JP6743726B2 - 磁石検出装置及び遊技機 - Google Patents

Description

本発明は、磁石を検出する磁石検出装置、及び磁石検出装置を有する遊技機に関する。

弾球遊技機において、磁石を用いて遊技球の動きを不正に操作する不正行為が知られている。このような不正行為を検知するために、遊技機に磁石検出装置が設けられる（例えば、特許文献１を参照）。

しかし、遊技機も、モータまたはソレノイドといった、磁場を生じる部品を有しているため、遊技機自体も磁場を発生させる。そこで、このような磁石検出装置について、遊技機自体が発生させる磁場または地球磁場の影響により、不正行為を行うために用いられる磁石を誤検出することを抑制することが求められる。そのために、遊技球を発射中の不正磁石の検出閾値を遊技球を発射中でない場合の不正磁石の検出閾値よりも低くする技術が提案されている（例えば、特許文献２を参照）。また、遊技機の表面に磁石が検出され、かつ、遊技中であることが検出された場合に、遊技機が異常状態にあると判定する技術が提案されている（例えば、特許文献３を参照）。

特開２００３−３４００７４号公報 特開２００９−２７９２０５号公報 特開２００９−２６８７５２号公報

特許文献２に記載された技術及び特許文献３に記載された技術では、磁気センサにより検知された磁場だけでなく、遊技機の状態に関する情報を利用することで、不正行為に用いられる磁石を誤検出することを抑制している。しかし、これらの技術でも、不正行為に用いられる磁石を誤検出することを抑制するためには、磁気センサによる磁場の測定値と比較され、不正行為に用いられる磁石を検出したか否かを判断するために利用される検出閾値を適切に設定することが求められる。そのために、これらの技術では、遊技機の電源投入時に検出された磁場に基づいて検出閾値が設定される。

しかし、遊技機の電源投入時には、遊技機の各部が正常動作するか否かをセルフチェックするために、遊技機自体も動作することがある。このような場合、遊技機自体の動作により生じる磁場の影響により、検出閾値が適切に設定されないおそれがある。

そこで、本発明は、磁石を検出するために用いられる、磁場の測定値に対する検出閾値を適切に設定可能な磁石検出装置を提供することを目的とする。

本発明の一つの形態として、遊技機に設けられる磁石検出装置が提供される。この磁石検出装置は、磁場を測定して磁場の測定値を出力する磁気センサと、遊技機の電源が投入されると磁石検出装置に供給が開始される電圧または信号に基づいて待機時間を設定する待機時間設定部と、遊技機の電源が投入されてから待機時間が経過すると磁気センサからの磁場の測定値に基づいて閾値を設定する閾値設定部と、閾値が設定された後に磁気センサから得られた磁場の測定値と閾値とを比較することで、遊技機に対して影響する磁石があるか否かを判定する磁石検出部と、を有する。

この磁石検出装置は、遊技機の電源が投入されると磁石検出装置に供給が開始される電圧に基づいて所定の基準電圧を生成する基準電圧生成部をさらに有し、待機時間設定部は、基準電圧が高いほど待機時間が長くなるように、待機時間を設定することが好ましい。

あるいは、この磁石検出装置において、遊技機の電源が投入されると磁石検出装置に供給が開始される信号はクロック信号であり、この磁石検出装置は、そのクロック信号に基づいて所定の周波数を持つ基準クロックを生成する基準クロック生成部をさらに有し、待機時間設定部は、基準クロックの所定の周波数が高いほど待機時間が長くなるように、待機時間を設定することが好ましい。

またこの磁石検出装置において、待機時間設定部は、待機時間を、遊技機のセルフチェック動作が実行される期間よりも長く設定することが好ましい。

本発明の他の形態として、遊技機が提供される。この遊技機は、遊技機本体と、遊技機本体に設けられる磁石検出装置と、遊技機本体に設けられる可動体と、可動体を駆動する駆動装置と、遊技機の電源が投入されてから一定期間の間に、駆動装置を動作させる制御部とを有する。そして磁石検出装置は、磁場を測定して磁場の測定値を出力する磁気センサと、遊技機の電源が投入されると磁石検出装置に供給が開始される電圧または信号に基づいて上記の一定期間よりも長い待機時間を設定する待機時間設定部と、遊技機の電源が投入されてから待機時間が経過すると磁気センサからの磁場の測定値に基づいて閾値を設定する閾値設定部と、閾値が設定された後に磁気センサから得られた磁場の測定値と閾値とを比較することで、遊技機に対して影響する磁石があるか否かを判定する磁石検出部とを有する。

本発明に係る磁石検出装置は、磁石を検出するために用いられる、磁場の測定値に対する検出閾値を適切に設定できるという効果を奏する。

（ａ）は、遊技機が動作していない期間に検出された磁場に応じて検出閾値が設定された場合の磁場の変化に応じた不正磁石検出の一例を示す図である。（ｂ）は、遊技機が動作している期間に検出された磁場に応じて検出閾値が設定された場合の磁場の変化に応じた不正磁石検出の一例を示す図である。 本発明の一つの実施形態による磁石検出装置の概略構成図である。 制御部の機能ブロック図である。 検出閾値設定処理の動作フローチャートである。 磁石検出処理の動作フローチャートである。 本実施形態により設定された検出閾値を用いた場合における、磁場の変化に応じた不正磁石検出の一例を示す図である。 変形例による磁石検出装置の概略構成図である。 本発明の実施形態または変形例による磁石検出装置を有する弾球遊技機の概略斜視図である。 弾球遊技機の概略側面断面図である。 弾球遊技機の概略内部構成図である。

以下、本発明の一つの実施形態による磁石検出装置を、図を参照しつつ説明する。この磁石検出装置は、例えば、遊技機に取り付けられ、磁場の強さを測定可能な磁気センサにより得られた磁場の強さを表す測定値と検出閾値とを比較することで、磁石を用いた不正行為が行われたか否かを判定する。そしてこの磁石検出装置は、検出閾値を、所定の期間において磁気センサにより得られた磁場の測定値に基づいて設定する。

図１（ａ）は、遊技機が動作していない期間に検出された磁場に応じて検出閾値が設定された場合の磁場の変化に応じた不正磁石検出の一例を示す図である。図１（ｂ）は、遊技機が動作している期間に検出された磁場に応じて検出閾値が設定された場合の磁場の変化に応じた不正磁石検出の一例を示す図である。図１（ａ）及び図１（ｂ）において、横軸は時間を表す。また、図１（ａ）において、グラフ１０１は、磁気センサにより検出される磁場の強さ（磁気量）の測定値の時間変化を表し、グラフ１０２は、遊技機の電源がオンとなっているかオフとなっているかを表す。そしてグラフ１０３は、磁石検出装置により、不正行為に用いられ、遊技機に影響を与える磁石（以下、単に不正磁石と呼ぶ）が検出されたか否かを表す。同様に、図１（ｂ）において、グラフ１１１は、磁気センサにより検出される磁場の強さ（磁気量）の測定値の時間変化を表し、グラフ１１２は、遊技機の電源がオンとなっているかオフとなっているかを表す。そしてグラフ１１３は、磁石検出装置により、不正磁石が検出されたか否かを表す。

図１（ａ）に示される例では、遊技機の電源が投入され、電源がオンとなった直後の時刻t1から時刻t2の間、遊技機は動作していない。そしてその時刻t1からt2の期間の磁場の測定値の平均値に基づいて、磁場の基準値Mrefが求められる。この例では、時刻t1から時刻t2の間において、遊技機が動作していないため、遊技機自体の動作により生じる磁場の変動は無い。そのため、基準値Mrefは、磁石検出装置周囲の定常的な磁場の強さに応じた値となる。そして基準値Mrefに対して所定のオフセット値を加算または減算することで、検出閾値Vslh1及びVsll1が設定される。なお、二つの検出閾値が設定されるのは、磁気センサに近い方の磁石の極性に応じて磁場の強さの変化が異なるためである。例えば、磁石のＮ極が磁気センサに近づくと、磁気センサから出力される磁場の測定値は上昇し、一方、磁石のＳ極が磁気センサに近づくと、磁気センサから出力される磁場の測定値は減少する。そのため、基準値Mrefよりも大きい上限側の検出閾値Vslh1と、基準値Mrefよりも小さい下限側の検出閾値Vsll1とが設定される。

そして時刻t3以降、磁石検出装置は、不正磁石の検出を開始する。そして時刻t4〜t5、及び、時刻t6〜t7の期間において、不正磁石が磁石検出装置に近づけられる。その結果として、グラフ１０１及びグラフ１０３に示されるように、時刻t4〜t5、及び、時刻t6〜t7の期間において、磁場の測定値が検出閾値Vslh1よりも大きくなるか、あるいは、検出閾値Vsll1よりも小さくなり、磁石検出装置は、不正磁石を検出できる。

一方、図１（ｂ）に示される例では、遊技機の電源が投入された直後の時刻t0から時刻t6の間、遊技機はセルフチェックのために動作している。そして時刻t1からt2(ただしt1,t2<t6)の期間の磁場の測定値の平均値に基づいて、磁場の基準値Mref'が求められる。この例では、グラフ１１１に示されるように、時刻t1から時刻t2の間においても遊技機が動作しているため、遊技機自体の動作により生じる磁場の影響で磁場の測定値が変動している。そのため、基準値Mref'は、磁石検出装置周囲の定常的な磁場の強さだけでなく、遊技機自体の動作により生じる磁場の平均的な強さに応じた値となる。その結果として、この例では、基準値Mref'は、図１（ａ）に示される基準値Mrefよりも大きな値となる。したがって、基準値Mref'に基づいて設定される検出閾値Vslh1'及びVsll1'も、それぞれ、図１（ａ）に示される検出閾値Vslh1及びVsll1よりも大きくなる。そのため、時刻t3(ただし、t3<t6)以降、不正磁石の検出が開始されると、時刻t4〜t5の間のように、遊技機自体の動作により生じた磁場により、磁場の測定値が検出閾値Vsll1'よりも小さくなって不正磁石が誤検出されたり、あるいは、時刻t7〜t8のように、不正磁石が磁石検出装置に近づけられても、磁場の測定値が検出閾値Vsll1'以上かつVslh1'以下となって、磁石検出装置は、不正磁石の検出に失敗することがある。

このように、検出閾値を設定するための磁場の測定中、磁石検出装置の近傍には、定常的な磁場（例えば、地球磁場）以外の磁場が無いことが好ましい。しかし、法規制により、磁石検出装置は、遊技機の主制御基板から、遊技機のセルフチェックのための動作が行われている期間を特定するための信号を受信することはできないので、磁石検出装置は、そのような信号に基づいて検出閾値を設定するための磁場の測定を開始するタイミングを設定することはできない。一方、遊技機のセルフチェックのための動作は、遊技機の電源が投入された直後の一定期間に実行されることが一般に想定される。そこで、この磁石検出装置は、遊技機の電源から電力の供給が開始されると、その電力の電圧に応じて、遊技機のセルフチェックに要する時間に相当する待機時間を設定し、待機時間を経過してから検出閾値を設定するための磁場の測定を開始することで、遊技機自体の動作により生じる磁場の変動が検出閾値の設定に影響することを防止する。

図２は、本発明の一つの実施形態による磁石検出装置の概略構成図である。磁石検出装置１は、遊技機（図示せず）に取り付けられ、磁気センサ１１と、駆動用電圧生成部１２と、基準電圧生成部１３と、記憶部１４と、インターフェース部１５と、制御部１６とを有する。

磁気センサ１１は、磁石検出装置１の周囲の磁場を測定し、その磁場の強さに応じた測定値を制御部１６へ出力する。そのために、磁気センサ１１は、例えば、磁気インピーダンス素子(Magneto-Impedance element)を有する。あるいは、磁気センサ１１は、ホール素子またはホールＩＣを有していてもよい。

駆動用電圧生成部１２は、磁石検出装置１を動作させるための直流電圧を生成し、その直流電圧を磁石検出装置１の各部に供給する。そのため、駆動用電圧生成部１２は、例えば、遊技機の電源から供給された直流電力の電圧（例えば、12V）を、磁石検出装置１を駆動するための電圧（例えば、5V）に変換するＤＣ／ＤＣコンバータを有する。

基準電圧生成部１３は、遊技機の電源が投入されると磁石検出装置１へ供給開始される、その電源からの直流電力の電圧に基づいて、遊技機の電源が投入されてから磁石検出装置１が検出閾値設定用に磁場の測定を開始するまでの待機時間の決定に利用される基準電圧を生成する。そのために、基準電圧生成部１３は、例えば、遊技機の電源の正極側端子とグラウンド間に直列に接続される二つの抵抗R1、R2を有する分圧回路とすることができる。そして基準電圧生成部１３は、二つの抵抗R1とR2の間から、基準電圧Vrefを制御部１６へ出力する。なお、この場合、基準電圧Vrefは、(R2/(R1+R2))Vccとなる。ただし、Vccは、遊技機の電源から供給される電圧である。

なお、基準電圧生成部１３は、分圧回路の代わりに、遊技機の電源が投入された直後から一定の基準電圧を生成できる他の様々な回路を有していてもよい。例えば、基準電圧生成部１３は、遊技機の電源の正極側端子とグラウンド間に逆バイアスとなるように接続されるツェナーダイオードを有していてもよい。この場合、基準電圧生成部１３は、遊技機の電源から電圧が供給されると、ツェナーダイオードのカソード端子から、ツェナーダイオードの降伏電圧に相当する基準電圧を出力させることができる。

記憶部１４は、例えば、不揮発性の読み出し専用の半導体メモリと、読み書き可能な半導体メモリとを有する。そして記憶部１４は、制御部１６で実行される各処理において用いられる各種のデータ、磁気センサ１１により得られた磁場の測定値、及び設定された検出閾値などを記憶する。さらに、記憶部１４は、制御部１６上で実行される各処理のプログラムを記憶していてもよい。

インターフェース部１５は、磁石検出装置１を他の機器、例えば、遊技機の主制御基板と接続するためのインターフェース回路を有する。そしてインターフェース部１５は、制御部１６から受け取った各種の信号、例えば、検出閾値の設定が終了し、不正磁石の検出を開始することが可能となったことを表す信号、あるいは、不正磁石を検出したことを表す異常信号などを他の機器へ出力する。

制御部１６は、例えば、一つまたは複数の演算回路と、アナログ／デジタル変換器と、メモリとを有する。なお、演算回路、アナログ／デジタル変換器及びメモリは、別個の回路であってもよく、あるいは、一つの集積回路として一体的に形成されてもよい。そして制御部１６は、遊技機の電源が投入されてから、基準電圧に基づいて設定される待機時間を経過した後の一定期間中に磁気センサ１１から得られた磁気の測定値に基づいて検出閾値を設定する。また制御部１６は、不正磁石の検出開始後、その検出閾値と、磁気センサ１１から得られた磁気の測定値との比較により、不正磁石を検出する。

図３は、制御部１６の機能ブロック図である。制御部１６は、待機時間設定部２１と、検出閾値設定部２２と、不正磁石検出部２３とを有する。制御部１６が有するこれらの各部は、例えば、制御部１６が有する演算回路上で実行されるコンピュータプログラムにより実現される機能モジュールである。あるいは、制御部１６が有するこれらの各部は、それぞれ、制御部１６が有する演算回路に含まれる専用の回路として実装されてもよい。また、制御部１６が有するこれらの各部のうち、待機時間設定部２１及び検出閾値設定部２２は、検出閾値設定処理にて用いられ、一方、不正磁石検出部２３は、不正磁石検出処理にて用いられる。
以下、検出閾値設定処理と不正磁石検出処理とに分けて、制御部１６が有するこれらの各部について説明する。

（検出閾値設定処理）
待機時間設定部２１は、基準電圧生成部１３から供給された基準電圧Vrefに基づいて、遊技機の電源が投入されてから、検出閾値設定用に磁場の測定を開始するまでの待機時間を設定する。

本実施形態では、基準電圧生成部１３から供給された基準電圧Vrefは、制御部１６が有するアナログ／デジタル変換器に入力され、基準電圧Vrefに応じたデジタル信号値が待機時間設定部２１に入力される。そこで、待機時間設定部２１は、そのデジタル信号値に、所定の係数Kを乗じることで得られる値を待機時間とする。すなわち、待機時間設定部２１は、基準電圧Vrefが高くなるほど、待機時間を長くする。なお、本実施形態では、遊技機の電源が投入されると、制御部１６への駆動用の電圧供給が開始されて、制御部１６が動作可能になるとともに、遊技機の電源から供給される電圧に応じた基準電圧Vrefが制御部１６に入力される。このように、制御部１６の動作開始と基準電圧Vrefの入力開始のタイミングは略一致する。そのため、待機時間設定部２１は、制御部１６が動作を開始してから特に待つことなく、基準電圧Vrefに基づいて待機時間を設定すればよい。

また、待機時間中に遊技機のセルフチェック用の動作が終了するよう、待機時間が遊技機のセルフチェックに要する時間に所定のオフセットを加えた時間長となるように、所定の係数Kは設定される。

待機時間設定部２１は、設定した待機時間を検出閾値設定部２２へ通知する。

検出閾値設定部２２は、閾値設定部の一例であり、制御部１６に駆動用電圧の供給が開始されてから待機時間が経過すると、磁気センサ１１から受け取った磁場の測定値に基づいて検出閾値を設定する。そのために、検出閾値設定部２２は、制御部１６に駆動用電圧の供給が開始されてからの経過時間を、例えば、制御部１６の演算回路に含まれるタイマを用いてカウントする。そして検出閾値設定部２２は、その経過時間が待機時間に達すると、その後の一定期間にわたって磁気センサ１１から磁場の測定値を受信する。検出閾値設定部２２は、受信した測定値を所定の周期でサンプリングすることでN個（Nは2以上の整数）の測定値を取得し、そのN個の測定値の平均値Mraveを算出する。磁気センサ１１が、磁場の測定値を検出された磁束密度の値として出力する場合、検出閾値設定部２２は、その平均値Mrave[μT]に、感度ΔS[mV/μT]を乗じることで得られる電圧換算値を、磁場の基準値Mrefとして算出する。あるいは、磁気センサ１１自体が、検出した磁束密度の大きさに応じた電圧を測定値として出力する場合には、検出閾値設定部２２は、その電圧をアナログ／デジタル変換器により変換して得られるその電圧のデジタル値自体の平均値を磁場の基準値Mrefとしもよい。そして検出閾値設定部２２は、基準値Mrefに所定のオフセット値ΔVslを加算して、上限側の検出閾値Vslh1を算出するとともに、基準値Mrefから所定のオフセット値ΔVslを減算して、下限側の検出閾値Vsll1を算出する。なお、感度ΔSは、例えば、磁気センサ１１の感度特性に応じて設定される。また、所定のオフセット値ΔVslは、例えば、想定される不正磁石による磁場の強さの変動量の電圧換算値よりも小さく、かつ、遊技機自体の動作による磁場の変動量の電圧換算値よりも大きくなるように設定され、予め記憶部１４に保存されればよい。

検出閾値設定部２２は、設定した検出閾値Vslh1及びVsll1を記憶部１４に保存する。

図４は、検出閾値設定処理の動作フローチャートである。制御部１６は、遊技機の電源が投入されたときに、下記の動作フローチャートに従って検出閾値を設定する。

待機時間設定部２１は、遊技機の電源から供給される電圧に基づいて基準電圧生成部１３が生成する基準電圧Vrefに係数Kを乗じることで、待機時間Twを設定する（ステップＳ１０１）。検出閾値設定部２２は、電源投入からの経過時間が待機時間Twになったか否か判定する（ステップＳ１０２）。経過時間が待機時間Twに達していなければ（ステップＳ１０２−Ｎｏ）、検出閾値設定部２２は、所定時間（例えば、10msec〜100msec）がさらに経過してから、ステップＳ１０２の処理を繰り返す。

一方、経過時間が待機時間Twに達していれば（ステップＳ１０２−Ｙｅｓ）、検出閾値設定部２２は、磁気センサ１１からの磁場の測定値を一定期間（例えば、100msec〜数sec）にわたって取得する（ステップＳ１０３）。そして検出閾値設定部２２は、その一定期間における磁場の測定値の平均値を算出し、その平均値に基づいて磁場の基準値Mrefを算出する（ステップＳ１０４）。さらに、検出閾値設定部２２は、磁場の基準値Mrefに所定のオフセット値ΔVslを加算して上限の検出閾値Vslh1を算出するとともに、磁場の基準値Mrefから所定のオフセット値ΔVslを減算して下限の検出閾値Vsll1を算出する（ステップＳ１０５）。そして検出閾値設定部２２は、検出閾値Vslh1及びVsll1を記憶部１４に保存し、検出閾値設定処理を終了する。

（不正磁石検出処理）
不正磁石検出部２３は、磁石検出部の一例であり、磁気センサ１１から得た磁場の測定値と、検出閾値とを比較することにより、不正磁石が検出されたか否かを判定する。例えば、不正磁石検出部２３は、現時点Tcを終端とする一定期間ごとに、その一定期間中に磁気センサ１１から得た磁場の測定値の平均値Maveを算出する。なお、一定期間は、例えば、100msec〜1secとすることができる。そして不正磁石検出部２３は、その平均値Maveに感度ΔSを乗じることで、検出された磁場の電圧換算値Vcを算出する。なお、上記のように、磁気センサ１１自体が検出された磁場の磁束密度に相当する電圧値を出力する場合には、その電圧値をアナログ／デジタル変換器により変換して得られる測定値のデジタル値の平均値そのものを検出された磁場の電圧換算値Vcとすればよい。

不正磁石検出部２３は、検出された磁場の電圧換算値Vcを検出閾値Vslh1及びVsll1と比較する。そして検出された磁場の電圧換算値Vcが下限の検出閾値Vsll1より小さいか、あるいは、上限の検出閾値Vslh1よりも大きい場合、不正磁石を検出したと判定する。そして不正磁石検出部２３は、インターフェース部１５を介して、不正磁石が検出されたことを表す異常信号を外部の機器へ出力する。

一方、検出された磁場の電圧換算値Vcが下限の検出閾値Vsll1以上、かつ、上限の検出閾値Vslh1以下である場合、不正磁石検出部２３は、不正磁石を検出しない。

不正磁石検出部２３は、所定の周期（例えば、50msec〜500msec）ごとに、上記の処理を繰り返す。

図５は、不正磁石検出処理の動作フローチャートである。不正磁石検出部２３は、所定の周期ごとに、下記の動作フローチャートに従って不正磁石検出処理を実行すればよい。

不正磁石検出部２３は、現時点Tcを終端とする一定期間に磁気センサ１１から得られた磁場の測定値の平均値Maveを算出し、その平均値Maveに基づいて検出された磁場の電圧換算値Vcを算出する（ステップＳ２０１）。そして不正磁石検出部２３は、検出された磁場の電圧換算値Vcが、下限検出閾値Vsll1以上、かつ、上限検出閾値Vslh1以下か否か判定する（ステップＳ２０２）。

検出された磁場の電圧換算値Vcが、下限検出閾値Vsll1以上、かつ、上限検出閾値Vslh1以下である場合（ステップＳ２０２−Ｙｅｓ）、不正磁石検出部２３は、現時点Tcでは不正磁石は検出されないと判定する（ステップＳ２０３）。一方、検出された磁場の電圧換算値Vcが、下限検出閾値Vsll1未満、あるいは、上限検出閾値Vslh1よりも大きい場合（ステップＳ２０２−Ｎｏ）、不正磁石検出部２３は、現時点Tcにおいて、不正磁石を検出したと判定する。そして不正磁石検出部２３は、不正磁石が検出されたことを示す異常信号を生成し、その異常信号をインターフェース部１５を介して他の機器へ出力する（ステップＳ２０４）。

ステップＳ２０３またはステップＳ２０４の後、不正磁石検出部２３は、不正磁石検出処理を終了する。

図６は、本実施形態により設定された検出閾値を用いた場合における、磁場の変化に応じた不正磁石検出の一例を示す図である。図６において、横軸は時間を表す。また、グラフ６０１は、磁気センサ１１により検出される磁場の強さ（磁気量）の測定値の時間変化を表し、グラフ６０２は、遊技機の電源がオンとなっているかオフとなっているかを表す。そしてグラフ６０３は、磁石検出装置１により、不正磁石が検出されたか否かを表す。

この例では、遊技機の電源が投入された直後の時刻t1から時刻t2の間、遊技機はセルフチェックのために動作している。しかし、時刻t2よりも後の時刻t3までは、待機時間Twが経過していないので、磁石検出装置１は、検出閾値設定用の磁場の測定を行っていない。そしてセルフチェックが終了した後の時刻t3から時刻t4の期間の磁場の測定値の平均値に基づいて、磁場の基準値Mrefが求められる。そのため、基準値Mrefは、遊技機自体の動作により生じる磁場の変動に影響されず、磁石検出装置1周囲の定常的な磁場の強さに応じた値となる。そしてその基準値Mrefに基づいて検出閾値Vslh1及びVsll1が設定されるので、検出閾値Vslh1及びVsll1は適切な値となる。そして時刻t5において不正磁石検出処理が開始される。その後、時刻t6〜t7、及び、時刻t8〜t9の期間のように、不正磁石が磁石検出装置１に近づけられると、測定された磁場の電圧換算値が検出閾値Vslh1を超え、あるいは、検出閾値Vsll1よりも低くなるので、磁石検出装置１は、不正磁石を精度良く検出できる。一方、時刻t10〜t11のように、遊技機自体の動作により磁場の強さが変化しても、測定された磁場の電圧換算値は、検出閾値Vsll1とVslh1の間に留まる。そのため、磁石検出装置１は、遊技機の動作による磁場の変動を不正磁石による磁場の変動と誤って検出することを抑制できる。

以上に説明してきたように、この磁石検出装置は、遊技機の電源が投入されてから一定の待機期間が経過した後に、不正磁石を検出するために用いられる検出閾値を設定するための磁場の測定を開始する。そのため、この磁石検出装置は、遊技機のセルフチェックのための動作により生じる磁場の変動が検出閾値に影響することを防止できる。その結果として、この磁石検出装置は、検出閾値を適切に設定できる。さらに、この磁石検出装置は、遊技機の起動とともに供給開始される、遊技機の電源からの電圧に基づいて待機時間を設定するので、遊技機の主制御基板から遊技機の動作に関する情報を受け取らずに、待機時間を適切な長さに設定できる。さらにまた、基準電圧生成部で生成される基準電圧が磁石検出装置が取り付けられる遊技機のセルフチェック動作の時間に応じた電圧となるように、基準電圧生成部の回路素子の回路定数を適切に設定することで、この磁石検出装置は、様々な遊技機に取り付け可能である。

変形例によれば、磁石検出装置は、遊技機の電源が投入されるときから、すなわち、遊技機が起動するときから磁石検出装置に供給開始される他の信号、例えば、クロック信号に基づいて待機時間を設定してもよい。

図７は、この変形例による磁石検出装置の概略構成図である。この変形例による磁石検出装置２は、磁気センサ１１と、駆動用電圧生成部１２と、基準クロック生成部１７と、記憶部１４と、インターフェース部１５と、制御部１６とを有する。磁石検出装置２は、図２に示される磁石検出装置１と比較して、基準電圧生成部１３の代わりに基準クロック生成部１７を有する点、及び、制御部１６の待機時間設定部２１の処理が異なる。そこで以下では、基準クロック生成部１７及び待機時間設定部２１について説明する。磁石検出装置２の他の構成要素の詳細については、磁石検出装置１の対応する構成要素の説明を参照されたい。

基準クロック生成部１７は、遊技機の電源が投入されると、磁石検出装置２の外部に設けられた遊技機のクロック発振器（図示せず）からクロック信号を受信する。そして基準クロック生成部１７は、そのクロック信号に基づいて、待機時間を設定するための基準となる基準クロックを生成する。そのために、基準クロック生成部１７は、例えば、分周回路を有し、受信したクロック信号を分周することで所定の周波数を持つ基準クロックを生成する。そして基準クロック生成部１７は、基準クロックを制御部１６へ出力する。

制御部１６は、クロック信号を受信する端子から基準クロックを受信して、その基準クロックを待機時間設定部２１へわたす。

待機時間設定部２１は、基準クロックの周波数に基づいて待機時間を設定する。例えば、待機時間設定部２１は、一定期間中に含まれる基準クロックのパルス数に基づいて基準クロックの周波数を算出する。そして待機時間設定部２１は、例えば、基準クロックの周波数に所定の係数K'を乗じることで、待機時間を算出する。すなわち、待機時間設定部２１は、基準クロックの周波数が高くなるほど、待機時間を長くする。そして検出閾値設定部２２は、上記の実施形態と同様に、遊技機の電源が投入されてから、算出された待機時間を経過した後に、検出閾値を設定するために用いられる磁場の測定値を磁気センサ１１から取得すればよい。

このように、この変形例についても、磁石検出装置は、遊技機のセルフチェックのための動作により生じる磁場の変動が検出閾値に影響することを防止できるとともに、遊技機の主制御基板から遊技機の動作に関する情報を受け取らずに、待機時間を適切な長さに設定できる。さらに、基準クロック生成部で生成される基準クロックが磁石検出装置が取り付けられる遊技機のセルフチェック動作の時間に応じた周波数を持つように、基準クロック生成部の分周回路を適切に設定することで、この磁石検出装置は、様々な遊技機に取り付け可能である。

なお、磁石検出装置自身がクロック発振器を有し、そのクロック発振器から出力されるクロック信号に基づいて、磁石検出装置の各部が動作してもよい。この場合には、基準クロック生成部は、磁石検出装置が有するクロック発振器から出力されるクロック信号を受け取り、そのクロック信号に基づいて基準クロックを生成してもよい。この場合も、遊技機の電源が投入されて磁石検出装置に電力供給が開始されてからクロック発振器がクロック信号の出力を開始するので、上記の変形例と同様に、磁石検出装置は、適切な待機時間を設定できる。

なお、磁石検出装置が取り付けられる遊技機によらず、待機時間は予め定めた長さに設定されてもよい。この場合には、待機時間設定部２１は、磁石検出装置に供給される電圧そのもの、あるいは、磁石検出装置に供給されるクロック信号そのものの周波数に、記憶部１４に予め記憶される係数を乗じることで得られる値を待機時間としてもよい。この場合には、基準電圧生成部及び基準クロック生成部は省略されてもよい。

図８は、本発明の実施形態または変形例による磁石検出装置を有する弾球遊技機１００の概略正面図である。また図９は、弾球遊技機１００の概略側面断面図である。さらに、図１０は、弾球遊技機１００の概略内部構成図である。図８及び図９に示すように、弾球遊技機１００は、上部から中央部の大部分の領域に設けられ、遊技機本体である遊技盤１０１と、遊技盤１０１の下方に配設された球受け部１０２と、ハンドルを備えた操作部１０３と、遊技盤１０１の略中央に設けられた表示装置１０４とを有する。
また弾球遊技機１００は、遊技の演出のために、遊技盤１０１の前面に配置された可動役物部１０５を有する。また遊技盤１０１の側方にはレール１０６が配設されている。また遊技盤１０１上には多数の障害釘（図示せず）及び少なくとも一つの入賞装置１０７が設けられている。さらに、入賞装置１０７の近傍において、遊技盤１０１の内部に、上記の実施形態または変形例による磁石検出装置１０８が、磁気センサが遊技盤１０１の前面側を向くように取り付けられる。なお、可動役物部１０５及び入賞装置１０７は、それぞれ、可動体の一例である。

操作部１０３は、遊技者の操作によるハンドルの回動量に応じて図示しない発射装置より所定の力で遊技球を発射する。発射された遊技球は、レール１０６に沿って上方へ移動し、多数の障害釘の間を落下する。そして遊技球が何れかの入賞装置１０７に入ったことを、図示しないセンサにより検知すると、遊技盤１０１の背面に設けられた主制御回路１１０は、遊技球が入った入賞装置１０７に応じた所定個の遊技球を玉払い出し装置（図示せず）を介して球受け部１０２へ払い出す。さらに主制御回路１１０は、遊技盤１０１の背面に設けられた演出用CPU１１１を介して表示装置１０４に様々な映像を表示させる。

さらに、演出用CPU１１１は、遊技の状態に応じて、遊技盤１０１の内部に設けられたモータ制御装置（図示せず）を介してモータ１１２を駆動することにより、モータ１１２で駆動される可動役物部１０５を移動させる。本実施形態では、可動役物部１０５は、遊技盤１０１の略中央の一端で固定され、その固定されたところを回転軸として、遊技盤１０１の前面に沿って、矢印Ａで示されるように回転移動する。さらに、遊技の状態に応じて、可動役物部１０５の前面側の固定端の反対側近傍に設けられた回転体１０５ａが、可動役物部１０５に取り付けられたモータ１１３によって回転駆動される。そのため、可動役物部１０５の位置によって、モータ１１３と磁石検出装置１０８間の距離が変動する。したがって、可動役物部１０５の位置、及び、モータ１１２及びモータ１１３の回転状況に応じて、磁石検出装置１０８にて検出される磁場の強さが変動する。

さらに、遊技の状態に応じて、入賞装置１０７の開口の開き度合いが調整可能なように、入賞装置１０７は、遊技盤１０１の背面に設けられたソレノイド１１４により駆動される。そして主制御回路１１０は、遊技の状態に応じて、ソレノイド駆動装置（図示せず）を介してソレノイド１１４を動作させることで、入賞装置１０７の開口の開き度合いを調整する。したがって、ソレノイド１１４の動作状況に応じて、磁石検出装置１０８にて検出される磁場の強さが変動する。

主制御回路１１０及び演出用CPU１１１は、弾球遊技機１００の電源（図示せず）が投入されると、一定期間の間、モータ１１２及び１１３、及び、ソレノイド１１４を駆動して、セルフチェック動作を行う。また、磁石検出装置１０８は、弾球遊技機１００の電源が投入され、その電源から電力の供給が開始されると、あるいは、弾球遊技機１００が有するクロック発振器（図示せず）からクロック信号の供給が開始されると、セルフチェック動作が行われる期間よりも長い待機時間を設定する。そして電源投入からの経過時間が待機時間を過ぎると、磁石検出装置１０８は、磁気センサにより磁場を測定し、その測定結果に従って検出閾値を設定する。その後、磁石検出装置１０８は、弾球遊技機１００が稼働している間、設定した検出閾値を用いて不正磁石検出処理を実行し、不正磁石を検出すると、その旨を表す異常信号を主制御回路１１０へ出力する。主制御回路１１０は、異常信号を受信すると、異常信号を外部の機器へ出力する。また、主制御回路１１０は、弾球遊技機１００に設けられた警告灯（図示せず）を点灯あるいは点滅させたり、弾球遊技機１００の動作を一時的に停止させてもよい。

このように、当業者は、本発明の範囲内で、実施される形態に合わせて様々な変更を行うことができる。

１、２ 磁石検出装置
１１ 磁気センサ
１２ 駆動用電圧生成部
１３ 基準電圧生成部
１４ 記憶部
１５ インターフェース部
１６ 制御部
１７ 基準クロック生成部
２１ 待機時間設定部
２２ 検出閾値設定部
２３ 不正磁石検出部
１００ 弾球遊技機
１０１ 遊技盤
１０２ 球受け部
１０３ 操作部
１０４ 表示装置
１０５ 可動役物部
１０５ａ 回転体
１０６ レール
１０７ 入賞装置
１０８ 磁石検出装置
１１０ 主制御回路
１１１ 演出用CPU
１１２、１１３ モータ
１１４ ソレノイド

Claims (5)

1. 遊技機に設けられる磁石検出装置であって、
   磁場を測定して磁場の測定値を出力する磁気センサと、
   前記遊技機の電源が投入されると前記磁石検出装置に供給が開始される電圧に基づいて所定の基準電圧を生成する基準電圧生成部と、
   前記遊技機の電源が投入されると前記基準電圧が高いほど待機時間が長くなるように前記待機時間を設定する待機時間設定部と、
   前記遊技機の電源が投入されてから前記待機時間が経過すると前記磁気センサからの磁場の測定値に基づいて閾値を設定する閾値設定部と、
   前記閾値が設定された後に、前記磁気センサから得られた磁場の測定値と前記閾値とを比較することで、前記遊技機に対して影響する磁石があるか否かを判定する磁石検出部と、
   を有する磁石検出装置。
2. 遊技機に設けられる磁石検出装置であって、
   磁場を測定して磁場の測定値を出力する磁気センサと、
   前記遊技機の電源が投入されると前記磁石検出装置に供給が開始されるクロック信号に基づいて所定の周波数を持つ基準クロックを生成する基準クロック生成部と、
   前記遊技機の電源が投入されると前記基準クロックの前記所定の周波数が高いほど待機時間が長くなるように、前記待機時間を設定する待機時間設定部と、
   前記遊技機の電源が投入されてから前記待機時間が経過すると前記磁気センサからの磁場の測定値に基づいて閾値を設定する閾値設定部と、
   前記閾値が設定された後に、前記磁気センサから得られた磁場の測定値と前記閾値とを比較することで、前記遊技機に対して影響する磁石があるか否かを判定する磁石検出部と、
   を有する磁石検出装置。
3. 前記待機時間設定部は、前記待機時間を、前記遊技機のセルフチェック動作が実行される期間よりも長く設定する、請求項１または２に記載の磁石検出装置。
4. 遊技機であって、
   遊技機本体と、
   前記遊技機本体に設けられる磁石検出装置と、
   前記遊技機本体に設けられる可動体と、
   前記可動体を駆動する駆動装置と、
   前記遊技機の電源が投入されてから一定期間の間に、前記駆動装置を動作させる制御部とを有し、
   前記磁石検出装置は、
   磁場を測定して磁場の測定値を出力する磁気センサと、
   前記遊技機の電源が投入されると前記磁石検出装置に供給が開始される電圧に基づいて所定の基準電圧を生成する基準電圧生成部と、
   前記遊技機の電源が投入されると前記基準電圧が高いほど待機時間が長くなるように、前記一定期間よりも長い前記待機時間を設定する待機時間設定部と、
   前記遊技機の電源が投入されてから前記待機時間が経過すると前記磁気センサからの磁場の測定値に基づいて閾値を設定する閾値設定部と、
   前記閾値が設定された後に、前記磁気センサから得られた磁場の測定値と前記閾値とを比較することで、前記遊技機に対して影響する磁石があるか否かを判定する磁石検出部と、
   を有する遊技機。
5. 遊技機であって、
   遊技機本体と、
   前記遊技機本体に設けられる磁石検出装置と、
   前記遊技機本体に設けられる可動体と、
   前記可動体を駆動する駆動装置と、
   前記遊技機の電源が投入されてから一定期間の間に、前記駆動装置を動作させる制御部とを有し、
   前記磁石検出装置は、
   磁場を測定して磁場の測定値を出力する磁気センサと、
   前記遊技機の電源が投入されると前記磁石検出装置に供給が開始されるクロック信号に基づいて所定の周波数を持つ基準クロックを生成する基準クロック生成部と、
   前記遊技機の電源が投入されると前記基準クロックの前記所定の周波数が高いほど待機時間が長くなるように、前記一定期間よりも長い前記待機時間を設定する待機時間設定部と、
   前記遊技機の電源が投入されてから前記待機時間が経過すると前記磁気センサからの磁場の測定値に基づいて閾値を設定する閾値設定部と、
   前記閾値が設定された後に、前記磁気センサから得られた磁場の測定値と前記閾値とを比較することで、前記遊技機に対して影響する磁石があるか否かを判定する磁石検出部と、
   を有する遊技機。

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