JP6565351B2 - Capacitor charger - Google Patents
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Description
本発明は、電力用コンデンサを直流電源として高電圧・大電流のパルスを発生させるパルス電源において、コンデンサを設定電圧まで周期的に充電するコンデンサの充電装置の制御に関する。 The present invention relates to control of a capacitor charging device that periodically charges a capacitor to a set voltage in a pulse power source that generates a high-voltage, large-current pulse using a power capacitor as a DC power source.
エキシマレーザーやオゾナイザー等の電源として利用されるパルス電源は、充電装置によって周期的に充電が行われるコンデンサの電圧を、例えば可飽和リアクトルを介してパルストランスの一次側に印加し、その二次側に昇圧したパルス電流を発生させ、パルストランスの二次側に接続した複数段の、コンデンサおよび可飽和リアクトルによってコンデンサの充電とパルス圧縮とを繰り返すことで、レーザ発振器などの負荷へ超短パルスを発生させるように構成している。 A pulse power source used as a power source for an excimer laser, an ozonizer, or the like applies a capacitor voltage periodically charged by a charging device to a primary side of a pulse transformer through a saturable reactor, for example, and a secondary side thereof. A pulse current that is boosted to a low level is generated, and charging and pulse compression of the capacitor are repeated with multiple stages of capacitors and saturable reactors connected to the secondary side of the pulse transformer. It is configured to generate.
前記パルス電源におけるコンデンサの充電装置の主回路構成(充電回路)と制御部のブロックは、例えば図3のように構成されている。 The main circuit configuration (charging circuit) of the capacitor charging device in the pulse power supply and the control block are configured as shown in FIG. 3, for example.
図3において、直流電源1の正極端は、半導体スイッチング素子2、リアクトル3、電流検出用のシャント抵抗器4、図示極性の還流ダイオード5およびコンデンサ6を介して直流電源1の負極端に接続されている。 In FIG. 3, the positive terminal of the DC power source 1 is connected to the negative terminal of the DC power source 1 through a semiconductor switching element 2, a reactor 3, a current detecting shunt resistor 4, a free-wheeling diode 5 with a polarity shown and a capacitor 6. ing.
前記コンデンサ6に対して並列となるように、すなわちシャント抵抗器4および還流ダイオード5の共通接続点と直流電源1の負極端との間には半導体スイッチング素子7が接続されている。 A semiconductor switching element 7 is connected in parallel with the capacitor 6, that is, between the common connection point of the shunt resistor 4 and the free wheel diode 5 and the negative terminal of the DC power supply 1.
半導体スイッチング素子2およびリアクトル3の共通接続点と直流電源1の負極端との間には図示極性の還流ダイオード8が接続されている。 Between the common connection point of the semiconductor switching element 2 and the reactor 3 and the negative electrode end of the DC power supply 1, a free-wheeling diode 8 having the illustrated polarity is connected.
11は直流電源1の電圧Eを検出する電圧検出器であり、12はコンデンサ6の電圧(初期電圧Vc0および充電電圧V)を検出する電圧検出器である。 Reference numeral 11 denotes a voltage detector that detects the voltage E of the DC power supply 1, and reference numeral 12 denotes a voltage detector that detects the voltage (initial voltage Vc 0 and charging voltage V) of the capacitor 6.
13は、充電信号発生部14から入力される充電信号(の立ち上がり)をトリガ(充電トリガ)として電圧検出器11の検出電圧をアナログ/ディジタル変換するA/D変換器であり、15は、充電信号発生部14から入力される充電信号(の立ち上がり)をトリガ(充電トリガ)として電圧検出器12の検出電圧をアナログ/ディジタル変換するA/D変換器である。 Reference numeral 13 denotes an A / D converter that performs analog / digital conversion on the detected voltage of the voltage detector 11 using a charging signal (rising edge) input from the charging signal generator 14 as a trigger (charging trigger). This is an A / D converter that performs analog / digital conversion of the detection voltage of the voltage detector 12 using a charging signal (rising edge) input from the signal generator 14 as a trigger (charging trigger).
16は、A/D変換器13の出力電圧(直流電源1の電圧E)と、A/D変換器15の出力電圧(コンデンサ6の初期電圧Vc0および充電電圧V)と、充電電圧指令部17から出力される充電電圧指令値とを入力とし、後述する式(3)を演算し、半導体スイッチング素子2、7のオン期間ΔT’を求めて出力する演算回路である。 Reference numeral 16 denotes an output voltage of the A / D converter 13 (voltage E of the DC power supply 1), an output voltage of the A / D converter 15 (initial voltage Vc0 and charging voltage V of the capacitor 6), and a charging voltage command unit 17 Is an arithmetic circuit that receives the charge voltage command value output from the input terminal, calculates an expression (3), which will be described later, and obtains and outputs an ON period ΔT ′ of the semiconductor switching elements 2 and 7.
18は、演算回路16で演算されたΔT’の期間オン信号を出力するカウンタであり、該オン信号は、充電信号発生部14から入力される充電信号(の立ち上がり)をトリガ(充電トリガ)として出力開始される。 Reference numeral 18 denotes a counter that outputs an ON signal during the period ΔT ′ calculated by the arithmetic circuit 16. The ON signal is triggered by a charging signal (rising edge) input from the charging signal generator 14 as a trigger (charging trigger). Output starts.
19aは、カウンタ18からのオン信号のΔT’の期間、半導体スイッチング素子7をオン制御するゲート信号を作成して出力するゲート回路である。 Reference numeral 19a denotes a gate circuit that generates and outputs a gate signal for controlling the semiconductor switching element 7 to be ON during the period of ΔT ′ of the ON signal from the counter 18.
19bは、カウンタ18からのオン信号のΔT’の期間、半導体スイッチング素子2をオン制御するゲート信号を作成して出力するゲート回路である。 Reference numeral 19b denotes a gate circuit that generates and outputs a gate signal for controlling the semiconductor switching element 2 to be on during the period of ΔT ′ of the on signal from the counter 18.
図3のように構成されたコンデンサの充電装置は、決められた充電期間Tchg(例えば50μsec)内でコンデンサ6を充電電圧指令値によって与えられる電圧に充電する。また、コンデンサ6の充電電圧は放電期間において、図示省略の例えばパルストランスに放電される。この動作は、例えば1秒間に4000回繰り返される。 The capacitor charging apparatus configured as shown in FIG. 3 charges the capacitor 6 to a voltage given by the charge voltage command value within a predetermined charging period Tchg (for example, 50 μsec). Further, the charging voltage of the capacitor 6 is discharged to, for example, a pulse transformer (not shown) during the discharging period. This operation is repeated 4000 times per second, for example.
図3の回路の動作を、各部の波形を示す図4とともに説明する。 The operation of the circuit of FIG. 3 will be described with reference to FIG.
図4(a)は、充電信号発生部14が出力する充電信号を示し、この充電信号はコンデンサ6を充電させるためのオン期間と放電させるためのオフ期間を一周期とする連続信号である。 FIG. 4A shows a charging signal output from the charging signal generator 14, and this charging signal is a continuous signal having an on period for charging the capacitor 6 and an off period for discharging the capacitor 6 as one cycle.
図4(b)は半導体スイッチング素子7のオン、オフ制御信号を示し、図4(c)は半導体スイッチング素子2のオン、オフ制御信号を示し、これらの制御信号のオン期間はともに演算回路16で算出されたΔT’となっている。 FIG. 4B shows an on / off control signal for the semiconductor switching element 7, and FIG. 4C shows an on / off control signal for the semiconductor switching element 2. ΔT ′ calculated in (1).
図4(d)はリアクトル3の電流を示し、図4(e)はコンデンサ6の電圧を示している。 FIG. 4D shows the current of the reactor 3, and FIG. 4E shows the voltage of the capacitor 6.
まず、時刻t1において図4(a)の充電信号が立ち上がると、これをトリガとしてΔT’の期間半導体スイッチング素子2、7がオン制御され(図4(b)、(c))、図3の充電回路には(1)の経路(直流電源1の正極端→半導体スイッチング素子2→リアクトル3→シャント抵抗器4→半導体スイッチング素子7→直流電源1の負極端)で電流が流れる。 First, when the charging signal in FIG. 4A rises at time t1, the semiconductor switching elements 2 and 7 are controlled to be turned on for a period of ΔT ′ using this as a trigger (FIGS. 4B and 4C). A current flows through the charging circuit through the path (1) (positive electrode end of the DC power source 1 → semiconductor switching element 2 → reactor 3 → shunt resistor 4 → semiconductor switching element 7 → negative electrode end of the DC power source 1).
これによって、ΔT’経過時に充電回路に流れる電流Iは、リアクトル3のリアクトル値をL、直流電源1の電圧をEとすると、 As a result, when the current I flowing through the charging circuit when ΔT ′ elapses, the reactor value of the reactor 3 is L, and the voltage of the DC power supply 1 is E.
となる。 It becomes.
また、同時にリアクトル3には(1/2)・LI2のエネルギーが蓄積される。 At the same time, the reactor 3 accumulates (1/2) · LI 2 energy.
次に、ΔT’が経過した時刻t2において、半導体スイッチング素子2、7が同時にオフ制御され(図4(b)、(c))、図3の充電回路には(2)の経路(リアクトル3→シャント抵抗器4→還流ダイオード5→コンデンサ6→還流ダイオード8→リアクトル3)で電流が流れる。 Next, at time t2 when ΔT ′ has elapsed, the semiconductor switching elements 2 and 7 are simultaneously turned off (FIGS. 4B and 4C), and the charging circuit of FIG. → Shunt resistor 4 → freewheeling diode 5 → capacitor 6 → freewheeling diode 8 → reactor 3) current flows.
これによって、リアクトル3に蓄えられたエネルギー(図4(d))はコンデンサ6に全て移行する(図4(e))。そしてコンデンサ6の電圧は、リアクトル3の電流が零となる時刻t3において、充電電圧指令値に達する。 As a result, the energy stored in the reactor 3 (FIG. 4D) is entirely transferred to the capacitor 6 (FIG. 4E). The voltage of the capacitor 6 reaches the charging voltage command value at time t3 when the current of the reactor 3 becomes zero.
コンデンサ6のコンデンサ容量をC、コンデンサ6の初期電圧をVc0、エネルギー移行後のコンデンサ6の電圧をVとすると、エネルギー保存の法則により、 When the capacitor capacity of the capacitor 6 is C, the initial voltage of the capacitor 6 is Vc0, and the voltage of the capacitor 6 after energy transfer is V, according to the law of energy conservation,
が成り立ち、また式(1)、式(2)より、 From equations (1) and (2),
が成り立つ。 Holds.
その後は、図4(a)の充電信号のオン期間が終了しオフ期間がスタートする時刻t5において、コンデンサ6の充電電圧は図示省略の例えばパルストランス側に放電される(例えばコンデンサ6とパルストランスの間に接続された図示省略のスイッチがオンされることにより放電される)。 After that, at time t5 when the on period of the charging signal in FIG. 4A ends and the off period starts, the charging voltage of the capacitor 6 is discharged to, for example, a pulse transformer side (not shown) (for example, the capacitor 6 and the pulse transformer). Is discharged when a switch (not shown) connected between the two is turned on.
そして、図4(a)の充電信号の次の周期のオン期間がスタートする時刻t6において、再び充電信号が立ち上がって前記と同様の動作が繰り返される。 Then, at time t6 when the on period of the next cycle of the charging signal in FIG. 4A starts, the charging signal rises again and the same operation as described above is repeated.
図3の充電装置は、高速で高精度(例えば0.1%)な充電精度を得るため、充電電圧指令部17からの充電電圧指令を受信した後、充電信号発生部14からの充電信号をトリガとして半導体スイッチング素子2および7をオンすると同時に直流電源1の電圧Eの検出を行い、演算回路16において式(3)の演算でΔT’を算出し、ΔT’経過後半導体スイッチング素子2、7をオフすることで、1回のスイッチングでコンデンサ6を充電電圧指令値まで充電する。 The charging device of FIG. 3 receives the charging voltage command from the charging voltage command unit 17 and then receives the charging signal from the charging signal generation unit 14 in order to obtain high-speed and high-accuracy (for example, 0.1%) charging accuracy. At the same time that the semiconductor switching elements 2 and 7 are turned on as a trigger, the voltage E of the DC power source 1 is detected, and the arithmetic circuit 16 calculates ΔT ′ by the calculation of equation (3). Is turned off, the capacitor 6 is charged to the charge voltage command value by one switching.
尚、本発明に関連するコンデンサの充電装置は、例えば特許文献1、2に記載のものが提案されていた。 In addition, the thing of the patent documents 1 and 2 was proposed as the charging device of the capacitor | condenser relevant to this invention, for example.
図3の回路構成において、図示(1)の経路で電流が流れているときに半導体スイッチング素子2、7をオフすると、図示(2)の経路のように電流が還流ダイオード5、8に還流するまでの間、回路上のインダクタンスの影響により半導体スイッチング素子2、7の各両端にはサージ電圧が発生する。このため、半導体スイッチング素子2、7がサージ電圧で破損することを防止するためのスナバ回路が必要となる場合がある。 In the circuit configuration of FIG. 3, when the semiconductor switching elements 2 and 7 are turned off while a current is flowing through the path (1) shown in the figure, the current flows back to the free- wheeling diodes 5 and 8 as shown in the path (2) shown in the figure. In the meantime, a surge voltage is generated at both ends of the semiconductor switching elements 2 and 7 due to the influence of the inductance on the circuit. For this reason, a snubber circuit may be required to prevent the semiconductor switching elements 2 and 7 from being damaged by a surge voltage.
半導体スイッチング素子7に関しては、還流ダイオード5、コンデンサ6および半導体スイッチング素子7の回路におけるインダクタンスを小さくすることでコンデンサ6をスナバ回路の役目とすることが可能であるが、半導体スイッチング素子2には別途専用のサージ吸収用スナバ回路が必要となる場合がある。尚、半導体スイッチング素子2がサージに耐える耐量を持っている場合であっても、電流遮断時に大きなスイッチング損失が発生し装置効率が低下する問題がある。 Regarding the semiconductor switching element 7, it is possible to make the capacitor 6 serve as a snubber circuit by reducing the inductance in the circuit of the free wheel diode 5 , the capacitor 6 and the semiconductor switching element 7. A dedicated surge absorbing snubber circuit may be required. Even when the semiconductor switching element 2 has a resistance to withstand a surge, there is a problem that a large switching loss occurs when the current is interrupted and the device efficiency is lowered.
本発明は、上記課題を解決するものであり、その目的は、半導体スイッチング素子の零電流遮断によってスナバ回路を不要とし、電流遮断時のスイッチング損失を低減させたコンデンサの充電装置を提供することにある。 The present invention solves the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a capacitor charging device that eliminates the need for a snubber circuit by cutting off a zero current of a semiconductor switching element and reduces switching loss when the current is cut off. is there.
上記課題を解決するための請求項1に記載のコンデンサの充電装置は、コンデンサの一端をダイオードのカソード、アノードを介して第1の半導体スイッチング素子の一端に接続し、前記ダイオードのアノードおよび第1の半導体スイッチング素子の一端の共通接続点を、リアクトルおよび第2の半導体スイッチング素子を介して直流電源の正極端に接続し、前記コンデンサの他端および第1の半導体スイッチング素子の他端を前記直流電源の負極端に接続して構成された充電回路を有し、前記直流電源の直流電力をコンデンサに周期的に充電するコンデンサの充電装置であって、
前記コンデンサを充電させるためのオン期間と放電させるためのオフ期間とが繰り返される充電信号を基準とし、
前記充電信号のオン期間の開始時刻に前記第1の半導体スイッチング素子および第2の半導体スイッチング素子をオン制御し、
前記充電信号のオン期間の開始時刻から、該オン期間終了前の任意の時刻までの第1の期間が終了した時刻に前記第1の半導体スイッチング素子をオフ制御し、
前記充電信号のオン期間の開始時刻から、前記第1の半導体スイッチング素子のオフにより前記充電回路のリアクトルからコンデンサに電流が流れ、該電流が零となった後、充電信号のオン期間が終了するまでの任意の時刻までの期間を第2の期間と定義し、該第2の期間が終了する時刻に前記第2の半導体スイッチング素子をオフ制御する制御部を備えたことを特徴としている。
According to another aspect of the present invention, there is provided a capacitor charging apparatus, wherein one end of a capacitor is connected to one end of a first semiconductor switching element via a cathode and an anode of a diode, and the anode and the first of the diode are connected to each other. A common connection point at one end of each of the semiconductor switching elements is connected to a positive terminal of a DC power source via a reactor and a second semiconductor switching element, and the other end of the capacitor and the other end of the first semiconductor switching element are connected to the DC A capacitor charging device having a charging circuit configured to be connected to a negative electrode end of a power source, and periodically charging the capacitor with DC power of the DC power source,
Based on a charging signal in which an on period for charging the capacitor and an off period for discharging are repeated,
On-controlling the first semiconductor switching element and the second semiconductor switching element at a start time of an on period of the charging signal;
The first semiconductor switching element is off-controlled at the time when the first period from the start time of the on period of the charging signal to an arbitrary time before the end of the on period ends,
From the start time of the on period of the charging signal, current flows from the reactor of the charging circuit to the capacitor by turning off the first semiconductor switching element, and after the current becomes zero, the on period of the charging signal ends. A period up to an arbitrary time until is defined as a second period, and a control unit that controls the second semiconductor switching element to turn off at the time when the second period ends is provided.
上記構成において、第1の期間中と、第2の期間内で第1の期間と同一の期間中は、第1および第2の半導体スイッチング素子がオン制御され、直流電源から第2の半導体スイッチング素子、リアクトルおよび第1の半導体スイッチング素子を介して電流が流れ、リアクトルにエネルギーが蓄積される。 In the above configuration, the first and second semiconductor switching elements are on-controlled during the first period and during the same period as the first period within the second period, and the second semiconductor switching is performed from the DC power source. A current flows through the element, the reactor, and the first semiconductor switching element, and energy is accumulated in the reactor.
次に、第1の期間が終了してから第2の期間が終了するまでの期間は、第1の半導体スイッチング素子がオフ制御され、第2の半導体スイッチング素子のオン制御が継続される。この期間において、リアクトルの蓄積エネルギーは、第1の半導体スイッチング素子に並列接続されているコンデンサに移行し、コンデンサが充電される。 Next, during a period from the end of the first period to the end of the second period, the first semiconductor switching element is turned off and the on control of the second semiconductor switching element is continued. During this period, the stored energy of the reactor is transferred to the capacitor connected in parallel to the first semiconductor switching element, and the capacitor is charged.
次に、コンデンサの充電により充電回路に流れる電流が零となっているときに、第2の半導体スイッチング素子がオフ制御されるので、サージ電圧は発生せず、電流遮断時のスイッチング損失を低減して半導体スイッチング素子の破壊を防止することができる。これによって、装置効率が向上し、スナバ回路が不要となるため装置の低廉化を図ることができる。 Next, when the current flowing through the charging circuit due to charging of the capacitor is zero, the second semiconductor switching element is controlled to be off, so that no surge voltage is generated and switching loss at the time of current interruption is reduced. Thus, destruction of the semiconductor switching element can be prevented. As a result, the efficiency of the apparatus is improved, and a snubber circuit is not required, so that the cost of the apparatus can be reduced.
また、請求項2に記載のコンデンサの充電装置は、請求項1において、前記制御部は、
前記第1の期間をΔTとし、リアクトルのリアクトル値をLとし、直流電源の電圧をEとしたときの、第1の期間経過時の前記充電回路に流れる電流Iを、
The capacitor charging device according to claim 2 is the capacitor charging device according to claim 1, wherein the control unit includes:
When the first period is ΔT, the reactor value of the reactor is L, and the voltage of the DC power supply is E, the current I that flows through the charging circuit when the first period elapses,
と定義し、
前記コンデンサのコンデンサ容量をCとし、前記充電信号のオン期間の開始時刻におけるコンデンサの電圧をVc0とし、第1の期間が終了してからt時間経過後に前記充電回路に流れる電流i(t)を、
And define
The capacitor capacity of the capacitor is C, the voltage of the capacitor at the start time of the on period of the charging signal is Vc0, and the current i (t) that flows through the charging circuit after elapse of t time after the first period ends. ,
と定義し、
第1の期間が終了してからi(t)=0となるまでの時間Tを、
And define
A time T from the end of the first period until i (t) = 0 is obtained.
によって演算し、
前記i(t)=0となったときのコンデンサの充電電圧を充電電圧指令V*として、
Is calculated by
The charging voltage of the capacitor when i (t) = 0 is set as a charging voltage command V * .
と定義し、
前記式(7)から、第1の期間ΔTを、
And define
From the equation (7), the first period ΔT is
によって演算する演算回路と、
前記演算回路によって演算されたΔTの開始時刻に第1の半導体スイッチング素子をオン制御し、ΔTの終了時刻に第1の半導体スイッチング素子をオフ制御する第1の制御信号を生成する回路と、
前記演算回路によって演算されたΔTの開始時刻に第2の半導体スイッチング素子をオン制御し、前記ΔT+Tが経過してから前記充電信号のオン期間終了時刻までの間の時刻に、第2の半導体スイッチング素子をオフ制御する第2の制御信号を生成する回路と、
を備えたことを特徴としている。
An arithmetic circuit for calculating by
A circuit for generating a first control signal for turning on the first semiconductor switching element at the start time of ΔT calculated by the arithmetic circuit, and for turning off the first semiconductor switching element at the end time of ΔT;
The second semiconductor switching element is turned on at the start time of ΔT calculated by the arithmetic circuit, and the second semiconductor switching device is turned on at a time between the lapse of the ΔT + T and the end time of the charging signal. A circuit for generating a second control signal for controlling off of the element;
It is characterized by having.
上記構成によれば、第1の期間であるΔT(式(8))と、第1の期間が終了してから充電回路の電流が零となるまでの時間T(式(6))は演算回路によって演算される。 According to the above configuration, ΔT (equation (8)), which is the first period, and time T (equation (6)) from when the first period ends until the current of the charging circuit becomes zero are calculated. Calculated by the circuit.
このため、コンデンサを、高速、高精度に充電電圧指令V*(式(7))の電圧に充電することができる。 Therefore, the capacitor can be charged to the voltage of the charging voltage command V * (formula (7)) with high speed and high accuracy.
また、前記ΔT+Tが経過してから充電信号のオン期間終了時刻までの間の時刻、すなわち充電回路の電流が零となっている時間帯に第2の半導体スイッチング素子をオフ制御する第2の制御信号を生成することができる。 In addition, a second control for turning off the second semiconductor switching element at a time from when the ΔT + T elapses until the end time of the charging signal, that is, a time zone in which the current of the charging circuit is zero. A signal can be generated.
(1)請求項1、2に記載の発明によれば、従来のコンデンサの充電回路の構成を変更することなく、充電回路に流れる電流が零になっているときに第2の半導体スイッチング素子をオフ制御することができる。 (1) According to the first and second aspects of the present invention, the second semiconductor switching element is provided when the current flowing through the charging circuit is zero without changing the configuration of the conventional capacitor charging circuit. It can be controlled off.
このため、サージ電圧は発生せず、電流遮断時のスイッチング損失を低減して半導体スイッチング素子の破壊を防止することができる。これによって、装置効率が向上し、スナバ回路が不要となるため装置の低廉化を図ることができる。
(2)請求項2に記載の発明によれば、コンデンサを、高速、高精度に充電電圧指令V*(式(7))の電圧に充電することができる。
For this reason, no surge voltage is generated, and the switching loss at the time of current interruption can be reduced to prevent the semiconductor switching element from being destroyed. As a result, the efficiency of the apparatus is improved, and a snubber circuit is not required, so that the cost of the apparatus can be reduced.
(2) According to the invention described in claim 2, the capacitor can be charged to the voltage of the charging voltage command V * (formula (7)) with high speed and high accuracy.
また、前記ΔT+Tが経過してから充電信号のオン期間終了時刻までの間の時刻、すなわち充電回路の電流が零となっている時間帯に第2の半導体スイッチング素子をオフ制御する第2の制御信号を生成することができる。 In addition, a second control for turning off the second semiconductor switching element at a time from when the ΔT + T elapses until the end time of the charging signal, that is, a time zone in which the current of the charging circuit is zero. A signal can be generated.
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明するが、本発明は下記の実施形態例に限定されるものではない。図1は本実施形態例によるコンデンサの充電装置の主回路構成(充電回路)と制御部のブロックを示しており、図3と同一部分は同一符号をもって示している。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments. FIG. 1 shows a main circuit configuration (charging circuit) of a capacitor charging device according to this embodiment and a block of a control unit, and the same parts as those in FIG.
図1において図3と異なる点は、図3の演算回路16およびカウンタ18に代えて、演算回路26およびカウンタ18a,18bを設けた点にあり、その他の部分は図3と同様に構成されている。 1 differs from FIG. 3 in that an arithmetic circuit 26 and counters 18a and 18b are provided in place of the arithmetic circuit 16 and counter 18 of FIG. 3, and the other parts are configured in the same manner as in FIG. Yes.
演算回路26は、A/D変換器13の出力電圧(直流電源1の電圧E)と、A/D変換器15の出力電圧(コンデンサ6の初期電圧Vc0および充電電圧V)と、充電電圧指令部17から出力される充電電圧指令値とを入力とし、後述する式(6)、式(8)を演算して、オン期間ΔT(第1の期間)と、ΔTが終了してから充電回路に流れる電流が零となるまでの時間Tを演算し、ΔTの情報をカウンタ18aに出力し、ΔT、Tの情報をカウンタ18bに出力する演算回路である。この演算回路26は、例えばデジタルシグナルプロセッサ(Digital Signal Processor;DSP)等で構成される。 The arithmetic circuit 26 outputs an output voltage of the A / D converter 13 (voltage E of the DC power supply 1), an output voltage of the A / D converter 15 (initial voltage Vc0 and charging voltage V of the capacitor 6), and a charging voltage command. The charging voltage command value output from the unit 17 is input, and expressions (6) and (8) to be described later are calculated, and the on-period ΔT (first period) and the charging circuit after ΔT ends Is a computation circuit that computes a time T until the current flowing through becomes zero, outputs information of ΔT to the counter 18a, and outputs information of ΔT, T to the counter 18b. The arithmetic circuit 26 is composed of, for example, a digital signal processor (DSP) or the like.
18aは、演算回路26で演算されたΔTの期間オン信号を出力するカウンタであり、該オン信号は、充電信号発生部14から入力される充電信号(の立ち上がり)をトリガ(充電トリガ)として出力開始される。 Reference numeral 18a denotes a counter that outputs an ON signal for a period of ΔT calculated by the arithmetic circuit 26. The ON signal is output using a charging signal (rising edge) input from the charging signal generator 14 as a trigger (charging trigger). Be started.
19aは、カウンタ18aからのオン信号のΔTの期間、半導体スイッチング素子7をオン制御するゲート信号を作成して出力するゲート回路である。 Reference numeral 19a denotes a gate circuit that creates and outputs a gate signal for controlling the semiconductor switching element 7 to be ON during the period of ΔT of the ON signal from the counter 18a.
18bは、充電信号発生部14からの充電信号と演算回路26で演算されたΔT、Tを入力とし、充電信号の立ち上がり(充電トリガ)から、ΔT+Tが経過した(第1の期間終了後に充電回路の電流が零となった)後に充電信号がオフ期間となるまでの間の期間(第2の期間)オン信号を出力するカウンタである。 18b receives the charging signal from the charging signal generator 14 and ΔT and T calculated by the arithmetic circuit 26, and ΔT + T has elapsed from the rising edge of the charging signal (charging trigger) (the charging circuit after the end of the first period). This is a counter that outputs an ON signal during a period (second period) after the charging signal becomes an OFF period after the current of the current becomes zero.
19bは、カウンタ18bからのオン信号の第2の期間、半導体スイッチング素子2をオン制御するゲート信号を作成して出力するゲート回路である。 Reference numeral 19b denotes a gate circuit that creates and outputs a gate signal for controlling the semiconductor switching element 2 to turn on during the second period of the on signal from the counter 18b.
前記充電信号発生部14、演算回路26、カウンタ18aおよびゲート回路19aが、本発明の第1の制御信号を生成する回路を構成している。 The charging signal generator 14, the arithmetic circuit 26, the counter 18a, and the gate circuit 19a constitute a circuit for generating the first control signal of the present invention.
前記充電信号発生部14、演算回路26、カウンタ18bおよびゲート回路19bが、本発明の第2の制御信号を生成する回路を構成している。 The charging signal generator 14, the arithmetic circuit 26, the counter 18b, and the gate circuit 19b constitute a circuit for generating the second control signal of the present invention.
また、半導体スイッチング素子7が本発明の第1の半導体スイッチング素子であり、半導体スイッチング素子2が本発明の第2の半導体スイッチング素子である。 The semiconductor switching element 7 is the first semiconductor switching element of the present invention, and the semiconductor switching element 2 is the second semiconductor switching element of the present invention.
次に図1の回路の動作を、各部の波形を示す図2とともに説明する。図2(a)は、充電信号発生部14が出力する充電信号を示し、この充電信号はコンデンサ6を充電させるためのオン期間と放電させるためのオフ期間を一周期とする連続信号である。 Next, the operation of the circuit of FIG. 1 will be described with reference to FIG. FIG. 2A shows a charging signal output from the charging signal generator 14, and this charging signal is a continuous signal having an on period for charging the capacitor 6 and an off period for discharging the capacitor 6 as one cycle.
図2(b)は半導体スイッチング素子7のオン、オフ制御信号を示し、オン期間は演算回路26で演算されたΔT(第1の期間)となっている。 FIG. 2B shows an ON / OFF control signal for the semiconductor switching element 7, and the ON period is ΔT (first period) calculated by the arithmetic circuit 26.
図2(c)は半導体スイッチング素子2のオン、オフ制御信号を示し、オン期間は、充電信号(図2(a))の立ち上がりから、演算回路26で演算されたΔTとTが経過した後の、充電信号がオフ期間となるまでの任意の時刻までの第2の期間となっている。 FIG. 2 (c) shows an on / off control signal for the semiconductor switching element 2. The on period is after ΔT and T calculated by the arithmetic circuit 26 have elapsed from the rising edge of the charging signal (FIG. 2 (a)). This is the second period up to an arbitrary time until the charging signal is turned off.
図2(d)はリアクトル3の電流を示し、図2(e)はコンデンサ6の電圧を示している。 FIG. 2D shows the current of the reactor 3, and FIG. 2E shows the voltage of the capacitor 6.
まず、時刻t1において図2(a)の充電信号が立ち上がると、これをトリガとして半導体スイッチング素子2、7がオン制御され(図2(b)、(c))、図1の充電回路には(1)の経路(直流電源1の正極端→半導体スイッチング素子2→リアクトル3→シャント抵抗器4→半導体スイッチング素子7→直流電源1の負極端)で電流が流れる。 First, when the charging signal in FIG. 2A rises at time t1, the semiconductor switching elements 2 and 7 are turned on using this as a trigger (FIGS. 2B and 2C), and the charging circuit in FIG. Current flows through the path (1) (positive electrode end of DC power source 1 → semiconductor switching element 2 → reactor 3 → shunt resistor 4 → semiconductor switching element 7 → negative electrode end of DC power source 1).
これによって、ΔT経過時に充電回路に流れる電流Iは、リアクトル3のリアクトル値をL、直流電源1の電圧をEとすると、 As a result, when the current I flowing through the charging circuit when ΔT has elapsed, the reactor value of the reactor 3 is L, and the voltage of the DC power supply 1 is E.
となる。 It becomes.
また、リアクトル3にエネルギーが蓄積される。 Further, energy is accumulated in the reactor 3.
次に、ΔTが経過した時刻t2において、カウンタ18aのオン信号が終了して半導体スイッチング素子7のみがオフ制御され(図2(b))、図1の充電回路には(2)の経路(直流電源1の正極端→半導体スイッチング素子2→リアクトル3→シャント抵抗器4→還流ダイオード5→コンデンサ6→直流電源1の負極端)で電流が流れる。 Next, at the time t2 when ΔT has elapsed, the ON signal of the counter 18a is terminated and only the semiconductor switching element 7 is controlled to be turned OFF (FIG. 2B), and the charging circuit of FIG. Current flows through the positive terminal of the DC power source 1 → the semiconductor switching element 2 → the reactor 3 → the shunt resistor 4 → the freewheeling diode 5 → the capacitor 6 → the negative terminal of the DC power source 1.
このとき、コンデンサ6のコンデンサ容量をC、コンデンサ6の初期電圧をVc0とすると、時刻t2で半導体スイッチング素子7がオフ制御されてから時間t経過後の電流i(t)は式(5)のように表され、充電回路にはi(t)=0となる(時刻t3)までの間電流が流れ、リアクトル3のエネルギーはコンデンサ6に移行する(図2(d)、(e))。尚、充電回路に流れる電流の情報はシャント抵抗器4によって得るものである。 At this time, if the capacitor capacity of the capacitor 6 is C and the initial voltage of the capacitor 6 is Vc0, the current i (t) after the elapse of time t after the semiconductor switching element 7 is turned off at time t2 is expressed by the equation (5). The current flows through the charging circuit until i (t) = 0 (time t3), and the energy of the reactor 3 is transferred to the capacitor 6 (FIGS. 2D and 2E). Information on the current flowing through the charging circuit is obtained by the shunt resistor 4.
式(5)より、半導体スイッチング素子7のオフからi(t)=0となるまでの時間Tは式(6)で表され、演算回路26において演算される。 From Expression (5), the time T from when the semiconductor switching element 7 is turned off until i (t) = 0 is expressed by Expression (6) and is calculated by the arithmetic circuit 26.
電流が流れ終わった(i(t)=0)とき(時刻t3)のコンデンサ6の充電電圧(=充電電圧指令V*)は式(7)で表すことができる。 When the current has ended (i (t) = 0) (time t3), the charging voltage (= charging voltage command V * ) of the capacitor 6 can be expressed by equation (7).
また、sin*sin-1=cos*cos-1=1を利用すると、式(7)からΔT(第1の期間)を求めることができ、式(8)で表すことができ、演算回路26は式(8)のΔTを演算する。 Further, when sin * sin −1 = cos * cos −1 = 1 is used, ΔT (first period) can be obtained from the equation (7), and can be expressed by the equation (8). Calculates ΔT in equation (8).
このようにして演算したΔTは、式(7)、式(8)から、コンデンサ6を充電電圧指令V*まで充電できるエネルギーをリアクトル3に蓄積させることのできる電流通流時間に相当する、といえる。 ΔT calculated in this way corresponds to the current passing time during which the energy that can charge the capacitor 6 up to the charging voltage command V * can be accumulated in the reactor 3 from the equations (7) and (8). I can say that.
時刻t1〜時刻t3に示すように、従来(図3)と同様の制御部を用いて、充電電圧指令V*、電圧検出器11、A/D変換器13によって得た直流電源1の電圧E、電圧検出器12、A/D変換器15によって得たコンデンサ6の初期電圧Vc0から、ΔTを演算回路26で算出し、半導体スイッチング素子7をΔTの期間オンした後オフする方法で、コンデンサ6を高速、高精度に充電電圧指令(V*)に充電することができる。 As shown in the time t1 to the time t3, the voltage E of the DC power source 1 obtained by the charging voltage command V * , the voltage detector 11, and the A / D converter 13 by using the same control unit as in the prior art (FIG. 3). From the initial voltage Vc0 of the capacitor 6 obtained by the voltage detector 12 and the A / D converter 15, ΔT is calculated by the arithmetic circuit 26, and the capacitor 6 is turned off after the semiconductor switching element 7 is turned on for the period of ΔT. Can be charged to the charging voltage command (V * ) with high speed and high accuracy.
次に、ΔT+Tが経過した時刻t3から前記充電信号のオン期間終了時刻(t5)までの任意の時刻t4において、カウンタ18bのオン信号(第2の期間に相当するオン信号)出力が終了し、半導体スイッチング素子2がオフ制御される(図2(c))。 Next, at an arbitrary time t4 from the time t3 when ΔT + T has elapsed to the on-period end time (t5) of the charging signal, the output of the on-signal of the counter 18b (the on-signal corresponding to the second period) ends. The semiconductor switching element 2 is turned off (FIG. 2C).
この時刻t4において、充電回路に流れる電流は零であるので、半導体スイッチング素子2のオフ時のサージ電圧は発生せず、電流遮断時のスイッチング損失を低減して半導体スイッチング素子2の破壊を防止することができる。これによって装置効率が向上し、スナバ回路が不要となるため、装置のコストを下げることができる。 At this time t4, since the current flowing through the charging circuit is zero, no surge voltage is generated when the semiconductor switching element 2 is turned off, and the switching loss when the current is interrupted is reduced to prevent the semiconductor switching element 2 from being destroyed. be able to. This improves device efficiency and eliminates the need for a snubber circuit, thereby reducing the cost of the device.
前記半導体スイッチング素子2をオフ制御する時刻t4は、図1の(2)の経路で電流が流れ終わった時刻t3から、図2(a)の充電信号のオン期間が終了する(コンデンサ6の放電期間がスタートする)時刻t5までの間で、任意に決めることができ、その時刻設定はカウンタ18bによって設定しておく。 At time t4 when the semiconductor switching element 2 is turned off, the on-period of the charging signal in FIG. 2 (a) ends from the time t3 when the current flows through the path (2) in FIG. 1 (discharge of the capacitor 6). It can be arbitrarily determined until time t5 (the period starts), and the time setting is set by the counter 18b.
図2(a)の充電信号のオン期間が終了する時刻t5において、コンデンサ6の充電電圧(図2(e))は図示省略のパルストランス側に放電され、その後図2(a)の充電信号のオン期間が再びスタートする時刻t6において、半導体スイッチング素子2、7が同時にオン制御され、それ以降は前記同様の動作が繰り返される。 At time t5 when the on-period of the charging signal in FIG. 2A ends, the charging voltage (FIG. 2E) of the capacitor 6 is discharged to the pulse transformer side (not shown), and then the charging signal in FIG. At time t6 when the ON period starts again, the semiconductor switching elements 2 and 7 are simultaneously turned ON, and thereafter the same operation is repeated.
1…直流電源
2、7…半導体スイッチング素子
3…リアクトル
4…シャント抵抗器
5、8…還流ダイオード
6…コンデンサ
11、12…電圧検出器
13、15…A/D変換器
14…充電信号発生部
17…充電電圧指令部
18a、18b…カウンタ
19a、19b…ゲート回路
26…演算回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... DC power source 2, 7 ... Semiconductor switching element 3 ... Reactor 4 ... Shunt resistor 5, 8 ... Free-wheeling diode 6 ... Capacitor 11, 12 ... Voltage detector 13, 15 ... A / D converter 14 ... Charge signal generation part 17 ... charging voltage command section 18a, 18b ... counter 19a, 19b ... gate circuit 26 ... arithmetic circuit
Claims (2)
前記コンデンサを充電させるためのオン期間と放電させるためのオフ期間とが繰り返される充電信号を基準とし、
前記充電信号のオン期間の開始時刻に前記第1の半導体スイッチング素子および第2の半導体スイッチング素子をオン制御し、
前記充電信号のオン期間の開始時刻から、該オン期間終了前の任意の時刻までの第1の期間が終了した時刻に前記第1の半導体スイッチング素子をオフ制御し、
前記充電信号のオン期間の開始時刻から、前記第1の半導体スイッチング素子のオフにより前記充電回路のリアクトルからコンデンサに電流が流れ、該電流が零となった後、充電信号のオン期間が終了するまでの任意の時刻までの期間を第2の期間と定義し、該第2の期間が終了する時刻に前記第2の半導体スイッチング素子をオフ制御する制御部を備えたことを特徴とするコンデンサの充電装置。 One end of the capacitor is connected to one end of the first semiconductor switching element via the cathode and anode of the diode, and the common connection point of the anode of the diode and one end of the first semiconductor switching element is connected to the reactor and the second semiconductor switching. A charging circuit configured to be connected to a positive electrode end of a DC power source through an element, and to connect the other end of the capacitor and the other end of the first semiconductor switching element to a negative electrode end of the DC power source; A capacitor charging device that periodically charges a capacitor with DC power of a power source,
Based on a charging signal in which an on period for charging the capacitor and an off period for discharging are repeated,
On-controlling the first semiconductor switching element and the second semiconductor switching element at a start time of an on period of the charging signal;
The first semiconductor switching element is off-controlled at the time when the first period from the start time of the on period of the charging signal to an arbitrary time before the end of the on period ends,
From the start time of the on period of the charging signal, current flows from the reactor of the charging circuit to the capacitor by turning off the first semiconductor switching element, and after the current becomes zero, the on period of the charging signal ends. A period of time until an arbitrary time until is defined as a second period, and a control unit that controls the second semiconductor switching element to turn off at a time when the second period ends is provided. Charging device.
前記第1の期間をΔTとし、リアクトルのリアクトル値をLとし、直流電源の電圧をEとしたときの、第1の期間経過時の前記充電回路に流れる電流Iを、
前記コンデンサのコンデンサ容量をCとし、前記充電信号のオン期間の開始時刻におけるコンデンサの電圧をVc0とし、第1の期間が終了してからt時間経過後に前記充電回路に流れる電流i(t)を、
第1の期間が終了してからi(t)=0となるまでの時間Tを、
前記i(t)=0となったときのコンデンサの充電電圧を充電電圧指令V*として、
前記式(7)から、第1の期間ΔTを、
前記演算回路によって演算されたΔTの開始時刻に第1の半導体スイッチング素子をオン制御し、ΔTの終了時刻に第1の半導体スイッチング素子をオフ制御する第1の制御信号を生成する回路と、
前記演算回路によって演算されたΔTの開始時刻に第2の半導体スイッチング素子をオン制御し、前記ΔT+Tが経過してから前記充電信号のオン期間終了時刻までの間の時刻に、第2の半導体スイッチング素子をオフ制御する第2の制御信号を生成する回路と、
を備えたことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサの充電装置。 The controller is
When the first period is ΔT, the reactor value of the reactor is L, and the voltage of the DC power supply is E, the current I that flows through the charging circuit when the first period elapses,
The capacitor capacity of the capacitor is C, the voltage of the capacitor at the start time of the on period of the charging signal is Vc0, and the current i (t) that flows through the charging circuit after elapse of t time after the first period ends. ,
A time T from the end of the first period until i (t) = 0 is obtained.
The charging voltage of the capacitor when i (t) = 0 is set as a charging voltage command V * .
From the equation (7), the first period ΔT is
A circuit for generating a first control signal for turning on the first semiconductor switching element at the start time of ΔT calculated by the arithmetic circuit, and for turning off the first semiconductor switching element at the end time of ΔT;
The second semiconductor switching element is turned on at the start time of ΔT calculated by the arithmetic circuit, and the second semiconductor switching device is turned on at a time between the lapse of the ΔT + T and the end time of the charging signal. A circuit for generating a second control signal for controlling off of the element;
The capacitor charging device according to claim 1, further comprising:
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