JP6783308B2 - 絶縁型コンバータ - Google Patents

Description

本発明は、絶縁型コンバータに関し、特に多層基板上に形成されたパターンによってコイルが形成されているトランスを含む絶縁型コンバータに関する。

従来、多層基板上に形成された１次側コイルおよび２次側を備える絶縁型コンバータが知られている。従来の絶縁型コンバータにおいて、１次側コイルおよび２次側コイルは、多層基板の表層および内層上において互いに絶縁距離を隔てて形成された巻線状のパターンにより構成されている。

また、従来、多層基板上に形成されたチョークコイルを備える磁気デバイスが知られている。特開２０１４−１９９９０８号公報（特許文献１）には、多層基板の外面層および内層上に形成された複数のコイルパターンによりコイルが形成された、磁気デバイスが開示されている。上記特許文献１に記載の磁気デバイスでは、内層のコイルパターンと導通されている放熱ピンと電気的に絶縁されている放熱ピンとが形成されており、各放熱ピンは外面層上において放熱器と接続されている。

特開２０１４−１９９９０８号公報

しかしながら、従来の絶縁型コンバータでは、１次側コイルと冷却器との間を接続する熱伝導ビアと２次側コイルと冷却器との間を接続する熱伝導ビアとの間も、所定の絶縁距離が確保されている必要がある。このように絶縁距離を確保するためには、例えばコイルパターンから十分に離れた場所に熱伝導ビアを形成することが考えられる。しかし、この場合には、絶縁型コンバータのサイズが大きくなる。また、発熱箇所と熱伝導ビアとの距離が長くなるため、当該発熱箇所を十分に放熱することが困難となる。

また、コイルパターンと熱伝導ビアとの絶縁距離を確保するために、例えばコイルパターンの寸法（例えば幅）を小さくすると、コイルパターンにおける発熱量が増加する。上記特許文献１に記載の磁気デバイスでは、発熱箇所と放熱ピンとの間の距離が長くなる場合には熱が放熱ピンを介して十分に放熱され得ない。

本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものである。本発明の主たる目的は、従来の絶縁型コンバータと比べて小型化されており、かつ高い放熱性を有している絶縁型コンバータを提供することにある。

本発明に係る絶縁型コンバータは、第１面および第１面と反対側に位置する第２面とを有し、第１面から第２面にまで達する第１貫通孔が形成されている基板と、一部が第１貫通孔に挿通された磁性体コアとを備える。上記基板は、第１面と交差する方向から視たときに、第２面上において磁性体コアと重なる位置に形成されている第１導体パターンと、第１面と第２面との間において、第１面と交差する方向から視たときに、磁性体コアおよび第１導体パターンと重なる位置に形成されている第２導体パターンと、第１導体パターン上に形成されており、かつ、基板と磁性体コアとの間に配置されている部分を有する少なくとも１つの熱伝導部材と、第１導体パターンと第２導体パターンとの間を電気的に絶縁している絶縁伝熱部材とを含む。

本発明によれば、従来の絶縁型コンバータと比べて小型化されており、かつ高い放熱性を有している絶縁型コンバータを提供することができる。

実施の形態１に係る絶縁型コンバータを示す斜視図である。 実施の形態１に係る絶縁型コンバータのトランス部を示す分解斜視図である。 実施の形態１に係る絶縁型コンバータのトランス部を構成する多層基板を示す断面図である。 実施の形態１に係る絶縁型コンバータの回路図である。 図３に示される多層基板の各層を第１の面側から視たときの平面図であり、（Ａ）は第１層、（Ｂ）は第２層、（Ｃ）は第３層、（Ｄ）は第４層の平面図である。 （Ａ）は図５（Ａ）に示される線分ＶＩ（Ａ）−ＶＩ（Ａ）から視た断面図であり、（Ｂ）は図５（Ｂ）に示される線分ＶＩ（Ｂ）−ＶＩ（Ｂ）から視た断面図であり、（Ｃ）は図５（Ｃ）に示される線分ＶＩ（Ｃ）−ＶＩ（Ｃ）から視た断面図であり、（Ｄ）は図５（Ｄ）に示される線分ＶＩ（Ｄ）−ＶＩ（Ｄ）から視た断面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係る絶縁型コンバータにおいて熱伝導部材の変形例を示す平面図である。 （Ａ）は、実施の形態１に係る絶縁型コンバータにおいて、熱伝導部材の他の変形例を示す平面図であり、（Ｂ）は図８（Ａ）中の線分ＶＩＩＩ（Ｂ）−ＶＩＩＩ（Ｂ）から視た断面図である。 実施の形態１に係る絶縁型コンバータにおいて第４導体パターンの変形例を示す平面図である。 実施の形態２に係る絶縁型コンバータの回路図である。 実施の形態２に係る絶縁型コンバータにおいて、多層基板の各層を第１面側から見たときの平面図であり、（Ａ）は第１層、（Ｂ）は第２層、（Ｃ）は第３層、（Ｄ）は第４層の平面図である。 （Ａ）は図１１（Ａ）に示される線分ＸＩＩ（Ａ）−ＸＩＩ（Ａ）から視た断面図であり、（Ｂ）は図１１（Ｂ）に示される線分ＸＩＩ（Ｂ）−ＸＩＩ（Ｂ）から視た断面図であり、（Ｃ）は図１１（Ｃ）に示される線分ＸＩＩ（Ｃ）−ＸＩＩ（Ｃ）から視た断面図であり、（Ｄ）は図１１（Ｄ）に示される線分ＸＩＩ（Ｄ）−ＸＩＩ（Ｄ）から視た断面図である。 実施の形態３に係る絶縁型コンバータの回路図である。 実施の形態３に係る絶縁型コンバータにおいて、多層基板の各層を第１面側から見たときの平面図であり、（Ａ）は第１層、（Ｂ）は第２層、（Ｃ）は第３層、（Ｄ）は第４層の平面図である。 （Ａ）は図１４（Ａ）に示される線分ＸＶ（Ａ）−ＸＶ（Ａ）から視た断面図であり、（Ｂ）は図１４（Ｂ）に示される線分ＸＶ（Ｂ）−ＸＶ（Ｂ）から視た断面図であり、（Ｃ）は図１４（Ｃ）に示される線分ＸＶ（Ｃ）−ＸＶ（Ｃ）から視た断面図であり、（Ｄ）は図１４（Ｄ）に示される線分ＸＶ（Ｄ）−ＸＶ（Ｄ）から視た断面図である。 実施の形態４に係る絶縁型コンバータにおいて、多層基板の各層を第１面側から見たときの平面図であり、（Ａ）は第１層、（Ｂ）は第２層、（Ｃ）は第３層、（Ｄ）は第４層の平面図である。 実施の形態５に係る絶縁型コンバータの回路図である。 実施の形態５に係る絶縁型コンバータにおいて、多層基板の各層を第１面側から見たときの平面図であり、（Ａ）は第１層、（Ｂ）は第２層、（Ｃ）は第３層、（Ｄ）は第４層の平面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。

実施の形態１．
＜絶縁型コンバータの構成＞
図１〜図３を参照して、実施の形態１に係る絶縁型コンバータ１００の構成を説明する。絶縁型コンバータ１００は、トランス１と、一次側駆動回路２と、整流回路３と、平滑回路４とを備える。トランス１、一次側駆動回路２、整流回路３および平滑回路４は、多層基板８上に実装されている。

トランス１は、多層基板８に形成された導体パターンにより構成される１次側コイル１１Ａ（図４参照）および２次側コイル１２Ａ，１２Ｂと、磁性体コア１３，１４（図２参照）とを含む。トランス１の詳細な構成については、後述する。一次側駆動回路２は、多層基板８に実装された複数のスイッチング素子２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄを含む。整流回路３は、多層基板８に実装された複数の整流素子３１Ａ，３１Ｂ（図４参照）を含む。平滑回路４は、平滑コンデンサ４１と、多層基板８に形成された導体パターンにより構成される平滑コイル４２と、磁性体コア４３とを含む。多層基板８は、第１面８Ａおよび第１面８Ａと反対側に位置する第２面８Ｄとを有している。多層基板８の第２面８Ｄは筐体７１（冷却器）に接続され、固定されている。

図４に示されるように、一次側駆動回路２は、直列に接続されているスイッチング素子２１Ａおよびスイッチング素子２１Ｂと、スイッチング素子２１Ｃおよびスイッチング素子２１Ｄとで構成されている。スイッチング素子２１Ａとスイッチング素子２１Ｂとの接続点２２と、スイッチング素子２１Ｃとスイッチング素子２１Ｄとの接続点２３との間に、トランス１の１次側コイル１１Ａが接続されている。スイッチング素子２１Ａ，スイッチング素子２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄは、例えばＭＯＳＦＥＴである。スイッチング素子２１Ａ，２１Ｃの各ドレイン端子は、直流電源６のプラス側に接続されている。スイッチング素子２１Ｂ，２１Ｄの各ソース端子は、直流電源６のマイナス側に接続されている。

整流回路３において、整流素子３１Ａ，３１Ｂのカソード端子はトランス１の２次側コイル１２Ａ，１２Ｂと接続されている。整流素子３１Ａ，３１Ｂのアノード端子は、絶縁型コンバータ１００の２次側の基準電位７と接続されている。２次側コイル１２Ａ，１２Ｂの接続点３４は、平滑回路４の平滑コイル４２に接続されている。平滑コイル４２と平滑コンデンサ４１とは、直列に接続されている。平滑回路４の平滑コンデンサ４１の電圧Ｖｏが、絶縁型コンバータ１００の出力電圧（２次側の電圧）Ｖｏとなる。

一次側駆動回路２および平滑回路４は、制御回路５と接続されている。制御回路５は、平滑コンデンサ４１の電圧Ｖｏが所定の値となるように、一次側駆動回路２のスイッチング素子２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄのオンオフ動作を制御する。

＜トランスの構成＞
次に、図２〜図６を参照して、トランス１の具体的な構成を説明する。トランス１の磁性体コア１３，１４は、例えば側面形状がＥ字状のいわゆるＥ型コア１３と、側面形状がＩ字状であるいわゆるＩ型コア１４とで構成されている。Ｅ型コア１３は、外足１３Ａ，１３Ｂおよび中足１３Ｃを有している。多層基板８上においてトランス１が構成されている領域には、第１面８Ａから第２面８Ｄに達する貫通孔８４Ａ，８４Ｂ，８４Ｃが形成されている。貫通孔８４Ａ，８４Ｂ，８４Ｃの各々には、Ｅ型コア１３の外足１３Ａ，１３Ｂ、中足１３Ｃを挿通されている。Ｅ型コア１３の外足１３Ａ，１３Ｂ、中足１３Ｃを連結している連結部は、例えば多層基板８の第１面８Ａ上に配置されている。Ｉ型コア１４は、例えば多層基板８の第２面８Ｄ上に配置され、Ｅ型コア１３の外足１３Ａ，１３Ｂ、中足１３Ｃと接続されている。これにより、磁性体コア１３，１４には、外足１３Ａおよび中足１３Ｃを通る磁路と、外足１３Ｂおよび中足１３Ｃを通る磁路が形成される。

図３に示されるように、多層基板８は、例えば４層の導体パターン層８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃ，８１Ｄと、３層の電気絶縁層８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃとが、第１面８Ａと交差する方向（以下、単に交差する方向という）において交互に積層された積層体として構成されている。導体パターン層８１Ａは第１面８Ａ上に形成されている。導体パターン層８１Ｄは第２面８Ｄ上に形成されている。導体パターン層８１Ｂは、第１面８Ａと第２面８Ｄとの間に形成されており、電気絶縁層８２Ａを挟んで導体パターン層８１Ａと積層されている。導体パターン層８１Ｃは、第１面８Ａと第２面８Ｄとの間に形成されており、電気絶縁層８２Ｃを挟んで導体パターン層８１Ｂと積層されている。導体パターン層８１Ｂは、電気絶縁層８２Ｂを挟んで導体パターン層８１Ｃと積層されている。言い換えると、導体パターン層８１Ａ、電気絶縁層８２Ａ、導体パターン層８１Ｂ、電気絶縁層８２Ｂ、導体パターン層８１Ｃ、電気絶縁層８２Ｃ、導体パターン層８１Ｄは、順に積層されている。

導体パターン層８１Ａ、８１Ｂ、８１Ｃ，８１Ｄを構成する材料は、導電性を有する任意の材料であればよいが、例えば銅（Ｃｕ）を含む。電気絶縁層８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃを構成する材料は、電気的絶縁性を有する任意の材料であればよいが、熱伝導性が比較的高い材料であるのが好ましい。つまり、電気絶縁層８２Ａ〜８２Ｃは、電気的絶縁性を有するとともに、熱伝導率が高い部材（絶縁伝熱部材）として構成されている。

導体パターン層８１Ａ〜８１Ｄの厚みは、例えば３５μｍ以上１０５μｍ以下である。電気絶縁層８２Ａ，８２Ｃの上記交差する方向における厚みは、電気絶縁層８２Ｂの厚みよりも薄く、例えば０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である。電気絶縁層８２Ｂの厚みは、例えば０．６ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である。電気絶縁層８２Ａは、導体パターン層８１Ａと導体パターン層８１Ｂとの間を電気的に絶縁するとともに熱的に接続している。電気絶縁層８２Ｂは、導体パターン層８１Ｂと導体パターン層８１Ｃとの間を電気的に絶縁するとともに熱的に接続している。電気絶縁層８２Ｃは、導体パターン層８１Ｃと導体パターン層８１Ｄとの間を電気的に絶縁するとともに熱的に接続している。

図５に示されるように、導体パターン層８１Ａ、８１Ｂ、８１Ｃ，８１Ｄの各々は、１次側コイル１１Ａまたは２次側コイル１２Ａ，１２Ｂを構成している導体パターンと、当該導体パターンの周囲に形成されている他の導体パターンとを有している。導体パターン層８１Ａ、８１Ｂ、８１Ｃ，８１Ｄの各導体パターンがビア８１Ｅ〜８１Ｊを介して電気的に接続されていることにより、多層基板８上に図２に示される電気回路が形成されている（詳細は後述する）。

図５（Ａ）に示されるように、導体パターン層８１Ａは、２次側コイル１２Ａを構成する第３導体パターン８５Ａと、当該第３導体パターン８５Ａの周囲に形成された導体パターン８６Ａ，８７Ａとを有している。第３導体パターン８５Ａは、貫通孔８４Ｃを囲むように巻線状に形成されている。第３導体パターン８５Ａは、貫通孔８４Ｃと貫通孔８４Ａとの間に形成されている部分と、貫通孔８４Ｃと貫通孔８４Ｂとの間に形成されている部分とを有している。導体パターン８６Ａ，８７Ａは、第３導体パターン８５Ａと間隔を隔てて形成されている。

図５（Ｂ）に示されるように、導体パターン層８１Ｂは、１次側コイル１１Ａを構成する第４導体パターン８５Ｂと、当該第４導体パターン８５Ｂの周囲に形成された導体パターン８６Ｂ（第６導体パターン）および導体パターン８７Ｂとを有している。第４導体パターン８５Ｂは、貫通孔８４Ｃを囲むように巻線状に形成されている。導体パターン８６Ｂ，８７Ｂ，８８Ｂは、第４導体パターン８５Ｂと後述する絶縁距離を隔てて形成されている。

図５（Ｃ）に示されるように、導体パターン層８１Ｃは、１次側コイル１１Ａを構成する第２導体パターン８５Ｃと、当該第２導体パターン８５Ｃの周囲に形成された導体パターン８６Ｃ（第６導体パターン）および導体パターン８７Ｃとを有している。第２導体パターン８５Ｃは、貫通孔８４Ｃを囲むように巻線状に形成されている。導体パターン８６Ｃ，８７Ｃ，８８Ｃは、第２導体パターン８５Ｃと後述する絶縁距離を隔てて形成されている。

図５（Ｄ）に示されるように、導体パターン層８１Ｄは、２次側コイル１２Ｂを構成する第１導体パターン８５Ｄと、当該第１導体パターン８５Ｄの周囲に形成された導体パターン８６Ｄ（第５導体パターン）および導体パターン８７Ｄとを有している。第１導体パターン８５Ｄは、貫通孔８４Ｃを囲むように巻線状に形成されている。第１導体パターン８５Ｄは、貫通孔８４Ｃと貫通孔８４Ａとの間に形成されている部分と、貫通孔８４Ｃと貫通孔８４Ｂとの間に形成されている部分とを有している。導体パターン８６Ｄ，８７Ｄは、第１導体パターン８５Ｄと間隔を隔てて形成されている。

図５（Ａ）〜（Ｄ）に示されるように、第４導体パターン８５Ｂは、上記交差する方向から視たときに（第１面８Ａを平面視したときに）、Ｅ型コアの連結部と重なる位置の大部分（例えば面積率８０％以上、好ましくは９０％以上）が導体パターン層８１Ａ、例えば第３導体パターン８５Ａと重なるように形成されている。第２導体パターン８５Ｃは、第１面８Ａに交差する方向から視たときに（第１面８Ａを平面視したときに）、Ｅ型コアの連結部と重なる位置の大部分（例えば面積率８０％以上、好ましくは９０％以上）が導体パターン層８１Ｄ、例えば第１導体パターン８５Ｄと重なるように形成されている。

図５（Ａ）に示されるように、第３導体パターン８５Ａ上には、熱伝導部材９１Ａ，９１Ｂ，９１Ｃが形成されている。熱伝導部材９１Ｂ，９１Ｃの各々は、磁性体コア１３と多層基板８との間に位置するように形成されている。熱伝導部材９１Ａ，９１Ｂ，９１Ｃの各々は、貫通孔８４Ｃを囲むように形成されている。熱伝導部材９１Ａ，９１Ｂ，９１Ｃの各々は、上記交差する方向から視たときに第３導体パターン８５Ａにおいて第４導体パターン８５Ｂと重なる領域上に形成されている部分を有しているのが好ましい。熱伝導部材９１Ａ，９１Ｂ，９１Ｃの各々は、例えば貫通孔８４Ｃの一辺に沿うように形成されている。熱伝導部材９１Ａと熱伝導部材９１Ｂとは、例えば間隔（空隙部）を隔てて形成されていてもよい。熱伝導部材９１Ａと熱伝導部材９１Ｃとは、例えば間隔を隔てて形成されていてもよい。

図５（Ｄ）に示されるように、第１導体パターン８５Ｄ上には、熱伝導部材９１Ｄ，９１Ｅ，９１Ｆが形成されている。熱伝導部材９１Ｅ，９１Ｆの各々は、磁性体コア１４と多層基板８との間に位置するように形成されている。熱伝導部材９１Ｄ〜９１Ｆの各々は、貫通孔８４Ｃを囲むように形成されている。熱伝導部材９１Ｄ〜９１Ｆの各々は、上記交差する方向から視たときに第１導体パターン８５Ｄにおいて第２導体パターン８５Ｃと重なる領域上に形成されている部分を有しているのが好ましい。熱伝導部材９１Ｄ〜９１Ｆの各々は、例えば貫通孔８４Ｃの一辺に沿うように形成されている。熱伝導部材９１Ｄと熱伝導部材９１Ｅとは、例えば間隔を隔てて形成されていてもよい。熱伝導部材９１Ｄと熱伝導部材９１Ｆとは、例えば間隔を隔てて形成されていてもよい。熱伝導部材９１Ａ〜９１Ｆは、任意の形状を有していればよいが、例えば平面形状が長方形である。第３導体パターン８５Ａ上に形成された３つの熱伝導部材９１Ａ〜９１Ｃと、第１導体パターン８５Ｄ上に形成された３つの熱伝導部材９１Ｄ〜９１Ｆは、それぞれ上記交差する方向から視たときに、例えばコ字状に形成されている。

図５（Ａ）および（Ｄ）に示されるように、第３導体パターン８５Ａ上に形成されている熱伝導部材９１Ａと第１導体パターン８５Ｄ上に形成されている熱伝導部材９１Ｄとは、例えば上記交差する方向から視たときに重なるように形成されている。同様に、熱伝導部材９１Ｂおよび熱伝導部材９１Ｅと、熱伝導部材９１Ｃおよび熱伝導部材９１Ｆとは、例えば上記交差する方向から視たときに重なるように形成されている。熱伝導部材９１Ａと熱伝導部材９１Ｂとの空隙部は熱伝導部材９１Ｄと熱伝導部材９１Ｅとの空隙部と、熱伝導部材９１Ａと熱伝導部材９１Ｃとの空隙部は熱伝導部材９１Ｄと熱伝導部材９１Ｆとの空隙部と、例えば上記交差する方向から視たときに重なるように形成されている。

熱伝導部材９１Ａ〜９１Ｆを構成する材料は、比較的高い熱伝導性を有する任意の材料であればよいが、例えば導体パターン層８１Ａ〜８１Ｄを構成する材料と同等以上の熱伝導率を有する材料を含み、例えばＣｕまたはＣｕ合金を含む。熱伝導部材９１Ａ〜９１Ｆの厚みは、例えば０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である。熱伝導部材９１Ａ〜９１Ｆは、第３導体パターン８５Ａおよび第１導体パターン８５Ｄ上に、例えば半田などの高い熱伝導性を有する材料で接合されている。また、熱伝導部材９１Ａ〜９１Ｆは、下部全面に配置される第３導体パターン８５Ａおよび第１導体パターン８５Ｄと全面で接合されるのが望ましい。

図５（Ａ）〜（Ｄ）、図６（Ａ）および（Ｂ）に示されるように、多層基板８には、各導体パターン層８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃ，８１Ｄを電気的に接続する複数のビア８１Ｅ，８１Ｇ，８１Ｈ，８１Ｉ，８１Ｊが形成されている。ビア８１Ｅ〜８１Ｊを構成する材料は、導電性を有する任意の材料であればよいが、例えばＣｕを含む。ビア８１Ｅ〜８１Ｊは、例えば電気絶縁層８２Ａ〜８２Ｃ上に形成された貫通孔に対して銅めっきが施されることにより、形成されていてもよい。ビア８１Ｅ〜ビア８１Ｊは、第１面８Ａに沿った方向において、各導体パターン層８１Ａ〜８１Ｄ上に分散的に形成されている。

ビア８１Ｅは、第３導体パターン８５Ａの一端、導体パターン８８Ｂ，８８Ｃ、および第１導体パターン８５Ｄの一端と接続されている。ビア８１Ｇは、第３導体パターン８５Ａにおいてビア８１Ｇと接続されている部分とビア８１Ｅと接続されている部分との間に熱伝導部材９１Ｂが位置するように形成されている。ビア８１Ｈは、第３導体パターン８５Ａにおいてビア８１Ｈと接続されている部分とビア８１Ｇと接続されている部分との間に熱伝導部材９１Ａが位置するように形成されている。ビア８１Ｉは、第３導体パターン８５Ａにおいてビア８１Ｉと接続されている部分とビア８１Ｈと接続されている部分との間に熱伝導部材９１Ｃが位置するように形成されている。さらに、ビア８１Ｇ，８１Ｈ，８１Ｉの各々は、導体パターン８６Ｂ，８６Ｃ，８６Ｄと接続されている。ビア８１Ｊは、導体パターン８６Ａと接続されている。ビア８１Ｊは、第１導体パターン８５Ｄの他端と接続されている。

さらに多層基板８には、導体パターン層８１Ｂと導体パターン層８１Ｃとの間のみを電気的に接続するビア８１Ｆが形成されている。なお、ビア８１Ｆは、導体パターン層８１Ｂから第１面８Ａまで、または導体パターン層８１Ｃから第２面８Ｄまで達するように、電気絶縁層８２Ａおよび８２Ｃ内に形成されていてもよい。この場合、ビア８１Ｆは、導体パターン層８１Ａおよび導体パターン層８１Ｄと絶縁距離を隔てて形成され、これらと電気的に接続されないように形成されていればよい。

図６（Ｃ）および（Ｄ）に示されるように、多層基板８には、多層基板８と筐体７１とを固定するための固定具７４Ａ，７４Ｂを挿通される固定穴７３Ａ，７３Ｂが形成されている。固定穴７３Ａ，７３Ｂは、第１面８Ａから第２面８Ｄに達するように形成されており、各導体パターン層８１Ａ〜８１Ｄを貫通している。固定穴７３Ａ，７３Ｂの内周側面上には、導電性を有する材料からなる導電膜、例えばＣｕ膜が形成されていてもよい。当該導電膜は、例えばメッキ法により成膜され得る。

上記のような構成を示す多層基板８は、第２面８Ｄ側において筐体７１と接続され固定されている。第２面８Ｄ上に形成されている第１導体パターン８５Ｄおよび第５導体パターン８６Ｄの各々は、筐体７１と放熱シート７２を介して接続されている。第２面８Ｄ上に形成されている導体パターン８７Ｄは、筐体７１と直接接続されている。放熱シート７２を構成する材料は、電気的絶縁性を有し、かつ比較的高い熱伝導性を有する材料（例えば熱伝導率が１．０Ｗ／ｍＫ以上の材料）である。放熱シート７２は、例えば信越化学工業（株）製の低硬度放熱シリコーンゴムシートＴＣ−ＣＡＳ−１０（熱伝導率１．８Ｗ／ｍＫ）、または電気化学工業（株）製の放熱スペーサーＦＳＬ−Ｊ（熱伝導率１．０Ｗ／ｍＫ）を採用し得る。

次に、図２、図５および図６を参照して、多層基板８上に形成されている電気回路、特にトランス１に関する回路について説明する。図２、図５（Ｂ）および（Ｃ）を参照して、第４導体パターン８５Ｂの一端および第２導体パターン８５Ｃの一端は、ビア８１Ｆを介して接続されている。第４導体パターン８５Ｂの他端は、一次側駆動回路２の接続点２２と接続されている。第２導体パターン８５Ｃの他端は、一次側駆動回路２の接続点２３と接続されている。これにより、第４導体パターン８５Ｂおよび第２導体パターン８５Ｃは、接続点２２，２３に対して直列に接続され、１次側コイル１１Ａを構成している。

図２、図５（Ａ）、（Ｄ）、図６（Ａ）および（Ｂ）を参照して、第３導体パターン８５Ａの一端は、整流素子３１Ａのカソード端子と接続されている。第１導体パターン８５Ｄの一端は、整流素子３１Ｂのカソード端子と、導体パターン８６Ａおよびビア８１Ｊを介して接続されている。第３導体パターン８５Ａの他端および第１導体パターン８５Ｄの他端は、ビア８１Ｅを介して接続されており、かつビア８１Ｅを介して導体パターン８８Ｂおよび導体パターン８８Ｃと接続されている。導体パターン８８Ｂ，８８Ｃは、平滑回路４の接続点３４と接続されている。これにより、第３導体パターン８５Ａおよび第１導体パターン８５Ｄは、接続点３４に並列に接続され、２次側コイル１２Ａおよび２次側コイル１２Ｂを構成している。整流素子３１Ａ，３１Ｂの各アノード端子は、導体パターン８７Ａ、固定穴７３Ａ，７３Ｂ、導体パターン８７Ｄを介して、基準電位７となる筐体７１と接続されている。

多層基板８において、導体パターン層８１Ｂおよび導体パターン層８１Ｃ上には、トランス１の１次側の回路と２次側の回路とが形成されている。具体的には、第４導体パターン８５Ｂおよび第２導体パターン８５Ｃは、一次側駆動回路２に接続されている。導体パターン８６Ｂ，８７Ｂ，８８Ｂ、および導体パターン８６Ｃ，８７Ｃ，８８Ｃは、整流回路３、平滑回路４などの２次側の回路と接続されている。一方、導体パターン層８１Ａおよび導体パターン層８１Ｄ上には、ビア８１Ｆを除き、トランス１の２次側の回路のみが形成されている。具体的には、第３導体パターン８５Ａ、導体パターン８６Ａ、導体パターン８７Ａ、第１導体パターン８５Ｄ、第５導体パターン８６Ｄ、導体パターン８７Ｄは、整流回路３、平滑回路４などの２次側の回路と接続されている。多層基板８において、１次側の回路を構成する各導体パターンと２次側の回路を構成する各導体パターンとは、絶縁型コンバータ１００に要求される絶縁耐圧（例えば２ｋＶ／ｍｉｎ）を満足し得る絶縁距離以上を隔てて形成されている。なお絶縁距離は、電気絶縁層８２Ａ〜８２Ｃ内に埋め込まれている導体パターン層８１Ｂ，８１Ｃにおける絶縁距離は、電気絶縁層に埋め込まれていない導体パターン層８１Ａ，８１Ｄにおける絶縁距離よりも短くなる。

次に、図５および図６を参照して、多層基板８に形成されている放熱経路、特にトランス１に関する放熱経路について説明する。図６（Ａ）〜（Ｄ）において、一部の放熱経路を点線および矢印で例示している。

図５（Ｂ）、図６（Ａ），（Ｂ）および（Ｄ）を参照して、第４導体パターン８５Ｂに生じた熱は、第４導体パターン８５Ｂ上に伝えられるとともに、第４導体パターン８５Ｂから電気絶縁層８２Ａを介して、上記交差する方向から視たときに第４導体パターン８５Ｂと重なる位置に形成されている第３導体パターン８５Ａおよび熱伝導部材９１Ａ〜９１Ｃに伝えられる。第３導体パターン８５Ａおよび熱伝導部材９１Ａ〜９１Ｃに伝えられた熱は、第３導体パターン８５Ａに生じた熱とともに、ビア８１Ｅ，８１Ｇ〜８１Ｊから第１導体パターン８５Ｄ、導体パターン８６Ｄ，８７Ｄを経て、筐体７１に伝えられる。さらに、第３導体パターン８５Ａおよび熱伝導部材９１Ａ〜９１Ｃに伝えられた熱は、電気絶縁層８２Ａを介して導体パターン８６Ｂ，８８Ｂに伝えられ、ビア８１Ｅ，８１Ｇ〜８１Ｊから第１導体パターン８５Ｄ、導体パターン８６Ｄ，８７Ｄを経て、筐体７１に伝えられる。第４導体パターン８５Ｂと第３導体パターン８５Ａとが上記交差する方向において重なる領域が大きいほど、電気絶縁層８２Ａを介した伝熱が効果的に行われる。

図５（Ｃ）、図６（Ａ），（Ｂ）および（Ｄ）を参照して、第２導体パターン８５Ｃに生じた熱は、第２導体パターン８５Ｃ上に伝えられるとともに、第２導体パターン８５Ｃから電気絶縁層８２Ｃを介して、上記交差する方向から視たときに第２導体パターン８５Ｃと重なる位置に形成されている第１導体パターン８５Ｄおよび熱伝導部材９１Ｄ〜９１Ｆに伝えられる。第１導体パターン８５Ｄおよび熱伝導部材９１Ｄ〜９１Ｆに伝えられた熱は、第１導体パターン８５Ｄに生じた熱とともに、筐体７１に伝えられる。第２導体パターン８５Ｃと第１導体パターン８５Ｄとが上記交差する方向において重なる領域が大きいほど、電気絶縁層８２Ｃを介した伝熱が効果的に行われる。

＜作用効果＞
絶縁型コンバータ１００は、第１面８Ａおよび第１面８Ａと反対側に位置する第２面８Ｄとを有し、第１面８Ａから第２面８Ｄにまで達する第１貫通孔８４Ｃが形成されている多層基板８と、一部が第１貫通孔８４Ｃに挿通された磁性体コア１３とを備える。多層基板８は、第１面８Ａ上において第１貫通孔８４Ｃの周囲に巻線状に形成されている第３導体パターン８５Ａと、第２面８Ｄ上において第１貫通孔８４Ｃの周囲に巻線状に形成されている第１導体パターン８５Ｄと、第１面８Ａと第２面８Ｄとの間において第１貫通孔８４Ｃの周囲に巻線状に形成されており、かつ、第１面８Ａと交差する方向から視たときに、第３導体パターン８５Ａと重なる位置に形成されている第４導体パターン８５Ｂと、第３導体パターン８５Ａおよび第１導体パターン８５Ｄの少なくともいずれかの上に形成されており、かつ、多層基板８と磁性体コア１３との間に配置されている部分を有する少なくとも１つの熱伝導部材９１Ａ〜９１Ｆと、第３導体パターン８５Ａおよび第１導体パターン８５Ｄと第４導体パターン８５Ｂとの間を電気的に絶縁している電気絶縁層８２Ａ，８２Ｃ（絶縁伝熱部材）とを含む。第３導体パターン８５Ａと第１導体パターン８５Ｄとは電気的に接続されている。

このような絶縁型コンバータ１００によれば、第３導体パターン８５Ａおよび第１導体パターン８５Ｄと第４導体パターン８５Ｂとの間を電気的に絶縁している電気絶縁層８２Ａ，８２Ｃを含むことにより、第４導体パターン８５Ｂを１次側コイルとして、第３導体パターン８５Ａおよび第１導体パターン８５Ｄを２次側コイルとして構成し得る。そして、第４導体パターン８５Ｂが第３導体パターン８５Ａと重なる位置に形成されていることにより、絶縁型コンバータ１００は、１次側コイルと２次側コイルとが第１面上に並んで形成されていた従来の絶縁型コンバータと比べて、小型化され得る。

さらに、絶縁型コンバータ１００によれば、第４導体パターン８５Ｂが第３導体パターン８５Ａと重なる位置に形成されていることにより、第４導体パターン８５Ｂに生じた熱は電気絶縁層８２Ａを介して第３導体パターン８５Ａに伝えられる。さらに、絶縁型コンバータ１００によれば、第３導体パターン８５Ａ上に熱伝導部材９１Ａ〜９１Ｃが形成されていることにより、第３導体パターン８５Ａに生じた熱および第３導体パターン８５Ａに伝えられた熱を第１面８Ａに沿った方向に伝えることができる。その結果、コイルパターンである第３導体パターン８５Ａおよび第４導体パターン８５Ｂ上に大きな温度差が形成されることを抑制することができるため、絶縁型コンバータ１００は第３導体パターン８５Ａを放熱経路に組み込むことにより、高い放熱性を有し得る。コイルパターン上に大きな温度差が形成される場合には、当該コイルパターンにおいて相対的に温度が高くなりやすい部分の近くに放熱経路なるべき伝熱用ビアを形成する必要がある。また、当該伝熱用ビアは、上記交差する方向に重なるように形成されている１次側コイルおよび２次側コイルに対して形成される場合に、少なくとも一方のコイルと絶縁距離を隔てて形成される必要がある。その場合、トランスは絶縁距離の分小型化が困難となる。これに対し、絶縁型コンバータ１００によれば、第３導体パターン８５Ａ、第４導体パターン８５Ｂの近くに伝熱用ビアを形成することなく高い放熱性を有することができるため、１次側コイルと２次側コイルとが重なるように形成されかつこれらのコイルの近くに伝熱用ビアが形成される絶縁型コンバータと比べても、さらに小型化され得る。

上記絶縁型コンバータ１００において、多層基板８は、第１面８Ａと第２面８Ｄとの間において第１貫通孔８４Ｃの周囲に巻線状に形成されており、上記交差する方向から視たときに、第３導体パターン８５Ａおよび第１導体パターン８５Ｄの少なくともいずれかと重なる位置に形成されている部分を有する第２導体パターン８５Ｃをさらに含む。第３導体パターン８５Ａ、第４導体パターン８５Ｂ、第２導体パターン８５Ｃ、および第１導体パターン８５Ｄは、上記交差する方向に順に形成されている。第４導体パターン８５Ｂと第２導体パターン８５Ｃとは電気的に接続されている。第３導体パターン８５Ａと第４導体パターン８５Ｂとの間の交差する方向における距離、および第１導体パターン８５Ｄと第２導体パターン８５Ｃとの間の交差する方向における距離は、第４導体パターン８５Ｂと第２導体パターン８５Ｃとの間の交差する方向における距離よりも短い。すなわち、電気絶縁層８２Ａ，８２Ｃの厚みは、電気絶縁層８２Ｂの厚みよりも薄い。

このようにすれば、多層基板８の第１面８Ａと第２面８Ｄとの間にコイルパターンを複数形成することができるため、例えば第４導体パターン８５Ｂおよび第２導体パターン８５Ｃからなる１次側コイル１１Ａ（あるいは２次側コイル）の巻数を容易に増やすことができる。さらに、電気絶縁層８２Ａ，８２Ｃの厚みは電気絶縁層８２Ｂの厚みよりも薄いため、電気絶縁層８２Ａを介した第４導体パターン８５Ｂから第３導体パターン８５Ａへの熱伝導、および電気絶縁層８２Ｃを介した第２導体パターン８５Ｃから第１導体パターン８５Ｄへの熱伝導を、効率的に行うことができる。

また、電気絶縁層８２Ｂが厚く形成されている場合、導体パターン層８１Ｂに形成されている巻線状の第４導体パターン８５Ｂと導体パターン層８１Ｃに形成されている巻線状の第２導体パターン８５Ｃとの間に生じる寄生のコンデンサを低減できる。そのため、絶縁型コンバータ１００によれば、ノイズの原因となるスイッチング素子のオンオフ動作時の振動も抑制できる。

上記絶縁型コンバータ１００において、第１導体パターン８５Ｄの少なくとも一部と接続されている筐体７１をさらに備える。このようにすれば、第１導体パターン８５Ｄ、および第１導体パターン８５Ｄと電気的に接続されている第３導体パターン８５Ａを、第４導体パターン８５Ｂから筐体７１に至る放熱経路に組み込むことができる。そのため、絶縁型コンバータ１００は、上述の構成により第３導体パターン８５Ａにおいて大きな温度差が形成されることが抑制されているため、高い放熱性を有している。

上記絶縁型コンバータ１００において、多層基板８は、上記交差する方向から視たときに、第３導体パターン８５Ａと少なくとも一部が重なるが第１導体パターン８５Ｄおよび第４導体パターン８５Ｂとは重ならない第２面８Ｄ上の領域に形成されている第５導体パターン８６Ｄと、第１面８Ａから第２面８Ｄにまで達するように形成されており、かつ第３導体パターン８５Ａと第５導体パターン８６Ｄとを接続するビア８１Ｇとをさらに含む。第５導体パターン８６Ｄの少なくとも一部は筐体７１と接続されている。

このようにすれば、第３導体パターン８５Ａから第１導体パターン８５Ｄを経て筐体７１に至る放熱経路に加えて、第３導体パターン８５Ａから第５導体パターン８６Ｄを経て筐体７１に至る放熱経路を形成することができる。そのため、このような構成を備える絶縁型コンバータ１００は、第３導体パターン８５Ａから第１導体パターン８５Ｄを経て筐体７１に至る放熱経路のみが形成された絶縁型コンバータ１００と比べて、さらに高い放熱性を有している。

上記絶縁型コンバータ１００において、多層基板８は、第１面８Ａと第２面８Ｄとの間に形成されており、上記交差する方向から視たときに、第３導体パターン８５Ａおよび第１導体パターン８５Ｄの少なくともいずれかと重なる位置に形成されている部分を有する第６導体パターン８６Ｂ，８６Ｃをさらに含む。第４導体パターン８５Ｂと第６導体パターン８６Ｂ，８６Ｃとは、電気的に絶縁されている。第６導体パターン８６Ｂ，８６Ｃは、筐体７１と接続されている。

このようにすれば、第３導体パターン８５Ａから第１導体パターン８５Ｄを経て筐体７１に至る放熱経路に加えて、第３導体パターン８５Ａから第６導体パターン８６Ｂ，８６Ｃを経て筐体７１に至る放熱経路をさらに形成することができる。そのため、このような構成を備える絶縁型コンバータ１００は、第３導体パターン８５Ａから第１導体パターン８５Ｄを経て筐体７１に至る放熱経路のみが形成された絶縁型コンバータ１００と比べて、さらに高い放熱性を有している。

＜変形例＞
絶縁型コンバータ１００において、多層基板８の第３導体パターン８５Ａおよび第１導体パターン８５Ｄ上に形成され得る熱伝導部材は、図５および図６に示される構成に限られるものでは無い。

図７（Ａ）に示されるように、第３導体パターン８５Ａ上には、平面形状がＬ字状である２つの熱伝導部材９１Ｇ，９１Ｈが互いに間隔を隔てて形成されていてもよい。図７（Ｂ）に示されるように、第３導体パターン８５Ａ上には、平面形状がコ字状である１つの熱伝導部材９１Ｊが形成されていてもよい。

図８（Ａ）および（Ｂ）に示されるように、熱伝導部材９１Ｋは、上記交差する方向から視たときに、ビア８１Ｇ，８１Ｈと重なるように形成されて、ビア８１Ｇ，８１Ｈと接続されていてもよい。熱伝導部材９１Ｋは、例えば第３導体パターン８５Ａ上にリフロー半田付けにより接続され得るが、このとき半田の量を多めにしておくことにより、リフローで加熱した際にビア８１Ｇ，８１Ｈの内部に半田を埋めることができる。これにより、ビア８１Ｇ，８１Ｈの内壁に形成された銅めっき内に半田が充填されるため、銅めっきに加え半田も熱輸送路とすることができる。その結果、ビア８１Ｇ，８１Ｈを介した放熱性を高めることができる。なお、図７および図８は、第３導体パターン８５Ａ上の熱伝導部材を示しているが、第１導体パターン８５Ｄ上に形成される熱伝導部材も同様の構成を採り得る。

上述のように、第４導体パターン８５Ｂと第２導体パターン８５Ｃとを接続しているビア８１Ｆは、第２面８Ｄまで達するように形成されていてもよい。この場合、図９に示されるように、第４導体パターン８５Ｂおよび第２導体パターン８５Ｃは、ビア８１Ｆと接続されている部分の幅（第４導体パターン８５Ｂおよび第２導体パターン８５Ｃの延在方向に垂直な方向の長さ）を他の部分と比べて相対的に細くしてもよい。このようにしても、相対的に幅狭な部分はビア８１Ｆに接続されているため放熱性が高い。また、相対的に幅広な部分はビア８１Ｆに接続されている当該幅狭な部分から離れた位置にあるが、その面積が相対的に大きいため、電気絶縁層８２Ａ，８２Ｃ（図３参照）を介して第３導体パターン８５Ａまたは第１導体パターン８５Ｄに効率的に放熱することができる。

実施の形態２．
次に、図１０〜図１２を参照して、実施の形態２に係る絶縁型コンバータについて説明する。実施の形態２に係る絶縁型コンバータは基本的に実施の形態１に係る絶縁型コンバータ１００と同様の構成を備えるが、２次側の回路構成および２次側の回路を構成する多層基板８上の導体パターンの構成が異なっている。

図１０に示されるように、整流回路３を構成する整流素子３１Ｃ，３１Ｄのアノード端子は、トランス１の２次側コイル１２Ａ、１２Ｂと接続されている。整流素子３１Ｃ，３１Ｄのカソード端子は、平滑回路４と接続されている（接続点４４）。

図１１に示されるように、第３導体パターン８５Ａの一端は整流素子３１Ｃのアノード端子に接続されている。第３導体パターン８５Ａの他端には、固定穴７３Ｃが形成されている。固定穴７３Ｃは、固定穴７３Ａ，７３Ｂと同様の構成を備えており、第１面８Ａから第２面８Ｄに達するように形成されており、各導体パターン層８１Ａ〜８１Ｄを貫通している。固定穴７３Ｃの内周側面上には、導電性を有する材料からなる導電膜、例えばＣｕ膜が形成されていてもよい。当該導電膜は、例えばメッキ法により成膜され得る。第３導体パターン８５Ａの他端は、固定穴７３Ｃを介して第１導体パターン８５Ｄおよび筐体７１と接続されている。整流素子３１Ｄのアノード端子は、第３導体パターン８５Ａと絶縁距離を隔てて形成されている導体パターン８６に接続されている。

整流素子３１Ｃ，３１Ｄのカソード端子は、導体パターン層８１Ａ上において第３導体パターン８５Ａと絶縁距離を隔てて形成された導体パターン８９Ａに接続されている。導体パターン８９Ａは、接続点４４を成している。

導体パターン層８１Ｂ，８１Ｃ，８１Ｄの各々には、第４導体パターン８５Ｂ、第２導体パターン８５Ｃ、第１導体パターン８５Ｄと絶縁距離を隔てて形成された導体パターン８９Ｂ，８９Ｃ，８９Ｄが形成されている。導体パターン８９Ａ〜８９Ｄは、ビア８１Ｋを介して接続されており、さらに放熱シート７２を介して筐体７１と接続されている。

図１１（Ａ）および（Ｄ）に示されるように、第３導体パターン８５Ａ上には、熱伝導部材９１Ｌ，９１Ｍ，９１Ｎが形成されている。第１導体パターン８５Ｄ上には、熱伝導部材９１Ｐ，９１Ｑ，９１Ｒが形成されている。熱伝導部材９１Ｌ〜９１Ｒの各々は、基本的に熱伝導部材９１Ａ〜９１Ｆと同様の構成を備えるが、第３導体パターン８５Ａ上に形成されている熱伝導部材間の空隙部が第１導体パターン８５Ｄ上に形成されている熱伝導部材と重なるように形成されている点で異なる。

熱伝導部材９１Ｌと熱伝導部材９１Ｍとの空隙部は熱伝導部材９１Ｑと、上記交差する方向から視たときに重なるように形成されている。熱伝導部材９１Ｌと熱伝導部材９１Ｎとの空隙部は熱伝導部材９１Ｐと、上記交差する方向から視たときに重なるように形成されている。同様に、上記交差する方向から視たときに、熱伝導部材９１Ｐと熱伝導部材９１Ｑとの空隙部は熱伝導部材９１Ｌと重なるように形成されており、熱伝導部材９１Ｐと熱伝導部材９１Ｒとの空隙部は熱伝導部材９１Ｎと重なるように形成されている。

実施の形態２に係る絶縁型コンバータの放熱経路は、基本的には実施の形態１に係る絶縁型コンバータ１００の放熱経路と同様である。すなわち、第４導体パターン８５Ｂが第３導体パターン８５Ａと重なる位置に形成されていることにより、第４導体パターン８５Ｂに生じた熱は電気絶縁層８２Ａを介して第３導体パターン８５Ａに伝えられ得る。さらに、第３導体パターン８５Ａ上に熱伝導部材９１Ｌ〜９１Ｎが形成されていることにより、第３導体パターン８５Ａに生じた熱および第３導体パターン８５Ａに伝えられた熱を第１面８Ａに沿った方向に伝えることができる。

そのため、実施の形態２に係る絶縁型コンバータは、実施の形態１に係る絶縁型コンバータ１００と同様の効果を奏することができる。

一方で、実施の形態１に係る絶縁型コンバータ１００のように、熱伝導部材９１Ｌと熱伝導部材９１Ｍとの空隙部が熱伝導部材９１Ｌと熱伝導部材９１Ｍとの空隙部と上記交差する方向から視たときに重なるように形成されている場合、空隙部を起点に多層基板８に反りが生じる可能性がある。多層基板８に反りが生じた場合、その反り量によっては多層基板８がダメージを受けることもある。また、多層基板８に反りが生じた場合、その反り量によっては多層基板８の反り量の分だけ多層基板８と筐体７１との間を接続する放熱シート７２の厚みを厚くする必要が生じ、その結果絶縁型コンバータ１００の放熱性が低下するという問題が生じ得る。このような問題は、例えば多層基板８の厚みを厚くしてその剛性を高め、多層基板８の反り量の増大を抑制することで、対応され得る。

これに対し、実施の形態２に係る絶縁型コンバータは、熱伝導部材９１Ｌと熱伝導部材９１Ｍとの空隙部は熱伝導部材９１Ｑと上記交差する方向から視たときに重なるように形成されているため、熱伝導部材９１Ｌと熱伝導部材９１Ｍとの空隙部を起点とする多層基板８の反りを熱伝導部材９１Ｑにより抑制することができる。その結果、実施の形態２に係る絶縁型コンバータは、実施の形態１に係る絶縁型コンバータ１００と同様に高い放熱性を有しながらも、絶縁型コンバータ１００と比べて多層基板８の厚みを薄くすることもできる。

また、実施の形態２に係る絶縁型コンバータによれば、第３導体パターン８５Ａおよび第１導体パターン８５Ｄの一端は、筐体７１と同電位となるため固定穴７３Ｃを介して筐体７１と直接接続されている。そのため、実施の形態２に係る絶縁型コンバータによれば、放熱シート７２を介して筐体７１と接続されている絶縁型コンバータ１００と比べて、第３導体パターン８５Ａおよび第１導体パターン８５Ｄを介する放熱経路の放熱性が高められている。

実施の形態３．
次に、図１３〜図１５を参照して、実施の形態３に係る絶縁型コンバータについて説明する。実施の形態３に係る絶縁型コンバータは基本的に実施の形態１に係る絶縁型コンバータ１００と同様の構成を備えるが、１次側および２次側の回路構成および各回路を構成する多層基板８上の導体パターンの構成が異なっている。

実施の形態３に係る絶縁型コンバータでは、トランス１の１次側コイル１１Ｂ，１１Ｃが、導体パターン層８１Ａに形成されている第３導体パターン８５Ｅおよび導体パターン層８１Ｄに形成されている第１導体パターン８５Ｈにより構成されている。トランス１の２次側コイル１２Ｃが、導体パターン層８１Ｂに形成されている第４導体パターン８５Ｆおよび導体パターン層８１Ｃに形成されている第２導体パターン８５Ｇにより構成されている。第３導体パターン８５Ｅ、第１導体パターン８５Ｈ、第４導体パターン８５Ｆ、第２導体パターン８５Ｇは、固定穴７４Ｃを囲むように巻線状に形成されている。

図１３に示されるように、一次側駆動回路２は、スイッチング素子２１Ｅ，２１Ｆを含む。スイッチング素子２１Ｅ，２１Ｆの各ドレイン端子は、トランス１の１次側コイル１１Ｂ，１１Ｃの一端と接続されている。スイッチング素子２１Ｅ，２１Ｆのソース端子が入力電圧Ｖｉｎである直流電源のマイナス側（基準電位７）に接続されている。トランス１の１次側コイル１１Ｂ，１１Ｃの接続点２７は、直流電源のプラス側に接続されている。

図１３に示されるように、整流回路３は、直列に接続された整流素子３１Ｅ，３１Ｆと、整流素子３１Ｇ，３１Ｈとで構成されている。整流素子３１Ｅと整流素子３１Ｆとの接続点３５と、整流素子３１Ｇと整流素子３１Ｈとの接続点３６との間に、トランス１の２次側コイル１２Ｃが接続されている。整流素子３１Ｅ，３１Ｇのカソード端子は、平滑コイル４２に接続されている。整流素子３１Ｅ，３１Ｇのアノード端子は、平滑コンデンサ４１のマイナス側に接続されている。

図１４（Ａ）および（Ｄ）に示されるように、多層基板８の第１面８Ａ上に形成されている導体パターン層８１Ａは、１次側コイル１１Ｃを構成する第３導体パターン８５Ｅと、第３導体パターン８５Ｅの角部と絶縁距離を隔てて隣り合うように形成されている導体パターン９０Ａとを有している。導体パターン９０Ａは、固定穴７３Ｃを介して筐体７１と接続されている。言い換えると、導体パターン層８１Ａは、筐体７１と接続される導体パターン９０Ａを有するとともに、導体パターン９０Ａと絶縁距離を隔てて形成されており、かつ可能な限り大きな面積を有するように形成されている第３導体パターン８５Ｅを有している。

多層基板８の第２面８Ｄ上に形成されている導体パターン層８１Ｄは、１次側コイル１１Ｂを構成する第１導体パターン８５Ｈを有している。第１面８Ａと第２面８Ｄとの間に形成されている導体パターン層８１Ｂ，８１Ｃは、それぞれ２次側コイル１１Ｃを構成する第４導体パターン８５Ｆ、第２導体パターン８５Ｇを有している。

多層基板８には、固定穴７３Ｄ，７３Ｅ，７３Ｆ，７３Ｇが形成されている。固定穴７３Ｄ〜７３Ｇは、固定穴７３Ａ，７３Ｂと基本的に同様の構成を備えている。固定穴７３Ｄ〜７３Ｇは、導体パターン層８１Ａ〜８１Ｄ上に形成されている導体パターンと接続されており、かつ筐体７１と接続されている。固定穴７３Ｄ，７３Ｅは、第３導体パターン８５Ｅの角部と絶縁距離を隔てて隣り合うように形成されている導体パターン９０Ａと、第４導体パターン８５Ｆと絶縁距離を隔てて隣り合うように形成されている導体パターン９０Ｂと、第２導体パターン８５Ｇと絶縁距離を隔てて隣り合うように形成されている導体パターン９０Ｃと、第１導体パターン８５Ｈの角部と絶縁距離を隔てて隣り合うように形成されている導体パターン９０Ｄと、接続されている。導体パターン９０Ｂ，９０Ｃは、第１面８Ａと第２面８Ｄとの間に形成されており、上記交差する方向から視たときに、第３導体パターン８５Ｅおよび第１導体パターン８５Ｈの少なくともいずれかと重なる位置に形成されている部分を有する第６導体パターンとして形成されている。

第３導体パターン８５Ｅの一端は、スイッチング素子２１Ｆのドレイン端子と接続されており、かつビア８１Ｌと接続されている。第３導体パターン８５Ｅの他端は、ビア８１Ｌおよび接続点２７と接続されている。スイッチング素子２１Ｅ，２１Ｆのソース端子は、例えば固定穴７３Ｆ，７３Ｇを介して筐体７１（基準電位７）に接続されている。第１導体パターン８５Ｈの一端は、ビア８１Ｎを介してスイッチング素子２１Ｅのドレイン端子と接続されている。第１導体パターン８５Ｈの他端は、ビア８１Ｌおよび接続点２７と接続されている。第４導体パターン８５Ｆの一端は、整流回路３の接続点３５と接続されている。第２導体パターン８５Ｇの一端は、整流回路３の接続点３６と接続されている。第４導体パターン８５Ｆの他端は、ビア８１Ｆを介して第２導体パターン８５Ｇの他端と接続されている。

図１４（Ａ）および（Ｄ）に示されるように、第３導体パターン８５Ｅ上に熱伝導部材９１Ｓ，９１Ｔ，９１Ｕが形成されている。第１導体パターン８５Ｈ上に熱伝導部材９１Ｖ，９１Ｗ，９１Ｘが形成されている。熱伝導部材９１Ｓ〜９１Ｘは、熱伝導部材９１Ａ〜９１Ｆと基本的に同様の構成を備えている。熱伝導部材９１Ｔ，９１Ｕ，９１Ｗ，９１Ｘは、第３導体パターン８５Ｅまたは第１導体パターン８５Ｈにおいて導体パターン９０Ａと絶縁距離を隔てて隣り合う部分上に形成されている。熱伝導部材９１Ｔ，９１Ｕ，９１Ｗ，９１Ｘは、平面形状が凸字状である。

第４導体パターン８５Ｆと絶縁距離を隔てて形成されている複数の導体パターン８６Ｂは、それぞれ固定穴７３Ｄ，７３Ｅ、ビア８１Ｌ，８１Ｍ，８１Ｎと接続されている。第２導体パターン８５Ｇと絶縁距離を隔てて形成されている複数の導体パターン８６Ｃは、それぞれ固定穴７３Ｄ，７３Ｅ、ビア８１Ｌ，８１Ｍ，８１Ｎと接続されている。

固定穴７３Ｄ，７３Ｅと接続されている導体パターン８６Ｂ，８６Ｃは、上記交差する方向から視たときに、第３導体パターン８５Ｅおよび第１導体パターン８５Ｈと重なるように形成されている。

実施の形態３に係る絶縁型コンバータの放熱経路は、基本的には実施の形態１に係る絶縁型コンバータ１００の放熱経路と同様である。第４導体パターン８５Ｆに生じた熱は、電気絶縁層８２Ａを介して第３導体パターン８５Ｅに伝わり、第３導体パターン８５Ｅに生じた熱とともに熱伝導部材９１Ｓ〜９１Ｕに拡がった後、ビア８１Ｌ〜８１Ｎおよび放熱シート７２を介して筐体７１に伝えられる。また、第３導体パターン８５Ｅに生じた熱および第４導体パターン８５Ｆから第３導体パターン８５Ｅに伝えられた熱は、熱伝導部材９１Ｓ〜９１Ｕに拡がった後、電気絶縁層８２Ａを介して導体パターン８６Ｂに伝わり、固定穴７３Ｄ，７３Ｅおよび固定具７４Ｄ，７４Ｅ（例えばネジ）を介して筐体７１に伝えられる。同様に、第２導体パターン８５Ｇに生じた熱は、電気絶縁層８２Ｃを介して第１導体パターン８５Ｈに伝わり、第１導体パターン８５Ｈに生じた熱とともに熱伝導部材９１Ｖ〜９１Ｘに拡がった後、放熱シート７２を介して筐体７１に伝えられる。また、第２導体パターン８５Ｇに生じた熱は、電気絶縁層８２Ｃを介して導体パターン８６Ｄに伝わり、固定穴７３Ｃ，７３Ｄを介して筐体７１に伝えられる。

すなわち、第４導体パターン８５Ｆが第３導体パターン８５Ｅと重なる位置に形成されていることにより、第４導体パターン８５Ｆに生じた熱は電気絶縁層８２Ａを介して第３導体パターン８５Ｅに伝えられ得る。さらに、第３導体パターン８５Ｅ上に熱伝導部材９１Ｓ〜９１Ｕが形成されていることにより、第３導体パターン８５Ｅに生じた熱および第３導体パターン８５Ｅに伝えられた熱を第１面８Ａに沿った方向に伝えることができる。

そのため、実施の形態３に係る絶縁型コンバータは、実施の形態１に係る絶縁型コンバータ１００と同様の効果を奏することができる。

また、実施の形態３に係る絶縁型コンバータによれば、固定穴７３Ｄ，７３Ｅを介して筐体７１と直接接続されている導体パターン９０Ａ，９０Ｂが、１次側コイルまたは２次側コイルとして構成されている第３導体パターン８５Ｅ，第２導体パターン８５Ｇの角部または第１導体パターン８５Ｈ，第４導体パターン８５Ｆの近くに形成されている。

そのため、実施の形態３に係る絶縁型コンバータによれば、絶縁型コンバータ１００と比べて、第３導体パターン８５Ａおよび第１導体パターン８５Ｄを介する放熱経路の放熱性が高められている。

実施の形態１〜３に係る絶縁型コンバータにおいて、１次側コイルおよび２次側コイルの巻数は、昇圧比または降圧比に応じて任意の数であればよい。例えば、図４および図５に示される実施の形態１に係る絶縁型コンバータ１００において、１次側コイル１１Ａの巻数を６とし、２次側コイル１２Ａ，１２Ｂの各巻数を１とすると、トランス１は降圧比６：１となる。

実施の形態４．
実施の形態１〜３に係る絶縁型コンバータにおいて、１次側コイル１１Ａは第４導体パターン８５Ｂおよび第２導体パターン８５Ｃにより構成されているが、これに限られるものではない。図１６に示されるように、１次側コイル１１Ａは第２導体パターン８５Ｃのみにより構成されていてもよい。

導体パターン層８１Ｂには、第４導体パターン８５Ｂに代えて第７導体パターン９２Ｂが形成されている。上記交差する方向から視たときに、第７導体パターン９２Ｂは、第３導体パターン８５Ａ、第２導体パターン８５Ｃおよび第１導体パターン８５Ｄと重なる位置に形成されている。第７導体パターン９２Ｂの一端は、ビア８１Ｆを介しておよび第２導体パターン８５Ｃの一端と接続されている。第７導体パターン９２Ｂの他端は、一次側駆動回路２の接続点２２と接続されている。

図１６（ｂ）に示されるように、各第６導体パターン８６Ｂは、導体パターン層８１Ｂ上において、上記第７導体パターン９２Ｂおよび導体パターン８７Ｂ，８８Ｂが形成されていない領域に広く形成されていてもよい。実施の形態４における導体パターン８１Ｂ層中の各第６導体パターン８６Ｂの合計の面積は、例えば実施の形態１〜３における導体パターン８１Ｂ層中の各第６導体パターン８６Ｂの合計の面積と比べて、大きくてもよい。複数の第６導体パターン８６Ｂ、第７導体パターン９２Ｂおよび導体パターン８７Ｂ，８８Ｂの各々は、絶縁距離を隔てて形成されている。貫通孔８４Ｃと貫通孔８４Ａとの間、および貫通孔８４Ｃと貫通孔８４Ｂとの間を電流が流れないようにされているため、上記絶縁型コンバータにおいてトランスは正常に動作し得る。

第２導体パターン８５Ｃが１次側コイルとして、第３導体パターン８５Ａおよび第１導体パターン８５Ｄが２次側コイルとして構成されている。そのため、実施の形態４に係る絶縁型コンバータは、１次側コイルと２次側コイルとが第１面上に並んで形成されていた従来の絶縁型コンバータと比べて小型化され得る。

また、第７導体パターン９２Ｂが第３導体パターン８５Ａと重なる位置に形成されていることにより、第７導体パターン９２Ｂに生じた熱は電気絶縁層８２Ａを介して第３導体パターン８５Ａに伝えられ得る。そのため、実施の形態４に係る絶縁型コンバータは、実施の形態１に係る絶縁型コンバータ１００と同様の効果を奏することができる。

実施の形態５．
次に、図１７および図１８を参照して、実施の形態５に係る絶縁型コンバータについて説明する。実施の形態５に係る絶縁型コンバータは基本的に実施の形態１に係る絶縁型コンバータ１００と同様の構成を備えるが、１次側および２次側の回路構成および各回路を構成する多層基板８上の導体パターンの構成が異なっている。

実施の形態５に係る絶縁型コンバータでは、トランス１の１次側コイル１１Ｄが、導体パターン層８１Ｃに形成されている第２導体パターン８５Ｃにより構成されている。トランス１の２次側コイル１２Ｄが、導体パターン層８１Ｄに形成されている第１導体パターン８５Ｄにより構成されている。第１導体パターン８５Ｄおよび第２導体パターン８５Ｃの各々は、貫通孔８４Ｃを囲むように巻線状に形成されている。

図１７に示されるように、一次側駆動回路２は、直列に接続されているスイッチング素子２１Ａおよびスイッチング素子２１Ｂと、スイッチング素子２１Ｃおよびスイッチング素子２１Ｄとで構成されている。スイッチング素子２１Ａとスイッチング素子２１Ｂとの接続点２２と、スイッチング素子２１Ｃとスイッチング素子２１Ｄとの接続点２３との間に、トランス１の１次側コイル１１Ｄが接続されている。スイッチング素子２１Ａ，スイッチング素子２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄは、例えばＭＯＳＦＥＴである。スイッチング素子２１Ａ，２１Ｃの各ドレイン端子は、直流電源６のプラス側に接続されている。スイッチング素子２１Ｂ，２１Ｄの各ソース端子は、直流電源６のマイナス側に接続されている。

整流回路３は、直列に接続された整流素子３１Ｅ，３１Ｆと、整流素子３１Ｇ，３１Ｈとで構成されている。整流素子３１Ｅと整流素子３１Ｆとの接続点３５と、整流素子３１Ｇと整流素子３１Ｈとの接続点３６との間に、トランス１の２次側コイル１２Ｄが接続されている。整流素子３１Ｅ，３１Ｇのカソード端子は、平滑コイル４２に接続されている。整流素子３１Ｅ，３１Ｇのアノード端子は、平滑コンデンサ４１のマイナス側に接続されている。

図１８（Ｄ）に示されるように、多層基板８の第２面８Ｄ上に形成されている導体パターン層８１Ｄは、２次側コイル１２Ｄを構成する第１導体パターン８５Ｄを有している。第１導体パターン８５Ｄを有している。図１８（Ｃ）に示されるように、第１面８Ａと第２面８Ｄとの間に形成されている導体パターン層８１Ｃは、１次側コイル１１Ｄを構成する第２導体パターン８５Ｃを有している。図１８（Ｂ）に示されるように、第１面８Ａと第２面８Ｄとの間に形成されている導体パターン層８１Ｂは、第７導体パターン９２Ｂを有している。図１８（Ａ）に示されるように、第１面８Ａ上に形成されている導体パターン層８１Ａは、導体パターン９３Ａ，９４Ａを有している。

第１導体パターン８５Ｄの一端は、ビア８１Ｅを介して導体パターン層８１Ａの導体パターン９３Ａに接続され、導体パターン９３Ａにおいて整流回路３の接続点３５と接続されている。第１導体パターン８５Ｄの他端は、ビア８１Ｊを介して導体パターン層８１Ａの導体パターン９４Ａに接続され、導体パターン９４Ａにおいて整流回路３の接続点３６と接続されている。

第２導体パターン８５Ｃの一端は、ビア８１Ｆを介して導体パターン層８１Ｂの第７導体パターン９２Ｂに接続され、第７導体パターン９２Ｂにおいてスイッチング素子２１Ａとスイッチング素子２１Ｂとの接続点２２と接続されている。第２導体パターン８５Ｃの他端は、スイッチング素子２１Ｃとスイッチング素子２１Ｄとの接続点２３と接続されている。

第１導体パターン８５Ｄおよび第２導体パターン８５Ｃの放熱経路は、実施の形態１〜３と基本的に同様のため、説明を省略する。

図１８において導体パターン層８１Ａと導体パターン層８１Ｂの導体パターンおよびビア８１Ｆを図示していない部分には、スイッチング素子２１Ａ〜２１Ｄや整流素子３１Ｅ〜３１Ｈ、制御回路５を配置することができる。そのため、実施の形態４では、実施の形態１〜３においてトランスの周囲に配置していた回路および部品を、トランスを構成する第１導体パターン８５Ｄおよび第２導体パターン８５Ｃと重ねて配置できる。その結果、実施の形態４に係る絶縁型コンバータは、実施の形態１〜３に係る絶縁型コンバータと比べて小型化され得る。

なお、貫通孔８４Ｃと貫通孔８４Ａとの間、および貫通孔８４と貫通孔８４Ｂとの間を接続する導体パターンは配置されていない。すなわち、貫通孔８４Ｃと貫通孔８４Ａとの間および貫通孔８４と貫通孔８４Ｂとの間には、電流が流れないようにされている。そのため、上記絶縁型コンバータにおいてトランスは正常に動作し得る。

また、本明細書において、第１貫通孔８４Ｃを囲むように形成されているとは、貫通孔８４Ｃの全周囲（３６０度）を囲むように形成されている場合に限られるものではなく、少なくともＥ型コアの連結部に重なる部分において貫通孔８４Ｃの横に配置されていればよい。第１貫通孔８４Ｃを囲むように形成されているとは、例えば貫通孔８４Ｃの周囲の３／４を囲むように形成されていてもよい。上述のように、熱伝導部材９１Ａ，９１Ｂ，９１Ｃは、例えば平面形状が矩形状である貫通孔８４Ｃの３辺に沿うように、コ字状に形成されていてもよい。

実施の形態１〜５に係る絶縁型コンバータにおいて、トランス１の磁性体コアは、周回する磁路が形成される限りにおいて、任意に構成されていればよい。Ｅ型コア１３の場合、中足１３Ｃの延在方向（多層基板８の第１面８Ａに交差する方向）に垂直な断面積は、外足１３Ａ，１３Ｂの当該方向に垂直な断面積の２倍以上であるのが好ましい。また、トランス１の磁性体コアは、例えば２つのＥ型コアにより構成されていてもよいし、側面形状がＥ字状であって中足の断面形状が円形状であるＥＥＲ型コアであってもよい。また、トランス１の磁性体コアは、１つの磁路のみを形成可能に設けられていてもよい。この場合、磁性体コアは、側面形状がＵ字状であるＵ型コアとＩ型コアとにより構成されていてもよし、２つのＵ型コアにより構成されていてもよい。

以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行ったが、上述の実施の形態を様々に変形することも可能である。また、上述の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。本発明の範囲は上述の実施の形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むことが意図される。

１ トランス、２ 一次側駆動回路、３ 整流回路、４ 平滑回路、５ 制御回路、６ 直流電源、７ 基準電位、８ 多層基板、８Ａ 第１面、８Ｄ 第２面、１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ １次側コイル、１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ ２次側コイル、１３，１４，４３ 磁性体コア、２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅ，２１Ｆ スイッチング素子、３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ，３１Ｅ，３１Ｆ，３１Ｇ，３１Ｈ 整流素子、４１ 平滑コンデンサ、４２ 平滑コイル、７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃ，７３Ｄ，７３Ｅ，７３Ｆ，７３Ｇ 固定穴、７１ 筐体、７２ 放熱シート、７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｄ，７４Ｅ 固定具、８４Ａ，８４Ｂ，８４Ｃ 貫通孔、８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃ，８１Ｄ 導体パターン層、８１Ｅ，８１Ｆ，８１Ｇ，８１Ｈ，８１Ｉ，８１Ｊ，８１Ｋ，８１Ｌ，８１Ｍ，８１Ｎ ビア、８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃ 電気絶縁層、８５Ａ，８５Ｅ 第３導体パターン、８５Ｂ，８５Ｆ 第４導体パターン、８５Ｃ，８５Ｇ 第２導体パターン、８５Ｄ，８５Ｈ 第１導体パターン、８６Ｂ，８６Ｃ 第６導体パターン、８６Ｄ 第５導体パターン、９２Ｂ 第７導体パターン、９１Ａ，９１Ｂ，９１Ｃ，９１Ｄ，９１Ｅ，９１Ｆ，９１Ｇ，９１Ｈ，９１Ｊ，９１Ｋ，９１Ｌ，９１Ｍ，９１Ｎ，９１Ｐ，９１Ｑ，９１Ｒ，９１Ｓ，９１Ｔ，９１Ｕ，９１Ｖ，９１Ｗ，９１Ｘ 熱伝導部材、１００ 絶縁型コンバータ。

Claims (6)

1. 第１面および前記第１面と反対側に位置する第２面とを有し、前記第１面から前記第２面にまで達する第１貫通孔が形成されている多層基板と、
   一部が前記第１貫通孔に挿通された磁性体コアとを備え、
   前記多層基板は、
   前記第１面と交差する方向から視たときに、前記第２面上において前記磁性体コアと重なる位置に形成されている第１導体パターンと、
   前記第１面と前記第２面との間において、前記第１面と交差する方向から視たときに、前記磁性体コアおよび前記第１導体パターンと重なる位置に形成されている第２導体パターンと、
   前記第１導体パターン上に形成されており、かつ、前記多層基板と前記磁性体コアとの間に配置されている部分を有する少なくとも１つの熱伝導部材と、
   前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとの間を電気的に絶縁している絶縁伝熱部材と、
   前記第１面と交差する方向から視たときに、前記第１面上において前記磁性体コアと重なる位置に形成されている第３導体パターンと、
   前記第１面と前記第２面との間において、前記交差する方向から視たときに、前記磁性体コアならびに前記第１導体パターンおよび前記第３導体パターンの少なくともいずれかと重なる位置に形成されている第４導体パターンと、
   前記第３導体パターンと前記第４導体パターンとの間を電気的に絶縁している絶縁伝熱部材とを含み、
   前記第２導体パターンと前記第３導体パターンとは電気的に絶縁されており、
   前記第１導体パターンと前記第３導体パターンとは電気的に接続されており、
   前記第３導体パターン、前記第４導体パターン、前記第２導体パターン、および前記第１導体パターンは、前記交差する方向に、前記第３導体パターン、前記第４導体パターン、前記第２導体パターン、および前記第１導体パターンの順に形成されており、
   前記第２導体パターンと前記第４導体パターンとは電気的に接続されており、
   前記第３導体パターンと前記第４導体パターンとの間の前記交差する方向における距離、および前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとの間の前記交差する方向における距離は、前記第２導体パターンと前記第４導体パターンとの間の前記交差する方向における距離よりも短い、絶縁型コンバータ。
2. 前記第１導体パターンの少なくとも一部と少なくとも熱的に接続されている冷却器をさらに備える、請求項１に記載の絶縁型コンバータ。
3. 第１面および前記第１面と反対側に位置する第２面とを有し、前記第１面から前記第２面にまで達する第１貫通孔が形成されている多層基板と、
   一部が前記第１貫通孔に挿通された磁性体コアとを備え、
   前記多層基板は、
   前記第１面と交差する方向から視たときに、前記第２面上において前記磁性体コアと重なる位置に形成されている第１導体パターンと、
   前記第１面と前記第２面との間において、前記第１面と交差する方向から視たときに、前記磁性体コアおよび前記第１導体パターンと重なる位置に形成されている第２導体パターンと、
   前記第１導体パターン上に形成されており、かつ、前記多層基板と前記磁性体コアとの間に配置されている部分を有する少なくとも１つの熱伝導部材と、
   前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとの間を電気的に絶縁している絶縁伝熱部材と、
   前記第１面と交差する方向から視たときに、前記第１面上において前記磁性体コアと重なる位置に形成されている第３導体パターンと、
   前記第１面と前記第２面との間において、前記交差する方向から視たときに、前記磁性体コアならびに前記第１導体パターンおよび前記第３導体パターンの少なくともいずれかと重なる位置に形成されている第４導体パターンと、
   前記第３導体パターンと前記第４導体パターンとの間を電気的に絶縁している絶縁伝熱部材とを含み、
   前記第２導体パターンと前記第３導体パターンとは電気的に絶縁されており、
   前記第１導体パターンと前記第３導体パターンとは電気的に接続されており、
   前記第３導体パターン、前記第４導体パターン、前記第２導体パターン、および前記第１導体パターンは、前記交差する方向に、前記第３導体パターン、前記第４導体パターン、前記第２導体パターン、および前記第１導体パターンの順に形成されており、
   前記第２導体パターンと前記第４導体パターンとは電気的に接続されており、
   前記第３導体パターンと前記第４導体パターンとの間の前記交差する方向における距離、および前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとの間の前記交差する方向における距離は、前記第２導体パターンと前記第４導体パターンとの間の前記交差する方向における距離よりも短く、
   前記第１導体パターンの少なくとも一部と少なくとも熱的に接続されている冷却器をさらに備え、
   前記多層基板は、前記交差する方向から視たときに、前記第３導体パターンと少なくとも一部が重なるが前記第１導体パターンおよび前記第４導体パターンとは重ならない前記第２面上の領域に形成されている第５導体パターンと、前記第１面から前記第２面にまで達するように形成されており、かつ前記第３導体パターンと前記第５導体パターンとを接続するビアとをさらに含み、
   前記第５導体パターンの少なくとも一部は前記冷却器と熱的に接続されている、
   絶縁型コンバータ。
4. 前記冷却器の電位が前記第１導体パターンを含む回路の基準電位となっており、
   前記第１導体パターンの少なくとも一部と前記冷却器とは、電気的に接続されている、請求項２または３に記載の絶縁型コンバータ。
5. 前記多層基板は、前記第１面と前記第２面との間に形成されており、前記交差する方向から視たときに、前記第１導体パターンおよび前記第３導体パターンの少なくともいずれかと重なる位置に形成されている部分を有する第６導体パターンをさらに含み、
   前記第４導体パターンと前記第６導体パターンとは、電気的に絶縁されており、
   前記第６導体パターンは、前記冷却器と熱的に接続されている、請求項２〜４のいずれか１項に記載の絶縁型コンバータ。
6. 前記第３導体パターン上において互いに空隙部を隔てて形成されている複数の第１熱伝導部材をさらに備え、
   前記複数の第１熱伝導部材の前記空隙部は、前記交差する方向から視たときに前記少なくとも１つの熱伝導部材と重なるように形成されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の絶縁型コンバータ。

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