の後に、剥離液を用いて前記レジスト膜を除去する工程を含む金属層パターンを有する基材の製造方法。
Item 7. (1) On the metal layer side of the substrate having a metal layer on the surface, screen printing is performed using the etching resist composition for printing according to any one of items 1 to 5 to form a desired resist film Process,
(2) removing the metal layer in a portion where the resist film is not formed with an etching solution, and (3) removing the resist film using a stripping solution after the step (2). The manufacturing method of the base material which has a layer pattern.

本発明の印刷用エッチングレジスト組成物は、スクリーン印刷により所望のパターンで基材に直接的に塗布され、印刷性に優れるだけでなく、基材追従性及び耐ワレ性にも優れた被膜を熱乾燥によって形成できる。塗布されたレジスト組成物はエッチング中に剥離が生じることなく基材をエッチング液から良好に保護し、エッチング終了後は剥離液により速やかに剥離して所望の金属層パターンを有する基板を製造することができる。また、本発明のレジスト組成物は、熱乾燥によっても印刷性及びエッチング液に十分に耐えうる被膜を形成し得ることができることから、露光及び現像の各工程がなく、工程短縮ができるという効果を奏する。   The etching resist composition for printing of the present invention is directly applied to a substrate in a desired pattern by screen printing, and is excellent not only in printability, but also in heat resistance of a film excellent in substrate followability and warpage resistance. It can be formed by drying. The coated resist composition well protects the substrate from the etching solution without peeling during etching, and rapidly peels off by the peeling solution after the etching is completed to produce a substrate having a desired metal layer pattern. Can. In addition, the resist composition of the present invention can form a film that can sufficiently withstand printability and etching solution even by heat drying, so there is no effect of each process of exposure and development, and the process can be shortened. Play.

印刷用エッチングレジスト組成物
本発明の印刷用エッチングレジスト組成物は、特にスクリーン印刷用途として好適な組成物であり、フェノール樹脂(A)、ガラス転移温度が−30〜50℃の範囲内であるアクリル樹脂(B)及び平均一次粒子径1〜100nmのシリカ微粒子(C)を含有する、組成物の比重が1.0以上である印刷用エッチングレジスト組成物である。
Etching resist composition for printing The etching resist composition for printing of the present invention is a composition particularly suitable for screen printing applications, and an acrylic resin having a phenol resin (A) and a glass transition temperature in the range of -30 to 50 ° C. It is an etching resist composition for printing which has a resin (B) and silica fine particles (C) having an average primary particle diameter of 1 to 100 nm and the specific gravity of the composition is 1.0 or more.

(A)フェノール樹脂
本発明の印刷用エッチングレジスト組成物は、フェノール樹脂(A)を含有する。
(A) Phenolic Resin The etching resist composition for printing of the present invention contains a phenolic resin (A).

フェノール樹脂(A)は、後述する剥離工程においてアルカリ剥離液に可溶な樹脂であれば特に限定されない。   The phenol resin (A) is not particularly limited as long as it is a resin that is soluble in the alkaline stripping solution in the stripping step described later.

本発明に用いるフェノール樹脂(A)としては、例えばノボラック型フェノール樹脂及びポリビニルフェノール樹脂のいずれも用いることができる。   As a phenol resin (A) used for this invention, both novolak-type phenol resin and polyvinyl phenol resin can be used, for example.

上記ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノール、m−クレゾール、o−クレゾール、p−クレゾール、2,5−キシレノール、3,5−キシレノール、レゾルシン、ピロガロール、ビスフェノール、ビスフェノール−A、トリスフェノール、o−エチルフェノール、m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、プロピルフェノール、n−ブチルフェノール、t−ブチルフェノール、1−ナフトール、2−ナフトール等の芳香族炭化水素類の少なくとも1種を、酸性触媒下、パラホルムアルデヒド、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、フルフラール等のアルデヒド類、及び、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類から選ばれた少なくとも1種のアルデヒド類又はケトン類と重縮合させたものが挙げられる。   Examples of the above novolak type phenol resin include phenol, m-cresol, o-cresol, p-cresol, 2,5-xylenol, 3,5-xylenol, resorcinol, pyrogallol, bisphenol, bisphenol-A, trisphenol, o -At least one aromatic hydrocarbon such as ethylphenol, m-ethylphenol, p-ethylphenol, propylphenol, n-butylphenol, t-butylphenol, 1-naphthol, 2-naphthol, etc. under acidic catalysis At least one selected from aldehydes such as formaldehyde, formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, benzaldehyde and furfural, and ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone Those engaged aldehydes or ketones and polycondensation can be mentioned.

ノボラック型フェノール樹脂の重量平均分子量は、好ましくは200〜200,000、さらに好ましくは300〜20,000の範囲内である。重量平均分子量が200未満であるとエッチング液耐性が悪化する恐れがあり、200,000を越えるとエッチング後のレジスト膜のアルカリ剥離液に対する溶解性が悪化する恐れがある。   The weight average molecular weight of the novolac type phenolic resin is preferably in the range of 200 to 200,000, more preferably 300 to 20,000. If the weight average molecular weight is less than 200, the resistance to the etching solution may be deteriorated, and if it exceeds 200,000, the solubility of the resist film after etching to the alkali stripping solution may be deteriorated.

上記ポリビニルフェノール樹脂としては、例えば、o−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、2−(o−ヒドロキシフェニル)プロピレン、2−(m−ヒドロキシフェニル)プロピレン、2−(p−ヒドロキシフェニル)プロピレン等のビニルフェノール化合物の1種又は2種以上の重合体が挙げられる。ビニルフェノール化合物は、芳香環に塩素、臭素、ヨウ素、フッ素等のハロゲンあるいは炭素数1〜4のアルキル置換基等の置換基を有していてもよいが、未置換のポリビニルフェノール樹脂が好ましい。   Examples of the polyvinyl phenol resin include o-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, 2- (o-hydroxyphenyl) propylene, 2- (m-hydroxyphenyl) propylene, 2- (p-hydroxy) The polymer of 1 type (s) or 2 or more types of vinylphenol compounds, such as phenyl) propylene, is mentioned. The vinylphenol compound may have a substituent such as halogen such as chlorine, bromine, iodine, or fluorine or an alkyl substituent having 1 to 4 carbon atoms on the aromatic ring, but an unsubstituted polyvinylphenol resin is preferable.

ポリビニルフェノール樹脂は、通常、前記ビニルフェノール化合物の1種又は2種以上を、ラジカル重合開始剤又はカチオン重合開始剤の存在下で重合することにより得られる。このポリビニルフェノール樹脂は、一部水素添加を行なったものでもよい。また、t−ブトキシカルボニル基、ピラニル基、フラニル基等でポリビニルフェノール類の一部のOH基を保護した樹脂でもよい。   The polyvinyl phenol resin is usually obtained by polymerizing one or more of the vinyl phenol compounds in the presence of a radical polymerization initiator or a cationic polymerization initiator. The polyvinyl phenol resin may be partially hydrogenated. Moreover, the resin which protected some OH groups of polyvinyl phenols by t-butoxycarbonyl group, pyranyl group, a furanyl group etc. may be sufficient.

ポリビニルフェノール樹脂の重量平均分子量は、好ましくは1,000〜100,000、特に好ましくは1,500〜50,000の範囲内である。重量平均分子量が1,000未満であるとエッチング液耐性が悪化する恐れがあり、10,0000を越えるとエッチング後のレジスト膜のアルカリ剥離液に対する溶解性に時間がかかったり、残渣が残ったりする場合がある。   The weight average molecular weight of the polyvinyl phenol resin is preferably in the range of 1,000 to 100,000, particularly preferably 1,500 to 50,000. If the weight average molecular weight is less than 1,000, the etchant resistance may be deteriorated, and if it exceeds 10,000, the solubility of the resist film after etching to the alkali stripping solution may take a long time, or residues may remain. There is a case.

上記フェノール樹脂(A)としては市販品を使用することができ、市販品としては、例えば、MER−7966、MER−7969、MER−7971、MER−7980(以上、明和化成株式会社製)、PR−HF−3、PR−50731(以上、住友ベークライト株式会社製)等が挙げられる。   A commercial item can be used as said phenol resin (A), As a commercial item, MER-7966, MER-7969, MER-7971, MER-7980 (above, Meiwa Kasei Co., Ltd. make), PR is mentioned, for example. -HF-3, PR-50731 (above, Sumitomo Bakelite Co., Ltd. make) etc. are mentioned.

なお、本明細書において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフ(GPC)を用いて測定した保持時間(保持容量)を、同一条件で測定した分子量既知の標準ポリスチレンの保持時間(保持容量)によりポリスチレンの分子量に換算して求めた値である。具体的には、ゲルパーミエーションクロマトグラフ装置として、「HLC−8120GPC」(商品名、東ソー社製)を使用し、カラムとして、「TSKgel G4000HXL」、「TSKgel G3000HXL」、「TSKgel G2500HXL」及び「TSKgel G2000HXL」(商品名、いずれも東ソー社製)の計4本を使用し、検出器として、示差屈折率計を使用し、移動相:テトラヒドロフラン、測定温度:40℃、流速:1mL/minの条件下で測定することができる。   In the present specification, weight-average molecular weight refers to the retention time (retention capacity) of standard polystyrene of known molecular weight, which is measured under the same conditions as retention time (retention capacity) measured using gel permeation chromatography (GPC) It is the value calculated by converting it into the molecular weight of polystyrene. Specifically, "HLC-8120GPC" (trade name, manufactured by Tosoh Corporation) is used as a gel permeation chromatograph apparatus, and "TSKgel G4000HXL", "TSKgel G3000HXL", "TSKgel G2500HXL" and "TSKgel" are used as columns. A total of four G2000HXL (trade names, all manufactured by Tosoh Corporation) are used, a differential refractometer is used as a detector, mobile phase: tetrahydrofuran, measurement temperature: 40 ° C., flow rate: 1 mL / min. It can be measured below.

(B)アクリル樹脂
本発明の印刷用エッチングレジスト組成物は、アクリル樹脂(B)を含有する。
(B) Acrylic Resin The etching resist composition for printing of the present invention contains an acrylic resin (B).

前記アクリル樹脂(B)は、作業工程の中での外部衝撃に伴う剥がれ保護(衝撃耐性)の点及び可とう性の点から、ガラス転移温度が−30〜50℃の範囲内であることを特徴とするものであり、さらに好ましくは−20〜40℃の範囲内が適している。ガラス転移温度が、−30℃を下回ると乾燥後の膜が柔らかくなりすぎてタック(粘着)が生じ、その後の取扱い作業に支障がでる場合がある。また50℃を超えると硬くなりすぎて可とう性が十分に発現しない場合がある。   The acrylic resin (B) has a glass transition temperature in the range of −30 to 50 ° C. in terms of peel protection (impact resistance) and flexibility in connection with external impact in the working process. It is characterized by the characteristics, and more preferably in the range of -20 to 40 ° C. When the glass transition temperature is lower than -30 ° C, the dried film becomes too soft and tackiness may occur, which may cause problems in subsequent handling operations. If the temperature is higher than 50 ° C., the resin may become too hard to exhibit flexibility sufficiently.

ここで、本明細書において、乾燥塗膜とは、JIS K 5600−1−1に規定された指触乾燥状態、すなわち、塗面の中央に指先で軽く触れて、指先が汚れない状態以上に乾燥した塗膜である。一方、タックが生じている塗膜とは、塗膜が上記指触乾燥状態に至っていない状態である。   Here, in the present specification, the dry coating film means a finger dry state defined in JIS K 5600-1-1, that is, a finger does not touch the center of the coating surface with a finger and the finger does not get dirty. It is a dried coating film. On the other hand, the coating film in which the tack has occurred is a state in which the coating film has not reached the above-described touch-dry state.

また、本明細書において、アクリル樹脂(B)のガラス転移温度Tgは、下記式により算出される値である。   Moreover, in the present specification, the glass transition temperature Tg of the acrylic resin (B) is a value calculated by the following equation.

1/Tg(K)=W1/T1+W2/T2+・・・Wn/Tn
Tg(℃)=Tg(K)−273
式中、W1、W2、・・・Wnは各モノマーの質量分率であり、T1、T2・・・Tnは各モノマーのホモポリマーのガラス転移温度Tg(K)である。
1 / Tg (K) = W1 / T1 + W2 / T2 +... Wn / Tn
Tg (° C.) = Tg (K) -273
In the formula, W1, W2, ... Wn are mass fractions of respective monomers, and T1, T2 ... Tn are glass transition temperatures Tg (K) of homopolymers of the respective monomers.

なお、各モノマーのホモポリマーのガラス転移温度は、POLYMER HANDBOOK Fourth Edition,J.Brandrup,E.h.Immergut,E.A.Grulke編(1999年)による値であり、該文献に記載されていないモノマーのガラス転移温度は、該モノマーのホモポリマーを重量平均分子量が50,000程度になるようにして合成したときの静的ガラス転移温度とする。   In addition, the glass transition temperature of the homopolymer of each monomer is described in POLYMER HANDBOOK Fourth Edition, J. Org. Brandrup, E. h. Immergut, E., et al. A. The glass transition temperature of a monomer which is a value according to Grulke (1999) and which is not described in the literature is static when a homopolymer of the monomer is synthesized to have a weight average molecular weight of about 50,000. Let it be the glass transition temperature.

該静的ガラス転移温度は、例えば示差走査熱量計「DSC−50Q型」(島津製作所製、商品名)を用いて、試料を測定カップにとり、真空吸引して完全に溶剤を除去した後、3℃/分の昇温速度で−100℃〜150℃の範囲で熱量変化を測定し、低温側における最初のベースラインからの変化点を静的ガラス転移温度とすることによって、測定することができる。   The static glass transition temperature is measured, for example, by taking a sample in a measuring cup using a differential scanning calorimeter “DSC-50Q type” (trade name of Shimadzu Corporation) and vacuum suctioning to completely remove the solvent. It can be measured by measuring the change in calorific value in the range of -100 ° C to 150 ° C at a heating rate of ° C / min and making the transition point from the initial baseline on the low temperature side a static glass transition temperature .

アクリル樹脂(B)は、従来から公知の種々の方法によって製造することができ、例えば、重合性不飽和モノマーを有機溶媒中での溶液重合法等により重合せしめることによって得ることができる。   The acrylic resin (B) can be produced by various methods conventionally known, and can be obtained, for example, by polymerizing a polymerizable unsaturated monomer by a solution polymerization method or the like in an organic solvent.

重合性不飽和モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸等のα,β−エチレン性不飽和酸;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸のエステル類;スチレン、(メタ)アクリロニトリル、(メタ)アクリルアミド等のその他の重合性不飽和モノマー等が挙げられる。   Examples of the polymerizable unsaturated monomer include, for example, α, β-ethylenically unsaturated acids such as acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, maleic acid and fumaric acid; methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl ( Esters of (meth) acrylic acid such as meta) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate And other polymerizable unsaturated monomers such as styrene, (meth) acrylonitrile, (meth) acrylamide and the like.

また、本明細書において、「(メタ)アクリレート」はアクリレート又はメタクリレートを意味する。「(メタ)アクリル酸」は、アクリル酸又はメタクリル酸を意味する。また、「(メタ)アクリロイル」は、アクリロイル又はメタクリロイルを意味する。また、「(メタ)アクリルアミド」は、アクリルアミド又はメタクリルアミドを意味する。   Also, as used herein, "(meth) acrylate" means acrylate or methacrylate. "(Meth) acrylic acid" means acrylic acid or methacrylic acid. Also, "(meth) acryloyl" means acryloyl or methacryloyl. Also, "(meth) acrylamide" means acrylamide or methacrylamide.

アクリル樹脂(B)は、アルカリ剥離性の点から、酸価を有していることが好ましい。   It is preferable that an acrylic resin (B) has an acid value from the point of alkaline peelability.

このような、酸価を有するアクリル樹脂(B)を得るために、共重合モノマー成分として、α,β−エチレン性不飽和酸を好適に使用できる。   In order to obtain such an acrylic resin (B) having an acid value, an α, β-ethylenically unsaturated acid can be suitably used as a copolymerizable monomer component.

α,β−エチレン性不飽和酸は、アクリル樹脂(B)の酸価が一般に10〜650mgKOH/gの範囲内になるような量で使用することができる。   The α, β-ethylenically unsaturated acid can be used in such an amount that the acid value of the acrylic resin (B) is generally in the range of 10 to 650 mg KOH / g.

また、アクリル樹脂の重量平均分子量及び酸価は、下記の範囲が特に好ましい。   The weight average molecular weight and the acid value of the acrylic resin are particularly preferably in the following ranges.

アクリル樹脂(B)の酸価は、エッチング液耐性及びアルカリ剥離性の点から、好ましくは100〜600mgKOH/g、さらに好ましくは120を超えて500mgKOH/g以下、特に好ましくは125〜300mgKOH/gの範囲内が適している。   The acid value of the acrylic resin (B) is preferably 100 to 600 mg KOH / g, more preferably more than 120 and 500 mg KOH / g or less, particularly preferably 125 to 300 mg KOH / g from the viewpoint of etching solution resistance and alkaline peelability. Within the range is suitable.

アクリル樹脂(B)の重量平均分子量は、エッチング液耐性、衝撃耐性及びアルカリ剥離性の点から、好ましくは3,000〜150,000、さらに好ましくは5,000〜100,000の範囲内が適している。重量平均分子量が3,000未満だと、エッチング液耐性及び衝撃耐性が不十分となる恐れがあり、150,000を越えるとアルカリ剥離液で剥離しにくくなる恐れがある。   The weight average molecular weight of the acrylic resin (B) is preferably in the range of 3,000 to 150,000, more preferably 5,000 to 100,000, from the viewpoint of etching solution resistance, impact resistance and alkali peelability. ing. If the weight average molecular weight is less than 3,000, the etching solution resistance and impact resistance may be insufficient, and if it exceeds 150,000, it may be difficult to peel off with the alkaline stripping solution.

(C)シリカ微粒子
本発明の印刷用エッチングレジスト組成物は、平均一次粒子径1〜100nmのシリカ微粒子(C)を含有する。
(C) Silica fine particles The etching resist composition for printing of the present invention contains silica fine particles (C) having an average primary particle diameter of 1 to 100 nm.

本発明に用いるシリカ微粒子(C)は、基材追従性、ワレ防止及び印刷性の点から平均一次粒子径が1〜100nmの範囲内のものを用いることを特徴とする。好ましくは2〜50nm、さらに好ましくは5〜20nmの範囲内が適している。平均一次粒子径が100nmより大きいと、解像性と印刷適正粘度を発現しなくなる恐れがあり好ましくない。また平均一次粒子径が1nmより小さいとレジスト組成物への分散性が悪くなる恐れがあり好ましくない。   The silica fine particles (C) used in the present invention are characterized in that those having an average primary particle diameter in the range of 1 to 100 nm are used from the viewpoints of substrate followability, cracking prevention and printability. Preferably in the range of 2 to 50 nm, more preferably 5 to 20 nm is suitable. When the average primary particle diameter is larger than 100 nm, there is a possibility that the resolution and the printing appropriate viscosity may not be developed, which is not preferable. If the average primary particle size is smaller than 1 nm, the dispersibility in the resist composition may be deteriorated, which is not preferable.

シリカ微粒子(C)としては、コロイダルシリカ微粒子、粉末状微粒子シリカ等が挙げられる。   Examples of the silica fine particles (C) include colloidal silica fine particles and powdery fine particle silica.

コロイダルシリカ微粒子は、シリカの超微粒子を分散媒に分散させたものである。   The colloidal silica fine particles are obtained by dispersing ultrafine particles of silica in a dispersion medium.

分散媒としては、水;メタノール、エタノール、イソプロパノール、n−プロパノール、イソブタノール、n−ブタノール等のアルコール系溶剤;エチレングリコール等の多価アルコール系溶剤;エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等の多価アルコール誘導体;メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジアセトンアルコール等のケトン系溶剤;2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート等のモノマーがある。なかでも、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール等が製造の容易さの点から好ましい。   As the dispersion medium, water; alcohol solvents such as methanol, ethanol, isopropanol, n-propanol, isobutanol and n-butanol; polyhydric alcohol solvents such as ethylene glycol; ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether and the like Derivatives thereof; ketone solvents such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and diacetone alcohol; and monomers such as 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate and tetrahydrofurfuryl acrylate. Among them, water, methanol, ethanol, isopropanol and the like are preferable from the viewpoint of easiness of production.

コロイダルシリカ微粒子としては、メタノールシリカゾル、IPA−ST、MEK−ST、NBA−ST、XBA−ST、DMAC−ST、PGM−ST、スノーテックス UP、スノーテックス OUP、スノーテックス 20、スノーテックス 40、スノーテックス 40−O、スノーテックス C、スノーテックス N、スノーテックス O、スノーテックス 50、スノーテックス OL(以上、商品名、日産化学工業社製)等が挙げられる。   As colloidal silica fine particles, methanol silica sol, IPA-ST, MEK-ST, NBA-ST, XBA-ST, DMAC-ST, PGM-ST, Snowtex UP, Snowtex OUP, Snowtex 20, Snowtex 40, Snow Tex 40-O, Snowtex C, Snowtex N, Snowtex O, Snowtex 50, Snowtex OL (trade names, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.), and the like.

粉末状微粒子シリカの市販品としては、アエロジル130、アエロジル300、アエロジル380、アエロジルTT600、アエロジルOX50(以上、商品名、日本アエロジル社製)、E220A、E220(以上、商品名、日本シリカ工業社製)、SYLYSIA470(以上、商品名、富士シリシア化学社製)等が挙げられる。   Commercial products of powdered fine particle silica include Aerosil 130, Aerosil 300, Aerosil 380, Aerosil TT600, Aerosil OX50 (all trade names, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.), E220A, E220 (trade names, manufactured by Nippon Silica Industries Co., Ltd.) And SYLYSIA 470 (trade names, manufactured by Fuji Silysia Chemical Ltd.) and the like.

これらのシリカ微粒子は、加水分解性シラン化合物や重合性シラン化合物等による処理がなされているものであってもよい。   These fine silica particles may be treated with a hydrolyzable silane compound, a polymerizable silane compound or the like.

加水分解性シラン化合物等で処理されたシリカ微粒子は、市販品を用いても良く、例えば、アエロジルR972、アエロジルR974、アエロジルR976、アエロジルR9200、アエロジルR976S、アエロジルRX50、アエロジルNAX50、アエロジルRX50、アエロジルNAX50、アエロジルNX90G、アエロジルEX200、アエロジルRX300、アエロジルR812、アエロジルR812S、アエロジルR200、アエロジルRY200、アエロジルRY200S、アエロジルRY300、NA50、アエロジルRA200H、アエロジルNA50Y、アエロジルRA200HS、アエロジルNA200Y、アエロジルR805、アエロジルR711、アエロジルR7200等が挙げられる。   Commercially available silica fine particles treated with hydrolyzable silane compounds and the like may be used. For example, Aerosil R972, Aerosil R974, Aerosil R976, Aerosil R9200, Aerosil R976S, Aerosil RX50, Aerosil NAX50, Aerosil RX50, Aerosil NAX50 Aerosil NX90G, Aerosil EX200, Aerosil RX300, Aerosil R812, Aerosil R812 S, Aerosil R200, Aerosil RY200, Aerosil RY200 S, Aerosil RY300, NA50, Aerosil RA200 H, Aerosil NA50 Y, Aerosil RA200 HS, Aerosil NA200 Y, Aero R 7107, Aero R 7 Etc.

なお、本発明におけるシリカ微粒子の平均一次粒子径は、シリカ微粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、電子顕微鏡写真上に無作為に引いた直線上にある微粒子シリカ20個の最大径を平均した値である。   The average primary particle diameter of the silica fine particles in the present invention is a value obtained by observing the silica fine particles with a scanning electron microscope and averaging the maximum diameters of 20 fine particle silicas on a straight line randomly drawn on an electron micrograph. It is.

本発明のレジスト組成物は、特定範囲の平均一次粒子径のシリカ微粒子を含有することにより、スクリーン印刷直後から乾燥するまでの間、組成物の粘性(擬塑性)を向上させ、被膜が広がらずに所望パターンを保持させることができることから、比較的顔料濃度を抑えることができる上、熱乾燥によって印刷性に優れる被膜を形成することができる。   The resist composition of the present invention improves the viscosity (pseudoplasticity) of the composition from immediately after screen printing to drying by containing silica fine particles having an average primary particle diameter in a specific range, and the film does not spread. Since the desired pattern can be retained, the pigment concentration can be relatively suppressed, and a film excellent in printability can be formed by heat drying.

(D)有機溶剤
本発明の印刷用エッチングレジスト組成物は、有機溶剤を含有してもよく、中でも水酸基含有有機溶剤を印刷性と印刷作業性の点から好適に使用できる。水酸基含有有機溶剤としては、1分子中の水酸基の数が1以上あるものであれば特に限定されないが、1分子中の水酸基の数が1個の水酸基含有有機溶剤(d1)と、2個以上の水酸基含有有機溶剤(d2)が挙げられる。
(D) Organic solvent The etching resist composition for printing of the present invention may contain an organic solvent, and among them, a hydroxyl group-containing organic solvent can be suitably used from the viewpoint of printability and printing workability. The hydroxyl group-containing organic solvent is not particularly limited as long as the number of hydroxyl groups in one molecule is 1 or more, but the number of hydroxyl groups in one molecule is one hydroxyl group-containing organic solvent (d1) and two or more And a hydroxyl group-containing organic solvent (d2).

水酸基含有有機溶剤(d1)としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノペンチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノシクロヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、エチレングリコールモノターシャリブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノペンチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノシクロヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノペンチルエーテル、トリエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノシクロヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノベンジルエーテル及びトリエチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールエーテル類;並びにプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノペンチルエーテル、プロピレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノシクロヘキシルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノペンチルエーテル、ジプロピレングリコールモノヘキシルエーテル、ジプロピレングリコールモノシクロヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノペンチルエーテル、トリプロピレングリコールモノヘキシルエーテル及びトリプロピレングリコールシモノクロヘキシルエーテル等のプロピレングリコールエーテル類;3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノール等が挙げられる。   As the hydroxyl group-containing organic solvent (d1), for example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monopentyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monocyclohexyl Ether, ethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol monobenzyl ether, ethylene glycol monoisobutyl ether, ethylene glycol monotert-butyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol Recall monopentyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, diethylene glycol monocyclohexyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol monobenzyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol Monopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monopentyl ether, triethylene glycol monohexyl ether, triethylene glycol monocyclohexyl ether, triethylene glycol monophenyl ether, triethylene glycol mo Ethylene glycol ethers such as benzyl ether and triethylene glycol monobutyl ether; and propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monopentyl ether, propylene glycol monohexyl ether, Propylene glycol monocyclohexyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monopentyl ether, dipropylene glycol monohexyl ether, dipropylene glycol Recall monocyclohexyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monoethyl ether, tripropylene glycol monopropyl ether, tripropylene glycol monobutyl ether, tripropylene glycol monopentyl ether, tripropylene glycol monohexyl ether and tripropylene glycol monochromic Propylene glycol ethers such as hexyl ether; 3-methoxy-3-methyl-1-butanol and the like.

水酸基含有有機溶剤(d2)としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、1,2−プロパンジオール、2−メチル−1,3−プロパンジオール、1,3−プロパンジオール、1,2−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、3−メチル−1,3−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、1,2−ペンタンジオール、1,5−ペンタンジオール、3−メチル−1,5−ペンタンジオール、1,2−ヘキサンジオール、1,6−ヘキサンジオール、オクタンジオール、1,4−ブチレンジオール、1,4−シクロヘキサンジメタノール、グリセリン及びトリメチロールプロパンが挙げられる。   As the hydroxyl group-containing organic solvent (d2), for example, ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, 1,2-propanediol, 2-methyl-1,3-propanediol, 1,3-propanediol, 1,2-propanediol Butanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 3-methyl-1,3-butanediol, neopentyl glycol, 1,2-pentanediol, 1,5-pentanediol, 3-methyl- 1,5-pentanediol, 1,2-hexanediol, 1,6-hexanediol, octanediol, 1,4-butylenediol, 1,4-cyclohexanedimethanol, glycerin and trimethylolpropane.

中でも、印刷性及び印刷作業性(粘度)の点から、1分子中の水酸基の数が1個の水酸基含有有機溶剤(d1)が好ましく、印刷性と印刷作業性の点から、沸点が190℃以上、さらに好ましくは195〜300℃の範囲内が適している。上記範囲は、レジスト膜の滲み出しを押さえ、かつ乾燥速度を適度に抑えて版が早く乾きすぎるのを防止することから、印刷作業性(特に連続印刷性)の点で適している。具体的には、特にエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールイソブチルエーテル、エチレングリコールターシャリブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールイソブチルエーテル及びトリエチレングリコールモノブチルエーテルが好ましい。   Among them, in view of printability and printability (viscosity), a hydroxyl group-containing organic solvent (d1) having one hydroxyl group in one molecule is preferable, and in view of printability and printability, the boiling point is 190 ° C. Above, more preferably in the range of 195 to 300 ° C. is suitable. The above range is suitable in terms of printing workability (particularly continuous printing), since it suppresses bleeding of the resist film and suppresses the drying speed appropriately to prevent the plate from drying too fast. Specifically, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol isobutyl ether, ethylene glycol tertiary butyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol isobutyl ether and triethylene glycol monobutyl ether are particularly preferable.

これらの水酸基含有有機溶剤は1種でも2種以上混合してもよい。   These hydroxyl group-containing organic solvents may be used alone or in combination of two or more.

(E)無機微粒子
本発明の印刷用エッチングレジスト組成物は、成分(C)以外の無機微粒子(E)を含有してもよい。
(E) Inorganic fine particles The etching resist composition for printing of the present invention may contain inorganic fine particles (E) other than the component (C).

無機微粒子(E)としては、特に限定されないが、ベリリウム、マグネシウム、亜鉛、カルシウム等の第II族金属元素、チタン、スズ、ジルコニウム、鉛等の第IV族金属元素、アンチモン、バナジウム等の第V族金属元素及びクロム、モリブデン、タングステン等の第VI族金属元素、及び鉄、コバルト、ニッケル等の第VIII族金属元素等の各種金属酸化物;あるいは硫酸バリウム、二塩基性亜リン酸鉛、三塩基性硫酸鉛の微粒子が挙げられる。   The inorganic fine particles (E) are not particularly limited. Group II metal elements such as beryllium, magnesium, zinc and calcium, Group IV metal elements such as titanium, tin, zirconium and lead Vb such as antimony and vanadium Group metal elements and various metal oxides such as Group VI metal elements such as chromium, molybdenum and tungsten, and Group VIII metal elements such as iron, cobalt and nickel; or barium sulfate, dibasic lead phosphite, There may be mentioned fine particles of basic lead sulfate.

無機微粒子(E)の平均一次粒子径は、基材追従性、ワレ防止、印刷性の点から好ましくは1〜100nm、さらに好ましくは5〜70nmの範囲内が適している。平均一次粒子径は、シリカ微粒子(C)の項で示した方法と同様にして求めることができる。   The average primary particle diameter of the inorganic fine particles (E) is preferably in the range of 1 to 100 nm, more preferably 5 to 70 nm, from the viewpoints of substrate followability, anti-cracking and printability. The average primary particle size can be determined in the same manner as the method described in the section of the silica fine particles (C).

無機微粒子(E)は、比較的少量の使用で本発明の印刷用エッチングレジスト組成物の比重を1.0以上とする点、印刷作業性、印刷性及び基材への追従性の点から、比重が2.5g/ml以上、好ましくは4.0〜8.0g/mlの範囲内が適している。   The inorganic fine particles (E) make the specific gravity of the etching resist composition for printing of the present invention 1.0 or more with a relatively small amount of use, and from the viewpoint of printing workability, printability and compliance to a substrate, The specific gravity is suitably 2.5 g / ml or more, preferably in the range of 4.0 to 8.0 g / ml.

無機微粒子の比重の測定は、JIS−K5101(1991)に準拠して行うことができ、比重びんによる液浸法で測定した時の値である。   The specific gravity of the inorganic fine particles can be measured in accordance with JIS-K5101 (1991), which is a value measured by a liquid immersion method using a pycnometer.

無機微粒子は、比重が上記範囲内のものであれば、前記レジスト組成物を着色させるものであってもよい。   The inorganic fine particles may be one that colors the resist composition as long as the specific gravity is within the above range.

(F)消泡剤
本発明の印刷用エッチングレジスト組成物は、消泡剤(G)を含有してもよい。消泡剤としては、組成物の発泡を抑制することができる消泡性を有するものであれば特に限定されないが、本発明のレジスト組成物は、非シリコーン系消泡剤を、本発明組成物に対する消泡性が良好で平滑性に優れるレジスト膜が形成できることから、特に好適に使用することができる。消泡剤は、単独で用いてもよいし2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(F) Antifoamer The etching resist composition for printing of the present invention may contain an antifoamer (G). The antifoaming agent is not particularly limited as long as it has antifoaming properties capable of suppressing foaming of the composition, but the resist composition of the present invention is a non-silicone antifoaming agent of the present invention. It can be particularly preferably used because it can form a resist film having good antifoaming properties and excellent smoothness. The antifoaming agent may be used alone or in combination of two or more.

非シリコーン消泡剤は、実質的に原料にケイ素化合物を含まず破泡あるいは消泡効果を奏するものであれば、特に限定されないが、具体的には、パラフィン系ミネラルオイル及びアクリル酸アルキルエステル共重合物、メタクリル酸アルキルエステル共重合物、アルキルビニルエーテル、アクリル系共重合物、破泡性ポリマー等のアクリル共重合物が挙げられる。消泡剤としては、版離れ性等の印刷作業性、消泡性並びに印刷性の点から、特に(メタ)アクリル酸アルキルエステル共重合物が好ましい。   The non-silicone antifoaming agent is not particularly limited as long as the raw material substantially does not contain a silicon compound and exhibits foam-breaking or defoaming effects, but specifically, paraffin-based mineral oil and acrylic acid alkyl ester co-ester Examples thereof include acrylic copolymers such as polymers, methacrylic acid alkyl ester copolymers, alkyl vinyl ethers, acrylic copolymers, and foam-blowing polymers. From the viewpoint of printing workability such as releasability, defoaming properties and printing properties, the antifoaming agent is particularly preferably a (meth) acrylic acid alkyl ester copolymer.

その他成分
本発明の印刷用エッチングレジスト組成物は、性能を損なわない範囲であれば、前記水酸基含有有機溶剤(D)以外の有機溶剤、着色顔料、体質顔料、表面調整剤(アクリル系、ビニル系等)、レオロジーコントロール剤、防錆剤、可塑剤等の通常の塗料用添加剤をそれぞれ単独でもしくは2種以上組合せて含有することができる。
Other Components The etching resist composition for printing of the present invention is an organic solvent other than the above-mentioned hydroxyl group-containing organic solvent (D), a coloring pigment, an extender, a surface control agent (acrylic, vinyl based) as long as the performance is not impaired. And the like), conventional paint additives such as rheology control agents, rust inhibitors, and plasticizers can be contained singly or in combination of two or more.

上記成分(D)以外の有機溶剤としては、ケトン類、芳香族炭化水素類、グリコールエーテルアセテート類、エーテル類、脂肪族炭化水素、石油系溶剤等を挙げることができる。より具体的には、トルエン、キシレン、ソルベントナフサ、ノルマルヘキサン、シクロヘキサン、ノルマルヘプタン等の炭化水素類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、乳酸メチル、乳酸ブチル、乳酸エチル等のエステル類、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ポロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエステル系、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、その他、3−エトキシプロピオン酸エチル、2塩基酸エステル、ジメチルカーボネート、N,N-ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン、1,3−ジオキソラン、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。   Examples of the organic solvent other than the component (D) include ketones, aromatic hydrocarbons, glycol ether acetates, ethers, aliphatic hydrocarbons, petroleum solvents and the like. More specifically, hydrocarbons such as toluene, xylene, solvent naphtha, normal hexane, cyclohexane and normal heptane, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone and diacetone alcohol, ethyl acetate, butyl acetate, Esters such as cellosolve acetate, methyl lactate, butyl lactate and ethyl lactate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, polopylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, glycol esters such as dipropylene glycol monomethyl ether acetate System, diethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether Ethers such as ter, etc., ethyl 3-ethoxypropionate, dibasic acid esters, dimethyl carbonate, N, N-dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3-dioxolane, γ-butyrolactone, dimethyl sulfoxide , Dimethylformamide and the like.

上記着色顔料としては、例えば、亜鉛華、カーボンブラック、モリブデンレッド、プルシアンブルー、コバルトブルー、アゾ系顔料、フタロシアニン系顔料、キナクリドン系顔料、イソインドリン系顔料、スレン系顔料、ペリレン系顔料、ジオキサジン系顔料、ジケトピロロピロール系顔料等が挙げられる。   Examples of the color pigments include zinc flower, carbon black, molybdenum red, Prussian blue, cobalt blue, azo pigments, phthalocyanine pigments, quinacridone pigments, isoindoline pigments, graphene pigments, perylene pigments, dioxazine pigments And pigments such as diketopyrrolopyrrole pigments.

また、その他着色顔料としては、アルミニウムペースト、パール粉、グラファイト、MIO等の光輝顔料等が代表的な例として挙げられる。   As other color pigments, aluminum paste, pearl powder, graphite, luster pigments such as MIO and the like can be mentioned as typical examples.

比較的少量の使用で着色することができる点及び検査時の視認性の点から、カーボンブラック及び/又はフタロシアニン系顔料が好ましい。   Carbon black and / or phthalocyanine pigments are preferred in view of their ability to be colored with a relatively small amount of use and visibility at the time of inspection.

これらの着色顔料は直接組成物中に添加してもよく、分散剤、分散樹脂と混合して分散し、ペースト化してから塗料に配合してもよい。分散剤、分散樹脂、分散方法は公知のものを使用することができる。   These color pigments may be added directly to the composition, or may be mixed with a dispersing agent and a dispersing resin, dispersed and pasted, and then incorporated into a paint. The dispersant, the dispersing resin and the dispersing method may be known ones.

レジスト組成物の各成分の含有量
本発明の印刷用エッチングレジスト組成物における前記各成分の含有量は、特に制限されるものではないが、以下の範囲が下記レジスト性能及び印刷性の点から好ましい。
Content of Each Component of Resist Composition The content of each component in the etching resist composition for printing of the present invention is not particularly limited, but the following range is preferable from the viewpoint of the following resist performance and printability .

本発明のレジスト組成物において、前述した各成分の含有量の割合は、前記成分(A)及び成分(B)の合計固形分を基準として下記の通りである。   In the resist composition of the present invention, the ratio of the content of each component described above is as follows based on the total solid content of the component (A) and the component (B).

フェノール樹脂(A)の含有量は、エッチング液耐性の点から、30〜95質量%、好ましくは40〜93質量%、より好ましくは50〜90質量%の範囲でが適している。   The content of the phenol resin (A) is suitably in the range of 30 to 95% by mass, preferably 40 to 93% by mass, and more preferably 50 to 90% by mass, from the viewpoint of etching solution resistance.

アクリル樹脂(B)の含有量は、可とう性の点から、好ましくは5〜70質量%、より好ましくは7〜60質量%、さらに好ましく10〜50質量%の範囲が適している。   The content of the acrylic resin (B) is preferably 5 to 70% by mass, more preferably 7 to 60% by mass, and still more preferably 10 to 50% by mass from the viewpoint of flexibility.

シリカ微粒子(C)の含有量は、印刷性の点から、1〜50質量%、好ましくは5〜40質量%、より好ましくは10〜30質量%の範囲が適している。   The content of the silica fine particles (C) is preferably in the range of 1 to 50% by mass, preferably 5 to 40% by mass, and more preferably 10 to 30% by mass from the viewpoint of printability.

有機溶剤のうち水酸基含有有機溶剤(D)を含有する場合は、レジスト組成物の固形分が好ましくは20〜90質量%、より好ましくは30〜70質量%となる範囲が適している。有機溶剤のうち水酸基含有有機溶剤(D)の含有量が上記範囲内であると、レジスト膜の滲み出しを押さえ、かつ乾燥速度を適度に抑えて版が早く乾きすぎるのを防止することから、印刷性をより向上させることができる。   When the hydroxyl group-containing organic solvent (D) is contained among the organic solvents, the solid content of the resist composition is preferably in the range of preferably 20 to 90% by mass, more preferably 30 to 70% by mass. When the content of the hydroxyl group-containing organic solvent (D) in the organic solvent is within the above range, the bleeding of the resist film is suppressed and the drying speed is appropriately suppressed to prevent the plate from drying too fast. Printability can be further improved.

無機微粒子(E)を含有する場合、その含有量は、印刷性及び印刷作業性の点から、好ましくは1〜70質量%、より好ましくは2〜50質量%、さらに好ましくは5〜40質量%の範囲が適している。   When the inorganic fine particles (E) are contained, the content is preferably 1 to 70% by mass, more preferably 2 to 50% by mass, and still more preferably 5 to 40% by mass from the viewpoint of printability and printability. Range is suitable.

ここで、シリカ微粒子(C)及び無機微粒子(E)の固形分の含有比率は、印刷性と基材追従性の観点から、シリカ微粒子(C)及び無機微粒子(E)の総量を基準として、好ましくは10/90〜50/50、より好ましくは30/70〜45/55の範囲内が適している。   Here, the content ratio of the solid content of the silica fine particles (C) and the inorganic fine particles (E) is based on the total amount of the silica fine particles (C) and the inorganic fine particles (E) from the viewpoint of printability and substrate followability. Preferably in the range of 10/90 to 50/50, more preferably 30/70 to 45/55 is suitable.

非シリコーン系消泡剤(F)を含有する場合は、表面平滑性及び版離れ性等の印刷性の点から、好ましくは0.1〜20質量%、より好ましくは0.5〜15質量%の範囲内が適している。   When the non-silicone antifoaming agent (F) is contained, it is preferably 0.1 to 20% by mass, more preferably 0.5 to 15% by mass from the viewpoint of surface smoothness and printing properties such as plate separation. Within the range of is suitable.

着色顔料を含有する場合は、所望の意匠を得られる範囲であれば特に限定されないが、例えば1〜100質量%、好ましくは1〜50質量%の範囲内が適している。   When a color pigment is contained, it is not particularly limited as long as a desired design can be obtained, but for example, the range of 1 to 100% by mass, preferably 1 to 50% by mass is suitable.

本発明においては、上記の通り前述した成分及びその他の成分をディスパー、サンドミル、ロールミル、ボールミル等の分散機を用いる等の通常の方法に従って混合分散して本発明のエッチングレジスト組成物を得ることができる。この際、該組成中に必要に応じて分散剤、可塑剤等の添加剤を適宜加えてもよい。   In the present invention, the etching resist composition of the present invention can be obtained by mixing and dispersing the above-described components and other components according to a conventional method such as using a disperser such as a disper, sand mill, roll mill or ball mill. it can. At this time, additives such as a dispersant and a plasticizer may be appropriately added to the composition, if necessary.

上記の通り得られるレジスト組成物の比重は、組成物の安定性及び印刷性の点から、1.0以上であることを特徴とするものであり、好ましくは1.1〜1.5の範囲内が適している。組成物の比重が、1.0未満であると印刷作業性が悪化し所望の印刷パターンが得られず、その後の基材追従性及び衝撃耐性が不十分となる恐れがある。   The specific gravity of the resist composition obtained as described above is characterized by being 1.0 or more from the viewpoint of stability and printability of the composition, and preferably in the range of 1.1 to 1.5. Inside is suitable. If the specific gravity of the composition is less than 1.0, the printing workability may be deteriorated, a desired printing pattern may not be obtained, and the substrate followability and impact resistance may be insufficient.

本明細書において印刷用エッチングレジスト組成物の比重は、JIS−K7232(1986)の4.2比重カップ法に準じて測定したときの値を用いることができる。   In the present specification, the specific gravity of the etching resist composition for printing may be a value as measured according to the 4.2 specific gravity cup method of JIS-K7232 (1986).

また、印刷用エッチングレジスト組成物の粘度は、印刷できる範囲で特に制限されるものでないが、印刷用エッチングレジスト組成物の機械的強度、印刷作業性、印刷性及びエッチング液耐性のバランスの観点から通常1Pa・s以上、より好ましくは2〜200Pa・sの範囲内が適している。   The viscosity of the etching resist composition for printing is not particularly limited as long as it can be printed, but from the viewpoint of the balance between mechanical strength, printability, printability, and etchant resistance of the etching resist composition for printing. Usually, 1 Pa · s or more, more preferably in the range of 2 to 200 Pa · s is suitable.

本発明の印刷用エッチングレジスト組成物の固形分は、20〜90質量%が好ましく、30〜80質量%がより好ましい。固形分が上記範囲内だと、溶剤量を抑えてレジスト膜の染み出しを防止する点、レジスト液の乾燥速度を適度に抑えて版が早く乾き過ぎるのを防止し、印刷作業性を向上する点で適している。   20-90 mass% is preferable, and, as for solid content of the etching resist composition for printing of this invention, 30-80 mass% is more preferable. If the solid content is within the above range, the solvent amount is suppressed to prevent the resist film from exuding, the drying speed of the resist solution is appropriately suppressed, the plate is prevented from drying too fast, and the printing workability is improved. It is suitable in point.

本発明の印刷用エッチングレジスト組成物は、フェノール樹脂(A)と特定範囲内のガラス転移温度のアクリル樹脂(B)及び特定範囲の粒子径のシリカ微粒子(C)を含有する、比重1.0以上の組成物であることにより、印刷性に優れるだけでなく、基材追従性及び耐ワレ性に優れるという効果を奏する。   The etching resist composition for printing of the present invention contains a phenol resin (A), an acrylic resin (B) having a glass transition temperature within a specific range, and a silica fine particle (C) having a particle diameter within a specific range. By being the above composition, not only it is excellent in printability but the effect that it is excellent in base-material flattery nature and crack resistance is produced.

基材追従性に優れるとは、基材がエッチング加工による振動等、外部からの衝撃により変形しやすいフレキシブル基材であっても、塗布されたレジスト組成物がエッチング中に被膜が剥がれ落ちることなく、金属層を有する基材の金属をエッチング液から良好に保護し、所望のパターンを形成し得ることである。すなわち、本発明の印刷用エッチングレジスト組成物の乾燥被膜は、エッチング加工による振動等、電子回路の製造過程で受ける衝撃に耐える程度の密着性及び柔軟性を有していることから基材追従性に優れる。   Even if the substrate is a flexible substrate that is easily deformed by an external impact such as vibration due to etching processing, the excellent in substrate followability does not cause the coating to peel off during etching of the coated resist composition. And the metal of the substrate having the metal layer can be well protected from the etching solution to form a desired pattern. That is, the dry film of the etching resist composition for printing of the present invention has adhesion and flexibility enough to withstand an impact received in the process of manufacturing an electronic circuit, such as vibration due to etching, etc. Excellent.

また、本発明のレジスト組成物は、基材追従性に優れ、かつエッチング終了後は剥離液により速やかに剥離して所望の金属層パターンを有する基板を製造することができる。また、本発明のレジスト組成物は、熱乾燥によって印刷性及びエッチング液に十分に耐えうる被膜を得ることができることから露光及び現像の各工程がなく、工程短縮ができるという効果を奏する。   In addition, the resist composition of the present invention is excellent in substrate followability, and can be rapidly peeled off by a peeling solution after completion of etching to produce a substrate having a desired metal layer pattern. In addition, the resist composition of the present invention has the effect of being able to shorten the process since it can obtain a film sufficiently resistant to the printability and the etching solution by heat drying and has no exposure and development steps.

また、比較的比重の軽いシリカ微粒子(C)に加え、比較的比重の重い無機微粒子(E)を併用することによって、さらに印刷性を向上させることができ、かつ、基材の追従性と耐ワレ性及び印刷性により優れたレジストパターンを印刷することができる。   In addition to the relatively fine specific gravity silica fine particles (C), the printability can be further improved by using the relatively fine specific gravity heavy inorganic fine particles (E) in combination, and the followability of the substrate and the resistance It is possible to print a resist pattern which is excellent due to the warpage and the printability.

レジスト膜形成方法
本発明のレジスト膜形成方法は、金属層を有する基材の表面に、本発明の印刷用エッチングレジスト組成物を用いてスクリーン印刷を行い、所望パターンのレジスト膜を形成する工程を含むレジスト膜形成方法である。
Resist Film Forming Method The resist film forming method of the present invention comprises the steps of forming a resist film of a desired pattern by performing screen printing on the surface of a substrate having a metal layer using the etching resist composition for printing of the present invention. It is a resist film formation method containing.

上記金属層を有する基材としては、特に限定されないが、好ましくはフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂やこれらの樹脂がガラス繊維で強化された強化樹脂等の樹脂基材やガラス基材に、例えば、銅、金、銀、アルミニウム、クロム等の導電性金属がラミネート、蒸着等により被覆された積層基材が挙げられる。これら基材や金属膜を有する基材は1層からなるものであっても複層からなるものであっても構わない。また、基材は貫通もしくは非貫通のスルーホールが設けてあっても構わない。また基材の形状も特に限定されない。   The substrate having the metal layer is not particularly limited, but is preferably a resin substrate or a glass substrate such as a phenol resin, an epoxy resin, a polyamide resin, a polyimide resin, or a reinforced resin in which these resins are reinforced with glass fibers. For example, laminated substrates in which conductive metals such as copper, gold, silver, aluminum, chromium and the like are coated by lamination, vapor deposition and the like can be mentioned. The base material having such a base material or metal film may be a single layer or multiple layers. Further, the base material may be provided with a through hole or a non-through hole. Also, the shape of the substrate is not particularly limited.

これら基材の厚みも特に限定されないが、本発明の印刷用エッチングレジスト組成物は、厚さ10〜100μmのフレキシブル性のある基材であっても印刷性に優れ、かつ基材追従性に優れる。   The thickness of the substrate is also not particularly limited, but the etching resist composition for printing of the present invention is excellent in printability and excellent in substrate followability even if it is a flexible substrate having a thickness of 10 to 100 μm. .

本発明の印刷用エッチングレジスト組成物を用いたレジスト膜の厚さは、エッチング液耐性と印刷性のバランスの観点から、好ましくは1〜100μm、より好ましくは2〜30μmの範囲内が適している。   The thickness of the resist film using the etching resist composition for printing of the present invention is preferably in the range of 1 to 100 μm, more preferably 2 to 30 μm, from the viewpoint of the balance between etching solution resistance and printability. .

本発明の印刷用エッチングレジスト組成物は、特にスクリーン印刷に好適に適用することができる。スクリーン印刷法においては、回路パターンの高精細化に対応すべく微細なメッシュ、特に好ましくは450〜600メッシュ程度の微細なメッシュのスクリーンを用いることが好ましい。この時のスクリーンの開放面積は約20〜50%が好ましい。   The etching resist composition for printing of the present invention can be suitably applied particularly to screen printing. In the screen printing method, it is preferable to use a fine mesh screen, particularly preferably a fine mesh screen of about 450 to 600 mesh, in order to correspond to high definition of the circuit pattern. The open area of the screen at this time is preferably about 20 to 50%.

スクリーン版の種類としては、ポリエステルスクリーン、コンビネーションスクリーン、メタルスクリーン、ナイロンスクリーン等が挙げられる。また、高粘度なペースト状態のものを印刷する場合は、高張力ステンレススクリーンを使用することができる。   Types of screen plates include polyester screens, combination screens, metal screens, nylon screens and the like. Moreover, when printing the thing of a highly viscous paste state, a high tension stainless screen can be used.

スクリーン印刷のスキージは丸形、長方形、正方形いずれの形状であっても良く、またアタック角度(印刷時の版とスキージの角度)を小さくするために研磨スキージも使用することができる。その他の印刷条件等は従来公知の条件を適用することができる。   The screen printing squeegee may be round, rectangular or square, and a polishing squeegee may be used to reduce the attack angle (the angle between the plate and the squeegee at the time of printing). For the other printing conditions and the like, conventionally known conditions can be applied.

本発明の組成物は、スクリーン印刷を行った後、乾燥を行うことができる。乾燥条件は、例えば、使用される有機溶剤の種類に応じて適宜決定すればよいが、通常、例えば、乾燥温度は50℃〜180℃、好ましくは100〜170℃の範囲内、乾燥時間は1分〜100分、好ましくは10分〜80分である。加熱装置は特に限定されず、例えば、熱風炉または電気炉等を用いることができる。   The composition of the present invention can be dried after screen printing. Drying conditions may be appropriately determined depending on, for example, the type of the organic solvent used, but usually, for example, the drying temperature is in the range of 50 ° C. to 180 ° C., preferably 100 to 170 ° C., the drying time is 1 Minutes to 100 minutes, preferably 10 minutes to 80 minutes. A heating apparatus is not specifically limited, For example, a hot blast stove or an electric furnace etc. can be used.

金属層パターンを有する基材の製造方法
金属層パターンを有する基材の製造方法は、下記の工程を含む。
Method for Producing Substrate Having Metal Layer Pattern A method for producing a substrate having a metal layer pattern includes the following steps.

(1)(レジスト膜形成工程)表面に金属層を有する基材の金属層側に、本発明の印刷用エッチングレジスト組成物を用いて組成物を用いてスクリーン印刷を行い、所望のレジスト膜を形成する工程、
(2)前記レジスト膜が形成されていない部分の金属層をエッチング液により除去を行なう工程、及び
(3)前記工程(2)の後に、剥離液を用いて前記レジスト膜を除去する工程
を含む金属層パターンを有する基材の製造方法。
(1) (Resist film formation process) Screen printing is performed using the composition using the etching resist composition for printing of the present invention on the metal layer side of a substrate having a metal layer on the surface, and a desired resist film is obtained Forming process,
(2) removing the metal layer of the portion where the resist film is not formed with an etching solution, and (3) removing the resist film using a stripping solution after the step (2). The manufacturing method of the base material which has a metal layer pattern.

工程(1)については、前記レジスト膜形成方法の項目にて述べた通りである。   The step (1) is as described in the item of the resist film forming method.

工程(2)(エッチング工程)において、エッチング液としては、例えば、塩化第二鉄、塩化第二銅、フッ酸、硝酸、酢酸、燐酸、これらの酸の混合物や水溶液等が挙げられる。エッチング方法としては、例えば、ディッピング(浸漬)やスプレー等が挙げられる。具体的には、エッチング液温を30〜60℃にしたエッチング液を1〜5分程度、浸漬あるいはスプレーを行う方法が挙げられる。   In the step (2) (etching step), examples of the etching solution include ferric chloride, cupric chloride, hydrofluoric acid, nitric acid, acetic acid, phosphoric acid, a mixture of these acids, an aqueous solution and the like. As an etching method, a dipping (immersion), a spray, etc. are mentioned, for example. Specifically, the method of immersing or spraying the etching liquid which made etching liquid temperature 30 to 60 degreeC for about 1 to 5 minutes is mentioned.

工程(3)(剥離工程)において、レジスト膜の除去の為には、前記フェノール樹脂(A)及びアクリル樹脂(B)を溶解もしくは分散するアルカリ液を使用することができる。具体的には、例えば、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、有機アミン溶剤等の公知の剥離液にて容易に除去される。水酸化ナトリウム等のアルカリ物質の濃度は、例えば、1〜5質量%である。   In the step (3) (peeling step), an alkaline solution in which the phenol resin (A) and the acrylic resin (B) are dissolved or dispersed can be used for removing the resist film. Specifically, for example, it is easily removed by a known stripping solution such as an aqueous solution of sodium hydroxide, an aqueous solution of potassium hydroxide, an organic amine solvent and the like. The concentration of the alkali substance such as sodium hydroxide is, for example, 1 to 5% by mass.

本発明のレジスト組成物被膜形成後には、基材への優れた追従性を有することから、エッチング処理中に基材からの剥離が生じずに、基材を高精度でエッチング処理することができる。また、エッチング終了後のレジスト被膜はアルカリ水溶液等により容易に剥離可能である。   After formation of the resist composition film of the present invention, the substrate can be etched with high precision without peeling from the substrate during the etching process because it has excellent followability to the substrate. . In addition, the resist film after the end of etching can be easily peeled off by an aqueous alkaline solution or the like.

以下、製造例、実施例及び比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらにより限定されない。各例において、「部」及び「%」は、特記しない限り、質量基準による。また、塗膜の膜厚は乾燥塗膜に基づく。   Hereinafter, the present invention will be more specifically described by way of production examples, examples and comparative examples. However, the present invention is not limited by these. In each example, "parts" and "%" are by mass unless otherwise stated. Moreover, the film thickness of a coating film is based on a dry coating film.

顕微鏡観察には、(株)ニコン製光学顕微鏡(OPTIPHOTO300)を用いた。   For microscopic observation, an optical microscope (OPTIPHOTO 300) manufactured by Nikon Corporation was used.

(製造例1)
攪拌機、温度計、熱交換機のついた5Lの四つ口フラスコに、m−クレゾール 750部、p−クレゾール 500部、37%のホルマリン 938.4部及び、トリエチルアミン 62.5部を仕込み、pH8.5、反応温度68〜72℃で4時間反応(一次反応)を行った。その後、濃度10%のシュウ酸水 350部を添加して中和(pH=5.2)を行ない、m−クレゾール 175部、p−クレゾール 1237.5部、シュウ酸 38.5部を添加して、pH2.0、反応温度98〜102℃で4時間反応(二次反応)させた。二次反応終了後、70℃まで冷却してアセトン 125部、イオン交換水 1250部を添加して、約70℃で攪拌・静置した。分離水を除去した後、アセトン125部、イオン交換水 1250部を使用して、再度水洗操作を行った。その後、常圧下で内温160℃まで昇温して脱水し、さらに60torrの減圧下で195℃まで昇温して脱水・脱モノマーを行い、フェノール樹脂(A−1)1300部を得た。得られた樹脂(A−1)の重量平均分子量は11,000であった。
(Production Example 1)
In a 5-liter four-necked flask equipped with a stirrer, thermometer, and heat exchanger, 750 parts of m-cresol, 500 parts of p-cresol, 938.4 parts of 37% formalin, and 62.5 parts of triethylamine are charged. 5. Reaction (primary reaction) was performed at a reaction temperature of 68 to 72 ° C. for 4 hours. Thereafter, the mixture is neutralized (pH = 5.2) by adding 350 parts of 10% aqueous oxalic acid, and 175 parts of m-cresol, 1237.5 parts of p-cresol and 38.5 parts of oxalic acid are added. The reaction was carried out (second reaction) at pH 2.0 and a reaction temperature of 98 to 102 ° C. for 4 hours. After completion of the secondary reaction, the reaction solution was cooled to 70 ° C., 125 parts of acetone and 1250 parts of ion exchanged water were added, and the mixture was stirred and allowed to stand at about 70 ° C. After removing the separated water, washing with water was repeated again using 125 parts of acetone and 1250 parts of ion-exchanged water. Thereafter, the temperature is raised to an internal temperature of 160 ° C. under normal pressure for dehydration, and the temperature is further raised to 195 ° C. under a reduced pressure of 60 Torr to carry out dehydration / demonomerization to obtain 1,300 parts of a phenol resin (A-1). The weight average molecular weight of the obtained resin (A-1) was 11,000.

(製造例2)
攪拌機、温度計、熱交換機のついた5Lの四つ口フラスコに、フェノール 1000部、37%のホルマリン 690部及び、シュウ酸4部を仕込み、常圧で4.5時間還流反応を行った。反応終了後、70℃まで冷却してアセトン 125部、イオン交換水 1250部を添加して、約70℃で攪拌・静置した。分離水を除去した後、アセトン 125部、イオン交換水 1250部を使用して、再度水洗操作を行った。その後、常圧下で内温160℃まで昇温して脱水し、さらに60torrの減圧下で195℃まで脱水・脱モノマーを行い、フェノール樹脂(A−2)910部を得た。得られた樹脂(A−2)の重量平均分子量は2,500であった。
(Production Example 2)
1000 parts of phenol, 690 parts of 37% formalin and 4 parts of oxalic acid were charged into a 5-L four-necked flask equipped with a stirrer, thermometer and heat exchanger, and reflux reaction was performed for 4.5 hours at normal pressure. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to 70 ° C., 125 parts of acetone and 1250 parts of ion exchanged water were added, and the mixture was stirred and allowed to stand at about 70 ° C. After removing the separated water, washing with water was repeated again using 125 parts of acetone and 1250 parts of ion-exchanged water. Thereafter, the temperature was raised to an internal temperature of 160 ° C. under normal pressure for dehydration, and dehydration and demonomerization were further performed under a reduced pressure of 60 torr to 195 ° C. to obtain 910 parts of a phenol resin (A-2). The weight average molecular weight of the obtained resin (A-2) was 2,500.

(製造例3)
攪拌機、温度計、熱交換機のついた5Lの四つ口フラスコに、ブチルアクリレート 50部、スチレン 18部、アクリル酸 17部、ヒドロキシエチルアクリレート 15部及びt−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート 2部からなる混合物を、窒素ガス雰囲気下において、120℃に保持したジエチレングリコールモノエチルエーテル90部中に3時間を要して滴下した。
滴下後、1時間熟成させ、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート 1部及びジエチレングリコールモノエチルエーテル 10部からなる混合液を1時間要して滴下し、さらに5時間熟成させて固形分50質量%アクリル樹脂溶液(B−1)を得た。得られた樹脂(B−1)の重量平均分子量は24,000、酸価は130mgKOH/g、ガラス転移温度は−18℃であった。
(Production Example 3)
50 parts of butyl acrylate, 18 parts of styrene, 17 parts of acrylic acid, 15 parts of hydroxyethyl acrylate and t-butylperoxy-2-ethylhexanoate in a 5 L four-necked flask equipped with a stirrer, thermometer and heat exchanger A mixture of 2 parts was added dropwise over 90 hours to 90 parts of diethylene glycol monoethyl ether maintained at 120 ° C. under a nitrogen gas atmosphere.
After the addition, the mixture is aged for 1 hour, a mixture of 1 part of t-butylperoxy-2-ethylhexanoate and 10 parts of diethylene glycol monoethyl ether is added dropwise over 1 hour, and the mixture is aged for 5 hours to obtain a solid content 50 mass% acrylic resin solution (B-1) was obtained. The weight average molecular weight of the obtained resin (B-1) was 24,000, the acid value was 130 mg KOH / g, and the glass transition temperature was -18 ° C.

(製造例4)
攪拌機、温度計、熱交換機のついた5Lの四つ口フラスコに、メチルメタクリレート 20部、ブチルアクリレート 40部、スチレン 20部、メタクリル酸 20部及びt−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート 2部からなる混合物を、窒素ガス雰囲気下において、120℃に保持したジエチレングリコールモノエチルエーテル90部中に3時間を要して滴下した。
滴下後、1時間熟成させ、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート 1部及びジエチレングリコールモノエチルエーテル 10部からなる混合液を1時間要して滴下し、さらに5時間熟成させて固形分50質量%のアクリル樹脂溶液(B−2)を得た。得られた樹脂(B−2)の重量平均分子量は22,000、酸価は130mgKOH/g、ガラス転移温度は30℃であった。
(製造例5)
攪拌機、温度計、熱交換機のついた5Lの四つ口フラスコに、メチルメタクリレート20部 ブチルアクリレート 30部、スチレン 20部、メタクリル酸 20部、ヒドロキシエチルメタクリレート 10部及びt−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート 2部からなる混合物を、窒素ガス雰囲気下において、120℃に保持したジエチレングリコールモノエチルエーテル90部中に3時間を要して滴下した。
滴下後、1時間熟成させ、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート 1部及びジエチレングリコールモノエチルエーテル 10部からなる混合液を1時間要して滴下し、さらに5時間熟成させて固形分50質量%アクリル樹脂溶液(B−3)を得た。得られた樹脂(B−3)の重量平均分子量は23,000、酸価は130mgKOH/g、ガラス転移温度は45℃であった。
(Production Example 4)
In a 5-liter four-necked flask equipped with a stirrer, thermometer and heat exchanger, 20 parts of methyl methacrylate, 40 parts of butyl acrylate, 20 parts of styrene, 20 parts of methacrylic acid and t-butylperoxy-2-ethylhexanoate 2 The resulting mixture was added dropwise over 90 hours to 90 parts of diethylene glycol monoethyl ether maintained at 120 ° C. under a nitrogen gas atmosphere.
After the addition, the mixture is aged for 1 hour, a mixture of 1 part of t-butylperoxy-2-ethylhexanoate and 10 parts of diethylene glycol monoethyl ether is added dropwise over 1 hour, and the mixture is aged for 5 hours to obtain a solid content The 50 mass% acrylic resin solution (B-2) was obtained. The weight average molecular weight of the obtained resin (B-2) was 22,000, the acid value was 130 mg KOH / g, and the glass transition temperature was 30 ° C.
(Production Example 5)
In a 5-liter four-necked flask fitted with a stirrer, thermometer and heat exchanger, 20 parts of methyl methacrylate, 30 parts of butyl acrylate, 20 parts of styrene, 20 parts of methacrylic acid, 10 parts of hydroxyethyl methacrylate and t-butylperoxy-2- A mixture of 2 parts of ethyl hexanoate was added dropwise over 90 hours to 90 parts of diethylene glycol monoethyl ether maintained at 120 ° C. under a nitrogen gas atmosphere.
After the addition, the mixture is aged for 1 hour, a mixture of 1 part of t-butylperoxy-2-ethylhexanoate and 10 parts of diethylene glycol monoethyl ether is added dropwise over 1 hour, and the mixture is aged for 5 hours to obtain a solid content 50 mass% acrylic resin solution (B-3) was obtained. The weight average molecular weight of the obtained resin (B-3) was 23,000, the acid value was 130 mg KOH / g, and the glass transition temperature was 45 ° C.

(製造例6)
攪拌機、温度計、熱交換機のついた5Lの四つ口フラスコに、メチルメタクリレート 40部、ブチルアクリレート 10部、スチレン 20部、メタクリル酸 20部、
ヒドロキシエチルメタクリレート 10部及びt−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート 2部からなる混合物を、窒素ガス雰囲気下において、120℃に保持したジエチレングリコールモノエチルエーテル90部中に3時間を要して滴下した。
滴下後、1時間熟成させ、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート 1部及びジエチレングリコールモノエチルエーテル 10部からなる混合液を1時間要して滴下し、さらに5時間熟成させて固形分50質量%アクリル樹脂溶液(B−4)を得た。得られた樹脂(B−4)の重量平均分子量は24,000、酸価は130mgKOH/g、ガラス転移温度は90℃であった。
(Production Example 6)
40 parts of methyl methacrylate, 10 parts of butyl acrylate, 20 parts of styrene, 20 parts of methacrylic acid in a 5 L four-necked flask equipped with a stirrer, thermometer and heat exchanger
A mixture of 10 parts of hydroxyethyl methacrylate and 2 parts of t-butylperoxy-2-ethylhexanoate is required for 3 hours in 90 parts of diethylene glycol monoethyl ether maintained at 120 ° C. under a nitrogen gas atmosphere. It dripped.
After the addition, the mixture is aged for 1 hour, a mixture of 1 part of t-butylperoxy-2-ethylhexanoate and 10 parts of diethylene glycol monoethyl ether is added dropwise over 1 hour, and the mixture is aged for 5 hours to obtain a solid content 50 mass% acrylic resin solution (B-4) was obtained. The weight average molecular weight of the obtained resin (B-4) was 24,000, the acid value was 130 mg KOH / g, and the glass transition temperature was 90 ° C.

実施例及び比較例
(実施例1〜7及び比較例1〜8)
表1に示す配合組成割合(単位:質量部)となるように各成分を攪拌機にて混合し、3本ロールミルを用いて錬肉して印刷用エッチングレジスト組成物No.1〜15を得た。得られた各レジスト組成物の比重を併せて表1へ示す。なお表1に示す配合組成は、各成分の固形分質量による。
Examples and Comparative Examples (Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 8)
Each component was mixed with a stirrer so that it might become combination composition ratio (unit: mass part) shown in Table 1, and it was etched using 3 roll mills, and etching resist composition No. 1 for printing. I got 1-15. The specific gravities of the obtained resist compositions are shown together in Table 1. The composition shown in Table 1 is based on the solid content mass of each component.

Figure 0006529035
Figure 0006529035

なお、表1中における(注)は下記を意味する。   (Note) in Table 1 means the following.

注1)アクリル樹脂B−5:ジョンクリル67、商品名、BASF社製、スチレン−アクリル酸共重合体、ガラス転移温度73℃、酸価213mgKOH/g、重量平均分子量12,500。   Note 1) Acrylic resin B-5: Joncryl 67, trade name, manufactured by BASF, styrene-acrylic acid copolymer, glass transition temperature 73 ° C., acid value 213 mg KOH / g, weight average molecular weight 12,500.

注2)シリカ微粒子:AEROSIL R812、商品名、日本アエロジル株式会社製、平均一次粒子径7nm、
注3)シリカ微粒子:アドマファインSO−E1、商品名、株式会社アドマテックス社製、平均一次粒子径250nm。
Note 2) Silica fine particles: AEROSIL R812, trade name, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., average primary particle diameter 7 nm,
Note 3) Silica fine particles: Admafine SO-E1, trade name, manufactured by Admatechs Co., Ltd., average primary particle diameter 250 nm.

注4)無機微粒子:MT−500HD:商品名、テイカ株式会社製、酸化チタン、平均一次粒子径50nm、比重4.0、
注5)無機微粒子:BARIFINE BF−20、商品名、堺化学工業株式会社製、沈降性硫酸バリウム、平均一次粒子径30nm、比重4.4。
Note 4) Inorganic fine particles: MT-500 HD: trade name, manufactured by Tayca Corporation, titanium oxide, average primary particle diameter 50 nm, specific gravity 4.0,
Note 5) Inorganic fine particles: BARIFINE BF-20, trade name, manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., precipitated barium sulfate, average primary particle diameter 30 nm, specific gravity 4.4.

注6)消泡剤:BYK−054、商品名、ビックケミージャパン社製、非シリコーン系消泡剤。   Note 6) Antifoamer: BYK-054, trade name, manufactured by BIC Chemie Japan, non-silicone antifoamer.

注7)着色顔料:商品名、三菱化学株式会社製、カーボンブラック、平均一次粒子径20nm。   Note 7) Color pigment: trade name, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, carbon black, average primary particle diameter 20 nm.

注8)有機溶剤:ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(表中DGMBEAと略記)、非水酸基含有有機溶剤、沸点246.8℃、
注9)有機溶剤:ジエチレングリコールモノエチルエーテル(表中DGMEEと略記)、水酸基含有有機溶剤、沸点196〜202℃、水酸基1個、
注10)有機溶剤:エチレングリコールモノヘキシルエーテル(表中EGMHEと略記)、沸点208℃、水酸基1個。
Note 8) Organic solvent: Diethylene glycol monobutyl ether acetate (abbreviated as DGMBEA in the table), non-hydroxyl group containing organic solvent, boiling point 246.8 ° C,
Note 9) Organic solvent: Diethylene glycol monoethyl ether (abbreviated as DGMEE in the table), organic solvent containing hydroxyl group, boiling point 196 to 202 ° C., 1 hydroxyl group,
Note 10) Organic solvent: Ethylene glycol monohexyl ether (abbreviated as EGMHE in the table), boiling point 208 ° C, 1 hydroxyl group.

注11)レジスト組成物の比重(密度):
各レジスト組成物の比重の測定は、JIS−K7232(1986)の4.2の比重カップ法に準じて行なった。
Note 11) Specific gravity (density) of resist composition:
The specific gravity of each resist composition was measured according to the specific gravity cup method of 4.2 of JIS-K7232 (1986).

(実施例8〜14及び比較例9〜15)
各レジスト組成物を、下記の工程(1)〜(3)に供し、のパターン塗布物及びについて金属層パターンを有する基板を製造した。各工程において得られた試験板を、下記評価基準にて評価した。評価結果を表2に示す。なお、具体的な試験方法及び評価方法は後述する。
(Examples 8 to 14 and Comparative Examples 9 to 15)
Each resist composition was subjected to the following steps (1) to (3) to produce a pattern-coated product and a substrate having a metal layer pattern. The test board obtained in each process was evaluated by the following evaluation criteria. The evaluation results are shown in Table 2. The specific test method and evaluation method will be described later.

(1)(レジスト膜形成工程);
上記のようにして作成した各レジスト組成物を、銅張積層板「ユピセルN」(商品名、宇部興産社製 フレキシブル銅張積層板、銅箔厚/ポリイミドフィルム厚=9μm/25μmを用いたもの)上に、ライン/スペースが100μm/100μmのパターンとなるような500メッシュのスクリーン印刷版を用いて、乾燥膜厚が20μmとなるように細線状にスクリーン印刷した。その後、120℃で10分乾燥させたものを試験板とした。スクリーン印刷時のアタック角度は70°、スキージ速度は200mm/sec、スクレーパー速度(スキージでレジスト組成物を返す速度)は50mm/secとした。
(1) (resist film forming step);
A copper-clad laminate "UPICEL N" (trade name, Ube Industries, Ltd. flexible copper-clad laminate, copper foil thickness / polyimide film thickness = 9 μm / 25 μm) using each resist composition prepared as described above 2.) A 500 mesh screen printing plate having a line / space pattern of 100 μm / 100 μm was screen-printed in a thin line shape so as to have a dry film thickness of 20 μm. Thereafter, those dried at 120 ° C. for 10 minutes were used as test plates. The attack angle at the time of screen printing was 70 °, the squeegee speed was 200 mm / sec, and the scraper speed (speed for returning the resist composition with the squeegee) was 50 mm / sec.

(2)(エッチング工程);
次に、工程(1)で得られた試験板の銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を以下の条件で実施し、エッチング後の試験板を得た。
(2) (etching step);
Next, the etching process which removes the unnecessary part of copper foil of the test plate obtained by process (1) was implemented on condition of the following, and the test plate after an etching was obtained.

エッチング条件・・・エッチングは、下記の条件でスプレーエッチング装置を用いて行った。
・エッチング液組成
塩化第二銅(2.0mol/L)+塩酸(1.5mol/L)
・スプレー圧:0.2MPa
・液温:50℃
・エッチング終点の確認:時間を変えてエッチングを数水準行い、顕微鏡で回路間に銅が残存しなくなるのを確認し、この時間の1.1倍をエッチング時間とした。
Etching conditions: etching was performed using a spray etching apparatus under the following conditions.
・ Etchant composition
Cupric chloride (2.0 mol / L) + hydrochloric acid (1.5 mol / L)
· Spray pressure: 0.2MPa
Liquid temperature: 50 ° C
-Confirmation of etching end point: Several levels of etching were performed by changing the time, and it was confirmed with a microscope that copper did not remain between circuits, and this etching time was 1.1 times this time.

(3)(剥離工程);
上記工程(2)のエッチング後の試験板を、45℃の3%NaOH水溶液をエッチング条件と同様のスプレー圧にて、レジスト組成物を剥離し、金属層パターンを有する基材を得た。
(3) (peeling process);
The resist composition was peeled off from the test plate after etching in the above step (2) under the same spray pressure as in the etching condition of 3% NaOH aqueous solution at 45 ° C. to obtain a substrate having a metal layer pattern.

(評価方法)
印刷作業性:
前記工程(1)において、各エッチングレジスト組成物をスクリーン印刷する際の印刷作業性を下記基準にて評価した。
○:各レジスト組成物が、スキージ上にほとんどはりつかずにパターン印刷ができるもの
×:各レジスト組成物が、スキージ上に駆け上がる等して、印刷ができないもの。
(Evaluation method)
Printability:
The printing workability at the time of screen-printing each etching resist composition in the said process (1) was evaluated by the following reference | standard.
:: each resist composition can print a pattern with little sticking on the squeegee, x: each resist composition runs up on the squeegee, etc., and can not print.

印刷性:前記工程(1)において得られた試験片のパターン塗布物の外観を顕微鏡にて観察し、形状を比較した。
◎:パターンラインが100±5μm未満で形成できているもの
○:パターンラインが100±(5μm以上10μm未満)で形成できているもの
×:パターンラインが100±10μm以上のもの。
Printability: The appearance of the pattern coating of the test piece obtained in the step (1) was observed with a microscope to compare the shapes.
◎: The pattern line is formed with less than 100 ± 5 μm :: The pattern line is formed with 100 ± (5 μm or more and less than 10 μm) ×: The pattern line is 100 ± 10 μm or more.

基材追従性:前記工程(1)において得られた試験片(各印刷用エッチングレジスト組成物の乾燥被膜を有するポリイミドフィルム)を直径10mmの金属製の円柱に巻きつけた状態で被膜を顕微鏡観察し、下記基準にて評価した。
○:被膜のウキ、ワレやハガレ等が認められないもの
×:レジストが基材に追従せず、被膜のウキ、ワレやハガレ等が認められるもの。
Substrate followability: A microscope observation of a film in the state which wound the test piece (polyimide film which has a dried film of the etching resist composition for each printing) obtained in the said process (1) in diameter 10mm metal cylinders And evaluated according to the following criteria.
○: no squeegee of the film, no sagging, no peeling, etc. x: s not able to follow the substrate with the resist, squeeze, sagging, sagging or the like from the film is recognized.

スプレーエッチング衝撃耐性:前記工程(2)の終点時における、各レジスト組成物のパターン被膜を有する基材を顕微鏡観察し、下記基準にて評価した。
○:エッチング終点まで膜剥がれを起こさず、金属が侵されていないもの
×:エッチング終点までの間に膜が剥がれて、金属が侵されてしまったもの。
Spray etching impact resistance: The substrate having the pattern film of each resist composition at the end point of the step (2) was observed with a microscope and evaluated according to the following criteria.
○: no peeling of the film to the etching end point, no metal attacked ×: a film peeled off until the etching end point, and the metal was attacked.

剥離性:前記工程(3)において、得られた各金属層パターンを有する基材を顕微鏡観察し、下記基準にて評価した。
○:レジスト組成物が剥離し、組成物の残渣が全く残らないもの
×:レジスト組成物が剥離しきれず、組成物の残渣が残ってしまったもの。
Peelability: The substrate having each metal layer pattern obtained in the step (3) was observed with a microscope and evaluated according to the following criteria.
○: The resist composition was peeled off, and no residue of the composition remained. X: The resist composition did not peel completely, and the residue of the composition remained.

Figure 0006529035
Figure 0006529035

Claims (7)

(A)フェノール樹脂、(B)ガラス転移温度が−30〜50℃の範囲内であるアクリル樹脂及び(C)平均一次粒子径が1〜100nmのシリカ微粒子を含有する、組成物の比重が1.0以上である印刷用エッチングレジスト組成物。 (A) Phenolic resin, (B) Acrylic resin whose glass transition temperature is in the range of -30 to 50 ° C, and (C) silica particles having an average primary particle diameter of 1 to 100 nm, the specific gravity of the composition is 1 The etching resist composition for printing which is more than 0. 前記フェノール樹脂(A)及び前記アクリル樹脂(B)の合計固形分を基準として、前記フェノール樹脂(A)の含有量は、30〜95質量%、前記アクリル樹脂(B)の含有量は、5〜70質量%、シリカ微粒子(C)の含有量は、1〜50質量%である請求項1に記載の印刷用エッチングレジスト組成物。 The content of the phenolic resin (A) is 30 to 95% by mass, and the content of the acrylic resin (B) is 5 based on the total solid content of the phenolic resin (A) and the acrylic resin (B). The etching resist composition for printing according to claim 1, wherein the content of the fine particles (C) is 70% by mass and the content of the fine silica particles (C) is 1% by mass. さらに、(D)水酸基含有有機溶剤を含有し、該成分(D)は沸点が190℃以上の水酸基含有有機溶剤を含む請求項1に記載の印刷用エッチングレジスト組成物。 The etching resist composition for printing according to claim 1, further comprising (D) a hydroxyl group-containing organic solvent, wherein the component (D) contains a hydroxyl group-containing organic solvent having a boiling point of 190 ° C. or higher. さらに、比重が2.5以上の無機微粒子(E)を含む請求項1〜3のいずれか1項に記載の印刷用エッチングレジスト組成物。 The etching resist composition for printing according to any one of claims 1 to 3, further comprising inorganic fine particles (E) having a specific gravity of 2.5 or more. さらに、非シリコーン消泡剤(F)を含有する請求項1〜4のいずれか1項に記載の印刷用エッチングレジスト組成物。 Furthermore, the etching resist composition for printing of any one of Claims 1-4 containing a non-silicone antifoamer (F). 表面に金属層を有する基材の表面に、請求項1〜5のいずれか1項に記載の印刷用エッチングレジスト組成物を用いてスクリーン印刷を行い、所望パターンのレジスト膜を形成する工程を含むレジスト膜形成方法。 The process of screen-printing on the surface of the base material which has a metal layer on the surface using the etching resist composition for printing of any one of Claims 1-5, and forming the resist film of a desired pattern is included. Resist film formation method. (1)表面に金属層を有する基材の金属層側に、請求項1〜5のいずれか1項に記載の印刷用エッチングレジスト組成物を用いてスクリーン印刷を行い、所望のレジスト膜を形成する工程、
(2)前記レジスト膜が形成されていない部分の金属層をエッチング液により除去する工程、及び
(3)前記工程(2)の後に、剥離液を用いて前記レジスト膜を除去する工程を含む金属層パターンを有する基材の製造方法。
(1) On the metal layer side of a substrate having a metal layer on the surface, screen printing is performed using the etching resist composition for printing according to any one of claims 1 to 5 to form a desired resist film The process to
(2) removing the metal layer in a portion where the resist film is not formed with an etching solution, and (3) removing the resist film using a stripping solution after the step (2). The manufacturing method of the base material which has a layer pattern.
JP2015212769A 2015-10-29 2015-10-29 Etching resist composition for printing, method of forming resist film, and method of manufacturing substrate having metal layer pattern Active JP6529035B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015212769A JP6529035B2 (en) 2015-10-29 2015-10-29 Etching resist composition for printing, method of forming resist film, and method of manufacturing substrate having metal layer pattern

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015212769A JP6529035B2 (en) 2015-10-29 2015-10-29 Etching resist composition for printing, method of forming resist film, and method of manufacturing substrate having metal layer pattern

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017084996A JP2017084996A (en) 2017-05-18
JP6529035B2 true JP6529035B2 (en) 2019-06-12

Family

ID=58711087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015212769A Active JP6529035B2 (en) 2015-10-29 2015-10-29 Etching resist composition for printing, method of forming resist film, and method of manufacturing substrate having metal layer pattern

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6529035B2 (en)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2562273B2 (en) * 1992-12-02 1996-12-11 日本黒鉛工業株式会社 Method for manufacturing copper plated fine pitch connector member
JP3186923B2 (en) * 1993-05-28 2001-07-11 関西ペイント株式会社 Positive photosensitive anion electrodeposition resist composition and pattern forming method using the composition
JP2004260143A (en) * 2003-02-05 2004-09-16 Kansai Paint Co Ltd Resist composition for printing ink, method for forming resist film, and method for manufacturing substrate using method
JP2010195860A (en) * 2009-02-23 2010-09-09 Kansai Paint Co Ltd Resin composition, resist composition, and formation method for resist pattern
JP5875821B2 (en) * 2011-09-30 2016-03-02 太陽インキ製造株式会社 Photosensitive resin composition, cured film thereof and printed wiring board
TWI694109B (en) * 2013-06-12 2020-05-21 日商味之素股份有限公司 Resin composition

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017084996A (en) 2017-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102442750B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive element, semiconductor device and method for forming resist pattern
TWI620983B (en) Manufacturing method of conductive pattern forming member
JP2002302639A (en) Aqueous coating composition for inner surface of can
KR102442746B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive element, cured product, semiconductor device, method for forming resist pattern, and method for producing circuit substrate
TW201902972A (en) Inkjet resin composition, printed wiring board using same and manufacturing method thereof
KR101596533B1 (en) Heat-curable black ink composition, pattern formed by the same and electronic device comprising the same
CN109868004A (en) A kind of light-curable ink and pcb board
JPWO2012014481A1 (en) Conductive paste for offset printing
JP2011076899A (en) Conductive paste
TWI427125B (en) Ink composition for drum printing
CN110325952B (en) Manufacturing method of substrate with wiring electrodes and substrate with wiring electrodes
JP2004027146A (en) Powder coating composition
JP6529035B2 (en) Etching resist composition for printing, method of forming resist film, and method of manufacturing substrate having metal layer pattern
JP4864545B2 (en) Thermosetting solder resist composition for flexible substrate, flexible substrate and method for producing flexible substrate
JP5633720B2 (en) Ink composition for fine pattern formation
JP7346041B2 (en) Etching resist composition
KR100603238B1 (en) Printing ink resist composition, method of forming resist film thereof, and method of producing substrate using the same
CN119421932A (en) UV curable printing ink composition and method for producing the same, and cured film
JP2021138560A (en) Etching resist composition
KR101716722B1 (en) Photosensitive conductive paste and method for producing conductive pattern
TWI912652B (en) Solder resist composition
JP6487616B2 (en) Thermally dry etching resist composition
JP2004260143A (en) Resist composition for printing ink, method for forming resist film, and method for manufacturing substrate using method
JPH07242853A (en) Water dispersion composition
JP6717439B1 (en) Laminated material

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180705

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190326

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190508

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190508

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6529035

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250