JP6691836B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象の基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。特許文献１には、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。
特許文献１の基板処理装置は、基板を水平に保持しながら基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させるスピンチャックと、基板の上面に向けて薬液やリンス液などの処理液を吐出するノズルと、基板の上面に向けて光を発する赤外線ヒータとを備えている。スピンチャックは、基板の外周部に押し付けられる複数のチャックピンを備えている。

チャックピンは、導電性を有する導電性部材と、導電性部材を覆うピンカバーとを含む。特許文献１の図１０に示された導電性部材は、２つの部材で構成されている。一方の部材は、基板の外周部に押し付けられる把持部であり、他方の部材は、把持部を保持する保持部である。把持部および保持部は、いずれも導電性を有している。保持部は、チャック開閉機構の駆動軸に連結されている。

特開２０１４−２４１３９０号公報

特許文献１では、基板の帯電を防止するために、導電性部材の把持部および保持部が導電性を有している。つまり、基板の外周部に押し付けられる把持部だけでなく、把持部を保持する保持部も、導電性を有している。そのため、導電性材料以外の材料で保持部を形成することができず、材料の選択の幅が狭められる。
そこで、本発明の目的の一つは、チャック部材に用いられる材料の選択の自由度を高めながら、基板の帯電を防止することである。

前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板を水平に挟むことにより水平な姿勢で保持する複数のチャック部材と、前記チャック部材を支持する支持部材と、前記チャック部材を前記支持部材に締結する締結部材と、前記複数のチャック部材が前記基板の外周部に押し付けられる閉状態と、前記基板に対する前記複数のチャック部材の押付が解除される開状態と、の間で前記複数のチャック部材を切り替えるチャック開閉機構とを備え、前記複数のチャック部材の少なくとも一つは、前記基板の外周部に押し付けられる基板接触部を含み、導電性を有する導電性部材と、前記導電性部材に接して当該導電性部材を支持しており、前記締結部材によって前記支持部材に締結された芯材と、前記芯材を通らずに前記基板接触部から前記締結部材に延びる接地経路の一部を形成しており、前記接地経路を介して前記基板を接地する通電部材とを含み、前記導電性部材は、前記芯材のまわりに配置された筒状の周壁部を含み、前記通電部材は、前記導電部材よりも上方に配置されたカバー部を含む、基板処理装置である。通電部材は、締結部材とは別の一つ以上の部材であってもよいし、締結部材と一体の部材であってもよい。

この構成によれば、チャック部材の芯材が締結部材によって支持部材に締結されており、チャック部材の導電性部材が芯材に支持されている。チャック開閉機構が複数のチャック部材を閉状態に切り替えると、導電性部材の基板接触部が基板の外周部に押し付けられ、基板が水平な姿勢で保持される。このとき、基板は、基板接触部から締結部材に延びる接地経路を介して接地される。これにより、基板の帯電を防止できる。さらに、チャック部材の通電部材が芯材を迂回する接地経路の一部を形成しているので、芯材に導電性を持たせる必要がない。そのため、芯材の材料の自由度を高めることができる。

請求項２に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記複数のチャック部材に保持されている前記基板の上方に配置される熱源をさらに備え、前記導電性部材は、前記複数のチャック部材が前記基板の外周部に押し付けられているときに平面視で前記基板に覆われない露出部を含み、前記複数のチャック部材の少なくとも一つは、前記導電性部材に取り付けられており、平面視で前記露出部を覆うチャックカバーをさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置である。

この構成によれば、導電性部材の一部である露出部が、基板よりも上方の位置および基板の外縁のまわりの位置の少なくとも一方に配置される。そのため、露出部は、平面視で基板に覆われない。チャックカバーは、平面視で露出部を覆っている。これにより、露出部が熱源から保護される。さらに、露出部以外の導電性部材の一部は、平面視で基板に覆われる。そのため、導電性部材の大部分を熱源から保護できる。

請求項３に記載の発明は、前記チャックカバーは、平面視で前記露出部の全域を覆っている、請求項２に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、導電性部材の露出部の全域が平面視でチャックカバーに覆われる。そのため、露出部の全域が熱源から保護される。前述のように、露出部以外の導電性部材の一部は、平面視で基板に覆われる。そのため、導電性部材の全体を熱源から保護でき、加熱によるチャック部材の変形を防止できる。

請求項４に記載の発明は、前記芯材は、前記導電性部材よりも軟化温度が高い、請求項２または３に記載の基板処理装置である。軟化温度は、機械的強度の低下と目視での変形とが始まる温度を意味する。
この構成によれば、芯材全体の軟化温度が導電性部材全体の軟化温度よりも高いので、チャック部材全体の耐熱性を高めることができる。したがって、熱源が基板の上方で発熱する加熱時間を延ばしたとしても、チャック部材の変形を抑制または防止できる。これにより、チャック部材の耐久性を高めることができ、長期に亘って基板を確実に保持できる。

請求項５に記載の発明は、基板を水平に挟むことにより水平な姿勢で保持する複数のチャック部材と、前記チャック部材を支持する支持部材と、前記チャック部材を前記支持部材に締結する締結部材と、前記複数のチャック部材が前記基板の外周部に押し付けられる閉状態と、前記基板に対する前記複数のチャック部材の押付が解除される開状態と、の間で前記複数のチャック部材を切り替えるチャック開閉機構と、前記複数のチャック部材に保持されている前記基板の上方に配置される熱源とを備え、前記複数のチャック部材の少なくとも一つは、前記基板の外周部に押し付けられる基板接触部を含み、導電性を有する導電性部材と、前記導電性部材を支持しており、前記締結部材によって前記支持部材に締結された芯材と、前記芯材を通らずに前記基板接触部から前記締結部材に延びる接地経路の一部を形成しており、前記接地経路を介して前記基板を接地する通電部材とを含み、前記導電性部材は、前記複数のチャック部材が前記基板の外周部に押し付けられているときに平面視で前記基板に覆われない露出部を含み、前記複数のチャック部材の少なくとも一つは、前記導電性部材に取り付けられており、平面視で前記露出部を覆うチャックカバーをさらに含み、前記通電部材は、前記チャックカバーの上から前記チャックカバーに対向する上側対向部を含み、前記チャックカバーは、前記芯材の下から前記芯材に対向する下側対向部を含む、基板処理装置である。
この構成によれば、通電部材の上側対向部がチャックカバーの上に配置されており、チャックカバーの下側対向部が芯材の下に配置されている。芯材に対する上方向へのチャックカバーの移動は、上側対向部とチャックカバーとの接触によって規制される。さらに、この移動は、下側対向部と芯材との接触によって規制される。そのため、接着や圧入等の固定方法でチャックカバーを芯材に固定しなくても、チャックカバーの浮き上がりを防止できる。

請求項６に記載の発明は、前記芯材は、樹脂で形成されたコーティング層と、前記コーティング層によって外面全域が覆われた被コーティング部材とを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。被コーティング部材は、一つの部材であってもよいし、複数の部材を含んでいてもよい。
この構成によれば、芯材の被コーティング部材の外面全域が、芯材のコーティング層で覆われている。したがって、パーティクルを発生し易い焼結材料で被コーティング部材を形成したとしても、パーティクルを芯材の内部に止めることができる。さらに、金属で被コーティング部材を形成したとしても、薬液などの処理液が被コーティング部材に付着しない。したがって、焼結材料や金属を被コーティング部材の材料として用いることができ、芯材の材料の自由度をさらに高めることができる。

請求項７に記載の発明は、前記芯材は、前記芯材を上下方向に貫通する締結部材挿入穴を形成しており、前記通電部材は、前記締結部材挿入穴に挿入された前記締結部材の上方に配置されており、前記締結部材挿入穴を塞いでいる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、締結部材が、芯材を上下方向に貫通する締結部材挿入穴に挿入されている。通電部材は、締結部材の上方に配置されている。したがって、通電部材を締結部材の近くに配置することができ、通電部材を締結部材に電気的に接続することができる。さらに、通電部材が締結部材挿入穴を塞いでいるので、締結部材挿入穴内の締結部材を処理液や処理ガスなどの処理流体から保護できる。

請求項８に記載の発明は、基板を水平に挟むことにより水平な姿勢で保持する複数のチャック部材と、前記チャック部材を支持する支持部材と、前記チャック部材を前記支持部材に締結する締結部材と、前記複数のチャック部材が前記基板の外周部に押し付けられる閉状態と、前記基板に対する前記複数のチャック部材の押付が解除される開状態と、の間で前記複数のチャック部材を切り替えるチャック開閉機構とを備え、前記複数のチャック部材の少なくとも一つは、前記基板の外周部に押し付けられる基板接触部を含み、導電性を有する導電性部材と、前記導電性部材を支持しており、前記締結部材によって前記支持部材に締結された芯材と、前記芯材を通らずに前記基板接触部から前記締結部材に延びる接地経路の一部を形成しており、前記接地経路を介して前記基板を接地する通電部材とを含み、前記芯材は、前記芯材を上下方向に貫通する締結部材挿入穴を形成しており、前記通電部材は、前記締結部材挿入穴に挿入された前記締結部材の上方に配置されており、前記締結部材挿入穴を塞いでおり、前記導電性部材は、前記締結部材挿入穴から上方に延びるキャップ挿入穴を形成しており、前記通電部材は、前記締結部材挿入穴およびキャップ挿入穴の両方に挿入されている、基板処理装置である。
この構成によれば、導電性部材が、締結部材挿入穴から上方に延びるキャップ挿入穴を形成している。通電部材は、締結部材挿入穴だけでなく、キャップ挿入穴にも挿入されている。したがって、通電部材を導電性部材の近くに配置することができ、通電部材を導電性部材に電気的に接続することができる。

請求項９に記載の発明は、前記複数のチャック部材の少なくとも一つは、前記締結部材挿入穴の中心線を取り囲んでおり、前記通電部材のまわりの隙間を密閉する環状のシール部材をさらに含む、請求項７または８に記載の基板処理装置である。通電部材のまわりの隙間は、通電部材と芯材との隙間であってもよいし、通電部材と導電部材との隙間であってもよい。

この構成によれば、芯材の締結部材挿入穴が通電部材によって塞がれているだけでなく、通電部材のまわりの隙間が、締結部材挿入穴の中心線を取り囲む環状のシール部材によって密閉されている。これにより、処理液や処理ガスなどの処理流体が締結部材挿入穴内に進入することを確実に防止でき、締結部材挿入穴内の締結部材を処理流体から確実に保護できる。

請求項１０に記載の発明は、前記通電部材は、上方に凹んだ差込穴を形成しており、前記締結部材は、前記差込穴に挿入された頭部を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、締結部材の頭部が、通電部材に形成された差込穴に挿入されている。頭部の外周面は、差込穴の内周面に接触する。これにより、締結部材および通電部材を確実に電気的に接続することができる。

請求項１１に記載の発明は、前記通電部材は、前記差込穴に設けられた雌ネジと前記頭部に設けられた雄ネジとによって前記締結部材に連結されている、請求項１０に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、締結部材の頭部が、通電部材に形成された差込穴に挿入されており、差込穴に設けられた雌ネジと頭部に設けられた雄ネジとが、通電部材および締結部材を互いに連結している。したがって、締結部材および通電部材が接触した状態を確実に維持できる。
請求項１２に記載の発明は、円板状のスピンベースと、前記スピンベースの上面外周部に設けられ、基板を水平に挟むことにより水平な姿勢で保持する複数のチャック部材と、前記チャック部材を支持する支持部材と、前記チャック部材を前記支持部材に締結する締結部材と、前記複数のチャック部材が前記基板の外周部に押し付けられる閉状態と、前記基板に対する前記複数のチャック部材の押付が解除される開状態と、の間で前記複数のチャック部材を切り替えるチャック開閉機構とを備え、前記複数のチャック部材の少なくとも一つは、前記基板の外周部に押し付けられる基板接触部を含み、導電性を有する導電性部材と、前記スピンベースの上面外周部に配置され、前記導電性部材を支持しており、前記締結部材によって前記支持部材に締結された芯材と、前記芯材を通らずに前記基板接触部から前記締結部材に延びる接地経路の一部を形成しており、前記接地経路を介して前記基板を接地する通電部材とを含む、基板処理装置である。
請求項１３に記載の発明は、前記芯材は、前記締結部材が挿入された土台部と、前記土台部から上方に突出する突出部とを含み、前記導電性部材よりも電気抵抗率が高く、前記基板接触部は、前記突出部を取り囲んでいる、請求項１２に記載の基板処理装置である。

本発明の一実施形態に係る基板処理装置に備えられたチャンバの内部を水平に見た模式図である。 スピンベースおよびこれに関連する構成の模式的な平面図である。 チャック部材の平面図である。 図３に示すＩＶ−ＩＶ線に沿う鉛直断面を示す断面図である。 基板処理装置によって行われる基板の処理の一例について説明するための工程図である。

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１に備えられたチャンバ４の内部を水平に見た模式図である。図２は、スピンベース１２およびこれに関連する構成の模式的な平面図である。
図１に示すように、基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、処理液や処理ガスなどの処理流体で基板Ｗを処理する処理ユニット２と、処理ユニット２に基板Ｗを搬送する搬送ロボット（図示せず）と、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。制御装置３は、プログラム等の情報を記憶する記憶部と記憶部に記憶された情報にしたがって基板処理装置１を制御する演算部とを含むコンピュータである。

処理ユニット２は、内部空間を有する箱形のチャンバ４と、一枚の基板Ｗをチャンバ４内で水平に保持しながら、基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗに処理液を供給する処理液供給装置６と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗをその上方から加熱する加熱装置７と、スピンチャック５の周囲を取り囲む筒状のカップ８とを含む。

スピンチャック５は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース１２と、スピンベース１２の上面外周部から上方に突出する複数のチャック部材１３と、複数のチャック部材１３を開閉させるチャック開閉機構１４とを含む。スピンチャック５は、さらに、スピンベース１２の中央部から回転軸線Ａ１に沿って下方に延びるスピン軸１５と、スピン軸１５を回転させることによりスピンベース１２およびチャック部材１３を回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンモータ１６とを含む。

スピンベース１２は、基板Ｗの直径よりも大きい外径を有している。スピンベース１２の中心線は、回転軸線Ａ１上に配置されている。複数のチャック部材１３は、スピンベース１２の外周部でスピンベース１２に保持されている。基板Ｗは、基板Ｗの下面とスピンベース１２の上面とが上下方向に離れた状態で、複数のチャック部材１３に把持される。この状態で、スピンモータ１６がスピン軸１５を回転させると、基板Ｗは、スピンベース１２およびチャック部材１３と共に回転軸線Ａ１まわりに回転する。

図２に示すように、複数のチャック部材１３は、周方向（回転軸線Ａ１まわりの方向）に間隔を空けて配置されている。図２は、６つのチャック部材１３がスピンチャック５に設けられている例を示している。６つのチャック部材１３は、スピンベース１２に対して移動可能な３つの可動チャック１３ａと、スピンベース１２に固定された３つの固定チャック１３ｂからなる。３つの可動チャック１３ａは、それらの間に固定チャック１３ｂを挟まずに周方向に並んでいる。可動チャック１３ａの数は、３つ未満であってもよいし、３つを超えていてもよい。複数のチャック部材１３のそれぞれが可動チャック１３ａであってもよい。

可動チャック１３ａは、可動チャック１３ａが基板Ｗの外周面に押し付けられる閉位置（図２に示す位置）と、可動チャック１３ａが基板Ｗの外周面から離れる開位置との間で、スピンベース１２に対してチャック回動軸線Ａ２まわりに回転可能である。固定チャック１３ｂの形状や構造は、可動チャック１３ａと同じである。可動チャック１３ａは、可動チャック１３ａに接続された支持部材５９（図４参照）がチャック開閉機構１４によって駆動される点で固定チャック１３ｂと異なる。チャック開閉機構１４は、可動チャック１３ａを移動させることにより、複数のチャック部材１３が基板Ｗの外周部に押し付けられる閉状態と、基板Ｗに対する複数のチャック部材１３の押付が解除される開状態と、の間で複数のチャック部材１３を切り替える。

図１に示すように、処理液供給装置６は、基板Ｗの上面に向けて第１薬液を吐出する第１薬液ノズル１７と、第１薬液ノズル１７に接続された第１薬液配管１８と、第１薬液配管１８に介装された第１薬液バルブ１９と、第１薬液ノズル１７が先端部に取り付けられた第１薬液アーム２０と、第１薬液アーム２０を移動させることにより、第１薬液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる第１ノズル移動装置２１とを含む。

第１薬液バルブ１９が開かれると、第１薬液配管１８から第１薬液ノズル１７に供給された第１薬液が、第１薬液ノズル１７から下方に吐出される。第１薬液バルブ１９が閉じられると、第１薬液ノズル１７からの第１薬液の吐出が停止される。第１ノズル移動装置２１は、第１薬液ノズル１７を移動させることにより、第１薬液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる。さらに、第１ノズル移動装置２１は、第１薬液ノズル１７から吐出された第１薬液が基板Ｗの上面に着液する処理位置と、第１薬液ノズル１７が平面視でスピンチャック５の周囲に退避した退避位置との間で第１薬液ノズル１７を移動させる。

処理液供給装置６は、基板Ｗの上面に向けて第２薬液を吐出する第２薬液ノズル２２と、第２薬液ノズル２２に接続された第２薬液配管２３と、第２薬液配管２３に介装された第２薬液バルブ２４と、第２薬液ノズル２２が先端部に取り付けられた第２薬液アーム２５と、第２薬液アーム２５を移動させることにより、第２薬液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる第２ノズル移動装置２６とを含む。

第２薬液バルブ２４が開かれると、第２薬液配管２３から第２薬液ノズル２２に供給された第２薬液が、第２薬液ノズル２２から下方に吐出される。第２薬液バルブ２４が閉じられると、第２薬液ノズル２２からの第２薬液の吐出が停止される。第２ノズル移動装置２６は、第２薬液ノズル２２を移動させることにより、第２薬液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる。さらに、第２ノズル移動装置２６は、第２薬液ノズル２２から吐出された第２薬液が基板Ｗの上面に着液する処理位置と、第２薬液ノズル２２が平面視でスピンチャック５の周囲に退避した退避位置との間で第２薬液ノズル２２を移動させる。

第１薬液および第２薬液は、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、リン酸、酢酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、および腐食防止剤の少なくとも１つを含む液である。第１薬液の具体例は、ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水との混合液）、リン酸（濃度がたとえば８０％以上１００％未満のリン酸水溶液）、フッ酸（フッ化水素酸）である。第２薬液の具体例は、ＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水と水との混合液）である。

処理液供給装置６は、基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出するリンス液ノズル２７と、リンス液ノズル２７に接続されたリンス液配管２８と、リンス液配管２８に介装されたリンス液バルブ２９と、リンス液ノズル２７が先端部に取り付けられたリンス液アーム３０と、リンス液アーム３０を移動させることにより、リンス液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる第３ノズル移動装置３１とを含む。

リンス液バルブ２９が開かれると、リンス液配管２８からリンス液ノズル２７に供給されたリンス液が、リンス液ノズル２７から下方に吐出される。リンス液バルブ２９が閉じられると、リンス液ノズル２７からのリンス液の吐出が停止される。第３ノズル移動装置３１は、リンス液ノズル２７を移動させることにより、リンス液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる。さらに、第３ノズル移動装置３１は、リンス液ノズル２７から吐出されたリンス液が基板Ｗの上面に着液する処理位置と、リンス液ノズル２７がスピンチャック５の周囲に退避した退避位置との間でリンス液ノズル２７を移動させる。

リンス液ノズル２７に供給されるリンス液は、純水（脱イオン水：Ｄeionized water）である。リンス液ノズル２７に供給されるリンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール、）または希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、などであってもよい。
カップ８は、スピンベース１２を取り囲んでいる。スピンチャック５が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、処理液が基板Ｗから基板Ｗの周囲に飛散する。処理液が基板Ｗに供給されるとき、上向きに開いたカップ８の上端部８ａは、スピンベース１２よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された薬液やリンス液などの処理液は、カップ８によって受け止められる。カップ８に受け止められた処理液は、図示しない回収装置または排液装置に送られる。

加熱装置７は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上方に配置された赤外線ヒータ３２と、赤外線ヒータ３２が先端部に取り付けられたヒータアーム３５と、ヒータアーム３５を移動させるヒータ移動装置３６とを含む。
赤外線ヒータ３２は、赤外線を含む光を発する赤外線ランプ３３と、赤外線ランプ３３を収容するランプハウジング３４とを含む。赤外線ランプ３３は、ランプハウジング３４内に配置されている。ランプハウジング３４は、平面視で基板Ｗよりも小さい。赤外線ランプ３３およびランプハウジング３４は、ヒータアーム３５に取り付けられている。赤外線ランプ３３およびランプハウジング３４は、ヒータアーム３５と共に移動する。

赤外線ランプ３３は、ハロゲンランプである。赤外線ランプ３３は、フィラメントと、フィラメントを収容する石英管とを含む。赤外線ランプ３３は、カーボンヒータであってもよいし、ハロゲンランプおよびカーボンヒータ以外の発熱体であってもよい。ランプハウジング３４の少なくとも一部は、石英などの光透過性および耐熱性を有する材料で形成されている。

ランプハウジング３４は、基板Ｗの上面と平行な底壁を有している。赤外線ランプ３３は、底壁の上方に配置されている。底壁の下面は、基板Ｗの上面と平行でかつ平坦な照射面３２ａを含む。赤外線ヒータ３２が基板Ｗの上方に配置されている状態では、照射面３２ａが、間隔を空けて基板Ｗの上面に対向する。この状態で赤外線ランプ３３が光を発すると、照射面３２ａを通過した光が、基板Ｗの上面に照射される。照射面３２ａは、たとえば、直径が基板Ｗの半径よりも小さい円形である。照射面３２ａは、円形以外の形状であってもよい。

ヒータ移動装置３６は、赤外線ヒータ３２を所定の高さで保持している。ヒータ移動装置３６は、スピンチャック５の周囲で上下方向に延びるヒータ回動軸線Ａ３まわりにヒータアーム３５を回動させることにより、赤外線ヒータ３２を水平に移動させる。これにより、赤外線が照射される照射位置（基板Ｗの上面内の一部の領域）が基板Ｗの上面内で移動する。図２に示すように、ヒータ移動装置３６は、平面視で基板Ｗの中心を通る円弧状の経路に沿って赤外線ヒータ３２を水平に移動させる。赤外線ヒータ３２は、スピンチャック５の上方を含む水平面内で移動する。また、ヒータ移動装置３６は、赤外線ヒータ３２を鉛直方向に移動させることにより、照射面３２ａと基板Ｗとの距離を変化させる。

赤外線ヒータ３２の光は、基板Ｗの上面内の照射位置に照射される。制御装置３は、赤外線ヒータ３２が赤外線を発している状態で、スピンチャック５に基板Ｗを回転させながら、ヒータ移動装置３６に赤外線ヒータ３２をヒータ回動軸線Ａ３まわりに回動させる。これにより、基板Ｗの上面が、加熱位置としての照射位置によって走査される。したがって、赤外線を含む光が基板Ｗの上面に吸収され、輻射熱が赤外線ランプ３３から基板Ｗに伝達される。処理液などの液体が基板Ｗ上に保持されている状態で赤外線ランプ３３が赤外線を発すると、基板Ｗおよび処理液が加熱され、これらの温度が上昇する。

図３は、チャック部材１３の平面図である。図４は、図３に示すＩＶ−ＩＶ線に沿う鉛直断面を示す断面図である。図３は、チャック部材１３（可動チャック１３ａ）が閉位置に配置されている状態を示している。
図４に示すように、チャック部材１３は、締結部材４３によって支持部材５９に固定された芯材４０と、芯材４０を覆う導電性部材４１と、導電性部材４１を覆うチャックカバー４２と、締結部材４３および導電性部材４１の両方に接する通電部材４４とを含む。

芯材４０は、締結部材４３が挿入された土台部４９と、土台部４９から上方に突出する突出部４８とを含む。芯材４０を構成する部材には、締結部材４３が挿入された本体４５と、本体４５に取り付けられたワッシャー４６と、芯材４０の表層を形成するコーティング層４７とが含まれる。本体４５およびワッシャー４６は、コーティング層４７によって外面全域が覆われた被コーティング部材の一例である。

本体４５は、締結部材４３が挿入された締結部材挿入穴５１と、ワッシャー４６が挿入されたワッシャー挿入穴５５とを形成している。締結部材挿入穴５１は、本体４５を上下方向に貫通する貫通穴である。ワッシャー挿入穴５５は、本体４５の下面から上方に凹んだ凹部である。締結部材挿入穴５１は、ワッシャー挿入穴５５と同軸である。締結部材挿入穴５１は、ワッシャー挿入穴５５の底面で開口している。

締結部材挿入穴５１を形成する本体４５の内周面は、通電部材４４を取り囲む上側筒状面５２と、締結部材４３のフランジ部５７に接する環状面５３と、締結部材４３の径方向に間隔を空けて締結部材４３の軸部５８を取り囲む下側筒状面５４とを含む。上側筒状面５２、環状面５３、および下側筒状面５４は、同軸である。上側筒状面５２の直径は、下側筒状面５４の直径よりも大きい。

導電性部材４１は、芯材４０の土台部４９を覆う内側被覆部７２と、内側被覆部７２の上面から上方に突出する基板接触部７１とを含む。内側被覆部７２および基板接触部７１は、チャックカバー４２によって覆われている。基板接触部７１は、チャック回動軸線Ａ２のまわりに位置しており、チャック回動軸線Ａ２に交わっていない。内側被覆部７２は、平面視で基板接触部７１よりも大きい。

導電性部材４１の内側被覆部７２は、芯材４０の土台部４９の上方に配置された上壁部７４と、土台部４９のまわりに配置された筒状の周壁部７５と、上壁部７４から上方に突出する筒状突起７３とを含む。導電性部材４１を上下方向に貫通するキャップ挿入穴７６は、筒状突起７３と上壁部７４とによって形成されている。通電部材４４は、キャップ挿入穴７６に挿入されている。

導電性部材４１は、上壁部７４の下面から基板接触部７１の内部に延びる芯材挿入穴７７を形成している。芯材４０の突出部４８は、芯材挿入穴７７に挿入されている。芯材挿入穴７７は、基板接触部７１の上面７１ａで開口していてもよいし、基板接触部７１の内部で閉じていてもよい。基板接触部７１は、芯材４０の突出部４８を取り囲んでいる。基板接触部７１の上端は、基板Ｗの上面よりも上方に位置している。

導電性部材４１の基板接触部７１は、基板Ｗの外周部に押し付けられる把持部７８を含む。把持部７８は、内方に開いた収容溝を形成する２つの溝内面を含む。２つの溝内面は、収容溝の底から斜め上に延びる上側溝内面７８ａと、収容溝の底から斜め下に延びる下側溝内面７８ｂとを含む。基板接触部７１は、さらに、下側溝内面７８ｂの下端から回転軸線Ａ１（図２参照）の方に斜め下に延びる上側支持面７９ａを含む。

基板接触部７１の上側支持面７９ａは、水平面に対する下側溝内面７８ｂの傾斜角度よりも小さい角度で水平面に対して斜めに傾いている。後述するように、チャックカバー４２は、上側支持面７９ａの下端から回転軸線Ａ１の方に斜め下に延びる下側支持面７９ｂを含む。上側支持面７９ａおよび下側支持面７９ｂは、把持部７８が基板Ｗから離れた状態で基板Ｗを支持する基板支持部７９の一部である。

チャックカバー４２は、導電性部材４１の内側被覆部７２を覆う外側被覆部８４を含む。外側被覆部８４は、内側被覆部７２の上方に配置された上壁部８５と、内側被覆部７２のまわりに配置された筒状の周壁部８６とを含む。導電性部材４１の筒状突起７３は、外側被覆部８４を上下方向に貫通する貫通穴に挿入されている。筒状突起７３の上端面は、チャックカバー４２の上壁部８５の上面と等しい高さに配置されていてもよいし、上壁部８５の上面よりも上方に配置されていてもよい。

図３に示すように、チャックカバー４２の外側被覆部８４は、周壁部８６の下部から外方に突出する円弧状のフランジ部８７と、周壁部８６の下部から内方に突出するフック部８８とを含む。図４に示すように、フック部８８は、芯材４０および導電性部材４１の下方に配置されている。フック部８８は、下側対向部の一例である。フック部８８の上面は、芯材４０および導電性部材４１の少なくとも一方に接触していてもよいし、間隔を空けて芯材４０および導電性部材４１に対向していてもよい。

チャックカバー４２は、柱状の基板接触部７１を覆うピン被覆部８１を含む。ピン被覆部８１は、基板接触部７１の上方に配置された上壁部８２と、基板接触部７１のまわりに配置された周壁部８３とを含む。ピン被覆部８１は、さらに、導電性部材４１の上側支持面７９ａの下端から回転軸線Ａ１の方に斜め下に延びる下側支持面７９ｂを含む。下側支持面７９ｂは、上側支持面７９ａと等しい角度で水平面に対して斜めに傾いている。

チャックカバー４２は、外側被覆部８４の上壁部８５の下面からピン被覆部８１の内部まで上方に延びるピン挿入穴８９と、ピン挿入穴８９からピン被覆部８１の外面まで内方に延びる露出穴９０とを形成している。基板接触部７１は、ピン挿入穴８９に挿入されている。基板接触部７１の外面は、ピン被覆部８１の内面に接触していてもよいし、隙間を介してピン被覆部８１の内面に対向していてもよい。把持部７８は、ピン被覆部８１の外面で開口する露出穴９０で露出している。基板接触部７１が基板Ｗの外周部に押し付けられるとき、基板Ｗの一部は露出穴９０内に配置される。

締結部材４３は、雄ネジが設けられた軸部５８と、締結部材４３を回転させる工具が取り付けられる頭部５６と、軸部５８と頭部５６との間に配置されたフランジ部５７とを含む。軸部５８の雄ネジは、支持部材５９の内周面に設けられた雌ネジに取り付けられている。フランジ部５７の下面は、芯材４０の環状面５３に下方に押し付けられている。芯材４０の下面は、支持部材５９の上端面に下方に押し付けられている。芯材４０は、フランジ部５７と支持部材５９とによって上下方向に挟まれている。これにより、芯材４０が支持部材５９に固定されている。

支持部材５９は、スピンベース１２の外面で開口するシャフト挿入穴６０内に挿入されている。スピンベース１２は、水平な姿勢で保持された円板部６１と、円板部６１から上方に突出する筒状部６２とを含む。シャフト挿入穴６０は、円板部６１の内部空間から筒状部６２の上端面に延びている。支持部材５９および筒状部６２は、チャック部材１３の下方に配置されている。チャック開閉機構１４は、可動チャック１３ａに接続された支持部材５９をチャック回動軸線Ａ２に相当する鉛直な支持部材５９の中心線まわりに回動させる。これにより、可動チャック１３ａがチャック回動軸線Ａ２まわりに回動する。

通電部材４４は、キャップ挿入穴７６の上方に配置されたカバー部９１を含む。カバー部９１は、導電性部材４１およびチャックカバー４２の上方に配置されている。基板Ｗは、カバー部９１の上方に配置されている。導電性部材４１の筒状突起７３は、カバー部９１の下方に配置されている。カバー部９１の下面９１ａの内周部は、筒状突起７３の上端面に押し付けられている。カバー部９１の下面９１ａの外周部は、チャックカバー４２の上方に配置されている。カバー部９１の下面９１ａの外周部は、上側対向部の一例である。カバー部９１の下面９１ａは、チャックカバー４２に接触していてもよいし、間隔を空けてチャックカバー４２に対向していてもよい。

通電部材４４は、さらに、キャップ挿入穴７６および締結部材挿入穴５１の両方に挿入された挿入部９２を含む。挿入部９２は、カバー部９１から下方に延びている。芯材４０の上側筒状面５２は、径方向に間隔を空けて挿入部９２を取り囲んでいる。締結部材４３の頭部５６は、挿入部９２の下面から上方に凹む差込穴９３に挿入されている。締結部材４３の頭部５６に設けられた雄ネジは、差込穴９３の内周面に設けられた雌ネジに取り付けられている。これにより、通電部材４４が締結部材４３と接触しながら、締結部材４３に固定されている。導電性部材４１は、カバー部９１の下面９１ａと土台部４９の上面とによって上下方向に挟まれている。

通電部材４４は、キャップ挿入穴７６および締結部材挿入穴５１を塞いでいる。通電部材４４のまわりの隙間は、通電部材４４を取り囲む環状のシール部材９４によって密閉されている。シール部材９４は、たとえば非導電性のＯリングである。図４は、シール部材９４が通電部材４４によって締結部材４３の軸方向に芯材４０に押し付けられている例を示している。シール部材９４は、挿入部９２の外周面と芯材４０の上側筒状面５２との間に配置されていてもよい。

基板Ｗがスピンチャック５に搬送されるときは、各可動チャック１３ａが開位置に配置されている状態で、図示しない搬送ロボットが、基板Ｗを複数のチャック部材１３の上に置く。これにより、図４において一点鎖線で示すように、基板支持部７９の下側支持面７９ｂが基板Ｗの外周部に接触し、基板Ｗが複数の基板支持部７９に支持される。チャック開閉機構１４は、この状態で可動チャック１３ａを開位置から閉位置に移動させる。

チャック開閉機構１４が可動チャック１３ａを閉位置に移動させると、複数の基板支持部７９によって基板Ｗが持ち上げられながら、複数の把持部７８が基板Ｗの外周部に近づく。その過程で、基板Ｗの外周部は、上側支持面７９ａを通って下側支持面７９ｂから下側溝内面７８ｂに移動する。これにより、図４において二点鎖線で示すように、基板支持部７９が基板Ｗから離れ、把持部７８の上側溝内面７８ａおよび下側溝内面７８ｂが基板Ｗの外周部に押し付けられる。

図３に示すように、基板Ｗが複数のチャック部材１３に把持されているとき、導電性部材４１の内側被覆部７２の大部分は、基板Ｗの下方に配置されている。同様に、導電性部材４１の上側支持面７９ａは、基板Ｗの下方に配置されている。したがって、チャックカバー４２がなかったとしても、内側被覆部７２の大部分と上側支持面７９ａとは、平面視において基板Ｗで隠れる。

その一方で、内側被覆部７２の残りの部分は、平面視で基板Ｗの外縁（図３において二点鎖線で示す部分）から突出しており、平面視で基板Ｗの外縁の外側に位置している。基板接触部７１の上面７１ａは、基板Ｗよりも上方に配置されている。外側被覆部８４の残りの部分と基板接触部７１の上面７１ａとは、基板Ｗが複数のチャック部材１３に把持されているときに平面視で基板Ｗに覆われていない露出部に含まれる。

チャックカバー４２は、平面視において、被覆部７２の残りの部分の全域と、基板接触部７１の上面７１ａの全域とを覆っている。つまり、チャックカバー４２は、平面視で露出部の全域を覆っている。そのため、赤外線ヒータ３２（図１参照）が光を発したとしても、赤外線ヒータ３２の光は導電性部材４１に直接照射されない。また、露出部以外の導電性部材４１の一部は基板Ｗで覆われているので、赤外線ヒータ３２の光がこの部分に直接照射されることもない。これにより、導電性部材４１を赤外線ヒータ３２から保護することができる。

次に、チャック部材１３を構成する各部材の材料と接地経路９５について説明する。
導電性部材４１は、耐薬品性および導電性を有する材料で形成されている。導電性部材４１の材料の具体例は、樹脂と炭素とを含む材料である。導電性部材４１は、樹脂で形成された樹脂部材と炭素を含む炭素材料で形成された炭素部材とが交互に積層された積層部材であってもよいし、炭素材料が分散した樹脂によって形成されていてもよい。

導電性部材４１に含まれる炭素は、炭素繊維（カーボンファイバー）であってもよいし、炭素の粉末または粒子であってもよい。導電性部材４１に含まれる樹脂の具体例は、ＰＦＡ（tetrafluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer）、ＰＣＴＦＥ（Poly Chloro Tri Furuoro Ethylene)、ＰＴＦＥ（polytetrafluoroethylene)、およびＰＥＥＫ（polyetheretherketone）である。

チャックカバー４２は、耐薬品性を有する樹脂で形成されている。チャックカバー４２は、導電性および非導電性のいずれであってもよい。チャックカバー４２に含まれる樹脂の具体例は、ＰＴＦＥ、ＥＴＦＥ（ethylene tetrafluoroethylene）、およびＰＥＥＫである。本実施形態では、チャックカバー４２が、白色（純白および乳白色を含む）のＰＴＦＥで形成されており、白色の外面を有している。前述のように、黒色の炭素が導電性部材４１に含まれているので、導電性部材４１の外面は、黒色である。チャックカバー４２の外面は、導電性部材４１の外面よりも光（可視光線）の反射率が高い。

芯材４０は、導電性部材４１よりも強度が高く、導電性部材４１よりも軟化温度が高い。芯材４０は、導電性および非導電性のいずれであってもよい。コーティング層４７の厚みが小さいので（たとえば、０．５〜２ｍｍ）、芯材４０の機械的性質や軟化温度等は、本体４５およびワッシャー４６を含む被コーティング部材と実質的に等しい。
本体４５およびワッシャー４６は、いずれも、ＳｉＣ（炭化ケイ素）の焼結体である。ＳｉＣは、導電性を有する材料である。本体４５およびワッシャー４６は、炭素の焼結体であってもよいし、ジルコニア等のＳｉＣ以外の導電性セラミックで形成されていてもよい。本体４５およびワッシャー４６は、導電性および非導電性のいずれであってもよい。コーティング層４７についても同様である。コーティング層４７は、耐薬品性する材料で形成されている。コーティング層４７は、たとえばＰＦＡまたはＰＴＦＥで形成されている。

締結部材４３は、導電性を有する材料で形成されている。締結部材４３は、たとえばステンレス鋼で形成されている。導電性が確保されるのであれば、締結部材４３は、ステンレス鋼以外の材料で形成されてもよい。
通電部材４４は、耐薬品性および導電性を有する材料で形成されている。通電部材４４の材料の具体例は、ＰＦＡなどの樹脂と炭素とを含む材料である。導電性部材４１は、樹脂部材と炭素部材とが交互に積層された積層部材であってもよいし、炭素材料が分散した樹脂によって形成されていてもよい。通電部材４４は、炭素材料だけで形成されていてもよい。

導電性部材４１、通電部材４４、および締結部材４３は、芯材４０およびチャックカバー４２よりも電気抵抗率が低い。芯材４０およびチャックカバー４２は、いずれも、非導電性である。導電性部材４１、通電部材４４、および締結部材４３は、いずれも、導電性である。これらの部材は、芯材４０を通らずに基板接触部７１から支持部材５９に延びる接地経路９５を形成している。複数のチャック部材１３が基板Ｗを把持しているとき、基板Ｗは接地経路９５を介して接地される。したがって、搬入された基板Ｗに元々存在した電荷や、帯電した処理液から基板Ｗに供給された電荷を、接地経路９５を通じて基板Ｗから除去することができる。

図５は、基板処理装置１によって行われる基板Ｗの処理の一例について説明するための工程図である。以下の各工程は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置３は、以下の各工程を実行するようにプログラムされている。
処理ユニット２によって基板Ｗが処理されるときには、チャンバ４内に基板Ｗを搬入する搬入工程（図５のステップＳ１）が行われる。

具体的には、制御装置３は、全てのノズルがスピンチャック５の上方から退避している状態で、基板Ｗを保持している搬送ロボットのハンドをチャンバ４内に進入させる。そして、制御装置３は、搬送ロボットによって、基板Ｗを複数のチャック部材１３上に載置する。その後、制御装置３は、搬送ロボットのハンドをチャンバ４内から退避させる。また、制御装置３は、基板Ｗが複数のチャック部材１３上に載置された後、可動チャック１３ａを開位置から閉位置に移動させる。その後、制御装置３は、スピンモータ１６に基板Ｗの回転を開始させる。搬入された基板Ｗが帯電していたとしても、基板Ｗの電荷は、導電性部材４１が基板Ｗに接触することにより除去される。

次に、第１薬液の一例であるＳＰＭを基板Ｗに供給する第１薬液供給工程（図５のステップＳ２）が行われる。
具体的には、制御装置３は、第１ノズル移動装置２１を制御することにより、第１薬液ノズル１７を退避位置から処理位置に移動させる。これにより、第１薬液ノズル１７が基板Ｗの上方に配置される。その後、制御装置３は、第１薬液バルブ１９を開いて、室温よりも高温（たとえば、１４０℃）のＳＰＭを回転状態の基板Ｗの上面に向けて第１薬液ノズル１７に吐出させる。制御装置３は、この状態で第１ノズル移動装置２１を制御することにより、基板Ｗの上面に対するＳＰＭの着液位置を中央部と外周部との間で移動させる。

第１薬液ノズル１７から吐出されたＳＰＭは、基板Ｗの上面に着液した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。そのため、ＳＰＭが基板Ｗの上面全域に供給され、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜が基板Ｗ上に形成される。これにより、レジスト膜やその残渣物などがＳＰＭによって基板Ｗから除去される。さらに、制御装置３は、基板Ｗが回転している状態で、基板Ｗの上面に対するＳＰＭの着液位置を中央部と外周部との間で移動させるので、ＳＰＭの着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査される。そのため、第１薬液ノズル１７から吐出されたＳＰＭが、基板Ｗの上面全域に直接吹き付けられ、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。

次に、基板ＷへのＳＰＭの供給を停止させた状態でＳＰＭの液膜を基板Ｗ上に保持するパドル工程（図５のステップＳ３）が行われる。
具体的には、制御装置３は、スピンチャック５を制御することにより、基板Ｗの上面全域がＳＰＭの液膜に覆われている状態で、第１薬液供給工程での基板Ｗの回転速度よりも小さい低回転速度（たとえば１〜３０ｒｐｍ）まで基板Ｗの回転速度を低下させる。そのため、基板Ｗ上のＳＰＭに作用する遠心力が弱まり、基板Ｗ上から排出されるＳＰＭの量が減少する。制御装置３は、基板Ｗが低回転速度で回転している状態で、第１薬液バルブ１９を閉じて、第１薬液ノズル１７からのＳＰＭの吐出を停止させる。これにより、基板ＷへのＳＰＭの供給が停止された状態で、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜が基板Ｗ上に保持される。制御装置３は、基板ＷへのＳＰＭの供給を停止した後、第１ノズル移動装置２１を制御することにより、第１薬液ノズル１７をスピンチャック５の上方から退避させる。

次に、基板Ｗと基板Ｗ上のＳＰＭとを加熱する加熱工程（図５のステップＳ４）が、パドル工程と並行して行われる。
具体的には、制御装置３は、赤外線ヒータ３２に発光を開始させる。これにより、赤外線ヒータ３２の温度が上昇し、その値（加熱温度）に維持される。加熱温度の一例は、第１薬液（この処理例では、ＳＰＭ）の沸点よりも高い温度である。その後、制御装置３は、ヒータ移動装置３６によって赤外線ヒータ３２を退避位置から処理位置に移動させる。制御装置３は、赤外線ヒータ３２が基板Ｗの上方に配置された後、基板Ｗの上面に対する赤外線の照射位置が中央部および外周部の一方から他方に移動するように、ヒータ移動装置３６によって赤外線ヒータ３２を水平に移動させる。制御装置３は、赤外線ヒータ３２による基板Ｗの加熱が所定時間に亘って行われた後、赤外線ヒータ３２を基板Ｗの上方から退避させる。その後、制御装置３は、赤外線ヒータ３２の発光を停止させる。赤外線ヒータ３２の発光および移動は、同時に開始されてもよいし、別々の時期に開始されてもよい。

このように、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上面に対する赤外線の照射位置を中央部および外周部の一方から他方に移動させるので、基板Ｗが均一に加熱される。したがって、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜も均一に加熱される。赤外線ヒータ３２による基板Ｗの加熱温度は、ＳＰＭのその濃度における沸点以上の温度に設定されている。したがって、基板Ｗ上のＳＰＭが、その濃度における沸点まで加熱される。特に、赤外線ヒータ３２による基板Ｗの加熱温度が、ＳＰＭのその濃度における沸点よりも高温に設定されている場合には、基板ＷとＳＰＭとの界面の温度が、沸点よりも高温に維持され、基板Ｗからの異物の除去が促進される。

次に、基板Ｗ上のＳＰＭを排出する第１薬液排出工程（図５のステップＳ５）が行われる。
具体的には、制御装置３は、スピンチャック５を制御することにより、基板Ｗへの液体の供給が停止されている状態で、パドル工程での基板Ｗの回転速度よりも大きい回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、パドル工程のときよりも大きな遠心力が基板Ｗ上のＳＰＭに加わり、基板Ｗ上のＳＰＭが基板Ｗの周囲に振り切られる。そのため、殆ど全てのＳＰＭが基板Ｗ上から排出される。また、基板Ｗの周囲に飛散したＳＰＭは、カップ８によって受け止められ、カップ８を介して回収装置または排液装置に案内される。

次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗに供給する第１リンス液供給工程（図５のステップＳ６）が行われる。
具体的には、制御装置３は、第３ノズル移動装置３１を制御することにより、リンス液ノズル２７を退避位置から処理位置に移動させる。制御装置３は、リンス液ノズル２７が基板Ｗの上方に配置された後、リンス液バルブ２９を開いて、回転状態の基板Ｗの上面に向けてリンス液ノズル２７に純水を吐出させる。これにより、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜が形成され、基板Ｗに残留しているＳＰＭが純水によって洗い流される。そして、リンス液バルブ２９が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ２９を閉じて純水の吐出を停止させる。その後、制御装置３は、第３ノズル移動装置３１を制御することにより、リンス液ノズル２７を基板Ｗの上方から退避させる。純水の供給中に基板Ｗが帯電したとしても、基板Ｗの電荷は、基板Ｗに接する導電部材４１を介して除去される。

次に、第２薬液の一例であるＳＣ１を基板Ｗに供給する第２薬液供給工程（図５のステップＳ７）が行われる。
具体的には、制御装置３は、第２ノズル移動装置２６を制御することにより、第２薬液ノズル２２を退避位置から処理位置に移動させる。制御装置３は、第２薬液ノズル２２が基板Ｗの上方に配置された後、第２薬液バルブ２４を開いて、回転状態の基板Ｗの上面に向けてＳＣ１を第２薬液ノズル２２に吐出させる。制御装置３は、この状態で第２ノズル移動装置２６を制御することにより、基板Ｗの上面に対するＳＣ１の着液位置を中央部と外周部との間で移動させる。そして、第２薬液バルブ２４が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、第２薬液バルブ２４を閉じてＳＣ１の吐出を停止させる。その後、制御装置３は、第２ノズル移動装置２６を制御することにより、第２薬液ノズル２２を基板Ｗの上方から退避させる。

第２薬液ノズル２２から吐出されたＳＣ１は、基板Ｗの上面に着液した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。そのため、基板Ｗ上の純水は、ＳＣ１によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。これにより、基板Ｗ上の純水の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆うＳＣ１の液膜に置換される。さらに、制御装置３は、基板Ｗが回転している状態で、基板Ｗの上面に対するＳＣ１の着液位置を中央部と外周部との間で移動させるので、ＳＣ１の着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査される。そのため、第２薬液ノズル２２から吐出されたＳＣ１が、基板Ｗの上面全域に直接吹き付けられ、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。

次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗに供給する第２リンス液供給工程（図５のステップＳ８）が行われる。
具体的には、制御装置３は、第３ノズル移動装置３１を制御することにより、リンス液ノズル２７を退避位置から処理位置に移動させる。制御装置３は、リンス液ノズル２７が基板Ｗの上方に配置された後、リンス液バルブ２９を開いて、回転状態の基板Ｗの上面に向けてリンス液ノズル２７に純水を吐出させる。これにより、基板Ｗ上のＳＣ１が、純水によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。そのため、基板Ｗ上のＳＣ１の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜に置換される。そして、リンス液バルブ２９が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ２９を閉じて純水の吐出を停止させる。その後、制御装置３は、第３ノズル移動装置３１を制御することにより、リンス液ノズル２７を基板Ｗの上方から退避させる。

次に、基板Ｗを乾燥させる乾燥工程（図５のステップＳ９）が行われる。
具体的には、制御装置３は、スピンチャック５に基板Ｗの回転を加速させて、第１薬液供給工程から第２リンス液供給工程までの回転速度よりも大きい高回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。そして、基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１６を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる。基板Ｗの高速回転中に空気と基板Ｗとの摩擦によって基板Ｗが帯電したとしても、基板Ｗの電荷は、基板Ｗに接する導電部材４１を介して除去される。

次に、基板Ｗをチャンバ４内から搬出する搬出工程（図５のステップＳ１０）が行われる。
具体的には、制御装置３は、各可動チャック１３ａを閉位置から開位置に移動させて、スピンチャック５による基板Ｗの把持を解除させる。その後、制御装置３は、全てのノズルがスピンチャック５の上方から退避している状態で、搬送ロボットのハンドをチャンバ４内に進入させる。そして、制御装置３は、搬送ロボットのハンドにスピンチャック５上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置３は、搬送ロボットのハンドをチャンバ４内から退避させる。これにより、処理済みの基板Ｗがチャンバ４から搬出される。

以上のように本実施形態では、チャック部材１３の芯材４０が締結部材４３によって支持部材５９に締結されており、チャック部材１３の導電性部材４１が芯材４０に支持されている。チャック開閉機構１４が複数のチャック部材１３を閉状態に切り替えると、導電性部材４１の基板接触部７１が基板Ｗの外周部に押し付けられ、基板Ｗが水平な姿勢で保持される。このとき、基板Ｗは、基板接触部７１から締結部材４３に延びる接地経路９５を介して接地される。これにより、基板Ｗの帯電を防止できる。さらに、チャック部材１３の通電部材４４が芯材４０を迂回する接地経路９５の一部を形成しているので、芯材４０に導電性を持たせる必要がない。そのため、芯材４０の材料の自由度を高めることができる。

本実施形態では、導電性部材４１の一部である露出部が、基板Ｗよりも上方の位置および基板Ｗの外縁のまわりの位置の少なくとも一方に配置される。そのため、露出部は、平面視で基板Ｗに覆われない。チャックカバー４２は、平面視で露出部を覆っている。これにより、露出部が赤外線ヒータ３２から保護される。さらに、露出部以外の導電性部材４１の一部は、平面視で基板Ｗに覆われる。そのため、導電性部材４１の大部分を赤外線ヒータ３２から保護できる。

本実施形態では、導電性部材４１の露出部の全域が平面視でチャックカバー４２に覆われる。そのため、露出部の全域が赤外線ヒータ３２から保護される。前述のように、露出部以外の導電性部材４１の一部は、平面視で基板Ｗに覆われる。そのため、導電性部材４１の全体を赤外線ヒータ３２から保護でき、加熱によるチャック部材１３の変形を防止できる。

本実施形態では、芯材４０全体の軟化温度が導電性部材４１全体の軟化温度よりも高いので、チャック部材１３全体の耐熱性を高めることができる。したがって、赤外線ヒータ３２が基板Ｗの上方で発熱する加熱時間を延ばしたとしても、チャック部材１３の変形を抑制または防止できる。これにより、チャック部材１３の耐久性を高めることができ、長期に亘って基板Ｗを確実に保持できる。

本実施形態では、上側対向部の一例である通電部材４４の下面９１ａが、チャックカバー４２の上に配置されており、下側対向部の一例であるチャックカバー４２のフック部８８が、芯材４０の下に配置されている。芯材４０に対する上方向へのチャックカバー４２の移動は、上側対向部とチャックカバー４２との接触によって規制される。さらに、この移動は、下側対向部と芯材４０との接触によって規制される。そのため、接着や圧入等の固定方法でチャックカバー４２を芯材４０に固定しなくても、チャックカバー４２の浮き上がりを防止できる。

本実施形態では、本体４５およびワッシャー４６を含む被コーティング部材の外面全域が、芯材４０のコーティング層４７で覆われている。したがって、パーティクルを発生し易い焼結材料で被コーティング部材を形成したとしても、パーティクルを芯材４０の内部に止めることができる。さらに、金属で被コーティング部材を形成したとしても、薬液などの処理液が被コーティング部材に付着しない。したがって、焼結材料や金属を被コーティング部材の材料として用いることができ、芯材４０の材料の自由度をさらに高めることができる。

本実施形態では、締結部材４３が、芯材４０を上下方向に貫通する締結部材挿入穴５１に挿入されている。通電部材４４は、締結部材４３の上方に配置されている。したがって、通電部材４４を締結部材４３の近くに配置することができ、通電部材４４を締結部材４３に電気的に接続することができる。さらに、通電部材４４が締結部材挿入穴５１を塞いでいるので、締結部材挿入穴５１内の締結部材４３を処理液や処理ガスなどの処理流体から保護できる。

本実施形態では、導電性部材４１が、締結部材挿入穴５１から上方に延びるキャップ挿入穴７６を形成している。通電部材４４は、締結部材挿入穴５１だけでなく、キャップ挿入穴７６にも挿入されている。したがって、通電部材４４を導電性部材４１の近くに配置することができ、通電部材４４を導電性部材４１に電気的に接続することができる。
本実施形態では、芯材４０の締結部材挿入穴５１が通電部材４４によって塞がれているだけでなく、通電部材４４のまわりの隙間が、締結部材挿入穴５１の中心線を取り囲む環状のシール部材９４によって密閉されている。これにより、処理液や処理ガスなどの処理流体が締結部材挿入穴５１内に進入することを確実に防止でき、締結部材挿入穴５１内の締結部材４３を処理流体から確実に保護できる。

本実施形態では、締結部材４３の頭部５６が、通電部材４４に形成された差込穴９３に挿入されている。頭部５６の外周面は、差込穴９３の内周面に接触する。これにより、締結部材４３および通電部材４４を確実に電気的に接続することができる。
本実施形態では、締結部材４３の頭部５６が、通電部材４４に形成された差込穴９３に挿入されており、差込穴９３に設けられた雌ネジと頭部５６に設けられた雄ネジとが、通電部材４４および締結部材４３を互いに連結している。したがって、締結部材４３および通電部材４４が接触した状態を確実に維持できる。

他の実施形態
本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前述の実施形態では、チャックカバー４２が平面視で導電性部材４１の露出部の全域を覆っている場合について説明したが、チャックカバー４２は、露出部の一部だけを平面視で覆っていてもよい。チャックカバー４２を省略してもよい。

芯材４０全体の軟化温度は、導電性部材４１全体の軟化温度と等しくてもよいし、導電性部材４１全体の軟化温度より低くてもよい。同様に、芯材４０全体の強度は、導電性部材４１全体の強度と等しくてもよいし、導電性部材４１全体の強度より低くてもよい。
導電性部材４１に対するチャックカバー４２の浮き上がりを防止できるのであれば、通電部材４４の上側対向部（下面９１ａ）およびチャックカバー４２の下側対向部（フック部８８）の少なくとも一方を省略してもよい。

芯材４０の被コーティング部材の外面全域がコーティング層４７で覆われている場合について説明したが、薬液による腐食やパーティクルによる基板Ｗの汚染が問題ないのであれば、コーティング層４７の一部または全部が省略されてもよい。
締結部材４３の頭部５６に設けられた雄ネジが、通電部材４４の差込穴９３の内周面に設けられた雌ネジに取り付けられている場合について説明したが、雄ネジおよび雌ネジが省略されていてもよい。すなわち、締結部材４３の頭部５６が通電部材４４の差込穴９３に挿入されていればよい。

通電部材４４のまわりの隙間をシール部材９４で密閉する場合について説明したが、締結部材挿入穴５１への処理流体の進入を防止できるのであれば、シール部材９４を省略してもよい。
前述の実施形態では、基板Ｗおよび処理液の少なくとも一方を加熱する熱源が、赤外線ランプ３３を含む赤外線ヒータ３２である場合について説明したが、通電により発熱する電熱線を含む抵抗ヒータや、室温よりも高温の熱風を吹き出す送風機が、熱源として用いられてもよい。熱源を省略してもよい。

前述の実施形態では、赤外線ヒータ３２の発光が停止された状態で、乾燥工程が行われる場合について説明したが、制御装置３は、乾燥工程と並行して、赤外線ヒータ３２に基板Ｗと基板Ｗ上の液体とを加熱させてもよい。この場合、制御装置３は、基板Ｗの上面に対する光の照射位置が基板Ｗの上面内で移動するように赤外線ヒータ３２を移動させてもよいし、赤外線ヒータ３２を静止させた状態で赤外線ヒータ３２を発光させてもよい。いずれの場合でも、基板Ｗおよび液体の加熱によって、液体の蒸発が促進されるので、基板Ｗが乾燥するまでの時間を短縮できる。

前述の実施形態では、第１薬液ノズル１７、第２薬液ノズル２２、およびリンス液ノズル２７が、別々のアームに取り付けられている場合について説明したが、第１薬液ノズル１７、第２薬液ノズル２２、およびリンス液ノズル２７のうちの二つ以上が、共通のアームに取り付けられていてもよい。赤外線ヒータ３２は、第１薬液ノズル１７、第２薬液ノズル２２、およびリンス液ノズル２７の少なくとも一つを保持するアームに取り付けられていてもよい。

前述の実施形態では、ＳＰＭの液膜を基板Ｗ上に保持するパドル工程と、基板Ｗ上のＳＰＭを排出する第１薬液排出工程とが行われる場合について説明したが、パドル工程および第１薬液排出工程の一方または両方が省略されてもよい。パドル工程が省略される場合、赤外線ヒータ３２で基板Ｗおよび液体を加熱する加熱工程は、第１薬液供給工程と並行して行われる。

前述の実施形態では、可動チャック１３ａが鉛直なチャック回動軸線Ａ２まわりに回動する場合について説明したが、可動チャック１３ａの移動は、鉛直線まわりの回動に限らず、水平線まわりの回動であってもよいし、直線移動であってもよい。
前述の実施形態では、基板処理装置１が、円板状の基板Ｗを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板Ｗを処理する装置であってもよい。

前述の全ての構成の二つ以上が組み合わされてもよい。前述の全ての工程の二つ以上が組み合わされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

１ ：基板処理装置
１３ ：チャック部材
１３ａ ：可動チャック
１３ｂ ：固定チャック
１４ ：チャック開閉機構
３２ ：赤外線ヒータ
４０ ：芯材
４１ ：導電性部材
４２ ：チャックカバー
４３ ：締結部材
４４ ：通電部材
４５ ：本体
４６ ：ワッシャー
４７ ：コーティング層
５１ ：締結部材挿入穴
５６ ：締結部材の頭部
５９ ：支持部材
７１ ：基板接触部
７６ ：キャップ挿入穴
８８ ：フック部（下側対向部）
９１ａ ：カバー部の下面（上側対向部）
９２ ：挿入部
９３ ：差込穴
９４ ：シール部材
９５ ：接地経路
Ｗ ：基板

Claims (13)

1. 基板を水平に挟むことにより水平な姿勢で保持する複数のチャック部材と、
   前記チャック部材を支持する支持部材と、
   前記チャック部材を前記支持部材に締結する締結部材と、
   前記複数のチャック部材が前記基板の外周部に押し付けられる閉状態と、前記基板に対する前記複数のチャック部材の押付が解除される開状態と、の間で前記複数のチャック部材を切り替えるチャック開閉機構とを備え、
   前記複数のチャック部材の少なくとも一つは、
   前記基板の外周部に押し付けられる基板接触部を含み、導電性を有する導電性部材と、
   前記導電性部材に接して当該導電性部材を支持しており、前記締結部材によって前記支持部材に締結された芯材と、
   前記芯材を通らずに前記基板接触部から前記締結部材に延びる接地経路の一部を形成しており、前記接地経路を介して前記基板を接地する通電部材とを含み、
   前記導電性部材は、前記芯材のまわりに配置された筒状の周壁部を含み、
   前記通電部材は、前記導電部材よりも上方に配置されたカバー部を含む、基板処理装置。
2. 前記基板処理装置は、前記複数のチャック部材に保持されている前記基板の上方に配置される熱源をさらに備え、
   前記導電性部材は、前記複数のチャック部材が前記基板の外周部に押し付けられているときに平面視で前記基板に覆われない露出部を含み、
   前記複数のチャック部材の少なくとも一つは、前記導電性部材に取り付けられており、平面視で前記露出部を覆うチャックカバーをさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記チャックカバーは、平面視で前記露出部の全域を覆っている、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記芯材は、前記導電性部材よりも軟化温度が高い、請求項２または３に記載の基板処理装置。
5. 基板を水平に挟むことにより水平な姿勢で保持する複数のチャック部材と、
   前記チャック部材を支持する支持部材と、
   前記チャック部材を前記支持部材に締結する締結部材と、
   前記複数のチャック部材が前記基板の外周部に押し付けられる閉状態と、前記基板に対する前記複数のチャック部材の押付が解除される開状態と、の間で前記複数のチャック部材を切り替えるチャック開閉機構と、
   前記複数のチャック部材に保持されている前記基板の上方に配置される熱源とを備え、
   前記複数のチャック部材の少なくとも一つは、
   前記基板の外周部に押し付けられる基板接触部を含み、導電性を有する導電性部材と、
   前記導電性部材を支持しており、前記締結部材によって前記支持部材に締結された芯材と、
   前記芯材を通らずに前記基板接触部から前記締結部材に延びる接地経路の一部を形成しており、前記接地経路を介して前記基板を接地する通電部材とを含み、
   前記導電性部材は、前記複数のチャック部材が前記基板の外周部に押し付けられているときに平面視で前記基板に覆われない露出部を含み、
   前記複数のチャック部材の少なくとも一つは、前記導電性部材に取り付けられており、平面視で前記露出部を覆うチャックカバーをさらに含み、
   前記通電部材は、前記チャックカバーの上から前記チャックカバーに対向する上側対向部を含み、
   前記チャックカバーは、前記芯材の下から前記芯材に対向する下側対向部を含む、基板処理装置。
6. 前記芯材は、樹脂で形成されたコーティング層と、前記コーティング層によって外面全域が覆われた被コーティング部材とを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 前記芯材は、前記芯材を上下方向に貫通する締結部材挿入穴を形成しており、
   前記通電部材は、前記締結部材挿入穴に挿入された前記締結部材の上方に配置されており、前記締結部材挿入穴を塞いでいる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 基板を水平に挟むことにより水平な姿勢で保持する複数のチャック部材と、
   前記チャック部材を支持する支持部材と、
   前記チャック部材を前記支持部材に締結する締結部材と、
   前記複数のチャック部材が前記基板の外周部に押し付けられる閉状態と、前記基板に対する前記複数のチャック部材の押付が解除される開状態と、の間で前記複数のチャック部材を切り替えるチャック開閉機構とを備え、
   前記複数のチャック部材の少なくとも一つは、
   前記基板の外周部に押し付けられる基板接触部を含み、導電性を有する導電性部材と、
   前記導電性部材を支持しており、前記締結部材によって前記支持部材に締結された芯材と、
   前記芯材を通らずに前記基板接触部から前記締結部材に延びる接地経路の一部を形成しており、前記接地経路を介して前記基板を接地する通電部材とを含み、
   前記芯材は、前記芯材を上下方向に貫通する締結部材挿入穴を形成しており、
   前記通電部材は、前記締結部材挿入穴に挿入された前記締結部材の上方に配置されており、前記締結部材挿入穴を塞いでおり、
   前記導電性部材は、前記締結部材挿入穴から上方に延びるキャップ挿入穴を形成しており、
   前記通電部材は、前記締結部材挿入穴およびキャップ挿入穴の両方に挿入されている、基板処理装置。
9. 前記複数のチャック部材の少なくとも一つは、前記締結部材挿入穴の中心線を取り囲んでおり、前記通電部材のまわりの隙間を密閉する環状のシール部材をさらに含む、請求項７または８に記載の基板処理装置。
10. 前記通電部材は、上方に凹んだ差込穴を形成しており、
    前記締結部材は、前記差込穴に挿入された頭部を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
11. 前記通電部材は、前記差込穴に設けられた雌ネジと前記頭部に設けられた雄ネジとによって前記締結部材に連結されている、請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 円板状のスピンベースと、
    前記スピンベースの上面外周部に設けられ、基板を水平に挟むことにより水平な姿勢で保持する複数のチャック部材と、
    前記チャック部材を支持する支持部材と、
    前記チャック部材を前記支持部材に締結する締結部材と、
    前記複数のチャック部材が前記基板の外周部に押し付けられる閉状態と、前記基板に対する前記複数のチャック部材の押付が解除される開状態と、の間で前記複数のチャック部材を切り替えるチャック開閉機構とを備え、
    前記複数のチャック部材の少なくとも一つは、
    前記基板の外周部に押し付けられる基板接触部を含み、導電性を有する導電性部材と、
    前記スピンベースの上面外周部に配置され、前記導電性部材を支持しており、前記締結部材によって前記支持部材に締結された芯材と、
    前記芯材を通らずに前記基板接触部から前記締結部材に延びる接地経路の一部を形成しており、前記接地経路を介して前記基板を接地する通電部材とを含む、基板処理装置。
13. 前記芯材は、前記締結部材が挿入された土台部と、前記土台部から上方に突出する突出部とを含み、前記導電性部材よりも電気抵抗率が高く、
    前記基板接触部は、前記突出部を取り囲んでいる、請求項１２に記載の基板処理装置。

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