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JP6715142B2 - Adhesive composition and use thereof - Google Patents
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Description

本発明は、接着剤組成物、及びその利用に関する。 The present invention relates to an adhesive composition and its use.

半導体素子(電子部品)を含む半導体パッケージ(半導体装置)としては、WLP(Wafer Level Package)、PLP(Panel Level Package)等が知られている。WLP及びPLP等の半導体パッケージには、ベアチップの端部にある端子をチップエリア内に再配置する、ファンイン型WLP(Fan-in Wafer Level Package)等のファンイン型技術と、チップエリア外に端子を再配置する、ファンアウト型WLP(Fan-out Wafer Level Package)等のファンアウト型技術とが知られている。特に、ファンアウト型技術は、パネル上に半導体素子を配置してパッケージ化するファンアウト型PLP(Fan-out Panel Level Package)に応用されており、半導体装置の集積化、薄型化及び小型化等を実現するため、これらのようなファンアウト型技術が注目を集めている。 As a semiconductor package (semiconductor device) including a semiconductor element (electronic component), WLP (Wafer Level Package), PLP (Panel Level Package) and the like are known. For semiconductor packages such as WLP and PLP, fan-in type technology such as fan-in type WLP (Fan-in Wafer Level Package) for rearranging the terminals at the end of the bare chip in the chip area and outside the chip area. Fan-out type technology such as fan-out type WLP (Fan-out Wafer Level Package) for rearranging terminals is known. In particular, the fan-out type technology is applied to a fan-out type PLP (Fan-out Panel Level Package) in which semiconductor elements are arranged on a panel for packaging, and integration, thinning and miniaturization of semiconductor devices, etc. In order to realize the above, fan-out type technologies such as these have attracted attention.

特許文献1には、アダマンチル基が導入された(メタ)アクリル酸と、ヒドロキシスチレンとを含有している単量体組成物を重合してなるポリマーを主成分とすることを特徴とする接着剤組成物が記載されている。 Patent Document 1 discloses an adhesive characterized by containing as a main component a polymer obtained by polymerizing a monomer composition containing (meth)acrylic acid having an adamantyl group introduced therein and hydroxystyrene. The composition is described.

特開2011−173956号公報(2011年9月8日公開)Japanese Patent Laid-Open No. 2011-173956 (Published September 8, 2011)

しかしながら、半導体装置の集積化、薄型化及び小型化等を実現するための半導体パッケージ技術の高度化に伴い、特許文献1に記載の接着剤組成物よりも、高い耐熱性、高い耐薬品性、高い洗浄性を備えた接着層を形成することができる新規な接着剤組成物が求められている。 However, with the advancement of semiconductor packaging technology for realizing integration, thinning, miniaturization, etc. of semiconductor devices, higher heat resistance, higher chemical resistance than the adhesive composition described in Patent Document 1 There is a demand for a novel adhesive composition capable of forming an adhesive layer having high cleanability.

本発明は、前記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、高い耐熱性、高い耐薬品性、高い洗浄性を備えた接着層を形成することができる新規な接着剤組成物及びその関連技術を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a novel adhesive composition capable of forming an adhesive layer having high heat resistance, high chemical resistance, and high washability. And its related technology.

上記の課題を解決するために、本発明の一実施形態に係る接着剤組成物は、
基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、
上記接着層のガラス転移温度は、190℃以上であり、
上記接着剤組成物は、樹脂成分として、脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーを含んでおり、
当該(メタ)アクリレートポリマーは、上記脂肪族多環式基を有するモノマー単位の含有量が、60重量%以上、100重量%以下の範囲内であることを特徴としている。
In order to solve the above problems, the adhesive composition according to an embodiment of the present invention,
A substrate, an adhesive layer, and an adhesive composition for forming the adhesive layer in a laminate formed by laminating a support in this order,
The glass transition temperature of the adhesive layer is 190° C. or higher,
The adhesive composition contains, as a resin component, a (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group,
The (meth)acrylate polymer is characterized in that the content of the monomer unit having an aliphatic polycyclic group is in the range of 60% by weight or more and 100% by weight or less.

本発明に係る接着剤組成物は、高い耐熱性、高い耐薬品性、高い洗浄性を備えた新規な接着剤組成物、及びその関連技術を提供することができるという効果を奏する。 The adhesive composition according to the present invention has the effect of providing a novel adhesive composition having high heat resistance, high chemical resistance, and high cleanability, and a related technique thereof.

本発明の実施形態1に係る積層体の製造方法、及び基板処理方法について説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the laminated body which concerns on Embodiment 1 of this invention, and a substrate processing method. 本発明の実施形態2に係る積層体の製造方法、及び基板処理方法について説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the laminated body which concerns on Embodiment 2 of this invention, and a substrate processing method. 本発明の実施形態3に係る積層体の製造方法、及び基板処理方法について説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the laminated body which concerns on Embodiment 3 of this invention, and the substrate processing method. 本発明の実施形態4に係る積層体の製造方法の概略について説明する図である。It is a figure explaining the outline of the manufacturing method of the layered product concerning Embodiment 4 of the present invention. 圧縮型による素子の封止に対する適応性評価における、接着層上の素子の配置の概略について説明する図である。It is a figure explaining an outline of arrangement of an element on an adhesion layer in applicability evaluation to sealing of an element by a compression type.

以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

<接着剤組成物>
本発明の一実施形態に係る接着剤組成物は、基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、上記接着層のガラス転移温度は、190℃以上であり、上記接着剤組成物は、樹脂成分として、脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーを含んでおり、当該(メタ)アクリレートポリマーは、上記脂肪族多環式基を有するモノマー単位の含有量が、60重量%以上、100重量%以下の範囲内である。
<Adhesive composition>
An adhesive composition according to an embodiment of the present invention is an adhesive composition for forming the adhesive layer in a laminate obtained by laminating a substrate, an adhesive layer, and a support in this order, The glass transition temperature of the layer is 190° C. or higher, and the adhesive composition contains a (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group as a resin component, and the (meth)acrylate polymer is The content of the monomer unit having an aliphatic polycyclic group is in the range of 60% by weight or more and 100% by weight or less.

なお、接着剤組成物によって形成される接着層のガラス転移温度は、公知の方法として、例えば、動的機械分析(Dynamic Mechanical Analysis)が挙げられ、周波数1Hzの条件にて、5℃/分の昇温速度で、40℃から300℃まで温度を上昇させることにより測定した粘弾性の変化に基づいて求めることができる。 The glass transition temperature of the adhesive layer formed by the adhesive composition is, as a known method, for example, dynamic mechanical analysis (Dynamic Mechanical Analysis), and at a frequency of 1 Hz, 5° C./min. It can be determined based on the change in viscoelasticity measured by increasing the temperature from 40° C. to 300° C. at the rate of temperature increase.

なお、本明細書において、特に説明がない限り、「樹脂成分」とは、(メタ)アクリレートポリマー、及び、硬化性モノマーのことを意味する。 In addition, in this specification, unless otherwise specified, the “resin component” means a (meth)acrylate polymer and a curable monomer.

上記構成を備えた接着剤組成物を用いて形成された接着層は、封止基板(基板)を形成するために求められる高い耐熱性、及び高い耐薬品性を備えている。また、封止基板を形成した後における接着層の残渣を、溶剤によって好適に除去することができる接着層を形成することができる。 The adhesive layer formed using the adhesive composition having the above structure has high heat resistance and high chemical resistance required for forming a sealing substrate (substrate). Further, it is possible to form an adhesive layer that can preferably remove the residue of the adhesive layer after forming the sealing substrate with a solvent.

なお、接着剤組成物によって形成された接着層が備えている高い耐熱性とは、例えば、(i)高温環境下、力を加えられたときにおいて変形することを防止することができること、(ii)高温環境下に長時間に曝されたときにおける、クラック等の破損を生じないことを意味する。 The high heat resistance of the adhesive layer formed of the adhesive composition means, for example, (i) that it can be prevented from being deformed when a force is applied in a high temperature environment, (ii) ) It means that damage such as cracks does not occur when exposed to a high temperature environment for a long time.

〔樹脂成分〕
本発明の一実施形態に係る接着剤組成物は、ガラス転移温度が140℃以上である脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーを、樹脂成分として含んでいる。ガラス転移温度が140℃以上の脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーを含んでいることにより、高い耐熱性、及び高い耐薬品性を備えつつも、洗浄液として溶剤を用いて好適に除去することができる接着層を形成することができる。
[Resin component]
The adhesive composition according to one embodiment of the present invention contains a (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group having a glass transition temperature of 140°C or higher as a resin component. By containing a (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group having a glass transition temperature of 140° C. or higher, it is suitable to use a solvent as a cleaning liquid while having high heat resistance and high chemical resistance. An adhesive layer that can be removed can be formed.

〔脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマー〕
脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーは、接着層を形成するためのベースポリマーであり、モノマー単位として脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートを含んでいる。
[(Meth)Acrylate Polymer Having Aliphatic Polycyclic Group]
The (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group is a base polymer for forming an adhesive layer and contains (meth)acrylate having an aliphatic polycyclic group as a monomer unit.

なお、本明細書中において、(メタ)アクリレートとは、アクリレート、及びメタクリレートの両方の意味を包含している。また、(メタ)アクリレートとは、(メタ)アクリル酸におけるカルボキシル基の水素原子が、有機基に置換された構造を有する。 In addition, in this specification, (meth)acrylate includes both the meanings of acrylate and methacrylate. Further, (meth)acrylate has a structure in which a hydrogen atom of a carboxyl group in (meth)acrylic acid is replaced with an organic group.

また、本明細書中において、特に説明がない限り、「(メタ)アクリレートポリマー」とは、脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーのことを意味する。 In addition, in the present specification, unless otherwise specified, the “(meth)acrylate polymer” means a (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group.

脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーのガラス転移点(Tg)は、140℃以上であることが好ましく、190℃以上であることがより好ましく、200℃以上であることが最も好ましい。140℃以上のガラス転移点(Tg)を備えた(メタ)アクリレートポリマーであれば、硬化性モノマーを配合することによって、190℃よりも高いガラス転移温度を備えた、接着層を好適に形成することができる。また、190℃以上のガラス転移温度を備えた(メタ)アクリレートポリマーであれば、硬化性モノマーを配合してもよく、硬化性モノマーを配合しなくてもよい。 The glass transition point (Tg) of the (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group is preferably 140°C or higher, more preferably 190°C or higher, and most preferably 200°C or higher. .. If it is a (meth)acrylate polymer having a glass transition point (Tg) of 140° C. or higher, a curable monomer is blended to suitably form an adhesive layer having a glass transition temperature higher than 190° C. be able to. Moreover, as long as it is a (meth)acrylate polymer having a glass transition temperature of 190° C. or higher, a curable monomer may or may not be blended.

脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーの重量平均分子量は、9万以上であることが好ましく、15万以上であることがより好ましい。また、限定されるものではないが、脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーの重量平均分子量は、100万以下であることが好ましい。重量平均分子量が、9万以上であれば、塗布後、クラックが発生しにくい接着層を形成することが可能である。 The weight average molecular weight of the (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group is preferably 90,000 or more, more preferably 150,000 or more. Although not limited, the (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group preferably has a weight average molecular weight of 1,000,000 or less. When the weight average molecular weight is 90,000 or more, it is possible to form an adhesive layer that is less likely to cause cracks after application.

(モノマー単位)
(メタ)アクリレートポリマーは、モノマー単位として、少なくとも、脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートモノマー単位を含んでいる。また、(メタ)アクリレートポリマーは、その他のモノマー単位として、脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレート以外の(メタ)アクリレートモノマー単位、及び芳香族基を有しているモノマー単位を含んでいてもよい。
(Monomer unit)
The (meth)acrylate polymer contains, as a monomer unit, at least a (meth)acrylate monomer unit having an aliphatic polycyclic group. The (meth)acrylate polymer contains, as other monomer units, a (meth)acrylate monomer unit other than the (meth)acrylate having an aliphatic polycyclic group, and a monomer unit having an aromatic group. You may stay.

(メタ)アクリレートモノマー単位が有している脂肪族多環式基には、例えば、ジシクロアルカン構造、トリシクロアルカン構造、テトラシクロアルカン構造等のポリシクロアルカン構造を有している脂肪族多環式基等を例示できる。さらに具体的には、ノルボルナン、及びイソボルナン等のジシクロアルカン構造、アダマンタン、及びトリシクロデカン等のトリシクロアルカン構造、並びにテトラシクロドデカン等のテトラシクロアルカン構造等が挙げられる。中でも、トリシクロアルカン構造、及びテトラシクロアルカン構造を有している脂肪族多環式基がより好ましい。また、脂肪族多環式基は、少なくとも1つの水素原子が、例えば、水酸基、及びアルキル基等によって置換されていてもよい。また、脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーは、2種類以上の脂肪族多環式基を有していてもよい。 The aliphatic polycyclic group contained in the (meth)acrylate monomer unit includes, for example, an aliphatic polycyclic group having a polycycloalkane structure such as a dicycloalkane structure, a tricycloalkane structure or a tetracycloalkane structure. A cyclic group etc. can be illustrated. More specifically, there may be mentioned dicycloalkane structures such as norbornane and isobornane, tricycloalkane structures such as adamantane and tricyclodecane, and tetracycloalkane structures such as tetracyclododecane. Above all, an aliphatic polycyclic group having a tricycloalkane structure and a tetracycloalkane structure is more preferable. Further, in the aliphatic polycyclic group, at least one hydrogen atom may be substituted with, for example, a hydroxyl group, an alkyl group or the like. Moreover, the (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group may have two or more kinds of aliphatic polycyclic groups.

アダマンタン構造を有する(メタ)アクリレート単位としては、例えば、1−アダマンチル(メタ)アクリレート、2−アダマンチル(メタ)アクリレート、2−メチル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、2−エチル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、2−イソプロピル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシ−1−アダマンチル(メタ)アクリレートが挙げられる。また、イソボルナン構造を有する(メタ)アクリレートとしては、例えば、イソボルニル(メタ)アクリレート等が挙げられる。 Examples of the (meth)acrylate unit having an adamantane structure include 1-adamantyl (meth)acrylate, 2-adamantyl (meth)acrylate, 2-methyl-2-adamantyl (meth)acrylate, 2-ethyl-2-adamantyl ( Examples thereof include (meth)acrylate, 2-isopropyl-2-adamantyl (meth)acrylate, and 3-hydroxy-1-adamantyl (meth)acrylate. Examples of the (meth)acrylate having an isobornane structure include isobornyl (meth)acrylate.

脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーにおいて、脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートモノマー単位の含有量は、60重量%以上、100重量%以下であることが好ましく、70重量%以上、100重量%以下であることがより好ましい。脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートモノマー単位の含有量が上記の範囲内であることにより、高い耐熱性を発揮しつつ好適に洗浄除去できる接着層を提供することができる。 In the (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group, the content of the (meth)acrylate monomer unit having an aliphatic polycyclic group is preferably 60% by weight or more and 100% by weight or less, 70 It is more preferable that the content is not less than 100% by weight and not more than 100% by weight. When the content of the (meth)acrylate monomer unit having an aliphatic polycyclic group is within the above range, it is possible to provide an adhesive layer that can be suitably washed and removed while exhibiting high heat resistance.

また、脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマー含まれる、他の(メタ)アクリレートモノマー単位としては、例えば、アルキル(メタ)アクリレートモノマー等を挙げられる。アルキル(メタ)アクリレートモノマーは、アルキル基における炭素数が、1〜20である(メタ)アクリレートモノマーが好ましく、炭素数が、4〜18である(メタ)アクリレートモノマーがより好ましい。また、アルキル(メタ)アクリレートモノマーにおけるアルキル基は、直鎖状、分岐状、又は単環状であってもよい。アルキル基を有する(メタ)アクリレートモノマーとしては、例えばステアリル(メタ)アクリレート、及びラウリル(メタ)アクリレート等が挙げられる。また、芳香族基を有するモノマー単位は、典型的には、スチレンが挙げられる。これらのモノマー単位は、単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Further, examples of the other (meth)acrylate monomer unit contained in the (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group include an alkyl(meth)acrylate monomer. The alkyl (meth)acrylate monomer is preferably a (meth)acrylate monomer having 1 to 20 carbon atoms in the alkyl group, and more preferably a (meth)acrylate monomer having 4 to 18 carbon atoms. The alkyl group in the alkyl (meth)acrylate monomer may be linear, branched or monocyclic. Examples of the (meth)acrylate monomer having an alkyl group include stearyl (meth)acrylate and lauryl (meth)acrylate. Further, the monomer unit having an aromatic group typically includes styrene. These monomer units may be used alone or in combination of two or more kinds.

モノマー単位を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。 There are no particular restrictions on the polymerization method and the polymerization conditions when the monomer units are polymerized, and they may be appropriately set according to a conventional method.

〔多官能型の硬化性モノマー〕
接着剤組成物は、樹脂成分として、脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーに加えて、当該脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーと相溶可能な多官能型の硬化性モノマーを含んでいてもよい。これにより、ガラス転移温度が140℃以上である脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーを用いたときにおいても、硬化性モノマーを重合させることによりガラス転移温度が190℃よりも高い接着層を形成することができる。硬化性モノマーは、ラジカル重合反応により高分子化するモノマーであることが好ましく、典型的には、多官能型の(メタ)アクリレートモノマーを挙げることができる。
[Polyfunctional curable monomer]
The adhesive composition contains, as a resin component, in addition to a (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group, a polyfunctional type compound compatible with the (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group. It may contain a curable monomer. As a result, even when the (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group having a glass transition temperature of 140° C. or higher is used, adhesion of the glass transition temperature higher than 190° C. is achieved by polymerizing the curable monomer. Layers can be formed. The curable monomer is preferably a monomer that is polymerized by a radical polymerization reaction, and typically, a polyfunctional (meth)acrylate monomer can be mentioned.

上記多官能の(メタ)アクリレートモノマーとしては、例えば、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−シクロヘキサンジメタノールジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン、プロポキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−(メタ)アクリロイルオキシプロピル(メタ)アクリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、フタル酸ジグリシジルエステルジ(メタ)アクリレート、グリセリントリ(メタ)アクリレート、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート(即ち、トリレンジイソシアネート)、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネートとヘキサメチレンジイソシアネートと2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートとの反応物等が挙げられる。これら多官能の(メタ)アクリレートは、単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the polyfunctional (meth)acrylate monomer include ethylene glycol di(meth)acrylate, diethylene glycol di(meth)acrylate, tetraethylene glycol di(meth)acrylate, propylene glycol di(meth)acrylate, polypropylene glycol di( (Meth)acrylate, butylene glycol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexane glycol di(meth)acrylate, 1,4-cyclohexanedimethanol di(meth)acrylate, tricyclodecane di Methanol di(meth)acrylate, 9,9-bis[4-(2-(meth)acryloyloxyethoxy)phenyl]fluorene, propoxylated bisphenol A di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, glycerin di (Meth)acrylate, pentaerythritol di(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, 2-hydroxy -3-(meth)acryloyloxypropyl(meth)acrylate, ethylene glycol diglycidyl ether di(meth)acrylate, diethylene glycol diglycidyl ether di(meth)acrylate, phthalic acid diglycidyl ester di(meth)acrylate, glycerin tri(meth) ) Acrylate, glycerin polyglycidyl ether poly(meth)acrylate, urethane (meth)acrylate (that is, tolylene diisocyanate), a reaction product of trimethylhexamethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate and 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, and the like. To be These polyfunctional (meth)acrylates may be used alone or in combination of two or more.

硬化性モノマーは、環状構造を持つことが好ましく、脂肪族多環式基を有することがより好ましい。硬化性モノマーが、環状構造、より好ましくは脂肪族多環式基を有することで、脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーとの相溶性を高めることができる。また、(メタ)アクリレートポリマーに配合した硬化性モノマーを重合させることによって、接着層の耐熱性をさらに高めることができる。 The curable monomer preferably has a cyclic structure, and more preferably has an aliphatic polycyclic group. When the curable monomer has a cyclic structure, more preferably an aliphatic polycyclic group, compatibility with the (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group can be increased. In addition, the heat resistance of the adhesive layer can be further increased by polymerizing the curable monomer mixed with the (meth)acrylate polymer.

よって、上記(メタ)アクリレートモノマーの中でも、特に環式基を有する(メタ)アクリレートモノマーが好ましく、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、1,3−アダマンタンジオールジ(メタ)アクリレート、5−ヒドロキシ−1,3−アダマンタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3,5−アダマンタントリオールトリ(メタ)アクリレート、1,4−シクロヘキサンジメタノールジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン、及びプロポキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレートからなる群より選択される少なくとも1種がより好ましい。 Therefore, among the above (meth)acrylate monomers, a (meth)acrylate monomer having a cyclic group is particularly preferable, and tricyclodecanedimethanol di(meth)acrylate, 1,3-adamantanediol di(meth)acrylate, 5- Hydroxy-1,3-adamantanediol di(meth)acrylate, 1,3,5-adamantanetriol tri(meth)acrylate, 1,4-cyclohexanedimethanol di(meth)acrylate, tricyclodecanedimethanol di(meth) At least one selected from the group consisting of acrylate, 9,9-bis[4-(2-(meth)acryloyloxyethoxy)phenyl]fluorene, and propoxylated bisphenol A di(meth)acrylate is more preferable.

硬化性モノマーの含有量は、(メタ)アクリレートポリマーのガラス転移温度を考慮して、決定するとよい。例えば、接着剤組成物に樹脂成分として含まれる、(メタ)アクリレートポリマーのガラス転移温度が140℃以上であれば、硬化性モノマーの含有量は、樹脂成分の合計を100重量%として、1重量%以上、30重量%以下の範囲内であることが好ましく、1重量%以上、10重量%以下の範囲内であることがより好ましい。樹脂成分に対して、硬化性モノマーの含有量が1重量%以上であれば、接着層により高い耐熱性を付与することができる。また、硬化性モノマーの含有量が30重量%以下であることにより、接着層を洗浄液により除去するときにおける洗浄性を高めることができる。言い換えれば、ガラス転移温度が140℃以上の(メタ)アクリレートポリマーを用いることにより、硬化性モノマーの含有量を、30重量%以下にすることができ、これにより、硬化性モノマーが硬化することによって接着層の洗浄性が低下することを防止することができる。よって、ガラス転移温度がより高い(メタ)アクリレートポリマーを用いるほどに、硬化性モノマーの含有量を少なくすることができる。特に、(メタ)アクリレートポリマーのガラス転移温度が190℃以上であれば、硬化性モノマーを配合せずとも、耐熱性の高い接着層を形成することができる接着剤組成物を得ることができる。 The content of the curable monomer may be determined in consideration of the glass transition temperature of the (meth)acrylate polymer. For example, if the glass transition temperature of the (meth)acrylate polymer contained as a resin component in the adhesive composition is 140° C. or higher, the content of the curable monomer is 1% by weight with the total of the resin components being 100% by weight. % Or more and 30% by weight or less is preferable, and 1% by weight or more and 10% by weight or less is more preferable. When the content of the curable monomer is 1% by weight or more with respect to the resin component, higher heat resistance can be imparted to the adhesive layer. Further, when the content of the curable monomer is 30% by weight or less, the cleaning property when the adhesive layer is removed by the cleaning liquid can be improved. In other words, the content of the curable monomer can be reduced to 30% by weight or less by using the (meth)acrylate polymer having a glass transition temperature of 140° C. or higher, whereby the curable monomer is cured. It is possible to prevent deterioration of the cleaning property of the adhesive layer. Therefore, the content of the curable monomer can be reduced as the (meth)acrylate polymer having a higher glass transition temperature is used. In particular, when the glass transition temperature of the (meth)acrylate polymer is 190° C. or higher, it is possible to obtain an adhesive composition capable of forming an adhesive layer having high heat resistance without adding a curable monomer.

(重合開始剤)
一実施形態に係る接着剤組成物は、硬化性モノマーの重合反応を促進させる重合開始剤をさらに含んでいてもよい。
(Polymerization initiator)
The adhesive composition according to one embodiment may further include a polymerization initiator that accelerates the polymerization reaction of the curable monomer.

重合開始剤は、硬化性モノマーの重合反応を促進させることができれば、特に限定されるものではなく、熱重合開始剤、及び光重合開始剤等を用いることができる。熱重合開始剤としては、例えば、過酸化物、アゾ系重合開始剤等が挙げられる。 The polymerization initiator is not particularly limited as long as it can accelerate the polymerization reaction of the curable monomer, and a thermal polymerization initiator, a photopolymerization initiator and the like can be used. Examples of the thermal polymerization initiator include peroxides and azo polymerization initiators.

過酸化物としては、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシエステル等が挙げられる。具体的には、過酸化アセチル、過酸化ジクミル、過酸化tert−ブチル、過酸化t−ブチルクミル、過酸化プロピオニル、過酸化ベンゾイル(BPO)、過酸化2−クロロベンゾイル、過酸化3−クロロベンゾイル、過酸化4−クロロベンゾイル、過酸化2,4−ジクロロベンゾイル、過酸化4−ブロモメチルベンゾイル、過酸化ラウロイル、過硫酸カリウム、ペルオキシ炭酸ジイソプロピル、テトラリンヒドロペルオキシド、1−フェニル−2−メチルプロピル−1−ヒドロペルオキシド、過トリフェニル酢酸−tert−ブチル、tert−ブチルヒドロペルオキシド、過ギ酸tert−ブチル、過酢酸tert−ブチル、過安息香酸tert−ブチル、過フェニル酢酸tert−ブチル、過4−メトキシ酢酸tert−ブチル、過N−(3−トルイル)カルバミン酸tert−ブチル等が挙げられる。 Examples of peroxides include ketone peroxides, peroxyketals, hydroperoxides, dialkyl peroxides and peroxyesters. Specifically, acetyl peroxide, dicumyl peroxide, tert-butyl peroxide, t-butyl cumyl peroxide, propionyl peroxide, benzoyl peroxide (BPO), 2-chlorobenzoyl peroxide, 3-chlorobenzoyl peroxide, 4-chlorobenzoyl peroxide, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, 4-bromomethylbenzoyl peroxide, lauroyl peroxide, potassium persulfate, diisopropyl peroxycarbonate, tetralin hydroperoxide, 1-phenyl-2-methylpropyl-1. -Hydroperoxide, tert-butyl pertriphenylacetate, tert-butyl hydroperoxide, tert-butyl formate, tert-butyl peracetate, tert-butyl perbenzoate, tert-butyl perphenylacetate, per-4-methoxyacetic acid Examples include tert-butyl, tert-butyl perN-(3-toluyl)carbamate, and the like.

市販されている過酸化物としては、例えば、日本油脂株式会社製の商品名「パークミル(登録商標)」、商品名「パーブチル(登録商標)」、商品名「パーロイル(登録商標)」、及び商品名「パーオクタ(登録商標)」等が挙げられる。 As commercially available peroxides, for example, trade name “Park Mill (registered trademark)”, trade name “Perbutyl (registered trademark)”, trade name “Perloyl (registered trademark)”, and trade name manufactured by NOF CORPORATION The name "Perocta (registered trademark)" and the like can be mentioned.

アゾ系重合開始剤としては、例えば、2,2’−アゾビスプロパン、2,2’−ジクロロ−2,2’−アゾビスプロパン、1,1’−アゾ(メチルエチル)ジアセテート、2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)塩酸塩、2,2’−アゾビス(2−アミノプロパン)硝酸塩、2,2’−アゾビスイソブタン、2,2’−アゾビスイソブチルアミド、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス−2−メチルプロピオン酸メチル、2,2’−ジクロロ−2,2’−アゾビスブタン、2,2’−アゾビス−2−メチルブチロニトリル、2,2’−アゾビスイソ酪酸ジメチル、1,1’−アゾビス(1−メチルブチロニトリル−3−スルホン酸ナトリウム)、2−(4−メチルフェニルアゾ)−2−メチルマロノジニトリル4,4’−アゾビス−4−シアノ吉草酸、3,5−ジヒドロキシメチルフェニルアゾ−2−アリルマロノジニトリル、2,2’−アゾビス−2−メチルバレロニトリル、4,4’−アゾビス−4−シアノ吉草酸ジメチル、2,2’−アゾビス−2,4−ジメチルバレロニトリル、1,1’−アゾビスシクロヘキサンニトリル、2,2’−アゾビス−2−プロピルブチロニトリル、1,1’−アゾビスシクロヘキサンニトリル、2,2’−アゾビス−2−プロピルブチロニトリル、1,1’−アゾビス−1−クロロフェニルエタン、1,1’−アゾビス−1−シクロヘキサンカルボニトリル、1,1’−アゾビス−1−シクロヘプタンニトリル、1,1’−アゾビス−1−フェニルエタン、1,1’−アゾビスクメン、4−ニトロフェニルアゾベンジルシアノ酢酸エチル、フェニルアゾジフェニルメタン、フェニルアゾトリフェニルメタン、4−ニトロフェニルアゾトリフェニルメタン、1,1’−アゾビス−1,2−ジフェニルエタン、ポリ(ビスフェノールA−4,4’−アゾビス−4−シアノペンタノエート)、ポリ(テトラエチレングリコール−2,2’−アゾビスイソブチレート)等が挙げられる。 Examples of the azo-based polymerization initiator include 2,2′-azobispropane, 2,2′-dichloro-2,2′-azobispropane, 1,1′-azo(methylethyl)diacetate, 2, 2'-azobis(2-amidinopropane) hydrochloride, 2,2'-azobis(2-aminopropane) nitrate, 2,2'-azobisisobutane, 2,2'-azobisisobutyramide, 2,2' -Azobisisobutyronitrile, methyl 2,2'-azobis-2-methylpropionate, 2,2'-dichloro-2,2'-azobisbutane, 2,2'-azobis-2-methylbutyronitrile, Dimethyl 2,2'-azobisisobutyrate, 1,1'-azobis(sodium 1-methylbutyronitrile-3-sulfonate), 2-(4-methylphenylazo)-2-methylmalonodinitrile 4,4' -Azobis-4-cyanovaleric acid, 3,5-dihydroxymethylphenylazo-2-allylmalononitrile, 2,2'-azobis-2-methylvaleronitrile, 4,4'-azobis-4-cyanovaleric acid Dimethyl, 2,2'-azobis-2,4-dimethylvaleronitrile, 1,1'-azobiscyclohexanenitrile, 2,2'-azobis-2-propylbutyronitrile, 1,1'-azobiscyclohexanenitrile , 2,2'-azobis-2-propylbutyronitrile, 1,1'-azobis-1-chlorophenylethane, 1,1'-azobis-1-cyclohexanecarbonitrile, 1,1'-azobis-1-cyclo Heptanenitrile, 1,1'-azobis-1-phenylethane, 1,1'-azobiscumene, ethyl 4-nitrophenylazobenzylcyanoacetate, phenylazodiphenylmethane, phenylazotriphenylmethane, 4-nitrophenylazotriphenylmethane , 1,1'-azobis-1,2-diphenylethane, poly(bisphenol A-4,4'-azobis-4-cyanopentanoate), poly(tetraethylene glycol-2,2'-azobisisobuty) Rate) and the like.

(光重合開始剤)
光重合開始剤としては、具体的には、例えば、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−〔4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル〕−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、1−(4−ドデシルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、ビス(4−ジメチルアミノフェニル)ケトン、2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン、エタノン1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−1−(o−アセチルオキシム)、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、4−ベンゾイル−4’−メチルジメチルスルフィド、4−ジメチルアミノ安息香酸、4−ジメチルアミノ安息香酸メチル、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸ブチル、4−ジメチルアミノ−2−エチルヘキシル安息香酸、4−ジメチルアミノ−2−イソアミル安息香酸、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、ベンジルジメチルケタール、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、o−ベンゾイル安息香酸メチル、2,4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、1−クロロ−4−プロポキシチオキサントン、チオキサンテン、2−クロロチオキサンテン、2,4−ジエチルチオキサンテン、2−メチルチオキサンテン、2−イソプロピルチオキサンテン、2−エチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノン、アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルパーオキシド、クメンパーオキシド、2−メルカプトベンゾイミダール、2−メルカプトベンゾオキサゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(p−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体、ベンゾフェノン、2−クロロベンゾフェノン、4,4’−ビスジメチルアミノベンゾフェノン(即ち、ミヒラーズケトン)、4,4’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン(即ち、エチルミヒラーズケトン)、4,4’−ジクロロベンゾフェノン、3,3−ジメチル−4−メトキシベンゾフェノン、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン−n−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン−t−ブチルエーテル、アセトフェノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、p−ジメチルアセトフェノン、p−ジメチルアミノプロピオフェノン、ジクロロアセトフェノン、トリクロロアセトフェノン、p−t−ブチルアセトフェノン、p−ジメチルアミノアセトフェノン、p−t−ブチルトリクロロアセトフェノン、p−t−ブチルジクロロアセトフェノン、α,α−ジクロロ−4−フェノキシアセトフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、ジベンゾスベロン、ペンチル−4−ジメチルアミノベンゾエート、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス−(9−アクリジニル)ヘプタン、1,5−ビス−(9−アクリジニル)ペンタン、1,3−ビス−(9−アクリジニル)プロパン、p−メトキシトリアジン、2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−メチル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(5−メチルフラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(フラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(3,4−ジメトキシフェニル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−エトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−n−ブトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(3−ブロモ−4−メトキシ)フェニル−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(2−ブロモ−4−メトキシ)フェニル−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(3−ブロモ−4−メトキシ)スチリルフェニル−s−トリアジン及び2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(2−ブロモ−4−メトキシ)スチリルフェニル−s−トリアジン等が挙げられる。また、光重合開始剤として、市販品である「IRGACURE OXE02」、「IRGACURE OXE01」,「IRGACURE 369」、「IRGACURE 651」及び「IRGACURE 907」(商品名:何れもBASF社製)並びに「NCI−831」(商品名:ADEKA社製)等も用いることができる。
(Photopolymerization initiator)
Specific examples of the photopolymerization initiator include 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, and 1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl. ]-2-Hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, 1-(4-isopropylphenyl)-2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1-(4-dodecylphenyl)-2 -Hydroxy-2-methylpropan-1-one, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, bis(4-dimethylaminophenyl)ketone, 2-methyl-1-[4-(methylthio )Phenyl]-2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butan-1-one, ethanone 1-[9-ethyl-6-( 2-Methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-1-(o-acetyloxime), 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 4-benzoyl-4'-methyldimethylsulfide, 4-dimethyl Aminobenzoic acid, methyl 4-dimethylaminobenzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, butyl 4-dimethylaminobenzoate, 4-dimethylamino-2-ethylhexylbenzoic acid, 4-dimethylamino-2-isoamylbenzoic acid, Benzyl-β-methoxyethyl acetal, benzyl dimethyl ketal, 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime, methyl o-benzoylbenzoate, 2,4-diethylthioxanthone, 2-chloro. Thioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 1-chloro-4-propoxythioxanthone, thioxanthene, 2-chlorothioxanthene, 2,4-diethylthioxanthene, 2-methylthioxanthene, 2-isopropylthioxanthene, 2-ethylanthraquinone. , Octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-diphenylanthraquinone, azobisisobutyronitrile, benzoyl peroxide, cumene peroxide, 2-mercaptobenzimidal, 2-mercaptobenzoxazole, 2-mercapto Benzothiazole, 2-(o-chlorophenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer, 2-(o-chlorophenyl)-4,5-di(methoxyphenyl)imidazole dimer, 2-(o- Fluorophenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer, 2-(o-methoxyphenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer, 2-(p-methoxyphenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer Body, 2,4,5-triarylimidazole dimer, benzophenone, 2-chlorobenzophenone, 4,4′-bisdimethylaminobenzophenone (that is, Michler's ketone), 4,4′-bisdiethylaminobenzophenone (that is, ethylmich Razketone), 4,4′-dichlorobenzophenone, 3,3-dimethyl-4-methoxybenzophenone, benzyl, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin-n-butyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin -T-butyl ether, acetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, p-dimethylacetophenone, p-dimethylaminopropiophenone, dichloroacetophenone, trichloroacetophenone, p-t-butylacetophenone, p-dimethylaminoacetophenone, p-t -Butyltrichloroacetophenone, pt-butyldichloroacetophenone, α,α-dichloro-4-phenoxyacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, dibenzosuberone, pentyl-4-dimethylaminobenzoate, 9- Phenylacridine, 1,7-bis-(9-acridinyl)heptane, 1,5-bis-(9-acridinyl)pentane, 1,3-bis-(9-acridinyl)propane, p-methoxytriazine, 2,4 ,6-Tris(trichloromethyl)-s-triazine, 2-methyl-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-[2-(5-methylfuran-2-yl)ethenyl]-4 ,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-[2-(furan-2-yl)ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-[2-(4- Diethylamino-2-methylphenyl)ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-[2-(3,4-dimethoxyphenyl)ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)- s-triazine, 2-(4-methoxyphenyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(4-ethoxy) Styryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(4-n-butoxyphenyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl -6-(3-Bromo-4-methoxy)phenyl-s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6-(2-bromo-4-methoxy)phenyl-s-triazine, 2,4-bis- Examples include trichloromethyl-6-(3-bromo-4-methoxy)styrylphenyl-s-triazine and 2,4-bis-trichloromethyl-6-(2-bromo-4-methoxy)styrylphenyl-s-triazine. To be Further, as the photopolymerization initiator, commercially available products “IRGACURE OXE02”, “IRGACURE OXE01”, “IRGACURE 369”, “IRGACURE 651” and “IRGACURE 907” (trade names: all manufactured by BASF) and “NCI-”. 831" (trade name: manufactured by ADEKA) or the like can also be used.

なお、重合開始剤の配合量は、接着剤組成物に含まれている硬化性モノマーの含有量に応じて調整するとよい。ここで、100重量部の硬化性モノマーに対する重合開始剤の割合は、0.1重量部以上、10重量部以下であることが好ましく、0.5重量部以上、5重量部以下であることがより好ましい。ただし、接着剤組成物が、硬化性モノマーを含んでいない場合、重合開始剤は、必須の構成ではない。 The blending amount of the polymerization initiator may be adjusted according to the content of the curable monomer contained in the adhesive composition. Here, the ratio of the polymerization initiator to 100 parts by weight of the curable monomer is preferably 0.1 parts by weight or more and 10 parts by weight or less, and 0.5 parts by weight or more and 5 parts by weight or less. More preferable. However, when the adhesive composition does not contain a curable monomer, the polymerization initiator is not an essential component.

重合開始剤は、公知の方法により、接着剤組成物に配合することができる。また、重合開始剤は、後述する添加溶剤に希釈してから、接着剤組成物に配合してもよい。 The polymerization initiator can be added to the adhesive composition by a known method. Further, the polymerization initiator may be added to the adhesive composition after being diluted with an addition solvent described below.

(熱重合禁止剤)
本発明において、接着剤組成物は重合禁止剤を含有していてもよい。熱重合禁止剤は、熱や光によるラジカル重合反応を防止する機能を有する。具体的には、熱重合禁止剤はラジカルに対して高い反応性を示すため、(メタ)アクリレートポリマー及び硬化性モノマーよりも優先的に反応して、(メタ)アクリレートポリマー同士が重合することを禁止する。このため、接着剤組成物によって形成された接着層が加熱されることにより、当該接着層における洗浄液に対する溶解性が低下することを防止することができる。
(Thermal polymerization inhibitor)
In the present invention, the adhesive composition may contain a polymerization inhibitor. The thermal polymerization inhibitor has a function of preventing a radical polymerization reaction due to heat or light. Specifically, since the thermal polymerization inhibitor exhibits high reactivity with radicals, it is possible that the (meth)acrylate polymers are polymerized by reacting with each other preferentially over the (meth)acrylate polymer and the curable monomer. Ban. Therefore, it is possible to prevent the solubility of the adhesive layer in the cleaning liquid from being lowered by heating the adhesive layer formed of the adhesive composition.

熱重合禁止剤としては、熱によるラジカル重合反応を防止するのに有効であれば特に限定されるものではないが、フェノールを有する熱重合禁止剤が好ましい。これにより、大気下での高温処理後にも良好な溶解性を確保することができる。そのような熱重合禁止剤としては、ヒンダードフェノール系の酸化防止剤を用いることが可能であり、例えば、ピロガロール、ベンゾキノン、ヒドロキノン、メチレンブルー、tert−ブチルカテコール、モノベンジルエーテル、メチルヒドロキノン、アミルキノン、アミロキシヒドロキノン、n−ブチルフェノール、フェノール、ヒドロキノンモノプロピルエーテル、4,4’−(1−メチルエチリデン)ビス(2−メチルフェノール)、4,4’−(1−メチルエチリデン)ビス(2,6−ジメチルフェノール)、4,4’−[1−〔4−(1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)フェニル〕エチリデン]ビスフェノール、4,4’,4”−エチリデントリス(2−メチルフェノール)、4,4’,4”−エチリデントリスフェノール、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン、2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェノール、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、4,4’−チオビス(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、3,9−ビス[2−(3−(3−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)−プロピオニルオキシ)−1,1−ジメチルエチル]−2,4,8,10−テトラオキサスピロ(5,5)ウンデカン、トリエチレングリコール−ビス−3−(3−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロピオネート、n−オクチル−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、ペンタエリスリルテトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名IRGANOX1010、BASF社製)、トリス(3,5−ジ−tert−ブチルヒドロキシベンジル)イソシアヌレート、チオジエチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]等が挙げられる。熱重合禁止剤は1種のみを用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 The thermal polymerization inhibitor is not particularly limited as long as it is effective in preventing radical polymerization reaction due to heat, but a thermal polymerization inhibitor having phenol is preferable. As a result, good solubility can be ensured even after high-temperature treatment in the atmosphere. As such a thermal polymerization inhibitor, it is possible to use a hindered phenol-based antioxidant, for example, pyrogallol, benzoquinone, hydroquinone, methylene blue, tert-butylcatechol, monobenzyl ether, methylhydroquinone, amylquinone, Amyloxyhydroquinone, n-butylphenol, phenol, hydroquinone monopropyl ether, 4,4′-(1-methylethylidene)bis(2-methylphenol), 4,4′-(1-methylethylidene)bis(2,6 -Dimethylphenol), 4,4'-[1-[4-(1-(4-hydroxyphenyl)-1-methylethyl)phenyl]ethylidene]bisphenol, 4,4',4"-ethylidenetris(2- Methylphenol), 4,4′,4″-ethylidene trisphenol, 1,1,3-tris(2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)-3-phenylpropane, 2,6-di-tert-butyl -4-methylphenol, 2,2'-methylenebis(4-methyl-6-tert-butylphenol), 4,4'-butylidenebis(3-methyl-6-tert-butylphenol), 4,4'-thiobis(3 -Methyl-6-tert-butylphenol), 3,9-bis[2-(3-(3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)-propionyloxy)-1,1-dimethylethyl]- 2,4,8,10-Tetraoxaspiro(5,5)undecane, triethylene glycol-bis-3-(3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propionate, n-octyl-3- (3,5-Di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate, pentaerythryltetrakis[3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate] (trade name IRGANOX1010, BASF Corporation Manufactured), tris(3,5-di-tert-butylhydroxybenzyl)isocyanurate, thiodiethylenebis[3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate], and the like. Only one type of thermal polymerization inhibitor may be used, or two or more types may be used in combination.

熱重合禁止剤の含有量は、(メタ)アクリレートポリマーの種類、当該ポリマーに相溶する硬化性モノマーの種類、並びに接着剤組成物の用途及び使用環境に応じて適宜決定すればよいが、例えば、(メタ)アクリレートポリマーの量を100重量部としたとき、0.1重量部以上、10重量部以下であることが好ましい。熱重合禁止剤の含有量が上記範囲内であれば、重合を抑える効果が良好に発揮され、高温プロセス後に接着剤組成物の剥離液に対する溶解性が低下することをさらに抑えることができる。 The content of the thermal polymerization inhibitor may be appropriately determined depending on the type of (meth)acrylate polymer, the type of curable monomer compatible with the polymer, and the application and use environment of the adhesive composition. When the amount of the (meth)acrylate polymer is 100 parts by weight, it is preferably 0.1 parts by weight or more and 10 parts by weight or less. When the content of the thermal polymerization inhibitor is within the above range, the effect of suppressing the polymerization is satisfactorily exhibited, and the decrease in the solubility of the adhesive composition in the stripping solution after the high temperature process can be further suppressed.

(添加溶剤)
重合開始剤及び重合禁止剤は、添加溶剤に溶解して接着剤組成物に配合することが好ましい。添加溶剤としては、特に限定されないが、接着剤組成物に含まれる成分を溶解する有機溶剤を用いることができる。
(Additional solvent)
It is preferable that the polymerization initiator and the polymerization inhibitor are dissolved in an additive solvent and added to the adhesive composition. The additive solvent is not particularly limited, but an organic solvent that dissolves the components contained in the adhesive composition can be used.

有機溶剤としては、例えば、接着剤組成物の各成分を溶解し、均一な溶液にすることができればよく、1つの有機溶剤のみを用いてもよく、2つ以上の有機溶剤を組み合わせて用いてもよい。 As the organic solvent, for example, each component of the adhesive composition can be dissolved to form a uniform solution, and only one organic solvent may be used, or two or more organic solvents may be used in combination. Good.

有機溶剤の具体例としては、例えば、極性基として酸素原子、カルボニル基又はアセトキシ基等を有するテルペン溶剤が挙げられ、例えば、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−1−オール、テルピネン−4−オール、ジヒドロターピニルアセテート、1,4−シネオール、1,8−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファーが挙げられる。また、γ−ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン(CH)、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、上記多価アルコール類又は上記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体(これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい);ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。 Specific examples of the organic solvent include, for example, oxygen atom as a polar group, a terpene solvent having a carbonyl group or an acetoxy group, and the like, for example, geraniol, nerol, linalool, citral, citronellol, menthol, isomenthol, neomenthol, α-terpineol, β-terpineol, γ-terpineol, terpinen-1-ol, terpinen-4-ol, dihydroterpinyl acetate, 1,4-cineole, 1,8-cineole, borneol, carvone, yonone, tsuyon, There is camphor. Further, lactones such as γ-butyrolactone; acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone (CH), methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, 2-heptanone and other ketones; ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol. Compounds having an ester bond, such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, or dipropylene glycol monoacetate; monomethyl ethers of the above polyhydric alcohols or compounds having an ester bond such as , Derivatives of polyhydric alcohols such as compounds having an ether bond such as monoalkyl ethers such as monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether or monophenyl ether (among these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), Propylene glycol monomethyl ether (PGME) is preferred); cyclic ethers such as dioxane, methyl lactate, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methoxypropionic acid Esters such as methyl and ethyl ethoxypropionate; aromatic organic solvents such as anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetol, butyl phenyl ether and the like can be mentioned.

添加溶剤の含有量は、重合開始剤及び重合禁止剤の種類等に応じて適宜調整すればよいが、例えば、樹脂成分を溶解する希釈溶剤(主溶剤)と添加溶剤との合計を100重量部としたとき、添加溶剤の含有量は、1重量部以上、50重量部以下であることが好ましく、1重量部以上、30重量部以下であることがより好ましい。添加溶剤の含有量が上記範囲内であれば、熱重合開始剤及び光重合開始剤を十分に溶解することができる。 The content of the added solvent may be appropriately adjusted according to the type of the polymerization initiator and the polymerization inhibitor, and for example, the total of the diluent solvent (main solvent) that dissolves the resin component and the added solvent is 100 parts by weight. In this case, the content of the added solvent is preferably 1 part by weight or more and 50 parts by weight or less, and more preferably 1 part by weight or more and 30 parts by weight or less. When the content of the added solvent is within the above range, the thermal polymerization initiator and the photopolymerization initiator can be sufficiently dissolved.

(溶剤)
本発明に係る接着剤組成物に含まれる溶剤(主溶剤)は、(メタ)アクリレートポリマー、及び硬化性モノマーである(メタ)アクリレートモノマーを溶解する機能を有するものであればよく、例えば、非極性の炭化水素系溶剤、極性及び無極性の石油系溶剤等を用いることができる。好ましくは、溶液は、脂環式炭化水素、又は分岐状炭化水素を含んでいる。これらの中でも、溶剤が縮合多環式炭化水素、又は分岐状炭化水素を含むことによって、接着剤組成物を液状形態で(特に低温にて)保存したときに生じ得る白濁化を避けることができ、製品安定性を向上させることができるため好ましい。
(solvent)
The solvent (main solvent) contained in the adhesive composition according to the present invention may be one having a function of dissolving the (meth)acrylate polymer and the (meth)acrylate monomer which is a curable monomer, and for example, a non-solvent may be used. A polar hydrocarbon solvent, a polar or non-polar petroleum solvent, or the like can be used. Preferably, the solution contains an alicyclic hydrocarbon or a branched hydrocarbon. Among these, when the solvent contains a condensed polycyclic hydrocarbon or a branched hydrocarbon, it is possible to avoid clouding that may occur when the adhesive composition is stored in a liquid form (especially at low temperature). It is preferable because the product stability can be improved.

炭化水素系溶剤としては、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素が挙げられる。例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、イソオクタン、イソノナン、イソドデカン等の炭素数4から15の分岐状炭化水素;p−メンタン、o−メンタン、m−メンタン、ジフェニルメンタン、1,4−テルピン、1,8−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン等の飽和脂肪族炭化水素、α−テルピネン、β−テルピネン、γ−テルピネン、α−ピネン、β−ピネン、α−ツジョン、β−ツジョン等が挙げられる。 Examples of the hydrocarbon-based solvent include linear, branched or cyclic hydrocarbons. For example, linear hydrocarbons such as hexane, heptane, octane, nonane, methyloctane, decane, undecane, dodecane, tridecane, etc., branched hydrocarbons having 4 to 15 carbon atoms such as isooctane, isononane, isododecane; p-menthane , O-menthane, m-menthane, diphenylmenthane, 1,4-terpine, 1,8-terpine, bornan, norbornane, pinan, tsujang, karan, longifolene and other saturated aliphatic hydrocarbons, α-terpinene, β-terpinene , Γ-terpinene, α-pinene, β-pinene, α-Tujone, β-Tujone and the like.

石油系溶剤とは、重油から精製される溶剤であり、例えば、白灯油、パラフィン系溶剤、イソパラフィン系溶剤が挙げられ、上述の直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素等の混合物であり得る。また、石油系溶剤は、例えば、ベンゼン、ナフタレン等の芳香族化合物を含んでいてもよい。 The petroleum solvent is a solvent that is refined from heavy oil, and examples thereof include white kerosene, paraffinic solvent, and isoparaffinic solvent, which may be a mixture of the above linear, branched, or cyclic hydrocarbons. .. In addition, the petroleum solvent may contain an aromatic compound such as benzene or naphthalene.

脂環式炭化水素とは、環状構造を含む炭化水素であり、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等が挙げられる。 The alicyclic hydrocarbon is a hydrocarbon containing a cyclic structure, and examples thereof include cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane.

また、脂環式炭化水素としては、縮合多環式炭化水素が挙げられる。縮合多環式炭化水素とは、2つ以上の単環がそれぞれの環の辺を互いに1つだけ供給してできる縮合環の炭化水素であり、2つの単環が縮合されてなる炭化水素を用いることが好ましい。 In addition, examples of the alicyclic hydrocarbon include condensed polycyclic hydrocarbons. A condensed polycyclic hydrocarbon is a condensed ring hydrocarbon formed by two or more monocycles supplying only one side of each ring, and is a hydrocarbon formed by condensing two monocycles. It is preferable to use.

そのような炭化水素としては、5員環及び6員環の組み合わせ、又は2つの6員環の組み合わせが挙げられる。5員環及び6員環を組み合わせた炭化水素としては、例えば、インデン、ペンタレン、インダン、テトラヒドロインデン等が挙げられ、2つの6員環を組み合わせた炭化水素としては、例えば、ナフタレン、テトラヒドロナフタレン(テトラリン)及びデカヒドロナフタレン(デカリン)等が挙げられる。 Such hydrocarbons include combinations of 5 and 6 membered rings, or combinations of 2 6 membered rings. Examples of the hydrocarbon having a combination of a 5-membered ring and a 6-membered ring include indene, pentalene, indane and tetrahydroindene, and examples of the hydrocarbon having a combination of two 6-membered rings include naphthalene and tetrahydronaphthalene ( Tetralin) and decahydronaphthalene (decalin) and the like.

また、分岐状炭化水素としては、例えば、上述のイソオクタン、イソノナン、イソドデカン等の他に、例えば、エクソンモービル化学株式会社製の「アイソパー(商品名)」等のようなイソパラフィン系の石油系溶剤等が挙げられる。 As the branched hydrocarbon, for example, in addition to the above-mentioned isooctane, isononane, isododecane, etc., for example, an isoparaffin-based petroleum solvent such as “ISOPAR (trade name)” manufactured by ExxonMobil Chemical Co., Ltd. Are listed.

また、溶剤が上記縮合多環式炭化水素、又は分岐状炭化水素を含む場合、溶剤に含まれる成分は上記縮合多環式炭化水素、又は分岐状炭化水素のみであってもよいし、例えば、飽和脂肪族炭化水素等の他の成分を含有していてもよい。この場合、縮合多環式炭化水素、又は分岐状炭化水素の含有量が炭化水素系溶剤全体を100重量部として40重量部以上であることが好ましく、60重量部以上であることがより好ましい。縮合多環式炭化水素、又は分岐状炭化水素の含有量が炭化水素系溶剤全体の40重量部以上である場合には、上記樹脂に対する高い溶解性を発揮することができる。縮合多環式炭化水素、又は分岐状炭化水素と飽和脂肪族炭化水素との混合比が上記範囲内であれば、縮合多環式炭化水素の臭気を緩和させることができる。 Further, when the solvent contains the condensed polycyclic hydrocarbon, or a branched hydrocarbon, the component contained in the solvent may be only the condensed polycyclic hydrocarbon, or a branched hydrocarbon, for example, It may contain other components such as saturated aliphatic hydrocarbons. In this case, the content of the condensed polycyclic hydrocarbon or the branched hydrocarbon is preferably 40 parts by weight or more, more preferably 60 parts by weight or more, based on 100 parts by weight of the entire hydrocarbon solvent. When the content of the condensed polycyclic hydrocarbon or the branched hydrocarbon is 40 parts by weight or more based on the entire hydrocarbon solvent, high solubility in the resin can be exhibited. If the mixing ratio of the condensed polycyclic hydrocarbon or the branched hydrocarbon and the saturated aliphatic hydrocarbon is within the above range, the odor of the condensed polycyclic hydrocarbon can be alleviated.

なお、本発明の接着剤組成物における溶剤の含有量としては、当該接着剤組成物を用いて成膜する接着層の厚さに応じて適宜調整すればよいが、例えば、接着剤組成物の全量を100重量部としたとき、20重量部以上、90重量部以下の範囲であることが好ましい。溶剤の含有量が上記範囲内であれば、粘度調整が容易となる。 The content of the solvent in the adhesive composition of the present invention may be appropriately adjusted according to the thickness of the adhesive layer formed using the adhesive composition, for example, the adhesive composition When the total amount is 100 parts by weight, the range is preferably 20 parts by weight or more and 90 parts by weight or less. When the content of the solvent is within the above range, viscosity adjustment becomes easy.

<接着フィルム>
本発明の一実施形態に係る接着フィルムは、フィルム上に、本発明の一実施形態に係る接着剤組成物からなる接着層が形成されている。このような、接着フィルムを用いることによって、支持体上に好適に接着層を形成することができる。よって、一実施形態に係る接着剤組成物を用いて形成した接着フィルムも本発明の範疇である。
<Adhesive film>
The adhesive film according to one embodiment of the present invention has an adhesive layer made of the adhesive composition according to one embodiment of the present invention formed on the film. By using such an adhesive film, an adhesive layer can be preferably formed on the support. Therefore, an adhesive film formed using the adhesive composition according to one embodiment is also included in the scope of the present invention.

フィルム上に接着剤層を形成する方法としては、所望する接着層の膜厚や均一性に応じて適宜、公知の方法を用いて、フィルム上に接着剤層の乾燥膜厚が10〜1,000μmとなるように、接着剤組成物を塗布する方法が挙げられる。 As a method for forming the adhesive layer on the film, depending on the desired film thickness and uniformity of the adhesive layer, using a known method, the dry film thickness of the adhesive layer on the film is 10 to 1, A method of applying the adhesive composition so as to have a thickness of 000 μm can be mentioned.

このような接着フィルムを用いれば、支持体の上に直接、接着剤組成物を塗布して接着層を形成する場合と比較して、膜厚均一性及び表面平滑性の良好な接着層を形成することができる。 When such an adhesive film is used, an adhesive layer having excellent film thickness uniformity and surface smoothness can be formed as compared with the case where the adhesive composition is directly applied on the support to form the adhesive layer. can do.

接着フィルムの製造に使用するフィルムとしては、フィルム上に製膜された接着層を当該フィルムから剥離することができ、接着層を支持体などの被処理面上に転写できる離型フィルムであればよく、特に限定されるものではない。例えば、膜厚15〜125μmのポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、及びポリ塩化ビニル等の合成樹脂フィルムからなる可撓性フィルムが挙げられる。上記フィルムには、必要に応じて、転写が容易となるように離型処理が施されていることが好ましい。 As the film used in the production of the adhesive film, as long as it is a release film capable of peeling the adhesive layer formed on the film from the film, the adhesive layer can be transferred to the surface to be treated such as a support Well, it is not particularly limited. For example, a flexible film made of a synthetic resin film such as polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, polycarbonate, and polyvinyl chloride having a film thickness of 15 to 125 μm can be used. It is preferable that the above-mentioned film is subjected to a release treatment so that transfer is easy, if necessary.

また、接着フィルムは、保護フィルムによって接着層の露出面を被覆することにより保護してもよい。保護フィルムは、接着層から剥離することができる限り限定されるものではないが、例えばポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、及びポリエチレンフィルムが好ましい。また、各保護フィルムは、接着層からの剥離を容易にするため、シリコーンをコーティングしてあるか、又は焼き付けしてあることが好ましい。 The adhesive film may be protected by covering the exposed surface of the adhesive layer with a protective film. The protective film is not limited as long as it can be peeled from the adhesive layer, but for example, a polyethylene terephthalate film, a polypropylene film, and a polyethylene film are preferable. In addition, each protective film is preferably coated with silicone or baked to facilitate the peeling from the adhesive layer.

接着フィルムの使用方法は、特に限定されるものではないが、例えば、保護フィルムを用いた場合には、これを剥離した上で、支持体上に露出した接着層を重ねて、フィルム上(接着剤層の形成された面の裏面)から加熱ローラを移動させることにより、接着層を支持体の表面に熱圧着させる方法が挙げられる。 The method of using the adhesive film is not particularly limited. For example, when a protective film is used, the protective film is peeled off, the exposed adhesive layer is stacked on the support, and A method may be mentioned in which the adhesive layer is thermocompression-bonded to the surface of the support by moving the heating roller from the surface on which the agent layer is formed).

なお、接着フィルムから剥離した保護フィルムは、順次巻き取りローラ等のローラでロール状に巻き取れば、保存し再利用することが可能である。 The protective film separated from the adhesive film can be stored and reused by sequentially winding it into a roll with a roller such as a winding roller.

〔積層体〕
積層体は、一実施形態に係る接着剤組成物を、支持体上に塗布することにより、高い耐熱性、高い薬品耐性、及び高い洗浄性を備えた接着層が形成されている。積層体は、接着層上において、封止材によって素子を封止した封止体と、封止体の一方の平面部に再配線層とを備えた封止基板が形成されている。すなわち、積層体は、素子に設けられた端子がチップエリア外に広がる再配線層に実装される、ファンアウト型技術に基づく、封止基板を製造する過程において作製される積層体である。
[Laminate]
The laminate has an adhesive layer having high heat resistance, high chemical resistance, and high washability formed by applying the adhesive composition according to one embodiment onto a support. On the adhesive layer, the laminate has a sealing substrate including a sealing body that seals an element with a sealing material and a rewiring layer on one flat surface of the sealing body. That is, the laminated body is a laminated body manufactured in the process of manufacturing the sealing substrate based on the fan-out type technology in which the terminals provided on the element are mounted on the rewiring layer extending outside the chip area.

〔封止基板〕
封止基板(基板)は、素子と、素子が実装される再配線層と、素子を封止する封止体とを備えている。封止基板は複数の素子を備えていることが好ましく、このような封止基板をダイシングすることにより、複数の電子部品を得ることができる。
[Sealing substrate]
The sealing substrate (substrate) includes an element, a rewiring layer on which the element is mounted, and a sealing body that seals the element. The sealing substrate preferably includes a plurality of elements, and a plurality of electronic components can be obtained by dicing such a sealing substrate.

(再配線層)
再配線層は、RDL(Redistribution Layer:再配線層)とも呼ばれ、素子に接続する配線を構成する薄膜の配線体であり、単層又は複数層の構造を有し得る。一実施形態において、再配線層は、誘電体(例えば、酸化シリコン(SiO)、感光性エポキシ等の感光性樹脂等)に、導電体(例えば、アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、金及び銀等の金属並びに銀−錫合金等の合金)によって配線が形成されたものであり得るが、これに限定されない。
(Rewiring layer)
The redistribution layer is also called an RDL (Redistribution Layer) and is a thin film wiring body that constitutes a wiring connected to an element, and may have a single-layer or multi-layer structure. In one embodiment, the redistribution layer includes a dielectric (eg, silicon oxide (SiO x ), a photosensitive resin such as photosensitive epoxy, etc.) and a conductor (eg, aluminum, copper, titanium, nickel, gold, and silver). However, the wiring is not limited to this.

(素子)
素子(ベアチップ)は、半導体素子又はその他の素子であり、単層又は複数層の構造を有し得る。なお、素子が半導体素子である場合、封止基板をダイシングすることにより得られる電子部品は、半導体装置となる。
(element)
The element (bare chip) is a semiconductor element or other element and may have a single-layer or multi-layer structure. When the element is a semiconductor element, the electronic component obtained by dicing the sealing substrate becomes a semiconductor device.

(封止材)
封止材としては、例えば、エポキシ系の樹脂及びシリコーン系の樹脂を含有する封止材等を用いることができる。封止材は、素子毎に設けられているものではなく、再配線層に実装された複数の素子の全てを一体的に封止しているものであることが好ましい。
(Sealing material)
As the sealing material, for example, a sealing material containing an epoxy resin and a silicone resin can be used. It is preferable that the sealing material is not provided for each element but integrally seals all of the plurality of elements mounted on the rewiring layer.

〔支持体〕
支持体は、封止基板の形成時に、封止基板の各構成要素の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していればよい。また、支持体は、当該支持体上に形成された分離層を変質させることができる波長の光を透過させる材料によって形成されている。
[Support]
The support may have strength enough to prevent damage or deformation of each component of the sealing substrate when forming the sealing substrate. Further, the support is formed of a material that transmits light having a wavelength that can change the quality of the separation layer formed on the support.

支持体の材料としては、例えば、ガラス、シリコン及びアクリル系樹脂等を用いることができるが、これらに限定されない。支持体の形状としては、例えば、矩形、及び円形等の支持体を用いることができるが、これに限定されない。 As the material of the support, for example, glass, silicon, acrylic resin, or the like can be used, but the material is not limited to these. The shape of the support may be, for example, a support having a rectangular shape or a circular shape, but is not limited thereto.

〔接着層〕
接着層は、本発明の一実施形態に係る接着剤組成物により形成され、封止基板を支持体上に固定するための層である。接着層は、その表面に、封止材によって封止するための素子が配置され得る。また、接着層は、その表面に対して直接的に、例えば、フォトレジスト等を塗布して、露光することにより、感光性絶縁膜等のパターンが形成され得る。さらに、接着層は、分離層を保護するという機能も有している。
[Adhesive layer]
The adhesive layer is a layer formed of the adhesive composition according to the embodiment of the present invention and for fixing the sealing substrate on the support. An element for sealing with an encapsulant can be arranged on the surface of the adhesive layer. Further, the adhesive layer can be formed with a pattern such as a photosensitive insulating film by directly applying, for example, a photoresist or the like to the surface and exposing the same. Further, the adhesive layer also has a function of protecting the separation layer.

接着層の厚さは、支持体及び封止基板の種類、並びに封止基板を形成するときに実施する処理等に応じて適宜設定すればよいが、0.1μm以上、50μm以下であることが好ましく、1μm以上、10μm以下であることがより好ましい。1μm以上であることにより、封止基板を、支持体上に好適に固定することができる。10μm以下であることにより、後の工程において接着層の除去を容易にすることができる。 The thickness of the adhesive layer may be appropriately set depending on the types of the support and the sealing substrate, the treatment performed when the sealing substrate is formed, and the like, but is preferably 0.1 μm or more and 50 μm or less. It is preferably 1 μm or more and 10 μm or less. When the thickness is 1 μm or more, the sealing substrate can be preferably fixed on the support. When the thickness is 10 μm or less, it is possible to easily remove the adhesive layer in a later step.

〔分離層〕
分離層は、光を照射することで変質する層である。支持体を介して分離層に光を照射して分離層を変質させることによって、支持体を封止基板から分離させることができる。
[Separation layer]
The separation layer is a layer that is altered by being irradiated with light. The support can be separated from the sealing substrate by irradiating the separation layer with light through the support to change the quality of the separation layer.

なお、本明細書において、分離層が「変質する」とは、分離層がわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層と接する層との接着力が低下した状態になる現象を意味する。光を吸収することによって生じる分離層の変質の結果として、分離層は、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。つまり、光を吸収することによって、分離層は脆くなる。分離層の変質とは、分離層が、吸収した光のエネルギーによる分解、立体配置の変化又は官能基の解離等を生じることであり得る。分離層の変質は、光を吸収することの結果として生じる。 In the present specification, the term “degenerate” of the separation layer means a phenomenon in which the separation layer can be broken by receiving a slight external force, or a state in which the adhesive force between the separation layer and a layer in contact with the separation layer is reduced. To do. As a result of the alteration of the separation layer caused by absorbing light, the separation layer loses its strength or adhesiveness before being exposed to light. That is, by absorbing light, the separation layer becomes brittle. The alteration of the separation layer may mean that the separation layer undergoes decomposition due to the energy of the absorbed light, changes in the configuration, dissociation of functional groups, or the like. Degradation of the separation layer occurs as a result of absorbing light.

よって、例えば、サポートプレートを持ち上げるだけで分離層が破壊されるように変質させて、サポートプレートと基板とを容易に分離することができる。より具体的には、例えば、支持体分離装置等により、積層体における基板及びサポートプレートの一方を載置台に固定し、吸着手段を備えた吸着パッド(吸着部)等によって他方を保持して持ち上げることで、サポートプレートと基板とを分離するか、又はサポートプレートの周縁部分端部の面取り部位を、クランプ(ツメ部)等を備えた分離プレートによって把持することにより力を加え、基板とサポートプレートとを分離するとよい。また、例えば、接着剤を剥離するための剥離液を供給する剥離手段を備えた支持体分離装置によって、積層体における基板からサポートプレートを剥離してもよい。当該剥離手段によって積層体における接着層の周端部の少なくとも一部に剥離液を供給し、積層体における接着層を膨潤させることにより、当該接着層が膨潤したところから分離層に力が集中するようにして、基板とサポートプレートとに力を加えることができる。このため、基板とサポートプレートとを好適に分離することができる。 Therefore, for example, the support plate and the substrate can be easily separated by changing the quality so that the separation layer is destroyed only by lifting the support plate. More specifically, for example, one of the substrate and the support plate in the stacked body is fixed to the mounting table by a support separation device or the like, and the other is held and lifted by a suction pad (suction unit) or the like equipped with suction means. By separating the support plate and the substrate, or by applying force to the chamfered portion of the peripheral edge of the support plate by a separation plate equipped with a clamp (claw), a force is applied to the substrate and the support plate. It is good to separate and. Further, for example, the support plate may be peeled from the substrate in the laminated body by a support separation device equipped with a peeling unit that supplies a peeling liquid for peeling the adhesive. By supplying the peeling liquid to at least a part of the peripheral edge portion of the adhesive layer in the laminate by the peeling means to swell the adhesive layer in the laminate, the force concentrates from the swelled portion of the adhesive layer to the separation layer. In this way, a force can be applied to the substrate and the support plate. Therefore, the substrate and the support plate can be preferably separated.

積層体に加える力は、積層体の大きさ等により適宜調整すればよく、限定されるものではないが、例えば、直径が300mm程度の積層体であれば、0.1〜5kgf程度の力を加えることによって、基板とサポートプレートとを好適に分離することができる。 The force applied to the laminated body may be appropriately adjusted according to the size of the laminated body and the like, and is not limited. For example, for a laminated body having a diameter of about 300 mm, a force of about 0.1 to 5 kgf is applied. By adding, the substrate and the support plate can be preferably separated.

分離層の厚さは、例えば、0.05μm以上、50μm以下の範囲内であることがより好ましく、0.3μm以上、1μm以下の範囲内であることがさらに好ましい。分離層の厚さが0.05μm以上、50μm以下の範囲に収まっていれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射によって、分離層に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層の厚さは、生産性の観点から1μm以下の範囲に収まっていることが特に好ましい。 The thickness of the separation layer is, for example, more preferably in the range of 0.05 μm or more and 50 μm or less, and further preferably in the range of 0.3 μm or more and 1 μm or less. When the thickness of the separation layer is within the range of 0.05 μm or more and 50 μm or less, desired deterioration can be caused in the separation layer by short-time light irradiation and low-energy light irradiation. Further, the thickness of the separation layer is particularly preferably within the range of 1 μm or less from the viewpoint of productivity.

なお、分離層と支持体との間に他の層がさらに形成されていてもよい。この場合、他の層は光を透過する材料から構成されていればよい。これによって、分離層への光の入射を妨げることなく、好ましい性質等を有する層を、適宜追加することができる。分離層を構成している材料の種類によって、用い得る光の波長が異なる。よって、他の層を構成する材料は、すべての光を透過させる必要はなく、分離層を構成する材料を変質させ得る波長の光を透過させることができる材料から適宜選択し得る。 In addition, another layer may be further formed between the separation layer and the support. In this case, the other layers may be made of a material that transmits light. With this, it is possible to appropriately add a layer having preferable properties and the like without hindering the incidence of light on the separation layer. The wavelength of light that can be used differs depending on the type of material forming the separation layer. Therefore, the material forming the other layers does not need to transmit all the light, and can be appropriately selected from materials capable of transmitting light having a wavelength that can change the quality of the material forming the separation layer.

また、分離層は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して、分離層を形成してもよい。また、分離層における接着層に対向する側の面が平坦である(凹凸が形成されていない)ことが好ましく、これにより、分離層の形成が容易に行え、かつ貼り付けにおいても均一に貼り付けることが可能となる。 Further, the separation layer is preferably formed only of a material having a structure that absorbs light, but within a range that does not impair the essential characteristics of the present invention, a material that does not have a structure that absorbs light is used. It may be added to form a separation layer. Further, it is preferable that the surface of the separation layer on the side facing the adhesive layer is flat (no unevenness is formed), whereby the separation layer can be easily formed, and the separation layer is evenly attached. It becomes possible.

(フルオロカーボン)
分離層は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。分離層を構成するフルオロカーボンは、プラズマCVD(化学気相堆積)法によって好適に成膜することができる。
(Fluorocarbon)
The separation layer may be made of fluorocarbon. The separation layer is made of fluorocarbon so as to be deteriorated by absorbing light, and as a result, loses strength or adhesiveness before being irradiated with light. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support), the separation layer is destroyed and the support and the sealing substrate can be easily separated. The fluorocarbon forming the separation layer can be suitably formed by a plasma CVD (chemical vapor deposition) method.

フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、分離層における光の吸収率は80%以上であることが好ましい。 Fluorocarbons absorb light having a wavelength in a specific range depending on the type. By irradiating the separation layer with light having a wavelength in the range absorbed by the fluorocarbon used for the separation layer, the fluorocarbon can be suitably altered. The light absorption rate of the separation layer is preferably 80% or more.

分離層に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、YAGレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、600nm以下の範囲の波長を用いることができる。 The light for irradiating the separation layer may be a solid laser such as YAG laser, ruby laser, glass laser, YVO 4 laser, LD laser or fiber laser, or liquid laser such as dye laser, depending on the wavelength that can be absorbed by fluorocarbon. , CO 2 laser, excimer laser, Ar laser, gas laser such as He—Ne laser, semiconductor laser, laser light such as free electron laser, or non-laser light may be used as appropriate. The wavelength that can change the quality of the fluorocarbon is not limited to this, but a wavelength in the range of 600 nm or less can be used, for example.

(光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体)
分離層は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。
(A polymer containing a light absorbing structure in its repeating unit)
The separation layer may contain a polymer having a light absorbing structure in its repeating unit. The polymer is deteriorated by being irradiated with light. The alteration of the polymer occurs due to the structure absorbing the irradiated light. The separation layer loses its strength or adhesiveness prior to being exposed to light as a result of the alteration of the polymer. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support), the separation layer is destroyed and the support and the sealing substrate can be easily separated.

光吸収性を有している上記構造は、光を吸収して、繰り返し単位として該構造を含んでいる重合体を変質させる化学構造である。該構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含んでいる原子団である。より詳細には、該構造は、カルド構造、又は上記重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造(ビスフェニルスルホン構造)、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造であり得る。 The above structure having a light absorbing property is a chemical structure that absorbs light and changes the polymer containing the structure as a repeating unit. The structure is, for example, an atomic group containing a conjugated π-electron system consisting of a substituted or unsubstituted benzene ring, a condensed ring or a heterocycle. More specifically, the structure may be a cardo structure, or a benzophenone structure, a diphenyl sulfoxide structure, a diphenyl sulfone structure (bisphenyl sulfone structure), a diphenyl structure or a diphenylamine structure existing in the side chain of the polymer.

上記構造が上記重合体の側鎖に存在する場合、該構造は以下の式によって表され得る。 When the structure is present on the side chain of the polymer, the structure may be represented by the formula:

Figure 0006715142
(式中、Rはそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基、ケトン基、スルホキシド基、スルホン基又はN(R)(R)であり(ここで、R及びRはそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である)、Zは、存在しないか、又は−CO−、−SO−、−SO−若しくは−NH−であり、nは0又は1〜5の整数である。)
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、(a)〜(d)の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、(e)によって表されるか、又は(f)の構造をその主鎖に含んでいる。
Figure 0006715142
(In the formula, each R is independently an alkyl group, an aryl group, a halogen, a hydroxyl group, a ketone group, a sulfoxide group, a sulfone group or N(R 4 )(R 5 ), where R 4 and R 5 each independently, a is), Z is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, absent or -CO is -, - SO 2 -, - a SO- or -NH-, n is It is 0 or an integer of 1 to 5.)
Further, the above-mentioned polymer contains, for example, a repeating unit represented by any one of (a) to (d) in the following formulas, is represented by (e), or is represented by (f). It contains the structure in its backbone.

Figure 0006715142
(式中、lは1以上の整数であり、mは0又は1〜2の整数であり、Xは、(a)〜(e)において上記の“化1”に示した式の何れかであり、(f)において上記の“化1”に示した式の何れかであるか、又は存在せず、Y及びYはそれぞれ独立して、−CO−又はSO−である。lは好ましくは10以下の整数である。)
上記の“化1”に示されるベンゼン環、縮合環及び複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオリム、置換フルオリム、フルオリモン、置換フルオリモン、カルバゾール、置換カルバゾール、N−アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナントレン、置換フェナントレン、ピレン及び置換ピレンが挙げられる。例示した置換基がさらに置換基を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノ及びアリールアミノから選択される。
Figure 0006715142
(In the formula, l is an integer of 1 or more, m is 0 or an integer of 1 to 2, and X is any one of the formulas shown in the above "Chemical formula 1" in (a) to (e). Yes, in any one of the formulas shown in the above “Chemical formula 1” in (f) or does not exist, Y 1 and Y 2 are each independently —CO— or SO 2 —. Is preferably an integer of 10 or less.)
Examples of the benzene ring, the condensed ring and the heterocycle shown in the above “Chemical Formula 1” include phenyl, substituted phenyl, benzyl, substituted benzyl, naphthalene, substituted naphthalene, anthracene, substituted anthracene, anthraquinone, substituted anthraquinone, acridine, substituted Examples include acridine, azobenzene, substituted azobenzene, fluorimme, substituted fluorimme, fluorimone, substituted fluorimone, carbazole, substituted carbazole, N-alkylcarbazole, dibenzofuran, substituted dibenzofuran, phenanthrene, substituted phenanthrene, pyrene and substituted pyrene. When the exemplified substituent further has a substituent, the substituent is, for example, alkyl, aryl, halogen atom, alkoxy, nitro, aldehyde, cyano, amide, dialkylamino, sulfonamide, imide, carboxylic acid, It is selected from carboxylic acid ester, sulfonic acid, sulfonic acid ester, alkylamino and arylamino.

上記の“化1”に示される置換基のうち、フェニル基を2つ有している5番目の置換基であって、Zが−SO−である場合の例としては、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,4−ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,5−ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,6−ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)スルホン、及びビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)スルホン等が挙げられる。 Among the substituents shown in the above “Chemical formula 1”, the fifth substituent having two phenyl groups, wherein Z is —SO 2 — is exemplified by bis(2, 4-dihydroxyphenyl) sulfone, bis(3,4-dihydroxyphenyl) sulfone, bis(3,5-dihydroxyphenyl) sulfone, bis(3,6-dihydroxyphenyl) sulfone, bis(4-hydroxyphenyl) sulfone, bis Examples thereof include (3-hydroxyphenyl) sulfone, bis(2-hydroxyphenyl) sulfone, and bis(3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) sulfone.

上記の“化1”に示される置換基のうち、フェニル基を2つ有している5番目の置換基であって、Zが−SO−である場合の例としては、ビス(2,3−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(5−クロロ−2,3−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,4−ジヒドロキシ−6−メチルフェニル)スルホキシド、ビス(5−クロロ−2,4−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,5−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(3,4−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(3,5−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,3,4−トリヒドロキシ−6−メチルフェニル)−スルホキシド、ビス(5−クロロ−2,3,4−トリヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,4,6−トリヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(5−クロロ−2,4,6−トリヒドロキシフェニル)スルホキシド等が挙げられる。 Among the substituents shown in the above “Chemical formula 1”, the fifth substituent having two phenyl groups, and the case where Z is —SO— is, for example, bis(2,3 -Dihydroxyphenyl)sulfoxide, bis(5-chloro-2,3-dihydroxyphenyl)sulfoxide, bis(2,4-dihydroxyphenyl)sulfoxide, bis(2,4-dihydroxy-6-methylphenyl)sulfoxide, bis(5 -Chloro-2,4-dihydroxyphenyl)sulfoxide, bis(2,5-dihydroxyphenyl)sulfoxide, bis(3,4-dihydroxyphenyl)sulfoxide, bis(3,5-dihydroxyphenyl)sulfoxide, bis(2,3) ,4-trihydroxyphenyl)sulfoxide, bis(2,3,4-trihydroxy-6-methylphenyl)-sulfoxide, bis(5-chloro-2,3,4-trihydroxyphenyl)sulfoxide, bis(2,2 4,6-trihydroxyphenyl) sulfoxide, bis(5-chloro-2,4,6-trihydroxyphenyl) sulfoxide and the like can be mentioned.

上記の“化1”に示される置換基のうち、フェニル基を2つ有している5番目の置換基であって、Zが−C(=O)−である場合の例としては、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,5,6’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−オクトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−ドデシルオキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2,6−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシベンゾフェノン、4−アミノ−2’−ヒドロキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノ−2’−ヒドロキシベンゾフェノン、4−ジエチルアミノ−2’−ヒドロキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノ−4’−メトキシ−2’−ヒドロキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノ−2’,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、及び4−ジメチルアミノ−3’,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。 Among the substituents shown in the above “Chemical formula 1”, the fifth substituent having two phenyl groups, wherein Z is —C(═O)—, is exemplified by 2 ,4-dihydroxybenzophenone, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,2',4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,2',5,6'-tetrahydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4- Methoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-octoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-dodecyloxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,6-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,2' -Dihydroxy-4,4'-dimethoxybenzophenone, 4-amino-2'-hydroxybenzophenone, 4-dimethylamino-2'-hydroxybenzophenone, 4-diethylamino-2'-hydroxybenzophenone, 4-dimethylamino-4'- Methoxy-2'-hydroxybenzophenone, 4-dimethylamino-2',4'-dihydroxybenzophenone, 4-dimethylamino-3',4'-dihydroxybenzophenone and the like can be mentioned.

上記構造が上記重合体の側鎖に存在している場合、上記構造を含んでいる繰り返し単位の、上記重合体に占める割合は、分離層の光の透過率が0.001%以上、10%以下になる範囲内にある。該割合がこのような範囲に収まるように重合体が調製されていれば、分離層が十分に光を吸収して、確実かつ迅速に変質し得る。すなわち、封止基板からの支持体の除去が容易であり、該除去に必要な光の照射時間を短縮させることができる。 When the structure is present in the side chain of the polymer, the proportion of the repeating unit containing the structure in the polymer is such that the light transmittance of the separation layer is 0.001% or more and 10% or more. It is within the following range. When the polymer is prepared so that the ratio falls within such a range, the separation layer can sufficiently absorb light and be surely and rapidly deteriorated. That is, the support can be easily removed from the sealing substrate, and the light irradiation time required for the removal can be shortened.

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記構造が吸収可能な光の波長は、100nm以上、2,000nm以下の範囲内であることがより好ましい。この範囲内のうち、上記構造が吸収可能な光の波長は、より短波長側であり、例えば、100nm以上、500nm以下の範囲内である。例えば、上記構造は、好ましくはおよそ300nm以上、370nm以下の範囲内の波長を有している紫外光を吸収することによって、該構造を含んでいる重合体を変質させ得る。 The above structure can absorb light having a wavelength in a desired range depending on the selection of its type. For example, the wavelength of light that can be absorbed by the structure is more preferably in the range of 100 nm or more and 2,000 nm or less. Within this range, the wavelength of light that can be absorbed by the structure is on the shorter wavelength side, for example, within the range of 100 nm or more and 500 nm or less. For example, the structure may alter the polymer containing the structure by absorbing ultraviolet light, preferably having a wavelength in the range of about 300 nm to 370 nm.

上記構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ(波長:254nm以上、436nm以下)、KrFエキシマレーザ(波長:248nm)、ArFエキシマレーザ(波長:193nm)、F2エキシマレーザ(波長:157nm)、XeClレーザ(波長:308nm)、XeFレーザ(波長:351nm)若しくは固体UVレーザ(波長:355nm)から発せられる光、又はg線(波長:436nm)、h線(波長:405nm)若しくはi線(波長:365nm)等である。 Light that can be absorbed by the structure is, for example, a high pressure mercury lamp (wavelength: 254 nm or more and 436 nm or less), a KrF excimer laser (wavelength: 248 nm), an ArF excimer laser (wavelength: 193 nm), an F2 excimer laser (wavelength: 157 nm). , XeCl laser (wavelength: 308 nm), XeF laser (wavelength: 351 nm) or solid-state UV laser (wavelength: 355 nm), g-line (wavelength: 436 nm), h-line (wavelength: 405 nm) or i-line ( Wavelength: 365 nm) and the like.

上述した分離層は、繰り返し単位として上記構造を含んでいる重合体を含有しているが、分離層はさらに、上記重合体以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及び支持体の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による光の吸収、及び重合体の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。 Although the separation layer described above contains a polymer containing the above structure as a repeating unit, the separation layer may further contain components other than the above polymer. Examples of the component include a filler, a plasticizer, and a component capable of improving the releasability of the support. These components are appropriately selected from conventionally known substances or materials that do not prevent or accelerate the absorption of light by the above structure and the alteration of the polymer.

(無機物)
分離層は、無機物からなっていてもよい。分離層は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体1を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。
(Inorganic)
The separation layer may be made of an inorganic material. Since the separation layer is made of an inorganic material, it is modified by absorbing light, and as a result, loses strength or adhesiveness before being irradiated with light. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support 1), the separation layer is destroyed, and the support and the sealing substrate can be easily separated.

上記無機物は、光を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、金属、金属化合物及びカーボンからなる群より選択される1種類以上の無機物を好適に用いることができる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物を指し、例えば、金属酸化物、金属窒化物であり得る。このような無機物の例示としては、これに限定されるものではないが、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、SiO、SiN、Si、TiN、及びカーボンからなる群より選ばれる1種類以上の無機物が挙げられる。なお、カーボンとは炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えば、ダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等であり得る。 The above-mentioned inorganic substance may have any constitution as long as it is transformed by absorbing light, and for example, one or more kinds of inorganic substances selected from the group consisting of metals, metal compounds and carbon can be preferably used. The metal compound refers to a compound containing a metal atom, and may be, for example, a metal oxide or a metal nitride. Examples of such inorganic substances include, but are not limited to, gold, silver, copper, iron, nickel, aluminum, titanium, chromium, SiO 2 , SiN, Si 3 N 4 , TiN, and carbon. One or more kinds of inorganic substances selected from the group consisting of Note that carbon is a concept that can also include an allotrope of carbon, and can be, for example, diamond, fullerene, diamond-like carbon, carbon nanotube, or the like.

上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いた無機物が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、上記無機物を好適に変質させ得る。 The inorganic substance absorbs light having a wavelength in a specific range depending on its type. By irradiating the separation layer with light having a wavelength in the range that the inorganic material used for the separation layer absorbs, the above-mentioned inorganic material can be suitably altered.

無機物からなる分離層に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、YAGレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。 The light for irradiating the separation layer made of an inorganic substance may be, for example, a solid-state laser such as a YAG laser, a ruby laser, a glass laser, a YVO 4 laser, an LD laser, a fiber laser, or a dye laser, depending on the wavelength that can be absorbed by the inorganic substance. Liquid laser such as CO 2 laser, gas laser such as CO 2 laser, excimer laser, Ar laser, He—Ne laser, semiconductor laser, laser light such as free electron laser, or non-laser light may be used as appropriate.

無機物からなる分離層は、例えばスパッタ、化学蒸着(CVD)、メッキ、プラズマCVD、スピンコート等の公知の技術により、支持体上に形成され得る。無機物からなる分離層の厚さは特に限定されず、使用する光を十分に吸収し得る膜厚であればよいが、例えば、0.05μm以上、10μm以下の範囲内の膜厚とすることがより好ましい。また、分離層を構成する無機物からなる無機膜(例えば、金属膜)の両面又は片面に予め接着剤を塗布し、支持体に貼り付けてもよい。 The separation layer made of an inorganic material can be formed on the support by a known technique such as sputtering, chemical vapor deposition (CVD), plating, plasma CVD, or spin coating. The thickness of the separation layer made of an inorganic material is not particularly limited as long as it is a film thickness that can sufficiently absorb the light to be used, but for example, the thickness may be in the range of 0.05 μm or more and 10 μm or less. More preferable. In addition, an adhesive may be applied in advance to both surfaces or one surface of an inorganic film (for example, a metal film) made of an inorganic material that constitutes the separation layer and then attached to the support.

なお、分離層として金属膜を使用する場合には、分離層の膜質、レーザ光源の種類、レーザ出力等の条件によっては、レーザの反射や膜への帯電等が起こり得る。そのため、反射防止膜や帯電防止膜を分離層の上下又はどちらか一方に設けることで、それらの対策を図ることが好ましい。 When a metal film is used as the separation layer, laser reflection or film charging may occur depending on conditions such as the quality of the separation layer, the type of laser light source, and laser output. Therefore, it is preferable to take measures against them by providing an antireflection film or an antistatic film above or below the separation layer or one of them.

(赤外線吸収性の構造を有する化合物)
分離層は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。
(Compound having infrared absorbing structure)
The separation layer may be formed of a compound having an infrared absorbing structure. The compound is altered by absorbing infrared rays. The separation layer loses its strength or adhesion before being exposed to infrared radiation as a result of the alteration of the compound. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support), the separation layer is destroyed and the support and the sealing substrate can be easily separated.

赤外線吸収性を有している構造、又は赤外線吸収性を有している構造を含む化合物としては、例えば、アルカン、アルケン(ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式)、アルキン(一置換、二置換)、単環式芳香族(ベンゼン、一置換、二置換、三置換)、アルコール及びフェノール類(自由OH、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級)、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、1,3−ジケトンのエノール、o−ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸(二量体、カルボン酸アニオン)、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン(β−、γ−、δ−)、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物(共役、非共役、環式、非環式)、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン(脂肪族、芳香族)、第二級アミン(脂肪族、芳香族)、第三級アミン(脂肪族、芳香族)、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合(脂肪族、芳香族、単量体、二量体)、メルカプタン及びチオフェノール及びチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素−ハロゲン結合、Si−A結合(Aは、H、C、O又はハロゲン)、P−A結合(Aは、H、C又はO)、又はTi−O結合であり得る。 Examples of the compound having an infrared absorbing structure or a structure having an infrared absorbing property include, for example, alkanes, alkenes (vinyl, trans, cis, vinylidene, trisubstituted, tetrasubstituted, conjugated, cumulene, Cyclic), alkynes (mono-substituted, di-substituted), monocyclic aromatics (benzene, mono-substituted, di-substituted, tri-substituted), alcohols and phenols (free OH, intramolecular hydrogen bond, intermolecular hydrogen bond, saturated) Secondary, saturated tertiary, unsaturated secondary, unsaturated tertiary), acetal, ketal, aliphatic ether, aromatic ether, vinyl ether, oxirane ring ether, peroxide ether, ketone, dialkylcarbonyl, Aromatic carbonyl, 1,3-diketone enol, o-hydroxyaryl ketone, dialkyl aldehyde, aromatic aldehyde, carboxylic acid (dimer, carboxylate anion), formate ester, acetate ester, conjugated ester, non-conjugated ester, Aromatic ester, lactone (β-, γ-, δ-), aliphatic acid chloride, aromatic acid chloride, acid anhydride (conjugated, non-conjugated, cyclic, acyclic), primary amide, Secondary amide, lactam, primary amine (aliphatic, aromatic), secondary amine (aliphatic, aromatic), tertiary amine (aliphatic, aromatic), primary amine salt, secondary Secondary amine salt, tertiary amine salt, ammonium ion, aliphatic nitrile, aromatic nitrile, carbodiimide, aliphatic isonitrile, aromatic isonitrile, isocyanic acid ester, thiocyanic acid ester, aliphatic isothiocyanic acid ester, aromatic isothiocyanic acid Ester, aliphatic nitro compound, aromatic nitro compound, nitramine, nitrosamine, nitrate ester, nitrite ester, nitroso bond (aliphatic, aromatic, monomer, dimer), mercaptan and thiophenol and thiol acid etc. Sulfur compounds, thiocarbonyl groups, sulfoxides, sulfones, sulfonyl chlorides, primary sulfonamides, secondary sulfonamides, sulfuric acid esters, carbon-halogen bonds, Si-A 1 bonds (A 1 is H, C, O or halogen), P-A 2 bonds (A 2 are, H, may be C or O), or Ti-O bonds.

上記炭素−ハロゲン結合を含む構造としては、例えば、−CHCl、−CHBr、−CHI、−CF−、−CF、−CH=CF、−CF=CF、フッ化アリール、及び塩化アリール等が挙げられる。 As a structure containing halogen bond, for example, -CH 2 Cl, -CH 2 Br , -CH 2 I, -CF 2 - - the carbon, - CF 3, -CH = CF 2, -CF = CF 2, fluoride And aryl chloride and the like.

上記Si−A結合を含む構造としては、SiH、SiH、SiH、Si−CH、Si−CH−、Si−C、SiO−脂肪族、Si−OCH、Si−OCHCH、Si−OC、Si−O−Si、Si−OH、SiF、SiF、及びSiF等が挙げられる。Si−A結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格及びシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。 As a structure including the Si-A 1 bond, SiH, SiH 2, SiH 3 , Si-CH 3, Si-CH 2 -, Si-C 6 H 5, SiO- aliphatic, Si-OCH 3, Si- OCH 2 CH 3, Si-OC 6 H 5, Si-O-Si, Si-OH, SiF, SiF 2, and SiF 3, and the like. As a structure containing a Si—A 1 bond, it is particularly preferable to form a siloxane skeleton and a silsesquioxane skeleton.

上記P−A結合を含む構造としては、PH、PH、P−CH、P−CH−、P−C、A −P−O(Aは脂肪族又は芳香族)、(AO)−P−O(Aはアルキル)、P−OCH、P−OCHCH、P−OC、P−O−P、P−OH、及びO=P−OH等が挙げられる。 The structure including the P-A 2 binding, PH, PH 2, P- CH 3, P-CH 2 -, P-C 6 H 5, A 3 3 -P-O (A 3 are aliphatic or aromatic family), (A 4 O) 3 -P-O (A 4 alkyl), P-OCH 3, P -OCH 2 CH 3, P-OC 6 H 5, P-O-P, P-OH, and O=P-OH and the like can be mentioned.

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば1μm以上、20μm以下の範囲内であり、2μm以上、15μm以下の範囲内をより好適に吸収することができる。さらに、上記構造がSi−O結合、Si−C結合及びTi−O結合である場合には、9μm以上、11μm以下の範囲内であり得る。なお、各構造が吸収できる赤外線の波長は当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献:SILVERSTEIN・BASSLER・MORRILL著「有機化合物のスペクトルによる同定法(第5版)−MS、IR、NMR、UVの併用−」(1992年発行)第146頁〜第151頁の記載を参照することができる。 The above structure can absorb infrared rays having a wavelength in a desired range depending on the selection of its type. Specifically, the wavelength of infrared rays that can be absorbed by the structure is, for example, in the range of 1 μm or more and 20 μm or less, and can be more preferably absorbed in the range of 2 μm or more and 15 μm or less. Furthermore, when the structure is a Si—O bond, a Si—C bond, and a Ti—O bond, it may be in the range of 9 μm or more and 11 μm or less. Those skilled in the art can easily understand the wavelength of infrared rays that each structure can absorb. For example, as an absorption band in each structure, non-patent document: SILVERSTEIN, BASLER, MORILL, "Identification method by spectra of organic compounds (5th edition)-combination of MS, IR, NMR, and UV-" (published in 1992) Reference can be made to the descriptions on pages 146 to 151.

分離層の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解することができ、固化されて固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層における化合物を効果的に変質させ、支持体と封止基板との分離を容易にするには、分離層における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層における赤外線の透過率が90%より低いことが好ましく、赤外線の透過率が80%より低いことがより好ましい。 As the compound having an infrared absorbing structure used for forming the separation layer, among the compounds having the above-mentioned structures, the compound can be dissolved in a solvent for coating and solidified to form a solid layer. It is not particularly limited as long as it can form However, in order to effectively modify the compound in the separation layer and facilitate the separation of the support and the sealing substrate, the absorption of infrared rays in the separation layer is large, that is, when the separation layer is irradiated with infrared rays. It is preferable that the infrared transmittance is low. Specifically, the infrared transmittance of the separation layer is preferably lower than 90%, more preferably the infrared transmittance of lower than 80%.

一例を挙げて説明すれば、シロキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式(1)で表される繰り返し単位及び下記化学式(2)で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂、あるいは下記化学式(1)で表される繰り返し単位及びアクリル系化合物由来の繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。 For example, as a compound having a siloxane skeleton, for example, a resin which is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (1) and a repeating unit represented by the following chemical formula (2), or A resin that is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (1) and a repeating unit derived from an acrylic compound can be used.

Figure 0006715142
(化学式(2)中、Rは、水素、炭素数10以下のアルキル基、又は炭素数10以下のアルコキシ基である。)
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記化学式(1)で表される繰り返し単位及び下記化学式(3)で表される繰り返し単位の共重合体であるt−ブチルスチレン(TBST)−ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記化学式(2)で表される繰り返し単位及び下記化学式(3)で表される繰り返し単位を1:1で含む、TBST−ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。
Figure 0006715142
(In the chemical formula (2), R 6 is hydrogen, an alkyl group having 10 or less carbon atoms, or an alkoxy group having 10 or less carbon atoms.)
Among them, as a compound having a siloxane skeleton, a t-butylstyrene (TBST)-dimethylsiloxane copolymer, which is a copolymer of the repeating unit represented by the above chemical formula (1) and the repeating unit represented by the following chemical formula (3), is used. A polymer is more preferable, and a TBST-dimethylsiloxane copolymer containing a repeating unit represented by the above chemical formula (2) and a repeating unit represented by the following chemical formula (3) in a ratio of 1:1 is more preferable.

Figure 0006715142
また、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式(4)で表される繰り返し単位及び下記化学式(5)で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。
Figure 0006715142
Further, as the compound having a silsesquioxane skeleton, for example, a resin which is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (4) and a repeating unit represented by the following chemical formula (5) can be used. ..

Figure 0006715142
(化学式(4)中、Rは、水素又は炭素数1以上、10以下のアルキル基であり、化学式(5)中、Rは、炭素数1以上、10以下のアルキル基、又はフェニル基である。)
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開2007−258663号公報(2007年10月4日公開)、特開2010−120901号公報(2010年6月3日公開)、特開2009−263316号公報(2009年11月12日公開)、及び特開2009−263596号公報(2009年11月12日公開)において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。
Figure 0006715142
(In the chemical formula (4), R 7 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and in the chemical formula (5), R 8 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a phenyl group. It is.)
Examples of the compound having a silsesquioxane skeleton include JP-A 2007-258663 (published on October 4, 2007) and JP-A 2010-120901 (published on June 3, 2010). Each silsesquioxane resin disclosed in JP-A-2009-263316 (published on November 12, 2009) and JP-A-2009-263596 (published on November 12, 2009) is preferably used. be able to.

中でも、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、下記化学式(6)で表される繰り返し単位及び下記化学式(7)で表される繰り返し単位の共重合体がより好ましく、下記化学式(6)で表される繰り返し単位及び下記化学式(7)で表される繰り返し単位を7:3で含む共重合体がさらに好ましい。 Among them, as the compound having a silsesquioxane skeleton, a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (6) and a repeating unit represented by the following chemical formula (7) is more preferable, and a compound having the following chemical formula (6) A copolymer containing a repeating unit represented by the following formula and a repeating unit represented by the following chemical formula (7) in a ratio of 7:3 is more preferable.

Figure 0006715142
シルセスキオキサン骨格を有する重合体としては、ランダム構造、ラダー構造、及び籠型構造があり得るが、何れの構造であってもよい。
Figure 0006715142
The polymer having a silsesquioxane skeleton may have a random structure, a ladder structure, or a cage structure, but may have any structure.

また、Ti−O結合を含む化合物としては、例えば、(i)テトラ−i−プロポキシチタン、テトラ−n−ブトキシチタン、テトラキス(2−エチルヘキシルオキシ)チタン、及びチタニウム−i−プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン;(ii)ジ−i−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナト)チタン、及びプロパンジオキシチタンビス(エチルアセトアセテート)等のキレートチタン;(iii)i−CO−[−Ti(O−i−C−O−]−i−C、及びn−CO−[−Ti(O−n−C−O−]−n−C等のチタンポリマー;(iv)トリ−n−ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ−i−プロポキシチタンジイソステアレート、及び(2−n−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ)トリブトキシチタン等のアシレートチタン;(v)ジ−n−ブトキシ・ビス(トリエタノールアミナト)チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。 Examples of the compound containing a Ti—O bond include (i) tetra-i-propoxytitanium, tetra-n-butoxytitanium, tetrakis(2-ethylhexyloxy)titanium, and titanium-i-propoxyoctyleneglycolate. (ii) di -i- propoxy bis (acetylacetonato) titanium, and propane di oxytitanium bis (ethylacetoacetate) chelate titanium such as; alkoxy titanium etc. (iii) i-C 3 H 7 O - [- Ti (O-i-C 3 H 7) 2 -O-] n -i-C 3 H 7, and n-C 4 H 9 O - [- Ti (O-n-C 4 H 9) 2 -O -] n -n-C 4 titanium polymers such as H 9; (iv) tri -n- butoxy titanium monostearate, titanium stearate, di -i- propoxytitanium diisostearate, and (2-n-butoxy Carbonylbenzoyloxy)tributoxy titanium and the like acylate titanium; and (v) di-n-butoxy bis(triethanolaminato) titanium and other water-soluble titanium compounds.

中でも、Ti−O結合を含む化合物としては、ジ−n−ブトキシ・ビス(トリエタノールアミナト)チタン(Ti(OC[OCN(COH))が好ましい。 Among them, as the compound containing a Ti-O bond, di -n- butoxy bis (triethanolaminato) titanium (Ti (OC 4 H 9) 2 [OC 2 H 4 N (C 2 H 4 OH) 2] 2 ) is preferred.

上述した分離層は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有しているが、分離層はさらに、上記化合物以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及び支持体の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による赤外線の吸収、及び化合物の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。 Although the separation layer described above contains a compound having an infrared absorbing structure, the separation layer may further contain a component other than the above compound. Examples of the component include a filler, a plasticizer, and a component capable of improving the releasability of the support. These components are appropriately selected from conventionally known substances or materials that do not prevent or accelerate the absorption of infrared rays by the above structure and the deterioration of the compound.

(赤外線吸収物質)
分離層は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。分離層は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。
(Infrared absorbing material)
The separation layer may contain an infrared absorbing substance. The separation layer is configured to contain an infrared absorbing substance so as to be deteriorated by absorbing light, and as a result, loses strength or adhesiveness before being irradiated with light. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support), the separation layer is destroyed and the support and the sealing substrate can be easily separated.

赤外線吸収物質は、赤外線を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。 The infrared absorbing substance may have any constitution as long as it is modified by absorbing infrared rays, and for example, carbon black, iron particles, or aluminum particles can be preferably used. The infrared absorbing material absorbs light having a wavelength in a specific range depending on its type. By irradiating the separation layer with light having a wavelength in the range that the infrared absorption material used for the separation layer absorbs, the infrared absorption material can be suitably altered.

(反応性ポリシルセスキオキサン)
分離層は、反応性ポリシルセスキオキサンを重合させることにより形成することができる。これにより、分離層は、高い耐薬品性と高い耐熱性とを備えている。
(Reactive polysilsesquioxane)
The separation layer can be formed by polymerizing a reactive polysilsesquioxane. As a result, the separation layer has high chemical resistance and high heat resistance.

本明細書中において、反応性ポリシルセスキオキサンとは、ポリシルセスキオキサン骨格の末端にシラノール基、又は、加水分解することによってシラノール基を形成することができる官能基を有するポリシルセスキオキサンであり、当該シラノール基又はシラノール基を形成することができる官能基を縮合することによって、互いに重合することができるものである。また、反応性ポリシルセスキオキサンは、シラノール基、又は、シラノール基を形成することができる官能基を備えていれば、ランダム構造、籠型構造、ラダー構造等のシルセスキオキサン骨格を備えている反応性ポリシルセスキオキサンを採用することができる。 In the present specification, the reactive polysilsesquioxane is a polysilsesquioxane having a silanol group at the end of the polysilsesquioxane skeleton or a functional group capable of forming a silanol group by hydrolysis. Oxane, which can be polymerized with each other by condensing the silanol group or a functional group capable of forming the silanol group. Further, the reactive polysilsesquioxane has a silsesquioxane skeleton such as a random structure, a cage structure, and a ladder structure if it has a silanol group or a functional group capable of forming a silanol group. Reactive polysilsesquioxanes can be employed.

また、反応性ポリシルセスキオキサンは、下記化学式(8)に示す構造を有していることがより好ましい。 Further, the reactive polysilsesquioxane more preferably has a structure represented by the following chemical formula (8).

Figure 0006715142
化学式(8)中、R”は、それぞれ独立して、水素及び炭素数1以上、10以下のアルキル基からなる群より選択され、水素及び炭素数1以上、5以下のアルキル基からなる群より選択されることがより好ましい。R”が、水素又は炭素数1以上、10以下のアルキル基であれば、分離層形成工程における加熱によって、化学式(8)によって表される反応性ポリシルセスキオキサンを好適に縮合させることができる。
Figure 0006715142
In the chemical formula (8), R″ is independently selected from the group consisting of hydrogen and an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R″ is selected from the group consisting of hydrogen and an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. More preferably, R″ is hydrogen or an alkyl group having 1 or more and 10 or less carbon atoms, and the reactive polysilsesquioxy group represented by the chemical formula (8) is heated by heating in the separation layer forming step. Sun can be suitably condensed.

化学式(8)中、pは、1以上、100以下の整数であることが好ましく、1以上、50以下の整数であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンは、化学式(8)で表される繰り返し単位を備えることによって、他の材料を用いて形成するよりもSi−O結合の含有量が高く、赤外線(0.78μm以上、1,000μm以下)、好ましくは遠赤外線(3μm以上、1,000μm以下)、さらに好ましくは波長9μm以上、11μm以下における吸光度の高い分離層を形成することができる。 In chemical formula (8), p is preferably an integer of 1 or more and 100 or less, and more preferably an integer of 1 or more and 50 or less. The reactive polysilsesquioxane has a repeating unit represented by the chemical formula (8), so that it has a higher Si—O bond content than that formed by using other materials, and infrared rays (0.78 μm or more). , 1,000 μm or less), preferably far infrared rays (3 μm or more and 1,000 μm or less), and more preferably a wavelength of 9 μm or more and 11 μm or less.

また、化学式(8)中、R’は、それぞれ独立して、互いに同じか、又は異なる有機基である。ここで、Rは、例えば、アリール基、アルキル基、及び、アルケニル基等であり、これらの有機基は置換基を有していてもよい。 Further, in the chemical formula (8), R's are independently the same or different organic groups. Here, R is, for example, an aryl group, an alkyl group, an alkenyl group, or the like, and these organic groups may have a substituent.

R’がアリール基である場合、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等を挙げることができ、フェニル基であることがより好ましい。また、アリール基は、炭素数1〜5のアルキレン基を介してポリシルセスキオキサン骨格に結合していてもよい。 When R'is an aryl group, a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group and the like can be mentioned, and a phenyl group is more preferable. Further, the aryl group may be bonded to the polysilsesquioxane skeleton via an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms.

R’がアルキル基である場合、アルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキル基を挙げることができる。また、Rがアルキル基である場合、炭素数は1〜15であることが好ましく、1〜6であることがより好ましい。また、Rが、環状のアルキル基である場合、単環状又は2〜4環状の構造をしたアルキル基であってもよい。 When R'is an alkyl group, the alkyl group may be a linear, branched or cyclic alkyl group. When R is an alkyl group, it preferably has 1 to 15 carbon atoms, and more preferably 1 to 6 carbon atoms. When R is a cyclic alkyl group, it may be an alkyl group having a monocyclic structure or a 2-4 cyclic structure.

R’がアルケニル基である場合、アルキル基の場合と同様に、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルケニル基を挙げることができ、アルケニル基は、炭素数が2〜15であることが好ましく、2〜6であることがより好ましい。また、Rが、環状のアルケニル基である場合、単環状又は2〜4環状の構造をしたアルケニル基であってもよい。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、及びアリル基等を挙げることができる。 When R'is an alkenyl group, a linear, branched, or cyclic alkenyl group can be mentioned as in the case of an alkyl group, and the alkenyl group has 2 to 15 carbon atoms. It is more preferably 2 to 6. Further, when R is a cyclic alkenyl group, it may be a monocyclic or alkenyl group having a structure of 2 to 4 rings. Examples of the alkenyl group include a vinyl group and an allyl group.

また、R’が有し得る置換基としては、水酸基及びアルコキシ基等を挙げることができる。置換基がアルコキシ基である場合、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキルアルコキシ基を挙げることができ、アルコキシ基における炭素数は1〜15であることが好ましく、1〜10であることがより好ましい。 Moreover, a hydroxyl group, an alkoxy group, etc. can be mentioned as a substituent which R'may have. When the substituent is an alkoxy group, a linear, branched or cyclic alkylalkoxy group can be mentioned, and the alkoxy group preferably has 1 to 15 carbon atoms, and 1 to 10 carbon atoms. Is more preferable.

また、一つの観点において、反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量は、70モル%以上、99モル%以下であることが好ましく、80モル%以上、99モル%以下であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量が70モル%以上、99モル%以下であれば、赤外線(好ましくは遠赤外線、さらに好ましくは波長9μm以上、11μm以下の光)を照射することによって好適に変質させることができる分離層を形成することができる。 Further, in one aspect, the siloxane content of the reactive polysilsesquioxane is preferably 70 mol% or more and 99 mol% or less, and more preferably 80 mol% or more and 99 mol% or less. .. If the siloxane content of the reactive polysilsesquioxane is 70 mol% or more and 99 mol% or less, it is preferable to irradiate infrared rays (preferably far infrared rays, more preferably light having a wavelength of 9 μm or more and 11 μm or less). It is possible to form a separation layer that can be transformed into

また、一つの観点において、反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量(Mw)は、500以上、50,000以下であることが好ましく、1,000以上、10,000以下であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量(Mw)が500以上、50,000以下であれば、溶剤に好適に溶解させることができ、サポートプレート上に好適に塗布することができる。 In one aspect, the weight average molecular weight (Mw) of the reactive polysilsesquioxane is preferably 500 or more and 50,000 or less, and more preferably 1,000 or more and 10,000 or less. preferable. When the weight average molecular weight (Mw) of the reactive polysilsesquioxane is 500 or more and 50,000 or less, the reactive polysilsesquioxane can be suitably dissolved in a solvent and can be suitably coated on the support plate.

反応性ポリシルセスキオキサンとして用いることができる市販品としては、例えば、小西化学工業株式会社製のSR−13、SR−21、SR−23及びSR−33等を挙げることができる。 Examples of commercially available products that can be used as the reactive polysilsesquioxane include SR-13, SR-21, SR-23, and SR-33 manufactured by Konishi Chemical Industry Co., Ltd.

<積層体の製造方法、及び基板処理方法>
本発明の一実施形態(実施形態1)に係る積層体の製造方法は、素子が実装される再配線層と、上記素子を封止材によって封止した封止体とを備えている封止基板を、上記封止基板を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体の製造方法であって、上記支持体上に、上述の接着剤組成物を塗布することにより上記接着層を形成する接着層形成工程を包含している。また、本実施形態に係る積層体の製造方法において、支持体は、光を透過する材料からなる支持体であり、上記接着層形成工程前に、上記支持体上に光を照射することにより変質する分離層を形成する分離層形成工程を包含している。
<Method for manufacturing laminated body and method for treating substrate>
A method for manufacturing a laminated body according to one embodiment (Embodiment 1) of the present invention includes a rewiring layer on which an element is mounted, and a sealing body obtained by sealing the element with a sealing material. A method for producing a laminate, which comprises laminating a substrate on a support for supporting the sealing substrate via an adhesive layer, wherein the adhesive composition described above is applied onto the support. It includes an adhesive layer forming step of forming an adhesive layer. Further, in the method for manufacturing a laminated body according to the present embodiment, the support is a support made of a material that transmits light, and is modified by irradiating the support with light before the adhesive layer forming step. And a separation layer forming step of forming a separation layer.

また、本実施形態に係る基板処理方法は、本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法によって、上記積層体を製造した後、上記支持体を介して光を照射することで、上記分離層を変質させることにより、上記積層体から上記支持体を分離する分離工程と、分離工程後、上記封止基板側に残る上記接着層の残渣を洗浄液によって除去する除去工程とを包含している。 In addition, the substrate processing method according to the present embodiment is a method for manufacturing a laminated body according to an embodiment of the present invention, and after the laminated body is manufactured, the separation is performed by irradiating light through the support. It includes a separation step of separating the support from the laminate by modifying the layer, and a removal step of removing the residue of the adhesive layer remaining on the sealing substrate side by a cleaning liquid after the separation step. ..

図1は、本発明の実施形態1に係る積層体の製造方法、及び基板処理方法における各工程を説明する図である。本実施形態に係る積層体の製造方法は、分離層形成工程、接着層形成工程、及び封止基板形成工程をこの順に実施する。 FIG. 1 is a diagram for explaining each step in the method for manufacturing a laminated body and the substrate processing method according to the first embodiment of the present invention. In the method for manufacturing a laminated body according to this embodiment, the separation layer forming step, the adhesive layer forming step, and the sealing substrate forming step are performed in this order.

[分離層形成工程]
図1の(a)に示すように、分離層形成工程では、光を透過する支持体1の一方の平面部1aに、例えば、化学気相成長(CVD)法等により、光を照射することで変質する分離層2を形成する。なお、「一方の平面部」とは、支持体1が有する平面部のうちの一つを指す。また、「平面部」は、実質的に平面と見なせる程度の微細な凹凸を有していてもよい。
[Separation layer forming step]
As shown in FIG. 1A, in the separation layer forming step, one flat surface portion 1a of the support 1 that transmits light is irradiated with light by, for example, a chemical vapor deposition (CVD) method. The separation layer 2 which is altered by the above is formed. The “one flat surface portion” refers to one of the flat surface portions of the support 1. In addition, the “planar portion” may have minute irregularities that can be regarded as a substantially flat surface.

[接着層形成工程]
図1の(b)に示すように、接着層形成工程では、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により上述の接着剤組成物を塗布し、加熱するか、又は、減圧環境下に置くことにより、接着剤組成物に含まれている希釈溶剤を除去する。その後、接着層が熱重合開始剤を含んでいる場合、加熱することにより、当該接着層が含んでいる硬化性モノマーを重合させるとよい。なお、接着層3を加熱する条件は、熱重合開始剤における1分間半減温度、及び、1時間半減温度に基づき、適宜設定すればよいが、例えば、50℃以上、300℃以下の範囲内の温度において、真空下又は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下にて行うことがより好ましい。
[Adhesive layer forming process]
As shown in FIG. 1(b), in the adhesive layer forming step, for example, the above adhesive composition is applied by a method such as spin coating, dipping, roller blade, spray application, slit application, or heated, Alternatively, the diluent solvent contained in the adhesive composition is removed by placing it under a reduced pressure environment. After that, when the adhesive layer contains a thermal polymerization initiator, the curable monomer contained in the adhesive layer may be polymerized by heating. The conditions for heating the adhesive layer 3 may be appropriately set based on the 1-minute half-life temperature and the 1-hour half-life temperature of the thermal polymerization initiator. For example, within a range of 50° C. or higher and 300° C. or lower. At a temperature, it is preferably performed under vacuum or in an inert gas atmosphere such as nitrogen gas, and more preferably in an inert gas atmosphere such as nitrogen gas.

また、接着層が光重合開始剤を含んでいる場合、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下にて露光することにより、当該接着層が含んでいる硬化性モノマーを重合させるとよい。なお、露光する条件は、光重合開始剤の種類等に応じて適宜設定すればよい。 When the adhesive layer contains a photopolymerization initiator, the curable monomer contained in the adhesive layer may be polymerized by exposing in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen gas. The exposure conditions may be set appropriately according to the type of photopolymerization initiator and the like.

なお、接着層3が硬化性モノマーを含んでいなければ、溶剤を除去した後において、必ずしも加熱、又は露光を行なう必要はない。 If the adhesive layer 3 does not contain a curable monomer, it is not always necessary to perform heating or exposure after removing the solvent.

[封止基板形成工程]
図1の(c)〜(f)に示すように、封止基板形成工程では、接着層3に、封止基板7を形成する。本実施形態における封止基板形成工程では、再配線層形成工程、実装工程、封止工程、及び薄化工程をこの順に行う。
[Sealing substrate forming process]
As shown in FIGS. 1C to 1F, in the sealing substrate forming step, the sealing substrate 7 is formed on the adhesive layer 3. In the encapsulation substrate forming process of this embodiment, a rewiring layer forming process, a mounting process, a sealing process, and a thinning process are performed in this order.

[再配線層形成工程]
図1の(c)に示すように、再配線層形成工程では、接着層3上に再配線層4を形成する。
[Rewiring layer formation process]
As shown in FIG. 1C, in the rewiring layer forming step, the rewiring layer 4 is formed on the adhesive layer 3.

一実施形態において、再配線層4の形成手順としては、まず、接着層3上に、酸化シリコン(SiO)、感光性樹脂等の誘電体層を形成する。酸化シリコンからなる誘電体層は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法等により形成することができる。感光性樹脂からなる誘電体層は、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布及びスリット塗布等の方法により感光性樹脂を塗布することによって形成することができる。 In one embodiment, as a procedure for forming the redistribution layer 4, first, a dielectric layer such as silicon oxide (SiO x ) or a photosensitive resin is formed on the adhesive layer 3. The dielectric layer made of silicon oxide can be formed by, for example, a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like. The dielectric layer made of a photosensitive resin can be formed by applying the photosensitive resin by a method such as spin coating, dipping, roller blade, spray coating and slit coating.

続いて、誘電体層に、金属等の導電体によって配線を形成する。配線の形成手法としては、例えば、フォトリソグラフィー(レジストリソグラフィー)等のリソグラフィー処理、エッチング処理等の公知の半導体プロセス手法を用いることができる。このような、リソグラフィー処理には、例えば、ポジ型レジスト剤を用いたリソグラフィー処理、及びネガ型レジスト剤を用いたリソグラフィー処理が挙げられる。 Subsequently, wiring is formed on the dielectric layer with a conductor such as metal. As a method for forming the wiring, for example, a known semiconductor process method such as lithography processing such as photolithography (resist lithography), etching processing, or the like can be used. Examples of such lithographic processing include lithographic processing using a positive resist agent and lithographic processing using a negative resist agent.

このように、フォトリソグラフィー処理、及びエッチング処理等を行うときにおいて、接着層3は、フッ化水素酸等の酸、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)等のアルカリ、及び、レジスト剤を溶解するためのレジスト溶剤に曝される。レジスト溶剤としては、PGMEA、シクロペンタノン、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、及びシクロヘキサノン等が用いられる。しかしながら、接着層3は、ガラス転移温度が190℃以上である脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーによって形成されているか、又は、脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマー中において硬化性モノマーを重合させることによって形成されている。このため、接着層3は、高い耐薬品性を備えており、酸、アルカリのみならず、これらレジスト溶剤に曝されることによって接着層3が、溶解、又は剥離することを防止することができる。よって、接着層3上にレジスト剤によって精度の高いパターンを形成することができ、再配線層4を好適に形成することができる。 In this way, the adhesive layer 3 dissolves the acid such as hydrofluoric acid, the alkali such as tetramethylammonium hydroxide (TMAH), and the resist agent when the photolithography process and the etching process are performed. Exposed to the resist solvent. As the resist solvent, PGMEA, cyclopentanone, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), cyclohexanone and the like are used. However, the adhesive layer 3 is formed of a (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group having a glass transition temperature of 190° C. or higher, or a (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group. It is formed by polymerizing a curable monomer therein. Therefore, the adhesive layer 3 has high chemical resistance and can prevent the adhesive layer 3 from being dissolved or peeled off by being exposed to not only acid and alkali but also these resist solvents. .. Therefore, a highly accurate pattern can be formed on the adhesive layer 3 with the resist agent, and the redistribution layer 4 can be formed appropriately.

また、再配線層形成工程では、例えば、接着層3上に形成されたレジスト剤を硬化させるために、200〜230℃という高温環境下、4時間程度の加熱処理を行なう。このとき、接着層3は、高い耐熱性を備えているため、接着層にクラックが生じることを防止することができる。また、接着層3は、高い耐熱性を備えているため、高温環境下、長時間曝されたときにおいて、接着層3上に形成されたレジスト被膜が収縮(シュリンク)することを好適に防止することができる。従って、接着層3上に再配線層4を好適に形成することができる。 In the rewiring layer forming step, for example, in order to cure the resist agent formed on the adhesive layer 3, heat treatment is performed for about 4 hours under a high temperature environment of 200 to 230°C. At this time, since the adhesive layer 3 has high heat resistance, it is possible to prevent cracks from occurring in the adhesive layer. Further, since the adhesive layer 3 has high heat resistance, it is possible to suitably prevent the resist film formed on the adhesive layer 3 from shrinking (shrinking) when exposed to a high temperature environment for a long time. be able to. Therefore, the rewiring layer 4 can be preferably formed on the adhesive layer 3.

図1の(d)に示すように、実装工程では、再配線層4上に素子5を実装する。再配線層4上への素子5の実装は、例えば、チップマウンター等を用いて行うことができる。なお、実装工程において、再配線層4上にソルダーバンプを介して素子5を実装しているのであれば、素子5を封止する前に、当該ソルダーバンプをアンダーフィルによって封止してもよい。 As shown in FIG. 1D, in the mounting step, the element 5 is mounted on the rewiring layer 4. The element 5 can be mounted on the redistribution layer 4 by using, for example, a chip mounter or the like. In the mounting step, if the element 5 is mounted on the rewiring layer 4 via the solder bump, the solder bump may be sealed by underfill before sealing the element 5. ..

図1の(e)に示すように、封止工程では、素子5を封止材6によって封止する。特に限定されるものではなく、封止材6は、例えば、130℃〜170℃に加熱された状態で、高粘度の状態を維持しつつ、成形型を用いて圧縮成形される。このため、素子5を封止材6によって封止するときに、接着層3は素子5を配置した状態において、130℃〜170℃の温度にて加圧される。しかしながら、接着層3は、高い耐熱性を備えているため、130℃〜170℃の温度にて加圧されることで、素子5を配置した再配線層4が歪むことを好適に防止することができる。 As shown in FIG. 1E, in the sealing step, the element 5 is sealed with the sealing material 6. The sealing material 6 is not particularly limited, and is compression-molded by using a molding die while maintaining a high viscosity state in a state of being heated to 130° C. to 170° C., for example. Therefore, when the element 5 is sealed with the sealing material 6, the adhesive layer 3 is pressed at a temperature of 130° C. to 170° C. in the state where the element 5 is arranged. However, since the adhesive layer 3 has high heat resistance, it is preferable to prevent the rewiring layer 4 on which the element 5 is arranged from being distorted by being pressed at a temperature of 130° C. to 170° C. You can

図1の(f)に示すように、薄化工程では、封止材6を薄化する。封止材6は、例えば、素子5と同等の厚さにまで薄化してもよい。 As shown in FIG. 1F, in the thinning step, the sealing material 6 is thinned. The sealing material 6 may be thinned to a thickness equivalent to that of the element 5, for example.

また、薄化工程後に封止材上へのバンプの形成、及び、絶縁層の形成等の処理をさらに行ってもよい。 Further, after the thinning step, processing such as forming bumps on the sealing material and forming an insulating layer may be further performed.

以上の工程によって得られた図1の(g)に示す積層体8は、光を透過する支持体1と、光を照射することで変質する分離層2と、接着層3と、封止基板7と、がこの順に積層されてなり、封止基板7は、素子5を封止する封止材6によって封止した封止体と、当該封止材の一方の平面部に設けられた、素子5を配置する再配線層4とを備えている。 The laminated body 8 shown in FIG. 1(g) obtained by the above steps includes a support body 1 that transmits light, a separation layer 2 that is altered by irradiation with light, an adhesive layer 3, and a sealing substrate. 7 is laminated in this order, and the encapsulation substrate 7 is provided on the encapsulation body encapsulating with the encapsulation material 6 for encapsulating the element 5, and on one flat surface portion of the encapsulation material. And the redistribution layer 4 on which the element 5 is arranged.

[分離工程]
図1の(h)に示すように、分離工程では、支持体1を介して、分離層2に光Lを照射することで、分離層2を変質させる。照射する光Lの種類及び波長は、支持体1の透過性及び分離層2の材質に応じて適宜選択すればよく、例えば、YAGレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を用いることができる。これにより、分離層2を変質させて、支持体1と封止基板7とを容易に分離可能な状態とすることができる。
[Separation process]
As shown in (h) of FIG. 1, in the separation step, the separation layer 2 is irradiated with light L through the support 1 to change the quality of the separation layer 2. The type and wavelength of the light L to be irradiated may be appropriately selected depending on the transparency of the support 1 and the material of the separation layer 2, and examples thereof include YAG laser, ruby laser, glass laser, YVO 4 laser, LD laser, fiber. A solid laser such as a laser, a liquid laser such as a dye laser, a CO 2 laser, an excimer laser, an Ar laser, a gas laser such as a He—Ne laser, a semiconductor laser, a laser light such as a free electron laser, or a non-laser light is used. be able to. As a result, the separation layer 2 can be altered so that the support 1 and the sealing substrate 7 can be easily separated.

また、レーザ光を照射する場合のレーザ光照射条件の一例としては、以下の条件を挙げることができるが、これに限定されない:レーザ光の平均出力値は、1.0W以上、5.0W以下であることが好ましく、3.0W以上、4.0W以下であることがより好ましい;レーザ光の繰り返し周波数は、20kHz以上、60kHz以下であることが好ましく、30kHz以上、50kHz以下であることがより好ましい;レーザ光の走査速度は、100mm/s以上、10,000mm/s以下であることが好ましい。 The following conditions can be given as examples of the laser light irradiation conditions when the laser light is irradiated, but are not limited thereto: The average output value of the laser light is 1.0 W or more and 5.0 W or less. Is preferable, and more preferably 3.0 W or more and 4.0 W or less; the repetition frequency of the laser light is preferably 20 kHz or more and 60 kHz or less, and more preferably 30 kHz or more and 50 kHz or less. It is preferable; the scanning speed of the laser light is preferably 100 mm/s or more and 10,000 mm/s or less.

その後、図1の(i)に示すように、分離工程では、支持体1と封止基板7とを分離する。例えば、支持体1と封止基板7とが互いに離れる方向に力を加えることにより、支持体1と、封止基板7とを分離する。例えば、支持体1及び封止基板7の一方をステージに固定した状態で、他方をベローズパッド等の吸着パッドを備えた分離プレートにより吸着保持しつつ持ち上げることにより、支持体1と封止基板7とを分離することができる。 Then, as shown in FIG. 1I, in the separation step, the support 1 and the sealing substrate 7 are separated. For example, by applying a force in a direction in which the support 1 and the sealing substrate 7 are separated from each other, the support 1 and the sealing substrate 7 are separated. For example, one of the support 1 and the sealing substrate 7 is fixed to the stage, and the other is lifted while being suction-held by a separation plate equipped with a suction pad such as a bellows pad. And can be separated.

〔除去工程〕
図1の(h)に示すように、除去工程では、支持体1が分離された封止基板7に残留している接着層3と分離層2とを除去する。例えば、有機溶剤を含んでいる洗浄液等によって接着層3及び分離層2の残渣を除去する除去工程を行う。接着層3は、洗浄液として、接着剤組成物に用いられる希釈溶剤、つまり、炭化水素系溶剤を好ましく用いることができ、特に、p−メンタン等のテルペン系溶剤、及びテトラヒドロナフタレン等の縮合環炭化水素を用いることがより好ましい。
[Removal process]
As shown in (h) of FIG. 1, in the removal step, the adhesive layer 3 and the separation layer 2 remaining on the sealing substrate 7 from which the support 1 is separated are removed. For example, a removal step of removing the residue of the adhesive layer 3 and the separation layer 2 with a cleaning liquid containing an organic solvent or the like is performed. For the adhesive layer 3, a diluting solvent used in the adhesive composition, that is, a hydrocarbon solvent can be preferably used as the cleaning liquid, and in particular, a terpene solvent such as p-menthane and a condensed ring carbonization such as tetrahydronaphthalene. More preferably, hydrogen is used.

以上により、単離された封止基板7を得ることができる。 As described above, the isolated sealing substrate 7 can be obtained.

また、さらに、封止基板7に対して、ソルダーボール形成、ダイシング処理、及び、酸化膜形成等の処理を行ってもよい。 Further, the sealing substrate 7 may be further subjected to processing such as solder ball formation, dicing treatment, and oxide film formation.

〔実施形態2〕
本発明の別の実施形態について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。実施形態2に係る積層体の製造方法、及び基板処理方法は、分離層形成工程、接着層形成工程、封止基板形成工程、分離工程、及び除去工程をこの順に実施し、封止基板形成工程では、接着層3上に素子を配置する。なお、図2の(a)に示すように、分離層形成工程は、実施形態1と同様であるため、その説明を省略する。
[Embodiment 2]
The following will describe another embodiment of the present invention. For convenience of description, members having the same functions as the members described in the above embodiment will be designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. The method for manufacturing a laminate and the method for treating a substrate according to the second embodiment include a separation layer forming step, an adhesive layer forming step, a sealing substrate forming step, a separating step, and a removing step in this order, and a sealing substrate forming step. Then, the element is arranged on the adhesive layer 3. Note that, as shown in FIG. 2A, the separation layer forming step is the same as that of the first embodiment, and therefore its description is omitted.

[接着層形成工程]
本実施形態に係る積層体の製造方法が包含している接着層形成工程は、支持体1上に一実施形態に係る接着剤組成物を塗布し、実施形態1と同様の条件にて、接着剤組成物に含まれている希釈溶剤を除去するが、さらなる加熱、又は露光により接着層の硬化は行わない。
[Adhesive layer forming process]
In the adhesive layer forming step included in the method for manufacturing a laminate according to the present embodiment, the adhesive composition according to one embodiment is applied onto the support 1, and the adhesive is adhered under the same conditions as in the first embodiment. The diluent solvent contained in the agent composition is removed, but the adhesive layer is not cured by further heating or exposure.

[封止基板形成工程]
図2の(c)〜(f)に示すように、封止基板形成工程では、接着層3上に、封止基板7を形成する。本実施形態における封止基板形成工程では、配置工程、封止工程、薄化工程、及び再配線層形成工程をこの順に行う。
[Sealing substrate forming process]
As shown in FIGS. 2C to 2F, in the sealing substrate forming step, the sealing substrate 7 is formed on the adhesive layer 3. In the encapsulation substrate forming process in the present embodiment, the disposing process, the encapsulating process, the thinning process, and the rewiring layer forming process are performed in this order.

図2の(c)に示すように、配置工程では、接着層3上に素子5を配置する。より具体的には、配置工程では、接着層3が形成された支持体1を、100℃程度に加熱した状態において、例えば、ダイボンダー等によって、素子5を接着層3に圧着することで、素子5を接着層3上に配置する。 As shown in FIG. 2C, in the placement step, the element 5 is placed on the adhesive layer 3. More specifically, in the arranging step, the support 5 on which the adhesive layer 3 is formed is heated to about 100° C., and the element 5 is pressure-bonded to the adhesive layer 3 by, for example, a die bonder or the like. 5 is placed on the adhesive layer 3.

なお、接着層が熱重合開始剤を含んでいる場合、配置工程において、接着層3上に素子5を配置した後に、接着層3を加熱することによって、当該接着層3が含んでいる硬化性モノマーを重合させるとよい。また、接着層が光重合開始剤を含んでいる場合、接着層3を露光することにより硬化させるとよい。 When the adhesive layer contains a thermal polymerization initiator, the curability contained in the adhesive layer 3 is increased by heating the adhesive layer 3 after the element 5 is placed on the adhesive layer 3 in the placement step. It is advisable to polymerize the monomers. When the adhesive layer contains a photopolymerization initiator, the adhesive layer 3 may be exposed to cure.

図2の(d)に示すように、封止工程では、素子5を封止材6によって封止する。封止工程では、実施形態1の場合と同じく、素子5を封止材6によって封止するときに、接着層3は素子5を配置した状態において、130℃〜170℃の温度にて加圧される。しかしながら、接着層3は、高い耐熱性を備えているため、130℃〜170℃の温度という温度条件下、封止材6によって加圧されることにより生じる、接着層3上における素子5の位置ずれを防止することができる。よって、接着層3上において、素子5が高い精度で配列された封止基板7を好適に形成することができる。 As shown in FIG. 2D, in the sealing step, the element 5 is sealed with the sealing material 6. In the sealing step, as in the case of the first embodiment, when sealing the element 5 with the sealing material 6, the adhesive layer 3 is pressed at a temperature of 130° C. to 170° C. with the element 5 arranged. To be done. However, since the adhesive layer 3 has high heat resistance, the position of the element 5 on the adhesive layer 3 caused by being pressed by the sealing material 6 under the temperature condition of 130° C. to 170° C. The shift can be prevented. Therefore, the sealing substrate 7 in which the elements 5 are arranged with high accuracy can be suitably formed on the adhesive layer 3.

図2の(e)に示すように、薄化工程では、封止材6を薄化する。封止材6は、例えば、素子5の端子部が封止材6から露出するまで薄化すればよい。 As shown in FIG. 2E, in the thinning step, the sealing material 6 is thinned. The sealing material 6 may be thinned, for example, until the terminal portion of the element 5 is exposed from the sealing material 6.

図2の(f)に示すように、再配線層形成工程では、封止体の素子5が露出した平面部に再配線層4を形成する。 As shown in FIG. 2F, in the rewiring layer forming step, the rewiring layer 4 is formed on the plane portion of the sealing body where the element 5 is exposed.

本実施形態において、再配線層4の形成手順としては、実施形態1と同様に行うことができるため、その説明を省略する。 In the present embodiment, the rewiring layer 4 can be formed in the same manner as in the first embodiment, and therefore the description thereof is omitted.

以上の工程により、実施形態1と同様に、積層体9を得ることができる。 Through the above steps, the laminated body 9 can be obtained as in the first embodiment.

その後、図2の(g)及び(h)に示すように、分離工程において、支持体1から分離層2に向かって光を照射することにより、分離層2を変質させることにより支持体1を積層体9から分離する。また、その後、除去工程において、実施形態1同様に、炭化水素系溶剤を用いて接着層3を除去することにより、封止基板7を得ることができる(図2の(i))。 Then, as shown in (g) and (h) of FIG. 2, in the separation step, the support 1 is altered by irradiating the support 1 with light toward the separation layer 2 to change the quality of the support 1 Separated from the laminate 9. Further, thereafter, in the removing step, the adhesive layer 3 is removed using a hydrocarbon solvent in the same manner as in the first embodiment, whereby the sealing substrate 7 can be obtained ((i) in FIG. 2 ).

〔実施形態3〕
本発明の別の実施形態について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上述の実施形態1及び2にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。実施形態3に係る積層体の製造方法、及び封止基板の製造方法は、分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、接着層形成工程、封止基板形成工程、及び接着層除去工程をこの順に実施する。
[Embodiment 3]
The following will describe another embodiment of the present invention. For convenience of explanation, members having the same functions as those described in Embodiments 1 and 2 will be designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. The method for manufacturing a laminated body and the method for manufacturing a sealing substrate according to Embodiment 3 include a separation layer forming step, a separation layer peripheral portion removing step, an adhesive layer forming step, a sealing substrate forming step, and an adhesive layer removing step. Carry out in order.

[分離層形成工程]
図3の(a)に示すように、分離層形成工程は、実施形態1及び2と同様であるため、その説明を省略する。
[Separation layer forming step]
As shown in FIG. 3A, the separation layer forming step is the same as in the first and second embodiments, and therefore the description thereof is omitted.

[分離層周縁部分除去工程]
図3の(b)に示すように、分離層周縁部分除去工程では、例えば、EBR(Edge Bead Removal)処理により、支持体1の周縁部分1b全周に形成された分離層2を除去する。周縁部分1bは、平面部1aの周縁部分である。これにより、図3の(b)に示すように、平面部1a上には、分離層2が除去された周縁部分1bに囲まれた部分に、分離層2が形成されている状態となる。EBR処理の詳細については後述する。
[Separation layer peripheral edge removal step]
As shown in FIG. 3B, in the separation layer peripheral edge removing step, the separation layer 2 formed on the entire periphery of the peripheral edge 1b of the support 1 is removed by, for example, EBR (Edge Bead Removal) treatment. The peripheral edge portion 1b is a peripheral edge portion of the flat surface portion 1a. As a result, as shown in FIG. 3B, the separation layer 2 is formed on the flat surface portion 1a in a portion surrounded by the peripheral portion 1b where the separation layer 2 is removed. Details of the EBR process will be described later.

[接着層形成工程]
図3の(c)に示すように、接着層形成工程では、支持体1における周縁部分1b全周の分離層2を除去した側の面に、接着層3を形成する。これにより、支持体1上に形成された分離層2の全面を接着層3によって被覆する。なお、接着層3を形成する方法は、実施形態1と同じであるため、その説明を省略する。
[Adhesive layer forming process]
As shown in FIG. 3C, in the adhesive layer forming step, the adhesive layer 3 is formed on the surface of the support 1 on the entire periphery of the peripheral edge portion 1b from which the separation layer 2 has been removed. As a result, the entire surface of the separation layer 2 formed on the support 1 is covered with the adhesive layer 3. Since the method of forming the adhesive layer 3 is the same as that of the first embodiment, its description is omitted.

[封止基板形成工程]
図3の(d)〜(g)に示すように、封止基板形成工程では、接着層3上に、封止基板7’を形成する。本実施形態における封止基板形成工程では、再配線層形成工程、実装工程、封止工程、及び薄化工程をこの順に行う。
[Sealing substrate forming process]
As shown in (d) to (g) of FIG. 3, in the sealing substrate forming step, the sealing substrate 7′ is formed on the adhesive layer 3. In the encapsulation substrate forming process of this embodiment, a rewiring layer forming process, a mounting process, a sealing process, and a thinning process are performed in this order.

図3の(d)に示すように、実施形態3では、再配線層形成工程において、接着層3上に形成された再配線層4の外周端部をトリミング処理により除去する。なお、再配線層4のトリミングには、グラインダ等の公知の手段によって研削することにより除去すればよい。これにより、後の工程において、積層体8’(図3)においてEBR処理を好適に行うことができる。 As shown in FIG. 3D, in the third embodiment, in the rewiring layer forming step, the outer peripheral end of the rewiring layer 4 formed on the adhesive layer 3 is removed by trimming processing. The rewiring layer 4 may be trimmed by grinding it with a known means such as a grinder. Thereby, in the subsequent step, the EBR treatment can be favorably performed on the laminated body 8'(FIG. 3).

なお、再配線層4を形成する方法は、実施形態1と同じであるため、その説明を省略する。 Since the method of forming the redistribution layer 4 is the same as that of the first embodiment, its description is omitted.

図3の(e)〜(g)に示すように、実施形態3においても、実装工程、封止工程、及び薄化工程を行う。なお、実施形態3における、実装工程、封止工程、及び薄化工程は、実施形態1と同様に行うことができるため、その説明を省略する。 As shown in (e) to (g) of FIG. 3, also in the third embodiment, the mounting step, the sealing step, and the thinning step are performed. Since the mounting step, the sealing step, and the thinning step in the third embodiment can be performed in the same manner as in the first embodiment, the description thereof will be omitted.

[接着層除去工程]
図3の(h)に示すように、接着層除去工程では、例えば、EBR処理により、支持体1の周縁部分1b全周に形成された接着層3を除去する。接着層3のうち、支持体1の周縁部分1b全周に形成された部分は、分離層2を介さずに、支持体1と封止基板7’とを接着しているため、当該部分を除去しておくことにより、分離層2を変質させたときに、支持体1と封止基板7’とを円滑に分離することができる。
[Adhesive layer removal process]
As shown in FIG. 3H, in the adhesive layer removing step, the adhesive layer 3 formed on the entire circumference of the peripheral edge portion 1b of the support 1 is removed by, for example, EBR treatment. The portion of the adhesive layer 3 formed on the entire circumference of the peripheral portion 1b of the support 1 bonds the support 1 and the sealing substrate 7′ without the separation layer 2, so that the portion By removing it, the support 1 and the sealing substrate 7′ can be smoothly separated when the separation layer 2 is altered.

特に、支持体1上に形成されている分離層2の外周端部2aよりも外側に形成された接着層3を除去しておくことにより、支持体1と封止基板7’とが、必ず分離層2を介して接着されている状態にすることができるため、分離層2を変質させたときに、支持体1と封止基板7’とをより円滑に分離することができる。 In particular, by removing the adhesive layer 3 formed outside the outer peripheral end portion 2a of the separation layer 2 formed on the support 1, the support 1 and the sealing substrate 7′ are always Since it can be in a state of being bonded via the separation layer 2, the support 1 and the sealing substrate 7′ can be separated more smoothly when the separation layer 2 is altered.

[分離工程〜除去工程]
図3の(i)〜(k)に示すように、実施形態1と同様に、分離工程、及び除去工程を行うことにより、封止基板7’を製造することができる。
[Separation process-removal process]
As shown in (i) to (k) of FIG. 3, the sealing substrate 7′ can be manufactured by performing the separating step and the removing step as in the first embodiment.

(EBR処理)
上述の(A)分離層周縁部分除去工程において、支持体1の周縁部分1b全周に形成された分離層2を除去するためのEBR処理、及び、(B)接着層除去工程において、支持体1の周縁部分1b全周に形成された接着層3を除去するためのEBR処理は、例えば、(i)溶剤によって溶解して除去する方法、(ii)カッター又はブレード等を用いて物理的に切断して除去する方法、(iii)大気圧下でのアッシングにより除去する方法等が挙げられる。この中でも、強度及び実用性の観点から、溶剤によって除去する方法が好ましい。
(EBR processing)
In the (A) separation layer peripheral edge removing step, the EBR process for removing the separation layer 2 formed on the entire periphery of the peripheral portion 1b of the support 1, and the (B) adhesive layer removing step, the support The EBR treatment for removing the adhesive layer 3 formed on the entire circumference of the peripheral edge portion 1b of 1 is, for example, (i) a method of dissolving and removing with a solvent, (ii) physically using a cutter or a blade, etc. Examples include a method of cutting and removing, and a method of (iii) removing by ashing under atmospheric pressure. Among these, the method of removing with a solvent is preferable from the viewpoint of strength and practicality.

溶剤によって除去する方法において用いられる溶剤としては、除去対象となる分離層2又は接着層3を溶解し得るものであればよく、特に限定されないので、当業者は、除去対象の組成に応じて、適宜選択することができる。例えば、接着層3に対して、特に、p−メンタン等のテルペン系溶剤、及びテトラヒドロナフタレン等の縮合環炭化水素等を用いることができる。また、分離層2に対しては、例えば、モノイソプロパノールアミン(MIPA)等の第一級脂肪族アミン、2−(メチルアミノ)エタノール等の第二級脂肪族アミン、トリエタノールアミン等の第三級の脂肪族アミン、シクロヘキシルアミン等の脂環式アミン、ベンジルアミン等の芳香族アミン及びN‐ヒドロキシエチルピペリジン等の複素環式アミンからなる群より選択される少なくとも1種のアミン類、又は、それらを含む溶剤等を用いることができる。なお、溶剤には、上述の(添加溶剤)の欄に列挙されたもののうち、テルペン溶剤以外の有機溶剤を好適に用いることができる。 The solvent used in the method of removing with a solvent is not particularly limited as long as it can dissolve the separation layer 2 or the adhesive layer 3 to be removed, and a person skilled in the art can, depending on the composition to be removed, It can be appropriately selected. For example, a terpene solvent such as p-menthane and a condensed ring hydrocarbon such as tetrahydronaphthalene can be used for the adhesive layer 3. Further, for the separation layer 2, for example, a primary aliphatic amine such as monoisopropanolamine (MIPA), a secondary aliphatic amine such as 2-(methylamino)ethanol, and a tertiary aliphatic amine such as triethanolamine. At least one amine selected from the group consisting of a primary aliphatic amine, an alicyclic amine such as cyclohexylamine, an aromatic amine such as benzylamine, and a heterocyclic amine such as N-hydroxyethylpiperidine, or A solvent containing them can be used. As the solvent, organic solvents other than the terpene solvent among those listed in the above section (Additional solvent) can be preferably used.

溶剤を供給する方法としては、例えば、溶剤の噴出によって、除去対象に溶剤を供給する方法、除去対象を溶剤中に浸漬させる方法が挙げられる。 Examples of the method of supplying the solvent include a method of supplying the solvent to the removal target by jetting the solvent, and a method of immersing the removal target in the solvent.

溶剤の噴出によって、除去対象に溶剤を供給する方法としては、均一に溶剤を供給するために、支持体1を回転させながら、除去対象に溶剤を供給する方法が好ましい。支持体1を回転させながら、溶剤を供給する方法としては、例えば、溶剤を噴出するノズルを支持体1の周縁部分1bの直ぐ外側の直上に配置し、溶剤を支持体1の周縁部分1bの直ぐ外側に滴下しながら、支持体1を、スピンナーを用いて回転させる方法が挙げられる。これにより、溶剤を支持体1の周縁部分1bの全周の直ぐ外側に供給することができる。なお、配置するノズルの数に制限はなく、1つ以上であればよい。 As a method of supplying the solvent to the removal target by jetting the solvent, a method of supplying the solvent to the removal target while rotating the support 1 is preferable in order to uniformly supply the solvent. As a method of supplying the solvent while rotating the support 1, for example, a nozzle for ejecting the solvent is arranged immediately above the peripheral portion 1b of the support 1, and the solvent is supplied to the peripheral portion 1b of the support 1. A method of rotating the support 1 using a spinner while dropping it immediately to the outside can be mentioned. As a result, the solvent can be supplied to the immediate outer side of the entire circumference of the peripheral edge portion 1b of the support 1. The number of nozzles to be arranged is not limited and may be one or more.

支持体1の回転及び溶剤の噴出を伴う上記方法において、支持体1の回転速度、溶剤をノズルから供給するときの溶剤の流量、及び溶剤の供給時間は、除去対象の組成、除去対象の厚さ、使用する溶剤の種類、及び除去の程度に応じて異なり得るものであるが、当業者であれば、その最適条件を困難なく検討及び決定することができる。 In the above method involving the rotation of the support 1 and the ejection of the solvent, the rotation speed of the support 1, the flow rate of the solvent when the solvent is supplied from the nozzle, and the solvent supply time are the composition to be removed and the thickness to be removed. Although it may vary depending on the type of solvent used and the degree of removal, those skilled in the art can study and determine the optimum conditions without difficulty.

また、溶剤による除去対象の溶解後は、支持体1等を乾燥することが好ましい。乾燥工程を経ることによって、不要な溶剤、除去対象部分ではない分離層2又は接着層3に浸入した溶剤を除去することができる。 Further, it is preferable to dry the support 1 and the like after the removal of the object to be removed with the solvent. By passing through the drying step, it is possible to remove the unnecessary solvent and the solvent that has penetrated into the separation layer 2 or the adhesive layer 3 that is not the removal target portion.

乾燥方法としては、スピンナー等を用いて支持体1を回転させることによる振り切り乾燥、窒素ガス等の噴霧によるエアブローでの乾燥、ベークによる乾燥、及び減圧による乾燥等が挙げられる。なお、これらの乾燥方法としては、いずれかの方法を単独で用いる方法、あるいは任意の2つ以上の方法を組み合わせて用いる方法のいずれも可能である。 Examples of the drying method include shake-off drying by rotating the support 1 using a spinner or the like, drying by air blow by spraying nitrogen gas or the like, drying by baking, and drying by reduced pressure. In addition, as a method for drying these, either one of the methods can be used alone, or any two or more methods can be used in combination.

〔実施形態4〕
本発明の別の実施形態について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上述の実施形態1〜3にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。実施形態4に係る積層体の製造方法、及び封止基板の製造方法は、分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、接着層形成工程、封止基板形成工程、及び接着層除去工程をこの順に実施する。
[Embodiment 4]
The following will describe another embodiment of the present invention. For convenience of description, members having the same functions as the members described in the first to third embodiments will be designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. The method for manufacturing a laminate and the method for manufacturing a sealing substrate according to Embodiment 4 include a separation layer forming step, a separation layer peripheral edge removing step, an adhesive layer forming step, a sealing substrate forming step, and an adhesive layer removing step. Carry out in order.

[分離層形成工程〜接着層形成工程]
分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、及び、接着層形成工程は、実施形態2と同じであるため、その説明を省略する。
[Separation layer forming step to adhesive layer forming step]
The separation layer forming step, the separation layer peripheral portion removing step, and the adhesive layer forming step are the same as those in the second embodiment, and therefore their explanations are omitted.

[封止基板形成工程]
封止基板形成工程では、接着層3上に、素子5を配置して封止する。つまり、実施形態2と同じ工程によって、封止基板7’を形成する。その後、図4の(a)に示すように、封止基板7’の外周端部をトリミング処理により除去する。なお、封止基板7のトリミングには、グラインダ等の公知の手段によって研削することにより除去すればよい。これにより、後の工程において、積層体9’(図4)においてアミン処理を好適に行うことができる。
[Sealing substrate forming process]
In the sealing substrate forming step, the element 5 is placed on the adhesive layer 3 and sealed. That is, the sealing substrate 7′ is formed by the same process as the second embodiment. Then, as shown in FIG. 4A, the outer peripheral edge of the sealing substrate 7′ is removed by trimming processing. The trimming of the sealing substrate 7 may be carried out by grinding with a known means such as a grinder. Thereby, in the subsequent step, the amine treatment can be suitably performed on the laminate 9′ (FIG. 4).

[接着層除去工程]
図4の(b)に示すように、実施形態3と同じく、実施形態4においても、封止基板7’の外周端部をトリミング処理することにより、分離層2の外周端部2aよりも外側に形成された接着層3を除去することができる。このため、分離層2を変質させたときに、支持体1と封止基板7’とをより円滑に分離することができる。
[Adhesive layer removal process]
As shown in FIG. 4B, in the same manner as in the third embodiment, the outer peripheral end portion 2a of the separation layer 2 is outside the outer peripheral end portion 2a by trimming the outer peripheral end portion of the sealing substrate 7′ in the fourth embodiment. The adhesive layer 3 formed on the can be removed. Therefore, when the separation layer 2 is altered, the support 1 and the sealing substrate 7'can be separated more smoothly.

その後、実施形態1〜3と同様に、接着層3を炭化水素系溶剤により除去することにより、封止基板7’を製造することができる。 Then, similarly to Embodiments 1 to 3, the sealing substrate 7'can be manufactured by removing the adhesive layer 3 with a hydrocarbon solvent.

〔別の実施形態〕
本発明に係る積層体の製造方法及び基板処理方法は、上述の各実施形態(実施形態1、実施形態2、実施形態3、実施形態4)に限定されない。例えば、別の実施形態に係る積層体の製造方法では、各実施形態に係る積層体の製造方法によって形成された積層体における封止基板を、別の接着層及び別の分離層を介して別の支持体に積層する積層体の製造方法である。これにより、封止基板を形成するために用いられた接着層側における支持体を分離し、別の支持体により、封止基板を支持した状態において、当該封止基板を好適に加工することができる。
[Another embodiment]
The laminated body manufacturing method and substrate processing method according to the present invention are not limited to the above-described respective embodiments (Embodiment 1, Embodiment 2, Embodiment 3, and Embodiment 4). For example, in the method for manufacturing a laminated body according to another embodiment, the sealing substrate in the laminated body formed by the method for manufacturing a laminated body according to each embodiment is separated via another adhesive layer and another separation layer. It is a method for producing a laminate to be laminated on the support. Thereby, the support on the adhesive layer side used to form the sealing substrate is separated, and the sealing substrate can be favorably processed in a state where the supporting substrate is supported by another support. it can.

また、さらに別の実施形態に係る積層体の製造方法は、基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体を製造する積層体の製造方法であって、上記基板上、又は、上記支持体上の少なくとも一方に、本願の一実施形態に係る接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する接着層形成工程を包含している。ここで、基板に、シリコン、セラミック、又はポリイミド樹脂等のフレキシブル基板等が挙げられ、典型的には、シリコンインターポーザであり得る。 Further, a method for producing a laminate according to still another embodiment is a method for producing a laminate in which a substrate, an adhesive layer, and a support are laminated in this order, which is on the substrate, or An adhesive layer forming step of forming the adhesive layer by applying the adhesive composition according to an embodiment of the present application to at least one side of the support and heating it is included. Here, the substrate may be a flexible substrate such as silicon, ceramic, or polyimide resin, and may typically be a silicon interposer.

上記の構成によれば、支持体上において、例えば、シリコンインターポーザを好適に加工して、貫通電極を形成することができる。つまり、一実施形態に係る接着剤組成物を用いて接着層を形成することにより、ファンイン型の半導体封止技術においても、好適に積層体を形成することができる。 According to the above configuration, for example, the silicon interposer can be favorably processed on the support to form the through electrode. That is, by forming an adhesive layer using the adhesive composition according to one embodiment, it is possible to preferably form a laminated body even in the fan-in type semiconductor encapsulation technique.

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, but various modifications can be made within the scope of the claims, and embodiments obtained by appropriately combining the technical means disclosed in the different embodiments Is also included in the technical scope of the present invention.

樹脂成分としてベースポリマーのみを用いた、実施例1〜5の接着剤組成物を調製した。また、樹脂成分としてベースポリマーと硬化性モノマーとを用いた、実施例6〜9の接着剤組成物を調製した。併せて、比較例1及び2の接着剤組成物を調製した。その後、実施例1〜9、及び比較例1及び2の接着剤組成物を用いて接着層を形成し、各接着層における、圧縮型による素子の封止への適応性評価、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価を行なった。 The adhesive compositions of Examples 1-5 were prepared using only the base polymer as the resin component. Moreover, the adhesive composition of Examples 6-9 which used the base polymer and curable monomer as a resin component was prepared. In addition, the adhesive compositions of Comparative Examples 1 and 2 were prepared. After that, an adhesive layer was formed using the adhesive compositions of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2, and in each adhesive layer, the applicability evaluation to the sealing of the element by the compression mold, the insulating pattern forming process. The adaptability to

〔接着剤組成物の調製、及び接着層の形成〕
(実施例1)
まず、ベースポリマーとして、100重量部のアクリル樹脂IIを400重量部のデカヒドロナフタレン(主溶剤)に溶解した。次いで、100重量部の樹脂成分に対して、1重量部のIRGANOX1010(熱重合禁止剤:BASF社製)を添加し、実施例1の接着剤組成物として調整した。なお、IRGANOX1010は、酢酸ブチル(添加溶剤)に溶解し、主溶剤100重量部に対して酢酸ブチルの添加量が10重量部になるようにして添加した。
[Preparation of adhesive composition and formation of adhesive layer]
(Example 1)
First, as a base polymer, 100 parts by weight of acrylic resin II was dissolved in 400 parts by weight of decahydronaphthalene (main solvent). Then, 1 part by weight of IRGANOX 1010 (thermal polymerization inhibitor: manufactured by BASF) was added to 100 parts by weight of the resin component to prepare an adhesive composition of Example 1. IRGANOX 1010 was dissolved in butyl acetate (addition solvent) and added such that the addition amount of butyl acetate was 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the main solvent.

次いで、ガラス支持体(10cm×10cm、厚さ700μm)上に、流量400sccm、圧力700mTorr、高周波電力2500W及び成膜温度240℃の条件下において、反応ガスとしてCを使用したCVD法により、分離層であるフルオロカーボン膜(厚さ1μm)を形成した。 Then, by a CVD method using C 4 F 8 as a reaction gas on a glass support (10 cm×10 cm, thickness 700 μm) under the conditions of a flow rate of 400 sccm, a pressure of 700 mTorr, a high frequency power of 2500 W and a film formation temperature of 240° C. A fluorocarbon film (thickness 1 μm) as a separation layer was formed.

次いで、実施例1の接着剤組成物を、ガラス支持体に形成された分離層上にスピンコート法により1500rpmで回転させながら塗布した。続いて、実施例1の接着剤組成物を塗布したガラス支持体を、140℃において5分間、予備加熱することにより実施例1の接着層を形成した(膜厚3μm)。この実施例1の接着層を、下記評価1及び2にそれぞれ用いた。 Then, the adhesive composition of Example 1 was applied onto the separation layer formed on the glass support by a spin coating method while rotating at 1500 rpm. Subsequently, the glass support coated with the adhesive composition of Example 1 was preheated at 140° C. for 5 minutes to form an adhesive layer of Example 1 (film thickness 3 μm). The adhesive layer of Example 1 was used in the following evaluations 1 and 2, respectively.

(実施例2〜5)
実施例2〜5として、実施例1とは異なる組成のアクリル樹脂をベースポリマーとして用い、重合禁止剤を配合して接着剤組成物を調製した。次に、これら接着剤組成物を用いて、実施例2〜5の接着層を形成した。
(Examples 2 to 5)
As Examples 2 to 5, an acrylic resin having a composition different from that of Example 1 was used as a base polymer, and a polymerization inhibitor was blended to prepare adhesive compositions. Next, the adhesive layers of Examples 2 to 5 were formed using these adhesive compositions.

(実施例6)
実施例6の接着剤組成物として、ベースポリマーとして90重量部のアクリル樹脂Iと、硬化性モノマーとして10重量部のA−DCP(トリシクロデカンジメタノールジアクリレート:新中村化学株式会社製)とを、400重量部のデカヒドロナフタレンに溶解した。次に、100重量部の硬化性モノマーに対して、2重量部となるようにしてパーロイルTCP(熱重合開始剤:日本油脂株式会社製)を添加し、接着剤組成物を調整した。なお、パーロイルTCPは、40重量部の酢酸ブチル(添加溶剤)に溶解して、樹脂成分に添加した。
(Example 6)
As the adhesive composition of Example 6, 90 parts by weight of acrylic resin I as a base polymer, and 10 parts by weight of A-DCP (tricyclodecane dimethanol diacrylate: manufactured by Shin Nakamura Chemical Co., Ltd.) as a curable monomer. Was dissolved in 400 parts by weight of decahydronaphthalene. Next, perloyl TCP (thermal polymerization initiator: manufactured by NOF CORPORATION) was added to 100 parts by weight of the curable monomer in an amount of 2 parts by weight to prepare an adhesive composition. The perloyl TCP was dissolved in 40 parts by weight of butyl acetate (addition solvent) and added to the resin component.

(実施例7〜9)
実施例7〜9として、実施例6と異なる組成及び組成比において、ベースポリマー、硬化性モノマー及び重合開始剤を配合し、接着剤組成物を調製した。続いて、実施例7〜9の接着層を、これら接着剤組成物を用いて形成した。
(Examples 7 to 9)
As Examples 7 to 9, the base polymer, the curable monomer, and the polymerization initiator were blended in a composition and a composition ratio different from those in Example 6 to prepare adhesive compositions. Subsequently, the adhesive layers of Examples 7 to 9 were formed using these adhesive compositions.

(比較例1及び2)
ガラス転移温度が低い(メタ)アクリレートポリマーを用いた以外は、実施例1、又は実施例6の接着剤組成物をした手順に従って、比較例1及び2の接着剤組成物を調製した。次いで、比較例1及び2の接着剤組成物の夫々を、実施例1と同じ手順に従って、分離層が形成されたガラス支持体にスピン塗布し、160℃の条件にて、5分間、予備加熱することにより、厚さ5μmの接着層を形成した。
(Comparative Examples 1 and 2)
The adhesive compositions of Comparative Examples 1 and 2 were prepared according to the procedure for preparing the adhesive composition of Example 1 or Example 6 except that a (meth)acrylate polymer having a low glass transition temperature was used. Then, each of the adhesive compositions of Comparative Examples 1 and 2 was spin-coated on the glass support on which the separation layer was formed, according to the same procedure as in Example 1, and preheated at 160° C. for 5 minutes. By doing so, an adhesive layer having a thickness of 5 μm was formed.

なお、実施例1〜9、並びに、比較例1及び2において使用したベースポリマーを構成するモノマー単位、硬化性モノマーは以下に示す通りである。また、以下の表3及び5に、実施例1〜9、並びに比較例1及び2の組成を示す。 The monomer units and curable monomers that compose the base polymers used in Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2 are as shown below. The compositions of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2 are shown in Tables 3 and 5 below.

〔ベースポリマーを構成するモノマー単位〕
・以下の式(9)で示されるアダマンチルメタクリレート(ADMA)
[Monomer unit constituting the base polymer]
-Adamantyl methacrylate (ADMA) represented by the following formula (9)

Figure 0006715142
・以下の式(10)で示されるステアリルメタクリレート(STMA)
Figure 0006715142
-Stearyl methacrylate (STMA) represented by the following formula (10)

Figure 0006715142
・以下の式(11)で示されるイソボルニルメタクリレート(IBXMA)
Figure 0006715142
-Isobornyl methacrylate (IBXMA) represented by the following formula (11)

Figure 0006715142
Figure 0006715142

なお、実施例及び比較例において使用したアクリル樹脂の組成、重量平均分子量、及び、動的機械分析(DMA:Dynamic Mechanical Analysis)によって求めたガラス転移温度は以下の表1、及び表2に示す通りである。 The compositions, weight average molecular weights, and glass transition temperatures of the acrylic resins used in Examples and Comparative Examples were determined by dynamic mechanical analysis (DMA) as shown in Tables 1 and 2 below. Is.

Figure 0006715142
Figure 0006715142

Figure 0006715142
Figure 0006715142

表2において、「CMI」とは、シクロへキシルマレイミド、「MMA」とはメチルメタクリレートのことを意味する。 In Table 2, “CMI” means cyclohexylmaleimide, and “MMA” means methyl methacrylate.

また、表1及び表2に示す、各アクリル樹脂のガラス転移温度は、動的粘弾性測定装置Rheologel−E4000(UBM株式会社製)を用いて、周波数1Hzの条件にて、5℃/分の昇温速度で、40℃から300℃まで温度を上昇させることにより測定した粘弾性の変化に基づき求めた。 Moreover, the glass transition temperature of each acrylic resin shown in Table 1 and Table 2 was 5° C./minute under the condition of a frequency of 1 Hz using a dynamic viscoelasticity measuring device Rheogel-E4000 (manufactured by UBM Co., Ltd.). It was determined based on the change in viscoelasticity measured by increasing the temperature from 40° C. to 300° C. at the rate of temperature increase.

〔硬化性モノマー〕
以下の式(12)で示されるトリシクロデカンジメタノールジアクリレート(新中村化学株式会社製、「A−DCP(商品名)」)
[Curable monomer]
Tricyclodecane dimethanol diacrylate represented by the following formula (12) (Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., "A-DCP (trade name)")

Figure 0006715142
〔重合開始剤〕
熱重合開始剤として、パーロイルTCP、パークミルD、及びパーオクタO(いずれも日本油脂株式会社製)を用いた。
Figure 0006715142
[Polymerization initiator]
As the thermal polymerization initiator, Perloyl TCP, Perkmill D, and Perocta O (all manufactured by NOF CORPORATION) were used.

〔評価1:圧縮型による素子の封止に対する適応性評価〕
実施例1の接着層における所定位置にベアチップを配置し、封止剤を用いてベアチップを封止した。このときにおけるベアチップの位置ずれの程度を、圧縮型による封止(モールディング)に対する適応性として評価した。
[Evaluation 1: Evaluation of adaptability for sealing element by compression type]
The bare chip was placed at a predetermined position in the adhesive layer of Example 1, and the bare chip was sealed with a sealant. The degree of displacement of the bare chip at this time was evaluated as the adaptability for sealing (molding) by the compression mold.

ベアチップの配置は、ダイボンダー(TRESKY社製)を使用して行なった。まず、ダイボンダーのプレートを150℃に加熱し、35Nの圧力にて、1秒間、実施例1の接着層上に2mm角のシリコン製のベアチップを圧着した。これにより、図5に示すように、ガラス支持体1に形成された接着層3における、四隅周辺部、及び中央部にベアチップ5を配置した。 The bare chip was placed using a die bonder (manufactured by TRESKY). First, the plate of the die bonder was heated to 150° C., and a 2 mm square bare chip made of silicon was pressure-bonded to the adhesive layer of Example 1 at a pressure of 35 N for 1 second. As a result, as shown in FIG. 5, the bare chips 5 were arranged at the four corner peripheral portions and the central portion of the adhesive layer 3 formed on the glass support 1.

次に、ベアチップを配置した実施例1の接着層を、200℃、1時間、窒素雰囲気下にて加熱した。 Next, the adhesive layer of Example 1 in which the bare chip was arranged was heated at 200° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere.

次に、ベアチップを配置した状態において、実施例1の接着層を形成したガラス支持体を、50℃に加熱したプレート上に載置し、12gのエポキシ樹脂を含む封止剤(軟化温度100℃程度)を乗せ、10Paよりも低い減圧条件下、貼付装置を用いて、130℃に加熱した押圧用プレートにて1トンの圧力を加え、5分間圧縮した(図2の(c)及び(d)に示す、配置工程に該当する)。これにより、接着層上に配置されたベアチップを封止材によって封止することにより、封止体を積層した実施例1の積層体を得た。 Next, with the bare chip placed, the glass support having the adhesive layer of Example 1 formed thereon was placed on a plate heated to 50° C., and a sealing agent containing 12 g of an epoxy resin (softening temperature 100° C.). (Approx.) was applied, and under a reduced pressure condition lower than 10 Pa, a pressure of 1 ton was applied by a pressing plate heated to 130° C. using a sticking device and compressed for 5 minutes ((c) and (d in FIG. 2). ) Corresponds to the placement process). Thus, the bare chip arranged on the adhesive layer was sealed with the sealing material to obtain the stacked body of Example 1 in which the sealed bodies were stacked.

実施例1の積層体を、光学顕微鏡を用いてガラス面側から観察し、貼り付けを行ったベアチップ5の位置ずれの程度を評価した。図5に示すように、接着層3上に配置された各ベアチップ5の貼り付けたときの位置から、X方向、及びY方向に対する移動距離の和を求め、各ベアチップの移動距離とした。続いて、ベアチップ5の移動距離の平均値を求め、移動距離の評価値とした。 The laminated body of Example 1 was observed from the glass surface side using an optical microscope to evaluate the degree of positional displacement of the bare chip 5 that was attached. As shown in FIG. 5, the sum of the moving distances in the X direction and the Y direction was obtained from the position where each bare chip 5 arranged on the adhesive layer 3 was pasted, and the sum was calculated as the moving distance of each bare chip. Then, the average value of the moving distance of the bare chip 5 was obtained and used as the evaluation value of the moving distance.

圧縮型による封止に対する適応性は、ベアチップ5の移動距離が20μm以下である場合、位置ずれ無し「○」と評価し、ベアチップ5の移動距離が20μmよりも大きい場合、位置ずれ有り「×」と評価した。 The adaptability for sealing by the compression mold is evaluated as “◯” without displacement when the moving distance of the bare chip 5 is 20 μm or less, and “×” with displacement when the moving distance of the bare chip 5 is larger than 20 μm. It was evaluated as.

なお、実施例2〜9、並びに比較例1及び2の接着層についても、実施例1の接着層の評価における手順に従って、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価を行なった。 Note that the adhesive layers of Examples 2 to 9 and Comparative Examples 1 and 2 were also subjected to applicability evaluation for sealing the element with the compression mold according to the procedure in the evaluation of the adhesive layer of Example 1.

以下に示す、表3及び5に、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価の結果を示す。 Tables 3 and 5 below show the results of the applicability evaluation for sealing the element by the compression mold.

〔評価2:絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価〕
評価1に用いた接着層と同様の手順に従って作成した実施例1〜9、並びに比較例1及び2の接着層について、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価(評価2)を行なった。絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価においては、レジスト溶剤への耐薬品性、及び、パターン形成後の加熱処理に対する耐熱性を評価した。
[Evaluation 2: Evaluation of adaptability to insulating pattern formation process]
With respect to the adhesive layers of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2 prepared according to the same procedure as the adhesive layer used in Evaluation 1, the adaptability evaluation (Evaluation 2) to the insulating pattern forming process was performed. In the applicability evaluation to the insulating pattern forming process, the chemical resistance to the resist solvent and the heat resistance to the heat treatment after the pattern formation were evaluated.

なお、実施例6〜9、並びに、比較例1及び2の接着層おける、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価は、各接着層を、200℃、1時間、窒素雰囲気下において加熱処理した後に行なった。 The applicability of the adhesive layers of Examples 6 to 9 and Comparative Examples 1 and 2 to the insulating pattern formation process was evaluated by heating each adhesive layer at 200° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere. I did.

(薬品耐性の評価)
まず、ポジ型レジストの評価について、各接着層に対して、絶縁膜形成用組成物PN−0379D(PGMEA含有、東京応化工業株式会社製)を1000rpmにてスピン塗布し、110℃、4分間の条件にて予備加熱することによって、5μmの乾燥被膜を形成した。次に、ORC社製平行光露光機(ghi)を使用して、当該被膜に対してパターン露光を行なった。次に、露光後の被膜を2.38%TMAH水溶液に23℃、5分間浸漬させることにより、ポジ型レジストによる感光性絶縁膜を、100μm幅のラインパターンにて形成した。
(Evaluation of chemical resistance)
First, for evaluation of a positive resist, an insulating film forming composition PN-0379D (containing PGMEA, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was spin-coated at 1000 rpm on each adhesive layer, and the composition was heated at 110° C. for 4 minutes. A 5 μm dry film was formed by preheating under the conditions. Next, pattern exposure was performed on the film using a parallel light exposure device (ghi) manufactured by ORC. Next, the exposed film was immersed in a 2.38% TMAH aqueous solution at 23° C. for 5 minutes to form a photosensitive insulating film made of a positive resist in a line pattern having a width of 100 μm.

また、ネガ型レジストの評価について、各接着層に対して、ネガ型レジストであるBL301(NMP含有、旭化成株式会社製)を1000rpmにてスピン塗布し、110℃、4分間の条件にて予備加熱することによって、5μmの接着層を形成した。次に、ORC社製平行光露光機(ghi)を使用しパターン露光をした後、シクロヘキサノンに23℃、5分間浸漬させ、ネガ型レジストによる感光性絶縁膜を、100μm幅のラインパターンにて形成した。 For the evaluation of the negative type resist, BL301 (containing NMP, manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.), which is a negative type resist, was spin-coated on each adhesive layer at 1000 rpm and preheated at 110° C. for 4 minutes. By doing so, a 5 μm adhesive layer was formed. Next, after pattern exposure using a parallel light exposure machine (ghi) manufactured by ORC, it is immersed in cyclohexanone at 23° C. for 5 minutes to form a photosensitive insulating film by a negative resist in a line pattern of 100 μm width. did.

薬品耐性の評価は、上記で得られたパターンを、PGMEA、TMAH、NMP、及びシクロヘキサノンに23℃、5分間それぞれ浸漬させたときにおける各接着層の外観における変化を目視にて評価した。薬品耐性の評価は、重量及び外観に変化が見られない場合は「○」とし、重量変化又は外観変化(ラインパターンの浮きや、接着層におけるクラックの有無)が見られた場合は「×」と判定した。 The chemical resistance was evaluated by visually observing a change in the appearance of each adhesive layer when the pattern obtained above was immersed in PGMEA, TMAH, NMP, and cyclohexanone at 23° C. for 5 minutes. The chemical resistance was evaluated as "○" when there was no change in weight and appearance, and "X" when there was a change in weight or appearance (floating line pattern or presence of cracks in the adhesive layer). It was judged.

以下の表3及び5に、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価における薬品耐性の評価結果を示す。 Tables 3 and 5 below show the evaluation results of chemical resistance in the applicability evaluation to the insulating pattern forming process.

(耐熱性の評価)
次に、耐熱性の評価として、薬品耐性を評価した各接着層について、100μm幅に形成されたラインパターンに縮み(シュリンク)が発生しているか否かを評価した。耐熱性の評価は、ポジ型レジストによってラインパターンを形成した接着層については、200℃、3時間、窒素雰囲気下で加熱処理した後のラインパターンの変化を評価し、ネガ型レジストによってラインパターンを形成した接着層については、230℃、4時間、窒素雰囲気下で加熱処理した後のラインパターンの変化を評価した。耐熱性の評価は、光学顕微鏡を使用して、加熱処理後の100μm幅ラインパターンの幅を測定し、幅の増減が5μmより小さければ、耐熱性「○」と評価し、幅の増減が5μmより大きければ、耐熱性「×」と評価した。
(Evaluation of heat resistance)
Next, as an evaluation of heat resistance, it was evaluated whether or not shrinkage (shrink) was generated in the line pattern formed in a width of 100 μm for each adhesive layer evaluated for chemical resistance. Regarding the evaluation of heat resistance, for the adhesive layer on which the line pattern was formed by the positive resist, the change of the line pattern after the heat treatment in a nitrogen atmosphere at 200° C. for 3 hours was evaluated, and the line pattern was formed by the negative resist. The formed adhesive layer was evaluated for change in line pattern after heat treatment at 230° C. for 4 hours in a nitrogen atmosphere. The heat resistance was evaluated by measuring the width of the 100 μm wide line pattern after the heat treatment using an optical microscope, and if the increase/decrease in width was less than 5 μm, the heat resistance was evaluated as “◯” and the increase/decrease in width was 5 μm. If it was larger, the heat resistance was evaluated as "x".

以下の表3及び5に、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価における耐熱性の評価結果を示す。 Tables 3 and 5 below show the evaluation results of heat resistance in the applicability evaluation to the insulating pattern forming process.

なお、耐熱性の評価を行なった後、実施例1〜9の接着層について、ラインパターンを形成した各接着層上にベアチップを配置し、評価1と同じ条件にて、当該ベアチップをエポキシ樹脂を含む封止剤によって封止することにより、封止基板を積層した積層体を得た。 After the heat resistance was evaluated, bare chips were placed on each of the adhesive layers having line patterns formed on the adhesive layers of Examples 1 to 9, and the bare chips were coated with an epoxy resin under the same conditions as in Evaluation 1. By sealing with the sealing agent containing, the laminated body which laminated the sealing substrate was obtained.

〔評価3:洗浄性の評価〕
評価1及び2において形成した、各積層体におけるガラス支持体側から分離に向かって、波長532nmのレーザ光を照射することにより、当該分離層を変質させた。次いで、各積層体からガラス支持体を分離して、接着層を露出させた。洗浄液としてD−リモネンを用い、10分間、スプレー洗浄を行うことによって、接着層が残存する封止基板を洗浄した。洗浄性の評価は、封止基板における接着層の残渣の有無を目視により確認し、残渣が全く見られなかった場合に、洗浄性を「○」と評価し、残渣が多く見られた場合には、洗浄性を「×」と評価した。
[Evaluation 3: Evaluation of detergency]
The separation layer was altered by irradiating a laser beam having a wavelength of 532 nm from the glass support side of each laminate formed in Evaluations 1 and 2 toward the separation. Then, the glass support was separated from each laminate to expose the adhesive layer. D-limonene was used as the cleaning liquid, and spray cleaning was performed for 10 minutes to clean the sealing substrate with the adhesive layer remaining. Detergency was evaluated by visually checking the presence or absence of residue in the adhesive layer on the sealing substrate, and when no residue was found, the detergency was evaluated as "○", and when many residues were found. The detergency was evaluated as "x".

以下の表3に、実施例1〜9の接着剤組成物の組成、及び各評価結果を示す。 Table 3 below shows the compositions of the adhesive compositions of Examples 1 to 9 and the evaluation results.

Figure 0006715142
Figure 0006715142

以下の表4に、実施例6〜9の接着層のガラス転移温度の評価結果を示す。硬化性モノマーを含む実施例6〜9の接着層におけるガラス転移温度の評価結果を示す。なお、実施例6〜9の接着層のガラス転移温度は、140℃における5分間、予備加熱処理、及び、200℃、1時間、窒素雰囲気下における加熱処理の後に、アクリル樹脂I〜VIにおけるガラス転移温度の測定と同じ条件によって測定した。

Figure 0006715142
Table 4 below shows the evaluation results of the glass transition temperatures of the adhesive layers of Examples 6 to 9. The evaluation result of the glass transition temperature in the adhesive layer of Examples 6-9 containing a curable monomer is shown. The glass transition temperatures of the adhesive layers of Examples 6 to 9 were glass in acrylic resins I to VI after preheating at 140° C. for 5 minutes and heat treatment at 200° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere. It was measured under the same conditions as the measurement of the transition temperature.
Figure 0006715142

下の表5に、比較例1及び2の接着剤組成物の組成、及び各評価結果を示す。 Table 5 below shows the compositions of the adhesive compositions of Comparative Examples 1 and 2 and the evaluation results.

Figure 0006715142
Figure 0006715142

(各評価結果)
表3に示すように、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価について、190℃以上のガラス転移温度を有するベースポリマーを用いた実施例1〜5の接着層、及び、硬化性モノマーを配合することにより190℃以上のガラス転移温度を示した実施例6〜9の接着層はいずれも、配置されたベアチップの位置ずれが見られなかった(○)。これに対して、表5に示すように、比較例1及び2の接着層では、500μm以上ものベアチップの位置ずれが認められた(×)。
(Evaluation results)
As shown in Table 3, for the applicability evaluation to the sealing of the element by the compression mold, the adhesive layers of Examples 1 to 5 using the base polymer having a glass transition temperature of 190° C. or higher and the curable monomer were blended. By doing so, in any of the adhesive layers of Examples 6 to 9 which showed a glass transition temperature of 190° C. or higher, no displacement of the arranged bare chip was observed (◯). On the other hand, as shown in Table 5, in the adhesive layers of Comparative Examples 1 and 2, a displacement of the bare chip of 500 μm or more was recognized (x).

以下の表6に、実施例1、及び比較例1の接着層について、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価を、押圧用プレスにおける加熱温度を130℃から、150℃、及び170℃に代えて行った結果を示す。 In Table 6 below, for the adhesive layers of Example 1 and Comparative Example 1, the applicability evaluation for sealing the element by the compression mold was performed by changing the heating temperature in the pressing press from 130°C to 150°C and 170°C. The results of the replacement are shown below.

Figure 0006715142
Figure 0006715142

表6に示すように、比較例1ではチップの大きな移動(225μm)が見られたのに対し、実施例1では封止の際のプレート温度を170℃にしても、ほとんどチップの位置ずれが見られなかった(≦20μm)。これらの結果から、Tgが190℃以上のベースポリマーを用いるか、又は、Tgが140℃以上のベースポリマーと硬化性モノマーとを併用することによって、高温環境下において力を加えても変形することを防止することができる接着層を形成することができることを確認することができた。 As shown in Table 6, in Comparative Example 1, a large chip movement (225 μm) was observed, whereas in Example 1, even if the plate temperature at the time of sealing was 170° C., there was almost no displacement of the chip position. Not seen (≦20 μm). From these results, by using a base polymer having a Tg of 190° C. or higher, or by using a base polymer having a Tg of 140° C. or higher and a curable monomer together, it is possible to deform even if a force is applied in a high temperature environment. It was confirmed that it was possible to form an adhesive layer that could prevent

また、表3に示すように、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価における薬品耐性において、実施例1〜9の接着層は、ポジ型レジストの現像に使用されるようなPGMEA、及びTMAH、並びに、ネガ型レジストの現像に使用されるようなNMPに対して高い薬品耐性を有していることを確認することができた。また、硬化性モノマーを配合した実施例6〜9の接着層は、ネガ型レジストの現像に使用されるシクロヘキサノンに対しても高い薬品耐性を有していることを確認することができた。この結果から、一実施形態に係る接着剤組成物は、ポジ型レジスト、ネガ型レジストを用いた絶縁パターン形成プロセスへ適応できることを確認することができた。これに対して、表5に示すように、比較例1及び2の接着層は、PGMEA、NMP、シクロヘキサノンをレジスト溶剤として用いた場合、接着層が溶解し、ラインパターンを形成することができなかった(×)。 Further, as shown in Table 3, in chemical resistance in the applicability evaluation to the insulating pattern forming process, the adhesive layers of Examples 1 to 9 are PGMEA and TMAH as used for developing a positive resist, and It was confirmed that they have high chemical resistance to NMP as used in the development of negative resist. It was also confirmed that the adhesive layers of Examples 6 to 9 containing the curable monomer had high chemical resistance to cyclohexanone used for developing the negative resist. From this result, it was confirmed that the adhesive composition according to one embodiment can be applied to the insulating pattern forming process using a positive resist and a negative resist. On the other hand, as shown in Table 5, in the adhesive layers of Comparative Examples 1 and 2, when PGMEA, NMP and cyclohexanone were used as the resist solvent, the adhesive layers were dissolved and a line pattern could not be formed. It was (×).

耐熱性の評価において、実施例1〜9の接着層は、200℃、4時間の加熱条件において、接着層上に形成されたレジストパターンの収縮が略認められなかった(〇)。また、実施例3〜9の接着層は、230℃、4時間の加熱条件においても、レジストパターンの収縮がほとんど認められなかった(〇)。なお、比較例1及び2の接着層は、230℃、4時間の加熱条件において、レジストパターンの収縮が認められ(×)、比較例2の接着層においては、200℃、4時間の加熱条件においても、レジストパターンの収縮が認められた(×)。 In the evaluation of heat resistance, in the adhesive layers of Examples 1 to 9, shrinkage of the resist pattern formed on the adhesive layer was not substantially recognized under the heating condition of 200° C. for 4 hours (◯). Also, in the adhesive layers of Examples 3 to 9, shrinkage of the resist pattern was hardly recognized even under heating conditions of 230° C. for 4 hours (◯). In the adhesive layers of Comparative Examples 1 and 2, shrinkage of the resist pattern was recognized (x) under heating conditions of 230° C. for 4 hours, and in the adhesive layer of Comparative Example 2, heating conditions of 200° C. for 4 hours were used. Also in the sample, shrinkage of the resist pattern was observed (x).

実施例7、比較例1の接着層の上に形成したラインパターンと、接着層を形成せずに直接ガラス支持体上に形成したラインパターンとを、評価2における耐熱性評価と同じ条件(200℃)にて加熱処理し、そのラインパターンの幅の増減、及び変化量を計測した。以下の表7に結果を示す。 The line pattern formed on the adhesive layer of Example 7 and Comparative Example 1 and the line pattern formed directly on the glass support without forming the adhesive layer were subjected to the same conditions as those in the heat resistance evaluation in Evaluation 2 (200). The temperature was increased and decreased, and the amount of change in the width of the line pattern was measured. The results are shown in Table 7 below.

Figure 0006715142
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表7に示すように、レジストによるパターン形成における加熱処理の前後において、実施例7の接着層上に形成されたレジストパターンの収縮の程度と、ガラス支持体上に直接形成されたレジストパターンの収縮の程度は、略変わらないことを確認することができた。 As shown in Table 7, the degree of shrinkage of the resist pattern formed on the adhesive layer of Example 7 and the shrinkage of the resist pattern formed directly on the glass support before and after the heat treatment in the pattern formation by the resist. It was possible to confirm that the degree of was almost unchanged.

以上の、評価1及び評価2の結果から、実施例1〜9の接着層は、比較例1及び2の接着層と比較して、全体的に、高い耐熱性、及び高い薬品耐性を有していることを確認することができた。 From the results of Evaluation 1 and Evaluation 2 described above, the adhesive layers of Examples 1 to 9 have higher heat resistance and higher chemical resistance as a whole, as compared with the adhesive layers of Comparative Examples 1 and 2. I was able to confirm that.

これに加えて、表3に示すように、実施例1〜9の接着層は、洗浄性の評価(評価3)においてD−リモネンにより、好適に洗浄除去することができた(○)。 In addition to this, as shown in Table 3, the adhesive layers of Examples 1 to 9 could be suitably washed and removed by D-limonene in the evaluation of detergency (evaluation 3) (◯).

以上の結果から、Tgが190℃以上の(メタ)アクリレートポリマーを用いるか、或いは、Tgが140℃以上の(メタ)アクリレートポリマーに硬化性モノマーを配合することにより、絶縁パターン形成プロセスへの適応性、及び絶縁パターン形成プロセスへの適応性の高い接着層を形成することができる接着剤組成物を得ることができることを確認することができた。 From the above results, by using a (meth)acrylate polymer having a Tg of 190° C. or higher, or by blending a curable monomer with a (meth)acrylate polymer having a Tg of 140° C. or higher, it is possible to adapt to the insulating pattern forming process. It has been confirmed that it is possible to obtain an adhesive composition that is capable of forming an adhesive layer that is highly adaptable to the insulating pattern forming process.

本発明は、特にファンアウト型技術による半導体装置の製造において好適に利用することができる。 The present invention can be suitably used particularly in manufacturing a semiconductor device by a fan-out type technology.

1 支持体
3 接着層
4 再配線層
5 ベアチップ(素子、封止体)
6 封止材(封止体)
7、7' 封止基板
8、8'、9、9' 積層体
1 Support 3 Adhesive Layer 4 Rewiring Layer 5 Bare Chip (Element, Sealing Body)
6 Sealing material (sealing body)
7, 7'sealing substrate 8, 8', 9, 9'laminate

Claims (15)

基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、
上記接着層のガラス転移温度は、190℃以上であり、
上記接着剤組成物は、樹脂成分として、脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーを含んでおり、
当該(メタ)アクリレートポリマーは、上記脂肪族多環式基を有するモノマー単位の含有量が、60重量%以上、100重量%以下の範囲内であることを特徴とする接着剤組成物。
A substrate, an adhesive layer, and an adhesive composition for forming the adhesive layer in a laminate formed by laminating a support in this order,
The glass transition temperature of the adhesive layer is 190° C. or higher,
The adhesive composition contains, as a resin component, a (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group,
The (meth)acrylate polymer is characterized in that the content of the monomer unit having an aliphatic polycyclic group is in the range of 60% by weight or more and 100% by weight or less.
樹脂成分として、多官能型の硬化性モノマーをさらに含んでいることを特徴とする請求項1に記載の接着剤組成物。 The adhesive composition according to claim 1, further comprising a polyfunctional curable monomer as a resin component. 上記脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーのガラス転移温度は、190℃以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の接着剤組成物。 The adhesive composition according to claim 1 or 2, wherein the glass transition temperature of the (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group is 190°C or higher. 上記脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーのガラス転移温度は、140℃以上であることを特徴とする請求項2に記載の接着剤組成物。 The adhesive composition according to claim 2, wherein the (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group has a glass transition temperature of 140°C or higher. 上記多官能型の硬化性モノマーは、脂肪族多環式基を有していることを特徴とする請求項2〜4の何れか1項に記載の接着剤組成物。 The adhesive composition according to any one of claims 2 to 4, wherein the polyfunctional curable monomer has an aliphatic polycyclic group. 上記樹脂成分における上記多官能型の硬化性モノマーの含有量は、1重量%以上、30重量%以下の範囲内であることを特徴とする請求項2〜5の何れか1項に記載の接着剤組成物。 Content of the said polyfunctional curable monomer in the said resin component is in the range of 1 to 30 weight% inclusive, Adhesion in any one of Claims 2-5 characterized by the above-mentioned. Agent composition. 上記脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーの重量平均分子量は、9万以上であることを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載の接着剤組成物。 The adhesive composition according to any one of claims 1 to 6, wherein the (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group has a weight average molecular weight of 90,000 or more. 上記脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリレートポリマーは、脂肪族多環式基を有するモノマー単位と、アルキル基を有するモノマー単位、及び芳香族基を有するモノマー単位からなる群から選択される少なくとも1つのモノマー単位との共重合体であることを特徴とする請求項1〜7の何れか一項に記載の接着剤組成物。 The (meth)acrylate polymer having an aliphatic polycyclic group is selected from the group consisting of a monomer unit having an aliphatic polycyclic group, a monomer unit having an alkyl group, and a monomer unit having an aromatic group. The adhesive composition according to any one of claims 1 to 7, which is a copolymer with at least one monomer unit. 上記脂肪族多環式基は、トリシクロアルカン構造、テトラシクロアルカン構造から選択される少なくとも1つの構造を有することを特徴とする請求項1〜8の何れか一項に記載の接着剤組成物。 9. The adhesive composition according to claim 1, wherein the aliphatic polycyclic group has at least one structure selected from tricycloalkane structure and tetracycloalkane structure. .. フィルム上に、請求項1〜9の何れか一項に記載の接着剤組成物からなる接着層が形成されていることを特徴とする接着フィルム。 An adhesive film comprising an adhesive layer comprising the adhesive composition according to any one of claims 1 to 9 formed on the film. 基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体を製造する積層体の製造方法であって、
上記基板上、又は、上記支持体上の少なくとも一方に、請求項1〜8の何れか一項に記載の接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する接着層形成工程を包含していることを特徴とする積層体の製造方法。
A method for producing a laminate, comprising: a substrate, an adhesive layer, and a support, which are laminated in this order,
An adhesive layer is formed by applying the adhesive composition according to any one of claims 1 to 8 on at least one of the substrate and the support and heating the adhesive composition to form the adhesive layer. A method for producing a laminate, which comprises the steps.
上記基板は、素子を封止材によって封止してなる封止体と、上記封止体の一方の平面部に設けられ、上記素子に接続する配線を構成する再配線層とを備えた封止基板であり、
上記支持体上に、上記接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する上記接着層形成工程と、
上記接着層の上に素子を配置する配置工程と、
上記配置工程の後に上記素子を封止材によって封止する封止工程とを包含していることを特徴とする請求項11に記載の積層体の製造方法。
The substrate is a sealing body including a sealing body formed by sealing an element with a sealing material, and a rewiring layer that is provided on one flat surface portion of the sealing body and forms a wiring connected to the element. It is a stop substrate,
On the support, the adhesive composition is applied, and the adhesive layer forming step of forming the adhesive layer by heating,
An arrangement step of arranging the element on the adhesive layer,
The manufacturing method of the laminated body of Claim 11 including the sealing process of sealing the said element with a sealing material after the said arrangement|positioning process.
上記基板は、素子を封止材によって封止してなる封止体と、上記封止体の一方の平面部に設けられ、上記素子を配置する再配線層とを備えた封止基板であり、
上記支持体上に、上記接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する上記接着層形成工程と、
上記接着層の上に、上記再配線層を形成する再配線層形成工程とを包含していることを特徴とする請求項11に記載の積層体の製造方法。
The substrate is a sealing substrate including a sealing body obtained by sealing an element with a sealing material, and a rewiring layer provided on one flat surface portion of the sealing body and in which the element is arranged. ,
On the support, the adhesive composition is applied, and the adhesive layer forming step of forming the adhesive layer by heating,
The method for producing a laminate according to claim 11, further comprising a rewiring layer forming step of forming the rewiring layer on the adhesive layer.
上記支持体は、光を透過する材料からなる支持体であり、
上記接着層形成工程の前に、上記支持体上に、光を照射することにより変質する分離層を形成する分離層形成工程をさらに包含していることを特徴とする請求項11〜13の何れか一項に記載の積層体の製造方法。
The support is a support made of a material that transmits light,
14. The method according to claim 11, further comprising, before the adhesive layer forming step, a separating layer forming step of forming a separating layer which is deteriorated by irradiating light on the support. The method for producing a laminate according to item 1.
請求項14に記載の積層体の製造方法と、
上記支持体を介して、上記分離層に光を照射することにより変質させ、上記積層体から上記基板を分離する分離工程と、
上記分離工程後、上記積層体から分離した上記基板上に残る上記接着層を洗浄液により除去する除去工程とを包含していることを特徴とする基板処理方法。
A method for manufacturing the laminate according to claim 14;
Through the support, the separation layer is changed in quality by irradiating with light, and a separation step of separating the substrate from the laminate,
After the separating step, a removing step of removing the adhesive layer remaining on the substrate separated from the laminated body with a cleaning liquid is included.
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