JP6583446B2 - Vapor deposition mask and organic semiconductor device manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a vapor deposition mask and a method for manufacturing an organic semiconductor element.
有機EL素子を用いた製品の大型化或いは基板サイズの大型化にともない、蒸着マスクに対しても大型化の要請が高まりつつある。そして、金属から構成される蒸着マスクの製造に用いられる金属板も大型化している。しかしながら、現在の金属加工技術では、大型の金属板にスリットを精度よく形成することは困難であり、スリットの高精細化への対応はできない。また、金属のみからなる蒸着マスクとした場合には、大型化に伴いその質量も増大し、フレームを含めた総質量も増大することから取り扱いに支障をきたすこととなる。 With the increase in size of products using organic EL elements or the increase in substrate size, there is an increasing demand for increasing the size of vapor deposition masks. And the metal plate used for manufacture of the vapor deposition mask comprised from a metal is also enlarged. However, with the current metal processing technology, it is difficult to accurately form a slit in a large metal plate, and it is not possible to cope with the high definition of the slit. Further, in the case of a vapor deposition mask made of only metal, the mass increases with an increase in size, and the total mass including the frame also increases, resulting in trouble in handling.
このような状況下、特許文献1には、スリットが設けられた金属マスクと、金属マスクの表面に位置し蒸着作製するパターンに対応した開口部が縦横に複数列配置された樹脂マスクとが積層されてなる蒸着マスクが提案されている。特許文献1に提案がされている蒸着マスクによれば、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たすことができ、また、高精細な蒸着パターンの形成を行うことができるとされている。
Under such circumstances,
ところで、特許文献1に提案がされている蒸着マスクを用いた蒸着パターン形成時には、金属マスクに設けられたスリット、及び樹脂マスクに設けられた開口部を蒸着材が通過して、蒸着対象物に蒸着パターンの形成が行われる。ここで、特許文献1に提案がされている蒸着マスクを繰り返し使用していった場合には、蒸着マスクに蒸着源から放出された蒸着材の滓が蒸着マスクに付着し、当該滓が堆積(以下、付着等と言う)していくこととなる。そして、蒸着材の滓が、蒸着マスクの開口部の内壁面や開口部近傍に付着等していった場合には、当該、付着等していった滓が蒸着源から放出された蒸着材を遮断してしまい、蒸着対象物に不十分なパターンが形成されてしまう、いわゆるパターン欠陥を引き起こす要因となる。また、蒸着マスクに付着等する滓は、上記蒸着材起因によるもののほか、蒸着マスク保管時において付着等する滓等もある。いずれにしても、蒸着マスクに滓が付着等した状態、特には、開口部の内壁面や、開口部近傍に滓が付着等した状態で、蒸着パターンを形成した場合には、高精細な蒸着パターンを形成することが困難となる。
By the way, at the time of vapor deposition pattern formation using the vapor deposition mask proposed by
蒸着マスクに付着等した滓を除去する方法としては、超音波による洗浄方法を挙げることができる。ところで、蒸着マスクに付着した滓の堆積量や、付着態様によっては、物理的な力を強くかけなければ、滓を除去することができない場合も多くある。蒸着マスクに付着等した滓を除去すべく、物理的な力を強くかけて蒸着マスクの洗浄を行った場合、例えば、物理的な力を強めるべく低い周波数で超音波洗浄を行った場合には、樹脂マスクがダメージを受け、樹脂マスクに設けられた開口部に寸法変動が生じ、高精細な蒸着パターンの形成が困難になるといった問題が生ずる。 As a method for removing wrinkles adhering to the vapor deposition mask, an ultrasonic cleaning method can be used. By the way, depending on the amount of soot deposited on the vapor deposition mask and the manner of attachment, there are many cases where the soot cannot be removed without applying a physical force. In order to remove wrinkles attached to the deposition mask, when the deposition mask is cleaned by applying a physical force, for example, when ultrasonic cleaning is performed at a low frequency to increase the physical force. As a result, the resin mask is damaged, dimensional variation occurs in the opening provided in the resin mask, and it becomes difficult to form a high-definition vapor deposition pattern.
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たし、かつ、樹脂マスクの開口部にダメージを与えることを抑制しつつも蒸着マスクに付着等した滓を容易に除去することができ、長期にわたって高精細な蒸着パターンの形成が可能な蒸着マスクを提供すること、及び、有機半導体素子を精度よく製造することができる有機半導体素子の製造方法を提供することを主たる課題とする。 The present invention has been made in view of such a situation, and even when the size is increased, both high definition and light weight are satisfied, and vapor deposition is performed while suppressing damage to the opening of the resin mask. To provide a vapor deposition mask that can easily remove wrinkles attached to the mask and form a high-definition vapor deposition pattern over a long period of time, and to manufacture an organic semiconductor element with high accuracy It is a main subject to provide a manufacturing method.
上記課題を解決するための本発明は、蒸着作製するパターンに対応する樹脂開口部が設けられた樹脂層の一方の面上に、金属開口部が設けられた金属層が積層されてなる蒸着マスクであって、(i)前記樹脂層の一方の面において前記金属開口部と重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂層の他方の面の何れか一方、又は双方の面上と、(ii)前記樹脂開口部、及び前記金属開口部の何れか一方、又は双方の内壁面に防汚層が設けられ、前記樹脂層の一方の面において前記金属開口部と重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂層の他方の面の何れか一方、又は双方の面上に設けられる前記防汚層の厚みが、100nm以上2μm以下であり、前記防汚層が、離型性樹脂を含有している。
また、上記課題を解決するための本発明は、蒸着作製するパターンに対応する樹脂開口部が設けられた樹脂層の一方の面上に、金属開口部が設けられた金属層が積層されてなる蒸着マスクであって、前記樹脂層の一方の面において前記金属開口部と重なる位置に対応する領域に、防汚層が設けられ、前記防汚層の厚みが、100nm以上2μm以下であり、前記防汚層が、離型性樹脂を含有している。
また、上記課題を解決するための本発明は、蒸着作製するパターンに対応する開口部が設けられた樹脂マスクの一方の面上に、スリットが設けられた金属マスクが積層されてなる蒸着マスクであって、前記樹脂マスクの一方の面において前記スリットと重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂マスクの他方の面の何れか一方、又は双方の面上に防汚層が設けられていることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the present invention provides a vapor deposition mask in which a metal layer provided with a metal opening is laminated on one surface of a resin layer provided with a resin opening corresponding to a pattern to be produced by vapor deposition. (I) a region corresponding to a position overlapping with the metal opening on one surface of the resin layer and / or the other surface of the resin layer, or (ii) An antifouling layer is provided on one or both of the resin opening and the metal opening, and a region corresponding to a position overlapping with the metal opening on one surface of the resin layer, and The antifouling layer provided on either one or both surfaces of the resin layer has a thickness of 100 nm or more and 2 μm or less, and the antifouling layer contains a releasable resin.
Moreover, the present invention for solving the above-described problems is formed by laminating a metal layer provided with a metal opening on one surface of a resin layer provided with a resin opening corresponding to a pattern to be deposited. In the vapor deposition mask, an antifouling layer is provided in a region corresponding to a position overlapping the metal opening on one surface of the resin layer, and the antifouling layer has a thickness of 100 nm to 2 μm, The antifouling layer contains a releasable resin.
Further, the present invention for solving the above problems is a vapor deposition mask in which a metal mask provided with a slit is laminated on one surface of a resin mask provided with an opening corresponding to a pattern to be produced by vapor deposition. And an antifouling layer is provided on one or both of the area corresponding to the position overlapping with the slit on one surface of the resin mask and the other surface of the resin mask. Features.
また、前記防汚層が、離型性樹脂を含有していてもよい。 The antifouling layer may contain a releasable resin.
また、前記金属マスクには、複数のスリットが設けられ、前記樹脂マスクには、複数画面を構成するために必要な開口部が設けられ、各前記スリットは、少なくとも1画面全体と重なる位置に設けられていてもよい。 Further, the metal mask is provided with a plurality of slits, the resin mask is provided with openings necessary for constituting a plurality of screens, and each of the slits is provided at a position overlapping with at least one entire screen. It may be done.
また、前記金属マスクには、1つのスリットが設けられ、前記樹脂マスクには、複数の開口部が設けられ、前記複数の開口部の全ては、前記1つのスリットと重なる位置に設けられていてもよい。 Further, the metal mask is provided with one slit, the resin mask is provided with a plurality of openings, and all of the plurality of openings are provided at positions overlapping the one slit. Also good.
また、上記課題を解決するための本発明は、有機半導体素子の製造方法であって、金属フレームに蒸着マスクが溶接固定された金属フレーム付き蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を含み、前記蒸着パターンを形成する工程において、前記金属フレームに溶接固定される前記蒸着マスクが、蒸着作製するパターンに対応する開口部が設けられた樹脂マスクの一方の面上に、スリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、前記樹脂マスクの一方の面において前記スリットと重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂マスクの他方の面の何れか一方、又は双方の面上に防汚層が設けられた蒸着マスクであることを特徴とする。 Moreover, this invention for solving the said subject is a manufacturing method of an organic-semiconductor element, Comprising: A vapor deposition pattern is formed in a vapor deposition target object using the vapor deposition mask with a metal frame by which the vapor deposition mask was fixed by welding to the metal frame. In the step of forming the vapor deposition pattern including a step, the vapor deposition mask welded and fixed to the metal frame has a slit on one surface of the resin mask provided with an opening corresponding to the pattern to be vapor deposited. The provided metal mask is laminated, and the antifouling is provided on one or both of the region corresponding to the position overlapping with the slit on one surface of the resin mask and the other surface of the resin mask. It is a vapor deposition mask provided with a layer.
本発明の蒸着マスクによれば、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たし、かつ、樹脂マスクの開口部にダメージを与えることを抑制しつつも付着等した滓を容易に除去することができ、長期にわたって高精細な蒸着パターンの形成することができる。また、本発明の有機半導体素子の製造方法によれば、有機半導体素子を精度よく製造することができる。 According to the vapor deposition mask of the present invention, even when the size is increased, both high definition and light weight are satisfied, and the attached wrinkles are easily removed while preventing damage to the opening of the resin mask. It is possible to form a high-definition deposition pattern over a long period of time. Moreover, according to the manufacturing method of the organic semiconductor element of this invention, an organic semiconductor element can be manufactured with sufficient precision.
<<蒸着マスク>>
以下に、本発明の一実施形態の蒸着マスク100について具体的に説明する。
<< Evaporation mask >>
Below, the
本発明の一実施形態の蒸着マスク100は、図1、図2に示すように、蒸着作製するパターンに対応する開口部25が設けられた樹脂マスクの20一方の面上に、スリット15が設けられた金属マスク10が積層された構成をとる。そして、本発明では、樹脂マスク20の一方の面において、スリット15と重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂マスクの他方の面の何れか一方、又は双方の面上に防汚層40が設けられていることを特徴とする。なお、図1は、本発明の一実施形態の蒸着マスクを金属マスク側から見たときの正面図であり、図2は、図1のA−A部分概略断面図である。以下、各構成について説明する。なお、以下で説明する各実施形態の蒸着マスク100は、後述するように、蒸着マスク20の一方の面上において、金属マスク10のスリット15と重なる位置に対応する領域、或いは、蒸着マスク20の他方の面上に防汚層40が設けられている点を共通する特徴としている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
(樹脂マスク)
樹脂マスク20は、従来公知の樹脂材料を適宜選択して用いることができ、その材料について特に限定されないが、レーザー加工等によって高精細な開口部25の形成が可能であり、熱や経時での寸法変化率や吸湿率が小さく、軽量な材料を用いることが好ましい。このような材料としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン−ビニルアルコール共重合体樹脂、エチレン−メタクリル酸共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、セロファン、アイオノマー樹脂等を挙げることができる。上記に例示した材料の中でも、その熱膨張係数が16ppm/℃以下である樹脂材料が好ましく、吸湿率が1.0%以下である樹脂材料が好ましく、この双方の条件を備える樹脂材料が特に好ましい。
(Resin mask)
For the
樹脂マスク20の厚みについても特に限定はないが、本発明の一実施形態の蒸着マスク100を用いて蒸着を行ったときに、目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる蒸着部分、所謂シャドウが生じることを防止するためには、樹脂マスク20は可能な限り薄いことが好ましい。しかしながら、樹脂マスク20の厚みが3μm未満である場合には、ピンホール等の欠陥が生じやすく、また変形等のリスクが高まる。一方で、25μmを超えるとシャドウの発生が生じ得る。この点を考慮すると樹脂マスク20の厚みは3μm以上25μm以下であることが好ましい。樹脂マスク20の厚みをこの範囲内とすることで、ピンホール等の欠陥や変形等のリスクを低減でき、かつシャドウの発生を効果的に防止することができる。特に、樹脂マスク20の厚みを、3μm以上10μm以下、より好ましくは4μm以上8μm以下とすることで、400ppiを超える高精細パターンを形成する際のシャドウの影響をより効果的に防止することができる。また、樹脂マスク20と後述する金属マスク10とは、直接的に接合されていてもよく、粘着剤層を介して接合されていてもよいが、粘着剤層を介して樹脂マスク20と金属マスク10とが接合される場合には、樹脂マスク20と粘着剤層との合計の厚みが上記好ましい厚みの範囲内であることが好ましい。
There is no particular limitation on the thickness of the
なお、シャドウとは、蒸着源から放出された蒸着材の一部が、金属マスク10のスリット15の内壁面に衝突して蒸着対象物へ到達しないことにより、目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる未蒸着部分が生ずる現象のことをいう。特に、開口部25の形状を微細化していくことにともない、シャドウによる影響は大きくなる。
Note that the shadow is thinner than the target deposition film thickness because a part of the deposition material released from the deposition source collides with the inner wall surface of the
また、図2に示す形態では、開口部25の開口形状は、矩形状を呈しているが、開口形状について特に限定はなく、開口部25の開口形状は、台形状、円形状等いかなる形状であってもよい。
In the form shown in FIG. 2, the opening shape of the
開口部25を形成する樹脂マスクの向かいあう端面同士が略平行であってもよいが、図2に示すように開口部25はその断面形状が、蒸着源に向かって広がりをもつような形状であることが好ましい。具体的には、樹脂マスクの開口部における下底先端と、同じく樹脂マスクの開口部における上底先端を結んだ角度が5°〜85°の範囲内であることが好ましく、15°〜80°の範囲内であることがより好ましく、25°〜65°の範囲内であることがさらに好ましい。特には、この範囲内の中でも、使用する蒸着機の蒸着角度よりも小さい角度であることが好ましい。
Although the end faces of the resin mask that form the
(金属マスク)
図2に示すように、樹脂マスク20の一方の上には、金属マスク10が積層されている。金属マスク10は、金属から構成され、縦方向或いは横方向に延びるスリット15が配置されている。スリット15は開口と同義である。スリットの配置例について特に限定はなく、図1に示すように縦方向、及び横方向に延びるスリットが、縦方向、及び横方向に複数列配置されていてもよく、縦方向に延びるスリットが、横方向に複数列配置されていてもよく、横方向に延びるスリットが縦方向に複数列配置されていてもよい。また、縦方向、或いは横方向に1列のみ配置されていてもよい。
(Metal mask)
As shown in FIG. 2, the
金属マスク10の材料について特に限定はなく、蒸着マスクの分野で従来公知のものを適宜選択して用いることができ、例えば、ステンレス鋼、鉄ニッケル合金、アルミニウム合金などの金属材料を挙げることができる。中でも、鉄ニッケル合金であるインバー材は熱による変形が少ないので好適に用いることができる。
The material of the
金属マスク10の厚みについても特に限定はないが、シャドウの発生をより効果的に防止するためには、100μm以下であることが好ましく、50μm以下であることがより好ましく、35μm以下であることが特に好ましい。なお、5μmより薄くした場合、破断や変形のリスクが高まるとともにハンドリングが困難となる傾向にある。
Although the thickness of the
また、図1に示す形態では、スリット15の開口形状は、矩形状を呈しているが、開口形状について特に限定はなく、スリット15の開口形状は、台形状、円形状等いかなる形状であってもよい。
In the form shown in FIG. 1, the opening shape of the
金属マスク10に形成されるスリット15の断面形状についても特に限定されることはないが、図2に示すように蒸着源に向かって広がりをもつような形状であることが好ましい。より具体的には、金属マスク10のスリット15における下底先端と、同じく金属マスク10のスリット15における上底先端を結んだ直線と金属マスク10の底面とのなす角度が5°〜85°の範囲内であることが好ましく、15°〜80°の範囲内であることがより好ましく、25°〜65°の範囲内であることがさらに好ましい。特には、この範囲内の中でも、使用する蒸着機の蒸着角度よりも小さい角度であることが好ましい。
The cross-sectional shape of the
樹脂マスク20上に金属マスク10を積層する方法について特に限定はなく、樹脂マスク20と金属マスク10とを各種粘着剤を用いて貼り合わせてもよく、自己粘着性を有する樹脂マスクを用いてもよい。樹脂マスク20と金属マスク10の大きさは同一であってもよく、異なる大きさであってもよい。なお、この後に任意で行われるフレームへの固定を考慮して、樹脂マスク20の大きさを金属マスク10よりも小さくし、金属マスク10の外周部分が露出された状態としておくと、金属マスク10とフレームとの溶接が容易となり好ましい。
The method for laminating the
(防汚層)
図1、図2に示すように、樹脂マスク20の一方の面において、スリット15と重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂マスクの他方の面の何れか一方、又は双方の面上には、防汚層40が設けられている。防汚層40は、本発明の一実施形態の蒸着マスク100を繰り返し使用した時に、樹脂マスクの開口部を通過する蒸着材に起因して付着し得る滓や、蒸着時、或いは蒸着マスクの保管時に何らかの理由により付着し得る異物(以下、これらを総称して滓等と言う)を除去するための役割を果たす層である。具体的には、滓等が付着しにくい、或いは、付着した滓等を洗浄によって容易に除去できる性質を有する層である。
(Anti-fouling layer)
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, on one surface of the
防汚層40は、上記の性質を有するものであれば、その成分等について限定されることはなく、「反射防止フィルム」、「撥水シート」等の分野で従来公知の防汚層を用いることができる。
The
滓等の除去性能を考慮すると、防汚層の成分としては、シリコーン系樹脂や、フッ素樹脂などの離型性樹脂が好適である。 Considering the removal performance of wrinkles and the like, as the component of the antifouling layer, a silicone resin or a release resin such as a fluororesin is suitable.
防汚層40を有する本発明の一実施形態の蒸着マスク100によれば、上記で説明した滓等が、蒸着マスクに付着等した場合であっても、物理的に大きな力をかけることなく当該滓等を容易に除去することができる。なお、防汚層を有しない蒸着マスクにおいては、物理的に大きな力をかけなければ滓等を除去することができず、物理的に大きな力をかけて滓の除去を行った場合、例えば、物理的な力を強めるべく低い周波で超音波洗浄により滓の除去を行った場合には、樹脂マスクに設けられた開口部の寸法が変動していくこととなる。換言すれば、防汚層を有しない蒸着マスクでは、滓等を除去するための洗浄を繰り返すたびに、樹脂マスクの開口部の寸法精度が低下していくこととなる。つまり、防汚層を有しない蒸着マスクでは、長期にわたって精度よく蒸着パターンを形成することが困難となる。
According to the
本願明細書において、「樹脂マスクの一方の面上において金属マスクのスリットと重なる位置に対応する領域に防汚層が設けられている」とは、図2に示すように樹脂マスク20の一方の面において、スリット15と重なる位置に対応する全領域上に防汚層40が設けられている形態のみならず、図3に示すように、樹脂マスク20の一方の面において、スリット15と重なる位置に対応する領域上の一部分に防汚層40が設けられた形態を含むものである。つまり、スリット15と重なる位置において、一部樹脂マスク20が露出していてもよい。この場合には、図3に示すように、開口部25近傍の樹脂マスク上に防汚層40が設けられていることが好ましい。開口部25の近傍の樹脂マスク上に、防汚層が設けられていない場合には、開口部25近傍に付着した滓等を除去することができず、当該開口部25の近傍に付着した滓等が、蒸着源から放出された蒸着材を遮断し、蒸着対象物に不十分なパターンが形成されてしまう、いわゆるパターン欠陥を引き起こす要因となるためである。
In the present specification, “the antifouling layer is provided in a region corresponding to the position overlapping with the slit of the metal mask on one surface of the resin mask” means that one of the resin masks 20 as shown in FIG. In the surface, not only the form in which the
また、図2に示す形態では、樹脂マスク20の一方の面において、スリット15と重なる位置にのみ防汚層40が設けられているが、図4に示すように、金属マスク10のスリット15を構成する内壁面や、金属マスク10の頂面に防汚層40をさらに設けることもできる(図4に示す形態では、金属マスクの頂面に防汚層が設けられている)。金属マスク10の頂面、或いは金属マスク10のスリット15を構成する内壁面に防汚層40を形成することで、金属マスク10の頂面や、スリット15を構成する内壁面に滓等が付着した場合であっても、当該部分に付着した滓等を洗浄によって容易に除去することができる。また、図3に示す形態と、図4に示す形態とを組合せた形態とすることもできる。
Further, in the embodiment shown in FIG. 2, the
防汚層40の厚みについて特に限定はないが、防汚層40の厚みを厚くすることにともない、見かけ上の樹脂マスク20の厚みが厚くなり、防汚層の厚みによっては、シャドウの発生を防止できない場合が生じ得る。したがって、防汚層40の厚みについては、この点を考慮して決定することが望ましい。具体的には、防汚層40の厚みは2μm以下であることが好ましい。下限値について特に限定はないが、防汚層形成の容易性の点からは100nm程度である。より好ましい防汚層40の厚みの一例としては、100nm以上1μm以下の範囲内である。
The thickness of the
防汚層40の形成方法は、後述する蒸着マスクの製造方法で説明する。
A method for forming the
上記では、樹脂マスクの一方の面上、すなわち、金属マスク10と接する側の樹脂マスク20の表面に防汚層40が設けられた例を中心に説明を行ったが、図20(a)に示すように、樹脂マスク20の他方の面上に、防汚層40を設けることもできる。また、図20(b)に示すように樹脂マスク20の一方の面においてスリット15と重なる位置に対応する領域と、樹脂マスクの他方の面の双方の面上に防汚層40を設けることもできる。
In the above description, the description has been focused on an example in which the
防汚層40は、樹脂マスク20の他方の面上の全面に設けられていてもよく、樹脂マスク20の他方の面上の一部に設けられていてもよい。なお、樹脂マスク20の他方の面上の一部に防汚層40を設ける場合にあっては、樹脂マスク20の他方の面のうち開口部の近傍に防汚層40が設けられていることが好ましい。これは、開口部25の近傍に防汚層40が存在していない場合には、樹脂マスク20の他方の面上において、開口部25近傍に付着等した滓を除去することができず、当該滓が、高精細な蒸着パターン形成時における支障となることによる。
The
なお、蒸着マスクは、樹脂マスクの他方の面と、蒸着対象物とが対向するように引き付けが行われることから、樹脂マスク20の他方の面上に防汚層40が設けられる場合において、防汚層40の平滑性が低い場合には、蒸着マスク100と蒸着対象物との密着性が不十分となる場合や、その平滑性によっては、蒸着マスク100と蒸着対象物との間に隙間が発生する虞が生じ得る。また、防汚層40の厚みを厚くしていくにともない、蒸着マスクと、蒸着対象物とのギャップが大きくなり、形成されるパターン精度が低下する傾向にある。したがって、樹脂マスク20の他方の面上に防汚層40を設ける場合には、この点を考慮して、平滑性が高い防汚層40を設けることが好ましい。樹脂マスク20の他方の面上に防汚層40を設ける場合における防汚層40の好ましい厚みは、上記樹脂マスクの一方の面上に設けられる場合で説明した好ましい厚みと同じである。なお、蒸着マスクの一方の面上に防汚層40が設けられた形態は、防汚層40の平滑性にかかわらず、蒸着マスク100と蒸着対象物とを隙間なく密着させることができる点で好ましい形態であるといえる。また、樹脂マスクの一方の面、及び他方の面の双方の面上に防汚層40が設けられた形態は、付着した滓等の除去性能に優れる。
Note that the vapor deposition mask is attracted so that the other surface of the resin mask faces the vapor deposition object, and therefore, when the
以下、より高精細な蒸着パターンの作製が可能となる蒸着マスクの形態について第1実施形態、及び第2実施形態を例に挙げ説明する。 Hereinafter, the form of the vapor deposition mask that enables the production of a higher-definition vapor deposition pattern will be described by taking the first embodiment and the second embodiment as examples.
<第1実施形態の蒸着マスク>
図5に示すように、本発明の第1実施形態の蒸着マスク100は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成するための蒸着マスクであって、樹脂マスク20の一方の面上に、複数のスリット15が設けられた金属マスク10が積層されてなり、樹脂マスク20には、複数画面を構成するために必要な開口部25が設けられ、各スリット15が、少なくとも1画面全体と重なる位置に設けられていることを特徴とする。さらに、第1実施形態の蒸着マスク100は、樹脂マスク20の一方の面においてスリット15と重なる位置に対応する領域、及び樹脂マスクの他方の面の何れか一方、又は双方の面上に上記で説明した防汚層40が設けられていることを特徴とする。なお、図5では、樹脂マスク20の一方の面においてスリット15と重なる位置に対応する領域に防汚層40が設けられている。
<Deposition Mask of First Embodiment>
As shown in FIG. 5, the
第1実施形態の蒸着マスク100は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成するために用いられる蒸着マスクであり、1つの蒸着マスク100で、複数の製品に対応する蒸着パターンを同時に形成することができる。第1実施形態の蒸着マスクで言う「開口部」とは、第1実施形態の蒸着マスク100を用いて作製しようとするパターンを意味し、例えば、当該蒸着マスクを有機ELディスプレイにおける有機層の形成に用いる場合には、開口部25の形状は当該有機層の形状となる。また、「1画面」とは、1つの製品に対応する開口部25の集合体からなり、当該1つの製品が有機ELディスプレイである場合には、1つの有機ELディスプレイを形成するのに必要な有機層の集合体、つまり、有機層となる開口部25の集合体が「1画面」となる。そして、第1実施形態の蒸着マスク100は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成すべく、樹脂マスク20には、上記「1画面」が、所定の間隔をあけて複数画面分配置されている。すなわち、樹脂マスク20には、複数画面を構成するために必要な開口部25が設けられている。
The
第1実施形態の蒸着マスクは、樹脂マスクの一方の面上に、複数のスリット15が設けられた金属マスク10が設けられ、各スリットは、それぞれ少なくとも1画面全体と重なる位置に設けられている点を特徴とする。換言すれば、1画面を構成するのに必要な開口部25間において、横方向に隣接する開口部25間に、スリット15の縦方向の長さと同じ長さであって、金属マスク10と同じ厚みを有する金属線部分や、縦方向に隣接する開口部間25に、スリット15の横方向の長さと同じ長さであって、金属マスク10と同じ厚みを有する金属線部分が存在していないことを特徴とする。以下、スリット15の縦方向の長さと同じ長さであって、金属マスク10と同じ厚みを有する金属線部分や、スリット15の横方向の長さと同じ長さであって、金属マスク10と同じ厚みを有する金属線部分のことを総称して、単に金属線部分と言う場合がある。
In the vapor deposition mask of the first embodiment, a
第1実施形態の蒸着マスク100によれば、1画面を構成するのに必要な開口部25の大きさや、1画面を構成する開口部25間のピッチを狭くした場合、例えば、400ppiを超える画面の形成を行うべく、開口部25の大きさや、開口部25間のピッチを極めて微小とした場合であっても、金属線部分による干渉を防止することができ、高精細な画像の形成が可能となる。なお、1画面が、複数のスリットによって分割されている場合、例えば、1画面を構成する開口部25間に金属マスク10と同じ厚みを有する金属線部分が存在している場合には、1画面を構成する開口部25間のピッチが狭くなっていくことにともない、開口部25間に存在する金属線部分が蒸着対象物へ蒸着パターンを形成する際の支障となり高精細な蒸着パターンの形成が困難となる。換言すれば、1画面を構成する開口部25間に金属マスク10と同じ厚みを有する金属線部分が存在している場合は、当該金属線部分が、シャドウの発生を引き起こし高精細な画面の形成が困難となる。
According to the
次に、図5〜図8を参照して、1画面を構成する開口部25の一例について説明する。なお、図示する形態において破線で閉じられた領域が1画面となっている。図示する形態では、説明の便宜上少数の開口部25の集合体を1画面としているが、この形態に限定されるものではなく、例えば、1つの開口部25を1画素としたときに、1画面に数百万画素の開口部25が存在していてもよい。
Next, an example of the
図5に示す形態では、縦方向、横方向に複数の開口部25が設けられてなる開口部25の集合体によって1画面が構成されている。図6に示す形態では、横方向に複数の開口部25が設けられてなる開口部25の集合体によって1画面が構成されている。また、図7に示す形態では、縦方向に複数の開口部25が設けられてなる開口部25の集合体によって1画面が構成されている。そして、図5〜図7では、1画面全体と重なる位置にスリット15が設けられている。
In the form shown in FIG. 5, one screen is constituted by an aggregate of
上記で説明したように、スリット15は、1画面のみと重なる位置に設けられていてもよく、図8(a)、(b)に示すように、2以上の画面全体と重なる位置に設けられていてもよい。図8(a)では、図5に示す樹脂マスク20において、横方向に連続する2画面全体と重なる位置にスリット15が設けられている。図8(b)では、縦方向に連続する3画面全体と重なる位置にスリット15が設けられている。
As described above, the
次に、図5に示す形態を例に挙げて、1画面を構成する開口部25間のピッチ、画面間のピッチについて説明する。1画面を構成する開口部25間のピッチや、開口部25の大きさについて特に限定はなく、蒸着作製するパターンに応じて適宜設定することができる。例えば、400ppiの高精細な蒸着パターンの形成を行う場合には、1画面を構成する開口部25において隣接する開口部25の横方向のピッチ(P1)、縦方向のピッチ(P2)は60μm程度となる。また、開口部の大きさは、500μm2〜1000μm2程度となる。また、1つの開口部25は、1画素に対応していることに限定されることはなく、例えば、画素配列によっては、複数画素を纏めて1つの開口部25とすることもできる。
Next, taking the form shown in FIG. 5 as an example, the pitch between the
画面間の横方向ピッチ(P3)、縦方向ピッチ(P4)についても特に限定はないが、図5に示すように、1つのスリット15が、1画面全体と重なる位置に設けられる場合には、各画面間に金属線部分が存在することとなる。したがって、各画面間の縦方向ピッチ(P4)、横方向のピッチ(P3)が、1画面内に設けられている開口部25の縦方向ピッチ(P2)、横方向ピッチ(P1)よりも小さい場合、或いは略同等である場合には、各画面間に存在している金属線部分が断線しやすくなる。したがって、この点を考慮すると、画面間のピッチ(P3、P4)は、1画面を構成する開口部25間のピッチ(P1、P2)よりも広いことが好ましい。画面間のピッチ(P3、P4)の一例としては、1mm〜100mm程度である。なお、画面間のピッチとは、1の画面と、当該1の画面と隣接する他の画面とにおいて、隣接している開口部間のピッチを意味する。このことは、後述する第2実施形態の蒸着マスクにおける開口部25のピッチ、画面間のピッチについても同様である。
The horizontal pitch (P3) and the vertical pitch (P4) between the screens are not particularly limited, but as shown in FIG. 5, when one slit 15 is provided at a position overlapping the entire screen, A metal line portion exists between the screens. Accordingly, the vertical pitch (P4) and horizontal pitch (P3) between the screens are smaller than the vertical pitch (P2) and horizontal pitch (P1) of the
なお、図8に示すように、1つのスリット15が、2つ以上の画面全体と重なる位置に設けられる場合には、1つのスリット15内に設けられている複数の画面間には、スリットの内壁面を構成する金属線部分が存在しないこととなる。したがって、この場合、1つのスリット15と重なる位置に設けられている2つ以上の画面間のピッチは、1画面を構成する開口部25間のピッチと略同等であってもよい。
In addition, as shown in FIG. 8, when one slit 15 is provided at a position overlapping two or more entire screens, a slit is not provided between a plurality of screens provided in one
また、樹脂マスク20には、樹脂マスク20の縦方向、或いは横方向にのびる溝(図示しない)28が形成されていてもよい。蒸着時に熱が加わった場合、樹脂マスク20が熱膨張し、これにより開口部25の寸法や位置に変化が生じる可能性があるが、溝を形成することで樹脂マスクの膨張を吸収することができ、樹脂マスクの各所で生じる熱膨張が累積することにより樹脂マスク20が全体として所定の方向に膨張して開口部25の寸法や位置が変化することを防止することができる。溝の形成位置について限定はなく、1画面を構成する開口部25間や、開口部25と重なる位置に設けられていてもよいが、縦画面間に設けられていることが好ましい。また、溝は、樹脂マスクの一方の面、例えば、金属マスクと接する側の面のみに設けられていてもよく、金属マスクと接しない側の面のみに設けられていてもよい。或いは、樹脂マスク20の両面に設けられていてもよい。
Further, a groove (not shown) 28 extending in the vertical direction or the horizontal direction of the
また、隣接する画面間に縦方向に延びる溝としてもよく、隣接する画面間に横方向に延びる溝を形成してもよい。さらには、これらを組み合わせた態様で溝を形成することも可能である。 Moreover, it is good also as a groove | channel extended in the vertical direction between adjacent screens, and you may form the groove | channel extended in a horizontal direction between adjacent screens. Furthermore, it is possible to form the grooves in a combination of these.
溝の深さやその幅については特に限定はないが、溝の深さが深すぎる場合や、幅が広すぎる場合には、樹脂マスク20の剛性が低下する傾向にあることから、この点を考慮して設定することが必要である。また、溝の断面形状についても特に限定されることはなくU字形状やV字形状など、加工方法などを考慮して任意に選択すればよい。第2実施形態の蒸着マスクについても同様である。
The depth and width of the groove are not particularly limited. However, when the depth of the groove is too deep or too wide, the rigidity of the
<第2実施形態の蒸着マスク>
次に第2実施形態の蒸着マスクについて説明する。図9、図10に示すように、第2実施形態の蒸着マスクは、蒸着作製するパターンに対応した開口部25が複数設けられた樹脂マスク20の一方の面上に、1つのスリット16(以下、1つの貫通孔16という。)が設けられた金属マスク10が積層されてなり、当該複数の開口部25の全てが、金属マスク10に設けられた1つの貫通孔と重なる位置に設けられている点を特徴とする。さらに、第2実施形態の蒸着マスクは、樹脂マスク20の一方の面において1つの貫通孔16と重なる位置に対応する領域、及び樹脂マスクの他方の面の何れか一方、又は双方の面上に上記で説明した防汚層40が設けられていることを特徴とする。第2実施形態で言う開口部25とは、蒸着対象物に蒸着パターンを形成するために必要な開口部を意味し、蒸着対象物に蒸着パターンを形成するために必要ではない開口部は、1つの貫通孔16と重ならない位置に設けられていてもよい。なお、図9は、第2実施形態の蒸着マスクの一例を示す蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図であり、図10は、図9に示す蒸着マスクのB−B断面図である。
<Deposition Mask of Second Embodiment>
Next, the vapor deposition mask of 2nd Embodiment is demonstrated. As shown in FIGS. 9 and 10, the vapor deposition mask of the second embodiment has a single slit 16 (hereinafter referred to as a slit 16) on one surface of a
第2実施形態の蒸着マスク100は、複数の開口部25を有する樹脂マスク20上に、1つの貫通孔16を有する金属マスク10が設けられており、かつ、複数の開口部25の全ては、当該1つの貫通孔16と重なる位置に設けられている。この構成を有する第2実施形態の蒸着マスク100では、開口部25間に、金属マスクの厚みと同じ厚み、或いは、金属マスクの厚みより厚い金属線部分が存在していないことから、上記第1実施形態の蒸着マスクで説明したように、金属線部分による干渉を受けることなく樹脂マスク20に設けられている開口部25の寸法通りに高精細な蒸着パターンを形成することが可能となる。
In the
また、第2実施形態の蒸着マスクによれば、金属マスク10の厚みを厚くしていった場合であっても、シャドウの影響を殆ど受けることがないことから、金属マスク10の厚みを、耐久性や、ハンドリング性を十分に満足させることができるまで厚くすることができ、高精細な蒸着パターンの形成を可能としつつも、耐久性や、ハンドリング性を向上させることができる。
Moreover, according to the vapor deposition mask of 2nd Embodiment, even if it is a case where the thickness of the
(樹脂マスク)
第2実施形態の蒸着マスクにおける樹脂マスク20は、樹脂から構成され、図9、図10に示すように、1つの貫通孔16と重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部25が複数設けられている。開口部25は、蒸着作製するパターンに対応しており、蒸着源から放出された蒸着材が開口部25を通過することで、蒸着対象物には、開口部25に対応する蒸着パターンが形成される。なお、図示する形態では、開口部が縦横に複数列配置された例を挙げて説明をしているが、縦方向、或いは横方向にのみ配置されていてもよい。
(Resin mask)
The
第2実施形態の蒸着マスク100は、1画面に対応する蒸着パターンの形成に用いられるものであってもよく、2以上の画面に対応する蒸着パターンの同時形成に用いられるものであってもよい。第2実施形態の蒸着マスクにおける「1画面」とは、1つの製品に対応する開口部25の集合体を意味し、当該1つの製品が有機ELディスプレイである場合には、1つの有機ELディスプレイを形成するのに必要な有機層の集合体、つまり、有機層となる開口部25の集合体が「1画面」となる。この場合には、図11に示すように、画面単位毎に所定の間隔をあけて開口部25が設けられていることが好ましい。なお、図11では、破線で閉じられた領域を「1画面」としている。図11では、12個の開口部25によって1画面が構成されているが、この形態に限定されるものではなく、例えば、1つの開口部25を1画素としたときに、数百万個の開口部25によって1画面を構成することもできる。画面間のピッチの一例としては、縦方向のピッチ、横方向のピッチともに1mm〜100mm程度である。なお、画面間のピッチとは、1の画面と、当該1の画面と隣接する他の画面とにおいて、隣接している開口部間のピッチを意味する。
The
(金属マスク)
第2実施形態の蒸着マスク100における金属マスク10は、金属から構成され1つの貫通孔16を有している。そして、本発明では、当該1つの貫通孔16は、金属マスク10の正面からみたときに、全ての開口部25と重なる位置、換言すれば、樹脂マスク20に配置された全ての開口部25がみえる位置に配置されている。
(Metal mask)
The
金属マスク10を構成する金属部分、すなわち貫通孔16以外の部分は、図9、図10に示すように蒸着マスク100の外縁に沿って設けられていてもよく、図12、図13に示すように金属マスク10の大きさを樹脂マスク20よりも小さくし、樹脂マスク20の外周部分を露出させてもよい。なお、図13は、図12に示す蒸着マスクのB1−B1断面図である。また、金属マスク10の大きさを樹脂マスク20よりも大きくして、金属部分の一部を、樹脂マスクの横方向外方、或いは縦方向外方に突出させてもよい。なお、いずれの場合であっても、貫通孔16の大きさは、樹脂マスク20の大きさよりも小さく構成されている。
Metal parts constituting the
図9に示される金属マスク10の貫通孔の壁面をなす金属部分の横方向の幅(W1)や、縦方向の幅(W2)について特に限定はないが、W1、W2の幅が狭くなっていくに従い、耐久性や、ハンドリング性が低下していく傾向にある。したがって、W1、W2は、耐久性や、ハンドリング性を十分に満足させることができる幅とすることが好ましい。金属マスク10の厚みに応じて適切な幅を適宜設定することができるが、好ましい幅の一例としては、W1、W2ともに1mm〜100mm程度である。各画面間のピッチ(P1、P2)についての好ましいピッチは第1実施形態で説明した通りである。
Although there is no particular limitation on the width (W1) in the horizontal direction and the width (W2) in the vertical direction of the metal portion forming the wall surface of the through hole of the
以上、本発明の一実施形態の蒸着マスク100について説明を行ったが、本発明の蒸着マスクは、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、上記では、防汚層40が蒸着マスク側に残存する例を中心に説明を行ったが、防汚層40を、溶媒によって除去可能な層とすることもできる。この場合には、ある程度滓が付着した段階で、溶媒によって付着した滓とともに防汚層を除去することができる。
The
溶媒によって除去可能な防汚層40の材料としては、例えば、水溶性樹脂や、有機溶剤可溶性樹脂等を挙げることができる。水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロエチルセルロース、カルボキシメチルセルロス、フェノール樹脂、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステル共重合体、ポリメタクリル酸などの水溶性のアクリル樹脂、ゼラチン、澱粉、カゼインおよびそれらの変性物などが挙げられる。水系樹脂とは塩化ビニル樹脂エマルジョン、塩化ビニル−酢酸ビニル樹脂エマルジョン、塩化ビニル−アクリル樹脂エマルジョンなどの塩ビ系樹脂エマルジョン、アクリル系樹脂エマルジョン、ウレタン系樹脂エマルジョン、塩ビ系樹脂ディスパージョン、アクリル系樹脂ディスパージョン、ウレタン系樹脂ディスパージョンなど溶媒の一部が水で構成されているものを挙げることができる。有機溶剤に溶解可能な樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリスチレン樹脂などを挙げることができる。
Examples of the material of the
また、樹脂マスク20の開口部25を構成する内壁面に、防汚層40を設けることもできる。また、樹脂マスク20の開口部25を構成する内壁面に、樹脂マスクの開口部25を構成する内壁面にバリア層を設けることもできる。バリア層としては、無機酸化物や無機窒化物、金属の薄膜層または蒸着層を用いることができる。無機酸化物としては、アルミニウムやケイ素、インジウム、スズ、マグネシウムの酸化物を用いることができ、金属としてはアルミニウム等を用いることができる。
Further, the
また、各図に示す形態では、開口部25は、縦方向、及び横方向に規則的に配置がされているが、開口部25を横方向に互い違いに配置してもよい。つまり、横方向に隣り合う開口部25を縦方向にずらして配置してもよい。このように配置することにより、樹脂マスク20が熱膨張した場合にあっても、各所において生じる膨張を開口部25によって吸収することができ、膨張が累積して大きな変形が生じることを防止することができる。
Moreover, in the form shown to each figure, although the
(蒸着マスクの製造方法)
次に、本発明の一実施形態の蒸着マスクの製造方法の一例を説明する。
(Method for manufacturing vapor deposition mask)
Next, an example of the manufacturing method of the vapor deposition mask of one Embodiment of this invention is demonstrated.
本発明の一実施形態の蒸着マスクは、図14(a)に示すように、樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10が積層され、当該樹脂板30の一方の面上においてスリット15と重なる位置に防汚層40が設けられた樹脂板付き金属マスク50を準備し、次いで、図14(b)に示すように、樹脂板付き金属マスク50に対し、金属マスク10側からスリット15を通してレーザーを照射して、図14(c)に示すように、樹脂板30に蒸着作製するパターンに対応する開口部25を形成することで得ることができる。以下、樹脂板付き金属マスクの形成例について第1実施形態〜第5実施形態の樹脂板付き金属マスクの形成方法を例に挙げて説明する。
As shown in FIG. 14A, the vapor deposition mask of one embodiment of the present invention is formed by laminating the
第1実施形態の樹脂板付き金属マスクは、図15(a)に示すように、樹脂板30の一方の面上に、スリット15が設けられた金属マスク10を積層する工程と、図15(b)に示すように金属マスク10が積層された樹脂板30の一方の面上においてスリット15と重なる位置に防汚層40を形成する工程とにより得られる。樹脂板30は、上記樹脂マスク20で説明した材料を用いることができる。以下の各実施形態についても同様である。また、各実施形態の樹脂板付き金属マスクにおける防汚層の材料としては、上記蒸着マスクの防汚層で説明した材料を適宜選択して用いることができる。
15A, the metal mask with a resin plate according to the first embodiment includes a step of laminating a
防汚層40は、樹脂板30の一方の面上に金属マスク10が設けられた積層体に対し、樹脂板の一方の面側に、上記第1実施形態の防汚層40、第2実施形態の防汚層40の材料を、適当な溶媒に溶解、又は分散した塗工液を、スプレーコート、スピンコート、ディップコート、カーテンコート、ダイコート等の従来公知の塗工方法を用いて、塗工・乾燥することで形成することができる。この方法では、金属マスク10の頂面、及び金属マスク10のスリット15を構成する内壁面にも防汚層40(内壁面については記載を省略している)が形成される。
The
第2実施形態の樹脂板付き金属マスク50は、図16(a)に示すように、樹脂板30の一方の面に防汚層40を形成する工程と、図16(b)に示すように、樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10を積層する工程とにより得られる。
As shown in FIG. 16A, the
第2実施形態の樹脂板付き金属マスクの形成方法では、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、カーテンコート、ダイコート等に加え、バーコート、コンマコート、ナイフコート、グラビア印刷、スクリーン印刷、又はグラビア版を用いたリバースロールコーティング等の従来公知の塗工法を用いて防汚層40を形成することができる。
In the method for forming a metal mask with a resin plate according to the second embodiment, in addition to spin coating, spray coating, dip coating, curtain coating, die coating, etc., bar coating, comma coating, knife coating, gravure printing, screen printing, or gravure plate The
次いで、図16(b)に示すように、防汚層40が設けられた樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10を積層する。これにより、第2実施形態の樹脂板付き金属マスクを得る。金属マスク10としては、上記第1実施形態の樹脂板付き金属マスクで説明した金属マスクをそのまま用いることができる。また、防汚層40が設けられた樹脂板30の一方の面上に金属板を貼り合せ、当該金属板にスリット15を形成することで、第2実施形態の樹脂板付き金属マスクを得ることもできる。
Next, as shown in FIG. 16B, the
また、図21に示すように、第1実施形態、及び第2実施形態の樹脂板付き金属マスクでは、最終的に開口部25が形成される開口部形成予定位置、及びその近傍に防汚層40を設けておくことが好ましい。これは、最終的に樹脂マスク20としたときの開口部25の近傍に防汚層40が存在していない場合には、樹脂マスク20の開口部25近傍に付着等した滓を除去することができず、当該滓が、高精細な蒸着パターン形成時における支障となることによる。
Further, as shown in FIG. 21, in the metal mask with a resin plate of the first embodiment and the second embodiment, the antifouling layer is formed at the opening formation planned position where the
第3実施形態の樹脂板付き金属マスク50は、図17(a)に示すように、樹脂板30の他方の面上に、防汚層40を形成する工程と、図17(b)に示すように、樹脂板30の一方の面上に、スリット15が設けられた金属マスク10を積層する工程とにより得られる。なお、以下では、樹脂板30の他方の面上に防汚層40を形成した後に、樹脂板30の一方の面上に金属マスク10を積層する例を挙げて説明を行うが、樹脂板30の一方の面上に、金属マスク10を積層した後に、樹脂板30の他方の面上に防汚層40を形成することもできる。
As shown in FIG. 17A, the
第3実施形態の樹脂板付き金属マスクにおいて、防汚層40は、樹脂板30の他方の面上の全面に設けられていてもよく、樹脂板30の他方の面上の一部に設けられていてもよい。なお、樹脂板30の他方の面上の一部に防汚層40を設ける場合にあっては、樹脂板30において最終的に開口部25が形成される開口部形成予定位置、及びその近傍に防汚層40が設けられていることが好ましい。
In the metal mask with a resin plate of the third embodiment, the
次いで、図17(b)に示すように、樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10を積層する。これにより、第3実施形態の樹脂板付き金属マスクを得る。金属マスク10としては、上記第1実施形態の樹脂板付き金属マスクで説明した金属マスクをそのまま用いることができる。また、樹脂板30の一方の面上に金属板を貼り合せ、当該金属板にスリット15を形成することで、第3実施形態の樹脂板付き金属マスクを得ることもできる。
Next, as shown in FIG. 17B, the
(第4実施形態の樹脂板付き金属マスク)
第4実施形態の樹脂板付き金属マスク50は、図18(a)に示すように、樹脂板30の一方の面上に、スリット15が設けられた金属マスク10を積層する工程と、図18(b)に示すように金属マスク10が積層された樹脂板30の一方の面上においてスリット15と重なる位置に対応する領域、及び樹脂板30の他方の面上に防汚層40を形成する工程とにより得られる。
(Metal mask with resin plate of 4th Embodiment)
As shown in FIG. 18A, the
第4実施形態の樹脂板付き金属マスク50は、上記第1実施形態の樹脂板付き金属マスク、及び上記第3実施形態の樹脂板付き金属マスクで説明した方法を組合せることで得ることができ、ここでの詳細な説明は省略する。第4実施形態の樹脂板付き金属マスクによれば、最終的に樹脂マスクの一方の面、及び他方の面の双方の面上に、防汚層40が設けられることから、蒸着マスクに付着した滓等をより効果的に除去することができる。
The metal mask with
(第5実施形態の樹脂板付き金属マスク)
第5実施形態の樹脂板付き金属マスク50は、図19(a)に示すように、樹脂板30の一方の面、及び他方の面上に防汚層40を形成する工程と、図19(b)に示すように、樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10を積層する工程とにより得られる。
(Metal mask with resin plate of the fifth embodiment)
As shown in FIG. 19A, the
第5実施形態の樹脂板付き金属マスク50は、上記第2実施形態の樹脂板付き金属マスク、及び上記第3実施形態の樹脂板付き金属マスクで説明した方法を組合せることで得ることができ、ここでの詳細な説明は省略する。
The metal mask with
以下、上記第1実施形態の樹脂板付き金属マスクを用いた例を挙げて説明を行うが、上記第2実施形態〜第5実施形態の樹脂板付き金属マスクを用いて蒸着マスクを形成することもできる。 Hereinafter, although an example using the metal mask with a resin plate of the first embodiment will be described, a deposition mask is formed using the metal mask with a resin plate of the second to fifth embodiments. You can also.
次いで、図14(b)に示すように、上記で準備された樹脂板付き金属マスク50に対し、レーザー加工法、精密プレス加工、フォトリソ加工等を用いて、防汚層、及び樹脂板を貫通させ、樹脂板に蒸着作製するパターンに対応する開口部25を形成することで、蒸着作製するパターンに対応する開口部25が設けられた樹脂マスク20の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10が積層され、当該樹脂マスク20の一方の面上においてスリット15と重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂板の他方の面の何れか一方、又は双方の面上に防汚層40が設けられた、本発明の一実施形態の蒸着マスク100を得る。なお、高精細な開口部25を容易に形成することができる点からは、開口部25の形成には、レーザー加工法を用いることが好ましい。また、上記で説明した樹脂板付き金属マスクを、開口部が設けられた樹脂マスクとスリットが設けられた金属マスクとが積層されてなる蒸着マスクを製造するための蒸着マスク準備体として用いることもできる。
Next, as shown in FIG. 14B, the antifouling layer and the resin plate are penetrated using the laser processing method, precision press processing, photolithographic processing, etc., with respect to the
レーザー加工法を用いて、開口部25を形成する場合において、図15〜図19に示すように、防汚層40が設けられている樹脂板付き金属マスクを用いる場合には、レーザー加工時に蒸着マスクに付着し得る滓も、当該防汚層40を利用して除去することができる点で、好ましい蒸着マスクの製造方法であるといえる。
When the
なお、上記で説明した例では、樹脂板に開口部25を形成する前の段階で、防汚層40を形成しているが、蒸着作製するパターンに対応する開口部25が設けられた樹脂マスク20の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10が積層されてなる蒸着マスクを得た後に、当該蒸着マスク上に、防汚層40を設けることもできる。
In the example described above, the
(有機半導体素子の製造方法)
次に、本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法について説明する。本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、金属フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法により蒸着パターンを形成する工程を有し、当該有機半導体素子を形成する工程において以下の金属フレーム付き蒸着マスクが用いられる点に特徴を有する。
(Method for manufacturing organic semiconductor element)
Next, the manufacturing method of the organic-semiconductor element of one Embodiment of this invention is demonstrated. The manufacturing method of the organic-semiconductor element of one Embodiment of this invention has the process of forming a vapor deposition pattern by the vapor deposition method using a vapor deposition mask with a metal frame, and the following metal frame is attached in the process of forming the said organic-semiconductor element. It is characterized in that a vapor deposition mask is used.
金属フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法により蒸着パターンを形成する工程を有する一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、基板上に電極を形成する電極形成工程、有機層形成工程、対向電極形成工程、封止層形成工程等を有し、各任意の工程において金属フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法により基板上に蒸着パターンが形成される。例えば、有機ELデバイスのR,G,B各色の発光層形成工程に、金属フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法をそれぞれ適用する場合には、基板上に各色発光層の蒸着パターンが形成される。なお、本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、これらの工程に限定されるものではなく、蒸着法を用いる従来公知の有機半導体素子の任意の工程に適用可能である。 An organic semiconductor device manufacturing method according to an embodiment having a step of forming a vapor deposition pattern by a vapor deposition method using a vapor deposition mask with a metal frame includes an electrode formation step of forming an electrode on a substrate, an organic layer formation step, and a counter electrode formation A vapor deposition pattern is formed on the substrate by a vapor deposition method using a vapor deposition mask with a metal frame in each arbitrary step. For example, when the vapor deposition method using a vapor deposition mask with a metal frame is applied to the R, G, B light emitting layer forming step of the organic EL device, the vapor deposition pattern of each color light emitting layer is formed on the substrate. . In addition, the manufacturing method of the organic-semiconductor element of one Embodiment of this invention is not limited to these processes, It is applicable to the arbitrary processes of the conventionally well-known organic-semiconductor element using a vapor deposition method.
本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、上記蒸着パターンを形成する工程において、金属フレームに溶接固定される前記蒸着マスクが、蒸着作製するパターンに対応する開口部が設けられた樹脂マスクの一方の面上に、スリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、樹脂マスクの一方の面において、前記スリットと重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂板の他方の面の何れか一方、又は双方の面上に防汚層が設けられた蒸着マスクであることを特徴とする。 In the method of manufacturing an organic semiconductor element according to an embodiment of the present invention, in the step of forming the vapor deposition pattern, the vapor deposition mask welded and fixed to the metal frame is provided with an opening corresponding to the pattern to be vapor deposited. A metal mask provided with a slit is laminated on one surface of the mask, and one of the surface corresponding to the position overlapping with the slit on one surface of the resin mask and the other surface of the resin plate It is a vapor deposition mask provided with an antifouling layer on one or both surfaces.
金属フレーム付き蒸着マスクを構成する蒸着マスクについては、上記で説明した本発明の一実施形態の蒸着マスク100をそのまま用いることができ、ここでの詳細な説明は省略する。上記で説明した本発明の一実施形態の蒸着マスクによれば、高精細なパターンを有する有機半導体素子を形成することができる。本発明の製造方法で製造される有機半導体素子としては、例えば、有機EL素子の有機層、発光層や、カソード電極等を挙げることができる。特に、本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、高精細なパターン精度が要求される有機EL素子のR、G、B発光層の製造に好適に用いることができる。
As the vapor deposition mask constituting the vapor deposition mask with a metal frame, the
100…蒸着マスク
10…金属マスク
15…スリット
16…貫通孔
20…樹脂マスク
25…開口部
30…樹脂板
40…防汚層
50…樹脂板付き金属マスク(蒸着マスク準備体)
DESCRIPTION OF
Claims (3)
(i)前記樹脂層の一方の面において前記金属開口部と重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂層の他方の面の何れか一方、又は双方の面上と、(ii)前記樹脂開口部、及び前記金属開口部の何れか一方、又は双方の内壁面に防汚層が設けられ、
前記樹脂層の一方の面において前記金属開口部と重なる位置に対応する領域、及び前記樹脂層の他方の面の何れか一方、又は双方の面上に設けられる前記防汚層の厚みが、100nm以上2μm以下であり、
前記防汚層が、離型性樹脂を含有している、
蒸着マスク。 A vapor deposition mask in which a metal layer provided with a metal opening is laminated on one surface of a resin layer provided with a resin opening corresponding to a pattern to be produced by vapor deposition,
(I) a region corresponding to a position overlapping with the metal opening on one surface of the resin layer and / or the other surface of the resin layer, or (ii) the resin opening And an antifouling layer is provided on the inner wall surface of either one or both of the metal openings ,
The thickness of the antifouling layer provided on one or both of the region corresponding to the position overlapping with the metal opening on one surface of the resin layer and the other surface of the resin layer is 100 nm. And not more than 2 μm,
The antifouling layer contains a releasable resin,
Deposition mask.
前記樹脂層の一方の面において前記金属開口部と重なる位置に対応する領域に、防汚層が設けられ、 An antifouling layer is provided in a region corresponding to a position overlapping with the metal opening on one surface of the resin layer,
前記防汚層の厚みが、100nm以上2μm以下であり、 The antifouling layer has a thickness of 100 nm to 2 μm,
前記防汚層が、離型性樹脂を含有している、 The antifouling layer contains a releasable resin,
蒸着マスク。 Deposition mask.
蒸着マスクを用いて、蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を含み、 Using a vapor deposition mask, forming a vapor deposition pattern on a vapor deposition object,
前記蒸着マスクとして、請求項1又は2に記載の蒸着マスクを用いる、 The vapor deposition mask according to claim 1 or 2 is used as the vapor deposition mask.
有機半導体素子の製造方法。 A method for producing an organic semiconductor element.
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