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JP6773335B2 - Anomaly detector, non-volatile memory device, anomaly detection method, and anomaly detection program - Google Patents
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JP6773335B2 - Anomaly detector, non-volatile memory device, anomaly detection method, and anomaly detection program - Google Patents

Anomaly detector, non-volatile memory device, anomaly detection method, and anomaly detection program Download PDF

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Description

本発明は、異常検出器、不揮発性メモリ装置、異常検出方法、及び異常検出プログラムに関する。 The present invention relates to an anomaly detector, a non-volatile memory device, an anomaly detection method, and an anomaly detection program.

揮発性記憶部(SRAM等)及び不揮発性記憶部(EEPROM等)を備える不揮発性メモリ素子(NVRAM等)は、揮発性記憶部による高速処理性能と電源OFF時の不揮発性記憶部によるデータ保持性能とを兼ね備えている。不揮発性メモリ素子は、通常時(電源ON時)は、揮発性記憶部を利用することで高速処理性能を実現している。また、不揮発性メモリ素子は、電源OFFの際に揮発性記憶部から不揮発性記憶部にデータをストアし、電源ONの際にストアしたデータを不揮発性記憶部から揮発性記憶部にリコールするように動作することで電源OFF時のデータ保持性能を実現している。 A non-volatile memory element (NVRAM, etc.) including a volatile storage unit (SRAM, etc.) and a non-volatile storage unit (EEPROM, etc.) has high-speed processing performance by the volatile storage unit and data retention performance by the non-volatile storage unit when the power is turned off. It has both. The non-volatile memory element realizes high-speed processing performance by using a volatile storage unit in a normal state (when the power is turned on). Further, the non-volatile memory element stores data from the volatile storage unit to the non-volatile storage unit when the power is turned off, and recalls the stored data from the non-volatile storage unit to the volatile storage unit when the power is turned on. The data retention performance when the power is turned off is realized by operating in.

この不揮発性メモリ素子の動作の異常を検出する関連技術として、例えば、特許文献1が知られている。特許文献1には、不揮発性メモリ素子に接続されたコンデンサの電位の高低に基づいて不揮発性メモリ素子の動作の異常を検出する技術が開示されている。 For example, Patent Document 1 is known as a related technique for detecting an abnormality in the operation of this non-volatile memory element. Patent Document 1 discloses a technique for detecting an abnormality in the operation of a non-volatile memory element based on the high or low potential of a capacitor connected to the non-volatile memory element.

特開2001−43146号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-43146

しかしながら、上記関連技術では、次のような課題が存在する。
すなわち、上記関連技術では、不揮発性メモリ素子の動作の異常を直接的に検出せずに、不揮発性メモリ素子に接続されたコンデンサを介して異常を検出している。この為、上記関連技術では、例えば、不揮発性メモリ素子の動作の異常がコンデンサの状態に反映されない場合には、不揮発性メモリ素子の動作の異常を検出できない。即ち、上記関連技術では、不揮発性メモリ素子の動作の異常を確実に検出できないという課題が存在する。
However, the related technology has the following problems.
That is, in the above-mentioned related technique, the abnormality is detected through the capacitor connected to the non-volatile memory element without directly detecting the abnormality in the operation of the non-volatile memory element. Therefore, in the above-mentioned related technology, for example, when the abnormality of the operation of the non-volatile memory element is not reflected in the state of the capacitor, the abnormality of the operation of the non-volatile memory element cannot be detected. That is, in the above-mentioned related technology, there is a problem that an abnormality in the operation of the non-volatile memory element cannot be reliably detected.

本発明の目的は、上述した課題を鑑み、不揮発性メモリ素子の動作の異常を確実に検出できないという課題を解決する異常検出器、不揮発性メモリ装置、異常検出方法、及び異常検出プログラムを提供することにある。 An object of the present invention is to provide an abnormality detector, a non-volatile memory device, an abnormality detection method, and an abnormality detection program that solve the problem that an abnormality in the operation of a non-volatile memory element cannot be reliably detected in view of the above-mentioned problems. There is.

上記課題を解決するために、本発明の第1の構成は、異常検出器に係り、不揮発性メモリ素子の揮発性記憶部から不揮発性記憶部にストアする前のデータの第1の誤り検出符号と、ストアした後の前記データを前記不揮発性記憶部から前記揮発性記憶部にリコールした後のデータの第2の誤り検出符号とが不一致である場合に、前記不揮発性メモリ素子の動作が異常であると判定する異常判定部を備えることを特徴としている。 In order to solve the above problems, the first configuration of the present invention relates to an abnormality detector and is a first error detection code for data before being stored in the non-volatile storage unit from the volatile storage unit of the non-volatile memory element. And, when the second error detection code of the data after recalling the stored data from the non-volatile storage unit to the volatile storage unit does not match, the operation of the non-volatile memory element is abnormal. It is characterized by including an abnormality determination unit for determining that.

本発明の第2の構成は、異常検出方法に係り、不揮発性メモリ素子の揮発性記憶部から不揮発性記憶部にストアする前のデータの第1の誤り検出符号と、ストアした後の前記データを前記不揮発性記憶部から前記揮発性記憶部にリコールした後のデータの第2の誤り検出符号とが不一致である場合に、前記不揮発性メモリ素子の動作が異常であると判定することを特徴としている。 The second configuration of the present invention relates to an abnormality detection method, and comprises a first error detection code of data before being stored in the non-volatile storage unit from the volatile storage unit of the non-volatile memory element, and the data after being stored. When the second error detection code of the data after recalling the data from the non-volatile storage unit to the volatile storage unit does not match, it is determined that the operation of the non-volatile memory element is abnormal. It is supposed to be.

本発明の第3の構成は、異常検出プログラムに係り、異常検出器のコンピュータを、不揮発性メモリ素子の揮発性記憶部から不揮発性記憶部にストアする前のデータの第1の誤り検出符号と、ストアした後の前記データを前記不揮発性記憶部から前記揮発性記憶部にリコールした後のデータの第2の誤り検出符号とが不一致である場合に、前記不揮発性メモリ素子の動作が異常であると判定する判定手段、として機能させることを特徴としている。 The third configuration of the present invention relates to the anomaly detection program and comprises the first error detection code of the data before storing the computer of the anomaly detector from the volatile storage unit of the non-volatile memory element to the non-volatile storage unit. When the second error detection code of the data after recalling the stored data from the non-volatile storage unit to the volatile storage unit does not match, the operation of the non-volatile memory element is abnormal. It is characterized in that it functions as a determination means for determining the existence.

本発明によれば、上述した課題を鑑み、不揮発性メモリ素子の動作の異常を確実に検出することができる。 According to the present invention, in view of the above-mentioned problems, it is possible to reliably detect an abnormality in the operation of the non-volatile memory element.

第1の実施形態に係る異常検出器を備える不揮発性メモリ装置の構成を示す構成図である。It is a block diagram which shows the structure of the non-volatile memory apparatus which comprises the abnormality detector which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る異常検出器の処理フローを示す図である。It is a figure which shows the processing flow of the abnormality detector which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態の第2の変形実施例に係る異常検出器を備える不揮発性メモリ装置の構成を示す構成図である。It is a block diagram which shows the structure of the non-volatile memory apparatus which comprises the abnormality detector which concerns on the 2nd modification of the 1st Embodiment. 第1の実施形態の第3の変形実施例に係る異常検出器を備える不揮発性メモリ装置の構成を示す構成図である。It is a block diagram which shows the structure of the non-volatile memory apparatus which comprises the abnormality detector which concerns on 3rd modification of 1st Embodiment. 第2の実施形態に係る異常検出器を備える不揮発性メモリ装置の構成を示す構成図である。It is a block diagram which shows the structure of the non-volatile memory apparatus which comprises the abnormality detector which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施形態に係る異常検出器の処理フローを示す図である。It is a figure which shows the processing flow of the abnormality detector which concerns on 2nd Embodiment. 一実施形態による判定装置の最小構成を示す図である。It is a figure which shows the minimum structure of the determination apparatus by one Embodiment.

<第1の実施形態>
以下、第1の実施形態に係る不揮発性メモリ装置1及び異常検出器10について、図1及び2を参照しながら説明する。
図1は、第1の実施形態に係る異常検出器10を備える不揮発性メモリ装置1の構成を示す構成図である。図1に示すように、不揮発性メモリ装置1は、異常検出器10及び不揮発性メモリ素子20を備えている。不揮発性メモリ装置1は、外部からの要求に応じて外部からのデータを不揮発性メモリ素子20に保存したり、不揮発性メモリ素子20のデータを外部に返したりする。
<First Embodiment>
Hereinafter, the non-volatile memory device 1 and the abnormality detector 10 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
FIG. 1 is a configuration diagram showing a configuration of a non-volatile memory device 1 including the abnormality detector 10 according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, the non-volatile memory device 1 includes an abnormality detector 10 and a non-volatile memory element 20. The non-volatile memory device 1 stores data from the outside in the non-volatile memory element 20 or returns the data of the non-volatile memory element 20 to the outside in response to a request from the outside.

不揮発性メモリ素子20は、揮発性記憶部21、不揮発性記憶部22、コントローラ23を備える。これにより、後述するように、不揮発性メモリ素子20は、揮発性記憶部21による高速処理性能と不揮発性記憶部22による電源OFF時のデータ保持性能とを兼ね備えている。第1の実施形態では、不揮発性メモリ素子20がNVRAM(Non-Volatile Random Access Memory)である場合について説明するが、不揮発性メモリ素子20は、NVRAM以外であってもよい。 The non-volatile memory element 20 includes a volatile storage unit 21, a non-volatile storage unit 22, and a controller 23. As a result, as will be described later, the non-volatile memory element 20 has both high-speed processing performance by the volatile storage unit 21 and data retention performance by the non-volatile storage unit 22 when the power is turned off. In the first embodiment, the case where the non-volatile memory element 20 is NVRAM (Non-Volatile Random Access Memory) will be described, but the non-volatile memory element 20 may be other than NVRAM.

揮発性記憶部21は、電源OFF時にデータが保持されない揮発性の記憶部であり、データの保存等の高速処理が可能である。揮発性記憶部21は、例えば、SRAM(Static Random Access Memory)であってよい。不揮発性記憶部22は、電源OFF時にもデータが保持可能な不揮発性の記憶部である。不揮発性記憶部22は、例えば、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)であってよい。 The volatile storage unit 21 is a volatile storage unit in which data is not retained when the power is turned off, and high-speed processing such as data storage is possible. The volatile storage unit 21 may be, for example, an SRAM (Static Random Access Memory). The non-volatile storage unit 22 is a non-volatile storage unit that can hold data even when the power is turned off. The non-volatile storage unit 22 may be, for example, an EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory).

コントローラ23は、不揮発性メモリ素子20への電力の供給が切断される電源OFFの際に揮発性記憶部21から不揮発性記憶部22にデータをストアする。また、コントローラ23は、不揮発性メモリ素子20への電力の供給が開始される電源ONの際にストアした後のデータを不揮発性記憶部22から揮発性記憶部21にリコールする。これにより、不揮発性メモリ素子20は、電源ON時には高速処理が可能な揮発性記憶部21を用いてデータの保存等の処理を行うことができる。また、電源OFF時には不揮発性記憶部22を用いてデータを保持することができる。即ち、不揮発性メモリ素子20は、揮発性記憶部21による高速処理性能と不揮発性記憶部22による電源OFF時のデータ保持性能とを兼ね備える。 The controller 23 stores data from the volatile storage unit 21 to the non-volatile storage unit 22 when the power supply is turned off when the supply of electric power to the non-volatile memory element 20 is cut off. Further, the controller 23 recalls the data stored when the power is turned on when the power supply to the non-volatile memory element 20 is started from the non-volatile storage unit 22 to the volatile storage unit 21. As a result, the non-volatile memory element 20 can perform processing such as data storage using the volatile storage unit 21 capable of high-speed processing when the power is turned on. Further, when the power is turned off, data can be held by using the non-volatile storage unit 22. That is, the non-volatile memory element 20 has both high-speed processing performance by the volatile storage unit 21 and data retention performance by the non-volatile storage unit 22 when the power is turned off.

異常検出器10は、CPU(Central Processing Unit)11、及びメインメモリ30を備えている。
CPU11は、異常検出器10の動作全体を司るプロセッサ(演算装置)である。CPU11は、不揮発性メモリ素子20に保存されたプログラムやデータをメインメモリ30に読み出し、処理を実行することで、後述する各機能を実現する。
The abnormality detector 10 includes a CPU (Central Processing Unit) 11 and a main memory 30.
The CPU 11 is a processor (arithmetic unit) that controls the entire operation of the abnormality detector 10. The CPU 11 realizes each function described later by reading the programs and data stored in the non-volatile memory element 20 into the main memory 30 and executing the processing.

メインメモリ30は、CPU11のワークエリア等として用いられる揮発性のメモリである。メインメモリ30としては、例えば、RAM(Random Access Memory)が用いられる。第1の実施形態では、図1に示すように、CPU11、メインメモリ30、及び不揮発性メモリ素子20が同じバスに接続されている場合について説明するが、CPU11、メインメモリ30、及び不揮発性メモリ素子20は、必ずしも同じバスに接続されてなくてもよい。例えば、CPU11及びメインメモリ30が第1のバスに接続され、CPU11及び不揮発性メモリ素子20が第1のバスとは異なる第2のバスに接続されていてもよい。 The main memory 30 is a volatile memory used as a work area or the like of the CPU 11. As the main memory 30, for example, a RAM (Random Access Memory) is used. In the first embodiment, as shown in FIG. 1, a case where the CPU 11, the main memory 30, and the non-volatile memory element 20 are connected to the same bus will be described, but the CPU 11, the main memory 30, and the non-volatile memory will be described. The element 20 does not necessarily have to be connected to the same bus. For example, the CPU 11 and the main memory 30 may be connected to the first bus, and the CPU 11 and the non-volatile memory element 20 may be connected to a second bus different from the first bus.

第1の実施形態では、CPU11の処理に必要なプログラム及びデータが不揮発性メモリ素子20に保存されている場合について説明するが、これらのプログラム及びデータは、不揮発性メモリ素子20以外から取得されてもよい。例えば、異常検出器10は、CPU11の処理に必要なプログラムやデータを保存する記録媒体を備えていてよい。この場合には、CPU11は、記録媒体に保存されたプログラム及びデータをメインメモリ30に読み出し、処理を実行する。記録媒体としては、例えば、HDD(Hard Disk Drive)、SSD(Solid State Drive)、又はFlashROMが用いられる。 In the first embodiment, the case where the programs and data required for the processing of the CPU 11 are stored in the non-volatile memory element 20 will be described, but these programs and data are acquired from other than the non-volatile memory element 20. May be good. For example, the abnormality detector 10 may include a recording medium for storing programs and data necessary for processing by the CPU 11. In this case, the CPU 11 reads the program and data stored in the recording medium into the main memory 30 and executes the process. As the recording medium, for example, an HDD (Hard Disk Drive), an SSD (Solid State Drive), or a Flash ROM is used.

また、例えば、異常検出器10は、CPU11の処理に必要なアプリケーションプログラム、及び各種データを外部装置から取得する為のインタフェースを備えていてよい。この場合には、CPU11は、インタフェースを介して外部装置と通信し、プログラム及びデータを取得してメインメモリ30に格納する。 Further, for example, the abnormality detector 10 may include an application program required for processing by the CPU 11 and an interface for acquiring various data from an external device. In this case, the CPU 11 communicates with the external device via the interface, acquires the program and data, and stores them in the main memory 30.

次に、第1の実施形態に係るCPU11の各種機能について説明する。
ストア/リコール処理部110は、不揮発性メモリ素子20を電源OFFにするタイミングで揮発性記憶部21から不揮発性記憶部22にデータをストアするように不揮発性メモリ素子20のコントローラ23に指示を出す。不揮発性メモリ素子20を電源OFFにするタイミングは、例えば、不揮発性メモリ装置1の電源を切断する前のタイミング等であってよい。
Next, various functions of the CPU 11 according to the first embodiment will be described.
The store / recall processing unit 110 issues an instruction to the controller 23 of the non-volatile memory element 20 to store data from the volatile storage unit 21 to the non-volatile storage unit 22 at the timing when the power of the non-volatile memory element 20 is turned off. .. The timing for turning off the power of the non-volatile memory element 20 may be, for example, the timing before turning off the power of the non-volatile memory device 1.

また、ストア/リコール処理部110は、不揮発性メモリ素子20を電源ONにするタイミングで不揮発性記憶部22から揮発性記憶部21にデータをリコールするように不揮発性メモリ素子20のコントローラ23に指示を出す。不揮発性メモリ素子20を電源ONにするタイミングは、例えば、不揮発性メモリ装置1の電源を入れた後のタイミング等であってよい。 Further, the store / recall processing unit 110 instructs the controller 23 of the non-volatile memory element 20 to recall data from the non-volatile storage unit 22 to the volatile storage unit 21 at the timing when the power of the non-volatile memory element 20 is turned on. Is issued. The timing for turning on the power of the non-volatile memory element 20 may be, for example, the timing after turning on the power of the non-volatile memory device 1.

誤り検出符号処理部120は、不揮発性メモリ素子20の動作が異常であるか否かを判定する為の判断情報として用いる誤り検出符号を算出する。第1の実施形態では、誤り検出符号処理部120は、揮発性記憶部21の全領域のデータについての誤り検出符号を算出する。また、第1の実施形態では、誤り検出符号処理部120は、誤り検出符号としてチェックサム値を算出する。具体的には、誤り検出符号処理部120は、処理対象のデータを1byte単位で区切り、複数の1byteデータを生成し、生成した1byteデータ群の総和の下位1byteをチェックサム値として算出する。なお、誤り検出符号処理部120は、その他のアルゴリズムを用いてチェックサム値を算出してよい。また、誤り検出符号処理部120は、例えば、パリティ値、CRC値(巡回冗長符号)等のチェックサム値以外の誤り検出符号を算出してよい。 The error detection code processing unit 120 calculates an error detection code to be used as determination information for determining whether or not the operation of the non-volatile memory element 20 is abnormal. In the first embodiment, the error detection code processing unit 120 calculates the error detection code for the data in the entire area of the volatile storage unit 21. Further, in the first embodiment, the error detection code processing unit 120 calculates the checksum value as the error detection code. Specifically, the error detection code processing unit 120 divides the data to be processed into 1 byte units, generates a plurality of 1 byte data, and calculates the lower 1 byte of the total sum of the generated 1 byte data groups as a checksum value. The error detection code processing unit 120 may calculate the checksum value by using another algorithm. Further, the error detection code processing unit 120 may calculate an error detection code other than the checksum value such as the parity value and the CRC value (cyclic redundancy code), for example.

誤り検出符号処理部120は、不揮発性メモリ素子20の揮発性記憶部21から不揮発性記憶部22にストアする前のデータについて算出した第1の誤り検出符号をメインメモリ30に保存する。また、誤り検出符号処理部120は、不揮発性メモリ素子20の不揮発性記憶部22から揮発性記憶部21にリコールした後のデータについて算出した第2の誤り検出符号を後述する異常判定部130に入力する。 The error detection code processing unit 120 stores in the main memory 30 the first error detection code calculated for the data before being stored in the non-volatile storage unit 22 from the volatile storage unit 21 of the non-volatile memory element 20. Further, the error detection code processing unit 120 transfers the second error detection code calculated for the data after recalling from the non-volatile storage unit 22 of the non-volatile memory element 20 to the volatile storage unit 21 to the abnormality determination unit 130 described later. input.

異常判定部130は、図2を用いて後述するように、誤り検出符号処理部120が算出した誤り検出符号に基づいて、不揮発性メモリ素子20の動作が異常であるか否かを判定する。具体的には、異常判定部130は、不揮発性メモリ素子20のストア及びリコールの少なくとも一方の動作が異常であるか判定する。 As will be described later with reference to FIG. 2, the abnormality determination unit 130 determines whether or not the operation of the non-volatile memory element 20 is abnormal based on the error detection code calculated by the error detection code processing unit 120. Specifically, the abnormality determination unit 130 determines whether at least one of the store and recall operations of the non-volatile memory element 20 is abnormal.

(異常検出器の処理フロー)
図2は、第1の実施形態に係る異常検出器10の処理フローを示す図である。
以下、図2を参照しながら、異常検出器10の処理の流れを詳細に説明する。
(Processing flow of anomaly detector)
FIG. 2 is a diagram showing a processing flow of the abnormality detector 10 according to the first embodiment.
Hereinafter, the processing flow of the abnormality detector 10 will be described in detail with reference to FIG.

図2に示す処理フローは、不揮発性メモリ素子20のストア又はリコールの処理が必要なタイミングで開始される。不揮発性メモリ素子20のストアの処理が必要なタイミングは、例えば、不揮発性メモリ装置1の電源を切断するタイミング、又は不揮発性メモリ素子20の揮発性記憶部21のデータが更新されたタイミング等であってよい。また、不揮発性メモリ素子20のリコールの処理が必要なタイミングは、例えば、不揮発性メモリ装置1の電源を供給するタイミング、又は不揮発性メモリ素子20の揮発性記憶部21のデータが更新されたタイミング等であってよい。 The processing flow shown in FIG. 2 is started at a timing when the store or recall processing of the non-volatile memory element 20 is required. The timing at which the store of the non-volatile memory element 20 needs to be processed is, for example, the timing at which the power of the non-volatile memory device 1 is turned off, the timing at which the data of the volatile storage unit 21 of the non-volatile memory element 20 is updated, or the like. It may be there. The timing at which the recall process of the non-volatile memory element 20 is required is, for example, the timing at which the power supply of the non-volatile memory device 1 is supplied, or the timing at which the data in the volatile storage unit 21 of the non-volatile memory element 20 is updated. And so on.

図2に示すように、ストア/リコール処理部110は、不揮発性メモリ素子20のストアの処理が必要であるか否かを判定する(ステップS101)。不揮発性メモリ素子20のストアの処理が必要である場合(ステップS101のYES)には、ストア/リコール処理部110は、誤り検出符号処理部120に第1の誤り検出符号を算出するように指示を出す。一方、不揮発性メモリ素子20のストアの処理が必要でない場合(ステップS101のNO)には、図2に示すステップS102〜S104はスキップされ、処理がステップS105に進む。 As shown in FIG. 2, the store / recall processing unit 110 determines whether or not the store processing of the non-volatile memory element 20 is necessary (step S101). When it is necessary to process the store of the non-volatile memory element 20 (YES in step S101), the store / recall processing unit 110 instructs the error detection code processing unit 120 to calculate the first error detection code. Is issued. On the other hand, when the processing of the store of the non-volatile memory element 20 is not necessary (NO in step S101), steps S102 to S104 shown in FIG. 2 are skipped, and the processing proceeds to step S105.

ストア/リコール処理部110の指示を受けると、誤り検出符号処理部120は、不揮発性メモリ素子20の揮発性記憶部21から不揮発性記憶部22にストアする前のデータについて第1の誤り検出符号を算出する(ステップS102)。次に、誤り検出符号処理部120は、算出した第1の誤り検出符号をメインメモリ30に保存する(ステップS103)。誤り検出符号処理部120は、第1の誤り検出符号の保存が完了した旨をストア/リコール処理部110に通知する。 Upon receiving an instruction from the store / recall processing unit 110, the error detection code processing unit 120 receives a first error detection code for the data before being stored in the non-volatile storage unit 22 from the volatile storage unit 21 of the non-volatile memory element 20. Is calculated (step S102). Next, the error detection code processing unit 120 saves the calculated first error detection code in the main memory 30 (step S103). The error detection code processing unit 120 notifies the store / recall processing unit 110 that the saving of the first error detection code is completed.

誤り検出符号処理部120から通知を受けると、ストア/リコール処理部110が不揮発性メモリ素子20に指示を出し、不揮発性メモリ素子20のデータをストアする(ステップS104)。具体的には、ストア/リコール処理部110は、不揮発性メモリ素子20のコントローラ23にデータをストアするように指示を出す。これにより、不揮発性メモリ素子20のコントローラ23が揮発性記憶部21から不揮発性記憶部22にデータをストアする処理を行う。 Upon receiving the notification from the error detection code processing unit 120, the store / recall processing unit 110 issues an instruction to the non-volatile memory element 20 and stores the data of the non-volatile memory element 20 (step S104). Specifically, the store / recall processing unit 110 issues an instruction to store data in the controller 23 of the non-volatile memory element 20. As a result, the controller 23 of the non-volatile memory element 20 performs a process of storing data from the volatile storage unit 21 to the non-volatile storage unit 22.

次に、図2に示すように、ストア/リコール処理部110は、不揮発性メモリ素子20のリコールの処理が必要であるか否かを判定する(ステップS105)。不揮発性メモリ素子20のリコールの処理が必要である場合(ステップS105のYES)には、ストア/リコール処理部110が不揮発性メモリ素子20に指示を出し、不揮発性メモリ素子20のデータをリコールする(ステップS107)。具体的には、ストア/リコール処理部110は、不揮発性メモリ素子20のコントローラ23にデータをリコールするように指示を出す。これにより、不揮発性メモリ素子20のコントローラ23が不揮発性記憶部22から揮発性記憶部21にデータをリコールする処理を行う。 Next, as shown in FIG. 2, the store / recall processing unit 110 determines whether or not the recall processing of the non-volatile memory element 20 is necessary (step S105). When the recall processing of the non-volatile memory element 20 is required (YES in step S105), the store / recall processing unit 110 issues an instruction to the non-volatile memory element 20 to recall the data of the non-volatile memory element 20. (Step S107). Specifically, the store / recall processing unit 110 issues an instruction to the controller 23 of the non-volatile memory element 20 to recall the data. As a result, the controller 23 of the non-volatile memory element 20 performs a process of recalling data from the non-volatile storage unit 22 to the volatile storage unit 21.

一方、不揮発性メモリ素子20のリコールの処理が必要でない場合(ステップS105のNO)には、図2に示すステップS107〜S111はスキップされ、処理がステップS106に進む。この場合、ストア/リコール処理部110は、不揮発性メモリ素子20のリコールの処理が必要でない旨を異常判定部130に通知する。この通知に基づき、異常判定部130は、不揮発性メモリ素子20の動作が正常であると判定し(S106)、処理フローが終了する。 On the other hand, when the recall process of the non-volatile memory element 20 is not necessary (NO in step S105), steps S107 to S111 shown in FIG. 2 are skipped, and the process proceeds to step S106. In this case, the store / recall processing unit 110 notifies the abnormality determination unit 130 that the recall processing of the non-volatile memory element 20 is not necessary. Based on this notification, the abnormality determination unit 130 determines that the operation of the non-volatile memory element 20 is normal (S106), and the processing flow ends.

不揮発性メモリ素子20のリコールの処理(ステップS107)が完了した後、不揮発性メモリ素子20のコントローラ23がストア/リコール処理部110にリコールの処理の完了を通知する。これにより、ストア/リコール処理部110は、誤り検出符号処理部120に第2の誤り検出符号を算出するように指示を出す。ストア/リコール処理部110の指示を受けると、誤り検出符号処理部120は、不揮発性メモリ素子20の不揮発性記憶部22から揮発性記憶部21にリコールした後のデータについて第2の誤り検出符号を算出する(ステップS108)。なお、ステップS108で第2の誤り検出符号を算出するデータの範囲は、ステップS102で第1の誤り検出符号を算出したデータの範囲と同一にする。 After the recall process of the non-volatile memory element 20 (step S107) is completed, the controller 23 of the non-volatile memory element 20 notifies the store / recall processing unit 110 of the completion of the recall process. As a result, the store / recall processing unit 110 instructs the error detection code processing unit 120 to calculate the second error detection code. Upon receiving an instruction from the store / recall processing unit 110, the error detection code processing unit 120 receives a second error detection code for the data after recalling from the non-volatile storage unit 22 of the non-volatile memory element 20 to the volatile storage unit 21. Is calculated (step S108). The range of data for which the second error detection code is calculated in step S108 is the same as the range of data for which the first error detection code is calculated in step S102.

次に、誤り検出符号処理部120は、ステップS103の処理でメインメモリ30に保存した第1の誤り検出符号を読み出す(ステップS109)。誤り検出符号処理部120は、第1の誤り検出符号及び第2の誤り検出符号を異常判定部130に入力する。 Next, the error detection code processing unit 120 reads out the first error detection code stored in the main memory 30 in the process of step S103 (step S109). The error detection code processing unit 120 inputs the first error detection code and the second error detection code to the abnormality determination unit 130.

異常判定部130は、不揮発性メモリ素子20の揮発性記憶部21から不揮発性記憶部22にストアする前のデータの第1の誤り検出符号と、ストアした後のデータを不揮発性記憶部22から揮発性記憶部21にリコールした後のデータの第2の誤り検出符号とが不一致である否かを判定する(ステップS110)。第1の誤り検出符号と第2の誤り検出符号とが不一致である場合(ステップS110のYES)、ストアする前のデータとリコールした後のデータとが同一でないと考えられるので、異常判定部130は、不揮発性メモリ素子20の動作が異常であると判定する(ステップS111)。一方、第1の誤り検出符号と第2の誤り検出符号とが不一致でない場合(ステップS110のNO)、ストアする前のデータとリコールした後のデータとが同一であると考えられるので、異常判定部130は、不揮発性メモリ素子20の動作が正常であると判定する(ステップS106)。以上により、図2に示す処理フローが終了する。 The abnormality determination unit 130 receives the first error detection code of the data before being stored in the non-volatile storage unit 22 from the volatile storage unit 21 of the non-volatile memory element 20 and the data after the storage from the non-volatile storage unit 22. It is determined whether or not the second error detection code of the data after recalling to the volatile storage unit 21 does not match (step S110). When the first error detection code and the second error detection code do not match (YES in step S110), it is considered that the data before the store and the data after the recall are not the same, so that the abnormality determination unit 130 Determines that the operation of the non-volatile memory element 20 is abnormal (step S111). On the other hand, when the first error detection code and the second error detection code do not match (NO in step S110), it is considered that the data before storing and the data after recalling are the same, so that an abnormality determination is made. The unit 130 determines that the operation of the non-volatile memory element 20 is normal (step S106). As a result, the processing flow shown in FIG. 2 is completed.

(作用、効果)
以上のとおり、第1の実施形態に係る異常検出器10は、不揮発性メモリ素子20の揮発性記憶部21から不揮発性記憶部22にストアする前のデータの第1の誤り検出符号と、ストアした後のデータを不揮発性記憶部22から揮発性記憶部21にリコールした後のデータの第2の誤り検出符号とが不一致である場合に、不揮発性メモリ素子20の動作が異常であると判定する異常判定部130を備える。
(Action, effect)
As described above, the abnormality detector 10 according to the first embodiment includes the first error detection code of the data before being stored in the non-volatile storage unit 22 from the volatile storage unit 21 of the non-volatile memory element 20 and the store. When the second error detection code of the data after recalling the data after recalling from the non-volatile storage unit 22 to the volatile storage unit 21 does not match, it is determined that the operation of the non-volatile memory element 20 is abnormal. The abnormality determination unit 130 is provided.

以上のような構成によれば、異常判定部130が、誤り検出符号を利用し、不揮発性メモリ素子20の揮発性記憶部21から不揮発性記憶部22にストアする前のデータと、ストアした後のデータを不揮発性記憶部22から揮発性記憶部21にリコールした後のデータとが同一であるか否かを、直接的に判定しているので、不揮発性メモリ素子20の動作の異常を確実に検出することができる。
これにより、例えば、コンデンサ等を介して間接的に不揮発性メモリ素子20の動作の異常を検出している場合において、不揮発性メモリ素子20の動作の異常がコンデンサに反映されず、不揮発性メモリ素子20の動作の異常を検出できないという検出漏れを回避できる。
According to the above configuration, the abnormality determination unit 130 uses the error detection code to store the data from the volatile storage unit 21 of the non-volatile memory element 20 to the non-volatile storage unit 22 and after the data is stored. Since it is directly determined whether or not the data after recalling the data from the non-volatile storage unit 22 to the volatile storage unit 21 is the same, it is certain that the operation of the non-volatile memory element 20 is abnormal. Can be detected.
As a result, for example, when an abnormality in the operation of the non-volatile memory element 20 is indirectly detected via a capacitor or the like, the abnormality in the operation of the non-volatile memory element 20 is not reflected in the capacitor, and the non-volatile memory element is not reflected. It is possible to avoid the detection omission that the abnormality of the operation of 20 cannot be detected.

また、上述した第1の実施形態に係る異常検出器10において、誤り検出符号を算出する対象となるストアする前のデータが、揮発性記憶部21の全領域のデータである。
以上のような構成によれば、不揮発性メモリ素子20の揮発性記憶部21の全領域のデータについて誤り検出符号を利用し、不揮発性メモリ素子20の動作の異常を検出するので、揮発性記憶部21の使用してない領域に発生した異常を確実に検出できる。
Further, in the abnormality detector 10 according to the first embodiment described above, the data before storage, which is the target for calculating the error detection code, is the data of the entire area of the volatile storage unit 21.
According to the above configuration, the error detection code is used for the data in the entire area of the volatile storage unit 21 of the non-volatile memory element 20, and the abnormality in the operation of the non-volatile memory element 20 is detected. Abnormalities that have occurred in unused areas of unit 21 can be reliably detected.

<第1の実施形態の変形実施例>
以上、第1の実施形態に係る異常検出器10について詳細に説明したが、異常検出器10の具体的な態様は、上述のものに限定されることはなく、要旨を逸脱しない範囲内において種々の設計変更等を加えることは可能である。
(第1の実施形態の第1の変形実施例)
例えば、第1の実施形態に係る異常検出器10において、第1の誤り検出符号を算出する対象となるストアする前のデータが、揮発性記憶部21の全領域のデータであるとして説明したが、第1の誤り検出符号を算出する対象となるストアする前のデータが、揮発性記憶部21の使用領域のデータであってよい。
<Modified Example of First Embodiment>
Although the abnormality detector 10 according to the first embodiment has been described in detail above, the specific embodiment of the abnormality detector 10 is not limited to the above, and varies within a range that does not deviate from the gist. It is possible to make design changes to the above.
(First Modified Example of First Embodiment)
For example, in the abnormality detector 10 according to the first embodiment, it has been described that the data before storage, which is the target for calculating the first error detection code, is the data of the entire area of the volatile storage unit 21. The data before storing, which is the target for calculating the first error detection code, may be the data in the used area of the volatile storage unit 21.

このようにすることで、揮発性記憶部21の不使用領域を除いた使用領域のデータだけを第1の誤り検出符号を算出する対象にすることで異常検出器10の処理負荷を低減し、不揮発性メモリ素子20の動作の異常を効率的に検出できる。 By doing so, the processing load of the abnormality detector 10 can be reduced by making only the data in the used area excluding the unused area of the volatile storage unit 21 the target for calculating the first error detection code. Abnormal operation of the non-volatile memory element 20 can be efficiently detected.

さらに、例えば、揮発性記憶部21の複数の特定範囲のデータ毎に第1の誤り検出符号を各々算出し、算出された複数の第1の誤り検出符号をメインメモリ30に保存するようにしてもよい。この複数の特定範囲は、例えば、揮発性記憶部21をセクタサイズ毎に範囲を区切る等して規定されてよい。 Further, for example, a first error detection code is calculated for each of a plurality of specific range data of the volatile storage unit 21, and the calculated first error detection code is stored in the main memory 30. May be good. The plurality of specific ranges may be defined, for example, by dividing the range of the volatile storage unit 21 for each sector size.

このようにすることで、不揮発性メモリ素子20の動作の異常を検出できるだけでなく、揮発性記憶部21のデータのいずれの個所に不整合が発生したかという詳細な情報を取得できる。これにより、不揮発性メモリ素子20の動作の異常の原因を効果的に調査することができる。さらに、揮発性記憶部21の複数の特定範囲のデータ毎に算出された複数の第1の誤り検出符号のうち、揮発性記憶部21の使用領域のデータについての第1の誤り検出符号だけをメインメモリ30に保存するようにしてもよい。これにより、異常検出器10の処理負荷を低減し、不揮発性メモリ素子20の動作の異常を効率的に検出できる。 By doing so, it is possible not only to detect an abnormality in the operation of the non-volatile memory element 20, but also to obtain detailed information on which part of the data of the volatile storage unit 21 the inconsistency has occurred. This makes it possible to effectively investigate the cause of the abnormality in the operation of the non-volatile memory element 20. Further, among the plurality of first error detection codes calculated for each of the plurality of specific range data of the volatile storage unit 21, only the first error detection code for the data in the used area of the volatile storage unit 21 is used. It may be saved in the main memory 30. As a result, the processing load of the abnormality detector 10 can be reduced, and abnormalities in the operation of the non-volatile memory element 20 can be efficiently detected.

(第1の実施形態の第2の変形実施例)
次に、第1の実施形態の第2の変形実施例に係る異常検出器10について、図3を参照しながら説明する。
(Second Modified Example of First Embodiment)
Next, the abnormality detector 10 according to the second modified embodiment of the first embodiment will be described with reference to FIG.

図3は、第1の実施形態の第2の変形実施例に係る異常検出器10の構成を示す図である。
図3に示すように、第1の実施形態の第2の変形実施例に係る異常検出器10は、第1の実施形態の構成要素からメインメモリ30を除いた構成になっている。また、図3に示すように、第1の実施形態の第2の変形実施例に係る異常検出器10は、第1の実施形態の構成要素に加え、異常検出器10への電源供給が切断された状態で第1の誤り検出符号を保持可能な誤り検出符号保持部60をさらに備える。従って、第1の実施形態の第2の変形実施例に係る異常検出器10が備える誤り検出符号保持部60以外の各構成要素は、特に言及する場合を除き、第1の実施形態に係る異常検出器10の各構成要素と同様に構成され、機能する。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of an abnormality detector 10 according to a second modification of the first embodiment.
As shown in FIG. 3, the abnormality detector 10 according to the second modification of the first embodiment has a configuration in which the main memory 30 is removed from the components of the first embodiment. Further, as shown in FIG. 3, in the abnormality detector 10 according to the second modification of the first embodiment, in addition to the components of the first embodiment, the power supply to the abnormality detector 10 is cut off. An error detection code holding unit 60 capable of holding the first error detection code in the state of being used is further provided. Therefore, each component other than the error detection code holding unit 60 included in the abnormality detector 10 according to the second modification of the first embodiment has an abnormality according to the first embodiment unless otherwise specified. It is configured and functions in the same manner as each component of the detector 10.

誤り検出符号保持部60は、第1の誤り検出符号を保存する記憶装置としてのSRAM(Static Random Access Memory)61と、SRAM61に接続されているバッテリ62とを備える。第1の実施形態の第2の変形実施例では、第1の実施形態に係るメインメモリ30の機能をSRAM61が備えている。これにより、第1の実施形態に係るメインメモリ30の動作は、SRAM61が行う。例えば、第1の実施形態の第2の変形実施例では、図2に示す処理フローのステップS103において、メインメモリ30ではなく、SRAM61に第1の誤り検出符号を保存する。また、図2に示す処理フローのステップS109において、メインメモリ30ではなく、SRAM61から第1の誤り検出符号を読み出す。SRAM61に接続されているバッテリ62は、バックアップ電源として機能する。バッテリ62は、異常検出器10への電源供給が切断された状態でSRAM61に電源を供給することができる。これにより、例えば、不揮発性メモリ装置1への電源供給が障害等により意図せずに切断され、異常検出器10への電源供給が切断された状態でも誤り検出符号保持部60は、SRAM61に保存された第1の誤り検出符号を保持可能である。 The error detection code holding unit 60 includes a SRAM (Static Random Access Memory) 61 as a storage device for storing the first error detection code, and a battery 62 connected to the SRAM 61. In the second modification of the first embodiment, the SRAM 61 has the function of the main memory 30 according to the first embodiment. As a result, the SRAM 61 performs the operation of the main memory 30 according to the first embodiment. For example, in the second modification of the first embodiment, in step S103 of the processing flow shown in FIG. 2, the first error detection code is stored in SRAM 61 instead of the main memory 30. Further, in step S109 of the processing flow shown in FIG. 2, the first error detection code is read from the SRAM 61 instead of the main memory 30. The battery 62 connected to the SRAM 61 functions as a backup power source. The battery 62 can supply power to the SRAM 61 in a state where the power supply to the abnormality detector 10 is cut off. As a result, for example, the error detection code holding unit 60 is stored in the SRAM 61 even when the power supply to the non-volatile memory device 1 is unintentionally cut off due to a failure or the like and the power supply to the abnormality detector 10 is cut off. It is possible to hold the first error detection code.

以上のとおり、第1の実施形態の第2の変形実施例に係る異常検出器10は、異常検出器10への電源供給が切断された状態で第1の誤り検出符号を保持可能な誤り検出符号保持部60をさらに備える。 As described above, the abnormality detector 10 according to the second modification of the first embodiment is an error detection capable of holding the first error detection code in a state where the power supply to the abnormality detector 10 is cut off. A code holding unit 60 is further provided.

以上のような構成によれば、例えば、不揮発性メモリ装置1への電源供給が障害等により意図せずに切断され、異常検出器10への電源供給が切断された状態が発生しても、誤り検出符号保持部60が第1の誤り検出符号を保持し、第1の誤り検出符号の消失を防止できる。これにより、異常検出器10の異常判定部130は、異常検出器10への電源供給が切断された状態が発生しても、異常検出器10への電源供給が再開された後に、誤り検出符号保持部60が保持した第1の誤り検出符号を用いて不揮発性メモリ素子20の動作の異常を確実に検出することができる。
なお、第1の実施形態の第2の変形実施例に係る誤り検出符号保持部60を構成するSRAM61は、第1の誤り検出符号だけを保存可能な最小容量であってよい。また、誤り検出符号保持部60が備える記憶装置は、SRAM61以外であってよい。さらに、誤り検出符号保持部60が備える記憶装置を別個に設けず、第1の実施形態に係るメインメモリ30を用いてもよい。
According to the above configuration, for example, even if the power supply to the non-volatile memory device 1 is unintentionally cut off due to a failure or the like and the power supply to the abnormality detector 10 is cut off, the power supply is cut off. The error detection code holding unit 60 holds the first error detection code, and can prevent the loss of the first error detection code. As a result, the abnormality determination unit 130 of the abnormality detector 10 has an error detection code after the power supply to the abnormality detector 10 is restarted even if the power supply to the abnormality detector 10 is cut off. An abnormality in the operation of the non-volatile memory element 20 can be reliably detected by using the first error detection code held by the holding unit 60.
The SRAM 61 constituting the error detection code holding unit 60 according to the second modification of the first embodiment may have a minimum capacity capable of storing only the first error detection code. Further, the storage device included in the error detection code holding unit 60 may be other than the SRAM 61. Further, the main memory 30 according to the first embodiment may be used without separately providing the storage device included in the error detection code holding unit 60.

さらに、第1の実施形態の第2の変形実施例に係る異常検出器10において、誤り検出符号保持部60は、バックアップ電源として機能するバッテリ62を備える。
以上のような構成によれば、バッテリ62を用いることでバックアップ電源を小型化することができるので、誤り検出符号保持部60を異常検出器10に容易に実装することができる。さらに、誤り検出符号保持部60を備える異常検出器10を小型化することができる。従って、異常検出器10を備える不揮発性メモリ装置1の小型化及び単純化も可能になる。
Further, in the abnormality detector 10 according to the second modification of the first embodiment, the error detection code holding unit 60 includes a battery 62 that functions as a backup power source.
According to the above configuration, the backup power supply can be miniaturized by using the battery 62, so that the error detection code holding unit 60 can be easily mounted on the abnormality detector 10. Further, the abnormality detector 10 provided with the error detection code holding unit 60 can be miniaturized. Therefore, the non-volatile memory device 1 provided with the abnormality detector 10 can be miniaturized and simplified.

(第1の実施形態の第3の変形実施例)
次に、第1の実施形態の第3の変形実施例に係る異常検出器10について、図4を参照しながら説明する。
(Third modified embodiment of the first embodiment)
Next, the abnormality detector 10 according to the third modified embodiment of the first embodiment will be described with reference to FIG.

図4は、第1の実施形態の第3の変形実施例に係る異常検出器10の構成を示す図である。
図4に示すように、第1の実施形態の第3の変形実施例に係る異常検出器10は、第1の実施形態の構成要素からメインメモリ30を除いた構成になっている。従って、第1の実施形態の第3の変形実施例に係る異常検出器10の各構成要素は、特に言及する場合を除き、第1の実施形態に係る異常検出器10の各構成要素と同様に構成され、機能する。
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of an abnormality detector 10 according to a third modified embodiment of the first embodiment.
As shown in FIG. 4, the abnormality detector 10 according to the third modified embodiment of the first embodiment has a configuration in which the main memory 30 is removed from the components of the first embodiment. Therefore, each component of the abnormality detector 10 according to the third modification of the first embodiment is the same as each component of the abnormality detector 10 according to the first embodiment, unless otherwise specified. It is configured and works.

第1の実施形態の第3の変形実施例では、第1の実施形態に係るメインメモリ30の機能をCPU11が備えている。これにより、第1の実施形態に係るメインメモリ30の動作は、CPU11が行う。 In the third modification of the first embodiment, the CPU 11 has the function of the main memory 30 according to the first embodiment. As a result, the CPU 11 performs the operation of the main memory 30 according to the first embodiment.

第1の実施形態の第3の変形実施例に係る異常検出器10は、第1の誤り検出符号をCPU11の汎用レジスタRに保存するように構成されている。具体的には、図2に示す処理フローのステップS103において、メインメモリ30ではなく、汎用レジスタRに第1の誤り検出符号を保存する。また、図2に示す処理フローのステップS109において、メインメモリ30ではなく、汎用レジスタRから第1の誤り検出符号を読み出す。 The abnormality detector 10 according to the third modification of the first embodiment is configured to store the first error detection code in the general-purpose register R of the CPU 11. Specifically, in step S103 of the processing flow shown in FIG. 2, the first error detection code is stored in the general-purpose register R instead of the main memory 30. Further, in step S109 of the processing flow shown in FIG. 2, the first error detection code is read from the general-purpose register R instead of the main memory 30.

以上のとおり、第1の実施形態の第3の変形実施例に係る異常検出器10は、第1の誤り検出符号を異常検出器10が備えるCPU11の汎用レジスタRに保存する。 As described above, the abnormality detector 10 according to the third modification of the first embodiment stores the first error detection code in the general-purpose register R of the CPU 11 included in the abnormality detector 10.

以上のような構成によれば、異常検出器10にメインメモリ30を設けずに済むので、異常検出器10を小型化することができる。また、異常検出器10の構成を単純化することができる。従って、異常検出器10を備える不揮発性メモリ装置1の小型化及び単純化も可能になる。 According to the above configuration, it is not necessary to provide the main memory 30 in the abnormality detector 10, so that the abnormality detector 10 can be miniaturized. Moreover, the configuration of the abnormality detector 10 can be simplified. Therefore, the non-volatile memory device 1 provided with the abnormality detector 10 can be miniaturized and simplified.

<第2の実施形態>
次に、第2の実施形態に係る不揮発性メモリ装置1及び異常検出器10について、図5及び6を参照しながら説明する。
<Second embodiment>
Next, the non-volatile memory device 1 and the abnormality detector 10 according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

(異常検出器の構成)
図5は、第2の実施形態に係る異常検出器10を備える不揮発性メモリ装置1の構成を示す図である。
図5に示すように、第2の実施形態に係る異常検出器10は、第1の実施形態の構成要素に加え、不揮発性メモリ素子20に接続された電源制御器70をさらに備えている。従って、第2の実施形態に係る異常検出器10が備える電源制御器70以外の各構成要素は、特に言及する場合を除き、第1の実施形態に係る異常検出器10の各構成要素と同様に構成され、機能する。
(Configuration of anomaly detector)
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a non-volatile memory device 1 including the abnormality detector 10 according to the second embodiment.
As shown in FIG. 5, the abnormality detector 10 according to the second embodiment further includes a power supply controller 70 connected to the non-volatile memory element 20 in addition to the components of the first embodiment. Therefore, each component other than the power supply controller 70 included in the abnormality detector 10 according to the second embodiment is the same as each component of the abnormality detector 10 according to the first embodiment, unless otherwise specified. It is configured and works.

電源制御器70は、不揮発性メモリ素子20の電源供給を制御する。電源制御器70は、例えば、不揮発性メモリ素子20の電源供給端子に接続されている電源制御スイッチであってよい。電源制御器70は、ストア/リコール処理部110からの指示に従い、不揮発性メモリ素子20への電源供給を停止し、不揮発性メモリ素子20を電源OFFにすることができる。また、電源制御器70は、ストア/リコール処理部110からの指示に従い、不揮発性メモリ素子20への電源供給を開始し、不揮発性メモリ素子20を電源ONにすることができる。 The power controller 70 controls the power supply of the non-volatile memory element 20. The power controller 70 may be, for example, a power control switch connected to the power supply terminal of the non-volatile memory element 20. The power controller 70 can stop the power supply to the non-volatile memory element 20 and turn off the power of the non-volatile memory element 20 according to the instruction from the store / recall processing unit 110. Further, the power supply controller 70 can start supplying power to the non-volatile memory element 20 and turn on the power of the non-volatile memory element 20 according to an instruction from the store / recall processing unit 110.

(異常検出器の処理フロー)
図6は、第2の実施形態に係る異常検出器10の処理フローを示す図である。
以下、図6を参照しながら、第2の実施形態に係る異常検出器10の処理を説明する。
(Processing flow of anomaly detector)
FIG. 6 is a diagram showing a processing flow of the abnormality detector 10 according to the second embodiment.
Hereinafter, the processing of the abnormality detector 10 according to the second embodiment will be described with reference to FIG.

図6に示す処理フローは、図2に示す第1の実施形態に係る処理フローとは、ステップS101がステップ201に変更され、ステップS104、S105、及びS107がステップS202〜203に変更されている点だけで相違する。なお、これらの相違するステップ以外は、図2に示す第1の実施形態に係る処理フローと同様である為、説明を省略する。 The processing flow shown in FIG. 6 is different from the processing flow according to the first embodiment shown in FIG. 2, in which step S101 is changed to step 201 and steps S104, S105, and S107 are changed to steps S202 to 203. Only the point is different. Since the process flow is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 2, except for these different steps, the description thereof will be omitted.

図6に示すように、処理フローが開始されると、ストア/リコール処理部110は、不揮発性メモリ素子20のストアの処理又はリコールの処理が必要であるか否かを判定する(ステップS201)。不揮発性メモリ素子20のストアの処理又はリコールの処理の少なくともいずれかが必要である場合(ステップS201のYES)には、ストア/リコール処理部110は、誤り検出符号処理部120に第1の誤り検出符号を算出するように指示を出し、処理はステップS102に進む。 As shown in FIG. 6, when the processing flow is started, the store / recall processing unit 110 determines whether or not the store processing or the recall processing of the non-volatile memory element 20 is required (step S201). .. When at least one of the store processing and the recall processing of the non-volatile memory element 20 is required (YES in step S201), the store / recall processing unit 110 causes the error detection code processing unit 120 to make a first error. An instruction is given to calculate the detection code, and the process proceeds to step S102.

一方、不揮発性メモリ素子20のストアの処理及びリコールの処理の両方が必要でない場合(ステップS201のNO)には、図6に示すステップS102〜S103、S202〜S203、及びS108〜S111はスキップされ、処理がステップS106に進む。この場合、ストア/リコール処理部110は、不揮発性メモリ素子20のストア及びリコールの処理がいずれも必要でない旨を異常判定部130に通知する。この通知に基づき、異常判定部130は、不揮発性メモリ素子20の動作が正常であると判定し(S106)、処理フローが終了する。 On the other hand, when both the store processing and the recall processing of the non-volatile memory element 20 are not required (NO in step S201), steps S102 to S103, S202 to S203, and S108 to S111 shown in FIG. 6 are skipped. , The process proceeds to step S106. In this case, the store / recall processing unit 110 notifies the abnormality determination unit 130 that neither the store nor the recall processing of the non-volatile memory element 20 is required. Based on this notification, the abnormality determination unit 130 determines that the operation of the non-volatile memory element 20 is normal (S106), and the processing flow ends.

誤り検出符号処理部120が、不揮発性メモリ素子20の揮発性記憶部21から不揮発性記憶部22にストアする前のデータについて第1の誤り検出符号を算出し(ステップS102)、算出した第1の誤り検出符号をメインメモリ30に保存する(ステップS103)。次に、誤り検出符号処理部120は、第1の誤り検出符号の保存が完了した旨をストア/リコール処理部110に通知し、処理がステップS202に進む。 The error detection code processing unit 120 calculates the first error detection code for the data before being stored in the non-volatile storage unit 22 from the volatile storage unit 21 of the non-volatile memory element 20 (step S102), and the calculated first error detection code is calculated. The error detection code of is stored in the main memory 30 (step S103). Next, the error detection code processing unit 120 notifies the store / recall processing unit 110 that the saving of the first error detection code is completed, and the process proceeds to step S202.

誤り検出符号処理部120から通知を受けると、ストア/リコール処理部110は、不揮発性メモリ素子20への電源供給を停止する(ステップS202)。具体的には、ストア/リコール処理部110は、不揮発性メモリ素子20への電源供給を停止するように電源制御器70に指示を出す。これにより、電源制御器70が不揮発性メモリ素子20への電源供給を停止する。不揮発性メモリ素子20のコントローラ23は、電源供給の停止をトリガにして揮発性記憶部21から不揮発性記憶部22にデータをストアする処理(オートストアの処理)を行う。 Upon receiving the notification from the error detection code processing unit 120, the store / recall processing unit 110 stops the power supply to the non-volatile memory element 20 (step S202). Specifically, the store / recall processing unit 110 instructs the power supply controller 70 to stop the power supply to the non-volatile memory element 20. As a result, the power controller 70 stops supplying power to the non-volatile memory element 20. The controller 23 of the non-volatile memory element 20 performs a process (auto store process) of storing data from the volatile storage unit 21 to the non-volatile storage unit 22 triggered by the stop of the power supply.

次に、ストア/リコール処理部110は、不揮発性メモリ素子20への電源供給を開始する(ステップS203)。具体的には、ストア/リコール処理部110は、不揮発性メモリ素子20への電源供給を開始するように電源制御器70に指示を出す。これにより、電源制御器70が不揮発性メモリ素子20への電源供給を開始する。不揮発性メモリ素子20のコントローラ23は、電源供給の供給をトリガにして不揮発性記憶部22から揮発性記憶部21にデータをリコールする処理(オートリコールの処理)を行う。 Next, the store / recall processing unit 110 starts supplying power to the non-volatile memory element 20 (step S203). Specifically, the store / recall processing unit 110 instructs the power supply controller 70 to start supplying power to the non-volatile memory element 20. As a result, the power controller 70 starts supplying power to the non-volatile memory element 20. The controller 23 of the non-volatile memory element 20 performs a process (auto recall process) of recalling data from the non-volatile storage unit 22 to the volatile storage unit 21 triggered by the supply of power supply.

なお、ストア/リコール処理部110は、上述したストアの処理(オートストアの処理)の完了後に不揮発性メモリ素子20への電源供給を開始するように電源制御器70に指示を出す。換言すると、不揮発性メモリ素子20への電源供給の停止から開始までの時間が、上述したストアの処理(オートストアの処理)に必要な時間以上になるように設定されている。 The store / recall processing unit 110 instructs the power supply controller 70 to start supplying power to the non-volatile memory element 20 after the above-mentioned store processing (auto store processing) is completed. In other words, the time from the stop to the start of the power supply to the non-volatile memory element 20 is set to be longer than the time required for the store processing (auto store processing) described above.

次に、ストア/リコール処理部110は、誤り検出符号処理部120に第2の誤り検出符号を算出するように指示を出す。ストア/リコール処理部110の指示を受けると、誤り検出符号処理部120は、不揮発性メモリ素子20の不揮発性記憶部22から揮発性記憶部21にリコールした後のデータについて第2の誤り検出符号を算出する(ステップS108)。 Next, the store / recall processing unit 110 instructs the error detection code processing unit 120 to calculate the second error detection code. Upon receiving an instruction from the store / recall processing unit 110, the error detection code processing unit 120 receives a second error detection code for the data after recalling from the non-volatile storage unit 22 of the non-volatile memory element 20 to the volatile storage unit 21. Is calculated (step S108).

なお、ストア/リコール処理部110は、上述したリコールの処理(オートリコールの処理)の完了後に誤り検出符号処理部120に第2の誤り検出符号を算出するように指示を出す。換言すると、不揮発性メモリ素子20への電源供給の開始から第2の誤り検出符号の算出処理を開始するまでの時間は、上述したリコールの処理(オートリコールの処理)に必要な時間以上に設定されている。 The store / recall processing unit 110 instructs the error detection code processing unit 120 to calculate the second error detection code after the above-mentioned recall process (auto recall process) is completed. In other words, the time from the start of power supply to the non-volatile memory element 20 to the start of the calculation process of the second error detection code is set to be longer than the time required for the above-mentioned recall process (auto recall process). Has been done.

ステップS109以降の処理は、図2に示す処理フローと同様に行われる。最終的に異常判定部130が、不揮発性メモリ素子20の動作が正常であると判定する(ステップS106)か、不揮発性メモリ素子20の動作が異常であると判定し(ステップS111)、図6に示す処理フローが終了する。 The processing after step S109 is performed in the same manner as the processing flow shown in FIG. Finally, the abnormality determination unit 130 determines that the operation of the non-volatile memory element 20 is normal (step S106), or determines that the operation of the non-volatile memory element 20 is abnormal (step S111), and FIG. The processing flow shown in is completed.

(作用、効果)
以上のとおり、第2の実施形態に係る異常検出器10は、不揮発性メモリ素子20の電源供給を制御する電源制御器70をさらに備える。
(Action, effect)
As described above, the abnormality detector 10 according to the second embodiment further includes a power supply controller 70 that controls the power supply of the non-volatile memory element 20.

以上のような構成によれば、異常検出器10は、不揮発性メモリ素子20のオートストア及びオートリコールの機能を利用し、不揮発性メモリ素子20の電源供給の制御を介して非常に容易に不揮発性メモリ素子20のストアの処理及びリコールの処理を行うことができる。これにより、異常検出器10のストア/リコール処理部110から不揮発性メモリ素子20のコントローラ23に直接的に指示を出す処理を省略できるので、CPUが行う処理を簡略化することができる。さらに、不揮発性メモリ装置1への実装が容易化される。 According to the above configuration, the abnormality detector 10 utilizes the auto-store and auto-recall functions of the non-volatile memory element 20 and is very easily non-volatile through the control of the power supply of the non-volatile memory element 20. The store processing and recall processing of the volatile memory element 20 can be performed. As a result, it is possible to omit the process of directly instructing the controller 23 of the non-volatile memory element 20 from the store / recall processing unit 110 of the abnormality detector 10, so that the process performed by the CPU can be simplified. Further, the mounting on the non-volatile memory device 1 is facilitated.

図7は異常検出器10の最小構成を示す図である。
異常検出器10は少なくとも上述の異常判定部130を備えればよい。
FIG. 7 is a diagram showing the minimum configuration of the abnormality detector 10.
The abnormality detector 10 may include at least the above-mentioned abnormality determination unit 130.

上述の異常検出器10は内部に、コンピュータシステムを有していてよい。そして、上述した各処理の過程は、プログラムの形式でコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶されていて、このプログラムをコンピュータが読み出して実行することによって、上記処理が行われてよい。ここでコンピュータ読み取り可能な記録媒体とは、磁気ディスク、光磁気ディスク、CD−ROM、DVD−ROM、半導体メモリ等をいう。また、このコンピュータプログラムを通信回線によってコンピュータに配信し、この配信を受けたコンピュータが当該プログラムを実行するようにしても良い。 The above-mentioned abnormality detector 10 may have a computer system inside. The process of each process described above is stored in a computer-readable recording medium in the form of a program, and the process may be performed by the computer reading and executing this program. Here, the computer-readable recording medium refers to a magnetic disk, a magneto-optical disk, a CD-ROM, a DVD-ROM, a semiconductor memory, or the like. Further, this computer program may be distributed to a computer via a communication line, and the computer receiving the distribution may execute the program.

上記プログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであっても良い。さらに、前述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるもの、いわゆる差分ファイル(差分プログラム)であっても良い。 The above program may be for realizing a part of the above-mentioned functions. Further, a so-called difference file (difference program) may be used, which can realize the above-mentioned functions in combination with a program already recorded in the computer system.

上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。 Some or all of the above embodiments may also be described, but not limited to:

(付記1)不揮発性メモリ素子の揮発性記憶部から不揮発性記憶部にストアする前のデータの第1の誤り検出符号と、ストアした後の前記データを前記不揮発性記憶部から前記揮発性記憶部にリコールした後のデータの第2の誤り検出符号とが不一致である場合に、前記不揮発性メモリ素子の動作が異常であると判定する異常判定部を備える異常検出器。 (Appendix 1) The first error detection code of the data before being stored in the non-volatile storage unit from the volatile storage unit of the non-volatile memory element and the data after being stored are stored in the volatile storage unit from the non-volatile storage unit. An abnormality detector including an abnormality determination unit that determines that the operation of the non-volatile memory element is abnormal when the second error detection code of the data after recalling to the unit does not match.

(付記2)ストアする前の前記データが、前記揮発性記憶部の全領域のデータである付記1に記載の異常検出器。 (Appendix 2) The abnormality detector according to Appendix 1, wherein the data before storage is data for the entire area of the volatile storage unit.

(付記3)ストアする前の前記データが、前記揮発性記憶部の使用領域のデータである付記1又は付記2に記載の異常検出器。 (Appendix 3) The anomaly detector according to Appendix 1 or Appendix 2, wherein the data before storage is data of a used area of the volatile storage unit.

(付記4)ストアする前の前記データの複数の特定範囲のデータ毎に前記第1の誤り検出符号を各々算出する付記1から付記3のいずれか一項に記載の異常検出器。 (Supplementary note 4) The abnormality detector according to any one of Supplementary note 1 to Supplementary note 3, which calculates the first error detection code for each of a plurality of specific ranges of data before storing.

(付記5)前記異常検出器への電源供給が切断された状態で前記第1の誤り検出符号を保持可能な誤り検出符号保持部をさらに備える付記1から付記4のいずれか一項に記載の異常検出器。 (Supplementary note 5) The item according to any one of Supplementary note 1 to Supplementary note 4, further comprising an error detection code holding unit capable of holding the first error detection code in a state where the power supply to the abnormality detector is cut off. Anomaly detector.

(付記6)前記誤り検出符号保持部は、バックアップ電源として機能するバッテリを備える付記5に記載の異常検出器。 (Appendix 6) The abnormality detector according to Appendix 5, wherein the error detection code holding unit includes a battery that functions as a backup power source.

(付記7)前記第1の誤り検出符号を前記異常検出器が備えるCPUの汎用レジスタに保存する付記1から付記4のいずれか一項に記載の異常検出器。 (Supplementary note 7) The abnormality detector according to any one of Supplementary note 1 to Supplementary note 4, wherein the first error detection code is stored in a general-purpose register of a CPU included in the abnormality detector.

(付記8)前記不揮発性メモリ素子の電源供給を制御する電源制御器をさらに備える付記1から付記7のいずれか一項に記載の異常検出器。 (Supplementary note 8) The abnormality detector according to any one of Supplementary note 1 to Supplementary note 7, further comprising a power supply controller for controlling the power supply of the non-volatile memory element.

(付記9)付記1から付記8のいずれか一項に記載の異常検出器と、
前記不揮発性メモリ素子と、
を備える不揮発性メモリ装置。
(Appendix 9) The abnormality detector according to any one of Appendix 1 to Appendix 8 and
With the non-volatile memory element
A non-volatile memory device comprising.

(付記10)不揮発性メモリ素子の揮発性記憶部から不揮発性記憶部にストアする前のデータの第1の誤り検出符号と、ストアした後の前記データを前記不揮発性記憶部から前記揮発性記憶部にリコールした後のデータの第2の誤り検出符号とが不一致である場合に、前記不揮発性メモリ素子の動作が異常であると判定する異常検出方法。 (Appendix 10) The first error detection code of the data before being stored in the non-volatile storage unit from the volatile storage unit of the non-volatile memory element and the data after being stored are stored in the volatile storage unit from the non-volatile storage unit. An abnormality detection method for determining that the operation of the non-volatile memory element is abnormal when the second error detection code of the data after recalling to the unit does not match.

(付記11)異常検出器のコンピュータを、
不揮発性メモリ素子の揮発性記憶部から不揮発性記憶部にストアする前のデータの第1の誤り検出符号と、ストアした後の前記データを前記不揮発性記憶部から前記揮発性記憶部にリコールした後のデータの第2の誤り検出符号とが不一致である場合に、前記不揮発性メモリ素子の動作が異常であると判定する判定手段、
として機能させる異常検出プログラム。
(Appendix 11) Computer of anomaly detector
The first error detection code of the data before being stored from the volatile storage unit of the non-volatile memory element to the non-volatile storage unit and the data after being stored were recalled from the non-volatile storage unit to the volatile storage unit. A determination means for determining that the operation of the non-volatile memory element is abnormal when the second error detection code of the later data does not match.
Anomaly detection program that functions as.

1 不揮発性メモリ装置
10 異常検出器
11 CPU(プロセッサ)
20 不揮発性メモリ素子
21 揮発性記憶部
22 不揮発性記憶部
23 コントローラ
30 メインメモリ
60 誤り検出符号保持部
61 SRAM
62 バッテリ
70 電源制御器
110 ストア/リコール処理部
120 誤り検出符号処理部
130 異常判定部
R 汎用レジスタ
1 Non-volatile memory device 10 Abnormality detector 11 CPU (processor)
20 Non-volatile memory element 21 Volatile storage unit 22 Non-volatile storage unit 23 Controller 30 Main memory 60 Error detection code holding unit 61 SRAM
62 Battery 70 Power controller 110 Store / recall processing unit 120 Error detection code processing unit 130 Abnormality judgment unit R General-purpose register

Claims (9)

不揮発性メモリ素子の揮発性記憶部から不揮発性記憶部にストアする前のデータの第1の誤り検出符号と、ストアした後の前記データを前記不揮発性記憶部から前記揮発性記憶部にリコールした後のデータの第2の誤り検出符号とが不一致である場合に、前記不揮発性メモリ素子の動作が異常であると判定する異常判定部と、
前記不揮発性メモリ素子を電源OFFにするタイミングで前記揮発性記憶部から前記不揮発性記憶部にストアする前の前記データをストアするように前記不揮発性メモリ素子のコントローラに指示を出し、前記不揮発性メモリ素子を電源ONにするタイミングで前記不揮発性記憶部から前記揮発性記憶部にストアした後の前記データをリコールするように前記コントローラに指示を出すストア/リコール処理部と、
CPUの汎用レジスタと、
を備え
前記第1の誤り検出符号を前記汎用レジスタに保存する異常検出器。
The first error detection code of the data before being stored from the volatile storage unit of the non-volatile memory element to the non-volatile storage unit and the data after being stored were recalled from the non-volatile storage unit to the volatile storage unit. When the second error detection code of the later data does not match, the abnormality determination unit that determines that the operation of the non-volatile memory element is abnormal, and
At the timing when the power of the non-volatile memory element is turned off, the volatile storage unit issues an instruction to the controller of the non-volatile memory element to store the data before storing in the non-volatile storage unit, and the non-volatile memory element is stored. A store / recall processing unit that instructs the controller to recall the data after being stored in the volatile storage unit from the non-volatile storage unit at the timing when the power of the memory element is turned on.
CPU general-purpose registers and
Equipped with a,
Anomaly detector you save the first error detection code to the general purpose register.
ストアする前の前記データが、前記揮発性記憶部の全領域のデータである請求項1に記載の異常検出器。 The abnormality detector according to claim 1, wherein the data before being stored is data in the entire area of the volatile storage unit. ストアする前の前記データが、前記揮発性記憶部の使用領域のデータである請求項1又は請求項2に記載の異常検出器。 The abnormality detector according to claim 1 or 2, wherein the data before storing is data in a used area of the volatile storage unit. 前記異常検出器への電源供給が切断された状態で前記第1の誤り検出符号を保持可能な誤り検出符号保持部をさらに備える請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の異常検出器。 The abnormality detection according to any one of claims 1 to 3, further comprising an error detection code holding unit capable of holding the first error detection code in a state where the power supply to the abnormality detector is cut off. vessel. 前記誤り検出符号保持部は、バックアップ電源として機能するバッテリを備える請求項4に記載の異常検出器。 The abnormality detector according to claim 4, wherein the error detection code holding unit includes a battery that functions as a backup power source. 前記ストア/リコール処理部からの指示に従い、前記不揮発性メモリ素子の電源供給を停止し、前記不揮発性メモリ素子を電源OFFにし、前記ストア/リコール処理部からの指示に従い、前記不揮発性メモリ素子の電源供給を開始し、前記不揮発性メモリ素子を電源ONにする電源制御器をさらに備える請求項1から請求項のいずれか一項に記載の異常検出器。 According to the instruction from the store / recall processing unit, the power supply of the non-volatile memory element is stopped, the power of the non-volatile memory element is turned off, and the power supply of the non-volatile memory element is followed by the instruction from the store / recall processing unit. The abnormality detector according to any one of claims 1 to 5 , further comprising a power controller that starts power supply and turns on the non-volatile memory element. 請求項1から請求項のいずれか一項に記載の異常検出器と、
前記不揮発性メモリ素子と、
を備える不揮発性メモリ装置。
The abnormality detector according to any one of claims 1 to 6 ,
With the non-volatile memory element
A non-volatile memory device comprising.
異常検出器により、不揮発性メモリ素子の揮発性記憶部から不揮発性記憶部にストアする前のデータの第1の誤り検出符号と、ストアした後の前記データを前記不揮発性記憶部から前記揮発性記憶部にリコールした後のデータの第2の誤り検出符号とが不一致である場合に、前記不揮発性メモリ素子の動作が異常であると判定し、
前記異常検出器により、前記不揮発性メモリ素子を電源OFFにするタイミングで前記揮発性記憶部から前記不揮発性記憶部にストアする前の前記データをストアするように前記不揮発性メモリ素子のコントローラに指示を出し、前記不揮発性メモリ素子を電源ONにするタイミングで前記不揮発性記憶部から前記揮発性記憶部にストアした後の前記データをリコールするように前記コントローラに指示を出し、
前記第1の誤り検出符号が、前記異常検出器が備えるCPUの汎用レジスタに保存される異常検出方法。
By the abnormality detector, the first error detection code of the data before being stored in the non-volatile storage unit from the volatile storage unit of the non-volatile memory element and the data after being stored are stored in the non-volatile storage unit. When the second error detection code of the data after recalling to the storage unit does not match, it is determined that the operation of the non-volatile memory element is abnormal.
The abnormality detector instructs the controller of the non-volatile memory element to store the data before being stored in the non-volatile storage unit from the volatile storage unit at the timing when the power of the non-volatile memory element is turned off. the out, and given instructions said non-volatile memory device from said nonvolatile storage unit at the timing of the power supply oN to the controller so as to recall the data after storing in the volatile storage unit,
An abnormality detection method in which the first error detection code is stored in a general-purpose register of a CPU included in the abnormality detector.
異常検出器のコンピュータを、
不揮発性メモリ素子の揮発性記憶部から不揮発性記憶部にストアする前のデータの第1の誤り検出符号と、ストアした後の前記データを前記不揮発性記憶部から前記揮発性記憶部にリコールした後のデータの第2の誤り検出符号とが不一致である場合に、前記不揮発性メモリ素子の動作が異常であると判定する判定手段、及び
前記不揮発性メモリ素子を電源OFFにするタイミングで前記揮発性記憶部から前記不揮発性記憶部にストアする前の前記データをストアするように前記不揮発性メモリ素子のコントローラに指示を出し、前記不揮発性メモリ素子を電源ONにするタイミングで前記不揮発性記憶部から前記揮発性記憶部にストアした後の前記データをリコールするように前記コントローラに指示を出すストア/リコール処理手段、
として機能させ、
前記第1の誤り検出符号が、前記異常検出器が備えるCPUの汎用レジスタに保存される異常検出プログラム。
Anomaly detector computer,
The first error detection code of the data before being stored from the volatile storage unit of the non-volatile memory element to the non-volatile storage unit and the data after being stored were recalled from the non-volatile storage unit to the volatile storage unit. When the second error detection code of the later data does not match, the determination means for determining that the operation of the non-volatile memory element is abnormal, and the volatilization at the timing when the power of the non-volatile memory element is turned off. The non-volatile storage unit issues an instruction to the controller of the non-volatile memory element to store the data before being stored in the non-volatile storage unit from the sexual storage unit, and turns on the power of the non-volatile memory element. A store / recall processing means that instructs the controller to recall the data after being stored in the volatile storage unit.
To function as
The first error detection code, the abnormality detection program that will be stored in the general-purpose register of the CPU where the anomaly detector is provided.
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