JP6708643B2 - 表示装置の作製方法 - Google Patents

Description

本発明の一態様は、表示装置と、その作製方法に関する。または、本発明の一態様は、ヘッドマウントディスプレイ及びプロジェクター等の電子機器に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。より具体的に本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入出力装置（例えば、タッチパネルなど）、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

近年、解像度の高い表示装置が求められている。例えば、フルハイビジョン（画素数１９２０×１０８０）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０もしくは４０９６×２１６０等）、さらには８Ｋ（画素数７６８０×４３２０もしくは８１９２×４３２０等）といった画素数の多いテレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）が盛んに開発されている。

他にも、スマートフォンなどの携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、タブレット端末などの携帯情報端末、デジタルカメラのビューファインダー、ヘッドマウントディスプレイなどのウェアラブルディスプレイ、プロジェクター等において、高解像度の表示装置が求められている。

また、携帯用途の電子機器又はウェアラブルディスプレイに用いる表示装置には、薄型であること、軽量であること、破損しにくいこと、可撓性を有すること等が求められている。

エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）現象を利用した発光素子（ＥＬ素子とも記す）は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、表示装置への応用が検討されている。

例えば、特許文献１に、有機ＥＬ素子が適用された可撓性を有する発光装置が開示されている。

特開２０１４−１９７５２２号公報

携帯用途の電子機器又はウェアラブルディスプレイに用いる表示装置は、テレビジョン装置に用いる表示装置に比べて、表示領域の面積が極めて小さいため、解像度を高めるためには、精細度を極めて高くする必要がある。また、携帯用途の電子機器又はウェアラブルディスプレイは、軽量であることが求められるため、薄型で軽量な表示装置を用いることが望ましい。

本発明の一態様は、精細度が極めて高く、可撓性を有する表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、精細度が極めて高く、曲面を有する表示装置を提供することを課題の一とする。

本発明の一態様は、小型であり、可撓性を有する表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、小型であり、曲面を有する表示装置を提供することを課題の一とする。

本発明の一態様は、精細度又は解像度の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、小型又は軽量な表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、厚さが薄い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、可撓性を有する、又は曲面を有する表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、使用者が二次元画像に強い立体感もしくは奥行き感を得ることを課題の一とする。本発明の一態様は、破損しにくい表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、消費電力が低い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、チャネル形成領域を結晶性半導体基板に有するトランジスタを形成する工程と、結晶性半導体基板上にトランジスタと電気的に接続される表示素子を形成する工程と、結晶性半導体基板を研磨し、結晶性半導体基板に厚さ１μｍ以上１００μｍ以下の部分を形成する工程と、を有する、表示装置の作製方法である。

本発明の一態様は、チャネル形成領域を結晶性半導体基板に有するトランジスタを形成する工程と、結晶性半導体基板上にトランジスタと電気的に接続される表示素子を形成する工程と、結晶性半導体基板の一部が残るように結晶性半導体基板を研磨する工程と、を有する、表示装置の作製方法である。結晶性半導体基板を研磨した後の表示装置は可撓性を有する。

上記各作製方法において、表示素子を形成する工程では、発光素子を形成してもよい。このとき、結晶性半導体基板を研磨する工程の前に、発光素子上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に着色層を形成する工程と、を有する。当該絶縁膜は、発光素子が発する光を透過する機能を有する。当該発光素子は、着色層側に光を射出する機能を有する。

または、上記各作製方法において、表示素子を形成する工程で発光素子を形成する場合、結晶性半導体基板を研磨する工程の前に、作製基板上に剥離層を形成する工程と、剥離層上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に着色層を形成する工程と、発光素子と着色層とが互いに向き合うように、結晶性半導体基板と作製基板とを、第１の接着層を用いて貼り合わせる工程と、作製基板と絶縁膜とを分離する工程と、絶縁膜とフィルムとを、第２の接着層を用いて貼り合わせる工程と、を有してもよい。当該絶縁膜及び当該フィルムは、発光素子が発する光を透過する機能を有する。当該発光素子は、着色層側に光を射出する機能を有する。

上記各作製方法において、結晶性半導体基板は、単結晶半導体基板であることが好ましく、単結晶シリコンを有することがより好ましい。

本発明の一態様は、結晶性基板上にトランジスタを形成する工程と、結晶性基板上にトランジスタと電気的に接続される表示素子を形成する工程と、結晶性基板を研磨し、結晶性半導体基板に厚さ１μｍ以上１００μｍ以下の部分を形成する工程と、を有する、表示装置の作製方法である。

本発明の一態様は、結晶性基板上にトランジスタを形成する工程と、結晶性基板上にトランジスタと電気的に接続される表示素子を形成する工程と、結晶性基板の一部が残るように結晶性基板を研磨する工程と、を有する表示装置の作製方法である。結晶性基板を研磨した後の表示装置は可撓性を有する。

トップエミッション構造の表示装置の場合、結晶性基板は、単結晶シリコンを有することが好ましい。ボトムエミッション構造の表示装置の場合、結晶性基板は、石英ガラス又はサファイアを有することが好ましい。

本発明の一態様は、上記の表示装置の作製方法のいずれかを用いて作製された、表示装置である。

本発明の一態様は、結晶性半導体基板と、チャネル形成領域を結晶性半導体基板に有するトランジスタと、トランジスタと電気的に接続された表示素子と、を有し、結晶性半導体基板は、１μｍ以上１００μｍ以下の厚さの部分を有する、表示装置である。

本発明の一態様は、少なくとも一部が可撓性を有する表示装置であり、結晶性半導体基板と、チャネル形成領域を結晶性半導体基板に有するトランジスタと、トランジスタと電気的に接続された表示素子と、を有する、表示装置である。

本発明の一態様は、少なくとも一部に曲面を有する表示装置であり、結晶性半導体基板と、チャネル形成領域を結晶性半導体基板に有するトランジスタと、トランジスタと電気的に接続された表示素子と、を有する、表示装置である。

上記各表示装置において、表示素子は、発光素子であってもよい。このとき、表示装置は、表示素子上の封止層と、封止層上の着色層と、を有していてもよい。着色層は、発光素子と重なる部分を有する。封止層は、発光素子が発する光を透過する機能を有する。発光素子は、着色層側に光を射出する機能を有する。さらに、着色層上の絶縁膜と、絶縁膜上の接着層と、接着層上の可撓性を有する基板と、を有していてもよい。

上記各表示装置において、結晶性半導体基板は、単結晶半導体基板であることが好ましく、単結晶シリコンを有することがより好ましい。

上記各表示装置において、結晶性半導体基板と可撓性を有する基板との間に位置するタッチセンサを有していてもよい。

本発明の一態様は、結晶性基板と、結晶性基板上のトランジスタと、トランジスタと電気的に接続された表示素子と、を有し、結晶性基板は、１μｍ以上１００μｍ以下の厚さの部分を有する、表示装置である。

本発明の一態様は、少なくとも一部が可撓性を有する表示装置であり、結晶性基板と、結晶性基板上のトランジスタと、トランジスタと電気的に接続された表示素子と、を有する、表示装置である。

本発明の一態様は、少なくとも一部に曲面を有する表示装置であり、結晶性基板と、結晶性基板上のトランジスタと、トランジスタと電気的に接続された表示素子と、を有する、表示装置である。

上記結晶性基板を有する各表示装置は、表示素子上の封止層と、封止層上の着色層と、を有していてもよい。表示素子は、発光素子であってもよい。このとき、着色層は、発光素子と重なる部分を有する。封止層は、発光素子が発する光を透過する機能を有する。発光素子は、着色層側に光を射出する機能を有する。さらに、表示装置は、着色層上の絶縁膜と、絶縁膜上の接着層と、接着層上の可撓性を有する基板と、を有していてもよい。

上記結晶性基板を有する各表示装置において、表示素子が発光素子である場合、結晶性基板と発光素子の間に位置する着色層を有していてもよい。結晶性基板は、発光素子が発する光を透過する機能を有する。発光素子は、着色層側に光を射出する機能を有する。

トップエミッション構造の表示装置の場合、結晶性基板は、単結晶シリコンを有することが好ましい。ボトムエミッション構造の表示装置の場合、結晶性基板は、石英又はサファイアを有することが好ましい。

上記各表示装置の精細度は、４００ｐｐｉ以上４０００ｐｐｉ以下であることが好ましい。

本発明の一態様は、上記のいずれかの構成の表示装置を有し、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）などのコネクタが取り付けられたモジュール、又はＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式等によりＩＣが実装されたモジュール等のモジュールである。

本発明の一態様では、上記のいずれかの構成又は作製方法が、表示装置でなく、発光装置又は入出力装置（タッチパネルなど）に適用されていてもよい。

本発明の一態様は、上記のいずれかの構成の表示装置と、アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、又は操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有する電子機器である。

本発明の一態様は、上記のいずれかの構成の表示装置と、アンテナ、バッテリ、カメラ、スピーカ、ヘッドホン、イヤホン、マイク、又は操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有する、ヘッドマウントディスプレイである。

本発明の一態様は、左目用の表示部と、右目用の表示部と、アンテナ、バッテリ、カメラ、スピーカ、ヘッドホン、イヤホン、マイク、又は操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有し、左目用の表示部及び右目用の表示部は、それぞれ、上記のいずれかの構成の表示装置を有する、ヘッドマウントディスプレイである。

本発明の一態様は、上記のいずれかの構成の表示装置と、レンズ、ミラー、プリズム、アンテナ、又は操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有する、プロジェクターである。

本発明の一態様により、精細度が極めて高く、可撓性を有する表示装置を提供できる。本発明の一態様により、精細度が極めて高く、曲面を有する表示装置を提供できる。

本発明の一態様により、小型であり、可撓性を有する表示装置を提供できる。本発明の一態様により、小型であり、曲面を有する表示装置を提供できる。

本発明の一態様により、精細度又は解像度の高い表示装置を提供できる。本発明の一態様により、小型又は軽量な表示装置を提供できる。本発明の一態様により、厚さが薄い表示装置を提供できる。本発明の一態様により、可撓性を有する、又は曲面を有する表示装置を提供できる。本発明の一態様により、使用者は、二次元画像に強い立体感もしくは奥行き感を得ることができる。本発明の一態様により、破損しにくい表示装置を提供できる。本発明の一態様により、消費電力が低い表示装置を提供できる。本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置を提供できる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す上面図と表示装置を曲げる例を説明する側面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図とトランジスタの一例を示す上面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 画素回路の一例を示す回路図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器及び照明装置の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 配線又は電極の加工方法の一例を示す断面図。 配線又は電極の加工方法の一例を示す断面図。 配線又は電極の加工方法の一例を示す断面図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電膜」という用語を、「導電層」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁層」という用語を、「絶縁膜」という用語に変更することが可能である。

なお、本明細書中において、「基板」は、機能回路、機能素子、及び機能膜等のうち少なくとも一つを支持する機能を有することが好ましい。なお、「基板」は、これらを支持する機能を有していなくてもよく、例えば、装置の表面を保護する機能、又は、機能回路、機能素子、及び機能膜等のうち少なくとも一つを封止する機能等を有していてもよい。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置とその作製方法について図１〜図２３を用いて説明する。

表示装置の基板には、ガラス基板が用いられることが多い。しかし、表示装置の作製における加熱工程によって、ガラスは収縮する場合がある。ガラスの熱収縮は、熱処理によるガラスの構造緩和に由来する。具体的には、ガラスを加熱することによって、ガラスの構造がより安定な状態に緩和して高密度化する（つまり収縮する）。

精細度の高い表示装置の作製には、微細な加工が必要となるため、加熱工程により基板が収縮すると、パターンにずれが生じ、トランジスタもしくは表示素子の特性の劣化、又は作製工程の歩留まりの低下につながる。

例えば、低温ポリシリコンを用いたトランジスタを作製する場合、作製工程の最高温度が６００℃程度となることもあるため、ガラス基板の熱収縮の問題が顕著となる。

そこで、本発明の一態様では、熱収縮の少ない基板を用いる。例えば、チャネル形成領域を熱収縮の少ない基板に有するトランジスタを形成する。または、熱収縮の少ない基板上に、トランジスタ及び表示素子を形成する。

本発明の一態様では、熱収縮の少ない基板として、結晶性基板を用いる。結晶性基板を用いることで、基板の熱収縮が原因でパターンにずれが生じることを抑制できる。これにより、トランジスタもしくは表示素子の特性の劣化、又は作製工程の歩留まりの低下を抑制できる。本発明の一態様を適用することで、精細度が極めて高い表示装置を作製することができる。具体的には、本発明の一態様を適用することで、４００ｐｐｉ以上４０００ｐｐｉ以下、又は４０００ｐｐｉ以上の精細度の表示装置を作製することができる。

表示装置の精細度が高いと、使用者は、二次元画像に立体感を得ることができる。本発明の一態様の表示装置は、高い精細度を有するため、複雑な構成（例えば、両眼視差を含む画像、又は立体視用のメガネ）を用いなくとも、使用者が画像に立体感を得ることができる。

また、表示装置は、画素数が多いことが好ましく、例えば、フルハイビジョン、４Ｋ、又は８Ｋの表示を行えることが好ましい。

本発明の一態様の表示装置には、様々な表示素子を用いることができる。例えば、ＥＬ素子（有機ＥＬ素子及び無機ＥＬ素子）等の発光素子、液晶素子、電気泳動素子、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子等が挙げられる。

特に、液晶素子及び有機ＥＬ素子は、高精細化が容易であるため、好ましい。さらに、有機ＥＬ素子を用いると、液晶素子を用いる場合に比べて、表示装置の使用者が、画像に、強い立体感又は奥行き感を得ることができるため、好ましい。また、有機ＥＬ素子は、液晶素子に比べて、フレキシブル化が容易であるため、好ましい。

結晶性基板としては、例えば、単結晶基板、多結晶基板、化合物基板、及び酸化物基板等を用いることができる。具体的には、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ、ＩｎＳｂ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＰ、ＧａＩｎＡｓＰ、Ａｌ_２Ｏ_３（サファイア）、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳ、ＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ_３、又はＺｎＯ等を有する結晶性基板を用いることができる。

特に、シリコンウェハは、ガラスよりも平坦でうねりが少ないため、好ましい。

結晶性基板の熱収縮率は、０ｐｐｍ／℃より大きく１０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、０ｐｐｍ／℃より大きく５ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましく、０ｐｐｍ／℃より大きく３ｐｐｍ／℃以下であることがさらに好ましい。

結晶性基板としては、特に、単結晶基板を用いることが好ましい。例えば、単結晶半導体基板、単結晶金属基板、人工水晶（石英の単結晶）基板等を用いることができる。

なお、トランジスタのチャネル形成領域を結晶性基板に形成する場合は、結晶性半導体基板を用いる。結晶性半導体基板の材料としては、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ等を好適に用いることができる。特に、単結晶半導体基板を用いることが好ましく、単結晶シリコン基板を用いることがより好ましい。

さらに、本発明の一態様では、トランジスタ及び表示素子等を作製した後に、結晶性基板を研磨する。例えば、表示装置が可撓性を有する程度に、又は、結晶性基板が１μｍ以上１００μｍ以下の厚さの部分を有するように、結晶性基板を研磨する。

これにより、精細度が極めて高い表示装置の小型化、軽量化、薄型化、又はフレキシブル化が可能となる。本発明の一態様を適用して作製された表示装置は、使用者が繰り返し曲げることができてもよい。または、該表示装置は、１度曲げられることで、その曲がった状態（曲面を有する状態）を維持することができてもよい。または、該表示装置は、曲がらなくてもよい。

なお、本発明の一態様では、可撓性を有する結晶性基板上に、トランジスタ及び表示素子等を作製してもよい。この場合、トランジスタ及び表示素子等を作製した後に、結晶性基板を研磨しなくてもよい。または、可撓性を有する結晶性基板を研磨し、さらに薄型化、軽量化、又はフレキシブル化を図ってもよい。なお、表示装置の作製工程及び搬送を容易とするため、トランジスタ及び表示素子等を作製する時点では、結晶性基板は十分な厚さを有していることが好ましく、素子の形成工程後に、該結晶性基板を研磨する等によって、厚さを薄くすることが好ましい。

本発明の一態様の表示装置は、小型及び薄型にすることが容易であるため、軽量化が可能であり、携帯用途の電子機器やウェアラブルディスプレイに好適に用いることができる。

以下では、本発明の一態様の表示装置の構成例を説明する。

まず、図２（Ａ）〜（Ｃ）に、本発明の一態様の表示装置の上面図をそれぞれ示す。

図２（Ａ）では、結晶性半導体基板１０１上に画素部１６０が設けられている。画素部１６０は、結晶性半導体基板１０１と接着層１９６と可撓性基板１９１とによって封止されている。図２（Ａ）では、結晶性半導体基板１０１上の接着層１９６と可撓性基板１９１とによって封止されている領域とは異なる領域に、信号線駆動回路４００３及び走査線駆動回路４００４が実装されている。信号線駆動回路４００３及び走査線駆動回路４００４は、それぞれ、別途用意された基板上に単結晶半導体又は多結晶半導体を用いて形成されている。また、信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４、又は画素部１６０に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４０１８ａ、ＦＰＣ４０１８ｂから供給されている。なお、本明細書中では、可撓性を有する基板を、可撓性基板とも記す。

図２（Ｂ）、（Ｃ）では、結晶性半導体基板１０１上に画素部１６０と、走査線駆動回路１５０とが設けられている。画素部１６０と、走査線駆動回路１５０とは、結晶性半導体基板１０１と接着層１９６と可撓性基板１９１とによって封止されている。図２（Ｂ）、（Ｃ）では、結晶性半導体基板１０１上の接着層１９６と可撓性基板１９１とによって封止されている領域とは異なる領域に、信号線駆動回路４００３が実装されている。信号線駆動回路４００３は、別途用意された基板上に単結晶半導体又は多結晶半導体を用いて形成されている。図２（Ｂ）、（Ｃ）では、信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４、又は画素部１６０に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４０１８から供給されている。

図２（Ｂ）、（Ｃ）では、信号線駆動回路４００３を別途形成し、結晶性半導体基板１０１に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実装してもよいし、信号線駆動回路の一部又は走査線駆動回路の一部のみを別途形成して実装してもよい。

なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ワイヤボンディング、ＣＯＧ、ＴＣＰ、ＣＯＦ等を用いることができる。図２（Ａ）は、ＣＯＧにより信号線駆動回路４００３及び走査線駆動回路４００４を実装する例であり、図２（Ｂ）は、ＣＯＧにより信号線駆動回路４００３を実装する例であり、図２（Ｃ）は、ＴＣＰにより信号線駆動回路４００３を実装する例である。

結晶性半導体基板１０１上に設けられた画素部１６０及び走査線駆動回路１５０は、トランジスタを複数有する。

図２（Ｄ）〜（Ｆ）を用いて、本発明の一態様の表示装置を曲げる例について説明する。

図２（Ｄ）に示すように、本発明の一態様が適用された表示装置１１０は、可逆的に曲げることができる。

表示装置１１０を曲げた状態で保持するために、表示装置１１０を他の部材で固定してもよい。部材には、ガラス、プラスチック、金属、合金、木材、及び石材等を用いることができる。部材は、単層構造又は積層構造とすることができ、例えば、板、又はフィルム等を積層してもよい。部材を表示装置１１０の表示面側に重ねて配置する場合、部材は可視光を透過するものとする。部材が可視光を透過しない場合、該部材は、表示装置１１０の表示面側に重ならないよう、配置する。

図２（Ｅ）に示すように、表示装置１１０を部材２１０の曲面に沿って曲げた状態で、部材２１０に固定してもよい。表示装置１１０は、着脱可能に固定してもよいし、接着剤などで部材２１０の曲面に貼り付けてもよい。

図２（Ｆ）に示すように、表示装置１１０を部材２１５ａ、２１５ｂの間に挟持して、表示装置１１０を曲げた状態で固定してもよい。部材２１５ａと部材２１５ｂは接着剤などで互いに貼り付けられていてもよい。または、部材２１５ａと部材２１５ｂは留め具などにより着脱可能に固定されていてもよい。

次に、本発明の一態様の表示装置の断面構成例と、作製方法について説明する。

＜断面構成例１＞
図１に、図２（Ｂ）における走査線駆動回路１５０及び画素部１６０の断面図を示す。

図１では、結晶性半導体基板１０１、トランジスタ１５１ｎ、トランジスタ１５１ｐ、トランジスタ１６１、トランジスタ１６２、素子分離領域１１８、発光素子１８０、可撓性基板１９１、接着層１９２、絶縁膜１９３、遮光層１９４、着色層１９５、接着層１９６等を示している。

結晶性半導体基板１０１にトランジスタのチャネル形成領域を設けることができる。表示装置の作製における加熱工程によって、結晶性半導体基板１０１は収縮しにくいため、トランジスタもしくは表示素子の特性の劣化、又は作製工程の歩留まりの低下を抑制し、精細度の高い表示装置を作製できる。

結晶性半導体基板１０１は、可撓性を有することが好ましい。例えば、結晶性半導体基板１０１の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、１μｍ以上５０μｍ以下がより好ましい。

走査線駆動回路１５０及び画素部１６０は、それぞれ、ｐ型のトランジスタのみを有していてもよく、ｎ型のトランジスタのみを有していてもよく、ｐ型のトランジスタとｎ型のトランジスタの両方を有していてもよい。図１では、走査線駆動回路１５０において、結晶性半導体基板１０１上にｐ型のトランジスタ１５１ｐとｎ型のトランジスタ１５１ｎとが設けられている例を示す。また、図１では、画素部１６０において、結晶性半導体基板１０１上にそれぞれｎ型の、トランジスタ１６１及びトランジスタ１６２が設けられている例を示す。

トランジスタ１５１ｐは、ｐ型のトランジスタである。トランジスタ１５１ｐは、ｎウェル１１２ｎ、ｐ型不純物領域１１３ｐ、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域１１４ｐ、ゲート絶縁膜１１５、ゲート１１６ａ、サイドウォール１１７、絶縁膜１２１、絶縁膜１２２、導電膜１２３ａ、導電膜１２３ｂ、導電膜１２４ａ、及び導電膜１２４ｂを有する。

トランジスタ１５１ｐが有するｐ型不純物領域１１３ｐの一方は、導電膜１２３ａを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ａと電気的に接続されており、他方は、導電膜１２３ｂを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ｂと電気的に接続されている。

トランジスタ１５１ｎは、ｎ型のトランジスタである。トランジスタ１５１ｎは、ｐウェル１１２ｐ、ｎ型不純物領域１１３ｎ、ＬＤＤ領域１１４ｎ、ゲート絶縁膜１１５、ゲート１１６ｂ、サイドウォール１１７、絶縁膜１２１、絶縁膜１２２、導電膜１２３ｃ、導電膜１２３ｄ、導電膜１２４ｃ、及び導電膜１２４ｄを有する。

トランジスタ１５１ｎが有するｎ型不純物領域１１３ｎの一方は、導電膜１２３ｃを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ｃと電気的に接続されており、他方は、導電膜１２３ｄを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ｄと電気的に接続されている。

トランジスタ１６１は、ｎ型のトランジスタである。トランジスタ１６１は、ｐウェル１１２ｐ、ｎ型不純物領域１１３ｎ、ＬＤＤ領域１１４ｎ、ゲート絶縁膜１１５、ゲート１１６ｃ、サイドウォール１１７、絶縁膜１２１、絶縁膜１２２、導電膜１２３ｅ、導電膜１２３ｆ、導電膜１２４ｅ、及び導電膜１２４ｆを有する。

トランジスタ１６１が有するｎ型不純物領域１１３ｎの一方は、導電膜１２３ｅを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ｅと電気的に接続されており、他方は、導電膜１２３ｆを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ｆと電気的に接続されている。

トランジスタ１６２は、ｎ型のトランジスタである。トランジスタ１６２は、ｐウェル１１２ｐ、ｎ型不純物領域１１３ｎ、ＬＤＤ領域１１４ｎ、ゲート絶縁膜１１５、ゲート１１６ｄ、サイドウォール１１７、絶縁膜１２１、絶縁膜１２２、導電膜１２３ｇ、導電膜１２３ｈ、導電膜１２４ｇ、及び導電膜１２４ｈを有する。

トランジスタ１６２が有するｎ型不純物領域１１３ｎの一方は、導電膜１２３ｇを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ｇと電気的に接続されており、他方は、導電膜１２３ｈを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ｈと電気的に接続されている。

トランジスタ１６１のゲート１１６ｃは、トランジスタ１６２のソース又はドレインと電気的に接続されている。具体的には、ゲート１１６ｃは、導電膜１２３ｉを介して、導電膜１２４ｇと電気的に接続されている。そして、導電膜１２４ｇは、導電膜１２３ｇを介して、ｎ型不純物領域１１３ｎと電気的に接続されている。

図１に示すように、同一基板上にｐ型のトランジスタとｎ型のトランジスタを形成する場合、結晶性半導体基板１０１の一部にｎウェル１１２ｎ及びｐウェル１１２ｐのうち少なくとも一方を形成してもよい。例えば、ｎ型の結晶性半導体基板を用いた場合、結晶性半導体基板１０１にｐ型の導電性を付与するホウ素などの不純物元素を添加してｐウェル１１２ｐを形成してもよい。同様に、例えば、ｐ型の結晶性半導体基板を用いた場合、結晶性半導体基板１０１にｎ型の導電性を付与するリンなどの不純物元素を添加してｎウェル１１２ｎを形成してもよい。

各トランジスタは一対のｎ型不純物領域１１３ｎ又は一対のｐ型不純物領域１１３ｐを有する。一対の不純物領域の一方は、ソース領域として機能し、他方は、ドレイン領域として機能する。ｎ型不純物領域１１３ｎには、ｎ型の導電性を付与するリンなどの不純物元素が含まれる。ｐ型不純物領域１１３ｐには、ｐ型の導電性を付与するホウ素などの不純物元素が含まれる。

各トランジスタは、低濃度不純物領域を有していてもよい。ｎ型のトランジスタのＬＤＤ領域１１４ｎには、ｎ型の導電性を付与するリンなどの不純物元素が含まれる。ｐ型のトランジスタのＬＤＤ領域１１４ｐには、ｐ型の導電性を付与するホウ素などの不純物元素が含まれる。

ゲート絶縁膜１１５は、結晶性半導体基板１０１と各トランジスタのゲートの間に位置する。各トランジスタのゲートは、ゲート絶縁膜１１５を挟んで、結晶性半導体基板１０１のチャネル形成領域と重なる。

各トランジスタは、素子分離領域１１８により電気的に分離されている。素子分離領域１１８は、ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）法、又はＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。

発光素子１８０は、電極１８１、ＥＬ層１８３、及び電極１８５を有する。発光素子１８０は、着色層１９５側に光を射出する。

電極１８１及び電極１８５のうち、一方は、陽極として機能し、他方は、陰極として機能する。電極１８１及び電極１８５の間に、発光素子１８０の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層１８３に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層１８３において再結合し、ＥＬ層１８３に含まれる発光物質が発光する。

トランジスタ１６１のソース又はドレインは、導電膜１２７を介して、絶縁膜１２５上の電極１８１と電気的に接続されている。

絶縁膜１２２及び絶縁膜１２５等の上面には、必要に応じてＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法等で平坦化処理を行うことが好ましい。

電極１８１は画素電極として機能し、発光素子１８０ごとに設けられている。隣り合う２つの電極１８１は、絶縁膜１２８によって電気的に絶縁されている。電極１８５は、共通電極として機能し、複数の発光素子１８０にわたって設けられている。

図１では、絶縁膜１２８が無機絶縁膜である例を示すが、絶縁膜１２８は有機絶縁膜であってもよい。

結晶性半導体基板１０１とは異なる基板上で作製された、絶縁膜１９３、遮光層１９４、及び着色層１９５は、接着層１９６によって、結晶性半導体基板１０１と貼り合わされている。トランジスタ等に比べて微細な加工が必要とされない機能素子又は機能膜のみを基板上に作製する場合は、基板の熱収縮の影響を受けにくいこともある。そのため、絶縁膜１９３、遮光層１９４、及び着色層１９５等は、結晶性基板上に作製しなくても構わない。なお、作製において微細な加工が必要な場合は、絶縁膜１９３、遮光層１９４、及び着色層１９５等も、結晶性基板上に作製することが好ましい。

例えば、可撓性基板１９１上に、絶縁膜１９３、遮光層１９４、及び着色層１９５を直接形成してもよい。なお、発光素子又はトランジスタが、水分等の不純物により劣化しやすい場合、可撓性基板１９１のガスバリア性が低いと、表示装置の信頼性が不十分となる場合がある。可撓性基板１９１にガスバリア性が低い材料（有機樹脂など）を用いる場合には、絶縁膜１９３のガスバリア性が高いことが好ましい。図１に示す構成は、例えば、作製基板上で作製した絶縁膜１９３、遮光層１９４、及び着色層１９５を接着層１９６で結晶性半導体基板１０１上に転置した後、作製基板を剥離し、絶縁膜１９３と可撓性基板１９１とを接着層１９２で貼り合わせることで作製できる。耐熱性の高い作製基板上で高温をかけて絶縁膜１９３を形成することで、絶縁膜１９３のガスバリア性を高めることができる。

発光素子１８０は、接着層１９６を介して着色層１９５と重なる。絶縁膜１２８は、接着層１９６を介して遮光層１９４と重なる。

＜断面構成例１の作製方法＞
図３〜図５を用いて、断面構成例１（図１）の作製方法の一例を説明する。

まず、図３（Ａ）に示すように、結晶性半導体基板１０１上に、トランジスタ１５１ｐ、１５１ｎ、１６１、１６２、絶縁膜１２５、及び発光素子１８０等を作製する。

また、図３（Ｂ）に示すように、作製基板９１１上に、剥離層９９２を形成する。次に、剥離層９９２上に絶縁膜１９３を形成する。次に、絶縁膜１９３上に遮光層１９４及び着色層１９５を形成する。

作製基板９１１には、少なくとも作製工程中の処理温度に耐えうる耐熱性を有する基板を用いる。作製基板９１１としては、例えばガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導体基板、セラミック基板、金属基板、樹脂基板、プラスチック基板などを用いることができる。

なお、量産性を向上させるため、作製基板９１１として大型のガラス基板を用いることが好ましい。例えば、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）以上第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）以下のガラス基板、又はこれよりも大型のガラス基板を用いることが好ましい。

作製基板９１１にガラス基板を用いる場合、作製基板９１１と剥離層９９２との間に、下地膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。

剥離層９９２は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、又は該元素を含む化合物材料等を用いて形成できる。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。また、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物等の金属酸化物を用いてもよい。剥離層９９２に、タングステン、チタン、モリブデンなどの高融点金属材料を用いると、被剥離層の形成工程の自由度が高まるため好ましい。

剥離層９９２は、例えばスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法（スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法等を含む）、印刷法等により形成できる。剥離層９９２の厚さは例えば１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。

剥離層９９２が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。

また、剥離層９９２として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理又は加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理又は加熱処理により、剥離層９９２の表面状態を変えることで、剥離層９９２と後に形成される絶縁膜との密着性を制御することが可能である。

なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成する。次に、レーザ照射又は加熱処理を行うことで、作製基板と有機樹脂の密着性を向上させる。そして、有機樹脂上にトランジスタ等を形成する。その後、先のレーザ照射よりも高いエネルギー密度でレーザ照射を行う、又は、先の加熱処理よりも高い温度で加熱処理を行うことで、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。また、剥離の際には、作製基板と有機樹脂の界面に液体を浸透させて分離してもよい。

なお、該有機樹脂を、装置を構成する基板として用いてもよいし、該有機樹脂を除去し、被剥離層の露出した面に接着剤を用いて別の基板を貼り合わせてもよい。

または、作製基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。

被剥離層として形成する層に特に限定は無い。本実施の形態では、被剥離層として、剥離層９９２上に接する絶縁膜１９３と、遮光層１９４と、着色層１９５と、を作製する。

絶縁膜１９３は、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜等を用いて、単層又は多層で形成することが好ましい。

絶縁膜１９３は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃以下として形成することで、緻密で非常にガスバリア性の高い膜とすることができる。なお、絶縁膜１９３の厚さは１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、さらには２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下が好ましい。

次に、図４に示すように、結晶性半導体基板１０１と作製基板９１１とを、接着層１９６を用いて貼り合わせる。

次に、レーザ光又は鋭利な刃物等を用いて、剥離の起点を形成する。剥離層９９２にクラックを入れる（膜割れ又はひびを生じさせる）ことで、剥離の起点を形成できる。例えば、レーザ光の照射によって、絶縁膜１９３に含まれる膜の一部を溶解、蒸発、又は熱的に破壊することができる。

そして、形成した剥離の起点から、物理的な力（人間の手もしくは治具で引き剥がす処理、又は、基板に密着させたローラーを回転させることで分離する処理等）によって絶縁膜１９３と作製基板９１１とを分離する。図５の上部に、絶縁膜１９３から分離された剥離層９９２と作製基板９１１を示す。その後、露出した絶縁膜１９３と、可撓性基板１９１とを、接着層１９２を用いて貼り合わせる（図５）。

最後に、結晶性半導体基板１０１を研磨又は研削し、厚さを薄くする。図５では、研磨する前の結晶性半導体基板１０１の厚さを点線で示している。

以上のように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、結晶性基板を用いるため、加熱処理を施しても基板の熱収縮の影響を受けにくく、精細度が極めて高い表示装置を歩留まりよく作製することができる。また、作製基板上で高温をかけて絶縁膜を形成することで、信頼性の高い表示装置を作製することができる。さらに、作製基板を剥離し、可撓性基板を貼ること、及び結晶性基板を研磨することにより、表示装置の薄型化、軽量化、フレキシブル化が可能となる。

以下に、断面構成例１とは異なる断面構成例を示す。なお、断面構成例１と同様の部分については、詳細な説明を省略する場合がある。

＜断面構成例２＞
図６（Ａ）、（Ｂ）に、図１とは異なる画素部の断面図を示す。断面構成例２は、トランジスタ１６３、１６４を有する点で、図１の構成と異なる。

図６（Ａ）は、トランジスタ１６３のチャネル長方向の断面図であり、図６（Ｂ）は、トランジスタ１６３のチャネル幅方向の断面図である。

図６（Ａ）では、結晶性半導体基板１０１、トランジスタ１６３、トランジスタ１６４、素子分離領域１１８、発光素子１８０、可撓性基板１９１、接着層１９２、絶縁膜１９３、遮光層１９４、着色層１９５、接着層１９６等を示している。

表示装置には、トランジスタ１６３及びトランジスタ１６４のようなＦｉｎ型のトランジスタを用いてもよい。トランジスタをＦｉｎ型とすることにより、実効上のチャネル幅が増大し、トランジスタのオン特性を向上させることができる。また、ゲートの電界の寄与を高くすることができるため、トランジスタのオフ特性を向上させることができる。

図６（Ｂ）に示すトランジスタ１６３では、結晶性半導体基板１０１の一部が凸形状を有し、その側面及び上面に沿ってゲート絶縁膜１１５及びゲート１１６ｃが設けられている。このように、Ｆｉｎ型のトランジスタでは、チャネル形成領域における凸部の側部及び上部と、ゲートとがゲート絶縁膜を間に挟んで重なることで、チャネル形成領域の側部と上部を含めた広い範囲においてキャリアが流れる。そのため、トランジスタの結晶性基板上における占有面積を小さく抑えつつ、トランジスタにおけるキャリアの移動量を増加させることができる。その結果、トランジスタは、オン電流が大きくなると共に、電界効果移動度が高められる。

本構成例では、半導体基板の一部を加工して凸部を形成する場合を示したが、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を加工して凸形状を有する半導体膜を形成してもよい。

トランジスタ１６３は、ｎ型のトランジスタである。トランジスタ１６３は、ｎ型不純物領域１１３ｎ、ＬＤＤ領域１１４ｎ、ゲート絶縁膜１１５、ゲート１１６ｃ、サイドウォール１１７、絶縁膜１２１、絶縁膜１２２、導電膜１２３ｅ、導電膜１２３ｆ、導電膜１２４ｅ、導電膜１２４ｆ、導電膜１２９ｅ、及び導電膜１２９ｆを有する。

トランジスタ１６３が有するｎ型不純物領域１１３ｎの一方は、導電膜１２３ｅ及び導電膜１２９ｅを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ｅと電気的に接続されており、他方は、導電膜１２３ｆ及び導電膜１２９ｆを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ｆと電気的に接続されている。

トランジスタ１６４は、ｎ型のトランジスタである。トランジスタ１６４は、ｎ型不純物領域１１３ｎ、ＬＤＤ領域１１４ｎ、ゲート絶縁膜１１５、ゲート１１６ｄ、サイドウォール１１７、絶縁膜１２１、絶縁膜１２２、導電膜１２３ｇ、導電膜１２３ｈ、導電膜１２４ｇ、導電膜１２４ｈ、導電膜１２９ｇ、及び導電膜１２９ｈを有する。

トランジスタ１６４が有するｎ型不純物領域１１３ｎの一方は、導電膜１２３ｇ及び導電膜１２９ｇを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ｇと電気的に接続されており、他方は、導電膜１２３ｈ及び導電膜１２９ｈを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ｈと電気的に接続されている。

図６（Ａ）に示すように、トランジスタ１６３のゲート１１６ｃは、トランジスタ１６４のソース又はドレインと電気的に接続されている。具体的には、図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ゲート１１６ｃは、導電膜１２３ｉ及び導電膜１２９ｉを介して、導電膜１２４ｇと電気的に接続されている。そして、図６（Ａ）に示すように、導電膜１２４ｇは、導電膜１２３ｇ及び導電膜１２９ｇを介して、ｎ型不純物領域１１３ｎと電気的に接続されている。

トランジスタ１６３のソース又はドレインは、導電膜１２６及び導電膜１２７を介して、絶縁膜１２５上の電極１８１と電気的に接続されている。

図６（Ａ）では、絶縁膜１２８が有機絶縁膜である例を示す。

＜断面構成例３＞
図７に、図１とは異なる画素部の断面図を示す。

図７は、発光素子上に絶縁膜１９７を有し、絶縁膜１９７上に着色層を有する点で、図１と異なる。

図７では、結晶性半導体基板１０１、トランジスタ１６１、トランジスタ１６２、素子分離領域１１８、発光素子１８０Ｇ、発光素子１８０Ｒ、着色層１９５Ｒ、着色層１９５Ｇ、絶縁膜１９７等を示している。

図７では、隣り合う赤色の副画素と緑色の副画素の断面図を示すが、画素を構成する副画素の色及び配列に限定はない。

赤色の副画素は、発光素子１８０Ｒを有する。緑色の副画素は発光素子１８０Ｇを有する。発光素子１８０Ｒと発光素子１８０Ｇは、ＥＬ層１８３を構成する少なくとも１層（例えば発光層）の材料が異なる、又は、それぞれマイクロキャビティ構造が適用されている、等によって、互いに異なる色を呈する光を射出することができてもよい。発光素子１８０Ｒから射出された光が着色層１９５Ｒを通ることで、赤色の副画素からは赤色を呈する光が取り出される。同様に、発光素子１８０Ｇから射出された光が着色層１９５Ｇを通ることで、緑色の副画素からは緑色を呈する光が取り出される。

または、発光素子１８０Ｒと発光素子１８０Ｇは、同一の構成であってもよい。例えば、発光素子１８０Ｒと発光素子１８０Ｇは、いずれも白色を呈する光を射出する構成であってもよい。発光素子１８０Ｒから射出された白色を呈する光が着色層１９５Ｒを通ることで、赤色の副画素からは赤色を呈する光が取り出される。同様に、発光素子１８０Ｇから射出された白色を呈する光が着色層１９５Ｇを通ることで、緑色の副画素からは緑色を呈する光が取り出される。

発光素子１８０Ｒ上及び発光素子１８０Ｇ上には、絶縁膜１９７が設けられている。発光素子１８０Ｒ上には、絶縁膜１９７を介して、着色層１９５Ｒが設けられている。発光素子１８０Ｇ上には、絶縁膜１９７を介して、着色層１９５Ｇが設けられている。

図７に示すように、発光素子上に、ガスバリア性の高い絶縁膜１９７を形成し、絶縁膜１９７上に着色層を形成してもよい。絶縁膜１９７は、発光素子の封止層として機能する。封止層を設けることで、封止のための基板を別途設ける必要がなくなるため、表示装置の薄型化、軽量化、又はフレキシブル化等が容易となる。また、着色層を発光素子とは異なる基板に形成した場合、表示装置の精細度が高いほど、発光素子と着色層の位置を合わせるために、基板の貼り合わせの精度を高める必要がある。一方、図７の構成では、発光素子上に絶縁膜１９７を介して着色層を直接形成できるため、高精度で基板を貼り合わせる技術が不要であり、所望の領域に着色層を形成することが容易となる。

なお、封止性能を高めるため、発光素子上に封止層を設け、さらに、接着層を用いて封止のための可撓性基板を貼り合わせてもよい。つまり、図１等において、発光素子１８０と接着層１９６との間に封止層を設けてもよい。

図７に示すトランジスタ１６１及びトランジスタ１６２の構成は、図１と同様である。

＜断面構成例４＞
図８に、図１とは異なる走査線駆動回路１５０及び画素部１６０の断面図を示す。

図８は、カラーフィルタ方式でなく、塗り分け方式が適用されている点で、図１と異なる。

図８では、結晶性半導体基板１０１、トランジスタ１５１ｎ、トランジスタ１５１ｐ、トランジスタ１６１、トランジスタ１６２、素子分離領域１１８、発光素子１８０、絶縁膜１９７等を示している。

図８では、ＥＬ層１８３全体が異なる色の副画素間で塗り分けられている例を示すが、本発明の一態様はこれに限られない。本発明の一態様では、ＥＬ層１８３を構成する少なくとも１層（例えば発光層）が、異なる色の副画素間で塗り分けられる。塗り分け方式を用いることで、カラーフィルタ等の着色層を設ける必要がなく、作製工程の簡略化、コストの削減などが可能となる。

発光素子１８０上には、絶縁膜１９７が設けられている。発光素子上に封止層として機能する絶縁膜を設けることで、封止のための基板を別途設ける必要がなくなるため、表示装置の薄型化、軽量化、又はフレキシブル化等が容易となる。発光素子１８０は、絶縁膜１９７側に光を射出する。

図８に示すトランジスタ１５１ｎ、トランジスタ１５１ｐ、トランジスタ１６１、及びトランジスタ１６２の構成は、図１と同様である。

＜断面構成例５＞
図９（Ａ）に、図１とは異なる画素部１６０の断面図を示す。

図９（Ａ）は、表示素子として、液晶素子を有する点で、図１と異なる。

図９（Ａ）では、結晶性半導体基板１０１、トランジスタ１６１、トランジスタ１６２、素子分離領域１１８、液晶素子２５０、絶縁膜２５３、遮光層１９４、着色層１９５、オーバーコート２５５、可撓性基板１９１等を示している。

液晶素子２５０には、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが適用されている。液晶素子２５０は、導電膜２５１、導電膜２５２、及び液晶２５４を有する。導電膜２５１と導電膜２５２との間に生じる電界により、液晶２５４の配向を制御することができる。導電膜２５１は、画素電極として機能することができる。導電膜２５２は、共通電極として機能することができる。

導電膜２５１に、可視光を反射する導電性材料を用い、導電膜２５２に可視光を透過する導電性材料を用いることで、本発明の一態様の表示装置を、反射型の液晶表示装置として機能させることができる。また、結晶性基板が可視光を透過する場合、導電膜２５１及び導電膜２５２に、可視光を透過する導電性材料を用いることで、本発明の一態様の表示装置を、透過型の液晶表示装置として機能させることができる。

可視光を透過する導電性材料としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、酸化ケイ素を含むインジウム錫酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などが挙げられる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。また、不純物元素を含有させた酸化物半導体等の半導体を用いてもよい。

可視光を反射する導電性材料としては、例えば、アルミニウム、銀、又はこれらの金属材料を含む合金等が挙げられる。

画素電極として機能する導電膜２５１は、トランジスタ１６１のソース又はドレインと電気的に接続される。図９（Ａ）では、導電膜２５１は、導電膜１２７を介して、導電膜１２４ｅと電気的に接続されている。

導電膜２５２は、櫛歯状の上面形状（平面形状ともいう）、又はスリットが設けられた上面形状を有する。導電膜２５１と導電膜２５２の間には、絶縁膜２５３が設けられている。導電膜２５１は、絶縁膜２５３を介して導電膜２５２と重なる部分を有する。また、導電膜２５１と着色層１９５とが重なる領域において、導電膜２５１上に導電膜２５２が配置されていない部分を有する。

可撓性基板１９１には、遮光層１９４、着色層１９５、オーバーコート２５５が設けられている。着色層１９５は、液晶素子２５０と重なる部分を有する。

オーバーコート２５５は、着色層１９５や遮光層１９４等に含まれる不純物が液晶２５４に拡散することを防ぐ機能を有することが好ましい。オーバーコート２５５は設けなくてもよい。

なお、液晶２５４と接する配向膜が設けられていてもよい。配向膜は、液晶２５４の配向を制御することができる。

また、表示装置は、スペーサ２５６を有する。スペーサ２５６は、結晶性半導体基板１０１と可撓性基板１９１との距離が一定以上近づくことを防ぐ機能を有する。

図９（Ａ）では、スペーサ２５６は、オーバーコート２５５上に設けられている例を示すが、本発明の一態様はこれに限られない。スペーサ２５６は、結晶性半導体基板１０１側に設けられていてもよいし、可撓性基板１９１側に設けられていてもよい。図９（Ａ）では、スペーサ２５６が、絶縁膜２５３及びオーバーコート２５５と接する例を示すが、結晶性半導体基板１０１側又は可撓性基板１９１側のいずれかに設けられた構造物と接していなくてもよい。

スペーサ２５６として粒状のスペーサを用いてもよい。粒状のスペーサとしては、シリカなどの材料を用いることができる。粒状のスペーサとして、樹脂又はゴムなどの弾性を有する材料を用いることが好ましい。このとき、粒状のスペーサは上下方向に潰れた形状となる場合がある。

なお、本発明の一態様の表示装置を、透過型の液晶表示装置として機能させる場合、偏光板を、表示部を挟むように２つ配置する。偏光板よりも外側に配置されたバックライトからの光は偏光板を介して入射される。このとき、導電膜２５１と導電膜２５２の間に与える電圧によって液晶２５４の配向を制御し、光の光学変調を制御することができる。すなわち、偏光板を介して射出される光の強度を制御することができる。また、入射光は着色層１９５によって特定の波長領域以外の光が吸収されるため、射出される光は例えば赤色、青色、又は緑色を呈する光となる。

また、偏光板に加えて、例えば円偏光板を用いることができる。円偏光板としては、例えば直線偏光板と１／４波長位相差板を積層したものを用いることができる。円偏光板により、表示装置の表示の視野角依存を低減することができる。

なお、ここでは液晶素子２５０としてＦＦＳモードが適用された素子を用いたが、これに限られず様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えば、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等が適用された液晶素子を用いることができる。

また、本発明の一態様では、ノーマリーブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向（ＶＡ）モードを採用した透過型の液晶表示装置を適用してもよい。垂直配向モードとしては、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶモードなどを用いることができる。

なお、液晶素子は、液晶の光学変調作用によって光の透過又は非透過を制御する素子である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界又は斜め方向の電界を含む）によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。

また、液晶材料としては、ポジ型の液晶及びネガ型の液晶の中から、適用するモード及び設計等に応じて最適な液晶材料を用いることができる。

また、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶２５４に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良又は破損を軽減することができる。

ここで、可撓性基板１９１よりも上部に、指又はスタイラスなどの被検知体が直接触れる基板を設けてもよい。またこのとき、可撓性基板１９１と当該基板との間に偏光板又は円偏光板を設けることが好ましい。その場合、当該基板上に保護層（セラミックコート等）を設けることが好ましい。保護層は、例えば酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）などの無機絶縁材料を用いることができる。また、当該基板に強化ガラスを用いてもよい。強化ガラスは、イオン交換法もしくは風冷強化法等により、物理的又は化学的な処理が施され、その表面に圧縮応力を加えたものを用いることができる。

図９（Ａ）に示すトランジスタ１６１及びトランジスタ１６２の構成は、図１と同様である。

また、液晶素子の他の構成例について、図９（Ｂ）〜（Ｅ）に示す。

図９（Ｂ）〜（Ｄ）に示すように、導電膜２５１及び導電膜２５２の双方が、櫛歯状の上面形状（平面形状ともいう）、又はスリットが設けられた上面形状を有していてもよい。

例えば、上面から見て、一方の導電膜のスリットの端部と、他方の導電膜のスリットの端部が重なる形状であってもよい。この場合の断面図を図９（Ｂ）に示す。

または、上面から見て、導電膜２５１及び導電膜２５２の双方が設けられていない部分を有していてもよい。この場合の断面図を図９（Ｃ）に示す。

または、上面から見て、導電膜２５１及び導電膜２５２が互いに重なる部分を有していてもよい。この場合の断面図を図９（Ｄ）に示す。

図９（Ｅ）に示すように、導電膜２５１は、液晶２５４を介して導電膜２５２と重なっていてもよい。つまり、導電膜２５１が、液晶２５４よりも結晶性半導体基板１０１側に設けられ、導電膜２５２が液晶２５４よりも可撓性基板１９１側に設けられていてもよい。また、液晶２５４中に、樹脂等からなるポリマー壁２５７を設けてもよい。液晶２５４と接する一対の層の間（図９（Ｅ）では、導電膜２５１と導電膜２５２との間）にポリマー壁２５７を設けることで、可撓性を有する液晶表示装置を曲げた場合でも、一対の基板間の距離を一定に保つことができる。

また、図９（Ｅ）に示すように、液晶２５４と導電膜２５１との間に、配向膜２５８を有していてもよい。同様に、液晶２５４と導電膜２５２との間に、配向膜２５９を有していてもよい。

断面構成例１〜５では、結晶性半導体基板１０１にトランジスタのチャネル形成領域を設ける例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。以降の断面構成例６〜１１では、結晶性基板１０２上に、別途、半導体膜を形成する例を示す。例えば、多結晶シリコン等のシリコン、又はインジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体等を半導体材料として用いることができる。

＜断面構成例６＞
図１０に、図１とは異なる走査線駆動回路１５０及び画素部１６０の断面図を示す。さらに、図１０では、表示装置におけるＦＰＣ４０１８の接続部の断面図も示す。

図１０では、結晶性基板１０２、トランジスタ１５３、トランジスタ１６５、トランジスタ１６６、発光素子１８０、可撓性基板１９１、接着層１９２、絶縁膜１９３、遮光層１９４、着色層１９５、接着層１９６等を示している。

図１０に示す結晶性基板１０２は、導電性基板、半導体基板、及び絶縁性基板のいずれでもよい。表示装置の作製における加熱工程によって、結晶性基板１０２は収縮しにくいため、トランジスタもしくは表示素子の特性の劣化、又は作製工程の歩留まりの低下を抑制し、精細度の高い表示装置を作製できる。

結晶性基板１０２は、可撓性を有することが好ましい。例えば、結晶性基板１０２の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、１μｍ以上５０μｍ以下がより好ましい。

走査線駆動回路１５０において、結晶性基板１０２上に、絶縁膜１１１を介して、トランジスタ１５３が設けられている。画素部１６０において、結晶性基板１０２上に、絶縁膜１１１を介して、トランジスタ１６５及びトランジスタ１６６が設けられている。絶縁膜１１１は下地膜として機能する。絶縁膜１１１は設けなくてもよい。

トランジスタ１５３、１６５、１６６は、いずれも同一の構造であるが、いずれかが異なる構造のトランジスタであってもよい。

トランジスタのチャネル形成領域には、様々な半導体を用いることができる。例えば、酸化物半導体、又は、多結晶シリコン、もしくは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン等のシリコンなどが挙げられる。また、トランジスタの構造は限定されない。

図１０に示す各トランジスタは、ゲート１１６、ゲート絶縁膜１１５、半導体膜１３１、及び２つの導電膜１２３を有する、ボトムゲート型のトランジスタである。２つの導電膜１２３の一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。また、各トランジスタは絶縁膜１２１に覆われている。

発光素子１８０は、電極１８１、ＥＬ層１８３、及び電極１８５を有する。発光素子１８０は、着色層１９５側に光を射出する。

トランジスタ１６５のソース又はドレインは、絶縁膜１２２上の導電膜１２４を介して、絶縁膜１２５上の電極１８１と電気的に接続されている。

電極１８１は画素電極として機能し、発光素子１８０ごとに設けられている。隣り合う２つの電極１８１は、絶縁膜１２８によって電気的に絶縁されている。電極１８５は、共通電極として機能し、複数の発光素子１８０にわたって設けられている。

また、ゲート絶縁膜１１５上の導電膜１８７は、外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き出し配線として機能する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ４０１８を設ける例を示している。ＦＰＣ４０１８と導電膜１８７は、導電膜１８９及び接続体１９９を介して電気的に接続されている。引き出し配線として機能する導電膜は、トランジスタ又は表示素子を構成する電極又は他の配線の少なくとも一つと同一の材料及び同一の工程で作製すると、工程の増加を抑制できるため好ましい。ここでは、導電膜１８７をトランジスタのソース及びドレインと同一の材料及び同一の工程で作製し、導電膜１８９を発光素子１８０の電極１８１と同一の材料及び同一の工程で作製する例を示す。

結晶性基板１０２とは異なる基板上で作製された、絶縁膜１９３、遮光層１９４、及び着色層１９５は、接着層１９６によって、結晶性基板１０２と貼り合わされている。

発光素子１８０は、接着層１９６を介して着色層１９５と重なる。絶縁膜１２８は、接着層１９６を介して遮光層１９４と重なる。

本発明の一態様では、結晶性基板上にトランジスタ及び表示素子を形成するため、加熱処理を施しても基板の熱収縮の影響を受けにくく、精細度が極めて高い表示装置を歩留まりよく作製することができる。また、作製基板上で高温をかけて絶縁膜を形成することで、信頼性の高い表示装置を作製することができる。さらに、作製基板を剥離し、可撓性基板を貼ること、及び結晶性基板を研磨又は研削することにより、表示装置の薄型化、軽量化、フレキシブル化が可能となる。

＜断面構成例７＞
図１１に、図１０とは異なる走査線駆動回路１５０及び画素部１６０の断面図を示す。断面構成例７は、トランジスタ１５４、１６７、１６８を有する点で、図１０の構成と異なる。

図１１では、結晶性基板１０２、絶縁膜１１１、トランジスタ１５４、トランジスタ１６７、トランジスタ１６８、発光素子１８０、可撓性基板１９１、接着層１９２、絶縁膜１９３、遮光層１９４、着色層１９５、接着層１９６等を示している。

図１１に示す各トランジスタは、ゲート１１６、ゲート絶縁膜１１５、半導体膜（チャネル形成領域１１９ａ及び低抵抗領域１１９ｂを含む）、並びに２つの導電膜１２３を有する、トップゲート型のトランジスタである。２つの導電膜１２３の一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

トランジスタ１６７のソース又はドレインは、絶縁膜１２２上の導電膜１２４を介して、絶縁膜１２５上の電極１８１と電気的に接続されている。

または、本発明の一態様の表示装置には、図１２（Ａ）に示すトランジスタ１６９を適用することもできる。

図１２（Ａ）に、トランジスタ１６９の上面図を示す。図１２（Ｂ）は、本発明の一態様の表示装置の、トランジスタ１６９のチャネル長方向の断面図である。図１２（Ｂ）に示すトランジスタ１６９は、図１２（Ａ）における一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面に相当する。図１２（Ｃ）は、本発明の一態様の表示装置の、トランジスタ１６９のチャネル幅方向の断面図である。図１２（Ｃ）に示すトランジスタ１６９は、図１２（Ａ）における一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面に相当する。

トランジスタ１６９はバックゲートを有するトップゲート型のトランジスタの一種である。

トランジスタ１６９では、絶縁膜１３５に設けた凸部上に半導体膜１１９が形成されている。絶縁膜１３５に設けた凸部上に半導体膜１１９を設けることによって、半導体膜１１９の側面もゲート１１６で覆うことができる。すなわち、トランジスタ１６９は、ゲート１１６の電界によって、半導体膜１１９を電気的に取り囲むことができる構造を有している。このように、導電膜の電界によって、チャネルが形成される半導体膜を電気的に取り囲むトランジスタの構造を、ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ ｃｈａｎｎｅｌ（ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ）構造とよぶ。また、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタを、「ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ型トランジスタ」もしくは「ｓ−ｃｈａｎｎｅｌトランジスタ」ともいう。

ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造では、半導体膜１１９の全体（バルク）にチャネルを形成することもできる。ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造では、トランジスタのドレイン電流を大きくすることができ、さらに大きいオン電流を得ることができる。また、ゲート１１６の電界によって、半導体膜１１９に形成されるチャネル形成領域の全領域を空乏化することができる。したがって、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造では、トランジスタのオフ電流をさらに小さくすることができる。

バックゲート１３６は結晶性基板１０２上に絶縁膜１１１を介して設けられている。

絶縁膜１２２上に設けられた導電膜１２３ｘは、ゲート絶縁膜１１５、絶縁膜１２１ｘ、絶縁膜１２１ｙ、及び絶縁膜１２２に設けられた開口７４７ｘにおいて、半導体膜１１９と電気的に接続されている。また、絶縁膜１２２上に設けられた導電膜１２３ｙは、ゲート絶縁膜１１５、絶縁膜１２１ｘ、絶縁膜１２１ｙ、及び絶縁膜１２２に設けられた開口７４７ｙにおいて、半導体膜１１９と電気的に接続されている。

ゲート絶縁膜１１５上に設けられたゲート１１６は、ゲート絶縁膜１１５及び絶縁膜１３５に設けられた開口７４８ｘ及び開口７４８ｙにおいて、バックゲート１３６と電気的に接続されている。よって、ゲート１１６とバックゲート１３６には、同じ電位が供給される。また、開口７４８ｘ及び開口７４８ｙは、どちらか一方を設けなくてもよい。また、開口７４８ｘ及び開口７４８ｙの両方を設けなくてもよい。開口７４８ｘ及び開口７４８ｙの両方を設けない場合は、バックゲート１３６とゲート１１６に異なる電位を供給することができる。

なお、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタに用いる半導体としては、酸化物半導体、又は、多結晶シリコン、もしくは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン等のシリコンなどが挙げられる。

導電膜１２３ｘは、絶縁膜１２５上の電極１８１と電気的に接続されている。

＜断面構成例８＞
図１３に、図１０とは異なる画素部１６０の断面図を示す。

図１３では、結晶性基板９５１、トランジスタ１６５、着色層１９５、発光素子１８０、可撓性基板１９１、接着層１９６等を示している。

図１３に示す結晶性基板９５１には、可視光を透過する結晶性基板を用いる。可視光を透過する結晶性基板を用いることで、結晶性基板９５１を表示装置の表示面側の基板とすることができる。図１３では、ボトムエミッション構造の表示装置を例示している。また、表示装置の作製における加熱工程によって、結晶性基板９５１が収縮しにくいため、トランジスタもしくは表示素子の特性の劣化、又は作製工程の歩留まりの低下を抑制し、精細度の高い表示装置を作製できる。

結晶性基板９５１は、可撓性を有することが好ましい。例えば、結晶性基板９５１の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、１μｍ以上５０μｍ以下がより好ましい。

画素部１６０において、結晶性基板９５１上に、トランジスタ１６５が設けられている。結晶性基板９５１とトランジスタ１６５の間に、下地膜として機能する絶縁膜１１１を有していてもよい。

発光素子１８０は、電極１８１、ＥＬ層１８３、及び電極１８５を有する。発光素子１８０は、着色層１９５側に光を射出する。

図１３では、絶縁膜１２１上に着色層１９５を有する例を示すが、本発明の一態様はこれに限られない。着色層１９５は、結晶性基板９５１と電極１８１の間に設けることができる。

図１３に示すトランジスタ１６５の構成は、図１０と同様である。

＜断面構成例９＞
図１４に、図１０とは異なる走査線駆動回路１５０及び画素部１６０の断面図を示す。

図１４では、結晶性基板１０２、絶縁膜１１１、トランジスタ１５２ｎ、トランジスタ１５２ｐ、トランジスタ１５５、トランジスタ１５６、発光素子１８０、可撓性基板１９１、接着層１９６等を示している。

本発明の一態様では、例えば、ＳＯＩ基板を用いてもよい。

図１４では、走査線駆動回路１５０において、結晶性基板１０２上に、絶縁膜１１１を介して、ｐ型のトランジスタ１５２ｐとｎ型のトランジスタ１５２ｎとが設けられている例を示す。また、図１４では、画素部１６０において、結晶性基板１０２上に、絶縁膜１１１を介して、それぞれｎ型の、トランジスタ１５５及びトランジスタ１５６が設けられている例を示す。

トランジスタ１５２ｐは、ｐ型のトランジスタである。トランジスタ１５２ｐは、半導体膜１３１（一部に、ｐ型不純物領域１１３ｐ及びＬＤＤ領域１１４ｐを含む）、ゲート絶縁膜１１５、ゲート１１６ａ、サイドウォール１１７、絶縁膜１２２、導電膜１２３ａ、導電膜１２３ｂ、導電膜１２４ａ、及び導電膜１２４ｂを有する。

トランジスタ１５２ｐが有するｐ型不純物領域１１３ｐの一方は、導電膜１２３ａを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ａと電気的に接続されており、他方は、導電膜１２３ｂを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ｂと電気的に接続されている。

トランジスタ１５２ｎは、ｎ型のトランジスタである。トランジスタ１５２ｎは、半導体膜１３１（一部に、ｎ型不純物領域１１３ｎ及びＬＤＤ領域１１４ｎを含む）、ゲート絶縁膜１１５、ゲート１１６ｂ、サイドウォール１１７、絶縁膜１２２、導電膜１２３ｃ、導電膜１２３ｄ、導電膜１２４ｃ、及び導電膜１２４ｄを有する。

トランジスタ１５２ｎが有するｎ型不純物領域１１３ｎの一方は、導電膜１２３ｃを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ｃと電気的に接続されており、他方は、導電膜１２３ｄを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ｄと電気的に接続されている。

トランジスタ１５５は、ｎ型のトランジスタである。トランジスタ１５５は、半導体膜１３１（一部に、ｎ型不純物領域１１３ｎ及びＬＤＤ領域１１４ｎを含む）、ゲート絶縁膜１１５、ゲート１１６ｃ、サイドウォール１１７、絶縁膜１２２、導電膜１２３ｅ、導電膜１２３ｆ、導電膜１２４ｅ、及び導電膜１２４ｆを有する。

トランジスタ１５５が有するｎ型不純物領域１１３ｎの一方は、導電膜１２３ｅを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ｅと電気的に接続されており、他方は、導電膜１２３ｆを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ｆと電気的に接続されている。

トランジスタ１５６は、ｎ型のトランジスタである。トランジスタ１５６は、半導体膜１３１（一部に、ｎ型不純物領域１１３ｎ及びＬＤＤ領域１１４ｎを含む）、ゲート絶縁膜１１５、ゲート１１６ｄ、サイドウォール１１７、絶縁膜１２２、導電膜１２３ｇ、導電膜１２３ｈ、導電膜１２４ｇ、及び導電膜１２４ｈを有する。

トランジスタ１５６が有するｎ型不純物領域１１３ｎの一方は、導電膜１２３ｇを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ｇと電気的に接続されており、他方は、導電膜１２３ｈを介して、絶縁膜１２２上の導電膜１２４ｈと電気的に接続されている。

トランジスタ１５５のゲート１１６ｃは、トランジスタ１５６のソース又はドレインと電気的に接続されている。具体的には、ゲート１１６ｃは、導電膜１２３ｉを介して、導電膜１２４ｇと電気的に接続されている。そして、導電膜１２４ｇは、導電膜１２３ｇを介して、ｎ型不純物領域１１３ｎと電気的に接続されている。

ゲート絶縁膜１１５は、半導体膜１３１と各トランジスタのゲートの間に位置する。各トランジスタのゲートは、ゲート絶縁膜１１５を挟んで、半導体膜１３１のチャネル形成領域と重なる。

発光素子１８０は、電極１８１、ＥＬ層１８３、及び電極１８５を有する。発光素子１８０は、可撓性基板１９１側に光を射出する。

トランジスタ１５５のソース又はドレインは、導電膜１２７を介して、絶縁膜１２５上の電極１８１と電気的に接続されている。

電極１８１は画素電極として機能し、発光素子１８０ごとに設けられている。隣り合う２つの電極１８１は、絶縁膜１２８によって電気的に絶縁されている。ＥＬ層１８３は、異なる色の副画素間で塗り分けられている。電極１８５は、共通電極として機能し、複数の発光素子１８０にわたって設けられている。さらに、発光素子１８０上に封止層として機能する絶縁膜を設けると、発光素子１８０の信頼性が高めるため好ましい。

＜断面構成例１０＞
図１５に、図１０とは異なる走査線駆動回路１５０及び画素部１６０の断面図を示す。断面構成例１０は、結晶性基板１０２及び絶縁膜１１１を有さず、可撓性基板９０１、接着層９０３、及び絶縁膜１０５を有する点で、図１０の構成と異なる。

図１５では、可撓性基板９０１、接着層９０３、絶縁膜１０５、トランジスタ１５３、トランジスタ１６５、トランジスタ１６６、発光素子１８０、可撓性基板１９１、接着層１９２、絶縁膜１９３、遮光層１９４、着色層１９５、接着層１９６等を示している。

本発明の一態様では、結晶性基板上にトランジスタ及び発光素子等を含む素子層を形成した後、該結晶性基板を剥離し、他の基板と該素子層とを貼り合わせてもよい。

＜断面構成例１０の作製方法＞
図１６〜図１８を用いて、断面構成例１０の作製方法の一例を説明する。なお、断面構成例１の作製方法と同様の部分については、説明を省略する場合がある。

まず、図１６（Ａ）に示すように、結晶性基板１０２上に、剥離層１０３を形成する。次に、剥離層１０３上に絶縁膜１０５を形成する。次に、絶縁膜１０５上にトランジスタ１５３、１６５、１６６、絶縁膜１２１、１２２、１２５、及び発光素子１８０等を作製する。

剥離層１０３に用いることができる材料は、剥離層９９２に用いることができる材料と同様である。絶縁膜１０５に用いることができる材料は、絶縁膜１９３に用いることができる材料と同様である。

また、図１６（Ｂ）に示すように、作製基板９１１上に、剥離層９９２を形成する。次に、剥離層９９２上に絶縁膜１９３を形成する。次に、絶縁膜１９３上に遮光層１９４及び着色層１９５を形成する。

次に、図１７に示すように、結晶性基板１０２と作製基板９１１とを、接着層１９６を用いて貼り合わせ、接着層１９６を硬化させる。

次に、作製基板９１１と、結晶性基板１０２と、をそれぞれ素子層から剥離する。作製基板９１１と結晶性基板１０２は、どちらの基板から剥離しても構わない。本実施の形態では、結晶性基板１０２を先に剥離する場合を例に説明する。

まず、レーザ光又は鋭利な刃物等を用いて、剥離の起点を形成する。剥離層１０３にクラックを入れることで、結晶性基板１０２を剥離するための剥離の起点を形成できる。例えば、レーザ光の照射によって、絶縁膜１０５に含まれる膜の一部を溶解、蒸発、又は熱的に破壊することができる。

そして、形成した剥離の起点から、物理的な力によって絶縁膜１０５と結晶性基板１０２とを分離する。図１８の下部に、絶縁膜１０５から分離された剥離層１０３と結晶性基板１０２を示す。その後、露出した絶縁膜１０５と、可撓性基板９０１とを、接着層９０３を用いて貼り合わせる（図１８）。

次に、剥離層９１２にクラックを入れることで、作製基板９１１を剥離するための剥離の起点を形成する。

そして、形成した剥離の起点から、物理的な力によって絶縁膜１９３と作製基板９１１とを分離する。図１８の上部に、絶縁膜１９３から分離された剥離層９１２と作製基板９１１を示す。その後、露出した絶縁膜１９３と、可撓性基板１９１とを、接着層１９２を用いて貼り合わせる（図１８）。

表示装置を構成する機能素子等は、全て結晶性基板１０２及び作製基板９１１上で形成するため、精細度の高い表示装置を作製する場合においても、可撓性基板には、高い位置合わせ精度が要求されない。よって、簡便に可撓性基板を貼り付けることができる。

なお、図１８では、導電膜１８９が接着層１９６及び絶縁膜１９３等で覆われている。外部入力端子と電気的に接続させるために、導電膜１８９を露出させる必要がある。例えば、導電膜１８９上の接着層１９６及び絶縁膜１９３等を、レーザ光の照射又は切削加工等により除去することができる。

または、図１６（Ａ）に示す段階で、導電膜１８９上に、導電膜１８９との密着性が低い機能膜を形成する、又は、導電膜１８９上に、互いに密着性の低い２層以上の積層膜を形成してもよい。このように、導電膜１８９上に膜を形成することで、外部入力端子と接続させる領域のみ、絶縁膜１９３と剥離層９１２の界面でなく、導電膜１８９と機能膜の界面、又は導電膜１８９上の密着性の低い積層膜の界面で分離することができる。この場合、作製基板９１１を剥離する工程で、導電膜１８９の露出が可能となるため、工程数の削減が可能となる。なお、導電膜１８９上に、他の膜が一部残る場合もある。そのときは、ドライ処理（ドライアイスの粉を吹き付ける方法など）又はウエット処理（有機溶媒、水、又は過酸化水素水等で拭き取る方法など）により、導電膜１８９上に残存した膜を除去することが好ましい。

以上のように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、結晶性基板上にトランジスタ及び発光素子を形成することで精細度が極めて高い表示装置を作製することができる。また、作製基板上で高温をかけて絶縁膜を形成することで、信頼性の高い表示装置を作製することができる。さらに、作製基板及び結晶性基板をそれぞれ剥離し、可撓性基板を貼ることにより、表示装置の薄型化、軽量化、フレキシブル化が可能となる。

＜断面構成例１１＞
図１９に、図１とは異なる画素部の断面図を示す。

図１９に示すように、本発明の一態様では、絶縁膜及び導電膜の積層構造でなる多層配線構造を採用して、高度に集積化した表示装置を実現することも可能である。

図１９では、結晶性半導体基板１０１、トランジスタ１６１、複数の容量素子１７０、発光素子１８０、可撓性基板１９１、接着層１９２、絶縁膜１９３、遮光層１９４、着色層１９５、接着層１９６等を示している。

トランジスタ１６１が有する導電膜１２４ｅは、複数の導電膜を介して、発光素子１８０の電極１８１と電気的に接続されている。導電膜１２４ｅと、絶縁膜１２５上の導電膜１４１と、は、導電膜１４９によって電気的に接続されている。絶縁膜１２５上の導電膜１４１と、絶縁膜１４３上の導電膜１４１と、は、別の導電膜１４９によって電気的に接続されている。絶縁膜１４３は４層積層されており、一番上の１つを除いた３つの絶縁膜１４３上に、それぞれ導電膜１４１が設けられ、全ての導電膜１４１が、導電膜１４９によって電気的に接続されている。４層のうち一番上の絶縁膜１４３上には、電極１８１が設けられている。４層のうち一番上の導電膜１４１と、電極１８１とは、導電膜１４９によって電気的に接続されている。

また、多層配線構造の少なくとも一部に、容量素子１７０を有していてもよい。容量素子１７０は、一対の導電膜（導電膜１４１及び導電膜１４８）と、その間に設けられた絶縁膜１４２と、を有する。また、上下に重なる２つの容量素子１７０において、下側の容量素子１７０が有する導電膜１４８と、上側の容量素子１７０が有する導電膜１４１とは、１以上の導電膜１４９によって、電気的に接続されている。

図１９に示すトランジスタ１６１の構成は、図１と同様である。

＜断面構成例１２＞
図２０に、画素回路の一例を示す回路図を示す。また、図２１に図１とは異なる画素部の断面図を示す。

図２０に示す画素回路は、発光素子１８０、トランジスタ３２００、トランジスタ３３００、及び容量素子３４００を有する。トランジスタ３２００は、駆動トランジスタとして機能する。トランジスタ３３００は、選択トランジスタとして機能する。

発光素子１８０の第１の電極は、第１の配線３００１と電気的に接続されている。発光素子１８０の第２の電極は、トランジスタ３２００の第１の電極と電気的に接続されている。トランジスタ３２００の第２の電極は、第２の配線３００２と電気的に接続されている。トランジスタ３２００のゲートは、トランジスタ３３００の第１の電極及び容量素子３４００の第１の電極と電気的に接続されている。トランジスタ３３００の第２の電極は、第３の配線３００３と電気的に接続されている。トランジスタ３３００のゲートは、第４の配線３００４と電気的に接続されている。容量素子３４００の第２の電極は、第５の配線３００５と電気的に接続されている。

図２０に示す画素回路において、トランジスタ３３００は、トランジスタ３２００とは異なる半導体を用いて形成されている。具体的には、トランジスタ３２００は、シリコンを用いたトランジスタであり、トランジスタ３３００は、酸化物半導体を用いたトランジスタである。

図２１は、図２０に示す発光素子１８０、トランジスタ３２００、トランジスタ３３００、及び容量素子３４００を含む、表示装置の断面図に相当する。

図２１では、トランジスタ３２００の上方にトランジスタ３３００が配置され、トランジスタ３３００の上方に容量素子３４００が配置され、容量素子３４００の上方に発光素子１８０が配置されている。

図２１に示すように、本発明の一態様では、２つ以上のトランジスタを積層した表示装置を実現することも可能である。

なお、トランジスタ３２００、３３００は、図２１に示す構成に限定されず、上述した様々な構造を適用することができる。

トランジスタ３２００は、結晶性半導体基板１０１を用いたトランジスタである。

トランジスタ３２００は、結晶性半導体基板１０１中の不純物領域４７４ａ及び不純物領域４７４ｂと、ゲート絶縁膜４６２と、ゲート４５４と、を有する。

トランジスタ３２００において、不純物領域４７４ａ及び不純物領域４７４ｂは、ソース領域及びドレイン領域として機能する。ゲート４５４に印加する電位によって、チャネル形成領域の抵抗を制御することができる。即ち、ゲート４５４に印加する電位によって、不純物領域４７４ａと不純物領域４７４ｂとの間の導通・非導通を制御することができる。

なお、トランジスタ３２００は、素子分離領域４６０などによって隣接するトランジスタと分離される。素子分離領域４６０は、絶縁性を有する領域である。

トランジスタ３３００は、酸化物半導体膜４０６ｂを用いたトランジスタである。

トランジスタ３３００は、ゲート４０１、ゲート絶縁膜４０３、酸化物膜４０６ａ、酸化物半導体膜４０６ｂ、酸化物膜４０６ｃ、導電膜４０４ａ、及び導電膜４０４ｂを有する。

酸化物膜４０６ａ及び酸化物膜４０６ｃには、それぞれ、酸化物半導体膜４０６ｂを構成する酸素以外の元素一種以上を有する酸化物を用いることが望ましい。

絶縁膜４７５の開口部には、導電膜４８４ｄが埋め込まれている。導電膜４８４ｄに一定の電位を印加することで、トランジスタ３３００のしきい値電圧などの電気特性を制御しても構わない。または、例えば、導電膜４８４ｄとゲート４０１とを電気的に接続しても構わない。こうすることで、トランジスタ３３００のオン電流を大きくすることができる。また、パンチスルー現象を抑制することができるため、トランジスタ３３００の飽和領域における電気特性を安定にすることができる。また、導電膜４８４ｄは、トランジスタ３３００のボトムゲート電極としての機能を有しても構わない。このとき、ゲート４０１は、バックゲート電極として機能することができる。

容量素子３４００は、導電膜４９４、絶縁膜４９８、及び導電膜４９６を有する。容量素子３４００を、トランジスタ３３００の上方又は下方に形成することで、表示装置の大きさを縮小することができ、好ましい。

不純物領域４７４ａは、複数の導電膜を介して、導電膜４８９ａと電気的に接続されている。具体的には、不純物領域４７４ａは、導電膜４８０ａを介して、絶縁膜４６４上の導電膜４７８ａと電気的に接続されている。導電膜４７８ａは、導電膜４７６ａを介して、絶縁膜４６８上の導電膜４７９ａと電気的に接続されている。導電膜４７９ａは、導電膜４７７ａを介して、絶縁膜４７２上の導電膜４８４ａと電気的に接続されている。導電膜４８４ａは、導電膜４８３ａを介して、絶縁膜４２８上の導電膜４８５ａと電気的に接続されている。導電膜４８５ａは、導電膜４８７ａを介して、絶縁膜４６５上の導電膜４８８ａと電気的に接続されている。導電膜４８８ａは、導電膜４９０ａを介して、絶縁膜４６７上の導電膜４８９ａと電気的に接続されている。

不純物領域４７４ｂは、複数の導電膜を介して、発光素子１８０の電極１８１と電気的に接続されている。具体的には、不純物領域４７４ｂは、導電膜４８０ｂを介して、絶縁膜４６４上の導電膜４７８ｂと電気的に接続されている。導電膜４７８ｂは、導電膜４７６ｂを介して、絶縁膜４６８上の導電膜４７９ｂと電気的に接続されている。導電膜４７９ｂは、導電膜４７７ｂを介して、絶縁膜４７２上の導電膜４８４ｂと電気的に接続されている。導電膜４８４ｂは、導電膜４８３ｂを介して、絶縁膜４２８上の導電膜４８５ｂと電気的に接続されている。導電膜４８５ｂは、導電膜４８７ｂを介して、絶縁膜４６５上の導電膜４８８ｂと電気的に接続されている。導電膜４８８ｂは、導電膜４９０ｂを介して、絶縁膜４６７上の導電膜４８９ｂと電気的に接続されている。導電膜４８９ｂは、導電膜４９１を介して、絶縁膜４６９上の電極１８１と電気的に接続されている。

トランジスタ３２００のゲート４５４は、複数の導電膜を介して、トランジスタ３３００の導電膜４０４ｂと電気的に接続されている。また、トランジスタ３２００のゲート４５４は、複数の導電膜を介して、容量素子３４００の導電膜４９４と電気的に接続されている。具体的には、ゲート４５４は、導電膜４８０ｃを介して、絶縁膜４６４上の導電膜４７８ｃと電気的に接続されている。導電膜４７８ｃは、導電膜４７６ｃを介して、絶縁膜４６８上の導電膜４７９ｃと電気的に接続されている。導電膜４７９ｃは、導電膜４７７ｃを介して、絶縁膜４７２上の導電膜４８４ｃと電気的に接続されている。導電膜４８４ｃは、導電膜４８３ｃを介して、絶縁膜４２８上の導電膜４８５ｃと電気的に接続されている。導電膜４８５ｃは、導電膜４８３ｆを介して、導電膜４０４ｂと電気的に接続されている。導電膜４８５ｃは、導電膜４８７ｃを介して、絶縁膜４６５上の導電膜４８８ｃと電気的に接続されている。導電膜４８８ｃは、導電膜４９４と電気的に接続されている。

トランジスタ３３００のゲート４０１は、導電膜４８３ｄを介して導電膜４８５ｄと電気的に接続されている。トランジスタ３３００の導電膜４０４ａは、導電膜４８３ｅを介して導電膜４８５ｅと電気的に接続されている。

トランジスタ３２００上には、絶縁膜４６４が配置されている。絶縁膜４６４上には、絶縁膜４６６が配置されている。絶縁膜４６６上には、絶縁膜４６８が配置されている。絶縁膜４６８上には、絶縁膜４７０が配置されている。絶縁膜４７０上には、絶縁膜４７２が配置されている。絶縁膜４７２上には、絶縁膜４７５が配置されている。絶縁膜４７５上には、絶縁膜４０２が配置されている。

ゲート４０１及び絶縁膜４１０上には、絶縁膜４１８が配置されている。絶縁膜４１８上には、絶縁膜４０８が配置されている。絶縁膜４０８上には、絶縁膜４２８が配置されている。絶縁膜４２８上には、絶縁膜４６５が配置されている。絶縁膜４６５上には、絶縁膜４６７が配置されている。絶縁膜４６７及び容量素子３４００上には、絶縁膜４６９が配置されている。

なお、トランジスタ３３００を、水素などの不純物及び酸素をブロックする機能を有する絶縁膜で囲うことによって、トランジスタ３３００の電気特性を安定にすることができる。例えば絶縁膜４０８及び絶縁膜４７２に、それぞれ、水素などの不純物及び酸素をブロックする機能を有する絶縁膜を用いることが好ましい。

例えば、絶縁膜４０８及び絶縁膜４７２には、それぞれ、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム又は酸化タンタルなどの金属酸化物、窒化酸化シリコン又は窒化シリコンなどを用いることができる。なお、絶縁膜４０８及び絶縁膜４７２は、酸化アルミニウムを有することが好ましい。

図２１における発光素子１８０と可撓性基板１９１の間の構成は、図１９と同様である。

＜応用例＞
本発明の一態様では、タッチセンサが搭載された表示装置（以下、タッチパネルとも記す）を作製することができる。

本発明の一態様のタッチパネルが有する検知素子（センサ素子ともいう）に限定は無い。指もしくはスタイラスなどの被検知体の近接又は接触を検知することのできる様々なセンサを、検知素子として適用することができる。

例えばセンサの方式としては、静電容量方式、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方式、光学方式、感圧方式など様々な方式を用いることができる。

本実施の形態では、静電容量方式の検知素子を有するタッチパネルを例に挙げて説明する。

静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。また、投影型静電容量方式としては、自己容量方式、相互容量方式等がある。相互容量方式を用いると、同時多点検出が可能となるため好ましい。

本発明の一態様のタッチパネルは、別々に作製された表示パネルと検知素子とを貼り合わせる構成、表示素子を支持する基板及び対向基板の一方又は双方に検知素子を構成する電極等を設ける構成等、様々な構成を適用することができる。

図２２（Ａ）に、断面構成例２（図６（Ａ））の表示パネルと検知素子とを貼り合わせた構成を示す。

図２２（Ａ）における結晶性半導体基板１０１と可撓性基板１９１の間の構成は、図６（Ａ）と同様である。

図２２（Ａ）では、可撓性基板１７１、導電膜１７３、絶縁膜１７４、導電膜１７５、接着層１７６、及び導電膜１７７等を示している。

検知素子等は、接着層１７６によって、可撓性基板１９１に貼り合わされている。

なお、可撓性基板１７１の代わりに、可撓性を有していない基板を用いてもよい。

導電膜１７３、導電膜１７５、及び導電膜１７７は、それぞれ、可視光を透過する導電性材料を用いて形成することができる。

導電膜１７３は、接続体１７８を介してＦＰＣ１７９と電気的に接続されている。

図２２（Ｂ）に、断面構成例２（図６（Ａ））の表示パネルの対向基板（可撓性基板１９１）側に検知素子を設けた構成を示す。

図２２（Ｂ）における結晶性半導体基板１０１と接着層１９６の間の構成は、図６（Ａ）と同様である。

図２２（Ｂ）では、可撓性基板１９１、接着層１９２、絶縁膜１９３、遮光層１９４、着色層１９５、絶縁膜１７２、導電膜１７３、絶縁膜１７４、導電膜１７５、及び導電膜１７７等を示している。

図２２（Ｂ）に示すような表示パネルの対向基板側に検知素子を有する構成とするための表示装置の作製方法の一例を説明する。

まず、作製基板上に、剥離層を形成する。次に、剥離層上に絶縁膜１９３を形成する。次に、絶縁膜１９３上に導電膜１７３及び導電膜１７７を形成し、さらに、絶縁膜１７４を形成する。次に、絶縁膜１７４上に、導電膜１７５を形成し、さらに、絶縁膜１７２を形成する。そして、絶縁膜１７２上に遮光層１９４及び着色層１９５を形成する。

次に、結晶性半導体基板１０１と作製基板とを、接着層１９６を用いて貼り合わせる。そして、作製基板と絶縁膜１９３とを分離し、露出した絶縁膜１９３と可撓性基板１９１とを接着層１９２を用いて貼り合わせる。

図２２（Ｂ）に示す表示装置は、基板を２枚（結晶性半導体基板１０１及び可撓性基板１９１）とすることができるため、より一層の薄型化及び軽量化を図ることができる。

図２３（Ａ）に、塗り分け方式を適用した表示パネル上に、検知素子を貼り合わせた構成を示す。

図２３（Ａ）における可撓性基板１７１と可撓性基板１９１の間の構成は、図２２（Ａ）と同様である。図２２（Ａ）では、可撓性基板１７１が表示装置の外側に位置するが、図２３（Ａ）に示すように、可撓性基板１７１が表示装置の内側に位置してもよい。例えば、ＦＰＣ１７９を導電膜１７３に接続させやすくなる方を選択することが好ましい。

なお、接着層１９６のガスバリア性が高い場合、又は可撓性基板１７１と可撓性基板１９１の間に、ガスバリア性が高い膜を有する場合などには、発光素子１８０上の封止層を設けなくてもよい。または、封止層として、発光素子１８０上に、図８等で示した絶縁膜１２８を形成し、絶縁膜１９７と可撓性基板１７１とを接着層１９６で貼り合わせてもよい。

図２３（Ａ）に示すトランジスタ１６３及びトランジスタ１６４の構成は、図６（Ａ）と同様である。

＜変形例＞
本発明の一態様では、単色表示の表示装置を作製することができる。単色表示の表示装置は、例えば、実施の形態２で説明するプロジェクター等に用いることができる。なお、本発明の一態様は表示装置に限られず、単色発光の照明装置等に適用してもよい。

図２３（Ｂ）に示す発光素子１８０は、複数の画素にわたって、ＥＬ層１８３が設けられている。また、発光素子１８０が発する光は、カラーフィルタ等を介することなく、表示装置の外に取り出される。自発光が可能な発光素子を用いることで、カラーフィルタ等を用いる必要がなく、表示装置を少ない積層数で作製することができる。これにより、コスト削減、又は表示装置の薄型化もしくは軽量化が可能となる。

図２３（Ｂ）に示すトランジスタ１６３及びトランジスタ１６４の構成は、図６と同様である。

＜材料の一例＞
次に、本実施の形態の表示装置に用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説明した構成については説明を省略する場合がある。

本発明の一態様では、トランジスタや発光素子を形成する際の支持基板に、結晶性基板を用いる。なお、対向基板や封止基板は結晶性基板に限定されず、以下の材料も用いることができる。または、結晶性基板を剥離した後、素子層と別の基板を貼り合わせる場合にも、以下の材料を用いることができる。

基板には、ガラス、石英、有機樹脂、金属、合金、半導体などの材料を用いることができる。発光素子からの光を取り出す側の基板は、該光を透過する材料を用いる。

特に、可撓性基板を用いることが好ましい。例えば、有機樹脂、又は、可撓性を有する程度の厚さのガラス、金属、合金を用いることができる。例えば、可撓性基板の厚さは、１μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、１μｍ以上１００μｍ以下がより好ましく、１μｍ以上５０μｍ以下がさらに好ましく、１μｍ以上２５μｍ以下がさらに好ましく、１μｍ以上１０μｍ以下が特に好ましい。

ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、ガラスを用いる場合に比べて表示装置を軽量化でき、好ましい。

基板には、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい表示装置を実現できる。例えば、有機樹脂基板、又は、厚さの薄い金属基板もしくは合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい表示装置を実現できる。

金属材料及び合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示装置の局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料又は合金材料を用いた基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

金属基板又は合金基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、又は、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適に用いることができる。半導体基板を構成する材料としては、シリコン等が挙げられる。

また、基板に、熱放射率が高い材料を用いると表示装置の表面温度が高くなることを抑制でき、表示装置の破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱放射率の高い層（例えば、金属酸化物又はセラミック材料を用いることができる）の積層構造としてもよい。

可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂等が挙げられる。特に、線膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（プリプレグともいう）、又は無機フィラーを有機樹脂に混ぜて線膨張係数を下げた基板を使用することもできる。

可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン層など）、又は押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。

可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とすると、水又は酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い表示装置とすることができる。

例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性基板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２５μｍ以上１００μｍ以下とする。このような厚さのガラス層は、水又は酸素に対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、１０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような有機樹脂層を設けることにより、ガラス層の割れ又はクラックを抑制し、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな表示装置とすることができる。

接着層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着シート等を用いてもよい。例えば、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、又はシロキサン結合を有する樹脂などの樹脂を用いることができる。

また、接着層には乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウム又は酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライト又はシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に侵入することを抑制でき、表示装置の信頼性が向上するため好ましい。

また、接着層に屈折率の高いフィラー又は光散乱部材を含ませることで、発光素子からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。

絶縁膜及びオーバーコートには、それぞれ、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いることができる。樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。無機絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等が挙げられる。

絶縁膜１９３、絶縁膜１９７、及び絶縁膜１０５には、それぞれ、ガスバリア性の高い絶縁膜を用いることが好ましい。または、絶縁膜１９３、絶縁膜１９７、及び絶縁膜１０５は、それぞれ、不純物の発光素子への拡散を防ぐ機能を有していることが好ましい。

ガスバリア性の高い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜、又は窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、ガスバリア性の高い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０^−７［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下とする。

表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナー型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。また、ソースとドレインがトランジスタの上下に設けられる構造の縦型トランジスタ（ＳＧＴ：Ｓｕｒｒｏｕｎｄｉｎｇ Ｇａｔｅ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）としてもよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、有機半導体等が挙げられる。または、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

本発明の一態様では、単結晶半導体基板にチャネル形成領域を有するトランジスタを用いることが好ましい。例えば、単結晶シリコン基板にチャネル形成領域を有するトランジスタを用いることができる。

または、本発明の一態様では、トランジスタに用いる半導体材料として、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いることが好ましい。ＣＡＡＣ−ＯＳは非晶質とは異なり、欠陥準位が少なく、トランジスタの信頼性を高めることができる。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは結晶粒界が確認されないという特徴を有するため、大面積に安定で均一な膜を形成することが可能で、また可撓性を有する表示装置を湾曲させたときの応力によってＣＡＡＣ−ＯＳ膜にクラックが生じにくい。

ＣＡＡＣ−ＯＳは、膜面に対して、結晶のｃ軸が概略垂直配向した結晶性酸化物半導体のことである。酸化物半導体の結晶構造としては他にナノスケールの微結晶集合体であるナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）など、単結晶とは異なる多彩な構造が存在することが確認されている。ＣＡＡＣ−ＯＳは、単結晶よりも結晶性が低く、ｎｃに比べて結晶性が高い。

また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向性を有し、かつａ−ｂ面方向において複数のペレット（ナノ結晶）が連結し、歪みを有した結晶構造となっている。よって、ＣＡＡＣ−ＯＳを、ＣＡＡ ｃｒｙｓｔａｌ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ ａ−ｂ−ｐｌａｎｅ−ａｎｃｈｏｒｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）を有する酸化物半導体と称することもできる。

トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。

発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。

発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料又は合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）、又は銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯの積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。

電極は、それぞれ、蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成することができる。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成することができる。

ＥＬ層１８３は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層１８３は、複数の発光層を有していてもよい。ＥＬ層１８３は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

ＥＬ層１８３には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層１８３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

発光素子１８０は、２種類以上の発光物質を含んでいてもよい。これにより、例えば、白色発光の発光素子を実現することができる。例えば２種類以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、又はＯ（橙）等の発光を示す発光物質、又はＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質を用いることができる。例えば、青の発光を示す発光物質と、黄の発光を示す発光物質を用いてもよい。このとき、黄の発光を示す発光物質の発光スペクトルは、緑及び赤のスペクトル成分を含むことが好ましい。また、発光素子１８０の発光スペクトルは、可視領域の波長（例えば３５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下、又は４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下など）の範囲内に２以上のピークを有することが好ましい。

また、発光素子１８０は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、電荷発生層を介して積層されたＥＬ層を複数有するタンデム素子であってもよい。

また、本発明の一態様では、量子ドットなどの無機化合物を用いた発光素子を適用してもよい。量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料、などが挙げられる。例えば、カドミウム（Ｃｄ）、セレン（Ｓｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ）、インジウム（Ｉｎ）、テルル（Ｔｅ）、鉛（Ｐｂ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、アルミニウム（Ａｌ）等の元素を有していてもよい。

発光素子は、一対のガスバリア性の高い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水分等の不純物が侵入することを抑制でき、表示装置の信頼性の低下を抑制できる。

導電膜は、例えば、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステンなどの金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いることができる。なお、導電膜には、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を用いてもよい。また、不純物元素を含有させた多結晶シリコン、もしくは酸化物半導体に代表される半導体、又はニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。

着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色、緑色、青色、又は黄色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料又は染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。

なお、本発明の一態様は、カラーフィルタ方式に限られず、塗り分け方式、色変換方式、又は量子ドット方式等を適用してもよい。

遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する発光素子からの光を遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、遮光層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層としては、発光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料、又は、顔料もしくは染料を含む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成することができる。なお、遮光層は、駆動回路などの画素部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。

オーバーコートは、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オーバーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、又はアクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。

また、接着層の材料を着色層及び遮光層上に塗布する場合、オーバーコートの材料として接着層の材料に対して濡れ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコートとして、ＩＴＯ膜などの酸化物導電膜、又は透光性を有する程度に薄いＡｇ膜等の金属膜を用いることが好ましい。

オーバーコートの材料に、接着層の材料に対して濡れ性の高い材料を用いることで、接着層の材料を均一に塗布することができる。これにより、一対の基板を貼り合わせた際に気泡が混入することを抑制でき、表示不良を抑制できることができる。

接続体としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）、又は異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

以上のように、本発明の一態様の表示装置は、熱収縮の少ない結晶性基板を用いて作製されるため、高い精細度を実現することができる。また、結晶性基板を研磨し、非常に薄い厚さとすることで、精細度が高く、可撓性を有する表示装置を作製することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び照明装置について図２４〜図３０を用いて説明する。

本発明の一態様の表示装置を用いて、高精細、高解像度、又は高表示品位であり、曲面又は可撓性を有する電子機器を作製することができる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、プロジェクター、プロジェクションテレビ（リアプロジェクター）、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。

また、本発明の一態様の電子機器は可撓性を有するため、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。

また、本発明の一態様の電子機器は二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。

二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる。

本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像又は情報等の表示を行うことができる。また、電子機器が二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。

図２４（Ａ）、（Ｂ）に、ヘッドマウントディスプレイ７９００の斜視図を示す。図２４（Ｃ）は、ヘッドマウントディスプレイ７９００の使用者の顔に接する面の概略図である。

ヘッドマウントディスプレイ７９００は、本体７９０２及び装着部７９０３を有し、本体７９０２には、表示装置７９０１及びレンズ７９０４が取り付けられている。使用者は、レンズ７９０４を通して、表示装置７９０１の表示を視認することができる。

装着部７９０３の長さ及びレンズ７９０４の位置は、使用者によって、適宜変更できる仕様である。

ヘッドマウントディスプレイ７９００は、ヘッドトラッキング装置等の視線追従装置を有することが好ましい。これにより、使用者の視線を追跡し、視線に合った表示を行うことで、臨場感を高めることができる。

また、ヘッドマウントディスプレイ７９００は、アンテナ、バッテリ、カメラ、スピーカ、ヘッドホン、イヤホン、マイク、及び操作ボタンのうち、一つ以上を有することが好ましい。

ヘッドマウントディスプレイは、使用者が装着する本体（表示ユニット）とは別に、映像処理又は音声処理等を行うプロセッサを含むユニット、本体に電力を供給するバッテリを含むユニット等を有していてもよい。各ユニットは、有線又は無線により接続することができる。

本実施の形態では、没入型のヘッドマウントディスプレイを例示したが、本発明の一態様の表示装置は、透過型のヘッドマウントディスプレイに適用されてもよい。

ヘッドマウントディスプレイは使用者が頭に装着して用いるため、長時間使用しても疲労しないように、軽量であることが望まれる。本発明の一態様の表示装置は、小型及び薄型にすることが容易であるため、軽量化が可能であり、ヘッドマウントディスプレイに好適に用いることができる。

本発明の一態様の表示装置は、高い精細度を有するため、複雑な構成（例えば、両眼視差を含む画像、又は立体視用のメガネ）を用いなくとも、使用者が画像に立体感を得ることができる。そのため、ヘッドマウントディスプレイの表示内容への高い没入感が得られる。

また、本発明の一態様の表示装置は、可撓性を有する。本発明の一態様の表示装置は、その表示面を湾曲し、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。ヘッドマウントディスプレイ７９００は、湾曲した表示面を有することで、平面の表示面を有する場合に比べて、使用者が得られる、画像の立体感、又は表示内容への没入感を高めることができる。

また、表示装置７９０１の湾曲の加減を、手動又は自動で変化させることができてもよい。これにより、個人差や表示内容によらず、使用者が画像に強い立体感又は奥行き感を得ることができる。

また、使用者は、レンズ７９０４を通して表示装置７９０１の表示を視認するため、画像が歪んで見える場合がある。例えば、歪みの少ないレンズを用いる、又は、歪みを考慮して画像を補正して表示することで、使用者が視認する画像の歪みを低減させることができる。しかし、歪みの少ないレンズは高価であり、コストが高くなることが多い。また、使用者が視認する画像の歪みを低減させるために、画像の補正をすると、解像度が低下する場合がある。そこで、本発明の一態様では、表示装置７９０１の形状を変化させることにより、使用者が画像の歪みを視認しにくい表示を行う。これにより、複雑な構成を必要とせず、かつ、解像度を大きく下げることなく、使用者にとって画像が歪んで見えにくくすることができる。

図２５（Ａ）〜（Ｃ）に、ヘッドマウントディスプレイ７９２０の斜視図を示す。ヘッドマウントディスプレイ７９２０は、表示装置を２つ有する点で、ヘッドマウントディスプレイ７９００と異なる。それ以外の構成については、ヘッドマウントディスプレイ７９００の説明を適宜参酌できる。

ヘッドマウントディスプレイ７９２０は、本体７９２２及び装着部７９２３を有し、本体７９２２には、表示装置７９２１Ｌ、表示装置７９２１Ｒ、及びレンズ７９２４が取り付けられている。使用者は、レンズ７９２４を通して、表示装置７９２１Ｌ及び表示装置７９２１Ｒの表示を視認することができる。図２５（Ｃ）では、２つの表示装置の形状及び配置例を示すために、レンズ７９２４等を示していない。ヘッドマウントディスプレイは、レンズ及び表示装置の少なくとも一方が着脱可能であってもよい。

ヘッドマウントディスプレイ７９２０では、左目用の表示装置７９２１Ｌと、右目用の表示装置７９２１Ｒと、のそれぞれが、湾曲した表示面を有するため、使用者が得られる、画像の立体感、又は表示内容への没入感を高めることができる。また、表示装置７９２１Ｌと表示装置７９２１Ｒの湾曲の加減を、それぞれ独立に、手動又は自動で変化させることができてもよい。または、表示装置７９２１Ｌと表示装置７９２１Ｒの湾曲の加減を一律で変化させることができてもよい。

図２６（Ａ）〜（Ｃ）に、プロジェクター７９１０を示す。プロジェクター７９１０は、表示装置７９１１と光学系７９１２を有する。

表示装置７９１１は、表示素子として有機ＥＬ素子を有する。自発光の表示素子を用いることで、プロジェクター７９１０に、別途、光源を設ける必要がない。したがって、プロジェクター７９１０の軽量、かつ、小型にすることができる。

図２６（Ａ）は三板式のプロジェクターであり、３つの表示装置７９１１を有する。各表示装置７９１１は、凹曲面の表示面を有する。

図２６（Ｂ）は単板式のプロジェクターであり、１つの表示装置７９１１を有する。表示装置７９１１は、凸曲面の表示面を有する。

図２６（Ｃ）は超短焦点のプロジェクターである。投射したいスクリーン又は壁等の近くに配置することができるため、狭い場所又は限られた空間での使用に効果的である。

光学系７９１２は、ミラー、プリズム、位相差板、レンズ、偏光機能を有するフィルム、位相差を調節するためのフィルム、及びＩＲフィルムのうち、少なくとも一つを有することが好ましい。例えば、表示装置７９１１から射出された光は、ズームレンズを通してスクリーンに投影される。

表示装置７９１１は、その表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。なお、表示装置７９１１は可撓性を有する部分を有していてもよい。表示装置７９１１は、本発明の一態様の表示装置を用いて作製される。

表示装置７９１１の表示は、光学系７９１２を通してスクリーン７９１３に投射されるため、画像が歪んで見える場合がある。例えば、歪みの少ないレンズを用いる、又は、歪みを考慮して画像を補正して表示することで、画像の歪みを低減させることができる。しかし、歪みの少ないレンズは高価であり、コストが高くなることが多い。また、画像の歪みを低減させるために、画像の補正をすると、解像度が低下する場合がある。そこで、本発明の一態様では、表示装置７９１１の形状を変化させることにより、画像の歪みを低減させる。これにより、複雑な構成を必要とせず、かつ、解像度を大きく下げることなく、画像の歪みを低減させることができる。

なお、表示装置７９１１は、表示面が凸曲面であってもよく、凹曲面であってもよく、凸曲面及び凹曲面の双方を有していてもよい。また、表示装置７９１１の表示面は、平面であってもよい。また、プロジェクターが複数の表示装置７９１１を有する場合、各表示装置７９１１の表示面の形状は、異なっていてもよいし、同一であってもよい。

図２７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、（Ｅ）に、湾曲した表示部７０００を有する電子機器の一例を示す。表示部７０００はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。なお、表示部７０００は可撓性を有していてもよい。

表示部７０００は、本発明の一態様の表示装置を用いて作製される。

本発明の一態様により、精細度が高く、湾曲した表示部を備えた電子機器を提供できる。

図２７（Ａ）に携帯電話機の一例を示す。携帯電話機７１００は、筐体７１０１、表示部７０００、操作ボタン７１０３、外部接続ポート７１０４、スピーカ７１０５、マイク７１０６等を有する。

図２７（Ａ）に示す携帯電話機７１００は、表示部７０００にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指又はスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。

また、操作ボタン７１０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作、及び表示部７０００に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。

図２７（Ｂ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７２００は、筐体７２０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７２０３により筐体７２０１を支持した構成を示している。

図２７（Ｂ）に示すテレビジョン装置７２００の操作は、筐体７２０１が備える操作スイッチ、及び別体のリモコン操作機７２１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作してもよい。リモコン操作機７２１１は、当該リモコン操作機７２１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７２１１が備える操作キー又はタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

なお、テレビジョン装置７２００は、受信機又はモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図２７（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、（Ｅ）に携帯情報端末の一例を示す。各携帯情報端末は、筐体７３０１及び表示部７０００を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク、アンテナ、又はバッテリ等を有していてもよい。表示部７０００にはタッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指又はスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。

図２７（Ｃ１）は、携帯情報端末７３００の斜視図であり、図２７（Ｃ２）は携帯情報端末７３００の上面図である。図２７（Ｄ）は、携帯情報端末７３１０の斜視図である。図２７（Ｅ）は、携帯情報端末７３２０の斜視図である。

本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。

携帯情報端末７３００、携帯情報端末７３１０及び携帯情報端末７３２０は、文字又は画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、図２７（Ｃ１）、（Ｄ）に示すように、３つの操作ボタン７３０２を一の面に表示し、矩形で示す情報７３０３を他の面に表示することができる。図２７（Ｃ１）、（Ｃ２）では、携帯情報端末の上側に情報が表示される例を示し、図２７（Ｄ）では、携帯情報端末の横側に情報が表示される例を示す。また、携帯情報端末の３面以上に情報を表示してもよく、図２７（Ｅ）では、情報７３０４、情報７３０５、情報７３０６がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。

なお、情報の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）の通知、電子メール又は電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報が表示されている位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。

例えば、携帯情報端末７３００の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末７３００を収納した状態で、その表示（ここでは情報７３０３）を確認することができる。

具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末７３００の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末７３００をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。

図２７（Ｆ）〜（Ｈ）に、湾曲した発光部を有する照明装置の一例を示している。

図２７（Ｆ）〜（Ｈ）に示す各照明装置が有する発光部は、本発明の一態様の発光装置を用いて作製される。

本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を提供できる。

図２７（Ｆ）に示す照明装置７４００は、波状の発光面を有する発光部７４０２を備える。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。

図２７（Ｇ）に示す照明装置７４１０の備える発光部７４１２は、凸状に湾曲した２つの発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７４１０を中心に全方位を照らすことができる。

図２７（Ｈ）に示す照明装置７４２０は、凹状に湾曲した発光部７４２２を備える。したがって、発光部７４２２からの発光を、照明装置７４２０の前面に集光するため、特定の範囲を明るく照らす場合に適している。また、このような形態とすることで、影ができにくいとう効果を奏する。

また、照明装置７４００、照明装置７４１０及び照明装置７４２０の備える各々の発光部は可撓性を有していてもよい。発光部を可塑性の部材又は可動なフレームなどの部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。

照明装置７４００、照明装置７４１０及び照明装置７４２０は、それぞれ、操作スイッチ７４０３を備える台部７４０１と、台部７４０１に支持される発光部を有する。

なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。

図２８（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ）〜（Ｉ）に、可撓性を有する表示部７００１を有する携帯情報端末の一例を示す。

表示部７００１は、本発明の一態様の表示装置を用いて作製される。例えば、曲率半径０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる表示装置等を適用できる。また、表示部７００１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れることで携帯情報端末を操作することができる。

本発明の一態様により、精細度が高く、可撓性を有する表示部を備えた電子機器を提供できる。

図２８（Ａ１）は、携帯情報端末の一例を示す斜視図であり、図２８（Ａ２）は、携帯情報端末の一例を示す側面図である。携帯情報端末７５００は、筐体７５０１、表示部７００１、引き出し部材７５０２、操作ボタン７５０３等を有する。

携帯情報端末７５００は、筐体７５０１内にロール状に巻かれた可撓性を有する表示部７００１を有する。

また、携帯情報端末７５００は内蔵された制御部によって映像信号を受信可能で、受信した映像を表示部７００１に表示することができる。また、携帯情報端末７５００にはバッテリが内蔵されている。また、筐体７５０１にコネクタを接続する端子部を備え、映像信号又は電力を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。

また、操作ボタン７５０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作、及び表示する映像の切り替え等を行うことができる。なお、図２８（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ）では、携帯情報端末７５００の側面に操作ボタン７５０３を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報端末７５００の表示面と同じ面（おもて面）又は裏面に配置してもよい。

図２８（Ｂ）には、表示部７００１を引き出し部材７５０２により引き出した状態の携帯情報端末７５００を示す。この状態で表示部７００１に映像を表示することができる。また、表示部７００１の一部がロール状に巻かれた図２８（Ａ１）の状態と表示部７００１を引き出し部材７５０２により引き出した図２８（Ｂ）の状態とで、携帯情報端末７５００が異なる表示を行う構成としてもよい。例えば、図２８（Ａ１）の状態のときに、表示部７００１のロール状に巻かれた部分を非表示とすることで、携帯情報端末７５００の消費電力を下げることができる。

なお、表示部７００１を引き出した際に表示部７００１の表示面が平面状となるように固定するため、表示部７００１の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。

なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によって音声を出力する構成としてもよい。

図２８（Ｃ）〜（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図２８（Ｃ）では、展開した状態、図２８（Ｄ）では、展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態、図２８（Ｅ）では、折りたたんだ状態の携帯情報端末７６００を示す。携帯情報端末７６００は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。

表示部７００１はヒンジ７６０２によって連結された３つの筐体７６０１に支持されている。ヒンジ７６０２を介して２つの筐体７６０１間を屈曲させることにより、携帯情報端末７６００を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。

図２８（Ｆ）、（Ｇ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図２８（Ｆ）では、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図２８（Ｇ）では、表示部７００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携帯情報端末７６５０は表示部７００１及び非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７６５０を使用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部７００１の汚れ及び傷つきを抑制できる。

図２８（Ｈ）に、可撓性を有する携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７７００は、筐体７７０１及び表示部７００１を有する。さらに、入力手段であるボタン７７０３ａ、７７０３ｂ、音声出力手段であるスピーカ７７０４ａ、７７０４ｂ、外部接続ポート７７０５、マイク７７０６等を有していてもよい。また、携帯情報端末７７００は、可撓性を有するバッテリ７７０９を搭載することができる。バッテリ７７０９は例えば表示部７００１と重ねて配置してもよい。

筐体７７０１、表示部７００１、及びバッテリ７７０９は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７７００を所望の形状に湾曲させることや、携帯情報端末７７００に捻りを加えることが容易である。例えば、携帯情報端末７７００は、表示部７００１が内側又は外側になるように折り曲げて使用することができる。または、携帯情報端末７７００をロール状に巻いた状態で使用することもできる。このように、筐体７７０１及び表示部７００１を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末７７００は、落下した場合、又は意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。

また、携帯情報端末７７００は軽量であるため、筐体７７０１の上部をクリップ等で把持してぶら下げて使用する、又は、筐体７７０１を磁石等で壁面に固定して使用するなど、様々な状況において利便性良く使用することができる。

図２８（Ｉ）に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８００は、バンド７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、操作ボタン７８０３等を有する。バンド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を有するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は例えば表示部７００１又はバンド７８０１と重ねて配置してもよい。

バンド７８０１、表示部７００１、及びバッテリ７８０５は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７８００を所望の形状に湾曲させることが容易である。

操作ボタン７８０３は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティングシステムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。

また、表示部７００１に表示されたアイコン７８０４に指等で触れることで、アプリケーションを起動することができる。

また、携帯情報端末７８００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。

また、携帯情報端末７８００は入出力端子７８０２を有していてもよい。入出力端子７８０２を有する場合、他の情報端末とコネクタを介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行ってもよい。

図２９（Ａ）〜（Ｃ）に折り畳み可能な腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８５０は、表示部７８５１、筐体７８５２、筐体７８５３、バンド７８５４、操作ボタン７８５５等を有する。

携帯情報端末７８５０は、図２９（Ａ）に示す筐体７８５２が筐体７８５３上に重ねられた状態と、図２９（Ｃ）に示す表示部７８５１が展開された状態と、の一方から他方に可逆的に変形できる。例えば、図２９（Ａ）の状態から、筐体７８５２を持ち上げることにより（図２９（Ｂ））、図２９（Ｃ）の状態へと変形させることができる。そのため携帯情報端末７８５０は、表示部７８５１を折り畳んだ状態と、表示部７８５１を展開することにより表示領域を広げた状態の双方で、使用することができる。

表示部７８５１は、タッチパネルとしての機能を有する。表示部７８５１に触れることで携帯情報端末７８５０を操作することができる。また、操作ボタン７８５５を押す、回す、若しくは上下方向、手前方向、又は奥行方向にずらすなどの操作により、携帯情報端末７８５０を操作することができる。

図２９（Ａ）に示すように、筐体７８５２と筐体７８５３とが重なった状態で、筐体７８５２と筐体７８５３とが意図せずに離れることを抑制するための、ロック機構を有することが好ましい。このとき、例えば操作ボタン７８５５を押すなどの操作により、ロック状態を解除できる構成とすることが好ましい。また、バネなどの復元力を利用して、ロック状態を解除したときに、図２９（Ａ）に示す状態から図２９（Ｃ）に示す状態に自動的に変形する機構を有していてもよい。または、ロック機構に代えて磁石を用い、筐体７８５２と筐体７８５３の相対的な位置を固定してもよい。磁石を用いることで容易に筐体７８５２と筐体７８５３とを脱着させることができる。

図２９（Ａ）〜（Ｃ）では、バンド７８５４の曲がる向きに対して概略垂直な方向に表示部７８５１を展開できる構成を示したが、図２９（Ｄ）、（Ｅ）に示すように、バンド７８５４の曲がる向きに概略平行な方向に表示部７８５１を展開できる構成としてもよい。また、バンド７８５４に巻きつけるように、表示部７８５１を湾曲させて用いてもよい。

図３０（Ａ）に自動車９７００の外観を示す。図３０（Ｂ）に自動車９７００の運転席を示す。自動車９７００は、車体９７０１、車輪９７０２、ダッシュボード９７０３、ライト９７０４等を有する。本発明の一態様の表示装置は、自動車９７００の表示部などに用いることができる。例えば、図３０（Ｂ）に示す表示部９７１０乃至表示部９７１５に本発明の一態様の表示装置を設けることができる。

表示部９７１０と表示部９７１１は、自動車のフロントガラスに設けられた表示装置である。本発明の一態様の表示装置は、電極及び配線を、透光性を有する導電性材料で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態とすることができる。表示部９７１０及び表示部９７１１がシースルー状態であれば、自動車９７００の運転時にも視界の妨げになることがない。よって、本発明の一態様の表示装置を自動車９７００のフロントガラスに設置することができる。なお、表示装置等を駆動するためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料を用いた有機トランジスタ、又は酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いるとよい。

表示部９７１２はピラー部分に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７１２に映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。表示部９７１３はダッシュボード部分に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７１３に映し出すことによって、ダッシュボードで遮られた視界を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。

また、図３０（Ｃ）は、運転席と助手席にベンチシートを採用した自動車の室内を示している。表示部９７２１は、ドア部に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７２１に映し出すことによって、ドアで遮られた視界を補完することができる。また、表示部９７２２は、ハンドルに設けられた表示装置である。表示部９７２３は、ベンチシートの座面の中央部に設けられた表示装置である。なお、表示装置を座面又は背もたれ部分などに設置して、当該表示装置を、当該表示装置の発熱を熱源としたシートヒーターとして利用することもできる。

表示部９７１４、表示部９７１５、又は表示部９７２２はナビゲーション情報、スピードメーター、タコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。また、表示部に表示される表示項目及びレイアウトなどは、使用者の好みに合わせて適宜変更することができる。なお、上記情報は、表示部９７１０乃至表示部９７１３、表示部９７２１、表示部９７２３にも表示することができる。また、表示部９７１０乃至表示部９７１５、表示部９７２１乃至表示部９７２３は照明装置として用いることも可能である。また、表示部９７１０乃至表示部９７１５、表示部９７２１乃至表示部９７２３は加熱装置として用いることも可能である。

本発明の一態様の表示装置が適用される表示部は平面であってもよい。この場合、本発明の一態様の表示装置は、曲面及び可撓性を有さない構成であってもよい。

図３０（Ｄ）に示す携帯型ゲーム機は、筐体９８０１、筐体９８０２、表示部９８０３、表示部９８０４、マイクロフォン９８０５、スピーカ９８０６、操作キー９８０７、スタイラス９８０８等を有する。

図３０（Ｄ）に示す携帯型ゲーム機は、２つの表示部（表示部９８０３と表示部９８０４）を有する。なお、本発明の一態様の電子機器が有する表示部の数は、２つに限定されず１つであっても３つ以上であってもよい。電子機器が複数の表示部を有する場合、少なくとも１つの表示部が本発明の一態様の表示装置を有する。

図３０（Ｅ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体９８２１、表示部９８２２、キーボード９８２３、ポインティングデバイス９８２４等を有する。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、リソグラフィー法で用いる露光装置の性能の一つである解像度の限界よりも微細なＬ／Ｓ（Ｌｉｎｅ ＆ Ｓｐａｃｅ）を有する配線又は電極の加工方法の一例について説明する。

Ｌ／Ｓ（Ｌｉｎｅ ＆ Ｓｐａｃｅ）とは、配線の幅と隣り合う配線同士の間隔のことである。Ｌはライン（Ｌｉｎｅ）を示し、Ｓはスペース（Ｓｐａｃｅ）を示す。

本明細書において、導電体、絶縁体、及び半導体の成膜は、それぞれ、スパッタリング法、ＣＶＤ法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法もしくはパルスレーザ堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ法、熱酸化法、又はプラズマ酸化法などを用いて行うことができる。

なお、ＣＶＤ法は、プラズマを利用するプラズマＣＶＤ法、熱を利用する熱ＣＶＤ法、光を利用する光ＣＶＤ法などに分類できる。さらに用いる原料ガスによって金属ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法に分けることができる。

プラズマＣＶＤ法は、比較的低温で高品質の膜が得られる。また、熱ＣＶＤ法は、プラズマを用いないため、被処理物へのプラズマダメージを小さくすることが可能な成膜方法である。例えば、表示装置に含まれる配線、電極、素子（トランジスタ、容量素子など）などは、プラズマから電荷を受け取ることでチャージアップする場合がある。このとき、蓄積した電荷によって、表示装置に含まれる配線、電極、素子などが破壊される場合がある。一方、プラズマを用いない熱ＣＶＤ法の場合、こういったプラズマダメージが生じないため、表示装置の歩留まりを高くすることができる。また、熱ＣＶＤ法では、成膜中のプラズマダメージが生じないため、欠陥の少ない膜が得られる。

また、ＡＬＤ法も、被処理物へのプラズマダメージを小さくすることが可能な成膜方法である。ＡＬＤ法を用いることにより、欠陥の少ない膜が得られる。

ＣＶＤ法及びＡＬＤ法は、ターゲットなどから放出される粒子が堆積する成膜方法とは異なり、被処理物の表面における反応により膜が形成される成膜方法である。したがって、被処理物の形状の影響を受けにくく、良好な段差被覆性を有する成膜方法である。特に、ＡＬＤ法は、優れた段差被覆性と、優れた厚さの均一性を有するため、アスペクト比の高い開口部の表面を被覆する場合などに好適である。ただし、ＡＬＤ法は、成膜速度が比較的遅いため、成膜速度の速いＣＶＤ法などの他の成膜方法と組み合わせて用いることが好ましい場合もある。

ＣＶＤ法及びＡＬＤ法は、原料ガスの流量比によって、得られる膜の組成を制御することができる。例えば、ＣＶＤ法及びＡＬＤ法では、原料ガスの流量比によって、任意の組成の膜を成膜することができる。また、例えば、ＣＶＤ法及びＡＬＤ法では、成膜しながら原料ガスの流量比を変化させることによって、組成が連続的に変化した膜を成膜することができる。原料ガスの流量比を変化させながら成膜する場合、複数の成膜室を用いて成膜する場合と比べて、搬送や圧力調整に掛かる時間の分、成膜に掛かる時間を短くすることができる。したがって、表示装置の生産性を高めることができる場合がある。

以下では、配線又は電極の加工方法について、図３１〜図３３に示す断面図を用いて説明する。

まず、基板３０５上に導電体３１０を成膜する。本実施の形態では、導電体３１０を基板３０５上に成膜する例を示すが、これに限らず、例えば、絶縁層上又は半導体装置上などに成膜してもよい。導電体３１０としては、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、シリコン、リン、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、プラチナ、銀、インジウム、スズ、タンタル、及びタングステンのうち一種以上を含む導電体を、単層で、又は積層で形成することができる。導電体３１０は、例えば、合金膜又は化合物膜であってもよく、アルミニウムを含む導電体、銅及びチタンを含む導電体、銅及びマンガンを含む導電体、インジウム、スズ及び酸素を含む導電体、又はチタン及び窒素を含む導電体などを用いてもよい。

次に、導電体３１０上に導電体３２０を成膜する。導電体３２０には、例えば、導電体３１０に用いることができる材料を適用できる。

本実施の形態では、導電体３１０上に導電体３２０を成膜する例を示すが、導電体ではなく絶縁体を成膜してもよい。または、絶縁体と導電体を積層して多層膜としてもよい。

次に、導電体３２０上に、リソグラフィー法を用いて、レジストマスク３４０を形成する（図３１（Ａ））。ここでは、リソグラフィー法に用いる露光装置が可能な最小のＬ／Ｓの寸法でレジストマスクを形成する。

次に、レジストマスク３４０をエッチングマスクとして、導電体３２０の不要な部分をエッチングして導電体３２５を形成する。導電体３２０のエッチングにドライエッチング法を用いると、微細加工が容易となり好ましい。また、導電体３２０のエッチング中にレジストマスク３４０の一部がエッチングされて縮小することで、導電体３２５のライン幅をレジストマスクのライン幅よりも縮小することができる。さらに、導電体３２５のライン幅を縮小するためには、導電体３２０のエッチング時間を長くすることが好ましい（図３１（Ｂ））。

次に、レジストマスク３４０を除去する。レジストマスクは、酸素を含むプラズマ処理を行うことにより除去することができる。または、薬液を用いたウエット処理を行ってレジストマスクを除去してもよい。または、酸素を含むプラズマ処理を行った後に薬液を用いたウエット処理を行ってレジストマスクを除去してもよい。

次に、導電体３１０上及び導電体３２５を覆うように絶縁体３５０を成膜する。絶縁体３５０としては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウム、又はタンタルを含む絶縁体を、単層で、又は積層で形成することができる。例えば、絶縁体３５０は、酸化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、又は酸化窒化シリコンを有することが好ましい。

次に、絶縁体３５０を導電体３２５の上面に達するまで、及び導電体３１０の上面に達するまでエッチングすることで、導電体３２５の側面に絶縁体３５５を形成する（図３２（Ｂ））。絶縁体３５０のエッチングは、ドライエッチング法を用いることが好ましい。特に、エッチングの進む方向が基板３０５の底面と平行な面を基準として垂直方向である異方性エッチングであることがより好ましい。

次に、導電体３２５を除去する。導電体３２５の除去には、ドライエッチング法又はウエットエッチング法を用いることができ、ウエットエッチング法を用いることが好ましい。ウエットエッチング法を用いることで、絶縁体３５５と導電体３２５とのエッチング速度の比を大きくすることができる。具体的には、絶縁体３５５のエッチング速度を１とすると導電体３２５のエッチング速度を２０以上とすることができる。ウエットエッチング法は、エッチングが等方的に進むため、例えば絶縁体３５５の影になる部分の導電体３２５のエッチングも可能となる。従ってウエットエッチング法を用いることで、絶縁体３５５の膜減り、絶縁体３５５の変形、及び導電体３２５の膜残りを防ぐことができ、好適である。これで、絶縁体３５５を有するハードマスクを形成することができる（図３３（Ａ））。

絶縁体３５０の導電体３２５への被覆性が絶縁体３５５のライン幅を決めることになる。導電体３２５の上面の絶縁体３５０の膜厚をＡとし、導電体３２５の側面の絶縁体３５０の膜厚をＢとし、絶縁体３５０の被覆性をＣとして、被覆性ＣをＢ／Ａと定義する。例えば絶縁体３５０の被覆性Ｃが０．８である場合、絶縁体３５０の膜厚Ａを１０００ｎｍとすると、導電体３２５の側面の絶縁体３５０の膜厚Ｂは８００ｎｍとなる。従って、絶縁体３５５の膜厚すなわち絶縁体３５５のライン幅は、８００ｎｍとなる。あらかじめ絶縁体３５０の被覆性を測定しておけば、絶縁体３５５の膜厚を調整することで、必要な絶縁体３５５のライン幅を形成できる。このように絶縁体３５５は、リソグラフィー工程を用いることなく形成できるので、リソグラフィーに使用する露光装置の解像度を超える微細なＬ／Ｓを形成することができる。絶縁体３５０の被覆性Ｃは、０．３以上１．０以下、好ましくは、０．５以上１．０以下とする。

次に、絶縁体３５５をエッチングマスクとして、導電体３１０の一部をエッチングすることで、導電体３１５を形成する。導電体３１０のエッチングは、ドライエッチング法を用いることが好ましい（図３３（Ｂ））。

次に、絶縁体３５５を除去する。絶縁体３５５の除去には、ドライエッチング法又はウエットエッチングを用いることができる。以上により、露光装置の解像度の限界よりも微細なＬ／Ｓの寸法の導電体３１５を作製することができる（図３３（Ｃ））。

本実施の形態で説明した、本発明の一態様の配線又は電極の加工方法を適用することで、精細度が高い表示装置を作製することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

１０１ 結晶性半導体基板
１０２ 結晶性基板
１０３ 剥離層
１０５ 絶縁膜
１１０ 表示装置
１１１ 絶縁膜
１１２ｎ ｎウェル
１１２ｐ ｐウェル
１１３ｎ ｎ型不純物領域
１１３ｐ ｐ型不純物領域
１１４ｎ ＬＤＤ領域
１１４ｐ ＬＤＤ領域
１１５ ゲート絶縁膜
１１６ ゲート
１１６ａ ゲート
１１６ｂ ゲート
１１６ｃ ゲート
１１６ｄ ゲート
１１７ サイドウォール
１１８ 素子分離領域
１１９ 半導体膜
１１９ａ チャネル形成領域
１１９ｂ 低抵抗領域
１２１ 絶縁膜
１２１ｘ 絶縁膜
１２１ｙ 絶縁膜
１２２ 絶縁膜
１２３ 導電膜
１２３ａ 導電膜
１２３ｂ 導電膜
１２３ｃ 導電膜
１２３ｄ 導電膜
１２３ｅ 導電膜
１２３ｆ 導電膜
１２３ｇ 導電膜
１２３ｈ 導電膜
１２３ｉ 導電膜
１２３ｘ 導電膜
１２３ｙ 導電膜
１２４ 導電膜
１２４ａ 導電膜
１２４ｂ 導電膜
１２４ｃ 導電膜
１２４ｄ 導電膜
１２４ｅ 導電膜
１２４ｆ 導電膜
１２４ｇ 導電膜
１２４ｈ 導電膜
１２５ 絶縁膜
１２６ 導電膜
１２７ 導電膜
１２８ 絶縁膜
１２９ｅ 導電膜
１２９ｆ 導電膜
１２９ｇ 導電膜
１２９ｈ 導電膜
１２９ｉ 導電膜
１３１ 半導体膜
１３５ 絶縁膜
１３６ バックゲート
１４１ 導電膜
１４２ 絶縁膜
１４３ 絶縁膜
１４８ 導電膜
１４９ 導電膜
１５０ 走査線駆動回路
１５１ｎ トランジスタ
１５１ｐ トランジスタ
１５２ｎ トランジスタ
１５２ｐ トランジスタ
１５３ トランジスタ
１５４ トランジスタ
１５５ トランジスタ
１５６ トランジスタ
１６０ 画素部
１６１ トランジスタ
１６２ トランジスタ
１６３ トランジスタ
１６４ トランジスタ
１６５ トランジスタ
１６６ トランジスタ
１６７ トランジスタ
１６８ トランジスタ
１６９ トランジスタ
１７０ 容量素子
１７１ 可撓性基板
１７２ 絶縁膜
１７３ 導電膜
１７４ 絶縁膜
１７５ 導電膜
１７６ 接着層
１７７ 導電膜
１７８ 接続体
１７９ ＦＰＣ
１８０ 発光素子
１８０Ｇ 発光素子
１８０Ｒ 発光素子
１８１ 電極
１８３ ＥＬ層
１８５ 電極
１８７ 導電膜
１８９ 導電膜
１９１ 可撓性基板
１９２ 接着層
１９３ 絶縁膜
１９４ 遮光層
１９５ 着色層
１９５Ｇ 着色層
１９５Ｒ 着色層
１９６ 接着層
１９７ 絶縁膜
１９９ 接続体
２１０ 部材
２１５ａ 部材
２１５ｂ 部材
２５０ 液晶素子
２５１ 導電膜
２５２ 導電膜
２５３ 絶縁膜
２５４ 液晶
２５５ オーバーコート
２５６ スペーサ
２５７ ポリマー壁
２５８ 配向膜
２５９ 配向膜
３０５ 基板
３１０ 導電体
３１５ 導電体
３２０ 導電体
３２５ 導電体
３４０ レジストマスク
３５０ 絶縁体
３５５ 絶縁体
４０１ ゲート
４０２ 絶縁膜
４０３ ゲート絶縁膜
４０４ａ 導電膜
４０４ｂ 導電膜
４０６ａ 酸化物膜
４０６ｂ 酸化物半導体膜
４０６ｃ 酸化物膜
４０８ 絶縁膜
４１０ 絶縁膜
４１８ 絶縁膜
４２８ 絶縁膜
４５４ ゲート
４６０ 素子分離領域
４６２ ゲート絶縁膜
４６４ 絶縁膜
４６５ 絶縁膜
４６６ 絶縁膜
４６７ 絶縁膜
４６８ 絶縁膜
４６９ 絶縁膜
４７０ 絶縁膜
４７２ 絶縁膜
４７４ａ 不純物領域
４７４ｂ 不純物領域
４７５ 絶縁膜
４７６ａ 導電膜
４７６ｂ 導電膜
４７６ｃ 導電膜
４７７ａ 導電膜
４７７ｂ 導電膜
４７７ｃ 導電膜
４７８ａ 導電膜
４７８ｂ 導電膜
４７８ｃ 導電膜
４７９ａ 導電膜
４７９ｂ 導電膜
４７９ｃ 導電膜
４８０ａ 導電膜
４８０ｂ 導電膜
４８０ｃ 導電膜
４８３ａ 導電膜
４８３ｂ 導電膜
４８３ｃ 導電膜
４８３ｄ 導電膜
４８３ｅ 導電膜
４８３ｆ 導電膜
４８４ａ 導電膜
４８４ｂ 導電膜
４８４ｃ 導電膜
４８４ｄ 導電膜
４８５ａ 導電膜
４８５ｂ 導電膜
４８５ｃ 導電膜
４８５ｄ 導電膜
４８５ｅ 導電膜
４８７ａ 導電膜
４８７ｂ 導電膜
４８７ｃ 導電膜
４８８ａ 導電膜
４８８ｂ 導電膜
４８８ｃ 導電膜
４８９ａ 導電膜
４８９ｂ 導電膜
４９０ａ 導電膜
４９０ｂ 導電膜
４９１ 導電膜
４９４ 導電膜
４９６ 導電膜
４９８ 絶縁膜
７４７ｘ 開口
７４７ｙ 開口
７４８ｘ 開口
７４８ｙ 開口
９０１ 可撓性基板
９０３ 接着層
９１１ 作製基板
９１２ 剥離層
９５１ 結晶性基板
９９２ 剥離層
３００１ 第１の配線
３００２ 第２の配線
３００３ 第３の配線
３００４ 第４の配線
３００５ 第５の配線
３２００ トランジスタ
３３００ トランジスタ
３４００ 容量素子
４００３ 信号線駆動回路
４００４ 走査線駆動回路
４０１８ ＦＰＣ
４０１８ａ ＦＰＣ
４０１８ｂ ＦＰＣ
７０００ 表示部
７００１ 表示部
７１００ 携帯電話機
７１０１ 筐体
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 外部接続ポート
７１０５ スピーカ
７１０６ マイク
７２００ テレビジョン装置
７２０１ 筐体
７２０３ スタンド
７２１１ リモコン操作機
７３００ 携帯情報端末
７３０１ 筐体
７３０２ 操作ボタン
７３０３ 情報
７３０４ 情報
７３０５ 情報
７３０６ 情報
７３１０ 携帯情報端末
７３２０ 携帯情報端末
７４００ 照明装置
７４０１ 台部
７４０２ 発光部
７４０３ 操作スイッチ
７４１０ 照明装置
７４１２ 発光部
７４２０ 照明装置
７４２２ 発光部
７５００ 携帯情報端末
７５０１ 筐体
７５０２ 部材
７５０３ 操作ボタン
７６００ 携帯情報端末
７６０１ 筐体
７６０２ ヒンジ
７６５０ 携帯情報端末
７６５１ 非表示部
７７００ 携帯情報端末
７７０１ 筐体
７７０３ａ ボタン
７７０３ｂ ボタン
７７０４ａ スピーカ
７７０４ｂ スピーカ
７７０５ 外部接続ポート
７７０６ マイク
７７０９ バッテリ
７８００ 携帯情報端末
７８０１ バンド
７８０２ 入出力端子
７８０３ 操作ボタン
７８０４ アイコン
７８０５ バッテリ
７８５０ 携帯情報端末
７８５１ 表示部
７８５２ 筐体
７８５３ 筐体
７８５４ バンド
７８５５ 操作ボタン
７９００ ヘッドマウントディスプレイ
７９０１ 表示装置
７９０２ 本体
７９０３ 装着部
７９０４ レンズ
７９１０ プロジェクター
７９１１ 表示装置
７９１２ 光学系
７９１３ スクリーン
７９２０ ヘッドマウントディスプレイ
７９２１Ｌ 表示装置
７９２１Ｒ 表示装置
７９２２ 本体
７９２３ 装着部
７９２４ レンズ
９７００ 自動車
９７０１ 車体
９７０２ 車輪
９７０３ ダッシュボード
９７０４ ライト
９７１０ 表示部
９７１１ 表示部
９７１２ 表示部
９７１３ 表示部
９７１４ 表示部
９７１５ 表示部
９７２１ 表示部
９７２２ 表示部
９７２３ 表示部
９８０１ 筐体
９８０２ 筐体
９８０３ 表示部
９８０４ 表示部
９８０５ マイクロフォン
９８０６ スピーカ
９８０７ 操作キー
９８０８ スタイラス
９８２１ 筐体
９８２２ 表示部
９８２３ キーボード
９８２４ ポインティングデバイス

Claims (6)

1. チャネル形成領域を結晶性半導体基板に有するトランジスタを形成する工程と、
   前記結晶性半導体基板上に前記トランジスタと電気的に接続される表示素子を形成する工程と、
   前記結晶性半導体基板を研磨し、前記結晶性半導体基板に厚さ１μｍ以上１００μｍ以下の部分を形成する工程と、を有し、
   前記表示素子を形成する工程では、発光素子を形成し、
   前記結晶性半導体基板を研磨する工程の前に、前記発光素子上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に着色層を形成する工程と、を有し、
   前記絶縁膜は、前記発光素子が発する光を透過する機能を有し、
   前記発光素子は、前記着色層側に光を射出する機能を有する、表示装置の作製方法。
2. チャネル形成領域を結晶性半導体基板に有するトランジスタを形成する工程と、
   前記結晶性半導体基板上に前記トランジスタと電気的に接続される表示素子を形成する工程と、
   前記結晶性半導体基板の一部が残るように前記結晶性半導体基板を研磨する工程と、を有する、表示装置の作製方法であって、
   前記表示素子を形成する工程では、発光素子を形成し、
   前記結晶性半導体基板を研磨する工程の前に、前記発光素子上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に着色層を形成する工程と、を有し、
   前記絶縁膜は、前記発光素子が発する光を透過する機能を有し、
   前記発光素子は、前記着色層側に光を射出する機能を有し、
   前記結晶性半導体基板を研磨した後の前記表示装置は可撓性を有する、表示装置の作製方法。
3. チャネル形成領域を結晶性半導体基板に有するトランジスタを形成する工程と、
   前記結晶性半導体基板上に前記トランジスタと電気的に接続される表示素子を形成する工程と、
   前記結晶性半導体基板を研磨し、前記結晶性半導体基板に厚さ１μｍ以上１００μｍ以下の部分を形成する工程と、を有し、
   前記表示素子を形成する工程では、発光素子を形成し、
   前記結晶性半導体基板を研磨する工程の前に、
   作製基板上に剥離層を形成する工程と、
   前記剥離層上に絶縁膜を形成する工程と、
   前記絶縁膜上に着色層を形成する工程と、
   前記発光素子と前記着色層とが互いに向き合うように、前記結晶性半導体基板と前記作製基板とを、第１の接着層を用いて貼り合わせる工程と、
   前記作製基板と前記絶縁膜とを分離する工程と、
   前記絶縁膜とフィルムとを、第２の接着層を用いて貼り合わせる工程と、を有し、
   前記絶縁膜及び前記フィルムは、前記発光素子が発する光を透過する機能を有し、
   前記発光素子は、前記着色層側に光を射出する機能を有する、表示装置の作製方法。
4. チャネル形成領域を結晶性半導体基板に有するトランジスタを形成する工程と、
   前記結晶性半導体基板上に前記トランジスタと電気的に接続される表示素子を形成する工程と、
   前記結晶性半導体基板の一部が残るように前記結晶性半導体基板を研磨する工程と、を有する、表示装置の作製方法であって、
   前記表示素子を形成する工程では、発光素子を形成し、
   前記結晶性半導体基板を研磨する工程の前に、
   作製基板上に剥離層を形成する工程と、
   前記剥離層上に絶縁膜を形成する工程と、
   前記絶縁膜上に着色層を形成する工程と、
   前記発光素子と前記着色層とが互いに向き合うように、前記結晶性半導体基板と前記作製基板とを、第１の接着層を用いて貼り合わせる工程と、
   前記作製基板と前記絶縁膜とを分離する工程と、
   前記絶縁膜とフィルムとを、第２の接着層を用いて貼り合わせる工程と、を有し、
   前記絶縁膜及び前記フィルムは、前記発光素子が発する光を透過する機能を有し、
   前記発光素子は、前記着色層側に光を射出する機能を有し、
   前記結晶性半導体基板を研磨した後の前記表示装置は可撓性を有する、表示装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記結晶性半導体基板は、単結晶半導体基板である、表示装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記結晶性半導体基板は、単結晶シリコンを有する、表示装置の作製方法。

Images