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JP6701596B2 - Exposure apparatus, exposure method, flat panel display manufacturing method, and device manufacturing method - Google Patents
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JP6701596B2 - Exposure apparatus, exposure method, flat panel display manufacturing method, and device manufacturing method - Google Patents

Exposure apparatus, exposure method, flat panel display manufacturing method, and device manufacturing method Download PDF

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JP6701596B2 JP2015072704A JP2015072704A JP6701596B2 JP 6701596 B2 JP6701596 B2 JP 6701596B2 JP 2015072704 A JP2015072704 A JP 2015072704A JP 2015072704 A JP2015072704 A JP 2015072704A JP 6701596 B2 JP6701596 B2 JP 6701596B2
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本発明は、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法に係り、更に詳しくは、物体に対してエネルギビームを所定の走査方向に走査する走査露光により、所定のパターンを物体上に形成する露光装置、及び前記露光装置を用いるフラットパネルディスプレイ又はデバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus, a method of manufacturing a flat panel display, and relates to a device manufacturing method, and more specifically, the scanning exposure for scanning the energy beam in a predetermined scanning direction relative to the object, the object on a predetermined pattern exposure equipment to form a, and a method of manufacturing a flat panel display or device using the exposure equipment.

従来、液晶表示素子、半導体素子(集積回路等)等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造するリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル(以下、「マスク」と総称する)に形成されたパターンをエネルギビームを用いてガラスプレート又はウエハ(以下、「基板」と総称する)上に転写する露光装置が用いられている。   Conventionally, in a lithography process for manufacturing an electronic device (micro device) such as a liquid crystal display device or a semiconductor device (an integrated circuit or the like), a pattern formed on a mask or a reticle (hereinafter referred to as “mask”) is converted into an energy beam. There is used an exposure apparatus which is used to transfer onto a glass plate or a wafer (hereinafter collectively referred to as “substrate”).

この種の露光装置としては、マスクと基板とを実質的に静止させた状態で、露光用照明光(エネルギビーム)を所定の走査方向に走査することで基板上に所定のパターンを形成するビームスキャン式の走査露光装置が知られている(例えば特許文献1参照)。   This type of exposure apparatus is a beam that forms a predetermined pattern on a substrate by scanning exposure illumination light (energy beam) in a predetermined scanning direction with the mask and the substrate substantially stationary. A scan type scanning exposure apparatus is known (for example, refer to Patent Document 1).

上記特許文献1に記載の露光装置では、基板上の露光対象領域とマスクとの位置誤差を補正するために、投影光学系を露光時の走査方向と逆方向に移動させながら投影光学系を介してアライメント顕微鏡によって基板上及びマスク上のマークの計測(アライメント計測)を行い、該計測結果に基づいて基板とマスクとの位置誤差を補正している。ここで、露光精度を向上させるためには、より多くのマークを計測することが望ましいが、スループットが低下する恐れがある。   In the exposure apparatus described in Patent Document 1, in order to correct the positional error between the exposure target area on the substrate and the mask, the projection optical system is moved through the projection optical system while moving in the direction opposite to the scanning direction at the time of exposure. The alignment microscope measures the marks on the substrate and the mask (alignment measurement), and the positional error between the substrate and the mask is corrected based on the measurement result. Here, in order to improve the exposure accuracy, it is desirable to measure more marks, but there is a risk that throughput will decrease.

特開2000−12422号公報JP, 2000-12422, A

本発明の第1の態様によれば、スクが有するパターンに対して照明系からの照明光を照射し、投影系によ記パターンの投影像を物体上区画領域投影しながら走査露光を行露光装置であって、前記マスク上において走査方向に互いに離れて形成された複数の第1マークと、前記物体上において前記走査方向に互いに離れて形成された複数の第2マークとをそれぞれ検出する検出部と、前記複数の第1マークと前記複数の第2マークとを検出するよう、前記検出部を前記走査方向へ移動させる検出部駆動系と、前記検出部の検出結果に基づいて前記マスクに対する相対位置が調整された前記区画領域を走査露光するよう、前記照明系および前記投影系を前記マスクおよび前記区画領域に対して前記走査方向へ相対的に移動させる駆動系と、前記マスクを前記物体に対して前記走査方向へ移動させるマスク駆動系と、前記物体を前記マスクに対して前記走査方向に交差する非走査方向へ移動させる物体駆動系と、を備え、前記駆動系は、前記物体上の前記区画領域の一部が走査露光されるように、互いに対向する前記区画領域の一部前記パターンの一部が形成された前記第1マスクとに対して、前記照明系および前記投影系を前記走査方向へ相対的に移動させ、前記物体駆動系は、前記区画領域の一部が走査露光された前記物体前記非走査方向へ移動させ、前記マスク駆動系は、前記マスクを前記物体に対して前記走査方向へ相対移動させ、前記検出部駆動系は、前記複数の第1マークと前記複数の第2マークとを検出するよう、前記物体駆動系および前記マスク駆動系によって互いに対向された前記区画領域の他部と、前記走査方向に関して前記第1マスクに隣接して設けられ前記パターンの他部が形成された前記第2マスクとに対して、前記走査方向に関する前記投影系に対する間隔が変更されるよう前記検出部を前記走査方向へ移動させ、前記駆動系は、前記区画領域の他部が走査露光されるよう、互いに対向する前記区画領域の他部と前記第2マスクとに対して、前記照明系及び前記投影系を前記走査方向へ移動させる露光装置が、提供される。 According to a first aspect of the present invention is irradiated with illumination light from the illumination system relative Rupa turn mask is Yusuke, partitions on the object body a projection image before Kipa turn Ri by the projection system a row intends exposure apparatus projection products et run査露light region, a plurality of first marks formed apart from each other in the scanning direction on the mask, away from each other in the scanning direction on the object A detection unit that detects each of the plurality of formed second marks, and a detection unit drive system that moves the detection unit in the scanning direction so as to detect the plurality of first marks and the plurality of second marks. And the illumination system and the projection system in the scanning direction with respect to the mask and the partitioned area so as to scan and expose the partitioned area whose relative position to the mask is adjusted based on the detection result of the detection unit . a driving system for relatively moving the object to move the mask and the mask drive mechanism for moving to the scanning direction with respect to the object, the non-scanning direction intersecting said object to said scanning direction with respect to the mask A drive system, wherein the drive system is formed with a part of the partitioned area and a part of the pattern facing each other so that a part of the partitioned area on the object is scanned and exposed. relative to the first mask, a pre-Symbol illumination system and the projection system are relatively moved to the scanning direction, the object drive system, a pre-Symbol object part of which is the scanning exposure for the divided area the non is moved in the scanning direction, the mask drive system is to pair the mask on the object is relative movement to said scanning direction, the detector drive system, the plurality of second mark and said plurality of first marks So that the other part of the divided area opposed to each other by the object drive system and the mask drive system and the other part of the pattern provided adjacent to the first mask in the scanning direction are formed. against said second mask, said detection unit that spacing with respect to the projection system about the scanning direction is changed by moving to the scanning direction, wherein the drive system, other portions run査露light of the divided area to be, exposure apparatus to the relative to other portions of the divided area and the second mask, move the front Symbol illumination system and the projection system to the scanning direction, which are opposite to each other, is provided.

本発明の第の態様によれば、第1の態様に係る露光装置を用いてフラットパネルディスプレイに用いられるレジストが塗布された基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。 According to a second aspect of the present invention, it is developed and the resist used for a flat panel display using the exposure equipment according to the first aspect is to expose the substrate coated, exposed the substrate And a method for manufacturing a flat panel display including the following.

本発明の第の態様によれば、第1の態様に係る露光装置を用いてレジストが塗布された前記物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。 According to a third aspect of the present invention, the device comprising a the resist using an exposure equipment according to the first aspect is exposing the object being coated, and developing the exposed the object, the A manufacturing method is provided.

一実施形態に係る液晶露光装置の概念図である。It is a conceptual diagram of the liquid crystal exposure apparatus which concerns on one Embodiment. 図1の液晶露光装置の制御系を中心的に構成する主制御装置の入出力関係を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing an input/output relationship of a main control device which mainly constitutes a control system of the liquid crystal exposure apparatus of FIG. 1. 投影系本体、及びアライメント顕微鏡の計測系の構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of a projection system main body and the measurement system of an alignment microscope. 図4(a)〜図4(e)は、基板に対する走査露光時における液晶露光装置の動作を説明するための図(その1〜その5)である。4A to 4E are views (No. 1 to No. 5) for explaining the operation of the liquid crystal exposure apparatus during scanning exposure of the substrate. 図5(a)〜図5(e)は、基板に対する走査露光時における液晶露光装置の動作を説明するための図(その6〜その10)である。FIGS. 5A to 5E are views (No. 6 to No. 10) for explaining the operation of the liquid crystal exposure apparatus during scanning exposure of the substrate. 図6(a)〜図6(e)は、基板に対する走査露光時における液晶露光装置の動作を説明するための図(その11〜その15)である。FIGS. 6A to 6E are views (No. 11 to No. 15) for explaining the operation of the liquid crystal exposure apparatus during scanning exposure of the substrate. 図7(a)及び図7(b)は、基板に対する走査露光時における液晶露光装置を説明するための図(その16及びその17)である。7A and 7B are views (No. 16 and No. 17) for explaining the liquid crystal exposure apparatus during the scanning exposure of the substrate.

以下、一実施形態について、図1〜図7(b)を用いて説明する。   Hereinafter, one embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 7B.

図1には、一実施形態に係る液晶露光装置10の概念図が示されている。液晶露光装置10は、例えば液晶表示装置(フラットパネルディスプレイ)などに用いられる矩形(角型)のガラス基板P(以下、単に基板Pと称する)を露光対象物とするステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。   FIG. 1 shows a conceptual diagram of a liquid crystal exposure apparatus 10 according to an embodiment. The liquid crystal exposure apparatus 10 is of a step-and-scan type in which a rectangular (square) glass substrate P (hereinafter, simply referred to as a substrate P) used in, for example, a liquid crystal display device (flat panel display) is an exposure target. It is a projection exposure apparatus, a so-called scanner.

液晶露光装置10は、露光用のエネルギビームである照明光ILを照射する照明系20と、投影光学系40とを有している。以下、照明系20から投影光学系40を介して基板Pに照射される照明光ILの光軸と平行な方向をZ軸方向と称するとともに、Z軸に直交する平面内に互いに直交するX軸及びY軸を設定して説明を行う。また、本実施形態の座標系において、Y軸は、重力方向に実質的に平行であるものとする。従って、XZ平面は、水平面に実質的に平行である。また、Z軸回りの回転(傾斜)方向をθz方向として説明する。   The liquid crystal exposure apparatus 10 includes an illumination system 20 that emits illumination light IL that is an energy beam for exposure, and a projection optical system 40. Hereinafter, a direction parallel to the optical axis of the illumination light IL emitted from the illumination system 20 to the substrate P via the projection optical system 40 will be referred to as a Z-axis direction, and X-axes orthogonal to each other in a plane orthogonal to the Z-axis. And the Y-axis will be set and explained. Further, in the coordinate system of the present embodiment, the Y axis is assumed to be substantially parallel to the direction of gravity. Therefore, the XZ plane is substantially parallel to the horizontal plane. Further, the rotation (tilt) direction around the Z axis will be described as the θz direction.

本実施形態の液晶露光装置10では、例えば2枚の光透過型のマスクM1、マスクM2が用いられる。基板P上のひとつの区画領域に形成する所望の回路パターンのうちの一部に対応するマスクパターンがマスクM1に形成され、上記回路パターンの他部に対応するマスクパターンがマスクM2に形成されている。マスクM1、M2それぞれのY軸方向の長さ(高さ)は、ひとつの区画領域のY軸方向の長さのほぼ半分である。液晶露光装置10では、上記マスクM1、M2それぞれに応じて形成されるパターンを繋ぎ合わせることにより、上記所望の回路パターンを区画領域に形成する。   In the liquid crystal exposure apparatus 10 of the present embodiment, for example, two light transmission type masks M1 and M2 are used. A mask pattern corresponding to a part of a desired circuit pattern formed in one partitioned area on the substrate P is formed on the mask M1, and a mask pattern corresponding to the other part of the circuit pattern is formed on the mask M2. There is. The length (height) in the Y-axis direction of each of the masks M1 and M2 is approximately half the length in the Y-axis direction of one partitioned area. In the liquid crystal exposure apparatus 10, the desired circuit pattern is formed in the partitioned area by connecting the patterns formed corresponding to the masks M1 and M2.

また、本実施形態では、1枚の基板P上に複数の露光対象領域(適宜、区画領域、又はショット領域と称して説明する)が設定され、これら複数のショット領域に順次マスクパターンが転写される。なお、本実施形態では、基板P上に4つの区画領域が設定されている場合(いわゆる4面取りの場合)について説明するが、区画領域の数は、これに限定されず、適宜変更が可能である。   Further, in the present embodiment, a plurality of exposure target areas (which will be appropriately referred to as partition areas or shot areas) are set on one substrate P, and mask patterns are sequentially transferred to these plurality of shot areas. It In the present embodiment, a case will be described in which four partitioned areas are set on the substrate P (a so-called four-chamfered case), but the number of partitioned areas is not limited to this and can be changed as appropriate. is there.

また、液晶露光装置10では、いわゆるステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行われるが、スキャン露光動作時には、マスクM1(又はマスクM2)、及び基板Pが実質的に静止状態とされ、照明系20及び投影光学系40(照明光IL)がマスクM1(又はマスクM2)及び基板Pに対してそれぞれX軸方向(適宜、走査方向と称する)に長ストロークで相対移動する(図1の白矢印参照)。これに対し、露光対象の区画領域を変更するためのステップ動作時には、マスクM1、M2がX軸方向に所定のストロークでステップ移動するとともに、基板PがY軸方向に所定のストロークでステップ移動する(それぞれ図1の黒矢印参照)。   Further, in the liquid crystal exposure apparatus 10, a so-called step-and-scan type exposure operation is performed. During the scan exposure operation, the mask M1 (or the mask M2) and the substrate P are kept substantially stationary, and the illumination system 20 and the projection optical system 40 (illumination light IL) relatively move with respect to the mask M1 (or the mask M2) and the substrate P in a long stroke in the X-axis direction (appropriately referred to as a scanning direction) (white arrow in FIG. 1). reference). On the other hand, during the step operation for changing the partitioned area to be exposed, the masks M1 and M2 are stepwise moved in the X-axis direction by a predetermined stroke, and the substrate P is stepwise moved in the Y-axis direction by a predetermined stroke. (Refer to the black arrows in FIG. 1 respectively).

図2には、液晶露光装置10の構成各部を統括制御する主制御装置90の入出力関係を示すブロック図が示されている。図2に示されるように、液晶露光装置10は、照明系20、マスクステージ装置30、投影光学系40、基板ステージ装置50、アライメント系60などを備えている。   FIG. 2 is a block diagram showing an input/output relationship of a main controller 90 that integrally controls each component of the liquid crystal exposure apparatus 10. As shown in FIG. 2, the liquid crystal exposure apparatus 10 includes an illumination system 20, a mask stage device 30, a projection optical system 40, a substrate stage device 50, an alignment system 60 and the like.

照明系20は、照明光IL(図1参照)の光源(例えば、水銀ランプ)などを含む照明系本体22を備えている。スキャン露光動作時において、主制御装置90は、例えばリニアモータなどを含む駆動系24を制御することにより、照明系本体22をX軸方向に所定の長ストロークでスキャン駆動する。主制御装置90は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系26を介して照明系本体22のX軸方向に位置情報を求め、該位置情報に基づいて照明系本体22の位置制御を行う。本実施形態において、照明光ILとしては、例えばg線、h線、i線などが用いられる。   The illumination system 20 includes an illumination system main body 22 including a light source (for example, a mercury lamp) of the illumination light IL (see FIG. 1). During the scan exposure operation, main controller 90 controls drive system 24 including, for example, a linear motor to scan drive illumination system main body 22 in the X-axis direction with a predetermined long stroke. The main controller 90 obtains position information in the X-axis direction of the illumination system main body 22 via the measurement system 26 including, for example, a linear encoder, and controls the position of the illumination system main body 22 based on the position information. In the present embodiment, for example, g-line, h-line, i-line, etc. are used as the illumination light IL.

マスクステージ装置30は、マスクM1、M2を保持するステージ本体32を備えている。ステージ本体32は、例えばリニアモータなどを含む駆動系34によってX軸方向及びY軸方向に適宜ステップ移動可能に構成されている。X軸方向に関して露光対象の区画領域を変更するためのステップ動作時において、主制御装置90は、駆動系34を制御することにより、ステージ本体32をX軸方向にステップ駆動する。また、後述するように、露光対象の区画領域内でスキャン露光する領域(位置)をY軸方向に関して変更するためのステップ動作時には、主制御装置90は、駆動系34を制御することにより、ステージ本体32をY軸方向にステップ駆動する。駆動系34は、後述するアライメント動作時にマスクMをXY平面内の3自由度(X、Y、θz)方向に適宜微小駆動することも可能である。マスクM1、M2の位置情報は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系36により求められる。   The mask stage device 30 includes a stage body 32 that holds the masks M1 and M2. The stage main body 32 is configured to be capable of stepwise movement in the X-axis direction and the Y-axis direction by a drive system 34 including, for example, a linear motor. During a step operation for changing the partitioned area to be exposed in the X-axis direction, main controller 90 controls drive system 34 to step-drive stage body 32 in the X-axis direction. Further, as will be described later, during a step operation for changing the area (position) to be scanned and exposed in the partitioned area to be exposed in the Y-axis direction, main controller 90 controls drive system 34 to cause the stage to move. The main body 32 is step-driven in the Y-axis direction. The drive system 34 can also appropriately finely drive the mask M in the three-degree-of-freedom (X, Y, θz) directions in the XY plane during the alignment operation described later. The position information of the masks M1 and M2 is obtained by the measurement system 36 including, for example, a linear encoder.

投影光学系40は、等倍系で基板P(図1参照)上にマスクパターンの正立正像を形成する光学系などを含む投影系本体42を備えている。投影系本体42は、基板PとマスクM1、M2との間に形成される空間内に配置されている(図1参照)。スキャン露光動作時において、主制御装置90は、例えばリニアモータなどを含む駆動系44を制御することにより、投影系本体42を、照明系本体22と同期するように、X軸方向に所定の長ストロークでスキャン駆動する。主制御装置90は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系46を介して投影系本体42のX軸方向に位置情報を求め、該位置情報に基づいて投影系本体42の位置制御を行う。   The projection optical system 40 includes a projection system main body 42 including an optical system that forms an erect image of the mask pattern on the substrate P (see FIG. 1) in the unity magnification system. The projection system body 42 is arranged in a space formed between the substrate P and the masks M1 and M2 (see FIG. 1). During the scan exposure operation, main controller 90 controls drive system 44 including, for example, a linear motor to cause projection system main body 42 to have a predetermined length in the X-axis direction so as to synchronize with projection system main body 22. Scan drive by stroke. The main controller 90 obtains position information in the X-axis direction of the projection system main body 42 via the measurement system 46 including a linear encoder and controls the position of the projection system main body 42 based on the position information.

図1に戻り、液晶露光装置10では、照明系20からの照明光ILによってマスクM1(又はマスクM2)上の照明領域IAMが照明されると、マスクM1(又はマスクM2)を通過した照明光ILにより、投影光学系40を介してその照明領域IAM内のマスクパターンの投影像(部分正立像)が、基板P上の照明領域IAMに共役な照明光ILの照射領域(露光領域IA)に形成される。そして、マスクM1(又はマスクM2)及び基板Pに対して、照明光IL(照明領域IAM、及び露光領域IA)が走査方向に相対移動することで走査露光動作が行われる。すなわち、液晶露光装置10では、照明系20、及び投影光学系40によって基板P上にマスクM1(又はマスクM2)のパターンが生成され、照明光ILによる基板P上の感応層(レジスト層)の露光によって基板P上にそのパターンが形成される。   Returning to FIG. 1, in the liquid crystal exposure apparatus 10, when the illumination area IAM on the mask M1 (or mask M2) is illuminated by the illumination light IL from the illumination system 20, the illumination light that has passed through the mask M1 (or mask M2). By the IL, the projected image (partial erect image) of the mask pattern in the illumination area IAM via the projection optical system 40 becomes the irradiation area (exposure area IA) of the illumination light IL which is conjugate to the illumination area IAM on the substrate P. It is formed. Then, the scanning exposure operation is performed by the relative movement of the illumination light IL (the illumination area IAM and the exposure area IA) with respect to the mask M1 (or the mask M2) and the substrate P in the scanning direction. That is, in the liquid crystal exposure apparatus 10, the pattern of the mask M1 (or mask M2) is generated on the substrate P by the illumination system 20 and the projection optical system 40, and the pattern of the sensitive layer (resist layer) on the substrate P by the illumination light IL is formed. The pattern is formed on the substrate P by the exposure.

基板ステージ装置50は、基板Pの裏面(露光面とは反対の面)を保持するステージ本体52を備えている。図2に戻り、Y軸方向に関して露光対象の区画領域を変更するためのステップ動作時において、主制御装置90は、例えばリニアモータなどを含む駆動系54を制御することにより、ステージ本体52をY軸方向にステップ駆動する。駆動系54は、後述する基板アライメント動作時に基板PをXY平面内の3自由度(X、Y、θz)方向に微小駆動することも可能である。基板P(ステージ本体52)の位置情報は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系56により求められる。   The substrate stage device 50 includes a stage body 52 that holds the back surface (the surface opposite to the exposure surface) of the substrate P. Returning to FIG. 2, during the step operation for changing the partitioned area to be exposed in the Y-axis direction, the main controller 90 controls the drive system 54 including, for example, a linear motor to move the stage main body 52 to the Y direction. Step drive in the axial direction. The drive system 54 can also finely drive the substrate P in the three degrees of freedom (X, Y, θz) directions in the XY plane during the substrate alignment operation described later. The position information of the substrate P (stage main body 52) is obtained by the measurement system 56 including, for example, a linear encoder.

図1に戻り、アライメント系60は、例えば2つのアライメント顕微鏡62、64を備えている。アライメント顕微鏡62、64は、基板PとマスクMとの間に形成される空間内(Z軸方向に関して基板PとマスクMとの間の位置)に配置されており、基板Pに形成されたアライメントマークMk(以下、単にマークMkと称する)、及びマスクMに形成されたマーク(不図示)を検出する。本実施形態において、マークMkは、各区画領域の四隅部近傍それぞれに1つ(1つの区画領域につき、例えば4つ)形成されており、マスクMのマークは、投影光学系40を介してマークMkに対応する位置に形成されている。なお、マークMk、及びマスクMのマークの数、及び位置については、これに限定されず、適宜変更が可能である。また、各図面において、マークMkは、理解を容易にするため、実際よりも大きく図示されている。   Returning to FIG. 1, the alignment system 60 includes, for example, two alignment microscopes 62 and 64. The alignment microscopes 62 and 64 are arranged in a space formed between the substrate P and the mask M (a position between the substrate P and the mask M in the Z-axis direction), and the alignment formed on the substrate P. The mark Mk (hereinafter, simply referred to as the mark Mk) and the mark (not shown) formed on the mask M are detected. In the present embodiment, one mark Mk is formed in the vicinity of the four corners of each partitioned region (for example, four for each partitioned region), and the mark of the mask M is a mark formed through the projection optical system 40. It is formed at a position corresponding to Mk. The numbers and positions of the marks Mk and the marks of the mask M are not limited to this, and can be changed as appropriate. Further, in each drawing, the mark Mk is shown larger than it actually is in order to facilitate understanding.

一方のアライメント顕微鏡62は、投影系本体42の+X側に配置され、他方のアライメント顕微鏡64は、投影系本体42の−X側に配置されている。アライメント顕微鏡62、64は、それぞれY軸方向に離間した一対の検出視野(検出領域)を有しており、ひとつの区画領域内のY軸方向に離間した、例えば2つのマークMkを同時に検出することができるようになっている。   One alignment microscope 62 is arranged on the +X side of the projection system main body 42, and the other alignment microscope 64 is arranged on the −X side of the projection system main body 42. The alignment microscopes 62 and 64 each have a pair of detection fields (detection regions) separated in the Y-axis direction, and simultaneously detect, for example, two marks Mk that are separated in the Y-axis direction in one partitioned region. You can do it.

また、アライメント顕微鏡62、64は、マスクMに形成されたマークと、基板Pに形成されたマークMkとを同時に(換言すると、アライメント顕微鏡62、64の位置を変えずに)検出することが可能となっている。主制御装置90は、例えばマスクMがXステップ動作、又は基板PがYステップ動作を行う毎に、マスクMに形成されたマークと基板Pに形成されたマークMkとの相対的な位置ずれ情報を求め、該位置ずれを補正する(打ち消す、又は低減する)ように基板PとマスクMとのXY平面に沿った方向の相対的な位置決めを行う。なお、アライメント顕微鏡62、64は、マスクMのマークを検出(観察)するマスク検出部と、基板PのマークMkを検出(観察)する基板検出部とが、共通の筐体等によって一体的に構成されており、その共通の筐体を介して駆動系66により駆動される。あるいは、マスク検出部と基板検出部とが個別の筐体等によって構成されていても良く、その場合には、例えばマスク検出部と基板検出部とが実質的に共通の駆動系66によって同等の動作特性をもって移動できるように構成することが好ましい。   Further, the alignment microscopes 62 and 64 can simultaneously detect the mark formed on the mask M and the mark Mk formed on the substrate P (in other words, without changing the positions of the alignment microscopes 62 and 64). Has become. The main controller 90, for example, each time the mask M performs the X-step operation or the substrate P performs the Y-step operation, the relative positional deviation information between the mark formed on the mask M and the mark Mk formed on the substrate P. Then, relative positioning of the substrate P and the mask M in the directions along the XY plane is performed so as to correct (cancel or reduce) the positional deviation. In the alignment microscopes 62 and 64, a mask detection unit that detects (observes) the mark of the mask M and a substrate detection unit that detects (observes) the mark Mk of the substrate P are integrally formed by a common housing or the like. It is configured and driven by the drive system 66 via the common housing. Alternatively, the mask detection unit and the substrate detection unit may be configured by separate housings or the like. In that case, for example, the mask detection unit and the substrate detection unit are substantially equivalent by a common drive system 66. It is preferable to be configured so that it can move with operating characteristics.

主制御装置90(図2参照)は、例えばリニアモータなどを含む駆動系66(図2参照)を制御することにより、アライメント顕微鏡62、64を、X軸方向に所定の長ストロークでそれぞれ独立に駆動する。また、主制御装置90は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系68を介してアライメント顕微鏡62、64それぞれのX軸方向の位置情報を求め、該位置情報に基づいてアライメント顕微鏡62、64の位置制御をそれぞれ独立して行う。また、駆動系66は、アライメント顕微鏡62、64をY軸方向に駆動するための、例えばリニアモータも併せて有している。   Main controller 90 (see FIG. 2) controls alignment microscopes 62 and 64 independently by a predetermined long stroke in the X-axis direction by controlling drive system 66 (see FIG. 2) including, for example, a linear motor. To drive. The main controller 90 also obtains position information in the X-axis direction of each of the alignment microscopes 62 and 64 via a measurement system 68 including a linear encoder, and controls the position of the alignment microscopes 62 and 64 based on the position information. Each independently. The drive system 66 also has, for example, a linear motor for driving the alignment microscopes 62 and 64 in the Y-axis direction.

ここで、アライメント系60のアライメント顕微鏡62、64と、上述した投影光学系40の投影系本体42とは、物理的(機械的)に独立(分離)した要素であり、主制御装置90(図2参照)によって互いに独立して駆動(速度、及び位置)制御が行われるが、アライメント顕微鏡62、64を駆動する駆動系66と、投影系本体42を駆動する駆動系44とは、X軸方向の駆動に関して、例えばリニアモータ、リニアガイドなどの一部を共用しており、アライメント顕微鏡62、64、及び投影系本体42の駆動特性、あるいは主制御装置90による制御特性が、実質的に同等になるように構成されている。   Here, the alignment microscopes 62 and 64 of the alignment system 60 and the projection system main body 42 of the projection optical system 40 described above are elements that are physically (mechanically) independent (separated), and the main controller 90 (see FIG. The driving system 66 for driving the alignment microscopes 62 and 64 and the driving system 44 for driving the projection system main body 42 are controlled in the X-axis direction. In regard to the drive of, for example, a part of the linear motor, the linear guide, etc. is shared, and the drive characteristics of the alignment microscopes 62, 64 and the projection system main body 42 or the control characteristics by the main controller 90 are substantially equal. Is configured to be.

具体的に一例をあげると、例えばムービングコイル式のリニアモータによってアライメント顕微鏡62、64、投影系本体42それぞれをX軸方向に駆動する場合には、固定子である磁性体(例えば、永久磁石など)ユニットが上記駆動系66と駆動系44とで共用される。これに対し、可動子であるコイルユニットは、アライメント顕微鏡62、64、投影系本体42それぞれが独立に有しており、主制御装置90(図2参照)は、該コイルユニットに対する電力供給を個別に行うことにより、アライメント顕微鏡62、64のX軸方向への駆動(速度、及び位置)と、投影系本体42のX軸方向への駆動(速度、及び位置)とを、独立に制御する。従って、主制御装置90は、X軸方向に関するアライメント顕微鏡62、64と投影系本体42との各々の間隔(距離)を、可変とする(任意に変化させる)ことができる。また、主制御装置90は、X軸方向に関して、アライメント顕微鏡62、64と投影系本体42とを、異なるスピードで移動させることもできる。   As a specific example, when the alignment microscopes 62 and 64 and the projection system main body 42 are driven in the X-axis direction by, for example, a moving coil type linear motor, a magnetic body (for example, a permanent magnet or the like) that is a stator is used. The unit is shared by the drive system 66 and the drive system 44. On the other hand, in the coil unit which is the mover, the alignment microscopes 62 and 64 and the projection system main body 42 are independently provided, and the main controller 90 (see FIG. 2) individually supplies power to the coil unit. By doing so, the driving (speed and position) of the alignment microscopes 62 and 64 in the X-axis direction and the driving (speed and position) of the projection system main body 42 in the X-axis direction are independently controlled. Therefore, main controller 90 can change (arbitrarily change) the distance (distance) between alignment microscopes 62 and 64 and projection system main body 42 in the X-axis direction. Further, main controller 90 can also move alignment microscopes 62 and 64 and projection system body 42 at different speeds in the X-axis direction.

主制御装置90(図2参照)は、アライメント顕微鏡62及び64の少なくとも一方を用いて基板P上に形成された複数のマークMkを検出し、該検出結果(複数のマークMkの位置情報)に基づいて、公知のエンハンスト・グローバル・アライメント(EGA)方式によって、検出対象のマークMkが形成された区画領域の配列情報(区画領域の位置(座標値)、形状等に関する情報を含む)を算出する。   Main controller 90 (see FIG. 2) detects a plurality of marks Mk formed on substrate P using at least one of alignment microscopes 62 and 64, and uses the detection result (positional information of a plurality of marks Mk) as the detection result. Based on this, the array information (including information on the position (coordinate value), shape, etc. of the partitioned area) of the partitioned area in which the mark Mk to be detected is formed is calculated by the known enhanced global alignment (EGA) method. ..

具体的には、走査露光動作において、主制御装置90(図2参照)は、該走査露光動作に先立って、投影系本体42の+X側に配置されたアライメント顕微鏡62を用いて、少なくとも露光対象の区画領域内に形成された、例えば4つのマークMkの位置検出を行って該区画領域の配列情報を算出する。主制御装置90は、算出した露光対象の区画領域の配列情報に基づいて、基板PのXY平面内の3自由度方向の精密な位置決め(基板アライメント動作)を行いつつ、照明系20、及び投影光学系40を適宜制御して、対象の区画領域に対する走査露光動作(マスクパターンの転写)を行う。   Specifically, in the scanning exposure operation, the main control device 90 (see FIG. 2) uses the alignment microscope 62 arranged on the +X side of the projection system main body 42 to expose at least the exposure target, prior to the scanning exposure operation. The position information of, for example, four marks Mk formed in the partitioned area is detected to calculate the array information of the partitioned area. The main controller 90 performs precise positioning (substrate alignment operation) of the substrate P in the three-degree-of-freedom directions in the XY plane based on the calculated array information of the partitioned areas to be exposed, and the illumination system 20 and the projection. By appropriately controlling the optical system 40, the scanning exposure operation (transfer of the mask pattern) is performed on the target partitioned area.

次に、投影光学系40が有する投影系本体42の位置情報を求めるための計測系46(図2参照)、及びアライメント系60が有するアライメント顕微鏡62、64の位置情報を求めるための計測系68の具体的な構成について説明する。   Next, a measurement system 46 (see FIG. 2) for obtaining the position information of the projection system body 42 of the projection optical system 40, and a measurement system 68 for obtaining the position information of the alignment microscopes 62, 64 of the alignment system 60. The specific configuration of will be described.

図3に示されるように、液晶露光装置10は、投影系本体42を走査方向に案内するためのガイド80を有している。ガイド80は、走査方向に平行に延びる部材から成る。ガイド80は、アライメント顕微鏡62の走査方向への移動を案内する機能も有する。また、図3では、ガイド80がマスクMと基板Pとの間に図示されているが、実際には、ガイド80は、Y軸方向に関して照明光ILの光路を避けた位置に配置されている。   As shown in FIG. 3, the liquid crystal exposure apparatus 10 has a guide 80 for guiding the projection system main body 42 in the scanning direction. The guide 80 is composed of a member extending parallel to the scanning direction. The guide 80 also has a function of guiding the movement of the alignment microscope 62 in the scanning direction. Further, although the guide 80 is shown between the mask M and the substrate P in FIG. 3, the guide 80 is actually arranged in a position avoiding the optical path of the illumination light IL in the Y-axis direction. ..

ガイド80には、少なくとも走査方向に平行な方向(X軸方向)を周期方向とする反射型の回折格子を含むスケール82が固定されている。また、投影系本体42は、スケール82に対向して配置されたヘッド84を有している。本実施形態では、上記スケール82とヘッド84とにより、投影系本体42の位置情報を求めるための計測系46(図2参照)を構成するエンコーダシステムが形成されている。また、アライメント顕微鏡62、64は、スケール82に対向して配置されたヘッド86を各々有している(図3において、アライメント顕微鏡64は不図示)。本実施形態では、上記スケール82とヘッド86とにより、アライメント顕微鏡62、64の位置情報を求めるための計測系68(図2参照)を構成するエンコーダシステムが形成されている。ここで、ヘッド84、86は、それぞれスケール82に対してエンコーダ計測用のビームを照射し、スケール82を介したビーム(スケール82による反射ビーム)を受光して、その受光結果に基づいてスケール82に対する相対的な位置情報を出力可能となっている。   A scale 82 including a reflection type diffraction grating having a periodic direction at least in a direction parallel to the scanning direction (X-axis direction) is fixed to the guide 80. Further, the projection system main body 42 has a head 84 which is arranged so as to face the scale 82. In the present embodiment, the scale 82 and the head 84 form an encoder system that constitutes a measurement system 46 (see FIG. 2) for obtaining position information of the projection system body 42. The alignment microscopes 62 and 64 each have a head 86 arranged to face the scale 82 (the alignment microscope 64 is not shown in FIG. 3). In the present embodiment, the scale 82 and the head 86 form an encoder system that constitutes a measurement system 68 (see FIG. 2) for obtaining the position information of the alignment microscopes 62 and 64. Here, the heads 84 and 86 respectively irradiate the scale 82 with a beam for encoder measurement, receive a beam that has passed through the scale 82 (a reflected beam by the scale 82), and based on the light reception result, the scale 82. It is possible to output position information relative to.

このように、本実施形態において、スケール82は、投影系本体42の位置情報を求めるための計測系46(図2参照)を構成し、アライメント顕微鏡62、64の位置情報を求めるための計測系68(図2参照)を構成する。すなわち、投影系本体42とアライメント顕微鏡62、64とは、スケール82に形成された回折格子によって設定される共通の座標系(測長軸)に基づいて位置制御が行われる。なお、投影系本体42を駆動するための駆動系44(図2参照)、及びアライメント顕微鏡62、64を駆動するための駆動系66(図2参照)は、要素が一部共通であっても良いし、完全に独立した要素により構成されていても良い。   As described above, in the present embodiment, the scale 82 constitutes the measurement system 46 (see FIG. 2) for obtaining the position information of the projection system main body 42, and the measurement system for obtaining the position information of the alignment microscopes 62 and 64. 68 (see FIG. 2). That is, the projection system body 42 and the alignment microscopes 62 and 64 are position-controlled based on a common coordinate system (measurement axis) set by the diffraction grating formed on the scale 82. The drive system 44 (see FIG. 2) for driving the projection system main body 42 and the drive system 66 (see FIG. 2) for driving the alignment microscopes 62 and 64 may have some common elements. It may be good or may be composed of completely independent elements.

なお、上記計測系46、68(それぞれ図2参照)を構成するエンコーダシステムは、測長軸が、例えばX軸方向(走査方向)のみであるリニア(1DOF)エンコーダシステムであっても良いし、より多くの測長軸を有しても良い。例えば、ヘッド84、86をY軸方向に所定間隔で複数配置することにより、投影系本体42、アライメント顕微鏡62、64のθz方向の回転量を求めても良い。また、スケール82にXY2次元回折格子を形成し、X、Y、θz方向の3自由度方向に測長軸を有する3DOFエンコーダシステムとしても良い。さらに、ヘッド84、86として、回折格子の周期方向と併せてスケール面に直交する方向の測長が可能な公知の2次元ヘッドを複数用いることにより、投影系本体42、アライメント顕微鏡62の6自由度方向の位置情報を求めても良い。   The encoder system that constitutes the measurement systems 46 and 68 (see FIG. 2 respectively) may be a linear (1 DOF) encoder system in which the length measurement axis is only in the X-axis direction (scanning direction), for example. It may have more length measurement axes. For example, by arranging a plurality of heads 84 and 86 at predetermined intervals in the Y-axis direction, the rotation amount of the projection system main body 42 and the alignment microscopes 62 and 64 in the θz direction may be obtained. Further, an XY two-dimensional diffraction grating may be formed on the scale 82, and a 3DOF encoder system having a length measuring axis in the three degrees of freedom in the X, Y, and θz directions may be used. Further, as the heads 84 and 86, by using a plurality of known two-dimensional heads capable of measuring the length in the direction orthogonal to the scale surface together with the periodic direction of the diffraction grating, the projection system main body 42 and the alignment microscope 62 can be freely moved. The position information in the degree direction may be obtained.

次に、液晶露光装置10を用いたステップ・アンド・スキャン方式の露光動作について、図4(a)〜図7(b)を用いて説明する。以下の露光動作(アライメント動作を含む)は、主制御装置90の管理下で行われる。   Next, the step-and-scan exposure operation using the liquid crystal exposure apparatus 10 will be described with reference to FIGS. 4(a) to 7(b). The following exposure operation (including alignment operation) is performed under the control of main controller 90.

なお、露光動作時の基板PとマスクM1、M2との関係を説明するための図4(a)〜図7(b)では、理解を容易にするため、基板Pに形成される回路パターンをFの字で説明するものとする。マスクM1には、回路パターン(Fの字)のうちの−Y側の半分に対応するマスクパターンが形成され、マスクM2には、回路パターン(Fの字)のうちの+Y側の半分に対応するマスクパターンが形成されている。マスクM1とマスクM2との相対位置関係は、X軸方向に対して異なる位置、且つY軸方向に対して等しい位置となる。   In addition, in FIGS. 4A to 7B for explaining the relationship between the substrate P and the masks M1 and M2 during the exposure operation, the circuit pattern formed on the substrate P is illustrated to facilitate understanding. Let us explain with the letter F. A mask pattern corresponding to the -Y side half of the circuit pattern (F shape) is formed on the mask M1, and a +Y side half of the circuit pattern (F shape) is formed on the mask M2. A mask pattern is formed. The relative positional relationship between the mask M1 and the mask M2 is different in the X-axis direction and equal in the Y-axis direction.

また、実際には、照明光IL(図1参照)が照射されない場合は、基板P上に露光領域IAは生成されないが、ここでは理解を容易にするため、図4(a)〜図7(b)において、露光領域IAが白く図示されている場合は、照明系20(図1参照)からの照明光ILにより基板P上に露光領域IAが生成されているものとし、露光領域IAが黒く図示されている場合は、照明光ILが照射されていないものとする。   In addition, actually, when the illumination light IL (see FIG. 1) is not irradiated, the exposure area IA is not generated on the substrate P, but here, for ease of understanding, FIG. 4A to FIG. In b), when the exposure area IA is illustrated as white, it is assumed that the exposure area IA is generated on the substrate P by the illumination light IL from the illumination system 20 (see FIG. 1), and the exposure area IA is black. In the illustrated case, it is assumed that the illumination light IL is not emitted.

図4(a)に示されるように、本実施形態において、露光順が最初である区画領域(以下、第1ショット領域Sと称する)は、基板Pの−X側且つ−Y側に設定されている。マスクM1は、基板Pの第1ショット領域Sの−Y側の半分の領域に対向している。主制御装置90(図4(a)〜図7(b)では不図示。図2参照)は、アライメント顕微鏡62(図2参照)を用いてマスクM1と第1ショット領域Sとの相対的な位置決めを行う。具体的には、主制御装置90は、アライメント顕微鏡62を+X方向に駆動して、第1ショット領域S内に形成されたマークMk(不図示)を検出する。主制御装置90は、このアライメント顕微鏡62の検出結果に基づいて基板PのXY平面内の3自由度方向の精密な位置決めを行う。 As shown in FIG. 4A, in this embodiment, the partitioned area having the first exposure order (hereinafter, referred to as the first shot area S 1 ) is set on the −X side and the −Y side of the substrate P. Has been done. The mask M1 faces a half region on the −Y side of the first shot region S 1 of the substrate P. The main controller 90 (not shown in FIGS. 4A to 7B, see FIG. 2) uses the alignment microscope 62 (see FIG. 2) to determine the relative relationship between the mask M1 and the first shot area S 1. The correct positioning. Specifically, main controller 90 drives alignment microscope 62 in the +X direction to detect mark Mk (not shown) formed in first shot region S 1 . Main controller 90 performs precise positioning of substrate P in the three degrees of freedom in the XY plane based on the detection result of alignment microscope 62.

この後、主制御装置90は、図4(b)に示されるように、露光領域IAが基板P上で+X方向に等速で移動するように、照明系本体22、及び投影系本体42(それぞれ図1及び図2参照)を+X方向に同期駆動する。   Thereafter, as shown in FIG. 4B, main controller 90 causes illumination system main body 22 and projection system main body 42 (so that exposure area IA moves on substrate P in the +X direction at a constant speed. 1 and 2) are synchronously driven in the +X direction.

図4(c)には、第1ショット領域Sの−Y側半分(下半分)への露光動作が終了した直後の状態が示されている。主制御装置90は、第1ショット領域Sの+Y側半分に対して露光動作を行うために、図4(d)に示されるように、マスクM1、M2それぞれを−X方向にXステップ駆動(図4(d)の白矢印参照)させ、基板Pを−Y方向にYステップ駆動(図4(d)の黒矢印参照)させる。これにより、マスクM2が基板Pの第1ショット領域Sの+Y側の半分の領域に対向する位置に駆動される。 FIG. 4C shows a state immediately after the exposure operation to the −Y side half (lower half) of the first shot area S 1 is completed. The main controller 90 drives each of the masks M1 and M2 in the X step in the −X direction as shown in FIG. 4D in order to perform the exposure operation on the +Y side half of the first shot area S 1 . (See the white arrow in FIG. 4D), and the substrate P is driven in Y step in the Y direction (see the black arrow in FIG. 4D). As a result, the mask M2 is driven to a position facing the +Y side half region of the first shot region S 1 of the substrate P.

主制御装置90は、アライメント顕微鏡64(図2参照)を用いてマスクM2と第1ショット領域Sとの相対的な位置決めを行う。主制御装置90は、マスクM2と、マスクM1のパターンが転写された第1ショット領域Sの−Y側半分(下半分)、マスクM2のパターンを転写する第1ショット領域Sの+Y側半分(上半分)との相対的な位置決めを行う。具体的には、主制御装置90は、アライメント顕微鏡64を−X方向に駆動して、第1ショット領域S内に形成されたマークMk(不図示)を検出する。主制御装置90は、このアライメント顕微鏡64の検出結果に基づいて基板PのXY平面内の3自由度方向の精密な位置決めを行う。なお、主制御装置90は、マスクM1、M2を+X方向または−X方向にXステップ駆動させる度に、アライメント顕微鏡62を用いてマスクM1、M2と基板Pとの相対的な位置決めを行うが、以下では説明を省略する。 The main controller 90 uses the alignment microscope 64 (see FIG. 2) to perform relative positioning between the mask M2 and the first shot area S 1 . The main controller 90 includes the mask M2 and the −Y side half (lower half) of the first shot area S 1 to which the pattern of the mask M1 is transferred, and the +Y side of the first shot area S 1 to which the pattern of the mask M2 is transferred. Position relative to half (upper half). Specifically, main controller 90 drives alignment microscope 64 in the −X direction to detect mark Mk (not shown) formed in first shot region S 1 . Main controller 90 performs precise positioning of substrate P in the three-degree-of-freedom direction on the XY plane based on the detection result of alignment microscope 64. The main controller 90 uses the alignment microscope 62 to perform relative positioning between the masks M1 and M2 and the substrate P each time the masks M1 and M2 are driven in X steps in the +X direction or the −X direction. The description is omitted below.

次いで、主制御装置90は、照明系本体22、及び投影系本体42(それぞれ図1及び図2参照)を−X方向に同期駆動して、第1ショット領域Sの+Y側半分(上半分)への露光動作を行う。このように、本実施形態では、ひとつの区画領域に対する第1回目の露光動作と第2回目の露光動作とで、照明光IL(露光領域IA)の走査方向が逆転する。 Next, the main controller 90 synchronously drives the illumination system main body 22 and the projection system main body 42 (see FIG. 1 and FIG. 2, respectively) in the −X direction, and the +Y side half (upper half) of the first shot region S 1 is driven. ) Exposure operation. As described above, in the present embodiment, the scanning direction of the illumination light IL (exposure area IA) is reversed between the first exposure operation and the second exposure operation for one divided area.

図4(e)には、第1ショット領域Sの上半分への露光動作が終了した直後の状態が示されている。第1回目の走査露光動作(図4(b)参照)により第1ショット領域Sの下半分の領域には、マスクM1のパターンが転写されており、第2回目の走査露光動作により第1ショット領域Sの上半分の領域にマスクM2のパターンが転写されることにより、マスクM1のパターンと、マスクM2のパターンとが繋ぎ合わされる。これにより、第1ショット領域Sには、所望の回路パターン(ここではFの字)が形成される。つまり、所望の回路パターンを区画領域に形成するために、投影系本体42をX方向へ往復駆動させて繋ぎ合わせ露光を行う。 FIG. 4E shows a state immediately after the exposure operation for the upper half of the first shot area S 1 is completed. The pattern of the mask M1 is transferred to the lower half area of the first shot area S 1 by the first scanning exposure operation (see FIG. 4B), and the first scanning area S 1 has the first pattern by the second scanning exposure operation. by the pattern of the mask M2 on the upper half region of the shot areas S 1 is being transferred, the pattern of the mask M1, is joined together with the pattern of the mask M2. As a result, a desired circuit pattern (here, the letter “F”) is formed in the first shot area S 1 . That is, in order to form a desired circuit pattern in the partitioned area, the projection system main body 42 is reciprocally driven in the X direction to perform stitching exposure.

ひとつのマスクパターンを区画領域に形成するために、投影系本体42を往復させて繋ぎ合わせ露光を行う場合、互いに異なる検出視野を有する往路用及び復路用のアライメント顕微鏡を走査方向(X方向)に関して投影系本体42の前後に配置する。この場合、往路用(1回目の露光動作用)のアライメント顕微鏡により、区画領域の四隅のマークMkを検出し、復路用(2回目の露光動作用)のアライメント顕微鏡によって、継ぎ部近傍のマークMkを検出しても良い。ここで、継ぎ部とは、往路の走査露光で露光された領域(パターンが転写された領域)と復路の走査露光で露光された領域(パターンが転写された領域)との継ぎ合わせ部分を意味する。継ぎ部近傍のマークMkとしては、予め基板PにマークMkを形成しても良いし、露光済みのパターンをマークMkとしても良い。なお、第1ショット領域Sに限らず、他のショット領域において繋ぎ合わせ露光を行う場合も同様である。上記実施形態では、投影系本体42を+X方向に駆動して走査露光動作を行う場合、往路用のアライメント顕微鏡はアライメント顕微鏡62、復路用のアライメント顕微鏡はアライメント顕微鏡64である。また、投影系本体42を−X方向に駆動して走査露光動作を行う場合、往路用のアライメント顕微鏡はアライメント顕微鏡64、復路用のアライメント顕微鏡はアライメント顕微鏡62である。 When the projection system main body 42 is reciprocated to perform the stitching exposure in order to form one mask pattern in the partitioned area, the forward and backward alignment microscopes having different detection fields are used in the scanning direction (X direction). It is arranged before and after the projection system main body 42. In this case, the marks Mk at the four corners of the divided region are detected by the alignment microscope for the forward path (for the first exposure operation), and the marks Mk near the joint are detected by the alignment microscope for the backward path (for the second exposure operation). May be detected. Here, the spliced portion means a spliced portion of the area exposed by the forward scanning exposure (area where the pattern is transferred) and the area exposed by the backward scanning exposure (area where the pattern is transferred). To do. As the mark Mk near the joint portion, the mark Mk may be formed on the substrate P in advance, or an exposed pattern may be used as the mark Mk. The same applies to the case where joint exposure is performed not only in the first shot area S 1 but also in another shot area. In the above embodiment, when the projection system main body 42 is driven in the +X direction to perform the scanning exposure operation, the forward path alignment microscope is the alignment microscope 62, and the backward path alignment microscope is the alignment microscope 64. Further, when the projection system main body 42 is driven in the −X direction to perform the scanning exposure operation, the forward path alignment microscope is the alignment microscope 64, and the backward path alignment microscope is the alignment microscope 62.

以下、主制御装置90は、同様の手順でマスクM1、M2のXステップ動作、及び基板PのYステップ動作を適宜行うことにより、残りの第2〜第4ショット領域S〜Sの露光動作を行う。図5(a)には、第2ショット領域S(第1ショット領域Sの+Y側)の下半分に対して露光動作を行うために、マスクM1、M2それぞれが+X方向にXステップ駆動されるとともに、基板Pが−Y方向にYステップ駆動された状態が示されている。この状態で、図5(b)に示されるように、照明光IL(露光領域IA)が+X方向に走査され、これにより、第2ショット領域Sの下半分にマスクM1のパターンが転写される。 Hereinafter, the main controller 90, the same procedure X step operation of the mask M1, M2 in, and by performing the Y stepping of the substrate P as appropriate, the remainder of the second to exposure in the fourth shot area S 2 to S 4 Take action. In FIG. 5A, in order to perform the exposure operation on the lower half of the second shot area S 2 (+Y side of the first shot area S 1 ), each of the masks M 1 and M 2 is driven by X steps in the +X direction. At the same time, the substrate P is driven in Y steps in the −Y direction. In this state, as shown in FIG. 5B, the illumination light IL (exposure area IA) is scanned in the +X direction, whereby the pattern of the mask M1 is transferred to the lower half of the second shot area S 2. It

図5(c)には、第2ショット領域Sの上半分に対して露光動作を行うために、図5(b)に示される状態から、マスクM1、M2それぞれが−X方向にXステップ駆動されるとともに、基板Pが−Y方向にYステップ駆動された状態が示されている。この状態で、図5(d)に示されるように、照明光IL(露光領域IA)が−X方向に走査され、これにより、第2ショット領域Sの上半分にマスクM2のパターンが転写される(第2ショット領域Sへの露光動作終了)。 In FIG. 5C, in order to perform the exposure operation for the upper half of the second shot area S 2 , the masks M1 and M2 are respectively moved in the X step in the −X direction from the state shown in FIG. 5B. The state is shown in which the substrate P is driven and is stepped in the Y direction in the Y direction. In this state, as shown in FIG. 5 (d), the illumination light IL (exposure area IA) is scanned in the -X direction, whereby the pattern of the mask M2 on the upper half of the second shot area S 2 is transferred (The operation of exposing the second shot area S 2 is completed).

図5(e)には、第3ショット領域S(第2ショット領域Sの+X側)の上半分に対して露光動作を行うために、図5(d)に示される状態から、マスクM1、M2それぞれが+X方向にXステップ駆動された状態が示されている(基板Pは、Yステップ駆動されない)。この状態で、図6(a)に示されるように、照明光IL(露光領域IA)が+X方向に走査され、これにより、第3ショット領域Sの上半分にマスクM2のパターンが転写される(第1及び第2ショット領域S、Sと異なり、マスクM2のパターンが先に転写される)。なお、図5(d)に示される状態から、マスクM1、M2それぞれが+X方向にXステップ駆動されているときに、照明系本体22及び投影系本体42をマスクM1、M2の+X方向にXステップ駆動が完了した後すぐに第3ショット領域Sの上半分にマスクM2のパターンを転写しやすい位置に駆動させておいてもよい。換言すると、マスクM1、M2をX方向にXステップ駆動させているときに、照明系本体22及び投影系本体42を第3ショット領域Sの露光開始位置まで予め駆動させておく。それに、第3ショット領域Sの露光開始までの時間を短縮することができる。 In FIG. 5E, in order to perform the exposure operation on the upper half of the third shot area S 3 (on the +X side of the second shot area S 1 ), the mask from the state shown in FIG. Each of M1 and M2 is shown to be driven in X steps in the X direction (the substrate P is not driven in Y steps). In this state, as shown in FIG. 6A, the illumination light IL (exposure area IA) is scanned in the +X direction, whereby the pattern of the mask M2 is transferred to the upper half of the third shot area S 3. (Unlike the first and second shot areas S 1 and S 2 , the pattern of the mask M2 is transferred first). From the state shown in FIG. 5D, when the masks M1 and M2 are driven in X steps in the +X direction, the illumination system main body 22 and the projection system main body 42 are moved in the +X direction of the masks M1 and M2. immediately pattern of the mask M2 on the upper half of the third shot area S 3 after the step driving is completed may be allowed to drive the position easy transfer. In other words, while the masks M1 and M2 are driven in the X direction by X steps, the illumination system main body 22 and the projection system main body 42 are driven in advance to the exposure start position of the third shot area S 3 . In addition, it is possible to shorten the time until the exposure of the third shot area S 3 is started.

図6(b)には、第3ショット領域Sの下半分に対して露光動作を行うために、図6(a)に示される状態から、マスクM1、M2それぞれが+X方向にXステップ駆動されるとともに、基板Pが+Y方向にYステップ駆動された状態が示されている。この状態で、図6(c)に示されるように、照明光IL(露光領域IA)が−X方向に走査され、これにより、第3ショット領域Sの下半分にマスクM1のパターンが転写される(第3ショット領域Sへの露光動作終了)。 In FIG. 6B, in order to perform the exposure operation on the lower half of the third shot region S 3 , the masks M1 and M2 are driven by X steps in the +X direction from the state shown in FIG. 6A. In addition, the substrate P is driven in the Y step in the +Y direction. In this state, as shown in FIG. 6C, the illumination light IL (exposure area IA) is scanned in the −X direction, whereby the pattern of the mask M1 is transferred to the lower half of the third shot area S 3. (The exposure operation for the third shot area S 3 is completed).

図6(d)には、第4ショット領域S(第3ショット領域Sの−Y側)の上半分に対して露光動作を行うために、図6(c)に示される状態から、マスクM1、M2それぞれが−X方向にXステップ駆動されるとともに、基板Pが+Y方向にYステップ駆動された状態が示されている。この状態で、図6(e)に示されるように、照明光IL(露光領域IA)が+X方向に走査され、これにより、第4ショット領域Sの上半分にマスクM2のパターンが転写される。 In FIG. 6D, in order to perform the exposure operation on the upper half of the fourth shot region S 4 (−Y side of the third shot region S 3 ), the state shown in FIG. Each of the masks M1 and M2 is driven by X steps in the −X direction, and the substrate P is driven by Y steps in the +Y direction. In this state, as shown in FIG. 6E, the illumination light IL (exposure area IA) is scanned in the +X direction, whereby the pattern of the mask M2 is transferred to the upper half of the fourth shot area S 4. It

図7(a)には、第4ショット領域Sの下半分に対して露光動作を行うために、図6(e)に示される状態から、マスクM1、M2それぞれが+X方向にXステップ駆動されるとともに、基板Pが+Y方向にYステップ駆動された状態が示されている。この状態で、図7(b)に示されるように、照明光IL(露光領域IA)が−X方向に走査され、これにより、第4ショット領域Sの下半分にマスクM1のパターンが転写される(第4ショット領域Sへの露光動作終了)。 In FIG. 7A, in order to perform the exposure operation on the lower half of the fourth shot region S 4 , the masks M1 and M2 are driven by X steps in the +X direction from the state shown in FIG. 6E. In addition, the substrate P is driven in the Y step in the +Y direction. In this state, as shown in FIG. 7B, the illumination light IL (exposure area IA) is scanned in the −X direction, whereby the pattern of the mask M1 is transferred to the lower half of the fourth shot area S 4. (The operation of exposing the fourth shot area S 4 is completed).

ここで、仮に1回の走査露光動作でひとつの区画領域の走査露光動作を完了させる場合、照明領域IAM、及び露光領域IA(それぞれ図1参照)のY軸方向の長さは、各区画領域(ショット領域S〜S)のY軸方向の長さとほぼ同じである必要がある。これに対し、上述した本実施形態によれば、照明領域IAM、及び露光領域IAそれぞれのY軸方向の長さが、各区画領域のY軸方向の長さのほぼ半分であるので、照明系本体22、及び投影系本体42(それぞれ図1参照)を小型化、軽量化することができる。これにより、照明系本体22、及び投影系本体42の位置制御性が向上するので、高速且つ高精度の走査露光動作が可能となる。 Here, if the scanning exposure operation of one divided area is completed by one scanning exposure operation, the length of the illumination area IAM and the exposure area IA in the Y-axis direction (see FIG. 1, respectively) is It is necessary that the length of the (shot areas S 1 to S 4 ) in the Y-axis direction is substantially the same. On the other hand, according to the above-described present embodiment, the length in the Y-axis direction of each of the illumination area IAM and the exposure area IA is approximately half the length in the Y-axis direction of each partitioned area. The main body 22 and the projection system main body 42 (see FIG. 1 respectively) can be reduced in size and weight. Thereby, the position controllability of the illumination system main body 22 and the projection system main body 42 is improved, so that high-speed and high-precision scanning exposure operation can be performed.

また、所望のパターンの一部と他部を有するマスクM1、M2をXステップ移動させること所望の回路パターンを区画領域に形成するため、走査露光動作の度にマスクM1とマスクM2とを交換する作業が不要であり、効率が良い。   Further, the masks M1 and M2 having a part and the other part of the desired pattern are moved in X steps to form the desired circuit pattern in the partitioned area. Therefore, the mask M1 and the mask M2 are exchanged every scanning exposure operation. No work required and efficient.

また、基板PをYステップ移動させることができるので、照明系本体22、及び投影系本体42(すなわち照明光ILの光軸)のY軸方向への位置を変えることなく、Y軸方向への位置の異なる複数の区画領域に対して走査露光動作を行うことができる。これにより、照明系20、及び投影光学系40それぞれを単軸(X軸)ステージ装置として構成することができ、装置構成が簡単になる。また、照明系本体22、及び投影系本体42の位置制御性が向上する。   Moreover, since the substrate P can be moved in Y steps, the positions of the illumination system main body 22 and the projection system main body 42 (that is, the optical axis of the illumination light IL) in the Y axis direction can be changed without changing the positions in the Y axis direction. The scanning exposure operation can be performed on a plurality of divided areas having different positions. Accordingly, the illumination system 20 and the projection optical system 40 can be configured as a single-axis (X-axis) stage device, and the device configuration is simplified. Further, the position controllability of the illumination system body 22 and the projection system body 42 is improved.

なお、以上説明した一実施形態に係る構成は、適宜変更が可能である。例えば、上記実施形態では、例えば2枚のマスクM1、M2が有するパターンを繋ぎ合わせたことにより、ひとつの区画領域に所望のパターンを形成したが、マスクの枚数は、3枚以上であっても良く、該3枚のマスクそれぞれが有するパターンを繋ぎ合わせて、ひとつの区画領域に所望のパターンを形成しても良い。   The configuration according to the embodiment described above can be modified as appropriate. For example, in the above-described embodiment, a desired pattern is formed in one divided area by connecting the patterns of the two masks M1 and M2, for example, but the number of masks may be three or more. Of course, the patterns of the three masks may be joined together to form a desired pattern in one divided area.

また、上記実施形態では、マスクM1とマスクM2との相対位置がY軸方向に対して同じであったが、Y軸方向に対して相対位置がずれていても良い。例えば上記実施形態では、第1ショット領域Sの下半分にマスクM1を対向させて走査露光動作を行った後、マスクM1、M2のXステップ動作と併せて基板PのYステップ動作を行ったが、マスクM1、M2のY軸方向の位置をずらすことにより、マスクM1、M2のXステップ動作のみによって第1ショット領域Sの上半分にマスクM2を対向させることも可能である。 Further, in the above embodiment, the relative positions of the mask M1 and the mask M2 are the same in the Y-axis direction, but the relative positions may be displaced in the Y-axis direction. For example, in the above embodiment, after the scanning exposure operation mask M1 to face the lower half of the first shot area S 1, were Y stepping of the substrate P together with X step operation of the mask M1, M2 However, by shifting the positions of the masks M1 and M2 in the Y-axis direction, it is possible to make the mask M2 face the upper half of the first shot region S 1 only by the X step operation of the masks M1 and M2.

また、上記実施形態では、照明系20で用いられる光源、及び該光源から照射される照明光ILの波長は、特に限定されず、例えばArFエキシマレーザ光(波長193nm)、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)などの紫外光や、F2レーザ光(波長157nm)などの真空紫外光であっても良い。 Further, in the above-described embodiment, the light source used in the illumination system 20 and the wavelength of the illumination light IL emitted from the light source are not particularly limited, and include, for example, ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and KrF excimer laser light (wavelength). It may be ultraviolet light such as 248 nm) or vacuum ultraviolet light such as F 2 laser light (wavelength 157 nm).

また、上記実施形態では、光源を含む照明系本体22が走査方向に駆動されたが、これに限られず、例えば特開2000−12422号公報に開示される露光装置と同様に、光源を固定とし、照明光ILのみが走査方向に走査されるようにしても良い。   Further, in the above-described embodiment, the illumination system main body 22 including the light source is driven in the scanning direction. However, the present invention is not limited to this, and the light source is fixed like the exposure apparatus disclosed in JP 2000-12422A, for example. Alternatively, only the illumination light IL may be scanned in the scanning direction.

また、照明領域IAM、露光領域IAは、上記実施形態ではY軸方向に延びる帯状に形成されたが、これに限られず、例えば米国特許第5,729,331号明細書に開示されるように、千鳥状に配置された複数の領域を組み合わせても良い。   Further, although the illumination area IAM and the exposure area IA are formed in a band shape extending in the Y-axis direction in the above-mentioned embodiment, the invention is not limited to this, and as disclosed in, for example, US Pat. No. 5,729,331. Alternatively, a plurality of areas arranged in a staggered pattern may be combined.

また、上記実施形態では、マスクM1、M2、及び基板Pが、水平面に直交するように配置(いわゆる縦置き配置)されたが、これに限られず、マスクM1、M2、及び基板Pは、水平面に平行に配置されても良い。この場合、照明光ILの光軸は、重力方向とほぼ平行とされる。   Further, in the above embodiment, the masks M1 and M2 and the substrate P are arranged so as to be orthogonal to the horizontal plane (so-called vertical arrangement), but the present invention is not limited to this, and the masks M1 and M2 and the substrate P are horizontal planes. May be arranged in parallel with. In this case, the optical axis of the illumination light IL is substantially parallel to the gravity direction.

また、走査露光動作時にアライメント計測の結果に応じて基板PのXY平面内の微小位置決めを行ったが、これと併せて、走査露光動作前に(あるいは走査露光動作と並行して)基板Pの面位置情報を求め、走査露光動作中に基板Pの面位置制御(いわゆるオートフォーカス制御)を行っても良い。   Further, during the scanning exposure operation, the fine positioning of the substrate P in the XY plane was performed according to the result of the alignment measurement. Together with this, before the scanning exposure operation (or in parallel with the scanning exposure operation), the substrate P The surface position information may be obtained and surface position control of the substrate P (so-called autofocus control) may be performed during the scanning exposure operation.

また、露光装置の用途としては、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば有機EL(Electro-Luminescence)パネル製造用の露光装置、半導体製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるマスク又はレチクルを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも適用できる。   Further, the application of the exposure apparatus is not limited to the exposure apparatus for liquid crystal that transfers the liquid crystal display element pattern to the rectangular glass plate, and for example, the exposure apparatus for manufacturing an organic EL (Electro-Luminescence) panel, the semiconductor It can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing, a thin film magnetic head, an exposure apparatus for manufacturing a micromachine, a DNA chip and the like. Further, not only microdevices such as semiconductor elements, but also glass substrates or silicon wafers for manufacturing masks or reticles used in light exposure apparatuses, EUV exposure apparatuses, X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, etc. It can also be applied to an exposure device that transfers a circuit pattern onto a substrate.

また、露光対象となる物体はガラスプレートに限られず、例えばウエハ、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。また、露光対象物がフラットパネルディスプレイ用の基板である場合、その基板の厚さは特に限定されず、例えばフィルム状(可撓性を有するシート状の部材)のものも含まれる。なお、本実施形態の露光装置は、一辺の長さ、又は対角長が500mm以上の基板が露光対象物である場合に特に有効である。また、露光対象の基板が可撓性を有するシート状である場合には、該シートがロール状に形成されていても良い。この場合、ステージ装置のステップ動作によらず、ロールを回転させる(巻き取る)ことによって、容易に照明領域(照明光)に対して露光対象の区画領域を変更する(ステップ移動させる)ことができる。   The object to be exposed is not limited to the glass plate, and may be another object such as a wafer, a ceramic substrate, a film member, or a mask blank. When the exposure target is a flat panel display substrate, the thickness of the substrate is not particularly limited, and includes, for example, a film-shaped (flexible sheet-shaped member). The exposure apparatus of this embodiment is particularly effective when a substrate having a side length or a diagonal length of 500 mm or more is an exposure target. Further, when the substrate to be exposed has a flexible sheet shape, the sheet may be formed in a roll shape. In this case, it is possible to easily change (step move) the division area of the exposure target with respect to the illumination area (illumination light) by rotating (rolling) the roll regardless of the step operation of the stage device. ..

液晶表示素子(あるいは半導体素子)などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたマスク(あるいはレチクル)を製作するステップ、ガラス基板(あるいはウエハ)を製作するステップ、上述した各実施形態の露光装置、及びその露光方法によりマスク(レチクル)のパターンをガラス基板に転写するリソグラフィステップ、露光されたガラス基板を現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ガラス基板上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。   For electronic devices such as liquid crystal display elements (or semiconductor elements), the step of designing the function/performance of the device, the step of manufacturing a mask (or reticle) based on this design step, the step of manufacturing a glass substrate (or wafer) The exposure apparatus of each of the above-described embodiments, and the lithography step of transferring the pattern of the mask (reticle) to the glass substrate by the exposure method, the developing step of developing the exposed glass substrate, and the portion other than the portion where the resist remains It is manufactured through an etching step of removing an exposed member of a portion by etching, a resist removing step of removing unnecessary resist after etching, a device assembling step, an inspection step and the like. In this case, in the lithography step, the above-described exposure method is executed by using the exposure apparatus of the above-described embodiment, and the device pattern is formed on the glass substrate, so that a highly integrated device can be manufactured with high productivity. ..

以上説明したように、本発明の露光装置は、物体を走査露光するのに適している。また、本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法は、フラットパネルディスプレイの生産に適している。また、本発明のデバイス製造方法は、マイクロデバイスの生産に適している。 As described above, the exposure equipment of the present invention is suitable for scanning exposure an object. Moreover, the manufacturing method of the flat panel display of the present invention is suitable for the production of the flat panel display. Moreover, the device manufacturing method of the present invention is suitable for the production of microdevices.

10…液晶露光装置、20…照明系、30…マスクステージ装置、40…投影光学系、50…基板ステージ装置、60…アライメント系、M1、M2…マスク、P…基板。   10... Liquid crystal exposure device, 20... Illumination system, 30... Mask stage device, 40... Projection optical system, 50... Substrate stage device, 60... Alignment system, M1, M2... Mask, P... Substrate.

Claims (15)

スクが有するパターンに対して照明系からの照明光を照射し、投影系によ記パターンの投影像を物体上区画領域投影しながら走査露光を行露光装置であって、
前記マスク上において走査方向に互いに離れて形成された複数の第1マークと、前記物体上において前記走査方向に互いに離れて形成された複数の第2マークとをそれぞれ検出する検出部と、
前記複数の第1マークと前記複数の第2マークとを検出するよう、前記検出部を前記走査方向へ移動させる検出部駆動系と、
前記検出部の検出結果に基づいて前記マスクに対する相対位置が調整された前記区画領域を走査露光するよう、前記照明系および前記投影系を前記マスクおよび前記区画領域に対して前記走査方向へ相対的に移動させる駆動系と、
前記マスクを前記物体に対して前記走査方向へ移動させるマスク駆動系と、
前記物体を前記マスクに対して前記走査方向に交差する非走査方向へ移動させる物体駆動系と、を備え、
前記駆動系は、前記物体上の前記区画領域の一部が走査露光されるように、互いに対向する前記区画領域の一部前記パターンの一部が形成された前記第1マスクとに対して、前記照明系および前記投影系を前記走査方向へ相対的に移動させ、
前記物体駆動系は、前記区画領域の一部が走査露光された前記物体前記非走査方向へ移動させ、
前記マスク駆動系は、前記マスクを前記物体に対して前記走査方向へ相対移動させ、
前記検出部駆動系は、前記複数の第1マークと前記複数の第2マークとを検出するよう、前記物体駆動系および前記マスク駆動系によって互いに対向された前記区画領域の他部と、前記走査方向に関して前記第1マスクに隣接して設けられ前記パターンの他部が形成された前記第2マスクとに対して、前記走査方向に関する前記投影系に対する間隔が変更されるよう前記検出部を前記走査方向へ移動させ、
前記駆動系は、前記区画領域の他部が走査露光されるよう、互いに対向する前記区画領域の他部と前記第2マスクとに対して、前記照明系及び前記投影系を前記走査方向へ移動させる露光装置。
Irradiating the illumination light from the illumination system relative mask is Yusuke Rupa turn,査露light projection products et run the projection image before Kipa turn Ri by the projection system in the divided area on the object body a line intends exposure apparatus,
A detection unit that detects a plurality of first marks formed on the mask and separated from each other in the scanning direction, and a plurality of detection units that detect a plurality of second marks formed on the object and separated from each other in the scanning direction;
A detection unit drive system that moves the detection unit in the scanning direction so as to detect the plurality of first marks and the plurality of second marks;
The illumination system and the projection system are relative to the mask and the divided area in the scanning direction so that the divided area whose relative position with respect to the mask is adjusted based on the detection result of the detection unit is exposed by scanning. Drive system to move to
A mask drive mechanism for moving to the scanning direction of the mask relative to the object,
An object drive system for moving the object in a non-scanning direction that intersects the scanning direction with respect to the mask ,
The drive system is configured such that a part of the partitioned area and a part of the pattern that face each other are opposed to each other so that a part of the partitioned area on the object is scanned and exposed. the pre-Symbol illumination system and the projection system are relatively moved to the scanning direction,
The object drive system moves the previous SL object part of which is the scanning exposure for the partition area to the non-scanning direction,
The mask drive system is to pair the mask on the object is relative movement to said scanning direction,
The detection unit drive system scans the other part of the divided area opposed to each other by the object drive system and the mask drive system so as to detect the plurality of first marks and the plurality of second marks, and the scanning. The detection unit scans the second mask, which is provided adjacent to the first mask in the direction and in which the other part of the pattern is formed, so that the interval with respect to the projection system in the scanning direction is changed. Direction,
The drive system, so that the other part of the divided area is run査exposure, relative to said second mask and the other part of the divided areas facing each other, the scanning direction before Symbol illumination system and said projection system exposure apparatus to move to.
前記物体駆動系は、前記パターンが形成された前記区画領域である第1区画領域に対して前記非走査方向に隣接して設けられた第2区領域が前記第1マスクと対向するように、前記物体を前記第1区画領域に対向する前記第1マスク及び前記第2マスクに対して前記非走査方向へ相対移動させる請求項1に記載の露光装置。   The object drive system is configured such that a second section region adjacent to the first section area, which is the section area in which the pattern is formed, in the non-scanning direction faces the first mask. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the object is relatively moved in the non-scanning direction with respect to the first mask and the second mask facing the first partitioned region. 前記マスク駆動系は、前記第2区画領域と前記第1マスクとが対向するように、前記第1マスクおよび前記第2領域に対向する前記第2マスクを、前記物体に対して前記走査方向へ相対移動させる請求項2に記載の露光装置。   The mask drive system moves the second mask, which faces the first mask and the second region, in the scanning direction with respect to the object so that the second partitioned region and the first mask face each other. The exposure apparatus according to claim 2, wherein the exposure apparatus is moved relatively. 前記マスク駆動系は、前記走査露光された前記第2区画領域に対向された前記第2マスクが、前記第2区画領域に対して前記走査方向に隣接して設けられた第3区画領域に対向するように、前記第2区画領域に対向する前記第2マスクを、前記物体に対して前記走査方向へ相対移動させる請求項3に記載の露光装置。   In the mask drive system, the second mask facing the scan-exposed second partitioned area faces a third partitioned area provided adjacent to the second partitioned area in the scanning direction. The exposure apparatus according to claim 3, wherein the second mask facing the second partitioned area is moved in the scanning direction relative to the object. 前記投影系は、前記区画領域の一部に対する走査露光において、前記非走査方向に関して前記区画領域の半分の長さを有する前記第1マスクが有する前記第1パターンの投影像を前記物体に投影する請求項1〜4の何れか一項に記載の露光装置。 The projection system, in査露light that run against a part of the divided area, the object of the projected image of the first pattern the first mask having a half length of the divided area with respect to the non-scanning direction has The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 4, which projects the light onto the image. 前記投影系は、前記区画領域の他部に対する走査露光において、前記非走査方向に関して前記区画領域の半分の長さを有する前記第2マスクが有する前記第2パターンの投影像を前記物体に投影する請求項1〜5の何れか一項に記載の露光装置。 The projection system, in that run査露light against the other part, the projected image of the second pattern, wherein the second mask having a half length of the divided area with respect to the non-scanning direction has the object of the divided area The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the exposure apparatus projects the light onto the image. 前記物体駆動系は、前記マスク駆動系による前記マスクの前記物体に対する前記走査方向への相対移動中に、前記区画領域の一部が走査露光された前記物体を前記非走査方向へ移動させる請求項1〜6の何れか一項に記載の露光装置。The object driving system moves, in the non-scanning direction, the object in which a part of the partitioned area is scan-exposed while the mask driving system moves the mask in the scanning direction relative to the object. The exposure apparatus according to any one of 1 to 6. 前記マスク駆動系は、前記物体駆動系による前記区画領域の一部が走査露光された前記物体の前記非走査方向へ移動中に、前記マスクを前記物体に対して前記走査方向への相対移動させる請求項1〜6の何れか一項に記載の露光装置。The mask drive system moves the mask relative to the object in the scanning direction while the object drive system is moving in the non-scanning direction of the object on which a part of the divided area is scan-exposed. The exposure apparatus according to claim 1. 前記駆動系は、前記パターンの一部のうち第1部分と前記パターンの他部のうち第2部分とを継ぎ合わして露光するように、前記照明系及び前記投影系を前記走査方向へ移動させる請求項1〜8の何れか一項に記載の露光装置。The drive system moves the illumination system and the projection system in the scanning direction so that a first part of the pattern and a second part of the other part of the pattern are spliced together for exposure. The exposure apparatus according to claim 1. 前記照明光が前記第1マスク及び前記第2マスクに照射される方向が水平面に平行であり、
前記物体は、前記走査露光される面が前記水平面に対して直交した状態で配置される請求項1〜の何れか一項に記載の露光装置。
A direction in which the illumination light is applied to the first mask and the second mask is parallel to a horizontal plane,
Wherein the object, an exposure apparatus according to any one of claim 1 to 9, the surface to be the scanning exposure is disposed in a state of being perpendicular to the horizontal plane.
前記駆動系は、前記照明系を駆動する第1駆動部と、前記投影系を駆動する第2駆動部と、を備え、
前記第1及び第2駆動部は、前記走査露光において、前記照明系と前記投影系とを同期して移動させる請求項1〜10の何れか一項に記載の露光装置。
The drive system includes a first drive unit that drives the illumination system, and a second drive unit that drives the projection system,
The said 1st and 2nd drive part is an exposure apparatus as described in any one of Claims 1-10 which synchronizes and moves the said illumination system and the said projection system in the said scanning exposure.
前記物体は、フラットパネルディスプレイに用いられる基板である請求項1〜11の何れか一項に記載の露光装置。 Wherein the object, an exposure apparatus according to any one of claim 1 to 11 which is a substrate used in flat panel displays. 前記基板は、少なくとも一辺の長さ又は対角長が500mm以上である請求項12に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 12 , wherein the substrate has at least one side length or diagonal length of 500 mm or more. 請求項12又は13に記載の露光装置によりレジストが塗布された前記基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。
Exposing the substrate coated with the resist by the exposure apparatus according to claim 12 or 13 ;
Developing the exposed substrate, and manufacturing a flat panel display.
請求項1〜14の何れか一項に記載の露光装置によりレジストが塗布された前記物体を露光することと、
露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
And exposing the object on which the resist is applied by the exposure apparatus according to any one of claims 1-14,
Developing the exposed object.
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