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JP6642863B2 - Manufacturing method of laminate - Google Patents
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Description

本発明は、層体の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a product layer thereof.

導電性を有しながら透光性を示す透明導電層、例えばインジウム錫酸化物(以下、ITO)からなる透明導電層は、液晶表示装置や有機EL表示装置における透明電極や、タッチパネルセンサにおける検出用の透明導電パターンなどとして利用されている。   BACKGROUND ART A transparent conductive layer having a light-transmitting property while having conductivity, for example, a transparent conductive layer made of indium tin oxide (hereinafter, ITO) is used for a transparent electrode in a liquid crystal display device or an organic EL display device, or for a detection in a touch panel sensor. Is used as a transparent conductive pattern.

透明電極や透明導電パターンの特性を高めるため、透明導電層のシート抵抗を低くすることが期待されている。ITOからなる透明導電層のシート抵抗は、ITOが結晶化されている場合の方が、アモルファス状態の場合に比べ、低くなることが知られている。このような特性を考慮して、特許文献1においては、基材上に形成されたITO層に対してアニール処理を施し、これによって、ITO層の結晶化を促進することが提案されている。   In order to enhance the characteristics of the transparent electrode and the transparent conductive pattern, it is expected to lower the sheet resistance of the transparent conductive layer. It is known that the sheet resistance of a transparent conductive layer made of ITO is lower when ITO is crystallized than when it is in an amorphous state. In consideration of such characteristics, Patent Literature 1 proposes performing an annealing treatment on an ITO layer formed on a base material to thereby promote crystallization of the ITO layer.

特開2003−16858号公報JP 2003-16858 A

ところで、ITO層のシート抵抗は、ITO層の厚みを大きくするほど低くすることが可能である。しかしながら、ITO層の厚みを大きくしてしまうと、ITO層の透光性が劣化してしまったり、ITO層に色味が生じたりしてしまう。従って、一般にITO層の厚みは数十nm程度になっている。このような薄膜状のITO層においてそのシート抵抗を低くするためには、単にITO層の結晶化を促すだけでは足りず、ITO層に対する更なる改善が必要であると考えられる。   By the way, the sheet resistance of the ITO layer can be decreased as the thickness of the ITO layer is increased. However, when the thickness of the ITO layer is increased, the light transmittance of the ITO layer is deteriorated, and the ITO layer is colored. Therefore, the thickness of the ITO layer is generally about several tens nm. In order to reduce the sheet resistance of such a thin-film ITO layer, it is not enough to simply promote the crystallization of the ITO layer, and it is considered that further improvement to the ITO layer is necessary.

本発明は、このような課題を効果的に解決し得る、積層体およびタッチパネル用導電性パターン基材を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a laminate and a conductive pattern base material for a touch panel, which can effectively solve such a problem.

本発明は、支持体と、当該支持体の一方の側の面に形成されたITOからなる透明導電層と、を備えた積層体であって、当該積層体の一方の側の面にX線を入射させることによって発生する回折ピークの測定をIn−Plane測定で実施した場合の、前記透明導電層のITO結晶の(222)面に基づく回折ピークの高さをPITO(222)とし、当該透明導電層のITO結晶の(400)面に基づく回折ピークの高さをPITO(400)とするとき、PITO(222)/PITO(400)が3.6以上である、積層体である。 The present invention relates to a laminate comprising a support and a transparent conductive layer made of ITO formed on one surface of the support, wherein an X-ray is applied to one surface of the laminate. The height of the diffraction peak based on the (222) plane of the ITO crystal of the transparent conductive layer when the measurement of the diffraction peak generated by making the incident light is performed by the In-Plane measurement is defined as P ITO (222). Assuming that the height of the diffraction peak based on the (400) plane of the ITO crystal of the transparent conductive layer is P ITO (400) , the laminate having P ITO (222) / P ITO (400) of 3.6 or more is used. is there.

例えば、本発明の積層体において、前記透明導電層中の酸化スズと酸化インジウムスズとの重量比が、7:93である。 For example, in the laminate of the present invention, the weight ratio of tin oxide to indium tin oxide in the transparent conductive layer is 7:93 .

例えば、本発明の積層体において、前記支持体は、1または複数の層を含んでおり、当該支持体の前記透明導電層と接する層が、ポリシロキサンを含んでいる   For example, in the laminate of the present invention, the support includes one or more layers, and a layer of the support that is in contact with the transparent conductive layer includes polysiloxane.

本発明は、上記記載の積層体を加工することによって得られる、タッチパネル用導電性パターン基材である。   The present invention is a conductive pattern base material for a touch panel, obtained by processing the above-described laminate.

本発明によれば、積層体の一方の側の面にX線を入射させることによって発生する回折ピークの測定をIn−Plane測定で実施した場合の、透明導電層のITO結晶の(222)面に基づく回折ピークの高さをPITO(222)とし、透明導電層のITO結晶の(400)面に基づく回折ピークの高さをPITO(400)とするとき、PITO(222)/PITO(400)が3.6以上となっている。これによって、シート抵抗の低い透明導電層を実現し得る。 According to the present invention, the (222) plane of the ITO crystal of the transparent conductive layer when the diffraction peak generated when X-rays are incident on one surface of the laminate is measured by In-Plane measurement. When the height of the diffraction peak based on the ITO is P ITO (222) and the height of the diffraction peak based on the (400) plane of the ITO crystal of the transparent conductive layer is P ITO (400) , P ITO (222) / P ITO (400) is 3.6 or more. Thereby, a transparent conductive layer having a low sheet resistance can be realized.

図1は、本発明の第1の実施の形態における積層体を示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing a laminated body according to the first embodiment of the present invention. 図2は、図1の積層体を作製するために用いられる支持体を示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a support used to produce the laminate of FIG. 図3は、図1の積層体の変形例を示す断面図。FIG. 3 is a sectional view showing a modification of the laminate of FIG. 1. 図4は、図3の積層体を作製するために用いられる支持体を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a support used to produce the laminate of FIG. 図5Aは、図2に示す支持体の製造方法を説明するための図。FIG. 5A is a diagram for explaining a method of manufacturing the support shown in FIG. 2. 図5Bは、図2に示す支持体の製造方法を説明するための図。FIG. 5B is a diagram for explaining a method of manufacturing the support shown in FIG. 2. 図6は、図3に示す積層体を加工することにより得られるタッチパネル用導電性パターン基材を示す平面図。FIG. 6 is a plan view showing a conductive pattern base material for a touch panel obtained by processing the laminate shown in FIG. 3. 図7は、図6の導電性パターン基材の、線VII−VIIに沿った断面図。FIG. 7 is a cross-sectional view of the conductive pattern base material of FIG. 6 along line VII-VII. 図8は、ITOの結晶構造を示す図。FIG. 8 is a view showing a crystal structure of ITO. 図9は、サンプル5の積層体から得られた回折ピークを示す図。FIG. 9 is a diagram showing diffraction peaks obtained from the laminate of Sample 5. 図10は、各サンプルの積層体におけるPITO(222)/PITO(400)と、透明導電層のシート抵抗と、の関係を示す図。FIG. 10 is a view showing the relationship between P ITO (222) / P ITO (400) in the laminate of each sample and the sheet resistance of the transparent conductive layer. 図11は、各サンプルの積層体におけるPITO(222)/PITO(400)と、各サンプルの支持体の表面自由エネルギーと、の関係を示す図。FIG. 11 is a view showing the relationship between P ITO (222) / P ITO (400) in the laminate of each sample and the surface free energy of the support of each sample.

以下、図1乃至図8を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図1に示すように、積層体10は、支持体11と、支持体11の一方の側の面11aに設けられた第1透明導電層16aと、を含んでいる。まず、支持体11について説明し、その後、第1透明導電層16aについて説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, the laminate 10 includes a support 11 and a first transparent conductive layer 16 a provided on a surface 11 a on one side of the support 11. First, the support 11 will be described, and then the first transparent conductive layer 16a will be described.

(支持体)
支持体11は、図1および図2に示すように、基材12と、基材12の一方の側の面12aに順に設けられた第1ハードコート層13a、および第1インデックスマッチング層14aと、を含んでいる。以下、基材12、第1ハードコート層13a、および第1インデックスマッチング層14aについてそれぞれ説明する。
(Support)
As shown in FIGS. 1 and 2, the support 11 includes a substrate 12, a first hard coat layer 13 a and a first index matching layer 14 a sequentially provided on one surface 12 a of the substrate 12. , Including. Hereinafter, the substrate 12, the first hard coat layer 13a, and the first index matching layer 14a will be described.

(基材)
基材12としては、十分な透光性を有するフィルムやガラスが用いられる。基材12に用いられるフィルムを構成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、シクロオレフィンポリマー(COP)、環状オレフィン・コポリマー(COC)、ポリカーボネート(PC)、トリアセチルセルロース(TAC)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)などが挙げられる。基材12の厚みは、例えば25〜200μmの範囲内となっている。
(Base material)
As the substrate 12, a film or glass having sufficient translucency is used. Examples of a material constituting the film used for the base material 12 include polyethylene terephthalate (PET), cycloolefin polymer (COP), cyclic olefin copolymer (COC), polycarbonate (PC), triacetyl cellulose (TAC), and polyacetylene. Methyl methacrylate (PMMA) and the like. The thickness of the substrate 12 is, for example, in the range of 25 to 200 μm.

(ハードコート層)
第1ハードコート層13aは、擦り傷を防止するという目的や、層間の界面に低分子重合体(オリゴマー)が析出して白く濁ってみえることを防ぐという目的のために設けられる層である。第1ハードコート層13aとしては、例えばアクリル樹脂などが用いられる。なお図1および図2に示すように、第1ハードコート層13aと同一の材料から構成された第2ハードコート層13bが、基材12の他方の面12bにさらに設けられていてもよい。ハードコート層13a,13bの厚みは、例えば0.1〜10μmの範囲内となっている。
(Hard coat layer)
The first hard coat layer 13a is a layer provided for the purpose of preventing scratches and the purpose of preventing a low-molecular polymer (oligomer) from depositing at the interface between the layers and appearing cloudy white. As the first hard coat layer 13a, for example, an acrylic resin or the like is used. As shown in FIGS. 1 and 2, a second hard coat layer 13b made of the same material as the first hard coat layer 13a may be further provided on the other surface 12b of the base material 12. The thickness of the hard coat layers 13a and 13b is, for example, in the range of 0.1 to 10 μm.

(インデックスマッチング層)
第1インデックスマッチング層14aは、積層体10における光の透過率や反射率を調整するという目的のために、基材12と第1透明導電層16aとの間に設けられる層である。本実施の形態では、第1インデックスマッチング層14aは、基材12を構成する材料よりも高い屈折率を有する材料から構成される第1高屈折率層を含んでいる。また、本実施の形態の第1インデックスマッチング層14aは、第1高屈折率層と第1透明導電層16aとの間に、基材12を構成する材料よりも低い屈折率を有する材料から構成される第1低屈折率層を含んでいる。
(Index matching layer)
The first index matching layer 14a is a layer provided between the base material 12 and the first transparent conductive layer 16a for the purpose of adjusting the light transmittance and the reflectance of the laminated body 10. In the present embodiment, the first index matching layer 14a includes a first high-refractive-index layer made of a material having a higher refractive index than the material forming the base material 12. Further, the first index matching layer 14a of the present embodiment is formed of a material having a lower refractive index than the material forming the base material 12, between the first high refractive index layer and the first transparent conductive layer 16a. A first low-refractive-index layer.

第1低屈折率層を構成する材料としては、例えば酸化珪素やフッ化マグネシウムが用いられる。第1高屈折率層を構成する材料としては、例えば酸化ニオブやジルコニウムが用いられる。第1高屈折率層および第1低屈折率層の厚みは、所望の透過率や反射率が達成されるよう、用いられる材料に応じて適宜設定される。   As a material for forming the first low refractive index layer, for example, silicon oxide or magnesium fluoride is used. As a material constituting the first high refractive index layer, for example, niobium oxide or zirconium is used. The thicknesses of the first high-refractive index layer and the first low-refractive index layer are appropriately set according to the materials used so that desired transmittance and reflectance are achieved.

なお本実施の形態においては、上述の第1インデックスマッチング層14aが積層体10に含まれている例について説明するが、しかしながら、第1インデックスマッチング層14aは必ずしも設けられていなくてもよい。同様に、ハードコート層13a,13bも、必要に応じて任意に設けられる層である。従って、基材12の一方の側の面12aや第1ハードコート層13aの一方の側の面に直接的に接するよう第1透明導電層16aが設けられることもある。さらに、基材12やハードコート層13a,13b、第1インデックスマッチング層14aが、酸素等を含むいわゆるアウトガスを発生させる材料で構成される場合には、アウトガスによって第1透明導電層16aのITOの結晶化が阻害されることを防止するために、基材12、ハードコート層13a,13bないし第1インデックスマッチング層14aの一方の側の面にアウトガスを遮断するバリア層が設けられてもよい。バリア層を構成する材料としては、例えばシリカが用いられる。   In the present embodiment, an example in which the above-described first index matching layer 14a is included in the stacked body 10 will be described. However, the first index matching layer 14a may not necessarily be provided. Similarly, the hard coat layers 13a and 13b are also provided as needed. Therefore, the first transparent conductive layer 16a may be provided so as to directly contact the surface 12a on one side of the base material 12 or the surface on one side of the first hard coat layer 13a. Further, when the base material 12, the hard coat layers 13a and 13b, and the first index matching layer 14a are made of a material that generates a so-called outgas including oxygen and the like, the outgassing of the ITO of the first transparent conductive layer 16a is performed. In order to prevent crystallization from being hindered, a barrier layer that blocks outgas may be provided on one surface of the base material 12, the hard coat layers 13a and 13b, or the first index matching layer 14a. As a material forming the barrier layer, for example, silica is used.

(透明導電層)
第1透明導電層16aを構成する材料としては、導電性を有しながら透光性を示す材料が用いられ、本実施の形態では、インジウム錫酸化物(ITO)が用いられる。ここでITOとは、89〜99重量%のインジウムと、1〜11重量%の錫と、0.5重量%以下のその他の添加元素または不可避の不純物と、を含む金属酸化物を意味している。第1透明導電層16aの厚みは、例えば18〜50nmの範囲内となっている。
(Transparent conductive layer)
As a material forming the first transparent conductive layer 16a, a material having a light-transmitting property while having conductivity is used. In the present embodiment, indium tin oxide (ITO) is used. Here, ITO means a metal oxide containing 89 to 99% by weight of indium, 1 to 11% by weight of tin, and 0.5% by weight or less of other additive elements or unavoidable impurities. I have. The thickness of the first transparent conductive layer 16a is, for example, in the range of 18 to 50 nm.

ところで一般に、ITOからなる透明導電層は、その厚みを大きくすることなくそのシート抵抗が低くなるように形成されることが期待されている。この点に関して、本件発明者らが鋭意研究を重ねた結果、透明導電層の成膜条件や、透明導電層が形成される支持体の構成等によって、透明導電層のシート抵抗が異なることを見出した。原因について調べるべく、ITOからなる第1透明導電層16aの結晶構造を調べた結果、後述する実施例において示されるように、第1透明導電層16aのITO結晶の所定の結晶面の比率が十分に高ければ、第1透明導電層16aのシート抵抗が十分に低くなる、ということを見出した。   In general, it is expected that a transparent conductive layer made of ITO is formed so that its sheet resistance is reduced without increasing its thickness. In this regard, the present inventors have conducted intensive studies and found that the sheet resistance of the transparent conductive layer differs depending on the film forming conditions of the transparent conductive layer, the configuration of the support on which the transparent conductive layer is formed, and the like. Was. As a result of examining the crystal structure of the first transparent conductive layer 16a made of ITO in order to investigate the cause, as shown in an example described later, the ratio of the predetermined crystal plane of the ITO crystal of the first transparent conductive layer 16a was sufficient. Higher, the sheet resistance of the first transparent conductive layer 16a is sufficiently low.

具体的には、ITOの結晶構造は、図8に示すようなビックスバイト(Bixbyte)構造であり、積層体10の一方の側の面にX線を入射させることによって発生する回折ピークの測定をIn−Plane測定で実施すると、第1透明導電層16aのITO結晶の(222)面や(400)面、(440)面等に基づく回折ピークが表れる。ここで、In−Plane測定とは、積層体10の第1透明導電層16aの表面すれすれにX線を入射させ、この際に生じるX線の回折を観察することによって、第1透明導電層16aのITO結晶の結晶面を測定する方法である。この方法においては、第1透明導電層16aの法線方向に平行に広がる結晶面の方位が測定される。In−Plane測定によれば、従来一般に用いられてきたθ/2θ測定に比べて、基材12や第1ハードコート層13a、第1インデックスマッチング層14aに起因する信号を抑制することができるので、第1透明導電層16aの表面の結晶情報を感度良く測定することができる。   Specifically, the crystal structure of ITO is a Bixbyte structure as shown in FIG. 8, and the measurement of a diffraction peak generated by making X-rays incident on one surface of the laminate 10 is performed. When the measurement is performed by the in-plane measurement, diffraction peaks based on the (222) plane, the (400) plane, the (440) plane, and the like of the ITO crystal of the first transparent conductive layer 16a appear. Here, the In-Plane measurement means that X-rays are incident on a very small surface of the first transparent conductive layer 16a of the laminate 10 and the diffraction of the X-rays generated at this time is observed, whereby the first transparent conductive layer 16a is measured. This method measures the crystal plane of the ITO crystal. In this method, the orientation of the crystal plane extending parallel to the normal direction of the first transparent conductive layer 16a is measured. According to the In-Plane measurement, signals caused by the base material 12, the first hard coat layer 13a, and the first index matching layer 14a can be suppressed as compared with the θ / 2θ measurement generally used in the related art. The crystal information on the surface of the first transparent conductive layer 16a can be measured with high sensitivity.

そして、本件発明者らの研究の成果によれば、上述のIn−Plane測定を実施することにより得られた第1透明導電層16aのITO結晶の(222)面に基づく回折ピークの高さをPITO(222)とし、第1透明導電層16aのITO結晶の(400)面に基づく回折ピークの高さをPITO(400)とするとき、PITO(222)/PITO(400)が十分に高ければ第1透明導電層16aのシート抵抗が十分に低くなる。
そして、PITO(222)/PITO(400)が3.6以上であれば、第1透明導電層16aのシート抵抗は、タッチパネル用導電性パターン基材としての実用上十分な程度に低くなる、具体的には140Ω/□以下になる、ということが見出された。
According to the results of the research by the present inventors, the height of the diffraction peak based on the (222) plane of the ITO crystal of the first transparent conductive layer 16a obtained by performing the above-described In-Plane measurement is determined. When P ITO (222) and the height of the diffraction peak based on the (400) plane of the ITO crystal of the first transparent conductive layer 16a is P ITO (400) , P ITO (222) / P ITO (400) becomes If it is sufficiently high, the sheet resistance of the first transparent conductive layer 16a will be sufficiently low.
When P ITO (222) / P ITO (400) is 3.6 or more, the sheet resistance of the first transparent conductive layer 16a is sufficiently low for practical use as a conductive pattern base material for a touch panel. Specifically, it was found that the resistance was 140Ω / □ or less.

なお、第1透明導電層16aのITO結晶の(222)面に基づく回折ピークの高さPITO(222)が高くなるようにITO結晶の配向性を制御する方法としては、特に限定されないが、本件発明者らが試行錯誤を重ねた結果、次のような方法が採用され得ることが知見された。すなわち、後述する実施例によって支持されるように、支持体11の一方の側の表面11aにおける表面自由エネルギーを十分に高めることで、当該表面11aに形成される第1透明導電層16aのITO結晶の配向性を、PITO(222)/PITO(400)が十分に高くなるように制御し得る、というものである。具体的には、当該表面11aにおける表面自由エネルギーを60mJ/m以上とすることで、PITO(222)/PITO(400)が3.6以上、より好ましくは3.8以上、さらに好ましくは4.4以上となるように、ITOの結晶の配向性を制御し得る。 The method for controlling the orientation of the ITO crystal such that the height P ITO (222) of the diffraction peak based on the (222) plane of the ITO crystal of the first transparent conductive layer 16a is not particularly limited, As a result of repeated trial and error by the present inventors, it has been found that the following method can be adopted. That is, as is supported by the embodiment described later, the surface free energy on the surface 11a on one side of the support 11 is sufficiently increased, so that the ITO crystal of the first transparent conductive layer 16a formed on the surface 11a is formed. Can be controlled so that P ITO (222) / P ITO (400) becomes sufficiently high. Specifically, by setting the surface free energy on the surface 11a to 60 mJ / m 2 or more, P ITO (222) / P ITO (400) becomes 3.6 or more, more preferably 3.8 or more, and still more preferably. Can control the orientation of the ITO crystal so that is not less than 4.4.

支持体11の表面における表面自由エネルギーを高める方法としては、特には限定されないが、例えば、支持体11の表面にプラズマ処理を施したり、支持体11の最表層をポリシロキサンを含む材料で構成する、という方法が採用され得る。ここで、支持体11の表面にプラズマ処理を施したり、支持体11の最表層をポリシロキサンを含む材料で構成することによって当該表面における表面自由エネルギーを高めることが可能な理由については、特に限定されないが、例えば、次のような理由が考えられる。すなわち、支持体11の表面にプラズマ処理が施されることにより、支持体11中のOH基が支持体11の表面に露出されることとなる。また、支持体11の最表層がポリシロキサンを含む材料で構成されることにより、支持体11の表面にOH基が存在することとなる。そして、支持体11の表面におけるOH基の存在が当該表面における表面自由エネルギーを高めることに寄与する、というものである。   The method for increasing the surface free energy on the surface of the support 11 is not particularly limited. For example, the surface of the support 11 is subjected to plasma treatment, or the outermost layer of the support 11 is made of a material containing polysiloxane. May be adopted. Here, the reason why the surface free energy on the surface of the support 11 can be increased by subjecting the surface of the support 11 to plasma treatment or forming the outermost layer of the support 11 from a material containing polysiloxane is particularly limited. However, for example, the following reasons can be considered. That is, by performing the plasma treatment on the surface of the support 11, the OH groups in the support 11 are exposed on the surface of the support 11. Further, since the outermost layer of the support 11 is made of a material containing polysiloxane, OH groups exist on the surface of the support 11. Then, the presence of OH groups on the surface of the support 11 contributes to increasing the surface free energy on the surface.

なお、支持体11の表面における表面自由エネルギーについては、支持体11の表面における水接触角、ジヨードメタン接触角、およびエチレングリコール接触角等を用いて調べることが可能である。   In addition, the surface free energy on the surface of the support 11 can be checked using a water contact angle, a diiodomethane contact angle, an ethylene glycol contact angle, and the like on the surface of the support 11.

その他、第1透明導電層16aを構成するために用いられる材料なども、第1透明導電層16aのITO結晶の配向性に影響を及ぼすものと考えられる。   In addition, it is considered that the material used for forming the first transparent conductive layer 16a also affects the orientation of the ITO crystal of the first transparent conductive layer 16a.

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用および効果について説明する。ここでは、はじめに、上述の支持体11を製造する方法および支持体11を用いて積層体10を製造する方法について説明する。次に、積層体10を加工することにより得られるタッチパネル用導電性パターン基材の製造方法について説明する。   Next, the operation and effect of the present embodiment having such a configuration will be described. Here, first, a method of manufacturing the above-described support 11 and a method of manufacturing the laminated body 10 using the support 11 will be described. Next, a method for manufacturing a conductive pattern base material for a touch panel obtained by processing the laminate 10 will be described.

支持体の製造方法
はじめに、図5Aに示すように、基材12を用意する。次に、図5Bに示すように、アクリル樹脂を含む塗工液を、コーターを用いて基材12の両側に塗工する。これによって、基材12の両側にハードコート層13a,13bが形成される。次に、有機樹脂および有機樹脂内に分散された高屈折率材料の粒子、例えばジルコニウムの粒子を含む塗工液を、コーターを用いて第1ハードコート層13a上に塗工する。これによって、第1ハードコート層13a上に第1高屈折率層が形成される。その後、有機樹脂および有機樹脂内に分散された低屈折率材料の粒子、例えば酸化珪素の粒子を含む塗布液を、コーターを用いて第1高屈折率層上に塗工する。これによって、第1高屈折率層上に第1低屈折率層が形成される。このようにして、第1ハードコート層13a上に第1インデックスマッチング層14aが形成され、図2に示す支持体11を得ることができる。
Method of Manufacturing Support First, as shown in FIG. 5A, a base material 12 is prepared. Next, as shown in FIG. 5B, a coating solution containing an acrylic resin is applied to both sides of the base material 12 using a coater. Thereby, the hard coat layers 13a and 13b are formed on both sides of the base material 12. Next, a coating liquid containing particles of an organic resin and a high refractive index material dispersed in the organic resin, for example, particles of zirconium, is applied onto the first hard coat layer 13a using a coater. Thereby, a first high refractive index layer is formed on the first hard coat layer 13a. Thereafter, a coating solution containing particles of an organic resin and a low refractive index material dispersed in the organic resin, for example, particles of silicon oxide, is applied onto the first high refractive index layer using a coater. Thereby, the first low refractive index layer is formed on the first high refractive index layer. Thus, the first index matching layer 14a is formed on the first hard coat layer 13a, and the support 11 shown in FIG. 2 can be obtained.

積層体の製造方法
次に、本実施の形態では、第1透明導電層16aが形成される支持体11の一方の表面11aの表面自由エネルギーを高めるため、第1インデックスマッチング層14a上にプラズマ処理を施す。続いて、スパッタリング法などの真空成膜法を用いて、第1インデックスマッチング層14a上に第1透明導電層16aを形成する。本実施の形態では、酸化スズと酸化インジウムスズとの重量比が7:937.5:92.56.5:93.5の範囲内)のターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、第1透明導電層16aを形成する。その後、第1透明導電層16a中のITOの結晶化をさらに進行させるため、第1透明導電層16aに対してアニール処理を施してもよい。このようにして、図1に示す積層体10を得ることができる。
Method for producing a laminate Next, in this embodiment, to increase the surface free energy of the one surface 11a of the support 11 the first transparent conductive layer 16a is formed, plasma treatment on the first index matching layer 14a Is applied. Subsequently, the first transparent conductive layer 16a is formed on the first index matching layer 14a by using a vacuum film forming method such as a sputtering method. In this embodiment mode, sputtering is performed using a target with a weight ratio of tin oxide to indium tin oxide of 7:93 (within a range of 7.5: 92.5 to 6.5: 93.5 ). The first transparent conductive layer 16a is formed. Thereafter, in order to further promote the crystallization of ITO in the first transparent conductive layer 16a, the first transparent conductive layer 16a may be subjected to an annealing treatment. Thus, the laminate 10 shown in FIG. 1 can be obtained.

タッチパネル用導電性パターン基材の製造方法
次に、積層体10の用途の一例として、積層体10を加工することにより得られるタッチパネル用導電性パターン基材について説明する。タッチパネル用導電性パターン基材60は、液晶表示パネルや有機EL表示パネルなどの表示パネルの観察者側に設けられ、人体などの被検出体の接触位置を検出するための透明導電パターンなどを含むセンサである。タッチパネル用導電性パターン基材60としては、被検出体からの圧力に基づいてタッチ箇所を検出する抵抗膜方式のタッチパネルセンサや、人体などの被検出体からの静電気に基づいてタッチ箇所を検出する静電容量方式のタッチパネルセンサなど様々なタイプのものが知られているが、ここでは、積層体10をパターニングすることによって静電容量方式のタッチパネルセンサとしてのタッチパネル用導電性パターン基材60を形成する例について、図6および図7を参照して説明する。図6は、タッチパネル用導電性パターン基材60を示す平面図であり、図7は、図6に示すタッチパネル用導電性パターン基材60の線VII−VIIに沿った断面図である。なお図6および図7においては、図4に示す基材12の一方の側および他方の側に配置されたインデックスマッチング層14a,14bを含む支持体11を用いて作製された積層体10であって、図3に示すように支持体11の一方の側および他方の側に配置された透明導電層16a,16bを含む積層体10を用いることにより、タッチパネルセンサ60が作製されている。
Method for Manufacturing Conductive Pattern Substrate for Touch Panel Next, as an example of the use of the laminate 10, a conductive pattern substrate for a touch panel obtained by processing the laminate 10 will be described. The conductive pattern base material 60 for a touch panel is provided on a viewer side of a display panel such as a liquid crystal display panel or an organic EL display panel, and includes a transparent conductive pattern and the like for detecting a contact position of a detection target such as a human body. It is a sensor. As the conductive pattern base material 60 for the touch panel, a touch panel sensor of a resistive film type that detects a touch location based on pressure from a detection target, or a touch location is detected based on static electricity from a detection target such as a human body. Various types such as a capacitive touch panel sensor are known, but here, a conductive pattern base material 60 for a touch panel as a capacitive touch panel sensor is formed by patterning the laminate 10. An example will be described with reference to FIGS. 6 is a plan view showing the conductive pattern base material 60 for a touch panel, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the conductive pattern base material 60 for a touch panel shown in FIG. 6 along line VII-VII. 6 and 7 show the laminate 10 manufactured using the support 11 including the index matching layers 14a and 14b arranged on one side and the other side of the base material 12 shown in FIG. As shown in FIG. 3, the touch panel sensor 60 is manufactured by using the laminate 10 including the transparent conductive layers 16a and 16b disposed on one side and the other side of the support 11.

図6に示すように、タッチパネル用導電性パターン基材60は、指などの外部導体の接近に起因する静電容量の変化を検出するための透明導電パターン62a,62bを備えている。透明導電パターン62a,62bは、基材12の一方の側に配置され、図6の横方向に延びる第1透明導電パターン62aと、基材12の他方の側に配置され、図6の縦方向に延びる第2透明導電パターン62bと、からなっている。なお図6において、下側に設けられた第2透明導電パターン62bが点線で表されている。図7に示すように、各透明導電パターン62a,62bは、積層体10の透明導電層16a,16bをパターニングすることにより得られるものである。透明導電層16a,16bをパターニングする方法としては、例えばフォトリソグラフィー法が用いられる。   As shown in FIG. 6, the conductive pattern base material for a touch panel 60 includes transparent conductive patterns 62a and 62b for detecting a change in capacitance caused by the approach of an external conductor such as a finger. The transparent conductive patterns 62a and 62b are arranged on one side of the base material 12, and are arranged on the other side of the base material 12 with the first transparent conductive pattern 62a extending in the horizontal direction of FIG. And a second transparent conductive pattern 62b extending to In FIG. 6, the second transparent conductive pattern 62b provided on the lower side is represented by a dotted line. As shown in FIG. 7, the transparent conductive patterns 62a and 62b are obtained by patterning the transparent conductive layers 16a and 16b of the laminate 10. As a method of patterning the transparent conductive layers 16a and 16b, for example, a photolithography method is used.

また図6に示すように、タッチパネル用導電性パターン基材60は、各透明導電パターン62a,62bに接続された取出パターン64a,64bと、各取出パターン64a,64bに接続され、各透明導電パターン62a,62bからの信号を外部へ取り出すための端子部65a,65bと、をさらに有していてもよい。これら取出パターン64a,64bおよび端子部65a,65bは、タッチパネル用導電性パターン基材60のうち表示パネルからの映像光が通過しない領域、いわゆる額縁領域に配置されている。このため、取出パターン64a,64bおよび端子部65a,65bを構成する材料が透明性を有する必要はない。従って、取出パターン64a,64bおよび端子部65a,65bは一般に、透明導電パターン62a,62bを構成する透明導電性材料よりも高い電気伝導率を有する金属材料から構成される。   As shown in FIG. 6, the conductive pattern base material for a touch panel 60 includes extraction patterns 64a and 64b connected to the transparent conductive patterns 62a and 62b, and extraction patterns 64a and 64b connected to the extraction patterns 64a and 64b. Terminal portions 65a and 65b for taking out signals from 62a and 62b to the outside may be further provided. The extraction patterns 64a and 64b and the terminal portions 65a and 65b are arranged in a region where the image light from the display panel does not pass through in the conductive pattern base material 60 for a touch panel, that is, a frame region. Therefore, it is not necessary that the material forming the extraction patterns 64a and 64b and the terminal portions 65a and 65b has transparency. Therefore, the extraction patterns 64a and 64b and the terminal portions 65a and 65b are generally made of a metal material having higher electric conductivity than the transparent conductive material forming the transparent conductive patterns 62a and 62b.

このような取出パターン64a,64bおよび端子部65a,65bを形成する方法が特に限られることはなく、フォトリソグラフィー法や印刷法が適宜用いられる。例えば、はじめに積層体10の透明導電層16上に金属材料層(図示せず)を形成し、次に、フォトリソグラフィー法を用いて金属材料層および透明導電層16a,16bを順次または同時にエッチングすることにより、取出パターン64a,64bおよび端子部65a,65bと透明導電パターン62a,62bとが形成されてもよい。この場合、図7に示すように、取出パターン64a,64bとインデックスマッチング層14a,14bとの間に透明導電パターン62a,62bが介在されていてもよい。これによって、透明導電パターン62a,62bからの信号を取り出す際の電気抵抗をより小さくすることができる。なお、表示パネルからの映像光が通過する領域にある透明導電パターン62a,62b上に残っている金属材料層を取り除くためのエッチングにおいては、エッチング液として、金属材料層のみを選択的に溶解させるエッチング液が用いられる。   The method for forming such extraction patterns 64a and 64b and the terminal portions 65a and 65b is not particularly limited, and a photolithography method or a printing method is appropriately used. For example, first, a metal material layer (not shown) is formed on the transparent conductive layer 16 of the laminated body 10, and then the metal material layer and the transparent conductive layers 16a and 16b are sequentially or simultaneously etched by using a photolithography method. Thus, the extraction patterns 64a and 64b, the terminal portions 65a and 65b, and the transparent conductive patterns 62a and 62b may be formed. In this case, as shown in FIG. 7, transparent conductive patterns 62a and 62b may be interposed between the extraction patterns 64a and 64b and the index matching layers 14a and 14b. Thereby, the electric resistance when extracting signals from the transparent conductive patterns 62a and 62b can be further reduced. In the etching for removing the metal material layer remaining on the transparent conductive patterns 62a and 62b in the area where the image light from the display panel passes, only the metal material layer is selectively dissolved as an etchant. An etchant is used.

本実施の形態によれば、タッチパネル用導電性パターン基材60は、積層体10の一方の側の面にX線を入射させることによって発生する回折ピークの測定をIn−Plane測定で実施した場合の、透明導電層16a,16bのITO結晶の(222)面に基づく回折ピークの高さをPITO(222)とし、透明導電層16a,16bのITO結晶の(400)面に基づく回折ピークの高さをPITO(400)とするとき、PITO(222)/PITO(400)が3.6以上であるという積層体10を加工することにより作製されている。これにより、シート抵抗が十分に低い、具体的には、140Ω/□以下、より好ましくは130Ω/□以下の、透明導電パターン62a,62bを有するタッチパネル用導電性パターン基材60を得ることが可能である。 According to the present embodiment, in the case where the conductive pattern base material 60 for a touch panel is subjected to In-Plane measurement of a diffraction peak generated when X-rays are incident on one surface of the laminate 10. The height of the diffraction peak based on the (222) plane of the ITO crystal of the transparent conductive layers 16a and 16b is defined as P ITO (222), and the height of the diffraction peak based on the (400) plane of the ITO crystal of the transparent conductive layers 16a and 16b is When the height is set to P ITO (400) , it is manufactured by processing the laminate 10 in which P ITO (222) / P ITO (400) is 3.6 or more. Thereby, it is possible to obtain the conductive pattern base material 60 for the touch panel having the transparent conductive patterns 62a and 62b having a sufficiently low sheet resistance, specifically, 140Ω / □ or less, more preferably 130Ω / □ or less. It is.

次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。   Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to the description of the following examples unless it exceeds the gist.

様々な作成条件下において、積層体のサンプル1〜7を作製した。以下では、まず、積層体のサンプル1〜7を作製するために用意された支持体のサンプル1〜7について説明し、次に、各支持体を用いて作製された積層体のサンプル1〜7について説明する。   Laminate samples 1 to 7 were produced under various production conditions. Hereinafter, first, samples 1 to 7 of the support prepared for manufacturing samples 1 to 7 of the laminate will be described, and then samples 1 to 7 of the laminate prepared using each support will be described. Will be described.

(支持体)
基材12と、基材12の一方の側に順に設けられた第1ハードコート層13aおよび第1インデックスマッチング層14aと、を備えた支持体11のサンプル1〜
を作製した。第1インデックスマッチング層14aは、第1ハードコート層13a上に形成された第1高屈折率層と、第1高屈折率層上に形成された第1低屈折率層と、から構成された。各支持体11の最表層となる第1低屈折率層は、第1高屈折率層上に、以下の材料を含む塗工液を塗工することにより形成された。塗工液の塗工は、ミカサ社製スピンコーターを用いて行われた。
[サンプル1]アルコキシ金属系材料((株)日板研究所製:セラミカG-90 A, B)
[サンプル2]シリコーン系材料(信越化学(株)製:KS-3601 / CAT-PL-56)
[サンプル3]シラザン系材料(AZ ELECTRONIC MATERIALS製:NL-120A-20)
[サンプル4]有機−無機ハイブリット系材料(JSR(株)製:グラスカHPC7506A)
[サンプル5]シロキサン系材料(コルコート(株)製:コルコートN-103X)
[サンプル6]シロキサン系材料(コルコート(株)製:コルコートPX)
[サンプル7]シロキサン系材料(コルコート(株)製:コルコートSS-C1)
(Support)
Samples 1 to 11 of the support 11 including a base material 12 and a first hard coat layer 13a and a first index matching layer 14a provided in order on one side of the base material 12
Was prepared. The first index matching layer 14a includes a first high refractive index layer formed on the first hard coat layer 13a, and a first low refractive index layer formed on the first high refractive index layer. . The first low refractive index layer as the outermost layer of each support 11 was formed by applying a coating liquid containing the following materials on the first high refractive index layer. The application of the coating liquid was performed using a spin coater manufactured by Mikasa Corporation.
[Sample 1] Alkoxy metal-based material (Ceramica G-90 A, B, manufactured by Nippon Research Institute)
[Sample 2] Silicone material (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .: KS-3601 / CAT-PL-56)
[Sample 3] Silazane-based material (AZ-ELECTRONIC MATERIALS: NL-120A-20)
[Sample 4] Organic-inorganic hybrid material (Glaska HPC7506A, manufactured by JSR Corporation)
[Sample 5] Siloxane-based material (Colcoat N-103X, manufactured by Colcoat)
[Sample 6] Siloxane-based material (Colcoat PX: Colcoat PX)
[Sample 7] Siloxane-based material (Colcoat Co., Ltd .: Colcoat SS-C1)

〔評価1 支持体の表面自由エネルギー〕
続いて、このようにして得られた各支持体11の第1低屈折率層の表面11aにおける水接触角、ジヨードメタン接触角、および、エチレングリコール接触角を測定し、当該表面11aにおける表面自由エネルギーを測定した。各接触角の測定条件および表面自由エネルギーの測定・解析条件を、以下に示す。
<接触角の測定条件>
測定装置:共和界面科学株式会社製接触角計
水、ジヨードメタン及びエチレングリコールの滴下量:1.0マイクロリットル
<表面自由エネルギーの測定・解析条件>
表面自由エネルギーの測定解析に使用されたソフトウェア:KYOWA interFAce Measurement and Analysis System(FAMAS)
表面自由エネルギー理論名:Owens-Wendt
[Evaluation 1 Surface Free Energy of Support]
Subsequently, a water contact angle, a diiodomethane contact angle, and an ethylene glycol contact angle on the surface 11a of the first low refractive index layer of each support 11 thus obtained were measured, and the surface free energy on the surface 11a was measured. Was measured. The measurement conditions for each contact angle and the conditions for measuring and analyzing the surface free energy are shown below.
<Measurement conditions of contact angle>
Measuring device: Contact angle meter manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd. Drop amount of water, diiodomethane and ethylene glycol: 1.0 microliter <Measurement and analysis conditions of surface free energy>
Software used for measurement and analysis of surface free energy: KYOWA interFAce Measurement and Analysis System (FAMAS)
Surface free energy theory: Owens-Wendt

このようにして測定された各支持体11の表面11aにおける表面自由エネルギーは、以下の通りであった。
<表面自由エネルギー>
[サンプル1]62.1mJ/m
[サンプル2]25.3mJ/m
[サンプル3]19.3mJ/m
[サンプル4]26.2mJ/m
[サンプル5]63.2mJ/m
[サンプル6]62.0mJ/m
[サンプル7]66.0mJ/m
The surface free energy of the surface 11a of each support 11 measured as described above was as follows.
<Surface free energy>
[Sample 1] 62.1 mJ / m 2
[Sample 2] 25.3 mJ / m 2
[Sample 3] 19.3 mJ / m 2
[Sample 4] 26.2 mJ / m 2
[Sample 5] 63.2 mJ / m 2
[Sample 6] 62.0 mJ / m 2
[Sample 7] 66.0 mJ / m 2

(積層体)
続いて、各支持体11の表面11a上にスパッタリング法によって第1透明導電層16aを形成し、積層体10のサンプル1〜7を形成した。各積層体10の第1透明導電層16aの厚さは、30nm程度であった。各積層体10の第1透明導電層16aの形成に用いられたターゲット中の酸化スズと酸化インジウムスズとの重量比は、以下の通りであった。
<重量比(酸化スズ:酸化インジウムスズ)>
[サンプル1]5:95
[サンプル2]7:93
[サンプル3]10:90
[サンプル4]7:93
[サンプル5]7:93
[サンプル6]7:93
[サンプル7]7:93
(Laminate)
Subsequently, the first transparent conductive layer 16a was formed on the surface 11a of each support 11 by a sputtering method, and samples 1 to 7 of the laminate 10 were formed. The thickness of the first transparent conductive layer 16a of each laminate 10 was about 30 nm. The weight ratio of tin oxide to indium tin oxide in the target used for forming the first transparent conductive layer 16a of each laminate 10 was as follows.
<Weight ratio (tin oxide: indium tin oxide)>
[Sample 1] 5:95
[Sample 2] 7:93
[Sample 3] 10:90
[Sample 4] 7:93
[Sample 5] 7:93
[Sample 6] 7:93
[Sample 7] 7:93

〔評価2 透明導電層のシート抵抗〕
このようにして得られた各積層体10の第1透明導電層16aのシート抵抗の測定を行った。シート抵抗の測定条件を、以下に示す。
<測定条件>
測定装置:三菱化学(株)製ロレスター
測定方法:4端子法
[Evaluation 2 Sheet resistance of transparent conductive layer]
The sheet resistance of the first transparent conductive layer 16a of each of the laminates 10 thus obtained was measured. The conditions for measuring the sheet resistance are shown below.
<Measurement conditions>
Measuring device: Lorester manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation Measuring method: 4-terminal method

このようにして測定された各積層体10の第1透明導電層16aのシート抵抗は、以下の通りであった。
<測定結果>
[サンプル1]159Ω/□
[サンプル2]140Ω/□
[サンプル3]169Ω/□
[サンプル4]140Ω/□
[サンプル5]125Ω/□
[サンプル6]128Ω/□
[サンプル7]129Ω/□
The sheet resistance of the first transparent conductive layer 16a of each laminate 10 measured as described above was as follows.
<Measurement results>
[Sample 1] 159Ω / □
[Sample 2] 140Ω / □
[Sample 3] 169Ω / □
[Sample 4] 140Ω / □
[Sample 5] 125Ω / □
[Sample 6] 128Ω / □
[Sample 7] 129Ω / □

〔評価3 回折ピーク〕
その後、各積層体10の一方の側の面にX線を入射させ、第1透明導電層16aに含まれるITO結晶の回折ピークを測定した。測定は、厚みが30nm程度の透明導電層についても精度よくITO結晶の回折ピークが得られるよう、以下の条件で行われた。
測定装置:リガク製SmartLab
測定方法:In−Plane測定
X線:管電圧45kV、管電流200mA
測定範囲:10°〜70°
スキャン軸:2θχ/φ
入射角ω:0.43°
固定角2θ:0.43°
[Evaluation 3 Diffraction peak]
Thereafter, X-rays were incident on one surface of each of the laminates 10, and the diffraction peak of the ITO crystal contained in the first transparent conductive layer 16a was measured. The measurement was performed under the following conditions so that a diffraction peak of the ITO crystal could be obtained with high accuracy even for a transparent conductive layer having a thickness of about 30 nm.
Measuring device: Rigaku SmartLab
Measurement method: In-Plane measurement X-ray: tube voltage 45 kV, tube current 200 mA
Measurement range: 10 ° to 70 °
Scan axis: 2θχ / φ
Incident angle ω: 0.43 °
Fixed angle 2θ: 0.43 °

図9に、積層体のサンプル5において得られた回折ピークを示す。図9において、縦軸は、検出された回折X線の強度(cps:count per sec.)を表しており、横軸は、固定角2θを表している。   FIG. 9 shows a diffraction peak obtained in the sample 5 of the laminate. In FIG. 9, the vertical axis represents the detected intensity of the diffracted X-ray (cps: count per sec.), And the horizontal axis represents the fixed angle 2θ.

図9において、2θ=30.5°近傍の回折ピークは、ITO結晶の(222)面に基づく回折ピークである。2θ=35°近傍の回折ピークは、ITO結晶の(400)面に基づく回折ピークである。   In FIG. 9, the diffraction peak near 2θ = 30.5 ° is a diffraction peak based on the (222) plane of the ITO crystal. The diffraction peak near 2θ = 35 ° is a diffraction peak based on the (400) plane of the ITO crystal.

このようにして測定された各積層体10の第1透明導電層16aの、PITO(222)/PITO(400)は、以下の通りであった。
[サンプル1]2.8
[サンプル2]3.0
[サンプル3]2.9
[サンプル4]3.3
[サンプル5]4.4
[サンプル6]3.8
[サンプル7]3.6
P ITO (222) / P ITO (400) of the first transparent conductive layer 16a of each laminate 10 measured as described above was as follows.
[Sample 1] 2.8
[Sample 2] 3.0
[Sample 3] 2.9
[Sample 4] 3.3
[Sample 5] 4.4
[Sample 6] 3.8
[Sample 7] 3.6

図10に、各積層体10の第1透明導電層16aにおけるPITO(222)/PITO(400)とシート抵抗との関係を示す。図10において、縦軸は、PITO(222)/PITO(400)を表しており、横軸は、第1透明導電層16aのシート抵抗(Ω/□)を表している。図10から分かるように、PITO(222)/PITO(400)が十分に高ければ、透明導電層のシート抵抗が十分に低くなることが分かる。そして、PITO(222)/PITO(400)が3.6以上の場合、当該表面に形成される透明導電層のシート抵抗は、実用上十分な程度に低減された。すなわち、140Ω/□以下、より具体的には130Ω/□以下に低減された。また、PITO(222)/PITO(400)がより高い場合、例えば3.8以上の場合、より好ましくは4.4以上の場合、当該表面に形成される透明導電層のシート抵抗がさらに低減された。 FIG. 10 shows the relationship between P ITO (222) / P ITO (400) in the first transparent conductive layer 16a of each laminate 10 and the sheet resistance. In FIG. 10, the vertical axis represents P ITO (222) / P ITO (400) , and the horizontal axis represents the sheet resistance (Ω / □) of the first transparent conductive layer 16a. As can be seen from FIG. 10, if P ITO (222) / P ITO (400) is sufficiently high, the sheet resistance of the transparent conductive layer is sufficiently low. When P ITO (222) / P ITO (400) was 3.6 or more, the sheet resistance of the transparent conductive layer formed on the surface was reduced to a practically sufficient level. That is, it was reduced to 140Ω / □ or less, more specifically, to 130Ω / □ or less. When P ITO (222) / P ITO (400) is higher, for example, 3.8 or more, more preferably 4.4 or more, the sheet resistance of the transparent conductive layer formed on the surface is further increased. Reduced.

また、図11に、支持体11のサンプル1〜7の表面11aにおける表面自由エネルギーと、当該表面11aに形成された第1透明導電層16aのPITO(222)/PITO(400)と、の関係を示す。図11において、縦軸は、PITO(222)/PITO(400)を表しており、横軸は、シート抵抗値を表している。図11から分かるように、支持体の表面における表面自由エネルギーが十分に高ければ、当該表面に形成される透明導電層のPITO(222)/PITO(400)が十分に高くなることが分かる。
そして、表面自由エネギーが60mJ/m以上の場合、PITO(222)/PITO(400)が3.6以上になった。
FIG. 11 shows the surface free energy of the surface 11a of each of the samples 1 to 7 of the support 11, the P ITO (222) / P ITO (400) of the first transparent conductive layer 16a formed on the surface 11a, Shows the relationship. In FIG. 11, the vertical axis represents P ITO (222) / P ITO (400) , and the horizontal axis represents sheet resistance. As can be seen from FIG. 11, if the surface free energy on the surface of the support is sufficiently high, P ITO (222) / P ITO (400) of the transparent conductive layer formed on the surface is sufficiently high. .
When the surface free energy was 60 mJ / m 2 or more, P ITO (222) / P ITO (400) became 3.6 or more.

10 積層体
11 支持体
12 基材
13 ハードコート層
14 インデックスマッチング層
16 透明導電層
60 タッチパネルセンサ
62 透明導電パターン
64 取出パターン
65 端子部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Laminated body 11 Support body 12 Substrate 13 Hard coat layer 14 Index matching layer 16 Transparent conductive layer 60 Touch panel sensor 62 Transparent conductive pattern 64 Extraction pattern 65 Terminal part

Claims (4)

ITOからなる透明導電層を含む積層体であって、当該積層体の一方の側の面にX線を入射させることによって発生する回折ピークの測定をIn−Plane測定で実施した場合の、前記透明導電層のITO結晶の(222)面に基づく回折ピークの高さをPITO(222)とし、当該透明導電層のITO結晶の(400)面に基づく回折ピークの高さをPITO(400)とするとき、PITO(222)/PITO(400)が3.6以上である積層体の製造方法であって、
一方の側の面の表面自由エネルギーが60mJ/m以上である支持体を用意する工程と、
前記支持体の前記一方の側の面に前記透明導電層を形成することで前記P ITO(222) /P ITO(400) を3.6以上とする工程と、
を備えた、積層体の製造方法。
A laminate including a transparent conductive layer made of ITO, wherein the measurement of a diffraction peak generated by irradiating an X-ray to one surface of the laminate is performed by an In-Plane measurement. The height of the diffraction peak based on the (222) plane of the ITO crystal of the conductive layer is defined as P ITO (222), and the height of the diffraction peak based on the (400) plane of the ITO crystal of the transparent conductive layer is defined as P ITO (400). Wherein P ITO (222) / P ITO (400) is 3.6 or more,
Providing a support having a surface free energy on one side of 60 mJ / m 2 or more;
Forming the transparent conductive layer on the one side surface of the support to make the P ITO (222) / P ITO (400) 3.6 or more ;
A method for producing a laminate, comprising:
前記透明導電層を形成する工程において、酸化スズと酸化インジウムスズとの重量比が7:93であるターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより前記透明導電層を形成する、請求項に記載の積層体の製造方法。 The lamination according to claim 1 , wherein in the step of forming the transparent conductive layer, the transparent conductive layer is formed by performing sputtering using a target having a weight ratio of tin oxide to indium tin oxide of 7:93. How to make the body. 前記支持体は、1または複数の層を含んでおり、
当該支持体の前記透明導電層と接する層が、ポリシロキサンを含んでいる、請求項またはに記載の積層体の製造方法。
The support includes one or more layers,
The contact with the transparent conductive layer a layer of the support, contains a polysiloxane, method for producing a laminate according to claim 1 or 2.
前記支持体を用意する工程は、
前記支持体の前記一方の側の面に、当該一方の側の面の表面自由エネルギーが60mJ/m以上となるようにプラズマ処理を施す工程を有している、請求項またはに記載の積層体の製造方法。
The step of preparing the support,
Wherein the surface of said one side of the support, the surface free energy of the surface of the one side has a step of performing a plasma treatment so that 60 mJ / m 2 or more, according to claim 1 or 2 A method for manufacturing a laminate.
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