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JP6535705B2 - Particle therapy equipment - Google Patents
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Description

本発明は、加速器及び粒子線照射装置に係り、特に、がんの治療に適用するのに好適な加速器及び粒子線照射装置に関する。   The present invention relates to an accelerator and a particle beam irradiation apparatus, and more particularly to an accelerator and a particle beam irradiation apparatus suitable for application to treatment of cancer.

粒子線照射装置は、大きく分けて、加速器としてシンクロトロンを有する粒子線照射装置(例えば、特開2004−358237号公報参照)、及び加速器としてサイクロトロンを有する粒子線照射装置(例えば、特開2011−92424号公報参照)が知られている。   The particle beam irradiation apparatus is roughly divided into a particle beam irradiation apparatus having a synchrotron as an accelerator (for example, see JP-A-2004-358237) and a particle beam irradiation apparatus having a cyclotron as an accelerator (for example, JP-A-2011-) 92424) is known.

シンクロトロンを有する粒子線照射装置は、イオン源、直線加速器、シンクロトロン、ビーム輸送系、回転ガントリー及び照射装置を備える。シンクロトロンは、環状のビームダクトを有し、ビームダクトに、複数の偏向電磁石、複数の四極電磁石、高周波加速空胴、出射用高周波印加装置及び出射用デフレクタを設けている。イオン源は直線加速器に接続され、直線加速器はシンクロトロンに接続される。シンクロトロンの出射口に接続されたビーム輸送系は、一部が回転ガントリーに設置され、回転ガントリーに設置された照射装置に連絡される。   A particle beam irradiation apparatus having a synchrotron includes an ion source, a linear accelerator, a synchrotron, a beam transport system, a rotating gantry, and an irradiation apparatus. The synchrotron has an annular beam duct, and the beam duct is provided with a plurality of deflection electromagnets, a plurality of quadrupole electromagnets, a high frequency acceleration cavity, a high frequency application device for emission, and an output deflector. The ion source is connected to a linear accelerator, and the linear accelerator is connected to a synchrotron. A part of the beam transport system connected to the exit of the synchrotron is installed in the rotating gantry and communicated to the irradiation device installed in the rotating gantry.

イオン源から出射されたイオン(例えば、陽イオンまたは炭素イオン)が直線加速器で加速される。直線加速器で生成されたイオンビームはシンクロトロンの環状のビームダクトに入射される。このビームダクトを周回するイオンビームは、高周波電圧が印加される高周波加速空胴で所定のエネルギーまで加速される。周回して所定のエネルギーに達したイオンビームに、出射用高周波印加装置の高周波印加電極から高周波電圧を印加することによって、このイオンビームが出射用デフレクタを通してビーム輸送系に出射される。イオンビームは、照射装置から治療台上の患者のがんの患部に照射される。なお、回転ガントリーは、照射装置のビーム経路が患部に対するイオンビームの照射方向に一致させるように、照射装置を回転させる。   Ions (eg, positive ions or carbon ions) emitted from an ion source are accelerated by a linear accelerator. The ion beam generated by the linear accelerator is incident on the annular beam duct of the synchrotron. The ion beam circulating in the beam duct is accelerated to a predetermined energy in a high frequency accelerating cavity to which a high frequency voltage is applied. By applying a high frequency voltage from the high frequency application electrode of the high frequency application device for extraction to the ion beam which has circulated and reached the predetermined energy, the ion beam is emitted to the beam transport system through the extraction deflector. The ion beam is irradiated from the irradiation device to the affected part of the patient's cancer on the treatment table. The rotating gantry rotates the irradiation device so that the beam path of the irradiation device coincides with the irradiation direction of the ion beam to the affected area.

イオンビームの照射方向においてその患部が複数の層に分割され、層ごとにイオンビームの走査を行う場合には、イオンビームのエネルギーを変えて到達する層を特定する。イオンビームのエネルギーは、前述したように、高周波加速空胴に印加する高周波電圧パターン、四極電磁石の励磁パターン及び偏向電磁石の励磁パターンを制御することによって調節される。層内のイオンビームの走査は、照射装置に設けられた操作用電磁石の励磁電流を調節することによって制御される。   When the affected area is divided into a plurality of layers in the irradiation direction of the ion beam, and the ion beam is scanned for each layer, the energy of the ion beam is changed to specify the layer to be reached. The energy of the ion beam is adjusted by controlling the high frequency voltage pattern applied to the high frequency accelerating cavity, the excitation pattern of the quadrupole electromagnet and the excitation pattern of the deflection electromagnet as described above. The scanning of the ion beam in the layer is controlled by adjusting the excitation current of the operating electromagnet provided in the irradiation apparatus.

サイクロトロンを有する粒子線照射装置は、イオン源、サイクロトロン、ビーム輸送系、回転ガントリー及び照射装置を備える。サイクロトロンは、横断面が円形の一対の対向する鉄心で構成される真空容器、高周波加速装置及び取出し用電磁石を有する。ビーム輸送系は、取出し用電磁石が配置された、サイクロトロンの出射口に連絡される。サイクロトロンを有する粒子線照射装置におけるビーム輸送系、回転ガントリー及び照射装置は、実質的に、シンクロトロンを有する粒子線照射装置におけるこれらの構造と同じである。   A particle beam irradiator having a cyclotron comprises an ion source, a cyclotron, a beam transport system, a rotating gantry and an irradiator. The cyclotron has a vacuum vessel composed of a pair of opposing iron cores having a circular cross section, a high frequency acceleration device and an extraction electromagnet. The beam transport system is in communication with the exit of the cyclotron where the extraction electromagnet is arranged. The beam transport system, the rotating gantry and the irradiator in a particle beam irradiator having a cyclotron are substantially the same as these structures in a particle irradiator having a synchrotron.

サイクロトロンを有する粒子線照射装置では、イオン源から出射されたイオン(例えば、陽イオンまたは炭素イオン)が、サイクロトロンの鉄心の横断面の中心に入射され、高周波加速装置で加速される。加速されたイオンビームは、鉄心の中心からリターンヨークの内側の側面に向かって螺旋状に周回し、鉄心の周辺部に設けられた取出し用電磁石によりビーム輸送系に出射される。この出射されたイオンビームは、ビーム輸送系を通って照射装置から治療台上の患者のがんの患部に照射される。   In a particle beam irradiation apparatus having a cyclotron, ions (for example, positive ions or carbon ions) emitted from an ion source are incident on the center of the cross section of the core of the cyclotron and accelerated by a high frequency accelerator. The accelerated ion beam spirals from the center of the iron core toward the inner side surface of the return yoke and is emitted to the beam transport system by the extraction electromagnet provided at the periphery of the iron core. The emitted ion beam is irradiated from the irradiation apparatus to the affected part of the patient's cancer on the treatment table through the beam transport system.

サイクロトロンを有する粒子線照射装置を用いて、前述したように患部が複数の層に分割され、層ごとにイオンビームの走査を行う場合には、ビーム輸送系に設けられたデグレーダを用いて、ビーム輸送系に出射されたイオンビームのエネルギーを調節する。デグレーダは、厚みの異なる金属板単体または複数の金属板の組み合わせによって、デグレーダによって低減された、デグレーダを通過した後のイオンビームのエネルギー、すなわち、患部に照射されるイオンビームのエネルギーを調節する。通常、サイクロトロンで加速されるイオンビームのエネルギーは一定であるため、通常、がんの治療に必要な最大のエネルギーまでサイクロトロンでイオンビームのエネルギーを高め、このエネルギーは、イオンビームをデグレーダに設けられた或る金属板を透過させることによって減衰され、所定のエネルギーに調節される。   When the affected area is divided into a plurality of layers as described above using a particle beam irradiation apparatus having a cyclotron, and the ion beam is scanned for each layer, the beam is transmitted using a degrader provided in the beam transport system. Adjust the energy of the ion beam emitted to the transport system. The degrader adjusts the energy of the ion beam reduced by the degrader after passing through the degrader, that is, the energy of the ion beam irradiated to the affected area, by a single metal plate of different thickness or a combination of a plurality of metal plates. Usually, since the energy of the ion beam accelerated by the cyclotron is constant, the energy of the ion beam is usually raised by the cyclotron up to the maximum energy necessary for cancer treatment, and this energy is provided to the degrader It is attenuated by transmitting a certain metal plate and adjusted to a predetermined energy.

特開2014−160613号公報は、その粒子線照射装置に用いられる、イオンビームの引き出し効率を高めることができるサイクロトロンを記載している。このサイクロトロンは、イオンビームの周回軌道を間に挟んで形成し、周方向において交互に配置された複数の凸部及び複数の凹部を有し、この凸部に挟まれたヒル領域及びこの凹部に挟まれたバレー領域をその周回軌道に沿って形成する一対の磁極と、バレー領域に設けられたディ電極と、ディ電極が設けられたバレー領域以外の少なくとも一つのバレー領域においてイオンビームの周回軌道の、半径方向における外周側に配置され、イオンビームを加速させる加速空胴を備えている。イオンビームを加速するディ電極以外に加速空胴を設けているこのサイクロトロンは、イオンビーム1ターン当たりのエネルギー増加量が増加してターンセパレーションが増加し、イオンビームの引き出し効率が向上する。   Unexamined-Japanese-Patent No. 2014-160613 describes the cyclotron which can raise the extraction efficiency of an ion beam used for the particle beam irradiation apparatus. This cyclotron is formed on both sides of the orbit of the ion beam, and has a plurality of convex portions and a plurality of concave portions alternately arranged in the circumferential direction, and the hill region sandwiched by the convex portions and the concave portions The orbit of the ion beam in at least one valley area other than the valley area provided with a pair of magnetic poles forming a pinched valley area along its orbit, a de-electrode provided in the valley area, and a de-electrode The acceleration cavity is disposed on the outer peripheral side in the radial direction to accelerate the ion beam. In this cyclotron having an accelerating cavity other than the de-electrode for accelerating the ion beam, the amount of increase in energy per one turn of the ion beam is increased, the turn separation is increased, and the extraction efficiency of the ion beam is improved.

特開平10−118204号公報は、がんの患部をイオンビームの照射方向において患者の体表面から複数の層に分割し、細いイオンビームを走査することにより各層内の複数の照射位置に対してイオンビームを照射する荷電粒子ビーム照射方法を記載している。層内で隣の照射位置へのイオンビームの移動は、照射装置に設けられた走査電磁石を制御することにより行われる。また、深い層から浅い層へのイオンビームの移動は、イオンビームエネルギーを変えることによって行われる。イオンビームのエネルギーが大きくなるほど、イオンビームの後述のブラッグピークが患部の深い位置まで到達する。イオンビームを患者に照射した場合には、患者の体表面からの深さ方向において、特開平10−118204号公報の図3に示すような線量分布を示し、ブラッグピークで線量が最大になり、さらに、ブラッグピークを超える深さで線量分布が急激に減少する。イオンビームを用いたがん治療では、ブラッグピークで線量が最大になり、ブラッグピークを超える深さで線量が急激に減少する性質を利用している。   JP-A-10-118204 divides a cancerous affected area into a plurality of layers from the patient's body surface in the irradiation direction of the ion beam, and scans a thin ion beam to a plurality of irradiation positions in each layer. A charged particle beam irradiation method of irradiating an ion beam is described. The movement of the ion beam to the next irradiation position in the layer is performed by controlling a scanning electromagnet provided in the irradiation apparatus. Also, transfer of the ion beam from the deep layer to the shallow layer is performed by changing the ion beam energy. As the energy of the ion beam increases, the later-described Bragg peak of the ion beam reaches a deeper position in the affected area. When a patient is irradiated with an ion beam, the dose distribution as shown in FIG. 3 of JP-A-10-118204 is shown in the depth direction from the patient's body surface, and the dose is maximized at the Bragg peak, Furthermore, the dose distribution sharply decreases at depths beyond the Bragg peak. In cancer treatment using an ion beam, the dose is maximized at the Bragg peak, and the property in which the dose sharply decreases at the depth beyond the Bragg peak is used.

特許第3472657号公報に記載された粒子線照射装置では、イオンビームを出射する円形加速器を縦にして回転する回転枠に取り付け、加速器から出射されたイオンビームを治療室に導くビーム輸送チャンバーが設けられている。ビーム輸送チャンバーは加速器の出射口に接続される。ビーム輸送チャンバーは、加速器の半径方向に伸びて水平方向に曲げられて治療室の真上に達し、その後、下向きに曲げられている。照射野形成装置がビーム輸送チャンバーの先端部に取り付けられている。治療室は放射線囲内に形成され、イオンビームが照射される患者は、治療室内に設置された治療台の上に載っている。放射線囲の側壁は、加速器と治療室の間に配置される。円形加速器から出射されたイオンビームは、ビーム輸送チャンバー及び照射野形成装置を経て治療台上の患者の患部に照射される。イオンビームの照射方向を変えるために照射野形成装置の向きは、回転枠を回転させて加速器を回転させ、ビーム輸送チャンバー及び照射野形成装置を加速器の回転中心の周りに旋回させることによって変更される。   In the particle beam irradiation apparatus described in Japanese Patent No. 3472657, a circular accelerator for emitting an ion beam is attached to a rotating frame that rotates in a vertical direction, and a beam transport chamber for guiding the ion beam emitted from the accelerator to a treatment room is provided. It is done. The beam transport chamber is connected to the exit of the accelerator. The beam transport chamber extends in the radial direction of the accelerator and is bent horizontally to just above the treatment room and then bent downward. A field forming device is attached to the tip of the beam transport chamber. The treatment room is formed within the radiation envelope, and the patient to be irradiated with the ion beam is mounted on a treatment table placed in the treatment room. The sidewall of the radiation surround is placed between the accelerator and the treatment room. The ion beam emitted from the circular accelerator passes through the beam transport chamber and the irradiation field forming apparatus and is irradiated to the affected area of the patient on the treatment table. In order to change the direction of irradiation of the ion beam, the direction of the irradiation field forming device is changed by rotating the rotation frame to rotate the accelerator and pivoting the beam transport chamber and the irradiation field forming device around the rotation center of the accelerator. Ru.

特開2004−358237号公報JP 2004-358237 A 特開2011−92424号公報JP, 2011-92424, A 特開2014−160613号公報JP, 2014-160613, A 特開平10−118204号公報JP 10-118204 A 特許第3472657号公報Patent No. 3472657 gazette 特開2006−239403号公報JP, 2006-239403, A

シンクロトロンを用いた粒子線照射装置は、シンクロトロンにおいてエネルギーが異なる複数のイオンビームを生成することができ、シンクロトロンから出射されるイオンビームのエネルギーを変えることができる。しかしながら、複数の偏向電磁石及び複数の四極電磁石が必要になるため、シンクロトロンは、ある程度以上の小型化が困難である。また、シンクロトロンは、イオンビームの取り出しが間欠的になり、イオンビームの取り出し量が少なくなる。   A particle beam irradiation apparatus using a synchrotron can generate a plurality of ion beams having different energies in the synchrotron, and can change the energy of the ion beam emitted from the synchrotron. However, since a plurality of deflection electromagnets and a plurality of quadrupole magnets are required, the synchrotron is difficult to miniaturize to a certain extent or more. In addition, in the synchrotron, the extraction of the ion beam becomes intermittent, and the extraction amount of the ion beam decreases.

これに対して、サイクロトロンは、イオンビームを連続的に取り出すことができ、イオンビームの取り出し量が多い。しかしながら、サイクロトロンにおいて生成されるイオンビームのエネルギーは一定であり、最大エネルギーよりもエネルギーが低いイオンビームの取り出しは不可能である。このため、患部の或る一つの層にイオンビームを照射する場合のように、低いエネルギーのイオンビームが必要なときには、イオンビームがその層に到達するように、ビーム輸送系に設けたデグレーダによりイオンビームのエネルギーを調節する必要がある。イオンビームのエネルギー調節にデグレーダを使用すると、デグレーダによるイオンビームのビームサイズの増加、デグレーダの金属板を透過するイオン数の減少及び放射性廃棄物の増加などの問題が生じる。   On the other hand, the cyclotron can continuously extract the ion beam, and the amount of extraction of the ion beam is large. However, the energy of the ion beam generated in the cyclotron is constant, and extraction of the ion beam whose energy is lower than the maximum energy is impossible. For this reason, when a low energy ion beam is required, as in the case of irradiating an ion beam to a certain layer in the affected area, the degrader provided in the beam transport system so that the ion beam reaches that layer It is necessary to adjust the energy of the ion beam. The use of a degrader for adjusting the energy of the ion beam causes problems such as an increase in beam size of the ion beam due to the degrader, a decrease in the number of ions transmitted through the metal plate of the degrader, and an increase in radioactive waste.

このため、異なるエネルギーを有するイオンビームの取出しを連続に実現でき、このイオンビームの取出し効率が向上できる陽子線治療装置が望まれている。   For this reason, there is a demand for a proton therapy apparatus that can continuously realize extraction of ion beams having different energies and can improve the extraction efficiency of the ion beams.

本発明の目的は、エネルギーが異なる各イオンビームを効率良く出射することができる加速器及び粒子線照射装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an accelerator and a particle beam irradiation apparatus capable of efficiently emitting ion beams different in energy.

上記した目的を達成する本発明の粒子線治療装置は、荷電粒子ビームが生成される加速器と、前記荷電粒子ビームの輸送経路であるビーム輸送系と、前記ビーム輸送系を介して輸送された前記荷電粒子ビームにより照射野を形成する照射装置と、を有する粒子線治療装置において、前記加速器は、前記荷電粒子ビームの加速および軌道を制御する、鉄心、コイルおよび加速電極を有し、前記鉄心に囲まれた領域内に前記荷電粒子ビームを周回させて加速するための略円盤状のビーム周回領域が形成され、さらに、前記ビーム周回領域の中心位置と異なる位置に、前記ビーム周回領域に対するイオンの入射点を持つように設けられたイオン源を有し、前記入射点に対して前記中心位置の反対側に、加速後の荷電粒子ビームを取り出す経路であるビーム出射経路の基端が設けられることを特徴とすることにある。
A particle beam therapy system according to the present invention for achieving the above object comprises an accelerator in which a charged particle beam is generated, a beam transport system which is a transport path of the charged particle beam, and the beam transported through the beam transport system. An accelerator configured to form an irradiation field with a charged particle beam, wherein the accelerator has an iron core, a coil and an accelerating electrode for controlling acceleration and trajectory of the charged particle beam, and the iron core A substantially disk-like beam orbiting area for orbiting and accelerating the charged particle beam is formed in the enclosed area, and ions for the beam orbiting area are located at positions different from the center position of the beam orbiting area. An ion source provided so as to have an incident point, and a path for taking out a charged particle beam after acceleration on the opposite side of the central position with respect to the incident point It is that wherein the base end of the over-time emission path is provided.

イオン入射部がメインコイルの重心とは径方向に異なる位置に配置されるので、イオン入射部の周囲に形成される複数の環状のビーム周回軌道の隣り合う相互の間隔は、イオン入射部よりビーム出射経路の入口側の領域よりも、イオン入射部を基点にしてビーム出射経路の入口の反対側の領域で広くなる。このため、ビーム周回軌道の隣り合う相互の間隔が広くなる、ビーム出射経路の入口の反対側の領域においてビーム周回軌道から容易にイオンビームを離脱させることができ、各環状のビーム周回軌道を周回するエネルギーの異なる各イオンビームを効率良く出射することができる。   Since the ion incident part is disposed at a position different from the center of gravity of the main coil in the radial direction, the distance between adjacent ones of the plurality of annular beam orbits formed around the ion incident part is the beam from the ion incident part It becomes wider at the region on the opposite side of the entrance of the beam exit path from the ion incident part than at the entrance side of the exit path. Therefore, the ion beam can be easily separated from the beam orbit in the region opposite to the entrance of the beam exit path where the distance between adjacent beam orbits becomes wider, and the beam orbits around each annular orbit It is possible to efficiently emit ion beams having different energies.

対向するように設置され、等時性磁場を間に形成する一対の鉄心と、入射されたイオンを加速する加速電極とを有し、イオンが入射されるイオン入射部が、鉄心の中心とは径方向に異なる位置に配置されることによっても、上記の目的を達成することができる。   It has a pair of iron cores installed facing each other and forming an isochronous magnetic field between them, and an accelerating electrode which accelerates the incident ions, and the ion incident portion to which the ions are incident is the center of the iron core The above purpose can also be achieved by disposing at different positions in the radial direction.

イオン入射部が鉄心の中心とは径方向に異なる位置に配置されるので、イオン入射部の周囲に形成される複数の環状のビーム周回軌道の隣り合う相互の間隔は、イオン入射部よりビーム出射経路の入口側の領域よりも、イオン入射部を基点にしてビーム出射経路の入口の反対側の領域で広くなる。このため、ビーム周回軌道の隣り合う相互の間隔が広くなる、ビーム出射経路の入口の反対側の領域においてビーム周回軌道から容易にイオンビームを離脱させることができ、各環状のビーム周回軌道を周回するエネルギーの異なる各イオンビームを効率良く出射することができる。   Since the ion incident part is disposed at a position different from the center of the iron core in the radial direction, the distance between adjacent ones of the plurality of annular beam orbits formed around the ion incident part is the beam emission from the ion incident part It becomes wider at the region on the opposite side of the entrance of the beam outgoing path starting from the ion incident part than at the entrance side of the path. Therefore, the ion beam can be easily separated from the beam orbit in the region opposite to the entrance of the beam exit path where the distance between adjacent beam orbits becomes wider, and the beam orbits around each annular orbit It is possible to efficiently emit ion beams having different energies.

環状のメインコイルと、等時性磁場を形成する磁極と、イオンを加速する複数の加速電極とを有し、複数の加速電極は、メインコイルの内面の位置から前記メインコイルの内側に向かって伸びるように設置され、複数の加速電極の、メインコイルの内面の位置からメインコイル内でメインコイルの内面から離れる方向に向かって伸びている部分のそれぞれの先端部が、メインコイルの重心とは径方向に異なる位置に配置されることによっても、上記の目的を達成することができる。   An annular main coil, a magnetic pole forming an isochronous magnetic field, and a plurality of acceleration electrodes for accelerating ions, the plurality of acceleration electrodes being directed from the inner surface of the main coil toward the inside of the main coil Each tip of a portion of the plurality of accelerating electrodes, which is installed so as to extend, extends from the position of the inner surface of the main coil toward the direction away from the inner surface of the main coil from the position of the inner surface of the main coil The above purpose can also be achieved by disposing at different positions in the radial direction.

複数の加速電極の、メインコイルの内面の位置からメインコイル内でメインコイルの内面から離れる方向に向かって伸びている部分のそれぞれの先端部が、メインコイルの重心とは径方向に異なる位置に配置されるので、複数の加速電極のそれぞれの先端部が配置されるその位置の周囲に形成される複数の環状のビーム周回軌道の隣り合う相互の間隔は、イオン入射部よりビーム出射経路の入口側の領域よりも、イオン入射部を基点にしてビーム出射経路の入口の反対側の領域で広くなる。このため、ビーム周回軌道の隣り合う相互の間隔が広くなる、ビーム出射経路の入口の反対側の領域においてビーム周回軌道から容易にイオンビームを離脱させることができ、各環状のビーム周回軌道を周回するエネルギーの異なる各イオンビームを効率良く出射することができる。   The tips of the plurality of accelerating electrodes extending from the position of the inner surface of the main coil toward the direction away from the inner surface of the main coil in the main coil are at positions different from the center of gravity of the main coil in the radial direction As it is disposed, adjacent mutual spacings of the plurality of annular beam orbits formed around the position where the tip of each of the plurality of accelerating electrodes is disposed is the entrance of the beam outgoing path from the ion incident portion The region on the side opposite to the entrance of the beam exit path is wider than the region on the side of the ion incident part. Therefore, the ion beam can be easily separated from the beam orbit in the region opposite to the entrance of the beam exit path where the distance between adjacent beam orbits becomes wider, and the beam orbits around each annular orbit It is possible to efficiently emit ion beams having different energies.

対向するように設置され、磁場を間に形成する一対の鉄心と、イオンを加速する加速電極とを有し、鉄心は複数の凸部を形成しており、複数の凸部は、鉄心の重心とは径方向に異なる位置に向かって、鉄心外周から伸びるように鉄心に形成されていることによっても、上記の目的を達成することができる。   It has a pair of iron cores installed facing each other and forming a magnetic field between them, and an accelerating electrode for accelerating ions, wherein the iron core forms a plurality of projections, and the plurality of projections are the center of gravity of the iron core The above object can also be achieved by being formed on the iron core so as to extend from the outer periphery of the iron core to a position different from that in the radial direction.

複数の凸部は、鉄心の重心とは径方向に異なる位置に向かって、鉄心外周から伸びるように設置されているので、複数の凸部のそれぞれの先端部が配置される、鉄心の重心とは径方向に異なる位置の周囲に形成される複数の環状のビーム周回軌道の隣り合う相互の間隔は、イオン入射部よりビーム出射経路の入口側の領域よりも、イオン入射部を基点にしてビーム出射経路の入口の反対側の領域で広くなる。このため、ビーム周回軌道の隣り合う相互の間隔が広くなる、ビーム出射経路の入口の反対側の領域においてビーム周回軌道からイオンビームを容易に離脱させることができ、各環状のビーム周回軌道を周回するエネルギーの異なる各イオンビームを効率良く出射することができる。   The plurality of convex portions are installed so as to extend from the outer periphery of the core toward a position different from the center of gravity of the core in the radial direction, so the respective center portions of the plurality of convex portions are arranged The distance between adjacent ring-shaped beam orbits formed around different positions in the radial direction is the beam starting from the ion incident portion rather than the region on the entrance side of the beam outgoing path from the ion incident portion It widens in the area opposite to the entrance of the exit path. For this reason, the ion beam can be easily separated from the beam orbit in the region opposite to the entrance of the beam exit path where the distance between adjacent beam orbits becomes wider, and the orbits of each annular beam orbit It is possible to efficiently emit ion beams having different energies.

(A1)イオン源からのイオンを供給するイオン入射部が、メインコイルの重心または中心軸とは径方向に異なる位置に配置されており、及び一対の鉄心のそれぞれが、イオン入射部の周囲においてイオン入射部から放射状に伸び、先端がイオン入射部に向かい合っている複数の磁極を形成しており、さらに、イオン入射部の周囲においてイオン入射部から放射状に伸びる複数の凹部を形成しており、イオン入射部の周囲において磁極と凹部が交互に配置され、メインコイルが、鉄心内にそれぞれ配置された複数の磁極及び複数の凹部を取り囲んでいる加速器において、さらに好ましい構成を以下に説明する。   (A1) An ion incident portion for supplying ions from the ion source is disposed at a position different from the center of gravity or center axis of the main coil in the radial direction, and each of the pair of iron cores is around the ion incident portion A plurality of magnetic poles are formed extending radially from the ion incident portion, with the tip facing the ion incident portion, and further, a plurality of concave portions extending radially from the ion incident portion around the ion incident portion, A further preferable configuration will be described below in an accelerator in which magnetic poles and recesses are alternately arranged around the ion incident portion, and the main coil surrounds a plurality of magnetic poles and a plurality of recesses respectively disposed in an iron core.

(A2)好ましくは、上記の(A1)において、一対の鉄心のそれぞれにおいて、メインコイルの中心軸に垂直な平面における、ビーム出射経路の入口とメインコイルの中心軸を結ぶ直線の両側のそれぞれの領域で、高周波加速電極を、その中心軸に垂直な平面でこの直線の両側にそれぞれ配置された複数の磁極のうちメインコイルの周方向で隣り合う磁極の間に配置し、
高周波加速電極の先端がイオン入射部に対向し、高周波加速電極は折れ曲り点を有し、
高周波加速電極の折れ曲り点から高周波加速電極の、メインコイルに対向する端面までの部分が、メインコイルの周方向で隣り合う磁極の間に位置する凹部の1つである、ビーム出射経路の入口と180°反対側に存在する第1凹部に向かって折り曲げられていることが望ましい。
(A2) Preferably, in (A1) above, in each of the pair of iron cores, each of both sides of a straight line connecting the entrance of the beam emission path and the central axis of the main coil in a plane perpendicular to the central axis of the main coil. In the region, the high frequency acceleration electrode is disposed between magnetic poles adjacent in the circumferential direction of the main coil among a plurality of magnetic poles respectively disposed on both sides of this straight line in a plane perpendicular to the central axis
The tip of the high frequency acceleration electrode faces the ion incident part, and the high frequency acceleration electrode has a bending point,
The entrance to the beam exit path, which is one of the recesses located between the adjacent magnetic poles in the circumferential direction of the main coil, from the bending point of the high frequency accelerating electrode to the end face of the high frequency accelerating electrode facing the main coil. And 180 degrees, it is desirable that it is bent toward the 1st crevice which exists on the opposite side.

(A3)好ましくは、上記の(A1)において、上記の第1凹部に配置されたビーム電流測定装置が、一対の鉄心間に形成されるビーム周回領域内でビーム周回軌道が形成される、メインコイルの中心軸に垂直な軌道面内で、上記の第1凹部に配置されたビーム電流測定部と、ビーム電流測定部を軌道面内でメインコイルの半径方向に移動させる移動装置と、移動されるビーム電流測定部の、軌道面内での位置を検出する位置検出装置とを有していることが望ましい。   (A3) Preferably, in (A1) described above, the beam current measurement device disposed in the first recessed portion is configured such that a beam orbit is formed in a beam orbiting region formed between a pair of iron cores The beam current measuring unit disposed in the first recess and a moving device for moving the beam current measuring unit in the radial direction of the main coil in the track plane in a track plane perpendicular to the central axis of the coil; It is desirable to have a position detection device for detecting the position of the beam current measurement unit in the orbital plane.

(A4)好ましくは、上記の(A1)において、上記の第1凹部に配置されたビーム電流測定装置によって測定されたビーム周回軌道の位置が所定の位置に存在しないとき、複数の磁極にそれぞれ取り付けられたトリムコイルにそれぞれ供給される励磁電流を制御する第1制御装置(例えば、コイル電流制御装置)を有していることが望ましい。   (A4) Preferably, in (A1) above, when the position of the beam orbit measured by the beam current measuring device disposed in the first recess is not present at a predetermined position, each is attached to the plurality of magnetic poles It is desirable to have a first control device (for example, a coil current control device) that controls the excitation current supplied to each of the trim coils.

(B1)メインコイルの半径方向の複数の位置で、イオンビームをビーム周回軌道から離脱させるビーム離脱装置を備える加速器において、さらに好ましい構成を以下に説明する。   (B1) A further preferable configuration will be described below in an accelerator provided with a beam separating device for separating the ion beam from the beam orbit at a plurality of positions in the radial direction of the main coil.

(B2)好ましくは、上記の(B1)において、加速器が、イオンビームが周回するビーム周回軌道が形成されるビーム周回領域を間に挟んで互いに結合されて一対の鉄心、及び一対の鉄心内にそれぞれ配置されたメインコイル、鉄心を貫通する、イオンビームの出射口であるビーム経路を備え、イオン源からのイオンが供給されてビーム周回領域に形成されるイオン入射部が、メインコイルの中心とは径方向に異なる位置に配置されることが望ましい。   (B2) Preferably, in (B1) above, the accelerator is coupled to each other across a beam circling region in which a beam circling trajectory in which the ion beam is circled is formed, in a pair of iron cores and a pair of iron cores An ion incident portion provided with a main coil arranged respectively and a beam path which is an emission port of an ion beam penetrating the iron core and supplied with ions from an ion source and formed in a beam circulation region is a center of the main coil and Are preferably arranged at different positions in the radial direction.

(B3)好ましくは、上記の(B2)において、一対の鉄心のそれぞれに、複数の磁極及び複数の凹部が形成され、イオン入射部を取り囲むように、磁極と凹部が交互に配置され、ビーム離脱装置である偏向電磁石装置がイオン入射部に向かって1つの凹部内に配置されることが望ましい。   (B3) Preferably, in (B2) above, a plurality of magnetic poles and a plurality of recesses are formed in each of the pair of iron cores, and the magnetic poles and the recesses are alternately arranged to surround the ion incident portion, It is desirable that the deflection electromagnet device, which is a device, be disposed in one recess toward the ion incident part.

(B4)好ましくは、上記の(B3)において、偏向電磁石装置が、イオン入射部を基点にしてビーム出射経路の入口と180°反対側に位置する、凹部の1つである第1凹部に配置されることが望ましい。   (B4) Preferably, in (B3) above, the deflection electromagnet device is disposed in a first recess which is one of the recesses located 180 ° opposite to the entrance of the beam emission path with respect to the ion incident portion. It is desirable to be done.

(B5)好ましくは、上記の(B4)において、偏向電磁石装置を移動させる移動装置が設けられることが望ましい。   (B5) Preferably, in (B4) above, it is desirable that a moving device for moving the deflection electromagnet device is provided.

(B6)好ましくは、上記の(B3)において、偏向電磁石装置が配置された凹部に配置されたビーム電流測定装置が、一対の鉄心間に形成されるビーム周回領域内でビーム周回軌道が形成される、メインコイルの中心軸に垂直な軌道面内で、上記の凹部に配置されたビーム電流測定部と、ビーム電流測定部を軌道面内でメインコイルの半径方向に移動させる移動装置と、移動されるビーム電流測定部の、軌道面内での位置を検出する位置検出装置とを有していることが望ましい。   (B6) Preferably, in (B3) above, the beam current measuring device disposed in the recess where the deflection electromagnet device is disposed has a beam orbit formed in a beam orbiting region formed between a pair of iron cores A beam current measuring unit disposed in the recess in the orbital plane perpendicular to the central axis of the main coil, and a moving device for moving the beam current measuring unit in the radial direction of the main coil in the orbital plane; It is desirable to have a position detection device for detecting the position in the orbital plane of the beam current measurement unit.

(B7)上記の(B2)の加速器、及びこの加速器から出射される前記イオンビームを出力する照射装置を備えた粒子線照射装置において、さらに好ましい構成を以下に説明する。   (B7) In the particle beam irradiation apparatus provided with the above-mentioned accelerator of (B2) and the irradiation apparatus which outputs the said ion beam radiate | emitted from this accelerator, a further preferable structure is demonstrated below.

(B8)好ましくは、上記の(B7)において、照射装置を回転させる回転装置と、照射装置のビーム軸をビーム照射対象へのイオンビームの照射方向に設定するために回転装置の回転を制御する第1制御装置(例えば、回転制御装置)と、ビーム照射対象の、その照射方向において分割された複数の層のうちの或る層に、この層に到達するエネルギーを有するイオンビームを照射するために、移動装置を制御して、偏向電磁石装置の対向する励磁すべき一対の磁極を、そのエネルギーを有するイオンビームが周回するビーム周回軌道に位置決めし、電源を制御して励磁すべき一対の磁極を励磁する第2制御装置(例えば、マスレスセプタム制御装置)とを備えることが望ましい。   (B8) Preferably, in the above (B7), a rotation device for rotating the irradiation device and rotation of the rotation device to set the beam axis of the irradiation device in the irradiation direction of the ion beam to the beam irradiation object In order to irradiate an ion beam having energy that reaches a first control device (for example, a rotation control device) and a layer among a plurality of layers divided in the irradiation direction, which is a target of beam irradiation, The moving device is controlled to position the pair of oppositely excited magnetic poles of the deflection electromagnet device on the beam orbit where the ion beam having the energy circulates, and the pair of magnetic poles to be excited by controlling the power supply. And a second controller (eg, a massless septum controller) for exciting the

(C1)一対の鉄心のそれぞれの鉄心に形成された複数の磁極によって形成される、異なるエネルギーのイオンビームがそれぞれ周回する環状の複数のビーム周回軌道が、ビーム出射経路の入口において集束している加速器において、さらに好ましい構成を以下に説明する。   (C1) A plurality of annular beam orbits formed by a plurality of magnetic poles formed on each of a pair of iron cores, in which ion beams of different energy circulate respectively are focused at the entrance of the beam emission path Further preferred configurations of the accelerator are described below.

(C2)上記の(C1)の加速器において、中心が互いに偏心している複数の環状のビーム周回軌道が形成され、これらの環状ビーム周回軌道が、イオン入射部とビーム経路の入口の間で、ビーム出射経路の入口において集束しており、イオン入射部を基点にしてビーム経路の入口の180°反対側で環状ビーム周回軌道の相互の間隔が広くなっている軌道偏心領域が、イオン入射部の周囲に形成されることが望ましい。   (C2) In the above-mentioned (C1) accelerator, a plurality of annular beam orbits whose centers are decentered from each other are formed, and these annular beam orbits are beams between the ion incident portion and the entrance of the beam path. The eccentricity of the annular beam orbit, which is focused at the entrance of the exit path, is 180 ° opposite to the entrance of the beam path from the ion entrance, and is spaced from each other around the ion entrance It is desirable to be formed.

(C3)上記の(C2)の加速器において、イオン入射部を中心する同心の複数の環状のビーム周回軌道が形成される軌道同心領域が形成され、上記軌道偏心領域が軌道同心領域を取り囲んでいることが望ましい。   (C3) In the above (C2) accelerator, an orbital concentric area is formed in which a plurality of concentric annular beam orbits centered on the ion incident part are formed, and the orbital eccentric area surrounds the orbital concentric area Is desirable.

本発明によれば、加速器から、エネルギーが異なる各イオンビームを効率良く出射することができる。   According to the present invention, it is possible to efficiently emit ion beams of different energy from the accelerator.

本発明の好適な一実施例である実施例1の粒子線照射装置の構成図である。It is a block diagram of the particle beam irradiation apparatus of Example 1 which is one suitable Example of this invention. 図1に示された粒子線照射装置に用いられる加速器の斜視図である。It is a perspective view of the accelerator used for the particle beam irradiation apparatus shown by FIG. 図2に示された加速器の横断面図(図5及び図6のII−II断面図)である。It is a cross-sectional view (II-II sectional drawing of FIG.5 and FIG.6) of the accelerator shown by FIG. 図2に示された加速器の入射用電極付近の拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view of the vicinity of the incidence electrode of the accelerator shown in FIG. 2; 図2のV−V断面図である。It is a V-V cross-sectional view of FIG. 図2のVI−VI断面図である。It is the VI-VI sectional view of FIG. 図2に示されたマスレスセプタムの側面図である。FIG. 3 is a side view of the massless septum shown in FIG. 2; 図7のそれぞれのVIII−VIIIの方向の矢視図である。It is an arrow line view of the direction of each VIII-VIII of FIG. 図1に示された制御システムの詳細構成図である。It is a detailed block diagram of the control system shown by FIG. 図2に示された加速器内に形成される複数のイオンビームの軌道、等時性線及び磁場分布を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing trajectories, isochronal lines, and magnetic field distributions of a plurality of ion beams formed in the accelerator shown in FIG. 2; 図3及び図10に示された等時性線IL1に沿った磁極8Eと中間面との間のギャップの変化を示す説明図である。Is an explanatory view showing a change in the gap between the 3 and pole 8E intermediate plane along the isochronous lines IL 1 shown in FIG. 10. 図3及び図10に示された等時性線IL2に沿った磁極8Eと中間面との間のギャップの変化を示す説明図である。It is an explanatory view showing a change in the gap between the 3 and pole 8E intermediate plane along the isochronous line IL 2 shown in FIG. 10. 図3及び図10に示された等時性線IL3に沿った磁極8Eと中間面との間のギャップの変化を示す説明図である。It is an explanatory view showing a change in gap between the pole 8E intermediate plane along the Figures 3 and isochronous line IL 3 shown in FIG. 10. イオンビームのエネルギーを変えたときにおけるイオンビームの進行方向における距離と磁場強度の関係を示す特性図である。It is a characteristic view showing the relation between the distance in the direction of movement of the ion beam and the magnetic field intensity when the energy of the ion beam is changed. イオンビームのエネルギーを変えたときにおけるイオンビームの進行方向における距離とn値の関係を示す特性図である。It is a characteristic view showing the relation between the distance in the direction of movement of an ion beam when changing the energy of an ion beam, and n value. イオンビームの運動エネルギーによる1倍変調波、2倍変調波及び3倍変調波の変化を示す特性図である。It is a characteristic view showing change of 1 time modulation wave, 2 time modulation wave, and 3 time modulation wave by kinetic energy of ion beam. イオンビームの運動エネルギーによる水平方向及び垂直方向におけるそれぞれのベータトロン振動数の変化を示す特性図である。It is a characteristic view showing change of each betatron frequency by the kinetic energy of ion beam in the horizontal direction and the perpendicular direction. イオンビームのエネルギーを変えたときにおけるイオンビームの進行方向における距離と水平β関数の関係を示す特性図である。FIG. 10 is a characteristic diagram showing the relationship between the distance in the traveling direction of the ion beam and the horizontal β function when the energy of the ion beam is changed. イオンビームのエネルギーを変えたときにおけるイオンビームの進行方向における距離と垂直β関数の関係を示す特性図である。FIG. 10 is a characteristic diagram showing the relationship between the distance in the traveling direction of the ion beam and the vertical β function when the energy of the ion beam is changed. イオンビームの運動エネルギーに応じた、出射するイオンビームの蹴り出し量を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the amount of kicking of the ion beam to radiate | emit according to the kinetic energy of ion beam. マスレスセプタムで蹴り出されたイオンビームが、取り出し位置に達するまでの軌道を、イオンビームの進行方向における距離とイオンビームの水平方向の変位との関係を示す特性図である。It is a characteristic view showing the relationship between the distance in the direction of movement of the ion beam and the horizontal displacement of the ion beam as to the trajectory by which the ion beam kicked out by the massless septum reaches the extraction position. 図7に示されたマスレスセプタムの対向する一対の磁極の励磁を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows excitation of a pair of opposing magnetic pole of the massless septum shown by FIG. 図1に示された粒子線照射装置を用いた粒子線照射方法における加速器へのイオンの入射から、加速器からのイオンビームの取り出しまでの手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure from injection of the ion to the accelerator in the particle beam irradiation method using the particle beam irradiation apparatus shown by FIG. 1 to extraction of the ion beam from an accelerator. 真空容器の半径方向における位置とイオンビームの量(ビーム電流)との関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the relationship between the position in the radial direction of a vacuum vessel, and the quantity (beam current) of an ion beam. 運転中の粒子線照射装置の加速器における各状態量の変化を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the change of each state quantity in the accelerator of the particle beam irradiation apparatus in process of operation. 図1に示された粒子線照射装置を用いた粒子線照射方法における患者の患部へのイオンビームの照射の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of irradiation of the ion beam to the affected part of the patient in the particle beam irradiation method using the particle beam irradiation apparatus shown by FIG. 本発明の他の好適な実施例である実施例2の粒子線照射装置の加速器内に形成されるビーム周回軌道を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the beam circulation orbit formed in the accelerator of the particle beam irradiation apparatus of Example 2 which is another preferable embodiment of this invention. 本発明の他の好適な実施例である実施例3の粒子線照射装置の構成図である。It is a block diagram of the particle beam irradiation apparatus of Example 3 which is another preferable Example of this invention. 本発明の他の好適な実施例である実施例4の粒子線照射装置の構成図である。It is a block diagram of the particle beam irradiation apparatus of Example 4 which is another preferable Example of this invention. 図29に示された加速器の詳細横断面図である。FIG. 30 is a detailed cross-sectional view of the accelerator shown in FIG. 図29に示された制御システムの詳細構成図である。It is a detailed block diagram of the control system shown by FIG. 図29に示された粒子線照射装置を用いた粒子線照射方法における患者の患部へのイオンビームの照射の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of irradiation of the ion beam to the affected part of the patient in the particle beam irradiation method using the particle beam irradiation apparatus shown by FIG. 本発明の他の好適な実施例である実施例5の粒子線照射装置の構成図である。It is a block diagram of the particle beam irradiation apparatus of Example 5 which is another preferable Example of this invention. 図33に示された加速器の詳細横断面図である。FIG. 34 is a detailed cross-sectional view of the accelerator shown in FIG. 図33に示された粒子線照射装置を用いた粒子線照射方法における患者の患部へのイオンビームの照射の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of irradiation of the ion beam to the affected part of the patient in the particle beam irradiation method using the particle beam irradiation apparatus shown by FIG.

本発明の他の好適な実施例である実施例6の粒子線照射装置の構成図である。It is a block diagram of the particle beam irradiation apparatus of Example 6 which is another preferable Example of this invention. 図36に示された加速器の詳細横断面図(図38のB−B断面図)である。It is a detailed cross-sectional view (BB sectional drawing of FIG. 38) of the accelerator shown by FIG. 図37のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図38に示されたマスレスセプタム付近の拡大図である。FIG. 39 is an enlarged view of the vicinity of the massless septum shown in FIG. 38. 図39に示されたビーム電流測定装置の側面図である。FIG. 40 is a side view of the beam current measurement device shown in FIG. 39. 図40のD−Dの方向の矢視図である。It is an arrow line view of the direction of DD of FIG. 本発明の他の好適な実施例である実施例7の粒子線照射装置の構成図である。It is a block diagram of the particle beam irradiation apparatus of Example 7 which is another preferable Example of this invention. 図42に示された加速器の詳細横断面図である。FIG. 43 is a detailed cross-sectional view of the accelerator shown in FIG. 42. 本発明の他の好適な実施例である実施例8の粒子線照射装置の真空容器付近での横断面図(図45及び図46のG−G断面図)である。It is a cross-sectional view (G-G sectional drawing of FIG. 45 and FIG. 46) of the vacuum vessel vicinity of the particle beam irradiation apparatus of Example 8 which is another preferable Example of this invention. 図44のE−E断面図である。It is EE sectional drawing of FIG. 図44のF−F断面図である。It is FF sectional drawing of FIG. マスレスセプタムの他の配置例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the other example of arrangement | positioning of a massless septum. 本発明の他の好適な実施例である実施例9の粒子線照射装置の横断面図である。It is a cross-sectional view of the particle beam irradiation apparatus of Example 9 which is another preferable embodiment of the present invention.

発明者らは、サイクロトロンのようにイオンビームを連続的に取り出すことができ、シンクロトロンのようにエネルギーが異なるイオンビームを取り出すことができる加速器を実現するために種々の検討を行った。   The inventors conducted various studies to realize an accelerator capable of extracting an ion beam continuously like a cyclotron and extracting an ion beam different in energy like a synchrotron.

発明者らがまず着目したのは、サイクロトロンの真空容器内を周回するイオンビームのビーム周回軌道の相互の間隔(真空容器の半径方向におけるビーム周回軌道相互の間隔)を広くすることである。このビーム周回軌道の間隔を広くする、すなわち、ビーム周回軌道相互間の間隔(ターンセパレーション)を大きくすることは、真空容器の直径が大きくなり、サイクロトロンが大型化する。これでは、加速器の小型化に反することになる。また、従来のサイクロトロンでは、真空容器内で同心円状のビーム周回軌道を描いており、高エネルギーでのターンセパレーションの確保が困難なため、エネルギーが異なる各イオンビームを効率良く出射することが困難であった。   The inventors first focused on increasing the distance between the beam orbits of the ion beam orbiting in the vacuum vessel of the cyclotron (the distance between the beam orbits in the radial direction of the vacuum vessel). Increasing the spacing of the beam orbits, ie, increasing the spacing between the beam orbits (turn separation), increases the diameter of the vacuum vessel and increases the size of the cyclotron. This is against the miniaturization of the accelerator. Also, in the conventional cyclotron, concentric circular beam orbits are drawn in the vacuum chamber, and it is difficult to secure turn separation with high energy, so it is difficult to efficiently emit ion beams of different energies. there were.

サイクロトロンでは、円形の真空容器が用いられ、イオン源がこの真空容器の中心にイオンを入射するように真空容器の中心に連絡されている。発明者らは、サイクロトロンにおいて真空容器の中心に接続されているイオン源を、真空容器に形成されるビーム取り出し口側に移動させて真空容器に接続し、イオン源からのイオンを、真空容器の中心ではなく、ビーム取り出し口側にずれた位置で真空容器に入射させることを考えた。この結果、イオン源からイオンが入射されるイオン入射位置とビーム取り出し口の間で真空容器内に形成されるビーム周回軌道相互の間隔が密になり、真空容器におけるビーム取り出し口と180°反対側の位置とそのイオン入射位置との間では、イオン入射位置とビーム取り出し口の間とは逆に真空容器内に形成されるビーム周回軌道相互後の間隔を広くすることができた。   In a cyclotron, a circular vacuum vessel is used, and an ion source is in communication with the center of the vacuum vessel so that ions are incident on the center of the vacuum vessel. The inventors move the ion source connected to the center of the vacuum vessel in the cyclotron to the side of the beam outlet formed in the vacuum vessel and connect it to the vacuum vessel and connect the ions from the ion source to the vacuum vessel. We considered entering the vacuum chamber at a position shifted to the beam outlet side rather than the center. As a result, the distance between the beam orbits formed in the vacuum chamber between the ion incident position where the ions are incident from the ion source and the beam outlet becomes close, and the opposite side to the beam outlet in the vacuum chamber 180 ° In contrast to the position between the ion incident position and the ion incident position, the space between the beam orbits formed in the vacuum chamber can be widened, contrary to the distance between the ion incident position and the beam extraction port.

発明者らは、このようなビーム周回軌道の考え方を適用することによって、エネルギーが異なる各イオンビームを効率良く出射することができる新たな加速器を創成した。   The inventors have created a new accelerator capable of efficiently emitting ion beams of different energies by applying such a concept of beam orbits.

以上に述べた発明者らが新たに創成した加速器を適用した本発明の各実施例を、図面を用いて以下に説明する。   Each embodiment of the present invention to which the accelerator newly created by the inventors described above is applied will be described below with reference to the drawings.

本発明の好適な一実施例である実施例1の粒子線照射装置を、図1〜図8を用いて以下に説明する。   A particle beam irradiation apparatus according to a first embodiment which is a preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

本実施例の粒子線照射装置1は、建屋(図示せず)内に配置されて建屋の床面に設置される。この粒子線照射装置1は、イオンビーム発生装置2、ビーム輸送系13、回転ガントリー6、照射装置7及び制御システム65を備えている。イオンビーム発生装置2は、イオン源3及びイオン源3が接続される加速器4を有する。本実施例で用いられる加速器4はエネルギー可変連続波加速器である。   The particle beam irradiation apparatus 1 of the present embodiment is disposed in a building (not shown) and installed on the floor of the building. The particle beam irradiation apparatus 1 includes an ion beam generator 2, a beam transport system 13, a rotating gantry 6, an irradiation apparatus 7 and a control system 65. The ion beam generator 2 includes an ion source 3 and an accelerator 4 to which the ion source 3 is connected. The accelerator 4 used in the present embodiment is a variable energy continuous wave accelerator.

ビーム輸送系13は、照射装置7に達するビーム経路(ビームダクト)48を有しており、このビーム経路48に、加速器4から照射装置7に向かって、複数の四極電磁石46、偏向電磁石41、複数の四極電磁石47、偏向電磁石42、四極電磁石49,50及び偏向電磁石43,44をこの順に配置して構成されている。ビーム輸送系13のビーム経路48の一部は、回転ガントリー6に設置されており、偏向電磁石42、四極電磁石49,50及び偏向電磁石43,44も回転ガントリー6に設置されている。ビーム経路48は、加速器4に設けられた取り出し用のセプタム電磁石19に形成されたビーム出射経路20(図2参照)に接続される。回転ガントリー6は、回転軸45を中心に回転され、照射装置7を回転軸45の周りで旋回させる回転装置である。   The beam transport system 13 has a beam path (beam duct) 48 which reaches the irradiation device 7, and a plurality of quadrupole electromagnets 46, deflection electromagnets 41, and the like are directed from the accelerator 4 to the irradiation device 7 in the beam path 48. A plurality of quadrupole electromagnets 47, deflection electromagnets 42, quadrupole electromagnets 49, 50, and deflection electromagnets 43, 44 are disposed in this order. A part of the beam path 48 of the beam transport system 13 is installed in the rotating gantry 6, and the deflection electromagnet 42, the quadrupole electromagnets 49, 50 and the deflection electromagnets 43, 44 are also installed in the rotation gantry 6. The beam path 48 is connected to a beam emission path 20 (see FIG. 2) formed in a take-off septum electromagnet 19 provided in the accelerator 4. The rotating gantry 6 is a rotating device that is rotated about the rotation axis 45 and causes the irradiation device 7 to pivot about the rotation axis 45.

照射装置7は、2台の走査電磁石(イオンビーム走査装置)51,52、ビーム位置モニタ53及び線量モニタ54を備えている。走査電磁石51,52、ビーム位置モニタ53及び線量モニタ54は、照射装置7の中心軸、すなわち、ビーム軸に沿って配置されている。走査電磁石51,52、ビーム位置モニタ53及び線量モニタ54は照射装置7のケーシング(図示せず)内に配置され、ビーム位置モニタ53及び線量モニタ54は走査電磁石51,52の下流に配置される。走査電磁石51はイオンビームを照射装置7の中心軸に垂直な平面内において偏向させてy方向に走査し、走査電磁石52はイオンビームをその平面内において偏向させてy方向と直交するx方向に走査する。照射装置7は、回転ガントリー6に取り付けられており、偏向電磁石44の下流に配置される。患者56が横たわる治療台55が、照射装置7に対向するように配置される。   The irradiation device 7 includes two scanning electromagnets (ion beam scanning devices) 51 and 52, a beam position monitor 53, and a dose monitor 54. The scanning electromagnets 51 and 52, the beam position monitor 53 and the dose monitor 54 are disposed along the central axis of the irradiation device 7, that is, the beam axis. The scanning electromagnets 51 and 52, the beam position monitor 53 and the dose monitor 54 are disposed in the casing (not shown) of the irradiation device 7, and the beam position monitor 53 and the dose monitor 54 are disposed downstream of the scanning electromagnets 51 and 52 . The scanning electromagnet 51 deflects the ion beam in a plane perpendicular to the central axis of the irradiation apparatus 7 to scan in the y direction, and the scanning electromagnet 52 deflects the ion beam in the plane to x direction orthogonal to the y direction Scan. The irradiation device 7 is attached to the rotating gantry 6 and disposed downstream of the deflection electromagnet 44. A treatment table 55 on which the patient 56 lies is disposed to face the irradiation device 7.

制御システム65は、中央制御装置66、加速器・輸送系制御装置69、走査制御装置70、回転制御装置88及びデータベース72を有する。中央制御装置66は、中央演算装置(CPU)67及びCPU67に接続されたメモリ68を有する。加速器・輸送系制御装置69、走査制御装置70、回転制御装置88及びデータベース72は、CPU67に接続されている。荷電粒子ビーム照射システム1は治療計画装置73を有しており、治療計画装置73はデータベース72に接続されている。   The control system 65 includes a central control unit 66, an accelerator / transport system control unit 69, a scan control unit 70, a rotation control unit 88, and a database 72. The central control unit 66 has a central processing unit (CPU) 67 and a memory 68 connected to the CPU 67. The accelerator / transport system controller 69, the scan controller 70, the rotation controller 88 and the database 72 are connected to the CPU 67. The charged particle beam irradiation system 1 has a treatment planning device 73, and the treatment planning device 73 is connected to the database 72.

図9を用いて制御システム65を詳細に説明する。加速器・輸送系制御装置69は、入射用電極制御装置83、ビーム電流測定部制御装置84、電磁石制御装置85、マスレスセプタム制御装置86、コイル電流制御装置94、高周波電圧制御装置99及びメモリ107を含んでいる。走査制御装置70は、イオンビーム確認装置87、照射位置制御装置89、線量判定装置91、層判定装置92及びメモリ70を含んでいる。CPU67は、入射用電極制御装置83、ビーム電流測定部制御装置84、電磁石制御装置85、マスレスセプタム制御装置86、コイル電流制御装置94、高周波電圧制御装置99、メモリ107、イオンビーム確認装置87、照射位置制御装置89、線量判定装置91、層判定装置92及びメモリ70に接続される。照射位置制御装置89は入射用電極制御装置83、電磁石制御装置85及びマスレスセプタム制御装置86に接続され、線量判定装置91は入射用電極制御装置83に接続される。層判定装置92は照射位置制御装置89に接続される。メモリ107は入射用電極制御装置83、ビーム電流測定部制御装置84、電磁石制御装置85及びマスレスセプタム制御装置86のそれぞれに接続され、メモリ70が照射位置制御装置89、線量判定装置91及び層判定装置92のそれぞれに接続される。   The control system 65 will be described in detail with reference to FIG. The accelerator / transport system controller 69 includes an incidence electrode controller 83, a beam current measuring unit controller 84, an electromagnet controller 85, a massless septum controller 86, a coil current controller 94, a high frequency voltage controller 99, and a memory 107. Contains. The scan control device 70 includes an ion beam confirmation device 87, an irradiation position control device 89, a dose determination device 91, a layer determination device 92, and a memory 70. The CPU 67 includes an incidence electrode control unit 83, a beam current measurement unit control unit 84, an electromagnet control unit 85, a massless septum control unit 86, a coil current control unit 94, a high frequency voltage control unit 99, a memory 107, and an ion beam confirmation unit 87. The irradiation position control device 89, the dose determination device 91, the layer determination device 92, and the memory 70 are connected. The irradiation position control unit 89 is connected to the incidence electrode control unit 83, the electromagnet control unit 85, and the massless septum control unit 86, and the dose determination unit 91 is connected to the incidence electrode control unit 83. The layer determination device 92 is connected to the irradiation position control device 89. The memory 107 is connected to each of the entrance electrode control unit 83, the beam current measurement unit control unit 84, the electromagnet control unit 85 and the massless septum control unit 86, and the memory 70 is an irradiation position control unit 89, a dose determination unit 91 and layers. It is connected to each of the determination devices 92.

次に、加速器4の詳細な構成を、図3、図4、図5及び図6を用いて説明する。加速器4は、互いに対向する円形の鉄心14A及び14Bを含む円形の真空容器27を有する。鉄心14A及び14Bは、後述するように、結合されて真空容器27を形成し、加速器4の外殻を形成する。鉄心14Aはリターンヨーク5A及び磁極7A〜7Fを含み、鉄心14Bはリターンヨーク5B及び磁極7A〜7Fを含んでいる。磁極7A〜7Fのそれぞれの具体的な構成は後述する。リターンヨーク5Aは円形で所定の厚みを有するベース部74A及びベース部74Aの一面からこの一面に垂直な方向に伸びる筒状部(例えば、円筒部)75Aを有し、リターンヨーク5Bはベース部74B及びベース部74Bの一面からこの一面に垂直な方向に伸びる筒状部(例えば、円筒部)75Bを有する(図5及び図6参照)。ベース部74Aが筒状部75Aの一端部を封鎖しているため、リターンヨーク5Aは他端部が開放されている。ベース部74Bが筒状部75Bの一端部を封鎖しているため、リターンヨーク5Bは他端部が開放されている。真空容器27を構成する鉄心14Aと鉄心14Bの接触面である筒状部75Aと筒状部75Bの接触面はシールされている。   Next, the detailed configuration of the accelerator 4 will be described with reference to FIGS. 3, 4, 5 and 6. The accelerator 4 has a circular vacuum vessel 27 including circular iron cores 14A and 14B facing each other. The iron cores 14A and 14B are combined to form a vacuum vessel 27 and to form an outer shell of the accelerator 4 as described later. Iron core 14A includes return yoke 5A and magnetic poles 7A to 7F, and iron core 14B includes return yoke 5B and magnetic poles 7A to 7F. The specific configuration of each of the magnetic poles 7A to 7F will be described later. The return yoke 5A has a circular base portion 74A having a predetermined thickness and a cylindrical portion (for example, a cylindrical portion) 75A extending in a direction perpendicular to the one surface from one surface of the base portion 74A. The return yoke 5B has a base portion 74B. And a cylindrical portion (for example, a cylindrical portion) 75B extending in a direction perpendicular to one surface of the base portion 74B (see FIGS. 5 and 6). Since the base portion 74A seals one end of the cylindrical portion 75A, the other end of the return yoke 5A is open. Since the base portion 74B seals one end of the cylindrical portion 75B, the other end of the return yoke 5B is open. The contact surfaces of the cylindrical portion 75A and the cylindrical portion 75B, which are contact surfaces of the iron core 14A and the iron core 14B constituting the vacuum vessel 27, are sealed.

鉄心14A及び14B、具体的には、リターンヨーク5A及び5Bは、図5及び図6に示されるようにそれぞれの開放されている部分を互いに向い合せ、筒状部75Aと筒状部75Bを対向させた状態で互いに結合され、真空容器27を構成する。本実施例では、真空容器27を上記した建屋の床面に設置するためにリターンヨーク5Bを下方に位置させてその床面に設置し、リターンヨーク5Aがリターンヨーク5Bの上に載っている(図6参照)。本実施例では、筒状部75A,75Bは、リターンヨーク5A,5Bのそれぞれの側壁を形成しており、真空容器27の側壁になる。鉄心14Aの外側に配置されたイオン源3に接続されたイオン入射管3Aは、リターンヨーク5Aのベース部74Aに取り付けられてベース部74Aを貫通している。   The iron cores 14A and 14B, specifically, the return yokes 5A and 5B face each other with their open portions facing each other as shown in FIGS. 5 and 6, and the cylindrical portion 75A and the cylindrical portion 75B are opposed to each other. They are connected to each other in a state where they are made to constitute a vacuum vessel 27. In this embodiment, in order to set the vacuum vessel 27 on the floor of the above-mentioned building, the return yoke 5B is positioned at the lower side and installed on the floor, and the return yoke 5A is mounted on the return yoke 5B ( See Figure 6). In the present embodiment, the cylindrical portions 75A, 75B form the side walls of the return yokes 5A, 5B, respectively, and become the side walls of the vacuum vessel 27. The ion entrance tube 3A connected to the ion source 3 disposed outside the iron core 14A is attached to the base portion 74A of the return yoke 5A and penetrates the base portion 74A.

リターンヨーク5Aとリターンヨーク5Bが接触する位置で真空容器27内に形成される一点鎖線で示された面は、中間面(メディアンプレーン)77(図5及び図6参照)であり、真空容器27内でイオンビームが加速されて周回する面である。また、中間面77には、後述するように、異なるエネルギーを有するイオンビームのそれぞれが周回するビーム周回軌道が形成される。実際には、イオンビームは中間面77に垂直な方向(真空容器27の中心軸C)においてベータトロン振動をしながら周回するため、イオンビームは、中間面77に垂直な方向において或る幅を有するビーム周回領域76(図5及び図6参照)内を周回する。真空容器27の中心軸Cは鉄心14A,14Bの中心軸でもある。   The surface indicated by the alternate long and short dash line formed in the vacuum vessel 27 at the position where the return yoke 5A and the return yoke 5B are in contact is an intermediate plane (median plane) 77 (see FIGS. 5 and 6). Inside is a surface where the ion beam is accelerated and circulated. Further, on the intermediate surface 77, as described later, beam orbits around which ion beams having different energies orbit are formed. In practice, since the ion beam orbits with betatron oscillation in the direction perpendicular to the intermediate surface 77 (the central axis C of the vacuum chamber 27), the ion beam has a certain width in the direction perpendicular to the intermediate surface 77. The light beam is circulated in the beam circulation area 76 (see FIGS. 5 and 6). The central axis C of the vacuum vessel 27 is also the central axis of the iron cores 14A and 14B.

吸引管26が、イオン入射管3Aの中心軸の延長線上に配置されてベース部74Bを貫通し、ベース部74Bに取り付けられる。ベース部74Bの外面に取り付けられた真空ポンプ25が吸引管26に接続される。吸引管26はビーム周回領域76に開口している。   The suction tube 26 is disposed on an extension of the central axis of the ion incidence tube 3A, penetrates the base portion 74B, and is attached to the base portion 74B. A vacuum pump 25 attached to the outer surface of the base portion 74B is connected to the suction pipe 26. The suction tube 26 opens in the beam circulation area 76.

さらに、加速器4は、磁極7A,7B,7C,7D,7E及び7F、高周波加速電極9A,9B,9C及び9D、環状コイル11A及び11B、マスレスセプタム12、ビーム電流測定部15、入射用電極18及び取り出し用の前述のセプタム電磁石19を有する。   Furthermore, the accelerator 4 includes magnetic poles 7A, 7B, 7C, 7D, 7E and 7F, high frequency acceleration electrodes 9A, 9B, 9C and 9D, annular coils 11A and 11B, massless septum 12, beam current measurement unit 15, and incidence electrode 18 and the aforementioned septum electromagnet 19 for taking out.

環状コイル(好ましくは、円形コイル)11Bはリターンヨーク5Bの筒状部75Bの内側で筒状部75Bの内面に沿って配置される(図3、図5及び図6参照)。環状コイル11Bに接続される2本の引出配線22は、筒状部75Bを貫通して真空容器27の外部に達している。環状コイル11Bと同様に、環状コイル11Aはリターンヨーク5Aの筒状部75Aの内側で筒状部75Aの内面に沿って配置される(図5及び図6参照)。環状コイル11Aにも、環状コイル11Bと同様に、2本の引出配線(図示せず)が接続され、これらの引出配線は筒状部75Aを貫通して真空容器27の外部に達している。真空容器27の中心軸Cは、環状コイル11A,11Bのそれぞれの中心軸である。環状コイル11A,11Bのそれぞれの重心は、中心軸C上に位置している。環状コイル11A,11Bは、環状のメインコイルである。   The annular coil (preferably, a circular coil) 11B is disposed along the inner surface of the cylindrical portion 75B inside the cylindrical portion 75B of the return yoke 5B (see FIGS. 3, 5 and 6). The two lead wires 22 connected to the annular coil 11 </ b> B penetrate the cylindrical portion 75 </ b> B and reach the outside of the vacuum vessel 27. Similar to the annular coil 11B, the annular coil 11A is disposed inside the cylindrical portion 75A of the return yoke 5A and along the inner surface of the cylindrical portion 75A (see FIGS. 5 and 6). Similarly to the annular coil 11B, two lead wires (not shown) are connected to the annular coil 11A, and these lead wires penetrate the cylindrical portion 75A and reach the outside of the vacuum vessel 27. The central axis C of the vacuum vessel 27 is the central axis of each of the annular coils 11A and 11B. The respective centers of gravity of the annular coils 11A and 11B are located on the central axis C. The annular coils 11A and 11B are annular main coils.

湾曲しているセプタム電磁石19が、筒状部75A及び75Bをそれぞれ貫通しており、リターンヨーク5Bの筒状部75Bに取り付けられる。セプタム電磁石19の真空容器27内に位置する一端は、環状コイル11A,11Bよりも内側に位置している。セプタム電磁石19はビーム出射経路20を形成している。セプタム電磁石19の一端、及びビーム出射経路20の一端である入口は、それぞれの、真空容器27内に位置しており、環状コイル11A,11Bの内側でこれらの内面近くに位置している。セプタム電磁石19は、真空容器27の中心軸C方向において環状コイル11Aと環状コイル11Bの間に配置される。   A curved septum electromagnet 19 passes through the cylindrical portions 75A and 75B, and is attached to the cylindrical portion 75B of the return yoke 5B. One end of the septum electromagnet 19 located in the vacuum vessel 27 is located inside the annular coils 11A and 11B. The septum electromagnet 19 forms a beam emission path 20. One end of the septum electromagnet 19 and the inlet which is one end of the beam emission path 20 are located in the respective vacuum vessels 27 and located inside the annular coils 11A and 11B and near their inner surfaces. The septum electromagnet 19 is disposed between the annular coil 11A and the annular coil 11B in the central axis C direction of the vacuum vessel 27.

磁極7A,7B,7C,7D,7E及び7Fは鉄心14A,14Bのそれぞれに形成される。鉄心14Aに形成された磁極7A,7B,7C,7D,7E及び7Fのそれぞれは、リターンヨーク5Aのベース部74Aから、筒状部75Aが伸びている方向に突出している。鉄心14Bに形成された磁極7A,7B,7C,7D,7E及び7Fのそれぞれは、リターンヨーク5Bのベース部74Bから、筒状部75Bが伸びている方向に突出している(図6参照)。高周波加速電極9A,9B,9C及び9Dは、導波管10A〜10Dのそれぞれを介して、リターンヨーク5A及び5Bの筒状部75A及び75Bのそれぞれに取り付けられる。リターンヨーク5Bに設けられた磁極7A,7B,7C,7D,7E及び7F及び高周波加速電極9A,9B,9C及び9Dのそれぞれは、環状コイル11Bの内側に配置される(図3参照)。リターンヨーク5Aに設けられた磁極7A,7B,7C,7D,7E及び7F、高周波加速電極9A,9B,9C及び9Dのそれぞれも、リターンヨーク5Bに設けられた磁極及び高周波加速電極と同様に、環状コイル11Aの内側に配置される。   The magnetic poles 7A, 7B, 7C, 7D, 7E and 7F are formed on the iron cores 14A and 14B, respectively. The magnetic poles 7A, 7B, 7C, 7D, 7E, and 7F formed on the iron core 14A project from the base portion 74A of the return yoke 5A in the direction in which the cylindrical portion 75A extends. Each of the magnetic poles 7A, 7B, 7C, 7D, 7E and 7F formed on the iron core 14B protrudes from the base portion 74B of the return yoke 5B in the direction in which the cylindrical portion 75B extends (see FIG. 6). The high frequency accelerating electrodes 9A, 9B, 9C and 9D are attached to the cylindrical portions 75A and 75B of the return yokes 5A and 5B respectively through the waveguides 10A to 10D. The magnetic poles 7A, 7B, 7C, 7D, 7E and 7F and the high frequency accelerating electrodes 9A, 9B, 9C and 9D provided in the return yoke 5B are disposed inside the annular coil 11B (see FIG. 3). The magnetic poles 7A, 7B, 7C, 7D, 7E and 7F provided on the return yoke 5A and the high frequency accelerating electrodes 9A, 9B, 9C and 9D are also similar to the magnetic pole and the high frequency accelerating electrode provided on the return yoke 5B. It is disposed inside the annular coil 11A.

リターンヨーク5Bにおける磁極7A,7B,7C,7D,7E及び7F及び高周波加速電極9A,9B,9C及び9Dのそれぞれの詳細な配置を、図3を用いて説明する。リターンヨーク5Aにおける磁極7A,7B,7C,7D,7E及び7Fのそれぞれの形状及び配置は、中間面77に対して、リターンヨーク5Bにおける磁極7A,7B,7C,7D,7E及び7Fのそれぞれの形状及び配置と対称になっており、さらに、リターンヨーク5Aにおける高周波加速電極9A,9B,9C及び9Dのそれぞれの形状及び配置は、中間面77に対して、リターンヨーク5Bにおける高周波加速電極9A,9B,9C及び9Dのそれぞれの形状及び配置と対称になっている。このため、リターンヨーク5A内における各磁極及び各高周波加速電極の説明は省略する。   The detailed arrangement of the magnetic poles 7A, 7B, 7C, 7D, 7E and 7F and the high frequency accelerating electrodes 9A, 9B, 9C and 9D in the return yoke 5B will be described with reference to FIG. The shapes and arrangements of the magnetic poles 7A, 7B, 7C, 7D, 7E and 7F in the return yoke 5A are the same as those of the magnetic poles 7A, 7B, 7C, 7D, 7E and 7F in the return yoke 5B. The shape and the arrangement of the high frequency accelerating electrodes 9A, 9B, 9C and 9D in the return yoke 5A are symmetrical to the shape and the arrangement of the high frequency accelerating electrodes 9A, It is symmetrical with the shape and arrangement of each of 9B, 9C and 9D. Therefore, the description of the magnetic poles and the high frequency acceleration electrodes in the return yoke 5A will be omitted.

リターンヨーク5Bのベース部74Bに形成された磁極7A,7B,7C,7D,7E及び7Fは、ベース部74Bから突出した凸部である(図6参照)。   The magnetic poles 7A, 7B, 7C, 7D, 7E and 7F formed on the base portion 74B of the return yoke 5B are convex portions protruding from the base portion 74B (see FIG. 6).

リターンヨーク5Bにおいて、磁極7A〜7Fのそれぞれと凹部29A〜29Fのそれぞれは、リターンヨーク5Bの周方向において交互に配置される。すなわち、磁極7Aと磁極7Bの間に凹部29A(第1凹部)が形成され、磁極7Bと磁極7Dの間に凹部29Bが形成され、磁極7Aと磁極7Cの間に凹部29Fが形成される(図3、図4及び図6参照)。さらに、リターンヨーク5Bにおいて、磁極7Dと磁極7Fの間に凹部29Cが形成され、磁極7Fと磁極7Eの間に凹部29D(第2凹部)が形成され、磁極7Eと磁極7Cの間に凹部29Eが形成される(図3、図4及び図5参照)。リターンヨーク5Bにおいて、磁極7A,7B,7C,7D,7E及び7Fのそれぞれと筒状部75Bの間に、環状コイル11Bが配置される凹部29Gがそれぞれ形成される(図3及び図6参照)。   In the return yoke 5B, the magnetic poles 7A to 7F and the recesses 29A to 29F are alternately arranged in the circumferential direction of the return yoke 5B. That is, a recess 29A (first recess) is formed between the magnetic pole 7A and the magnetic pole 7B, a recess 29B is formed between the magnetic pole 7B and the magnetic pole 7D, and a recess 29F is formed between the magnetic pole 7A and the magnetic pole 7C. 3, 4 and 6). Furthermore, in the return yoke 5B, a recess 29C is formed between the magnetic pole 7D and the magnetic pole 7F, a recess 29D (second recess) is formed between the magnetic pole 7F and the magnetic pole 7E, and a recess 29E is formed between the magnetic pole 7E and the magnetic pole 7C. Are formed (see FIGS. 3, 4 and 5). In the return yoke 5B, a recess 29G in which the annular coil 11B is disposed is formed between each of the magnetic poles 7A, 7B, 7C, 7D, 7E and 7F and the cylindrical portion 75B (see FIGS. 3 and 6). .

イオン入射管3Aの先端部は、リターンヨーク5Aのベース部74Aに形成された磁極7A,7B,7C,7D,7E及び7Fのそれぞれの先端によって取り囲まれている。入射用電極18が、イオン入射管3Aの先端に取り付けられており、中間面77を横切った状態でビーム周回領域76に配置される。イオン入射管3Aの先端はビーム周回領域76に連絡される。イオン入射管3Aの先端に形成されたイオン入射口であるイオン注入口、及び入射用電極18は、環状コイル11A,11Bの中心軸Cとビーム出射経路20の入口を結ぶ一点鎖線X上に配置され、環状コイル11A,11Bの中心軸Cからビーム出射経路20の入口側にずれて配置されている。すなわち、そのイオン注入口及び入射用電極18は、その中心軸Cとは異なる位置に配置され、環状コイル11A,11Bのそれぞれの重心とは異なる位置に配置されている。イオン注入口及び入射用電極18は、鉄心14A,14Bの中心軸Cとは異なる位置に配置されている。イオン注入口はイオンをビーム周回領域76に入射するイオン入射口である。さらに、イオン注入口からのイオンを受け入れるイオン入射部109(図10参照)は、最も内側のビーム周回軌道の内側に形成される領域であり、具体的には、入射用電極18の周囲でビーム周回領域76内に形成される。   The tip of the ion incident tube 3A is surrounded by the tips of the magnetic poles 7A, 7B, 7C, 7D, 7E and 7F formed on the base 74A of the return yoke 5A. An incidence electrode 18 is attached to the tip of the ion incidence tube 3A, and is disposed in the beam circulation area 76 across the intermediate surface 77. The tip of the ion entrance tube 3A is in communication with the beam circulation area 76. The ion injection port, which is an ion injection port formed at the tip of the ion injection pipe 3A, and the input electrode 18 are disposed on the alternate long and short dash line X connecting the central axes C of the annular coils 11A and 11B and the entrance of the beam emission path 20. It is disposed to be shifted from the central axis C of the annular coils 11A and 11B to the entrance side of the beam emission path 20. That is, the ion implantation port and the incidence electrode 18 are disposed at a position different from the central axis C, and are disposed at a position different from the centers of gravity of the annular coils 11A and 11B. The ion implantation port and the incidence electrode 18 are disposed at positions different from the central axis C of the iron cores 14A and 14B. The ion injection port is an ion injection port for injecting ions into the beam circulation area 76. Furthermore, the ion incident portion 109 (see FIG. 10) for receiving ions from the ion implantation port is a region formed inside the innermost beam orbit, specifically, a beam around the incident electrode 18 It is formed in the circulation area 76.

入射用電極18とビーム出射経路20の入口の間に位置している凹部29D(第2凹部)、及び入射用電極18を基点にしてビーム出射経路20の入口とは180°反対側に位置している凹部29A(第1凹部)は、一点鎖線Xに沿って一直線に配置されている。   The recess 29D (second recess) located between the entrance electrode 18 and the entrance of the beam exit path 20, and the entrance of the exit path of the beam 20 relative to the entrance of the exit path 18 with respect to the entrance electrode 18 The recessed portions 29A (first recessed portions) are arranged in a straight line along a dashed dotted line X.

本実施例の加速器は、ビーム周回軌道に沿った磁場分布に強弱をつけ強収束を得るために、対向する鉄心に複数の凸部(磁極)が形成されている。以下に、円形である鉄心の中心とは異なる軌道平面上の位置にイオン入射点を設けた本実施例加速器において、偏心したビーム周回軌道を形成する磁場分布を得るための、凸部(磁極)形状について説明する。なお、偏心したビーム周回軌道を形成するのに適切な鉄心及びその凸部(磁極)形状は加速するイオン粒子の質量や電荷等により異なり、図面に示された形状には限られない。図面及び以下に説明する磁極形状は、本発明を陽子に適用した場合の一例である。鉄心の中心は鉄心の中心軸上にある。   In the accelerator of this embodiment, a plurality of convex portions (magnetic poles) are formed on the opposing iron cores in order to make the magnetic field distribution along the beam circulation orbit strong and weak and obtain strong convergence. Hereinafter, in the accelerator of the present embodiment in which the ion incident point is provided at a position on the orbital plane different from the center of the iron core which is circular, a convex portion (magnetic pole) for obtaining a magnetic field distribution forming an eccentric beam orbit The shape will be described. The shape of the iron core and its convex portion (magnetic pole) suitable for forming an eccentric beam orbit is different depending on the mass, charge, etc. of the ion particles to be accelerated, and is not limited to the shape shown in the drawing. The magnetic pole shapes described in the drawings and the following are examples of the present invention applied to protons. The core of the iron core is on the central axis of the iron core.

リターンヨーク5Bのベース部74Aに形成された磁極7A,7B,7C,7D,7E及び7Fは、水平方向(中心軸Cに垂直な方向)において、イオン注入口、すなわち、入射用電極18の位置を中心に放射状に配置される。これらの磁極のそれぞれの環状コイル11Bの周方向における幅が入射用電極18に向って減少している。これらの磁極の先端はそれぞれ尖っており、尖った各先端が入射用電極18に対向している。磁極7A,7B,7C,7D,7E及び7Fのそれぞれの環状コイル11Bの周方向における幅は、それぞれの磁極の、環状コイル11Bに対向している部分で最も大きくなる。   The magnetic poles 7A, 7B, 7C, 7D, 7E and 7F formed on the base portion 74A of the return yoke 5B have ion implantation openings, ie, positions of the incident electrodes 18 in the horizontal direction (direction perpendicular to the central axis C). Are arranged radially around the The width in the circumferential direction of the annular coil 11B of each of these magnetic poles decreases toward the incident electrode 18. The tips of the magnetic poles are pointed, and the pointed ends face the incident electrode 18. The width in the circumferential direction of the annular coil 11B of each of the magnetic poles 7A, 7B, 7C, 7D, 7E and 7F is the largest at the portion of each magnetic pole facing the annular coil 11B.

磁極7Aは向き合っている2つの側面に形成される折れ曲り点24A,24Bで、磁極7Bは向き合っている2つの側面に形成される折れ曲り点24C,24Dで、及び磁極7Cは向き合っている2つの側面に形成される折れ曲り点24E,24Fでそれぞれ折れ曲がっている(図4参照)。また、磁極7Dは向き合っている2つの側面に形成される折れ曲り点24G,24Hで、磁極7Eは向き合っている2つの側面に形成される折れ曲り点24I,24Jで、及び磁極7Fは向き合っている2つの側面に形成される折れ曲り点24K,24Lでそれぞれ折れ曲がっている(図4参照)。   The magnetic pole 7A is formed by bending points 24A and 24B formed on two opposing side surfaces, the magnetic pole 7B is formed at bending points 24C and 24D formed on two opposing side surfaces, and the magnetic pole 7C is opposed 2 They are bent at bending points 24E and 24F formed on the two side faces (see FIG. 4). Further, the magnetic pole 7D is formed at two opposing side surfaces at bending points 24G and 24H, the magnetic pole 7E is formed at two opposing side surfaces at bending points 24I and 24J, and the magnetic pole 7F is opposed to one another. They are respectively bent at bending points 24K and 24L formed on the two side surfaces (see FIG. 4).

磁極7A,7B,7C,7D,7E及び7Fの、それぞれの折れ曲り点と環状コイル11Bに対向する端面の間の部分は、凹部29A側に折れ曲がっている。すなわち、磁極7A,7C及び7Eのそれぞれの折れ曲り点と環状コイル11Bに対向する端面の間の部分は、イオンビームが周回する方向において凹部29A側に折れ曲がっている。磁極7B,7D及び7Fのそれぞれの折れ曲り点と環状コイル11Bに対向する端面の間の部分は、イオンビームが周回する方向とは逆の方向において凹部29A側に折れ曲がっている。磁極7A,7Bの各折れ曲り部分の折れ曲り角度の絶対値は同じである。磁極7C,7Dの各折れ曲り部分の折れ曲り角度の絶対値は同じであり、磁極7E,7Fの各折れ曲り部分の折れ曲り角度の絶対値は同じである。各磁極の折れ曲り角度の絶対値は、磁極7A、磁極7C及び磁極7Eの順に増大する。磁極7E,7Fの折れ曲り角度の絶対値が最も大きい。   The portions of the magnetic poles 7A, 7B, 7C, 7D, 7E, and 7F between the respective bending points and the end face facing the annular coil 11B are bent toward the concave portion 29A. That is, the portion between the bending point of each of the magnetic poles 7A, 7C and 7E and the end face facing the annular coil 11B is bent toward the concave portion 29A in the direction in which the ion beam circulates. The portions between the respective bending points of the magnetic poles 7B, 7D and 7F and the end surface facing the annular coil 11B are bent toward the concave portion 29A in the direction opposite to the direction in which the ion beam circulates. The absolute values of the bending angles of the bent portions of the magnetic poles 7A and 7B are the same. The absolute values of the bending angles of the bent portions of the magnetic poles 7C and 7D are the same, and the absolute values of the bending angles of the bent portions of the magnetic poles 7E and 7F are the same. The absolute value of the bending angle of each magnetic pole increases in the order of the magnetic pole 7A, the magnetic pole 7C, and the magnetic pole 7E. The absolute value of the bending angle of the magnetic poles 7E and 7F is the largest.

磁極7Aの、折れ曲り点24A,24Bと先端との間の部分、磁極7Bの、折れ曲り点24C,24Dと先端との間の部分、磁極7Cの、折れ曲り点24E,24Fと先端との間の部分、磁極7Dの、折れ曲り点24G,24Hと先端との間の部分、磁極7Eの、折れ曲り点24I,24Jと先端との間の部分、及び磁極7Fの、折れ曲り点24K,24Lと先端との間の部分は、水平方向において、入射用電極18を中心に60°ごとに配置される。   The portion of the magnetic pole 7A between the bending point 24A, 24B and the tip, the portion of the magnetic pole 7B between the bending point 24C, 24D and the tip, the magnetic pole 7C, the bending point 24E, 24F and the tip Of the magnetic pole 7D, between the bending point 24G, 24H and the tip, between the bending point 24I, 24J of the magnetic pole 7E, and the bending point 24K of the magnetic pole 7F, The portion between 24 L and the tip is disposed at every 60 ° around the incident electrode 18 in the horizontal direction.

本実施例では、後述するように、入射用電極18(イオン入射管3Aのイオン注入口)を中心する軌道同心領域、及びこの軌道同心領域を取り囲む軌道偏心領域が形成される。軌道同心領域は、磁極7A〜7Fのそれぞれの折れ曲り点の内側の一定領域に形成される。よって、各磁極の折れ曲がり点の内側の形状は、6セクターのラジアルセクタ型AVFサイクロトロンと類似した形状を有している。軌道同心領域では、軌道同心領域内に形成されるそれぞれの環状ビーム周回軌道の中心はエネルギーが異なるイオンビームが周回する環状ビーム周回軌道ごとに変化しない。つまり、ビーム周回軌道の周期の中の所定タイミングで、又は、ビーム周回軌道の中心に対して放射状に磁極が設置された所定の周回角度間において、磁場の強弱、つまりビームの収束及び発散が得られるようにそれらの磁極が形成されている。   In the present embodiment, as described later, an orbit concentric area centering on the incident electrode 18 (ion injection port of the ion incident tube 3A) and an orbit eccentric area surrounding the orbit concentric area are formed. Orbital concentric regions are formed in a constant region inside the respective bending points of the magnetic poles 7A to 7F. Therefore, the shape inside the bending point of each magnetic pole has a shape similar to that of a six-sector radial sector type AVF cyclotron. In the orbital concentric area, the centers of the respective annular beam orbits formed in the orbital concentric area do not change for each annular beam orbit in which ion beams having different energies circulate. That is, the strength of the magnetic field, that is, the convergence and divergence of the beam can be obtained at a predetermined timing in the cycle of the beam orbit or at a predetermined orbit angle where the magnetic poles are disposed radially to the center of the beam orbit. The magnetic poles are formed to be able to

一点鎖線Xに対して、磁極7Aと磁極7Bが、磁極7Cと磁極7Dが、磁極7Eと磁極7Fが、凹部29Fと凹部29Bが、及び凹部29Eと凹部29Cが、それぞれ対称の形状を有している。また、鉄心14A,14Bのそれぞれに形成された6個の磁極(凸部)7A〜7Fのうち磁極7A,7C及び7Eは、環状コイルの中心軸Cとビーム出射経路20の入口を結ぶ直線に対して、磁極7B,7D及び7Fと線対称に設置されている。同時に本実施例に示す磁極形状は、円形な鉄心の中心に対しても、環状コイルの重心に対しても、イオン入射点に対しても、全体として回転対称には設置されていない。その理由は、エネルギーごとに徐々にそのビーム周回軌道の中心が変位していても、各ビーム周回軌道の周期の中の所定タイミングで、又は、結果的にそれぞれのビーム周回軌道の中心に対して概ね同様の周回角度で、磁場の強弱、つまりビームの収束及び発散を得るためである。このため、磁極形状は、ビーム周回軌道の中心がずれる方向に対して線対称であって、中心がずれる逆方向に向かって斜めに傾くように設置されることとなり、つまり回転対称ではない形状となる。このような磁極形状では、6つの磁極部分の全体の重心は、鉄心の中心からビーム周回軌道の中心がずれる逆方向に変位するため、鉄心の中心と6つの磁極部分全体の重心は異なる水平面上の座標に位置する。磁極形状とビーム周回軌道の関連性については、図10を用いた詳細な説明を後述する。   The magnetic pole 7A and the magnetic pole 7B, the magnetic pole 7C and the magnetic pole 7D, the magnetic pole 7E and the magnetic pole 7F, the recess 29F and the recess 29B, and the recess 29E and the recess 29C have symmetrical shapes with respect to the dashed dotted line X, respectively. ing. Of the six magnetic poles (convex portions) 7A to 7F formed on each of the iron cores 14A and 14B, the magnetic poles 7A, 7C, and 7E are straight lines connecting the central axis C of the annular coil and the entrance of the beam emission path 20. On the other hand, they are installed in line symmetry with the magnetic poles 7B, 7D and 7F. At the same time, the magnetic pole shape shown in the present embodiment is not installed in rotational symmetry as a whole with respect to the center of the circular iron core, the center of gravity of the annular coil, or the ion incident point. The reason is that even if the center of the beam orbit is gradually displaced for each energy, at a predetermined timing in the period of each beam orbit or as a result, with respect to the center of each beam orbit The reason is to obtain the strength of the magnetic field, that is, the convergence and the divergence of the beam at approximately the same rotation angle. For this reason, the magnetic pole shape is axisymmetric with respect to the direction in which the center of the beam circling orbit deviates, and is installed so as to be inclined diagonally in the opposite direction in which the center deviates. Become. In such a magnetic pole shape, the center of gravity of the six pole portions is displaced in the opposite direction in which the center of the beam orbit is displaced from the center of the iron core. Located at the coordinates of. The relationship between the magnetic pole shape and the beam orbit will be described later in detail using FIG.

トリムコイル8Aが磁極7Aに設置され、引出配線21A,21Bがトリムコイル8Aの両端にそれぞれ接続される。トリムコイル8Bが磁極7Bに設置され、引出配線21C,21Dがトリムコイル8Bの両端にそれぞれ接続される。トリムコイル8Cが磁極7Cに設置され、引出配線21E,21Fがトリムコイル8Cの両端にそれぞれ接続される。トリムコイル8Dが磁極7Dに設置され、引出配線21G,21Hがトリムコイル8Dの両端にそれぞれ接続される。トリムコイル8Eが磁極7Eに設置され、引出配線21I,21Jがトリムコイル8Eの両端にそれぞれ接続される。トリムコイル8Fが磁極7Fに設置され、引出配線21L,21Kがトリムコイル8Fの両端にそれぞれ接続される。引出配線21A〜21Kのそれぞれが、環状コイル11Aと環状コイル11Bの間を通って筒状部75Bを貫通し、真空容器27の外部に取り出される。   The trim coil 8A is disposed on the magnetic pole 7A, and the lead wires 21A and 21B are connected to both ends of the trim coil 8A. The trim coil 8B is disposed on the magnetic pole 7B, and the lead wires 21C and 21D are connected to both ends of the trim coil 8B. The trim coil 8C is disposed on the magnetic pole 7C, and the lead wires 21E and 21F are connected to both ends of the trim coil 8C. The trim coil 8D is disposed on the magnetic pole 7D, and the lead wires 21G and 21H are connected to both ends of the trim coil 8D. The trim coil 8E is disposed on the magnetic pole 7E, and the lead wires 21I and 21J are connected to both ends of the trim coil 8E. The trim coil 8F is disposed on the magnetic pole 7F, and the lead wires 21L and 21K are connected to both ends of the trim coil 8F. Each of the lead wires 21A to 21K passes through between the annular coil 11A and the annular coil 11B, penetrates the cylindrical portion 75B, and is taken out of the vacuum vessel 27.

トリムコイル8A〜8Fのそれぞれは、中間面77において等時性磁場を生成するために、そこに発生させたい磁場に応じて磁極7A〜7Fのそれぞれに設置されるため、設置されたトリムコイルの間隔は一定ではない。磁極7A〜7Fのそれぞれにおいて、入射用電極18側よりも環状コイルの内面に近いほど、設置されたトリムコイルの間隔は狭くなる。さらに、磁極7A,7C及び7Eでは、磁極7A,7C及び7Eの順に設置されたトリムコイルの間隔は狭くなる。磁極7B,7D及び7Fでは、磁極7B,7D及び7Fの順に設置されたトリムコイルの間隔は狭くなる。ビーム出射経路20の入口付近において環状コイルの半径方向の狭い範囲に幅広いエネルギービーム周回軌道78が集束するので、ビーム出射経路20の入口に隣接している磁極7E及び7Fでは、設置されたトリムコイルの間隔が、必要となる急なその半径の磁場勾配及び高エネルギーのビーム周回軌道に対応するためにそれらの外周部において狭くなっている。   Since each of the trim coils 8A to 8F is installed on each of the magnetic poles 7A to 7F according to the magnetic field that is desired to be generated there in order to generate an isochronous magnetic field at the intermediate surface 77, The intervals are not constant. In each of the magnetic poles 7A to 7F, the closer to the inner surface of the annular coil than to the incident electrode 18, the narrower the distance between the trim coils disposed. Further, in the magnetic poles 7A, 7C and 7E, the distance between the trim coils disposed in the order of the magnetic poles 7A, 7C and 7E becomes narrow. In the magnetic poles 7B, 7D and 7F, the distance between the trim coils disposed in the order of the magnetic poles 7B, 7D and 7F becomes narrow. Because the wide energy beam orbit 78 is focused in a narrow radial area of the annular coil near the entrance of the beam exit path 20, the trim coils installed in the poles 7E and 7F adjacent to the entrance of the beam exit path 20 The distance between the two is narrowed at their outer periphery to correspond to the required magnetic field gradient of that radius and the high energy beam orbit.

リターンヨーク5B内での高周波加速電極9A,9B,9C及び9Dの配置を、図3及び図6を用いて説明する。   The arrangement of the high frequency accelerating electrodes 9A, 9B, 9C and 9D in the return yoke 5B will be described with reference to FIGS.

高周波加速電極9Aは、磁極7Aと磁極7Cの間で凹部29F内に配置され、導波管10Aに接続される。高周波加速電極9Aは、凹部29F内で折れ曲り点24B及び24Eと環状コイル11Bの間に配置される。高周波加速電極9Bは、磁極7Bと磁極7Dの間で凹部29B内に配置され、導波管10Bに接続される。高周波加速電極9Bは、凹部29B内で折れ曲り点24D及び24Gと環状コイル11Bの間に配置される。高周波加速電極9A及び9Bは、イオン注入口側の端面を、高周波加速電極9A及び9Bのそれぞれの折れ曲がり点とイオン注入口の間の中間点に位置させてもよい。導波管10A及び10Bは、環状コイル11Aと環状コイル11Bの間を通って筒状部75Bを貫通し、真空容器27の外部に取り出される。高周波加速電極9A,9Bでは、環状コイル11Bの周方向における幅が入射用電極18から環状コイル11Bに向って増大している。   The high frequency accelerating electrode 9A is disposed in the recess 29F between the magnetic pole 7A and the magnetic pole 7C, and is connected to the waveguide 10A. The high frequency acceleration electrode 9A is disposed between the bending points 24B and 24E and the annular coil 11B in the recess 29F. The high frequency accelerating electrode 9B is disposed in the recess 29B between the magnetic pole 7B and the magnetic pole 7D, and is connected to the waveguide 10B. The high frequency accelerating electrode 9B is disposed between the bending points 24D and 24G and the annular coil 11B in the recess 29B. The high frequency accelerating electrodes 9A and 9B may have the end face on the ion implantation port side positioned at an intermediate point between the bending points of the high frequency accelerating electrodes 9A and 9B and the ion implantation port. The waveguides 10A and 10B pass through between the annular coil 11A and the annular coil 11B, penetrate the cylindrical portion 75B, and are taken out of the vacuum vessel 27. In the high frequency accelerating electrodes 9A and 9B, the width in the circumferential direction of the annular coil 11B increases from the incident electrode 18 toward the annular coil 11B.

高周波加速電極9Cは、磁極7Cと磁極7Eの間で凹部29E内に配置され、導波管10Cに接続される。高周波加速電極9Cは、2つの側面に形成される折れ曲り点24M及び24N(図4参照)で折れ曲っている。高周波加速電極9Cの、折れ曲り点24M及び24Nと環状コイル11Bに対向する端面の間の部分が、イオンビームが周回する方向において、凹部29A(第1凹部)側に折れ曲がっている。高周波加速電極9Cの、環状コイル11Bの周方向における幅は、折れ曲り点24M及び24Nのそれぞれの折れ曲がった位置から先端に向かって減少し、これらの折れ曲がり点から環状コイル11Bに対向する端面に向って増加する。高周波加速電極9Dは、磁極7Dと磁極7Fの間で凹部29C内に配置され、導波管10Dに接続される。高周波加速電極9Dは、2つの側面に形成される折れ曲り点24O及び24P(図4参照)で折れ曲っている。高周波加速電極9Dの、折れ曲り点24O及び24Pと環状コイル11Bに対向する端面の間の部分が、イオンビームが周回する方向とは逆の方向において、凹部29A(第1凹部)側に折れ曲がっている。高周波加速電極9Dの、環状コイル11Bの周方向における幅が、折れ曲り点24O及び24Pのそれぞれの折れ曲がった位置から先端に向かって減少し、これらの折れ曲がり点から環状コイル11Bに対向する端面に向って増加する。導波管10C,10Dは、環状コイル11Aと環状コイル11Bの間を通って筒状部75Bを貫通し、真空容器27の外部に取り出される。高周波加速電極9C及び9Dのそれぞれの先端は、入射用電極18側に位置しており、入射用電極18が設置されたイオン入射領域で、互いに接続される。入射用電極18は、高周波加速電極9Cと高周波加速電極9Dの接続部に面し、この接続部から離れた状態でビーム周回領域76内に配置される。   The high frequency acceleration electrode 9C is disposed in the recess 29E between the magnetic pole 7C and the magnetic pole 7E and connected to the waveguide 10C. The high frequency acceleration electrode 9C is bent at bending points 24M and 24N (see FIG. 4) formed on the two side surfaces. The portion of the high-frequency accelerating electrode 9C between the bending points 24M and 24N and the end face facing the annular coil 11B is bent toward the concave portion 29A (first concave portion) in the direction in which the ion beam circulates. The width of the high frequency accelerating electrode 9C in the circumferential direction of the annular coil 11B decreases from the bent position of each of the bending points 24M and 24N toward the tip, and from these bending points toward the end face facing the annular coil 11B. Increase. The high frequency acceleration electrode 9D is disposed in the recess 29C between the magnetic pole 7D and the magnetic pole 7F and connected to the waveguide 10D. The high frequency accelerating electrode 9D is bent at bending points 24O and 24P (see FIG. 4) formed on the two side surfaces. A portion of high-frequency accelerating electrode 9D between bending points 24O and 24P and an end face facing to annular coil 11B is bent toward recess 29A (first recess) in a direction opposite to the direction in which the ion beam circulates. There is. The width of the high-frequency accelerating electrode 9D in the circumferential direction of the annular coil 11B decreases from the bent positions of the bending points 24O and 24P toward the tip, and from these bending points toward the end face facing the annular coil 11B. Increase. The waveguides 10C and 10D pass through between the annular coil 11A and the annular coil 11B, pass through the cylindrical portion 75B, and are taken out of the vacuum vessel 27. The respective tips of the high frequency acceleration electrodes 9C and 9D are located on the side of the incidence electrode 18, and are connected to each other in the ion incidence area where the incidence electrode 18 is provided. The incidence electrode 18 faces the connecting portion of the high frequency accelerating electrode 9C and the high frequency accelerating electrode 9D, and is disposed in the beam circulation area 76 in a state of being separated from the connecting portion.

凹部29A、入射用電極18及び凹部29Dは、真空容器27の中心軸Cを通る一点鎖線Xに沿って配置される。   The recess 29 A, the incidence electrode 18 and the recess 29 D are disposed along a dashed dotted line X passing through the central axis C of the vacuum vessel 27.

リターンヨーク5Aのベース部74Aに形成された磁極7A〜7Fのそれぞれは、図6に示すように、筒状部75Aから突出した凸部である。リターンヨーク5Aにおいても、リターンヨーク5Bと同様に、磁極7A,7B,7C,7D,7E及び7Fのそれぞれと筒状部75Aの間に、環状コイル11Aが配置される凹部29Gがそれぞれ形成される(図6参照)。   As shown in FIG. 6, each of the magnetic poles 7A to 7F formed on the base portion 74A of the return yoke 5A is a convex portion protruding from the cylindrical portion 75A. Also in the return yoke 5A, similarly to the return yoke 5B, a recess 29G in which the annular coil 11A is disposed is formed between each of the magnetic poles 7A, 7B, 7C, 7D, 7E and 7F and the cylindrical portion 75A. (See Figure 6).

リターンヨーク5Aとリターンヨーク5Bが向き合って互いに結合された状態では、磁極7A同士、磁極7B同士、磁極7C同士、磁極7D同士、磁極7E同士及び磁極7F同士が互いに対向している。リターンヨーク5Aとリターンヨーク5Bのそのような結合状態では、凹部29A同士、凹部29B同士、凹部29C同士、凹部29D同士、凹部29E同士及び凹部29F同士も互いに対向している。   When the return yoke 5A and the return yoke 5B face each other and are coupled to each other, the magnetic poles 7A, 7B, 7C, 7D, 7E, and 7F face each other. In such a combined state of the return yoke 5A and the return yoke 5B, the recesses 29A, 29B, 29C, 29D, 29E, and 29F also face each other.

また、中間面77に対して、リターンヨーク5A及び5Bのそれぞれに形成された磁極7A同士が、磁極7B同士が、磁極7C同士が、磁極7D同士が、磁極7E同士が及び磁極7F同士が、さらに、リターンヨーク5A及び5Bのそれぞれに形成された凹部29A同士が、凹部29B同士が、凹部29C同士が、凹部29D同士が、凹部29E同士が及び凹部29F同士が、それぞれ対称となる形状を有する。   Further, with respect to the intermediate surface 77, the magnetic poles 7A formed on each of the return yokes 5A and 5B, the magnetic poles 7B, the magnetic poles 7C, the magnetic poles 7D, the magnetic poles 7E and the magnetic poles 7F, Furthermore, the recesses 29A formed in each of the return yokes 5A and 5B have a shape in which the recesses 29B are the same, the recesses 29C are the same, the recesses 29D are the same, the recesses 29E are the same, and the recesses 29F are the symmetry. .

リターンヨーク5Aに形成された凹部29Aの底面95とリターンヨーク5Bに形成された凹部29Aの底面95は、図5に示すように、イオン入射管3Aの位置で互いに最も接近している。真空容器27において、これらの底面95は、入射用電極18を基点にしてビーム出射経路20の入口とは180°反対側、具体的には凹部29Aに配置されたマスレスセプタム12に向かって傾斜面となっており、これらの底面95間の、中心軸C方向の幅も、イオン入射管3Aからマスレスセプタム12に向かって徐々に広くなる。マスレスセプタム12が配置された位置で、リターンヨーク5Aに形成された凹部29Aの底面95とリターンヨーク5Bに形成された凹部29Aの底面95の間の幅は、これらの底面95間に形成される幅内で最も広くなっている。   The bottom surface 95 of the recess 29A formed in the return yoke 5A and the bottom surface 95 of the recess 29A formed in the return yoke 5B are closest to each other at the position of the ion incident tube 3A as shown in FIG. In the vacuum vessel 27, these bottom surfaces 95 are inclined toward the massless septum 12 located 180 ° opposite to the entrance of the beam exit path 20 from the entrance electrode 18, specifically, in the recess 29A. The width in the central axis C direction between these bottom surfaces 95 also gradually widens from the ion injection tube 3A toward the massless septum 12. At the position where the massless septum 12 is disposed, the width between the bottom surface 95 of the recess 29A formed in the return yoke 5A and the bottom surface 95 of the recess 29A formed in the return yoke 5B is formed between these bottom surfaces 95. It is the widest within the

リターンヨーク5Aに形成された凹部29Dの底面95とリターンヨーク5Bに形成された凹部29Dの底面95も、図5に示すように、イオン入射管3Aの位置で互いに最も接近している。真空容器27において、これらの底面95は、イオン入射管3Aの位置からセプタム電磁石19に向かって傾斜面となっており、これらの底面95間の、中心軸C方向の幅も、イオン入射管3Aからセプタム電磁石19に向かって徐々に広くなる。リターンヨーク5Aに形成された凹部29Dの環状コイル11Aが配置される部分の底面95とリターンヨーク5Bに形成された凹部29Dの環状コイル11Aが配置される部分の底面95の間の幅は、リターンヨーク5Aに形成された凹部29Aのマスレスセプタム12が配置される部分の底面95とリターンヨーク5Bに形成された凹部29Aのマスレスセプタム12が配置される部分の底面95の間の幅と同じである。   The bottom surface 95 of the recess 29D formed in the return yoke 5A and the bottom surface 95 of the recess 29D formed in the return yoke 5B are also closest to each other at the position of the ion incident tube 3A, as shown in FIG. In the vacuum vessel 27, these bottom surfaces 95 are inclined surfaces from the position of the ion entrance tube 3A toward the septum electromagnet 19, and the width in the central axis C direction between these bottom surfaces 95 is also the ion entrance tube 3A. Gradually wide toward the septum electromagnet 19. The width between the bottom surface 95 of the portion where the annular coil 11A of the recess 29D formed in the return yoke 5A is disposed and the bottom surface 95 of the portion where the annular coil 11A of the recess 29D formed in the return yoke 5B is The width is the same as the width between the bottom surface 95 of the portion where the massless septum 12 of the recess 29A formed in the yoke 5A is disposed and the bottom surface 95 of the portion where the massless septum 12 of the recess 29A formed in the return yoke 5B is disposed. It is.

鉄心14Aでは、磁極7A〜7F、ベース部74A及び筒状部75Aが一体になって鉄心14Aが構成される。鉄心14Bでは、磁極7A〜7F、ベース部74B及び筒状部75Bが一体になって鉄心14Bが構成される。   In the iron core 14A, the magnetic poles 7A to 7F, the base portion 74A and the cylindrical portion 75A are integrated to form an iron core 14A. In the iron core 14B, the magnetic poles 7A to 7F, the base portion 74B, and the cylindrical portion 75B are integrated to form an iron core 14B.

図6に示すように、リターンヨーク5Aの磁極7Aとこれと対向しているリターンヨーク5Bの磁極7Aの間には、間隙28Aが形成され、真空容器27の軸方向において対向する磁極7B間には、前述の間隙28Bが形成され、リターンヨーク5Aの磁極7Cとこれと対向しているリターンヨーク5Bの磁極7Cの間には、間隙28Cが形成され、及びリターンヨーク5Aの磁極7Dとこれと対向しているリターンヨーク5Bの磁極7Dの間には、間隙28Dが形成される。図示されていないが、リターンヨーク5Aの磁極7Eとこれと対向しているリターンヨーク5Bの磁極7Eの間及びリターンヨーク5Aの磁極7Fとこれと対向しているリターンヨーク5Bの磁極7Fの間にも、間隙がそれぞれ形成される。さらに、リターンヨーク5Aの高周波加速電極9Aとこれと対向しているリターンヨーク5Bの高周波加速電極9Aの間にも間隙が形成され、リターンヨーク5Aの高周波加速電極9Bとこれと対向しているリターンヨーク5Bの高周波加速電極9Bの間にも間隙が形成される。図示されていないが、リターンヨーク5Aの高周波加速電極9Cとこれと対向しているリターンヨーク5Bの高周波加速電極9Cの間及びリターンヨーク5Aの高周波加速電極9Dとこれと対向しているリターンヨーク5Bの高周波加速電極9Dの間にも、同様に、間隙がそれぞれ形成されている。   As shown in FIG. 6, a gap 28A is formed between the magnetic pole 7A of the return yoke 5A and the magnetic pole 7A of the return yoke 5B opposed thereto, and between the magnetic poles 7B opposed in the axial direction of the vacuum vessel 27. The gap 28B is formed between the magnetic pole 7C of the return yoke 5A and the magnetic pole 7C of the return yoke 5B opposite to the magnetic pole 7C of the return yoke 5A, and the magnetic pole 7D of the return yoke 5A and this A gap 28D is formed between the opposing magnetic poles 7D of the return yoke 5B. Although not shown, between the magnetic pole 7E of the return yoke 5A and the magnetic pole 7E of the return yoke 5B facing this and between the magnetic pole 7F of the return yoke 5A and the magnetic pole 7F of the return yoke 5B facing this Also, gaps are respectively formed. Furthermore, a gap is also formed between the high frequency accelerating electrode 9A of the return yoke 5A and the high frequency accelerating electrode 9A of the return yoke 5B facing it, and the high frequency accelerating electrode 9B of the return yoke 5A and the return facing it A gap is also formed between the high frequency accelerating electrodes 9B of the yoke 5B. Although not shown, the high frequency accelerating electrode 9C of the return yoke 5A is opposed to the high frequency accelerating electrode 9C of the return yoke 5B and the high frequency accelerating electrode 9D of the return yoke 5A is opposed to the return yoke 5B. Similarly, gaps are formed between the high frequency accelerating electrodes 9D.

前述した各磁極の相互間に形成された間隙及び各高周波加速電極の相互間に形成された間隙は、全て、中間面77を内包しており、イオンビームが水平方向において周回するビーム周回領域76を形成する。   The gaps formed between the magnetic poles described above and the gaps formed between the high frequency accelerating electrodes all include the intermediate surface 77, and a beam circulation region 76 in which the ion beam circulates in the horizontal direction. Form

マスレスセプタム12が、リターンヨーク5A,5Bのそれぞれに形成された凹部29A内に配置され(図5参照)、磁極7Aと磁極7Bの間に位置している。このマスレスセプタム12を、図7及び図8を用いて詳細に説明する。マスレスセプタム12及び後述のエネルギー吸収体62は、それぞれ、イオンビームを、これが周回しているビーム周回軌道からずらすビーム離脱装置である。   A massless septum 12 is disposed in a recess 29A formed in each of the return yokes 5A and 5B (see FIG. 5), and is located between the magnetic pole 7A and the magnetic pole 7B. The massless septum 12 will be described in detail with reference to FIGS. 7 and 8. The massless septum 12 and an energy absorber 62 described later are beam deviating devices for shifting the ion beam from the beam orbit around which it is orbiting.

マスレスセプタム12は、鉄心部材30、及びコイル33A,33Bを有する。鉄心部材30は、鉄製の鉄心部31A,31B及び鉄製の連結部31Cを有する。平板状の鉄心部31A及び平板状の鉄心部31Bは互いに対向して平行に配置され、鉄心部31A及び31Bのそれぞれの一端部が連結部31Cによって連結される。鉄心部31Aの、鉄心部31Bに対向する面には、突出部である複数(例えば、28個)の磁極32Aが形成され、これらの磁極32Aは鉄心部31Aの長手方向において所定の間隔を持って一列に配置される。コイル33Aがそれぞれの磁極32Aに別々に巻き付けられている。鉄心部31Bの、鉄心部31Aに対向する面には、突出部である複数(例えば、28個)の磁極32Bが形成され、これらの磁極32Bは鉄心部31Bの長手方向において所定の間隔を持って一列に配置されている。コイル33Bがそれぞれの磁極32Bに別々に巻き付けられている。   The massless septum 12 includes an iron core member 30 and coils 33A and 33B. Iron core member 30 includes iron core portions 31A and 31B and iron connection portion 31C. The flat-plate shaped iron core portion 31A and the flat-plate shaped iron core portion 31B face each other and are arranged in parallel, and one end portions of the iron core portions 31A and 31B are connected by the connecting portion 31C. A plurality of (for example, 28) magnetic poles 32A, which are projecting parts, are formed on the surface of the core 31A facing the core 31B, and these magnetic poles 32A have a predetermined interval in the longitudinal direction of the core 31A. Are arranged in a row. Coils 33A are separately wound around each pole 32A. A plurality of (for example, 28) magnetic poles 32B which are protrusions are formed on the surface of the core 31B facing the core 31A, and these magnetic poles 32B have a predetermined interval in the longitudinal direction of the core 31B. Are arranged in a row. Coils 33B are separately wound around each magnetic pole 32B.

各コイル33Aの両端には、配線23Aが一本ずつ接続される。複数の配線23Aは束ねられ、図8に示すように、配線23Aの一つの束が鉄心部31Aの一つの側面に取り付けられ、配線23Aの他の束が鉄心部31Aの他の側面に取り付けられる。また、各コイル33Bの両端には、配線23Bが一本ずつ接続される。複数の配線23Bも束ねられ、図8に示すように、配線23Bの一つの束が鉄心部31Bの一つの側面に取り付けられ、配線23Bの他の束が鉄心部31Bの他の側面に取り付けられる。   A wire 23A is connected to each end of each coil 33A. A plurality of wires 23A are bundled, and as shown in FIG. 8, one bundle of wires 23A is attached to one side of iron core 31A, and another bundle of wires 23A is attached to the other side of iron core 31A. . Also, one wire 23B is connected to each end of each coil 33B. A plurality of wires 23B are also bundled, and as shown in FIG. 8, one bundle of wires 23B is attached to one side of iron core 31B and the other bundle of wires 23B is attached to the other side of iron core 31B. .

鉄心部31Aに形成された複数の磁極32Aと鉄心部31Bに形成された複数の磁極32Bは、一つずつの磁極32Aと一つずつの磁極32Bが対向して配置される。磁極32Aのそれぞれと磁極32Bのそれぞれの間には、周回するイオンビームが通過する間隙であるビーム通路35が形成される。ビーム通路35は中間面77の一部を内包する。   The plurality of magnetic poles 32A formed in the core portion 31A and the plurality of magnetic poles 32B formed in the core portion 31B are disposed such that the magnetic poles 32A and the magnetic poles 32B face each other. A beam passage 35 is formed between each of the magnetic poles 32A and each of the magnetic poles 32B, which is a gap through which the circulating ion beam passes. The beam passage 35 includes a part of the intermediate surface 77.

棒状の操作部材16の一端部がマスレスセプタム12の貫通孔31Dを形成した連結部31Cに取り付けられる。この操作部材16は、マスレスセプタム12の支持部材でもあり、ピストン及びシリンダを有する移動装置17のピストンに接続される(図3参照)。マスレスセプタム12の真空容器27内での位置を検出する位置検出器38が、移動装置17に取り付けられる(図1参照)。操作部材16は、環状コイル11Aと環状コイル11Bの間に配置され、例えば、リターンヨーク5Bの筒状部75Bを貫通して筒状部75Bに摺動可能に取り付けられる。移動装置17はモータであってもよい。移動装置17としてモータを用いるとき、位置検出器38としてエンコーダを用い、このエンコーダをモータの回転軸に連結する。   One end portion of the rod-like operation member 16 is attached to the connecting portion 31C in which the through hole 31D of the massless septum 12 is formed. The operation member 16 is also a support member of the massless septum 12 and is connected to the piston of the moving device 17 having a piston and a cylinder (see FIG. 3). A position detector 38 for detecting the position of the massless septum 12 in the vacuum vessel 27 is attached to the moving device 17 (see FIG. 1). The operation member 16 is disposed between the annular coil 11A and the annular coil 11B, and is slidably attached to the cylindrical portion 75B through, for example, the cylindrical portion 75B of the return yoke 5B. The moving device 17 may be a motor. When a motor is used as the moving device 17, an encoder is used as the position detector 38, and this encoder is connected to the rotation shaft of the motor.

マスレスセプタム12は、リターンヨーク内に配置された環状コイルの半径方向における異なる位置でイオンビームを偏向させる偏向電磁石装置である。   The massless septum 12 is a deflection electromagnet device that deflects the ion beam at different positions in the radial direction of the annular coil disposed in the return yoke.

ビーム電流測定装置98は、ビーム電流測定部15、移動装置17A及び位置検出器39を含んでいる。ビーム電流測定部15が、真空容器27内の中間面77において、凹部29Aの位置で真空容器27の中心軸C及び入射用電極18を通る一点鎖線X上に配置される(図3参照)。ビーム電流測定部15に接続された棒状の操作部材16Aが真空容器27を貫通して真空容器27の外部まで伸びている。操作部材16Aは、ビーム電流測定部15の支持部材でもあり、真空容器27の外部で、ピストン及びシリンダを有する移動装置17Aのピストンに接続される。操作部材16Aは、環状コイル11Aと環状コイル11Bの間に配置され、例えば、リターンヨーク5Bの筒状部75Bを貫通して筒状部75Bに摺動可能に取り付けられる。ビーム電流測定部15の真空容器27内での位置を検出する位置検出器39が、移動装置17Aに取り付けられる(図1参照)。移動装置17Aはモータであってもよい。移動装置17Aとしてモータを用いる場合には、位置検出器39としてエンコーダを用い、このエンコーダをモータの回転軸に連結する。   The beam current measuring device 98 includes a beam current measuring unit 15, a moving device 17A and a position detector 39. The beam current measurement unit 15 is disposed on the center axis C of the vacuum vessel 27 and the dashed dotted line X passing through the incident electrode 18 at the position of the recess 29A at the intermediate surface 77 in the vacuum vessel 27 (see FIG. 3). A rod-like operation member 16A connected to the beam current measurement unit 15 penetrates the vacuum vessel 27 and extends to the outside of the vacuum vessel 27. The operation member 16A is also a support member for the beam current measurement unit 15, and is connected to the piston of the moving device 17A having a piston and a cylinder outside the vacuum vessel 27. The operation member 16A is disposed between the annular coil 11A and the annular coil 11B, and is slidably attached to the cylindrical portion 75B through, for example, the cylindrical portion 75B of the return yoke 5B. A position detector 39 for detecting the position of the beam current measurement unit 15 in the vacuum vessel 27 is attached to the moving device 17A (see FIG. 1). The moving device 17A may be a motor. When a motor is used as the moving device 17A, an encoder is used as the position detector 39, and this encoder is connected to the rotation shaft of the motor.

操作部材16Aは、連結部31Cに形成された貫通孔31Dを通してマスレスセプタム12の複数の磁極32Aと複数の磁極32Bの間に形成されたビーム通路35内に挿入される(図5参照)。このため、操作部材16Aが一点鎖線Xに沿って真空容器27の半径方向に移動するとき、ビーム電流測定部15が中間面77内でビーム通路35内を移動する。この際、マスレスセプタム12の各磁極32Aの端面に沿った一点鎖線X上で凹部29Aの位置では、ビーム周回軌道78相互間の間隔が広くなっているため、ビーム電流測定部15を環状コイルの半径方向において一点鎖線X上に移動して計測することで、各ビーム周回軌道78でのビーム電流の計測を容易に実施できる。   The operation member 16A is inserted into the beam passage 35 formed between the plurality of magnetic poles 32A and the plurality of magnetic poles 32B of the massless septum 12 through the through holes 31D formed in the coupling portion 31C (see FIG. 5). Therefore, when the operation member 16A moves in the radial direction of the vacuum vessel 27 along the alternate long and short dash line X, the beam current measurement unit 15 moves in the beam passage 35 in the intermediate surface 77. At this time, at the position of the recess 29A on the alternate long and short dash line X along the end face of each magnetic pole 32A of the massless septum 12, the distance between the beam orbits 78 is wide. The beam current can be easily measured on each of the beam orbits 78 by moving and measuring on the alternate long and short dash line X in the radial direction of

高周波加速電極9Dに接続された導波管10Dが、高周波電源36に接続される(図1参照)。他の高周波加速電極9A,9B及び9Cに接続された導波管10A,10B及び10Cのそれぞれも、図示されていないが、高周波加速電極ごとに設けられた各高周波電源36に接続される。磁極7Bに設けられたトリムコイル8Bの両端にそれぞれ接続された引出配線21C,21Dが、電源37に接続される(図1参照)。他の磁極7A及び7C〜7Fのそれぞれに設けられたトリムコイル8A及び8C〜8Fのそれぞれの両端に接続された前述の各引出配線も、図示されていないが、磁極ごとに設けられた各電源37に接続される。以上の高周波電源及び磁極はリターンヨーク5B内に存在するが、リターンヨーク5Aにおいても、高周波加速電極9A〜9Dのそれぞれが別々の高周波電源36に接続され、磁極7A〜7Fのそれぞれが別々の電源37に接続される。さらに、入射用電源18は、配線81によって電源82に接続される(図1参照)。   The waveguide 10D connected to the high frequency accelerating electrode 9D is connected to the high frequency power source 36 (see FIG. 1). The waveguides 10A, 10B and 10C connected to the other high frequency accelerating electrodes 9A, 9B and 9C are also connected to the high frequency power sources 36 provided for each of the high frequency accelerating electrodes, though not shown. The lead wires 21C and 21D respectively connected to both ends of the trim coil 8B provided on the magnetic pole 7B are connected to the power supply 37 (see FIG. 1). Although not shown, the above-described lead wires connected to the respective ends of trim coils 8A and 8C to 8F provided on the other magnetic poles 7A and 7C to 7F, respectively, are also provided for each power supply provided for each magnetic pole. Connected to 37 Although the high frequency power supply and the magnetic pole described above exist in the return yoke 5B, the high frequency accelerating electrodes 9A to 9D are also connected to different high frequency power supplies 36 in the return yoke 5A, and each of the magnetic poles 7A to 7F is a separate power supply. Connected to 37 Furthermore, the incident power supply 18 is connected to the power supply 82 by the wiring 81 (see FIG. 1).

リターンヨーク5Bに設けられた環状コイル11Bに接続された2本の引出配線22は電源57に接続される(図1参照)。リターンヨーク5Aに設けられた環状コイル11Aに接続された2本の引出配線22は、上記の電源57に接続される。マスレスセプタム12の各磁極32A,32Bごとに巻き付けられたコイル33A,33Bの一つ一つに接続された前述の各配線23A,23Bは、一つの電源40に接続される(図1参照)。   The two lead wires 22 connected to the annular coil 11B provided in the return yoke 5B are connected to the power supply 57 (see FIG. 1). The two lead wires 22 connected to the annular coil 11A provided in the return yoke 5A are connected to the power supply 57 described above. The aforementioned wires 23A and 23B connected to each of the coils 33A and 33B wound around each of the magnetic poles 32A and 32B of the massless septum 12 are connected to one power supply 40 (see FIG. 1). .

電源57から各引出配線22を通して環状コイル11A,11Bに励磁電流を供給する。この励磁電流の作用によって、鉄心14A,14Bが磁化される。それぞれの電源37からの励磁電流が、引出配線21A、引出配線21C、引出配線21E、引出配線21G、引出配線21G、引出配線21I及び引出配線21Kを通して、磁極7A〜7Fに設けられたトリムコイル8A〜8Fに供給され、磁極7A〜7Fのそれぞれを励磁する。イオン源3を起動する。各高周波電源36からの高周波電圧を、導波管10A〜10Dのそれぞれを通して高周波加速電極9A〜9Dのそれぞれに印加する。入射用電極18に電源82からの電圧を印加する。   An excitation current is supplied from the power source 57 to the annular coils 11A and 11B through the respective lead wires 22. The iron cores 14A and 14B are magnetized by the action of the excitation current. The excitation current from each power source 37 is provided to the magnetic poles 7A to 7F through the lead wire 21A, the lead wire 21C, the lead wire 21E, the lead wire 21G, the lead wire 21G, the lead wire 21I, and the lead wire 21K. To 8F to excite each of the magnetic poles 7A to 7F. Activate the ion source 3 A high frequency voltage from each high frequency power source 36 is applied to each of the high frequency accelerating electrodes 9A to 9D through each of the waveguides 10A to 10D. The voltage from the power supply 82 is applied to the incidence electrode 18.

鉄心14A,14Bが磁化されることによって、リターンヨーク5Bに形成された磁極7A〜7Fのそれぞれ、これらの磁極のそれぞれと対向するリターンヨーク5Aに形成された磁極7A〜7Fのそれぞれ、リターンヨーク5Aのベース部74A、リターンヨーク5Aの筒状部75A、リターンヨーク5Bの筒状部75B、リターンヨーク5Bのベース部74B及びリターンヨーク5Bに形成された磁極7A〜7Fのそれぞれの閉じた磁気回路で発生する。このとき、リターンヨーク5Bに形成された凹部29A〜29Fのそれぞれの底面95から、各底面95に対向する、リターンヨーク5Aに形成された凹部29A〜29Fのそれぞれの底面95に向かう磁力線も発生する。対向する底面95間で発生する磁力線は、対向する磁極間で発生する磁力線よりも少なくなる。対向する磁極(凸部)間に形成される磁場は、対向する凹部間に形成される磁場よりも高くなる。   As the iron cores 14A and 14B are magnetized, the magnetic poles 7A to 7F formed on the return yoke 5B, respectively, the magnetic poles 7A to 7F formed on the return yoke 5A facing the respective magnetic poles, the return yoke 5A The closed magnetic circuit of each of the magnetic pole 7A to 7F formed on the base portion 74A, the cylindrical portion 75A of the return yoke 5A, the cylindrical portion 75B of the return yoke 5B, the base portion 74B of the return yoke 5B and the return yoke 5B. Occur. At this time, magnetic lines of force are also generated from the bottom surfaces 95 of the recesses 29A to 29F formed in the return yoke 5B toward the bottom surfaces 95 of the recesses 29A to 29F formed in the return yoke 5A. . The lines of magnetic force generated between the opposed bottom surfaces 95 are smaller than the lines of magnetic force generated between the opposed magnetic poles. The magnetic field formed between the opposing magnetic poles (convex portions) is higher than the magnetic field formed between the opposing recesses.

この結果、真空容器27内の中間面77において、図10に示す磁場分布が形成される。この磁場分布は等時性磁場の分布を示している。等時性磁場は、加速されるイオンビームのエネルギーが増加してこのイオンビームが周回するビーム周回軌道の半径が大きくなってもイオンビームが一周する時間が変わらない磁場である。この等時性磁場は、磁極7A〜7Fによって形成される。図10に示された「高」は磁場強度が高い領域を示し、「低」は磁場強度が低い領域を示している。磁場強度が高い領域と磁場強度が低い領域は、イオン注入口、すなわち、入射用電極18の周囲に交互に形成される。磁場強度が高い領域において最も高い磁場強度は、例えば、2.2Tであり、磁場強度が低い領域において最も低い磁場強度は、例えば、0.84Tである。本実施例では、磁場強度が高い領域及び磁場強度が低い領域は、それぞれ6つ存在する。入射用電極18の位置とセプタム電磁石19の位置(図10では、ビーム周回軌道78がセプタム電磁石19側にずれて複数のビーム周回軌道78が集約されている点(集約点))が一致するように図3と図10を重ねた時、磁場強度が高い6つの領域は、図3に示された磁極7A〜7Fのうちのそれぞれ一つと重なる。すなわち、磁場強度が高い各領域には、各磁極が配置されている。また、磁場強度が低い6つの領域は、図3に示された凹部29A〜29Fのうちのそれぞれ一つと重なる。すなわち、磁場強度が低い各領域には、各凹部が配置される。   As a result, the magnetic field distribution shown in FIG. 10 is formed at the intermediate surface 77 in the vacuum vessel 27. This magnetic field distribution shows the distribution of isochronous magnetic fields. The isochronous magnetic field is a magnetic field in which the time for which the ion beam goes around does not change even if the energy of the ion beam to be accelerated increases and the radius of the beam orbit which the ion beam goes up increases. This isochronous magnetic field is formed by the magnetic poles 7A to 7F. “High” shown in FIG. 10 indicates a region where the magnetic field strength is high, and “low” indicates a region where the magnetic field strength is low. Regions with high magnetic field strength and regions with low magnetic field strength are alternately formed around the ion injection port, ie, the incident electrode 18. The highest magnetic field strength in the high magnetic field strength region is, for example, 2.2 T, and the lowest magnetic field strength in the low magnetic field strength region is, for example, 0.84 T. In the present embodiment, there are six regions in which the magnetic field strength is high and the regions in which the magnetic field strength is low. The position of the incident electrode 18 and the position of the septum electromagnet 19 (in FIG. 10, the point (aggregated point) at which the beam orbit 78 is shifted to the septum electromagnet 19 and the plural beam orbits 78 are integrated) coincide When FIG. 3 and FIG. 10 are superimposed, the six regions with high magnetic field strength overlap one of the magnetic poles 7A to 7F shown in FIG. That is, each magnetic pole is disposed in each region where the magnetic field strength is high. Also, the six regions with low magnetic field strength overlap with one of the recesses 29A to 29F shown in FIG. That is, each recess is arranged in each region where the magnetic field strength is low.

イオン源3Aから放出されたイオン(例えば、陽子(H+))は、イオン入射管3Aを通してビーム周回領域76に入射され、電圧が印加された入射用電極18の作用によってビーム周回領域76において進行方向を水平方向に曲げられる。入射された陽子は、磁極7A〜7Fのそれぞれ及び環状コイル11A,11Bが励磁された状態で、高周波加速電極9A〜9Dのそれぞれによって加速される。陽子は、入射用電極18に近い領域では、高周波加速電極9C及び9Dによって加速され、環状コイル11A,11Bに近い領域では、高周波加速電極9A〜9Dによって加速される。加速された陽子は、陽子イオンビーム(以下、単にイオンビームという)となって入射用電極18の周囲に形成されるビーム周回軌道に沿って中間面77において周回する。具体的には、イオンビームは、中間面77に垂直な方向においてベータトロン振動をするため、中間面77を中心にしてその垂直な方向において所定の幅を有するビーム周回領域76内で周回する。 Ions (for example, protons (H + )) emitted from the ion source 3A are incident on the beam circulation area 76 through the ion injection tube 3A, and travel in the beam circulation area 76 by the action of the incident electrode 18 to which a voltage is applied. The direction can be bent horizontally. The incident protons are accelerated by the high frequency accelerating electrodes 9A to 9D in a state where the magnetic poles 7A to 7F and the annular coils 11A and 11B are excited. The protons are accelerated by the high frequency accelerating electrodes 9C and 9D in a region near the incidence electrode 18, and accelerated by the high frequency accelerating electrodes 9A to 9D in a region near the annular coils 11A and 11B. The accelerated protons make a proton ion beam (hereinafter simply referred to as an ion beam) and orbit at the intermediate surface 77 along a beam orbit formed around the incident electrode 18. Specifically, in order to cause betatron oscillation in the direction perpendicular to the intermediate surface 77, the ion beam orbits within the beam circulation region 76 having a predetermined width in the perpendicular direction centering on the intermediate surface 77.

図10は、環状コイル11B内側で中間面77での各ビーム周回軌道78、及び磁場強度の分布を示しており、さらに複数の等時性線79を示している。等時性線とは、同一の時刻に存在する周回中のイオン(例えば、陽子)の位置を結んだ線である。図10に点線で示された各等時性線79は、入射用電極18から放射状に伸びて途中(35MeVのイオンビームのビーム周回軌道の位置)で曲がっている。リターンヨーク5A,5Bに設けられた磁極7A〜7Fの側面は、図10に示された該当する等時性線79に一致している。   FIG. 10 shows the beam orbits 78 at the intermediate plane 77 inside the annular coil 11B, and the distribution of the magnetic field strength, and also shows a plurality of isochronous lines 79. An isochronous line is a line connecting the positions of circulating ions (eg, protons) present at the same time. The respective isochronous lines 79 shown by dotted lines in FIG. 10 extend radially from the incident electrode 18 and are bent halfway (at the position of the beam orbit of the 35 MeV ion beam). The side surfaces of the magnetic poles 7A to 7F provided on the return yokes 5A and 5B correspond to the corresponding isochronous lines 79 shown in FIG.

加速器4において、ビーム周回領域76内に形成されるビーム周回軌道78は、図10に示すように、複数の軌道となる。図10には、イオンビームのエネルギーが250MeV以下の範囲において、0.5MeV以下のエネルギー領域では0.25MeVごとに、0.5MeVを超えて1MeV以下の範囲のエネルギー領域では0.5MeVごとに、1MeVを超えて10MeV以下の範囲のエネルギー領域では1MeVごとに、10MeVを超えて50MeV以下のエネルギー領域では5MeVごとに、50MeVを超えて100MeV以下の範囲のエネルギー領域では10MeVごとに、100MeVを超えて220MeV以下の範囲のエネルギー領域では20MeVごとに、220MeVを超えて250MeVまでの範囲のエネルギー領域では15MeVごとに、ビーム周回軌道78が示されている。   The beam orbits 78 formed in the beam orbiting area 76 in the accelerator 4 are a plurality of orbits as shown in FIG. In FIG. 10, when the energy of the ion beam is in the range of 250 MeV or less, every 0.25 MeV in the energy region of 0.5 MeV or less and every 0.5 MeV in the energy region of more than 0.5 MeV and 1 MeV or less. More than 1 MeV to less than 10 MeV, every 1 MeV, more than 10 MeV to less than 50 MeV, every 5 MeV, more than 50 MeV to less than 100 MeV, every 10 MeV, more than 100 MeV Beam orbits 78 are shown every 20 MeV in the energy range of 220 MeV or less, and every 15 MeV in the energy range of more than 220 MeV to 250 MeV.

35MeV以下のエネルギーを有する各イオンビームが周回するそれぞれのビーム周回軌道78は、入射用電極18を中心とする環状ビーム周回軌道である。35MeVを超えるエネルギーを有する各イオンビームが周回するそれぞれのビーム周回軌道78は、入射用電極18から偏心している環状ビーム周回軌道である。この結果、入射用電極18とセプタム電磁石19の間では、35MeVを超えるエネルギーを有する各イオンビームのそれぞれのビーム周回軌道78の中心は、ビーム出射経路20の入口から離れるようにずれており、ビーム出射経路20の入口側でビーム周回軌道78相互間の間隔が密になっている。特に、60MeVを超えるエネルギーを有する各イオンビームのそれぞれのビーム周回軌道78は、ビーム出射経路20の入口側で特定の範囲内に集約される。また、入射用電極18を基点としてビーム出射経路20の入口とは180°反対側では、35MeVを超えるエネルギーを有する各イオンビームのそれぞれのビーム周回軌道78は、入射用電極18とビーム出射経路20の入口の間でビーム周回軌道78相互間の間隔が密になる分、ビーム周回軌道78相互間の間隔が広くなっている。   Each of the beam orbits 78 around which each ion beam having an energy of 35 MeV or less is an annular beam orbit centered on the incident electrode 18. Each of the beam orbits 78 around which each ion beam having an energy of more than 35 MeV orbits is an annular beam orbit eccentric from the incident electrode 18. As a result, between the incidence electrode 18 and the septum electromagnet 19, the centers of the beam orbits 78 of the respective ion beams having an energy exceeding 35 MeV are deviated away from the entrance of the beam emission path 20. At the entrance side of the emission path 20, the distances between the beam orbits 78 are close. In particular, the respective beam orbits 78 of each ion beam having an energy of more than 60 MeV are concentrated within a certain range at the entrance side of the beam exit path 20. Further, on the opposite side of the entrance electrode 18 from the entrance of the beam exit path 20 180 °, the beam orbits 78 of each ion beam having energy exceeding 35 MeV are the entrance electrode 18 and the beam exit path 20. The distance between the beam orbits 78 is increased by the distance between the beam orbits 78 being smaller.

イオン入射管3Aを通過して入射用電極18により、ビーム周回領域76内で水平方向に曲げられた陽子は、低いエネルギーを有するイオンビームとなって低いエネルギーのイオンビームが周回するビーム周回軌道に沿って周回する。このイオンビームは、高周波電圧が印加された高周波加速電極9Cの折れ曲り点24M及び24Nと先端との間の部分、及び高周波電圧が印加された高周波加速電極9Dの折れ曲り点24O及び24Pと先端との間の部分で加速され、外側に位置するビーム周回軌道78に移行する。例えば、10MeVのイオンビームのビーム周回軌道78を周回している10MeVのイオンビームは、高周波加速電極9C,9Dの上記の部分で加速されて、外側に位置する、11MeVのイオンビームのビーム周回軌道78に移行し、このビーム周回軌道8に沿って周回する。このように、周回するイオンビームは、加速されて、外側のビーム周回軌道78に、順次、移行し、例えば、119MeVのイオンビームのビーム周回軌道78に移行したとする。このビーム周回軌道78を周回する、119MeVのイオンビームは、高周波加速電極9A〜9Dによって加速され、外側の220MeVのイオンビームのビーム周回軌道78に向けて移行する。   The protons which are bent in the horizontal direction in the beam circulation area 76 by the incidence electrode 18 after passing through the ion injection tube 3A become an ion beam having a low energy and a beam circulation orbit in which an ion beam having a low energy circulates. I will go along. This ion beam is a portion between bending points 24M and 24N of high frequency accelerating electrode 9C to which high frequency voltage is applied and the tip, and bending points 24O and 24P of high frequency accelerating electrode 9D to which high frequency voltage is applied and the tip And accelerate to a portion between them, and transfer to the beam orbit 78 located outside. For example, the 10 MeV ion beam orbiting the 10 MeV ion beam orbit 78 is accelerated by the above portion of the high-frequency accelerating electrodes 9C and 9D and located outside, the 11 MeV ion beam orbit It shifts to 78 and orbits along the beam orbit 8. In this way, it is assumed that the circulating ion beam is accelerated and sequentially transferred to the outer beam orbit 78, and is transferred to the beam orbit 78 of the 119 MeV ion beam, for example. The 119 MeV ion beam orbiting this beam orbit 78 is accelerated by the high-frequency accelerating electrodes 9A to 9D, and is transferred toward the beam orbit 78 of the outer 220 MeV ion beam.

220MeVのイオンビームのビーム周回軌道78に沿って周回している220MeVのイオンビームは、マスレスセプタム12によってそのビーム周回軌道78から蹴り出されることによって、すなわち、そのビーム周回軌道78から離脱されることによって、セプタム電磁石19に形成されたビーム出射経路20を通してビーム輸送系13のビーム経路48に出射される。また、140MeVのイオンビームのビーム周回軌道78に沿って周回している140MeVのイオンビームは、マスレスセプタム12によって蹴り出されることによって、ビーム出射経路20を通してビーム経路48に出射される。このように、イオンビーム発生装置2の加速器4からエネルギーが異なるイオンビームを出射することができる。このようなイオンビームの出射は、入射用電極18とビーム出射経路20の入口の間で各ビーム周回軌道78がビーム出射経路20の入口側にずれてビーム周回軌道78相互間の間隔が密になり、入射用電極18を基点にしてビーム出射経路20の入口とは180°反対側で、ビーム周回軌道78相互間の間隔が広くなっていることにより、実現されるのである。特に、後述の軌道偏心領域において、エネルギーが異なるイオンビームが周回する複数のビーム周回軌道78がビーム出射経路20の入口側に集約されていることが、エネルギーが異なるイオンビームの出射に貢献する。なお、マスレスセプタム12の機能の詳細については、後述する。   The 220 MeV ion beam orbiting along the beam orbit 78 of the 220 MeV ion beam is kicked out of the beam orbit 78 by the massless septum 12, ie, it is released from the beam orbit 78 Thus, the beam is emitted to the beam path 48 of the beam transport system 13 through the beam emission path 20 formed in the septum electromagnet 19. Further, the 140 MeV ion beam orbiting along the beam orbit 78 of the 140 MeV ion beam is emitted to the beam path 48 through the beam exit path 20 by being kicked out by the massless septum 12. As described above, it is possible to emit ion beams having different energies from the accelerator 4 of the ion beam generator 2. The beam orbits 78 are shifted to the entrance side of the beam exit path 20 between the entrance electrode 18 and the entrance of the beam exit path 20, and the distance between the beam orbits 78 is close. This is realized by the fact that the distance between the beam orbits 78 is wide on the opposite side of the entrance of the beam exit path 20 from the entrance electrode 18 and at the entrance of the beam exit path 20. In particular, a plurality of beam orbits 78 around which ion beams having different energies circulate are concentrated on the inlet side of the beam emission path 20 in the later-described orbital eccentric region, which contributes to the emission of ion beams having different energies. The details of the function of the massless septum 12 will be described later.

本実施例に用いられる加速器4は、ビーム周回領域76内のビーム周回軌道78が形成される中間面77に、入射用電極18(イオン入射管3Aのイオン注入口)を中心とする同心の複数の環状ビーム周回軌道が形成される軌道同心領域(例えば、図10に示された、35MeVのイオンビームが周回するビーム周回軌道78を含み、このビーム周回軌道78よりも内側の領域)、及びこの軌道同心領域を取り囲んで中心が互いに偏心した複数の環状ビーム周回軌道が形成されて入射用電極18とビーム出射経路20の入口の間ではこれらの環状ビーム周回軌道の間隔が密になり、逆に入射用電極18を基点にしてビーム出射経路20の入口の180°反対側ではこれらの環状ビーム周回軌道の間隔が広くなっている軌道偏心領域(例えば、図10に示された、35MeVのイオンビームが周回するビーム周回軌道78よりも外側の領域)が形成されている。   The accelerator 4 used in the present embodiment has a plurality of concentric circles centered on the incidence electrode 18 (ion implantation port of the ion incidence tube 3A) on the intermediate surface 77 where the beam orbits 78 in the beam circulation area 76 are formed. An orbital concentric area (for example, a beam orbit 78 shown in FIG. 10 in which a 35 MeV ion beam circulates and in which the beam orbit 78 is shown), and A plurality of annular beam orbits decentered with each other are formed around the concentric area, and the annular beam orbits are closely spaced between the entrance electrode 18 and the entrance of the beam exit path 20, and vice versa. On the other side of the entrance of the beam exit path 180 180 ° opposite to the entrance electrode 18, the annular beam orbits are widely spaced from each other (eg, Indicated at 10, outside the region) is formed than the beam orbit 78 ion beam 35MeV circulates.

真空容器27内に配置された高周波加速電極9C及び9Dに形成された折れ曲り点24M〜24Pのそれぞれも、例えば、図10に示された、35MeVのイオンビームが周回するビーム周回軌道78の位置に位置している。   Each of the bending points 24M to 24P formed on the high frequency accelerating electrodes 9C and 9D disposed in the vacuum vessel 27 is also, for example, the position of the beam orbit 78 where the 35 MeV ion beam orbits as shown in FIG. It is located in

加速器4における、等時性線IL1に沿った、リターンヨーク5Aの磁極7Eとこれと対向するリターンヨーク5Bの磁極7Eとの間のギャップの変化を図11、等時性線IL2に沿った、リターンヨーク5Aの磁極7Cとこれと対向するリターンヨーク5Bの磁極7Cとの間のギャップの変化を図12、及び等時性線IL3に沿った、リターンヨーク5Aの磁極7Aとこれと対向するリターンヨーク5Bの磁極7Aとの間のギャップの変化を図13に示す。図11、図12及び図13に示されたギャップは、対向する磁極7E間のギャップ、対向する磁極7C間のギャップ、及び対向する磁極7A間のギャップのそれぞれの1/2を示している。これらのギャップは、磁極7Eと中間面77との間のギャップ、磁極7Cと中間面77との間のギャップ、及び磁極7Aと中間面77との間のギャップに相当する。なお、上記した等時性線IL1,IL2及びIL3は、図3及び図10にそれぞれ示される。水平方向において、等時性線IL1,IL2及びIL3のそれぞれは、磁極7E,7C及び7Aのそれぞれの中心線に相当する。 In accelerator 4, along the isochronous lines IL 1, 11, along the isochronous line IL 2 changes in the gap between the magnetic poles 7E return yoke 5B facing the magnetic pole 7E return yoke 5A and this and, the change in the gap between the pole 7C of the return yoke 5B facing the magnetic pole 7C of the return yoke 5A therewith along 12, and isochronous line IL 3, and pole 7A of the return yoke 5A and this Changes in the gap between the opposing return yoke 5B and the magnetic pole 7A are shown in FIG. The gaps shown in FIG. 11, FIG. 12 and FIG. 13 show one half of each of the gap between the opposing magnetic poles 7E, the gap between the opposing magnetic poles 7C, and the gap between the opposing magnetic poles 7A. These gaps correspond to the gap between the magnetic pole 7E and the intermediate surface 77, the gap between the magnetic pole 7C and the intermediate surface 77, and the gap between the magnetic pole 7A and the intermediate surface 77. The above-described isochronous lines IL 1 , IL 2 and IL 3 are shown in FIGS. 3 and 10, respectively. In the horizontal direction, each of the isochronous lines IL 1 , IL 2 and IL 3 corresponds to the center line of each of the magnetic poles 7E, 7C and 7A.

図11に示されるように、磁極7Eと中間面77との間のギャップは、磁極7Eの、入射用電極18に対向する先端と環状コイル11Bの内面に対向する磁極7Eの端面との間の、等時性線IL1に沿った長さに対してその先端から好ましくは93.0%〜96.0%の範囲内の位置で最も狭くなる。これは、この範囲内の位置において、磁極7Eの中心線上での中心軸C方向における高さ(凹部29D,29Eの各底面95からの磁極7Eの高さ)が最も高くなることを示している。一点鎖線Xに対して磁極7Eと対称に配置された磁極7Fの、磁極7Fの中心線上での中心軸C方向における高さ(凹部29C,29Dの各底面95からの磁極7Fの高さ)も、磁極7Eと同様に、磁極7Fの中心線に沿った長さに対して入射用電極18に対向する先端からその範囲内の位置で最も高くなる。 As shown in FIG. 11, the gap between the magnetic pole 7E and the intermediate surface 77 is the tip of the magnetic pole 7E facing the incident electrode 18 and the end face of the magnetic pole 7E facing the inner surface of the annular coil 11B. The length along the isochronous line IL 1 is most narrow at a position preferably in the range of 93.0% to 96.0% from the tip thereof. This indicates that the height in the direction of the central axis C on the center line of the magnetic pole 7E (the height of the magnetic pole 7E from the bottom surface 95 of each of the concave portions 29D and 29E) is the highest at the position within this range. . The height of the magnetic pole 7F arranged symmetrically to the magnetic pole 7E with respect to the alternate long and short dash line X in the direction of the central axis C on the center line of the magnetic pole 7F As in the case of the magnetic pole 7E, the length of the magnetic pole 7F along the center line is the highest at a position within the range from the tip facing the incident electrode 18.

図12に示されるように、磁極7Cと中間面77との間のギャップは、磁極7Cの、入射用電極18に対向する先端と環状コイル11Bの内面に対向する磁極Cの端面との間の、等時性線IL2に沿った長さに対してその先端から好ましくは86.2%〜89.2%の範囲内の位置で最も狭くなる。これは、この範囲内の位置において、磁極7Cの中心線上での中心軸C方向における高さ(凹部29E,29Fの各底面95からの磁極7Cの高さ)が最も高くなることを示している。一点鎖線Xに対して磁極7Cと対称に配置された磁極7Dの、磁極7Dの中心線上での中心軸C方向における高さ(凹部29B,29Cの各底面95からの磁極7Bの高さ)も、磁極7Cと同様に、磁極7Dの中心線に沿った長さに対して入射用電極18に対向する先端からその範囲内の位置で最も高くなる。 As shown in FIG. 12, the gap between the magnetic pole 7C and the intermediate surface 77 is the distance between the tip of the magnetic pole 7C opposite to the incident electrode 18 and the end face of the magnetic pole C opposite to the inner surface of the annular coil 11B. The length along the isochronal line IL 2 is the narrowest at a position preferably within the range of 86.2% to 89.2% from its tip. This indicates that the height in the direction of the central axis C on the center line of the magnetic pole 7C (the height of the magnetic pole 7C from the bottom surface 95 of each of the concave portions 29E and 29F) is the highest at the position within this range. . The height in the direction of the central axis C on the center line of the magnetic pole 7D of the magnetic pole 7D arranged symmetrically with the magnetic pole 7C with respect to the alternate long and short dash line X As in the case of the magnetic pole 7C, the length of the magnetic pole 7D along the center line is the highest at a position within the range from the tip facing the incident electrode 18.

また、図13に示されるように、磁極7Aと中間面77との間のギャップは、磁極7Aの、入射用電極18に対向する先端と環状コイル11Bの内面に対向する磁極Aの端面との間の、等時性線IL3に沿った長さに対してその先端から好ましくは88.7%〜91.7%の範囲内の位置で最も狭くなる。これは、この範囲内の位置において、磁極7Aの中心線上での中心軸C方向における高さ(凹部29A,29Fの各底面95からの磁極7Aの高さ)が最も高くなることを示している。一点鎖線Xに対して磁極7Aと対称に配置された磁極7Bの、磁極7Bの中心線上での中心軸C方向における高さ(凹部29A,29Bの各底面95からの磁極7Bの高さ)も、磁極7Aと同様に、磁極7Bの中心線に沿った長さに対して入射用電極18に対向する先端からその範囲内の位置で最も高くなる。図示されていないが、凹部29Eの底面95の中心軸C方向における位置は、凹部29A〜29C,29Fのそれぞれの底面95の中心軸C方向における各位置と同じである。 Further, as shown in FIG. 13, the gap between the magnetic pole 7A and the intermediate surface 77 is the tip of the magnetic pole 7A facing the incident electrode 18 and the end face of the magnetic pole A facing the inner surface of the annular coil 11B. The distance between the tip and the isochronous line IL 3 is the narrowest at a position preferably within the range of 88.7% to 91.7%. This indicates that the height in the direction of the central axis C on the center line of the magnetic pole 7A (the height of the magnetic pole 7A from the bottom surface 95 of each of the recessed portions 29A and 29F) is the highest at a position within this range. . The height of the magnetic pole 7B arranged symmetrically with the magnetic pole 7A with respect to the alternate long and short dash line X in the central axis C direction on the center line of the magnetic pole 7B As in the case of the magnetic pole 7A, the length of the magnetic pole 7B along the center line is the highest at a position within the range from the tip facing the incident electrode 18. Although not shown, the position in the central axis C direction of the bottom surface 95 of the recess 29E is the same as each position in the central axis C direction of the bottom surface 95 of each of the recesses 29A to 29C, 29F.

リターンヨーク5Aにおいて、磁極7E及び7Fの、それぞれの磁極の中心線上での中心軸C方向における高さも、リターンヨーク5Bの磁極7E及び7Fの、上記の範囲内の位置において最も高くなる。また、リターンヨーク5Aにおいて、磁極7C及び7Dの、それぞれの磁極の中心線上での中心軸C方向における高さも、リターンヨーク5Bの磁極7C及び7Dの、上記の範囲内の位置において最も高くなり、磁極7A及び7Bの、それぞれの磁極の中心線上での中心軸C方向における高さも、リターンヨーク5Bの磁極7A及び7Bの、上記の範囲内の位置において最も高くなる。   In the return yoke 5A, the heights of the magnetic poles 7E and 7F in the central axis C direction on the center lines of the respective magnetic poles are also the highest at the positions of the magnetic poles 7E and 7F of the return yoke 5B. In the return yoke 5A, the heights of the magnetic poles 7C and 7D in the direction of the central axis C on the center lines of the respective magnetic poles are also the highest at the positions of the magnetic poles 7C and 7D of the return yoke 5B. The heights of the magnetic poles 7A and 7B in the direction of the central axis C on the center lines of the respective magnetic poles are also the highest at the positions of the magnetic poles 7A and 7B of the return yoke 5B within the above range.

この結果、リターンヨーク5Bとリターンヨーク5Aの間の中間面77における磁場強度分布において、リターンヨーク5Bの磁極7E及び7Fにおいて上記の範囲内の位置でこれらの磁極7E及び7Fのそれぞれと対向する、リターンヨーク5Aの磁極7E及び7Fのそれぞれの間の磁場強度、リターンヨーク5Bの磁極7C及び7Dにおいて上記の範囲内の位置でこれらの磁極7C及び7Dと対向する、リターンヨーク5Aの磁極7C及び7Dのそれぞれの間の磁場強度、及びリターンヨーク5Bの磁極7A及び7Bにおいて上記の範囲内の位置でこれらの磁極7A及び7Bと対向する、リターンヨーク5Aの磁極7A及び7Bのそれぞれの間の磁場強度が、図10に示す2.2Tのように、最も高くなる。これにより、中間面77における磁場強度は、磁極7A〜7Fのそれぞれが配置された領域で、環状コイル11A,11Bのそれぞれの内面よりもより内側の領域、例えば、図10に示すように、200MeV及び180MeVのそれぞれのビーム周回軌道78の位置で最も高くなる。このような磁場強度の分布により、ビーム周回軌道に対して垂直な方向において収束力を付与することができ、イオンビームをビーム周回軌道78に沿って安定に周回させることができる。   As a result, in the magnetic field strength distribution on the intermediate surface 77 between the return yoke 5B and the return yoke 5A, the magnetic poles 7E and 7F of the return yoke 5B face the magnetic poles 7E and 7F at positions within the above range. Magnetic field strengths between the magnetic poles 7E and 7F of the return yoke 5A, the magnetic poles 7C and 7D of the return yoke 5A facing the magnetic poles 7C and 7D at positions in the above range in the magnetic poles 7C and 7D of the return yoke 5B. And the magnetic field strength between each of the magnetic poles 7A and 7B of the return yoke 5A opposite to the magnetic poles 7A and 7B at a position within the above range in the magnetic poles 7A and 7B of the return yoke 5B. Is the highest as in 2.2 T shown in FIG. Thereby, the magnetic field strength at the intermediate surface 77 is 200 MeV in the region inside the respective inner surfaces of the annular coils 11A and 11B in the region where the magnetic poles 7A to 7F are arranged, for example, as shown in FIG. And the highest at the position of the beam orbit 78 at 180 MeV. Such a distribution of magnetic field strength makes it possible to apply a focusing force in a direction perpendicular to the beam orbit, and allows the ion beam to orbit stably along the beam orbit 78.

本実施例に用いられる加速器4では、中間面77における磁場分布が一様でないため、形成されるビーム周回軌道78は環状であるが真円ではない。前述したように、鉄心14A,14Bにおいて、磁極(凸部)7A〜7Fのそれぞれが位置する個所の磁場強度は凹部29A〜29Fのそれぞれが位置する箇所のそれに比べて強いため、鉄心14A,14Bのそれぞれに形成された対向する磁極間では、ビーム周回軌道の曲率が大きくなる。上記の対向する一対の磁極はビーム周回軌道78の一周につき6個所に配置される。このため、各ビーム周回軌道は概ね六角形の角を取ったような形状になる。図14においてビーム周回軌道に沿った磁場強度の振幅が大きいビーム周回軌道ほどその傾向が強くなる。磁場強度の振幅が同じであるならば、低エネルギー側のビーム周回軌道ほど、イオンビームは曲がりやすいため、その傾向が強くなる。真円ではないビーム周回軌道の中心とは、軌道形状の重心であり、軌道座標の算術平均となる点である。   In the accelerator 4 used in the present embodiment, since the magnetic field distribution at the intermediate surface 77 is not uniform, the beam circulation orbit 78 formed is annular but not a perfect circle. As described above, in the iron cores 14A and 14B, the magnetic field strength of the portions where the magnetic poles (convex portions) 7A to 7F are located is stronger than that of the portions where the respective recesses 29A to 29F are located. Between the opposing magnetic poles formed in each of the above, the curvature of the beam orbit becomes large. The above-mentioned pair of opposing magnetic poles are arranged at six positions per one circumference of the beam orbit 78. For this reason, each beam orbit has a generally hexagonal shape. In FIG. 14, as the amplitude of the magnetic field strength along the beam orbit is larger, the tendency becomes stronger. If the amplitudes of the magnetic field strengths are the same, the lower the energy side of the beam orbit, the more likely the ion beam is to bend, so the tendency becomes stronger. The center of a non-round beam orbit is the center of gravity of the orbit shape and is the point that is the arithmetic mean of the orbit coordinates.

なお、一般的なサイクロトロンであれば、外周に存在するビーム周回軌道ほど、イオンビームのエネルギー上昇に伴って、イオンビームは曲がりにくくなり、集束が困難となる。このため、図14に示すビーム周回軌道に沿った磁場強度の振幅を増大させる必要がある。つまり、各磁極の中心線に沿った半径方向の磁場強度はその最大エネルギーのビーム周回軌道(最外周のビーム周回軌道)において最大となるように、一般的には設計される。   In the case of a general cyclotron, as the energy of the ion beam increases, the ion beam becomes less likely to bend and the focusing becomes more difficult as the beam orbits on the outer periphery. For this reason, it is necessary to increase the amplitude of the magnetic field intensity along the beam orbit shown in FIG. That is, the magnetic field strength in the radial direction along the center line of each magnetic pole is generally designed so as to be maximum at the beam orbit of the maximum energy (the beam orbit at the outermost periphery).

本実施例の加速器4の特性を、図14〜図21を用いて説明する。以下では、特に断りの無い限り、中心軸Cに垂直な方向を「水平方向」、及び中心軸Cの方向、すなわち中間面77に垂直な方向を「垂直方向」と称する。   The characteristics of the accelerator 4 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. Hereinafter, unless otherwise specified, the direction perpendicular to the central axis C is referred to as “horizontal direction”, and the direction of the central axis C, that is, the direction perpendicular to the intermediate surface 77 is referred to as “vertical direction”.

図14は、0.5MeVのイオンビーム、70MeVのイオンビーム、160MeVのイオンビーム及び235MeVのイオンビームのそれぞれが別々に周回する4つのビーム周回軌道78において、各ビーム周回軌道78に沿った磁場強度の分布を示している。進行方向距離が「0」の位置は、セプタム電磁石19に形成されたビーム出射経路20の入口(加速器4の出射口)付近における、この入口と中心軸Cを結ぶ直線(一点鎖線X)と各ビーム周回軌道78との各交点の位置である。進行方向距離が「1」の位置は、加速器4の出射口からビーム周回軌道78を半周した位置である。それぞれのビーム周回軌道78では、ビーム周回軌道78に沿って磁場強度が図14に示すように変化するため、収束力(振幅)を確保することができ、それぞれのエネルギーのイオンビームを各ビーム周回軌道78で安定に周回させることができる。235MeVのイオンビームが周回するビーム周回軌道78では、単純な正弦波ではない磁場強度の分布で収束力を確保しており、イオンビームを該当するビーム周回軌道で安定に周回させることができる。具体的には、235MeVのイオンビームのビーム周回軌道は、一周する間に通過する磁場強度の6つの最大ピークのうち、進行方向距離が0の位置から2つ目及び5つ目における最大ピークが他よりも低く、それら最大ピークの両側の最小ピークの値は他よりも高くなるように磁場が形成されている。このため、235MeVのイオンビームのビーム周回軌道は、その内側の160MeVのイオンビームのビーム周回軌道よりも、通過する磁場強度の変動の振幅が小さい。   FIG. 14 shows the magnetic field strengths along each of the beam orbits 78 in four beam orbits 78 in which each of the ion beam of 0.5 MeV, ion beam of 70 MeV, ion beam of 160 MeV and ion beam of 235 MeV travels separately. Shows the distribution of The traveling direction distance is “0” at each entrance of the beam emission path 20 formed at the septum electromagnet 19 (the outlet of the accelerator 4) in the vicinity of the entrance (the outlet of the accelerator 4). The positions of the intersections with the beam orbit 78 are shown. The position at which the traveling direction distance is “1” is a position obtained by rotating the beam orbit 78 half from the exit of the accelerator 4. In each of the beam orbits 78, the magnetic field intensity changes as shown in FIG. 14 along the beam orbits 78, so that a converging force (amplitude) can be secured. The orbit 78 can be stably orbited. In the beam circulation orbit 78 in which the ion beam of 235 MeV circulates, the converging power is secured by the distribution of the magnetic field intensity which is not a simple sine wave, and the ion beam can be stably orbited in the corresponding beam circulation orbit. Specifically, among the six maximum peaks of the magnetic field intensity passing during one round, the maximum peaks at the second and fifth from the position at which the traveling direction distance is 0 are The magnetic field is formed such that the values of the minimum peaks on either side of their maximum peaks are lower than the others and higher than the others. For this reason, the beam orbit of the 235 MeV ion beam has a smaller amplitude of fluctuation of the passing magnetic field strength than the beam orbit of the 160 MeV ion beam inside.

図15は、ビーム周回軌道78に沿った規格化磁場の勾配の変化を示している。規格化磁場は、式(1)で表わされるn値である。   FIG. 15 shows the change of the gradient of the normalized magnetic field along the beam orbit 78. The normalized magnetic field is an n value represented by equation (1).

Figure 0006535705
Figure 0006535705

ただし、Bは磁場強度、Bρはイオンビームの磁気剛性率及びBは磁場の垂直成分である。rは中間面77である軌道面内のビーム周回軌道に対する垂直方向の位置座標であり、外向きを正としている。n<1であるとき、ビーム周回軌道を周回するイオンビームは水平方向で収束し、n>0であるとき、ビーム周回軌道を周回するイオンビームは垂直方向で収束する。 Where B is the magnetic field strength, Bρ is the magnetic rigidity of the ion beam, and B z is the perpendicular component of the magnetic field. r is a position coordinate in a direction perpendicular to the beam orbit in the orbital plane which is the intermediate plane 77, and the outward direction is positive. When n <1, the ion beam orbiting the beam orbit converges in the horizontal direction, and when n> 0, the ion beam orbiting the beam orbit converges in the vertical direction.

70MeVのイオンビーム、160MeVのイオンビーム及び235MeVのイオンビームのそれぞれが別々に周回する3つのビーム周回軌道78では、進行方向距離が「1」の位置(下記の各交点から半周の位置)でn値は小さい値であるが、ビーム出射経路20の入口(加速器4の出射口)付近における、この入口と中心軸Cを結ぶ直線(一点鎖線X)と各ビーム周回軌道78との各交点の位置である、各ビーム周回軌道78の進行方向距離が「0」の位置)付近でn値の絶対値が大きくなる。これは進行方向距離が「0」の位置では前述のように各エネルギーのビーム周回軌道が集中しており、隣り合うビーム周回軌道の相互間の間隔が小さい。この帰結として磁場勾配、すなわち、n値の絶対値が大きくなり、逆に、隣り合うビーム周回軌道の相互間の間隔が大きい進行方向距離が「1」の位置(半周の位置)では磁場勾配の絶対値は小さくなる。このように、ビーム周回軌道に沿って水平方向の収束作用及び垂直方向の収束作用を交互に周回しているイオンビームに対して作用させることによって、水平方向及び垂直方向ともにイオンビームを安定に周回することができる。   In three beam orbits 78 in which the 70 MeV ion beam, the 160 MeV ion beam, and the 235 MeV ion beam respectively rotate separately, the traveling direction distance is n at a position of “1” (a half circumference position from each intersection below) Although the value is a small value, the position of each intersection point of a straight line (dotted dotted line X) connecting the entrance and the central axis C and each beam orbit 78 in the vicinity of the entrance of the beam exit path 20 (exit of accelerator 4) That is, the absolute value of the n value becomes large near the position where the traveling direction distance of each beam orbit 78 is “0”). This is because, as described above, when the traveling direction distance is “0”, the beam orbits of each energy are concentrated, and the distance between adjacent beam orbits is small. As a consequence of this, the magnetic field gradient, that is, the absolute value of the n value becomes large, and conversely, when the traveling direction distance between adjacent beam orbits is large, the magnetic field gradient is The absolute value decreases. As described above, by causing the focusing action in the horizontal direction and the focusing action in the vertical direction to alternately act on the ion beam that is alternately orbiting along the beam orbit, the ion beam can stably orbit in both the horizontal direction and the vertical direction. can do.

図15に示された特性は以下に述べる概念を示している。それぞれの環状のビーム周回軌道78において、ビーム周回軌道78の、中心軸Cを基点にして、ビーム出射経路20の入口の180°反対側の位置(進行方向距離が「1」の位置)を中心とした半周分(進行方向距離が「1」の位置を基点にして時計方向に1/4周と進行方向距離が「1」の位置を基点にして半時計方向に1/4周の合計)の、上記の(2)式で表されるn値の絶対値の積分値が、ビーム周回軌道78の、ビーム出射経路20の入口側の前述の交点(進行方向距離が「0」の位置)を中心とした半周分(進行方向距離が「0」の位置を基点にして時計方向に1/4周と進行方向距離が「0」の位置を基点にして半時計方向に1/4周の合計)のn値の絶対値の積分値より小さくなっている。   The characteristics shown in FIG. 15 illustrate the concepts described below. In each annular beam orbit 78, a position (a traveling direction distance is “1” position) opposite to the entrance of the beam outgoing path 20 with respect to the central axis C of the beam orbit 78 (A total of 1⁄4 turns in the counterclockwise direction with a quarter of the turn in the clockwise direction starting from the position where the advancing direction distance is “1” and the 1 in the advancing direction distance) The integral value of the absolute value of n value represented by the above equation (2) is the above-mentioned intersection point of the entrance side of the beam outgoing path 20 of the beam orbit 78 (the traveling direction distance is the position of “0”) (A traveling direction distance is 1⁄4 of the circumference in a clockwise direction and a traveling direction distance is a 1⁄4 circumference in a counterclockwise direction with a traveling direction distance of “0” as a base point. (Sum) is smaller than the integral value of the absolute value of n values.

環状のビーム周回軌道の、ビーム出射経路の入口の180°反対側の位置を中心とした半周分の、上記の(1)式で表されるn値の絶対値の積分値が、ビーム周回軌道の、ビーム出射経路の入口を中心とした半周分のn値の絶対値の積分値より小さいので、エネルギーが異なる各イオンビームを効率良く出射することができ、さらに、ビーム周回軌道が偏心され、ビーム出射経路の入口側に、異なるエネルギーのビーム周回軌道が集束したときに、集束によりビーム出射経路の入口側で発生する磁場勾配の傾斜を緩和することができる。   The integral value of the absolute value of n values expressed by the above equation (1) corresponds to a half of the circumference of the annular beam orbit around the position 180 ° opposite to the entrance of the beam exit path. Because it is smaller than the integral value of the absolute value of n values for a half turn around the entrance of the beam exit path, each ion beam with different energy can be efficiently exited, and the beam orbit is decentered, When beam orbits of different energies are focused on the entrance side of the beam exit path, the focusing can reduce the inclination of the magnetic field gradient generated on the entrance side of the beam exit path.

次に、磁場分布を詳細に述べる。或るビーム周回軌道78上の或る位置での磁場強度B(L1)は、式(2)で表わされる。 Next, the magnetic field distribution will be described in detail. The magnetic field strength B (L 1 ) at a certain position on a certain beam orbit 78 is expressed by equation (2).

B(L1)=B0+B1cos(2πL1/L2)+B2cos(4πL1/L2)
+B3cos(6πL1/L2) …(2)
ここで、Bは磁場強度、L1はビーム周回軌道のイオンビーム進行方向の距離、L2はビーム周回軌道の半周の長さ、B0は磁場強度の中心値(イオンビームが受ける平均の磁場強度)、及びB1、B2及びB3はエネルギーごとのビーム周回軌道78における磁場強度のフーリエ展開係数である。ちなみに、ビーム周回軌道の半周の長さを基準の波長として、B1は1倍高調波の振幅、B2は2倍高調波の振幅及びB3は3倍高調波の振幅を表している。
B (L 1 ) = B 0 + B 1 cos (2πL 1 / L 2 ) + B 2 cos (4πL 1 / L 2 )
+ B 3 cos (6πL 1 / L 2 ) (2)
Here, B is the magnetic field strength, L 1 is the distance in the ion beam traveling direction of the beam orbit, L 2 is the half length of the beam orbit, B 0 is the central value of the magnetic field strength (average magnetic field received by ion beam Intensity) and B 1 , B 2 and B 3 are Fourier expansion coefficients of the magnetic field strength in the beam orbit 78 for each energy. Incidentally, as a reference wavelength of the length of half of the beam orbit, B 1 is the amplitude of the 1 harmonic, B 2 is an amplitude and B 3 of the second harmonic represents the amplitude of the third harmonic.

本実施例では、図16に示すように、イオンビームの運動エネルギーが約180MeV以上になると、3倍高調波の磁場成分B3が上昇するが、同時に、2倍高調波の磁場成分B2が減少する。このため、180MeV以上のエネルギーを有する各イオンビームが周回するそれぞれのビーム周回軌道78において、最大磁場を大きくすることなく、イオンビームの収束力を確保することができる。3倍高調波の磁場成分B3は、軌道同心領域である0MeVから35MeVの範囲内で−0.5Tまで減少する。 In this embodiment, as shown in FIG. 16, when the kinetic energy of the ion beam is equal to or greater than about 180MeV, but the third harmonic of the magnetic field component B 3 is increased, at the same time, the magnetic field component B 2 of the second harmonic wave Decrease. Therefore, in each of the beam orbits 78 in which each ion beam having energy of 180 MeV or more circulates, the focusing power of the ion beam can be secured without increasing the maximum magnetic field. Third harmonic field component B 3 of decreases from a trajectory concentric regions 0MeV to -0.5T within the 35 meV.

図16は、環状のビーム周回軌道78に沿った磁場強度分布における3倍高調波の磁場成分の、このビーム周回軌道を周回するイオンビームのエネルギーによる変化率の絶対値が、軌道同心領域から軌道偏心領域に推移する際に低下することを示している。さらに、図16は、3倍高調波の磁場成分の値が、軌道同心領域内においてイオンビームのエネルギーが増加するほど減少することを示している。   FIG. 16 shows that the absolute value of the rate of change of the magnetic field component of the third harmonic in the magnetic field strength distribution along the annular beam orbit 78 with energy of the ion beam orbiting this beam orbit is from the orbit concentric region It shows that it falls when transitioning to the eccentric region. Furthermore, FIG. 16 shows that the value of the magnetic field component of the third harmonic decreases as the energy of the ion beam increases in the orbit concentric region.

ビーム周回軌道に沿った磁場強度分布における3倍高調波の磁場成分の、このビーム周回軌道を周回するイオンビームのエネルギーによる変化率の絶対値が、軌道同心領域からこの軌道同心領域を取り囲む軌道偏心領域に推移する際に低下するので、エネルギーが異なる各イオンビームを効率良く出射することができ、さらに、イオンビームを安定に加速することができる。   The absolute value of the rate of change of the magnetic field component of the third harmonic in the magnetic field strength distribution along the beam orbit with energy of the ion beam orbiting the beam orbit, the orbit eccentricity surrounding the orbit concentric area Since the energy decreases when passing to the region, it is possible to efficiently emit ion beams of different energies, and further, the ion beam can be stably accelerated.

図17は、イオンビームの運動エネルギーに対応したベータトロン振動数の水平方向および垂直方向における変化を示している。水平方向におけるベータトロン振動数がイオンビームの運動エネルギーの増加に伴ってほぼ単調に増加している。しかし、そのベータトロン振動数の変化幅は、運動エネルギーが0〜250MeVの範囲で0.6以下である。運動エネルギーが50MeV付近で垂直方向にビーム周回軌道が偏っているが、その運動エネルギーの増加によっても、垂直方向におけるベータトロン振動数は0.5以下に収まっている。このため、イオンビームは、図6に示される対向する磁極の間及び対向する高周波電極の間に形成されるビーム周回領域76内で安定に周回することができる。さらに、このイオンビームは、図7に示すマスレスセプタム12に形成されるビーム通路35内も安定に通過することができる。   FIG. 17 shows the change in the betatron frequency in the horizontal and vertical directions corresponding to the kinetic energy of the ion beam. The betatron frequency in the horizontal direction increases almost monotonically with the increase of kinetic energy of the ion beam. However, the variation width of the betatron frequency is 0.6 or less in the kinetic energy range of 0 to 250 MeV. The kinetic energy is polarized in the vertical direction around 50 MeV, but the betatron frequency in the vertical direction is less than 0.5 even by the increase of the kinetic energy. For this reason, the ion beam can stably circulate in the beam circulation area 76 formed between the opposing magnetic poles shown in FIG. 6 and between the opposing high frequency electrodes. Furthermore, this ion beam can also pass stably through the beam passage 35 formed in the massless septum 12 shown in FIG.

図18は、ビーム出射経路20の入口付近における、この入口と中心軸Cを結ぶ直線(一点鎖線X)と0.5MeV,70MeV,160MeV及び235MeVのそれぞれのエネルギーを有する各イオンビームが周回する各ビーム周回軌道78との各交点(イオンビームの進行方向における距離:0)から半周(イオンビームの進行方向における距離:1)における各ビーム周回軌道78に沿った水平方向のβ関数の変化を示している。β関数はイオンビームの空間的な広がりを示す量である。イオンビームの進行方向における距離が1の位置に、マスレスセプタム12が配置される。   FIG. 18 shows a straight line (dot and dash line X) connecting the entrance and the central axis C and each ion beam having an energy of 0.5 MeV, 70 MeV, 160 MeV and 235 MeV in the vicinity of the entrance of the beam outgoing path Indicates the change in the horizontal β function along each beam orbit 78 at each intersection with the beam orbit 78 (distance in the ion beam traveling direction: 0) to a half cycle (distance in the ion beam traveling direction: 1) ing. The β function is an amount that indicates the spatial spread of the ion beam. The massless septum 12 is disposed at a position where the distance in the traveling direction of the ion beam is 1.

図18よれば、マスレスセプタム12が配置された位置では、水平方向のβ関数が10m以下になって、0.5MeV,70MeV,160MeV及び235MeVのそれぞれのエネルギーを有する各イオンビームが周回する各ビーム周回軌道78を分離することができる。このため、マスレスセプタム12によってこれらのエネルギーを有するイオンビームを別々に蹴り出すことができ、加速器4からビーム輸送系13に出射することができる。   According to FIG. 18, at the position where the massless septum 12 is disposed, the β function in the horizontal direction becomes 10 m or less, and each ion beam having an energy of 0.5 MeV, 70 MeV, 160 MeV, and 235 MeV circulates. Beam orbits 78 can be separated. Therefore, the massless septum 12 can separately kick out the ion beams having these energies, and the accelerator 4 can emit it to the beam transport system 13.

図19は、0.5MeV,70MeV,160MeV及び235MeVのそれぞれのエネルギーを有する各イオンビームが周回する各ビーム周回軌道78の出射口(イオンビームの進行方向における距離:0)から半周(イオンビームの進行方向における距離:1)における各ビーム周回軌道78に沿った垂直方向のβ関数の変化を示している。マスレスセプタム12が配置された、イオンビームの進行方向における距離が1の位置では、加速器4から出射される70MeV,160MeV及び235MeVの各エネルギーを有するそれぞれのイオンビームの垂直方向のβ関数が3m以下になるため、これらのエネルギーのイオンビームはマスレスセプタム12のビーム通路35を容易に通過することができる。また、各ビーム周回軌道78の出射口から半周までの間において、垂直方向のβ関数は、加速器4内の磁極に衝突しない限度である100m以下であるため、対向する磁極の間及び対向する高周波加速電極の間に形成されるビーム周回領域76内で、磁極及び高周波加速電極に衝突することなく、安定に周回することができる。   FIG. 19 shows a half turn (ion beam distance) from the exit (distance in the traveling direction of the ion beam: 0) of each beam orbit 78 where each ion beam having each energy of 0.5 MeV, 70 MeV, 160 MeV and 235 MeV circulates The change of the β function in the vertical direction along each beam orbit 78 at a distance of 1) in the traveling direction is shown. At a distance of 1 in the traveling direction of the ion beam where the massless septum 12 is disposed, the vertical β function of each ion beam having each energy of 70 MeV, 160 MeV and 235 MeV emitted from the accelerator 4 is 3 m The ion beam of these energies can easily pass through the beam path 35 of the massless septum 12 because In addition, since the β function in the vertical direction is 100 m or less which is the limit not to collide with the magnetic poles in the accelerator 4 between the exit of the beam orbits 78 and the half circumference, the high frequency between the opposing magnetic poles In the beam circulation area 76 formed between the acceleration electrodes, stable circulation can be performed without colliding with the magnetic pole and the high frequency acceleration electrode.

図20は、加速器4からイオンビームを出射する際に、マスレスセプタム12の磁極の励磁によってビーム周回軌道78を周回しているイオンビームの蹴り出し量を、周回するイオンビームの運動エネルギーに対応して示している。セプタム電磁石19に形成されたビーム出射経路20の入口が、最低エネルギーのビーム周回軌道の中心を基準として、図10における−720mmの位置に存在する。ここでは、加速器4から出射されるイオンビームのエネルギーは、70MeV以上であるとしている。図20に示された「軌道位置」は、マスレスセプタム12で蹴り出されない各エネルギーのイオンビームが通過し及びビーム出射経路20の入口に最も接近するビーム周回軌道78の、ビーム出射経路20の入口付近での位置を示している。図20に示された軌道位置とビーム出射経路20の入口のずれ量は、マスレスセプタム12を用いた、イオンビームの周回するビーム周回軌道78からの蹴り出しによって生じる軌道変位量を表している。このイオンビームの蹴り出し量は、周回するイオンビームのエネルギーが低いほど大きくなる。マスレスセプタム12の該当する一対の磁極32A,32Bのそれぞれに設けられたコイル33A,33Bに供給される励磁電流が、その蹴り出し量に応じて調節される。   FIG. 20 corresponds to the amount of kicking out of the ion beam orbiting the beam orbit 78 by the excitation of the magnetic pole of the massless septum 12 when emitting the ion beam from the accelerator 4 to the kinetic energy of the ion beam Show. The entrance of the beam emission path 20 formed in the septum electromagnet 19 is located at −720 mm in FIG. 10 with reference to the center of the lowest energy beam orbit. Here, the energy of the ion beam emitted from the accelerator 4 is 70 MeV or more. The “orbital position” shown in FIG. 20 is the beam exit path 20 of the beam orbit 78 which passes the ion beam of each energy not kicked by the massless septum 12 and closest to the entrance of the beam exit path 20. It shows the position near the entrance. The deviation between the orbit position and the entrance of the beam exit path 20 shown in FIG. 20 represents the orbit displacement caused by the kicking of the ion beam from the orbiting beam orbit 78 using the massless septum 12. . The amount of kicking of this ion beam becomes larger as the energy of the circulating ion beam is lower. The excitation current supplied to the coils 33A and 33B provided to the corresponding pair of magnetic poles 32A and 32B of the massless septum 12 is adjusted in accordance with the amount of kicking.

マスレスセプタム12の対向する一対の磁極32A及び32Bは、マスレスセプタム12が配置されているリターンヨーク5A,5Bの凹部29Aにおいて発生する磁力線の方向と同じ方向に磁力線(磁極32Bから磁極32Aに向かう磁力線)を発生し、磁場を強めるように励磁される。マスレスセプタム12に形成されるビーム通路35内で、真空容器27の半径方向において中間面77内の所定の位置に、図22に示すような磁場のピークが形成される。磁場ピークの位置は、マスレスセプタム12に形成された選択的に励磁できる28対の磁極32A及び32Bのいずれかの位置と対応している。マスレスセプタム12の対向する一対の磁極32A及び32Bの励磁により形成された、ビーム通路35内の局所的に磁場が強い領域を通過するイオンビームは、ビーム周回軌道78の曲率にと比べて曲率が大きくなる。このため、このイオンビームは、マスレスセプタム12の励磁量とその幅分だけ水平方向のベータトロン振動が増幅され、イオンビームは周回するビーム周回軌道78より内側方向に向かって蹴り出され、ビーム周回軌道78から離脱する。なお、ビーム通路35内における磁場強度のピーク発生位置は、移動装置17によりマスレスセプタム12を半径方向に移動させて励磁する一対の磁極32A,32Bの半径方向における位置を調整できるため、28対以上の磁極32A,32Bをマスレスセプタム12に設けた場合と同様に、磁場強度のピーク発生位置を精度良く調整できる。   A pair of opposing magnetic poles 32A and 32B of the massless septum 12 are magnetic field lines (from the magnetic pole 32B to the magnetic pole 32A) in the same direction as the magnetic field lines generated in the recess 29A of the return yoke 5A, 5B where the massless septum 12 is disposed. It generates exciting magnetic field lines) and is excited to strengthen the magnetic field. In the beam passage 35 formed in the massless septum 12, a peak of a magnetic field as shown in FIG. 22 is formed at a predetermined position in the intermediate surface 77 in the radial direction of the vacuum vessel 27. The position of the magnetic field peak corresponds to the position of any of the 28 pairs of selectively magnetizable magnetic poles 32A and 32B formed on the massless septum 12. The ion beam formed by excitation of the opposing pair of magnetic poles 32A and 32B of the massless septum 12 and passing through the locally strong magnetic field region in the beam passage 35 has a curvature compared to the curvature of the beam orbit 78 Becomes larger. Therefore, the betatron oscillation in the horizontal direction is amplified by the amount of excitation of the massless septum 12 and the width of the ion beam, and the ion beam is kicked inward from the circulating beam orbit 78, and the beam It leaves the orbit 78. The position at which the magnetic field strength peaks in the beam passage 35 can be adjusted by changing the position in the radial direction of the pair of magnetic poles 32A and 32B excited by moving the massless septum 12 in the radial direction by the moving device 17. As in the case where the magnetic poles 32A and 32B described above are provided in the massless septum 12, it is possible to accurately adjust the peak generation position of the magnetic field strength.

図21は、70MeVのイオンビーム、160MeVのイオンビーム及び235MeVのイオンビームのそれぞれがマスレスセプタム12によって蹴り出されたとき、蹴り出されたイオンビームがマスレスセプタム12からセプタム電磁石19に形成されたビーム出射経路20の入口に達するまでの、ビーム周回領域76の水平方向における該当するエネルギーのビーム周回軌道からの変位を示している。図21は他の図と異なり、イオンビームの進行方向における距離が「0」の位置にマスレスセプタム12が配置されており、イオンビームの進行方向における距離が「1」の位置(マスレスセプタム12から半周の位置)にビーム出射経路20の入口(イオンビーム取り出し位置)が位置している。水平方向の変位が正の値であるとき、蹴り出されたイオンビームがビーム周回軌道78の外側に向かって変位していることを意味し、水平方向の変位(中間面77内での変位)が負の値であるとき、蹴り出されたイオンビームがビーム周回軌道78の内側に向かって変位していることを意味している。マスレスセプタム12によりビーム周回軌道の内側に向かって蹴り出されたイオンビームは、ある程度内側に向かって変位した後に水平方向のベータトロン振動に従ってビーム周回軌道の外側に向かって大きく変位する。周回するイオンビームのエネルギーが小さいほど、蹴り出されたイオンビームの水平方向における変位の絶対値が大きくなるようにマスレスセプタム12を制御し、イオンビーム取り出し位置におけるビーム周回軌道の外側への変位も大きくなる。図21で説明した通り、エネルギーが異なるイオンビームが周回する各ビーム周回軌道78とビーム出射経路20の入口の間の距離が異なるのは、図20で示した、各エネルギーのイオンビームに対する各ビーム周回軌道78とセプタム電磁石19の間の距離が異なることに起因している。   FIG. 21 shows that when each of the 70 MeV ion beam, the 160 MeV ion beam and the 235 MeV ion beam is kicked out by the massless septum 12, the kicked out ion beam is formed from the massless septum 12 to the septum electromagnet 19. It shows the displacement from the beam orbit of the corresponding energy in the horizontal direction of the beam orbiting area 76 until the entrance of the beam exit path 20 is reached. FIG. 21 is different from the other drawings in that the massless septum 12 is disposed at a distance of “0” in the traveling direction of the ion beam, and the distance of “1” in the traveling direction of the ion beam (massless septum) The inlet (ion beam extraction position) of the beam emission path 20 is located at a position from 12 to a half circumference). When the displacement in the horizontal direction is a positive value, it means that the kicked ion beam is displaced toward the outside of the beam orbit 78, and the displacement in the horizontal direction (displacement in the intermediate surface 77) Is a negative value, this means that the kicked ion beam is displaced toward the inside of the beam orbit 78. The ion beam kicked to the inside of the beam orbit by the massless septum 12 is displaced to the inside of the beam orbit to a large extent toward the outside of the beam orbit according to the betatron oscillation in the horizontal direction after being displaced to a certain extent. The massless septum 12 is controlled such that the smaller the energy of the circulating ion beam, the larger the absolute value of the horizontal displacement of the kicked-out ion beam, and the displacement of the beam orbit outside the ion beam extraction position Will also grow. As described in FIG. 21, the distance between each of the beam orbits 78 where ion beams having different energies circulate and the entrance of the beam emission path 20 is different from each other for the ion beams of each energy shown in FIG. This is because the distance between the orbit 78 and the septum electromagnet 19 is different.

軌道同心領域及び軌道偏心領域が形成される加速器4は、図14〜図21に示された各特性により、各エネルギーのイオンビームをそれぞれのビーム周回軌道78に沿って安定に周回させることができ、イオンビームを照射する患部の分割された深さが異なる各層に照射できる異なるエネルギーを有する各イオンビームを連続して出射することができる。   The accelerator 4 in which the orbit concentric area and the orbit eccentric area are formed can stably circulate the ion beam of each energy along the respective beam orbits 78 by the respective characteristics shown in FIGS. 14 to 21. The ion beams having different energies which can be applied to the layers different in the divided depth of the affected part irradiated with the ion beam can be continuously emitted.

粒子線照射装置を用いた粒子線照射方法を、図23〜図26を用いて説明する。   The particle beam irradiation method using the particle beam irradiation apparatus will be described with reference to FIGS.

イオンビームを照射して癌の患部を治療する患者56ごとの治療計画データが、治療前に治療計画装置73を用いて作成される。この治療計画データは、患者の識別番号、患者の体表面から深さ方向に分割された、患部の層の数、層ごとに照射されるイオンビームのエネルギー、イオンビームの照射方向、各層内の照射位置(スポット位置)及び各層内の各照射位置に対するイオンビームの照射量等のデータを含んでいる。治療計画装置73で作成された治療計画データは、記憶装置であるデータベース72に記憶される。   Treatment plan data for each patient 56 who applies the ion beam to treat the affected area of cancer is created using the treatment planning device 73 before treatment. The treatment plan data includes the identification number of the patient, the number of layers of the affected area divided in the depth direction from the patient's body surface, the energy of the ion beam irradiated for each layer, the irradiation direction of the ion beam, and each layer. It includes data such as the irradiation position (spot position) and the irradiation amount of the ion beam for each irradiation position in each layer. The treatment plan data created by the treatment planning device 73 is stored in a database 72 which is a storage device.

CPU67は、入力された患者識別情報を用いて、これから治療を行う患者56に関する治療計画データをデータベース72から読み込み、メモリ68に格納する。メモリ68には、照射するイオンビームのエネルギー(例えば、70MeV〜235MeV)に応じて、ビーム輸送系13の四極電磁石46,47,49及び50及び偏向電磁石41〜44に供給する励磁電流値、加速器4内の中間面77において各エネルギーのイオンビームが周回するそれぞれのビーム周回軌道の位置情報、及び各ビーム周回軌道を周回するイオンビームを蹴り出すときにマスレスセプタム12の磁極32A,32Bにそれぞれ巻き付けられたコイル33A,33Bに供給する励磁電流値も記憶されている。   The CPU 67 reads treatment plan data regarding the patient 56 who is to be treated from the database 72 from the database 72 using the input patient identification information, and stores it in the memory 68. In the memory 68, according to the energy of the ion beam to be irradiated (for example, 70 MeV to 235 MeV), excitation current values supplied to the quadrupole electromagnets 46, 47, 49 and 50 of the beam transport system 13 and the deflection electromagnets 41 to 44, accelerator Positional information of each beam orbit where the ion beam of each energy orbits at the intermediate surface 77 in 4 and each of the magnetic poles 32A and 32B of the massless septum 12 when kicking out the ion beam orbiting each beam orbit The excitation current values supplied to the wound coils 33A, 33B are also stored.

CPU67は、制御情報作成装置として、患者56の患部を治療するために、治療計画データ、ビーム輸送系13の各電磁石に供給する励磁電流値、各ビーム周回軌道の位置情報及びマスレスセプタム12のコイル33A,33Bに供給する励磁電流値を用いて、ビーム輸送系13の各電磁石及びマスレスセプタム12を制御するための制御指令情報を作成する。   The CPU 67 functions as a control information creation device to treat the affected area of the patient 56, the treatment plan data, the excitation current value supplied to each electromagnet of the beam transport system 13, the position information of each beam orbit, and the massless septum 12. Control command information for controlling the electromagnets and massless septum 12 of the beam transport system 13 is created using the excitation current values supplied to the coils 33A and 33B.

図23に示す各工程の手順がメモリ68に記憶されており、この手順に基づいてCPU67は加速器・輸送系制御装置69及び走査制御装置70のそれぞれに含まれる各制御装置に制御指令情報を出力する。   The procedure of each process shown in FIG. 23 is stored in the memory 68, and based on this procedure, the CPU 67 outputs control command information to each control device included in the accelerator / transport system control device 69 and the scan control device 70 respectively. Do.

環状コイル及びトリムコイルに励磁電流を供給する(ステップS1)。CPU67から制御指令情報を入力したコイル電流制御装置94は、ステップS1の工程を実施するために、各電源37及び電源57を制御する。前述したように、各電源37からトリムコイル8A〜8Fに励磁電流が供給されて磁極7A〜7Fが励磁される。また、電源57から環状コイル11A,11Bに励磁電流が供給され、鉄心14A,14Bが励磁される。この結果、前述した磁力線が鉄心14A,14Bに発生する。環状コイル11A,11B及びトリムコイル8A〜8Fには、図25に示された環状コイル電流及びトリムコイル電流が流れる。真空ポンプ25は、常時駆動されており、真空容器27内の空気を、吸引管26を通して外部に排出し、真空容器27内を真空に維持する。真空容器27を構成するリターンヨーク5A,5Bの、導波管、引出配線、操作部材16,16Aのそれぞれの貫通部は、シール部材で封鎖され、気密性が保たれている。   Excitation current is supplied to the annular coil and the trim coil (step S1). The coil current control device 94 having received the control command information from the CPU 67 controls the respective power supplies 37 and 57 in order to carry out the process of step S1. As described above, the excitation current is supplied from the power supplies 37 to the trim coils 8A to 8F to excite the magnetic poles 7A to 7F. Also, an excitation current is supplied from the power source 57 to the annular coils 11A and 11B, and the iron cores 14A and 14B are excited. As a result, the magnetic lines of force described above are generated in the iron cores 14A and 14B. The annular coil current and the trim coil current shown in FIG. 25 flow through the annular coils 11A and 11B and the trim coils 8A to 8F. The vacuum pump 25 is always driven, exhausts the air in the vacuum vessel 27 to the outside through the suction pipe 26, and maintains the vacuum in the vacuum vessel 27. The penetrating portions of the waveguides, the lead-out wires, and the operation members 16 and 16A of the return yokes 5A and 5B constituting the vacuum vessel 27 are sealed with sealing members to maintain airtightness.

イオン源を起動する(ステップS2)。CPU67から制御指令情報を入力した加速器・輸送系制御装置69は、イオン源3を起動し、制御する。   The ion source is activated (step S2). The accelerator / transport system controller 69 having received the control command information from the CPU 67 activates the ion source 3 and controls it.

高周波加速電極に高周波電圧を印加する(ステップS3)。高周波電圧制御装置99は、ステップS3の工程を実施するために、CPU67からの制御指令情報に基づいて各高周波電源36を制御し、高周波加速電極9A〜9Dのそれぞれに印加する高周波電圧を調節する。この結果、前述したように、高周波加速電極9A〜9Dに高周波電圧が印加される。図25に示された周波数の高周波電圧が高周波加速電極9A〜9Dに印加される。   A high frequency voltage is applied to the high frequency acceleration electrode (step S3). The high frequency voltage control device 99 controls each high frequency power supply 36 based on the control command information from the CPU 67 to adjust the high frequency voltage applied to each of the high frequency accelerating electrodes 9A to 9D in order to carry out the process of step S3. . As a result, as described above, the high frequency voltage is applied to the high frequency accelerating electrodes 9A to 9D. The high frequency voltage of the frequency shown in FIG. 25 is applied to the high frequency accelerating electrodes 9A to 9D.

入射用電極に電圧を印加する(ステップS4)。入射用電極制御装置83は、ステップS4の工程を実施するために、CPU67からの制御指令情報に基づいて電源80を制御し、入射用電極18に電圧を印加する。電圧が入射用電極18に印加されることによって、イオン源3からイオン入射管3Aの先端に形成されたイオン注入口を通してビーム周回領域76内に形成されるイオン入射部109に入射されたイオン(陽子)は、入射用電極18で水平方向に曲げられ、このイオン入射部109の近くに位置する高周波加速電極9Cと高周波加速電極9Dの接続部で加速されて反時計方向に周回し始める。   A voltage is applied to the incident electrode (step S4). The entrance electrode control device 83 controls the power source 80 based on the control command information from the CPU 67 to apply a voltage to the entrance electrode 18 in order to carry out the process of step S4. When a voltage is applied to the incidence electrode 18, ions are incident on the ion incidence portion 109 formed in the beam circulation area 76 through the ion implantation port formed at the tip of the ion incidence tube 3A from the ion source 3 ( The protons) are bent in the horizontal direction by the incidence electrode 18, and accelerated at the connection portion of the high frequency accelerating electrode 9C and the high frequency accelerating electrode 9D located near the ion incident portion 109 and start to rotate in the counterclockwise direction.

エネルギーが設定エネルギーに増加するまでイオンビームを加速器内で周回させる(ステップS5)。入射された陽子は、イオンビームとなって、磁極7A〜7Fのそれぞれ及び環状コイル11A,11Bが励磁された状態で、まず、イオンビームは高周波電圧が印加された高周波加速電極9C及び9Dによって70MeVまで加速される。70MeV以下のエネルギーの各ビーム周回軌道では、イオンビームはこれら2つの高周波加速電極によってビーム周回軌道を一周するとき4回加速される。70MeVを超えるエネルギーの領域では、高周波電圧が印加された高周波加速電極9A及び9Bもイオンビームの加速に寄与し、この結果、イオンビームは高周波加速電極9A〜9Dで220MeVまで加速される。70MeVを超えるエネルギーの各ビーム周回軌道では、イオンビームはこれら4つの高周波加速電極によってビーム周回軌道を一周するとき8回加速される。加速されたイオンビームは、加速器4内で、中間面77内のビーム周回軌道78を周回し、このイオンビームのエネルギーが設定エネルギー(例えば、250MeV)まで増加される。このとき、マスレスセプタム12が配置された位置では、例えば、図10に示された70MeV〜250MeVのそれぞれのイオンビームに対する各ビーム周回軌道78を周回しているそれらのイオンビームは、マスレスセプタム12の対向する磁極32A,32B間に形成されたビーム通路35を通過する。   The ion beam is circulated in the accelerator until the energy increases to the set energy (step S5). The incident protons become ion beams, and in a state in which each of the magnetic poles 7A to 7F and the annular coils 11A and 11B are excited, first, the ion beam is 70 MeV by the high frequency accelerating electrodes 9C and 9D to which a high frequency voltage is applied. Accelerated to In each beam orbit having an energy of 70 MeV or less, the ion beam is accelerated four times as it travels around the beam orbit by these two high frequency acceleration electrodes. In the energy region exceeding 70 MeV, the high frequency accelerating electrodes 9A and 9B to which the high frequency voltage is applied also contribute to the acceleration of the ion beam, and as a result, the ion beam is accelerated to 220 MeV at the high frequency accelerating electrodes 9A to 9D. In each beam orbit with energy exceeding 70 MeV, the ion beam is accelerated eight times as it travels around the beam orbit by these four high frequency accelerating electrodes. The accelerated ion beam orbits the beam orbit 78 in the intermediate plane 77 in the accelerator 4, and the energy of this ion beam is increased to the set energy (for example, 250 MeV). At this time, at the position where the massless septum 12 is disposed, for example, those ion beams orbiting the beam orbits 78 for the respective 70 MeV to 250 MeV ion beams shown in FIG. It passes through a beam passage 35 formed between the 12 opposing magnetic poles 32A and 32B.

70MeV以上のエネルギーを有するイオンビームが、治療のために患者56の患部に照射される。この70MeV以上のエネルギーを有するイオンビームは、照射対象である患部に照射されるイオンビームのうち最小のエネルギーを有するイオンビームである。   An ion beam having an energy of 70 MeV or more is applied to the affected area of the patient 56 for treatment. The ion beam having an energy of 70 MeV or more is an ion beam having the lowest energy among the ion beams irradiated to the affected area to be irradiated.

各ビーム周回軌道を周回しているイオンビームを測定する(ステップS6)。ビーム電流測定部制御装置84は、ステップS6の工程を実施するために、CPU67からの制御指令情報に基づいて移動装置17Aを制御する。この制御によって、移動装置17Aが駆動されて操作部材16Aが移動される。通常、環状コイル11Aと環状コイル11Bの間の位置まで引き抜かれているビーム電流測定部15が、操作部材16Aの移動によって、連結部31Cの貫通孔31Dを通してビーム通路35内に達し、中間面77において、一点鎖線Xに沿って入射用電極18に向かって移動する。ビーム電流測定部15は、入射用電極18に向かって移動しながら、各ビーム周回軌道78(例えば、図10に示された250MeVのイオンビームが周回するビーム周回軌道78から70MeVのイオンビームが周回するビーム周回軌道78)を周回するイオンビームのビーム電流をビーム周回軌道78ごとに測定する。ビーム電流測定部15によって測定された各ビーム電流の値は、各ビーム周回軌道78を周回するイオンビームのエネルギーに相当する。測定された各ビーム電流の値に対応するそれぞれのエネルギー情報が、ビーム電流測定部制御装置84に伝えられる。入射用電極18に向かうビーム電流測定部15の位置は、ビーム周回軌道78ごとに位置検出器39によって検出される。位置検出器39によって検出された、ビーム電流測定部15の位置情報、すなわち、環状コイルの半径方向におけるビーム周回軌道78の位置情報も、ビーム電流測定部制御装置84に伝えられる。ビーム電流測定部制御装置84は、測定された各ビーム電流値に対応するそれぞれのエネルギー情報と各ビーム周回軌道78の位置情報を、互いに対応付けて加速器・輸送系制御装置69のメモリ107に格納する。各エネルギー情報と各ビーム周回軌道78を対応付けて得られた情報の一例を図24に示す。   The ion beam orbiting each beam orbit is measured (step S6). The beam current measuring unit control device 84 controls the moving device 17A based on the control command information from the CPU 67 to carry out the process of step S6. By this control, the moving device 17A is driven to move the operation member 16A. Usually, the beam current measuring unit 15 drawn to a position between the annular coil 11A and the annular coil 11B reaches the beam passage 35 through the through hole 31D of the connecting portion 31C by the movement of the operation member 16A, and the intermediate surface 77 , Move along the alternate long and short dash line X toward the incident electrode 18. The beam current measurement unit 15 moves the beam orbits 78 (for example, the ion beams of 250 MeV shown in FIG. 10 orbit the ion orbits of 70 to 70 MeV) while moving toward the incident electrode 18. The beam current of the ion beam orbiting the beam orbit 78) is measured for each of the beam orbits 78). The value of each beam current measured by the beam current measurement unit 15 corresponds to the energy of the ion beam circulating in each beam orbit 78. Each energy information corresponding to the measured value of each beam current is transmitted to the beam current measurement unit controller 84. The position of the beam current measuring unit 15 directed to the incidence electrode 18 is detected by the position detector 39 for each beam orbit 78. The position information of the beam current measurement unit 15 detected by the position detector 39, that is, the position information of the beam orbit 78 in the radial direction of the annular coil is also transmitted to the beam current measurement unit controller 84. The beam current measuring unit controller 84 stores the energy information corresponding to each measured beam current value and the position information of each beam orbit 78 in the memory 107 of the accelerator / transport system controller 69 in association with each other. Do. An example of the information obtained by associating each energy information with each beam orbit 78 is shown in FIG.

ビーム周回軌道が所定の位置に形成されているかを判定する(ステップS23)。コイル電流制御装置94は、メモリ107から読み出された各ビーム周回軌道78の位置情報に基づいて中間面77において各ビーム周回軌道78がそれぞれの所定の位置に形成されているかを判定する。   It is determined whether the beam orbit is formed at a predetermined position (step S23). The coil current control unit 94 determines whether each beam orbit 78 is formed at a predetermined position on the intermediate surface 77 based on the position information of each beam orbit 78 read from the memory 107.

トリムコイルに供給する励磁電流を調節する(ステップS24)。各ビーム周回軌道78のうち少なくとも一つのビーム周回軌道78の位置が所定の位置からずれているとき、ステップS23の判定結果は「No」となる。このとき、コイル電流制御装置94は、磁極7A〜7Fに設置されたトリムコイル8A〜8Fのそれぞれに接続された電源37を制御し、所定の位置からずれているビーム周回軌道78が所定の位置に形成されるように、トリムコイル8A〜8Fのそれぞれに供給する励磁電流を調節する。このような励磁電流の調節によって、ビーム周回軌道の位置が修正される。   The excitation current supplied to the trim coil is adjusted (step S24). When the position of at least one beam orbit 78 among the beam orbits 78 is deviated from the predetermined position, the determination result in step S23 is “No”. At this time, the coil current control device 94 controls the power supply 37 connected to each of the trim coils 8A to 8F installed at the magnetic poles 7A to 7F, and the beam orbits 78 deviated from the predetermined position are at predetermined positions. The excitation current supplied to each of the trim coils 8A to 8F is adjusted so as to be formed into. Such adjustment of the excitation current corrects the position of the beam orbit.

その後、ステップS6及びS23の各工程が実施される。ステップS23の判定結果が「No」であるとき、ステップS24,S6及びS23の各工程が、ステップS23の判定結果が「Yes」になるまで繰り返される。中間面77に形成された全てのビーム周回軌道78がそれぞれの所定の位置に形成されているとき、ステップS23の判定結果は「Yes」となり、ステップS7の工程が実施される。   Then, each process of step S6 and S23 is implemented. When the determination result of step S23 is "No", each process of step S24, S6 and S23 is repeated until the determination result of step S23 becomes "Yes". When all the beam orbits 78 formed on the intermediate surface 77 are formed at respective predetermined positions, the determination result of step S23 is "Yes", and the process of step S7 is performed.

セプタム電磁石及びビーム輸送系の各電磁石の励磁量を調節する(ステップS7)。電磁石制御装置85は、ステップS7の工程を実施するために、CPU67からの制御指令情報に基づいて電源82を制御してセプタム電磁石19に供給する励磁電流を出射されるイオンビームのエネルギー(例えば、250MeV)に対応する励磁電流に調節する。セプタム電磁石19は、この励磁電流により励磁される。また、電磁石制御装置85は、その制御指令情報に基づいて、別の電源(図示せず)を制御し、ビーム輸送系13の四極電磁石46,47,49及び50及び偏向電磁石41〜44のそれぞれに供給する励磁電流を、出射されるイオンビームのエネルギー(例えば、250MeV)に対応する励磁電流に調節する。この励磁電流により、それらの四極電磁石及びそれらの偏向電磁石が励磁される。セプタム電磁石19及びビーム輸送系13に設けられた各電磁石が、250MeVのイオンビームを出射装置7まで移送できる状態に励磁される。   The amount of excitation of each of the septum electromagnet and each of the beam transport system electromagnets is adjusted (step S7). The electromagnet control device 85 controls the power supply 82 based on the control command information from the CPU 67 to carry out the process of step S7, and the energy of the ion beam emitted from the excitation current supplied to the septum electromagnet 19 (for example, Adjust the excitation current corresponding to 250 MeV). The septum electromagnet 19 is excited by this exciting current. Further, the electromagnet control device 85 controls another power source (not shown) based on the control command information, and the quadrupole electromagnets 46, 47, 49 and 50 of the beam transport system 13 and the deflection electromagnets 41 to 44 respectively. The excitation current supplied to is adjusted to the excitation current corresponding to the energy (for example, 250 MeV) of the emitted ion beam. The excitation current excites the quadrupole electromagnets and the deflection electromagnets. The septum electromagnet 19 and each of the electromagnets provided in the beam transport system 13 are excited in a state capable of transporting the 250 MeV ion beam to the emitting device 7.

マスレスセプタムの磁極の位置を調節する(ステップS8)。マスレスセプタム制御装置86は、ステップS8の工程を実施するために、CPU67からの制御指令情報に基づいて移動装置17を制御し、移動装置17を用いて操作部材16を移動させることによって、マスレスセプタム12は、真空容器27の半径方向において一点鎖線Xに沿って、真空容器27の中心軸Cを基点としてビーム出射経路20の入口と180°反対側の位置から入射用電極18に向かって移動される。マスレスセプタム12は、移動装置17によって、例えば、10mm程度の範囲内で移動することができる。この範囲内での移動は、対向する一対の磁極32A,32Bの位置決めを微調整するために行われる。このマスレスセプタム12の移動によって、中心軸Cを基点としてビーム出射経路20の入口と180°反対側で隣り合うビーム周回軌道78の間隔が広くなっている領域において、例えば、250MeVのイオンビームが周回するビーム周回軌道78に合せた状態で励磁すべき一対の磁極32A,32Bのそれぞれの入射用電極18側の角が、このビーム周回軌道78に合せられる。このとき、マスレスセプタム12の真空容器27内での位置は、図25に示された最も左側に示されたマスレスセプタム12の位置となる。   The position of the magnetic pole of the massless septum is adjusted (step S8). In order to carry out the process of step S8, the massless septum control device 86 controls the moving device 17 based on the control command information from the CPU 67, and moves the operation member 16 using the moving device 17 to perform mass control. In the radial direction of the vacuum vessel 27, along the alternate long and short dash line X in the radial direction of the vacuum vessel 27, from the position 180 ° opposite to the entrance of the beam outgoing path 20 toward the incident electrode 18 with the central axis C of the vacuum vessel 27 as a base point. Be moved. The massless septum 12 can be moved by the moving device 17 within a range of, for example, about 10 mm. Movement within this range is performed to finely adjust the positioning of the pair of opposing magnetic poles 32A, 32B. Due to the movement of the massless septum 12, an ion beam of 250 MeV, for example, is generated in a region where the distance between the beam orbits 78 adjacent to the entrance of the beam outgoing path 20 180 ° opposite to the central axis C is large. The angle on the incident electrode 18 side of each of the pair of magnetic poles 32A and 32B to be excited in accordance with the orbiting beam orbit 78 is aligned with the orbiting beam 78. At this time, the position of the massless septum 12 in the vacuum vessel 27 is the position of the massless septum 12 shown on the leftmost side shown in FIG.

マスレスセプタムの磁極を励磁する(ステップS9)。該当する一対の磁極32A,32Bが250MeVのイオンビームが周回するビーム周回軌道78に合せられた後、マスレスセプタム制御装置86は、ステップS9の工程を実施するために、CPU67からの制御指令情報に基づいて電源40を制御する。さらに、マスレスセプタム制御装置86は、スイッチを制御し、上記の励磁すべき磁極32A,32Bのそれぞれに巻き付けられたコイル33A,33Bのそれぞれに接続された配線23A,23Bのそれぞれを電源40に接続する。電源40からの励磁電流が、上記のコイル33A,33Bにそれぞれ供給され、その対向する励磁すべき一対の磁極32A,32Bがそれぞれ励磁される。この励磁によって、磁力線が、励磁された磁極32A,32B、鉄心部31B、連結部31C、鉄心部31A及び磁極32Aの閉じた磁気回路で発生する。その磁極32Aからその磁極32Bに向かう磁力線は、これらの磁極間に形成されてイオンビームが通過するビーム経路35を横切る。この磁力線の作用によって、250MeVのイオンビームが、このイオンビームが周回するビーム周回軌道78から蹴り出されてこのビーム周回軌道78から離れ、セプタム電磁石19に形成されたビーム出射経路20の入口に向かって移動する。   The magnetic pole of the massless septum is excited (step S9). After the corresponding pair of magnetic poles 32A, 32B is aligned with the beam orbit 78 where the 250 MeV ion beam circulates, the massless septum controller 86 executes control command information from the CPU 67 to carry out the process of step S9. Control the power supply 40 based on Furthermore, the massless septum control device 86 controls the switch to connect each of the wires 23A and 23B connected to each of the coils 33A and 33B wound around each of the magnetic poles 32A and 32B to be excited to the power supply 40. Connecting. The excitation current from the power source 40 is supplied to the coils 33A and 33B, respectively, and the pair of magnetic poles 32A and 32B to be excited opposite to each other is excited. By this excitation, magnetic lines of force are generated in the closed magnetic circuit of the excited magnetic poles 32A and 32B, the iron core 31B, the connecting part 31C, the iron core 31A and the magnetic pole 32A. Magnetic lines of force from the magnetic pole 32A to the magnetic pole 32B cross the beam path 35 formed between the magnetic poles and through which the ion beam passes. Due to the action of the magnetic field lines, a 250 MeV ion beam is kicked out of the beam orbit 78, which is around the ion beam, and is separated from the beam orbit 78 toward the entrance of the beam emission path 20 formed in the septum electromagnet 19. Move.

やがて、蹴り出された250MeVのイオンビームが、励磁されたセプタム電磁石19の作用によって、ビーム出射経路20を通ってビーム輸送系13のビーム経路48に出射される。このイオンビームは、ビーム経路48を通って照射装置7に導かれ、照射装置7より出射される。このとき、患者56が治療台55上に横たわっていない。   Eventually, the kicked-out 250 MeV ion beam is emitted to the beam path 48 of the beam transport system 13 through the beam emission path 20 by the action of the excited septum electromagnet 19. The ion beam is guided to the irradiation device 7 through the beam path 48 and emitted from the irradiation device 7. At this time, the patient 56 is not lying on the couch 55.

イオンビームの加速器からの出射を確認する(ステップS10)。照射装置7に設けられたビーム位置モニタ53が、照射装置7を通過するイオンビームの位置を検出する。検出されたイオンビームの位置情報は、ビーム位置モニタ53からイオンビーム確認装置87に入力される。イオンビーム確認装置87は、イオンビームの位置情報が入力されたとき、加速器4からイオンビームが出射されたと判定し、この判定結果を表示装置(図示せず)に出力する。オペレータは、表示装置に表示されたその判定結果を見ることにより、イオンビームの出射を確認する。   The emission from the accelerator of the ion beam is confirmed (step S10). A beam position monitor 53 provided in the irradiation device 7 detects the position of the ion beam passing through the irradiation device 7. Position information of the detected ion beam is input from the beam position monitor 53 to the ion beam confirmation device 87. When the position information of the ion beam is input, the ion beam confirmation device 87 determines that the ion beam is emitted from the accelerator 4 and outputs the determination result to a display device (not shown). The operator confirms the emission of the ion beam by viewing the determination result displayed on the display device.

以上により、イオンビームを加速器から取り出すための各工程の説明を終了する。   This is the end of the description of the steps for extracting the ion beam from the accelerator.

次に、図26に示された手順に基づいて、粒子線照射方法における、エネルギーが異なる各イオンビームを患者の患部の層ごとに照射する各工程について説明する。   Next, based on the procedure shown in FIG. 26, each step of irradiating each ion beam with different energy in the layer of the affected part of the patient in the particle beam irradiation method will be described.

患者56が治療台55に横たわった後、治療台55を移動させて患部を照射装置7のビーム軸の延長線上に位置決めする。   After the patient 56 lies on the treatment table 55, the treatment table 55 is moved to position the affected area on the extension of the beam axis of the irradiation device 7.

回転ガントリーを回転させて照射装置のビーム軸を、患部(ビーム照射対象)へのイオンビームの照射方向に設定する(ステップS11)。イオンビーム照射により治療を行う、患者56の患部は、ビーム照射対象である。回転制御装置88は、ステップS11の工程を実施するために、CPU67からの制御指令情報に基づいて回転ガントリー6の回転装置(図示せず)を制御する。この回転装置が駆動され、回転ガントリー6は、前述の治療計画データに含まれるイオンビームの照射方向の情報に基づいて、照射装置7のイオンビームが通るビーム軸がこの照射方向に設定されるまで回転軸45を中心に回転される。照射装置7のビーム軸がこの照射方向に一致したとき、回転ガントリー6の回転が停止される。   The rotating gantry is rotated to set the beam axis of the irradiation apparatus in the direction of ion beam irradiation to the affected area (beam irradiation target) (step S11). The affected area of the patient 56 to be treated by ion beam irradiation is a beam irradiation target. The rotation control device 88 controls the rotation device (not shown) of the rotating gantry 6 based on the control command information from the CPU 67 to carry out the process of step S11. The rotation device is driven, and the rotation gantry 6 is set until the beam axis through which the ion beam of the irradiation device 7 passes is set in this irradiation direction based on the information on the irradiation direction of the ion beam included in the aforementioned treatment plan data It is rotated about the rotation axis 45. When the beam axis of the irradiation device 7 coincides with this irradiation direction, the rotation of the rotating gantry 6 is stopped.

イオンビームを照射するビーム照射対象内の一つの層を設定する(ステップS12)。照射位置制御装置89は、CPU67からの制御指令情報に基づいて患部内のイオンビームを照射する一つの層を設定する。照射位置制御装置89によるこの層の設定は、メモリ70に格納された治療計画データである、患部を分割した複数の層の情報に基づいて、最も深い位置にある層が設定される。さらに、照射位置制御装置89は、設定された層に照射されるイオンビームのエネルギーの情報(例えば、220MeV)をメモリ70から検索する。照射位置制御装置89は、検索したイオンビームのエネルギー情報を、マスレスセプタム制御装置86に出力する。   One layer in a beam irradiation target for irradiating an ion beam is set (step S12). The irradiation position control device 89 sets one layer to which the ion beam in the affected area is irradiated based on the control command information from the CPU 67. In the setting of this layer by the irradiation position control device 89, the layer at the deepest position is set based on the information of the plurality of layers obtained by dividing the affected area, which is the treatment plan data stored in the memory 70. Furthermore, the irradiation position control device 89 searches the memory 70 for information (for example, 220 MeV) of the energy of the ion beam irradiated to the set layer. The irradiation position control unit 89 outputs the energy information of the retrieved ion beam to the massless septum control unit 86.

マスレスセプタムの磁極の位置決めを行う(ステップS13)。マスレスセプタム12に形成された複数の磁極32A,32Bのうち前述の設定された層に照射されるイオンビームのエネルギー(例えば、220MeV)に対応して220MeVのイオンビームのビーム周回軌道78に位置決めされる一対の磁極32A,32Bは、ステップS8で250MeVのイオンビームが周回するビーム軌道78に位置決めされた一対の磁極32A,32Bよりも入射用電極18側に位置する他の対向している一対の磁極32A,32Bである。マスレスセプタム制御装置86は、照射位置制御装置89で設定された層の情報を照射位置制御装置89から入力する。マスレスセプタム制御装置86は、照射位置制御装置89から入力した設定された層に照射するイオンビームのエネルギー(220MeV)、及びメモリ107に格納されたエネルギーに対応付けられたビーム周回軌道78の位置情報(位置検出装置39によって検出されたビーム電流測定部15の位置情報)に基づいて、マスレスセプタム12の複数対の磁極32A,32Bのうち220MeVのイオンビームのビーム周回軌道78に位置決めして励磁する一対の磁極32A,32Bを特定する。さらに、マスレスセプタム制御装置86は、メモリ107に格納されたビーム周回軌道78の位置情報に基づいて特定された一対の磁極32A,32Bのそれぞれの入射用電極18側の角を、220MeVのイオンビームのビーム軌道78に位置決めするための環状コイルの半径方向におけるマスレスセプタム12の移動量を求める。   The magnetic pole of the massless septum is positioned (step S13). Of the plurality of magnetic poles 32A and 32B formed on the massless septum 12, positioning is performed on the ion beam orbital orbit 78 of 220 MeV corresponding to the energy (for example, 220 MeV) of the ion beam irradiated to the aforementioned set layer. The other pair of opposing magnetic poles 32A and 32B are positioned closer to the incidence electrode 18 than the pair of magnetic poles 32A and 32B positioned on the beam trajectory 78 in which the 250 MeV ion beam circulates in step S8. Magnetic poles 32A and 32B. The massless septum control device 86 inputs the information of the layer set by the irradiation position control device 89 from the irradiation position control device 89. The massless septum controller 86 detects the energy (220 MeV) of the ion beam irradiated to the set layer input from the irradiation position controller 89 and the position of the beam orbit 78 associated with the energy stored in the memory 107. Based on the information (the position information of the beam current measurement unit 15 detected by the position detection device 39), positioning is performed on the beam circulation orbit 78 of the 220 MeV ion beam among the plurality of pairs of magnetic poles 32A and 32B of the massless septum 12. The pair of magnetic poles 32A and 32B to be excited is specified. Further, the massless septum control device 86 sets the angle on the incident electrode 18 side of each of the pair of magnetic poles 32A and 32B specified based on the position information of the beam orbit 78 stored in the memory 107 to ions of 220 MeV. The amount of movement of the massless septum 12 in the radial direction of the annular coil for positioning in the beam trajectory 78 of the beam is determined.

マスレスセプタム制御装置86は、求められたマスレスセプタム12の移動量に基づいて移動装置17を制御し、マスレスセプタム12を入射用電極18に向かって移動させる。この移動によって、前述の特定された励磁すべき磁極32A,32Bの、それぞれの入射用電極18側の角が、中心軸Cを基点としてビーム出射経路20の入口と180°反対側で隣り合うビーム周回軌道78の間隔が広くなっている領域において、220MeVのイオンビームが周回するビーム周回軌道78に位置決めされる。特定された一対の磁極32A,32Bの位置決めによるマスレスセプタム12の移動量は、位置検出器38で測定されたマスレスセプタム12の位置データに基づいて確認することができる。ステップS13の工程は、前述のステップS8の工程と実質的に同じである。   The massless septum control device 86 controls the moving device 17 based on the determined movement amount of the massless septum 12 to move the massless septum 12 toward the incident electrode 18. By this movement, the angle on the side of the incident electrode 18 of each of the identified magnetic poles 32A and 32B to be excited adjacent to each other on the opposite side of the entrance of the beam emission path 20 with respect to the central axis C is 180 °. In the region where the distance between the orbits 78 is wide, the ion beam of 220 MeV is positioned at the orbit 78 around which the ion beam orbits. The movement amount of the massless septum 12 due to the positioning of the pair of magnetic poles 32A and 32B identified can be confirmed based on the position data of the massless septum 12 measured by the position detector 38. The process of step S13 is substantially the same as the process of step S8 described above.

マスレスセプタムの磁極を励磁する(ステップS14)。ステップS13での磁極の位置決めが終了した後、マスレスセプタム制御装置86は、特定された一対の磁極32A,32Bの情報に基づいてスイッチを制御し、ステップS13で位置決めされた励磁すべき他の磁極32A,32Bのそれぞれに巻き付けられたコイル33A,33Bのそれぞれに接続された配線23A,23Bのそれぞれを電源40に接続する。そして、マスレスセプタム制御装置86は、CPU67からの制御指令情報に基づいて電源40を制御し、図20に示される220MeVのイオンビームをビーム出射経路20の入口に入射するために必要な蹴り出し量が得られるような励磁電流を出力するように、電源40を制御する。上記のように位置決めされた対向する励磁すべき一対の磁極32A,32Bに巻き付けられたコイル33A,33Bのそれぞれにその励磁電流が供給され、その励磁すべき一対の磁極32A,32Bが励磁される。ステップS13の工程は、前述のステップS8の工程と実質的に同じである。   The magnetic pole of the massless septum is excited (step S14). After the positioning of the magnetic pole in step S13 is completed, the massless septum control device 86 controls the switch based on the information of the specified pair of magnetic poles 32A and 32B, and the other excitation to be positioned in step S13 is to be excited. The wires 23A and 23B connected to the coils 33A and 33B wound around the magnetic poles 32A and 32B, respectively, are connected to the power supply 40. Then, the massless septum control device 86 controls the power supply 40 based on the control command information from the CPU 67, and the kicking necessary for causing the ion beam of 220 MeV shown in FIG. The power supply 40 is controlled to output an excitation current that can obtain an amount. The excitation current is supplied to each of the coils 33A and 33B wound around the pair of opposing magnetic poles 32A and 32B to be excited which are positioned as described above, and the magnetic poles 32A and 32B to be excited are excited. . The process of step S13 is substantially the same as the process of step S8 described above.

セプタム電磁石及びビーム輸送系の各電磁石の励磁量を調節する(ステップS7)。電磁石制御装置85は、照射位置制御装置89で設定された層の情報を照射位置制御装置89から入力する。電磁石制御装置85は、この設定された層に照射されるイオンビームのエネルギー情報(例えば、220MeV)に基づいて、前述したように、電源82を制御し、セプタム電磁石19を、出射されるイオンビームの220MeVに対応する励磁電流で励磁する。また、ビーム輸送系13の四極電磁石46,47,49及び50及び偏向電磁石41〜44も、前述したように、220MeVに対応する励磁電流で励磁される。このとき、セプタム電磁石19及びビーム輸送系13に設けられた各電磁石の励磁量は、図25の最も下方の特性で左から2番目の励磁量になる。   The amount of excitation of each of the septum electromagnet and each of the beam transport system electromagnets is adjusted (step S7). The electromagnet control device 85 inputs the information of the layer set by the irradiation position control device 89 from the irradiation position control device 89. The electromagnet control device 85 controls the power supply 82 as described above based on the energy information (for example, 220 MeV) of the ion beam irradiated to the set layer, and the septum electromagnet 19 is emitted from the ion beam It excites with the excitation current corresponding to 220 MeV. Further, as described above, the quadrupole electromagnets 46, 47, 49 and 50 and the deflection electromagnets 41 to 44 of the beam transport system 13 are also excited by the excitation current corresponding to 220 MeV. At this time, the excitation amount of each of the septum electromagnet 19 and the electromagnets provided in the beam transport system 13 is the second lowest excitation amount from the left in the lowermost characteristic of FIG.

走査電磁石を制御し、設定された層内でのイオンビームの照射位置を設定する(ステップS15)。照射位置制御装置89は、電磁石制御装置85から各電磁石の励磁量の調節終了信号を入力したとき、治療計画データに含まれる設定された層内での照射位置の情報に基づいて走査電磁石51及び52のそれぞれに供給される励磁電流を制御し、イオンビームを目標であるその照射位置に照射するように、走査電磁石51及び52のそれぞれに偏向磁場を発生させる。走査電磁石51で発生した偏向磁場が、y方向において、後述のステップS16の工程で加速器4から出射されたイオンビームの位置を制御する。走査電磁石52で発生した偏向磁場が、y方向と直交するx方向において、加速器4から出射されたイオンビームの位置を制御する。   The scanning electromagnet is controlled to set the irradiation position of the ion beam in the set layer (step S15). The irradiation position control device 89 receives the adjustment completion signal of the excitation amount of each electromagnet from the electromagnet control device 85, and based on the information of the irradiation position in the set layer included in the treatment plan data, Each of the scanning electromagnets 51 and 52 generates a deflection magnetic field so as to control the excitation current supplied to each of 52 and to irradiate the ion beam to the target irradiation position. The deflection magnetic field generated by the scanning electromagnet 51 controls the position of the ion beam emitted from the accelerator 4 in the process of step S16 described later in the y direction. The deflection magnetic field generated by the scanning electromagnet 52 controls the position of the ion beam emitted from the accelerator 4 in the x direction orthogonal to the y direction.

ステップS15において、照射位置制御装置89は、イオンビームが目標とする照射位置にイオンビームが到達するように走査電磁石51及び52へのそれぞれの励磁電流が制御されたと判定したとき、ビーム照射開始信号を出力する。   In step S15, when the irradiation position control device 89 determines that the respective excitation currents to the scanning electromagnets 51 and 52 are controlled such that the ion beam reaches the target irradiation position of the ion beam, a beam irradiation start signal Output

入射用電極に電圧を印加する(ステップS16)。入射用電極制御装置83は、照射位置制御装置89からビーム照射開始信号を入力したとき、ステップS4と同様に、電源80を制御し、入射用電極18に電圧を印加する。イオン源3からイオン入射管3Aを通してビーム周回領域76に入射されたイオンは、入射用電極18で水平方向に曲げられ、中間面77内で周回し、高周波電圧が印加された高周波加速電極9A〜9Dによって加速される。220MeVのイオンビームが周回するビーム周回軌道78に沿って周回しているイオンビームは、ステップS14で励磁された一対の磁極32A,32Bの相互間に形成されたビーム通路35に入る。このビーム通路35に入ったイオンビームは、励磁された一対の磁極32A,32Bの作用によって周回するビーム周回軌道78から蹴り出される。すなわち、そのイオンビームは、そのビーム周回軌道78から離脱される。その後、このイオンビームは、そのビーム周回軌道78から離れてビーム出射経路20の入口に向かって移動し、セプタム電磁石19の作用によってビーム出射経路20を通過し、加速器4からビーム経路48に出射される。照射装置7に達したイオンビームは、走査電磁石51及び52の作用によって設定された層内の目標とする照射位置に照射される。   A voltage is applied to the incident electrode (step S16). When the beam irradiation start signal is input from the irradiation position control device 89, the incidence electrode control device 83 controls the power supply 80 and applies a voltage to the incidence electrode 18 as in step S4. Ions incident on the beam circulation area 76 from the ion source 3 through the ion injection tube 3A are bent in the horizontal direction by the incident electrode 18 and circulate in the intermediate plane 77, and the high frequency accelerating electrode 9A to which a high frequency voltage is applied Accelerated by 9D. The ion beam orbiting along the beam orbit 78 in which the ion beam of 220 MeV orbits enters the beam path 35 formed between the pair of magnetic poles 32A and 32B excited in step S14. The ion beam entering the beam passage 35 is kicked out of the beam orbit 78, which is orbited by the action of the pair of excited magnetic poles 32A and 32B. That is, the ion beam is separated from the beam orbit 78. Thereafter, the ion beam moves away from the beam orbit 78 toward the entrance of the beam emission path 20, passes the beam emission path 20 by the action of the septum electromagnet 19, and is emitted from the accelerator 4 to the beam path 48. Ru. The ion beam reaching the irradiation device 7 is irradiated to a target irradiation position in the layer set by the action of the scanning electromagnets 51 and 52.

目標の照射位置に照射されるイオンビームの位置が、ビーム一モニタ53によって測定され、測定されたその位置に基づいてイオンビームが目標の照射位置に照射されていることが確認される。   The position of the ion beam irradiated to the target irradiation position is measured by the beam monitor 53, and based on the measured position, it is confirmed that the ion beam is irradiated to the target irradiation position.

照射位置での照射線量が目標線量に一致したかを判定する(ステップS17)。目標の照射位置への照射線量が、線量モニタ54で測定される。測定された照射線量が、線量判定装置91に入力される。線量判定装置91は、目標の照射位置に照射されて測定された照射線量が目標の照射線量に達したかを判定する。測定された照射線量が目標の照射線量に一致していないとき、ステップS17の判定は「No」となり、ステップS16及びステップS17の各工程が繰り返して実施され、測定された照射線量が目標の照射線量に一致するまで、目標の照射位置へのイオンビームの照射が継続して行われる。測定された照射線量が目標の照射線量に一致したとき(ステップS17の判定が「Yes」になったとき)、線量判定装置91は、入射用電極制御装置83にビーム出射停止信号を出力する。   It is determined whether the irradiation dose at the irradiation position matches the target dose (step S17). The irradiation dose to the target irradiation position is measured by the dose monitor 54. The measured irradiation dose is input to the dose determination device 91. The dose determination device 91 determines whether the irradiation dose irradiated to the target irradiation position and measured reaches the target irradiation dose. When the measured irradiation dose does not match the target irradiation dose, the determination in step S17 is "No", and the steps of step S16 and step S17 are repeated, and the measured irradiation dose is the target irradiation. The irradiation of the ion beam to the target irradiation position is continued until the dose matches. When the measured irradiation dose matches the target irradiation dose (when the determination in step S17 is “Yes”), the dose determination device 91 outputs a beam emission stop signal to the incidence electrode control device 83.

入射用電極への電圧の印加を停止する(ステップS18)。入射用電極制御装置83は、線量判定装置91からビーム出射停止信号を入力したとき、電源80を制御して電源80から入射用電極18への電圧の印加を停止する。この結果、イオン源3からビーム周回領域76への陽子の入射が停止され、加速器4からビーム経路48へのイオンビームの出射が停止される。すなわち、患部へのイオンビームの照射が停止される。   The application of the voltage to the incidence electrode is stopped (step S18). When receiving the beam emission stop signal from the dose determination unit 91, the incidence electrode control unit 83 controls the power supply 80 to stop the application of the voltage from the power supply 80 to the incidence electrode 18. As a result, the incidence of protons from the ion source 3 to the beam circulation area 76 is stopped, and the emission of the ion beam from the accelerator 4 to the beam path 48 is stopped. That is, the irradiation of the ion beam to the affected area is stopped.

設定された層内へのイオンビームの照射が終了かを判定する(ステップS19)。或る照射位置へのイオンビームの照射が終了したとき、層判定装置92は、設定された層内へのイオンビームの照射が終了かを判定する。この判定結果が「No」であるとき、すなわち、設定された層内へのイオンビームの照射が終了していないとき、ステップS15〜S19の各工程が繰り返して実施される。繰り返されたステップS15では、設定された層内の目標とする別の照射位置にイオンビームが照射されるように、走査電磁石51及び52のそれぞれに供給される励磁電流が制御される。   It is determined whether the irradiation of the ion beam into the set layer is completed (step S19). When the irradiation of the ion beam to a certain irradiation position is completed, the layer determination device 92 determines whether the irradiation of the ion beam into the set layer is ended. When the determination result is "No", that is, when the irradiation of the ion beam into the set layer is not completed, the steps S15 to S19 are repeatedly performed. In the repeated step S15, the excitation current supplied to each of the scanning electromagnets 51 and 52 is controlled so that the ion beam is irradiated to the target other irradiation position in the set layer.

ステップS16でその別の照射位置にイオンビームを照射し、ステップS17の判定が「Yes」になったとき、ステップS17で入射用電極18への電圧の印加を停止する。   The ion beam is irradiated to the other irradiation position in step S16, and when the determination in step S17 is "Yes", the application of the voltage to the incidence electrode 18 is stopped in step S17.

ステップS19の判定が「Yes」になったとき、全ての層へのイオンビームの照射が終了したかを判定する(ステップS20)。層判定装置92が、全ての層へのイオンビームの照射が終了したかを判定する。イオンビームの照射が行われていない層が残っているため、ステップS20の判定は、「No」になり、ステップS12〜S14,S7及びS15〜S20の各工程が、繰り返して順次実行される。ステップS12では、2番目に深い位置にある層が設定される。この層に照射されるイオンビームに必要なエネルギーは、219MeVである。   When the determination in step S19 is "Yes", it is determined whether the irradiation of the ion beam to all the layers is completed (step S20). The layer determination unit 92 determines whether the irradiation of the ion beam to all the layers is completed. Since the layer to which the ion beam irradiation has not been performed remains, the determination in step S20 is "No", and the steps S12 to S14, S7, and S15 to S20 are repeated and sequentially performed. In step S12, the layer at the second deepest position is set. The energy required for the ion beam irradiated to this layer is 219 MeV.

繰り返されたステップS13では、前述の220MeVのイオンビームが移動するビーム周回軌道78に合せられた他の磁極32A,32Bのそれぞれの入射用電極18側の角が、その前のステップS13と同様に、219MeVのイオンビームのビーム周回軌道78に位置決めされる。このときのマスレスセプタム12の移動量は、前述の220MeVのイオンビームが移動するビーム周回軌道78に磁極32A,32Bを位置決めするときよりも大きくなる。これらの他の磁極32A,32Bが、ステップS14において励磁される。   In the repeated step S13, the angle on the side of the incident electrode 18 of each of the other magnetic poles 32A and 32B adjusted to the beam orbit 78 where the above-mentioned 220 MeV ion beam moves is the same as in the previous step S13. , And is positioned in a beam orbit 78 of an ion beam of 219 MeV. The amount of movement of the massless septum 12 at this time is larger than that in the case where the magnetic poles 32A and 32B are positioned on the beam circulation orbit 78 in which the ion beam of 220 MeV moves. These other magnetic poles 32A and 32B are excited in step S14.

ステップS15及びS16では、入射用電極18に電圧が印加されたとき、イオンビームが各ビーム周回軌道78に沿って周回し、励磁された他の磁極32A,32Bの作用により、219MeVのイオンビームが周回するビーム周回軌道78からこの219MeVのイオンビームが蹴り出される。蹴り出されたイオンビームが、照射装置7から患部の2番目に深い層の照射位置に照射される。ステップS17の判定が「Yes」になったとき、ステップS18が実行されてその照射位置へのイオンビームの照射が停止される。   In steps S15 and S16, when a voltage is applied to the incidence electrode 18, the ion beam orbits along each beam orbit 78, and an ion beam of 219 MeV is generated by the action of the other magnetic poles 32A and 32B excited The 219 MeV ion beam is kicked out of the orbiting beam orbit 78. The kicked-out ion beam is irradiated from the irradiation device 7 to the irradiation position of the second deepest layer in the affected area. When the determination in step S17 becomes "Yes", step S18 is executed to stop the irradiation of the ion beam to the irradiation position.

ステップS19の判定が「No」になったとき、ステップS15〜S19の各工程が、ステップS19の判定が「Yes」になるまで繰り返される。ステップS19の判定が「No」になったとき、ステップS12〜S14,S7及びS15〜S20の各工程が、ステップS20の判定が「Yes」になるまで、繰り返して順次実行される。ステップS12〜S14,S7及びS15〜S20の各工程が繰り返されるとき、ステップS12ではより浅い層が設定され、この層に到達するイオンビームのエネルギーも順次低くなる(例えば、220MeVから始まり、1MeVごとにエネルギーを低減する)。ステップS13及びS14では、これらのエネルギーの低いイオンビームが周回するビーム周回軌道78に、マスレスセプタム12の対向する一対の磁極32A,32Bの位置決めが行われ、その後、これらの磁極が励磁される。180MeV及び160MeVのそれぞれのイオンビームを加速器4から出射するときには、220MeV及び200MeVの各イオンビームを出射するときに励磁された一対の磁極32A,32Bの、入射用電極18側で隣に位置する他の一対の磁極32A,32BがステップS14でそれぞれ励磁される。ただし、160MeVのイオンビームを出射するときには、180MeVのイオンビームを出射する場合に比べてステップ13における磁極の位置決め時におけるマスレスセプタム12の移動量が大きくなる。   When the determination in step S19 is "No", the processes in steps S15 to S19 are repeated until the determination in step S19 is "Yes". When the determination in step S19 is "No", the processes in steps S12 to S14, S7 and S15 to S20 are repeatedly and sequentially executed until the determination in step S20 is "Yes". When each step of steps S12 to S14, S7 and S15 to S20 is repeated, a shallower layer is set in step S12, and the energy of the ion beam reaching this layer is sequentially lowered (for example, starting from 220 MeV, every 1 MeV) Reduce energy). In steps S13 and S14, the opposing magnetic poles 32A and 32B of the massless septum 12 are positioned on the beam orbiting orbit 78 in which the low energy ion beams circulate, and thereafter, these magnetic poles are excited. . When emitting 180 MeV and 160 MeV ion beams from the accelerator 4, another pair of magnetic poles 32A and 32B excited when emitting 220 MeV and 200 MeV ion beams are located next to each other on the incident electrode 18 side. The pair of magnetic poles 32A and 32B are excited in step S14. However, when the ion beam of 160 MeV is emitted, the movement amount of the massless septum 12 at the time of positioning of the magnetic pole in step 13 is larger than that when the ion beam of 180 MeV is emitted.

ステップS20の判定が「Yes」になったとき、患部へのイオンビームの照射が終了する(ステップS21)。   When the determination in step S20 is "Yes", the irradiation of the ion beam to the affected area is completed (step S21).

以上により、患者56の患部の、イオンビームの照射による治療が終了する。   Thus, the treatment of the affected area of the patient 56 by the ion beam irradiation is completed.

本実施例では、鉄心14A,14Bは、中間面77において最外周のビーム周回軌道を形成するのに適した円形であるが、他の形状であっても実施可能である。また、環状コイル11A及び11Bも円形であるが、これらは、他の形状、例えば、リターンヨークのベース部に形成される各磁極を取り囲むクローバー形状にしてもよい。   In the present embodiment, the iron cores 14A and 14B have a circular shape suitable for forming the outermost beam orbit at the intermediate surface 77, but may be implemented with other shapes. Further, although the annular coils 11A and 11B are also circular, they may have other shapes, for example, a clover shape surrounding each magnetic pole formed on the base portion of the return yoke.

一般的なサイクロトロンでは、最外周に形成された、最も高いエネルギーを有するイオンビームのビーム周回軌道からしかイオンビームを取り出すことができなかった。しかし、本実施例によれば、加速器外周部にビーム軌道間隔が狭くなるビーム軌道偏心領域を形成することで、異なるエネルギーを有する複数のビーム軌道78がセプタム電磁石19、及びビーム出射経路20の入口に集束して形成されるため、最も外周に位置する最も高いエネルギーのイオンビームが周回するビーム軌道78のみならず、このビーム周回軌道76の内側に形成される複数のビーム周回軌道78から、異なるエネルギーを有するそれぞれのイオンビームを、随時、選択的に取り出すことができる。このため、本実施例は、エネルギーが異なる各イオンビームを加速器4から効率良く出射することができる。   In a general cyclotron, the ion beam can be extracted only from the beam orbit of the ion beam having the highest energy formed at the outermost periphery. However, according to the present embodiment, a plurality of beam trajectories 78 having different energies are formed at the entrance of the septum electromagnet 19 and the beam emission path 20 by forming a beam orbit eccentric region in the accelerator outer peripheral portion where the beam trajectories become narrow. The beam orbit 78 is different from not only the beam orbit 78 in which the highest energy ion beam located at the outermost periphery orbits but also a plurality of beam orbits 78 formed inside the beam orbit 76. Each ion beam having energy can be selectively extracted at any time. Therefore, according to the present embodiment, the ion beam with different energy can be efficiently emitted from the accelerator 4.

本実施例によれば、中心が互いに偏心している複数の環状のビーム周回軌道78が入射用電極18またはイオン注入口またはイオン入射部109とビーム出射経路20の入口の間で密になって入射用電極18を基点にしてビーム出射経路20の入口の180°反対側でそれらの環状のビーム周回軌道78の相互の間隔が広くなっている軌道偏心領域が、入射用電極18(またはイオン注入口またはイオン入射部109)の周囲で、ビーム周回領域76内に存在してビーム周回軌道78が形成される、中間面77に形成されているので、ビーム周回軌道偏心領域内の、入射用電極18を基点にしてビーム出射経路20の入口の180°反対側では、異なるエネルギーを有する各イオンビームのそれぞれのビーム周回軌道78の相互の間隔が広くなり、異なるエネルギーの各イオンビームを該当するビーム周回軌道78から効率良く離脱させることができる。このため、エネルギーが異なる各イオンビームを、加速器4のセプタム電磁石19に形成されるビーム出射経路20を通してビーム輸送系13のビーム経路48に効率良く出射することができる。さらに、本実施例では、エネルギーの異なる各イオンビームを、それぞれ連続して加速器4から出射することができる。   According to this embodiment, a plurality of annular beam orbits 78 whose centers are offset from each other are densely incident between the entrance electrode 18 or the ion injection port or the ion entrance portion 109 and the entrance of the beam exit path 20. Orbital eccentricity area in which the distance between the annular beam orbits 78 is 180 ° opposite to the entrance of the beam exit path 20 with respect to the entrance point of the beam exit path 20 is the entrance electrode 18 (or Or, since it is formed on the intermediate surface 77 which exists in the beam circulation area 76 and the beam circulation track 78 is formed around the ion incident part 109), the incidence electrode 18 in the beam circulation eccentric area is formed. On the opposite side of the entrance of the beam outgoing path 20, the distance between the beam orbits 78 of the respective ion beams having different energies is wide. Thus, each ion beam of different energy can be efficiently removed from the corresponding beam orbit 78. Therefore, each ion beam having different energy can be efficiently emitted to the beam path 48 of the beam transport system 13 through the beam emission path 20 formed in the septum electromagnet 19 of the accelerator 4. Furthermore, in the present embodiment, each ion beam with different energy can be emitted from the accelerator 4 continuously.

本実施例では、入射用電極18を中心する同心の複数の環状のビーム周回軌道78が形成される軌道同心領域が、中間面77において、軌道偏心領域の内側に形成されるので、イオンビームを出射するビーム出射経路20の入口付近でのビーム周回軌道78の集約度合いが緩和され、この結果、その入口付近での磁場勾配がより小さくなる。異なるエネルギーを有する各イオンビームが、該当するビーム周回軌道78をより安定に周回することができる。   In this embodiment, since an orbital concentric area in which a plurality of concentric annular beam orbits 78 around the incidence electrode 18 are formed is formed inside the orbital eccentric area at the intermediate surface 77, the ion beam is The degree of concentration of the beam orbit 78 near the entrance of the outgoing beam outgoing path 20 is reduced, and as a result, the magnetic field gradient near the entrance becomes smaller. The ion beams having different energies can more stably orbit the corresponding beam orbit 78.

イオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)が環状コイルの重心とは径方向に異なる位置に配置されるので、イオン入射部(または入射用電極18またはイオン注入口)の周囲に形成される複数の環状のビーム周回軌道78の隣り合う相互の間隔は、イオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)よりビーム出射経路20の入口側の領域よりも、イオン入射部(または入射用電極18またはイオン注入口)を基点にしてビーム出射経路20の入口の反対側の領域で広くなる。このため、ビーム周回軌道78の隣り合う相互の間隔が広くなる、ビーム出射経路20の入口の反対側の領域においてビーム周回軌道78から容易にイオンビームを離脱させることができ、各環状のビーム周回軌道78を周回するエネルギーの異なる各イオンビームを効率良く出射することができる。   Since the ion incident part 109 (or the incident electrode 18 or the ion injection port) is disposed at a position different from the center of gravity of the annular coil in the radial direction, it is arranged around the ion incident part (or the incident electrode 18 or the ion injection port) The distance between adjacent ones of the plurality of annular beam orbits 78 formed is closer to the ion incident portion than the region on the inlet side of the beam outgoing path 20 from the ion incident portion 109 (or the incident electrode 18 or the ion implantation port) From the point (or the incidence electrode 18 or the ion implantation port), the region on the opposite side of the entrance of the beam emission path 20 becomes wider. For this reason, it is possible to easily separate the ion beam from the beam orbit 78 in a region opposite to the entrance of the beam exit path 20 where the distance between adjacent beam orbits 78 becomes wider, and the beam orbit of each ring It is possible to efficiently emit ion beams of different energies traveling around the orbit 78.

イオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)が鉄心の中心とは径方向に異なる位置に配置されるので、イオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)の周囲に形成される複数の環状のビーム周回軌道78の隣り合う相互の間隔は、イオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)よりビーム出射経路の入口側の領域よりも、イオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)を基点にしてビーム出射経路20の入口の反対側の領域で広くなる。このため、ビーム周回軌道78の隣り合う相互の間隔が広くなる、ビーム出射経路20の入口の反対側の領域においてビーム周回軌道78から容易にイオンビームを離脱させることができ、各環状のビーム周回軌道78を周回するエネルギーの異なる各イオンビームを効率良く出射することができる。   Since the ion incident part 109 (or the incident electrode 18 or the ion injection port) is disposed at a position different from the center of the iron core in the radial direction, around the ion incident part 109 (or the incident electrode 18 or the ion injection port) The distance between adjacent ones of the plurality of annular beam orbits 78 formed is closer to the ion incident portion 109 than the region on the entrance side of the beam emission path from the ion incident portion 109 (or the incident electrode 18 or the ion implantation port). From the point (or the incidence electrode 18 or the ion implantation port), the region on the opposite side of the entrance of the beam emission path 20 becomes wider. For this reason, it is possible to easily separate the ion beam from the beam orbit 78 in a region opposite to the entrance of the beam exit path 20 where the distance between adjacent beam orbits 78 becomes wider, and the beam orbit of each ring It is possible to efficiently emit ion beams of different energies traveling around the orbit 78.

高周波加速電極9C及び9Dの、その内面の位置から環状コイルの内側に向かって伸びている部分のそれぞれの先端部が、環状コイルの重心とは径方向に異なる位置に配置されるので、高周波加速電極9C及び9Dのそれぞれの先端部が配置されるその位置の周囲に形成される複数の環状のビーム周回軌道78の隣り合う相互の間隔は、イオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)よりビーム出射経路20の入口側の領域よりも、イオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)を基点にしてビーム出射経路20の入口の反対側の領域で広くなる。このため、ビーム周回軌道78の隣り合う相互の間隔が広くなる、ビーム出射経路20の入口の反対側の領域においてビーム周回軌道78から容易にイオンビームを離脱させることができ、各環状のビーム周回軌道78を周回するエネルギーの異なる各イオンビームを効率良く出射することができる。   Since the tips of the portions of the high frequency accelerating electrodes 9C and 9D extending from the position of the inner surface toward the inner side of the annular coil are disposed at positions different from the center of gravity of the annular coil in the radial direction The distance between adjacent ones of the plurality of annular beam orbits 78 formed around the position where the tip of each of the electrodes 9C and 9D is disposed is determined by the ion incident portion 109 (or the incident electrode 18 or the ion injection The region on the opposite side of the entrance of the beam exit path 20 is wider than the area on the entrance side of the beam exit path 20 from the entrance) with respect to the ion entrance 109 (or the incidence electrode 18 or ion implantation port). For this reason, it is possible to easily separate the ion beam from the beam orbit 78 in a region opposite to the entrance of the beam exit path 20 where the distance between adjacent beam orbits 78 becomes wider, and the beam orbit of each ring It is possible to efficiently emit ion beams of different energies traveling around the orbit 78.

磁極(凸部)7A〜7Fは、鉄心の重心とは径方向に異なる位置に向かって、鉄心外周から径内周方向に伸びるように設置されているので、磁極7A〜7Fのそれぞれの先端部が配置される、鉄心の重心とは径方向に異なる位置の周囲に形成される複数の環状のビーム周回軌道78の隣り合う相互の間隔は、イオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)よりビーム出射経路20の入口側の領域よりも、イオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)を基点にしてビーム出射経路20の入口の反対側の領域で広くなる。このため、ビーム周回軌道78の隣り合う相互の間隔が広くなる、ビーム出射経路2の入口の反対側の領域においてビーム周回軌道78から容易にイオンビームを離脱させることができ、各環状のビーム周回軌道78を周回するエネルギーの異なる各イオンビームを効率良く出射することができる。   The magnetic poles (convex portions) 7A to 7F are disposed to extend radially inward from the outer periphery of the iron core toward positions different from the center of gravity of the iron core in the radial direction, and thus the respective tip portions of the magnetic poles 7A to 7F The adjacent mutual spacings of the plurality of annular beam orbits 78 formed around positions radially different from the center of gravity of the iron core on which the The region on the opposite side of the entrance of the beam exit path 20 is wider than the area on the entrance side of the beam exit path 20 from the entrance) with respect to the ion entrance 109 (or the incidence electrode 18 or ion implantation port). For this reason, the ion beam can be easily separated from the beam orbit 78 in the region opposite to the entrance of the beam outgoing path 2 where the distance between adjacent beam orbits 78 adjacent to each other becomes wider, and each annular beam orbit It is possible to efficiently emit ion beams of different energies traveling around the orbit 78.

本実施例によれば、複数のビーム周回軌道78が、ビーム出射経路20の入口において集束しているので、それぞれのビーム周回軌道78から離脱されたエネルギーの異なる各イオンビームがビーム出射経路20の入口に入射されやすくなり、エネルギーの異なる各イオンビームを効率良く出射することができる。   According to the present embodiment, since the plurality of beam orbits 78 are focused at the entrance of the beam outgoing path 20, each ion beam of different energy decoupled from the respective beam orbits 78 can be It becomes easy to be incident on the inlet, and each ion beam with different energy can be emitted efficiently.

本実施例によれば、磁極7A〜7Fによって形成される環状のビーム周回軌道78の中心が、環状コイルの重心の位置と異なっているので、イオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)の周囲に形成される複数の環状のビーム周回軌道78の隣り合う相互の間隔は、ビーム出射経路20の入口側の領域よりも環状のビーム周回軌道78の中心側の領域で広くなる。このため、ビーム周回軌道78の隣り合う相互の間隔が広くなる、ビーム周回軌道78の中心側の領域においてビーム周回軌道78から容易にイオンビームを離脱させることができ、各環状のビーム周回軌道78を周回するエネルギーの異なる各イオンビームを効率良く出射することができる。   According to this embodiment, since the center of the annular beam orbit 78 formed by the magnetic poles 7A to 7F is different from the position of the center of gravity of the annular coil, the ion incident portion 109 (or the incident electrode 18 or ion injection The distance between adjacent ones of the plurality of annular beam orbits 78 formed around the entrance is wider in the central area of the annular beam orbit 78 than the area on the entrance side of the beam exit path 20. For this reason, it is possible to easily separate the ion beam from the beam orbit 78 in the region on the center side of the beam orbit 78 where the distance between the beam orbits 78 adjacent to each other widens. Can be efficiently emitted.

本実施例によれば、中間面77内で最も磁場強度が高い領域が、第1磁場領域において最外周のビーム周回軌道78よりも、イオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)側に形成されるので、エネルギーが異なる各イオンビームを効率良く出射することができ、さらに、中間面77に形成される環状の複数のビーム周回軌道78のうち外周部に位置するビーム周回軌道を周回するイオンビームの安定性が向上する。   According to the present embodiment, the region with the highest magnetic field strength in the intermediate surface 77 is the ion incident portion 109 (or the incident electrode 18 or the ion implantation port) than the beam orbits 78 at the outermost periphery in the first magnetic field Since it is formed on the side, it is possible to efficiently emit ion beams different in energy, and further, the beam orbit located at the outer peripheral portion among the plurality of annular beam orbits 78 formed on the intermediate surface 77 The stability of the circulating ion beam is improved.

本実施例によれば、一対の鉄心14A,14Bのそれぞれが、イオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)の周囲においてイオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)から放射状に伸び、先端がイオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)に向かい合っている磁極7A〜7Fを形成しており、さらに、イオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)の周囲においてイオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)から放射状に伸びる凹部29A〜29Fを形成しており、イオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)の周囲において磁極と凹部が交互に配置され、環状コイル11A,11Bが、鉄心14A,14B内にそれぞれ配置された磁極7A〜7F及び凹部29A〜29Fを取り囲んでいるので、イオン入射管3Aを通してのビーム周回領域76へのイオンの入射を安定に行うことができる。   According to the present embodiment, each of the pair of iron cores 14A and 14B has the ion incident portion 109 (or the incident electrode 18 or the ion implantation port) around the ion incident portion 109 (or the incident electrode 18 or the ion implantation port) The magnetic poles 7A to 7F are formed so that the tips of the magnetic poles 7A to 7F face the ion incident portion 109 (or the incident electrode 18 or the ion injection port) radially from the Recesses 29A to 29F radially extending from the ion incident portion 109 (or the incident electrode 18 or the ion injection port) are formed around the inlet), and the ion incident portion 109 (or the incident electrode 18 or the ion injection port) The magnetic poles and the recesses are alternately arranged in the periphery of the ring coils 11A and 11B in the iron cores 14A and 14B. Since surrounds each arranged poles 7A~7F and recesses 29a to 29f, it is possible to incidence of ions into the beam circulating region 76 through ion injection pipe 3A stable.

本実施例では、凹部29D(第2凹部)にビーム出射経路20の入口が開口しているので、環状のビーム周回軌道78から離脱したイオンビームの、ビーム出射経路20の入口への入射が容易になり、各環状のビーム周回軌道78を周回するエネルギーの異なる各イオンビームを効率良く出射することができる。これは、軌道偏心領域内に形成されるそれぞれの環状のビーム周回軌道78が凹部29Aにおいてビーム出射経路20の入口側に集束されているからである。   In this embodiment, since the entrance of the beam emission path 20 is opened in the recess 29D (second recess), the ion beam released from the annular beam orbit 78 can be easily incident on the entrance of the beam emission path 20. As a result, it is possible to efficiently emit ion beams of different energies which circulate around each annular beam orbit 78. This is because the respective annular beam orbits 78 formed in the orbit eccentric region are focused on the entrance side of the beam exit path 20 in the recess 29A.

本実施例では、磁極7A〜7Fのそれぞれが折れ曲り点を有し、及び磁極7A〜7Fのそれぞれの折れ曲り点から環状コイルの内面に対向する端面までの部分が凹部29Aに向かって折り曲げられているので、偏心した複数のビーム周回軌道78が存在するビーム偏心領域が形成され、ビーム周回軌道相互間の間隔が広くなり、各環状のビーム周回軌道78を周回するエネルギーの異なる各イオンビームを効率良く出射することができる。   In the present embodiment, each of the magnetic poles 7A to 7F has a bending point, and a portion from the bending point of each of the magnetic poles 7A to 7F to the end surface facing the inner surface of the annular coil is bent toward the recess 29A. Thus, a beam eccentric region in which a plurality of eccentric beam orbits 78 exist is formed, the distance between the beam orbits is increased, and each ion beam of different energies orbits each annular beam orbit 78 It can emit efficiently.

本実施例では、ビーム電流測定装置98が凹部29Aに配置されているので、このビーム電流測定装置98による測定により、各ビーム周回軌道78を周回するそれぞれのイオンビームのエネルギー及び各ビーム周回軌道78の環状コイルの半径方向における位置のそれぞれの情報を得ることができる。各イオンビームのエネルギー情報及び各ビーム周回軌道78の位置情報を用いることによって、患部に含まれる設定された層に照射されるイオンビームのエネルギーに対応したビーム周回軌道78の位置情報を得ることができ、この位置情報により、マスレスセプタム12の励磁すべき対向する一対の磁極32A,32Bを特定することができ、この励磁すべき対向する一対の磁極32A,32を、設定された層に照射されるエネルギーのイオンビームが周回するビーム周回軌道78に精度良く位置決めすることができる。   In the present embodiment, since the beam current measuring device 98 is disposed in the recess 29A, the energy of each ion beam orbiting each beam orbit 78 and each beam orbit 78 are measured by the beam current measuring device 98. It is possible to obtain information on the position in the radial direction of the toroidal coil. Using the energy information of each ion beam and the position information of each beam orbit 78, the position information of the beam orbit 78 corresponding to the energy of the ion beam irradiated to the set layer included in the affected area can be obtained This position information can identify the pair of opposing magnetic poles 32A, 32B to be excited of the massless septum 12 and irradiate the set layer with the pair of opposing magnetic poles 32A, 32 to be excited. It can be precisely positioned on the beam orbit 78 in which the ion beam of the desired energy is circulated.

また、ビーム電流測定装置98のビーム電流測定部15を、移動装置17Aを用いて、凹部29A内において中間面77に沿って、イオン入射部109(または入射用電極18またはイオン注入口)に向かって移動するので、広範囲において、それぞれのビーム周回軌道78に対する各イオンビームのエネルギー情報及び各ビーム周回軌道78の位置情報を得ることができる。   Further, the beam current measurement unit 15 of the beam current measurement device 98 is moved along the intermediate surface 77 in the recess 29A toward the ion incident portion 109 (or the incident electrode 18 or the ion implantation port) using the moving device 17A. Since the beam travels, energy information of each ion beam with respect to each beam orbit 78 and position information of each beam orbit 78 can be obtained in a wide range.

凹部29Aに配置されたビーム電流測定装置98によって測定されたビーム周回軌道78の位置が所定の位置に存在しないとき、磁極7A〜7Fにそれぞれ取り付けられたトリムコイル8A〜8Fにそれぞれ供給される励磁電流を、コイル電流制御装置94によって調節するので、所定の位置に存在しないビーム周回軌道78が形成された場合でも、このビーム周回軌道78を所定の位置に形成することができる。   When the position of the beam orbit 78 measured by the beam current measuring device 98 disposed in the recess 29A does not exist at a predetermined position, the excitation supplied to the trim coils 8A to 8F respectively attached to the magnetic poles 7A to 7F Since the current is adjusted by the coil current controller 94, even if a beam orbit 78 not existing at a predetermined position is formed, the beam orbit 78 can be formed at a predetermined position.

本実施例では、前述したように、一対の鉄心14A,14Bのそれぞれにおいて、中心軸Cに垂直な平面で一点鎖線Xの両側のそれぞれの領域で、先端が入射用電極18に対向している高周波加速電極9Cを真空容器27の周方向において隣り合う磁石7Cと磁極7Eの間に、先端が入射用電極18に対向している高周波加速電極9Dを真空容器27の周方向において隣り合う磁石7Dと磁極7Fの間に配置し、高周波加速電極9Cの折れ曲り点24M,24Nから高周波加速電極9Cの、環状コイル11Aまたは11Bに対向する端面までの部分、及び高周波加速電極9Cの折れ曲り点24M,24Nから高周波加速電極9Cの、環状コイル11A及び11Bのいずれかに対向する端面までの部分が、凹部29Aに向かって折り曲げられているので、入射用電極18に近いビーム周回軌道78と環状コイル11Aまたは11Bに近いビーム周回軌道78の間に存在する各ビーム周回軌道78を周回する各イオンビームを容易に加速することができる。さらに、本実施例は、高周波加速電極9A及び9Bが、磁極7Aと磁極7Cの間及び磁極7Bと磁極7Dのそれぞれの間で、これらの磁極の折れ曲がり点と環状コイル11A及び11Bのいずれかに対向する端面の間にそれぞれ配置されているため、高いエネルギーを有するイオンビームの各ビーム周回軌道78をそれぞれ周回するイオンビームも、容易に加速することができる。   In the present embodiment, as described above, in each of the pair of iron cores 14A and 14B, the tip is opposed to the incident electrode 18 in each plane on the both sides of the dashed dotted line X in a plane perpendicular to the central axis C. Between the magnet 7C and the magnetic pole 7E adjacent to the high frequency accelerating electrode 9C in the circumferential direction of the vacuum vessel 27, the magnet 7D adjacent to the high frequency accelerating electrode 9D in the circumferential direction of the vacuum vessel 27 with the tip facing the incident electrode 18 And the magnetic pole 7F, a portion from the bending points 24M, 24N of the high frequency accelerating electrode 9C to the end face of the high frequency accelerating electrode 9C facing the annular coil 11A or 11B, and , 24N to the end face of the high-frequency accelerating electrode 9C facing the annular coil 11A or 11B is bent toward the recess 29A. Runode, each ion beam circulating each beam orbit 78 that exists between the incident electrode 18 near the beam orbit 78 and the annular coil 11A or 11B near the beam orbit 78 can be easily accelerated. Furthermore, in the present embodiment, the high frequency accelerating electrodes 9A and 9B are disposed between the magnetic pole 7A and the magnetic pole 7C and between the magnetic pole 7B and the magnetic pole 7D, respectively, Since they are respectively disposed between the opposing end faces, the ion beams which respectively travel around the beam orbits 78 of the ion beam having high energy can be easily accelerated.

本実施例では、中間面77内で凹部29Aにビーム電流測定部15を配置し、このビーム電流測定部15を移動装置17によって中間面77において一点鎖線Xに沿って移動させ、位置検出装置39によって移動されるビーム電流測定部15の中間面77内での位置を検出するので、前述したように、各ビーム周回軌道78におけるビーム電流値及びこれらのビーム周回軌道78の位置を精度良く検出することができる。   In the present embodiment, the beam current measurement unit 15 is disposed in the recess 29A in the intermediate surface 77, and the beam current measurement unit 15 is moved by the moving device 17 along the dashed dotted line X in the intermediate surface 77. Since the position of the beam current measurement unit 15 moved by the position in the intermediate plane 77 is detected, as described above, the beam current value in each beam orbit 78 and the positions of these beam orbits 78 are accurately detected. be able to.

マスレスセプタム12を一対の鉄心14A,14Bのそれぞれの凹部29A内に配置しているため、マスレスセプタム12を鉄心14Aと鉄心14Bの間に容易に配置することができる。   Since the massless septum 12 is disposed in the recess 29A of each of the pair of iron cores 14A and 14B, the massless septum 12 can be easily disposed between the iron core 14A and the iron core 14B.

マスレスセプタム12を凹部29Aに配置しているため、マスレスセプタム12がビーム周回軌道偏心領域内のビーム周回軌道78の相互の間隔が広くなる位置に位置することになり、マスレスセプタム12によって、異なるエネルギーを有する各イオンビームをそれぞれのビーム周回軌道78から効率良く離脱させることができる。これにより、エネルギーが異なる各イオンビームを加速器4から効率良く出射することができる。   Since the massless septum 12 is disposed in the recess 29A, the massless septum 12 is located at a position where the mutual spacings of the beam orbits 78 within the beam orbit eccentricity are increased. The respective ion beams having different energies can be efficiently separated from the respective beam orbits 78. Thereby, each ion beam from which energy differs can be efficiently radiate | emitted from the accelerator 4. FIG.

マスレスセプタム12は、複数対の対向する磁極32A,32Bを有しているので、患部の設定された層に照射するイオンビームのエネルギーに基づいて、ビーム周回軌道78に位置決めして励磁すべき一対の磁極32A,32Bを容易に特定することができる。   Since the massless septum 12 has a plurality of pairs of opposing magnetic poles 32A and 32B, it should be positioned and excited in the beam orbit 78 based on the energy of the ion beam irradiated to the set layer of the affected area. The pair of magnetic poles 32A, 32B can be easily identified.

マスレスセプタム12を環状コイルの半径方向に移動する移動装置17が設けられているので、マスレスセプタム12の励磁すべき一対の磁極32A,32Bを、患部の設定された層に照射すべきエネルギーを有するイオンビームが周回するビーム周回軌道78への位置決めの調節を行うことができる。このため、一対の磁極32A,32Bの該当するビーム周回軌道78への位置決めを精度良く行うことができる。   Since the moving device 17 for moving the massless septum 12 in the radial direction of the annular coil is provided, the energy to be applied to the set layer of the affected area is the pair of magnetic poles 32A, 32B of the massless septum 12 to be excited. An adjustment of the positioning to the beam orbit 78 around which the ion beam having. Therefore, positioning of the pair of magnetic poles 32A and 32B on the corresponding beam orbits 78 can be performed with high accuracy.

サイクロトロンを用いた粒子線照射装置は、患部に照射するイオンビームのエネルギーを変えるために、ビーム輸送系に厚みの異なる複数の金属板を有するデグレーダを設けている。これに対し、本実施例の粒子線照射装置1は、前述したように、加速器4からエネルギーの異なるイオンビームを出射することができ、デグレーダが不要になる。または、その利用を大幅に低減することができる。このため、粒子線照射装置1では、デグレーダによるイオンビームのビームサイズの増加、デグレーダの金属板を透過する際に一部のイオンが散乱することによるイオン数の減少、及び、デグレーダの放射化による放射性廃棄物の増加を防止することができる。   A particle beam irradiation apparatus using a cyclotron is provided with a degrader having a plurality of metal plates of different thicknesses in a beam transport system in order to change the energy of an ion beam to be irradiated to an affected area. On the other hand, in the particle beam irradiation apparatus 1 of the present embodiment, as described above, the ion beam with different energy can be emitted from the accelerator 4, and the degrader becomes unnecessary. Or, its use can be significantly reduced. For this reason, in the particle beam irradiation apparatus 1, the beam size of the ion beam is increased by the degrader, the number of ions is reduced by scattering of some ions when transmitting through the metal plate of the degrader, and activation of the degrader is caused. It is possible to prevent the increase of radioactive waste.

本実施例では、イオンビームが周回するビーム周回領域76を真空に保つために、一対の鉄心14Aと鉄心14Bを互いに対向させて結合して真空容器27を形成している。このため、本実施例で用いられる加速器4は、後述する実施例8及び9のように、互いに対向する鉄心14と鉄心14Bとの間に真空容器を配置して構成される加速器に比べて小型化することができる。   In the present embodiment, in order to maintain a vacuum in the beam circulation area 76 in which the ion beam circulates, a pair of iron cores 14A and iron cores 14B are mutually opposed and coupled to form a vacuum vessel 27. For this reason, the accelerator 4 used in the present embodiment is smaller than the accelerator configured by arranging a vacuum vessel between the iron core 14 and the iron core 14B facing each other as in Examples 8 and 9 described later. Can be

本実施例では、前述したように、エネルギーが低いイオンビーム(70MeV以下のイオンビーム)が周回するビーム周回軌道78では、イオンビームが2台の高周波加速電極で9C及び9Dによって加速される。また、ビーム周回軌道78が偏心しているために、安定で細かな軌道制御が必要で、かつ高エネルギーであるために更なる加速に高い高周波加速電圧または長い加速時間が必要な、エネルギーが高いイオンビーム(70MeVを超えるイオンビーム)が周回するビーム周回軌道78では、イオンビームが4台の高周波加速電極9A〜9Dにより加速される。   In this embodiment, as described above, in the beam circulation orbit 78 in which the low energy ion beam (ion beam of 70 MeV or less) circulates, the ion beam is accelerated by 9C and 9D with two high frequency acceleration electrodes. In addition, the eccentricity of the beam orbit 78 requires stable and fine orbit control, and high energy requires high rf acceleration voltage or long acceleration time for further acceleration, high energy ions The ion beam is accelerated by four high-frequency accelerating electrodes 9A to 9D in a beam orbit 78 in which the beam (ion beam exceeding 70 MeV) orbits.

磁極の折れ曲がり点と環状コイルの内面との間に配置される高周波加速電極、及びイオン注入口から環状コイルの内面まで伸びている高周波加速電極は、それぞれ1つでも、またそれぞれ3つ以上でも、上記した機能を発揮することができる。ただし、前述した軌道偏心領域をビーム周回領域76内の軌道面である中間面77に形成するために、高周波加速電極9A〜9Dのうち高周波加速電極9A及び9C配置及び形状を、中心軸Cとビーム出射経路20の入口を結ぶ直線(一点鎖線X)に対して、高周波加速電極9B及び9Dの配置及び形状と対称にすることにより、周回するイオンビームの安定性が得やすくなる。   The number of high frequency accelerating electrodes disposed between the bending point of the magnetic pole and the inner surface of the annular coil and the number of high frequency accelerating electrodes extending from the ion implantation port to the inner surface of the annular coil are one or three or more, The functions described above can be exhibited. However, in order to form the above-described orbital eccentric region on the intermediate surface 77 which is the orbital surface in the beam circulation region 76, the high frequency acceleration electrodes 9A and 9C of the high frequency acceleration electrodes 9A to 9D The symmetry of the arrangement and the shape of the high frequency accelerating electrodes 9B and 9D with respect to a straight line (dotted dotted line X) connecting the entrance of the beam emission path 20 makes it easy to obtain the stability of the circulating ion beam.

鉄心14A、14Bは、水平方向に円形であり、一般的にその中心は加速器4の構造上の中心を意味する。また、環状コイル11A及び11Bは円形のメインコイルであり、一般的にその中心及び重心も同様に、加速器4の構造上の中心を意味する。さらに、本実施例の加速器4では、前述のイオン入射部は、鉄心の中心とも、環状コイルの重心とも異なる位置に設置され、ビーム出射経路20の入口側にずれた位置に設けられている。   The iron cores 14A, 14B are circular in the horizontal direction, and generally the center means the structural center of the accelerator 4. Also, the annular coils 11A and 11B are circular main coils, and generally the center and the center of gravity also mean the structural center of the accelerator 4. Furthermore, in the accelerator 4 of the present embodiment, the above-described ion incident part is disposed at a position different from the center of the iron core and the center of gravity of the annular coil, and is disposed at a position shifted to the entrance side of the beam emission path 20.

通常のサイクロトロンの場合、ビーム周回軌道は加速器の構造上の中心を起点として、同心円状に形成されるため、イオンは加速器の構造上の中心に入射される。厳密には、イオンは、中心点そのものではなく、最内周のビーム周回軌道に入射される。仮に、イオンが入射されてこのイオンを最内周のビーム周回軌道に導く、最内周のビーム周回軌道よりも内側の領域を、イオン入射部と定義したとき、通常のサイクロトロンでは、このイオン入射部は加速器の構造上の中心に位置している。これに対して、本実施例で用いられる加速器4では、イオン入射部は、鉄心の中心とも、環状コイルの重心とも異なる位置に設置され、ビーム出射経路20の入口側にずれた位置に配置される。   In the case of a conventional cyclotron, since the beam orbit is formed concentrically starting from the structural center of the accelerator, ions are incident on the structural center of the accelerator. Strictly speaking, ions are not incident on the center point itself but on the innermost beam orbit. Assuming that the region inside the innermost beam circulation orbit where ions are incident and guide this ion to the innermost beam circulation orbit is defined as an ion incident part, in the case of an ordinary cyclotron, this ion incidence The unit is located at the structural center of the accelerator. On the other hand, in the accelerator 4 used in the present embodiment, the ion incident part is disposed at a position different from both the center of the iron core and the center of gravity of the annular coil, and is disposed at a position shifted to the entrance side of the beam emission path 20 Ru.

本発明の他の好適な実施例である実施例2の粒子線照射装置を、図27を用いて以下に説明する。   The particle beam irradiation apparatus according to the second embodiment which is another preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

本実施例の粒子線照射装置1Aは、加速器4Aを備えており、実施例1の粒子線照射装置1において加速器4を加速器4Aに変えた構成を有する。粒子線照射装置1Aの他の構成は粒子線照射装置1と同じである。   The particle beam irradiation apparatus 1A of the present embodiment includes an accelerator 4A, and has a configuration in which the accelerator 4 is replaced with an accelerator 4A in the particle beam irradiation apparatus 1 of the first embodiment. The other configuration of the particle beam irradiation apparatus 1A is the same as that of the particle beam irradiation apparatus 1.

加速器4Aは、リターンヨーク5A,5Bを含む真空容器27を有する。これらのリターンヨーク5A,5Bは、実施例1のリターンヨーク5A,5Bと実質的に同一である。加速器4Aに用いられるリターンヨーク5Bを説明する。リターンヨーク5Bも、磁極7A〜7Fの6つの磁極及び高周波加速電極9A〜9Dの4つの高周波加速電極を有し、6つの凹部29A〜29Fを形成している。磁極7A〜7F及び高周波加速電極9A〜9Dは、環状コイル11Bの内側に配置される。加速器4と同様に、磁極7A〜7Fのそれぞれの間に、凹部29A〜29Fのそれぞれが一つずつ配置される。加速器4Aにおける高周波加速電極9A〜9Dの配置は、加速器4における高周波加速電極9A〜9Dの配置と同じである。   The accelerator 4A has a vacuum vessel 27 including return yokes 5A and 5B. These return yokes 5A, 5B are substantially the same as the return yokes 5A, 5B of the first embodiment. The return yoke 5B used for the accelerator 4A will be described. The return yoke 5B also has six magnetic poles 7A to 7F and four high frequency acceleration electrodes 9A to 9D to form six concave portions 29A to 29F. The magnetic poles 7A to 7F and the high frequency acceleration electrodes 9A to 9D are disposed inside the annular coil 11B. As in the case of the accelerator 4, one of the recesses 29A to 29F is disposed between the magnetic poles 7A to 7F. The arrangement of the high frequency accelerating electrodes 9A to 9D in the accelerator 4A is the same as the arrangement of the high frequency accelerating electrodes 9A to 9D in the accelerator 4.

加速器4Aでは、イオン注入口及び入射用電極18が、加速器4のリターンヨーク5Bよりもビーム出射経路20の入口側に移動した状態で配置される。入射用電極18の、ビーム出射経路20の入口側への移動に伴い、イオン入射管3Aも入射用電極18の位置まで移動してリターンヨーク5Aに設置されている。加速器4Aのリターンヨーク5Bに形成される吸引管26も、そのイオン入射管3Aの延長線上で加速器4Aのリターンヨーク5Bに取り付けられる。   In the accelerator 4A, the ion injection port and the incidence electrode 18 are disposed in a state of being moved to the entrance side of the beam emission path 20 with respect to the return yoke 5B of the accelerator 4. With the movement of the incidence electrode 18 to the entrance side of the beam emission path 20, the ion incidence tube 3A is also moved to the position of the incidence electrode 18 and installed in the return yoke 5A. The suction tube 26 formed in the return yoke 5B of the accelerator 4A is also attached to the return yoke 5B of the accelerator 4A on the extension of the ion incident tube 3A.

磁極7A〜7F及び高周波加速電極9C及び9Dのそれぞれの折れ曲り点24A〜24Pは、加速器4よりも内側に配置され、入射用電極18の周囲に形成される、10MeVのイオンビームが周回するビーム周回軌道78上に配置される。磁極7A〜7F及び高周波加速電極9C及び9Dのそれぞれの先端は、尖っており、入射用電極18に対向している。磁極7A〜7F及び高周波加速電極9C及び9Dは、図3に示すそれらの形状と同様に、それぞれの折れ曲り点から先端に向かって細くなっている。磁極7A〜7F及び高周波加速電極9C及び9Dは、それぞれの折れ曲り点からそれぞれの環状コイル11Bの内面に対向する端面までの長さが、実施例1の加速器4に用いられるリターンヨーク5Bにおけるそれぞれのその長さよりも長くなっている。磁極7A〜7Dのそれぞれの折れ曲り点よりも環状コイル11Bの内面側に配置されている高周波加速電極9A及び9Bのそれぞれの長さは、加速器4で用いられる高周波加速電極9A及び9Bのそれぞれの長さよりも少し長くなっている。   The bending points 24A to 24P of the magnetic poles 7A to 7F and the high frequency accelerating electrodes 9C and 9D are disposed on the inner side of the accelerator 4 and formed around the incident electrode 18, and a beam around which the 10 MeV ion beam circulates It is disposed on the orbit 78. The respective tips of the magnetic poles 7A to 7F and the high frequency accelerating electrodes 9C and 9D are pointed and face the incident electrode 18. The magnetic poles 7A to 7F and the high frequency accelerating electrodes 9C and 9D are tapered from their respective bending points toward the tip, similarly to their shapes shown in FIG. The lengths of the magnetic poles 7A to 7F and the high frequency accelerating electrodes 9C and 9D from the respective bending points to the end face facing the inner surface of the respective annular coil 11B are the respective ones in the return yoke 5B used for the accelerator 4 of the first embodiment. It is longer than its length. The lengths of the high frequency accelerating electrodes 9A and 9B disposed on the inner surface side of the annular coil 11B with respect to the bending points of the magnetic poles 7A to 7D are the same as those of the high frequency accelerating electrodes 9A and 9B used in the accelerator 4. It is slightly longer than the length.

このため、加速器4Aに用いられるリターンヨーク5B内で入射用電極18を中心に形成される軌道同心領域は、加速器4におけるその領域よりも小さくなる。逆に、軌道同心領域の周囲に形成される軌道偏心領域は加速器4におけるその領域よりも大きくなる。   For this reason, the orbit concentric area formed around the incident electrode 18 in the return yoke 5B used for the accelerator 4A is smaller than that in the accelerator 4. Conversely, the orbital eccentric area formed around the orbital concentric area is larger than that in the accelerator 4.

加速器4Aのリターンヨーク5Aでも、加速器4Aのリターンヨーク5Bと同様な形状の磁極7A〜7F及び高周波加速電極9A〜9Dを有している。加速器4Aは、磁極7A〜7F及び高周波加速電極9A〜9Dのそれぞれの形状、及び入射用電極18、イオン入射管3A及び吸引管26のそれぞれが配置され位置を除いて、マスレスセプタム12を含めて加速器4と同じ構成を有する。   The return yoke 5A of the accelerator 4A also has magnetic poles 7A to 7F and high-frequency acceleration electrodes 9A to 9D in the same shape as the return yoke 5B of the accelerator 4A. The accelerator 4A includes the massless septum 12 except for the positions of the magnetic poles 7A to 7F and the high frequency accelerating electrodes 9A to 9D, and the positions of the incident electrode 18, the ion incident tube 3A and the suction tube 26. And the same configuration as the accelerator 4.

本実施例の粒子線照射装置1Aも、粒子線照射装置1で実施されるステップS1〜S6,S23,S24,S7〜S14,S7及びS15〜S21の各工程が実施され、治療台55上の患者56の患部に対してイオンビームが照射される。   Also in the particle beam irradiation apparatus 1A of the present embodiment, each step of steps S1 to S6, S23, S24, S7 to S14, S7 and S15 to S21 performed in the particle beam irradiation apparatus 1 is performed, and on the treatment table 55 The affected part of the patient 56 is irradiated with the ion beam.

本実施例は、実施例1で生じる各効果を得ることができる。   The present embodiment can obtain each effect produced in the first embodiment.

本発明の他の好適な実施例である実施例3の粒子線照射装置を、図28を用いて以下に説明する。   The particle beam irradiation apparatus according to the third embodiment which is another preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

本実施例の粒子線照射装置1Bは、ビーム輸送系及び加速器4の回転装置が実施例1の粒子線照射装置1と異なっている。粒子線照射装置1Bの加速器4、照射装置7及び制御システム65は、粒子線照射装置1のそれらと同じである。   The particle beam irradiation apparatus 1B of the present embodiment is different from the particle beam irradiation apparatus 1 of the first embodiment in the beam transport system and the rotating device of the accelerator 4. The accelerator 4, the irradiation device 7 and the control system 65 of the particle beam irradiation device 1 B are the same as those of the particle beam irradiation device 1.

実施例1及び2では、加速器4及び4Aは、水平に配置され、真空容器27のリターンヨーク5Bの下面が建屋の床に設置されている。本実施例の粒子線照射装置1Bは、床面に回転可能に設置される回転枠を有しており、垂直に配置された加速器4がその回転枠に取り付けられている。この回転枠は、特許第3472657号公報に記載された回転枠と同じ構成を有し、建屋の床に設置された支持装置に設けられた回転するローラにより支持される。この支持装置は、シンクロトロンを有する従来の粒子線照射装置に設けられる回転ガントリーを支持する複数のローラを有する支持装置(特開2006−239403号公報参照)と同じである。支持装置に設けられたローラの少なくとも1つは、回転装置(例えば、モータ)により、回転される。ローラの回転により、回転枠が回転し、これと共に加速器4が真空容器27の中心軸Cを中心にして回転する。加速器4が垂直に配置される関係上、真空容器27内に形成される中間面77も、床面に対して垂直になっている。   In Examples 1 and 2, the accelerators 4 and 4A are disposed horizontally, and the lower surface of the return yoke 5B of the vacuum vessel 27 is installed on the floor of the building. The particle beam irradiation apparatus 1B of the present embodiment has a rotary frame rotatably installed on the floor surface, and an accelerator 4 disposed vertically is attached to the rotary frame. This rotating frame has the same structure as the rotating frame described in Japanese Patent No. 3472657, and is supported by rotating rollers provided on a supporting device installed on the floor of a building. This supporting device is the same as the supporting device having a plurality of rollers for supporting a rotating gantry provided in a conventional particle beam irradiation device having a synchrotron (see JP-A-2006-239403). At least one of the rollers provided on the support device is rotated by a rotating device (e.g. a motor). The rotation of the roller causes the rotary frame to rotate, with which the accelerator 4 rotates about the central axis C of the vacuum vessel 27. The intermediate surface 77 formed in the vacuum vessel 27 is also perpendicular to the floor surface because the accelerator 4 is arranged vertically.

治療室が放射線遮へい壁(図示せず)で囲まれており、この放射線遮へい壁は、特許第3472657号公報に記載された放射線囲と同じ構造になっている。放射線遮へい壁の一部は、側壁となっており、回転枠に取り付けられた加速器4と治療室の間に配置される。治療される患者56が載る治療台55が、治療室内に設置される。   The treatment room is surrounded by a radiation shielding wall (not shown), which has the same structure as the radiation surrounding described in Japanese Patent No. 3472657. A part of the radiation shielding wall is a side wall and is disposed between the accelerator 4 attached to the rotary frame and the treatment room. A treatment table 55 on which the patient 56 to be treated rests is placed in the treatment room.

真空容器27に設けられたセプタム電磁石19内に形成されるビーム出射経路20に接続されたビーム輸送系13Bのビーム経路48は、真空容器27の外側でそれの半径方向に伸びてやがて水平方向に曲がっており、治療室の天井部分となる放射線遮へい壁に沿って治療室の真上まで伸びている。ビーム経路48は、治療室の真上で治療室に向かって曲げられている。偏向電磁石95,96がビーム経路48の曲り部に配置され、このビーム経路48には複数の四極電磁石97が設けられる。ビーム経路48の先端部には、照射装置7が取り付けられている。実施例1の粒子線照射装置1と同様に、2台の走査電磁石51,52、ビーム位置モニタ53及び線量モニタ54が照射装置7に取り付けられている。   The beam path 48 of the beam transport system 13 B connected to the beam emission path 20 formed in the septum electromagnet 19 provided in the vacuum vessel 27 extends in the radial direction outside the vacuum vessel 27 and eventually becomes horizontal. It is curved and extends just above the treatment room along a radiation shielding wall that forms the ceiling of the treatment room. Beam path 48 is bent towards the treatment room directly above the treatment room. Deflection electromagnets 95, 96 are arranged at the bends of the beam path 48, which are provided with a plurality of quadrupole electromagnets 97. At the tip of the beam path 48, the irradiator 7 is attached. Similar to the particle beam irradiation apparatus 1 of the first embodiment, two scanning electromagnets 51 and 52, a beam position monitor 53, and a dose monitor 54 are attached to the irradiation apparatus 7.

治療室内の治療台55上に横たわっている患者56のがんの患部にイオンビームを照射して患部の治療を行うとき、陽子線治療装置1Bにおいても、実施例1で実施されたステップS1〜S6,S23,S24,S7〜S14,S7及びS15〜S21の各工程が実施される。特に、陽子線治療装置1Bを用いた場合におけるステップS11の工程では、回転枠を回転させて加速器4を回転させる。このとき、ビーム輸送系13B及び照射装置7は、加速器4の回転の中心(中心軸C)の周りを旋回する。このような照射装置7の旋回によって照射装置7のビーム軸が、患部へのイオンビームの照射方向に合わせられる。このとき、治療台55上の患者56の患部は、加速器4の回転の中心の延長線上に位置している。   When the affected area of the patient 56 lying on the treatment table 55 in the treatment room is irradiated with the ion beam to treat the affected area, steps S1 to S1 performed in Example 1 are performed also in the proton beam treatment apparatus 1B. Steps S6, S23, S24, S7 to S14, S7 and S15 to S21 are performed. In particular, in the process of step S11 in the case of using the proton beam treatment apparatus 1B, the rotary frame is rotated to rotate the accelerator 4. At this time, the beam transport system 13B and the irradiation device 7 revolve around the rotation center (central axis C) of the accelerator 4. The beam axis of the irradiation device 7 is aligned with the irradiation direction of the ion beam to the affected area by the rotation of the irradiation device 7 as described above. At this time, the affected area of the patient 56 on the treatment table 55 is located on the extension of the center of rotation of the accelerator 4.

ステップS11〜S14,S7及びS15〜S21の各工程を実施することにより、患部へのイオンビームの照射が行われ、患部の治療が実施される。   By performing each process of steps S11 to S14, S7, and S15 to S21, irradiation of the ion beam to the affected area is performed, and the affected area is treated.

本実施例は、実施例1で生じる各効果を得ることができる。さらに、本実施例は、加速器4を垂直に配置して回転枠により回転させるので、実施例1の粒子線照射装置1よりも小型化される。   The present embodiment can obtain each effect produced in the first embodiment. Furthermore, in the present embodiment, since the accelerator 4 is vertically disposed and rotated by the rotation frame, the size is smaller than that of the particle beam irradiation apparatus 1 of the first embodiment.

本発明の他の好適な実施例である実施例4の粒子線照射装置を、図29及び図30を用いて以下に説明する。   The particle beam irradiation apparatus of Example 4 which is another preferable embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 29 and 30. FIG.

本実施例の粒子線照射装置1Cは、粒子線照射装置1においてイオンビーム発生装置2をイオンビーム発生装置2Aに替えた構成を有する。また、イオンビーム発生装置2Aはイオンビーム発生装置2において加速器4を加速器4Bに替えた構成を有する。加速器4Bは、加速器4においてマスレスセプタム12、移動装置17及び電源40を削除し、エネルギー吸収体62及び移動装置60を追加した構成を有する。なお、粒子線照射装置1Cで用いられる制御システム65Aは、制御システム65の加速器・輸送系制御装置69を加速器・輸送系制御装置69Aに替えた構成を有する。加速器・輸送系制御装置69Aは、加速器・輸送系制御装置69においてマスレスセプタム制御装置86をエネルギー吸収体制御装置93に替えた構成を有する。エネルギー吸収体制御装置93は、CPU67,メモリ107及び照射位置制御装置89にそれぞれ接続される。加速器・輸送系制御装置69Aの他の構成は加速器・輸送系制御装置69と同じである。また、粒子線照射装置1Cの他の構成は粒子線照射装置1と同じである。図29及び図30に図示されていないが、粒子線照射装置1で用いられている、ビーム電流測定部15、操作部材16A、移動装置17及び位置検出器39を含むビーム電流測定装置98は、粒子線照射装置1Cでも用いられる。このビーム電流測定装置98は、粒子線照射装置1と同様に、真空容器27に取り付けられている。ビーム電流測定部15及び操作部材16Aは、凹部29Aにおいて中間面77に配置される。   The particle beam irradiation apparatus 1C of this embodiment has a configuration in which the ion beam generator 2 in the particle beam irradiation apparatus 1 is replaced by an ion beam generator 2A. Further, the ion beam generator 2A has a configuration in which the accelerator 4 in the ion beam generator 2 is replaced with an accelerator 4B. The accelerator 4 B has a configuration in which the massless septum 12, the moving device 17 and the power source 40 are eliminated in the accelerator 4 and an energy absorber 62 and a moving device 60 are added. The control system 65A used in the particle beam irradiation apparatus 1C has a configuration in which the accelerator / transport system controller 69 of the control system 65 is replaced with an accelerator / transport system controller 69A. The accelerator / transport system controller 69 A has a configuration in which the massless septum controller 86 in the accelerator / transport system controller 69 is replaced with an energy absorber controller 93. The energy absorber control device 93 is connected to the CPU 67, the memory 107, and the irradiation position control device 89, respectively. The other configuration of the accelerator / transport system controller 69 A is the same as that of the accelerator / transport system controller 69. The other configuration of the particle beam irradiation apparatus 1C is the same as that of the particle beam irradiation apparatus 1. Although not shown in FIGS. 29 and 30, the beam current measuring device 98 including the beam current measuring unit 15, the operation member 16A, the moving device 17 and the position detector 39 used in the particle beam irradiation device 1 is The particle beam irradiation apparatus 1C is also used. The beam current measuring device 98 is attached to the vacuum vessel 27 in the same manner as the particle beam irradiation device 1. The beam current measurement unit 15 and the operation member 16A are disposed on the intermediate surface 77 in the recess 29A.

エネルギー吸収体62が、真空容器27内で、リターンヨーク5Aの磁極7Aとリターンヨーク5Bの、リターンヨーク5Aの磁極7Aと対向している磁極7Aの間に配置され、棒状の操作部材63の先端部に取り付けられる。エネルギー吸収体62は、アルミニウムの薄い板であり、ビーム周回軌道78に対して垂直になるように配置される。エネルギー吸収体62は、アルミニウムの替りにタングステン、銅及びチタン等の非磁性材である金属材料または非金属材料で構成してもよい。エネルギー吸収体62の中間面77に垂直な方向における幅は、リターンヨーク5Aの磁極7Aとリターンヨーク5Bの磁極7Aの間の間隙よりも小さくなっている。   An energy absorber 62 is disposed in the vacuum vessel 27 between the magnetic pole 7A of the return yoke 5A and the return yoke 5B between the magnetic poles 7A of the return yoke 5A facing the magnetic pole 7A of the return yoke 5A. It is attached to the department. The energy absorber 62 is a thin plate of aluminum and is disposed perpendicular to the beam orbit 78. The energy absorber 62 may be made of a metallic or nonmetallic material which is a nonmagnetic material such as tungsten, copper and titanium instead of aluminum. The width in the direction perpendicular to the intermediate surface 77 of the energy absorber 62 is smaller than the gap between the magnetic pole 7A of the return yoke 5A and the magnetic pole 7A of the return yoke 5B.

エネルギー吸収体62に取り付けられた操作部材63が真空容器27を貫通して真空容器27の外部まで伸びている。操作部材63は、エネルギー吸収体62の支持部材でもあり、真空容器27の外部で、ピストン及びシリンダを有する移動装置60のピストンに接続される。操作部材63は、上記した対向する磁極29Aの間及び環状コイル11Aと環状コイル11Bの間に配置され、例えば、リターンヨーク5Bの筒状部75Bを貫通して筒状部75Bに摺動可能に取り付けられる。エネルギー吸収体62の真空容器27内での位置を検出する位置検出器61が、移動装置60に取り付けられる(図29参照)。移動装置60はモータであってもよい。移動装置60としてモータを用いる場合には、位置検出器38としてエンコーダを用い、このエンコーダをモータの回転軸に連結する。エネルギー吸収体62、操作部材63、移動装置60及び位置検出器61は、ビーム離脱装置の一種であるビーム取り出し調整装置を構成する。   An operating member 63 attached to the energy absorber 62 penetrates the vacuum vessel 27 and extends to the outside of the vacuum vessel 27. The operating member 63 is also a support member for the energy absorber 62, and is connected to the piston of the moving device 60 having a piston and a cylinder outside the vacuum vessel 27. The operation member 63 is disposed between the above-described opposing magnetic poles 29A and between the annular coil 11A and the annular coil 11B, for example, through the cylindrical portion 75B of the return yoke 5B so as to be slidable in the cylindrical portion 75B. It is attached. A position detector 61 for detecting the position of the energy absorber 62 in the vacuum vessel 27 is attached to the moving device 60 (see FIG. 29). The moving device 60 may be a motor. When a motor is used as the moving device 60, an encoder is used as the position detector 38, and this encoder is connected to the rotation shaft of the motor. The energy absorber 62, the operation member 63, the moving device 60 and the position detector 61 constitute a beam extraction adjusting device which is a kind of beam separating device.

粒子線照射装置1Cにおいても、実施例1で述べたステップS1〜S6,S23,S24及びS7〜S10の各工程のうちステップS8及びS9の各工程を除いた各工程が実施される。さらに、ステップS7とステップS10の間では、ステップS8及びS9の替りに、後述のステップS22(図32参照)の工程が実施される。ステップS22の工程は、後で詳細に説明する。   Also in the particle beam irradiation apparatus 1C, each step excluding the steps S8 and S9 among the steps S1 to S6, S23, S24 and S7 to S10 described in the first embodiment is performed. Furthermore, between steps S7 and S10, the process of step S22 (see FIG. 32) described later is performed instead of steps S8 and S9. The process of step S22 will be described in detail later.

治療台55上の患者56の患部にイオンビームを照射して患部の治療を行う場合には、図32に示されるステップS11,S12,S22,S7及びS15〜S21の各工程が実施される。ステップS22以外の各工程は、実施例1と同様に実施される。ここでは、ステップS22の工程について説明する。   When the affected area of the patient 56 on the treatment table 55 is irradiated with the ion beam to treat the affected area, steps S11, S12, S22, S7 and S15 to S21 shown in FIG. 32 are performed. Each process other than step S22 is implemented similarly to the first embodiment. Here, the process of step S22 will be described.

エネルギー吸収体を位置決めする(ステップS22)。エネルギー吸収体制御装置93は、ステップS22の工程を実施するために、CPU67からの制御指令情報に基づいて移動装置60を制御し、移動装置60によって操作部材63を移動させることによってエネルギー吸収体62を中間面77において真空容器27の中心軸Cに向かって移動させる。このようなエネルギー吸収体62の移動によって、エネルギー吸収体62は、少なくとも70MeV〜250MeVのそれぞれのイオンビームが周回するそれぞれのビーム周回軌道78を横切ることができる。   The energy absorber is positioned (step S22). In order to carry out the process of step S22, the energy absorber control device 93 controls the moving device 60 based on the control command information from the CPU 67, and moves the operation member 63 by the moving device 60 to thereby form the energy absorber 62. Are moved toward the central axis C of the vacuum vessel 27 at the intermediate surface 77. Such movement of the energy absorber 62 allows the energy absorber 62 to cross each of the beam orbits 78 at which each ion beam of at least 70 MeV to 250 MeV orbits.

エネルギー吸収体制御装置93は、照射位置制御装置89から入力した、ステップS12で設定された層に照射されるイオンビームのエネルギーの情報、及びエネルギー吸収体62によるエネルギーの減衰度合いに基づいてその層に照射すべきイオンビームのエネルギーよりも若干高めのエネルギーのイオンビームが周回するビーム周回軌道78の位置を、位置検出装置39によって測定された、メモリ107に格納されたエネルギーに対応付けられたビーム周回軌道78の位置情報に基づいて特定する。エネルギー吸収体制御装置93は、特定された移動装置60を制御することによって、エネルギー吸収体62を、特定された、そのビーム周回軌道78の位置まで移動させ、このビーム周回軌道78に位置決めする。   The energy absorber control unit 93 determines the layer based on the energy information of the ion beam irradiated to the layer set in step S12 and the attenuation degree of the energy by the energy absorber 62, which are input from the irradiation position control unit 89. The position of a beam orbit 78 around which an ion beam of energy slightly higher than the energy of the ion beam to be irradiated is measured by the position detection device 39 and associated with the energy stored in the memory 107 It specifies based on the positional information on the orbit 78. The energy absorber controller 93 moves the energy absorber 62 to the specified position of the beam orbit 78 by controlling the identified moving device 60, and positions the energy absorber 62 on the beam orbit 78.

エネルギー吸収体62の、中間面77の半径方向における位置(真空容器27内の半径方向における位置)は、位置検出器61で測定される。位置検出器61で測定されたエネルギー吸収体62の位置情報は、エネルギー吸収体制御装置93に入力される。エネルギー吸収体制御装置93は、測定されたエネルギー吸収体62の位置情報が特定された、そのビーム周回軌道78の位置と一致しているかを判定し、一致していない場合には、エネルギー吸収体制御装置93により移動装置60を制御して、エネルギー吸収体62をそのビーム周回軌道の位置まで移動させる。測定されたエネルギー吸収体62の位置情報と該当するビーム周回軌道の位置が一致したとき、エネルギー吸収体制御装置93により移動装置60の駆動を停止させる。   The position of the energy absorber 62 in the radial direction of the intermediate surface 77 (the position in the vacuum chamber 27 in the radial direction) is measured by the position detector 61. The position information of the energy absorber 62 measured by the position detector 61 is input to the energy absorber control device 93. The energy absorber control unit 93 determines whether the measured position information of the energy absorber 62 matches the specified position of the beam orbit 78, and if not, the energy absorber The controller 93 controls the moving device 60 to move the energy absorber 62 to the position of its beam orbit. When the measured position information of the energy absorber 62 matches the position of the corresponding beam orbit, the energy absorber control device 93 stops the driving of the moving device 60.

エネルギー吸収体制御装置93による移動装置60の制御により、前述の特定された、ビーム周回軌道78の位置にエネルギー吸収体62が位置しているとき、ステップS16においてビーム周回領域76にイオンが入射された後、特定された位置のビーム周回軌道78を周回するイオンビームは、このエネルギー吸収体62を通過する際にエネルギーを減衰する。この結果、エネルギーが減衰したイオンビームは、実質的に平衡軌道に対して外側に位置することとなる。そして、ビーム出射経路20のある凹部29Dまで移動する間に、そのビームがベータトロン振動をし、ビーム出射経路20の入口に向かって移動する。この結果、エネルギー吸収体62を通過したイオンビームが、ビーム出射経路20を通して加速器4Bからビーム輸送系13のビーム経路48に出射される。   When the energy absorber 62 is positioned at the position of the beam orbit 78 specified above by the control of the moving device 60 by the energy absorber controller 93, ions are incident on the beam orbiting region 76 in step S16. Thereafter, the ion beam orbiting the beam orbit 78 at the specified position attenuates the energy as it passes through the energy absorber 62. As a result, the ion beam whose energy has been attenuated is substantially located outside with respect to the equilibrium orbit. Then, while moving to a recess 29 D having a beam exit path 20, the beam undergoes betatron oscillation and moves toward the entrance of the beam exit path 20. As a result, the ion beam having passed through the energy absorber 62 is emitted from the accelerator 4 B to the beam path 48 of the beam transport system 13 through the beam emission path 20.

治療計画データにより患部のある層に照射されるイオンビームが200MeVである場合には、加速器4Bからビーム経路48に200MeVのイオンビームを出射する必要がある。エネルギー吸収体62を通過したイオンビームのエネルギーを200MeVにする必要があり、この場合には、エネルギー吸収体62によるエネルギーの減衰を考慮すると、205MeVのイオンビームを、エネルギー吸収体62を透過させる必要がある。この場合には、205MeVのイオンビームが周回するビーム周回軌道にエネルギー吸収体62を位置させる。   According to the treatment plan data, if the ion beam irradiated to the layer having the affected area is 200 MeV, it is necessary to emit an ion beam of 200 MeV to the beam path 48 from the accelerator 4B. It is necessary to set the energy of the ion beam that has passed through the energy absorber 62 to 200 MeV, and in this case, it is necessary to transmit the 205 MeV ion beam through the energy absorber 62 in consideration of the energy attenuation by the energy absorber 62. There is. In this case, the energy absorber 62 is positioned in the beam orbit where the 205 MeV ion beam orbits.

ステップS20の判定が「No」であるとき、ステップS20の判定が「Yes」になるまで、ステップS11,S12,S22,S7及びS15〜S20の各工程が繰り返して実施される。この繰り返しにおいて、ステップS22では、上記したようなエネルギー吸収体62の位置決めが行われる。   When the determination of step S20 is "No", each process of steps S11, S12, S22, S7 and S15 to S20 is repeatedly performed until the determination of step S20 becomes "Yes". In this repetition, in step S22, the positioning of the energy absorber 62 as described above is performed.

本実施例は実施例1で得られる各効果のうちマスレスセプタム12で生じる効果を除いた残りの各効果を得ることができる。本実施例では、複雑な構造のマスレスセプタム12、及び電源40が不要になるため、粒子線照射装置1Cの構造が単純化される。   Among the effects obtained in the first embodiment, the present embodiment can obtain the remaining effects excluding the effect generated in the massless septum 12. In this embodiment, since the massless septum 12 having a complicated structure and the power source 40 are not required, the structure of the particle beam irradiation apparatus 1C is simplified.

エネルギー吸収体62を環状コイルの半径方向に移動する移動装置17Aが設けられているので、エネルギー吸収体62の、患部の設定された層に照射すべきエネルギーを有するイオンビームが周回するビーム周回軌道78への位置決めの調節を行うことができる。このため、エネルギー吸収体62の該当するビーム周回軌道78への位置決めを精度良く行うことができる。   Since the moving device 17A for moving the energy absorber 62 in the radial direction of the annular coil is provided, a beam orbit where the ion beam having energy to be irradiated to the set layer of the affected part of the energy absorber 62 circulates. Adjustments of positioning to 78 can be made. Therefore, the positioning of the energy absorber 62 on the corresponding beam orbit 78 can be performed with high accuracy.

本発明の他の好適な実施例である実施例5の粒子線照射装置を、図33及び図34を用いて以下に説明する。   The particle beam irradiation apparatus of the fifth embodiment which is another preferable embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 33 and 34. FIG.

本実施例の粒子線照射装置1Dは、粒子線照射装置1において加速器4を加速器4Cに替えた構成を有する。加速器4Cは加速器4にエネルギー吸収体62、操作部材63及び移動装置60を追加した構成を有する。粒子線照射装置1Cの他の構成は粒子線照射装置1と同じである。本実施例で用いられる加速器・輸送系制御装置69は、マスレスセプタム制御装置86以外にエネルギー吸収体制御装置93を含んでいる。なお、本実施例で用いられるエネルギー吸収体62の厚みは、マスレスセプタム12を用いているため、実施例4で用いられるエネルギー吸収体62の厚みよりも薄くすることができる。   The particle beam irradiation apparatus 1D of the present embodiment has a configuration in which the accelerator 4 in the particle beam irradiation apparatus 1 is replaced with an accelerator 4C. The accelerator 4C has a configuration in which an energy absorber 62, an operation member 63 and a moving device 60 are added to the accelerator 4. The other configuration of the particle beam irradiation apparatus 1C is the same as that of the particle beam irradiation apparatus 1. The accelerator / transport system controller 69 used in the present embodiment includes an energy absorber controller 93 in addition to the massless septum controller 86. The thickness of the energy absorber 62 used in the present embodiment can be thinner than the thickness of the energy absorber 62 used in the fourth embodiment because the massless septum 12 is used.

粒子線照射装置1Dにおいては、実施例1で述べたステップS1〜S6,S23,S24及びS7〜S10の各工程が実施される。さらに、粒子線照射装置1Dを用いて治療台55上の患者56の患部にイオンビームを照射して患部の治療を行う場合には、図35に示されるステップS11,S12,S22,S13,S14,S7及びS15〜S21の各工程が実施される。ステップS22の工程は、実施例4で実施されたその工程と同じである。   In particle beam irradiation apparatus 1D, each process of steps S1 to S6, S23, S24 and S7 to S10 described in the first embodiment is performed. Furthermore, in the case where the affected area of the patient 56 on the treatment table 55 is irradiated with the ion beam using the particle beam irradiation apparatus 1D to treat the affected area, steps S11, S12, S22, S13 and S14 shown in FIG. , S7 and S15 to S21 are performed. The process of step S22 is the same as the process performed in the fourth embodiment.

本実施例は、マスレスセプタム12及びエネルギー吸収体62を用いている関係上、ステップS16におけるイオンビームの出射が、実施例1及び4と異なっているため、ステップS16を詳細に説明する。   Since the present embodiment is different from the first and fourth embodiments in the extraction of the ion beam in step S16 from the fact that the massless septum 12 and the energy absorber 62 are used, step S16 will be described in detail.

エネルギー吸収体62が、イオンビームの周回方向においてマスレスセプタム12よりも手前に配置される。このため、あるエネルギーのイオンビームは、エネルギー吸収体62でエネルギーが減衰された後、このエネルギーが減衰されたイオンビームがマスレスセプタム12により蹴り出されることになる。エネルギー吸収体62でエネルギーが減衰されたイオンビームは、エネルギーが減衰される前のイオンビームが周回していたビーム周回軌道よりも内側に移動する。このイオンビームの移動量は予めわかるため、ステップS13におけるマスレスセプタム12における電極の位置決めでは、その移動量を考慮して、エネルギーが減衰される前のイオンビームが周回していたビーム周回軌道よりも内側に存在する対向する一対の磁極32A,32Bを、移動装置17により、エネルギー吸収体62を透過したイオンビームの位置に前述したように位置決めする。   An energy absorber 62 is disposed in front of the massless septum 12 in the circulation direction of the ion beam. For this reason, after the energy of the ion beam of a certain energy is attenuated by the energy absorber 62, the ion beam with the attenuated energy is kicked out by the massless septum 12. The ion beam whose energy is attenuated by the energy absorber 62 moves inward from the beam orbit which the ion beam had been orbiting before the energy was attenuated. Since the amount of movement of the ion beam is known in advance, in the positioning of the electrode in the massless septum 12 in step S13, the ion beam orbit before the energy attenuation is taken into consideration, in consideration of the amount of movement. The moving device 17 positions the pair of opposing magnetic poles 32A and 32B present at the inner side at the position of the ion beam transmitted through the energy absorber 62 as described above.

このため、ステップS16においてビーム周回領域76にイオンが入射された後に生成されるイオンビームが周回するビーム周回軌道にエネルギー吸収体62が配置しているため、エネルギー吸収体62を通過したイオンビームは、エネルギーを減衰して患部の或る層に照射されるイオンビームのエネルギーになる。エネルギー吸収体62を通過したイオンビームは、予め位置決めされた、マスレスセプタム12の励磁された一対の磁極32A,32Bによってさらに蹴り出される。この蹴り出されたイオンビームは、ビーム出射経路20に入射され、ビーム輸送系13のビーム経路48に出射される。   For this reason, since the energy absorber 62 is disposed in the beam circulation orbit along which the ion beam generated after the ions are incident on the beam circulation region 76 in step S16, the ion beam that has passed through the energy absorber 62 The energy is attenuated to the energy of the ion beam irradiated to a certain layer of the affected area. The ion beam which has passed through the energy absorber 62 is further kicked out by the pair of excited magnetic poles 32A and 32B of the massless septum 12 which are positioned in advance. The kicked ion beam is incident on the beam emitting path 20 and emitted to the beam path 48 of the beam transport system 13.

本実施例は実施例1及び4で生じる各効果を得ることができます。本実施例は、マスレスセプタム12を併用しているため、エネルギー吸収体62の厚みを実施例4で用いたエネルギー吸収体62の厚みよりも薄くすることができる。このため、エネルギー吸収体62によるイオンビームの散乱が少なくなり、それだけ、加速器4Cからビーム輸送系13に出射されるイオンビームが増加する。患者56の治療に利用されるイオンビームの利用効率が増加する。   The present embodiment can obtain the effects produced in the first and fourth embodiments. In the present embodiment, since the massless septum 12 is used in combination, the thickness of the energy absorber 62 can be thinner than the thickness of the energy absorber 62 used in the fourth embodiment. Therefore, the scattering of the ion beam by the energy absorber 62 is reduced, and the ion beam emitted from the accelerator 4C to the beam transport system 13 is increased accordingly. The utilization efficiency of the ion beam utilized to treat patient 56 is increased.

本発明の他の好適な実施例である実施例6の粒子線照射装置を、図36、図37及び図38を用いて以下に説明する。   A particle beam irradiation apparatus according to a sixth embodiment which is another preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 36, 37 and 38.

本実施例の粒子線照射装置1Eは、実施例1の粒子線照射装置1においてビーム電流測定装置98をビーム電流測定装置98Aに替えた構成を有する。粒子線照射装置1Eの他の構成は粒子線照射装置1と同じである。   The particle beam irradiation apparatus 1E of the present embodiment has a configuration in which the beam current measurement apparatus 98 in the particle beam irradiation apparatus 1 of the first embodiment is replaced by a beam current measurement apparatus 98A. The other configuration of the particle beam irradiation apparatus 1E is the same as that of the particle beam irradiation apparatus 1.

ビーム電流測定装置98Aは、図40及び図41に示すように、モニタ筐体101、複数のモニタ電極103A及び複数のモニタ電極103Bを有する。モニタ筐体101は、互いに対向して平行に配置された筐体部102A及び102B、及び連結部102Cを有する。それぞれのモニタ電極103Aは、所定の間隔を持って一列に配置され、複数(例えば、4個)の絶縁碍子104を介して筐体部102Aの、筐体部102Bに対向する一面に取り付けられる。それぞれのモニタ電極103Bは、所定の間隔を持って一列に配置され、複数(例えば、4個)の絶縁碍子104を介して筐体部102Bの、筐体部102Aに対向する一面に取り付けられる。筐体部102A及び102Bのそれぞれの端部は、連結部102Cによって結合される。それぞれのモニタ電極103Aはそれぞれのモニタ電極103Bと一つずつ対向して配置される。   The beam current measuring device 98A has a monitor case 101, a plurality of monitor electrodes 103A, and a plurality of monitor electrodes 103B, as shown in FIGS. The monitor housing 101 includes housing portions 102A and 102B and a connecting portion 102C, which are disposed in parallel to each other to face each other. The monitor electrodes 103A are arranged in a row with a predetermined interval, and attached to one surface of the housing 102A facing the housing 102B via a plurality of (for example, four) insulators 104. The respective monitor electrodes 103B are arranged in a line with a predetermined interval, and attached to one surface of the housing 102B facing the housing 102A via a plurality of (for example, four) insulators 104. The respective ends of the housing portions 102A and 102B are coupled by the coupling portion 102C. Each monitor electrode 103A is disposed to be opposed to each monitor electrode 103B one by one.

各モニタ電極103Aには電極リード線106がそれぞれ接続されており、各モニタ電極103Bにも別の電極リード線106がそれぞれ接続される。真空容器27内の真空中での脱ガス及び放電による損傷を防ぐために、各モニタ電極103Aに接続された電極リード線106は、束ねられて、電極リードカバー105Aで覆われている。電極リードカバー105Aは筐体部102Aの表面に沿ってこの表面に取り付けられる。また、各モニタ電極103Bに接続された電極リード線106も、真空容器27内の真空中での脱ガス及び放電による損傷を防ぐために、束ねられて、電極リードカバー105Bで覆われている。電極リードカバー105Bは筐体部102Bの表面に沿ってこの表面に取り付けられる。各モニタ電極103Aに接続された電極リード線106及び各モニタ電極103Bに接続された電極リード線106は、連結部102Cの位置で束ねられ、電極リードカバー(図示せず)で覆われた状態で、リターンヨーク5Bの筒状部75Bを貫通して真空容器27の外部に取り出される。これらの電極リード線106は、ビーム電流測定部制御装置84に接続される。   An electrode lead wire 106 is connected to each monitor electrode 103A, and another electrode lead wire 106 is connected to each monitor electrode 103B. The electrode lead wires 106 connected to the monitor electrodes 103A are bundled and covered with an electrode lead cover 105A in order to prevent damage due to degassing and discharge in vacuum in the vacuum vessel 27. The electrode lead cover 105A is attached to this surface along the surface of the housing portion 102A. The electrode lead wires 106 connected to the monitor electrodes 103B are also bundled and covered with the electrode lead cover 105B in order to prevent damage due to degassing and discharge in vacuum in the vacuum vessel 27. The electrode lead cover 105B is attached to this surface along the surface of the housing portion 102B. The electrode lead wire 106 connected to each monitor electrode 103A and the electrode lead wire 106 connected to each monitor electrode 103B are bundled at the position of the connecting portion 102C and covered with an electrode lead cover (not shown) , And is taken out of the vacuum vessel 27 through the cylindrical portion 75B of the return yoke 5B. These electrode lead wires 106 are connected to a beam current measurement unit controller 84.

ビーム電流測定装置98Aは、図38及び図39に示されるように、マスレスセプタム12の、各磁極32Aとこれに対向する各磁極32Bの間に配置され、マスレスセプタム12に取り付けられる。本実施例においても、マスレスセプタム12は、対向しているリターンヨーク5A,5Bのそれぞれに形成される凹部29A内に配置される。このため、ビーム電流測定装置98Aもそれらの凹部29A内に配置される。モニタ電極103Aのそれぞれとモニタ電極103Bのそれぞれの間には、周回するイオンビームが通過する間隙であるビーム通路35が形成される。このビーム通路35は中間面77の一部を内包する。各モニタ電極103Aと各モニタ電極103Bは間に中間面77を挟んで対向している。モニタ筐体101の長さはマスレスセプタム12の長さよりも長く、モニタ筐体101には、例えば、35MeVのイオンビームのビーム周回軌道78から250MeVのイオンビームのビーム周回軌道78の範囲内でビーム電流が測定できるように、複数のモニタ電極103A及び複数のモニタ電極103Bが設けられている。   The beam current measuring device 98A is disposed between the magnetic poles 32A of the massless septum 12 and the magnetic poles 32B opposite thereto as shown in FIGS. 38 and 39, and is attached to the massless septum 12. Also in the present embodiment, the massless septum 12 is disposed in the recess 29A formed in each of the facing return yokes 5A and 5B. For this reason, the beam current measuring devices 98A are also arranged in their recesses 29A. A beam passage 35, which is a gap through which the circulating ion beam passes, is formed between each of the monitor electrodes 103A and each of the monitor electrodes 103B. The beam passage 35 includes a part of the intermediate surface 77. The monitor electrodes 103A and the monitor electrodes 103B face each other with the intermediate surface 77 interposed therebetween. The length of the monitor housing 101 is longer than the length of the massless septum 12, and the monitor housing 101 includes, for example, a beam orbit of ion beam of 35 MeV to a beam orbit of ion beam of 250 MeV 78. A plurality of monitor electrodes 103A and a plurality of monitor electrodes 103B are provided so that the beam current can be measured.

本実施例の粒子線照射装置1Eも、粒子線照射装置1で実施されるステップS1〜S6,S23,S24,S7〜S14,S7及びS15〜S21の各工程が実施され、治療台55上の患者56の患部に対してイオンビームが照射される。これらの工程のうち本実施例で実施されるステップS6(イオンビームの測定)を具体的に説明する。本実施例では、ステップS6は、ビーム電流測定装置98Aを用いて実施される。ステップS1〜S5の各工程が実施された後、移動装置17を用いてマスレスセプタム12の位置を調節し、ビーム電流測定装置98Aのモニタ電極103A及び103Bのそれぞれが一点鎖線Xに沿って所定の位置になるように調節する。各ビーム周回軌道78を周回するそれぞれのイオンビームがビーム通路35を通過する。イオンビームが対向しているモニタ電極103A及び103Bの間を通過するときにこれらの電極間に生じる電圧が測定される。ビーム電流に相当する、この測定された電圧情報がビーム電流に変換され、このビーム電流に対応するそれぞれのエネルギー情報が、これらのモニタ電極の、環状コイルの半径方向における一点鎖線X上での位置情報、すなわち、ビーム周回軌道78のその半径方向における位置情報に対応付けられてメモリ107に格納される。   In the particle beam irradiation apparatus 1E of the present embodiment, each step of steps S1 to S6, S23, S24, S7 to S14, S7 and S15 to S21 performed by the particle beam irradiation apparatus 1 is performed, and The affected part of the patient 56 is irradiated with the ion beam. Among these steps, step S6 (measurement of ion beam) performed in the present embodiment will be specifically described. In the present embodiment, step S6 is performed using the beam current measuring device 98A. After the steps S1 to S5 are performed, the position of the massless septum 12 is adjusted using the moving device 17, and each of the monitor electrodes 103A and 103B of the beam current measuring device 98A is set along the alternate long and short dash line X. Adjust to the position of. The respective ion beams orbiting each beam orbit 78 pass through the beam path 35. The voltage generated between the ion beams as they pass between the facing monitor electrodes 103A and 103B is measured. The measured voltage information corresponding to the beam current is converted into a beam current, and the respective energy information corresponding to the beam current is the position of these monitor electrodes on the alternate long and short dash line X in the radial direction of the annular coil. The information is stored in the memory 107 in association with the position information of the beam orbit 78 in the radial direction.

ステップS13では、マスレスセプタム制御装置86は、設定された層に照射されるイオンビームのエネルギーの情報、及びメモリ107に格納されたエネルギー(電圧情報)に対応付けられたビーム周回軌道78の位置情報に基づいて、該当するビーム周回軌道78に位置決めして励磁する一対の磁極32A,32Bを特定する。さらに、実施例1におけるステップS13と同様に、マスレスセプタム12の移動量を求める。マスレスセプタム制御装置86は、その移動量に基づいて移動装置17を制御してマスレスセプタム12を入射用電極18に向かって移動させ、特定された磁極32A,32Bの該当するビーム周回軌道78への位置決めがなされる。さらに、ステップS14において、特定された一対の磁極32A,32Bが励磁される。   In step S13, the massless septum control device 86 determines the information on the energy of the ion beam irradiated to the set layer and the position of the beam orbit 78 associated with the energy (voltage information) stored in the memory 107. Based on the information, a pair of magnetic poles 32A, 32B to be positioned and excited in the corresponding beam orbit 78 is identified. Further, similarly to step S13 in the first embodiment, the movement amount of the massless septum 12 is obtained. The massless septum control device 86 controls the moving device 17 based on the amount of movement to move the massless septum 12 toward the incident electrode 18, and the corresponding beam orbit 78 of the identified magnetic poles 32A and 32B. Positioning is made. Further, in step S14, the specified pair of magnetic poles 32A and 32B is excited.

本実施例は、実施例1で生じる各効果を得ることができる。   The present embodiment can obtain each effect produced in the first embodiment.

実施例1で用いられたビーム電流測定装置98は、ビーム電流測定部15に周回するイオンビームを衝突させてビーム電流を検出する。このため、周回しているイオンビームを破壊して計測する上、ビーム電流測定部15を移動させる移動装置17Aが必要になる。最外周に位置するビーム周回軌道78を周回するイオンビームのビーム電流を計測するために、ビーム電流測定部15を環状コイル11A,11Bの内面付近まで引き抜く必要があり、操作部材16Aを長くしなければならない可能性がある。したがって、ビーム電流測定装置98の大型化が懸念される。   The beam current measuring device 98 used in the first embodiment detects the beam current by causing the beam current measuring unit 15 to collide with the circulating ion beam. Therefore, in order to destroy and measure the circulating ion beam, a moving device 17A for moving the beam current measurement unit 15 is required. In order to measure the beam current of the ion beam orbiting the beam orbit 78 located at the outermost periphery, it is necessary to extract the beam current measurement unit 15 to the vicinity of the inner surface of the annular coils 11A and 11B, and the operation member 16A must be long. There is a possibility. Therefore, there is a concern that the beam current measuring device 98 should be enlarged.

本実施例で使用するビーム電流測定装置98Aは、対向するモニタ電極103A,103Bを用いてイオンビームのビーム電流に相当する前述の電圧を測定するために、周回するイオンビームを破壊させることなくその電圧を測定することができ、電圧に対応するビーム電流を求めることができる。また、モニタ電極103A,103Bの位置を微調節するために、マスレスセプタム12の移動装置17を使用することができるので、ビーム電流測定装置98Aはビーム電流測定装置98よりも小型化することができる。   The beam current measuring apparatus 98A used in this embodiment measures the above-mentioned voltage corresponding to the beam current of the ion beam using the opposing monitor electrodes 103A and 103B, without destroying the circulating ion beam. The voltage can be measured and the beam current corresponding to the voltage can be determined. In addition, since the moving device 17 of the massless septum 12 can be used to finely adjust the positions of the monitor electrodes 103A and 103B, the beam current measuring device 98A can be smaller than the beam current measuring device 98. it can.

なお、マスレスセプタム12内に配置されたビーム電流測定装置98Aは、後述の実施例7のように、棒状の支持部材108を用いてリターンヨーク5Bの筒状体75Bに固定してもよい。この場合には、ビーム電流測定装置98Aに取り付けられた支持部材108は、マスレスセプタム12の連結部31に形成された貫通孔31Dを通してマスレスセプタム12の外部に達する。   The beam current measuring device 98A disposed in the massless septum 12 may be fixed to the cylindrical body 75B of the return yoke 5B using a rod-like support member 108 as in the seventh embodiment described later. In this case, the support member 108 attached to the beam current measuring device 98A reaches the outside of the massless septum 12 through the through hole 31D formed in the connection portion 31 of the massless septum 12.

本発明の他の好適な実施例である実施例7の粒子線照射装置を、図42及び図43を用いて以下に説明する。   The particle beam irradiation apparatus of the seventh embodiment which is another preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 42 and 43. FIG.

本実施例の粒子線照射装置1Fは、実施例4の粒子線照射装置1Cにおいてビーム電流測定装置98を前述したビーム電流測定装置98Aに替えた構成を有する。粒子線照射装置1Fの他の構成は粒子線照射装置1Cと同じである。粒子線照射装置1Fでは、ビーム電流測定装置98Aは、中心軸Cを通って中心軸Cに垂直な一点鎖線Xに沿ってリターンヨーク5A,5Bのそれぞれに形成された凹部29Aに配置され、棒状の支持部材108によってリターンヨーク5Bの筒状部75Bに取り付けられる。ビーム周回軌道78が形成される中間面77の一部が、ビーム電流測定装置98Aに形成されるビーム通路35内に存在する。各モニタ電極103Aと各モニタ電極103Bは間に中間面77を挟んで対向している。   The particle beam irradiation apparatus 1F of the present embodiment has a configuration in which the beam current measurement apparatus 98 in the particle beam irradiation apparatus 1C of the fourth embodiment is replaced with the beam current measurement apparatus 98A described above. The other configuration of the particle beam irradiation apparatus 1F is the same as that of the particle beam irradiation apparatus 1C. In the particle beam irradiation apparatus 1F, the beam current measuring apparatus 98A is disposed in the recess 29A formed in each of the return yokes 5A, 5B along the alternate long and short dash line X perpendicular to the central axis C through the central axis C. The support member 108 is attached to the cylindrical portion 75B of the return yoke 5B. A portion of the intermediate surface 77 in which the beam orbiting trajectory 78 is formed is present in the beam passage 35 formed in the beam current measuring device 98A. The monitor electrodes 103A and the monitor electrodes 103B face each other with the intermediate surface 77 interposed therebetween.

本実施例では、実施例4と同様に、実施例1で述べたステップS1〜S6,S23,S24及びS7〜S10の各工程のうちステップS8及びS9の各工程を除いた各工程が実施され、さらに、図35に示すステップS11,S12,S22,S7及びS15〜S21の各工程が実施される。   In the present embodiment, similarly to the fourth embodiment, the respective steps excluding the respective steps of the steps S8 and S9 out of the respective steps of the steps S1 to S6, S23, S24 and S7 to S10 described in the first embodiment are performed. Furthermore, each process of steps S11, S12, S22, S7 and S15 to S21 shown in FIG. 35 is performed.

本実施例でも、ステップS6において、実施例6と同様に、イオンビームが周回しているときに、ビーム電流測定装置98Aを用いて対向しているモニタ電極103Aとモニタ電極103Bの間の電圧を測定する。さらに、ステップS22では、設定された層に照射されるイオンビームのエネルギーの情報及びエネルギー吸収体62によるエネルギーの減衰度合いに基づいてその層に照射すべきイオンビームのエネルギーよりも若干高めのエネルギーのイオンビームが周回するビーム周回軌道78の位置を、メモリ107に格納されたビーム電流情報である電圧情報に対応付けられたその位置情報に基づいて特定する。エネルギー吸収体制御装置93は、移動装置60を制御することによって、エネルギー吸収体62を、その特定された、そのビーム周回軌道78の位置まで移動させる。   Also in the present embodiment, in step S6, as in the sixth embodiment, when the ion beam is circulating, the voltage between the monitor electrode 103A and the monitor electrode 103B facing each other is detected using the beam current measuring device 98A. taking measurement. Further, in step S22, based on the information on the energy of the ion beam irradiated to the set layer and the attenuation degree of the energy by the energy absorber 62, the energy slightly higher than the energy of the ion beam to be irradiated to the layer Based on the position information associated with the voltage information, which is the beam current information stored in the memory 107, the position of the beam orbit 78 around which the ion beam revolves is specified. The energy absorber controller 93 moves the energy absorber 62 to the specified position of the beam orbit 78 by controlling the moving device 60.

本実施例は実施例4で生じる各効果を得ることができる。さらに、本実施例は実施例6においてビーム電流測定装置98Aにより生じた各効果も得ることができる。   The present embodiment can obtain each effect produced in the fourth embodiment. Furthermore, the present embodiment can also obtain the effects produced by the beam current measuring device 98A in the sixth embodiment.

本発明の他の好適な実施例である実施例8の粒子線照射装置を、図44、図45及び図46を用いて以下に説明する。   A particle beam irradiation apparatus according to an eighth embodiment which is another preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 44, 45 and 46.

粒子線照射装置1等の実施例1ないし7で述べた粒子線照射装置は、各加速器が鉄心14A及び14Bを用いて構成した真空容器27を有する。しかしながら、本実施例の粒子線照射装置1Gでは、加速器4Dが、鉄心14A及び14Bを有し、さらに、鉄心14Aと鉄心14Bの間に配置した真空容器27Aを有している。真空容器27Aは非磁性材(例えば、ステンレス鋼)で作られている。鉄心14Aが真空容器27Aの上方に配置され、鉄心14Bが真空容器27Aの下方に配置される。マスレスセプタム12及びビーム電流測定装置98のビーム電流測定部15が真空容器27A内に配置される。ビーム周回軌道78が形成される中間面77は、真空容器27及び環状コイル11A,11Bの中心軸Cに垂直に真空容器27A内に形成される。イオン入射管3Aは、鉄心14Aに含まれるリターンヨーク5Aのベース部74Aを貫通して真空容器27A内に達している。イオン入射管3Aの先端に形成されたイオン注入口は真空容器27A内に開口している。イオン入射管3Aの中心軸の延長線上に配置される吸引管26が、リターンヨーク5Bのベース部74Bを貫通してベース部74Bに取り付けられる。この吸引管26は、真空容器27Aに接続され、真空容器27A内に開口している。入射用電極18は、イオン注入管3Aの先端に取り付けられる。   The particle beam irradiation apparatus described in the first to seventh embodiments of the particle beam irradiation apparatus 1 and the like has a vacuum vessel 27 in which each accelerator is configured using iron cores 14A and 14B. However, in the particle beam irradiation apparatus 1G of the present embodiment, the accelerator 4D includes the iron cores 14A and 14B, and further includes the vacuum vessel 27A disposed between the iron core 14A and the iron core 14B. The vacuum vessel 27A is made of a nonmagnetic material (for example, stainless steel). The iron core 14A is disposed above the vacuum vessel 27A, and the iron core 14B is disposed below the vacuum vessel 27A. The massless septum 12 and the beam current measuring unit 15 of the beam current measuring device 98 are disposed in the vacuum chamber 27A. An intermediate surface 77 on which the beam orbit 78 is formed is formed in the vacuum vessel 27A perpendicular to the central axis C of the vacuum vessel 27 and the annular coils 11A and 11B. The ion incident tube 3A penetrates the base portion 74A of the return yoke 5A included in the iron core 14A and reaches the inside of the vacuum vessel 27A. An ion injection port formed at the tip of the ion injection tube 3A opens into the vacuum vessel 27A. A suction tube 26 disposed on an extension of the central axis of the ion incidence tube 3A is attached to the base portion 74B through the base portion 74B of the return yoke 5B. The suction pipe 26 is connected to the vacuum vessel 27A and opens into the vacuum vessel 27A. The incidence electrode 18 is attached to the tip of the ion implantation tube 3A.

鉄心14A及び14Bを含む粒子線照射装置1Gの他の構成は粒子線照射装置1と同じである。   The other configuration of the particle beam irradiation apparatus 1G including the iron cores 14A and 14B is the same as the particle beam irradiation apparatus 1.

マスレスセプタム12に取り付けられた操作部材16及びビーム電流測定部15に取り付けられた操作部材16Aは、真空容器27A及びリターンヨーク5Bの筒状部75Bを貫通してリターンヨーク5Bの外部に達する。リターンヨーク5Bの外部で操作部材16及び16Aは移動装置17及び17Aに接続される。セプタム電磁石19は真空容器27A及び筒状部75Bに取り付けられる。セプタム電磁石19に形成されたビーム出射経路20は、ビーム輸送系13のビーム経路48に連絡される。ビーム出射経路20の入口は真空容器27A内に位置している。   The operation member 16 attached to the massless septum 12 and the operation member 16A attached to the beam current measurement unit 15 penetrate the vacuum vessel 27A and the cylindrical portion 75B of the return yoke 5B to reach the outside of the return yoke 5B. The operating members 16 and 16A are connected to the moving devices 17 and 17A outside the return yoke 5B. The septum electromagnet 19 is attached to the vacuum vessel 27A and the cylindrical portion 75B. The beam exit path 20 formed in the septum electromagnet 19 is in communication with the beam path 48 of the beam transport system 13. The inlet of the beam emission path 20 is located in the vacuum vessel 27A.

真空容器27A内の中間面77には、前述した軌道同心領域及びこの軌道同心領域を取り囲む軌道偏心領域が形成される。軌道同心領域及びこの軌道同心領域は入射用電極18を取り囲んでいる。軌道同心領域に形成される各ビーム周回軌道78は、実施例と同様に、ビーム出射経路20の入口側に集約されている。本実施例においても、入射用電極18及びイオン注入口の位置が、環状コイルの中心軸C、すなわち、この中心軸C上に位置する環状コイルの重心からビーム出射経路20の入口にずれており、加速器4Dの半径方向において環状コイルの重心とは異なった位置に位置している。鉄心14A及び14Bに形成された磁極7A〜7Fのそれぞれは、実施例1と同様に、イオン注入口の位置の周囲を取り囲んで配置され、イオン注入口の位置から放射状に伸びている。鉄心14A及び14Bに形成された凹部29A〜29Fのそれぞれも、実施例1と同様に、イオン注入口の位置の周囲を取り囲んで配置され、イオン注入口の位置から放射状に伸びている。   On the intermediate surface 77 in the vacuum vessel 27A, the above-described orbit concentric area and an orbit eccentric area surrounding the orbit concentric area are formed. The orbital concentric area and the orbital concentric area surround the incident electrode 18. The beam orbits 78 formed in the orbit concentric region are integrated on the entrance side of the beam outgoing path 20 as in the embodiment. Also in this embodiment, the positions of the incidence electrode 18 and the ion implantation port are shifted from the center axis C of the annular coil, that is, the center of gravity of the annular coil located on the central axis C to the entrance of the beam emission path 20 , Is located at a position different from the center of gravity of the annular coil in the radial direction of the accelerator 4D. As in the first embodiment, each of the magnetic poles 7A to 7F formed on the iron cores 14A and 14B is disposed so as to surround the position of the ion implantation port and radially extends from the position of the ion implantation port. Recesses 29A to 29F formed in iron cores 14A and 14B are also disposed surrounding the periphery of the position of the ion injection port, as in the first embodiment, and extend radially from the position of the ion injection port.

本実施例でも、実施例1と同様に、中間面77において図10に示す磁場分布が形成され、ステップS1〜S6,S23,S24,S7〜S14,S7及びS15〜S21の各工程が実施されて治療台55上の患者56の患部に対してイオンビームが照射される。   In the present embodiment, as in the first embodiment, the magnetic field distribution shown in FIG. 10 is formed on the intermediate surface 77, and steps S1 to S6, S23, S24, S7 to S14, S7 and S15 to S21 are performed. The ion beam is irradiated to the affected area of the patient 56 on the treatment table 55.

本実施例は実施例1で生じる各効果を得ることができる。本実施例は、真空容器27Aを別途設けているため、実施例1のように、互いに対向しているリターンヨーク5Aの筒状部75Aとリターンヨーク5Bの筒状部75Bの対向面をシールする必要がない。しかしながら、本実施例では、真空容器27Aを鉄心14Aと鉄心14Bの間に配置しているので、本実施例で用いられる加速器4Dは実施例1で用いられる加速器4よりも大きくなる。   The present embodiment can obtain each effect produced in the first embodiment. In this embodiment, since the vacuum container 27A is separately provided, as in the embodiment 1, the opposing surfaces of the cylindrical portion 75A of the return yoke 5A and the cylindrical portion 75B of the return yoke 5B facing each other are sealed. There is no need. However, in the present embodiment, since the vacuum container 27A is disposed between the iron core 14A and the iron core 14B, the accelerator 4D used in the present embodiment is larger than the accelerator 4 used in the first embodiment.

図47に示すように、マスレスセプタム12を真空容器27Aの外部に配置し、この真空容器27Aをマスレスセプタム12の、各磁極32Aとこれに対向する各磁極32Bの間に配置してもよい。この場合には、ビーム電流測定部15が真空容器27A内の中間面77に配置される。このように配置されるマスレスセプタム12によっても、真空容器27A内の中間面77に形成されるビーム周回軌道78を周回するイオンビームを蹴り出すことができ、このイオンビームを、ビーム出射経路20を通してビーム輸送系13に出射することができる。   As shown in FIG. 47, even if the massless septum 12 is disposed outside the vacuum vessel 27A and this vacuum vessel 27A is disposed between each magnetic pole 32A of the massless septum 12 and each magnetic pole 32B opposed thereto. Good. In this case, the beam current measurement unit 15 is disposed on the intermediate surface 77 in the vacuum vessel 27A. The massless septum 12 arranged in this manner can also kick an ion beam orbiting the beam orbit 78 formed on the intermediate surface 77 in the vacuum vessel 27 A, and this ion beam can be used as the beam exit path 20. Can be emitted to the beam transport system 13.

本発明の他の好適な実施例である実施例9の粒子線照射装置を、図48を用いて以下に説明する。   The particle beam irradiation apparatus of Example 9, which is another preferable embodiment of the present invention, will be described below with reference to FIG.

本実施例の粒子線照射装置1Fは、粒子線照射装置1Eと同様に、鉄心14Aと鉄心14Bの間に真空容器27Aを配置している。粒子線照射装置1Fは、鉄心14A及び14B、真空容器27A、及び真空容器27A内に配置されたビーム電流測定部15及びエネルギー吸収体62を有する加速器4Eを備えている。ビーム電流測定部15に取り付けられた操作部材16A及びエネルギー吸収体62に取り付けられた操作部材62は、真空容器27A及びリターンヨーク5Bの筒状部75Bを貫通してリターンヨーク5Bの外部に達する。   In the particle beam irradiation apparatus 1F of this embodiment, as in the particle beam irradiation apparatus 1E, the vacuum vessel 27A is disposed between the iron core 14A and the iron core 14B. The particle beam irradiation apparatus 1F includes iron cores 14A and 14B, a vacuum vessel 27A, and an accelerator 4E having a beam current measurement unit 15 and an energy absorber 62 disposed in the vacuum vessel 27A. The operating member 16A attached to the beam current measurement unit 15 and the operating member 62 attached to the energy absorber 62 penetrate the cylindrical portion 75B of the vacuum vessel 27A and the return yoke 5B to reach the outside of the return yoke 5B.

本実施例でも、実施例4と同様に、中間面77において図10に示す磁場分布が形成され、実施例1で述べたステップS1〜S6,S23,S24及びS7〜S10の各工程のうちステップS8及びS9の各工程を除いた各工程が実施される。さらに、図32に示されるステップS11,S12,S22,S7及びS15〜S21の各工程が実施される。本実施例においても、真空容器27Aからビーム輸送系13に出射されたイオンビームが、治療台55上の患者56の患部に照射される。   In the present embodiment, as in the fourth embodiment, the magnetic field distribution shown in FIG. 10 is formed on the intermediate surface 77, and among the steps S1 to S6, S23, S24 and S7 to S10 described in the first embodiment, Each process except each process of S8 and S9 is implemented. Further, each step of steps S11, S12, S22, S7 and S15 to S21 shown in FIG. 32 is performed. Also in the present embodiment, the ion beam emitted from the vacuum container 27A to the beam transport system 13 is applied to the affected area of the patient 56 on the treatment table 55.

本実施例は実施例4で生じる各効果を得ることができる。しかしながら、本実施例では、真空容器27Aを鉄心14Aと鉄心14Bの間に配置しているので、本実施例で用いられる加速器4Dは実施例4で用いられる加速器4Bよりも大きくなる。   The present embodiment can obtain each effect produced in the fourth embodiment. However, in the present embodiment, since the vacuum vessel 27A is disposed between the iron core 14A and the iron core 14B, the accelerator 4D used in the present embodiment is larger than the accelerator 4B used in the fourth embodiment.

本発明では、陽子を発生するイオン源3の替りに、炭素イオン(C4+)を発生するイオン源を用い、この炭素イオン(C4+)を荷電変換器で荷電変換して炭素イオン(C6+)に変換して加速器内で炭素イオンビーム(C6+のイオンビーム)を生成し、生成された炭素イオンビームを加速器から出射してビーム輸送系を通して照射装置7に導いてもよい。この場合には、陽子イオンビームの替りに炭素イオンビームが、治療台55上の患者56の患部に照射される。さらに、イオン源3としてヘリウムイオンを発生するイオン源を用い、加速器からビーム輸送系にヘリウムイオンビームを出射してもよい。 In the present invention, in place of the ion source 3 for generating protons, an ion source for generating carbon ions (C 4 + ) is used, and the carbon ions (C 4 + ) are charge converted by a charge converter to The carbon ion beam (C 6 + ion beam) may be generated by converting it into C 6 + ) in the accelerator, and the generated carbon ion beam may be emitted from the accelerator and guided to the irradiation device 7 through the beam transport system . In this case, a carbon ion beam is irradiated to the affected area of the patient 56 on the treatment table 55 instead of the proton ion beam. Furthermore, a helium ion beam may be emitted from the accelerator to the beam transport system using an ion source that generates helium ions as the ion source 3.

なお、本出願では、環状コイル11A,11Bの中心軸Cに垂直な平面内に存在しない要素間の位置関係は、これらの要素を中心軸C方向において中間面77に投影し、この中間面77におけるそれらの要素間の位置関係を意味している。このような要素間の位置関係は、例えば、実施例8及び9において記載されたイオン入射管3Aの先端に形成されたイオン注入口(イオン入射口)または入射用電極18またはイオン入射部と磁極7A〜7F,高周波加速電極9A〜9D、ビーム出射経路20及び凹部29A〜29Fのそれぞれとの位置関係、磁極7A〜7F,高周波加速電極9A〜9D、ビーム出射経路20及び凹部29A〜29F相互間の位置関係、イオン注入口とビーム出射経路20の入口との位置関係などが該当する。   In the present application, the positional relationship between elements which do not exist in a plane perpendicular to the central axis C of the annular coils 11A and 11B projects these elements on the intermediate plane 77 in the central axis C direction. It means the positional relationship between those elements in. The positional relationship between such elements is, for example, the ion injection port (ion injection port) formed at the tip of the ion injection tube 3A described in the eighth and ninth embodiments or the injection electrode 18 or ion injection portion and the magnetic pole 7A to 7F, high frequency accelerating electrodes 9A to 9D, positional relationship with the beam emitting path 20 and the recesses 29A to 29F, magnetic poles 7A to 7F, high frequency accelerating electrodes 9A to 9D, beam emitting path 20 and the recesses 29A to 29F And the positional relationship between the ion implantation port and the inlet of the beam emission path 20.

1,1A,1B,1C,1D,1E,1F…粒子線照射装置、2,2A,2B…イオンビーム発生装置、3…イオン源、3A…イオン入射管、4,4A,4B,4C,4D,4E…加速器、6…回転ガントリー、7…照射装置、7A〜7F,32A,32B…磁極、8A〜8F…トリムコイル、9A〜9D…高周波加速電極、11A,11B…環状コイル、12…マスレスセプタム、13,13B…ビーム輸送系、14A,14B…鉄心、15…ビーム電流測定部、17,17A,60…移動装置、18…入射用電極、19…セプタム電磁石、20,48…ビーム経路、24A〜24P…折れ曲り点、27,27A…真空容器、29A〜29F…凹部、30,30A,30B…鉄心部材、31A,31B…鉄心部、31C…連結部、33A,33B…コイル、35…ビーム通路、36…高周波電源、37,40,57,80,82…電源、51,52…走査電磁石、53…ビーム位置モニタ、54…線量モニタ、62…エネルギー吸収体、65…制御システム、66…中央制御装置、69,69A,69B…加速器・輸送系制御装置、70…走査制御装置、76…ビーム周回領域、77…中間面、83…入射用電極制御装置、84…ビーム電流測定部制御装置、85…電磁石制御装置、86…マスレスセプタム制御装置、88…回転制御装置、89…照射位置制御装置、91…線量判定装置、92…層判定装置、93…エネルギー吸収体制御装置、94…コイル電流制御装置、98,98A…ビーム電流測定装置、99…高周波電圧制御装置、101…モニタ筐体、103…モニタ電極。   1, 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F: particle beam irradiation device, 2, 2A, 2B: ion beam generator, 3: ion source, 3A: ion injection tube, 4, 4A, 4B, 4C, 4D , 4E: Accelerator, 6: Rotational gantry, 7: Irradiation device, 7A to 7F, 32A, 32B: Magnetic pole, 8A to 8F: Trim coil, 9A to 9D: High frequency accelerating electrode, 11A, 11B: Annular coil, 12: Mass Les-septum 13, 13 B: Beam transport system, 14 A, 14 B: iron core, 15: beam current measurement unit, 17, 17 A, 60: moving device, 18: incidence electrode, 19: septum electromagnet, 20, 48: beam path 24A-24P: bending point 27, 27A: vacuum vessel, 29A-29F: recess, 30, 30A, 30B: iron core member, 31A, 31B: iron core portion, 31C: connecting portion, 33A, 3B: coil, 35: beam passage, 36: high frequency power supply, 37, 40, 57, 80, 82: power supply, 51, 52: scanning electromagnet, 53: beam position monitor, 54: dose monitor, 62: energy absorber, DESCRIPTION OF SYMBOLS 65 ... Control system, 66 ... Central control apparatus, 69, 69A, 69B ... Accelerator-transport system control apparatus 70 ... Scanning control apparatus, 76 ... Beam circulation area | region 77 ... Intermediate surface, 83 ... Electrode control apparatus for incidence 84, ... Beam current measuring unit controller, 85 ... electromagnet controller, 86 ... massless septum controller, 88 ... rotation controller, 89 ... irradiation position controller, 91 ... dose determination device, 92 ... layer determination device, 93 ... energy Absorber control device 94 Coil current control device 98, 98A Beam current measuring device 99 High frequency voltage control device 101 Monitor housing 103 Monitor The pole.

Claims (4)

荷電粒子ビームが生成される加速器と、  An accelerator for generating a charged particle beam;
前記荷電粒子ビームの輸送経路であるビーム輸送系と、  A beam transport system which is a transport path of the charged particle beam;
前記ビーム輸送系を介して輸送された前記荷電粒子ビームにより照射野を形成する照射装置と、  An irradiation device for forming an irradiation field by the charged particle beam transported via the beam transport system;
を有する粒子線治療装置において、  Particle therapy apparatus having the
前記加速器は、  The accelerator is
前記荷電粒子ビームの加速および軌道を制御する、鉄心、コイルおよび加速電極を有し、  An iron core, a coil and an accelerating electrode for controlling the acceleration and orbit of the charged particle beam;
前記鉄心に囲まれた領域内に前記荷電粒子ビームを周回させて加速するための略円盤状のビーム周回領域が形成され、  A substantially disk-shaped beam circulation region is formed in the region surrounded by the iron core for circulating and accelerating the charged particle beam,
さらに、前記ビーム周回領域の中心位置と異なる位置に、前記ビーム周回領域に対するイオンの入射点を持つように設けられたイオン源を有し、  And an ion source provided at a position different from the center position of the beam circulation region so as to have an incident point of ions to the beam circulation region,
前記入射点に対して前記中心位置の反対側に、加速後の荷電粒子ビームを取り出す経路であるビーム出射経路の基端が設けられ、  A proximal end of a beam outgoing path, which is a path for taking out a charged particle beam after acceleration, is provided on the opposite side of the central position with respect to the incident point,
前記加速器は、前記荷電粒子ビームのエネルギーごとに、互いに偏心している複数の環状のビーム周回軌道を形成するよう構成される  The accelerator is configured to form a plurality of annular beam orbits that are offset from one another for each energy of the charged particle beam
ことを特徴とする粒子線治療装置。  Particle therapy apparatus characterized in that.
請求項1に記載の粒子線治療装置であって、  The particle beam therapy system according to claim 1, wherein
第1エネルギーの前記荷電粒子ビームの周回軌道の中心を第1中心とし、前記第1エネルギーよりも大きい第2エネルギーの前記荷電粒子ビームの周回軌道の中心を第2中心とし、  The center of the orbit of the charged particle beam of the first energy is a first center, and the center of the orbit of the charged particle beam of a second energy larger than the first energy is a second center.
前記第2中心は、前記第1中心よりも前記コイルの中心に近い  The second center is closer to the center of the coil than the first center
ことを特徴とする粒子線治療装置。  Particle therapy apparatus characterized in that.
荷電粒子ビームが生成される加速器と、  An accelerator for generating a charged particle beam;
前記荷電粒子ビームの輸送経路であるビーム輸送系と、  A beam transport system which is a transport path of the charged particle beam;
前記ビーム輸送系を介して輸送された前記荷電粒子ビームにより照射野を形成する照射装置と、  An irradiation device for forming an irradiation field by the charged particle beam transported via the beam transport system;
を有する粒子線治療装置において、  Particle therapy apparatus having the
前記加速器は、  The accelerator is
前記荷電粒子ビームの加速および軌道を制御する、鉄心、コイルおよび加速電極を有し、  An iron core, a coil and an accelerating electrode for controlling the acceleration and orbit of the charged particle beam;
前記鉄心に囲まれた領域内に前記荷電粒子ビームを周回させて加速するための略円盤状のビーム周回領域が形成され、  A substantially disk-shaped beam circulation region is formed in the region surrounded by the iron core for circulating and accelerating the charged particle beam,
さらに、前記ビーム周回領域の中心位置と異なる位置に、前記ビーム周回領域に対するイオンの入射点を持つように設けられたイオン源を有し、  And an ion source provided at a position different from the center position of the beam circulation region so as to have an incident point of ions to the beam circulation region,
前記入射点に対して前記中心位置の反対側に、加速後の荷電粒子ビームを取り出す経路であるビーム出射経路の基端が設けられ、  A proximal end of a beam outgoing path, which is a path for taking out a charged particle beam after acceleration, is provided on the opposite side of the central position with respect to the incident point,
第1エネルギーの前記荷電粒子ビームの周回軌道を第1周回軌道、前記第1エネルギーとは異なる第2エネルギーの周回軌道を第2周回軌道とし、  The orbit of the charged particle beam of the first energy is a first orbit, and the orbit of the second energy different from the first energy is a second orbit.
前記入射点よりも前記基端側における前記第1周回軌道と前記第2周回軌道との間隔は、前記入射点に対して前記基端と反対側における前記第1周回軌道と前記第2周回軌道との間隔よりも狭い  The distance between the first circumferential orbit and the second circumferential orbit on the proximal side with respect to the incident point is the first circumferential orbit and the second circumferential orbit on the opposite side to the proximal end with respect to the incident point. Narrower than the distance between
ことを特徴とする粒子線治療装置。  Particle therapy apparatus characterized in that.
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の粒子線治療装置であって、  The particle beam therapy system according to any one of claims 1 to 3, wherein
前記入射点対して前記ビーム出射経路の基端の反対側に、前記ビーム周回領域を周回する荷電粒子ビームを周回する軌道から蹴りだすマスレスセプタムを有する  A massless septum is provided on the opposite side of the proximal end of the beam emission path with respect to the incident point, the massless septum kicking from the orbit of the charged particle beam orbiting the beam orbiting region.
ことを特徴とする粒子線治療装置。  Particle therapy apparatus characterized in that.
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