JP6649840B2 - Conductor forming paste - Google Patents
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Description
本発明は、導体形成用ペーストに関する。特に積層セラミックコンデンサその他のセラミック電子部品(種々の回路素子を包含する。)に導体膜(内部電極等)を形成する用途に用いられる導体形成用ペーストに関する。 The present invention relates to a conductor forming paste. In particular, the present invention relates to a conductor forming paste used for forming a conductive film (such as an internal electrode) on a multilayer ceramic capacitor and other ceramic electronic components (including various circuit elements).
近年、電気機器の小型化・高機能化に伴い、他のコンデンサに比べて小型かつ高容量である積層セラミックコンデンサ(MLCC)等のセラミック電子部品が多用されている。例えば、積層セラミックコンデンサは、導電性金属粉末を含む内部電極層(導体膜)と誘電体層(セラミック層)とを交互に積層することによって形成されており、かかる誘電体層および/または内部電極層の多層化、薄層化が強く求められている。 2. Description of the Related Art In recent years, as electronic devices have become smaller and more sophisticated, ceramic electronic components such as multilayer ceramic capacitors (MLCC), which are smaller and have higher capacitance than other capacitors, have been widely used. For example, a multilayer ceramic capacitor is formed by alternately laminating an internal electrode layer (conductive film) containing a conductive metal powder and a dielectric layer (ceramic layer), and such a dielectric layer and / or an internal electrode is formed. There is a strong demand for multilayer and thin layers.
上記積層セラミックコンデンサは、チタン酸バリウムなどに代表されるセラミック粉末とバインダを主成分とする未焼成のセラミックグリーンシートに、導体膜(内部電極層)を形成するためにペースト状に調製された導電性材料(以下「導体形成用ペースト」という。)を付与して、これらを複数積層した後、同時焼成して一体焼結させ、最後に外部電極を形成して製造され得る。導体膜を形成するための導体形成用ペーストとしては、例えば、ニッケル粉末(導電性粉末材料)を有機ビヒクル(分散媒体)に分散したものが用いられる。また、導体形成用ペーストには、上記ニッケル粉末に加えて、チタン酸バリウム(セラミック粉末)からなる共材が添加されている。導体形成用ペーストにチタン酸バリウムを添加することで、焼成時の熱収縮(焼結)が抑制され、導体膜の連続性が向上する。この種の従来技術を開示する文献として、特許文献1〜3が挙げられる。 The above-mentioned multilayer ceramic capacitor is made of a conductive powder prepared in the form of a paste for forming a conductor film (internal electrode layer) on an unfired ceramic green sheet mainly composed of a ceramic powder typified by barium titanate or the like and a binder. A conductive material (hereinafter, referred to as "conductor forming paste") is applied, a plurality of these are laminated, then simultaneously fired and integrally sintered, and finally, an external electrode can be formed to manufacture. As the conductor forming paste for forming the conductor film, for example, a paste obtained by dispersing nickel powder (conductive powder material) in an organic vehicle (dispersion medium) is used. Further, in addition to the nickel powder, a common material made of barium titanate (ceramic powder) is added to the conductor forming paste. By adding barium titanate to the conductor forming paste, heat shrinkage (sintering) during firing is suppressed, and the continuity of the conductor film is improved. Documents that disclose this type of conventional technology include Patent Documents 1 to 3.
しかしながら、導体形成用ペーストにチタン酸バリウムを添加すると、導体膜の連続性は向上し得るものの、チタン酸バリウムと誘電体層を形成するセラミック粒子との反応が起こり、誘電体層に組成ズレが生じる。かかる組成ズレは積層セラミックコンデンサの小型化、多積層化にともない誘電体層を薄層化した場合、より顕著になる。その結果、セラミック電子部品の品質が安定しなくなり、信頼性の低下を招く要因になり得る。品質安定性の観点からは、導体形成用ペーストに配合されるチタン酸バリウムの添加量は少なくしたい。その一方で、積層セラミックコンデンサの小型化、多積層化のためには、導体膜も薄層化する必要がある。そのためには、導体形成用ペーストに配合されるニッケル粉末を微粒子化することが要求されている。しかし、小径のニッケル粒子を用いた場合に、さらに上述したチタン酸バリウムの添加量の低減を行うと、ニッケル粒子の耐熱性不足によって熱収縮が生じ、導体膜の連続性が低下してしまう。少ないチタン酸バリウム(共材)量で、良好な導体膜の連続性が実現され得る技術が求められている。 However, when barium titanate is added to the conductor-forming paste, although the continuity of the conductor film can be improved, a reaction between barium titanate and the ceramic particles forming the dielectric layer occurs, resulting in a composition shift in the dielectric layer. Occurs. Such a composition deviation becomes more remarkable when the thickness of the dielectric layer is reduced as the multilayer ceramic capacitor is miniaturized and multi-layered. As a result, the quality of the ceramic electronic component becomes unstable, which may be a factor of reducing reliability. From the viewpoint of quality stability, it is desired to reduce the amount of barium titanate added to the conductor forming paste. On the other hand, in order to reduce the size and increase the number of layers of the multilayer ceramic capacitor, it is necessary to reduce the thickness of the conductive film. For that purpose, it is required that the nickel powder to be mixed with the conductor forming paste be finely divided. However, when the above-mentioned addition amount of barium titanate is further reduced when small-diameter nickel particles are used, thermal contraction occurs due to insufficient heat resistance of the nickel particles, and continuity of the conductor film is reduced. There is a need for a technique that can achieve good continuity of a conductive film with a small amount of barium titanate (co-material).
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、少ないチタン酸バリウム(共材)量で、良好な導体膜の連続性が実現され得る導体形成用ペーストを提供することである。関連する他の目的は、上記導体形成用ペーストを用いて形成された内部電極層を備える積層セラミックコンデンサを提供することである。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and a main object of the present invention is to provide a conductor-forming paste capable of realizing good continuity of a conductor film with a small amount of barium titanate (co-material). It is to be. Another related object is to provide a multilayer ceramic capacitor including an internal electrode layer formed using the conductor forming paste.
本発明によると、導体膜の形成に用いられる導体形成用ペーストが提供される。この導体形成用ペーストは、ニッケル粒子と、チタン酸バリウム粒子と、分散媒体とを含む。前記チタン酸バリウム粒子の含有量が、前記ニッケル粒子100質量部に対して10質量部以下である。そして、X線光電子分光(XPS)による前記ニッケル粒子表面の解析において、酸化ニッケルのモル分率Aに対する水酸化ニッケルのモル分率Bの比(B/A)が、0.2≦(B/A)<1である。このように酸化ニッケルと水酸化ニッケルとを特定のモル分率比で含むニッケル粒子を用いることにより、少ないチタン酸バリウム量で、良好な導体膜の連続性が実現され得る。 According to the present invention, there is provided a conductor-forming paste used for forming a conductor film. The conductor forming paste includes nickel particles, barium titanate particles, and a dispersion medium. The content of the barium titanate particles is 10 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the nickel particles. In the analysis of the surface of the nickel particles by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), the ratio (B / A) of the molar fraction B of nickel hydroxide to the molar fraction A of nickel oxide is 0.2 ≦ (B / A). A) <1. By using nickel particles containing nickel oxide and nickel hydroxide at a specific mole fraction ratio, good continuity of the conductor film can be realized with a small amount of barium titanate.
ここに開示される導体形成用ペーストの好ましい一態様では、前記比(B/A)が、0.3≦(B/A)≦0.8である。このような酸化ニッケルと水酸化ニッケルとのモル分率比(B/A)の範囲内であると、上述した効果がより良く発揮され得る。 In a preferred embodiment of the conductor forming paste disclosed herein, the ratio (B / A) satisfies 0.3 ≦ (B / A) ≦ 0.8. When the molar fraction ratio of nickel oxide and nickel hydroxide is within the range (B / A), the above-described effects can be more effectively exerted.
ここに開示される導体形成用ペーストの好ましい一態様では、前記酸化ニッケルのモル分率Aが、前記水酸化ニッケルのモル分率Bよりも、12モル%以上大きい。このようにすれば、酸化ニッケルのモル分率Aを水酸化ニッケルのモル分率Bよりも大きくしたことによる効果(例えばニッケル粒子の耐熱性向上効果)をより適切に発揮することができる。 In a preferred embodiment of the conductor forming paste disclosed herein, the molar fraction A of the nickel oxide is greater than the molar fraction B of the nickel hydroxide by 12 mol% or more. This makes it possible to more appropriately exert the effect (for example, the effect of improving the heat resistance of the nickel particles) by making the molar fraction A of nickel oxide larger than the molar fraction B of nickel hydroxide.
ここに開示される導体形成用ペーストの好ましい一態様では、前記酸化ニッケルのモル分率Aから前記水酸化ニッケルのモル分率Bを減じた値(A−B)が、30モル%以下である。かかる構成によると、ニッケル粒子の耐熱性と分散性との両立が高いレベルで実現され得る。 In a preferred embodiment of the conductor forming paste disclosed herein, a value (AB) obtained by subtracting the molar fraction B of the nickel hydroxide from the molar fraction A of the nickel oxide is 30 mol% or less. . According to such a configuration, compatibility between the heat resistance and the dispersibility of the nickel particles can be realized at a high level.
ここに開示される導体形成用ペーストの好ましい一態様では、前記ニッケル粒子の平均粒子径が10nm〜500nmである。このような導体形成用ペーストによると、導体膜の薄層化を実現しつつ、該導体膜の連続性をより良く高めることができる。 In a preferred embodiment of the conductor forming paste disclosed herein, the nickel particles have an average particle diameter of 10 nm to 500 nm. According to such a paste for forming a conductor, the continuity of the conductor film can be further improved while realizing a thinner conductor film.
ここに開示される導体形成用ペーストの好ましい一態様では、積層セラミック電子部品における内部電極層を形成するために用いられる。積層セラミック電子部品の分野では、高容量化や高信頼性のために、より連続性の高い内部電極層(導体膜)が求められている。したがって、積層セラミック電子部品の内部電極層は、ここに開示される技術の好ましい適用対象となり得る。 In a preferred embodiment of the conductor forming paste disclosed herein, the paste is used for forming an internal electrode layer in a multilayer ceramic electronic component. In the field of multilayer ceramic electronic components, more continuous internal electrode layers (conductor films) are required for higher capacity and higher reliability. Therefore, the internal electrode layer of the multilayer ceramic electronic component can be a preferable application target of the technology disclosed herein.
この明細書によると、また、積層セラミックコンデンサが提供される。この積層セラミックコンデンサは、ここに開示されるいずれかの導体形成用ペーストの焼成体からなる内部電極層を備える。かかる構成によると、内部電極層の連続性が良好であり、かつ、品質安定性に優れた高性能な積層セラミックコンデンサを提供することができる。 According to this specification, a multilayer ceramic capacitor is also provided. This multilayer ceramic capacitor includes an internal electrode layer made of a fired body of any of the conductor forming pastes disclosed herein. According to such a configuration, it is possible to provide a high-performance multilayer ceramic capacitor having good continuity of the internal electrode layers and excellent quality stability.
以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄(積層セラミックコンデンサの製造プロセスなど)は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. It should be noted that matters other than matters specifically mentioned in the present specification and necessary for carrying out the present invention (such as a manufacturing process of a multilayer ceramic capacitor) are design matters of a person skilled in the art based on conventional technology in the relevant field. Can be grasped. The present invention can be implemented based on the contents disclosed in this specification and common technical knowledge in the field.
<導体形成用ペースト>
(ニッケル粒子)
ここに開示される導体形成用ペーストは、導体膜(例えば積層セラミック電子部品の内部電極層)の形成に用いられる導体形成用ペーストであって、ニッケル粒子と、チタン酸バリウム粒子と、分散媒体とを含んでいる。この導体形成用ペーストは、チタン酸バリウム粒子の含有量が、ニッケル粒子100質量部に対して10質量部以下である。そして、X線光電子分光(XPS)によるニッケル粒子表面の解析において、酸化ニッケルのモル分率Aに対する水酸化ニッケルのモル分率Bの比(B/A)が、0.2≦(B/A)<1である。このように酸化ニッケルと水酸化ニッケルとを特定のモル分率比で含むニッケル粒子を含有させることにより、少ないチタン酸バリウム(共材)量で、良好な導体膜の連続性が実現され得る。
<Conductor forming paste>
(Nickel particles)
The conductor forming paste disclosed herein is a conductor forming paste used for forming a conductive film (for example, an internal electrode layer of a multilayer ceramic electronic component), and includes nickel particles, barium titanate particles, and a dispersion medium. Contains. This conductor forming paste has a content of barium titanate particles of 10 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the nickel particles. Then, in the analysis of the surface of the nickel particles by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), the ratio (B / A) of the molar fraction B of nickel hydroxide to the molar fraction A of nickel oxide is 0.2 ≦ (B / A). ) <1. By including nickel particles containing nickel oxide and nickel hydroxide at a specific molar fraction ratio in this manner, good continuity of the conductor film can be realized with a small amount of barium titanate (co-material).
このような効果が得られる理由としては、特に限定的に解釈されるものではないが、例えば以下のように考えられる。すなわち、ニッケル粒子の表面は、一般に、酸化ニッケル(典型的にはNiO)、水酸化ニッケル(典型的にはNi(OH)2)および金属ニッケル(単体)により構成されている。このうち、酸化ニッケルは、金属ニッケルよりも融点が高く、ニッケル粒子の耐熱性向上に寄与する一方で、水酸化ニッケルは、塩基性物質であり、ニッケル粒子の分散性向上に寄与する。チタン酸バリウム粒子の含有量が多い導体形成用ペーストの場合、上記モル分率比(B/A)が大きい(すなわち酸化ニッケルのモル分率Aに対して水酸化ニッケルのモル分率Bが大きい)ニッケル粒子を用いた方が、ニッケル粒子の分散性が向上し、ニッケル粒子とチタン酸バリウム粒子とが均一に混ざり合う。そのため、チタン酸バリウム粒子による熱収縮(焼結)抑制効果がより適切に発揮され、良好な導体膜の連続性が実現されやすい。これに対して、チタン酸バリウム粒子の含有量が少ない導体形成用ペーストでは、チタン酸バリウム粒子による熱収縮抑制効果の影響が小さいため、ニッケル粒子の分散性を高めるよりも該粒子自体の耐熱性を高めた方が、熱収縮抑制の観点からは有利である。すなわち、上記モル分率比(B/A)が小さい(すなわち酸化ニッケルのモル分率Aに対して水酸化ニッケルのモル分率Bが小さい)ニッケル粒子を用いた方が、焼成時の熱収縮(焼結)が抑制され、導体膜の連続性が向上するものと考えられる。 The reason why such an effect is obtained is not particularly limited, but is considered as follows, for example. That is, the surface of the nickel particles is generally composed of nickel oxide (typically NiO), nickel hydroxide (typically Ni (OH) 2 ) and nickel metal (simple). Of these, nickel oxide has a higher melting point than metallic nickel and contributes to improving the heat resistance of nickel particles, while nickel hydroxide is a basic substance and contributes to improving the dispersibility of nickel particles. In the case of a conductive paste containing a large amount of barium titanate particles, the molar fraction ratio (B / A) is large (that is, the molar fraction B of nickel hydroxide is large with respect to the molar fraction A of nickel oxide). The use of nickel particles improves the dispersibility of the nickel particles, and the nickel particles and the barium titanate particles are uniformly mixed. Therefore, the effect of suppressing heat shrinkage (sintering) by the barium titanate particles is more appropriately exhibited, and good continuity of the conductive film is easily realized. On the other hand, in the conductor forming paste having a low content of barium titanate particles, since the effect of the barium titanate particles on the effect of suppressing heat shrinkage is small, the heat resistance of the particles themselves is higher than that of enhancing the dispersibility of nickel particles. Is advantageous from the viewpoint of suppressing heat shrinkage. That is, the use of nickel particles having a small molar fraction ratio (B / A) (that is, a small molar fraction B of nickel hydroxide with respect to a molar fraction A of nickel oxide) results in a higher thermal shrinkage during firing. It is considered that (sintering) is suppressed and the continuity of the conductor film is improved.
なお、本発明者らの検討によれば、ニッケル粒子表面の上記モル分率比(B/A)をここに開示される好ましい範囲に規定することによる導体膜の連続性の向上については、ニッケル粒子100質量部に対するチタン酸バリウム粒子の含有量が10質量部を上回る導体形成用ペーストの場合では同程度の効果が得られないことが後述する試験例により確認された。したがって、上記ニッケル粒子表面のモル分率比(B/A)の規定と、低含有量のチタン酸バリウム粒子とを組み合わせて適用することにより、かかる組み合わせによる相乗効果として、少ないチタン酸バリウム量で、導体膜の連続性を大きく向上させ得る導体形成用ペーストが提供され得る。 According to the study of the present inventors, the improvement of the continuity of the conductor film by specifying the molar fraction ratio (B / A) on the surface of the nickel particles in the preferable range disclosed herein is considered as nickel. Test examples described later confirmed that the same effect could not be obtained in the case of a conductor forming paste in which the content of barium titanate particles was more than 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the particles. Therefore, by combining the above-mentioned regulation of the molar fraction ratio (B / A) on the surface of the nickel particles with the barium titanate particles having a low content, a synergistic effect of such a combination can be obtained with a small amount of barium titanate. A paste for forming a conductor that can greatly improve the continuity of the conductor film can be provided.
上記酸化ニッケルのモル分率Aに対する水酸化ニッケルのモル分率Bの比(B/A)は、通常は1未満であればよく、好ましくは0.95以下、より好ましくは0.85以下、より好ましくは0.8以下、さらに好ましくは0.75以下、特に好ましくは0.7以下である。所定値以下の上記モル分率比(B/A)を有する導体形成用ペーストは、ニッケル粒子自体の耐熱性が効果的に高まる。したがって、ここに開示される技術の適用効果が適切に発揮され得る。また、上記モル分率比(B/A)は、通常は0.2以上にすることが適当であり、好ましくは0.24以上、より好ましくは0.28以上、さらに好ましくは0.3以上(例えば0.32以上)である。上記モル分率比(B/A)が小さすぎると、ペーストの粘度安定性が低下する。そのため、該ペーストをセラミックグリーンシート等に付与する際の安定性、ハンドリング性および塗工性が悪化し、結果として、導体膜の連続性が低下傾向になる場合があり得る。ここに開示される技術は、例えばニッケル粒子表面における酸化ニッケルのモル分率Aに対する水酸化ニッケルのモル分率Bの比(B/A)が0.25以上0.95以下(好ましくは0.3以上0.8以下)である態様で好ましく実施され得る。 The ratio (B / A) of the molar fraction B of nickel hydroxide to the molar fraction A of nickel oxide may be generally less than 1, preferably 0.95 or less, more preferably 0.85 or less. It is more preferably at most 0.8, further preferably at most 0.75, particularly preferably at most 0.7. The conductor forming paste having the above molar fraction ratio (B / A) equal to or less than a predetermined value effectively increases the heat resistance of the nickel particles themselves. Therefore, the application effects of the technology disclosed herein can be appropriately exerted. The molar fraction ratio (B / A) is usually appropriate to be 0.2 or more, preferably 0.24 or more, more preferably 0.28 or more, and still more preferably 0.3 or more. (For example, 0.32 or more). If the molar fraction ratio (B / A) is too small, the viscosity stability of the paste decreases. Therefore, the stability, handling property, and coating property when applying the paste to a ceramic green sheet or the like are deteriorated, and as a result, the continuity of the conductive film may tend to decrease. In the technology disclosed herein, for example, the ratio (B / A) of the molar fraction B of nickel hydroxide to the molar fraction A of nickel oxide on the surface of nickel particles is 0.25 or more and 0.95 or less (preferably 0.1% or less). 3 or more and 0.8 or less).
導体膜の連続性をより良く向上させる等の観点から、酸化ニッケルのモル分率Aは、水酸化ニッケルのモル分率Bよりも10モル%以上大きいことが好ましく、12モル%以上大きいことがより好ましく、15モル%以上大きいことがさらに好ましく、20モル%以上大きいことが特に好ましい。また、酸化ニッケルのモル分率Aから水酸化ニッケルのモル分率Bを減じた値(すなわち、A−B)は、好ましくは60モル%以下、より好ましくは50モル%以下、さらに好ましくは40モル%以下、特に好ましくは30モル%以下である。例えば、A−Bが25モル%以下であってもよい。このことにより、上述した効果がより良く発揮され得る。 From the viewpoint of improving the continuity of the conductive film, the molar fraction A of the nickel oxide is preferably at least 10 mol%, more preferably at least 12 mol%, than the molar fraction B of the nickel hydroxide. More preferably, it is more preferably at least 15 mol%, particularly preferably at least 20 mol%. The value obtained by subtracting the molar fraction B of nickel hydroxide from the molar fraction A of nickel oxide (that is, AB) is preferably 60 mol% or less, more preferably 50 mol% or less, and still more preferably 40 mol% or less. Mol% or less, particularly preferably 30 mol% or less. For example, AB may be 25 mol% or less. Thereby, the above-described effects can be more effectively exerted.
上記ニッケル粒子表面における酸化ニッケルのモル分率Aは、水酸化ニッケルのモル分率Bとの比の値(B/A)が前記関係を満たす限りにおいて特に限定されない。酸化ニッケルのモル分率Aは、例えば30モル%以上であり得る。ニッケル粒子の耐熱性を高める等の観点から、酸化ニッケルのモル分率Aは、好ましくは32モル%以上、より好ましくは35モル%以上である。また、酸化ニッケルのモル分率Aの上限は特に限定されないが、通常は85モル%以下であり得る。粘度安定性等の観点からは、酸化ニッケルのモル分率Aは、好ましくは75モル%以下、より好ましくは65モル%以下(典型的には60モル%以下)である。ここに開示される技術は、ニッケル粒子における酸化ニッケルのモル分率Aが35モル%以上75モル%以下(好ましくは35モル%以上60モル%以下)である態様で好ましく実施され得る。 The molar fraction A of nickel oxide on the surface of the nickel particles is not particularly limited as long as the ratio (B / A) to the molar fraction B of nickel hydroxide satisfies the above relationship. The molar fraction A of the nickel oxide can be, for example, 30 mol% or more. From the viewpoint of improving the heat resistance of the nickel particles, the molar fraction A of the nickel oxide is preferably at least 32 mol%, more preferably at least 35 mol%. Although the upper limit of the molar fraction A of nickel oxide is not particularly limited, it can be generally 85 mol% or less. From the viewpoint of viscosity stability and the like, the molar fraction A of the nickel oxide is preferably 75 mol% or less, more preferably 65 mol% or less (typically 60 mol% or less). The technology disclosed herein can be preferably implemented in a mode in which the molar fraction A of nickel oxide in nickel particles is 35 mol% or more and 75 mol% or less (preferably 35 mol% or more and 60 mol% or less).
上記ニッケル粒子表面における水酸化ニッケルのモル分率Bは、酸化ニッケルのモル分率Aとの比の値(B/A)が前記関係を満たす限りにおいて特に限定されない。水酸化ニッケルのモル分率Bは、例えば30モル%未満であり得る。ニッケル粒子の耐熱性を高める等の観点から、水酸化ニッケルのモル分率Bは、好ましくは28モル%以下、より好ましくは25モル%以下である。また、水酸化ニッケルのモル分率Bの下限は特に限定されないが、通常は10モル%以上であり得る。ニッケル粒子の分散性等の観点からは、水酸化ニッケルのモル分率Bは、好ましくは15モル%以上、より好ましくは20モル%以上、さらに好ましくは25モル%以上である。ここに開示される技術は、ニッケル粒子における水酸化ニッケルのモル分率Bが15モル%以上30モル%未満(好ましくは20モル%以上28モル%以下)である態様で好ましく実施され得る。 The molar fraction B of nickel hydroxide on the surface of the nickel particles is not particularly limited as long as the value (B / A) of the ratio to the molar fraction A of nickel oxide satisfies the above relationship. The molar fraction B of the nickel hydroxide can be, for example, less than 30 mol%. From the viewpoint of enhancing the heat resistance of the nickel particles, the molar fraction B of the nickel hydroxide is preferably 28 mol% or less, more preferably 25 mol% or less. Further, the lower limit of the molar fraction B of nickel hydroxide is not particularly limited, but may be usually 10 mol% or more. From the viewpoint of the dispersibility of the nickel particles, the molar fraction B of the nickel hydroxide is preferably 15 mol% or more, more preferably 20 mol% or more, and still more preferably 25 mol% or more. The technology disclosed herein can be preferably implemented in a mode in which the molar fraction B of nickel hydroxide in the nickel particles is 15 mol% or more and less than 30 mol% (preferably 20 mol% or more and 28 mol% or less).
上記ニッケル粒子表面における金属ニッケル(Ni単体)のモル分率Cは、酸化ニッケルのモル分率Aと水酸化ニッケルのモル分率Bとの比の値(B/A)が前記関係を満たす限りにおいて特に限定されない。金属ニッケルのモル分率Cは、通常は5モル%以上、好ましくは10モル%以上、より好ましくは15モル%以上であり得る。また、金属ニッケルのモル分率Cは、好ましくは50モル%以下、より好ましくは45モル%以下、さらに好ましくは40モル%以下である。ここに開示される技術は、ニッケル粒子における金属ニッケルのモル分率Cが5モル%以上50モル%以下(好ましくは15モル%以上40モル%以下)である態様で好ましく実施され得る。 The molar fraction C of metallic nickel (Si alone) on the surface of the nickel particles is such that the value of the ratio (B / A) of the molar fraction A of nickel oxide to the molar fraction B of nickel hydroxide satisfies the above relationship. Is not particularly limited. The molar fraction C of metallic nickel can be usually at least 5 mol%, preferably at least 10 mol%, more preferably at least 15 mol%. The molar fraction C of metallic nickel is preferably 50 mol% or less, more preferably 45 mol% or less, and further preferably 40 mol% or less. The technology disclosed herein can be preferably implemented in a mode in which the molar fraction C of metallic nickel in nickel particles is 5 mol% or more and 50 mol% or less (preferably 15 mol% or more and 40 mol% or less).
ニッケル粒子の耐熱性を高める等の観点から、上記ニッケル粒子表面における金属ニッケルのモル分率Cは、酸化ニッケルのモル分率Aよりも小さいことが好ましく(C<A)、0.4モル%以上小さいことが好ましい。金属ニッケルのモル分率Cは、酸化ニッケルのモル分率Aよりも、10モル%以上小さくてもよく、30モル%以上小さくてもよい。また、酸化ニッケルのモル分率Aから金属ニッケルのモル分率Cを減じた値(すなわち、A−C)は、好ましくは70モル%以下、より好ましくは60モル%以下、さらに好ましくは50モル%以下である。例えば、A−Cが45モル%以下であってもよい。 From the viewpoint of enhancing the heat resistance of the nickel particles, the molar fraction C of metallic nickel on the surface of the nickel particles is preferably smaller than the molar fraction A of nickel oxide (C <A), and 0.4 mol%. More preferably, it is smaller. The molar fraction C of metallic nickel may be smaller than the molar fraction A of nickel oxide by 10 mol% or more, or may be smaller by 30 mol% or more. The value obtained by subtracting the molar fraction C of metallic nickel from the molar fraction A of nickel oxide (that is, AC) is preferably 70 mol% or less, more preferably 60 mol% or less, and still more preferably 50 mol% or less. % Or less. For example, AC may be 45 mol% or less.
好ましい一態様では、上記ニッケル粒子表面における金属ニッケルのモル分率Cは、水酸化ニッケルのモル分率Bよりも大きい(B<C)。例えば、金属ニッケルのモル分率Cは、水酸化ニッケルのモル分率Bよりも5モル%以上大きくてもよく、10モル%以上大きくてもよい。また、金属ニッケルのモル分率Cから水酸化ニッケルのモル分率Bを減じた値(すなわち、C−B)は、例えば20モル%以下であってもよく、15モル%以下であってもよい。 In a preferred embodiment, the molar fraction C of metallic nickel on the surface of the nickel particles is larger than the molar fraction B of nickel hydroxide (B <C). For example, the molar fraction C of metallic nickel may be greater than the molar fraction B of nickel hydroxide by 5 mol% or more, or may be greater than 10 mol%. The value obtained by subtracting the molar fraction B of nickel hydroxide from the molar fraction C of metallic nickel (that is, CB) may be, for example, 20 mol% or less, or 15 mol% or less. Good.
他の好ましい一態様では、上記ニッケル粒子表面における金属ニッケルのモル分率Cは、水酸化ニッケルのモル分率Bよりも小さい(C<B)。例えば、金属ニッケルのモル分率Cは、水酸化ニッケルのモル分率Bよりも5モル%以上小さくてもよく、10モル%以上小さくてもよい。また、水酸化ニッケルのモル分率Bから金属ニッケルのモル分率Cを減じた値(すなわち、B−C)は、25モル%以下であってもよく、20モル%以下であってもよく、15モル%以下であってもよい。 In another preferred embodiment, the molar fraction C of metallic nickel on the surface of the nickel particles is smaller than the molar fraction B of nickel hydroxide (C <B). For example, the molar fraction C of metallic nickel may be smaller than the molar fraction B of nickel hydroxide by 5 mol% or more, or may be smaller by 10 mol% or more. Further, the value obtained by subtracting the molar fraction C of metallic nickel from the molar fraction B of nickel hydroxide (that is, BC) may be 25 mol% or less, or may be 20 mol% or less. , 15 mol% or less.
ここに開示される技術において、酸化ニッケル、水酸化ニッケルおよび金属ニッケルのモル分率は、X線光電子分光(XPS:X-ray Photoelectron Spectroscopy)によるニッケル粒子表面の解析により把握することができる。ここで、X線光電子分光法(XPS)は、試料表面にX線を照射し、放出された光電子のエネルギーを測定することで、試料表面の構成元素とその電子状態を分析する方法である。XPSで得られるスペクトルは、物質固有のパターンと物質量に比例したピーク強度を示すため、物質の定性および定量的な分析が可能である。かかるXPSを用いたニッケル粒子表面のニッケルの化学結合状態の解析において、ニッケルと酸素の結合状態に帰属されるピークのNi2P3/2スペクトル全体に対する面積比から酸化ニッケルのモル分率Aを、ニッケルと水酸基の結合状態に帰属されるピークのNi2P3/2スペクトル全体に対する面積比から水酸化ニッケルのモル分率Bを、金属ニッケルのピークのNi2P3/2スペクトル全体に対する面積比から金属ニッケルのモル分率Cを求めることができる。X線光電子分光装置としては、アルバック・ファイ株式会社製XPS PHI−5000 VersaProbeIIを用いることができる。 In the technology disclosed herein, the molar fraction of nickel oxide, nickel hydroxide, and metallic nickel can be determined by analyzing the surface of nickel particles by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Here, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) is a method of irradiating a sample surface with X-rays and measuring the energy of emitted photoelectrons to analyze constituent elements on the sample surface and their electronic states. Since the spectrum obtained by XPS shows a pattern peculiar to the substance and a peak intensity proportional to the amount of the substance, qualitative and quantitative analysis of the substance is possible. In the analysis of the chemical bonding state of nickel on the surface of the nickel particles using the XPS, the molar fraction A of nickel oxide was calculated from the area ratio of the peak attributed to the bonding state of nickel and oxygen to the entire Ni2P3 / 2 spectrum. The mole fraction B of nickel hydroxide is determined from the area ratio of the peak attributed to the bonding state of the metal and the hydroxyl group to the entire Ni2P 3/2 spectrum, and the mole fraction of nickel metal is determined from the area ratio of the peak of the metal nickel to the entire Ni2P 3/2 spectrum. The fraction C can be determined. As the X-ray photoelectron spectroscopy device, XPS PHI-5000 VersaProbeII manufactured by ULVAC-PHI, Inc. can be used.
上記ニッケル粒子表面における酸化ニッケルおよび水酸化ニッケルのモル分率比(B/A)は、ニッケル粒子に対して酸化処理を施すことによって調整することができる。すなわち、ニッケル粒子に対する酸化処理条件を適切に選択することによって、ニッケル粒子表面における酸化ニッケルおよび水酸化ニッケルのモル分率比(B/A)をここに開示される適切な範囲に調整することができる。酸化処理の具体的な方法としては、例えば、空気雰囲気下、あるいは酸化性ガス(例えば酸素ガスやオゾンガス)を窒素等の不活性ガスと混合した雰囲気下において、加熱処理(例えば140℃〜250℃、典型的には160℃〜230℃での加熱処理)を行う方法が挙げられる。 The molar fraction ratio (B / A) of nickel oxide and nickel hydroxide on the surface of the nickel particles can be adjusted by subjecting the nickel particles to an oxidation treatment. That is, by appropriately selecting the oxidation treatment conditions for the nickel particles, it is possible to adjust the molar fraction ratio (B / A) of nickel oxide and nickel hydroxide on the surface of the nickel particles to an appropriate range disclosed herein. it can. As a specific method of the oxidation treatment, for example, a heat treatment (for example, 140 ° C. to 250 ° C.) is performed in an air atmosphere or an atmosphere in which an oxidizing gas (for example, oxygen gas or ozone gas) is mixed with an inert gas such as nitrogen. , Typically, a heat treatment at 160 ° C to 230 ° C).
ここに開示されるニッケル粒子の種類や性状は、該ニッケル粒子表面における酸化ニッケルおよび水酸化ニッケルのモル分率比(B/A)が前記関係を満たす限りにおいて特に限定されない。例えば、ニッケル粒子の形状(外形)は、球形であってもよく、非球形であってもよい。また、ニッケル粒子は、ニッケルを主成分とする各種のニッケル粒子であり得る。ここで、ニッケルを主成分とするニッケル粒子とは、該粒子の80質量%以上(通常は90質量%以上、典型的には95質量%以上、例えば98質量%以上)がニッケルである粒子をいう。使用し得るニッケル粒子の例としては、特に限定されないが、気相法ニッケルや液相法ニッケルなどが挙げられる。ここでいう気相法ニッケルの例には、塩化ニッケルガスと還元性ガスとを接触させることによりニッケル粉末を生成する気相還元法により得られるニッケルが挙げられる。あるいは、熱分解性のニッケル化合物を噴霧して熱分解する噴霧熱分解法により得られるニッケルを用いてもよい。 The type and properties of the nickel particles disclosed herein are not particularly limited as long as the molar fraction ratio (B / A) of nickel oxide and nickel hydroxide on the surface of the nickel particles satisfies the above relationship. For example, the shape (outer shape) of the nickel particles may be spherical or non-spherical. Further, the nickel particles may be various kinds of nickel particles containing nickel as a main component. Here, nickel particles containing nickel as a main component are particles in which 80% by mass or more (usually 90% by mass or more, typically 95% by mass or more, for example, 98% by mass or more) of the particles is nickel. Say. Examples of the nickel particles that can be used include, but are not particularly limited to, vapor-phase nickel and liquid-phase nickel. Examples of the vapor phase nickel mentioned here include nickel obtained by a vapor phase reduction method in which nickel powder is produced by contacting a nickel chloride gas with a reducing gas. Alternatively, nickel obtained by a spray pyrolysis method in which a pyrolytic nickel compound is sprayed and pyrolyzed may be used.
ニッケル粒子としては、その平均粒子径が500nm以下のものを好ましく採用することができる。導体膜の薄層化等の観点から、ニッケル粒子の平均粒子径は、好ましくは400nm以下、より好ましくは300nm以下、さらに好ましくは250nm以下、特に好ましくは200nm以下である。ニッケル粒子の平均粒子径の下限は特に限定されないが、概ね10nm以上にすることが適当であり、耐熱性や取り扱い性等の観点から、好ましくは30nm以上、より好ましくは50nm以上である。例えばニッケル粒子の平均粒子径は、80nm以上であってもよく、典型的には100nm以上であってもよい。ここに開示される技術は、ニッケル粒子の平均粒子径が10nm以上500nm以下(好ましくは50nm以上250nm以下)である態様で好ましく実施され得る。なお、本明細書において粒子粉末の「平均粒子径」とは、走査型電子顕微鏡(SEM)観察に基づいて概算された粒度分布における積算値50%での粒径D50(メジアン粒径)を意味する。 As the nickel particles, those having an average particle diameter of 500 nm or less can be preferably used. From the viewpoint of reducing the thickness of the conductor film, the average particle diameter of the nickel particles is preferably 400 nm or less, more preferably 300 nm or less, further preferably 250 nm or less, and particularly preferably 200 nm or less. Although the lower limit of the average particle diameter of the nickel particles is not particularly limited, it is suitably about 10 nm or more, and is preferably 30 nm or more, more preferably 50 nm or more, from the viewpoint of heat resistance and handleability. For example, the average particle size of the nickel particles may be 80 nm or more, typically 100 nm or more. The technology disclosed herein can be preferably implemented in a mode in which the average particle size of the nickel particles is 10 nm or more and 500 nm or less (preferably 50 nm or more and 250 nm or less). In the present specification, the “average particle size” of the particle powder means a particle size D50 (median particle size) at an integrated value of 50% in a particle size distribution estimated based on scanning electron microscope (SEM) observation. I do.
上記導体形成用ペーストにおけるニッケル粒子の含有量は、ペースト全体を100質量%として、その30〜90質量%(より好ましくは40〜60質量%程度)の割合となるようにすることが好ましい。 It is preferable that the content of the nickel particles in the conductor forming paste is 30 to 90% by mass (more preferably, about 40 to 60% by mass) with the whole paste being 100% by mass.
(チタン酸バリウム粒子)
ここに開示される導体形成用ペーストは、チタン酸バリウム粒子を含有する。チタン酸バリウム粒子は、前述のように焼成時における熱収縮(焼結)を抑制する成分である。チタン酸バリウム粒子は、チタン酸バリウムを主成分とする各種のチタン酸バリウム粒子であり得る。ここで、チタン酸バリウムを主成分とするチタン酸バリウム粒子とは、該粒子の80質量%以上(通常は90質量%以上、典型的には95質量%以上、例えば98質量%以上)がチタン酸バリウムである粒子をいう。
(Barium titanate particles)
The conductor forming paste disclosed herein contains barium titanate particles. Barium titanate particles are components that suppress thermal shrinkage (sintering) during firing as described above. The barium titanate particles may be various barium titanate particles containing barium titanate as a main component. Here, barium titanate particles containing barium titanate as a main component means that 80% by mass or more (normally 90% by mass or more, typically 95% by mass or more, for example, 98% by mass or more) of the particles is titanium. Refers to particles that are barium acid.
上記チタン酸バリウム粒子としては、その平均粒子径が100nm以下であることが好ましい。チタン酸バリウム粒子の分散性および充填性等の観点から、チタン酸バリウム粒子の平均粒子径は、好ましくは80nm以下、より好ましくは50nm以下(例えば40nm以下)である。また、チタン酸バリウム粒子の平均粒子径の下限は特に限定されないが、概ね1nmにすることが適当である。チタン酸バリウム粒子の凝集抑制、取り扱い性等の観点から、チタン酸バリウム粒子の平均粒子径は、好ましくは10nm以上、より好ましくは20nm以上である。例えば、充填性および凝集抑制をより高いレベルで両立させる観点から、平均粒子径が10nm以上100nm以下のチタン酸バリウム粒子が好ましく、20nm以上40nm以下のものが特に好ましい。 The barium titanate particles preferably have an average particle diameter of 100 nm or less. From the viewpoints of barium titanate particle dispersibility and filling properties, the average particle size of the barium titanate particles is preferably 80 nm or less, more preferably 50 nm or less (for example, 40 nm or less). Although the lower limit of the average particle diameter of the barium titanate particles is not particularly limited, it is appropriate to set the average particle diameter to approximately 1 nm. The average particle diameter of the barium titanate particles is preferably 10 nm or more, more preferably 20 nm or more, from the viewpoints of suppressing aggregation of the barium titanate particles and handling properties. For example, barium titanate particles having an average particle diameter of 10 nm or more and 100 nm or less are preferable, and those having a mean particle diameter of 20 nm or more and 40 nm or less are particularly preferable from the viewpoint of achieving a higher level of the filling property and the suppression of aggregation.
導体形成用ペーストにおけるチタン酸バリウム粒子の含有量は、ニッケル粒子100質量部に対して10質量部以下である。品質安定性(例えば誘電体層への悪影響(誘電体層の組成ズレ)を抑制する)等の観点から、チタン酸バリウム粒子の含有量は、ニッケル粒子100質量部に対して9質量部以下であることが好ましく、7質量部以下であることがより好ましく、5質量部以下であることがさらに好ましい。また、チタン酸バリウム粒子の含有量の下限は、0(ゼロ)より大きければ特に限定されないが、ニッケル粒子100質量部に対して、概ね0.5質量部以上にすることが適当であり、好ましくは1質量部以上、より好ましくは1.5質量部以上、さらに好ましくは2質量部以上、特に好ましくは3質量部以上である。例えば、チタン酸バリウム粒子の含有量は、該チタン酸バリウム粒子の添加効果(焼成収縮を抑制する効果)をより良く発揮させる等の観点からは、ニッケル粒子100質量部に対して、好ましくは5質量部以上、より好ましくは7質量部以上、さらに好ましくは9質量部以上である。例えば、チタン酸バリウム粒子の含有量がニッケル粒子100質量部に対して1質量部以上10質量部以下(より好ましくは2.5質量部以上9質量部以下、例えば2.5質量部以上5質量部以下)である導体形成用ペーストが、品質安定性と焼成収縮抑制効果とを高レベルで両立させる観点から好適である。 The content of the barium titanate particles in the conductor forming paste is 10 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the nickel particles. From the viewpoint of quality stability (for example, suppressing adverse effects on the dielectric layer (composition deviation of the dielectric layer)), the content of the barium titanate particles is 9 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the nickel particles. The amount is preferably 7 parts by mass or less, more preferably 5 parts by mass or less. The lower limit of the content of barium titanate particles is not particularly limited as long as it is larger than 0 (zero), but it is appropriate that the lower limit is approximately 0.5 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the nickel particles. Is at least 1 part by mass, more preferably at least 1.5 parts by mass, further preferably at least 2 parts by mass, particularly preferably at least 3 parts by mass. For example, the content of the barium titanate particles is preferably 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the nickel particles from the viewpoint of better exerting the effect of adding the barium titanate particles (the effect of suppressing firing shrinkage). It is at least 7 parts by mass, more preferably at least 7 parts by mass, even more preferably at least 9 parts by mass. For example, the content of barium titanate particles is 1 part by mass or more and 10 parts by mass or less (more preferably 2.5 parts by mass or more and 9 parts by mass or less, for example, 2.5 parts by mass or more and 5 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of nickel particles). Is preferable from the viewpoint of achieving a high level of both the quality stability and the effect of suppressing firing shrinkage at a high level.
(分散媒体)
導体形成用ペーストに用いられる分散媒体は、上記ニッケル粒子およびチタン酸バリウム粒子を分散させることができるものであればよく、特に制限されない。分散媒体としては、従来の導体形成用ペーストに用いられているものを特に制限なく使用することができる。例えば、エチルセルロース等のセルロース系高分子、エチレングリコールおよびジエチレングリコール誘導体、トルエン、キシレン、ミネラルスピリット、ブチルカルビトール、ターピネオール等の高沸点有機溶媒またはこれらの二種以上の組み合わせを構成成分として含む有機ビヒクルを用いることができる。特に限定するものではないが、有機ビヒクルの含有率は、ペースト全体の概ね10〜60質量%となる量が適当である。
(Dispersion medium)
The dispersion medium used for the conductor-forming paste is not particularly limited as long as it can disperse the nickel particles and barium titanate particles. As the dispersion medium, those used in conventional pastes for forming conductors can be used without any particular limitation. For example, a cellulose-based polymer such as ethylcellulose, ethylene glycol and diethylene glycol derivatives, toluene, xylene, mineral spirit, butyl carbitol, high boiling organic solvents such as terpineol or an organic vehicle containing as a component a combination of two or more thereof. Can be used. Although not particularly limited, it is appropriate that the content of the organic vehicle is about 10 to 60% by mass of the whole paste.
ここに開示される有機ビヒクルは、有機バインダをさらに含んでいてもよい。有機バインダとしては、焼成時の脱バインダ処理(典型的には酸化雰囲気中で250〜500℃の加熱処理)において蒸発除去(脱脂)し得るものであればよく、従来と同様の用途の導体形成用ペーストに含有されていた樹脂であれば特に制限無く用いることができる。かかる観点から好適な有機バインダとして、例えば、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース等のセルロース系高分子、ポリブチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート等のアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等をベースとする有機バインダが挙げられる。 The organic vehicle disclosed herein may further include an organic binder. Any organic binder may be used as long as it can be removed by evaporation (degreasing) in binder removal treatment during baking (typically, heat treatment at 250 to 500 ° C. in an oxidizing atmosphere). Any resin that has been contained in the paste for use can be used without particular limitation. Suitable organic binders from this viewpoint include, for example, cellulose polymers such as ethyl cellulose and hydroxyethyl cellulose, acrylic resins such as polybutyl methacrylate, polymethyl methacrylate, and polyethyl methacrylate, epoxy resins, phenol resins, alkyd resins, and polyvinyl alcohol. And an organic binder based on polyvinyl butyral and the like.
(その他の成分)
ここに開示される導体形成用ペーストには、従来の導体形成用ペーストと同様の種々の有機添加剤を必要に応じて含ませることができる。かかる有機添加剤の例としては、各種の有機バインダ(上記ビヒクルと重複してもよく、別途異なるバインダを添加してもよい。)や、セラミック基材との密着性向上を目的としたシリコン系、チタネート系およびアルミニウム系等の各種カップリング剤等が挙げられる。上記有機バインダとしては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、セルロース系高分子、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等をベースとするものが挙げられる。本発明の導体形成用ペーストに良好な粘性および塗膜(基材に対する付着膜)形成能を付与し得るものが好適である。また、導体形成用ペーストに光硬化性(感光性)を付与したい場合には、種々の光重合性化合物および光重合開始剤を適宜添加してもよい。
(Other components)
The paste for forming a conductor disclosed herein may contain various organic additives similar to those of the conventional paste for forming a conductor, if necessary. Examples of such an organic additive include various organic binders (which may overlap with the above-mentioned vehicle, or different binders may be added separately), or a silicon-based material for the purpose of improving adhesion to a ceramic substrate. And various coupling agents such as titanates and aluminums. Examples of the organic binder include those based on acrylic resin, epoxy resin, phenol resin, alkyd resin, cellulosic polymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, and the like. It is preferable that the paste for forming a conductor of the present invention can impart good viscosity and ability to form a coating film (adhesion film to a substrate). When it is desired to impart photocurability (photosensitivity) to the conductive paste, various photopolymerizable compounds and a photopolymerization initiator may be appropriately added.
ここに開示される導体形成用ペーストは、本発明の効果を損なわない範囲で、重合開始剤、界面活性剤、消泡剤、可塑剤、増粘剤、酸化防止剤、分散剤、重合禁止剤等の、導体形成用ペースト(例えば内部電極層形成用ペースト)に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。上記添加剤の含有量は、その添加目的に応じて適宜設定すればよく、本発明を特徴づけるものではないため、詳しい説明は省略する。 The conductor forming paste disclosed herein is a polymerization initiator, a surfactant, an antifoaming agent, a plasticizer, a thickener, an antioxidant, a dispersant, and a polymerization inhibitor within a range not to impair the effects of the present invention. A known additive that can be used in a conductor forming paste (for example, an internal electrode layer forming paste) may be further contained as necessary. The content of the above-mentioned additives may be appropriately set according to the purpose of the addition, and does not characterize the present invention, and therefore detailed description is omitted.
<導体形成用ペーストの調製>
ここに開示される導体形成用ペーストの製造方法は特に限定されない。例えば、ボールミルや三本ロールミルその他の周知の混合装置を用いて、導体形成用ペーストに含まれる各成分を混合するとよい。これらの成分を混合する態様は特に限定されず、例えば全成分を一度に混合してもよく、適宜設定した順序で混合してもよい。
<Preparation of conductor forming paste>
The method for producing the conductor-forming paste disclosed herein is not particularly limited. For example, the components contained in the conductor forming paste may be mixed using a ball mill, a three-roll mill, or another known mixing device. The manner in which these components are mixed is not particularly limited. For example, all components may be mixed at once, or may be mixed in an appropriately set order.
<用途>
ここに開示される導体形成用ペーストは、導体膜の連続性を高度に向上させ得ることから、良好な連続性が要求される導体膜、例えば、積層セラミック電子部品における内部電極層の形成に好ましく適用され得る。例えば、積層セラミックコンデンサの内部電極層を形成する用途に特に好適である。上記積層セラミックコンデンサ200は、図1に示すように、ニッケル粒子およびチタン酸バリウム粒子を含む導体膜(導体形成用ペーストの焼成体からなる内部電極層)220とセラミック層(誘電体層)210とを交互に積層して形成されたものであり得る。かかる積層セラミックコンデンサ200の内部電極層形成用のペーストとして好適である。かかる用途では、チタン酸バリウムの使用量を減らすことでチタン酸バリウム粒子が誘電体層に悪影響(例えば組成変動)を与えることを抑制し得るため、ここに開示される技術を適用することが特に有意義である。
<Application>
The conductor-forming paste disclosed herein can improve the continuity of the conductive film to a high degree, and is therefore preferably used for forming a conductive film requiring good continuity, for example, an internal electrode layer in a multilayer ceramic electronic component. Can be applied. For example, it is particularly suitable for use in forming an internal electrode layer of a multilayer ceramic capacitor. As shown in FIG. 1, the multilayer ceramic capacitor 200 includes a conductor film (an internal electrode layer made of a sintered body of a conductor forming paste) 220 containing nickel particles and barium titanate particles, and a ceramic layer (dielectric layer) 210. May be alternately laminated. It is suitable as a paste for forming an internal electrode layer of such a multilayer ceramic capacitor 200. In such an application, since the barium titanate particles can reduce the amount of barium titanate used to suppress the dielectric layer from adversely affecting (eg, change in composition), it is particularly preferable to apply the technology disclosed herein. It is significant.
<積層セラミックコンデンサの構築>
ここに開示される導体形成用ペーストは、例えば以下の工程を含む態様で、積層セラミックコンデンサ200の構築に使用することができる。
すなわち、ここに開示される導体形成用ペーストを用意する。その導体形成用ペーストを、スクリーン印刷法やディスペンサー塗布法等によって所望する形状・厚みとなるようにして、誘電体材料(例えばチタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウム等のセラミック材料)からなるグリーンシート(焼成後に誘電体膜となる未焼成の誘電体シート)に塗布する。このように未焼成の導体膜が形成されたグリーンシートを複数枚作製し、これらを積層、圧着する。このようにして未焼成の導体膜と誘電体膜とが積層された未焼成の積層チップを得る。
次いで、該積層チップを乾燥し、その後、加熱器中で適当な加熱条件(最高焼成温度が概ね800〜1400℃、好ましくは1000〜1400℃、特に好ましくは1200〜1300℃)で所定時間(最高焼成温度で維持する時間としては、例えば10分〜2時間程度)加熱することにより、上記チップを焼成(焼き付け)・硬化させる。好ましい一態様では、所定の高速焼成条件(すなわち、常温(典型的には室温)から最高焼成温度まで600〜20000℃/時間(例えば1000〜15000℃/時間)の速度で昇温する過程を含む焼成条件)で焼成する。この一連の処理を行うことによって、目的とする導体膜(内部電極層)220と誘電体膜210とが積層されたコンデンサ等の電子部品の本体250が得られる。
最後に、この電子部品本体250の所定箇所に外部電極形成用のペースト(上記導体形成用ペーストと同じものでもよい)を塗布して焼成することにより外部電極230を形成する。このようにして、積層セラミック電子部品を構築することができる。なお、かかる構築方法自体は、特に本発明を特徴付けるものではないため、詳細な説明は省略する。
なお、用途限定を意図するものではないが、前述のとおり、ここに開示される導体形成用ペーストを用いることにより、従来の導体形成用ペーストに比べて、ニッケル粒子が微粒子化した場合でも、焼成時の熱収縮が抑制されて耐熱性が向上し、より一層の薄層化が実現された緻密な導体膜を好ましく形成することができる。このため、本発明の導体形成用ペーストによると、10μm以下(例えば0.3μm〜3μm)の膜厚を有する導体薄膜をも好適に形成することができる。
<Construction of multilayer ceramic capacitor>
The conductor forming paste disclosed herein can be used for constructing the multilayer ceramic capacitor 200, for example, in an aspect including the following steps.
That is, the conductor forming paste disclosed herein is prepared. The conductor forming paste is formed into a desired shape and thickness by a screen printing method, a dispenser coating method, or the like, and a green sheet made of a dielectric material (for example, a ceramic material such as barium titanate or strontium titanate) (fired) It is applied to an unfired dielectric sheet which will later become a dielectric film. A plurality of green sheets on which the unsintered conductor film is formed are prepared, stacked, and pressed. Thus, an unfired laminated chip in which the unfired conductor film and the dielectric film are laminated is obtained.
Next, the laminated chip is dried, and then in a heater under appropriate heating conditions (the maximum firing temperature is generally 800 to 1400 ° C., preferably 1000 to 1400 ° C., particularly preferably 1200 to 1300 ° C.) for a predetermined time (maximum). The chip is baked (baked) and cured by heating (for example, a time maintained at the sintering temperature for about 10 minutes to 2 hours). In a preferred embodiment, the method includes a step of raising the temperature at a rate of 600 to 20000 ° C./hour (for example, 1000 to 15000 ° C./hour) from predetermined high-temperature firing conditions (ie, normal temperature (typically room temperature) to the maximum firing temperature). Firing conditions). By performing this series of processes, a main body 250 of an electronic component such as a capacitor in which the target conductor film (internal electrode layer) 220 and the dielectric film 210 are laminated is obtained.
Finally, an external electrode 230 is formed by applying a paste for forming an external electrode (which may be the same as the conductor forming paste) to a predetermined portion of the electronic component body 250 and firing the paste. Thus, a multilayer ceramic electronic component can be constructed. Since the construction method itself does not particularly characterize the present invention, a detailed description thereof will be omitted.
Although not intended to limit the use, as described above, by using the conductor forming paste disclosed herein, compared to the conventional conductor forming paste, even when the nickel particles are finer, The heat shrinkage at the time is suppressed, the heat resistance is improved, and a dense conductor film in which the thickness is further reduced can be preferably formed. Therefore, according to the paste for forming a conductor of the present invention, a conductor thin film having a film thickness of 10 μm or less (for example, 0.3 μm to 3 μm) can be suitably formed.
<積層セラミックコンデンサの製造方法>
ここに開示される技術には、上記導体形成用ペーストを用いた内部電極層の形成工程を含む積層セラミックコンデンサの製造方法および該方法により製造された積層セラミックコンデンサの提供が含まれ得る。すなわち、ここに開示される技術によると、上記導体形成用ペーストを用いて内部電極層を形成することを含む、積層セラミックコンデンサの製造方法および該方法により製造された積層セラミックコンデンサが提供される。上記製造方法によると、連続性のよい内部電極層を有する高性能(例えば大容量)の積層セラミックコンデンサが提供され得る。
<Production method of multilayer ceramic capacitor>
The technology disclosed herein may include a method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor including a step of forming an internal electrode layer using the above-described paste for forming a conductor, and providing a multilayer ceramic capacitor manufactured by the method. That is, according to the technology disclosed herein, there is provided a method of manufacturing a multilayer ceramic capacitor including forming an internal electrode layer using the conductor forming paste, and a multilayer ceramic capacitor manufactured by the method. According to the above manufacturing method, a high-performance (for example, large-capacity) multilayer ceramic capacitor having internal electrode layers with good continuity can be provided.
以下、本発明に関するいくつかの実施例を説明するが、本発明を係る実施例に示すものに限定することを意図したものではない。 Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described, but it is not intended to limit the present invention to those shown in the embodiments.
<導体形成用ペーストの調製>
ニッケル粒子表面における酸化ニッケル(NiO)、水酸化ニッケル(Ni(OH)2)および金属ニッケル(Ni)のモル分率が異なる複数種類のニッケル粉末を用意した。これらのニッケル粉末(平均粒子径約180nm)と、チタン酸バリウム粉末(平均粒子径約30nm)とを秤量し、攪拌・混合することによって導体形成用粉末材料を調製した。次に、この導体形成用粉末材料を用いてNiペーストを調製した。すなわち、最終的なペーストの組成(質量比)が導体形成用粉末材料57.5質量%および残部がビヒクル(溶剤40.5質量%、バインダ成分2質量%)となるように各材料を秤量し、三本ロールミルを用いて混練した。ここでは、Ni粉末100質量部に対するチタン酸バリウム粉末の使用量を表1に示すとおり0〜15質量部の間で異ならせてNiペーストを調製した。このようにして各例に係るNiペーストを調製した。
<Preparation of conductor forming paste>
A plurality of types of nickel powders having different mole fractions of nickel oxide (NiO), nickel hydroxide (Ni (OH) 2 ) and metallic nickel (Ni) on the surface of nickel particles were prepared. These nickel powders (average particle diameter of about 180 nm) and barium titanate powders (average particle diameter of about 30 nm) were weighed, stirred and mixed to prepare a conductor-forming powder material. Next, a Ni paste was prepared using the powder material for forming a conductor. That is, each material was weighed so that the composition (mass ratio) of the final paste was 57.5% by mass of the powder material for forming a conductor and the remainder was a vehicle (40.5% by mass of a solvent and 2% by mass of a binder component). Using a three-roll mill. Here, as shown in Table 1, the amount of the barium titanate powder used per 100 parts by mass of the Ni powder was varied between 0 and 15 parts by mass to prepare a Ni paste. Thus, the Ni paste according to each example was prepared.
各例に係るNiペーストについて、使用したニッケル粒子表面におけるNiOのモル分率A、Ni(OH)2のモル分率B、Niのモル分率C、NiOおよびNi(OH)2のモル分率比(B/A)、チタン酸バリウム添加量を表1に纏めて示す。なお、各例のニッケル粒子表面におけるNiOのモル分率A、Ni(OH)2のモル分率B、Niのモル分率Cは、XPSに基づく前述の方法に準じて求めたものである。 For the Ni paste according to each example, the molar fraction of NiO, the molar fraction of Ni (OH) 2 , the molar fraction of Ni, the molar fraction of NiO and Ni (OH) 2 on the surface of the nickel particles used. Table 1 summarizes the ratio (B / A) and the amount of barium titanate added. In each example, the molar fraction A of NiO, the molar fraction B of Ni (OH) 2 , and the molar fraction C of Ni on the surface of the nickel particles were determined in accordance with the above-described method based on XPS.
<導体膜の形成>
各例に係るNiペーストを用いて導体膜を作製した。すなわち、BaTiO3を主体とするセラミックグリーンシート上にNiペーストを、Ni粉末の質量を基準とした塗布量が0.5mg/cm2となるように塗布し、乾燥した。このように未焼成の導体膜が形成されたグリーンシートを複数枚作製し、これらを積層、圧着した。その後、1%の水素ガスと99%の窒素を含んだ混合ガス(還元)雰囲気中で焼成処理(昇温速度200℃/時間、降温速度200℃/時間、最高焼成温度1250℃で10分間維持)を実施した。このようにして、導体膜とセラミック基材(焼成後のセラミック基材)とが交互に形成された焼成積層体シートを得た。
<Formation of conductive film>
A conductor film was manufactured using the Ni paste according to each example. That is, a Ni paste was applied onto a ceramic green sheet mainly composed of BaTiO 3 so that the application amount based on the mass of the Ni powder was 0.5 mg / cm 2, and dried. A plurality of green sheets on which the unsintered conductive film was formed were produced, and these were laminated and pressed. Thereafter, firing treatment in a mixed gas (reducing) atmosphere containing 1% hydrogen gas and 99% nitrogen (heating rate 200 ° C./hour, cooling rate 200 ° C./hour, maximum firing temperature maintained at 1250 ° C. for 10 minutes) ). In this way, a fired laminate sheet in which the conductor films and the ceramic base material (fired ceramic base material) were alternately formed was obtained.
得られた焼成積層体シートの断面をSEM(Scanning Electron Microscope)により倍率5000倍で観察して得られた画像を解析し、当該断面においてセラミックグリーンシートに導体形成用ペーストを付与した部分の長さ(L1)と、上記焼成物において導体膜が誘電体膜(焼成後のセラミック基材)を覆っている部分の長さ(L2)とから被覆率(=[L2/L1]×100)を算出した。この被覆率は、導体膜の連続性(ひいては焼成収縮抑制効果)の指標として把握され得る。すなわち、被覆率が高いほど導体膜の連続性が良好であり、焼成収縮抑制効果がより大きいと云える。結果を表1および図2に示す。図2は、酸化ニッケルおよび水酸化ニッケルのモル分率比(B/A)と被覆率(導体膜連続性)との関係を示すグラフである。また、例2〜例4について、チタン酸バリウム添加量が5質量部のときの焼成積層体シートの断面SEM像を図3〜図5に示す。 An image obtained by observing the cross section of the obtained fired laminated sheet with a scanning electron microscope (SEM) at a magnification of 5000 times was analyzed, and the length of a portion where the conductor forming paste was applied to the ceramic green sheet in the cross section was analyzed. The coverage (= [L2 / L1] × 100) is calculated from (L1) and the length (L2) of the portion of the fired product where the conductor film covers the dielectric film (the fired ceramic substrate). did. This coverage can be grasped as an index of the continuity of the conductor film (and the effect of suppressing the firing shrinkage). In other words, it can be said that the higher the coverage, the better the continuity of the conductor film and the greater the effect of suppressing firing shrinkage. The results are shown in Table 1 and FIG. FIG. 2 is a graph showing the relationship between the molar fraction ratio (B / A) of nickel oxide and nickel hydroxide and the coverage (continuity of the conductive film). 3 to 5 show cross-sectional SEM images of the fired laminate sheet when the addition amount of barium titanate is 5 parts by mass in Examples 2 to 4.
表1および図2に示すように、チタン酸バリウム添加量が10質量部以下の場合、酸化ニッケルおよび水酸化ニッケルのモル分率比(B/A)が0(ゼロ)から増加すると、被覆率(導体膜の連続性)はいったん増大傾向を示し、そして中間で極大値をとった後、再び減少傾向に転じた。すなわち、上記モル分率比(B/A)が大きすぎても小さすぎても、被覆率は低下傾向を示すことが確認された。また、チタン酸バリウム添加量が同じ場合、酸化ニッケルおよび水酸化ニッケルのモル分率比(B/A)が0.2≦(B/A)<1の領域において、より良好な被覆率を実現できた(例3〜例5)。一方、チタン酸バリウム添加量が15質量部以上の場合、上述した傾向は認められず、上記モル分率比(B/A)が増えるほど被覆率は増加傾向を示した。このことから、上記モル分率比(B/A)をここに開示される好ましい範囲に規定することによる被覆率(導体膜の連続性)の向上については、チタン酸バリウム添加量が10質量部以下の場合に特に有効に発揮されることが確認された。 As shown in Table 1 and FIG. 2, when the addition amount of barium titanate is 10 parts by mass or less, when the molar fraction ratio (B / A) of nickel oxide and nickel hydroxide increases from 0 (zero), the coating rate increases. (Continuity of the conductive film) once showed an increasing tendency, and after having reached a maximum value in the middle, turned to a decreasing tendency again. That is, it was confirmed that the covering ratio tends to decrease when the molar fraction ratio (B / A) is too large or too small. Further, when the added amount of barium titanate is the same, a better coverage is realized in a region where the molar fraction ratio (B / A) of nickel oxide and nickel hydroxide is 0.2 ≦ (B / A) <1. It was completed (Examples 3 to 5). On the other hand, when the added amount of barium titanate was 15 parts by mass or more, the above tendency was not observed, and the coverage increased as the molar fraction ratio (B / A) increased. From this, regarding the improvement of the coverage (continuity of the conductive film) by defining the molar fraction ratio (B / A) within the preferred range disclosed herein, the addition amount of barium titanate was 10 parts by mass. It has been confirmed that it is particularly effective in the following cases.
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。 As described above, the specific examples of the present invention have been described in detail. However, these are merely examples and do not limit the scope of the claims. The technology described in the claims includes various modifications and alterations of the specific examples illustrated above.
200 積層セラミックコンデンサ
210 誘電体膜
230 外部電極
250 電子部品本体
200 multilayer ceramic capacitor 210 dielectric film 230 external electrode 250 electronic component body
Claims (7)
ニッケル粒子と、チタン酸バリウム粒子と、分散媒体とを含み、
前記チタン酸バリウム粒子の含有量が、前記ニッケル粒子100質量部に対して2質量部以上10質量部以下であり、
X線光電子分光(XPS)による前記ニッケル粒子表面の解析において、酸化ニッケルのモル分率Aに対する水酸化ニッケルのモル分率Bの比(B/A)が、0.2≦(B/A)<1である、導体形成用ペースト。 A conductor forming paste used for forming a conductive film,
Nickel particles, barium titanate particles, including a dispersion medium,
The content of the barium titanate particles is 2 parts by mass or more and 10 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the nickel particles,
In the analysis of the surface of the nickel particles by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), the ratio (B / A) of the molar fraction B of nickel hydroxide to the molar fraction A of nickel oxide is 0.2 ≦ (B / A). <1. Conductor forming paste.
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