JP6794530B2

JP6794530B2 - 光電変換素子、光センサ、撮像素子、および、化合物

Info

Publication number: JP6794530B2
Application number: JP2019511258A
Authority: JP
Inventors: 知昭吉岡; 野村　公篤; 公篤野村; 英治福▲崎▼
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2017-04-07
Filing date: 2018-04-03
Publication date: 2020-12-02
Anticipated expiration: 2038-04-03
Also published as: EP3608976A1; EP3608976A4; EP3608976B1; US20200035933A1; KR20190126107A; EP3783681A1; US10886479B2; WO2018186397A1; KR102232972B1; EP3783681B1; JPWO2018186397A1

Description

本発明は、光電変換素子、光センサ、撮像素子、および、化合物に関する。

従来、固体撮像素子としては、フォトダイオード（ＰＤ：photodiode）を２次元的に配列し、各ＰＤで発生した信号電荷を回路で読み出す平面型固体撮像素子が広く用いられている。
カラー固体撮像素子を実現するには、平面型固体撮像素子の光入射面側に、特定の波長の光を透過するカラーフィルタを配した構造が一般的である。現在、２次元的に配列した各ＰＤ上に、青色（Ｂ：blue）光、緑色（Ｇ：green）光、および、赤色（Ｒ：red）光を透過するカラーフィルタを規則的に配した単板式固体撮像素子がよく知られている。しかし、この単板式固体撮像素子においては、カラーフィルタを透過しなかった光が利用されず光利用効率が悪い。
これらの欠点を解決するため、近年、有機光電変換膜を信号読み出し用基板上に配置した構造を有する光電変換素子の開発が進んでいる。このような有機光電変換膜を使用した光電変換素子として、例えば、特許文献１では、以下のような化合物を含む光電変換膜を有する光電変換素子が開示されている。

米国特許出願公開第２０１４／００９７４１６号明細書

近年、撮像素子、および、光センサ等の性能向上の要求に伴い、これらに使用される光電変換素子に求められる諸特性に関してもさらなる向上が求められている。
例えば、応答性のより一層の向上が求められている。
また、光電変換素子においては、光電変換膜の薄膜化を進めた場合（例えば、光電変換膜を１００ｎｍよりも薄くした場合）でも良好な光電変換効率を維持できることが求められている。
本発明者は、特許文献１で具体的に開示されている化合物（例えば、上述した化合物）を用いて光電変換素子を作製し、得られた光電変換素子の応答性、および、光電変換膜が薄膜である場合の光電変換効率（「薄膜時の光電変換効率」とも称する）について検討したところ、その特性は必ずしも昨今求められるレベルに達しておらず、さらなる向上が必要であることを見出した。

本発明は、上記実情を鑑みて、優れた応答性、および、光電変換膜が薄膜である場合において優れた光電変換効率を示す光電変換素子を提供することを課題とする。
また、本発明は、光電変換素子を含む光センサ、および、撮像素子を提供することも課題とする。さらに、本発明は、上記光電変換素子に適用される化合物を提供することも課題とする。

本発明者は、上記課題について鋭意検討した結果、所定の構造を有する化合物、および、ｎ型有機半導体を含む光電変換膜を使用することにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、以下に示す手段により上記課題を解決し得る。

（１）導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、上記光電変換膜が、後述する式（１）で表される化合物、および、ｎ型有機半導体を含む、光電変換素子。
（２）後述する式（１）中、Ｍが、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｇ、または、Ｃａを表す、上記（１）に記載の光電変換素子。
（３）後述する式（１）で表される化合物が、後述する式（３）〜（６）のいずれかで表される化合物である、上記（１）または（２）に記載の光電変換素子。
（４）Ｙ^ａ１、Ｙ^ａ２、Ｙ^ｂ１、Ｙ^ｂ２、Ｙ^ｃ１、Ｙ^ｃ２、Ｙ^ｃ３、Ｙ^ｃ４、Ｙ^ｄ１、Ｙ^ｄ２、Ｙ^ｄ３、および、Ｙ^ｄ４が、それぞれ独立に、酸素原子、または、硫黄原子を表す、上記（３）に記載の光電変換素子。
（５）Ｚ^ａ１、Ｚ^ａ２、Ｚ^ｂ１、Ｚ^ｂ２、Ｚ^ｃ１、Ｚ^ｃ２、Ｚ^ｃ３、Ｚ^ｃ４、Ｚ^ｄ１、Ｚ^ｄ２、Ｚ^ｄ３、および、Ｚ^ｄ４が、ＣＲ^２６を表し、Ｒ^２６は、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す、上記（３）または（４）に記載の光電変換素子。
（６）後述する式（３）〜（６）中、ＭがＺｎである、上記（３）〜（５）のいずれかに記載の光電変換素子。
（７）後述する式（３）〜（６）のいずれかで表される化合物の分子量が１２００以下である、上記（３）〜（６）のいずれかに記載の光電変換素子。
（８）上記ｎ型有機半導体の分子量が２００〜１２００である、上記（１）〜（７）のいずれかに記載の光電変換素子。
（９）上記光電変換膜がバルクへテロ構造を有する、上記（１）〜（８）のいずれかに記載の光電変換素子。
（１０）上記導電性膜と上記透明導電性膜の間に、上記光電変換膜の他に１種以上の中間層を有する、上記（１）〜（９）のいずれかに記載の光電変換素子。
（１１）上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の光電変換素子を含む光センサ。
（１２）上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の光電変換素子を含む撮像素子。
（１３）後述する式（７）〜（１０）のいずれかで表される化合物。

本発明によれば、優れた応答性、および、光電変換膜が薄膜である場合において優れた光電変換効率を示す光電変換素子を提供することができる。
また、本発明によれば、光電変換素子を含む光センサ、および、撮像素子を提供することもできる。さらに、本発明によれば、上記光電変換素子に適用される化合物を提供することもできる。

光電変換素子の一構成例を示す断面模式図である。光電変換素子の一構成例を示す断面模式図である。ハイブリッド型光電変換素子の１画素分の断面模式図である。撮像素子の１画素分の断面模式図である。化合物（Ｄ−１）の^１ＨＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）チャートである。化合物（Ｄ−５）の^１ＨＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）チャートである。化合物（Ｄ−７）の^１ＨＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）チャートである。

以下に、本発明の光電変換素子の好適実施形態について説明する。
なお、本明細書において置換、または、無置換を明記していない置換基等については、目的とする効果を損なわない範囲で、その基にさらに置換基（好ましくは、後述する置換基Ｗ）が置換していてもよい。例えば、「アルキル基」という表記は、置換基（好ましくは、置換基Ｗ）が置換していてもよいアルキル基に該当する。
また、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」前後に記載される数値を下限値、および、上限値として含む範囲を意味する。

本発明の従来技術と比較した特徴点としては、後述する式（１）で表される化合物（「特定化合物」とも称する）を使用している点が挙げられる。この特定化合物には、特定の位置に特定の環状構造が導入されており、その結果、この特定化合物を含む光電変換膜を有する光電変換素子の特性（応答性、および、薄膜時の光電変換効率）が向上している。

このメカニズムの詳細は定かではないが、以下のように推測される。まず、特定化合物においては、所定の環状構造がピロメテン部分に導入されることにより共役系が拡張されている。また、特定化合物は三次元的な構造を有し、電荷輸送特性に優れるため応答性が高い。さらに、特定化合物は、吸光係数（ε）が高く、光電変換の内部量子効率も高いため、薄膜時の光電変換効率が優れると考えられる。

以下に、本発明の光電変換素子の好適実施形態について図面を参照して説明する。図１に、本発明の光電変換素子の一実施形態の断面模式図を示す。
図１Ａに示す光電変換素子１０ａは、下部電極として機能する導電性膜（以下、下部電極とも記す）１１と、電子ブロッキング膜１６Ａと、後述する式（１）で表される化合物を含む光電変換膜１２と、上部電極として機能する透明導電性膜（以下、上部電極とも記す）１５とがこの順に積層された構成を有する。
図１Ｂに別の光電変換素子の構成例を示す。図１Ｂに示す光電変換素子１０ｂは、下部電極１１上に、電子ブロッキング膜１６Ａと、光電変換膜１２と、正孔ブロッキング膜１６Ｂと、上部電極１５とがこの順に積層された構成を有する。なお、図１Ａ、および、図１Ｂ中の電子ブロッキング膜１６Ａ、光電変換膜１２、および、正孔ブロッキング膜１６Ｂの積層順は、用途、および、特性に応じて、適宜変更してもよい。

光電変換素子１０ａ（または、１０ｂ）では、上部電極１５を介して光電変換膜１２に光が入射されることが好ましい。
また、光電変換素子１０ａ（または、１０ｂ）を使用する場合には、電圧を印加できる。この場合、下部電極１１と上部電極１５とが一対の電極をなし、この一対の電極間に、１×１０^−５〜１×１０^７Ｖ／ｃｍの電圧を印加することが好ましい。性能、および、消費電力の点から、印加される電圧としては、１×１０^−４〜１×１０^７Ｖ／ｃｍがより好ましく、１×１０^−３〜５×１０^６Ｖ／ｃｍがさらに好ましい。
なお、電圧印加方法については、図１Ａ、および、図１Ｂにおいて、電子ブロッキング膜１６Ａ側が陰極となり、光電変換膜１２側が陽極となるように印加することが好ましい。光電変換素子１０ａ（または、１０ｂ）を光センサとして使用した場合、また、撮像素子に組み込んだ場合も、同様の方法により電圧を印加できる。
後段で、詳述するように、光電変換素子１０ａ（または、１０ｂ）は光センサ用途、および、撮像素子用途に好適に適用できる。

また、図２に、本発明の光電変換素子の別の実施形態の断面模式図を示す。
図２に示される光電変換素子２００は、有機光電変換膜２０９と無機光電変換膜２０１とを備えるハイブリッド型の光電変換素子である。なお、有機光電変換膜２０９は、後述する式（１）で表される化合物を含む。
無機光電変換膜２０１は、ｐ型シリコン基板２０５上に、ｎ型ウェル２０２、ｐ型ウェル２０３、および、ｎ型ウェル２０４を有する。
ｐ型ウェル２０３とｎ型ウェル２０４との間に形成されるｐｎ接合にて青色光が光電変換され（Ｂ画素）、ｐ型ウェル２０３とｎ型ウェル２０２との間に形成されるｐｎ接合にて赤色光が光電変換される（Ｒ画素）。なお、ｎ型ウェル２０２、ｐ型ウェル２０３、および、ｎ型ウェル２０４の導電型は、これらに限るものではない。

さらに、無機光電変換膜２０１の上には透明な絶縁層２０７が配置されている。
絶縁層２０７の上には、画素毎に区分けした透明な画素電極２０８が配置され、その上に、緑色光を吸収して光電変換する有機光電変換膜２０９が各画素共通に一枚構成で配置され、その上に、電子ブロッキング膜２１２が各画素共通に一枚構成で配置され、その上に、一枚構成の透明な共通電極２１０が配置され、最上層に、透明な保護膜２１１が配置されている。電子ブロッキング膜２１２と有機光電変換膜２０９との積層順は図２とは逆であってもよく、共通電極２１０は、画素毎に区分けして配置されてもよい。
有機光電変換膜２０９は、緑色光を検出するＧ画素を構成する。

画素電極２０８は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの下部電極１１と同じである。共通電極２１０は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの上部電極１５と同じである。

この光電変換素子２００に被写体からの光が入射すると、入射光の内の緑色光が有機光電変換膜２０９に吸収されて光電荷が発生し、この光電荷は、画素電極２０８から図示しない緑色信号電荷蓄積領域に流れ蓄積される。

有機光電変換膜２０９を透過した青色光と赤色光との混合光が無機光電変換膜２０１内に侵入する。波長の短い青色光は主として半導体基板（無機光電変換膜）２０１の浅部（ｐ型ウェル２０３とｎ型ウェル２０４との間に形成されるｐｎ接合付近）にて光電変換されて光電荷が発生し、信号が外部に出力される。波長の長い赤色光は主として半導体基板（無機光電変換膜）２０１の深部（ｐ型ウェル２０３とｎ型ウェル２０２との間に形成されるｐｎ接合付近）で光電変換されて光電荷が発生し、信号が外部に出力される。

なお、光電変換素子２００を撮像素子に使用する場合、ｐ型シリコン基板２０５の表面部には、信号読出回路（ＣＣＤ：Charge Coupled Device）型であれば電荷転送路、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型であればＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor）トランジスタ回路、または、緑色信号電荷蓄積領域が形成される。また、画素電極２０８は、縦配線により対応の緑色信号電荷蓄積領域に接続される。

以下に、本発明の光電変換素子を構成する各層の形態について詳述する。

［光電変換膜］
（式（１）で表される化合物）
光電変換膜１２（または、有機光電変換膜２０９）は、光電変換材料として式（１）で表される化合物を含む膜である。この化合物を使用することにより、優れた応答性、および、優れた薄膜時における光電変換効率を示す、光電変換素子が得られる。
以下、式（１）で表される化合物について詳述する。なお、式（２）中、＊は結合部位を表す。

式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^１２は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を表す。上記置換基の定義は、後述する置換基Ｗと同義である。
中でも、光電変換素子の応答性および／または薄膜時の光電変換効率がより優れる点（以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する）で、Ｒ^１〜Ｒ^１２としては、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましい。

式（１）中、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、窒素原子、または、ＣＲ^１４を表す。Ｒ^１４は、水素原子、または、置換基を表す。上記置換基の定義は、後述する置換基Ｗと同義である。
中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｘ^１およびＸ^２としては、ＣＲ^１４が好ましい。
また、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ^１４としては、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、水素原子、アルキル基、または、アリール基がより好ましい。
なお、上述したように、Ｒ^１４で表されるアルキル基、アリール基、および、ヘテロアリール基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、後述する置換基Ｗ（例えば、アルキル基、および、ハロゲン原子等）が挙げられる。

式（１）中、Ｍは、２価の金属原子を表す。Ｍが表す２価の金属原子としては、例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｐｂ、および、Ｓｎ等が挙げられる。中でも、Ｍが表す２価の金属原子としては、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｇ、または、Ｃａが好ましく、Ｚｎがより好ましい。

式（１）中、Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^５とＲ^６、Ｒ^７とＲ^８、および、Ｒ^１１とＲ^１２のうち、少なくとも一組は、式（２）で表される構造と結合して環を形成する。
例えば、Ｒ^１とＲ^２の組が、式（２）で表される構造と結合して環を形成する場合、Ｒ^１およびＲ^２の一方がＹ^１に置換され、Ｒ^１およびＲ^２の他方がＺ^１に置換される。より具体的には、Ｒ^１とＲ^２の一組が式（２）で表される構造と結合して環を形成する場合、得られる化合物は以下のように表される。

中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ^１とＲ^２およびＲ^５とＲ^６の少なくとも一方の組が式（２）で表される構造と結合して環を形成し、かつ、Ｒ^７とＲ^８およびＲ^１１とＲ^１２の少なくとも一方の組が式（２）で表される構造と結合して環を形成することが好ましい。

なお、式（１）で表される化合物が、複数の式（２）で表される構造を有している場合、複数のＹ^１はそれぞれ異なっていてもよく、複数のＺ^１はそれぞれ異なっていてもよく、複数のＲ^１３はそれぞれ異なっていてもよい。

なお、Ｒ^２とＲ^３とが互いに結合して環を形成することはない。また、Ｒ^４とＲ^５とが互いに結合して環を形成することもない。また、Ｒ^８とＲ^９とが互いに結合して環を形成することもない。さらに、Ｒ^１０とＲ^１１とが互いに結合して環を形成することもない。

式（２）中、Ｙ^１は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ＮＲ^１５、ＣＲ^１６Ｒ^１７、または、−ＣＲ^１８＝ＣＲ^１９−を表す。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｙ^１としては、酸素原子、または、硫黄原子が好ましい。
Ｒ^１５〜Ｒ^１９は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を表す。上記置換基の定義は、後述する置換基Ｗと同義である。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ^１５〜Ｒ^１９としては、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、水素原子がより好ましい。

式（２）中、Ｚ^１は、窒素原子、または、ＣＲ^２０を表す。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｚ^１としては、ＣＲ^２０が好ましい。
Ｒ^２０は、水素原子、または、置換基を表す。上記置換基の定義は、後述する置換基Ｗと同義である。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ^２０としては、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、水素原子がより好ましい。

式（２）中、Ｒ^１３は水素原子、または、置換基を表す。上記置換基の定義は、後述する置換基Ｗと同義である。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ^１３としては、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基（特にメトキシ基）、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、アルキル基、または、アリール基がより好ましい。

式（２）中、Ｚ^１がＣＲ^２０を表す場合、Ｒ^２０はＲ^１３と互いに結合して環を形成してもよい。形成される環は、芳香族環であっても、非芳香族環であってもよく、芳香族環が好ましい。芳香族環の場合、芳香族炭化水素環であっても、芳香族複素環であってもよい。形成される環は、単環であっても、２つ以上の環からなる縮環であってもよい。また、形成される環には、置換基（好ましくは、後述する置換基Ｗ）が置換していてもよい。

式（１）で表される化合物の分子量は特に制限されないが、４００〜１２００が好ましい。分子量が１２００以下であれば、蒸着温度が高くならず、化合物の分解が起こりにくい。分子量が４００以上であれば、蒸着膜のガラス転移点が低くならず、光電変換素子の耐熱性が向上する。

本発明の効果がより優れる点で、式（１）で表される化合物としては、式（３）〜（６）のいずれかで表される化合物が好ましい。
なお、式（３）で表される化合物および式（４）で表される化合物は２つの式（２）で表される構造を有する式（１）で表される化合物に相当し、式（５）で表される化合物および式（６）で表される化合物は４つの式（２）で表される構造を有する式（１）で表される化合物に相当する。

式（３）〜（６）中、Ｒ^ａ１〜Ｒ^ａ１２、Ｒ^ｂ１〜Ｒ^ｂ１２、Ｒ^ｃ１〜Ｒ^ｃ１０、および、Ｒ^ｄ１〜Ｒ^ｄ１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。
中でも、本発明の効果がより優れる点で、式（３）中のＲ^ａ４およびＲ^ａ１０、式（４）中のＲ^ｂ４およびＲ^ｂ１０、式（５）中のＲ^ｃ３およびＲ^ｃ８、ならびに、式（６）中のＲ^ｄ３およびＲ^ｄ８としては、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、または、アリール基が好ましい。
なお、上述したように、式（３）中のＲ^ａ４およびＲ^ａ１０、式（４）中のＲ^ｂ４およびＲ^ｂ１０、式（５）中のＲ^ｃ３およびＲ^ｃ８、ならびに、式（６）中のＲ^ｄ３およびＲ^ｄ８で表されるアルキル基、アリール基、および、ヘテロアリール基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、後述する置換基Ｗ（例えば、アルキル基、および、ハロゲン原子等）が挙げられる。

式（３）において、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ^ａ２およびＲ^ａ８としては、水素原子、アルキル基、または、アリール基が好ましく、水素原子がより好ましい。
また、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ^ａ５およびＲ^ａ１１としては、水素原子、アルキル基、または、アリール基が好ましく、水素原子、または、アルキル基がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
また、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ^ａ１、Ｒ^ａ３、Ｒ^ａ６、Ｒ^ａ７、Ｒ^ａ９、および、Ｒ^ａ１２としては、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、アルキル基、または、アリール基がより好ましい。

式（４）において、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ^ｂ２およびＲ^ｂ８としては、水素原子、アルキル基、または、アリール基が好ましく、水素原子がより好ましい。
また、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ^ｂ５およびＲ^ｂ１１としては、水素原子、アルキル基、または、アリール基が好ましく、水素原子、または、アルキル基がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
また、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ^ｂ１、Ｒ^ｂ３、Ｒ^ｂ６、Ｒ^ｂ７、Ｒ^ｂ９、および、Ｒ^ｂ１２としては、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、アルキル基、または、アリール基がより好ましい。

式（５）において、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ^ｃ２、Ｒ^ｃ４、Ｒ^ｃ７、および、Ｒ^ｃ９としては、水素原子、アルキル基、または、アリール基が好ましく、水素原子、または、アルキル基がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
また、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ^ｃ１、Ｒ^ｃ５、Ｒ^ｃ６、および、Ｒ^ｃ１０としては、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、アルキル基がより好ましい。

式（６）において、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ^ｄ２、Ｒ^ｄ４、Ｒ^ｄ７、および、Ｒ^ｄ９としては、水素原子、アルキル基、または、アリール基が好ましく、水素原子、または、アルキル基がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
また、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ^ｄ１、Ｒ^ｄ５、Ｒ^ｄ６、および、Ｒ^ｄ１０としては、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、アルキル基がより好ましい。

式（３）〜（６）中のＭは、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｇ、または、Ｃａを表す。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｚｎが好ましい。

Ｙ^ａ１、Ｙ^ａ２、Ｙ^ｂ１、Ｙ^ｂ２、Ｙ^ｃ１、Ｙ^ｃ２、Ｙ^ｃ３、Ｙ^ｃ４、Ｙ^ｄ１、Ｙ^ｄ２、Ｙ^ｄ３、および、Ｙ^ｄ４は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ＮＲ^２１、ＣＲ^２２Ｒ^２３、または、−ＣＲ^２４＝ＣＲ^２５−を表す。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｙ^ａ１、Ｙ^ａ２、Ｙ^ｂ１、Ｙ^ｂ２、Ｙ^ｃ１、Ｙ^ｃ２、Ｙ^ｃ３、Ｙ^ｃ４、Ｙ^ｄ１、Ｙ^ｄ２、Ｙ^ｄ３、および、Ｙ^ｄ４は、それぞれ独立に、酸素原子、または、硫黄原子を表すことが好ましい。
Ｒ^２１〜Ｒ^２５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ^２１〜Ｒ^２５としては、水素原子がより好ましい。

Ｚ^ａ１、Ｚ^ａ２、Ｚ^ｂ１、Ｚ^ｂ２、Ｚ^ｃ１、Ｚ^ｃ２、Ｚ^ｃ３、Ｚ^ｃ４、Ｚ^ｄ１、Ｚ^ｄ２、Ｚ^ｄ３、および、Ｚ^ｄ４は、それぞれ独立に、窒素原子、または、ＣＲ^２６を表す。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｚ^ａ１、Ｚ^ａ２、Ｚ^ｂ１、Ｚ^ｂ２、Ｚ^ｃ１、Ｚ^ｃ２、Ｚ^ｃ３、Ｚ^ｃ４、Ｚ^ｄ１、Ｚ^ｄ２、Ｚ^ｄ３、および、Ｚ^ｄ４としては、ＣＲ^２６が好ましい。
Ｒ^２６は、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ^２６としては、水素原子、または、アルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。

Ｚ^ａ１がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ａ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ａ２がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ａ１２とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｂ１がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｂ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｂ２がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｂ１２とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｃ１がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｃ１とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｃ２がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｃ５とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｃ３がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｃ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｃ４がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｃ１０とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｄ１がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｄ１とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｄ２がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｄ５とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｄ３がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｄ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｄ４がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｄ１０とは互いに結合して環を形成してもよい。
上記で形成される環は、芳香族環であっても、非芳香族環であってもよく、芳香族環が好ましい。芳香族環の場合、芳香族炭化水素環であっても、芳香族複素環であってもよい。形成される環は、単環であっても、２つ以上の環からなる縮環であってもよい。形成される環には、置換基（好ましくは、後述する置換基Ｗ）が置換していてもよい。

式（３）または（４）で表される化合物の分子量は特に制限されないが、１２００以下が好ましい。分子量が１２００以下であれば、蒸着温度が高くならず、化合物の分解が起こりにくい。分子量の下限は特に制限されないが、４００以上が好ましい。分子量が４００以上であれば、蒸着膜のガラス転移点が低くならず、光電変換素子の耐熱性が向上する。
式（５）または（６）で表される化合物の分子量は特に制限されないが、１２００以下が好ましい。分子量が１２００以下であれば、蒸着温度が高くならず、化合物の分解が起こりにくい。分子量の下限は特に制限されないが、５００以上が好ましい。分子量が５００以上であれば、蒸着膜のガラス転移点が低くならず、光電変換素子の耐熱性が向上する。

本発明の効果がより優れる点で、式（３）〜（６）のいずれかで表される化合物としては、式（７）〜（１０）のいずれか表される化合物が好ましい。

式（７）〜（１０）中、Ｒ^ａ１〜Ｒ^ａ１２、Ｒ^ｂ１〜Ｒ^ｂ１２、Ｒ^ｃ１〜Ｒ^ｃ１０、および、Ｒ^ｄ１〜Ｒ^ｄ１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。Ｙ^ａ１、Ｙ^ａ２、Ｙ^ｂ１、Ｙ^ｂ２、Ｙ^ｃ１、Ｙ^ｃ２、Ｙ^ｃ３、Ｙ^ｃ４、Ｙ^ｄ１、Ｙ^ｄ２、Ｙ^ｄ３、および、Ｙ^ｄ４は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ＮＲ^２１、ＣＲ^２２Ｒ^２３、または、−ＣＲ^２４＝ＣＲ^２５−を表す。Ｚ^ａ１、Ｚ^ａ２、Ｚ^ｂ１、Ｚ^ｂ２、Ｚ^ｃ１、Ｚ^ｃ２、Ｚ^ｃ３、Ｚ^ｃ４、Ｚ^ｄ１、Ｚ^ｄ２、Ｚ^ｄ３、および、Ｚ^ｄ４は、それぞれ独立に、窒素原子、または、ＣＲ^２６を表す。Ｒ^２１〜Ｒ^２６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。Ｚ^ａ１がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ａ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ａ２がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ａ１２とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｂ１がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｂ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｂ２がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｂ１２とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｃ１がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｃ１とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｃ２がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｃ５とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｃ３がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｃ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｃ４がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｃ１０とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｄ１がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｄ１とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｄ２がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｄ５とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｄ３がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｄ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｄ４がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｄ１０とは互いに結合して環を形成してもよい。

式（７）は、式（３）中、ＭがＺｎを表す場合に相当する。同様に、式（８）は、式（４）中、ＭがＺｎを表す場合に相当する。式（９）は、式（５）中、ＭがＺｎを表す場合に相当する。式（１０）は、式（６）中、ＭがＺｎを表す場合に相当する。
各置換基の好適な範囲は、上述したのと同様である。

本明細書における置換基Ｗについて記載する。
置換基Ｗとしては、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子等）、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、および、トリシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、および、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基（ヘテロ環基といってもよい）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルまたはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルまたはアリールスルフィニル基、アルキルまたはアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールまたはヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（−Ｂ（ＯＨ）_２）、ホスファト基（−ＯＰＯ（ＯＨ）_２）、スルファト基（−ＯＳＯ_３Ｈ）、および、その他の公知の置換基が挙げられる。
また、置換基Ｗは、さらに置換基Ｗで置換されていてもよい。例えば、アルキル基にハロゲン原子が置換していてもよい。
なお、置換基Ｗの詳細については、特開２００７−２３４６５１号公報の段落［００２３］に記載される。

なお、特定化合物（式（１）で表される化合物、式（３）〜（６）のいずれかで表される化合物）が有するアルキル基としては、炭素数１〜１０が好ましく、炭素数１〜６がより好ましく、炭素数１〜４がさらに好ましい。アルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、および、環状のいずれであってもよい。また、アルキル基には、置換基（好ましくは、置換基Ｗ）が置換していてもよい。
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、および、シクロへキシル基等が挙げられる。

特定化合物（式（１）で表される化合物、式（３）〜（６）のいずれかで表される化合物）が有するアリール基中の炭素数は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、炭素数６〜３０が好ましく、炭素数６〜１８がより好ましく、炭素数６がさらに好ましい。アリール基は、単環構造であっても、２つ以上の環が縮環した縮環構造（縮合環構造）であってもよい。また、アリール基には、置換基（好ましくは、置換基Ｗ）が置換していてもよい。
アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フェナントレニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、ビフェニル基、および、フルオレニル基等が挙げられ、フェニル基、ナフチル基、または、アントリル基が好ましい。

特定化合物（式（１）で表される化合物、式（３）〜（６）のいずれかで表される化合物）が有するヘテロアリール基（１価の芳香族複素環基）中の炭素数は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、３〜３０が好ましく、３〜１８がより好ましい。ヘテロアリール基には、置換基（好ましくは、置換基Ｗ）が置換していてもよい。
ヘテロアリール基は、炭素原子、および、水素原子以外にヘテロ原子を有する。ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、リン原子、ケイ素原子、および、ホウ素原子が挙げられ、窒素原子、硫黄原子、または、酸素原子が好ましい。
ヘテロアリール基が有するヘテロ原子の数は特に制限されず、通常、１〜１０程度であり、１〜４が好ましく、１〜２がより好ましい。
ヘテロアリール基の環員数は特に制限されないが、３〜８が好ましく、５〜７がより好ましく、５〜６がさらに好ましい。なお、ヘテロアリール基は、単環構造であっても、２つ以上の環が縮環した縮環構造であってもよい。縮環構造の場合、ヘテロ原子を有さない芳香族炭化水素環（例えば、ベンゼン環）が含まれていてもよい。
ヘテロアリール基としては、例えば、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、プテリジニル基、ピラジニル基、キノキサリニル基、ピリミジニル基、キナゾリル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、および、カルバゾリル基等が挙げられる。

以下に、式（１）で表される化合物を例示する。

式（１）で表される化合物は、ｐ型有機半導体として使用する際の安定性とｎ型有機半導体とのエネルギー準位のマッチングの点で、単独膜でのイオン化ポテンシャルが−５．０〜−６．０ｅＶである化合物であることが好ましい。

式（１）で表される化合物は、光センサ、撮像素子、または、光電池に用いる光電変換膜の材料として特に有用である。なお、通常、式（１）で表される化合物は、光電変換膜内でｐ型有機半導体として機能する場合が多い。また、式（１）で表される化合物は、着色材料、液晶材料、有機半導体材料、電荷輸送材料、医薬材料、および、蛍光診断薬材料としても用いることもできる。

（ｎ型有機半導体）
光電変換膜は、上述した式（１）で表される化合物以外の他の成分として、ｎ型有機半導体を含む。
ｎ型有機半導体は、アクセプタ性有機半導体材料（化合物）であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、ｎ型有機半導体は、２つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。
ｎ型有機半導体としては、例えば、縮合芳香族炭素環化合物（例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、および、フルオランテン誘導体）；窒素原子、酸素原子、および、硫黄原子の少なくとも１つを有する５〜７員環のヘテロ環化合物（例えば、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、および、チアゾール等）；ポリアリーレン化合物；フルオレン化合物；シクロペンタジエン化合物；シリル化合物；ならびに、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体等が挙げられる。

なお、ｎ型有機半導体として、有機色素を用いてもよい。例えば、シアニン色素、スチリル色素、ヘミシアニン色素、メロシアニン色素（ゼロメチンメロシアニン（シンプルメロシアニン）を含む）、ロダシアニン色素、アロポーラー色素、オキソノール色素、ヘミオキソノール色素、スクアリウム色素、クロコニウム色素、アザメチン色素、クマリン色素、アリーリデン色素、アントラキノン色素、トリフェニルメタン色素、アゾ色素、アゾメチン色素、メタロセン色素、フルオレノン色素、フルギド色素、ペリレン色素、フェナジン色素、フェノチアジン色素、キノン色素、ジフェニルメタン色素、ポリエン色素、アクリジン色素、アクリジノン色素、ジフェニルアミン色素、キノフタロン色素、フェノキサジン色素、フタロペリレン色素、ジオキサン色素、ポルフィリン色素、クロロフィル色素、フタロシアニン色素、および、金属錯体色素等が挙げられる。

上記ｎ型有機半導体の分子量としては、２００〜１２００が好ましく、２００〜９００がより好ましい。

一方で、図２に示したような形態の場合には、ｎ型有機半導体は無色、または、式（１）で表される化合物に近い吸収極大波長、および／または、吸収波形を持つことが望ましく、具体的な数値としては、ｎ型有機半導体の吸収極大波長が４００ｎｍ以下、または、５００〜６００ｎｍが望ましい。

光電変換膜は、上記式（１）で表される化合物と、ｎ型有機半導体とが混合された状態で形成されるバルクヘテロ構造を有することが好ましい。バルクヘテロ構造は、光電変換膜内で、式（１）で表される化合物とｎ型有機半導体とが混合、分散している層である。バルクヘテロ構造を有する光電変換膜は、湿式法、および、乾式法のいずれでも形成できる。なお、バルクへテロ構造については、特開２００５−３０３２６６号公報の段落［００１３］〜［００１４］等において詳細に説明されている。

光電変換素子の応答性の点から、式（１）で表される化合物とｎ型有機半導体との合計の含有量に対する式（１）で表される化合物の含有量（＝式（１）で表される化合物の単層換算での膜厚／（式（１）で表される化合物の単層換算での膜厚＋ｎ型有機半導体の単層換算での膜厚）×１００）は、２０〜８０体積％が好ましく、３０〜７０体積％がより好ましく、４０〜６０体積％がさらに好ましい。
なお、光電変換膜は、実質的に、式（１）で表される化合物とｎ型有機半導体から構成されることが好ましい。実質的とは、光電変換膜全質量に対して、式（１）で表される化合物およびｎ型有機半導体の合計含有量が９５質量％以上であることを意図する。

式（１）で表される化合物を含む光電変換膜は非発光性膜であり、有機電界発光素子（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）とは異なる特徴を有する。非発光性膜とは発光量子効率が１％以下の膜を意図し、発光量子効率は０．５％以下が好ましく、０．１％以下がより好ましい。

（成膜方法）
光電変換膜は、主に、乾式成膜法により成膜できる。乾式成膜法の具体例としては、蒸着法（特に、真空蒸着法）、スパッタ法、イオンプレーティング法、および、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法等の物理気相成長法、ならびに、プラズマ重合等のＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法が挙げられる。中でも、真空蒸着法が好ましい。真空蒸着法により光電変換膜を成膜する場合、真空度、および、蒸着温度等の製造条件は常法に従って設定できる。

光電変換膜の厚みは、１０〜１０００ｎｍが好ましく、５０〜８００ｎｍがより好ましく、５０〜５００ｎｍがさらに好ましく、５０〜３００ｎｍが特に好ましい。

［電極］
電極（上部電極（透明導電性膜）１５と下部電極（導電性膜）１１）は、導電性材料から構成される。導電性材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、および、これらの混合物等が挙げられる。
上部電極１５から光が入射されるため、上部電極１５は検知したい光に対し透明であることが好ましい。上部電極１５を構成する材料としては、例えば、アンチモンまたはフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ：Antimony Tin Oxide、ＦＴＯ：Fluorine doped Tin Oxide）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）、および、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ：Indium zinc oxide）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、および、ニッケル等の金属薄膜、これらの金属と導電性金属酸化物との混合物、または、積層物；ならびに、ポリアニリン、ポリチオフェン、および、ポリピロール等の有機導電性材料、等が挙げられる。中でも、高導電性、および、透明性等の点から、導電性金属酸化物が好ましい。

通常、導電性膜をある範囲より薄くすると、急激な抵抗値の増加をもたらすが、本実施形態にかかる光電変換素子を組み込んだ固体撮像素子では、シート抵抗は、好ましくは１００〜１００００Ω／□でよく、薄膜化できる膜厚の範囲の自由度は大きい。また、上部電極（透明導電性膜）１５は厚みが薄いほど吸収する光の量は少なくなり、一般に光透過率が増す。光透過率の増加は、光電変換膜での光吸収を増大させ、光電変換能を増大させるため、好ましい。薄膜化に伴う、リーク電流の抑制、薄膜の抵抗値の増大、および、透過率の増加を考慮すると、上部電極１５の膜厚は、５〜１００ｎｍが好ましく、５〜２０ｎｍがより好ましい。

下部電極１１は、用途に応じて、透明性を持たせる場合と、逆に透明性を持たせず光を反射させる場合とがある。下部電極１１を構成する材料としては、例えば、アンチモンまたはフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、および、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル、チタン、タングステン、および、アルミ等の金属、これらの金属の酸化物、または、窒化物等の導電性化合物（一例として窒化チタン（ＴｉＮ）を挙げる）；これらの金属と導電性金属酸化物との混合物、または、積層物；ならびに、ポリアニリン、ポリチオフェン、および、ポリピロール、等の有機導電性材料等が挙げられる。

電極を形成する方法は特に制限されず、電極材料に応じて適宜選択できる。具体的には、印刷方式、および、コーティング方式等の湿式方式；真空蒸着法、スパッタ法、および、イオンプレーティング法等の物理的方式；ならびに、ＣＶＤ、および、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、等が挙げられる。
電極の材料がＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル−ゲル法等）、および、酸化インジウムスズの分散物の塗布等の方法が挙げられる。

［電荷ブロッキング膜：電子ブロッキング膜、正孔ブロッキング膜］
本発明の光電変換素子は、導電性膜と透明導電性膜の間に、光電変換膜の他に１種以上の中間層を有していることも好ましい。上記中間層としては、電荷ブロッキング膜が挙げられる。光電変換素子がこの膜を有することにより、得られる光電変換素子の特性（光電変換効率、および、応答性等）がより優れる。電荷ブロッキング膜としては、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜とが挙げられる。以下に、それぞれの膜について詳述する。

（電子ブロッキング膜）
電子ブロッキング膜は、電子供与性化合物を含む。具体的には、低分子材料では、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、および、４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）等の芳香族ジアミン化合物；ポルフィリン、テトラフェニルポルフィリン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、および、チタニウムフタロシアニンオキサイド等のポルフィリン化合物；オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、トリアゾール誘導体、オキサジザゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、ならびに、シラザン誘導体等が挙げられる。高分子材料としては、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、インドール、ピレン、ピロール、ピコリン、チオフェン、アセチレン、および、ジアセチレン等の重合体、または、その誘導体が挙げられる。また、特許第５５９７４５０号の段落［００４９］〜［００６３］に記載の化合物、特開２０１１−２２５５４４号公報の段落［０１１９］〜［０１５８］に記載の化合物、および、特開２０１２−９４６６０号公報の段落［００８６］〜［００９０］に記載の化合物等が挙げられる。

なお、電子ブロッキング膜は、複数膜で構成してもよい。
電子ブロッキング膜は、無機材料で構成されていてもよい。一般的に、無機材料は有機材料よりも誘電率が大きいため、無機材料を電子ブロッキング膜に用いた場合に、光電変換膜に電圧が多くかかるようになり、光電変換効率が高くなる。電子ブロッキング膜となりうる無機材料としては、例えば、酸化カルシウム、酸化クロム、酸化クロム銅、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化銅、酸化ガリウム銅、酸化ストロンチウム銅、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化インジウム銅、酸化インジウム銀、および、酸化イリジウム等が挙げられる。

（正孔ブロッキング膜）
正孔ブロッキング膜は、電子受容性化合物を含む。
電子受容性化合物としては、１，３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）等のオキサジアゾール誘導体；アントラキノジメタン誘導体；ジフェニルキノン誘導体；バソクプロイン、バソフェナントロリン、および、これらの誘導体；トリアゾール化合物；トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体；ビス（４−メチル−８−キノリナート）アルミニウム錯体；ジスチリルアリーレン誘導体；ならびに、シロール化合物、等が挙げられる。また、特開２００６−１００７６７号公報の段落［００５６］〜［００５７］に記載の化合物等が挙げられる。

電荷ブロッキング膜の製造方法は特に制限されず、乾式成膜法、および、湿式成膜法が挙げられる。乾式成膜法としては、蒸着法、および、スパッタ法が挙げられる。蒸着は、物理蒸着（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）、および、化学蒸着（ＣＶＤ）のいずれでもよく、真空蒸着等の物理蒸着が好ましい。湿式成膜法としては、インクジェット法、スプレー法、ノズルプリント法、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、および、グラビアコート法等が挙げられ、高精度パターニングの点からは、インクジェット法が好ましい。

電荷ブロッキング膜（電子ブロッキング膜、および、正孔ブロッキング膜）の厚みは、それぞれ、３〜２００ｎｍが好ましく、５〜１００ｎｍがより好ましく、５〜３０ｎｍがさらに好ましい。

［基板］
光電変換素子は、さらに基板を有していてもよい。使用される基板の種類は特に制限されず、半導体基板、ガラス基板、および、プラスチック基板が挙げられる。
なお、基板の位置は特に制限されないが、通常、基板上に導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で積層する。

［封止層］
光電変換素子は、さらに封止層を有していてもよい。光電変換材料は水分子等の劣化因子の存在で顕著にその性能が劣化してしまうことがある。そこで、水分子を浸透させない緻密な金属酸化物、金属窒化物、および、金属窒化酸化物等のセラミクス、または、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ：Diamond-like Carbon）等の封止層で光電変換膜全体を被覆して封止することで、上記劣化を防止できる。
なお、封止層としては、特開２０１１−０８２５０８号公報の段落［０２１０］〜［０２１５］に記載に従って、材料の選択、および、製造を行ってもよい。

［光センサ］
光電変換素子の用途として、例えば、光電池、および、光センサが挙げられるが、本発明の光電変換素子は光センサとして用いることが好ましい。光センサとしては、上記光電変換素子単独で用いてもよいし、上記光電変換素子を直線状に配したラインセンサ、または、平面上に配した２次元センサとして用いてもよい。本発明の光電変換素子は、ラインセンサでは、スキャナー等の様に光学系、および、駆動部を用いて光画像情報を電気信号に変換し、２次元センサでは、撮像モジュールのように光画像情報を光学系でセンサ上に結像させ電気信号に変換することで撮像素子として機能する。

［撮像素子］
次に、光電変換素子１０ａを備えた撮像素子の構成例を説明する。
なお、以下に説明する構成例において、すでに説明した部材等と同等な構成、または、作用を有する部材等については、図中に同一符号、または、相当符号を付すことにより、説明を簡略化、または、省略する。
撮像素子とは画像の光情報を電気信号に変換する素子であり、複数の光電変換素子が同一平面状でマトリクス上に配置されており、それぞれの光電変換素子（画素）において光信号を電気信号に変換し、その電気信号を画素ごとに逐次撮像素子外に出力できるものをいう。そのために、画素ひとつあたり、一つの光電変換素子、一つ以上のトランジスタから構成される。
図３は、本発明の一実施形態を説明するための撮像素子の概略構成を示す断面模式図である。この撮像素子は、デジタルカメラ、および、デジタルビデオカメラ等の撮像装置、ならびに、電子内視鏡、および、携帯電話機等の撮像モジュール等に搭載される。
この撮像素子は、図１Ａに示したような構成の複数の光電変換素子と、各光電変換素子の光電変換膜で発生した電荷に応じた信号を読み出す読み出し回路が形成された回路基板とを有し、回路基板上方の同一面上に、複数の光電変換素子が一次元状、または、二次元状に配列された構成となっている。

図３に示す撮像素子１００は、基板１０１と、絶縁層１０２と、接続電極１０３と、画素電極（下部電極）１０４と、接続部１０５と、接続部１０６と、光電変換膜１０７と、対向電極（上部電極）１０８と、緩衝層１０９と、封止層１１０と、カラーフィルタ（ＣＦ：Color Filter）１１１と、隔壁１１２と、遮光層１１３と、保護層１１４と、対向電極電圧供給部１１５と、読み出し回路１１６とを備える。

画素電極１０４は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの下部電極１１と同じ機能を有する。対向電極１０８は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの上部電極１５と同じ機能を有する。光電変換膜１０７は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの下部電極１１、および、上部電極１５間に設けられる層と同じ構成である。

基板１０１は、ガラス基板、または、Ｓｉ等の半導体基板である。基板１０１上には絶縁層１０２が形成されている。絶縁層１０２の表面には複数の画素電極１０４と複数の接続電極１０３が形成されている。

光電変換膜１０７は、複数の画素電極１０４の上にこれらを覆って設けられた全ての光電変換素子で共通の層である。

対向電極１０８は、光電変換膜１０７上に設けられた、全ての光電変換素子で共通の１つの電極である。対向電極１０８は、光電変換膜１０７よりも外側に配置された接続電極１０３の上にまで形成されており、接続電極１０３と電気的に接続されている。

接続部１０６は、絶縁層１０２に埋設されており、接続電極１０３と対向電極電圧供給部１１５とを電気的に接続するためのプラグである。対向電極電圧供給部１１５は、基板１０１に形成され、接続部１０６、および、接続電極１０３を介して対向電極１０８に所定の電圧を印加する。対向電極１０８に印加すべき電圧が撮像素子の電源電圧よりも高い場合は、チャージポンプ等の昇圧回路によって電源電圧を昇圧して上記所定の電圧を供給する。

読み出し回路１１６は、複数の画素電極１０４のそれぞれに対応して基板１０１に設けられており、対応する画素電極１０４で捕集された電荷に応じた信号を読出すものである。読み出し回路１１６は、例えば、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ回路、または、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路等で構成されており、絶縁層１０２内に配置された図示しない遮光層によって遮光されている。読み出し回路１１６は、それに対応する画素電極１０４と接続部１０５を介して電気的に接続されている。

緩衝層１０９は、対向電極１０８上に、対向電極１０８を覆って形成されている。封止層１１０は、緩衝層１０９上に、緩衝層１０９を覆って形成されている。カラーフィルタ１１１は、封止層１１０上の各画素電極１０４と対向する位置に形成されている。隔壁１１２は、カラーフィルタ１１１同士の間に設けられており、カラーフィルタ１１１の光透過率を向上させるためのものである。

遮光層１１３は、封止層１１０上のカラーフィルタ１１１、および、隔壁１１２を設けた領域以外に形成されており、有効画素領域以外に形成された光電変換膜１０７に光が入射することを防止する。保護層１１４は、カラーフィルタ１１１、隔壁１１２、および、遮光層１１３上に形成されており、撮像素子１００全体を保護する。

このように構成された撮像素子１００では、光が入射すると、この光が光電変換膜１０７に入射し、ここで電荷が発生する。発生した電荷のうちの正孔は、画素電極１０４で捕集され、その量に応じた電圧信号が読み出し回路１１６によって撮像素子１００外部に出力される。

撮像素子１００の製造方法は、次の通りである。
対向電極電圧供給部１１５と読み出し回路１１６が形成された回路基板上に、接続部１０５、および、１０６、複数の接続電極１０３、複数の画素電極１０４、ならびに、絶縁層１０２を形成する。複数の画素電極１０４は、絶縁層１０２の表面に例えば正方格子状に配置する。

次に、複数の画素電極１０４上に、光電変換膜１０７を例えば真空蒸着法によって形成する。次に、光電変換膜１０７上に例えばスパッタ法により対向電極１０８を真空下で形成する。次に、対向電極１０８上に緩衝層１０９、封止層１１０を順次、例えば真空蒸着法によって形成する。次に、カラーフィルタ１１１、隔壁１１２、および、遮光層１１３を形成後、保護層１１４を形成して、撮像素子１００を完成する。

以下に実施例を示すが、本発明はこれらに制限されるものではない。

（化合物（Ｄ−１）の合成）
化合物（Ｄ−１）は、以下のスキームに従って、合成した。

化合物（Ａ−１）および化合物（Ａ−２）はＪｏｒｎａｌｏｆＡｍｅｒｉｃａｎＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ，２００８，１３０，１５５０−１５５１に記載の方法に従って合成した。

化合物（Ａ−１）（５５４ｍｇ、３．３５ｍｍｏｌ）にトリフルオロ酢酸（ＴＦＡ）（３．３ｍＬ）を加え、得られた混合液を４５℃で１０分間反応させた。混合液に化合物（Ａ−２）（５００ｍｇ、３．３５ｍｍｏｌ）を添加し、さらにオキシ塩化リン（１．１ｍＬ）を添加した。得られた混合液を、４５℃で１５分間反応させた。混合液を放冷した後、混合液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（１００ｍＬ）に添加して、得られた混合液を１０分間撹拌した。混合液中に析出した固体をろ別して、得られた固体を水で洗浄した。洗浄後の固体を８０℃で真空乾燥して、化合物（Ａ−３）を得た。
得られた化合物（Ａ−３）（６３０ｍｇ）を、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（３４ｍＬ）、および、メタノール（ＭｅＯＨ）（３４ｍＬ）の混合液に溶解させ、さらに、この混合液に酢酸亜鉛二水和物（Ｚｎ（ＯＡｃ）_２）（４４１ｍｇ、２．０１ｍｍｏｌ）を添加した。混合液を室温で３０分間反応させた。混合液を濃縮し、得られた粗体をシリカゲルカラム（溶離液：クロロホルム）で精製し、さらに、精製された化合物をメタノールから再結晶することで化合物（Ｄ−１）（２３１ｍｇ、０．４１ｍｍｏｌ、収率２４％）を得た。
得られた化合物（Ｄ−１）はＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）、ＭＳ（Mass Spectrometry）により同定した。
^１ＨＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）を図４に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ^＋）ｍ／ｚ：５６７．１（［Ｍ＋Ｈ］^＋）

以下、化合物（Ｄ−２）〜（Ｄ−１１）、および、比較化合物（Ｒ−４）も同様の反応を用いて合成した。
また、化合物（Ｄ−５）および（Ｄ−７）の^１ＨＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ_３）スペクトルを、それぞれ、図５および図６に示す。
なお、比較例として用いた比較化合物（Ｒ−１）は、ＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社より購入した。
比較化合物（Ｒ−２）はＯｒｇａｎｉｃＢｉｏｍｏｌｅｃｕｌａｒＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，２０１０，８，４５４６−４５５３に記載の方法に従って合成した。
比較化合物（Ｒ−３）はＪｏｒｎａｌｏｆＡｍｅｒｉｃａｎＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ，２００８，１３０，１５５０−１５５１に記載の方法に従って合成した。

以下に、得られた化合物（Ｄ−１）〜（Ｄ−１１）、および、比較化合物（Ｒ−１）〜（Ｒ−４）の構造を具体的に示す。

＜光電変換素子の作製＞
得られた化合物を用いて図１Ａの形態の光電変換素子を作製した。以下では、化合物（Ｄ−１）を用いた場合について詳述する。
具体的には、ガラス基板上に、アモルファス性ＩＴＯをスパッタ法により成膜して、下部電極１１（厚み：３０ｎｍ）を形成し、さらに下部電極１１上に酸化モリブデン（ＭｏＯ_Ｘ）を真空蒸着法により成膜して、電子ブロッキング膜１６Ａとして酸化モリブデン層（厚み：１０ｎｍ）を形成した。
さらに、基板の温度を２５℃に制御した状態で、酸化モリブデン層１６Ａ上に化合物（Ｄ−１）と下記化合物（Ｎ−１）とをそれぞれ単層換算で５０ｎｍ、５０ｎｍとなるように真空蒸着法により共蒸着して成膜し、１００ｎｍのバルクヘテロ構造を有する光電変換膜１２を形成した。
さらに、光電変換膜１２上に、アモルファス性ＩＴＯをスパッタ法により成膜して、上部電極１５（透明導電性膜）（厚み：１０ｎｍ）を形成した。上部電極１５上に、真空蒸着法により封止層としてＳｉＯ膜を形成した後、その上にＡＬＣＶＤ（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition）法により酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）層を形成し、光電変換素子を作製した。この素子を素子（Ａ）とする。

上記化合物（Ｄ−１）を、化合物（Ｄ−２）〜（Ｄ−１１）、および、比較化合物（Ｒ−１）〜（Ｒ−４）のそれぞれに変更した以外は、上記と同様の手順に従って、各例の光電変換素子（素子（Ａ））を作製した。

＜評価＞
（応答性の評価）
得られた光電変換素子（素子（Ａ））を用いて、以下の応答性の評価を実施した。
具体的には、素子（Ａ）に２．０×１０^５Ｖ／ｃｍの強度となるように電圧を印加した。その後、ＬＥＤ（light emitting diode）を瞬間的に点灯させて上部電極（透明導電性膜）側から光を照射し、そのときの光電流をオシロスコープで測定して、０から９７％信号強度までの立ち上がり時間を計り、比較化合物（Ｒ−１）を用いて作製した素子（Ａ）の立ち上がり時間を１０としたときの相対値を求めた。
なお、立ち上がり時間の相対値が比較化合物（Ｒ−１）に対して、３未満の場合を「Ａ」、３以上５未満の場合を「Ｂ」、５以上１０未満の場合を「Ｃ」、１０以上の場合を「Ｄ」とした。結果を表１に示す。実用上、「Ａ」または「Ｂ」が好ましく、「Ａ」がより好ましい。

（薄膜時の光電変換効率の評価）
前述した＜光電変換素子の作製＞において、光電変換膜の膜厚を変更した以外は同様にして、薄膜時の光電変換効率を評価するための光電変換素子を作製した。具体的には、酸化モリブデン層１６Ａ上に化合物（Ｄ−１）と化合物（Ｎ−１）とをそれぞれ単層換算で３０ｎｍ、３０ｎｍとなるように真空蒸着法により共蒸着して成膜し、６０ｎｍのバルクヘテロ構造を有する光電変換膜１２を形成して、光電変換素子を得た。
化合物（Ｄ−２）〜（Ｄ−１１）、および、比較化合物（Ｒ−１）〜（Ｒ−４）のそれぞれでも同様に光電変換素子を作製した。得られた光電変換素子を、素子（Ｂ）とした。

素子（Ｂ）に３Ｖの電圧を印加し、光電変換効率の最大値を測定した。比較化合物（Ｒ−１）の素子（Ａ）の値を１として、各素子（Ｂ）の光電変換効率の最大値の相対値を求めた。
素子（Ｂ）の光電変換効率の相対値が、１．１以上の場合を「Ａ」、１．０以上１．１未満の場合を「Ｂ」、０．９以上１．０未満の場合を「Ｃ」、０．９未満の場合を「Ｄ」とした。結果を表１に示す。実用上、「Ａ」または「Ｂ」が好ましく、「Ａ」がより好ましい。

上記表１に示すように、式（１）で表される化合物を有する光電変換素子は、優れた応答性、および、優れた薄膜時の光電変換効率を両立できることが確認された。
所定の化合物を用いていない比較例１〜４では、所望の効果は得られなかった。
なお、比較例１で用いられた比較化合物（Ｒ−１）は、特許文献１で具体的に開示されている化合物に該当する。

＜撮像素子の作製＞
図３に示す形態と同様の撮像素子を作製した。すなわち、ＣＭＯＳ基板上に、アモルファス性ＴｉＮ３０ｎｍをスパッタ法により成膜後、フォトリソグラフィーによりＣＭＯＳ基板上のフォトダイオード（ＰＤ）の上にそれぞれ１つずつ画素が存在するようにパターニングして下部電極とし、電子ブロッキング材料の成膜以降は素子（Ａ）、および、素子（Ｂ）と同様に作製した。得られた撮像素子での応答性評価、および、光電変換膜が薄膜である場合の光電変換効率の評価も同様に行い、表１と同様な結果が得られ、撮像素子においても優れた性能を示すことが分かった。

１０ａ、１０ｂ光電変換素子
１１導電性膜（下部電極）
１２光電変換膜
１５透明導電性膜（上部電極）
１６Ａ電子ブロッキング膜
１６Ｂ正孔ブロッキング膜
１００画素分離型撮像素子
１０１基板
１０２絶縁層
１０３接続電極
１０４画素電極（下部電極）
１０５接続部
１０６接続部
１０７光電変換膜
１０８対向電極（上部電極）
１０９緩衝層
１１０封止層
１１１カラーフィルタ（ＣＦ）
１１２隔壁
１１３遮光層
１１４保護層
１１５対向電極電圧供給部
１１６読み出し回路
２００光電変換素子（ハイブリッド型の光電変換素子）
２０１無機光電変換膜
２０２ｎ型ウェル
２０３ｐ型ウェル
２０４ｎ型ウェル
２０５ｐ型シリコン基板
２０７絶縁層
２０８画素電極
２０９有機光電変換膜
２１０共通電極
２１１保護膜
２１２電子ブロッキング膜

Claims

導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、
前記光電変換膜が、式（１）で表される化合物、および、ｎ型有機半導体を含む、光電変換素子。
式（１）および（２）中、Ｒ^１〜Ｒ^１３は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を表す。Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、窒素原子、または、ＣＲ^１４を表す。Ｍは、２価の金属原子を表す。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^５とＲ^６、Ｒ^７とＲ^８、および、Ｒ^１１とＲ^１２のうち、少なくとも一組は、式（２）で表される構造と結合して環を形成する。式（２）中、Ｙ^１は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ＮＲ^１５、ＣＲ^１６Ｒ^１７、または、−ＣＲ^１８＝ＣＲ^１９−を表す。Ｚ^１は、窒素原子、または、ＣＲ^２０を表す。Ｒ^１４〜Ｒ^２０は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を表す。＊は結合部位を表す。Ｚ^１がＣＲ^２０を表す場合、Ｒ^２０とＲ^１３とは互いに結合して環を形成してもよい。
Ｍが、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｇ、または、Ｃａを表す、請求項１に記載の光電変換素子。
前記式（１）で表される化合物が、下記式（３）〜（６）のいずれかで表される化合物である、請求項１または２に記載の光電変換素子。
式（３）〜（６）中、Ｒ^ａ１〜Ｒ^ａ１２、Ｒ^ｂ１〜Ｒ^ｂ１２、Ｒ^ｃ１〜Ｒ^ｃ１０、および、Ｒ^ｄ１〜Ｒ^ｄ１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。Ｍは、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｇ、または、Ｃａを表す。Ｙ^ａ１、Ｙ^ａ２、Ｙ^ｂ１、Ｙ^ｂ２、Ｙ^ｃ１、Ｙ^ｃ２、Ｙ^ｃ３、Ｙ^ｃ４、Ｙ^ｄ１、Ｙ^ｄ２、Ｙ^ｄ３、および、Ｙ^ｄ４は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ＮＲ^２１、ＣＲ^２２Ｒ^２３、または、−ＣＲ^２４＝ＣＲ^２５−を表す。Ｚ^ａ１、Ｚ^ａ２、Ｚ^ｂ１、Ｚ^ｂ２、Ｚ^ｃ１、Ｚ^ｃ２、Ｚ^ｃ３、Ｚ^ｃ４、Ｚ^ｄ１、Ｚ^ｄ２、Ｚ^ｄ３、および、Ｚ^ｄ４は、それぞれ独立に、窒素原子、または、ＣＲ^２６を表す。Ｒ^２１〜Ｒ^２６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。Ｚ^ａ１がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ａ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ａ２がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ａ１２とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｂ１がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｂ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｂ２がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｂ１２とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｃ１がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｃ１とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｃ２がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｃ５とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｃ３がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｃ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｃ４がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｃ１０とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｄ１がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｄ１とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｄ２がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｄ５とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｄ３がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｄ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｄ４がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｄ１０とは互いに結合して環を形成してもよい。
Ｙ^ａ１、Ｙ^ａ２、Ｙ^ｂ１、Ｙ^ｂ２、Ｙ^ｃ１、Ｙ^ｃ２、Ｙ^ｃ３、Ｙ^ｃ４、Ｙ^ｄ１、Ｙ^ｄ２、Ｙ^ｄ３、および、Ｙ^ｄ４が、それぞれ独立に、酸素原子、または、硫黄原子を表す、請求項３に記載の光電変換素子。
Ｚ^ａ１、Ｚ^ａ２、Ｚ^ｂ１、Ｚ^ｂ２、Ｚ^ｃ１、Ｚ^ｃ２、Ｚ^ｃ３、Ｚ^ｃ４、Ｚ^ｄ１、Ｚ^ｄ２、Ｚ^ｄ３、および、Ｚ^ｄ４が、ＣＲ^２６を表し、
Ｒ^２６は、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す、請求項３または４に記載の光電変換素子。
ＭがＺｎである、請求項３〜５のいずれか１項に記載の光電変換素子。
前記式（３）〜（６）のいずれかで表される化合物の分子量が１２００以下である、請求項３〜６のいずれか１項に記載の光電変換素子。
前記ｎ型有機半導体の分子量が２００〜１２００である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光電変換素子。
前記光電変換膜がバルクへテロ構造を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の光電変換素子。
前記導電性膜と前記透明導電性膜の間に、前記光電変換膜の他に１種以上の中間層を有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の光電変換素子。
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の光電変換素子を含む光センサ。
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の光電変換素子を含む撮像素子。
式（７）〜（１０）のいずれかで表される化合物。
式（７）〜（１０）中、Ｒ^ａ１〜Ｒ^ａ１２、Ｒ^ｂ１〜Ｒ^ｂ１２、Ｒ^ｃ１〜Ｒ^ｃ１０、および、Ｒ^ｄ１〜Ｒ^ｄ１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。Ｙ ^ａ１、Ｙ ^ａ２、Ｙ ^ｂ１、および、Ｙ ^ｂ２は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ＮＲ ^２１、または、ＣＲ ^２２Ｒ ^２３を表す。Ｙ ^ｃ１、Ｙ ^ｃ２、Ｙ ^ｃ３、Ｙ ^ｃ４、Ｙ ^ｄ１、Ｙ ^ｄ２、Ｙ ^ｄ３、および、Ｙ ^ｄ４は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ＮＲ ^２１、ＣＲ ^２２Ｒ ^２３、または、−ＣＲ ^２４＝ＣＲ ^２５ −を表す。Ｚ^ａ１、Ｚ^ａ２、Ｚ^ｂ１、Ｚ^ｂ２、Ｚ^ｃ１、Ｚ^ｃ２、Ｚ^ｃ３、Ｚ^ｃ４、Ｚ^ｄ１、Ｚ^ｄ２、Ｚ^ｄ３、および、Ｚ^ｄ４は、それぞれ独立に、窒素原子、または、ＣＲ^２６を表す。Ｒ^２１〜Ｒ^２６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。Ｚ^ａ１がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ａ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ａ２がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ａ１２とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｂ１がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｂ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｂ２がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｂ１２とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｃ１がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｃ１とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｃ２がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｃ５とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｃ３がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｃ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｃ４がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｃ１０とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｄ１がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｄ１とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｄ２がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｄ５とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｄ３がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｄ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^ｄ４がＣＲ^２６を表す場合、Ｒ^２６とＲ^ｄ１０とは互いに結合して環を形成してもよい。