JP6580447B2 - 粘着シート及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、粘着シート及び半導体装置の製造方法に関する。

近年、電子機器の小型化、軽量化、及び高機能化が進んでいる。電子機器に搭載される半導体装置にも、小型化、薄型化、及び高密度化が求められている。半導体チップは、そのサイズに近いパッケージに実装されることがある。このようなパッケージは、チップスケールパッケージ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ；ＣＳＰ）と称されることもある。ＣＳＰを製造するプロセスの一つとして、ウエハレベルパッケージ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ；ＷＬＰ）が挙げられる。ＷＬＰにおいては、ダイシングにより個片化する前に、チップ回路形成面に外部電極などを形成し、最終的にはチップを含むパッケージをダイシングして、個片化する。ＷＬＰとしては、ファンイン（Ｆａｎ−Ｉｎ）型とファンアウト（Ｆａｎ−Ｏｕｔ）型が挙げられる。ファンアウト型のＷＬＰ（以下、ＦＯ−ＷＬＰと略記する場合がある。）においては、半導体チップを、チップサイズよりも大きな領域となるように封止部材で覆って半導体チップ封止体を形成し、再配線層や外部電極を、半導体チップの回路面だけでなく封止部材の表面領域においても形成する。

例えば、特許文献１には、半導体ウエハから個片化された複数の半導体チップを、その回路形成面を残し、モールド部材を用いて周りを囲んで拡張ウエハを形成し、半導体チップ外の領域に再配線パターンを延在させて形成する半導体パッケージの製造方法が記載されている。特許文献１に記載の製造方法において、シリコンウエハはダイシング用のウエハマウントテープに貼着されてダイシング工程を施される。その後、エキスパンド用のウエハマウントテープに貼り替えられ、ウエハマウントテープ（支持テープ）を展延して複数のシリコンチップの間の距離を拡大させるテープエキスパンド工程を施される。

国際公開第２０１０／０５８６４６号

しかしながら、特許文献１に記載の製造方法では、ダイシング工程で用いるテープとテープエキスパンド工程で用いるテープとが異なるため、テープを貼り替える工程が必要である。

本発明の目的は、半導体装置の製造工程を簡略化することができる粘着シート、及び当該粘着シートを用いた半導体装置の製造方法を提供することである。

本発明の一態様によれば、第一基材面及び前記第一基材面とは反対側の第二基材面を有する第一基材層と、前記第一基材層の前記第二基材面側に積層された第二基材層と、前記第一基材層の前記第一基材面側に積層された第一粘着剤層と、を備え、前記第一基材層は、エチレン−（メタ）アクリレート共重合樹脂を主成分として含み、前記第二基材層は、ポリウレタン樹脂を主成分として含み、前記第二基材層の破断伸度が４００％以上である粘着シートが提供される。

この態様に係る粘着シートによれば、第一基材層がダイシング適性を有する基材であり、第二基材層がエキスパンド適性を有する基材であり、これらが積層されている。例えば、半導体ウエハを粘着剤層に貼着させ、この半導体ウエハをダイシングし、その後、別の粘着シートに貼り替えずに、ダイシング後の複数の半導体チップを貼着させたままエキスパンド工程を実施することができる。第二基材層の破断伸度が、４００％以上であるので、この態様に係る粘着シートによれば、半導体チップ同士の間隔を大きく拡げることができる。よって、本発明の一態様に係る粘着シートによれば、半導体装置の製造工程を簡略化することができる。
本発明の一態様に係る粘着シートは、例えば、ＦＯ−ＷＬＰのプロセスに好適に利用できるため、ファンアウト型のウエハレベルパッケージを製造するプロセス用の粘着シートであることが好ましい。

本発明の一態様に係る粘着シートにおいて、前記第一基材層は、ダイシングシート用のフィルムであることが好ましい。

本発明の一態様に係る粘着シートにおいて、前記第一基材層と前記第二基材層との間に第二粘着剤層を備えることが好ましい。
この態様においては、第一基材層と第二基材層との間に第二粘着剤層を備えるため、エキスパンド工程において粘着シートを拡張させて第一基材層を破断させた際の衝撃が第二基材層に加わることを防止できる。

本発明の一態様に係る粘着シートにおいて、前記第二粘着剤層の厚さが２μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。
この態様においては、第二粘着剤層の厚さが２μｍ以上３０μｍ以下であるので、ダイシング後に複数の半導体チップが粘着シートから脱離したり、飛散したりすることを防止し易くなる。また、第二粘着剤層の厚さが２μｍ以上であるので、ダイシング時にダイシングブレード等を用いて第一基材層をその上面から下面まで到達する深さで切断（フルカット）した場合でも、ダイシングブレードが第二基材層に到達することを防止し易くなる。第二基材層に切込みが形成されていなければ、エキスパンド工程において粘着シートを拡張させる際に第二基材層が破断することを防止できる。また、第二粘着剤層の厚さが３０μｍ以下であるので、ダイシング時の振動を抑えチップ欠けを防止することができる。

本発明の一態様に係る粘着シートにおいて、前記第二粘着剤層の前記第一基材層及び前記第二基材層に対する粘着力は、１０００ｍＮ／２５ｍｍ以上２００００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。
この態様においては、第二粘着剤層の前記第一基材層及び前記第二基材層に対する粘着力が１０００ｍＮ／２５ｍｍ以上２００００ｍＮ／２５ｍｍ以下であるので、第一基材層と第二基材層とが所定の強度以上の粘着力で貼り合された状態となる。そのため、この態様によれば、ダイシング後の複数の半導体チップが粘着シートから脱離したり、飛散したりすることを防止する効果がさらに向上する。

本発明の一態様に係る粘着シートにおいて、前記第一粘着剤層は、エネルギー線硬化型の粘着剤を含み、前記第二粘着剤層は、エネルギー線硬化型の粘着剤を含まないことが好ましい。
この態様においては、第一粘着剤層は、エネルギー線硬化型の粘着剤を含み、第二粘着剤層は、エネルギー線硬化型の粘着剤を含まないので、第一粘着剤層にエネルギー線を照射して粘着力を低下させ、第二粘着剤層の粘着力を維持したままにできる。そのため、ダイシング工程及びエキスパンド工程の後に粘着シートを剥離する際に、半導体チップと第一粘着剤層との界面で剥離し易くすることができる。

本発明の一態様によれば、第一基材面及び前記第一基材面とは反対側の第二基材面を有する第一基材層と、前記第一基材層の前記第一基材面側に積層された第一粘着剤層と、前記第一基材層の前記第二基材面側に積層された第二基材層と、を備え、前記第一基材層は、エチレン−（メタ）アクリレート共重合樹脂を主成分として含み、前記第二基材層は、ポリウレタン樹脂を主成分として含み、前記第二基材層は、破断伸度が４００％以上である粘着シートの前記第一粘着剤層に半導体ウエハを貼着する工程と、前記半導体ウエハをダイシングにより個片化し、複数の半導体チップを形成する工程と、前記粘着シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、を備える、半導体装置の製造方法が提供される。
この態様に係る半導体装置の製造方法においては、前述の本発明の一態様に係る粘着シートを用いているので、半導体装置の製造工程を簡略化することができる。この態様に係る半導体装置の製造方法によれば、破断伸度が４００％以上の第二基材層を有する粘着シートを用いるので、半導体チップ同士の間隔を大きく拡げることができる。そのため、この態様に係る半導体装置の製造方法は、例えば、ＦＯ−ＷＬＰのプロセスとして好適に利用できる。

本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハを個片化する工程において、ダイシングブレードを用いて前記第一基材層の上面側から切込み、前記第一基材層の下面まで到達させずに切込みを止めて、前記粘着シートを引き延ばす工程において、前記ダイシングブレードで切り込んだ際に形成された切込みに沿って前記第一基材層を破断させることが好ましい。
この態様に係る半導体装置の製造方法においては、第一基材層をフルカットせず、第一基材層の下面まで到達しない深さで切込みを止めるように切断（ハーフカット）する。そのため、ダイシング時にダイシングブレード等を用いた場合でも、ダイシングブレードが第二基材層に到達することを防止し易くなる。さらに、ハーフカットによるダイシング後、エキスパンド工程において、粘着シートを拡張させることで、第一基材層を破断させつつ、半導体チップ同士の間隔を大きく拡げることができる。

本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法において、前記粘着シートは、前記第一基材層と前記第二基材層との間に厚さが２μｍ以上３０μｍ以下である第二粘着剤層を備え、前記半導体ウエハを個片化する工程において、ダイシングブレードを用いて前記第一基材層の上面側から切込み、前記第一基材層の下面まで到達させ、さらに前記第二粘着剤層の上面側から切込み、前記第二粘着剤層の下面まで到達させずに切込みを止めて、前記粘着シートを引き延ばす工程において、前記ダイシングブレードで切り込んだ際に形成された切込みに沿って前記第二粘着剤層を破断させることが好ましい。
この態様に係る半導体装置の製造方法においては、厚さが２μｍ以上３０μｍ以下の第二粘着剤層を有する粘着シートを用いるので、第一基材層をフルカットする場合でも、ダイシングブレードが第二基材層に到達することを防止し易くなる。第二基材層には、切込みが形成されていないため、エキスパンド工程において粘着シートを拡張させる際に第二基材層が破断することを防止できる。

第一実施形態に係る粘着シートの断面図である。 第一実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。 図２に続いて第一実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。 図３に続いて第一実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。 図４に続いて第一実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。 図５に続いて第一実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。 第二実施形態に係る粘着シートの断面図である。 第二実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。

〔第一実施形態〕
以下、本実施形態に係る粘着シート及び半導体装置の製造方法について説明する。

（粘着シート）
図１には、本実施形態に係る粘着シート１００の断面図が示されている。
粘着シート１００は、第一基材層１１と、第二基材層１２と、第一粘着剤層１３とを備える。粘着シート１００の形状は、例えば、シート状、テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとり得る。

・第一基材層
第一基材層１１は、図１に示されているように、第一粘着剤層１３と第二基材層１２との間に設けられている。第一基材層１１は、第一基材面１１ａ及び第一基材面１１ａとは反対側の第二基材面１１ｂを有する。
第一基材層１１は、エチレン−（メタ）アクリレート共重合樹脂を主成分として含む。本明細書において、エチレン−（メタ）アクリレート共重合樹脂を主成分として含むとは、第一基材層１１を構成する成分全体の質量に占める、エチレン−（メタ）アクリレート共重合樹脂の割合が５０質量％以上であることを意味する。本実施形態においては、第一基材層１１中のエチレン−（メタ）アクリレート共重合樹脂の割合は、６０質量％以上であることが好ましく、８０質量％以上であることがより好ましく、９５質量％以上であることがさらに好ましい。また、本明細書において、「（メタ）アクリレート」は、「アクリレート」及び「メタクリレート」の少なくともいずれか一方を表す場合に用いる表記であり、他の類似用語についても同様である。エチレン−（メタ）アクリレート共重合樹脂とは、エチレンと、アクリル酸及びメタクリル酸の少なくともいずれかとを共重合してなる共重合体であることが好ましい。さらに、エチレン−（メタ）アクリレート共重合体には、エチレン、アクリル酸、及びメタクリル酸以外にも、本発明の目的を損なわない範囲で他の単量体が共重合されていてもよい。他の単量体としては、例えば、アクリル酸エステル、及びメタクリル酸エステル等が挙げられる。このような単量体から導かれる構成単位が、エチレン−（メタ）アクリレート共重合体に含有されていてもよい。また、本発明の目的を損なわない範囲で、第一基材層１１には、他の樹脂が混合されていてもよく、他の樹脂としては、低密度ポリエチレンやＥＶＡ（エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）などが挙げられる。
第一基材層１１は、ダイシングシート用のフィルムであることが好ましい。

・第二基材層
第二基材層１２は、図１に示されているように、第一基材層１１の第二基材面１１ｂ側に設けられている。第二基材層１２は、第一基材層１１と接している。
第二基材層１２は、ポリウレタン樹脂を主成分として含む。本明細書において、ポリウレタン樹脂を主成分として含むとは、第二基材層１２を構成する成分全体の質量に占める、ポリウレタン樹脂の割合が５０質量％以上であることを意味する。本実施形態においては、第二基材層１２中のポリウレタン樹脂の割合は、６０質量％以上であることが好ましく、８０質量％以上であることがより好ましく、９５質量％以上であることがさらに好ましい。

第二基材層１２の破断伸度は、エキスパンド特性の観点から、４００％以上であり、５００％以上であることが好ましく、６００％以上であることがより好ましい。第二基材層１２の破断伸度の上限値は、エキスパンド工程において第二基材層１２が破断しない程度の値であることが好ましい。なお、本明細書における破断伸度は、ＪＩＳ Ｋ７１２７に準じて、引張速度を２００ｍｍ／ｍｉｎとし、また、掴み治具間距離を５０ｍｍに設定し、測定することができる。

ポリウレタン樹脂を主成分として含むフィルム（ポリウレタンフィルム）は、ジイソシアナートとジオールとを重付加反応させることで得られる。ポリウレタンフィルムは、前述の破断伸度を満たすポリウレタンフィルムであればよい。
ジイソシアナートとしては、例えば、芳香族イソシアナートや脂肪族イソシアナートが挙げられ、多官能イソシアナートを用いてもよい。
ジオールとしては、例えば、ポリエーテル系ジオール、ポリエステル系ジオール、及びポリカーボネートジオール等が挙げられる。また、ポリウレタン樹脂にソフトセグメントを導入するために、ブタンジオール等の低分子量ジオールを用いてもよい。
また、ポリウレタン樹脂の柔軟性をさらに向上させるために、重付加反応の際に水酸基を含有するイソプレン等のゴム化合物などを一緒に反応させて、当該ゴム化合物に由来する構成単位がポリウレタンポリマー中に取り込まれるようにしてもよい。
また、ポリウレタン樹脂の強靭性を向上させるために、重付加反応の際に水酸基を含有する(メタ)アクリレート化合物などを一緒に反応させて、当該(メタ)アクリレート化合物に由来する構成単位がポリウレタンポリマー中に取り込まれるようにしてもよい。

第一基材層１１及び第二基材層１２の厚さは特に限定されない。
例えば、第一基材層１１の厚さは、ダイシング時に切り込みを入れるため、ブレードの刃出し量に合わせて１２μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。第一基材層１１の厚さがこのような範囲であれば、厚すぎてエキスパンド時に切断されないという不具合や、薄すぎて第二基材層１２まで切り込みが入ってしまうという不具合の発生を防止できる。
また、例えば、第二基材層１２の厚さは、エキスパンドによって破断しないという観点から、３０μｍ以上１５００μｍ以下であることが好ましい。第二基材層１２の厚さがこのような範囲であれば、薄すぎてエキスパンド時に破断するという不具合や、厚すぎてエキスパンド時に必要となる拡張力が強くなりエキスパンドが難しくなるという不具合の発生を防止できる。

・第一粘着剤層
第一粘着剤層１３は、図１に示されているように、第一基材層１１の第一基材面１１ａ側に設けられている。
第一粘着剤層１３に含まれる粘着剤は、特に限定されず広く適用できる。第一粘着剤層１３に含まれる粘着剤としては、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリエステル系、及びウレタン系等が挙げられる。なお、粘着剤の種類は、用途や貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。

第一粘着剤層１３は、エネルギー線硬化型の粘着剤を含んでいてもよい。エネルギー線硬化型の粘着剤としては、エネルギー線重合性化合物を含有する粘着剤が挙げられる。エネルギー線硬化型の粘着剤を含んでいる場合には、第一粘着剤層１３に第一基材層１１側からエネルギー線を照射し、エネルギー線重合性化合物を硬化させる。エネルギー線重合性化合物を硬化させると、第一粘着剤層１３の凝集力が高まり、第一粘着剤層１３と被着体（例えば、半導体ウエハや半導体チップ）との間の粘着力を低下または消失させることができる。エネルギー線としては、例えば、紫外線（ＵＶ）や電子線（ＥＢ）等が挙げられ、紫外線が好ましい。

第一粘着剤層１３の厚さは、３μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。第一粘着剤層１３の厚さが３μｍ以上であれば、半導体ウエハや個片化された半導体チップが粘着シート１００から離脱したり、半導体チップが飛散したりすることを防止できる。また、第一粘着剤層１３の厚さが１００μｍ以下であれば、個片化した後の半導体チップをピックアップする際に粘着シートから剥離し易くなる。

（粘着シートの製造方法）
粘着シート１００の製造方法は、特に限定されない。例えば、以下の方法で製造できる。
第一基材層１１と第二基材層１２とは、従来の積層体を形成する方法を採用して積層させることができ、積層方法としては、例えば、共押出法が挙げられる。
第一基材層１１と第二基材層１２とを積層させて積層体を得た後、第一基材層１１の第一基材面１１ａの上に粘着剤を塗布し、塗膜を形成する。次に、この塗膜を乾燥させて、第一粘着剤層１３を形成する。その後、第一粘着剤層１３を覆うように剥離シートを貼着してもよい。
また、粘着シート１００の別の製造方法としては、次のような工程を経て製造される。まず、剥離シートの上に粘着剤を塗布し、塗膜を形成する。次に、塗膜を乾燥させて、第一粘着剤層１３を形成し、この第一粘着剤層１３に第一基材層１１の第一基材面１１ａを貼り合わせる。このようにして剥離シート付きの粘着シート１００が得られる。
第一粘着剤層１３を塗布形成する場合、有機溶媒で粘着剤組成物を希釈してコーティング液を調製して用いることが好ましい。

（半導体装置の製造方法）
本実施形態に係る粘着シート１００を用いて半導体装置を製造する方法を説明する。ここでは、粘着シート１００を、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ（ＦＯ−ＷＬＰ）を製造するプロセス用の粘着シートとして利用する。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、粘着シート１００の第一粘着剤層１３に半導体ウエハを貼着する工程（ウエハ貼着工程）と、半導体ウエハをダイシングにより個片化し、複数の半導体チップを形成する工程（ダイシング工程）と、粘着シート１００を引き延ばして、複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程（エキスパンド工程）と、複数の半導体チップを第二粘着シートに転写する工程（転写工程）と、第二粘着シートを貼着した後、粘着シート１００を剥離する工程（第一剥離工程）と、封止部材を用いて複数の半導体チップを封止する工程（封止工程）と、封止工程の後、第二粘着シートを封止体から剥離する工程（第二剥離工程）と、を実施する。以下に各工程について説明する。

［ウエハ貼着工程］
図２〜６には、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する概略図が示されている。図２（Ａ）には、粘着シート１００に貼着された半導体ウエハＷが示されている。半導体ウエハＷは、回路面Ｗ１を有し、回路面Ｗ１には、回路Ｗ２が形成されている。粘着シート１００は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１とは反対側の裏面Ｗ３に貼着されている。
半導体ウエハＷは、例えば、シリコンウエハであってもよいし、ガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。半導体ウエハＷの回路面Ｗ１に回路Ｗ２を形成する方法としては、汎用されている方法が挙げられ、例えば、エッチング法、及びリフトオフ法などが挙げられる。
半導体ウエハＷは、予め所定の厚さに研削して、裏面Ｗ３を露出させて粘着シート１００に貼着されている。半導体ウエハＷを研削する方法としては、特に限定されず、例えば、グラインダーなどを用いた公知の方法が挙げられる。半導体ウエハＷを研削する際には、回路Ｗ２を保護するために、表面保護シートを回路面Ｗ１に貼着させる。ウエハの裏面研削は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１側、すなわち表面保護シート側をチャックテーブル等により固定し、回路が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。研削後の半導体ウエハＷの厚さは、特に限定はされず、通常は、２０μｍ以上５００μｍ以下である。
粘着シート１００は、半導体ウエハＷ及び第一のリングフレームに貼着されていてもよい。この場合、粘着シート１００の第一粘着剤層１３の上に、第一のリングフレーム及び半導体ウエハＷを載置し、これらを軽く押圧し、固定する。

［ダイシング工程］
図２（Ｂ）には、粘着シート１００に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。粘着シート１００に保持された半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。ダイシングには、ダイシングソーなどの切断手段が用いられる。ダイシングの際の切断深さは、半導体ウエハＷの厚さと、第一粘着剤層１３の厚さとの合計、並びにダイシングソーの磨耗分を加味した深さに設定する。
本実施形態では、ダイシングブレードを用いて第一基材層１１の上面（第一基材面１１ａ）側から切込み、第一基材層１１の下面（第二基材面１１ｂ）まで到達させずに切込みを止める。なお、このダイシング工程は、後述する第二のダイシング工程とは異なるため、第一のダイシング工程と称する場合がある。第一のダイシング工程後の半導体チップＣＰ間の距離をＤとする。

［エキスパンド工程］
図２（Ｃ）には、複数の半導体チップＣＰを保持する粘着シート１００を引き延ばす工程を説明する図が示されている。
ダイシングにより複数の半導体チップＣＰに個片化した後、粘着シート１００を引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を拡げる。エキスパンド工程において粘着シート１００を引き延ばす方法は、特に限定されない。粘着シート１００を引き延ばす方法としては、例えば、環状または円状のエキスパンダを押し当てて粘着シート１００を引き延ばす方法や、把持部材などを用いて粘着シート１００の外周部を掴んで引き延ばす方法などが挙げられる。
エキスパンド工程を実施することにより、ハーフカットの状態であった第一基材層１１は、ダイシングブレードで切り込んだ際に形成された切込み（ダイシングライン）に沿って破断する。
本実施形態では、図２（Ｃ）に示されているように、エキスパンド後の半導体チップＣＰ間の距離をＤ１とする。距離Ｄ１としては、例えば、２００μｍ以上５０００μｍ以下とすることが好ましい。第二基材層１２の破断伸度が４００％以上であることから、半導体チップＣＰ間の距離を距離Ｄ１まで拡張できる。

［転写工程］
図３（Ａ）には、エキスパンド工程の後に、複数の半導体チップＣＰを第二粘着シート２００に転写する工程（転写工程）を説明する図が示されている。粘着シート１００を引き延ばして複数の半導体チップＣＰ間の距離を距離Ｄ１まで拡げた後、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に第二粘着シート２００を貼着する。

第二粘着シート２００は、第二基材フィルム２０１と、第三粘着剤層２０２とを有する。第二粘着シート２００は、回路面Ｗ１を第三粘着剤層２０２で覆うように貼着されることが好ましい。
第二基材フィルム２０１の材質は、特に限定されない。第二基材フィルム２０１の材質としては、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート等）、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、及びポリスチレン樹脂などが挙げられる。

第三粘着剤層２０２は、第二基材フィルム２０１に積層されている。第三粘着剤層２０２に含まれる粘着剤は、特に限定されず広く適用できる。第三粘着剤層２０２に含まれる粘着剤としては、例えば、第一粘着剤層１３について説明した粘着剤と同様の粘着剤が挙げられる。なお、粘着剤の種類は、用途や貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。第三粘着剤層２０２にも、エネルギー線重合性化合物が配合されていてもよい。

第三粘着剤層２０２の粘着力は、第一粘着剤層１３の粘着力よりも大きいことが好ましい。第三粘着剤層２０２の粘着力の方が大きければ、複数の半導体チップＣＰを第二粘着シート２００に転写した後に粘着シート１００を剥離し易くなる。

第二粘着シート２００は、耐熱性を有することが好ましい。後述する封止部材が熱硬化性樹脂である場合、例えば、硬化温度は、１２０℃〜１８０℃程度であり、加熱時間は、３０分〜２時間程度である。第二粘着シート２００は、封止部材を熱硬化させる際に、皺が生じないような耐熱性を有することが好ましい。また、第二粘着シート２００は、熱硬化プロセス後に、半導体チップＣＰから剥離可能な材質で構成されていることが好ましい。

第二粘着シート２００は、複数の半導体チップＣＰ及び第二のリングフレームに貼着されていてもよい。この場合、第二粘着シート２００の第三粘着剤層２０２の上に、第二のリングフレームを載置し、これを軽く押圧し、固定する。その後、第二のリングフレームの環形状の内側にて露出する第三粘着剤層２０２を半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に押し当てて、第二粘着シート２００に複数の半導体チップＣＰを固定する。

［第一剥離工程］
第二粘着シート２００を貼着した後、粘着シート１００を剥離する工程（第一剥離工程）を実施する。剥離工程において粘着シート１００を剥離すると、複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３が露出する。粘着シート１００を剥離した後も、エキスパンド工程において拡張させた複数の半導体チップＣＰ間の距離Ｄ１が維持されていることが好ましい。第一粘着剤層１３がエネルギー線硬化型の粘着剤を含有している場合には、第一粘着剤層１３に第一基材層１１及び第二基材層１２側からエネルギー線を照射し、エネルギー線重合性化合物を硬化させてから、粘着シート１００を剥離することが好ましい。第一粘着剤層１３へのエネルギー線の照射は、半導体ウエハＷを粘着シート１００に貼着させた後から、粘着シート１００を剥離する前までのいずれの段階で行ってもよい。エネルギー線の照射は、例えば、ダイシング工程の後に行ってもよいし、エキスパンド工程の後に行ってもよい。エネルギー線は、複数回に分けて照射してもよい。

［封止工程］
図４には、封止部材３０を用いて複数の半導体チップＣＰを封止する工程（封止工程）を説明する図が示されている。
封止工程は、転写工程の後に実施される。回路面Ｗ１を残して複数の半導体チップＣＰを封止部材３０によって覆うことにより封止体３が形成される。複数の半導体チップＣＰの間にも封止部材３０が充填されている。本実施形態では、第二粘着シート２００により回路面Ｗ１及び回路Ｗ２が覆われているので、封止部材３０で回路面Ｗ１が覆われることを防止できる。

封止工程により、所定距離ずつ離間した複数の半導体チップＣＰが封止部材に埋め込まれた封止体３が得られる。封止工程においては、複数の半導体チップＣＰは、距離Ｄ１が維持された状態で、封止部材３０により覆われることが好ましい。
封止部材３０で複数の半導体チップＣＰを覆う方法は、特に限定されない。例えば、金型内に、第二粘着シート２００で回路面Ｗ１を覆ったまま複数の半導体チップＣＰを収容し、金型内に流動性の樹脂材料を注入し、樹脂材料を硬化させる方法を採用してもよい。
また、シート状の封止樹脂を複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を覆うように載置し、封止樹脂を加熱することで、複数の半導体チップＣＰを封止樹脂に埋め込ませる方法を採用してもよい。封止部材３０の材質としては、例えば、エポキシ樹脂などが挙げられる。封止部材３０として用いられるエポキシ樹脂には、例えば、フェノール樹脂、エラストマ―、無機充填材、及び硬化促進剤などが含まれていてもよい。

［第二剥離工程］
封止工程の後、第二粘着シート２００を封止体３から剥離する工程（第二剥離工程）を実施する。第二粘着シート２００が剥離されると、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１及び封止体３の第二粘着シート２００と接触していた面３Ａが露出する。

［半導体パッケージの製造工程］
図５及び図６には、複数の半導体チップＣＰを用いて半導体パッケージを製造する工程を説明する図が示されている。本実施形態は、このような半導体パッケージの製造工程を含んでいることが好ましい。

［再配線層形成工程］
図５（Ａ）には、第二粘着シート２００を剥離した後の封止体３の断面図が示されている。本実施形態では、第二粘着シート２００が剥離された後の封止体３に再配線層を形成する再配線層形成工程をさらに含むことが好ましい。再配線層形成工程においては、露出した複数の半導体チップＣＰの回路Ｗ２と接続する再配線を、回路面Ｗ１の上及び封止体３の面３Ａの上に形成する。再配線の形成に当たっては、まず、絶縁層を封止体３に形成する。

図５（Ｂ）には、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１及び封止体３の面３Ａに第一の絶縁層４１を形成する工程を説明する断面図が示されている。絶縁性樹脂を含む第一の絶縁層４１を、回路面Ｗ１及び面３Ａの上に、回路Ｗ２または回路Ｗ２の内部端子電極Ｗ４を露出させるように形成する。絶縁性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、及びシリコーン樹脂などが挙げられる。内部端子電極Ｗ４の材質は、導電性材料であれば限定されず、例えば、金、銀、銅やアルミニウムなどの金属、並びに合金などが挙げられる。

図５（Ｃ）には、封止体３に封止された半導体チップＣＰと電気的に接続する再配線５を形成する工程を説明する断面図が示されている。本実施形態では、第一の絶縁層４１の形成に続いて再配線５を形成する。再配線５の材質は、導電性材料であれば限定されず、例えば、金、銀、銅やアルミニウムなどの金属、並びに合金などが挙げられる。再配線５は、公知の方法により形成できる。

図６（Ａ）には、再配線５を覆う第二の絶縁層４２を形成する工程を説明する断面図が示されている。再配線５は、外部端子電極用の外部電極パッド５Ａを有する。第二の絶縁層４２には開口などを設けて、外部端子電極用の外部電極パッド５Ａを露出させる。本実施形態では、外部電極パッド５Ａは、封止体３の半導体チップＣＰの領域（回路面Ｗ１に対応する領域）内及び領域外（封止部材３０上の面３Ａに対応する領域）に露出させている。また、再配線５は、外部電極パッド５Ａがアレイ状に配置されるように、封止体３の面３Ａに形成されている。本実施形態では、封止体３の半導体チップＣＰの領域外に外部電極パッド５Ａを露出させる構造を有するので、ファンアウト型のＷＬＰを得ることができる。

［外部端子電極との接続工程］
図６（Ｂ）には、封止体３の外部電極パッド５Ａに外部端子電極を接続させる工程を説明する断面図が示されている。第二の絶縁層４２から露出する外部電極パッド５Ａに、はんだボール等の外部端子電極６を載置し、はんだ接合などにより、外部端子電極６と外部電極パッド５Ａとを電気的に接続させる。はんだボールの材質は、特に限定されず、例えば、含鉛はんだや無鉛はんだ等が挙げられる。

［第二のダイシング工程］
図６（Ｃ）には、外部端子電極６が接続された封止体３を個片化させる工程（第二のダイシング工程）を説明する断面図が示されている。この第二のダイシング工程では、封止体３を半導体チップＣＰ単位で個片化する。封止体３を個片化させる方法は、特に限定されない。例えば、前述の半導体ウエハＷをダイシングした方法と同様の方法を採用して、封止体３を個片化することができる。封止体３を個片化させる工程は、封止体３をダイシングシート等の粘着シートに貼着させて実施してもよい。

封止体３を個片化することで、半導体チップＣＰ単位の半導体パッケージ１が製造される。上述のように半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極パッド５Ａに外部端子電極６を接続させた半導体パッケージ１は、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ（ＦＯ−ＷＬＰ）として製造される。

［実装工程］
本実施形態では、個片化された半導体パッケージ１を、プリント配線基板等に実装する工程を含むことも好ましい。

本実施形態に係る粘着シート１００によれば、第一基材層１１がダイシング適性を有する基材であり、第二基材層１２がエキスパンド適性を有する基材であり、これらが積層されている。例えば、本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、粘着シート１００を用いているので、半導体ウエハＷを第一粘着剤層１３に貼着させ、この半導体ウエハＷをダイシングし、その後、別の粘着シートに貼り替えずに、ダイシング後の複数の半導体チップＣＰを貼着させたままエキスパンド工程を実施することができる。さらに、第二基材層１２の破断伸度が、４００％以上であるので、粘着シート１００によれば、半導体チップＣＰ同士の間隔を大きく拡げることができる。よって、本実施形態に係る粘着シート１００及び半導体装置の製造方法によれば、半導体装置の製造工程を簡略化することができる。粘着シート１００は、ＦＯ−ＷＬＰのプロセスにおいて好適に利用できる。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、第一基材層１１の下面（第二基材面１１ｂ）まで到達しない深さで切込みを止めるように切断（ハーフカット）する。そのため、ダイシング工程においてダイシングブレードを用いた場合でも、ダイシングブレードが第二基材層１２に到達することを防止し易くなる。さらに、ハーフカットによるダイシング後、エキスパンド工程において、粘着シート１００を拡張させることで、第一基材層１１を破断させつつ、半導体チップＣＰ同士の間隔を大きく拡げることができる。しかも、第二基材層１２にダイシングラインが到達していないので、粘着シート１００の拡張時に第二基材層１２が破断することを防止できる。

〔第二実施形態〕
第二実施形態に係る粘着シートは、第一実施形態に係る粘着シートと構造が相違する。また、半導体装置の製造方法において、第二実施形態は、第一のダイシング工程における切込みの深さの点などで相違する。第二実施形態は、その他の点において第一実施形態とほぼ同様であるため、説明を省略または簡略化する。

（粘着シート）
図７には、本実施形態に係る粘着シート１００Ａの断面図が示されている。
粘着シート１００Ａは、第一基材層１１と、第二基材層１２と、第一粘着剤層１３と、第二粘着剤層１４と、を備える。第二実施形態に係る粘着シート１００Ａは、第一基材層１１と、第二基材層１２との間に第二粘着剤層１４を備えている点で、第一実施形態に係る粘着シート１００と相違している。

第一基材層１１は、図７に示されているように、第一粘着剤層１３と第二粘着剤層１４との間に設けられている。第一基材層１１の第一基材面１１ａ側に第一粘着剤層１３が設けられ、第二基材面１１ｂ側に第二粘着剤層１４が設けられている。その他、第一基材層１１は、第一実施形態と同様である。

第二基材層１２は、図７に示されているように、第一基材層１１の第二基材面１１ｂ側に設けられている。第二基材層１２と第一基材層１１との間には第二粘着剤層１４が設けられている。その他、第二基材層１２は、第一実施形態と同様である。

・第一粘着剤層
第一粘着剤層１３に含まれる粘着剤は、特に限定されず広く適用できる。第一粘着剤層１３に含まれる粘着剤としては、例えば、第一実施形態で説明した粘着剤と同様の粘着剤が挙げられる。なお、粘着剤の種類は、用途や貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。第一粘着剤層１３は、第一実施形態と同様にエネルギー線硬化型の粘着剤を含んでいてもよい。その他、第一粘着剤層１３は、第一実施形態と同様である。

・第二粘着剤層
第二粘着剤層１４の厚さは、２μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上１５μｍ以下であることがより好ましい。第二粘着剤層１４の厚さが２μｍ以上であれば、第一のダイシング工程において、切込み深さを第二粘着剤層１４の途中で止めて第二基材層１２まで到達させないように加工し易くなる。また、第一のダイシング工程以後、個片化された半導体チップの飛散を防止する効果が向上する。また、第二粘着剤層１４の厚さが３０μｍ以下であれば、ダイシング時の振動を抑えチップ欠けを防止するという効果を奏する。

第二粘着剤層１４の第一基材層１１及び第二基材層１２に対する粘着力は、１０００ｍＮ／２５ｍｍ以上２００００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、３０００ｍＮ／２５ｍｍ以上１５０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることがより好ましい。第二粘着剤層１４の第一基材層１１及び第二基材層１２に対する粘着力が１０００ｍＮ／２５ｍｍ以上であれば、第一基材層１１及び第二基材層１２が所定の強度以上の粘着力で貼り合された状態となる。そのため、第一のダイシング工程以後、複数の半導体チップが粘着シート１００Ａから脱離したり、飛散したりすることを防止する効果がさらに向上する。第二粘着剤層１４の第一基材層１１及び第二基材層１２に対する粘着力が２００００ｍＮ／２５ｍｍ以下であれば、ダイシング時におけるチップ欠け等の不具合の発生を防止できる。粘着力が２００００ｍＮ／２５ｍｍを超えると、粘着剤の凝集力が低くなり、ダイシング時に基材が動いてチップ欠け等の不具合が発生するおそれがある。

なお、本明細書において、粘着力は、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準じた１８０度引き剥がし法により測定することができる。例えば、第二粘着剤層１４の第二基材層１２に対する粘着力を測定する場合は、次のような手順で実施することができる。まず、第二基材層１２を支持板に両面テープを用いて固定する。第一基材層１１に第二粘着剤層１４を積層させた２５ｍｍ幅のテープを作製する。このテープと第二基材層１２とを、第二粘着剤層１４側を第二基材層１２に向けて貼付する。貼付する際は、重さ２ｋｇのゴムローラーを用いる。貼付後、第二基材層１２からこのテープを剥がして、第二粘着剤層１４と第二基材層１２との貼付界面の粘着力を測定する。第二粘着剤層１４の第一基材層１１に対する粘着力を測定する場合は、前述の手順における第一基材層１１と第二基材層１２とを入れ換えて実施することができる。
粘着剤層が、エネルギー線硬化型の粘着剤を含んでいる場合のエネルギー線照射後の粘着力は、次のような方法にて測定される。前述と同様に貼付した後、窒素雰囲気下にて、粘着シートの基材層側よりエネルギー線を照射した後、測定した値とする。粘着剤層が、紫外線硬化型の粘着剤を含んでいる場合は、紫外線照射（照度：２３０ｍＷ／ｃｍ^２，光量：１９０ｍＪ／ｃｍ^２）した後、測定した値とする。

第二粘着剤層１４に含まれる粘着剤は、特に限定されず広く適用できる。第二粘着剤層１４に含まれる粘着剤としては、例えば、第一粘着剤層１３と同様の粘着剤が挙げられる。ただし、第二粘着剤層１４に含まれる粘着剤は、第一基材層１１と第二基材層１２とが貼り合された状態を維持するため、基材の材質等を考慮して選択される。第二粘着剤層１４は、第一粘着剤層１３と同様にエネルギー線硬化型の粘着剤を含んでいてもよい。

第一粘着剤層１３と第二粘着剤層１４との組合せとしては、半導体装置の生産性向上が可能という観点から、第一粘着剤層１３は、エネルギー線硬化型の粘着剤を含み、第二粘着剤層１４は、エネルギー線硬化型の粘着剤を含まないことが好ましい。このような組み合せであれば、例えば、粘着シート１００Ａにエネルギー線を照射し、第一粘着剤層１３の粘着力を低下させ、第二粘着剤層１４の粘着力を維持したままにできる。そのため、ダイシング工程及びエキスパンド工程の後に粘着シート１００Ａを剥離する際に、半導体チップと第一粘着剤層１３との界面で剥離し易くすることができる。

（粘着シートの製造方法）
粘着シート１００Ａの製造方法は、特に限定されない。例えば、以下の方法で製造できる。
第一基材層１１と第二基材層１２とは、従来の積層体を形成する方法を採用して積層させることができる。積層方法としては、例えば、ドライラミネート法や、第一基材層１１と第二基材層１２とを粘着剤を介して貼り合せる方法が挙げられる。本実施形態では、これらの方法において第一基材層１１及び第二基材層１２の材質に応じた粘着剤を用いて、両層の間に第二粘着剤層１４を形成する。
第一基材層１１と第二基材層１２とを、第二粘着剤層１４を介して積層させて積層体を得た後、第一基材層１１の第一基材面１１ａの上に粘着剤を塗布し、塗膜を形成する。次に、この塗膜を乾燥させて、第一粘着剤層１３を形成する。その後、第一粘着剤層１３を覆うように剥離シートを貼着してもよい。粘着シート１００Ａの製造方法に関して、その他の点については、第一実施形態と同様にして実施できる。

（半導体装置の製造方法）
本実施形態に係る粘着シート１００Ａを用いて半導体装置を製造する方法を説明する。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、粘着シート１００Ａの第一粘着剤層１３に半導体ウエハを貼着する工程（ウエハ貼着工程）と、半導体ウエハをダイシングにより個片化し、複数の半導体チップを形成する工程（ダイシング工程）と、粘着シート１００Ａを引き延ばして、複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程（エキスパンド工程）と、複数の半導体チップを第二粘着シートに転写する工程（転写工程）と、第二粘着シートを貼着した後、粘着シート１００Ａを剥離する工程（第一剥離工程）と、封止部材を用いて複数の半導体チップを封止する工程（封止工程）と、封止工程の後、第二粘着シートを封止体から剥離する工程（第二剥離工程）と、を実施する。
本実施形態においては、粘着シート１００Ａを用いる点で、第一実施形態と相違し、さらに第一のダイシング工程におけるダイシング条件において相違する。以下においては、ウエハ貼着工程、ダイシング工程及びエキスパンド工程について説明し、その他の工程については、第一実施形態と同様に実施できるため説明を省略または簡略化する。

図８には、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する概略図が示されている。
図８（Ａ）には、ウエハ貼着工程を説明する図が示されている。ウエハ貼着工程を実施することにより、半導体ウエハＷは、第一粘着剤層１３に貼着され、粘着シート１００Ａと貼り合される。

図８（Ｂ）には、第一のダイシング工程を説明する図が示されている。
粘着シート１００Ａに保持された半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。ダイシングの際の切断深さは、半導体ウエハＷの厚さと、第一粘着剤層１３の厚さと、第一基材層１１の厚さとの合計、並びにダイシングソーの磨耗分を加味した深さに設定する。
本実施形態では、ダイシングブレードを用いて第一基材層１１の上面（第一基材面１１ａ）側から切込み、第一基材層１１の下面（第二基材面１１ｂ）まで到達させ、さらに第二粘着剤層１４の上面側から切込み、第二粘着剤層１４の下面まで到達させずに切込みを止める。第一のダイシング工程後、複数の半導体チップＣＰは、粘着シート１００Ａに保持されている。

図８（Ｃ）には、エキスパンド工程を説明する図が示されている。
ダイシングにより複数の半導体チップＣＰに個片化した後、粘着シート１００Ａを引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を拡げる。エキスパンド工程において粘着シート１００を引き延ばす方法は、特に限定されず、例えば、第一実施形態と同様の方法を採用できる。
エキスパンド工程を実施することにより、ハーフカットの状態であった第二粘着剤層１４は、ダイシングブレードで切り込んだ際に形成された切込み（ダイシングライン）に沿って破断する。
本実施形態では、図８（Ｃ）に示されているように、半導体チップＣＰ間の距離をＤ１とする。距離Ｄ１としては、例えば、２００μｍ以上５０００μｍ以下とすることが好ましい。第二基材層１２の破断伸度が４００％以上であることから、半導体チップＣＰ間の距離を距離Ｄ１まで拡張できる。
第二実施形態において、ダイシング工程以後の工程は、第一実施形態と同様にして実施できる。

本実施形態に係る粘着シート１００Ａによれば、第一実施形態と同様、半導体装置の製造工程を簡略化することができる。粘着シート１００Ａは、ＦＯ−ＷＬＰのプロセスにおいて好適に利用できる。

粘着シート１００Ａは、第一基材層１１と第二基材層１２との間に第二粘着剤層１４を備えるため、エキスパンド工程において粘着シート１００Ａを拡張させて第一基材層１１を破断させた際の衝撃が第二基材層１２に加わることを防止できる。第二粘着剤層１４によってエキスパンド時の衝撃を緩衝させることができるので、第一基材層１１と共に第二基材層１２が破断してしまうことを防止できる。
また、第二粘着剤層１４の厚さが２μｍ以上３０μｍ以下なので、第一基材層１１をフルカットする場合でも、ダイシングブレードが第二基材層１２に到達することを防止し易くなる。第二基材層１２には、切込みが形成されていないため、エキスパンド工程において粘着シート１００Ａを拡張させる際に第二基材層１２が破断することを防止できる。

〔実施形態の変形〕
本発明は、上述の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的を達成できる範囲で、上述の実施形態を変形した態様などを含む。

例えば、半導体ウエハや半導体チップにおける回路等は、図示した配列や形状等に限定されない。半導体パッケージにおける外部端子電極との接続構造等も、前述の実施形態で説明した態様に限定されない。前述の実施形態では、ＦＯ−ＷＬＰタイプの半導体パッケージを製造する態様を例に挙げて説明したが、本発明は、ファンイン型のＷＬＰ等のその他の半導体パッケージを製造する態様にも適用できる。

また、前記実施形態では、エキスパンド工程を１回実施した後に封止工程に進む製造方法を例に挙げて説明したが、エキスパンド工程を複数回、実施してもよい。この場合、粘着シートに保持された複数の半導体チップＣＰを、拡げられた間隔を維持したまま、別のエキスパンドシートに転写し、当該エキスパンドシートを引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ同士の間隔をさらに拡げることができる。

また、前記第二実施形態では、第一のダイシング工程において、第二粘着剤層１４の厚さの途中まで切断（ハーフカット）する態様を例に挙げて説明したが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、粘着シート１００Ａを用いる場合において、第一基材層１１をハーフカットの状態とし、第二粘着剤層１４及び第二基材層１２にはダイシングラインを形成しない態様の第一のダイシング工程としてもよい。この場合、その後のエキスパンド工程にて粘着シート１００Ａを拡張させ、第一基材層１１を破断させて、複数の半導体チップＣＰ同士の間隔を所定の距離にまで拡げればよい。

また、粘着シート１００及び１００Ａは、長尺状のシートであってもよく、ロール状に巻き取られた状態で提供されてもよい。ロール状に巻き取られた粘着シート１００及び１００Ａは、ロールから繰り出されて所望のサイズに切断するなどして使用することができる。

本発明は、半導体装置の製造方法において用いる粘着シートとして利用できる。

１１…第一基材層、１１ａ…第一基材面、１１ｂ…第二基材面、１２…第二基材層、１３…第一粘着剤層、１４…第二粘着剤層、３０…封止部材、１００…粘着シート、１００Ａ…粘着シート、ＣＰ…半導体チップ、Ｗ…半導体ウエハ。

Claims (9)

1. 第一基材面及び前記第一基材面とは反対側の第二基材面を有する第一基材層と、
   前記第一基材層の前記第二基材面側に積層された第二基材層と、
   前記第一基材層の前記第一基材面側に積層された第一粘着剤層と、を備え、
   前記第一基材層と前記第二基材層との間に第二粘着剤層を備え、
   前記第一基材層は、エチレン−（メタ）アクリレート共重合樹脂を主成分として含み、
   前記第二基材層は、ポリウレタン樹脂を主成分として含み、
   前記第二基材層の破断伸度が４００％以上である、粘着シート。
2. 前記第一基材層は、ダイシングシート用のフィルムである、
   請求項１に記載の粘着シート。
3. 前記第二粘着剤層の厚さが２μｍ以上３０μｍ以下である、
   請求項１または請求項２に記載の粘着シート。
4. 前記第二粘着剤層の前記第一基材層及び前記第二基材層に対する粘着力は、１０００ｍＮ／２５ｍｍ以上２００００ｍＮ／２５ｍｍ以下である、
   請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の粘着シート。
5. 前記第一粘着剤層は、エネルギー線硬化型の粘着剤を含み、
   前記第二粘着剤層は、エネルギー線硬化型の粘着剤を含まない、
   請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の粘着シート。
6. ファンアウト型のウエハレベルパッケージを製造するプロセス用の粘着シートである、
   請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の粘着シート。
7. 第一基材面及び前記第一基材面とは反対側の第二基材面を有する第一基材層と、前記第一基材層の前記第一基材面側に積層された第一粘着剤層と、前記第一基材層の前記第二基材面側に積層された第二基材層と、を備え、前記第一基材層と前記第二基材層との間に第二粘着剤層を備え、前記第一基材層は、エチレン−（メタ）アクリレート共重合樹脂を主成分として含み、前記第二基材層は、ポリウレタン樹脂を主成分として含み、前記第二基材層は、破断伸度が４００％以上である粘着シートの前記第一粘着剤層に半導体ウエハを貼着する工程と、
   前記半導体ウエハをダイシングにより個片化し、複数の半導体チップを形成する工程と、
   前記粘着シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、を備える、半導体装置の製造方法。
8. 前記半導体ウエハを個片化する工程において、ダイシングブレードを用いて前記第一基材層の上面側から切込み、前記第一基材層の下面まで到達させずに切込みを止めて、
   前記粘着シートを引き延ばす工程において、前記ダイシングブレードで切り込んだ際に形成された切込みに沿って前記第一基材層を破断させる、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記第二粘着剤層の厚さが２μｍ以上３０μｍ以下であり、
   前記半導体ウエハを個片化する工程において、ダイシングブレードを用いて前記第一基材層の上面側から切込み、前記第一基材層の下面まで到達させ、さらに前記第二粘着剤層の上面側から切込み、前記第二粘着剤層の下面まで到達させずに切込みを止めて、
   前記粘着シートを引き延ばす工程において、前記ダイシングブレードで切り込んだ際に形成された切込みに沿って前記第二粘着剤層を破断させる、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。

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