JP6815901B2 - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置およびその製造方法に関し、例えば、有機ＥＬ表示装置およびその製造方法に好適に利用できるものである。

発光素子として、エレクトロルミネッセンスを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子（organic electroluminescence device）の開発が進められている。なお、有機エレクトロルミネッセンス素子は、有機ＥＬ素子と称される。エレクトロルミネッセンスとは、物質に電圧を印加した際に発光する現象であり、特に、このエレクトロルミネッセンスを有機物質で生じさせる素子を有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）と呼ぶ。有機ＥＬ素子は、電流注入型デバイスであり、かつ、ダイオード特性を示すため、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode：ＯＬＥＤ）とも呼ばれる。

特開２００７−１８４２５１号公報（特許文献１）には、有機電界発光素子を保護膜で覆った表示装置に関する技術が記載されている。特許第５２２０１０６号公報（特許文献２）には、有機電子デバイス用の保護膜に関する技術が記載されている。

日本国特開２００７−１８４２５１号公報 日本国特許第５２２０１０６号公報

有機ＥＬ素子は、水分に弱いため、有機ＥＬ素子を覆うように保護膜を形成して、有機ＥＬ素子への水分の伝達を防ぐことが望ましい。このため、有機ＥＬ素子を用いた表示装置においても、保護膜が使用され、その保護膜の信頼性を向上させることが望まれる。

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

一実施の形態によれば、表示装置は、フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板上に形成された有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子を覆うように形成された無機絶縁材料からなる保護膜と、を有する。前記保護膜は、一層以上の高密度層と前記高密度層よりも密度が低い一層以上の低密度層とからなり、かつ、前記低密度層と前記高密度層とが互いに接するように交互に積層された積層構造を有している。前記保護膜を構成する前記一層以上の高密度層と前記一層以上の低密度層とは、構成元素が互いに同じである。

一実施の形態によれば、表示装置の製造方法は、（ａ）フレキシブル基板上に有機ＥＬ素子を形成する工程、（ｂ）前記有機ＥＬ素子を覆うように、無機絶縁材料からなる保護膜をＡＬＤ法を用いて形成する工程、を含む。前記（ｂ）工程では、（ｃ）高密度層を、ＡＬＤ法を用いて形成する工程、（ｄ）前記（ｃ）工程の前または後に、前記高密度層と構成元素が同じで、かつ、前記高密度層よりも密度が低い低密度層を、ＡＬＤ法を用いて形成する工程、を交互に行うことにより前記保護膜が形成される。前記保護膜は、一層以上の前記高密度層と一層以上の前記低密度層とからなり、かつ、前記低密度層と前記高密度層とが互いに接するように交互に積層された積層構造を有する。

一実施の形態によれば、表示装置の保護膜の信頼性を向上させることができる。

一実施の形態の表示装置の全体構成を示す平面図である。 一実施の形態の表示装置の要部平面図である。 一実施の形態の表示装置の要部断面図である。 表示装置の基板としてフレキシブル基板を用い、そのフレキシブル基板（表示装置）を折り曲げた場合を模式的に示す断面図である。 一実施の形態の表示装置の製造工程を示す工程フロー図である。 一実施の形態の表示装置の製造工程のうちの、保護膜形成工程を示す工程フロー図である。 一実施の形態の表示装置の製造工程中の要部断面図である。 図７に続く表示装置の製造工程中の要部断面図である。 図８に続く表示装置の製造工程中の要部断面図である。 図９に続く表示装置の製造工程中の要部断面図である。 図１０に続く表示装置の製造工程中の要部断面図である。 図１１に続く表示装置の製造工程中の要部断面図である。 保護膜形成用の成膜装置の一例を示す説明図である。 パーティクルの付着に関連する課題を説明する説明図である。 パーティクルの付着に関連する課題を説明する説明図である。 パーティクルの付着に関連する課題を説明する説明図である。 保護膜の断面構造を示す断面図である。 保護膜の断面構造を示す断面図である。 保護膜の断面構造を示す断面図である。 保護膜の断面構造を示す断面図である。 保護膜の断面構造を示す断面図である。 保護膜の断面構造を示す断面図である。 保護膜の断面構造を示す断面図である。 保護膜の断面構造を示す断面図である。 保護膜の断面構造を示す断面図である。 保護膜の断面構造を示す断面図である。 保護膜の断面構造を示す断面図である。

以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。

（実施の形態）
＜表示装置の全体構造について＞
本実施の形態の表示装置は、有機ＥＬ素子を利用した有機ＥＬ表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）である。本実施の形態の表示装置を、図面を参照して説明する。

図１は、本実施の形態の表示装置１の全体構成を示す平面図である。

図１に示される表示装置１は、表示部２と、回路部３とを有している。表示部２には、複数の画素がアレイ状に配列されており、画像の表示を可能としている。回路部３には、必要に応じて種々の回路が形成されており、例えば、駆動回路または制御回路などが形成されている。回路部３内の回路は、必要に応じて、表示部２の画素に接続されている。回路部３は、表示装置１の外部に設けることもできる。表示装置１の平面形状は、種々の形状を採用できるが、例えば矩形状である。

図２は、表示装置１の要部平面図であり、図３は、表示装置１の要部断面図である。図２には、表示装置１の表示部２の一部（図１に示される領域４）を拡大して示してある。図３は、図２のＡ１−Ａ１線の位置での断面図にほぼ対応している。

表示装置１のベースを構成する基板１１は、絶縁性を有している。また、基板１１は、フレキシブル基板（フィルム基板）であり、可撓性を有している。このため、基板１１は、絶縁性を有するフレキシブル基板、すなわちフレキシブル絶縁基板である。基板１１は、更に透光性を有する場合もあり得る。基板１１として、例えばフィルム状のプラスチック基板（プラスチックフィルム）を用いることができる。基板１１は、図１の表示装置１の平面全体に存在しており、表示装置１の最下層を構成している。このため、基板１１の平面形状は、表示装置１の平面形状とほぼ同じであり、種々の形状を採用できるが、例えば矩形状とすることができる。なお、基板１１の互いに反対側に位置する２つの主面のうち、有機ＥＬ素子が配置される側の主面、すなわち後述のパッシベーション膜１２、電極層１３、有機層１４、電極層１５および保護膜１６を形成する側の主面を、基板１１の上面と称することとする。また、基板１１における上面とは反対側の主面を、基板１１の下面と称することとする。

基板１１の上面上には、パッシベーション膜（パッシベーション層）１２が形成されている。パッシベーション膜１２は、絶縁材料（絶縁膜）からなり、例えば酸化シリコン膜からなる。パッシベーション膜１２は、形成しない場合もあり得るが、形成した方がより好ましい。パッシベーション膜１２は、基板１１の上面のほぼ全体にわたって形成することができる。

パッシベーション膜１２は、基板１１側から有機ＥＬ素子（特に有機層１４）への水分の伝達を防止（遮断）する機能を有している。このため、パッシベーション膜１２は、有機ＥＬ素子の下側の保護膜として機能することができる。一方、保護膜１６は、有機ＥＬ素子の上側の保護膜として機能することができ、上側から有機ＥＬ素子（特に有機層１４）への水分の伝達を防止（遮断）する機能を有している。

基板１１の上面上には、パッシベーション膜１２を介して、有機ＥＬ素子が形成されている。有機ＥＬ素子は、電極層１３と有機層１４と電極層１５とからなる。つまり、基板１１上のパッシベーション膜１２上には、電極層１３と有機層１４と電極層１５とが、下から順に形成（積層）されており、これら電極層１３と有機層１４と電極層１５とにより、有機ＥＬ素子が形成されている。

電極層１３は、下部電極層であり、電極層１５は、上部電極層である。電極層１３は、陽極および陰極うちの一方を構成し、電極層１５は、陽極および陰極うちの他方を構成する。すなわち、電極層１３が陽極（陽極層）の場合は、電極層１５は陰極（陰極層）であり、電極層１３が陰極（陰極層）の場合は、電極層１５は陽極（陽極層）である。電極層１３および電極層１５は、それぞれ導電膜からなる。

電極層１３および電極層１５のうちの一方は、反射電極として機能できるように、アルミニウム（Ａｌ）膜などの金属膜により形成することが好ましく、また、電極層１３および電極層１５のうちの他方は、透明電極として機能できるように、ＩＴＯ（インジウムスズオキサイド）などからなる透明導体膜により形成することが好ましい。基板１１の下面側から光を取出す、いわゆるボトムエミッション方式を採用する場合は、電極層１３を透明電極とすることができ、基板１１の上面側から光を取出す、いわゆるトップエミッション方式を採用する場合は、電極層１５を透明電極とすることができる。また、ボトムエミッション方式を採用する場合は、基板１１として透光性を有する透明基板（透明フレキシブル基板）を用いることができる。

基板１１上のパッシベーション膜１２上に電極層１３が形成され、電極層１３上に有機層１４が形成され、有機層１４上に電極層１５が形成されているため、電極層１３と電極層１５との間には、有機層１４が介在している。

有機層１４は、少なくとも有機発光層を含んでいる。有機層１４は、有機発光層以外にも、ホール輸送層、ホール注入層、電子輸送層および電子注入層のうちの任意の層を、必要に応じて更に含むことができる。このため、有機層１４は、例えば、有機発光層の単層構造、ホール輸送層と有機発光層と電子輸送層との積層構造、あるいは、ホール注入層とホール輸送層と有機発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造などを有することができる。

電極層１３は、例えば、Ｘ方向に延在するストライプ状のパターンを有している。すなわち、電極層１３は、Ｘ方向に延在するライン状の電極（電極パターン）１３ａが、Ｙ方向に所定の間隔で複数配列した構成を有している。電極層１５は、例えば、Ｙ方向に延在するストライプ状のパターンを有している。すなわち、電極層１５は、Ｙ方向に延在するライン状の電極（電極パターン）１５ａが、Ｘ方向に所定の間隔で複数配列した構成を有している。つまり、電極層１３は、Ｘ方向に延在するストライプ状の電極群からなり、電極層１５は、Ｙ方向に延在するストライプ状の電極群からなる。ここで、Ｘ方向とＹ方向とは、互いに交差する方向であり、より特定的には、互いに直交する方向である。また、Ｘ方向およびＹ方向は、基板１１の上面に略平行な方向でもある。

電極層１５を構成する各電極１５ａの延在方向はＹ方向であり、電極層１３を構成する各電極１３ａの延在方向はＸ方向であるため、電極１５ａと電極１３ａとは、平面視において互いに交差している。なお、平面視とは、基板１１の上面に略平行な平面で見た場合を言うものとする。電極１５ａと電極１３ａとの各交差部においては、電極１５ａと電極１３ａとで有機層１４が上下に挟まれた構造を有している。このため、電極１５ａと電極１３ａとの各交差部に、電極１３ａと電極１５ａと電極１３ａ，１５ａ間の有機層１４とで構成される有機ＥＬ素子（画素を構成する有機ＥＬ素子）が形成され、その有機ＥＬ素子により画素が形成される。電極１５ａと電極１３ａとの間に所定の電圧が印加されることで、その電極１５ａ，電極１３ａ間に挟まれた部分の有機層１４中の有機発光層が発光することができる。すなわち、各画素を構成する有機ＥＬ素子が発光することができる。電極１５ａが、有機ＥＬ素子の上部電極（陽極または陰極の一方）として機能し、電極１３ａが、有機ＥＬ素子の下部電極（陽極または陰極の他方）として機能する。

なお、有機層１４は、表示部２全体にわたって形成することもできるが、電極層１３と同じパターン（すなわち電極層１３を構成する複数の電極１３ａと同じパターン）として形成することもでき、あるいは、電極層１５と同じパターン（すなわち電極層１５を構成する複数の電極１５ａと同じパターン）として形成することもできる。いずれにしても、電極層１３を構成する複数の電極１３ａと電極層１５を構成する複数の電極１５ａとの各交点には、有機層１４が存在している。

このように、平面視において、表示装置１の表示部２では、平面視において、基板１１上に有機ＥＬ素子（画素）がアレイ状に複数配列した状態になっている。

なお、ここでは、電極層１３，１５がストライプ状のパターンを有している場合について説明した。このため、アレイ状に配列した複数の有機ＥＬ素子（画素）において、Ｘ方向に並んだ有機ＥＬ同士では、下部電極（電極１３ａ）同士が繋がっており、また、Ｙ方向に並んだ有機ＥＬ同士では、上部電極（電極１５ａ）同士が繋がっている。しかしながら、これに限定されず、アレイ状に配列する有機ＥＬ素子の構造は、種々変更可能である。

例えば、アレイ状に配列した複数の有機ＥＬ素子が、上部電極でも下部電極でも互いにつながっておらず、独立に配置されている場合もあり得る。この場合は、各有機ＥＬ素子は、下部電極と有機層と上部電極との積層構造を有する孤立パターンにより形成され、この孤立した有機ＥＬ素子が、アレイ状に複数配列することになる。この場合は、各画素において有機ＥＬ素子に加えてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）などのアクティブ素子を設けるとともに、画素同士を必要に応じて配線を介して接続することができる。

基板１１（パッシベーション膜１２）の上面上には、有機ＥＬ素子を覆うように、従って電極層１３と有機層１４と電極層１５とを覆うように、保護膜（保護層）１６が形成されている。表示部２に有機ＥＬ素子がアレイ状に配列している場合は、それらアレイ状に配列した有機ＥＬ素子を覆うように、保護膜１６が形成されている。このため、保護膜１６は、表示部２全体に形成されていることが好ましく、また、基板１１の上面のほぼ全体上に形成されていることが好ましい。有機ＥＬ素子（電極層１３、有機層１４および電極層１５）を保護膜１６により覆うことで、有機ＥＬ素子（電極層１３、有機層１４および電極層１５）を保護し、また、有機ＥＬ素子への水分の伝達、特に有機層１４への水分の伝達を、保護膜１６によって防止（遮断）することができる。すなわち、保護膜１６を設けたことで、保護膜１６を越えて有機ＥＬ素子側に水分が侵入するのを防止することができる。保護膜１６は、有機ＥＬ素子用の保護膜である。

但し、電極または配線などの一部を、保護膜１６から露出させる必要がある場合もあり得る。そのような場合は、基板１１の上面側の全領域に保護膜１６を形成するのではなく、基板１１の上面側の一部に保護膜１６が形成されない領域を設けておき、そこ（保護膜１６が形成されていない領域）から、電極または配線などの一部を露出させることもできる。但し、そのような場合でも、保護膜１６を形成していない領域から、有機層１４は露出しないようにすることが好ましい。

保護膜１６は、無機絶縁材料からなり、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition：原子層堆積）法で形成された絶縁膜、すなわちＡＬＤ膜である。ＡＬＤ法は、原料ガスと反応ガスとを交互に供給することにより、処理対象物上に原子層単位で膜を形成する成膜方法である。保護膜１６の材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウムまたは窒化アルミニウムが好ましく、そのうち特に好ましいのは、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウムまたは窒化アルミニウムである。

本実施の形態では、保護膜１６は、一層以上の高密度層（高密度膜）１６Ｈと高密度層１６Ｈよりも密度が低い一層以上の（低密度膜）低密度層１６Ｌとからなり、かつ、低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈとが互いに接するように交互に積層された積層構造を有している。

なお、保護膜１６を構成する高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌとは、構成元素が互いに同じである。すなわち、保護膜１６は、一層以上の高密度層１６Ｈと一層以上の低密度層１６Ｌとからなるが、それらの層は、同じ材料により構成されている。このため、例えば、保護膜１６を構成する高密度層１６Ｈが酸化アルミニウムからなる場合は、保護膜１６を構成する低密度層１６Ｌも酸化アルミニウムからなる。また、保護膜１６を構成する高密度層１６Ｈが酸窒化アルミニウムからなる場合は、保護膜１６を構成する低密度層１６Ｌも酸窒化アルミニウムからなる。また、保護膜１６を構成する高密度層１６Ｈが窒化アルミニウムからなる場合は、保護膜１６を構成する低密度層１６Ｌも窒化アルミニウムからなる。また、保護膜１６が複数の高密度層１６Ｈを含む場合は、それら複数の高密度層１６Ｈは、構成元素が互いに同じであり、すなわち、同じ材料により構成されており、また、保護膜１６が複数の低密度層１６Ｌを含む場合は、それら複数の低密度層１６Ｌは、構成元素が互いに同じであり、すなわち、同じ材料により構成されている。このため、保護膜１６は、複数の層からなる積層構造を有しているが、その積層構造を構成する各層は、互いに同じ材料により構成されており、従って、保護膜１６全体が、同じ材料により構成されている。保護膜１６は、ＡＬＤ法で形成されるため、保護膜１６を構成する高密度層１６Ｈおよび低密度層１６Ｌも、それぞれＡＬＤ法で形成される。

図３には、一例として、保護膜１６が、高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈとが下から順に積層された積層構造を有する場合が示されている。すなわち、図３の保護膜１６は、後述の図２０の保護膜１６に対応している。但し、図３の保護膜１６として、後述の図１７、図１８、図１９、図２０、図２３、図２４、図２５、図２６および図２７のいずれに示される保護膜１６も適用することもできる。

保護膜１６上には、保護膜１６とは異なる材料からなる絶縁膜１７が形成されている。絶縁膜１７は、好ましくは樹脂膜（樹脂層、樹脂絶縁膜、有機絶縁膜）であり、絶縁膜１７の材料として、例えばＰＥＴ（polyethylene terephthalate：ポリエチレンテレフタレート）などを好適に用いることができる。絶縁膜１７は、その形成を省略することもできる。但し、絶縁膜１７を形成しない場合よりも、絶縁膜１７を形成した場合の方が、有利な場合がある。

保護膜１６は、無機絶縁膜である。無機絶縁膜は、水分を通しにくい膜であるが、硬い膜でもある。このため、保護膜１６上に、樹脂膜（絶縁膜１７）を形成することもでき、この樹脂膜（絶縁膜１７）を、表示装置１の最上層の膜として用いることもできる。樹脂膜（絶縁膜１７）は、無機絶縁膜（保護膜１６）に比べて、水分を通しやすいため、水分の侵入を防止する膜としての機能は小さい。しかしながら、樹脂膜（絶縁膜１７）は、無機絶縁膜（保護膜１６）に比べて、柔らかい。このため、保護膜１６上に柔らかい樹脂膜（絶縁膜１７）を形成することで、表示装置１を取り扱いやすくなる。また、樹脂膜（絶縁膜１７）は、物理的な衝撃からの保護膜（機械的保護膜）として機能することができる。また、基板１１としてフレキシブル基板を用いる場合には、保護膜１６上に樹脂膜（絶縁膜１７）を形成することで、曲げに伴う保護膜１６の割れ（クラック）を、防ぎやすくなる。

また、保護膜１６上に絶縁膜１７を形成した場合、保護膜１６と絶縁膜１７とを合わせたものを、保護膜とみなすこともできる。但し、樹脂膜からなる絶縁膜１７を形成した場合、水分の侵入を防止する膜（水分防止膜）として機能するのは、保護膜１６であり、樹脂膜からなる絶縁膜１７は、主として、機械的な保護膜として機能する。水分保護膜（ここでは保護膜１６）は、無機絶縁物からなり、機械的保護膜（ここでは絶縁膜１７）は、樹脂材料（有機絶縁物）からなることが好ましい。

本実施の形態では、表示装置１の基板１１としてフレキシブル基板を用いている。図４は、表示装置１を構成する基板１１（フレキシブル基板）を折り曲げた場合、すなわち、表示装置１を折り曲げた場合を模式的に示す断面図である。図４は、断面図であるが、図面を見やすくするために、ハッチングは省略してある。表示装置１の基板１１としてフレキシブル基板を用いることで、表示装置１の折り曲げが可能になる。また、基板１１は、フレキシブル基板であるが、繰り返しの折り曲げも可能であり、ベンダブル（bendable）基板とみなすこともでき、また、折りたたむことも可能であり、フォルダブル（foldable）基板とみなすこともできる。このため、基板１１は、フレキシブル基板であるが、そのフレキシブル基板には、ベンダブル基板やフォルダブル基板も包括されている。

＜表示装置の製造方法＞
本実施の形態の表示装置１の製造方法について、図面を参照して説明する。図５は、本実施の形態の表示装置１の製造工程を示す、工程フロー図である。図６は、本実施の形態の表示装置１の製造工程のうちの、保護膜１６形成工程の詳細を示す、工程フロー図である。図７〜図１２は、本実施の形態の表示装置１の製造工程中の要部断面図であり、上記図３に相当する領域の断面図が示されている。なお、ここでは、主として、表示装置１の表示部２の製造工程を説明する。

まず、図７に示されるように、ガラス基板９とフレキシブル基板である基板１１とが貼り合わされた基板１０を用意（準備）する（図５のステップＳ１）。基板１１は可撓性を有しているが、基板１１がガラス基板９に貼り合わされていることで、基板１１はガラス基板９に固定される。これにより、基板１１上への各種の膜の形成やその膜の加工などが容易になる。なお、基板１１の下面が、ガラス基板９に貼り付けられている。

次に、図８に示されるように、基板１０の上面上に、パッシベーション膜１２を形成する（図５のステップＳ２）。なお、基板１０の上面は、基板１１の上面と同義である。

パッシベーション膜１２は、スパッタリング法、ＣＶＤ法またはＡＬＤ法などを用いて形成することができる。パッシベーション膜１２は、絶縁材料からなり、例えば酸化シリコン膜からなる。例えば、ＣＶＤ法により形成した酸化シリコン膜を、パッシベーション膜１２として好適に用いることができる。

次に、図９に示されるように、基板１０の上面上に、すなわちパッシベーション膜１２上に、電極層１３と電極層１３上の有機層１４と有機層１４上の電極層１５とからなる有機ＥＬ素子を形成する。すなわち、パッシベーション膜１２上に、電極層１３と有機層１４と電極層１５とを順に形成する（図５のステップＳ３，Ｓ４，Ｓ５）。この工程は、例えば、次のようにして行うことができる。

すなわち、基板１０の上面上に、すなわちパッシベーション膜１２上に、電極層１３を形成する（図５のステップＳ３）。電極層１３は、例えば、導電膜をパッシベーション膜１２上に形成してから、この導電膜を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを用いてパターニングすることなどにより、形成することができる。それから、電極層１３上に有機層１４を形成する（図５のステップＳ４）。有機層１４は、例えば、マスクを用いた蒸着法（真空蒸着法）などにより、形成することができる。それから、有機層１４上に電極層１５を形成する（図５のステップＳ５）。電極層１５は、例えば、マスクを用いた蒸着法などにより、形成することができる。

電極層１３と有機層１４と電極層１５とからなる有機ＥＬ素子を形成した後、図１０に示されるように、基板１０の上面上に、すなわち電極層１５上に、保護膜１６をＡＬＤ法を用いて形成する（図５のステップＳ６）。保護膜１６は、有機ＥＬ素子を覆うように形成される。

保護膜１６は、一層以上の高密度層１６Ｈと高密度層１６Ｈよりも密度が低い一層以上の低密度層１６Ｌとからなり、かつ、低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈとが互いに接するように交互に積層された積層構造を有している。このため、ステップＳ６（保護膜１６形成工程）においては、高密度層１６ＨをＡＬＤ法を用いて形成する工程（図６のステップＳ６Ｈ）と、低密度層１６ＬをＡＬＤ法を用いて形成する工程（図６のステップＳ６Ｌ）とを、交互に行うことにより、保護膜１６が形成される。ステップＳ６では、ステップＳ６Ｈは１回以上行われ、かつ、ステップＳ６Ｌも１回以上行われる。

例えば、図１０のように保護膜１６が高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈとが下から順に積層された積層構造を有する場合には、ステップＳ６においては、ステップＳ６Ｈ（高密度層１６Ｈ形成工程）とステップＳ６Ｌ（低密度層１６Ｌ形成工程）とステップＳ６Ｈ（高密度層１６Ｈ形成工程）とを、順に行うことで、保護膜１６を形成することができる。すなわち、まず、基板１０上に、すなわち電極層１５上に、高密度層１６ＨをＡＬＤ法を用いて形成し、それから、その高密度層１６Ｈ上に低密度層１６ＬをＡＬＤ法を用いて形成し、それから、その低密度層１６Ｌ上に高密度層１６ＨをＡＬＤ法を用いて形成することにより、高密度層１６Ｈとその上の低密度層１６Ｌとその上の高密度層１６Ｈとからなる保護膜１６が形成される。

また、電極または配線などの一部を、保護膜１６から露出させる必要がある場合もあり得る。そのような場合は、基板１０の上面の全領域に保護膜１６を形成するのではなく、基板１０の上面の一部に保護膜１６が形成されない領域を設けて、そこ（保護膜１６が形成されていない領域）から、電極または配線などの一部を露出させることができる。この場合は、ステップＳ６の保護膜１６形成工程は、例えば次のようにして行うことができる。すなわち、まず、基板１０上に、すなわち電極層１５上に、マスク（メタルマスク）を配置してから、保護膜１６をＡＬＤ法を用いて形成し、その後、そのマスクを取り除く。これにより、マスクで覆われずに露出されていた領域には、保護膜１６が形成されるが、マスクで覆われていた領域には、保護膜１６は形成されない。これにより、有機ＥＬ素子を覆うように保護膜１６を形成することができるとともに、保護膜１６が形成されていない領域から、電極または配線などを必要に応じて露出させることができる。

保護膜１６を形成すると、電極層１３と有機層１４と電極層１５とからなる有機ＥＬ素子は、保護膜１６で覆われる。複数の有機ＥＬ素子がアレイ状に配列している場合は、それら複数の有機ＥＬ素子が保護膜１６で覆われる。

ステップＳ６で保護膜１６を形成した後、図１１に示されるように、基板１０の上面上に、すなわち保護膜１６上に、絶縁膜１７を形成する（図５のステップＳ７）。

絶縁膜１７は、好ましくは樹脂膜であり、例えばＰＥＴなどからなり、スピンコート法（塗布法）などを用いて形成することができる。

その後、図１２に示されるように、基板１１をガラス基板９から引きはがすことにより、基板１１とその上面上の構造体とを、ガラス基板９から分離する。このようにして、表示装置１を製造することができる。

＜成膜装置について＞
図１３は、保護膜１６形成用の成膜装置２１の一例を示す説明図（断面図）である。成膜装置２１は、ＡＬＤ法を用いて成膜を行う成膜装置であり、ＡＬＤ装置またはＡＬＤ成膜装置とみなすことができる。また、本実施の形態では、成膜装置２１として、プラズマＡＬＤ装置（プラズマＡＬＤ成膜装置）を使用し、保護膜１６の形成には、ＡＬＤ法として、プラズマＡＬＤ法を用いている。プラズマＡＬＤ装置においては、反応活性を高めるために、プラズマ放電を行って反応ガスをプラズマ化する。このため、プラズマＡＬＤ装置では、プラズマ放電を行うため、平行平板電極などが使用される。

図１３に示されるように、成膜装置２１は、ＡＬＤ法による成膜が行われるチャンバ（成膜室、成膜容器）２２を有している。チャンバ２２内には、処理対象物２３を配置するためのステージ２４と、ステージ２４の上方に配置された上部電極（平板電極）２５とが、配置されている。上部電極２５には、高周波電源２９が接続されており、その高周波電源２９によって上部電極２５に、従って上部電極２５とステージ２４との間に、高周波電力を印加できるようになっている。ステージ２４は、下部電極としての機能も有している。上部電極２５と、下部電極（ここではステージ２４）とにより、平行平板電極が構成される。高周波電源２９は、チャンバ２２の外に配置することができる。ステージ２４は、ヒータ（図示せず）などを備えており、ステージ２４上に配置した処理対象物２３を加熱し、処理対象物２３の温度を所望の温度に調整することができるようになっている。チャンバ２２の排気部（排気口）２６は、真空ポンプ（図示せず）などに接続されており、チャンバ２２内を所定の圧力に制御できるようになっている。また、チャンバ２２には、チャンバ２２内にガスを導入するためのガス導入部２７と、チャンバ２２内からガスを排出するためのガス排出部（ガス排気部）２８と、を有している。なお、図１３では、理解を簡単にするために、ガス導入部２７からチャンバ２２内に導入するガスの流れと、ガス排出部２８からチャンバ２２外に排出するガスの流れとを、それぞれ矢印で模式的に示してある。

なお、図１３では、プラズマの発生に平行平板型の電極を用いる成膜装置について示しているが、他の形態として、プラズマの発生に、平行平板型以外の方式（例えばＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）型）を用いることもできる。

＜ＡＬＤ法による成膜について＞
成膜装置２１を用いた成膜（ＡＬＤ法による成膜）は、例えば、次のようにして行うことができる。

保護膜１６形成工程より前の工程を終了した後、保護膜１６形成工程を行うために、処理対象物を、成膜装置２１のチャンバ２２内のステージ２４上に配置する。ここで、ステージ２４上に配置される処理対象物２３は、上記パッシベーション膜１２、電極層１３、有機層１４および電極層１５などが形成された基板１０であり、基板１０上に図９の構造が形成されており、図１３では、符号２３を付して処理対象物２３として示してある。その後、以下に説明する第１ステップ、第２ステップ、第３ステップおよび第４ステップを、複数サイクル繰り返すことで、処理対象物２３の表面上に、所望の膜（例えば酸化アルミニウム膜）を所望の厚さに形成することができる。

以下、具体的に説明する。

まず、第１ステップ（原料ガス供給ステップ）として、原料ガスをガス導入部２７からチャンバ２２内に導入（供給）する。酸化アルミニウム膜を成膜する場合は、原料ガスとしては、例えばＴＭＡ（Trimethylaluminium：トリメチルアルミニウム）ガスを用いることができる。第１ステップを行うと、ステージ２４上に配置された処理対象物２３の表面上に、原料ガスの分子が吸着する。すなわち、処理対象物２３の表面に、原料ガスの吸着層が形成される。

次に、第２ステップ（パージステップ）として、チャンバ２２内への原料ガスの導入を停止し、パージガスをガス導入部２７からチャンバ２２内に導入（供給）する。パージガスとしては、不活性ガスを好適に用いることができるが、窒素ガス（Ｎ_２ガス）を用いる場合もあり得る。パージガスを導入することで、処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子（原料ガスの吸着層）は残存するが、それ以外の原料ガスは、パージガスと一緒にガス排出部２８からチャンバ２２外に排出される（パージされる）。

次に、第３ステップ（反応ガス供給ステップ）として、反応ガスを、ガス導入部２７からチャンバ２２内に導入（供給）する。酸化アルミニウム膜を成膜する場合は、反応ガスとしては、例えばＯ_２ガス（酸素ガス）を用いることができる。そして、上部電極２５に、従って上部電極２５とステージ２４との間に、高周波電力を印加する。これにより、上部電極２５とステージ２４との間にプラズマ放電が発生し、反応ガス（ここではＯ_２ガス）はプラズマ化して、反応ガスにラジカル（活性種）が生成され、処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子（原料ガスの吸着層）が反応ガスと反応する。これにより、処理対象物２３の表面に、原料ガスの吸着層と反応ガス（反応ガスのプラズマ）との反応層である酸化アルミニウムの原子層（一層）が形成される。

次に、第４ステップ（パージステップ）として、チャンバ２２内への反応ガスの導入と上部電極２５への高周波電力の印加を停止し、パージガスをガス導入部２７からチャンバ２２内に導入（供給）する。パージガスとしては、不活性ガスを好適に用いることができるが、窒素ガス（Ｎ_２ガス）を用いる場合もあり得る。パージガスを導入することで、反応ガスは、パージガスと一緒にガス排出部２８からチャンバ２２外に排出される（パージされる）。

このような第１ステップ、第２ステップ、第３ステップおよび第４ステップを、複数サイクル繰り返すことで、処理対象物２３の表面上に、所望の膜（例えば酸化アルミニウム膜）を所望の厚さに形成することができる。例えば、第１ステップ、第２ステップ、第３ステップおよび第４ステップを、３０サイクル繰り返せば、３０層の原子層からなる膜が形成され、また、第１ステップ、第２ステップ、第３ステップおよび第４ステップを、６０サイクル繰り返せば、６０層の原子層からなる膜が形成されることになる。

処理対象物２３上への保護膜１６の形成が終了したら、処理対象物２３は、成膜装置２１のチャンバ２２内からチャンバ２２外に搬出され、次の工程に送られる。

＜検討の経緯について＞
有機ＥＬ素子は、水分に弱いため、有機ＥＬ素子を覆うように保護膜（水分保護膜）を形成して、有機ＥＬ素子への水分の伝達を防ぐことが望ましい。この保護膜には、水分の侵入を防止する効果が高い無機絶縁膜を用いることが望ましい。また、有機ＥＬ素子は高温に弱いため、保護膜の成膜温度は、有機ＥＬ素子に悪影響を及ぼさないように、比較的低温であることが好ましく、従って、保護膜としては、比較的低温度で成膜が可能な材料膜を用いることが好ましい。

ところで、本発明者は、有機ＥＬ素子を形成する基板として、フレキシブル基板を用いることを検討している。フレキシブル基板は、可撓性を有しているため、折り曲げることが可能である。有機ＥＬ表示装置の基板としてフレキシブル基板を用いれば、その表示装置の折り曲げが可能になる。

フレキシブル基板を用いる場合は、フレキシブル基板と一緒に保護膜も折り曲げられることになるため、保護膜においても折り曲げ耐性が重要になる。しかしながら、無機絶縁膜は、保護膜（水分保護膜）としては優れているが、樹脂膜などに比べて硬い材料であるため、基板としてフレキシブル基板を用いる場合には、曲げに伴って無機絶縁膜からなる保護膜にクラックが生じるリスクがある。すなわち、フレキシブル基板を小さな折り曲げ半径で折り曲げると、それに伴い保護膜も小さな折り曲げ半径で折り曲げられることになり、その曲げに伴って保護膜にクラックが発生するリスクがある。保護膜にクラックが発生してしまうと、そのクラックを通じて有機ＥＬ素子側へ水分が侵入してしまい、その水分が有機ＥＬ素子に伝達され、有機ＥＬ素子の劣化を引き起こす虞がある。これは、有機ＥＬ素子の信頼性の低下や、有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）の信頼性の低下につながってしまう。

そこで、保護膜の厚さを薄くすることで、保護膜の折り曲げ耐性を向上させることが考えられる。保護膜の厚さを薄くすれば、折り曲げに伴う保護膜のクラックが生じにくくなる。しかしながら、以下の理由（図１４〜図１６を参照して説明する理由）により、保護膜の厚さはある程度厚くする必要がある。図１４〜図１６は、パーティクルの付着に関連する課題を説明する説明図（断面図）である。

図１４は、保護膜を形成する処理を行う処理対象物２３が示されているが、この処理対象物２３は、上述のように、上記基板１０とパッシベーション膜１２と電極層１３と有機層１４と電極層１５とを合わせたものに対応している。

図１４には、保護膜を形成する直前の段階での処理対象物２３が示されているが、この段階で、図１４に示されるように、処理対象物２３の表面にパーティクル（粒子、異物）３１が付着している場合がある。例えば、保護膜形成前の種々の工程（例えば成膜工程）に起因して発生したパーティクル３１が処理対象物２３に付着する場合や、あるいは、保護膜形成用の成膜装置に処理対象物２３を搬送して保護膜の成膜を開始するまでにその成膜装置内に存在していたパーティクル３１が処理対象物２３に付着する場合などがあり得る。処理対象物２３の表面にパーティクル３１が付着するのを完全に防止することは容易ではない。このため、製造工程を管理しやすくし、有機ＥＬ表示装置などを製造しやすくするためには、処理対象物２３の表面にパーティクル３１がある程度付着するのを許容して、保護膜を形成することが望まれる。

図１５および図１６は、図１４のようにパーティクル３１が付着している処理対象物２３に対して保護膜を形成した状態が示されている。図１５および図１６のうち、図１５は、ＣＶＤ法で保護膜３２を形成した場合が示され、図１６は、ＡＬＤ法で保護膜３３を形成した場合が示されている。なお、保護膜３２および保護膜３３は、本実施の形態の保護膜１６に相当するものである。

処理対象物２３にパーティクル３１が付着した状態で、ＣＶＤ法を用いて保護膜３２を形成した場合には、処理対象物２３の表面と、処理対象物２３に付着しているパーティクル３１の表面とに保護膜３２が形成される。しかしながら、ＣＶＤ法を用いて保護膜３２を形成した場合には、図１５に示されるように、処理対象物２３の表面およびパーティクル３１の表面のうち、パーティクル３１で遮蔽される領域には保護膜３２は形成されにくくなってしまうため、処理対象物２３とパーティクル３１との接着領域の近傍では、保護膜３２が形成されなくなってしまう。このため、図１５のように、ＣＶＤ法を用いて保護膜３２を形成した場合には、保護膜３２を形成した後にパーティクル３１が脱落して不具合を生じる虞がある。例えば、保護膜３２を形成した後にパーティクル３１が脱落してしまうと、パーティクル３１が脱落した箇所では、保護膜３２が形成されていないため、そこから水分が侵入してしまい、その水分が有機ＥＬ素子に伝達されて有機ＥＬ素子の劣化を引き起こす虞がある。これは、有機ＥＬ素子の信頼性の低下や、有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）の信頼性の低下につながってしまう。

処理対象物２３にパーティクル３１が付着した状態で、ＡＬＤ法を用いて保護膜３３を形成した場合には、処理対象物２３の表面と、処理対象物２３に付着しているパーティクル３１の表面とに保護膜３２が形成される。ＡＬＤ法は、形成する膜の下地に対するカバレッジに優れた成膜法であるため、ＡＬＤ法を用いて保護膜３３を形成した場合には、図１６に示されるように、処理対象物２３の表面およびパーティクル３１の表面のうち、パーティクル３１で遮蔽される領域にも保護膜３３を形成しやすくなり、処理対象物２３とパーティクル３１との接着領域の近傍でも、保護膜３３を形成することができる。すなわち、処理対象物２３にパーティクル３１が付着した状態で、ＡＬＤ法を用いて保護膜３３を形成した場合には、図１６のように、保護膜３３は、パーティクル３１が付着した処理対象物２３の表面全体に形成されるとともに、パーティクル３１の表面全体が保護膜３３で覆われる。つまり、パーティクル３１の表面を覆う保護膜３３と、処理対象物２３の表面を覆う保護膜３３とが、連続的に繋がった状態になる。このため、処理対象物２３にパーティクル３１が付着した状態で、図１６のようにＡＬＤ法を用いて保護膜３３を形成した場合には、保護膜３３の形成後は、パーティクル３１は保護膜３３によって保持され、パーティクル３１は脱落しにくくなるため、パーティクル３１の脱落に伴う不具合は生じにくくなる。

このため、本発明者は、保護膜をＡＬＤ法で形成することを検討している。しかしながら、保護膜３３をＡＬＤ法で形成したとしても、保護膜３３の厚さが薄い場合は、保護膜３３によってパーティクル３１を保持する作用が弱まるため、保護膜３２を形成した後にパーティクル３１が脱落する懸念が多少残ってしまう。従って、保護膜をＡＬＤ法で形成するとともに、その保護膜の厚さをある程度厚くすることが望ましく、そうすることで、保護膜形成後にパーティクル３１が脱落するのを的確に抑制または防止することができるようになる。

しかしながら、上述したように、保護膜の厚さを厚くすることは、保護膜の折り曲げ耐性を低下させ、折り曲げに伴う保護膜のクラックが生じやすくすることにつながる。すなわち、保護膜を薄くすると、折り曲げに伴う保護膜のクラックは生じにくくなるが、保護膜を形成した後にパーティクル３１が脱落するリスクが増加し、一方、保護膜を厚くすると、保護膜を形成した後にパーティクル３１が脱落するリスクは低くなるが、折り曲げに伴う保護膜のクラックが生じるリスクが増加してしまう。保護膜を形成した後にパーティクル３１が脱落することも、折り曲げに伴い保護膜にクラックが生じることも、有機ＥＬ素子の信頼性の低下や、有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）の信頼性の低下につながってしまう。

このため、フレキシブル基板を用いる場合には、ＡＬＤ法で保護膜を形成するとともにその保護膜の信頼性を向上させて、厚さを薄くしなくとも折り曲げに伴うクラックが生じにくい保護膜を提供することが望まれる。

＜主要な特徴と効果について＞
本実施の形態の主要な特徴のうちの一つは、基板１１としてフレキシブル基板を用いたことである。本実施の形態の主要な特徴のうちの他の一つは、無機絶縁材料からなる保護膜１６をＡＬＤ法で形成したことである。本実施の形態の主要な特徴のうちの更に他の一つは、保護膜１６の密度を制御していることであり、具体的には、保護膜１６は、一層以上の高密度層１６Ｈと高密度層１６Ｈよりも密度が低い一層以上の低密度層１６Ｌとからなり、かつ、低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈとが互いに接するように交互に積層された積層構造を有していることである。

なお、低密度層１６Ｌは、高密度層１６Ｈよりも密度が低く、言い換えると、高密度層１６Ｈは、低密度層１６Ｌよりも密度が高い。また、保護膜１６をＡＬＤ法で形成しているため、高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌとは、いずれもＡＬＤ法により形成される。

また、保護膜１６を構成する高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌとは、構成元素が互いに同じであり、すなわち、同じ材料（同種の材料）により構成されている。また、保護膜１６が複数の高密度層１６Ｈを含む場合は、それら複数の高密度層１６Ｈは、構成元素が互いに同じであり、すなわち、同じ材料（同種の材料）により構成されており、また、保護膜１６が複数の低密度層１６Ｌを含む場合は、それら複数の低密度層１６Ｌは、構成元素が互いに同じであり、すなわち、同じ材料（同種の材料）により構成されている。つまり、保護膜１６は、全体が同じ材料により構成されているが、密度が均一ではないのである。

なお、本実施の形態では、低密度層１６Ｌの密度は、高密度層１６Ｈの密度よりも低いが、このときの密度は、原子密度（単位体積当たりの原子数：ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）に対応している。すなわち、原子密度で比較した場合に、低密度層１６Ｌの密度は、高密度層１６Ｈの密度よりも低くなっている。但し、低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈとは、構成元素が同じであり、同じ材料により形成されているため、原子密度が大きければ、必然的に、重量密度（単位体積当たりの重量：ｇ／ｃｍ^３）も大きくなる。このため、原子密度で比較した場合に、低密度層１６Ｌの密度が、高密度層１６Ｈの密度よりも低くなっていれば、重量密度で比較した場合も、低密度層１６Ｌの密度は、高密度層１６Ｈの密度よりも低くなっており、また、その逆も成り立つ。また、後述のように、低密度層１６Ｌの密度は、高密度層１６Ｈの密度の８０〜９５％が好ましいが、これは、原子密度で比較した場合に成り立つ関係であるが、重量密度で比較した場合でも実質的に成り立つ。

また、保護膜１６が、低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈとが互いに接するように交互に積層された積層構造を有しているということは、保護膜１６を構成する積層構造において、最上層を除き、低密度層１６Ｌ上には高密度層１６Ｈがあり、また、高密度層１６Ｈ上には低密度層１６Ｌがあることを示している。また、保護膜１６が一層以上の高密度層１６Ｈと一層以上の低密度層１６Ｌとからなるということは、高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌのうち、両方が一層の場合と、一方が二層で他方が一層の場合と、両方が二層以上の場合と、があり得る。

本実施の形態では、保護膜１６をＡＬＤ法で形成している。このため、処理対象物２３にパーティクル３１が付着した状態で保護膜１６を形成する場合でも、その保護膜１６はＡＬＤ法で形成されるため、上記図１６を参照して説明した理由により、保護膜１６の形成後は、パーティクル３１は保護膜１６によって保持され、パーティクル３１の脱落を防止することができる。これにより、パーティクル３１の脱落に伴う不具合を防止することができるため、有機ＥＬ素子の信頼性を向上させることができ、また、有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）の信頼性を向上させることができる。なお、処理対象物２３にパーティクル３１が付着した状態で保護膜１６をＡＬＤ法で形成した場合も、上記図１６の状態と同じになる。

また、上述のように、有機絶縁膜に比べて、無機絶縁膜は、水分を通過させにくいため、有機ＥＬ素子の保護膜として適しており、それゆえ、保護膜１６として、無機絶縁膜を用いている。しかしながら、有機絶縁膜に比べて、無機絶縁膜は、硬さが硬いため、折り曲げるとクラックが発生しやすい。

本実施の形態では、基板１１としてフレキシブル基板を用いているため、保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させて、折り曲げに伴い保護膜１６にクラックが生じないようにすることが望まれる。これを実現するために、本実施の形態では、一層以上の高密度層１６Ｈと一層以上の低密度層１６Ｌとからなり、かつ、低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈとが互いに接するように交互に積層された積層構造を有する保護膜１６を採用している。これにより、保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させることができるが、このことについて、図１７〜図２２を参照して以下に詳細に説明する。なお、保護膜１６の折り曲げ耐性とは、保護膜１６の折曲げ試験に対する耐久性に対応している。また、折曲げ試験とは、折り曲げ動作を多数回繰り返す試験に対応している。折り曲げ動作を多数回繰り返しても、保護膜１６にクラックなどの不具合が生じなければ、保護膜１６の折り曲げ耐性が向上したと判断することができる。

図１７〜図２２は、保護膜の断面構造を示す断面図（説明図）であり、表示装置１の一部（上記図３の一部）を抜き出して示したものである。但し、図１７〜図２０および後述の図２３〜図２７は、本実施の形態に対応しているが、図２１および図２２は、比較例（本発明者が検討した検討例）に対応している。図１７〜図２２には、保護膜（１６，１１６，２１６）の断面構造が示されているが、図１７〜図２２において、保護膜の断面構造は互いに相違している。

なお、図１７〜図２２および後述の図２３〜図２７において、保護膜（１６，１１６，２１６）の下地を構成する層を、符号１８を付して下地層１８として示しており、保護膜（１６，１１６，２１６）は、下地層１８上に形成されている。下地層１８は、上記電極層１５、有機層１４、電極層１３、パッシベーション膜１２あるいは基板１１で構成されているが、下地層１８が、電極層１５、有機層１４、電極層１３、パッシベーション膜１２あるいは基板１１のいずれによって構成されているかは、保護膜の平面位置によって相違し得る。例えば、１つの保護膜１６が、保護膜１６の下の下地層１８が電極層１５で構成されている領域と、保護膜１６の下の下地層１８が有機層１４で構成されている領域と、保護膜１６の下の下地層１８が電極層１３で構成されている領域と、保護膜１６の下の下地層１８がパッシベーション膜１２で構成されている領域と、を一体的に有する場合もあり得る。

図１７〜図２２のそれぞれにおける保護膜の構造（断面構造）は、次の通りである。

すなわち、図１７の場合は、保護膜１６は、最下層としての低密度層１６Ｌと、その低密度層１６Ｌ上に形成された最上層としての高密度層１６Ｈとの積層膜からなる。つまり、図１７の場合は、保護膜１６は、低密度層１６Ｌとその上の高密度層１６Ｈとの積層構造を有している。

また、図１８の場合は、保護膜１６は、最下層としての高密度層１６Ｈと、その高密度層１６Ｈ上に形成された最上層としての低密度層１６Ｌとの積層膜からなる。つまり、図１８場合は、保護膜１６は、高密度層１６Ｈとその上の低密度層１６Ｌとの積層構造を有している。

また、図１９の場合は、保護膜１６は、最下層としての低密度層１６Ｌと、その低密度層１６Ｌ上に形成された中間層としての高密度層１６Ｈと、その高密度層１６Ｈ上に形成された最上層としての低密度層１６Ｌとの積層膜からなる。つまり、図１９の場合は、保護膜１６は、低密度層１６Ｌとその上の高密度層１６Ｈとその上の低密度層１６Ｌとの積層構造を有している。

また、図２０の場合は、保護膜１６は、最下層としての高密度層１６Ｈと、その高密度層１６Ｈ上に形成された中間層としての低密度層１６Ｌと、その低密度層１６Ｌ上に形成された最上層としての高密度層１６Ｈとの積層膜からなる。つまり、図２０の場合は、保護膜１６は、高密度層１６Ｈとその上の低密度層１６Ｌとその上の高密度層１６Ｈとの積層構造を有している。換言すると、図２０の場合は、保護膜１６は、２つの高密度層１６Ｈの間に低密度層１６Ｌが介在した（挟まれた）構造を有している。

図２１は、第１比較例の保護膜１６の断面図が示されており、第１比較例の保護膜１６を、符号１１６を付して「第１比較例の保護膜１１６」または「保護膜１１６」と称することとする。第１比較例の保護膜１１６は、全体が高密度層１６Ｈと同じ密度の膜で構成されている。つまり、図２１の場合は、保護膜１１６全体が高密度層１６Ｈで構成されている。

図２２は、第２比較例の保護膜１６の断面図が示されており、第２比較例の保護膜１６を、符号２１６を付して「第２比較例の保護膜２１６」または「保護膜２１６」と称することとする。第２比較例の保護膜２１６は、全体が低密度層１６Ｌと同じ密度の膜で構成されている。つまり、図２２の場合は、保護膜２１６全体が低密度層１６Ｌで構成されている。なお、図１７〜図２２で、保護膜（１６，１１６，２１６）の厚さは、互いに同じである。

まず、図２１に示される第１比較例の保護膜１１６について説明する。図２１に示される第１比較例の保護膜１１６においては、全体が高密度層１６Ｈで構成されている。高密度層１６Ｈは、密度が高いため、比較的硬い膜である。このため、図２１に示される第１比較例の保護膜１１６においては、全体が硬い材料により構成されていることになる。このため、第１比較例の保護膜１１６は、折り曲げ耐性が低くなり、折り曲げに伴い保護膜１１６にクラックが生じる懸念がある。

次に、図２２に示される第２比較例の保護膜２１６について説明する。図２２に示される第２比較例の保護膜２１６においては、全体が低密度層１６Ｌで構成されている。低密度層１６Ｌは、密度が低いため、高密度層１６Ｈに比べて柔軟性が高い膜である。しかしながら、低密度層１６Ｌは、高密度層１６Ｈに比べて密度が低いため、高密度層１６Ｈに比べて水分透過率が高くなる。すなわち、水分に対するバリア性は、高密度層１６Ｈよりも低密度層１６Ｌの方が低い。このため、全体が低密度層１６Ｌで構成されている第２比較例の保護膜２１６は、水分に対するバリア性が低くなり、水分保護膜としての機能が低下してしまう懸念がある。

次に、図１７〜図２０のそれぞれの場合についての利点について説明する。

まず、図１７の場合について説明する。図１７の場合は、保護膜１６は、低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈとの積層構造を有しており、最下層が低密度層１６Ｌとなっている。保護膜１６の下の下地層１８は、上記電極層１５、有機層１４、電極層１３あるいはパッシベーション膜１２などで構成されている。保護膜１６の最下層が硬い膜で構成されている場合には、保護膜１６の下の下地層１８の材質によっては、折り曲げ時に保護膜１６と下地層１８との界面に応力が集中し、保護膜１６と下地層１８との界面での剥離や、その界面を起点とした保護膜１６のクラックが生じる虞がある。それに対して、図１７の場合は、保護膜１６の最下層は、高密度層１６Ｈに比べて柔軟性が高い低密度層１６Ｌで構成されているため、折り曲げ時に保護膜１６と下地層１８との界面に応力が集中したとしても、その界面での応力は、柔軟性を有する低密度層１６Ｌが吸収することができる。このため、図１７の場合は、保護膜１６の最下層を低密度層１６Ｌで構成したことにより、折り曲げ時に保護膜１６と下地層１８との界面での剥離や、その界面を起点とした保護膜１６のクラックが生じるのを、抑制または防止することができる。従って、保護膜１６の信頼性を向上させることができ、ひいては、表示装置の信頼性を向上させることができる。また、保護膜１６の下地層１８となり得る膜（上記電極層１５、有機層１４、電極層１３あるいはパッシベーション膜１２など）の材料の選択の幅が広がるため、有機ＥＬ素子や有機ＥＬ表示装置を製造しやすくなり、また、有機ＥＬ素子や有機ＥＬ表示装置の性能向上を図ることができる。

また、図１７の場合は、保護膜１６は、低密度層１６Ｌに比べて水分に対するバリア性が高い（すなわち水分透過率が低い）高密度層１６Ｈを含んでおり、この高密度層１６Ｈにより、保護膜１６の水分に対するバリア性を確保することができる。このため、保護膜１６の水分保護膜としての機能を確保することができる。

次に、図１８の場合について説明する。図１８の場合は、保護膜１６は、高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌとの積層構造を有しており、最上層が低密度層１６Ｌとなっている。保護膜１６上に何らかの膜（ここでは絶縁膜１７）を形成する場合には、その膜の材質によっては、折り曲げ時に保護膜１６とその上の膜との界面に応力が集中し、保護膜１６とその上の膜との界面での剥離や、その界面を起点とした保護膜１６のクラックが生じる虞がある。それに対して、図１８の場合は、保護膜１６の最上層は、高密度層１６Ｈに比べて柔軟性が高い低密度層１６Ｌで構成されているため、折り曲げ時に保護膜１６とその上の膜との界面に応力が集中したとしても、その界面での応力は、柔軟性を有する低密度層１６Ｌが吸収することができる。このため、図１８の場合は、保護膜１６の最上層を低密度層１６Ｌで構成したことにより、折り曲げ時に保護膜１６とその上の膜との界面での剥離や、その界面を起点とした保護膜１６のクラックが生じるのを、抑制または防止することができる。従って、保護膜１６の信頼性を向上させることができ、ひいては、表示装置の信頼性を向上させることができる。また、保護膜１６上に形成する膜の材料の選択の幅が広がるため、有機ＥＬ表示装置を製造しやすくなり、また、有機ＥＬ表示装置の性能向上を図ることができる。

また、図１８の場合も、保護膜１６は、低密度層１６Ｌに比べて水分に対するバリア性が高い（すなわち水分透過率が低い）高密度層１６Ｈを含んでおり、この高密度層１６Ｈにより、保護膜１６の水分に対するバリア性を確保することができる。このため、保護膜１６の水分保護膜としての機能を確保することができる。

次に、図１９の場合について説明する。図１９の場合は、保護膜１６は、低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌとの積層構造を有しており、最下層が低密度層１６Ｌとなっており、かつ、最上層が低密度層１６Ｌとなっている。これにより、図１９の場合は、図１７を参照して説明した効果（利点）と図１８を参照して説明した効果（利点）との両方を得ることができる。

また、図１９の場合も、保護膜１６は、低密度層１６Ｌに比べて水分に対するバリア性が高い（すなわち水分透過率が低い）高密度層１６Ｈを含んでおり、この高密度層１６Ｈにより、保護膜１６の水分に対するバリア性を確保することができる。このため、保護膜１６の水分保護膜としての機能を確保することができる。

次に、図２０の場合について説明する。図２０の場合は、保護膜１６は、高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈとの積層構造を有しており、２つの高密度層１６Ｈの間に低密度層１６Ｌが介在した（挟まれた）構造を有している。高密度層１６Ｈの厚さが厚い場合は、折り曲げ時に高密度層１６Ｈ内に応力が発生し、その応力によって高密度層１６Ｈ内にクラックが発生する懸念がある。このため、全体が高密度層１６Ｈで構成された上記図２１に示される第１比較例の保護膜１１６の場合には、高密度層１６Ｈの厚さが厚くなることから、折り曲げ時に保護膜１１６内に応力が発生し、その応力によって保護膜１１６内にクラックが発生する懸念がある。それに対して、図２０の場合は、厚い一層の高密度層１６Ｈを用いるのではなく、その厚い一層の高密度層１６Ｈを２層の高密度層１６Ｈに分け、その２層の高密度層１６Ｈの間に低密度層１６Ｌを介在させている。このため、図２０の場合は、各高密度層１６Ｈの厚さを薄くすることができるため、各高密度層１６Ｈ内で発生する応力を抑制することができ、また、２層の高密度層１６Ｈの間に低密度層１６Ｌが介在していることで、柔軟性を有する低密度層１６Ｌが応力を吸収することができる。このため、図２０の場合は、保護膜１６において、２つの高密度層１６Ｈの間に低密度層１６Ｌを介在させたことにより、折り曲げ時に保護膜１６内でクラックが生じるのを、抑制または防止することができる。従って、保護膜１６の信頼性を向上させることができ、ひいては、表示装置の信頼性を向上させることができる。

また、図２０の場合も、保護膜１６は、低密度層１６Ｌに比べて水分に対するバリア性が高い（すなわち水分透過率が低い）高密度層１６Ｈを含んでおり、この高密度層１６Ｈにより、保護膜１６の水分に対するバリア性を確保することができる。このため、保護膜１６の水分保護膜としての機能を確保することができる。

保護膜１６が、一層以上の高密度層１６Ｈと高密度層１６Ｈよりも密度が低い一層以上の低密度層１６Ｌとからなり、かつ、低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈとが互いに接するように交互に積層された積層構造を有していることは、図１７〜図２０のいずれの場合にも共通である。図１７の場合の特徴は、保護膜１６における最下層が低密度層１６Ｌであることであり、これを第１の条件と称することとする。図１８の場合の特徴は、保護膜１６における最上層が低密度層１６Ｌであることであり、これを第２の条件と称することとする。図１９の場合の特徴は、保護膜１６における最下層が低密度層１６Ｌであり、かつ、保護膜１６における最上層が低密度層１６Ｌであることであり、第１の条件と第２の条件の両方を満たしている。図２０の場合の特徴は、保護膜１６が、低密度層１６Ｌを間に挟んで隣り合う一対（２つ）の高密度層１６Ｈを含んでいることであり、これを第３の条件と称することとする。この第３の条件は、保護膜１６が、２つの高密度層１６Ｈとその２つの高密度層１６Ｈの間に介在する低密度層１６Ｌとを有していることと、言い換えることもできる。

図２１に示される第１比較例の保護膜１１６の場合は、全体が高密度層１６Ｈで構成されているため、次に３つの不具合が生じる虞がある。すなわち、第１の不具合として、折り曲げ時に保護膜１１６と保護膜１１６の下地との界面に応力が集中し、保護膜１１６と保護膜１１６の下地との界面での剥離や、その界面を起点とした保護膜１１６のクラックが生じる虞がある。第２の不具合として、折り曲げ時に保護膜１１６とその上の膜との界面での剥離や、その界面を起点とした保護膜１１６のクラックが生じる虞がある。第３の不具合として、折り曲げ時に保護膜１１６内での応力に起因して保護膜１１６内にクラックが生じる虞がある。

それに対して、図１７の場合と図１９の場合は、第１の条件を満たし、保護膜１６の最下層を低密度層１６Ｌとしたことで、この低密度層１６Ｌを保護膜１６と下地層１８との間の緩衝層（応力緩衝層、応力緩和層）として機能させることができる。これにより、上記第１の不具合を改善することができる。また、図１８の場合と図１９の場合は、第２の条件を満たし、保護膜１６の最上層を低密度層１６Ｌとすることで、この低密度層１６Ｌを保護膜１６とその上の膜との間の緩衝層（応力緩衝層、応力緩和層）として機能させることができる。これにより、上記第２の不具合を改善することができる。また、図２０の場合は、第３の条件を満たし、２つの高密度層１６Ｈの間に低密度層１６Ｌを介在させているが、これは、高密度層１６Ｈの層中（厚さの途中）に低密度層１６Ｌを挿入した構造に対応している。図２０の場合は、高密度層１６Ｈの層中（厚さの途中）に低密度層１６Ｌを挿入し、この低密度層１６Ｌを緩衝層（応力緩衝層、応力緩和層）として機能させることができる。これにより、高密度層１６Ｈ内の応力を緩和することができ、上記第３の不具合を改善することができる。そして、図１７〜図２０のいずれの場合も、保護膜１６は、一層以上の高密度層１６Ｈを有しているため、保護膜１６の水分保護膜としての機能を確保することができる。なお、第１の不具合、第２の不具合および第３の不具合のいずれを改善することも、保護膜１６の信頼性を向上させ、ひいては、表示装置の信頼性を向上させることにつながる。

保護膜１６の積層構造は、図１７〜図２０の場合以外にも適用可能であり、その適用例を図２３〜図２７に示してある。図２３〜図２７は、保護膜１６の断面構造を示す断面図（説明図）であり、上記図１７〜図２２に対応するものである。

図２３の場合は、保護膜１６は、低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈとが下から順に積層された積層構造を有している。この図２３の保護膜１６は、図２０の保護膜１６において、下側の高密度層１６Ｈの下に、最下層として低密度層１６Ｌを追加した場合に対応している。つまり、図２３は、図２０の保護膜１６（第３の条件を満たす保護膜１６）に、図１７の特徴（第1の条件）を追加した場合に対応している。図２３の場合は、上記第１の条件と第３の条件とを満たしているため、上記第１の不具合と第３の不具合とを改善することができ、上記図１７を参照して説明した効果と、上記図２０を参照して説明した効果とを、得ることができる。

図２４の場合は、保護膜１６は、高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌとが下から順に積層された積層構造を有している。この図２４の保護膜１６は、図２０の保護膜１６において、上側の高密度層１６Ｈの上に、最上層として低密度層１６Ｌを追加した場合に対応している。つまり、図２４は、図２０の保護膜１６（第３の条件を満たす保護膜１６）に、図１８の特徴（第２の条件）を追加した場合に対応している。図２４の場合は、上記第２の条件と第３の条件とを満たしているため、上記第２の不具合と第３の不具合とを改善することができ、上記図１８を参照して説明した効果と、上記図２０を参照して説明した効果とを、得ることができる。

図２５の場合は、保護膜１６は、低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌとが下から順に積層された積層構造を有している。この図２５の保護膜１６は、図２０の保護膜１６において、下側の高密度層１６Ｈの下に、最下層として低密度層１６Ｌを追加し、かつ、上側の高密度層１６Ｈの上に、最上層として低密度層１６Ｌを追加した場合に対応している。つまり、図２５は、図２０の保護膜１６（第３の条件を満たす保護膜１６）に、図１７の特徴（第1の条件）と図１８の特徴（第２の条件）とを追加した場合に対応している。図２５の場合は、上記第１の条件と第２の条件と第３の条件とを満たしているため、上記第１の不具合と第２の不具合と第３の不具合とを改善することができ、上記図１７を参照して説明した効果と、上記図１８を参照して説明した効果と、上記図２０を参照して説明した効果とを、得ることができる。

図２６の場合は、保護膜１６は、高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈとが下から順に積層された積層構造を有している。また、図２７の場合は、保護膜１６は、高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈとが下から順に積層された積層構造を有している。

図２６の保護膜１６と図２７の保護膜１６とは、いずれも図２０の保護膜１６の変形例である。図２０の場合は、高密度層１６Ｈの層中（厚さの途中）に１つの低密度層１６Ｌを挿入した構造を保護膜１６に採用していたが、図２６の場合は、高密度層１６Ｈの層中（厚さの途中）に２つの低密度層１６Ｌを挿入した構造を保護膜１６に採用し、図２７の場合は、高密度層１６Ｈの層中（厚さの途中）に３つの低密度層１６Ｌを挿入した構造を保護膜１６に採用している。

図２６および図２７の場合も、図２０の場合と類似した効果を得ることができる。すなわち、高密度層１６Ｈの厚さが厚い場合は、折り曲げ時に高密度層１６Ｈ内に応力が発生し、その応力によって高密度層１６Ｈ内にクラックが発生する懸念がある。このため、全体が高密度層１６Ｈで構成された上記図２１に示される第１比較例の保護膜１１６の場合には、高密度層１６Ｈの厚さが厚くなることから、折り曲げ時に保護膜１１６内に応力が発生し、その応力によって保護膜１１６内にクラックが発生する懸念がある。それに対して、図２６の場合は、厚い一層の高密度層１６Ｈを用いるのではなく、その厚い一層の高密度層１６Ｈを３層の高密度層１６Ｈに分け、その３層の高密度層１６Ｈの間にそれぞれ低密度層１６Ｌを介在させている。また、図２７の場合は、厚い一層の高密度層１６Ｈを用いるのではなく、その厚い一層の高密度層１６Ｈを４層の高密度層１６Ｈに分け、その４層の高密度層１６Ｈの間にそれぞれ低密度層１６Ｌを介在させている。このため、図２６の場合や図２７の場合は、各高密度層１６Ｈの厚さを薄くすることができるため、各高密度層１６Ｈ内で発生する応力を抑制することができ、また、高密度層１６Ｈの間に低密度層１６Ｌ（緩衝層）が介在していることで、柔軟性を有する低密度層１６Ｌが応力を吸収することができる。図２６の場合や図２７の場合も、折り曲げ時に保護膜１６内でクラックが生じるのを、抑制または防止することができる。

なお、図２０の場合と図２６の場合と図２７の場合とを比べると、図２０の場合よりも図２６の場合の方が、また、図２６の場合よりも更に図２７の場合の方が、保護膜１６の厚さを薄くしなくとも、個々の高密度層１６Ｈの厚さを薄くすることができる。このため、折り曲げ時に保護膜１６内でクラックが生じるのを抑制または防止できる効果は、図２０の場合よりも図２６の場合の方が大きくなり、また、図２６の場合よりも図２７の場合の方が更に大きくなる。一方、図２０の場合と図２６の場合と図２７の場合とを比べると、保護膜１６の厚さが同じであれば、低密度層１６Ｌの合計の厚さは、図２０の場合よりも図２６の場合の方が厚くなり、また、図２６の場合よりも図２７の場合の方が更に厚くなる。このため、保護膜１６の水分のバリア性をできるだけ高くする、すなわち、保護膜１６の水分透過率をできるだけ低くするという観点では、図２７の場合よりも図２６の場合の方が有利であり、また、図２６の場合よりも更に図２０の場合の方が更に有利である。

また、図２０、図２６および図２７の保護膜１６の更なる変形例として、高密度層１６Ｈの層中（厚さの途中）に４層以上の低密度層１６Ｌを挿入した構造を保護膜１６に採用することもできる。

図２０、図２６および図２７の各保護膜１６を包括的に捉えると、上記第３の条件の代わりに、次の第４の条件を適用することができる。すなわち、第４の条件は、保護膜１６（保護膜１６を構成する積層構造）は、複数の高密度層１６Ｈと、それら複数の高密度層１６Ｈの相互間に介在する低密度層１６Ｌと、を含んでいることである。つまり、保護膜１６が複数の高密度層１６Ｈを含み、それら複数の高密度層１６Ｈの相互間に低密度層１６Ｌが介在していれば、第４の条件を満たすことになる。図２０、図２３、図２４、図２５、図２６および図２７の保護膜１６は、この第４の条件を満たしている。また、上記第３の条件を満たせば、必然的に第４の条件を満たすことになる。

すなわち、図２０の場合と図２３の場合と図２４の場合と図２５の場合とは、保護膜１６は、２層の高密度層１６Ｈとその２層の高密度層１６Ｈの間に介在する低密度層１６Ｌとを有しており、第４の条件を満たしている。図２６の場合は、保護膜１６は、３層の高密度層１６Ｈとその３層の高密度層１６Ｈの相互間に介在する低密度層１６Ｌとを有しており、第４の条件を満たしている。図２７の場合は、保護膜１６は、４層の高密度層１６Ｈとその４層の高密度層１６Ｈの相互間に介在する低密度層１６Ｌとを有しており、第４の条件を満たしている。保護膜１６が有する高密度層１６Ｈは、５層以上でもよく、その場合でも、その５層以上の高密度層１６Ｈの相互間に低密度層１６Ｌが介在しているため、第４の条件を満たしている。第４の条件を満たしていれば、各高密度層１６Ｈの厚さを薄くすることができるため、各高密度層１６Ｈ内で発生する応力を抑制することができ、また、上下に隣り合う高密度層１６Ｈの間に低密度層１６Ｌが介在していることで、柔軟性を有する低密度層１６Ｌが応力を吸収することができる。これにより、折り曲げ時に保護膜１６内でクラックが生じるのを、抑制または防止することができる。

また、図示はしないけれども、図２６の保護膜１６や図２７の保護膜１６において、第１の条件を満たすように、下側の高密度層１６Ｈの下に、最下層として低密度層１６Ｌを追加することもできる。また、図２６の保護膜１６や図２７の保護膜１６において、第２の条件を満たすように、上側の高密度層１６Ｈの上に、最上層として低密度層１６Ｌを追加することもできる。また、図２６の保護膜１６や図２７の保護膜１６において、第１の条件および第２の条件を満たすように、下側の高密度層１６Ｈの下に、最下層として低密度層１６Ｌを追加し、かつ、上側の高密度層１６Ｈの上に、最上層として低密度層１６Ｌを追加することもできる。図２６の保護膜１６や図２７の保護膜１６においても、第１の条件を満たす場合は、上記第１の不具合を改善して上記図１７を参照して説明した効果も得ることができ、また、第２の条件を満たす場合は、上記第２の不具合を改善して上記図１８を参照して説明した効果も得ることができる。

なお、保護膜１６が、一層以上の高密度層１６Ｈと一層以上の低密度層１６Ｌとからなり、かつ、低密度層１６Ｌと高密度層１６Ｈとが互いに接するように交互に積層された積層構造を有している場合には、これら第１の条件、第２の条件および第４の条件のうちの1つ以上を満たすことになる。例えば、保護膜１６が含む高密度層１６Ｈが一層の場合は、必然的に第１の条件および第２の条件の一方または両方を満たすが、第４の条件は満たさない。また、保護膜１６が含む高密度層１６Ｈが二層以上の場合は、必然的に第４の条件を満たす。

また、低密度層１６Ｌの密度は、高密度層１６Ｈの密度よりも低く、言い換えると、高密度層１６Ｈの密度は、低密度層１６Ｌの密度よりも高い。これにより、密度が高い高密度層１６Ｈにより、水分のバリア性を確保し、また、密度が低い低密度層１６Ｌを緩衝層（応力緩衝層、応力緩和層）として機能させることができる。このような高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌの機能を考慮すると、高密度層１６Ｈの密度と低密度層１６Ｌの密度とにある程度の差があることが好ましく、具体的には、低密度層１６Ｌの密度は、高密度層１６Ｈの密度の９５％以下であることが好ましい。すなわち、低密度層１６Ｌの密度をα１とし、高密度層１６Ｈの密度をα２とした場合には、α１／α２≦０．９５が成り立つことが好ましい。

また、低密度層１６Ｌの密度が低すぎると、低密度層１６Ｌの安定性が低くなる。このため、低密度層１６Ｌの密度は、高密度層１６Ｈの密度の８０％以上であることが好ましく、９０％以上であれば更に好ましい。すなわち、低密度層１６Ｌの密度をα１とし、高密度層１６Ｈの密度をα２とした場合には、α１／α２≧０．８が成り立つことが好ましく、α１／α２≧０．９が成り立つことが更に好ましい。

従って、低密度層１６Ｌの密度は、高密度層１６Ｈの密度の９５％以下でかつ８０％以上（すなわち０．８≦α１／α２≦０．９５）であることが好ましく、高密度層１６Ｈの密度の９５％以下でかつ９０％以上（すなわち０．９≦α１／α２≦０．９５）であれば更に好ましい。

また、保護膜１６の水分のバリア性は、主として高密度層１６Ｈで確保するため、高密度層１６Ｈは、できるだけ密度が高いことが好ましい。このため、高密度層１６Ｈは、欠陥（空孔）が少なく、理想的な結晶構造の膜（層）に近いことが好ましい。この観点で、高密度層１６Ｈおよび低密度層１６Ｌが酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）からなる場合は、その高密度層１６Ｈの密度は、３．０ｇ／ｃｍ^３かそれ以上であることが好ましい。また、高密度層１６Ｈおよび低密度層１６Ｌが酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなる場合は、その高密度層１６Ｈの密度は、２．２ｇ／ｃｍ^３かそれ以上であることが好ましい。また、高密度層１６Ｈおよび低密度層１６Ｌが窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる場合は、その高密度層１６Ｈの密度は、２．２ｇ／ｃｍ^３かそれ以上であることが好ましい。また、高密度層１６Ｈおよび低密度層１６Ｌが酸化チタン（ＴｉＯ_２）からなる場合は、その高密度層１６Ｈの密度は、３．１ｇ／ｃｍ^３かそれ以上であることが好ましい。また、高密度層１６Ｈおよび低密度層１６Ｌが酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）からなる場合は、その高密度層１６Ｈの密度は、５．２ｇ／ｃｍ^３かそれ以上であることが好ましい。

また、保護膜１６において、高密度層１６Ｈの厚さは、低密度層１６Ｌの厚さよりも厚いことが好ましい。その理由は、以下の通りである。

すなわち、低密度層１６Ｌよりも高密度層１６Ｈの方が、水分に対するバリア性が高い。このため、低密度層１６Ｌよりも高密度層１６Ｈの方が、単位厚さ当たりの水分の透過率は低くなる。そこで、本実施の形態では、高密度層１６Ｈの厚さを低密度層１６Ｌの厚さよりも厚くすることが好ましい。つまり、保護膜１６の厚さのうち、低密度層１６Ｌのそれぞれに配分する厚さよりも、高密度層１６Ｈのそれぞれに配分する厚さを大きくすることが好ましい。高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌのうち、単位厚さ当たりの水分の透過率が低い高密度層１６Ｈを厚くし、高密度層１６Ｈよりも単位厚さ当たりの水分の透過率が高い低密度層１６Ｌについては厚さを薄くしたことにより、保護膜１６の単位厚さ当たりの水分の透過率を低くすることができ、保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を高めることができる。これにより、保護膜１６の水分保護膜としての機能を高めることができ、保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を効率的に得ることができる。

つまり、保護膜１６の厚さを一定にした場合を仮定する。この場合、低密度層１６Ｌを厚くして、その分だけ高密度層１６Ｈを薄くすると、単位厚さ当たりの水分の透過率が低い高密度層１６Ｈの厚さが薄くなることを反映して、保護膜１６全体の水分の透過率が高くなってしまう。一方、低密度層１６Ｌを薄くして、その分だけ高密度層１６Ｈを厚くすると、単位厚さ当たりの水分の透過率が低い高密度層１６Ｈの厚さが厚くなることを反映して、保護膜１６全体の水分の透過率を低下させることができる。このため、保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を効率的に高めるためには、低密度層１６Ｌを薄くして、その分だけ高密度層１６Ｈを厚くすることが有効である。それゆえ、保護膜１６の厚さのうち、低密度層１６Ｌのそれぞれに配分厚さよりも高密度層１６Ｈのそれぞれに配分する厚さを大きくし、高密度層１６Ｈの厚さが低密度層１６Ｌの厚さよりも厚くなるようにすることが好ましい。図１７〜図２０および図２３〜図２７では、高密度層１６Ｈの厚さを、符号Ｔ１を付して厚さＴ１として示し、低密度層１６Ｌの厚さを、符号Ｔ２を付して厚さＴ２として示してあり、Ｔ１＞Ｔ２が成り立つことが好ましい。また、保護膜１６において、高密度層１６Ｈの厚さは、低密度層１６Ｌの厚さよりも厚い（Ｔ１＞Ｔ２）ことが好ましいが、高密度層１６Ｈの厚さが、低密度層１６Ｌの厚さの２倍以上（Ｔ１≧Ｔ２×２）であれば、更に好ましい。

高密度層１６Ｈの厚さを低密度層１６Ｌの厚さよりも厚くするには、高密度層１６Ｈを形成する際の上記第１〜第４ステップのサイクル数を、低密度層１６Ｌを形成する際の上記第１〜第４ステップのサイクル数よりも多くすればよい。また、高密度層１６Ｈを形成する際の上記第１〜第４ステップのサイクル数を、低密度層１６Ｌを形成する際の上記第１〜第４ステップのサイクル数の２倍以上にすれば、高密度層１６Ｈの厚さは、低密度層１６Ｌの厚さの２倍以上になる。

また、保護膜１６において、高密度層１６Ｈの厚さを低密度層１６Ｌの厚さよりも厚くすることが好ましいが、低密度層１６Ｌの厚さが薄すぎると、低密度層１６Ｌの緩衝層としての機能が小さくなり、折り曲げ時に保護膜１６にクラックが生じるのを抑制または防止する効果が小さくなってしまう虞がある。このため、低密度層１６Ｌの厚さは、２ｎｍ以上が好ましい。そうすることにより、低密度層１６Ｌの緩衝層（応力緩衝層、応力緩和層）としての機能を確保しやすくなり、折り曲げ時に保護膜１６にクラックが生じるのを抑制または防止する効果を、的確に得ることができる。例えば、低密度層１６Ｌが酸化アルミニウムからなる場合は、２ｎｍ以上の厚さの低密度層１６Ｌを形成するには、上記第１〜第４ステップを１３サイクル程度以上行ってその低密度層１６Ｌを形成すればよい。

また、上記パーティクル３１を保護膜１６によって保持し、パーティクル３１の脱落を的確に防止できるようにするためには、保護膜１６の厚さは、ある程度厚くすることが好ましく、具体的には、保護膜１６の厚さは、２０ｎｍ以上が好ましい。

また、保護膜の厚さを厚くすることは、折り曲げ時に保護膜にクラックが発生するリスクが増加することにつながるが、本実施の形態では、上述のように保護膜１６の積層構造を工夫することにより、折り曲げ時に保護膜１６にクラックが発生するのを抑制または防止することができる。このため、基板１１としてフレキシブル基板を用いるとともに、保護膜１６の厚さを、たとえ１００ｎｍ程度かそれ以上にしたとしても、本実施の形態の保護膜１６を適用することで、保護膜１６の折り曲げ耐性を確保することができ、折り曲げに伴い保護膜１６にクラックが発生するのを抑制または防止することができる。このため、保護膜１６の厚さが厚い場合、例えば保護膜１６の厚さが１００ｎｍ以上の場合に、本実施の形態を適用すれば、その効果は極めて大きい。また、保護膜１６の厚さが１００ｎｍ以上であれば、パーティクル３１の直径がたとえ１μｍ程度かそれ以上であっても、そのパーティクル３１が脱落するのを、保護膜１６によって的確に防ぐことができる。

また、保護膜１６は、ＡＬＤ法で形成され、すなわち、保護膜１６を構成する高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌとは、いずれもＡＬＤ法により形成される。ＡＬＤ法を用いる理由は、上記図１４〜図１６を参照して上記「検討の経緯について」の欄で説明した通りである。有機ＥＬ素子（特に有機層１４）は高温に弱いため、保護膜１６の成膜温度、すなわち高密度層１６Ｈおよび低密度層１６Ｌの各成膜温度は、有機ＥＬ素子（特に有機層１４）に悪影響を及ぼさないように、比較的低温であることが好ましく、具体的には、１００℃以下であることが好ましく、例えば８０℃程度とすることができる。このため、保護膜１６の材料は、水分保護膜としての機能が優れていることと、ＡＬＤ法を用いて比較的低温度での成膜が可能であることとを考慮して、選択することが望ましい。なお、保護膜１６の材料とは、保護膜１６を構成する高密度層１６Ｈおよび低密度層１６Ｌの材料のことである。この観点で、保護膜１６の材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウムまたは窒化アルミニウムを好適に用いることができるが、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウムまたは窒化アルミニウムが特に好ましく、その中でも、酸化アルミニウムが最も好ましい。

酸化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜または窒化アルミニウム膜（その中でも特に酸化アルミニウム膜）は、低い成膜温度でもＡＬＤ法を用いて緻密な膜を形成しやすい。このため、保護膜１６の材料として、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウムまたは窒化アルミニウム（その中でも特に酸化アルミニウム）を用いれば、低い成膜温度でもＡＬＤ法を用いて高い密度を有する高密度層１６Ｈを容易かつ的確に形成することができる。

また、本実施の形態とは異なり、高密度層１６Ｈに相当するものと、低密度層１６Ｌに相当するものとが、異なる材料により構成されている場合を仮定する。この場合、高密度層１６Ｈに相当するものを形成するためのチャンバ（成膜容器）と、低密度層１６Ｌに相当するものを形成するチャンバ（成膜容器）とを、別々に用意する必要があり、従って、保護膜の形成工程の途中で処理対象物をチャンバ間で移動させる必要がある。この場合、保護膜を形成するのに要する時間が長くなり、スループットが低下してしまう。

それに対して、本実施の形態では、保護膜１６において、高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌとは、密度は相違するが、構成元素は、互いに同じである。すなわち、保護膜１６を構成する全ての層は、構成元素が同じであり、同じ材料により構成されている。このため、保護膜１６を構成する全ての高密度層１６Ｈおよび低密度層１６Ｌは、同じ成膜装置２１の同じチャンバ２２（成膜容器）内で連続的に形成することができる。すなわち、保護膜１６の形成を開始する段階から保護膜１６の形成を終了するまで、言い換えると、保護膜１６の最下層の形成を開始する段階から、保護膜１６の最上層の形成を終了するまでの間、処理対象物２３は、上記成膜装置２１の上記チャンバ２２内に配置されており、従って、大気中にはさらされない。本実施の形態では、保護膜１６を構成する全ての層を、同じチャンバ（２２）内で連続的に形成することができるため、保護膜１６の形成に要する時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。

＜高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌの形成工程について＞
高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌとは、いずれもＡＬＤ法を用いて形成するが、ＡＬＤ法で、高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌとを作り分ける手法（第１の手法、第２の手法および第３の手法）について、以下に説明する。

ＡＬＤ法は、上記「ＡＬＤ法による成膜について」の欄で説明したように、第１ステップ（原料ガス供給ステップ）と第２ステップ（パージステップ）と第３ステップ（反応ガス供給ステップ）と第４ステップ（パージステップ）とを１サイクルとして、これを複数サイクル繰り返すことで、処理対象物２３の表面上に、所望の膜を形成する手法である。高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌとは、いずれも、第１ステップ、第２ステップ、第３ステップおよび第４ステップを、複数サイクル繰り返すことにより、形成される。上述したように、第１ステップは、チャンバ２２（成膜容器）内に原料ガスを供給する工程であり、第２ステップは、チャンバ２２内にパージガスを供給する工程であり、第３ステップは、チャンバ２２内に反応ガスを供給する工程であり、第４ステップは、チャンバ２２内にパージガスを供給する工程である。

高密度層１６Ｈを形成する際と、低密度層１６Ｌを形成する際とで、第１ステップで使用される原料ガスの種類は共通（同じ）である。また、高密度層１６Ｈを形成する際と、低密度層１６Ｌを形成する際とで、第２ステップで使用されるパージガスの種類は共通（同じ）である。また、高密度層１６Ｈを形成する際と、低密度層１６Ｌを形成する際とで、第３ステップで使用される反応ガスの種類は共通（同じ）である。また、高密度層１６Ｈを形成する際と、低密度層１６Ｌを形成する際とで、第４ステップで使用されるパージガスの種類は共通（同じ）である。本実施の形態では、高密度層１６Ｈを形成する際と低密度層１６Ｌを形成する際とで、第１ステップで使用される原料ガスの種類を共通にし、かつ、第３ステップで使用される反応ガスの種類を共通にしているため、高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌとは、構成元素が互いに同じになる。

本実施の形態では、プラズマＡＬＤ装置（プラズマＡＬＤ法）を用いて保護膜１６を形成しており、第３ステップでは、高周波電力により反応ガスがプラズマ化される。

高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌとを作り分ける第１の手法は、第３ステップの高周波電力の大きさを制御する手法であり、これについて、まず説明する。

プラズマＡＬＤ装置を用いた成膜工程では、形成した膜の密度は、第３ステップ（反応ガス供給ステップ）において、反応ガスをプラズマ化するための高周波電力（ここでは上部電極２５に印加される高周波電力）の大きさによって、制御することができる。具体的には、第３ステップの高周波電力を大きくすると、形成される膜の密度が高くなり、第３ステップの高周波電力を小さくすると、形成される膜の密度が低くなる傾向にある。なお、第３ステップの高周波電力をある程度以上大きくすると、形成される膜は、欠陥（空孔）が少なく、理想的な結晶構造の膜（層）に近くなるため、形成される膜の密度は、ほぼ一定になる。なお、第３ステップにおける、反応ガスをプラズマ化するための高周波電力（ここでは上部電極２５に印加される高周波電力）を、「第３ステップにおける高周波電力」または「第３ステップの高周波電力」と称することとする。

すなわち、第３ステップでは、チャンバ２２内に導入した反応ガスを、処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子と反応させるが、反応ガスの反応性（反応活性）を高めるために、反応ガスをプラズマ化して、処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子と反応させ、それによって、処理対象物２３の表面に反応層である原子層を形成する。第３ステップの高周波電力を大きくした場合は、生成されるプラズマ（活性種）と処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子との反応性が高くなる。このため、第３ステップの高周波電力を大きくした条件で、第１ステップ、第２ステップ、第３ステップおよび第４ステップを複数サイクル繰り返すと、生成された膜は、欠陥（空孔）が少なく、理想的な結晶構造の膜（層）に近い高密度の膜になる。一方、第３ステップの高周波電力を小さくした場合は、生成されるプラズマ（活性種）と処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子との反応性が低くなる。このため、第３ステップの高周波電力を小さくした条件で、第１ステップ、第２ステップ、第３ステップおよび第４ステップを複数サイクル繰り返すと、生成された膜は、欠陥（空孔）が多く、理想的な結晶構造の膜（層）に比べて密度が低い膜になってしまう。

このため、第１の手法として、高密度層１６Ｈを形成する際の第３ステップの高周波電力（上部電極２５に印加される高周波電力）の大きさよりも、低密度層１６Ｌを形成する際の第３ステップの高周波電力（上部電極２５に印加される高周波電力）の大きさを、小さくする。

この第１の手法の場合、高密度層１６Ｈを形成する際には、第３ステップの高周波電力を大きくすることで、反応ガス（プラズマ）と処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子とを十分に反応させる。一方、低密度層１６Ｌを形成する際には、第３ステップの高周波電力を小さくすることで、反応ガス（プラズマ）と処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子との反応をわざと抑制する。これにより、高密度層１６Ｈの密度よりも低密度層１６Ｌの密度を低くすることができる。

例えば、高密度層１６Ｈを形成する際の第３ステップ（上記ステップＳ６Ｈの第３ステップ）において、上部電極２５に印加される高周波電力を１５００Ｗ（ワット）、その高周波電力の印加時間を１秒とする。そして、低密度層１６Ｌを形成する際の第３ステップ（上記ステップＳ６Ｌの第３ステップ）において、上部電極２５に印加される高周波電力を３００Ｗ、その高周波電力の印加時間を１秒とする。高周波電力の周波数は、ステップＳ６ＨとステップＳ６Ｌとで、共通の１３．５６ＭＨｚとする。これにより、第１ステップ、第２ステップ、第３ステップ（但し高周波電力は１５００Ｗ）および第４ステップを複数サイクル繰り返して形成された高密度層１６Ｈの密度よりも、第１ステップ、第２ステップ、第３ステップ（但し高周波電力は３００Ｗ）および第４ステップを複数サイクル繰り返して形成された低密度層１６Ｌの密度を、低くすることができる。

次に、高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌとを作り分ける第２の手法は、第３ステップの高周波電力の印加時間を制御する手法であり、これについて説明する。

ＡＬＤ法を用いた成膜工程では、形成した膜の密度は、第３ステップの高周波電力の印加時間によっても、制御することができる。具体的には、第３ステップの高周波電力の印加時間を長くすると、形成される膜の密度が高くなり、第３ステップの高周波電力の印加時間を短くすると、形成される膜の密度が低くなる傾向にある。これは、第３ステップにおいて、高周波電力の印加時間を長くした場合は、生成されるプラズマ（活性種）と処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子との反応が十分に行われるようになり、周波電力の印加時間を短くした場合には、生成されるプラズマと処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子との反応が十分には行われなくなるからである。なお、高周波電力の印加時間をある程度以上長くすると、形成される膜は、欠陥（空孔）が少なく、理想的な結晶構造の膜（層）に近くなるため、形成される膜の密度は、ほぼ一定になる。

このため、第２の手法として、高密度層１６Ｈを形成する際の第３ステップの高周波電力の印加時間よりも、低密度層１６Ｌを形成する際の第３ステップの高周波電力の印加時間を短くする。

この第２の手法の場合、高密度層１６Ｈを形成する際には、第３ステップの高周波電力の印加時間を長くすることで、反応ガス（プラズマ）と処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子とを十分に反応させる。一方、低密度層１６Ｌを形成する際には、第３ステップの高周波電力の印加時間を短くすることで、反応ガス（プラズマ）と処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子との反応をわざと抑制する。これにより、高密度層１６Ｈの密度よりも低密度層１６Ｌの密度を低くすることができる。

例えば、高密度層１６Ｈを形成する際の第３ステップ（上記ステップＳ６Ｈの第３ステップ）において、上部電極２５に印加される高周波電力を１５００Ｗ、その高周波電力の印加時間を１秒とする。そして、低密度層１６Ｌを形成する際の第３ステップ（上記ステップＳ６Ｌの第３ステップ）において、上部電極２５に印加される高周波電力を１５００Ｗ、その高周波電力の印加時間を０．１秒とする。高周波電力の周波数は、ステップＳ６ＨとステップＳ６Ｌとで、共通の１３．５６ＭＨｚとする。これにより、第１ステップ、第２ステップ、第３ステップ（但し高周波電力の印加時間は１秒）および第４ステップを複数サイクル繰り返して形成された高密度層１６Ｈの密度よりも、第１ステップ、第２ステップ、第３ステップ（但し高周波電力の印加時間は０．１秒）および第４ステップを複数サイクル繰り返して形成された低密度層１６Ｌの密度を、低くすることができる。

次に、高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌとを作り分ける第３の手法は、第３ステップの高周波電力の周波数を制御する手法であり、これについて説明する。

ＡＬＤ法を用いた成膜工程では、形成した膜の密度は、第３ステップの高周波電力の周波数によっても、制御することができる。具体的には、第３ステップの高周波電力の周波数を高くすると、形成される膜の密度が高くなり、第３ステップの高周波電力の周波数を低くすると、形成される膜の密度が低くなる傾向にある。これは、第３ステップにおいて、高周波電力の周波数を高くした場合は、生成されるプラズマ（活性種）と処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子との反応が十分に行われるようになり、周波電力の印加時間を低くした場合には、生成されるプラズマと処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子との反応が十分には行われなくなるからである。なお、第３ステップの高周波電力の周波数をある程度以上高くすると、形成される膜は、欠陥（空孔）が少なく、理想的な結晶構造の膜（層）に近くなるため、形成される膜の密度は、ほぼ一定になる。

このため、第３の手法として、高密度層１６Ｈを形成する際の第３ステップの高周波電力の周波数よりも、低密度層１６Ｌを形成する際の第３ステップの高周波電力の周波数を低くする。

この第３の手法の場合、高密度層１６Ｈを形成する際には、第３ステップの高周波電力の周波数を高くすることで、反応ガス（プラズマ）と処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子とを十分に反応させる。一方、低密度層１６Ｌを形成する際には、第３ステップの高周波電力の周波数を低くすることで、反応ガス（プラズマ）と処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子との反応をわざと抑制する。これにより、高密度層１６Ｈの密度よりも低密度層１６Ｌの密度を低くすることができる。

一例を挙げれば、高密度層１６Ｈを形成する際の第３ステップ（上記ステップＳ６Ｈの第３ステップ）において、上部電極２５に印加される高周波電力の周波数を２７．２１ＭＨｚとし、低密度層１６Ｌを形成する際の第３ステップ（上記ステップＳ６Ｌの第３ステップ）において、上部電極２５に印加される高周波電力の周波数を１３．５６ＭＨｚとすることができる。

これら第１の手法、第２の手法および第３の手法のうち、第３の手法を採用する場合は、高密度層１６Ｈを形成する際の第３ステップの高周波電力を供給するための高周波電源と、低密度層１６Ｌを形成する際の第３ステップの高周波電力を供給するための高周波電源との、合計２つの高周波電源を上記成膜装置２１に設ける必要がある。

それに対して、第１の手法および第２の手法では、高密度層１６Ｈを形成する際の第３ステップの高周波電力の周波数と、低密度層１６Ｌを形成する際の第３ステップの高周波電力の周波数とを同じにすることができる。このため、第１の手法および第２の手法では、高密度層１６Ｈを形成する際の第３ステップの高周波電力を供給するための高周波電源と、低密度層１６Ｌを形成する際の第３ステップの高周波電力を供給するための高周波電源とを共通化することができ、上記成膜装置２１には、１つの高周波電源２９を設ければよい。このため、成膜装置２１の構造を単純化することができ、また、成膜装置２１の製造コストを抑制することができ、ひいては、有機ＥＬ表示装置の製造コストを抑制することができる。

また、第１の手法、第２の手法および第３の手法のうち、高密度層１６Ｈの密度と低密度層１６Ｌの密度との差を最も確保しやすいのは、第１の手法である。このため、高密度層１６Ｈと低密度層１６Ｌとを作り分ける手法として、第１の手法を採用することが、特に好ましい。第１の手法を採用し、高密度層１６Ｈを形成する際の第３ステップの高周波電力の大きさよりも、低密度層１６Ｌを形成する際の第３ステップの高周波電力の大きさを小さくすることにより、高密度層１６Ｈの密度と低密度層１６Ｌの密度との差を容易かつ的確に確保することができ、高密度層１６Ｈの密度よりも低密度層１６Ｌの密度を、容易かつ的確に低くすることができる。

また、変形例として、第１の手法、第２の手法および第３の手法のうちの任意のものを組み合わせることもできる。例えば、第１の手法と第２の手法とを組み合わせることもでき、その場合は、高密度層１６Ｈを形成する際の第３ステップの高周波電力の大きさよりも、低密度層１６Ｌを形成する際の第３ステップの高周波電力の大きさを小さくし、かつ、高密度層１６Ｈを形成する際の第３ステップの高周波電力の印加時間よりも、低密度層１６Ｌを形成する際の第３ステップの高周波電力の印加時間を短くする。なお、第１の手法と第２の手法とを組み合わせた場合も、高密度層１６Ｈを形成する際の第３ステップの高周波電力を供給するための高周波電源と、低密度層１６Ｌを形成する際の第３ステップの高周波電力を供給するための高周波電源とを共通化することができる。

第１の手法と第２の手法とを組み合わせた場合の一例を挙げれば、高密度層１６Ｈを形成する際の第３ステップにおいて、上部電極２５に印加される高周波電力を１５００Ｗ、その高周波電力の印加時間を１秒とし、低密度層１６Ｌを形成する際の第３ステップにおいて、上部電極２５に印加される高周波電力を３００Ｗ、その高周波電力の印加時間を０．１秒とする。高密度層１６Ｈを形成する際の第３ステップと低密度層１６Ｌを形成する際の第３ステップとで、高周波電力の周波数は同じにする。これにより、第１ステップ、第２ステップ、第３ステップおよび第４ステップを複数サイクル繰り返して形成された高密度層１６Ｈの密度よりも、第１ステップ、第２ステップ、第３ステップおよび第４ステップを複数サイクル繰り返して形成された低密度層１６Ｌの密度を、より的確に低くすることができる。

上述のように、フレキシブル基板を用いた有機ＥＬ表示装置用の保護膜は、水分に対するバリア性と、折り曲げに対する耐性とが求められる。そこで、本実施の形態では、水分バリア層（ここでは高密度層１６Ｈ）と応力緩和層（ここでは低密度層１６Ｌ）とを交互に積層して保護膜（１６）を形成することで、その保護膜の水分防止機能を確保しながら、その保護膜の折り曲げ耐性を向上させることができる。そして、水分バリア層（ここでは高密度層１６Ｈ）の構成元素と応力緩和層（ここでは低密度層１６Ｌ）の構成元素とを同じにするとともに、密度を制御することにより、水分バリア層（ここでは高密度層１６Ｈ）と応力緩和層（ここでは低密度層１６Ｌ）とを作り分けている。これにより、保護膜（１６）の形成に要する時間を短縮でき、スループットを向上できる。保護膜（１６）をＡＬＤ法により形成することで、パーティクル３１の脱落に伴う不具合を防止できるとともに、ＡＬＤ法としてプラズマＡＬＤ法を用い、プラズマを生成するための高周波電力（第３ステップの高周波電力）を制御することで、保護膜の密度を制御し、水分バリア層（ここでは高密度層１６Ｈ）と応力緩和層（ここでは低密度層１６Ｌ）とを容易かつ的確に作り分けることができる。

以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

１ 表示装置
２ 表示部
３ 回路部
９ ガラス基板
１０ 基板
１１ 基板
１２ パッシベーション膜
１３，１５ 電極層
１３ａ，１５ａ 電極
１４ 有機層
１６，３２，３３，１１６，２１６ 保護膜
１６Ｈ 高密度層
１６Ｌ 低密度層
１７ 樹脂膜
２１ 成膜装置
２２ チャンバ
２３ 処理対象物
２４ ステージ
２５ 上部電極
２６ 排気部
２７ ガス導入部
２８ ガス排出部
２９ 高周波電源
３１ パーティクル
３２，３３ 保護膜
Ｔ１，Ｔ２ 厚さ

Claims (13)

1. 以下の工程を含む、有機ＥＬ素子を有する表示装置の製造方法：
   （ａ）フレキシブル基板上に前記有機ＥＬ素子を形成する工程；
   （ｂ）前記有機ＥＬ素子を覆うように、無機絶縁材料からなる保護膜をプラズマＡＬＤ法を用いて形成する工程；
   ここで、前記（ｂ）工程では、
   （ｃ）高密度層を、プラズマＡＬＤ法を用いて形成する工程、
   （ｄ）前記（ｃ）工程の前または後に、前記高密度層と構成元素が同じで、かつ、前記高密度層よりも密度が低い低密度層を、プラズマＡＬＤ法を用いて形成する工程、
   を交互に行うことにより前記保護膜が形成され、
   前記保護膜は、一層以上の前記高密度層と一層以上の前記低密度層とからなり、かつ、前記低密度層と前記高密度層とが互いに接するように交互に積層された積層構造を有し、
   前記積層構造の最上層は前記低密度層からなる、表示装置の製造方法。
2. 以下の工程を含む、有機ＥＬ素子を有する表示装置の製造方法：
   （ａ）フレキシブル基板上に前記有機ＥＬ素子を形成する工程；
   （ｂ）前記有機ＥＬ素子を覆うように、無機絶縁材料からなる保護膜をＡＬＤ法を用いて形成する工程；
   ここで、前記（ｂ）工程では、
   （ｃ）高密度層を、ＡＬＤ法を用いて形成する工程、
   （ｄ）前記（ｃ）工程の前または後に、前記高密度層と構成元素が同じで、かつ、前記高密度層よりも密度が低い低密度層を、ＡＬＤ法を用いて形成する工程、
   を交互に行うことにより前記保護膜が形成され、
   前記保護膜は、一層以上の前記高密度層と一層以上の前記低密度層とからなり、かつ、前記低密度層と前記高密度層とが互いに接するように交互に積層された積層構造を有し、
   前記（ｂ）工程では、前記有機ＥＬ素子が形成された前記フレキシブル基板が成膜装置の成膜容器内に配置された状態で、前記保護膜が形成され、
   前記（ｃ）工程では、
   （ｃ１）前記成膜容器内に第１原料ガスを供給する工程、
   （ｃ２）前記（ｃ１）工程後、前記成膜容器内に第１パージガスを供給する工程、
   （ｃ３）前記（ｃ２）工程後、前記成膜容器内に第１反応ガスを供給する工程、
   （ｃ４）前記（ｃ３）工程後、前記成膜容器内に第２パージガスを供給する工程、
   を複数サイクル繰り返すことにより、前記高密度層が形成され、
   前記（ｄ）工程では、
   （ｄ１）前記成膜容器内に第２原料ガスを供給する工程、
   （ｄ２）前記（ｄ１）工程後、前記成膜容器内に第３パージガスを供給する工程、
   （ｄ３）前記（ｄ２）工程後、前記成膜容器内に第２反応ガスを供給する工程、
   （ｄ４）前記（ｄ３）工程後、前記成膜容器内に第４パージガスを供給する工程、
   を複数サイクル繰り返すことにより、前記低密度層が形成され、
   前記第１原料ガスと前記第２原料ガスとは、同種のガスであり、
   前記第１反応ガスと前記第２反応ガスとは、同種のガスであり、
   前記（ｃ３）工程では、第１高周波電力により前記第１反応ガスがプラズマ化され、
   前記（ｄ３）工程では、第２高周波電力により前記第２反応ガスがプラズマ化され、
   前記第２高周波電力は、前記第１高周波電力よりも小さい、表示装置の製造方法。
3. 以下の工程を含む、有機ＥＬ素子を有する表示装置の製造方法：
   （ａ）フレキシブル基板上に前記有機ＥＬ素子を形成する工程；
   （ｂ）前記有機ＥＬ素子を覆うように、無機絶縁材料からなる保護膜をＡＬＤ法を用いて形成する工程；
   ここで、前記（ｂ）工程では、
   （ｃ）高密度層を、ＡＬＤ法を用いて形成する工程、
   （ｄ）前記（ｃ）工程の前または後に、前記高密度層と構成元素が同じで、かつ、前記高密度層よりも密度が低い低密度層を、ＡＬＤ法を用いて形成する工程、
   を交互に行うことにより前記保護膜が形成され、
   前記保護膜は、一層以上の前記高密度層と一層以上の前記低密度層とからなり、かつ、前記低密度層と前記高密度層とが互いに接するように交互に積層された積層構造を有し、
   前記（ｂ）工程では、前記有機ＥＬ素子が形成された前記フレキシブル基板が成膜装置の成膜容器内に配置された状態で、前記保護膜が形成され、
   前記（ｃ）工程では、
   （ｃ１）前記成膜容器内に第１原料ガスを供給する工程、
   （ｃ２）前記（ｃ１）工程後、前記成膜容器内に第１パージガスを供給する工程、
   （ｃ３）前記（ｃ２）工程後、前記成膜容器内に第１反応ガスを供給する工程、
   （ｃ４）前記（ｃ３）工程後、前記成膜容器内に第２パージガスを供給する工程、
   を複数サイクル繰り返すことにより、前記高密度層が形成され、
   前記（ｄ）工程では、
   （ｄ１）前記成膜容器内に第２原料ガスを供給する工程、
   （ｄ２）前記（ｄ１）工程後、前記成膜容器内に第３パージガスを供給する工程、
   （ｄ３）前記（ｄ２）工程後、前記成膜容器内に第２反応ガスを供給する工程、
   （ｄ４）前記（ｄ３）工程後、前記成膜容器内に第４パージガスを供給する工程、
   を複数サイクル繰り返すことにより、前記低密度層が形成され、
   前記第１原料ガスと前記第２原料ガスとは、同種のガスであり、
   前記第１反応ガスと前記第２反応ガスとは、同種のガスであり、
   前記（ｃ３）工程では、第１高周波電力により前記第１反応ガスがプラズマ化され、
   前記（ｄ３）工程では、第２高周波電力により前記第２反応ガスがプラズマ化され、
   前記（ｄ３）工程における前記第２高周波電力の印加時間は、前記（ｃ３）工程における前記第１高周波電力の印加時間よりも短い、表示装置の製造方法。
4. 以下の工程を含む、有機ＥＬ素子を有する表示装置の製造方法：
   （ａ）フレキシブル基板上に前記有機ＥＬ素子を形成する工程；
   （ｂ）前記有機ＥＬ素子を覆うように、無機絶縁材料からなる保護膜をＡＬＤ法を用いて形成する工程；
   ここで、前記（ｂ）工程では、
   （ｃ）高密度層を、ＡＬＤ法を用いて形成する工程、
   （ｄ）前記（ｃ）工程の前または後に、前記高密度層と構成元素が同じで、かつ、前記高密度層よりも密度が低い低密度層を、ＡＬＤ法を用いて形成する工程、
   を交互に行うことにより前記保護膜が形成され、
   前記保護膜は、一層以上の前記高密度層と一層以上の前記低密度層とからなり、かつ、前記低密度層と前記高密度層とが互いに接するように交互に積層された積層構造を有し、
   前記（ｂ）工程では、前記有機ＥＬ素子が形成された前記フレキシブル基板が成膜装置の成膜容器内に配置された状態で、前記保護膜が形成され、
   前記（ｃ）工程では、
   （ｃ１）前記成膜容器内に第１原料ガスを供給する工程、
   （ｃ２）前記（ｃ１）工程後、前記成膜容器内に第１パージガスを供給する工程、
   （ｃ３）前記（ｃ２）工程後、前記成膜容器内に第１反応ガスを供給する工程、
   （ｃ４）前記（ｃ３）工程後、前記成膜容器内に第２パージガスを供給する工程、
   を複数サイクル繰り返すことにより、前記高密度層が形成され、
   前記（ｄ）工程では、
   （ｄ１）前記成膜容器内に第２原料ガスを供給する工程、
   （ｄ２）前記（ｄ１）工程後、前記成膜容器内に第３パージガスを供給する工程、
   （ｄ３）前記（ｄ２）工程後、前記成膜容器内に第２反応ガスを供給する工程、
   （ｄ４）前記（ｄ３）工程後、前記成膜容器内に第４パージガスを供給する工程、
   を複数サイクル繰り返すことにより、前記低密度層が形成され、
   前記第１原料ガスと前記第２原料ガスとは、同種のガスであり、
   前記第１反応ガスと前記第２反応ガスとは、同種のガスであり、
   前記（ｃ３）工程では、第１高周波電力により前記第１反応ガスがプラズマ化され、
   前記（ｄ３）工程では、第２高周波電力により前記第２反応ガスがプラズマ化され、
   前記第２高周波電力の周波数は、前記第１高周波電力の周波数よりも低い、表示装置の製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法において、
   前記（ｃ）工程で形成される前記高密度層と、前記（ｄ）工程で形成される前記低密度層とは、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウムまたは窒化アルミニウムからなる、表示装置の製造方法。
6. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法において、
   前記（ｃ）工程で形成される前記高密度層と、前記（ｄ）工程で形成される前記低密度層とは、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウムまたは窒化アルミニウムからなる、表示装置の製造方法。
7. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法において、
   前記（ｄ）工程で形成される前記低密度層の密度は、前記（ｃ）工程で形成される前記高密度層の密度の９５％以下である、表示装置の製造方法。
8. 請求項７記載の表示装置の製造方法において、
   前記（ｄ）工程で形成される前記低密度層の密度は、前記（ｃ）工程で形成される前記高密度層の密度の８０％以上である、表示装置の製造方法。
9. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法において、
   前記（ｃ）工程で形成される前記高密度層の厚さは、前記（ｄ）工程で形成される前記低密度層の厚さよりも厚い、表示装置の製造方法。
10. 請求項９記載の表示装置の製造方法において、
    前記（ｄ）工程で形成される前記低密度層の厚さは、２ｎｍ以上である、表示装置の製造方法。
11. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法において、
    前記（ｂ）工程後に、
    （ｅ）前記保護膜上に樹脂膜を形成する工程、
    を更に含む、表示装置の製造方法。
12. 請求項１記載の表示装置の製造方法において、
    前記積層構造の最下層は前記低密度層からなる、表示装置の製造方法。
13. 請求項１記載の表示装置の製造方法において、
    前記積層構造は、複数の前記高密度層と、前記複数の高密度層の相互間に介在する前記低密度層とを含んでいる、表示装置の製造方法。

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