JP6753300B2 - Manufacturing method of transparent conductor - Google Patents
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Description
本発明は、透明導電体の製造方法に関し、より詳しくは、導電性の向上と低ヘイズ化を両立できる透明導電体の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing a transparent conductor, and more particularly to a method for producing a transparent conductor capable of achieving both improvement in conductivity and low haze.
導電性材料からなる細線パターンを形成する方法として、従来、フォトリソグラフィー技術が広く使用されている。しかし、フォトリソグラフィー技術は、材料ロスが多く、工程が複雑である。そのため、材料ロスが少なく、工程が簡略な方法が検討されている。 Conventionally, photolithography technology has been widely used as a method for forming a fine line pattern made of a conductive material. However, the photolithography technique has a lot of material loss and the process is complicated. Therefore, a method with less material loss and a simple process is being studied.
例えば、インクジェット法によって導電性材料を含む液滴を基材に付与して、細線パターンを形成する方式がある。しかし、インクジェット法では、通常は細線の幅は吐出された液滴の直径以下にはならず、数μmの線幅の細線パターンを形成することはできなかった。 For example, there is a method of forming a fine line pattern by applying droplets containing a conductive material to a base material by an inkjet method. However, in the inkjet method, the width of the fine line is usually not smaller than the diameter of the ejected droplet, and it is not possible to form a fine line pattern having a line width of several μm.
インクジェット法による細線形成のアプローチとして、あらかじめ基材に撥剤を全面に塗布した後、レーザーなどで撥剤の一部を親水化して親撥パターンを形成して、そこにインクジェットで液滴を付与して細線を形成する方法がある。しかし、この方法は、撥剤の塗布や、レーザーによる親撥パターンの形成が必要になるため、工程が複雑である。 As an approach for forming fine lines by the inkjet method, after applying a repellent to the entire surface of the base material in advance, a part of the repellent is hydrophilized with a laser or the like to form a repellent pattern, and droplets are applied to the repellent pattern. There is a method of forming a thin line. However, this method is complicated because it requires application of a repellent agent and formation of a repellent pattern by a laser.
特許文献1には、基材上に付与された液滴中の導電性材料を、コーヒーステイン現象によって液滴の周縁部に堆積させて、微細なパターンを形成する方法が開示されている。この方法によれば、特別な工程を必要とせずに、液滴の直径以下の数μmの幅の細線を形成することが可能になる。
また、特許文献2には、コーヒーステイン現象を利用して導電性微粒子からなる微細な幅のリングを形成し、このリングを複数連結して透明導電膜を形成する方法が開示されている。しかし、透明導電膜内に導電パスを確保するためには、リングの交点を多くする必要がある。この場合、特に交点部分が目視され易くなるため、透明性に限界がある。
Further,
これに対して、本出願人は、特許文献3において、導電性細線パターンからなる透明導電膜を開示している。ここで、導電性細線パターンは、2本1組の互いに平行な導電性細線(平行線)により構成される。かかる透明導電膜によれば、透明性と導電性を両立できる。
On the other hand, the applicant discloses a transparent conductive film having a conductive thin line pattern in
しかし、従来の技術では、導電性細線パターン(透明導電膜)と基材とを含めた透明導電体全体として見たときに、導電性の向上と低ヘイズ化の両立を図るため、焼成処理を含めた具体的な手法について、更なる改善の余地が見出された。 However, in the conventional technique, when the transparent conductor as a whole including the conductive thin line pattern (transparent conductive film) and the base material is viewed, the firing treatment is performed in order to achieve both improvement in conductivity and low haze. There was room for further improvement in the specific methods including this.
そこで本発明の課題は、導電性の向上と低ヘイズ化を両立できる透明導電体の製造方法を提供することにある。 Therefore, an object of the present invention is to provide a method for producing a transparent conductor that can achieve both improvement in conductivity and reduction in haze.
また本発明の他の課題は、以下の記載によって明らかとなる。 Further, other problems of the present invention will be clarified by the following description.
上記課題は、以下の各発明によって解決される。 The above problems are solved by the following inventions.
1.
透明フィルム基材上に導電性材料を含むインクを用いてライン状液体を形成し、
次いで、前記ライン状液体を乾燥させる際に、前記ライン状液体の線幅方向両端に前記導電性材料を選択的に堆積させて導電性細線パターンを形成し、
次いで、前記導電性細線パターンの表面比抵抗が1.0×102Ω/□以上1.0×106Ω/□以下、且つ前記透明フィルム基材のヘイズ値が2%以下になるように焼成処理を施し、
次いで、メッキにより前記導電性細線パターン上に金属膜を形成して透明導電体を得ることを特徴とする透明導電体の製造方法。
2.
前記焼成処理は、光照射又は熱処理によって施されることを特徴とする前記1記載の透明導電体の製造方法。
3.
前記焼成処理は、
昇温速度10℃/分〜50℃/分で昇温し、
次いで、保持温度100℃〜130℃、保持時間5〜60分で保持し、
次いで、降温速度5℃/分以上で降温する熱処理によって施されることを特徴とする前記1記載の透明導電体の製造方法。
4.
前記焼成処理は、波長制御された赤外線照射によって施されることを特徴とする前記1記載の透明導電体の製造方法。
5.
前記焼成処理は、キセノンフラッシュ照射によって施されることを特徴とする前記1記載の透明導電体の製造方法。
6.
前記透明フィルム基材は、ポリエチレンテレフタレートであることを特徴とする前記1〜5の何れかに記載の透明導電体の製造方法。
1.
A line-shaped liquid is formed on a transparent film substrate using an ink containing a conductive material.
Next, when the linear liquid is dried, the conductive material is selectively deposited on both ends in the line width direction of the linear liquid to form a conductive fine line pattern.
Next, the surface resistivity of the conductive fine wire pattern is 1.0 × 10 2 Ω / □ or more and 1.0 × 10 6 Ω / □ or less, and the haze value of the transparent film substrate is 2% or less. After firing
Next, a method for producing a transparent conductor, which comprises forming a metal film on the conductive thin wire pattern by plating to obtain a transparent conductor.
2.
The method for producing a transparent conductor according to 1, wherein the firing treatment is performed by light irradiation or heat treatment.
3.
The firing process is
The temperature rises at a rate of 10 ° C / min to 50 ° C / min.
Then, it was held at a holding temperature of 100 ° C. to 130 ° C. and a holding time of 5 to 60 minutes.
The method for producing a transparent conductor according to 1 above, wherein the transparent conductor is then subjected to a heat treatment for lowering the temperature at a temperature lowering rate of 5 ° C./min or more.
4.
The method for producing a transparent conductor according to the above 1, wherein the firing treatment is performed by wavelength-controlled infrared irradiation.
5.
The method for producing a transparent conductor according to the above 1, wherein the firing treatment is performed by irradiation with a xenon flash.
6.
The method for producing a transparent conductor according to any one of 1 to 5, wherein the transparent film base material is polyethylene terephthalate.
本発明によれば、導電性の向上と低ヘイズ化を両立できる透明導電体の製造方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a method for producing a transparent conductor that can achieve both improvement in conductivity and reduction in haze.
以下に、本発明を実施するための形態について説明する。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described.
本発明の透明導電体の製造方法は、透明フィルム基材上に導電性材料を含むインクを用いてライン状液体を形成し、次いで、前記ライン状液体を乾燥させる際に、前記ライン状液体の線幅方向両端に前記導電性材料を選択的に堆積させて導電性細線パターンを形成し、次いで、前記導電性細線パターンの表面比抵抗が1.0×102Ω/□以上1.0×106Ω/□以下、且つ前記透明フィルム基材のヘイズ値が2%以下になるように焼成処理を施し、次いで、メッキにより前記導電性細線パターン上に金属膜を形成して透明導電体を得る。 In the method for producing a transparent conductor of the present invention, a line-shaped liquid is formed on a transparent film base material using an ink containing a conductive material, and then when the line-shaped liquid is dried, the line-shaped liquid is used. The conductive material is selectively deposited on both ends in the line width direction to form a conductive fine wire pattern, and then the surface specific resistance of the conductive fine wire pattern is 1.0 × 10 2 Ω / □ or more 1.0 × 10 6 Ω / □ or less, and subjecting the calcined as haze value of the transparent film substrate is 2% or less processing, then the transparent conductor by forming a metal film on the electroconductive thin line pattern on the plating obtain.
ライン状液体を乾燥させる際に、前記ライン状液体の線幅方向両端に前記導電性材料を選択的に堆積させて形成された導電性細線パターンに、通常の焼成処理を施した場合、その表面比抵抗は1.0×102Ω/□未満まで大きく低下する。これに対して、本発明では、導電性細線パターンの表面比抵抗をあえて大きく低下させずに1.0×102Ω/□以上1.0×106Ω/□以下という高い値にとどめ、且つ前記透明フィルム基材のヘイズ値が2%以下になるように、焼成処理を施す。 When the line-shaped liquid is dried, the surface of the conductive fine wire pattern formed by selectively depositing the conductive material on both ends in the line width direction of the line-shaped liquid is subjected to a normal firing treatment. The specific resistance drops significantly to less than 1.0 × 10 2 Ω / □. On the other hand, in the present invention, the surface resistivity of the conductive fine wire pattern is not intentionally lowered to a high value of 1.0 × 10 2 Ω / □ or more and 1.0 × 10 6 Ω / □ or less. Moreover, the firing treatment is performed so that the haze value of the transparent film base material is 2% or less.
かかる焼成処理によって、例えば、透明フィルム基材を構成する樹脂に含まれる比較的重合度の低い成分(例えばオリゴマー)等のブリードアウトや析出が防止され、可撓性に優れた透明フィルム基材を用いる場合において、低ヘイズ化を実現でき、光学特性を向上できる。 By such a firing treatment, for example, bleed-out and precipitation of components having a relatively low degree of polymerization (for example, an oligomer) contained in the resin constituting the transparent film base material are prevented, and a transparent film base material having excellent flexibility is obtained. When used, low haze can be realized and optical characteristics can be improved.
更に、焼成処理後の導電性細線パターンは、表面比抵抗が1.0×102Ω/□以上1.0×106Ω/□以下という高い値であっても、優れたメッキ適性を発揮することがわかった。これにより、メッキが好適に進行し、導電性細線パターン上に金属膜を均一に形成できる。その結果、透明導電体として要求される優れた導電性を好適に付与できる。 Further, the conductive thin wire pattern after the firing treatment exhibits excellent plating suitability even if the surface resistivity is as high as 1.0 × 10 2 Ω / □ or more and 1.0 × 10 6 Ω / □ or less. I found out that As a result, plating proceeds favorably, and a metal film can be uniformly formed on the conductive thin line pattern. As a result, the excellent conductivity required for a transparent conductor can be suitably imparted.
このようにして、透明導電体の導電性の向上と低ヘイズ化を両立できる効果が得られる。 In this way, it is possible to obtain the effect of both improving the conductivity of the transparent conductor and reducing the haze.
以下に、図面を参照して本発明を実施するための形態について更に詳しく説明する。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.
<導電性パターンの形成>
図1は、導電性パターンの形成方法を概念的に説明する図である。
<Formation of conductive pattern>
FIG. 1 is a diagram conceptually explaining a method of forming a conductive pattern.
まず、図1(a)に示すように、透明フィルム基材(以下、単に基材ともいう。)1を用意する。フィルムの材質としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー等の樹脂が挙げられ、本発明の効果を顕著に発揮する観点では、特にポリエチレンテレフタレート等が好適である。このような樹脂として、例えば、モノマー、オリゴマーあるいはプレポリマーを重合反応に供して得られたもの(合成樹脂)を用いることができる。 First, as shown in FIG. 1A, a transparent film base material (hereinafter, also simply referred to as a base material) 1 is prepared. Examples of the material of the film include resins such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, acrylic, polyester, polyamide, polycarbonate, and cycloolefin polymer, and from the viewpoint of significantly exerting the effects of the present invention, polyethylene is particularly used. Terephthalate and the like are suitable. As such a resin, for example, a resin obtained by subjecting a monomer, an oligomer or a prepolymer to a polymerization reaction (synthetic resin) can be used.
必要に応じて、基材1に表面処理を施すことができる。表面処理として、例えばコロナ放電処理等が挙げられる。また、必要に応じて、基材1の表面に下引き層を形成することができる。下引き層としては、例えば樹脂層等が挙げられる。樹脂としては、例えばポリエステル樹脂等が挙げられる。下引き層は、例えば基材1に対する導電性細線パターンの密着性の向上等に寄与し得る。
If necessary, the
次いで、図1(b)に示すように、基材1上に導電性材料を含むインクを用いてライン状液体2を形成する。
Next, as shown in FIG. 1B, a line-shaped
インクに含有させる導電性材料としては、例えば、導電性微粒子、導電性ポリマー等を好ましく例示できる。 As the conductive material to be contained in the ink, for example, conductive fine particles, a conductive polymer and the like can be preferably exemplified.
導電性微粒子としては格別限定されないが、Au、Pt、Ag、Cu、Ni、Cr、Rh、Pd、Zn、Co、Mo、Ru、W、Os、Ir、Fe、Mn、Ge、Sn、Ga、In等の微粒子を好ましく例示でき、中でも、Au、Ag、Cuのような金属微粒子を用いると、電気抵抗が低く、且つ腐食に強い細線を形成することができるので好ましい。コスト及び安定性の観点から、Agを含む金属微粒子が最も好ましい。これらの金属微粒子の平均粒子径は、好ましくは1〜100nmの範囲、より好ましくは3〜50nmの範囲である。平均粒子径は、体積平均粒子径であり、マルバーン社製「ゼータサイザ1000HS」により測定することができる。 The conductive fine particles are not particularly limited, but Au, Pt, Ag, Cu, Ni, Cr, Rh, Pd, Zn, Co, Mo, Ru, W, Os, Ir, Fe, Mn, Ge, Sn, Ga, Fine particles such as In can be preferably exemplified, and among them, metal fine particles such as Au, Ag, and Cu are preferable because they can form fine wires having low electrical resistance and resistance to corrosion. From the viewpoint of cost and stability, metal fine particles containing Ag are most preferable. The average particle size of these metal fine particles is preferably in the range of 1 to 100 nm, more preferably in the range of 3 to 50 nm. The average particle size is the volume average particle size, and can be measured by "Zetasizer 1000HS" manufactured by Malvern.
また、導電性微粒子として、カーボン微粒子を用いることも好ましい。カーボン微粒子としては、グラファイト微粒子、カーボンナノチューブ、フラーレン等を好ましく例示できる。 It is also preferable to use carbon fine particles as the conductive fine particles. As the carbon fine particles, graphite fine particles, carbon nanotubes, fullerenes and the like can be preferably exemplified.
導電性ポリマーとしては格別限定されないが、π共役系導電性高分子を好ましく挙げることができる。π共役系導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン類、ポリピロール類、ポリインドール類、ポリカルバゾール類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリフラン類、ポリパラフェニレン類、ポリパラフェニレンビニレン類、ポリパラフェニレンサルファイド類、ポリアズレン類、ポリイソチアナフテン類、ポリチアジル類等の鎖状導電性ポリマーを利用することができる。中でも、高い導電性が得られる点で、ポリチオフェン類やポリアニリン類が好ましく、ポリエチレンジオキシチオフェンであることが最も好ましい。 The conductive polymer is not particularly limited, but a π-conjugated conductive polymer can be preferably mentioned. Examples of the π-conjugated conductive polymer include polythiophenes, polypyrroles, polyindoles, polycarbazoles, polyanilines, polyacetylenes, polyfurans, polyparaphenylenes, polyparaphenylene vinylenes, and polyparaphenylene sulfides. , Polyazulenes, polyisothianaphenes, polythiazyl and other chain conductive polymers can be used. Among them, polythiophenes and polyanilines are preferable, and polyethylenedioxythiophene is most preferable, because high conductivity can be obtained.
導電性ポリマーは、より好ましくは、上述したπ共役系導電性高分子とポリアニオンとを含んでなるものである。こうした導電性ポリマーは、π共役系導電性高分子を形成する前駆体モノマーを、適切な酸化剤と酸化触媒と、ポリアニオンの存在下で化学酸化重合することによって容易に製造できる。 The conductive polymer more preferably contains the above-mentioned π-conjugated conductive polymer and polyanion. Such a conductive polymer can be easily produced by chemically oxidizing and polymerizing a precursor monomer forming a π-conjugated conductive polymer in the presence of an appropriate oxidizing agent, an oxidation catalyst, and a polyanion.
導電性ポリマーは市販の材料も好ましく利用できる。例えば、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸からなる導電性ポリマーが、H.C.Starck社から「CLEVIOSシリーズ」として、Aldrich社から「PEDOT-PASS483095」、「PEDOT-PASS560598」として、Nagase Chemtex社から「Denatronシリーズ」として市販されている。また、ポリアニリンが、日産化学社から「ORMECONシリーズ」として市販されている。 Commercially available materials can also be preferably used as the conductive polymer. For example, conductive polymers consisting of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrene sulfonic acid are available from HC Starck as the "CLEVIOS series" and from Aldrich as "PEDOT-PASS483095" and "PEDOT-PASS560598". It is marketed as "Denatron series" by Nagase Chemtex. In addition, polyaniline is commercially available from Nissan Chemical Industries, Ltd. as the "ORMECON series".
インク中の導電性材料の濃度は、例えば、5重量%以下とすることができ、更に0.01重量%以上1.0重量%以下とすることができる。これにより、後述するコーヒーステイン現象が更に安定に生起され、導電性細線の更なる細線化や、透明性の更なる向上を実現できる。 The concentration of the conductive material in the ink can be, for example, 5% by weight or less, and further 0.01% by weight or more and 1.0% by weight or less. As a result, the coffee stain phenomenon, which will be described later, is more stably generated, and the conductive thin wire can be further thinned and the transparency can be further improved.
インクに用いられる溶媒は格別限定されず、水や有機溶剤から選択された1種又は複数種を含むことができる。 The solvent used for the ink is not particularly limited, and may include one or more selected from water and organic solvents.
有機溶剤は、格別限定されないが、例えば、1,2−ヘキサンジオール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、プロピレングリコール等のアルコール類、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル等のエーテル類等が挙げられる。 The organic solvent is not particularly limited, but for example, alcohols such as 1,2-hexanediol, 2-methyl-2,4-pentanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, propylene glycol, etc. Examples thereof include ethers such as diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, and dipropylene glycol monoethyl ether.
また、インクには、界面活性剤など種々の添加剤を含有させてもよい。界面活性剤としては、格別限定されないが、例えばシリコン系界面活性剤等を用いることができる。シリコン系界面活性剤とはジメチルポリシロキサンの側鎖、又は末端をポリエーテル変性したものであり、例えば、信越化学工業製の「KF−351A」、「KF−642」や、ビッグケミー製の「BYK347」、「BYK348」などが市販されている。インク中の界面活性剤の濃度は、例えば1重量%以下とすることができる。 Further, the ink may contain various additives such as a surfactant. The surfactant is not particularly limited, but for example, a silicon-based surfactant or the like can be used. The silicon-based surfactant is a side chain or terminal of dimethylpolysiloxane modified with polyether. For example, "KF-351A" and "KF-642" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. and "BYK347" manufactured by Big Chemie. , "BYK348" and the like are commercially available. The concentration of the surfactant in the ink can be, for example, 1% by weight or less.
ライン状液体2の形成に際しては、印刷法を好ましく用いることができ、特にインクジェット法が好適である。インクジェット法を用いる場合は、インクジェットヘッドを基材に対して相対移動させながら、インクジェットヘッドのノズルから導電性材料を含む液体を液滴として吐出し、吐出された液滴を基材上で合一させて、ライン状液体を形成することができる。インクジェットヘッドの液滴吐出方式は格別限定されず、例えば、ピエゾ方式やサーマル方式等を用いることができる。
When forming the line-shaped
次いで、ライン状液体2を乾燥させる際に、ライン状液体2の線幅方向両端(即ち、ライン状液体2の長さ方向に沿う両縁)に導電性材料を選択的に堆積させて、図1(c)に示すように、導電性細線3、3からなる導電性細線パターンを形成することができる。
Next, when the
ライン状液体2を乾燥させる際には、基材1の表面を所定温度に加温する方法や、送風を行う方法等を組み合わせることができる。
When the line-shaped
ライン状液体2の線幅方向両端に導電性材料を選択的に堆積させる際には、コーヒーステイン現象を好適に利用することができる。具体的には、ライン状液体2を乾燥させる際に、ライン状液体2の内部流動によって導電性材料をライン状液体2の線幅方向両端に選択的に堆積させて、ライン状液体2よりも線幅の細い導電性細線3、3からなる導電性細線パターンを形成することができる。ライン状液体2の線幅を一定にすることで、導電性パターンとして、互いに平行な導電性細線3、3からなる平行線パターンを形成することができる。
The coffee stain phenomenon can be preferably used when the conductive material is selectively deposited on both ends of the line-shaped
導電性細線3の線幅は、例えば10μm以下とすることができ、更に、8μm以下とすることができる。導電性細線3の線幅の下限は格別限定されないが、安定な導電性を付与する等の観点では、例えば1μm以上とすることができる。また、導電性細線の膜厚は、例えば500nm以下とすることができる。導電性細線がこのような薄い膜厚を有することによって、後段の焼成処理による導電性細線パターンの表面比抵抗の低下がより速やかに進行する。
The line width of the conductive
例えば基材上に複数のライン状液体を形成することで、種々の導電性細線パターンを形成することができる。導電性細線パターンの形態は格別限定されず、ストライプパターンやメッシュパターン等が挙げられる。以下に、図2を参照してメッシュパターン形成の第一態様について説明し、次いで、図3を参照してメッシュパターン形成の第二態様について説明する。 For example, by forming a plurality of line-shaped liquids on the base material, various conductive fine line patterns can be formed. The form of the conductive thin line pattern is not particularly limited, and examples thereof include a stripe pattern and a mesh pattern. The first aspect of mesh pattern formation will be described below with reference to FIG. 2, and then the second aspect of mesh pattern formation will be described with reference to FIG.
〔メッシュパターン形成の第一態様〕
メッシュパターン形成の第一態様においては、まず、図2(a)に示すように、基材1上に、所定の間隔で並設された複数のライン状液体2を形成する。
[First aspect of mesh pattern formation]
In the first aspect of mesh pattern formation, first, as shown in FIG. 2A, a plurality of line-shaped
次いで、図2(b)に示すように、ライン状液体2を乾燥させる際にコーヒーステイン現象を利用して、各々のライン状液体2から一対の導電性細線3、3を形成する。
Next, as shown in FIG. 2B, a pair of conductive
次いで、図2(c)に示すように、先に形成された複数の導電性細線3と交差するように、所定の間隔で並設された複数のライン状液体2を形成する。
Next, as shown in FIG. 2C, a plurality of line-shaped
次いで、図2(d)に示すように、ライン状液体2を乾燥させる際にコーヒーステイン現象を利用して、各々のライン状液体2から一対の導電性細線3、3を形成する。以上のようにしてメッシュパターンを形成することができる。
Next, as shown in FIG. 2D, a pair of conductive
図2の例では、ライン状液体2及び導電性細線3を直線にしているが、これに限定されない。ライン状液体2及び導電性細線3の形状は、例えば波線又は折線等であってもよい。
In the example of FIG. 2, the
〔メッシュパターン形成の第二態様〕
メッシュパターン形成の第二態様においては、まず、図3(a)に示すように、基材1上に、基材1の長手方向(図中、上下方向)及び幅方向(図中、左右方向)に所定の間隔で並設された、複数の四角形を成すライン状液体2を形成する。
[Second aspect of mesh pattern formation]
In the second aspect of mesh pattern formation, first, as shown in FIG. 3A, the
次いで、図3(b)に示すように、ライン状液体2を乾燥させる際にコーヒーステイン現象を利用して、各々のライン状液体2から、一対の導電性細線3、3からなる細線ユニットを形成する。かかる細線ユニットにおいて、導電性細線3、3は、一方(外側の導電性細線3)が他方(内側の導電性細線3)を内部に包含しており、同心状に形成されている。また、導電性細線3、3はそれぞれ、ライン状液体2の両縁(内周縁及び外周縁)の形状に対応して四角形を成している。
Next, as shown in FIG. 3 (b), when the line-shaped
次いで、図3(c)に示すように、基材1上に、基材1の長手方向及び幅方向に所定の間隔で並設された、複数の四角形を成すライン状液体2を形成する。ここで、複数の四角形を成すライン状液体2は、先に形成された細線ユニットの間に挟まれる位置に形成される。ここでは、四角形を成すライン状液体2は、これに隣接する細線ユニットのうちの外側の導電性細線3と接触するが、内側の導電性細線3とは接触しないように配置されている。
Next, as shown in FIG. 3C, a plurality of quadrangular line-shaped
次いで、図3(d)に示すように、ライン状液体2を乾燥させる際にコーヒーステイン現象を利用して、各々のライン状液体2から、一対の導電性細線3、3からなる細線ユニットを更に形成する。
Next, as shown in FIG. 3D, when the line-shaped
図3(d)に示すパターンにおいて、外側の導電性細線3は、隣接する外側の導電性細線3と互いに接続されている。一方、内側の導電性細線3は、他の内側の導電性細線3、及び、外側の導電性細線3と接続されていない。即ち、内側の導電性細線3は、孤立するように配置されている。
In the pattern shown in FIG. 3D, the outer conductive
図3(d)に示すパターンを、そのままメッシュパターンとして用いてもよい。また、図3(d)に示すパターンにおける内側の導電性細線3を除去し、外側の導電性細線3からなるメッシュパターン(図3(e))を形成してもよい。メッシュパターン形成の第二態様によれば、導電性細線3を自由度高く形成できる効果が得られる。特に複数の導電性細線3の配置間隔を、ライン状液体2の線幅に依拠せず自由度高く設定できる効果が得られる。
The pattern shown in FIG. 3D may be used as it is as a mesh pattern. Further, the inner conductive
内側の導電性細線3を除去する方法は格別限定されず、例えば、レーザー光等のようなエネルギー線を照射する方法や、化学的にエッチング処理する方法等を用いることができる。
The method for removing the inner conductive
また、外側の導電性細線3に電解めっきを施す際に、内側の導電性細線3をめっき液によって除去する方法を用いてもよい。上述したように内側の導電性細線3は孤立するように配置されており、外側の導電性細線3に電解めっきを施すための通電経路から除外することができる。そのため、外側の導電性細線3に電解めっきを施している間(通電している間)に、電解めっきが施されない内側の導電性細線3を、めっき液によって溶解又は分解して除去することができる。
Further, when electroplating the outer conductive
図3の例では、ライン状液体2及び導電性細線3を四角形にしているが、これに限定されない。ライン状液体2及び導電性細線3の形状として、例えば閉じられた幾何学図形が挙げられる。閉じられた幾何学図形としては、例えば三角形、四角形、六角形、八角形等の多角形が挙げられる。また、閉じられた幾何学図形は、例えば円形、楕円形等のように曲線要素を含むことができる。
In the example of FIG. 3, the
得られた導電性細線パターンには、以下に詳述するように、焼成処理が施された後、メッキが施される。 The obtained conductive thin wire pattern is subjected to a firing treatment and then plated as described in detail below.
<焼成処理>
焼成処理は、導電性細線パターンの表面比抵抗(以下、シート抵抗ともいう。)が1.0×102Ω/□以上1.0×106Ω/□以下、且つ導電性細線パターンを含む基材のヘイズ値が2%以下になるように施される。例えば、焼成処理に伴ってヘイズ値が増加する場合、その増加量(変化量)は例えば1%以下に抑えることが好ましい。
<Baking process>
The firing treatment includes a conductive thin wire pattern having a surface specific resistance (hereinafter, also referred to as sheet resistance) of 1.0 × 10 2 Ω / □ or more and 1.0 × 10 6 Ω / □ or less, and a conductive fine wire pattern. It is applied so that the haze value of the base material is 2% or less. For example, when the haze value increases with the firing treatment, the amount of increase (change amount) is preferably suppressed to, for example, 1% or less.
導電性細線パターンの表面比抵抗(Ω/□)は、三菱化学アナリテック社製「ロレスタ−AX」を用いて測定することができ、導電性細線パターン中の5ヶ所について測定された測定値の平均値とすることができる。 The surface resistivity (Ω / □) of the conductive thin wire pattern can be measured using "Loresta-AX" manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd., and is the measured value measured at 5 points in the conductive thin wire pattern. It can be an average value.
導電性細線パターンを含む基材のヘイズ値(%)は、JIS K7136に準拠して、日本電色工業社製ヘイズメーター「NDH 7000」を用いて、導電性パターンが設けられていない基材部分のヘイズを測定した値である。 The haze value (%) of the base material containing the conductive fine line pattern is based on JIS K7136, and the haze meter "NDH 7000" manufactured by Nippon Denshoku Kogyo Co., Ltd. is used to determine the haze value (%) of the base material portion without the conductive pattern. It is a value obtained by measuring the haze of.
焼成処理は、表面比抵抗及びヘイズ値が上述した条件を満たす範囲で、種々の方式によって施すことができる。焼成処理として、光照射又は熱処理を施すことは特に好ましいことである。 The firing treatment can be performed by various methods within a range in which the surface resistivity and the haze value satisfy the above-mentioned conditions. It is particularly preferable to perform light irradiation or heat treatment as the firing treatment.
光照射は、電磁波を照射するものであれば格別限定されず、例えば、ガンマ線、X線、紫外線、可視光、赤外線(IR)、マイクロ波、電波を照射する方法が挙げられる。 The light irradiation is not particularly limited as long as it irradiates electromagnetic waves, and examples thereof include a method of irradiating gamma rays, X-rays, ultraviolet rays, visible light, infrared rays (IR), microwaves, and radio waves.
光照射の好ましい態様として、まず、波長制御された赤外線照射が挙げられる。これにより、透明フィルム基材によるエネルギー吸収を抑制することができる。赤外線の波長制御には、例えば、赤外線を発生する光源(例えばフィラメント)の外周を、所定波長以上の赤外線を吸収する部材(例えば管や板)で覆う等の方法を用いることができる。これにより、所定波長未満の赤外線を照射することができる。このとき、ヒーターの表面温度の上昇抑えるために、前記部材に冷却用の気体を接触させることができる。前記部材を二重に設けて、これらの間隙に冷却用の気体を流通させるようにしてもよい。 A preferred embodiment of light irradiation is, first, wavelength-controlled infrared irradiation. As a result, energy absorption by the transparent film base material can be suppressed. For infrared wavelength control, for example, a method such as covering the outer periphery of a light source (for example, a filament) that generates infrared rays with a member (for example, a tube or a plate) that absorbs infrared rays having a predetermined wavelength or higher can be used. As a result, infrared rays having a wavelength less than a predetermined wavelength can be irradiated. At this time, in order to suppress the rise in the surface temperature of the heater, a cooling gas can be brought into contact with the member. The members may be provided in duplicate so that a cooling gas can flow through these gaps.
赤外線の波長制御として、透明フィルム基材によるエネルギー吸収が起こる波長域の一部又は全部をカットすることができる。これにより、透明フィルム基材によるエネルギー吸収が抑制される。特に、透明フィルム基材によるエネルギー吸収が実質的に生じない波長を選択して照射することが好ましい。このような波長は、基材に応じて適宜選択できる。例えば基材がPETフィルムであれば、3.5μm以下の波長を選択することによって、基材によるエネルギー吸収が生じなくなる。 As the wavelength control of infrared rays, it is possible to cut a part or all of the wavelength region where energy absorption by the transparent film substrate occurs. As a result, energy absorption by the transparent film base material is suppressed. In particular, it is preferable to select and irradiate a wavelength at which energy absorption by the transparent film substrate does not substantially occur. Such a wavelength can be appropriately selected depending on the substrate. For example, when the base material is a PET film, energy absorption by the base material does not occur by selecting a wavelength of 3.5 μm or less.
また、光照射の好ましい他の態様として、電磁波をパルス発光する方法が挙げられる。これにより、基材上に付与された導電性材料が効率良くエネルギーを吸収する一方で、基材が高温に加熱されることを防止できる。これにより、導電性材料だけを瞬間的に非常に高温まで加熱して焼成できる。特にキセノンフラッシュ照射は、焼成効率に優れるため好ましい。キセノンフラッシュ照射には、キセノンランプをパルス発光させる方法を用いることができる。 Further, as another preferable mode of light irradiation, there is a method of pulsing electromagnetic waves. This makes it possible to prevent the base material from being heated to a high temperature while the conductive material applied on the base material efficiently absorbs energy. As a result, only the conductive material can be instantaneously heated to a very high temperature and fired. In particular, xenon flash irradiation is preferable because it has excellent firing efficiency. For the xenon flash irradiation, a method of causing the xenon lamp to emit light in pulses can be used.
熱処理の好ましい態様として、昇温速度10℃/分〜50℃/分で昇温し、次いで、保持温度100℃〜130℃、保持時間5〜60分で保持し、次いで、降温速度5℃/分以上で降温することができる。 As a preferred embodiment of the heat treatment, the temperature is raised at a heating rate of 10 ° C./min to 50 ° C./min, then held at a holding temperature of 100 ° C. to 130 ° C. and a holding time of 5 to 60 minutes, and then a temperature lowering rate of 5 ° C./min. The temperature can be lowered in more than a minute.
昇温速度が10℃/分以上であることによって、基材中のオリゴマー成分のブリードアウトが防止され、ヘイズ値の上昇が抑制される。また、昇温速度が50℃/分以下であることによって、保持温度に到達時の温度制御が容易になり、例えば保持温度を超えて加熱されてしまうことが防止される。 When the rate of temperature rise is 10 ° C./min or more, bleed-out of the oligomer component in the substrate is prevented, and an increase in the haze value is suppressed. Further, when the temperature rising rate is 50 ° C./min or less, the temperature control when the holding temperature is reached becomes easy, and for example, it is prevented that the temperature exceeds the holding temperature.
保持温度が100℃以上であることにより、導電性材料の種類によらず良好な導電性を発揮させることができる。また、保持温度が130℃以下であることによって、基材中のオリゴマー成分のブリードアウトが防止され、ヘイズの上昇が抑制される。 When the holding temperature is 100 ° C. or higher, good conductivity can be exhibited regardless of the type of the conductive material. Further, when the holding temperature is 130 ° C. or lower, bleed-out of the oligomer component in the base material is prevented, and an increase in haze is suppressed.
保持時間が5分以上であることによって、導電性が好適に向上する。また、保持時間が60分以下であることによって、生産性を向上できる効果が得られる。 When the holding time is 5 minutes or more, the conductivity is suitably improved. Further, when the holding time is 60 minutes or less, the effect of improving the productivity can be obtained.
降温速度が5℃/分以上であることによって、基材中のオリゴマー成分のブリードアウトが防止され、ヘイズ値の上昇が抑制される。また、特に厚さの薄い基材を用いた場合においても、冷却過程でのツレシワの発生が好適に防止される。 When the temperature lowering rate is 5 ° C./min or more, the bleed-out of the oligomer component in the substrate is prevented, and the increase in the haze value is suppressed. Further, even when a particularly thin base material is used, the occurrence of wrinkles in the cooling process is preferably prevented.
熱処理には、例えば熱風、加熱ステージ、加熱プレス等が用いられるが、特に熱風が好ましい。熱風を用いれば、基材の両面に形成された導電性細線パターンを好適に同時焼成できる。更に、熱風を用いれば、昇温速度等を制御し易い効果も得られる。特に、基材を搬送するロール搬送機と熱風炉とを組み合わせて用いることで、ロール搬送速度と炉長の設定により、昇温速度や保持時間を容易に制御することができる。 For the heat treatment, for example, hot air, a heating stage, a heating press and the like are used, and hot air is particularly preferable. If hot air is used, the conductive fine wire patterns formed on both sides of the base material can be suitably fired at the same time. Further, if hot air is used, an effect that the rate of temperature rise and the like can be easily controlled can be obtained. In particular, by using a roll transporter for transporting a base material and a hot air furnace in combination, the temperature rise rate and holding time can be easily controlled by setting the roll transport speed and the furnace length.
<メッキ>
メッキとしては、例えば、電解メッキ、無電解メッキ等が挙げられる。特に電解メッキを用いる場合は、導電性細線パターンの導電性を利用することによって、導電性細線パターン上に選択的に金属膜を形成することが容易である。
<Plating>
Examples of the plating include electrolytic plating and electroless plating. In particular, when electrolytic plating is used, it is easy to selectively form a metal film on the conductive thin wire pattern by utilizing the conductivity of the conductive fine wire pattern.
金属膜を構成する金属は、導電性細線パターンを構成する導電性材料と同じものでもよいが、異なるものであることが好ましい。例えば、導電性細線パターンを銀により構成し、金属膜を銅、ニッケル又はクロム等により構成することができる。 The metal constituting the metal film may be the same as the conductive material forming the conductive thin line pattern, but is preferably different. For example, the conductive fine wire pattern can be made of silver, and the metal film can be made of copper, nickel, chromium, or the like.
メッキ金属を異ならせて複数回の電解メッキを施すことも好ましい。これにより、導電性細線パターン上に複数の金属膜を積層することができる。例えば、導電性細線パターン上に、銅からなる第1金属膜、ニッケル又はクロムからなる第2金属膜を形成することができる。 It is also preferable to perform electroplating a plurality of times with different plating metals. As a result, a plurality of metal films can be laminated on the conductive thin line pattern. For example, a first metal film made of copper and a second metal film made of nickel or chromium can be formed on the conductive thin wire pattern.
導電性細線パターン上に、銅からなる第1金属膜、ニッケル又はクロムからなる第2金属膜を形成することによって、銅による導電性向上の効果と、ニッケル又はクロムによる耐候性向上の効果を得ることができる。また、銅等のような色味の強い金属を、ニッケル又はクロムで被覆することによって、強い色味が消えてニュートラルな色になり、導電性細線パターンが視認されにくくなる効果も得られる。 By forming a first metal film made of copper and a second metal film made of nickel or chromium on the conductive thin wire pattern, the effect of improving the conductivity by copper and the effect of improving the weather resistance by nickel or chromium are obtained. be able to. Further, by coating a metal having a strong color such as copper with nickel or chromium, the strong color disappears and the color becomes neutral, and the effect that the conductive fine line pattern is hard to see can be obtained.
<透明導電体>
以上のようにして、透明導電体が得られる。透明導電体は、基材と、該基材上に設けられた導電性細線パターンと、該導電性細線パターン上に設けられた金属膜とにより構成される。
<Transparent conductor>
As described above, a transparent conductor can be obtained. The transparent conductor is composed of a base material, a conductive fine wire pattern provided on the base material, and a metal film provided on the conductive fine wire pattern.
なお、透明導電体が「透明」であるというのは、ライン状液体の線幅方向両端に導電性材料を選択的に堆積させたことによって、導電性細線がライン状液体よりも細くなり、視認性が低下していることを意味する。従って、導電性細線を構成する導電性材料自体が透明である必要はなく、透明でない導電性材料も好適に用いることができる。 The fact that the transparent conductor is "transparent" means that the conductive thin lines are thinner than the line-shaped liquid due to the selective deposition of conductive materials at both ends in the line width direction of the line-shaped liquid, which is visible. It means that the sex is reduced. Therefore, the conductive material itself constituting the conductive thin wire does not have to be transparent, and a non-transparent conductive material can be preferably used.
透明導電体の用途は格別限定されず、種々の電子機器が備える種々のデバイスに用いることができる。 The use of the transparent conductor is not particularly limited, and it can be used in various devices provided in various electronic devices.
例えば、透明導電体の用途として、液晶、プラズマ、有機エレクトロルミネッセンス、フィールドエミッション等の各種方式のディスプレイ用透明電極、あるいは、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子等に用いられる透明電極等を挙げることができる。透明導電体を、スマートフォン、タブレット端末等のような電子機器のタッチパネルセンサーとして用いることは特に好ましい。タッチパネルセンサーとして用いる場合は、導電性細線からなるメッシュパターンを位置検出用電極(X電極及びY電極)として用いることができる。 For example, applications of transparent conductors include transparent electrodes for displays of various types such as liquid crystals, plasma, organic electroluminescence, and field emissions, touch panels, mobile phones, electronic paper, various solar cells, various electroluminescence dimming elements, and the like. Examples thereof include transparent electrodes used in the above. It is particularly preferable to use the transparent conductor as a touch panel sensor for electronic devices such as smartphones and tablet terminals. When used as a touch panel sensor, a mesh pattern composed of conductive thin wires can be used as the position detection electrodes (X electrode and Y electrode).
以下に、本発明の実施例について説明するが、本発明はかかる実施例により限定されない。 Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to such examples.
(実施例1)
1.導電性細線パターンの形成
透明フィルム基材上に導電性材料を含むインクを用いてライン状液体を形成し、次いで、前記ライン状液体を乾燥させる際に、前記ライン状液体の線幅方向両端に前記導電性材料を選択的に堆積させて導電性細線を形成することで、前記導電性細線からなるパターンを形成した。
(Example 1)
1. Formation of a conductive fine line pattern When a line-shaped liquid is formed on a transparent film base material using an ink containing a conductive material, and then the line-shaped liquid is dried, both ends of the line-shaped liquid in the line width direction are formed. By selectively depositing the conductive material to form a conductive thin wire, a pattern composed of the conductive thin wire was formed.
ここで、基材として、厚さ125μmの易接着層付きポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。また、導電性材料を含むインクとして、銀ナノ粒子の水分散液(銀ナノ粒子:40重量%) 1.75重量%、ジエチレングリコールモノブチルエーテル 20重量%、及び純水(残部)からなるインクを用いた。 Here, a polyethylene terephthalate film with an easy-adhesion layer having a thickness of 125 μm was used as the base material. Further, as an ink containing a conductive material, an ink composed of an aqueous dispersion of silver nanoparticles (silver nanoparticles: 40% by weight) 1.75% by weight, diethylene glycol monobutyl ether 20% by weight, and pure water (remaining portion) is used. There was.
また、ライン状液体の形成にはインクジェット法を用い、図2に示した方法と同様にしてメッシュパターンを形成した。具体的には、先ず、コニカミノルタ製インクジェットヘッド「512LHX」(標準液滴容量42pL)を取り付けたXYロボット(武蔵エンジニアリング製「SHOTMASTER300」)と、インクジェットコントロールシステム(コニカミノルタ製「IJCS−1」)を用いて、上記インクをノズル列方向間ピッチ282μm、走査方向間ピッチ45μmとなるように、基材1上に液滴として順次吐出し、基材1上において走査方向に連続的に付与された液滴を合一させることで複数の第1のライン状液体2を形成した(図2(a))。印字しながら基材1を載せたステージを70℃で加熱し、これらライン状液体2を乾燥させる過程で、周辺部(縁)に固形分を堆積させることで、1本の線分2から導電性材料を含む2本の導電性細線3、3により構成された第1の平行線4を形成した。
In addition, an inkjet method was used to form the line-shaped liquid, and a mesh pattern was formed in the same manner as the method shown in FIG. Specifically, first, an XY robot (“SHOTMASTER300” manufactured by Musashi Engineering) equipped with an inkjet head “512LHX” (standard droplet capacity 42pL) manufactured by Konica Minolta and an inkjet control system (“IJCS-1” manufactured by Konica Minolta). The ink was sequentially ejected as droplets onto the
その後、基材を90°回転して、第1の平行線4とは直交する方向に、インクによる複数の第2のライン状液体2を上記と同様の方法で塗布、乾燥して、第2の平行線4を形成した。
Then, the base material is rotated by 90 °, and a plurality of second line-shaped
その結果、第1及び第2のライン状液体2、2からそれぞれ形成された導電性細線4、4によって、図2(d)に示したようなメッシュパターン(メッシュ状の導電性細線パターン)が形成された。
As a result, the mesh pattern (mesh-shaped conductive thin line pattern) as shown in FIG. 2D is formed by the conductive thin lines 4 and 4 formed from the first and second line-shaped
2.焼成処理
得られた導電性細線パターンに焼成処理を施した。
2. Firing treatment The obtained conductive thin wire pattern was fired.
ここで、焼成処理として、昇温速度32℃/分で昇温し、次いで、保持温度120℃、保持時間10分で保持し、次いで、降温速度100℃/分で降温する熱処理を施した。熱処理には、導電性細線パターン付き基材を搬送するためのロール搬送装置を取り付けた熱風乾燥炉を用いた。 Here, as a firing treatment, a heat treatment was performed in which the temperature was raised at a heating rate of 32 ° C./min, then held at a holding temperature of 120 ° C. and a holding time of 10 minutes, and then lowered at a temperature lowering rate of 100 ° C./min. For the heat treatment, a hot air drying furnace equipped with a roll transfer device for transporting a substrate with a conductive fine wire pattern was used.
3.メッキ
焼成処理された導電性細線パターンに、下記電解銅メッキ及び下記電解ニッケルメッキを施して、該導電性細線パターン上に、銅メッキ層、ニッケルメッキ層を順に形成し、透明導電体を得た。
3. Plating The following electrolytic copper plating and the following electrolytic nickel plating were applied to the fired conductive wire pattern, and a copper plating layer and a nickel plating layer were formed in this order on the conductive fine wire pattern to obtain a transparent conductor. ..
<電解銅メッキ>
硫酸銅5水塩60g、硫酸19g、1N塩酸2g、光沢付与剤(メルテックス社製「ST901C」)5gを、イオン交換水で1000mlに仕上げる処方で調製した銅メッキ浴中に浸漬された導電性細線パターンに給電し、電解銅メッキを行った。アノードにはメッキ用銅板を用いた。
<Electrolytic copper plating>
Conductivity immersed in a copper plating bath prepared by formulating 60 g of copper sulfate pentahydrate, 19 g of sulfuric acid, 2 g of 1N hydrochloric acid, and 5 g of a gloss-imparting agent ("ST901C" manufactured by Meltex) to 1000 ml with ion-exchanged water. The thin wire pattern was fed and electrolytic copper plating was performed. A copper plate for plating was used as the anode.
<電解ニッケルメッキ>
硫酸ニッケル240g、塩化ニッケル45g、ホウ酸30gを、イオン交換水で1000mlに仕上げる処方で調製したニッケルメッキ浴中に浸漬された導電性細線パターン(上記電解銅メッキ後の導電性細線パターン)に給電し、電解ニッケルメッキを行った。アノードにはメッキ用ニッケル板を用いた。
<Electrolytic nickel plating>
Power is supplied to a conductive fine wire pattern (the conductive fine wire pattern after electrolytic copper plating) immersed in a nickel plating bath prepared by preparing a formulation in which 240 g of nickel sulfate, 45 g of nickel chloride, and 30 g of boric acid are finished to 1000 ml with ion-exchanged water. Then, electrolytic nickel plating was performed. A nickel plate for plating was used as the anode.
4.評価方法
メッキ処理後の透明導電体を観察し、以下の評価基準で評価した。
[評価基準]
○:めっきが全面に均一にかかっている。
×:めっきされていない部分がある。
4. Evaluation method The transparent conductor after plating was observed and evaluated according to the following evaluation criteria.
[Evaluation criteria]
◯: Plating is evenly applied to the entire surface.
X: Some parts are not plated.
以上の結果を表1に示す。 The above results are shown in Table 1.
(実施例2)
実施例1において、焼成処理として、昇温速度9.5℃/分で昇温し、次いで、保持温度120℃、保持時間10分で保持し、次いで、降温速度100℃/分で降温する熱処理を施したこと以外は実施例1と同様にして透明導電体を製造し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
(Example 2)
In Example 1, as a firing treatment, a heat treatment in which the temperature is raised at a heating rate of 9.5 ° C./min, then held at a holding temperature of 120 ° C. and a holding time of 10 minutes, and then lowered at a temperature lowering rate of 100 ° C./min. A transparent conductor was produced in the same manner as in Example 1 except that the above was applied, and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
(実施例3)
実施例1において、焼成処理として、昇温速度52℃/分で昇温し、次いで、保持温度120℃、保持時間10分で保持し、次いで、降温速度100℃/分で降温する熱処理を施したこと以外は実施例1と同様にして透明導電体を製造し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
(Example 3)
In Example 1, as a firing treatment, a heat treatment is performed in which the temperature is raised at a heating rate of 52 ° C./min, then held at a holding temperature of 120 ° C. and a holding time of 10 minutes, and then lowered at a temperature lowering rate of 100 ° C./min. A transparent conductor was produced in the same manner as in Example 1 except for the above, and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
(実施例4)
実施例1において、焼成処理として、昇温速度32℃/分で昇温し、次いで、保持温度95℃、保持時間30分で保持し、次いで、降温速度100℃/分で降温する熱処理を施したこと以外は実施例1と同様にして透明導電体を製造し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
(Example 4)
In Example 1, as a firing treatment, a heat treatment is performed in which the temperature is raised at a heating rate of 32 ° C./min, then held at a holding temperature of 95 ° C. and a holding time of 30 minutes, and then lowered at a temperature lowering rate of 100 ° C./min. A transparent conductor was produced in the same manner as in Example 1 except for the above, and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
(実施例5)
実施例1において、焼成処理として、昇温速度32℃/分で昇温し、次いで、保持温度135℃、保持時間10分で保持し、次いで、降温速度100℃/分で降温する熱処理を施したこと以外は実施例1と同様にして透明導電体を製造し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
(Example 5)
In Example 1, as a firing treatment, a heat treatment is performed in which the temperature is raised at a heating rate of 32 ° C./min, then held at a holding temperature of 135 ° C. and a holding time of 10 minutes, and then lowered at a temperature lowering rate of 100 ° C./min. A transparent conductor was produced in the same manner as in Example 1 except for the above, and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
(実施例6)
実施例1において、焼成処理として、昇温速度32℃/分で昇温し、次いで、保持温度120℃、保持時間10分で保持し、次いで、降温速度4.5℃/分で降温する熱処理を施したこと以外は実施例1と同様にして透明導電体を製造し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
(Example 6)
In Example 1, as a firing treatment, a heat treatment in which the temperature is raised at a heating rate of 32 ° C./min, then held at a holding temperature of 120 ° C. and a holding time of 10 minutes, and then lowered at a temperature lowering rate of 4.5 ° C./min. A transparent conductor was produced in the same manner as in Example 1 except that the above was applied, and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
(実施例7)
実施例1において、焼成処理として、波長制御された赤外線照射を施したこと以外は実施例1と同様にして透明導電体を製造し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
(Example 7)
In Example 1, a transparent conductor was produced in the same manner as in Example 1 except that wavelength-controlled infrared irradiation was applied as a firing treatment, and the transparent conductor was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
ここで、波長制御された赤外線照射には、明々工業社製の赤外線照射装置(アルティメットヒーター/カーボン)に、波長3.5μm以上の赤外線を吸収する石英ガラス板2枚を取り付け、ガラス板間に冷却空気を流し、フィラメント温度を1200℃、石英ガラス板表面温度を130℃に調整したものを用いた。基材とヒーターとの間には100mmの間隔を設けた。照射時間は10分間とした。 Here, for wavelength-controlled infrared irradiation, two quartz glass plates that absorb infrared rays with a wavelength of 3.5 μm or more are attached to an infrared irradiation device (ultimate heater / carbon) manufactured by Akira Kogyo Co., Ltd., and between the glass plates. A sample in which cooling air was flowed and the filament temperature was adjusted to 1200 ° C. and the surface temperature of the quartz glass plate was adjusted to 130 ° C. was used. A distance of 100 mm was provided between the base material and the heater. The irradiation time was 10 minutes.
(実施例8)
実施例1において、焼成処理として、キセノンフラッシュ照射を施したこと以外は実施例1と同様にして透明導電体を製造し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
(Example 8)
In Example 1, a transparent conductor was produced in the same manner as in Example 1 except that xenon flash irradiation was applied as a firing treatment, and the evaluation was carried out in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
ここで、キセノンフラッシュ照射には、NOVACENTRIX社製のキセノンフラッシュ焼成装置「Pulse Forge 1200」を用いた。照射条件は、電圧400V、パルス幅1000μs、照射エネルギー7000mJ/cm2に設定された。 Here, a xenon flash firing device "Pulse Forge 1200" manufactured by NOVACENTRIX was used for the xenon flash irradiation. The irradiation conditions were set to a voltage of 400 V, a pulse width of 1000 μs, and an irradiation energy of 7,000 mJ / cm 2 .
(比較例1)
実施例1において、焼成処理として、昇温速度5℃/分で昇温し、次いで、保持温度135℃、保持時間30分で保持し、次いで、降温速度100℃/分で降温する熱処理を施したこと以外は実施例1と同様にして透明導電体を製造し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
(Comparative Example 1)
In Example 1, as a firing treatment, a heat treatment is performed in which the temperature is raised at a heating rate of 5 ° C./min, then held at a holding temperature of 135 ° C. and a holding time of 30 minutes, and then lowered at a temperature lowering rate of 100 ° C./min. A transparent conductor was produced in the same manner as in Example 1 except for the above, and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
(比較例2)
実施例1において、焼成処理として、昇温速度23℃/分で昇温し、次いで、保持温度95℃、保持時間10分で保持し、次いで、降温速度100℃/分で降温する熱処理を施したこと以外は実施例1と同様にして透明導電体を製造し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
(Comparative Example 2)
In Example 1, as a firing treatment, a heat treatment is performed in which the temperature is raised at a heating rate of 23 ° C./min, then held at a holding temperature of 95 ° C. and a holding time of 10 minutes, and then lowered at a temperature lowering rate of 100 ° C./min. A transparent conductor was produced in the same manner as in Example 1 except for the above, and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
<評価>
導電性細線からなるパターンの表面比抵抗が1.0×102Ω/□以上1.0×106Ω/□以下、且つ導電性細線からなるパターンのヘイズ値が2%以下になるように焼成処理を施した実施例1〜8は、比較例1、2との対比で、導電性の向上と低ヘイズ化を両立できることがわかる。
<Evaluation>
The surface resistivity of the pattern made of conductive thin wires should be 1.0 × 10 2 Ω / □ or more and 1.0 × 10 6 Ω / □ or less, and the haze value of the pattern made of conductive thin wires should be 2% or less. It can be seen that Examples 1 to 8 subjected to the firing treatment can achieve both improvement in conductivity and reduction in haze in comparison with Comparative Examples 1 and 2.
1:基材
2:ライン状液体
3:導電性細線
1: Base material 2: Line-shaped liquid 3: Conductive thin wire
Claims (4)
次いで、前記ライン状液体を乾燥させる際に、前記ライン状液体の線幅方向両端に前記導電性微粒子を選択的に堆積させて線幅1μm以上10μm以下の導電性細線パターンを形成し、
次いで、昇温速度10℃/分〜52℃/分で昇温させ、保持温度95℃〜135℃、保持時間5〜60分で保持し、降温速度4.5℃/分以上で降温させて焼成処理を施し、前記導電性細線パターンの表面比抵抗を1.0×102Ω/□以上1.0×106Ω/□以下とし、且つ前記焼成処理に伴う前記透明フィルム基材のヘイズ値の増加量を1%以下とし、
次いで、メッキにより前記導電性細線パターン上に金属膜を形成して透明導電体を得ることを特徴とする透明導電体の製造方法。 A line-shaped liquid is formed on a transparent film substrate using an ink containing conductive fine particles.
Next, when the linear liquid is dried, the conductive fine particles are selectively deposited on both ends of the linear liquid in the line width direction to form a conductive fine line pattern having a line width of 1 μm or more and 10 μm or less.
Next, the temperature is raised at a heating rate of 10 ° C./min to 52 ° C./min, held at a holding temperature of 95 ° C. to 135 ° C., a holding time of 5 to 60 minutes, and lowered at a temperature lowering rate of 4.5 ° C./min or more. The surface specific resistance of the conductive fine wire pattern is 1.0 × 10 2 Ω / □ or more and 1.0 × 10 6 Ω / □ or less by performing a firing process, and the haze of the transparent film substrate accompanying the firing process. Increase the value by 1% or less
Next, a method for producing a transparent conductor, which comprises forming a metal film on the conductive thin wire pattern by plating to obtain a transparent conductor.
次いで、前記ライン状液体を乾燥させる際に、前記ライン状液体の線幅方向両端に前記導電性微粒子を選択的に堆積させて線幅1μm以上10μm以下の導電性細線パターンを形成し、
次いで、波長制御された赤外線照射によって焼成処理を施し、前記導電性細線パターンの表面比抵抗を1.0×102Ω/□以上1.0×106Ω/□以下とし、且つ前記焼成処理に伴う前記透明フィルム基材のヘイズ値の増加量を1%以下とし、
次いで、メッキにより前記導電性細線パターン上に金属膜を形成して透明導電体を得ることを特徴とする透明導電体の製造方法。 A line-shaped liquid is formed on a transparent film substrate using an ink containing conductive fine particles.
Next, when the linear liquid is dried, the conductive fine particles are selectively deposited on both ends of the linear liquid in the line width direction to form a conductive fine line pattern having a line width of 1 μm or more and 10 μm or less.
Next, firing treatment is performed by wavelength-controlled infrared irradiation to make the surface resistivity of the conductive fine wire pattern 1.0 × 10 2 Ω / □ or more and 1.0 × 10 6 Ω / □ or less, and the firing treatment. The amount of increase in the haze value of the transparent film base material accompanying the above is set to 1% or less.
Next, a method for producing a transparent conductor, which comprises forming a metal film on the conductive thin wire pattern by plating to obtain a transparent conductor.
次いで、前記ライン状液体を乾燥させる際に、前記ライン状液体の線幅方向両端に前記導電性微粒子を選択的に堆積させて線幅1μm以上10μm以下の導電性細線パターンを形成し、
次いで、キセノンフラッシュ照射によって焼成処理を施し、前記導電性細線パターンの表面比抵抗を1.0×102Ω/□以上1.0×106Ω/□以下とし、且つ前記焼成処理に伴う前記透明フィルム基材のヘイズ値の増加量を1%以下とし、
次いで、メッキにより前記導電性細線パターン上に金属膜を形成して透明導電体を得る
ことを特徴とする透明導電体の製造方法。 A line-shaped liquid is formed on a transparent film substrate using an ink containing conductive fine particles.
Next, when the linear liquid is dried, the conductive fine particles are selectively deposited on both ends of the linear liquid in the line width direction to form a conductive fine line pattern having a line width of 1 μm or more and 10 μm or less.
Next, a firing treatment is performed by irradiation with a xenon flash so that the surface resistivity of the conductive fine wire pattern is 1.0 × 10 2 Ω / □ or more and 1.0 × 10 6 Ω / □ or less, and the firing treatment is performed. Increase the haze value of the transparent film substrate by 1% or less.
Next, a method for producing a transparent conductor, which comprises forming a metal film on the conductive thin wire pattern by plating to obtain a transparent conductor.
前記インクは、前記導電性微粒子の濃度が5重量%以下であり、
前記導電性微粒子は、銀ナノ粒子であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の透明導電体の製造方法。 The transparent film base material is polyethylene terephthalate in which bleed-out is not prevented.
The ink has a concentration of the conductive fine particles of 5% by weight or less.
The method for producing a transparent conductor according to any one of claims 1 to 3, wherein the conductive fine particles are silver nanoparticles.
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