JP6628869B2 - 薄膜製造装置、薄膜製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、薄膜を形成する技術に係り、特に、薄膜の成長速度を検出する膜厚センサの使用可能期間が長い薄膜製造装置と、薄膜製造方法を提供することにある。

図３の符号１００は、従来技術の薄膜製造装置であり、真空槽１１３を有している。真空槽１１３の内部には、蒸発源１１２が配置されている。
蒸発源１１２は、蒸発容器１３３を有しており、蒸発容器１３３の上方位置に於いて、真空槽１１３の内部に搬入された成膜対象基板１１５が通過、又は、配置されるようになっている。

蒸発容器１３３は中空であり、蒸発容器１３３の中空の内部には、粉体状の有機化合物から成る有機材料１３７が配置されている。
蒸発容器１３３には、加熱装置１３４が設けられており、加熱装置１３４は、成膜電源１４５に接続されている。

真空排気装置１３９によって真空槽１１３の内部を真空排気して真空雰囲気を形成し、成膜電源１４５によって加熱装置１３４に通電して発熱させ、発熱した加熱装置１３４は、蒸発容器１３３を加熱して昇温させ、蒸発容器１３３の内部に配置された有機材料１３７は、昇温した蒸発容器１３３によって加熱される。
有機材料１３７が蒸発温度以上に昇温されると、蒸発(昇華を含む)して多量の有機材料１３７の蒸気が蒸発容器１３３の内部に放出される。

蒸発容器１３３の成膜対象基板１１５と対面する位置には放出孔１３８が設けられており、発生した蒸気は放出孔１３８から真空槽１１３の内部に放出され、成膜対象基板１１５の表面に到達すると、到達した部分に有機材料１３７の薄膜が成長する。

この薄膜製造装置１００では、真空槽１１３の外部に、有機材料１３７の薄膜の成長速度を制御する成長速度制御回路１１４が配置されている。
成長速度制御回路１１４が、成長速度を制御する手順を説明すると、真空槽１１３の内部には、膜厚センサ１３１が設けられており、膜厚センサ１３１は、成長速度制御回路１１４内に設けられた成長速度測定器１４１に接続されている。

膜厚センサ１３１は、成膜対象基板１１５の側方位置に配置されており、蒸発源１１２から放出された有機材料１３７の蒸気は、成膜対象基板１１５と膜厚センサ１３１とに到達し、成膜対象基板１１５と膜厚センサ１３１とに薄膜を成長させるようになっており、膜厚センサ１３１が検出した膜厚は、膜厚を示す信号として成長速度測定器１４１に出力され、成長速度測定器１４１で膜厚の成長速度が求められ、成長速度を示す信号は、速度偏差検出器１４２に測定信号として出力される。

成膜対象基板１１５の表面に成長する薄膜の望ましい成長速度は予め求められており、膜厚センサ１３１の表面の成長速度に変換されて基準値として記憶装置１４３に記憶されており、記憶装置１４３から、基準値を示す基準信号が出力され、速度偏差検出器１４２に入力されている。

速度偏差検出器１４２では入力された基準信号が示す値と、入力された測定信号が示す値との大小関係と差の値とが求められ、正負を示す符号付きの差の値である偏差を示す偏差信号が速度偏差検出器１４２から成膜電源１４５に出力される。

成膜電源１４５に入力された偏差信号が、測定信号が示す成長速度の方が、基準信号が示す成長速度よりも値が大きいことを示している場合は、成膜電源１４５は、加熱装置１３４に出力する電流を減少させ、蒸発源１１２の内部の有機材料１３７の蒸気発生量を減少させ、成膜対象基板１１５と膜厚センサ１３１との成長速度の値を小さくするようになっている。

他方、測定信号が示す成長速度の方が、基準信号が示す成長速度よりも値が小さい場合は、成膜電源１４５は、加熱装置１３４に出力する電流を増加させ、蒸発源１１２の内部の有機材料１３７の蒸気発生量を増加させて、成膜対象基板１１５と膜厚センサ１３１との成長速度を大きくするようになっている。

このように、加熱装置１３４に供給される電流値が調節されることにより、有機材料１３７から発生する蒸気量の変動は小さくされ、蒸気発生量が一定値に維持され、成長速度は基準値に維持される。
増加させる電流量と減少させる電流量は、偏差の値に比例しており、偏差の絶対値が大きい場合は、偏差が早くゼロに近づくようになっている。

しかしながら常に成長速度を測定し、基準値と比較して、成長速度を基準値に近づけようとする常時監視方式であると、成長速度の値の振動や、出力した電流量に対する成長速度の変化の遅れ等の影響によって、実際の成長速度の増減とその変化量との制御が困難になる、という問題がある。

図４の符号１０５は、常時監視方式で成長速度を制御したときの、成長速度の時間変化を示す曲線であり、基準値を示す直線１０６に、成長速度が増加して近づく間に、細かい増減が繰り返されており、この細かい増減により、基準値に近づいても、実際の成長速度と基準値との差が大きい。

ＷＯ２０１５／１８２０９０

本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、長期間、薄膜の成長速度を検出できる薄膜製造装置を提供することを課題とする。

上記課題を解決するために本発明は、真空槽と、成膜材料が配置される成膜源と、前記成膜源に電力を供給し、前記成膜源に配置された前記成膜材料を加熱して前記成膜材料から蒸気を放出させ、前記蒸気の微粒子を前記成膜源の放出部から前記真空槽の内部に放出させる主制御装置と、前記微粒子が到達して薄膜が成長する位置に配置され、表面に形成される前記薄膜の膜厚を示す内容の膜厚信号を出力する膜厚センサと、を有し、前記主制御装置は、前記膜厚センサが出力する前記膜厚信号に基づいて、前記成膜源に供給する電力の大きさを変化させて前記成膜源の放出速度を変化させ、所望の成長速度で成膜対象物表面に薄膜を成長させる薄膜製造装置であって、前記真空槽内にはシャッタが配置され、前記シャッタは主制御装置によって移動され、前記シャッタは、前記膜厚センサと前記放出部との間に位置して前記微粒子の前記膜厚センサへの到達を遮蔽する遮蔽状態と、前記膜厚センサと前記放出部との間の位置から他の場所へ移動して、前記微粒子を前記膜厚センサへ到達させる到達状態とが交互に繰り返し切り替えられるようにされ、一個の到達期間とその到達期間に隣接する一個の遮蔽期間との合計時間である一周期は一定時間に設定され、前記成膜源へ供給する電力は、前記一周期の中で一回変更される薄膜製造装置である。
本発明は、前記膜厚センサに形成された薄膜の膜厚は、前記シャッタが前記到達状態を維持する到達期間中に測定される薄膜製造装置である。
本発明は、測定された前記膜厚から前記膜厚センサ上の測定成長速度を求め、前記成膜源に供給する電力の大きさを変更する薄膜製造装置である。
本発明は、真空槽の内部を真空雰囲気にし、前記真空槽の内部に配置された成膜源に電力を供給し、成膜材料を加熱して前記成膜材料から蒸気を放出させ、前記成膜源の放出部から前記蒸気の微粒子を放出させ、前記真空雰囲気中に位置する成膜対象物と膜厚センサとに前記微粒子を到達させ、前記膜厚センサに成長する薄膜の成長速度に基づいて前記電力の大きさを変化させて測定成長速度を基準速度に近づける薄膜製造方法であって、前記真空槽の内部にシャッタを設け、前記成膜対象物に前記微粒子が到達している間に前記シャッタを開閉させ、前記膜厚センサと前記放出部との間に前記シャッタを位置させて前記膜厚センサに前記微粒子が到達しない遮蔽状態と、前記膜厚センサと前記放出部との間から前記シャッタを移動させて前記膜厚センサに前記微粒子が到達する到達状態とを交互に繰り返し切り替え、一個の到達期間とその到達期間に隣接する一個の遮蔽期間との合計時間である一周期は一定時間に設定し、前記成膜源へ供給する電力は、前記一周期の中で一回変更する薄膜製造方法である。
本発明は、前記シャッタが前記到達状態を維持する到達期間毎に前記測定成長速度を求め、前記成膜源に供給する電力の大きさを変更する薄膜製造方法である。

本発明では一周期の時間を設定し、一周期中に供給電力を一回変更するようにすると、常時制御に起因する成長速度の振動が無くなるので、制御が容易になる。

上記従来技術の薄膜製造装置では、有機材料からの蒸気発生量を常時監視している為、頻繁に膜厚センサを交換する必要があったが、本発明によれば、同じ成膜時間で、センサーに膜がついている時間(期間)が従来より短いので、従来より少ない交換頻度で多数の成膜対象物に成膜することが可能となる。

また、本発明によれば、膜厚センサに薄膜が付着する時間を短縮させることができるので、膜厚センサの寿命を長くすることができる。

本発明の薄膜製造装置を説明するためのブロック図 水晶振動子の発振周波数と膜厚との関係を説明するためのグラフ 従来技術の薄膜製造装置を説明するためのブロック図 成長速度の経時変化を示すグラフ 到達期間の周波数変化と、到達期間と遮断期間を短時間で繰り返したときの周波数変化を比較したグラフ

図１の符号１０は、本発明の薄膜製造装置を示している。
この薄膜製造装置１０は、真空槽１３を有しており、真空槽１３の内部には、成膜源１２が配置されている。

成膜源１２は、中空の蒸発容器３３を有しており、その中空の部分には、成膜材料３７が配置されている。成膜材料３７は、ここでは、粉体状の有機化合物であるが、金属材料や金属酸化物等の無機材料や、液体材料であってもよい。

真空槽１３には真空排気装置４５が接続されており、真空排気装置４５が動作して真空槽１３の内部が真空排気されると、真空槽１３の内部に真空雰囲気が形成される。
蒸発容器３３の内部中空部分は、この真空排気装置４５によって真空排気されて、真空槽１３と同様に、真空雰囲気が形成される。蒸発容器３３に別の真空排気装置を接続し、その真空排気装置によって蒸発容器３３の内部を真空排気しても良い。

真空槽１３の外部には、主制御装置１８が配置されている。
主制御装置１８には成長速度制御器１４が配置され、成長速度制御器１４には、成膜電源４６と、成膜電源４６の動作を制御する電源制御器４２とが配置されている。

電源制御器４２が成膜電源４６を動作させると、成膜電源４６から成膜源１２に電力が供給される。
成膜源１２の内部には、加熱装置３４が設けられており、供給された電力によって加熱装置３４は発熱し、成膜材料３７を加熱する。

真空槽１３の内部が真空雰囲気にされた状態で、成膜材料３７が蒸発温度以上に昇温すると、成膜材料３７から蒸気が発生する。発生した蒸気は成膜材料３７の微粒子である。

蒸発容器３３の天井には蒸気放出孔が放出部３８として形成されており、成膜材料３７の微粒子は、蒸気放出孔を通過するから、成膜源１２の放出部３８から真空槽１３の内部に、成膜材料３７の微粒子が放出される。
従って、主制御装置１８から成膜源１２に電力が供給されると、成膜源１２から成膜材料３７の微粒子が放出される。放出部３８は複数の蒸気放出口であってもよい。

真空槽１３の内部の、成膜材料３７の微粒子が到達する成膜位置には、成膜対象物が静止して配置されているか、又は、成膜位置を成膜対象物が通過するようにされている。ここでは、成膜材料３７の微粒子が到達する成膜位置には基板ホルダ３９が設けられており、符号１５で示した成膜対象物が基板ホルダ３９に保持されて静止している。
成膜対象物１５の表面に、成膜材料３７の微粒子が到達すると、成膜対象物１５の表面に成膜材料３７の成分を含有する薄膜(ここでは有機薄膜)が成長する。

真空槽１３の内部には、膜厚センサ３１とシャッタ３５とが配置されている。
主制御装置１８には、モータ制御器５１と、モータ制御器５１に接続された開閉制御器４３とが設けられている。

シャッタ３５は、モータ３６に接続されており、モータ３６は、モータ制御器５１によって回転が制御されている。
シャッタ３５は、モータ３６の回転によって真空槽１３内で移動され、位置を変更できるようにされている。このシャッタ３５は、開閉制御器４３がモータ制御器５１を制御することで、膜厚センサ３１と放出部３８との間の場所である遮断場所に位置する遮蔽状態と、また、遮断場所から移動して、遮断場所とは異なり、膜厚センサ３１と放出部３８との間ではない場所に位置するときの到達状態とのいずれかの状態を採れるようにされている。従って、シャッタ３５は、遮蔽状態と到達状態とにされることで、開閉されることになっている。

シャッタ３５が到達状態にあるときは、膜厚センサ３１は成膜源１２から放出された成膜材料３７の微粒子が到達できる場所に位置しており、そのとき、成膜対象物１５と膜厚センサ３１とには、同じ成膜源１２から放出された成膜材料３７の微粒子が到達し、膜厚センサ３１の表面と成膜対象物１５の表面とに、同種類の微粒子から成る薄膜が成長する。
成膜対象物１５と膜厚センサ３１とは、成膜源１２からの距離が異なるので、成膜対象物１５と膜厚センサ３１とには、距離に応じた一定の場所比率の膜厚で薄膜が成長する。

主制御装置１８には、成長速度測定器４１が配置されており、膜厚センサ３１は、成長速度測定器４１に接続されている。
膜厚センサ３１は、表面に付着した薄膜の膜厚を示す内容の膜厚信号を、主制御装置１８に出力する。膜厚センサ３１から出力された膜厚信号は、主制御装置１８の成長速度測定器４１に入力され、成長速度測定器４１は、シャッタ３５が継続して到達状態にある間(例えば１秒以内の時間)に、異なる時刻で膜厚センサ３１上の薄膜の膜厚を測定する。
主制御装置１８は、シャッタ３５を、一定の到達期間と一定の遮蔽期間を交互に繰り返えすように動作させており、一個の到達期間とその到達期間に隣接する一個の遮蔽期間との合計時間を一周期とすると、到達期間毎に測定する膜厚センサ３１上の膜厚の変化量と、隣接する到達期間の異なる測定時刻と測定時刻の間の時間と、一周期の時間とから、膜厚センサ３１上に成長する薄膜の成長速度が算出される。ここで成長速度とは、「膜厚の増加分／増加に要した時間」である。

膜厚センサ３１上に成長する薄膜の成長速度と、成膜対象物１５上に成長する薄膜の成長速度との間には、膜厚に関する前記の場所比率の値に対応した一定の比例関係があり、その成長速度の比例関係の比例係数は場所比率測定の際に予め求められている。主制御装置１８は、その比例関係と膜厚センサ３１上の薄膜の成長速度とから、成膜対象物１５上の薄膜の成長速度を算出することができる。ここでは、成長速度測定器４１は、算出した膜厚センサ３１上の薄膜の成長速度を、測定成長速度として出力する。
主制御装置１８には記憶装置４９が設けられており、記憶装置４９には膜厚センサ３１上の薄膜の成長速度の基準値が基準速度として記憶されている。

電源制御器４２には、基準速度と、測定成長速度とが入力されている。
電源制御器４２は、基準速度と測定成長速度とを比較し、その差に応じた値と、どちらが大きいかを示す符号とからなる偏差を算出し、速度偏差を示す制御信号として成膜電源４６に出力する。

成長速度測定器４１から、成膜対象物１５上に成長する薄膜の成長速度が測定成長速度として出力される場合も、成膜対象物１５に対する成長速度の基準値が目標成長速度として設定されていれば、膜厚センサ３１上の薄膜の成長速度と膜厚センサ３１に対する基準速度とが比較されているのと同じことになる。

いずれにしろ、成膜電源４６が加熱装置３４に供給する電力の大きさは、電源制御器４２が出力する制御信号によって制御されており、測定成長速度が基準速度よりも大きいときは、成膜材料３７の微粒子の放出速度を低下させるために、成膜電源４６を制御して、加熱装置３４に供給する電力を減少させる。成膜源１２の「放出速度」とは、「成膜源１２の放出量／放出時間」の値である。
測定成長速度が基準速度よりも小さいときは、微粒子の放出速度を増大させるために、成膜電源４６を制御して、加熱装置３４に供給する電力を増加させる。

シャッタ３５が遮断場所に位置する遮蔽状態の間は、放出部３８から放出された蒸気は、成膜対象物１５には到達しても、膜厚センサ３１には到達せず、成膜対象物１５に薄膜が成長しても、膜厚センサ３１には薄膜は成長しない。

従って、膜厚センサ３１に形成される薄膜は、一枚の成膜対象物１５に形成される薄膜の膜厚よりも薄くなるので、一個の膜厚センサ３１によって、複数枚数の成膜対象物１５を一枚ずつ成膜することができる。

図２のグラフは、水晶振動子から成る膜厚センサ３１の発振周波数(横軸)と、膜厚センサ３１の表面の単位面積当たりの薄膜の重量(縦軸：膜厚×密度)との関係を示すグラフであり、薄膜表面の薄膜が成長するに従って、発振周波数が低下することを示している。図中の「ｚ」は、水晶振動子上に付着する薄膜と水晶振動子の音響インピーダンス比を示す記号である。

「ｚ」がいずれの値の水晶振動子についても、５ＭＨｚよりも１０分の数ＭＨｚ低い周波数(例えば４．８ＭＨｚ)から５ＭＨｚの間が、グラフの直線性が他の部分よりも高く、その周波数範囲の中では、測定した発振周波数の値から密度が既知の薄膜の膜厚を正確に求めることが出来ることが分かる。

成膜対象物１５と膜厚センサ３１とに放出部３８から放出された蒸気が到達しているときには、膜厚センサ３１に形成される薄膜の成長速度が測定されるから、成長速度を一定に維持するときには、シャッタ３５の到達状態と遮蔽状態とを繰り返す。そして繰り返す間の到達状態のときに、測定成長速度を求めて成膜源１２に供給される電力の制御を行うようにすることで、成膜対象物１５が膜厚センサ３１と同じ真空槽１３内に位置していて成膜対象物１５の表面に所定量の膜厚の薄膜が形成される間に、膜厚センサ３１には、薄膜が成長する時間を成膜対象物１５表面に薄膜が成長する時間よりも短くすることが出来る。
従って、シャッタ３５が遮蔽状態と到達状態を交互に繰り返し、到達状態のときに膜厚を測定することで、膜厚センサ３１の表面に形成される薄膜の膜厚を、遮蔽状態が無い到達状態を維持するときよりも薄くすることができる。

遮蔽状態を維持する遮蔽期間と、到達状態を維持する到達期間とは、記憶装置４９に記憶されており、それぞれの期間の長さを示す期間信号は、設定値として開閉制御器４３に出力され、記憶装置４９から出力された設定値の期間信号に従って、到達期間中に成長速度制御器１４にトリガーを出力し、電源制御器４２に成膜源１２へ供給する電力を変化させる。

このように、到達期間の間に測定成長速度を求め、供給電力の大きさを変化させる際に、遮蔽期間の間は、直前の到達期間に変更した電力の供給を継続して行っても良いし、遮蔽期間の間に、直前の到達期間に出力した電力の大きさを変更しても良い。

図４の符号５は、各測定時刻ｔ₁〜ｔ₅で変更した電力の大きさが測定時刻ｔ₁〜ｔ₅間において維持される場合の成長速度の経時変化を示す折線であり、測定時刻ｔ₁〜ｔ₅間では、成長速度は直線的に変化しており、基準値を示す直線６付近の値で一定値になっている。

測定時刻ｔ₁〜ｔ₅間で電力を維持する場合も変更する場合も、いずれについても一個の到達期間とその到達期間に隣接する一個の遮蔽期間との合計時間が一周期である。一周期全部が到達期間である場合に比べて、一定比率で到達期間と遮蔽期間とを繰り返す場合は、到達状態の時間／一周期」は“１”よりも小さな値となり、膜厚は「到達状態の時間／一周期」倍になる。従って、本発明に用いる膜厚センサ３１の使用可能時間は、「一周期／到達状態の時間」倍になる。

図５は、長時間の到達期間の後で、短時間の到達期間と遮蔽期間とを繰り返したときの、経過時間(横軸)と、膜厚センサの周波数(縦軸)との関係を示したグラフであり、到達期間の開始時刻Ａから、到達期間の遮断時刻Ｂの間の、経過時間と周波数との関係を示す曲線Ｌ₁の傾きは、時刻Ｂよりも後に到達期間と遮断期間を繰り返したときの曲線Ｌ₂の傾きよりも大きくなっており、従って、到達期間と遮断期間を繰り返すと、膜厚センサ３１の表面に形成される薄膜の膜厚は小さいことが分かる。

なお、上記実施例では、一つの到達期間内で測定成長速度を求めたが、一つの到達期間中の時刻である第一の時刻に求めた膜厚の値と、直前の到達期間中の時刻である第二の時刻に求めた膜厚の値との間の差である膜厚差と、第一の時刻と第二の時刻の間の到達期間の合計時間とから、測定成長速度を求めるようにしてもよい。要するに、本発明は、一つの到達期間中の膜厚の値だけに基づいて、測定成長速度を求めることに限定されるものでは無い。
また、成膜対象物１５と膜厚センサ３１との間の成長速度の比例関係が分かっているので、成膜対象物１５上の所望の成長速度を膜厚センサ３１上の成長速度に換算し、主制御装置１８に膜厚センサ３１上の成長速度を基準値として設定し、膜厚センサ３１の成長速度を基準値と比較して、加熱装置３４に供給する電力を制御して膜厚センサ３１の成長速度が基準値になるようにしてもよい。
また、上記例では膜厚センサ３１の膜厚は、到達期間中に測定されていたが、遮蔽期間に測定してもよい。この場合、他の時刻の測定値と計算によって、測定した時刻の成膜対象物１５の膜厚を求めることもできる。

また、上記実施例では、抵抗加熱ヒータが加熱装置３４に用いられており、熱伝導によって、蒸発容器３３が加熱され、更に、熱伝導によって、昇温した蒸発容器３３によって成膜材料３７が加熱され、昇温しており、加熱装置３４の発熱量を制御することで、成膜材料３７の温度を制御していたが、赤外線ランプを加熱装置３４に用いて蒸発容器３３を加熱したり、誘導電流を蒸発容器３３に流して蒸発容器３３を加熱するようにしてもよい。

更に又、上記例では蒸着装置であったが、本発明には、成膜源としてスパッタリングターゲットを用い、主制御装置には、スパッタリングターゲットに電力を供給するスパッタ電源が成膜電源として配置され、成膜電源が成膜源に供給する電力によって、成膜源の表面である放出部上にプラズマを形成し、成膜源をスパッタリングし、スパッタリング粒子から成る成膜材料の微粒子を放出部から放出させ、成膜対象物の表面と膜厚センサの表面とに微粒子を到達させて薄膜を形成するスパッタリング装置も含まれる。要するに、膜厚センサと成膜源との間の遮断場所と、他の場所との間で移動できるシャッタを設けた成膜装置は、本発明の薄膜製造装置に含まれる。
また、上記実施例では、蒸発容器３３は真空槽１３の内部に配置されていたが、蒸発容器は真空槽１３の外部に配置されていてもよい。

なお、上記説明中の「放出速度」は、蒸気の単位時間当たりの放出量を意味しており、蒸気の飛行速度を意味するものでは無い。

１０……薄膜製造装置
１３……真空槽
１４……成長速度制御器
１５……成膜対象物
３１……膜厚センサ
３５……シャッタ
３３……蒸発容器
３７……成膜材料
４１……成長速度測定器
４２……電源制御器
４５……真空排気装置
４６……成膜電源
４９……記憶装置
５１……モータ制御器

Claims (5)

1. 真空槽と、
   成膜材料が配置される成膜源と、
   前記成膜源に電力を供給し、前記成膜源に配置された前記成膜材料を加熱して前記成膜材料から蒸気を放出させ、前記蒸気の微粒子を前記成膜源の放出部から前記真空槽の内部に放出させる主制御装置と、
   前記微粒子が到達して薄膜が成長する位置に配置され、表面に形成される前記薄膜の膜厚を示す内容の膜厚信号を出力する膜厚センサと、
   を有し、
   前記主制御装置は、前記膜厚センサが出力する前記膜厚信号に基づいて、前記成膜源に供給する電力の大きさを変化させて前記成膜源の放出速度を変化させ、所望の成長速度で成膜対象物表面に薄膜を成長させる薄膜製造装置であって、
   前記真空槽内にはシャッタが配置され、
   前記シャッタは主制御装置によって移動され、
   前記シャッタは、前記膜厚センサと前記放出部との間に位置して前記微粒子の前記膜厚センサへの到達を遮蔽する遮蔽状態と、前記膜厚センサと前記放出部との間の位置から他の場所へ移動して、前記微粒子を前記膜厚センサへ到達させる到達状態とが交互に繰り返し切り替えられるようにされ、
   一個の到達期間とその到達期間に隣接する一個の遮蔽期間との合計時間である一周期は一定時間に設定され、前記成膜源へ供給する電力は、前記一周期の中で一回変更される薄膜製造装置。
2. 前記膜厚センサに形成された薄膜の膜厚は、前記シャッタが前記到達状態を維持する到達期間中に測定される請求項１記載の薄膜製造装置。
3. 測定された前記膜厚から前記膜厚センサ上の測定成長速度を求め、前記成膜源に供給する電力の大きさを変更する請求項１記載の薄膜製造装置。
4. 真空槽の内部を真空雰囲気にし、前記真空槽の内部に配置された成膜源に電力を供給し、成膜材料を加熱して前記成膜材料から蒸気を放出させ、前記成膜源の放出部から前記蒸気の微粒子を放出させ、前記真空雰囲気中に位置する成膜対象物と膜厚センサとに前記微粒子を到達させ、前記膜厚センサに成長する薄膜の成長速度に基づいて前記電力の大きさを変化させて測定成長速度を基準速度に近づける薄膜製造方法であって、
   前記真空槽の内部にシャッタを設け、
   前記成膜対象物に前記微粒子が到達している間に前記シャッタを開閉させ、前記膜厚センサと前記放出部との間に前記シャッタを位置させて前記膜厚センサに前記微粒子が到達しない遮蔽状態と、前記膜厚センサと前記放出部との間から前記シャッタを移動させて前記膜厚センサに前記微粒子が到達する到達状態とを交互に繰り返し切り替え、
   一個の到達期間とその到達期間に隣接する一個の遮蔽期間との合計時間である一周期は一定時間に設定し、前記成膜源へ供給する電力は、前記一周期の中で一回変更する薄膜製造方法。
5. 前記シャッタが前記到達状態を維持する到達期間毎に前記測定成長速度を求め、前記成膜源に供給する電力の大きさを変更する請求項４記載の薄膜製造方法。

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