JP6825191B2 - 電磁スターラを制御するための方法及び撹拌システム - Google Patents

Description

本開示は一般的に、金属製造、特に電磁スターラを制御するための方法及び撹拌システムに関する。

浸漬エントリノズル（ＳＥＮ）は、スラブキャスター型においてフローパターンを制御するため、従ってスラブ及び最終製品の品質のために使用されている。ＳＥＮの内壁に酸化物が堆積することが原因でノズルが詰まるのを回避するため、また型内でフローパターンを制御するために、アルゴンガスをＳＥＮ内にパージすることは、一般に行われている。

製造品質への要求が高まるにつれ、従来のＳＥＮでは幾つかの問題点が確認されており、フローノズルを旋回させることが、型内での流動性、ひいては製造品質を改善させる１つの効果的な手段と考えられてきた。

タンディッシュノズルを通じて流す溶融金属の電磁撹拌が、ここ２０年の間に発達してきた。ノズル周囲に配置された電磁スターラで最も重要となるのは、ノズル内に回転磁場を生じさせることである。これにより、ノズルを介して流れる溶融金属に渦電流が誘導される。これにより、ＳＥＮ内で溶融金属を水平方向に回転させる電磁力が上昇する。

ＣＮ １００３５７０４９Ｃは、電磁式旋回ノズルを開示している。電磁式旋回手段は、ノズル周囲の可動式機構によってもたらされ、この可動式機構は、キャスト位置から動かすことができる。

ＳＥＮ内での回転／移動磁場という手段によって、最終製品において有利な効果が得られることがあるものの、本発明者らは、ＳＥＮ内で撹拌をもたらすために電磁撹拌を使用する場合であっても、最終製品について所望の高い品質を提供可能にするためには、複数のさらなるパラメータを満たすのが望ましいことに気付いた。

前述の観点から、本開示の対象は、従来技術の問題を解決可能な、又は少なくともこれを緩和可能な、ＳＥＮの周囲に備えられた電磁スターラの制御方法を提供することである。

よって本開示の第１の態様によれば、タンディッシュの処理量を制御するためのストッパロッドを備える、タンディッシュの浸漬エントリノズル（ＳＥＮ）の周囲に配置された電磁スターラを制御する方法がもたらされ、ここでＳＥＮは、タンディッシュから溶融金属を取り出すように構成されており、電磁スターラは、ＳＥＮ内で回転磁場を生じさせるように構成されており、該方法は、ストッパロッドを通じたガス流量が、１．５ＮＬ／分〜２０ＮＬ／分という第１の範囲にある場合にのみ稼働するように、電磁スターラを制御することを含む。

本発明者らは、ガス流量が１．５ＮＬ／分以上である場合にのみ稼働するように電磁スターラを制御することにより、ガス流量がこれより低い場合よりも効率的に電磁撹拌可能なことを見出した。さらに本発明者らは、電磁スターラの稼働が、２０ＮＬ／分超という比較的高いガス流量と組み合わされると、ＳＥＮ内でのガス閉塞（型内における流動性にとって、また製品品質にとって有害となり得る）が生じることを見出した。よって、ガス流量が第１の範囲にある場合にのみ電磁スターラを稼働させることにより、ＳＥＮ内で最適な撹拌をもたらすことができ、これによって、その他の点については同じままであっても、最終製品についてより高い品質を保証することが可能になる。

ＮＬ／分とは、１分あたりのノルマルリットルを意味する。本明細書で「稼働する」という用語は、電磁スターラが、ストッパロッドを通じたガス流量が特定の第１の範囲にある場合にのみ、回転磁場をもたらすように構成されていることを意味する。電磁スターラは、この回転磁場をもたらすためにエネルギー供給されるコイルを有し、従って電磁スターラが稼働すると、コイルはエネルギー供給され、これによって回転磁場が生じる。コイルは通常、電磁スターラが稼働していないときには、エネルギー供給されず、少なくとも溶融金属に回転磁場を生じさせるように、エネルギー供給されることはない。

１つの実施態様によれば、第１の範囲は、２ＮＬ／分〜１５ＮＬ／分である。最終製品についてより高い品質をもたらすためには、２ＮＬ／分〜１５ＮＬ／分という範囲が、特に有利であると実証されている。

１つの実施態様によれば、ストッパロッドを通じた第１の範囲にあるガス流量に加えて、制御することが、キャスティング処理量が少なくとも１．５トン／分である場合にのみ稼働するように電磁スターラを制御することを伴う。本発明者らは、処理量が１．５トン／分未満であるときに電磁スターラを適用すると気泡の合体が促進され、ＳＥＮ内でガス閉塞が生じる（このことは型内における流動性にとって、また製品品質にとって有害となり得る）ことを見出した。

１つの実施態様によれば、制御することは、キャスティング処理量が少なくとも１．８トン／分である場合にのみ稼働するように電磁スターラを制御することを伴う。

１つの実施態様によれば、制御工程の前に、ストッパロッドを通じてガス流量を得ることを含み、この制御は、得られたガス流量に基づいている。

１つの実施態様によれば、電磁スターラの制御は、型内の溶融金属について、０．２０ｍ／秒〜０．５０ｍ／秒という第２の範囲にある制御されたサブメニスカス速度（sub-meniscus speed）をもたらすことを伴う。

１つの実施態様によれば、第２の範囲は、０．２５ｍ／分〜０．４５ｍ／分である。

１つの実施態様は、型内の溶融金属についてサブメニスカス速度を得ることを含み、この制御は、得られたサブメニスカス速度に基づいている。

１つの実施態様によれば、ガスはアルゴンガスである。

本開示の第２の態様によれば、金属製造プロセスのための撹拌システムが提供され、この撹拌システムは、タンディッシュの処理量を制御するためのストッパロッドを備える、タンディッシュの浸漬エントリノズル（ＳＥＮ）の周囲に配置されるように構成された電磁スターラと、ストッパロッドを通じたガス流量が、１．５ＮＬ／分〜２０ＮＬ／分という第１の範囲にある場合にのみ稼働するように電磁スターラを制御するように構成された制御システムとを含むものである。

１つの実施態様によれば、第１の範囲は、２ＮＬ／分〜１５ＮＬ／分である。

１つの実施態様によれば、ストッパロッドを通じた第１の範囲にあるガス流量に加えて、制御システムが、キャスティング処理量が少なくとも１．５トン／分である場合にのみ稼働するように電磁スターラを制御するよう構成されている。

１つの実施態様によれば、制御システムは、キャスティング処理量が少なくとも１．８トン／分である場合にのみ稼働するように電磁スターラを制御するよう構成されている。

１つの実施態様によれば、制御システムは、型内の溶融金属について、０．２０ｍ／秒〜０．５０ｍ／秒という第２の範囲にある制御されたサブメニスカス速度をもたらすよう電磁スターラを制御するように構成されている。

１つの実施態様によれば、第２の範囲は、０．２５ｍ／分〜０．４５ｍ／分である。

１つの実施態様は、電磁スターラに電力を供給するように構成された電源を含み、ここで制御システムは、電源を制御することにより電磁スターラを制御するように構成されている。

１つの実施態様は、型（この中にＳＥＮが下がるように構成されている）内の溶融金属についてサブメニスカス速度を測定するように構成されたセンサを含み、ここで制御システムは、このセンサにより測定されたサブメニスカス速度に基づき、電源を制御するように構成されている。

１つの実施態様によれば、センサは、溶融金属に浸漬させるように構成されたセラミックロッドを備え、このセンサは、セラミックロッドにおけるトルクを測定するように構成されており、制御システムは、このトルクに基づき電源を制御するように構成されている。

一般的に、特許請求の範囲で使用される用語は全て、その技術分野で通常使用される意味で解釈されるべきだが、本明細書においてそうではない旨が明示的に規定されている場合には、この限りではない。「１つの、その（ａ／ａｎ／ｔｈｅ）要素、装置、構成要素、手段など」についての言及は全て、このような要素、装置、構成要素、手段などの少なくとも１つの例として非限定的に解釈されるべきであるが、そうでない旨が明示的に言及されている場合には、この限りではない。

本発明の思想の特定の実施態様について、添付図面を参照しながら、以下で例示的に説明する。

制御システムのブロック図を、概略的に示す。 金属製造のためのアセンブリ（図１における制御システムを含む）を、概略的に示す。 図１における制御システムによる電磁スターラの制御法についてフローチャートを示す。

本発明の思想について、例示的な実施形態の幾つかが示された添付図面を参照しながら、以下でより詳細に説明する。しかしながら、本発明による思想は多くの異なる形態で具現化することができ、ここに規定する実施形態に限定されると解釈されるべきではない。むしろこれらの実施形態は例示的に、本開示が網羅的かつ不足のないように、また本発明の思想の範囲を当業者に完全に伝えようとするものである。本明細書を通じて、同様の数字は、同様の要素について参照するものである。

本開示は、制御システムによって電磁スターラを制御する方法に関する。本方法は、金属製造プロセスで使用するためのものであり、これは通常、連続キャストプロセス、例えば鋼製造プロセス、アルミニウム製造プロセス、鉛製造プロセス、又は金属合金製造プロセスである。本方法は、ビレットキャスター、ブルームキャスター、又はスラブキャスターにより使用されるように構成することができる。

電磁スターラは、タンディッシュの浸漬エントリノズル（ＳＥＮ）の周囲に配置されるように構成された種類のものである。よって電磁スターラは、ＳＥＮを通じて流れる溶融金属に撹拌をもたらすように構成されている。よって電磁スターラは、ＳＥＮの周囲に円周上に延びる種類のものである。

タンディッシュは、ＳＥＮ及びストッパロッドを備え、このストッパロッドは、タンディッシュのキャスティング処理量を制御するためにガスを流すことができる軸方向のチャネルを有するものである。このガスは通常、アルゴンガスである。

本方法は、ストッパロッドを通じたガス流量が１．５ＮＬ／分〜２０ＮＬ／分という第１の範囲にある場合にのみ、電磁スターラが稼働状態となるように、制御システムによって電磁スターラを制御することを伴う。第１の範囲は例えば、２ＮＬ／分〜１５ＮＬ／分であり得る。この目的のために、制御システムは、ストッパロッドを通じたガス流量が第１の範囲にある場合にのみ、ＳＥＮを通じて流れる溶融金属に回転磁場を生じさせるように、電磁スターラを制御するよう構成されている。

図１を参照しながら、電磁スターラを制御するように構成された制御システムの例を、以下で説明する。例示的な制御システム１は、処理回路構成３と、記録媒体５とを備え、この記録媒体は、処理回路構成３が制御システム１に本明細書に開示された方法を行うように実行されると、コンピュータにより実行可能な構成要素を含むものである。

処理回路構成３は、電磁スターラの制御に関して本明細書に開示される作業を実行可能な１つ又は複数の適切な中央処理ユニット（ＣＰＵ）、マルチプロセッサ、マイクロコントローラ、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、用途特有の集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）などのあらゆる組み合わせを使用する。

記録媒体５は例えば、メモリ、例えばランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、消去可能なプログラマブル読み出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、又は電気的に消去可能なプログラマブル読み出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）として、より具体的には外部メモリにおけるデバイスの不揮発性記録媒体として、例えばＵＳＢ（Universal Serial Bus）、又はフラッシュメモリ、例えばコンパクトフラッシュ（登録商標）メモリとして、具現化できる。

図２は、電磁スターラを制御する際に制御システム１が稼働する環境の例を示す。アセンブリ７は、金属製造プロセスで使用されるものであり、このアセンブリ７は、タンディッシュ９（底部に取り出し孔が設けられた冶金容器）と、タンディッシュ９から、特に底部取り出し孔を介して溶融金属を取り出すように構成されたＳＥＮ１１と、ストッパロッド１５とを備える。ＳＥＮ１１は、モノリス状、又は非モノリス状であり得る。

アセンブリ７はまた、ＳＥＮ１１の周囲に設置された電磁スターラ１３と、制御システム１とを備える撹拌システムを含む。撹拌システムはまた、電磁スターラ１３に電力を供給するように構成された電源１７を含む。電源１７は例えば、電力変換器、例えばＡＣ／ＡＣコンバータ、又はＤＣ／ＡＣコンバータであり得る。制御システム１は、電源１７を制御することによって、電磁スターラ１３を制御するように構成されている。このようにして、ＳＥＮ１１に印加される回転磁場を制御することができる。よって、ＳＥＮ１１を通じて流れる溶融金属を回転させる電磁力を、制御することができる。

電磁スターラ１３は、タンディッシュに対して、またＳＥＮに対して固定して設置されるように構成されていてよいか、又はＳＥＮに対して可動に設置されていてよい。前者の場合、電磁スターラは、タンディッシュ及びＳＥＮに対して不動に設置されるよう構成されている。特に、電磁スターラはこの場合、固定構造に設置されるように構成されており、この固定構造は、タンディッシュに対して、またＳＥＮに対して、固定されている。この固定構造は例えば、タンディッシュ自体、例えばタンディッシュ底部、タンディッシュ底部に設置されたＳＥＮ切り離しデバイス、又はロックデバイス（通常は、長手方向に延びる２つのＳＥＮノズル部に取り付けてこれらとともにロックするように構成されている）であり得る。

電磁スターラ１３は、ＳＥＮ１１を取り囲む部分に可動部が無いという意味合いにおいて、閉鎖型の電磁スターラであってよい。電磁スターラ１３は、閉鎖型で一体型のＳＥＮ閉鎖部、又はＳＥＮ１１を取り囲むように構成されている環状端部を有することができる。この例によれば、電磁スターラ１３は、開けることができない。よって、環状端部は一体化されているものの、環状端部には、区別可能な複数の構成要素、例えば磁心及びこの磁心の周囲に巻かれたコイルが含まれ得ることが、理解されるべきである。環状端部は、ＳＥＮ１１を受容するように構成されたチャネルを形成する。このチャネルは、チャネルの内周に沿って円周方向でシームレスと言うことができる。電磁スターラ１３が閉鎖型である場合、電磁スターラ１３は、組み込みの間に開けておくことはできず、閉鎖前に、ＳＥＮ１１の両側からＳＥＮ１１の周囲に配置される。その代わりに、組み込みの間に電磁スターラ１３を、ＳＥＮ１１上にその軸方向で通す。ＳＥＮ閉鎖部によって、円周状に閉鎖された一体型の環状通路（ＳＥＮはこの環状通路を通じて延びるように構成されている）がもたらされる。閉鎖型で一体型のＳＥＮ閉鎖部には、動く部材がなく、これによって電磁スターラの耐用期間が延びる。開放型電磁スターラに比して、より高い磁場強度を得ることができ、磁気の漏洩を減少させることができる。

別の変法によれば、電磁スターラ１３は、開けることができる。電磁スターラ１３は、この場合、開放可能なＳＥＮ閉鎖部を有する。ＳＥＮ閉鎖部は例えば、ヒンジ式であってよいか、又は電磁スターラ１３は、２つの分離可能な対となる部材（この対となる部材は、ＳＥＮ１１の周囲に配置可能である）を備えることができ、ここでこの対となる部材は、相互に組み立てられる。

アセンブリ７を使用する際、溶融金属は、取瓶からタンディッシュ９へと取り出される。タンディッシュから排出された溶融金属の流れは、ＳＥＮ１１によって制御することができ、通常は、ストッパロッド１５によって制御できる。ストッパロッド１５は、ガス入口及びガス出口を備え、これらのガス入口及びガス出口は、ストッパロッド１５を通じてガス入口からガス出口へとガスを流してＳＥＮ１１に入れるよう長手方向に延びるチャネル１５ａによって接続されており、このＳＥＮ１１は、ストッパロッド１５と位置合わせされて、ただしストッパロッド１５の下流に配置されている。よって、ノズル詰まりを回避するために、ＳＥＮ１１における溶融金属の流れを制御することができる。ストッパロッド１５はさらに、タンディッシュ９からＳＥＮ１１を介して型１９へと溶融金属を流す流量を調整するため、垂直方向で上下に動くよう構成されていてよい。

タンディッシュ９の下方には、型１９があり、この型１９の中へとＳＥＮ１１が延び、このＳＥＮ１１から溶融金属が、型１９へと排出される。溶融金属は、型１９内で部分的に固化している。この場合、部分的に固化した金属を、重力により型１９から移動させるが、通常は成形及び冷却のためにローラ配置を介して、移動させる。このようにして、ビレット、ブルーム、又はスラブを得ることができる。

図３を参照して、制御システム１の稼働について以下で説明する。工程Ｓ１では、ストッパロッド１５を介したガス流量が、１．５ＮＬ／分〜２０ＮＬ／分という第１の範囲にある場合にのみ稼働するように、電磁スターラ１３を制御し、この第１の範囲は好ましくは、２ＮＬ／分〜１５ＮＬ／分である。前述のようにこの制御は、制御システム１によってもたらされる。

ＳＥＮ内で電磁撹拌をもたらすことにより型内での流動性を改善させるために、キャスティングの間、ガス流量を１．５ＮＬ／分より高く、好ましくは少なくとも２ＮＬ／分に制御することが、有利である。ガス流量を２０ＮＬ／分未満、好ましくは１５ＮＬ／分以下に制御することが、有利である。２０ＮＬ／分より高いガス流量が、ＳＥＮ内での電磁撹拌と組み合わさると、ＳＥＮ内でガス閉塞が生じることがあり、これは型内での流動性にとって、また製品品質にとって、有害となり得る。ガス流量は、制御システム１によって、又はストッパロッド１５を通じたガス流量を制御する別の専用の制御装置によって、制御することができる。

制御システム１は、工程Ｓ１の前に、ストッパロッドを通じて流れるガスのガス流量を得るように構成されていてよい。ガス流量は例えば、１つもしくは複数のガス流量センサによる測定、及び／又は評価手段による測定から得ることができる。制御工程Ｓ１は、この場合、得られたガス流量に基づく。

加えて工程Ｓ１は、さらなる制約、すなわち最少キャスティング処理量が１．５トン／分、好ましくは１．８トン／分という制約を伴うことがある。このために制御システム１は、ストッパロッド１５を介したガス流量が第１の範囲にあるとともに、キャスティング処理量が少なくとも１．５トン／分、好ましくは少なくとも１．８トン／分である場合にのみ稼働するよう、電磁スターラ１３を制御するように構成されていてよい。

処理量が１．８トン／分未満で電磁撹拌をＳＥＮ１１に適用することによって、気泡の合体が促進されることがあり、ＳＥＮ１１におけるガス閉塞が生じることがあり、これは型内での流動性にとって、また製品品質にとって、有害となり得る。

１つの実施態様によれば、電磁スターラ１３を制御する工程Ｓ１は、型内の溶融金属について、０．２０ｍ／秒〜０．５０ｍ／秒という第２の範囲にある制御されたサブメニスカス速度をもたらすことを伴うことができ、この第２の範囲は好ましくは、０．２５ｍ／秒〜０．４５ｍ／秒である。特に、電磁スターラ１３の制御目標は、型内でのダブルロール金属フローパターン（double roll metal flow pattern）に、また第２の範囲にある制御されたサブメニスカス速度に到達してもよい。このために、制御システム１は、電源１７により電磁スターラ１３を制御してこの制御目標に到達するように構成されていてよい。

撹拌システムはまた、センサ２１を備えることができる。センサ２１は、キャスティングパラメータのオンライン測定値をもたらすように構成されており、通常は、サブメニスカス速度又はサブメニスカス速さのオンライン測定値をもたらす。センサ２１は、型１９における溶融金属のサブメニスカス速度を測定するように構成されていてよい。制御システム１は、電源１７を制御することによって電磁スターラ１３が、センサ２１によって測定されたサブメニスカス速度に基づき、サブメニスカス速度の所望の設定値を達成するように構成されていてよい。

センサ２１には例えば、型１９にある溶融金属内に浸漬されるように構成されているセラミックロッドが含まれ得る。センサ２１は、セラミックロッドに適用されるトルクを測定するように構成されていてよい。このトルクによって、サブメニスカス速度が測定される。制御システム１は、センサ２１によって測定されたトルクを評価し、これをサブメニスカス速度に変換するように構成されていてよい。制御システム１は、得られたサブメニスカス速度に基づき、電源１７を制御するように構成されていてよい。

前述のトルク測定の代替手段として、メニスカスの波高を測定することができ、制御システム１は、波高を評価してサブメニスカス速度についての評価を得るように構成されていてよい。

さらに別の代替手段としては、金属処理量をオンライン測定することができ、又は金属処理量と、ストッパロッド６を通じたアルゴンガスの流れとを測定若しくは評価して、制御システム１によって電磁スターラ１３を制御するための基準として使用することができる。

１つの例によれば、制御システム１は、電磁スターラ７が、溶融金属に電磁力を発生させる回転磁場をもたらすよう電源１７を制御するように構成されており、これによって溶融金属は、ＳＥＮ１１の長手方向においてＳＥＮ１１の一方の端部からＳＥＮ１１のもう一方の端部へと流れるにつれて、少なくとも１回転、通常は１回転より多く、回転する。

本発明の思想について、幾つかの例を参照しながら、主だったことを説明してきた。しかしながら、当業者であれば直ちに肯定的に評価するだろうが、添付特許請求の範囲で規定されるように、本発明の範囲内にある、先に開示した以外の実施形態も、同様に可能である。

Claims (15)

1. タンディッシュ（９）の処理量を制御するためのストッパロッド（１５）を備える、前記タンディッシュ（９）の浸漬ノズル（ＳＥＮ）（１１）の周囲に配置された電磁スターラ（１３）を制御する方法であって、前記ＳＥＮ（１１）は、前記タンディッシュ（９）から溶融金属を取り出すように構成されており、前記電磁スターラ（１３）は、前記ＳＥＮ（１１）に回転磁場を生じさせるように構成されており、
   前記ストッパロッド（１５）を通じたガス流量が、１．５ＮＬ／分〜２０ＮＬ／分という第１の範囲にある場合にのみ稼働するように、前記電磁スターラ（１３）を制御すること（Ｓ１）を含む、方法。
2. 前記第１の範囲が、２ＮＬ／分〜１５ＮＬ／分である、請求項１に記載の方法。
3. 前記ストッパロッド（１５）を通じた前記第１の範囲にあるガス流量に加えて、前記制御すること（Ｓ１）が、キャスティング処理量が少なくとも１．５トン／分である場合にのみ稼働するように前記電磁スターラ（１３）を制御することを伴う、請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記制御することが、キャスティング処理量が少なくとも１．８トン／分である場合にのみ稼働するように前記電磁スターラ（１３）を制御することを伴う、請求項３に記載の方法。
5. 前記制御する工程（Ｓ１）の前に、前記ストッパロッド（１３）を通じてガス流量を得ることを含み、前記制御すること（Ｓ１）が、得られたガス流量に基づいている、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記電磁スターラ（１３）を制御すること（Ｓ１）が、型（１９）内の溶融金属について、０．２０ｍ／秒〜０．５０ｍ／秒という第２の範囲にある制御されたサブメニスカス速度をもたらすことを伴う、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記第２の範囲が、０．２５ｍ／秒〜０．４５ｍ／秒である、請求項６に記載の方法。
8. 前記型（１９）内の溶融金属についてサブメニスカス速度を得ることを含み、前記制御すること（Ｓ１）が、得られたサブメニスカス速度に基づいている、請求項６又は７に記載の方法。
9. ガスがアルゴンガスである、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
10. 金属製造プロセスのための撹拌システムであって、
    タンディッシュ（９）の処理量を制御するためのストッパロッド（１５）を備える、前記タンディッシュ（９）の浸漬ノズル（ＳＥＮ）（１１）の周囲に配置されるように構成された電磁スターラ（１３）、及び
    前記ストッパロッド（１５）を通じたガス流量が、１．５ＮＬ／分〜２０ＮＬ／分という第１の範囲にある場合にのみ稼働するように、前記電磁スターラを制御するように構成された制御システム（１）
    を含む、撹拌システム。
11. 前記第１の範囲が、２ＮＬ／分〜１５ＮＬ／分である、請求項１０に記載の撹拌システム。
12. 前記ストッパロッド（１５）を通じた前記第１の範囲にあるガス流量に加えて、前記制御システム（１）は、キャスティング処理量が少なくとも１．５トン／分である場合にのみ稼働するように前記電磁スターラ（１３）を制御するよう構成されている、請求項１０又は１１に記載の撹拌システム。
13. 前記制御システム（１）は、キャスティング処理量が少なくとも１．８トン／分である場合にのみ稼働するように前記電磁スターラ（１３）を制御するよう構成されている、請求項１２に記載の撹拌システム。
14. 前記制御システム（１）が、型（１９）内の溶融金属について、０．２０ｍ／秒〜０．５０ｍ／秒という第２の範囲にある制御されたサブメニスカス速度をもたらすよう電磁スターラ（１３）を制御するように構成されている、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の撹拌システム。
15. 前記第２の範囲が、０．２５ｍ／秒〜０．４５ｍ／秒である、請求項１４に記載の撹拌システム。

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