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JP6848636B2 - Substrate peripheral cleaning device, substrate peripheral cleaning method and storage medium - Google Patents
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JP6848636B2 - Substrate peripheral cleaning device, substrate peripheral cleaning method and storage medium - Google Patents

Substrate peripheral cleaning device, substrate peripheral cleaning method and storage medium Download PDF

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JP6848636B2 JP2017080665A JP2017080665A JP6848636B2 JP 6848636 B2 JP6848636 B2 JP 6848636B2 JP 2017080665 A JP2017080665 A JP 2017080665A JP 2017080665 A JP2017080665 A JP 2017080665A JP 6848636 B2 JP6848636 B2 JP 6848636B2
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Description

本発明は、研磨テープを用いて基板の周縁部をクリーニングする技術に関する。 The present invention relates to a technique for cleaning the peripheral edge of a substrate using a polishing tape.

半導体デバイスの製造工程においては、基板である半導体ウエハ(以下、ウエハと記載する)が、搬送機構により各種の装置間を搬送されて、成膜処理やエッチング処理などを含む一連の処理が行われる。そのように一連の処理が行われる過程において、ウエハの周縁部に不要な膜が残ったり、異物が付着した状態となる場合が有る。そうなると、搬送先の装置におけるウエハの処理に悪影響を及ぼすおそれや、搬送機構がウエハの周縁部に接触することで上記の不要な膜や異物がパーティクルとなってウエハから落下して装置を汚染してしまうおそれが有る。 In the semiconductor device manufacturing process, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), which is a substrate, is conveyed between various devices by a conveying mechanism, and a series of processes including a film forming process and an etching process are performed. .. In the process of performing such a series of processes, an unnecessary film may remain on the peripheral edge of the wafer or a foreign substance may adhere to the wafer. In that case, there is a risk of adversely affecting the processing of the wafer in the transfer destination device, or when the transfer mechanism comes into contact with the peripheral edge of the wafer, the above-mentioned unnecessary film or foreign matter becomes particles and falls from the wafer to contaminate the device. There is a risk that it will end up.

特許文献1、2には、研磨テープを保持する保持部を1つ備える研磨ヘッドにより、当該研磨テープをウエハの周縁部に押し当て、ウエハを回転させることでウクリーニングを行う装置が記載されている。この研磨ヘッドは、ウエハの周縁部を構成する互いに傾きが異なる各面を研磨することができるように、水平軸回りにその向きが変更自在に構成されており、上記の保持部が異なる方向から研磨テープをウエハに押し当てる。しかし、そのように1つの保持部を有する研磨ヘッドの向きを変更する装置構成では、上記のウエハの周縁部を構成する各面をすべてクリーニングするために、各面毎に研磨ヘッドを所定の傾きに配置する必要があるので処理に多くの時間を要してしまう Patent Documents 1 and 2 describe a device that performs cleaning by pressing the polishing tape against the peripheral edge of the wafer by a polishing head provided with one holding portion for holding the polishing tape and rotating the wafer. There is. The polishing head is configured so that its orientation can be freely changed around the horizontal axis so that each surface constituting the peripheral edge of the wafer and having different inclinations can be polished, and the holding portions are formed from different directions. Press the polishing tape against the wafer. However, in the apparatus configuration for changing the orientation of the polishing head having one holding portion as described above, in order to clean all the surfaces constituting the peripheral portion of the wafer, the polishing head is tilted at a predetermined position for each surface. It takes a lot of time to process because it needs to be placed in

特開2012−213849号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-213849 特開2012−231191号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-231191

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、研磨テープを用いて基板の周縁部をクリーニングするにあたり、処理に要する時間を抑えることができる技術を提供することである。 The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a technique capable of reducing the time required for processing when cleaning the peripheral edge of a substrate using an abrasive tape. ..

本発明の基板周縁部のクリーニング装置は、基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転機構と、
研磨テープを前記基板の側方にて保持する第1のテープ保持部と、前記研磨テープを前記基板の下方にて保持する第2のテープ保持部と、を備えた研磨ヘッドと、
回転する前記基板の側面が前記第1のテープ保持部に保持される研磨テープに摺動してクリーニングされるように、前記研磨ヘッドに対して前記基板保持部を相対的に前進させる前進機構と、
回転する前記基板の周縁部の下面が前記第2のテープ保持部に保持される研磨テープに摺動してクリーニングされるように、前記研磨ヘッドを前記基板に対して相対的に上昇させる上昇機構と、
を備えることを特徴とする。
The substrate peripheral portion cleaning device of the present invention includes a substrate holding portion that holds the substrate and a substrate holding portion.
A rotation mechanism for rotating the substrate held by the substrate holding portion, and
A polishing head including a first tape holding portion that holds the polishing tape on the side of the substrate and a second tape holding portion that holds the polishing tape below the substrate.
With a forward mechanism that advances the substrate holding portion relative to the polishing head so that the side surface of the rotating substrate slides on the polishing tape held by the first tape holding portion and is cleaned. ,
An ascending mechanism that raises the polishing head relative to the substrate so that the lower surface of the rotating peripheral edge of the substrate is slid and cleaned by the polishing tape held by the second tape holding portion. When,
It is characterized by having.

本発明の基板周縁部のクリーニング方法は、基板保持部により基板を保持する工程と、
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる工程と、
研磨ヘッドを各々構成する第1のテープ保持部、第2のテープ保持部により、研磨テープを前記基板の側方、前記基板下方にて各々保持する工程と、
回転する前記基板の側面が前記第1のテープ保持部に保持される研磨テープに摺動してクリーニングされるように、前記研磨ヘッドに対して前記基板保持部を相対的に前進させる工程と、
回転する前記基板の周縁部の下面が前記第2のテープ保持部に保持される研磨テープに摺動してクリーニングされるように、前記研磨ヘッドを前記基板に対して相対的に上昇させる工程と、
を含むことを特徴とする。
The method for cleaning the peripheral portion of the substrate of the present invention includes a step of holding the substrate by the substrate holding portion and a step of holding the substrate.
The step of rotating the substrate held by the substrate holding portion and
A step of holding the polishing tape on the side of the substrate and below the substrate by the first tape holding portion and the second tape holding portion constituting the polishing head, respectively.
A step of advancing the substrate holding portion relative to the polishing head so that the side surface of the rotating substrate slides on the polishing tape held by the first tape holding portion and is cleaned.
A step of raising the polishing head relative to the substrate so that the lower surface of the rotating peripheral edge of the substrate is slid and cleaned by the polishing tape held by the second tape holding portion. ,
It is characterized by including.

研磨テープに基板の周縁部を摺動させてクリーニングするクリーニング装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体において、
前記コンピュータプログラムは、上記の基板周縁部のクリーニング方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
In a storage medium that stores a computer program used in a cleaning device that slides the peripheral edge of a substrate onto a polishing tape for cleaning.
The computer program is characterized in that a group of steps is set up to execute the above-mentioned cleaning method of the peripheral portion of the substrate.

本発明においては、研磨テープを基板の側方にて保持する第1のテープ保持部と、前記研磨テープを基板の下方にて保持する第2のテープ保持部と、を備えた研磨ヘッドが設けられ、回転する基板の研磨ヘッドに対する相対的な前進と、回転する基板に対する研磨ヘッドの相対的な上昇と、が行われて基板の周縁部がクリーニングされる。第1のテープ保持部と、第2のテープ保持部とで、基板の周縁部における互いに異なる向きの面をクリーニングすることができるため、基板の周縁部を構成する各面に合わせて研磨ヘッドを配置するための時間を抑えることができるので、処理に要する時間を抑えることができる。 In the present invention, a polishing head including a first tape holding portion for holding the polishing tape on the side of the substrate and a second tape holding portion for holding the polishing tape below the substrate is provided. Then, the relative advancement of the rotating substrate with respect to the polishing head and the relative elevation of the polishing head with respect to the rotating substrate are performed to clean the peripheral edge of the substrate. Since the first tape holding portion and the second tape holding portion can clean the surfaces in different directions on the peripheral edge of the substrate, the polishing head is adjusted to each surface constituting the peripheral edge of the substrate. Since the time for arranging can be suppressed, the time required for processing can be suppressed.

本発明に係る基板周縁部のクリーニング装置の斜視図である。It is a perspective view of the cleaning apparatus of the peripheral part of a substrate which concerns on this invention. 前記クリーニング装置の平面図である。It is a top view of the cleaning device. ウエハの縦断側面図である。It is a longitudinal side view of a wafer. 前記クリーニング装置に設けられる研磨ヘッドと、テープ装着機構とを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the polishing head provided in the cleaning apparatus, and the tape mounting mechanism. 前記クリーニング装置に設けられる研磨ヘッドと、テープ装着機構とを示す縦断側面図である。It is a vertical sectional side view which shows the polishing head provided in the cleaning apparatus, and the tape mounting mechanism. 前記研磨ヘッドを構成するヘッド本体の斜視図である。It is a perspective view of the head body which constitutes the polishing head. 前記クリーニング装置に設けられる給排気機構の縦断側面図である。It is a vertical sectional side view of the air supply / exhaust mechanism provided in the cleaning device. 前記ヘッド本体に研磨テープを装着する手順を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the procedure of attaching a polishing tape to the head body. 前記ヘッド本体に研磨テープを装着する手順を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the procedure of attaching a polishing tape to the head body. 前記ヘッド本体に研磨テープを装着する手順を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the procedure of attaching a polishing tape to the head body. 前記ヘッド本体に研磨テープを装着する手順を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the procedure of attaching a polishing tape to the head body. 前記研磨テープが装着されるヘッド本体の斜視図である。It is a perspective view of the head body to which the polishing tape is attached. 前記研磨テープが装着されるヘッド本体の斜視図である。It is a perspective view of the head body to which the polishing tape is attached. クリーニング処理の手順を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the procedure of a cleaning process. クリーニング処理の手順を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the procedure of a cleaning process. クリーニング処理の手順を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the procedure of a cleaning process. 前記ヘッド本体に設けられる処理パッドの正面図である。It is a front view of the processing pad provided in the head body. 前記ヘッド本体に設けられる処理パッドの正面図である。It is a front view of the processing pad provided in the head body. 前記ヘッド本体に設けられる処理パッドの正面図である。It is a front view of the processing pad provided in the head body. 前記処理パッドの上面図である。It is a top view of the processing pad. 他の研磨ヘッドを示す概略正面図である。It is a schematic front view which shows the other polishing head.

本発明の一実施形態である基板周縁部のクリーニング装置1について、図1の斜視図及び図2の平面図を参照しながら説明する。このクリーニング装置1は、例えば直径が300mmの円形の基板であるウエハWの周縁部を、研磨テープに対して摺動させることにより、当該周縁部における不要な膜や異物を除去するクリーニング処理を行う。 The cleaning device 1 for the peripheral portion of the substrate, which is an embodiment of the present invention, will be described with reference to the perspective view of FIG. 1 and the plan view of FIG. The cleaning device 1 performs a cleaning process for removing unnecessary films and foreign substances on the peripheral edge of the wafer W, which is a circular substrate having a diameter of 300 mm, by sliding the peripheral edge of the wafer W with respect to the polishing tape. ..

図3はウエハWの周縁部を示す縦断側面図である。ウエハWの側周をなす側端面を11、側端面11に連続して形成され、側端面11からウエハWの中心部に向かうにつれて上る上側傾斜面を12、側端面11に連続して形成され、側端面11からウエハWの中心部に向かうにつれて下る下側傾斜面を13として示している。側端面11、上側傾斜面12及び下側傾斜面13はウエハWの側面をなす。上側傾斜面12、下側傾斜面13は夫々水平なウエハWの表面(上面)、裏面(下面)に連続しており、当該ウエハWの裏面において下側傾斜面13の下端から若干ウエハWの中心寄りに離れた位置に至る裏面周縁領域を14として示している。クリーニング装置1は、図3中に点線の枠で囲った、上側傾斜面12の上端から裏面周縁領域14に至るまでの連続した領域をクリーニングする。 FIG. 3 is a vertical sectional side view showing the peripheral edge of the wafer W. The side end faces forming the side circumference of the wafer W are continuously formed on the side end faces 11, and the upper inclined surface that rises from the side end faces 11 toward the center of the wafer W is continuously formed on the side end faces 11. , The lower inclined surface that descends from the side end surface 11 toward the center of the wafer W is shown as 13. The side end surface 11, the upper inclined surface 12, and the lower inclined surface 13 form the side surface of the wafer W. The upper inclined surface 12 and the lower inclined surface 13 are continuous with the front surface (upper surface) and the back surface (lower surface) of the horizontal wafer W, respectively. The back surface peripheral region leading to a position away from the center is shown as 14. The cleaning device 1 cleans a continuous region from the upper end of the upper inclined surface 12 to the back surface peripheral region 14 surrounded by a dotted frame in FIG.

図1、図2に戻って、クリーニング装置1の説明を続ける。図中21は基台であり、図中22は基台21上を、その長さ方向が前後方向に沿うように形成されたスリットである。図中23はこのスリット22内から基台21上に突出するように設けられる回転機構であり、基台21内に設けられる前後移動機構24によって、前後方向に移動する。なお、この前後移動機構24は、ウエハWを後述の研磨ヘッド3に対して前進させる前進機構をなす。図中25は、基板保持部をなすスピンチャックであり、回転機構23上に設けられており、ウエハWの裏面中央部を吸着して当該ウエハWを水平に支持する。回転機構23によってスピンチャック25は鉛直軸回りに回転することで、当該スピンチャック25に載置されたウエハWは、当該ウエハWの中心軸回りに回転する。このスピンチャック25について、図1ではクリーニング装置1の外部に設けられる搬送機構との間でウエハWを受け渡すための後退位置に位置する状態を、図2ではウエハWを処理するための前進位置に位置する状態を夫々示している。 Returning to FIGS. 1 and 2, the description of the cleaning device 1 will be continued. 21 in the figure is a base, and 22 in the figure is a slit formed on the base 21 so that its length direction is along the front-rear direction. Reference numeral 23 in the drawing is a rotation mechanism provided so as to project from the inside of the slit 22 onto the base 21, and is moved in the front-rear direction by the front-back movement mechanism 24 provided in the base 21. The front-back movement mechanism 24 is a forward-moving mechanism that advances the wafer W with respect to the polishing head 3 described later. Reference numeral 25 denotes a spin chuck forming a substrate holding portion, which is provided on the rotating mechanism 23 and attracts the central portion of the back surface of the wafer W to horizontally support the wafer W. The spin chuck 25 is rotated around the vertical axis by the rotation mechanism 23, so that the wafer W mounted on the spin chuck 25 rotates around the central axis of the wafer W. The spin chuck 25 is located at a retracted position for delivering the wafer W to and from a transport mechanism provided outside the cleaning device 1 in FIG. 1, and a forward position for processing the wafer W in FIG. It shows the state located in each.

基台21上において、上記のスピンチャック25の移動路の前方には、左右移動機構26、昇降機構27及び研磨ヘッド3が設けられている。左右移動機構26により昇降機構27が基台21上を左右に水平に移動し、昇降機構27により研磨ヘッド3が垂直に昇降する。つまり、左右移動機構26、昇降機構27により、研磨ヘッド3は左右へ水平移動し、且つ垂直に昇降する。従って、昇降機構27は、研磨ヘッド3をウエハWに対して相対的に上昇させる上昇機構をなす。 On the base 21, a left-right movement mechanism 26, an elevating mechanism 27, and a polishing head 3 are provided in front of the moving path of the spin chuck 25. The elevating mechanism 27 moves horizontally on the base 21 by the left-right moving mechanism 26, and the polishing head 3 moves vertically by the elevating mechanism 27. That is, the polishing head 3 moves horizontally to the left and right and moves up and down vertically by the left-right movement mechanism 26 and the elevating mechanism 27. Therefore, the elevating mechanism 27 forms an elevating mechanism that elevates the polishing head 3 relative to the wafer W.

上記の研磨ヘッド3について、斜視図である図4及び縦断側面図である図5も参照して説明する。研磨ヘッド3は、垂直で前後方向に伸びる板状の支持部31を備えており、当該支持部31が上記の昇降機構27に接続されている。この支持部31において、前方へ向かって見たときの左側の側面には、テープ送出リール32、テープ回収リール33及びヘッド本体4が設けられており、右側の側面にはモーター34及び回転制限部35が設けられている。ヘッド本体4は支持部31の後端部に設けられており、研磨テープTを保持してクリーニングを行う。テープ送出リール32及びテープ回収リール33は、各々左右方向に沿った水平軸回りに回転できるように、ヘッド本体4よりも前方側に設けられており、テープ送出リール32は、テープ回収リール33よりも上方、且つ前方に位置している。 The polishing head 3 will be described with reference to FIG. 4 which is a perspective view and FIG. 5 which is a longitudinal side view. The polishing head 3 includes a plate-shaped support portion 31 that is vertical and extends in the front-rear direction, and the support portion 31 is connected to the elevating mechanism 27. In this support portion 31, a tape sending reel 32, a tape collecting reel 33, and a head body 4 are provided on the left side surface when viewed forward, and a motor 34 and a rotation limiting portion are provided on the right side surface. 35 is provided. The head main body 4 is provided at the rear end portion of the support portion 31, and holds the polishing tape T for cleaning. The tape sending reel 32 and the tape collecting reel 33 are provided on the front side of the head body 4 so that they can rotate about the horizontal axis along the left-right direction, respectively, and the tape sending reel 32 is provided from the tape collecting reel 33. Is also located above and in front.

テープ送出リール32には未使用の研磨テープTのロールT1が取り付けられており、このロールT1はテープ送出リール32と共に回転する。このロールT1から引き出された研磨テープTの長さ方向の端部はヘッド本体4の後方側を通過し、テープ回収リール33に巻き掛けられてロールT2を形成しており、このロールT2はテープ回収リール33と共に回転する。従って、テープ回収リール33を回転させることは、研磨テープTの長さ方向の端部を引っ張ることになり、そのようにテープ回収リール33を回転させることによって研磨テープTについてヘッド本体4で使用済みの領域をテープ回収リール33に巻き取って当該ヘッド本体4から除去すると共に、テープ送出リール32のロールT1から研磨テープTについて未使用の領域をヘッド本体4に送り出すことができる。なお、図1、図2、図4では、ロールT1、T2間の研磨テープTの図示は省略している。 A roll T1 of an unused polishing tape T is attached to the tape delivery reel 32, and the roll T1 rotates together with the tape delivery reel 32. The end portion of the polishing tape T drawn out from the roll T1 in the length direction passes through the rear side of the head body 4 and is wound around the tape recovery reel 33 to form the roll T2, and the roll T2 is a tape. It rotates with the recovery reel 33. Therefore, rotating the tape recovery reel 33 pulls the end portion of the polishing tape T in the length direction, and by rotating the tape recovery reel 33 in this way, the polishing tape T has been used in the head body 4. Can be wound around the tape recovery reel 33 and removed from the head body 4, and an unused area of the polishing tape T can be sent from the roll T1 of the tape delivery reel 32 to the head body 4. In addition, in FIG. 1, FIG. 2, and FIG. 4, the illustration of the polishing tape T between the rolls T1 and T2 is omitted.

モーター34は、上記のようにテープ回収リール33を回転させる。回転制限部35は、ロールT1から引き出されている研磨テープTが引っ張られることで、テープ送出リール32に設定値以上の負荷が加わったときのみ、当該テープ送出リール32が回転するように、テープ送出リール32の回転を制限する。この設定値以上の負荷が加わるときとは、モーター34の回転によって研磨テープTの未使用の領域をヘッド本体4に供給するとき、及びその未使用の領域を、後述するようにテープ装着機構6によってヘッド本体4に装着するときである。以上に説明したテープ送出リール32、テープ回収リール33、モーター34及び回転制限部35は、研磨テープTについてヘッド本体4上に位置する領域を長さ方向に移動させるテープ送り機構を構成する。 The motor 34 rotates the tape recovery reel 33 as described above. The rotation limiting unit 35 is designed so that the tape delivery reel 32 rotates only when a load equal to or higher than a set value is applied to the tape delivery reel 32 by pulling the polishing tape T pulled out from the roll T1. The rotation of the delivery reel 32 is restricted. When a load greater than or equal to this set value is applied, the unused region of the polishing tape T is supplied to the head body 4 by the rotation of the motor 34, and the unused region is supplied to the tape mounting mechanism 6 as described later. It is time to attach it to the head body 4. The tape feeding reel 32, the tape collecting reel 33, the motor 34, and the rotation limiting portion 35 described above constitute a tape feeding mechanism that moves a region of the polishing tape T located on the head body 4 in the length direction.

続いてヘッド本体4について説明する。ヘッド本体4は、起立した壁部41と、壁部41の下端から後方側に吐出した台部42とを備えている。壁部41の上端部における左右方向の中央部は切り欠かれ、この切り欠かれた中央部にはローラー43が設けられている。台部42の後端部は下方へと引き延ばされると共に、左右方向の中央部が切り欠かれており、この切り欠かれた中央部にはローラー44、45が上下に2段に設けられている。ローラー43〜45は、左右の水平軸を回転軸として回転できるように構成されている。図5に示すようにロールT1、T2間において研磨テープTは、これらのローラー43〜45に掛けられており、前方に向かって見ると、垂直方向に引き回されている。ローラー43、44は、後述の第1のテープ保持部をなす側方処理パッド54及び側方吸着パッド55の上方、且つ第2のテープ保持部をなす下側処理パッド51及び下側吸着パッド52の上方において、研磨テープTを懸架する懸架部として構成され、ローラー43、44間において懸架される研磨テープTの上面が、研磨材が設けられた研磨面(表面)とされる。 Subsequently, the head main body 4 will be described. The head main body 4 includes an upright wall portion 41 and a base portion 42 that discharges from the lower end of the wall portion 41 to the rear side. A central portion in the left-right direction at the upper end portion of the wall portion 41 is cut out, and a roller 43 is provided in the notched central portion. The rear end portion of the base portion 42 is stretched downward, and the central portion in the left-right direction is cut out, and the rollers 44 and 45 are provided in two upper and lower stages in the cutout central portion. There is. The rollers 43 to 45 are configured so that they can rotate with the left and right horizontal axes as rotation axes. As shown in FIG. 5, the polishing tape T is hung on these rollers 43 to 45 between the rolls T1 and T2, and is drawn in the vertical direction when viewed from the front. The rollers 43 and 44 are above the side processing pad 54 and the side suction pad 55 forming the first tape holding portion, which will be described later, and the lower processing pad 51 and the lower suction pad 52 forming the second tape holding portion. Above, the polishing tape T is configured as a suspension portion for suspending the polishing tape T, and the upper surface of the polishing tape T suspended between the rollers 43 and 44 is a polishing surface (surface) on which the polishing material is provided.

台部42の上面は水平に形成されており、左右に細長の矩形状の下側処理パッド51が、当該台部42の上面から上方へ突出するように設けられている。下側処理パッド51は、研磨テープTを介してウエハWが押し当てられる基板押し当て部であり、例えばシリコーンなどの弾性体により構成されており、その上面は水平に形成されている。当該下側処理パッド51の上面は、研磨テープTが密着される密着面をなす。 The upper surface of the pedestal 42 is formed horizontally, and elongated rectangular lower processing pads 51 are provided on the left and right so as to project upward from the upper surface of the pedestal 42. The lower processing pad 51 is a substrate pressing portion to which the wafer W is pressed via the polishing tape T, and is made of an elastic body such as silicone, and its upper surface is formed horizontally. The upper surface of the lower processing pad 51 forms a contact surface to which the polishing tape T is adhered.

また、台部42には下側処理パッド51を左側、右側及び後方側の三方から囲むようにコ字型に形成されると共に、例えばセラミックスなどの多孔質体により構成された下側吸着パッド52が、当該台部42の表面から上方へ若干突出するように設けられている。この下側吸着パッド52の上面は水平に形成されており、下側処理パッド51の上面から見て、当該下側処理パッド51の上面よりも低い位置に設けられている。下側処理パッド51及び下側吸着パッド52は左右対称なレイアウトで形成されており、平面で見て上記のローラー43〜45に掛けられる研磨テープTに重なり、下側処理パッド51及び下側吸着パッド52の左右の中心が、この研磨テープTの左右の中心と揃っている。 Further, the base portion 42 is formed in a U shape so as to surround the lower treatment pad 51 from three sides of the left side, the right side, and the rear side, and the lower suction pad 52 made of a porous material such as ceramics is formed. Is provided so as to slightly project upward from the surface of the base portion 42. The upper surface of the lower suction pad 52 is formed horizontally, and is provided at a position lower than the upper surface of the lower treatment pad 51 when viewed from the upper surface of the lower treatment pad 51. The lower treatment pad 51 and the lower suction pad 52 are formed in a symmetrical layout, and when viewed in a plane, they overlap the polishing tape T hung on the rollers 43 to 45, and the lower treatment pad 51 and the lower suction pad 52 are suctioned. The left and right centers of the pad 52 are aligned with the left and right centers of the polishing tape T.

上記の下側吸着パッド52は図示しない排気機構に接続されている。この排気機構によって下側吸着パッド52の上面の孔から排気されることで、後述するように当該下側吸着パッド52に押し付けられた研磨テープTが吸着され、それによって当該研磨テープTは、下側処理パッド51に密着して保持される。従って、下側吸着パッド52はテープ吸引部をなし、上記の下側吸着パッド52の上面は吸引面であり、当該上面の孔は吸引孔をなす。なお、排気機構により、下側吸着パッド52からの吸引が行われる状態と、吸引が行われない状態とが切り替えられる。 The lower suction pad 52 is connected to an exhaust mechanism (not shown). By being exhausted from the hole on the upper surface of the lower suction pad 52 by this exhaust mechanism, the polishing tape T pressed against the lower suction pad 52 is sucked as described later, whereby the polishing tape T is lowered. It is held in close contact with the side processing pad 51. Therefore, the lower suction pad 52 forms a tape suction portion, the upper surface of the lower suction pad 52 is a suction surface, and the holes on the upper surface form suction holes. The exhaust mechanism switches between a state in which suction is performed from the lower suction pad 52 and a state in which suction is not performed.

また、台部42の上面には2つの吸引孔53が、下側処理パッド51及び下側吸着パッド52を左右から挟むように開口しており、これらの吸引孔53は、平面で見て、当該台部42において研磨テープTが保持される領域の外側に設けられている。吸引孔53は図示しない排気機構に接続されており、当該排気機構によって吸引が行われる状態と、吸引が行われない状態とが切り替えられる。クリーニング処理中は吸引が行われる状態とされ、当該クリーニング処理で発生する削り屑が吸引されて除去される。 Further, two suction holes 53 are opened on the upper surface of the base portion 42 so as to sandwich the lower processing pad 51 and the lower suction pad 52 from the left and right, and these suction holes 53 are viewed in a plane. The base portion 42 is provided outside the region where the polishing tape T is held. The suction hole 53 is connected to an exhaust mechanism (not shown), and the state in which suction is performed by the exhaust mechanism and the state in which suction is not performed can be switched. During the cleaning process, suction is performed, and the shavings generated in the cleaning process are sucked and removed.

壁部41における後方に向かう正面は、左右方向及び垂直方向に沿って形成されており、当該正面には左右に細長の矩形状の側方処理パッド54が、後方へ突出するように設けられている。側方処理パッド54の上下の長さは、下側処理パッド51の前後の長さよりも長いが、そのような長さの違いを除いて側方処理パッド54は下側処理パッド51と同様に構成されている。従って、側方処理パッド54も、研磨テープTを介してウエハWが押し当てられる基板押し当て部をなし、その正面は当該研磨テープTが密着される密着面をなす。この側方処理パッド54の下端は、上記の下側処理パッド51の上面よりも低い高さに位置にしている。 The front surface of the wall portion 41 facing rearward is formed along the left-right direction and the vertical direction, and the front surface is provided with elongated rectangular side treatment pads 54 on the left and right so as to project rearward. There is. The vertical length of the side processing pad 54 is longer than the front and rear length of the lower processing pad 51, but the side processing pad 54 is the same as the lower processing pad 51 except for such a difference in length. It is configured. Therefore, the side processing pad 54 also forms a substrate pressing portion to which the wafer W is pressed via the polishing tape T, and the front surface thereof forms a contact surface to which the polishing tape T is adhered. The lower end of the side processing pad 54 is positioned at a height lower than the upper surface of the lower processing pad 51.

また壁部41の正面には、側方処理パッド54を左側、右側及び上方側の三方から囲むようにコ字型に形成された側方吸着パッド55が、壁部41の正面から後方へ若干突出するように設けられている。この側方吸着パッド55よりも上記の側方処理パッド54の方が、壁部41の正面から大きく突出している。従って、側方処理パッド54の正面から見て、側方吸着パッド55の正面は側方処理パッド54の正面よりも低い位置に設けられている。また、当該側方吸着パッド55の正面は垂直面をなす。側方吸着パッド55は、上記の下側吸着パッド52と同様に構成されており、図示しない排気機構に接続され、当該排気機構によってその正面の孔から吸引が行われる状態と、当該吸引が行われない状態とが切り替えられる。従って、側方吸着パッド55についてもテープ吸引部として構成されており、当該側方吸着パッド55の正面は吸引面をなし、当該正面の孔は吸引孔をなす。 Further, on the front surface of the wall portion 41, a side suction pad 55 formed in a U shape so as to surround the side treatment pad 54 from three sides of the left side, the right side and the upper side is slightly rearward from the front surface of the wall portion 41. It is provided so as to protrude. The side processing pad 54 protrudes more from the front surface of the wall portion 41 than the side suction pad 55. Therefore, when viewed from the front of the side processing pad 54, the front surface of the side suction pad 55 is provided at a position lower than the front surface of the side processing pad 54. Further, the front surface of the side suction pad 55 forms a vertical surface. The side suction pad 55 is configured in the same manner as the lower suction pad 52, and is connected to an exhaust mechanism (not shown), and suction is performed from the hole in front of the exhaust mechanism, and the suction is performed. You can switch between the untouched state. Therefore, the side suction pad 55 is also configured as a tape suction portion, and the front surface of the side suction pad 55 forms a suction surface, and the hole in the front surface forms a suction hole.

側方処理パッド54及び側方吸着パッド55は左右対称なレイアウトで形成されており、前方に向かって見たときに上記のローラー43〜45に掛けられる研磨テープTに重なり、側方処理パッド54及び側方吸着パッド55の左右の中心は、この研磨テープTの左右の中心に揃う。側方吸着パッド55によって、後述するように当該側方吸着パッド55に押し付けられた研磨テープTが吸着され、それによって当該研磨テープTは、側方処理パッド54に密着して保持される。 The side treatment pad 54 and the side suction pad 55 are formed in a symmetrical layout, and overlap with the polishing tape T hung on the rollers 43 to 45 when viewed forward, and the side treatment pad 54 The left and right centers of the side suction pad 55 and the side suction pad 55 are aligned with the left and right centers of the polishing tape T. The side suction pad 55 sucks the polishing tape T pressed against the side suction pad 55 as described later, whereby the polishing tape T is held in close contact with the side treatment pad 54.

壁部41及び台部42を拡大して示した図6を参照して、各部の寸法の一例を示しておくと、下側処理パッド51の左右の幅L1は34mmであり、下側処理パッド51の前後の幅L2は9mmである。なお、上記の左右の幅L1は、側方処理パッド54の左右の幅でもある。下側吸着パッド52について、前後の幅L3は17mmであり、左右の幅L4は47mmである。この幅L4は研磨テープTの幅よりも若干小さい。また、下側吸着パッド52に囲まれる領域の縁の左右の幅L5は39mmである。なお、上記のように下側吸着パッド52と側方吸着パッド55とは同様に構成されているため、以上に示した下側吸着パッド52の各部の寸法は、側方吸着パッド55の各部の寸法でもある。また、下側処理パッド51の上面と、下側吸着パッド52の上面との高さの差H1は2.5mmであり、側方処理パッド54の正面と側方吸着パッド55の正面との前後の距離L6も同様に2.5mmである。 To show an example of the dimensions of each part with reference to FIG. 6 in which the wall portion 41 and the base portion 42 are enlarged, the left and right width L1 of the lower processing pad 51 is 34 mm, and the lower processing pad 51 has a width L1 of 34 mm. The width L2 before and after 51 is 9 mm. The left and right width L1 is also the left and right width of the side processing pad 54. For the lower suction pad 52, the front-rear width L3 is 17 mm, and the left-right width L4 is 47 mm. This width L4 is slightly smaller than the width of the polishing tape T. Further, the left and right width L5 of the edge of the region surrounded by the lower suction pad 52 is 39 mm. Since the lower suction pad 52 and the side suction pad 55 are configured in the same manner as described above, the dimensions of each part of the lower suction pad 52 shown above are the dimensions of each part of the side suction pad 55. It is also a dimension. Further, the height difference H1 between the upper surface of the lower processing pad 51 and the upper surface of the lower suction pad 52 is 2.5 mm, and the front and back of the front surface of the side treatment pad 54 and the front surface of the side suction pad 55. The distance L6 is also 2.5 mm.

続いて図1、図2に戻って、クリーニング装置1に設けられるテープ装着機構6について説明する。このテープ装着機構6は、上記のローラー43、44に懸架された研磨テープTを、下側処理パッド51及び下側吸着パッド52に向かうように押圧してこれらのパッド51、52に密着させると共に、側方処理パッド54及び側方吸着パッド55に向けて押圧してこれらのパッド54、55に密着させる押圧機構をなす。テープ装着機構6は、前後移動機構61、転動体支持部62及びテープ装着用ローラー63により構成されている。 Subsequently, returning to FIGS. 1 and 2, the tape mounting mechanism 6 provided in the cleaning device 1 will be described. The tape mounting mechanism 6 presses the polishing tape T suspended on the rollers 43 and 44 toward the lower processing pad 51 and the lower suction pad 52 to bring them into close contact with the pads 51 and 52. , It forms a pressing mechanism that presses toward the side processing pad 54 and the side suction pad 55 to bring them into close contact with the pads 54 and 55. The tape mounting mechanism 6 includes a front-rear moving mechanism 61, a rolling element support portion 62, and a tape mounting roller 63.

基台21上において、ヘッド本体4が設けられる位置よりも後方側に、前後方向に伸びるスリット28(図2では省略している)が形成されている。このスリット28内から基台21上へ伸びるように転動体支持部62が設けられており、当該転動体支持部62は、基台21内に設けられる前後移動機構61に接続されており、当該前後移動機構61により前後移動する。また、基台21上において転動体支持部62の上部は前方へ向かって伸びた後、水平方向に向かって伸びるように屈曲され、この水平方向に伸びる部位の左右に離れた位置から前方に向けて突出して突出部を各々なし、この突出部間にテープ装着用ローラー63が設けられている。従って、上記の前後移動機構61により、転動体支持部62を介してテープ装着用ローラー63が前後方向に移動することができる。 On the base 21, a slit 28 (omitted in FIG. 2) extending in the front-rear direction is formed on the rear side of the position where the head main body 4 is provided. A rolling element support portion 62 is provided so as to extend from the inside of the slit 28 onto the base 21, and the rolling element support portion 62 is connected to a front-rear moving mechanism 61 provided in the base 21. The front-back movement mechanism 61 moves back and forth. Further, on the base 21, the upper portion of the rolling element support portion 62 extends forward and then is bent so as to extend in the horizontal direction, and the portion extending in the horizontal direction is directed forward from a position separated from the left and right. Each projecting portion is formed, and a tape mounting roller 63 is provided between the projecting portions. Therefore, the front-rear movement mechanism 61 allows the tape mounting roller 63 to move in the front-rear direction via the rolling element support portion 62.

図4ではテープ装着用ローラー63の斜視図を、図5ではテープ装着用ローラー63の縦断側面図を夫々示している。テープ装着用ローラー63は、左右に伸びる水平軸回りに回転できるように構成されている。このテープ装着用ローラー63の左右の縁部は各々拡径されて大径部64をなしており、各大径部64の間は小径部65として構成されている。従って、大径部64の回転軸及び小径部65の回転軸は互いに一致している。 FIG. 4 shows a perspective view of the tape mounting roller 63, and FIG. 5 shows a longitudinal side view of the tape mounting roller 63. The tape mounting roller 63 is configured to be rotatable around a horizontal axis extending to the left and right. The left and right edges of the tape mounting roller 63 are each expanded in diameter to form a large diameter portion 64, and a small diameter portion 65 is formed between the large diameter portions 64. Therefore, the rotation axis of the large diameter portion 64 and the rotation axis of the small diameter portion 65 coincide with each other.

後に詳述するが、このように大径部64及び小径部65が形成されることで、各大径部64が下側吸着パッド52の左右の各端部において前後に伸びる部位を転動すると共に小径部65が下側処理パッド51を転動する動作と、各大径部64が側方吸着パッド55の左右の各端部において前後に伸びる部位を転動すると共に小径部65が側方処理パッド54を転動する動作とを行い、研磨テープTをヘッド本体4に装着することができる。このように転動が行えるように、第1の転動体である大径部64及び第2の転動体である小径部65の各径の大きさが設定されている。上記のような研磨テープTの装着を行う場合を除いて、テープ装着用ローラー63は研磨ヘッド3よりも後方の待機位置で待機する。また、このテープ装着用ローラー63及び転動体支持部62は、クリーニング処理が行われるウエハWに干渉しないように、スピンチャック25の上端よりも下方に設けられている。 As will be described in detail later, by forming the large diameter portion 64 and the small diameter portion 65 in this way, each large diameter portion 64 rolls a portion extending back and forth at each of the left and right ends of the lower suction pad 52. At the same time, the small diameter portion 65 rolls the lower processing pad 51, and each large diameter portion 64 rolls a portion extending back and forth at each of the left and right ends of the side suction pad 55, and the small diameter portion 65 laterally rolls. The polishing tape T can be attached to the head body 4 by rolling the processing pad 54. The size of each diameter of the large diameter portion 64, which is the first rolling element, and the small diameter portion 65, which is the second rolling element, is set so that the rolling can be performed in this way. Except for the case where the polishing tape T is mounted as described above, the tape mounting roller 63 stands by at a standby position behind the polishing head 3. Further, the tape mounting roller 63 and the rolling element support portion 62 are provided below the upper end of the spin chuck 25 so as not to interfere with the wafer W to be cleaned.

また、図1、図2に示すように、基台21上を前方に向かって見たときに、ヘッド本体4の右側で当該ヘッド本体4の近くには、給排気機構7が設けられている。この給排気機構7について、図7の縦断側面図も参照して説明する。給排気機構7は側壁71を備え、この側壁71を構成する側面72は、ウエハWの周の一部における側端面11と対向すると共に、当該ウエハWの周に沿って形成されている。そして、側壁71の上端部、下端部は、前方に向かって見たときに右側に位置する部位ほど後方側へと突出し、上板73、下板74を夫々形成している。これらの上板73及び下板74は水平に形成されると共に互いに間隔を空けて対向しており、前進位置に位置するスピンチャック25に保持されるウエハWの周縁部の一部を夫々覆う。このように各部が構成されることで、上板73、下板74及び側壁71に囲まれる領域は扁平な円弧状であり、ウエハWの周縁部が収納されると共に当該ウエハWの周縁部にパージガスを供給するパージ空間75をなす。 Further, as shown in FIGS. 1 and 2, when the base 21 is viewed forward, an air supply / exhaust mechanism 7 is provided on the right side of the head body 4 near the head body 4. .. The air supply / exhaust mechanism 7 will be described with reference to the vertical sectional side view of FIG. The air supply / exhaust mechanism 7 includes a side wall 71, and the side surface 72 constituting the side wall 71 faces the side end surface 11 in a part of the circumference of the wafer W and is formed along the circumference of the wafer W. The upper end and the lower end of the side wall 71 protrude toward the rear side toward the right side when viewed from the front, and form the upper plate 73 and the lower plate 74, respectively. The upper plate 73 and the lower plate 74 are formed horizontally and face each other at a distance from each other, and cover a part of the peripheral edge portion of the wafer W held by the spin chuck 25 located at the forward position. By configuring each portion in this way, the region surrounded by the upper plate 73, the lower plate 74, and the side wall 71 has a flat arc shape, and the peripheral edge portion of the wafer W is housed and the peripheral edge portion of the wafer W is accommodated. It forms a purge space 75 for supplying purge gas.

上記の側面72には、ウエハWの側端面11に向かう排気口76が、パージ空間75の周方向に沿って間隔を空けて複数開口している。図中77は、排気口76が接続される排気機構である。また、上板73、下板74には、ウエハWの径方向の内側から外側に向かって各々パージガスであるN(窒素)ガスを吐出するガス吐出口78、79が開口しており、ガス吐出口78はウエハWの表面の周縁部に向けて斜め下方に、ガス吐出口79はウエハWの裏面の周縁部に向けて斜め上方に、夫々ガスを吐出する。ガス吐出口78、79は、ウエハWの周方向に沿った異なる位置にパージガスを吐出することができるように、パージ空間75の周方向に沿って、間隔を空けて複数設けられている。 A plurality of exhaust ports 76 toward the side end surface 11 of the wafer W are opened on the side surface 72 at intervals along the circumferential direction of the purge space 75. Reference numeral 77 in the figure is an exhaust mechanism to which the exhaust port 76 is connected. Further, the upper plate 73 and the lower plate 74 are opened with gas discharge ports 78 and 79 for discharging N 2 (nitrogen) gas, which is a purge gas, from the inside to the outside in the radial direction of the wafer W, respectively. The discharge port 78 discharges gas diagonally downward toward the peripheral edge of the front surface of the wafer W, and the gas discharge port 79 discharges gas diagonally upward toward the peripheral edge of the back surface of the wafer W. A plurality of gas discharge ports 78 and 79 are provided at intervals along the circumferential direction of the purge space 75 so that purge gas can be discharged to different positions along the circumferential direction of the wafer W.

図中81は、上板73において各ガス吐出口78の上流側に設けられるガス流路である。図中82は下板74において各ガス吐出口79の上流側に設けられるガス流路である。これらガス流路81、82に、N2ガス供給源83から送り出されたN2ガスが各々供給される。ウエハWのクリーニング処理中は、ガス吐出口78、79からのウエハWの表面及び裏面へのN2ガスの吐出と、排気口76によるウエハWの外側からの排気とが並行して行われ、パージ空間75には図7に矢印で示すように、ウエハWの内側から外側へ向かう気流が形成される。この気流に曝されることで、ウエハWの周縁部に付着している削り屑がパージされて除去される。 Reference numeral 81 in the drawing is a gas flow path provided on the upstream side of each gas discharge port 78 in the upper plate 73. 82 in the figure is a gas flow path provided on the upstream side of each gas discharge port 79 in the lower plate 74. The N2 gas sent from the N2 gas supply source 83 is supplied to each of the gas flow paths 81 and 82, respectively. During the cleaning process of the wafer W, N2 gas is discharged from the gas discharge ports 78 and 79 to the front surface and the back surface of the wafer W and exhausted from the outside of the wafer W by the exhaust port 76 in parallel, and purged. As shown by an arrow in FIG. 7, an air flow from the inside to the outside of the wafer W is formed in the space 75. By being exposed to this air flow, the shavings adhering to the peripheral edge of the wafer W are purged and removed.

また、図1、図2に示すようにクリーニング装置1には、コンピュータである制御部10が設けられる。制御部10は、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、後述するクリーニング処理及びヘッド本体4への研磨テープTの装着が行われるように命令(ステップ群)が組まれたプログラムが格納される。このプログラムによって制御部10は、クリーニング装置1の各部に制御信号を出力して各部の動作を制御する。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。 Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the cleaning device 1 is provided with a control unit 10 which is a computer. The control unit 10 has a program storage unit (not shown). In this program storage unit, a program in which an instruction (step group) is set so that the cleaning process described later and the polishing tape T is attached to the head body 4 is stored is stored. By this program, the control unit 10 outputs a control signal to each unit of the cleaning device 1 to control the operation of each unit. This program is stored in the program storage unit in a state of being stored in a storage medium such as a hard disk, a compact disk, a magnet optical disk, or a memory card.

続いて、ヘッド本体4への研磨テープTの装着動作について、研磨テープTの状態とヘッド本体4及びテープ装着用ローラー63の位置とを示す図8〜図11の説明図と、上記の図5とを用いて説明する。また、ヘッド本体4及びテープ装着用ローラー63の位置を示す図12、図13の斜視図も適宜参照する。先ず、下側吸着パッド52及び側方吸着パッド55による吸引が停止し、テープ装着用ローラー63が研磨ヘッド3の後方の待機位置で待機した状態で、所定の高さ及び左右の所定の位置に研磨ヘッド3が位置する。図5は、研磨ヘッド3がこの所定の位置に配置された状態を示している。また、このとき研磨ヘッド3のヘッド本体4で研磨テープTの使用済みの領域はロールT2に巻き取られ、ヘッド本体4のローラー43、44には研磨テープTの未使用の領域が、緩みが無いように懸架された状態となっている。 Subsequently, regarding the operation of mounting the polishing tape T on the head body 4, explanatory views of FIGS. 8 to 11 showing the state of the polishing tape T and the positions of the head body 4 and the tape mounting roller 63, and FIG. 5 above. It will be described using and. Further, the perspective views of FIGS. 12 and 13 showing the positions of the head body 4 and the tape mounting roller 63 are also referred to as appropriate. First, the suction by the lower suction pad 52 and the side suction pad 55 is stopped, and the tape mounting roller 63 stands by at the standby position behind the polishing head 3 at a predetermined height and at a predetermined position on the left and right. The polishing head 3 is located. FIG. 5 shows a state in which the polishing head 3 is arranged at this predetermined position. Further, at this time, the used region of the polishing tape T is wound around the roll T2 in the head body 4 of the polishing head 3, and the unused regions of the polishing tape T are loosened on the rollers 43 and 44 of the head body 4. It is in a suspended state so that it does not exist.

そして、図5に示す状態からテープ装着用ローラー63が前進すると共に、下側吸着パッド52及び側方吸着パッド55による吸引が開始される。ローラー43、44間の研磨テープTがテープ装着用ローラー63の大径部64に当接し、ヘッド本体4の台部42に向けて押圧され、下側吸着パッド52の後端部の上面に、当該研磨テープTの左右の縁部が押し付けられると共に、当該研磨テープTの中央部が当該下側吸着パッド52の後端部の上面に近接し、これらの左右の縁部及び中央部が当該下側吸着パッド52からの吸引によって、当該下側吸着パッド52に密着して固定される(図8)。 Then, as the tape mounting roller 63 advances from the state shown in FIG. 5, suction by the lower suction pad 52 and the side suction pad 55 is started. The polishing tape T between the rollers 43 and 44 abuts on the large diameter portion 64 of the tape mounting roller 63 and is pressed toward the base portion 42 of the head body 4, and is pressed onto the upper surface of the rear end portion of the lower suction pad 52. The left and right edges of the polishing tape T are pressed against each other, the central portion of the polishing tape T is close to the upper surface of the rear end portion of the lower suction pad 52, and the left and right edges and the central portion thereof are below the polishing tape T. By suction from the side suction pad 52, the lower suction pad 52 is brought into close contact with and fixed (FIG. 8).

さらにテープ装着用ローラー63が前進して、大径部64が下側吸着パッド52上を転動し、研磨テープTの左右の縁部が前方に向かって下側吸着パッド52に押し付けられ、当該下側吸着パッド52に密着し、吸引されて固定される。然る後、小径部65が下側処理パッド51の上面に乗り上げて当該上面を転動し、研磨テープTの左右の中央部が当該下側処理パッド51の上面に押し付けられ、当該上面に密着するように敷設される。研磨テープTにおいて、このように下側処理パッド51に敷設された部位の左右が下側吸着パッド52に固定されることで、当該下側処理パッド51に敷設された部位は当該下側処理パッド51に密着した状態で固定される。 Further, the tape mounting roller 63 advances, the large diameter portion 64 rolls on the lower suction pad 52, and the left and right edges of the polishing tape T are pressed forward toward the lower suction pad 52. It adheres to the lower suction pad 52 and is sucked and fixed. After that, the small diameter portion 65 rides on the upper surface of the lower processing pad 51 and rolls on the upper surface, and the left and right central portions of the polishing tape T are pressed against the upper surface of the lower processing pad 51 and adhere to the upper surface. It is laid to do. In the polishing tape T, the left and right sides of the portion laid on the lower treatment pad 51 are fixed to the lower suction pad 52, so that the portion laid on the lower treatment pad 51 is the lower treatment pad. It is fixed in close contact with 51.

テープ装着用ローラー63が引き続き前進して、下側処理パッド51の上面全体に研磨テープTが敷設されると、大径部64が側方吸着パッド55の下部側の正面に、小径部65が側方処理パッド54の下部側の正面に夫々当接して、研磨テープTをこれらの正面に押し付け、当該テープ装着用ローラー63の前進が停止する。このように大径部64に押し付けられた研磨テープTの左右の縁部は側方吸着パッド55に密着し、吸引されて固定される。また、小径部65に押し付けられた研磨テープTの左右の中央部は、側方処理パッド54の正面に密着するように敷設されると共に、その左右の縁部が上記のように側方吸着パッド55に固定されることで、当該側方処理パッド54に固定される(図9、図12)。 When the tape mounting roller 63 continues to move forward and the polishing tape T is laid over the entire upper surface of the lower processing pad 51, the large diameter portion 64 is placed in front of the lower side of the side suction pad 55, and the small diameter portion 65 is placed. The polishing tape T is pressed against the front surfaces of the lower side of the side treatment pads 54, respectively, and the advancing of the tape mounting roller 63 is stopped. The left and right edges of the polishing tape T pressed against the large diameter portion 64 in this way are in close contact with the side suction pad 55, and are sucked and fixed. Further, the left and right central portions of the polishing tape T pressed against the small diameter portion 65 are laid so as to be in close contact with the front surface of the side treatment pad 54, and the left and right edge portions thereof are side suction pads as described above. By being fixed to 55, it is fixed to the side processing pad 54 (FIGS. 9 and 12).

続いて、研磨ヘッド3が下降し、小径部65が研磨テープTの左右の中央部を側方処理パッド54の正面に押し付けながら、当該側方処理パッド54の上方へ向かって転動すると共に、大径部64が研磨テープTの左右の縁部を側方吸着パッド55の正面に押し付けながら、当該側方吸着パッド55の上方へ向かって転動する。それによって、側方吸着パッド55の上方へ向かって研磨テープTの左右の縁部が当該側方吸着パッド55に固定されてゆくと共に、側方処理パッド54の上方へ向かって研磨テープTの左右の中央部が、当該側方処理パッド54に密着するように敷設されて固定されてゆく。研磨ヘッド3の下降が続けられ、側方処理パッド54の正面全体に研磨テープTが敷設されると共に固定され、小径部65が側方処理パッド54の上方へ移動すると共に大径部64が側方吸着パッド55の上端部に移動し、研磨テープTの左右の縁部及び左右の中央部が、この側方吸着パッド55の上端部に固定されると、ヘッド本体4への研磨テープTの未使用の領域の装着は終了し、研磨ヘッド3の下降が停止する(図10、図13)。 Subsequently, the polishing head 3 is lowered, and the small diameter portion 65 rolls upward of the side processing pad 54 while pressing the left and right center portions of the polishing tape T against the front surface of the side processing pad 54, and at the same time. The large-diameter portion 64 rolls upward of the side suction pad 55 while pressing the left and right edges of the polishing tape T against the front surface of the side suction pad 55. As a result, the left and right edges of the polishing tape T are fixed to the side suction pad 55 toward the upper side of the side suction pad 55, and the left and right edges of the polishing tape T are fixed toward the upper side of the side treatment pad 54. The central portion of the surface is laid and fixed so as to be in close contact with the side processing pad 54. The polishing head 3 is continuously lowered, and the polishing tape T is laid and fixed on the entire front surface of the side treatment pad 54, the small diameter portion 65 moves above the side treatment pad 54, and the large diameter portion 64 is on the side. When the polishing tape T is moved to the upper end portion of the side suction pad 55 and the left and right edge portions and the left and right center portions of the polishing tape T are fixed to the upper end portion of the side suction pad 55, the polishing tape T is attached to the head body 4. The mounting of the unused area is completed, and the lowering of the polishing head 3 is stopped (FIGS. 10 and 13).

なお、以上のテープ装着用ローラー63の前進中及び研磨ヘッド3の下降中において、テープ装着用ローラー63によって研磨テープTが押されることで当該研磨テープTに張力が働き、ロールT1がセットされるテープ送出リール32に設定値以上の負荷が加わった場合には、上記の回転制限部35によるテープ送出リール32の回転制限が解除され、当該張力によってテープ送出リール32が回転する。つまり、上記のように未使用の研磨テープTをヘッド本体4に装着するにあたり、ローラー43、44間の研磨テープTの長さが不足することは無い。上記のように研磨テープTの装着が終了した後は、テープ装着用ローラー63が後方の待機位置へと戻り、ヘッド本体4は、ウエハWのクリーニング処理を行うために所定の位置へと上昇する(図11)。 While the tape mounting roller 63 is moving forward and the polishing head 3 is descending, the polishing tape T is pushed by the tape mounting roller 63, so that tension acts on the polishing tape T and the roll T1 is set. When a load equal to or greater than a set value is applied to the tape delivery reel 32, the rotation restriction of the tape delivery reel 32 by the rotation limiting unit 35 is released, and the tape delivery reel 32 rotates due to the tension. That is, when the unused polishing tape T is attached to the head body 4 as described above, the length of the polishing tape T between the rollers 43 and 44 is not insufficient. After the polishing tape T has been mounted as described above, the tape mounting roller 63 returns to the rear standby position, and the head body 4 rises to a predetermined position for cleaning the wafer W. (Fig. 11).

続いて、ウエハWのクリーニング処理について説明する。このクリーニング処理は、ウエハWが回転した状態で研磨ヘッド3、即ちヘッド本体4が昇降及び左右移動することで行われる。図14〜図16は、クリーニング処理中におけるヘッド本体4、ウエハW及び研磨テープTの状態を示すために、これらの縦断側面を示している。なお、図14〜図16では、点線の矢印の先端が接続される円枠内に、ウエハWの周縁部を拡大して示している。 Subsequently, the cleaning process of the wafer W will be described. This cleaning process is performed by moving the polishing head 3, that is, the head body 4 up and down and left and right while the wafer W is rotated. 14 to 16 show the longitudinal side surfaces of the head body 4, the wafer W, and the polishing tape T during the cleaning process. In FIGS. 14 to 16, the peripheral edge of the wafer W is enlarged and shown in the circular frame to which the tips of the dotted arrows are connected.

また、前方に向かって見た側方処理パッド54及び下側処理パッド51に対する、回転するウエハWの最前端の位置をポイントP1〜P11として示した図17〜図19も適宜参照する。クリーニング処理中に、ウエハWの最前端はポイントP1〜P11を番号順に移動し、図17〜図19の矢印はこの移動の軌跡を示している。なお、クリーニング処理中にウエハWに押圧されることによって、下側処理パッド51の上面の高さは変移するが、図17〜図19においては、そのように押圧されていないとする場合の当該下側処理パッド51の上面の高さを示している。さらに、側方処理パッド54及び下側処理パッド51と、ウエハWとの位置関係を示す平面図である図20も適宜参照する。なお、これ以降の説明で特に記載が無い場合は、右側、左側の表記は、前方に向かって見た場合の右側、左側であるものとする。 Further, FIGS. 17 to 19 showing the positions of the frontmost ends of the rotating wafer W with respect to the side processing pad 54 and the lower processing pad 51 when viewed from the front as points P1 to P11 are also referred to as appropriate. During the cleaning process, the frontmost end of the wafer W moves points P1 to P11 in numerical order, and the arrows in FIGS. 17 to 19 indicate the locus of this movement. In addition, the height of the upper surface of the lower processing pad 51 changes by being pressed by the wafer W during the cleaning process, but in FIGS. 17 to 19, the case where the pressing is not performed is the case. The height of the upper surface of the lower processing pad 51 is shown. Further, FIG. 20 which is a plan view showing the positional relationship between the side processing pad 54 and the lower processing pad 51 and the wafer W is also referred to as appropriate. Unless otherwise specified in the following description, the notation on the right side and the left side shall be the right side and the left side when viewed from the front.

図8〜図13で説明したようにヘッド本体4に研磨テープTが装着された後、当該ヘッド本体4が所定の高さ及び所定の左右位置に配置される。その一方で、搬送機構によってウエハWが、後退位置におけるスピンチャック25上に搬送されて載置され、当該スピンチャック25に吸着保持される。然る後、当該スピンチャック25が前進位置へ移動し、ウエハWの前端部に側方処理パッド54が押圧され、その弾性によって変形することで、当該ウエハWの前端部は当該側方処理パッド54に埋没して当該側方処理パッド54の復元力を受ける状態となると共に、当該前端部の右側のウエハWの周縁部が、給排気機構7のパージ空間75に進入する。 After the polishing tape T is attached to the head main body 4 as described with reference to FIGS. 8 to 13, the head main body 4 is arranged at a predetermined height and a predetermined left and right position. On the other hand, the wafer W is conveyed and placed on the spin chuck 25 at the retracted position by the conveying mechanism, and is attracted and held by the spin chuck 25. After that, the spin chuck 25 moves to the forward position, the side treatment pad 54 is pressed against the front end portion of the wafer W, and the side treatment pad 54 is deformed by its elasticity, so that the front end portion of the wafer W is the side treatment pad. It is buried in 54 and is in a state of receiving the restoring force of the side processing pad 54, and the peripheral edge portion of the wafer W on the right side of the front end portion enters the purge space 75 of the air supply / exhaust mechanism 7.

そして、ヘッド本体4で吸引孔53からの排気が開始されると共に、給排気機構7でパージガスの吐出及び排気が開始されて図7で説明した気流が形成されると、例えば平面視時計回りにウエハWが回転する。なお、図20中の太線の矢印は、このウエハWの回転方向を示している。このときウエハWの最前端は、側方処理パッド54の右外側におけるポイントP1(図17参照)に位置している。図20において、そのようにウエハWの最前端がポイントP1に位置するときの側方処理パッド54及び下側処理パッド51の位置を実線で示している。 Then, when the head body 4 starts exhausting from the suction hole 53 and the supply / exhaust mechanism 7 starts discharging and exhausting the purge gas to form the air flow described with reference to FIG. 7, for example, clockwise in a plan view. The wafer W rotates. The thick arrow in FIG. 20 indicates the rotation direction of the wafer W. At this time, the frontmost end of the wafer W is located at the point P1 (see FIG. 17) on the right outer side of the side processing pad 54. In FIG. 20, the positions of the side processing pad 54 and the lower processing pad 51 when the foremost end of the wafer W is located at the point P1 are shown by solid lines.

そして、ヘッド本体4が下降すると共に右側へ移動する。側方処理パッド54の復元力及びヘッド本体4の下降により、ウエハWの上側傾斜面12及び側端面11が側方処理パッド54に敷設された研磨テープTに対して押圧され、図14に示すように当該研磨テープTに密着した状態となる。この上側傾斜面12及び側端面11が、ウエハWの回転によって当該研磨テープTに対して摺動し、当該上側傾斜面12及び側端面11における不要な膜や異物が除去されて、クリーニングが進行する。このときに、側方処理パッド54に埋没している回転中のウエハWの前端部はヘッド本体4が下降することによって上方へ向かう力を受けるが、この下降中にヘッド本体4が横方向にも移動していることで、当該ウエハWにおける局所的な位置が長い時間、上記の上方へ向かう力を受けることが防がれる。従って、上記の上方へ向かう力によってウエハWが変形することが抑制されながら、上記のクリーニングが進行する。 Then, as the head body 4 descends, it moves to the right side. Due to the restoring force of the side processing pad 54 and the lowering of the head body 4, the upper inclined surface 12 and the side end surface 11 of the wafer W are pressed against the polishing tape T laid on the side processing pad 54, and are shown in FIG. As described above, the polishing tape T is in close contact with the polishing tape T. The upper inclined surface 12 and the side end surface 11 slide with respect to the polishing tape T by the rotation of the wafer W, unnecessary films and foreign substances on the upper inclined surface 12 and the side end surface 11 are removed, and cleaning proceeds. To do. At this time, the front end portion of the rotating wafer W buried in the side processing pad 54 receives an upward force due to the lowering of the head main body 4, but the head main body 4 is laterally moved during this lowering. Is also moving, so that the local position on the wafer W is prevented from receiving the above-mentioned upward force for a long time. Therefore, the above-mentioned cleaning proceeds while the wafer W is suppressed from being deformed by the above-mentioned upward force.

そして、ウエハWの最前端が、側方処理パッドの左外側のポイントP2(図17参照)に位置すると、ヘッド本体4の右側への移動及び下降が停止する。図20において、そのようにウエハWの最前端がポイントP2に位置するときの側方処理パッド54及び下側処理パッド51の位置を鎖線で示している。然る後、ヘッド本体4が上昇し、ウエハWの最前端がポイントP3に移動する。 Then, when the frontmost end of the wafer W is located at the point P2 (see FIG. 17) on the left outer side of the side processing pad, the movement and lowering of the head body 4 to the right stop. In FIG. 20, the positions of the side processing pad 54 and the lower processing pad 51 when the foremost end of the wafer W is located at the point P2 are indicated by a chain line. After that, the head body 4 rises, and the foremost end of the wafer W moves to the point P3.

その後、ヘッド本体4の上昇が続けられたまま、当該ヘッド本体4が左側へ移動する。側方処理パッド54の復元力及びヘッド本体4の上昇により、ウエハWの下側傾斜面13及び側端面11が、側方処理パッド54に敷設された研磨テープTに対して押圧され、図15に示すように当該研磨テープTに密着した状態となる。この下側傾斜面13及び側端面11が、ウエハWの回転によって当該研磨テープTに対して摺動し、当該下側傾斜面13及び側端面11における不要な膜や異物が除去されて、クリーニングが進行する。このときに、側方処理パッド54に埋没している回転中のウエハWの前端部はヘッド本体4が上昇することによって下方へ向かう力を受けるが、この上昇中にヘッド本体4が横方向にも移動していることで、当該ウエハWにおける局所的な位置が長い時間、上記の下方へ向かう力を受けることが防がれる。従って、上記の下方へ向かう力によってウエハWが変形することが抑制されながら、上記のクリーニングが進行する。 After that, the head body 4 moves to the left while the head body 4 continues to rise. Due to the restoring force of the side processing pad 54 and the rise of the head body 4, the lower inclined surface 13 and the side end surface 11 of the wafer W are pressed against the polishing tape T laid on the side processing pad 54, and FIG. As shown in the above, the polishing tape T is in close contact with the polishing tape T. The lower inclined surface 13 and the side end surface 11 slide with respect to the polishing tape T by the rotation of the wafer W, and unnecessary films and foreign substances on the lower inclined surface 13 and the side end surface 11 are removed for cleaning. Progresses. At this time, the front end portion of the rotating wafer W buried in the side processing pad 54 receives a downward force due to the head body 4 rising, but the head body 4 laterally moves during this rising. Also, the movement prevents the local position on the wafer W from receiving the downward force for a long time. Therefore, the above-mentioned cleaning proceeds while the wafer W is suppressed from being deformed by the above-mentioned downward force.

そして、ウエハWの最前端が、側方処理パッド54及び下側処理パッド51から見てポイントP1の垂直下方に位置するポイントP4(図17参照)に移動すると、ヘッド本体4の左側への移動が停止し、ヘッド本体4の上昇が続けられて、ウエハWの最前端がポイントP5に位置する。然る後、ヘッド本体4が下降すると共に右側に移動し、ウエハWの最前端がポイントP1からP2へ移動するときと同様に、上側傾斜面12及び側端面11がクリーニングされる。然る後、ウエハWの最前端が、側方処理パッド54及び下側処理パッド51から見てポイントP2、P3の垂直下方に位置するポイントP6に移動すると、ヘッド本体4の右側への移動が停止すると共にヘッド本体4が上昇してポイントP7へ移動し、ヘッド本体4の上昇が続けられたまま、当該ヘッド本体4が左側へ移動し、ウエハWの最前端がポイントP3からP4へ移動するときと同様に、下側傾斜面13及び側端面11がクリーニングされる。 Then, when the foremost end of the wafer W moves to the point P4 (see FIG. 17) located vertically below the point P1 when viewed from the side processing pad 54 and the lower processing pad 51, the wafer W moves to the left side of the head body 4. Stops, the head body 4 continues to rise, and the foremost end of the wafer W is located at point P5. After that, the head main body 4 moves to the right side as it descends, and the upper inclined surface 12 and the side end surface 11 are cleaned in the same manner as when the front end of the wafer W moves from the points P1 to P2. After that, when the foremost end of the wafer W moves to the point P6 located vertically below the points P2 and P3 when viewed from the side processing pad 54 and the lower processing pad 51, the head body 4 moves to the right side. When stopped, the head body 4 rises and moves to the point P7, the head body 4 moves to the left while the head body 4 continues to rise, and the frontmost end of the wafer W moves from the point P3 to P4. As in the case, the lower inclined surface 13 and the side end surface 11 are cleaned.

このようにウエハWの最前端がポイントP7から移動する途中、ウエハWの裏面周縁部が下側処理パッド51の上面よりも下方へと移動することで、当該下側処理パッド51を押圧し、当該下側処理パッド51がその弾性により変形する。そして、ウエハWの最前端がポイントP8に位置すると、研磨ヘッド3の上昇及び左側への移動が停止する。図17に示すように、このポイントP8は正面に向かって見て、側方処理パッド51の内側である。然る後、研磨ヘッド3が右側へ移動する。このときウエハWの前端部が側方処理パッド54に埋まり、上方へ向かうことが規制された状態で、下側処理パッド51の復元力がウエハWの裏面周縁領域14に作用することにより、当該裏面周縁領域14が当該下側処理パッド51に押圧され、図16に示すように当該下側処理パッド51に敷設されている研磨テープTに密着した状態となる。そのような状態で、裏面周縁領域14がウエハWの回転によって当該研磨テープTに対して摺動し、当該裏面周縁領域14における不要な膜や異物が除去されて、クリーニングが進行する。 While the front end of the wafer W is moving from the point P7 in this way, the peripheral edge of the back surface of the wafer W moves below the upper surface of the lower processing pad 51, thereby pressing the lower processing pad 51. The lower processing pad 51 is deformed by its elasticity. Then, when the frontmost end of the wafer W is located at the point P8, the polishing head 3 stops rising and moving to the left side. As shown in FIG. 17, this point P8 is inside the side processing pad 51 when viewed from the front. After that, the polishing head 3 moves to the right side. At this time, the restoring force of the lower processing pad 51 acts on the back surface peripheral region 14 of the wafer W in a state where the front end portion of the wafer W is buried in the side processing pad 54 and is restricted from going upward. The back surface peripheral region 14 is pressed against the lower processing pad 51, and is in close contact with the polishing tape T laid on the lower processing pad 51 as shown in FIG. In such a state, the back surface peripheral region 14 slides with respect to the polishing tape T by the rotation of the wafer W, unnecessary film and foreign matter in the back surface peripheral region 14 are removed, and cleaning proceeds.

そして、ウエハWの最前端がポイントP9に位置すると、ヘッド本体4の右側への移動が停止する。図17、図18に示すように、このポイントP9は、正面に向かって見て側方処理パッド51の内側である。然る後、ヘッド本体4が左側へ移動し、ウエハWの最前端が、ポイントP8と同じ位置であるポイントP10(図18参照)へ移動し、続いてヘッド本体4が右側へ移動してウエハWの最前端が側方処理パッド51の左外側のポイントP11(図19参照)へ移動する。このようにウエハWの最前端がポイントP9からP10へ移動するとき及びポイントP10からポイントP11へ移動するときも、当該ウエハWの最前端がポイントP8からポイントP9へ移動するときと同様に、裏面周縁領域14がクリーニングされる。 Then, when the frontmost end of the wafer W is located at the point P9, the movement of the head body 4 to the right side is stopped. As shown in FIGS. 17 and 18, this point P9 is inside the side processing pad 51 when viewed from the front. After that, the head body 4 moves to the left side, the front end of the wafer W moves to the point P10 (see FIG. 18) at the same position as the point P8, and then the head body 4 moves to the right side to move the wafer. The foremost end of W moves to the point P11 (see FIG. 19) on the left outer side of the side processing pad 51. When the front end of the wafer W moves from the point P9 to P10 and from the point P10 to the point P11 in this way, the back surface is the same as when the front end of the wafer W moves from the point P8 to the point P9. The peripheral area 14 is cleaned.

ウエハWの最前端がポイントP11に移動した後は、ウエハWの回転が停止し、ヘッド本体4の吸引孔53からの排気が停止すると共に給排気機構7におけるパージガスの吐出及び排気が停止する。続いて、スピンチャック25が後退位置へ移動し、ウエハWは図示しない搬送機構によりクリーニング装置1の外部へ搬送される。その一方でヘッド本体4が下降し、下側吸着パッド52及び側方吸着パッド55による研磨テープTの吸引が停止し、ヘッド本体4による研磨テープTの保持が解除される。然る後、研磨ヘッド3のテープ回収リール33が回転して、ヘッド本体4に保持されていた研磨テープTの使用済みの領域が当該テープ回収リール33に巻き取られると共に研磨テープTの未使用の領域がテープ送出リール32のロールT1からヘッド本体4のローラー43、44間に供給され、図5に示したヘッド本体4への装着を行うことができる状態となる。以降は図5〜図13で説明した研磨テープTの装着が再度行われ、続いて、新たにクリーニング装置1に搬入されたウエハWに対して図14〜図20で説明したクリーニング処理が行われる。 After the front end of the wafer W moves to the point P11, the rotation of the wafer W is stopped, the exhaust from the suction hole 53 of the head body 4 is stopped, and the discharge and exhaust of the purge gas in the supply / exhaust mechanism 7 are stopped. Subsequently, the spin chuck 25 moves to the retracted position, and the wafer W is conveyed to the outside of the cleaning device 1 by a transfer mechanism (not shown). On the other hand, the head body 4 is lowered, the suction of the polishing tape T by the lower suction pad 52 and the side suction pad 55 is stopped, and the holding of the polishing tape T by the head body 4 is released. After that, the tape recovery reel 33 of the polishing head 3 rotates, and the used area of the polishing tape T held in the head body 4 is wound around the tape recovery reel 33 and the polishing tape T is unused. Is supplied from the roll T1 of the tape delivery reel 32 between the rollers 43 and 44 of the head body 4, and can be mounted on the head body 4 shown in FIG. After that, the polishing tape T described in FIGS. 5 to 13 is attached again, and then the cleaning process described in FIGS. 14 to 20 is performed on the wafer W newly carried into the cleaning device 1. ..

このクリーニング装置1は、ウエハWの側方にて研磨テープTを保持する側方処理パッド54と、ウエハWの周縁部の下方にて保持する下側処理パッド51とを備えた研磨ヘッド3を備え、ウエハWを回転させるスピンチャック25の研磨ヘッド3への前進と、研磨ヘッド3の昇降とによって、ウエハWの周縁部のクリーニングが行われる。側方処理パッド54はウエハWの側端面11、上側傾斜面12及び下側傾斜面13のクリーニングに用いられ、下側処理パッド51はウエハWの裏面周縁領域14のクリーニングに用いられる。このように2つの処理パッド51、54によってウエハWの各面をクリーニングすることで、ウエハWの周縁部の各面毎の異なる向きに研磨ヘッド3を配置する必要が無いため、ウエハWの処理に要する時間を抑えることができる。また、側方処理パッド51を弾性体により構成し、当該側方処理パッド51に回転するウエハWの前端部が埋まった状態で研磨ヘッド3が昇降して、互いに異なる向きを有するウエハWの側端面11、上側傾斜面12及び下側傾斜面13がクリーニングされるので、ウエハWの処理に要する時間を、より確実に抑えることができる。 The cleaning device 1 includes a polishing head 3 including a side processing pad 54 that holds the polishing tape T on the side of the wafer W and a lower processing pad 51 that holds the polishing tape T below the peripheral edge of the wafer W. The peripheral portion of the wafer W is cleaned by advancing the spin chuck 25 that rotates the wafer W to the polishing head 3 and raising and lowering the polishing head 3. The side processing pad 54 is used for cleaning the side end surface 11, the upper inclined surface 12, and the lower inclined surface 13 of the wafer W, and the lower processing pad 51 is used for cleaning the back surface peripheral region 14 of the wafer W. By cleaning each surface of the wafer W with the two processing pads 51 and 54 in this way, it is not necessary to arrange the polishing head 3 in a different direction for each surface of the peripheral edge portion of the wafer W, so that the wafer W is processed. It is possible to reduce the time required for. Further, the side processing pad 51 is made of an elastic body, and the polishing head 3 moves up and down with the front end portion of the rotating wafer W buried in the side processing pad 51, and the sides of the wafer W having different orientations from each other. Since the end surface 11, the upper inclined surface 12, and the lower inclined surface 13 are cleaned, the time required for processing the wafer W can be suppressed more reliably.

なお、研磨ヘッド3を水平軸回りに回転させる回転機構が設けられる構成とし、側端面11、上側傾斜面12、下側傾斜面13を各々クリーニングするために、側方処理パッド51が側端面11、上側傾斜面12、下側傾斜面13に各々対向させると共に密着するように、研磨ヘッド3が各々異なる向きを向くようにすることで、これらの各面の研磨を行うようにしてもよい。そのような構成とした場合であっても、ウエハWの裏面周縁領域14については、下側処理パッド51によりクリーニングが行われることで、側方処理パッド51を当該裏面周縁領域14に対向させて密着するように配置する必要が無いので、クリーニング処理中の研磨ヘッド3の移動量は抑えられることから、ウエハWの処理に要する時間を抑えることができる。 A rotation mechanism for rotating the polishing head 3 around the horizontal axis is provided, and the side processing pad 51 uses the side end surface 11 to clean the side end surface 11, the upper inclined surface 12, and the lower inclined surface 13, respectively. The polishing heads 3 may be oriented in different directions so that the upper inclined surface 12 and the lower inclined surface 13 are opposed to each other and are in close contact with each other, so that each of these surfaces may be polished. Even in such a configuration, the back surface peripheral region 14 of the wafer W is cleaned by the lower processing pad 51 so that the side processing pad 51 faces the back surface peripheral region 14. Since it is not necessary to arrange them so as to be in close contact with each other, the amount of movement of the polishing head 3 during the cleaning process can be suppressed, so that the time required for processing the wafer W can be suppressed.

また、クリーニング装置1によれば、ヘッド本体4に設けられる下側吸着パッド52及び側方吸着パッド55によって、研磨テープTの裏面を吸引することで、研磨テープTを確実にヘッド本体4に保持させることができる。なお、研磨テープTの裏面に粘着材を設け、テープ装着用ローラー63によって、当該研磨テープTが下側処理パッド51及び側方処理パッド54に押し付けられると、この粘着材の作用によって当該研磨テープTが下側吸着パッド52及び側方吸着パッド55に保持されるようにしてもよい。その場合、研磨テープTをヘッド本体4から取り外すには、テープ回収リール33を回転させて研磨テープTに張力を加えることで、ヘッド本体4上に粘着されている研磨テープTを引き剥がす。ただし、ヘッド本体4に粘着材が異物として残留することを防ぐために、既述のように研磨テープTを吸引して保持することが好ましい。 Further, according to the cleaning device 1, the polishing tape T is reliably held by the head body 4 by sucking the back surface of the polishing tape T by the lower suction pad 52 and the side suction pad 55 provided on the head body 4. Can be made to. An adhesive material is provided on the back surface of the polishing tape T, and when the polishing tape T is pressed against the lower processing pad 51 and the side processing pad 54 by the tape mounting roller 63, the polishing tape is acted by the action of the adhesive material. T may be held by the lower suction pad 52 and the side suction pad 55. In that case, in order to remove the polishing tape T from the head main body 4, the polishing tape T adhered to the head main body 4 is peeled off by rotating the tape collecting reel 33 and applying tension to the polishing tape T. However, in order to prevent the adhesive material from remaining as a foreign substance on the head body 4, it is preferable to suck and hold the polishing tape T as described above.

また、クリーニング装置1は、研磨ヘッド3に対して独立して設けられた、即ち研磨ヘッド3の移動に合わせて移動しないように設けられた給排気機構7を備えている。そのように研磨ヘッド3から独立しているため、給排気機構7は回転するウエハWに対する位置が固定されており、研磨ヘッド3の移動によって上記のパージ空間75に形成される気流が乱れることが無い。従って、この給排気機構7が設けられていることで、より確実に削り屑を除去することができる。ただし、給排気機構7が研磨ヘッド3と共に移動する構成であってもよい。 Further, the cleaning device 1 includes an air supply / exhaust mechanism 7 provided independently of the polishing head 3, that is, a supply / exhaust mechanism 7 provided so as not to move in accordance with the movement of the polishing head 3. Since it is independent of the polishing head 3 in this way, the position of the air supply / exhaust mechanism 7 with respect to the rotating wafer W is fixed, and the movement of the polishing head 3 may disturb the air flow formed in the purge space 75. There is no. Therefore, by providing the air supply / exhaust mechanism 7, shavings can be removed more reliably. However, the air supply / exhaust mechanism 7 may be configured to move together with the polishing head 3.

なお、テープ装着機構6のテープ装着用ローラー63について、小径部65が設けられず、大径部64のみが設けられた構成としてもよいが、当該小径部65によって研磨テープTが下側処理パッド51及び側方処理パッド54に押し付けられ、当該テープTをこれらの下側処理パッド51及び側方処理パッド54に緩み無く密着させることができる。従って、小径部65を設けた方が、クリーニング性能の向上を図ることができるので好ましい。 The tape mounting roller 63 of the tape mounting mechanism 6 may be configured such that the small diameter portion 65 is not provided and only the large diameter portion 64 is provided, but the polishing tape T is provided on the lower processing pad by the small diameter portion 65. It is pressed against the 51 and the side treatment pad 54, and the tape T can be brought into close contact with the lower treatment pad 51 and the side treatment pad 54 without loosening. Therefore, it is preferable to provide the small diameter portion 65 because the cleaning performance can be improved.

また、下側吸着パッド52及び側方吸着パッド55の吸引力が比較的大きい場合、テープ装着機構6により研磨テープTがこれら下側吸着パッド52及び側方吸着パッド55に押し付けられずに近接される場合であっても、これら下側吸着パッド52及び側方吸着パッド55による吸着を行うことができる。従って、研磨テープTを押圧する押圧機構としては、下側吸着パッド52及び側方吸着パッド55を転動する転動体を備えることには限られない。 Further, when the suction force of the lower suction pad 52 and the side suction pad 55 is relatively large, the polishing tape T is brought close to the lower suction pad 52 and the side suction pad 55 without being pressed by the tape mounting mechanism 6. Even in this case, the lower suction pad 52 and the side suction pad 55 can be used for suction. Therefore, the pressing mechanism for pressing the polishing tape T is not limited to the provision of a rolling element that rolls the lower suction pad 52 and the side suction pad 55.

従って、例えばスピンチャック25に保持されたウエハWに対してヘッド本体4を相対的に移動させることで、当該ウエハWにより研磨テープTをヘッド本体4に向けて押圧し、近接させることでヘッド本体4が研磨テープTを保持するようにしてもよい。つまりテープ装着機構6は、クリーニング装置1に設けられていなくてもよいが、より確実に研磨テープTをヘッド本体4に保持させるために、テープ装着機構6が設けられることが好ましい。なお、テープ装着機構6の転動体支持部62には転動体として、テープ装着用ローラー63の代わりに球体を設け、当該球体により研磨テープTをヘッド本体4に押し付けてもよい。 Therefore, for example, by moving the head body 4 relative to the wafer W held by the spin chuck 25, the polishing tape T is pressed toward the head body 4 by the wafer W and brought close to the head body 4. 4 may hold the polishing tape T. That is, the tape mounting mechanism 6 does not have to be provided in the cleaning device 1, but it is preferable that the tape mounting mechanism 6 is provided in order to more reliably hold the polishing tape T in the head body 4. The rolling element support portion 62 of the tape mounting mechanism 6 may be provided with a sphere as a rolling element instead of the tape mounting roller 63, and the polishing tape T may be pressed against the head body 4 by the sphere.

なお、ヘッド本体4に向けてウエハWを前進させて処理を行っているが、ヘッド本体4を前後移動させる移動機構を設け、そのようにウエハWを前進させる代わりにウエハWに向けてヘッド本体4を後退させることで処理を行ってもよい。また、ヘッド本体4を昇降させて処理を行っているが、スピンチャック25を昇降させる昇降機構を設け、そのようにヘッド本体4を昇降させる代わりに、スピンチャック25を昇降させることで処理を行ってもよい。 Although the wafer W is advanced toward the head body 4 for processing, a moving mechanism for moving the head body 4 back and forth is provided, and instead of advancing the wafer W in this way, the head body is directed toward the wafer W. The process may be performed by retreating 4. Further, although the processing is performed by raising and lowering the head body 4, a lifting mechanism for raising and lowering the spin chuck 25 is provided, and instead of raising and lowering the head body 4 in this way, the processing is performed by raising and lowering the spin chuck 25. You may.

ところで研磨ヘッドについて、研磨テープTの長さ方向の一端側を側方処理パッド54及び側方吸着パッド55により保持し、他端側を下側処理パッド51及び下側吸着パッド52により保持する、上記の研磨ヘッド3の構成とすることには限られない。図21は研磨ヘッド84の概略正面図を示している。上記の研磨ヘッド3との差異点を述べると、研磨ヘッド84においてはテープ送出リール32及びテープ回収リール33が2組設けられており、同じ組をなすテープ送出リール32及びテープ回収リール33はヘッド本体4を挟んで左右に設けられている。一の組のテープ送出リール32及びテープ回収リール33は前後に沿った水平軸回りに回転し、これらのリール32、33間の研磨テープT(図中に点線で表示している)は下側処理パッド51及び下側吸着パッド52に保持される。他の組のテープ送出リール32及びテープ回収リール33は垂直軸回りに回転し、これらのリール32、33間の研磨テープT(図中に鎖線で表示している)は側方処理パッド54及び側方吸着パッド55に保持される。ただし、研磨ヘッド84においては、リール32、33、及び当該リール32、33が接続されるモーター34、回転制限部35が各々複数必要になるため、研磨ヘッド3の構成とすることの方が好ましい。 By the way, regarding the polishing head, one end side of the polishing tape T in the length direction is held by the side processing pad 54 and the side suction pad 55, and the other end side is held by the lower treatment pad 51 and the lower suction pad 52. The configuration of the polishing head 3 is not limited to the above. FIG. 21 shows a schematic front view of the polishing head 84. The difference from the polishing head 3 described above is that the polishing head 84 is provided with two sets of tape delivery reels 32 and tape recovery reels 33, and the tape delivery reels 32 and tape recovery reels 33 forming the same set are heads. It is provided on the left and right sides of the main body 4. A set of tape sending reels 32 and tape collecting reels 33 rotate around a horizontal axis along the front and back, and the polishing tape T (indicated by a dotted line in the figure) between these reels 32 and 33 is on the lower side. It is held by the processing pad 51 and the lower suction pad 52. The other set of tape sending reels 32 and tape collecting reels 33 rotate around the vertical axis, and the polishing tape T (indicated by a chain line in the figure) between these reels 32 and 33 is the side processing pad 54 and. It is held by the side suction pad 55. However, since the polishing head 84 requires a plurality of reels 32 and 33, a motor 34 to which the reels 32 and 33 are connected, and a rotation limiting portion 35, it is preferable to configure the polishing head 3. ..

なお、上記の下側吸着パッド52、側方吸着パッド55の形状については上記の例とすることに限られず、下側処理パッド51及び側方処理パッド54の各全周を囲うような形状としてもよいし、これらの下側処理パッド51及び側方処理パッド54を左右から挟むように左右が分割された形状としてもよい。そのように吸着パッドが処理パッドの左右のみに配置され、処理パッドの前後あるいは上下に配置されていない場合についても、吸着パッドは処理パッドの周囲に配置されていることに含まれる。さらに、ヘッド本体4の吸引孔53としては上記のように台部42に設けることに限られず、例えば壁部41における研磨テープTが保持される領域の左右の外側に設けられていてもよい。なお、本発明は、既述した各実施例に限られず、各実施例については適宜変更したり、組み合わせたりすることができる。 The shapes of the lower suction pad 52 and the side suction pad 55 are not limited to the above examples, and are designed to surround the entire circumference of the lower treatment pad 51 and the side treatment pad 54. Alternatively, the left and right may be divided so as to sandwich the lower processing pad 51 and the side processing pad 54 from the left and right. Even when the suction pads are arranged only on the left and right sides of the processing pad and not before, after, or above and below the processing pad, the suction pads are included in the case where they are arranged around the processing pad. Further, the suction hole 53 of the head body 4 is not limited to being provided in the base portion 42 as described above, and may be provided on the left and right outer sides of the wall portion 41 where the polishing tape T is held, for example. The present invention is not limited to the above-described examples, and each example can be appropriately modified or combined.

T 研磨テープ
W ウエハ
1 クリーニング装置
10 制御部
23 回転機構
24 前後移動機構
25 スピンチャック
3 研磨ヘッド
4 ヘッド本体
51 下側処理パッド
52 下側吸着パッド
54 側方処理パッド
55 側方吸着パッド
6 テープ装着機構
7 給排気機構
T Polishing tape W Wafer 1 Cleaning device 10 Control unit 23 Rotating mechanism 24 Back and forth movement mechanism 25 Spin chuck 3 Polishing head 4 Head body 51 Lower processing pad 52 Lower suction pad 54 Side treatment pad 55 Side suction pad 6 Tape mounting Mechanism 7 Air supply / exhaust mechanism

Claims (13)

基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転機構と、
研磨テープを前記基板の側方にて保持する第1のテープ保持部と、前記研磨テープを前記基板の下方にて保持する第2のテープ保持部と、を備えた研磨ヘッドと、
回転する前記基板の側面が前記第1のテープ保持部に保持される研磨テープに摺動してクリーニングされるように、前記研磨ヘッドに対して前記基板保持部を相対的に前進させる前進機構と、
回転する前記基板の周縁部の下面が前記第2のテープ保持部に保持される研磨テープに摺動してクリーニングされるように、前記研磨ヘッドを前記基板に対して相対的に上昇させる上昇機構と、
を備えることを特徴とする基板周縁部のクリーニング装置。
The board holding part that holds the board and
A rotation mechanism for rotating the substrate held by the substrate holding portion, and
A polishing head including a first tape holding portion that holds the polishing tape on the side of the substrate and a second tape holding portion that holds the polishing tape below the substrate.
With a forward mechanism that advances the substrate holding portion relative to the polishing head so that the side surface of the rotating substrate slides on the polishing tape held by the first tape holding portion and is cleaned. ,
An ascending mechanism that raises the polishing head relative to the substrate so that the lower surface of the rotating peripheral edge of the substrate is slid and cleaned by the polishing tape held by the second tape holding portion. When,
A cleaning device for a peripheral portion of a substrate, which comprises.
前記研磨テープの長さ方向の一端側が前記第1のテープ保持部に、前記研磨テープの長さ方向の他端側が前記第2のテープ保持部に夫々保持されることを特徴とする請求項1記載の基板周縁部のクリーニング装置。 Claim 1 is characterized in that one end side of the polishing tape in the length direction is held by the first tape holding portion, and the other end side of the polishing tape in the length direction is held by the second tape holding portion. The cleaning device for the peripheral edge of the substrate according to the description. 前記研磨ヘッドは、前記研磨テープが保持される領域の左右の外側に、削り屑を吸引する吸引孔を備えることを特徴とする請求項2記載の基板周縁部のクリーニング装置。 The cleaning device for a peripheral edge of a substrate according to claim 2, wherein the polishing head is provided with suction holes for sucking shavings on the left and right outside of a region where the polishing tape is held. 前記第1のテープ保持部及び第2のテープ保持部のうちの少なくとも一方は、
前記研磨テープが密着され、当該研磨テープを介して前記基板に押し当てられる基板押し当て部と、
前記基板押し当て部の周囲に設けられ、当該基板押し当て部に前記研磨テープが密着されるように、前記研磨テープを吸引するテープ吸引部と、
を備えることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の基板周縁部のクリーニング装置。
At least one of the first tape holding portion and the second tape holding portion is
A substrate pressing portion where the polishing tape is brought into close contact with the substrate and pressed against the substrate via the polishing tape.
A tape suction portion provided around the substrate pressing portion and sucking the polishing tape so that the polishing tape is brought into close contact with the substrate pressing portion.
The cleaning device for a peripheral portion of a substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the device is provided with.
前記基板押し当て部は、前記研磨テープが密着される密着面を備え、
前記テープ吸引部は、前記密着面から見て当該密着面よりも低い位置に設けられた、前記研磨テープを吸引する吸引孔が設けられる吸引面を備えることを特徴とする請求項4記載の基板周縁部のクリーニング装置。
The substrate pressing portion has a contact surface to which the polishing tape is adhered.
The substrate according to claim 4, wherein the tape suction portion includes a suction surface provided with a suction hole for sucking the polishing tape, which is provided at a position lower than the contact surface when viewed from the contact surface. Peripheral cleaning device.
前記基板押し当て部及び前記テープ吸引部上において前記研磨テープを懸架する懸架部と、前記研磨テープの長さ方向の端部を引っ張り、前記基板押し当て部及び前記テープ吸引部上にて懸架される領域を、当該研磨テープの長さ方向に移動させるテープ送り機構と、が前記研磨ヘッドに設けられ、
前記懸架部に懸架された研磨テープの未使用の領域を、前記テープ吸引部によって吸引するために、前記テープ吸引部に向かうように押圧する押圧機構が設けられることを特徴とする請求項4または5記載の基板周縁部のクリーニング装置。
The suspension portion for suspending the polishing tape on the substrate pressing portion and the tape suction portion and the end portion in the length direction of the polishing tape are pulled and suspended on the substrate pressing portion and the tape suction portion. A tape feeding mechanism for moving the region in the length direction of the polishing tape is provided on the polishing head.
4. The fourth aspect of the present invention is characterized in that a pressing mechanism for pressing the unused area of the polishing tape suspended on the suspended portion toward the tape suction portion is provided in order to attract the unused area of the polishing tape by the tape suction portion. 5. The substrate peripheral peripheral cleaning device according to 5.
前記押圧機構は、前記テープ吸引部を転動して、前記研磨テープを当該テープ吸引部に押し付ける第1の転動体を備えることを特徴とする請求項6記載の基板周縁部のクリーニング装置。 The cleaning device for a peripheral edge of a substrate according to claim 6, wherein the pressing mechanism includes a first rolling element that rolls the tape suction portion and presses the polishing tape against the tape suction portion. 前記押圧機構は、前記基板押し当て部を転動して、前記研磨テープを当該基板押し当て部に押し付ける第2の転動体を備えることを特徴とする請求項6または7記載の基板周縁部のクリーニング装置。 The peripheral portion of the substrate according to claim 6 or 7, wherein the pressing mechanism includes a second rolling element that rolls the substrate pressing portion and presses the polishing tape against the substrate pressing portion. Cleaning equipment. 前記上昇機構は、前記研磨ヘッドを回転する前記基板に対して相対的に昇降させる昇降機構であり、
前記第1のテープ保持部は前記基板押し当て部を備え、
当該基板押し当て部は弾性体により構成され、
回転する基板の周縁部が前記基板押し当て部に押し当てられて当該基板押し当て部の復元力が当該基板に作用する状態で、前記昇降機構による研磨ヘッドの前記基板に対する相対的な移動が行われることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一つに記載の基板周縁部のクリーニング装置。
The ascending mechanism is an elevating mechanism that elevates and elevates the polishing head relative to the rotating substrate.
The first tape holding portion includes the substrate pressing portion.
The substrate pressing portion is composed of an elastic body.
The polishing head is relatively moved with respect to the substrate by the elevating mechanism in a state where the peripheral edge of the rotating substrate is pressed against the substrate pressing portion and the restoring force of the substrate pressing portion acts on the substrate. The cleaning device for a peripheral edge of a substrate according to any one of claims 1 to 8.
前記研磨ヘッドを回転する前記基板に対して相対的に左右に移動させる左右移動機構が設けられ、
前記基板押し当て部の復元力が基板に作用する状態で、前記昇降機構による研磨ヘッドの前記基板に対する相対的な移動と、前記左右移動機構による研磨ヘッドの基板に対する相対的な移動とが共に行われることを特徴とする請求項9記載の基板周縁部のクリーニング装置。
A left-right movement mechanism for moving the polishing head to the left and right relative to the rotating substrate is provided.
With the restoring force of the substrate pressing portion acting on the substrate, the relative movement of the polishing head with respect to the substrate by the elevating mechanism and the relative movement of the polishing head with respect to the substrate by the left-right movement mechanism are performed together. The cleaning device for a peripheral edge of a substrate according to claim 9.
回転する基板の上面及び下面に削り屑を除去するためのパージガスを吐出するパージガス吐出口と、当該基板の外側から排気する排気口とを備え、前記研磨ヘッドに対して独立して設けられた給排気機構を備えることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか一つに記載の基板周縁部のクリーニング装置。 The upper and lower surfaces of the rotating substrate are provided with a purge gas discharge port for discharging purge gas for removing shavings and an exhaust port for exhausting from the outside of the substrate, and are provided independently of the polishing head. The cleaning device for a peripheral edge of a substrate according to any one of claims 1 to 10, further comprising an exhaust mechanism. 基板保持部により基板を保持する工程と、
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる工程と、
研磨ヘッドを各々構成する第1のテープ保持部、第2のテープ保持部により、研磨テープを前記基板の側方、前記基板下方にて各々保持する工程と、
回転する前記基板の側面が前記第1のテープ保持部に保持される研磨テープに摺動してクリーニングされるように、前記研磨ヘッドに対して前記基板保持部を相対的に前進させる工程と、
回転する前記基板の周縁部の下面が前記第2のテープ保持部に保持される研磨テープに摺動してクリーニングされるように、前記研磨ヘッドを前記基板に対して相対的に上昇させる工程と、
を含むことを特徴とする基板周縁部のクリーニング方法。
The process of holding the board by the board holding part and
The step of rotating the substrate held by the substrate holding portion and
A step of holding the polishing tape on the side of the substrate and below the substrate by the first tape holding portion and the second tape holding portion constituting the polishing head, respectively.
A step of advancing the substrate holding portion relative to the polishing head so that the side surface of the rotating substrate slides on the polishing tape held by the first tape holding portion and is cleaned.
A step of raising the polishing head relative to the substrate so that the lower surface of the rotating peripheral edge of the substrate is slid and cleaned by the polishing tape held by the second tape holding portion. ,
A method for cleaning the peripheral edge of a substrate, which comprises.
研磨テープに基板の周縁部を摺動させてクリーニングするクリーニング装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体において、
前記コンピュータプログラムは、請求項12記載の基板周縁部のクリーニング方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
In a storage medium that stores a computer program used in a cleaning device that slides the peripheral edge of a substrate onto a polishing tape for cleaning.
The computer program is a storage medium in which a group of steps is assembled so as to execute the method for cleaning the peripheral edge of the substrate according to claim 12.
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