JP6744860B2 - イソフラバンおよびその中間体の合成 - Google Patents
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Description
(a)イソフラボンの4−ケト基が4−ヒドロキシ基に変換され、イソフラボンの2,3−二重結合が2,3−単結合に変換されるようにイソフラボンを選択的に還元し、それにより4−ヒドロキシ中間体を得る工程と、
(b)キラル基が4−ヒドロキシ中間体のC4位に共有結合するように4−ヒドロキシ中間体をキラル試薬と反応させ、それによりキラル中間体を得る工程と
を含む、方法である。
を有する。好ましくは、式(Ia)における少なくとも3個の置換基はHであり、少なくとも1個の置換基はヒドロキシである。より好ましくは、R5〜R8およびR2’〜R6’は、互いに独立して、H、ヒドロキシ、C1〜C5アルコキシおよびC1〜C5アルキルから選択され、少なくとも4個の置換基はHであり、少なくとも1個の置換基はヒドロキシである。
(c)アミン基がC4位に共有結合し、一方でキラル基がC4位から除去されるようにキラル中間体をアミン試薬と反応させ、それによってアミン中間体を得る工程を含む。
(d)C4位においてアミン中間体を還元して、C4位において−CH2−基を得る工程を含む。
(a0)保護基をイソフラボンのヒドロキシ基に共有結合する工程を含む。
(b0)保護基を4−ヒドロキシ中間体のヒドロキシ基に共有結合する工程を含む。
(b0a)C2,C3−二重結合が既にC2,C3−単結合に選択的に還元されている、4−ヒドロキシ中間体の前駆体のヒドロキシ基に保護基を共有結合する工程を含む。
(b1)好ましくは結晶化によってキラル中間体のジアステレオマーを分離する工程を含むことが好ましい。
(a0)任意に、保護基をイソフラボンのヒドロキシ基に共有結合する工程と、
(a)イソフラボンの4−ケト基が4−ヒドロキシ基に変換され、イソフラボンの2,3−二重結合が2,3−単結合に変換されるようにイソフラボンを選択的に還元し、それにより4−ヒドロキシ中間体を得る工程と、
(b)キラル基が4−ヒドロキシ中間体のC4位に共有結合するように4−ヒドロキシ中間体をキラル試薬と反応させ、それによりキラル中間体を得る工程と、
(b1)結晶化によってキラル中間体の立体異性体を分離する工程と、
(c)アミン基がC4位に共有結合し、一方でキラル基がC4位から除去されるようにキラル中間体をアミン試薬と反応させ、それによってアミン中間体を得る工程と、
(d)C4位においてアミン中間体を還元して、C4位において−CH2−基を得る工程と
を含み、工程(c)または(d)の間または後に、保護基は任意にヒドロキシ基から除去される。
略語:PG=保護基、ChD=キラル基;RNHR1はアミン試薬である。
スキーム1において、出発化合物は4’−および7−ヒドロキシ基に結合した保護基を有するダイゼインである(化合物2)。保護されたダイゼイン2は工程(a)においてヒドロキシ中間体3に還元される。工程(b)において、キラル基はC4位に共有結合してキラル中間体4を得る。続いて、反応混合物において得られたジアステレオマーは結晶化または抽出によって分離されて、所望の立体化学構造を有する精製されたキラル中間体4を得ることができる。工程(c)において、キラル中間体4はアミン試薬によりアミン中間体11または12に変換される。続いてアミン中間体11は工程(d)においてイソフラバン7に還元され得る。アミン中間体12は依然としてヒドロキシ基に結合した保護基を有する。工程(d)において、C4位の選択的還元により−CH2−基を生じ、それにより保護されたイソフラバン6および/または脱保護されたイソフラバン7が得られる。アミン中間体11または12が得られるかどうかは、大部分、保護基の選択に依存する。しかしながら、両方の経路はイソフラバン7を生成するのに適用可能である。全体として、R−またはS−エクオール7が得られる。
(c0)上記に定義されるキラル中間体を提供する工程と、
(c)アミン基がC4位に共有結合し、一方でキラル基がC4位から除去されるようにキラル中間体をアミン試薬と反応させ、それによってアミン中間体を得る工程と、
(d)C4位においてアミン中間体を還元して、C4位において−CH2−基を得る工程と
を含み、工程(c)または(d)の間または後、保護基がヒドロキシ基から除去される、方法である。
ChDは、好ましくは少なくとも1つの有機環を含む、8〜30個の炭素原子を含むキラル基であり、
イソフラボンに対応する基本構造は、好ましくはC5位、C7位、C3’位および/またはC4’位において、−OHまたは−O−PGで置換されていてもよく、ここでPGは上記の保護基である。
化合物および中間体は上記のスキーム1に示す。
実施例1:ジアセチルダイゼイン(2)の合成
ダイゼイン(2.54g、10mmol)および無水酢酸(5ml)の混合物を、透明な溶液が形成されるまで、3時間還流で撹拌した。冷却した後、イソプロパノール(20ml)を加え、懸濁液を室温にて1時間撹拌した。2の沈殿物を濾去し、イソプロパノールで洗浄し、空気中で乾燥させた。化合物2の収率は3.26g(9.65mmol、96.5%)であった。
ジアセチルダイゼイン(2)(3.26g、9.65mmol)、ジオキサン(50ml)および10%Pd/C触媒(0.32g)の混合物を、室温にて24時間、水素雰囲気(圧力−3kg/cm2)下でテフロン(登録商標)ビーカーを備えた鋼製オートクレーブ内で撹拌した。水素から解放した後、反応混合物をTLCにより確認した(出発材料はなく、主な生成物−ジアセチルテトラヒドロダイゼイン(3)、微量のジアセチルジヒドロダイゼインおよびジアセチルエクオールが存在する)。
塩化ナプロキセン(1.95g、7.82mmol)を乾燥ピリジン(10ml)に溶解し、ジアセチルテトラヒドロダイゼイン(3)(2.68g、7.82mmol)を加えた。室温にて1日撹拌した後、ピリジンを真空中で蒸発させ、残渣を2−プロパノール(25ml)から結晶化した。冷却後、室温にて1時間静置し、沈殿物を濾去し、2−プロパノール(3ml)で洗浄した。沈殿物を沸騰2−プロパノール(15ml)中に懸濁し、熱いままで不溶性部分を濾去し、熱い2−プロパノール(3ml)で洗浄し、空気中で乾燥させた。ナプロキセン誘導体4SSRの収率は0.80g(1.44mmol、18.4%)であった。M.p.−168−70℃。
ジオキサン(4ml)中の化合物4SRR(0.80g、1.44mmol)およびモルホリン(0.8ml)の溶液を室温にて1日撹拌した。反応混合物を水(30ml)で希釈し、20分間撹拌し、沈殿物を濾去し、水で洗浄し、空気中で乾燥させた。化合物11の収率は0.43g(1.31mmol、91%)であった。酢酸(3ml)を濾液に加えた。ナプロキセンの沈殿物を濾去し、水で洗浄し、空気中で乾燥させた。ナプロキセンの収率は0.32g(1.37mmol、95%)であった。
3−(4−ヒドロキシフェニル)−4−(モルホリン−4−イル)−3,4−ジヒドロ−2H−クロメン−7−オール(11)(0.43g(1.31mmol))、エタノール(15ml)および10%Pd/C触媒(50mg)の混合物を、テフロン(登録商標)ビーカーを備えた鋼製オートクレーブ内で1日間、水素(圧力−3kg/cm2)により撹拌しながら処理した。触媒を濾去し、エタノール(3ml)で洗浄し、濾液(リンスと一緒)を蒸発乾固した。残渣を酢酸(2ml)に溶解し、水(20ml)を溶液に加えた。室温にて1時間撹拌した後、R−エクオールの残渣を濾去し、水(10ml)で洗浄し、空気中で乾燥させた。R−エクオール(7R)の収率は0.30g(1.22mmol、93%)であった。純度は98%以上であり、エナンチオマー純度は99.7%であることが見出された。
以下の実施例6〜9は、上記の実施例1〜5に記載した特定の合成を補足する。それらは反応プロセスの最適化および理解のために実施した。実施例6〜9において、結果を説明することができ、本発明のプロセスを最適化するために使用することができる予備反応経路および機構が提案される。この実験は、全プロセスが高いエナンチオマーおよび合計収率でイソフラバンを生じる理由の説明を提供する。しかしながら、提案された経路は予備的であり、本発明のプロセスの範囲を限定するものではない。
以下のスキーム2は、ジアセチルダイゼイン2を還元するための可能な反応経路を示す。
触媒は、イソフラバン6とのさらなる反応をこの工程において回避しながら、所望の中間体3の高収率のために最適化しなければならない。条件、特にパラジウム触媒の量、反応時間および温度を最適化すると、化合物3の高収率が達成される。Pd/C触媒を用いた、H2(圧力−5kg/cm2)による25℃、5時間でのジアセチルダイゼイン2の還元により、化合物5(約80%)、3(約20%)および微量の出発材料の混合物が得られる。反応時間を20時間に増加すると、実質的に変化はなかった。温度を75〜80℃に上昇させると、十分に純粋な(TLCおよび1H NMRにより90%超)中間体3の形成が導かれ、それは以下の工程において首尾良く使用された。中間体2の水素化のプロセスにおける温度の上昇は、予想され得るように十分な量のジアセチルエクオール6を形成し、「過水素化」を生じなかったことに留意すべきである。この結果により、温度および反応時間および水素の圧力を変化させることにより活性の異なる触媒を用いてジアセチルダイゼイン2の水素化のための最適条件を調整することが可能であることが示される。パールマン触媒(炭上の20%Pd(OH)2)も試験した。25℃でさえも、ジアセチルダイゼイン2の水素化により、ジアセチルエクオール6が得られた。したがって、パールマン触媒はこの反応工程に適用するには活性が高すぎるように見える。
S−ナプロキセンをR−エクオールを生成するために使用した。R−ナプロキセンの使用は同じ条件で同じ収率を伴うS−エクオールを生じることは明確に知られている。キラル中間体の合成を上記の実施例2に従って実施した。キラル中間体は構造4を有する:
中間体4SRRを、上記の実施例4に従ってモルホリンを用いてアミン中間体11に変換した。得られたアミン誘導体11の純度を、1H NMRおよびTLCにより確認した。結晶を成長させ、X線分析を行った。アミン中間体は化合物11であり、C3およびC4における置換基はトランス配置であることが見出された。
化合物11の水素化は最終還元工程(スキーム3)において十分な量の活性触媒を必要とした。活性の低い触媒を使用した場合、25℃でのエタノール中での水素(圧力−3kg/cm2)による還元の2日後、約50%の出発材料が未反応のままであった。高活性Pd/Cまたはパールマン触媒Pd(OH)2/Cが適切であることを見出した。パールマン触媒を用いて、全ての出発物質を6時間(H2圧力−3kg/cm2)で25℃にて還元した。得られたR−エクオールの純度を1H NMRスペクトルにより98%超と決定し、キラル分析により99.7%のR−エナンチオマーを得た。このような高いエナンチオマー純度は、最後の2つの反応工程の間にラセミ化が起こらないという証拠である。
実施例10:4−ヒドロキシ中間体を生成するための代替経路
以下のスキーム4に示される少なくとも3つの異なる経路により、4−ヒドロキシ中間体3Gが得られる:
上記の作業実施例において、第1の経路(2→2G→5G→3G)を使用した。第2の経路(2→5→5G→3G)も可能である。反応工程(2→5)は、Waehaelaeら、Journal of Organic Chemistry、1997、vol62、p7690−7693に記載されている。反応工程(5→5G)は、Amariら、Bioorganic and Medicinal Chemistry、2004、vol12、#14、p3763−3782に記載されている。反応工程(5G→3G)は第1の経路に対応し、上記されている。第3の経路(2→5→3→3G)も可能である。テトラヒドロダイゼイン3の合成は文献、例えば、Pihlajaら、Journal of Organic Chemistry、2003、vol68、#18 p6864−6869に広範に記載されている。この化合物は3個のヒドロキシ基を有し、2個の保護基のみが選択的に結合される。フェノールヒドロキシルが選択的にアセチル化されることを見込んで、テトラヒドロダイゼイン3を制御された量のアセチル化試薬で処理した。予想され得るように、大過剰のアセチル化試薬を使用すると、トリアセチル誘導体が唯一の生成物として形成された。構造は1H NMRデータによって確認した。2.2モルの塩化アセチルを用いて、69〜70%の所望のO,O’−ジアセチルテトラヒドロダイゼイン(3Gに相当)および30〜31%の副生成物のO,O’,O’’−トリアセチルテトラヒドロダイゼインを含有する混合物を得た。所望の生成物を分離し、エクオールのさらなる生成に使用することができる。この結果により、アシル保護基がテトラヒドロダイゼイン3のフェノールヒドロキシルへ選択的に導入され、キラル化試薬とのさらなる反応において使用できる生成物を形成できることが実証される。所望の立体異性体ではないラセミキラルまたはアミン中間体をプロセスに戻す可能性を開くため、この結果もまた重要である。これは、保護されていない4−ヒドロキシル中間体を得るために、全てのキラル、アミンおよび保護基を切断することによって行うことができる。次いで、3つの遊離ヒドロキシ基を含む4−ヒドロキシル中間体を保護基で選択的に修飾することができる。この手順は、全体のプロセスをより効果的にする。
代替の保護基を含む化合物2bおよび2fを調製した。両方の生成物の式は以下のスキーム5に示される。
ダイゼイン(5.08g、20mmol)、乾燥ジオキサン(70ml)、クロロギ酸エチル(10ml、105mmol)およびトリエチルアミン(15ml、108mmol)の混合物を室温にて1日撹拌した。水(800ml)を加え、得られた懸濁液を30分間撹拌した。沈殿物を濾去し、水で洗浄し、空気中で乾燥させた。O,O’−ビス(エトキシカルボニル)ダイゼイン(2b)の収量は7.66g(19.2mmol、96%)であった。
乾燥ジオキサン(120ml)中のダイゼイン(5.28g、20.78mmol)の撹拌懸濁液に、クロロギ酸メチル(10ml、129mmol)を加えた。撹拌混合物に、Et3N(18ml、129mmol)を50〜60℃の水浴上で冷却しながら滴下して加えた。Et3Nを加えた後、浴を取り除き、反応混合物を室温にてさらに3時間撹拌する。沈殿物を濾去し、いくらかのジオキサンで洗浄し、AcOHから結晶化し、多量の水で洗浄し、乾燥させて6.14g(16.6mmol、80%)の所望の生成物を得る。
ジアセチルダイゼイン(2a)(32g、94.6mmol)、ジオキサン(600ml)および10%Pd/C触媒(3.2g)の混合物を、出発材料2aがTLCによって検出されなくなるまで、50〜60℃にて4〜8時間、水素雰囲気(圧力−3kg/cm2)下でステンレス鋼製オートクレーブ内で撹拌した。オートクレーブを減圧した後、触媒を濾去し、ジオキサンで洗浄し、水素化ホウ素ナトリウム(11.3g、0.3mol)を濾液に加えた。混合物を3〜6時間撹拌し、固体を濾去し、ジオキサンで洗浄し(すすぎ液を濾液に加えた)、酢酸(3ml)を溶液に加えた。溶媒を真空下で蒸発乾固した。残渣にエタノール(250ml)を加え、混合物を冷蔵庫に一晩保持した。3aの沈殿物を濾去し、エタノールで洗浄し、空気中で乾燥させた。3aの収量は22.5g(65.7mmol、69.5%)であった。TLCおよび1H NMRデータにより、生成物3aを識別した。
実施例11および12に従って調製した4’位および7’位に代替の保護基を有するダイゼイン誘導体2bおよび2fを、以下のスキーム5に示すように、4−ヒドロキシル中間体と反応させた。
実施例14:O,O’−ビス(エトキシカルボニル)テトラヒドロダイゼイン(3b)
反応時間および温度を触媒の各バッチについての予備実験によって規定した。O,O’−ビス(エトキシカルボニル)ダイゼイン(2b)(2.1g、5.27mmol)、ジオキサン(40ml)および10%Pd/C触媒(0.22g)の混合物を、室温にて2日間、水素雰囲気下(圧力は5kg/cm2であった)でテフロン(登録商標)ビーカーを備えた鋼製オートクレーブ内で撹拌した。減圧後、反応混合物をTLCによって確認した(出発材料は存在せず、主な生成物である、O,O’−ビス(エトキシカルボニル)テトラヒドロダイゼイン(3b)を検出し、微量のO,O’−ビス(エトキシカルボニル)ジヒドロダイゼインおよびO,O’−ビス(エトキシカルボニル)エクオールが存在し得る)。触媒を濾去し、ジオキサンで洗浄し、濾液を真空下で蒸発乾固した。残渣にエタノール(20ml)を加え、混合物を室温にて一晩静置した。3bの沈殿物を濾去し、エタノールで洗浄し、空気中で乾燥させた。3bの収量は1.68g(4.17mmol、79%)であった。ピクチャ1の1H NMRを参照のこと。
反応時間および温度は、触媒の各バッチについての予備実験によって規定した。O,O’−ビス(メトキシカルボニル)ダイゼイン(2f)(1.85g、5mmol)、ジオキサン(40ml)および10%のPd/C触媒(0.20g)の混合物を、60〜70℃にて6時間、水素雰囲気下(圧力は5kg/cm2であった)でTeflon(登録商標)ビーカーを備えた鋼製オートクレーブ内で撹拌した。冷却し、減圧した後、反応混合物をTLCにより確認した(出発材料は存在せず、主な生成物であるO、O’−ビス(メトキシカルボニル)テトラヒドロダイゼイン(3b)を検出し、微量のO,O’−ビス(メトキシカルボニル)ジヒドロダイゼインおよびO,O’−ビス(メトキシカルボニル)エクオールが存在し得る)。触媒を濾去し、ジオキサンで洗浄し、濾液を真空下で蒸発乾固した。エタノール(20ml)を残渣に加え、混合物を冷蔵庫に一晩静置した。3fの沈殿物を濾去し、エタノールで洗浄し、空気中で乾燥させた。3fの収量は1.39g(3.71mmol、74%)であった。
エクオールを、以下のスキーム6における反応経路に従って異なるキラル試薬を用いて調製した。全ての場合に使用した標準プロトコルは以下の通りであった:キラル試薬を塩化カルボニル(酸から合成した)または塩化スルホニルに変換し、それを室温にてピリジン中でO,O’−脱保護テトラヒドロダイゼイン3Gと相互作用させた。過剰なピリジンを蒸発させた後(またはそれを含まず)、生成物4Gを溶媒での残渣の処理により分離し、1H NMR法によって分析した。キラル中間体4Gを室温にてジオキサン中でモルホリンと反応させて中間体11Gを形成した。誘導体11Gのエクオール6への還元を室温にて、触媒として20%のPd(OH)2/Cを用いて水素(P=5kg/cm2)により行った。
キラル試薬、キラル中間体4Gおよびエクオールの収率(偏光面法の回転角によって測定したエナンチオマー過剰率またはキラルHPLCによって測定したS−もしくはR−エナンチオマーの含有量の値)を以下の表1にまとめる。
(R)−(−)−α−メトキシフェニル酢酸(13)(0.83g、5mmol)、乾燥ベンゼン(10ml)、塩化オキサリル(1.56g、12.3mmol)および3滴のDMFの混合物を室温にて1日撹拌した。揮発性物質を真空中で蒸発乾固し、残渣に以下:最初にピリジン(5ml)、次にO,O’−ジアセチルテトラヒドロダイゼイン(3a)(1.37g、4mmol)を加えた。室温にて1日撹拌した後、混合物を熱い2−プロパノール(30ml)に溶解し、冷却し、冷蔵庫に1日静置した。生成物20の沈殿物を濾去し(重量1.52g、3.1mmol、77.5%)、DCM(3ml)に溶解した。2−プロパノール(5ml)を溶液に加え、混合物を一晩冷蔵庫に保持した。沈殿物を濾去し、濾液を蒸発乾固して、誘導体20を白色固体として得た。誘導体20の収量は0.45g(0.92mmol、23%)であった。
(2S)−(アセチルオキシ)(フェニル)酢酸(17)(0.97g、5mmol)、乾燥ベンゼン(10ml)、塩化オキサリル(1.25ml、14.6mmol)およびDMF(0.05ml)の混合物を室温にて1日撹拌した。揮発性物質を真空中で蒸発乾固し、残渣に(氷水浴で冷却しながら)以下:最初にピリジン(5ml)、次にO,O’−ジアセチルテトラヒドロダイゼイン(3a)(1.37g、4mmol)を加えた。室温にて1日撹拌した後、混合物を熱い2−プロパノール(30ml)に溶解した。溶液を冷却し、冷蔵庫で3時間保持した。沈殿物を濾去し、2−プロパノール(3ml)で洗浄し、空気中で乾燥させた。誘導体22の収量は0.76g(1.47mmol、37%)であった。
N−トシル−L−プロリン(19)(1.35g、5mmol)、乾燥ベンゼン(10ml)、塩化オキサリル(1.9g、14.8mmol)およびDMF(0.05ml)の混合物を室温にて1日撹拌した。揮発性物質を真空中で蒸発乾固し、残渣に以下:最初にピリジン(5ml)、次にO,O’−ジアセチルテトラヒドロダイゼイン(3a)(1.37g、4mmol)を加えた。混合物を室温にて1日撹拌し、熱い2−プロパノール(50ml)に溶解した。冷却して、室温にて1日静置した後、樹脂が形成した。上清を注ぎ出し、樹脂を2−プロパノール(30ml)から結晶化した。樹脂が再び形成し、上清を注ぎ出し、残渣をヘキサン(20ml)中で15分間還流した。冷却後、沈殿物を濾去し、ヘキサンで洗浄し、空気中で乾燥させた。粗製誘導体24の収量は0.93g(1.51mmol、58%)であった。これをトリクロロエチレン(2ml)から結晶化した。収量は0.29g(0.49mmol、12.2%)であった。
ナプロキセン16(0.6g、2.61mmol)、乾燥ベンゼン(5ml)および塩化オキサリル(0.69g、5.43mmol)の混合物を室温にて4時間撹拌した。揮発性物質を真空中で蒸発乾固し、残渣に以下:最初にピリジン(4ml)、次にO,O’−ビス(エトキシカルボニル)テトラヒドロダイゼイン(3b)(1.05g、2.61mmol)を加えた。混合物を室温にて1日撹拌し、熱い2−プロパノール(30ml)に溶解した。冷却して、室温にて1日静置した後、樹脂が形成した。上清を注ぎ出し、樹脂を2−プロパノール(10ml)から結晶化した。樹脂が再び形成し、上清を注ぎ出し、残渣をヘキサン(20ml)中で15分間還流した。冷却後、沈殿物を濾去し、ヘキサンで洗浄し、空気中で乾燥させた。誘導体25の収量は0.93g(1.51mmol、58%)であった。
N−(4−フルオロフェニル)スルホニル−L−プロリン(31)(1.00g、3.66mmol;国際公開第2010/141805A1号、ページ/ページカラム43−44に従って調製した)、乾燥ベンゼン(10ml)、塩化オキサリル(1.27g、10mmol)およびDMF(0.05ml)の混合物を室温にて1日撹拌した。揮発性物質を真空中で蒸発乾固し、残渣に(氷水浴で冷却しながら)以下:最初にピリジン(3ml)、次にO,O’−ジアセチルテトラヒドロダイゼイン(3a)(1.0g、2.93mmol)を加えた。混合物を室温にて4時間撹拌し、熱い2−プロパノール(20ml)に溶解した。冷却して、室温にて1日静置した後、樹脂が形成した。上清を注ぎ出し、樹脂を2−プロパノール(10ml)から結晶化した。樹脂が再び形成し、上清を注ぎ出し、2−プロパノール(10ml)を加え、混合物を沸騰するまで加熱した。不溶性部分を熱いうちに濾去し、2−プロパノールで洗浄し、空気中で乾燥させた。誘導体32の収量は0.68g(1.14mmol、39%)であった。この試料をジオキサン(1.5ml)からさらに結晶化して、7−アセトキシ−3−(4−アセトキシフェニル)クロマン−4−イル((4−フルオロフェニル)スルホニル)−L−プロリナート(32)を非常に純粋な32SSSエナンチオマーとして得た。
ナプロキセン16(0.92g、4mmol)、乾燥ベンゼン(5ml)および塩化オキサリル(1.0g、7.9mmol)の混合物を室温にて4時間撹拌した。揮発性物質を真空中で蒸発乾固し、残渣に以下:最初にピリジン(4ml)、次にO,O’−ビス(メトキシカルボニル)テトラヒドロダイゼイン(3f)(1.39g、3.71mmol)を加えた。室温にて4時間撹拌した後、混合物を熱い2−プロパノール(30ml)に溶解した。冷却して、室温にて1日静置した後、樹脂が形成した。上清を注ぎ出し、樹脂を2−プロパノール(10ml)から結晶化した。沈殿物を濾去し、2−プロパノール(3ml)で洗浄し、空気中で乾燥させた。誘導体33の収量は1.0g(1.7mmol、46%)であった。
(R)−(−)−α−メトキシフェニル酢酸(13)(0.42g、2.5mmol)、乾燥ベンゼン(5ml)、塩化オキサリル(0.78g、6.14mmol)および2滴のDMFの混合物を室温にて1日撹拌した。揮発性物質を真空中で蒸発乾固し、残渣に以下:最初にピリジン(2.5ml)、次いでO,O’−ビス(エトキシカルボニル)テトラヒドロダイゼイン(3b)(0.8g、2mmol)を加えた。室温にて1日撹拌した後、混合物を熱い2−プロパノール(15ml)に溶解し、冷却し、冷蔵庫に1日静置した。沈殿物を濾去し、2−プロパノール(5ml)からもう一度結晶化した。誘導体35の収量は0.66g(1.2mmol、60%)であった。ピクチャ8の1H NMRスペクトルを参照のこと。
3−(4−ヒドロキシフェニル)−4−(モルホリン−4−イル)−3,4−ジヒドロ−2H−クロメン−7−オール(11)
ジオキサン(8ml)中の化合物4G(2mmol)およびモルホリン(0.87ml、10mmol)の溶液を室温にて1〜2日間撹拌した。出発物質(TLCにより検査)の消失後、反応混合物を水(100ml)で希釈し、20分間撹拌し、沈殿物を濾去し、水で洗浄し、空気中で乾燥させた。化合物11の収率は90〜96%であった。
3−(4−ヒドロキシフェニル)−4−(モルホリン−4−イル)−3,4−ジヒドロ−2H−クロメン−7−オール(11)(0.65g、2mmol)、エタノール(30ml)および10%のPd/C触媒(70mg)の混合物を、Teflon(登録商標)ビーカーを備えた鋼製オートクレーブ内で1日間、水素(圧力3〜5kg/cm2)により撹拌しながら処理した。触媒を濾去し、エタノール(5ml)で洗浄し、濾液(すすぎ液と共に)を蒸発乾固した。希釈した酢酸(20mlの水中に0.5ml)を残渣に加えた。室温にて1時間撹拌した後、沈殿物を濾去し、水で洗浄し、空気中で乾燥させて、白色結晶としてエクオールを得た。収率は90%超であった。
Claims (10)
- ダイゼインからエクオールをエナンチオ選択的に生成するための方法であって、
(a0)1〜10個の炭素原子を有するアシル基である保護基をダイゼインのヒドロキシ基に共有結合し、4’−および7−ヒドロキシ基に結合した保護基を有するダイゼインを得る工程と、
(a)該4’および7位に結合した保護基を有するダイゼインの4−ケト基が4−ヒドロキシ基に変換され、ダイゼインの2,3−二重結合が2,3−単結合に変換される、選択的還元により4−ヒドロキシ中間体を得る工程、
(b)前記4−ヒドロキシ中間体と光学活性なナプロキセン、N−トシル−L−プロリンおよびN−(4−フルオロフェニル)スルホニル−L−プロリンまたはこれらの活性酸から選択されるキラル試薬とを反応し、4−ヒドロキシ中間体のC4位とキラル基を共有結合させ、それによりキラル中間体を得る工程、
(b1)結晶化によって前記キラル中間体のジアステレオマーを分離する工程、
(c)前記キラル中間体をモルホリン、C−置換モルホリン、ピロリジン、N−置換ピペラジン、ピペリジン、ジメチルアミンおよびジエチルアミンから選択されるアミン試薬と反応させ、アミン基と前記キラル中間体のC4位に共有結合を形成し、一方でキラル基をC4位から除去し、それによってアミン中間体を得る工程、および
(d)C4位においてアミン中間体を還元して、C4位において−CH 2 −基を得る工程
を含み、前記工程(c)または(d)または後に、前記保護基がヒドロキシ基から除去される方法。 - ダイゼインからエクオールをエナンチオ選択的に生成するための方法であって、
(a1)ダイゼインの4−ケト基が4−ヒドロキシ基に変換され、ダイゼインの2,3−二重結合が2,3−単結合に変換される、選択的還元工程と、
(b0)1〜10個の炭素原子を有するアシル基である保護基を4’−および7―ヒドロキシ基に共有結合し、4−ヒドロキシ中間体を得る工程、
(b)前記4−ヒドロキシ中間体と光学活性なナプロキセン、N−トシル−L−プロリンおよびN−(4−フルオロフェニル)スルホニル−L−プロリンまたはこれらの活性酸から選択されるキラル試薬とを反応し、4−ヒドロキシ中間体のC4位とキラル基を共有結合させ、それによりキラル中間体を得る工程、
(b1)結晶化によって前記キラル中間体のジアステレオマーを分離する工程、
(c)前記キラル中間体をモルホリン、C−置換モルホリン、ピロリジン、N−置換ピペラジン、ピペリジン、ジメチルアミンおよびジエチルアミンから選択されるアミン試薬と反応させ、アミン基と前記キラル中間体のC4位に共有結合を形成し、一方でキラル基をC4位から除去し、それによってアミン中間体を得る工程、および
(d)C4位においてアミン中間体を還元して、C4位において−CH 2 −基を得る工程
を含み、前記工程(c)または(d)または後に、前記保護基がヒドロキシ基から除去される方法。 - ダイゼインからエクオールをエナンチオ選択的に生成するための方法であって、
(a2)ダイゼインの2,3−二重結合が2,3−単結合に変換される、選択的還元工程と、
(b0a)該2,3−二重結合が2,3−単結合に変換された4−ヒドロキシ中間体の前駆体の4’−および7―ヒドロキシ基に1〜10個の炭素原子を有するアシル基である保護基を共有結合し、4−ケト基を4−ヒドロキシ基に変換する選択的還元工程、
(b)前記4−ヒドロキシ中間体と光学活性なナプロキセン、N−トシル−L−プロリンおよびN−(4−フルオロフェニル)スルホニル−L−プロリンまたはこれらの活性酸から選択されるキラル試薬とを反応し、4−ヒドロキシ中間体のC4位とキラル基を共有結合させ、それによりキラル中間体を得る工程、
(b1)結晶化によって前記キラル中間体のジアステレオマーを分離する工程、
(c)前記キラル中間体をモルホリン、C−置換モルホリン、ピロリジン、N−置換ピペラジン、ピペリジン、ジメチルアミンおよびジエチルアミンから選択されるアミン試薬と反応させ、アミン基と前記キラル中間体のC4位に共有結合を形成し、一方でキラル基をC4位から除去し、それによってアミン中間体を得る工程、および
(d)C4位においてアミン中間体を還元して、C4位において−CH 2 −基を得る工程
を含み、前記工程(c)または(d)または後に、前記保護基がヒドロキシ基から除去される方法。 - 工程(a)、(a1)または(a2)における還元は、パラジウム/炭素、ラネーニッケル、酸化白金(IV)およびPd(OH)2から選択される金属触媒、ならびに/または水素、ギ酸アンモニウム、ギ酸およびシクロヘキセンから選択される還元試薬の存在下で実施される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 工程(d)における還元は、パラジウム/炭素、ラネーニッケル、酸化白金(IV)およびPd(OH)2から選択される金属触媒、ならびに/または水素、ギ酸アンモニウム、ギ酸およびシクロヘキセンから選択される還元試薬の存在下で実施される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記保護基は、アセチルである、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- エクオールを生成するための方法であって、
(c0)請求項1〜5のいずれか一項によって得られるキラル中間体を提供する工程と、
(c)キラル中間体をアミン試薬と反応させ、アミン基をC4位に共有結合し、一方でキラル基がC4位から除去され、それによってアミン中間体を得る工程と、
(d)C4位においてアミン中間体を還元して、C4位において−CH2−基を得る工程と
を含み、工程(c)または(d)の間または後に、前記保護基がヒドロキシ基から除去される、方法。 - 前記キラル中間体は、式(IV)または(V):
(式中、
PGは、1〜10個の炭素原子を有するアシルであり、
ChDは、光学活性なナプロキセン、N−トシル−L−プロリンまたはN−(4−フルオロフェニル)スルホニル−L−プロリンの残基である)
を有する、請求項6に記載の方法。 - 前記エクオールは、少なくとも5%e.eのエナンチオマー純度で得られる、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記活性酸は、酸クロライドである、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
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