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JP6595545B2 - 表示駆動装置および表示装置 - Google Patents
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JP6595545B2 - 表示駆動装置および表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、表示パネルを駆動する表示駆動装置に関する。
アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、複数の信号線と、複数の走査線とを含む液晶表示パネルを備えている。また、このような液晶表示装置は、液晶表示パネルを駆動するために、走査線をゲートドライバによって順次選択し、選択した走査線に接続された複数の画素に、ソースドライバから供給された画素信号を信号線を通じて書き込む。
ゲートドライバは、特許文献1および2に開示されているように、シフトレジスタによって構成されており、入力されたシフト信号をクロック信号に同期して次段に順次シフトさせることにより、走査線を選択するパルス信号(走査信号)を出力する。
特開2014−182203号公報(2014年9月29日公開) 国際公開WO2017/006815号公報(2017年1月12日公開)
ところで、特許文献1および2には、液晶表示装置がタッチパネルと一体的に形成された液晶表示パネルを備えることが開示されている。このような液晶表示装置では、タッチパネルの検出処理を行うために、シフトレジスタの動作が1フレーム内で複数回停止する。
例えば、シフトレジスタは、図15に示すような転送回路が複数段従属接続されている。この転送回路では、3段後段の転送回路から出力される走査信号Out(n+3)をリセット信号として用い、2段前段の転送回路から出力される走査信号Out(n−2)をセット信号として用いている。また、この転送回路は、クロック信号CK4により、トランジスタTFTb,TFTcを動作させることでトランジスタTFTaの動作を制御して、クロック信号CK1に基づいて走査信号Out(n)を出力する。
図16に示すように、クロック信号CK1がLoからHiになるとき、トランジスタTFTaの寄生容量CpでノードNaの電位が突き上げられる。このとき、クロック信号CK4により、トランジスタTFTbがオンするため、トランジスタTFTbを介してノードNbの電位がHiである。このため、電圧VGLがトランジスタTFTcを介してノードNaに印加されるため、ノードNaの電位が電圧VGLに安定する。
休止期間Tiにおいては、シフトレジスタの動作、すなわち各転送回路が走査信号を転送する走査を休止するように、クロック信号CK1〜CK4(上記の転送回路ではクロック信号CK2は不使用)の供給が停止する。休止期間Tiの直後にクロック信号CK1がLoからHiに変化するとき、クロック信号CK4はLoである。このため、ノードNaでは上記の走査時のように電位の突き上げが抑制できない。この結果、トランジスタTFTaがオンすることにより、走査信号Out(n)としてクロック信号CK1が漏れるので、ゲートドライバが誤動作してしまう。
また、特許文献1には、図17に示すように、クロック信号の中断期間に、シフト信号の電位を保持するための電位保持信号pulseを各転送回路に共通して供給する例が開示されている。この転送回路では、休止期間において電位保持信号pulseがHiとなるので、ノードNaの電位は、トランジスタTFTa,TFTbからの電荷の漏れによりLoを維持することができないため、Hi方向に変化してしまう。このようにノードNaの電位が高まった状態では、ノードNaの電位がクロック信号CKによって突き上げられたときに、誤動作しやすい。
本発明の一態様は、休止期間におけるゲート駆動回路の誤動作を防止することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示駆動装置は、複数の走査線のそれぞれに接続された複数の画素に画素信号を与えるために各走査線を選択する走査信号として、クロック信号から1つのクロックパルスを選択して出力するように前記走査線ごとに設けられた複数の選択回路を備え、前記選択回路が、前記走査信号を出力する出力トランジスタと、前記出力トランジスタの制御端子の電位を低電位に制御する電位制御トランジスタと、前記出力トランジスタが前記走査信号を出力しないときに、前記電位制御トランジスタの制御端子の電位を高電位に制御する第1高電位制御回路と、前記選択回路が動作を休止する休止期間における前記第1高電位制御回路が動作していない間に、前記電位制御トランジスタの制御端子の電位を高電位に制御する第2高電位制御回路とを有している。
本発明の一態様によれば、ゲート駆動回路の誤動作を防止することができるという効果を奏する。
本発明の実施形態1に係る液晶表示装置の全体の構成を示すブロック図である。 上記液晶表示装置の画素の構成を示す回路図である。 (a)および(b)は上記液晶表示装置におけるゲート駆動回路の構成を示す回路図である。 (a)および(b)は上記ゲート駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。 上記ゲート駆動回路を構成する選択回路の構成を示す回路図である。 上記選択回路の通常の走査時の動作を示すタイミングチャートである。 上記選択回路の1フレームにおける表示動作の期間と表示動作を休止する期間との割り当てを示す図である。 上記選択回路の休止期間を含む動作を示すタイミングチャートである。 実施形態1の変形例1に係る選択回路の構成を示す回路図である。 (a)〜(e)は実施形態1の変形例2に係る選択回路における電位制御回路の変更部分の構成を示す回路図である。 本発明の実施形態2に係る選択回路における電位制御回路の変更部分の構成を示す回路図である。 本発明の実施形態2に係る他の選択回路の構成を示す回路図である。 図12に示す選択回路の動作を示すタイミングチャートである。 本発明の実施形態3に係る選択回路の構成を示す回路図である。 従来の選択回路の構成を示す回路図である。 図15に示す選択回路の動作を示すタイミングチャートである。 従来の他の選択回路の構成を示す回路図である。
〔実施形態1〕
本発明の実施形態1について図1〜図10に基づいて説明すれば、以下の通りである。
まず、図1および図2に基づいて液晶表示装置100の構成について説明する。図1は液晶表示装置100の全体の構成を示すブロック図である。図2は、液晶表示装置100の画素の構成を示す回路図である。図3の(a)および(b)は、液晶表示装置100におけるゲート駆動回路6の構成を示す回路図である。図4の(a)および(b)はゲート駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。
図1に示すように、液晶表示装置100(表示装置)は、液晶表示パネル1と、フレキシブル配線基板2と、制御回路3とを備えている。制御回路3は、フレキシブル配線基板2を介して液晶表示パネル1に接続されている。
液晶表示パネル1は、アクティブマトリクス型であり、図2に示す薄膜トランジスタ(TFT)Tによって液晶分子の姿勢を制御する。この液晶表示パネル1は、表示部4と、ソース駆動回路5(画素信号供給装置)と、ゲート駆動回路6(表示駆動装置)とを有している。
表示部4、ソース駆動回路5およびゲート駆動回路6は、アクティブマトリクス基板1a上に形成されている。表示部4は、このアクティブマトリクス基板1aと対向基板(図示せず)との間に液晶を挟持して構成されており、行列状に配列された多数の画素Pを有している。また、アクティブマトリクス基板1a上には、複数の信号線S(Sm,Sm+1,…)と、複数の走査線G(Gn,Gn+1,…)とが互いに交差するように形成されている。ソース駆動回路5は、集積化されたドライバチップによって構成されており、アクティブマトリクス基板1a上にCOG(Chip On Glass)の形態で実装される。ゲート駆動回路6は、アクティブマトリクス基板1a上に形成されたTFT素子によって構成されている。
また、表示部4はタッチパネル41を含んでいる。タッチパネル41は、表示部4の内部に組み込まれた、いわゆるインセル型タッチパネルである。なお、タッチパネル41は、表示部4に組み込まれない別部品として設けられてもよい。
図2に示すように、信号線Sは、列方向(縦方向)に互いに平行となるように形成されており、走査線Gは行方向(横方向)に互いに平行となるように形成されている。薄膜トランジスタTおよび画素電極Epは、信号線Sと走査線Gとが交差する各点に対応してそれぞれ形成されている。薄膜トランジスタTのソース電極、ゲート電極およびドレイン電極は、それぞれ、信号線S、走査線Gおよび画素電極Epに接続されている。また、画素電極Epは、共通電極との間に液晶容量を形成している。画素Pは、薄膜トランジスタT、画素電極Ep、共通電極および液晶容量によって構成されている。
これにより、走査線Gに供給される走査信号によって薄膜トランジスタTのゲートがオンし、信号線Sからの画素信号が画素電極Epに書き込まれると、画素電極Epにソース信号に応じた電位が付与される。この結果、画素電極Epと共通電極との間に画素信号に応じた電圧が印加されることによって、液晶分子の姿勢を制御することで画素信号に応じた階調表示を実現することができる。
上記のように構成される液晶表示パネル1は、ソース駆動回路5およびゲート駆動回路6によって駆動される。また、制御回路3は、ソース駆動回路5およびゲート駆動回路6に、液晶表示パネル1の駆動に必要な各種の制御信号を供給する。
ソース駆動回路5は、信号線Sのそれぞれに対して画素信号を出力する。この画素信号は、液晶表示装置100の外部から制御回路3を介してソース駆動回路5に供給された映像信号を、ソース駆動回路5において各列に割り当て、昇圧等を施した信号である。
ゲート駆動回路6は、アクティブにする走査線Gを選択するための走査信号を出力する。ゲート駆動回路6は、制御回路3から供給されたスタートパルスを次段に順次転送することにより、各段の走査線Gにタイミングのずれた走査信号を出力する。
図3の(a)および(b)に示すように、ゲート駆動回路6は、上記の走査信号を出力するために、複数の選択回路60を有している。選択回路60は、複数の走査線Gのそれぞれに接続された複数の画素Pに画素信号を与えるために各走査線Gを選択する走査信号として、クロック信号CK1から1つのクロックパルスを選択して出力するように走査線Gごとに設けられている。選択回路60は、スタートパルスのタイミングを次段の選択回路60に伝達することによって、クロック信号CK1から1つのクロックパルスを選択する。
図3の(a)および(b)において、符号「60」に付記された括弧付きの数字は、選択回路60の先頭からの順位(段)を表している。また、図3の(a)は、初段付近の選択回路60の構成を示しており、図3の(b)は、最終段付近の選択回路60の構成を示している。図3の(a)および(b)では、ゲート駆動回路6が1280個の選択回路60を有する構成を示している。
選択回路60のそれぞれには、クロック信号CK1〜CK4が供給されるとともに、電圧VGLが入力される。また、選択回路60のそれぞれの出力端子Qから、走査線G(G(1)〜G(1280))に、それぞれタイミングがずれた走査信号が出力される。
初段の選択回路60(60(1))のセット端子Sには、上記のスタートパルスとしてスタートパルスGSP1が入力され、第2段の選択回路60(60(2))のセット端子Sには、上記のスタートパルスとしてスタートパルスGSP2が入力される。第3段以降の奇数段の選択回路60におけるセット端子Sには、2段前の選択回路60から出力される走査信号が入力される。第4段以降の偶数段の選択回路60におけるセット端子Sには、2段前の選択回路60から出力される走査信号が入力される。
最後から3段前の選択回路60(60(1278))のリセット端子Rには、クリア信号CLR1が入力される。最後から2段前の選択回路60(60(1279))のリセット端子Rには、クリア信号CLR2が入力される。最終段の選択回路60(60(1280))のリセット端子Rには、クリア信号CLR3が入力される。最終の3段の選択回路60(60(1278)〜60(1280))を除いた選択回路60のそれぞれのリセット端子Rには、3段後の選択回路60から出力される走査信号が入力される。クリア信号CLR1〜CLR3は、全ての走査線Gの選択が終了するときに、再び走査線Gを初段から選択する初期化を行うために用いられる。
上記のクロック信号CK1〜CK4、電圧VGL、スタートパルスGSP1,GSP2およびクリア信号CLR1〜CLR3は、制御回路3から供給される。また、後述するマスク信号SigXも、制御回路3から供給される。
なお、選択回路60の構成によっては、クロック信号CK1〜CK4のうち、使用されないものがある。
図4の(a)に示すように、スタートパルスGSP1,GSP2は、同じパルス幅を有する単一のパルスである。スタートパルスGSP2の位相は、スタートパルスGSP1の位相に対して、上記パルス幅の半分遅れている。
クロック信号CK1〜CK4は、スタートパルスGSP1,GSP2と同じパルス幅と、50%のデューティ比とを有している。クロック信号CK1の位相は、スタートパルスGSP2の位相に対して、上記パルス幅の半分遅れている。クロック信号CK2の位相は、クロック信号CK1の位相に対して、上記パルス幅の半分遅れている。クロック信号CK3の位相は、クロック信号CK2の位相に対して、上記パルス幅の半分遅れている。クロック信号CK4の位相は、クロック信号CK3の位相に対して、上記パルス幅の半分遅れている。
図4の(b)に示すように、クリア信号CLR1〜CLR3は、スタートパルスGSP1,GSP2と同じパルス幅を有する単一のパルスである。クリア信号CLR1の位相は、クロック信号CK4の最後のクロックパルスに対して、上記パルス幅の半分遅れている。クリア信号CLR2の位相は、クリア信号CLR1に対して、上記パルス幅の半分遅れている。クリア信号CLR3の位相は、クリア信号CLR2に対して、上記パルス幅の半分遅れている。
続いて、選択回路60の構成について説明する。図5は、選択回路60の構成を示す回路図である。
図5に示すように、選択回路60は、トランジスタT1〜T4と、電位制御回路61とを有している。トランジスタT1〜T4は薄膜トランジスタである。
トランジスタT1(出力トランジスタ)のゲートはノードNaに接続され、トランジスタT1のソースは走査線Gに接続されている。トランジスタT1のドレインには、クロック信号CKが入力される。トランジスタT4(電位制御トランジスタ)のドレインはノードNaに接続されている。トランジスタT4のソースには電圧VGLが印加されている。
トランジスタT2のゲートおよびソースには、ともにセット信号Setが入力される。トランジスタT2のドレインはノードNaに接続されている。トランジスタT3のゲートには、リセット信号Resetが入力される。トランジスタT3のドレインはノードNaに接続されている。トランジスタT3のソースには電圧VGLが印加されている。
電位制御回路61は、トランジスタT4のゲート(制御端子)の電位を制御する回路である。電位制御回路61は、トランジスタT5,T6,Txを有している。トランジスタT5,T6,Txは薄膜トランジスタである。
トランジスタT5(第1高電位制御回路)のゲートおよびソースには、ともにクロック信号CK4が入力される。トランジスタT5のドレインはノードNbすなわちトランジスタT4のゲートに接続されている。トランジスタT6のゲートはノードNaに接続され、トランジスタT6のドレインはノードNbに接続されている。トランジスタT6のソースには電圧VGLが印加されている。トランジスタTx(第2高電位制御回路)のゲートおよびソースには、ともにマスク信号SigX(第1制御信号)が入力される。トランジスタTxのドレインはノードNbに接続されている。
続いて、上記のように構成される選択回路60の動作について説明する。図6は、選択回路60の通常の走査時の動作を示すタイミングチャートである。
図6に示すように、セット信号SetがLoからHiに変化すると、ノードNaの電位が上昇する。これにより、トランジスタT1がオンするので、クロック信号CK1の1つのクロックパルスがトランジスタT1を介して走査信号として走査線Gに出力される。そして、セット信号がHiからLoに変化した後、リセット信号ResetがLoからHiに変化すると、ノードNaの電位がLoに低下する。
また、クロック信号CK1がLoからHiに変化するときには、トランジスタT1のドレインとゲートとの間に形成される寄生容量Cpを通じて、ノードNaの電位が上昇しようとする。しかしながら、クロック信号CK1がLoからHiに変化するときには、クロック信号CK4がHiであることによりトランジスタT5がオンしているので、トランジスタT4がオンしている。これにより、ノードNaの電位が電圧VGL(Lo電位,低電位)に安定化される。
なお、セット信号SetがLoからHiに変化してからのノードNaの電位が上昇している期間では、トランジスタT6がオンしているので、ノードNbの電位はLoに維持されている。したがって、この期間では、クロック信号CK4がHiとなることにより、トランジスタT5がオンしても、ノードNbの電位はLoに維持される。したがって、トランジスタT4はオフの状態を維持することで、ノードNaの電位は上昇した状態を維持している。
ところで、表示の周波数が60Hzであるのに対して、タッチパネル41の検出処理の動作周波数としては120Hzが求められる。このため、垂直帰線期間だけでは、タッチパネル41の検出処理が対応できない。そこで、表示部4が表示動作をする期間に一時的に表示動作を休止してタッチパネル41の検出処理を行う必要がある。休止期間中、選択回路60におけるノードNaの電位を長時間保持できないため、1回当りの休止期間を短くしている。
図7には、選択回路60の1フレームにおける表示動作の期間と表示動作を休止する期間との割り当てを示す。図示しないタッチパネル処理回路は、図7に示すように、9回の休止期間および1回の垂直帰線期間の計10回にそれぞれタッチパネル41の検出データを取得し、前半の5回と後半の5回とに分けて検出データをそれぞれ積分して、1フレームに2回(120Hz)のタッチデータを出力する。
ここで、このように1フレームに選択回路60の動作を休止した後の動作について説明する。図8は、選択回路60の休止期間Tiを含む動作を示すタイミングチャートである。
図8に示すように、選択回路60が動作を休止する休止期間Tiには、クロック信号CK1〜CK4の供給が停止するので、走査線Gへの走査信号の出力が停止する。休止期間Tiが終了した直後には、クロック信号CK1〜CK4の供給が順次再開する。しかしながら、クロック信号CK1がLoからHiに変化する立ち上がりのタイミングでは、まだクロック信号CK4がLoの状態であるので、寄生容量CpによってノードNaの電位が上昇しようとする。
これに対し、クロック信号CK1が立ち上がるタイミングでは、マスク信号SigXが、クロック信号CK1の立ち上がりのタイミングより前の休止期間TiにおいてLoからHiに変化しているために、トランジスタTxがオンしている。これにより、トランジスタT4がオンするので、ノードNaの電位は電圧VGLで定まるLo電位に安定する(第1期間TP1)。
マスク信号SigXは、クロック信号CK4と同じパルス幅(同じ形状)を有するパルス信号であってもよいが、それには限定されない
その後、クロック信号CK4が出力されるようになってからは、前述のように、クロック信号CK1が立ち上がるタイミングでクロック信号CK4がHiとなっている。これにより、トランジスタT5,T4がともにオンすることで、ノードNaの電位がLo電位に安定する(第2期間TP2)
なお、休止期間Tiが長時間に及ぶと、ノードNa,Nbの電位が有るべき電位から変動することが考えられる。例えば、ノードNaがセットされていない(Lo電位)状態にあるときの休止期間Ti中に、ノードNaの電位がLo電位から上昇してしまう。そのような状態で走査が再開すると、クロック信号CK1の電位変動によるゲート駆動回路6の誤動作が誘発される懸念が高まる。この誤動作としては、例えば、走査線Gにパルス信号が複数回出力されることや、走査線GのLo電位が浮きあがる(所望の値以上に上昇する)ことによる誤書込みが挙げられる。
〈変形例1〉
引き続き、本実施形態の変形例1について説明する。
図9は、本変形例に係る選択回路60Aの構成を示す回路図である。
図9に示すように、本変形例に係る選択回路60Aは、トランジスタT1〜T4を有し、さらに、トランジスタT7と、容量素子C1とを有している。また、選択回路60Aは、前述の電位制御回路61に代えて電位制御回路62を有している。選択回路60Aは、図3の(a)および(b)に示す選択回路60に代えてゲート駆動回路6に設けられる。
トランジスタT7のドレインは走査線Gに接続されている。トランジスタT7のソースには電圧VGLが印加され、トランジスタT7のゲートにはクロック信号CK3が入力される。容量素子C1は、トランジスタT1のゲートとソースとに接続されている。
電位制御回路62は、電位制御回路61と同じく、トランジスタT4のゲートの電位を制御する回路であり、トランジスタT5,T6,Txを有している。電位制御回路62は、さらにトランジスタT8を有している。トランジスタT7,T8は薄膜トランジスタである。
トランジスタT8のドレインはノードNbに接続されている。トランジスタT8のソースには電圧VGLが印加され、トランジスタT8のゲートにはクロック信号CK2が入力される。
上記のように構成される選択回路60Aにおいて、トランジスタT7は、クロック信号CK3がHiになる度に、走査線GをLo電位に安定化させる。また、容量素子C1を設けることにより、ノードNaの容量を増加することができる。これにより、ノードNaの電位を安定化することができる。なお、ノードNaの電位を安定させるために、トランジスタT1の寄生容量Cpで足りる場合、容量素子C1は必要とされない。また、トランジスタT8は、クロック信号CK2がHiになる度に、ノードNbをLo電位に戻して、トランジスタT4の劣化(閾値シフト)を低減する。
以上のように、本変形例に係る選択回路60Aは、トランジスタT7,T8と、容量素子C1とを有することが動作を安定化させる上で好ましい。しかしながら、本実施形態の選択回路60のように、これらの素子を有していなくても、本発明の目的を達成できることは勿論である。
〈変形例2〉
さらに、本実施形態の変形例2について説明する。
図10の(a)〜(e)は、本変形例に係る選択回路60,60Aにおける電位制御回路61の変更部分の構成を示す回路図である。
本変形例では、選択回路60における電位制御回路61および選択回路60Aにおける電位制御回路62の各部についての変形例について説明する。
まず、図10の(a)に示す構成では、電位制御回路61において、トランジスタTxのソースには、マスク信号SigXが入力される代わりに、電源電圧VDD(HiのDC信号)が印加される。
図10の(b)に示す構成では、電位制御回路62において、トランジスタT5のゲートおよびソースにクロック信号CK4が入力される代わりに、クロック信号CK1が入力され、トランジスタT8のゲートにクロック信号CK2が入力される代わりに、クロック信号CK3が入力される。
図10の(c)に示す構成では、電位制御回路61において、トランジスタT5のゲートにクロック信号CK1またはクロック信号CK4が入力され、トランジスタT5のソースに電源電圧VDDが印加される。
図10の(d)に示す構成では、電位制御回路62において、トランジスタT5,T8の代わりに容量素子CAPが設けられる。この容量素子CAPの一端にはクロック信号CK1またはクロック信号CK4が入力されている。容量素子CAPの他端はノードNbに接続されている。
図10の(e)に示す構成では、電位制御回路61において、トランジスタT5がトランジスタT5a,T5bに置き替えられ、トランジスタT6がトランジスタT6a,T6bに置き替えられている。トランジスタT5aのゲートおよびソースと、トランジスタT5bのソースには、クロック信号CK1またはクロック信号CK4が入力される。トランジスタT5bのゲートには、トランジスタT5aのドレインが接続されている。
トランジスタT6a,T6bのゲートは、ともにノードNaに接続されている。トランジスタT6a,T6bのソースには、電圧VGLが印加されている。トランジスタT6aのドレインはトランジスタT5aのドレインに接続され、トランジスタT6bのドレインはノードNbに接続されている。
〔実施形態2〕
本発明の実施形態2について図3、図4、図11〜図13に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、実施形態1にて説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
実施形態1では、電位制御回路61,62におけるトランジスタTxのゲートにマスク信号SigXが入力されるのに対し、本実施形態では、マスク信号SigXに変わる他の信号を用いる例について説明する。
図11は、本実施形態に係る選択回路における電位制御回路の変更部分の構成を示す回路図である。図12は、本実施形態2に係る他の選択回路60Bの構成を示す回路図である。図13は、選択回路60Bの動作を示すタイミングチャートである。
まず、マスク信号SigXは、図4の(b)に示すクリア信号CLR1〜CLR3のいずれかに置き替えられる。図4の(a)および(b)に示すように、クリア信号CLR1〜CLR3(第2制御信号)は、本来、選択回路60(1278)〜60(1280)のノードNaをLo電位にするときしか使用されない。そこで、クリア信号CLR1〜CLR3を図8のマスク信号SigXと同じ位置にHi電位を出力するように変更すれば、トランジスタTx,T4をオンさせて、ノードNaをLo電位に安定化させることができる。
また、選択回路60,61Aは、図11に示すように、さらにトランジスタTy(電位安定化トランジスタ)を有している。トランジスタTyのドレインは走査線Gに接続されている。トランジスタTyのソースには電圧VGLが印加され、トランジスタTyのゲートには電圧VTP1(第2制御信号)が印加されている。トランジスタTyは、休止期間Tiにおける走査線Gの電位を安定化させるために設けられる。電圧VTP1は、マスク信号SigXと同じく、クロック信号CK1が立ち上がる前の休止期間TiにおいてHiとなる。そこで、電圧VTP1をマスク信号SigXに代えて用いる。
また、図3に示すゲート駆動回路6は、選択回路60A(図9参照)に代えて図12に示す選択回路60Bを有している。図12に示すように、選択回路60Bは、選択回路60Aと同じく、トランジスタT1〜T4と、電位制御回路62とを有している。また、選択回路60Bは、さらに電荷供給回路63(高電位保持回路)を有している。
電荷供給回路63は、薄膜トランジスタであるトランジスタT9〜T12を有している。
トランジスタT9のゲートおよびソースには、ともにセット信号Sが入力される。トランジスタT9のドレインはノードNcに接続されている。トランジスタT10のゲートはノードNbに接続され、トランジスタT10のドレインはノードNcに接続されている。トランジスタT10のソースには電圧VGLが印加されている。
トランジスタT11のソースおよびトランジスタT12のゲートには、電圧VTP2(第2制御信号)が印加されている。トランジスタT11のゲートは、ノードNcに接続されている。トランジスタT11のドレインは、トランジスタT12のドレインと接続されている。トランジスタT12のソースは、ノードNaに接続されている。
電荷供給回路63は、休止期間TiにおけるノードNaの電位をHiに保持するために設けられている。図13に示すように、電圧VTP2は、休止期間Tiの開始とともにLoからHiとなり、休止期間Tiの終端とともにクロック信号CK1の立ち上がりのタイミングでHiからLoとなる。このような電圧VTP2も、マスク信号SigXに用いることができる。また、選択回路60BとトランジスタTyとを組み合わせる場合は、電圧VTP1,VTP2を兼用することもある。
なお、電圧VTP2は、休止期間Tiの終端の前にHiからLoに変化してもよい。電圧VTP2がこのタイミングでHiからLoに変化しても、ノードNbの電位がHiに保持される。また、電圧VTP2がHiからLoに変化してから、クロック信号CK1が立ち上がるまでに、積極的にノードNbの電位をLoに変化させる素子が存在しない。これらのことから、電圧VTP2が上記のタイミングでHiからLoに変化しても、マスク信号SigXを使用した場合とほぼ同等の効果を得ることができる。
ただし、電圧VTP2がHiからLoに変化した後に、ノードNbに保持された電荷が漏れることでノードNbの電位が低下して電圧VGLに近づくと、クロック信号CK1による影響を抑えることが難しくなる。したがって、実施形態1のマスク信号SigXのように、クロック信号CK1の立ち上がり前後でノードNbの電位をHiに維持できる信号を用いることが好ましい。
以上のように、本実施形態では、マスク信号SigXとして、他の信号や電圧を用いている。これにより、専用のマスク信号SigXを生成する必要がなくなるので、信号数を削減することができる。
〔実施形態3〕
本発明の実施形態3について図14に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、実施形態1にて説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
図14は、本実施形態に係る選択回路60Cの構成を示す回路図である。
図14に示すように、選択回路60Cは、トランジスタT1,T4,T2a,T2b,T3a,T3b,T21〜T23と、電位制御回路61とを有している。トランジスタT2a,T2b,T3a,T3b,T21〜T23は、薄膜トランジスタである。
トランジスタT2aのゲートおよびソースには、ともにセット信号Setが入力される。トランジスタT2aのドレインはノードNdに接続されている。トランジスタT3aのドレインはノードNdに接続されている。トランジスタT3aのゲートにはリセット信号Resetが入力される。トランジスタT3aのソースには電圧VGLが印加されている。
トランジスタT2b(第1電位切替トランジスタ)のゲートはノードNdに接続され、トランジスタT2bのドレインはノードNaに接続され、トランジスタT2bのソースはノードNeに接続されている。トランジスタT3b(第2電位切替トランジスタ)のゲートにはリセット信号Resetが入力される。トランジスタT3aのドレインはノードNaに接続されている。トランジスタT3bのソースには電圧VGLが印加されている。
トランジスタT21のゲートはノードNbに接続され、トランジスタT21のドレインはノードNdに接続されている。トランジスタT21のソースには、電圧VGLが印加されている。
トランジスタT22のゲートおよびソースは、ともにセット信号Setが入力される。トランジスタT22のドレインはノードNeに接続されている。トランジスタT23のゲートおよびソースは、ともに再開信号Sig_restartが入力される。トランジスタT23のドレインはノードNeに接続されている。
実施形態1の選択回路60では、休止期間Tiにおいて、セット信号SetによりノードNaにHi電位(高電位)を保持した場合、トランジスタT1の閾値が大きくなる(電流が流れなくなる)方向にトランジスタT1の特性が変化する。このため、他の選択回路60に接続される走査線Gと出力波形が異なって表示画像に横方向のスジが視認される懸念がある。
そこで、選択回路60Cでは、ノードNaとは異なるノードNdに電荷を保持するように構成されている。トランジスタT2bの特性に変化が生じるが、トランジスタT2bは、走査線Gに走査信号を出力しないので、その特性の変化が表示に与える影響は小さい。
また、この選択回路60Cでは、再開信号Sig_restartが休止期間Tiの最後にHiとなることで、走査が再開する。再開信号Sig_restartがLoからHiに変化したときに、トランジスタT2bのゲートとソースとの間に生じる寄生容量Cpにより、ノードNdの電位が上昇する。これにより、トランジスタT2bがオンするので、Hiの再開信号Sig_restartがトランジスタT2bを介してノードNaに伝達される。この結果、トランジスタT1がオンすることにより、走査線Gにクロック信号CK1が出力されてしまい、表示画像に影響を及ぼしたり、ゲート駆動回路6が誤動作したりする可能性がある。選択回路60Cでは、このような不都合を抑制するために、トランジスタT21が設けられている。
電位制御回路61におけるトランジスタTxは、休止期間Tiの終端より前にHiとなるマスク信号SigXによりオンするので、ノードNbの電位がHiになる。このため、トランジスタT21がオンすると、ノードNdの電位が電圧VGLに安定化するので、トランジスタT2bがオフする。これにより、Hiの再開信号Sig_restartがトランジスタT2bを介してノードNaに伝達されることを阻止することができる。
実施形態1の選択回路60,60Aでは、トランジスタT1の動作に関してノイズ源となる信号はクロック信号CK1であり、クロック信号CK1によるノイズを受けるのがノードNaであった。これに対し、本実施形態の選択回路60Cでは、トランジスタT1の動作に関してノイズ源となる信号は再開信号Sig_restartであり、再開信号Sig_restartによるノイズを受けるのがノードNdとなる。
なお、本実施形態では、トランジスタT4,T21のゲートがともに電位制御回路61に接続されているが、これには限定されない。例えば、トランジスタT21のために、電位制御回路61と同等の機能を有する電位制御回路を別に設けておき、トランジスタT21のゲートが、その別の電位制御回路に接続されてもよい。
なお、本実施形態の構成は、前述の実施形態1の構成(変形例1,2を含む)に限らず、実施形態2の構成にも適用することができる。
〔まとめ〕
本発明の態様1に係る表示駆動装置は、複数の走査線のそれぞれに接続された複数の画素に画素信号を与えるために各走査線を選択する走査信号として、クロック信号から1つのクロックパルスを選択して出力するように前記走査線ごとに設けられた複数の選択回路(選択回路60,60A〜60C)を備え、前記選択回路が、前記走査信号を出力する出力トランジスタ(トランジスタT1)と、前記出力トランジスタの制御端子の電位を低電位に制御する電位制御トランジスタ(トランジスタT2)と、前記出力トランジスタが前記走査信号を出力しないときに、前記電位制御トランジスタの制御端子の電位を高電位に制御する第1高電位制御回路(トランジスタT5)と、前記選択回路が動作を休止する休止期間Tiにおける前記第1高電位制御回路が動作していない間に、前記電位制御トランジスタの制御端子の電位を高電位に制御する第2高電位制御回路(トランジスタTx)とを有している。
上記の構成によれば、選択回路が休止期間の終了後に動作を再開したとき、出力トランジスタの寄生容量の影響によって、出力トランジスタの制御端子の電位が上昇しようとする。このとき、第1高電位制御回路の動作が開始していない間に、第2高電位制御回路が、電位制御トランジスタの制御端子を高電位に制御するので、電位制御トランジスタがオンする。これにより、出力トランジスタの電位は低電位に安定する。したがって、出力トランジスタから誤って第1クロック信号が走査信号として出力されることを防止できる。
本発明の態様2に係る表示駆動装置は、上記態様1において、前記第2高電位制御回路は、前記休止期間Tiの後も継続して、前記電位制御トランジスタの制御端子を高電位に制御してもよい。
上記の構成によれば、第1高電位制御回路が休止期間の後に動作してからも、確実に電位制御トランジスタの制御端子を高電位に維持することができる。
本発明の態様3に係る表示駆動装置は、上記態様1または2において、前記第2高電位制御回路がトランジスタであってもよい。
上記の構成によれば、電位維持回路を簡素に構成することができる。
本発明の態様4に係る表示駆動装置は、上記態様3において、前記トランジスタをオンさせる第1制御信号が、前記選択回路を制御する第2制御信号と兼用されていてもよい。
上記の構成によれば、第1制御信号を専用に設ける必要がなく、制御信号の数を抑えることができる。
本発明の態様5に係る表示駆動装置は、上記態様4において、前記第2制御信号が、全ての前記走査線の選択が終了するときに、再び前記走査線を選択する初期化を行うために、前記出力トランジスタの制御端子の電位を低電位に制御するクリア信号であってもよい。
本発明の態様6に係る表示駆動装置は、上記態様4において、前記第2制御信号が、前記休止期間Tiにおいて前記走査線の電位を安定させる電位安定化トランジスタを制御する信号であってもよい。
本発明の態様7に係る表示駆動装置は、上記態様4において、前記第2制御信号が、前記休止期間Tiに、前記電位制御トランジスタの制御端子の電位を高電位に維持する高電位保持回路を制御する信号であってもよい。
本発明の態様8に係る表示駆動装置は、上記態様1から7のいずれかにおいて、前記選択回路が、前記出力トランジスタの制御端子の電位を高電位に切り替える電位切替トランジスタ(トランジスタT2b)と、オンしたときに前記電位切替トランジスタの制御端子を低電位に制御する低電位制御トランジスタ(トランジスタT21)とをさらに有していてもよい。
上記の構成によれば、休止期間において、出力トランジスタの制御端子に高電位を保持した場合、出力トランジスタの特性が、その閾値が大きくなる方向に変化する。このため、他の選択回路に接続される走査線と出力波形が異なって表示画像に横方向のスジが視認される懸念がある。そこで、選択回路では、出力トランジスタの制御端子とは異なるノード、すなわち電位切替トランジスタの制御端子に電荷を保持するように構成されている。
また、この選択回路では、電位切替トランジスタにHi信号が入力されることで、走査が再開する。電位切替トランジスタに入力される信号がLo信号からHi信号に変化したときに、電位切替トランジスタの制御端子と入力端子との間に生じる寄生容量により、電位切替トランジスタの制御端子の電位が上昇する。これにより、電位切替トランジスタがオンするので、Hi信号が電位切替トランジスタを介して出力トランジスタの制御端子に伝達される。この結果、出力トランジスタがオンすることにより、走査線にクロック信号が出力されてしまい、表示画像に影響を及ぼしたり、表示駆動装置が誤動作したりする可能性がある。選択回路では、このような不都合を抑制するために、低電位制御トランジスタが設けられている。
本発明の態様9に係る表示駆動装置は、上記態様8において、前記低電位制御トランジスタの制御端子は、前記電位制御トランジスタの制御端子に接続されていてもよい。
上記の構成によれば、第2高電位制御回路によって電位制御トランジスタの制御端子の電位が高電位に制御されると、低電位制御トランジスタの制御端子の電位も合わせて高電位となる。これにより低電位制御トランジスタがオンするので、電位切替トランジスタの制御端子を低電位に制御することができる。
本発明の態様10に係る表示駆動装置は、上記態様8または9において、前記電位切替トランジスタは、前記選択回路が前記休止期間Tiの後に動作を再開するときに、前記出力トランジスタの制御端子の電位を高電位に切り替えてもよい。
本発明の態様11に係る表示装置は、態様1から7のいずれかの表示駆動装置と、前記表示駆動装置によって選択された走査線に接続された前記画素に前記画素信号を供給する画素信号供給装置(ソース駆動回路5)と、前記複数の画素を有する表示部4とを備えている。
〔付記事項〕
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
4 表示部
5 ソース駆動回路(画素信号供給装置)
6 ゲート駆動回路(表示駆動装置)
60,60A〜60C 選択回路
63 電荷供給回路(高電位保持回路)
100 液晶表示装置(表示装置)
CK1 クロック信号
CLR1〜CLR3 クリア信号(第2制御信号)
G 走査線
画素
SigX マスク信号(第1制御信号)
T1 トランジスタ(出力トランジスタ)
T2b トランジスタ(電位切替トランジスタ)
T4 トランジスタ(電位制御トランジスタ)
T5 トランジスタ(第1高電位制御回路)
T21 トランジスタ(低電位制御トランジスタ)
Tx トランジスタ(第2高電位制御回路)
Ty トランジスタ(電位安定化トランジスタ)
Ti 休止期間
VTP1,VTP2 電圧(第2制御信号)

Claims (9)

  1. 複数の走査線のそれぞれに接続された複数の画素に画素信号を与えるために各走査線を選択する走査信号として、クロック信号から1つのクロックパルスを選択して出力するように前記走査線ごとに設けられた複数の選択回路を備え、
    前記選択回路は、
    前記走査信号を出力する出力トランジスタと、
    前記出力トランジスタの制御端子の電位を低電位に制御する電位制御トランジスタと、
    前記選択回路における表示動作の期間かつ前記出力トランジスタの制御端子の電位が低電位である期間において、前記クロック信号が低電位から高電位に変化するときに、前記電位制御トランジスタの制御端子の電位を高電位に制御する第1高電位制御回路と、
    前記選択回路が表示動作を休止する休止期間が終了した直後の前記クロック信号の立ち上りのタイミングより前に、前記電位制御トランジスタの制御端子の電位を高電位に制御する第2高電位制御回路と
    前記休止期間において、前記出力トランジスタの制御端子の電位を高電位に切り替える電位切替トランジスタと、
    前記電位切替トランジスタの制御端子を低電位に制御する低電位制御トランジスタとを有していることを特徴とする表示駆動装置。
  2. 前記第2高電位制御回路は、前記休止期間の後も継続して、前記電位制御トランジスタの制御端子を高電位に制御することを特徴とする請求項1に記載の表示駆動装置。
  3. 前記第2高電位制御回路はトランジスタであることを特徴とする請求項1または2に記載の表示駆動装置。
  4. 前記第2高電位制御回路である前記トランジスタをオンさせる第1制御信号は、全ての前記走査線の選択が終了するときに、再び前記走査線を選択する初期化を行うために、前記出力トランジスタの制御端子の電位を低電位に制御するクリア信号と兼用されていることを特徴とする請求項3に記載の表示駆動装置。
  5. 前記選択回路は、前記休止期間において前記走査線の電位を安定させる電位安定化トランジスタをさらに有し、
    前記第2高電位制御回路である前記トランジスタをオンさせる制御信号は、前記電位安定化トランジスタを制御する信号と兼用されていることを特徴とする請求項に記載の表示駆動装置。
  6. 前記選択回路は、休止期間において前記出力トランジスタの制御端子を高電位に保持する高電位保持回路をさらに有し、
    前記第2高電位制御回路である前記トランジスタをオンさせる制御信号は、前記高電位保持回路を制御する信号と兼用されていることを特徴とする請求項に記載の表示駆動装置。
  7. 前記低電位制御トランジスタの制御端子は、前記電位制御トランジスタの制御端子に接続されることを特徴とする請求項に記載の表示駆動装置。
  8. 前記電位切替トランジスタは、前記選択回路が前記休止期間の後に動作を再開するときに、前記出力トランジスタの制御端子の電位を高電位に切り替えることを特徴とする請求項またはに記載の表示駆動装置。
  9. 請求項1からのいずれか1項に記載の表示駆動装置と、
    前記表示駆動装置によって選択された走査線に接続された前記画素に前記画素信号を供給する画素信号供給装置と、
    前記複数の画素を有する表示部とを備えていることを特徴とする表示装置。
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