Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP6583446B2 - Vapor deposition mask and organic semiconductor device manufacturing method - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP6583446B2 - Vapor deposition mask and organic semiconductor device manufacturing method - Google Patents

Vapor deposition mask and organic semiconductor device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP6583446B2
JP6583446B2 JP2018015298A JP2018015298A JP6583446B2 JP 6583446 B2 JP6583446 B2 JP 6583446B2 JP 2018015298 A JP2018015298 A JP 2018015298A JP 2018015298 A JP2018015298 A JP 2018015298A JP 6583446 B2 JP6583446 B2 JP 6583446B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
vapor deposition
resin
metal
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018015298A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2018076602A5 (en
JP2018076602A (en
Inventor
宏佳 中島
宏佳 中島
康子 曽根
康子 曽根
小幡 勝也
勝也 小幡
武田 利彦
利彦 武田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2018015298A priority Critical patent/JP6583446B2/en
Publication of JP2018076602A publication Critical patent/JP2018076602A/en
Publication of JP2018076602A5 publication Critical patent/JP2018076602A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6583446B2 publication Critical patent/JP6583446B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法に関する。   The present invention relates to a vapor deposition mask and a method for manufacturing an organic semiconductor element.

有機EL素子を用いた製品の大型化或いは基板サイズの大型化にともない、蒸着マスクに対しても大型化の要請が高まりつつある。そして、金属から構成される蒸着マスクの製造に用いられる金属板も大型化している。しかしながら、現在の金属加工技術では、大型の金属板にスリットを精度よく形成することは困難であり、スリットの高精細化への対応はできない。また、金属のみからなる蒸着マスクとした場合には、大型化に伴いその質量も増大し、フレームを含めた総質量も増大することから取り扱いに支障をきたすこととなる。   With the increase in size of products using organic EL elements or the increase in substrate size, there is an increasing demand for increasing the size of vapor deposition masks. And the metal plate used for manufacture of the vapor deposition mask comprised from a metal is also enlarged. However, with the current metal processing technology, it is difficult to accurately form a slit in a large metal plate, and it is not possible to cope with the high definition of the slit. Further, in the case of a vapor deposition mask made of only metal, the mass increases with an increase in size, and the total mass including the frame also increases, resulting in trouble in handling.

このような状況下、特許文献1には、スリットが設けられた金属マスクと、金属マスクの表面に位置し蒸着作製するパターンに対応した開口部が縦横に複数列配置された樹脂マスクとが積層されてなる蒸着マスクが提案されている。特許文献1に提案がされている蒸着マスクによれば、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たすことができ、また、高精細な蒸着パターンの形成を行うことができるとされている。   Under such circumstances, Patent Document 1 is laminated with a metal mask provided with slits and a resin mask in which openings corresponding to a pattern to be deposited and formed on the surface of the metal mask are arranged in multiple rows vertically and horizontally. A vapor deposition mask is proposed. According to the vapor deposition mask proposed in Patent Document 1, both high definition and light weight can be satisfied even when the size is increased, and a high-definition vapor deposition pattern can be formed. ing.

ところで、特許文献1に提案がされている蒸着マスクを用いた蒸着パターン形成時には、金属マスクに設けられたスリット、及び樹脂マスクに設けられた開口部を蒸着材が通過して、蒸着対象物に蒸着パターンの形成が行われる。ここで、特許文献1に提案がされている蒸着マスクを繰り返し使用していった場合には、蒸着マスクに蒸着源から放出された蒸着材の滓が蒸着マスクに付着し、当該滓が堆積(以下、付着等と言う)していくこととなる。そして、蒸着材の滓が、蒸着マスクの開口部の内壁面や開口部近傍に付着等していった場合には、当該、付着等していった滓が蒸着源から放出された蒸着材を遮断してしまい、蒸着対象物に不十分なパターンが形成されてしまう、いわゆるパターン欠陥を引き起こす要因となる。また、蒸着マスクに付着等する滓は、上記蒸着材起因によるもののほか、蒸着マスク保管時において付着等する滓等もある。いずれにしても、蒸着マスクに滓が付着等した状態、特には、開口部の内壁面や、開口部近傍に滓が付着等した状態で、蒸着パターンを形成した場合には、高精細な蒸着パターンを形成することが困難となる。   By the way, at the time of vapor deposition pattern formation using the vapor deposition mask proposed by patent document 1, a vapor deposition material passes the slit provided in the metal mask, and the opening part provided in the resin mask, and it becomes a vapor deposition object. A vapor deposition pattern is formed. Here, when the vapor deposition mask proposed in Patent Document 1 is repeatedly used, the vapor of the vapor deposition material released from the vapor deposition source adheres to the vapor deposition mask, and the vapor is deposited ( (Hereinafter referred to as adhesion). If the vapor of the vapor deposition material adheres to the inner wall surface of the opening portion of the vapor deposition mask or the vicinity of the opening, the vapor deposition material released from the vapor deposition source is removed. This is a factor that causes a so-called pattern defect in which an insufficient pattern is formed on the vapor deposition object. In addition, the wrinkles that adhere to the vapor deposition mask are caused by the vapor deposition material, and there are also wrinkles that adhere when the vapor deposition mask is stored. In any case, when a deposition pattern is formed in a state where wrinkles adhere to the vapor deposition mask, in particular, in a state where wrinkles adhere to the inner wall surface of the opening or the vicinity of the opening, high-definition vapor deposition is performed. It becomes difficult to form a pattern.

蒸着マスクに付着等した滓を除去する方法としては、超音波による洗浄方法を挙げることができる。ところで、蒸着マスクに付着した滓の堆積量や、付着態様によっては、物理的な力を強くかけなければ、滓を除去することができない場合も多くある。蒸着マスクに付着等した滓を除去すべく、物理的な力を強くかけて蒸着マスクの洗浄を行った場合、例えば、物理的な力を強めるべく低い周波数で超音波洗浄を行った場合には、樹脂マスクがダメージを受け、樹脂マスクに設けられた開口部に寸法変動が生じ、高精細な蒸着パターンの形成が困難になるといった問題が生ずる。   As a method for removing wrinkles adhering to the vapor deposition mask, an ultrasonic cleaning method can be used. By the way, depending on the amount of soot deposited on the vapor deposition mask and the manner of attachment, there are many cases where the soot cannot be removed without applying a physical force. In order to remove wrinkles attached to the deposition mask, when the deposition mask is cleaned by applying a physical force, for example, when ultrasonic cleaning is performed at a low frequency to increase the physical force. As a result, the resin mask is damaged, dimensional variation occurs in the opening provided in the resin mask, and it becomes difficult to form a high-definition vapor deposition pattern.

特許第5288072号公報Japanese Patent No. 5288072

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たし、かつ、樹脂マスクの開口部にダメージを与えることを抑制しつつも蒸着マスクに付着等した滓を容易に除去することができ、長期にわたって高精細な蒸着パターンの形成が可能な蒸着マスクを提供すること、及び、有機半導体素子を精度よく製造することができる有機半導体素子の製造方法を提供することを主たる課題とする。   The present invention has been made in view of such a situation, and even when the size is increased, both high definition and light weight are satisfied, and vapor deposition is performed while suppressing damage to the opening of the resin mask. To provide a vapor deposition mask that can easily remove wrinkles attached to the mask and form a high-definition vapor deposition pattern over a long period of time, and to manufacture an organic semiconductor element with high accuracy It is a main subject to provide a manufacturing method.

上記課題を解決するための本発明は、蒸着作製するパターンに対応する樹脂開口部が設けられた樹脂層の一方の面上に、金属開口部が設けられた金属層が積層されてなる蒸着マスクであって、(i)前記樹脂層の一方の面において前記金属開口部と重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂層の他方の面の何れか一方、又は双方の面上と、(ii)前記樹脂開口部、及び前記金属開口部の何れか一方、又は双方の内壁面に防汚層が設けられ、前記樹脂層の一方の面において前記金属開口部と重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂層の他方の面の何れか一方、又は双方の面上に設けられる前記防汚層の厚みが、100nm以上2μm以下であり、前記防汚層が、離型性樹脂を含有している。
また、上記課題を解決するための本発明は、蒸着作製するパターンに対応する樹脂開口部が設けられた樹脂層の一方の面上に、金属開口部が設けられた金属層が積層されてなる蒸着マスクであって、前記樹脂層の一方の面において前記金属開口部と重なる位置に対応する領域に、防汚層が設けられ、前記防汚層の厚みが、100nm以上2μm以下であり、前記防汚層が、離型性樹脂を含有している。
また、上記課題を解決するための本発明は、蒸着作製するパターンに対応する開口部が設けられた樹脂マスクの一方の面上に、スリットが設けられた金属マスクが積層されてなる蒸着マスクであって、前記樹脂マスクの一方の面において前記スリットと重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂マスクの他方の面の何れか一方、又は双方の面上に防汚層が設けられていることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the present invention provides a vapor deposition mask in which a metal layer provided with a metal opening is laminated on one surface of a resin layer provided with a resin opening corresponding to a pattern to be produced by vapor deposition. (I) a region corresponding to a position overlapping with the metal opening on one surface of the resin layer and / or the other surface of the resin layer, or (ii) An antifouling layer is provided on one or both of the resin opening and the metal opening, and a region corresponding to a position overlapping with the metal opening on one surface of the resin layer, and The antifouling layer provided on either one or both surfaces of the resin layer has a thickness of 100 nm or more and 2 μm or less, and the antifouling layer contains a releasable resin.
Moreover, the present invention for solving the above-described problems is formed by laminating a metal layer provided with a metal opening on one surface of a resin layer provided with a resin opening corresponding to a pattern to be deposited. In the vapor deposition mask, an antifouling layer is provided in a region corresponding to a position overlapping the metal opening on one surface of the resin layer, and the antifouling layer has a thickness of 100 nm to 2 μm, The antifouling layer contains a releasable resin.
Further, the present invention for solving the above problems is a vapor deposition mask in which a metal mask provided with a slit is laminated on one surface of a resin mask provided with an opening corresponding to a pattern to be produced by vapor deposition. And an antifouling layer is provided on one or both of the area corresponding to the position overlapping with the slit on one surface of the resin mask and the other surface of the resin mask. Features.

また、前記防汚層が、離型性樹脂を含有していてもよい。   The antifouling layer may contain a releasable resin.

また、前記金属マスクには、複数のスリットが設けられ、前記樹脂マスクには、複数画面を構成するために必要な開口部が設けられ、各前記スリットは、少なくとも1画面全体と重なる位置に設けられていてもよい。   Further, the metal mask is provided with a plurality of slits, the resin mask is provided with openings necessary for constituting a plurality of screens, and each of the slits is provided at a position overlapping with at least one entire screen. It may be done.

また、前記金属マスクには、1つのスリットが設けられ、前記樹脂マスクには、複数の開口部が設けられ、前記複数の開口部の全ては、前記1つのスリットと重なる位置に設けられていてもよい。   Further, the metal mask is provided with one slit, the resin mask is provided with a plurality of openings, and all of the plurality of openings are provided at positions overlapping the one slit. Also good.

また、上記課題を解決するための本発明は、有機半導体素子の製造方法であって、金属フレームに蒸着マスクが溶接固定された金属フレーム付き蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を含み、前記蒸着パターンを形成する工程において、前記金属フレームに溶接固定される前記蒸着マスクが、蒸着作製するパターンに対応する開口部が設けられた樹脂マスクの一方の面上に、スリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、前記樹脂マスクの一方の面において前記スリットと重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂マスクの他方の面の何れか一方、又は双方の面上に防汚層が設けられた蒸着マスクであることを特徴とする。   Moreover, this invention for solving the said subject is a manufacturing method of an organic-semiconductor element, Comprising: A vapor deposition pattern is formed in a vapor deposition target object using the vapor deposition mask with a metal frame by which the vapor deposition mask was fixed by welding to the metal frame. In the step of forming the vapor deposition pattern including a step, the vapor deposition mask welded and fixed to the metal frame has a slit on one surface of the resin mask provided with an opening corresponding to the pattern to be vapor deposited. The provided metal mask is laminated, and the antifouling is provided on one or both of the region corresponding to the position overlapping with the slit on one surface of the resin mask and the other surface of the resin mask. It is a vapor deposition mask provided with a layer.

本発明の蒸着マスクによれば、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たし、かつ、樹脂マスクの開口部にダメージを与えることを抑制しつつも付着等した滓を容易に除去することができ、長期にわたって高精細な蒸着パターンの形成することができる。また、本発明の有機半導体素子の製造方法によれば、有機半導体素子を精度よく製造することができる。   According to the vapor deposition mask of the present invention, even when the size is increased, both high definition and light weight are satisfied, and the attached wrinkles are easily removed while preventing damage to the opening of the resin mask. It is possible to form a high-definition deposition pattern over a long period of time. Moreover, according to the manufacturing method of the organic semiconductor element of this invention, an organic semiconductor element can be manufactured with sufficient precision.

一実施形態の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。It is the front view which looked at the vapor deposition mask of one Embodiment from the metal mask side. 図1に示す蒸着マスクのA−A部分概略断面図である。It is an AA partial schematic sectional drawing of the vapor deposition mask shown in FIG. 一実施形態の蒸着マスクの部分概略断面図である。It is a partial schematic sectional drawing of the vapor deposition mask of one Embodiment. 一実施形態の蒸着マスクの部分概略断面図である。It is a partial schematic sectional drawing of the vapor deposition mask of one Embodiment. 第1実施形態の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。It is the front view which looked at the vapor deposition mask of 1st Embodiment from the metal mask side. 第1実施形態の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。It is the front view which looked at the vapor deposition mask of 1st Embodiment from the metal mask side. 第1実施形態の蒸着マスクを樹脂マスク側から見た正面図である。It is the front view which looked at the vapor deposition mask of 1st Embodiment from the resin mask side. 第1実施形態の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。It is the front view which looked at the vapor deposition mask of 1st Embodiment from the metal mask side. 第2実施形態の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。It is the front view which looked at the vapor deposition mask of 2nd Embodiment from the metal mask side. 図9に示す蒸着マスクのB−B断面図である。It is BB sectional drawing of the vapor deposition mask shown in FIG. 第2実施形態の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。It is the front view which looked at the vapor deposition mask of 2nd Embodiment from the metal mask side. 第2実施形態の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。It is the front view which looked at the vapor deposition mask of 2nd Embodiment from the metal mask side. 図12に示す蒸着マスクのB1−B1断面図である。It is B1-B1 sectional drawing of the vapor deposition mask shown in FIG. 本発明の一実施形態の蒸着マスクの製造方法の一例を説明するための図であり、(a)〜(c)はともに部分概略断面図である。It is a figure for demonstrating an example of the manufacturing method of the vapor deposition mask of one Embodiment of this invention, (a)-(c) is a partial schematic sectional drawing. 樹脂板付き金属マスクの形成方法の一例を説明するための図であり、(a)、(b)はともに部分概略断面図である。It is a figure for demonstrating an example of the formation method of the metal mask with a resin plate, (a), (b) is a partial schematic sectional drawing. 樹脂板付き金属マスクの形成方法の一例を説明するための図であり、(a)、(b)はともに部分概略断面図である。It is a figure for demonstrating an example of the formation method of the metal mask with a resin plate, (a), (b) is a partial schematic sectional drawing. 樹脂板付き金属マスクの形成方法の一例を説明するための図であり、(a)、(b)はともに部分概略断面図である。It is a figure for demonstrating an example of the formation method of the metal mask with a resin plate, (a), (b) is a partial schematic sectional drawing. 樹脂板付き金属マスクの形成方法の一例を説明するための図であり、(a)、(b)はともに部分概略断面図である。It is a figure for demonstrating an example of the formation method of the metal mask with a resin plate, (a), (b) is a partial schematic sectional drawing. 樹脂板付き金属マスクの形成方法の一例を説明するための図であり、(a)、(b)はともに部分概略断面図である。It is a figure for demonstrating an example of the formation method of the metal mask with a resin plate, (a), (b) is a partial schematic sectional drawing. 一実施形態の蒸着マスクの部分概略断面図であり、(a)、(b)はともに部分概略断面図である。It is a partial schematic sectional drawing of the vapor deposition mask of one Embodiment, (a), (b) is a partial schematic sectional drawing. 樹脂板付き金属マスクの一例を示す部分概略断面図である。It is a partial schematic sectional drawing which shows an example of the metal mask with a resin plate.

<<蒸着マスク>>
以下に、本発明の一実施形態の蒸着マスク100について具体的に説明する。
<< Evaporation mask >>
Below, the vapor deposition mask 100 of one Embodiment of this invention is demonstrated concretely.

本発明の一実施形態の蒸着マスク100は、図1、図2に示すように、蒸着作製するパターンに対応する開口部25が設けられた樹脂マスクの20一方の面上に、スリット15が設けられた金属マスク10が積層された構成をとる。そして、本発明では、樹脂マスク20の一方の面において、スリット15と重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂マスクの他方の面の何れか一方、又は双方の面上に防汚層40が設けられていることを特徴とする。なお、図1は、本発明の一実施形態の蒸着マスクを金属マスク側から見たときの正面図であり、図2は、図1のA−A部分概略断面図である。以下、各構成について説明する。なお、以下で説明する各実施形態の蒸着マスク100は、後述するように、蒸着マスク20の一方の面上において、金属マスク10のスリット15と重なる位置に対応する領域、或いは、蒸着マスク20の他方の面上に防汚層40が設けられている点を共通する特徴としている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the vapor deposition mask 100 according to an embodiment of the present invention is provided with slits 15 on one surface of a resin mask 20 provided with openings 25 corresponding to patterns to be produced by vapor deposition. The metal mask 10 thus formed is laminated. In the present invention, the antifouling layer 40 is provided on one or both of the region corresponding to the position overlapping the slit 15 and the other surface of the resin mask on one surface of the resin mask 20. It is characterized by being. FIG. 1 is a front view of a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention as viewed from the metal mask side, and FIG. 2 is a partial schematic cross-sectional view taken along line AA of FIG. Each configuration will be described below. In addition, the vapor deposition mask 100 of each embodiment demonstrated below is the area | region corresponding to the position which overlaps with the slit 15 of the metal mask 10, or the vapor deposition mask 20 on one surface of the vapor deposition mask 20, so that it may mention later. A common feature is that the antifouling layer 40 is provided on the other surface.

(樹脂マスク)
樹脂マスク20は、従来公知の樹脂材料を適宜選択して用いることができ、その材料について特に限定されないが、レーザー加工等によって高精細な開口部25の形成が可能であり、熱や経時での寸法変化率や吸湿率が小さく、軽量な材料を用いることが好ましい。このような材料としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン−ビニルアルコール共重合体樹脂、エチレン−メタクリル酸共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、セロファン、アイオノマー樹脂等を挙げることができる。上記に例示した材料の中でも、その熱膨張係数が16ppm/℃以下である樹脂材料が好ましく、吸湿率が1.0%以下である樹脂材料が好ましく、この双方の条件を備える樹脂材料が特に好ましい。
(Resin mask)
For the resin mask 20, a conventionally known resin material can be appropriately selected and used, and the material is not particularly limited. However, a high-definition opening 25 can be formed by laser processing or the like. It is preferable to use a lightweight material having a small dimensional change rate and moisture absorption rate. Examples of such materials include polyimide resin, polyamide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyethylene resin, polyvinyl alcohol resin, polypropylene resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, polyacrylonitrile resin, ethylene vinyl acetate copolymer resin, ethylene- Examples thereof include vinyl alcohol copolymer resin, ethylene-methacrylic acid copolymer resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin, cellophane, and ionomer resin. Among the materials exemplified above, a resin material having a thermal expansion coefficient of 16 ppm / ° C. or less is preferable, a resin material having a moisture absorption rate of 1.0% or less is preferable, and a resin material having both conditions is particularly preferable. .

樹脂マスク20の厚みについても特に限定はないが、本発明の一実施形態の蒸着マスク100を用いて蒸着を行ったときに、目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる蒸着部分、所謂シャドウが生じることを防止するためには、樹脂マスク20は可能な限り薄いことが好ましい。しかしながら、樹脂マスク20の厚みが3μm未満である場合には、ピンホール等の欠陥が生じやすく、また変形等のリスクが高まる。一方で、25μmを超えるとシャドウの発生が生じ得る。この点を考慮すると樹脂マスク20の厚みは3μm以上25μm以下であることが好ましい。樹脂マスク20の厚みをこの範囲内とすることで、ピンホール等の欠陥や変形等のリスクを低減でき、かつシャドウの発生を効果的に防止することができる。特に、樹脂マスク20の厚みを、3μm以上10μm以下、より好ましくは4μm以上8μm以下とすることで、400ppiを超える高精細パターンを形成する際のシャドウの影響をより効果的に防止することができる。また、樹脂マスク20と後述する金属マスク10とは、直接的に接合されていてもよく、粘着剤層を介して接合されていてもよいが、粘着剤層を介して樹脂マスク20と金属マスク10とが接合される場合には、樹脂マスク20と粘着剤層との合計の厚みが上記好ましい厚みの範囲内であることが好ましい。   There is no particular limitation on the thickness of the resin mask 20, but when vapor deposition is performed using the vapor deposition mask 100 of one embodiment of the present invention, a vapor deposition portion that is thinner than the target vapor deposition film thickness, so-called In order to prevent the occurrence of shadows, the resin mask 20 is preferably as thin as possible. However, when the thickness of the resin mask 20 is less than 3 μm, defects such as pinholes are likely to occur, and the risk of deformation and the like increases. On the other hand, if it exceeds 25 μm, shadows may occur. Considering this point, the thickness of the resin mask 20 is preferably 3 μm or more and 25 μm or less. By setting the thickness of the resin mask 20 within this range, it is possible to reduce the risk of defects such as pinholes and deformation, and to effectively prevent the generation of shadows. In particular, by setting the thickness of the resin mask 20 to 3 μm or more and 10 μm or less, more preferably 4 μm or more and 8 μm or less, it is possible to more effectively prevent the influence of shadows when forming a high-definition pattern exceeding 400 ppi. . In addition, the resin mask 20 and the metal mask 10 to be described later may be bonded directly or via an adhesive layer, but the resin mask 20 and the metal mask via an adhesive layer. 10 is bonded, it is preferable that the total thickness of the resin mask 20 and the pressure-sensitive adhesive layer is within the range of the preferable thickness.

なお、シャドウとは、蒸着源から放出された蒸着材の一部が、金属マスク10のスリット15の内壁面に衝突して蒸着対象物へ到達しないことにより、目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる未蒸着部分が生ずる現象のことをいう。特に、開口部25の形状を微細化していくことにともない、シャドウによる影響は大きくなる。   Note that the shadow is thinner than the target deposition film thickness because a part of the deposition material released from the deposition source collides with the inner wall surface of the slit 15 of the metal mask 10 and does not reach the deposition target. This refers to a phenomenon in which an undeposited portion having a film thickness occurs. In particular, as the shape of the opening 25 is miniaturized, the influence of the shadow increases.

また、図2に示す形態では、開口部25の開口形状は、矩形状を呈しているが、開口形状について特に限定はなく、開口部25の開口形状は、台形状、円形状等いかなる形状であってもよい。   In the form shown in FIG. 2, the opening shape of the opening 25 is rectangular, but the opening shape is not particularly limited, and the opening shape of the opening 25 may be any shape such as a trapezoidal shape or a circular shape. There may be.

開口部25を形成する樹脂マスクの向かいあう端面同士が略平行であってもよいが、図2に示すように開口部25はその断面形状が、蒸着源に向かって広がりをもつような形状であることが好ましい。具体的には、樹脂マスクの開口部における下底先端と、同じく樹脂マスクの開口部における上底先端を結んだ角度が5°〜85°の範囲内であることが好ましく、15°〜80°の範囲内であることがより好ましく、25°〜65°の範囲内であることがさらに好ましい。特には、この範囲内の中でも、使用する蒸着機の蒸着角度よりも小さい角度であることが好ましい。   Although the end faces of the resin mask that form the opening 25 facing each other may be substantially parallel to each other, as shown in FIG. 2, the opening 25 has a shape in which the cross-sectional shape expands toward the vapor deposition source. It is preferable. Specifically, the angle between the bottom end of the bottom of the resin mask and the top end of the top of the resin mask is preferably in the range of 5 ° to 85 °, and 15 ° to 80 °. More preferably, it is in the range of 25 ° to 65 °. In particular, within this range, an angle smaller than the vapor deposition angle of the vapor deposition machine to be used is preferable.

(金属マスク)
図2に示すように、樹脂マスク20の一方の上には、金属マスク10が積層されている。金属マスク10は、金属から構成され、縦方向或いは横方向に延びるスリット15が配置されている。スリット15は開口と同義である。スリットの配置例について特に限定はなく、図1に示すように縦方向、及び横方向に延びるスリットが、縦方向、及び横方向に複数列配置されていてもよく、縦方向に延びるスリットが、横方向に複数列配置されていてもよく、横方向に延びるスリットが縦方向に複数列配置されていてもよい。また、縦方向、或いは横方向に1列のみ配置されていてもよい。
(Metal mask)
As shown in FIG. 2, the metal mask 10 is laminated on one side of the resin mask 20. The metal mask 10 is made of metal and has slits 15 extending in the vertical direction or the horizontal direction. The slit 15 is synonymous with the opening. There is no particular limitation on the arrangement example of the slits, as shown in FIG. 1, the slits extending in the vertical direction and the horizontal direction may be arranged in a plurality of rows in the vertical direction and the horizontal direction, the slits extending in the vertical direction, A plurality of rows may be arranged in the horizontal direction, and a plurality of slits extending in the horizontal direction may be arranged in the vertical direction. Further, only one row may be arranged in the vertical direction or the horizontal direction.

金属マスク10の材料について特に限定はなく、蒸着マスクの分野で従来公知のものを適宜選択して用いることができ、例えば、ステンレス鋼、鉄ニッケル合金、アルミニウム合金などの金属材料を挙げることができる。中でも、鉄ニッケル合金であるインバー材は熱による変形が少ないので好適に用いることができる。   The material of the metal mask 10 is not particularly limited, and any conventionally known material can be appropriately selected and used in the field of the evaporation mask, and examples thereof include metal materials such as stainless steel, iron-nickel alloy, and aluminum alloy. . Among them, an invar material that is an iron-nickel alloy can be suitably used because it is less deformed by heat.

金属マスク10の厚みについても特に限定はないが、シャドウの発生をより効果的に防止するためには、100μm以下であることが好ましく、50μm以下であることがより好ましく、35μm以下であることが特に好ましい。なお、5μmより薄くした場合、破断や変形のリスクが高まるとともにハンドリングが困難となる傾向にある。   Although the thickness of the metal mask 10 is not particularly limited, it is preferably 100 μm or less, more preferably 50 μm or less, and more preferably 35 μm or less in order to more effectively prevent the occurrence of shadows. Particularly preferred. When the thickness is less than 5 μm, the risk of breakage and deformation increases and handling tends to be difficult.

また、図1に示す形態では、スリット15の開口形状は、矩形状を呈しているが、開口形状について特に限定はなく、スリット15の開口形状は、台形状、円形状等いかなる形状であってもよい。   In the form shown in FIG. 1, the opening shape of the slit 15 is rectangular, but the opening shape is not particularly limited, and the opening shape of the slit 15 is any shape such as a trapezoidal shape or a circular shape. Also good.

金属マスク10に形成されるスリット15の断面形状についても特に限定されることはないが、図2に示すように蒸着源に向かって広がりをもつような形状であることが好ましい。より具体的には、金属マスク10のスリット15における下底先端と、同じく金属マスク10のスリット15における上底先端を結んだ直線と金属マスク10の底面とのなす角度が5°〜85°の範囲内であることが好ましく、15°〜80°の範囲内であることがより好ましく、25°〜65°の範囲内であることがさらに好ましい。特には、この範囲内の中でも、使用する蒸着機の蒸着角度よりも小さい角度であることが好ましい。   The cross-sectional shape of the slit 15 formed in the metal mask 10 is not particularly limited, but is preferably a shape that expands toward the vapor deposition source as shown in FIG. More specifically, the angle formed by the straight line connecting the lower bottom tip of the slit 15 of the metal mask 10 and the upper bottom tip of the slit 15 of the metal mask 10 and the bottom surface of the metal mask 10 is 5 ° to 85 °. It is preferably within the range, more preferably within the range of 15 ° to 80 °, and even more preferably within the range of 25 ° to 65 °. In particular, within this range, an angle smaller than the vapor deposition angle of the vapor deposition machine to be used is preferable.

樹脂マスク20上に金属マスク10を積層する方法について特に限定はなく、樹脂マスク20と金属マスク10とを各種粘着剤を用いて貼り合わせてもよく、自己粘着性を有する樹脂マスクを用いてもよい。樹脂マスク20と金属マスク10の大きさは同一であってもよく、異なる大きさであってもよい。なお、この後に任意で行われるフレームへの固定を考慮して、樹脂マスク20の大きさを金属マスク10よりも小さくし、金属マスク10の外周部分が露出された状態としておくと、金属マスク10とフレームとの溶接が容易となり好ましい。   The method for laminating the metal mask 10 on the resin mask 20 is not particularly limited, and the resin mask 20 and the metal mask 10 may be bonded using various adhesives, or a resin mask having self-adhesiveness may be used. Good. Resin mask 20 and metal mask 10 may have the same size or different sizes. If the resin mask 20 is made smaller than the metal mask 10 and the outer peripheral portion of the metal mask 10 is exposed in consideration of the optional fixing to the frame thereafter, the metal mask 10 It is preferable because it can be easily welded to the frame.

(防汚層)
図1、図2に示すように、樹脂マスク20の一方の面において、スリット15と重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂マスクの他方の面の何れか一方、又は双方の面上には、防汚層40が設けられている。防汚層40は、本発明の一実施形態の蒸着マスク100を繰り返し使用した時に、樹脂マスクの開口部を通過する蒸着材に起因して付着し得る滓や、蒸着時、或いは蒸着マスクの保管時に何らかの理由により付着し得る異物(以下、これらを総称して滓等と言う)を除去するための役割を果たす層である。具体的には、滓等が付着しにくい、或いは、付着した滓等を洗浄によって容易に除去できる性質を有する層である。
(Anti-fouling layer)
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, on one surface of the resin mask 20, the region corresponding to the position overlapping the slit 15 and the other surface of the resin mask, or both surfaces, An antifouling layer 40 is provided. The antifouling layer 40 can be adhered due to the vapor deposition material passing through the opening of the resin mask when the vapor deposition mask 100 of one embodiment of the present invention is used repeatedly, during vapor deposition, or storage of the vapor deposition mask. It is a layer that plays a role for removing foreign substances that may sometimes adhere for some reason (hereinafter collectively referred to as wrinkles, etc.). Specifically, it is a layer that has a property that it is difficult for wrinkles or the like to adhere, or the attached wrinkles and the like can be easily removed by washing.

防汚層40は、上記の性質を有するものであれば、その成分等について限定されることはなく、「反射防止フィルム」、「撥水シート」等の分野で従来公知の防汚層を用いることができる。   The antifouling layer 40 is not limited as long as it has the above-mentioned properties, and a conventionally known antifouling layer is used in the fields of “antireflection film”, “water repellent sheet” and the like. be able to.

滓等の除去性能を考慮すると、防汚層の成分としては、シリコーン系樹脂や、フッ素樹脂などの離型性樹脂が好適である。   Considering the removal performance of wrinkles and the like, as the component of the antifouling layer, a silicone resin or a release resin such as a fluororesin is suitable.

防汚層40を有する本発明の一実施形態の蒸着マスク100によれば、上記で説明した滓等が、蒸着マスクに付着等した場合であっても、物理的に大きな力をかけることなく当該滓等を容易に除去することができる。なお、防汚層を有しない蒸着マスクにおいては、物理的に大きな力をかけなければ滓等を除去することができず、物理的に大きな力をかけて滓の除去を行った場合、例えば、物理的な力を強めるべく低い周波で超音波洗浄により滓の除去を行った場合には、樹脂マスクに設けられた開口部の寸法が変動していくこととなる。換言すれば、防汚層を有しない蒸着マスクでは、滓等を除去するための洗浄を繰り返すたびに、樹脂マスクの開口部の寸法精度が低下していくこととなる。つまり、防汚層を有しない蒸着マスクでは、長期にわたって精度よく蒸着パターンを形成することが困難となる。   According to the vapor deposition mask 100 of one embodiment of the present invention having the antifouling layer 40, even if the above-described wrinkles or the like adhere to the vapor deposition mask, the physical force is not exerted. Soot and the like can be easily removed. In addition, in a vapor deposition mask that does not have an antifouling layer, wrinkles and the like cannot be removed unless a large physical force is applied, and when wrinkles are removed by applying a large physical force, for example, When the wrinkles are removed by ultrasonic cleaning at a low frequency to increase the physical force, the dimensions of the openings provided in the resin mask will fluctuate. In other words, in a vapor deposition mask that does not have an antifouling layer, the dimensional accuracy of the opening of the resin mask decreases each time cleaning for removing wrinkles and the like is repeated. That is, with a vapor deposition mask that does not have an antifouling layer, it is difficult to accurately form a vapor deposition pattern over a long period of time.

本願明細書において、「樹脂マスクの一方の面上において金属マスクのスリットと重なる位置に対応する領域に防汚層が設けられている」とは、図2に示すように樹脂マスク20の一方の面において、スリット15と重なる位置に対応する全領域上に防汚層40が設けられている形態のみならず、図3に示すように、樹脂マスク20の一方の面において、スリット15と重なる位置に対応する領域上の一部分に防汚層40が設けられた形態を含むものである。つまり、スリット15と重なる位置において、一部樹脂マスク20が露出していてもよい。この場合には、図3に示すように、開口部25近傍の樹脂マスク上に防汚層40が設けられていることが好ましい。開口部25の近傍の樹脂マスク上に、防汚層が設けられていない場合には、開口部25近傍に付着した滓等を除去することができず、当該開口部25の近傍に付着した滓等が、蒸着源から放出された蒸着材を遮断し、蒸着対象物に不十分なパターンが形成されてしまう、いわゆるパターン欠陥を引き起こす要因となるためである。   In the present specification, “the antifouling layer is provided in a region corresponding to the position overlapping with the slit of the metal mask on one surface of the resin mask” means that one of the resin masks 20 as shown in FIG. In the surface, not only the form in which the antifouling layer 40 is provided on the entire region corresponding to the position overlapping with the slit 15 but also the position overlapping with the slit 15 on one surface of the resin mask 20 as shown in FIG. The antifouling layer 40 is provided in a part on the region corresponding to the above. That is, part of the resin mask 20 may be exposed at a position overlapping the slit 15. In this case, as shown in FIG. 3, it is preferable that the antifouling layer 40 is provided on the resin mask in the vicinity of the opening 25. When the antifouling layer is not provided on the resin mask in the vicinity of the opening 25, wrinkles and the like adhering to the vicinity of the opening 25 cannot be removed. This is because the vapor deposition material released from the vapor deposition source is blocked, and an insufficient pattern is formed on the vapor deposition target, which causes a so-called pattern defect.

また、図2に示す形態では、樹脂マスク20の一方の面において、スリット15と重なる位置にのみ防汚層40が設けられているが、図4に示すように、金属マスク10のスリット15を構成する内壁面や、金属マスク10の頂面に防汚層40をさらに設けることもできる(図4に示す形態では、金属マスクの頂面に防汚層が設けられている)。金属マスク10の頂面、或いは金属マスク10のスリット15を構成する内壁面に防汚層40を形成することで、金属マスク10の頂面や、スリット15を構成する内壁面に滓等が付着した場合であっても、当該部分に付着した滓等を洗浄によって容易に除去することができる。また、図3に示す形態と、図4に示す形態とを組合せた形態とすることもできる。   Further, in the embodiment shown in FIG. 2, the antifouling layer 40 is provided only on the one surface of the resin mask 20 so as to overlap with the slit 15, but the slit 15 of the metal mask 10 is formed as shown in FIG. An antifouling layer 40 may be further provided on the inner wall surface to be configured or on the top surface of the metal mask 10 (in the embodiment shown in FIG. 4, the antifouling layer is provided on the top surface of the metal mask). By forming the antifouling layer 40 on the top surface of the metal mask 10 or the inner wall surface constituting the slit 15 of the metal mask 10, soot adheres to the top surface of the metal mask 10 or the inner wall surface constituting the slit 15. Even in such a case, wrinkles and the like attached to the portion can be easily removed by washing. Moreover, it can also be set as the form which combined the form shown in FIG. 3, and the form shown in FIG.

防汚層40の厚みについて特に限定はないが、防汚層40の厚みを厚くすることにともない、見かけ上の樹脂マスク20の厚みが厚くなり、防汚層の厚みによっては、シャドウの発生を防止できない場合が生じ得る。したがって、防汚層40の厚みについては、この点を考慮して決定することが望ましい。具体的には、防汚層40の厚みは2μm以下であることが好ましい。下限値について特に限定はないが、防汚層形成の容易性の点からは100nm程度である。より好ましい防汚層40の厚みの一例としては、100nm以上1μm以下の範囲内である。   The thickness of the antifouling layer 40 is not particularly limited, but as the antifouling layer 40 is increased in thickness, the apparent thickness of the resin mask 20 is increased. Depending on the thickness of the antifouling layer, generation of shadows may occur. There are cases where it cannot be prevented. Therefore, it is desirable to determine the thickness of the antifouling layer 40 in consideration of this point. Specifically, the antifouling layer 40 preferably has a thickness of 2 μm or less. Although there is no limitation in particular about a lower limit, it is about 100 nm from the point of the ease of antifouling layer formation. An example of a more preferable thickness of the antifouling layer 40 is in the range of 100 nm to 1 μm.

防汚層40の形成方法は、後述する蒸着マスクの製造方法で説明する。   A method for forming the antifouling layer 40 will be described in a vapor deposition mask manufacturing method described later.

上記では、樹脂マスクの一方の面上、すなわち、金属マスク10と接する側の樹脂マスク20の表面に防汚層40が設けられた例を中心に説明を行ったが、図20(a)に示すように、樹脂マスク20の他方の面上に、防汚層40を設けることもできる。また、図20(b)に示すように樹脂マスク20の一方の面においてスリット15と重なる位置に対応する領域と、樹脂マスクの他方の面の双方の面上に防汚層40を設けることもできる。   In the above description, the description has been focused on an example in which the antifouling layer 40 is provided on one surface of the resin mask, that is, on the surface of the resin mask 20 on the side in contact with the metal mask 10, but FIG. As shown, an antifouling layer 40 may be provided on the other surface of the resin mask 20. Further, as shown in FIG. 20B, an antifouling layer 40 may be provided on both the surface corresponding to the position overlapping the slit 15 on one surface of the resin mask 20 and the other surface of the resin mask. it can.

防汚層40は、樹脂マスク20の他方の面上の全面に設けられていてもよく、樹脂マスク20の他方の面上の一部に設けられていてもよい。なお、樹脂マスク20の他方の面上の一部に防汚層40を設ける場合にあっては、樹脂マスク20の他方の面のうち開口部の近傍に防汚層40が設けられていることが好ましい。これは、開口部25の近傍に防汚層40が存在していない場合には、樹脂マスク20の他方の面上において、開口部25近傍に付着等した滓を除去することができず、当該滓が、高精細な蒸着パターン形成時における支障となることによる。   The antifouling layer 40 may be provided on the entire surface of the other surface of the resin mask 20, or may be provided on a part of the other surface of the resin mask 20. When providing the antifouling layer 40 on a part of the other surface of the resin mask 20, the antifouling layer 40 is provided in the vicinity of the opening on the other surface of the resin mask 20. Is preferred. This is because, when the antifouling layer 40 is not present in the vicinity of the opening 25, wrinkles attached to the vicinity of the opening 25 on the other surface of the resin mask 20 cannot be removed. This is because the haze becomes a hindrance when forming a high-definition deposition pattern.

なお、蒸着マスクは、樹脂マスクの他方の面と、蒸着対象物とが対向するように引き付けが行われることから、樹脂マスク20の他方の面上に防汚層40が設けられる場合において、防汚層40の平滑性が低い場合には、蒸着マスク100と蒸着対象物との密着性が不十分となる場合や、その平滑性によっては、蒸着マスク100と蒸着対象物との間に隙間が発生する虞が生じ得る。また、防汚層40の厚みを厚くしていくにともない、蒸着マスクと、蒸着対象物とのギャップが大きくなり、形成されるパターン精度が低下する傾向にある。したがって、樹脂マスク20の他方の面上に防汚層40を設ける場合には、この点を考慮して、平滑性が高い防汚層40を設けることが好ましい。樹脂マスク20の他方の面上に防汚層40を設ける場合における防汚層40の好ましい厚みは、上記樹脂マスクの一方の面上に設けられる場合で説明した好ましい厚みと同じである。なお、蒸着マスクの一方の面上に防汚層40が設けられた形態は、防汚層40の平滑性にかかわらず、蒸着マスク100と蒸着対象物とを隙間なく密着させることができる点で好ましい形態であるといえる。また、樹脂マスクの一方の面、及び他方の面の双方の面上に防汚層40が設けられた形態は、付着した滓等の除去性能に優れる。   Note that the vapor deposition mask is attracted so that the other surface of the resin mask faces the vapor deposition object, and therefore, when the antifouling layer 40 is provided on the other surface of the resin mask 20, the vapor deposition mask is protected. When the dirt layer 40 has low smoothness, there is a gap between the vapor deposition mask 100 and the vapor deposition object depending on the case where the adhesion between the vapor deposition mask 100 and the vapor deposition object is insufficient or depending on the smoothness. There is a risk of occurrence. Moreover, as the thickness of the antifouling layer 40 is increased, the gap between the vapor deposition mask and the vapor deposition object increases, and the pattern accuracy to be formed tends to decrease. Therefore, when the antifouling layer 40 is provided on the other surface of the resin mask 20, it is preferable to provide the antifouling layer 40 having high smoothness in consideration of this point. The preferable thickness of the antifouling layer 40 when the antifouling layer 40 is provided on the other surface of the resin mask 20 is the same as the preferable thickness described in the case of being provided on the one surface of the resin mask. In addition, the form in which the antifouling layer 40 is provided on one surface of the vapor deposition mask is that the vapor deposition mask 100 and the vapor deposition object can be closely adhered to each other regardless of the smoothness of the antifouling layer 40. It can be said that this is a preferred form. Moreover, the form in which the antifouling layer 40 is provided on both the one surface and the other surface of the resin mask is excellent in the removal performance of adhered wrinkles and the like.

以下、より高精細な蒸着パターンの作製が可能となる蒸着マスクの形態について第1実施形態、及び第2実施形態を例に挙げ説明する。   Hereinafter, the form of the vapor deposition mask that enables the production of a higher-definition vapor deposition pattern will be described by taking the first embodiment and the second embodiment as examples.

<第1実施形態の蒸着マスク>
図5に示すように、本発明の第1実施形態の蒸着マスク100は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成するための蒸着マスクであって、樹脂マスク20の一方の面上に、複数のスリット15が設けられた金属マスク10が積層されてなり、樹脂マスク20には、複数画面を構成するために必要な開口部25が設けられ、各スリット15が、少なくとも1画面全体と重なる位置に設けられていることを特徴とする。さらに、第1実施形態の蒸着マスク100は、樹脂マスク20の一方の面においてスリット15と重なる位置に対応する領域、及び樹脂マスクの他方の面の何れか一方、又は双方の面上に上記で説明した防汚層40が設けられていることを特徴とする。なお、図5では、樹脂マスク20の一方の面においてスリット15と重なる位置に対応する領域に防汚層40が設けられている。
<Deposition Mask of First Embodiment>
As shown in FIG. 5, the vapor deposition mask 100 according to the first embodiment of the present invention is a vapor deposition mask for simultaneously forming vapor deposition patterns for a plurality of screens, and a plurality of vapor deposition masks are formed on one surface of the resin mask 20. The metal mask 10 provided with the slits 15 is laminated, and the resin mask 20 is provided with openings 25 necessary for constituting a plurality of screens, and each slit 15 is at a position overlapping at least one entire screen. It is provided. Furthermore, the vapor deposition mask 100 of the first embodiment is formed on the surface corresponding to the position overlapping the slit 15 on one surface of the resin mask 20 and / or the other surface of the resin mask. The antifouling layer 40 described is provided. In FIG. 5, the antifouling layer 40 is provided in a region corresponding to the position overlapping the slit 15 on one surface of the resin mask 20.

第1実施形態の蒸着マスク100は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成するために用いられる蒸着マスクであり、1つの蒸着マスク100で、複数の製品に対応する蒸着パターンを同時に形成することができる。第1実施形態の蒸着マスクで言う「開口部」とは、第1実施形態の蒸着マスク100を用いて作製しようとするパターンを意味し、例えば、当該蒸着マスクを有機ELディスプレイにおける有機層の形成に用いる場合には、開口部25の形状は当該有機層の形状となる。また、「1画面」とは、1つの製品に対応する開口部25の集合体からなり、当該1つの製品が有機ELディスプレイである場合には、1つの有機ELディスプレイを形成するのに必要な有機層の集合体、つまり、有機層となる開口部25の集合体が「1画面」となる。そして、第1実施形態の蒸着マスク100は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成すべく、樹脂マスク20には、上記「1画面」が、所定の間隔をあけて複数画面分配置されている。すなわち、樹脂マスク20には、複数画面を構成するために必要な開口部25が設けられている。   The vapor deposition mask 100 of 1st Embodiment is a vapor deposition mask used in order to form the vapor deposition pattern for several screens simultaneously, and can form the vapor deposition pattern corresponding to several products simultaneously with one vapor deposition mask 100. FIG. it can. The “opening” referred to in the vapor deposition mask of the first embodiment means a pattern to be produced using the vapor deposition mask 100 of the first embodiment. For example, the vapor deposition mask is formed as an organic layer in an organic EL display. When used for the above, the shape of the opening 25 is the shape of the organic layer. In addition, “one screen” includes an assembly of openings 25 corresponding to one product. When the one product is an organic EL display, it is necessary to form one organic EL display. An aggregate of organic layers, that is, an aggregate of openings 25 serving as an organic layer is “one screen”. And the vapor deposition mask 100 of 1st Embodiment arrange | positions the said "one screen" for several screens at predetermined intervals in the resin mask 20 in order to form the vapor deposition pattern for multiple screens simultaneously. . That is, the resin mask 20 is provided with openings 25 necessary for forming a plurality of screens.

第1実施形態の蒸着マスクは、樹脂マスクの一方の面上に、複数のスリット15が設けられた金属マスク10が設けられ、各スリットは、それぞれ少なくとも1画面全体と重なる位置に設けられている点を特徴とする。換言すれば、1画面を構成するのに必要な開口部25間において、横方向に隣接する開口部25間に、スリット15の縦方向の長さと同じ長さであって、金属マスク10と同じ厚みを有する金属線部分や、縦方向に隣接する開口部間25に、スリット15の横方向の長さと同じ長さであって、金属マスク10と同じ厚みを有する金属線部分が存在していないことを特徴とする。以下、スリット15の縦方向の長さと同じ長さであって、金属マスク10と同じ厚みを有する金属線部分や、スリット15の横方向の長さと同じ長さであって、金属マスク10と同じ厚みを有する金属線部分のことを総称して、単に金属線部分と言う場合がある。   In the vapor deposition mask of the first embodiment, a metal mask 10 provided with a plurality of slits 15 is provided on one surface of a resin mask, and each slit is provided at a position overlapping at least one entire screen. Features a point. In other words, between the openings 25 necessary to form one screen, between the openings 25 adjacent in the horizontal direction, the length is the same as the length of the slit 15 in the vertical direction, and is the same as the metal mask 10. There is no metal line part having a thickness or a metal line part having the same length as the horizontal length of the slit 15 and the same thickness as the metal mask 10 between the openings 25 adjacent in the vertical direction. It is characterized by that. Hereinafter, the same length as the length of the slit 15 in the vertical direction and the same thickness as the metal mask 10 or the length of the slit 15 in the horizontal direction and the same length as the metal mask 10 Metal wire portions having a thickness may be collectively referred to simply as metal wire portions.

第1実施形態の蒸着マスク100によれば、1画面を構成するのに必要な開口部25の大きさや、1画面を構成する開口部25間のピッチを狭くした場合、例えば、400ppiを超える画面の形成を行うべく、開口部25の大きさや、開口部25間のピッチを極めて微小とした場合であっても、金属線部分による干渉を防止することができ、高精細な画像の形成が可能となる。なお、1画面が、複数のスリットによって分割されている場合、例えば、1画面を構成する開口部25間に金属マスク10と同じ厚みを有する金属線部分が存在している場合には、1画面を構成する開口部25間のピッチが狭くなっていくことにともない、開口部25間に存在する金属線部分が蒸着対象物へ蒸着パターンを形成する際の支障となり高精細な蒸着パターンの形成が困難となる。換言すれば、1画面を構成する開口部25間に金属マスク10と同じ厚みを有する金属線部分が存在している場合は、当該金属線部分が、シャドウの発生を引き起こし高精細な画面の形成が困難となる。   According to the vapor deposition mask 100 of the first embodiment, when the size of the opening 25 necessary to configure one screen and the pitch between the openings 25 configuring one screen are narrowed, for example, a screen exceeding 400 ppi. Therefore, even if the size of the openings 25 and the pitch between the openings 25 are extremely small, it is possible to prevent interference due to the metal line portion and to form a high-definition image. It becomes. When one screen is divided by a plurality of slits, for example, when there is a metal line portion having the same thickness as the metal mask 10 between the openings 25 constituting one screen, one screen is displayed. As the pitch between the openings 25 constituting the metal film becomes narrower, the metal line portion existing between the openings 25 becomes a hindrance when forming the vapor deposition pattern on the vapor deposition object, and the formation of the high-definition vapor deposition pattern is difficult. It becomes difficult. In other words, when there is a metal line portion having the same thickness as the metal mask 10 between the openings 25 constituting one screen, the metal line portion causes the generation of a shadow and forms a high-definition screen. It becomes difficult.

次に、図5〜図8を参照して、1画面を構成する開口部25の一例について説明する。なお、図示する形態において破線で閉じられた領域が1画面となっている。図示する形態では、説明の便宜上少数の開口部25の集合体を1画面としているが、この形態に限定されるものではなく、例えば、1つの開口部25を1画素としたときに、1画面に数百万画素の開口部25が存在していてもよい。   Next, an example of the opening 25 constituting one screen will be described with reference to FIGS. In the form shown in the figure, a region closed by a broken line is one screen. In the illustrated form, for convenience of description, a small number of openings 25 are aggregated as one screen. However, the present invention is not limited to this form. For example, when one opening 25 is defined as one pixel, one screen There may be an opening 25 of several million pixels.

図5に示す形態では、縦方向、横方向に複数の開口部25が設けられてなる開口部25の集合体によって1画面が構成されている。図6に示す形態では、横方向に複数の開口部25が設けられてなる開口部25の集合体によって1画面が構成されている。また、図7に示す形態では、縦方向に複数の開口部25が設けられてなる開口部25の集合体によって1画面が構成されている。そして、図5〜図7では、1画面全体と重なる位置にスリット15が設けられている。   In the form shown in FIG. 5, one screen is constituted by an aggregate of openings 25 in which a plurality of openings 25 are provided in the vertical direction and the horizontal direction. In the form shown in FIG. 6, one screen is constituted by an aggregate of openings 25 in which a plurality of openings 25 are provided in the horizontal direction. Moreover, in the form shown in FIG. 7, one screen is constituted by an aggregate of openings 25 in which a plurality of openings 25 are provided in the vertical direction. 5 to 7, a slit 15 is provided at a position overlapping the entire screen.

上記で説明したように、スリット15は、1画面のみと重なる位置に設けられていてもよく、図8(a)、(b)に示すように、2以上の画面全体と重なる位置に設けられていてもよい。図8(a)では、図5に示す樹脂マスク20において、横方向に連続する2画面全体と重なる位置にスリット15が設けられている。図8(b)では、縦方向に連続する3画面全体と重なる位置にスリット15が設けられている。   As described above, the slit 15 may be provided at a position overlapping only one screen, or as illustrated in FIGS. 8A and 8B, provided at a position overlapping two or more entire screens. It may be. In FIG. 8A, in the resin mask 20 shown in FIG. 5, the slit 15 is provided at a position overlapping the entire two screens that are continuous in the horizontal direction. In FIG. 8B, the slit 15 is provided at a position overlapping the entire three screens that are continuous in the vertical direction.

次に、図5に示す形態を例に挙げて、1画面を構成する開口部25間のピッチ、画面間のピッチについて説明する。1画面を構成する開口部25間のピッチや、開口部25の大きさについて特に限定はなく、蒸着作製するパターンに応じて適宜設定することができる。例えば、400ppiの高精細な蒸着パターンの形成を行う場合には、1画面を構成する開口部25において隣接する開口部25の横方向のピッチ(P1)、縦方向のピッチ(P2)は60μm程度となる。また、開口部の大きさは、500μm2〜1000μm2程度となる。また、1つの開口部25は、1画素に対応していることに限定されることはなく、例えば、画素配列によっては、複数画素を纏めて1つの開口部25とすることもできる。 Next, taking the form shown in FIG. 5 as an example, the pitch between the openings 25 constituting one screen and the pitch between the screens will be described. There is no particular limitation on the pitch between the openings 25 constituting one screen and the size of the openings 25, and they can be set as appropriate according to the pattern to be deposited. For example, when forming a high-definition deposition pattern of 400 ppi, the horizontal pitch (P1) and vertical pitch (P2) of the adjacent openings 25 in the openings 25 constituting one screen are about 60 μm. It becomes. The size of the opening becomes 500μm 2 ~1000μm 2 about. In addition, one opening 25 is not limited to corresponding to one pixel. For example, depending on the pixel arrangement, a plurality of pixels can be integrated into one opening 25.

画面間の横方向ピッチ(P3)、縦方向ピッチ(P4)についても特に限定はないが、図5に示すように、1つのスリット15が、1画面全体と重なる位置に設けられる場合には、各画面間に金属線部分が存在することとなる。したがって、各画面間の縦方向ピッチ(P4)、横方向のピッチ(P3)が、1画面内に設けられている開口部25の縦方向ピッチ(P2)、横方向ピッチ(P1)よりも小さい場合、或いは略同等である場合には、各画面間に存在している金属線部分が断線しやすくなる。したがって、この点を考慮すると、画面間のピッチ(P3、P4)は、1画面を構成する開口部25間のピッチ(P1、P2)よりも広いことが好ましい。画面間のピッチ(P3、P4)の一例としては、1mm〜100mm程度である。なお、画面間のピッチとは、1の画面と、当該1の画面と隣接する他の画面とにおいて、隣接している開口部間のピッチを意味する。このことは、後述する第2実施形態の蒸着マスクにおける開口部25のピッチ、画面間のピッチについても同様である。   The horizontal pitch (P3) and the vertical pitch (P4) between the screens are not particularly limited, but as shown in FIG. 5, when one slit 15 is provided at a position overlapping the entire screen, A metal line portion exists between the screens. Accordingly, the vertical pitch (P4) and horizontal pitch (P3) between the screens are smaller than the vertical pitch (P2) and horizontal pitch (P1) of the openings 25 provided in one screen. In this case, or when they are substantially equivalent, the metal wire portion existing between the screens is easily broken. Therefore, in consideration of this point, it is preferable that the pitch (P3, P4) between the screens is wider than the pitch (P1, P2) between the openings 25 constituting one screen. An example of the pitch (P3, P4) between the screens is about 1 mm to 100 mm. Note that the pitch between the screens means a pitch between adjacent openings in one screen and another screen adjacent to the one screen. The same applies to the pitch of the openings 25 and the pitch between the screens in the vapor deposition mask of the second embodiment to be described later.

なお、図8に示すように、1つのスリット15が、2つ以上の画面全体と重なる位置に設けられる場合には、1つのスリット15内に設けられている複数の画面間には、スリットの内壁面を構成する金属線部分が存在しないこととなる。したがって、この場合、1つのスリット15と重なる位置に設けられている2つ以上の画面間のピッチは、1画面を構成する開口部25間のピッチと略同等であってもよい。   In addition, as shown in FIG. 8, when one slit 15 is provided at a position overlapping two or more entire screens, a slit is not provided between a plurality of screens provided in one slit 15. The metal wire part which comprises an inner wall surface will not exist. Therefore, in this case, the pitch between two or more screens provided at a position overlapping with one slit 15 may be substantially equal to the pitch between the openings 25 constituting one screen.

また、樹脂マスク20には、樹脂マスク20の縦方向、或いは横方向にのびる溝(図示しない)28が形成されていてもよい。蒸着時に熱が加わった場合、樹脂マスク20が熱膨張し、これにより開口部25の寸法や位置に変化が生じる可能性があるが、溝を形成することで樹脂マスクの膨張を吸収することができ、樹脂マスクの各所で生じる熱膨張が累積することにより樹脂マスク20が全体として所定の方向に膨張して開口部25の寸法や位置が変化することを防止することができる。溝の形成位置について限定はなく、1画面を構成する開口部25間や、開口部25と重なる位置に設けられていてもよいが、縦画面間に設けられていることが好ましい。また、溝は、樹脂マスクの一方の面、例えば、金属マスクと接する側の面のみに設けられていてもよく、金属マスクと接しない側の面のみに設けられていてもよい。或いは、樹脂マスク20の両面に設けられていてもよい。   Further, a groove (not shown) 28 extending in the vertical direction or the horizontal direction of the resin mask 20 may be formed in the resin mask 20. When heat is applied during vapor deposition, the resin mask 20 may thermally expand, which may cause changes in the size and position of the opening 25. However, by forming a groove, the expansion of the resin mask can be absorbed. It is possible to prevent the resin mask 20 from expanding in a predetermined direction as a whole and accumulating the thermal expansion that occurs at various portions of the resin mask and changing the size and position of the opening 25. There is no limitation on the position where the groove is formed, and it may be provided between the openings 25 constituting one screen or at a position overlapping with the openings 25, but is preferably provided between the vertical screens. Further, the groove may be provided only on one surface of the resin mask, for example, the surface in contact with the metal mask, or may be provided only on the surface not in contact with the metal mask. Alternatively, it may be provided on both surfaces of the resin mask 20.

また、隣接する画面間に縦方向に延びる溝としてもよく、隣接する画面間に横方向に延びる溝を形成してもよい。さらには、これらを組み合わせた態様で溝を形成することも可能である。   Moreover, it is good also as a groove | channel extended in the vertical direction between adjacent screens, and you may form the groove | channel extended in a horizontal direction between adjacent screens. Furthermore, it is possible to form the grooves in a combination of these.

溝の深さやその幅については特に限定はないが、溝の深さが深すぎる場合や、幅が広すぎる場合には、樹脂マスク20の剛性が低下する傾向にあることから、この点を考慮して設定することが必要である。また、溝の断面形状についても特に限定されることはなくU字形状やV字形状など、加工方法などを考慮して任意に選択すればよい。第2実施形態の蒸着マスクについても同様である。   The depth and width of the groove are not particularly limited. However, when the depth of the groove is too deep or too wide, the rigidity of the resin mask 20 tends to decrease, so this point is taken into consideration. It is necessary to set it. Further, the cross-sectional shape of the groove is not particularly limited, and may be arbitrarily selected in consideration of a processing method such as a U shape or a V shape. The same applies to the vapor deposition mask of the second embodiment.

<第2実施形態の蒸着マスク>
次に第2実施形態の蒸着マスクについて説明する。図9、図10に示すように、第2実施形態の蒸着マスクは、蒸着作製するパターンに対応した開口部25が複数設けられた樹脂マスク20の一方の面上に、1つのスリット16(以下、1つの貫通孔16という。)が設けられた金属マスク10が積層されてなり、当該複数の開口部25の全てが、金属マスク10に設けられた1つの貫通孔と重なる位置に設けられている点を特徴とする。さらに、第2実施形態の蒸着マスクは、樹脂マスク20の一方の面において1つの貫通孔16と重なる位置に対応する領域、及び樹脂マスクの他方の面の何れか一方、又は双方の面上に上記で説明した防汚層40が設けられていることを特徴とする。第2実施形態で言う開口部25とは、蒸着対象物に蒸着パターンを形成するために必要な開口部を意味し、蒸着対象物に蒸着パターンを形成するために必要ではない開口部は、1つの貫通孔16と重ならない位置に設けられていてもよい。なお、図9は、第2実施形態の蒸着マスクの一例を示す蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図であり、図10は、図9に示す蒸着マスクのB−B断面図である。
<Deposition Mask of Second Embodiment>
Next, the vapor deposition mask of 2nd Embodiment is demonstrated. As shown in FIGS. 9 and 10, the vapor deposition mask of the second embodiment has a single slit 16 (hereinafter referred to as a slit 16) on one surface of a resin mask 20 provided with a plurality of openings 25 corresponding to the pattern to be vapor deposited. The metal mask 10 provided with one through-hole 16) is laminated, and all of the plurality of openings 25 are provided at positions overlapping with one through-hole provided in the metal mask 10. It is characterized by that. Furthermore, the vapor deposition mask of the second embodiment has a region corresponding to a position overlapping one through-hole 16 on one surface of the resin mask 20 and one or both of the other surfaces of the resin mask. The antifouling layer 40 described above is provided. The opening 25 referred to in the second embodiment means an opening necessary for forming a vapor deposition pattern on the vapor deposition target, and an opening not necessary for forming the vapor deposition pattern on the vapor deposition target is 1 It may be provided at a position that does not overlap with the two through holes 16. 9 is a front view of the vapor deposition mask showing an example of the vapor deposition mask of the second embodiment as seen from the metal mask side, and FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line BB of the vapor deposition mask shown in FIG.

第2実施形態の蒸着マスク100は、複数の開口部25を有する樹脂マスク20上に、1つの貫通孔16を有する金属マスク10が設けられており、かつ、複数の開口部25の全ては、当該1つの貫通孔16と重なる位置に設けられている。この構成を有する第2実施形態の蒸着マスク100では、開口部25間に、金属マスクの厚みと同じ厚み、或いは、金属マスクの厚みより厚い金属線部分が存在していないことから、上記第1実施形態の蒸着マスクで説明したように、金属線部分による干渉を受けることなく樹脂マスク20に設けられている開口部25の寸法通りに高精細な蒸着パターンを形成することが可能となる。   In the vapor deposition mask 100 of the second embodiment, the metal mask 10 having one through hole 16 is provided on the resin mask 20 having the plurality of openings 25, and all of the plurality of openings 25 are It is provided at a position overlapping with the one through hole 16. In the vapor deposition mask 100 of the second embodiment having this configuration, there is no metal line portion between the openings 25 that is the same as the thickness of the metal mask or thicker than the thickness of the metal mask. As described in the vapor deposition mask of the embodiment, it is possible to form a high-definition vapor deposition pattern according to the size of the opening 25 provided in the resin mask 20 without receiving interference from the metal line portion.

また、第2実施形態の蒸着マスクによれば、金属マスク10の厚みを厚くしていった場合であっても、シャドウの影響を殆ど受けることがないことから、金属マスク10の厚みを、耐久性や、ハンドリング性を十分に満足させることができるまで厚くすることができ、高精細な蒸着パターンの形成を可能としつつも、耐久性や、ハンドリング性を向上させることができる。   Moreover, according to the vapor deposition mask of 2nd Embodiment, even if it is a case where the thickness of the metal mask 10 is made thick, since it hardly receives the influence of a shadow, the thickness of the metal mask 10 is made durable. In addition, the thickness and the handling property can be sufficiently increased, and the durability and the handling property can be improved while enabling the formation of a high-definition deposition pattern.

(樹脂マスク)
第2実施形態の蒸着マスクにおける樹脂マスク20は、樹脂から構成され、図9、図10に示すように、1つの貫通孔16と重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部25が複数設けられている。開口部25は、蒸着作製するパターンに対応しており、蒸着源から放出された蒸着材が開口部25を通過することで、蒸着対象物には、開口部25に対応する蒸着パターンが形成される。なお、図示する形態では、開口部が縦横に複数列配置された例を挙げて説明をしているが、縦方向、或いは横方向にのみ配置されていてもよい。
(Resin mask)
The resin mask 20 in the vapor deposition mask of the second embodiment is made of resin, and as shown in FIGS. 9 and 10, a plurality of openings 25 corresponding to the pattern for vapor deposition are provided at positions overlapping one through hole 16. It has been. The opening 25 corresponds to a pattern to be produced by vapor deposition, and the vapor deposition material released from the vapor deposition source passes through the opening 25 so that a vapor deposition pattern corresponding to the opening 25 is formed on the vapor deposition target. The In the illustrated embodiment, an example in which the openings are arranged in a plurality of rows in the vertical and horizontal directions is described. However, the openings may be arranged only in the vertical or horizontal direction.

第2実施形態の蒸着マスク100は、1画面に対応する蒸着パターンの形成に用いられるものであってもよく、2以上の画面に対応する蒸着パターンの同時形成に用いられるものであってもよい。第2実施形態の蒸着マスクにおける「1画面」とは、1つの製品に対応する開口部25の集合体を意味し、当該1つの製品が有機ELディスプレイである場合には、1つの有機ELディスプレイを形成するのに必要な有機層の集合体、つまり、有機層となる開口部25の集合体が「1画面」となる。この場合には、図11に示すように、画面単位毎に所定の間隔をあけて開口部25が設けられていることが好ましい。なお、図11では、破線で閉じられた領域を「1画面」としている。図11では、12個の開口部25によって1画面が構成されているが、この形態に限定されるものではなく、例えば、1つの開口部25を1画素としたときに、数百万個の開口部25によって1画面を構成することもできる。画面間のピッチの一例としては、縦方向のピッチ、横方向のピッチともに1mm〜100mm程度である。なお、画面間のピッチとは、1の画面と、当該1の画面と隣接する他の画面とにおいて、隣接している開口部間のピッチを意味する。   The vapor deposition mask 100 of 2nd Embodiment may be used for formation of the vapor deposition pattern corresponding to 1 screen, and may be used for simultaneous formation of the vapor deposition pattern corresponding to two or more screens. . “One screen” in the vapor deposition mask of the second embodiment means an aggregate of openings 25 corresponding to one product, and when the one product is an organic EL display, one organic EL display. An aggregate of organic layers necessary to form the film, that is, an aggregate of the openings 25 serving as the organic layer is “one screen”. In this case, as shown in FIG. 11, it is preferable that the openings 25 are provided at predetermined intervals for each screen unit. In FIG. 11, an area enclosed by a broken line is “one screen”. In FIG. 11, one screen is constituted by twelve openings 25, but the present invention is not limited to this form. For example, when one opening 25 is one pixel, millions of One screen can be constituted by the opening 25. As an example of the pitch between the screens, both the vertical pitch and the horizontal pitch are about 1 mm to 100 mm. Note that the pitch between the screens means a pitch between adjacent openings in one screen and another screen adjacent to the one screen.

(金属マスク)
第2実施形態の蒸着マスク100における金属マスク10は、金属から構成され1つの貫通孔16を有している。そして、本発明では、当該1つの貫通孔16は、金属マスク10の正面からみたときに、全ての開口部25と重なる位置、換言すれば、樹脂マスク20に配置された全ての開口部25がみえる位置に配置されている。
(Metal mask)
The metal mask 10 in the vapor deposition mask 100 of the second embodiment is made of metal and has one through hole 16. In the present invention, when the one through hole 16 is viewed from the front of the metal mask 10, the position overlaps all the openings 25, in other words, all the openings 25 arranged in the resin mask 20. It is placed in a visible position.

金属マスク10を構成する金属部分、すなわち貫通孔16以外の部分は、図9、図10に示すように蒸着マスク100の外縁に沿って設けられていてもよく、図12、図13に示すように金属マスク10の大きさを樹脂マスク20よりも小さくし、樹脂マスク20の外周部分を露出させてもよい。なお、図13は、図12に示す蒸着マスクのB1−B1断面図である。また、金属マスク10の大きさを樹脂マスク20よりも大きくして、金属部分の一部を、樹脂マスクの横方向外方、或いは縦方向外方に突出させてもよい。なお、いずれの場合であっても、貫通孔16の大きさは、樹脂マスク20の大きさよりも小さく構成されている。   Metal parts constituting the metal mask 10, that is, parts other than the through-holes 16 may be provided along the outer edge of the vapor deposition mask 100 as shown in FIGS. 9 and 10, and as shown in FIGS. Alternatively, the size of the metal mask 10 may be made smaller than that of the resin mask 20 to expose the outer peripheral portion of the resin mask 20. FIG. 13 is a B1-B1 cross-sectional view of the vapor deposition mask shown in FIG. Further, the size of the metal mask 10 may be made larger than that of the resin mask 20, and a part of the metal portion may protrude outward in the horizontal direction or in the vertical direction of the resin mask. In any case, the size of the through hole 16 is configured to be smaller than the size of the resin mask 20.

図9に示される金属マスク10の貫通孔の壁面をなす金属部分の横方向の幅(W1)や、縦方向の幅(W2)について特に限定はないが、W1、W2の幅が狭くなっていくに従い、耐久性や、ハンドリング性が低下していく傾向にある。したがって、W1、W2は、耐久性や、ハンドリング性を十分に満足させることができる幅とすることが好ましい。金属マスク10の厚みに応じて適切な幅を適宜設定することができるが、好ましい幅の一例としては、W1、W2ともに1mm〜100mm程度である。各画面間のピッチ(P1、P2)についての好ましいピッチは第1実施形態で説明した通りである。   Although there is no particular limitation on the width (W1) in the horizontal direction and the width (W2) in the vertical direction of the metal portion forming the wall surface of the through hole of the metal mask 10 shown in FIG. 9, the widths of W1 and W2 are reduced. As time goes on, durability and handling properties tend to decrease. Therefore, it is preferable that W1 and W2 have widths that can sufficiently satisfy durability and handling properties. An appropriate width can be set as appropriate according to the thickness of the metal mask 10, but as an example of a preferable width, both W1 and W2 are about 1 mm to 100 mm. Preferred pitches for the pitches (P1, P2) between the screens are as described in the first embodiment.

以上、本発明の一実施形態の蒸着マスク100について説明を行ったが、本発明の蒸着マスクは、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、上記では、防汚層40が蒸着マスク側に残存する例を中心に説明を行ったが、防汚層40を、溶媒によって除去可能な層とすることもできる。この場合には、ある程度滓が付着した段階で、溶媒によって付着した滓とともに防汚層を除去することができる。   The vapor deposition mask 100 of one embodiment of the present invention has been described above, but the vapor deposition mask of the present invention can be variously modified without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above description, the example in which the antifouling layer 40 remains on the vapor deposition mask side has been mainly described. However, the antifouling layer 40 may be a layer that can be removed by a solvent. In this case, the antifouling layer can be removed together with the soot adhered by the solvent when the soot is attached to some extent.

溶媒によって除去可能な防汚層40の材料としては、例えば、水溶性樹脂や、有機溶剤可溶性樹脂等を挙げることができる。水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロエチルセルロース、カルボキシメチルセルロス、フェノール樹脂、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステル共重合体、ポリメタクリル酸などの水溶性のアクリル樹脂、ゼラチン、澱粉、カゼインおよびそれらの変性物などが挙げられる。水系樹脂とは塩化ビニル樹脂エマルジョン、塩化ビニル−酢酸ビニル樹脂エマルジョン、塩化ビニル−アクリル樹脂エマルジョンなどの塩ビ系樹脂エマルジョン、アクリル系樹脂エマルジョン、ウレタン系樹脂エマルジョン、塩ビ系樹脂ディスパージョン、アクリル系樹脂ディスパージョン、ウレタン系樹脂ディスパージョンなど溶媒の一部が水で構成されているものを挙げることができる。有機溶剤に溶解可能な樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリスチレン樹脂などを挙げることができる。   Examples of the material of the antifouling layer 40 that can be removed by a solvent include water-soluble resins and organic solvent-soluble resins. Water-soluble resins include water-soluble acrylic resins such as polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, hydroethyl cellulose, carboxymethyl cellulose, phenol resin, polyacrylic acid, polyacrylic acid ester, polyacrylic acid ester copolymer, and polymethacrylic acid. , Gelatin, starch, casein, and modified products thereof. Water-based resins are vinyl chloride resin emulsions, vinyl chloride-vinyl acetate resin emulsions, vinyl chloride resin emulsions such as vinyl chloride-acrylic resin emulsions, acrylic resin emulsions, urethane resin emulsions, PVC resin dispersions, acrylic resin dispersions. Examples include a solvent in which a part of the solvent is composed of water, such as John and urethane resin dispersions. Examples of the resin that can be dissolved in the organic solvent include a polyester resin, a polyurethane resin, and a polystyrene resin.

また、樹脂マスク20の開口部25を構成する内壁面に、防汚層40を設けることもできる。また、樹脂マスク20の開口部25を構成する内壁面に、樹脂マスクの開口部25を構成する内壁面にバリア層を設けることもできる。バリア層としては、無機酸化物や無機窒化物、金属の薄膜層または蒸着層を用いることができる。無機酸化物としては、アルミニウムやケイ素、インジウム、スズ、マグネシウムの酸化物を用いることができ、金属としてはアルミニウム等を用いることができる。   Further, the antifouling layer 40 can be provided on the inner wall surface constituting the opening 25 of the resin mask 20. Further, a barrier layer can be provided on the inner wall surface constituting the opening 25 of the resin mask 20 on the inner wall surface constituting the opening 25 of the resin mask. As the barrier layer, an inorganic oxide, an inorganic nitride, a metal thin film layer, or a vapor deposition layer can be used. As the inorganic oxide, an oxide of aluminum, silicon, indium, tin, or magnesium can be used, and as the metal, aluminum or the like can be used.

また、各図に示す形態では、開口部25は、縦方向、及び横方向に規則的に配置がされているが、開口部25を横方向に互い違いに配置してもよい。つまり、横方向に隣り合う開口部25を縦方向にずらして配置してもよい。このように配置することにより、樹脂マスク20が熱膨張した場合にあっても、各所において生じる膨張を開口部25によって吸収することができ、膨張が累積して大きな変形が生じることを防止することができる。   Moreover, in the form shown to each figure, although the opening part 25 is regularly arrange | positioned in the vertical direction and a horizontal direction, you may arrange | position the opening part 25 alternately in a horizontal direction. In other words, the openings 25 adjacent in the horizontal direction may be shifted in the vertical direction. By arranging in this way, even when the resin mask 20 is thermally expanded, the expansion generated in various places can be absorbed by the opening 25, and the expansion is prevented from accumulating and causing a large deformation. Can do.

(蒸着マスクの製造方法)
次に、本発明の一実施形態の蒸着マスクの製造方法の一例を説明する。
(Method for manufacturing vapor deposition mask)
Next, an example of the manufacturing method of the vapor deposition mask of one Embodiment of this invention is demonstrated.

本発明の一実施形態の蒸着マスクは、図14(a)に示すように、樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10が積層され、当該樹脂板30の一方の面上においてスリット15と重なる位置に防汚層40が設けられた樹脂板付き金属マスク50を準備し、次いで、図14(b)に示すように、樹脂板付き金属マスク50に対し、金属マスク10側からスリット15を通してレーザーを照射して、図14(c)に示すように、樹脂板30に蒸着作製するパターンに対応する開口部25を形成することで得ることができる。以下、樹脂板付き金属マスクの形成例について第1実施形態〜第5実施形態の樹脂板付き金属マスクの形成方法を例に挙げて説明する。   As shown in FIG. 14A, the vapor deposition mask of one embodiment of the present invention is formed by laminating the metal mask 10 provided with the slits 15 on one surface of the resin plate 30, and A metal mask 50 with a resin plate provided with an antifouling layer 40 at a position overlapping with the slit 15 on the surface is prepared. Next, as shown in FIG. It can be obtained by irradiating a laser through the slit 15 from the 10 side and forming an opening 25 corresponding to a pattern to be deposited on the resin plate 30 as shown in FIG. Hereinafter, an example of forming a metal mask with a resin plate will be described using the method for forming a metal mask with a resin plate according to the first to fifth embodiments as an example.

第1実施形態の樹脂板付き金属マスクは、図15(a)に示すように、樹脂板30の一方の面上に、スリット15が設けられた金属マスク10を積層する工程と、図15(b)に示すように金属マスク10が積層された樹脂板30の一方の面上においてスリット15と重なる位置に防汚層40を形成する工程とにより得られる。樹脂板30は、上記樹脂マスク20で説明した材料を用いることができる。以下の各実施形態についても同様である。また、各実施形態の樹脂板付き金属マスクにおける防汚層の材料としては、上記蒸着マスクの防汚層で説明した材料を適宜選択して用いることができる。   15A, the metal mask with a resin plate according to the first embodiment includes a step of laminating a metal mask 10 provided with slits 15 on one surface of a resin plate 30, and As shown in b), the antifouling layer 40 is formed at a position overlapping with the slit 15 on one surface of the resin plate 30 on which the metal mask 10 is laminated. For the resin plate 30, the materials described in the resin mask 20 can be used. The same applies to the following embodiments. Moreover, as a material of the antifouling layer in the metal mask with a resin plate of each embodiment, the materials described in the antifouling layer of the vapor deposition mask can be appropriately selected and used.

防汚層40は、樹脂板30の一方の面上に金属マスク10が設けられた積層体に対し、樹脂板の一方の面側に、上記第1実施形態の防汚層40、第2実施形態の防汚層40の材料を、適当な溶媒に溶解、又は分散した塗工液を、スプレーコート、スピンコート、ディップコート、カーテンコート、ダイコート等の従来公知の塗工方法を用いて、塗工・乾燥することで形成することができる。この方法では、金属マスク10の頂面、及び金属マスク10のスリット15を構成する内壁面にも防汚層40(内壁面については記載を省略している)が形成される。   The antifouling layer 40 is formed on the one surface side of the resin plate with respect to the laminate in which the metal mask 10 is provided on one surface of the resin plate 30, and the second embodiment. The coating solution prepared by dissolving or dispersing the material of the antifouling layer 40 in an appropriate solvent is applied using a conventionally known coating method such as spray coating, spin coating, dip coating, curtain coating, or die coating. It can be formed by working and drying. In this method, the antifouling layer 40 (not shown for the inner wall surface) is also formed on the top surface of the metal mask 10 and the inner wall surface constituting the slit 15 of the metal mask 10.

第2実施形態の樹脂板付き金属マスク50は、図16(a)に示すように、樹脂板30の一方の面に防汚層40を形成する工程と、図16(b)に示すように、樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10を積層する工程とにより得られる。   As shown in FIG. 16A, the metal mask 50 with a resin plate according to the second embodiment includes a step of forming an antifouling layer 40 on one surface of the resin plate 30 and a step shown in FIG. The step of laminating the metal mask 10 provided with the slits 15 on one surface of the resin plate 30 is obtained.

第2実施形態の樹脂板付き金属マスクの形成方法では、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、カーテンコート、ダイコート等に加え、バーコート、コンマコート、ナイフコート、グラビア印刷、スクリーン印刷、又はグラビア版を用いたリバースロールコーティング等の従来公知の塗工法を用いて防汚層40を形成することができる。   In the method for forming a metal mask with a resin plate according to the second embodiment, in addition to spin coating, spray coating, dip coating, curtain coating, die coating, etc., bar coating, comma coating, knife coating, gravure printing, screen printing, or gravure plate The antifouling layer 40 can be formed by using a conventionally known coating method such as reverse roll coating using.

次いで、図16(b)に示すように、防汚層40が設けられた樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10を積層する。これにより、第2実施形態の樹脂板付き金属マスクを得る。金属マスク10としては、上記第1実施形態の樹脂板付き金属マスクで説明した金属マスクをそのまま用いることができる。また、防汚層40が設けられた樹脂板30の一方の面上に金属板を貼り合せ、当該金属板にスリット15を形成することで、第2実施形態の樹脂板付き金属マスクを得ることもできる。   Next, as shown in FIG. 16B, the metal mask 10 provided with the slits 15 is laminated on one surface of the resin plate 30 provided with the antifouling layer 40. Thereby, the metal mask with a resin plate of the second embodiment is obtained. As the metal mask 10, the metal mask described in the metal mask with a resin plate of the first embodiment can be used as it is. Moreover, a metal plate is bonded on one surface of the resin plate 30 provided with the antifouling layer 40, and the slit 15 is formed in the metal plate, thereby obtaining the metal mask with a resin plate of the second embodiment. You can also.

また、図21に示すように、第1実施形態、及び第2実施形態の樹脂板付き金属マスクでは、最終的に開口部25が形成される開口部形成予定位置、及びその近傍に防汚層40を設けておくことが好ましい。これは、最終的に樹脂マスク20としたときの開口部25の近傍に防汚層40が存在していない場合には、樹脂マスク20の開口部25近傍に付着等した滓を除去することができず、当該滓が、高精細な蒸着パターン形成時における支障となることによる。   Further, as shown in FIG. 21, in the metal mask with a resin plate of the first embodiment and the second embodiment, the antifouling layer is formed at the opening formation planned position where the opening 25 is finally formed and in the vicinity thereof. 40 is preferably provided. If the antifouling layer 40 does not exist in the vicinity of the opening 25 when the resin mask 20 is finally formed, wrinkles attached to the vicinity of the opening 25 of the resin mask 20 can be removed. This is because the wrinkles hinder the formation of a high-definition deposition pattern.

第3実施形態の樹脂板付き金属マスク50は、図17(a)に示すように、樹脂板30の他方の面上に、防汚層40を形成する工程と、図17(b)に示すように、樹脂板30の一方の面上に、スリット15が設けられた金属マスク10を積層する工程とにより得られる。なお、以下では、樹脂板30の他方の面上に防汚層40を形成した後に、樹脂板30の一方の面上に金属マスク10を積層する例を挙げて説明を行うが、樹脂板30の一方の面上に、金属マスク10を積層した後に、樹脂板30の他方の面上に防汚層40を形成することもできる。   As shown in FIG. 17A, the metal mask 50 with a resin plate according to the third embodiment includes a step of forming an antifouling layer 40 on the other surface of the resin plate 30, and FIG. Thus, it is obtained by laminating the metal mask 10 provided with the slits 15 on one surface of the resin plate 30. Hereinafter, an example in which the metal mask 10 is laminated on one surface of the resin plate 30 after the antifouling layer 40 is formed on the other surface of the resin plate 30 will be described. The antifouling layer 40 can also be formed on the other surface of the resin plate 30 after laminating the metal mask 10 on one surface.

第3実施形態の樹脂板付き金属マスクにおいて、防汚層40は、樹脂板30の他方の面上の全面に設けられていてもよく、樹脂板30の他方の面上の一部に設けられていてもよい。なお、樹脂板30の他方の面上の一部に防汚層40を設ける場合にあっては、樹脂板30において最終的に開口部25が形成される開口部形成予定位置、及びその近傍に防汚層40が設けられていることが好ましい。   In the metal mask with a resin plate of the third embodiment, the antifouling layer 40 may be provided on the entire surface of the other surface of the resin plate 30 or may be provided on a part of the other surface of the resin plate 30. It may be. In the case where the antifouling layer 40 is provided on a part of the other surface of the resin plate 30, at the opening formation planned position where the opening 25 is finally formed in the resin plate 30 and in the vicinity thereof. It is preferable that the antifouling layer 40 is provided.

次いで、図17(b)に示すように、樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10を積層する。これにより、第3実施形態の樹脂板付き金属マスクを得る。金属マスク10としては、上記第1実施形態の樹脂板付き金属マスクで説明した金属マスクをそのまま用いることができる。また、樹脂板30の一方の面上に金属板を貼り合せ、当該金属板にスリット15を形成することで、第3実施形態の樹脂板付き金属マスクを得ることもできる。   Next, as shown in FIG. 17B, the metal mask 10 provided with the slits 15 is laminated on one surface of the resin plate 30. Thereby, the metal mask with a resin plate of the third embodiment is obtained. As the metal mask 10, the metal mask described in the metal mask with a resin plate of the first embodiment can be used as it is. Moreover, the metal mask with a resin plate of 3rd Embodiment can also be obtained by bonding a metal plate on one surface of the resin plate 30 and forming the slit 15 in the metal plate.

(第4実施形態の樹脂板付き金属マスク)
第4実施形態の樹脂板付き金属マスク50は、図18(a)に示すように、樹脂板30の一方の面上に、スリット15が設けられた金属マスク10を積層する工程と、図18(b)に示すように金属マスク10が積層された樹脂板30の一方の面上においてスリット15と重なる位置に対応する領域、及び樹脂板30の他方の面上に防汚層40を形成する工程とにより得られる。
(Metal mask with resin plate of 4th Embodiment)
As shown in FIG. 18A, the metal mask 50 with a resin plate of the fourth embodiment includes a step of laminating the metal mask 10 provided with the slits 15 on one surface of the resin plate 30, and FIG. As shown in FIG. 5B, the antifouling layer 40 is formed on the other surface of the resin plate 30 and the region corresponding to the position overlapping the slit 15 on one surface of the resin plate 30 on which the metal mask 10 is laminated. Obtained by the process.

第4実施形態の樹脂板付き金属マスク50は、上記第1実施形態の樹脂板付き金属マスク、及び上記第3実施形態の樹脂板付き金属マスクで説明した方法を組合せることで得ることができ、ここでの詳細な説明は省略する。第4実施形態の樹脂板付き金属マスクによれば、最終的に樹脂マスクの一方の面、及び他方の面の双方の面上に、防汚層40が設けられることから、蒸着マスクに付着した滓等をより効果的に除去することができる。   The metal mask with resin plate 50 of the fourth embodiment can be obtained by combining the methods described in the metal mask with resin plate of the first embodiment and the metal mask with resin plate of the third embodiment. Detailed description will be omitted here. According to the metal mask with a resin plate of the fourth embodiment, since the antifouling layer 40 is finally provided on both the one surface and the other surface of the resin mask, it adheres to the vapor deposition mask. Soot and the like can be removed more effectively.

(第5実施形態の樹脂板付き金属マスク)
第5実施形態の樹脂板付き金属マスク50は、図19(a)に示すように、樹脂板30の一方の面、及び他方の面上に防汚層40を形成する工程と、図19(b)に示すように、樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10を積層する工程とにより得られる。
(Metal mask with resin plate of the fifth embodiment)
As shown in FIG. 19A, the metal mask 50 with a resin plate of the fifth embodiment includes a step of forming an antifouling layer 40 on one surface and the other surface of the resin plate 30, and FIG. As shown to b), it obtains by the process of laminating | stacking the metal mask 10 in which the slit 15 was provided on one surface of the resin board 30. FIG.

第5実施形態の樹脂板付き金属マスク50は、上記第2実施形態の樹脂板付き金属マスク、及び上記第3実施形態の樹脂板付き金属マスクで説明した方法を組合せることで得ることができ、ここでの詳細な説明は省略する。   The metal mask with resin plate 50 of the fifth embodiment can be obtained by combining the methods described in the metal mask with resin plate of the second embodiment and the metal mask with resin plate of the third embodiment. Detailed description will be omitted here.

以下、上記第1実施形態の樹脂板付き金属マスクを用いた例を挙げて説明を行うが、上記第2実施形態〜第5実施形態の樹脂板付き金属マスクを用いて蒸着マスクを形成することもできる。   Hereinafter, although an example using the metal mask with a resin plate of the first embodiment will be described, a deposition mask is formed using the metal mask with a resin plate of the second to fifth embodiments. You can also.

次いで、図14(b)に示すように、上記で準備された樹脂板付き金属マスク50に対し、レーザー加工法、精密プレス加工、フォトリソ加工等を用いて、防汚層、及び樹脂板を貫通させ、樹脂板に蒸着作製するパターンに対応する開口部25を形成することで、蒸着作製するパターンに対応する開口部25が設けられた樹脂マスク20の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10が積層され、当該樹脂マスク20の一方の面上においてスリット15と重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂板の他方の面の何れか一方、又は双方の面上に防汚層40が設けられた、本発明の一実施形態の蒸着マスク100を得る。なお、高精細な開口部25を容易に形成することができる点からは、開口部25の形成には、レーザー加工法を用いることが好ましい。また、上記で説明した樹脂板付き金属マスクを、開口部が設けられた樹脂マスクとスリットが設けられた金属マスクとが積層されてなる蒸着マスクを製造するための蒸着マスク準備体として用いることもできる。   Next, as shown in FIG. 14B, the antifouling layer and the resin plate are penetrated using the laser processing method, precision press processing, photolithographic processing, etc., with respect to the metal mask 50 with the resin plate prepared above. The slit 15 was provided on one surface of the resin mask 20 provided with the opening 25 corresponding to the pattern to be vapor-deposited by forming the opening 25 corresponding to the pattern to be vapor-deposited on the resin plate. The metal mask 10 is laminated, and the antifouling layer 40 is formed on one or both of the region corresponding to the position overlapping the slit 15 on one surface of the resin mask 20 and the other surface of the resin plate. The vapor deposition mask 100 according to an embodiment of the present invention is provided. In addition, it is preferable to use the laser processing method for formation of the opening part 25 from the point which can form the high definition opening part 25 easily. Further, the metal mask with a resin plate described above can be used as a vapor deposition mask preparation for manufacturing a vapor deposition mask in which a resin mask having an opening and a metal mask having a slit are laminated. it can.

レーザー加工法を用いて、開口部25を形成する場合において、図15〜図19に示すように、防汚層40が設けられている樹脂板付き金属マスクを用いる場合には、レーザー加工時に蒸着マスクに付着し得る滓も、当該防汚層40を利用して除去することができる点で、好ましい蒸着マスクの製造方法であるといえる。   When the opening 25 is formed by using a laser processing method, as shown in FIGS. 15 to 19, when a metal mask with a resin plate provided with an antifouling layer 40 is used, vapor deposition is performed during laser processing. Soot that may adhere to the mask can also be removed by using the antifouling layer 40, which is a preferable method for producing a vapor deposition mask.

なお、上記で説明した例では、樹脂板に開口部25を形成する前の段階で、防汚層40を形成しているが、蒸着作製するパターンに対応する開口部25が設けられた樹脂マスク20の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10が積層されてなる蒸着マスクを得た後に、当該蒸着マスク上に、防汚層40を設けることもできる。   In the example described above, the antifouling layer 40 is formed before the opening 25 is formed in the resin plate. However, the resin mask provided with the opening 25 corresponding to the pattern to be deposited is prepared. The antifouling layer 40 can be provided on the vapor deposition mask after obtaining the vapor deposition mask in which the metal mask 10 having the slits 15 provided on one surface 20 is laminated.

(有機半導体素子の製造方法)
次に、本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法について説明する。本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、金属フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法により蒸着パターンを形成する工程を有し、当該有機半導体素子を形成する工程において以下の金属フレーム付き蒸着マスクが用いられる点に特徴を有する。
(Method for manufacturing organic semiconductor element)
Next, the manufacturing method of the organic-semiconductor element of one Embodiment of this invention is demonstrated. The manufacturing method of the organic-semiconductor element of one Embodiment of this invention has the process of forming a vapor deposition pattern by the vapor deposition method using a vapor deposition mask with a metal frame, and the following metal frame is attached in the process of forming the said organic-semiconductor element. It is characterized in that a vapor deposition mask is used.

金属フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法により蒸着パターンを形成する工程を有する一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、基板上に電極を形成する電極形成工程、有機層形成工程、対向電極形成工程、封止層形成工程等を有し、各任意の工程において金属フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法により基板上に蒸着パターンが形成される。例えば、有機ELデバイスのR,G,B各色の発光層形成工程に、金属フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法をそれぞれ適用する場合には、基板上に各色発光層の蒸着パターンが形成される。なお、本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、これらの工程に限定されるものではなく、蒸着法を用いる従来公知の有機半導体素子の任意の工程に適用可能である。   An organic semiconductor device manufacturing method according to an embodiment having a step of forming a vapor deposition pattern by a vapor deposition method using a vapor deposition mask with a metal frame includes an electrode formation step of forming an electrode on a substrate, an organic layer formation step, and a counter electrode formation A vapor deposition pattern is formed on the substrate by a vapor deposition method using a vapor deposition mask with a metal frame in each arbitrary step. For example, when the vapor deposition method using a vapor deposition mask with a metal frame is applied to the R, G, B light emitting layer forming step of the organic EL device, the vapor deposition pattern of each color light emitting layer is formed on the substrate. . In addition, the manufacturing method of the organic-semiconductor element of one Embodiment of this invention is not limited to these processes, It is applicable to the arbitrary processes of the conventionally well-known organic-semiconductor element using a vapor deposition method.

本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、上記蒸着パターンを形成する工程において、金属フレームに溶接固定される前記蒸着マスクが、蒸着作製するパターンに対応する開口部が設けられた樹脂マスクの一方の面上に、スリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、樹脂マスクの一方の面において、前記スリットと重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂板の他方の面の何れか一方、又は双方の面上に防汚層が設けられた蒸着マスクであることを特徴とする。   In the method of manufacturing an organic semiconductor element according to an embodiment of the present invention, in the step of forming the vapor deposition pattern, the vapor deposition mask welded and fixed to the metal frame is provided with an opening corresponding to the pattern to be vapor deposited. A metal mask provided with a slit is laminated on one surface of the mask, and one of the surface corresponding to the position overlapping with the slit on one surface of the resin mask and the other surface of the resin plate It is a vapor deposition mask provided with an antifouling layer on one or both surfaces.

金属フレーム付き蒸着マスクを構成する蒸着マスクについては、上記で説明した本発明の一実施形態の蒸着マスク100をそのまま用いることができ、ここでの詳細な説明は省略する。上記で説明した本発明の一実施形態の蒸着マスクによれば、高精細なパターンを有する有機半導体素子を形成することができる。本発明の製造方法で製造される有機半導体素子としては、例えば、有機EL素子の有機層、発光層や、カソード電極等を挙げることができる。特に、本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、高精細なパターン精度が要求される有機EL素子のR、G、B発光層の製造に好適に用いることができる。   As the vapor deposition mask constituting the vapor deposition mask with a metal frame, the vapor deposition mask 100 according to the embodiment of the present invention described above can be used as it is, and detailed description thereof is omitted here. According to the vapor deposition mask of one embodiment of the present invention described above, an organic semiconductor element having a high-definition pattern can be formed. As an organic semiconductor element manufactured with the manufacturing method of this invention, the organic layer, light emitting layer, cathode electrode, etc. of an organic EL element can be mentioned, for example. In particular, the method for manufacturing an organic semiconductor element according to an embodiment of the present invention can be suitably used for manufacturing R, G, and B light emitting layers of organic EL elements that require high-definition pattern accuracy.

100…蒸着マスク
10…金属マスク
15…スリット
16…貫通孔
20…樹脂マスク
25…開口部
30…樹脂板
40…防汚層
50…樹脂板付き金属マスク(蒸着マスク準備体)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Deposition mask 10 ... Metal mask 15 ... Slit 16 ... Through-hole 20 ... Resin mask 25 ... Opening 30 ... Resin plate 40 ... Antifouling layer 50 ... Metal mask with resin plate (deposition mask preparation)

Claims (3)

蒸着作製するパターンに対応する樹脂開口部が設けられた樹脂層の一方の面上に、金属開口部が設けられた金属層が積層されてなる蒸着マスクであって、
(i)前記樹脂層の一方の面において前記金属開口部と重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂層の他方の面の何れか一方、又は双方の面上と、(ii)前記樹脂開口部、及び前記金属開口部の何れか一方、又は双方の内壁面に防汚層が設けられ、
前記樹脂層の一方の面において前記金属開口部と重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂層の他方の面の何れか一方、又は双方の面上に設けられる前記防汚層の厚みが、100nm以上2μm以下であり、
前記防汚層が、離型性樹脂を含有している、
蒸着マスク。
A vapor deposition mask in which a metal layer provided with a metal opening is laminated on one surface of a resin layer provided with a resin opening corresponding to a pattern to be produced by vapor deposition,
(I) a region corresponding to a position overlapping with the metal opening on one surface of the resin layer and / or the other surface of the resin layer, or (ii) the resin opening And an antifouling layer is provided on the inner wall surface of either one or both of the metal openings ,
The thickness of the antifouling layer provided on one or both of the region corresponding to the position overlapping with the metal opening on one surface of the resin layer and the other surface of the resin layer is 100 nm. And not more than 2 μm,
The antifouling layer contains a releasable resin,
Deposition mask.
蒸着作製するパターンに対応する樹脂開口部が設けられた樹脂層の一方の面上に、金属開口部が設けられた金属層が積層されてなる蒸着マスクであって、  A vapor deposition mask in which a metal layer provided with a metal opening is laminated on one surface of a resin layer provided with a resin opening corresponding to a pattern to be produced by vapor deposition,
前記樹脂層の一方の面において前記金属開口部と重なる位置に対応する領域に、防汚層が設けられ、  An antifouling layer is provided in a region corresponding to a position overlapping with the metal opening on one surface of the resin layer,
前記防汚層の厚みが、100nm以上2μm以下であり、  The antifouling layer has a thickness of 100 nm to 2 μm,
前記防汚層が、離型性樹脂を含有している、  The antifouling layer contains a releasable resin,
蒸着マスク。  Deposition mask.
有機半導体素子の製造方法であって、  A method for producing an organic semiconductor element, comprising:
蒸着マスクを用いて、蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を含み、  Using a vapor deposition mask, forming a vapor deposition pattern on a vapor deposition object,
前記蒸着マスクとして、請求項1又は2に記載の蒸着マスクを用いる、  The vapor deposition mask according to claim 1 or 2 is used as the vapor deposition mask.
有機半導体素子の製造方法。  A method for producing an organic semiconductor element.
JP2018015298A 2018-01-31 2018-01-31 Vapor deposition mask and organic semiconductor device manufacturing method Active JP6583446B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018015298A JP6583446B2 (en) 2018-01-31 2018-01-31 Vapor deposition mask and organic semiconductor device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018015298A JP6583446B2 (en) 2018-01-31 2018-01-31 Vapor deposition mask and organic semiconductor device manufacturing method

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013205836A Division JP2015067892A (en) 2013-09-30 2013-09-30 Vapor deposition mask and organic semiconductor device manufacturing method

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018076602A JP2018076602A (en) 2018-05-17
JP2018076602A5 JP2018076602A5 (en) 2018-07-12
JP6583446B2 true JP6583446B2 (en) 2019-10-02

Family

ID=62150066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018015298A Active JP6583446B2 (en) 2018-01-31 2018-01-31 Vapor deposition mask and organic semiconductor device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6583446B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102936779B1 (en) 2020-11-11 2026-03-09 도판 홀딩스 가부시키가이샤 Metal mask for deposition and method for manufacturing the metal mask for deposition

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4635348B2 (en) * 2001-02-08 2011-02-23 凸版印刷株式会社 Pattern forming mask and pattern forming apparatus using the same
JP4961776B2 (en) * 2006-03-07 2012-06-27 株式会社Sumco Pattern forming mask and cleaning method thereof
JP5816067B2 (en) * 2011-12-06 2015-11-17 株式会社アルバック Thin film manufacturing method and thin film manufacturing apparatus
JP5875851B2 (en) * 2011-12-20 2016-03-02 株式会社アルバック Thin film manufacturing method, thin film manufacturing apparatus
TWI687315B (en) * 2012-01-12 2020-03-11 日商大日本印刷股份有限公司 Vapor deposition mask, pattern manufacturing method, organic semiconductor element manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018076602A (en) 2018-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5780350B2 (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask with frame, and method of manufacturing organic semiconductor element
JP2015067892A (en) Vapor deposition mask and organic semiconductor device manufacturing method
JP6269264B2 (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation, multi-faceted vapor deposition mask, organic semiconductor element manufacturing method
JP2015200019A (en) Method for stretching deposition mask, method for manufacturing deposition mask having frame, method for manufacturing organic semiconductor element, and stretching unit
JP6326885B2 (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation, and method for manufacturing organic semiconductor element
JP5895539B2 (en) Evaporation mask
JP6394877B2 (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask manufacturing method, vapor deposition mask preparation, framed vapor deposition mask, and organic semiconductor element manufacturing method
JP6327196B2 (en) Vapor deposition mask with frame, method for producing vapor deposition mask with frame, vapor deposition mask preparation with frame, method for producing pattern, and method for producing organic semiconductor element
JP2016053194A (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask with frame, vapor deposition mask preparation body, and method of manufacturing organic semiconductor element
JP6375906B2 (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation, framed vapor deposition mask, and organic semiconductor device manufacturing method
JP2017020068A (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation, and method for manufacturing organic semiconductor element
JP6583446B2 (en) Vapor deposition mask and organic semiconductor device manufacturing method
JP2015148002A (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation, and method for manufacturing organic semiconductor element
JP6597863B2 (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask with frame, method for producing organic semiconductor element, and method for producing vapor deposition mask
JP6394879B2 (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation, framed vapor deposition mask, and organic semiconductor device manufacturing method
JP6347112B2 (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation, vapor deposition mask manufacturing method, pattern manufacturing method, framed vapor deposition mask, and organic semiconductor element manufacturing method
JP6191711B2 (en) DEPOSITION MASK, DEPOSITION MASK DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT
JP6331312B2 (en) Vapor deposition mask manufacturing method and vapor deposition mask preparation
JP6197423B2 (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask manufacturing method, and organic semiconductor element manufacturing method
JP6191712B2 (en) Vapor deposition mask manufacturing method and vapor deposition mask device manufacturing method
JP2017210687A (en) Vapor deposition mask, method of manufacturing vapor deposition mask and method of manufacturing organic semiconductor element
JP6844646B2 (en) Deposition mask tension method, framed vapor deposition mask manufacturing method, organic semiconductor device manufacturing method, and tensioning device
JP7120262B2 (en) Method for manufacturing vapor deposition mask preparation, method for manufacturing framed vapor deposition mask preparation, and framed vapor deposition mask preparation
JP6645534B2 (en) Deposition mask with frame

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180131

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180601

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181115

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181225

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190225

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190806

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190819

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6583446

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150