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JP6693763B2 - Substrate transfer device, electronic component mounter, production line - Google Patents
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JP6693763B2 - Substrate transfer device, electronic component mounter, production line - Google Patents

Substrate transfer device, electronic component mounter, production line Download PDF

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  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)

Description

本発明は、基板を搬送する基板搬送装置、当該基板搬送装置を備える電子部品実装機、当該基板搬送装置を備える生産ラインに関する。   The present invention relates to a board transfer device that transfers a board, an electronic component mounter that includes the board transfer device, and a production line that includes the board transfer device.

特許文献1に開示されている電子部品実装装置の基板搬送ユニットの上側には、イオナイザが配置されている。搬送される基板に帯電した電荷量が多い場合、基板搬送ユニットは、イオナイザ通過時の基板の搬送速度を遅くする。このため、基板の電荷量が多い場合であっても、充分に基板を除電することができる。   An ionizer is arranged on the upper side of the substrate transfer unit of the electronic component mounting apparatus disclosed in Patent Document 1. When the amount of charges charged on the substrate to be transported is large, the substrate transport unit slows down the transport speed of the substrate when passing through the ionizer. Therefore, even when the charge amount of the substrate is large, the charge of the substrate can be sufficiently removed.

特開2006−86338号公報JP, 2006-86338, A

しかしながら、同文献の電子部品実装機によると、充分に基板を除電するために、基板の搬送速度を遅くする必要がある。このため、基板の生産性が低下する。そこで、本発明は、基板を除電可能であって生産性が低下しにくい基板搬送装置、電子部品実装機、生産ラインを提供することを目的とする。   However, according to the electronic component mounter of the same document, it is necessary to reduce the transfer speed of the substrate in order to sufficiently eliminate the charge on the substrate. Therefore, the productivity of the substrate is reduced. Therefore, it is an object of the present invention to provide a substrate transfer device, an electronic component mounting machine, and a production line capable of removing electricity from a substrate and less likely to reduce productivity.

上記課題を解決するため、本発明の基板搬送装置は、上流側から下流側に向かって基板を搬送すると共に、除電区間を有する搬送路と、前記除電区間において、前記基板を除電するイオナイザと、前記除電区間において、搬送中の前記基板に対向して配置される導体板と、前記除電区間において、前記基板から離れる方向に前記導体板を駆動することにより、前記基板と前記導体板との間の距離である電極間距離を拡大可能な導体板駆動部と、を備えることを特徴とする。なお、配線パターン、はんだ部、電子部品などの部材が基板に配置されている場合、「基板」は、当該部材を含む概念である。   In order to solve the above problems, the substrate transfer apparatus of the present invention transfers a substrate from the upstream side to the downstream side, and has a transfer path having a static elimination section, and an ionizer for static elimination of the substrate in the static elimination section, Between the substrate and the conductor plate, by driving the conductor plate in the static elimination section so as to face the substrate being conveyed and in the static elimination section in a direction away from the substrate. And a conductor plate drive unit capable of increasing the inter-electrode distance, which is the distance of 1. In addition, when a member such as a wiring pattern, a solder portion, and an electronic component is arranged on the substrate, the “substrate” is a concept including the member.

また、上記課題を解決するため、本発明の電子部品実装機は、上記基板搬送装置を備えることを特徴とする。また、上記課題を解決するため、本発明の生産ラインは、上記基板搬送装置を備えることを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned subject, an electronic component mounting machine of the present invention is characterized by including the above-mentioned board transportation device. Moreover, in order to solve the above-mentioned subject, the production line of the present invention is characterized by including the above-mentioned substrate transportation device.

基板と導体板とを各々電極とみなす場合、基板と導体板との間には、コンデンサが形成される。なお、誘電体は、基板と導体板との間の介在物(例えば空気など)である。真空の誘電率をε0、誘電体の比誘電率をεγ、電極面積をS、電極間距離をdとして、当該コンデンサの静電容量Cは、以下の式(1)から導出される。
C=ε0・εγ・S/d ・・・式(1)
また、コンデンサの電荷(基板に帯電した電荷)をQとして、電極間の電位差Vは、以下の式(2)から導出される。
V=Q/C={(Q/(ε0・εγ・S)}・d ・・・式(2)
ここで、ε0、εγ、Sは、各々定数である。また、電荷Qは一定である。このため、{(Q/(ε0・εγ・S)}をまとめて定数Kとすると、式(2)から式(3)が成立する。
V=K・d ・・・式(3)
式(3)から、電極間距離dを拡大することにより、電位差V(導体板を基準とした場合の基板の見かけの電位V)を上げることができる。
When the substrate and the conductor plate are regarded as electrodes, a capacitor is formed between the substrate and the conductor plate. The dielectric is an inclusion (for example, air) between the substrate and the conductor plate. The capacitance C of the capacitor is derived from the following equation (1), where ε0 is the dielectric constant of vacuum, εγ is the relative dielectric constant of the dielectric, S is the electrode area, and d is the distance between the electrodes.
C = ε0 · εγ · S / d Equation (1)
Further, the potential difference V between the electrodes is derived from the following equation (2), where Q is the charge of the capacitor (charge charged on the substrate).
V = Q / C = {(Q / (ε0 · εγ · S)} · d (2)
Here, ε0, εγ, and S are constants. Further, the charge Q is constant. Therefore, if {(Q / (ε0 · εγ · S)} is put together into a constant K, Equations (2) to (3) are established.
V = K · d Equation (3)
From the formula (3), the potential difference V (apparent potential V of the substrate when the conductor plate is the reference) can be increased by increasing the inter-electrode distance d.

一方、基板の電位が高い(詳しくは、電位の絶対値が大きい)ほど、イオナイザから供給される、逆極性のイオンが引きつけられやすい。このため、基板の電位が高いほど、除電速度が速い。一方、基板の電位が低い(詳しくは、電位の絶対値が小さい)ほど、除電が飽和しやすい。このため、基板の電位が低いほど、除電速度が遅い。   On the other hand, the higher the potential of the substrate (specifically, the larger the absolute value of the potential), the more easily the ions of opposite polarity supplied from the ionizer are attracted. Therefore, the higher the potential of the substrate, the faster the charge removal rate. On the other hand, the lower the electric potential of the substrate (specifically, the smaller the absolute value of the electric potential), the more easily the static elimination is saturated. Therefore, the lower the potential of the substrate, the slower the charge removal speed.

この点、本発明の基板搬送装置によると、除電区間において、導体板駆動部が、導体板を、基板から離れる方向に、動かすことができる。すなわち、除電区間において、電極間距離を拡大することができる。このため、基板の見かけの電位を上げることができる。したがって、イオナイザによる基板の除電速度を速くすることができる。このように、本発明の基板搬送装置によると、基板の除電速度を速くすることができる。   In this respect, according to the substrate transfer device of the present invention, the conductor plate driving unit can move the conductor plate in the direction away from the substrate in the static elimination section. That is, the distance between the electrodes can be increased in the static elimination section. Therefore, the apparent potential of the substrate can be increased. Therefore, the charge removal rate of the substrate by the ionizer can be increased. As described above, according to the substrate transfer apparatus of the present invention, the charge removal rate of the substrate can be increased.

例えば、除電区間の所定の位置において、基板を停止させた状態で電極間距離を拡大することにより、基板の除電速度を速くすることができる。また、除電区間の所定の区間において、基板を搬送しながら電極間距離を拡大することにより、基板の除電速度を速くすることができる。このため、基板が除電区間の通過に要する時間、つまり基板の除電時間を、短縮することができる。したがって、基板の生産性が低下しにくい。   For example, at a predetermined position in the static elimination section, the static elimination speed of the substrate can be increased by increasing the distance between the electrodes while the substrate is stopped. Further, in a predetermined section of the static elimination section, by increasing the inter-electrode distance while transporting the substrate, the static elimination rate of the substrate can be increased. For this reason, the time required for the substrate to pass through the static elimination section, that is, the static elimination time of the substrate can be shortened. Therefore, the productivity of the substrate does not easily decrease.

また、本発明の電子部品実装機によると、電子部品実装前および電子部品実装後のうち、少なくとも一方の基板を、除電することができる。また、本発明の生産ラインによると、生産ラインの所望の位置で、基板を除電することができる。   Further, according to the electronic component mounter of the present invention, at least one of the substrates before and after mounting the electronic component can be neutralized. Further, according to the production line of the present invention, it is possible to eliminate the charge on the substrate at a desired position on the production line.

本発明の生産ラインの一実施形態である生産ラインの模式図である。It is a schematic diagram of the production line which is one embodiment of the production line of the present invention. 本発明の電子部品実装機の一実施形態である電子部品実装機の模式図である。It is a schematic diagram of the electronic component mounting machine which is one Embodiment of the electronic component mounting machine of this invention. 基板の除電方法における導体板の高さおよび基板の電位の時間変化の模式図である。It is a schematic diagram of the height of the conductor plate and the time change of the electric potential of the substrate in the static elimination method of the substrate. (a)は、図3の時刻T0における除電区間の模式図である。(b)は、図3の時刻T1における除電区間の模式図である。(c)は、図3の時刻T2〜時刻T3における除電区間の模式図である。(d)は、図3の時刻T4における除電区間の模式図である。(A) is a schematic diagram of the static elimination area in time T0 of FIG. (B) is a schematic diagram of the static elimination area at time T1 in FIG. (C) is a schematic diagram of a static elimination section from time T2 to time T3 in FIG. 3. (D) is a schematic diagram of the static elimination area at time T4 in FIG. 3. (a)は、その他の実施形態(その1)の基板搬送装置の除電区間の模式図である。(b)は、その他の実施形態(その2)の基板搬送装置の除電区間の模式図である。(A) is a schematic diagram of the static elimination area of the board | substrate conveyance apparatus of other embodiment (the 1). (B) is a schematic diagram of the static elimination area of the board | substrate conveyance apparatus of other embodiment (the 2).

以下、本発明の基板搬送装置、電子部品実装機、生産ラインの実施の形態について説明する。   Hereinafter, an embodiment of a board conveyance device, an electronic parts mounting machine, and a production line of the present invention is described.

<生産ラインの構成>
まず、本実施形態の生産ラインの構成について説明する。図1に、本実施形態の生産ラインの模式図を示す。図1に示すように、生産ライン9は、左側(搬送方向上流側)から右側(搬送方向下流側)に向かって、はんだ印刷機90と、はんだ印刷検査機91と、複数の電子部品実装機1と、リフロー炉92と、基板外観検査機93と、を備えている。
<Production line configuration>
First, the configuration of the production line of this embodiment will be described. FIG. 1 shows a schematic diagram of the production line of this embodiment. As shown in FIG. 1, the production line 9 includes a solder printing machine 90, a solder printing inspection machine 91, and a plurality of electronic component mounting machines from the left side (upstream side in the transport direction) to the right side (downstream side in the transport direction). 1, a reflow furnace 92, and a board appearance inspection machine 93.

図2に、本実施形態の電子部品実装機の模式図を示す。なお、複数の電子部品実装機1の構成は同様である。図2に示すように、電子部品実装機1は、制御装置3と、装着ヘッド4と、基板搬送装置5と、を備えている。   FIG. 2 shows a schematic diagram of the electronic component mounter of this embodiment. The configurations of the plurality of electronic component mounters 1 are the same. As shown in FIG. 2, the electronic component mounting machine 1 includes a control device 3, a mounting head 4, and a substrate transfer device 5.

装着ヘッド4は、ヘッド本体40と、吸着ノズル41と、を備えている。ヘッド本体40は、ロボット(図略)により、前後左右方向(水平方向)に移動可能である。吸着ノズル41は、ヘッド本体40に対して、下側に突出可能である。吸着ノズル41は、電子部品Pを、基板Bに装着可能である。なお、基板Bには、図示しない配線パターン、はんだ部、電子部品Pが配置されている。   The mounting head 4 includes a head body 40 and a suction nozzle 41. The head body 40 can be moved in the front-rear, left-right direction (horizontal direction) by a robot (not shown). The suction nozzle 41 can project downward from the head body 40. The suction nozzle 41 can mount the electronic component P on the substrate B. A wiring pattern, a solder portion, and an electronic component P (not shown) are arranged on the board B.

基板搬送装置5は、搬送路50と、イオナイザ51と、導体板52と、導体板駆動部53と、複数の電位センサ54a、54bと、を備えている。搬送路50は、ベルトコンベアである。搬送路50は、モータ500により、回転駆動される。搬送路50は、左側から右側に向かって基板Bを搬送可能である。搬送路50は、除電区間Lを備えている。除電区間Lの始点L0は、基板Bに電子部品Pを装着する、装着位置E1の下流側に配置されている。除電区間Lの終点L1は、電子部品実装機1から基板Bを払い出す、搬出位置E2に配置されている。   The substrate transfer device 5 includes a transfer path 50, an ionizer 51, a conductor plate 52, a conductor plate drive unit 53, and a plurality of potential sensors 54a and 54b. The transport path 50 is a belt conveyor. The transport path 50 is rotationally driven by the motor 500. The transfer path 50 can transfer the substrate B from the left side to the right side. The transport path 50 includes a static elimination section L. The starting point L0 of the static elimination section L is arranged on the downstream side of the mounting position E1 where the electronic component P is mounted on the board B. The end point L1 of the static elimination section L is arranged at the carry-out position E2 where the board B is paid out from the electronic component mounter 1.

イオナイザ51は、除電区間Lを搬送中の基板Bに帯電した電荷を、イオンにより中和可能である。つまり、基板Bを除電可能である。イオナイザ51は、複数のノズル510と、イオン発生装置511と、を備えている。イオン発生装置511は、図示しない交流電源と、放電針と、を備えている。イオン発生装置511は、放電針に交流電圧を印加してコロナ放電させることにより、イオン(プラスイオン、マイナスイオン)を発生させることができる。複数のノズル510は、除電区間Lの上側および下側に、上下二段に配置されている。複数のノズル510は、イオン発生装置511に連通している。複数のノズル510は、除電区間Lを搬送中の基板Bの上下両面(表裏両面)に、イオン(中和ガス)を吹き付ける。   The ionizer 51 can neutralize the electric charge on the substrate B which is being conveyed in the charge elimination section L by ions. That is, the charge on the substrate B can be removed. The ionizer 51 includes a plurality of nozzles 510 and an ion generator 511. The ion generator 511 includes an AC power supply (not shown) and a discharge needle. The ion generator 511 can generate ions (positive ions, negative ions) by applying an AC voltage to the discharge needle to cause corona discharge. The plurality of nozzles 510 are arranged above and below the static elimination section L in two upper and lower stages. The plurality of nozzles 510 communicate with the ion generator 511. The plurality of nozzles 510 blows ions (neutralizing gas) onto both upper and lower surfaces (both front and back surfaces) of the substrate B that is being transported in the charge elimination section L.

導体板52は、金属製(導体製)であって、除電区間Lの下側に配置されている。導体板52は、除電区間Lを搬送中の基板Bに、下側から対向可能である。なお、上下二段の複数のノズル510のうち、下段の複数のノズル510は、導体板52に配置されている。   The conductor plate 52 is made of metal (made of a conductor) and is arranged below the static elimination section L. The conductor plate 52 can face the substrate B, which is being transported in the static elimination section L, from below. Note that among the plurality of upper and lower nozzles 510, the lower plurality of nozzles 510 are arranged on the conductor plate 52.

導体板駆動部53は、ボールねじ530と、モータ531と、を備えている。ボールねじ530のナットには、導体板52が取り付けられている。モータ531は、ボールねじ530のシャフトを軸周りに回転させる。モータ531は、シャフトを回転させることにより、ナットつまり導体板52を、下側(基板Bから離れる方向)または上側(基板Bに近づく方向)に、動かすことができる。このため、基板Bと導体板52との間の上下方向距離を変えることができる。ここで、基板Bと導体板52とを各々電極とみなす場合、基板Bと導体板52との間には、コンデンサが形成される。基板Bと導体板52との間の上下方向距離は、電極間距離dに相当する。   The conductor plate drive unit 53 includes a ball screw 530 and a motor 531. The conductor plate 52 is attached to the nut of the ball screw 530. The motor 531 rotates the shaft of the ball screw 530 around the axis. The motor 531 can move the nut, that is, the conductor plate 52, to the lower side (the direction away from the board B) or the upper side (the direction to approach the board B) by rotating the shaft. Therefore, the vertical distance between the substrate B and the conductor plate 52 can be changed. Here, when the substrate B and the conductor plate 52 are regarded as electrodes, respectively, a capacitor is formed between the substrate B and the conductor plate 52. The vertical distance between the substrate B and the conductor plate 52 corresponds to the inter-electrode distance d.

電位センサ54aは、除電区間Lの始点L0に配置されている。電位センサ54aは、始点L0において、基板Bの電位(導体板52を基準とした場合の基板Bの見かけの電位)を検出可能である。同様に、電位センサ54bは、除電区間Lの終点L1に配置されている。電位センサ54bは、終点L1において、基板Bの電位を検出可能である。   The potential sensor 54a is arranged at the starting point L0 of the static elimination section L. The potential sensor 54a can detect the potential of the substrate B (apparent potential of the substrate B when the conductor plate 52 is used as a reference) at the starting point L0. Similarly, the potential sensor 54b is arranged at the end point L1 of the static elimination section L. The potential sensor 54b can detect the potential of the substrate B at the end point L1.

制御装置3は、入出力インターフェイス30と、演算部31と、記憶部32と、を備えている。入出力インターフェイス30は、複数の電位センサ54a、54b、モータ500、531、イオン発生装置511、装着ヘッド4に、電気的に接続されている。   The control device 3 includes an input / output interface 30, a calculation unit 31, and a storage unit 32. The input / output interface 30 is electrically connected to the plurality of potential sensors 54a and 54b, the motors 500 and 531, the ion generator 511, and the mounting head 4.

<基板の除電方法の原理>
次に、本実施形態の生産ラインが実行する基板の除電方法の原理について説明する。後述する基板の除電方法においては、導体板52を下降させながら基板Bを除電している。図3に、基板の除電方法における導体板の高さおよび基板の電位の時間変化を模式的に示す。なお、導体板52の高さHは左側の縦軸に、基板Bの電位Vは右側の縦軸に、各々対応している。図4(a)に、図3の時刻T0における除電区間の模式図を示す。図4(b)に、図3の時刻T1における除電区間の模式図を示す。図4(c)に、図3の時刻T2〜時刻T3における除電区間の模式図を示す。図4(d)に、図3の時刻T4における除電区間の模式図を示す。
<Principle of static elimination method for substrate>
Next, the principle of the board static elimination method executed by the production line of this embodiment will be described. In the charge removal method for the substrate, which will be described later, the charge for the substrate B is removed while the conductor plate 52 is lowered. FIG. 3 schematically shows changes with time in the height of the conductor plate and the potential of the substrate in the method of removing static electricity from the substrate. The height H of the conductor plate 52 corresponds to the left vertical axis, and the potential V of the substrate B corresponds to the right vertical axis. FIG. 4A shows a schematic diagram of the static elimination section at time T0 in FIG. FIG. 4B shows a schematic diagram of the static elimination section at time T1 in FIG. FIG. 4C shows a schematic diagram of the static elimination section from time T2 to time T3 in FIG. FIG. 4D shows a schematic diagram of the static elimination section at time T4 in FIG.

図4(a)〜図4(d)に示すように、導体板52の高さHが低下すると、電極間距離dが拡大する。このため、前出の式(3)に示すように、基板Bの電位Vが高くなる。一方、基板Bの電位Vが高くなると、イオナイザ51の除電速度が速くなる。このため、基板Bの電位Vは下降しやすくなる。   As shown in FIGS. 4A to 4D, when the height H of the conductor plate 52 decreases, the inter-electrode distance d increases. Therefore, the potential V of the substrate B becomes high as shown in the above-mentioned formula (3). On the other hand, when the potential V of the substrate B increases, the charge removal speed of the ionizer 51 increases. Therefore, the potential V of the substrate B easily drops.

このように、導体板52を下降させながら基板Bを除電すると、下降開始直後は、基板Bに、主に、電極間距離dの拡大による電位上昇作用が働く(図3の時刻T0〜時刻T1、時刻T3〜時刻T4)。このため、基板Bの電位Vは上昇する。その後は、基板Bに、当該電位上昇作用と、除電速度の増速による電位下降作用と、が互いに相殺するように働く(図3の時刻T1〜時刻T2)。このため、基板Bの電位Vは、双方の作用の大小関係により、上昇、または下降する。あるいは、電位Vは、一定になる。下降停止後は、電位上昇作用が消えるため、基板Bに、主に、電位下降作用が働く(図3の時刻T2〜時刻T3、時刻T4〜時刻T5)。このため、基板Bの電位Vは下降する。   In this way, when the electric charge is removed from the substrate B while lowering the conductor plate 52, immediately after the start of the lowering, the potential increasing action acts on the substrate B mainly due to the increase in the inter-electrode distance d (time T0 to time T1 in FIG. 3). , Time T3 to time T4). Therefore, the potential V of the substrate B rises. After that, the action of increasing the potential and the action of decreasing the potential due to the increase in the charge removal speed act on the substrate B so as to cancel each other out (time T1 to time T2 in FIG. 3). For this reason, the potential V of the substrate B rises or falls depending on the magnitude relationship between the two actions. Alternatively, the potential V becomes constant. After the descent is stopped, the potential increasing action disappears, so that the potential decreasing action mainly acts on the substrate B (time T2 to time T3, time T4 to time T5 in FIG. 3). Therefore, the potential V of the substrate B drops.

<基板の除電方法>
次に、本実施形態の生産ラインが実行する基板の除電方法について説明する。図1、図2に示すように、生産ライン9を搬送される基板Bの配線パターンには、はんだ印刷機90において、はんだ部が印刷される。また、はんだ部には、複数の電子部品実装機1において、段階的に電子部品Pが装着される。はんだ印刷機90においては、基板Bからマスクを剥がす際に、基板Bが帯電する場合がある。また、電子部品実装機1においては、基板Bに電子部品Pを装着する際に、基板Bが帯電する場合がある。このため、基板外観検査機93において、検査用のニードルピンが電子部品Pに接触する際、電子部品Pに意図しない電流が流れてしまう。そこで、本実施形態の生産ライン9の除電区間Lにおいては、基板Bの除電が行われる。なお、除電区間Lは、右端(搬送方向下流端)の電子部品実装機1の基板搬送装置5に設定されている。
<How to remove static electricity from the substrate>
Next, a method of removing static electricity from a substrate, which is performed by the production line of this embodiment, will be described. As shown in FIGS. 1 and 2, a solder portion is printed on the wiring pattern of the board B conveyed on the production line 9 by the solder printer 90. Further, the electronic parts P are mounted on the solder part in stages in the plurality of electronic part mounters 1. In the solder printer 90, when the mask is removed from the board B, the board B may be charged. Further, in the electronic component mounter 1, when the electronic component P is mounted on the substrate B, the substrate B may be charged. For this reason, in the board appearance inspection machine 93, when the inspection needle pin contacts the electronic component P, an unintended current flows through the electronic component P. Therefore, the static elimination of the board B is performed in the static elimination section L of the production line 9 of the present embodiment. The static elimination section L is set in the board transfer device 5 of the electronic component mounting machine 1 at the right end (downstream end in the transfer direction).

以下に説明する基板Bの除電方法においては、前述の原理を利用して、制御装置3が、搬送中の基板Bの電位Vを制御しながら、当該基板Bの除電を自動的に行っている。図3に示すように、基板Bの除電方法は、第一下降ステップST1(時刻T0〜時刻T1)と、移動下降ステップST2(時刻T1〜時刻T2)と、第一放置ステップST3(時刻T2〜時刻T3)と、第二下降ステップST4(時刻T3〜時刻T4)と、第二放置ステップST5(時刻T4〜時刻T5)と、を有している。   In the static elimination method for the substrate B described below, the control device 3 automatically eliminates static electricity on the substrate B while controlling the potential V of the substrate B being conveyed by using the above-described principle. .. As shown in FIG. 3, the static elimination method for the substrate B is performed by a first descending step ST1 (time T0 to time T1), a moving and descending step ST2 (time T1 to time T2), and a first leaving step ST3 (time T2 to time T2). It has a time T3), a second descending step ST4 (time T3 to time T4), and a second leaving step ST5 (time T4 to time T5).

[第一下降ステップST1(時刻T0〜時刻T1)]
基板Bに対する電子部品Pの装着が終わると、図2に示す制御装置3は、まず、モータ500を介して、搬送路50を動かす。図4(a)に示すように、時刻T0に、基板Bは、装着位置E1から、除電区間Lの始点L0に到着する。制御装置3は、電位センサ54aにより、基板Bの電位を検出する。なお、イオナイザ51の複数のノズル510からは、常時、イオン(中和ガス)が噴射されている。このため、基板Bが始点L0に到着すると、除電が開始される。なお、導体板52の高さHは、除電方法において最も高度が高い、高さH0である。
[First descending step ST1 (time T0 to time T1)]
When the mounting of the electronic component P on the board B is completed, the control device 3 shown in FIG. 2 first moves the transport path 50 via the motor 500. As shown in FIG. 4A, at time T0, the board B arrives at the starting point L0 of the static elimination section L from the mounting position E1. The control device 3 detects the potential of the substrate B with the potential sensor 54a. Ions (neutralizing gas) are constantly ejected from the plurality of nozzles 510 of the ionizer 51. Therefore, when the board B arrives at the starting point L0, static elimination is started. The height H of the conductor plate 52 is the highest H0 in the static elimination method.

次に、図2に示す制御装置3は、電位センサ54aにより基板Bの電位をチェックしながら、導体板駆動部53を介して、導体板52を下降させる。なお、図4(a)、図4(b)に示すように、基板Bは、始点L0に停止したままである。   Next, the control device 3 shown in FIG. 2 lowers the conductor plate 52 via the conductor plate driving section 53 while checking the potential of the substrate B with the potential sensor 54a. As shown in FIGS. 4A and 4B, the substrate B remains stopped at the starting point L0.

図3、図4(b)に示すように、制御装置3は、基板Bの電位Vが管理上限値V0(管理上限値V0は、予め制御装置3の記憶部32に格納されている。)に到達するまで、導体板52を下降させる。すなわち、時刻T0〜時刻T1は、短時間である。このため、基板Bには、主に前記電位上昇作用が働く。したがって、基板Bの電位Vは、管理上限値V0まで上昇する。電位Vが管理上限値V0に到達した時刻が、時刻T1である。並びに、時刻T1における導体板52の高さHが、高さH1である。   As shown in FIGS. 3 and 4B, in the control device 3, the potential V of the substrate B is the management upper limit value V0 (the management upper limit value V0 is stored in the storage unit 32 of the control device 3 in advance). The conductor plate 52 is lowered until the temperature reaches. That is, time T0 to time T1 is a short time. Therefore, the potential increasing action mainly acts on the substrate B. Therefore, the potential V of the substrate B rises to the control upper limit value V0. The time when the potential V reaches the management upper limit value V0 is time T1. In addition, the height H of the conductor plate 52 at time T1 is the height H1.

[移動下降ステップST2(時刻T1〜時刻T2)]
続いて、図2に示す制御装置3は、導体板駆動部53により導体板52を下降させながら、モータ500を介して搬送路50を動かすことにより、基板Bを、除電区間Lの始点L0から終点L1まで搬送する。基板Bが終点L1に到達した時刻が、時刻T2である。並びに、時刻T2における導体板52の高さHが、高さH2である。
[Move down step ST2 (time T1 to time T2)]
Subsequently, the control device 3 shown in FIG. 2 moves the substrate 50 from the starting point L0 of the static elimination section L by moving the transport path 50 via the motor 500 while lowering the conductor plate 52 by the conductor plate driving unit 53. Transport to the end point L1. The time when the substrate B reaches the end point L1 is the time T2. In addition, the height H of the conductor plate 52 at time T2 is the height H2.

除電区間Lにおいて、基板Bは、複数のノズル510間を通過する。通過の際、基板Bの上下両面には、複数のノズル510からイオン(中和ガス)が吹き付けられる。除電区間Lを通過する際の、基板Bの搬送速度は一定である。また、除電区間Lを通過する際の基板Bの搬送速度は、図2に示す搬入位置E0から装着位置E1までの基板Bの搬送速度と等速である。   In the static elimination section L, the substrate B passes between the plurality of nozzles 510. During the passage, ions (neutralizing gas) are sprayed from the plurality of nozzles 510 on the upper and lower surfaces of the substrate B. The transport speed of the substrate B when passing through the static elimination section L is constant. Further, the transport speed of the substrate B when passing through the static elimination section L is the same as the transport speed of the substrate B from the loading position E0 to the mounting position E1 shown in FIG.

図3、図4(c)に示すように、制御装置3は、基板Bの電位Vが管理上限値V0を上回らない下降速度(当該下降速度は、予め制御装置3の記憶部32に格納されている。)で、導体板52を下降させる。すなわち、時刻T0〜時刻T1と比較して、時刻T1〜時刻T2は、長時間である。このため、基板Bには、前記電位上昇作用と前記電位下降作用とが働く。基板Bの電位Vは、管理上限値V0を上回らない電位であって、管理上限値V0に近い電位に保持される。   As shown in FIGS. 3 and 4C, in the control device 3, the lowering speed at which the potential V of the substrate B does not exceed the management upper limit value V0 (the lowering speed is stored in the storage unit 32 of the control device 3 in advance. Then, the conductor plate 52 is lowered. That is, as compared with the time T0 to the time T1, the time T1 to the time T2 is a long time. Therefore, the potential increasing action and the potential decreasing action act on the substrate B. The potential V of the substrate B is a potential that does not exceed the management upper limit value V0 and is held at a potential close to the management upper limit value V0.

[第一放置ステップST3(時刻T2〜時刻T3)]
それから、図2に示す制御装置3は、電位センサ54bにより基板Bの電位をチェックする。なお、導体板駆動部53、基板Bは、停止したままである。図3、図4(c)に示すように、制御装置3は、基板Bの電位Vが管理下限値V1(管理下限値V1は、予め制御装置3の記憶部32に格納されている。)に到達するまで、導体板駆動部53、基板Bを放置する。すなわち、時刻T2〜時刻T3においては、導体板52が下降しない。このため、基板Bには、主に前記電位下降作用が働く。したがって、基板Bの電位Vは、管理下限値V1まで下降する。電位Vが管理下限値V1に到達した時刻が、時刻T3である。
[First leaving step ST3 (time T2 to time T3)]
Then, the control device 3 shown in FIG. 2 checks the potential of the substrate B by the potential sensor 54b. Note that the conductor plate drive unit 53 and the board B remain stopped. As shown in FIGS. 3 and 4C, in the control device 3, the potential V of the substrate B is the management lower limit value V1 (the management lower limit value V1 is stored in advance in the storage unit 32 of the control device 3). The conductor plate drive unit 53 and the substrate B are left until the temperature reaches the. That is, the conductor plate 52 does not descend from time T2 to time T3. Therefore, the potential lowering action mainly acts on the substrate B. Therefore, the potential V of the substrate B drops to the control lower limit value V1. The time when the potential V reaches the control lower limit value V1 is time T3.

[第二下降ステップST4(時刻T3〜時刻T4)]
その後、図2に示す制御装置3は、電位センサ54bにより基板Bの電位をチェックしながら、導体板駆動部53を介して、導体板52を下降させる。なお、図4(c)、図4(d)に示すように、基板Bは、終点L1に停止したままである。時刻T0〜時刻T1間と同様に、基板Bには、主に前記電位上昇作用が働く。このため、基板Bの電位Vは、電位V2(電位V2は、予め制御装置3の記憶部32に格納されている。)まで上昇する。電位Vが電位V2に到達した時刻が、時刻T4である。並びに、時刻T4における導体板52の高さHが、除電方法において最も高度が低い、高さH3である。
[Second descending step ST4 (time T3 to time T4)]
After that, the control device 3 shown in FIG. 2 lowers the conductor plate 52 via the conductor plate driving unit 53 while checking the potential of the substrate B with the potential sensor 54b. As shown in FIGS. 4C and 4D, the substrate B remains stopped at the end point L1. As in the period between time T0 and time T1, the potential increase action mainly acts on the substrate B. Therefore, the potential V of the substrate B rises to the potential V2 (the potential V2 is stored in the storage unit 32 of the control device 3 in advance). The time when the potential V reaches the potential V2 is time T4. The height H of the conductor plate 52 at time T4 is the lowest height H3 in the static elimination method.

[第二放置ステップST5(時刻T4〜時刻T5)]
最後に、図2に示す制御装置3は、電位センサ54bにより基板Bの電位をチェックする。なお、導体板駆動部53、基板Bは、停止したままである。図3、図4(d)に示すように、制御装置3は、基板Bの電位Vが管理下限値V1に到達するまで、導体板駆動部53、基板Bを放置する。時刻T2〜時刻T3間と同様に、基板Bには、主に前記電位下降作用が働く。したがって、基板Bの電位Vは、管理下限値V1まで下降する。電位Vが管理下限値V1に到達した時刻が、時刻T5である。
[Second leaving step ST5 (time T4 to time T5)]
Finally, the control device 3 shown in FIG. 2 checks the potential of the substrate B with the potential sensor 54b. Note that the conductor plate drive unit 53 and the board B remain stopped. As shown in FIG. 3 and FIG. 4D, the control device 3 leaves the conductor plate drive unit 53 and the substrate B left until the potential V of the substrate B reaches the control lower limit value V1. As in the period between time T2 and time T3, the potential lowering action mainly acts on the substrate B. Therefore, the potential V of the substrate B drops to the control lower limit value V1. The time when the potential V reaches the control lower limit value V1 is time T5.

このようにして、基板Bの除電が完了する。その後、制御装置3は、モータ500を介して搬送路50を動かすことにより、除電後の基板Bを、図1に示すリフロー炉92に払い出す。また、制御装置3は、次に除電区間Lの始点L0に搬送される基板Bの除電に備えて、導体板52の高さHを、高さH3から高さH0に復帰させる。   In this way, the charge removal of the substrate B is completed. After that, the control device 3 moves the transport path 50 via the motor 500 to discharge the static-eliminated substrate B to the reflow furnace 92 shown in FIG. Further, the control device 3 restores the height H of the conductor plate 52 from the height H3 to the height H0 in preparation for static elimination of the substrate B that is conveyed to the start point L0 of the static elimination section L next.

<作用効果>
次に、本実施形態の基板搬送装置、電子部品実装機、生産ラインの作用効果について説明する。図4(a)〜図4(d)に示すように、本実施形態の基板搬送装置5、電子部品実装機1、生産ライン9(以下、「基板搬送装置5等」と称す)によると、除電区間Lにおいて、導体板駆動部53が、導体板52を、下側(基板Bから離れる方向)に、動かすことができる。すなわち、除電区間Lにおいて、電極間距離dを拡大することができる。したがって、図3に示すように、基板Bの見かけの電位Vを上げることができる。よって、イオナイザ51の除電速度を速くすることができる。このように、本実施形態の基板搬送装置5等によると、基板Bの除電速度を速くすることができる。このため、基板Bが除電区間Lの通過に要する時間(図3の時刻T0〜時刻T5)、つまり基板Bの除電時間を、短縮することができる。
<Effect>
Next, the function and effect of the board transfer device, the electronic component mounter, and the production line of this embodiment will be described. As shown in FIGS. 4A to 4D, according to the board transfer device 5, the electronic component mounter 1, and the production line 9 (hereinafter, referred to as “the board transfer device 5 or the like”) of the present embodiment, In the static elimination section L, the conductor plate drive unit 53 can move the conductor plate 52 downward (in the direction away from the substrate B). That is, in the static elimination section L, the inter-electrode distance d can be increased. Therefore, as shown in FIG. 3, the apparent potential V of the substrate B can be increased. Therefore, the charge removal speed of the ionizer 51 can be increased. As described above, according to the substrate transfer device 5 and the like of the present embodiment, the charge removal speed of the substrate B can be increased. Therefore, the time required for the substrate B to pass through the static elimination section L (time T0 to time T5 in FIG. 3), that is, the static elimination time of the substrate B can be shortened.

また、除電区間Lを通過する時だけ、敢えて、基板Bの搬送速度を遅くする必要がない。したがって、除電区間Lを通過する際の基板Bの搬送速度を、図2に示す搬入位置E0から装着位置E1までの基板Bの搬送速度と、等速にすることができる。よって、生産ライン9において複数の基板Bを連続的に大量生産する場合、除電区間Lで基板Bの滞留が発生しにくい。すなわち、基板Bの生産性が低下しにくい。   Further, it is not necessary to intentionally slow down the transport speed of the substrate B only when passing through the charge elimination section L. Therefore, the transfer speed of the board B when passing through the static elimination section L can be made equal to the transfer speed of the board B from the loading position E0 to the mounting position E1 shown in FIG. Therefore, when a plurality of substrates B are continuously mass-produced in the production line 9, the substrate B is less likely to stay in the static elimination section L. That is, the productivity of the substrate B is unlikely to decrease.

また、本実施形態の基板搬送装置5等によると、導体板52の下降(下降速度、下降量)により基板Bの電位V、除電速度を調整可能である。このため、除電区間Lを通過する際に、基板Bの搬送速度を、途中で変化させる必要がない。したがって、除電区間Lを通過する際の基板Bの搬送速度を、除電区間Lの全長に亘って、等速にすることができる。よって、基板Bの生産性が低下しにくい。   Further, according to the substrate transfer device 5 and the like of the present embodiment, the potential V and the charge removal speed of the substrate B can be adjusted by lowering the conductor plate 52 (lowering speed, lowering amount). Therefore, when passing through the static elimination section L, it is not necessary to change the transport speed of the substrate B on the way. Therefore, the transport speed of the substrate B when passing through the static elimination section L can be made constant over the entire length of the static elimination section L. Therefore, the productivity of the substrate B is unlikely to decrease.

また、本実施形態の基板搬送装置5等によると、導体板52の下降により基板Bの電位V、除電速度を調整可能である。このため、電荷量が異なる複数の基板Bを除電区間Lに連続して通過させる場合であっても、複数の基板Bの搬送速度を等速にすることができる。よって、基板Bの生産性が低下しにくい。   Further, according to the substrate transfer device 5 and the like of this embodiment, the potential V of the substrate B and the charge removal speed can be adjusted by lowering the conductor plate 52. Therefore, even when a plurality of substrates B having different charge amounts are continuously passed through the static elimination section L, the transport speed of the plurality of substrates B can be made uniform. Therefore, the productivity of the substrate B is unlikely to decrease.

また、本実施形態の電子部品実装機1によると、電子部品実装後の基板Bを除電することができる。また、本実施形態の生産ライン9によると、生産ライン9の所望の位置で、基板Bを除電することができる。   Further, according to the electronic component mounter 1 of the present embodiment, it is possible to eliminate the charge on the board B after the electronic components are mounted. Further, according to the production line 9 of the present embodiment, it is possible to remove the electric charge of the substrate B at a desired position on the production line 9.

また、本実施形態の生産ライン9によると、図1に示す右端の電子部品実装機1において、基板Bは除電済みである。このため、基板外観検査機93において、検査用のニードルピンが電子部品Pに接触しても、電子部品Pに不具合が発生しにくい。   Further, according to the production line 9 of the present embodiment, in the electronic component mounting machine 1 at the right end shown in FIG. 1, the board B has been destaticized. Therefore, in the board appearance inspection machine 93, even if the inspection needle pin comes into contact with the electronic component P, the electronic component P is unlikely to have a defect.

また、図3の時刻T1、時刻T4に示すように、本実施形態の基板搬送装置5等によると、導体板駆動部53は、電位センサ54a、54bが検出した電位Vが管理上限値V0を上回らないように、導体板52を下降させ、電極間距離dを拡大する。このため、電位Vの過度の上昇による不具合が、電子部品Pに発生しにくい。   Further, as shown at time T1 and time T4 in FIG. 3, according to the substrate transfer device 5 and the like of the present embodiment, the conductor plate drive unit 53 causes the potential V detected by the potential sensors 54a and 54b to be the management upper limit value V0. The conductor plate 52 is lowered so as not to exceed the upper limit, and the inter-electrode distance d is increased. Therefore, the electronic component P is unlikely to suffer from a defect due to an excessive rise in the potential V.

また、図3の時刻T3に示すように、本実施形態の基板搬送装置5等によると、導体板駆動部53は、電位センサ54bが検出した電位Vが管理下限値V1に到達したら、導体板52を下降させ、電極間距離dを拡大する。すなわち、基板Bの電位Vが下がりきったところで、電極間距離dを拡大し、基板Bの電位Vを上げる。このため、最後まで基板Bに残留していた電荷を、中和することができる。すなわち、基板Bを、充分に除電することができる。   Further, as shown at time T3 in FIG. 3, according to the substrate transfer apparatus 5 and the like of the present embodiment, the conductor plate drive unit 53 causes the conductor plate to move when the potential V detected by the potential sensor 54b reaches the control lower limit value V1. 52 is lowered to increase the inter-electrode distance d. That is, when the potential V of the substrate B has dropped, the inter-electrode distance d is increased and the potential V of the substrate B is increased. Therefore, the electric charge remaining on the substrate B until the end can be neutralized. That is, the substrate B can be sufficiently discharged.

また、図3の時刻T5に示すように、本実施形態の基板搬送装置5等によると、導体板駆動部53は、電位センサ54bが検出した電位Vが管理下限値V1に到達したら、基板Bを払い出す。このため、充分に除電された基板Bを、後工程(リフロー炉92)に払い出すことができる。   Further, as shown at time T5 in FIG. 3, according to the substrate transfer apparatus 5 and the like of the present embodiment, the conductor plate drive unit 53 causes the substrate B to move when the potential V detected by the potential sensor 54b reaches the control lower limit value V1. Pay out. Therefore, the substrate B that has been sufficiently discharged can be discharged to the subsequent process (reflow furnace 92).

また、図2に示すように、複数のノズル510は、基板Bの上下方向両側に配置されている。このため、基板Bの上下両面に、中和用のイオン(中和ガス)を吹き付けることができる。したがって、迅速かつ確実に、基板Bに帯電した電荷を中和することができる。   Further, as shown in FIG. 2, the plurality of nozzles 510 are arranged on both sides of the substrate B in the vertical direction. Therefore, the ions for neutralization (neutralizing gas) can be sprayed on the upper and lower surfaces of the substrate B. Therefore, the charges charged on the substrate B can be neutralized quickly and reliably.

<その他>
以上、本発明の基板搬送装置、電子部品実装機、生産ラインの実施の形態について説明した。しかしながら、実施の形態は上記形態に特に限定されるものではない。当業者が行いうる種々の変形的形態、改良的形態で実施することも可能である。
<Other>
The embodiments of the substrate transfer device, the electronic component mounter, and the production line of the present invention have been described above. However, the embodiment is not particularly limited to the above embodiment. It is also possible to implement in various modified forms and improved forms that can be performed by those skilled in the art.

図5(a)に、その他の実施形態(その1)の基板搬送装置の除電区間の模式図を示す。図5(b)に、その他の実施形態(その2)の基板搬送装置の除電区間の模式図を示す。なお、図4(a)と対応する部位については、同じ符号で示す。   FIG. 5A shows a schematic diagram of the charge removal section of the substrate transfer apparatus according to the other embodiment (No. 1). FIG. 5B shows a schematic diagram of the charge removal section of the substrate transfer apparatus according to the other embodiment (No. 2). The parts corresponding to those in FIG. 4A are indicated by the same reference numerals.

図5(a)に示すように、除電区間Lの搬送方向全長に亘って、複数の電位センサ54cを配置してもよい。こうすると、制御装置3は、除電区間Lの搬送方向全長に亘って、基板Bの電位Vを検出することができる。このため、図3に示す移動下降ステップST2(時刻T1〜時刻T2)において、電位Vに対してフィードバック制御を行うことができる。例えば、電位Vが管理上限値V0を上回りそうになったら、導体板52の下降速度を遅くし、前述の電位下降作用を促進することにより、電位Vを下げることができる。反対に、電位Vが管理上限値V0を大きく下回っている場合は、導体板52の下降速度を速くし、前述の電位上昇作用を促進することにより、電位Vを上げることができる。フィードバック制御を行うと、図3に示す移動下降ステップST2(時刻T1〜時刻T2)において、基板Bの電位Vを、管理上限値V0を上回らない電位であって、管理上限値V0に極めて近い電位に保持することができる。このため、除電速度を速くすることができる。したがって、除電区間Lを通過する際の基板Bの搬送速度を速くすることができる。   As shown in FIG. 5A, a plurality of potential sensors 54c may be arranged over the entire length of the static elimination section L in the transport direction. By doing so, the control device 3 can detect the potential V of the substrate B over the entire length of the static elimination section L in the transport direction. Therefore, feedback control can be performed on the potential V in the moving and descending step ST2 (time T1 to time T2) shown in FIG. For example, when the potential V is about to exceed the control upper limit value V0, the potential V can be lowered by slowing down the lowering speed of the conductor plate 52 and promoting the above-described potential lowering action. On the contrary, when the potential V is much lower than the control upper limit value V0, the potential V can be increased by increasing the descending speed of the conductor plate 52 and promoting the above-described potential increasing action. When the feedback control is performed, in the movement descending step ST2 (time T1 to time T2) shown in FIG. 3, the potential V of the substrate B is a potential which does not exceed the control upper limit value V0 and is extremely close to the control upper limit value V0. Can be held at. Therefore, the charge removal speed can be increased. Therefore, the transport speed of the substrate B when passing through the static elimination section L can be increased.

図5(b)に示すように、例えばロボット等により駆動される電位センサ54dを、基板Bに並走させてもよい。この場合も、制御装置3は、除電区間Lの搬送方向全長に亘って、基板Bの電位Vを検出することができる。このため、図3に示す移動下降ステップST2(時刻T1〜時刻T2)において、電位Vに対してフィードバック制御を行うことができる。   As shown in FIG. 5B, the potential sensor 54d driven by, for example, a robot may be arranged in parallel with the substrate B. Also in this case, the control device 3 can detect the potential V of the substrate B over the entire length of the static elimination section L in the transport direction. Therefore, feedback control can be performed on the potential V in the moving and descending step ST2 (time T1 to time T2) shown in FIG.

図2に示すイオナイザ51は、基板Bの極性が判っている場合は、直流方式でもよい。複数のノズル510は、上段だけ、または下段だけに配置してもよい。また、下段のノズル510は、導体板52と共に移動しないように、導体板52から独立して配置してもよい。   The ionizer 51 shown in FIG. 2 may be a direct current type when the polarity of the substrate B is known. The plurality of nozzles 510 may be arranged only in the upper stage or only in the lower stage. The lower nozzle 510 may be arranged independently of the conductor plate 52 so as not to move together with the conductor plate 52.

図1に示す生産ライン9における、除電区間Lの設定場所、設定数、設定長は、特に限定しない。例えば、除電区間Lを、基板外観検査機93の処理部(実際に基板の外観の検査を行う部分)の上流側に設定してもよい。また、リフロー炉92と基板外観検査機93との間に基板搬送体(例えばコンベア装置)を配置し、当該基板搬送体に除電区間Lを設定してもよい。   In the production line 9 shown in FIG. 1, the set place, the set number, and the set length of the static elimination section L are not particularly limited. For example, the static elimination section L may be set on the upstream side of the processing unit of the substrate visual inspection machine 93 (the portion that actually inspects the external appearance of the substrate). Further, a substrate carrier (for example, a conveyor device) may be arranged between the reflow furnace 92 and the substrate visual inspection machine 93, and the static elimination section L may be set in the substrate carrier.

図3に示す第一下降ステップST1(時刻T0〜時刻T1)、移動下降ステップST2(時刻T1〜時刻T2)、第一放置ステップST3(時刻T2〜時刻T3)、第二下降ステップST4(時刻T3〜時刻T4)、第二放置ステップST5(時刻T4〜時刻T5)の所要時間、導体板52の下降速度、下降量、管理上限値V0、管理下限値V1、電位V2などは、特に限定しない。図2に示す除電区間Lにおいて、移動下降ステップST2(時刻T1〜時刻T2)だけを実行してもよい。図2に示す除電区間Lを通過する際の基板Bの搬送速度は、搬入位置E0から装着位置E1までの基板Bの搬送速度よりも、速くてもよい。   First descent step ST1 (time T0 to time T1), moving descent step ST2 (time T1 to time T2), first leaving step ST3 (time T2 to time T3), second descent step ST4 (time T3) shown in FIG. ~ Time T4), the time required for the second leaving step ST5 (time T4 to time T5), the descending speed of the conductor plate 52, the descending amount, the control upper limit value V0, the control lower limit value V1, the potential V2, etc. are not particularly limited. In the static elimination section L shown in FIG. 2, only the moving and descending step ST2 (time T1 to time T2) may be executed. The transport speed of the substrate B when passing through the static elimination section L shown in FIG. 2 may be faster than the transport speed of the substrate B from the carry-in position E0 to the mounting position E1.

除電区間Lにおける、導体板52を下降させる位置、区間(言い換えると、電極間距離dを拡大する位置、区間)は特に限定しない。基板Bを搬送しながら、所定の区間(例えば、図3の移動下降ステップST2のように、始点L0と終点L1との間の区間)において、導体板52を下降させてもよい。また、基板Bを停止させた状態で、所定の位置(例えば、図3の第一下降ステップST1のように始点L0、図3の第二下降ステップST4のように終点L1)において、導体板52を下降させてもよい。また、始点L0および終点L1のうち、少なくとも始点L0で基板Bを停止させた状態で、導体板52を下降させてもよい。   In the static elimination section L, the position and section where the conductor plate 52 is lowered (in other words, the position and section where the inter-electrode distance d is increased) are not particularly limited. The conductor plate 52 may be moved down in a predetermined section (for example, the section between the start point L0 and the end point L1 as in the moving / lowering step ST2 of FIG. 3) while the substrate B is being transported. Further, with the substrate B stopped, at a predetermined position (for example, the starting point L0 as in the first descending step ST1 in FIG. 3 and the ending point L1 as in the second descending step ST4 in FIG. 3), the conductor plate 52 May be lowered. Further, the conductor plate 52 may be lowered while the substrate B is stopped at least at the start point L0 among the start point L0 and the end point L1.

図2に示す導体板52を、基板Bの上側に配置してもよい。この場合、導体板駆動部53は、導体板52を上昇させることにより電極間距離dを拡大することができる。また、図2に示す導体板52(基板Bと同程度の面積の導体板52)を、図5(b)に示す電位センサ54dのように、基板Bに並走させながら下降させてもよい。すなわち、導体板52は、除電区間Lにおいて、搬送中の基板Bと、上下方向に対向可能であればよい。   The conductor plate 52 shown in FIG. 2 may be arranged on the upper side of the substrate B. In this case, the conductor plate drive unit 53 can increase the inter-electrode distance d by raising the conductor plate 52. Further, the conductor plate 52 shown in FIG. 2 (the conductor plate 52 having an area similar to that of the substrate B) may be lowered while running parallel to the substrate B, as in the potential sensor 54d shown in FIG. 5B. .. That is, the conductor plate 52 only needs to be able to vertically face the substrate B being conveyed in the charge elimination section L.

1:電子部品実装機、3:制御装置、30:入出力インターフェイス、31:演算部、32:記憶部、4:装着ヘッド、40:ヘッド本体、41:吸着ノズル、5:基板搬送装置、50:搬送路、500:モータ、51:イオナイザ、510:ノズル、511:イオン発生装置、52:導体板、53:導体板駆動部、530:ボールねじ、531:モータ、54a〜54d:電位センサ、9:生産ライン、90:はんだ印刷機、91:はんだ印刷検査機、92:リフロー炉、93:基板外観検査機、B:基板、E0:搬入位置、E1:装着位置、E2:搬出位置、H〜H3:高さ、L:除電区間、L0:始点、L1:終点、P:電子部品、ST1:第一下降ステップ、ST2:移動下降ステップ、ST3:第一放置ステップ、ST4:第二下降ステップ、ST5:第二放置ステップ、T0〜T5:時刻、V:電位、V0:管理上限値、V1:管理下限値、V2:電位、d:電極間距離   1: electronic component mounter, 3: control device, 30: input / output interface, 31: arithmetic unit, 32: storage unit, 4: mounting head, 40: head body, 41: suction nozzle, 5: substrate transfer device, 50 : Transport path, 500: motor, 51: ionizer, 510: nozzle, 511: ion generator, 52: conductor plate, 53: conductor plate driving unit, 530: ball screw, 531: motor, 54a to 54d: potential sensor, 9: Production line, 90: Solder printing machine, 91: Solder printing inspection machine, 92: Reflow furnace, 93: Board appearance inspection machine, B: Board, E0: Loading position, E1: Mounting position, E2: Unloading position, H -H3: height, L: static elimination section, L0: start point, L1: end point, P: electronic component, ST1: first lowering step, ST2: moving lowering step, ST3: first leaving step, ST4: second lower side. Step, ST5: second standing step, T0 to T5: Time, V: voltage, V0: upper control limit, V1: the management lower limit value, V2: voltage, d: distance between electrodes

Claims (6)

上流側から下流側に向かって基板を搬送すると共に、除電区間を有する搬送路と、
前記除電区間において、前記基板を除電するイオナイザと、
前記除電区間において、搬送中の前記基板に対向して配置される導体板と、
前記除電区間において、前記基板から離れる方向に前記導体板を駆動することにより、前記基板と前記導体板との間の距離である電極間距離を拡大可能な導体板駆動部と、
を備え
前記導体板駆動部により前記導体板を下降させながら、前記基板を前記除電区間の始点から終点まで搬送する基板搬送装置。
While carrying the substrate from the upstream side to the downstream side, a carrying path having a static elimination section,
An ionizer for removing charge from the substrate in the charge removing section,
In the static elimination section, a conductor plate arranged to face the substrate being transported,
In the static elimination section, by driving the conductor plate in a direction away from the substrate, a conductor plate drive unit capable of expanding the inter-electrode distance, which is the distance between the substrate and the conductor plate,
Equipped with
A substrate transfer device that transfers the substrate from the start point to the end point of the static elimination section while lowering the conductor plate by the conductor plate drive unit .
上流側から下流側に向かって基板を搬送すると共に、除電区間を有する搬送路と、
前記除電区間において、前記基板を除電するイオナイザと、
前記除電区間において、搬送中の前記基板に対向して配置される導体板と、
前記除電区間において、前記基板から離れる方向に前記導体板を駆動することにより、前記基板と前記導体板との間の距離である電極間距離を拡大可能な導体板駆動部と、
を備え、
前記除電区間において、前記基板の電位を検出する電位センサを備え、
前記導体板駆動部は、検出された前記電位が所定の管理上限値を上回らないように、前記電極間距離を拡大する基板搬送装置。
While carrying the substrate from the upstream side to the downstream side, a carrying path having a static elimination section,
An ionizer for removing charge from the substrate in the charge removing section,
In the static elimination section, a conductor plate arranged to face the substrate being transported,
In the static elimination section, by driving the conductor plate in a direction away from the substrate, a conductor plate drive unit capable of expanding the inter-electrode distance, which is the distance between the substrate and the conductor plate,
Equipped with
In the static elimination section, a potential sensor for detecting the potential of the substrate is provided,
The substrate transfer device, wherein the conductor plate drive unit enlarges the inter-electrode distance so that the detected potential does not exceed a predetermined control upper limit value .
前記導体板駆動部は、検出された前記電位が所定の管理下限値に到達したら、前記電極間距離を拡大する請求項2に記載の基板搬送装置。 The substrate transfer device according to claim 2 , wherein the conductor plate drive unit increases the inter-electrode distance when the detected potential reaches a predetermined control lower limit value . 前記イオナイザは、前記基板の表裏方向両側に配置され、前記基板の表裏両面に中和ガスを吹き付ける複数のノズルを有する請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の基板搬送装置。 4. The substrate transfer device according to claim 1 , wherein the ionizer has a plurality of nozzles which are arranged on both sides of the substrate in the front-back direction and have a plurality of nozzles for spraying a neutralizing gas on both the front and back sides of the substrate. 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の基板搬送装置を備える電子部品実装機。An electronic component mounter comprising the substrate transfer device according to claim 1. 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の基板搬送装置を備える生産ライン。A production line comprising the substrate transfer device according to any one of claims 1 to 4.
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