JP6657770B2 - 液体組成物およびこれを用いたエッチング方法 - Google Patents
液体組成物およびこれを用いたエッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6657770B2 JP6657770B2 JP2015208989A JP2015208989A JP6657770B2 JP 6657770 B2 JP6657770 B2 JP 6657770B2 JP 2015208989 A JP2015208989 A JP 2015208989A JP 2015208989 A JP2015208989 A JP 2015208989A JP 6657770 B2 JP6657770 B2 JP 6657770B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- liquid composition
- copper
- main component
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
しかしながら、特許文献1に開示されたエッチング液は、過酸化水素、フッ素化合物、アゾール化合物およびホスホン酸誘導体またはその塩からなるが、ホスホン酸誘導体またはその塩は過酸化水素の安定化のために添加しており、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物(IGZO)へのダメージについては言及していない。過酸化水素、フッ素化合物、アゾール化合物および1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸を配合した液体組成物についてはIGZOへのダメージが確認され(比較例13を参照)、IGZOへのダメージを抑えて金属化合物をエッチングする液体組成物としては不十分である。
しかしながら、特許文献2に開示されたエッチング液組成物は、アルカリを含有する水溶液からなるアルカリ性のエッチング液組成物としているが、過酸化水素、およびアンモニアを配合した液体組成物についてはIGZOへのダメージが確認され(比較例14を参照)、IGZOへのダメージを抑えて金属化合物をエッチングする液体組成物としては不十分である。
特許文献3(国際公開第2013/015322号)では、過酸化水素、硫酸または硝酸などの無機酸、コハク酸などの有機酸、エタノールアミンなどのアミン化合物、および、5−アミノ−1H−テトラゾールなどのアゾール類を含むエッチング液を用いることにより、半導体層へのダメージを低減させて銅/モリブデン系多層薄膜を選択的にエッチングできることが記載されている。
しかしながら、低pH領域ではIGZOなどの半導体層にダメージを与えてしまうため、特許文献3に開示されたエッチング液は、pH2.5〜5の範囲に調整して使用することを要している。
本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。すなわち、本発明は下記のとおりである。
[2]インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物とをエッチングすることを特徴とする第1項に記載の液体組成物。
[3](B)フッ素原子を含有しない酸が硝酸、硫酸、リン酸、塩酸、メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸およびクエン酸からなる群より選ばれる1種以上の化合物である第1項に記載の液体組成物。
[4](C)ホスホン酸類がアミノメチルホスホン酸、n−ヘキシルホスホン酸、1−オクチルホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、ヒドロキシエチリデン−1,1−ビスホスホン酸、N,N,N',N'−エチレンジアミンテトラキス(メチレンホスホン酸)、1,2−プロパンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、ビス(ヘキサメチレン)トリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、およびペンタエチレンヘキサミンオクタ(メチレンホスホン酸)からなる群より選ばれる1種以上の化合物である第1項に記載の液体組成物。
[5](C)リン酸エステル類がモノエチルホスフェート、ジエチルホスフェートおよびエチレングリコールホスフェートからなる群より選ばれる1種以上の化合物である第1項に記載の液体組成物。
[6]さらに過酸化水素安定剤としてフェニル尿素、フェニルグリコール、フェニルエチレングリコール、フェノールスルホン酸、アセトアニリド、フェナセチン、アセトアミドフェノール、ヒドロキシ安息香酸、p−アミノ安息香酸、p−アミノフェノール、3,5−ジアミノ安息香酸、スルファニル酸、アニリン、N−メチルアニリン、8−ヒドロキシキノリン、o−アセトトルイド、m−アセトトルイド、ジフェニルアミン、フェノール、アニソールからなる群より選ばれる1種以上のフェニル基を有する過酸化水素安定剤を含む第1項に記載の液体組成物。
[7]第1項〜第6項のいずれかに記載の液体組成物をインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物に接触させ、銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする方法。
[8]第1項〜第6項のいずれかに記載の液体組成物をインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物に接触させ、銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物をエッチングする方法。
[9]第7項に記載のエッチング方法を適用して、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングすることにより製造される基板。
[10]第8項に記載のエッチング方法を適用して、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物をエッチングすることにより製造される基板。
本発明の好ましい態様は下記のとおりである。
[1]インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングするための液体組成物であって、(A)過酸化水素、(B)フッ素原子を含有しない酸(C成分を除く)、(C)ホスホン酸類、リン酸エステル類、1H−テトラゾール−1−酢酸、1H−テトラゾール−5−酢酸および4−アミノ−1,2,4−トリアゾールからなる群より選ばれる1種以上の化合物、および(D)水を含み、かつpH値が5以下であることを特徴とする液体組成物。
[2](B)フッ素原子を含有しない酸が、(B1)硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる1種以上の化合物である、[1]に記載の液体組成物。
[3](B)フッ素原子を含有しない酸が、(B1)硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる1種以上の化合物と、(B2)メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸およびクエン酸からなる群より選ばれる1種以上の化合物との組み合わせである、[1]に記載の液体組成物。
[4]前記液体組成物中の(C)ホスホン酸類、リン酸エステル類、1H−テトラゾール−1−酢酸、1H−テトラゾール−5−酢酸および4−アミノ−1,2,4−トリアゾールからなる群より選ばれる1種以上の化合物の含有量が、0.001質量%〜0.1質量%の範囲内である、[1]から[3]のいずれか一項に記載の液体組成物。
[5]前記液体組成物中の(A)過酸化水素の含有量が、2質量%〜10質量%の範囲内である、[1]から[4]のいずれか一項に記載の液体組成物。
[6]前記液体組成物中の(B)フッ素原子を含有しない酸(C成分を除く)の含有量が、1質量%〜10質量%の範囲内である、[1]から[5]のいずれか一項に記載の液体組成物。
[7](C)ホスホン酸類がアミノメチルホスホン酸、n−ヘキシルホスホン酸、1−オクチルホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、ヒドロキシエチリデン−1,1−ビスホスホン酸、N,N,N',N'−エチレンジアミンテトラキス(メチレンホスホン酸)、1,2−プロパンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、ビス(ヘキサメチレン)トリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、およびペンタエチレンヘキサミンオクタ(メチレンホスホン酸)からなる群より選ばれる1種以上の化合物である、[1]から[6]のいずれか一項に記載の液体組成物。
[8](C)リン酸エステル類がモノエチルホスフェート、ジエチルホスフェートおよびエチレングリコールホスフェートからなる群より選ばれる1種以上の化合物である、[1]から[7]のいずれか一項に記載の液体組成物。
[9]さらに過酸化水素安定剤としてフェニル尿素、フェニルグリコール、フェニルエチレングリコール、フェノールスルホン酸、アセトアニリド、フェナセチン、アセトアミドフェノール、ヒドロキシ安息香酸、p−アミノ安息香酸、p−アミノフェノール、3,5−ジアミノ安息香酸、スルファニル酸、アニリン、N−メチルアニリン、8−ヒドロキシキノリン、o−アセトトルイド、m−アセトトルイド、ジフェニルアミン、フェノール、アニソールからなる群より選ばれる1種以上のフェニル基を有する過酸化水素安定剤を含む、[1]から[8]のいずれか一項に記載の液体組成物。
[10]インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物とをエッチングするためのものである、[1]から[9]のいずれか一項に記載の液体組成物。
[11]インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする方法であって、(A)過酸化水素、(B)フッ素原子を含有しない酸(C成分を除く)、(C)ホスホン酸類、リン酸エステル類、1H−テトラゾール−1−酢酸、1H−テトラゾール−5−酢酸および4−アミノ−1,2,4−トリアゾールからなる群より選ばれる1種以上の化合物、および(D)水を含み、かつpH値が5以下である液体組成物を、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物に接触させ、銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする方法。
[12]インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に保護層を介することなく形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする方法である、[11]に記載の方法。
[13]インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された、銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物とをエッチングする方法であって、(A)過酸化水素、(B)フッ素原子を含有しない酸(C成分を除く)、(C)ホスホン酸類、リン酸エステル類、1H−テトラゾール−1−酢酸、1H−テトラゾール−5−酢酸および4−アミノ−1,2,4−トリアゾールからなる群より選ばれる1種以上の化合物、および(D)水を含み、かつpH値が5以下である液体組成物をインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物に接触させ、銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物をエッチングする方法。
[14]インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に保護層を介することなく形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物とをエッチングする方法である、[13]に記載の方法。
[15](B)フッ素原子を含有しない酸が、(B1)硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる1種以上の化合物である、[11]から[14]のいずれか一項に記載の液体組成物。
[16](B)フッ素原子を含有しない酸が、(B1)硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる1種以上の化合物と、(B2)メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸およびクエン酸からなる群より選ばれる1種以上の化合物との組み合わせである、[11]から[14]のいずれか一項に記載の液体組成物。
[17]前記液体組成物中の(C)ホスホン酸類、リン酸エステル類、1H−テトラゾール−1−酢酸、1H−テトラゾール−5−酢酸および4−アミノ−1,2,4−トリアゾールからなる群より選ばれる1種以上の化合物の含有量が、0.001質量%〜0.1質量%の範囲内である、[11]から[16]のいずれか一項に記載の液体組成物。
[18]前記液体組成物中の(A)過酸化水素の含有量が、2質量%〜10質量%の範囲内である、[11]から[17]のいずれか一項に記載の液体組成物。
[19]前記液体組成物中の(B)フッ素原子を含有しない酸(C成分を除く)の含有量が、1質量%〜10質量%の範囲内である、[11]から[18]のいずれか一項に記載の液体組成物。
[20](C)ホスホン酸類がアミノメチルホスホン酸、n−ヘキシルホスホン酸、1−オクチルホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、ヒドロキシエチリデン−1,1−ビスホスホン酸、N,N,N',N'−エチレンジアミンテトラキス(メチレンホスホン酸)、1,2−プロパンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、ビス(ヘキサメチレン)トリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、およびペンタエチレンヘキサミンオクタ(メチレンホスホン酸)からなる群より選ばれる1種以上の化合物である、[11]から[19]のいずれか一項に記載の液体組成物。
[21](C)リン酸エステル類がモノエチルホスフェート、ジエチルホスフェートおよびエチレングリコールホスフェートからなる群より選ばれる1種以上の化合物である、[11]から[20]のいずれか一項に記載の液体組成物。
[22]さらに過酸化水素安定剤としてフェニル尿素、フェニルグリコール、フェニルエチレングリコール、フェノールスルホン酸、アセトアニリド、フェナセチン、アセトアミドフェノール、ヒドロキシ安息香酸、p−アミノ安息香酸、p−アミノフェノール、3,5−ジアミノ安息香酸、スルファニル酸、アニリン、N−メチルアニリン、8−ヒドロキシキノリン、o−アセトトルイド、m−アセトトルイド、ジフェニルアミン、フェノール、アニソールからなる群より選ばれる1種以上のフェニル基を有する過酸化水素安定剤を含む、[11]から[21]のいずれか一項に記載の液体組成物。
本発明の液体組成物は、(A)過酸化水素、(B)フッ素原子を含有しない酸(C成分を除く)、(C)ホスホン酸類、リン酸エステル類、1H−テトラゾール−1−酢酸、1H−テトラゾール−5−酢酸および4−アミノ−1,2,4−トリアゾールからなる群より選ばれる1種以上の化合物、および(D)水を含み、かつpH値が5以下であることを特徴とする。
本発明の液体組成物において、過酸化水素(以下、A成分ということがある)は酸化剤として銅を酸化する機能を有し、またモリブデンに対しては酸化溶解する機能を有する。該液体組成物中の過酸化水素の含有量は、好ましくは1質量%以上であり、より好ましくは2質量%以上であり、さらに好ましくは3質量%以上であり、好ましくは30質量%以下であり、より好ましくは20質量%以下であり、さらに好ましくは10質量%以下であり、特に好ましくは8質量%以下である。例えば、該液体組成物中の過酸化水素の含有量は、好ましくは1〜30質量%であり、より好ましくは2〜20質量%、さらに好ましくは2〜10質量%、特に好ましくは3〜8質量%である。過酸化水素の含有量が上記の範囲内であれば、銅およびモリブデン等を含む金属化合物に対して良好なエッチングレートが確保でき、金属化合物のエッチング量の制御が容易となるので好ましい。
本発明の液体組成物において、フッ素原子を含有しない酸(以下、B成分ということがある。ただし、C成分を除く)は、(A)過酸化水素により酸化した銅を溶解させるものである。
B成分としては、硝酸、硫酸、リン酸、塩酸、メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸などが好ましく挙げられ、さらに好ましくは硝酸、硫酸、メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸であり、なかでも硝酸、硫酸が特に好ましい。
これらを単独で、あるいは複数を混合して用いることができる。
これらの中でも、本発明において、(B)フッ素原子を含有しない酸は、(B1)硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる1種以上の化合物を含むことが好ましい。また、(B)フッ素原子を含有しない酸は、(B1)硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる1種以上の化合物と、(B2)メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸およびクエン酸からなる群より選ばれる1種以上の化合物との組み合わせであることが好ましい。
本発明の液体組成物において、ホスホン酸類、リン酸エステル類、1H−テトラゾール−1−酢酸、1H−テトラゾール−5−酢酸および4−アミノ−1,2,4−トリアゾールからなる群より選ばれる化合物(以下、C成分ということがある)は、IGZOのエッチングレートを抑制する効果がある。そのため、該液体組成物を用いてIGZO上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする際に、IGZOへのダメージを抑えることができる。
これらの中でも、本発明においては、(C)成分として、ホスホン酸類及びリン酸エステル類を用いることが好ましく、ホスホン酸類を用いることが特に好ましい。一般的に、低pH領域では、IGZOが腐食しやすいことが知られているが、ホスホン酸類を用いることにより、pHが2.5以下という低pH領域においてもIGZOへのダメージを効果的に抑制することができる。
C成分のうち、ホスホン酸類としては、アミノメチルホスホン酸、n−ヘキシルホスホン酸、1−オクチルホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、ヒドロキシエチリデン−1,1−ビスホスホン酸、N,N,N',N'−エチレンジアミンテトラキス(メチレンホスホン酸)、1,2−プロパンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、ビス(ヘキサメチレン)トリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、ペンタエチレンヘキサミンオクタ(メチレンホスホン酸)などが好ましく挙げられる。
C成分のうち、リン酸エステル類としては、モノエチルホスフェート、ジエチルホスフェート、エチレングリコールホスフェートなどが好ましく挙げられる。
ホスホン酸類、リン酸エステル類、1H−テトラゾール−1−酢酸、1H−テトラゾール−5−酢酸、4−アミノ−1,2,4−トリアゾールからなる群より選ばれる化合物は単独で、あるいは複数を混合して用いることができる。好ましくは、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、1,2−プロパンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、ビス(ヘキサメチレン)トリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)であり、なかでもアミノトリ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)が好ましい。
本発明の液体組成物で用いられる水としては、特に制限されることはないが、蒸留、イオン交換処理、フイルター処理、各種吸着処理などによって、金属イオンや有機不純物、パーティクル粒子などが除去された水が好ましく、特に純水、または超純水が好ましい。
フェニル基を有する過酸化水素安定剤としては、フェニル尿素、フェニルグリコール、フェニルエチレングリコール、フェノールスルホン酸、アセトアニリド、フェナセチン、アセトアミドフェノール、ヒドロキシ安息香酸、p−アミノ安息香酸、p−アミノフェノール、3,5−ジアミノ安息香酸、スルファニル酸、アニリン、N−メチルアニリン、8−ヒドロキシキノリン、o−アセトトルイド、m−アセトトルイド、ジフェニルアミン、フェノール、アニソールが好ましく挙げられ、さらに好ましくはフェニル尿素、フェニルグリコール、フェニルエチレングリコール、フェノールスルホン酸であり、なかでもフェニル尿素、フェニルグリコールが特に好ましい。
これらを単独で、あるいは複数を混合して用いることができる。
本発明の液体組成物のpH値の上限は5以下である。pH値が5を上回る場合には、過酸化水素の安定性が低下し、また銅または銅を主成分とする金属化合物のエッチングレートが低下するため好ましくない。また本発明の液体組成物のpH値の下限には、制限は無いが、装置材質や周辺部材へのダメージを抑える観点から、好ましくはpH値が0以上、より好ましくは1以上である。pH値が上記の場合であれば、銅または銅を主成分とする金属化合物、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物に対して良好なエッチングレートを得ることができる。
本発明のエッチング方法におけるエッチング対象物は、IGZO上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物である。本発明のエッチング方法によれば、IGZOへのダメージを抑えて、銅または銅を主成分とする金属化合物を良好なエッチングレートでエッチングすることができる。
また、本発明のエッチング方法におけるエッチング対象物は、IGZO上に形成されたモリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物である。本発明のエッチング方法によればIGZOへのダメージを抑えて、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物を良好なエッチングレートでエッチングすることができる。
なお、本明細書において、「銅を主成分とする金属化合物」とは、銅を金属化合物中に50質量%以上、好ましくは60質量%以上、より好ましくは70質量%以上含有する金属化合物を意味する。また、「モリブデンを主成分とする金属化合物」とは、モリブデンを金属化合物中に50質量%以上、好ましくは60質量%以上、より好ましくは70質量%以上含有する金属化合物を意味する。
銅または銅を主成分とする金属化合物としては、銅(金属)や銅合金、あるいは酸化銅、窒化銅などが挙げられる。モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物としては、モリブデン(金属)やモリブデン合金、あるいは酸化モリブデン、窒化モリブデンなどが挙げられる。
ガラス基板上にスパッタ法により成膜した銅(Cu)/モリブデン(Mo)積層膜およびMo単層ベタ膜を用いて、表1および表2に示した液体組成物によるCu、Moのエッチングレートを測定した。エッチングは、上記基板を35℃に保った液体組成物に静置浸漬する方法で行った。エッチング前後の膜厚は蛍光X線分析装置SEA1200VX(Seiko Instruments Inc.製)を用いて測定し、その膜厚差をエッチング時間で除することによりエッチングレートを算出した。評価結果を以下の基準で表記した。
E:エッチングレート100〜1000nm/min未満
G:エッチングレート30〜100nm/min未満または1000〜5000nm/min未満
F:エッチングレート5〜30nm/min未満または5000〜10000nm/min未満
P:エッチングレート5nm/min未満または10000nm/min以上
なお、ここでの合格はE、GおよびFである。
ガラス基板上にインジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)および酸素(O)の元素比が1:1:1:4であるIGZO膜を膜厚500Åでスパッタ法により形成し、その後、表1および表2に示した液体組成物を用いてエッチングレート測定を実施した。エッチングは、上記基板を35℃に保った液体組成物に静置浸漬する方法で行った。エッチング前後の膜厚を光学式薄膜特性測定装置n&k Analyzer 1280(n&k Technology Inc.製)により測定し、その膜厚差をエッチング時間で除することによりエッチングレートを算出した。さらに、C成分として、ホスホン酸類、リン酸エステル類、1H−テトラゾール−1−酢酸、1H−テトラゾール−5−酢酸および4−アミノ−1,2,4−トリアゾールからなる群より選ばれる1種以上の化合物を添加したときのエッチングレートと、C成分を添加していないときのエッチングレートの比を算出した。評価結果を以下の基準で表記した。
E:エッチングレート比(C成分有/C成分無)=0.1未満
G:エッチングレート比(C成分有/C成分無)=0.1〜0.2未満
F:エッチングレート比(C成分有/C成分無)=0.2〜0.5未満
P:エッチングレート比(C成分有/C成分無)=0.5以上
なお、ここでの合格はE、GおよびFである。
容量100mlのポリプロピレン容器に純水を79.99gおよび70%硝酸(和光純薬工業株式会社製)を2.86g投入した。さらに、アミノメチルホスホン酸(MP Biomedicals,Inc.製)を0.10g添加した後、35%過酸化水素(三菱ガス化学株式会社製)を14.29g加え、これを攪拌して各成分をよく混合した。最後にpH値が1.0になるように48%水酸化カリウム(関東化学株式会社製)を2.76g添加し、液体組成物を調製した。得られた液体組成物の過酸化水素の配合量は5質量%であり、硝酸の配合量は2質量%、アミノメチルホスホン酸の配合量は0.10質量%、水酸化カリウムの配合量は1.33質量%であった。
得られた液体組成物を用いて上記の評価を実施し、得られた結果を表1に示す。
実施例1において、C成分の種類とpH値を表1に示される通りとした以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表1に示す。
実施例1において、過酸化水素濃度、硝酸濃度、C成分の種類および濃度を表1に示される通りとした以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表1に示す。
実施例1において、C成分の種類とpH値を表1に示される通りとし、さらに酢酸を添加した以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表1に示す。
実施例1において、B成分を硫酸とし、C成分の種類とpH値を表1に示される通りとした以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表1に示す。
実施例1において、B成分を硫酸および酢酸とし、C成分の種類とpH値を表1に示される通りとした以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表1に示す。
実施例1において、B成分を塩酸とし、C成分の種類を表1に示される通りとした以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表1に示す。
実施例32
実施例1において、過酸化水素濃度、B成分およびC成分を表3に示される通りにし、その他の成分として、N,N−ジエチル−1,3−プロパンジアミン、5−アミノ−1H−テトラゾールおよびフェニル尿素を添加した以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。
実施例1において、液体組成物の組成およびpH値を表2に示される組成とした以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表2に示す。
実施例1において、過酸化水素濃度、C成分およびpH値を表2に示される通りとし、B成分を含有せず、フッ化アンモニウムおよび5−アミノ−1H−テトラゾールを添加した以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表2に示す。
実施例1において、過酸化水素濃度およびpH値を表2に示される通りとし、B成分およびC成分を含有せず、アンモニア水を添加した以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表2に示す。
比較例15
C成分を添加せず、5−アミノ−1H−テトラゾールを添加した以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表2に示す。
比較例16
C成分を添加しなかった以外は、実施例32と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表2に示す。
一方、上記比較例1〜12から、液体組成物がC成分を含有していないとインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物へのダメージを十分に抑えられないことが分かる。また、上記比較例13から、液体組成物がC成分を含有していてもフッ化アンモニウムおよび5−アミノ−1H−テトラゾールを含有するとインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物へのダメージを十分に抑えられないことが分かる。さらに、上記比較例14から、液体組成物がC成分を含有せず、アンモニアを含有し、pH値が高いとインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物へのダメージを十分に抑えられないことが分かる。さらに、上記比較例15および16から、液体組成物がC成分を含有せず、5−アミノ−1H−テトラゾールを含有すると、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物へのダメージを十分に抑えられないことが分かる。
2:ゲート電極
3:ゲート絶縁膜
6a:ソース電極
6b:ドレイン電極
7:保護層
8:透明電極
9:IGZO半導体層
10:エッチングストッパ層
Claims (14)
- インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物へのダメージを抑えて、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属をエッチングするための液体組成物であって、(A)過酸化水素、(B)フッ素原子を含有しない酸(C成分を除く)、(C)ホスホン酸類、リン酸エステル類、1H−テトラゾール−1−酢酸、1H−テトラゾール−5−酢酸および4−アミノ−1,2,4−トリアゾールからなる群より選ばれる1種以上の化合物、および(D)水を含み、かつpH値が5以下であることを特徴とする液体組成物。
- (B)フッ素原子を含有しない酸が、(B1)硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる1種以上の化合物である請求項1に記載の液体組成物。
- (B)フッ素原子を含有しない酸が、(B1)硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる1種以上の化合物と、(B2)メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸およびクエン酸からなる群より選ばれる1種以上の化合物との組み合わせである、請求項1に記載の液体組成物。
- 前記液体組成物中の(C)ホスホン酸類、リン酸エステル類、1H−テトラゾール−1−酢酸、1H−テトラゾール−5−酢酸および4−アミノ−1,2,4−トリアゾールからなる群より選ばれる1種以上の化合物の含有量が、0.001質量%〜0.1質量%の範囲内である、請求項1から3のいずれか一項に記載の液体組成物。
- 前記液体組成物中の(A)過酸化水素の含有量が、2質量%〜10質量%の範囲内である、請求項1から4のいずれか一項に記載の液体組成物。
- 前記液体組成物中の(B)フッ素原子を含有しない酸(C成分を除く)の含有量が、1質量%〜10質量%の範囲内である、請求項1から5のいずれか一項に記載の液体組成物。
- (C)ホスホン酸類がアミノメチルホスホン酸、n−ヘキシルホスホン酸、1−オクチルホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、ヒドロキシエチリデン−1,1−ビスホスホン酸、N,N,N',N'−エチレンジアミンテトラキス(メチレンホスホン酸)、1,2−プロパンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、ビス(ヘキサメチレン)トリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、およびペンタエチレンヘキサミンオクタ(メチレンホスホン酸)からなる群より選ばれる1種以上の化合物である、請求項1から6のいずれか一項に記載の液体組成物。
- (C)リン酸エステル類がモノエチルホスフェート、ジエチルホスフェートおよびエチレングリコールホスフェートからなる群より選ばれる1種以上の化合物である、請求項1から7のいずれか一項に記載の液体組成物。
- さらに過酸化水素安定剤としてフェニル尿素、フェニルグリコール、フェニルエチレングリコール、フェノールスルホン酸、アセトアニリド、フェナセチン、アセトアミドフェノール、ヒドロキシ安息香酸、p−アミノ安息香酸、p−アミノフェノール、3,5−ジアミノ安息香酸、スルファニル酸、アニリン、N−メチルアニリン、8−ヒドロキシキノリン、o−アセトトルイド、m−アセトトルイド、ジフェニルアミン、フェノール、アニソールからなる群より選ばれる1種以上のフェニル基を有する過酸化水素安定剤を含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の液体組成物。
- インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属とをエッチングするためのものである、請求項1から9のいずれか一項に記載の液体組成物。
- 請求項1から10のいずれか一項に記載の液体組成物をインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属に接触させ、銅または銅を主成分とする金属をエッチングする方法。
- インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に保護層を介することなく形成された銅または銅を主成分とする金属をエッチングする方法である、請求項11に記載の方法。
- 請求項1から10のいずれか一項に記載の液体組成物をインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属に接触させ、銅または銅を主成分とする金属と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属をエッチングする方法。
- インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に保護層を介することなく形成された銅または銅を主成分とする金属と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属とをエッチングする方法である、請求項13に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014239524 | 2014-11-27 | ||
| JP2014239524 | 2014-11-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016108659A JP2016108659A (ja) | 2016-06-20 |
| JP6657770B2 true JP6657770B2 (ja) | 2020-03-04 |
Family
ID=56121913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015208989A Active JP6657770B2 (ja) | 2014-11-27 | 2015-10-23 | 液体組成物およびこれを用いたエッチング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6657770B2 (ja) |
| KR (1) | KR102328443B1 (ja) |
| CN (2) | CN115125536A (ja) |
| TW (1) | TWI667373B (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105803459B (zh) * | 2016-05-03 | 2019-01-15 | 苏州晶瑞化学股份有限公司 | 一种微电子用多层金属膜蚀刻液及其应用 |
| CN105970225B (zh) * | 2016-07-01 | 2018-07-13 | 苏州博洋化学股份有限公司 | 一种铝蚀刻剂及其制备方法 |
| WO2018047210A1 (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 多層膜用エッチング液とエッチング濃縮液およびエッチング方法 |
| CN109844910B (zh) * | 2016-10-21 | 2023-04-28 | 株式会社Adeka | 蚀刻液组合物和蚀刻方法 |
| KR102740456B1 (ko) | 2016-11-29 | 2024-12-06 | 삼성전자주식회사 | 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
| CN106498398A (zh) * | 2016-12-01 | 2017-03-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于铜/钼膜层的金属蚀刻液及其蚀刻方法 |
| JP6850650B2 (ja) * | 2017-03-27 | 2021-03-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| MY199974A (en) | 2017-03-31 | 2023-12-01 | Kanto Kagaku | Etchant composition for etching titanium layer or titanium-containing layer, and etching method |
| US20190040316A1 (en) * | 2017-08-04 | 2019-02-07 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Etching solution of igzo film layer and etching method of the same |
| CN107978607B (zh) * | 2017-11-21 | 2020-04-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 背沟道蚀刻型氧化物半导体tft基板的制作方法 |
| JP6443649B1 (ja) * | 2018-03-23 | 2018-12-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 銅厚膜用エッチング液 |
| KR102333896B1 (ko) | 2018-03-26 | 2021-12-02 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 에칭액 |
| TWI759450B (zh) * | 2018-03-27 | 2022-04-01 | 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 | 蝕刻液、蝕刻方法、及顯示裝置之製造方法 |
| CN109112545A (zh) * | 2018-09-25 | 2019-01-01 | 惠州市宙邦化工有限公司 | 一种铜钼合金膜的化学蚀刻用组合物 |
| KR102562490B1 (ko) * | 2018-10-29 | 2023-08-03 | 솔브레인 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속막 식각 방법 |
| CN109576717A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-04-05 | 广东工业大学 | 一种坡莫合金丝表面退铜剂及其制备方法和应用 |
| JP6485587B1 (ja) * | 2018-12-25 | 2019-03-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | エッチング液 |
| SG11202108330UA (en) * | 2019-01-31 | 2021-08-30 | Fujifilm Electronic Materials Usa Inc | Etching compositions |
| CN110644001A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-01-03 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种铜蚀刻液 |
| CN114032548A (zh) * | 2021-11-11 | 2022-02-11 | 河南慧泽生物工程有限公司 | 一种印刷电路板铜箔蚀刻液 |
| CN114989826A (zh) * | 2022-06-06 | 2022-09-02 | 江苏和达电子科技有限公司 | 一种用于金属层和半导体层形态控制的蚀刻液及其应用 |
| CN116121757A (zh) * | 2022-11-16 | 2023-05-16 | 苏州博洋化学股份有限公司 | 一种对铜无损伤的氧化铜蚀刻液及其制备方法 |
| CN116288352B (zh) * | 2022-12-25 | 2025-02-25 | 湖北兴福电子材料股份有限公司 | 一种TiN和Ti金属薄膜蚀刻液及其制备方法 |
| CN116497355B (zh) * | 2023-04-10 | 2024-03-22 | 珠海市裕洲环保科技有限公司 | 一种酸性铜蚀刻液及其应用 |
| CN119552660A (zh) * | 2024-11-22 | 2025-03-04 | 湖北兴福电子材料股份有限公司 | 一种二氧化铪蚀刻液及其制备方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4378270A (en) * | 1981-10-29 | 1983-03-29 | Learonal, Inc. | Method of etching circuit boards and recovering copper from the spent etch solutions |
| DE102005038414A1 (de) * | 2005-08-12 | 2007-02-15 | Basf Aktiengesellschaft | Stabilisierte Ätzlösungen zum Ätzen von Cu- und Cu/Ni-Schicht |
| US20100320457A1 (en) | 2007-11-22 | 2010-12-23 | Masahito Matsubara | Etching solution composition |
| JP5403922B2 (ja) * | 2008-02-26 | 2014-01-29 | 富士フイルム株式会社 | 研磨液および研磨方法 |
| CN102576170B (zh) | 2009-08-20 | 2014-12-17 | 东友精细化工有限公司 | 制造用于液晶显示器的阵列基板的方法 |
| EP2518759B1 (en) * | 2009-12-25 | 2017-06-21 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method for manufacturing semiconductor device using an etchant |
| CN103717787B (zh) * | 2011-07-26 | 2016-08-24 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 铜/钼系多层薄膜用蚀刻液 |
| JP2014032998A (ja) * | 2012-08-01 | 2014-02-20 | Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| KR20140118492A (ko) * | 2013-03-29 | 2014-10-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 배선 형성 방법 |
| JP6531612B2 (ja) * | 2014-11-27 | 2019-06-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 液体組成物およびこれを用いたエッチング方法 |
-
2015
- 2015-10-23 JP JP2015208989A patent/JP6657770B2/ja active Active
- 2015-11-20 TW TW104138367A patent/TWI667373B/zh active
- 2015-11-25 KR KR1020150165660A patent/KR102328443B1/ko active Active
- 2015-11-26 CN CN202210705026.0A patent/CN115125536A/zh active Pending
- 2015-11-26 CN CN201510845502.9A patent/CN105648439A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115125536A (zh) | 2022-09-30 |
| TW201627533A (zh) | 2016-08-01 |
| KR102328443B1 (ko) | 2021-11-18 |
| TWI667373B (zh) | 2019-08-01 |
| KR20160064013A (ko) | 2016-06-07 |
| JP2016108659A (ja) | 2016-06-20 |
| CN105648439A (zh) | 2016-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6657770B2 (ja) | 液体組成物およびこれを用いたエッチング方法 | |
| JP6531612B2 (ja) | 液体組成物およびこれを用いたエッチング方法 | |
| JP6036691B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI808965B (zh) | 鈦層或含鈦層的蝕刻液組成物以及蝕刻方法 | |
| JP5685204B2 (ja) | 銅/チタン系多層薄膜用エッチング液 | |
| CN102985596B (zh) | 用于包含铜层和钼层的多层结构膜的蚀刻液 | |
| TW201610234A (zh) | 蝕刻液組成物及蝕刻方法 | |
| CN104562009A (zh) | 金属配线蚀刻液组合物及利用其的金属配线形成方法 | |
| TW201518546A (zh) | 蝕刻液組成物及蝕刻方法 | |
| IL308906A (en) | Etching compositions | |
| TWI596235B (zh) | 用於銅基金屬層的蝕刻劑組合物及用其製造顯示設備的陣列基板的方法 | |
| JP6458913B1 (ja) | エッチング液 | |
| JP2019176128A (ja) | エッチング液 | |
| TWI759450B (zh) | 蝕刻液、蝕刻方法、及顯示裝置之製造方法 | |
| CN107236956A (zh) | 用于铜基金属层的蚀刻剂组合物及用其制造显示设备的阵列基板的方法 | |
| TW201420811A (zh) | 蝕刻劑組合物、形成lcd布線的方法、陣列基板及其製法 | |
| KR102142419B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR102169571B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR20200114861A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151112 |
|
| AA64 | Notification of invalidation of claim of internal priority (with term) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A241764 Effective date: 20151117 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151111 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180718 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190415 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190528 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190716 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190926 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191023 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191213 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200107 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200120 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6657770 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |