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JP6814845B2 - Electroless Copper Plating Compositions and Methods for Electrolessly Plating Copper on Substrates - Google Patents
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Electroless Copper Plating Compositions and Methods for Electrolessly Plating Copper on Substrates Download PDF

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Description

本発明は、無電解銅めっき用組成物および基材上に銅を無電解めっきするための方法であって、無電解銅めっきは、低温で高い無電解銅めっき速度を有し、および無電解銅めっき用組成物は、安定である、無電解銅めっき用組成物および方法に関する。より詳細には、本発明は、無電解銅めっき用組成物および基材上に銅を無電解めっきするための方法であって、無電解銅めっきは、低温で高い無電解銅めっき速度を有し、および無電解銅めっき用組成物は、安定であり、無電解銅めっき用組成物は、ピリジニウム化合物またはその塩を含む、無電解銅めっき用組成物および方法に関する。 The present invention is a method for electroless plating copper on an electroless copper plating composition and a base material, in which electroless copper plating has a high electroless copper plating rate at low temperatures and is electroless. Compositions for copper plating relate to compositions and methods for electroless copper plating that are stable. More specifically, the present invention is a method for electroless plating copper on a composition for electroless copper plating and a substrate, and electroless copper plating has a high electroless copper plating rate at a low temperature. And the composition for electroless copper plating is stable, and the composition for electroless copper plating relates to the composition and method for electroless copper plating containing a pyridinium compound or a salt thereof.

無電解銅めっき浴は、金属被覆産業において各種のタイプの基材上に銅を析出させるために広く使用されている。たとえば、プリント回路基板の生産では、無電解銅浴を使用して、スルーホールの壁面およびそれに続く電気分解法の銅めっきのためのベースとしての回線経路上に銅を析出させる。無電解銅めっきは、装飾プラスチック産業において、非導電性の表面上に必要に応じて銅、ニッケル、金、銀および他の金属をさらにめっきするためのベースとして銅を析出させるためにも使用される。今日商業的に使用されている無電解銅浴には、以下のものが含まれる:水溶性の二価の銅化合物、二価の銅イオンをキレート化するためのキレート化剤または錯化剤、たとえばロッシェル塩およびエチレンジアミン四酢酸のナトリウム塩、還元剤、たとえばホルムアルデヒドおよびホルムアルデヒドの前駆体または誘導体ならびに浴の安定性を向上させ、めっき速度を調節し、かつ銅の析出物の光沢を向上させるための各種のさらなる添加剤。 Electroless copper plating baths are widely used in the metal coating industry to deposit copper on various types of substrates. For example, in the production of printed circuit boards, electroless copper baths are used to deposit copper on the walls of through holes and on the line path as a base for subsequent electrolysis copper plating. Electroless copper plating is also used in the decorative plastics industry to deposit copper on non-conductive surfaces as a base for further plating copper, nickel, gold, silver and other metals as needed. To. Electrolytic copper baths in commercial use today include: water-soluble divalent copper compounds, chelating or complexing agents for chelating divalent copper ions, For example to improve the stability of roschel salts and sodium salts of ethylenediaminetetraacetic acid, reducing agents such as formaldehyde and precursors or derivatives of formaldehyde, and baths, to regulate plating rates and to improve the gloss of copper precipitates Various additional additives.

しかしながら、無電解銅浴中のそれぞれの成分は、めっき性能に影響を及ぼし、そのため濃度を調節して特定の構成成分および操作条件で最も望ましいめっき性能が得られるようにしなければならないことが理解されるべきである。内部めっき電位差、析出物の品質および析出速度に影響する他の因子としては、温度、撹拌の程度、上述の基本的構成成分のタイプおよび濃度などが挙げられる。 However, it is understood that each component in the electroless copper bath affects the plating performance and therefore the concentration must be adjusted to obtain the most desirable plating performance under the particular constituents and operating conditions. Should be. Other factors that affect the internal plating potential difference, the quality of the precipitate and the rate of precipitation include temperature, degree of agitation, type and concentration of the basic constituents described above.

無電解銅めっき浴中では、それらの成分は、連続的に消費されて、その浴の変化状態が一定となるため、それらの消費された成分を定期的に補充しなければならない。長期間にわたり、銅を実質的に均等に析出させながら高いめっき速度を維持できるように浴を調節することは、極めて困難である。一般的には、0.6μm/5分以上の無電解銅めっき速度が非常に望ましいが(現行の水平めっき用途で好ましく望まれる)、特に40℃未満などの低い無電解めっき温度で達成されることは稀である。数回の金属ターンオーバー(MTO)で浴成分の消費と補充とを繰り返すと、たとえば副反応生成物の蓄積などが原因となって浴の不安定性がもたらされる恐れもある。したがって、そのような浴、特に高いめっき性能を有する浴、すなわち活性の高い浴は、不安定となり、使用するにつれて自然と劣化を起こしやすくなる。そのような無電解銅浴の不安定性は、表面に沿った不均質または不連続な銅めっきをもたらす恐れがある。たとえば、プリント回路基板の生産の場合、スルーホールの壁面上に無電解的に銅をめっきして、その壁面上に析出させた銅が実質的に連続的で均質であり、その銅の析出物中の割れ目または隙間が最小限であり、好ましくは存在しないようにすることが重要である。銅の析出物におけるそのような不連続性は、最終的に、そのような欠陥を有するプリント回路基板が含まれる各種の電子デバイスの動作不良の原因となる可能性がある。 In the electroless copper plating bath, those components are continuously consumed and the changing state of the bath becomes constant, so that the consumed components must be replenished regularly. It is extremely difficult to adjust the bath to maintain a high plating rate while precipitating copper substantially evenly over a long period of time. In general, electroless copper plating rates of 0.6 μm / 5 min and above are highly desirable (preferably desired in current horizontal plating applications), but are achieved especially at low electroless plating temperatures such as below 40 ° C. That is rare. Repeated consumption and replenishment of bath components with several metal turnovers (MTOs) can lead to bath instability, for example due to the accumulation of side reaction products. Therefore, such baths, especially those with high plating performance, that is, baths with high activity, become unstable and naturally tend to deteriorate as they are used. The instability of such electroless copper baths can result in heterogeneous or discontinuous copper plating along the surface. For example, in the production of printed circuit boards, copper is electrolessly plated on the wall surface of a through hole, and the copper deposited on the wall surface is substantially continuous and homogeneous, and the copper precipitate is formed. It is important that the crevices or gaps inside are minimal and preferably absent. Such discontinuities in copper deposits can ultimately lead to malfunctions of various electronic devices, including printed circuit boards with such defects.

前述のような安定性の問題に対処するために、「安定剤」の名称で類別される各種の化合物が無電解銅めっき浴に導入されてきた。無電解銅めっき浴において使用されてきた安定剤の例としては、硫黄含有化合物、たとえばジスルフィドおよびチオールが挙げられる。しかしながら、安定剤の多くは、無電解銅めっき速度を低下させ、さらに高い濃度では触媒毒となり、めっき速度を低下させたり、またはめっきを不能とさせたりして、そのめっき浴の性能を損なう可能性がある。めっき速度の低下は、無電解銅めっき性能にとって好ましくない。無電解銅めっき速度は、温度依存性でもあり、そのため、高い安定剤濃度が原因で速度が低下した場合、めっき温度を上げることによって速度を上げることが可能である。しかしながら、操作温度を高くすると、副生物の蓄積が多くなることによって無電解銅浴の安定性が低下し、さらに副反応による副生物の生成速度も上がり、そのため、安定剤の濃度を上げた効果の一部が損なわれる恐れもある。その結果、ほとんどの場合、使用する安定剤の量は、高いめっき速度を維持することと、長期間にわたって無電解浴を安定に維持することとの間での慎重な妥協点でなければならない。 In order to deal with the above-mentioned stability problem, various compounds classified by the name of "stabilizer" have been introduced into electroless copper plating baths. Examples of stabilizers that have been used in electroless copper plating baths include sulfur-containing compounds such as disulfides and thiols. However, many stabilizers reduce the electroless copper plating rate and, at higher concentrations, become catalytic poisons, which can reduce the plating rate or make plating impossible, impairing the performance of the plating bath. There is sex. A decrease in plating speed is not preferable for electroless copper plating performance. The electroless copper plating rate is also temperature dependent, so if the rate decreases due to a high stabilizer concentration, it can be increased by increasing the plating temperature. However, when the operating temperature is raised, the stability of the electroless copper bath decreases due to the increase in the accumulation of by-products, and the rate of production of by-products by side reactions also increases. Therefore, the effect of increasing the concentration of the stabilizer is increased. There is a risk that part of the As a result, in most cases the amount of stabilizer used must be a careful compromise between maintaining a high plating rate and maintaining an electroless bath stable for extended periods of time.

代わりに、無電解浴の配合中に「促進剤」的添加剤を組み込むことも可能である。理想的には、促進剤添加剤は、無電解浴の安定性に悪影響を与えず、それにより、浴の安定性を十分に維持しながらより高いめっき速度を達成できるか、またはより低い温度で同一のめっき速度が達成される(それにより、典型的には浴の安定性も向上する)。無電解浴の温度を下げれば、たとえばめっき用化学薬品の不動態的消費速度も低くなるため、無電解浴のコストも削減される。さらに、作業温度を下げることにより、より安定な配合が得られるため、保守の必要性も低くなる。最終的に、めっき温度を下げることにより、無電解法による析出物の内部応力の発生も抑制することが可能となり、それにより、金属被覆プロセスが高接着用途により適したものとなる。したがって、無電解銅めっきにおける速度の加速は、作業温度の低下、たとえばフレキシブルな基材上に析出させた銅の内部応力の低下および金属被覆の総合的なランニングコストの低下のための重要な戦略である。 Alternatively, it is possible to incorporate "accelerator" additives in the formulation of the electroless bath. Ideally, the accelerator additive does not adversely affect the stability of the electroless bath so that higher plating rates can be achieved or at lower temperatures while maintaining sufficient bath stability. The same plating rate is achieved (which typically also improves bath stability). Lowering the temperature of the electroless bath also reduces the cost of the electroless bath, for example, because the passivation rate of plating chemicals is reduced. Further, by lowering the working temperature, a more stable formulation can be obtained, so that the need for maintenance is reduced. Finally, lowering the plating temperature also makes it possible to suppress the generation of internal stresses in the precipitates due to the electroless method, which makes the metal coating process more suitable for high adhesion applications. Therefore, speed acceleration in electroless copper plating is an important strategy for lowering the working temperature, for example, lowering the internal stress of copper deposited on flexible substrates and lowering the overall running cost of the metal coating. Is.

したがって、低温で高い無電解銅めっき速度を可能にして、基材上に光沢がある均質な銅の析出物を与える、無電解銅めっき浴のための添加剤が必要とされている。 Therefore, there is a need for additives for electroless copper plating baths that allow high electroless copper plating rates at low temperatures and provide glossy, homogeneous copper precipitates on the substrate.

本発明は、無電解銅めっき用組成物であって、1種または複数の銅イオン源、1種または複数のピリジニウム化合物、1種または複数の錯化剤、1種または複数の還元剤および任意選択的に1種または複数のpH調節剤を含み、無電解銅めっき用組成物のpHは、7よりも大きい、無電解銅めっき用組成物に関する。 The present invention is a composition for electroless copper plating, wherein one or more copper ion sources, one or more pyridinium compounds, one or more complexing agents, one or more reducing agents and optionally. It relates to an electroless copper plating composition comprising one or more pH adjusters selectively and having an electroless copper plating composition having a pH greater than 7.

本発明は、無電解銅めっきの方法であって、
a)誘電体を含む基材を提供する工程、
b)誘電体を含む基材に触媒を適用する工程、
c)誘電体を含む基材に無電解銅めっき用組成物を適用する工程であって、無電解銅めっき用組成物は、1種または複数の銅イオン源、1種または複数のピリジニウム化合物、1種または複数の錯化剤、1種または複数の還元剤および任意選択的に1種または複数のpH調節剤を含み、無電解銅めっき用組成物のpHは、7よりも大きい、工程、および
d)無電解銅めっき用組成物を用いて、誘電体を含む基材上に銅を無電解めっきする工程
を含む方法にも関する。
The present invention is an electroless copper plating method.
a) Step of providing a base material containing a dielectric,
b) A step of applying a catalyst to a substrate containing a dielectric,
c) A step of applying an electroless copper plating composition to a substrate containing a dielectric, wherein the electroless copper plating composition is one or more copper ion sources, one or more pyridinium compounds, The pH of the composition for electroless copper plating, which comprises one or more complexing agents, one or more reducing agents and optionally one or more pH adjusting agents, is greater than 7. And d) It also relates to a method including a step of electrolessly plating copper on a substrate containing a dielectric using an electroless copper plating composition.

ピリジニウム化合物は、40℃以下の低いめっき温度での無電解銅めっき速度を上昇させることが可能である。本発明の無電解銅めっき用組成物および方法は、低いめっき温度でもスルーホールの良好な壁面被覆をさらに可能にする。めっき温度を下げることにより、望ましくない副反応または分解が原因となって起きる無電解銅めっき用組成物の添加剤の消費が抑制され、それにより、より安定な無電解銅めっき用組成物が得られ、および無電解銅めっきプロセスの運転コストが低下する。 The pyridinium compound can increase the electroless copper plating rate at a low plating temperature of 40 ° C. or lower. The composition and method for electroless copper plating of the present invention further enable good wall coating of through holes even at low plating temperatures. By lowering the plating temperature, the consumption of additives in the electroless copper plating composition caused by undesired side reactions or decomposition is suppressed, whereby a more stable electroless copper plating composition is obtained. And the operating cost of the electroless copper plating process is reduced.

本発明の無電解銅めっき用組成物は、ピリジニウム化合物の広い濃度範囲にわたって安定である。ピリジニウム化合物の濃度について操作範囲が広いことは、組成物の成分がどのように補充および消費されるかに関係なく、無電解銅めっき用組成物の性能が実質的に変化しないため、ピリジニウム化合物濃度を慎重に監視する必要がないことを意味する。 The composition for electroless copper plating of the present invention is stable over a wide concentration range of pyridinium compounds. The wide range of operations for the concentration of the pyridinium compound means that the performance of the electroless copper plating composition does not substantially change regardless of how the components of the composition are replenished and consumed. Means that you do not need to monitor carefully.

本明細書を通じて、下記の略号は、文脈的に異なることが明示されない限り以下の意味を有する:g=グラム;mg=ミリグラム;mL=ミリリットル;L=リットル;cm=センチメートル;mm=ミリメートル;μm=ミクロン;ppm=百万部あたりの部数=mg/L;℃=摂氏温度;g/L=1リットルあたりのグラム数;DI=脱イオン化;C=元素の炭素;Pd=パラジウム;Pd(II)=+2の酸化状態にあるパラジウムイオン;Pd°=イオン状態と比較してその金属状態に還元されたパラジウム;重量%=重量パーセント;およびTg=ガラス転移温度。 Throughout this specification, the abbreviations below have the following meanings unless explicitly stated to be contextually different: g = grams; mg = milligrams; mL = milliliters; L = liters; cm = centimeters; mm = millimeters; μm = micron; ppm = number of copies per million = mg / L; ° C. = temperature per liter; g / L = number of grams per liter; DI = deionization; C = elemental carbon; Pd = palladium; Pd ( II) = +2 oxidized state of palladium ions; Pd ° = palladium reduced to its metallic state compared to the ionic state;% by weight = weight percent; and Tg = glass transition temperature.

特に断らない限り、すべての量は、重量パーセントである。すべての数値範囲は、両末端を含み、かついかなる順序でも組み合わされ得るが、ただし、そのような数値範囲を合計したものが100%となることが論理的である場合を例外とする。 Unless otherwise noted, all quantities are weight percent. All numerical ranges include both ends and can be combined in any order, with the exception of the case where it is logical that the sum of such numerical ranges is 100%.

「めっき」および「析出」という用語は、本明細書を通じて相互に置き換え可能として使用される。「組成」および「浴」という用語は、本明細書を通じて相互に置き換え可能として使用される。「アルキル」という用語は、本明細書において置換基を有すると記述されていない限り、炭素および水素のみから構成され、一般式:C2n+1を有する有機の化学基を意味する。「平均」という用語は、サンプルの平均値と均等である。特に断らない限り、すべての量は、重量パーセントである。すべての数値範囲は、両末端を含み、かついかなる順序でも組み合わされ得るが、ただし、そのような数値範囲を合計したものが100%となることが論理的である場合を例外とする。 The terms "plating" and "precipitation" are used interchangeably throughout this specification. The terms "composition" and "bath" are used interchangeably throughout this specification. The term "alkyl" means an organic chemical group consisting only of carbon and hydrogen and having the general formula: C n H 2n + 1 , unless otherwise described herein as having a substituent. The term "mean" is even with the mean of the sample. Unless otherwise noted, all quantities are weight percent. All numerical ranges include both ends and can be combined in any order, with the exception of the case where it is logical that the sum of such numerical ranges is 100%.

本発明の無電解銅めっき用組成物は、1種または複数の銅イオン源、1種または複数のピリジニウム化合物、1種または複数の錯化剤、1種または複数の還元剤、水および任意選択的に1種または複数のpH調節剤を含み、無電解銅めっき用組成物のpHは、7よりも大きい。 The composition for electroless copper plating of the present invention comprises one or more copper ion sources, one or more pyridinium compounds, one or more complexing agents, one or more reducing agents, water and optionally. The pH of the composition for electroless copper plating, which comprises one or more pH adjusters, is greater than 7.

好ましくは、1種または複数のピリジニウム化合物は、式: Preferably, the one or more pyridinium compounds are of the formula:

(式中、Rは、直鎖状または分岐状の置換または非置換(C−C10)アルキル、置換または非置換(C−C10)アリール、置換または非置換(C−C10)複素環式芳香族基および置換または非置換のベンジル(ここで、置換基は、ヒドロキシル、スルフェート、アミノ、アミド、カルボニルおよびカルボキシルからなる群から選択される)からなる群から選択され、およびRは、水素、ヒドロキシル、スルフェート、カルボニル、カルボキシル、ビニル、アミノおよびアミドからなる群から選択される)を有する。より好ましくは、Rは、直鎖状または分岐状の置換および非置換(C−C)アルキルおよび置換または非置換C−複素環式芳香族基(ここで、置換基は、ヒドロキシルおよびスルフェートからなる群から選択される)からなる群から選択され、およびより好ましくは、Rは、水素、ヒドロキシルおよびスルフェートからなる群から選択され、最も好ましくは、Rは、直鎖状の置換または非置換(C−C)アルキルからなる群から選択され、ここで、好ましい置換基は、スルフェートであり、および最も好ましくは、Rは、水素である。式(I)のピリジニウム化合物は、ピリジニウム化合物のプラスの電荷を中和するためのカウンターアニオンを含むことが好ましい。 (In the formula, R 1 is a linear or branched substituted or unsubstituted (C 1- C 10 ) alkyl, substituted or unsubstituted (C 6- C 10 ) aryl, substituted or unsubstituted (C 6- C). 10 ) Selected from the group consisting of heterocyclic aromatic groups and substituted or unsubstituted benzyls (where the substituents are selected from the group consisting of hydroxyl, sulfate, amino, amide, carbonyl and carboxyl), and R 2 has (selected from the group consisting of hydrogen, hydroxyl, sulfate, carbonyl, carboxyl, vinyl, amino and amide). More preferably, R 1 is a linear or branched substituted and unsubstituted (C 2- C 4 ) alkyl and substituted or unsubstituted C 6 -heterocyclic aromatic group (where the substituent is hydroxyl). And is selected from the group consisting of sulfate), and more preferably R 2 is selected from the group consisting of hydrogen, hydroxyl and sulfate, and most preferably R 1 is linear. Selected from the group consisting of substituted or unsubstituted (C 2- C 4 ) alkyl, where the preferred substituent is sulfate, and most preferably R 2 is hydrogen. The pyridinium compound of formula (I) preferably contains a counter anion for neutralizing the positive charge of the pyridinium compound.

前述のピリジニウム化合物は、水酸化物の塩、硫酸塩、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロリン酸塩、硝酸塩、ギ酸塩、酢酸塩、酒石酸塩またはハロゲンの塩(ここで、ハロゲン化物は、塩化物、臭化物、フッ化物およびヨウ化物からなる群から選択される)であることが好ましい。より好ましくは、その塩は、塩化物および臭化物からなる群から選択されるハロゲン化物であり、最も好ましくは、そのハロゲン化物は、塩化物である。本発明の好ましいピリジニウム化合物の3つの例を挙げると、1−ブチルピリジニウムクロリドおよび1−(3−スルホプロピル)ピリジニウム水酸化物の内部塩(1−(3−スルホプロピル)ピリジニウムとしても知られている)および1−(4−ピリジル)ピリジニウムクロリドの塩である。 The pyridinium compounds mentioned above are hydroxide salts, sulfates, tetrafluoroborates, hexafluorophosphates, nitrates, formates, acetates, tartrates or halogen salts (where the halide is chloride). It is preferably selected from the group consisting of substances, bromides, fluorides and iodides). More preferably, the salt is a halide selected from the group consisting of chlorides and bromides, and most preferably the halide is chloride. To give three examples of preferred pyridinium compounds of the invention, internal salts of 1-butylpyridinium chloride and 1- (3-sulfopropyl) pyridinium hydroxide (also known as 1- (3-sulfopropyl) pyridinium). Is a salt of 1- (4-pyridyl) pyridinium chloride.

本発明のピリジニウム化合物は、0.5ppm以上、好ましくは1ppm〜50ppm、より好ましくは2ppm〜30ppm、さらにより好ましくは2.5ppm〜20ppm、最も好ましくは5ppm〜20ppmの量で含まれる。 The pyridinium compound of the present invention is contained in an amount of 0.5 ppm or more, preferably 1 ppm to 50 ppm, more preferably 2 ppm to 30 ppm, still more preferably 2.5 ppm to 20 ppm, and most preferably 5 ppm to 20 ppm.

銅イオンおよびカウンターアニオンの出発源としては、銅の水溶性のハライド、硝酸塩、酢酸塩、硫酸塩ならびに他の有機および無機の塩などが挙げられるが、これらに限定されない。そのような銅塩の1種または複数の混合物を使用して銅イオンを得ることもできる。例は、硫酸銅、たとえば硫酸銅五水和物、塩化銅、硝酸銅、水酸化銅およびスルファミン酸銅である。本発明の無電解銅めっき用組成物中の1種または複数の銅イオン源は、好ましくは、0.5g/L〜30g/L、より好ましくは1g/L〜25g/L、さらにより好ましくは5g/L〜20g/L、さらにより好ましくは5g/L〜15g/L、最も好ましくは10g/L〜15g/Lの範囲である。 Sources of copper ions and counter anions include, but are not limited to, water-soluble halides, nitrates, acetates, sulfates and other organic and inorganic salts of copper. Copper ions can also be obtained using one or a mixture of such copper salts. Examples are copper sulphate, such as copper sulphate pentahydrate, copper chloride, copper nitrate, copper hydroxide and copper sulfamate. The one or more copper ion sources in the composition for electroless copper plating of the present invention are preferably 0.5 g / L to 30 g / L, more preferably 1 g / L to 25 g / L, and even more preferably. It is in the range of 5 g / L to 20 g / L, even more preferably 5 g / L to 15 g / L, and most preferably 10 g / L to 15 g / L.

錯化剤としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない:酒石酸カリウムナトリウム、酒石酸ナトリウム、サリチル酸ナトリウム、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)のナトリウム塩、ニトリロ酢酸およびそのアルカリ金属塩、グルコン酸、グルコン酸塩、トリエタノールアミン、変性エチレンジアミン四酢酸、S,S−エチレンジアミン二コハク酸、ヒダントインならびにヒダントイン誘導体。ヒダントイン誘導体としては、1−メチルヒダントイン、1,3−ジメチルヒダントインおよび5,5−ジメチルヒダントインが挙げられるが、これらに限定されない。錯化剤を酒石酸カリウムナトリウム、酒石酸ナトリウム、ニトリロ酢酸およびそのアルカリ金属塩、たとえばニトリロ酢酸のナトリウムおよびカリウム塩、ヒダントインおよびヒダントイン誘導体の1種または複数から選択することが好ましい。本発明の無電解銅めっき用組成物からEDTAおよびその塩を除外することが好ましい。錯化剤は、酒石酸カリウムナトリウム、酒石酸ナトリウム、ニトリロ酢酸、ニトリロ酢酸のナトリウム塩およびヒダントイン誘導体から選択されることがより好ましい。錯化剤を酒石酸カリウムナトリウム、酒石酸ナトリウム、1−メチルヒダントイン、1,3−ジメチルヒダントインおよび5,5−ジメチルヒダントインから選択することがさらにより好ましい。錯化剤を酒石酸カリウムナトリウムおよび酒石酸ナトリウムから選択することがさらに好ましい。錯化剤は、酒石酸カリウムナトリウム(ロッシェル塩)であることが最も好ましい。 Complexing agents include, but are not limited to: sodium potassium tartrate, sodium tartrate, sodium salicylate, sodium salt of ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), nitriloacetate and its alkali metal salts, gluconic acid, Gluconate, triethanolamine, modified ethylenediaminetetraacetic acid, S, S-ethylenediamine disuccinic acid, hydantine and hydantin derivatives. Hydantoin derivatives include, but are not limited to, 1-methyl hydantoin, 1,3-dimethyl hydantoin and 5,5-dimethyl hydantoin. The complexing agent is preferably selected from one or more of potassium sodium tartrate, sodium tartrate, nitriloacetic acid and alkali metal salts thereof, such as sodium and potassium salts of nitriloacetate, hydantoin and hydantoin derivatives. It is preferable to exclude EDTA and salts thereof from the electroless copper plating composition of the present invention. The complexing agent is more preferably selected from potassium sodium tartrate, sodium tartrate, nitriloacetic acid, sodium salts of nitriloacetic acid and hydantoin derivatives. It is even more preferred to select the complexing agent from potassium sodium tartrate, sodium tartrate, 1-methylhydantoin, 1,3-dimethylhydantoin and 5,5-dimethylhydantoin. It is more preferred to select the complexing agent from potassium sodium tartrate and sodium tartrate. The complexing agent is most preferably sodium potassium tartrate (Rochelle salt).

錯化剤は、本発明の無電解銅めっき用組成物中に10g/L〜150g/L、好ましくは20g/L〜150g/L、より好ましくは30g/L〜100g/L、さらにより好ましくは35g/L〜80g/L、最も好ましくは35g/L〜55g/Lの量で含まれる。 The complexing agent is 10 g / L to 150 g / L, preferably 20 g / L to 150 g / L, more preferably 30 g / L to 100 g / L, still more preferably, in the composition for electroless copper plating of the present invention. It is contained in an amount of 35 g / L to 80 g / L, most preferably 35 g / L to 55 g / L.

還元剤としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない:アルデヒド、たとえばホルムアルデヒド、ホルムアルデヒド前駆体、ホルムアルデヒド誘導体、たとえばパラホルムアルデヒド、ホウ水素化物、たとえばホウ水素化ナトリウム、置換されたホウ水素化物、ボラン、たとえばジメチルアミンボラン(DMAB)、サッカライド、たとえばブドウ糖(グルコース)、グルコース、ソルビトール、セルロース、ショ糖、マンニトールおよびグルコノラクトン、次亜リン酸およびその塩、たとえば次亜リン酸ナトリウム、ヒドロキノン、カテコール、レソルシノール、キノール、ピロガロール、ヒドロキシキノール、フロログルシノール、グアイアコール、没食子酸、グリオキシル酸、3,4−ジヒドロキシ安息香酸、フェノールスルホン酸、クレゾールスルホン酸、ヒドロキノンスルホン酸、カテコールスルホン酸、タイロンならびに上述の還元剤のすべての塩。還元剤は、ホルムアルデヒド、ホルムアルデヒド誘導体、ホルムアルデヒド前駆体、ホウ水素化物および次亜リン酸およびその塩、ヒドロキノン、カテコール、レソルシノールならびに没食子酸から選択されることが好ましい。還元剤は、ホルムアルデヒド、ホルムアルデヒド誘導体、ホルムアルデヒド前駆体および次亜リン酸ナトリウムから選択されることがより好ましい。還元剤は、ホルムアルデヒドであることが最も好ましい。 Reducing agents include, but are not limited to: aldehydes such as formaldehyde, formaldehyde precursors, formaldehyde derivatives such as paraformaldehyde, bohydrides such as sodium bohydride, substituted bohydrides. , Bolan, eg dimethylamine borane (DMAB), saccharides such as glucose (glucose), glucose, sorbitol, cellulose, sucrose, mannitol and gluconolactone, hypophosphate and salts thereof, eg sodium hypophosphate, hydroquinone. , Catecol, resorcinol, quinol, pyrogallol, hydroxyquinol, fluoroglusinol, guaiacol, gallic acid, glyoxylic acid, 3,4-dihydroxybenzoic acid, phenolsulfonic acid, cresolsulfonic acid, hydroquinonesulfonic acid, catecholsulfonicic acid, Tyrone and All salts of the reducing agents mentioned above. The reducing agent is preferably selected from formaldehyde, formaldehyde derivatives, formaldehyde precursors, borohydrides and hypophosphorous acids and salts thereof, hydroquinone, catechols, resorcinol and gallic acid. The reducing agent is more preferably selected from formaldehyde, formaldehyde derivatives, formaldehyde precursors and sodium hypophosphite. The reducing agent is most preferably formaldehyde.

還元剤は、本発明の無電解銅めっき用組成物中に0.5g/L〜100g/L、好ましくは0.5g/L〜60g/L、より好ましくは1g/L〜50g/L、さらにより好ましくは1g/L〜20g/L、さらにより好ましくは1g/L〜10g/L、最も好ましくは1g/L〜5g/Lの量で含まれる。 The reducing agent is 0.5 g / L to 100 g / L, preferably 0.5 g / L to 60 g / L, more preferably 1 g / L to 50 g / L, and further, in the composition for electroless copper plating of the present invention. It is more preferably contained in an amount of 1 g / L to 20 g / L, even more preferably 1 g / L to 10 g / L, and most preferably 1 g / L to 5 g / L.

本発明の無電解銅めっき用組成物のpHは、7よりも大きい。本発明の無電解銅めっき用組成物のpHは、7.5よりも大きいことが好ましい。無電解銅めっき用組成物のpHは、より好ましくは、8〜14、さらにより好ましくは10〜14、さらにより好ましくは11〜13、最も好ましくは12〜13である。 The pH of the electroless copper plating composition of the present invention is greater than 7. The pH of the electroless copper plating composition of the present invention is preferably higher than 7.5. The pH of the electroless copper plating composition is more preferably 8 to 14, even more preferably 10 to 14, even more preferably 11 to 13, and most preferably 12 to 13.

任意選択的に、しかし好ましくは、1種または複数のpH調節剤は、無電解銅めっき用組成物のpHをアルカリ性のpHに調節するために本発明の無電解銅めっき用組成物中に含まれ得る。有機および無機の酸および塩基を含めて酸および塩基を使用して、そのpHを調節することができる。無機酸もしくは無機塩基またはそれらの混合物を使用して、本発明の無電解銅めっき用組成物のpHを調節することが好ましい。無電解銅めっき用組成物のpHを調節するのに適した無機酸としては、たとえば、リン酸、硝酸、硫酸および塩酸が挙げられる。無電解銅めっき用組成物のpHを調節するのに適した無機塩基としては、たとえば、水酸化アンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムが挙げられる。水酸化ナトリウム、水酸化カリウムまたはそれらの混合物を使用して無電解銅めっき用組成物のpHを調節することが好ましく、水酸化ナトリウムを使用して本発明の無電解銅めっき用組成物のpHを調節することが最も好ましい。 Optionally, but preferably, one or more pH adjusters are included in the electroless copper plating composition of the present invention to adjust the pH of the electroless copper plating composition to an alkaline pH. It can be. Acids and bases, including organic and inorganic acids and bases, can be used to regulate their pH. It is preferable to use an inorganic acid or an inorganic base or a mixture thereof to adjust the pH of the electroless copper plating composition of the present invention. Examples of inorganic acids suitable for adjusting the pH of the electroless copper plating composition include phosphoric acid, nitric acid, sulfuric acid and hydrochloric acid. Inorganic bases suitable for adjusting the pH of the electroless copper plating composition include, for example, ammonium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide and lithium hydroxide. It is preferable to use sodium hydroxide, potassium hydroxide or a mixture thereof to adjust the pH of the electroless copper plating composition, and sodium hydroxide is used to adjust the pH of the electroless copper plating composition of the present invention. It is most preferable to adjust.

任意選択的に、しかし好ましくは、1種または複数の安定剤は、本発明の無電解銅めっき用組成物中に含まれ得る。安定剤としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない:2,2’−ジピリジルおよび誘導体、4,4’−ジピリジル、フェナントロリンおよびフェナントロリン誘導体、チオリンゴ酸、2,2’ジチオ二コハク酸、メルカプトコハク酸、システイン、メチオニン、チオニン、チオ尿素、ベンゾチアゾール、メルカプトベンゾチアゾール、2,2’−チオ二酢酸、3,3’−チオジプロピオン酸、3,3’−ジチオジプロピオン酸、チオ硫酸塩ならびにグリコール、たとえばポリプロピレングリコールおよびポリエチレングリコール。 Optionally, but preferably, one or more stabilizers may be included in the electroless copper plating compositions of the present invention. Stabilizers include, but are not limited to: 2,2'-dipyridyl and derivatives, 4,4'-dipyridyl, phenanthroline and phenanthroline derivatives, thiophosphoric acid, 2,2'dithiodichonic acid. , Mercaptosuccinic acid, cysteine, methionine, thionin, thiourea, benzothiazole, mercaptobenzothiazole, 2,2'-thiodiacetic acid, 3,3'-thiodipropionic acid, 3,3'-dithiodipropionic acid, Thiousulfates and glycols such as polypropylene glycol and polyethylene glycol.

そのような任意選択的な安定剤は、本発明の無電解銅めっき用組成物中に0.1ppm〜20ppm、好ましくは0.5ppm〜10ppm、より好ましくは0.5ppm〜5ppm、最も好ましくは0.5ppm〜2ppmの量で含まれる。 Such an optional stabilizer is 0.1 ppm to 20 ppm, preferably 0.5 ppm to 10 ppm, more preferably 0.5 ppm to 5 ppm, and most preferably 0, in the composition for electroless copper plating of the present invention. Included in an amount of .5 ppm to 2 ppm.

任意選択的に、しかし好ましくは、1種または複数の二次促進剤は、本発明の無電解銅めっき用組成物中に含まれ得る。そのような促進剤としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない:いくつかの遊離窒素塩基、たとえばグアニジン、グアニジン誘導体、たとえばグアニジン塩酸塩、ピリジンおよびピリジン誘導体、たとえばアミノピリジン、ジ−およびトリ−アルキルアミン、たとえばトリメチルアミンおよびトリエチルアミン、N,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンおよびエチレンジアミン四酢酸ならびにニッケル(II)塩、たとえば硫酸ニッケル(II)。好ましい二次促進剤の一例は、グアニジン塩酸塩である。 Optionally, but preferably, one or more secondary accelerators may be included in the electroless copper plating compositions of the present invention. Such accelerators include, but are not limited to: some free nitrogen bases such as guanidine, guanidine derivatives such as guanidine hydrochloride, pyridine and pyridine derivatives such as aminopyridine, di-. And tri-alkylamines such as trimethylamine and triethylamine, N, N, N', N'-tetrax (2-hydroxypropyl) ethylenediamine and ethylenediamine tetraacetic acid and nickel (II) salts such as nickel sulfate (II). An example of a preferred secondary accelerator is guanidine hydrochloride.

そのような促進剤は、0.1ppm〜500ppm、好ましくは0.2〜15ppm、より好ましくは0.3ppm〜10ppm、最も好ましくは0.3ppm〜5ppmの量で含まれ得る。 Such accelerators may be included in an amount of 0.1 ppm to 500 ppm, preferably 0.2 to 15 ppm, more preferably 0.3 ppm to 10 ppm, most preferably 0.3 ppm to 5 ppm.

任意選択的に、1種または複数の界面活性剤は、本発明の無電解銅めっき用組成物中に含まれ得る。そのような界面活性剤としては、イオン性、たとえばカチオン性およびアニオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤および両性界面活性剤が挙げられる。界面活性剤の混合物を使用することも可能である。界面活性剤は、組成物中に0.001g/L〜50g/Lの量、好ましくは0.01g/L〜50g/Lの量で含まれ得る。 Optionally, one or more surfactants may be included in the electroless copper plating compositions of the present invention. Such surfactants include ionic, eg, cationic and anionic surfactants, nonionic surfactants and amphoteric surfactants. It is also possible to use a mixture of surfactants. The surfactant may be included in the composition in an amount of 0.001 g / L to 50 g / L, preferably 0.01 g / L to 50 g / L.

カチオン性界面活性剤としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない:テトラ−アルキルアンモニウムハライド、アルキルトリメチルアンモニウムハライド、ヒドロキシエチルアルキルイミダゾリン、アルキルイミダゾリウム、アルキルベンザルコニウムハライド、アルキルアミンアセテート、アルキルアミンオレエートおよびアルキルアミノエチルグリシン。 Cationic surfactants include, but are not limited to: tetra-alkylammonium halides, alkyltrimethylammonium halides, hydroxyethylalkylimidazolins, alkylimidazoliums, alkylbenzalconium halides, alkylamine acetates. , Alkylamine oleate and alkylaminoethylglycine.

アニオン性界面活性剤としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない:アルキルベンゼンスルホネート、アルキルまたはアルコキシナフタレンスルホネート、アルキルジフェニルエーテルスルホネート、アルキルエーテルスルホネート、アルキル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル硫酸エステル、高級アルコールリン酸モノエステル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸(リン酸エステル)およびアルキルスルホコハク酸エステル。 Anionic surfactants include, but are not limited to: alkylbenzene sulfonates, alkyl or alkoxynaphthalene sulfonates, alkyldiphenyl ether sulfonates, alkyl ether sulfonates, alkyl sulphates, polyoxyethylene alkyl ether sulphates, Polyoxyethylene alkylphenol ether sulfate ester, higher alcohol phosphoric acid monoester, polyoxyalkylene alkyl ether phosphoric acid (phosphate ester) and alkylsulfosuccinate.

両性界面活性剤としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない:2−アルキル−N−カルボキシメチルまたはエチル−N−ヒドロキシエチルまたはメチルイミダゾリウムベタイン、2−アルキル−N−カルボキシメチルまたはエチル−N−カルボキシメチルオキシエチルイミダゾリウムベタイン、ジメチルアルキルベタイン、N−アルキル−β−アミノプロピオン酸またはその塩および脂肪酸アミドプロピルジメチルアミノ酢酸ベタイン。 Amphoteric surfactants include, but are not limited to: 2-alkyl-N-carboxymethyl or ethyl-N-hydroxyethyl or methylimidazolium betaine, 2-alkyl-N-carboxymethyl or Ethyl-N-carboxymethyloxyethyl imidazolium betaine, dimethylalkyl betaine, N-alkyl-β-aminopropionic acid or salts thereof and fatty acid amide propyldimethylaminoacetate betaine.

界面活性剤がノニオン性であることが好ましい。ノニオン性界面活性剤としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない:アルキルフェノキシポリエトキシエタノール、20〜150個の繰り返し単位を有するポリオキシエチレンポリマーおよびポリオキシエチレンとポリオキシプロピレンとのランダムおよびブロックコポリマーならびにポリアミン、たとえばポリアリルアミン。 It is preferable that the surfactant is nonionic. Nonionic surfactants include, but are not limited to: alkylphenoxypolyethoxyethanol, polyoxyethylene polymers with 20 to 150 repeating units, and polyoxyethylene with polyoxypropylene. Random and block copolymers and polyamines such as polyallylamine.

任意選択的に、1種または複数の結晶成長抑制剤は、本発明の無電解銅めっき用組成物中に含まれ得る。結晶成長抑制剤としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない:シアニドおよびシアニド含有無機塩、たとえばヘキサシアノ鉄酸カリウム、2−メルカプトベンチアゾール、2,2’−ビピリジンおよび2,2’−ビピリジン誘導体、1,10−フェナントロリンおよび1,10−フェナントロリン誘導体、酸化バナジウム、たとえばメタバナジン酸ナトリウムおよびニッケル塩、たとえば硫酸ニッケル(II)。結晶成長抑制剤は、当業者に周知の量で添加される。 Optionally, one or more crystal growth inhibitors may be included in the electroless copper plating compositions of the present invention. Crystal growth inhibitors include, but are not limited to: cyanide and cyanide-containing inorganic salts such as potassium hexacyanoferrate, 2-mercaptobenazol, 2,2'-bipyridine and 2,2'. -Bipyridine derivatives, 1,10-phenanthroline and 1,10-phenanthroline derivatives, vanadium oxide, such as sodium metavanadate and nickel salts, such as nickel sulfate (II). The crystal growth inhibitor is added in an amount well known to those skilled in the art.

好ましくは、本発明の無電解銅めっき用組成物は、1種または複数の銅イオン源(対応するアニオンを含む)、式(I)を有する1種または複数のピリジニウム化合物またはその塩、1種または複数の錯化剤、1種または複数の還元剤、水、任意選択的に1種または複数のpH調節剤、任意選択的に1種または複数の安定剤、任意選択的に1種または複数の二次促進剤、任意選択的に1種または複数の界面活性剤および任意選択的に1種または複数の結晶成長抑制剤からなり、無電解銅めっき用組成物のpHは、10〜14である。 Preferably, the composition for electroless copper plating of the present invention comprises one or more copper ion sources (including corresponding anions), one or more pyridinium compounds having the formula (I) or salts thereof. Or multiple complexing agents, one or more reducing agents, water, optionally one or more pH adjusters, optionally one or more stabilizers, optionally one or more. The pH of the composition for electroless copper plating is 10 to 14, which is composed of a secondary accelerator, optionally one or more surfactants, and optionally one or more crystal growth inhibitors. is there.

より好ましくは、本発明の無電解銅めっき用組成物は、1種または複数の銅イオン源(対応するアニオンを含む)、式(I)を有する1種または複数のピリジニウム化合物またはその塩(ここで、塩は、水酸化物、塩化物および臭化物の塩からなる群から選択される)、1種または複数の錯化剤、1種または複数の還元剤、水、1種または複数のpH調節剤、1種または複数の安定剤、任意選択的に1種または複数の二次促進剤、任意選択的に1種または複数の界面活性剤および任意選択的に1種または複数の結晶成長抑制剤からなり、無電解銅めっき用組成物のpHは、11〜13である。 More preferably, the composition for electroless copper plating of the present invention comprises one or more copper ion sources (including corresponding anions), one or more pyridinium compounds having the formula (I) or salts thereof (here). The salt is selected from the group consisting of salts of hydroxides, chlorides and bromides), one or more complexing agents, one or more reducing agents, water, one or more pH adjustments. Agents, one or more stabilizers, optionally one or more secondary accelerators, optionally one or more surfactants and optionally one or more crystal growth inhibitors The composition for electroless copper plating comprises 11 to 13.

最も好ましくは、本発明の無電解銅めっき用組成物は、1種または複数の銅イオン源(対応するアニオンを含む)、1−ブチルピリジニウムクロリド、1−(3−スルホプロピル)ピリジニウム水酸化物および1−(4−ピリジル)ピリジニウムクロリドからなる群から選択される1種または複数のピリジニウム化合物、1種または複数の錯化剤、1種または複数の還元剤、水、1種または複数のpH調節剤、1種または複数の安定剤、任意選択的に1種または複数の二次促進剤、任意選択的に1種または複数の界面活性剤および任意選択的に1種または複数の結晶成長抑制剤からなり、無電解銅めっき用組成物のpHは、12〜13である。 Most preferably, the composition for electroless copper plating of the present invention comprises one or more copper ion sources (including corresponding anions), 1-butylpyridinium chloride, 1- (3-sulfopropyl) pyridinium hydroxide. And one or more pyridinium compounds selected from the group consisting of 1- (4-pyridyl) pyridinium chloride, one or more complexing agents, one or more reducing agents, water, one or more pH. Regulators, one or more stabilizers, optionally one or more secondary accelerators, optionally one or more surfactants and optionally one or more suppression of crystal growth The pH of the composition for electroless copper plating, which comprises an agent, is 12 to 13.

本発明の無電解銅組成物および方法は、各種の基材、たとえば誘電体、半導体、メタルクラッドおよび非クラッドの基材、たとえばプリント回路基板上に銅を無電解めっきするために使用することができる。そのようなメタルクラッドおよび非クラッドのプリント回路基板は、繊維ガラスなどの繊維を含む熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂およびそれらの組合せ、それらを含浸させた実施形態を含むことができる。基材は、メタルクラッドのプリント回路または複数のスルーホール、ビアまたはそれらの組合せを有する配線盤であることが好ましい。本発明の無電解銅めっき用組成物および方法は、プリント回路基板を生産するための水平プロセスおよび垂直プロセスのいずれでも使用することができ、水平プロセスにおいて本発明の無電解銅めっき用組成物および方法を使用することが好ましい。 The electroless copper compositions and methods of the present invention can be used for electroless plating copper on various substrates such as dielectrics, semiconductors, metal clad and non-clad substrates such as printed circuit boards. it can. Such metal clad and non-clad printed circuit boards can include thermosetting resins containing fibers such as fiberglass, thermoplastic resins and combinations thereof, and embodiments impregnated with them. The substrate is preferably a metal clad printed circuit or a distribution frame having a plurality of through holes, vias or a combination thereof. The electroless copper plating composition and method of the present invention can be used in either a horizontal process or a vertical process for producing a printed circuit board, and the electroless copper plating composition and method of the present invention can be used in the horizontal process. It is preferable to use the method.

熱可塑性樹脂としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない:アセタール樹脂、アクリル樹脂、たとえばアクリル酸メチル、セルロース系樹脂、たとえば酢酸エチル、セルロースプロピオネート、セルロースアセテートブチレートおよびニトロセルロース、ポリエーテル、ナイロン、ポリエチレン、ポリスチレン、スチレンブレンド物、たとえばアクリロニトリル−スチレンコポリマーおよびアクリロニトリル−ブタジエン−スチレンコポリマー、ポリカーボネート、ポリクロロトリフルオロエチレンならびにビニルポリマーおよびコポリマー、たとえば酢酸ビニル、ビニルアルコール、ビニルブチラール、塩化ビニル、塩化ビニル−アセテートコポリマー、塩化ビニリデンおよびビニルホルマール。 Thermoplastic resins include, but are not limited to: acetal resins, acrylic resins such as methyl acrylate, cellulose-based resins such as ethyl acetate, cellulose propionate, cellulose acetate butyrate and nitrocellulose. , Polyether, nylon, polyethylene, polystyrene, styrene blends such as acrylonitrile-styrene copolymer and acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, polycarbonate, polychlorotrifluoroethylene and vinyl polymers and copolymers such as vinyl acetate, vinyl alcohol, vinyl butyral, Vinyl chloride, vinyl chloride-acetate copolymer, vinylidene chloride and vinylformal.

熱硬化性樹脂としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない:アリルフタレート、フラン、メラミン−ホルムアルデヒド、フェノール−ホルムアルデヒドおよびフェノール−フルフラールのコポリマー単独またはブタジエン−アクリロニトリルコポリマーまたはアクリロニトリル−ブタジエン−スチレンコポリマーとコンパウンディングしたもの、ポリアクリル系エステル、シリコーン、尿素ホルムアルデヒド、エポキシ樹脂、アリル樹脂、グリセリルフタレートおよびポリエステル。 Thermosetting resins include, but are not limited to: allylphthalate, furan, melamine-formaldehyde, phenol-formaldehyde and phenol-furfural copolymers alone or butadiene-acrylonitrile copolymers or acrylonitrile-butadiene-styrene. Compounded with copolymers, polyacrylic esters, silicones, ureaformaldehyde, epoxy resins, allyl resins, glyceryl phthalates and polyesters.

本発明の無電解銅めっき用組成物および方法を使用して、低Tおよび高Tのいずれの樹脂を含む基材も無電解銅めっきすることができる。低Tの樹脂は、160℃未満のTを有し、高Tの樹脂は、160℃以上のTを有する。典型的には、高Tの樹脂は、160℃〜280℃またはたとえば170℃〜240℃のTを有する。高Tポリマー樹脂としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない:ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)およびポリテトラフルオロエチレンのブレンド物。そのようなブレンド物としては、たとえば、PTFEとポリフェニレンオキシドおよびシアネートエステルとのものが挙げられる。高Tを有する樹脂を含む他のタイプのポリマー樹脂としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない:エポキシ樹脂、たとえば二官能および多官能のエポキシ樹脂、ビマレイミド/トリアジンおよびエポキシ樹脂(BTエポキシ)、エポキシ/ポリフェニレンオキシド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン、ポリカーボネート(PC)、ポリフェニレンオキシド(PPO)、ポリフェニレンエーテル(PPE)、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、ポリスルホン(PS)、ポリアミド、ポリエステル、たとえばポリエチレンテレフタレート(PET)およびポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリエーテルケトン(PEEK)、液晶ポリマー、ポリウレタン、ポリエーテルイミド、エポキシならびにそれらの複合材料。 Using the composition and method for electroless copper plating of the present invention, a substrate containing both low T g and high T g resins can be electroless copper plated. Low T g resins have a T g of less than 160 ° C., the resin of the high The T g has a 160 ° C. or more T g. Typically, resins of high The T g has a T g of 160 ° C. to 280 ° C., or such as 170 ° C. to 240 ° C.. High Tg polymer resins include, but are not limited to: a blend of polytetrafluoroethylene (PTFE) and polytetrafluoroethylene. Such blends include, for example, PTFE with polyphenylene oxide and cyanate esters. Other types of polymer resins which include resins with a high T g, but the following may be mentioned, but not limited to: epoxy resin, for example, difunctional and multifunctional epoxy resins, bimaleimide / triazine and epoxy resins ( BT epoxy), epoxy / polyphenylene oxide resin, acrylonitrile-butadiene-styrene, polycarbonate (PC), polyphenylene oxide (PPO), polyphenylene ether (PPE), polyphenylene sulfide (PPS), polysulfone (PS), polyamide, polyester, eg polyethylene Terephthalate (PET) and polyethylene terephthalate (PBT), polyetherketone (PEEK), liquid crystal polymer, polyurethane, polyetherimide, epoxy and their composite materials.

本発明の無電解銅組成物を用いた無電解銅めっき方法では、任意選択的に基材を清浄化または脱脂し、任意選択的に粗面化またはミクロ粗面化し、任意選択的に基材をエッチングまたはミクロエッチングし、任意選択的に基材に溶媒膨潤を行ってスルーホールの汚れを取り、かつ任意選択的に各種の洗浄および曇り止め処理を使用することができる。 In the electroless copper plating method using the electroless copper composition of the present invention, the base material is optionally cleaned or degreased, optionally roughened or micro-roughened, and optionally the base material. Can be optionally etched or micro-etched to optionally swell the substrate with solvent to remove dirt from the through holes, and optionally use various cleaning and anti-fog treatments.

本発明の無電解銅めっき用組成物および方法を用いて無電解銅めっきするための基材は、誘電材料および複数のスルーホールを有するメタルクラッド基材、たとえばプリント回路基板であることが好ましい。任意選択的に、水を用いて基板を洗い流して、清浄化および脱脂した後、スルーホールの壁面の汚れを取る。誘電体のプレッピングもしくは軟化またはスルーホールの汚れ取りは、溶媒膨潤剤を適用することで開始させることができる。無電解銅めっきの方法は、スルーホールの壁面をめっきするためのものであることが好ましいものの、無電解銅めっきの方法を、ビアの壁面を無電解銅めっきするためにも使用できることも想定される。 The base material for electroless copper plating using the composition and method for electroless copper plating of the present invention is preferably a dielectric material and a metal clad base material having a plurality of through holes, for example, a printed circuit board. Optionally, the substrate is rinsed with water to clean and degreas, and then the walls of the through holes are cleaned. Dielectric prepping or softening or decontamination of through holes can be initiated by applying a solvent swelling agent. Although the electroless copper plating method is preferably for plating the wall surface of the through hole, it is also assumed that the electroless copper plating method can also be used for electroless copper plating the wall surface of the via. To.

慣用される溶媒膨潤剤を使用することができる。具体的なタイプは、誘電材料のタイプに合わせて変化させることが可能である。小規模の実験を行って、特定の誘電材料に対していずれの溶媒膨潤剤が適しているかを判断することができる。多くの場合、誘電体のTにより、使用される溶媒膨潤剤のタイプが決められる。溶媒膨潤剤としては、グリコールエーテルおよびそれらに関連するエーテルアセテートが挙げられるが、これらに限定されない。当業者に周知のグリコールエーテルおよびそれらに関連するエーテルアセテートを慣用量で使用することができる。市販されている溶媒膨潤剤の例としては、以下のものが挙げられる:CIRCUPOSIT(商標)Conditioner 3302A、CIRCUPOSIT(商標)Hole Prep 3303およびCIRCUPOSIT(商標)Hole Prep 4120の溶液(Dow Electronic Materialsから入手可能)。 Conventional solvent swelling agents can be used. The specific type can be changed according to the type of the dielectric material. Small-scale experiments can be performed to determine which solvent swelling agent is suitable for a particular dielectric material. In many cases, the T g of the dielectric determines the type of solvent swelling agent used. Solvent swelling agents include, but are not limited to, glycol ethers and their associated ether acetates. Glycol ethers known to those of skill in the art and their associated ether acetates can be used in conventional doses. Examples of commercially available solvent swelling agents include: CIRCUPOSIT ™ Conditioner 3302A, CIRCUPOSIT ™ Hole Prep 3303 and CIRCUPOSIT ™ Hole Prep 4120 solutions (Dow Electronic Mate). ).

溶媒膨潤後、任意選択的にプロモーターを添加することも可能である。慣用されるプロモーターを使用することができる。そのようなプロモーターとしては、硫酸、クロム酸、アルカリ性過マンガン酸塩またはプラズマエッチングなどが挙げられる。プロモーターとしてアルカリ性過マンガン酸塩を使用することが好ましい。市販されているプロモーターの例としては、以下のものが挙げられる:CIRCUPOSIT(商標)Promoter 4130およびCIRCUPOSIT(商標)MLB Promoter 3308の溶液(Dow Electronic Materialsから入手可能)。任意選択的に、水を用いて基材およびスルーホールを洗浄する。 It is also possible to optionally add the promoter after the solvent swelling. A commonly used promoter can be used. Such promoters include sulfuric acid, chromic acid, alkaline permanganate or plasma etching. It is preferable to use alkaline permanganate as a promoter. Examples of commercially available promoters include: CIRCUPOSIT ™ Promoter 4130 and CIRCUPOSIT ™ MLB Promoter 3308 solutions (available from Dow Electrical Materials). Optionally, wash the substrate and through holes with water.

プロモーターを使用する場合、その後に中和剤を適用して、プロモーターの後に残る残渣をすべて中和する。慣用される中和剤を使用することができる。中和剤は、1種もしくは複数のアミンを含む酸性水溶液であるか、または3重量%の過酸化水素と3重量%の硫酸との溶液であることが好ましい。市販されている中和剤の一例は、CIRCUPOSIT(商標)MLB Neutralizer 216−5である。任意選択的に、水を用いて基材およびスルーホールを洗浄してから乾燥させる。 If a promoter is used, then a neutralizing agent is applied to neutralize any residue remaining after the promoter. Conventional neutralizers can be used. The neutralizing agent is preferably an acidic aqueous solution containing one or more amines, or a solution of 3% by weight hydrogen peroxide and 3% by weight sulfuric acid. An example of a commercially available neutralizer is CIRCUPOSIT ™ MLB Neutralizer 216-5. Optionally, the substrate and through holes are washed with water and then dried.

中和後、酸またはアルカリ性のコンディショナーを適用する。慣用されるコンディショナーを使用することができる。そのようなコンディショナーとしては、1種または複数のカチオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、錯化剤およびpH調節剤または緩衝剤などを挙げることができる。市販されている酸コンディショナーの例としては、以下のものが挙げられる:CIRCUPOSIT(商標)Conditioner 3320Aおよび3327溶液(Dow Advanced Materialsから入手可能)。好適なアルカリ性コンディショナーとしては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない:1種または複数の四級アミンおよびポリアミンを含む界面活性剤のアルカリ性水溶液。市販されているアルカリ性界面活性剤の例は、CIRCUPOSIT(商標)Conditioner 231、3325、813および860配合物である(Dow Electronic Materialsから入手可能)。任意選択的に、水を用いて基材およびスルーホールを洗浄する。 After neutralization, apply an acid or alkaline conditioner. Conventional conditioners can be used. Such conditioners may include one or more cationic surfactants, nonionic surfactants, complexing agents and pH regulators or buffers. Examples of commercially available acid conditioners include: CIRCUPOSIT ™ Conditioner 3320A and 3327 solutions (available from Dow Advanced Materials). Suitable alkaline conditioners include, but are not limited to, alkaline aqueous solutions of surfactants containing one or more quaternary amines and polyamines. Examples of commercially available alkaline surfactants are CIRCUPOSIT ™ Conditioners 231, 3325, 813 and 860 formulations (available from Dow Electrical Materials). Optionally, wash the substrate and through holes with water.

任意選択的に、コンディショニング後にマイクロエッチングすることもできる。慣用されるマイクロエッチング組成物を使用することができる。マイクロエッチングは、曝露される金属上において微細に粗面化した金属表面を清浄にして与えるようにするものであり(たとえば、内側層および表面のエッチング)、それにより、めっきされた無電解銅およびその後の電気めっきの接着性を向上させる。マイクロエッチング剤としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない:60g/L〜120g/Lの過硫酸ナトリウムまたはオキシモノ過硫酸ナトリウムもしくはオキシモノ過硫酸カリウムと硫酸(2%)との混合物または一般的な硫酸/過酸化水素。市販されているマイクロエッチング組成物の例は、CIRCUPOSIT(商標)Microetch 3330 Etch溶液およびPREPOSIT(商標)748 Etch溶液である(いずれもDow Electronic Materialsから入手可能)。任意選択的に、水を用いて基材を洗浄する。 Optionally, it can also be microetched after conditioning. Conventional micro-etching compositions can be used. Microetching is intended to clean and provide a finely roughened metal surface on the exposed metal (eg, inner layer and surface etching), thereby plating electroless copper and The adhesiveness of the subsequent electroplating is improved. Microetching agents include, but are not limited to: 60 g / L to 120 g / L of sodium persulfate or sodium oxymonosulfate or a mixture of potassium oxymonosulfate and sulfuric acid (2%) or Common sulfuric acid / hydrogen peroxide. Examples of commercially available micro-etching compositions are CIRCUPOSIT ™ Microetch 3330 Etch solution and PREPOSIT ™ 748 Etch solution (both available from Dow Electrical Materials). Optionally, wash the substrate with water.

任意選択的に、マイクロエッチングされた基材およびスルーホールに対してプレディップを適用することも可能である。プレディップ剤の例としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない:有機塩、たとえば酒石酸カリウムナトリウムもしくはクエン酸ナトリウム、0.5%〜3%の硫酸、硝酸または25g/L〜75g/Lの塩化ナトリウムの酸性溶液。市販されているプレディップの一例は、酸性プレディップCIRCUPOSIT(商標)6520溶液である。 It is also possible to optionally apply the predip to the micro-etched substrate and through holes. Examples of predip agents include, but are not limited to: organic salts such as sodium potassium tartrate or sodium citrate, 0.5% to 3% sulfuric acid, nitric acid or 25 g / L to 75 g. An acidic solution of / L sodium chloride. An example of a commercially available predip is an acidic predip CIRCUPOSIT ™ 6520 solution.

次いで、基材に触媒を適用する。触媒性金属を含め、無電解金属めっきに好適な各種の慣用される触媒が使用できると想定されるものの、本発明の方法では、パラジウム触媒を使用することが好ましい。触媒は、ノニオン性のパラジウム触媒、たとえばコロイド状のパラジウム−スズ触媒であり得るか、または触媒は、イオン性のパラジウムであり得る。触媒がコロイド状のパラジウム−スズ触媒である場合、加速工程を実施して、触媒からスズを除去して、無電解銅めっきのためのパラジウム金属を露出させる。触媒がコロイド状のパラジウム−スズ触媒である場合、触媒を吸着させた後、たとえば水中0.5%〜10%の促進剤としての塩酸、硫酸またはテトラフルオロホウ酸を使用することにより加速工程を実施して、触媒からスズを除去して、無電解銅めっきのためのパラジウム金属を露出させる。触媒がイオン性の触媒である場合、方法から加速工程を除外し、代わりに、イオン性の触媒を適用した後に基材に還元剤を適用して、イオン性の触媒の金属イオンを還元させて、それらの金属状態とする(たとえば、Pd(II)イオンをPd°金属とする)。好適な市販されているコロイド状のパラジウム−スズ触媒の例は、CIRCUPOSIT(商標)3340触媒およびCATAPOSIT(商標)44触媒である(Dow Electronic Materialsから入手可能)。市販されているパラジウムのイオン性の触媒の一例は、CIRCUPOSIT(商標)6530 Catalystである。触媒は、基材を触媒の溶液中に浸漬させるか、または基材上に触媒溶液をスプレー塗布するか、または慣用される装置を使用して基材上に触媒溶液をアトマイズさせることによって適用することができる。触媒は、室温〜80℃、好ましくは30℃〜60℃の温度で適用することができる。触媒を適用した後、任意選択的に水を用いて基材およびスルーホールを洗浄する。 The catalyst is then applied to the substrate. Although it is assumed that various commonly used catalysts suitable for electroless metal plating, including catalytic metals, can be used, it is preferable to use a palladium catalyst in the method of the present invention. The catalyst can be a nonionic palladium catalyst, eg, a colloidal palladium-tin catalyst, or the catalyst can be ionic palladium. If the catalyst is a colloidal palladium-tin catalyst, an acceleration step is performed to remove tin from the catalyst and expose the palladium metal for electroless copper plating. If the catalyst is a colloidal palladium-tin catalyst, the acceleration step may be carried out after adsorbing the catalyst, for example by using hydrochloric acid, sulfuric acid or tetrafluoroboric acid as accelerators in 0.5% to 10% water. This is done to remove tin from the catalyst to expose the palladium metal for electrolytic copper plating. If the catalyst is an ionic catalyst, the method excludes the acceleration step and instead applies a reducing agent to the substrate after applying the ionic catalyst to reduce the metal ions of the ionic catalyst. , Those metal states (eg, Pd (II) ions are Pd ° metals). Examples of suitable commercially available colloidal palladium-tin catalysts are the CIRCUPOSIT ™ 3340 catalyst and the CATAPOSIT ™ 44 catalyst (available from Dow Electrical Materials). An example of a commercially available palladium ionic catalyst is CIRCUPOSIT ™ 6530 Catalyst. The catalyst is applied by immersing the substrate in a solution of the catalyst, spraying the catalyst solution onto the substrate, or atomizing the catalyst solution onto the substrate using a conventional device. be able to. The catalyst can be applied at room temperature to 80 ° C., preferably 30 ° C. to 60 ° C. After applying the catalyst, the substrate and through holes are optionally washed with water.

金属イオンを金属に還元することが知られている慣用される還元剤を使用して、触媒の金属イオンをその金属状態まで還元させることが可能である。そのような還元剤としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない:ジメチルアミンボラン(DMAB)、ホウ水素化ナトリウム、アスコルビン酸、イソ−アスコルビン酸、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン水化物、ギ酸およびホルムアルデヒド。還元剤は、実質的に金属イオンの全部を金属まで還元させる量で加える。そのような量は、当業者に周知である。触媒がイオン性の触媒である場合、還元剤は、基材に触媒を適用した後かつ金属被覆をさせる前に適用する。 It is possible to reduce the metal ions of a catalyst to its metallic state using a commonly used reducing agent known to reduce metal ions to metal. Such reducing agents include, but are not limited to: dimethylamine borane (DMAB), sodium borohydride, ascorbic acid, iso-ascorbic acid, sodium hypophosphite, hydrazine hydrate. , Formic acid and formaldehyde. The reducing agent is added in an amount that reduces substantially all of the metal ions to the metal. Such amounts are well known to those of skill in the art. If the catalyst is an ionic catalyst, the reducing agent is applied after the catalyst is applied to the substrate and before the metal coating is applied.

次いで、基材およびスルーホールの壁面を、本発明の無電解銅めっき用組成物を使用して銅めっきする。本発明の無電解銅めっき方法は、40℃以下の温度で実施することができる。本発明の無電解銅めっき方法を室温〜40℃の温度で実施することが好ましいが、無電解銅めっきは、より好ましくは、室温〜35℃、さらにより好ましくは30℃〜35℃、最も好ましくは30℃〜34℃で実施する。本発明の無電解銅めっき用組成物中に基材を浸漬させ得るか、または基材上に無電解銅めっき用組成物をスプレーし得る。本発明の無電解銅めっき用組成物を使用する本発明の無電解銅めっき方法は、pHが7よりも高いアルカリ性環境で実施される。好ましくは、本発明の無電解銅めっき方法を7.5よりも高いpHで実施することが好ましく、無電解銅めっきをより好ましくは8〜14、さらにより好ましくは10〜14、さらにより好ましくは11〜13、最も好ましくは12〜13のpHで実施する。 Next, the base material and the wall surface of the through hole are copper-plated using the composition for electroless copper plating of the present invention. The electroless copper plating method of the present invention can be carried out at a temperature of 40 ° C. or lower. The electroless copper plating method of the present invention is preferably carried out at a temperature of room temperature to 40 ° C., but the electroless copper plating is more preferably room temperature to 35 ° C., even more preferably 30 ° C. to 35 ° C., most preferably. Is carried out at 30 ° C. to 34 ° C. The base material can be immersed in the electroless copper plating composition of the present invention, or the electroless copper plating composition can be sprayed on the base material. The electroless copper plating method of the present invention using the electroless copper plating composition of the present invention is carried out in an alkaline environment having a pH higher than 7. Preferably, the electroless copper plating method of the present invention is preferably carried out at a pH higher than 7.5, and electroless copper plating is more preferably 8 to 14, even more preferably 10 to 14, even more preferably. It is carried out at a pH of 11 to 13, most preferably 12 to 13.

好ましくは、本発明の無電解銅めっきの速度は、40℃以下の温度で0.6μm/5分以上であり、より好ましくは、本発明の無電解銅めっきの速度は、35℃以下の温度で0.65μm/5分以上、たとえば0.65μm/5分〜1μm/5分、さらにより好ましくは0.7μm/5分以上、たとえば0.75μm/5分〜1μm/5分またはたとえば0.75μm/5分〜0.8μm/5分であり、最も好ましくは、無電解めっきは、30℃〜34℃の温度で実施される。 Preferably, the electroless copper plating rate of the present invention is 0.6 μm / 5 minutes or more at a temperature of 40 ° C. or lower, and more preferably, the electroless copper plating rate of the present invention is a temperature of 35 ° C. or lower. 0.65 μm / 5 minutes or more, for example 0.65 μm / 5 minutes to 1 μm / 5 minutes, and even more preferably 0.7 μm / 5 minutes or more, for example 0.75 μm / 5 minutes to 1 μm / 5 minutes or for example 0. It is 75 μm / 5 min to 0.8 μm / 5 min, and most preferably, electroless plating is performed at a temperature of 30 ° C. to 34 ° C.

本発明の無電解銅めっき用組成物を使用した無電解銅めっき方法により、プリント回路基板のスルーホールの無電解銅めっきについて良好な平均バックライト値を得ることが可能になる。そのような平均バックライト値は、好ましくは、4.5以上、より好ましくは4.6〜5、さらにより好ましくは4.7〜5、最も好ましくは4.8〜5である。そのような高い平均バックライト値が得られることから、本発明の無電解銅めっき用組成物を使用する本発明の無電解銅めっき方法を商業的な無電解銅めっきで使用することが可能になった(プリント回路基板産業では、実質的に4.5以上のバックライト値を必要としている)。本発明の無電解の銅金属めっき組成物および方法により、高いめっき速度でも、ピリジニウム化合物またはその塩の広い濃度範囲にわたって均質な輝度の高い銅析出物を得ることが可能になった。 The electroless copper plating method using the electroless copper plating composition of the present invention makes it possible to obtain a good average backlight value for electroless copper plating of through holes of a printed circuit board. Such an average backlight value is preferably 4.5 or more, more preferably 4.6 to 5, even more preferably 4.7 to 5, and most preferably 4.8 to 5. Since such a high average backlight value can be obtained, the electroless copper plating method of the present invention using the composition for electroless copper plating of the present invention can be used in commercial electroless copper plating. (The printed circuit board industry actually requires a backlight value of 4.5 or higher). The electroless copper metal plating composition and method of the present invention have made it possible to obtain a uniform, high-brightness copper precipitate over a wide concentration range of a pyridinium compound or a salt thereof even at a high plating rate.

以下の実施例は、本発明をさらに説明するためのものであり、本発明の範囲を限定しようとするものではない。 The following examples are for further explaining the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention.

実施例1
ピリジニウム化合物を含む無電解銅めっき浴の無電解銅めっき速度
10種の無電解銅めっき浴を調製する。10種のすべての浴は、以下の成分を含む。
1.10g/Lの硫酸銅五水和物
2.40g/Lのロッシェル塩
3.8g/Lの水酸化ナトリウム
4.4g/Lのホルムアルデヒド
5.0.5ppmの2,2’−ジチオ二コハク酸
6.水(バランス量)
Example 1
Electroless copper plating rate of electroless copper plating bath containing pyridinium compound Prepare 10 kinds of electroless copper plating baths. All 10 baths contain the following ingredients:
1.10 g / L copper sulfate pentahydrate 2.40 g / L Rochelle salt 3.8 g / L sodium hydroxide 4.4 g / L formaldehyde 5.0.5 ppm 2,2'-dithionisuccinate Acid 6. Water (balance amount)

それぞれの浴のpHは、13である。無電解めっき組成物の9種に対して、以下のピリジニウム化合物の1種を表1に記載の量で添加する。浴10は、対照であり、ピリジニウム化合物を添加しない。 The pH of each bath is 13. To the nine electroless plating compositions, one of the following pyridinium compounds is added in the amounts shown in Table 1. Bath 10 is a control and no pyridinium compound is added.

それぞれの浴を使用して、NP140材料(Nanya、Taiwan)の無垢のエポキシ基材上に銅めっきする。 Each bath is used to copper-plat on a solid epoxy substrate of NP140 material (Nanya, Taiwan).

最初に下記のプロセスに従ってそれぞれのエポキシ基材を処理した後、無電解銅めっきを実施する。
(1)Conditioner 231を40℃で1.5分にわたって適用し;
(2)DI水を用い、室温で2分にわたって洗浄し;
(3)pH=2の硝酸を用い、室温で0.5分にわたってプレディップし;
(4)DI水を用い、室温で2分にわたって洗浄し;
(5)100ppmのCIRCUPOSIT(商標)6530触媒を40℃で1分にわたって添加し;
(6)DI水を用い、室温で1分にわたって洗浄し;
(7)5g/Lのホウ酸および0.6g/Lのジメチルアミンボランの水溶液を32℃で1分にわたって添加し;および
(8)DI水を用い、室温で1分にわたって洗浄する。
First, each epoxy substrate is treated according to the following process, and then electroless copper plating is performed.
(1) Conditioner 231 was applied at 40 ° C. for 1.5 minutes;
(2) Wash with DI water at room temperature for 2 minutes;
(3) Pre-dip at room temperature for 0.5 minutes using nitric acid with pH = 2;
(4) Wash with DI water at room temperature for 2 minutes;
(5) 100 ppm CIRCUPOSIT ™ 6530 catalyst was added at 40 ° C. for 1 minute;
(6) Wash with DI water at room temperature for 1 minute;
(7) An aqueous solution of 5 g / L boric acid and 0.6 g / L dimethylamine borane is added at 32 ° C. for 1 minute; and (8) DI water is used for washing at room temperature for 1 minute.

無電解銅めっきは、34℃で5分にわたって実施する。めっき速度は、慣用される実験室用化学天秤を使用して、それぞれの基材を無電解銅めっきする前に秤量し、次いでめっきを実施した後にそれぞれの基材を秤量することにより求める。次いで、それぞれの基材における重量の差を使用して、積層物表面積(=25cm)および銅析出物の密度(8.92g/cm)を用いて析出物の厚みを計算し、その値をめっき時間の長さで割ってめっき速度に変換する。それぞれの浴におけるめっき速度を表2に示す。 Electroless copper plating is performed at 34 ° C. for 5 minutes. The plating rate is determined by weighing each substrate before electroless copper plating using a conventional laboratory chemical balance, and then weighing each substrate after plating. Then, using the difference in weight between the respective substrates, the thickness of the precipitate was calculated using the surface area of the laminate (= 25 cm 2 ) and the density of the copper precipitate (8.92 g / cm 3 ), and the value was calculated. Is divided by the length of the plating time to convert to the plating rate. Table 2 shows the plating rates in each bath.

無電解銅めっき浴中に1−ブチルピリジニウムクロリド、1−(3−スルホプロピル)ピリジニウム水酸化物または1−(4−ピリジル)ピリジニウムクロリドが含めると、めっき速度が高くなる。1−ブチルピリジニウムクロリドおよび1−(3−スルホプロピル)ピリジニウム水酸化物を含む浴からの銅析出物は、2.5ppm、10ppmおよび20ppmいずれの濃度でも、エポキシ基材の実質的に全面上に光沢がある均質な外観を与える。1−(4−ピリジル)ピリジニウムクロリドを含む浴からめっきした銅析出物は、粗い析出物の微小な斑点を有する光沢がある均質な表面を示す。対照の浴からめっきした銅析出物は、大きい領域の不均質で粗く暗色の析出物を示し、光沢のある析出物の領域が微小である。 The inclusion of 1-butylpyridinium chloride, 1- (3-sulfopropyl) pyridinium hydroxide or 1- (4-pyridyl) pyridinium chloride in the electroless copper plating bath increases the plating rate. Copper precipitates from the bath containing 1-butylpyridinium chloride and 1- (3-sulfopropyl) pyridinium hydroxide on substantially the entire surface of the epoxy substrate at concentrations of 2.5 ppm, 10 ppm and 20 ppm. Gives a glossy and homogeneous appearance. Copper precipitates plated from a bath containing 1- (4-pyridyl) pyridinium chloride show a glossy homogeneous surface with fine spots of coarse precipitates. Copper precipitates plated from a control bath show inhomogeneous, coarse and dark precipitates in large areas and microscopic areas of glossy precipitates.

実施例2(比較例)
ピリジン(遊離の窒素塩基)を含む無電解銅めっき浴の無電解銅めっき速度
3種の無電解銅めっき浴を調製する。3種のすべての浴は、以下の成分を含む。
1.10g/Lの硫酸銅五水和物
2.40g/Lのロッシェル塩
3.8g/Lの水酸化ナトリウム
4.4g/Lのホルムアルデヒド
5.0.5ppmの2,2’−ジチオ二コハク酸
6.水(バランス量)
Example 2 (Comparative Example)
Electroless copper plating rate of electroless copper plating bath containing pyridine (free nitrogen base) Prepare three types of electroless copper plating baths. All three baths contain the following ingredients:
1.10 g / L copper sulfate pentahydrate 2.40 g / L Rochelle salt 3.8 g / L sodium hydroxide 4.4 g / L formaldehyde 5.0.5 ppm 2,2'-dithionisuccinate Acid 6. Water (balance amount)

それぞれの浴のpHは、13である。浴に2.5ppm(比較浴1)、10ppm(比較浴2)または20ppm(比較浴3)の量でピリジンを添加する。 The pH of each bath is 13. Pyridine is added to the bath in an amount of 2.5 ppm (comparative bath 1), 10 ppm (comparative bath 2) or 20 ppm (comparative bath 3).

それぞれの浴を使用して、エポキシ基材上に銅をめっきする。実施例1に記載したのと同様にエポキシ基材を処理して無電解銅めっきを調製する。無電解銅めっきは、34℃で5分にわたって実施する。次いで、実施例1に記載したようにめっき速度を求める。それぞれの浴におけるめっき速度を表3に示す。 Each bath is used to plate copper on an epoxy substrate. The epoxy substrate is treated in the same manner as described in Example 1 to prepare electroless copper plating. Electroless copper plating is performed at 34 ° C. for 5 minutes. Next, the plating rate is determined as described in Example 1. Table 3 shows the plating rates in each bath.

2.5ppmでのピリジンのめっき速度は、実施例1の場合の対照より高いものの、より高い10ppmおよび20ppmの濃度では対照のめっき速度を下回る。ピリジンのめっき速度は、実施例1における対照の無電解銅浴より低い。銅析出物では、光沢がある均質な領域と、粗く鈍い色の領域とが混ざっている。 The plating rate of pyridine at 2.5 ppm is higher than that of the control in Example 1, but is lower than the plating rate of the control at higher concentrations of 10 ppm and 20 ppm. The plating rate of pyridine is lower than that of the control electroless copper bath in Example 1. In the copper precipitate, a glossy homogeneous region and a coarse and dull colored region are mixed.

実施例3
ピリジニウム化合物およびグアニジン塩酸塩を含む無電解銅めっき浴の無電解銅めっき速度
14種の無電解銅めっき浴を調製する。14種のすべての浴は、以下の成分を含む。
1.10g/Lの硫酸銅五水和物
2.40g/Lのロッシェル塩
3.8g/Lの水酸化ナトリウム
4.4g/Lのホルムアルデヒド
5.0.5ppmの2,2’−ジチオ二コハク酸
6.0.36ppmのグアニジン塩酸塩
7.水(バランス量)
Example 3
Electroless copper plating rate of electroless copper plating bath containing pyridinium compound and guanidine hydrochloride 14 kinds of electroless copper plating baths are prepared. All 14 baths contain the following ingredients:
1.10 g / L copper sulfate pentahydrate 2.40 g / L Rochelle salt 3.8 g / L sodium hydroxide 4.4 g / L formaldehyde 5.0.5 ppm 2,2'-dithionisuccinate Acid 6.0.36 ppm guanidine hydrochloride 7. Water (balance amount)

それぞれの浴のpHは、13である。無電解めっき組成物の13種に対して、以下のピリジニウム化合物の1種を表4に記載の量で添加する。浴24は、対照であり、ピリジニウム化合物を添加しない。 The pH of each bath is 13. To 13 kinds of electroless plating compositions, one kind of the following pyridinium compound is added in the amount shown in Table 4. The bath 24 is a control and no pyridinium compound is added.

それぞれの浴を使用して、無垢のエポキシ基材上に銅をめっきする。それぞれのエポキシ基材を処理した後、実施例1に記載したように無電解銅めっきする。無電解銅めっきは、34℃で5分にわたって実施する。実施例1に記載したようにめっき速度を求める。それぞれの浴におけるめっき速度を表5に示す。 Each bath is used to plate copper on a solid epoxy substrate. After treating each epoxy base material, electroless copper plating is performed as described in Example 1. Electroless copper plating is performed at 34 ° C. for 5 minutes. The plating rate is determined as described in Example 1. Table 5 shows the plating rates in each bath.

無電解銅めっき浴中に1−ブチルピリジニウムクロリド、1−(3−スルホプロピル)ピリジニウム水酸化物または1−(4−ピリジル)ピリジニウムクロリドを含めると、グアニジン塩酸塩を含む対照よりもめっき速度が高くなる。1−ブチルピリジニウムクロリドおよび1−(3−スルホプロピル)ピリジニウム水酸化物を含む浴からの銅析出物は、すべてのエポキシ基材全体で光沢がある均質な外観を有する。1−(4−ピリジル)ピリジニウムクロリドを含む浴からめっきした銅析出物は、粗い析出物の微小な斑点を有する光沢がある均質な表面を示す。対照浴からめっきした銅析出物は、大きい領域の不均質で粗い析出物に混ざった小さい領域の光沢がある析出物を示す。 Including 1-butylpyridinium chloride, 1- (3-sulfopropyl) pyridinium hydroxide or 1- (4-pyridyl) pyridinium chloride in an electroless copper plating bath results in faster plating rates than controls containing guanidine hydrochloride. It gets higher. Copper precipitates from baths containing 1-butylpyridinium chloride and 1- (3-sulfopropyl) pyridinium hydroxide have a glossy, homogeneous appearance across all epoxy substrates. Copper precipitates plated from a bath containing 1- (4-pyridyl) pyridinium chloride show a glossy homogeneous surface with fine spots of coarse precipitates. Copper precipitates plated from a control bath show glossy precipitates in small regions mixed with inhomogeneous, coarse precipitates in large regions.

実施例4(比較例)
ピリジン(遊離の窒素塩基)およびグアニジン塩酸塩を含む無電解銅めっき浴の無電解銅めっき速度
5種の無電解銅めっき浴を調製する。5種のすべての浴は、以下の成分を含む。
1.10g/Lの硫酸銅五水和物
2.40g/Lのロッシェル塩
3.8g/Lの水酸化ナトリウム
4.4g/Lのホルムアルデヒド
5.0.5ppmの2,2’−ジチオ二コハク酸
6.0.36ppmのグアニジン塩酸塩
7.水(バランス量)
Example 4 (Comparative Example)
Electroless copper plating rate of electroless copper plating bath containing pyridine (free nitrogen base) and guanidine hydrochloride Five types of electroless copper plating baths are prepared. All five baths contain the following ingredients:
1.10 g / L copper sulfate pentahydrate 2.40 g / L Rochelle salt 3.8 g / L sodium hydroxide 4.4 g / L formaldehyde 5.0.5 ppm 2,2'-dithionisuccinate Acid 6.0.36 ppm guanidine hydrochloride 7. Water (balance amount)

それぞれの浴のpHは、13である。2.5ppm(比較浴4)、5ppm(比較浴5)、10ppm(比較浴6)、15ppm(比較浴7)または20ppm(比較浴8)の量で浴にピリジンを添加する。 The pH of each bath is 13. Pyridine is added to the bath in an amount of 2.5 ppm (comparative bath 4), 5 ppm (comparative bath 5), 10 ppm (comparative bath 6), 15 ppm (comparative bath 7) or 20 ppm (comparative bath 8).

それぞれの浴を使用して、エポキシ基材上に銅をめっきする。実施例1に記載したのと同様にエポキシ基材を処理してから、無電解銅めっきを実施する。無電解銅めっきは、34℃で5分にわたって実施する。実施例1に記載したようにめっき速度を求める。それぞれの浴におけるめっき速度を表6に示す。 Each bath is used to plate copper on an epoxy substrate. The epoxy substrate is treated in the same manner as described in Example 1, and then electroless copper plating is performed. Electroless copper plating is performed at 34 ° C. for 5 minutes. The plating rate is determined as described in Example 1. Table 6 shows the plating rates in each bath.

促進剤のグアニジン塩酸塩と組み合わせたにもかかわらず、塩基のピリジンを含む無電解銅浴での最高のめっき速度は、0.60μm/5分をわずかに上回る程度である。一般に、無電解浴におけるピリジンの濃度を高くすると、無電解銅めっき速度が低くなる傾向を示す。銅析出物では、光沢がある均質な領域が粗く鈍い色の領域と混ざっている。 Despite the combination with the accelerator guanidine hydrochloride, the maximum plating rate in an electroless copper bath containing the base pyridine is just over 0.60 μm / 5 min. Generally, when the concentration of pyridine in the electroless bath is increased, the electroless copper plating rate tends to decrease. In the copper precipitate, the shiny, homogeneous region is mixed with the coarse, dull colored region.

実施例5
ピリジニウム化合物を含む本発明のアルカリ性無電解銅水性組成物を用いたバックライト実験
下の表7に開示された成分と量とを有する以下の本発明のアルカリ性無電解銅水性組成物を調製する。
Example 5
Backlight experiment using the alkaline electroless copper aqueous composition of the present invention containing a pyridinium compound The following alkaline electroless copper aqueous composition of the present invention having the components and amounts disclosed in Table 7 below is prepared.

アルカリ性無電解銅水性組成物のpHは、慣用されるpHメーター(Fisher Scientificから入手可能)を使用し室温で測定してpH=13である。 The pH of the alkaline electroless copper aqueous composition is pH = 13 as measured at room temperature using a conventional pH meter (available from Fisher Scientific).

複数のスルーホールを有する6種の異なるFR/4ガラスエポキシパネルを準備する:TUC−662、SY−1141、IT−180、370HR、EM825およびNPGN。パネルは、8層の銅クラッドパネルである。TUC−662は、Taiwan Union Technologyから入手され、およびSY−1141は、Shengyiから入手される。IT−180は、ITEQ Corp.から入手され、NPGNは、NanYaから入手され、および370HRは、Isolaから入手され、およびEM825は、Elite Materials Corporationから入手される。パネルのT値は、140℃〜180℃の範囲である。それぞれのパネルは、5cm×10cmである。 Six different FR / 4 glass epoxy panels with multiple through holes are prepared: TUC-662, SY-1141, IT-180, 370HR, EM825 and NPGN. The panel is an 8-layer copper clad panel. TUC-662 is obtained from Taiwan Union Technology, and SY-1141 is obtained from Shengyi. IT-180 is available from ICT Corp. Obtained from, NPGN is obtained from Nanya, 370HR is obtained from Isola, and EM825 is obtained from the Elite Materials Corporation. The T g value of the panel is in the range of 140 ° C to 180 ° C. Each panel is 5 cm x 10 cm.

それぞれのパネルのスルーホールは、以下のように処理する。
1.CIRCUPOSIT(商標)Hole Prep 3303溶液を用い、80℃で6分にわたってそれぞれのパネルのスルーホールの汚れ取りを行い;
2.次いで、水道の流水を用い、2分にわたってそれぞれのパネルのスルーホールを洗浄し;
3.次いで、CIRCUPOSIT(商標)MLB Promoter 3308の過マンガン酸塩水溶液を用い、80℃で8分にわたってスルーホールを処理し;
4.次いで、水道の流水を用い、4分にわたってスルーホールを洗浄し;
5.次いで、3重量%硫酸/3重量%過酸化水素中和剤を用い、室温で2分にわたってスルーホールを処理し;
6.次いで、水道の流水を用い、2分にわたってそれぞれのパネルのスルーホールを洗浄し;
7.次いで、CIRCUPOSIT(商標)Conditioner 231アルカリ性溶液を用い、60℃で1.5分にわたってそれぞれのパネルのスルーホールを処理し;
8.次いで、水道の流水を用い、2分にわたってスルーホールを洗浄し;
9.次いで、過硫酸ナトリウム/硫酸エッチング溶液を用い、室温で1分にわたってスルーホールを処理し;
10.次いで、DI水の流水を用い、1分にわたってそれぞれのパネルのスルーホールを洗浄し;
11.次いで、パネルを酸性のPre−Dip CIRCUPOSIT(商標)6520中に室温で0.5分浸漬させ、次いでCIRCUPOSIT(商標)6530 Catalyst(これは、イオン性のアルカリ性パラジウム触媒の水性濃縮物である)中に40℃で1分浸漬させ(Dow Electronic Materialsから入手可能)、触媒は、十分な量の炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウムまたは硝酸を用いて緩衝処理されて、9〜9.5の触媒pHを達成し;
12.次いで、DI水の流水を用い、室温で1分にわたってそれぞれのパネルのスルーホールを洗浄し;
13.次いで、0.6g/Lのジメチルアミンボランおよび5g/Lのホウ酸の溶液中にパネルを32℃で1分浸漬させて、パラジウムイオンを還元させてパラジウム金属とし;
14.次いで、DI水の流水を用い、1分にわたってそれぞれのパネルのスルーホールを洗浄し;
15.次いで、表7の無電解銅めっき用組成物中にパネルを浸漬させ、34℃、pH13で銅をめっきさせて、スルーホールの壁面上に銅を5分にわたって析出させ;
16.次いで、水道の流水を用い、4分にわたって銅めっきしたパネルを洗浄し;
17.次いで、圧縮空気を用い、それぞれの銅めっきしたパネルを乾燥させ;および
18.以下に記載するバックライト法を使用して、めっきの被覆状態についてパネルのスルーホールの壁面を調べる。
The through holes of each panel are processed as follows.
1. 1. Clean the through holes in each panel at 80 ° C. for 6 minutes using CIRCUPOSIT ™ Hole Prep 3303 solution;
2. 2. The through holes in each panel were then washed with running tap water for 2 minutes;
3. 3. The through holes were then treated with an aqueous permanganate solution of CIRCUPOSIT ™ MLB Promoter 3308 at 80 ° C. for 8 minutes;
4. The through holes are then washed with running tap water for 4 minutes;
5. The through holes are then treated with 3 wt% sulfuric acid / 3 wt% hydrogen peroxide neutralizer at room temperature for 2 minutes;
6. The through holes in each panel were then washed with running tap water for 2 minutes;
7. The through-holes in each panel were then treated with CIRCUPOSIT ™ Conditioner 231 alkaline solution at 60 ° C. for 1.5 minutes;
8. The through holes are then washed with running tap water for 2 minutes;
9. Through holes are then treated with sodium persulfate / sulfuric acid etching solution at room temperature for 1 minute;
10. The through holes in each panel were then washed with running DI water for 1 minute;
11. The panel was then immersed in acidic Pre-Dip CIRCUPOSIT ™ 6520 for 0.5 minutes at room temperature and then in CIRCUPOSIT ™ 6530 Catalyst, which is an aqueous concentrate of an ionic alkaline palladium catalyst. The catalyst was buffered with sufficient amounts of sodium carbonate, sodium hydroxide or nitric acid to achieve a catalytic pH of 9-9.5. Shi;
12. The through holes in each panel were then washed with running DI water for 1 minute at room temperature;
13. The panel was then immersed in a solution of 0.6 g / L dimethylamine borane and 5 g / L boric acid at 32 ° C. for 1 minute to reduce the palladium ions to a palladium metal;
14. The through holes in each panel were then washed with running DI water for 1 minute;
15. Next, the panel was immersed in the electroless copper plating composition shown in Table 7, copper was plated at 34 ° C. and pH 13, and copper was deposited on the wall surface of the through hole for 5 minutes;
16. The copper-plated panel was then washed with running tap water for 4 minutes;
17. Each copper-plated panel is then dried using compressed air; and 18. The wall surface of the through-hole of the panel is examined for the plating coverage using the backlight method described below.

それぞれのパネルについて、スルーホールの中央に可能な限り近くで切断して、銅めっきした壁面を露出させる。スルーホールの中心から厚み3mm以内のその断面を、それぞれのパネルから取り出し、倍率50倍でサンプルの下に光源を有する慣用される光学顕微鏡の下に置く。サンプルを通過する、顕微鏡で見ることが可能な光の量により、銅析出物の品質を判定する。めっきしたスルーホールの内側では、無電解被覆が不完全である領域内でのみ透過光が観察できる。光がまったく透過しなければ、そのセクションは、完全に暗くなるため、それをバックライトスケールで5と評価し、それは、スルーホールの壁面が銅で完全に被覆されていることを表す。光が暗い領域を一切有さずに全セクションで通過した場合、これは、スルーホールの壁面上への銅金属の析出が極めてわずかであるかまたは全くないことを表すため、そのセクションには0の評点を与える。セクションに明るい領域と共にある程度の暗い領域が存在する場合、それらを0〜5と評価する。最低でも10個のスルーホールを検査して、それぞれのボードの評価付けを行う。4.5より大きいバックライト値は、めっき産業において商業的に許容される触媒であることを示す。 For each panel, cut as close as possible to the center of the through hole to expose the copper-plated walls. Its cross section, within 3 mm thick from the center of the through hole, is removed from each panel and placed under a conventional light microscope with a light source under the sample at 50x magnification. The quality of the copper precipitate is determined by the amount of light that can be seen under a microscope through the sample. Inside the plated through holes, transmitted light can be observed only in the region where the electroless coating is incomplete. If no light is transmitted, the section is completely dark and is rated 5 on the backlight scale, which indicates that the walls of the through holes are completely covered with copper. If the light passes through all sections without any dark areas, this means that there is very little or no deposition of copper metal on the walls of the through holes, so 0 in that section. Give a score of. If the section has some dark areas along with bright areas, rate them 0-5. At least 10 through holes are inspected and each board is evaluated. A backlight value greater than 4.5 indicates a commercially acceptable catalyst in the plating industry.

それぞれのタイプのFR/4ガラスエポキシパネルについての平均バックライト値を次の表に開示する。 The average backlight values for each type of FR / 4 glass epoxy panel are disclosed in the following table.

それら両方の浴は、全体として極めて良好なバックライト値を示す。 Both of these baths show very good backlight values overall.

Claims (10)

無電解銅めっき用組成物であって、1種または複数の銅イオン源、1種または複数のピリジニウム化合物、1種または複数の錯化剤、1種または複数の還元剤および任意選択的に1種または複数のpH調節剤を含み、前記無電解銅めっき用組成物のpHは、7よりも大きく、前記1種または複数のピリジニウム化合物は、式:
(式中、R は、直鎖状または分岐状の置換または非置換(C −C 10 )アルキル、置換または非置換(C −C 10 )アリール、置換または非置換(C −C 10 )複素環式芳香族基および置換または非置換のベンジルからなる群から選択され、置換基はヒドロキシル、スルフェート、アミノおよびカルボキシルからなる群から選択され、およびR は、水素、ヒドロキシル、スルフェート、アミノ、カルボキシルおよびビニルからなる群から選択される)
を有する、無電解銅めっき用組成物。
A composition for electroless copper plating, wherein one or more copper ion sources, one or more pyridinium compounds, one or more complexing agents, one or more reducing agents and optionally one. includes a species or more pH adjusting agents, the pH of the electroless copper plating compositions is much larger than 7, the one or more pyridinium compounds, formula:
(In the formula, R 1 is a linear or branched substituted or unsubstituted (C 1- C 10 ) alkyl, substituted or unsubstituted (C 6- C 10 ) aryl, substituted or unsubstituted (C 6- C). 10 ) Selected from the group consisting of heterocyclic aromatic groups and substituted or unsubstituted benzyls, the substituents selected from the group consisting of hydroxyl, sulfate, amino and carboxyl, and R 2 is hydrogen, hydroxyl, sulfate, (Selected from the group consisting of amino, carboxyl and vinyl)
A composition for electroless copper plating having.
前記1種もしくは複数のピリジニウム化合物またはその塩は、少なくとも0.5ppmの量である、請求項1に記載の無電解銅めっき用組成物。 The composition for electroless copper plating according to claim 1, wherein the one or more pyridinium compounds or salts thereof are in an amount of at least 0.5 ppm. 前記1種または複数の錯化剤は、酒石酸カリウムナトリウム、酒石酸ナトリウム、サリチル酸ナトリウム、エチレンジアミン四酢酸のナトリウム塩、ニトリロ酢酸およびそのアルカリ金属塩、グルコン酸、グルコン酸塩、トリエタノールアミン、変性エチレンジアミン四酢酸、S,S−エチレンジアミン二コハク酸、ヒダントインならびにヒダントイン誘導体から選択される、請求項1に記載の無電解銅めっき用組成物。 The one or more complexing agents include potassium sodium tartrate, sodium tartrate, sodium salicylate, sodium salt of ethylenediaminetetraacetic acid, nitriloacetic acid and its alkali metal salts, gluconic acid, gluconate, triethanolamine, modified ethylenediaminetetraacetic acid. The composition for electroless copper plating according to claim 1, which is selected from acetic acid, S, S-ethylenediaminediamine disuccinic acid, hydantin and a hydantin derivative. 前記1種または複数の還元剤は、アルデヒド、ホウ水素化物、置換されたホウ水素化物、ボラン、サッカライドおよび次亜リン酸塩から選択される、請求項1に記載の無電解銅めっき用組成物。 The composition for electroless copper plating according to claim 1, wherein the one or more reducing agents are selected from aldehydes, borohydrides, substituted borohydrides, boranes, saccharides and hypophosphates. .. 二次促進剤、結晶成長抑制剤および安定剤から選択される1種または複数の化合物をさらに含む、請求項1に記載の無電解銅めっき用組成物。 The composition for electroless copper plating according to claim 1, further comprising one or more compounds selected from a secondary accelerator, a crystal growth inhibitor and a stabilizer. 無電解銅めっきの方法であって、
a)誘電体を含む基材を提供する工程、
b)前記誘電体を含む前記基材に触媒を適用する工程、
c)前記誘電体を含む前記基材に無電解銅めっき用組成物を適用する工程であって、前記無電解銅めっき用組成物は、1種または複数の銅イオン源、1種または複数のピリジニウム化合物、1種または複数の錯化剤、1種または複数の還元剤および任意選択的に1種または複数のpH調節剤を含み、前記無電解銅めっき用組成物のpHは、7よりも大きく、前記1種または複数のピリジニウム化合物は、式:
(式中、R は、直鎖状または分岐状の置換または非置換(C −C 10 )アルキル、置換または非置換(C −C 10 )アリール、置換または非置換(C −C 10 )複素環式芳香族基および置換または非置換のベンジルからなる群から選択され、置換基はヒドロキシル、スルフェート、アミノおよびカルボキシルからなる群から選択され、およびR は、水素、ヒドロキシル、スルフェート、アミノ、カルボキシルおよびビニルからなる群から選択される)
を有する、工程、およびd)前記無電解銅めっき用組成物を用いて、前記誘電体を含む前記基材上に銅を無電解めっきする工程 を含む方法。
It is an electroless copper plating method.
a) Step of providing a base material containing a dielectric,
b) A step of applying a catalyst to the substrate containing the dielectric,
c) A step of applying an electroless copper plating composition to the base material containing the dielectric, wherein the electroless copper plating composition is one or more copper ion sources, one or more. The pH of the composition for electroless copper plating, which comprises a pyridinium compound, one or more complexing agents, one or more reducing agents and optionally one or more pH adjusting agents, is greater than 7. the size rather, the one or more pyridinium compounds, formula:
(In the formula, R 1 is a linear or branched substituted or unsubstituted (C 1- C 10 ) alkyl, substituted or unsubstituted (C 6- C 10 ) aryl, substituted or unsubstituted (C 6- C). 10 ) Selected from the group consisting of heterocyclic aromatic groups and substituted or unsubstituted benzyls, the substituents selected from the group consisting of hydroxyl, sulfate, amino and carboxyl, and R 2 is hydrogen, hydroxyl, sulfate, (Selected from the group consisting of amino, carboxyl and vinyl)
Having a step, and d) using said electroless copper plating compositions, which comprises the step of electroless plating of copper onto said substrate comprising said dielectric.
前記1種もしくは複数のピリジニウム化合物またはその塩は、少なくとも0.5ppmの量である、請求項に記載の方法。 The method according to claim 6 , wherein the amount of the one or more pyridinium compounds or salts thereof is at least 0.5 ppm. 前記無電解銅めっき用組成物は、安定剤および二次促進剤から選択される1種または複数の化合物をさらに含む、請求項に記載の方法。 The method of claim 6 , wherein the electroless copper plating composition further comprises one or more compounds selected from stabilizers and secondary accelerators. 前記無電解銅めっき用組成物は、40℃以下である、請求項に記載の方法。 The method according to claim 6 , wherein the composition for electroless copper plating is 40 ° C. or lower. 前記触媒は、パラジウム触媒である、請求項に記載の方法。 The method according to claim 6 , wherein the catalyst is a palladium catalyst.
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