JP6546084B2 - Printed wiring board substrate and method of manufacturing printed wiring board substrate - Google Patents
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Description
本発明は、プリント配線板用基板及びプリント配線板用基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a printed wiring board and a method of manufacturing the printed wiring board.
例えば樹脂等で形成される絶縁性のベースフィルムの少なくとも一方の面に、例えば金属等で形成される金属層が積層され、この金属層をエッチングすることで導電パターンを形成してプリント配線板を得るためのプリント配線板用基板が広く使用されている。 For example, a metal layer formed of, for example, a metal or the like is laminated on at least one surface of an insulating base film formed of, for example, a resin, and a conductive pattern is formed by etching the metal layer to form a printed wiring board. Substrates for printed wiring boards to obtain such are widely used.
このようなプリント配線板用基板を使用して形成したプリント配線板に曲げ応力が作用した際に、ベースフィルムから金属層が剥離しないよう、ベースフィルムと金属層との剥離強度が大きいプリント配線板用基板が求められている。 A printed wiring board having a large peeling strength between a base film and a metal layer so as not to peel the metal layer from the base film when bending stress acts on the printed wiring board formed using such a printed wiring board Substrates are required.
また、近年、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、プリント配線板の高密度化が要求されている。高密度化されたプリント配線板は、導電パターンの微細化に伴って導電パターンがベースフィルムから剥離し易くなる。そのため、このような高密度化の要求を満たすプリント配線板用基板として、微細な導電パターンが形成できると共に金属層及びベースフィルム間の密着性に優れたプリント配線板用基板が求められている。 Further, in recent years, with the miniaturization and high performance of electronic devices, the densification of printed wiring boards has been required. In the printed wiring board having a high density, the conductive pattern is easily peeled off from the base film as the conductive pattern is miniaturized. Therefore, as a printed wiring board substrate satisfying such a demand for higher density, a printed wiring board substrate capable of forming a fine conductive pattern and having excellent adhesion between a metal layer and a base film is required.
このような要求に対し、ベースフィルムの少なくとも一方の面に、例えばスパッタリング法等を用いて銅薄膜層を形成し、その上に電気めっき法を用いて銅厚膜層を形成することで、金属層とベースフィルムとの間の密着力を大きくする技術が公知である。しかし、ベースフィルムに金属層を直接積層した場合、時間経過と共に、金属層の金属原子がベースフィルム中に拡散し、金属層とベースフィルムとの間の密着性を低下させることが知られている。 To meet such requirements, a copper thin film layer is formed on at least one surface of the base film using, for example, a sputtering method, and a copper thick film layer is formed on the copper thin film layer using an electroplating method. Techniques for increasing the adhesion between the layer and the base film are known. However, when the metal layer is directly laminated to the base film, it is known that the metal atoms of the metal layer diffuse into the base film with time and the adhesion between the metal layer and the base film is reduced. .
そこで、銅箔のベースフィルムに対する接合面にスパッタリングによってクロムの薄膜を蒸着し、ベースフィルムに対して熱圧着する技術が提案されている(特開2000−340911号公報参照)。このように、金属層とベースフィルムとの界面に金属層の主金属とは異なる種類の金属の薄膜を介在させることによって、金属層の主金属のベースフィルムへの移動を阻害し、金属層の金属原子のベースフィルムへの拡散による金属層とベースフィルムとの間の密着性の低下を抑制する効果が得られる。 Then, the technique of vapor-depositing the chromium thin film by sputtering on the joining surface with respect to the base film of copper foil, and thermocompression-bonding with respect to a base film is proposed (refer Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-340911). Thus, by interposing a thin film of a metal different in type from the main metal of the metal layer at the interface between the metal layer and the base film, the transfer of the metal layer to the base film of the main metal is inhibited. The effect of suppressing the decrease in adhesion between the metal layer and the base film due to the diffusion of metal atoms into the base film is obtained.
上記公報に記載される構成では、銅箔の一方の面にスパッタリング法を用いてクロムの薄膜を形成しているので、真空設備を必要とし、設備の建設、維持、運転等におけるコストが高くなる。また設備面において、基板のサイズを大きくすることに限界がある。 In the configuration described in the above publication, since a chromium thin film is formed on one side of the copper foil using a sputtering method, vacuum equipment is required, and the cost for construction, maintenance, operation, etc. of the equipment becomes high. . In addition, there is a limit in increasing the size of the substrate in terms of equipment.
本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、比較的安価で時間経過によるベースフィルムと金属層との密着性の低下が比較的小さいプリント配線板用基板及びプリント配線板用基板の製造方法を提供することを課題とする。 The present invention has been made based on the above-mentioned circumstances, and is for a printed wiring board and a printed wiring board, which are relatively inexpensive and in which the decrease in adhesion between the base film and the metal layer over time is relatively small. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a substrate.
上記課題を解決するためになされた本発明の一態様に係るプリント配線板用基板は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される金属層とを備えるプリント配線板用基板であって、上記ベースフィルムにおける金属層との界面から厚さ方向に1μmの表層領域にコバルト原子を含有し、このコバルト原子の含有率が1atomic%以上15atomic%以下である。 A substrate for a printed wiring board according to one aspect of the present invention made to solve the above problems is a printed wiring comprising a base film having an insulating property, and a metal layer laminated on at least one surface of the base film. It is a board | substrate for board | substrates, Comprising: A cobalt atom is contained in surface layer area | region of 1 micrometer in thickness direction from the interface with the metal layer in the said base film, The content rate of this cobalt atom is 1 atomic% or more and 15 atomic% or less.
また、上記課題を解決するためになされた本発明の別の態様に係るプリント配線板用基板の製造方法は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される金属層とを備えるプリント配線板用基板の製造方法であって、上記ベースフィルムの少なくとも一方の面をアルカリ処理する工程と、上記アルカリ処理工程後のベースフィルムの少なくとも一方の面にコバルトイオン含有水溶液を接触させる工程と、上記接触工程後のベースフィルムの少なくとも一方の面に金属層を積層する工程とを備える。 In addition, a method for manufacturing a substrate for a printed wiring board according to another aspect of the present invention made to solve the above problems includes a base film having an insulating property, and a metal laminated on at least one surface of the base film. And producing a substrate for a printed wiring board having a layer, wherein at least one surface of the base film is alkali-treated, and at least one surface of the base film after the alkali treatment step is an aqueous solution containing cobalt ions. And a step of contacting, and a step of laminating a metal layer on at least one surface of the base film after the contacting step.
本発明の一態様に係るプリント配線板用基板及び本発明の別の態様に係るプリント配線板用基板の製造方法によって得られるプリント配線板用基板は、比較的安価で時間経過によるベースフィルムと金属層との密着性の低下が比較的小さい。 A substrate for a printed wiring board according to one aspect of the present invention and a substrate for a printed wiring board obtained by the method for producing a printed wiring board according to another aspect of the present invention are a relatively inexpensive base film and metal over time. The decrease in adhesion with the layer is relatively small.
[本発明の実施形態の説明]
本発明の一態様に係るプリント配線板用基板は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される金属層とを備えるプリント配線板用基板であって、上記ベースフィルムにおける金属層との界面から厚さ方向に1μmの表層領域にコバルト原子を含有し、このコバルト原子の含有率が1atomic%以上15atomic%以下である。
Description of the embodiment of the present invention
A printed wiring board substrate according to one aspect of the present invention is a printed wiring board substrate including a base film having an insulating property, and a metal layer laminated on at least one surface of the base film, A cobalt atom is contained in a surface region of 1 μm in the thickness direction from the interface with the metal layer in the film, and the content of this cobalt atom is 1 atomic% or more and 15 atomic% or less.
当該プリント配線板用基板は、ベースフィルムにおける金属層との界面から厚さ方向に1μmまでの表層領域に、上記含有率範囲内のコバルト原子を含有するので、このコバルト原子が金属層の金属原子のベースフィルムへの拡散を抑制できる。ベースフィルムにコバルト原子を含有させる処理は、例えばベースフィルムへのコバルトイオン含有水溶液の接触等によって比較的容易に行うことができる。このため、当該プリント配線板用基板は、比較的安価でありながら、経時変化によるベースフィルムと金属層との密着性の低下が比較的小さい。 The printed wiring board substrate contains cobalt atoms within the above content range in the surface layer region up to 1 μm in the thickness direction from the interface with the metal layer in the base film, and therefore this cobalt atom is a metal atom of the metal layer Diffusion to the base film. The treatment of causing the base film to contain cobalt atoms can be performed relatively easily, for example, by contacting the base film with a cobalt ion-containing aqueous solution. Therefore, the printed wiring board substrate is relatively inexpensive, but the decrease in the adhesion between the base film and the metal layer due to the change with time is relatively small.
上記金属層が金属粒子の焼結体層を含むとよい。このように、上記金属層が金属粒子の焼結体層を含むことによって、比較的安価に金属層を形成できる。 The metal layer may include a sintered layer of metal particles. Thus, when the said metal layer contains the sintered compact layer of a metal particle, a metal layer can be formed comparatively cheaply.
上記金属層がめっき層を含むとよい。このように、上記金属層がめっき層を含むことによって、金属層を比較的緻密で導電性に優れるものとすることができる。 The metal layer may include a plating layer. As described above, when the metal layer includes the plating layer, the metal layer can be relatively dense and excellent in conductivity.
上記コバルト原子がベースフィルムを構成するポリマーに化学結合しているとよい。このように、上記コバルト原子がベースフィルムを構成するポリマーに化学結合していることによって、金属層の金属原子がベースフィルムを構成するポリマーの官能基と反応してポリマー中に取り込まれることを抑制できるので、金属層の金属原子がベースフィルム中に拡散することをより確実に防止して、ベースフィルムと金属層との密着性の低下をより確実に抑制できる。 It is preferable that the cobalt atom be chemically bonded to the polymer constituting the base film. Thus, the chemical bonding of the cobalt atom to the polymer constituting the base film prevents the metal atoms of the metal layer from reacting with the functional groups of the polymer constituting the base film and being incorporated into the polymer. Since this can be performed, the diffusion of the metal atoms of the metal layer into the base film can be more reliably prevented, and the decrease in the adhesion between the base film and the metal layer can be suppressed more reliably.
本発明の別の態様に係るプリント配線板用基板の製造方法は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される金属層とを備えるプリント配線板用基板の製造方法であって、上記ベースフィルムの少なくとも一方の面をアルカリ処理する工程と、上記アルカリ処理工程後のベースフィルムの少なくとも一方の面にコバルトイオン含有水溶液を接触させる工程と、上記接触工程後のベースフィルムの少なくとも一方の面に金属層を積層する工程とを備える。 A method of manufacturing a printed wiring board according to another aspect of the present invention is a method of manufacturing a printed wiring board including a base film having insulation properties and a metal layer laminated on at least one surface of the base film. A method, comprising: alkali treating at least one surface of the base film; contacting an aqueous solution containing cobalt ions with at least one surface of the base film after the alkali treatment; and a base after the contact process. Laminating a metal layer on at least one surface of the film.
当該プリント配線板用基板の製造方法は、アルカリ処理工程後のベースフィルムの少なくとも一方の面にコバルトイオン含有水溶液を接触させる工程を備えるので、アルカリ処理によってベースフィルムを構成するポリマーに形成される比較的反応性に富んだ官能基と水溶液中のコバルトイオンとが反応してベースフィルムを構成するポリマーにコバルトが化学結合すると考えられる。これにより、ベースフィルムの表層領域にコバルト原子を含有させることができ、このコバルト原子によって金属層の金属原子がベースフィルム中に拡散することを抑制できる。このため、当該プリント配線板用基板の製造方法によって得られるプリント配線板用基板は、比較的安価でありながら、経時変化によるベースフィルムと金属層との密着性の低下が比較的小さい。 The method for producing a substrate for a printed wiring board includes the step of bringing a cobalt ion-containing aqueous solution into contact with at least one surface of the base film after the alkali treatment step. It is considered that cobalt reacts chemically with the polymer constituting the base film by the reaction between the highly reactive functional group and the cobalt ion in the aqueous solution. Thereby, cobalt atoms can be contained in the surface region of the base film, and the cobalt atoms can suppress the diffusion of metal atoms of the metal layer into the base film. For this reason, although the board | substrate for printed wiring boards obtained by the manufacturing method of the said board | substrate for printed wiring boards is comparatively cheap, the fall of the adhesiveness of the base film and metal layer by a time-dependent change is comparatively small.
上記コバルトイオン含有水溶液が酢酸コバルト水溶液であるとよい。このように、上記コバルトイオン含有水溶液が酢酸コバルト水溶液であることによって、比較的効率よくベースフィルムの表層領域にコバルト原子を含有させることができるので、経時変化によるベースフィルムと金属層との密着性の低下をより効果的に抑制できる。 The cobalt ion-containing aqueous solution is preferably a cobalt acetate aqueous solution. As described above, when the cobalt ion-containing aqueous solution is a cobalt acetate aqueous solution, cobalt atoms can be relatively efficiently contained in the surface layer region of the base film, and therefore, the adhesion between the base film and the metal layer due to aging. Can be more effectively suppressed.
上記金属層積層工程が、ベースフィルムの少なくとも一方の面への金属粒子分散液の塗布及び加熱を行う工程を有するとよい。このように、上記金属層積層工程が、ベースフィルムの少なくとも一方の面への金属粒子分散液の塗布及び加熱を行う工程を有することによって、大規模な設備を必要とせず、比較的簡単かつ安価にベースフィルムの少なくとも一方の面に金属層を積層することができる。 The metal layer laminating step may include the step of applying the metal particle dispersion to at least one surface of the base film and heating the metal particle dispersion. Thus, the metal layer laminating step includes the step of applying the metal particle dispersion to at least one surface of the base film and heating the same, thereby eliminating the need for large-scale equipment and relatively simple and inexpensive. A metal layer can be laminated on at least one surface of the base film.
ここで、「原子の含有率」とは、例えばX線光電子分光法(ESCA:Electron Spectroscopy for Chemical Analysis又はXPS:X−ray Photoelectron Spectroscopy)、エネルギー分散型X線分光法(EDX:Energy Dispersive X−ray Spectroscopy又はEDS:Energy Dispersive X−ray Spectroscopy)、電子プローブマイクロアナリシス法(EPMA:Electron Probe Micro Analysis)、飛行時間型二次イオン質量分析法(TOF−SIMS:Time Of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)、二次イオン質量分析法(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)、オージェ電子分光法(AES:Auger Electron Spectroscopy)等により測定することができる。X線光電子分光法による場合は、測定条件として、X線源をアルミニウム金属のKアルファ線、ビーム径を50μm、分析する面に対するX線入射角度を45°とし、断面を走査することによって測定することができる。測定装置としては、例えばULVAC−Phi社製の走査型X線光電子分光分析装置「Quantera」等を使うことができる。 Here, “content of atom” means, for example, X-ray photoelectron spectroscopy (ESCA) or X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) ray spectroscopy or EDS (energy dispersive X-ray spectroscopy), electron probe micro analysis (EPMA), time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS), time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS) two Ion mass spectrometry (SIMS: Secondary Ion Mass Spectrometry), Auger electron spectroscopy can be measured by (AES Auger Electron Spectroscopy) and the like. In the case of X-ray photoelectron spectroscopy, measurement conditions are as follows: K alpha ray of aluminum metal, beam diameter 50 μm, X-ray incident angle to the surface to be analyzed 45 °, and scanning cross section be able to. As a measurement apparatus, for example, a scanning X-ray photoelectron spectrometer "Quantera" manufactured by ULVAC-Phi, etc. can be used.
[本発明の実施形態の詳細]
以下、本発明に係るプリント配線板用基板及びプリント配線板用基板の製造方法の各実施形態について図面を参照しつつ詳説する。
Details of the Embodiment of the Present Invention
Hereinafter, each embodiment of a printed wiring board and a method for manufacturing the printed wiring board according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[プリント配線板用基板]
本発明の一実施形態のプリント配線板用基板は、図1に示すように、絶縁性を有するベースフィルム1と、このベースフィルム1の一方の面(表面)に積層される金属層2とを備える。
[Board for printed wiring board]
As shown in FIG. 1, the printed wiring board substrate according to the embodiment of the present invention includes a
<ベースフィルム>
当該プリント配線板用基板のベースフィルム1は、金属層2との界面から厚さ方向に1μmの表層領域Aにコバルト原子を含有する。ベースフィルム1の表層領域Aに含有されるコバルト原子は、金属層2を構成する金属原子がベースフィルム1に拡散することを阻害する。また、ベースフィルム1の表層領域Aにコバルト原子を含有させる処理は比較的容易であるため、当該プリント配線板用基板は比較的安価に提供できる。従って、当該プリント配線板用基板は、比較的安価でありながら、経時変化によるベースフィルム1と金属層2との密着性の低下が比較的小さい。
<Base film>
The
この表層領域Aにおけるコバルト原子の含有率の下限としては、1atomic%であり、2atomic%が好ましく、5%がより好ましい。一方、表層領域Aにおけるコバルト原子の含有率の上限としては、15atomic%であり、13atomic%が好ましく、12%がより好ましい。表層領域Aにおけるコバルト原子の含有率が上記下限に満たない場合、金属層2の金属原子のベースフィルム1への拡散を十分に防止できず、経時変化によるベースフィルム1と金属層2との密着性の低下を十分に抑制できないおそれがある。逆に、表層領域Aにおけるコバルト原子の含有率が上記上限を超える場合、初期段階(当該プリント配線板用基板製造直後)におけるベースフィルム1と金属層2との密着性が不十分となるおそれがある。
The lower limit of the content of cobalt atoms in the surface layer region A is 1 atomic%, preferably 2 atomic%, and more preferably 5%. On the other hand, the upper limit of the content of cobalt atoms in the surface layer region A is 15 atomic%, preferably 13 atomic%, and more preferably 12%. When the content of cobalt atoms in the surface region A is less than the above lower limit, the diffusion of metal atoms of the
ベースフィルム1の厚さは、当該プリント配線板用基板を利用するプリント配線板によって設定されるものであり特に限定されないが、例えばベースフィルム1の平均厚さの下限としては、5μmが好ましく、12μmがより好ましい。一方、ベースフィルム1の平均厚さの上限としては、2mmが好ましく、1.6mmがより好ましい。ベースフィルム1の平均厚さが上記下限に満たない場合、ベースフィルム1ひいては当該プリント配線板用基板の強度が不十分となるおそれがある。逆に、ベースフィルム1の平均厚さが上記上限を超える場合、プリント配線板用基板が不必要に厚くなるおそれがある。
The thickness of the
ベースフィルム1の材質としては、例えばポリイミド、液晶ポリマー、フッ素樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等の可撓性を有する樹脂、紙フェノール、紙エポキシ、ガラスコンポジット、ガラスエポキシ、ポリテトラフルオロエチレン、ガラス基材等のリジッド材、硬質材料と軟質材料とを複合したリジッドフレキシブル材などを用いることが可能である。これらの中でも、金属酸化物等との結合力が大きく、絶縁性及び機械的強度に優れることから、ポリイミドを主成分とするポリマーが特に好ましい。
The material of the
このように、ベースフィルム1がポリマーによって構成される場合、上記コバルト原子は、ベースフィルム1を構成するポリマーに化学結合していることが好ましい。コバルト原子がベースフィルム1を構成するポリマーに化学結合していることによって、金属層2の金属原子がベースフィルム1を構成するポリマーの官能基と反応してポリマー中に取り込まれることを抑制できる。これにより、金属層2の金属原子がベースフィルム1中に拡散することをより確実に防止して、ベースフィルムと金属層との密着性の低下をより確実に抑制できる。
Thus, when the
(ポリイミド)
ベースフィルム1の主成分とされるポリイミドとしては、熱硬化性ポリイミド(縮合型ポリイミドともいう)又は熱可塑性ポリイミドを用いることができる。この中でも、耐熱性、引張強度、引張弾性率等の観点から熱硬化性ポリイミドが好ましい。
(Polyimide)
As polyimide which is a main component of the
上記ポリイミドは、1種の構造単位からなる単独重合体であっても2種以上の構造単位からなる共重合体であってもよいし、2種類以上の単独重合体をブレンドしたものであっても良いが、下記式(1)で表される構造単位を有するものが好ましい。 The polyimide may be a homopolymer consisting of one structural unit or a copolymer consisting of two or more structural units, or a blend of two or more homopolymers. Although it is preferable, one having a structural unit represented by the following formula (1) is preferable.
上記式(1)で表される構造単位は、例えばピロメリット酸二無水物と4,4’−ジアミノジフェニルエーテルとを用いてポリイミド前駆体であるポリアミド酸を合成し、これを加熱等によりイミド化することで得られる。 The structural unit represented by the said Formula (1) synthesize | combines the polyamic acid which is a polyimide precursor, using a pyromellitic dianhydride and 4, 4'- diamino diphenyl ether, for example, This is imidated by heating etc. It is obtained by doing.
上記構造単位の含有量の下限としては、10質量%が好ましく、15質量%がより好ましく、18質量%がさらに好ましい。一方、上記構造単位の含有量の上限としては、50質量%が好ましく、40質量%がより好ましく、35質量%がさらに好ましい。上記構造単位の含有量が上記下限に満たない場合、当該プリント配線板用基板ひいては当該プリント配線板用基板を用いて形成されるプリント配線板の強度が不十分となるおそれがある。逆に、上記構造単位の含有量が上記上限を超える場合、当該プリント配線板用基板の可撓性が不十分となるおそれがある。 As a minimum of content of the above-mentioned structural unit, 10 mass% is preferred, 15 mass% is more preferred, and 18 mass% is still more preferred. On the other hand, as a maximum of content of the above-mentioned structural unit, 50 mass% is preferred, 40 mass% is more preferred, and 35 mass% is still more preferred. If the content of the structural unit is less than the above lower limit, the strength of the printed wiring board and thus the printed wiring board formed using the printed wiring board may be insufficient. In contrast, when the content of the structural unit exceeds the upper limit, the flexibility of the printed wiring board may be insufficient.
ポリイミドを主成分とするベースフィルム1は、少なくとも金属層2との界面が改質されて、ポリイミドのイミド環の一部が開環していることが好ましい。このような改質は、例えばアルカリ処理、プラズマ処理等の公知の処理方法によって行うことができる。
In the
ベースフィルム1の金属層2との界面のイミド環の開環率の下限としては、3%が好ましく、15%がより好ましい。一方、ベースフィルム1の金属層2との界面のイミド環の開環率の上限としては、70%が好ましく、60%がより好ましい。ベースフィルム1の金属層2との界面のイミド環の開環率が上記下限に満たない場合、初期段階におけるベースフィルム1と金属層2との密着力が不十分となるおそれがある。逆に、ベースフィルム1の金属層2との界面のイミド環の開環率が上記上限を超える場合、ベースフィルム1の強度が不足し、基材破壊による金属層2の剥離が生じやすくなるおそれがある。
The lower limit of the ring opening ratio of the imide ring at the interface with the
なお、ベースフィルム1と金属層2との界面のイミド環の開環率は、例えば赤外吸収分析(infrared absorption spectrometry)により得られる吸収強度スペクトルにおけるイミド環を示すピーク強度から算出することができる。より詳しくは、ダイヤモンドプリズムを用いた1回反射ATR(Attenuated Total Reflection)測定装置を用いた赤外全反射吸収測定法により、ベースフィルム1と金属層2との界面のイミド環の開環率を測定することができる。
In addition, the ring-opening rate of the imide ring at the interface between the
赤外全反射吸収測定法による入射角45°での吸収強度スペクトルにおいて、波数1494cm−1のピーク強度は、ベンゼン環の数を示すピーク強度であり、ポリイミドのイミド環を開環した場合にも変化しない値である。一方、上記吸収強度スペクトルにおける波数1705cm−1のピーク強度は、イミド結合のカルボニル基の数を示すピーク強度であり、ポリイミドのイミド環が開環されることによって減少する値である。従って、上記吸収強度スペクトルにおける波数1494cm−1のピーク強度に対する波数1705cm−1のピーク強度の比からポリイミドのイミド環の開環率を概算することができる。具体的には、ポリイミドのイミド環の開環率は、上記吸収強度スペクトルにおける波数1494cm−1のピーク強度に対する波数1705cm−1のピーク強度の比に比例し、開環率が0%の場合に上記ピーク強度の比は約1.1となる。 In the absorption intensity spectrum at an incident angle of 45 ° by infrared total reflection absorptiometry, the peak intensity at a wavenumber of 1494 cm -1 is a peak intensity indicating the number of benzene rings, even when the imide ring of polyimide is opened. It is a value that does not change. On the other hand, the peak intensity at a wavenumber of 1705 cm −1 in the absorption intensity spectrum is a peak intensity indicating the number of carbonyl groups of imide bond, and is a value which decreases as the imide ring of the polyimide is opened. Therefore, it is possible to estimate the ring opening of the polyimide imide ring from the ratio of the peak intensity at a wavenumber of 1705 cm -1 to the peak intensity at a wavenumber of 1494cm -1 in the absorption intensity spectrum. Specifically, ring-opening of the polyimide of the imide ring is proportional to the ratio of the peak intensity at a wavenumber of 1705 cm -1 to the peak intensity at a wavenumber of 1494cm -1 in the absorption intensity spectrum, when opening ratio of 0% The ratio of the peak intensities is about 1.1.
また、ベースフィルム1と金属層2との界面の赤外吸収分析は、酸性溶液を用いたエッチングにより金属層2を除去することによって可能となる。
Moreover, the infrared absorption analysis of the interface of the
金属層2を除去するためのエッチングに用いる酸性溶液としては、一般的に金属層除去に用いられる酸性のエッチング液を使用でき、例えば塩化銅溶液、塩酸、硫酸、王水等が挙げられる。
As an acidic solution used for the etching for removing the
エッチング時の上記エッチング液の温度の下限としては、10℃が好ましく、20℃がより好ましい。一方、上記エッチング液の温度の上限としては、90℃が好ましく、70℃がより好ましい。上記エッチング液の温度が上記下限に満たない場合、エッチングに要する時間が長くなり、作業性が低下するおそれがある。逆に、上記エッチング液の温度が上記上限を超える場合、温度調節のためのエネルギーコストが不必要に増加するおそれがある。 As a minimum of the temperature of the above-mentioned etching liquid at the time of etching, 10 ° C is preferred and 20 ° C is more preferred. On the other hand, as an upper limit of the temperature of the above-mentioned etching solution, 90 ° C is preferred and 70 ° C is more preferred. When the temperature of the etching solution does not reach the lower limit, the time required for the etching may be long, and the workability may be lowered. Conversely, when the temperature of the etching solution exceeds the upper limit, the energy cost for temperature control may be unnecessarily increased.
上記エッチング時間の下限としては、1分が好ましく、10分がより好ましい。一方、上記エッチング時間の上限としては、60分が好ましく、30分がより好ましい。上記エッチング時間が上記下限に満たない場合、エッチング液の濃度が高くなり取り扱い難くなるおそれがある。逆に、上記エッチング時間が上記上限を超える場合、作業性が低下するおそれがある。 As a minimum of the above-mentioned etching time, 1 minute is preferred, and 10 minutes is more preferred. On the other hand, as an upper limit of the said etching time, 60 minutes are preferable and 30 minutes are more preferable. If the etching time is less than the lower limit, the concentration of the etching solution may be high, which may make it difficult to handle. On the contrary, when the above-mentioned etching time exceeds the above-mentioned upper limit, there is a possibility that workability may fall.
<金属層>
当該プリント配線板用基板において、金属層2は、金属粒子の焼結体層を含んでもよい。金属粒子の焼結体層は、真空設備等の大がかりな装置を必要とせず、比較的容易かつ安価に形成することができるので、金属粒子の焼結体層を設けることで当該プリント配線板用基板の製造コストを抑制することができる。
<Metal layer>
In the substrate for a printed wiring board, the
また、金属層2は、めっき(無電解めっき又は電気めっき)による金属の積層により形成されるめっき層を含んでもよい。めっき層を設けることで金属層2を比較的安価で緻密かつ導電性に優れるものとすることが容易となる。
In addition, the
具体的には、金属層2は、例えば図2に示すように、複数の金属粒子を焼結することによって、ベースフィルム1の表面に積層される焼結体層3と、この焼結体層3の表面に無電解めっきにより積層される無電解めっき層4と、この無電解めっき層4の表面に電気めっきによりさらに積層される電気めっき層5とを有する構成とすることができる。
Specifically, as shown in FIG. 2, the
金属層2の主金属としては、例えば銅、ニッケル、アルミニウム、金、銀等を用いることができる。この中でも、導電性がよく、ベースフィルム1との密着性に優れると共に、エッチングによるパターニングが容易で比較的安価な金属として、銅が好適に使用される。また、金属層2の主金属が銅である場合、ベースフィルム1の表層領域Aにコバルト原子を含有させることによる金属層2との密着性低下抑制効果が顕著となる。
As a main metal of the
(焼結体層)
焼結体層3は、ベースフィルム1の改質された面への上記金属層2の主金属となる金属を主成分とする複数の金属粒子を含む金属粒子分散液(インク)の塗工及び焼成によって、ベースフィルム1の表面に積層することができる。このように、金属粒子分散液を用いることで、ベースフィルム1の表面に容易かつ安価に金属層2を形成することができる。
(Sintered body layer)
The
焼結体層3を形成する金属粒子の平均粒子径の下限としては、1nmが好ましく、30nmがより好ましい。一方、上記金属粒子の平均粒子径の上限としては、500nmが好ましく、100nmがより好ましい。上記金属粒子の平均粒子径が上記下限に満たない場合、例えば上記金属粒子分散液中での金属粒子の分散性及び安定性が低下することにより、ベースフィルム1の表面に均一に積層することが容易でなくなるおそれがある。逆に、上記金属粒子の平均粒子径が上記上限を超える場合、金属粒子間の隙間が大きくなり、焼結体層3の空隙率を小さくすることが容易でなくなるおそれがある。なお、「平均粒子径」とは、レーザー回折法により測定される粒子径の分布において体積積算値が50%となる粒子径を意味する。
As a lower limit of the average particle diameter of the metal particle which forms the sintered
焼結体層3の平均厚さの下限としては、50nmが好ましく、100nmがより好ましい。一方、焼結体層3の平均厚さの上限としては、2μmが好ましく、1.5μmがより好ましい。焼結体層3の平均厚さが上記下限に満たない場合、平面視で金属粒子が存在しない部分が多くなり導電性が低下するおそれがある。逆に、焼結体層3の平均厚さが上記上限を超える場合、焼結体層3の空隙率を十分低下させることが困難となるおそれや、金属層2が不必要に厚くなるおそれがある。
As a lower limit of the average thickness of the sintered
(無電解めっき層)
無電解めっき層4は、焼結体層3の外面に無電解めっきを施すことにより、焼結体層3を形成する金属粒子の主金属と同一の金属を積層して形成される。また、無電解めっき層4は、焼結体層3の内部に含浸するよう形成されている。つまり、焼結体層3を形成する金属粒子間の隙間に無電解めっきにより主金属が充填されることにより、焼結体層3の内部の空隙を減少させている。このように、無電解めっき金属が金属粒子間の隙間に充填されることによって、金属粒子間の空隙を減少させることで、空隙が破壊起点となって焼結体層3がベースフィルム1から剥離することを抑制できる。
(Electroless plating layer)
The electroless plating layer 4 is formed by laminating the same metal as the main metal of the metal particles forming the
無電解めっき層4は、無電解めっきの条件によっては焼結体層3の内部にのみ形成される場合もある。一般論としては、焼結体層3の外面に形成される無電解めっき層4の平均厚さ(焼結体層3の内部のめっき金属の厚さを含まない)の下限としては、0.2μmが好ましく、0.3μmがより好ましい。一方、焼結体層3の外面に形成される無電解めっき層4の平均厚さの上限としては、1μmが好ましく、0.7μmがより好ましい。焼結体層3の外面に形成される無電解めっき層4の平均厚さが上記下限に満たない場合、無電解めっき層4が焼結体層3の金属粒子の隙間に十分に充填されず、空隙率を十分に低減できないことからベースフィルム1と金属層2との剥離強度が不十分となるおそれがある。逆に、焼結体層3の外面に形成される無電解めっき層4の平均厚さが上記上限を超える場合、無電解めっきに要する時間が長くなり製造コストが不必要に増大するおそれがある。
The electroless plating layer 4 may be formed only inside the
(電気めっき層)
電気めっき層5は、焼結体層3の外面側、つまり無電解めっき層4の外面に電気めっきにより上記主金属をさらに積層することで形成される。この電気めっき層5によって、金属層2の厚さを容易かつ正確に調節することができる。また、電気めっきを用いることにより、金属層2の厚さを短時間で大きくすることが可能である。
(Electroplated layer)
The
電気めっき層5の厚さは、当該プリント配線板用基板を用いて形成するプリント配線板に必要とされる導電パターンの種類や厚さに応じて設定されるものであって、特に限定されない。一般的には、電気めっき層5の平均厚さの下限としては、1μmが好ましく、2μmがより好ましい。一方、電気めっき層5の平均厚さの上限としては、100μmが好ましく、50μmがより好ましい。電気めっき層5の平均厚さが上記下限に満たない場合、金属層2が損傷し易くなるおそれがある。逆に、電気めっき層5の平均厚さが上記上限を超える場合、当該プリント配線板用基板が不必要に厚くなるおそれや、当該プリント配線板用基板の可撓性が不十分となるおそれがある。
The thickness of the
[プリント配線板用基板の製造方法]
当該プリント配線板用基板は、具体例として、図3に示すように、ベースフィルム1の表面をアルカリ処理する工程(ステップS1:アルカリ処理工程)と、アルカリ処理工程後のベースフィルム1の表面にコバルトイオン含有水溶液を接触させる工程(ステップS2:接触工程)と、接触工程後のベースフィルム1の表面に金属層2を積層する工程(ステップS3:積層工程)とを備える方法によって製造することができる。
[Method of manufacturing printed wiring board substrate]
As a specific example, as shown in FIG. 3, the printed wiring board substrate has a step of subjecting the surface of the
<アルカリ処理工程>
ステップS1のアルカリ処理工程では、ベースフィルム1の少なくとも金属層2を積層する予定の面にアルカリ液を接触させることによって、ベースフィルム1を構成するポリマーの結合を弱めて反応性を付与することで、後述する接触工程でベースフィルム1中にコバルト原子を含有させやすくする。典型的には、ポリイミドを主成分とするベースフィルム1のイミド環の一部を開環する。アルカリ処理工程では、ベースフィルム1全体をアルカリ液に浸漬してもよい。
<Alkali treatment process>
In the alkali treatment step of step S1, the alkali solution is brought into contact with the surface of the
このアルカリ処理工程で用いるアルカリ液としては、例えば水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等が挙げられ、一般的には水酸化ナトリウム水溶液が用いられる。 As an alkali liquid used at this alkali treatment process, sodium hydroxide aqueous solution, potassium hydroxide aqueous solution, etc. are mentioned, for example, Generally, sodium hydroxide aqueous solution is used.
アルカリ処理工程で用いるアルカリ液のpHとしては、例えば12以上15以下とすることができる。また、ベースフィルム1のアルカリ液との接触時間としては、例えば15秒以上10分以下とすることができる。アルカリ液の温度としては、例えば10℃以上70℃以下とすることができる。
The pH of the alkaline solution used in the alkaline treatment step can be, for example, 12 or more and 15 or less. Further, the contact time of the
また、アルカリ処理工程は、ベースフィルム1を水洗いする水洗工程を有することが好ましい。この水洗工程では、ベースフィルム1を水洗いして、ベースフィルム1の表面に付着しているアルカリ液を除去する。また、アルカリ処理工程は、水洗工程後に洗浄水を乾燥する乾燥工程を有することがさらに好ましい。ベースフィルム1中の水分を蒸発させることによって、ベースフィルム1内のイオンを金属や金属酸化物として析出させたり、ベースフィルム1の樹脂成分等と結合させることによって、ベースフィルム1の品質を安定化することができる。
Moreover, it is preferable that the alkali treatment process has a water washing process of washing the
<接触工程>
ステップS2の接触工程では、ベースフィルム1のアルカリ処理した面にコバルトイオン含有水溶液を接触させることにより、ベースフィルム1の表層領域Aにコバルト原子を導入する。具体的には、ベースフィルム1を構成するポリマーにアルカリ処理によって形成される比較的反応性に富んだ官能基とコバルトイオンとが反応し、ベースフィルム1を構成するポリマーにコバルト原子が化学結合することによって、ベースフィルム1の表層領域Aにコバルト原子が取り込まれると考えられる。この接触工程では、ベースフィルム1全体をコバルトイオン含有水溶液に浸漬してもよい。
<Contact process>
In the contact step of
上記コバルトイオン含有水溶液としては、例えば酢酸コバルト水溶液、臭化コバルト水溶液、塩化コバルト水溶液、安息香酸コバルト水溶液、硝酸コバルト水溶液等が挙げられ、入手及び取り扱いが比較的容易な酢酸コバルト水溶液が好適に用いられる。また、これらの水溶液は、コバルト化合物又はその水和物を水に溶解することによって調製することができる。 Examples of the cobalt ion-containing aqueous solution include cobalt acetate aqueous solution, cobalt bromide aqueous solution, cobalt chloride aqueous solution, cobalt benzoate aqueous solution, cobalt nitrate aqueous solution and the like, and a cobalt acetate aqueous solution relatively easy to obtain and handle is preferably used Be Also, these aqueous solutions can be prepared by dissolving a cobalt compound or a hydrate thereof in water.
コバルトイオン含有水溶液のコバルトイオン濃度の下限としては、0.05mol/Lが好ましく、0.1mol/Lがより好ましい。一方、コバルトイオン含有水溶液のコバルトイオン濃度の上限としては、2mol/Lが好ましく、1mol/Lがより好ましい。コバルトイオン含有水溶液のコバルトイオン濃度が上記下限に満たない場合、処理時間が長くなることで当該プリント配線板用基板の生産性が不十分となるおそれがある。逆に、コバルトイオン含有水溶液のコバルトイオン濃度が上記上限を超える場合、コバルト原子含有率の調整が容易ではなくなるおそれがある。 As a minimum of cobalt ion concentration of cobalt ion content solution, 0.05 mol / L is preferred, and 0.1 mol / L is more preferred. On the other hand, as a maximum of cobalt ion concentration of cobalt ion content solution, 2 mol / L is preferred and 1 mol / L is more preferred. When the cobalt ion concentration of the cobalt ion-containing aqueous solution is less than the above lower limit, the productivity of the printed wiring board substrate may be insufficient due to the long processing time. Conversely, when the cobalt ion concentration of the cobalt ion-containing aqueous solution exceeds the above upper limit, adjustment of the cobalt atom content may not be easy.
コバルトイオン含有水溶液の温度の下限としては、5℃が好ましく、10℃がより好ましい。一方、コバルトイオン含有水溶液の温度の上限としては、60℃が好ましく、45℃がより好ましい。コバルトイオン含有水溶液の温度が上記下限に満たない場合、処理時間が長くなることで当該プリント配線板用基板の生産性が不十分となるおそれがある。逆に、コバルトイオン含有水溶液の温度が上記上限を超える場合、コバルト原子含有率の調整が容易ではなくなるおそれや、温度調節のためのエネルギーコストが不必要に増大するおそれがある。 As a minimum of temperature of cobalt ion content solution, 5 ° C is preferred and 10 ° C is more preferred. On the other hand, as a maximum of temperature of cobalt ion content solution, 60 ° C is preferred and 45 ° C is more preferred. When the temperature of the cobalt ion-containing aqueous solution is less than the above lower limit, the productivity of the printed wiring board may be insufficient due to the long processing time. Conversely, when the temperature of the cobalt ion-containing aqueous solution exceeds the above upper limit, adjustment of the cobalt atom content may not be easy, and energy costs for temperature control may be unnecessarily increased.
ベースフィルム1へのコバルトイオン含有水溶液の接触時間の下限としては、0.5分が好ましく、1分がより好ましい。一方、ベースフィルム1へのコバルトイオン含有水溶液の接触時間の上限としては、10分が好ましく、5分がより好ましい。ベースフィルム1へのコバルトイオン含有水溶液の接触時間が上記下限に満たない場合、コバルトイオン含有水溶液の濃度を高くする必要があるので取り扱いが容易ではなくなるおそれがある。逆に、ベースフィルム1へのコバルトイオン含有水溶液の接触時間が上記上限を超える場合、当該プリント配線板用基板の生産性が不十分となるおそれがある。
As a minimum of contact time of cobalt ion content solution to
上記コバルトイオン含有水溶液のコバルトイオン濃度、温度及びベースフィルム1への最適な接触時間は、相互に影響し合うと共に、上記アルカリ処理の条件によっても異なるが、ベースフィルム1の表層領域Aにおける上述のコバルト原子含有率を達成できるよう適宜選択すればよい。
The cobalt ion concentration of the cobalt ion-containing aqueous solution, the temperature and the optimal contact time to the
<積層工程>
ステップS3の積層工程は、複数の金属粒子を含む金属粒子分散液の塗布及び加熱を行うことにより焼結体層3を形成する工程を有することが、比較的安価に金属層を形成できる点で好ましい。また、積層工程は、無電解めっきにより無電解めっき層4を形成する工程と、電気めっきにより電気めっき層5を形成する工程とを有することが好ましい。
<Lamination process>
The laminating step of step S3 includes the step of forming the
(焼結体層形成工程)
この焼結体層形成工程で用いる金属粒子分散液としては、金属粒子の分散媒と、この分散媒中に金属粒子を均一に分散させる分散剤とを含むものが好適に使用される。このように均一に金属粒子が分散する金属粒子分散液を用いることで、ベースフィルム1の表面に金属粒子を均一に付着させることができ、ベースフィルム1の表面に均一な焼結体層3を形成することができる。
(Sintered body layer forming process)
As the metal particle dispersion liquid used in this sintered body layer forming step, one containing a dispersion medium of metal particles and a dispersing agent for uniformly dispersing metal particles in the dispersion medium is suitably used. By using the metal particle dispersion liquid in which the metal particles are dispersed uniformly in this manner, the metal particles can be uniformly attached to the surface of the
上記金属粒子分散液に含まれる金属粒子は、高温処理法、液相還元法、気相法等で製造することができるが、粒子径が均一な粒子を比較的安価に製造できる液相還元法により製造されるものを使用することが好ましい。 The metal particles contained in the metal particle dispersion can be produced by a high temperature treatment method, a liquid phase reduction method, a gas phase method or the like, but a liquid phase reduction method capable of producing particles having a uniform particle diameter relatively inexpensively. It is preferred to use those produced by
上記金属粒子分散液に含まれる分散剤としては、特に限定されないが、分子量が2,000以上300,000以下の高分子分散剤を用いることが好ましい。このように、分子量が上記範囲の高分子分散剤を用いることで、金属粒子を分散媒中に良好に分散させることができ、得られる焼結体層3の膜質を緻密でかつ欠陥のないものにすることができる。上記分散剤の分子量が上記下限に満たない場合、金属粒子の凝集を防止して分散を維持する効果が十分に得られないおそれがあり、その結果、ベースフィルム1に積層される焼結体層3を緻密で欠陥の少ないものにできないおそれがある。逆に、上記分散剤の分子量が上記上限を超える場合、分散剤の嵩が大き過ぎ、金属粒子分散液の塗布後に行う加熱時に、金属粒子同士の焼結を阻害してボイドを生じさせるおそれがある。また、分散剤の嵩が大き過ぎると、焼結体層3の膜質の緻密さが低下したり、分散剤の分解残渣が導電性を低下させるおそれがある。
The dispersant contained in the metal particle dispersion is not particularly limited, but it is preferable to use a polymer dispersant having a molecular weight of 2,000 or more and 300,000 or less. As described above, by using the polymer dispersant having the molecular weight in the above range, metal particles can be favorably dispersed in the dispersion medium, and the film quality of the obtained sintered
上記分散剤は、部品の劣化防止の観点より、硫黄、リン、ホウ素、ハロゲン及びアルカリを含まないものが好ましい。好ましい分散剤としては、分子量が上記範囲にあるもので、ポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン等のアミン系の高分子分散剤、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース等の分子中にカルボン酸基を有する炭化水素系の高分子分散剤、ポバール(ポリビニルアルコール)、スチレン−マレイン酸共重合体、オレフィン−マレイン酸共重合体、あるいは1分子中にポリエチレンイミン部分とポリエチレンオキサイド部分とを有する共重合体等の極性基を有する高分子分散剤等を挙げることができる。 The dispersant preferably contains no sulfur, phosphorus, boron, halogen and alkali from the viewpoint of preventing deterioration of parts. Preferred dispersants are those having a molecular weight in the above range, and polymeric dispersants of amines such as polyethylenimine and polyvinylpyrrolidone, and hydrocarbons based on having carboxylic acid groups in the molecule such as polyacrylic acid and carboxymethylcellulose. Polar group such as polymer dispersant, poval (polyvinyl alcohol), styrene-maleic acid copolymer, olefin-maleic acid copolymer, or copolymer having polyethyleneimine moiety and polyethylene oxide moiety in one molecule The polymer dispersing agent etc. which it has can be mentioned.
上記分散剤は、水又は水溶性有機溶媒に溶解した溶液の状態で反応系に添加することもできる。分散剤の含有割合としては、金属粒子100質量部当たり1質量部以上60質量部以下が好ましい。分散剤が金属粒子を取り囲むことで凝集を防止して金属粒子を良好に分散させるが、上記分散剤の含有割合が上記下限に満たない場合、この凝集防止効果が不十分となるおそれがある。逆に、上記分散剤の含有割合が上記上限を超える場合、金属粒子分散液の塗布後の加熱工程において、過剰の分散剤が金属粒子の焼結を阻害してボイドが発生するおそれがあり、また、高分子分散剤の分解残渣が不純物として焼結体層3中に残存して導電性を低下させるおそれがある。
The dispersant can also be added to the reaction system in the form of a solution dissolved in water or a water-soluble organic solvent. As a content rate of a dispersing agent, 1 mass part or more and 60 mass parts or less are preferable per 100 mass parts of metal particles. The dispersing agent prevents aggregation by surrounding the metal particles and disperses the metal particles well. However, when the content ratio of the dispersing agent is less than the above lower limit, the aggregation preventing effect may be insufficient. Conversely, when the content ratio of the dispersant exceeds the above upper limit, an excess of the dispersant may inhibit sintering of the metal particles in the heating step after the application of the metal particle dispersion, and voids may be generated. In addition, the decomposition residue of the polymer dispersant may remain as an impurity in the
金属粒子分散液における分散媒となる水の含有割合としては、金属粒子100質量部当たり20質量部以上1900質量部以下が好ましい。分散媒の水は、分散剤を十分に膨潤させて分散剤で囲まれた金属粒子を良好に分散させるが、上記水の含有割合が上記下限に満たない場合、水によるこの分散剤の膨潤効果が不十分となるおそれがある。逆に、上記水の含有割合が上記上限を超える場合、金属粒子分散液中の金属粒子割合が少なくなり、ベースフィルム1の表面に必要な厚さと密度とを有する良好な焼結体層3を形成できないおそれがある。
As a content rate of the water used as a dispersion medium in a metal particle dispersion liquid, 20 mass parts or more and 1900 mass parts or less are preferred per 100 mass parts of metal particles. The water of the dispersion medium fully swells the dispersing agent to disperse the metal particles surrounded by the dispersing agent well, but when the content ratio of the water is less than the above lower limit, the swelling effect of the dispersing agent by water May be insufficient. Conversely, when the water content ratio exceeds the upper limit, the metal particle ratio in the metal particle dispersion decreases, and a good
上記金属粒子分散液に必要に応じて配合する有機溶媒として、水溶性である種々の有機溶媒が使用可能である。その具体例としては、メチルアルコール、エチルアルコール、n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、sec−ブチルアルコール、tert−ブチルアルコール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、エチレングリコール、グリセリン等の多価アルコールやその他のエステル類、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。 Various organic solvents which are water-soluble can be used as the organic solvent to be added to the metal particle dispersion as required. Specific examples thereof include alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol, isobutyl alcohol, sec-butyl alcohol and tert-butyl alcohol, ketones such as acetone and methyl ethyl ketone, Examples thereof include polyhydric alcohols such as ethylene glycol and glycerin, and other esters, and glycol ethers such as ethylene glycol monoethyl ether and diethylene glycol monobutyl ether.
金属粒子分散液における水溶性の有機溶媒の含有割合としては、金属粒子100質量部当たり30質量部以上900質量部以下が好ましい。上記水溶性の有機溶媒の含有割合が上記下限に満たない場合、上記有機溶媒による分散液の粘度調整及び蒸気圧調整の効果が十分に得られないおそれがある。逆に、上記水溶性の有機溶媒の含有割合が上記上限を超える場合、水による分散剤の膨潤効果が不十分となり、金属粒子分散液中で金属粒子の凝集が生じるおそれがある。 As a content rate of the water-soluble organic solvent in a metal particle dispersion liquid, 30 mass parts or more and 900 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of metal particles. If the content ratio of the water-soluble organic solvent is less than the above lower limit, the effects of adjusting the viscosity of the dispersion and adjusting the vapor pressure with the organic solvent may not be sufficiently obtained. On the other hand, when the content ratio of the water-soluble organic solvent exceeds the upper limit, the swelling effect of the dispersing agent by water is insufficient, and there is a possibility that aggregation of metal particles may occur in the metal particle dispersion.
ベースフィルム1に金属粒子分散液を塗布する方法としては、例えばスピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ダイコート法、スリットコート法、ロールコート法、ディップコート法等の従来公知の塗布方法を用いることができる。また、例えばスクリーン印刷、ディスペンサ等によりベースフィルム1の表面の一部のみに金属粒子分散液を塗布するようにしてもよい。
Examples of the method for applying the metal particle dispersion to the
そして、金属粒子分散液をベースフィルム1に塗布した金属粒子分散液の塗膜を加熱する。これにより、金属粒子分散液の溶媒分散剤が蒸発又は熱分解し、残る金属粒子が焼結されてベースフィルム1の表面に固着された焼結体層3が得られる。なお、上記加熱の前に金属粒子分散液の塗膜を乾燥させることが好ましい。
And the coating film of the metal particle dispersion liquid which apply | coated the metal particle dispersion liquid to the
上記焼結は、一定量の酸素が含まれる雰囲気下で行うことが好ましい。焼結時の雰囲気の酸素濃度の下限としては、1体積ppmが好ましく、10体積ppmがより好ましい。一方、上記酸素濃度の上限としては、10,000体積ppmが好ましく、1,000体積ppmがより好ましい。上記酸素濃度が上記下限に満たない場合、焼結体層3の界面近傍における金属酸化物の生成量が少なくなり、ベースフィルム1と焼結体層3との密着力を十分に向上できないおそれがある。逆に、上記酸素濃度が上記上限を超える場合、金属粒子が過剰に酸化してしまい焼結体層3の導電性が低下するおそれがある。
The sintering is preferably performed in an atmosphere containing a certain amount of oxygen. As a minimum of oxygen concentration of atmosphere at the time of sintering, 1 volume ppm is preferred, and 10 volume ppm is more preferred. On the other hand, the upper limit of the oxygen concentration is preferably 10,000 ppm by volume, and more preferably 1,000 ppm by volume. When the oxygen concentration is less than the above lower limit, the amount of metal oxide formed near the interface of the
上記焼結温度の下限としては、150℃が好ましく、200℃がより好ましい。一方、上記焼結温度の上限としては、500℃が好ましく、400℃がより好ましい。上記焼結温度が上記下限に満たない場合、金属粒子間を接続できず、次の無電解めっき層4の形成時に焼結体層3が崩壊するおそれがある。逆に、上記焼結温度が上記上限を超える場合、ベースフィルム1が変形するおそれがある。
As a minimum of the above-mentioned sintering temperature, 150 ° C is preferred and 200 ° C is more preferred. On the other hand, as an upper limit of the above-mentioned sintering temperature, 500 ° C is preferred and 400 ° C is more preferred. If the sintering temperature does not reach the above lower limit, the metal particles can not be connected, and there is a possibility that the
(無電解めっき層形成工程)
上記無電解めっき層形成工程では、上記焼結体層形成工程でベースフィルム1の表面に積層した焼結体層3の表面に、無電解めっきを施すことにより無電解めっき層4を形成する。
(Electroless plating layer formation process)
In the electroless plating layer forming step, the electroless plating layer 4 is formed by performing electroless plating on the surface of the
なお上記無電解めっきは、例えばクリーナ工程、水洗工程、酸処理工程、水洗工程、プレディップ工程、アクチベーター工程、水洗工程、還元工程、水洗工程等の処理と共に行うことが好ましい。 The above-mentioned electroless plating is preferably performed together with processing such as a cleaner step, water washing step, acid treatment step, water washing step, pre-dip step, activator step, water washing step, reduction step, water washing step and the like.
また、無電解めっきにより無電解めっき層4を形成した後、さらに熱処理を行うことが好ましい。無電解めっき層4形成後に熱処理を施すと、焼結体層3のベースフィルム1との界面近傍の金属酸化物等がさらに増加し、ベースフィルム1と焼結体層3との間の密着力がさらに大きくなる。この無電解めっき後の熱処理の温度及び酸素濃度としては、上記焼結体層形成工程における加熱温度及び酸素濃度と同様とすることができる。
In addition, after forming the electroless plating layer 4 by electroless plating, it is preferable to further perform a heat treatment. When heat treatment is performed after the formation of the electroless plating layer 4, metal oxide and the like in the vicinity of the interface between the
(電気めっき層形成工程)
電気めっき層形成工程では、無電解めっき層4の外面に、電気めっきによって電気めっき層5を積層する。この電気めっき層形成工程において、金属層3全体の厚さを所望の厚さまで増大させる。
(Electroplating layer formation process)
In the electroplating layer formation step, the
この電気めっきは、例えば銅、ニッケル、銀等のめっきする金属に応じた従来公知の電気めっき浴を用いて、かつ適切な条件を選んで、所望の厚さの金属層3が欠陥なく速やかに形成されるように行うことができる。
This electroplating is performed using a conventionally known electroplating bath corresponding to the metal to be plated, for example, copper, nickel, silver, etc., and selecting appropriate conditions so that the
<利点>
上述のように、当該プリント配線板用基板は、ベースフィルム1における金属層2との界面から厚さ方向に1μmの表層領域Aに、上記含有率範囲内のコバルト原子を含有するので、このコバルト原子が金属層2の金属原子のベースフィルム1への拡散を抑制する。ベースフィルム2にコバルト原子を含有させるための上述の接触工程は比較的容易に行うことができるため、当該プリント配線板用基板は、比較的安価でありながら、経時変化によるベースフィルム1と金属層2との密着性の低下が比較的小さい。
<Advantage>
As described above, since the printed wiring board substrate contains cobalt atoms within the above content range in the surface region A of 1 μm in the thickness direction from the interface with the
[その他の実施形態]
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
Other Embodiments
It should be understood that the embodiments disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is not limited to the configurations of the above embodiments, but is indicated by the claims, and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the claims. Ru.
当該プリント配線板用基板は、図3に示す当該プリント配線板の製造方法とは異なる方法で製造されてもよい。例えば、当該プリント配線板用基板は、アルカリ処理工程を省略して製造されたものであってもよく、アルカリ処理に代えて例えばプラズマ処理等によってベースフィルムの表面が改質されているものであってもよい。 The printed wiring board substrate may be manufactured by a method different from the method for manufacturing the printed wiring board shown in FIG. For example, the printed wiring board substrate may be manufactured by omitting the alkali treatment step, and the surface of the base film is modified by, for example, plasma treatment instead of the alkali treatment. May be
さらに、当該プリント配線板用基板における金属層の詳細構造や積層方法は任意である。具体的には、当該プリント配線板用基板の金属層は、焼結体層、無電解めっき層及び電気めっき層の一又は複数を有しないものであってもよく、ベースフィルムに金属板を熱圧着したものであってもよい。 Furthermore, the detailed structure and lamination method of the metal layer in the said board | substrate for printed wiring boards are arbitrary. Specifically, the metal layer of the printed wiring board substrate may not have one or more of a sintered body layer, an electroless plating layer and an electroplating layer, and the metal film is heated to the base film. It may be crimped.
また、当該プリント配線板用基板は、ベースフィルの両面に金属層を積層した両面基板や複数のベースフィルム又は絶縁層と3層以上の金属層とを備える多層基板であってもよい。複数の金属層を備える場合、当該プリント配線板用基板は、ベースフィルムの表層領域のいずれかがコバルト原子の含有率が上記範囲内である構成を有していればよい。 Further, the printed wiring board substrate may be a double-sided substrate in which metal layers are laminated on both sides of a base fill, or a multilayer substrate comprising a plurality of base films or insulating layers and three or more metal layers. When a plurality of metal layers are provided, the printed wiring board substrate may have a structure in which the content of cobalt atoms in any of the surface layer regions of the base film is within the above range.
以下、実施例に基づき本発明を詳述するが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in detail based on examples, but the present invention is not to be construed as being limited based on the description of the examples.
以下の要領で、ポリイミド製ベースフィルムの表面をアルカリ処理してから表層領域にコバルト原子を含有させた後、金属層を積層したプリント配線板用基板の試作品No.1〜No.14を作製した。これらのプリント配線板用基板の試作品No.1〜No.14の作製課程において、アルカリ処理後のベースフィルムの表面のイミド環の開環率と、コバルト原子を含有させた後のベースフィルムの表面から厚さ方向に1μmの表層領域におけるコバルト原子の含有率とを測定した。また、プリント配線板用基板の試作品No.1〜No.14の作製直後のベースフィルムと金属層との剥離強度を測定すると共に、温度150℃で7日間保持する耐熱性試験に供した後のベースフィルムと金属層との剥離強度を測定した。
After alkali treatment of the surface of the base film made of polyimide in the following manner, cobalt atoms are contained in the surface layer region, and then a prototype No. 1 of a printed wiring board substrate on which a metal layer is laminated. 1 to No. 14 was produced. Prototype No. of these printed
(試作品No.1)
ベースフィルムとして、東レデュポン社のポリイミドフィルム「カプトンEN−S」(平均厚さ25μm)を使用し、先ず、温度40℃、濃度100g/Lの水酸化ナトリウム水溶液に90秒浸漬した後、10秒の水洗を3回行って乾燥させた。次に、酢酸コバルト四水和物を37.0g/Lの割合で水に溶解した温度25℃のコバルトイオン含有水溶液(コバルトイオンのモル濃度に換算して0.15mol/L)に上記アルカリ処理したベースフィルムを90秒浸漬して表層領域にコバルト原子を含有させた後、10秒の水洗を3回行ってから乾燥させた。さらに、このコバルト原子を含有させたベースフィルムの表面に、銅粒子の焼結体層、無電解めっき層及び電気めっき層をこの順番に積層することにより金属層を形成することで、プリント配線板用基板の試作品No.1を得た。
(Prototype No. 1)
A polyimide film “Kapton EN-S” (average thickness 25 μm) manufactured by Toray DuPont Co., Ltd. is used as a base film, and first immersed for 90 seconds in an aqueous solution of sodium hydroxide having a concentration of 100 g / L at a temperature of 40 ° C. for 10 seconds. Was washed three times with water and dried. Next, the above-mentioned alkali treatment is performed on a cobalt ion-containing aqueous solution (0.15 mol / L in terms of molar concentration of cobalt ion) having a temperature of 25 ° C. and cobalt acetate tetrahydrate dissolved in water at a ratio of 37.0 g / L. The base film thus obtained was immersed for 90 seconds to contain cobalt atoms in the surface layer region, washed with water for 10 seconds three times, and dried. Furthermore, a printed wiring board is formed by laminating a sintered layer of copper particles, an electroless plating layer, and an electroplating layer in this order on the surface of the base film containing the cobalt atoms. No. of prototypes of printed circuit boards I got one.
上記焼結体層は、ベースフィルムの表面に、平均粒子径が70nmの銅粒子を水に分散させた銅濃度が26質量%の銅粒子分散液を塗布し、酸素濃度が100体積ppmの窒素雰囲気中で温度350℃に30分間加熱することにより形成し、その平均厚さが0.15μmであった。この焼結体層の上から無電解銅めっきを行うことにより無電解めっき層を形成し、焼結体層と無電解めっき層との合計平均厚さは0.45μmとなった。さらにこの無電解めっき層の上に電気銅めっきを行うことにより平均厚さ18μmの電気めっき層を積層して、三層構造の金属層を形成した。 The sinter layer is formed by applying a copper particle dispersion having a copper concentration of 26% by mass, in which copper particles having an average particle size of 70 nm are dispersed in water, on the surface of a base film; It was formed by heating at a temperature of 350 ° C. for 30 minutes in an atmosphere, and its average thickness was 0.15 μm. Electroless copper plating was performed on the sintered body layer to form an electroless plating layer, and the total average thickness of the sintered body layer and the electroless plating layer was 0.45 μm. Furthermore, an electroplating layer having an average thickness of 18 μm was laminated by performing electrolytic copper plating on the electroless plating layer to form a metal layer having a three-layer structure.
(試作品No.2〜7)
水酸化ナトリウム水溶液によるアルカリ処理時間、コバルトイオン含有水溶液の酢酸コバルト四水和物溶解量(溶解後のコバルトイオン濃度)及び浸漬時間、並びに焼結体層を形成する銅粒子の平均粒子径を変更して、他は試作品No.1と同じ条件でプリント配線板用基板の試作品No.2〜7を得た。なお、銅粒子の平均粒子径を異ならせることに起因して無電解めっき後の金属層の平均厚さ(焼結体層と無電解めっき層の合計平均厚さ)も異なるものとなった。これらの条件の違いは、表1にまとめて示す。
(Prototype No. 2 to 7)
Change the alkali treatment time with sodium hydroxide aqueous solution, cobalt acetate tetrahydrate dissolved amount (cobalt ion concentration after dissolution) and immersion time of cobalt ion-containing aqueous solution, and average particle diameter of copper particles forming sintered body layer The other is a prototype No. Prototype No. 1 of a printed wiring board substrate under the same conditions as No. 1 I got 2-7. The average thickness of the metal layer after electroless plating (the total average thickness of the sintered body layer and the electroless plating layer) was also different due to the difference in the average particle diameter of the copper particles. The differences between these conditions are summarized in Table 1.
(試作品No.8〜14)
さらに、ベースフィルムとして、カネカ社のポリイミドフィルム「アピカルNPI」(平均厚さ25μm)を使用し、水酸化ナトリウム水溶液によるアルカリ処理時間、コバルトイオン含有水溶液の酢酸コバルト四水和物溶解量及び浸漬時間、並びに焼結体層を形成する銅粒子の平均粒子径(及びこれに伴う無電解めっき後の金属層の平均厚さ)を変更して、他は同じ条件でプリント配線板用基板の試作品No.8〜14を得た。これらの条件も、表1にまとめて示す。
(Prototype No. 8 to 14)
Furthermore, using a polyimide film “Apical NPI” (average thickness 25 μm) manufactured by Kaneka Corporation as the base film, the alkali treatment time with sodium hydroxide aqueous solution, cobalt acetate tetrahydrate dissolved amount of cobalt ion containing aqueous solution and immersion time , And the average particle diameter of the copper particles forming the sintered body layer (and the average thickness of the metal layer after electroless plating accompanying this), the other is a prototype of a printed wiring board substrate under the same conditions No. I got 8-14. These conditions are also summarized in Table 1.
(イミド開環率)
ポリイミドのイミド環の開環率は、サーモフィッシャー社の赤外全反射吸収測定(FT−IR)装置「Nicolet8700」を用い、SensIR社の1回反射ATRアクセサリ「Dura Scope」(ダイヤモンドプリズム)を使用して、入射角45°での測定波数4000〜650cm−1の範囲における吸収強度スペクトルを積算回数(スキャン回数)16回としてそれぞれ、分解能を4cm−1に設定して測定し、得られた吸収強度スペクトルから、波数1494cm−1のピーク強度に対する波数1705cm−1のピーク強度の比を算出し、表面処理をしていないベースフィルムのピーク強度の比を100%として換算した。このイミド開環率は、表1に合わせて示す。
(Imide ring opening rate)
The ring-opening rate of the imide ring of polyimide is measured using the infrared total reflection absorption measurement (FT-IR) apparatus “Nicolet 8700” manufactured by Thermo Fisher, and the single reflection ATR accessory “Dura Scope” (diamond prism) manufactured by SensIR. The absorption intensity spectrum in the measurement wave number range of 4000 to 650 cm −1 at an incident angle of 45 ° is measured with the resolution set to 4 cm −1 as the number of integrations (number of scans) of 16 times. The ratio of the peak intensity of wave number 1705 cm −1 to the peak intensity of wave number 1494 cm −1 was calculated from the intensity spectrum, and the ratio of peak intensity of the base film not subjected to the surface treatment was converted to 100%. The imide ring opening ratio is shown in Table 1.
(コバルト含有率)
ベースフィルムの表層領域におけるコバルト原子の含有率は、ULVAC−Phi社製の走査型X線光電子分光分析装置「Quantera」を用い、X線源をアルミニウム金属のKアルファ線、ビーム径を50μm、分析表面に対するX線入射角度を45°として測定した。このコバルト原子の含有率は、表1に合わせて示す。
(Cobalt content rate)
The content of cobalt atoms in the surface area of the base film is analyzed using a scanning X-ray photoelectron spectrometer "Quantera" manufactured by ULVAC-Phi, using an X-ray source of K alpha rays of aluminum metal and a beam diameter of 50 μm, The X-ray incident angle to the surface was measured as 45 °. The content of cobalt atoms is shown in Table 1.
(剥離強度)
剥離強度は、樹脂フィルムをたわみ性被着材としてJIS−K−6854−2(1999)「接着剤−はく離接着強さ試験方法−2部:180度はく離」に準じた方法により測定した。この剥離強度は、表1に合わせて示す。
(Peeling strength)
Peeling strength was measured by the method according to JIS-K-6854-2 (1999) "Adhesive agent-peeling adhesion
以上のように、ベースフィルムの表層領域に、1atomic%以上15atomic%以下のコバルト原子を含有する試作品No.1〜3及びNo.8〜10は、耐熱性試験の前後で共に比較的大きい剥離強度を有し、かつ耐熱性試験の前後での剥離強度の変化が小さく、時間経過によるベースフィルムと金属層との密着性の低下が比較的小さいことが確認された。一方、ベースフィルムの表層領域のコバルト原子含有率が15atomic%よりも大きい試作品No.4及びNo.11は、耐熱性試験の前後での剥離強度の低下は小さいが、耐熱性試験前の剥離強度が不十分であった。また、ベースフィルムの表層領域にコバルト元素を含有しない試作品No.5〜7及びNo.12〜14は、耐熱性試験前の剥離強度は十分であるものの、耐熱性試験による剥離強度の低下が比較的大きく、時間経過によるベースフィルムと金属層との密着性の低下が比較的大きかった。 As described above, it is a prototype No. 1 that contains 1 atomic% or more and 15 atomic% or less cobalt atoms in the surface layer region of the base film. 1 to 3 and No. 1 8 to 10 have relatively high peel strength both before and after the heat resistance test, and the change in peel strength before and after the heat resistance test is small, and the adhesion between the base film and the metal layer decreases with time. Was confirmed to be relatively small. On the other hand, prototype No. 1 in which the cobalt atom content in the surface region of the base film is greater than 15 atomic%. 4 and No. 4 In No. 11, although the decrease in peel strength before and after the heat resistance test was small, the peel strength before the heat resistance test was insufficient. In addition, a prototype No. 1 which does not contain cobalt element in the surface region of the base film. 5 to 7 and No. Although the peel strength before the heat resistance test was sufficient, the decrease in peel strength in the heat resistance test was relatively large, and the decrease in adhesion between the base film and the metal layer over time was relatively large. .
本発明の実施形態に係るプリント配線板用基板及びプリント配線板用基板の製造方法は、プリント配線板を製造するために広く利用することができる。 The printed wiring board substrate and the method for manufacturing the printed wiring board substrate according to the embodiment of the present invention can be widely used to manufacture a printed wiring board.
1 ベースフィルム
2 金属層
3 焼結体層
4 無電解めっき層
5 電気めっき層
A 表層領域
S1 アルカリ処理工程
S2 接触工程
S3 積層工程
1
Claims (5)
このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される金属層と
を備えるプリント配線板用基板であって、
上記ベースフィルムにおける金属層との界面から厚さ方向に1μmの表層領域にコバルト原子を含有し、
このコバルト原子の含有率が1atomic%以上15atomic%以下であり、
上記金属層が金属粒子の焼結体層を含むプリント配線板用基板。 A base film having an insulating property;
And a metal layer laminated on at least one surface of the base film.
A cobalt atom is contained in a surface region of 1 μm in the thickness direction from the interface with the metal layer in the above base film,
15 atomic% der less content of more than 1 atomic% of the cobalt atoms is,
A substrate for a printed wiring board, wherein the metal layer comprises a sintered layer of metal particles .
このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される金属層と
を備えるプリント配線板用基板の製造方法であって、
上記ベースフィルムの少なくとも一方の面をアルカリ処理する工程と、
上記アルカリ処理工程後のベースフィルムの少なくとも一方の面にコバルトイオン含有水溶液を接触させる工程と、
上記接触工程後のベースフィルムの少なくとも一方の面に金属層を積層する工程と
を備え、
上記コバルトイオン含有水溶液が酢酸コバルト水溶液であるプリント配線板用基板の製造方法。 A base film having an insulating property;
And a metal layer laminated on at least one surface of the base film.
Alkali treating at least one surface of the base film;
Bringing a cobalt ion-containing aqueous solution into contact with at least one surface of the base film after the alkali treatment step;
Laminating a metal layer on at least one surface of the base film after the contact step ;
The manufacturing method of the board | substrate for printed wiring boards whose said cobalt ion containing aqueous solution is cobalt acetate aqueous solution .
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