JP6560797B2

JP6560797B2 - 発光素子の製造装置、及び発光素子の製造方法

Info

Publication number: JP6560797B2
Application number: JP2018145763A
Authority: JP
Inventors: オ，スンヒョン; ゾ，ソンシク; パク，ジュンヒョン; キム，ビョングン
Original assignee: ルーメンスカンパニーリミテッド
Priority date: 2017-08-18
Filing date: 2018-08-02
Publication date: 2019-08-14
Anticipated expiration: 2037-09-29
Also published as: JP2019036699A; JP6384937B1; US20200127183A1; US10546989B2; KR20190019745A; US10957835B2; US20190058099A1; JP2019036721A

Description

本発明は、発光素子の製造装置及び発光素子の製造方法に関し、ＬＥＤチップを基板にボンディングするソルダ（ハンダ）がＬＥＤチップの実装領域外にはみ出ることの抑制に関する。

基板、及び基板上にフリップチップボンディングされるフリップチップ型ＬＥＤチップを含む発光素子が知られている。このような発光素子において、フリップチップ型ＬＥＤチップは、第１導電型半導体層と連結された第１電極パッドと、第２導電型半導体層と連結された第２電極パッドとを含み、基板は、前記第１電極パッドと電気的に連結される第１電極と、前記第２電極パッドと電気的に連結される第２電極とを含む。また、第１電極パッドと第１電極との間の連結及び第２電極パッドと第２電極のための材料としてソルダが用いられる。各電極パッドと各電極とを各々連結しながらフリップチップ型ＬＥＤチップを基板上に実装するためにリフローソルダリング（ｒｅｆｌｏｗｓｏｌｄｅｒｉｎｇ）工程が用いられる。ソルダの均一な分布のために、ＬＥＤチップの下部面積、即ち、ＬＥＤチップ実装面積以上のソルダを基板上に塗布し、その上にＬＥＤチップを載せた後、リフローソルダリング工程が行われる。

しかし、上記のような方法で製造された発光素子は、ソルダがＬＥＤチップの側面を覆うようになるので、ソルダに吸収される光により、略３％〜４％だけ発光量が減少する。また、上記のように製造された発光素子においては、フラックスが残留し、この残留フラックスの変色によって所望でない色座標変化がもたらされ得る。また、リフローソルダリング工程でソルダに加えられる熱の不均一によって溶融程度に差が発生し、これは、ソルダの電気伝導性及び信頼性を低下させるボイドをもたらす。また、このように発光素子を製造する場合、離散的サンプリングを通じてボンディング不良を確認する追加工程が必要であり、それでも不良検査が不正確な場合がある。

本発明が解決しようとする課題は、ＬＥＤチップを基板にボンディングするソルダの、ＬＥＤチップの実装領域外へのはみ出しを抑制した発光素子を提供することにある。

本発明が解決しようとする他の課題は、ソルダでＬＥＤチップを基板にボンディングする際に、ソルダソルダの使用量を低減少し、ソルダがＬＥＤチップの実装領域外へのはみ出しを最小化できる発光素子の製造方法を提供することにある。

本発明の一側面に係る発光素子の製造装置は、透光性基板、前記透光性基板の底面上に形成される第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層の底面に形成される第２導電型半導体層、及び前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間に形成される活性層を含む半導体積層体と、
前記第１導電型半導体層及び前記第１導電型半導体層の下方に形成される第１電極パッドを電気的に連結する第１ビアと、前記第２導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層の下方に形成される第２電極パッドを電気的に連結する第２ビアと、を含むＬＥＤチップ、並びに、
前記第１電極パッドに対応する位置に形成される第１電極、前記第２電極パッドに対応する位置に形成される第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に形成される絶縁性材料の電極分離部が形成された基板、を含む発光素子の製造装置であって、前記ＬＥＤチップの前記第１電極パッドと前記基板上の前記第１電極との間を連結する第１ソルダ部のソルダ材料及び前記ＬＥＤチップの第２電極パッドと前記基板上の前記第２電極との間を連結する第２ソルダ部のソルダ材料をＩＲレーザにより溶融点以上に加熱し、前記第１ソルダ部及び前記第２ソルダ部の溶融領域が前記第１電極及び前記第２電極の縁部の内側領域に位置する。

本発明の一側面に係る発光素子の製造方法は、基板、前記基板上の第１電極及び第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に形成される電極分離部を形成する段階、
前記基板上に位置し、前記基板上の前記第１電極に対応する第１電極パッド、及び前記基板上の前記第２電極に対応する第２電極パッドが形成されるＬＥＤチップを準備する段階、
前記第１電極と前記第２電極の各々にソルダ材料を塗布し、前記ソルダ材料が前記第１電極パッドと前記第１電極との間に介在し、前記ソルダ材料が前記第２電極パッドと前記第２電極との間に介在する段階、及び
前記ＬＥＤチップ上に位置し、前記ＬＥＤチップの前記第１電極パッドと前記基板上の前記第１電極との間を連結する第１ソルダ部、及び前記ＬＥＤチップの前記第２電極パッドと前記基板上の前記第２電極との間を連結する第２ソルダ部の各々の前記ソルダ材料を溶融点以上に加熱するＩＲレーザを準備する段階、を含む。

本発明の一側面に係る発光素子の製造装置は、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に形成される電極分離部が形成された基板、
前記基板の第１電極に対応する第１電極パッド、及び前記基板の第２電極に対応する第２電極パッドが形成されたＬＥＤチップ、及び
前記基板上に形成される前記ＬＥＤチップの上端に位置し、前記ＬＥＤチップの前記第１電極パッドと前記基板上の前記第１電極との間を連結する第１ソルダ部、及び前記ＬＥＤチップの前記第２電極パッドと前記基板上の前記第２電極との間を連結する第２ソルダ部をＩＲレーザで溶融点以上に加熱するＩＲレーザ照射ユニット、を含み、
前記ＩＲレーザ照射ユニットは、ＩＲレーザ光源、及び前記ＩＲレーザ光源と連結されたオプティックファイバで形成されたオプティックガイドが前記ＬＥＤチップの上端に直線形又はジグザグ形態にＩＲレーザを照射する。

本発明によると、ＬＥＤチップを基板にボンディングするソルダがソルダ材料をＩＲレーザで溶融点以上に加熱することによって形成される。従ってソルダは、基板に対するＬＥＤチップの実装領域を逸脱することなく、ＬＥＤチップの実装領域外へのはみ出しが抑制される。
それ故、ＬＥＤチップの実装領域外に出ているソルダによる発光効率の低下が抑制された発光素子が具現される。また、本発明によると、ソルダの完全溶融を通じて、既存のＤＳＴを満足しながらもソルダの量を最小化できる。また、本発明は、ＬＥＤチップから出る光を吸収するＬＥＤチップの実装領域外のソルダをなくすことによって発光量を向上できる。また、本発明に係るリフローソルダリングで多く生じる残留フラックスの最小化が可能である。また、本発明によると、ＩＲレーザでソルダを溶融するので、照射範囲内の均一な加熱温度（ソルダ溶融点以上）でソルダを加熱でき、その結果、照射範囲内の完全溶融が可能であり、不均一なソルダ加熱時にもたらされるボイドを最小化できる。ボイドの最小化は、ソルダの電気伝導性及び信頼性を高める。

本発明の一実施例に係る発光素子を示した斜視図である。本発明の一実施例に係る発光素子を示した平面図である。本発明の一実施例に係る発光素子を示した断面図である。本発明の一実施例に係る発光素子の製造方法を説明するための図である。本発明の一実施例に係る発光素子の製造方法を説明するための図である。ＩＲレーザボンディングを用いて製造される発光素子と、リフローソルダリングボンディングを用いて製造される発光素子とを比較するための写真である。リフローソルダリングボンディングを用いて製造された発光素子を示した斜視図である。

以下では、添付の各図面を参照して本発明の好適な実施例を説明する。添付の各図面及び各実施例は、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に理解できるように簡略化して例示したものであるので、各図面及び各実施例が本発明の範囲を限定するものと解釈してはならない。

図１は、本発明の一実施例に係る発光素子を示した斜視図であり、図２は、本発明の一実施例に係る発光素子を示した平面図であり、図３は、本発明の一実施例に係る発光素子を示した断面図である。

図１〜図３に示したように、本発明の一実施例に係る発光素子１は、ＬＥＤチップ１００と、ＬＥＤチップ１００が実装される基板２００とを含む。

ＬＥＤチップ１００は、長軸方向に沿って長く形成された発光半導体積層体１２０と、発光半導体積層体１２０の下部に互いに離隔するように形成された第１電極パッド１４２及び第２電極パッド１４４とを含む。

このとき、第１電極パッド１４２及び第２電極パッド１４４は、ＬＥＤチップ１００の長軸方向に長く延長され、短軸方向に沿って離隔している。第１電極パッド１４２及び第２電極パッド１４４がＬＥＤチップ１００の長軸方向に沿って長く延長された構造、そして、第１電極パッド１４２及び第２電極パッド１４４がＬＥＤチップ１００の短軸方向に沿って離隔して配列された構造は、以下で説明する第１ソルダ部３２０及び第２ソルダ部３４０との接触面積を最大化するのに有利である。

また、基板２００は、第１電極パッド１４２に対応する第１電極２２０と、第２電極パッド１４４に対応する第２電極２４０と、第１電極２２０と第２電極２４０とを分離する線形電極分離部２３０とを含む。第１電極２２０及び第２電極２４０は板状の導電性金属材料で形成され、電極分離部２３０は、第１電極２２０と第２電極２４０との間に介在した絶縁性材料で形成され得る。

また、本発明の一実施例に係る発光素子１は、ＬＥＤチップ１００を基板２００に固定する一方、第１電極パッド１４２と第１電極２２０との間、そして、第２電極パッド１４４と第２電極２４０との間を電気的に連結するためのソルダ部３２０、３４０を基板２００とＬＥＤチップ１００との間に含む。ソルダ部３２０、３４０は、第１電極パッド１４２と第１電極２２０との間を連結する第１ソルダ部３２０と、第２電極パッド１４４と第２電極２４０との間を連結する第２ソルダ部３４０とを含む。

本実施例によると、１ソルダ部３２０及び第２ソルダ部３４０は、ＩＲレーザを用いてソルダペーストなどのソルダ材料をレーザ溶融点以上に加熱して完全に溶融させた後、これを硬化させることによって形成される。このとき、第１ソルダ部３２０及び第２ソルダ部３４０を含むソルダ部３２０、３４０全体は、上述したＩＲレーザを用いた溶融方式を通じてＬＥＤチップ１００が基板２００を占有する実装領域の内側領域に限定的に形成される。それにもかかわらず、ＩＲレーザが、ソルダ材料を温度差が殆どない短時間に完全に溶融させるので、ソルダが均一な分布で形成され得る。

比較例として、リフローソルダリングを用いて同一の基板に同一のＬＥＤチップを実装する場合は、ＤＳＴ増加のために、図７に示したように、ソルダ部３００がＬＥＤチップ１００の実装領域外にはみ出てＬＥＤチップ１００の側面下部を覆う。このために、ＬＥＤチップ１００から出た相当量の光がソルダ部３００に吸収され、全体的な発光量が減少するしかない。そして、リフローソルダリング方式を用いて形成されたソルダ部３００は、熱的不均一による溶融程度差の発生によって多くのボイドを有し、このボイドは電気伝導性及び信頼性を低下させる。

図３に示したように、半導体積層体１２０は、透光性基板、即ち、サファイア基板１２１を含み、サファイア基板１２１の底面から下側に向かって順次形成された第１導電型半導体層１２２、活性層１２３及び第２導電型半導体層１２４を含む。このとき、第１導電型半導体層１２２がｎ型半導体層で、第２導電型半導体層１２４がｐ型半導体層であることが好ましい。

また、ＬＥＤチップ１００は、第２導電型半導体層１２４と第１電極パッド１４２及び第２電極パッド１４４との間に形成された配線連結層１３０を含む。配線連結層１３０は、第２導電型半導体層１２４の下部面に形成された導電性反射層１３１と、導電性反射層１３１の下部面に形成される第１絶縁層１３２と、第１絶縁層１３２の下部面に形成され、互いに離隔した第１中間導電部１３３ａ及び第２中間導電部１３３ｂからなる中間導電層と、中間導電層の下部面に形成され、下部面には第１電極パッド１４２及び第２電極パッド１４４が互いに離隔するように結合されている第２絶縁層１３４と、周囲が絶縁被覆Ｉで覆われた状態で少なくとも活性層１２３、第２導電型半導体層１２４、導電性反射層１３１及び第１絶縁層１３２を貫通して第１導電型半導体層１２２と第１中間導電部１３３ａとの間を連結する第１ビア１３５と、第２絶縁層１３４を貫通して第１中間導電部１３３ａと第１電極パッド１４２との間を連結する第２ビア１３６と、第１絶縁層１３２を貫通して導電性反射層１３１と第２中間導電部１３３ｂとの間を連結する第３ビア１３７と、第２絶縁層１３４を貫通して第２中間導電部１３３ｂと第２電極パッド１４４との間を連結する第４ビア１３８とを含む。

このとき、第１電極パッド１４２は第１中間導電部１３３ａより小さい面積を有し、第２電極パッド１４４は第２中間導電部１３３ｂより大きい面積を有することが好ましい。さらに、第１電極パッド１４２と第２電極パッド１４４の面積が同一であり得る。上述したように構成することによって、電流拡散効果を高めながらも、第１電極パッド１４２と第２電極パッド１４４の面積を与えられた条件で最も広く、且つ互いにほぼ同一にすることができ、これは、第１電極パッド１４２と第２電極パッド１４４の各々の領域の内側に接触すべき第１ソルダ部３２０と第２ソルダ部３４０の面積を最大化しながらもほぼ同一にし、安定的且つ信頼性のあるボンディングを可能にする。

第１ソルダ部３２０は、第１電極パッド１４２の縁部外に逸脱することなく、第１電極パッド１４２の縁部の内側領域に限定的に形成された状態で第１電極パッド１４２と第１電極２２０との間を連結する。また、第２ソルダ部３４０は、第２電極パッド１４４の縁部外に逸脱することなく、第２電極パッド１４４の縁部の内側領域に限定的に形成された状態で第２電極パッド１４４と第２電極２４０との間を連結する。

少量のソルダ材料（例えば、ソルダペースト）をＬＥＤチップ１００の第１電極パッド１４２と基板２００の第１電極２２０との間、そして、ＬＥＤチップ１００の第２電極パッド１４４と基板２００の第２電極２４０との間に各々介在させた後、ＬＥＤチップ１００を直接通過するようにＩＲレーザを照射することによってソルダ材料を急速に加熱し、完全に溶融させると、少量のソルダ材料が各々硬化し、最小限の面積及び均一な厚さで第１電極パッド１４２と第１電極２２０との間及び第２電極パッド１４４と第２電極２４０との間を堅固に連結させることができる。

一方、第１ソルダ部３２０及び第２ソルダ部３４０は、各々厚さの中間に最大幅部を有するが、第１電極パッド１４２及び第２電極パッド１４４と直接接する基準幅部が、第１電極パッド１４２の縁部の内側領域の内側及び第２電極パッド１４４の縁部の内側領域にあるとしても、第１ソルダ部３２０及び第２ソルダ部３４０の最大幅部が第１電極パッド１４２及び第２電極パッド１４４の縁部の外側領域に逸脱すると、ＬＥＤチップ１００から放出された光のうち一部が第１ソルダ部３２０及び第２ソルダ部３４０に吸収される恐れがあり、また、最大幅部で第１ソルダ部３２０と第２ソルダ部３４０とが接触し、ショート不良をもたらす恐れもある。よって、第１ソルダ部３２０及び第２ソルダ部３４０の各々の基準幅部の第１電極パッド１４２及び第２電極パッド１４４上への正射影が、第１電極パッド１４２の縁部の内側領域及び第２電極パッド１４４の縁部の内側領域にあることは当然であり、第１ソルダ部３２０及び第２ソルダ部３４０の最大幅部の第１電極パッド１４２及び第２電極パッド１４４上への正射影も、第１電極パッド１４２の縁部の内側領域及び第２電極パッド１４４の縁部の内側領域にあることが好ましい。

本明細書において、前記第１ソルダ部又は前記第２ソルダ部の基準幅部は、電極パッドと直接接する部分を意味し、前記第１ソルダ部又は第２ソルダ部の最大幅部は、ソルダ部の全体の横断面のうち最も幅が大きい横断面の部分を意味する。上記のように形成された第１ソルダ部３２０及び第２ソルダ部３４０は、光吸収による光放出量の低下問題を解決できると同時に、第１電極パッド１４２と第１電極２２０との間及び第２電極パッド１４４と第２電極２４０との間を信頼できるように連結することができる。

また、上記のように形成された発光素子１においては、第１電極パッド１４２及び第２電極パッド１４４の厚さが同一であり、基板２００の上面を基準にして、第１ソルダ部３２０及び第２ソルダ部３４０の厚さ及び最上端の高さが同一である。

以下では、図４〜図５を参照して、上述した発光素子の製造方法に対して説明する。

まず、図４に示したように、基板２００の第１電極２２０の複数の地点及び第２電極２４０の複数の地点にソルダペーストを塗布する。そして、前記各ソルダペーストが第１電極パッド１４２と第１電極２２０との間及び第２電極パッド１４４と第２電極２４０との間にあるように、第１電極パッド１４２と第２電極パッド１４４の各々を第１電極２２０と第２電極２４０に各々向かい合わせる方向に、ＬＥＤチップ１００を基板２００上にローディングする。

ソルダペーストの塗布量は、以下で説明するＩＲレーザソルダリングによってソルダがＬＥＤチップ１００の実装領域外に流れ出ない程度の量と定められる。そして、ソルダペーストが塗布される各地点及び量は、ＩＲレーザソルダリングによって各ソルダペーストが溶融されながら合一され、各々一つの第１ソルダ部又は第２ソルダ部を形成できる程度と定められる。

次に、図５に示したように、ＬＥＤチップ１００を通過するようにＩＲレーザＬを照射し、そのＩＲレーザＬが第１電極パッド１４２と第１電極２２０との間の各ソルダペースト及び第２電極パッド１４４と第２電極２４０との間の各ソルダペーストを略４００℃の温度に加熱し、前記各ソルダペーストを完全に溶融させる。間接熱伝逹を用いるリフロー方式とは異なり、ＩＲレーザを各ソルダペーストに直接集束させ、ＩＲレーザで直接加熱するので、素子内の温度変数とは関係なく、照射範囲内の均一な加熱が可能である。

このとき、ＩＲレーザ照射ユニット２はＬＥＤチップ１００の図で上方に整列配置される。そして、ＩＲレーザ照射ユニット２は、ＩＲレーザ光源と連結されたオプティックファイバで形成されたオプティックガイドと、前記オプティックガイドを通過したレーザを平行ビームにするコリメータと、平行ビームとなったＩＲレーザの断面サイズを調節するビーム調節機と、前記ビーム調節機で調節されたＩＲレーザを一点に集束させるための集束レンズとを含み得る。

さらに、前記ＩＲレーザ照射ユニットは、レーザ増幅器、オプティックカプラ、及びレーザ発振調節部などをさらに含み得る。レーザの出力は、ソルダペーストの溶融点に合わせて適宜選ばれる。該当のＬＥＤチップ１００を透過して照射されるＩＲレーザＬの照射時間は５秒を超えないことが好ましく、５秒を超えると、ＬＥＤチップ１００にバーニング（ｂｕｒｎｉｎｇ）現象をもたらし得る。このとき、ＩＲレーザ照射ユニット２は、１：ｎ（ｎは２以上の数）の割合で複数（ｎ個）のＬＥＤチップ１００のソルダリングに関与できる。一つのＩＲレーザ照射ユニット２で複数のＬＥＤチップ１００を基板２００にソルダリングするためには、ＩＲレーザ照射ユニット２を線形パターン又はジグザグパターンで移動するか、代案的に、基板２００及びその上の各ＬＥＤチップ１００を移動し、各ＬＥＤチップ１００がＩＲレーザ照射ユニット２から照射されるＩＲレーザを順次通過させる。

図６は、既存のリフローソルダリングを用いて製造された発光素子のサンプル（比較例）と、本発明に係るＩＲレーザソルダリングを用いて製造された発光素子のサンプル（実施例）とを比較して示す写真である。図６を参照すると、ＩＲレーザソルダリングを用いる場合、ＬＥＤチップの実装領域外にソルダ部がはみ出ていない一方、リフローソルダリングを用いる場合、ＬＥＤチップの実装領域外に相当量のソルダ部がはみ出ている。以下の［表１］のように、ＩＲレーザソルダリングを用いてＬＥＤチップの実装領域外にソルダ部がはみ出ないようにした白色発光素子は、リフローソルダリングを用いて製造された白色発光素子に比べて発光効率が増加することが確認された。

また、リフローソルダリングによって得られたソルダ部と比較すると、ＩＲレーザソルダリングによって得られたソルダ部においてボイドの面積が大きく減少したことを確認した。

１発光素子
２ＩＲレーザ照射ユニット
１００ＬＥＤチップ
１２１サファイア基板
１２２第１導電型半導体層
１２３活性層
１２４第２導電型半導体層
１３０配線連結層
１３１導電性反射層
１３２第１絶縁層
１３３ａ第１中間導電部
１３３ｂ第２中間導電部
１３４第２絶縁層
１３５第１ビア
１３６第２ビア
１３７第３ビア
１３８第４ビア
１４２第１電極パッド
１４４第２電極パッド
２００基板（又はパッケージ胴体）
２２０第１電極
２３０線形分離部
２４０第２電極
３２０第１ソルダ部
３４０第２ソルダ部

Claims

透光性基板、前記透光性基板の底面上に形成される第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層の底面に形成される第２導電型半導体層、及び前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間に形成される活性層を含む半導体積層体と、
前記第１導電型半導体層及び前記第１導電型半導体層の下方に形成される第１電極パッドを電気的に連結する第１ビアと、前記第２導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層の下方に形成される第２電極パッドを電気的に連結する第２ビアと、を含むＬＥＤチップ、並びに、
前記第１電極パッドに対応する位置に形成される第１電極、前記第２電極パッドに対応する位置に形成される第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に形成される絶縁性材料の電極分離部が形成された基板、を含む発光素子の製造装置であって、前記ＬＥＤチップの前記第１電極パッドと前記基板上の前記第１電極との間を連結する第１ソルダ部のソルダ材料及び前記ＬＥＤチップの第２電極パッドと前記基板上の前記第２電極との間を連結する第２ソルダ部のソルダ材料をＩＲレーザにより溶融点以上に加熱し、前記第１ソルダ部及び前記第２ソルダ部の溶融領域が前記第１電極及び前記第２電極の縁部の内側領域に位置することを特徴とする発光素子の製造装置。
前記ＬＥＤチップは、長軸方向に沿って長く形成されたものであって、前記第１電極パッド及び前記第２電極パッドは、前記長軸方向に長く形成された直方体の形状であることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造装置。
前記第１電極パッド及び前記第２電極パッドは、前記ＬＥＤチップの長軸方向に長く延長され、短軸方向に沿って離隔し、前記離隔する部分に前記電極分離部が形成されることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造装置。
前記第１電極パッド及び前記第２電極パッドの厚さが同一であり、前記基板の上面を基準にして、前記第１ソルダ部及び前記第２ソルダ部の厚さ及び最上端の高さが同一であることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造装置。
前記ＩＲレーザによって溶融された前記第１ソルダ部及び前記第２ソルダ部の溶融領域の面積は、前記ＬＥＤチップの前記第１電極パッド及び前記第２電極パッドの面積より小さいことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造装置。
前記ＩＲレーザは、前記第１ソルダ部及び前記第２ソルダ部の前記ソルダ材料を略４００℃で加熱して溶融することを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造装置。
前記ＩＲレーザは前記ＬＥＤチップの上側に配列され、ＩＲレーザ光源と、前記ＩＲレーザ光源と連結されたオプティックファイバで構成されたオプティックガイドと、前記ＩＲレーザ光源を一点に集束させる集束レンズと、を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造装置。
前記第１ソルダ部及び前記第２ソルダ部は、それぞれ前記第１電極及び前記第２電極上に形成された複数の前記ソルダ材料が前記ＩＲレーザを通じて一つに融合されたことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造装置。
基板、前記基板上の第１電極及び第２電極、並びに前記第１電極と前記第２電極との間に形成される電極分離部を形成する段階、
前記基板上に位置し、前記基板上の前記第１電極に対応する第１電極パッド、及び前記基板上の前記第２電極に対応する第２電極パッドが形成されるＬＥＤチップを準備する段階、
前記第１電極と前記第２電極の各々にソルダ材料を塗布し、前記ソルダ材料が前記第１電極パッドと前記第１電極との間に介在し、前記ソルダ材料が前記第２電極パッドと前記第２電極との間に介在する段階、及び
前記ＬＥＤチップ上に位置し、前記ＬＥＤチップの前記第１電極パッドと前記基板上の前記第１電極との間を連結する第１ソルダ部、及び前記ＬＥＤチップの前記第２電極パッドと前記基板上の前記第２電極との間を連結する第２ソルダ部の各々の前記ソルダ材料を溶融点以上に加熱するＩＲレーザを準備する段階、を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。
前記ソルダ材料は複数で構成されており、
前記ＩＲレーザは、前記第１ソルダ部及び前記第２ソルダ部のそれぞれの複数のソルダ材料を略４００℃で加熱し、前記複数のソルダ材料が一つに融合される溶融段階をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載の発光素子の製造方法。
前記ＩＲレーザは、前記ＬＥＤチップを透過して前記第１ソルダ部及び前記第２ソルダ部に照射される時間が５秒を超えないことを特徴とする、請求項９に記載の発光素子の製造方法。
前記基板上の前記第１電極及び前記第２電極のそれぞれの複数の地点にソルダ材料を塗布し、前記複数の地点のソルダ材料を前記第１電極パッドと前記第１電極との間及び前記第２電極パッドと前記第２電極との間に形成するように、前記第１電極パッドと前記第２電極パッドの各々を前記第１電極と前記第２電極に各々向かい合わせる方向に前記ＬＥＤチップを前記基板上にローディングする段階をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載の発光素子の製造方法。
前記ＩＲレーザは、前記基板上に形成された複数の前記ＬＥＤチップをソルダリングするために直線形パターン又はジグザグパターンで移動することを特徴とする、請求項９に記載の発光素子の製造方法。
前記ＩＲレーザは固定されており、前記基板及び前記複数のＬＥＤチップを移動させ、前記ＩＲレーザを通じてソルダリングされることを特徴とする、請求項９に記載の発光素子の製造方法。
前記ＬＥＤチップの上側に配列され、ＩＲレーザ光源と、前記ＩＲレーザ光源と連結されたオプティックファイバで形成されたオプティックガイドと、前記ＩＲレーザ光源を一点に集束させる集束レンズと、を含むＩＲレーザ照射ユニットを準備する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載の発光素子の製造方法。
第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に形成される電極分離部が形成された基板、
前記基板の第１電極に対応する第１電極パッド、及び前記基板の第２電極に対応する第２電極パッドが形成されたＬＥＤチップ、及び
前記基板上に形成される前記ＬＥＤチップの上端に位置し、前記ＬＥＤチップの前記第１電極パッドと前記基板上の前記第１電極との間を連結する第１ソルダ部、及び前記ＬＥＤチップの前記第２電極パッドと前記基板上の前記第２電極との間を連結する第２ソルダ部をＩＲレーザで溶融点以上に加熱するＩＲレーザ照射ユニット、を含み、
前記ＩＲレーザ照射ユニットは、ＩＲレーザ光源、及び前記ＩＲレーザ光源と連結されたオプティックファイバで形成されたオプティックガイドが前記ＬＥＤチップの上端に直線形又はジグザグ形態にＩＲレーザを照射することを特徴とする発光素子の製造装置。
前記ＩＲレーザ照射ユニットの前記ＩＲレーザ光源は、前記第１ソルダ部及び前記第２ソルダ部の各々のソルダ材料を略４００℃で加熱して溶融することを特徴とする、請求項１６に記載の発光素子の製造装置。
前記ＩＲレーザは、前記ＩＲレーザ光源を一点に集束させる集束レンズをさらに含むことを特徴とする、請求項１６に記載の発光素子の製造装置。
前記ＩＲレーザ光源によって溶融された前記第１ソルダ部及び前記第２ソルダ部の溶融面積は、前記ＬＥＤチップの前記第１電極パッド及び前記第２電極パッドの面積より小さいことを特徴とする、請求項１６に記載の発光素子の製造装置。
前記ＩＲレーザ光源は、前記ＬＥＤチップを透過して前記第１ソルダ部及び前記第２ソルダ部に照射される時間が５秒を超えないことを特徴とする、請求項１６に記載の発光素子の製造装置。