JP6653022B2 - ビデオウォールモジュールおよびビデオウォールモジュールの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ビデオウォールモジュールおよびビデオウォールモジュールの製造方法に関する。

ビデオウォールを構築するためのビデオウォールモジュールが先行技術により知られている。ビデオウォールは、静止画または動画のための表示パネルであり、各ピクセルが１つ以上の発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）によって形成された表示パネルである。高い表示品質を実現するために、各ピクセル間の距離が小さいこと、コントラストが高いこと、および様々な空間的方向における発光が均一であることが望ましい。

本発明は、ビデオウォールモジュールを提供することを１つの目的とする。本発明のもう１つの目的は、ビデオウォールモジュールの製造方法を特定することである。これらの目的は、各独立請求項に係るビデオウォールモジュールおよびビデオウォールモジュールの製造方法によって実現される。様々な発展形態が従属請求項において特定される。

ビデオウォールモジュールが複数の発光ダイオードチップを備え、複数の発光ダイオードチップは、それぞれ、コンタクト面に配置された第１のコンタクト電極および第２のコンタクト電極を備える。各発光ダイオードチップは、多層回路基板の上面に配置されている。各コンタクト電極は、多層回路基板の上面に配置された第１のメタライゼーション層に電気接続されている。

有利なことに、本ビデオウォールモジュールの発光ダイオードチップの場合、第１のコンタクト電極および第２のコンタクト電極は、発光ダイオードチップの同じ面に配置されている。その結果、本ビデオウォールモジュールの発光ダイオードチップは、容易に電気的に接触されうる。具体的には、本ビデオウォールモジュールの場合、発光ダイオードチップの上方に接触用の構造を配置する必要がない。その結果、本ビデオウォールモジュールは、高い費用効率で製造され得、また、頑丈に、かつダメージを受けにくく形成されている。

本ビデオウォールモジュールの一実施形態では、各発光ダイオードチップのコンタクト面に、導電性ダイアタッチフィルムのパターニングされた区画部分（section）が配置されている。導電性ダイアタッチフィルムは、発光ダイオードチップのコンタクト電極を第１のメタライゼーション層に電気接続している。これにより、有利なことに、各発光ダイオードチップの辺長が非常に小さく、各発光ダイオードチップのコンタクト電極が互いに非常に接近して配置されている場合でも、各発光ダイオードチップの電気的接触を容易にかつ高い信頼性で行うことができる。具体的には、各発光ダイオードチップのコンタクト電極を第１のメタライゼーション層に電気接続するために導電性ダイアタッチフィルムの上記区画部分を設けることによって、各発光ダイオードチップのコンタクト電極間の短絡が回避されうる。

本ビデオウォールモジュールの一実施形態では、異方性導電膜が回路基板の上面に配置されており、この異方性導電膜は、各発光ダイオードチップのコンタクト電極を第１のメタライゼーション層に電気接続している。有利なことに、異方性導電膜を設けることによって、各発光ダイオードチップの辺長が小さい場合でも、各発光ダイオードチップの電気的接触を容易にかつ高い信頼性で行うことができる。具体的には、異方性導電膜を設けることによって、各発光ダイオードチップのコンタクト電極間における短絡の発生が防止されうる。

本ビデオウォールモジュールの一実施形態では、各発光ダイオードチップは、回路基板の上面に配置されたポッティング材に少なくとも部分的に埋め込まれている。これにより、有利なことに、各発光ダイオードチップは、外的影響によるダメージから保護されている。また、ポッティング材は、ビデオウォールモジュールの上面に有利な、平滑および均一な表面を形成しており、この表面の光反射率を、用途に応じて所望の高さ／低さとしてもよい。この目的のために、適した光学反射特性のポッティング材を選択してもよい。

本ビデオウォールモジュールの一実施形態では、回路基板は、第２のメタライゼーション層を備える。この場合、第１のメタライゼーション層のいくつかの区画部分と第２のメタライゼーション層のいくつかの区画部分とは、回路基板に配置されたスルーコンタクトによって互いに電気接続されている。有利なことに、本ビデオウォールモジュールの回路基板の各メタライゼーション層により、ビデオウォールモジュールの各発光ダイオードチップ複雑な電気配線が可能になる。具体的には、第１のメタライゼーション層および第２のメタライゼーション層の存在によって、導線が交差することもできる。

本ビデオウォールモジュールの一実施形態では、各発光ダイオードチップは、マトリクスの行列に論理的に（logically）分布している。この場合、各発光ダイオードチップの第１のコンタクト電極は、第１のメタライゼーション層によって、列単位で互いに電気接続されている。各発光ダイオードチップの第２のコンタクト電極は、第２のメタライゼーション層によって、行単位で互いに電気接続されている。したがって、本ビデオウォールモジュールの各発光ダイオードチップは、交差マトリクス配線（cross-matrix interconnection）で配置されている。有利なことに、この交差マトリクス配線によって、マトリクスの１つの論理行の発光ダイオードチップのすべてを、マトリクスの残りの行の発光ダイオードチップが駆動されていない状態で、同時に互いに独立して駆動することができる。マトリクスの個々の行を、マルチプレックス動作（multiplexing operation）において一時的に連続的に駆動してもよい。これにより、ビデオウォールモジュールの各発光ダイオードチップに個別の独立した制御用導線を設ける必要なく、本ビデオウォールモジュールの各発光ダイオードチップを、ビデオウォールモジュールの残りの発光ダイオードチップとは独立して駆動することができる。

本ビデオウォールモジュールの一実施形態では、回路基板は、第３のメタライゼーション層を備える。この場合、第２のメタライゼーション層のいくつかの区画部分と第３のメタライゼーション層のいくつかの区画部分とは、回路基板に配置されたスルーコンタクトによって互いに電気接続されている。有利なことに、第３のメタライゼーション層を設けることによって、ビデオウォールモジュールの電気的インタフェースの設計における自由度を高めることができる。

本ビデオウォールモジュールの一実施形態では、第３のメタライゼーション層は、ビデオウォールモジュールの外側電気コンタクトパッドを形成する。有利なことに、この場合、第３のメタライゼーション層によって、外側電気コンタクトパッドの幾何学的形状を、所望の適用分野に合わせて適合することができる。外側電気コンタクトパッドの数をビデオウォールモジュールの発光ダイオードチップの数より少なくしてもよいため、ビデオウォールモジュールがコンパクトな外寸で形成され得、また容易に電気的に接触可能でありうることが、本ビデオウォールモジュールの１つの利点でありうる。

本ビデオウォールモジュールの一実施形態では、回路基板は、組み込まれた電子部品を備える。回路基板に組み込まれた電子部品は、ビデオウォールモジュールの各発光ダイオードチップの駆動に役立ちうる。一例を挙げると、回路基板に組み込まれた電子部品は、ビデオウォールモジュールの、マルチプレックス動作において交差マトリクス配線で配線された各発光ダイオードチップの駆動に役立ちうる。有利なことに、本ビデオウォールモジュールは、回路基板に駆動用電子部品を組み込むことによって特に容易に使用可能になりうる。

本ビデオウォールモジュールの一実施形態では、２つまたは３つの隣接した発光ダイオードチップが、１つのピクセルを形成している。この場合、１つのピクセルを共に形成する各発光ダイオードチップを、異なる色の光を出射するように構成してもよい。一例を挙げると、赤色の波長域で出射する発光ダイオードチップ、緑色の波長域で出射する発光ダイオードチップ、および青色の波長域で出射する発光ダイオードチップがビデオウォールモジュールの１つのピクセルを形成していてもよい。したがって、有利なことに、本ビデオウォールモジュールでは、カラーで表示することができる。

本ビデオウォールモジュールの一実施形態では、各ピクセルは、回路基板の上面に矩形格子状に配置されている。それにより、有利なことに、本ビデオウォールモジュールは、ピクセルから構成される画像を表示することに適している。

本ビデオウォールモジュールの一実施形態では、１つのピクセルの各発光ダイオードチップは、互いに直線的に並置されている。これにより、有利なことに、ビデオウォールモジュールの画像が特に高品質になりうる。

ビデオウォールモジュールの製造方法が、第１のメタライゼーション層が多層回路基板の上面に配置された多層回路基板を設けるステップと、複数の発光ダイオードチップを設けるステップと、多層回路基板の上面に各発光ダイオードチップを配置するステップと、を含み、各発光ダイオードチップは、第１のコンタクト電極および第２のコンタクト電極が配置されたコンタクト面を備え、各コンタクト電極は、第１のメタライゼーションに電気接続される。

有利なことに、本方法では、第１のコンタクト電極および第２のコンタクト電極が発光ダイオードチップの共通の面に配置された発光ダイオードチップを使用することができる。その結果、本製造方法では、各発光ダイオードチップの上に配置される配線構造を設ける必要がないため、本方法によって得られるビデオウォールモジュールは、頑丈にかつ障害が生じにくいように形成されうる。

本方法の一実施形態では、各発光ダイオードチップを設けるステップでは、導電性ダイアタッチフィルムの区画部分を各発光ダイオードチップのコンタクト面に配置し、導電性ダイアタッチフィルムの、第１のコンタクト電極に接触する部分と第２のコンタクト電極に接触する部分とが互いに電気的に絶縁されるように導電性ダイアタッチフィルムをパターニングする。本方法のこの実施形態では、各発光ダイオードチップは、導電性ダイアタッチフィルムの区画部分が、それぞれ、コンタクト電極を第１のメタライゼーション層に電気接続するように回路基板の上面に配置される。それにより、有利なことに、本方法では、形成された各発光ダイオードチップにおいて辺長が小さくかつ各コンタクト電極間の距離が小さい場合でも、容易にかつ高い信頼性で各電気発光ダイオードチップの電気的接触を行うことができる。この場合、特に、導電性ダイアタッチフィルムを使用することによって、各発光ダイオードチップのコンタクト電極間の短絡が形成されなくなる。

本方法の一実施形態では、導電性ダイアタッチフィルムのパターニングは、レーザーによって行われる。それにより、有利なことに、導電性ダイアタッチフィルムのパターニングは、特に容易に、速やかに、かつ正確に実行可能である。

本方法の一実施形態では、導電性ダイアタッチフィルムは、複数の発光ダイオードチップを含むチップウェハに配置される。この場合、各発光ダイオードチップは、導電性ダイアタッチフィルムのパターニングプロセス後に導電性ダイアタッチフィルムと共に個片化される。したがって、導電性ダイアタッチフィルムのパターニングは、発光ダイオードチップがまだウェハ集合体の中にある間に行われる。その結果、本方法を、特に容易に、速やかに、かつ高い費用効果で実行することができる。

本方法の一実施形態において、回路基板の上面に各発光ダイオードチップを配置するステップでは、回路基板の上面に異方性導電膜を配置し、異方性導電膜が各発光ダイオードチップのコンタクト電極を第１のメタライゼーション層に電気接続するように各発光ダイオードチップを回路基板の上面に配置する。有利なことに、本方法では、各発光ダイオードチップの大きさが小さくかつ各発光ダイオードチップにおいて各コンタクト電極間の距離が小さい場合でも、高い信頼性で各発光ダイオードチップの電気的接触を行うことができる。具体的には、異方性導電膜を使用することによって、各発光ダイオードチップのコンタクト電極間の短絡が形成されるリスクが低減されうる。

本方法の一実施形態では、回路基板の上面に各発光ダイオードチップを配置するステップでは、回路基板の上面に電気絶縁性接着剤を塗布し、回路基板の上面に各発光ダイオードチップを配置する。この場合、各発光ダイオードチップのコンタクト電極の、および／または第１のメタライゼーション層の微細な金属先端部は、局所的に電気絶縁性接着剤を貫通し、各発光ダイオードチップのコンタクト電極を第１のメタライゼーション層に電気接続する。有利なことに、本方法では、各発光ダイオードチップの大きさが小さくかつ各発光ダイオードチップにおいてコンタクト電極間の距離が小さい場合でも、容易にかつ高い信頼性で各発光ダイオードチップを回路基板の上面に固着することができ、かつ同時に、高い信頼性で各発光ダイオードチップの電気的接触を行うことができる。

本方法の一実施形態では、本方法は、ポッティング材を回路基板の上面に配置するさらなるステップを含む。各発光ダイオードチップは、ポッティング材に少なくとも部分的に埋め込まれる。有利なことに、各発光ダイオードチップは、ポッティング材の中に埋め込まれることによって外的な影響によるダメージから保護される。また、ポッティング材は、所望の光学反射特性を有する均質の上面を形成してもよい。

本発明の上記性質、特徴、および、利点、ならびにそれらの実現方法は、それぞれが概略図を示す図面に関連して詳細に説明される例示的な実施形態の以下の記述に関連してさらに明らかとなり、またさらに明確に理解される。

ビデオウォールモジュールのピクセルの平面図である。 第１の実施形態に係るビデオウォールモジュールの一部の断面側面図である。 ビデオウォールモジュールの交差マトリクス配線の回路図である。 ビデオウォールモジュールの回路基板の第１のメタライゼーション層の平面図である。 ビデオウォールモジュールの回路基板の上側スルーコンタクトの平面図である。 ビデオウォールモジュールの回路基板の第２のメタライゼーション層の平面図である。 ビデオウォールモジュールの回路基板の下側スルーコンタクトの平面図である。 ビデオウォールモジュールの回路基板の第３のメタライゼーション層の平面図である。 導電性ダイアタッチフィルムによって接触している発光ダイオードチップの断面側面図である。 異方性導電膜によって接触している発光ダイオードチップの断面側面図である。 第２の実施形態に係るビデオウォールモジュールの一部の断面側面図である。 電気絶縁性接着剤によって固着された発光ダイオードチップの断面側面図である。

図１は、ビデオウォールモジュール１００の非常に概略的な平面図である。ビデオウォールモジュール１００の基本的な幾何学的形状を例示するために、ビデオウォールモジュール１００の図１における例示は、完全なものではなく、簡素化されている。

ビデオウォールモジュール１００は、さらに大きなビデオウォールを構築するためのモジュールとして役立ちうる。この場合、ビデオウォールは、同種のビデオウォールモジュール１００を複数備えうる。ビデオウォールは、単色または多色の静止画または動画を表示することに役立ちうる。

ビデオウォールモジュール１００は、規則的な２次元の矩形格子１２０の形に配置された複数のピクセル１１０を含む。図１の例では、矩形格子１２０には、列１２２が１６列、行１２１が１６行含まれている。したがって、ビデオウォールモジュール１００は、１６×１６個のピクセル１１０を含む。しかしながら、異なる数のピクセル１１０を有するビデオウォールモジュール１００を構成することができる。例えば、８×８個のピクセル１１０、４×４個のピクセル１１０、または３２×３２個のピクセル１１０を有するビデオウォールモジュールを構成することができる。ビデオウォールモジュール１００の矩形格子１２０の行１２１の数が矩形格子１２０の列１２２の数と異なることもできる。この場合、ビデオウォールモジュール１００は、例えば８×１６個のピクセル１１０を含んでいてもよい。

ビデオウォールモジュール１００のピクセル１１０は、図１の例では正方形状に構成されている。矩形格子１２０も図１の例では正方形であるため、ビデオウォールモジュール１００は、全体として正方形である。しかしながら、ピクセル１１０を矩形状に構成してもよい。この場合、ビデオウォールモジュール１００は、正方形ではない矩形状でありうる。正方形ではない矩形状のピクセル１１０を構成し、ビデオウォールモジュール１００が全体として正方形になるように異なる数の行１２１および列１２２を有する矩形格子１２０を構成することも考えられる。

矩形格子１２０の２×２個の隣接ピクセル１１０が、それぞれ、関連ピクセル１１０のブロック１３０を形成する。したがって、図１の例では、ビデオウォールモジュール１００の矩形格子１２０は、８×８個のブロック１３０を含む。

ビデオウォールモジュール１００の個々のピクセル１１０の辺長を、例えば０．３ｍｍ〜２ｍｍとしてもよく、特に例えば０．５ｍｍ〜１ｍｍとしてもよい。したがって、ピクセル１１０を正方形状に構成する場合、ピクセル１１０の大きさを、例えば１ｍｍ×１ｍｍとしてもよい。この場合、ビデオウォールモジュール１００の辺長は、例えば１６ｍｍでありうる。公差を補償するためにビデオウォールモジュール１００の辺長が若干小さい（例えば辺長が１５．９ｍｍである）ことが好都合でありうる。

ビデオウォールモジュール１００の各ピクセル１１０は、図１の例では３つの発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）２００を備える。ピクセル１１０の３つの発光ダイオードチップ２００を、異なる色の光を出射するように構成してもよい。一例を挙げると、ピクセル１１０の３つの発光ダイオードチップ２００を赤色光、緑色光、および青色光を出射するように構成してもよい。ピクセル１１０の発光ダイオードチップ２００によって出射された放射の加法混色によって、各ピクセル１１０は、広範に調節可能な色を有する光を発することができる。

しかしながら、１つのピクセル１１０あたりの発光ダイオードチップ２００の数が異なるビデオウォールモジュール１００を構成することもできる。一例を挙げると、ビデオウォールモジュール１００の各ピクセル１１０は、１つの発光ダイオードチップ２００、２つの発光ダイオードチップ２００、または４つ以上の発光ダイオードチップ２００を備えていてもよい。この場合、各発光ダイオードチップ２００を、例えば青色光、緑色光、黄色光、赤色光、または橙色光を出射するように構成してもよい。

図１の例では、１つのピクセル１１０の個々の発光ダイオードチップ２００は、互いに直線的に並置されている。この場合、発光ダイオードチップ２００は複数列に配置されており、ビデオウォールモジュール１００の矩形格子１２０の１つの行１２１のすべてのピクセル１１０のすべての発光ダイオードチップ２００は、共通の行に配置されている。しかしながら、ビデオウォールモジュール１００の矩形格子１２０の１つの列１２２のすべてのピクセル１１０のすべての発光ダイオードチップ２００が共通の列に配置されるように、１つのピクセル１１０の各発光ダイオードチップ２００を互いに一列に直線的に並置することもできる。１つのピクセル１１０の個々の発光ダイオードチップ２００を、直線的にではなく、例えば三角形状にまたは縦方向にずらして並置することもできる。ビデオウォールモジュール１００の１つのピクセル１１０の個々の発光ダイオードチップ２００の直線的配置によって、ビデオウォールモジュール１００によって実現可能な画像品質の利点がもたらされうる。

１つのピクセル１１０の個々の発光ダイオードチップ２００の間隔（発光ダイオードチップと発光ダイオードチップの間隔）を、例えば、３０μｍ〜６０μｍの間としてもよい。この場合、個々の発光ダイオードチップ２００の辺長は、例えば、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍの間である。

図２は、ビデオウォールモジュール１００の一部の概略的な断面側面図である。断面の境界の経路を図１に示す。

各発光ダイオードチップ２００は、放射出射面２０１および放射出射面２０１の反対側のコンタクト面２０２を備える。各発光ダイオードチップ２００を、フリップチップとして構成してもよい。各発光ダイオードチップ２００は、電磁放射を放射出射面２０１において出射するように構成されている。

第１のコンタクト電極２１０および第２のコンタクト電極２２０が、それぞれ、各発光ダイオードチップ２００のコンタクト面２０２に配置されている。例えば、第１のコンタクト電極２１０を、発光ダイオードチップ２００のアノードとしてもよい。この場合、第２のコンタクト電極２２０は、発光ダイオードチップ２００のカソードを形成する。しかしながら、第１のコンタクト電極２１０が発光ダイオードチップ２００のカソードを形成し、第２のコンタクト電極２２０がアノードを形成することもできる。第１のコンタクト電極２１０および第２のコンタクト電極２２０の両電極は、コンタクト面２０２の様々な位置に、特に例えば交錯配置（interlaced arrangement）で配置された複数の部分電極に細分されていてもよい。

ビデオウォールモジュール１００の各発光ダイオードチップ２００は、多層回路基板３００の上面３０１に配置されている。回路基板３００を、プリント回路基板（ＰＣＢ：printed circuit board）ともいう。各発光ダイオードチップ２００は、発光ダイオードチップ２００のコンタクト面２０２が回路基板３００の上面３０１と対向し、発光ダイオードチップ２００の放射出射面２０１が回路基板３００の上面３０１とは反対側を向くように回路基板３００の上面３０１に配置されている。

図２の例では、多層回路基板３００は、第１の回路基板層３１０および第２の回路基板層３２０を備える。第１の回路基板層３１０が第２の回路基板層３２０の上に配置されているため、第２の回路基板層３２０よりも第１の回路基板層３１０が発光ダイオードチップ２００の近くに配置されている。

第１のメタライゼーション層３３０が、第１の回路基板層３１０の発光ダイオードチップ２００と対向する上面に配置されている。第１のメタライゼーション層と第１の回路基板層３１０の上面とが回路基板３００の上面３０１を形成している。第２のメタライゼーション層３４０が、第１の回路基板層３１０と第２の回路基板層３２０の間に配置されている。第３のメタライゼーション層３５０が、第２の回路基板層３２０の第１の回路基板層３１０とは反対側の下面に配置されている。第２の回路基板層３２０の下面と第３のメタライゼーション層３５０とが、ビデオウォールモジュール１００の後面１０２を形成している。

第１のメタライゼーション層３３０のいくつかの区画部分と第２のメタライゼーション層３４０のいくつかの区画部分とは、第１の回路基板層３１０に配置された第１の上側スルーコンタクト３１１および第１の回路基板層３１０に配置された第２の上側スルーコンタクト３１２を介して互いに電気接続されている。第２のメタライゼーション層３４０のいくつかの区画部分と第３のメタライゼーション層３５０のいくつかの区画部分とは、回路基板３００の第２の回路基板層３２０に配置された下側スルーコンタクト３２１を介して互いに電気接続されている。

ビデオウォールモジュール１００の回路基板３００のメタライゼーション層３３０，３４０，３５０は、交差マトリクス配線１４０を形成している。交差マトリクス配線からの抜粋部分を図３に概略的に例示する。論理行１４１および論理列１４２を含む論理マトリクスの各発光ダイオードチップ２００は、交差マトリクス配線１４０で配置されている。発光ダイオードチップ２００の１つは、１つの論理行１４１と１つの論理列１４２の交差点に配置されている。

最も単純な場合では、交差マトリクス配線１４０の論理行１４１は、ビデオウォールモジュール１００のピクセル１１０の矩形格子１２０の行１２１と一致している。交差マトリクス配線１４０の論理列１４２は、ピクセル１１０の矩形格子１２０の列１２２のように伸長している。ただし、ピクセル１１０あたりの発光ダイオードチップ２００が３つである図の例では、ピクセル１１０の矩形格子１２０の１つの列１２２につき３つの論理列１４２が存在している。

交差マトリクス配線１４０では、各発光ダイオードチップ２００の各論理列１４２の第１のコンタクト電極２１０は、列ライン３３１によって互いに電気接続されている。したがって、列ライン３３１の数は、交差マトリクス配線１４０の論理列１４２の数に一致している。交差マトリクス配線１４０の各論理行１４１の各発光ダイオードチップ２００の第２のコンタクト電極２２０は、行ライン３４１によって互いに電気接続されている。したがって、行ライン３４１の数は、交差マトリクス配線１４０の論理行１４１の数に一致している。

交差マトリクス配線１４０によって、１つの論理行１４１のすべての発光ダイオードチップ２００を同時に互いに独立して駆動することができる。その間、他のすべての論理行１４１の発光ダイオードチップ２００は駆動されない。交差マトリクス配線１４０の個々の論理行１４１を一時的に連続的に駆動してもよく（マルチプレックス法（multiplexing method））、これにより、交差マトリクス配線１４０で配置されたすべての発光ダイオードチップ２００が互いに独立して扱われる。

図４は、ビデオウォールモジュール１００の回路基板３００の第１の回路基板層３１０の上面に配置された第１のメタライゼーション層３３０の概略平面図である。理解をより容易にするために、ビデオウォールモジュール１００のピクセル１１０の矩形格子１２０を図４にさらに示す。ピクセル１１０の矩形格子１２０を示すのは、以下に説明する図５〜８についても同様である。

第１のメタライゼーション層３３０は、交差マトリクス配線１４０の列ライン３３１を形成している。列ライン３３１は、ピクセル１１０の矩形格子１２０の列１２２と平行に伸長している。ピクセル１１０の１つの列１２２につき３つの列ライン３３１が存在している。各発光ダイオードチップ２００は、発光ダイオードチップ２００の第１のコンタクト電極２１０が列ライン３３１に電気接続されるように回路基板３００の上面３０１に配置されている。個々の列ライン３３１は、互いに電気的に絶縁されている。

図５は、ビデオウォールモジュール１００の回路基板３００の第１の回路基板層３１０に配置された第１の上側スルーコンタクト３１１および第２の上側スルーコンタクト３１２の配置を示す概略図である。

回路基板３００は、１つの列ライン３３１につき１つの第１の上側スルーコンタクト３１１を備える（すなわち、交差マトリクス配線１４０の１つの論理列１４２につき１つの上側スルーコンタクト３１１を備える）。各列ライン３３１は、第１の上側スルーコンタクト３１１に電気接続されている。図５の例では、第１の上側スルーコンタクト３１１は、ピクセル１１０の各行１２１の間の境界に配置されている。しかしながら、第１の上側スルーコンタクト３１１を他の位置に配置することができる。

さらに、回路基板３００は、ビデオウォールモジュール１００の１つの発光ダイオードチップ２００につき１つの第２の上側スルーコンタクト３１２を備える（すなわち、１つのピクセル１１０につき３つの発光ダイオードチップ２００を備えるビデオウォールモジュール１００の例では、１つのピクセル１１０につき３つの第２の上側スルーコンタクト３１２を備える）。各発光ダイオードチップ２００は、発光ダイオードチップ２００の第２のコンタクト電極２２０が第２の上側スルーコンタクト３１２の１つに電気接続されるように回路基板３００の上面３０１に配置されている。第１の回路基板層３１０の上面における第１のメタライゼーション層３３０は、図４には示していないが、発光ダイオードチップ２００の第２のコンタクト電極２２０を第２の上側スルーコンタクト３１２に電気接続する金属部分を備えていてもよい。

図６は、ビデオウォールモジュール１００の回路基板３００の第１の回路基板層３１０と第２の回路基板層３２０との間に配置された第２のメタライゼーション層３４０の概略平面図である。

第２のメタライゼーション層３４０は、交差マトリクス配線１４０の行ライン３４１を形成している。行ライン３４１は、ピクセル１１０の矩形格子１２０の行１２１と平行に伸長している。ピクセル１１０の１つの行１２１につき１つの行ライン３４１が存在している。

第２のメタライゼーション層３４０の行ライン３４１は、ピクセル１１０の１つの行１２１のすべての発光ダイオードチップ２００の第２のコンタクト電極２２０が、それぞれ、第２の上側スルーコンタクト３１２を介して共通の行ライン３４１に電気接続されるように配置されている。したがって、各行ライン３４１は、ビデオウォールモジュール１００のピクセル１１０の１つの行１２１のすべての発光ダイオードチップ２００の第２のコンタクト電極２２０を電気的に短絡させる。個々の行ライン３４１は、互いに電気的に絶縁されている。

行ライン３４１に加えて、第２のメタライゼーション層３４０が行接続構造３４２および列接続構造３４３を備える。行接続構造３４２および列接続構造３４３は、それぞれ、行ライン３４１の間に配置されている。行接続構造３４２は、行ライン３４１に電気接続されている。この場合、各行ライン３４１は１つの行接続構造３４２に接続され、各行接続構造３４２は１つの行ライン３４１に接続されている。各列接続構造３４３は、互いに電気的に絶縁され、行ライン３４１および行接続構造３４２からも電気的に絶縁されている。

図６に例示された第２のメタライゼーション層３４０の各列接続構造３４３は、第１の回路基板層３１０の、図５に示される第１の上側スルーコンタクト３１１の正確に１つに電気接続されている。その結果、第２のメタライゼーション層３４０の各列接続構造３４３は、図４に示される第１のメタライゼーション層３３０の正確に１つの列ライン３３１に電気接続されている。列接続構造３４３の数は、列ライン３３１の数に一致している。

図７は、ビデオウォールモジュール１００の回路基板３００の第２の回路基板層３２０に配置された下側スルーコンタクト３２１の配置を示す概略図である。下側スルーコンタクト３２１の数は、ビデオウォールモジュール１００のピクセル１１０のブロック１３０の数に一致している。１つのブロック１３０につき１つの下側スルーコンタクト３２１が設けられている。ここで、図の例では、下側スルーコンタクト３２１は、それぞれ、ブロック１３０を形成する４つのピクセル１１０が接する点に配置されている。しかしながら、下側スルーコンタクト３２１を他の位置に配置することができる。

図６に例示された第２のメタライゼーション層３４０の各行接続構造３４２および各列接続構造３４３は、図７に例示された下側スルーコンタクト３２１の正確に１つに電気接続されている。各下側スルーコンタクト３２１は、正確に１つの行接続構造３４２に、または正確に１つの列接続構造３４３に電気接続されている。この場合、行接続構造３４２は、行ライン３４１と、行ライン３４１に割り当てられた下側スルーコンタクト３２１の位置との接続を形成している。列接続構造３４３は、第１の上側スルーコンタクト３１１の位置と、割り当てられた各下側スルーコンタクト３２１の位置との接続を形成している。

図８は、ビデオウォールモジュール１００の回路基板３００の第２の回路基板層３２０の下面に配置された第３のメタライゼーション層３５０の概略図である。ビデオウォールモジュール１００の電気コンタクトパッド３５１は、第３のメタライゼーション層３５０に形成されている。電気コンタクトパッド３５１は、ビデオウォールモジュール１００の電気的接触ためのビデオウォールモジュール１００の外側コンタクトパッドとして役立ちうる。ビデオウォールモジュール１００は、例えば、リフローはんだ付けによる表面実装等の表面実装（ＳＭＴ実装）用に提供されうる。

第３のメタライゼーション層３５０に形成された電気コンタクトパッド３５１の数は、回路基板３００の第２の回路基板層３２０に配置された下側スルーコンタクト３２１の数に一致し、したがって、ビデオウォールモジュール１００のピクセル１１０のブロック１３０の数にも一致している。各下側スルーコンタクト３２１は、第３のメタライゼーション層３５０における電気コンタクトパッド３５１に割り当てられている。この場合、関連付けられた下側スルーコンタクト３２１と同様に、各電気コンタクトパッド３５１は、ビデオウォールモジュール１００のブロック１３０を形成する４つのピクセル１１０の交差点を中心としている。図の例では、電気コンタクトパッド３５１のそれぞれは正方形であるが、例えば、円板形または他の形であってもよい。

第３のメタライゼーション層３５０に形成された各電気コンタクトパッド３５１は、回路基板３００の第２の回路基板層３２０の、割り当てられた下側スルーコンタクト３２１に電気接続されている。その結果、第１の回路基板層３１０の第１の上側スルーコンタクト３１１、第２のメタライゼーション層３４０の列接続構造３４３、および第２の回路基板層３２０の下側スルーコンタクト３２１を介して、第１のメタライゼーション層３３０の各列ライン３３１は、第３のメタライゼーション層３５０の正確に１つの電気コンタクトパッド３５１に電気接続されている。また、第２のメタライゼーション層３４０の行接続構造３４２および第２の回路基板層３２０の下側スルーコンタクト３２１を介して、第２のメタライゼーション層３４０の各行ライン３４１は、第３のメタライゼーション層３５０の正確に１つの電気コンタクトパッド３５１に電気接続されている。したがって、ビデオウォールモジュール１００の電気コンタクトパッド３５１によって、ビデオウォールモジュール１００のすべての発光ダイオードチップ２００を、回路基板３００に形成された交差マトリクス配線１４０を介して電気的に駆動することができる。

第１の回路基板層３１０、第２の回路基板層３２０、第１のメタライゼーション層３３０、上側スルーコンタクト３１１，３１２、第２のメタライゼーション層３４０、下側スルーコンタクト３２１、および第３のメタライゼーション層３５０を有するビデオウォールモジュール１００の回路基板３００を事前に製造してもよい。

その後、事前に製造した発光ダイオードチップ２００を、回路基板３００の上面３０１に配置する。コンタクト電極２１０，２２０は、回路基板３００の第１のメタライゼーション層３３０に電気接続される。

各発光ダイオードチップ２００のコンタクト電極２１０、２２０は、発光ダイオードチップ２００のコンタクト面２０２において互いにわずかに離間していてもよい。これは、第１のコンタクト電極２１０および第２のコンタクト電極２２０が、回路基板３００の第１のメタライゼーション層３３０への電気接続を形成するときに電気的に短絡するリスクにつながる場合がある。

各発光ダイオードチップ２００の第１のコンタクト電極２１０および第２のコンタクト電極２２０の間の短絡のリスクを低減するために、発光ダイオードチップ２００のコンタクト電極２１０，２２０を第１のメタライゼーション層３３０に電気接続する、導電性ダイアタッチフィルム３８０のパターニングされた区画部分を各発光ダイオードチップ２００のコンタクト面２０２に配置してもよい。この目的のために、導電性ダイアタッチフィルム３８０の上記区画部分は、はじめに各発光ダイオードチップ２００のコンタクト面２０２に平面的に配置され、次いで導電性ダイアタッチフィルム３８０の、第１のコンタクト電極２１０に接触する部分と第２のコンタクト電極２２０に接触する部分とが互いに電気的に絶縁されるようにパターニングされる。例えば、レーザーによって導電性ダイアタッチフィルム３８０をパターニングしてもよい。図９は、導電性ダイアタッチフィルム３８０の、対応するパターニングを施され、発光ダイオードチップ２００のコンタクト面２０２に配置された区画部分を含む発光ダイオードチップ２００の概略的な断面側面図である。

次いで、各発光ダイオードチップ２００は、導電性ダイアタッチフィルム３８０の上記区画部分が各発光ダイオードチップ２００のコンタクト電極２１０，２２０を第１のメタライゼーション層３３０に電気接続するように回路基板３００の上面３０１に配置される。

各発光ダイオードチップ２００をウェハ集合体において製造してもよい。この場合、一体的に連続した複数の発光ダイオードチップ２００をチップウェハが含み、複数の発光ダイオードチップ２００は、チップウェハの分割により製造プロセスの最後に個片化される。ウェハ集合体において初期に、導電性ダイアタッチフィルム３８０を、複数の発光ダイオードチップ２００を備えるチップウェハに配置してもよい。次いで、各発光ダイオードチップ２００が実際に個片化される前に、ウェハ集合体において導電性ダイアタッチフィルム３８０のパターニングも行う。導電性ダイアタッチフィルム３８０は、発光ダイオードチップ２００の個片化プロセスにおいてチップウェハと共に分割される。

代替として、各発光ダイオードチップ２００のコンタクト電極２１０，２２０を第１のメタライゼーション層３３０に電気接続するために回路基板３００の上面３０１に配置される異方性導電膜３９０を使用することによって、各発光ダイオードチップ２００のコンタクト電極２１０，２２０の間の短絡のリスクを低減することができる。

図１０は、発光ダイオードチップ２００のコンタクト面２０２のコンタクト電極２１０，２２０と回路基板３００の上面３０１の第１のメタライゼーション層３３０の間に配置された、異方性導電膜３９０の区画部分を含む発光ダイオードチップ２００の概略的な断面側面図である。異方性導電膜３９０は、はじめに回路基板３００の上面３０１に平面的に配置される。次いで、各発光ダイオードチップ２００は、異方性導電膜３９０が各発光ダイオードチップ２００のコンタクト電極２１０，２２０を第１のメタライゼーション層３３０に電気接続するように回路基板３００の上面３０１に配置される。これは、異方性導電膜３９０が、導電膜３９０の平面内での横方向（すなわち、回路基板３００の上面３０１と平行）にではなく、異方性導電膜３９０の平面に対する直交方向（すなわち、回路基板３００の上面３０１に対する直交方向）にのみ導電性を有することを利用している。異方性導電膜３９０のこの異方性の導電性は、発光ダイオードチップ２００のコンタクト電極２１０，２２０によって異方性導電膜３９０に局所的に印加された圧力によってもたらされうるか、または増幅されうる。

発光ダイオードチップ２００のコンタクト電極２１０，２２０の間の短絡のリスクをほんのわずかなものにするように、各発光ダイオードチップ２００を回路基板３００の上面３０１に固着し接触させるさらなる代替的な可能性を、図１２に概略的に例示する。この変形形態では、各発光ダイオードチップ２００を、電気絶縁性接着剤３９５によって回路基板３００の上面３０１に固着する。例えば、電気絶縁性接着剤３９５を、各発光ダイオードチップ２００を配置するプロセスの前に回路基板３００の上面３０１に平面的に塗布してもよい。図１２は、発光ダイオードチップ２００のコンタクト面２０２と回路基板３００の上面３０１の間に配置された、電気絶縁性接着剤３９５の区画部分を含む発光ダイオードチップ２００の概略的な断面側面図である。

この変形形態では、各発光ダイオードチップ２００のコンタクト電極２１０，２２０および／または第１のメタライゼーション層３３０は、微細な金属先端部２１１，２２１，３３２を含む。この金属先端部２１１，２２１，３３２は、各発光ダイオードチップ２００を回路基板３００の上面３０１に載置するプロセスの間に電気絶縁性接着剤３９５を局所的に貫通し、それにより各発光ダイオードチップ２００のコンタクト電極２１０，２２０を第１のメタライゼーション層３３０に電気接続する。

各発光ダイオードチップ２００を回路基板３００の上面３０１に配置するプロセス後、ポッティング材３７０を回路基板３００の上面３０１に配置してもよい。この場合、各発光ダイオードチップ２００は、ポッティング材３７０の中に部分的に埋め込まれる。図２は、回路基板３００の上面３０１に配置されたポッティング材３７０を示す。各発光ダイオードチップ２００は、発光ダイオードチップ２００の放射出射面２０１とコンタクト面２０２の間に伸長する側面はポッティング材３７０によって被覆されるが、発光ダイオードチップ２００の放射出射面２０１はポッティング材３７０によって被覆されないようにポッティング材３７０に埋め込まれている。ポッティング材３７０は、発光ダイオードチップ２００の放射出射面２０１と面一であってもよい。回路基板３００の上面３０１の上に配置されたポッティング材３７０および各発光ダイオードチップ２００の、ポッティング材３７０によって被覆されていない放射出射面２０１は、ビデオウォールモジュール１００の前面１０１を形成する。

ポッティング材３７０は、外的な影響によるダメージから各発光ダイオードチップ２００を保護しうる。同時に、ポッティング材３７０は、ビデオウォールモジュール１００の前面１０１の均一な外観をもたらしうる。ポッティング材３７０の光反射率は、用途に応じて高くても低くてもよい。ポッティング材３７０が光反射率が低い黒色である場合、発光ダイオードチップ２００の放射出射用の放射出射面２０１と、ビデオウォールモジュール１００の前面１０１の他の部分との間の特に高いコントラストが得られうる。

ポッティング材３７０は、例えば、プラスチック材料（例えば、エポキシまたはシリコーン）を含みうる。ポッティング材３７０を、例えば、成形法（モールド方法）によって回路基板３００の上面３０１に配置してもよい。ポッティング材３７０は、単純化した実施形態においては省略してもよい。

図１１は、さらなる実施形態に係るビデオウォールモジュール１００の一部の概略的な断面側面図である。図１１の例示の断面は、図２の例示とまったく同じ範囲のものである。図１１に示されるビデオウォールモジュール１００の実施形態は、図２に示されるビデオウォールモジュール１００の実施形態に大部分が一致している。互いに一致する構成部品には、図２および図１１において同じ引用符号を付す。図２および図１１に示される実施形態の相違点のみを以下に説明する。

図１１に示すビデオウォールモジュール１００の実施形態の場合、多層回路基板３００が第１の回路基板層３１０および第２の回路基板層３２０に加えて第３の回路基板層３６０を備える。この場合、第２の回路基板層３２０は、第１の回路基板層３１０と第３の回路基板層３６０の間に配置されている。回路基板３００の第３のメタライゼーション層３５０が、第２の回路基板層３２０と第３の回路基板層３６０の間に配置されている。

第４のメタライゼーション層４００が、回路基板３００の第３の回路基板層３６０の、第２の回路基板層３２０とは反対側の下面に配置されている。第４のメタライゼーション層４００は、ビデオウォールモジュール１００の後面１０２を形成している。電気コンタクトパッド４０１が第４のメタライゼーション層４００に形成されており、図１１のビデオウォールモジュール１００の実施形態では、ビデオウォールモジュール１００の電気的接触のためのビデオウォールモジュール１００の外側電気コンタクトパッドを形成している。図１１に示すビデオウォールモジュール１００の実施形態は、表面実装（例えば、リフローはんだ付けによる表面実装）のためのＳＭＴ部品として適しうる。

第３のメタライゼーション層３５０のいくつかの区画部分を第４のメタライゼーション層４００のいくつかの区画部分に電気接続するスルーコンタクトを第３の回路基板層３６０に配置してもよい。さらに、少なくとも１つの電子部品３６１が第３の回路基板層３６０に配置されている。複数の電子部品３６１を第３の回路基板層３６０に配置することもできる。電子部品３６１は、能動電子部品であっても受動電子部品であってもよく、例えば、抵抗器、コンデンサー、トランジスター、電子半導体チップ、または他の電子部品でありうる。電子部品３６１は、第３のメタライゼーション層３５０の電気コンタクトパッド３５１、および第４のメタライゼーション層４００に形成された電気コンタクトパッド４０１に電気接続されている。

第３の回路基板層３６０に配置された電子部品３６１は、例えば、マルチプレックス法で交差マトリクス配線１４０を介して各発光ダイオードチップ２００を駆動するために役立ちうる。その結果、図１１に示すビデオウォールモジュール１００の実施形態の場合、少なくとも発光ダイオードチップ２００の駆動に必要な電子部品の一部がビデオウォールモジュール１００に組み込まれている。その結果、図１１に示すビデオウォールモジュール１００の実施形態は、特に容易に駆動されうる。

ビデオウォールモジュール１００のさらなる実施形態では、多層回路基板３００は、図２および図１１に示される実施形態と異なる形態に構成されている。一例を挙げると、回路基板３００は、交差マトリクス配線１４０とは異なる配線を備えていてもよい。しかしながら、いずれの形態でも、回路基板３００は、多層状に構成されており、回路基板３００の上面３０１に配置された各発光ダイオードチップ２００のコンタクト電極２１０，２２０が電気接続される第１のメタライゼーション層３３０を回路基板３００の上面３０１に備える。

好ましい例示的実施形態に基づき、本発明を詳細に例示および説明してきた。しかしながら、本発明は、開示された例に制限されるものではない。むしろ、当業者であれば、開示した例に基づき、本発明の保護範囲から逸脱することなく、他の変形形態を得ることができる。

本特許出願は、独国特許出願第１０２０１６１０３３２４．３号の優先権を主張し、その開示内容は参照によって本明細書に援用される。

１００ ビデオウォールモジュール
１０１ 前面
１０２ 後面
１１０ ピクセル
１２０ 矩形格子
１２１ ピクセルの行
１２２ ピクセルの列
１３０ ブロック（４つのピクセルを備える）
１４０ 交差マトリクス配線
１４１ 論理行
１４２ 論理列
２００ 発光ダイオードチップ
２０１ 放射出射面
２０２ コンタクト面
２１０ 第１のコンタクト電極
２１１ 金属先端部
２２０ 第２のコンタクト電極
２２１ 金属先端部
３００ 回路基板
３０１ 上面
３１０ 第１の回路基板層
３１１ 第１の上側スルーコンタクト
３１２ 第２の上側スルーコンタクト
３２０ 第２の回路基板層
３２１ 下側スルーコンタクト
３３０ 第１のメタライゼーション層
３３１ 列ライン
３３２ 金属先端部
３４０ 第２のメタライゼーション層
３４１ 行ライン
３４２ 行接続構造
３４３ 列接続構造
３５０ 第３のメタライゼーション層
３５１ 電気コンタクトパッド
３６０ 第３の回路基板層
３６１ 電子部品
３７０ ポッティング材
３８０ 導電性ダイアタッチフィルム
３９０ 異方性導電膜
３９５ 電気絶縁性接着剤
４００ 第４のメタライゼーション層
４０１ 電気コンタクトパッド

Claims (17)

1. コンタクト面（２０２）に配置された第１のコンタクト電極（２１０）および第２のコンタクト電極（２２０）をそれぞれが備える複数の発光ダイオードチップ（２００）、
   を備え、
   前記複数の発光ダイオードチップ（２００）は、多層回路基板（３００）の上面（３０１）に配置されており、
   前記第１のおよび第２のコンタクト電極（２１０，２２０）は、前記多層回路基板（３００）の前記上面（３０１）に配置された第１のメタライゼーション層（３３０）に電気接続されており、
   導電性ダイアタッチフィルム（３８０）のパターニングされた区画部分が前記複数の発光ダイオードチップ（２００）のそれぞれの前記コンタクト面（２０２）に配置されており、該区画部分は、前記複数の発光ダイオードチップ（２００）のそれぞれの前記第１のおよび第２のコンタクト電極（２１０，２２０）を前記第１のメタライゼーション層（３３０）に電気接続している、
   ビデオウォールモジュール（１００）。
2. 異方性導電膜（３９０）が前記多層回路基板（３００）の前記上面（３０１）に配置されており、前記異方性導電膜は、前記複数の発光ダイオードチップ（２００）の前記第１のおよび第２のコンタクト電極（２１０，２２０）を前記第１のメタライゼーション層（３３０）に電気接続している、
   請求項１に記載のビデオウォールモジュール（１００）。
3. 前記複数の発光ダイオードチップ（２００）は、前記多層回路基板（３００）の前記上面（３０１）に配置されたポッティング材（３７０）に少なくとも部分的に埋め込まれている、
   請求項１または２に記載のビデオウォールモジュール（１００）。
4. 前記多層回路基板（３００）は、第２のメタライゼーション層（３４０）を備え、
   前記第１のメタライゼーション層（３３０）のいくつかの区画部分と前記第２のメタライゼーション層（３４０）のいくつかの区画部分とは、前記多層回路基板（３００）に配置されたスルーコンタクト（３１１，３１２）によって互いに電気接続されている、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載のビデオウォールモジュール（１００）。
5. 前記複数の発光ダイオードチップ（２００）は、マトリクス（１４０）の行（１４１）および列（１４２）に論理的に分布されており、
   前記複数の発光ダイオードチップ（２００）の前記第１のコンタクト電極（２１０）は、前記第１のメタライゼーション層（３３０）によって列単位で互いに電気接続されており、
   前記複数の発光ダイオードチップ（２００）の前記第２のコンタクト電極（２２０）は、前記第２のメタライゼーション層（３４０）によって行単位で互いに電気接続されている、
   請求項４に記載のビデオウォールモジュール（１００）。
6. 前記多層回路基板（３００）は、第３のメタライゼーション層（３５０）を備え、
   前記第２のメタライゼーション層（３４０）のいくつかの区画部分と前記第３のメタライゼーション層（３５０）のいくつかの区画部分とは、前記多層回路基板（３００）に配置されたスルーコンタクト（３２１）によって互いに電気接続されている、
   請求項４または５に記載のビデオウォールモジュール（１００）。
7. 前記第３のメタライゼーション層（３５０）は、前記ビデオウォールモジュール（１００）の外側電気コンタクトパッド（３５１）を形成している、
   請求項６に記載のビデオウォールモジュール（１００）。
8. 前記多層回路基板（３００）は、組み込まれた電子部品（３６１）を備える、
   請求項１〜７のいずれか一項に記載のビデオウォールモジュール（１００）。
9. ２つまたは３つの隣接した発光ダイオードチップ（２００）が、１つのピクセル（１１０）を形成している、
   請求項１〜８のいずれか一項に記載のビデオウォールモジュール（１００）。
10. 複数の前記ピクセル（１１０）は、前記多層回路基板（３００）の前記上面（３０１）に矩形格子（１２０）状に配置されている、
    請求項９に記載のビデオウォールモジュール（１００）。
11. １つのピクセル（１１０）の前記発光ダイオードチップ（２００）は、互いに直線的に並置されている、
    請求項９または１０に記載のビデオウォールモジュール（１００）。
12. 第１のメタライゼーション層（３３０）が多層回路基板（３００）の上面（３０１）に配置された多層回路基板（３００）を設けるステップと、
    第１のコンタクト電極（２１０）および第２のコンタクト電極（２２０）が配置されたコンタクト面（２０２）をそれぞれが有する複数の発光ダイオードチップ（２００）を設けるステップと、
    前記複数の発光ダイオードチップ（２００）を前記多層回路基板（３００）の前記上面（３０１）に配置するステップと、
    を含み、
    前記第１のおよび第２のコンタクト電極（２１０，２２０）は、前記第１のメタライゼーション層（３３０）に電気接続され、
    前記複数の発光ダイオードチップ（２００）を設けるステップは、
    導電性ダイアタッチフィルム（３８０）の区画部分を前記発光ダイオードチップ（２００）のそれぞれの前記コンタクト面（２０２）に配置するステップと、
    前記導電性ダイアタッチフィルム（３８０）の前記第１のコンタクト電極（２１０）に接触する部分と前記第２のコンタクト電極（２２０）に接触する部分とが互いに電気的に絶縁されるように前記導電性ダイアタッチフィルム（３８０）をパターニングするステップと、を含み、
    前記複数の発光ダイオードチップ（２００）は、前記導電性ダイアタッチフィルム（３８０）の前記区画部分のそれぞれが前記第１のおよび第２のコンタクト電極（２１０，２２０）を前記第１のメタライゼーション層（３３０）に電気接続するように前記多層回路基板（３００）の前記上面（３０１）に配置される、
    ビデオウォールモジュール（１００）の製造方法。
13. 前記導電性ダイアタッチフィルム（３８０）のパターニングは、レーザーによって行われる、
    請求項１２に記載のビデオウォールモジュール（１００）の製造方法。
14. 前記導電性ダイアタッチフィルム（３８０）は、複数の発光ダイオードチップ（２００）を含むチップウェハに配置され、
    前記複数の発光ダイオードチップ（２００）は、前記導電性ダイアタッチフィルム（３８０）をパターニングするプロセスの後に前記導電性ダイアタッチフィルム（３８０）と共に個片化される、
    請求項１２または１３に記載のビデオウォールモジュール（１００）の製造方法。
15. 前記複数の発光ダイオードチップ（２００）を前記多層回路基板（３００）の前記上面（３０１）に配置するステップは、
    異方性導電膜（３９０）を前記多層回路基板（３００）の前記上面（３０１）に配置するステップと、
    前記異方性導電膜（３９０）が前記複数の発光ダイオードチップ（２００）の前記第１のおよび第２のコンタクト電極（２１０，２２０）を前記第１のメタライゼーション層（３３０）に電気接続するように前記複数の発光ダイオードチップ（２００）を前記多層回路基板（３００）の前記上面（３０１）に配置するステップと、を含む、
    請求項１２に記載のビデオウォールモジュール（１００）の製造方法。
16. 前記複数の発光ダイオードチップ（２００）を前記多層回路基板（３００）の前記上面（３０１）に配置するステップは、
    電気絶縁性接着剤（３９５）を前記多層回路基板（３００）の前記上面（３０１）に塗布するステップと、
    前記複数の発光ダイオードチップ（２００）を前記多層回路基板（３００）の前記上面（３０１）に配置するステップと、を含み、
    前記複数の発光ダイオードチップ（２００）の前記第１のおよび第２のコンタクト電極（２１０，２２０）の、および／または前記第１のメタライゼーション層（３３０）の微細な金属先端部（２１１，２２１，３３２）が前記電気絶縁性接着剤（３９５）を局所的に貫通し、前記複数の発光ダイオードチップ（２００）の前記第１のおよび第２のコンタクト電極（２１０，２２０）を前記第１のメタライゼーション層（３３０）に電気接続する、
    請求項１２に記載のビデオウォールモジュール（１００）の製造方法。
17. ポッティング材（３７０）を前記多層回路基板（３００）の前記上面（３０１）に配置するさらなるステップを含み、
    前記複数の発光ダイオードチップ（２００）は、前記ポッティング材（３７０）に少なくとも部分的に埋め込まれる、
    請求項１２〜１６のいずれか一項に記載のビデオウォールモジュール（１００）の製造方法。

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