JP6746321B2 - Ni powder, method of manufacturing Ni powder, internal electrode paste, and electronic component - Google Patents
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Description
本発明は、Ni粉末、Ni粉末の製造方法、内部電極ペースト及び電子部品に関する。 The present invention relates to Ni powder, a method for manufacturing Ni powder, an internal electrode paste, and an electronic component.
積層セラミックコンデンサでは、誘電体層と内部電極層とを交互に積層し、焼成処理して得られた積層体の両端面に外部電極を形成している。このような構造とすることにより、小型で大きな容量を得ることができることから、近年のモバイル機器等の需要増加に伴って、種々の用途に広く用いられている。 In a monolithic ceramic capacitor, dielectric layers and internal electrode layers are alternately laminated, and external electrodes are formed on both end surfaces of a laminated body obtained by firing treatment. With such a structure, it is possible to obtain a small size and a large capacity, so that it is widely used for various applications with the recent increase in demand for mobile devices and the like.
特許文献1には、内部電極の連続性が高く、薄層化された積層セラミックコンデンサが開示されている。 Patent Document 1 discloses a multilayer ceramic capacitor in which internal electrodes have high continuity and are made thin.
特許文献1では、セラミック粒子を含む内部電極とセラミック粒子を含まない内部電極を交互に塗布することで、内部電極の連続性を高くしている。但し、特許文献1では内部電極を形成するペーストについての詳細な言及はされていない。 In Patent Document 1, the continuity of the internal electrodes is enhanced by alternately applying the internal electrodes containing the ceramic particles and the internal electrodes containing no ceramic particles. However, Patent Document 1 does not make detailed reference to the paste forming the internal electrodes.
本発明者らが検討したところによると、内部電極の連続性を高くするには、内部電極ペーストに含まれる金属粉のアスペクト比が小さいことと粒度分布が狭いことが重要であると考えられる。
内部電極の連続性を高めるためには、アスペクト比が大きな形状の金属粉を使うとその金属粉の排除体積効果により、その金属粉付近で空隙が生じるため、アスペクト比が小さい金属粉が必要である。またアスペクト比が大きい金属粉の最大径が大きい場合は、金属粉が誘電体層の平面方向に垂直に配向した際に誘電体層を突き破って、内部電極同士を短絡させショート不良が生じることがある。一方で細かい粒子と大きな粒子を配合させることで、焼結前の内部電極の連続性を高めることができるが、粒径が異なる粒子の焼結特性の違いから、焼結後の電極連続性が低下するため粒度分布が狭い金属粉が必要である。
上記金属粉を得る方法の一つとして分級処理がある。しかしながら分級処理では、0.6μm〜2μm程度の任意の値の分級点を目途に、分級点よりも大きな金属粉の除去が可能であるが、分級点よりも小さな金属粉の一部も同時に除去されてしまうため、製品実収が大幅に低下するという欠点がある。したがって、分級処理を行う場合は、上述の高額な設備導入も含め、製品のコストアップが避けられない。
さらに、金属粉として平均粒径が0.2μm以下のNi粉末を用いる場合には、分級処理による粗大粒子の除去自体が困難になるため、今後の内部電極の一層の薄層化に対応できない。
According to a study made by the present inventors, it is considered important that the metal powder contained in the internal electrode paste has a small aspect ratio and a narrow particle size distribution in order to improve the continuity of the internal electrodes.
In order to improve the continuity of the internal electrodes, when metal powder with a large aspect ratio is used, voids occur near the metal powder due to the excluded volume effect of the metal powder, so metal powder with a small aspect ratio is required. is there. When the maximum diameter of the metal powder having a large aspect ratio is large, when the metal powder is oriented perpendicular to the plane direction of the dielectric layer, it may break through the dielectric layer and short-circuit internal electrodes to cause a short circuit defect. is there. On the other hand, by mixing fine particles and large particles, the continuity of the internal electrode before sintering can be improved, but because of the difference in the sintering characteristics of particles with different particle sizes, the electrode continuity after sintering is A metal powder with a narrow particle size distribution is required because it decreases.
Classification is one of the methods for obtaining the metal powder. However, in the classification treatment, it is possible to remove a metal powder larger than the classification point at a classification point of an arbitrary value of about 0.6 μm to 2 μm, but a part of the metal powder smaller than the classification point is also removed at the same time. Therefore, there is a drawback that the actual product yield is significantly reduced. Therefore, when the classification treatment is performed, the cost increase of the product is inevitable including the above-mentioned expensive equipment introduction.
Furthermore, when Ni powder having an average particle size of 0.2 μm or less is used as the metal powder, it becomes difficult to remove the coarse particles by the classification treatment, so that it cannot be applied to further thinning of the internal electrode in the future.
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、内部電極の連続性を高くすることができ、かつ、ショート不良を生じることを防止しうる、金属粉としてのNi粉末を提供すること、並びに、Ni粉末の製造方法、内部電極ペースト及び電子部品を提供することを目的とする。また、本発明のNi粉末の製造方法によれば、分級処理が必要ないため、積層セラミックコンデンサの内部電極ペーストや、それを用いて製造される内部電極に好適なNi粉末を安価に製造することができる。 The present invention has been made to solve the above problems, and provides a Ni powder as a metal powder that can increase the continuity of internal electrodes and prevent short-circuit defects from occurring. And a method for producing Ni powder, an internal electrode paste, and an electronic component. Further, according to the method for producing Ni powder of the present invention, since classification treatment is not required, it is possible to inexpensively produce Ni powder suitable for the internal electrode paste of the laminated ceramic capacitor and the internal electrode produced using the same. You can
すなわち、上記目的を達成するための、本発明のNi粉末は、平均粒径が0.05μm以上0.4μm以下であり、アスペクト比が1.5以下の球状のNi粉と、アスペクト比が1.5より大きく、長手方向において1箇所以上の括れ部を備えている連結状のNi粉とを含み、上記球状のNi粉の粒径のCV値は、20%以下であり、その最大径が0.8μmを超える連結状のNi粉の含有量が、0.3重量%以下であることを特徴とする。 That is, the Ni powder of the present invention for achieving the above object has a spherical Ni powder having an average particle diameter of 0.05 μm or more and 0.4 μm or less and an aspect ratio of 1.5 or less, and an aspect ratio of 1 The CV value of the particle diameter of the spherical Ni powder is 20% or less, and the maximum diameter thereof is 20% or less, including a connected Ni powder having one or more constricted portions in the longitudinal direction. The content of the connected Ni powder exceeding 0.8 μm is 0.3% by weight or less.
本発明のNi粉末において、上記球状のNi粉の平均粒径をX(単位はμm)とし、上記連結状のNi粉の含有量をY(単位は重量%)とすると、
上記球状のNi粉の平均粒径が0.3<X≦0.4の場合、Y≦0.3であり、上記連結状のNi粉の最大径は0.8μmを超え、
上記球状のNi粉の平均粒径が0.05≦X≦0.3の場合、Y≦0.1であり、上記連結状のNi粉の最大径は0.8μmを超え、
上記球状のNi粉の平均粒径が0.05≦X≦0.2の場合、Y≦0.1であり、上記連結状のNi粉の最大径は0.6μmを超えることが好ましい。
In the Ni powder of the present invention, when the average particle diameter of the spherical Ni powder is X (unit is μm) and the content of the connected Ni powder is Y (unit is wt %),
When the average particle diameter of the spherical Ni powder is 0.3<X≦0.4, Y≦0.3, and the maximum diameter of the connected Ni powder exceeds 0.8 μm,
When the average particle diameter of the spherical Ni powder is 0.05≦X≦0.3, Y≦0.1, and the maximum diameter of the connected Ni powder exceeds 0.8 μm,
When the average particle diameter of the spherical Ni powder is 0.05≦X≦0.2, Y≦0.1, and the maximum diameter of the connected Ni powder is preferably more than 0.6 μm.
本発明のNi粉末において、上記連結状のNi粉を構成するNi粉の括れ部以外の部分の直径の平均値は、0.05μm以上0.4μm以下の範囲であることが好ましい。 In the Ni powder of the present invention, it is preferable that the average value of the diameter of the portion other than the constricted portion of the Ni powder constituting the above-mentioned connected Ni powder is in the range of 0.05 μm or more and 0.4 μm or less.
本発明のNi粉末は、その表面に硫黄(S)を含有していることが好ましい。晶析工程で得られたNi晶析粉を、硫黄コート剤(Sコート剤)を含有する処理液と接触させると、その表面を硫黄(S)で修飾することができる。上記硫黄コート剤(Sコート剤)には、メルカプト基(−SH)、ジスルフィド基(−S−S−)のいずれかを含む各種の水溶性硫黄化合物が適用でき、例えば、硫化水素ナトリウム(NaSH)等の無機硫黄化合物、あるいは、チオリンゴ酸(HOOCCH(SH)CH2COOH)等の有機硫黄化合物が挙げられる。
Ni粉末は、その表面が触媒的に働いて、内部電極ペーストに含まれるエチルセルロース等のバインダ樹脂の熱分解を促進する作用があり、積層セラミックコンデンサ製造時の脱バインダ処理にて、低温からバインダ樹脂が分解されて分解ガスが多量に発生しクラックが発生することがある。このバインダ樹脂の熱分解を促進する作用は、Ni粉末の表面に硫黄(S)が存在すると抑制されるため、Ni粉末には硫黄(S)で修飾する表面処理(硫黄コート処理(Sコート処理))を施すことが好ましい。
上記硫黄コート処理したNi粉末における硫黄含有量は1.0重量%以下が好ましく、一方で、硫黄含有量が1.0重量%を超えたとしても、バインダ樹脂の熱分解を抑制する効果の向上は望めず、かえって積層セラミックコンデンサ製造時の焼成において、硫黄を含有するガスが発生しやすくなって、積層セラミックコンデンサ製造装置を腐食させることがあり、好ましいとは言えない。
The Ni powder of the present invention preferably contains sulfur (S) on its surface. When the Ni crystallized powder obtained in the crystallization step is contacted with a treatment liquid containing a sulfur coating agent (S coating agent), the surface can be modified with sulfur (S). As the sulfur coating agent (S coating agent), various water-soluble sulfur compounds containing any of a mercapto group (-SH) and a disulfide group (-SS-) can be applied. For example, sodium hydrogen sulfide (NaSH). ) Or the like, or an organic sulfur compound such as thiomalic acid (HOOCCH(SH)CH 2 COOH).
The surface of the Ni powder acts catalytically to accelerate the thermal decomposition of the binder resin such as ethyl cellulose contained in the internal electrode paste. May be decomposed and a large amount of decomposed gas may be generated to generate cracks. Since the action of promoting the thermal decomposition of the binder resin is suppressed when sulfur (S) is present on the surface of the Ni powder, the surface treatment (sulfur coating treatment (S coating treatment) for modifying the Ni powder with sulfur (S) is performed. )) is preferably applied.
The sulfur content in the sulfur-coated Ni powder is preferably 1.0% by weight or less, and on the other hand, even if the sulfur content exceeds 1.0% by weight, the effect of suppressing thermal decomposition of the binder resin is improved. However, a gas containing sulfur is likely to be generated during firing during the production of the monolithic ceramic capacitor, which may corrode the monolithic ceramic capacitor producing apparatus, which is not preferable.
本発明のNi粉末の製造方法は、水溶性ニッケル塩と、Au、Cu、Pd及びPtからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含む金属塩と、錯化剤とを含む第1の溶液を準備する工程と、アルカリ金属水酸化物を含む第2の溶液を準備する工程と、ヒドラジンを含む第3の溶液を準備する工程と、上記第1の溶液、上記第2の溶液、上記第3の溶液を混合し第4の溶液を作製する工程を備え、上記第4の溶液中にNi粉を析出させるNi粉末の製造方法であって、上記第4の溶液を作製する工程は、上記第4の溶液から析出するNiのモル数に応じて、上記第1の溶液に含まれる上記錯化剤のモル数がNi1モルあたり0.26モル以上0.44モル以下となる範囲に上記第1の溶液の混合量を制御し、上記第2の溶液に含まれる上記アルカリ金属水酸化物のモル数がNi1モルあたり2.84モル以上4.26モル以下となる範囲に上記第2の溶液の混合量を制御し、上記第3の溶液に含まれる上記ヒドラジンのモル数がNi1モルあたり1.66モル以上2.50モル以下となる範囲に上記第3の溶液の混合量を制御することを特徴とする。 The method for producing Ni powder according to the present invention comprises a first solution containing a water-soluble nickel salt, a metal salt containing at least one element selected from the group consisting of Au, Cu, Pd and Pt, and a complexing agent. And a step of preparing a second solution containing an alkali metal hydroxide, a step of preparing a third solution containing hydrazine, the first solution, the second solution, the second The method for producing a Ni powder, comprising: mixing the solution of No. 3 to produce a fourth solution; and depositing Ni powder in the fourth solution, wherein the step of producing the fourth solution is Depending on the number of moles of Ni precipitated from the fourth solution, the number of moles of the complexing agent contained in the first solution is within the range of 0.26 moles to 0.44 moles per mole of Ni. The second solution is controlled such that the mixing amount of the solution of No. 1 is controlled so that the number of moles of the alkali metal hydroxide contained in the second solution becomes 2.84 to 4.26 mol per 1 mol of Ni. Is controlled so that the number of moles of the hydrazine contained in the third solution is 1.66 moles or more and 2.50 moles or less per 1 mole of Ni. Is characterized by.
本発明のNi粉末の製造方法において、上記錯化剤は、少なくとも一つのカルボキシ基を有する有機酸であることが好ましい。 In the method for producing Ni powder of the present invention, the complexing agent is preferably an organic acid having at least one carboxy group.
本発明のNi粉末の製造方法の、上記第4の溶液を作製する工程においては、上記第1の溶液、上記第2の溶液及び上記第3の溶液の温度を45℃以上65℃以下とすることが好ましい。また、本発明のNi粉末の製造方法の、上記第4の溶液を作製する工程は、上記第2の溶液及び上記第3の溶液を予め混合しておき、その混合した溶液を上記第1の溶液に滴下混合する手順により行うことが好ましい。また、上記第1の溶液に上記第2の溶液と上記第3の溶液の混合溶液を滴下混合する際の、上記混合溶液を滴下する時間は160秒以下であることが好ましい。 In the step of producing the fourth solution of the method for producing Ni powder of the present invention, the temperatures of the first solution, the second solution, and the third solution are set to 45° C. or higher and 65° C. or lower. It is preferable. In the step of producing the fourth solution of the method for producing Ni powder of the present invention, the second solution and the third solution are mixed in advance, and the mixed solution is added to the first solution. It is preferable to carry out the procedure of dropping and mixing with the solution. Further, when the mixed solution of the second solution and the third solution is added dropwise to the first solution, the time for dropping the mixed solution is preferably 160 seconds or less.
本発明のNi粉末の製造方法では、上記Ni粉を含む水溶液であるNi粉スラリーに硫黄コート剤(Sコート剤)を加え、硫黄(S)で表面処理されたNi粉を得ることが好ましい。また、上記硫黄コート剤(Sコート剤)が、少なくともメルカプト基(−SH)、ジスルフィド基(−S−S−)のいずれかを含む水溶性硫黄化合物であることが好ましい。 In the method for producing Ni powder of the present invention, it is preferable to add a sulfur coating agent (S coating agent) to the Ni powder slurry that is an aqueous solution containing the Ni powder to obtain Ni powder surface-treated with sulfur (S). The sulfur coating agent (S coating agent) is preferably a water-soluble sulfur compound containing at least one of a mercapto group (-SH) and a disulfide group (-SS-).
本発明の内部電極ペーストは、本発明のNi粉末と、有機溶剤とを含むことを特徴とする。 The internal electrode paste of the present invention is characterized by containing the Ni powder of the present invention and an organic solvent.
本発明の電子部品は、本発明の内部電極ペーストを用いて内部電極層を形成してなる電子部品であって、積層された複数の誘電体層と複数の内部電極層を含み、積層方向に相対する第1主面及び第2主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第1側面及び第2側面と、積層方向及び幅方向に直交する長さ方向に相対する第1端面及び第2端面とを有しており、上記第1端面及び第2端面に上記内部電極層が露出している積層体と、上記内部電極層に接続され、上記積層体の端面に設けられた外部電極と、を備えることを特徴とする。 An electronic component of the present invention is an electronic component formed by forming an internal electrode layer using the internal electrode paste of the present invention, including a plurality of laminated dielectric layers and a plurality of internal electrode layers, A first main surface and a second main surface which face each other, a first side surface and a second side surface which face each other in a width direction orthogonal to the stacking direction, a first end surface which faces a length direction orthogonal to the stacking direction and the width direction, and A laminated body having a second end face, and the internal electrode layer being exposed at the first end face and the second end face; and an external portion connected to the internal electrode layer and provided on the end face of the laminated body. And an electrode.
この発明によれば、内部電極の連続性を高くすることができ、かつ、ショート不良を生じることを防止しうる、金属粉としてのNi粉末を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide the Ni powder as the metal powder, which can increase the continuity of the internal electrodes and can prevent the occurrence of a short circuit defect.
以下、図面を参照して、本発明のNi粉末、Ni粉末の製造方法、内部電極ペースト及び電子部品について説明する。しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を2つ以上組み合わせたものもまた本発明である。 Hereinafter, the Ni powder, the method for manufacturing the Ni powder, the internal electrode paste, and the electronic component of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following configurations, and may be appropriately modified and applied without departing from the scope of the present invention. It should be noted that a combination of two or more of the respective desirable configurations of the present invention described below is also the present invention.
本発明のNi粉末を含む内部電極ペーストを用いて製造することのできる本発明の電子部品としては、積層セラミックコンデンサ、インダクタ、圧電部品、サーミスタ等が挙げられる。以下、本発明の電子部品の例として、積層セラミックコンデンサについて説明する。 Examples of electronic components of the present invention that can be manufactured using the internal electrode paste containing the Ni powder of the present invention include multilayer ceramic capacitors, inductors, piezoelectric components, thermistors, and the like. Hereinafter, a laminated ceramic capacitor will be described as an example of the electronic component of the present invention.
積層セラミックコンデンサは、積層体と、積層体の端面に設けられた外部電極とを備える。図1は、本発明の電子部品である積層セラミックコンデンサの一例を模式的に示す斜視図である。積層セラミックコンデンサ1は、積層体10の端面に外部電極100を設けてなる。積層体10において、長さ方向、幅方向、積層方向をそれぞれ両矢印L、W、Tで定める方向とする。 The monolithic ceramic capacitor includes a laminated body and external electrodes provided on the end faces of the laminated body. FIG. 1 is a perspective view schematically showing an example of a laminated ceramic capacitor which is an electronic component of the present invention. The monolithic ceramic capacitor 1 is provided with an external electrode 100 on an end surface of a laminated body 10. In the laminated body 10, the length direction, the width direction, and the laminating direction are defined by double-headed arrows L, W, and T, respectively.
図2は、図1に示す積層セラミックコンデンサの積層体の一例を模式的に示す斜視図である。図3は、図1に示す積層セラミックコンデンサのL方向、T方向を含むLT断面図であり、図4は、図1に示す積層セラミックコンデンサのW方向、T方向を含むWT断面図である。 FIG. 2 is a perspective view schematically showing an example of a laminated body of the laminated ceramic capacitor shown in FIG. 3 is an LT sectional view including the L direction and the T direction of the monolithic ceramic capacitor shown in FIG. 1, and FIG. 4 is a WT sectional view including the W direction and the T direction of the monolithic ceramic capacitor shown in FIG.
積層体10は、積層された複数の誘電体層20と複数の内部電極層30を含み、積層方向に相対する第1主面11及び第2主面12と、積層方向に直交する幅方向に相対する第1側面13及び第2側面14と、積層方向及び幅方向に直交する長さ方向に相対する第1端面15及び第2端面16と、を含む。積層体10は角部および稜線部に丸みがつけられていることが好ましい。角部は、積層体10の3面が交わる部分であり、稜線部は、積層体10の2面が交わる部分である。 The laminated body 10 includes a plurality of laminated dielectric layers 20 and a plurality of internal electrode layers 30, and has a first principal surface 11 and a second principal surface 12 facing each other in the laminating direction and a width direction orthogonal to the laminating direction. The first side surface 13 and the second side surface 14 that face each other, and the first end surface 15 and the second end surface 16 that face each other in the length direction orthogonal to the stacking direction and the width direction are included. The laminate 10 preferably has rounded corners and ridges. The corner portion is a portion where the three surfaces of the laminated body 10 intersect, and the ridge portion is a portion where the two surfaces of the laminated body 10 intersect.
図1に示す長さ方向と幅方向と積層方向とは互いに直交する。積層方向は、積層体10を構成する複数の誘電体層20と複数の内部電極層30が積み上げられていく方向である。また、長さ方向は、積層体の両端に外部電極を設けた際に外部電極が向かい合う方向(その方向に複数個の異なる外部電極が存在する方向)である。 The length direction, the width direction, and the stacking direction shown in FIG. 1 are orthogonal to each other. The stacking direction is a direction in which the plurality of dielectric layers 20 and the plurality of internal electrode layers 30 forming the stack 10 are stacked. Further, the length direction is a direction in which the external electrodes face each other when the external electrodes are provided at both ends of the laminated body (direction in which a plurality of different external electrodes exist).
積層セラミックコンデンサ1又は積層体10の第1端面15又は第2端面16に交差し、かつ、積層方向に沿う、積層セラミックコンデンサに代表される電子部品又は積層体の断面をLT断面という。図3は積層セラミックコンデンサ1のLT断面図である。また、積層セラミックコンデンサ1又は積層体10の第1側面13又は第2側面14に交差し、かつ、積層方向に沿う、電子部品(積層セラミックコンデンサ)又は積層体の断面をWT断面という。図4は、積層セラミックコンデンサ1のWT断面図である。 A cross section of an electronic component or a multilayer body represented by a multilayer ceramic capacitor, which intersects the first end surface 15 or the second end surface 16 of the multilayer ceramic capacitor 1 or the multilayer body 10 and is along the stacking direction, is referred to as an LT section. FIG. 3 is an LT sectional view of the monolithic ceramic capacitor 1. In addition, a cross section of the electronic component (multilayer ceramic capacitor) or the multilayer body which intersects the first side surface 13 or the second side surface 14 of the multilayer ceramic capacitor 1 or the multilayer body 10 and is along the stacking direction is referred to as a WT cross section. FIG. 4 is a WT sectional view of the monolithic ceramic capacitor 1.
図2に示すように第1端面15、第2端面16は、内部電極層30が露出していている面であり、第1端面15及び第2端面16に外部電極100をそれぞれ設けることができる。また、内部電極層30は第1側面13及び第2側面14に露出していてもよい。 As shown in FIG. 2, the first end surface 15 and the second end surface 16 are surfaces where the internal electrode layer 30 is exposed, and the external electrodes 100 can be provided on the first end surface 15 and the second end surface 16, respectively. .. The internal electrode layer 30 may be exposed on the first side surface 13 and the second side surface 14.
図3に示すように積層体10は、積層された複数の誘電体層20と複数の内部電極層30を有し、複数の内部電極層30は、少なくとも積層体10の第1端面15に露出し、第1端面15に設けられた外部電極100と接続する複数の第1内部電極層35と、少なくとも積層体10の第2端面16に露出し、第2端面16に設けられた外部電極100と接続する複数の第2内部電極層36とを備えている。このような構成であると積層セラミックコンデンサとして良好な性能を発揮することができる。 As shown in FIG. 3, the laminated body 10 has a plurality of laminated dielectric layers 20 and a plurality of internal electrode layers 30, and the plurality of internal electrode layers 30 are exposed at least on the first end surface 15 of the laminated body 10. Then, the plurality of first internal electrode layers 35 connected to the external electrodes 100 provided on the first end surface 15 and the external electrodes 100 provided on the second end surface 16 exposed at least on the second end surface 16 of the stacked body 10. And a plurality of second internal electrode layers 36 connected to each other. With such a configuration, it is possible to exhibit good performance as a monolithic ceramic capacitor.
複数の誘電体層20の平均厚みは、例えば、0.1μm以上5μm以下であることが好ましい。各誘電体層の材料としては、例えばチタン酸バリウム(BaTiO3)、チタン酸カルシウム(CaTiO3)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)、またはジルコン酸カルシウム(CaZrO3)等を主成分とするセラミック材料を含む。また、各誘電体層20は、主成分よりも含有量の少ない副成分として、これらの成分にMn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物などの主成分よりも含有量の少ない成分を添加したものを用いてもよい。 The average thickness of the plurality of dielectric layers 20 is preferably 0.1 μm or more and 5 μm or less, for example. As a material of each dielectric layer, for example, a ceramic material containing barium titanate (BaTiO 3 ), calcium titanate (CaTiO 3 ), strontium titanate (SrTiO 3 ), calcium zirconate (CaZrO 3 ), or the like as a main component. including. In addition, each dielectric layer 20 is a component having a smaller content than the main component, such as a Mn compound, an Fe compound, a Cr compound, a Co compound, or a Ni compound, as a sub-component having a smaller content than the main component. You may use what added.
また、積層された複数の誘電体層20と複数の内部電極層30の外側に、誘電体層20のみが積層されてなる外層部40が設けられていてもよい。外層部40は、積層体10の両主面側に位置し、主面と最も主面に近い内部電極層30との間に位置する誘電体層である。両外層部40に挟まれた領域を内層部ともいうことができる。外層部40の厚みは、5μm以上30μm以下であることが好ましい。 Further, the outer layer portion 40 formed by only the dielectric layers 20 may be provided outside the laminated dielectric layers 20 and the internal electrode layers 30. The outer layer portion 40 is a dielectric layer located on both main surface sides of the laminated body 10 and between the main surface and the inner electrode layer 30 closest to the main surface. The region sandwiched between both outer layer portions 40 can also be called an inner layer portion. The thickness of the outer layer portion 40 is preferably 5 μm or more and 30 μm or less.
積層体10に積層される誘電体層の枚数は、20枚以上1500枚以下であることが好ましい。この枚数には外層部40となる誘電体層の枚数も含む。 The number of dielectric layers to be laminated on the laminated body 10 is preferably 20 or more and 1500 or less. This number includes the number of dielectric layers that will be the outer layer portion 40.
積層体10の寸法は、長さ方向に沿った長さは80μm以上3200μm以下、幅方向に沿った長さは80μm以上2600μm以下、積層方向に沿った長さは80μm以上2600μm以下であることが好ましい。 Regarding the dimensions of the laminate 10, the length along the length direction is 80 μm or more and 3200 μm or less, the length along the width direction is 80 μm or more and 2600 μm or less, and the length along the stacking direction is 80 μm or more and 2600 μm or less. preferable.
複数の内部電極層30は、積層方向に交互に配置された第1内部電極層35及び第2内部電極層36を含む。第1内部電極層35は、誘電体層20を挟んで第2内部電極層36と対向する対向部と、対向部から第1端面15に引き出されて第1端面15に露出する引出部とを有する。第2内部電極層36は、誘電体層20を挟んで第1内部電極層35の対向部と対向する対向部と、対向部から第2端面16に引き出されて第2端面16に露出する引出部とを有する。各内部電極層30は、積層方向から平面視されて、略矩形状である。このように、各対向部では内部電極層が誘電体層を介して対向することにより容量が形成されている。これにより、積層セラミック電子部品はコンデンサとして機能する。 The plurality of internal electrode layers 30 include first internal electrode layers 35 and second internal electrode layers 36 that are alternately arranged in the stacking direction. The first internal electrode layer 35 has a facing portion that faces the second internal electrode layer 36 with the dielectric layer 20 interposed therebetween, and a lead portion that is drawn from the facing portion to the first end surface 15 and is exposed to the first end surface 15. Have. The second internal electrode layer 36 has a facing portion facing the facing portion of the first internal electrode layer 35 with the dielectric layer 20 interposed therebetween, and a lead-out portion that is drawn from the facing portion to the second end face 16 and exposed to the second end face 16. And a department. Each internal electrode layer 30 has a substantially rectangular shape when viewed in a plan view from the stacking direction. In this way, the capacitance is formed by the internal electrode layers facing each other across the dielectric layer in each facing portion. As a result, the monolithic ceramic electronic component functions as a capacitor.
図3に示すように対向部と端面との間に位置し、第1内部電極層及び第2内部電極層のいずれか一方の引き出し部を含む部分を積層体のLギャップとする。積層体のLギャップの長さ方向の長さは、5μm以上30μm以下であることが好ましい。積層体のLギャップの長さ方向の長さは、図3において両矢印LGapで示す長さである。 As shown in FIG. 3, a portion that is located between the facing portion and the end surface and that includes the lead portion of either the first internal electrode layer or the second internal electrode layer is the L gap of the stacked body. The length in the lengthwise direction of the L gap of the laminate is preferably 5 μm or more and 30 μm or less. The length of the L gap in the length direction of the stacked body is the length indicated by a double-headed arrow L Gap in FIG. 3.
また、図4に示すように対向部と側面との間に位置する部分を積層体のWギャップとする。積層体のWギャップの幅方向の長さは、5μm以上100μm以下であることが好ましい。積層体のWギャップの幅方向の長さは、図4において両矢印WGapで示す長さである。 Further, as shown in FIG. 4, the portion located between the facing portion and the side surface is the W gap of the stacked body. The widthwise length of the W gap of the laminate is preferably 5 μm or more and 100 μm or less. The widthwise length of the W gap of the stacked body is the length indicated by a double-headed arrow W Gap in FIG. 4.
外部電極100は、積層体10の端面(第1端面15、第2端面16)に設けられており、さらに、第1主面11、第2主面12、第1側面13及び第2側面14のそれぞれの一部に延び、それぞれの面の一部を被覆している。そして、外部電極100は、第1端面15で第1内部電極層35と、第2端面16で第2内部電極層36と接続されている。 The external electrode 100 is provided on the end faces (first end face 15 and second end face 16) of the stacked body 10, and further, the first main surface 11, the second main surface 12, the first side surface 13 and the second side surface 14. To cover a portion of each surface. The external electrode 100 is connected to the first internal electrode layer 35 at the first end surface 15 and to the second internal electrode layer 36 at the second end surface 16.
外部電極100は、図3に示すように、下地層60と、下地層60上に配置されためっき層61を有する。図3に示す下地層60はガラスと金属とを含む焼付け層であり、焼付け層を構成するガラスは、Si及び他の元素(B、Ba、Al)を含むことが好ましい。また、焼付け層を構成する金属は、例えば、Cu、Ni、Ag、Pd、Ag−Pd合金及びAuからなる群から選ばれる少なくとも1つの元素を含むことが好ましい。 As shown in FIG. 3, the external electrode 100 has a base layer 60 and a plating layer 61 arranged on the base layer 60. The underlayer 60 shown in FIG. 3 is a baking layer containing glass and a metal, and the glass forming the baking layer preferably contains Si and other elements (B, Ba, Al). The metal forming the baking layer preferably contains at least one element selected from the group consisting of Cu, Ni, Ag, Pd, Ag-Pd alloy, and Au.
焼付け層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体に塗布して焼き付けたものであり、内部電極層と同時焼成したものでもよく、内部電極を焼成した後に焼き付けられたものであってもよい。焼付け層の厚さ(最も厚い部分の厚さ)は、5μm以上300μm以下であることが好ましい。また、焼付け層は複数層設けられていてもよい。 The baking layer is one in which a conductive paste containing glass and a metal is applied to a laminated body and baked, and may be baked at the same time as the internal electrode layers, or may be baked after baking the internal electrodes. Good. The thickness of the baking layer (thickness of the thickest part) is preferably 5 μm or more and 300 μm or less. Further, a plurality of baking layers may be provided.
外部電極を構成する下地層は、焼付け層に限定されるものではなく、樹脂層又は薄膜層であってもよい。下地層が樹脂層である場合、樹脂層は、導電性粒子と熱硬化性樹脂を含む樹脂層であることが好ましい。下地層として樹脂層を形成する場合は、焼付け層を形成せずに積層体上に直接樹脂層を形成してもよい。樹脂層の厚さ(最も厚い部分の厚さ)は、5μm以上300μm以下であることが好ましい。また、樹脂層は、複数層であってもよい。 The base layer forming the external electrode is not limited to the baking layer, and may be a resin layer or a thin film layer. When the underlayer is a resin layer, the resin layer is preferably a resin layer containing conductive particles and a thermosetting resin. When the resin layer is formed as the base layer, the resin layer may be directly formed on the laminate without forming the baking layer. The thickness of the resin layer (thickness of the thickest part) is preferably 5 μm or more and 300 μm or less. Moreover, the resin layer may be a plurality of layers.
下地層が薄膜層である場合、薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された層であって、その厚さが1μm以下の層であることが好ましい。 When the underlayer is a thin film layer, the thin film layer is formed by a thin film forming method such as a sputtering method or a vapor deposition method, is a layer on which metal particles are deposited, and has a thickness of 1 μm or less. preferable.
下地層60の上に配置されるめっき層61としては、例えば、Cu、Ni、Sn、Ag、Pd、Ag−Pd合金及びAuからなる群から選ばれる少なくとも1つの元素を含むことが好ましい。めっき層は複数層であってもよい。好ましくは、Niめっき層、Snめっき層の2層構造である。Niめっき層は、下地層が電子部品を実装する際のはんだによって侵食されることを防止することができ、Snめっき層は、電子部品を実装する際のはんだの濡れ性を向上させ、容易に実装することができる。めっき層一層あたりの厚みは、5μm以上50μm以下であることが好ましい。 The plating layer 61 disposed on the underlayer 60 preferably contains, for example, at least one element selected from the group consisting of Cu, Ni, Sn, Ag, Pd, Ag-Pd alloy, and Au. The plating layer may be a plurality of layers. A two-layer structure of a Ni plating layer and a Sn plating layer is preferable. The Ni plating layer can prevent the underlayer from being eroded by the solder when mounting the electronic component, and the Sn plating layer improves the wettability of the solder when mounting the electronic component, and easily Can be implemented. The thickness of one plating layer is preferably 5 μm or more and 50 μm or less.
外部電極は、下地層を有していなくてもよく、積層体上に直接設けられ、内部電極層と直接接続されるめっき層からなるものであってもよい。ただし、前処理として積層体上に触媒を設けておき、その上に設けられためっき層であってもよい。 The external electrode does not have to have a base layer, and may be a plating layer that is directly provided on the laminate and is directly connected to the internal electrode layer. However, as a pretreatment, a catalyst may be provided on the laminated body and a plated layer provided thereon may be used.
内部電極層と直接接続されるめっき層は、第1めっき層と、第1めっき層上に設けられた第2めっき層とを含むことが好ましい。第1めっき層及び第2めっき層は、例えば、Cu、Ni、Sn、Pb、Au、Ag、Pd、Bi及びZnからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属または当該金属を含む合金のめっきを含むことが好ましい。本発明の電子部品は、内部電極層を構成する金属としてNiを用いているので、第1めっき層としては、Niと接合性のよいCuを用いることが好ましい。また、第2めっき層としては、はんだ濡れ性のよいSnやAuを用いることが好ましい。その他、第1めっき層としては、はんだバリア性能を有するNiを用いることが好ましい。 The plating layer directly connected to the internal electrode layer preferably includes a first plating layer and a second plating layer provided on the first plating layer. The first plating layer and the second plating layer are, for example, plated with at least one metal selected from the group consisting of Cu, Ni, Sn, Pb, Au, Ag, Pd, Bi and Zn, or an alloy containing the metal. It is preferable to include. Since the electronic component of the present invention uses Ni as the metal forming the internal electrode layers, it is preferable to use Cu, which has good bonding properties with Ni, as the first plating layer. Moreover, it is preferable to use Sn or Au having good solder wettability as the second plating layer. In addition, it is preferable to use Ni having a solder barrier performance as the first plating layer.
第2めっき層は必要に応じて形成されるものであり、外部電極は、第1めっき層のみから構成されたものであってもよい。また、第2めっき層をめっき層の最外層として設けてもよく、第2めっき層上に他のめっき層を設けてもよい。各めっき層1層あたりの厚みは、1μm以上50μm以下であることが好ましい。また、めっき層にはガラスを含まないことが好ましい。めっき層の単位体積あたりの金属割合は99体積%以上であることが好ましい。めっき層は、厚み方向に沿って粒成長したものであり、柱状であることが好ましい。 The second plating layer is formed as needed, and the external electrode may be composed of only the first plating layer. The second plating layer may be provided as the outermost layer of the plating layer, or another plating layer may be provided on the second plating layer. The thickness of each plated layer is preferably 1 μm or more and 50 μm or less. Further, it is preferable that the plating layer does not contain glass. The metal ratio per unit volume of the plating layer is preferably 99% by volume or more. The plating layer is formed by grain growth along the thickness direction and is preferably columnar.
内部電極層30は、第1内部電極層35及び第2内部電極層36を含む層である。内部電極層30は本発明のNi粉末を含む、本発明の内部電極ペーストを用いて形成されてなる、Niを含む層である。本発明のNi粉末及び本発明の内部電極ペーストの詳細な説明は後述する。内部電極層30はNiの他に、他の種類の金属や、誘電体層に含まれるセラミックと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。 The internal electrode layer 30 is a layer including the first internal electrode layer 35 and the second internal electrode layer 36. The internal electrode layer 30 is a layer containing Ni formed by using the internal electrode paste of the present invention containing the Ni powder of the present invention. A detailed description of the Ni powder of the present invention and the internal electrode paste of the present invention will be given later. The internal electrode layer 30 may include, in addition to Ni, another type of metal, or dielectric particles having the same composition as the ceramic contained in the dielectric layer.
積層体10に積層される内部電極層30の枚数は、2枚以上1000枚以下であることが好ましい。また、複数の内部電極層30の平均厚みは、0.1μm以上3μm以下であることが好ましい。 The number of the internal electrode layers 30 laminated on the laminate 10 is preferably 2 or more and 1000 or less. The average thickness of the plurality of internal electrode layers 30 is preferably 0.1 μm or more and 3 μm or less.
なお、複数の内部電極層30及び複数の誘電体層20の各々の平均厚さは、以下のように測定される。まず、研磨により露出させた積層体の長さ方向に直交する断面を走査型電子顕微鏡(SEM)にて観察する。次に、積層体の断面の中心を通る積層方向に沿った中心線、及びこの中心線から両側に等間隔に2本ずつ引いた線の合計5本の線上における厚さを測定する。この5つの測定値の平均値とする。より正確な平均厚さを求めるには、積層方向における上部、中央部、下部のそれぞれについて上記5つの測定値を求め、これら測定値の平均値を平均厚さとする。 The average thickness of each of the plurality of internal electrode layers 30 and the plurality of dielectric layers 20 is measured as follows. First, a cross section orthogonal to the length direction of the laminate exposed by polishing is observed with a scanning electron microscope (SEM). Next, the thickness is measured on a total of 5 lines including a center line along the stacking direction that passes through the center of the cross section of the stack and two lines drawn from this center line at equal intervals on both sides. The average of these five measurements is used. In order to obtain a more accurate average thickness, the above five measured values are obtained for each of the upper part, the central part and the lower part in the stacking direction, and the average value of these measured values is taken as the average thickness.
なお、本発明の電子部品は、基板に内蔵される電子部品として使用でき、また、基板の表面に実装される電子部品としても使用することができる。 The electronic component of the present invention can be used as an electronic component built in a board and also as an electronic component mounted on the surface of the board.
以下、本発明のNi粉末、Ni粉末の製造方法、及び、内部電極ペーストについて説明する。 Hereinafter, the Ni powder, the method for producing the Ni powder, and the internal electrode paste of the present invention will be described.
本発明のNi粉末は、平均粒径が0.05μm以上0.4μm以下であり、アスペクト比が1.5以下の球状のNi粉と、アスペクト比が1.5より大きく、長手方向において1箇所以上の括れ部を備えている連結状のNi粉とを含み、上記球状のNi粉の粒径のCV値は、20%以下であり、その最大径が0.8μmを超える連結状のNi粉の含有量が、0.3重量%以下であることを特徴とする。図5は、本発明のNi粉末の走査型電子顕微鏡写真(SEM像)の一例である。すなわち、本発明のNi粉末は、球状のNi粉と、連結状のNi粉の2種類のNi粉を含む粉末である。 The Ni powder of the present invention has a spherical Ni powder having an average particle size of 0.05 μm or more and 0.4 μm or less and an aspect ratio of 1.5 or less, and an aspect ratio of more than 1.5, and one position in the longitudinal direction. The CV value of the particle diameter of the spherical Ni powder including the above-mentioned connected Ni powder having the constricted portion is 20% or less, and the maximum diameter of the connected Ni powder exceeds 0.8 μm. Is less than 0.3% by weight. FIG. 5 is an example of a scanning electron micrograph (SEM image) of the Ni powder of the present invention. That is, the Ni powder of the present invention is a powder containing two kinds of Ni powder, that is, spherical Ni powder and connected Ni powder.
図6(a)は、球状のNi粉の一例を示す模式図であり、図6(b)は連結状のNi粉の一例を示す模式図である。
球状のNi粉とは、平均粒径が0.05μm以上0.4μm以下であり、アスペクト比が1.5以下のNi粉である。球状のNi粉の粒径のCV値は、20%以下となっている。CV値は粒径のバラツキを示す指標であり、(標準偏差/平均値)×100[%]の式に基づいて算出される。
球状のNi粉の平均粒径を0.4μm以下とすることで、薄層化された積層セラミックコンデンサの内部電極に好適に使用することができる。球状のNi粉の平均粒径を0.05μm以上とすることで、乾燥状態のNi粉末の取り扱いが容易となる。
球状のNi粉のCV値が20%を超えると、粒度分布が広いために、薄層化された積層セラミックコンデンサへの適用が困難となる場合が生じる。粒度分布は狭いほど良好であるため、CV値の下限は特に限定されることはない。
球状のNi粉のアスペクト比が1.5を超えると、排除体積効果によりその粒子付近に空隙ができやすく、電極連続性が劣化する。アスペクト比が1に近いほど良好であるため、下限は特に限定されることはない。
粒径及びCV値の測定は、Ni粉末を、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、20000倍以上50000倍以下の倍率で観察することにより行う。そして、その観察像を画像解析ソフトを使用して画像解析することによって求めることができる。例えば、旭化成エンジニアリング株式会社製のIP−1000PCの統合アプリケーションであるA像くん(登録商標)で取り込み、円度しきい値100(円度しきい値100は、球状のNi粉しか検出されない)で画像解析することによって、球状のNi粉の粒径を求め、その結果から、「平均粒径」及び「CV値」を算出することができる。
FIG. 6A is a schematic diagram showing an example of spherical Ni powder, and FIG. 6B is a schematic diagram showing an example of connected Ni powder.
The spherical Ni powder is a Ni powder having an average particle diameter of 0.05 μm or more and 0.4 μm or less and an aspect ratio of 1.5 or less. The CV value of the particle diameter of the spherical Ni powder is 20% or less. The CV value is an index showing variation in particle size, and is calculated based on the formula of (standard deviation/average value)×100[%].
When the average particle diameter of the spherical Ni powder is 0.4 μm or less, it can be suitably used for the internal electrode of the laminated ceramic capacitor having a thin layer. When the average particle diameter of the spherical Ni powder is 0.05 μm or more, handling of the dried Ni powder becomes easy.
If the CV value of the spherical Ni powder exceeds 20%, it may be difficult to apply it to a laminated ceramic capacitor having a thin layer due to the wide particle size distribution. Since the narrower the particle size distribution is, the better the lower limit of the CV value is not particularly limited.
When the aspect ratio of the spherical Ni powder exceeds 1.5, voids are likely to be formed in the vicinity of the particles due to the excluded volume effect, which deteriorates the electrode continuity. The lower the aspect ratio, the better, so the lower limit is not particularly limited.
The particle size and CV value are measured by observing the Ni powder with a scanning electron microscope (SEM) at a magnification of 20,000 times or more and 50,000 times or less. Then, the observed image can be obtained by image analysis using image analysis software. For example, it is taken in by A image-kun (registered trademark), which is an integrated application of IP-1000PC manufactured by Asahi Kasei Engineering Co., Ltd., and the circularity threshold value 100 (the circularity threshold value 100 detects only spherical Ni powder). By performing image analysis, the particle diameter of the spherical Ni powder can be obtained, and the “average particle diameter” and “CV value” can be calculated from the results.
球状のNi粉のアスペクト比は、以下のように測定できる。走査型電子顕微鏡(SEM)を用いてNi粉末を観察し、その10000倍の倍率のSEM像から100個の単一粒子のNi粉(連結していないNi粉)を抽出する。それぞれのNi粉のSEM像において最も長い径を長軸とし、長軸方向に対して垂直方向における最大径を短軸として、長軸/短軸比(長軸を短軸で割った値)を求める。次いで、この100個のNi粉の長軸/短軸比の平均値を算出し、その平均値をアスペクト比とする。 The aspect ratio of spherical Ni powder can be measured as follows. The Ni powder is observed using a scanning electron microscope (SEM), and 100 single-particle Ni powders (non-connected Ni powders) are extracted from the SEM image at a magnification of 10,000 times. In the SEM image of each Ni powder, the longest diameter is the long axis, and the longest diameter in the direction perpendicular to the long axis direction is the short axis. The long axis/short axis ratio (value obtained by dividing the long axis by the short axis) Ask. Next, the average value of the major axis/minor axis ratios of the 100 Ni powders is calculated, and the average value is used as the aspect ratio.
連結状のNi粉とは、アスペクト比が1.5より大きく、長手方向において1箇所以上の括れ部を備えているNi粉である。典型的には、球状のNi粉が複数個連結してなるNi粉であり、球状のNi粉同士が連結している部位が球の直径よりも径が小さい部位となって括れ部となる。括れ部の有無は走査型電子顕微鏡(SEM)を用いてNi粉末を観察することにより判定することができる。 The connected Ni powder is an Ni powder having an aspect ratio of more than 1.5 and having one or more constricted portions in the longitudinal direction. Typically, it is Ni powder formed by connecting a plurality of spherical Ni powders, and the part where the spherical Ni powders are connected to each other becomes a part having a diameter smaller than the diameter of the sphere and becomes a constricted part. The presence or absence of the constricted portion can be determined by observing the Ni powder with a scanning electron microscope (SEM).
連結状のNi粉のアスペクト比は、球状のNi粉のアスペクト比と同様にして、SEM像から10個の連結状のNi粉を抽出し、球状のNi粉の場合と同様の手法で算出することができる。 The aspect ratio of the connected Ni powder is calculated in the same manner as that of the spherical Ni powder by extracting 10 connected Ni powders from the SEM image in the same manner as the aspect ratio of the spherical Ni powder. be able to.
本発明のNi粉末では、その最大径が0.8μmを超える連結状のNi粉の含有量が、0.3重量%以下となっている。また球状のNi粉の平均粒径をX(単位はμm)とし、連結状のNi粉の含有量をY(単位は質量%)とすると、球状のNi粉の平均粒径が0.3<X≦0.4の場合、Y≦0.3であり、連結状のNi粉の最大径は0.8μmを超えていることが好ましい。同様に球状のNi粉の平均粒径が0.05≦X≦0.3の場合、Y≦0.1であり、連結状のNi粉の最大径は0.8μmを超えていることが好ましい。また、球状のNi粉の平均粒径が0.05≦X≦0.2の場合、Y≦0.1であり、連結状のNi粉の最大径は0.6μmを超えていることが好ましい。
粒径が小さくなるほど連結状のNi粉量が低減できる製造方法であるため、薄層化された積層セラミックコンデンサの内部電極用に好適に使用することができる。なお下限値については少ないほど良好であるため、特に限定されることはない。
最大径が0.8μmを超える連結状のNi粉の含有量は、アイソポアメンブレンフィルターでろ過することで評価することができる。具体的には、Ni粉末0.1gを水100mLに分散させ、孔径0.8μmのアイソポアメンブレンフィルター上に残ったNi粉が、最大径0.8μmを超える連結状のNi粉であるので、その残ったNi粉をICP(高周波誘導結合プラズマ発光)で定量することにより評価することができる。また、球状のNi粉の平均粒径が0.05μm以上0.2μm以下のNi粉末では、連結状のNi粉の最大径が0.8μm以下となる場合もあるが、任意のアイソポアメンブレンフィルターによって評価が可能である。例えば0.6μmを超える連結状のNi粉を定量することが可能である。
In the Ni powder of the present invention, the content of the linked Ni powder having a maximum diameter exceeding 0.8 μm is 0.3% by weight or less. If the average particle diameter of the spherical Ni powder is X (unit is μm) and the content of the connected Ni powder is Y (unit is mass %), the average particle diameter of the spherical Ni powder is 0.3< In the case of X≦0.4, Y≦0.3, and it is preferable that the maximum diameter of the linked Ni powder exceeds 0.8 μm. Similarly, when the average particle diameter of the spherical Ni powder is 0.05≦X≦0.3, Y≦0.1, and the maximum diameter of the connected Ni powder is preferably more than 0.8 μm. .. When the average particle diameter of the spherical Ni powder is 0.05≦X≦0.2, Y≦0.1, and the maximum diameter of the connected Ni powder is preferably more than 0.6 μm. ..
Since it is a manufacturing method in which the amount of connected Ni powder can be reduced as the particle size becomes smaller, it can be suitably used for the internal electrode of a laminated ceramic capacitor having a thin layer. The lower limit value is better as it is smaller, and is not particularly limited.
The content of linked Ni powder having a maximum diameter exceeding 0.8 μm can be evaluated by filtration with an isopore membrane filter. Specifically, 0.1 g of Ni powder is dispersed in 100 mL of water, and the Ni powder remaining on the isopore membrane filter having a pore diameter of 0.8 μm is a connected Ni powder having a maximum diameter of 0.8 μm. It can be evaluated by quantifying the remaining Ni powder by ICP (high frequency inductively coupled plasma emission). In addition, in the case of spherical Ni powder having an average particle diameter of 0.05 μm or more and 0.2 μm or less, the maximum diameter of the connected Ni powder may be 0.8 μm or less, but any isopore membrane filter may be used. Can be evaluated by. For example, it is possible to quantify the connected Ni powder exceeding 0.6 μm.
本発明のNi粉末では、最大径が0.8μmを超える連結状のNi粉の含有量が0.3重量%以下と少なくなっている。そして、平均粒径が所定の範囲に制御され、その粒径のバラツキ(CV値)が20%以下と小さい球状のNi粉がそのほとんどを占めており、連結状のNi粉の割合が低い範囲に制御されているので、内部電極ペーストを構成する金属粉末として使用した場合に、内部電極の連続性が高くなる。また、球状のNi粉は、扁平状の金属粉とは異なり誘電体層を突き破ってショート不良を生じる原因となることはない。そのため、本発明のNi粉末は、内部電極の連続性を高くすることができ、かつ、ショート不良を生じることを防止しうる、金属粉としてのNi粉末とすることができる。 In the Ni powder of the present invention, the content of the linked Ni powder having a maximum diameter exceeding 0.8 μm is as small as 0.3% by weight or less. Then, the average particle size is controlled within a predetermined range, and spherical Ni powder having a small variation (CV value) of the particle size of 20% or less occupies most of the range, and the ratio of the connected Ni powder is low. Therefore, the continuity of the internal electrodes is improved when used as a metal powder forming the internal electrode paste. Further, unlike the flat metal powder, the spherical Ni powder does not break through the dielectric layer and cause a short circuit defect. Therefore, the Ni powder of the present invention can be made into the Ni powder as the metal powder which can enhance the continuity of the internal electrodes and prevent the occurrence of short circuit failure.
また、連結状のNi粉を構成するNi粉の括れ部以外の部分の直径の平均値は、0.05μm以上0.4μm以下の範囲であることが好ましい。
本発明のNi粉末は、その表面に硫黄(S)を含有していることが好ましい。後述するように、反応液中に得られたNiを含む沈殿物を洗浄する時に、硫黄コート剤(Sコート剤)を含有する処理液と接触させると、その表面を硫黄(S)で修飾することができる。上記硫黄コート剤(Sコート剤)には、メルカプト基(−SH)、ジスルフィド基(−S−S−)のいずれかを含む各種の水溶性硫黄化合物が適用でき、例えば、硫化水素ナトリウム(NaSH)等の無機硫黄化合物、あるいは、チオリンゴ酸(HOOCCH(SH)CH2COOH)等の有機硫黄化合物が挙げられる。
Ni粉末は、その表面が触媒的に働いて、内部電極ペーストに含まれるエチルセルロース等のバインダ樹脂の熱分解を促進する作用があり、積層セラミックコンデンサ製造時の脱バインダ処理にて、低温からバインダ樹脂が分解されて分解ガスが多量に発生しクラックが発生することがある。このバインダ樹脂の熱分解を促進する作用は、Ni粉末の表面に硫黄(S)が存在すると抑制されるため、Ni粉末には硫黄(S)で修飾する表面処理(硫黄コート処理(Sコート処理))を施すことが好ましい。
上記硫黄コート処理したNi粉末における硫黄含有量は1.0重量%以下が好ましく、0.03重量%以上0.5重量%以下がより好ましく、0.04重量%以上0.3重量%以下がさらに好ましい。一方で、硫黄含有量が1.0重量%を超えたとしても、バインダ樹脂の熱分解を抑制する効果の向上は望めず、かえって積層セラミックコンデンサ製造時の焼成において、硫黄を含有するガスが発生しやすくなって、積層セラミックコンデンサ製造装置を腐食させることがあり、好ましいとは言えない。
Further, it is preferable that the average value of the diameter of the portion other than the constricted portion of the Ni powder forming the connected Ni powder is in the range of 0.05 μm or more and 0.4 μm or less.
The Ni powder of the present invention preferably contains sulfur (S) on its surface. As will be described later, when the Ni-containing precipitate obtained in the reaction solution is washed, when it is brought into contact with a treatment solution containing a sulfur coating agent (S coating agent), its surface is modified with sulfur (S). be able to. As the sulfur coating agent (S coating agent), various water-soluble sulfur compounds containing any of a mercapto group (-SH) and a disulfide group (-SS-) can be applied. For example, sodium hydrogen sulfide (NaSH). ) Or the like, or an organic sulfur compound such as thiomalic acid (HOOCCH(SH)CH 2 COOH).
The surface of the Ni powder acts catalytically to accelerate the thermal decomposition of the binder resin such as ethyl cellulose contained in the internal electrode paste. May be decomposed and a large amount of decomposed gas may be generated to generate cracks. Since the action of promoting the thermal decomposition of the binder resin is suppressed when sulfur (S) is present on the surface of the Ni powder, the surface treatment (sulfur coating treatment (S coating treatment) for modifying the Ni powder with sulfur (S) is performed. )) is preferably applied.
The sulfur content of the sulfur-coated Ni powder is preferably 1.0% by weight or less, more preferably 0.03% by weight or more and 0.5% by weight or less, and 0.04% by weight or more and 0.3% by weight or less. More preferable. On the other hand, even if the sulfur content exceeds 1.0% by weight, the effect of suppressing the thermal decomposition of the binder resin cannot be expected to improve, and on the contrary, a gas containing sulfur is generated during firing during the production of the monolithic ceramic capacitor. This is not preferable because it may easily occur and may corrode the monolithic ceramic capacitor manufacturing apparatus.
本発明のNi粉末の製造方法は、水溶性ニッケル塩と、Au、Cu、Pd及びPtからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含む金属塩と、錯化剤とを含む第1の溶液を準備する工程と、アルカリ金属水酸化物を含む第2の溶液を準備する工程と、ヒドラジンを含む第3の溶液を準備する工程と、上記第1の溶液、上記第2の溶液、上記第3の溶液を混合し第4の溶液を作製する工程を備え、上記第4の溶液中にNi粉を析出させるNi粉末の製造方法であって、上記第4の溶液を作製する工程は、上記第4の溶液から析出するNiのモル数に応じて、上記第1の溶液に含まれる上記錯化剤のモル数がNi1モルあたり0.26モル以上0.44モル以下となる範囲で上記第1の溶液の混合量を制御し、上記第2の溶液に含まれる上記アルカリ金属水酸化物のモル数がNi1モルあたり2.84モル以上4.26モル以下となる範囲に上記第2の溶液の混合量を制御し、上記第3の溶液に含まれる上記ヒドラジンのモル数がNi1モルあたり1.66モル以上2.50モル以下となる範囲に上記第3の溶液の混合量を制御することを特徴とする。 The method for producing Ni powder according to the present invention comprises a first solution containing a water-soluble nickel salt, a metal salt containing at least one element selected from the group consisting of Au, Cu, Pd and Pt, and a complexing agent. And a step of preparing a second solution containing an alkali metal hydroxide, a step of preparing a third solution containing hydrazine, the first solution, the second solution, the second The method for producing a Ni powder, comprising: mixing the solution of No. 3 to produce a fourth solution; and depositing Ni powder in the fourth solution, wherein the step of producing the fourth solution is Depending on the number of moles of Ni deposited from the fourth solution, the number of moles of the complexing agent contained in the first solution is 0.26 moles or more and 0.44 moles or less per mole of Ni. The second solution is controlled such that the mixing amount of the solution of No. 1 is controlled so that the number of moles of the alkali metal hydroxide contained in the second solution becomes 2.84 to 4.26 mol per 1 mol of Ni. Is controlled so that the number of moles of the hydrazine contained in the third solution is 1.66 moles or more and 2.50 moles or less per 1 mole of Ni. Is characterized by.
このような条件下でNi粉末を製造することにより、連結状のNi粉の割合を低減させて、その平均粒径、アスペクト比及び粒径のバラツキ(CV値)が好ましい範囲にある球状のNi粉がほとんどを占めるNi粉末を製造することができる。 By producing the Ni powder under such conditions, the proportion of the connected Ni powder is reduced, and the spherical Ni particles having the average particle diameter, the aspect ratio, and the variation (CV value) of the particle diameter in the preferable ranges are obtained. It is possible to produce Ni powder, which is mostly powder.
水溶性ニッケル塩としては、水溶性のニッケル塩であれば特に限定されるものではないが、例えば、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、酢酸ニッケル等があげられる。 The water-soluble nickel salt is not particularly limited as long as it is a water-soluble nickel salt, and examples thereof include nickel sulfate, nickel chloride, nickel acetate and the like.
Au、Cu、Pd及びPtからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含む金属塩としては、各金属の硝酸塩、硫酸塩、塩化物等が挙げられる。例えば、硫酸銅、塩化パラジウム、ヘキサクロロ白金酸等が挙げられる。これらの塩の水和物を使用してもよい。 Examples of the metal salt containing at least one element selected from the group consisting of Au, Cu, Pd and Pt include nitrates, sulfates, chlorides and the like of each metal. Examples thereof include copper sulfate, palladium chloride, hexachloroplatinic acid and the like. Hydrates of these salts may be used.
上記金属塩の配合量は、金属塩に由来する金属イオン濃度がNi1モル当たり5wtppm以上30wtppm以下となるようにすることが好ましい。金属イオン濃度をこの範囲にすると連結状のNi粉の割合を小さくすることができ、ショート不良を抑制する効果が高い。 The amount of the metal salt blended is preferably such that the metal ion concentration derived from the metal salt is 5 wtppm or more and 30 wtppm or less per mol of Ni. When the metal ion concentration is within this range, the proportion of the connected Ni powder can be reduced, and the effect of suppressing short circuit defects is high.
上記金属塩として、パラジウム、ヘキサクロロ白金酸を使用すると球状のNi粉の平均粒径を小さくすることができ、特にヘキサクロロ白金酸の配合量を多くすると球状のNi粉の平均粒径を0.05μmまで小さくすることができる。ヘキサクロロ白金酸の配合量がNi1モル当たり15wtppm以上30wtppm以下になるようにすると球状のNi粉の平均粒径を0.05μmまで小さくすることができるが、それ以上配合しても球状のNi粉の平均粒径はそれ以上小さくならない。 When palladium or hexachloroplatinic acid is used as the metal salt, the average particle size of the spherical Ni powder can be reduced. Particularly, when the compounding amount of hexachloroplatinic acid is increased, the average particle size of the spherical Ni powder is 0.05 μm. Can be as small as If the compounding amount of hexachloroplatinic acid is set to 15 wtppm or more and 30 wtppm or less per 1 mol of Ni, the average particle diameter of the spherical Ni powder can be reduced to 0.05 μm, but even if it is further blended, the spherical Ni powder The average particle size does not become smaller.
錯化剤としては、少なくとも一つのカルボキシ基を有する有機酸であることが好ましく、例えば、クエン酸三ナトリウム、リンゴ酸、マロン酸、コハク酸等が挙げられる。
錯化剤は水和物の形(例えばクエン酸三ナトリウム二水和物)で添加されてもよい。
The complexing agent is preferably an organic acid having at least one carboxy group, and examples thereof include trisodium citrate, malic acid, malonic acid, and succinic acid.
The complexing agent may be added in the form of a hydrate (eg trisodium citrate dihydrate).
アルカリ金属水酸化物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等が挙げられる。ヒドラジンとしては、抱水ヒドラジンが挙げられる。 Examples of the alkali metal hydroxide include sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide and the like. Examples of hydrazine include hydrazine hydrate.
図7(a)、図7(b)及び図7(c)は、本発明のNi粉末の製造フローの一例である。
本発明のNi粉末の製造方法においては、第4の溶液を作製する際にNi粉が第4の溶液中に析出する。第4の溶液を作製する際には、第2の溶液及び第3の溶液を予め混合しておき、その混合した溶液を第1の溶液に滴下混合する手順により行うことが好ましい。この手順により第4の溶液を作製すると、球状のNi粉のCV値を特に低くすることができる。これは、4電子反応であるN2H4→N2↑+4H++4e−のような上記ヒドラジンの還元反応から明らかであるように、高アルカリほどヒドラジンの還元力が強くなることに起因している。すなわち、図7(b)に示すように強アルカリである第2の溶液と第3の溶液の混合溶液、つまりアルカリ金属水酸化物とヒドラジンの混合溶液に、核発生剤としての金属塩と水溶性ニッケル塩を含む第1の溶液を滴下混合した場合には、第1の溶液の滴下混合領域が滴下直後から常時強アルカリとなるため、ヒドラジンの強い還元力により滴下する時間の間中、特に滴下混合領域において核発生が継続して起きることとなる。言い換えれば、局所的な核発生が長時間生じるため、空間的にも時間的にも不均一な核発生となる。したがって、CV値増大である粒度分布が広くなり、連結状のNi粉の割合が増加する傾向が見られる。一方、図7(a)および図7(c)の手順だと、滴下開始時点での滴下混合領域は弱酸性から弱アルカリであって、滴下進行に伴い、アルカリが強くなっていくため、核発生は強アルカリになる滴下終盤にだけ起きることとなる。つまり、混合が進んだ第4の溶液中の全体で短時間に核発生が生じるため、この核発生は空間的にも時間的にも均一である。したがって、CV値減少である粒度分布が狭くなり、連結状のNi粉の割合を低下させることができる。
7(a), 7(b) and 7(c) are examples of the production flow of the Ni powder of the present invention.
In the method for producing Ni powder of the present invention, Ni powder is precipitated in the fourth solution when producing the fourth solution. When the fourth solution is prepared, it is preferable that the second solution and the third solution are mixed in advance, and the mixed solution is dropped and mixed into the first solution. When the fourth solution is produced by this procedure, the CV value of the spherical Ni powder can be made particularly low. This is due to the fact that the higher the alkali, the stronger the reducing power of hydrazine, as is clear from the above-mentioned reduction reaction of hydrazine such as N 2 H 4 →N 2 ↑+4H + +4e − which is a 4-electron reaction. There is. That is, as shown in FIG. 7B, a mixed solution of a second solution and a third solution which are strong alkalis, that is, a mixed solution of an alkali metal hydroxide and hydrazine is added to a metal salt as a nucleating agent and an aqueous solution. When the first solution containing a soluble nickel salt is dropped and mixed, the dropping and mixing region of the first solution always becomes a strong alkali immediately after the dropping, so that the strong reducing power of hydrazine makes the dropping solution particularly effective. Nucleation continues to occur in the dropping mixing region. In other words, local nucleation occurs for a long time, resulting in non-uniform nucleation spatially and temporally. Therefore, there is a tendency that the particle size distribution, which is an increase in the CV value, becomes broad and the proportion of the connected Ni powder increases. On the other hand, according to the procedure of FIGS. 7(a) and 7(c), the dropping mixing region at the start of dropping is weakly acidic to weakly alkaline, and the alkali becomes stronger as the dropping progresses. The generation will occur only at the end of the dropping, when the alkali becomes strong. In other words, nucleation occurs in a short time in the entire mixed fourth solution, so that the nucleation is uniform both spatially and temporally. Therefore, the particle size distribution, which is a decrease in the CV value, becomes narrow, and the proportion of the connected Ni powder can be reduced.
また、第4の溶液を作製する工程においては、第1の溶液、第2の溶液及び第3の溶液の温度を45℃以上65℃以下とすることが好ましい。各溶液の温度をこの範囲とすると、球状のNi粉のCV値を特に低くすることができる。 In addition, in the step of producing the fourth solution, it is preferable that the temperatures of the first solution, the second solution, and the third solution be 45° C. or higher and 65° C. or lower. By setting the temperature of each solution within this range, the CV value of the spherical Ni powder can be made particularly low.
また、第1の溶液に第2の溶液と第3の溶液の混合溶液を滴下混合する際の、混合溶液を滴下する時間は160秒以下であることが好ましい。混合溶液を滴下する時間が160秒以下であると、球状のNi粉のCV値を特に低くすることができる。 In addition, when the mixed solution of the second solution and the third solution is added dropwise to the first solution, the time for dropping the mixed solution is preferably 160 seconds or less. When the time for dropping the mixed solution is 160 seconds or less, the CV value of the spherical Ni powder can be made particularly low.
このように第4の溶液を作製するとNi粉が第4の溶液中に析出するが、Niの析出が第2の溶液及び第3の溶液の混合液の第1の溶液への滴下混合後30分以上120分以下の間にされるようにすることが好ましい。このようにして得た析出物を熟成することによりNiを含む沈殿物を得ることができる。 When the fourth solution is prepared in this manner, Ni powder is precipitated in the fourth solution, but Ni is precipitated after dropping and mixing the mixed solution of the second solution and the third solution into the first solution. It is preferable to set the time to be not shorter than 120 minutes and not longer than 120 minutes. A precipitate containing Ni can be obtained by aging the thus obtained precipitate.
次に、そのNiを含む沈殿物が含まれる反応液を冷却した後、その上澄み液を純水で数回置換することによって、Ni粉末を洗浄することが好ましい。またこの洗浄の際に、硫黄コート剤(Sコート剤)を含有する処理液と接触させることで、Ni粉末の表面に硫黄(S)を修飾することもできる。硫黄コート剤(Sコート剤)としては、メルカプト基(−SH)、ジスルフィド基(−S−S−)のいずれかを含む水溶性硫黄化合物の水溶液が好ましく、チオリンゴ酸(HOOCCH(SH)CH2COOH)、L−システイン(HSCH2CH(NH2)COOH)、チオグリセロール(HSCH2CH(OH)CH2OH)、ジチオジグリコール酸(HOOCH2S−SCH2COOH)等の水溶液が好適である。さらに、アセトンで水を置換し、乾燥した後に、気流式粉砕器で解砕処理をすることでNi粉末を得ることが好ましい。乾燥温度は80℃以上90℃未満とすることが好ましい。上記手順により所望のNi粉末を得ることができる。 Next, it is preferable to wash the Ni powder by cooling the reaction solution containing the Ni-containing precipitate and then replacing the supernatant with pure water several times. Further, during this cleaning, the surface of the Ni powder can be modified with sulfur (S) by bringing it into contact with a treatment liquid containing a sulfur coating agent (S coating agent). The sulfur coating agent (S coating agent) is preferably an aqueous solution of a water-soluble sulfur compound containing any of a mercapto group (-SH) and a disulfide group (-SS-), and thiomalic acid (HOOCCH(SH)CH 2 COOH), L-cysteine (HSCH 2 CH(NH 2 )COOH), thioglycerol (HSCH 2 CH(OH)CH 2 OH), dithiodiglycolic acid (HOOCH 2 S-SCH 2 COOH), and the like are preferable. is there. Further, it is preferable to obtain Ni powder by substituting water with acetone, drying and then crushing with an airflow crusher. The drying temperature is preferably 80°C or higher and lower than 90°C. A desired Ni powder can be obtained by the above procedure.
本発明の内部電極ペーストは、本発明のNi粉末と、有機溶剤とを含むことを特徴とする。有機溶剤としては、α−テルピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、アルコール類等を使用することができる。また、有機バインダをさらに含んでいてもよく、有機バインダとしてはエチルセルロース樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、メタクリル樹脂等を使用することができる。本発明の内部電極ペーストは、本発明の電子部品における内部電極層の形成に使用することができ、本発明の内部電極ペーストを使用することによって、内部電極の連続性を高くすることができ、かつ、ショート不良を生じることを防止することができる。内部電極ペーストにおけるNi粉末の割合は40重量%以上70重量%以下であることが好ましい。 The internal electrode paste of the present invention is characterized by containing the Ni powder of the present invention and an organic solvent. As the organic solvent, α-terpineol, butyl carbitol, butyl carbitol acetate, alcohols and the like can be used. Further, an organic binder may be further included, and as the organic binder, ethyl cellulose resin, acrylic resin, polyvinyl butyral, methacrylic resin, or the like can be used. The internal electrode paste of the present invention can be used for forming an internal electrode layer in the electronic component of the present invention, and by using the internal electrode paste of the present invention, the continuity of the internal electrodes can be increased, In addition, it is possible to prevent a short circuit from occurring. The proportion of Ni powder in the internal electrode paste is preferably 40% by weight or more and 70% by weight or less.
以下に、本発明の電子部品の製造方法の一例として、積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。 Hereinafter, a method for manufacturing a laminated ceramic capacitor will be described as an example of a method for manufacturing an electronic component of the present invention.
はじめに、誘電体シート及び内部電極ペーストを準備する。誘電体シートや内部電極ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。なお、内部電極ペーストとしては、本発明の内部電極ペーストを使用することができる。次に、誘電体シート上に、例えば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより所定のパターンで内部電極ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。次に、内部電極パターンが印刷されていない外層用の誘電体シートを所定枚数積層し、その上に内部電極パターンが印刷された誘電体シートを順次積層し、その上に外層用の誘電体シートを所定枚数積層し、積層シートを作製する。次に、積層シートを静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスし積層ブロックを作製する。積層ブロックを所定のサイズにカットし、積層チップを切り出す。このとき、バレル研磨などにより積層チップの角部および稜線部に丸みをつけてもよい。次に、積層チップを焼成し積層体を作製する。焼成温度は、誘電体や内部電極の材料にもよるが、900℃以上1300℃以下であることが好ましい。 First, a dielectric sheet and an internal electrode paste are prepared. The dielectric sheet and the internal electrode paste include a binder and a solvent, but known organic binders and organic solvents can be used. The internal electrode paste of the present invention can be used as the internal electrode paste. Next, the internal electrode paste is printed on the dielectric sheet in a predetermined pattern by, for example, screen printing or gravure printing to form an internal electrode pattern. Next, a predetermined number of outer layer dielectric sheets on which the internal electrode patterns are not printed are laminated, on top of which the dielectric sheets on which the internal electrode patterns are printed are sequentially laminated, and then the outer layer dielectric sheet is laminated thereon. A predetermined number of sheets are laminated to produce a laminated sheet. Next, the laminated sheet is pressed in the laminating direction by means such as isostatic pressing to produce a laminated block. The laminated block is cut into a predetermined size, and the laminated chip is cut out. At this time, the corners and ridges of the laminated chip may be rounded by barrel polishing or the like. Next, the laminated chip is fired to produce a laminated body. The firing temperature is preferably 900° C. or higher and 1300° C. or lower, though it depends on the materials of the dielectric and the internal electrode.
次に、積層体の端面に外部電極を形成する。焼付け層を有する外部電極を形成する場合は、積層体の両端面に外部電極用の導電性ペーストを塗布し、焼き付け、外部電極の焼付け層を形成する。焼き付け温度は、700℃以上900℃以下であることが好ましい。次に、必要に応じて焼き付け層の表面にめっきを施してめっき層を形成する。 Next, external electrodes are formed on the end faces of the laminated body. When forming an external electrode having a baking layer, a conductive paste for the external electrode is applied to both end faces of the laminated body and baked to form a baking layer of the external electrode. The baking temperature is preferably 700° C. or higher and 900° C. or lower. Next, if necessary, the surface of the baking layer is plated to form a plating layer.
外部電極として、焼付け層を設けずに、積層体の表面に直接めっき層を形成する場合は、めっき処理を施し、内部電極の露出部上に下地めっき膜を形成する。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよいが、無電解めっきはめっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するというデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。めっき工法としては、バレルめっきを用いることが好ましい。 When a plating layer is directly formed on the surface of the laminated body as an external electrode without providing a baking layer, a plating process is performed to form a base plating film on the exposed portion of the internal electrode. Either electroplating or electroless plating may be adopted for the plating treatment, but electroless plating requires a pretreatment with a catalyst or the like in order to improve the plating deposition rate, which complicates the process. There is a disadvantage. Therefore, it is usually preferable to employ electrolytic plating. Barrel plating is preferably used as the plating method.
なお、表面導体を形成する場合は、あらかじめ最外層の誘電体シート上に表面導体パターンを印刷して、その他の誘電体シート等と同時焼成してもよく、また、焼成後の積層体の主面上に表面導体を印刷してから焼き付けてもよい。 When forming the surface conductor, a surface conductor pattern may be printed on the outermost dielectric sheet in advance and co-firing with other dielectric sheets, etc. The surface conductor may be printed on the surface and then baked.
以下、本発明のNi粉末、内部電極ペーストの例、及び、電子部品の例としての積層セラミックコンデンサをより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。 Hereinafter, examples in which the Ni powder of the present invention, an example of the internal electrode paste, and a laminated ceramic capacitor as an example of an electronic component are disclosed more specifically will be shown. The present invention is not limited to these examples.
(実施例1)
硫酸ニッケル6水和物100gと、クエン酸三ナトリウムのモル数がNi1モル当たり0.36モルになるようにクエン酸三ナトリウム二水和物40.3gを水270gに溶解し、銅イオン濃度がNi1モル当たり8.2wtppmになるように0.4重量%に希釈した硫酸銅5水和物溶液を0.18g添加して、銅イオンを含有するニッケル塩溶液を準備した。この溶液を第1の溶液とした。
(Example 1)
100 g of nickel sulfate hexahydrate and 40.3 g of trisodium citrate dihydrate were dissolved in 270 g of water so that the number of moles of trisodium citrate was 0.36 mol per 1 mol of Ni. A nickel salt solution containing copper ions was prepared by adding 0.18 g of a copper sulfate pentahydrate solution diluted to 0.4 wt% so as to be 8.2 wtppm per mol of Ni. This solution was used as the first solution.
次に、水酸化ナトリウムのモル数が、混合する予定の第1の溶液に含まれるNi1モル当たり3.55モルになるように54gの水酸化ナトリウムを水250gに溶解して、第2の溶液を準備した。次に、ヒドラジンのモル数が、混合する予定の第1の溶液に含まれるNi1モル当たり2.03モルになるように60%抱水ヒドラジン66gを準備した。この溶液を第3の溶液とした。 Next, 54 g of sodium hydroxide was dissolved in 250 g of water so that the number of moles of sodium hydroxide was 3.55 mol per 1 mol of Ni contained in the first solution to be mixed, and the second solution was added. Prepared. Next, 66 g of 60% hydrazine hydrate was prepared so that the number of moles of hydrazine was 2.03 moles per 1 mole of Ni contained in the first solution to be mixed. This solution was used as the third solution.
第1の溶液、第2の溶液及び第3の溶液を55℃に加温し、第2の溶液と第3の溶液を事前に混合した。ついで、その混合された溶液を第1の溶液に滴下時間100秒で投入して第4の溶液を作製し、第4の溶液中にNi粉を析出させた。その後30分熟成してNiを含む沈殿物を得た。次に、反応液を冷却した後、その上澄み液を純水で2回置換してから硫黄コート剤(Sコート剤)としてのチオリンゴ酸(別名称:メルカプトこはく酸)(HOOCCH(SH)CH2COOH、分子量:150.15)水溶液を加え、さらにその上澄み液を純水で数回置換することによって、Ni粉末表面の硫黄(S)処理と洗浄をした。さらに、アセトンで水を置換した後、80℃の温度に設定されたオーブン中でNi粉末を乾燥させ、気流式粉砕器で解砕処理をしてNi粉末を得た。 The first solution, the second solution, and the third solution were heated to 55° C., and the second solution and the third solution were premixed. Then, the mixed solution was added to the first solution at a dropping time of 100 seconds to prepare a fourth solution, and Ni powder was deposited in the fourth solution. Then, it was aged for 30 minutes to obtain a precipitate containing Ni. Next, after cooling the reaction liquid, the supernatant liquid was replaced twice with pure water, and then thiomalic acid (other name: mercaptosuccinic acid) (HOOCCH(SH)CH 2 ) as a sulfur coating agent (S coating agent). COOH, molecular weight: 150.15) aqueous solution was added, and the supernatant was replaced with pure water several times to treat the surface of the Ni powder with sulfur (S) and wash it. Further, after substituting water with acetone, the Ni powder was dried in an oven set at a temperature of 80° C., and crushed by an airflow crusher to obtain Ni powder.
<平均粒径及びCV値の測定>
得られたNi粉末を走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて20000倍の倍率で観察し、SEM像から、旭化成エンジニアリング株式会社製のIP−1000PCの統合アプリケーションであるA像くん(登録商標)を用いて画像解析して、球状のNi粉の平均粒径と粒径のCV値を上述の方法により算出した。CV値が15%以下を◎、15%を超えて20%以下を○、20%を超えると×と判定した。結果は表1に示した。
<Measurement of average particle size and CV value>
The obtained Ni powder was observed with a scanning electron microscope (SEM) at a magnification of 20000 times, and from the SEM image, A image Kun (registered trademark) which is an integrated application of IP-1000PC manufactured by Asahi Kasei Engineering Co., Ltd. Using the image analysis, the average particle diameter of the spherical Ni powder and the CV value of the particle diameter were calculated by the above method. When the CV value was 15% or less, it was judged as ⊚, when it exceeds 15% and 20% or less is judged as ◯, and when it exceeds 20%, it is judged as x. The results are shown in Table 1.
<硫黄の含有量測定>
得られたNi粉末について、硫黄含有量を硫黄分析装置(堀場製作所製)を用いて測定した。結果は表1に示した。
<Sulfur content measurement>
The sulfur content of the obtained Ni powder was measured using a sulfur analyzer (manufactured by Horiba Ltd.). The results are shown in Table 1.
<連結状のNi粉の定量>
Ni粉末0.1gを水100mLに分散させ、孔径0.8μmのアイソポアメンブレンフィルター上に残ったNi粉についてNi粉をICP(高周波誘導結合プラズマ発光)で定量することにより、最大径が0.8μmを超える連結状のNi粉の含有量を定量した。
球状のNi粉の平均粒径が0.2μm以下であった実施例については孔径0.6μmのアイソポアメンブレンフィルターについて同様の作業をして最大径が0.6μmを超える連結状のNi粉の含有量を定量した。
結果は表1に示した。
<Quantity of connected Ni powder>
0.1 g of Ni powder was dispersed in 100 mL of water, and the Ni powder remaining on the isopore membrane filter having a pore diameter of 0.8 μm was quantified by ICP (high frequency inductively coupled plasma emission) to obtain a maximum diameter of 0. The content of linked Ni powder exceeding 8 μm was quantified.
For the examples in which the average particle size of the spherical Ni powder was 0.2 μm or less, the same operation was performed for an isopore membrane filter having a pore size of 0.6 μm, and the maximum diameter of the connected Ni powder was 0.6 μm. The content was quantified.
The results are shown in Table 1.
<内部電極ペーストの作製>
次に、このNi粉末を含む内部電極ペーストを作製した。まず、バインダ樹脂としてエチルセルロース樹脂、有機溶剤としてα−テルピネオールを用意し、エチルセルロース樹脂とα−テルピネオールとの混合比率が、体積比率で、1:9となるようにエチルセルロース樹脂をα−テルピネオール中に溶解させ、これにより有機ビヒクルを作製した。次に、Ni粉末の含有量が45重量%となるように、Ni粉末と有機ビヒクルとを混合し、三本ロールミルを使用して分散・混練させ、これによりNi粉末を導電性材料とした内部電極ペーストを作製した。
<Preparation of internal electrode paste>
Next, an internal electrode paste containing this Ni powder was prepared. First, an ethyl cellulose resin as a binder resin and α-terpineol as an organic solvent are prepared, and the ethyl cellulose resin is dissolved in α-terpineol so that the mixing ratio of the ethyl cellulose resin and α-terpineol is 1:9 by volume. Then, an organic vehicle was produced. Next, the Ni powder and the organic vehicle were mixed so that the content of the Ni powder was 45% by weight, and the mixture was dispersed and kneaded using a three-roll mill, whereby the Ni powder was used as a conductive material. An electrode paste was prepared.
<電極被覆率の算出>
セラミック原料としてのBaTiO3に、ポリビニルブチラール系バインダ、可塑剤及び有機溶剤としてのエタノールを加え、これらをボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを作製した。次いで、このセラミックスラリーをリップ方式によりシート成形し、矩形の誘電体シートを得た。次に、上記誘電体シート上に、Ni粉末を含有する内部電極ペーストをスクリーン印刷し、内部電極層となるべき導電膜を形成した。次に、導電膜が形成された誘電体シートを、導電膜の引き出されている側が互い違いになるように複数枚積層し、積層シートを得た。次に、この生の積層シートを、加圧成形し、ダイシングにより分割してチップを得た。得られたチップをN2雰囲気中にて加熱して、バインダを燃焼させた後、H2、N2及びH2Oガスを含む還元性雰囲気中において焼成し、焼結した積層体を得た。積層体の構造は、複数の誘電体層と複数の内部電極層を有する構造である。
<Calculation of electrode coverage>
A polyvinyl butyral binder, a plasticizer, and ethanol as an organic solvent were added to BaTiO 3 as a ceramic raw material, and these were wet mixed by a ball mill to prepare a ceramic slurry. Then, this ceramic slurry was formed into a sheet by a lip method to obtain a rectangular dielectric sheet. Next, an internal electrode paste containing Ni powder was screen-printed on the dielectric sheet to form a conductive film to be an internal electrode layer. Next, a plurality of dielectric sheets having the conductive film formed thereon were laminated so that the sides from which the conductive films were drawn out were staggered to obtain a laminated sheet. Next, this raw laminated sheet was pressure-molded and divided by dicing to obtain chips. The obtained chip was heated in an N 2 atmosphere to burn the binder, and then fired in a reducing atmosphere containing H 2 , N 2 and H 2 O gas to obtain a sintered laminated body. .. The structure of the laminated body is a structure having a plurality of dielectric layers and a plurality of internal electrode layers.
このように得られた積層体の内部電極層の電極被覆率を算出した。内部電極層の電極被覆率は、試料各5個について、以下の方法で測定した。すなわち、焼結後の各試料を積層方向の中央部で切断し、切断面を光学顕微鏡で観察し、画像解析を行なって内部電極層の理論面積に対する実測面積の面積比率を算出し、その平均値を求め、電極被覆率とした。80%以上を○、それ未満を×と判定した。結果は表1に示した。電極被覆率は内部電極の連続性を示す指標であり、電極被覆率が高いほうが内部電極の連続性が高いといえる。 The electrode coverage of the internal electrode layers of the thus obtained laminate was calculated. The electrode coverage of the internal electrode layer was measured for each of the five samples by the following method. That is, each sample after sintering was cut at the central portion in the stacking direction, the cut surface was observed with an optical microscope, image analysis was performed to calculate the area ratio of the measured area to the theoretical area of the internal electrode layer, and the average The value was determined and used as the electrode coverage. 80% or more was judged as O and less than 80% was judged as X. The results are shown in Table 1. The electrode coverage is an index showing the continuity of the internal electrodes, and it can be said that the higher the electrode coverage, the higher the continuity of the internal electrodes.
<ショート不良率の算出>
得られた積層体に外部電極を形成し、絶縁抵抗測定器を用いて電圧2Vを印加して、抵抗値が105Ω乗以下のものをショート不良と判別した。N=1000個で評価して、ショート不良率が1%未満を○、1%以上を×と判定した。結果は表1に示した。
<Calculation of short circuit defect rate>
An external electrode was formed on the obtained laminated body, a voltage of 2 V was applied using an insulation resistance measuring instrument, and a resistance value of 10 5 Ω or less was determined to be a short circuit defect. N=1000 pieces were evaluated, and a short circuit defect rate of less than 1% was evaluated as ◯ and 1% or more was evaluated as x. The results are shown in Table 1.
下記実施例、比較例では以下のようにNi粉末を得た。Ni粉末を得る工程の他は実施例1と同様にして各特性の評価を行った。
(実施例2)
実施例1の溶液の滴下手順を逆にして、つまり、第1の溶液を第2の溶液と第3の溶液の混合溶液に滴下した他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
(実施例3)
実施例1の硫酸銅5水和物溶液の添加量を0.12gとした他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
(実施例4)
実施例1の銅イオン濃度がNi1モル当たり15wtppmになるように硫酸銅水溶液を添加した他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
(実施例5)
実施例1の硫酸銅5水和物溶液に代えて、パラジウムイオン濃度がNi1モル当たり15wtppmになるように塩化パラジウム水溶液を添加した他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
(実施例6)
実施例1の硫酸銅5水和物溶液に代えて、白金イオン濃度がNi1モル当たり15wtppmになるようにヘキサクロロ白金酸を添加した他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
(実施例7)
実施例1のクエン酸三ナトリウム二水和物の添加量を、Ni1モル当たり0.44モルになるように49.2gに変更した他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
(実施例8)
実施例1のクエン酸三ナトリウム二水和物の添加量を、Ni1モル当たり0.26モルになるように28.7gに変更した他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
(実施例9)
実施例1の水酸化ナトリウムの添加量を、Ni1モル当たり4.26モルになるように64.8gに変更した他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
(実施例10)
実施例1の水酸化ナトリウムの添加量を、Ni1モル当たり2.84モルになるように43.2gに変更した他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
(実施例11)
実施例1のヒドラジンの添加量を、Ni1モル当たり2.50モルになるように60%抱水ヒドラジン79.2gに変更した他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
(実施例12)
実施例1のヒドラジンの添加量を、Ni1モル当たり1.66モルになるように60%抱水ヒドラジン52.8gに変更した他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
(実施例13)
実施例1において第2の溶液と第3の溶液の混合溶液の滴下時間を160秒に変更した他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
(実施例14)
実施例1における第1の溶液、第2の溶液及び第3の溶液の加温温度を55℃から65℃に変更した他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
(実施例15)
実施例1における第1の溶液、第2の溶液及び第3の溶液の加温温度を55℃から45℃に変更した他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
In the following examples and comparative examples, Ni powder was obtained as follows. Each property was evaluated in the same manner as in Example 1 except for the step of obtaining Ni powder.
(Example 2)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that the dropping procedure of the solution of Example 1 was reversed, that is, the first solution was dropped into the mixed solution of the second solution and the third solution. ..
(Example 3)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that the addition amount of the copper sulfate pentahydrate solution in Example 1 was changed to 0.12 g.
(Example 4)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that the copper sulfate aqueous solution was added so that the copper ion concentration in Example 1 was 15 wtppm per 1 mol of Ni.
(Example 5)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that an aqueous palladium chloride solution was added so that the palladium ion concentration was 15 wtppm per mol of Ni, instead of the copper sulfate pentahydrate solution of Example 1.
(Example 6)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that hexachloroplatinic acid was added so that the platinum ion concentration was 15 wtppm per mol of Ni, instead of the copper sulfate pentahydrate solution of Example 1.
(Example 7)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of trisodium citrate dihydrate added in Example 1 was changed to 49.2 g so that the amount was 0.44 mol per 1 mol of Ni.
(Example 8)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of trisodium citrate dihydrate added in Example 1 was changed to 28.7 g so that it was 0.26 mol per mol of Ni.
(Example 9)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of sodium hydroxide added in Example 1 was changed to 64.8 g so as to be 4.26 mol per 1 mol of Ni.
(Example 10)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of sodium hydroxide added in Example 1 was changed to 43.2 g so that it was 2.84 mol per 1 mol of Ni.
(Example 11)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of hydrazine added in Example 1 was changed to 79.2 g of 60% hydrazine hydrate so that it was 2.50 mol per mol of Ni.
(Example 12)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that the addition amount of hydrazine in Example 1 was changed to 52.8 g of 60% hydrazine hydrate so that the amount of hydrazine added was 1.66 mol per 1 mol of Ni.
(Example 13)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that the dropping time of the mixed solution of the second solution and the third solution was changed to 160 seconds in Example 1.
(Example 14)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that the heating temperature of the first solution, the second solution, and the third solution in Example 1 was changed from 55°C to 65°C.
(Example 15)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that the heating temperatures of the first solution, the second solution, and the third solution in Example 1 were changed from 55°C to 45°C.
(比較例1)
実施例1のクエン酸三ナトリウムの添加量を、Ni1モル当たり0.48モルになるようにクエン酸三ナトリウム二水和物53.3gに変更した他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
(比較例2)
実施例1のクエン酸三ナトリウムの添加量を、Ni1モル当たり0.22モルになるようにクエン酸三ナトリウム二水和物24.6gに変更した他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
(比較例3)
実施例1の水酸化ナトリウムの添加量を、Ni1モル当たり4.62モルになるように70.2gに変更した他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
(比較例4)
実施例1の水酸化ナトリウムの添加量を、Ni1モル当たり2.49モルになるように37.8gに変更した他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
(比較例5)
実施例1のヒドラジンの添加量を、Ni1モル当たり2.70モルになるように60%抱水ヒドラジン85.8gに変更した他は実施例1と同様にして、Ni粉末を得た。
(比較例6)
実施例1のヒドラジンの添加量を、Ni1モル当たり1.25モルになるように60%抱水ヒドラジン39.6gに変更した他は実施例1と同様にしたところ、Niの析出が完了せずNiを含む沈殿物を得られなかった。
(Comparative Example 1)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of trisodium citrate added in Example 1 was changed to 53.3 g of trisodium citrate dihydrate so as to be 0.48 mol per 1 mol of Ni. Got
(Comparative example 2)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of trisodium citrate added in Example 1 was changed to 24.6 g so that the amount of trisodium citrate added was 0.22 mol per 1 mol of Ni. Got
(Comparative example 3)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of sodium hydroxide added in Example 1 was changed to 70.2 g so that it was 4.62 mol per mol of Ni.
(Comparative example 4)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of sodium hydroxide added in Example 1 was changed to 37.8 g so that it was 2.49 mol per mol of Ni.
(Comparative example 5)
Ni powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of hydrazine added in Example 1 was changed to 85.8 g of 60% hydrazine hydrate so that the amount of hydrazine added was 2.70 mol per mol of Ni.
(Comparative example 6)
Example 1 was repeated except that the amount of hydrazine added in Example 1 was changed to 39.6 g of 60% hydrazine hydrate so that the amount of hydrazine added was 1.25 mol per 1 mol of Ni. No precipitate containing Ni could be obtained.
各実施例で得たNi粉末はそのCV値が低く、連結状のNi粉の量が少ないため、電極連続性が高く電極被覆率に優れており、かつ、ショート不良が生じることも防止されていた。また、金属塩の種類として、銅、パラジウム、白金のいずれを使用しても好ましい結果が得られた。 The Ni powder obtained in each example has a low CV value and a small amount of connected Ni powder, so that the electrode continuity is high, the electrode coverage is excellent, and the occurrence of short circuit defects is prevented. It was In addition, preferable results were obtained regardless of whether copper, palladium or platinum was used as the type of metal salt.
1 積層セラミックコンデンサ(電子部品)
10 積層体
11 第1主面
12 第2主面
13 第1側面
14 第2側面
15 第1端面
16 第2端面
20 誘電体層
30 内部電極層
35 第1内部電極層
36 第2内部電極層
40 外層部
60 下地層
61 めっき層
100 外部電極
1 Multilayer ceramic capacitors (electronic parts)
10 laminated body 11 1st main surface 12 2nd main surface 13 1st side surface 14 2nd side surface 15 1st end surface 16 2nd end surface 20 Dielectric layer 30 Internal electrode layer 35 1st internal electrode layer 36 2nd internal electrode layer 40 Outer layer portion 60 Underlayer 61 Plating layer 100 External electrode
Claims (7)
アルカリ金属水酸化物を含む第2の溶液を準備する工程と、Providing a second solution containing an alkali metal hydroxide,
ヒドラジンを含む第3の溶液を準備する工程と、Providing a third solution containing hydrazine;
前記第1の溶液、前記第2の溶液、前記第3の溶液を混合し第4の溶液を作製する工程を備え、A step of mixing the first solution, the second solution, and the third solution to prepare a fourth solution,
前記第4の溶液中にNi粉を析出させるNi粉末の製造方法であって、A method for producing Ni powder, which comprises depositing Ni powder in the fourth solution, comprising:
前記第4の溶液を作製する工程は、The step of producing the fourth solution includes
前記第4の溶液から析出するNiのモル数に応じて、Depending on the number of moles of Ni deposited from the fourth solution,
前記第1の溶液に含まれる前記錯化剤のモル数がNi1モルあたり0.26モル以上0.44モル以下となる範囲に前記第1の溶液の混合量を制御し、The mixing amount of the first solution is controlled within a range in which the number of moles of the complexing agent contained in the first solution is 0.26 mol or more and 0.44 mol or less per 1 mol of Ni,
前記第2の溶液に含まれる前記アルカリ金属水酸化物のモル数がNi1モルあたり2.84モル以上4.26モル以下となる範囲に前記第2の溶液の混合量を制御し、The mixed amount of the second solution is controlled in a range in which the number of moles of the alkali metal hydroxide contained in the second solution is 2.84 mol or more and 4.26 mol or less per 1 mol of Ni,
前記第3の溶液に含まれる前記ヒドラジンのモル数がNi1モルあたり1.66モル以上2.50モル以下となる範囲に前記第3の溶液の混合量を制御することを特徴とする、Ni粉末の製造方法。Ni powder characterized by controlling the mixing amount of the third solution in a range in which the number of moles of the hydrazine contained in the third solution is 1.66 moles or more and 2.50 moles or less per 1 mole of Ni. Manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016021187A JP6746321B2 (en) | 2016-02-05 | 2016-02-05 | Ni powder, method of manufacturing Ni powder, internal electrode paste, and electronic component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016021187A JP6746321B2 (en) | 2016-02-05 | 2016-02-05 | Ni powder, method of manufacturing Ni powder, internal electrode paste, and electronic component |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017137554A JP2017137554A (en) | 2017-08-10 |
| JP6746321B2 true JP6746321B2 (en) | 2020-08-26 |
Family
ID=59566308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016021187A Active JP6746321B2 (en) | 2016-02-05 | 2016-02-05 | Ni powder, method of manufacturing Ni powder, internal electrode paste, and electronic component |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6746321B2 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7183504B2 (en) * | 2017-09-06 | 2022-12-06 | 住友金属鉱山株式会社 | Coarse particle reduction method for wet nickel powder |
| JP7292577B2 (en) * | 2018-03-07 | 2023-06-19 | 住友金属鉱山株式会社 | Nickel-connected particles and method for producing the same |
| JP7193534B2 (en) * | 2018-06-28 | 2022-12-20 | 東邦チタニウム株式会社 | Nickel powder and its production method |
| JP7293591B2 (en) * | 2018-09-12 | 2023-06-20 | 住友金属鉱山株式会社 | Nickel powder and method for producing nickel powder |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4244883B2 (en) * | 2003-08-26 | 2009-03-25 | 株式会社村田製作所 | Method for producing nickel powder |
| JP4957172B2 (en) * | 2005-10-20 | 2012-06-20 | 住友金属鉱山株式会社 | Nickel powder and method for producing the same |
| JP6135935B2 (en) * | 2014-03-28 | 2017-05-31 | 住友金属鉱山株式会社 | Method for producing wet nickel powder |
-
2016
- 2016-02-05 JP JP2016021187A patent/JP6746321B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2017137554A (en) | 2017-08-10 |
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