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JP6743369B2 - Surface emitting laser, surface emitting laser array, optical scanning device, and image forming apparatus - Google Patents
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Surface emitting laser, surface emitting laser array, optical scanning device, and image forming apparatus Download PDF

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Description

本発明は、面発光レーザ、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置に関する。 The present invention relates to a surface emitting laser, a surface emitting laser array, an optical scanning device, and an image forming apparatus.

複写機やプリンタ等の電子写真方式の画像形成装置では、面発光レーザアレイを光源として用い、
該光源から射出された偏光方向の異なる光を分離し、光量を低減させることなく複数の感光体ドラムに書き込みを行うように構成して光源の部品点数を減らしている。
偏光方向の異なる面発光レーザを作製する場合、面発光レーザの偏光方向を制御する必要がある。
面発光レーザの偏光方向を制御する方法としては、傾斜基板を用いる方法(特許文献1)や、メサ構造内部に異方性の歪を形成する方法(特許文献2)などが知られている。
In an electrophotographic image forming apparatus such as a copying machine or a printer, a surface emitting laser array is used as a light source,
The number of parts of the light source is reduced by separating the light emitted from the light source having different polarization directions and writing to a plurality of photosensitive drums without reducing the light amount.
When manufacturing surface emitting lasers having different polarization directions, it is necessary to control the polarization direction of the surface emitting laser.
Known methods for controlling the polarization direction of the surface emitting laser include a method using an inclined substrate (Patent Document 1) and a method of forming anisotropic strain inside the mesa structure (Patent Document 2).

しかしながら、従来の方法では加工が容易ではなく、これが製造コストにも影響を及ぼしている。 However, the conventional method is not easy to process, which also affects the manufacturing cost.

本発明は、このような現状に鑑みてなされたもので、容易な加工によって高い偏光特性を得ることができ、コスト低減にも寄与できる面発光レーザの提供を、その主な目的とする。 The present invention has been made in view of such a current situation, and its main object is to provide a surface emitting laser that can obtain high polarization characteristics by easy processing and contribute to cost reduction.

上記目的を達成するために、本発明は、活性層と、前記活性層を挟んで両側に位置する2つの反射鏡と、を備え、前記活性層及び前記2つの反射鏡の配置方向に平行な方向に光を射出する面発光レーザであって、前記2つの反射鏡のうち少なくとも一方は、相対的に低屈折率層高屈折率層交互に積層上部分布ブラッグ反射鏡層に、積層される方向と平行な方向に、周期的な溝を形成して、発振波長λの1/2よりも小さい周期で並べた平板からなる微細構造を有する多層膜反射鏡であり、前記低屈折率層及び前記高屈折率層の光学的な厚さが、第1の偏光方向の光に対する場合と、第1の偏光方向に直交する第2の偏光方向の光に対する場合とで異なり、前記面発光レーザが射出する光の波長をλとすると、光が射出される領域の中央部における前記多層膜反射鏡の前記低屈折率層及び前記高屈折率層の光学的な厚さは、第1の偏光方向の光に対して(2n−1)λ/4(nは自然数)であり、第2の偏光方向の光に対しては(2n−1)λ/4(nは自然数)と異なり、且つ、前記中央部の外側に位置する周辺部における前記低屈折率層及び前記高屈折率層の光学的な厚さは、第1の偏光方向の光及び第2の偏光方向の光のいずれに対しても(2n−1)λ/4(nは自然数)と異なる。
また、本発明は、活性層と、前記活性層を挟んで両側に位置する2つの反射鏡と、を備え、前記活性層及び前記2つの反射鏡の配置方向に平行な方向に光を射出する面発光レーザであって、前記2つの反射鏡のうち少なくとも一方は、相対的に低屈折率層高屈折率層交互に積層上部分布ブラッグ反射鏡層に、積層される方向と平行な方向に、周期的な溝を形成して、発振波長λの1/2よりも小さい周期で並べた平板からなる微細構造を有する多層膜反射鏡であり、前記多層膜反射鏡は、前記低屈折率層前記高屈折率層の積層方向である第1の方向に平行な平面を有する複数の前記平板が第1の方向に直交する第2の方向に配列した周期的な構造を有し、前記面発光レーザが射出する光の波長をλとすると、前記平板の第2の方向の幅は、λ/4より大きい
In order to achieve the above object, the present invention comprises an active layer and two reflecting mirrors located on both sides of the active layer so as to be parallel to the arrangement direction of the active layer and the two reflecting mirrors. a surface emitting laser that emits light in the direction, said at least one of the two reflectors, relatively to the upper distributed Bragg reflector layer and a low refractive index layer and the high refractive index layer alternately laminated A multilayer film reflecting mirror having a fine structure including flat plates in which periodic grooves are formed in a direction parallel to a stacking direction and arranged at a period smaller than 1/2 of an oscillation wavelength λ. optical thickness of the refractive index layers and the high refractive index layer, and a case for the first polarization direction of the light, unlike in the case for the second polarization direction orthogonal to the first polarization direction, When the wavelength of the light emitted by the surface emitting laser is λ, the optical thicknesses of the low refractive index layer and the high refractive index layer of the multilayer-film reflective mirror in the central portion of the region where the light is emitted are: (2n-1)λ/4 (n is a natural number) for light in the first polarization direction, and (2n-1)λ/4 (n is a natural number) for light in the second polarization direction. And the optical thicknesses of the low refractive index layer and the high refractive index layer in the peripheral portion located outside the central portion are equal to the light in the first polarization direction and the light in the second polarization direction. for any (2n-1) λ / 4 (n is a natural number) Ru different and.
Further, the present invention includes an active layer and two reflecting mirrors located on both sides of the active layer, and emits light in a direction parallel to the arrangement direction of the active layer and the two reflecting mirrors. In the surface emitting laser, at least one of the two reflecting mirrors has a direction in which a relatively low refractive index layer and a relatively high refractive index layer are alternately laminated on an upper distributed Bragg reflecting mirror layer. in a direction parallel, to form a periodic groove, a multilayer-film reflective mirror having a microstructure consisting of flat plates arranged in period smaller than 1/2 of the oscillation wavelength lambda, the multilayer reflector, the the first direction periodic structure arranged in a second direction in which the plurality of the flat plate is orthogonal to the first direction with a plane parallel to a stacking direction of the high refractive index layer and the low refractive index layer Yes, and when the surface emitting laser and a wavelength of light emitted lambda, a second width of the flat is greater than lambda / 4.

本発明によれば、容易な加工によって高い偏光特性を得ることができ、コスト低減にも寄与できる。 According to the present invention, high polarization characteristics can be obtained by easy processing, which can contribute to cost reduction.

本発明の第1の実施形態に係る面発光レーザアレイの平面図である。It is a top view of the surface emitting laser array which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 面発光レーザアレイにおける個々の面発光レーザの拡大平面図で、(a)は第1の面発光レーザを示す図、(b)は第1の面発光レーザとは偏光方向が異なる第2の面発光レーザを示す図である。2A and 2B are enlarged plan views of individual surface-emitting lasers in the surface-emitting laser array, in which FIG. 1A is a diagram showing a first surface-emitting laser, and FIG. It is a figure which shows a light emitting laser. 第1の面発光レーザの図2(a)のA−A’線での断面図である。It is sectional drawing in the A-A' line of FIG.2(a) of a 1st surface emitting laser. 周期的な微細構造を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a periodic fine structure. 面発光レーザアレイの製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of a surface emitting laser array. 第2の実施形態に係る面発光レーザアレイにおける個々の面発光レーザの拡大平面図で、(a)は第1の面発光レーザを示す図、(b)は第1の面発光レーザとは偏光方向が異なる第2の面発光レーザを示す図である。FIG. 3 is an enlarged plan view of an individual surface emitting laser in the surface emitting laser array according to the second embodiment, (a) showing the first surface emitting laser, and (b) polarized with the first surface emitting laser. It is a figure which shows the 2nd surface emitting laser from which a direction differs. 第1の面発光レーザの図6(a)のA−A’線での断面図である。It is sectional drawing in the A-A' line of FIG.6(a) of a 1st surface emitting laser. 周期的な微細構造を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a periodic fine structure. 第3の実施形態に係る光走査装置の概要斜視図である。It is a schematic perspective view of the optical scanning device which concerns on 3rd Embodiment. 第4の実施形態に係る画像形成装置としてのカラーレーザプリンタの概要構成図である。It is a schematic block diagram of the color laser printer as an image forming apparatus which concerns on 4th Embodiment.

以下、本発明の実施形態を図を参照して説明する。
図1乃至図5に基づいて、第1の実施形態としての面発光レーザ及び面発光レーザアレイについて説明する。
図1は、本実施形態に係る面発光レーザアレイ2の平面図である。
面発光レーザアレイ2は、GaAs(ヒ化ガリウム)の基板4上に、第1の面発光レーザ6と、第1の面発光レーザ6とは射出光の偏光方向が異なる第2の面発光レーザ8とをそれぞれ複数作り込んだ構成を有している。
ここで、作り込みとは、半導体製造技術を応用したマイクロマシニング技術による作製を意味する。
第1の面発光レーザ6は4個が1列に配置されて第1の面発光レーザ群10を構成し、第2の面発光レーザ8も同様に4個が1列に配置されて第2の面発光レーザ群12を構成している。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
A surface emitting laser and a surface emitting laser array as a first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 5.
FIG. 1 is a plan view of a surface emitting laser array 2 according to this embodiment.
The surface emitting laser array 2 includes a first surface emitting laser 6 on a GaAs (gallium arsenide) substrate 4, and a second surface emitting laser having a polarization direction of emitted light different from that of the first surface emitting laser 6. It has a construction in which a plurality of 8 and 8 are respectively built.
Here, the term “fabrication” means fabrication by a micromachining technique to which a semiconductor manufacturing technique is applied.
Four first surface emitting lasers 6 are arranged in one row to form a first surface emitting laser group 10. Similarly, four second surface emitting lasers 8 are also arranged in one row to form a second surface emitting laser 8. The surface emitting laser group 12 of FIG.

第1の面発光レーザ群10と第2の面発光レーザ群12は、上記列方向とは直交する方向に交互に配置されている。
複数の第1の面発光レーザ6と第2の面発光レーザ8とにはそれぞれ個別に電極パッド14が対応して配置されており、各面発光レーザと電極パッド14間は配線16で電気的に接続されている。
The first surface emitting laser group 10 and the second surface emitting laser group 12 are alternately arranged in a direction orthogonal to the column direction.
Electrode pads 14 are individually arranged corresponding to the plurality of first surface emitting lasers 6 and second surface emitting lasers 8, respectively, and wiring 16 electrically connects between the respective surface emitting lasers and electrode pads 14. It is connected to the.

図2(a)に示すように、第1の面発光レーザ6は、反射鏡としての上部DBR(分布型ブラッグ反射鏡)層34のうち、メサ上部の電極40で囲まれる部分に、周期的な微細構造18を有している。
図2(b)に示すように、第2の面発光レーザ8も同様に、反射鏡としての上部DBR層34のうち、メサ上部の電極40で囲まれる部分に、周期的な微細構造22を有している。
周期的な微細構造が形成される部分は上部DBR層34の全体でも一部でもよい。
As shown in FIG. 2A, in the first surface-emitting laser 6, a portion of the upper DBR (distributed Bragg reflector) layer 34 as a reflector, which is surrounded by the electrode 40 above the mesa, is periodically arranged. It has a fine microstructure 18.
As shown in FIG. 2B, in the second surface emitting laser 8 as well, the periodic fine structure 22 is similarly formed in the portion of the upper DBR layer 34 as a reflecting mirror, which is surrounded by the electrode 40 above the mesa. Have
The portion where the periodic fine structure is formed may be the whole or a part of the upper DBR layer 34.

第1の面発光レーザ6の微細構造18は、第1の方向(Z方向)に平行な平面を有する平板が、第1の方向に直交する第2の方向(X方向)に周期的に配列した構造を有している。
第2の面発光レーザ8の微細構造22は、第1の方向(Z方向)に平行な平面を有する平板が、第1の方向に直交する第2の方向(Y方向)に周期的に配列した構造を有している。
すなわち、第1の面発光レーザ6と第2の面発光レーザ8とでは、微細構造における平板構成の配列方向が直交しており、周期方向が異なっている。
In the fine structure 18 of the first surface-emitting laser 6, flat plates having a plane parallel to the first direction (Z direction) are periodically arrayed in a second direction (X direction) orthogonal to the first direction. It has a structure.
In the fine structure 22 of the second surface emitting laser 8, flat plates having a plane parallel to the first direction (Z direction) are periodically arranged in the second direction (Y direction) orthogonal to the first direction. It has a structure.
That is, in the first surface emitting laser 6 and the second surface emitting laser 8, the arrangement directions of the flat plate structures in the microstructure are orthogonal to each other and the cycle directions are different.

図3は、第1の面発光レーザ6における図2(a)のA−A’線での断面図である。
第1の面発光レーザ6は、基板4上に、バッファ層20、反射鏡としての下部DBR層24、下部スペーサ層26、活性層28、上部スペーサ層30、被選択酸化層32、反射鏡としての上部DBR層34、コンタクト層36、保護層38、保護層38を挟んでコンタクト層36と接触するように設けられた電極40とを設けた構成を有している。
上部DBR層34と下部DBR層24は、活性層28を挟んでこれらの配置方向の両側に位置する。
図3において、符号42は基板4の下側に配置された電極を示している。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the first surface emitting laser 6 taken along the line AA′ in FIG.
The first surface emitting laser 6 includes a buffer layer 20, a lower DBR layer 24 as a reflecting mirror, a lower spacer layer 26, an active layer 28, an upper spacer layer 30, a selective oxidation layer 32, and a reflecting mirror on the substrate 4. The upper DBR layer 34, the contact layer 36, the protective layer 38, and the electrode 40 provided so as to contact the contact layer 36 with the protective layer 38 interposed therebetween.
The upper DBR layer 34 and the lower DBR layer 24 are located on both sides of the active layer 28 in the arrangement direction with the active layer 28 in between.
In FIG. 3, reference numeral 42 indicates an electrode arranged below the substrate 4.

上部DBR層34は、低屈折率の層34aと高屈折率の層34bとが交互に第1の方向(Z方向)に積層された多層膜反射鏡の構造を有している。
下部DBR層24も同様に、低屈折率の層24aと高屈折率の層24bとが相対的に交互に第1の方向(Z方向)に積層された多層膜反射鏡の構造を有している。
第2の面発光レーザ8は、微細構造の周期方向の違いを除き、第1の面発光レーザ6と同様の構成を有している。
The upper DBR layer 34 has a structure of a multilayer film reflecting mirror in which low refractive index layers 34a and high refractive index layers 34b are alternately laminated in the first direction (Z direction).
Similarly, the lower DBR layer 24 also has a structure of a multilayer film mirror in which low-refractive index layers 24a and high-refractive index layers 24b are relatively alternately laminated in the first direction (Z direction). There is.
The second surface emitting laser 8 has the same configuration as the first surface emitting laser 6 except for the difference in the periodic direction of the fine structure.

第1の面発光レーザ6の上部DBR層34に形成された微細構造18について説明する。
図4に示すように、本来複屈折特性を持たない屈折率の異なる平板44を光の波長(λ)より十分に小さい、すなわちλ/2よりも小さい周期で並べた微細構造は、複屈折特性を発生することが知られている(Principle of Optics, Max Born and Emil Wolf, PERGAMON PRESS LTD.)。
偏光方向が平板44に平行な光の屈折率n//と、垂直な光の屈折率nはそれぞれ式(1)、式(2)で表される。
The microstructure 18 formed in the upper DBR layer 34 of the first surface emitting laser 6 will be described.
As shown in FIG. 4, a fine structure in which flat plates 44 having different refractive indexes, which originally do not have birefringence characteristics, are arranged sufficiently smaller than the wavelength (λ) of light, that is, a period smaller than λ/2 has a birefringence characteristic. Is known to occur (Principle of Optics, Max Born and Emil Wolf, PERGAMON PRESS LTD.).
The refractive index n // of the light whose polarization direction is parallel to the flat plate 44 and the refractive index n ⊥ of the light perpendicular thereto are expressed by the equations (1) and (2), respectively.

Figure 0006743369
Figure 0006743369

(1)、式(2)において、n、nはそれぞれ平板の屈折率と、平板の間を埋める物質の屈折率である。
tは微細構造のduty比であり、式(3)で表される。
In formula (1) and formula (2), n 1 and n 2 are the refractive index of the flat plate and the refractive index of the substance filling the space between the flat plates, respectively.
t is the duty ratio of the fine structure and is represented by the equation (3).

Figure 0006743369
Figure 0006743369

このように、平板の材質(屈折率)や平板の間を埋める材質(屈折率)、微細構造のduty比で、偏光方向が平板に平行な光の屈折率n//と、平板に垂直な光の屈折率nとを制御することができる。
このため、偏光方向が平板に平行な光と、平板に垂直な光とで光学長が異なり、かつ、それぞれ任意の値に制御することができる。
微細構造18、20もこの原理に基づいて形成されている。
As described above, the flat plate material (refractive index), the material filling the space between the flat plates (refractive index), the duty ratio of the fine structure, and the refractive index n // of the light whose polarization direction is parallel to the flat plate and the vertical direction to the flat plate. The refractive index n⊥ of light can be controlled.
Therefore, the light whose polarization direction is parallel to the flat plate and the light perpendicular to the flat plate have different optical lengths and can be controlled to arbitrary values.
The microstructures 18 and 20 are also formed based on this principle.

第1の面発光レーザ6では、上部DBR層34の微細構造18を、偏光方向が平板と平行な第1の偏光方向の光に対しては、低屈折率層34a及び高屈折率層34bの光学的な厚さが発振波長λの1/4となるように構成されている。
また、上部DBR層34の微細構造18を、偏光方向が平板と垂直な他方の第2の偏光方向の光に対しては、低屈折率層34a及び高屈折率層34bの光学的な厚さが発振波長の1/4より小さくなるように構成されている。
さらに、第2の偏光方向の光に対しては、低屈折率層34aと高屈折率層34bとの屈折率の差が、偏光方向が平板と平行な第1の偏光方向の光に対する低屈折率層34aと高屈折率層34bとの屈折率の差よりも小さくなるように構成している。
第2の面発光レーザ8においても同様である。
In the first surface emitting laser 6, the fine structure 18 of the upper DBR layer 34 is provided with the low refractive index layer 34a and the high refractive index layer 34b for the light of the first polarization direction in which the polarization direction is parallel to the flat plate. The optical thickness is configured to be ¼ of the oscillation wavelength λ.
Further, the fine structure 18 of the upper DBR layer 34 is provided with the optical thicknesses of the low refractive index layer 34a and the high refractive index layer 34b for the light of the other second polarization direction in which the polarization direction is perpendicular to the flat plate. Is smaller than 1/4 of the oscillation wavelength.
Further, for light in the second polarization direction, the difference in refractive index between the low-refractive index layer 34a and the high-refractive index layer 34b results in low refraction for light in the first polarization direction in which the polarization direction is parallel to the flat plate. The refractive index layer 34a and the high refractive index layer 34b are configured to have a smaller refractive index difference.
The same applies to the second surface emitting laser 8.

これにより、第1の面発光レーザ6では、偏光方向が平板と平行な第1の偏光方向の光に対しては、上部DBR層34が反射鏡として機能するため、レーザ発振し、レーザ光が射出される。
一方、偏光方向が平板と垂直な第2の偏光方向の光に対しては、上部DBR層34はほとんど反射しないため、レーザ発振せず、レーザ光は射出されない。
As a result, in the first surface-emitting laser 6, the upper DBR layer 34 functions as a reflecting mirror with respect to light in the first polarization direction in which the polarization direction is parallel to the flat plate, so that laser oscillation occurs and laser light is emitted. Is ejected.
On the other hand, the upper DBR layer 34 hardly reflects the light in the second polarization direction whose polarization direction is perpendicular to the flat plate, so that laser oscillation does not occur and laser light is not emitted.

第1の偏光方向の光と第2の偏光方向の光に対する低屈折率層34a及び高屈折率層34bの光学的な厚さは、上記に限定されない。
すなわち、低屈折率層34a及び高屈折率層34bの光学的な厚さは、第1の偏光方向の光に対して(2n−1)λ/4(nは自然数)であり、第2の偏光方向の光に対しては(2n−1)λ/4(nは自然数)と異なればよい。
The optical thicknesses of the low refractive index layer 34a and the high refractive index layer 34b for the light of the first polarization direction and the light of the second polarization direction are not limited to the above.
That is, the optical thicknesses of the low-refractive index layer 34a and the high-refractive index layer 34b are (2n-1)λ/4 (n is a natural number) for the light in the first polarization direction, and For the light in the polarization direction, it may be different from (2n−1)λ/4 (n is a natural number).

上記のように、第1の面発光レーザ6と第2の面発光レーザ8とでは、微細構造の周期方向を直交するように異ならせて形成しているので、第1の面発光レーザ群10と2の面発光レーザ群12とで偏光方向が直交したレーザ光を射出することができる。 As described above, the first surface-emission laser diode 6 and the second surface-emission laser diode 8 are formed so that the periodic directions of the fine structures are different from each other, and thus the first surface-emission laser group 10 is formed. It is possible to emit laser light whose polarization directions are orthogonal to each other by the surface emitting laser group 12 of 2 and 2.

本実施形態における面発光レーザアレイ2では、低屈折率層34aは材料(Al0.9Ga0.1As)で形成し、厚さは72.2nmである。
高屈折率層34bは材料(Al0.3Ga0.7As)で形成し、厚さは64.1nmである。
低屈折率層34aと高屈折率層34bとを交互に40層積層した上部DBR層34に、図4に示すように、幅w2が75nmの溝を300nm周期で形成し、平板44の幅w1が225nmの微細構造を形成している。
図4における平板44の高さdは、上部DBR層34の高さに対応している。
In the surface emitting laser array 2 in the present embodiment, the low refractive index layer 34a is formed of a material (Al0.9Ga0.1As) and has a thickness of 72.2 nm.
The high refractive index layer 34b is made of a material (Al0.3Ga0.7As) and has a thickness of 64.1 nm.
As shown in FIG. 4, a groove having a width w2 of 75 nm is formed at a cycle of 300 nm on the upper DBR layer 34 in which 40 layers of the low refractive index layer 34a and the high refractive index layer 34b are alternately laminated, and the width w1 of the flat plate 44 is formed. Form a fine structure of 225 nm.
The height d of the flat plate 44 in FIG. 4 corresponds to the height of the upper DBR layer 34.

光学的な厚さは、DBRを構成する多層膜のある層の厚さにその層を構成する材料の屈折率を掛けたものである。
本実施形態の面発光レーザの発振波長は780nmであるので、第1の面発光レーザ6では、偏光方向が平板と平行な第1の偏光方向の光に対しては、低屈折率層34aと高屈折率層34bの屈折率の値はそれぞれ2.70、3.04となり、低屈折率層及び高屈折率層の光学的な厚さは発振波長の1/4となる。
従って、上部DBR層34は反射層として機能し、レーザ発振して偏光方向が平板と平行なレーザ光が射出される。
The optical thickness is obtained by multiplying the thickness of a certain layer of the multilayer film forming the DBR by the refractive index of the material forming the layer.
Since the oscillation wavelength of the surface-emission laser of this embodiment is 780 nm, the first surface-emission laser 6 has the low-refractive index layer 34a for the light in the first polarization direction in which the polarization direction is parallel to the flat plate. The values of the refractive index of the high refractive index layer 34b are 2.70 and 3.04, respectively, and the optical thicknesses of the low refractive index layer and the high refractive index layer are 1/4 of the oscillation wavelength.
Therefore, the upper DBR layer 34 functions as a reflection layer, and laser oscillation is performed to emit laser light whose polarization direction is parallel to that of the flat plate.

一方、偏光方向が平板と垂直な第2の偏光方向の光に対しては、低屈折率層34aと高屈折率層34bの屈折率の値はそれぞれ1.74、1.79となり、光学的な厚さは発振波長の1/4より小さくなる。
また、低屈折率層34aと高屈折率層34bの屈折率の差は0.05で、偏光方向が平板と平行な場合の0.34より小さくなる。
従って、上部DBR層34は反射層として機能しないため、レーザ発振せず、偏光方向が平板と垂直なレーザ光は射出されない。
On the other hand, for light in the second polarization direction in which the polarization direction is perpendicular to the flat plate, the refractive index values of the low refractive index layer 34a and the high refractive index layer 34b are 1.74 and 1.79, respectively. The thickness is smaller than 1/4 of the oscillation wavelength.
The difference in refractive index between the low refractive index layer 34a and the high refractive index layer 34b is 0.05, which is smaller than 0.34 when the polarization direction is parallel to the flat plate.
Therefore, since the upper DBR layer 34 does not function as a reflection layer, laser oscillation does not occur and laser light whose polarization direction is perpendicular to the flat plate is not emitted.

第2の面発光レーザ8では、第1の面発光レーザ6に対して微細構造の周期方向が直交しているので、第1の面発光レーザ6から射出される光に対して偏光方向が直交する光が射出される。 In the second surface-emission laser 8, the periodic direction of the fine structure is orthogonal to that of the first surface-emission laser 6, so that the polarization direction is orthogonal to the light emitted from the first surface-emission laser 6. The light is emitted.

図5に基づいて、本実施形態における面発光レーザアレイ2の製造工程を説明する。
最初に、例えばMOCVD法やMBE法などにより、GaAsの基板4上に、バッファ層20、下部DBR層24、下部スペーサ層26、活性層28、上部スペーサ層30、被選択酸化層32、上部DBR層34及びコンタクト層36を結晶成長させる(a)。
フォトリソグラフィ工程により形成した正方形のレジストパターンをマスクにして、ドライエッチング法により、下部スペーサ層26の途中までエッチングし、四角柱状のメサ形状を形成する(b)。
水蒸気中で熱処理を行い、被選択酸化層32をメサの周囲から酸化し、酸化狭窄構造を形成する(c)。
メサ上面に例えばEB描画法又はインプリント法などにより、ある幅の直線(ライン)が一定の間隔(スペース)をあけて連続して並ぶライン&スペースパターンを形成する。ここでは、樹脂で300nm周期のライン&スペースパターンを形成している。
The manufacturing process of the surface emitting laser array 2 in the present embodiment will be described with reference to FIG.
First, the buffer layer 20, the lower DBR layer 24, the lower spacer layer 26, the active layer 28, the upper spacer layer 30, the selective oxidation layer 32, and the upper DBR are formed on the GaAs substrate 4 by, for example, the MOCVD method or the MBE method. The layer 34 and the contact layer 36 are crystal-grown (a).
Using the square resist pattern formed by the photolithography process as a mask, the lower spacer layer 26 is etched halfway by dry etching to form a square mesa shape (b).
A heat treatment is performed in water vapor to oxidize the selectively oxidized layer 32 from around the mesa to form an oxidized confinement structure (c).
A line & space pattern is formed on the upper surface of the mesa by, for example, an EB drawing method or an imprint method, in which straight lines (lines) having a certain width are continuously arranged at regular intervals (spaces). Here, a line and space pattern having a cycle of 300 nm is formed of resin.

このとき、図1に示した第1の面発光レーザ群10と第2の面発光レーザ群12とでは、ライン&スペースパターンの周期方向を90°変えて形成する。
次に、ライン&スペースパターンをマスクにし、ドライエッチング法により、メサ上面に周期的な微細構造18、22を形成する(d)。
例えばCVD法により、全面にSiN膜による保護層38を形成し、メサ上部に窓パターンを形成し、ウエットエッチングにてエッチングして窓を開ける(e)。
フォトリソ工程で電極パターンを形成し、電極材料を蒸着した後、リフトオフを行い、電極40を形成し、次に、GaAsの基板4の裏面を研磨して基板4を薄くし、蒸着により裏面の電極42を形成し、熱処理する(f)。
At this time, the first surface emitting laser group 10 and the second surface emitting laser group 12 shown in FIG. 1 are formed by changing the cycle direction of the line & space pattern by 90°.
Next, using the line & space pattern as a mask, the periodic fine structures 18 and 22 are formed on the upper surface of the mesa by a dry etching method (d).
For example, a protective layer 38 of SiN film is formed on the entire surface by the CVD method, a window pattern is formed on the upper portion of the mesa, and the window is opened by etching by wet etching (e).
An electrode pattern is formed by a photolithography process, an electrode material is vapor-deposited, lift-off is performed to form an electrode 40, then the back surface of the GaAs substrate 4 is polished to thin the substrate 4, and an electrode on the back surface is deposited by vapor deposition. 42 is formed and heat-treated (f).

以上の工程により、本実施形態に係る面発光レーザアレイ2を作製することができる。
なお、図5では面発光レーザアレイ2のうち1個の面発光レーザのみを図示しているが、他の図示していない面発光レーザも同時に形成される。
すなわち、第1の面発光レーザ群10と第2の面発光レーザ群12も同時に形成される。
Through the above steps, the surface emitting laser array 2 according to this embodiment can be manufactured.
In FIG. 5, only one surface emitting laser of the surface emitting laser array 2 is shown, but other surface emitting lasers (not shown) are also formed at the same time.
That is, the first surface emitting laser group 10 and the second surface emitting laser group 12 are also formed at the same time.

上記構成とすることにより、基板の傾斜方向など材料自体が持つ異方的な特性を利用することなく、一般的なマイクロマシニング技術による容易な加工により、ランダム偏光であるレーザ光における特定の偏光方向の光のみを反射し、増幅させて射出する面発光レーザを実現できる。
すなわち、容易な加工により高い偏光特性を有する面発光レーザを得ることができる。
With the above configuration, the specific polarization direction of the laser light that is randomly polarized can be easily processed by general micromachining technology without utilizing the anisotropic properties of the material itself such as the tilt direction of the substrate. It is possible to realize a surface emitting laser that reflects, amplifies and emits only the above light.
That is, a surface emitting laser having high polarization characteristics can be obtained by easy processing.

特許文献1に記載の傾斜基板を用いる方法では、比較的作製が容易で直交偏波抑制比が高いが、1つの基板では全ての面発光レーザの偏光方向は同じになり、異なる偏光方向の面発光レーザを作り込むのは困難である。
このため、偏光方向が同じ面発光レーザを複数備えた面発光レーザアレイと、該面発光レーザとは偏光方向が異なる面発光レーザを複数備えた面発光レーザアレイとを組み合わせる構成とならざるを得ないが、2つの基板の組み合わせ精度が要求される。
特許文献2に記載のメサ構造内部に異方性の歪を形成する方法では、同一基板上に偏光方向の異なる面発光レーザを作り込むのは比較的容易であるが、直交偏波抑制比が低いという問題がある。
The method using the tilted substrate described in Patent Document 1 is relatively easy to manufacture and has a high orthogonal polarization suppression ratio. However, the polarization directions of all surface emitting lasers are the same on one substrate, and the planes having different polarization directions are used. It is difficult to build a light emitting laser.
For this reason, it is necessary to combine a surface emitting laser array having a plurality of surface emitting lasers having the same polarization direction with a surface emitting laser array having a plurality of surface emitting lasers having different polarization directions from the surface emitting laser. However, the accuracy of the combination of the two substrates is required.
In the method of forming anisotropic strain inside the mesa structure described in Patent Document 2, it is relatively easy to form surface emitting lasers having different polarization directions on the same substrate, but the orthogonal polarization suppression ratio There is a problem of being low.

本実施形態に係る面発光レーザでは、基板の傾斜方向など材料自体が持つ異方的な特性を利用していないため、直交偏波抑制比が高い複数の偏光を同じ基板から射出する構成とすることができる。
2つの基板を組み合わせた面発光レーザアレイとする必要もなく、組み合わせ精度の問題も解消することができる。
Since the surface emitting laser according to the present embodiment does not utilize the anisotropic characteristics of the material itself such as the tilt direction of the substrate, a plurality of polarized lights having a high orthogonal polarization suppression ratio are emitted from the same substrate. be able to.
It is not necessary to form a surface emitting laser array in which two substrates are combined, and the problem of combination accuracy can be solved.

図6乃至図8に基づいて、第2の実施形態を説明する。上記実施形態と同一部分は同一符号で示し、既にした構成上及び機能上の説明は適宜省略する。
図6(a)に示すように、本実施形態の第1の面発光レーザ6’は、上部DBR層34のうち、メサ上部の電極40で囲まれる部分に、周期的な微細構造18’を有している。図6(b)に示すように、第2の面発光レーザ8’も同様に、上部DBR層34のうち、メサ上部の電極40で囲まれる部分に、周期的な微細構造22’を有している。
第1の面発光レーザ6’において、メサ上部の電極40で囲まれる部分は、多層膜反射鏡の光が射出される領域であり、該領域における円形の中央部18aとこの中央部18aの外側に位置する周辺部18bとでは、図7に示すように、平板の厚さが異なるように形成されている。
A second embodiment will be described based on FIGS. 6 to 8. The same parts as those in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description of the already-explained configuration and function will be appropriately omitted.
As shown in FIG. 6A, the first surface emitting laser 6′ according to the present embodiment has a periodic fine structure 18′ in the portion of the upper DBR layer 34 surrounded by the electrode 40 above the mesa. Have As shown in FIG. 6B, similarly, the second surface emitting laser 8′ also has a periodic fine structure 22′ in a portion of the upper DBR layer 34 surrounded by the electrode 40 above the mesa. ing.
In the first surface-emitting laser 6′, the portion surrounded by the electrode 40 on the upper side of the mesa is a region from which light of the multilayer film reflecting mirror is emitted, and the circular central portion 18a and the outside of the central portion 18a in the region. As shown in FIG. 7, the peripheral portion 18b located at is different in thickness of the flat plate.

中央部18aの平板44の第2の方向の幅は、図4で示したようにλ/4より大きく、且つ、周辺部18bの平板44の第2の方向の幅は、図8に示すようにλ/4より小さい。
具体的には、中央部18aでは、幅が75nmの溝を300nm周期で形成しており、平板44の幅が225nmの微細構造となっている。
周辺部18bでは、幅が225nmの溝を300nm周期で形成しており、平板44の幅が75nmの微細構造となっている。
The width of the flat plate 44 of the central portion 18a in the second direction is larger than λ/4 as shown in FIG. 4, and the width of the flat plate 44 of the peripheral portion 18b in the second direction is as shown in FIG. Is smaller than λ/4.
Specifically, in the central portion 18a, grooves having a width of 75 nm are formed in a cycle of 300 nm, and the flat plate 44 has a fine structure having a width of 225 nm.
In the peripheral portion 18b, grooves having a width of 225 nm are formed at a cycle of 300 nm, and the flat plate 44 has a fine structure having a width of 75 nm.

本実施形態の面発光レーザの発振波長は780nmであるので、中央部18aは、偏光方向が平板と平行な第1の偏光方向の光に対しては、低屈折率層34a及び高屈折率層34bの屈折率の値はそれぞれ2.70及び3.04となり、低屈折率層34a及び高屈折率層34bの光学的な厚さは発振波長の1/4となる。
従って、上部DBR層34は反射層として機能し、レーザ発振して偏光方向が平板と平行なレーザ光が射出される。
偏光方向が平板と垂直な第2の偏光方向の光に対しては、低屈折率層34a及び高屈折率層34bの屈折率の値はそれぞれ1.74及び1.79となり、光学的な厚さは発振波長の1/6より小さくなる。
また、低屈折率層34aと高屈折率層34bの屈折率の差は0.05で、偏光方向が平板と垂直な場合の0.34より小さくなる。従って、上部DBR層34は反射層として機能しないため、レーザ発振せず、偏光方向が平板と垂直レーザ光は射出されない。
Since the oscillation wavelength of the surface emitting laser of the present embodiment is 780 nm, the central portion 18a has a low refractive index layer 34a and a high refractive index layer for the light of the first polarization direction in which the polarization direction is parallel to the flat plate. The values of the refractive index of 34b are 2.70 and 3.04, respectively, and the optical thicknesses of the low refractive index layer 34a and the high refractive index layer 34b are 1/4 of the oscillation wavelength.
Therefore, the upper DBR layer 34 functions as a reflection layer, and laser oscillation is performed to emit laser light whose polarization direction is parallel to that of the flat plate.
For light in the second polarization direction in which the polarization direction is perpendicular to the flat plate, the values of the refractive indices of the low refractive index layer 34a and the high refractive index layer 34b are 1.74 and 1.79, respectively, and the optical thickness Is less than 1/6 of the oscillation wavelength.
The difference in refractive index between the low refractive index layer 34a and the high refractive index layer 34b is 0.05, which is smaller than 0.34 when the polarization direction is perpendicular to the flat plate. Therefore, the upper DBR layer 34 does not function as a reflection layer, laser oscillation does not occur, and a flat laser beam having a polarization direction and a vertical laser beam are not emitted.

周辺部18bは、偏光方向が平板と平行な第1の偏光方向の光に対しては、低屈折率層34a及び高屈折率層34bの屈折率の値はそれぞれ1.76及び1.93となり、光学的な厚さは発振波長の1/6より小さくなる。
低屈折率層34aと高屈折率層34bの屈折率の差は0.17で、偏光方向が平板と垂直な場合の0.34より小さい。
In the peripheral portion 18b, the values of the refractive indices of the low-refractive index layer 34a and the high-refractive index layer 34b are 1.76 and 1.93, respectively, for light in the first polarization direction in which the polarization direction is parallel to the flat plate. , The optical thickness is smaller than 1/6 of the oscillation wavelength.
The difference in refractive index between the low refractive index layer 34a and the high refractive index layer 34b is 0.17, which is smaller than 0.34 when the polarization direction is perpendicular to the flat plate.

また、周辺部18bは、偏光方向が平板と垂直な第2の偏光方向の光に対しては、低屈折率層34a及び高屈折率層34bの屈折率の値はそれぞれ1.13及び1.14となり、光学的な厚さは発振波長の1/9より小さくなる。低屈折率層34aと高屈折率層34bの屈折率の差は0.01で、偏光方向が平板と垂直な場合の0.34より小さくなる。
従って、周辺部18bは偏光方向が平板と平行な第1の偏光方向の光及び垂直な第2の偏光方向の光のいずれに対しても反射層として機能しないため、レーザ発振せず、レーザ光は射出されない。
Further, in the peripheral portion 18b, the values of the refractive indices of the low refractive index layer 34a and the high refractive index layer 34b are 1.13 and 1. 14, the optical thickness is smaller than 1/9 of the oscillation wavelength. The difference in refractive index between the low refractive index layer 34a and the high refractive index layer 34b is 0.01, which is smaller than 0.34 when the polarization direction is perpendicular to the flat plate.
Therefore, the peripheral portion 18b does not function as a reflection layer for both the light of the first polarization direction in which the polarization direction is parallel to the flat plate and the light of the second polarization direction in the vertical direction. Is not fired.

その結果、面発光レーザから射出される光は、単一横モードで、偏光方向が一定、且つ、断面形状が円形である高品質のレーザ光を射出することができる。 As a result, the light emitted from the surface-emission laser can be high-quality laser light with a single transverse mode, a constant polarization direction, and a circular cross-sectional shape.

上記のように、本実施形態では、中央部18aにおける低屈折率層34a及び高屈折率層34bの光学的な厚さは、第1の偏光方向の光に対しては、(2n−1)λ/4(nは自然数)であり、第2の偏光方向の光に対しては、(2n−1)λ/4(nは自然数)と異なる。 As described above, in the present embodiment, the optical thicknesses of the low refractive index layer 34a and the high refractive index layer 34b in the central portion 18a are (2n-1) for the light in the first polarization direction. λ/4 (n is a natural number), which is different from (2n−1)λ/4 (n is a natural number) for light in the second polarization direction.

周辺部18bにおける低屈折率層34a及び高屈折率層34bの光学的な厚さは、第1の偏光方向の光及び第2の偏光方向の光のいずれに対しても(2n−1)λ/4(nは自然数)と異なる。
さらに、第2の偏光方向の光に対する中央部18aの高屈折率層34bと低屈折率層34aとの屈折率の差は、第1の偏光方向の光に対する中央部18aの高屈折率層34bと低屈折率層34aとの屈折率の差より小さい。
さらにまた、第1の偏光方向の光に対する周辺部18bの高屈折率層34bと低屈折率層34aとの屈折率の差は、第1の偏光方向の光に対する中央部18aの高屈折率層34bと低屈折率層34aとの屈折率の差より小さい。
なお且つ、第2の偏光方向の光に対する周辺部18bの高屈折率層34bと低屈折率層34aとの屈折率の差は、第1の偏光方向の光に対する中央部18aの高屈折率層34bと低屈折率層34aとの屈折率の差より小さい。
The optical thicknesses of the low-refractive index layer 34a and the high-refractive index layer 34b in the peripheral portion 18b are (2n−1)λ for both the light of the first polarization direction and the light of the second polarization direction. /4 (n is a natural number).
Further, the difference in the refractive index between the high refractive index layer 34b and the low refractive index layer 34a of the central portion 18a for the light of the second polarization direction is the difference between the high refractive index layer 34b of the central portion 18a for the light of the first polarization direction. Is smaller than the difference in refractive index between the low refractive index layer 34a and the low refractive index layer 34a.
Furthermore, the difference in the refractive index between the high refractive index layer 34b and the low refractive index layer 34a of the peripheral portion 18b with respect to the light of the first polarization direction is the difference between the high refractive index layer of the central portion 18a with respect to the light of the first polarization direction. It is smaller than the difference in refractive index between 34b and the low refractive index layer 34a.
In addition, the difference in refractive index between the high refractive index layer 34b and the low refractive index layer 34a of the peripheral portion 18b with respect to the light of the second polarization direction is the high refractive index layer of the central portion 18a with respect to the light of the first polarization direction. It is smaller than the difference in refractive index between 34b and the low refractive index layer 34a.

第2の面発光レーザ8’は、微細構造の周期方向の違いを除き、第1の面発光レーザ6’と同様の構成を有している。 The second surface-emitting laser 8'has the same configuration as the first surface-emitting laser 6', except for the difference in the period direction of the fine structure.

上記各実施形態では、下部DBR層24と上部DBR層34の2つの反射鏡のうち、少なくとも一方が特定の偏光方向の光のみを反射し、増幅させて射出する構成(以下、「特定構成」という)を有すればよい。
特定構成を有する反射鏡に対し、他方の反射鏡はDBR構成でなくてもよく、外部共振器のみでもよい。この場合、外部共振器は活性層を挟んで特定構成の反射鏡に対向する外部位置に配置される。
また、他の反射鏡は、DBR構成と外部共振器との組み合わせ構成でもよい。要するに、特定構成の反射鏡との間で光共振器を構成するものであればよい。
また、上記各実施形態では、特定構成の反射鏡である上部DBR層34において、微細構造18、20、45は積層方向の全体に亘って溝が存在する構成としたが、これに限定されない。
すなわち、上記特定構成の機能が得られる範囲で適宜に設定することができる。
In each of the above embodiments, at least one of the two reflecting mirrors of the lower DBR layer 24 and the upper DBR layer 34 reflects, amplifies and emits only light in a specific polarization direction (hereinafter, “specific configuration”). That is).
In contrast to the reflecting mirror having a specific structure, the other reflecting mirror does not have to have the DBR structure and may have only the external resonator. In this case, the external resonator is arranged at an external position facing the reflecting mirror having a specific structure with the active layer interposed therebetween.
Further, the other reflecting mirror may have a combination structure of a DBR structure and an external resonator. In short, it is only necessary to form an optical resonator with a reflecting mirror having a specific structure.
Further, in each of the above-described embodiments, in the upper DBR layer 34, which is a reflecting mirror having a specific structure, the microstructures 18, 20, and 45 have a structure in which grooves are present over the entire stacking direction, but the present invention is not limited to this.
That is, it can be appropriately set within a range in which the function of the specific configuration is obtained.

図9に基づいて、第3の実施形態としての光走査装置について説明する。
光走査装置50は、光源ユニット52を有している。光源ユニット52は、第1の実施形態で説明した光源としての面発光レーザアレイ2と、面発光レーザアレイ2を駆動するドライバ54とが支持基板56に実装された構成を有している。
画像情報に基づいて面発光レーザアレイ2から射出されたレーザ光は、面発光レーザアレイ2と共に支持基板56に実装されたカップリングレンズを通り、偏光分離素子としての偏光ビームスプリッタ58に入射する。
偏光ビームスプリッタ58は、光の偏光方向に応じて光を分離する構成を有し、面発光レーザアレイ2の第1の面発光レーザ6から射出されたレーザ光と、第2の面発光レーザ8から射出されたレーザ光とで、光路が分離される。
偏光ビームスプリッタ58を通ったレーザ光は、光偏向器としてのポリゴンミラー60、第1走査レンズ62、ミラー64、第2走査レンズ66、ミラー64を経て、像担持体で被走査面としての感光体ドラムK1、C1へ入射する。
An optical scanning device as a third embodiment will be described with reference to FIG.
The optical scanning device 50 has a light source unit 52. The light source unit 52 has a configuration in which the surface emitting laser array 2 as the light source described in the first embodiment and the driver 54 that drives the surface emitting laser array 2 are mounted on the support substrate 56.
Laser light emitted from the surface-emission laser array 2 based on image information passes through a coupling lens mounted on the support substrate 56 together with the surface-emission laser array 2 and enters a polarization beam splitter 58 as a polarization separation element.
The polarization beam splitter 58 has a structure for separating the light according to the polarization direction of the light, and the laser light emitted from the first surface emitting laser 6 of the surface emitting laser array 2 and the second surface emitting laser 8 are provided. The optical path is separated from the laser light emitted from the.
The laser beam that has passed through the polarization beam splitter 58 passes through a polygon mirror 60 as a light deflector, a first scanning lens 62, a mirror 64, a second scanning lens 66, and a mirror 64, and is exposed as a surface to be scanned on the image carrier. It is incident on the body drums K1 and C1.

したがって、1つの面発光レーザアレイから2つの異なる感光体ドラムへ書き込みを行うことができる。
ハーフミラープリズムで光を分離する方式とは異なり、光量が半減しないので、ハーフミラープリズムで光を分離する方式に比べて2倍の光量で使用することが可能である。
また、異なる感光体ドラムを走査する面発光レーザの間隔を広げる必要がないために、光源ユニット52における面発光レーザの数を多くすることができる。
Therefore, writing can be performed from one surface emitting laser array to two different photosensitive drums.
Unlike the method of separating the light with the half mirror prism, the amount of light is not halved, so it is possible to use the light amount twice as compared with the method of separating the light with the half mirror prism.
Further, since it is not necessary to increase the interval between the surface emitting lasers that scan different photosensitive drums, the number of surface emitting lasers in the light source unit 52 can be increased.

本実施形態では、2つのポリゴンミラーの位相をずらして重ねた2段構成のポリゴンミラー60を用い、面発光レーザアレイ2の第1の面発光レーザ群10と第2の面発光レーザ群12とを交互に発光させて、それぞれ異なる感光体ドラムに書き込む構成としている。
通常の1段のポリゴンミラーを用いて、同時に第1の面発光レーザ群10と第2の面発光レーザ群12とを発光させてそれぞれ異なる感光体ドラムに同時に書き込む構成とすることも可能である。
面発光レーザアレイ2の第1の面発光レーザ群10と第2の面発光レーザ群12とを交互に発光させることで、ドライバ54も交互に切り替えて使うことができ、ドライバ54を半分にすることができ、コストダウンを図ることができる。
In the present embodiment, a polygon mirror 60 having a two-stage structure in which the phases of two polygon mirrors are shifted and overlapped is used, and a first surface emitting laser group 10 and a second surface emitting laser group 12 of the surface emitting laser array 2 are used. Are alternately emitted to write on different photosensitive drums.
It is also possible to use a normal one-stage polygon mirror to simultaneously emit light from the first surface-emission laser group 10 and the second surface-emission laser group 12 and simultaneously write on different photosensitive drums. ..
By alternately emitting the first surface-emission laser group 10 and the second surface-emission laser group 12 of the surface-emission laser array 2, the drivers 54 can be alternately switched and used, and the driver 54 is halved. Therefore, the cost can be reduced.

なお、本実施形態では、レーザ光の偏光状態に応じてレーザ光を分離する偏光ビームスプリッタ58を、ポリゴンミラー60の前段に配置してレーザ光を分離しているが、ポリゴンミラー60の後段、または、走査レンズの後段などに配置することも可能である。
但し、偏光ビームスプリッタ58の配置位置に応じて、光学系、駆動方法(点灯方法)を変える必要がある。
In the present embodiment, the polarization beam splitter 58 that separates the laser light according to the polarization state of the laser light is arranged in front of the polygon mirror 60 to separate the laser light. Alternatively, it may be arranged at the rear stage of the scanning lens or the like.
However, it is necessary to change the optical system and the driving method (lighting method) according to the arrangement position of the polarization beam splitter 58.

図10に第4の実施形態に係る画像形成装置としてのカラーレーザプリンタの概略構成を示す。
カラーレーザプリンタは、複数の感光体ドラムを備えるタンデム構成を有している。
カラーレーザプリンタは、ブラック(K)用の感光体ドラムK1、帯電器K2、現像器K4、クリーニング手段K5、及び転写用帯電手段K6と、シアン(C)用の感光体ドラムC1、帯電器C2、現像器C4、クリーニング手段C5、及び転写用帯電手段C6とを備えている。
また、カラーレーザプリンタは、マゼンダ(M)用の感光体ドラムM1、帯電器M2、現像器M4、クリーニング手段M5、及び転写用帯電手段M6と、イエロー(Y)用の感光体ドラムY1、帯電器Y2、現像器Y4、クリーニング手段Y5、及び転写用帯電手段Y6と、光走査装置65と、転写ベルト68と、定着手段70などを備えている。
FIG. 10 shows a schematic configuration of a color laser printer as an image forming apparatus according to the fourth embodiment.
The color laser printer has a tandem structure including a plurality of photosensitive drums.
The color laser printer includes a photoconductor drum K1 for black (K), a charger K2, a developing device K4, a cleaning unit K5, and a charging unit K6 for transfer, and a photoconductor drum C1 and a charger C2 for cyan (C). , A developing device C4, a cleaning means C5, and a transfer charging means C6.
Further, the color laser printer includes a photosensitive drum M1 for magenta (M), a charger M2, a developing device M4, a cleaning unit M5, a transfer charging unit M6, a photosensitive drum Y1 for yellow (Y), and a charging unit. The apparatus Y2, the developing unit Y4, the cleaning unit Y5, the transfer charging unit Y6, the optical scanning device 65, the transfer belt 68, and the fixing unit 70 are provided.

ブラック用の面発光レーザからの光はブラック用の走査光学系を介して感光体ドラムK1に照射され、シアン用の面発光レーザからの光はシアン用の走査光学系を介して感光体ドラムC1に照射される。
また、マゼンダ用の面発光レーザからの光はマゼンダ用の走査光学系を介して感光体ドラムM1に照射され、イエロー用の面発光レーザからの光はイエロー用の走査光学系を介して感光体ドラムY1に照射される。
Light from the surface emitting laser for black is applied to the photosensitive drum K1 via the scanning optical system for black, and light from the surface emitting laser for cyan is passed through the scanning optical system for cyan to the photosensitive drum C1. Is irradiated.
Further, the light from the surface emitting laser for magenta is applied to the photoconductor drum M1 through the scanning optical system for magenta, and the light from the surface emitting laser for yellow is passed through the scanning optical system for yellow to the photoconductor. The drum Y1 is irradiated.

光走査装置65は、第2の実施形態で説明した光走査装置50を2色毎に備えており、また、第1の実施形態で説明した面発光レーザアレイ2も2色毎に備えている。
なお、ポリンゴンミラーやレンズなどを2つの光走査装置で共通にしても良い。
各感光体ドラムは、図10中の矢印の方向に回転し、感光体ドラムの周囲には回転方向に順にそれぞれ帯電器、現像器、転写用帯電手段、クリーニング手段が配置されている。
各帯電器は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。この帯電器によって帯電された感光体ドラム表面に光走査装置65によりビームが照射され、感光体ドラムに静電潜像が形成される。
The optical scanning device 65 includes the optical scanning device 50 described in the second embodiment for each two colors, and also includes the surface emitting laser array 2 described in the first embodiment for each two colors. ..
The polygon mirror and the lens may be shared by the two optical scanning devices.
Each photoconductor drum rotates in the direction of the arrow in FIG. 10, and a charger, a developing device, a transfer charging unit, and a cleaning unit are sequentially arranged around the photoconductor drum in the rotational direction.
Each charger uniformly charges the surface of the corresponding photoconductor drum. The surface of the photoconductor drum charged by the charger is irradiated with a beam by the optical scanning device 65, and an electrostatic latent image is formed on the photoconductor drum.

そして、対応する現像器により感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写用帯電手段により、記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着手段70により記録紙に画像が定着される。
タンデム型のカラー機では、機械精度等で各色の色ずれが発生する場合があるが、光走査装置65は高密度な発光部の2次元アレイを有しているため、点灯させる発光部(面発光レーザ)を選択することで各色の色ずれの補正精度を高めることができる。
Then, a toner image is formed on the surface of the photosensitive drum by the corresponding developing device. Further, the corresponding transfer charging means transfers the toner image of each color onto the recording paper, and finally the fixing means 70 fixes the image on the recording paper.
In a tandem type color machine, color misregistration of each color may occur due to mechanical accuracy or the like, but since the optical scanning device 65 has a two-dimensional array of high-density light emitting units, the light emitting unit (surface It is possible to improve the correction accuracy of the color misregistration of each color by selecting (light emitting laser).

また、像担持体としては銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。
そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、CTスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。
また、像担持体としてはビームスポットの熱エネルギにより発色する発色媒体(ポジの印画紙)を用いた画像形成装置であっても良い。
この場合には、光走査により可視画像を直接、像担持体に形成することができる。
Further, the image carrier may be an image forming apparatus using a silver salt film. In this case, a latent image is formed on the silver salt film by optical scanning, and this latent image can be visualized by a process equivalent to the developing process in a normal silver salt photographic process.
Then, the image can be transferred onto the photographic paper by a process similar to the printing process in the normal silver salt photographic process. Such an image forming apparatus can be implemented as an optical plate making apparatus or an optical drawing apparatus for drawing a CT scan image or the like.
Further, the image carrier may be an image forming apparatus using a coloring medium (positive photographic paper) that develops color by the thermal energy of the beam spot.
In this case, a visible image can be directly formed on the image carrier by optical scanning.

以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、上述の説明で特に限定しない限り、特許請求の範囲に記載された本発明の趣旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
本発明の実施の形態に記載された効果は、本発明から生じる最も好適な効果を例示したに過ぎず、本発明による効果は、本発明の実施の形態に記載されたものに限定されるものではない。
Although the preferred embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the specific embodiment, and unless otherwise specified in the above description, the invention described in the claims is not limited thereto. Various modifications and changes are possible within the scope of the purpose.
The effects described in the embodiments of the present invention merely exemplify the most suitable effects that arise from the present invention, and the effects according to the present invention are limited to those described in the embodiments of the present invention. is not.

2 面発光レーザアレイ
6、6’ 面発光レーザとしての第1の面発光レーザ
8、8’ 面発光レーザとしての第2の面発光レーザ
10 第1の面発光レーザ群
12 第2の面発光レーザ群
18、22、18’、22’ 周期的な構造としての周期的な微細構造
18a、22a 中央部
18b、22b 周辺部
24 反射鏡としての下部DBR層
28 活性層
34 反射鏡としての上部DBR層
34a 低屈折率層
34b 高屈折率層
44 平板
50、65 光走査装置
58 偏光分離素子としての偏光ビームスプリッタ
60 光偏向器としてのポリゴンミラー
62 走査光学系としての第1走査レンズ
66 走査光学系としての第2走査レンズ
K1、C1、M1、Y1 像担持体としての感光体ドラム
2 surface emitting laser array 6, 6'first surface emitting laser as surface emitting laser 8, 8'second surface emitting laser as surface emitting laser 10 first surface emitting laser group 12 second surface emitting laser Group 18, 22, 18', 22' Periodic fine structure as a periodic structure 18a, 22a Central part 18b, 22b Peripheral part 24 Lower DBR layer as a reflector 28 Active layer 34 Upper DBR layer as a reflector 34a Low Refractive Index Layer 34b High Refractive Index Layer 44 Flat Plate 50, 65 Optical Scanning Device 58 Polarization Beam Splitter as Polarization Separation Element 60 Polygon Mirror as Optical Deflector 62 First Scan Lens as Scanning Optical System 66 Scanning Optical System Second scanning lens K1, C1, M1, Y1 Photoreceptor drum as image carrier

特開2001−60739号公報JP 2001-60739 A 特許第4752201号公報Japanese Patent No. 4752201

Claims (12)

活性層と、
前記活性層を挟んで両側に位置する2つの反射鏡と、
を備え、
前記活性層及び前記2つの反射鏡の配置方向に平行な方向に光を射出する面発光レーザであって、
前記2つの反射鏡のうち少なくとも一方は、相対的に低屈折率層高屈折率層交互に積層上部分布ブラッグ反射鏡層に、積層される方向と平行な方向に、周期的な溝を形成して、発振波長λの1/2よりも小さい周期で並べた平板からなる微細構造を有する多層膜反射鏡であり、
前記低屈折率層及び前記高屈折率層の光学的な厚さが、第1の偏光方向の光に対する場合と、第1の偏光方向に直交する第2の偏光方向の光に対する場合とで異なり、
前記面発光レーザが射出する光の波長をλとすると、光が射出される領域の中央部における前記多層膜反射鏡の前記低屈折率層及び前記高屈折率層の光学的な厚さは、第1の偏光方向の光に対して(2n−1)λ/4(nは自然数)であり、第2の偏光方向の光に対しては(2n−1)λ/4(nは自然数)と異なり、且つ、前記中央部の外側に位置する周辺部における前記低屈折率層及び前記高屈折率層の光学的な厚さは、第1の偏光方向の光及び第2の偏光方向の光のいずれに対しても(2n−1)λ/4(nは自然数)と異なる面発光レーザ。
An active layer,
Two reflectors located on both sides of the active layer,
Equipped with
A surface emitting laser which emits light in a direction parallel to the arrangement direction of the active layer and the two reflecting mirrors,
At least one of the two reflecting mirrors is periodically arranged in a direction parallel to an upper distributed Bragg reflecting mirror layer in which a relatively low refractive index layer and a relatively high refractive index layer are alternately laminated. A multi-layered film mirror having a fine structure made of flat plates in which various grooves are formed and arranged at a cycle smaller than 1/2 of the oscillation wavelength λ ,
The optical thicknesses of the low-refractive index layer and the high-refractive index layer differ depending on the case of light in the first polarization direction and the case of light in the second polarization direction orthogonal to the first polarization direction. ,
When the wavelength of the light emitted by the surface emitting laser is λ, the optical thicknesses of the low refractive index layer and the high refractive index layer of the multilayer-film reflective mirror in the central portion of the region where the light is emitted are: (2n-1)λ/4 (n is a natural number) for light in the first polarization direction, and (2n-1)λ/4 (n is a natural number) for light in the second polarization direction. And the optical thicknesses of the low refractive index layer and the high refractive index layer in the peripheral portion located outside the central portion are equal to the light in the first polarization direction and the light in the second polarization direction. also for any (2n-1) λ / 4 (n is a natural number) the surface emitting laser that different from the.
請求項1に記載の面発光レーザにおいて、
前記面発光レーザが射出する光の波長をλとすると、前記低屈折率層及び前記高屈折率層の光学的な厚さは、第1の偏光方向の光に対して(2n−1)λ/4(nは自然数)であり、第2の偏光方向の光に対しては(2n−1)λ/4(nは自然数)と異なる面発光レーザ。
The surface emitting laser according to claim 1,
When the wavelength of the light emitted from the surface emitting laser is λ, the optical thicknesses of the low refractive index layer and the high refractive index layer are (2n−1)λ with respect to the light of the first polarization direction. /4 (n is a natural number), which is different from (2n-1)?/4 (n is a natural number) for light in the second polarization direction.
請求項2に記載の面発光レーザにおいて、
第2の偏光方向の光に対する前記高屈折率層と前記低屈折率層との屈折率の差は、第1の偏光方向の光に対する前記高屈折率層と前記低屈折率層との屈折率の差より小さい面発光レーザ。
The surface emitting laser according to claim 2,
The difference in the refractive index between the high refractive index layer and the low refractive index layer with respect to the light in the second polarization direction is the refractive index between the high refractive index layer and the low refractive index layer with respect to the light in the first polarization direction. Surface-emitting laser smaller than the difference of.
請求項1に記載の面発光レーザにおいて、
第2の偏光方向の光に対する前記中央部の前記高屈折率層と前記低屈折率層との屈折率の差は、第1の偏光方向の光に対する前記中央部の前記高屈折率層と前記低屈折率層との屈折率の差より小さく、且つ、
第1の偏光方向の光に対する前記周辺部の前記高屈折率層と前記低屈折率層との屈折率の差は、第1の偏光方向の光に対する前記中央部の前記高屈折率層と前記低屈折率層との屈折率の差より小さく、且つ、
第2の偏光方向の光に対する前記周辺部の前記高屈折率層と前記低屈折率層との屈折率の差は、第1の偏光方向の光に対する前記中央部の前記高屈折率層と前記低屈折率層との屈折率の差より小さい面発光レーザ。
The surface emitting laser according to claim 1,
The difference in refractive index between the high refractive index layer and the low refractive index layer in the central portion with respect to light in the second polarization direction is the difference between the high refractive index layer in the central portion and light with respect to the light in the first polarization direction. Smaller than the difference in refractive index from the low refractive index layer, and
The difference in refractive index between the high refractive index layer and the low refractive index layer in the peripheral portion with respect to the light in the first polarization direction is equal to the high refractive index layer in the central portion with respect to the light in the first polarization direction. Smaller than the difference in refractive index from the low refractive index layer, and
The difference in the refractive index between the high refractive index layer and the low refractive index layer in the peripheral portion with respect to the light in the second polarization direction is the difference between the high refractive index layer in the central portion and the light with respect to the light in the first polarization direction. A surface emitting laser having a refractive index smaller than that of the low refractive index layer .
活性層と、
前記活性層を挟んで両側に位置する2つの反射鏡と、
を備え、前記活性層及び前記2つの反射鏡の配置方向に平行な方向に光を射出する面発光レーザであって、
前記2つの反射鏡のうち少なくとも一方は、相対的に低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層した上部分布ブラッグ反射鏡層に、積層される方向と平行な方向に、周期的な溝を形成して、発振波長λの1/2よりも小さい周期で並べた平板からなる微細構造を有する多層膜反射鏡であり、
前記多層膜反射鏡は、前記低屈折率層と前記高屈折率層の積層方向である第1の方向に平行な平面を有する複数の前記平板が第1の方向に直交する第2の方向に配列した周期的な構造を有し、
前記面発光レーザが射出する光の波長をλとすると、
前記平板の第2の方向の幅は、λ/4より大きい面発光レーザ。
An active layer,
Two reflectors located on both sides of the active layer,
A surface emitting laser which emits light in a direction parallel to the arrangement direction of the active layer and the two reflecting mirrors,
At least one of the two reflecting mirrors is arranged on the upper distributed Bragg reflecting mirror layer in which relatively low refractive index layers and high refractive index layers are alternately laminated in a direction parallel to the laminating direction. A multilayer-film reflective mirror having a fine structure made of flat plates in which grooves are formed and arranged at a cycle smaller than 1/2 of the oscillation wavelength λ,
In the multilayer-film reflective mirror, a plurality of flat plates having a plane parallel to a first direction, which is a stacking direction of the low refractive index layer and the high refractive index layer, are arranged in a second direction orthogonal to the first direction. It has an arrayed periodic structure,
If the wavelength of the light emitted from the surface emitting laser is λ,
A surface emitting laser in which the width of the flat plate in the second direction is larger than λ/4 .
請求項5に記載の面発光レーザにおいて、
偏光方向が前記平板と平行な第1の偏光方向に偏光した光を射出する面発光レーザ。
The surface emitting laser according to claim 5,
A surface emitting laser which emits light polarized in a first polarization direction parallel to the flat plate .
請求項5又は6に記載の面発光レーザにおいて、
前記面発光レーザが射出する光の波長をλとすると、
前記周期的な構造は、λ/2より小さい周期である面発光レーザ。
The surface emitting laser according to claim 5 or 6,
If the wavelength of the light emitted from the surface emitting laser is λ,
The surface emitting laser , wherein the periodic structure has a period smaller than λ/2 .
請求項に記載の面発光レーザにおいて、
前記多層膜反射鏡の光が射出される領域の中央部における前記平板の厚さと、前記多層膜反射鏡の光が射出される領域の周辺部における前記平板の厚さとが異なる面発光レーザ。
The surface emitting laser according to claim 5 ,
A surface emitting laser in which a thickness of the flat plate in a central portion of a region of the multilayer film reflecting mirror where light is emitted is different from a thickness of the flat plate in a peripheral portion of a region of the multilayer film reflecting mirror where light is emitted .
請求項に記載の面発光レーザにおいて、
前記面発光レーザが射出する光の波長をλとすると、
前記中央部の前記平板の第2の方向の幅はλ/4より大きく、且つ、前記周辺部の前記平板の第2の方向の幅はλ/4より小さい面発光レーザ。
The surface emitting laser according to claim 8 ,
If the wavelength of the light emitted from the surface emitting laser is λ,
A surface emitting laser in which the width of the flat plate in the central portion in the second direction is larger than λ/4 and the width of the flat plate in the peripheral portion in the second direction is smaller than λ/4 .
請求項1〜9のいずれか1つに記載の面発光レーザを複数備え、
これらの面発光レーザは、射出する光の偏光方向が異なる面発光レーザアレイ
A plurality of surface emitting lasers according to any one of claims 1 to 9 ,
These surface emitting lasers are surface emitting laser arrays in which the emitted light has different polarization directions .
光源と、
前記光源からの光の光路を分離する偏光分離素子と、
前記偏光分離素子により分離された光を偏向する光偏向器と、
前記光偏向器により偏向された光を被走査面上に照射する走査光学系と、
を有し、
前記光源が、請求項10に記載の面発光レーザアレイである光走査装置
A light source,
A polarization separation element for separating the optical path of the light from the light source,
An optical deflector for deflecting the light separated by the polarization separation element,
A scanning optical system for irradiating the surface to be scanned with the light deflected by the optical deflector,
Have
An optical scanning device in which the light source is the surface emitting laser array according to claim 10 .
複数の像担持体と、
前記複数の像担持体に対して画像情報に基づいて光走査する光走査装置と、
を備え、
前記光走査装置が請求項11に記載の光走査装置である画像形成装置
A plurality of image carriers,
An optical scanning device that optically scans the plurality of image carriers based on image information,
Equipped with
An image forming apparatus, wherein the optical scanning device is the optical scanning device according to claim 11 .
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