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JP6679320B2 - Connection body manufacturing method, electronic component connection method - Google Patents
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Description

本発明は、光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤を介して透明基板上に電子部品が接続された接続体の製造方法、光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤を介して透明基板上に電子部品を接続する接続方法に関する。 The present invention is a method for manufacturing a connecting body in which electronic components are connected to a transparent substrate via a circuit connecting adhesive containing a photopolymerization initiator, and a circuit connecting adhesive containing a photopolymerization initiator. about the connection methods to connect the electronic components on a transparent substrate.

従来から、テレビやPCモニタ、携帯電話、携帯型ゲーム機、タブレットPCあるいは車載用モニタ等の各種表示手段として、液晶表示装置が多く用いられている。近年、このような液晶表示装置においては、ファインピッチ化、軽量薄型化等の観点から、液晶駆動用ICを直接液晶表示パネルの基板上に実装するいわゆるCOG(chip on glass)や、液晶駆動回路が形成されたフレキシブル基板を直接液晶表示パネルの基板上に実装するいわゆるFOG(film on glass)が採用されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, liquid crystal display devices have been widely used as various display means for televisions, PC monitors, mobile phones, portable game machines, tablet PCs, in-vehicle monitors and the like. In recent years, in such a liquid crystal display device, a so-called COG (chip on glass) in which a liquid crystal drive IC is directly mounted on a substrate of a liquid crystal display panel, or a liquid crystal drive circuit is used from the viewpoint of fine pitch, light weight and thinness. A so-called FOG (film on glass) is used in which a flexible substrate on which is formed is directly mounted on a substrate of a liquid crystal display panel.

例えばCOG実装方式が採用された液晶表示装置100は、図14に示すように、液晶表示のための主機能を果たす液晶表示パネル104を有しており、この液晶表示パネル104は、ガラス基板等からなる互いに対向する二枚の透明基板102,103を有している。そして、液晶表示パネル104は、これら両透明基板102,103が枠状のシール105によって互いに貼り合わされるとともに、両透明基板102,103およびシール105によって囲繞された空間内に液晶106が封入されたパネル表示部107が設けられている。   For example, as shown in FIG. 14, the liquid crystal display device 100 adopting the COG mounting method has a liquid crystal display panel 104 that performs a main function for liquid crystal display. The liquid crystal display panel 104 includes a glass substrate or the like. It has two transparent substrates 102 and 103 facing each other. In the liquid crystal display panel 104, the transparent substrates 102 and 103 are attached to each other by a frame-shaped seal 105, and the liquid crystal 106 is enclosed in a space surrounded by the transparent substrates 102 and 103 and the seal 105. A panel display unit 107 is provided.

透明基板102,103は、互いに対向する両内側表面に、ITO(酸化インジウムスズ)等からなる縞状の一対の透明電極108,109が、互いに交差するように形成されている。そして、両透明基板102,103は、これら両透明電極108,109の当該交差部位によって液晶表示の最小単位としての画素が構成されるようになっている。   The transparent substrates 102 and 103 have a pair of striped transparent electrodes 108 and 109 made of ITO (indium tin oxide) or the like formed on both inner surfaces facing each other so as to intersect each other. Then, on both transparent substrates 102 and 103, a pixel as a minimum unit of liquid crystal display is configured by the intersection of these transparent electrodes 108 and 109.

両透明基板102,103のうち、一方の透明基板103は、他方の透明基板102よりも平面寸法が大きく形成されており、この大きく形成された透明基板103の縁部103aには、透明電極109の端子部109aが形成されている。また、両透明電極108,109上には、所定のラビング処理が施された配向膜111,112が形成されており、この配向膜111,112によって液晶分子の初期配向が規制されるようになっている。さらに、両透明電極108,109の外側には、一対の偏光板118,119が配設されており、これら両偏光板118,119によってバックライト等の光源120からの透過光の振動方向が規制されるようになっている。   One of the transparent substrates 102 and 103 has a larger planar size than the other transparent substrate 102, and the transparent electrode 109 is provided on the edge 103a of the large transparent substrate 103. Terminal portion 109a is formed. Alignment films 111 and 112 that have been subjected to a predetermined rubbing treatment are formed on both transparent electrodes 108 and 109, and the alignment films 111 and 112 regulate the initial alignment of liquid crystal molecules. ing. Further, a pair of polarizing plates 118 and 119 is arranged outside the transparent electrodes 108 and 109, and the polarizing directions of the polarizing plates 118 and 119 regulate the vibration direction of transmitted light from a light source 120 such as a backlight. It is supposed to be done.

端子部109a上には、異方性導電フィルム114を介して液晶駆動用IC115が熱圧着されている。異方性導電フィルム114は、熱硬化型のバインダー樹脂に導電性粒子を混ぜ込んでフィルム状としたもので、2つの導体間で加熱圧着されることにより導電粒子で導体間の電気的導通がとられ、バインダー樹脂にて導体間の機械的接続が保持される。液晶駆動用IC115は、画素に対して液晶駆動電圧を選択的に印加することにより、液晶の配向を部分的に変化させて所定の液晶表示を行うことができるようになっている。なお、異方性導電フィルム114を構成する接着剤としては、通常、最も信頼性の高い熱硬化性の接着剤を用いるようになっている。   A liquid crystal driving IC 115 is thermocompression-bonded onto the terminal portion 109a via an anisotropic conductive film 114. The anisotropic conductive film 114 is formed by mixing conductive particles in a thermosetting binder resin to form a film. The anisotropic conductive film 114 is heated and pressure-bonded between two conductors so that the conductive particles allow electrical conduction between the conductors. The binder resin holds the mechanical connection between the conductors. The liquid crystal driving IC 115 can selectively change the orientation of the liquid crystal by selectively applying a liquid crystal driving voltage to the pixels to perform a predetermined liquid crystal display. As the adhesive forming the anisotropic conductive film 114, usually, the most reliable thermosetting adhesive is used.

このような異方性導電フィルム114を介して液晶駆動用IC115を端子部109aへ接続する場合は、先ず、透明電極109の端子部109a上に異方性導電フィルム114を図示しない仮圧着手段によって仮圧着する。続いて、異方性導電フィルム114上に液晶駆動用IC115を載置した後、図15に示すように熱圧着ヘッド等の熱圧着手段121によって液晶駆動用IC115を異方性導電フィルム114とともに端子部109a側へ押圧しつつ熱圧着手段121を発熱させる。この熱圧着手段121による発熱によって、異方性導電フィルム114は熱硬化反応を起こし、これにより、異方性導電フィルム114を介して液晶駆動用IC115が端子部109a上に接着される。   When connecting the liquid crystal driving IC 115 to the terminal portion 109a through the anisotropic conductive film 114, first, the anisotropic conductive film 114 is provided on the terminal portion 109a of the transparent electrode 109 by a temporary pressure bonding means (not shown). Temporarily crimp. Subsequently, after the liquid crystal driving IC 115 is placed on the anisotropic conductive film 114, the liquid crystal driving IC 115 together with the anisotropic conductive film 114 is connected to the terminals by the thermocompression bonding means 121 such as a thermocompression bonding head as shown in FIG. The thermocompression bonding means 121 is caused to generate heat while being pressed toward the portion 109a. The heat generated by the thermocompression bonding means 121 causes a thermosetting reaction in the anisotropic conductive film 114, whereby the liquid crystal driving IC 115 is bonded onto the terminal portion 109a via the anisotropic conductive film 114.

しかし、このような異方性導電フィルムを用いた接続方法においては、熱加圧温度が高く、液晶駆動用IC115等の電子部品や透明基板103に対する熱衝撃が大きくなる。加えて、異方性導電フィルムが接続された後、常温まで温度が低下する際に、その温度差に起因して、バインダーが収縮し、透明基板103の端子部109aに反りが生じうる。そのため、表示ムラや液晶駆動用IC115の接続不良等の不具合を引き起こすおそれがあった。   However, in the connection method using such an anisotropic conductive film, the heat and pressure temperature is high, and the thermal shock to the electronic components such as the liquid crystal driving IC 115 and the transparent substrate 103 becomes large. In addition, after the anisotropic conductive film is connected, when the temperature drops to room temperature, the binder may shrink due to the temperature difference, and the terminal portion 109a of the transparent substrate 103 may warp. Therefore, problems such as display unevenness and poor connection of the liquid crystal driving IC 115 may occur.

特許文献2には、光硬化型の接着剤を介して、接続対象物と、被接続対象物とを貼り合わせる方法において、加熱押圧ヘッドによる熱加圧を開始した後に、光照射を行うことが記載されている。   In Patent Document 2, in a method of bonding a connection target object and a connection target object via a photo-curable adhesive, light irradiation is performed after thermal compression by a heating pressure head is started. Has been described.

特開2008−252098号公報JP, 2008-252098, A 特開2012−253282号公報JP 2012-253288A

そこで、このような熱硬化型の接着剤を用いた異方性導電フィルム114に代えて、紫外線硬化型の接着剤を用いた接続方法も提案されている。紫外線硬化型の接着剤を用いる接続方法においては、接着剤が熱によって軟化流動し、透明電極109の端子部109aと液晶駆動用IC115の電極間に導電性粒子を捕捉するのに十分な温度まで加熱するにとどめ、紫外線照射によって接着剤を硬化させる。   Therefore, a connection method using an ultraviolet curable adhesive instead of the anisotropic conductive film 114 using such a thermosetting adhesive has been proposed. In the connection method using the ultraviolet curable adhesive, the adhesive softens and flows by heat and reaches a temperature sufficient to capture the conductive particles between the terminal portion 109a of the transparent electrode 109 and the electrode of the liquid crystal driving IC 115. Only heat and cure the adhesive by UV irradiation.

かかる紫外線硬化型の接着剤を用いる接続方法においては、バインダー樹脂を硬化させるために高熱を掛ける必要がなく、液晶駆動用IC115や透明基板103に対する熱衝撃による不具合を防止することができる。このような紫外線硬化型の接着剤を用いた低温接続を行うためには、紫外線硬化型の異方性導電フィルムのバインダー樹脂の粘度そのものを下げる必要がある。   In the connection method using such an ultraviolet curable adhesive, it is not necessary to apply high heat to cure the binder resin, and it is possible to prevent problems due to thermal shock to the liquid crystal driving IC 115 and the transparent substrate 103. In order to perform low-temperature connection using such an ultraviolet curable adhesive, it is necessary to reduce the viscosity itself of the binder resin of the ultraviolet curable anisotropic conductive film.

しかし、バインダー樹脂の粘度を下げると、液晶駆動用IC115等の電子部品を搭載し、熱圧着手段112によって押圧した際や、液晶駆動用IC115から熱圧着手段112が離間する際にアライメントずれが発生することが懸念される。そして、COG接続等においてはファインピッチ化が進み端子間距離が狭小化されていることから、アライメントずれは、液晶駆動用IC115の電極端子と、当該電極端子と接続される透明基板103の端子部109aに隣接する端子部とのピッチが狭まり、導電性粒子を介して短絡する端子間ショートを引き起こす要因となり得る。   However, when the viscosity of the binder resin is reduced, an alignment shift occurs when electronic components such as the liquid crystal driving IC 115 are mounted and pressed by the thermocompression bonding means 112, or when the thermocompression bonding means 112 separates from the liquid crystal driving IC 115. I am afraid to do so. Further, in the COG connection and the like, the fine pitch is advanced and the distance between the terminals is narrowed. Therefore, the misalignment is caused by the electrode terminal of the liquid crystal driving IC 115 and the terminal portion of the transparent substrate 103 connected to the electrode terminal. The pitch with the terminal portion adjacent to 109a may be narrowed, which may cause a short circuit between terminals that short-circuits via the conductive particles.

また、異方性導電フィルム1を用いてフレキシブル基板21のように比較的剛性の低い電子部品を透明基板12に接続する場合、特許文献2に記載の技術のように、押圧ヘッドの熱で接着剤の粘度が十分に下がっている状態で圧力を加えると、圧着時に、図16中の矢印で示すフレキシブル基板21の端子21a間が撓まされることにより応力が残存する。そして、フレキシブル基板21は、加熱押圧ヘッド30の離間時(プレスアウト時)にフレキシブル基板21の残留応力が開放され、図17に示すように、フレキシブル基板21の残留応力によって端子21a間が押圧方向と反対方向に戻る力が働く。そして、フレキシブル基板21の残留応力が開放されると、図18に示すように、フレキシブル基板21の端子21a間で、異方性導電フィルムのバインダー樹脂層3とフレキシブル基板21との界面において剥離(ギャップ44)が発生しやすくなる。このような剥離が、接続体の導通抵抗値の低下、異方性導電フィルムと被着体との接着力の低下等の接続不良に繋がるおそれがある。   Further, when an electronic component having a relatively low rigidity such as the flexible substrate 21 is connected to the transparent substrate 12 by using the anisotropic conductive film 1, as in the technique described in Patent Document 2, bonding is performed by the heat of the pressing head. When pressure is applied in a state where the viscosity of the agent is sufficiently lowered, the stress remains due to bending between the terminals 21a of the flexible substrate 21 indicated by the arrow in FIG. 16 during pressure bonding. In the flexible substrate 21, the residual stress of the flexible substrate 21 is released when the heating and pressing head 30 is separated (at the time of press-out), and as shown in FIG. 17, the residual stress of the flexible substrate 21 causes a pressing direction between the terminals 21a. And the force to return to the opposite direction works. Then, when the residual stress of the flexible substrate 21 is released, as shown in FIG. 18, the terminals 21 a of the flexible substrate 21 are separated at the interface between the binder resin layer 3 of the anisotropic conductive film and the flexible substrate 21 ( The gap 44) is likely to occur. Such peeling may lead to poor connection such as a decrease in conduction resistance value of the connection body and a decrease in adhesive force between the anisotropic conductive film and the adherend.

例えばFOG用の異方性導電フィルムは、接着強度を確保するために、圧着時に十分濡れ広がる柔らかいバインダー樹脂、すなわち粘度が低いバインダー樹脂を用いることが望ましい。しかし、バインダー樹脂の粘度を下げすぎると、圧着時に配線間のフレキシブル基板がより撓みやすくなる結果、上記のフレキシブル基板の残留応力の開放による影響がより顕著に現れる傾向にある。   For example, for the anisotropic conductive film for FOG, it is desirable to use a soft binder resin that spreads sufficiently during pressure bonding, that is, a binder resin having a low viscosity, in order to secure adhesive strength. However, if the viscosity of the binder resin is excessively reduced, the flexible substrate between the wirings is more likely to bend during pressure bonding, and as a result, the effect of releasing the residual stress of the flexible substrate tends to become more prominent.

本発明は、上述した課題を解決するものであり、光硬化型の接着剤を用いることにより低温で電子部品の接続を行うと共に、電子部品のアライメントずれを防止し、接続不良を改善する接続体の製造方法、電子部品の接続方法を提供することを目的とする。 The present invention is to solve the above-mentioned problems and to connect electronic components at low temperature by using a photo-curable adhesive, prevent misalignment of electronic components, and improve connection failure. the method of manufacturing, and to provide a connection methods of the electronic components.

上述した課題を解決するために、本発明に係る接続体の製造方法は、光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤を透明基板上に設ける接着剤配置工程と、上記回路接続用接着剤を介して上記透明基板上に電子部品を配置し、上記回路接続用接着剤への光照射を行う光照射工程と、上記電子部品を上記透明基板に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う本圧着工程とを有し、上記光照射工程における光の照射量は、上記本圧着工程における光の照射量よりも小さいものである。   In order to solve the above-mentioned problems, the method for producing a connector according to the present invention is an adhesive disposing step of providing a circuit connecting adhesive containing a photopolymerization initiator on a transparent substrate, and the circuit connecting adhesive. An electronic component is arranged on the transparent substrate via the light irradiation step of irradiating the adhesive for circuit connection with light, and heating and light irradiation while pressing the electronic component against the transparent substrate. The main irradiation step is performed, and the irradiation amount of light in the light irradiation step is smaller than the irradiation amount of light in the main pressing step.

また、本発明に係る接続体の製造方法は、光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤を透明基板上に設ける接着剤配置工程と、上記回路接続用接着剤を介して上記透明基板上に電子部品を配置し、上記電子部品の上記透明基板への押圧、及び上記回路接続用接着剤への光照射を行う仮圧着工程と、上記電子部品を上記透明基板に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う本圧着工程とを有し、上記仮圧着工程における光の照射量は、上記本圧着工程における光の照射量よりも小さいものである。   Further, the method for producing a connected body according to the present invention comprises an adhesive disposing step of providing a circuit connecting adhesive containing a photopolymerization initiator on a transparent substrate, and a transparent substrate on the transparent substrate via the circuit connecting adhesive. An electronic component is placed on the transparent substrate, the electronic component is pressed against the transparent substrate, and a temporary pressure bonding step of irradiating the adhesive for circuit connection with light, while pressing the electronic component against the transparent substrate, The main pressure bonding step of heating and light irradiation is performed, and the light irradiation amount in the temporary pressure bonding step is smaller than the light irradiation amount in the main pressure bonding step.

また、本発明に係る電子部品の接続方法は、光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤を透明基板上に設ける接着剤配置工程と、上記回路接続用接着剤を介して上記透明基板上に電子部品を配置し、上記回路接続用接着剤への光照射を行う光照射工程と、上記電子部品を上記透明基板に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う本圧着工程とを有し、上記光照射工程における光の照射量は、上記本圧着工程における光の照射量よりも小さいものである。   Further, the method for connecting electronic components according to the present invention includes an adhesive disposing step of providing an adhesive for circuit connection containing a photopolymerization initiator on a transparent substrate, and an adhesive arranging step on the transparent substrate via the adhesive for circuit connection. And a light irradiation step of irradiating the circuit connecting adhesive with light, and a main pressure bonding step of heating and light irradiation while pressing the electronic component against the transparent substrate. However, the light irradiation amount in the light irradiation step is smaller than the light irradiation amount in the main pressure bonding step.

本発明によれば、光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤に適正な照射量で光を照射することにより硬化を開始させ、粘度が上昇された状態で電子部品の仮圧着を行うことができる。したがって、光照射工程(仮圧着工程)や本圧着工程において、電子部品が圧着ツールにより押圧されたときや、電子部品から圧着ツールが離間する際に、電子部品が所定の位置からずれる、アライメントずれを抑制することができる。   According to the present invention, curing is started by irradiating a circuit connecting adhesive containing a photopolymerization initiator with light at an appropriate irradiation amount, and temporary pressure bonding of electronic components is performed in a state where the viscosity is increased. You can Therefore, in the light irradiation step (temporary crimping step) or the main crimping step, when the electronic component is pressed by the crimping tool or when the crimping tool is separated from the electronic component, the electronic component is displaced from the predetermined position, misalignment occurs. Can be suppressed.

図1は、本発明が適用された実装工程を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a mounting process to which the present invention is applied. 図2は、異方性導電フィルムを示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing the anisotropic conductive film. 図3は、異方性導電フィルムの仮貼り工程を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a step of temporarily attaching the anisotropic conductive film. 図4は、液晶駆動用ICを透明基板上に配置する工程を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a step of disposing the liquid crystal driving IC on the transparent substrate. 図5は、液晶駆動用ICの仮圧着工程を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a temporary pressure bonding step of the liquid crystal driving IC. 図6は、液晶駆動用ICの本圧着工程を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a main pressure bonding step of the liquid crystal driving IC. 図7は、液晶駆動用ICが透明基板上に接続された接続体を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a connection body in which a liquid crystal driving IC is connected on a transparent substrate. 図8は、透明基板上に、異方性導電フィルムを介してフレキシブル基板を配置する工程の一例を示す断面図である。FIG. 8: is sectional drawing which shows an example of the process of arrange | positioning a flexible substrate on a transparent substrate via an anisotropic conductive film. 図9は、透明基板上に異方性導電フィルムを介してフレキシブル基板を配置した後に、異方性導電フィルムに紫外線照射する工程の一例を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of a step of irradiating the anisotropic conductive film with ultraviolet rays after disposing the flexible substrate on the transparent substrate via the anisotropic conductive film. 図10は、フレキシブル基板の本圧着工程の一例を示す断面図である。FIG. 10: is sectional drawing which shows an example of the main pressure bonding process of a flexible substrate. 図11は、実施例及び比較例に係る導通抵抗の測定方法を説明するための図である。FIG. 11 is a diagram for explaining a method of measuring conduction resistance according to the example and the comparative example. 図12は、接続体サンプルの端子の幅方向のアライメントずれ量の測定方法を説明するための図である。FIG. 12 is a diagram for explaining a method for measuring the amount of misalignment in the width direction of the terminals of the connected body sample. 図13は、第2の実施例における本圧着前の光照射と、本圧着時の光照射及び熱加圧のタイミングを説明するための図である。FIG. 13 is a diagram for explaining the light irradiation before the main pressure bonding and the timing of the light irradiation and the thermal pressurization during the main pressure bonding in the second embodiment. 図14は、従来の液晶表示パネルを示す断面図である。FIG. 14 is a sectional view showing a conventional liquid crystal display panel. 図15は、従来の液晶表示パネルのCOG実装工程を示す断面図である。FIG. 15 is a sectional view showing a COG mounting process of a conventional liquid crystal display panel. 図16は、従来のフレキシブル基板の製造方法において、積層体の加熱押圧工程の一例を示す断面図である。FIG. 16: is sectional drawing which shows an example of the heating press process of a laminated body in the manufacturing method of the conventional flexible substrate. 図17は、従来のフレキシブル基板の製造方法において、加熱ツールのプレスアウト時に応力が開放された状態の積層体の一例を示す断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view showing an example of a laminated body in a state where stress is released at the time of press-out of a heating tool in a conventional method of manufacturing a flexible substrate. 図18は、従来のフレキシブル基板の製造方法において、フレキシブル基板に残留応力の開放が生じた状態の積層体の一例を示す断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view showing an example of a laminated body in a state where residual stress is released in the flexible substrate in the conventional method for manufacturing a flexible substrate.

以下、本発明が適用された接続体の製造方法、電子部品の接続方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは勿論である。また、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることがある。具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。 Hereinafter, a manufacturing method of the present invention has been applied connecting member, about the connection methods of the electronic components will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications can of course be made without departing from the scope of the present invention. Also, the drawings are schematic, and the ratios of the respective dimensions may differ from the actual ones. Specific dimensions should be judged in consideration of the following description. Further, it is needless to say that the drawings include parts in which dimensional relationships and ratios are different from each other.

<第1の実施の形態>
以下の第1の実施の形態では、液晶表示パネルのガラス基板に、電子部品として液晶駆動用のICチップを実装するいわゆるCOG(chip on glass)実装を行う場合を例に説明する。この液晶表示パネル10は、図1に示すように、ガラス基板等からなる二枚の透明基板11,12が対向配置され、これら透明基板11,12が枠状のシール13によって互いに貼り合わされている。そして、液晶表示パネル10は、透明基板11,12によって囲繞された空間内に液晶14が封入されることによりパネル表示部15が形成されている。
<First Embodiment>
In the following first embodiment, a case where so-called COG (chip on glass) mounting, in which an IC chip for driving a liquid crystal is mounted as an electronic component, is mounted on a glass substrate of a liquid crystal display panel will be described as an example. In this liquid crystal display panel 10, as shown in FIG. 1, two transparent substrates 11 and 12 made of glass substrates or the like are arranged opposite to each other, and these transparent substrates 11 and 12 are attached to each other by a frame-shaped seal 13. . The liquid crystal display panel 10 has a panel display unit 15 formed by enclosing the liquid crystal 14 in the space surrounded by the transparent substrates 11 and 12.

透明基板11,12は、互いに対向する両内側表面に、ITO(酸化インジウムスズ)等からなる縞状の一対の透明電極16,17が、互いに交差するように形成されている。そして、両透明電極16,17は、これら両透明電極16,17の当該交差部位によって液晶表示の最小単位としての画素が構成されるようになっている。   The transparent substrates 11 and 12 have a pair of striped transparent electrodes 16 and 17 made of ITO (indium tin oxide) or the like formed on both inner surfaces facing each other so as to intersect each other. The transparent electrodes 16 and 17 are configured such that a pixel as a minimum unit of liquid crystal display is formed by the intersection of the transparent electrodes 16 and 17.

両透明基板11,12のうち、一方の透明基板12は、他方の透明基板11よりも平面寸法が大きく形成されており、この大きく形成された透明基板12の縁部12aには、電子部品として液晶駆動用IC18が実装されるCOG実装部20が設けられ、またCOG実装部20の外側近傍には、電子部品として液晶駆動回路が形成されたフレキシブル基板21が実装されるFOG実装部22が設けられている。   One of the transparent substrates 11 and 12 has a larger planar size than the other transparent substrate 11, and the edge 12a of the larger transparent substrate 12 is used as an electronic component. A COG mounting portion 20 on which the liquid crystal driving IC 18 is mounted is provided, and a FOG mounting portion 22 on which a flexible substrate 21 having a liquid crystal driving circuit as an electronic component is mounted is provided near the outside of the COG mounting portion 20. Has been.

なお、液晶駆動用ICや液晶駆動回路は、画素に対して液晶駆動電圧を選択的に印加することにより、液晶の配向を部分的に変化させて所定の液晶表示を行うことができるようになっている。   Note that the liquid crystal driving IC and the liquid crystal driving circuit can perform a predetermined liquid crystal display by selectively changing the orientation of the liquid crystal by selectively applying the liquid crystal driving voltage to the pixels. ing.

各実装部20,22には、透明電極17の端子部17aが形成されている。端子部17a上には、光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤として異方性導電フィルム1を用いて液晶駆動用IC18やフレキシブル基板21が接続される。異方性導電フィルム1は、導電性粒子4を含有しており、液晶駆動用IC18やフレキシブル基板21の電極と透明基板12の縁部12aに形成された透明電極17の端子部17aとを、導電性粒子4を介して電気的に接続させるものである。この異方性導電フィルム1は、紫外線硬化型の接着剤であり、後述する加熱押圧ヘッド30により熱圧着されることにより流動化して導電性粒子4が端子部17aと液晶駆動用IC18やフレキシブル基板21の各電極との間で押し潰され、紫外線照射器31により紫外線が照射されることにより、導電性粒子4が押し潰された状態で硬化する。これにより、異方性導電フィルム1は、透明基板12と液晶駆動用IC18やフレキシブル基板21とを電気的、機械的に接続する。   A terminal portion 17 a of the transparent electrode 17 is formed on each of the mounting portions 20 and 22. On the terminal portion 17a, the liquid crystal driving IC 18 and the flexible substrate 21 are connected by using the anisotropic conductive film 1 as a circuit connecting adhesive containing a photopolymerization initiator. The anisotropic conductive film 1 contains the conductive particles 4, and the electrodes of the liquid crystal driving IC 18 and the flexible substrate 21 and the terminal portion 17a of the transparent electrode 17 formed on the edge portion 12a of the transparent substrate 12, It is electrically connected via the conductive particles 4. The anisotropic conductive film 1 is an ultraviolet curable adhesive, and is fluidized by being thermocompression-bonded by a heating and pressing head 30 to be described later, so that the conductive particles 4 are brought into contact with the terminal portion 17a, the liquid crystal driving IC 18, and the flexible substrate. The conductive particles 4 are crushed between the electrodes 21 and are irradiated with ultraviolet rays by the ultraviolet irradiator 31, so that the conductive particles 4 are cured in the crushed state. As a result, the anisotropic conductive film 1 electrically and mechanically connects the transparent substrate 12 to the liquid crystal driving IC 18 and the flexible substrate 21.

また、両透明電極16,17上には、所定のラビング処理が施された配向膜24が形成されており、この配向膜24によって液晶分子の初期配向が規制されるようになっている。さらに、両透明基板11,12の外側には、一対の偏光板25,26が配設されており、これら両偏光板25,26によってバックライト等の光源(図示せず)からの透過光の振動方向が規制されるようになっている。   An alignment film 24 that has been subjected to a predetermined rubbing treatment is formed on both transparent electrodes 16 and 17, and the alignment film 24 regulates the initial alignment of liquid crystal molecules. Further, a pair of polarizing plates 25 and 26 are disposed outside the transparent substrates 11 and 12, respectively, and these polarizing plates 25 and 26 allow the transmission of light transmitted from a light source (not shown) such as a backlight. The vibration direction is regulated.

[異方性導電フィルム]
異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)1は、図2に示すように、通常、基材となる剥離フィルム2上に導電性粒子を含有するバインダー樹脂層(接着剤層)3が形成されたものである。異方性導電フィルム1は、図1に示すように、液晶表示パネル10の透明基板12に形成された透明電極17と液晶駆動用IC18やフレキシブル基板21との間にバインダー樹脂層3を介在させることで、液晶表示パネル10と液晶駆動用IC18あるいはフレキシブル基板21とを接続し、導通させるために用いられる。
[Anisotropic conductive film]
As shown in FIG. 2, an anisotropic conductive film (ACF: Anisotropic Conductive Film) 1 usually has a binder resin layer (adhesive layer) 3 containing conductive particles formed on a release film 2 serving as a base material. It was done. In the anisotropic conductive film 1, as shown in FIG. 1, the binder resin layer 3 is interposed between the transparent electrode 17 formed on the transparent substrate 12 of the liquid crystal display panel 10 and the liquid crystal driving IC 18 or the flexible substrate 21. Thus, the liquid crystal display panel 10 and the liquid crystal driving IC 18 or the flexible substrate 21 are connected to each other and electrically connected.

剥離フィルム2としては、異方性導電フィルムにおいて一般に用いられている例えばポリエチレンテレフタレートフィルム等の基材を使用することができる。   As the release film 2, a base material generally used in anisotropic conductive films, such as polyethylene terephthalate film, can be used.

バインダー樹脂層3は、バインダー中に導電性粒子4を分散してなるものである。バインダーは、膜形成樹脂、硬化性樹脂、硬化剤、シランカップリング剤等を含有するものであり、通常の異方性導電フィルムに用いられるバインダーと同様である。   The binder resin layer 3 is composed of conductive particles 4 dispersed in a binder. The binder contains a film-forming resin, a curable resin, a curing agent, a silane coupling agent, and the like, and is the same as the binder used in a usual anisotropic conductive film.

膜形成樹脂としては、平均分子量が10000〜80000程度の樹脂が好ましい。膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、変形エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、等の各種の樹脂が挙げられる。中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂が特に好ましい。   As the film forming resin, a resin having an average molecular weight of about 10,000 to 80,000 is preferable. Examples of the film forming resin include various resins such as phenoxy resin, epoxy resin, modified epoxy resin, urethane resin and the like. Among them, a phenoxy resin is particularly preferable from the viewpoint of film formation state, connection reliability, and the like.

硬化性樹脂としては、特に限定されず、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。   The curable resin is not particularly limited, and examples thereof include epoxy resin and acrylic resin.

エポキシ樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。具体例として、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独でも、2種以上の組み合わせであってもよい。   The epoxy resin is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. Specific examples include, for example, naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, Examples thereof include dicyclopentadiene type epoxy resin and triphenylmethane type epoxy resin. These may be used alone or in combination of two or more.

アクリル樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体例として、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エポキシアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、2−ヒドロキシ−1,3−ジアクリロキシプロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシメトキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシエトキシ)フェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート等が挙げられる。これらは単独でも、2種以上の組み合わせであってもよい。   The acrylic resin is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Specific examples include, for example, methyl acrylate, ethyl acrylate, isopropyl acrylate, isobutyl acrylate, epoxy acrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate. , Trimethylolpropane triacrylate, dimethyloltricyclodecane diacrylate, tetramethylene glycol tetraacrylate, 2-hydroxy-1,3-diacryloxypropane, 2,2-bis [4- (acryloxymethoxy) phenyl] propane , 2,2-bis [4- (acryloxyethoxy) phenyl] propane, dicyclopentenyl acrylate, tricyclodecanyl acrylate, tris (acryloxyethyi) ) Isocyanurate, urethane acrylate, epoxy acrylate. These may be used alone or in combination of two or more.

硬化剤としては、光硬化型であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合はカチオン系硬化剤が好ましく、アニオン系硬化剤であってもよい。硬化性樹脂がアクリル樹脂の場合はラジカル系硬化剤が好ましい。硬化性樹脂は、エポキシ樹脂とアクリル樹脂をそれぞれ備えていてもよい。   The curing agent is not particularly limited as long as it is a photo-curing type, and can be appropriately selected according to the purpose, but when the curable resin is an epoxy resin, a cationic curing agent is preferable, and an anionic curing agent is preferable. May be. When the curable resin is an acrylic resin, a radical type curing agent is preferable. The curable resin may include an epoxy resin and an acrylic resin, respectively.

カチオン系硬化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スルホニウム塩、オニウム塩等を挙げることができ、これらの中でも、芳香族スルホニウム塩が好ましい。ラジカル系硬化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機過酸化物を挙げることができる。   The cationic curing agent is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include sulfonium salts and onium salts. Of these, aromatic sulfonium salts are preferable. The radical type curing agent is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. Examples thereof include organic peroxides.

シランカップリング剤としては、エポキシ系、アミノ系、メルカプト・スルフィド系、ウレイド系等を挙げることができる。シランカップリング剤を添加することにより、有機材料と無機材料との界面における接着性が向上される。   Examples of the silane coupling agent include epoxy type, amino type, mercapto sulfide type, and ureide type. By adding the silane coupling agent, the adhesiveness at the interface between the organic material and the inorganic material is improved.

導電性粒子4としては、異方性導電フィルムにおいて使用されている公知の何れの導電性粒子を挙げることができる。導電性粒子4としては、例えば、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀、金等の各種金属や金属合金の粒子、金属酸化物、カーボン、グラファイト、ガラス、セラミック、プラスチック等の粒子の表面に金属をコートしたもの、或いは、これらの粒子の表面に更に絶縁薄膜をコートしたもの等が挙げられる。樹脂粒子の表面に金属をコートしたものである場合、樹脂粒子としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン(AS)樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の粒子を挙げることができる。   The conductive particles 4 may be any known conductive particles used in anisotropic conductive films. Examples of the conductive particles 4 include particles of various metals or metal alloys such as nickel, iron, copper, aluminum, tin, lead, chromium, cobalt, silver and gold, metal oxides, carbon, graphite, glass, ceramics, Examples thereof include those obtained by coating the surface of particles of plastic or the like with metal, or those obtained by further coating the surface of these particles with an insulating thin film. When the surface of the resin particles is coated with a metal, examples of the resin particles include epoxy resin, phenol resin, acrylic resin, acrylonitrile styrene (AS) resin, benzoguanamine resin, divinylbenzene resin, styrene resin, etc. Particles can be mentioned.

[製造方法]
次いで、異方性導電フィルム1を介して液晶駆動用IC18やフレキシブル基板21が透明基板12の透明電極17上に接続された接続体の製造工程について説明する。
[Production method]
Next, a manufacturing process of a connection body in which the liquid crystal driving IC 18 and the flexible substrate 21 are connected to the transparent electrode 17 of the transparent substrate 12 through the anisotropic conductive film 1 will be described.

<具体例1−1>
[仮貼り工程]
先ず、異方性導電フィルム1を透明基板12上に仮貼りする(接着剤配置工程)。異方性導電フィルムを仮貼りする方法は、図3に示すように、透明基板12の透明電極17上に、バインダー樹脂層3が透明電極17側となるように、異方性導電フィルム1を配置する。バインダー樹脂層3を透明電極17上に配置した後、剥離フィルム2側からバインダー樹脂層3を例えば熱圧着ツールで加熱及び加圧し、熱圧着ツールを剥離フィルム2から離し、剥離フィルム2をバインダー樹脂層3から剥離する。なお、異方性導電フィルム1の仮貼りは、熱圧着ツールによる加圧及び光照射により行ってもよく、熱加圧と光照射を併用して行ってもよい。
<Specific example 1-1>
[Temporary pasting process]
First, the anisotropic conductive film 1 is temporarily attached on the transparent substrate 12 (adhesive placement step). The method of temporarily attaching the anisotropic conductive film is as shown in FIG. 3, in which the anisotropic conductive film 1 is placed on the transparent electrode 17 of the transparent substrate 12 so that the binder resin layer 3 is on the transparent electrode 17 side. Deploy. After disposing the binder resin layer 3 on the transparent electrode 17, the binder resin layer 3 is heated and pressed from the side of the release film 2 with, for example, a thermocompression bonding tool, the thermocompression bonding tool is separated from the release film 2, and the release film 2 is a binder resin. Peel from layer 3. The anisotropic conductive film 1 may be temporarily attached by pressing with a thermocompression bonding tool and light irradiation, or by using both heat pressing and light irradiation.

[アライメント工程/仮圧着工程]
次いで、異方性導電フィルム1を介して透明基板12上に液晶駆動用IC18を配置し、液晶駆動用IC18の透明基板12への押圧、及び異方性導電フィルム1への光照射を行う(仮圧着工程)。先ず、図4に示すように、液晶駆動用IC18と透明電極17とのアライメントを行う。具体的に、透明電極17の各端子部17aと液晶駆動用IC18の電極端子18aとがバインダー樹脂層3を介して対向するように、液晶駆動用ICを配置する。
[Alignment process / Temporary pressure bonding process]
Next, the liquid crystal driving IC 18 is placed on the transparent substrate 12 via the anisotropic conductive film 1, and the liquid crystal driving IC 18 is pressed against the transparent substrate 12 and the anisotropic conductive film 1 is irradiated with light ( Temporary crimping process). First, as shown in FIG. 4, the liquid crystal driving IC 18 and the transparent electrode 17 are aligned. Specifically, the liquid crystal driving IC is arranged so that each terminal portion 17a of the transparent electrode 17 and the electrode terminal 18a of the liquid crystal driving IC 18 face each other via the binder resin layer 3.

次に、図5に示すように、液晶駆動用IC18の上面を所定の加熱温度に昇温された熱圧着ツール30により、緩衝材32を介して、後述する本圧着工程よりも低温、低圧で熱加圧するとともに、透明基板12の裏側に設けられた紫外線照射器31によって異方性導電フィルム1のバインダー樹脂層3に紫外線を照射する。   Next, as shown in FIG. 5, the upper surface of the liquid crystal driving IC 18 is heated at a predetermined temperature by a thermocompression bonding tool 30 via a cushioning material 32 at a lower temperature and a lower pressure than the main bonding step described later. The binder resin layer 3 of the anisotropic conductive film 1 is irradiated with ultraviolet rays by an ultraviolet ray irradiator 31 provided on the back side of the transparent substrate 12 while being thermally pressurized.

熱圧着ツール30による熱加圧温度は、硬化開始前にバインダー樹脂層が溶融したときの粘度(最低溶融粘度)を示す所定の温度に対して±10〜20℃の温度(例えば80℃前後)に設定される。これにより、透明基板の反りを最小に抑え、また液晶駆動用ICに熱による損傷を加えることもない。   The temperature of the heat and pressure applied by the thermocompression bonding tool 30 is ± 10 to 20 ° C. (for example, around 80 ° C.) with respect to a predetermined temperature indicating the viscosity (minimum melt viscosity) when the binder resin layer is melted before the start of curing Is set to. As a result, the warpage of the transparent substrate is minimized, and the liquid crystal driving IC is not damaged by heat.

紫外線照射器31より発光された紫外線は、透明基板12を支持するガラス等の透明な支持台及びこの支持台に支持された透明基板12を透過してバインダー樹脂層3へ照射される。この紫外線照射器31としては、LEDランプ、水銀ランプ、メタルハライドランプ等を用いることができる。   The ultraviolet light emitted from the ultraviolet irradiator 31 passes through the transparent support 12 made of glass or the like that supports the transparent substrate 12 and the transparent substrate 12 supported by this support to irradiate the binder resin layer 3. An LED lamp, a mercury lamp, a metal halide lamp, or the like can be used as the ultraviolet irradiator 31.

ここで、仮圧着工程における異方性導電フィルム1に照射する紫外線の照射量(=紫外線照度(mW/cm)×照射時間(秒))は、本圧着工程における光の照射量よりも小さく、本圧着工程における照射量の3〜20%とすることが好ましい。例えば本圧着工程における照射量を100mW/cm2、1秒とした場合、仮圧着工程における紫外線の照射量は、3〜15mW/cm2、0.5〜2秒とすることが好ましい。 Here, the irradiation amount of ultraviolet rays (= UV illuminance (mW / cm 2 ) × irradiation time (seconds)) with which the anisotropic conductive film 1 is irradiated in the temporary pressure bonding step is smaller than the light irradiation amount in the main pressure bonding step. It is preferable that the irradiation amount in the main pressure bonding step is 3 to 20%. For example, when the irradiation amount in the main pressure bonding step is 100 mW / cm 2 for 1 second, the irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary pressure bonding step is preferably 3 to 15 mW / cm 2 and 0.5 to 2 seconds.

仮圧着工程では、液晶駆動用IC18の最小の配線間スペース(最小バンプ間スペース)によって光の照射量を変更することが好ましい。例えば、液晶駆動用IC18の最小配線間スペースが8〜20μmである場合、仮圧着工程における光の照射量は、本圧着工程における光の照射量の4〜20%とすることが好ましい。このような光照射の条件により、異方性導電フィルムのバインダー樹脂の粘度を都度調整する必要がなくなる。   In the temporary pressure bonding step, it is preferable to change the light irradiation amount according to the minimum inter-wiring space (minimum inter-bump space) of the liquid crystal driving IC 18. For example, when the minimum inter-wiring space of the liquid crystal driving IC 18 is 8 to 20 μm, the light irradiation amount in the temporary pressure bonding step is preferably 4 to 20% of the light irradiation amount in the main pressure bonding step. Under such light irradiation conditions, it is not necessary to adjust the viscosity of the binder resin of the anisotropic conductive film each time.

また、仮圧着工程における液晶駆動用IC18への押圧力は、本圧着工程における液晶駆動用IC18への押圧力の40〜90%とすることが好ましく、70〜80%とすることがより好ましい。   Further, the pressing force to the liquid crystal driving IC 18 in the temporary pressure bonding step is preferably 40 to 90%, and more preferably 70 to 80% of the pressing force to the liquid crystal driving IC 18 in the main pressure bonding step.

仮圧着工程において、異方性導電フィルム1に適正な照射量で紫外線を照射することにより、バインダー樹脂層3の硬化を開始させ、粘度が上昇された状態で液晶駆動用IC18の仮圧着を行うことができる。したがって、仮圧着工程や後述する本圧着工程において、液晶駆動用IC18が熱圧着ツール30により押圧されたときや、液晶駆動用IC18から熱圧着ツール30が離間する際に、液晶駆動用IC18が所定の位置からずれるアライメントずれを抑制することができる。   In the temporary pressure-bonding step, the anisotropic conductive film 1 is irradiated with ultraviolet rays at an appropriate dose to start the curing of the binder resin layer 3 and temporarily pressure-bond the liquid crystal driving IC 18 with the viscosity increased. be able to. Therefore, when the liquid crystal driving IC 18 is pressed by the thermocompression bonding tool 30 or when the thermocompression bonding tool 30 is separated from the liquid crystal driving IC 18, the liquid crystal driving IC 18 has a predetermined size in the temporary pressure bonding step and the main pressure bonding step described later. It is possible to suppress the misalignment that deviates from the position.

[本圧着工程]
次いで、図6に示すように、液晶駆動用IC18を透明基板12に対して押圧しながら、加圧及び光照射を行い、液晶駆動用IC18と透明基板12とを電気的、機械的に接続する(本圧着工程)。本圧着工程では、熱圧着ツール30により、導電性粒子4を液晶駆動用IC18の電極端子18a及び透明電極17の端子部17aとの間で挟持させる所定の圧力で加圧する。また、本圧着工程では、バインダー樹脂層3を硬化させる照度及び時間にて紫外線が照射される。
[Main crimping process]
Next, as shown in FIG. 6, while pressing the liquid crystal driving IC 18 against the transparent substrate 12, pressure and light irradiation are performed to electrically and mechanically connect the liquid crystal driving IC 18 and the transparent substrate 12. (Main pressure bonding step). In the main compression bonding step, the thermocompression bonding tool 30 presses the conductive particles 4 with a predetermined pressure that is sandwiched between the electrode terminal 18a of the liquid crystal driving IC 18 and the terminal portion 17a of the transparent electrode 17. Further, in the main pressure-bonding step, ultraviolet rays are irradiated with the illuminance and the time for curing the binder resin layer 3.

これにより、液晶駆動用IC18の電極端子18a及び透明電極17の端子部17aとの間からバインダー樹脂が流出するとともに、導電性粒子4が挟持されることで導通が図られ、この状態でバインダー樹脂が硬化される。これにより、図7に示すように、液晶駆動用IC18が透明基板12上に電気的、機械的に接続された接続体として液晶表示パネル10が形成される。   As a result, the binder resin flows out from between the electrode terminal 18a of the liquid crystal driving IC 18 and the terminal portion 17a of the transparent electrode 17, and the conductive particles 4 are sandwiched so that conduction is achieved. Is cured. As a result, as shown in FIG. 7, the liquid crystal display panel 10 is formed as a connection body in which the liquid crystal driving IC 18 is electrically and mechanically connected to the transparent substrate 12.

このとき、本製造工程によれば、仮圧着工程において異方性導電フィルム1に本圧着工程における光の照射量よりも小さい照射量で紫外線を照射することにより、バインダー樹脂の粘度がある程度高められているため、熱圧着ツール30による加圧時や熱圧着ツール30の離間時等において液晶駆動用IC18のアライメントずれを防止することができる。したがって、ファインピッチ化された液晶駆動用IC18の電極端子18aと、当該電極端子18aと接続される透明電極17の端子部17aに隣接する端子部とのピッチが狭まり、導電性粒子4を介して短絡する端子間ショートを防止することができる。   At this time, according to the main manufacturing process, the viscosity of the binder resin is increased to some extent by irradiating the anisotropic conductive film 1 with ultraviolet rays in a dose smaller than the light dose in the main pressure bonding process in the temporary pressure bonding process. Therefore, it is possible to prevent misalignment of the liquid crystal driving IC 18 when the thermocompression bonding tool 30 is pressed or when the thermocompression bonding tool 30 is separated. Therefore, the pitch between the electrode terminal 18a of the liquid crystal driving IC 18 with a fine pitch and the terminal portion adjacent to the terminal portion 17a of the transparent electrode 17 connected to the electrode terminal 18a is narrowed, and the conductive particles 4 are interposed therebetween. It is possible to prevent a short circuit between short-circuited terminals.

なお、紫外線照射は、仮貼り工程から開始してもよい。このとき、仮貼り工程の照度は仮圧着工程の照度よりも低くしてもよい。   The ultraviolet irradiation may be started from the temporary attaching step. At this time, the illuminance in the temporary bonding step may be lower than that in the temporary pressure bonding step.

<具体例1−2>
本製造方法は、上述した仮圧着工程において、透明基板12側ではなく、液晶駆動用IC18側から紫外線照射を行ってもよい。
<Specific example 1-2>
In the present manufacturing method, in the above-described temporary pressure bonding step, ultraviolet irradiation may be performed from the liquid crystal driving IC 18 side instead of the transparent substrate 12 side.

<具体例1−3>
本製造方法は、異方性導電フィルム1を透明基板12上に設ける工程と、異方性導電フィルム1上に液晶駆動用IC18を配置する工程と、液晶駆動用IC18側から光照射を行う工程(光照射工程)と、液晶駆動用IC18を透明基板12に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う工程(本圧着工程)とを有し、光照射工程における光の照射量が本圧着工程における光の照射量よりも小さくなるようにしてもよい。
<Specific example 1-3>
This manufacturing method includes a step of providing the anisotropic conductive film 1 on the transparent substrate 12, a step of disposing the liquid crystal driving IC 18 on the anisotropic conductive film 1, and a step of irradiating light from the liquid crystal driving IC 18 side. (Light irradiation step) and a step of performing heating and light irradiation while pressing the liquid crystal driving IC 18 against the transparent substrate 12 (main pressure bonding step), and the irradiation amount of light in the light irradiation step is main pressure bonding. It may be smaller than the light irradiation amount in the process.

<具体例1−4>
本製造方法は、具体例1−3における光照射工程の前後において、加熱ツールにより液晶駆動用IC18を押圧する工程をさらに有していてもよい。
<Specific example 1-4>
The present manufacturing method may further include a step of pressing the liquid crystal driving IC 18 with a heating tool before and after the light irradiation step in Specific Example 1-3.

<具体例1−5>
本製造方法は、具体例1−3における、異方性導電フィルム1を透明基板12上に設ける工程と、異方性導電フィルム1上に液晶駆動用IC18を配置する工程との間に、異方性導電フィルム1全面に対して光照射を行う工程をさらに有していてもよい。
<Specific example 1-5>
The present manufacturing method is different between the step of providing the anisotropic conductive film 1 on the transparent substrate 12 and the step of disposing the liquid crystal driving IC 18 on the anisotropic conductive film 1 in Specific Example 1-3. It may further have a step of irradiating the entire surface of the anisotropic conductive film 1.

<具体例1−6>
本製造方法は、異方性導電フィルム1を透明基板12上に設ける工程と、異方性導電フィルム1側から、異方性導電フィルム1全面に対して光照射を行う工程(先照射工程)と、先照射工程後の異方性導電フィルム1に液晶駆動用IC18を配置する工程と、透明基板12側から光照射を行う工程(光照射工程)と、液晶駆動用IC18を透明基板12に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う工程(本圧着工程)とを有し、先照射工程と光照射工程の光の照射量の合計が本圧着工程における光の照射量よりも小さくなるようにしてもよい。
<Specific example 1-6>
This manufacturing method includes a step of providing the anisotropic conductive film 1 on the transparent substrate 12 and a step of irradiating the entire surface of the anisotropic conductive film 1 with light from the anisotropic conductive film 1 side (pre-irradiation step). And a step of disposing the liquid crystal driving IC 18 on the anisotropic conductive film 1 after the pre-irradiation step, a step of performing light irradiation from the transparent substrate 12 side (light irradiation step), and the liquid crystal driving IC 18 on the transparent substrate 12. And a step of performing heating and light irradiation (main pressure bonding step) while pressing against each other, and the total light irradiation amount of the previous irradiation step and the light irradiation step is smaller than the light irradiation amount in the main pressure bonding step. You may do it.

<第2の実施の形態>
第2の実施の形態では、液晶表示パネルのガラス基板に、電子部品としてフレキシブル基板を実装(FOG実装)する場合を例に説明する。第2の実施の形態において、第1の実施の形態と同一の符号を付した構成は、第1の実施の形態と同義である。
<Second Embodiment>
In the second embodiment, a case where a flexible substrate is mounted (FOG mounting) as an electronic component on a glass substrate of a liquid crystal display panel will be described as an example. In the second embodiment, the same reference numerals as those in the first embodiment are the same as those in the first embodiment.

[接続体の製造方法]
<具体例2−1>
一例としての本製造方法は、異方性導電フィルムを透明基板上に設ける工程と、異方性導電フィルムを介して、透明基板上にフレキシブル基板を配置し、異方性導電フィルムへの光照射を行う工程と、フレキシブル基板を透明基板に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う工程とを有する。
[Method of manufacturing connected body]
<Specific example 2-1>
The present manufacturing method as an example includes a step of providing an anisotropic conductive film on a transparent substrate, and arranging a flexible substrate on the transparent substrate via the anisotropic conductive film, and irradiating the anisotropic conductive film with light. And a step of performing heating and light irradiation while pressing the flexible substrate against the transparent substrate.

[仮貼り工程]
仮貼り工程は、上述した第1の実施の形態における仮貼り工程と同様に行うことができる。
[Temporary pasting process]
The temporary attaching step can be performed in the same manner as the temporary attaching step in the above-described first embodiment.

[光照射工程]
光照射工程において、例えば図8に示すように、異方性導電フィルム1を介して、透明基板12上にフレキシブル基板21を配置し、異方性導電フィルム1への光照射を行う。光照射は、例えば図9に示すように、透明基板12側に配置された紫外線照射器31によって異方性導電フィルム1のバインダー樹脂層3に紫外線を照射することができる。光照射は、透明基板12側ではなく、フレキシブル基板21側から行ってもよい。
[Light irradiation process]
In the light irradiation step, for example, as shown in FIG. 8, the flexible substrate 21 is arranged on the transparent substrate 12 via the anisotropic conductive film 1, and the anisotropic conductive film 1 is irradiated with light. For the light irradiation, for example, as shown in FIG. 9, the binder resin layer 3 of the anisotropic conductive film 1 can be irradiated with ultraviolet rays by an ultraviolet ray irradiator 31 arranged on the transparent substrate 12 side. The light irradiation may be performed from the flexible substrate 21 side instead of the transparent substrate 12 side.

光照射工程において、異方性導電フィルム1に照射する紫外線の照射量は、後述する本圧着工程における光の照射量よりも小さくする。また、光照射工程では、フレキシブル基板21の最小配線間スペースによって光の照射量を変更することが好ましい。例えば、フレキシブル基板21の最小配線間スペースが25μmを超える場合、光照射工程における光の照射量は、本圧着工程における光の照射量の5〜25%とすることが好ましく、5〜15%とすることがより好ましい。また、例えば、フレキシブル基板21の最小配線間スペースが25μm以下である場合、光照射工程における光の照射量は、本圧着工程における光の照射量の2〜15%とすることが好ましく、5〜10%とすることがより好ましい。   In the light irradiation step, the irradiation amount of the ultraviolet rays with which the anisotropic conductive film 1 is irradiated is made smaller than the irradiation amount of light in the main pressure bonding step described later. In addition, in the light irradiation step, it is preferable to change the light irradiation amount depending on the minimum inter-wiring space of the flexible substrate 21. For example, when the minimum wiring space of the flexible substrate 21 exceeds 25 μm, the light irradiation amount in the light irradiation step is preferably 5 to 25% of the light irradiation amount in the main pressure bonding step, and is 5 to 15%. More preferably. Further, for example, when the minimum wiring space of the flexible substrate 21 is 25 μm or less, the light irradiation amount in the light irradiation step is preferably 2 to 15% of the light irradiation amount in the main pressure bonding step, and It is more preferably set to 10%.

光照射工程において照射する紫外線照度、及び紫外線照射時間は、上述した条件を満たす範囲で適宜選択することができる。例えば、紫外線照度を1〜400mW/cmとし、紫外線照射時間を0.5〜2秒とすることができる。特に、本圧着工程の前に異方性導電フィルム1が完全に硬化しないようにする観点から、光照射工程における光の照射時間は、本圧着工程における圧着時間に対して1/5以下であることが好ましい。 The ultraviolet illuminance and the ultraviolet irradiation time for irradiation in the light irradiation step can be appropriately selected within a range satisfying the above-mentioned conditions. For example, the ultraviolet illuminance can be set to 1 to 400 mW / cm 2 , and the ultraviolet irradiation time can be set to 0.5 to 2 seconds. Particularly, from the viewpoint of preventing the anisotropic conductive film 1 from being completely cured before the main pressure bonding step, the light irradiation time in the light irradiation step is ⅕ or less of the pressure bonding time in the main pressure bonding step. It is preferable.

[本圧着工程]
本圧着工程において、例えば図10に示すように、フレキシブル基板21を透明基板17に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う。これにより、フレキシブル基板21と透明基板17とを接続させ、例えば、フレキシブル基板21が透明基板17上に接続された接続体として、液晶表示パネルが形成される。
[Main crimping process]
In the final pressure bonding step, as shown in FIG. 10, for example, heating and light irradiation are performed while pressing the flexible substrate 21 against the transparent substrate 17. As a result, the flexible substrate 21 and the transparent substrate 17 are connected to each other, and a liquid crystal display panel is formed, for example, as a connection body in which the flexible substrate 21 is connected to the transparent substrate 17.

本圧着工程では、先ず、フレキシブル基板21と透明電極17とのアライメントを行うことが好ましい。具体的には、透明電極17の各端子部17aとフレキシブル基板21の端子部21aとがバインダー樹脂層3を介して対向するように、フレキシブル基板21を配置する。   In the main pressure bonding step, first, it is preferable that the flexible substrate 21 and the transparent electrode 17 are aligned. Specifically, the flexible substrate 21 is arranged so that each terminal portion 17a of the transparent electrode 17 and the terminal portion 21a of the flexible substrate 21 face each other with the binder resin layer 3 in between.

次に、フレキシブル基板21の上面を所定の加熱温度に昇温された熱圧着ツール30により、緩衝材32を介して熱加圧するとともに、透明基板12の裏側に設けられた紫外線照射器31によって異方性導電フィルム1のバインダー樹脂層3に紫外線を照射する。本圧着工程における熱加圧は、導電性粒子4をフレキシブル基板21の端子部21a、及び透明電極17の端子部17aとの間で挟持させる所定の圧力で加圧する。また、本圧着工程における光照射は、バインダー樹脂層3を硬化させることが可能な条件で行う。   Next, the upper surface of the flexible substrate 21 is thermally pressed by the thermocompression bonding tool 30 heated to a predetermined heating temperature through the buffer material 32, and the ultraviolet irradiation device 31 provided on the back side of the transparent substrate 12 changes the temperature. The binder resin layer 3 of the anisotropic conductive film 1 is irradiated with ultraviolet rays. The thermal pressurization in the main press-bonding step is performed by applying a predetermined pressure for sandwiching the conductive particles 4 between the terminal portion 21a of the flexible substrate 21 and the terminal portion 17a of the transparent electrode 17. The light irradiation in the main pressure bonding step is performed under the condition that the binder resin layer 3 can be cured.

このような接続体の製造方法によれば、光照射工程における光の照射量を、本圧着工程における光の照射量よりも小さくすることにより、本圧着工程前に異方性導電フィルム1のバインダー樹脂の粘度がある程度高められているため、熱圧着ツール30による加圧時や熱圧着ツール30の離間時等においてフレキシブル基板21のアライメントずれを防止することができる。   According to such a method for manufacturing a connector, the light irradiation amount in the light irradiation step is made smaller than the light irradiation amount in the main pressure bonding step, so that the binder of the anisotropic conductive film 1 before the main pressure bonding step. Since the viscosity of the resin is increased to some extent, it is possible to prevent misalignment of the flexible substrate 21 when pressure is applied by the thermocompression bonding tool 30 or when the thermocompression bonding tool 30 is separated.

また、本製造方法によれば、圧着時に、フレキシブル基板の残留応力の開放による影響を抑制できるため、異方性導電フィルムのバインダー樹脂層とフレキシブル基板との界面における剥離を抑制することができる。そのため、接続体の導通抵抗値の低下、異方性導電フィルムと被着体との接着力の低下等の接続不良を抑制することができる。   Further, according to the present manufacturing method, since it is possible to suppress the influence of releasing the residual stress of the flexible substrate during pressure bonding, it is possible to suppress peeling at the interface between the binder resin layer of the anisotropic conductive film and the flexible substrate. Therefore, it is possible to suppress a connection failure such as a decrease in the conduction resistance value of the connection body and a decrease in the adhesive force between the anisotropic conductive film and the adherend.

また、本製造方法によれば、フレキシブル基板の配線レイアウトや最小配線間スペースに合わせて異方性導電フィルムのバインダー樹脂の粘度を都度調整しなくても、光照射の条件により残留応力の開放による影響を抑制することができる。そのため、接続体の製造効率をより向上させることができる。   In addition, according to the present manufacturing method, even if the viscosity of the binder resin of the anisotropic conductive film is not adjusted each time according to the wiring layout of the flexible substrate and the space between the wirings, the residual stress can be released depending on the conditions of light irradiation. The influence can be suppressed. Therefore, the manufacturing efficiency of the connected body can be further improved.

なお、上述した光照射工程においては、熱圧着ツールにより、緩衝材を介して、本圧着工程よりも低温、低圧で熱加圧しながら、紫外線照射器31によって異方性導電フィルム1のバインダー樹脂層3に紫外線を照射してもよい。熱圧着ツールによる熱加圧温度、及び押圧力は、例えば上述した第1の実施の形態における仮圧着工程と同様の条件とすることができる。   In the light irradiation step described above, the binder resin layer of the anisotropic conductive film 1 is applied by the ultraviolet irradiator 31 while thermocompressing with a thermocompression bonding tool at a lower temperature and a lower pressure than in the main pressure bonding step via a cushioning material. 3 may be irradiated with ultraviolet rays. The heat pressurizing temperature and the pressing force by the thermocompression bonding tool can be set to the same conditions as those in the temporary pressure bonding step in the above-described first embodiment, for example.

<具体例2−2>
本製造方法は、具体例2−1における光照射工程の前後において、加熱ツールによりフレキシブル基板21を押圧する工程をさらに有していてもよい。
<Specific example 2-2>
The present manufacturing method may further include a step of pressing the flexible substrate 21 with a heating tool before and after the light irradiation step in Example 2-1.

<具体例2−3>
本製造方法は、具体例2−1における異方性導電フィルム1を透明基板12上に設ける工程と、フレキシブル基板21を配置する工程との間に、異方性導電フィルム1全面に対して光照射を行う工程をさらに有していてもよい。
<Specific example 2-3>
The present manufacturing method is such that light is applied to the entire surface of the anisotropic conductive film 1 between the step of providing the anisotropic conductive film 1 in Example 2-1 on the transparent substrate 12 and the step of disposing the flexible substrate 21. You may further have the process of performing irradiation.

<具体例2−4>
本製造方法は、異方性導電フィルム1を透明基板12上に設ける仮貼り工程と、異方性導電フィルム1全面に対して光照射を行う工程(先照射工程)と、先照射工程後の異方性導電フィルム1上にフレキシブル基板21を配置する工程と、透明基板12側から光照射を行う工程(光照射工程)と、フレキシブル基板21を透明基板12に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う工程(本圧着工程)とを有し、先照射工程と光照射工程の光の照射量の合計が本圧着工程における光の照射量よりも小さくなるようにしてもよい。
<Specific example 2-4>
The present manufacturing method includes a temporary attaching step of providing the anisotropic conductive film 1 on the transparent substrate 12, a step of irradiating the entire surface of the anisotropic conductive film 1 with light (pre-irradiation step), and a pre-irradiation step. A step of arranging the flexible substrate 21 on the anisotropic conductive film 1, a step of irradiating light from the transparent substrate 12 side (a light irradiating step), heating the flexible substrate 21 against the transparent substrate 12 while heating and A light irradiation step (main pressure bonding step) may be included, and the total light irradiation amount in the first irradiation step and the light irradiation step may be smaller than the light irradiation amount in the main pressure bonding step.

<第1の実施例>
次いで、本技術の実施例について説明する。本実施例では、仮圧着工程における紫外線の照射条件を異ならせて製造した透明基板とICチップとの各接続体サンプルについて、接続初期及び信頼性試験後におけるICチップと透明基板の透明電極との導通抵抗値(Ω)、及びICチップのアライメントずれ量(μm)を測定した。
<First embodiment>
Next, examples of the present technology will be described. In this example, for each connection body sample of a transparent substrate and an IC chip manufactured under different ultraviolet irradiation conditions in the temporary pressure bonding step, the IC chip and the transparent electrode of the transparent substrate after the initial connection and after the reliability test were performed. The conduction resistance value (Ω) and the amount of IC chip alignment deviation (μm) were measured.

接続に用いる接着剤として、光酸発生剤とカチオン重合性化合物を含有するバインダー樹脂層からなる異方性導電フィルムを用意した。   An anisotropic conductive film including a binder resin layer containing a photo-acid generator and a cationically polymerizable compound was prepared as an adhesive used for connection.

このバインダー樹脂層は、
フェノキシ樹脂(YP−50:新日鉄住金化学株式会社製);45質量部
イソシアヌル酸EO変性ジアクリレート(M−215:東亜合成株式会社製);45質量部
シランカップリング剤(KBM−403:信越化学工業株式会社製);2質量部
光ラジカル発生剤(イルガキュア369:BASFジャパン株式会社製);8質量部
を酢酸エチル、トルエンにて固形分50%になるように混合溶液を作成し、導電性粒子(AUL704:平均粒子径4μm、積水化学工業株式会社製)を粒子密度が約50,000個/mm2になるように分散させた。この混合溶液を厚さ50μmのPETフィルム上に塗布し、70℃オーブンにて5分間乾燥し、厚さ20μmのフィルム状に成形した。
This binder resin layer is
Phenoxy resin (YP-50: Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.); 45 parts by mass of isocyanuric acid EO-modified diacrylate (M-215: Toa Gosei Co., Ltd.); 45 parts by mass of silane coupling agent (KBM-403: Shin-Etsu Chemical). Industrial Co., Ltd.); 2 parts by mass photoradical generator (Irgacure 369: manufactured by BASF Japan Co., Ltd.); 8 parts by mass of ethyl acetate and toluene to prepare a mixed solution having a solid content of 50% and conductivity. Particles (AUL704: average particle diameter 4 μm, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) were dispersed so that the particle density was about 50,000 particles / mm 2 . This mixed solution was applied on a PET film having a thickness of 50 μm and dried in an oven at 70 ° C. for 5 minutes to form a film having a thickness of 20 μm.

評価素子として、
外形;1.8mm×20mm、
バンプ高さ;15μm、
バンプサイズ;30×60μm(最小バンプ間スペース10μm)、
の評価用ICを用いた。尚、バンプは評価用IC外形の長辺方向両端部の内側に、バンプの短辺側が評価用IC外形長辺方向と平行になるように配列している。この配列方向におけるバンプ間の距離が、本評価素子の最小バンプ間スペースである。
As an evaluation element,
External shape: 1.8 mm x 20 mm,
Bump height: 15 μm,
Bump size: 30 × 60 μm (minimum space between bumps 10 μm),
The evaluation IC of was used. The bumps are arranged inside both ends of the evaluation IC outer shape in the long side direction such that the short side of the bump is parallel to the evaluation IC outer shape long side direction. The distance between the bumps in this arrangement direction is the minimum inter-bump space of the present evaluation element.

評価用ICが接続される評価基材として、厚さ0.5mmのITOコーティングガラスを用いた。   As the evaluation base material to which the evaluation IC was connected, an ITO-coated glass having a thickness of 0.5 mm was used.

このガラス基板に上記異方性導電フィルムを介して評価用ICを配置し、熱圧着ツールによる熱加圧及び紫外線照射器(ZUV−C30H:オムロン株式会社製)によって紫外線を照射し仮圧着及び本圧着を行い、接続体サンプルを形成した。   An evaluation IC is placed on the glass substrate via the anisotropic conductive film, and heat-pressed by a thermocompression-bonding tool and ultraviolet rays are radiated by an ultraviolet ray irradiator (ZUV-C30H: OMRON Corporation) for temporary pressure-bonding and main bonding. Crimping was performed to form a connected body sample.

仮圧着条件は、実施例1〜6、比較例1〜8のいずれも80℃、2MPa、2秒であり、押圧時には熱圧着ツールと評価用ICの間には緩衝材として厚み50μmのテフロン(登録商標)シートを介している。また、紫外線照射は、熱圧着ツールによる加熱加圧と同時に開始した。仮圧着時の紫外線照射は、ガラス基板側から行った。   The temporary pressure bonding conditions are 80 ° C., 2 MPa, and 2 seconds for each of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 8. At the time of pressing, a Teflon (thickness of 50 μm as a cushioning material between the thermocompression bonding tool and the IC for evaluation ( (Registered trademark) sheet. The ultraviolet irradiation was started at the same time as the heating and pressing by the thermocompression bonding tool. The ultraviolet irradiation during the temporary pressure bonding was performed from the glass substrate side.

本圧着条件は、実施例1〜6、比較例1〜8のいずれも100℃、80MPa、5秒であり、押圧時には熱圧着ツールと評価用ICの間には緩衝材として厚み50μmのテフロン(登録商標)シートを介している。また、紫外線照射は、熱圧着ツールによる加熱加圧から4秒後に開始し、照射時間は1秒、照度は100mW/cm2とした。本圧着時の紫外線照射は、ガラス基板側から行った。 The main pressure bonding conditions are 100 ° C., 80 MPa, and 5 seconds in each of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 8. At the time of pressing, a Teflon (thickness of 50 μm as a cushioning material between the thermocompression bonding tool and the evaluation IC ( (Registered trademark) sheet. The ultraviolet irradiation was started 4 seconds after the heating and pressing by the thermocompression bonding tool, the irradiation time was 1 second, and the illuminance was 100 mW / cm 2 . Ultraviolet irradiation at the time of main pressure bonding was performed from the glass substrate side.

そして、各実施例及び比較例に係る接続体サンプルについて、初期導通抵抗値(Ω)及び信頼性試験後の導通抵抗値(Ω)を測定した。信頼性試験の条件は、85℃85%RH500hrである。導通抵抗値の測定は、図11に示すように、評価用ICのバンプ42と接続されたITOコーティングガラスの配線43にデジタルマルチメータを接続し、いわゆる4端子法にて電流2mAを流したときの導通抵抗値を測定した。   Then, the initial conduction resistance value (Ω) and the conduction resistance value (Ω) after the reliability test were measured for the connection body samples according to each example and comparative example. The condition of the reliability test is 85 ° C. 85% RH 500 hr. As shown in FIG. 11, the conduction resistance value was measured when a digital multimeter was connected to the wiring 43 of the ITO coating glass connected to the bump 42 of the evaluation IC and a current of 2 mA was applied by the so-called 4-terminal method. The conduction resistance value was measured.

また、各実施例及び比較例に係る接続体サンプルについて、実体顕微鏡を用いてアライメントずれ量を測定した。アライメントずれ量の許容範囲は、1.0μm以下とした。   Further, with respect to the connected body samples according to each of the examples and the comparative examples, the amount of misalignment was measured using a stereoscopic microscope. The allowable range of the misalignment amount was set to 1.0 μm or less.

[実施例1]
実施例1では、仮圧着工程における熱加圧条件を60MPa、80℃とし、紫外線の照射条件を3mW/cm2、1秒、とした。実施例1の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の3%である。実施例1に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が1.4Ωと低く、信頼性試験後の導通抵抗も4.3Ωであった。また、実施例1に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は0.9μmであった。
[Example 1]
In Example 1, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 3 mW / cm 2 and 1 second. The irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary pressure bonding step of Example 1 is 3% of the irradiation amount in the main pressure bonding step. The connection sample according to Example 1 had a low initial conduction resistance of 1.4Ω and a conduction resistance of 4.3Ω after the reliability test. The amount of misalignment of the connected sample according to Example 1 was 0.9 μm.

[実施例2]
実施例2では、仮圧着工程における熱加圧条件を60MPa、80℃とし、紫外線の照射条件を5mW/cm2、1秒とした。実施例2の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の5%である。実施例2に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が1.0Ωと低く、信頼性試験後の導通抵抗も4.1Ωであった。また、実施例2に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は0.7μmであった。
[Example 2]
In Example 2, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 5 mW / cm 2 and 1 second. The irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary pressure bonding step of Example 2 is 5% of the irradiation amount in the main pressure bonding step. The connection sample according to Example 2 had a low initial conduction resistance of 1.0Ω and a conduction resistance of 4.1Ω after the reliability test. The amount of misalignment of the connected sample according to Example 2 was 0.7 μm.

[実施例3]
実施例3では、仮圧着工程における熱加圧条件を60MPa、80℃とし、紫外線の照射条件を15mW/cm2、1秒とした。実施例3の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の15%である。実施例3に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が1.2Ωと低く、信頼性試験後の導通抵抗も4.4Ωであった。また、実施例3に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は0.3μmであった。
[Example 3]
In Example 3, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 15 mW / cm 2 and 1 second. The irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary pressure bonding step of Example 3 is 15% of the irradiation amount in the main pressure bonding step. The connection body sample according to Example 3 had a low initial conduction resistance of 1.2Ω and a conduction resistance of 4.4Ω after the reliability test. The amount of misalignment of the connected sample according to Example 3 was 0.3 μm.

[実施例4]
実施例4では、仮圧着工程における熱加圧条件を60MPa、80℃とし、紫外線の照射条件を20mW/cm2、1秒とした。実施例4の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の20%である。実施例4に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が2.4Ωと低く、信頼性試験後の導通抵抗も4.4Ωであった。また、実施例4に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は0.3μmであった。
[Example 4]
In Example 4, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 20 mW / cm 2 and 1 second. The irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary pressure bonding step of Example 4 is 20% of the irradiation amount in the main pressure bonding step. The connection sample according to Example 4 had a low initial conduction resistance of 2.4Ω and a conduction resistance of 4.4Ω after the reliability test. The amount of misalignment of the connected sample according to Example 4 was 0.3 μm.

[実施例5]
実施例5では、仮圧着工程における熱加圧条件を60MPa、80℃とし、紫外線の照射条件を10mW/cm2、0.5秒とした。実施例5の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の5%である。実施例5に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が1.2Ωと低く、信頼性試験後の導通抵抗も4.5Ωであった。また、実施例5に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は0.6μmであった。
[実施例6]
実施例6では、仮圧着工程における熱加圧条件を60MPa、80℃とし、紫外線の照射条件を10mW/cm2、2秒とした。実施例6の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の20%である。実施例6に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が1.3Ωと低く、信頼性試験後の導通抵抗も4.2Ωであった。また、実施例6に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は0.6μmであった。
[Example 5]
In Example 5, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 10 mW / cm 2 and 0.5 seconds. The irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary pressure bonding step of Example 5 is 5% of the irradiation amount in the main pressure bonding step. The connection sample according to Example 5 had a low initial conduction resistance of 1.2Ω and a conduction resistance of 4.5Ω after the reliability test. The amount of misalignment of the connected sample according to Example 5 was 0.6 μm.
[Example 6]
In Example 6, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 10 mW / cm 2 and 2 seconds. The irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary pressure bonding step of Example 6 is 20% of the irradiation amount in the main pressure bonding step. The connection sample according to Example 6 had a low initial conduction resistance of 1.3Ω, and the conduction resistance after the reliability test was 4.2Ω. The amount of misalignment of the connected sample according to Example 6 was 0.6 μm.

[比較例1]
比較例1では、仮圧着工程における熱加圧条件を7MPa、50℃とし、紫外線の照射は行わなかった。比較例1の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の0%である。比較例1に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が3.4Ωと高く、信頼性試験後の導通抵抗も6.1Ωとなった。また、比較例1に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は3.1μmと大きくなった。
[Comparative Example 1]
In Comparative Example 1, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 7 MPa and 50 ° C., and the irradiation of ultraviolet rays was not performed. The irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary pressure bonding step of Comparative Example 1 is 0% of the irradiation amount in the main pressure bonding step. The connection body sample according to Comparative Example 1 had a high initial conduction resistance of 3.4Ω and a conduction resistance of 6.1Ω after the reliability test. In addition, the amount of misalignment of the connector sample according to Comparative Example 1 was as large as 3.1 μm.

[比較例2]
比較例2では、仮圧着工程における熱加圧条件を7MPa、60℃とし、紫外線の照射は行わなかった。比較例2の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の0%である。比較例2に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が1.5Ωと低かったが、信頼性試験後の導通抵抗が5.1Ωと高くなった。また、比較例2に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は4.3μmと大きくなった。
[Comparative Example 2]
In Comparative Example 2, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 7 MPa and 60 ° C., and irradiation with ultraviolet rays was not performed. The irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary pressure bonding step of Comparative Example 2 is 0% of the irradiation amount in the main pressure bonding step. The connection sample according to Comparative Example 2 had an initial conduction resistance as low as 1.5Ω, but had a conduction resistance as high as 5.1Ω after the reliability test. Further, the amount of misalignment of the connector sample according to Comparative Example 2 was as large as 4.3 μm.

[比較例3]
比較例3では、仮圧着工程における熱加圧条件を7MPa、50℃とし、紫外線の照射条件を15mW/cm2、1秒とした。比較例3の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の1.5%である。比較例3に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が2.3Ωであり、信頼性試験後の導通抵抗は5.3Ωであった。また、比較例3に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は1.8μmであった。
[Comparative Example 3]
In Comparative Example 3, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 7 MPa and 50 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 15 mW / cm 2 and 1 second. The irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary pressure bonding step of Comparative Example 3 is 1.5% of the irradiation amount in the main pressure bonding step. The connection sample according to Comparative Example 3 had an initial conduction resistance of 2.3Ω and a conduction resistance after the reliability test of 5.3Ω. The amount of misalignment of the connector sample according to Comparative Example 3 was 1.8 μm.

[比較例4]
比較例4では、仮圧着工程における熱加圧条件を60MPa、80℃とし、紫外線の照射は行わなかった。比較例4の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の0%である。比較例4に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が1.2Ωと低く、信頼性試験後の導通抵抗も4.3Ωであった。しかし、比較例4に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は6.4μmと大きくなった。
[Comparative Example 4]
In Comparative Example 4, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and irradiation with ultraviolet rays was not performed. The irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary pressure bonding step of Comparative Example 4 is 0% of the irradiation amount in the main pressure bonding step. The connection body sample according to Comparative Example 4 had a low initial conduction resistance of 1.2Ω and a conduction resistance of 4.3Ω after the reliability test. However, the misalignment amount of the connector sample according to Comparative Example 4 was as large as 6.4 μm.

[比較例5]
比較例5では、仮圧着工程における熱加圧条件を60MPa、80℃とし、紫外線の照射条件を2mW/cm2、1秒とした。比較例5の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の2%である。比較例5に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が1.2Ωと低く、信頼性試験後の導通抵抗も4.3Ωであった。しかし、比較例5に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は3.1μmと大きくなった。
[Comparative Example 5]
In Comparative Example 5, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 2 mW / cm 2 and 1 second. The irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary pressure bonding step of Comparative Example 5 is 2% of the irradiation amount in the main pressure bonding step. The connection sample according to Comparative Example 5 had a low initial conduction resistance of 1.2Ω and a conduction resistance of 4.3Ω after the reliability test. However, the misalignment amount of the connector sample according to Comparative Example 5 was as large as 3.1 μm.

[比較例6]
比較例6では、仮圧着工程における熱加圧条件を60MPa、80℃とし、紫外線の照射条件を25mW/cm2、1秒とした。比較例6の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の25%である。比較例6に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が6.3Ωと高く、信頼性試験後の導通抵抗も9.3Ωと高くなった。しかし、比較例6に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は0.3μmであった。
[Comparative Example 6]
In Comparative Example 6, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 25 mW / cm 2 and 1 second. The irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary pressure bonding step of Comparative Example 6 is 25% of the irradiation amount in the main pressure bonding step. The connected body sample according to Comparative Example 6 had an initial conduction resistance as high as 6.3Ω and a conduction resistance after the reliability test as high as 9.3Ω. However, the misalignment amount of the connector sample according to Comparative Example 6 was 0.3 μm.

[比較例7]
比較例7では、仮圧着工程における熱加圧条件を60MPa、80℃とし、紫外線の照射条件を10mW/cm2、0.2秒とした。比較例7の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の2%である。比較例7に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が1.1Ωと低く、信頼性試験後の導通抵抗も4.5Ωであった。しかし、比較例7に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は3.1μmと大きくなった。
[Comparative Example 7]
In Comparative Example 7, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 10 mW / cm 2 and 0.2 seconds. The irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary pressure bonding step of Comparative Example 7 is 2% of the irradiation amount in the main pressure bonding step. The connected sample according to Comparative Example 7 had a low initial conduction resistance of 1.1Ω and a conduction resistance of 4.5Ω after the reliability test. However, the misalignment amount of the connector sample according to Comparative Example 7 was as large as 3.1 μm.

[比較例8]
比較例8では、仮圧着工程における熱加圧条件を60MPa、80℃とし、紫外線の照射条件を10mW/cm2、2.5秒とした。比較例8の仮圧着工程における紫外線の照射量は、本圧着工程における照射量の25%である。比較例8に係る接続体サンプルは、初期導通抵抗が5.2Ωと高く、信頼性試験後の導通抵抗も7.5Ωと高くなった。また、比較例8に係る接続体サンプルのアライメントずれ量は1.2μmと大きくなった。
[Comparative Example 8]
In Comparative Example 8, the heat and pressure conditions in the temporary pressure bonding step were 60 MPa and 80 ° C., and the ultraviolet irradiation conditions were 10 mW / cm 2 and 2.5 seconds. The irradiation amount of ultraviolet rays in the temporary pressure bonding step of Comparative Example 8 is 25% of the irradiation amount in the main pressure bonding step. The connected sample according to Comparative Example 8 had an initial conduction resistance as high as 5.2Ω and a conduction resistance after the reliability test as high as 7.5Ω. The amount of misalignment of the connector sample according to Comparative Example 8 was as large as 1.2 μm.

Figure 0006679320
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表1に示すように、実施例1〜6は、仮圧着工程において照度を3〜20mW/cm2、照射時間を0.5〜2秒で紫外線を照射した。これは、本圧着工程における照射量の3〜20%である。このため、実施例1〜6では、バインダー樹脂の硬化反応を適度に進行させ粘度を上昇させることができ、導電性粒子の押し込みを阻害することなく、評価用ICのアライメントずれ量を1.0μm未満とすることができた。 As shown in Table 1, in Examples 1 to 6, ultraviolet rays were irradiated at an illuminance of 3 to 20 mW / cm 2 and an irradiation time of 0.5 to 2 seconds in the temporary pressure bonding step. This is 3 to 20% of the irradiation amount in the main pressure bonding step. Therefore, in Examples 1 to 6, the curing reaction of the binder resin can be appropriately advanced to increase the viscosity, and the misalignment amount of the evaluation IC was 1.0 μm without inhibiting the intrusion of the conductive particles. Could be less than.

比較例1、2は、仮圧着工程において紫外線を照射していないため、低温低圧力で押圧すると、熱圧着ツールによる押圧時等に評価用ICのアライメントずれ量が大きくなった。また、低圧力で押圧したことから、導電性粒子の押し込みが不足し、信頼性試験後に導通抵抗が上昇した。   Since Comparative Examples 1 and 2 did not irradiate ultraviolet rays in the temporary pressure bonding step, when the pressure was applied at a low temperature and a low pressure, the misalignment amount of the evaluation IC became large when pressed by the thermocompression bonding tool. Further, since the pressure was applied at a low pressure, the conductive particles were insufficiently pressed, and the conduction resistance increased after the reliability test.

比較例3は、仮圧着工程において適正な照度及び時間にて紫外線を照射したが、評価用ICの押圧力が低く、導電性粒子の押し込みが不足し、導通抵抗が上昇した。   In Comparative Example 3, ultraviolet rays were radiated at an appropriate illuminance and time in the temporary pressure bonding step, but the pressing force of the evaluation IC was low, the pressing of the conductive particles was insufficient, and the conduction resistance increased.

比較例4は、紫外線を照射せずに仮圧着工程を行う際に、高圧力で押圧したところ、導電性粒子の押し込みによって導通性を確保できたものの、アライメントずれ量が大きくなった。   In Comparative Example 4, when the pressure was applied at a high pressure when the temporary pressure bonding step was performed without irradiating with ultraviolet rays, the conductive particles were able to be secured by the indentation of the conductive particles, but the misalignment amount became large.

比較例5は、仮圧着工程における紫外線照度が2mW/cm2と低いことから、バインダー樹脂の硬化反応が進まず、粘度が低かったため、導電性粒子の押し込みによって導通性を確保できたものの、アライメントずれ量が大きくなった。 In Comparative Example 5, since the ultraviolet illuminance in the temporary pressure bonding step was as low as 2 mW / cm 2 , the curing reaction of the binder resin did not proceed and the viscosity was low, so the conductivity could be secured by pushing the conductive particles. The amount of deviation has increased.

比較例6は、仮圧着工程における紫外線照度が25mW/cm2と高いことから、アライメントずれを抑えることはできた反面、バインダー樹脂の硬化反応が進みすぎて、本圧着工程において導電性粒子を十分に押し込むことが出来ず、導通抵抗が上昇した。 In Comparative Example 6, since the ultraviolet illuminance in the temporary pressure bonding step was as high as 25 mW / cm 2 , misalignment could be suppressed, but on the other hand, the curing reaction of the binder resin proceeded too much and the conductive particles were sufficiently dispersed in the main pressure bonding step. I couldn't push it into, and the conduction resistance increased.

比較例7は、仮圧着工程における紫外線照射時間が0.2秒と短いことから、バインダー樹脂の硬化反応が進まず、粘度が低かったため、導電性粒子の押し込みによって導通性を確保できたものの、アライメントずれ量が大きくなった。   In Comparative Example 7, since the ultraviolet irradiation time in the temporary pressure bonding step was as short as 0.2 seconds, the curing reaction of the binder resin did not proceed and the viscosity was low, so the conductivity could be secured by pushing the conductive particles, The amount of misalignment has increased.

比較例8は、仮圧着工程における紫外線照射時間が2.5秒と長いことから、アライメントの大きなずれは抑えることはできたが、バインダー樹脂の硬化反応が進みすぎて、本圧着工程において導電性粒子を十分に押し込むことが出来ず、導通抵抗が上昇した。   In Comparative Example 8, since the ultraviolet irradiation time in the temporary pressure bonding step was as long as 2.5 seconds, it was possible to suppress a large misalignment, but the curing reaction of the binder resin proceeded too much and the conductivity in the main pressure bonding step was increased. The particles could not be pushed in sufficiently and the conduction resistance increased.

以上のことから、仮圧着工程においてバインダー樹脂の粘度を適度に上昇させておくことで、導電性粒子の押し込みを阻害することなく、アライメントずれを抑制することができることが分かる。また、仮圧着工程における光の照射量は、本圧着工程における光の照射量の3〜20%が好ましいことが分かる。   From the above, it is understood that by appropriately increasing the viscosity of the binder resin in the temporary pressure bonding step, it is possible to suppress the misalignment without hindering the intrusion of the conductive particles. Further, it is understood that the light irradiation amount in the temporary pressure bonding step is preferably 3 to 20% of the light irradiation amount in the main pressure bonding step.

[実施例7〜9]
実施例7〜9では、上述した実施例1、2、5と同様にITOコーティングガラスに異方性導電フィルムを貼付け、異方性導電フィルム側からフィルムの全面に対して仮圧着と同じ条件で異方性導電フィルム側から紫外線を照射(先照射)した。紫外線照射後の異方性導電フィルム上に評価用ICを配置し、実施例1、2、5と同様の条件で仮圧着(光照射)を行った。尚、異方性導電フィルム側からの先照射は、透明基板側からの光照射と略同一の光源を用いた。そして、本圧着を行い、接続体サンプルを得た。実施例7〜9では実施例1、2、5と略同等の結果が得られた。
[Examples 7 to 9]
In Examples 7 to 9, the anisotropic conductive film was attached to the ITO-coated glass in the same manner as in Examples 1, 2 and 5 described above, and the entire surface of the film was bonded from the anisotropic conductive film side under the same conditions as the temporary pressure bonding. Ultraviolet rays were irradiated (pre-irradiation) from the anisotropic conductive film side. An evaluation IC was placed on the anisotropic conductive film after ultraviolet irradiation, and temporary pressure bonding (light irradiation) was performed under the same conditions as in Examples 1, 2, and 5. For the pre-irradiation from the anisotropic conductive film side, a light source substantially the same as the light irradiation from the transparent substrate side was used. Then, the main pressure bonding was performed to obtain a connected body sample. The results of Examples 7 to 9 were substantially the same as those of Examples 1, 2, and 5.

<第2の実施例>
本実施例では、仮圧着工程における紫外線の照射条件を異ならせて、透明基板(クロム/アルミコーティングガラス:評価基材)と、電子部品(フレキシブル基板(FPC):評価素子)との接続を行い、接続体を得た。そして、得られた各接続体サンプルについて、接続初期及び信頼性試験後におけるフレキシブル基板の電極とクロム/アルミコーティングガラスの電極(アルミ)との導通抵抗値(Ω)、信頼性試験後における接着剤層の表面とフレキシブル基板の表面とのギャップの量、及びアライメントずれ量を測定した。
<Second embodiment>
In this embodiment, the transparent substrate (chromium / aluminum coated glass: evaluation base material) and the electronic component (flexible substrate (FPC): evaluation element) are connected by changing the irradiation conditions of ultraviolet rays in the temporary pressure bonding step. , Got the connection. Then, for each of the obtained connection body samples, the conduction resistance value (Ω) between the electrode of the flexible substrate and the electrode of the chromium / aluminum-coated glass (aluminum) after the initial connection and after the reliability test, and the adhesive after the reliability test The amount of gap between the surface of the layer and the surface of the flexible substrate and the amount of misalignment were measured.

クロム/アルミコーティングガラスとフレキシブル基板との接続には、接着剤として、以下の異方性導電フィルムを用いた。まず、30質量部のフェノキシ樹脂(YP−70:新日鉄住金化学株式会社製)と、30質量部の液状エポキシ樹脂(EP808:三菱化学株式会社製)と、20質量部の固形エポキシ樹脂(YD014:新日鉄住金化学株式会社製)と、3質量部の導電性粒子(AUL704:平均粒子径4μm、積水化学工業株式会社製)と、5質量部の光カチオン硬化剤(LW−S1:サンアプロ株式会社製)と、10質量部のカチオン系硬化剤(SI−60L、三新化学株式会社製)を、撹拌装置を用いて均一に混合した。この混合溶液を剥離処理したPETフィルム(厚さ50μm)上に塗布し、厚さ20μmのフィルム状に成形した。これにより、異方性導電フィルムを得た。   The following anisotropic conductive film was used as an adhesive for connecting the chrome / aluminum coated glass and the flexible substrate. First, 30 parts by mass of phenoxy resin (YP-70: manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.), 30 parts by mass of liquid epoxy resin (EP808: manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), and 20 parts by mass of solid epoxy resin (YD014: Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.), 3 parts by mass of conductive particles (AUL704: average particle size 4 μm, Sekisui Chemical Co., Ltd.), and 5 parts by mass of photocationic curing agent (LW-S1: San Apro Co., Ltd.). ) And 10 parts by mass of a cationic curing agent (SI-60L, manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.) were uniformly mixed using a stirrer. This mixed solution was applied onto a PET film (thickness 50 μm) which had been subjected to a peeling treatment, and was molded into a film having a thickness 20 μm. Thereby, an anisotropic conductive film was obtained.

フレキシブル基板としては、200μmP又は50μmP(Line/Space=1/1)、Cu8μmt−Snめっき、38μmt−S’perflex基材を用いた。   As the flexible substrate, 200 μmP or 50 μmP (Line / Space = 1/1), Cu8 μmt-Sn plating, and 38 μmt-S'perflex base material were used.

クロム/アルミコーティングガラスとしては、アルミパターンガラス(200μmP又は50μmP、厚み1.1mm)を用いた。   As the chrome / aluminum coating glass, aluminum pattern glass (200 μmP or 50 μmP, thickness 1.1 mm) was used.

[実施例10]
クロム/アルミコーティングガラスに、1.5mm幅の異方性導電フィルムを貼付け、この異方性導電フィルム上にフレキシブル基板を位置合わせした。位置合せした積層体のクロム/アルミコーティングガラス側から、360nmに最大発光波長を持つLEDランプ(コントローラー:ZUV−C20H、ヘッドユニット:ZUV−H20MB、レンズユニット:ZUV−212L、オムロン社製)を用いて照度40mW/cmで1秒間(照射量:40mJ/cm)、紫外線照射を行った。
[Example 10]
An anisotropic conductive film having a width of 1.5 mm was attached to the chrome / aluminum coated glass, and the flexible substrate was aligned on the anisotropic conductive film. From the chrome / aluminum coated glass side of the aligned laminate, an LED lamp (controller: ZUV-C20H, head unit: ZUV-H20MB, lens unit: ZUV-212L, made by OMRON) with a maximum emission wavelength of 360 nm is used. UV irradiation was performed for 1 second (irradiation amount: 40 mJ / cm 2 ) with an illuminance of 40 mW / cm 2 .

紫外線照射後、熱圧着ツール(1.5mm幅)で緩衝材(厚み50μmのテフロン(登録商標)シート)を用いて、120℃、6MPa、5秒間の条件で加熱押圧を行うとともに、加熱押圧を開始してから3秒後から、上記LEDランプを用いて、照度200mW/cmで2秒間(照射量:400mJ/cm)、クロム/アルミコーティングガラス側から紫外線照射を行った。 After irradiation with ultraviolet rays, a thermocompression bonding tool (1.5 mm width) was used to heat and press the buffer material (Teflon (registered trademark) sheet having a thickness of 50 μm) under the conditions of 120 ° C., 6 MPa and 5 seconds, and also the heating and pressing. After 3 seconds from the start, UV irradiation was performed from the chrome / aluminum coated glass side for 2 seconds (irradiation amount: 400 mJ / cm 2 ) with an illuminance of 200 mW / cm 2 using the LED lamp.

(初期導通抵抗値、及び信頼性試験後の導通抵抗値)
得られた接続体サンプルについて、デジタルマルチメータ(商品名:デジタルマルチメータ7561、横河電機株式会社製)を用いて、上述した第1の実施例と同様の方法で、初期導通抵抗値、及び信頼性試験後の導通抵抗値を測定した。初期導通抵抗値が3Ω未満の場合を「A」と評価し、3Ω以上5Ω未満の場合を「B」と評価し、5Ω以上の場合を「C」と評価した。また、信頼性試験後の導通抵抗値が5Ω未満の場合を「A」と評価し、5Ω以上10Ω未満の場合を「B」と評価し、10Ω以上の場合を「C」と評価した。実用上、導通抵抗値の評価は、「A」、又は「B」が好ましい。
(Initial conduction resistance value and conduction resistance value after reliability test)
About the obtained connection sample, an initial conduction resistance value and a digital multimeter (trade name: Digital Multimeter 7561, manufactured by Yokogawa Electric Co., Ltd.) were used in the same manner as in the above-described first embodiment. The conduction resistance value was measured after the reliability test. The case where the initial conduction resistance value was less than 3Ω was evaluated as “A”, the case of 3Ω or more and less than 5Ω was evaluated as “B”, and the case of 5Ω or more was evaluated as “C”. Further, the conduction resistance value after the reliability test was evaluated as "A" when it was less than 5Ω, "B" when it was 5Ω or more and less than 10Ω, and "C" when it was 10Ω or more. Practically, the evaluation of the conduction resistance value is preferably “A” or “B”.

(信頼性試験後のギャップ)
得られた接続体サンプルについて、信頼性試験後の異方性導電フィルムの硬化物とフレキシブル基板との界面のギャップを3ヶ所測定し、その平均値を算出した。ギャップが3.5μ以下(導電性粒子の平均粒径の70%以下)の場合を「A」と評価し、3.5μmを超え4.5μm未満(導電性粒子の平均粒径の70%を超え90%未満)の場合を「B」と評価し、4.5μm以上(導電性粒子の平均粒径の90%以上)の場合を「C」と評価した。実用上、ギャップの評価は、「A」、又は「B」が好ましい。
(Gap after reliability test)
With respect to the obtained connected body sample, gaps at the interfaces between the cured product of the anisotropic conductive film after the reliability test and the flexible substrate were measured at three positions, and the average value thereof was calculated. The case where the gap is 3.5 μm or less (70% or less of the average particle size of the conductive particles) is evaluated as “A”, and more than 3.5 μm and less than 4.5 μm (70% of the average particle size of the conductive particles is When it was more than 90% and less than 90%, it was evaluated as “B”, and when it was 4.5 μm or more (90% or more of the average particle diameter of the conductive particles), it was evaluated as “C”. Practically, the evaluation of the gap is preferably “A” or “B”.

(アライメントずれ量)
得られた接続体サンプルについて、実体顕微鏡を用いて、クロム/アルミコーティングガラスの端子45とフレキシブル基板の端子46との幅方向のアライメントずれ量を測定した(図12参照)。アライメントずれ量が3μm以下の場合を「A」と評価し、3μmを超え5μm未満の場合を「B」と評価し、5μm以上の場合を「C」と評価した。
(Amount of misalignment)
With respect to the obtained connection body sample, the amount of misalignment in the width direction between the terminal 45 of the chrome / aluminum coated glass and the terminal 46 of the flexible substrate was measured using a stereoscopic microscope (see FIG. 12). When the amount of misalignment was 3 μm or less, it was evaluated as “A”, when it was more than 3 μm and less than 5 μm, it was evaluated as “B”, and when it was 5 μm or more, it was evaluated as “C”.

アライメントずれ量の評価基準は、例えば図12に示すように、50μmP、接続幅600μmの端子45と端子46を想定した場合、1配線あたりの接続面積が約10000μm以下となる条件をNGとした。すなわち、アライメントずれ量が8μm以上の場合((25−8)μm×(600−8)μm=10064μm)をNGとした。そして、装置によるアライメント公差を3μm程度と想定し、アライメントずれ量が5μm未満である場合を実用上好ましいと判断した。アライメントずれ量は、5μm以上であっても実用上問題ないが、接続構造体の品質管理の観点から、少ない程望ましい。 As an evaluation criterion for the amount of misalignment, for example, as shown in FIG. 12, assuming that a terminal 45 and a terminal 46 having a connection width of 50 μmP and a connection width of 600 μm, the condition that the connection area per wiring is about 10,000 μm 2 or less is NG. . That is, when the amount of misalignment was 8 μm or more ((25−8) μm × (600−8) μm = 10064 μm 2 ) was set as NG. Then, assuming that the alignment tolerance of the apparatus is about 3 μm, the case where the amount of alignment deviation is less than 5 μm was judged to be practically preferable. Although the amount of misalignment is 5 μm or more, there is no practical problem, but a smaller amount is preferable from the viewpoint of quality control of the connection structure.

[実施例11]
実施例11では、本圧着前の紫外線照射の条件を、照度20mW/cmで1秒間(照射量:20mJ/cm)に変更して接続体サンプルを得たこと以外は、実施例10と同様に行った。
[Example 11]
Example 11 was the same as Example 10 except that the condition of UV irradiation before the main pressure bonding was changed to 1 second (irradiation amount: 20 mJ / cm 2 ) with an illuminance of 20 mW / cm 2 to obtain a connector sample. I went the same way.

[実施例12]
実施例12では、本圧着前の紫外線照射の条件を、照度100mW/cmで1秒間(照射量:100mJ/cm)に変更して接続体サンプルを得たこと以外は、実施例10と同様に行った。
[Example 12]
Example 12 was the same as Example 10 except that the condition of the ultraviolet irradiation before the main pressure bonding was changed to 1 second (irradiation amount: 100 mJ / cm 2 ) with an illuminance of 100 mW / cm 2 to obtain a connected body sample. I went the same way.

[比較例9]
比較例9では、本圧着前の紫外線照射を行なわずに接続体サンプルを得たこと以外は、実施例10と同様に行った。
[Comparative Example 9]
In Comparative Example 9, the same procedure as in Example 10 was carried out except that the connector sample was obtained without performing the ultraviolet irradiation before the main pressure bonding.

[比較例10]
比較例10では、本圧着前の紫外線照射の条件を、照度8mW/cmで1秒間(照射量:8mJ/cm)に変更して接続体サンプルを得たこと以外は、実施例10と同様に行った。
[Comparative Example 10]
Comparative Example 10 was the same as Example 10 except that the condition of the UV irradiation before the main pressure bonding was changed to 1 second (irradiation amount: 8 mJ / cm 2 ) with an illuminance of 8 mW / cm 2 to obtain a connector sample. I went the same way.

[比較例11]
比較例11では、本圧着前の紫外線照射の条件を、照度120mW/cmで1秒間(照射量:120mJ/cm)に変更して接続体サンプルを得たこと以外は、実施例10と同様に行った。
[Comparative Example 11]
In Comparative Example 11, the conditions of the ultraviolet irradiation before the crimping, 1 second at an intensity 120 mW / cm 2 (irradiation dose: 120mJ / cm 2) except that to obtain a connection member sample was changed to, Example 10 I went the same way.

[実施例13]
実施例13では、200μmPのフレキシブル基板に替えて、50μmPのフレキシブル基板を用いて接続体サンプルを得たこと以外は、実施例10と同様に行った。
[Example 13]
In Example 13, the same procedure as in Example 10 was performed except that a flexible substrate of 50 μmP was used instead of the flexible substrate of 200 μmP to obtain a connected body sample.

[実施例14]
実施例14では、本圧着前の紫外線照射の条件を、照度8mW/cmで1秒間(照射量:8mJ/cm)に変更して接続体サンプルを得たこと以外は、実施例13と同様に行った。
[Example 14]
Example 14 was the same as Example 13 except that the condition of UV irradiation before main pressure bonding was changed to 1 second (irradiation amount: 8 mJ / cm 2 ) with an illuminance of 8 mW / cm 2 to obtain a connector sample. I went the same way.

[実施例15]
実施例15では、本圧着前の紫外線照射の条件を、照度60mW/cmで1秒間(照射量:60mJ/cm)に変更して接続体サンプルを得たこと以外は、実施例13と同様に行った。
[Example 15]
In Example 15, the conditions of the ultraviolet irradiation before the crimping, 1 second at an intensity 60 mW / cm 2 (irradiation dose: 60mJ / cm 2) except that to obtain a connection member sample was changed to, as in Example 13 I went the same way.

[比較例12]
比較例12では、本圧着前の紫外線照射を行なわずに接続体サンプルを得たこと以外は、実施例13と同様に行った。
[Comparative Example 12]
In Comparative Example 12, the same procedure as in Example 13 was performed, except that the connected body sample was obtained without performing the ultraviolet irradiation before the main pressure bonding.

[比較例13]
比較例13では、本圧着前の紫外線照射の条件を、照度4mW/cmで1秒間(照射量:4mJ/cm)に変更して接続体サンプルを得たこと以外は、実施例13と同様に行った。
[Comparative Example 13]
Comparative Example 13 was the same as Example 13 except that the condition of UV irradiation before the main pressure bonding was changed to 1 second (irradiation amount: 4 mJ / cm 2 ) with an illuminance of 4 mW / cm 2 to obtain a connector sample. I went the same way.

[比較例14]
比較例14では、本圧着前の紫外線照射の条件を、照度80mW/cmで1秒間(照射量:80mJ/cm)に変更して接続体サンプルを得たこと以外は、実施例13と同様に行った。
[Comparative Example 14]
In Comparative Example 14, the conditions of the ultraviolet irradiation before the crimping, 1 second at an intensity 80 mW / cm 2 (irradiation dose: 80mJ / cm 2) except that to obtain a connection member sample was changed to, as in Example 13 I went the same way.

下記表中、「(1)本圧着前」とは、図13中の(1)に示す本圧着前の光照射の条件を表す。また、「(2)本圧着時」とは、図13中の(2)に示す本圧着時の光照射の条件を表す。   In the table below, “(1) Before main pressure bonding” represents the conditions of light irradiation before main pressure bonding shown in (1) in FIG. In addition, “(2) At the time of main pressure bonding” represents the conditions of light irradiation at the time of main pressure bonding shown in (2) in FIG.

Figure 0006679320
Figure 0006679320

フレキシブル基板の最小配線間スペースが25μmを超える実施例10〜12では、光照射工程における光の照射量を、本圧着工程における光の照射量の5〜25%とした。これにより、初期導通抵抗値、信頼性試験後の導通抵抗値、信頼性試験後のギャップ、及びアライメントずれ量の評価がいずれも良好であることが分かった。   In Examples 10 to 12 in which the minimum wiring space of the flexible substrate exceeds 25 μm, the light irradiation amount in the light irradiation step was set to 5 to 25% of the light irradiation amount in the main pressure bonding step. From this, it was found that the evaluation of the initial conduction resistance value, the conduction resistance value after the reliability test, the gap after the reliability test, and the amount of misalignment was good.

フレキシブル基板の最小配線間スペースが25μm以下である実施例13〜15では、光照射工程における光の照射量を、本圧着工程における光の照射量の2〜15%とした。これにより、初期導通抵抗値、信頼性試験後の導通抵抗値、信頼性試験後のギャップ、及びアライメントずれ量の評価がいずれも良好であることが分かった。   In Examples 13 to 15 in which the space between the minimum wirings of the flexible substrate was 25 μm or less, the light irradiation amount in the light irradiation step was set to 2 to 15% of the light irradiation amount in the main pressure bonding step. From this, it was found that the evaluation of the initial conduction resistance value, the conduction resistance value after the reliability test, the gap after the reliability test, and the amount of misalignment was good.

比較例9、12では、光照射工程において紫外線を照射しなかったため、本圧着工程における加熱押圧時に、信頼性試験後の導通抵抗値、信頼性試験後のギャップ、及びフレキシブル基板のアライメントずれの評価が良好ではないことが分かった。また、比較例10、13では、光照射工程における紫外線照射量が、本圧着工程における紫外線照射量に対して少なすぎたため、信頼性試験後の導通抵抗値、及び信頼性試験後のギャップの評価が良好ではないことが分かった。また、比較例13では、フレキシブル基板のアライメントずれの評価も良好ではないことが分かった。これらの結果は、本圧着工程における加熱押圧時に、異方性導電フィルムを構成するバインダー樹脂の流動性が大きくなりすぎてしまい、フレキシブル基板の配線間が撓んだ状態で加熱ツールのプレスアウト時にフレキシブル基板の残留応力が開放された際に、異方性導電フィルムとフレキシブル基板との界面における剥離が発生しやすくなってしまったためと考えられる。   In Comparative Examples 9 and 12, since ultraviolet rays were not irradiated in the light irradiation step, the conduction resistance value after the reliability test, the gap after the reliability test, and the misalignment of the flexible substrate were evaluated during heating and pressing in the main pressure bonding step. Turned out not to be good. Further, in Comparative Examples 10 and 13, since the ultraviolet irradiation amount in the light irradiation step was too small as compared with the ultraviolet irradiation amount in the main pressure bonding step, the conduction resistance value after the reliability test and the gap after the reliability test were evaluated. Turned out not to be good. Moreover, in Comparative Example 13, it was found that the evaluation of the misalignment of the flexible substrate was not good. These results indicate that the fluidity of the binder resin that constitutes the anisotropic conductive film becomes too large during the heating and pressing in the main pressure bonding step, and the wiring between the flexible substrates is bent and the heating tool is pressed out. It is considered that when the residual stress of the flexible substrate is released, peeling easily occurs at the interface between the anisotropic conductive film and the flexible substrate.

比較例11、14では、光照射工程における紫外線照射量が、本圧着工程における紫外線照射量に対して多すぎたため、初期導通抵抗値、信頼性試験後の導通抵抗値、及び信頼性試験後のギャップの評価が良好ではないことが分かった。この結果は、異方性導電フィルムを構成するバインダー樹脂の硬化反応が進みすぎ、本圧着工程において導電性粒子を十分に押し込むことができなかたためと考えられる。   In Comparative Examples 11 and 14, since the ultraviolet irradiation amount in the light irradiation step was too large with respect to the ultraviolet irradiation amount in the main pressure bonding step, the initial conduction resistance value, the conduction resistance value after the reliability test, and the reliability test after the reliability test were performed. It was found that the evaluation of the gap was not good. It is considered that this result is because the curing reaction of the binder resin forming the anisotropic conductive film proceeded so much that the conductive particles could not be sufficiently pushed in in the main pressure bonding step.

[実施例16〜19]
実施例16〜19では、実施例10、11、13,14と同様にクロム/アルミコーティングガラスに、異方性導電フィルムを貼付け、異方性導電フィルム側から、異方性導電フィルムの全面に対して紫外線を20mJ/cm(本圧着時の5%)照射(先照射)した。この異方性導電フィルム側からの先照射は、透明基板側からの光照射と略同一の光源を用いた。紫外線照射後、異方性導電フィルム上にフレキシブル基板を位置合わせして積層体を得た。この積層体に対して、実施例10、11、13、14と同様の条件で光照射および本圧着を行った。実施例16〜19では実施例10、11、13、14と略同等の結果が得られた。
[Examples 16 to 19]
In Examples 16 to 19, the anisotropic conductive film was attached to the chrome / aluminum coated glass in the same manner as in Examples 10, 11, 13 and 14, and the anisotropic conductive film was coated on the entire surface of the anisotropic conductive film. On the other hand, ultraviolet rays were irradiated (pre-irradiation) with 20 mJ / cm 2 (5% at the time of main pressure bonding). For the pre-irradiation from the anisotropic conductive film side, a light source substantially the same as the light irradiation from the transparent substrate side was used. After ultraviolet irradiation, the flexible substrate was aligned on the anisotropic conductive film to obtain a laminate. This laminate was subjected to light irradiation and main pressure bonding under the same conditions as in Examples 10, 11, 13, and 14. In Examples 16 to 19, almost the same results as in Examples 10, 11, 13, and 14 were obtained.

[実施例20〜29]
実施例20〜29では、実施例10〜19と同様にクロム/アルミコーティングガラスに、異方性導電フィルムを貼付け、仮圧着工程で透明基板側から光照射する際に、60℃、1MPaで押圧する以外は同等の操作を繰り返し、本圧着を行った。実施例20〜29では実施例10〜19と略同等の結果が得られた。
[Examples 20 to 29]
In Examples 20 to 29, the anisotropic conductive film was attached to the chrome / aluminum coated glass in the same manner as in Examples 10 to 19 and pressed at 60 ° C. and 1 MPa when light was irradiated from the transparent substrate side in the temporary pressure bonding step. Other than the above, the same operation was repeated to perform the main pressure bonding. In Examples 20 to 29, substantially the same results as in Examples 10 to 19 were obtained.

1 異方性導電フィルム、2 剥離フィルム、3 バインダー樹脂層、4 導電性粒子、10 液晶表示パネル、11,12 透明基板、13 シール、14 液晶、15 パネル表示部、16,17 透明電極、18 液晶駆動用IC、20 COG実装部、21 フレキシブル基板、22 FOG実装部、24 配厚膜、25,26 偏光板、30 加熱押圧ヘッド、31 紫外線照射器、42 バンプ、43 配線、44 ギャップ、45,46 端子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Anisotropic conductive film, 2 Release film, 3 Binder resin layer, 4 Conductive particles, 10 Liquid crystal display panel, 11,12 Transparent substrate, 13 Seal, 14 Liquid crystal, 15 Panel display part, 16,17 Transparent electrode, 18 Liquid crystal drive IC, 20 COG mounting part, 21 flexible substrate, 22 FOG mounting part, 24 thick film, 25, 26 polarizing plate, 30 heating and pressing head, 31 ultraviolet ray irradiator, 42 bump, 43 wiring, 44 gap, 45 , 46 terminals

Claims (18)

光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤を透明基板上に設ける接着剤配置工程と、
上記回路接続用接着剤を介して上記透明基板上に電子部品を配置し、上記回路接続用接着剤への光照射を行う光照射工程と、
上記電子部品を上記透明基板に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う本圧着工程とを有し、
上記光照射工程における光の照射量は、上記本圧着工程における光の照射量よりも小さい接続体の製造方法。
An adhesive placement step of providing an adhesive for circuit connection containing a photopolymerization initiator on a transparent substrate,
A light irradiation step of arranging electronic components on the transparent substrate via the circuit connecting adhesive, and irradiating the circuit connecting adhesive with light,
While pressing the electronic component against the transparent substrate, having a main pressure bonding step of heating and light irradiation,
The method for manufacturing a connector, wherein the light irradiation amount in the light irradiation step is smaller than the light irradiation amount in the main pressure bonding step.
上記接着剤配置工程と上記光照射工程との間に、上記回路接続用接着剤側から、上記回路接続用接着剤全面に対して光照射を行う先照射工程をさらに有し、
上記先照射工程と上記光照射工程の合計の光照射量は、上記本圧着工程の光照射量よりも小さい、請求項1記載の接続体の製造方法。
Between the adhesive placement step and the light irradiation step, further has a pre-irradiation step of performing light irradiation from the circuit connection adhesive side to the entire surface of the circuit connection adhesive,
The method for manufacturing a connector according to claim 1, wherein the total light irradiation amount of the pre-irradiation step and the light irradiation step is smaller than the light irradiation amount of the main pressure bonding step.
上記光照射工程は、上記透明基板側から光照射を行う、請求項1又は2に記載の接続体の製造方法。   The said light irradiation process is a manufacturing method of the connection body of Claim 1 or 2 which performs light irradiation from the said transparent substrate side. 上記光照射工程では、上記電子部品の最小配線間スペースによって光の照射量を変更する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の接続体の製造方法。   The method for manufacturing a connected body according to claim 1, wherein in the light irradiation step, a light irradiation amount is changed depending on a minimum inter-wiring space of the electronic component. 上記光照射工程における光の照射時間は、上記本圧着工程における圧着時間に対して1/5以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の接続体の製造方法。   The method for manufacturing a connector according to claim 1, wherein a light irradiation time in the light irradiation step is ⅕ or less of a pressure bonding time in the main pressure bonding step. 光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤を透明基板上に設ける接着剤配置工程と、
上記回路接続用接着剤を介して上記透明基板上に電子部品を配置し、上記電子部品の上記透明基板への押圧、及び上記回路接続用接着剤への光照射を行う仮圧着工程と、
上記電子部品を上記透明基板に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う本圧着工程とを有し、
上記仮圧着工程における光の照射量は、上記本圧着工程における光の照射量よりも小さい接続体の製造方法。
An adhesive placement step of providing an adhesive for circuit connection containing a photopolymerization initiator on a transparent substrate,
Placing an electronic component on the transparent substrate via the circuit connecting adhesive, pressing the transparent substrate of the electronic component, and a temporary pressure bonding step of performing light irradiation to the circuit connecting adhesive,
While pressing the electronic component against the transparent substrate, having a main pressure bonding step of heating and light irradiation,
The method for manufacturing a connector, wherein the light irradiation amount in the temporary pressure bonding step is smaller than the light irradiation amount in the main pressure bonding step.
上記接着剤配置工程と上記仮圧着工程との間に、上記回路接続用接着剤側から、上記回路接続用接着剤全面に対して光照射を行う先照射工程をさらに有し、
上記先照射工程と上記仮圧着工程の合計の光照射量は、上記本圧着工程の光照射量よりも小さい、請求項6記載の接続体の製造方法。
Between the adhesive placement step and the temporary pressure bonding step, further has a pre-irradiation step of irradiating the entire surface of the circuit connection adhesive with light from the circuit connection adhesive side,
The method for manufacturing a connector according to claim 6, wherein the total light irradiation amount of the pre-irradiation step and the temporary pressure bonding step is smaller than the light irradiation amount of the main pressure bonding step.
上記仮圧着工程は、上記透明基板側から光照射を行う、請求項6又は7に記載の接続体の製造方法。   The method for manufacturing a connector according to claim 6 or 7, wherein in the temporary pressure bonding step, light irradiation is performed from the transparent substrate side. 上記仮圧着工程では、上記電子部品の最小配線間スペースによって光の照射量を変更する、請求項6〜8のいずれか1項に記載の接続体の製造方法。   The method for manufacturing a connected body according to claim 6, wherein in the temporary pressure bonding step, a light irradiation amount is changed depending on a minimum inter-wiring space of the electronic component. 上記仮圧着工程における光の照射量は、上記本圧着工程における光の照射量の3〜20%である請求項6〜9のいずれか1項に記載の接続体の製造方法。   The method for manufacturing a connector according to claim 6, wherein the light irradiation amount in the temporary pressure bonding step is 3 to 20% of the light irradiation amount in the main pressure bonding step. 上記仮圧着工程における光の照度は、3〜20mW/cmである請求項10記載の接続体の製造方法。 The method for manufacturing a connector according to claim 10, wherein the illuminance of light in the temporary pressure bonding step is 3 to 20 mW / cm 2 . 上記仮圧着工程における光の照射時間は0.5〜2秒である請求項10又は11に記載
の接続体の製造方法。
The method for producing a connected body according to claim 10, wherein the irradiation time of light in the temporary pressure bonding step is 0.5 to 2 seconds.
上記仮圧着工程における上記電子部品への押圧力は、上記本圧着工程における上記電子部品への押圧力の40〜90%である請求項6〜12いずれか1項に記載の接続体の製造方法。   The method for manufacturing a connector according to any one of claims 6 to 12, wherein the pressing force applied to the electronic component in the temporary pressure bonding step is 40 to 90% of the pressing force applied to the electronic component in the main pressure bonding step. . 上記仮圧着工程は、圧着ツールが上記電子部品の押圧面に当接されたと同時に光照射を開始する請求項6〜13のいずれか1項に記載の接続体の製造方法。   The method for manufacturing a connector according to claim 6, wherein in the temporary pressure bonding step, light irradiation is started at the same time when the pressure bonding tool is brought into contact with the pressing surface of the electronic component. 上記接着剤配置工程から上記回路接続用接着剤への光照射を行う請求項6〜13のいずれか1項に記載の接続体の製造方法。   The method for producing a connected body according to any one of claims 6 to 13, wherein light irradiation is performed on the adhesive for circuit connection from the adhesive placement step. 上記仮圧着工程における上記電子部品の圧着温度が、上記本圧着工程における上記電子部品の圧着温度と同等である請求項6〜15のいずれか1項に記載の接続体の製造方法。   The method for manufacturing a connector according to any one of claims 6 to 15, wherein a pressure bonding temperature of the electronic component in the temporary pressure bonding step is equal to a pressure bonding temperature of the electronic component in the main pressure bonding step. 光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤を透明基板上に設ける接着剤配置工程と、
上記回路接続用接着剤を介して上記透明基板上に電子部品を配置し、上記回路接続用接着剤への光照射を行う光照射工程と、
上記電子部品を上記透明基板に対して押圧しながら、加熱及び光照射を行う本圧着工程とを有し、
上記光照射工程における光の照射量は、上記本圧着工程における光の照射量よりも小さい電子部品の接続方法。
An adhesive placement step of providing an adhesive for circuit connection containing a photopolymerization initiator on a transparent substrate,
A light irradiation step of arranging electronic components on the transparent substrate via the circuit connecting adhesive, and irradiating the circuit connecting adhesive with light,
While pressing the electronic component against the transparent substrate, having a main pressure bonding step of heating and light irradiation,
The method of connecting electronic components, wherein the light irradiation amount in the light irradiation step is smaller than the light irradiation amount in the main pressure bonding step.
上記光照射工程は、上記回路接続用接着剤を介して上記透明基板上に電子部品を配置し、上記電子部品の上記透明基板への押圧、及び上記回路接続用接着剤への光照射を行う仮圧着工程である、請求項17に記載の電子部品の接続方法。   In the light irradiation step, an electronic component is arranged on the transparent substrate via the circuit connecting adhesive, the electronic component is pressed against the transparent substrate, and the circuit connecting adhesive is irradiated with light. The method of connecting electronic components according to claim 17, which is a temporary pressure bonding step.
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