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JP6797765B2 - Capacitive touch switch module - Google Patents
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Description

本発明は静電容量タッチスイッチモジュールに関し、特に静電気保護回路を有する静電容量タッチスイッチモジュールに関する。 The present invention relates to a capacitive touch switch module, and more particularly to a capacitive touch switch module having an electrostatic protection circuit.

家電機器、AV機器、PC/OA機器、産業機械、その他の電子デバイスにおいて、各機器への入力手段の1つとして静電容量方式のタッチスイッチパネルが使用されている。この静電容量方式のタッチスイッチパネルは、複数のセンサー電極を有し、このタッチスイッチパネルにおけるセンサー電極の静電容量の変化量を数値化し、その数値が予め決められた閾値をこえるときに指が接触したと判定するマイコンに接続されている。 In home appliances, AV equipment, PC / OA equipment, industrial machines, and other electronic devices, a capacitive touch switch panel is used as one of the input means to each device. This capacitance type touch switch panel has a plurality of sensor electrodes, and the amount of change in the capacitance of the sensor electrodes in this touch switch panel is quantified, and when the numerical value exceeds a predetermined threshold value, a finger is used. Is connected to a microcomputer that determines that the contact has occurred.

静電容量方式のタッチスイッチパネルに指が接触するとき、静電気が放電される場合があり、マイコンが破壊に至ることがある。そのため、通常タッチスイッチパネルとマイコンとの間に、静電気放電(以下、ESDという)保護回路が用いられている。そのようなESD保護回路を有する静電容量方式のタッチスイッチモジュールの一例を図5に示す。図5はタッチスイッチモジュールのブロック図である。タッチスイッチモジュール1aは、タッチスイッチパネル2と制御用マイコン3との間にESD保護回路4を有し、この保護回路4は、マイコン側から順に直流抵抗5とダイオード保護回路6とが接続されている。 When a finger touches the capacitive touch switch panel, static electricity may be discharged, which may cause the microcomputer to be destroyed. Therefore, an electrostatic discharge (hereinafter referred to as ESD) protection circuit is usually used between the touch switch panel and the microcomputer. FIG. 5 shows an example of a capacitance type touch switch module having such an ESD protection circuit. FIG. 5 is a block diagram of the touch switch module. The touch switch module 1a has an ESD protection circuit 4 between the touch switch panel 2 and the control microcomputer 3, and the protection circuit 4 is connected to a DC resistor 5 and a diode protection circuit 6 in order from the microcomputer side. There is.

従来、半導体集積装置の静電気保護回路に関して、第1のダイオードと第2のダイオードを近接配置することによって形成されるサブストレートとウェルの接合部で対向する、サブストレートに電位を与えるための不純物拡散層と、ウェルに電位を与えるための不純物拡散層との間隔を、他のサブストレートとウェルの接合部で対向するサブストレートに電位を与えるための不純物拡散層と、ウェルに電位を与えるための不純物拡散層との間隔よりも広くし、静電気の電流経路の抵抗値を高くする静電気保護回路が知られている(特許文献1)。 Conventionally, with respect to the electrostatic protection circuit of a semiconductor integrated device, impurity diffusion for giving an electric potential to a substrate facing each other at a junction between a substrate and a well formed by arranging a first diode and a second diode close to each other. The distance between the layer and the impurity diffusion layer for applying an electric potential to the well, the impurity diffusion layer for applying an electric potential to the opposite substrate at the junction between the other substrate and the well, and the impurity diffusion layer for applying an electric potential to the well. There is known an electrostatic protection circuit that increases the resistance value of the electrostatic current path by making the distance from the impurity diffusion layer wider (Patent Document 1).

特開平09−116097号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 09-116097

しかしながら、静電容量タッチスイッチモジュールに対しては、静電気の電流経路の抵抗値のみを高くする静電気保護回路では不十分であるという問題がある。例えば、静電容量方式のタッチスイッチパネルモジュールの保護回路において、直流抵抗値を上げることで保護が可能となるが、抵抗直を上げることによりタッチスィッチの検出感度が悪くなるという弊害があり、抵抗直を上げるには限度がある。また、図5に示すように、ダイオード保護回路を追加実装すると、ESDに対しては強くなりマイコンが破壊されることは少ないが、別のイミュニティ試駿にて動作不良が生じるという問題がある。 However, for the capacitive touch switch module, there is a problem that the electrostatic protection circuit that increases only the resistance value of the electrostatic current path is insufficient. For example, in the protection circuit of a capacitance type touch switch panel module, protection is possible by increasing the DC resistance value, but there is an adverse effect that the detection sensitivity of the touch switch deteriorates by increasing the resistance straight, and resistance. There is a limit to raising the direct current. Further, as shown in FIG. 5, when a diode protection circuit is additionally mounted, it becomes strong against ESD and the microcomputer is rarely destroyed, but there is a problem that a malfunction occurs in another immunity test.

本発明はこのような問題に対処するためになされたものであり、ESD保護も可能で、他のイミュニティ試験でも作不良を生じないESD回路を有する静電容量タッチスイッチモジュールの提供を目的とする。 The present invention has been made in order to cope with this problem, ESD protection is also possible, and aims to provide a capacitive touch switch module having the ESD circuit that does not cause operation failure in other immunity test To do.

本発明の静電容量タッチスイッチモジュールは、静電容量タッチスイッチパネルと、この静電容量タッチスイッチパネルからの信号を制御する制御用マイコンと、上記静電容量タッチスイッチパネルと上記制御用マイコンとの間にESD保護回路が配置されており、上記ESD保護回路は、抵抗素子とノイズ電流遮断素子とが接続され、上記抵抗素子が上記静電容量タッチスイッチパネル側に、上記ノイズ電流遮断素子が上記制御用マイコン側にそれぞれ接続されていることを特徴とする。 The capacitive touch switch module of the present invention includes a capacitive touch switch panel, a control microcomputer for controlling a signal from the capacitive touch switch panel, the capacitive touch switch panel, and the control microcomputer. An ESD protection circuit is arranged between the two, and in the ESD protection circuit, a resistance element and a noise current blocking element are connected, the resistance element is on the capacitance touch switch panel side, and the noise current blocking element is placed. It is characterized in that it is connected to each of the control microcomputers.

本発明の静電容量タッチスイッチモジュールにおいて、上記抵抗素子が直流抵抗であるか、またはフェライトビーズであることを特徴とする。
また、上記制御用マイコンと上記ESD保護回路とのインピーダンスが略同一であることを特徴とする。さらに、上記ノイズ電流遮断素子がダイオード保護回路であることを特徴とする。
The capacitive touch switch module of the present invention is characterized in that the resistance element is a DC resistor or a ferrite bead.
Further, the impedances of the control microcomputer and the ESD protection circuit are substantially the same. Further, the noise current blocking element is a diode protection circuit.

本発明の静電容量タッチスイッチモジュールは、抵抗素子が静電容量タッチスイッチパネル側に、ノイズ電流遮断素子が制御用マイコン側にそれぞれ接続されているので、以下の効果がある。
(1)耐ESD特性を損なうことなく他のイミュニティに対しても効果を発揮することができる。
(2)制御用マイコン側の端子とダイオード保護回路とのインピーダンスがほぼ同程度となり、制御用マイコンに流れる電流(すなわちスイッチのON/OFFを検出・制御する微小電流)がノイズ電流により妨害されないことから、ノイズを受けても動作不良を起こさない要図となる。
(3)部品の破壊やマイコン内部のプログラム破壊などの異常防止も可能となり、市揚や工程での不良率を減らすことができる。
(4)制御用マイコンとESD保護回路とのインピーダンスが略同一であることにより、イミュニティ特性を向上できる。ESD保護回路よりも制御用マイコン端子のインピ一ダンスが高いと、マイコン側に流れる電流が影響を受け、動作不良が生じる場合がある。
The capacitive touch switch module of the present invention has the following effects because the resistance element is connected to the capacitive touch switch panel side and the noise current blocking element is connected to the control microcomputer side.
(1) It is possible to exert an effect on other immunities without impairing the ESD resistance.
(2) The impedance between the terminal on the control microcomputer side and the diode protection circuit is almost the same, and the current flowing through the control microcomputer (that is, the minute current that detects and controls the ON / OFF of the switch) is not disturbed by the noise current. Therefore, it is a key figure that does not cause malfunction even if it receives noise.
(3) It is possible to prevent abnormalities such as destruction of parts and program destruction inside the microcomputer, and it is possible to reduce the defective rate in the market and process.
(4) Since the impedances of the control microcomputer and the ESD protection circuit are substantially the same, the immunity characteristics can be improved. If the impedance of the control microcomputer terminal is higher than that of the ESD protection circuit, the current flowing on the microcomputer side may be affected and malfunction may occur.

本発明の静電容量タッチスイッチモジュールのブロック図である。It is a block diagram of the capacitive touch switch module of this invention. サージ電流の流れを示す図である。It is a figure which shows the flow of a surge current. ダイオード回路の等価回路を示す図である。It is a figure which shows the equivalent circuit of a diode circuit. イミュニティ特性を測定した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having measured the immunity characteristic. 比較例1の静電容量タッチスイッチモジュールのブロック図である。It is a block diagram of the capacitive touch switch module of the comparative example 1. FIG. 比較例1のサージ電流の流れを示す図である。It is a figure which shows the flow of the surge current of the comparative example 1. FIG. 比較例1のイミュニティ特性を測定した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having measured the immunity characteristic of the comparative example 1. 比較例2の静電容量タッチスイッチモジュールのブロック図である。It is a block diagram of the capacitive touch switch module of the comparative example 2. 比較例3の静電容量タッチスイッチモジュールのブロック図である。It is a block diagram of the capacitive touch switch module of the comparative example 3.

実施例として、本発明の静電容量タッチスイッチモジュールのブロック図を図1に示す。
静電容量タッチスイッチモジュール1は、静電容量タッチスイッチパネル2と、この静電容量タッチスイッチパネルからの信号を制御する制御用マイコン3と、静電容量タッチスイッチパネル2と制御用マイコン3との間にESD保護回路4が配置されている。このESD保護回路4は、静電容量タッチスイッチパネル2側から制御用マイコン3側に向かって直列抵抗5aなどの抵抗素子5およびダイオード回路6aからなるノイズ電流遮断素子6が順に接続されている。このように、タッチスイッチパネル2→直列抵抗5a→ダイオード回路6a→マイコン3の順で接続することにより、直列抵抗5aおよびダイオード回路6aによる2重のESD保護が図れる。また、イミュニティ試験においても動作不良を起こすことがない。本発明におけるイミュニティ試験とは、静電容量タッチスイッチモジュールのESD等の電気的ストレスに対する耐性を評価するために、該モジュールが受けることが想定されるESD等の電気的ストレスをシミュレートする状態に静電容量タッチスイッチモジュールを曝し、その挙動を観察する試験をいう。さらに本発明の静電容量タッチスイッチモジュールは、許容電流が大きい、または耐パルス特性が大きい直列抵抗5aを使用することでダイオード回路6aおよびマイコン3を十分に保護することができる。
As an example, a block diagram of the capacitive touch switch module of the present invention is shown in FIG.
The capacitive touch switch module 1 includes a capacitive touch switch panel 2, a control microcomputer 3 for controlling a signal from the capacitive touch switch panel, a capacitive touch switch panel 2 and a control microcomputer 3. The ESD protection circuit 4 is arranged between the two. In the ESD protection circuit 4, a resistance element 5 such as a series resistor 5a and a noise current blocking element 6 including a diode circuit 6a are sequentially connected from the capacitance touch switch panel 2 side toward the control microcomputer 3 side. By connecting the touch switch panel 2 → series resistor 5a → diode circuit 6a → microcomputer 3 in this order, double ESD protection can be achieved by the series resistor 5a and the diode circuit 6a. In addition, no malfunction occurs in the immunity test. The immunity test in the present invention is a state of simulating the electrical stress such as ESD that the module is expected to receive in order to evaluate the resistance of the capacitive touch switch module to electrical stress such as ESD. A test in which a capacitive touch switch module is exposed and its behavior is observed. Further, the capacitive touch switch module of the present invention can sufficiently protect the diode circuit 6a and the microcomputer 3 by using a series resistor 5a having a large allowable current or a large pulse resistance characteristic.

具体的に直列抵抗5aとして1kΩの抵抗を用いた場合のESDによるサージ電流の流れについて図2に示す。制御用マイコン3端子のインピーダンスZcpuは約10Ωである。
ノイズが静電容量タッチスイッチパネル2に印加されると、タッチスイッチパネル2の電極にノイズ電圧が誘導される。この誘導電圧により誘導電流Inoiseが流れるが、マイコン端子のインピーダンスZcpuとダイオード回路のインピーダンスZDとを同程度に設定することで、マイコンに流れる電流IcpuとInoiseが略同一となり、Inoiseの影響度が小さくなる。このように、タッチスイッチパネル2とダイオード回路6aの間に直列抵抗5aを接続し、この抵抗に許容電力が大きい抵抗を使用することでノイズがより抑制される。その結果、ダイオード回路6aに流れるノイズ電流が抑制され、ダイオード回路6aが破壊されないので、マイコンが保護される。
Specifically, FIG. 2 shows the flow of surge current due to ESD when a 1 kΩ resistor is used as the series resistor 5a. The impedance Z cpu of the control microcomputer 3 terminal is about 10Ω.
When noise is applied to the capacitive touch switch panel 2, a noise voltage is induced in the electrodes of the touch switch panel 2. The induced current I noise flows due to this induced voltage, but by setting the impedance Z cpu of the microcomputer terminal and the impedance Z D of the diode circuit to the same level, the currents I cpu and I noise flowing through the microcomputer become substantially the same, and I The influence of noise is reduced. In this way, noise is further suppressed by connecting a series resistor 5a between the touch switch panel 2 and the diode circuit 6a and using a resistor having a large allowable power for this resistor. As a result, the noise current flowing through the diode circuit 6a is suppressed, and the diode circuit 6a is not destroyed, so that the microcomputer is protected.

ダイオード回路の等価回路を図3に示す。入力側7から正側のサージが入った場合、ダイオードD1からツェナーダイオードD2を通って接地ラインに正側のサージ電流が流れることでマイコンが保護される。 The equivalent circuit of the diode circuit is shown in FIG. When a surge on the positive side enters from the input side 7, the surge current on the positive side flows from the diode D1 through the Zener diode D2 to the ground line to protect the microcomputer.

上述したように、マイコン端子のインピーダンスZcpuとダイオード回路のインピーダンスZDを同程度とすることにより、Inoiseの影響度が小さくできる。すなわち、Zcpuとノイズ電流遮断素子6のインピーダンスを同程度とすることができれば、ダイオード回路6aの代わりに、バリスタ、TVS等を使用できる。また、ノイズ電流Inoiseを遮断できる素子であれば直列抵抗5aの代わりにフェライトビーズを使用できる。さらに、マイコン端子側に約100kΩ程度の直列抵抗を入れることにより耐ノイズ特性をより向上できる。 As described above, the influence of I noise can be reduced by making the impedance Z cpu of the microcomputer terminal and the impedance Z D of the diode circuit about the same. That is, if the impedances of the Z cpu and the noise current blocking element 6 can be made similar, a varistor, a TVS, or the like can be used instead of the diode circuit 6a. Further, if the element can cut off the noise current I noise , ferrite beads can be used instead of the series resistor 5a. Further, the noise resistance characteristics can be further improved by inserting a series resistance of about 100 kΩ on the microcomputer terminal side.

図4は図1に示す静電容量タッチスイッチモジュール1におけるイミュニティ特性を測定した結果を示す図である。縦軸のカウント(count)数はIcpuを数値化したものであり、またreference数は比較値となっており、reference数よりもcount数があるレベルまで低くなっているときにタッチスイッチはONと認識する。静電容量タッチスイッチモジュール1は、スイッチ1およびスイッチ2の押下のときに反応しており動作不良は認められなかった。 FIG. 4 is a diagram showing the results of measuring the immunity characteristics of the capacitive touch switch module 1 shown in FIG. The number of counts on the vertical axis is a numerical value of I cpu , the number of references is a comparative value, and the touch switch is turned on when the number of counts is lower than the number of references to a certain level. Recognize that. The capacitive touch switch module 1 reacted when the switch 1 and the switch 2 were pressed, and no malfunction was observed.

比較例1として、タッチスイッチパネル2→ダイオード回路6a→直列抵抗5a→マイコン3の順で接続する場合の静電容量タッチスイッチモジュール1aのブロック図を図5に示す。なお、直列抵抗5a、ダイオード回路6a、タッチスイッチパネル2およびマイコン3は、図1に示す各部品と同じものを使用した。また、図6は、図5におけるESDによるサージ電流の流れを示す図である。
図6において、ノイズが静電容量タッチスイッチパネル2に印加されると、タッチスイッチパネル2の電極にノイズ電圧が誘導される。この誘導電圧がダイオード回路6aの保護電圧をこえた場合、タッチスイッチパネル2の電極とダイオード回路6aとの間でノイズ電流Inoiseが流れる。この電流はマイコンに流れる電流Icpuに影響する。マイコン3を保護するため、直列抵抗5aの抵抗値をダイオード回路6aよりも大きくせざるを得ない。その結果、Inoiseの影響度が大きくなり、Icpuに影響を及ぼし、正常に静電容量を検出できない。正常に静電容量を検出できないとタッチスイッチパネル2のON/OFF判定に誤りが生じる。また、スイッチ動作が誤動作を起こすことで、他のシステムにも悪影響を及ぼす。
As Comparative Example 1, a block diagram of the capacitive touch switch module 1a when the touch switch panel 2 → the diode circuit 6a → the series resistor 5a → the microcomputer 3 are connected in this order is shown in FIG. As the series resistor 5a, the diode circuit 6a, the touch switch panel 2 and the microcomputer 3, the same parts as those shown in FIG. 1 were used. Further, FIG. 6 is a diagram showing a flow of surge current due to ESD in FIG.
In FIG. 6, when noise is applied to the capacitive touch switch panel 2, a noise voltage is induced in the electrodes of the touch switch panel 2. When this induced voltage exceeds the protection voltage of the diode circuit 6a, a noise current I noise flows between the electrode of the touch switch panel 2 and the diode circuit 6a. This current affects the current I cpu flowing through the microcomputer. In order to protect the microcomputer 3, the resistance value of the series resistor 5a must be made larger than that of the diode circuit 6a. As a result, the influence of I noise becomes large, which affects I cpu , and the capacitance cannot be detected normally. If the capacitance cannot be detected normally, an error will occur in the ON / OFF determination of the touch switch panel 2. In addition, the switch operation causes a malfunction, which adversely affects other systems.

静電容量タッチスイッチパネル2は等価的にはコンデンサであり、マイコン3はポート(Rx、Tx)にてタッチスイッチの静電容量を、充放電電流(Icpu)を静電容量に変換して、検出している。ダイオード回路6aを実装していても、ノイズがダイオード回路6aの保護電圧(約5V)以下では動作不良は発生しない。
しかし、過大なノイズが印加されると、ダイオード回路6aを破壊する場合がある。ダイオード回路6aが破壊されると直列抵抗5aでは保護しきれなくなり、マイコン3自体の破壊が生じる場合がある。
Capacitance The touch switch panel 2 is equivalent to a capacitor, and the microcomputer 3 converts the capacitance of the touch switch into the capacitance and the charge / discharge current (I cpu ) into the capacitance at the ports (Rx, Tx). , Detecting. Even if the diode circuit 6a is mounted, malfunction does not occur when the noise is less than the protection voltage (about 5V) of the diode circuit 6a.
However, if excessive noise is applied, the diode circuit 6a may be destroyed. If the diode circuit 6a is destroyed, the series resistor 5a cannot protect it completely, and the microcomputer 3 itself may be destroyed.

図7は図5に示す静電容量タッチスイッチモジュール1aにおけるイミュニティ特性を測定した結果を示す図であり、図4に対応するものである。縦軸のカウント(count)数はIcpuを数値化したものであり、またreference数は比較値となっており、reference数よりもcount数があるレベルまで低くなっているときにタッチスイッチはONと認識する。静電容量タッチスイッチモジュール1aは、ノイズが印加された結果、n1〜n4で示されるIcpuの検出異常が認められると、マイコン3が制御不能となりreference数が異常値を示す。その結果、スイッチを押下しなくてもON判定されており、動作不良が認められた。 FIG. 7 is a diagram showing the results of measuring the immunity characteristics of the capacitive touch switch module 1a shown in FIG. 5, and corresponds to FIG. The number of counts on the vertical axis is a numerical value of I cpu , the number of references is a comparative value, and the touch switch is turned on when the number of counts is lower than the number of references to a certain level. Recognize that. When noise is applied to the capacitive touch switch module 1a and an abnormality in detecting I cpu represented by n1 to n4 is observed, the microcomputer 3 becomes uncontrollable and the reference number shows an abnormal value. As a result, it was determined to be ON without pressing the switch, and a malfunction was observed.

比較例2として、タッチスイッチパネル2→ダイオード回路6a→マイコン3の順で接続する場合の静電容量タッチスイッチモジュール1bを図8に示す。図8(a)はブロック図であり、図8(b)は、図8(a)におけるESDによるサージ電流の流れを示す図である。マイコン端子とダイオード回路のインピーダンスは同程度に設定した。タッチスイッチパネル2は、図1に示すものと同じものを使用した。
図8(b)において、ノイズが静電容量タッチスイッチパネル2に印加されると、タッチスイッチパネル2の電極にノイズ電圧が誘導される。この誘導電圧がダイオード回路6aの保護電圧をこえた場合、タッチスイッチパネル2の電極とダイオード回路6aとの間でノイズ電流Inoiseが流れる。この電流が過大となるとダイオード回路6aを破壊し、さらにはマイコン3自体を破壊する可能性がある。
As Comparative Example 2, FIG. 8 shows a capacitive touch switch module 1b when the touch switch panel 2 → the diode circuit 6a → the microcomputer 3 are connected in this order. FIG. 8A is a block diagram, and FIG. 8B is a diagram showing a flow of surge current due to ESD in FIG. 8A. The impedances of the microcomputer terminal and the diode circuit were set to the same level. The same touch switch panel 2 as shown in FIG. 1 was used.
In FIG. 8B, when noise is applied to the capacitive touch switch panel 2, a noise voltage is induced in the electrodes of the touch switch panel 2. When this induced voltage exceeds the protection voltage of the diode circuit 6a, a noise current I noise flows between the electrode of the touch switch panel 2 and the diode circuit 6a. If this current becomes excessive, the diode circuit 6a may be destroyed, and the microcomputer 3 itself may be destroyed.

比較例3として、タッチスイッチパネル2→直列抵抗5a→マイコン3の順で接続する場合の静電容量タッチスイッチモジュール1cを図9に示す。図9(a)はブロック図であり、図9(b)は、図9(a)におけるESDによるサージ電流の流れを示す図である。マイコン内部の保護回路とマイコン端子のインピーダンスは同程度に設定した。タッチスイッチパネル2は、図1に示すものと同じものを使用した。なお、図9(b)は、マイコン3自体の内部に保護用のダイオード回路が設けられている場合を示した。
図9(b)において、ノイズが静電容量タッチスイッチパネル2に印加されると、タッチスイッチパネル2の電極にノイズ電圧が誘導される。このノイズ電圧によるノイズ電流Inoiseは、直列抵抗5aでは保護しきれずマイコン3自体の破壊に至る。
As Comparative Example 3, FIG. 9 shows a capacitive touch switch module 1c when the touch switch panel 2 → the series resistor 5a → the microcomputer 3 are connected in this order. 9 (a) is a block diagram, and FIG. 9 (b) is a diagram showing the flow of surge current due to ESD in FIG. 9 (a). The impedance of the protection circuit inside the microcomputer and the impedance of the microcomputer terminal were set to the same level. The same touch switch panel 2 as shown in FIG. 1 was used. Note that FIG. 9B shows a case where a protective diode circuit is provided inside the microcomputer 3 itself.
In FIG. 9B, when noise is applied to the capacitive touch switch panel 2, a noise voltage is induced in the electrodes of the touch switch panel 2. The noise current I noise due to this noise voltage cannot be completely protected by the series resistor 5a and leads to the destruction of the microcomputer 3 itself.

以上の実施例および各比較例の結果を表1にまとめる。
The results of the above examples and each comparative example are summarized in Table 1.

本発明の静電容量タッチスイッチモジュールは、耐ESD特性を損なうことなくイミュニティ評価に対しても効果を発揮することができるので、静電容量タッチスイッチモジュール全般に利用できる。 Since the capacitive touch switch module of the present invention can exert an effect on immunity evaluation without impairing the ESD resistance characteristics, it can be used for all the capacitive touch switch modules.

1 静電容量タッチスイッチモジュール
2 静電容量タッチスイッチパネル
3 制御用マイコン
4 ESD保護回路
5 抵抗素子
6 ノイズ電流遮断素子
7 入力側
1 Capacitive touch switch module 2 Capacitive touch switch panel 3 Control microcomputer 4 ESD protection circuit 5 Resistance element 6 Noise current cutoff element 7 Input side

Claims (4)

静電容量タッチスイッチパネルと、この静電容量タッチスイッチパネルからの信号を制御する制御用マイコンと、前記静電容量タッチスイッチパネルと前記制御用マイコンとの間に静電気放電保護回路が配置されている静電容量タッチスイッチモジュールであって、
前記静電気放電保護回路は、抵抗素子とノイズ電流遮断素子とが接続され、前記抵抗素子が静電容量タッチスイッチパネル側に、前記ノイズ電流遮断素子が前記制御用マイコン側にそれぞれ接続されており、
前記抵抗素子が直流抵抗であり、前記ノイズ電流遮断素子がダイオード保護回路であり、
前記制御用マイコンと前記ダイオード保護回路とのインピーダンスが略同一であることを特徴とする静電容量タッチスイッチモジュール。
A electrostatic discharge protection circuit is arranged between the capacitive touch switch panel, the control microcomputer that controls the signal from the capacitive touch switch panel, and the capacitive touch switch panel and the control microcomputer. Capacitive touch switch module
In the electrostatic discharge protection circuit, a resistance element and a noise current cutoff element are connected, the resistance element is connected to the capacitance touch switch panel side, and the noise current cutoff element is connected to the control microcomputer side .
The resistance element is a DC resistance, and the noise current blocking element is a diode protection circuit.
A capacitive touch switch module characterized in that the impedances of the control microcomputer and the diode protection circuit are substantially the same .
前記抵抗素子がフェライトビーズであることを特徴とする請求項1記載の静電容量タッチスイッチモジュール。 The capacitive touch switch module according to claim 1, wherein the resistance element is a ferrite bead. 前記制御用マイコンと前記静電気放電保護回路とのインピーダンスが略同一であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の静電容量タッチスイッチモジュール。 The capacitive touch switch module according to claim 1 or 2 , wherein the impedances of the control microcomputer and the electrostatic discharge protection circuit are substantially the same. 前記静電容量タッチスイッチパネルに発生するノイズ電流と前記制御用マイコンに流れる電流とが略同一であることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項記載の静電容量タッチスイッチモジュール The capacitive touch according to any one of claims 1 to 3, wherein the noise current generated in the capacitive touch switch panel and the current flowing through the control microcomputer are substantially the same. Switch module .
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