JP6791701B2

JP6791701B2 - ダイシングダイボンディングテープおよび半導体装置の製造方法

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Publication number: JP6791701B2
Application number: JP2016189717A
Authority: JP
Inventors: 木村　雄大; 雄大木村; 尚英高本; 謙司大西; 雄一郎宍戸
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2016-09-28
Filing date: 2016-09-28
Publication date: 2020-11-25
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Description

本開示は、ダイシングダイボンディングテープおよび半導体装置の製造方法に関する。

半導体ウエハの分割予定ラインにレーザー光を照射し、半導体ウエハを破断し、個々の半導体チップを得る方法（以下「ステルスダイシング（登録商標）」ということがある。）や、半導体ウエハの表面（おもてめん）に溝を形成後に半導体ウエハの裏面研削を行うことにより、個々の半導体チップを形成する方法（以下、「ＤＢＧ（ＤｉｃｉｎｇＢｅｆｏｒｅＧｒｉｎｄｉｎｇ）法」という。）がある。

ステルスダイシングやＤＢＧ法では、その過程でダイシングダイボンディングテープが使用されることがある。ダイシングダイボンディングテープには、基材層と接着剤層とセパレータとを有し、接着剤層が基材層とセパレータとの間に位置する構造のものがある。基材層と粘着剤層と接着剤層とセパレータとを有するダイシングダイボンディングテープもある。前者のダイシングダイボンディングテープは、後者のダイシングダイボンディングテープに比べて安価に製造しうる。

ステルスダイシングやＤＢＧ法では、低温下で接着剤層を分断することがある。

特開２００４−２５０５７２号公報特許第５３０５５０１号

本開示は、接着剤層を精度よく分断できるダイシングダイボンディングテープを提供することを目的とする。本開示は、接着剤層を精度よく分断できる、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本開示は、セパレータと、接着剤層および基材層を含むフィルムとを含むダイシングダイボンディングテープに関する。接着剤層は、セパレータと基材層との間に位置する。基材層の両面は、接着剤層と接した第１主面と、第２主面とで定義される。フィルムのウエハ固定領域において、接着剤層および基材層における２３℃の９０度はく離力は０．０２Ｎ／２０ｍｍ〜０．５Ｎ／２０ｍｍである。ウエハ固定領域において、接着剤層および基材層における−１５℃の９０度はく離力は０．１Ｎ／２０ｍｍ以上である。ウエハ固定領域について基材層における第１主面の表面自由エネルギーは３２〜３９ｍＮ／ｍである。

接着剤層および基材層における２３℃の９０度はく離力が０．０２Ｎ／２０ｍｍ以上であるので、半導体ウエハの固定から半導体チップのピックアップまでの過程で、半導体ウエハ・半導体チップが接着剤層からはく離しにくい。接着剤層および基材層における−１５℃の９０度はく離力が０．１Ｎ／２０ｍｍ以上であるので、接着剤層を精度よく分断できる。接着剤層に力が効果的に伝わるからだと考えらえる。２３℃の９０度はく離力が０．５Ｎ／２０ｍｍ以下であるので、半導体ウエハを分断後に、接着剤層付きの半導体チップを困難なく剥離できる。基材層における第１主面の表面自由エネルギーＥ_１が３２ｍＮ／ｍ以上であるので、基材層が、接着剤層に良好な濡れ性を示す。

本開示は、ダイシングダイボンディングテープからセパレータを除き、フィルムの接着剤層に半導体ウエハを固定する工程と、フィルムに引張応力を加え、分断後接着剤層付きの半導体チップを形成する工程とを含む、半導体装置の製造方法に関する。

実施形態１におけるダイシングダイボンディングテープの概略平面図である。実施形態１におけるダイシングダイボンディングテープの一部の概略断面図である。実施形態１における半導体装置製造工程の概略斜視図である。実施形態１における半導体装置製造工程の概略断面図である。実施形態１における半導体装置製造工程の概略断面図である。実施形態１における半導体装置製造工程の概略断面図である。実施形態１における半導体装置製造工程の概略断面図である。実施形態１における半導体装置製造工程の概略断面図である。実施形態１における半導体装置製造工程の概略断面図である。実施形態１における半導体装置製造工程の概略断面図である。実施形態１における半導体装置製造工程の概略断面図である。変形例８におけるダイシングダイボンディングテープの一部の概略断面図である。変形例９におけるダイシングダイボンディングテープの一部の概略断面図である。変形例１０におけるダイシングダイボンディングテープの一部の概略断面図である。

以下に実施形態を掲げ、本開示を詳細に説明するが、本開示はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

実施形態１
図１に示すように、ダイシングダイボンディングテープ１は、セパレータ１１とダイシングダイボンディングフィルム１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、……、１２ｍ（以下、「ダイシングダイボンディングフィルム１２」と総称する。）とを含む。ダイシングダイボンディングテープ１はロール状をなすことができる。セパレータ１１はテープ状をなす。セパレータ１１は、たとえばはく離処理されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどである。ダイシングダイボンディングフィルム１２はセパレータ１１上に位置している。ダイシングダイボンディングフィルム１２ａとダイシングダイボンディングフィルム１２ｂのあいだの距離、ダイシングダイボンディングフィルム１２ｂとダイシングダイボンディングフィルム１２ｃのあいだの距離、……ダイシングダイボンディングフィルム１２ｌとダイシングダイボンディングフィルム１２ｍのあいだの距離は一定である。ダイシングダイボンディングフィルム１２は円盤状をなす。

図２に示すように、ダイシングダイボンディングフィルム１２は、ウエハ固定領域１２Ａとダイシングリング固定領域１２Ｂとを含む。ウエハ固定領域１２Ａは、たとえば円盤状をなすことができる。ダイシングリング固定領域１２Ｂは、ウエハ固定領域１２Ａの周辺に位置する。ダイシングリング固定領域１２Ｂは、たとえばドーナツ板状をなすことができる。

ダイシングダイボンディングフィルム１２は接着剤層１２１を含む。接着剤層１２１は円盤状をなす。接着剤層１２１の厚みは、たとえば２μｍ以上、好ましくは５μｍ以上である。接着剤層１２１の厚みは、たとえば２００μｍ以下、好ましくは１５０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下である。接着剤層１２１の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。接着剤層１２１の第１主面はセパレータ１１と接している。接着剤層１２１は、ウエハ固定領域１２Ａに少なくとも従属する接着剤層第１部１２１Ａを含む。接着剤層１２１は、ダイシングリング固定領域１２Ｂに少なくとも従属する接着剤層第２部１２１Ｂを含む。接着剤層１２１は、接着剤層第１部１２１Ａと接着剤層第２部１２１Ｂとの間に位置する接着剤層第３部１２１Ｃを含む。接着剤層第３部１２１Ｃは、接着剤層第１部１２１Ａと接着剤層第２部１２１Ｂとを接続している。接着剤層第３部１２１Ｃは、たとえばドーナツ板状をなすことができる。

ダイシングダイボンディングフィルム１２は基材層１２２を含む。基材層１２２は円盤状をなす。基材層１２２の厚みは、たとえば５０μｍ以上、好ましくは８０μｍ以上である。基材層１２２の厚みは、たとえば２００μｍ以下、好ましくは１７０μｍ以下である。基材層１２２の両面は、接着剤層１２１と接した第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。基材層１２２の第１主面は、ウエハ固定領域１２Ａに第１領域１２２Ａを含む。第１領域１２２Ａは、前処理されていない領域である。前処理は、コロナ放電処理、プラズマ処理、下塗剤の塗布、はく離処理、エンボッシング、紫外線処理、加熱処理などである。はく離処理のためのはく離剤は、たとえばシリコーン系はく離剤、ふっ素系はく離剤を挙げることができる。基材層１２２の第１主面は、ダイシングリング固定領域１２Ｂに第２領域１２２Ｂを含む。第２領域１２２Ｂは、コロナ放電処理された領域である。

ウエハ固定領域１２Ａについての基材層１２２における第１主面の表面自由エネルギーＥ_１は３２ｍＮ／ｍ以上である。３２ｍＮ／ｍ以上であるので、基材層１２２が、接着剤層１２１に良好な濡れ性を示す。Ｅ_１の上限は、たとえば３９ｍＮ／ｍ、好ましくは３６ｍＮ／ｍである。３９ｍＮ／ｍ以下であると、基材層１２２の接着剤層１２１に対する密着性が高すぎないので、半導体ウエハを分断後に、接着剤層付きの半導体チップを困難なく剥離できる。

ウエハ固定領域１２Ａについての接着剤層１２１における第２主面の表面自由エネルギーＥ_２は、好ましくは３３ｍＮ／ｍ以上、好ましくは３４ｍＮ／ｍ以上である。Ｅ_２の上限は、たとえば５０ｍＮ／ｍ、好ましくは４５ｍＮ／ｍである。

ウエハ固定領域１２Ａについての接着剤層１２１における第１主面の表面自由エネルギーは、好ましくは３３ｍＮ／ｍ以上、好ましくは３４ｍＮ／ｍ以上である。３３ｍＮ／ｍ以上であると、接着剤層１２１をセパレータ１１から困難なく剥離できる。接着剤層１２１における第１主面の表面自由エネルギーの上限は、たとえば５０ｍＮ／ｍ、好ましくは４５ｍＮ／ｍである。５０ｍＮ／ｍ以下であると、接着剤層１２１を作製するための液をセパレータ１１に困難なく塗工できる。

Ｅ_２とＥ_１との差は、好ましくは１５ｍＮ／ｍ以下、より好ましくは１３ｍＮ／ｍ以下である。Ｅ_２とＥ_１との差は、好ましくは１ｍＮ／ｍ以上である。１ｍＮ／ｍ未満であるとき、または１５ｍＮ／ｍをこえるときは、接着剤層１２１および基材層１２２における２３℃の９０度はく離力が高くなりすぎる傾向がある。

ダイシングダイボンディングフィルム１２のウエハ固定領域１２Ａにおいて、接着剤層１２１および基材層１２２における２３℃の９０度はく離力は０．０２Ｎ／２０ｍｍ以上である。０．０２Ｎ／２０ｍｍ以上であるので、半導体ウエハの固定から半導体チップのピックアップまでの過程で、半導体ウエハ・半導体チップが接着剤層１２１からはく離しにくい。２３℃の９０度はく離力が、０．１Ｎ／２０ｍｍ以上であると、セパレータ１１をダイシングダイボンディングフィルム１２から除く際に、接着剤層１２１がセパレータ１１についていくことを防止できる。２３℃の９０度はく離力の上限は、０．５Ｎ／２０ｍｍであり、好ましくは０．３Ｎ／２０ｍｍである。０．５Ｎ／２０ｍｍ以下であるので、半導体ウエハを分断後に、接着剤層付きの半導体チップを困難なく剥離できる。

ダイシングダイボンディングフィルム１２のウエハ固定領域１２Ａにおいて、接着剤層１２１および基材層１２２における−１５℃の９０度はく離力は０．１Ｎ／２０ｍｍ以上であり、好ましくは０．３Ｎ／２０ｍｍ以上である。０．１Ｎ／２０ｍｍ以上であるので、接着剤層を精度よく分断できる。接着剤層に力が効果的に伝わるからだと考えらえる。−１５℃の９０度はく離力の上限は、たとえば１０Ｎ／２０ｍｍである。

基材層１２２は、たとえばポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリアリレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム（ＥＶＡフィルム）、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルムおよびポリカーボネートフィルムなどのプラスチックフィルムなどから選択することが可能である。基材層１２２は、ある程度の伸縮性を有することが望ましいため、好ましくは、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルムである。

接着剤層１２１における２３℃の貯蔵弾性率は、好ましくは１０ＧＰａ以下、より好ましくは５ＧＰａ以下である。１０ＧＰａ以下であると、基材層１２２との密着性が高く、分断後に接着剤層１２１と基材層１２２との間に剥離が生じることを抑制できる。２３℃における貯蔵弾性率の下限は、たとえば１ＭＰａである。

接着剤層１２１は、樹脂成分を含む。樹脂成分としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などを挙げることができる。熱可塑性樹脂としては、たとえばアクリル樹脂を挙げることができる。

アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）などが挙げられる。前記アルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基などが挙げられる。

また、重合体（アクリル共重合体）を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、たとえばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸などの様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸などの様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートなどの様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などの様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどの様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。

アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が１０万以上のものが好ましく、３０万〜３００万のものがより好ましく、５０万〜２００万のものがさらに好ましい。かかる数値範囲内であると、接着性および耐熱性に優れるからである。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。

アクリル樹脂は、官能基を含むことが好ましい。官能基は、たとえばヒドロキシル基、カルボキシ基、ニトリル基などである。ヒドロキシル基、カルボキシ基が好ましい。

樹脂成分１００重量％中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上である。１０重量％以上であると、可撓性が良好である。樹脂成分１００重量％中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。

熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などを挙げることができる。

エポキシ樹脂としては特に限定されず、たとえばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型などのエポキシ樹脂が用いられる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性などに優れるからである。

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは１００ｇ／ｅｑ．以上、より好ましくは１２０ｇ／ｅｑ．以上である。エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは１０００ｇ／ｅｑ．以下、より好ましくは５００ｇ／ｅｑ．以下である。
なお、エポキシ樹脂のエポキシ当量は、ＪＩＳＫ７２３６−２００９に規定された方法で測定できる。

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、たとえば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。

フェノール樹脂の水酸基当量は、好ましくは１５０ｇ／ｅｑ．以上、より好ましくは２００ｇ／ｅｑ．以上である。フェノール樹脂の水酸基当量は、好ましくは５００ｇ／ｅｑ．以下、より好ましくは３００ｇ／ｅｑ．以下である。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、たとえば、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合がかかる範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、硬化物の特性が劣化し易くなるからである。

樹脂成分１００重量％中のエポキシ樹脂およびフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上である。エポキシ樹脂およびフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８０重量％以下である。

接着剤層１２１は無機充填剤を含むことができる。無機充填剤としては、たとえば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田、カーボンなどが挙げられる。なかでも、シリカ、アルミナ、銀などが好ましく、シリカがより好ましい。無機充填剤の平均粒径は、好ましくは０．００１μｍ〜１μｍである。フィラーの平均粒径は、次の方法で測定できる。接着剤層１２１をるつぼに入れ、大気雰囲気下、７００℃で２時間強熱して灰化させ、得られた灰分を純水中に分散させて１０分間超音波処理し、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置（ベックマンコールター社製、「ＬＳ１３３２０」；湿式法）を用いて平均粒径を求める。

接着剤層１２１中の無機充填剤の含有量は、好ましくは０重量％以上、より好ましくは１重量％以上、さらに好ましくは３重量％以上、よりさらに好ましくは２０重量％以上である。接着剤層１２１中の無機充填剤の含有量は、好ましくは８５重量％以下、より好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１５重量％以下である。

接着剤層１２１は、前記成分以外にも、フィルム製造に一般に使用される配合剤、たとえば、シランカップリング剤、硬化促進剤、架橋剤などを適宜含有してよい。

ダイシングダイボンディングフィルム１２の作成方法は、たとえば基材層１２２の第２領域１２２Ｂにコロナ放電処理する工程と、基材層１２２上に接着剤層１２１を形成する工程とを含む。コロナ処理は、プラスチックフィルム、紙、金属箔などの基材表面をコロナ放電照射により改質する表面処理技術である。金属電極の間に誘電体を挿入し、高周波高電圧を印加すると、電極間にストリーマコロナと呼ばれる、フィラメント状のプラズマが時間的、空間的にランダムに形成される。高エネルギーの電子は、対極側を通過する高分子フィルムの表面層に達し、高分子結合の主鎖や側鎖を切り離す。切断された高分子表層はラジカルな状態となり、気相中の酸素ラジカルやオゾン層が主鎖や側鎖と再結合することで、水酸基、カルボニル基などの極性官能基が導入される。基材表面に親水性が付与されるため、疎水性高分子に対する密着性（濡れ性）が向上し、接着力が高くなる。導入された官能基と接着剤層１２１とが化学的に結合すると、接着力がさらに高くなる。コロナ放電処理後における基材層１２２の表面エネルギーは、たとえば３０ダイン／ｃｍ以上、好ましくは３５ダイン／ｃｍ以上である。

コロナ処理を部分的に行うための主な方法として、ふたつの方法を挙げることができる。ひとつめは、基材層１２２の一部を、コロナ処理されないようにマスク（遮蔽物）で保護する方法である。基材層１２２と放電電極の間にマスクを配置することによって、基材層１２２の一部をマスクで遮蔽する。マスクは、たとえば非導電材料からなる。マスクを複数有するロール状の物体、マスクを複数有する長尺状の非接着性フィルム、マスクを複数有する弱粘着のテープは、繰り返し使用することができる。ふたつめは、放電電極と凹凸を有する誘電体ロールとの間に基材層１２２をとおす方法である。この方法では、凸部のみを改質できる。誘電体ロールは、たとえば金属芯と、金属芯に巻きつけられた誘電体層とを含む。誘電体層が凹凸を有する。凹部と電極との距離は、好ましくは２ｍｍ以上である。誘電体層は、たとえば、絶縁性と導電性とコロナ放電耐性とを有することができる。誘電体層は、たとえば、塩素系ゴム、ＰＥＴゴム、シリコーンゴム、セラミックなどからなる。ふたつめの方法は、ひとつめの方法より簡単である。しかし、ふたつめの方法は、コロナ処理部と未処理部との境界がひとつめの方法よりもあいまいになる傾向がある。

ダイシングダイボンディングテープ１は、半導体装置を製造するために使用できる。

図３に示すように、照射前半導体ウエハ４Ｐの内部に集光点を合わせ、格子状の分割予定ライン４Ｌに沿ってレーザー光１００を照射し、照射前半導体ウエハ４Ｐに改質領域４１を形成し、半導体ウエハ４を得る。照射前半導体ウエハ４Ｐとしては、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ、化合物半導体ウエハなどを挙げることができる。化合物半導体ウエハとしては、窒化ガリウムウエハなどを挙げることができる。

レーザー光１００の照射条件は、たとえば、以下の条件の範囲内で適宜調整できる。
（Ａ）レーザー光１００
レーザー光源半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長１０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積３．１４×１０^−８ｃｍ^２
発振形態Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数１００ｋＨｚ以下
パルス幅１μｓ以下
出力１ｍＪ以下
レーザー光品質ＴＥＭ００
偏光特性直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率１００倍以下
ＮＡ０．５５
レーザー光波長に対する透過率１００％以下
（Ｃ）照射前半導体ウエハが載置される裁置台の移動速度２８０ｍｍ／秒以下

図４に示すように、半導体ウエハ４は改質領域４１を含む。改質領域４１は、そのほかの領域とくらべて脆い。半導体ウエハ４は、半導体チップ５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、……、５Ｆをさらに含む。

図５に示すように、ダイシングダイボンディングテープ１からセパレータ１１を除き、ダイシングリング３１と加熱テーブルで温められた半導体ウエハ４とをロールでダイシングダイボンディングフィルム１２に固定する。半導体ウエハ４は、ウエハ固定領域１２Ａに固定される。半導体ウエハ４の固定は、たとえば４０℃以上、好ましくは４５℃以上、より好ましくは５０℃以上、さらに好ましくは５５℃以上でおこなう。半導体ウエハ４を固定は、たとえば１００℃以下、好ましくは９０℃以下でおこなう。半導体ウエハ４の固定圧力は、たとえば１×１０^５Ｐａ〜１×１０^７Ｐａである。ロール速度は、たとえば１０ｍｍ／ｓｅｃである。ダイシングリング３１は、ダイシングリング固定領域１２Ｂに固定される。

図６に示すように、ダイシングダイボンディングフィルム１２の下方に位置する突き上げ手段３３でダイシングダイボンディングフィルム１２を押し上げ、ダイシングダイボンディングフィルム１２を拡張する。拡張の温度は、好ましくは１０℃以下、より好ましくは０℃以下である。温度の下限はたとえば−２０℃である。

ダイシングダイボンディングフィルム１２の拡張により、改質領域４１を起点に半導体ウエハ４が分断されるとともに、接着剤層１２１も分断される。この結果、分断後接着剤層１２１Ａ付きの半導体チップ５Ａが基材層１２２上に形成される。

図７に示すように、突き上げ手段３３を下降させる。この結果、ダイシングダイボンディングフィルム１２にたるみが生じる。たるみは、ウエハ固定領域１２Ａの周辺に生じる。

図８に示すように、ダイシングダイボンディングフィルム１２の下方に位置する吸着テーブル３２でダイシングダイボンディングフィルム１２を押し上げ拡張し、拡張を維持しながら吸着テーブル３２にダイシングダイボンディングフィルム１２を吸引固定する。

図９に示すように、吸着テーブル３２にダイシングダイボンディングフィルム１２を吸引固定したまま、吸着テーブル３２を下降させる。

吸着テーブル３２にダイシングダイボンディングフィルム１２を吸引固定したまま、ダイシングダイボンディングフィルム１２のたるみに熱風を当て、たるみを取り除く。熱風の温度は、好ましくは１７０℃以上、より好ましくは１８０℃以上である。熱風温度の上限は、たとえば２４０℃、好ましくは２２０℃である。

分断後接着剤層１２１Ａ付きの半導体チップ５Ａを基材層１２２から剥離する。

図１０に示すように、分断後接着剤層１２１Ａ付きの半導体チップ５Ａを被着体６に圧着する。圧着は、たとえば８０℃以上、好ましくは９０℃以上で圧着をおこなう。たとえば１５０℃以下、好ましくは１３０℃以下でおこなう。被着体６は、たとえばリードフレーム、インターポーザ、ＴＡＢフィルム、半導体チップなどである。被着体６は端子部を有する。

半導体チップ５Ａ付きの被着体６を加圧雰囲気下で加熱することにより分断後接着剤層１２１を硬化させる。加圧雰囲気は、たとえば０．５ｋｇ／ｃｍ^２（４．９×１０^−２ＭＰａ）以上、好ましくは１ｋｇ／ｃｍ^２（９．８×１０^−２ＭＰａ）以上、より好ましくは５ｋｇ／ｃｍ^２（４．９×１０^−１ＭＰａ）以上である。たとえば１２０℃以上、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは１７０℃以上で加熱をおこなう。上限は、たとえば２６０℃、２００℃、１８０℃などである。

図１１に示すように、半導体チップ５Ａの電極パッドと被着体６の端子部とをボンディングワイヤー７で電気的に接続し、封止樹脂８で半導体チップ５Ａを封止する。

以上の方法により得られた半導体装置は、半導体チップ５Ａと被着体６とダイシング後接着剤層１２１とを含む。ダイシング後接着剤層１２１は、半導体チップ５Ａと被着体６とを接着している。半導体装置は、半導体チップ５Ａを覆う封止樹脂８をさらに含む。

以上のとおり、半導体装置の製造方法は、ダイシングダイボンディングテープ１からセパレータ１１を除き、ダイシングダイボンディングフィルム１２の接着剤層１２１に半導体ウエハ４を固定する工程と、ダイシングダイボンディングフィルム１２に引張応力を加え、分断後接着剤層１２１Ａ付きの半導体チップ５Ａを形成する工程とを含む。

変形例１
第２領域１２２Ｂは、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った領域である。

下塗剤と基材層１２２とは化学的に結合していることが望ましい。下塗剤は、基材層１２２と化学的に結合可能で、接着剤層第２部１２１Ｂに対して強い接着力を示すことができるものが好適である。下塗剤は、たとえば架橋剤とポリマーとを含む。下塗剤の架橋剤は、たとえばイソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤などである。低温で短時間で反応できるという観点から、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤が好ましい。下塗剤のポリマーは、架橋剤と反応可能な官能基を有することができる。官能基は、たとえば水酸基などである。下塗剤の厚みは、たとえば１μｍである。

変形例２
第１領域１２２Ａは、コロナ放電処理された領域である。

ダイシングダイボンディングフィルム１２の作成方法は、たとえば基材層１２２にコロナ放電処理する工程と、基材層１２２上に接着剤層１２１を形成する工程とを含む。基材層１２２にコロナ放電処理する工程では、第１領域１２２Ａにおけるコロナ放電処理の強度を、第２領域１２２Ｂにおけるコロナ放電処理の強度より低くすることができる。第１領域１２２Ａにおけるコロナ放電処理の強度は、第２領域１２２Ｂにおけるコロナ放電処理の強度と同じであることもできる。この場合は、接着剤層第１部１２１Ａは離型剤を含むことが好ましい。離型剤としては、フッ素系、シリコーン系、オイル系離型剤などを挙げることができる。いっぽう、接着剤層第２部１２１Ｂは、このような離型剤を含まないことが好ましい。

変形例３
第１領域１２２Ａは、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った領域である。

下塗剤の極性と接着剤層第１部１２１Ａの極性との両者は、大きく異なっていることが好ましい。下塗剤の表面エネルギーは、たとえば５ダイン／ｃｍ以上３０ダイン／ｃｍ未満である。接着剤層第１部１２１Ａの表面エネルギーは、たとえば３０ダイン／ｃｍをこえ５０ダイン／ｃｍ以下である。下塗剤の弾性率が低いと、接着剤層第１部１２１Ａと基材層１２２とのはく離力が高くなりすぎることがあるため、室温における下塗剤の好適な弾性率は、たとえば１００ＭＰａ以上である。下塗剤の好適な例は、変形例１を準用する。

第１領域１２２Ａにおけるコロナ放電処理の強度は、第２領域１２２Ｂにおけるコロナ放電処理の強度と同じであることができる。両者は異なっていてもよい。

変形例４
基材層１２２の第１主面は、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った面である。

第１領域１２２Ａにおけるコロナ放電処理の強度は、第２領域１２２Ｂにおけるコロナ放電処理の強度と同じであることができる。両者は異なっていてもよい。下塗剤の好適な例は、変形例１を準用する。

変形例５
第１領域１２２Ａは、エンボス加工された領域である。

変形例６
第２領域１２２Ｂは、エンボス加工された領域である。

変形例７
基材層１２２の第１主面は、エンボス加工された面である。

変形例８
図１２に示すように、接着剤層１２１は、接着剤層第１部１２１Ａと接着剤層第２部１２１Ｂとを含み、接着剤層第３部１２１Ｃを含まない。接着剤層第１部１２１Ａは、たとえば円盤状をなす。接着剤層第２部１２１Ｂは、たとえばドーナツ板状をなす。接着剤層第２部１２１Ｂは、接着剤層第１部１２１Ａと接していない。

接着剤層第２部１２１Ｂの組成・物性は、接着剤層第１部１２１Ａの組成・物性と異なることができる。接着剤層第１部１２１Ａの組成・物性の好適な例は、実施例１を準用する。接着剤層第２部１２１Ｂは、粘着性を有することが好ましい。接着剤層第２部１２１Ｂを構成する粘着剤には、たとえば、アクリル系、ゴム系、ビニルアルキルエーテル系、シリコーン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ウレタン系、スチレン−ジエンブロック共重合体系などの公知の粘着剤を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。

接着剤層第２部１２１Ｂは、コロナ放電処理された第２領域１２２Ｂにおける水酸基、カルボン酸基などの官能基と反応できる架橋剤と、樹脂成分とを含むことが好ましい。

樹脂成分は、架橋剤と反応できる官能基を有する熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。接着剤層第２部１２１Ｂと基材層１２２とを化学的に結合できるからである。熱可塑性樹脂の官能基は、たとえば水酸基、カルボン酸基、エポキシ基、アミン基、チオール基、フェノール基などである。熱可塑性樹脂としては、官能基の調整などの点からアクリル系重合体が好ましい。アクリル系重合体としては、たとえば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル等の（メタ）アクリル酸Ｃ１−Ｃ２０アルキルエステルなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステルの単独または共重合体；（メタ）アクリル酸アルキルエステルと、他の共重合性モノマー ―たとえば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、フマル酸、無水マレイン酸などのカルボキシル基または酸無水物基含有モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチルなどのヒドロキシル基含有モノマー；（メタ）アクリル酸モルホリルなどのアミノ基含有モノマー；（メタ）アクリルアミドなどのアミド基含有モノマー；（メタ）アクリロニトリルなどのシアノ基含有モノマー；（メタ）アクリル酸イソボルニルなどの脂環式炭化水素基を有する（メタ）アクリル酸エステルなど― との共重合体などを挙げることができる。接着剤層第２部１２１Ｂ中の樹脂成分の含有量は、たとえば９４重量％以上、好ましくは９５重量％以上である。接着剤層第２部１２１Ｂ中の樹脂成分の含有量は、たとえば９９．９９重量％以下、好ましくは９９．９７重量％以下である。

架橋剤は、たとえばイソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、過酸化物などである。架橋剤は１種を単独でまたは２種以上を組み合わせることができる。イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤が好ましい。イソシアネート系架橋剤は、たとえばトリレンジイソシアネート、キシレンジイソシアネートなどの芳香族イソシアネート、イソホロンジイソシアネートなどの脂環族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートなどの脂肪族イソシアネートなどである。より具体的には、たとえば、ブチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類、シクロペンチレンジイソシアネート、シクロヘキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートなどの脂環族イソシアネート類、２，４−トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ポリメチレンポリフェニルイソシアネートなどの芳香族ジイソシアネート類、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物（日本ポリウレタン工業社製，商品名コロネートＬ）、トリメチロールプロパン／ヘキサメチレンジイソシアネート３量体付加物（日本ポリウレタン工業社製，商品名コロネートＨＬ）、ヘキサメチレンジイソシアネートのイソシアヌレート体（日本ポリウレタン工業社製，商品名コロネートＨＸ）などのイソシアネート付加物、キシリレンジイソシアネートのトリメチロールプロパン付加物（三井化学社製，商品名Ｄ１１０Ｎ）、ヘキサメチレンジイソシアネートのトリメチロールプロパン付加物（三井化学社製，商品名Ｄ１６０Ｎ）；ポリエーテルポリイソシアネート、ポリエステルポリイソシアネート、ならびにこれらと各種のポリオールとの付加物、イソシアヌレート結合、ビューレット結合、アロファネート結合などで多官能化したポリイソシアネートなどを挙げることができる。これらのうち、脂肪族イソシアネートを用いることが、反応速度が速いために好ましい。イソシアネート系架橋剤は１種を単独で使用してもよく、また２種以上を混合して使用してもよい。接着剤層第２部１２１Ｂ中のイソシアネート系架橋剤の含有量は、たとえば樹脂成分１００重量部に対し、０．０１〜５重量部、好ましくは０．０３〜４重量部である。凝集力、耐久性試験での剥離の阻止などを考慮して適宜含有させることが可能である。

接着剤層１２１は、スクリーン印刷、ロータリースクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷、ロールtoロールなどで作成できる。生産性の観点からロータリースクリーン印刷が好ましい。これらの塗工方法は１種類のみを使用することができるし、組み合わせて使用することもできる。これらの方法では、塗工中にワニスが空気中にさらされることがある。塗工中のワニス濃度の変化を抑制できる低揮発性の溶剤を使用することが好ましい。このような溶剤は、たとえば、ＭＩＢＫ、酢酸ブチル、シクロヘキサノン、γブチロラクトン、イソホロン、カルビトールアセテート、ＤＭＳＯ、ＤＭＡｃ、ＮＭＰなどである。

変形例８．１
第２領域１２２Ｂは、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った領域である。変形例８．１は、変形例８と変形例１との組み合わせである。変形例８．１の好適な例は、変形例１を準用する。

変形例８．２
第１領域１２２Ａは、コロナ放電処理された領域である。変形例８．２は、変形例８と変形例２との組み合わせである。変形例８．２の好適な例は、変形例２を準用する。

変形例８．３
第１領域１２２Ａは、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った領域である。変形例８．３は、変形例８と変形例３との組み合わせである。変形例８．３の好適な例は、変形例３を準用する。

変形例８．４
基材層１２２の第１主面は、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った面である。変形例８．４は、変形例８と変形例４との組み合わせである。変形例８．４の好適な例は、変形例４を準用する。

変形例８．５
第１領域１２２Ａは、エンボス加工された領域である。変形例８．５は、変形例８と変形例５との組み合わせである。

変形例８．６
第２領域１２２Ｂは、エンボス加工された領域である。変形例８．６は、変形例８と変形例６との組み合わせである。

変形例８．７
基材層１２２の第１主面は、エンボス加工された面である。変形例８．７は、変形例８と変形例７との組み合わせである。

変形例９
図１３に示すように、接着剤層１２１は、第１層１２１１と第２層１２１２とを含む。第１層１２１１は円盤状をなす。第１層１２１１の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。第１層１２１１の第１主面はセパレータ１１と接している。第１層１２１１の第２主面は第２層１２１２と接している。第２層１２１２は円盤状をなす。第２層１２１２の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。第２層１２１２の第１主面は第１層１２１１と接している。第２層１２１２の第２主面は基材層１２２と接している。

変形例９．１
第２領域１２２Ｂは、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った領域である。変形例９．１は、変形例９と変形例１との組み合わせである。変形例９．１の好適な例は、変形例１を準用する。

変形例９．２
第１領域１２２Ａは、コロナ放電処理された領域である。変形例９．２は、変形例９と変形例２との組み合わせである。変形例９．２の好適な例は、変形例２を準用する。

変形例９．３
第１領域１２２Ａは、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った領域である。変形例９．３は、変形例９と変形例３との組み合わせである。変形例９．３の好適な例は、変形例３を準用する。

変形例９．４
基材層１２２の第１主面は、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った面である。変形例９．４は、変形例９と変形例４との組み合わせである。変形例９．４の好適な例は、変形例４を準用する。

変形例９．５
第１領域１２２Ａは、エンボス加工された領域である。変形例９．５は、変形例９と変形例５との組み合わせである。

変形例９．６
第２領域１２２Ｂは、エンボス加工された領域である。変形例９．６は、変形例９と変形例６との組み合わせである。

変形例９．７
基材層１２２の第１主面は、エンボス加工された面である。変形例９．７は、変形例９と変形例７との組み合わせである。

変形例１０
図１４に示すように、接着剤層１２１は、第１層１２１１と第２層１２１２とを含む。第１層１２１１はドーナツ板状をなす。第１層１２１１はダイシングリング固定領域１２Ｂに位置する。第１層１２１１の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。第１層１２１１の第１主面はセパレータ１１と接している。第１層１２１１の第２主面は、第２層１２１２と接している。第１層１２１１は粘着性を有することができる。第２層１２１２は円盤状をなす。第２層１２１２の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。第２層１２１２の第１主面はダイシングリング固定領域１２Ｂで第１層１２１１と接している。第２層１２１２の第２主面は基材層１２２と接している。

変形例１０．１
第２領域１２２Ｂは、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った領域である。変形例１０．１は、変形例１０と変形例１との組み合わせである。変形例１０．１の好適な例は、変形例１を準用する。

変形例１０．２
第１領域１２２Ａは、コロナ放電処理された領域である。変形例１０．２は、変形例１０と変形例２との組み合わせである。変形例１０．２の好適な例は、変形例２を準用する。

変形例１０．３
第１領域１２２Ａは、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った領域である。変形例１０．３は、変形例１０と変形例３との組み合わせである。変形例１０．３の好適な例は、変形例３を準用する。

変形例１０．４
基材層１２２の第１主面は、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った面である。変形例１０．４は、変形例１０と変形例４との組み合わせである。変形例１０．４の好適な例は、変形例４を準用する。

変形例１０．５
第１領域１２２Ａは、エンボス加工された領域である。変形例１０．５は、変形例１０と変形例５との組み合わせである。

変形例１０．６
第２領域１２２Ｂは、エンボス加工された領域である。変形例１０．６は、変形例１０と変形例６との組み合わせである。

変形例１０．７
基材層１２２の第１主面は、エンボス加工された面である。変形例１０．７は、変形例１０と変形例７との組み合わせである。

変形例１１
変形例１１では、ダイシングダイボンディングテープ１をＤＢＧ法に用いる。具体的には、半導体ウェハの表面（おもてめん）に溝が設けられた半導体ウエハをバックグラインドフィルムに固定し、半導体ウエハの裏面研削を行う工程と、ダイシングダイボンディングテープ１からセパレータ１１を除き、ダイシングダイボンディングフィルム１２の接着剤層１２１に研削後の半導体ウエハを固定する工程と、ダイシングダイボンディングフィルム１２に引張応力を加え、分断後接着剤層付きの半導体チップを形成する工程とを含む。

これらの変形例は、ほかの変形例と組み合わせることができる。

以下、本開示に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本開示はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。

実施例１〜４・比較例２〜３におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
アクリルポリマー・シリカフィラー・固形エポキシ樹脂・固形フェノール樹脂を表１にしたがってメチルエチルケトンに溶解ないし分散させ、ＰＥＴセパレータに塗工し、１３０℃・２分でメチルエチルケトンをとばし、厚み１０μｍの接着フィルムを得た。倉敷紡績社製の厚み１３０μｍのＥＶＡフィルムに、コロナ処理機（ＰＩＬＬＡＲＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ社製の５００シリーズ）を用いて表１に示す条件でコロナ放電処理をおこなった。コロナ処理後のＥＶＡフィルムに接着フィルムを、６０℃、１０ｍｍ／ｓｅｃ、０．１５ＭＰａで積層し、実施例１〜４・比較例２〜３のダイシングダイボンディングフィルムを得た。各ダイシングダイボンディングフィルムは、ＥＶＡフィルムと、ＥＶＡフィルム上に位置する接着フィルムとを有する。ＥＶＡフィルムの両面は、接着フィルムと接した第１主面と、第１主面に対向する第２主面とで定義される。接着フィルムの両面は、第１主面と、ＥＶＡフィルムと接した第２主面とで定義される。各ダイシングダイボンディングフィルムは円盤状をなす。各ダイシングダイボンディングフィルムでは、ウエハ固定領域の周辺に、ダイシングリング固定領域が位置する。

コロナ処理量
コロナ処理量は下記の式で表される。
放電処理量（Ｗ・ｍｉｎ／ｍ^２）＝放電電極の電圧（Ｗ）÷電極幅（ｍ）÷速度（ｍ／ｍｉｎ）

比較例１におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
ＥＶＡフィルムにコロナ放電処理をおこなわなかったこと以外は、実施例１と同じ手順でダイシングダイボンディングフィルムを作製した。

接着フィルムとＥＶＡフィルムとの９０度はく離力
ダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムに裏打ちテープ(日東電工社製のＢＴ-３１５)を室温２３℃ではりつけ、長さ１２０ｍｍ×幅５０ｍｍのダイシングダイボンディングフィルム試験片を切り出した。オートグラフＡＧＳ−Ｊ（島津製作所製）のチャンバーを２３℃または−１５℃に調整し、引きはがし角度９０度、引きはがし速度３００ｍｍ／ｍｉｎでＴはく離試験をした。はく離力の平均値を表１に示す。

表面自由エネルギー
ダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムに裏打ちテープ(日東電工社製のＢＴ-３１５)を室温２３℃・５０±１０％ＲＨではりつけ、接着フィルムをＥＶＡフィルムからはく離した。ＪＩＳＫ６７６８：１９９９にしたがい調製した段階的に増加する表面張力をもつ一連の試験用混合液を、ＥＶＡフィルムの第１主面と接着フィルムの第２主面とにはく離後５分以内に滴下し、１０ｍｍ幅のヘラで拡げることにより長さ５ｃｍ程度の液膜を形成し、２秒後に液膜を観察し、液膜の形状を正確に２秒間維持する試験用混合液を選んだ。選ばれた試験用混合液の表面張力を表１に示す。

分断性・ピックアップ性
ＤＩＳＣＯ社製ダイシング装置（ＤＦＤ６３６１）を用いて、１２インチのベアウェハに８ｍｍ×１２ｍｍに、幅２０〜２５μｍ、深さ５０μｍの切れ込みを入れた。切り込み面にバックグラインドテープ（日東電工社製のＵＢ−３０８３Ｄ）を貼り付け、ＤＩＳＣＯ社製のバックグラインド装置（ＤＧＰ８７６０）でベアウェハ厚みが２０μｍになるまで研削をおこなった。研削後ウェハを、ダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムに６０℃、０．１５ＭＰａ、１０ｍｍ/ｓｅｃでラミネーターで貼り合せた。ダイシングダイボンディングフィルムの接着フィルムに６０℃、０．１５ＭＰａ、１０ｍｍ/ｓｅｃでラミネーターでダイシングリングを固定した。バックグラインドテープを研削後ウェハから剥離し、クールエキスパンダー（ＤＩＳＣＯ社製のＤＤＳ３２００）を用いて、冷却温度―１５℃、速度１ｍｍ/ｓｅｃ、引延し量１１ｍｍで研削後ウェハを分断し、温度８０℃、速度１ｍｍ/ｓｅｃ、引延し量７ｍｍで加温テーブルで引延しをおこない、２００℃で熱収縮（ヒートシュリンク）させた。以上の手段で、分断後接着フィルム付きチップを形成した。分断後接着フィルムが分断ラインに沿って切れているかを確かめるために、分断後接着フィルム付きチップを各例で３０個観察した。分断率を次の式で求め、分断率が８０％以上を○とし、８０％未満を×とし、判定結果を表１に示す。
分断率
＝分断ラインに沿って切れている分断後接着フィルムを有するチップの数／３０

ピックアップ性
分断後接着フィルム付きチップを１０個、新川社製のダイボンダーＳＰＡ３００でピックアップし、成功数が８個以上の場合を○とし、８個未満の場合を×とした。

Claims

セパレータと、
接着剤層および基材層を含むフィルムとを含み、
前記接着剤層は、前記セパレータおよび前記基材層の間に位置し、
前記フィルムのウエハ固定領域において、前記接着剤層および前記基材層における２３℃の９０度はく離力が０．０２Ｎ／２０ｍｍ〜０．５Ｎ／２０ｍｍであり、
前記ウエハ固定領域において、前記接着剤層および前記基材層における−１５℃の９０度はく離力が０．１Ｎ／２０ｍｍ以上であり、
前記基材層の両面は、前記接着剤層と接した第１主面と、第２主面とで定義され、
前記ウエハ固定領域について前記基材層における前記第１主面の表面自由エネルギーが３２〜３９ｍＮ／ｍであり、
前記接着剤層の両面は、前記セパレータと接した第１主面と、前記基材層と接した第２主面とで定義され、
前記ウエハ固定領域について前記接着剤層における前記第２主面の表面自由エネルギーが３４〜５０ｍＮ／ｍである、
ダイシングダイボンディングテープ。
前記ウエハ固定領域について前記接着剤層における前記第２主面の表面自由エネルギーをＥ_２とし、
前記ウエハ固定領域について前記基材層における前記第１主面の表面自由エネルギーをＥ_１としたとき、
Ｅ_２とＥ_１との差が１５ｍＮ／ｍ以下である、
請求項１に記載のダイシングダイボンディングテープ。
前記接着剤層における２３℃の貯蔵弾性率が１０ＧＰa以下である、請求項１または２に記載のダイシングダイボンディングテープ。
請求項１〜３のいずれかに記載のダイシングダイボンディングテープから前記セパレータを除き、前記フィルムの前記接着剤層に半導体ウエハを固定する工程と、
前記フィルムに引張応力を加え、分断後接着剤層付きの半導体チップを形成する工程とを含む
半導体装置の製造方法。