JP6586358B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。

近年、液晶表示装置等の表示装置が各種分野で利用されている。液晶表示装置は、一対の基板の間に液晶分子を含んだ液晶層を挟んで構成される。また、液晶表示装置は、それぞれの基板の液晶層側に、液晶分子を配向制御する配向膜を備えている。例えば、片方の基板に備えられたスペーサを覆う配向膜が薄く形成される技術が知られている。

また、表示装置にセンサ（あるいは、タッチパネルと称される場合もある）が備えられ、導体が接近あるいは接触した際に位置を検出するセンサ付き表示装置が実用化されている。センサの一例として、静電容量の変化に基づいて指等の導体の位置を検出する静電容量型センサがある。このようなセンサは、検出電極及び駆動電極によって構成されており、表示パネルに備えられる表示用電極である共通電極が、駆動電極として兼用される技術が知られている。

特開２００９−２８２２６２号公報 特開２０１３−２９７８４号公報 特開２０１４−３２４３７号公報

本実施形態の目的は、製造歩留りの低下を抑制することが可能な液晶表示装置を提供することにある。

本実施形態によれば、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを接着するシール部と、前記第１基板と前記第２基板の間に封止された液晶層と、前記液晶層に含まれる液晶分子を配向させる配向膜と、を含んだ液晶表示装置であって、前記第１基板又は前記第２基板の一方に備えられた駆動回路と、前記第１基板又は前記第２基板の他方に備えられた第１電極と、前記シール部内に設けられた第１導通材と、前記第１基板の前記シール部と重なるシール領域に位置し、前記第１基板から前記第２基板へ突出した、導電性を有する第１接続部と、を備え、前記第１電極は、前記第１接続部及び前記第１導通材を経由して、前記駆動回路に電気的に接続されている、液晶表示装置が提供される。

図１は、本実施形態の液晶表示装置ＤＳＰを構成する表示パネルＰＮＬの構成を示す図である。 図２は、図１に示した液晶表示装置ＤＳＰの基本構成及び等価回路を示す図である。 図３は、図２に示した画素ＰＸを示す等価回路図である。 図４は、図２に示した表示パネルＰＮＬの一画素ＰＸの断面を概略的に示す図である。 図５は、本実施形態のセンサＳＳの構成を概略的に示す平面図である。 図６は、本実施形態のセンサＳＳの他の構成を概略的に示す平面図である。 図７は、本実施形態の第１基板ＳＵＢ１の構成例を示す平面図である。 図８は、本実施形態の第２基板ＳＵＢ２の構成例を示す平面図である。 図９は、図７及び図８に示した線Ｉ−Ｉ‘で切った表示パネルＰＮＬの断面図である。 図１０は、上記実施形態に係る表示パネルＰＮＬの具体例を示す断面図である。 図１１は、上記実施形態に係る第１変形例の表示パネルＰＮＬを示す断面図である。 図１２は、上記実施形態に係る第２変形例の表示パネルＰＮＬを示す断面図である。 図１３は、図７及び図８に示した線ＩＩ−ＩＩ‘で切った表示パネルＰＮＬの断面図である。 図１４は、上記実施形態に係る第３変形例の第１基板ＳＵＢ１を示す平面図である。 図１５は、図７に示した領域Ａの構成例を示す平面図である。 図１６は、図１５に示した線ＩＩＩ−ＩＩＩ‘で切った表示パネルＰＮＬの断面図である。 図１７は、図７に示した領域Ａの他の構成例を示す平面図である。 図１８は、図１７に示した線ＩＶ−ＩＶ‘で切った表示パネルＰＮＬの断面図である。 図１９は、上記実施形態に係る第４変形例の表示パネルＰＮＬを示す断面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

まず、本実施形態に係る液晶表示装置について詳細に説明する。
図１は、本実施形態の液晶表示装置ＤＳＰを構成する表示パネルＰＮＬの構成を示す図である。図１は、互いに交差する第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定されるＸ−Ｙ平面における表示パネルＰＮＬの平面図である。

表示パネルＰＮＬは、例えば、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シール部ＳＥと、液晶層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。シール部ＳＥは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。シール部ＳＥは、例えば連続したループ状に形成され、図示した例では、矩形枠状に形成されている。より具体的には、シール部ＳＥは、４つのシール部ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３、ＳＥ４を有している。シール部ＳＥ１及びＳＥ２は、第２方向Ｙに沿って延出している。シール部ＳＥ２は、表示領域ＤＡを挟んでシール部ＳＥ１と対向している。シール部ＳＥ３及びＳＥ４は、第１方向Ｘに沿って延出し、それぞれシール部ＳＥ１及びＳＥ２の端部に繋がっている。シール部ＳＥ４は、表示領域ＤＡを挟んでシール部ＳＥ３と対向している。

また、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２において、シール部ＳＥが形成される領域をシール領域ＳＡとする。シール領域ＳＡは、シール部ＳＥ１乃至ＳＥ４がそれぞれ配置されるシール領域ＳＡ１乃至ＳＡ４を有している。

液晶層は、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間においてシール部ＳＥによって囲まれた内側に封止されている。表示パネルＰＮＬは、シール部ＳＥによって囲まれた内側に、画像を表示する表示領域ＤＡを備えている。表示領域ＤＡは、例えば、略長方形状に形成されている。

本実施形態において、液晶層は、例えば、滴下注入法によって形成されている。滴下注入法が適用される場合、まず、第１基板ＳＵＢ１もしくは第２基板ＳＵＢ２に、ディスペンサもしくはスクリーン印刷版を用いてシール部ＳＥをループ状に塗布する。その後、真空中において、シール部によって囲まれた内側の領域に液晶材料を滴下する。その後、第１板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２とを真空中で重ねて貼り合わせ、真空中に大気を導入することにより、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２間の内部と外部との圧力差によってシール部ＳＥが潰れ、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２との間に液晶材料が広がり、所定のセルギャップに液晶層が形成される。その後、シール部ＳＥに紫外線を照射する、もしくは、シール部ＳＥを加熱することにより、シール部ＳＥを硬化させる。このような滴下注入法は、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を貼り合せた後に真空中において液晶材料を注入する真空注入法と比較して、製造時間を短縮できるなどの利点を有している。

駆動ＩＣチップ２及びフレキシブル・プリンテッド・サーキット（ＦＰＣ）基板３及び４などの表示パネルＰＮＬの駆動に必要な信号供給源は、表示領域ＤＡよりも外側の非表示領域ＮＤＡに位置している。図示した例では、駆動ＩＣチップ２及びＦＰＣ基板３は、第２基板ＳＵＢ２の基板端部ＳＵＢ２ｅよりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴに実装されている。また、ＦＰＣ基板４は、第２基板ＳＵＢ２に実装され、図示した例では、平面視で、シール部ＳＥ４と基板端部ＳＵＢ２ｅとの間に実装されている。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡを囲むエリアであり、シール領域ＳＡを含み、矩形枠状に形成されている。なお、表示領域ＤＡは、円形や楕円形、矩形状の一部を湾曲させた形状等の構成も採用可能である。

本実施形態の表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型であるが、これに限定されるものではない。例えば、表示パネルＰＮＬは、第２基板ＳＵＢ２の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型であっても良いし、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型であっても良い。透過型あるいは半透過型の表示パネルＰＮＬが適用される場合には、第１基板ＳＵＢ１の背面側に照明装置が配置される。反射型の表示パネルＰＮＬが適用される場合には、照明装置は不要であるが、第２基板ＳＵＢ２の前面側に補助光源となる照明装置が配置されても良い。

図２は、図１に示した液晶表示装置ＤＳＰの基本構成及び等価回路を示す図である。
図２に示すように、表示パネルＰＮＬは、非表示領域ＮＤＡに位置したゲート配線駆動回路ＧＤ、ソース配線駆動回路ＳＤ及び共通電極駆動回路ＣＤを備えている。

表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に設けられ、ｍ×ｎ個配置されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、ｎ本のゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、ｍ本のソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。

ゲート配線Ｇは、第１方向Ｘに沿って延出し、表示領域ＤＡの外側に引き出され、ゲート配線駆動回路ＧＤに接続されている。ソース配線Ｓは、第２方向Ｙに沿って延出し、表示領域ＤＡの外側に引き出され、ソース配線駆動回路ＳＤに接続されている。なお、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓは、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、共通電極駆動回路ＣＤに電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸで共用されている。

図３は、図２に示した画素ＰＸを示す等価回路図である。
図３に示すように、各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタで形成され、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向している。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、保持容量ＣＳを形成している。

図４は、図２に示した表示パネルＰＮＬの一画素ＰＸの断面を概略的に示す図である。第３方向Ｚは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと直交している。本実施形態においては、第３方向Ｚの正の向き、あるいは、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上と定義し、第３方向Ｚの負の向き、あるいは、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下と定義する。

第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１等を備えている。

第１絶縁基板１０は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。

スイッチング素子ＳＷは、図示した例では、トップゲート型であるが、ボトムゲート型であっても良い。スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣを有している。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、非晶質シリコンや酸化物半導体などによって形成されていても良い。半導体層ＳＣは、第１絶縁基板１０の上に位置している。第１絶縁膜１１は、半導体層ＳＣ及び第１絶縁基板１０の上に配置されている。なお、第１絶縁基板１０と半導体層ＳＣとの間に、他の絶縁膜が介在していても良い。スイッチング素子ＳＷのゲート電極ＷＧは、第１絶縁膜１１の上に形成され、半導体層ＳＣの上方に位置している。ゲート電極ＷＧは、ゲート配線Ｇと一体的に形成されている。第２絶縁膜１２は、ゲート電極ＷＧ及び第１絶縁膜１１の上に配置されている。

スイッチング素子ＳＷのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第２絶縁膜１２の上に位置している。ソース電極ＷＳは、ソース配線Ｓと一体的に形成されている。ソース電極ＷＳは、第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＨ１を介して半導体層ＳＣにコンタクトしている。ドレイン電極ＷＤは、第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＨ２を介して半導体層ＳＣにコンタクトしている。第３絶縁膜１３は、ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤ、及び、第２絶縁膜１２の上に配置されている。

第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機系材料によって形成されている。第３絶縁膜１３は、例えば透明な樹脂材料によって形成されている。

画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に位置している。画素電極ＰＥは、透明な導電材料、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などによって形成されている。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールＣＨ３を介してドレイン電極ＷＤにコンタクトしている。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ、及び、第３絶縁膜１３の上に配置されている。

一方、第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板３０、遮光層３１、カラーフィルタ３２、オーバーコート層３３、共通電極ＣＥ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。

第２絶縁基板３０は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。第２絶縁基板３０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する側の内面３０Ａと、内面３０Ａの反対側の外面３０Ｂとを有している。

遮光層３１は、第２絶縁基板３０の内面３０Ａに位置している。遮光層３１は、各画素ＰＸを区画するように形成されており、開口部ＡＰを規定している。遮光層３１は、第１基板ＳＵＢ１に設けられたゲート配線Ｇやソース配線Ｓ、スイッチング素子ＳＷやコンタクトホールＣＨ３などに対向するように形成されている。詳述しないが、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓにそれぞれ対向するように形成された遮光層３１の形状は、平面視で格子状をなしている。

カラーフィルタ３２は、第２絶縁基板３０の内面３０Ａに位置し、その端部が遮光層３１と重なっている。カラーフィルタ３２は、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色に着色された樹脂材料によって形成されている。

オーバーコート層３３は、カラーフィルタ３２を覆っている。オーバーコート層３３は、透明な樹脂材料によって形成されている。

共通電極ＣＥは、オーバーコート層３３の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。共通電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第２配向膜ＡＬ２は、共通電極ＣＥを覆っている。

上述したような第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２において、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、互いに対向している。液晶層ＬＣは、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に封入された液晶分子ＬＭを含む液晶組成物によって構成されている。第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、液晶分子ＬＭを配向させる配向規制力を有している。一例では、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、液晶分子ＬＭを第３方向Ｚと略平行に配向させる垂直配向膜である。

検出電極Ｒｘは、第２絶縁基板３０の外面３０Ｂに位置している。検出電極Ｒｘは、後述する静電容量型のセンサを構成している。

なお、上記の表示パネルＰＮＬは、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｅｄ）モードが適用されたものであるが、この例に限らない。例えば、表示パネルＰＮＬは、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードや、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｅｎｄ）モードなどが適用されたものであっても良く、この場合には、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２としては、液晶分子ＬＭをＸ−Ｙ平面と略平行に配向させる水平配向膜が適用される。

次に、本実施形態の液晶表示装置ＤＳＰに搭載される静電容量型のセンサＳＳについて説明する。

図５は、本実施形態のセンサＳＳの構成を概略的に示す平面図である。
本実施形態では、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘ、検出電極Ｒｘ、リード線Ｌ、及び、接続配線ＷＲを備えている。センサ駆動電極Ｔｘは、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる表示用の共通電極ＣＥを含むとともに、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで物体の位置を検出するための機能を有する。

センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに配置されている。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、複数の電極Ｔ１乃至Ｔαを備えている（但し、αは正の整数である）。電極Ｔ１乃至Ｔαは、表示領域ＤＡにおいて、それぞれ第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。電極Ｔ１乃至Ｔαの各々は、帯状の形状を有し、第１方向Ｘに略直線的に延出している。検出電極Ｒｘは、複数の電極Ｒ１乃至Ｒβを備えている（但し、βは正の整数である）。電極Ｒ１乃至Ｒβは、表示領域ＤＡにおいて、それぞれ第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。電極Ｒ１乃至Ｒβの各々は、帯状の形状を有し、第２方向Ｙに略直線的に延出している。つまり、電極Ｒ１乃至Ｒβは、電極Ｔ１乃至Ｔαと交差する方向に延出している。

なお、電極Ｔ１乃至Ｔαと電極Ｒ１乃至Ｒβの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。また、電極Ｔ１乃至Ｔαが第１方向Ｘに間隔を置いて並び、第２方向Ｙに略直線的に延出して形成されていてもよく、このとき電極Ｒ１乃至Ｒβが第２方向Ｙに間隔を置いて並び、第１方向Ｘに略直線的に延出して形成される。

リード線Ｌ及び接続配線ＷＲは、非表示領域ＮＤＡに配置されている。リード線Ｌは、第２基板ＳＵＢ２において、検出電極Ｒｘと同一面（例えば、図４に示した外面３０Ｂ）に位置している。リード線Ｌの各々の一端側は、電極Ｒ１乃至Ｒβの各々と一対一で電気的に接続されている。リード線Ｌの各々の他端側は、ＦＰＣ基板４と電気的に接続されている。検出回路ＤＣは、例えばＦＰＣ基板４に実装されている。電極Ｒ１乃至Ｒβの各々は、リード線Ｌ及びＦＰＣ基板４を介して検出回路ＤＣと電気的に接続されている。なお、検出回路ＤＣは、駆動ＩＣチップ２に内蔵されていても良いし、ＦＰＣ基板３に実装されていても良いし、その他の外部機器に内蔵されていても良い。

接続配線ＷＲは、後述するように、第１基板ＳＵＢ１に備えられている。接続配線ＷＲの各々の一端側は、電極Ｔ１乃至Ｔαの各々と一対一で電気的に接続されている。接続配線ＷＲの各々の他端側は、共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。電極Ｔ１乃至Ｔαの各々は、接続配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤに電気的に接続されている。共通電極駆動回路ＣＤは、共通電極ＣＥに対して、画像を表示する表示駆動時にコモン駆動信号を供給し、センシングを行うセンシング駆動時にセンサ駆動信号を供給する。

上記のように構成されたセンサＳＳを用いてセンシングする際、まず、共通電極駆動回路ＣＤは、電極Ｔ１にパルス状のセンサ駆動信号を書込み、電極Ｔ１と電極Ｒ１乃至Ｒβとの間の電極間容量に応じたセンサ信号を発生させる。次いで、検出回路ＤＣは、電極Ｒ１乃至Ｒβから電極間容量の変化に基づいたセンサ信号の変化を示す読取り信号を読取る。電極Ｔ２から電極Ｔαについても同様のセンサ駆動信号が書込まれ、順次、電極Ｒ１乃至Ｒβから読取り信号が読み取られる。これにより、物体の位置が検出される。なお、リード線Ｌ及び接続配線ＷＲのレイアウトは、図示した例に限らない。以下に、接続配線ＷＲの他の構成を示す。

図６は、本実施形態のセンサＳＳの他の構成を概略的に示す平面図である。図６に示したセンサＳＳは、図５に示したセンサＳＳと比較して、共通電極駆動回路ＣＤに接続された接続配線ＷＲが１本である点で相違している。
図６に示すように、接続配線ＷＲは、スイッチング素子としてのトランジスタＴｒを介して共通電極駆動回路ＣＤ及び電極Ｔ１乃至Ｔαを電気的に接続していても良い。この場合、共通電極駆動回路ＣＤは、各スイッチング素子を選択することで、電極Ｔ１乃至Ｔαに選択的にセンサ信号を供給する。

図７は、本実施形態の第１基板ＳＵＢ１の構成例を示す平面図である。接続配線ＷＲ、共通電極駆動回路ＣＤ、及び、パッドＰＤは、第１基板ＳＵＢ１に備えられている。また、第１基板ＳＵＢ１において、シール部ＳＥと重なるシール領域ＳＡは、図中に斜線で示されている。また、シール領域ＳＡより内周側の領域を、シール内領域ＳＩとする。

各接続配線ＷＲは、シール領域ＳＡ１に沿って配置されている。図示した例では、接続配線ＷＲの各々は、一端部Ｗａと、他端部Ｗｂと、屈曲部Ｗｃを有している。接続配線ＷＲは、一端部Ｗａ側で共通電極駆動回路ＣＤと接続されている。接続配線ＷＲは、一端部Ｗａから屈曲部Ｗｃにかけて第２方向Ｙに沿って延出している。また、接続配線ＷＲは、屈曲部Ｗｃから他端部Ｗｂにかけて第１方向Ｘに沿って延出し、シール領域ＳＡ１及びシール内領域ＳＩに跨って配置されている。屈曲部Ｗｃから他端部Ｗｂまでの接続配線ＷＲの第２方向Ｙに沿った線幅ＬＷ２は、一端部Ｗａから屈曲部Ｗｃまでの接続配線ＷＲの第１方向Ｘに沿った線幅ＬＷ１より大きい。各接続配線ＷＲの他端部Ｗｂは、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。

パッドＰＤは、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。パッドＰＤの個数は、例えば、センサ駆動電極Ｔｘを構成する電極Ｔ１乃至Ｔαの個数に一致する。各パッドＰＤは、シール領域ＳＡ１及びシール内領域ＳＩに跨って配置されている。パッドＰＤは、平面視で、接続配線ＷＲの他端部Ｗｂと重なっている。後述するが、パッドＰＤは、パッドＰＤ及び接続配線ＷＲの間の絶縁膜を貫通するコンタクトホールＣＨを介して接続配線ＷＲと電気的に接続されている。図示した例では、コンタクトホールＣＨは、シール内領域ＳＩに位置しているが、シール領域ＳＡ１に位置していても良い。

図８は、本実施形態の第２基板ＳＵＢ２の構成例を示す平面図である。
検出電極Ｒｘ、及び、センサ駆動電極Ｔｘは、第２基板ＳＵＢ２に備えられている。なお、図８は、図４に示した第２基板ＳＵＢ２を外面３０Ｂ側から見た平面図である。また、図７と同様に、第２基板ＳＵＢ２においてシール部ＳＥと重なるシール領域ＳＡは、図中に斜線で示されている。なお、外面３０Ｂ側に位置する検出電極Ｒｘは実線で示し、内面３０Ａ側に位置するセンサ駆動電極Ｔｘは破線で示している。

センサ駆動電極Ｔｘを構成する電極Ｔ１乃至Ｔαの各々は、一端部Ｔａ及び他端部Ｔｂを有している。一端部Ｔａは、平面視で、シール領域ＳＡ１と重なり、図７に示したパッドＰＤとも重なる。他端部Ｔｂは、平面視で、シール領域ＳＡ２と重なっている。リード線Ｌは、シール領域ＳＡ４に沿って配置されている。

図９は、図７及び図８に示した線Ｉ−Ｉ‘で切った表示パネルＰＮＬの断面図である。
接続配線ＷＲは、例えば、第１絶縁膜１１と第２絶縁膜１２との間に位置している。このような接続配線ＷＲは、図４を参照して説明したゲート電極ＷＧなどと同一材料によって形成可能である。なお、接続配線ＷＲは、第１絶縁基板１０と第１絶縁膜１１との間に位置していても良いし、第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に位置していても良い。

第１基板ＳＵＢ１は、シール領域ＳＡ１に位置する接続部ＣＮ１を備えている。接続部ＣＮ１は、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かって突出し、導電性を有している。接続部ＣＮ１は、Ｘ−Ｙ平面を平面視した際に、例えば、円状、楕円状、多角形状等に形成されている。

以下に、接続部ＣＮ１の構成例について説明する。接続部ＣＮ１は、凸部Ｐ１と、凸部Ｐ１と重なるパッドＰＤ１とを備えている。凸部Ｐ１は、図示した例では、第３絶縁膜１３の一部である。つまり、シール領域ＳＡ１に位置する第３絶縁膜１３は、接続部ＣＮ１が形成された第１領域Ａ１において、接続部ＣＮ１の周辺の第２領域Ａ２よりも第２基板ＳＵＢ２に向かって突出している。このような形状の第３絶縁膜１３は、例えば、第３絶縁膜１３の材料としてポジ型レジストを選択し、第３絶縁膜１３を形成する過程でハーフトーン露光を適用することで形成可能である。すなわち、ポジ型レジストを成膜した後、凸部Ｐ１に対応する領域を遮光し、凸部Ｐ１以外の領域についてはハーフトーンマスクを介して露光する。その後、ポジ型レジストを現像液にて現像する。このとき、ポジ型レジストのうち、露光された表層のみが現像液によって除去される。その後、ポジ型レジストを焼成することによって、凸部Ｐ１を含む第３絶縁膜１３が形成される。なお、より急峻な凸部Ｐ１を形成するためには、現像直後の形状を維持することが要求される。一例では、ポジ型レジストを焼成する工程において、８０〜１５０℃程度で仮焼成した後に本焼成することにより、ポジ型レジストの熱による変形を抑制することができる。本実施形態においては、凸部Ｐ１の第３方向Ｚに沿った高さｈは、０．５μｍ以上であり、一例では０．６μｍである。

ここでは、凸部Ｐ１が第３絶縁膜１３の一部である場合について説明したが、この例に限らない。例えば、凸部Ｐ１は、第３絶縁膜１３の上に他の絶縁体や導電体を積層することによって形成されても良い。

パッドＰＤ１は、第３絶縁膜１３の上に位置している。パッドＰＤ１は、シール領域ＳＡ１において、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２に延在し、第１領域Ａ１において凸部Ｐ１の上に重なっている。パッドＰＤ１は、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールＣＨを介して接続配線ＷＲと電気的に接続されている。パッドＰＤ１のうち、凸部Ｐ１と重なる部分が接続部ＣＮ１を構成している。パッドＰＤ１のうち、第１領域Ａ１に位置する部分を第２領域Ａ２に位置する部分よりも厚く形成することで、凸部Ｐ１を兼ねても良い。

第１配向膜ＡＬ１は、シール領域ＳＡ１に延在している。図示した例では、第１配向膜ＡＬ１は、第２領域Ａ２に形成され、第１領域Ａ１には形成されていない。つまり、第１配向膜ＡＬ１は、接続部ＣＮ１の上面ＣＮ１ａの上には形成されていない。

なお、第１配向膜ＡＬ１は、第１領域Ａ１に形成されている場合もあり得る。その場合、第１領域Ａ１の第１配向膜ＡＬ１の膜厚は、第２領域Ａ２の第１配向膜ＡＬ１の膜厚よりも薄い。このとき、第１配向膜ＡＬ１の膜厚は、例えば、１０ｎｍ以下である。

接続部ＣＮ１は、第１配向膜ＡＬ１を形成する際に、配向膜材料が上面ＣＮ１ａにほとんど残らない程度の大きさに形成される。一例では、接続部ＣＮ１は、第１方向Ｘに５乃至２０μｍの幅を有し、より望ましくは、１０乃至１５μｍの幅を有する。

第２基板ＳＵＢ２において、電極Ｔ１は、シール領域ＳＡ１に延在し、接続部ＣＮ１と対向している。第２配向膜ＡＬ２は、シール領域ＳＡ１においてほとんど形成されず、接続部ＣＮ１と対向する位置には形成されていない。

導通材ＣＭ１は、導電性を有し、シール部ＳＥ内に設けられている。導通材ＣＭ１は、第１領域Ａ１において接続部ＣＮ１と電極Ｔ１との間に介在し両者と接している。導通材ＣＭ１については、第１方向Ｘに沿った長さよりも第３方向Ｚに沿った長さが短い。図示した例の導通材ＣＭ１は、Ｘ−Ｚ断面において、第１方向Ｘに長軸を有し第３方向Ｚに短軸を有する楕円形の断面形状を有しているが、導通材ＣＭ１の断面形状は図示した例に限らない。なお、シール部ＳＥには、図示しない他の導通材が設けられている。後述するように、第２領域Ａ２に位置する導通材は、第１領域Ａ１に位置する導通材ＣＭ１とは形状が異なる。一例では、導通材は、球状に形成され、例えば、全体が金属製であってもよく、樹脂材料をニッケルや金等の金属材料でコーティングしたものであっても良い。導通材ＣＭ１は、Ｘ−Ｙ平面を平面視した際に、例えば、円状、楕円状等に形成されている。また、導通材は一定の硬度を持たせてスペーサとしての機能を兼用していても良い。

以上の構成により、電極Ｔ１は、導通材ＣＭ１及び接続部ＣＮ１を経由して、接続配線ＷＲと電気的に接続される。図７に示したように、接続配線ＷＲは、共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。つまり、第２基板ＳＵＢ２に備えられた電極Ｔ１は、接続部ＣＮ１及び導通材ＣＭ１を経由して、第１基板ＳＵＢ１に備えられた共通電極駆動回路ＣＤに電気的に接続されている。なお、図示した例では、１つの接続部ＣＮ１上に１つの導通材ＣＭ１が配置されているが、１つの接続部ＣＮ１の上に複数の導通材ＣＭ１が配置されていてもよい。また、導通材ＣＭ１は、接続部ＣＮ１及び電極Ｔ１に食い込みやすくするために、その外周に複数の突起を有していても良い。

上記した滴下注入法を適用する場合、一方の基板上に液晶材料を滴下した後に他方の基板を貼り合せる際に、液晶材料が抵抗となって第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２に対して十分な圧力がかかりにくい。第１基板ＳＵＢ１が共通電極駆動回路ＣＤを備え、第２基板ＳＵＢ２が電極Ｔ１を備えた構成においては、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に導通材を設けて両者を電気的に接続するが、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを貼り合せるための圧力が不足した場合には、共通電極駆動回路ＣＤと電極Ｔ１とを電気的に接続することが困難となる恐れがある。一対策として、導通材のサイズを大きくすることが挙げられるが、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを貼り合せるための圧力が不足する条件下では、導通材が位置する非表示領域ＮＤＡの基板間ギャップが大きくなりやすい。このため、表示領域ＤＡの中央部と、非表示領域ＮＤＡに近接する表示領域ＤＡの周辺部とでセルギャップが不均一となるギャップムラが発生するおそれもある。

本実施形態によれば、第１基板ＳＵＢ１は、シール領域において第２基板ＳＵＢ２に向かって突出した接続部ＣＮ１を備えている。このため、シール部ＳＥ内に設けられた導通材ＣＭ１は、接続部ＣＮ１と電極Ｔ１との間に入り込み、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２に圧力がかかった際に、接続部ＣＮ１と電極Ｔ１との間で適度に潰れ両者を電気的に接続する。接続部ＣＮ１は、接続配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されているため、電極Ｔ１と共通電極駆動回路ＣＤとを確実に電気的に接続することができる。これにより、電極Ｔ１と共通電極駆動回路ＣＤとの接続不良に起因した製造歩留りの低下を抑制することが可能となる。

また、導通材ＣＭ１のサイズを大きくすることなく、共通電極駆動回路ＣＤと電極Ｔ１とを電気的に接続することができるため、表示領域ＤＡにおけるギャップムラの発生を抑制することができる。

また、第１基板ＳＵＢ１のシール領域ＳＡにおいて、第１配向膜ＡＬ１は、接続部ＣＮ１が形成された第１領域Ａ１には形成されていない、若しくは極めて薄く形成されている。このため、液晶表示装置ＤＳＰが狭額縁に形成され、第１配向膜ＡＬ１がシール領域ＳＡに延在したとしても、導通材ＣＭ１と接続部ＣＮ１とは互いに導通をとることができる。あるいは、第１配向膜ＡＬ１は、シール領域ＳＡの第１領域Ａ１に形成される場合もあり得るが、この場合、第１領域Ａ１の第１領域Ａ１は、接続部ＣＮ１の周辺の第２領域Ａ２よりも薄く形成されるため、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を圧着する際に、導通材ＣＭ１が第１配向膜ＡＬ１を突き破り、導通材ＣＭ１と接続部ＣＮ１とは互いに導通をとることができる。このため、製造歩留りの低下を抑制することが可能となる。

ここで、接続部及び導通材の寸法関係の一例について説明する。接続部ＣＮ１の第１方向Ｘの最大径Ｄ１は、導通材ＣＭ１の第１方向Ｘの最大径Ｄ２の０．５倍以上１０倍以下である。このような条件であれば、シール部ＳＥ内に設けられた導通材のうち、複数個の導通材が図示したように接続部ＣＮ１と電極Ｔ１との間に確実に入り込み、表示エリアのＧＡＰを均一に保ったまま両者を電気的に接続することができる。

次に、本実施形態の具体例について説明する。

図１０は、上記実施形態に係る表示パネルＰＮＬの具体例を示す断面図である。
シール部ＳＥには、上記の導通材ＣＭ１に加えて、導通材ＣＭ２が設けられている。導通材ＣＭ２は、導電性を有している。導通材ＣＭ２は、第２領域Ａ２において、第１配向膜ＡＬ１及び電極Ｔ１の間に位置している。導通材ＣＭ２は、第１配向膜ＡＬ１及び電極Ｔ１の双方から離間している場合もあり得るし、第１配向膜ＡＬ１及び電極Ｔ１の少なくとも一方と接触している場合もあり得るし、第１配向膜ＡＬ１を貫通してパッドＰＤと接触している場合もあり得る。導通材ＣＭ２は、球状に形成され、導通材ＣＭ１と同一材料によって形成され、導通材ＣＭ２の第１方向Ｘに沿った径は、潰れる前の導通材ＣＭ１の第１方向Ｘに沿った径と等しい。

シール部ＳＥは、第１領域Ａ１において、接続部ＣＮ１及び電極Ｔ１の間に厚みＷ１を有している。また、シール部ＳＥは、第２領域Ａ２において、第１配向膜ＡＬ１及び電極Ｔ１の間に厚みＷ２を有している。厚みＷ１は、厚みＷ２より小さく、本実施形態においては、厚みＷ１は、厚みＷ２の０．９倍以下となるように形成されている。

接続部ＣＮ１及び電極Ｔ１の間に位置する導通材ＣＭ１の厚みｄ１は、シール部ＳＥの第１領域Ａ１における厚みＷ１と略同等である。第１配向膜ＡＬ１及び電極Ｔ１の間に位置する導通材ＣＭ２の厚みｄ２は、シール部ＳＥの第２領域Ａ２における厚みＷ２と略同等である。つまり、導通材ＣＭ１の厚みｄ１は、導通材ＣＭ２の厚みｄ２よりも小さく、本実施形態においては、導通材ＣＭ１は、ほとんど潰れていない状態の導通材ＣＭ２の厚みｄ２に対して、１０％以上潰れている。導通材ＣＭ２の厚みｄ２は、１〜７μｍの大きさが好ましく、図９においては例えば、約４μｍに形成されている。なお、ここでの厚みとは、第３方向Ｚに沿った長さに相当する。
このような具体例においても、上記したのと同様の効果が得られる。

次に、本実施形態の変形例について説明する。

図１１は、上記実施形態に係る第１変形例の表示パネルＰＮＬを示す断面図である。図１１に示した表示パネルＰＮＬは、図９に示した表示パネルＰＮＬと比較して、導通材ＣＭ１が複数の接続部ＣＮ１及びＣＮ２と接している点で相違している。

図示した例では、接続部ＣＮ１及びＣＮ２は、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。接続部ＣＮ１の構造は、図９を参照して説明した通りであり、詳細な説明は省略する。接続部ＣＮ２は、接続部ＣＮ１と同一構造であるが、その一例について、以下に簡単に説明する。第３絶縁膜１３は、さらに、第２基板ＳＵＢ２に向かって突出した凸部Ｐ２を有している。凸部Ｐ１及びＰ２は、第１方向Ｘに並んでいる。パッドＰＤ１は、さらに、凸部Ｐ２の上に重なっている。接続部ＣＮ２は、凸部Ｐ２と、パッドＰＤ１の内、凸部Ｐ２と重なる部分とで構成される。本実施形態においては、接続部ＣＮ１の端部Ｅ１と接続部ＣＮ２の端部Ｅ２との間の距離ＤＴ１は、導電材ＣＭ１の長辺方向の直径よりも小さくなっている。距離ＤＴ１の例としては、０．５μｍ〜５μｍである。

導通材ＣＭ１は、接続部ＣＮ１及びＣＮ２に接している。電極Ｔ１は、導通材ＣＭ１を介して、接続部ＣＮ１及びＣＮ２の両者と電気的に接続されている。

なお、１個の導通材と接触する接続部の数は特に限定されず、一つの導通材が、３つ以上の接続部に接していてもよい。また、図示した例では、導通材ＣＭ１は、接続部ＣＮ１の上面ＣＮ１ａ及び接続部ＣＮ２の上面ＣＮ２ａに接しているが、導通材は、接続部の上面だけでなく、上面の周辺の側面に接していてもよい。
このような第１変形例においても、上記したのと同様の効果が得られる。加えて、接続部が図９に示した構成例よりも微細化されることにより、接続部の各々の上面の面積が小さくなるため、上面に第１配向膜ＡＬ１が形成されにくくなる。このため、導通材と接続部との導通をより確保しやすくなる。

図１２は、上記実施形態に係る第２変形例の表示パネルＰＮＬを示す断面図である。図１２に示した表示パネルＰＮＬは、図９に示した表示パネルＰＮＬと比較して、第２基板ＳＵＢ２が第１基板ＳＵＢ１に向かって突出した接続部ＣＮ３を有している点で相違している。接続部ＣＮ３は、導電性を有し、接続部ＣＮ１の上方に位置している。

接続部ＣＮ３は、凸部Ｐ３と、凸部Ｐ３と重なる電極Ｔ１とを備えている。凸部Ｐ３は、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって突出している。凸部Ｐ３は、図示した例では、オーバーコート層３３の一部である。凸部Ｐ３を有するオーバーコート層３３は、先に第３絶縁膜１３の形成方法を説明したのと同様に、例えば、オーバーコート層３３の材料としてポジ型レジストを選択し、オーバーコート層３３を形成する過程でハーフトーン露光を適用することで形成可能である。なお、凸部Ｐ３は、第１領域Ａ１において、オーバーコート層３３と第２絶縁基板３０との間に位置する遮光層３１やカラーフィルタ３２等を加工することにより形成されていてもよい。

電極Ｔ１は、オーバーコート層３３の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に重なっている。電極Ｔ１の内、凸部Ｐ３と重なる部分が接続部ＣＮ３を構成している。なお、配向膜ＡＬ２は、接続部ＣＮ３には形成されていない。電極Ｔ１のうち、第１領域Ａ１に位置する部分が第２領域Ａ２に位置する部分よりも厚く形成されることにより、凸部Ｐ３を省略しても良い。導通材ＣＭ１は、接続部ＣＮ１及び接続部ＣＮ３の間に配置されている。導通材ＣＭ１は、接続部ＣＮ１及びＣＮ３に接しており、両者と電気的に接続されている。以上の構成により、電極Ｔ１は、接続部ＣＮ３、導通材ＣＭ１、及び、接続部ＣＮ１を経由して、接続配線ＷＲと電気的に接続されている。

シール部ＳＥは、第１領域Ａ１において、接続部ＣＮ１及び接続部ＣＮ３の間に厚みＷ３を有している。厚みＷ３は、厚みＷ２より小さく、例えば、厚みＷ２の０．９倍以下、好ましくは０．１倍以上０．９倍以下となるように形成されている。つまり、導通材ＣＭ１は、上記実施形態と同様に、潰れていない状態の導通材に比べて１０％以上（好ましくは５０％以下）潰れている。

このような第２変形例においても、上記したのと同様の効果が得られる。加えて、接続部ＣＮ１と対向する位置に接続部ＣＮ３を設けたことにより、これらの間に入り込んだ導通材ＣＭ１を潰す方向に作用する圧力がかかりやすくなり、導通材ＣＭ１と接続部ＣＮ１及びＣＮ３との導通をより確保しやすくなる。

また、第１基板ＳＵＢ１の接続部ＣＮ１が省略され、第２基板ＳＵＢ２の接続部ＣＮ３のみが形成されていてもよい。その場合、電極Ｔ１は、接続部ＣＮ３、導通材ＣＭ１、及びパッドＰＤ１を経由して、接続配線ＷＲと電気的に接続される。

図１３は、図７及び図８に示した線ＩＩ−ＩＩ‘で切った表示パネルＰＮＬの断面図である。
第１基板ＳＵＢ１において、接続部ＣＮ１及びＣＮ４は、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。詳細は省略するが、接続部ＣＮ１は凸部Ｐ１及びパッドＰＤ１によって構成され、接続部ＣＮ４は凸部Ｐ４及びパッドＰＤ２によって構成される。なお、電極間のショートを防止するため、電極Ｔ１と電極Ｔ２の間にある隙間の距離ＤＴ２は、導通材の第１方向Ｘの最大径Ｄ２よりも大きいことが望ましい。

第２基板ＳＵＢ２において、電極（第１電極）Ｔ１及び電極（第２電極）Ｔ２は、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。電極Ｔ１は接続部ＣＮ１を含むパッドＰＤ１の上方に位置し、電極Ｔ２は接続部ＣＮ４を含むパッドＰＤ２の上方に位置している。

導通材ＣＭ３は、接続部ＣＮ４と電極Ｔ２との間に介在し両者と接している。
上記の構成は、第２方向Ｙに隣り合う電極Ｔ１及びＴ２が表示領域の一方の側に位置するシール領域ＳＡ１においてそれぞれ対応する接続部ＣＮ１及びＣＮ４と電気的に接続される場合に相当する。

図１４は、上記実施形態に係る第３変形例の第１基板ＳＵＢ１を示す平面図である。
図１４に示した第１基板ＳＵＢ１は、図７に示した第１基板ＳＵＢ１と比較して、パッドＰＤ、接続配線ＷＲ等が表示領域ＤＡの両側に形成されている点で相違している。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘの一方側ＤＡａにおいてシール領域ＳＡ１と隣り合い、第１方向Ｘの他方側ＤＡｂにおいてシール領域ＳＡ２と隣り合っている。

図８に示した第２方向Ｙに並んだ電極Ｔ１乃至Ｔαのうち、奇数番目の電極に接続されるパッドＰＤ１、ＰＤ３…及びこれらのパッドと接続される接続配線ＷＲは、シール領域ＳＡ１に配置され、また、偶数番目の電極に接続されるパッドＰＤ２、ＰＤ４…及びこれらのパッドと接続される接続配線ＷＲは、シール領域ＳＡ２に配置されている。パッドの各々は、各シール領域のみならず、シール内領域ＳＩにも延出している。

なお、パッドＰＤ等のレイアウトは、図示した例に限らない。例えば、表示領域ＤＡを、共通電極駆動回路ＣＤから離間した側の第１領域（上側半分の領域）と、共通電極駆動回路ＣＤに近接する側の第２領域（下側半分の領域）とに分けた時、電極Ｔ１乃至Ｔαのうち、第１領域に位置する電極と接続されるパッドＰＤ及び接続配線ＷＲはシール領域ＳＡ１側に位置し、第２領域に位置する電極と接続されるパッドＰＤ及び接続配線ＷＲはシール領域ＳＡ２側に位置するレイアウトを採用することも可能である。

また、電極Ｔ１乃至Ｔαが第１方向Ｘに間隔を置いて並び、第２方向Ｙに略直線的に延出して形成され、電極Ｒ１乃至Ｒβが第２方向Ｙに間隔を置いて並び、第１方向Ｘに略直線的に延出して形成されている場合、パッドＰＤ及び接続配線ＷＲは、共通電極駆動回路ＣＤに近接するシール領域ＳＡ４のみに形成されても良いし、シール領域ＳＡ３及びＳＡ４の双方に形成されても良い。

図１４に示したレイアウトを採用した場合、図１３に示した接続部ＣＮ１はシール領域ＳＡ１に形成されており、接続部ＣＮ４はシール領域ＳＡ２に形成されている。つまり、電極Ｔ１は、シール領域ＳＡ１において、接続部ＣＮ１と電気的に接続され、電極Ｔ２は、シール領域ＳＡ２において、接続部ＣＮ４と電気的に接続されている。

このような変形例においても、上記したのと同様の効果が得られる。加えて、このようなパッドＰＤ及び接続配線ＷＲのレイアウトを採用することにより、図７に示した例と比較して、シール領域ＳＡ１に位置する接続配線ＷＲの本数を削減することができ、また、シール領域ＳＡ１及びＳＡ２に同数の接続配線ＷＲを振り分けることができ、非表示領域ＮＤＡの幅の均一化、及び、狭額縁化が可能となる。

図１５は、図７に示した領域Ａの構成例を示す平面図である。
接続部群ＣＮＧは、シール領域ＳＡ１内に配置されている。接続部群ＣＮＧは、複数の接続部が集合して構成され、シール領域ＳＡにおいて散在している。図示した例では、接続部群ＣＮＧは、平面視で略楕円形状に形成され、第２方向Ｙに沿って長軸を有し、第１方向Ｘに沿って短軸を有している。接続部群ＣＮＧの長辺径ＬＳは、例えば、０．５ｍｍ以下（好ましくは０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下）である。なお、接続部群ＣＮＧの形状は、図示した例に限定されるものではない。

平面視において、シール領域ＳＡ１に位置する接続部群ＣＮＧの面積を全て足し合わせた総面積は、シール領域ＳＡ１の面積の約３０％以下である。そのため、接続部群ＣＮＧに対して導通材が反発する圧力によって導通材が十分に潰れずにギャップムラが生じるのを抑制することが可能である。

図１６は、図１５に示した線ＩＩＩ−ＩＩＩ‘で切った表示パネルＰＮＬの断面図である。ここでは、説明のための主要な構成のみが概略的に示されており、表示パネルＰＮＬの詳細な構成は省略されている。

第１基板ＳＵＢ１は、複数の接続部群ＣＮＧ１を有している。接続部群ＣＮＧ１は、複数の接続部ＣＮから構成されている。第２基板ＳＵＢ２は、複数の接続部群ＣＮＧ２を有している。接続部群ＣＮＧ２は、複数の接続部ＣＮから構成されている。接続部群ＣＮＧ２は、接続部群ＣＮＧ１と対向している。接続部群ＣＮＧ１及びＣＮＧ２の間には図示しない複数の導通材が介在している。

なお、接続部群ＣＮＧ１及びＣＮＧ２を構成する接続部ＣＮの本数は特に限定されない。また、接続部群ＣＮＧ１及びＣＮＧ２は、どちらか一方のみ形成されていてもよい。また、接続部群ＣＮＧ１の長辺径ＬＳは、第１基板ＳＵＢ１の第１絶縁基板１０の厚さ１０Ｄ及び第２基板ＳＵＢ２の第２絶縁基板３０の厚さ３０Ｄより小さい。一例では、厚さ１０Ｄ及び３０Ｄは、０．１５ｍｍ〜０．５ｍｍである。これにより、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が圧着される際に、第１絶縁基板１０及び第２絶縁基板３０に押圧力がかけられたとしても、第１絶縁基板１０及び第２絶縁基板２０の撓みを抑制することができる。なお、ここでは、接続配線ＣＮＧ２は、接続配線ＣＮＧ１の長辺径ＬＳと同一方向で略同等の長さの長辺径を有している。

図１７は、図７に示した領域Ａの他の構成例を示す平面図である。
接続部ＣＮは、シール領域ＳＡ１において散在している。図示した接続部ＣＮは、図９などに示した接続部ＣＮ１に対応するものである。図１７に示す構成例においても、平面視において、シール領域ＳＡ１に位置する接続部ＣＮの面積を全て足し合わせた総面積は、シール領域ＳＡ１の面積の３０％以下（好ましくは１０％以上３０％以下）である。

図１８は、図１７に示した線ＩＶ−ＩＶ‘で切った表示パネルＰＮＬの断面図である。
第１基板ＳＵＢ１は、複数の接続部ＣＮを有しており、それぞれの接続部ＣＮは、互いに間隔をおいて配置されている。また、第２基板ＳＵＢ２は、複数の接続部ＣＮを有しており、それぞれの接続部ＣＮは、互いに間隔をおいて配置されている。第１基板ＳＵＢ１上の接続部ＣＮと第２基板ＳＵＢ２上の接続部ＣＮとは互いに対向し、両者の間には図示しない導通材が介在している。
このような構成例においても、上記したのと同様の効果が得られる。

図１９は、上記実施形態に係る第４変形例の表示パネルＰＮＬを示す断面図である。図１９に示した表示パネルＰＮＬは、図９に示した表示パネルＰＮＬと比較して、第１領域Ａ１において、導通材ＣＭ１の替わりにスペーサＳＰが接続部ＣＮ１と電極Ｔ１との間に介在している点で相違している。
スペーサＳＰは、内部に接続部ＣＮ１から電極Ｔ１まで貫通するコンタクトホールを有しており、コンタクトホールの内部に導通材ＣＭ４が充填されている。導通材ＣＭ４は、接続部ＣＮ１及び電極Ｔ１に接しており、両者を電気的に導通している。

以上説明したように、本実施形態によれば、製造歩留りの低下を抑制することが可能な液晶表示装置を提供することができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、
ＳＥ…シール部、ＬＣ…液晶層、ＬＭ…液晶分子、
ＡＬ１…第２配向膜、ＡＬ２…第２配向膜、ＤＳＰ…液晶表示装置、
ＣＤ…共通電極駆動回路、ＣＥ…共通電極、Ｃ１、Ｃ２…電極、
ＣＭ１、ＣＭ２、ＣＭ３…導通材、
ＳＡ、ＳＡ１、ＳＡ２、ＳＡ３、ＳＡ４…シール領域、
ＣＮ１、ＣＮ２、ＣＮ３、ＣＮ４…接続部
Ａ１…第１領域、Ａ２…第２領域、ｄ１、ｄ２…厚み、
ＳＷ…スイッチング素子、ＰＥ…画素電極、
Ｘ…第１方向、Ｙ…第２方向、ＤＡ…表示領域、ＤＡａ…一方側、ＤＡｂ…他方側。

Claims (12)

1. 樹脂絶縁膜を有する第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを接着するシール部と、前記第１基板と前記第２基板の間に封止された液晶層と、前記液晶層に含まれる液晶分子を配向させる配向膜と、を含んだ液晶表示装置であって、
   前記第１基板に備えられた駆動回路と、
   前記第２基板に備えられた第１電極と、
   前記シール部内に設けられた第１導通材と、
   前記第１基板の前記シール部と重なるシール領域に位置し、前記第１基板から前記第２基板へ突出した第１接続部と、を備え、
   前記第１接続部は、前記樹脂絶縁膜によって形成された第１凸部と、前記第１凸部と重なり導電性を有するパッドから成り、
   前記第１凸部は、０．５μｍ以上の高さを有し、
   前記シール領域には前記配向膜が形成されており、
   前記シール領域は、前記第１凸部が形成された第１領域と前記第１凸部の周辺の第２領域とを有し、
   前記第２領域には、前記配向膜が形成されており、
   前記第１領域において、前記第２領域の前記配向膜の膜厚よりも薄い膜厚の前記配向膜が形成されており、
   前記第１導通材は、前記第１領域において前記配向膜を突き破って前記パッドに接し、
   前記第１電極は、前記第１接続部及び前記第１導通材を経由して、前記駆動回路に電気的に接続されている、液晶表示装置。
2. 前記シール部内に設けられた第２導通材を備え、
   前記シール領域において、前記第１領域における前記第１導通材の厚みは、前記第２領域における前記第２導通材の厚みよりも小さい、請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記シール領域において、前記第１領域における前記シール部の厚みは、前記第２領域における前記シール部の厚みの０．９倍以下である、請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
4. 前記第１導通材は、複数の前記第１接続部と接している、請求項１乃至３の何れか１項に記載の液晶表示装置。
5. 前記第１基板は、スイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極と、を備え、
   前記第１電極は、前記画素電極と対向し、前記画素電極との間で電界を形成する、請求項１乃至４の何れか１項に記載の液晶表示装置。
6. 前記第１電極は、物体の位置を検出するための駆動電極として利用される請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 第１方向の前記第１接続部の最大径は、前記第１方向の前記第１導通材の最大径の０．５倍以上１０倍以下である、請求項１乃至６の何れか１項に記載の液晶表示装置。
8. 前記シール部は、連続したループ状に形成される、請求項１乃至７の何れか１項に記載の液晶表示装置。
9. 前記第２基板は、前記第２基板から前記第１基板へ突出したオーバーコート層に形成された第２凸部と、前記第１電極の一部であり前記第２凸部に接する導電性を有する第２接続部を備え、
   前記第１導通材は、前記第１接続部及び前記第２接続部の間に配置される、請求項１乃至８の何れか１項に記載の液晶表示装置。
10. さらに、前記第１電極と同一基板に備えられた第２電極と、
    前記シール部内に設けられた第３導通材と、
    前記第１基板の前記シール部と重なる前記シール領域に位置し、前記第１基板から前記第２基板へ突出した、導電性を有する第３接続部と、を備え、
    前記第２電極は、前記第３接続部及び前記第３導通材を経由して、前記駆動回路に電気的に接続されている、請求項１乃至９の何れかに記載の液晶表示装置。
11. 前記第１電極及び前記第２電極は、表示領域において、それぞれ第２方向に延出し、第２方向に交差する第３方向に並び、
    前記表示領域は、前記第２方向の一方側及び前記第２方向の他方側において、前記シール領域と隣り合っており、
    前記第１接続部は、前記一方側の前記シール領域に形成されており、前記第３接続部は、前記他方側の前記シール領域に形成されている、請求項１０に記載の液晶表示装置。
12. 前記第１基板は、実装部を有し、
    前記シール領域は、第１シール領域と、前記第１シール領域と交差する第２シール領域と、を有し、
    前記第１シール領域は、前記第１領域と前記第２領域とを有し、
    前記第２シール領域は、前記実装部に沿って延出している、請求項１に記載の液晶表示装置。

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