JP6680337B2 - Crystal oscillator - Google Patents
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Description
本開示は、水晶振動子に関する。 The present disclosure relates to a crystal resonator.
プローブの磁力により水晶振動用素子を吸着保持することができるように、強磁性体材料のみからなる電極膜を水晶振動片の片面に形成して水晶振動用素子を構成することが知られている(例えば、特許文献1参照)。 It is known that an element film made only of a ferromagnetic material is formed on one surface of a quartz crystal vibrating piece to form a quartz crystal vibrating element so that the crystal vibrating element can be attracted and held by the magnetic force of a probe. (For example, refer to Patent Document 1).
ところで、近年、装置小型化の要求に応えるべく、部品やモジュールの小型化及び高密度実装化が進んでいる。クロック源となる水晶振動子についても例外ではなく、小型化が進んでいる。このような状況下において、水晶振動子の異常に起因して装置の機能不具合が発生したと思われる場合、実装状態のままで水晶振動子の電気的特性を測定できることは有用である。これは、高密実装が進むと、水晶振動子の取り外し時に周辺部品を破壊してしまう等の理由から、水晶振動子だけを取り出して測定することが困難であるためである。 By the way, in recent years, in order to meet the demand for miniaturization of devices, miniaturization and high-density mounting of components and modules have been advanced. The crystal unit that is the clock source is no exception, and is becoming smaller. In such a situation, when it is considered that the device malfunction occurs due to the abnormality of the crystal unit, it is useful to be able to measure the electrical characteristics of the crystal unit in the mounted state. This is because it is difficult to take out and measure only the crystal unit because the peripheral parts are destroyed when the crystal unit is removed as the high-density mounting progresses.
この点、水晶振動子の実装状態においては、ハイインピーダンスのプローブ測定が可能となり得る。しかしながら、近年の小型化に伴い、IC(Integrated Circuit)に発振状態が確認可能な端子が無く、水晶振動子も裏面端子化されるなど、プロービングポイントが皆無の状態になる場合がありうる。また、高密実装が進むことで、物理的にプローブを当てる場所が無い場合もありうる。また、プロービングポイントが存在する場合でも、プローブによりほんの数pF容量が付加されただけで発振状態が変わり、正確な測定が不能となる場合がありうる。 In this respect, high-impedance probe measurement may be possible when the crystal unit is mounted. However, with the recent miniaturization, there is a case where there is no probing point such as an IC (Integrated Circuit) having no terminal capable of confirming an oscillation state and a crystal resonator also having a rear surface terminal. Further, due to the progress of high-density mounting, there may be a case where there is no physical place to hit the probe. Even if a probing point is present, the probe may add only a few pF capacitance to change the oscillating state, making accurate measurement impossible.
開示の技術は、プローブを用いずに特性の測定が可能な水晶振動子の提供を目的とする。 The disclosed technique aims to provide a crystal resonator whose characteristics can be measured without using a probe.
本開示の一局面によれば、水晶片と、
前記水晶片の第1表面に配置され、非磁性材料により形成される励振電極と、
電導性を有する磁性材料により形成され、前記水晶片における前記第1表面とは逆側の第2表面に、前記励振電極に対向して配置された第2励振電極とを含み、
前記第2励振電極は、
前記磁性材料が磁化されていない周辺部と、
前記周辺部よりも前記水晶片の中心側に位置し、前記磁性材料が磁化された永久磁石の中央部と、
を含む、水晶振動子が提供される。
According to one aspect of the present disclosure, a crystal piece,
An excitation electrode disposed on the first surface of the quartz piece and formed of a non-magnetic material;
Is formed of a magnetic material having a conductivity, the second surface opposite to the first surface of the crystal piece, seen including a second excitation electrode disposed opposite to the excitation electrode,
The second excitation electrode is
A peripheral portion in which the magnetic material is not magnetized,
Located closer to the center of the crystal piece than the peripheral portion, and the central portion of the permanent magnet in which the magnetic material is magnetized,
Including, the crystal oscillator is providing.
本開示の技術によれば、プローブを用いずに特性の測定が可能な水晶振動子が得られる。 According to the technique of the present disclosure, it is possible to obtain a crystal resonator whose characteristics can be measured without using a probe.
以下、添付図面を参照しながら各実施例について詳細に説明する。 Hereinafter, each embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1は、参考例による水晶振動子100を概略的に示す図であり、(A)は、上面図であり、(B)は、(A)におけるラインB−Bに沿った断面図である。尚、図1(A)では、内部が見えるように、筐体30の蓋の図示を省略している。以下では、説明の都合上、水晶片10の厚み方向(図1(B)の上下方向)を上下方向とし、筐体30の蓋のある方を「上側」とする。但し、水晶振動子100の実装状態の向きは任意である。図2は、水晶振動子100に係る特性測定装置400を概略的に示す図である。
1A and 1B are diagrams schematically showing a
水晶振動子100は、水晶片10と、励振電極20と、筐体30と、外部電極41乃至44とを含む。水晶振動子100は、図1に示すように、表面実装タイプである。
The
水晶片10は、例えばATカットされた人工水晶基板であってよい。水晶片10は、筐体30に片持ち構造で支持されてよい。図1に示す例では、水晶片10は、筐体30の土手部31上に片持ち構造で支持される。
The crystal blank 10 may be, for example, an AT-cut artificial quartz substrate. The crystal blank 10 may be supported by the
励振電極20は、水晶片10を励振させる。水晶片10の上側表面に設けられる上側励振電極(磁性体部の一例)21と、水晶片10の下側表面に設けられる下側励振電極22とを含む。励振電極20は、上側励振電極21と下側励振電極22との間の電位差により水晶片10を励振させる。
The
上側励振電極21は、電導性を有する磁性材料により形成される。上側励振電極21は、例えば、鉄、ニッケル、コバルト等を用いて形成されてよい。上側励振電極21は、膜の形態で形成(即ち成膜)されてよい。上側励振電極21の構成のいくつかの例については後述する。
The
下側励振電極22は、非磁性材料により形成される。例えば、下側励振電極22は、金、銀、アルミニウム等により形成されてよい。
The
筐体30は、水晶片10を収容する。筐体30は、例えばセラミック材料により形成される。筐体30は、蓋34(図2等参照)を含み、内部空間に水晶片10を気密に封入する。例えば、筐体30の内部空間は真空、又は、乾燥窒素で満たされ、蓋34及びシール材32(図2等参照)で密封される。尚、蓋34は、金属板やセラミック板であってよい。
The
外部電極41乃至44は、筐体30に設けられる。図1に示す例では、外部電極41乃至44は、筐体30の下部の外表面に設けられる。外部電極41、43は、それぞれ上側励振電極21及び下側励振電極22に電気的に接続される。図1に示す例では、外部電極41は、筐体30の内層に形成された導体パターン45、及び、水晶片10の上面に形成された導体パターン47を介して上側励振電極21に電気的に接続される。導体パターン45は、両端部において筐体30の内層から表面に露出し、一端が外部電極41に電気的に接続され、他端が導体パターン47に電導性接着剤49により電気的に接続される。同様に、外部電極43は、筐体30の内層に形成された導体パターン46、及び、水晶片10の下面に形成された導体パターン48を介して下側励振電極22に電気的に接続される。導体パターン46は、両端部において筐体30の内層から表面に露出し、一端が外部電極43に電気的に接続され、他端が導体パターン48に電導性接着剤49により電気的に接続される。電導性接着剤49は、水晶片10の縁部(片持ち支持される側の縁部)に設けられる。尚、図1に示す例において、外部電極42,44は省略されてもよい。
The
水晶振動子100の動作時、水晶片10が、ある周波数で発振すると、その周波数で上側励振電極21が振動することになる。このとき、図2に示すように、蓋34の上方に配置された受信コイル70においては、上側励振電極21の振動に起因して水晶片10の発振周波数に対応した周波数の交流波形が発生する。具体的には、図2に示す例では、受信コイル70は、電磁石であり、通電時に、図3に模式的に示すように、コイル部72により磁場H1が形成される。このとき、図3に模式的に示すように、上側励振電極21が振動すると(矢印R1参照)、磁場H1が磁性体である上側励振電極21の振動の影響を受ける。即ち、磁性体である上側励振電極21の振動に合わせて磁束変化が発生し、それを妨げる方向でコイル部72に起電力が発生する。この結果、コイル部72に流れる電流I1において、水晶片10の発振周波数に対応した周波数の交流波形が重畳される。従って、図2に模式的に示すように、水晶振動子100の外部に受信コイル70を設けることで、かかる交流波形を受信コイル70に発生させることができ、水晶振動子100の発振周波数を測定することが可能となる。以下、このような受信コイル70に交流波形を発生させる機能を、外部への発振周波数情報の送信機能ともいう。尚、図2に示す例では、コイル部72に発生する交流波形を含む受信信号は、直流成分がコンデンサ73でカットされ、交流成分が増幅器74にて増幅される。増幅された交流成分に基づいて、図示しない測定装置(例えば、オシロスコープ)により周波数(水晶振動子100の発振周波数)が測定(解析)される。
When the
図1に示す水晶振動子100によれば、水晶振動子100の上側励振電極21を磁性材料により形成することで、水晶振動子100の発振周波数を外部から測定することが可能となる。これにより、例えば実装状態の水晶振動子100に対しても、実装状態のままで発振周波数を測定することが可能となる。発振周波数が測定可能となることで、良品との相対特性の比較なども可能となる。
According to the
尚、水晶振動子100では、上側励振電極21は、電導性を有する磁性材料により形成され、下側励振電極22は、非磁性材料により形成される。これは、ATカット型の場合、上側励振電極21と下側励振電極22とは、振動方向が逆(逆相で振動)であるので、下側励振電極22が磁性材料により形成される場合には、上述のような交流波形が受信コイル70で形成されないためである。
In the
尚、図2に示す例では、特性測定時、受信コイル70は蓋34の上方に配置されているが、受信コイル70は、磁場H1が上側励振電極21の振動の影響を受ける限り、任意の位置に配置されてよい。例えば、受信コイル70は、コイル部72の中心軸上又は中心軸に近い位置に上側励振電極21が位置するように、水晶振動子100に対して配置されればよい。
In the example shown in FIG. 2, the receiving
図4は、水晶振動子100を組み込んだ回路構成の一例を概略的に示す図である。
FIG. 4 is a diagram schematically showing an example of a circuit configuration incorporating the
図4に示す例では、水晶振動子100は、IC200に接続される。即ち、IC200の入力端子202及び出力端子204に水晶振動子100の外部電極41、43がそれぞれ接続される。水晶振動子100は、IC200で用いるクロックを生成する。IC200は、反転増幅器206と、出力バッファ208とを含む。入力端子202に入力された信号は、反転増幅器206で反転増幅される。反転増幅された信号は、出力バッファ208に入力されると共に、外部電極43を介して上側励振電極21に供給される。尚、図4に示す例において、上側励振電極21及び下側励振電極22の配置は逆であってもよい。
In the example shown in FIG. 4, the
水晶振動子100には、マッチングコンデンサ300が接続される。具体的には、第1コンデンサ302が水晶振動子100の外部電極41とグランドの間に接続され、第2コンデンサ304が水晶振動子100の外部電極43とグランドの間に接続される。尚、図4においては、IC200に関して、端子内部の容量、実装基板の配線パターンの浮遊容量、水晶振動子100に流れる電流を制限する抵抗等は図示が省略されている。マッチングコンデンサ300は、水晶振動子100からIC200の回路を含むすべての容量合計(負荷容量値)を負荷とした時に水晶振動子100の発振周波数が所望値(設計値)になるよう調整(マッチング調整)するために設けられる。尚、図4において、点線で囲まれた範囲が発振回路を形成する。
A matching
IC200は、発振回路をモニタする端子220,222を備えてもよいが、かかる端子220,222は省略されてもよい。これは、上述の如く、水晶振動子100が備える外部への発振周波数情報の送信機能によって水晶振動子100の発振周波数を測定(モニタ)できるためである。従って、図1に示す水晶振動子100によれば、端子220,222を不要として、IC200の簡素化を実現することも可能となる。
The
図5は、水晶振動子100の実装状態の一例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a mounted state of the
水晶振動子100は、図5に示すように、基板90上に実装されてよい。図5に示す例では、水晶振動子100の近傍に周辺部品92が実装されている。
The
ところで、近年、装置小型化の要求に応えるべく、部品やモジュールの小型化及び高密度実装化が進んでいる。クロック源となる水晶振動子についても例外ではなく、例えば3.2×2.5mm、2.5×2.0mm、2.0×1.6mmと小型化が進んでいる。このような状況下において、水晶振動子の異常に起因して装置の機能不具合が発生したと思われる場合、実装状態のままで水晶振動子の電気的特性を測定できることは有用である。これは、高密実装が進むと、水晶振動子だけを取り出して測定することは、取り外し時に周辺部品を破壊してしまう危険を伴うためである。 By the way, in recent years, in order to meet the demand for miniaturization of devices, miniaturization and high-density mounting of components and modules have been advanced. The crystal oscillator that serves as the clock source is no exception, and miniaturization is progressing to 3.2 x 2.5 mm, 2.5 x 2.0 mm, and 2.0 x 1.6 mm, for example. In such a situation, when it is considered that the device malfunction occurs due to the abnormality of the crystal unit, it is useful to be able to measure the electrical characteristics of the crystal unit in the mounted state. This is because if high-density mounting progresses, taking out only the crystal unit for measurement involves a risk of destroying peripheral components at the time of removal.
この点、水晶振動子100の実装状態においては、ハイインピーダンスのプローブ測定が可能となり得る。しかしながら、近年の小型化に伴い、IC200に発振状態が確認可能な端子(図4の端子220,222参照)が無く、BGA(Ball grid array)化により端子がICパッケージ裏面に隠れる場合がある。また、マッチングコンデンサ300もIC200内部に取り込まれ、加えて水晶振動子100も裏面端子化されるなど、プロービングポイントが皆無の状態になる場合がある。また、高密実装が進むことで、図5に模式的に示すように、物理的にプローブ78を当てる場所が無い場合もある。また、プロービングポイントが存在する場合でも、発振回路の設計がマージン不足である場合、プローブ78によりほんの数pF容量が付加されただけで発振状態が変わり(発振が不発振に、又はその逆も有り)、正確な測定が不能となる場合がある。
In this respect, when the
この点、図1に示す水晶振動子100によれば、上述の如く、水晶振動子100の上側励振電極21を磁性材料により形成するので、プローブ測定が不能又は困難である場合でも、水晶振動子100の発振周波数を精度良く測定できる。
In this respect, according to the
次に、上側励振電極21の幾つかの構成例に説明する。
Next, some configuration examples of the
図6は、上側励振電極21の一例の説明図であり、上側励振電極21と水晶片10と下側励振電極22の断面図を示す。尚、図6の断面図の切断面は、上面視における上側励振電極21の幾何的な中心(又は重心)を通る。例えば、図6の断面図の切断面は、上面視における上側励振電極21の幾何的な中心を通る上下方向の面であってよい。
FIG. 6 is an explanatory diagram of an example of the upper
図6に示す例では、上側励振電極21は、第1磁性体部位21bと、第1磁性体部位よりも水晶片10の中心側に位置する第2磁性体部位21aとを含み、第2磁性体部位21aは、第1磁性体部位21bよりも厚さが大きい。即ち、図6に示す例では、上側励振電極21は、中心領域の方が外側領域よりも厚さ(膜厚)tが大きい。この厚さの特性は、上側励振電極21の中心を通る任意の断面において当てはまる特性であってもよい。厚さtの変化態様は、図6に示すように、滑らかな変化態様であってもよいし、段差を伴ってもよい。
In the example shown in FIG. 6, the
上側励振電極21における各位置の厚さtは、対応する水晶片10の位置(即ちその直下の水晶片10の部位)における振動エネルギに比例する態様で決定されてよい。好ましい参考例では、水晶片10の厚み方向に垂直な方向に沿った複数位置における上側励振電極21の厚さは、水晶片10の各対応する位置における発振時の振動エネルギに比例する。尚、水晶片10は、一般的に、電荷密度が高い中心部が周辺部よりも大きくひずむ(振動する)ため、水晶片10の振動エネルギは、中心部の方が周辺部よりも高い。水晶片10の振動エネルギは、上側励振電極21の占める割合や形状などに依存するが、ガウシアンに近い分布となる。
The thickness t at each position in the
図6に示す例によれば、上側励振電極21は、水晶片10の振動エネルギが高い中心部に対応した中心領域において、外側領域よりも大きい厚さtを有する。厚さが大きいほど、体積が大きくなり、受信コイル70のコイル部72の形成する磁界が受ける影響(磁性体である上側励振電極21の振動による影響)が大きくなる。水晶片10の振動エネルギは、上述の如く中心部の方が周辺部よりも高いので、上側励振電極21における厚さの大きい第2磁性体部位21aが厚さの小さい第1磁性体部位21bよりも大きく振動することになる。従って、図6に示す例によれば、受信コイル70に発生させる交流波形の振幅を効率的に増大することができ、この結果、水晶振動子100の発振周波数の測定精度を高めることができる。
According to the example shown in FIG. 6, the
図7は、上側励振電極21の他の一例の説明図であり、上側励振電極21と水晶片10と下側励振電極22の断面図を示す。尚、図7の断面図の切断面は、図6と同様、上面視における上側励振電極21の幾何的な中心(又は重心)を通る。図7において、上側励振電極21におけるグレーの濃さは、密度の相違を模式的に表し、濃いグレーであるほど密度が高いことを意味する。
FIG. 7 is an explanatory view of another example of the upper
図7に示す例では、上側励振電極21は、第1磁性体部位21bと、第1磁性体部位よりも水晶片10の中心側に位置する第2磁性体部位21aとを含み、第2磁性体部位21aは、第1磁性体部位21bよりも密度が大きい。即ち、図7に示す例では、上側励振電極21は、中心領域の方が外側領域よりも密度が大きい(高い)。図7では、この密度の特性は、上側励振電極21の中心を通る任意の断面において当てはまる特性であってもよい。尚、図7に示す例では、密度は、5段階で変化している。密度の変化態様は、図7に示すように、多段階であってもよいし、滑らかな変化態様(無段階)であってもよい。
In the example shown in FIG. 7, the
上側励振電極21における各位置の密度は、対応する水晶片10の位置(即ちその直下の水晶片10の部位)における振動エネルギに比例する態様で決定されてよい。好ましい参考例では、水晶片10の厚み方向に垂直な方向に沿った複数位置における上側励振電極21の密度は、水晶片10の各対応する位置における発振時の振動エネルギに比例する。密度の変化は、上側励振電極21を形成する材料における磁性材料の含有率を変化させることで実現されてもよい。
The density of each position in the
図7に示す例によれば、上側励振電極21は、水晶片10の振動エネルギが高い中心部に対応した中心領域において、外側領域よりも高い密度を有する。密度が高いほど、透磁率が大きくなり、受信コイル70のコイル部72の形成する磁界が受ける影響(磁性体である上側励振電極21の振動による影響)が大きくなる。水晶片10の振動エネルギは、上述の如く中心部の方が周辺部よりも高いので、上側励振電極21における透磁率の大きい第2磁性体部位21aが透磁率の小さい第1磁性体部位21bより大きく振動することになる。従って、図7に示す例によれば、受信コイル70に発生させる交流波形の振幅を効率的に増大することができ、この結果、水晶振動子100の発振周波数の測定精度を高めることができる。
According to the example shown in FIG. 7, the
尚、図7に示す例は、図6に示した例と組み合わせることも可能である。例えば、上側励振電極21は、第2磁性体部位21aの方が第1磁性体部位21bよりも密度が高く、且つ、第2磁性体部位21aの方が第1磁性体部位21bよりも厚さが大きくなるように、形成されてもよい。また、第2磁性体部位21aの方が第1磁性体部位21bよりも透磁率が大きくなるように、異なる透磁率を持つ複数の磁性材料を用いて上側励振電極21を形成することとしてもよい。この方法は、第2磁性体部位21aの方が第1磁性体部位21bよりも密度が高くなるように上側励振電極21を形成することに代えて又は加えて用いられてよい。
The example shown in FIG. 7 can be combined with the example shown in FIG. For example, in the
図8は、上側励振電極21の他の一例の説明図であり、(A)は、上側励振電極21の上面図であり、(B)は、下側励振電極22の上面図である。
8A and 8B are explanatory views of another example of the
図8に示す例では、図7に示す例と同様、上側励振電極21は、第1磁性体部位21bと、第1磁性体部位よりも水晶片10の中心側に位置する第2磁性体部位21aとを含み、第2磁性体部位21aは、第1磁性体部位21bよりも密度が大きい。即ち、図8に示す例では、上側励振電極21は、中心領域の方が外側領域よりも密度が大きい(高い)。図8に示す例では、上側励振電極21は、図7に示した例のようなベタパターンではなく、下側励振電極22(図8(B)参照)に対向する領域内に局所的に非形成部を備えるパターンで形成される。即ち、図7に示した例では、上側励振電極21は、下側励振電極22に対向する領域全体に亘って形成されるのに対して、図8に示す例では、上側励振電極21は、下側励振電極22に対向する領域内に部分的に形成される。この際、上側励振電極21は、中心領域の方が外側領域よりも密度が高くなるパターンで形成される。図8に示す例では、上側励振電極21は、同心円状の周パターン210乃至214と、各周パターン210乃至214を連結する連結パターン216とを有する。各周パターン210乃至214の径方向の間隔は、中心側に向かうほど小さく設定される。即ち、周パターン210と周パターン211との間の間隔は、周パターン211と周パターン212との間の間隔よりも小さく、周パターン211と周パターン212との間の間隔は、周パターン212と周パターン213との間の間隔よりも小さく、以下同様である。連結パターン216は、周パターン210乃至214に対して径方向に延在し、周パターン210乃至214同士を接続する。
In the example shown in FIG. 8, similarly to the example shown in FIG. 7, the
図8に示す例によれば、図7に示した例と同様の上述した効果が奏される。加えて、図8に示す例によれば、密度の変化を膜の形成パターンにより実現するので、生産性が良好である。 According to the example shown in FIG. 8, the same effects as those of the example shown in FIG. 7 are obtained. In addition, according to the example shown in FIG. 8, since the change in density is realized by the film formation pattern, the productivity is good.
同様の、図8に示す例は、図6に示した例と組み合わせることも可能である。例えば、周パターン210乃至214は、第2磁性体部位21aに係るパターンの方が第1磁性体部位21bに係るパターンよりも厚さが大きくなるように、形成されてもよい。例えば、周パターン210の方が周パターン211よりも厚さが大きく、周パターン211の方が周パターン212よりも厚さが大きく、以下同様である。また、第2磁性体部位21aに係るパターンの方が第1磁性体部位21bに係るパターンよりも透磁率が大きくなるように、異なる透磁率を持つ複数の磁性材料を用いて周パターン210乃至214を形成することとしてもよい。例えば、周パターン210の方が周パターン211よりも透磁率が大きく、周パターン211の方が周パターン212よりも透磁率が大きく、以下同様である。
The similar example shown in FIG. 8 can be combined with the example shown in FIG. For example, the
尚、上述した参考例では、上側励振電極21は、励振電極としての機能を有するように、電導性を有する磁性材料により形成されている。これにより、上側励振電極21には、励振電極としての機能と共に、上述した外部への発振周波数情報の送信機能を持たせることができ、効率的な構成を実現できる。しかしながら、他の参考例として、上側励振電極21は、非磁性材料により形成され、励振電極としての機能のみを有してもよい。例えば、上側励振電極21は下側励振電極22と同様の態様で形成されてよい。この場合、上側励振電極21の上面又は下面(水晶片10との間)に、電導性を有さない磁性材料から形成される磁性体層(磁性体部の他の一例)が形成されてよい。これにより、磁性体層に、上述した外部への発振周波数情報の送信機能を持たせることができる。この場合、磁性体層は、材料以外について、上述した上側励振電極21と同様の構成を有してよい。
In the reference example described above, the
また、上述した参考例では、上側励振電極21は、電導性を有する磁性材料により形成され、下側励振電極22は、非磁性材料により形成される。しかしながら、逆であってもよい。即ち、上側励振電極21は、非磁性材料により形成され、下側励振電極22は、電導性を有する磁性材料により形成されてもよい。この場合、特性測定時、受信コイル70は、筐体30の下方に設置されてよい。
In the above-described reference example, the
図9は、一例(実施例)による水晶振動子102を概略的に示す断面図である。図9は、図1(B)に対応する断面を示す。本実施例による水晶振動子102は、上述した参考例における上側励振電極21に代えて、上側励振電極21Aを備える点が異なる。本実施例における他の構成は、上述した参考例における構成と同様であってよく、説明を適宜省略し、また、図面において同一の参照符号を付す。図10は、水晶振動子102に係る特性測定装置402を概略的に示す図である。
FIG. 9 is a sectional view schematically showing a
水晶振動子102は、水晶片10と、励振電極20Aと、筐体30と、外部電極41乃至44とを含む。水晶振動子100は、図1に示すように、表面実装タイプである。
The
励振電極20Aは、上側励振電極(磁石部の一例)21Aと、下側励振電極22とを含む。
The
上側励振電極21Aは、電導性を有する磁性材料により形成され、磁化(残留磁化)される。即ち、上側励振電極21Aは、永久磁石を形成する。上側励振電極21Aは、例えば、鉄、ニッケル、コバルト等を磁化することで形成されてよい。上側励振電極21Aは、膜の形態で形成されてよい。
The
水晶振動子102の動作時、水晶片10が、ある周波数で発振すると、その周波数で上側励振電極21Aが振動することになる。このとき、図10に示すように、蓋34の上方に配置された受信コイル80においては、上側励振電極21Aの振動に起因して水晶片10の発振周波数に対応した周波数の交流波形が発生する。具体的には、図10に示す例では、上側励振電極21Aが永久磁石を形成し、図11に模式的に示すような磁場H2を形成する。そして、受信コイル80のコイル部82を通る磁束が形成される。このとき、上側励振電極21Aが振動すると、コイル部82を通る磁束密度が周期的に変化し、電磁誘導によりコイル部82に誘導起電力が発生する。例えば、図11に矢印R2にて模式的に示すように、上側励振電極21Aが左側に変位すると、磁束変化を妨げる方向にコイル部82に誘導起電力が発生し、誘導起電力による電流I2がコイル部82に発生する。同様に、上側励振電極21Aが右側に変位すると、電流I2とは反対向きの電流(図示せず)が発生する。このようにして、受信コイル80に水晶片10の発振周波数に対応した周波数の交流波形が発生する。従って、図10に模式的に示すように、水晶振動子102の外部に受信コイル80を設けて、かかる交流波形を受信コイル80に発生させることで、水晶振動子102の発振周波数を測定することが可能となる。以下、このような受信コイル80に交流波形を発生させる機能を、外部への発振周波数情報の送信機能ともいう。尚、図10に示す例では、コイル部82に発生する交流波形を含む受信信号は、直流成分がコンデンサ83でカットされ、交流成分が増幅器84にて増幅される。増幅された交流成分に基づいて、図示しない測定装置(例えば、オシロスコープ)により周波数が測定(解析)される。
When the
図9に示す水晶振動子102によれば、水晶振動子102の上側励振電極21Aが永久磁石を含むことで、水晶振動子102の発振周波数を外部から測定することが可能となる。これにより、例えば実装状態の水晶振動子102に対しても発振周波数を測定することが可能となる。発振周波数が測定可能となることで、良品との相対特性の比較なども可能となる。
According to the
尚、水晶振動子102では、上側励振電極21Aが永久磁石を含み、下側励振電極22は、非磁性材料により形成される。これは、ATカット型の場合、上側励振電極21Aと下側励振電極22とは、振動方向が逆(逆相で振動)であるので、下側励振電極22も永久磁石を含む場合には、相殺により上述のような交流波形が受信コイル70で形成されないためである。
In the
尚、図10に示す例では、特性測定時、受信コイル80は蓋34の上方に配置されている。しかしながら、受信コイル80は、コイル部82を通る磁束が上側励振電極21Aにより形成される態様で水晶振動子102に対して配置される限り、任意の位置に配置されてもよい。
In the example shown in FIG. 10, the receiving
また、図4及び図5を参照して説明した水晶振動子100に関する構成及び効果は、水晶振動子102に対しても同様に当てはまる。
The configurations and effects of the
次に、上側励振電極21Aの幾つかの構成例に説明する。
Next, some configuration examples of the
図12は、上側励振電極21Aの一例の説明図であり、上側励振電極21Aと水晶片10と下側励振電極22の断面図を示す。尚、図12の断面図の切断面は、上面視における上側励振電極21Aの幾何的な中心(又は重心)を通る。例えば、図12の断面図の切断面は、上面視における上側励振電極21Aの幾何的な中心を通る上下方向の面であってよい。
FIG. 12 is an explanatory diagram of an example of the
図12に示す例では、上側励振電極21Aは、全体が磁化され、全体が永久磁石により形成される。
In the example shown in FIG. 12, the
図13は、上側励振電極21Aの他の一例の説明図であり、上側励振電極21Aと水晶片10と下側励振電極22の断面図を示す。尚、図13の断面図の切断面は、図12と同様、上面視における上側励振電極21Aの幾何的な中心(又は重心)を通る。
FIG. 13 is an explanatory view of another example of the upper
図13に示す例では、上側励振電極21Aは、一部のみが磁化され、一部のみが永久磁石により形成される。具体的には、上側励振電極21Aは、磁化された中央部210Aと、磁化されていない周辺部212Aとを含む。中央部210Aは、上面視で矩形の外形であってよい。
In the example shown in FIG. 13, only a part of the
図13に示す例によれば、上側励振電極21Aは、水晶片10の振動エネルギが高い中心部に対応した中心領域において、磁化された中央部210Aを有する。これにより、受信コイル80に発生させる交流波形の振幅を効率的に増大することができ、この結果、水晶振動子102の発振周波数の測定精度を高めることができる。
According to the example shown in FIG. 13, the
尚、上述した実施例では、上側励振電極21Aは、励振電極としての機能を有するように、電導性を有する磁性材料により形成されている。これにより、上側励振電極21Aには、励振電極としての機能と共に、上述した外部への発振周波数情報の送信機能を持たせることができ、効率的な構成を実現できる。しかしながら、他の実施例として、上側励振電極21Aは、非磁性材料により形成され、励振電極としての機能のみを有してもよい。例えば、上側励振電極21Aは下側励振電極22と同様の態様で形成されてよい。この場合、上側励振電極21Aの上面又は下面(水晶片10との間)に、電導性を有さない磁性材料を磁化して形成される磁石層(磁石部の他の一例)が形成されてよい。これにより、磁石層に、上述した外部への発振周波数情報の送信機能を持たせることができる。この場合、磁石層は、材料以外について、上述した上側励振電極21Aと同様の構成を有してよい。
In the above-described embodiment, the
また、上述した実施例では、上側励振電極21Aは、電導性を有する磁性材料を磁化して形成され、下側励振電極22は、非磁性材料により形成される。しかしながら、逆であってもよい。即ち、上側励振電極21Aは、非磁性材料により形成され、下側励振電極22は、電導性を有する磁性材料を磁化して形成されてもよい。この場合、測定時、受信コイル70は、筐体30の下方に設置されてよい。
Further, in the above-described embodiment, the
以上、各実施例について詳述したが、特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。また、前述した実施例の構成要素を全部又は複数を組み合わせることも可能である。 Although the respective embodiments have been described in detail above, the present invention is not limited to the specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims. Further, it is possible to combine all or a plurality of the constituent elements of the above-described embodiments.
なお、以上の実施例に関し、さらに以下の付記を開示する。
(付記1)
水晶片と、
前記水晶片の第1表面に配置され、非磁性材料により形成される励振電極と、
前記水晶片における前記第1表面とは逆側の第2表面に、前記励振電極に対向して配置され、磁性材料により形成される磁性体部とを含み、
前記磁性体部は、第1磁性体部位と、前記第1磁性体部位よりも前記水晶片の中心側に位置する第2磁性体部位とを含み、前記第2磁性体部位は、前記第1磁性体部位よりも、厚さ、密度及び透磁率のうちの少なくともいずれか1つが大きい、水晶振動子。
(付記2)
前記磁性体部は、電導性を有する磁性材料により形成され、前記励振電極に対向する第2励振電極を形成する、付記1に記載の水晶振動子。
(付記3)
前記水晶片の厚み方向に垂直な方向に沿った複数位置における前記磁性体部の厚さ、密度及び透磁率のうちの少なくともいずれか1つは、前記水晶片の各対応する位置における発振時の振動エネルギに比例する、付記1又は2に記載の水晶振動子。
(付記4)
水晶片と、
前記水晶片の第1表面に配置され、非磁性材料により形成される励振電極と、
前記水晶片における前記第1表面とは逆側の第2表面に、前記励振電極に対向して配置され、磁性材料により形成される磁性体部とを含み、
前記磁性体部は、前記水晶片の第1部位に対して設けられる第1磁性体部位と、前記水晶片の発振時の振動エネルギが前記第1部位よりも大きい前記水晶片の第2部位に対して設けられる第2磁性体部位とを含み、前記第2磁性体部位は、前記第1磁性体部位よりも、厚さ、密度及び透磁率のうちの少なくともいずれか1つが大きい、水晶振動子。
(付記5)
水晶片と、
前記水晶片の第1表面に配置され、非磁性材料により形成される励振電極と、
前記水晶片における前記第1表面とは逆側の第2表面に、前記励振電極に対向して配置された磁石部とを含む、水晶振動子。
(付記6)
前記磁石部は、電導性を有する磁性材料により形成され、前記励振電極に対向する第2励振電極を形成する、付記5に記載の水晶振動子。
(付記7)
水晶片と、
前記水晶片の第1表面に配置され、非磁性材料により形成される励振電極と、
前記水晶片における前記第1表面とは逆側の第2表面に、前記励振電極に対向して配置され、磁性材料により形成される磁性体部と、
前記水晶片の発振時に伴う前記磁性体部の振動により交流波形が発生するコイル部を備える受信コイルとを含む、水晶振動子の特性測定装置。
(付記8)
水晶片と、
前記水晶片の第1表面に配置され、非磁性材料により形成される励振電極と、
前記水晶片における前記第1表面とは逆側の第2表面に、前記励振電極に対向して配置された磁石部と
前記水晶片の発振時に伴う前記磁石部の振動により交流波形が発生するコイル部を備える受信コイルとを含む、水晶振動子の特性測定装置。
The following supplementary notes will be disclosed with respect to the above embodiments.
(Appendix 1)
A crystal piece,
An excitation electrode disposed on the first surface of the quartz piece and formed of a non-magnetic material;
A second surface of the crystal piece opposite to the first surface, the magnetic body section being arranged to face the excitation electrode and formed of a magnetic material;
The magnetic body portion includes a first magnetic body portion and a second magnetic body portion located closer to the center of the crystal piece than the first magnetic body portion, and the second magnetic body portion is the first magnetic body portion. A crystal resonator having at least one of thickness, density, and magnetic permeability larger than that of a magnetic body part.
(Appendix 2)
The crystal unit according to
(Appendix 3)
At least one of the thickness, the density, and the magnetic permeability of the magnetic body portion at a plurality of positions along a direction perpendicular to the thickness direction of the crystal piece is determined by oscillation at each corresponding position of the crystal piece. 3. The crystal resonator according to
(Appendix 4)
A crystal piece,
An excitation electrode disposed on the first surface of the quartz piece and formed of a non-magnetic material;
A second surface of the crystal piece opposite to the first surface, the magnetic body section being arranged to face the excitation electrode and formed of a magnetic material;
The magnetic body portion includes a first magnetic body portion provided for the first portion of the crystal piece, and a second portion of the crystal piece having vibration energy at the time of oscillation of the crystal piece that is larger than that of the first portion. A crystal unit including a second magnetic body portion provided in a pair, the second magnetic body portion having at least one of thickness, density and magnetic permeability larger than that of the first magnetic body portion. .
(Appendix 5)
A crystal piece,
An excitation electrode disposed on the first surface of the quartz piece and formed of a non-magnetic material;
A crystal resonator, comprising: a magnet portion disposed on a second surface of the crystal piece opposite to the first surface, the magnet portion being opposed to the excitation electrode.
(Appendix 6)
6. The crystal unit according to
(Appendix 7)
A crystal piece,
An excitation electrode disposed on the first surface of the quartz piece and formed of a non-magnetic material;
A magnetic body portion formed of a magnetic material, disposed on the second surface of the crystal piece opposite to the first surface, facing the excitation electrode;
A characteristic measuring device for a crystal resonator, comprising: a receiving coil having a coil portion in which an AC waveform is generated by vibration of the magnetic body portion caused by oscillation of the crystal piece.
(Appendix 8)
A crystal piece,
An excitation electrode disposed on the first surface of the quartz piece and formed of a non-magnetic material;
A coil on the second surface of the crystal piece opposite to the first surface, the magnet section being arranged so as to face the excitation electrode and an AC waveform generated by the vibration of the magnet section accompanying the oscillation of the crystal piece. A characteristic measuring device for a crystal unit, including a receiving coil having a unit.
10 水晶片
20 励振電極
21,21A 上側励振電極
22 下側励振電極
30 筐体
32 シール材
34 蓋
41乃至44 外部電極
100,102 水晶振動子
10
Claims (1)
前記水晶片の第1表面に配置され、非磁性材料により形成される励振電極と、
電導性を有する磁性材料により形成され、前記水晶片における前記第1表面とは逆側の第2表面に、前記励振電極に対向して配置された第2励振電極とを含み、
前記第2励振電極は、
前記磁性材料が磁化されていない周辺部と、
前記周辺部よりも前記水晶片の中心側に位置し、前記磁性材料が磁化された永久磁石の中央部と、
を含む、水晶振動子。 A crystal piece,
An excitation electrode disposed on the first surface of the quartz piece and formed of a non-magnetic material;
Is formed of a magnetic material having a conductivity, the second surface opposite to the first surface of the crystal piece, seen including a second excitation electrode disposed opposite to the excitation electrode,
The second excitation electrode is
A peripheral portion in which the magnetic material is not magnetized,
Located closer to the center of the crystal piece than the peripheral portion, and the central portion of the permanent magnet in which the magnetic material is magnetized,
The including, crystal oscillator.
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