JP6545924B2 - 粗化硬化体、積層体、プリント配線板及び半導体装置 - Google Patents
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Description
[1] 無機充填材含有量が50質量%以上である熱硬化性樹脂組成物の熱硬化体を粗化処理して得られる粗化硬化体であって、
X線光電子分光法により測定した、表面のSi量が25atom%以下であり、かつ表面のO量が25atom%以上である、粗化硬化体。
[2] 表面のSi量に対するO量の比(O/Si)が2.1以上である、[1]に記載の粗化硬化体。
[3] 熱硬化体の表面の引っかき硬度(JIS K5600−5−4)がH以上である、[1]又は[2]に記載の粗化硬化体。
[4] X線光電子分光法により測定した、熱硬化体の表面のSi量が2atom%未満である、[1]〜[3]のいずれかに記載の粗化硬化体。
[5] 粗化処理における単位表面積当たりのエッチング量が2g/m2以下である、[1]〜[4]のいずれかに記載の粗化硬化体。
[6] 表面の算術平均粗さRaが300nm以下である、[1]〜[5]のいずれかに記載の粗化硬化体。
[7] [1]〜[6]のいずれかに記載の粗化硬化体と、該粗化硬化体の表面に形成された導体層とを備える積層体。
[8] 粗化硬化体と導体層との剥離強度が0.3kgf/cm以上である、[7]に記載の積層体。
[9] [1]〜[6]のいずれかに記載の粗化硬化体により絶縁層が形成されたプリント配線板。
[10] [9]に記載のプリント配線板を含む半導体装置。
本発明の粗化硬化体は、無機充填材含有量が50質量%以上である熱硬化性樹脂組成物の熱硬化体を粗化処理して得られたものであり、X線光電子分光法により測定した、表面のSi量が25atom%以下であり、かつ表面のO量が25atom%以上であることを特徴とする。
なお、粗化硬化体の表面のSi原子は、後述する無機充填材及びその表面処理剤に由来するものである。Si原子は、導体層(金属層)との密着性に寄与しない非極性原子であることから、導体層に対して優れた剥離強度を呈する粗化硬化体を得る観点からは、本発明の粗化硬化体の表面のSi量は少ないほど好ましい。
なお、粗化硬化体の表面のO原子は、後述する無機充填材、その表面処理剤、熱硬化性樹脂、硬化剤等のO原子含有成分に由来するものである。O原子は、導体層(金属層)との密着性に寄与する極性原子であることから、導体層に対して優れた剥離強度を呈する粗化硬化体を得る観点から、本発明の粗化硬化体の表面のO量は上記の下限値の条件を満たすことが好ましい。
装置型式:QUANTERA SXM(アルバックファイ社製 全自動走査型X線光電子分光分析装置)
到達真空度:7.0×10−10Torr
X線源:単色化 Al Kα(1486.6eV)
分光器:静電同心半球型分析器
検出器:多チャンネル式(32 Multi−Channel Detector)
中和銃設定 電子:1.0 V (20μA)、イオン:10.0V(7mA)
[サーベイスペクトル(ワイドスキャン)]
X線ビーム径:100μmΦ(HPモード、100.6W、20kV)
測定領域:1400μm×100μm
信号の取り込み角:45.0°
パスエネルギー:280.0eV
なお、粗化硬化体の表面の算術平均粗さRaは、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。非接触型表面粗さ計の具体例としては、ビーコインスツルメンツ製の「WYKO NT3300」が挙げられる。
本発明の粗化硬化体は、無機充填材含有量が50質量%以上である熱硬化性樹脂組成物の熱硬化体を粗化処理して得られる。得られる粗化硬化体(絶縁層)の熱膨張率を十分に低下させる観点から、熱硬化性樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、好ましくは55質量%以上であり、より好ましくは60質量%以上、さらに好ましくは65質量%以上である。
なお、本発明において、熱硬化性樹脂組成物を構成する各成分の含有量は、熱硬化性樹脂組成物中の不揮発成分の合計を100質量%としたときの値である。
以下、樹脂組成物の材料として使用し得るエポキシ樹脂、硬化剤、及び添加剤について説明する。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂及びトリメチロール型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されないが、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤が挙げられる。硬化剤は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
表面のSi原子とO原子の割合が所望の範囲にある粗化硬化体を容易に実現できる観点から、熱硬化性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、及びポリスルホン樹脂等が挙げられ、中でも、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
(A)無機充填材含有量が50質量%以上である熱硬化性樹脂組成物を熱硬化させて熱硬化体を形成する工程
(B)熱硬化体を粗化処理して粗化硬化体を形成する工程
本発明の積層体は、本発明の粗化硬化体と、該粗化硬化体の表面に形成された導体層とを備える。
本発明の積層体は、粗化硬化体の表面の算術平均粗さRaが350nm未満と小さいにもかかわらず、このように高い剥離強度を呈することから、プリント配線板の微細配線化に著しく寄与するものである。
なお本発明において、粗化硬化体と導体層との剥離強度とは、導体層を粗化硬化体に対して垂直方向(90度方向)に引き剥がしたときの剥離強度(90度ピール強度)をいい、導体層を粗化硬化体に対して垂直方向(90度方向)に引き剥がしたときの剥離強度を引っ張り試験機で測定することにより求めることができる。引っ張り試験機としては、例えば、(株)TSE製の「AC−50C−SL」等が挙げられる。
本発明のプリント配線板は、本発明の硬化体により絶縁層が形成されることを特徴とする。
上記のプリント配線板を用いて、半導体装置を製造することができる。
(1)回路基板の下地処理
内層回路の形成されたガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔厚さ18μm、基板厚さ0.3mm、松下電工(株)製「R5715ES」)の両面を、メック(株)製「CZ8100」に浸漬し1μmエッチングして銅表面の粗化処理を行った。
実施例及び比較例で作製した接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター(名機(株)製「MVLP-500」)を用いて、熱硬化性樹脂組成物層が内層回路基板と接合するように、内層回路基板の両面にラミネート処理した。ラミネート処理は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaで30秒間プレスすることにより行った。
熱硬化性樹脂組成物層のラミネート処理後、熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させて、内層回路基板の両面上に熱硬化体を形成した。その際、実施例1〜4及び比較例1、2に関しては、支持体であるPETフィルムを剥離した後に熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させた。実施例5に関しては、支持体であるPETフィルムが付着した状態で熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させた。
熱硬化性樹脂組成物層の熱硬化は、実施例1、2、4及び5に関しては下記ステップ条件にて、実施例3及び比較例1、2に関しては下記ノンステップ条件にて、それぞれ実施した。
ステップ条件:室温(20℃)から10℃/分にて昇温し100℃で30分間保持した後、10℃/分にて昇温し180℃で30分間保持
ノンステップ条件:室温(20℃)から10℃/分にて昇温し180℃で30分間保持
両面上に熱硬化体が形成された内層回路基板を、膨潤液(アトテックジャパン(株)「スエリングディップ・セキュリガントP」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル含有の水酸化ナトリウム水溶液)に60℃で5分間浸漬し、次いで酸化剤(アトテックジャパン(株)「コンセントレート・コンパクトP」、過マンガン酸カリウム濃度約6質量%、水酸化ナトリウム濃度約4質量%の水溶液)に80℃で20分間浸漬した。その後、1分間水洗した後、中和液(アトテックジャパン(株)「リダクションショリューシン・セキュリガントP」、硫酸ヒドロキシルアミン水溶液)に40℃で5分間浸漬し、内層回路基板の両面上に粗化硬化体を形成した。
得られた粗化硬化体について、表面のSi量、表面O量、表面の算術平均粗さRaを測定した。
セミアディティブ法に従って、粗化硬化体の表面に導体層を形成した。
すなわち、両面上に粗化硬化体が形成された内層回路基板を、パラジウム化合物(Pd)を含む無電解銅めっき液に浸漬し、粗化硬化体表面にめっきシード層を形成した。その後、150℃にて30分間加熱してアニール処理を行った後に、めっきシード層上にエッチングレジストを形成し、エッチングによりめっきシード層をパターン形成した。次いで、硫酸銅電解めっきを行い、30±5μmの厚さの銅層を形成した後、180℃にて60分間アニール処理し、粗化硬化体の表面に導体層を形成した。
熱硬化体の表面の引っかき硬度は、JIS K5600−5−4に準拠して測定した。測定に使用した鉛筆は三菱鉛筆(株)製「uni」であった。
熱硬化体の単位表面積当たりのエッチング量は、下記に従って評価した。
すなわち、実施例及び比較例で調製した樹脂ワニスを、アルキド樹脂系離型層付きPETフィルム((株)リンテック製「AL-5」が塗布されたPETフィルム、以下「離型層付きPET」という)上に、ダイコータにて均一に塗布し、75℃で3分間乾燥させて、厚さ10μmの熱硬化性樹脂組成物層を形成した。次いで、実施例1、2、4及び5に関しては上記「ステップ条件」にて、また実施例3及び比較例1、2に関しては上記「ノンステップ条件」にて、それぞれ加熱して熱硬化体を得た。その後、離型層付きPETを剥離して、130℃で15分間乾燥させた。得られた試料の乾燥直後の質量(初期の質量(X1))を測定した。次いで、上記〔測定・評価用サンプルの調製〕欄の「(4)粗化処理」と同一条件にて熱硬化体の表面を粗化処理した。粗化処理の後、水洗し、130℃で15分間乾燥させた。得られた粗化試料の乾燥直後の質量(粗化処理後の質量(X2))を測定した。そして、下記式により、各熱硬化体の単位表面積当たりのエッチング量を求めた。
熱硬化体の表面Si量及び表面O量は、下記の測定装置および測定条件を用いて、X線光電子分光法により測定した。粗化硬化体の表面Si量及び表面O量も同様にして測定した。
〔測定装置〕
装置型式:QUANTERA SXM(アルバックファイ社製 全自動走査型X線光電子分光分析装置)
到達真空度:7.0×10−10Torr
X線源:単色化 Al Kα(1486.6eV)
分光器:静電同心半球型分析器
検出器:多チャンネル式(32 Multi−Channel Detector)
中和銃設定 電子:1.0 V (20μA)、イオン:10.0V(7mA)
〔測定条件〕
[サーベイスペクトル(ワイドスキャン)]
X線ビーム径:100μmΦ(HPモード、100.6W、20kV)
測定領域:1400μm×100μm
信号の取り込み角:45.0°
パスエネルギー:280.0eV
粗化硬化体の表面の算術平均粗さRaは、非接触型表面粗さ計(ビーコインスツルメンツ社製「WYKO NT3300」)を用いて、VSIコンタクトモード、50倍レンズにより測定範囲を121μm×92μmとして得られる数値により求めた。各粗化硬化体について、10点の平均値を求めた。
粗化硬化体と導体層との剥離強度は、下記に従って測定した。
すなわち、得られた積層体の導体層に、幅10mm、長さ100mmの部分の切込みをいれ、この一端を剥がしてつかみ具で掴み、室温中にて、50mm/分の速度で垂直方向に35mmを引き剥がした時の荷重(kgf/cm)を測定し、剥離強度を求めた。測定には、引っ張り試験機((株)TSE製、「AC−50C−SL」)を使用した。
(1)樹脂ワニス1の調製
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「jER828EL」)10部、ビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量269、日本化薬(株)製「NC3000L」)20部、4官能ナフタレン型エポキシ樹脂(エポキシ当量163、DIC(株)製「HP4700」)6部、及びフェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YL7553BH30」、固形分30質量%のMEKとシクロヘキサノンの1:1溶液、重量平均分子量35000)10部を、MEK5部、シクロヘキサノン5部及びソルベントナフサ15部の混合溶媒に撹拌しながら加熱溶解させた。室温まで冷却した後、そこへ、トリアジン含有フェノールノボラック系硬化剤(水酸基当量125、DIC(株)製「LA7054」、固形分60質量%のMEK溶液)15部、ナフトール系硬化剤(水酸基当量215、東都化成(株)製「SN−485」、固形分60%のMEK溶液)15部、アミン系硬化促進剤(4−ジメチルアミノピリジン(DMAP)、固形分5質量%のMEK溶液)1部、イミダゾール系硬化促進剤(1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、四国化成工業(株)製「1B2PZ」、固形分5質量%のMEK溶液)0.3部、難燃剤(三光(株)製「HCA−HQ」、10-(2,5-ジヒドロキシフェニル)-10-ヒドロ-9-オキサ-10-フォスファフェナンスレン-10-オキサイド、平均粒径2μm)5部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(平均粒径0.5μm、(株)アドマテックス製「SOC2」、単位面積当たりのカーボン量0.39mg/m2)140部、ポリビニルブチラール樹脂(積水化学工業(株)製「KS−1」、固形分15重量%のエタノールとトルエンの1:1溶液)15部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス1を調製した。
(2)接着フィルム1の作製
支持体として、厚さ38μmのPETフィルムを用意した。該支持体の表面に、上記(1)で得られた樹脂ワニス1を、乾燥後の熱硬化性樹脂組成物層の厚さが40μmとなるようにダイコーターにて均一に塗布し、80〜120℃(平均100℃)で6分間乾燥させることにより、接着フィルム1を作製した。
ナフトール系硬化剤(水酸基当量215、東都化成(株)製「SN−485」、固形分60%のMEK溶液)15部に代えて、ジシクロペンタジエン型フェノールノボラック型硬化剤(水酸基当量192、群栄化学工業(株)製「GDP−6140」、固形分50%のMEK溶液)16部を使用した以外は、作製例1と同様にして樹脂ワニス2を調製した。
得られた樹脂ワニス2を使用して、作製例1と同様にして接着フィルム2を作製した。
(1)樹脂ワニス3の調製
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「jER828EL」)15部、及びビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量291、日本化薬(株)製「NC3000H」)15部を、MEK15部とシクロヘキサノン15部の混合溶媒に撹拌しながら加熱溶解させた。室温まで冷却した後、そこへ、活性エステル系硬化剤(活性エステル当量223、DIC(株)製「HPC−8000−65T」、固形分65%のトルエン溶液)20部、トリアジン含有クレゾールノボラック樹脂(フェノール当量151、DIC(株)製「LA3018−50P」、固形分50%の2-メトキシプロパノール溶液)6部、アミン系硬化促進剤(4−ジメチルアミノピリジン(DMAP)、固形分5質量%のMEK溶液)1部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(平均粒径0.5μm、(株)アドマテックス製「SOC2」、単位面積当たりのカーボン量0.39mg/m2)110部、フェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YL7553BH30」、固形分30質量%のMEKとシクロヘキサノンの1:1溶液、重量平均分子量35000)7部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス3を調製した。
(2)接着フィルム3の作製
上記(1)で得た樹脂ワニス3を用いて、作製例1と同様にして接着フィルム3を作製した。
アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(平均粒径0.5μm、(株)アドマテックス製「SOC2」、単位面積当たりのカーボン量0.39mg/m2)の配合量を、140部から200部へと変更した以外は、作製例1と同様にして樹脂ワニス4を調製した。
得られた樹脂ワニス4を使用して、作製例1と同様にして接着フィルム4を作製した。
アミン系硬化促進剤(4−ジメチルアミノピリジン(DMAP)、固形分5質量%のMEK溶液)1部及びイミダゾール系硬化促進剤(1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、四国化成工業(株)製「1B2PZ」、固形分5質量%のMEK溶液)0.3部に代えて、リン系硬化促進剤(テトラフェニルホスホニウムテトラ−p−トリルボレート、北興産業(株)製「TPP−MK」)2部を使用した以外は、作製例1と同様にして樹脂ワニス5を調製した。
得られた樹脂ワニス5を使用して、作製例1と同様にして接着フィルム5を作製した。
フェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YL7553BH30」、固形分30質量%のMEKとシクロヘキサノンの1:1溶液、重量平均分子量35000)10部を使用しなかった以外は、作製例1と同様にして樹脂ワニス6を調製した。
得られた樹脂ワニス6を使用して、作製例1と同様にして接着フィルム6を作製した。
接着フィルム1を用いて、上記〔測定・評価用サンプルの調製〕の手順に従って、プリント配線板を製造した。各評価結果を表2に示す。
接着フィルム2を用いて、上記〔測定・評価用サンプルの調製〕の手順に従って、プリント配線板を製造した。各評価結果を表2に示す。
接着フィルム3を用いて、上記〔測定・評価用サンプルの調製〕の手順に従って、プリント配線板を製造した。各評価結果を表2に示す。
接着フィルム4を用いて、上記〔測定・評価用サンプルの調製〕の手順に従って、プリント配線板を製造した。各評価結果を表2に示す。
接着フィルム2を用いて、上記〔測定・評価用サンプルの調製〕の手順に従って、プリント配線板を製造した。各評価結果を表2に示す。
接着フィルム5を用いて、上記〔測定・評価用サンプルの調製〕の手順に従って、プリント配線板を製造した。各評価結果を表2に示す。
接着フィルム6を用いて、上記〔測定・評価用サンプルの調製〕の手順に従って、プリント配線板を製造した。各評価結果を表2に示す。
Claims (9)
- 無機充填材含有量が50質量%以上である熱硬化性樹脂組成物の熱硬化体を粗化処理して得られる粗化硬化体であって、
前記無機充填材がシリカであり、
X線光電子分光法により測定した、表面のSi量が25atom%以下であり、かつ表面のO量が25atom%以上であり、
前記熱硬化性樹脂組成物がフェノキシ樹脂を含む、
粗化硬化体(ただし、前記熱硬化性樹脂組成物が活性エステル系硬化剤を含む場合を除く)。 - 無機充填材含有量が50質量%以上である熱硬化性樹脂組成物の熱硬化体を粗化処理して得られる粗化硬化体であって、
前記無機充填材がシリカであり、
X線光電子分光法により測定した、表面のSi量が25atom%以下であり、かつ表面のO量が25atom%以上であり、
前記熱硬化性樹脂組成物が、熱硬化性樹脂組成物中の不揮発成分の合計を100質量%としたときに熱可塑性樹脂を0.1質量%〜20質量%含む、
粗化硬化体(ただし、前記熱硬化性樹脂組成物が活性エステル系硬化剤を含む場合を除く)。 - 前記熱硬化性樹脂組成物がアミン系硬化促進剤及びイミダゾール系硬化促進剤から選ばれる硬化促進剤を含む、請求項1又は2に記載の粗化硬化体。
- 表面のSi量に対するO量の比(O/Si)が2.1以上である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の粗化硬化体。
- 表面の算術平均粗さRaが300nm以下である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の粗化硬化体。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の粗化硬化体と、該粗化硬化体の表面に形成された導体層とを備える積層体。
- 粗化硬化体と導体層との剥離強度が0.3kgf/cm以上である、請求項6に記載の積層体。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の粗化硬化体により絶縁層が形成されたプリント配線板。
- 請求項8に記載のプリント配線板を含む半導体装置。
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