JP6820089B2 - 表示パネル - Google Patents

Description

本発明の一態様は、様々な機能を発現する機能素子を有する機能パネルに関する。特に、発光パネル、表示パネル、及びセンサパネルに関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置、撮像装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む）、及び電子機器は半導体装置の一態様である。

液晶素子が適用された表示装置が知られている。また、そのほかにも有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子や、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子を備える発光装置、電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパなども、表示装置の一例として挙げることができる。

例えば、有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟持したものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。

特許文献１には、有機ＥＬ素子が適用されたフレキシブルな発光装置が開示されている。

特開２０１４−１９７５２２号公報

本発明の一態様は、信頼性の高い表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル等をはじめとした機能パネルを提供することを課題の一とする。または、水などの不純物による劣化が抑制された機能パネルを提供することを課題の一とする。または、端子部の電気的な不具合が抑制された機能パネルを提供することを課題の一とする。または、新規な機能パネル、発光パネル、表示パネル、センサパネル、タッチパネル、または電子機器等を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明細書等の記載から抽出することが可能である。

本発明の一態様は、第１の基板と、第２の基板と、接合層と、機能素子と、保護層と、端子と、を備える機能パネルである。接合層は、第１の基板と第２の基板との間に位置する。機能素子は、第１の基板、第２の基板、及び接合層に囲まれるように設けられる。端子は、機能素子と電気的に接続し、且つ、第１の基板及び第２の基板の一方と重ならないように設けられる。保護層は、第１の基板の側面、第２の基板の側面、及び接合層の露出した面に接して設けられる。端子は、その表面の一部が保護層に覆われずに露出している。

また、上記において、端子は、その露出した表面の一部に水素よりもイオン化傾向の低い材料を有することが好ましい。このとき、当該材料は、パラジウム、イリジウム、金、または白金であることが好ましい。

また、上記において、保護層は、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化スズインジウム、酸化タンタル、酸化シリコン、酸化マンガン、酸化ニッケル、酸化エルビウム、酸化コバルト、酸化テルル、チタン酸バリウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化アルミニウム、窒化タングステン、窒化コバルト、窒化マンガン、及び窒化ハフニウムから選ばれた少なくとも一を含むことが好ましい。

また、上記において、端子は、第１の層と、当該第１の層上に第２の層が積層された積層構造を有することが好ましい。このとき、第２の層の表面の一部が露出し、第２の層は、第１の層に含まれる材料よりもイオン化傾向の低い材料を有することが好ましい。またこのとき、第２の層は、パラジウム、イリジウム、金、または白金を含むことが好ましい。

また、上記において、第１の基板、及び第２の基板は、可撓性を有することが好ましい。

また、上記において、端子と電気的に接続するＦＰＣを有することが好ましい。

また、本発明の他の一態様は、上記機能パネルを有し、上記機能素子が、発光素子を備える発光パネルである。また、本発明の他の一態様は、上記機能パネルを有し、上記機能素子が、表示素子を備える表示パネルである。また、本発明の他の一態様は、上記機能パネルを有し、上記機能素子が、表示素子とトランジスタとを備える表示パネルである。また本発明の他の一態様は、上記機能パネルを有し、上記機能素子が、センサ素子を備えるセンサパネルである。

本発明の一態様によれば、信頼性の高い機能パネルを提供できる。または、水などの不純物による劣化が抑制された機能パネルを提供できる。または、端子部の電気的な不具合が抑制された機能パネルを提供できる。または、新規な機能パネル、発光パネル、表示パネル、センサパネル、タッチパネル、または電子機器等を提供できる。

実施の形態に係る、機能パネルの構成例。 実施の形態に係る、機能パネルの作製方法例を説明する図。 実施の形態に係る、機能パネルの作製方法例を説明する図。 実施の形態に係る、機能パネルの構成例。 実施の形態に係る、機能パネルの構成例。 実施の形態に係る、発光パネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、発光パネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、発光パネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、発光パネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、発光パネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、発光パネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、発光パネルの作製方法例を説明する図。 実施の形態に係る、発光パネルの作製方法例を説明する図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、成膜装置の構成を説明する図。 実施の形態に係る、電子機器及び照明装置の一例を示す図。 実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。 実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。 実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

（実施の形態１）
以下では、本発明の一態様の機能パネルについて説明する。

本発明の一態様の機能パネルは、機能素子が一対の基板に挟持された構成を有している。また、一対の基板は接合層により接合される。機能素子は、一対の基板及び接合層に囲まれて封止される。また、一対の基板の一方には、機能素子と電気的に接続する端子が設けられる。

さらに、少なくとも接合層の露出した面に接して、保護層が設けられる構成を有する。保護層は、接合層だけでなく、一対の基板の表面の一部または全部を覆って設けられていてもよい。保護層は、透湿性の低い材料を用いることができる。保護層は、接合層と外気との間に位置し、外気に含まれる水分などの不純物が接合層に拡散することを防ぐ機能を有する。このような保護層を適用することで、接合層を介して機能素子に水などの不純物が拡散することを抑制することができる。

保護層は、少なくとも接合層の露出した側部、及びその周辺の基板の一部を覆って設けられる。保護層は、段差被覆性（ステップカバレッジ）の良好な成膜方法を用いて形成することが好ましい。このような手法の一つに、原子層体積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法がある。

保護層としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化スズインジウム、酸化タンタル、酸化シリコン、酸化マンガン、酸化ニッケル、酸化エルビウム、酸化コバルト、酸化テルル、チタン酸バリウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化アルミニウム、窒化タングステン、窒化コバルト、窒化マンガン、及び窒化ハフニウムなどを含む材料を用いることができ、特にこれらの少なくとも一を主成分として含む材料を用いることが好ましい。上述の材料を主成分として含む膜は防湿性に優れ、水などに対するバリア膜として好適に用いることができる。

ここで、ある膜が主成分としてある材料を含むと表記する場合、他の成分に対して当該材料が最も含有量が多い場合を指すものとする。または、その膜中に当該材料が５０体積％以上１００体積％未満、または５０重量％以上１００重量％未満の範囲で含有する場合を指すものとする。また、その膜が３以上の材料の混合物（構成元素が３種以上である場合を含む）であった場合など、主成分としての材料が複数存在する場合がある。このとき、その膜中に当該材料が１体積％以上１００体積％未満、または１重量％以上１００重量％未満の範囲で含有する場合を指すものとする。

保護層には、例えばＡＬＤ法を用いて形成することができる材料を用いることが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで緻密な、クラックやピンホールなどの欠陥が低減された、または均一な厚さを備える保護層を形成することができる。また、保護層を形成する際に試料表面近傍に与える損傷を、低減することができる。

またＡＬＤ法を用いて保護層を形成することで、複雑な凹凸形状を有する表面や、機能パネルの上面、側面及び裏面にまで厚さが均一で欠陥の少ない保護層を、形成することができる。

ここで、端子の少なくとも露出した面の一部には、酸化しにくい導電性材料を用いることが好ましい。言い換えると、イオン化傾向の低い材料を用いることが好ましい。イオン化傾向の低い材料は、例えば標準酸化還元電位（標準電極電位ともいう）の高い材料とも言える。このような材料は表面が水と酸素を含む大気に曝されても、その表面に酸化膜が形成されない、または酸化膜が形成されたとしてもその厚さが極めて薄いため、端子の接触抵抗を低減することが可能となる。

また、ＡＬＤ法により保護層を形成する際、酸化しにくい材料の表面には薄膜が形成されない、または形成されにくいという効果がある。すなわち、このような材料を表面に有する端子を用いる場合、当該端子上にマスキングなどを施さなくても、自己整合的に端子上に保護層が形成されず、端子に露出した表面を形成することが可能となる。

より具体的には、ＡＬＤ法では、プリカーサを含むガスと、酸化性の材料を含むガスとを、試料表面に交互に繰り返し供給することにより、試料表面に薄膜を形成することができる。このとき、酸化性のガスにより表面が酸化されない、または酸化されにくい導電性材料を、端子の表面に用いることで、当該表面に薄膜が形成されない、または薄膜の形成を抑制することができる。

ＡＬＤ法において、酸化性の材料として水（Ｈ_２Ｏ）を用いた場合、水素（Ｈ_２）よりもイオン化傾向の低い材料、すなわち標準酸化還元電位が水素（０Ｖ）よりも高い導電性材料を用いると、当該導電性材料は酸化されることがないため好ましい。このような材料としては、例えば銅、水銀、銀、イリジウム、パラジウム、金、白金等がある。

また、ＡＬＤ法に用いる酸化性の材料として、水よりも高い酸化性を有す材料（例えばオゾン（Ｏ_３）等）を用いる場合には、イオン化傾向の極めて低いイリジウム、パラジウム、金、白金等を用いることが好ましい。

また端子を積層構造とすることが好ましい。この時、端子の表面側に用いる材料に、上述した酸化されにくい金属、または当該金属を含む合金などを用いることが好ましい。また、表面側以外の部分に用いる材料としては、表面側に設けられる材料よりもイオン化傾向の高い材料、すなわち標準酸化還元電位が低い材料を用いることが好ましい。上述した酸化されにくい材料は比較的高価であるため、端子の表面部分にのみ適用することで、コストを低減することが可能となる。

以下では、より具体的な構成例、および作製方法例について図面を参照して説明する。

［構成例］
〔機能パネル〕
図１（Ａ）は、本発明の一態様の機能パネル１００の上面概略図である。また図１（Ｂ）は、図１（Ａ）中の切断線Ａ１−Ａ２における断面概略図である。なお、図１（Ａ）では明瞭化のため、構成要素の一部（保護層１２０等）を明示していない。

機能パネル１００は、基板１０１、基板１０２、機能素子１１１、複数の端子１１０、接合層１２１、絶縁層１２２、配線１２３等を有する。

機能素子１１１は、基板１０１上に形成されている。機能素子１１１は、基板１０１、基板１０２、及び接合層１２１に囲まれて封止されている。

図１（Ａ）及び（Ｂ）において、接合層１２１は機能素子１１１を囲うように設けられている例を示している。また図１（Ｂ）では、接合層１２１、基板１０１、及び基板１０２に囲まれた内部に空間１２４が設けられている。

接合層１２１の外側に露出した面（側面、端面ともいう）に接して、保護層１２０が設けられている。また接合層１２１と基板１０１（または基板１０１に形成された構造物）とが接する領域、及び接合層１２１と基板１０２（または基板１０２に形成された構造物）とが接する領域にまで、保護層１２０が設けられていることが好ましい。こうすることで、接合層１２１と基板１０１または基板１０２との間に生じる隙間が効果的に埋められ、機能素子１１１に不純物が拡散することを抑制できる。

図１（Ｂ）では、基板１０１の上面及び側面、基板１０２の下面及び側面、接合層１２１の側面を覆って、保護層１２０が設けられている例を示している。

配線１２３は、機能素子１１１と端子１１０とを電気的に接続する。端子１１０は、ＦＰＣなどのコネクタ、ＩＣなどの集積回路などを基板１０１に実装するための端子として用いることができる。または、端子１１０は測定やテスト用のプローブ等を接触させる用途に用いてもよい。

図１（Ｂ）において、端子１１０は導電層１１０ｂ上に導電層１１０ａが積層された積層構造を有している。またここでは、配線１２３の一部が、導電層１１０ｂとして機能する。

端子１１０の導電層１１０ａは、その表面の一部が露出して設けられている。また、保護層１２０は、端子１１０の表面の一部と重なる開口を有している。

導電層１１０ａは、上述した酸化しにくい導電性材料を含む。このような構成とすることで、端子１１０の接触抵抗を低減することができる。

また図１（Ｂ）に示すように、端子１１０を２以上の導電層が積層された積層構造として、その上層に位置する導電層１１０ａにのみ、上述した酸化しにくい導電性材料を用いると、コストを低減できるため好ましい。この時、導電層１１０ａは、導電層１１０ｂよりもイオン化傾向の低い材料、すなわち標準酸化還元電位が高い材料を用いることが好ましい。

絶縁層１２２は、配線１２３を覆って設けられている。絶縁層１２２は、配線１２３を保護する機能を有する。例えば、配線１２３の表面の酸化を抑制する機能を有していてもよい。なお、絶縁層１２２は不要であれば設けなくてもよい。また、絶縁層１２２が、接合層１２１と重なる部分、及び接合層１２１よりも外側にのみ設けられていてもよい。また、図１（Ｂ）では、絶縁層１２２が配線１２３を覆って設けられた場合を示しているが、機能素子１１１と配線１２３の両方を覆って設けられていてもよいし、配線１２３を覆う絶縁層と、機能素子１１１を覆う絶縁層の２以上の絶縁層を有していてもよい。

接合層１２１よりも外側の領域において、保護層１２０が絶縁層１２２の表面に接して設けられている。こうすることで、絶縁層１２２を介して外部から不純物が拡散することを効果的に抑制できる。

図１（Ｃ）及び図１（Ｄ）には、図１（Ｂ）の構成の一部が異なる例を示す。

図１（Ｃ）では、基板１０２の上面の一部、及び基板１０１の下面の一部に保護層１２０が設けられていない部分を有する場合を示している。保護層１２０は、基板１０１の側面及び下面の一部、基板１０２の側面及び上面の一部、ならびに接合層１２１の側面に接して設けられている。

また、図１（Ｃ）では、基板１０１と基板１０２との間に接合層１２１が充填されている場合の例を示している。すなわち、図１（Ｂ）での空間１２４を満たすように、接合層１２１が設けられ、接合層１２１の一部と機能素子１１１とが重なるように配置されている。

図１（Ｄ）では、基板１０２の上面、及び基板１０１の下面に、保護層１２０が設けられていない例を示している。保護層１２０は、基板１０１の側面の一部、基板１０２の側面の一部、及び接合層１２１の側面に接して設けられている。

また、図１（Ｄ）では、配線１２３の一部により端子１１０が構成されている場合の例を示している。この時、配線１２３は上述した酸化しにくい導電性材料を含んで構成される。すなわち、配線１２３と、導電層１１０ａとが同一材料により形成されていてもよい。

〔機能素子〕
機能素子１１１としては、光学素子、センサ素子、電気素子、半導体素子、記憶素子等の様々な機能を発現する素子を適用することができる。

光学素子としては、表示素子、発光素子、受光素子などを用いることができる。例えば液晶素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、光電変換素子などを用いることができる。または、電気磁気作用により、コントラスト、反射率、透過率等が変化する素子を用いてもよい。表示素子や発光素子等を適用することにより、機能パネルを表示パネルとして機能させることができる。また発光素子を適用した照明パネルとしてもよい。また受光素子を用いることで、太陽電池パネルとして用いることができる。

表示素子、発光素子の例としては、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、ＩＭＯＤ（インターフェアレンス・モジュレーション）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示素子などを用いることができる。

センサ素子としては、例えば、力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むものを用いることができる。例えばＭＥＭＳを用いたセンサ素子、光電変換素子、半導体回路などを適用できる。

電気素子、半導体素子の例としては、抵抗素子、容量素子、トランジスタ、回路素子、コイル、インダクタ、ダイオード、スイッチなどがある。

記憶素子としては、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＰＲＡＭ（Ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）、ＲｅＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ＲＡＭ）、ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ＲＡＭ）などの不揮発性の記憶素子、またはＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ ＲＡＭ）やＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ ＲＡＭ）などの揮発性の記憶素子を用いてもよい。

［作製方法例］
以下では、本発明の一態様の機能パネルの作製方法の一例について説明する。

なお、機能パネルを構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ）法、ＡＬＤ法等の成膜方法を用いて形成することができる。あるいは、めっき法（電解めっき法、無電解めっき法を含む）、塗布法、印刷法等の成膜方法を用いてもよい。成膜方法としては、スパッタリング法、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）法が代表的であるが、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学堆積）法等の熱ＣＶＤ法でもよい。

また、機能パネルを構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いて加工することができる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。

フォトリソグラフィ法におけるレジストマスクの形成に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）やＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

まず、基板１０１上に配線１２３、絶縁層１２２、機能素子１１１等を形成する（図２（Ａ））。

基板１０１及び基板１０２の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板等を、基板１０１または基板１０２として用いてもよい。また、シリコン基板や炭化シリコン基板などの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム基板等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板１０１または基板１０２として用いてもよい。

また、基板１０１及び基板１０２として、可撓性基板を用いると可撓性を有する機能パネル１００を作製することができる。この時、可撓性を有する基板１０１上に直接、機能素子１１１等を形成してもよい。または、他の基材と機能素子１１１等の間に剥離層を設け、機能素子１１１を形成した後に基材と分離し、これを基板１０１に転載してもよい。その際、機能素子１１１等を転載する基板１０１として、耐熱性の劣る基板や可撓性の基板を用いることができる。

配線１２３としては、後に形成される導電層１１０ａよりもイオン化傾向の大きい材料を用いることができる。例えば、クロム、銅、アルミニウム、金、銀、亜鉛、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン、マンガン、ニッケル、鉄、コバルト、イットリウム、ジルコニウムから選ばれた金属、上述した金属を成分とする合金、または上述した金属を組み合わせた合金を用いてそれぞれ形成することができる。または、当該金属または合金の窒化物を用いてもよい。

また、配線１２３は単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。

また、配線１２３は酸化物導電性材料、または窒化物導電性材料を用いることもできる。例えば、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物等を適用することもできる。

絶縁層１２２としては、無機絶縁材料、または有機絶縁材料等を用いることができる。例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等の無機絶縁材料を用いることができる。または、アクリル、エポキシ、ポリイミド、シロキサン等の有機絶縁材料を用いることができる。

絶縁層１２２は、配線１２３上の後に端子１１０となる部分に開口が設けられるように形成することが好ましい。

機能素子１１１は、機能素子１１１に適用する素子に適した方法により形成すればよい。

続いて、配線１２３上に導電層１１０ａを形成する（図２（Ｂ））。ここでは、導電層１１０ａをめっき法により形成する場合について説明する。

配線１２３の導電層１１０ｂとなる部分に、めっきのシード層として機能する材料を適用する。または、導電層１１０ｂ上にシード層として機能する薄膜を形成する。シード層として機能する材料としては、導電層１１０ａの形成に適した金属、または合金を適宜選択すればよいが、例えばニッケル、ニッケルとクロムの合金、ニッケルとクロムとパラジウムの合金などを用いることができる。または、導電層１１０ａと同一の材料の薄膜を形成してもよい。配線１２３がシード層として機能する場合には、当該薄膜を形成する工程は不要である。

続いて、めっき法により導電層１１０ａを形成する。導電層１１０ａの形成は、電解めっき法を用いてもよいが、無電解めっき法を用いることが好ましい。絶縁層１２２が端子１１０となる部分以外を覆って設けられているため、シード層として機能する材料上にのみ導電層１１０ａを選択的に形成することが可能となる。このとき、機能素子１１１の表面も覆って、絶縁層が設けられていることが好ましい。また、端子１１０となる部分以外にめっきにより薄膜が形成された場合には、これをエッチングしてもよいし、そのまま残してもよい。

以上のようにして、端子１１０を形成することができる。端子１１０は、導電層１１０ｂ上に導電層１１０ａが積層された積層構造を有する。

続いて、接合層１２１により基板１０１と基板１０２とを接合する（図２（Ｃ））。

接合層１２１は、基板１０１と基板１０２とを接着することのできる樹脂などを用いることができる。例えば、紫外線硬化型等の光硬化型樹脂、反応硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、嫌気性硬化樹脂などの各種硬化型樹脂を用いることができる。これら樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

続いて、保護層１２０を形成する（図２（Ｄ））。

保護層１２０は、上述した成膜方法を用いて形成することができる。好適には、ＡＬＤ法を用いて成膜する。

ＡＬＤ法を用いた保護層１２０の形成方法について、図３を用いて説明する。図３（Ａ）〜（Ｃ）は、端子１１０近傍を拡大した概略図である。

図３（Ａ）は成膜前の状態を示している。図３（Ａ）に示すように、基板１０１、基板１０２、絶縁層１２２、及び接合層１２１等の表面には、ヒドロキシ基（ＯＨ）が吸着（結合）している。言い換えると、これらの表面はヒドロキシ基に覆われた状態であるとも言える。

一方、導電層１１０ａは酸化されにくい材料であるため、その表面にヒドロキシ基がほとんど吸着していない。

続いて、金属Ｍと配位子Ｒをｘ個含むプリカーサ（ＭＲ_ｘ）を用いた成膜の初期の段階の状態を図３（Ｂ）に示している。プリカーサを含むガスが供給されると、プリカーサは基板１０１等の表面のヒドロキシ基と反応し、ヒドロキシ基中の水素と、プリカーサ中のＭＲ_ｘ−１とが置換する。このとき、配位子Ｒと水素を含む分子（ＨＲ）等が生成され、排気される（図示しない）。その結果、図３（Ｂ）に示すように、基板１０１等の表面は、金属Ｍと配位子Ｒを含むＭＲ_ｘ−１に覆われる。

続いて、酸化性の材料を含むガスが供給されると、ＭＲ_ｘ−１中の配位子Ｒが、ヒドロキシ基に置換される（図示しない）。その結果、基板１０１等の最表面はヒドロキシ基に覆われることとなる。またこのとき隣接するヒドロキシ基同士が脱水縮合反応によりＭ−Ｏ−Ｍ結合を生じる場合もある。

これを繰り返すことにより、金属Ｍの酸化物を主成分とした保護層１２０を形成することができる。

ここで上述のように、導電層１１０ａの表面には初期の段階でヒドロキシ基が存在しないため、導電層１１０ａの表面では、上述のプリカーサとヒドロキシ基の反応が生じない。また、その後の酸化性の材料を含むガスが供給されたとき、導電層１１０ａは極めて酸化しにくい材料であるため、その表面は酸化されることはない。したがって酸化性の材料を供給するステップの後であっても、導電層１１０ａ上にはヒドロキシ基が存在しないため、続いて供給されるプリカーサとの反応が生じない。その結果、図３（Ｃ）に示すように、保護層１２０は導電層１１０ａ上には形成されず、導電層１１０ａを除く他の表面を被覆するように形成される。すなわち、保護層１２０が形成されないようにマスキングを施すなど、特別な工程を経ることなく、端子１１０の表面を露出させることができる。

以上の工程により、端子１１０の表面が露出し、且つ保護層１２０により被覆された機能パネル１００を作製することができる（図２（Ｄ））。

なお、ここではＡＬＤ法により保護層１２０を形成する例を示したが、成膜方法はこれに限られない。例えばＡＬＤ法以外の上述した成膜方法により、保護層１２０を形成することができる。このとき、成膜時に端子１１０上に保護層１２０が成膜されてしまう場合には、その後の工程で端子１１０となる部分に開口が設けられるように、保護層１２０を加工すればよい。

［変形例１］
上記作製方法例では、端子１１０の表面側に位置する導電層１１０ａを、めっき法により形成したが、導電層１１０ａを異なる方法により形成することもできる。以下では、上記とは一部の異なる作製方法により作製した機能パネルの例について説明する。

図４（Ａ）は、端子１１０の導電層１１０ａの一部を覆って、絶縁層１２２が設けられている場合の例を示している。こうすることで、導電層１１０ａの端部を保護することができる。

図４（Ａ）に示す構成は、例えば以下の方法により作製することができる。上記作製方法例において、配線１２３を形成した後に、導電層１１０ａとなる導電膜を、配線１２３を覆って成膜し、続いて当該導電膜の一部をエッチングにより除去することにより、配線１２３上に導電層１１０ａを形成することができる。その後、絶縁層１２２となる絶縁膜を成膜し、続いて当該絶縁膜の一部をエッチングにより除去することにより、導電層１１０ａ上に開口を有する絶縁層１２２を形成することができる。その後、接合層１２１により基板１０１と基板１０２とを接着し、保護層１２０を成膜することにより、図４（Ａ）に示す構成を作製することができる。

導電層１１０ａの加工時において、配線１２３の一部がエッチングされてしまう場合がある。そのため、導電層１１０ａを加工する際に、配線１２３が消失してしまわないように、エッチングの条件を調整する、または導電層１１０ａの材料、及び配線１２３の材料として最適なものを選択することが好ましい。

図４（Ｂ）は、絶縁層１２２の開口の端部を覆って、端子１１０の導電層１１０ａが設けられている場合の例を示している。このような構成とすることで、端子１１０の表面積を絶縁層１２２の開口の面積よりも大きくすることができる。その結果、例えばＦＰＣ等と端子との位置合わせを容易にできるほか、ＦＰＣ等の端子と端子１１０との接触面積が増大することにより抵抗を低減することができる。

図４（Ｂ）に示す構成は、例えば以下の方法により作製することができる。上記作製方法例において、絶縁層１２２を形成した後に導電層１１０ａとなる導電膜を成膜し、当該導電膜の一部をエッチングにより除去することにより、導電層１１０ａを形成することができる。その後、接合層１２１により基板１０１と基板１０２とを接着し、保護層１２０を成膜することにより、図４（Ｂ）に示す構成を作製することができる。

このような作製方法によれば、導電層１１０ａの加工時において、導電層１１０ａとなる導電膜の、エッチングされる部分の下側には絶縁層１２２が設けられている。そのため、当該導電膜のエッチングによって配線１２３の一部がエッチングされてしまうといった不具合を抑制することができる。

図４（Ｃ）は、導電層１１０ａが導電性粒子１１２を有する場合の例を示している。導電性粒子１１２は、上述した酸化しにくい導電性材料を含む。例えば、導電性粒子１１２として、ナノ粒子等を用いることができる。また導電性粒子１１２は、２層以上の積層構造を有していてもよく、その場合には、最も表面側に位置する層に上述した酸化しにくい材料を適用すればよい。

図４（Ｃ）に示す構成は、上記作製方法例において、絶縁層１２２を形成した後であって、保護層１２０を成膜するより前に、導電性粒子１１２を含む導電層１１０ａを形成することにより、作製することができる。例えばディスペンス法、インクジェット法などにより、導電性粒子１１２を含むペーストまたはインクを選択的に吐出し、溶媒やバインダーを除去することにより、導電性粒子１１２を含む導電層１１０ａを形成することができる。導電層１１０ａの形成は、基板１０１と基板１０２の接合前に形成してもよいし、これらを接合した後に形成してもよい。

保護層１２０は、導電性粒子１１２の表面には形成されないため、保護層１２０を成膜した後には、導電性粒子１１２の表面が露出した端子１１０が形成される。このとき、保護層１２０の成膜条件や、配線１２３の表面に用いる材料などによっては、配線１２３の一部に保護層１２０が形成される場合がある。しかしその場合であっても、導電性粒子１１２同士、または導電性粒子１１２と配線１２３とが接触している部分には、保護層１２０は形成されないため、端子１１０の表面近傍に位置する導電性粒子１１２と、配線１２３との電気的接続が保たれる。

以上が変形例についての説明である。

［変形例２］
保護層１２０に用いることのできる材料は、水などの不純物の拡散を抑制することができる。このような材料を含む層を、機能素子１１１と接合層１２１との間に設けることで、機能素子１１１への不純物の拡散を効果的に抑制することができる。

図５では、機能素子１１１を覆う保護層１３０を設けた場合の断面概略図を示している。

保護層１３０は、保護層１２０に用いることのできる材料を適用できる。また、保護層１２０と保護層１３０とを、同じ材料を用い、同じ成膜装置で形成すると、コストを低減できるため好ましい。

保護層１３０の成膜方法としては、保護層１２０と同様の方法を用いることができる。特に、ＡＬＤ法を用いることが好ましい。ＡＬＤ法は低温で緻密な膜を形成でき、またプラズマ等を用いないため、成膜する膜の下層（被成膜面）への成膜時のダメージが極めて小さい。そのためＡＬＤ法で成膜することで機能素子１１１への影響を極めて小さくできる。例えば、機能素子１１１として有機ＥＬ素子を用いた場合には、この上部電極を覆うようにＡＬＤ法により保護層１３０を形成することで、有機ＥＬ素子へのダメージを限りなく小さくすることができる。

保護層１３０は、機能素子１１１を形成した後であって、基板１０１と基板１０２とを接合する前の段階で、形成すればよい。このとき、保護層１３０をＡＬＤ法等で成膜することで、端子１１０上には保護層１３０は成膜されることなく、自己整合的に図５に示すように端子１１０上に保護層１３０の開口部が形成される。

さらに、図５に示すように接合層１２１の露出した表面を覆う保護層１２０を設けることが好ましい。このような構成とすることで、機能素子１１１は保護層１２０と保護層１３０の２層に囲まれた構造とすることができるため、極めて信頼性の高い機能パネルを実現できる。

本発明の一態様の機能パネルは、保護層によって不純物の拡散が抑制され、極めて信頼性の高い機能パネルである。また自己整合的に保護層が端子表面を避けて成膜されるため、特別な工程を経ることなく低抵抗な端子表面を露出させることができ、端子と接続するＦＰＣ等との良好な接続が実現された機能パネルを低コストで作製することができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの例として、発光パネル、及び表示パネルの構成例について説明する。

本明細書等において、発光パネルは少なくとも発光素子を有し、発光素子からの発光を取り出すことのできるパネル状のものを言う。また表示パネルは少なくとも表示素子を有し、画像等を表示する機能を有するパネル状のものを言う。また表示パネルはトランジスタ、容量、抵抗などの電気素子または半導体素子を有していてもよい。ここで、表示パネルの表示素子に発光素子を用いた場合には、当該表示パネルは発光パネルの一態様であるとも言える。

本発明の一態様の発光パネル及び表示パネルは、一対の基板の間に設けられた発光素子、または表示素子が封止層により封止された構成を有している。さらに、封止層の露出した部分を覆うように、保護層が形成されている構成とする。

例えば表示素子や発光素子として有機ＥＬ素子を用いた場合、水などの不純物が有機ＥＬ素子に拡散することで劣化が生じてしまう。また表示素子として液晶素子を用いた場合には、当該不純物の影響により液晶の抵抗に変化が生じてしまう。また、トランジスタ、特に半導体層に酸化物半導体を適用したトランジスタにおいては、半導体に水などの不純物が拡散することで、その電気的特性が変化してしまう場合がある。

このような保護層を発光パネルまたは表示パネルに適用することで、これらの内部に水などの不純物が外部から拡散することが抑制できる。したがって、発光素子、表示素子（有機ＥＬ素子、液晶素子など）や、トランジスタ、回路、または配線や電極などに当該不純物が拡散することを抑制できる。その結果、極めて高い信頼性を有する発光パネルまたは表示パネルを実現できる。

また、表示素子や発光素子に電気的に接続する端子が一方の基板に設けられている。端子は他方の基板と重ならないように配置されることで、ＦＰＣ等のコネクタとの電気的な接続を容易にすることができる。また、端子表面には、極めて酸化しにくい導電性材料が適用されている。そのためコネクタ等との接触抵抗が低減されているため入力信号の遅延や減衰を抑制できるほか、接点における発熱等に起因する断線や接続不良などの不具合が生じにくいといった効果もある。

より具体的には、例えば以下のような構成とすることができる。

［具体例１］
図６（Ａ）に発光パネルの平面図を示し、図６（Ａ）における一点鎖線Ｂ１−Ｂ２間の断面図の一例を図６（Ｃ）に示す。具体例１で示す発光パネルは、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光パネル（表示パネルともいう）である。本実施の形態において、発光パネルは、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の副画素で１つの色を表現する構成や、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）、またはＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）の４色の副画素で１つの色を表現する構成等が適用できる。色要素としては特に限定はなく、ＲＧＢＷ以外の色を用いてもよく、例えば、イエロー、シアン、マゼンタなどで構成されてもよい。

図６（Ａ）に示す発光パネルは、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）８０８を有する。発光部８０４及び駆動回路部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８０１、基板８０３、及び接合層１２１によって封止されている。

図６（Ｃ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のトランジスタ８２０、端子１１０（導電層１１０ａ、導電層１１０ｂ）、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子８３０、絶縁層８２１、接合層１２１、オーバーコート８４９、着色層８４５、遮光層８４７、絶縁層８４３、接着層８４１、基板８０３、及び保護層１２０を有する。接合層１２１、オーバーコート８４９、絶縁層８４３、接着層８４１、基板８０３、及び保護層１２０は可視光を透過する。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ８２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有する。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視光を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。

また、発光部８０４は、発光素子８３０と重なる着色層８４５と、絶縁層８２１と重なる遮光層８４７と、を有する。着色層８４５及び遮光層８４７はオーバーコート８４９で覆われている。発光素子８３０とオーバーコート８４９の間は接合層１２１で充填されている。

絶縁層８１５は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏する。また、絶縁層８１７は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を選択することが好適である。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタを複数有する。図６（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、１つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。また、絶縁層８４３と基板８０３は接着層８４１によって貼り合わされている。絶縁層８１３や絶縁層８４３に透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

端子１１０は、駆動回路部８０６に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。工程数の増加を防ぐため、端子１１０を構成する導電層１１０ｂは、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同一の材料、同一の工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層１１０ｂを、トランジスタ８２０を構成する電極（ソース電極及びドレイン電極）と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。

また図６（Ｃ）では、端子１１０が導電層１１０ｂ上に導電層１１０ａが積層された積層構造を有する例を示している。導電層１１０ａは、実施の形態１で示した酸化しにくい導電性材料を含む。導電層１１０ａは、絶縁層８１７上に設けられ、絶縁層８１７及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電層１１０ｂと電気的に接続している。

導電層１１０ａには、水素（Ｈ_２）よりもイオン化傾向の低い導電性材料、または導電層１１０ｂよりもイオン化傾向の低い導電性材料を用いることができ、例えば導電層１１０ｂにクロム、銅、アルミニウム、金、銀、亜鉛、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン、マンガン、ニッケル、鉄、コバルト、イットリウム、ジルコニウムから選ばれた金属、上述した金属を成分とする合金、または上述した金属を組み合わせた合金、または当該金属または合金の窒化物を用いることができる。また導電層１１０ａにはこれよりもイオン化傾向の低い材料を用いればよいが、たとえば銅、水銀、銀、イリジウム、パラジウム、金、白金等を用いることができる。特に導電層１１０ａにイリジウム、パラジウム、金、白金等を用いると、水分の多い環境であっても表面に酸化物が形成されないため好ましい。

図６（Ｃ）に示す発光パネルでは、接続体８２５が基板８０３上に位置する。接続体８２５は、基板８０３、接着層８４１、絶縁層８４３、及び接合層１２１に設けられた開口を介して端子１１０と接続している。また、接続体８２５はＦＰＣ８０８に接続している。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と端子１１０は電気的に接続する。端子１１０と基板８０３とが重なる場合には、基板８０３を開口する（又は開口部を有する基板を用いる）ことで、端子１１０、接続体８２５、及びＦＰＣ８０８を電気的に接続させることができる。

具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０を転置することで作製できる発光パネルを示している。また、具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８４３、着色層８４５及び遮光層８４７を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８４１を用いて基板８０３上に絶縁層８４３、着色層８４５及び遮光層８４７を転置することで作製できる発光パネルを示している。

基板に、耐熱性が低い材料（樹脂など）を用いる場合、作製工程で基板に高温をかけることが難しいため、該基板上にトランジスタや絶縁層を作製する条件に制限がある。また、基板に透水性が高い材料（樹脂など）を用いる場合、高温をかけて、透水性の低い膜を形成することが好ましい。本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして、それらを基板８０１や基板８０３へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。作製方法の詳細は後述する。

図６（Ｃ）において、保護層１２０は、発光パネルの露出した部分を覆って設けられている。具体的には、基板８０３、接着層８４１、絶縁層８４３、接合層１２１、絶縁層８１７、絶縁層８１５、絶縁層８１３、接着層８１１、及び基板８０１等の露出した面の一部、または全部を覆って設けられている。

また図６（Ｃ）に示すように、ＦＰＣ８０８と電気的に接続する端子１１０の上面の一部が露出するように、保護層１２０の一部に開口が設けられていることが好ましい。こうすることで、ＦＰＣ８０８と端子１１０の電気的な接続を容易にすることができる。

すなわち、ＦＰＣ８０８等が電気的に接続する接続部（端子部）以外の領域を覆って、保護層１２０が設けられている構成とすると、外部からの不純物の拡散が効果的に抑制できるため好ましい。

また、図６（Ｃ）に示すように、接続体８２５を設けるための開口の内壁にも、保護層１２０が設けられる構成とすると、より不純物の拡散を効果的に抑制できるため好ましい。例えば、当該開口を形成した後に保護層１２０の成膜を行うことで、導電層１１０ａ上には保護層１２０が形成されず、また開口の内壁を覆って保護層１２０を形成することができる。

なお、開口の内壁に保護層１２０が設けられていなくてもよい。図７（Ａ）では、後述する開口の形成前に保護層１２０を形成した場合の例を示している。また、図７（Ｂ）では、開口付近には保護層１２０を形成しない場合の例を示している。また、図８では、ＦＰＣ８０８を貼り付けた後に保護層１２０を形成した場合の例を示している。

また、図７（Ａ）（Ｂ）、及び図８では、導電層１１０ａが絶縁層８１５よりも導電層１１０ｂ側に位置する場合の例を示している。導電層１１０ａの端部を覆って、絶縁層８１５が設けられている。また、接続体８２５は、基板８０３、接着層８４１、絶縁層８４３、接合層１２１、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して端子１１０と接続している。

保護層１２０には、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化スズインジウム、酸化タンタル、酸化シリコン、酸化マンガン、酸化ニッケル、酸化エルビウム、酸化コバルト、酸化テルル、チタン酸バリウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化アルミニウム、窒化タングステン、窒化コバルト、窒化マンガン、及び窒化ハフニウムなどを含む材料を用いることができ、特にこれらの少なくとも一を主成分として含む材料を用いることが好ましい。特に、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、窒化シリコンなどは、透湿性が極めて低いため薄く形成してもバリア性が確保されるため好ましい。

また、ＦＰＣ８０８に加えてＣＯＧ方式、またはＣＯＦ方式などによりＩＣを実装する構成としてもよい。図９には、ＩＣ８０９を端子１１０に電気的に接続した場合における断面概略図を示している。

ＩＣ８０９は、端子８１０を有する。端子８１０は接続体８２５を介して端子１１０と電気的に接続している。

［具体例２］
図６（Ｂ）に発光パネルの平面図を示し、図６（Ｂ）における一点鎖線Ｂ３−Ｂ４間の断面図の一例を図６（Ｄ）に示す。具体例２で示す発光パネルは、具体例１とは異なる、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。ここでは、具体例１と異なる点のみ詳述し、具体例１と共通する点は説明を省略する。

図６（Ｄ）に示す発光パネルは、図６（Ｃ）に示す発光パネルと下記の点で異なる。

図６（Ｄ）に示す発光パネルは、絶縁層８２１上にスペーサ８２７を有する。スペーサ８２７を設けることで、基板８０１と基板８０３の間隔を調整することができる。

また、図６（Ｄ）に示す発光パネルは、基板８０１と基板８０３の大きさが異なる。接続体８２５が絶縁層８４３上に位置し、基板８０３と重ならない。接続体８２５は、絶縁層８４３、及び接合層１２１に設けられた開口を介して端子１１０と接続している。基板８０３に開口を設ける必要がないため、基板８０３の材料が制限されない。

保護層１２０は、発光パネルの露出した部分を覆って設けられている。具体的には、基板８０３、接着層８４１、絶縁層８４３、接合層１２１、絶縁層８１７、絶縁層８１５、絶縁層８１３、接着層８１１、及び基板８０１等の露出した面の一部、または全部を覆って設けられている。

［具体例３］
図１０（Ａ）に発光パネルの平面図を示し、図１０（Ａ）における一点鎖線Ｂ５−Ｂ６間の断面図の一例を図１０（Ｃ）に示す。具体例３で示す発光パネルは、塗り分け方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。ここでは、上記具体例と異なる点のみ詳述し、上記具体例と共通する点は説明を省略する。

図１０（Ａ）、（Ｃ）に示す発光パネルは、枠状の接合層１２５を有する。また接合層１２１及び枠状の接合層１２５に接して基板８０３を有する。

図１０（Ｃ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のトランジスタ、端子１１０（導電層１１０ａ、導電層１１０ｂ）、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子８３０、絶縁層８２１、接合層１２１、枠状の接合層１２５、基板８０３、及び保護層１２０を有する。接合層１２５、保護層１２０及び基板８０３は可視光を透過する。

枠状の接合層１２５は、接合層１２１よりもガスバリア性が高い層であることが好ましい。これにより、外部から水分や酸素が発光パネルに侵入することを抑制できる。したがって、信頼性の高い発光パネルを実現することができる。

具体例３では、接合層１２１を介して発光素子８３０の発光が発光パネルから取り出される。したがって、接合層１２１は、枠状の接合層１２５に比べて透光性が高いことが好ましい。また、接合層１２１は、枠状の接合層１２５に比べて屈折率が高いことが好ましい。また、接合層１２１は、枠状の接合層１２５に比べて硬化時の体積の収縮が小さいことが好ましい。

接続体８２５は、基板８０３及び接合層１２１に設けられた開口を介して端子１１０と接続している。

具体例３では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０を転置することで作製できる発光パネルを示している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして、それらを基板８０１へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。

保護層１２０は、発光パネルの露出した部分を覆って設けられている。具体的には、基板８０３、接合層１２１、接合層１２５、絶縁層８１７、絶縁層８１５、絶縁層８１３、接着層８１１、及び基板８０１等の露出した面の一部、または全部を覆って設けられている。

［具体例４］
図１０（Ｂ）に発光パネルの平面図を示し、図１０（Ｂ）における一点鎖線Ｂ７−Ｂ８間の断面図の一例を図１０（Ｄ）に示す。具体例４で示す発光パネルは、カラーフィルタ方式を用いたボトムエミッション型の発光パネルである。ここでは、上記具体例と異なる点のみ詳述し、上記具体例と共通する点は説明を省略する。

図１０（Ｄ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のトランジスタ、端子１１０（導電層１１０ａ、導電層１１０ｂ）、絶縁層８１５、着色層８４５、絶縁層８１７ａ、絶縁層８１７ｂ、導電層８１６、複数の発光素子８３０、絶縁層８２１、接合層１２１、基板８０３、及び保護層１２０を有する。基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、絶縁層８１５、絶縁層８１７ａ、及び絶縁層８１７ｂは可視光を透過する。

また図１０（Ｄ）では発光部８０４が、トランジスタ８２０、トランジスタ８２２を有する場合を示している。また上部電極８３５は可視光を反射することが好ましい。下部電極８３１は可視光を透過する。発光素子８３０と重なる着色層８４５を設ける位置は、特に限定されず、例えば、絶縁層８１７ａと絶縁層８１７ｂの間や、絶縁層８１５と絶縁層８１７ａの間等に設ければよい。

図１０（Ｄ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、２つのトランジスタを示している。

また、ここでは、導電層１１０ｂを、導電層８１６と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。図１０（Ｄ）では、基板８０３に覆われない領域に導電層８１６が引き出され、その一部が導電層１１０ｂとして機能する。また図１０（Ｄ）に示すように、導電層８１６の導電層１１０ａに覆われない部分は、保護層１２０に覆われていてもよい。

具体例４では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０等を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０等を転置することで作製できる発光パネルを示している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして、それらを基板８０１へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。

保護層１２０は、発光パネルの露出した部分を覆って設けられている。具体的には、基板８０３、接合層１２１、絶縁層８１７ｂ、絶縁層８１７ａ、導電層８１６、絶縁層８１５、絶縁層８１３、接着層８１１、及び基板８０１等の露出した面の一部、または全部を覆って設けられている。

また、図１１に示すように、発光素子８３０を覆う保護層１３０が設けられていてもよい。また保護層１３０は、端子１１０と重なる位置に開口を有する構成とする。保護層１３０により、発光素子８３０等に接合層１２１から水などの不純物が拡散することを抑制することができる。また、図１１に示すように、保護層１３０と保護層１２０の両方を有する構成とすることで、より効果的に発光素子８３０等への不純物の拡散を抑制でき、極めて信頼性の高い発光パネルを実現できる。

［具体例５］
図１０（Ｅ）に具体例１〜４とは異なる発光パネルの例を示す。ここでは、上記具体例と異なる点のみ詳述し、上記具体例と共通する点は説明を省略する。

図１０（Ｅ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、導電層８１４、導電層８５７ａ、導電層８５７ｂ、端子１１０（導電層１１０ａ、導電層１１０ｂ）、発光素子８３０、絶縁層８２１、接合層１２１、及び基板８０３を有する。

導電層８５７ａ及び導電層８５７ｂは、それぞれ発光素子８３０と電気的に接続する。またこれらの一部が端子１１０の一部である導電層１１０ｂとして機能する。また導電層１１０ｂ上には導電層１１０ａが設けられ、これらが端子１１０を構成している。端子１１０は発光パネルの外部接続電極としての機能を有し、ＦＰＣ等と電気的に接続させることができる。

発光素子８３０は、下部電極８３１、ＥＬ層８３３、及び上部電極８３５を有する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。発光素子８３０はボトムエミッション型、トップエミッション型、又はデュアルエミッション型である。光を取り出す側の電極、基板、絶縁層等は、それぞれ可視光を透過する。導電層８１４は、下部電極８３１と電気的に接続する。

光を取り出す側の基板は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。

導電層８１４は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極８３１の抵抗に起因する電圧降下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極８３５と電気的に接続する導電層を絶縁層８２１上、ＥＬ層８３３上、又は上部電極８３５上などに設けてもよい。

導電層８１４は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層８１４の膜厚は、例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。

上部電極８３５と電気的に接続する導電層の材料にペースト（銀ペーストなど）を用いると、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗く隙間の多い構成となり、ＥＬ層８３３が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極と該導電層との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。

具体例５では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３や発光素子８３０等を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８１３や発光素子８３０等を転置することで作製できる発光パネルを示している。耐熱性の高い作製基板上で、高温をかけて、十分に透水性の低い膜を形成し、基板８０１へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。

保護層１２０は、発光パネルの露出した部分を覆って設けられている。具体的には、基板８０３、接合層１２１、絶縁層８１３、接着層８１１、及び基板８０１等の露出した面の一部、または全部を覆って設けられている。また保護層１２０は、導電層８５７ａ及び導電層８５７ｂ上の導電層１１０ａの表面の一部と重なる開口を有する。

なお、ここでは、表示素子として、発光素子を用いた場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。

例えば、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）素子や、電子放出素子などの表示素子を用いた表示装置を用いることができる。ＭＥＭＳを用いた表示素子としては、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子などが挙げられる。電子放出素子としては、カーボンナノチューブを用いてもよい。また、電子ペーパを用いてもよい。電子ペーパとしては、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、電子粉流体（登録商標）方式等を適用した素子を用いることができる。

［材料の一例］
次に、発光パネルに用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説明した構成については説明を省略する場合がある。

基板には、ガラス、石英、有機樹脂、金属、合金などの材料を用いることができる。発光素子からの光を取り出す側の基板は、該光に対する透光性を有する材料を用いる。

特に、可撓性基板を用いることが好ましい。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度の厚さのガラス、金属、合金を用いることができる。

ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、ガラスを用いる場合に比べて発光パネルを軽量化でき、好ましい。

基板には、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい発光パネルを実現できる。例えば、有機樹脂基板や、厚さの薄い金属基板もしくは合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい発光パネルを実現できる。

金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光パネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

金属基板や合金基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、鉄、チタン、ニッケル等の金属、またはこれら金属から選ばれた一以上の金属を含む合金を用いることができる。合金としては、例えば、アルミニウム合金もしくはステンレス等を好適に用いることができる。

また、基板に、熱放射率が高い材料を用いると発光パネルの表面温度が高くなることを抑制でき、発光パネルの破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱放射率の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる）の積層構造としてもよい。

可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等が挙げられる。特に、熱膨張率の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（プリプレグともいう）や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張率を下げた基板を使用することもできる。

可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。

可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光パネルとすることができる。

例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性基板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２５μｍ以上１００μｍ以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、１０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような有機樹脂層を設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光パネルとすることができる。

接着層や接合層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が向上するため好ましい。

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。

発光パネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、窒化ガリウム等が挙げられる。または、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

ここで、画素や、駆動回路、また後述するタッチセンサ等に用いられるトランジスタなどの半導体装置には、酸化物半導体を適用することが好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。

例えば、上記酸化物半導体として、少なくとも少なくともインジウム（Ｉｎ）もしくは亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。より好ましくは、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）で表記される酸化物を含む。

特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面、または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界が確認できない酸化物半導体膜を用いることが好ましい。

このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、可撓性を有し、湾曲させて用いる表示パネルなどに、このような酸化物半導体を好適に用いることができる。

半導体層としてこのような結晶性を有する酸化物半導体材料を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを実現できる。

また、また、シリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を用いたトランジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実現できる。

トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。上記各構成例では、絶縁層８１３がトランジスタの下地膜を兼ねることができる。

発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。

発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、チタン、ニッケル、またはネオジムと、アルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）を用いてもよい。また銅、パラジウム、またはマグネシウムと、銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜に接して金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、酸化を抑制することができる。このような金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタンや酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とインジウム錫酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いることができる。

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成することができる。

下部電極８３１及び上部電極８３５の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層８３３に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層８３３において再結合し、ＥＬ層８３３に含まれる発光物質が発光する。

ＥＬ層８３３は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層８３３は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

ＥＬ層８３３には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層８３３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

発光素子８３０として、白色発光の発光素子を適用する場合には、ＥＬ層８３３に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。例えば２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質、またはＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち、２以上を含むことが好ましい。また、発光素子８３０からの発光のスペクトルが、可視光領域の波長（例えば３５０ｎｍ〜７５０ｎｍ）の範囲内に２以上のピークを有する発光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光スペクトルは、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ましい。

より好ましくは、ＥＬ層８３３は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色を発光する発光材料を含む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、ＥＬ層８３３における複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、いずれの発光材料も含まない領域を介して積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に、当該蛍光発光層または燐光発光層と同一の材料（例えばホスト材料、アシスト材料）を含み、且ついずれの発光材料も含まない領域を設ける構成としてもよい。これにより、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。

また、発光素子８３０は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、複数のＥＬ層が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。

発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性の低下を抑制できる。

透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０^−７［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下とする。

透水性の低い絶縁膜を、絶縁層８１３や絶縁層８４３に用いることが好ましい。

絶縁層８１５としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層８１７、絶縁層８１７ａ、及び絶縁層８１７ｂとしては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料をそれぞれ用いることができる。また、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させることで、各絶縁層を形成してもよい。

絶縁層８２１としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて形成する。樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、絶縁層８２１の側壁が曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。

絶縁層８２１の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）等を用いればよい。

スペーサ８２７は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料等を用いて形成することができる。例えば、無機絶縁材料や有機絶縁材料としては、上記絶縁層に用いることができる各種材料が挙げられる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることができる。導電材料を含むスペーサ８２７と上部電極８３５とを電気的に接続させる構成とすることで、上部電極８３５の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサ８２７は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。

トランジスタの電極や配線、又は発光素子の補助電極等として機能する、発光パネルに用いる導電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化物を用いて形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３等）、酸化スズ（ＳｎＯ_２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。

着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。

遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する発光素子からの光を遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、遮光層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層としては、発光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層は、駆動回路部などの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。

また、着色層及び遮光層を覆うオーバーコートを設けてもよい。オーバーコートを設けることで、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オーバーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。

また、接合層の材料を着色層及び遮光層上に塗布する場合、オーバーコートの材料として接合層の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコートとして、インジウム錫酸化物膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いＡｇ膜等の金属膜を用いることが好ましい。

接続体としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった粒子を用いることが好ましい。または、粒状の樹脂の表面を金属で被覆した材料を用いることが好ましい。

［作製方法例］
次に、発光パネルの作製方法を図１２及び図１３を用いて例示する。ここでは、具体例１（図６（Ｃ））の構成の発光パネルを例に挙げて説明する。

まず、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に絶縁層８１３を形成する。次に、絶縁層８１３上に複数のトランジスタ、端子１１０（導電層１１０ａ、導電層１１０ｂ）、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、及び絶縁層８２１を形成する。なお、導電層１１０ｂが露出するように、絶縁層８２１、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５は開口し、当該開口を埋めるように導電層１１０ａを形成する（図１２（Ａ））。

また、作製基板２０５上に剥離層２０７を形成し、剥離層２０７上に絶縁層８４３を形成する。次に、絶縁層８４３上に遮光層８４７、着色層８４５、及びオーバーコート８４９を形成する（図１２（Ｂ））。

作製基板２０１及び作製基板２０５としては、それぞれ、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。

また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム（ＢａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。

作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。

剥離層２０３及び剥離層２０７としては、それぞれ、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。

剥離層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。

剥離層が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。

また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態を変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁膜との密着性を制御することが可能である。

各絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。

その後、作製基板２０５の着色層８４５等が設けられた面又は作製基板２０１の発光素子２３０等が設けられた面に接合層１２１となる材料を塗布し、接合層１２１を介して該面同士が対向するように、作製基板２０１及び作製基板２０５を貼り合わせる（図１２（Ｃ））。

そして、作製基板２０１を剥離し、露出した絶縁層８１３と基板８０１を、接着層８１１を用いて貼り合わせる。また、作製基板２０５を剥離し、露出した絶縁層８４３と基板８０３を、接着層８４１を用いて貼り合わせる。図１３（Ａ）では、基板８０３が端子１１０と重ならない構成としたが、端子１１０と基板８０３が重なっていてもよい。

なお、剥離工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製基板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光の照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成された作製基板を機械的に除去又は溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスによるエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくともよい。

また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる。つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメスなどによる機械的な除去を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、物理的な力（機械等による）によって剥離を行うこともできる。

また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離してもよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。

その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。

なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成し、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。

続いて、絶縁層８４３及び接合層１２１を開口することで、端子１１０を露出させる（図１３（Ｂ））。なお、基板８０３が端子１１０と重なる構成の場合は、端子１１０を露出させるために、基板８０３及び接着層８４１も開口する（図１３（Ｃ））。開口の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオンビームスパッタリング法などを用いればよい。また、端子１１０上の膜に鋭利な刃物等を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい。

なお、ここでは絶縁層８４３及び接合層１２１を形成した後に開口を設ける例を示したが、あらかじめ開口となる部分に絶縁層８４３や接合層１２１を形成しないようにすることもできる。または、あらかじめ端子１１０と重なる部分に粘着性のテープを貼り付けておき、当該テープを剥がすことにより開口を形成してもよい。

その後、保護層１２０を成膜する。保護層１２０はＡＬＤ法を用いて成膜すると、発光パネルの表面を覆って、緻密で、且つ均一な保護層１２０を形成することができる。保護層１２０の成膜に用いることのできる装置の一例については後述する。

また、保護層１２０は、スパッタリング法、ＣＶＤ法のような堆積法のほか、スピンコート法、ディップ法などの、液体材料を用いたコート法を適用してもよい。

保護層１２０を設けない部分には、あらかじめマスキングを施し、保護層１２０の成膜後に当該マスキングを除去することで、保護層１２０に開口部を設けることができる。マスキングに用いる材料は、後の除去が容易で、且つ保護層１２０の成膜時の温度に対して耐熱性を有し、且つ成膜ガス（または液体）に対して安定な材料を用いればよい。例えばポリイミドを含む粘着テープなどを用いることが好ましい。

また、端子１１０の表面には酸化されにくい導電層１１０ａが形成されているため、ＡＬＤ法等で保護層１２０を形成する場合、上述したマスキングを施さなくても自己整合的に導電層１１０ａ上には保護層１２０が形成されない部分が形成される。

以上により、発光パネルを作製することができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置が有する表示パネルに適用可能な、折り曲げ可能なタッチパネルの構成例について、図１４〜図１８を用いて説明する。なお、各層に用いることのできる材料については、実施の形態２を参照することができる。

［構成例１］
図１４（Ａ）はタッチパネル３９０の上面図である。図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ｂ間及び一点鎖線Ｃ−Ｄ間の断面図である。図１４（Ｃ）は図１４（Ａ）の一点鎖線Ｅ−Ｆ間の断面図である。

図１４（Ａ）に示すように、タッチパネル３９０は表示部３０１を有する。

表示部３０１は、複数の画素３０２と複数の撮像画素３０８を備える。撮像画素３０８は表示部３０１に触れる指等を検知することができる。これにより、撮像画素３０８を用いてタッチセンサを構成することができる。

画素３０２は、複数の副画素（例えば副画素３０２Ｒ）を備え、副画素は発光素子及び発光素子を駆動する電力を供給することができる画素回路を備える。

画素回路は、選択信号を供給することができる配線及び画像信号を供給することができる配線と電気的に接続される。

また、タッチパネル３９０は選択信号を画素３０２に供給することができる走査線駆動回路３０３ｇ（１）と、画像信号を画素３０２に供給することができる画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）を備える。

撮像画素３０８は、光電変換素子及び光電変換素子を駆動する撮像画素回路を備える。

撮像画素回路は、制御信号を供給することができる配線及び電源電位を供給することができる配線と電気的に接続される。

制御信号としては、例えば記録された撮像信号を読み出す撮像画素回路を選択することができる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、及び撮像画素回路が光を検知する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。

タッチパネル３９０は制御信号を撮像画素３０８に供給することができる撮像画素駆動回路３０３ｇ（２）と、撮像信号を読み出す撮像信号線駆動回路３０３ｓ（２）を備える。

図１４（Ｂ）に示すように、タッチパネル３９０は、基板５１０及び基板５１０に対向する基板５７０を有する。

可撓性を有する材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる。

不純物の透過が抑制された材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる。例えば、水蒸気の透過率が１０^−５［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１０^−６［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下である材料を好適に用いることができる。

線膨張率がおよそ等しい材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる。例えば、線膨張率が１×１０^−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０^−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０^−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。

基板５１０は、可撓性基板５１０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁層５１０ａ、及び可撓性基板５１０ｂと絶縁層５１０ａを貼り合わせる接着層５１０ｃが積層された積層体である。

基板５７０は、可撓性基板５７０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁層５７０ａ、及び可撓性基板５７０ｂと絶縁層５７０ａを貼り合わせる接着層５７０ｃの積層体である。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、もしくはシロキサン結合を有する樹脂含む材料を接着層に用いることができる。

接合層１２１は基板５７０と基板５１０を貼り合わせている。接合層１２１は空気より大きい屈折率を備える。また、接合層１２１側に光を取り出す場合は、接合層１２１は接合層１２１を挟む２つの部材（ここでは基板５７０と基板５１０）を光学的に接合する層（以下、光学接合層ともいう）としても機能する。画素回路及び発光素子（例えば第１の発光素子３５０Ｒ）は基板５１０と基板５７０の間にある。

画素３０２は、副画素３０２Ｒ、副画素３０２Ｇ及び副画素３０２Ｂを有する（図１４（Ｃ））。また、副画素３０２Ｒは発光モジュール３８０Ｒを備え、副画素３０２Ｇは発光モジュール３８０Ｇを備え、副画素３０２Ｂは発光モジュール３８０Ｂを備える。

例えば副画素３０２Ｒは、第１の発光素子３５０Ｒ及び第１の発光素子３５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ３０２ｔを含む画素回路を備える（図１４（Ｂ））。また、発光モジュール３８０Ｒは第１の発光素子３５０Ｒ及び光学素子（例えば着色層３６７Ｒ）を備える。

第１の発光素子３５０Ｒは、第１の下部電極３５１Ｒ、上部電極３５２、下部電極３５１Ｒと上部電極３５２の間のＥＬ層３５３を有する（図１４（Ｃ））。

ＥＬ層３５３は、第１のＥＬ層３５３ａ、第２のＥＬ層３５３ｂ、及び第１のＥＬ層３５３ａと第２のＥＬ層３５３ｂの間の中間層３５４を備える。

発光モジュール３８０Ｒは、第１の着色層３６７Ｒを基板５７０に有する。着色層は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色又は青色等を呈する光を選択的に透過するものを用いることができる。または、発光素子の発する光をそのまま透過する領域を設けてもよい。

例えば、発光モジュール３８０Ｒは、第１の発光素子３５０Ｒと第１の着色層３６７Ｒに接する接合層１２１を有する。

第１の着色層３６７Ｒは第１の発光素子３５０Ｒと重なる位置にある。これにより、第１の発光素子３５０Ｒが発する光の一部は、光学接合層を兼ねる接合層１２１及び第１の着色層３６７Ｒを透過して、図中の矢印に示すように発光モジュール３８０Ｒの外部に射出される。

タッチパネル３９０は、遮光層３６７ＢＭを基板５７０に有する。遮光層３６７ＢＭは、着色層（例えば第１の着色層３６７Ｒ）を囲むように設けられている。

タッチパネル３９０は、反射防止層３６７ｐを表示部３０１に重なる位置に備える。反射防止層３６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

タッチパネル３９０は、絶縁層３２１を備える。絶縁層３２１はトランジスタ３０２ｔを覆っている。なお、絶縁層３２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物のトランジスタ３０２ｔ等への拡散を抑制することができる層が積層された絶縁層を、絶縁層３２１に適用することができる。

タッチパネル３９０は、発光素子（例えば第１の発光素子３５０Ｒ）を絶縁層３２１上に有する。

タッチパネル３９０は、第１の下部電極３５１Ｒの端部に重なる隔壁３２８を絶縁層３２１上に有する。また、基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサ３２９を、隔壁３２８上に有する。

画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）は、トランジスタ３０３ｔ及び容量３０３ｃを含む。なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。図１４（Ｂ）に示すようにトランジスタ３０３ｔは絶縁層３２１上に第２のゲート３０４を有していてもよい。第２のゲート３０４はトランジスタ３０３ｔのゲートと電気的に接続されていてもよいし、これらに異なる電位が与えられていてもよい。また、必要であれば、第２のゲート３０４をトランジスタ３０８ｔ、トランジスタ３０２ｔ等に設けてもよい。

撮像画素３０８は、光電変換素子３０８ｐ及び光電変換素子３０８ｐに照射された光を検知するための撮像画素回路を備える。また、撮像画素回路は、トランジスタ３０８ｔを含む。

例えばｐｉｎ型のフォトダイオードを光電変換素子３０８ｐに用いることができる。

タッチパネル３９０は、信号を供給することができる配線３１１を備え、端子１１０が配線３１１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるＦＰＣ３０９（１）が端子１１０に電気的に接続されている。なお、ＦＰＣ３０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。

端子１１０は、配線３１１上の導電層１１０ｂと、導電層１１０ｂ上の導電層１１０ａとを有する積層構造を有している。

保護層１２０は、タッチパネルの露出した部分を覆って設けられている。具体的には、基板５７０（可撓性基板５７０ｂ、接着層５７０ｃ、絶縁層５７０ａ）、接合層１２１、基板５１０（可撓性基板５１０ｂ、接着層５１０ｃ、絶縁層５１０ａ）等の露出した面の一部、または全部を覆って設けられている。また保護層１２０は、端子１１０の表面の一部と重なる開口を有する。

同一の工程で形成されたトランジスタを、トランジスタ３０２ｔ、トランジスタ３０３ｔ、トランジスタ３０８ｔ等のトランジスタに適用できる。トランジスタの構成については、実施の形態２を参照できる。

また、トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、タッチパネルを構成する各種配線及び電極に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステンなどの金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、そのチタン膜又は窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜又は窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫又は酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。

［構成例２］
図１５（Ａ）、（Ｂ）は、タッチパネル５０５の斜視図である。なお明瞭化のため、代表的な構成要素を示す。図１６は、図１５（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図である。

タッチパネル５０５は、表示部５０１とタッチセンサ５９５を備える（図１５（Ｂ））。また、タッチパネル５０５は、基板５１０、基板５７０及び基板５９０を有する。なお、基板５１０、基板５７０及び基板５９０はいずれも可撓性を有する。

表示部５０１は、基板５１０、基板５１０上に複数の画素及び当該画素に信号を供給することができる複数の配線５１１、及び駆動回路５０３を備える。複数の配線５１１は、基板５１０の外周部にまで引き回され、その一部に端子１１０が設けられている。端子１１０はＦＰＣ５０９（１）と電気的に接続する。

端子１１０は、配線５１１上の導電層１１０ｂと、導電層１１０ｂ上の導電層１１０ａとを有する積層構造を有している。

基板５９０には、タッチセンサ５９５と、タッチセンサ５９５と電気的に接続する複数の配線５９８を備える。複数の配線５９８は基板５９０の外周部に引き回され、その一部は端子を構成する。そして、当該端子はＦＰＣ５０９（２）と電気的に接続される。なお、図１５（Ｂ）では明瞭化のため、基板５９０の裏面側（基板５１０と対向する面側）に設けられるタッチセンサ５９５の電極や配線等を実線で示している。

タッチセンサ５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。

投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。

以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図１５（Ｂ）を用いて説明する。

なお、指等の検知対象の近接または接触を検知することができるさまざまなセンサを適用することができる。

投影型静電容量方式のタッチセンサ５９５は、電極５９１と電極５９２を有する。電極５９１は複数の配線５９８のいずれかと電気的に接続し、電極５９２は複数の配線５９８の他のいずれかと電気的に接続する。

電極５９２は、図１５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数の四辺形が角部で接続された形状を有する。

電極５９１は四辺形であり、電極５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置されている。

配線５９４は、電極５９２を挟む二つの電極５９１を電気的に接続する。このとき、電極５９２と配線５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結果、タッチセンサ５９５を透過する光の輝度ムラを低減することができる。

なお、電極５９１、電極５９２の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。例えば、複数の電極５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極５９２を、電極５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極５９２の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。

タッチセンサ５９５は、基板５９０、基板５９０上に千鳥状に配置された電極５９１及び電極５９２、電極５９１及び電極５９２を覆う絶縁層５９３並びに隣り合う電極５９１を電気的に接続する配線５９４を備える。

接着層５９７は、タッチセンサ５９５が表示部５０１に重なるように、基板５９０を基板５７０に貼り合わせている。

電極５９１及び電極５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。

また、電極５９１及び電極５９２をそれぞれメッシュ状の形状とし、メッシュの開口と発光素子とが互いに重なるように配置してもよい。このとき、電極５９１及び電極５９２に導電性の低い金属や合金などの材料を用いることができる。

なお、電極５９１及び電極５９２などの導電膜、つまり、タッチパネルを構成する配線や電極に用いることのできる材料として、例えば、抵抗値が低いものが望ましい。一例として、銀、銅、アルミニウム、カーボンナノチューブ、グラフェン、ハロゲン化金属（ハロゲン化銀など）などを用いてもよい。さらに、非常に細くした（例えば、直径が数ナノメートル）多数の導電体を用いて構成されるような金属ナノワイヤを用いてもよい。または、導電体を網目状にした金属メッシュを用いてもよい。一例としては、Ａｇナノワイヤや、Ｃｕナノワイヤ、Ａｌナノワイヤ、Ａｇメッシュや、Ｃｕメッシュ、Ａｌメッシュなどを用いてもよい。Ａｇナノワイヤの場合、光透過率は８９％以上、シート抵抗値は４０以上１００Ω／□以下を実現することができる。なお、透過率が高いため、表示素子に用いる電極、例えば、画素電極や共通電極に、金属ナノワイヤ、金属メッシュ、カーボンナノチューブ、グラフェンなどを用いてもよい。

透光性を有する導電性材料を基板５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極５９１及び電極５９２を形成することができる。

また、絶縁層５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。

また、電極５９１に達する開口が絶縁層５９３に設けられ、配線５９４が隣接する電極５９１を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高めることができるため、配線５９４に好適に用いることができる。また、電極５９１及び電極５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線５９４に好適に用いることができる。

一の電極５９２は一方向に延在し、複数の電極５９２がストライプ状に設けられている。

配線５９４は電極５９２と交差して設けられている。

一対の電極５９１が一の電極５９２を挟んで設けられ、配線５９４は一対の電極５９１を電気的に接続している。

なお、複数の電極５９１は、一の電極５９２と必ずしも直交する方向に配置される必要はなく、９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。

一の配線５９８は、電極５９１又は電極５９２と電気的に接続される。配線５９８の一部は、端子として機能する。配線５９８としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。

なお、絶縁層５９３及び配線５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ５９５を保護することができる。

また、接続層５９９は、配線５９８とＦＰＣ５０９（２）を電気的に接続する。

接続層５９９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

接着層５９７は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いることができ、具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシなどの樹脂、またはシロキサン結合を有する樹脂などを用いることができる。

表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。

本実施の形態では、白色の光を射出する有機ＥＬ素子を表示素子に適用する場合について説明するが、表示素子はこれに限られない。

例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機ＥＬ素子を副画素毎に適用してもよい。

基板５１０、基板５７０、及び接合層１２１は、構成例１と同様の構成が適用できる。

画素は、副画素５０２Ｒを含み、副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。

副画素５０２Ｒは、第１の発光素子５５０Ｒ及び第１の発光素子５５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール５８０Ｒは第１の発光素子５５０Ｒ及び光学素子（例えば着色層５６７Ｒ）を備える。

発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間にＥＬ層を有する。

発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に第１の着色層５６７Ｒを有する。

また、接合層１２１が光を取り出す側に設けられている場合、接合層１２１は、第１の発光素子５５０Ｒと第１の着色層５６７Ｒに接する。

第１の着色層５６７Ｒは第１の発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は第１の着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、着色層（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。

表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防止層５６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

表示部５０１は、絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１はトランジスタ５０２ｔを覆っている。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用することができる。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。

表示部５０１は、発光素子（例えば第１の発光素子５５０Ｒ）を絶縁膜５２１上に有する。

表示部５０１は、第１の下部電極の端部に重なる隔壁５２８を絶縁膜５２１上に有する。また、基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサを、隔壁５２８上に有する。

走査線駆動回路５０３ｇ（１）は、トランジスタ５０３ｔ及び容量５０３ｃを含む。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。

表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子１１０が配線５１１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるＦＰＣ５０９（１）が端子１１０に電気的に接続されている。

なお、ＦＰＣ５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。

表示部５０１は、走査線、信号線及び電源線等の配線を有する。上述した様々な導電膜を配線に用いることができる。

保護層１２０は、タッチパネルの露出した部分を覆って設けられている。具体的には、基板５９０、接着層５９７、基板５７０（可撓性基板５７０ｂ、接着層５７０ｃ、絶縁層５７０ａ）、接合層１２１、端子１１０、基板５１０（可撓性基板５１０ｂ、接着層５１０ｃ、絶縁層５１０ａ）等の露出した面の一部、または全部を覆って設けられている。また保護層１２０は、端子１１０の導電層１１０ａの表面の一部と重なる開口を有する。

なお、様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１６（Ａ）、（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図１６（Ａ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層を、図１６（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

また、トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１６（Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図１６（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

なお、ここではＦＰＣ５０９（２）を基板５９０の基板５１０側に接続する構成を示したが、図１７に示すように、これとは反対側に取り出す構成としてもよい。こうすることで、ＦＰＣ５０９（１）とＦＰＣ５０９（２）の両方が、タッチパネル５０５の一方の面側に接続された構成とすることができる。

［構成例３］
図１８は、タッチパネル５０５Ｂの断面図である。本実施の形態で説明するタッチパネル５０５Ｂは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する表示部５０１を備える点及びタッチセンサが表示部の基板５１０側に設けられている点が、構成例２のタッチパネル５０５とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

第１の着色層５６７Ｒは第１の発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。また、図１８（Ａ）に示す発光素子５５０Ｒは、トランジスタ５０２ｔが設けられている側に光を射出する。これにより、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は第１の着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、着色層（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。

タッチセンサ５９５は、表示部５０１の基板５１０側に設けられている（図１８（Ａ））。

接着層５９７は、基板５１０と基板５９０の間にあり、表示部５０１とタッチセンサ５９５を貼り合わせる。

保護層１２０は、タッチパネルの露出した部分を覆って設けられている。具体的には、基板５７０（可撓性基板５７０ｂ、接着層５７０ｃ、絶縁層５７０ａ）、接合層１２１、基板５１０（可撓性基板５１０ｂ、接着層５１０ｃ、絶縁層５１０ａ）、基板５９０、接着層５９７、端子１１０、配線５９８等の露出した面の一部、または全部を覆って設けられている。また保護層１２０は、端子１１０、及び配線５９８等の表面の一部と重なる開口を有する。

なお、配線５９８に、上述した酸化しにくい導電性材料を適用してもよい。または、配線５９８の端子として機能する部分に、このような導電性材料を適用してもよい。または、配線５９８の端子として機能する部分に、このような導電性材料を含む層を積層して設けてもよい。

なお、様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１８（Ａ）、（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図１８（Ａ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、多結晶シリコン等を含む半導体層を、図１８（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

また、トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１８（Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコン又は転写された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図１８（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態４）
［成膜装置の構成例］
以下では、本発明の一態様の機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、またはタッチパネルを構成する薄膜を成膜することのできる装置について説明する。以下で例示する装置は、特に保護層１２０等の成膜に好適に用いることができる。

〔成膜装置ＡＬＤの構成例〕
図１９は、成膜装置ＡＬＤを説明する図である。

本実施の形態で説明する成膜装置ＡＬＤは、成膜室７１０と、成膜室７１０に接続される制御部７１２と、を有する（図１９参照）。

制御部７１２は、制御信号を供給する制御装置（図示せず）ならびに制御信号を供給される流量制御器７１２ａ、流量制御器７１２ｂおよび流量制御器７１２ｃを備える。例えば、高速バルブを流量制御器に用いることができる。具体的にはＡＬＤ用バルブ等を用いることにより、精密に流量を制御することができる。また、流量制御器および配管の温度を制御する加熱機構７１２ｈを有する。

流量制御器７１２ａは、制御信号ならびに第１の原料および不活性ガスを供給され、制御信号に基づいて第１の原料または不活性ガスを供給する機能を有する。

流量制御器７１２ｂは、制御信号ならびに第２の原料および不活性ガスを供給され、制御信号に基づいて第２の原料または不活性ガスを供給する機能を有する。

流量制御器７１２ｃは、制御信号を供給され、制御信号に基づいて排気装置７１５に接続する機能を有する。

≪原料供給部≫
原料供給部７１１ａは、第１の原料を供給する機能を有し、流量制御器７１２ａに接続されている。

原料供給部７１１ｂは、第２の原料を供給する機能を有し、流量制御器７１２ｂに接続されている。

気化器または加熱手段等を原料供給部に用いることができる。これにより、固体の原料や液体の原料から気体の原料を生成することができる。

なお、原料供給部は２つに限定されず、３つ以上の原料供給部を有することができる。

≪原料≫
さまざまな物質を第１の原料に用いることができる。

例えば、揮発性の有機金属化合物、金属アルコキシド等を第１の原料に用いることができる。

第１の原料と反応をするさまざまな物質を第２の原料に用いることができる。例えば、酸化反応に寄与する物質、還元反応に寄与する物質、付加反応に寄与する物質、分解反応に寄与する物質または加水分解反応に寄与する物質などを第２の原料に用いることができる。

また、ラジカル等を用いることができる。例えば、原料をプラズマ源に供給し、プラズマ等を用いることができる。具体的には酸素ラジカル、窒素ラジカル等を用いることができる。

ところで、第１の原料と組み合わせて用いる第２の原料は、室温に近い温度で反応する原料が好ましい。例えば、反応温度が室温以上２００℃以下好ましくは５０℃以上１５０℃以下である原料が好ましい。

≪排気装置≫
排気装置７１５は、排気する機能を有し、流量制御器７１２ｃに接続されている。なお、排出される原料を捕捉するトラップを排出口７１４と流量制御器７１２ｃの間に有してもよい。このとき、除害設備を用いて排気を除害することが好ましい。

≪制御部≫
制御装置は、流量制御器を制御する制御信号または加熱機構を制御する制御信号等を供給する。例えば、第１のステップにおいて、第１の原料を加工部材７００の表面に供給する。そして、第２のステップにおいて、第１の原料と反応する第２の原料を供給する。これにより第１の原料は第２の原料と反応し、反応生成物が加工部材７００の表面に堆積することができる。

加工部材７００の表面に堆積させる反応生成物の量は、第１のステップと第２のステップを繰り返すことにより、制御することができる。

加工部材７００に供給される第１の原料の量は、加工部材７００の表面が吸着することができる量により制限される。例えば、第１の原料の単分子層が加工部材７００の表面に形成される条件を選択し、形成された第１の原料の単分子層に第２の原料を反応させることにより、極めて均一な第１の原料と第２の原料の反応生成物を含む層を形成することができる。

その結果、入り組んだ構造を表面に備える加工部材７００の表面に、さまざまな材料を成膜することができる。例えば３ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚さを備える膜を、加工部材７００に形成することができる。

例えば、加工部材７００の表面にピンホールと呼ばれる小さい穴や、マイクロクラックと呼ばれる小さいヒビ等が形成されている場合、これらの内部に回り込んで成膜材料を成膜し、ピンホールやマイクロクラックを埋めることができる。

成膜装置ＡＬＤは、成膜される膜の段差被覆性（ステップカバレッジ）が極めて高いという特徴を有している。また、加工部材７００の表面形状が複雑な凹凸形状を有している場合であっても、その表面にも均質な膜を成膜できるという特徴を有している。

また、余剰の第１の原料または第２の原料を、排気装置７１５を用いて成膜室７１０から排出する。例えば、アルゴンまたは窒素などの不活性ガスを導入しながら排気してもよい。

≪成膜室≫
成膜室７１０は、第１の原料、第２の原料および不活性ガスを供給される導入口７１３と、第１の原料、第２の原料および不活性ガスを排出する排出口７１４とを備える。

成膜室７１０は、単数または複数の加工部材７００を支持する機能を備える支持部７１６と、加工部材を加熱する機能を備える加熱機構７１７と、加工部材７００の搬入および搬出をする領域を開閉する機能を備える扉７１８と、を有する。

例えば、抵抗加熱器または赤外線ランプ等を加熱機構７１７に用いることができる。

加熱機構７１７は、例えば８０℃以上、１００℃以上または１５０℃以上に加熱する機能を備える。

加熱機構７１７は、例えば室温以上２００℃以下好ましくは５０℃以上１５０℃以下の温度になるように加工部材７００を加熱する。

また、成膜室７１０は、圧力調整器および圧力検知器を有する。

≪支持部≫
支持部７１６は、単数または複数の加工部材７００を支持する。これにより、一回の処理ごとに単数または複数の加工部材７００に例えば絶縁膜を形成できる。

加工部材７００としては、基板のほか、機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、表示装置、入力装置、またはＦＰＣ等のモジュールが接続された機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル等を適用することができる。

〔膜の例〕
本実施の形態で説明する成膜装置ＡＬＤを用いて、作製することができる膜について説明する。

例えば、酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物、三元化合物、金属またはポリマーを含む膜を形成することができる。

例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムシリケート、ハフニウムシリケート、酸化ランタン、酸化珪素、チタン酸ストロンチウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化スカンジウム、酸化エルビウム、酸化バナジウムまたは酸化インジウム等を含む材料を成膜することができる。

例えば、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化珪素、窒化タンタル、窒化チタン、窒化ニオブ、窒化モリブデン、窒化ジルコニウムまたは窒化ガリウム等を含む材料を成膜することができる。

例えば、銅、白金、ルテニウム、タングステン、イリジウム、パラジウム、鉄、コバルトまたはニッケル等を含む材料を成膜することができる。

例えば、硫化亜鉛、硫化ストロンチウム、硫化カルシウム、硫化鉛、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウムまたはフッ化亜鉛等を含む材料を成膜することができる。

例えば、チタンおよびアルミニウムを含む窒化物、チタンおよびアルミニウムを含む酸化物、アルミニウムおよび亜鉛を含む酸化物、マンガンおよび亜鉛を含む硫化物、セリウムおよびストロンチウムを含む硫化物、エルビウムおよびアルミニウムを含む酸化物、イットリウムおよびジルコニウムを含む酸化物等を含む材料を成膜することができる。

≪酸化アルミニウムを含む膜≫
例えば、アルミニウム前駆体化合物を含む原料を気化させたガスを第１の原料に用いることができる。具体的には、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ、化学式はＡｌ（ＣＨ_３）_３）またはトリス（ジメチルアミド）アルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、アルミニウムトリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）などを用いることができる。

水蒸気（化学式はＨ_２Ｏ）を第２の原料に用いることができる。

成膜装置ＡＬＤを用いて上記の第１の原料および第２の原料から、酸化アルミニウムを含む膜を形成できる。

≪酸化ハフニウムを含む膜≫
例えば、ハフニウム前駆体化合物を含む原料を気化させたガスを第１の原料に用いることができる。具体的には、テトラキス（ジメチルアミド）ハフニウム（ＴＤＭＡＨ、化学式はＨｆ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_４）またはテトラキス（エチルメチルアミド）ハフニウム等のハフニウムアミドを含む原料を用いることができる。

オゾンを第２の原料に用いることができる。

成膜装置ＡＬＤを用いて上記の第１の原料および第２の原料から、酸化ハフニウムを含む膜を形成できる。

≪タングステンを含む膜≫
例えば、ＷＦ_６ガスを第１の原料に用いることができる。

Ｂ_２Ｈ_６ガスまたはＳｉＨ_４ガスなどを第２の原料に用いることができる。

成膜装置ＡＬＤを用いて上記の第１の原料および第２の原料から、タングステンを含む膜を形成できる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び照明装置について、図面を用いて説明する。

本発明の一態様の機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、入力装置、表示装置、または入出力装置を用いて、電子機器や照明装置を作製できる。本発明の一態様の入力装置、表示装置、または入出力装置を用いて、曲面を有し、信頼性の高い電子機器や照明装置を作製できる。また、本発明の一態様の入力装置、表示装置、または入出力装置を用いて、可撓性を有し、信頼性の高い電子機器や照明装置を作製できる。また本発明の一態様の入力装置、または入出力装置を用いて、タッチセンサの検出感度が向上した電子機器や照明装置を作製できる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。

また、本発明の一態様の電子機器又は照明装置は可撓性を有する場合、家屋やビルの内壁もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。

また、本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。

二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、リチウムイオン電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる。

本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器が二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。

図２０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、（Ｅ）に、湾曲した表示部７０００を有する電子機器の一例を示す。表示部７０００はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。なお、表示部７０００は可撓性を有していてもよい。

表示部７０００は、本発明の一態様の機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、表示装置、または入出力装置等を用いて作製される。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。

図２０（Ａ）に携帯電話機の一例を示す。携帯電話機７１００は、筐体７１０１、表示部７０００、操作ボタン７１０３、外部接続ポート７１０４、スピーカ７１０５、マイク７１０６等を有する。

図２０（Ａ）に示す携帯電話機７１００は、表示部７０００にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。

また、操作ボタン７１０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７０００に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。

図２０（Ｂ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７２００は、筐体７２０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７２０３により筐体７２０１を支持した構成を示している。

図２０（Ｂ）に示すテレビジョン装置７２００の操作は、筐体７２０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７２１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作してもよい。リモコン操作機７２１１は、当該リモコン操作機７２１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７２１１が備える操作キー又はタッチパネルにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

なお、テレビジョン装置７２００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図２０（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、（Ｅ）に携帯情報端末の一例を示す。各携帯情報端末は、筐体７３０１及び表示部７０００を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク、アンテナ、又はバッテリ等を有していてもよい。表示部７０００にはタッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。

図２０（Ｃ１）は、携帯情報端末７３００の斜視図であり、図２０（Ｃ２）は携帯情報端末７３００の上面図である。図２０（Ｄ）は、携帯情報端末７３１０の斜視図である。図２０（Ｅ）は、携帯情報端末７３２０の斜視図である。

本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。

携帯情報端末７３００、携帯情報端末７３１０及び携帯情報端末７３２０は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、図２０（Ｃ１）、（Ｄ）に示すように、３つの操作ボタン７３０２を一の面に表示し、矩形で示す情報７３０３を他の面に表示することができる。図２０（Ｃ１）、（Ｃ２）では、携帯情報端末の上側に情報が表示される例を示し、図２０（Ｄ）では、携帯情報端末の横側に情報が表示される例を示す。また、携帯情報端末の３面以上に情報を表示してもよく、図２０（Ｅ）では、情報７３０４、情報７３０５、情報７３０６がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。

なお、情報の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）の通知、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報が表示されている位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。

例えば、携帯情報端末７３００の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末７３００を収納した状態で、その表示（ここでは情報７３０３）を確認することができる。

具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末７３００の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末７３００をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。

図２０（Ｆ）〜（Ｈ）に、湾曲した発光部を有する照明装置の一例を示している。

図２０（Ｆ）〜（Ｈ）に示す各照明装置が有する発光部は、本発明の一態様の機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、表示装置、または入出力装置等を用いて作製される。本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を提供できる。

図２０（Ｆ）に示す照明装置７４００は、波状の発光面を有する発光部７４０２を備える。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。

図２０（Ｇ）に示す照明装置７４１０の備える発光部７４１２は、凸状に湾曲した２つの発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７４１０を中心に全方位を照らすことができる。

図２０（Ｈ）に示す照明装置７４２０は、凹状に湾曲した発光部７４２２を備える。したがって、発光部７４２２からの発光を、照明装置７４２０の前面に集光するため、特定の範囲を明るく照らす場合に適している。また、このような形態とすることで、影ができにくいという効果を奏する。

また、照明装置７４００、照明装置７４１０及び照明装置７４２０の備える各々の発光部は可撓性を有していてもよい。発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。

照明装置７４００、照明装置７４１０及び照明装置７４２０は、それぞれ、操作スイッチ７４０３を備える台部７４０１と、台部７４０１に支持される発光部を有する。

なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。

図２１（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ）〜（Ｉ）に、可撓性を有する表示部７００１を有する携帯情報端末の一例を示す。

表示部７００１は、本発明の一態様の機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、表示装置、または入出力装置等を用いて作製される。例えば、曲率半径０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる表示装置、または入出力装置等を適用できる。また、表示部７００１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れることで携帯情報端末を操作することができる。本発明の一態様により、可撓性を有する表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。

図２１（Ａ１）は、携帯情報端末の一例を示す斜視図であり、図２１（Ａ２）は、携帯情報端末の一例を示す側面図である。携帯情報端末７５００は、筐体７５０１、表示部７００１、引き出し部材７５０２、操作ボタン７５０３等を有する。

携帯情報端末７５００は、筐体７５０１内にロール状に巻かれた可撓性を有する表示部７００１を有する。

また、携帯情報端末７５００は内蔵された制御部によって映像信号を受信可能で、受信した映像を表示部７００１に表示することができる。また、携帯情報端末７５００にはバッテリが内蔵されている。また、筐体７５０１にコネクタを接続する端子部を備え、映像信号や電力を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。

また、操作ボタン７５０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え等を行うことができる。なお、図２１（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ）では、携帯情報端末７５００の側面に操作ボタン７５０３を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報端末７５００の表示面と同じ面（おもて面）や、裏面に配置してもよい。

図２１（Ｂ）には、表示部７００１を引き出し部材７５０２により引き出した状態の携帯情報端末７５００を示す。この状態で表示部７００１に映像を表示することができる。また、表示部７００１の一部がロール状に巻かれた図２１（Ａ１）の状態と表示部７００１を引き出し部材７５０２により引き出した図２１（Ｂ）の状態とで、携帯情報端末７５００が異なる表示を行う構成としてもよい。例えば、図２１（Ａ１）の状態のときに、表示部７００１のロール状に巻かれた部分を非表示とすることで、携帯情報端末７５００の消費電力を下げることができる。

なお、表示部７００１を引き出した際に表示部７００１の表示面が平面状となるように固定するため、表示部７００１の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。

なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によって音声を出力する構成としてもよい。

図２１（Ｃ）〜（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図２１（Ｃ）では、展開した状態、図２１（Ｄ）では、展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態、図２１（Ｅ）では、折りたたんだ状態の携帯情報端末７６００を示す。携帯情報端末７６００は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。

表示部７００１はヒンジ７６０２によって連結された３つの筐体７６０１に支持されている。ヒンジ７６０２を介して２つの筐体７６０１間を屈曲させることにより、携帯情報端末７６００を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。

図２１（Ｆ）、（Ｇ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図２１（Ｆ）では、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図２１（Ｇ）では、表示部７００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携帯情報端末７６５０は表示部７００１及び非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７６５０を使用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部７００１の汚れや傷つきを抑制できる。

図２１（Ｈ）に、可撓性を有する携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７７００は、筐体７７０１及び表示部７００１を有する。さらに、入力手段であるボタン７７０３ａ、７７０３ｂ、音声出力手段であるスピーカ７７０４ａ、７７０４ｂ、外部接続ポート７７０５、マイク７７０６等を有していてもよい。また、携帯情報端末７７００は、可撓性を有するバッテリ７７０９を搭載することができる。バッテリ７７０９は例えば表示部７００１と重ねて配置してもよい。

筐体７７０１、表示部７００１、及びバッテリ７７０９は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７７００を所望の形状に湾曲させることや、携帯情報端末７７００に捻りを加えることが容易である。例えば、携帯情報端末７７００は、表示部７００１が内側又は外側になるように折り曲げて使用することができる。または、携帯情報端末７７００をロール状に巻いた状態で使用することもできる。このように筐体７７０１及び表示部７００１を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末７７００は、落下した場合、又は意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。

また、携帯情報端末７７００は軽量であるため、筐体７７０１の上部をクリップ等で把持してぶら下げて使用する、又は、筐体７７０１を磁石等で壁面に固定して使用するなど、様々な状況において利便性良く使用することができる。

図２１（Ｉ）に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８００は、バンド７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、操作ボタン７８０３等を有する。バンド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を有するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は例えば表示部７００１やバンド７８０１と重ねて配置してもよい。

バンド７８０１、表示部７００１、及びバッテリ７８０５は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７８００を所望の形状に湾曲させることが容易である。

操作ボタン７８０３は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティングシステムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。

また、表示部７００１に表示されたアイコン７８０４に指等で触れることで、アプリケーションを起動することができる。

また、携帯情報端末７８００は、通信規格に準拠した近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。

また、携帯情報端末７８００は入出力端子７８０２を有していてもよい。入出力端子７８０２を有する場合、他の情報端末とコネクタを介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行ってもよい。

図２２（Ａ）に自動車９７００の外観を示す。図２２（Ｂ）に自動車９７００の運転席を示す。自動車９７００は、車体９７０１、車輪９７０２、ダッシュボード９７０３、ライト９７０４等を有する。本発明の一態様の表示装置、または入出力装置は、自動車９７００の表示部などに用いることができる。例えば、図２２（Ｂ）に示す表示部９７１０乃至表示部９７１５に本発明の一態様の機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、表示装置、または入出力装置を設けることができる。

表示部９７１０と表示部９７１１は、自動車のフロントガラスに設けられた表示装置、または入出力装置である。本発明の一態様の表示装置、または入出力装置は、表示装置、または入出力装置が有する電極を、透光性を有する導電性材料で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置、または入出力装置とすることができる。シースルー状態の表示装置、または入出力装置であれば、自動車９７００の運転時にも視界の妨げになることがない。よって、本発明の一態様の表示装置、または入出力装置を自動車９７００のフロントガラスに設置することができる。なお、表示装置、または入出力装置に、表示装置、または入出力装置を駆動するためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料を用いた有機トランジスタや、酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いるとよい。

表示部９７１２はピラー部分に設けられた表示装置、または入出力装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７１２に映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。表示部９７１３はダッシュボード部分に設けられた表示装置、または入出力装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７１３に映し出すことによって、ダッシュボードで遮られた視界を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。

また、図２２（Ｃ）は、運転席と助手席にベンチシートを採用した自動車の室内を示している。表示部９７２１は、ドア部に設けられた表示装置、または入出力装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７２１に映し出すことによって、ドアで遮られた視界を補完することができる。また、表示部９７２２は、ハンドルに設けられた表示装置、または入出力装置である。表示部９７２３は、ベンチシートの座面の中央部に設けられた表示装置、または入出力装置である。なお、表示装置、または入出力装置を座面や背もたれ部分などに設置して、当該表示装置、または入出力装置を、当該表示装置、または入出力装置の発熱を熱源としたシートヒーターとして利用することもできる。

表示部９７１４、表示部９７１５、または表示部９７２２はナビゲーション情報、スピードメーターやタコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。また、表示部に表示される表示項目やレイアウトなどは、使用者の好みに合わせて適宜変更することができる。なお、上記情報は、表示部９７１０乃至表示部９７１３、表示部９７２１、表示部９７２３にも表示することができる。また、表示部９７１０乃至表示部９７１５、表示部９７２１乃至表示部９７２３は照明装置として用いることも可能である。また、表示部９７１０乃至表示部９７１５、表示部９７２１乃至表示部９７２３は加熱装置として用いることも可能である。

本発明の一態様の機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、表示装置、または入出力装置が適用される表示部は平面であってもよい。この場合、本発明の一態様の機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、表示装置、または入出力装置は、曲面や可撓性を有さない構成であってもよい。

図２２（Ｄ）に示す携帯型ゲーム機は、筐体９０１、筐体９０２、表示部９０３、表示部９０４、マイクロフォン９０５、スピーカ９０６、操作キー９０７、スタイラス９０８等を有する。

図２２（Ｄ）に示す携帯型ゲーム機は、２つの表示部（表示部９０３と表示部９０４）を有する。なお、本発明の一態様の電子機器が有する表示部の数は、２つに限定されず１つであっても３つ以上であってもよい。電子機器が複数の表示部を有する場合、少なくとも１つの表示部が本発明の一態様の機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、表示装置、または入出力装置を有していればよい。

図２２（Ｅ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体９２１、表示部９２２、キーボード９２３、ポインティングデバイス９２４等を有する。

表示部９２２に、本発明の一態様の機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、表示装置、または入出力装置を適用することができる。

図２３（Ａ）に、カメラ８０００の外観を示す。カメラ８０００は、筐体８００１、表示部８００２、操作ボタン８００３、シャッターボタン８００４、結合部８００５等を有する。またカメラ８０００には、レンズ８００６を取り付けることができる。

結合部８００５は、電極を有し、後述するファインダー８１００のほか、ストロボ装置等を接続することができる。

ここではカメラ８０００として、レンズ８００６を筐体８００１から取り外して交換することが可能な構成としたが、レンズ８００６と筐体が一体となっていてもよい。

シャッターボタン８００４を押すことにより、撮像することができる。また、表示部８００２はタッチパネルとしての機能を有し、表示部８００２をタッチすることにより撮像することも可能である。

表示部８００２に、本発明の一態様の機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、表示装置、または入出力装置を適用することができる。

図２３（Ｂ）には、カメラ８０００にファインダー８１００を取り付けた場合の例を示している。

ファインダー８１００は、筐体８１０１、表示部８１０２、ボタン８１０３等を有する。

筐体８１０１には、カメラ８０００の結合部８００５と係合する結合部を有しており、ファインダー８１００をカメラ８０００に取り付けることができる。また当該結合部には電極を有し、当該電極を介してカメラ８０００から受信した映像等を表示部８１０２に表示させることができる。

ボタン８１０３は、電源ボタンとしての機能を有する。ボタン８１０３により、表示部８１０２の表示のオン・オフを切り替えることができる。

表示部８１０２に、本発明の一態様の機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、表示装置、または入出力装置を適用することができる。

なお、図２３（Ａ）（Ｂ）では、カメラ８０００とファインダー８１００とを別の電子機器とし、これらを脱着可能な構成としたが、カメラ８０００の筐体８００１に、本発明の一態様の表示装置、または入出力装置を備えるファインダーが内蔵されていてもよい。

図２３（Ｃ）には、ヘッドマウントディスプレイ８２００の外観を示している。

ヘッドマウントディスプレイ８２００は、装着部８２０１、レンズ８２０２、本体８２０３、表示部８２０４、ケーブル８２０５等を有している。また装着部８２０１には、バッテリ８２０６が内蔵されている。

ケーブル８２０５は、バッテリ８２０６から本体８２０３に電力を供給する。本体８２０３は無線受信機等を備え、受信した画像データ等の映像情報を表示部８２０４に表示させることができる。また、本体８２０３に設けられたカメラで使用者の眼球やまぶたの動きを捉え、その情報をもとに使用者の視点の座標を算出することにより、使用者の視点を入力手段として用いることができる。

また、装着部８２０１には、使用者に触れる位置に複数の電極が設けられていてもよい。本体８２０３は使用者の眼球の動きに伴って電極に流れる電流を検知することにより、使用者の視点を認識する機能を有していてもよい。また、当該電極に流れる電流を検知することにより、使用者の脈拍をモニタする機能を有していてもよい。また、装着部８２０１には、温度センサ、圧力センサ、加速度センサ等の各種センサを有していてもよく、使用者の生体情報を表示部８２０４に表示する機能を有していてもよい。また、使用者の頭部の動きなどを検出し、表示部８２０４に表示する映像をその動きに合わせて変化させてもよい。

表示部８２０４に、本発明の一態様の機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、表示装置、または入出力装置を適用することができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

１００ 機能パネル
１０１ 基板
１０２ 基板
１１０ 端子
１１０ａ 導電層
１１０ｂ 導電層
１１１ 機能素子
１１２ 導電性粒子
１２０ 保護層
１２１ 接合層
１２２ 絶縁層
１２３ 配線
１２４ 空間
１２５ 接合層
１３０ 保護層
２０１ 作製基板
２０３ 剥離層
２０５ 作製基板
２０７ 剥離層
２３０ 発光素子
３０１ 表示部
３０２ 画素
３０２Ｂ 副画素
３０２Ｇ 副画素
３０２Ｒ 副画素
３０２ｔ トランジスタ
３０３ｃ 容量
３０３ｇ（１） 走査線駆動回路
３０３ｇ（２） 撮像画素駆動回路
３０３ｓ（１） 画像信号線駆動回路
３０３ｓ（２） 撮像信号線駆動回路
３０３ｔ トランジスタ
３０４ ゲート
３０８ 撮像画素
３０８ｐ 光電変換素子
３０８ｔ トランジスタ
３０９ ＦＰＣ
３１１ 配線
３２１ 絶縁層
３２８ 隔壁
３２９ スペーサ
３５０Ｒ 発光素子
３５１Ｒ 下部電極
３５２ 上部電極
３５３ ＥＬ層
３５３ａ ＥＬ層
３５３ｂ ＥＬ層
３５４ 中間層
３６７ＢＭ 遮光層
３６７ｐ 反射防止層
３６７Ｒ 着色層
３８０Ｂ 発光モジュール
３８０Ｇ 発光モジュール
３８０Ｒ 発光モジュール
３９０ タッチパネル
５０１ 表示部
５０２Ｒ 副画素
５０２ｔ トランジスタ
５０３ 駆動回路
５０３ｃ 容量
５０３ｇ 走査線駆動回路
５０３ｔ トランジスタ
５０５ タッチパネル
５０５Ｂ タッチパネル
５０９ ＦＰＣ
５１０ 基板
５１０ａ 絶縁層
５１０ｂ 可撓性基板
５１０ｃ 接着層
５１１ 配線
５２１ 絶縁膜
５２８ 隔壁
５５０Ｒ 発光素子
５６７ＢＭ 遮光層
５６７ｐ 反射防止層
５６７Ｒ 着色層
５７０ 基板
５７０ａ 絶縁層
５７０ｂ 可撓性基板
５７０ｃ 接着層
５８０Ｒ 発光モジュール
５９０ 基板
５９１ 電極
５９２ 電極
５９３ 絶縁層
５９４ 配線
５９５ タッチセンサ
５９７ 接着層
５９８ 配線
５９９ 接続層
７００ 加工部材
７１０ 成膜室
７１１ａ 原料供給部
７１１ｂ 原料供給部
７１２ 制御部
７１２ａ 流量制御器
７１２ｂ 流量制御器
７１２ｃ 流量制御器
７１２ｈ 加熱機構
７１３ 導入口
７１４ 排出口
７１５ 排気装置
７１６ 支持部
７１７ 加熱機構
７１８ 扉
８０１ 基板
８０３ 基板
８０４ 発光部
８０６ 駆動回路部
８０８ ＦＰＣ
８０９ ＩＣ
８１０ 端子
８１１ 接着層
８１３ 絶縁層
８１４ 導電層
８１５ 絶縁層
８１６ 導電層
８１７ 絶縁層
８１７ａ 絶縁層
８１７ｂ 絶縁層
８２０ トランジスタ
８２１ 絶縁層
８２２ トランジスタ
８２５ 接続体
８２７ スペーサ
８３０ 発光素子
８３１ 下部電極
８３３ ＥＬ層
８３５ 上部電極
８４１ 接着層
８４３ 絶縁層
８４５ 着色層
８４７ 遮光層
８４９ オーバーコート
８５７ａ 導電層
８５７ｂ 導電層
９０１ 筐体
９０２ 筐体
９０３ 表示部
９０４ 表示部
９０５ マイクロフォン
９０６ スピーカ
９０７ 操作キー
９０８ スタイラス
９２１ 筐体
９２２ 表示部
９２３ キーボード
９２４ ポインティングデバイス
７０００ 表示部
７００１ 表示部
７１００ 携帯電話機
７１０１ 筐体
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 外部接続ポート
７１０５ スピーカ
７１０６ マイク
７２００ テレビジョン装置
７２０１ 筐体
７２０３ スタンド
７２１１ リモコン操作機
７３００ 携帯情報端末
７３０１ 筐体
７３０２ 操作ボタン
７３０３ 情報
７３０４ 情報
７３０５ 情報
７３０６ 情報
７３１０ 携帯情報端末
７３２０ 携帯情報端末
７４００ 照明装置
７４０１ 台部
７４０２ 発光部
７４０３ 操作スイッチ
７４１０ 照明装置
７４１２ 発光部
７４２０ 照明装置
７４２２ 発光部
７５００ 携帯情報端末
７５０１ 筐体
７５０２ 部材
７５０３ 操作ボタン
７６００ 携帯情報端末
７６０１ 筐体
７６０２ ヒンジ
７６５０ 携帯情報端末
７６５１ 非表示部
７７００ 携帯情報端末
７７０１ 筐体
７７０３ａ ボタン
７７０３ｂ ボタン
７７０４ａ スピーカ
７７０４ｂ スピーカ
７７０５ 外部接続ポート
７７０６ マイク
７７０９ バッテリ
７８００ 携帯情報端末
７８０１ バンド
７８０２ 入出力端子
７８０３ 操作ボタン
７８０４ アイコン
７８０５ バッテリ
８０００ カメラ
８００１ 筐体
８００２ 表示部
８００３ 操作ボタン
８００４ シャッターボタン
８００５ 結合部
８００６ レンズ
８１００ ファインダー
８１０１ 筐体
８１０２ 表示部
８１０３ ボタン
８２００ ヘッドマウントディスプレイ
８２０１ 装着部
８２０２ レンズ
８２０３ 本体
８２０４ 表示部
８２０５ ケーブル
８２０６ バッテリ
９７００ 自動車
９７０１ 車体
９７０２ 車輪
９７０３ ダッシュボード
９７０４ ライト
９７１０ 表示部
９７１１ 表示部
９７１２ 表示部
９７１３ 表示部
９７１４ 表示部
９７１５ 表示部
９７２１ 表示部
９７２２ 表示部
９７２３ 表示部

Claims (8)

1. 第１のトランジスタ及び前記第１のトランジスタと電気的に接続された表示素子を有する画素部と、第２のトランジスタを有する駆動回路部と、端子とが設けられた第１の基板と、第２の基板と、断面視において、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置し、且つ前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する機能を有する接合層と、を備える表示パネルであって、
   前記第１のトランジスタは、第１の半導体層を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の半導体層を有し、
   前記第１のトランジスタのゲート絶縁層として機能する領域と、前記第２のトランジスタのゲート絶縁層として機能する領域とを有する第１の絶縁層と、
   前記第１の半導体層上及び前記第２の半導体層上の第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上の第３の絶縁層と、
   前記第３の絶縁層上に位置し、前記第１の半導体層と電気的に接続された第１の導電層と、前記第３の絶縁層上に位置し、前記第２の半導体層と電気的に接続された第２の導電層と、
   前記第１の導電層上及び前記第２の導電層上の第４の絶縁層と、
   前記第４の絶縁層上及び前記表示素子上の第１の層と、を有し、
   前記第１の層は、前記第１の絶縁層と重なる領域を有し、且つ、前記第４の絶縁層の上面及び側面と、前記第３の絶縁層の上面及び側面と、前記第２の絶縁層の側面と、は、前記第１の層によって覆われる領域を有し、
   前記第１の基板の側面と、前記第２の基板の側面と、前記接合層の側面と、は、第２の層によって覆われる領域を有し、
   前記端子は、前記駆動回路部の外側且つ前記第２の基板とは重ならない領域に位置し、
   前記端子の一部は、前記第１の層及び前記第２の層から露出されている表示パネル。
2. 第１のトランジスタ及び前記第１のトランジスタと電気的に接続された表示素子を有する画素部と、第２のトランジスタを有する駆動回路部と、が設けられた第１の基板と、第２の基板と、断面視において、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置し、且つ前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する機能を有する接合層と、を備える表示パネルであって、
   前記第１のトランジスタは、第１の半導体層を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の半導体層を有し、
   前記第１のトランジスタのゲート絶縁層として機能する領域と、前記第２のトランジスタのゲート絶縁層として機能する領域とを有する第１の絶縁層と、
   前記第１の半導体層上及び前記第２の半導体層上の第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上の第３の絶縁層と、
   前記第３の絶縁層上に位置し、前記第１の半導体層と電気的に接続された第１の導電層と、前記第３の絶縁層上に位置し、前記第２の半導体層と電気的に接続された第２の導電層と、
   前記第１の導電層上及び前記第２の導電層上の第４の絶縁層と、
   前記第４の絶縁層上及び前記表示素子上の第１の層と、を有し、
   前記第１の層は、前記第１の絶縁層と重なる領域を有し、且つ、前記第４の絶縁層の上面及び側面と、前記第３の絶縁層の上面及び側面と、前記第２の絶縁層の側面と、は、前記第１の層によって覆われる領域を有し、
   前記第１の基板の側面と、前記第２の基板の側面と、前記接合層の側面と、は、第２の層によって覆われる領域を有する表示パネル。
3. 第１のトランジスタ及び前記第１のトランジスタと電気的に接続された表示素子を有する画素部と、第２のトランジスタを有する駆動回路部と、が設けられた第１の基板と、第２の基板と、断面視において、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置し、且つ前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する機能を有する接合層と、を有し、
   前記第１のトランジスタは、第１の半導体層を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の半導体層を有し、
   前記第１のトランジスタのゲート絶縁層として機能する領域と、前記第２のトランジスタのゲート絶縁層として機能する領域とを有する第１の絶縁層と、
   前記第１の半導体層上及び前記第２の半導体層上の第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上の第３の絶縁層と、
   前記第３の絶縁層上に位置し、前記第１の半導体層と電気的に接続された第１の導電層と、前記第３の絶縁層上に位置し、前記第２の半導体層と電気的に接続された第２の導電層と、
   前記第１の導電層上及び前記第２の導電層上の第４の絶縁層と、
   前記第４の絶縁層上及び前記表示素子上の第１の層と、を有し、
   前記第１の層は、前記第１の絶縁層と重なる領域を有し、且つ、前記第４の絶縁層の上面及び側面と、前記第３の絶縁層の上面及び側面と、前記第２の絶縁層の側面と、は、前記第１の層によって覆われる領域を有する表示パネル。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第１の層は、前記第１の基板の端部まで延在する表示パネル。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第１の層は、前記第２の基板の端部より延在した領域を有する表示パネル。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記第１の層は、酸素とシリコンとを有する表示パネル。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第１の基板、及び前記第２の基板は、可撓性を有する表示パネル。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記表示素子は、発光素子である表示パネル。

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