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Description
本発明は、半導体ウェハ搬送容器の中に半導体ウェハを上下に積層して収納する際、半導体ウェハ同士が接触しないように半導体ウェハ間に介装されるセパレータに関するものであり、より詳細には、両面に回路が形成された半導体ウェハを搬送する場合においても回路の非接触状態を確保でき、それにより、半導体ウェハの汚染や損傷等を回避でき、且つ、半導体ウェハの収納・取出しを容易とするセパレータに関する。 The present invention relates to a separator interposed between semiconductor wafers so that semiconductor wafers do not come into contact with each other when semiconductor wafers are vertically stacked and housed in a semiconductor wafer transport container, and more specifically, Even when a semiconductor wafer having circuits formed on both sides is transported, a non-contact state of the circuits can be ensured, thereby preventing contamination and damage of the semiconductor wafer and facilitating storage and removal of the semiconductor wafer. Regarding the separator.
半導体ウェハの搬送には、コインスタック式（横置き）搬送容器と縦置き容器の２種類が一般的に使用されている。
これまでの搬送形態であるコインスタック式（横置き）搬送容器では、容器内の最上段と最下段にクッション材等を設け、そのクッション間に半導体ウェハと層間紙（合成樹脂製シートまたは無塵紙等）とを交互に介在させ、輸送中の振動・衝撃等による半導体ウェハの損傷を抑制していた（例えば、特許文献１参照。）。
しかし、イメージセンサー表面のカバーガラスや3DS-IC 構造を持つウェハ表面はマイクロバンプ(微小な金属突起)の形成やTSV 端子の露出等で非常に繊細な構造を有していることから、搬送時においても層間紙等が直接触れることが出来なくなる。そして、その層間紙等がウェハ表面と直接接触してしまうと、汚染や損傷等のリスクが付き纏うという問題があった。
For transporting semiconductor wafers, two types of coin stack type (horizontal) transport container and vertical container are generally used.
In the conventional stacking type of coin stack type (horizontal) transport container, a cushion material or the like is provided at the top and bottom of the container, and a semiconductor wafer and interlayer paper (synthetic resin sheet or dust-free paper) are provided between the cushions. And the like) are alternately interposed to suppress damage to the semiconductor wafer due to vibration, impact, and the like during transportation (for example, see Patent Document 1).
However, since the cover glass on the image sensor surface and the wafer surface with the 3DS-IC structure have a very delicate structure due to the formation of micro bumps (fine metal projections) and the exposure of TSV terminals, etc. In this case, the interlayer paper cannot be directly touched. Then, if the interlayer paper or the like comes into direct contact with the wafer surface, there is a problem that there is a risk of contamination and damage.
上記の問題を解決すべく、非接触式のセパレータが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。また、縦置き容器においては、半導体ウェハの回路形成面は非接触状態を確保出来るものの、バックグラインド後の薄ウェハの状態では、容器フタを閉めた時、半導体ウェハに掛かる負荷が発生すると同時に、容器の振動等により半導体ウェハが破損する危険性が高まってしまうという問題が生じる。 In order to solve the above problem, a non-contact type separator has been proposed (for example, see Patent Document 2). In a vertical container, the circuit forming surface of the semiconductor wafer can maintain a non-contact state, but in the state of a thin wafer after back grinding, when the container lid is closed, a load applied to the semiconductor wafer occurs, There is a problem that the risk of damage to the semiconductor wafer due to vibration of the container or the like increases.
特許文献２に記載のセパレータは、その上面には半導体ウェハに形成された回路との非接触状態を維持し得る凸部が外周縁部に形成されているものの、その下面にはそのような凸部が形成されていない、略Ｌ字型となる断面形状を有するものであるため（例えば、特許文献２の図１参照。）、片面のみに回路が形成された半導体ウェハにおける汚染や損傷等を抑制することができても、両面に回路が形成された半導体ウェハにおける汚染や損傷等を抑制し得るような形状とはなっていなかった。そのため、このセパレータは、TSV 端子を持つウェハのように回路が両面に形成されたウェハに用いた場合においては、汚染や損傷等を十分に抑制することは困難であると考えられた。
In the separator described in
本発明は、上記の問題を解決し得るセパレータ、即ち、両面に回路が形成された半導体ウェハを搬送する場合においても回路の非接触状態を確保でき、それにより、半導体ウェハの汚染や損傷等を回避できるセパレータであって、更に、半導体ウェハの収納・取出しを容易とするセパレータを提供することを課題とする。 The present invention can solve the above-described problem, that is, a non-contact state of a circuit can be ensured even when transporting a semiconductor wafer having a circuit formed on both sides, thereby preventing contamination and damage of the semiconductor wafer. It is another object of the present invention to provide a separator that can be avoided and further facilitates storage and removal of a semiconductor wafer.
本発明者等は、上記の課題を解決するために鋭意検討した結果、半導体ウェハ搬送容器の中に半導体ウェハを上下に積層して収納する際、半導体ウェハ同士が接触しないように半導体ウェハ間に介装されるセパレータとして、
断面が略Ｔ字型をなす板状の円環体からなり、その外周縁部に、上側で半導体ウェハと接触する上側接触面及び下側で半導体ウェハと接触する下側接触面をそれぞれ有し、更に、これら接触面より内側に、前記略Ｔ字型断面の脚部に対応する取出し部を上下両側にそれぞれ形成してなり、そして、半導体ウェハの収納の際、該ウェハの表面と該取出し部の表面との間に非接触の空間が上下両側それぞれに形成されるセパレータを使用すると、両面に回路が形成された半導体ウェハを搬送する場合においても回路の非接触状態を確保でき、それにより、半導体ウェハの汚染や損傷等を回避できること、及び、略Ｔ字型断面の脚部の上下両側に形成された取出し部が吸着パッドの吸着面となり、それにより、自動化移載装置によるセパレータの収納・取出しが容易となることを見出し、本発明を完成させた。
The present inventors have conducted intensive studies to solve the above problems, and as a result, when semiconductor wafers are stacked one on top of the other in a semiconductor wafer transport container, the semiconductor wafers are placed between the semiconductor wafers so as not to contact each other. As an interposed separator,
The cross-section is formed of a plate-shaped toroid having a substantially T-shape, and has, on its outer peripheral edge, an upper contact surface that contacts the semiconductor wafer on the upper side and a lower contact surface that contacts the semiconductor wafer on the lower side. Further, on the inner side of these contact surfaces, take-out portions corresponding to the legs of the substantially T-shaped cross section are formed on both upper and lower sides, respectively, and when the semiconductor wafer is stored, the surface of the wafer and the take-out are removed. By using a separator in which a non-contact space is formed between the upper and lower sides of the part, the non-contact state of the circuit can be ensured even when a semiconductor wafer having a circuit formed on both sides is transported. In addition, the semiconductor wafer can be prevented from being contaminated or damaged, and the take-out portions formed on the upper and lower sides of the legs having a substantially T-shaped cross section serve as the suction surfaces of the suction pads. And unloading found that it is facilitated, thereby completing the present invention.
従って、本発明は、
［１］半導体ウェハ搬送容器の中に半導体ウェハを上下に積層して収納する際、半導体ウェハ同士が接触しないように半導体ウェハ間に介装されるセパレータであって、
該セパレータは、断面が略Ｔ字型をなす板状の円環体からなり、その外周縁部に、上側で半導体ウェハと接触する上側接触面及び下側で半導体ウェハと接触する下側接触面をそれぞれ有し、更に、これら接触面より内側に、前記略Ｔ字型断面の脚部に対応する取出し部を上下両側にそれぞれ形成してなり、そして、半導体ウェハの収納の際、セパレータは上
側接触面と下側接触面のみで半導体ウェハと接触し、該ウェハの表面と該取出し部の表面との間に非接触の空間が上下両側それぞれに、該ウェハについて前記外周縁部以外の全領域にわたって形成されることを特徴とする、半導体ウェハ搬送容器用のセパレータ、
［２］前記外周縁部の適所に、セパレータ内部と外部とを連通する通気孔又は通気凹部を形成してなる前記［１］記載のセパレータ、
［３］半導体ウェハ搬送容器の本体と、前記［１］又は［２］に記載のセパレータとを含む、半導体ウェハの収納容器
に関する。
Therefore, the present invention
[1] A separator interposed between semiconductor wafers so that the semiconductor wafers do not come into contact with each other when semiconductor wafers are vertically stacked and stored in a semiconductor wafer transport container,
The separator is formed of a plate-shaped annular body having a substantially T-shaped cross section, and has, on its outer peripheral edge, an upper contact surface that contacts the semiconductor wafer on the upper side and a lower contact surface that contacts the semiconductor wafer on the lower side. have respective further inward from these contact surfaces, it forms each extraction portion corresponding to the leg portions of the substantially T-shaped cross section on both upper and lower sides, and, when the housing of the semiconductor wafer, the separator above
In contact with the semiconductor wafer by only the side contact surface and the lower contact surface, the non-contact space upper and lower sides between the wafer surface and said mounting out of the surface, for the wafer other than the outer peripheral edge all Characterized by being formed over an area , a separator for a semiconductor wafer transport container,
[2] The separator according to [1], wherein a ventilation hole or a ventilation recess communicating between the inside and the outside of the separator is formed at an appropriate position on the outer peripheral edge.
[3] A storage container for semiconductor wafers including a main body of a semiconductor wafer transfer container and the separator according to [1] or [2].
本発明により、両面に回路が形成された半導体ウェハを搬送する場合においても回路の非接触状態を確保でき、それにより、半導体ウェハの汚染や損傷等を回避でき、且つ、半導体ウェハの収納・取出しを容易とするセパレータが提供される。
本発明のセパレータを用いることで、半導体ウェハ搬送容器内における半導体ウェハの動きが抑制され、且つ半導体ウェハに形成された回路の接触による汚染や損傷等を回避することが出来た。
本発明のセパレータは、ウェハの回路形成面との接触が厳禁となるイメージセンサー表面のカバーガラスや3DS-IC 構造を持つウェハを搬送するのに非常に有用なセパレータとなる。
According to the present invention, even when a semiconductor wafer having a circuit formed on both sides is transported, a non-contact state of the circuit can be ensured, whereby contamination and damage of the semiconductor wafer can be avoided, and storage / removal of the semiconductor wafer can be prevented. Is provided.
By using the separator of the present invention, the movement of the semiconductor wafer in the semiconductor wafer transport container was suppressed, and contamination, damage, and the like due to contact of the circuit formed on the semiconductor wafer could be avoided.
INDUSTRIAL APPLICABILITY The separator of the present invention is a very useful separator for transporting a cover glass on a surface of an image sensor or a wafer having a 3DS-IC structure where contact with a circuit forming surface of a wafer is strictly prohibited.
本発明は、半導体ウェハ搬送容器の中に半導体ウェハを上下に積層して収納する際、半導体ウェハ同士が接触しないように半導体ウェハ間に介装されるセパレータであって、
該セパレータは、断面が略Ｔ字型をなす板状の円環体からなり、その外周縁部に、上側で半導体ウェハと接触する上側接触面及び下側で半導体ウェハと接触する下側接触面をそれぞれ有し、更に、これら接触面より内側に、前記略Ｔ字型断面の脚部に対応する取出し部を上下両側にそれぞれ形成してなり、そして、半導体ウェハの収納の際、該ウェハの表面と該取出し部の表面との間に非接触の空間が上下両側それぞれに形成されることを特徴とする、半導体ウェハ搬送容器用のセパレータに関する。
The present invention is a separator interposed between semiconductor wafers so that the semiconductor wafers do not come into contact with each other when the semiconductor wafers are stacked one on top of the other in a semiconductor wafer transport container,
The separator is formed of a plate-shaped annular body having a substantially T-shaped cross section, and has, on its outer peripheral edge, an upper contact surface that contacts the semiconductor wafer on the upper side and a lower contact surface that contacts the semiconductor wafer on the lower side. In addition, on the inner side of these contact surfaces, take-out portions corresponding to the legs of the substantially T-shaped cross section are formed on the upper and lower sides, respectively, and when the semiconductor wafer is stored, The present invention relates to a separator for a semiconductor wafer transfer container, wherein a non-contact space is formed on each of the upper and lower sides between the surface and the surface of the take-out portion.
本発明のセパレータは、合成樹脂を射出成形・真空成形・圧空成形などで形成することにより製造することができる。
上記の合成樹脂としては、ポリプロピレン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ABS 系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアセタール系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、ポリエーテルニトリル系樹脂、ポリフェニレンサルファイド系樹脂、ポリフタルアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリサルフォン系樹脂、ポリエーテルサルフォン系樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、液晶ポリマー系樹脂及びポリエーテルエーテルケトン系樹脂等が挙げられ、ポリプロピレン系樹脂及びポリカーボネート系樹脂等が好ましい。
The separator of the present invention can be manufactured by forming a synthetic resin by injection molding, vacuum molding, air pressure molding, or the like.
The above synthetic resins include polypropylene resin, polystyrene resin, ABS resin, polycarbonate resin, polyacetal resin, polyphenylene ether resin, polyether nitrile resin, polyphenylene sulfide resin, polyphthalamide resin, and polyphthalamide resin. Examples thereof include an allylate resin, a polysulfone resin, a polyethersulfone resin, a polyetherimide resin, a liquid crystal polymer resin, and a polyetheretherketone resin, and a polypropylene resin and a polycarbonate resin are preferable.
また、上記の合成樹脂に、導電性フィラーを含有させたり、或いは成形後のセパレータ表面に導電処理を施すことにより、該セパレータの表面抵抗値を１０1乃至１０12Ωとすることもできる。
上記の導電性フィラーとしては、カーボンブラック、グラファイトカーボン、グラファイト、炭素繊維、金属粉末、金属繊維、金属酸化物の粉末、金属コートした無機質微粉末、有機質微粉末及び繊維等が挙げられる。
上記の導電処理としては、成形後のセパレータ表面で直接導電性ポリマーを重合させて導電性の膜を形成したり、或いは導電性ポリマーとバインダー樹脂を含んだ塗料をセパレータ表面にコーティングすること等が挙げられる。
表面抵抗値が１０1乃至１０12Ωとなる合成樹脂から形成されたセパレータが好ましい。
In addition, the surface resistance of the separator can be set to 10 1 to 10 12 Ω by adding a conductive filler to the synthetic resin or performing a conductive treatment on the surface of the separator after molding.
Examples of the conductive filler include carbon black, graphite carbon, graphite, carbon fiber, metal powder, metal fiber, metal oxide powder, metal-coated inorganic fine powder, organic fine powder, and fiber.
Examples of the conductive treatment include forming a conductive film by polymerizing a conductive polymer directly on the separator surface after molding, or coating the separator surface with a paint containing the conductive polymer and a binder resin. No.
A separator formed of a synthetic resin having a surface resistance of 10 1 to 10 12 Ω is preferred.
本発明のセパレータは、断面が略Ｔ字型をなす板状の円環体からなり、その外周縁部に、上側で半導体ウェハと接触する上側接触面及び下側で半導体ウェハと接触する下側接触面をそれぞれ有する。
本発明のセパレータの直径は、実質的に半導体ウェハの直径と同一であり、そのため、本発明のセパレータの外周縁部に設けられる上側接触面は、上側の半導体ウェハの下面の周縁部とのみ接触し、そして、下側接触面は、下側の半導体ウェハの上面の周縁部とのみ接触する。
結果として、積層される半導体ウェハは、その上面における周縁部以外の領域において非接触状態が維持され且つその下面における周縁部以外の領域において非接触状態が維持されることになる。
これにより、両面に回路が形成された半導体ウェハにおいても回路の非接触状態を確保できる。
The separator of the present invention is formed of a plate-shaped annular body having a substantially T-shaped cross section, and has an outer peripheral edge having an upper contact surface that contacts the semiconductor wafer on the upper side and a lower contact surface that contacts the semiconductor wafer on the lower side. Each has a contact surface.
The diameter of the separator of the present invention is substantially the same as the diameter of the semiconductor wafer, so that the upper contact surface provided on the outer peripheral edge of the separator of the present invention contacts only the peripheral edge of the lower surface of the upper semiconductor wafer. Then, the lower contact surface contacts only the peripheral edge of the upper surface of the lower semiconductor wafer.
As a result, the semiconductor wafer to be laminated is kept in a non-contact state in a region other than the peripheral portion on the upper surface, and is kept in a non-contact state in a region other than the peripheral portion on the lower surface.
As a result, a non-contact state of the circuit can be ensured even in a semiconductor wafer having circuits formed on both sides.
また、本発明のセパレータは、該セパレータの接触面より内側に、略Ｔ字型断面の脚部に対応する取出し部を上下両側にそれぞれ形成する。
本発明のセパレータにおける略Ｔ字型断面の脚部の厚さは、外周縁部の厚さよりも薄くなるため、上側の取出し部及び下側の取出し部は、何れも半導体ウェハと接触せず、結果として、半導体ウェハの表面と取出し部の表面との間に非接触の空間が上下両側それぞれに形成されることとなる。
本発明のセパレータにおける取出し部は、吸着パッドの吸着面となり、それにより、自動化移載装置によるセパレータの収納・取出しが容易となる。
In the separator of the present invention, the take-out portions corresponding to the legs having a substantially T-shaped cross section are formed on the upper and lower sides, respectively, inside the contact surface of the separator.
The thickness of the legs of the substantially T-shaped cross section in the separator of the present invention is thinner than the thickness of the outer peripheral edge, so the upper take-out portion and the lower take-out portion do not contact any semiconductor wafer, As a result, non-contact spaces are formed on the upper and lower sides between the surface of the semiconductor wafer and the surface of the take-out portion.
The take-out part in the separator of the present invention serves as a suction surface of a suction pad, thereby facilitating storage and removal of the separator by the automated transfer device.
本発明のセパレータの実施の態様を、図面を用いて説明する。
図１の（Ａ）及び（Ｂ）に示されるように、本発明のセパレータ１は、板状の円環体であり、外周縁部２及び脚部を３有する。図１の（Ｃ）で示されるように、本発明のセパレータをａ−ａで切断した際の断面は、略Ｔ字型であり、その外周縁部２は、その上側に上側接触面４及び下側に下側接触面５を有し、略Ｔ字型断面の脚部３には、取出し部（上側）６及び取出し部（下側）７が形成されている。
An embodiment of the separator of the present invention will be described with reference to the drawings.
As shown in FIGS. 1A and 1B, a
上側接触面４と下側接触面５との間の垂直距離ｂは、１．５ｍｍ乃至５ｍｍの範囲であり、１．５ｍｍ乃至３ｍｍの範囲が好ましい。
上側接触面４及び下側接触面５の幅ｃは、１ｍｍ乃至３ｍｍの範囲であり、１．５ｍｍ乃至２．５ｍｍの範囲が好ましい。
脚部３の幅（取出し部の幅）ｆは、７ｍｍ乃至１１ｍｍの範囲であり、８ｍｍ乃至１０ｍｍの範囲が好ましい。
脚部３の厚さｇは、外周縁部の厚さよりも薄く、１ｍｍ乃至３ｍｍの範囲であり、１ｍｍ乃至２ｍｍの範囲が好ましい。
上側接触面４と取出し部（上側）６との間の垂直距離ｄは、下側接触面５と取出し部（下側）７との間の垂直距離ｅと同じであり、０．２５ｍｍ乃至２ｍｍの範囲であり、０．２５ｍｍ乃至１ｍｍの範囲が好ましい。
The vertical distance b between the
The width c of the
The width f of the leg 3 (width of the take-out portion) is in the range of 7 mm to 11 mm, preferably in the range of 8 mm to 10 mm.
The thickness g of the
The vertical distance d between the
図２は、本発明のセパレータを用いて半導体ウェハを積層した状態を示す。
半導体ウェハ８は、その上面において、本発明のセパレータの外周縁部２に存在する下側接触面５と周縁部のみで接触し、その下面において、本発明のセパレータの外周縁部２に存在する上側接触面４と周縁部のみで接触するため、積層される半導体ウェハ８は、その上面における周縁部以外の領域において非接触状態が維持され且つその下面における周縁部以外の領域において非接触状態が維持されることになる。
結果として、本発明のセパレータを用いて積層された半導体ウェハは、両面に回路が形成された場合においても、該両面に形成された回路の非接触状態を確保でき、それにより、半導体ウェハの汚染や損傷等を回避できる。
また、この際、略Ｔ字型断面の脚部３に形成されている取出し部（上側）６及び取出し部（下側）７も非接触状態が維持される。
FIG. 2 shows a state in which semiconductor wafers are stacked using the separator of the present invention.
The
As a result, the semiconductor wafer laminated using the separator of the present invention can maintain the non-contact state of the circuit formed on both surfaces even when the circuit is formed on both surfaces, thereby contaminating the semiconductor wafer. And damage can be avoided.
Also, at this time, the take-out portion (upper side) 6 and the take-out portion (lower side) 7 formed on the
図３に、本発明のセパレータの別の態様を示した。
該態様におけるセパレータ１０おいて、外周縁部２の適所に、セパレータ内部と外部とを連通する通気孔又は通気凹部９が形成されているが、それ以外の構成は、図１に示されたセパレータ１と同様である。
通気孔又は通気凹部９は、半導体ウェハ間の空間が密閉され、それにより、脚部３に形成されている取出し部を利用する、自動化移載装置によるセパレータの取出しが困難となる場合を回避する、すなわち、セパレータと半導体ウェハとが貼り付いてしまい、セパレータのみ、或いは半導体ウェハのみの取出しが困難となる場合を回避するために設けるものである。
通気孔又は通気凹部９は、通常、セパレータの外周縁部２に存在する上側接触面及び下側接触面の数箇所に形成された、幅２ｍｍ乃至４ｍｍ、高さ０．２５ｍｍ乃至２ｍｍの凹部として存在する。
上側接触面及び下側接触面に形成される通気孔又は通気凹部９の数は、それぞれ３箇所以上、合計で６箇所以上であり、好ましくは、３乃至１０箇所、合計で６乃至２０箇所、より好ましくは、４乃至８箇所、合計で８乃至１６箇所である。
通気孔又は通気凹部９は、等間隔で形成するのが好ましく、また、上側接触面に形成さ
れる複数の通気孔又は通気凹部９と下側接触面に形成される複数の通気孔又は通気凹部９の位置は、セパレータ１０に対して同じ位置となるように形成することもできるが、図３で示されるようにセパレータ１０に対して互い違いの位置となるように形成するのが好ましい。
尚、図３に示されるセパレータ１０の態様における、各種寸法、即ち、上側接触面と下側接触面との間の垂直距離、上側接触面及び下側接触面の幅、脚部の幅（取出し部の幅）、脚部の厚さ、上側接触面と取出し部（上側）との間の垂直距離及び下側接触面と取出し部（下側）との間の垂直距離に関する数値範囲及び好ましい数値範囲は、図１に示されるセパレータ１で示された値と同様の値を採用することができる。
FIG. 3 shows another embodiment of the separator of the present invention.
In the
The ventilation hole or
The ventilation hole or
The number of ventilation holes or
The ventilation holes or
In the embodiment of the
本発明はまた、半導体ウェハ搬送容器の本体と、上述のセパレータとを含む、半導体ウェハの収納容器にも関する。
本発明の半導体ウェハの収納容器の１態様を図４に示した。
図４に示されるように、本発明の半導体ウェハの収納容器は、例えば、半導体ウェハ搬送容器（蓋）１１及び半導体ウェハ搬送容器（本体）１２との間に、半導体ウェハ８が、該半導体ウェハ８の間に介装されたセパレータ１０と共に上下に積層される。
上記積層された半導体ウェハの上下端部にクッション材を配置することもできる。
The present invention also relates to a container for storing semiconductor wafers, including a main body of a semiconductor wafer transport container and the above-described separator.
FIG. 4 shows an embodiment of the semiconductor wafer container of the present invention.
As shown in FIG. 4, the semiconductor wafer storage container of the present invention includes, for example, a
Cushion materials may be arranged at the upper and lower ends of the stacked semiconductor wafers.
次に、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
実施例１
ポリカーボネート樹脂 (帝人化成（株）製パンライトL-1225L)を用いて、断面が略Ｔ字型をなす板状の円環体であると共に、以下の寸法を有するセパレータを一体成形により製造した。
直径：２００ｍｍ（半導体ウェハの直径と同一）
上側接触面と下側接触面との間の垂直距離：２ｍｍ
上側接触面及び下側接触面の幅：２ｍｍ
脚部の幅（取出し部の幅）：９ｍｍ
脚部の厚さ：１ｍｍ
上側接触面と取出し部（上側）との間の垂直距離及び下側接触面と取出し部（下側）との間の垂直距離：０．５ｍｍ
通気孔又は通気凹部：上側接触面に６箇所（等間隔）及び下側接触面に６箇所（等間隔）の計１２箇所、上側接触面に形成された通気孔又は通気凹部と下側接触面に形成された通気孔又は通気凹部は、それぞれ互い違いとなるように配置し、通気孔又は通気凹部の１箇所当たりの大きさは、幅３ｍｍ、高さ０．５ｍｍの凹部とした。
Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to the examples.
Example 1
Using a polycarbonate resin (Panlite L-1225L manufactured by Teijin Chemicals Limited), a separator having the following dimensions, which is a plate-shaped annular body having a substantially T-shaped cross section, was produced by integral molding.
Diameter: 200mm (same as semiconductor wafer diameter)
Vertical distance between upper contact surface and lower contact surface: 2 mm
Width of upper contact surface and lower contact surface: 2 mm
Leg width (width of the take-out part): 9 mm
Leg thickness: 1mm
Vertical distance between upper contact surface and take-out part (upper side) and vertical distance between lower contact surface and take-out part (lower side): 0.5 mm
Ventilation holes or ventilation recesses: A total of 12 locations, 6 locations (equal spacing) on the upper contact surface and 6 locations (equal spacing) on the lower contact surface, and a ventilation hole or ventilation recess formed on the upper contact surface and the lower contact surface Are arranged so as to be alternated, and the size of each of the ventilation holes or the ventilation recesses is 3 mm in width and 0.5 mm in height.
試験例１
コインスタック式(横置き)搬送容器（ＨＷＳ）に、表裏両面に回路が形成された半導体ウェハ（直径：２００ｍｍ、厚み：７２５μｍ及び１００μｍ）を、実施例１で製造したセパレータを該半導体ウェハ間に介装して上下に積層して収納し、落下試験を行った。なお、セパレータと半導体ウェハとが収納された搬送容器内において、実施例１におけるセパレータの上側接触面および下側接触面と、接触する半導体ウェハの部分には回路は形成されていないものである。
比較として、コインスタック式(横置き)搬送容器（ＨＷＳ）に半導体ウェハ（直径：２００ｍｍ、厚み：７２５μｍ及び１００μｍ）を、従来の層間紙を該半導体ウェハ間に介装して上下に積層して収納したもの（比較例１）、特許文献２に記載のような断面が略Ｌ字型をなす板状の円環体からなるセパレータを該半導体ウェハ間に介装して上下に積層して収納したもの（比較例２）、縦置き搬送容器（ＶＷＳ）に半導体ウェハ（直径：２００ｍｍ、厚み：７２５μｍ及び１００μｍ）を収納したもの（比較例３）において同様の試
験を行った。
Test example 1
A semiconductor wafer (diameter: 200 mm, thickness: 725 μm and 100 μm) on which a circuit is formed on both sides is placed in a coin stack (horizontal) transfer container (HWS), and the separator manufactured in Example 1 is interposed between the semiconductor wafers. A drop test was performed with the sheets interposed and stacked vertically. Note that, in the transport container in which the separator and the semiconductor wafer are stored, no circuit is formed on the portion of the semiconductor wafer that contacts the upper contact surface and the lower contact surface of the separator in the first embodiment.
As a comparison, a semiconductor wafer (diameter: 200 mm, thickness: 725 μm and 100 μm) is vertically stacked with a conventional interlayer paper interposed between the semiconductor wafers in a coin-stack (horizontal) transfer container (HWS). A stored product (Comparative Example 1), a separator made of a plate-shaped annular body having a substantially L-shaped cross section as described in
落下試験は、ＩＳＯ ２２４８に準拠し、段ボール箱及び緩衝材で包装した包装貨物を落下試験機（DTS-100 型,神栄テクノロジー（株）製）を用いて、１００ｃｍ及び１２０ｃｍの落下高さより自由落下（落下方向：１角、３稜、６面）させ、内容物である半導体ウェハ（直径：２００ｍｍ、厚み：７２５μｍ及び１００μｍ）の状態を目視で観察した。
なお、ここでいう半導体ウェハの状態とは、
i）半導体ウェハの破損（半導体ウェハの「割れや欠け」）有無、
ii）半導体ウェハ（表裏両面の回路形成部）と、
断面が略Ｔ字型をなす板状の円環体からなるセパレータ(実施例１)、
または層間紙(比較例１)、または断面が略Ｌ字型をなす板状の円環体からなるセパレータ（比較例２）とが接触した場合、その接触によるキズ（半導体ウェハの表面上における「スリキズや打痕」）付着の有無、
iii）半導体ウェハ（表裏両面の回路形成部）の表面に、異物（セパレータに含有される物質の一部、または層間紙に含有される物質の一部）付着の有無
について、それぞれ目視で観察したものである。
７２５μｍ厚の半導体ウェハを用いた結果を表１に纏め、１００μｍ厚の半導体ウェハを用いた結果を表２に纏めた。
尚、表中、ＨＷＳは、コインスタック式(横置き)搬送容器を示し、ＶＷＳは、縦置き搬送容器を示す。
半導体ウェハの破損（半導体ウェハの「割れや欠け」）有無であり、半導体ウェハの破損無しは○、半導体ウェハの破損有りは×とした。
※ii）キズ付着とは、
半導体ウェハ（表裏両面の回路形成部）と、
断面が略Ｔ字型をなす板状の円環体からなるセパレータ(実施例１)、
または層間紙(比較例１) 、または断面が略Ｌ字型をなす板状の円環体からなるセパレータ（比較例２）とが接触した場合、その接触によるキズ（半導体ウェハの表面上における「スリキズや打痕」）付着の有無であり、
キズ付着無しは○、キズ付着有りは×とした。
※iii）異物付着とは、
半導体ウェハ（表裏両面の回路形成部）の表面に、異物（セパレータに含有される物質の一部、または層間紙に含有される物質の一部）付着の有無であり、
異物付着無しは○、該異物付着有りは×とした。
半導体ウェハの破損（半導体ウェハの「割れや欠け」）有無であり、半導体ウェハの破損無しは○、半導体ウェハの破損有りは×とした。
※ii）キズ付着とは、
半導体ウェハ（表裏両面の回路形成部）と、
断面が略Ｔ字型をなす板状の円環体からなるセパレータ(実施例１)、
または層間紙(比較例１) 、または断面が略Ｌ字型をなす板状の円環体からなるセパレータ（比較例２）とが接触した場合、その接触によるキズ（半導体ウェハの表面上における「スリキズや打痕」）付着の有無であり、
キズ付着無しは○、キズ付着有りは×とした。
※iii）異物付着とは、
半導体ウェハ（表裏両面の回路形成部）の表面に、異物（セパレータに含有される物質の一部、または層間紙に含有される物質の一部）付着の有無であり、
異物付着無しは○、該異物付着有りは×とした。
The drop test is based on ISO 2248, and the packaged cargo packed in a cardboard box and cushioning material is dropped freely from a drop height of 100 cm and 120 cm using a drop tester (DTS-100, manufactured by Shinei Technology Co., Ltd.). (Fall direction: one corner, three ridges, six faces), and the state of the content of the semiconductor wafer (diameter: 200 mm, thickness: 725 μm and 100 μm) was visually observed.
Here, the state of the semiconductor wafer referred to here is
i) Whether the semiconductor wafer has been damaged (“crack or chip”),
ii) semiconductor wafers (circuit formation parts on both front and back sides)
A separator made of a plate-shaped toroid having a substantially T-shaped cross section (Example 1),
Or, when contact is made with an interlayer paper (Comparative Example 1) or a separator (Comparative Example 2) made of a plate-shaped annular body having a substantially L-shaped cross section, the scratches caused by the contact (“ Scratch or dent ")
iii) The presence or absence of foreign matter (part of the substance contained in the separator or part of the substance contained in the interlayer paper) was visually observed on the surface of the semiconductor wafer (the circuit forming portions on both front and back sides). Things.
The results using a 725 μm thick semiconductor wafer are summarized in Table 1, and the results using a 100 μm thick semiconductor wafer are summarized in Table 2.
In the table, HWS indicates a coin-stacked (horizontal) transport container, and VWS indicates a vertical transport container.
The presence or absence of damage to the semiconductor wafer ("crack or chipping" of the semiconductor wafer) was evaluated.
* Ii) What is scratching?
Semiconductor wafers (circuit formation parts on both sides),
A separator made of a plate-shaped toroid having a substantially T-shaped cross section (Example 1),
Or, when the sheet comes into contact with an interlayer paper (Comparative Example 1) or a plate-shaped annular body having a substantially L-shaped cross section (Comparative Example 2), the contact causes a flaw (“a” on the surface of the semiconductor wafer). Scratch and dents ")
無 し indicates no flaws are attached, and X indicates flaws are attached.
* Iii) What is foreign matter adhesion?
The presence or absence of foreign matter (part of the substance contained in the separator or part of the substance contained in the interlayer paper) adhered to the surface of the semiconductor wafer (circuit formation part on both front and back);
無 し indicates that no foreign matter was attached, and X indicates that foreign matter was attached.
The presence or absence of damage to the semiconductor wafer ("crack or chip" of the semiconductor wafer) was evaluated.
* Ii) What is scratching?
Semiconductor wafers (circuit formation parts on both sides),
A separator made of a plate-shaped toroid having a substantially T-shaped cross section (Example 1),
Or, when the sheet comes into contact with an interlayer paper (Comparative Example 1) or a plate-shaped annular body having a substantially L-shaped cross section (Comparative Example 2), the contact causes scratches (" Scratch and dents ")
無 し indicates no flaws are attached, and X indicates flaws are attached.
* Iii) What is foreign matter adhesion?
The presence or absence of foreign matter (part of the substance contained in the separator or part of the substance contained in the interlayer paper) adhered to the surface of the semiconductor wafer (circuit formation part on both front and back);
無 し indicates that no foreign matter was attached, and X indicates that foreign matter was attached.
１：セパレータ（１態様）
２：外周縁部
３：脚部
４：上側接触面
５：下側接触面
６：取出し部（上側）
７：取出し部（下側）
８：半導体ウェハ
９：通気孔又は通気凹部
１０：セパレータ（別態様）
１１：半導体ウェハ搬送容器（蓋）
１２：半導体ウェハ搬送容器（本体）
1: Separator (one embodiment)
2: outer peripheral edge 3: leg 4: upper contact surface 5: lower contact surface 6: take-out portion (upper)
7: Take-out part (lower side)
8: Semiconductor wafer 9: Vent or recess 10: Separator (another embodiment)
11: Semiconductor wafer transfer container (lid)
12: semiconductor wafer transfer container (main body)
Claims (3)
該セパレータは、断面が略Ｔ字型をなす板状の円環体からなり、その外周縁部に、上側で半導体ウェハと接触する上側接触面及び下側で半導体ウェハと接触する下側接触面をそれぞれ有し、更に、これら接触面より内側に、前記略Ｔ字型断面の脚部に対応する取出し部を上下両側にそれぞれ形成してなり、そして、半導体ウェハの収納の際、セパレータは上側接触面と下側接触面のみで半導体ウェハと接触し、該ウェハの表面と該取出し部の表面との間に非接触の空間が上下両側それぞれに、該ウェハについて前記外周縁部以外の全領域にわたって形成されることを特徴とする、半導体ウェハ搬送容器用のセパレータ。 When the semiconductor wafers are stacked one on top of the other in the semiconductor wafer transport container, the separator is interposed between the semiconductor wafers so that the semiconductor wafers do not contact each other,
The separator is formed of a plate-shaped annular body having a substantially T-shaped cross section, and has, on its outer peripheral edge, an upper contact surface that contacts the semiconductor wafer on the upper side and a lower contact surface that contacts the semiconductor wafer on the lower side. And further, on the inner side of these contact surfaces, take-out portions corresponding to the legs of the substantially T-shaped cross section are formed on the upper and lower sides, respectively, and when storing the semiconductor wafer, the separator is placed on the upper side. Only the contact surface and the lower contact surface make contact with the semiconductor wafer, and non-contact spaces between the surface of the wafer and the surface of the take-out portion are on both the upper and lower sides , and the entire area of the wafer other than the outer peripheral edge portion A separator for a semiconductor wafer transport container, wherein the separator is formed over the entire surface.
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